WO2023095881A1 - 分析装置、分析装置用プログラム及び分析方法 - Google Patents

分析装置、分析装置用プログラム及び分析方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2023095881A1
WO2023095881A1 PCT/JP2022/043575 JP2022043575W WO2023095881A1 WO 2023095881 A1 WO2023095881 A1 WO 2023095881A1 JP 2022043575 W JP2022043575 W JP 2022043575W WO 2023095881 A1 WO2023095881 A1 WO 2023095881A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
concentration
absorption
measuring
light source
laser light
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/043575
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
享司 渋谷
翔太 ▲濱▼内
貴明 花田
顕輔 福城
健児 原
直希 名倉
康輔 塚谷
広大 新名
琢也 井戸
Original Assignee
株式会社堀場製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社堀場製作所 filed Critical 株式会社堀場製作所
Publication of WO2023095881A1 publication Critical patent/WO2023095881A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3504—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis

Definitions

  • the present invention relates to analyzers and the like used for, for example, component analysis of gas.
  • Patent Document 1 an analysis method (TDLAS: Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy) in which the concentration is determined by sweeping the oscillation wavelength by modulating the injection current of a semiconductor laser to obtain the absorption spectrum of the gas to be measured.
  • TDLAS Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy
  • the absorption spectrum of the interference component overlaps the absorption peak position of the gas to be measured, resulting in an error in concentration determination. .
  • the influence of interference due to interference components is corrected by performing spectral arithmetic processing such as spectral fitting, baseline estimation, or multivariate analysis on the absorption spectrum obtained by measurement.
  • the modulation (or sweep) width of the oscillation wavelength of the semiconductor laser changes due to changes in the ambient temperature, there is a problem that the acquired absorption spectrum changes and an error occurs in the concentration quantification result.
  • semiconductor lasers are often equipped with a function to keep the temperature constant using a Peltier device or the like. , the temperature of the semiconductor laser itself deviates, and the modulation range of the oscillation wavelength deviates. This effect is more conspicuous particularly when a quantum cascade laser, which consumes relatively large power, is used as the light source.
  • the present invention has been made in view of the problems described above, and is an analyzer that uses light absorption to reduce changes in the modulation range of the oscillation wavelength of a laser light source due to changes in the ambient temperature, thereby
  • the main subject is to measure the concentration of the component with high accuracy.
  • an analysis apparatus for analyzing a component to be measured contained in a sample, comprising: a laser light source for irradiating the sample with reference light; and sample light transmitted through the sample by the reference light.
  • a temperature controller for adjusting the temperature of the laser light source; a temperature sensor for detecting the ambient temperature of the laser light source; the ambient temperature of the laser light source and the object to be measured of the laser light source a relational data storage unit for storing modulation correction relational data indicating a relation with a correction parameter for correcting deviation from a predetermined modulation range for measuring a component; and a control unit that changes at least one of the target temperature of the temperature control unit and the drive voltage or drive current applied for wavelength modulation of the laser light source using the relational data.
  • the modulation range of the oscillation wavelength of the laser light source is the modulation width of the oscillation wavelength of the laser light source. Further, as a correction parameter for correcting the modulation width shift with respect to the predetermined modulation range, the driving voltage (current) change amount necessary for correcting the modulation width shift can be considered.
  • the target temperature of the temperature controller or the drive voltage or drive current of the laser light source is changed from the temperature detected by the temperature sensor that detects the ambient temperature of the laser light source. can be reduced. As a result, it is possible to reduce the change in the absorption spectrum due to the change in the laser light source, and to measure the concentration of the component to be measured with high accuracy.
  • the predetermined modulation width is a modulation width set for measuring the measurement target component at the reference temperature, and is set before product shipment or set by the user.
  • the analysis apparatus of the present invention includes a wavelength shift determination unit that determines the amount of wavelength shift of the reference light from an intensity-related signal that is related to the intensity of the sample light; It is desirable to further include a concentration calculation unit that calculates the concentration of the measurement target component corrected for the wavelength shift of the reference light using the intensity-related signal and the wavelength shift amount.
  • the wavelength shift determination unit includes reference data related to light absorption signals of the measurement target component and the interference component whose wavelength shift amount is known, and sample data related to the light absorption signal obtained from the intensity of the sample light. It is desirable to determine the amount of wavelength shift by fitting the data.
  • the light absorption spectrum broadened by the influence of the coexisting component has a broader spectrum width and a lower absorption peak height depending on the concentration of the coexisting component. is known to change little.
  • the pressure fluctuates as shown in FIG. 12B, the width of the light absorption spectrum widens, but the height of the absorption peak remains almost unchanged.
  • the inventor of the present application focused on the difference and similarity in the change in the light absorption spectrum due to the influence of coexistence and pressure fluctuation, and the broadening factor, which indicates the rate of change in the light absorption spectrum of the measurement target component caused by the coexisting component contained in the sample,
  • the absorbance signal A'(t, P) when broadening of the broadening factor FB occurs due to the coexistence effect is , was found to be approximately represented by the following equation.
  • the spectrum change due to the coexistence effect is almost the same as the spectrum change when the pressure is FB times and the absorbance is 1/ FB times.
  • the basic concept of the present invention is to use this fact to convert the broadening caused by the coexistence effect into a pressure change, and perform pressure correction and coexistence effect correction at the same time.
  • Broadening factor determination for determining a broadening factor indicating a rate of change in the light absorption spectrum of the component to be measured or the interfering component caused by the coexisting component contained in the sample in order to reduce the error in the concentration determination result due to the coexistence effect. and a concentration calculation unit that calculates the concentration of the component to be measured after correcting the coexistence effect of the coexisting component, using the intensity-related signal related to the intensity of the sample light and the broadening factor. is desirable. At this time, even if the modulation width of the laser light source changes due to changes in the ambient temperature, the width of the light absorption spectrum apparently changes, making it indistinguishable from broadening due to coexistence effects.
  • the modulation width correction of the laser light source of the present invention it is possible to suppress the change in the modulation width of the laser light source due to the ambient temperature change and correctly correct the broadening due to the coexistence effect. can be measured with even higher accuracy.
  • the parameter determination unit performs fitting between reference data related to light absorption signals of a component to be measured and interference components whose broadening factors or pressures are known, and sample data related to light absorption signals obtained from the intensity of the sample light. to determine the broadening factor.
  • fitting means comparing and collating reference data and sample data.
  • reference data is converted and used using the relationship between the sample pressure value and the above-described formula (Equation 1).
  • the parameter determination unit may determine the broadening factor using relationship data indicating the relationship between the concentration of the coexisting component and the broadening factor and the measured concentration of the coexisting component.
  • the analyzer of the present invention detects nitrogen monoxide (NO), nitrogen dioxide (NO 2 ), nitrous oxide (N 2 O), ammonia (NH 3 ), ethane (C 2 H 6 ) in the combustion gas. , formaldehyde (HCHO), acetaldehyde ( CH3CHO ), sulfur dioxide ( SO2 ), methane ( CH4 ), methanol ( CH3OH ) or ethanol ( C2H5OH ) It is conceivable that
  • the combustion gas includes exhaust gas discharged from an internal combustion engine, exhaust gas flowing through a flue, gas generated by burning a sample, and the like.
  • the analyzer of the present invention uses a quantum cascade laser that oscillates laser light in the mid-infrared region where these gases exhibit the strongest absorption as a light source, and realizes a long optical path length by a multi-reflection cell or a resonance cell. Therefore, the above gases can be measured even at low concentrations of 100 ppm or less.
  • the long optical path length is 1 m or more and 100 m or less, preferably 1 m or more and 50 m or less, more preferably 5 m or more and 30 m or less, and even more preferably 5 m or more and 15 m or less.
  • the analyzer of the present invention uses a multi-reflection cell or the like to measure the concentration of nitric oxide (NO) at a low concentration of 100 ppm or less. NO) absorption is used to calculate the concentration.
