WO2023105769A1

WO2023105769A1 - エアロゾル生成装置の電源ユニット

Info

Publication number: WO2023105769A1
Application number: PCT/JP2021/045598
Authority: WO
Inventors: 啓司丸橋; 稔北原
Original assignee: 日本たばこ産業株式会社
Priority date: 2021-12-10
Filing date: 2021-12-10
Publication date: 2023-06-15
Also published as: CN118382373A

Abstract

耐久性を向上させたエアロゾル生成装置の電源ユニットを提供する。電源ユニット１００は、電源ｂａと、エアロゾル源と霧化器を含む第１カートリッジ１１０が挿抜可能なカートリッジ保持部５１と、電源ｂａから前記霧化器への放電を制御可能に構成されるＭＣＵ６と、ＭＣＵ６が実装されるメイン基板２０と、カートリッジ保持部５１に挿入された第１カートリッジ１１０の前記霧化器へ、接続可能なポゴピン基板２２と、メイン基板２０とポゴピン基板２２とを接続可能なメインＦＰＣ２３と、を備える。

Description

エアロゾル生成装置の電源ユニット

　本発明は、エアロゾル生成装置の電源ユニットに関する。

　特許文献１には、ヒータと、前記ヒータが加熱されるように電力を供給するバッテリと、制御部と、硬性素材で構成されたメインＰＣＢ及びサブＰＣＢと、を含み、前記メインＰＣＢは、エアロゾル生成装置の長手方向に対して平行に配置され、前記サブＰＣＢは、前記エアロゾル生成装置の長手方向に対して垂直に配置され、前記メインＰＣＢ及び前記サブＰＣＢは、軟性素材で構成された連結ＰＣＢによって電気的に連結されるエアロゾル生成装置が記載されている。

日本国特表２０２０－５３１０１５号公報

　エアロゾル生成装置として、エアロゾル源とこれを霧化する霧化器とを含むカートリッジを交換可能に構成したものが知られている。エアロゾル生成装置では、このカートリッジの交換が繰り返されるため、カートリッジと電源ユニットとの電気的な接続が破損なく確立されるようにする必要がある。

　本発明の目的は、耐久性を向上させたエアロゾル生成装置の電源ユニットを提供することにある。

　本発明の一態様のエアロゾル生成装置の電源ユニットは、電源と、エアロゾル源と霧化器を含む第１カートリッジが挿抜可能な第１カートリッジ保持部と、前記電源から前記霧化器への放電を制御可能に構成されるコントローラと、前記コントローラが実装される第１リジッド回路基板と、前記第１カートリッジ保持部に挿入された前記第１カートリッジの前記霧化器へ、接続可能な第２リジッド回路基板と、前記第１リジッド回路基板と前記第２リジッド回路基板とを接続可能なフレキシブル回路基板と、を備える、ものである。

　本発明によれば、耐久性を向上させることができる。

エアロゾル生成装置２００の斜視図である。エアロゾル生成装置２００の他の斜視図である。エアロゾル生成装置２００の分解斜視図である。内部ユニット２Ａの左側面図である。内部ユニット２Ａの右側面図である。内部ユニット２Ａの加熱部６０及び回路部７０の構成を示す斜視図である。メイン基板２０の表面２０１を示す図である。メイン基板２０の裏面２０２を示す図である。メイン基板２０に設けられた回路の概略構成を示す図である。加熱モードの動作にかかわる電子部品を図９に示す回路から抽出して示した回路図である。シートヒータＨＴＲ及びリキッドヒータの加熱制御と、振動モータ１３の駆動制御と、ＬＥＤ２１Ｄの駆動制御とに関わる電子部品を図９に示す回路から抽出して示した回路図である。ＭＣＵ６の再起動にかかわる電子部品を図９に示す回路から抽出して示した回路図である。メインＦＰＣ２３を厚み方向が左右方向と一致するように展開して左側から見た正面図である。メインＦＰＣ２３を厚み方向が左右方向と一致するように展開して右側から見た正面図である。図１４に示す範囲ＡＲの拡大図である。

　以下、本発明の一実施形態であるエアロゾル生成装置の電源ユニットについて説明する。先ず、本実施形態の電源ユニットを備えるエアロゾル生成装置について、図１～図８を参照しながら説明する。

（エアロゾル生成装置）
　エアロゾル生成装置２００は、燃焼を伴わずに香味が付加されたエアロゾルを生成し、生成したエアロゾルを吸引するための器具である。エアロゾル生成装置２００は、手中におさまるサイズであることが好ましく、例えば、図１及び図２に示すように、丸みを帯びた略直方体形状を有する。なお、エアロゾル生成装置２００の形状はこれに限らず、棒形状、卵型形状等であってもよい。以下の説明では、エアロゾル生成装置２００において、直交する３方向のうち、長さの長い順から、上下方向、前後方向、左右方向と称する。また、以下の説明では、便宜上、図１～図８に記載したように、前方、後方、左方、右方、上方、下方を定義し、前方をＦｒ、後方をＲｒ、左側をＬ、右側をＲ、上方をＵ、下方をＤ、として示す。

　図３も参照して、エアロゾル生成装置２００は、電源ユニット１００と、第１カートリッジ１１０と、第２カートリッジ１２０と、を備える。第１カートリッジ１１０及び第２カートリッジ１２０は、電源ユニット１００に対して着脱可能である。言い換えると、第１カートリッジ１１０及び第２カートリッジ１２０は、それぞれ交換可能である。

（電源ユニット）
　電源ユニット１００は、内部ユニット２Ａとケース３ａとを備え、内部ユニット２Ａの少なくとも一部がケース３ａに収容される。

　ケース３ａは、左右方向（厚さ方向）に着脱可能な第１ケース３Ａ及び第２ケース３Ｂから構成され、これら第１ケース３Ａと第２ケース３Ｂとが左右方向（厚さ方向）に組付けられることで、電源ユニット１００の前面、後面、左面、右面が形成される。具体的には、内部ユニット２Ａに含まれる後述のシャーシ５０の左側の面に第１ケース３Ａが支持され、シャーシ５０の右側の面に第２ケース３Ｂが支持されて、内部ユニット２Ａがケース３に収容される。電源ユニット１００の上面には、前方にカプセルホルダ４Ａが設けられる。カプセルホルダ４Ａには、上方に開口する開口部４ａが設けられる。カプセルホルダ４Ａは、開口部４ａから第２カートリッジ１２０が挿入可能に構成される。第２カートリッジ１２０には、マウスピース１３０が着脱可能に設けられる。

　電源ユニット１００の上面は、開口部４ａの後方に配置されたＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ、有機発光ダイオード）カバー５ａにより形成され、電源ユニット１００の下面は、充電端子１が設けられた下カバー８ａ及び回動可能な下リッド７ａにより形成される。

　電源ユニット１００の上面と後面との間には、後方に向かうにしたがって下方に傾斜する傾斜面が設けられる。傾斜面には、ユーザが操作可能な操作部が設けられる。本実施形態の操作部は、ボタン式のスイッチＢＴであるが、タッチパネル等から構成されてもよい。操作部は、ユーザの使用意思を反映して後述のＭＣＵ（Ｍｉｃｒｏ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ　Ｕｎｉｔ）６及び各種センサを起動／遮断／操作する際等に利用される。

　下カバー８ａからアクセス可能な充電端子１は、バッテリパックＢＰに含まれる電源ｂａを充電する電力を電源ユニット１００に供給可能な外部電源（図示省略）と電気的に接続可能に構成される。充電端子１は、例えば、相手側となるプラグを挿入可能なレセプタクルである。充電端子１としては、各種ＵＳＢ端子等を挿入可能なレセプタクルを用いることができる。一例として、本実施形態においては、充電端子１をＵＳＢ　Ｔｙｐｅ－Ｃ形状のレセプタクルとする。

　また、充電端子１は、例えば、受電コイルを備え、外部電源から送電される電力を非接触で受電可能に構成されてもよい。この場合の電力伝送（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ　Ｐｏｗｅｒ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）の方式は、電磁誘導型でもよいし、磁気共鳴型でもよいし、電磁誘導型と磁気共鳴型を組み合わせたものでもよい。別の一例として、充電端子１は、各種ＵＳＢ端子等が接続可能であり、且つ上述した受電コイルを有していてもよい。

　内部ユニット２Ａは、図３～図６に示すように、バッテリパックＢＰと、シャーシ５０と、加熱部６０と、回路部７０と、通知部と、各種センサと、を備える。

　シャーシ５０は、図４及び図５に示すように、前方に位置する円筒状のカートリッジ保持部５１と、後方に位置し左側方が切り欠かれた半円筒状のバッテリ保持部５２と、カートリッジ保持部５１とバッテリ保持部５２とを連結する板状の連結部５３と、連結部５３の下方且つ右方であってカートリッジ保持部５１及びバッテリ保持部５２に跨るように設けられるモータ保持部５４と、カートリッジ保持部５１の左後方に設けられるセンサ保持部５５と、を備える。

　カートリッジ保持部５１には、下リッド７ａを開けた状態で下方から第１カートリッジ１１０が挿入される。また、第１カートリッジ１１０が挿入された状態で下リッド７ａを閉じることでカートリッジ保持部５１には第１カートリッジ１１０が収容される。カートリッジ保持部５１の上部には、カプセルホルダ４Ａが取り付けられる。カートリッジ保持部５１には、前方に縦長の貫通孔が設けられ、第１ケース３Ａと第２ケース３Ｂとの合わせ部に設けられた残量確認窓３ｗからは、第１カートリッジ１１０のエアロゾル源の残量及び後述するＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）２１Ｄの光が目視可能である。第１カートリッジ１１０については後述する。

　バッテリ保持部５２にはバッテリパックＢＰが配置される。バッテリパックＢＰは、電源ｂａと、電源ｂａの温度を検出するための電源サーミスタと、を含む。電源ｂａは、充電可能な二次電池、電気二重層キャパシタ等であり、好ましくは、リチウムイオン二次電池である。電源ｂａの電解質は、ゲル状の電解質、電解液、固体電解質、イオン液体の１つ又はこれらの組合せで構成されていてもよい。

　モータ保持部５４には、振動モータ１３が配置される。センサ保持部５５には、ユーザの吸引動作（パフ動作）に応じた出力を行う後述する吸引センサ１５が配置される。

　加熱部６０は、図６に示すように、筒状の伝熱チューブ６１と、伝熱チューブ６１の外周に巻回されたシートヒータＨＴＲと、を備える。シートヒータＨＴＲの周囲には前述のカプセルホルダ４Ａが離間して設けられる。カプセルホルダ４ＡとシートヒータＨＴＲとの間の空気層が断熱材として機能する。伝熱チューブ６１には、カプセルホルダ４Ａの開口部４ａから挿入される第２カートリッジ１２０の下部が収容され、第２カートリッジ１２０の下部がシートヒータＨＴＲによって加熱される。これにより、加熱部６０がない場合に比べて、第２カートリッジ１２０に貯留する香味源が香味を放出しやすくなるため、エアロゾルに香味が付加されやすくなる。

　なお、加熱部６０は、第２カートリッジ１２０を加熱可能な素子であればよい。素子としては、抵抗発熱体、セラミックヒータ、及び誘導加熱式のヒータ等が挙げられる。抵抗発熱体としては、例えば、温度の増加に伴って抵抗値も増加するＰＴＣ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）特性を有するものが好ましく用いられる。これに代えて、温度の増加に伴って抵抗値が低下するＮＴＣ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）特性を有するものを用いてもよい。加熱部６０は、第２カートリッジ１２０へ供給する空気の流路を画定する機能、及び第２カートリッジ１２０を加熱する機能を有する。

　通知部は、電源ｂａの充電状態、第１カートリッジ１１０の残量、第２カートリッジ１３０の残量等の各種情報を通知する。本実施形態の通知部は、ＬＥＤ２１Ｄと、振動モータ１３と、を含む。通知部は、ＬＥＤ２１Ｄのような発光素子によって構成されていてもよく、振動モータ１３のような振動素子によって構成されていてもよく、音出力素子によって構成されていてもよい。通知部は、発光素子、振動素子、及び音出力素子のうち、２以上の素子の組合せであってもよい。

　各種センサは、ユーザのパフ動作（吸引動作）を検出する吸引センサ１５、シートヒータＨＴＲの温度を検出するヒータ温度センサ等を含む。

　吸引センサ１５は、例えば、コンデンサマイクロフォンや圧力センサや流量センサ等から構成される。複数の吸引センサ１５を離間して配置し、これらの出力値の差などからパフ動作を検出してもよい。ヒータ温度センサは、第１サーミスタｔｈ１と第２サーミスタｔｈ２とを含む。第１サーミスタｔｈ１及び第２サーミスタｔｈ２は、シートヒータＨＴＲと接する又は近接することが好ましい。シートヒータＨＴＲがＰＴＣ特性やＮＴＣ特性を有する場合、シートヒータＨＴＲそのものをヒータ温度センサに用いてもよい。ヒータ温度センサは、２つのサーミスタにより構成されるものとしているが、１つのサーミスタで構成されていてもよい。

　回路部７０は、４つの回路基板と、３つのＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔｓ、フレキシブルプリント回路基板）と、複数のＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）と、複数の素子と、を備える。４つの回路基板は、メイン基板２０、パフセンサ基板２１、ポゴピン基板２２、ＯＬＥＤ基板２６から構成される。３つのＦＰＣは、メインＦＰＣ２３、ヒータＦＰＣ２４、ＯＬＥＤ　ＦＰＣ２５から構成される。この４つの回路基板は、リジッドなものであり、３つのＦＰＣよりも十分に剛性が高くなっている。

　メイン基板２０は、素子搭載面が前後方向を向くように、バッテリパックＢＰとケース３ａの後面（電源ユニット１００の後面）との間に配置される。メイン基板２０は、複数層（本実施形態では６層）の基板が積層されて構成され、ＭＣＵ６、充電ＩＣ３等の電子部品（素子）が搭載される。