  • the laser light source emits laser light having an oscillation wavelength including wavelengths between 5.24 and 5.26 ⁇ m.
  • the absorption intensity of water (H 2 O), carbon dioxide (CO 2 ), and/or ethylene (C 2 H 4 ), which are interfering components in the combustion gas in this wavelength range, is small, and their interference effects are small. small. As a result, it is possible to improve the measurement accuracy of the concentration of nitric oxide (NO).
  • the laser light source emits laser light having an oscillation wavelength including wavelengths between 6.14 and 6.26 ⁇ m.
  • a wavelength between 6.14 and 6.26 ⁇ m, preferably a wavelength between 6.145 and 6.254 ⁇ m, more preferably 6.2322 ⁇ m or 6.2538 ⁇ m is the most intense of nitrogen dioxide (NO 2 ).
  • the analyzer of the present invention uses a multi-reflection cell or the like to measure the concentration of nitrous oxide (N 2 O) at a low concentration of 100 ppm or less. Concentrations are calculated based on nitrogen (N 2 O) uptake.
  • the laser light source emits laser light having an oscillation wavelength including wavelengths between 7.84 and 7.91 ⁇ m.
  • a wavelength between 7.84 and 7.91 ⁇ m, preferably a wavelength between 7.845 and 7.907, more preferably 7.8455 ⁇ m, 7.8509 ⁇ m, 7.8784 ⁇ m, or 7.9067 ⁇ m is sub-
  • N2O nitrogen oxides
  • H2O water
  • CH4 methane
  • C2 acetylene
  • H 2 has a small absorption intensity, and their interference effect is small. As a result, it is possible to improve the measurement accuracy of the concentration of nitrous oxide (N 2 O).
  • the analyzer of the present invention uses a multi-reflection cell or the like to measure the concentration of ammonia (NH 3 ) at a low concentration of 100 ppm or less, ammonia (NH 3 ) between 9.38 and 9.56 ⁇ m Calculate the concentration based on the absorption of
  • the laser light source emits laser light with an oscillation wavelength including wavelengths between 9.38 and 9.56 ⁇ m.
  • a wavelength between 9.38 and 9.56 ⁇ m, preferably between 9.384 and 9.557 ⁇ m, more preferably 9.3847 ⁇ m or 9.5566 ⁇ m has the strongest absorption of ammonia (NH 3 ).
  • the analyzer of the present invention uses a multi-reflection cell or the like to measure the concentration of ethane (C 2 H 6 ) at a low concentration of 100 ppm or less, ethane (C Concentrations are calculated based on the absorption of 2 H 6 ).
  • the laser light source emits laser light having an oscillation wavelength including wavelengths between 3.33 and 3.36 ⁇ m.
  • Wavelengths between 3.33 and 3.36 ⁇ m, preferably between 3.336 and 3.352 ⁇ m, more preferably between 3.3368 ⁇ m, 3.3482 ⁇ m, or 3.3519 ⁇ m are ethane (C 2 H 6 ) exists, the absorption of the interfering components water ( H2O ), methane ( CH4 ), and/or ethylene ( C2H4 ) in the combustion gas in this wavelength region. Their strength is small and their interference effects are small. As a result, it is possible to improve the measurement accuracy of the concentration of ethane (C 2 H 6 ).
  • the absorption intensity of ethane (C 2 H 6 ) is smaller than that of the above wavelengths of 3.3368 ⁇ m, 3.3482 ⁇ m, or 3.3519 ⁇ m, but water (H 2 O) is close to this wavelength. , allowing simultaneous measurement of ethane (C 2 H 6 ) and water (H 2 O).
  • the analyzer of the present invention uses a multi-reflection cell or the like to measure the concentration of formaldehyde (HCHO) or acetaldehyde (CH 3 CHO) at a low concentration of 100 ppm or less. Concentrations are calculated based on the absorption of formaldehyde (HCHO) or acetaldehyde (CH 3 CHO).
  • the laser light source emits laser light with an oscillation wavelength including a wavelength between 5.65 and 5.67 ⁇ m. At a wavelength between 5.65 and 5.67 ⁇ m, preferably between 5.651 and 5.652 ⁇ m, more preferably at 5.6514 ⁇ m, there is one of the strongest absorption lines of formaldehyde (HCHO).
  • the absorption intensity of water (H 2 O) and/or ammonia (NH 3 ), which are interfering components in the combustion gas in this wavelength region, is small, and their interference effects are small.
  • the formaldehyde (HCHO) concentration measurement accuracy can be improved.
  • This wavelength also coincides with the strong absorption band of acetaldehyde (CH 3 CHO), enabling measurement of acetaldehyde (CH 3 CHO) or simultaneous measurement of formaldehyde (HCHO) and acetaldehyde (CH 3 CHO).
  • a wavelength between 5.65 and 5.67 ⁇ m, preferably a wavelength between 5.665 and 5.667 ⁇ m, and more preferably a wavelength of 5.6660 ⁇ m is more efficient for formaldehyde (HCHO) than the above wavelength of 5.6514 ⁇ m.
  • the absorption intensity is slightly smaller, the absorption intensity of water (H 2 O) is smaller and their interference effects are smaller.
  • the formaldehyde (HCHO) concentration measurement accuracy can be improved.
  • This wavelength also coincides with the strong absorption band of acetaldehyde (CH 3 CHO), enabling measurement of acetaldehyde (CH 3 CHO) or simultaneous measurement of formaldehyde (HCHO) and acetaldehyde (CH 3 CHO).
  • the analyzer of the present invention uses a multi-reflection cell or the like to measure the concentration of sulfur dioxide (SO 2 ) at a low concentration of 100 ppm or less. 2 ) Calculate the concentration based on the absorption.
  • the laser light source emits laser light with an oscillation wavelength including wavelengths between 7.38 and 7.42 ⁇ m.
  • a wavelength between 7.38-7.42 ⁇ m, preferably a wavelength between 7.385-7.417 ⁇ m, more preferably 7.3856 ⁇ m or 7.4163 ⁇ m is the most intense of sulfur dioxide (SO 2 ).
  • One of the absorption lines is present and interfering components in the combustion gas in this wavelength region: water ( H2O ), methane ( CH4 ), acetylene ( C2H2 ) , and/or nitrous oxide (N2 ) .
  • the absorption intensity of O) is small, and their interference effects are small. As a result, it is possible to improve the measurement accuracy of the concentration of sulfur dioxide (SO 2 ).
  • the analyzer of the present invention uses a multi-reflection cell or the like to measure the concentration of low-concentration methane (CH 4 ) of 100 ppm or less, methane (CH 4 ) between 7.50 and 7.54 ⁇ m Calculate the concentration based on the absorption of
  • the laser light source emits laser light having an oscillation wavelength including wavelengths between 7.50 and 7.54 ⁇ m. At a wavelength between 7.50 and 7.54 ⁇ m, preferably between 7.503 and 7.504 ⁇ m, more preferably at 7.5035 ⁇ m, one of the strongest absorption lines of methane (CH 4 ) is present.
  • a wavelength between 7.50 and 7.54 ⁇ m, preferably a wavelength between 7.535 and 7.536 ⁇ m, more preferably a wavelength of 7.5354 ⁇ m is approximately equivalent to the wavelength of 7.5035 ⁇ m described above for methane (CH 4 ), which are the interfering components in the combustion gas in this wavelength region: water ( H2O ), sulfur dioxide ( SO2 ), acetylene ( C2H2 ), and/or nitrous oxide (N 2 O) have smaller absorption strengths and their interference effects are smaller. As a result, it is possible to improve the measurement accuracy of the concentration of methane (CH 4 ).
  • the analyzer of the present invention uses a multi-reflection cell or the like to measure the concentration of methanol (CH 3 OH) or ethanol (C 2 H 5 OH) at a low concentration of 100 ppm or less. Concentrations are calculated based on the absorption of methanol (CH 3 OH) or ethanol (C 2 H 5 OH) between .47 ⁇ m.
  • the laser light source emits laser light having an oscillation wavelength including wavelengths between 9.45 and 9.47 ⁇ m.
  • a wavelength between 9.45 and 9.47 ⁇ m, preferably between 9.467 and 9.468 ⁇ m, more preferably 9.4671 ⁇ m, is one of the strongest absorption lines of methanol (CH OH ).
  • the absorption intensity of ethylene (C 2 H 4 ), ammonia (NH 3 ), and/or carbon dioxide (CO 2 ), which are present and are interference components in the combustion gas in this wavelength range, is small, and their interference effects are small. .
  • This wavelength also coincides with the strong absorption band of ethanol ( C2H5OH ), so the measurement of ethanol ( C2H5OH ) or methanol ( CH3OH ) and ethanol ( C2H5OH ) can be measured simultaneously.
  • a wavelength between 9.45 and 9.47 ⁇ m, preferably a wavelength between 9.455 and 9.456 ⁇ m, more preferably a wavelength of 9.4557 ⁇ m is approximately equivalent to the above 9.4671 ⁇ m methanol (CH 3 OH ) or ethanol (C 2 H 5 OH), which are interfering components in the combustion gas in this wavelength region, ethylene (C 2 H 4 ), ammonia (NH 3 ), and/or carbon dioxide (CO 2 ) are smaller and their interference effects are smaller.
  • CH 3 OH methanol
  • CO 2 carbon dioxide
  • the analyzer of the present invention detects carbon dioxide (CO 2 ), carbon monoxide (CO), ethylene (C 2 H 4 ), ethane (C 2 H 6 ), water (H 2 O) in the process gas. , acetylene ( C2H2 ), methane ( CH4 ), ammonia ( NH3 ), methanol ( CH3OH ).
  • the analyzer of the present invention uses a quantum cascade laser that oscillates laser light in the mid-infrared region where these gases exhibit the strongest absorption as a light source, and realizes a long optical path length by a multi-reflection cell or a resonance cell. Therefore, the above gases can be measured even at low concentrations of 100 ppm or less.
  • the long optical path length is 1 m or more and 100 m or less, preferably 1 m or more and 50 m or less, more preferably 5 m or more and 30 m or less, and even more preferably 5 m or more and 15 m or less.
  • the laser light source emits laser light having an oscillation wavelength including wavelengths between 4.23 and 4.24 ⁇ m.
  • a wavelength between 4.23 and 4.24 ⁇ m, preferably between 4.234 and 4.238 ⁇ m, more preferably 4.2347 ⁇ m or 4.2371 ⁇ m is the most intense of carbon dioxide (CO 2 ).
  • the analyzer of the present invention uses a multi-reflection cell or the like to measure the concentration of medium-concentration carbon dioxide (CO 2 ) from 100 ppm to 1%. Concentrations are calculated based on absorption of carbon dioxide (CO 2 ).
  • the laser light source emits laser light having an oscillation wavelength including wavelengths between 4.34 and 4.35 ⁇ m.
  • a wavelength between 4.34 and 4.35 ⁇ m, preferably a wavelength between 4.342 and 4.347 ⁇ m, more preferably 4.3428 ⁇ m, or 4.3469 ⁇ m is the intermediate of carbon dioxide (CO 2 ).
  • the laser light source emits laser light having an oscillation wavelength including wavelengths between 4.59 and 4.61 ⁇ m.
  • a wavelength between 4.59 and 4.61 ⁇ m, preferably a wavelength between 4.594 and 4.604 ⁇ m, more preferably 4.5950 ⁇ m or 4.6024 ⁇ m is the most intense of carbon monoxide (CO).
  • the analyzer of the present invention uses a multi-reflection cell or the like to measure the concentration of water (H 2 O) at a low concentration of 100 ppm or less, water (H 2 O) between 5.89 and 6.12 ⁇ m Calculate the concentration based on the absorption of O).
  • the laser light source emits laser light with an oscillation wavelength including wavelengths between 5.89 and 6.12 ⁇ m.
  • Water (H 2 O) has the strongest one of the absorption lines exists and the absorption intensity of the interfering components methane ( CH4 ), ethylene ( C2H4 ), and/or ethane ( C2H6 ) in the process gas in this wavelength range is small, Their interference effect is small.
  • a wavelength between 5.89 and 6.12 ⁇ m, preferably a wavelength between 6.046 and 6.114 ⁇ m, more preferably 6.0486 ⁇ m, or 6.1138 ⁇ m is the above-mentioned wavelength of water (H 2 O).
  • the absorption intensity is small and their interference effects are small.
  • the measurement of low concentrations of water ( H2O ) in process gases containing high concentrations of methane ( CH4 ), ethylene ( C2H4 ), and/or ethane ( C2H6 ) Accuracy can be improved.
  • the analysis device of the present invention uses a multi-reflection cell or the like to measure the concentration of acetylene (C 2 H 2 ) at a low concentration of 100 ppm or less, and the measurement is between 7.56 and 7.66 ⁇ m, or 7.5. Concentrations are calculated based on the absorption of acetylene (C 2 H 2 ) between 27 and 7.81 ⁇ m.
  • the laser light source emits laser light with an oscillation wavelength including wavelengths between 7.56 and 7.66 ⁇ m or between 7.27 and 7.81 ⁇ m.
  • Acetylene (C 2 H 2 ) has the strongest absorption line in the 3.0-3.1 ⁇ m wavelength band, which is difficult to achieve with quantum cascade lasers.
  • a wavelength band of 3.0 to 3.1 ⁇ m can be measured by using an interband cascade laser (ICL).
  • ICL interband cascade laser
  • wavelengths between 7.56 and 7.66 ⁇ m, preferably between 7.594 and 7.651 ⁇ m are feasible with quantum cascade lasers, and wavelengths in the 3.0-3.1 ⁇ m wavelength band.
  • the next strongest absorption line is present, more preferably at a wavelength of 7.5966 ⁇ m, 7.6233 ⁇ m, or 7.6501 ⁇ m, where the strongest absorption line in this wavelength band is present, and is an interfering component in the process gas, methane ( CH 4 ), ethylene (C 2 H 4 ), and/or ethane (C 2 H 6 ) have relatively small absorption intensities, and their interference effects are small.
  • a wavelength between 7.56 and 7.66 ⁇ m preferably a wavelength between 7.566 and 7.634 ⁇ m, more preferably a wavelength of 7.5698 ⁇ m, 7.6231 ⁇ m or 7.6367 ⁇ m is the above 7.5966 ⁇ m, methane (CH 4 ), ethylene (C 2 H 4 ), and/or ethane (C 2 H 6 ) have smaller absorption intensities than wavelengths of 7.6233 ⁇ m or 7.6501 ⁇ m, Their interference effect is smaller.
  • the laser light source emits a laser beam having an oscillation wavelength including a wavelength between 7.27 and 7.81 ⁇ m, between 7.27 and 7.59 ⁇ m, or between 7.64 and 7.81 ⁇ m.
  • the laser light source emits laser light having an oscillation wavelength including a wavelength between 7.67 and 7.80 ⁇ m.
  • a wavelength between 7.67 and 7.80 ⁇ m, preferably a wavelength between 7.670 and 7.792 ⁇ m, more preferably 7.6704 ⁇ m or 7.7914 ⁇ m has the strongest absorption of methane (CH 4 ).
  • the analysis apparatus of the present invention uses a multi-reflection cell or the like to measure the concentration of medium-concentration methane (CH 4 ) of 100 ppm to 1%. Concentrations are calculated based on the absorption of ( CH4 ).
  • the laser light source emits laser light having an oscillation wavelength including wavelengths between 8.10 and 8.14 ⁇ m.
  • the analyzer of the present invention uses a multi-reflection cell or the like to measure the concentration of methane (CH 4 ) at a high concentration of 1% or more, methane (CH 4 ) between 8.10 and 8.13 ⁇ m ( Concentrations are calculated based on the absorption of CH4 ).