　詳細は図１２等を用いて後述するが、ＭＣＵ６は、吸引センサ１５等の各種センサ装置、操作部、通知部、及び、パフ動作の回数又は負荷及びシートヒータＨＴＲへの通電時間等を記憶するメモリ等に接続され、エアロゾル生成装置２００の各種の制御を行う制御装置である。具体的には、ＭＣＵ６は、プロセッサを主体に構成されており、プロセッサの動作に必要なＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）と各種情報を記憶するＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）等の記憶媒体をさらに含む。本明細書におけるプロセッサとは、例えば、半導体素子等の回路素子を組み合わせた電気回路である。なお、ＭＣＵ６に接続される要素の一部（例えば、吸引センサ１５やメモリ）は、ＭＣＵ６内部にＭＣＵ６自身の機能として設けられてもよい。

　充電ＩＣ３は、充電端子１から入力される電力による電源ｂａの充電制御を行ったり、電源ｂａの電力をメイン基板２０の電子部品等に対して供給したりするＩＣである。

　メイン基板２０について図７及び図８を参照しながらより具体的に説明する。以下では、メイン基板２０の後方を向く面を便宜上、表面２０１と称し、メイン基板２０の前方を向く面を便宜上、裏面２０２と称する。図７は、メイン基板２０の表面２０１を示す図であり、図８は、メイン基板２０の裏面２０２を示す図である。メイン基板２０は上下に延びる板状であり、図７及び図８には、メイン基板２０の長手方向へ直交する側面として、上側の側面である上側面２０ＳＵと、下側の側面である下側面２０ＳＤとが示されている。また、メイン基板２０の短手方向へ直交する側面として、左側の側面である左側面２０ＳＬと、右側の側面である右側面２０ＳＲとが示されている。

　図８に示すように、ＭＣＵ６及び充電ＩＣ３は、充電端子１とともにメイン基板２０の裏面２０２に実装される。裏面２０２には、更に、デバッグ用コネクタ２０Ｅが実装される。デバッグ用コネクタ２０Ｅは、ＭＣＵ６のプログラムの書き換え等をパーソナルコンピュータ等の外部機器から行うためのインタフェースであり、例えばＳＷＤ（Ｓｅｒｉａｌ　Ｗｉｒｅ　Ｄｅｂｕｇ）の規格に準拠したものが用いられる。一方、図７に示すように、メイン基板２０の表面２０１には、ＯＬＥＤコネクタ２０Ｃ、ヒータコネクタ２０Ｂ、メインコネクタ２０Ａ、及びバッテリパックＢＰにリード線１６（図６参照）を介して接続されるバッテリコネクタ２０Ｄが実装される。

　パフセンサ基板２１は、図４及び図６に示すように、素子搭載面が右前方及び左後方を向くようにシャーシ５０のセンサ保持部５５に配置される。パフセンサ基板２１には、吸引センサ１５が実装される。

　ＯＬＥＤ基板２６は、図６に示すように、素子搭載面が上下方向を向くようにバッテリパックＢＰとＯＬＥＤカバー５ａとの間に配置される。ＯＬＥＤ基板２６には、ＯＬＥＤパネル１７が実装される。

　ポゴピン基板２２は、図６に示すように、下リッド７ａが閉じた状態で、素子搭載面が上下方向を向くように下リッド７ａに配置される。ポゴピン基板２２には、メイン基板２０からメインＦＰＣ２３を介して電力が供給される入力側接点Ｐ１～Ｐ３と、第１カートリッジ１１０に設けられた負荷に電気的に接続されるコネクタであるポゴピンｐ１～ｐ３と、ポゴピンｐ１～ｐ３と入力側接点Ｐ１～Ｐ３とを接続する配線と、が設けられる。入力側接点Ｐ１～Ｐ３は、下リッド７ａが閉じた状態でのみメインＦＰＣ２３と電気的に接続される。ポゴピンｐ１～ｐ３は、周方向に等間隔に３本設けられ、少なくとも２本のポゴピンがカートリッジ保持部５１に収容される第１カートリッジ１１０の＋端子及び－端子と電気的に接続されるように構成される。

　バッテリ保持部５２に保持されたバッテリパックＢＰは、半円筒状のバッテリ保持部５２により左側がバッテリ保持部５２から露出する。バッテリ保持部５２が切り欠かれることで形成されるバッテリパックＢＰの左方と第１ケース３Ａとの間の空間には、図３、４、及び図６に示すように、メインＦＰＣ２３、ヒータＦＰＣ２４、ＯＬＥＤ　ＦＰＣ２５が重なりあうように配置されている。

　３つのＦＰＣのうち、メインＦＰＣ２３が最もバッテリパックＢＰの近くに配索され、メインＦＰＣ２３に一部が重なるようにＯＬＥＤ　ＦＰＣ２５が配索され、さらにＯＬＥＤ　ＦＰＣ２５に重なるようヒータＦＰＣ２４が配索される。即ち、３つのＦＰＣのうち最も大きな電力が供給されるヒータＦＰＣ２４がバッテリパックＢＰから最も離間して配索されている。メインＦＰＣ２３は、展開した形状が略十字形状となっており、ヒータＦＰＣ２４と重なる箇所において、後方に折り返されている。つまり、メインＦＰＣ２３は、折込まれた折込配線となっている。メインＦＰＣ２３の折り返された部分は、左右方向に浮き上がりやすくなるが、この部分にヒータＦＰＣ２４及びＯＬＥＤ　ＦＰＣ２５が重なることで、このような浮き上がりが阻止されている。スイッチＢＴは、リジッドな基板などを介することなく、メインＦＰＣ２３に直接実装されている。

　ＯＬＥＤ　ＦＰＣ２５は、一端がメイン基板２０のＯＬＥＤコネクタ２０Ｃに接続され、他端がＯＬＥＤ基板２６に接続されている。

　メインＦＰＣ２３は、メイン基板２０のメインコネクタ２０Ａと、操作部のスイッチＢＴと、パフセンサ基板２１のコネクタ２１Ｂと、ポゴピン基板２２の入力側接点Ｐ１～Ｐ３と、を接続する。

　ヒータＦＰＣ２４は、一端がメイン基板２０のヒータコネクタ２０Ｂに接続され、他端にシートヒータＨＴＲが一体形成されている。

（第１カートリッジ）
　第１カートリッジ１１０は、円筒状のカートリッジケース１１１の内部に、エアロゾル源を貯留するリザーバと、エアロゾル源を霧化する電気的な負荷と、リザーバから負荷へエアロゾル源を引き込むウィックと、エアロゾル源が霧化されることで発生したエアロゾルが第２カートリッジ１２０に向かって流れるエアロゾル流路と、を備える。エアロゾル源は、グリセリン、プロピレングリコール、又は水等の液体を含む。

　負荷は、電源ｂａからポゴピン基板２２のポゴピンｐ１～ｐ３を介して供給される電力によって、燃焼を伴わずにエアロゾル源を加熱する発熱素子であり、例えば所定ピッチで巻き回される電熱線（コイル）によって構成される。負荷は、エアロゾル源を加熱することで、エアロゾル源を霧化する。負荷としては、発熱抵抗体、セラミックヒータ、誘導加熱式のヒータ等を用いることができる。以下では、第１カートリッジ１１０に設けられた負荷のことをリキッドヒータとも記載する。

　エアロゾル流路は、シャーシ５０のカートリッジ保持部５１に収容された流路形成体１９（図６参照）を介して第２カートリッジ１２０に接続される。

（第２カートリッジ）
　第２カートリッジ１２０は、香味源を貯留する。シートヒータＨＴＲによって第２カートリッジ１２０が加熱されることで、香味源が加熱される。第２カートリッジ１２０は、リキッドヒータによってエアロゾル源が霧化されることで発生したエアロゾルを香味源に通すことによってエアロゾルに香味を付加する。香味源を構成する原料片としては、刻みたばこ、又は、たばこ原料を粒状に成形した成形体を用いることができる。香味源は、たばこ以外の植物（例えば、ミント、漢方、ハーブ等）によって構成されてもよい。香味源には、メントール等の香料が付与されていてもよい。

　エアロゾル生成装置２００は、エアロゾル源と香味源によって、香味が付加されたエアロゾルを発生させることができる。つまり、エアロゾル源と香味源は、香味が付加されたエアロゾルを発生させるエアロゾル生成源を構成している。

　エアロゾル生成装置２００におけるエアロゾル生成源は、ユーザが交換して使用する部分である。この部分は、例えば、１つの第１カートリッジ１１０と、１つ又は複数（例えば５つ）の第２カートリッジ１２０とが１セットとしてユーザに提供される。また、バッテリパックＢＰは電源ｂａが大幅に劣化しない限り、繰り返し充放電可能である。したがって、エアロゾル生成装置２００においては、電源ユニット１００又はバッテリパックＢＰの交換頻度が最も低く、第１カートリッジ１１０の交換頻度が次に低く、第２カートリッジ１２０の交換頻度が最も高くなっている。なお、第１カートリッジ１１０と第２カートリッジ１２０を一体化して１つのカートリッジとして構成してもよい。香味源の代わりに薬剤等がエアロゾル源に付加された構成等であってもよい。

　このように構成されたエアロゾル生成装置２００では、ケース３ａ又は内部ユニット２Ａに設けられた不図示の空気取込口から流入した空気が、第１カートリッジ１１０の負荷付近を通過する。負荷は、ウィックによってリザーバから引き込まれたエアロゾル源を霧化する。霧化されて発生したエアロゾルは、取込口から流入した空気と共にエアロゾル流路を流れ、流路形成体１９を介して第２カートリッジ１２０に供給される。第２カートリッジ１２０に供給されたエアロゾルは、香味源を通過することで香味が付加され、マウスピース１３０の吸口１３１に供給される。

　次に、下リッド７ａの構成について補足する。
　下リッド７ａは、図４に示す左右方向に延びる回動軸Ａｘの周りに回動可能に構成されている。具体的には、下リッド７ａは、図４に示す閉状態（カートリッジ保持部５１の中空部を覆う状態）から、前端が反時計回りに移動することで、開状態（カートリッジ保持部５１の中空部を露出させる状態）となる。図６に示すように、ポゴピン基板２２は平板状であり、ポゴピン基板２２の上面の後端には、上方向に突出する突起で構成された入力側接点Ｐ１～Ｐ３が設けられている。また、ポゴピン基板２２の上面の前端には、上方向に突出する突起で構成されたポゴピンｐ１～ｐ３が設けられている。このポゴピン基板２２は、下リッド７ａの内面（上面）に固着されている。下リッド７ａが閉状態にあるときには、ポゴピン基板２２の入力側接点Ｐ１～Ｐ３が、後述するメインＦＰＣ２３に設けられた導電パターン８１～８３の端子８１Ｔ～８３Ｔと接触して、メインＦＰＣ２３とポゴピン基板２２との電気的な接続が確立される。一方、下リッド７ａが開状態にあるときには、ポゴピン基板２２の入力側接点Ｐ１～Ｐ３は、導電パターン８１～８３の端子８１Ｔ～８３Ｔから離間し、導電パターン８１～８３とは非接触になる。つまり、メインＦＰＣ２３とポゴピン基板２２との電気的な接続は解除される。メインＦＰＣ２３は、下リッド７ａの開閉動作によって変形することのないように、ケース３内に収納されている。メインＦＰＣ２３が変形しないとは、ケース３内におけるメインＦＰＣ２３の位置が実質的に変化しないことをいう。

　このように、下リッド７ａ及びこれに固着されたポゴピン基板２２は、カートリッジ保持部５１に対する第１カートリッジ１１０の挿抜時に、力が加わる箇所となる。本形態では、ポゴピン基板２２がリジッド回路基板で構成されている。このような箇所に、安価かつ剛性のあるリジッド回路基板が用いられることで、電源ユニット１００の耐久性を向上させることができる。
　また、本形態では、下リッド７ａを閉状態にする時にだけ、ポゴピン基板２２とメインＦＰＣ２３との電気的な接続が確立される。これにより、下リッド７ａの回動にメインＦＰＣ２３が連動する場合と比べて、メインＦＰＣ２３が破損しにくくなる。
　また、本形態では、第１カートリッジ１１０の挿抜時には、メイン基板２０や電源ｂａと第１カートリッジ１１０との間に電気的接点は確立されなくなる。このため、意図しない短絡電流が生じにくくなり、電源ユニット１００の安全性を向上させることができる。
　また、本形態では、メインＦＰＣ２３と接触する入力側接点Ｐ１～Ｐ３は、それぞれ、接触面積の小さくてすむ突起で構成されている。このため、下リッド７ａの開閉時にメインＦＰＣ２３に与えられる外力や、この外力によって生じる応力を低減できる。
　また、本形態では、第２カートリッジ１２０をカプセルホルダ４Ａに挿抜する際に、第１カートリッジ１１０の挿抜は不要となる。つまり、第２カートリッジ１２０よりも交換頻度の低い第１カートリッジ１１０の挿抜のために、下リッド７ａの開閉が必要な構造となっている。これにより、下リッド７ａが頻繁に開閉されるのを防いで、電源ユニット１００の耐久性を向上させることができる。

（回路構成）
　図９は、メイン基板２０に設けられた回路の概略構成を示す図である。図９には、メイン基板２０の回路に加えて、メイン基板２０のメインコネクタ２０Ａに接続されたメインＦＰＣ２３と、メインＦＰＣ２３に接続されたパフセンサ基板２１と、メインＦＰＣ２３に接続されたポゴピン基板２２と、バッテリコネクタ２０Ｄに接続されたバッテリパックＢＰと、が図示されている。

　図９において太い実線で示した配線は、電源ユニット１００の基準となる電位（グランド電位、以下一例として０Ｖとする）と同電位となる配線（電源ユニット１００に設けられたグランドに接続される配線）であり、この配線を以下ではグランドラインと記載する。

　メイン基板２０には、複数の回路素子をチップ化した電子部品である主要なＩＣとして、保護ＩＣ２と、充電ＩＣ３と、ＬＤＯ（Ｌｏｗ　Ｄｒｏｐｏｕｔ）レギュレータ（以下、ＬＤＯと記載）４と、ＤＣ／ＤＣコンバータで構成された昇圧回路５と、ＭＣＵ６と、コンデンサ、抵抗器、及びトランジスタ等を組み合わせて構成されたロードスイッチ（以下、ＬＳＷと記載）７と、マルチプレクサ８と、フリップフロップ（以下、ＦＦと記載）９と、ＡＮＤゲート（図９では単に“ＡＮＤ”と記載）１０と、ＤＣ／ＤＣコンバータで構成された昇圧回路１１と、オペアンプＯＰ１と、オペアンプＯＰ２と、が設けられている。

　メイン基板２０には、更に、ＭＯＳＦＥＴ（ｍｅｔａｌ－ｏｘｉｄｅ－ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）によって構成されたスイッチＱ１～Ｑ９と、固定の電気抵抗値を持つ抵抗器Ｒ１～Ｒ１２、ＲＡ、ＲＢと、コンデンサＣ１と、コンデンサＣ２と、バリスタＶと、バリスタＶ１と、充電ＩＣ３に接続されたリアクトルＬ３と、昇圧回路５に接続されたリアクトルＬ５と、昇圧回路１１に接続されたリアクトルＬ１１と、が設けられている。スイッチＱ３、スイッチＱ４、スイッチＱ７、スイッチＱ８、及びスイッチＱ９は、それぞれ、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴによって構成されている。スイッチＱ１、スイッチＱ２、スイッチＱ５、及びスイッチＱ６は、それぞれ、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴによって構成されている。スイッチＱ１～Ｑ８は、それぞれ、ゲート端子の電位がＭＣＵ６によって制御されることで、オン状態とオフ状態が切り替えられる。

　図９において、オペアンプを除く各ＩＣには、各種端子の符号を記載している。チップに搭載される端子ＶＣＣ及び端子ＶＤＤは、それぞれ、高電位側の電源端子を示す。チップに搭載される端子ＶＳＳ及び端子ＧＮＤは、それぞれ、低電位側（基準電位側）の電源端子を示す。チップ化された電子部品は、高電位側の電源端子の電位と低電位側の電源端子の電位の差分が、電源電圧（動作電圧）となる。チップ化された電子部品は、この電源電圧を用いて、各種機能を実行する。

　図９において、オペアンプを除く各ＩＣの端子ＧＮＤと端子ＶＳＳは、それぞれグランドラインに接続されている。また、充電端子１の端子ＧＮＤとオペアンプＯＰ１の負電源端子とオペアンプＯＰ２の負電源端子は、それぞれ、グランドラインに接続されている。

　メイン基板２０に設けられたバッテリコネクタ２０Ｄ（図９中の左中央付近参照）は、充電ＩＣ３の検出端子ＳＮＳ及び充電ＩＣ３の充電端子ＢＡＴのそれぞれへ接続された端子ＢＡＴと、メイン基板２０のグランドラインへ接続された端子ＧＮＤと、ＭＣＵ６の端子Ｐ２５へ接続された端子ＴＨ３と、を備える。バッテリコネクタ２０Ｄの端子ＢＡＴは、バッテリパックＢＰに含まれる電源ｂａの正極側端子にリード線１６によって接続されている。バッテリコネクタ２０Ｄの端子ＴＨ３は、バッテリパックＢＰに含まれる電源サーミスタｔｈ３の正極側端子にリード線１６によって接続されている。バッテリコネクタ２０Ｄの端子ＧＮＤは、電源ｂａの負極側端子と電源サーミスタｔｈ３の負極側端子のそれぞれにリード線１６によって接続されている。

　メイン基板２０に設けられたＯＬＥＤコネクタ２０Ｃ（図９中の左下付近参照）は、昇圧回路５の出力端子ＶＯＵＴへ接続された端子ＶＣＣ＿Ｒと、ＬＤＯ４の出力端子ＯＵＴへ接続された端子ＶＤＤと、ＭＣＵ６の端子Ｐ２４へ接続された端子ＲＳＴＢと、ＭＣＵ６の通信用端子Ｐ２８へ信号線ＳＬによって接続された通信用端子Ｔ３と、メイン基板２０のグランドラインに接続された端子ＶＳＳと、を備える。

　ＯＬＥＤコネクタ２０Ｃの端子ＶＣＣ＿Ｒは、ＯＬＥＤパネル１７の駆動電圧供給端子へＯＬＥＤ　ＦＰＣ２５によって接続されている。ＯＬＥＤコネクタ２０Ｃの端子ＶＤＤは、ＯＬＥＤパネル１７を制御する制御ＩＣの電源端子へＯＬＥＤ　ＦＰＣ２５によって接続されている。ＯＬＥＤパネル１７の駆動電圧供給端子に供給すべき電圧は、例えば１５Ｖ程度であり、ＯＬＥＤパネル１７の制御ＩＣの電源端子へ供給すべき電圧よりも大きい。ＯＬＥＤコネクタ２０Ｃの端子ＶＳＳは、ＯＬＥＤパネル１７とＯＬＥＤパネル１７の制御ＩＣのそれぞれのグランド端子へＯＬＥＤ　ＦＰＣ２５によって接続されている。ＯＬＥＤコネクタ２０Ｃの端子ＲＳＴＢは、ＯＬＥＤパネル１７の制御ＩＣにおける再起動を行うための端子へＯＬＥＤ　ＦＰＣ２５によって接続されている。

　ＯＬＥＤコネクタ２０Ｃの通信用端子Ｔ３に接続された信号線ＳＬは、充電ＩＣ３の通信用端子Ｔ３にも接続されている。この信号線ＳＬにより、ＭＣＵ６は、充電ＩＣ３との間の通信と、ＯＬＥＤパネル１７の制御ＩＣとの間の通信とが可能になっている。この信号線ＳＬは、シリアル通信を行うためのものであり、実際には、データ送信用のデータラインと同期用のクロックラインなどの複数の信号線が必要になる。図９では、簡略化のため、信号線ＳＬが１本の信号線として図示されている点に留意されたい。なお、ＭＣＵ６と充電ＩＣ３及びＯＬＥＤパネル１７の制御ＩＣとの間の通信は、シリアル通信ではなくパラレル通信で行うようにしてもよい。

　メイン基板２０に設けられたデバッグ用コネクタ２０Ｅ（図９中の左下付近参照）は、ＬＤＯ４の出力端子ＯＵＴへ接続された端子ＶＭＣＵと、ＭＣＵ６の通信用端子Ｐ２３へ接続された端子Ｔ１（図では１つとしているが実際には２つの端子）と、ＭＣＵ６の通信用端子Ｐ２２へ接続された端子Ｔ２（図では１つとしているが実際には２つの端子）と、ＭＣＵ６の端子Ｐ２７へ接続された端子ＮＲＳＴと、メイン基板２０のグランドラインに接続された端子ＧＮＤと、を備える。端子ＮＲＳＴは、ゲート端子がスイッチＱ７のドレイン端子へ接続され且つソース端子がグランドラインに接続されたスイッチＱ９のドレイン端子にも接続されている。デバッグ用コネクタ２０Ｅは、エアロゾル生成装置２００の通常の使用状態において使用されることはなく、ＭＣＵ６に記憶された情報（プログラムを含む）の書き換え等のメンテナンスが必要になったときにのみ、製造者や販売者が用意したコンピュータと接続されて使用される。

　メイン基板２０に設けられたメインコネクタ２０Ａ（図９中の右中央付近参照）は、ＭＣＵ６の端子Ｐ１９へ接続された端子ＰＵＦＦと、ゲート端子がＭＣＵ６の端子Ｐ２０へ接続され且つソース端子がグランドラインへ接続されたスイッチＱ８のドレイン端子へ接続された端子ＬＥＤと、ＬＳＷ７の出力端子ＯＵＴへ接続された端子ＶＩＢと、充電ＩＣ３の昇圧出力端子ＲＮへ接続された端子ＶＯＴＧと、抵抗器Ｒ５を介してＬＤＯ４の出力端子ＯＵＴへ接続された端子ＶＭＣＵと、グランドラインへ接続された端子ＧＮＤと、抵抗器Ｒ４とこれに直列接続された抵抗器Ｒ３からなる分圧回路を介してＬＤＯ４の出力端子ＯＵＴへ接続された端子ＫＥＹと、ゲート端子がＭＣＵ６の端子Ｐ１２へ接続され且つソース端子が昇圧回路１１の出力端子ＶＯＵＴへ接続されたスイッチＱ１のドレイン端子に接続された端子ＨＴ１（Ｐ１）と、ゲート端子がＭＣＵ６の端子Ｐ１３へ接続され且つソース端子が昇圧回路１１の出力端子ＶＯＵＴへ接続されたスイッチＱ２のドレイン端子、及び、ゲート端子がＭＣＵ６の端子Ｐ１７へ接続され且つソース端子がグランドラインへ接続されたスイッチＱ４のドレイン端子に接続された端子ＨＴ１（Ｐ２）と、ゲート端子がＭＣＵ６の端子Ｐ１８へ接続され且つソース端子がグランドラインへ接続されたスイッチＱ３のドレイン端子に接続された端子ＨＴ１（Ｐ３）と、が設けられている。

　メインコネクタ２０Ａの端子ＨＴ１（Ｐ１）は、ポゴピンｐ１に接続された入力側接点Ｐ１へメインＦＰＣ２３によって接続されている。メインコネクタ２０Ａの端子ＨＴ１（Ｐ２）は、ポゴピンｐ２に接続された入力側接点Ｐ２へメインＦＰＣ２３によって接続されている。メインコネクタ２０Ａの端子ＨＴ１（Ｐ３）は、ポゴピンｐ３に接続された入力側接点Ｐ３へメインＦＰＣ２３によって接続されている。メインコネクタ２０Ａの端子ＫＥＹは、メインＦＰＣ２３に実装されたスイッチＢＴの一端に、メインＦＰＣ２３の配線によって接続されている。このスイッチＢＴの他端はメインＦＰＣ２３のグランドラインに接続されている。

　メイン基板２０に設けられたヒータコネクタ２０Ｂ（図９中の右上付近参照）は、ヒータＦＰＣ２４に実装された第１サーミスタｔｈ１のプラス側端子へヒータＦＰＣ２４の配線を介して接続された第１サーミスタ端子ＴＨ１と、ヒータＦＰＣ２４に実装された第２サーミスタｔｈ２のプラス側端子へヒータＦＰＣ２４の配線を介して接続された第２サーミスタ端子ＴＨ２と、ヒータＦＰＣ２４の導電パターンによって形成されたシートヒータＨＴＲのプラス側端子へヒータＦＰＣ２４の配線を介して接続されたシートヒータ端子ＨＴ２と、メイン基板２０のグランドラインに接続された端子ＧＮＤと、を備える。ヒータＦＰＣ２４には、第１サーミスタｔｈ１のマイナス側端子、第２サーミスタｔｈ２のマイナス側端子、及びシートヒータＨＴＲのマイナス側端子へ接続される配線が形成されており、この配線がヒータコネクタ２０Ｂの端子ＧＮＤへ接続されている。シートヒータ端子ＨＴ２は、ゲート端子がＭＣＵ６の端子Ｐ１１へ接続され且つソース端子が昇圧回路１１の出力端子ＶＯＵＴへ接続されたスイッチＱ５のドレイン端子へ接続されている。

　パフセンサ基板２１（図９中の下中央付近参照）には、吸引センサ１５の端子群１５Ａに接続されたパフセンサ用コネクタ２１Ａと、メインＦＰＣ２３に接続されたコネクタ２１Ｂと、振動モータ１３に接続された振動モータ用コネクタ２１Ｃと、ＬＥＤ２１Ｄと、バリスタＶと、コンデンサＣ２と、が実装されている。

　パフセンサ基板２１のコネクタ２１Ｂは、メインコネクタ２０Ａの端子ＰＵＦＦ、端子ＬＥＤ、端子ＶＩＢ、端子ＶＯＴＧ、端子ＶＭＣＵ、及び端子ＧＮＤのそれぞれと、メインＦＰＣ２３に形成された配線によって接続される端子（端子ＰＵＦＦ、端子ＬＥＤ、端子ＶＩＢ、端子ＶＯＴＧ、端子ＶＭＣＵ、及び端子ＧＮＤ）を備える。前述のように、メインＦＰＣ２３には、メインコネクタ２０Ａの端子ＫＥＹとグランドラインとの間に接続されるスイッチＢＴが設けられている。スイッチＢＴが押下されると、端子ＫＥＹとメインＦＰＣ２３のグランドラインとが接続されて、端子ＫＥＹの電位がグランド電位となる。一方、スイッチＢＴが押下されていない状態では、端子ＫＥＹとメインＦＰＣ２３のグランドラインとは非接続となり、端子ＫＥＹの電位は不定となる。