  • the laser light source emits laser light having an oscillation wavelength including wavelengths between 8.10 and 8.13 ⁇ m.
  • a wavelength between 8.10 and 8.13 ⁇ m, preferably a wavelength between 8.102 and 8.121 ⁇ m, more preferably 8.1022 ⁇ m or 8.1206 ⁇ m is a relatively weak
  • ethylene (C 2 H 4 ) and/or ethane (C 2 H 6 ) which are interference components in the process gas in this wavelength range, is small, and their interference effects are small.
  • CH 4 high-concentration methane
  • ethane C 2 H 6
  • the analyzer of the present invention uses a multi-reflection cell or the like to measure the concentration of ethylene (C 2 H 4 ) at a high concentration of 1% or more, ethylene between 8.46 and 8.60 ⁇ m ( Concentrations are calculated based on the absorption of C2H4 ) .
  • the laser light source emits laser light having an oscillation wavelength including wavelengths between 8.46 and 8.60 ⁇ m. Wavelengths between 8.46 and 8.60 ⁇ m, preferably between 8.464 and 8.599 ⁇ m, more preferably 8.4647 ⁇ m, or 8.5981 ⁇ m are comparable to ethylene (C 2 H 4 ).
  • the analysis device of the present invention uses a multi-reflection cell or the like to measure the concentration of ethane (C 2 H 6 ) at a high concentration of 1% or more, between 6.13 and 6.14 ⁇ m, or 6 Concentrations are calculated based on the absorption of ethane (C 2 H 6 ) between 0.09 and 6.45 ⁇ m.
  • the laser light source emits laser light with an oscillation wavelength including a wavelength between 6.13 and 6.14 ⁇ m or between 6.09 and 6.45 ⁇ m.
  • the concentration of ethane (C 2 H 6 ) at a high concentration of 1% or more and 3% or less it is based on the absorption of ethane (C 2 H 6 ) between 6.09 and 6.45 ⁇ m.
  • the absorption intensity of methane (CH 4 ) and/or ethylene (C 2 H 4 ), which are interfering components in the medium, is small, and their interference effects are small.
  • the analyzer of the present invention uses a multi-reflection cell or the like to measure the concentration of ammonia (NH 3 ) at a medium concentration of 100 ppm to 200 ppm or a low concentration of 100 ppm or less. Concentrations are calculated based on the absorption of ammonia (NH 3 ) between 8.62 and 9.09 ⁇ m.
  • the laser light source emits laser light with an oscillation wavelength including wavelengths between 6.06 and 6.25 ⁇ m or between 8.62 and 9.09 ⁇ m.
  • the concentration is calculated based on the absorption of ammonia between 6.141-6.153 ⁇ m or between 8.939-8.968 ⁇ m, more preferably 6.1450 ⁇ m, 6.1487 ⁇ m, 6.1496 ⁇ m , 8.9604 ⁇ m, 8.9473 ⁇ m, or 8.7671 ⁇ m.
  • the analyzer of the present invention uses a multi-reflection cell or the like to measure the concentration of methanol (CH 3 OH) at a high concentration of 1% or less, and the concentration of methanol between 9.35 and 9.62 ⁇ m. Concentrations are calculated based on absorption.
  • the laser light source emits laser light having an oscillation wavelength including wavelengths between 9.35 and 9.62 ⁇ m.
  • the concentration is calculated based on the absorption of methanol between 9.477 and 9.526 ⁇ m, more preferably the concentration is calculated based on the absorption of methanol at 9.5168 ⁇ m, 9.5042 ⁇ m, or 9.4861 ⁇ m. do.
  • a program for an analyzer comprises a laser light source that irradiates a sample with reference light, a photodetector that detects the sample light that has passed through the sample, and a temperature controller that adjusts the temperature of the laser light source.
  • a temperature sensor for detecting the ambient temperature of the laser light source, and a program applied to an analysis device for analyzing a measurement target component contained in the sample, wherein the ambient temperature of the laser light source and the temperature of the laser light source a relationship data storage unit for storing modulation correction relationship data indicating a relationship with a correction parameter for correcting deviation from a predetermined modulation range for measuring the measurement target component; a control unit that changes the target temperature of the temperature control unit, or changes the drive voltage or drive current applied for wavelength modulation of the laser light source, using the modulation correction relationship data; It is characterized in that it is exhibited by the analysis device.
  • the analysis method includes a laser light source that irradiates a sample with reference light, a photodetector that detects the sample light that has passed through the sample, a temperature control unit that adjusts the temperature of the laser light source, and the An analysis method for analyzing a measurement target component contained in the sample using an analysis device equipped with a temperature sensor for detecting the ambient temperature of the laser light source, wherein the ambient temperature of the laser light source and the measurement of the laser light source are performed.
  • the temperature control unit is changed, or the drive voltage or drive current applied for wavelength modulation of the laser light source is changed.
  • FIG. 1 is an overall schematic diagram of an analysis device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. It is a functional block diagram of the signal processing device in the same embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram showing drive current (voltage) and modulation signal in pseudo continuous oscillation;
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a method of modulating a laser oscillation wavelength in the same embodiment;
  • 5 is a time-series graph showing an example of oscillation wavelength, light intensity I(t), logarithmic intensity L(t), feature signal F i (t), and correlation value S i (t) in the same embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram showing drive current (voltage) and modulation signal in pseudo continuous oscillation
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a method of modulating a laser oscillation wavelength in the same embodiment
  • 5 is a time-series graph showing an example of oscillation wavelength, light intensity I(t), logarithmic intensity L(t), feature signal F i (t), and correlation value S i (t)
  • FIG. 4 is a diagram showing wavelength shift and modulation width shift in an intensity-related signal (absorption signal); 4 is a graph showing (a) wavelength correction relational data and (b) modulation correction relational data in the same embodiment. 4 is a lookup table showing (a) wavelength correction relational data and (b) modulation correction relational data in the same embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram showing a conceptual diagram of concentration calculation using a single correlation value and a measured correlation value in the same embodiment; It is a functional block diagram of a signal processing device in a modified embodiment.
  • FIG. 11 is an overall schematic diagram of an analysis device according to a modified embodiment;
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing spectral changes due to coexistence effects and spectral changes due to pressure changes;
  • the analysis device 100 of the present embodiment is a concentration measurement device that measures the concentration of a measurement target component contained in a combustion gas such as a combustion gas or a combustion exhaust gas, or a sample gas such as a process gas.
  • a combustion gas such as a combustion gas or a combustion exhaust gas
  • a sample gas such as a process gas.
  • the gas being burned is the gas being burned in an internal combustion engine such as an automobile, an external combustion engine, an industrial furnace, an incinerator, a turbine, or a power plant, etc.
  • the combustion exhaust gas is an internal combustion engine such as an automobile, It is a post-combustion gas discharged from an external combustion engine, an industrial furnace, an incinerator, a turbine, or a power plant.
  • Process gas refers to gas in chemical plants such as petrochemical, coal chemical, natural gas chemical, petroleum refining, methanation, and gasification furnaces. It includes gas or gas produced in a chemical plant.
  • the analyzer 100 of the present embodiment is connected to an introduction channel for introducing a sampling gas into the analyzer 100, and is also connected to a discharge channel for discharging the gas analyzed by the analyzer 100. It is A pump for introducing the sampling gas into the analyzer 100 is provided in the introduction channel or the discharge channel.
  • the introduction channel may be configured to directly sample the exhaust gas from an exhaust pipe or the like, or may be configured to introduce the exhaust gas from a bag in which the exhaust gas is collected. It may be configured to introduce exhaust gas diluted by a dilution device such as a volume sampler.
  • the cell 1 is made of a transparent material such as quartz, calcium fluoride, barium fluoride, etc., which hardly absorbs light in the absorption wavelength band of the component to be measured, and has a light entrance and a light exit. Although not shown, the cell 1 is provided with an inlet port for introducing gas into the interior and an outlet port for discharging the internal gas. introduced into a transparent material such as quartz, calcium fluoride, barium fluoride, etc., which hardly absorbs light in the absorption wavelength band of the component to be measured, and has a light entrance and a light exit. Although not shown, the cell 1 is provided with an inlet port for introducing gas into the interior and an outlet port for discharging the internal gas. introduced into a transparent material such as quartz, calcium fluoride, barium fluoride, etc., which hardly absorbs light in the absorption wavelength band of the component to be measured, and has a light entrance and a light exit. Although not shown, the cell 1 is provided with an inlet port for introducing gas into
  • the semiconductor laser 2 here is a quantum cascade laser (QCL), which is a type of semiconductor laser 2, and oscillates mid-infrared (4 to 12 ⁇ m) laser light.
  • QCL quantum cascade laser
  • This semiconductor laser 2 is capable of modulating (changing) the oscillation wavelength by a given current (or voltage). Note that other types of lasers may be used as long as the oscillation wavelength is variable, and the temperature may be changed to change the oscillation wavelength.
  • the temperature controller 3 adjusts the temperature of the semiconductor laser 2, and uses a thermoelectric conversion element such as a Peltier element.
  • the temperature control unit 3 of the present embodiment has a semiconductor laser 2 and a temperature sensor (not shown) for detecting the temperature of the semiconductor laser 2 mounted on the heat absorption surface, which is the upper surface, and a temperature sensor (not shown) for detecting the temperature of the semiconductor laser 2.
  • a heat sink (not shown) such as radiation fins is provided.
  • the temperature control section 3 adjusts the temperature of the semiconductor laser 2 by controlling the applied DC voltage (DC current) according to a target temperature given by a temperature control control section 72 which will be described later.
  • the temperature sensor 4 detects the ambient temperature of the semiconductor laser 2. Here, it detects the temperature in the atmosphere inside the package housing the semiconductor laser and the temperature control unit 3, or the ambient temperature outside the package. .
  • the photodetector 5 here uses a thermal type such as a thermopile that is relatively inexpensive, but other types such as quantum type such as HgCdTe, InGaAs, InAsSb, or PbSe with good responsiveness are used.
  • a photoelectric element may also be used.
  • the signal processing device 6 includes at least one of an analog electric circuit consisting of a buffer, an amplifier, etc., a digital electric circuit consisting of a CPU, a memory, etc., and an AD converter, a DA converter, etc. that mediate between these analog/digital electric circuits.
  • a control unit 7 for controlling the semiconductor laser 2 and the temperature control unit 3 as shown in FIG. also, it functions as a signal processing section 8 that receives an output signal from the photodetector 5 and calculates the concentration of the component to be measured by arithmetically processing the value.
  • the control unit 7 has a light source control unit 71 that controls the oscillation and modulation width of the semiconductor laser 2 and a temperature control unit 72 that controls the temperature control unit 3 to a predetermined temperature.
  • the light source control unit 71 controls a current source (or voltage source) that drives the semiconductor laser 2 by outputting a current (or voltage) control signal. Specifically, as shown in FIG. 3, the light source control unit 71 applies a drive current (or drive voltage) for wavelength modulation to a predetermined frequency, in addition to the drive current (or drive voltage) for causing the semiconductor laser 2 to pulse-oscillate. , and the oscillation wavelength of the laser light output from the semiconductor laser 2 is modulated at a predetermined frequency with respect to the center wavelength. As a result, the semiconductor laser 2 emits modulated light modulated at a predetermined modulation frequency.
  • the light source control unit 71 changes the driving current in a triangular waveform, and modulates the oscillation wavelength in a triangular waveform (see “Oscillation wavelength" in FIG. 5).
  • the driving current is modulated by another function so that the oscillation wavelength becomes triangular.
  • the oscillation wavelength of the laser beam is modulated with the peak of the light absorption spectrum of the component to be measured as the central wavelength.
  • the light source control unit 71 may change the drive current in a sine wave, sawtooth wave, or any function, and modulate the oscillation wavelength in a sine wave, sawtooth wave, or any function.
  • the analyzer 100 detects nitrogen monoxide (NO), nitrogen dioxide (NO 2 ), nitrous oxide (N 2 O), ammonia (NH 3 ), ethane (C 2 H 6 ), formaldehyde in the combustion gas. (HCHO), acetaldehyde ( CH3CHO ) sulfur dioxide ( SO2 ), methane ( CH4 ), methanol ( CH3OH ) or ethanol ( C2H5OH ), when measuring the concentration of at least one of
  • the light source controller 71 modulates the semiconductor laser 2 so that the wavelength modulation range is as follows.
  • the semiconductor laser 2 is appropriately selected to emit modulated light modulated within the following wavelength modulation range.
  • the light source control unit 71 sets the wavelength modulation range of the laser light to include wavelengths between 5.24 and 5.26 ⁇ m. modulate. Specifically, the light source control unit 71 modulates the wavelength modulation range of the laser light so as to preferably include a wavelength of 5.245 to 5.247 ⁇ m, more preferably a wavelength of 5.2462 ⁇ m. Such modulation can reduce the interfering effects of water (H 2 O), carbon dioxide (CO 2 ) and/or ethylene (C 2 H 4 ) and low concentrations of nitric oxide (NO). can improve the measurement accuracy of the concentration of
  • the light source control unit 71 adjusts the wavelength modulation range of the laser light to include wavelengths between 6.14 and 6.26 ⁇ m. modulate. Specifically, the light source control unit 71 modulates the wavelength modulation range of the laser light so that it preferably includes a wavelength of 6.145 to 6.254 ⁇ m, more preferably a wavelength of 6.2322 ⁇ m or 6.2538 ⁇ m. . Such modulation can reduce the interfering effects of water (H 2 O) and/or ammonia (NH 3 ) and improve the measurement accuracy of low-concentration nitrogen dioxide (NO 2 ) concentrations. can be done.
  • modulation can reduce the interfering effects of water (H 2 O) and/or ammonia (NH 3 ) and improve the measurement accuracy of low-concentration nitrogen dioxide (NO 2 ) concentrations. can be done.
  • the light source control unit 71 sets the wavelength modulation range of the laser light to include wavelengths between 7.84 and 7.91 ⁇ m. modulate as follows. Specifically, the light source control unit 71 sets the wavelength modulation range of the laser light to 7.preferably a wavelength between 7.845 and 7.907, more preferably 7.8455 ⁇ m, 7.8509 ⁇ m, 7.8784 ⁇ m, or 7.8455 ⁇ m, 7.8509 ⁇ m, 7.8784 ⁇ m, or Modulate to include the wavelength of 9067 ⁇ m.
  • Such modulation can reduce the interfering effects of water (H 2 O), methane (CH 4 ) and/or acetylene (C 2 H 2 ), and low concentrations of nitrous oxide (N 2 O). ) can improve the measurement accuracy of the concentration.
  • the light source control unit 71 modulates the wavelength modulation range of the laser light so as to include wavelengths between 9.38 and 9.56 ⁇ m.
  • the light source control unit 71 modulates the wavelength modulation range of the laser light so that it preferably includes a wavelength between 9.384 and 9.557 ⁇ m, more preferably a wavelength of 9.3847 ⁇ m or 9.5566 ⁇ m. .
  • the interfering effects of water ( H2O ), carbon dioxide ( CO2 ) and/or ethylene ( C2H4 ) can be reduced, and low concentrations of ammonia ( NH3 ) can be reduced . Concentration measurement accuracy can be improved.
  • the light source control unit 71 sets the wavelength modulation range of the laser light to include wavelengths between 3.33 and 3.36 ⁇ m. modulate to Specifically, the light source control unit 71 determines that the wavelength modulation range of the laser light is preferably a wavelength between 3.336 and 3.352 ⁇ m, more preferably a wavelength of 3.3368 ⁇ m, 3.3482 ⁇ m, or 3.3519 ⁇ m.