　パフセンサ基板２１のパフセンサ用コネクタ２１Ａは、吸引センサ１５の出力端子へ接続された端子ＧＡＴＥと、吸引センサ１５のグランド端子へ接続された端子ＧＮＤと、吸引センサ１５の電源端子へ接続された端子ＶＤＤと、を備える。パフセンサ用コネクタ２１Ａの端子ＧＡＴＥは、コネクタ２１Ｂの端子ＰＵＦＦに接続されている。パフセンサ用コネクタ２１Ａの端子ＶＤＤは、コネクタ２１Ｂの端子ＶＭＣＵに接続されている。パフセンサ用コネクタ２１Ａの端子ＧＮＤは、コネクタ２１Ｂの端子ＧＮＤに接続されている。パフセンサ用コネクタ２１Ａの端子ＧＡＴＥとコネクタ２１Ｂの端子ＰＵＦＦとの接続ラインにはバリスタＶの一端が接続され、バリスタＶの他端はグランドラインに接続されている。バリスタＶにより、端子ＧＡＴＥに吸引センサ１５側から大きな電圧が入力された場合でも、パフセンサ基板２１の他の部品やＭＣＵ６にその電圧が入力されるのを防ぐことができる。パフセンサ用コネクタ２１Ａの端子ＶＤＤとコネクタ２１Ｂの端子ＶＭＣＵとの接続ラインには、コンデンサＣ２の一端が接続され、コンデンサＣ２の他端はグランドラインに接続されている。コンデンサＣ２により、メイン基板２０側からパフセンサ用コネクタ２１Ａの端子ＶＤＤに不安定な電圧が入力された場合でも、吸引センサ１５にコンデンサＣ２によって平滑化された電圧を入力することができる。

　パフセンサ基板２１の振動モータ用コネクタ２１Ｃは、コネクタ２１Ｂの端子ＶＩＢへ接続されたプラス側端子と、グランドラインへ接続されたマイナス側端子と、を備える。このプラス側端子とマイナス側端子に、振動モータ１３が接続される。

　パフセンサ基板２１のＬＥＤ２１Ｄは、アノードがコネクタ２１Ｂの端子ＶＯＴＧへ接続され、カソードがコネクタ２１Ｂの端子ＬＥＤへ接続されている。

　図９中左上の充電端子１は、４つの端子ＧＮＤと、４つの電源入力端子ＢＵＳと、を備える。充電端子１の各電源入力端子ＢＵＳは、保護ＩＣ２の入力端子ＶＩＮに並列接続されている。充電端子１にＵＳＢプラグが接続され、このＵＳＢプラグを含むＵＳＢケーブルが外部電源に接続された状態、すなわちＵＳＢ接続がなされた状態では、充電端子１の電源入力端子ＢＵＳを介して、保護ＩＣ２の入力端子ＶＩＮにＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢが入力される。

　保護ＩＣ２は、入力端子ＶＩＮに入力されたＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢを調整し、既定値（以下では一例として５．０Ｖとする）のバス電圧Ｖ_ＢＵＳを出力端子ＯＵＴから出力する。保護ＩＣ２の出力端子ＯＵＴには、充電ＩＣ３と、抵抗器Ｒ１及び抵抗器Ｒ２の直列回路からなる分圧回路と、スイッチＱ７と、が並列接続されている。具体的には、保護ＩＣ２の出力端子ＯＵＴは、分圧回路を構成する抵抗器Ｒ２の一端と、充電ＩＣ３の入力端子ＶＢＵＳと、ゲート端子がＭＣＵ６の端子Ｐ２１へ接続され且つソース端子がグランドラインへ接続されたスイッチＱ７のドレイン端子と、に接続されている。抵抗器Ｒ２の他端には抵抗器Ｒ１の一端が接続され、抵抗器Ｒ１の他端はグランドラインに接続されている。抵抗器Ｒ１と抵抗器Ｒ２を接続するノードはＭＣＵ６の端子Ｐ２へ接続されている。保護ＩＣ２は、負論理のイネーブル端子ＣＥ（￣）にＭＣＵ６からローレベルの信号が入力されている状態では、出力端子ＯＵＴからのバス電圧Ｖ_ＢＵＳの出力を行い、イネーブル端子ＣＥ（￣）にＭＣＵ６からハイレベルの信号が入力されている状態では、出力端子ＯＵＴからのバス電圧Ｖ_ＢＵＳの出力を停止する。

　充電ＩＣ３は、入力端子ＶＢＵＳに入力されるバス電圧Ｖ_ＢＵＳに基づいて電源ｂａを充電する充電機能を備える。充電ＩＣ３は、検出端子ＳＮＳによって電源ｂａの充電電流や充電電圧を取得し、これらに基づいて、電源ｂａの充電制御（充電端子ＢＡＴから電源ｂａへの電力供給制御）を行う。また、充電ＩＣ３は、ＭＣＵ６が端子Ｐ２５を介して電源サーミスタｔｈ３から取得した電源ｂａの温度情報を、信号線ＳＬを利用したシリアル通信によってＭＣＵ６から取得し、充電制御に利用する。

　充電ＩＣ３は、充電端子ＢＡＴに入力される電源ｂａの電圧（以下、電源電圧Ｖ_ＢＡＴと記載）からシステム電源電圧Ｖ_ＳＹＳを生成して出力端子ＳＹＳから出力する第１機能と、入力端子ＶＢＵＳに入力されるバス電圧Ｖ_ＢＵＳからシステム電源電圧Ｖ_ＳＹＳを生成して出力端子ＳＹＳから出力する第２機能と、充電端子ＢＡＴに入力される電源電圧Ｖ_ＢＡＴを昇圧して得られるＯＴＧ電圧Ｖ_ＯＴＧ（一例として５Ｖの電圧）を昇圧出力端子ＲＮから出力する第３機能と、を有する。第２機能については、ＵＳＢ接続がなされている状態においてのみ有効化される。このように、システム電源電圧Ｖ_ＳＹＳとＯＴＧ電圧Ｖ_ＯＴＧは、電源ｂａが充電ＩＣ３への電力供給を可能な正常の状態であり、充電ＩＣ３が正常に作動していれば、常時、充電ＩＣ３から出力可能となっている。

　充電ＩＣ３のスイッチング端子ＳＷにはリアクトルＬ３の一端が接続されている。リアクトルＬ３の他端は、充電ＩＣ３の出力端子ＳＹＳに接続されている。充電ＩＣ３は、負論理のイネーブル端子ＣＥ（￣）を有し、このイネーブル端子ＣＥ（￣）はＭＣＵ６の端子Ｐ１へ接続されている。ＭＣＵ６は、ＵＳＢ接続がなされることで端子Ｐ２にハイレベルの信号が入力されると、端子Ｐ１の電位をローレベルに制御することで、充電ＩＣ３による電源ｂａの充電制御を許可し、更に、第２機能を有効化する。

　充電ＩＣ３は、負論理の端子ＱＯＮ（￣）を更に備える。端子ＱＯＮ（￣）は、抵抗器Ｒ３と抵抗器Ｒ４とを接続するノードＮ２に接続され、このノードＮ２はＭＣＵ６の端子Ｐ２１へ接続されている。充電ＩＣ３は、端子ＱＯＮ（￣）にローレベルの信号が入力されると、出力端子ＳＹＳからの電圧出力を停止する。

　充電ＩＣ３の出力端子ＳＹＳには、ＬＤＯ４と、昇圧回路５と、昇圧回路１１とが並列接続されている。具体的には、充電ＩＣ３の出力端子ＳＹＳは、ＬＤＯ４の制御端子ＣＴＬ及び入力端子ＩＮと、昇圧回路５の入力端子ＶＩＮと、昇圧回路１１の入力端子ＶＩＮと、に接続されている。充電ＩＣ３の昇圧出力端子ＲＮから出力されるＯＴＧ電圧Ｖ_ＯＴＧは、メインコネクタ２０Ａの端子ＶＯＴＧとコネクタ２１Ｂの端子ＶＯＴＧを経由して、ＬＥＤ２１Ｄのアノードに供給される。ＬＥＤ２１Ｄのカソードは、コネクタ２１Ｂの端子ＬＥＤ、メインコネクタ２０Ａの端子ＬＥＤ、及びスイッチＱ８を介してグランドに接続されている。したがって、ＭＣＵ６がスイッチＱ８のオンオフ制御を行うことで、ＯＴＧ電圧Ｖ_ＯＴＧを用いたＬＥＤ２１Ｄの点灯制御が可能となっている。

　昇圧回路５は、スイッチング端子ＳＷと、ＭＣＵ６の端子Ｐ２６へ接続された正論理のイネーブル端子ＥＮと、出力端子ＶＯＵＴと、端子ＧＮＤと、を備える。昇圧回路５のスイッチング端子ＳＷには、リアクトルＬ５の一端が接続されている。このリアクトルＬ５の他端は昇圧回路５の入力端子ＶＩＮに接続されている。昇圧回路５は、スイッチング端子ＳＷに接続された内蔵トランジスタのオンオフ制御を行うことで、リアクトルＬ５を介してスイッチング端子ＳＷに入力された電圧を昇圧して、出力端子ＶＯＵＴから出力する。昇圧回路５の出力端子ＶＯＵＴから出力されるＯＬＥＤ電圧Ｖ_ＯＬＥＤは、ＯＬＥＤパネル１７の駆動に適した十分に大きい電圧であり、一例として１５Ｖの電圧である。昇圧回路５の入力端子ＶＩＮは、昇圧回路５の高電位側の電源端子を構成している。昇圧回路５は、ＭＣＵ６の端子Ｐ２６からイネーブル端子ＥＮに入力される信号がハイレベルとなっている場合に、ＯＬＥＤ電圧Ｖ_ＯＬＥＤの出力を行い、ＭＣＵ６の端子Ｐ２６からイネーブル端子ＥＮに入力される信号がローレベルとなっている場合に、ＯＬＥＤ電圧Ｖ_ＯＬＥＤの出力を停止する。このようにして、ＯＬＥＤパネル１７は、ＭＣＵ６によって駆動制御される。

　昇圧回路１１は、入力端子ＶＩＮと、スイッチング端子ＳＷと、出力端子ＶＯＵＴと、正論理のイネーブル端子ＥＮと、端子ＧＮＤと、を備える。昇圧回路１１のスイッチング端子ＳＷには、リアクトルＬ１１の一端が接続されている。このリアクトルＬ１１の他端は昇圧回路１１の入力端子ＶＩＮに接続されている。昇圧回路１１は、スイッチング端子ＳＷに接続された内蔵トランジスタのオンオフ制御を行うことで、リアクトルＬ１１を介してスイッチング端子ＳＷに入力された電圧を昇圧して、出力端子ＶＯＵＴから出力する。昇圧回路１１の出力端子ＶＯＵＴから出力される加熱用電圧Ｖ_ＨＥＡＴは、一例として４Ｖの電圧である。昇圧回路１１の入力端子ＶＩＮは、昇圧回路１１の高電位側の電源端子を構成している。昇圧回路１１は、後述のＡＮＤゲート１０の出力端子Ｙからイネーブル端子ＥＮに対して入力される信号がハイレベルとなっている場合に加熱用電圧Ｖ_ＨＥＡＴの出力を行い、このイネーブル端子ＥＮに入力される信号がローレベルとなっている場合に加熱用電圧Ｖ_ＨＥＡＴの出力を停止する。

　昇圧回路１１の出力端子ＶＯＵＴには、コンデンサＣ１と、抵抗器Ｒ７及び抵抗器Ｒ６の直列回路からなる分圧回路と、マルチプレクサ８と、スイッチＱ１と、スイッチＱ２と、スイッチＱ５と、が並列接続されている。具体的には、昇圧回路１１の出力端子ＶＯＵＴは、一端がグランドラインに接続されたコンデンサＣ１の他端と、グランドラインに接続された抵抗器Ｒ６及び抵抗器Ｒ６に直列接続された抵抗器Ｒ７からなる分圧回路の入力端子（抵抗器Ｒ７の抵抗器Ｒ６側と反対側の端子）と、マルチプレクサ８の端子ＶＣＣと、スイッチＱ１のソース端子と、スイッチＱ２のソース端子と、スイッチＱ５のソース端子とに接続されている。

　スイッチＱ１には、電気抵抗値Ｒａを持つ抵抗器ＲＡが並列接続されている。スイッチＱ２には、電気抵抗値Ｒｂを持つ抵抗器ＲＢが並列接続されている。

　マルチプレクサ８は、入力端子Ｂ０と、入力端子Ｂ１と、出力端子Ａと、セレクト端子ＳＥと、を有する。マルチプレクサ８は、ＭＣＵ６の端子Ｐ１５からセレクト端子ＳＥに入力される制御信号によって、入力端子Ｂ０と出力端子Ａを接続する状態と、入力端子Ｂ１と出力端子Ａを接続する状態とを切り替える。

　マルチプレクサ８の入力端子Ｂ０は、スイッチＱ１と端子ＨＴ１（Ｐ１）とを接続するラインに接続されている。マルチプレクサ８の入力端子Ｂ１は、スイッチＱ２と端子ＨＴ１（Ｐ２）とを接続するラインに接続されている。マルチプレクサ８の出力端子Ａは、オペアンプＯＰ１の非反転入力端子に接続されている。オペアンプＯＰ１の反転入力端子は、抵抗器Ｒ７と抵抗器Ｒ６とを接続するノードへ接続されている。オペアンプＯＰ１の出力端子は、ＭＣＵ６の端子Ｐ１４へ接続されている。

　ＬＤＯ４は、制御端子ＣＴＬに入力される信号がハイレベルの状態（換言すると、システム電源電圧Ｖ_ＳＹＳが充電ＩＣ３の出力端子ＳＹＳから出力されている状態）では、入力端子ＶＩＮに入力されている電圧（すなわちシステム電源電圧Ｖ_ＳＹＳ）を変換して得た電圧をシステム電源電圧Ｖ_ＭＣＵとして出力端子ＯＵＴから出力する。システム電源電圧Ｖ_ＳＹＳは、一例として３．５Ｖ～４．２Ｖの範囲の値であり、システム電源電圧Ｖ_ＭＣＵは、一例として３．１Ｖである。