  • the light source control unit 71 modulates the wavelength modulation range of the laser light so as to include wavelengths between 5.65 and 5.67 ⁇ m. . Specifically, the light source control unit 71 modulates the wavelength modulation range of the laser light so as to preferably include a wavelength between 5.651 and 5.652, more preferably a wavelength of 5.6514 ⁇ m. Such modulation can reduce the interfering effects of water (H 2 O) and/or ammonia (NH 3 ) and improve the measurement accuracy of low-concentration formaldehyde (HCHO) concentrations. . In addition, since these wavelengths also coincide with the strong absorption band of acetaldehyde (CH 3 CHO), simultaneous measurement of formaldehyde (HCHO) and acetaldehyde (CH 3 CHO) is possible.
  • HCHO acetaldehyde
  • the light source control unit 71 can also modulate the wavelength modulation range of the laser light so as to preferably include a wavelength between 5.665 and 5.667 ⁇ m, more preferably a wavelength of 5.6660 ⁇ m.
  • the absorption intensity of formaldehyde (HCHO) is slightly lower than that of the wavelength of 5.6514 ⁇ m, but the absorption intensity of water (H 2 O) is smaller, and their interference effects are smaller. As a result, the formaldehyde (HCHO) concentration measurement accuracy can be improved.
  • This wavelength also coincides with the strong absorption band of acetaldehyde (CH 3 CHO), enabling measurement of acetaldehyde (CH 3 CHO) or simultaneous measurement of formaldehyde (HCHO) and acetaldehyde (CH 3 CHO).
  • the light source control unit 71 adjusts the wavelength modulation range of the laser light to include wavelengths between 7.38 and 7.42 ⁇ m. modulate. Specifically, the light source control unit 71 preferably modulates the wavelength modulation range of the laser light to include a wavelength of 7.385 to 7.417 ⁇ m, more preferably a wavelength of 7.3856 ⁇ m or 7.4163 ⁇ m. .
  • the light source control unit 71 modulates the wavelength modulation range of the laser light so as to include wavelengths between 7.50 and 7.54 ⁇ m.
  • the light source control unit 71 modulates the wavelength modulation range of the laser light so as to preferably include a wavelength of 7.503 to 7.504 ⁇ m, more preferably a wavelength of 7.5035 ⁇ m.
  • Such modulation can reduce the interfering effects of water ( H2O ), sulfur dioxide ( SO2 ), acetylene ( C2H2 ) and/or nitrous oxide ( N2O ), It is possible to improve the measurement accuracy of the low-concentration methane (CH 4 ) concentration.
  • by modulating to include 7.5035 ⁇ m there is an absorption line of water (H 2 O) near this wavelength, and simultaneous measurement of methane (CH 4 ) and water (H 2 O) is possible. becomes.
  • the light source control unit 71 can also modulate the wavelength modulation range of the laser light so as to preferably include a wavelength between 7.535 and 7.536 ⁇ m, more preferably a wavelength of 7.5354 ⁇ m.
  • the absorption intensity of methane (CH 4 ) is almost equivalent to the wavelength of 7.5035 ⁇ m above, and the interference components in the combustion gas in this wavelength range are water (H 2 O), sulfur dioxide (SO 2 ), acetylene ( C 2 H 2 ) and/or nitrous oxide (N 2 O) have smaller absorption intensities and their interfering effects are smaller. As a result, it is possible to improve the measurement accuracy of the concentration of methane (CH 4 ).
  • the light source control unit 71 adjusts the wavelength modulation range of the laser light to include wavelengths between 9.45 and 9.47 ⁇ m. modulate. Specifically, the light source control unit 71 modulates the wavelength modulation range of the laser light so as to preferably include a wavelength of 9.467 to 9.468 ⁇ m, more preferably a wavelength of 9.4671 ⁇ m. By modulating in this way, the interfering effects of ethylene ( C2H4 ), ammonia ( NH3 ) and/or carbon dioxide ( CO2 ) can be reduced, and low concentrations of methanol ( CH3OH ) can be reduced. Concentration measurement accuracy can be improved. These wavelengths also coincide with the strong absorption band of ethanol (C 2 H 5 OH), allowing simultaneous measurement of methanol (CH 3 OH) and ethanol (C 2 H 5 OH).
  • the light source control unit 71 can also modulate the wavelength modulation range of the laser light so as to preferably include a wavelength between 9.455 and 9.456 ⁇ m, more preferably a wavelength of 9.4557 ⁇ m.
  • ethylene (C 2 H 4 ) which has an absorption intensity of methanol (CH 3 OH) or ethanol (C 2 H 5 OH) approximately equivalent to the above 9.4671 ⁇ m, and is an interference component in the combustion gas in this wavelength region; Ammonia (NH 3 ) and/or carbon dioxide (CO 2 ) have lower absorption intensities and their interference effects are smaller.
  • NH 3 methanol
  • CO 2 carbon dioxide
  • the analyzer 100 detects carbon dioxide (CO 2 ), carbon monoxide (CO), ethylene (C 2 H 4 ), ammonia (NH 3 ), ethane (C 2 H 6 ), water (H 2 O), acetylene (C 2 H 2 ), methane (CH 4 ), ammonia (NH 3 ), and methanol (CH 3 OH).
  • the semiconductor laser 2 is modulated within the wavelength modulation range.
  • the light source control unit 71 adjusts the wavelength modulation range of the laser light to include wavelengths between 4.23 and 4.24 ⁇ m. modulate. Specifically, the light source control unit 71 preferably controls the wavelength modulation range of the laser light to be between 4.234 ⁇ m and 4.238 ⁇ m, or between 4.235 ⁇ m and 4.238 ⁇ m, more preferably between 4.2347 ⁇ m and 4.2347 ⁇ m. Modulate to include the wavelength of 2371 ⁇ m.
  • the light source control unit 71 determines that the wavelength modulation range of the laser light includes wavelengths between 4.34 and 4.35 ⁇ m. modulate as follows. Specifically, the light source control unit 71 modulates the wavelength modulation range of the laser light so that it preferably includes a wavelength between 4.342 and 4.347 ⁇ m, more preferably a wavelength of 4.3428 ⁇ m or 4.3469 ⁇ m. .
  • the light source control unit 71 sets the wavelength modulation range of the laser light between 4.59 and 4.61 ⁇ m, or between 4.59 and 4.59 ⁇ m. Modulate to include the 4.60 ⁇ m wavelength. Specifically, the light source control unit 71 modulates the wavelength modulation range of the laser light so that it preferably includes a wavelength between 4.594 and 4.604 ⁇ m, more preferably a wavelength of 4.5950 ⁇ m or 4.6024 ⁇ m. .
  • the light source control unit 71 adjusts the wavelength modulation range of the laser light to include wavelengths between 5.89 and 6.12 ⁇ m. modulate. Specifically, the light source control unit 71 preferably modulates the wavelength modulation range of the laser light to include a wavelength of 5.896 to 5.934 ⁇ m, more preferably 5.8965 ⁇ m or 5.9353 ⁇ m. .
  • the light source control unit 71 modulates the wavelength modulation range of the laser light so as to preferably include a wavelength of 6.046 to 6.114 ⁇ m, more preferably a wavelength of 6.0486 ⁇ m or 6.1138 ⁇ m. can also By modulating in this way, the interfering effects of methane ( CH4 ), ethylene ( C2H4 ) and/or ethane ( C2H6 ) can be reduced, and high concentrations of methane ( CH4 ), The measurement accuracy of dilute water ( H2O ) concentrations in process gases containing ethylene ( C2H4 ) and/or ethane ( C2H6 ) can be improved.
  • the light source control unit 71 sets the wavelength modulation range of the laser light between 7.56 ⁇ m and 7.66 ⁇ m. Modulate to include wavelengths between 7.81 ⁇ m, between 7.27-7.24 ⁇ m, or between 7.25-7.81 ⁇ m.
  • the light source control unit 71 preferably determines that the wavelength modulation range of the laser light is between 7.378 and 7.638 ⁇ m, between 7.378 and 7.603 ⁇ m, between 7.378 and 7.420 ⁇ m, a wavelength between 7.430 and 7.603 ⁇ m, between 7.430 and 7.638 ⁇ m, between 7.629 and 7.683 ⁇ m, or between 7.594 and 7.651 ⁇ m, more preferably 7.5966 ⁇ m, Modulate to include wavelengths of 7.6233 ⁇ m or 7.6501 ⁇ m.
  • the light source control unit 71 preferably controls the wavelength modulation range of the laser light to include wavelengths between 7.566 and 7.634 ⁇ m, more preferably 7.5698 ⁇ m, 7.6231 ⁇ m, or 7.6367 ⁇ m. It can also be modulated. By modulating in this way, the interfering effects of methane ( CH4 ), ethylene ( C2H4 ) and/or ethane ( C2H6 ) can be reduced, and high concentrations of methane ( CH4 ), The measurement accuracy of low concentrations of acetylene ( C2H2 ) in process gases containing ethylene ( C2H4 ) and/or ethane ( C2H6 ) can be improved.
  • the light source control unit 71 modulates the wavelength modulation range of the laser light so as to include wavelengths between 7.67 and 7.80 ⁇ m.
  • the light source control unit 71 preferably modulates the wavelength modulation range of the laser light so as to include a wavelength between 7.670 and 7.792 ⁇ m, more preferably a wavelength of 7.6704 ⁇ m or 7.7914 ⁇ m. .
  • the interfering effects of ethylene ( C2H4 ) and/or ethane ( C2H6 ) can be reduced, and high concentrations of ethylene ( C2H4 ) and/or ethane ( C 2 H 6 ) can be used to improve the measurement accuracy of the concentration of low-concentration methane (CH 4 ) in the process gas.
  • the light source controller 71 sets the wavelength modulation range of the laser light to include wavelengths between 8.10 and 8.14 ⁇ m. modulate to Specifically, the light source control unit 71 modulates the wavelength modulation range of the laser light so that it preferably includes a wavelength between 8.107 and 8.139, more preferably a wavelength of 8.1073 ⁇ m or 8.1381 ⁇ m. .
  • the light source control unit 71 adjusts the wavelength modulation range of the laser light to include wavelengths between 8.10 and 8.13 ⁇ m. modulate. Specifically, the light source control unit 71 modulates the wavelength modulation range of the laser light so that it preferably includes a wavelength between 8.102 and 8.121, more preferably a wavelength of 8.1022 ⁇ m or 8.1206 ⁇ m. .
  • the light source control unit 71 adjusts the wavelength modulation range of the laser light to include wavelengths between 8.10 and 8.13 ⁇ m. modulate. Specifically, the light source control unit 71 modulates the wavelength modulation range of the laser light so as to include the wavelength of 8.1022 ⁇ m or 8.1206 ⁇ m.
  • the light source control unit 71 sets the wavelength modulation range of the laser light to include wavelengths between 8.46 and 8.60 ⁇ m. modulate as follows. Specifically, the light source control unit 71 preferably modulates the wavelength modulation range of the laser light to include a wavelength of 8.464 to 8.599 ⁇ m, more preferably a wavelength of 8.4647 ⁇ m or 8.5981 ⁇ m. .
  • the interfering effects of methane ( CH4 ) and/or ethane ( C2H6 ) can be reduced, and high concentrations of methane ( CH4 ) and/or ethane ( C2H6 ) can be reduced .
  • ) can be improved in measuring the concentration of high-concentration ethylene (C 2 H 4 ) in the process gas.
  • the light source control unit 71 sets the wavelength modulation range of the laser light to 6.09 ⁇ m between 6.13 ⁇ m and 6.14 ⁇ m. Modulate to include wavelengths between ⁇ 6.45 ⁇ m, 6.09-6.39 ⁇ m, or 6.41 ⁇ m-6.45 ⁇ m. Specifically, the light source control unit 71 controls the wavelength modulation range of the laser light to be preferably between 6.135 ⁇ m and 6.139 ⁇ m, or between 6.463 ⁇ m and 6.619 ⁇ m, more preferably between 6.1384 ⁇ m and 6.1384 ⁇ m.
  • the interfering effects of methane ( CH4 ) and/or ethylene ( C2H4 ) can be reduced, and high concentrations of methane ( CH4 ) and/or ethylene ( C2H4 ) can be reduced.
  • ) can be improved in measuring the concentration of high-concentration ethane (C 2 H 6 ) in the process gas.
  • the light source control unit 71 sets the wavelength modulation range of the laser light to between 6.06 and 6.25 ⁇ m. , 6.06-6.14 ⁇ m, 6.15-6.17 ⁇ m, 6.19-6.25 ⁇ m, or 8.62-9.09 ⁇ m.
  • the light source control unit 71 preferably determines that the wavelength modulation range of the laser light is between 6.141 and 6.153 ⁇ m, between 6.141 and 6.149 ⁇ m, between 6.150 and 6.153 ⁇ m, or Modulated to include wavelengths between 8.939 and 8.968 ⁇ m, more preferably 6.1450 ⁇ m, 6.1487 ⁇ m, 6.1496 ⁇ m, 8.9604 ⁇ m, 8.9473 ⁇ m, or 8.7671 ⁇ m.
  • the interfering effects of methane ( CH4 ) and/or ethylene ( C2H4 ) can be reduced, and high concentrations of methane ( CH4 ) and/or ethylene ( C2H4 ) can be reduced.
  • the light source control unit 71 sets the wavelength modulation range of the laser light to include wavelengths between 9.35 and 9.62 ⁇ m. modulate as follows. Specifically, the light source control unit 71 determines that the wavelength modulation range of the laser light preferably includes a wavelength between 9.477 and 9.526 ⁇ m, more preferably a wavelength of 9.5168 ⁇ m, 9.5042 ⁇ m, or 9.4861 ⁇ m. modulate as follows.
  • the temperature control section 72 controls the current source (or voltage source) of the temperature control section 3 by outputting a control signal for setting the temperature control section 3 to a predetermined target temperature. Thereby, the temperature control unit 3 controls the temperature of the semiconductor laser 2 to a predetermined target temperature.
  • control unit 7 of the present embodiment uses a correction parameter P( ⁇ ) (FIG. 6 ), and modulation correction indicating the relationship between the ambient temperature and the correction parameter P( ⁇ w) for correcting the modulation width deviation of the semiconductor laser 2 (see FIG. 6).
  • a relational data storage unit 73 for storing relational data is provided.
  • the relational data for wavelength correction is shown in FIG. 7(a). It is generated by obtaining a certain target temperature change amount in advance by experiment or calculation.
  • P( ⁇ ) is the target temperature change amount
  • T0 is the reference temperature (for example, room temperature (25° C.))
  • tk is the temperature at the ambient temperature T relative to the reference temperature T0 . This is a coefficient indicating the degree of influence of the target temperature change amount.
  • the relational data for wavelength correction may be in formula form as shown in FIG. 7(a), or may be in lookup table form as shown in FIG. 8(a).
  • FIG. 7(b) the relational data for modulation correction is shown in FIG. 7(b). It is generated by obtaining a certain drive voltage (current) change amount in advance by experiment or calculation.
  • P( ⁇ w) is the amount of change in the drive voltage (current)
  • T 0 is the reference temperature (for example, room temperature (25° C.))
  • v k is the ambient temperature relative to the reference temperature T 0 .
  • the modulation correction related data may be in the form of a formula as shown in FIG. 7(b), or may be in the form of a lookup table as shown in FIG. 8(b).