　ＬＤＯ４の出力端子ＯＵＴには、ＯＬＥＤパネル１７の制御ＩＣと、ＭＣＵ６と、ＬＳＷ７と、吸引センサ１５と、抵抗器Ｒ３、抵抗器Ｒ４、及びスイッチＢＴからなる直列回路と、デバッグ用コネクタ２０Ｅと、が並列に接続されている。具体的には、ＬＤＯ４の出力端子ＯＵＴは、ＯＬＥＤコネクタ２０Ｃの端子ＶＤＤと、ＭＣＵ６の端子ＶＤＤと、ＬＳＷ７の入力端子ＶＩＮと、一端がメインコネクタ２０Ａの端子ＶＭＣＵに接続された抵抗器Ｒ５の他端（図中のノードＮ１）と、抵抗器Ｒ４及び抵抗器Ｒ３からなる分圧回路の入力端（図中のノードＮ１）と、デバッグ用コネクタ２０Ｅの端子ＶＭＣＵと、に接続されている。

　また、ＬＤＯ４の出力端子ＯＵＴには、ゲート端子がＭＣＵ６の端子Ｐ４に接続されたスイッチＱ６のソース端子が接続されている。スイッチＱ６のドレイン端子には、ＡＮＤゲート１０の端子ＶＣＣと、ＦＦ９の端子ＶＣＣと、抵抗器Ｒ１１の一端と、抵抗器Ｒ１２の一端と、オペアンプＯＰ２の正電源端子と、抵抗器Ｒ８の一端と、抵抗器Ｒ９の一端と、オペアンプＯＰ１の正電源端子と、が並列に接続されている。

　抵抗器Ｒ１２の他端は第２サーミスタ端子ＴＨ２へ接続されており、抵抗器Ｒ１２と、第２サーミスタ端子ＴＨ２に接続されている第２サーミスタｔｈ２との直列回路が、システム電源電圧Ｖ_ＭＣＵが印加される分圧回路を構成する。この分圧回路の出力は、第２サーミスタｔｈ２の電気抵抗値（換言すると温度）に応じたものとなり、ＭＣＵ６の端子Ｐ８へ入力される。これにより、ＭＣＵ６は、第２サーミスタｔｈ２の温度を取得可能となっている。本形態では、第２サーミスタｔｈ２として、温度の増加に伴って抵抗値が減少するＮＴＣ特性を有するものを用いているが、温度の増加に伴って抵抗値が増加するＰＴＣ特性を有するものを用いてもよい。

　抵抗器Ｒ９の他端には抵抗器Ｒ１０の一端が接続され、抵抗器Ｒ１０の他端はグランドラインに接続されている。抵抗器Ｒ９と抵抗器Ｒ１０との直列回路が、システム電源電圧Ｖ_ＭＣＵが印加される分圧回路を構成する。この分圧回路の出力は、オペアンプＯＰ２の反転入力端子に接続されており、この反転入力端子には固定の電圧値が入力されることになる。オペアンプＯＰ２の非反転入力端子には、抵抗器Ｒ８の他端が接続されている。

　また、抵抗器Ｒ８の他端は、更に、第１サーミスタ端子ＴＨ１と、ＭＣＵ６の端子Ｐ９とに接続されている。抵抗器Ｒ８と、第１サーミスタ端子ＴＨ１に接続されている第１サーミスタｔｈ１との直列回路が、システム電源電圧Ｖ_ＭＣＵが印加される分圧回路を構成する。この分圧回路の出力は、第１サーミスタｔｈ１の電気抵抗値（換言すると温度）に応じたものとなり、ＭＣＵ６の端子Ｐ９へ入力される。これにより、ＭＣＵ６は、第１サーミスタｔｈ１の温度（換言すると、シートヒータＨＴＲの温度）を取得可能となっている。また、この分圧回路の出力は、オペアンプＯＰ２の非反転入力端子にも入力される。本形態では、第１サーミスタｔｈ１として、温度の増加に伴って抵抗値が減少するＮＴＣ特性を有するものを用いている。したがって、オペアンプＯＰ２の出力は、第１サーミスタｔｈ１の温度（シートヒータＨＴＲの温度）が高くなってその温度が閾値ＴＨＤ１以上になると、ローレベルとなる。換言すれば、第１サーミスタｔｈ１の温度（シートヒータＨＴＲの温度）が正常の範囲にある限りは、オペアンプＯＰ２の出力はハイレベルとなる。

　なお、第１サーミスタｔｈ１として、温度の増加に伴って抵抗値が増加するＰＴＣ特性を持つものを用いる場合には、第１サーミスタｔｈ１と抵抗器Ｒ８からなる分圧回路の出力がオペアンプＯＰ２の反転入力端子に接続され、抵抗器Ｒ９と抵抗器Ｒ１０からなる分圧回路の出力がオペアンプＯＰ２の非反転入力端子に接続される構成とすればよい。この場合でも、オペアンプＯＰ２の出力は、第１サーミスタｔｈ１の温度（シートヒータＨＴＲの温度）が高くなってその温度が閾値ＴＨＤ１以上になると、ローレベルになる。

　オペアンプＯＰ２の出力端子は、ＦＦ９の入力端子Ｄへ接続されている。ＦＦ９の入力端子ＤとオペアンプＯＰ２の出力端子とを接続するノードには、抵抗器Ｒ１１の他端と、ＦＦ９に設けられた負論理のクリア端子ＣＬＲ（￣）とが接続されている。つまり、ＦＦ９の入力端子Ｄと、ＦＦ９のクリア端子ＣＬＲ（￣）と、オペアンプＯＰ２の出力端子は、それぞれ、システム電源電圧Ｖ_ＭＣＵの供給ラインに、抵抗器Ｒ１１によってプルアップされている。

　ＦＦ９は、クロック端子ＣＬＫを有し、クロック端子ＣＬＫはＭＣＵ６の端子Ｐ７に接続されている。ＦＦ９は、出力端子Ｑを有し、出力端子ＱはＡＮＤゲート１０の一方の入力端子Ｂに接続されている。ＦＦ９は、ＭＣＵ６からクロック端子ＣＬＫにクロック信号が入力されており、且つ、クリア端子ＣＬＲ（￣）にハイレベルの信号が入力されている状態においては、入力端子Ｄに入力された信号のレベルにしたがったデータ（ハイ又はローのデータ）を保持し、保持したデータを出力端子Ｑから出力する。ＦＦ９は、ＭＣＵ６からクロック端子ＣＬＫにクロック信号が入力されており、且つ、クリア端子ＣＬＲ（￣）にローレベルの信号が入力されている状態においては、保持しているデータに関らず、出力端子Ｑからローレベルの信号を出力するリセット処理を行う。このリセット処理は、クリア端子ＣＬＲ（￣）にハイレベルの信号が入力された状態で、クロック端子ＣＬＫへのクロック信号の入力し直しが行われることで解除される。すなわち、クリア端子ＣＬＲ（￣）にハイレベルの信号が入力された状態で、クロック端子ＣＬＫへのクロック信号の供給が停止され、その後、クロック信号の供給が再開されることで、解除される。

　ＡＮＤゲート１０の他方の入力端子Ａは、ＭＣＵ６の端子Ｐ６に接続されている。ＡＮＤゲート１０の出力端子Ｙは、昇圧回路１１の正論理のイネーブル端子ＥＮに接続されている。ＡＮＤゲート１０は、入力端子Ａに入力される信号と入力端子Ｂに入力される信号が共にハイレベルの状態においてのみ、出力端子Ｙからハイレベルの信号を出力する。

　ＬＳＷ７は、ＭＣＵ６の端子Ｐ１０から制御端子ＣＴＬに制御信号が入力されている場合に、入力端子ＶＩＮに入力されているシステム電源電圧Ｖ_ＭＣＵを出力端子ＯＵＴから出力する。ＬＳＷ７の出力端子ＯＵＴは、メイン基板２０の端子ＶＩＢ及びパフセンサ基板２１の端子ＶＩＢを経由して、振動モータ１３へ接続されている。したがって、ＭＣＵ６がＬＳＷ７に制御信号を入力することで、システム電源電圧Ｖ_ＭＣＵを用いて、振動モータ１３を作動させることができる。

（スタンバイモードから加熱モードへの遷移）
　電源ユニット１００は、動作モードとして、省電力化を図るスリープモードと、スリープモードから遷移可能なスタンバイモードと、スタンバイモードから遷移可能な加熱モード（リキッドヒータやシートヒータＨＴＲの加熱を行ってエアロゾル生成を行うモード）と、を備える。ＭＣＵ６は、スリープモードにおいて、スイッチＢＴに対する特定の操作（例えば長押し操作）を検出すると、動作モードをスタンバイモードに切り替える。ＭＣＵ６は、スタンバイモードにおいて、スイッチＢＴに対する特定の操作（例えば短押し操作）を検出すると、動作モードを加熱モードに切り替える。

（加熱モードの動作）
　図１０は、加熱モードの動作にかかわる電子部品を図９に示す回路から抽出して示した回路図である。図１０には、図９には示していなかったコンデンサＣ３が追加で示されている。図１１は、シートヒータＨＴＲ及びリキッドヒータの加熱制御と、振動モータ１３の駆動制御と、ＬＥＤ２１Ｄの駆動制御とに関わる電子部品を図９に示す回路から抽出して示した回路図である。以下、図１０と図１１を参照して加熱モードの動作を説明する。

　ＭＣＵ６は、加熱モードに遷移すると、図１０に示されたスイッチＱ６をオン状態に制御する。これにより、ＡＮＤゲート１０、ＦＦ９、抵抗器Ｒ１１、オペアンプＯＰ２、抵抗器Ｒ１１、抵抗器Ｒ９及び抵抗器Ｒ１０からなる分圧回路、抵抗器Ｒ８及び第１サーミスタｔｈ１からなる分圧回路、抵抗器Ｒ１２及び第２サーミスタｔｈ２からなる分圧回路、及びオペアンプＯＰ１のそれぞれに、システム電源電圧Ｖ_ＭＣＵが供給されることになる。更に、ＭＣＵ６は、加熱モードに遷移すると、端子Ｐ６からＡＮＤゲート１０の入力端子Ａに入力する信号をハイレベルに制御する。また、ＭＣＵ６は、ＦＦ９のクロック端子ＣＬＫにクロック信号の入力を開始する。この状態では、第１サーミスタｔｈ１の温度（シートヒータＨＴＲの温度）が正常の範囲（閾値ＴＨＤ１未満）であれば、オペアンプＯＰ２の出力はハイレベルとなり、その結果、ＦＦ９の出力はハイレベルとなり、その結果、ＡＮＤゲート１０の出力はハイレベルとなる。このため、昇圧回路１１から加熱用電圧Ｖ_ＨＥＡＴの出力が開始されて、シートヒータＨＴＲとリキッドヒータを加熱可能な状態となる。

（リキッドヒータの接続先の判定）
　昇圧回路１１から加熱用電圧Ｖ_ＨＥＡＴの出力が開始されると、図１１に示すように、シートヒータ端子ＨＴ２に接続されたシートヒータＨＴＲと、端子ＨＴ１（Ｐ１）～端子ＨＴ１（Ｐ３）のいずれか２つに接続されたリキッドヒータ（図１１では、端子ＨＴ１（Ｐ１）と端子ＨＴ１（Ｐ２）に接続されたリキッドヒータｈｔｒを記載）とに、電力の供給が可能な状態となる。この状態において、まず、ＭＣＵ６は、ポゴピンｐ１、ポゴピンｐ２、及びポゴピンｐ３のうち、どのペアにリキッドヒータが接続されているのかを、図９に示したオペアンプＯＰ１の出力によって判定する。この判定工程は、次の第一工程、第二工程、及び第三工程を含む。

　（第一工程）
　ＭＣＵ６は、スイッチＱ１－Ｑ４のうちスイッチＱ４のみをオンに制御した状態で、マルチプレクサ８の入力端子Ｂ０と出力端子Ａを接続する制御を行う。この状態では、端子ＨＴ１（Ｐ１）と端子ＨＴ１（Ｐ２）間の電気抵抗値をＲｘとすると、分圧値＝Ｖ_ＨＥＡＴ＊｛Ｒｘ／（Ｒａ＋Ｒｘ）｝がオペアンプＯＰ１の非反転入力端子に入力される。オペアンプＯＰ１では、非反転入力端子に入力される電圧と、端子ＨＴ１（Ｐ１）と端子ＨＴ１（Ｐ２）間にリキッドヒータが接続されていた場合の上記分圧値の値とが比較され、その差が小さい場合には、オペアンプＯＰ１の出力がローレベルとなる。したがって、オペアンプＯＰ１の出力がローレベルとなった場合には、ＭＣＵ６は、端子ＨＴ１（Ｐ１）と端子ＨＴ１（Ｐ２）間にリキッドヒータが接続されていると判定する。

　（第二工程）
　ＭＣＵ６は、第一工程でオペアンプＯＰ１の出力がハイレベルとなった場合には、スイッチＱ１－Ｑ４のうちスイッチＱ３のみをオンに制御した状態で、マルチプレクサ８の入力端子Ｂ０と出力端子Ａを接続する制御を行う。この状態では、端子ＨＴ１（Ｐ１）と端子ＨＴ１（Ｐ３）間にリキッドヒータが接続されていた場合には、オペアンプＯＰ１の出力がローレベルとなる。したがって、オペアンプＯＰ１の出力がローレベルとなった場合には、ＭＣＵ６は、端子ＨＴ１（Ｐ１）と端子ＨＴ１（Ｐ３）間にリキッドヒータが接続されていると判定する。

　（第三工程）
　ＭＣＵ６は、第二工程でオペアンプＯＰ１の出力がハイレベルとなった場合には、スイッチＱ１－Ｑ４のうちスイッチＱ３のみをオンに制御した状態で、マルチプレクサ８の入力端子Ｂ１と出力端子Ａを接続する制御を行う。この状態では、端子ＨＴ１（Ｐ２）と端子ＨＴ１（Ｐ３）間にリキッドヒータが接続されていた場合には、オペアンプＯＰ１の出力がローレベルとなる。したがって、オペアンプＯＰ１の出力がローレベルとなった場合には、ＭＣＵ６は、端子ＨＴ１（Ｐ２）と端子ＨＴ１（Ｐ３）間にリキッドヒータが接続されていると判定する。

　ＭＣＵ６は、第一工程から第三工程のいずれでもオペアンプＯＰ１の出力がローレベルとならなかった場合には、エラー通知を行う。

（加熱制御の開始）
　ＭＣＵ６は、上記の判定工程を終えた状態で、吸引センサ１５の出力レベルが、ユーザによる吸引が行われたときに相当する値に変化した場合には、シートヒータＨＴＲとリキッドヒータの加熱制御を開始する。具体的には、ＭＣＵ６は、図１１に示したスイッチＱ５をオンオフ制御（例えばＰＷＭ制御やＰＦＭ制御）することで、シートヒータＨＴＲの加熱制御を行う。また、このとき、ＭＣＵ６は、端子Ｐ８に入力される信号から取得した第２サーミスタｔｈ２の温度（換言すると、シートヒータＨＴＲの温度）に基づいて、シートヒータＨＴＲの温度が目標温度に収束するように、シートヒータＨＴＲの加熱制御を行う。この加熱制御には、例えばＰＩＤ（Proportional-Integral-Differential）制御が用いられる。

　また、ＭＣＵ６は、端子ＨＴ１（Ｐ１）と端子ＨＴ１（Ｐ２）間にリキッドヒータが接続されている場合には、図１１に示したスイッチＱ１～Ｑ４のうち、スイッチＱ４をオン状態に制御し、スイッチＱ２とスイッチＱ３をオフ状態に制御し、スイッチＱ１をオンオフ制御（例えばＰＷＭ制御やＰＦＭ制御）することで、リキッドヒータの加熱制御を行う。ＭＣＵ６は、端子ＨＴ１（Ｐ１）と端子ＨＴ１（Ｐ３）間にリキッドヒータが接続されている場合には、スイッチＱ１～Ｑ４のうち、スイッチＱ３をオン状態に制御し、スイッチＱ２とスイッチＱ４をオフ状態に制御し、スイッチＱ１をオンオフ制御することで、リキッドヒータの加熱制御を行う。ＭＣＵ６は、端子ＨＴ１（Ｐ２）と端子ＨＴ１（Ｐ３）間にリキッドヒータが接続されている場合には、スイッチＱ１～Ｑ４のうち、スイッチＱ３をオン状態に制御し、スイッチＱ１とスイッチＱ４をオフ状態に制御し、スイッチＱ２をオンオフ制御することで、リキッドヒータの加熱制御を行う。

（ヒータの過加熱保護）
　電源ユニット１００では、加熱モードにおいて、第１サーミスタｔｈ１の温度が閾値ＴＨＤ１以上になると、オペアンプＯＰ２の出力がローレベルとなるように、抵抗器Ｒ８、抵抗器Ｒ９、及び抵抗器Ｒ１０のそれぞれの電気抵抗値が決められている。第１サーミスタｔｈ１の温度が閾値ＴＨＤ１以上になって、オペアンプＯＰ２の出力がローレベルになると、ＦＦ９のクリア端子ＣＬＲ（￣）にローレベルが入力される。これにより、負論理であるクリア端子ＣＬＲ（￣）がイネーブルされてＦＦ９の出力が強制的にローレベルとなるため、ＡＮＤゲート１０の出力もローレベルとなって、昇圧回路１１は加熱用電圧Ｖ_ＨＥＡＴの出力を停止する。このように、シートヒータＨＴＲへの電力供給を確実に停止できる昇圧回路１１にオペアンプＯＰ２の出力信号が入力されることで、シートヒータＨＴＲが高温となったときの安全性を高めている。

　なお、ＦＦ９の出力をハイレベルに戻すためには、ＭＣＵ６によるＦＦ９のクロック端子ＣＬＫへのクロック信号の入力し直し（換言すると、ＦＦ９の再起動）が必要である。つまり、昇圧回路１１からの出力が停止してから、第１サーミスタｔｈ１の温度が閾値ＴＨＤ１未満に戻ったとしても、ＭＣＵ６がＦＦ９の再起動処理を行わない限り、昇圧回路１１からの出力は再開されない。

　第１サーミスタｔｈ１の温度が閾値ＴＨＤ１以上となった要因が、ＭＣＵ６のフリーズであった場合を想定する。この場合、ＡＮＤゲート１０の入力端子Ａにはハイレベルの信号が入力され続け、また、ＦＦ９へクロック信号が入力され続ける。エアロゾル生成装置２００には、詳細は後述するが、ユーザによるスイッチＢＴの操作によって、ＭＣＵ６の再起動（リセット）が可能な再起動回路ＲＢＴ（図１２参照）が設けられている。保護回路が機能した要因がＭＣＵ６のフリーズであった場合には、ユーザによってＭＣＵ６の再起動がなされる。ＭＣＵ６が再起動することで、ＦＦ９の再起動が行われる。また、ＭＣＵ６が再起動することで、ＡＮＤゲート１０の入力端子Ａに入力される信号はローレベルとなる。また、ＭＣＵ６が再起動したタイミングでは、スイッチＱ６はオフ状態であるため、ＡＮＤゲート１０の入力端子Ｂの信号の電位は不定となる。したがって、ＭＣＵ６が再起動しただけでは、昇圧回路１１からの出力は再開されない。ＭＣＵ６の再起動後、ユーザ操作によって動作モードが加熱モードに移行することで、ＡＮＤゲート１０の入力端子Ａに入力される信号はハイレベルとなる。また、スイッチＱ６がオン状態となることで、ＡＮＤゲート１０の入力端子Ｂに入力される信号はハイレベルとなる。これによって、昇圧回路１１からの出力が再開されることになる。

（再起動回路ＲＢＴの構成及び動作）
　図１２は、ＭＣＵ６の再起動にかかわる電子部品を図９に示す回路から抽出して示した回路図である。図１２には、再起動回路ＲＢＴが示されている。再起動回路ＲＢＴは、抵抗器Ｒ３及び抵抗器Ｒ４からなる分圧回路と、スイッチＢＴと、メインコネクタ２０Ａの端子ＫＥＹ及び端子ＧＮＤと、スイッチＱ７と、スイッチＱ９と、充電ＩＣ３と、ＬＤＯ４と、デバッグ用コネクタ２０Ｅの端子ＮＲＳＴと、備えて構成される。本形態では、この再起動回路ＲＢＴによって、ＭＣＵ６の再起動を、スイッチＢＴの操作（一例として長押し操作）と、デバッグ用コネクタ２０Ｅに接続された外部機器からの指令と、によって行うことが可能になっている。ＭＣＵ６は、端子Ｐ２７に入力される信号がローレベルの状態が所定時間継続した場合に、再起動を行うよう構成されている。また、充電ＩＣ３は、端子ＱＯＮ（￣）に入力される信号がローレベルの状態が所定時間継続した場合に、再起動を行うよう構成されている。

（スイッチＢＴを用いたＭＣＵ６のリセット）
　まず、デバッグ用コネクタ２０Ｅを用いずにＭＣＵ６の再起動を行う際の動作を説明する。
　抵抗器Ｒ３と抵抗器Ｒ４は、スイッチＢＴが押下されていない状態では、抵抗器Ｒ３と抵抗器Ｒ４の分圧回路の出力がハイレベルとなるような抵抗値を有する。このハイレベルの信号は、充電ＩＣ３の端子ＱＯＮ（￣）に入力されるため、この状態では充電ＩＣ３はリセットされず、出力端子ＳＹＳからのシステム電源電圧Ｖ_ＳＹＳの出力を継続する。システム電源電圧Ｖ_ＳＹＳの出力が継続されることで、ＬＤＯ４の出力端子ＯＵＴからのシステム電源電圧Ｖ_ＭＣＵの出力も継続される。このため、ＭＣＵ６は停止することなく継続して作動する。また、このハイレベルの信号は、スイッチＱ７のゲート端子に入力される。このため、ＵＳＢ接続されている場合（バス電圧Ｖ_ＢＵＳが充電ＩＣ３から出力されている場合）には、スイッチＱ７がオン状態となり、その結果、スイッチＱ９のゲート端子の電位がローレベル（グランドレベル）となってスイッチＱ９がオフ状態となる。スイッチＱ９がオフ状態のときは、ＭＣＵ６の端子Ｐ２７の電位は不定となるため、ＭＣＵ６による再起動は行われない。

　抵抗器Ｒ３と抵抗器Ｒ４は、スイッチＢＴが押下された状態では、抵抗器Ｒ３と抵抗器Ｒ４の分圧回路の出力がローレベルになるような抵抗値を有する。換言すれば、抵抗器Ｒ３と抵抗器Ｒ４は、システム電源電圧Ｖ_ＭＣＵを分圧した値がローレベルになるような抵抗値を有する。このローレベルの信号は、充電ＩＣ３の端子ＱＯＮ（￣）に入力されるため、この状態が所定時間継続されると、充電ＩＣ３は出力端子ＳＹＳからのシステム電源電圧Ｖ_ＳＹＳの出力を停止する。システム電源電圧Ｖ_ＳＹＳの出力が停止されると、ＬＤＯ４からの電圧出力が停止されて、ＭＣＵ６の端子ＶＤＤにシステム電源電圧Ｖ_ＭＣＵが入力されなくなり、ＭＣＵ６は停止する。

　また、このローレベルの信号は、スイッチＱ７のゲート端子に入力される。このため、ＵＳＢ接続されている場合（バス電圧Ｖ_ＢＵＳが充電ＩＣ３から出力されている場合）には、スイッチＱ７がオフ状態となり、その結果、スイッチＱ９のゲート端子の電位がハイレベル（バス電圧Ｖ_ＢＵＳ）となってスイッチＱ９がオン状態となる。スイッチＱ９がオン状態になると、ＭＣＵ６の端子Ｐ２７の電位はローレベル（グランドレベル）となる。スイッチＢＴが所定時間継続して押下されている場合には、ＭＣＵ６の端子Ｐ２７にローレベルの信号が所定時間入力されるため、ＭＣＵ６は再起動の処理を実行する。スイッチＢＴの押下が終了された場合には、充電ＩＣ３がシステム電源電圧Ｖ_ＳＹＳの出力を再開するため、停止しているＭＣＵ６の端子ＶＤＤにシステム電源電圧Ｖ_ＭＣＵが入力されて、ＭＣＵ６が起動する。

（デバッグ用コネクタ２０Ｅを用いたＭＣＵ６のリセット）
　デバッグ用コネクタ２０Ｅを用いてＭＣＵ６を再起動する場合には、ＵＳＢ接続を行い、更に、デバッグ用コネクタ２０Ｅに外部機器を接続する。この状態で、スイッチＢＴが押下されていなければ、スイッチＱ９はオフ状態となっているため、ＭＣＵ６の端子Ｐ２７の電位は、外部機器からの入力に依存したものとなる。したがって、外部機器がローレベルの再起動信号を端子ＮＲＳＴに入力するよう作業者が操作を行うことで、その再起動信号が端子Ｐ２７に所定時間継続して入力される。この再起動信号の入力を受けることで、ＭＣＵ６は再起動の処理を実行する。

（メインＦＰＣ２３の詳細構成）
　次に、メインＦＰＣ２３の詳細について説明する。
　図１３は、メインＦＰＣ２３を厚み方向が左右方向と一致するように展開して左側から見た正面図である。図１４は、メインＦＰＣ２３を厚み方向が左右方向と一致するように展開して右側から見た正面図である。図１５は、図１４に示す範囲ＡＲの拡大図である。

　メインＦＰＣ２３は、第１ケース３Ａ側に配置された表層２３１（図１３参照）と、表層２３１の右側に配置された裏層２３２（図１４参照）とを備えた２層構造となっている。表層２３１の左面と裏層２３２の右面には、それぞれ、導電パターンと、基準電位を有するグランドパターンとが設けられる。メインＦＰＣ２３に形成される導電パターンには、エアロゾル源を霧化するための電力（リキッドヒータへの供給電力）が流れる導電パターン８１～８３と、ＭＣＵ６によって制御される素子（ＬＥＤ２１Ｄ及び振動モータ１３）に接続される制御用導電パターンと、ＭＣＵ６に信号を入力する素子（吸引センサ１５及びスイッチＢＴ）に接続される入力用導電パターンと、が含まれる。導電パターン８１～８３は、リキッドヒータを加熱するために用いられるため、大電力が流れる。このため、導電パターン８１～８３は、発熱やノイズを抑制し且つ高効率にリキッドヒータへ電力を供給できるよう低抵抗であることが好ましい。導電パターン８１～８３は、制御用導電パターンと入力用導電パターンよりも幅が広くなっており、発熱やノイズを抑制するようになっている。

　メインＦＰＣ２３は、図１３及び図１４において直線の一点鎖線で示される折り線ＬＮ１～ＬＮ６のそれぞれによって折られた状態で、内部ユニット２Ａに組み付けられる。以下では、折り線ＬＮ１～ＬＮ６で折られることで生じる折り目のことを折り目ｌ１～ｌ６と記載する。メインＦＰＣ２３は、折り目ｌ１～ｌ６によって区画される複数の部分を含む。具体的には、メインＦＰＣ２３は、折り目ｌ１より外側（端縁側）の第１部分ＰＡ１と、折り目ｌ１と折り目ｌ２の間の第２部分ＰＡ２と、折り目ｌ２、ｌ３、ｌ４、ｌ５よりも内側の第３部分ＰＡ３と、折り目ｌ４より外側（端縁側）の第４部分ＰＡ４と、折り目ｌ３より外側（端縁側）の第５部分ＰＡ５と、折り目ｌ５と折り目ｌ６の間の第６部分ＰＡ６と、折り目ｌ６より外側（端縁側）の第７部分ＰＡ７と、から構成されている。これらの複数の部分のうち、第３部分ＰＡ３の平面積が最大となっている。

　メインＦＰＣ２３は、折り線ＬＮ２においては、図１３の紙面手前側且つ紙面右側に向かって折られて、図４に示す状態では、前から後ろに折り返された状態となる。メインＦＰＣ２３は、折り線ＬＮ１においては、図１３の紙面手前側に向かって折られる。メインＦＰＣ２３は、折り線ＬＮ３～ＬＮ６においては、それぞれ、図１３の紙面奥側に向かって折られる。第１部分ＰＡ１は、シャーシ５０に固定されるが、第２部分ＰＡ２は、どこにも固定されないフリーの状態となる。ただし、前述したように、ヒータＦＰＣ２４とＯＬＥＤ　ＦＰＣ２５によって、第２部分ＰＡ２の浮き上がりは抑制されている。第２部分ＰＡ２は、第３部分ＰＡ３と比べて幅が細く、また両端の折り目が異なる方向に延びているため、他の部分に比べて応力がかかりやすい点に留意されたい。

　このように、メインＦＰＣ２３は、折り線ＬＮ１～ＬＮ６のそれぞれで折られた構成であるため、メインＦＰＣ２３を湾曲させる場合に比べて、ケース３内におけるメインＦＰＣ２３の占める空間を少なくしつつも、メインＦＰＣ２３をケース３内で柔軟に配索することができる。なお、折り目ｌ１～ｌ６は、それぞれを境にして隣接する部分のなす角度のうちの小さい方が鋭角であるほど、それぞれに加わる応力が強くなる。したがって、応力を小さくするためには、メインＦＰＣ２３における折り目ｌ１～ｌ６の各々を境にして隣接する部分のなす角度のうちの小さい方（折り角度）を９０度以上とすることが好ましい。このようにすることで、メインＦＰＣ２３の耐久性を向上させることができる。

　図１４に示すように、裏層２３２の第４部分ＰＡ４には、折り線ＬＮ４と第４部分ＰＡ４の端縁４ｅとの間に、基板コネクタＣＮ１が実装されている。図１４中の二点鎖線で囲った領域には、基板コネクタＣＮ１の拡大図が示されている。基板コネクタＣＮ１は、メイン基板２０のメインコネクタ２０Ａと接続される部分であり、メインコネクタ２０Ａの端子ＫＥＹ、端子ＰＵＦＦ、端子ＶＭＣＵ、端子ＶＯＴＧ、端子ＬＥＤ、端子ＶＩＢ、端子ＧＮＤ、端子ＨＴ１（Ｐ１）、端子ＨＴ１（Ｐ２）、及び端子ＨＴ１（Ｐ３）のそれぞれと接続される端子（端子ＫＥＹ、端子ＰＵＦＦ、端子ＶＭＣＵ、端子ＶＯＴＧ、端子ＬＥＤ、端子ＶＩＢ、端子ＧＮＤ、端子ＨＴ１（Ｐ１）、端子ＨＴ１（Ｐ２）、及び端子ＨＴ１（Ｐ３））を備える。

　図１３及び図１４に示す太線は、導電性材料で構成された導電パターンを示している。基板コネクタＣＮ１の端子ＫＥＹは、端縁４ｅ側の隣に形成されたビアＢ１１に入力用導電パターンで接続されている。メインＦＰＣ２３におけるビアは、表層２３１の導電パターンと裏層２３２の導電パターンとの電気的な接続を行うものであり、メインＦＰＣ２３を厚み方向に貫通してその厚み方向に延びる導電体である。基板コネクタＣＮ１の端子ＰＵＦＦは、端縁４ｅ側の隣に形成されたビアＢ９に入力用導電パターンで接続されている。基板コネクタＣＮ１の端子ＶＭＣＵは、端縁４ｅ側の隣に形成されたビアＢ１０に入力用導電パターンで接続されている。基板コネクタＣＮ１の端子ＶＯＴＧは、第３部分ＰＡ３に形成されたビアＢ６に制御用導電パターンで接続されている。基板コネクタＣＮ１の端子ＶＬＥＤは、第３部分ＰＡ３に形成されたビアＢ７に制御用導電パターンで接続されている。基板コネクタＣＮ１の端子ＶＩＢは、第３部分ＰＡ３に形成されたビアＢ８に制御用導電パターンで接続されている。ビアＢ６～ビアＢ１１のそれぞれには、接続先の端子名を括弧内にて記載している。

　ビアＢ６～ビアＢ１１は、それぞれ、図１３に示すように、表層２３１まで達している。表層２３１の第５部分ＰＡ５には、ビアＢ４とビアＢ５が設けられている。表層２３１には、ビアＢ９とビアＢ４を接続する入力用導電パターンと、ビアＢ１０とビアＢ５を接続する入力用導電パターンとが形成されている。表層２３１の第３部分ＰＡ３の第５部分ＰＡ５に隣接した領域には、ビアＢ１、ビアＢ２、及びビアＢ３が設けられている。表層２３１には、ビアＢ６とビアＢ１を接続する制御用導電パターンが形成され、ビアＢ７とビアＢ２を接続する制御用導電パターンが形成され、ビアＢ８とビアＢ３を接続する制御用導電パターンが形成されている。表層２３１の第３部分ＰＡ３の第２部分ＰＡ２に近い領域には、ビアＢ１２が設けられている。表層２３１には、ビアＢ１１とビアＢ１２を接続する入力用導電パターンが形成されている。

　図１４に示すように、ビアＢ１～ビアＢ５とビアＢ１２は、それぞれ、裏層２３２まで達している。裏層２３２の第５部分ＰＡ５には、折り線ＬＮ３と第５部分ＰＡ５の端縁５ｅとの間に、基板コネクタＣＮ２が実装されている。図１４中の二点鎖線で囲った領域には、基板コネクタＣＮ２の拡大図が示されている。基板コネクタＣＮ２は、パフセンサ基板２１のコネクタ２１Ｂと接続される部分であり、コネクタ２１Ｂの端子ＶＯＴＧ、端子ＬＥＤ、端子ＶＩＢ、端子ＧＮＤ、端子ＰＵＦＦ、及び端子ＶＭＣＵのそれぞれと接続される端子（端子ＶＯＴＧ、端子ＬＥＤ、端子ＶＩＢ、端子ＧＮＤ、端子ＰＵＦＦ、及び端子ＶＭＣＵ）を備える。

　裏層２３２には、ビアＢ１と基板コネクタＣＮ２の端子ＶＯＴＧとを接続する制御用導電パターンと、ビアＢ２と基板コネクタＣＮ２の端子ＬＥＤとを接続する制御用導電パターンと、ビアＢ３と基板コネクタＣＮ２の端子ＶＩＢとを接続する制御用導電パターンと、ビアＢ４と基板コネクタＣＮ２の端子ＰＵＦＦとを接続する入力用導電パターンと、ビアＢ５と基板コネクタＣＮ２の端子ＶＭＣＵとを接続する入力用導電パターンとが形成されている。図１４においては、ビアＢ１～ビアＢ５のそれぞれに、基板コネクタＣＮ２の接続先の端子名を括弧内にて記載している。

　図１５に示すように、裏層２３２の第１部分ＰＡ１には、スイッチＢＴのプラス側端子が接続される端子ＴＨと、スイッチＢＴのマイナス側端子が接続される端子ＴＬと、基準電位を有するグランドパターンＧ３と、図９に示したバリスタＶ１のプラス側端子が接続される端子ＴＶと、が形成されている。端子ＴＬはグランドパターンＧ３と一体的に形成されている。裏層２３２には、この端子ＴＨ及び端子ＴＶとビアＢ１２とを接続する入力用導電パターンＰＴｘが形成されている。メインＦＰＣ２３に直接実装されるスイッチＢＴを介して静電気などの外来ノイズが侵入しても、スイッチＢＴの近傍に配置された過電圧保護素子としてのバリスタＶ１によって、このノイズがメインＦＰＣ２３に実装された他の電気部品に影響を及ぼさないようになっている。

　図１４に示すように、入力用導電パターンＰＴｘは、折り線ＬＮ１と重なる部分Ｄ１においては並列化され、折り線ＬＮ２と重なる部分Ｄ２においては並列化されている。具体的には、入力用導電パターンＰＴｘは、折り線ＬＮ２よりも第３部分ＰＡ３側の位置において２本に分岐し、折り線ＬＮ２を超えて第２部分ＰＡ２に達した後に１本に戻る構成となっている。また、入力用導電パターンＰＴｘは、折り線ＬＮ１よりも第２部分ＰＡ２側の位置において２本に分岐し、折り線ＬＮ１を超えて第１部分ＰＡ１に達した後に１本に戻る構成となっている。第２部分ＰＡ２は、両端の折り目の部分に特に応力がかかる。この部分に形成される入力用導電パターンＰＴｘが並列化されることで、２本の入力用導電パターンＰＴｘの一方が断線しても、他方によって入力用導電パターンＰＴｘの使用を継続できる。

　裏層２３２において、基板コネクタＣＮ１の端子ＨＴ１（Ｐ２）には、導電パターン８２の一端が接続されている。導電パターン８２は、基板コネクタＣＮ１の端子ＨＴ１（Ｐ２）から端縁４ｅ側に延びてから第３部分ＰＡ３側に折り返され、第３部分ＰＡ３を経由して第７部分ＰＡ７にまで達している。導電パターン８２の他端には、４つのビア８２ｂが接続されている。４つのビア８２ｂは、図１３に示すように、表層２３１の第７部分ＰＡ７まで達している。表層２３１の第７部分ＰＡ７には、この４つのビア８２ｂと接続する端子８２Ｔが設けられている。

　裏層２３２において、基板コネクタＣＮ１の端子ＨＴ１（Ｐ３）には、導電パターン８３の一端が接続されている。導電パターン８３は、基板コネクタＣＮ１の端子ＨＴ１（Ｐ３）から第３部分ＰＡ３側に延び、第３部分ＰＡ３を経由して第７部分ＰＡ７にまで達している。導電パターン８３の他端には、４つのビア８３ｂが接続されている。４つのビア８３ｂは、図１３に示すように、表層２３１の第７部分ＰＡ７まで達している。表層２３１の第７部分ＰＡ７には、この４つのビア８３ｂと接続する端子８３Ｔが設けられている。

　裏層２３２において、基板コネクタＣＮ１の端子ＨＴ１（Ｐ１）には、導電パターン８１の一端が接続されている。導電パターン８１は、基板コネクタＣＮ１の端子ＨＴ１（Ｐ１）から端縁４ｅ側に延びて、第４部分ＰＡ４に形成されている。導電パターン８１には、ビア８１ｂが接続されている。ビア８１ｂは、図１３に示すように、表層２３１の第４部分ＰＡ４まで達している。表層２３１の第４部分ＰＡ４には、このビア８１ｂと接続する導電パターン８１の一端が設けられている。表層２３１の導電パターン８１は、第３部分ＰＡ３を経由して第７部分ＰＡ７まで達している。表層２３１の導電パターン８１の他端は、幅広に構成されており、この部分が端子８１Ｔを構成している。

　第７部分ＰＡ７は、厚み方向が上下方向に一致する状態で、裏層２３２がシャーシ５０の下面に固着されており、下リッド７ａを開状態にしたときに露出する部分である。下リッド７ａを閉状態にすることで、下リッド７ａの入力側接点Ｐ１が端子８１Ｔと接触し、下リッド７ａの入力側接点Ｐ２が端子８２Ｔと接触し、下リッド７ａの入力側接点Ｐ３が端子８３Ｔと接触して、ポゴピン基板２２及びリキッドヒータとメインＦＰＣ２３との電気的接続がなされる。このように、導電パターン８１～８３は、端子８１Ｔ～８３Ｔにおいて、入力側接点Ｐ１～入力側接点Ｐ３と接触する。このため、導電パターン８１～８３の厚みは、端子８１Ｔ～８３Ｔにおいて最も厚く、端子８１Ｔ～８３Ｔを除く部分については、端子８１Ｔ～８３Ｔよりも薄くすることが好ましい。このようにすることで、端子８１Ｔ～８３Ｔの耐久性を高めることができる。

　メインＦＰＣ２３に設けられる導電パターン８１～８３は、表層２３１と裏層２３２に亘って形成されている。このため、１つの層に導電パターン８１～８３を設ける構成と比較すると、メインＦＰＣ２３の面積が同じであれば、導電パターン８１～８３のそれぞれの幅を太くすることができる。また、メインＦＰＣ２３を例えば３層構造とし、導電パターン８１～８３を各層に振り分けて形成する構成も考えられる。本形態のメインＦＰＣ２３は、この構成と比較すると、層数が少ないため構造を簡素化でき、製造コストや重量を低減できる。また、本形態のメインＦＰＣ２３における導電パターン８１～８３は、それぞれ、入力用導電パターンＰＴｘのように分岐されることなく、１本の線として構成されている。このように、導電パターン８１～８３を太く単純な形状とすることで、折り目における断線の防止と低抵抗化及び低インダクタンス化による熱及びノイズの抑制とを実現することができる。

　なお、メインＦＰＣ２３の複数の部分のうちの第３部分ＰＡ３及び第４部分ＰＡ４を除く部分の幅は、導電パターン８１～８３のそれぞれの幅を合算した値よりも小さくなっている。本形態では、メインＦＰＣ２３を２層構造とし、表層２３１には導電パターン８１を形成し、裏層２３２には導電パターン８２、８３を形成することで、第３部分ＰＡ３及び第４部分ＰＡ４を除く部分の幅を小さくできる。つまり、本形態によれば、メインＦＰＣ２３として過度に大きいものを用いずとも、３つの太い導電パターンを形成することができる。

　表層２３１に形成された導電パターンとして、ビアＢ１とビアＢ６を接続する制御用導電パターンと、ビアＢ２とビアＢ７を接続する制御用導電パターンと、ビアＢ３とビアＢ８を接続する制御用導電パターンは、メインＦＰＣ２３の正面視において、裏層２３２に形成された導電パターン８２及び導電パターン８３を跨いで前後方向に延びて形成されている。また、表層２３１に形成された導電パターンとして、ビアＢ１１とビアＢ１２を接続する入力用導電パターンと、ビアＢ４とビアＢ９を接続する入力用導電パターンと、ビアＢ５とビアＢ１０を接続する入力用導電パターンは、メインＦＰＣ２３の正面視において、裏層２３２に形成された導電パターン８２と導電パターン８３のいずれかを跨いで前後方向に延びて形成されている。このように、表層２３１に形成される制御用導電パターンと入力用導電パターンは、メインＦＰＣ２３の正面視において、裏層２３２に形成される導電パターン８２及び導電パターン８３と重なる構成となっている。このような構成により、制御用導電パターン及び入力用導電パターンと干渉することなく、導電パターン８２及び導電パターン８３の幅を太くすることができる。

　図１３に示すように、表層２３１には、第１部分ＰＡ１～第６部分ＰＡ６に跨って、大面積のグランドパターンＧ１が形成されている。このグランドパターンＧ１には、折り線ＬＮ３と重なる位置において隙間Ｇａ３が設けられ、折り線ＬＮ２と重なる位置において隙間Ｇａ２が設けられ、折り線ＬＮ１と重なる位置において隙間Ｇａ１が設けられている。このような隙間Ｇａ１～Ｇａ３を設けることで、グランドパターンＧ１において折り目ｌ１～ｌ３に加わる応力を逃がすことができる。

　図１４に示すように、裏層２３２には、第３部分ＰＡ３～第５部分ＰＡ５に跨って、グランドパターンＧ１よりは面積の小さい２つのグランドパターンＧ２が形成されている。図中左下側のグランドパターンＧ２は、基板コネクタＣＮ１の端子ＧＮＤに接続されている。図中右上側のグランドパターンＧ２は、基板コネクタＣＮ２の端子ＧＮＤに接続されている。

　図１４に示すように、裏層２３２において、第２部分ＰＡ２、第６部分ＰＡ６、及び第７部分ＰＡ７には、グランドパターンは形成されていない。つまり、グランドパターンＧ２及びグランドパターンＧ３は、折り目ｌ１～ｌ７のうちの一部（折り目ｌ１、ｌ２、ｌ５、ｌ６）を避けて形成されている。グランドパターンは、一般的には大面積の銅箔で形成されるが、このような大面積の銅箔は、折り目による応力の逃げ場が少ない。そこで、裏層２３２においては、折り目ｌ１、ｌ２、ｌ５、ｌ６の箇所にグランドパターンを設けないことで、応力の逃げ場を確保している。

　一方で、表層２３１に形成されたグランドパターンＧ１は、裏層２３２においてグランドパターンとの重なりが避けられた折り目ｌ１、ｌ２、ｌ５の位置にも形成されている。つまり、表層２３１と裏層２３２のそれぞれでグランドパターンが重なる折り目は折り目ｌ３と折り目ｌ４のみとなる。このように、表層２３１と裏層２３２のそれぞれでグランドパターンが重なる折り目の数を減らすことで、グランドパターンの断線を防ぎつつ、グランドパターンの面積を大きくすることができる。グランドパターンにおける基準電位の安定性は、グランドパターンの面積に大きく依存する。メインＦＰＣ２３によれば、以上のように表層２３１と裏層２３２に亘ってグランドパターンが形成されることで、グランドパターンの面積を広くできる。

　また、第２部分ＰＡ２においては、裏層２３２においてグランドパターンが形成されず、表層２３１においてのみグランドパターンＧ１が形成されている。前述したように、第２部分ＰＡ２は応力が加わりやすい部分である。このことから、裏層２３２には入力用導電パターンＰＴｘのみを設ける構成とすることで、第２部分ＰＡ２の柔軟性を担保して、メインＦＰＣ２３の耐久性を向上させることができる。

　なお、グランドパターンＧ２及びグランドパターンＧ３は、折り目ｌ１～ｌ７のうちの全部を避けて形成されていてもよい。この場合、表層２３１においては、折り目ｌ１～ｌ７の一部又は全部にグランドパターンＧ１が形成される構成としてもよい。

　本明細書には少なくとも以下の事項が記載されている。なお、括弧内には、上記した実施形態において対応する構成要素等を示しているが、これに限定されるものではない。

（１）
　電源（電源ｂａ）と、
　エアロゾル源と霧化器（リキッドヒータ）を含む第１カートリッジ（第１カートリッジ１１０）が挿抜可能な第１カートリッジ保持部（カートリッジ保持部５１）と、
　上記電源から上記霧化器への放電を制御可能に構成されるコントローラ（ＭＣＵ６）と、
　上記コントローラが実装される第１リジッド回路基板（メイン基板２０Ａ）と、
　上記第１カートリッジ保持部に挿入された上記第１カートリッジの上記霧化器へ、接続可能な第２リジッド回路基板（ポゴピン基板２２）と、
　上記第１リジッド回路基板と上記第２リジッド回路基板とを接続可能なフレキシブル回路基板（メインＦＰＣ２３）と、を備える、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。
支援方法。

　（１）によれば、第１カートリッジの挿抜時に力が加わる箇所に、安価かつ剛性のある第２リジッド回路基板が用いられる。このため、電源ユニットの耐久性を向上させつつ、その製造コストを低減できる。

（２）
　（１）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記霧化器が霧化した上記エアロゾル源に香味を付与する香味源を含む第２カートリッジを挿抜可能、且つ、上記第１カートリッジ保持部とは異なる第２カートリッジ保持部（カプセルホルダ４Ａ）を備え、
　上記第１カートリッジ保持部に対する上記第１カートリッジの挿入方向（上方向）は、上記第２カートリッジ保持部に対する上記第２カートリッジの挿入方向（下方向）とは異なる、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（２）によれば、第２カートリッジの挿抜時に、第１カートリッジを挿抜せずにすむので、電源ユニットの耐久性が向上する。

（３）
　（１）又は（２）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記第１カートリッジ保持部へ上記第１カートリッジを挿抜可能な開状態と、上記第１カートリッジ保持部へ上記第１カートリッジを挿抜不能な閉状態とを切替可能な蓋（下リッド７ａ）を備え、
　上記第２リジッド回路基板は、上記蓋に配置される、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（３）によれば、第１カートリッジの挿抜時には、第１リジッド回路基板や電源と第１カートリッジの間に電気的接点が確立されなくなる。このため、意図しない短絡電流が生じにくくなり、電源ユニットの安全性が向上する。

（４）
　（３）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記蓋の開閉時に、上記フレキシブル回路基板は変形しない、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（４）によれば、第１カートリッジを挿抜しても、フレキシブル回路基板は変形しないので、フレキシブル回路基板が破損しにくくなり、電源ユニットの耐久性が向上する。

（５）
　（３）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記蓋を上記閉状態から上記開状態に切替える時に、上記第２リジッド回路基板と上記フレキシブル回路基板との接続が解除され、
　上記蓋を上記開状態から上記閉状態に切替える時に、上記第２リジッド回路基板と上記フレキシブル回路基板との接続が確立される、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（５）によれば、蓋を閉状態にする時にだけ第２リジッド回路基板と上記フレキシブル回路基板との接続が確立されるので、フレキシブル回路基板が破損しにくくなり、電源ユニットの耐久性が向上する。

（６）
　（５）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記第２リジッド回路基板へ接続される導電性の突起（入力側接点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）を含み、
　上記突起は、上記蓋が上記閉状態である場合に、上記フレキシブル回路基板へ接触し、
　上記突起は、上記蓋が上記開状態である場合に、上記フレキシブル回路基板へ接触されない、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（６）によれば、フレキシブル回路基板と接触する面積が限定される突起であれば、蓋の開閉時にフレキシブル回路基板に与えられる外力や、この外力によって生じる応力を低減できるので、電源ユニットの耐久性が向上する。

（７）
　（６）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記フレキシブル回路基板は、上記電源から上記霧化器へ電力を供給する導電パターン（導電パターン８１、８２、８３）を含み、
　上記導電パターンは、上記蓋の上記閉状態で上記突起へ接触する接触部分（端子８１Ｔ、端子８２Ｔ、端子８３Ｔ）と、上記蓋の上記閉状態で上記突起へ接触しない非接触部分（端子８１Ｔ、端子８２Ｔ、端子８３Ｔを除く部分）と、を含み、
　上記接触部分は、上記非接触部分よりも厚い、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（７）によれば、接触部分を厚くすることで、蓋の開閉を繰り返してもこの導電パターンの接触部分が摩耗しきることを抑制できるので、電源ユニットの耐久性が向上する。

（８）
　（１）から（７）のいずれかに記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記フレキシブル回路基板は、上記第１リジッド回路基板と上記第２リジッド回路基板の間に折り目（折り目ｌ５）を含む、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（８）によれば、フレキシブル回路基板を湾曲させて第１リジッド回路基板と第２リジッド回路基板を接続した場合に比べて、電源ユニット内においてフレキシブル回路基板が占める空間を少なくできるので、複数の回路基板を収容しつつも電源ユニットのサイズを低減できる。

（９）
　（８）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記折り目によって形成される角度のうち小さい角度は、９０度以上である、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　折り目によってフレキシブル回路基板に加わる応力は、折り目が鋭角であればあるほど強くなる。（９）によれば、この折り目を鋭角としないことで、フレキシブル回路基板に加わる応力を低減できるので、電源ユニットの耐久性が向上する。

（１０）
　（８）又は（９）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記フレキシブル回路基板は、上記折り目を避けて形成された、基準電位を有するグランドパターン（グランドパターンＧ２）を備える、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（１０）によれば、グランドパターンは、一般的には大面積の銅箔で形成されるところ、このような大面積の銅箔は、折り目による応力の逃げ場がなく、破損しやすい。そこで、折り目の箇所にグランドパターンを設けないことで、このような破損を防止できるので、電源ユニットの耐久性が向上する。

（１１）
　（８）又は（９）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記フレキシブル回路基板は、第１層（表層２３１）と、第２層（裏層２３２）と、上記第２層において上記折り目を避けて形成された基準電位を有するグランドパターン（グランドパターンＧ２）と、上記第１層において上記折り目に形成された基準電位を有するグランドパターン（グランドパターンＧ１）と、を備える、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（１１）によれば、複数のうち一部の層だけ、折り目においてはグランドパターンを形成することで、グランドパターンを大面積化しつつ、折り目でも破損しにくくなる。このため、電源ユニットの耐久性が向上し、かつその動作も安定する。

１００　電源ユニット
６　ＭＣＵ
２０　メイン基板
２２　ポゴピン基板
２３　メインＦＰＣ
５１　カートリッジ保持部
１１０　第１カートリッジ
ｂａ　電源

Claims

　電源と、
　エアロゾル源と霧化器を含む第１カートリッジが挿抜可能な第１カートリッジ保持部と、
　前記電源から前記霧化器への放電を制御可能に構成されるコントローラと、
　前記コントローラが実装される第１リジッド回路基板と、
　前記第１カートリッジ保持部に挿入された前記第１カートリッジの前記霧化器へ、接続可能な第２リジッド回路基板と、
　前記第１リジッド回路基板と前記第２リジッド回路基板とを接続可能なフレキシブル回路基板と、を備える、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。
　請求項１に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　前記霧化器が霧化した前記エアロゾル源に香味を付与する香味源を含む第２カートリッジを挿抜可能、且つ、前記第１カートリッジ保持部とは異なる第２カートリッジ保持部を備え、
　前記第１カートリッジ保持部に対する前記第１カートリッジの挿入方向は、前記第２カートリッジ保持部に対する前記第２カートリッジの挿入方向とは異なる、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。
　請求項１又は２に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　前記第１カートリッジ保持部へ前記第１カートリッジを挿抜可能な開状態と、前記第１カートリッジ保持部へ前記第１カートリッジを挿抜不能な閉状態とを切替可能な蓋を備え、
　前記第２リジッド回路基板は、前記蓋に配置される、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。
　請求項３に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　前記蓋の開閉時に、前記フレキシブル回路基板は変形しない、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。
　請求項３に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　前記蓋を前記閉状態から前記開状態に切替える時に、前記第２リジッド回路基板と前記フレキシブル回路基板との接続が解除され、
　前記蓋を前記開状態から前記閉状態に切替える時に、前記第２リジッド回路基板と前記フレキシブル回路基板との接続が確立される、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。
　請求項５に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　前記第２リジッド回路基板へ接続される導電性の突起を含み、
　前記突起は、前記蓋が前記閉状態である場合に、前記フレキシブル回路基板へ接触し、
　前記突起は、前記蓋が前記開状態である場合に、前記フレキシブル回路基板へ接触されない、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。
　請求項６に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　前記フレキシブル回路基板は、前記電源から前記霧化器へ電力を供給する導電パターンを含み、
　前記導電パターンは、前記蓋の前記閉状態で前記突起へ接触する接触部分と、前記蓋の前記閉状態で前記突起へ接触しない非接触部分と、を含み、
　前記接触部分は、前記非接触部分よりも厚い、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。
　請求項１から７のいずれか１項に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　前記フレキシブル回路基板は、前記第１リジッド回路基板と前記第２リジッド回路基板の間に折り目を含む、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。
　請求項８に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　前記折り目によって形成される角度のうち小さい角度は、９０度以上である、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。
　請求項８又は９に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　前記フレキシブル回路基板は、前記折り目を避けて形成された、基準電位を有するグランドパターンを備える、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。
　請求項８又は９に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　前記フレキシブル回路基板は、第１層と、第２層と、前記第２層において前記折り目を避けて形成された基準電位を有するグランドパターンと、前記第１層において前記折り目に形成された基準電位を有するグランドパターンと、を備える、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。