  • the temperature control unit 72 also corrects the wavelength deviation of the semiconductor laser 2 by changing the target temperature of the temperature control unit 3 using the temperature detected by the temperature sensor 4 and the relationship data for wavelength correction.
  • the light source control unit 71 also corrects the modulation width of the semiconductor laser 2 by changing the drive voltage or drive current of the semiconductor laser 2 using the temperature detected by the temperature sensor 4 and the relationship data for modulation correction. Specifically, the light source controller 71 corrects the modulation width by adjusting the amplitude or offset of the modulation voltage (modulation current) for modulating the wavelength.
  • the signal processing unit 8 includes a logarithm calculation unit 81, a correlation value calculation unit 82, a storage unit 83, a wavelength shift determination unit 84, a density calculation unit 85, and the like.
  • the logarithmic calculator 81 performs logarithmic calculation on the light intensity signal, which is the output signal of the photodetector 5 .
  • the function I(t) representing the change over time of the light intensity signal obtained by the photodetector 5 becomes like the "light intensity I(t)" in FIG. logarithmic intensity L(t)".
  • the correlation value calculator 82 calculates correlation values between an intensity-related signal related to the intensity of sample light and a plurality of predetermined feature signals.
  • a feature signal is a signal for extracting a waveform feature of an intensity-related signal by taking a correlation with the intensity-related signal.
  • the feature signal for example, a sine wave signal or various signals matching waveform features desired to be extracted from other intensity-related signals can be used.
  • the correlation value calculator 82 calculates correlation values between an intensity-related signal related to the intensity of the sample light and a plurality of feature signals with which a correlation different from a sine wave signal (sine function) is obtained with respect to the intensity-related signal. Calculate Here, the correlation value calculator 82 uses the logarithmically calculated light intensity signal (logarithmic intensity L(t)) as the intensity-related signal.
  • the correlation value calculator 82 calculates the correlation value Si It is desirable to calculate a corrected sample correlation value S′ i by subtracting a reference correlation value Ri , which is a correlation value between the intensity-related signal L 0 (t) of the reference light and the plurality of feature signals F i (t), from .
  • Ri a correlation value between the intensity-related signal L 0 (t) of the reference light and the plurality of feature signals F i (t)
  • the configuration may be such that the reference correlation value is not subtracted.
  • the acquisition timing of the reference light is simultaneous with the sample light, before or after the measurement, or any timing.
  • the reference light intensity-related signal or the reference correlation value may be acquired in advance and stored in the storage unit 83 .
  • a method of obtaining reference light simultaneously is, for example, to provide two photodetectors 5, split the modulated light from the semiconductor laser 2 by a beam splitter or the like, and use one for sample light measurement and the other for reference. It is conceivable to use it for optical measurement.
  • the correlation value calculator 82 uses, as the plurality of feature signals F i (t), a function that makes it easier to capture the waveform feature of the logarithmic intensity L(t) than a sine function.
  • a function based on a Lorentzian function close to the shape of the absorption spectrum as shown in the following equation (Equation 3) and a function based on the Lorentzian function It is conceivable to use a partial differential function of the deviation from the reference time position.
  • Equation 3 w is the Lorentz width, s is the shift from the reference time position of the absorption peak due to wavelength shift, A is an arbitrary constant, A 1 , A 2 and A 3 are F 1 (t), This is an offset that adjusts F 2 (t) and F 3 (t) to be zero when integrated over the modulation period. If such a function is used as a feature signal, it is possible to more sensitively detect spectral changes due to the influence of the wavelength shift of the reference light, and to correct the influence of the wavelength shift of the reference light more accurately.
  • a function based on the Voigt function, a function based on the Gaussian function, or the like can be used instead of the function based on the Lorentz function.
  • the storage unit 83 stores the measurement obtained from each intensity-related signal and a plurality of characteristic signals F i (t) when the measurement target component and each interference component exist independently in the known wavelength shift amount of the reference light.
  • a single correlation value which is a correlation value per unit concentration of each of the target component and each interference component, is stored.
  • the multiple feature signals F i (t) used to obtain the single correlation value are the same as the multiple feature signals F i (t) used in the correlation value calculator 82 . In this manner, the storage unit 83 stores individual correlation values for each wavelength shift of various reference beams.
  • the storage unit 83 subtracts the reference correlation value from the correlation value when the measurement target component and each interference component exist alone, and then performs correction for conversion per unit concentration. It is desirable to store a single correlation value that As a result, the offset included in the single correlation value is removed, and the correlation value becomes proportional to the concentrations of the measurement target component and the interfering component, thereby reducing measurement errors. Note that the configuration may be such that the reference correlation value is not subtracted.
  • the wavelength shift determination unit 84 determines the wavelength shift amount W of the reference light from the light intensity signal, which is the output signal of the photodetector 5 .
  • the following procedure can be considered.
  • Each single correlation value s itar ( W k ) and s iint (W k ) are obtained in advance, and the sample correlation value obtained at the time of measurement and the single correlation value are compared and collated to determine the wavelength shift W of the reference light.
  • Specific comparison and collation methods include, for example, the nonlinear least-squares method involving iterative calculation using the steepest descent method, the Gauss-Newton method, the Levenberg-Marquardt method, and the like.
  • the number of required feature signals is equal to or greater than the sum of the number of types of measurement target components and the number of types of interference components plus one.
  • the reason for adding 1 is to correspond to the amount of wavelength shift, which is a parameter common to the light absorption spectrum of each component.
  • (b) Determine the wavelength shift amount W of the reference light using relational data indicating the relationship between the ambient temperature and the wavelength shift amount W and the measured ambient temperature.
  • the relational data is generated in advance by obtaining the wavelength shift W of the reference light for each ambient temperature of the light source 2 by experiment or calculation.
  • the concentration calculator 85 calculates the concentration of the component to be measured using the plurality of sample correlation values obtained by the correlation value calculator 82 .
  • the concentration calculator 85 calculates the plurality of sample correlation values obtained by the correlation value calculator 82 , the wavelength shift amount W determined by the wavelength shift determiner 84 , and the plurality of independent values stored in the storage unit 83 .
  • the concentration of the component to be measured is calculated based on the correlation value. More specifically, the density calculation unit 85 corrects and acquires the plurality of single correlation values stored in the storage unit 83 from the wavelength shift amount W obtained by the wavelength shift determination unit 84 . Then, the concentration calculation unit 85 calculates the plurality of sample correlation values obtained by the correlation value calculation unit 82, the corrected plurality of single correlation values corresponding to the determined wavelength shift amount W, the measurement target component and each interference. The concentration of the component to be measured is calculated by solving simultaneous equations consisting of the concentration of each component (see FIG. 9).
  • the sample gas contains one component to be measured and one interfering component.
  • the light source control unit 71 controls the semiconductor laser 2 to obtain the absorption spectrum of the component to be measured at a predetermined modulation frequency and modulation depth.
  • the wavelength of the laser light is modulated around the peak of .
  • the reference correlation value may be measured by performing the reference measurement using the zero gas.
  • a span gas (a gas with a known component concentration) into the cell 1 to perform a reference measurement.
  • This reference measurement is performed for each of a span gas in which the component to be measured exists alone and a span gas in which the interfering component alone exists.
  • the logarithmic calculator 61 receives each output signal of the photodetector 5 for each wavelength shift amount of the reference light and calculates the logarithmic intensity L(t). Then, the correlation value calculator 82 calculates the correlation values between the logarithmic intensity L(t) and the three feature signals F 1 (t), F 2 (t), and F 3 (t), and from the correlation values By dividing the result obtained by subtracting the reference correlation value by the concentration of the span gas, a single correlation value, which is the correlation value of each span gas per unit concentration, is calculated. Instead of calculating the single correlation value, the relationship between the span gas concentration and the correlation value of the span gas may be stored.
  • the correlation value calculator 82 calculates the correlation value S 1tar ( wk ) of the component to be measured. , S 2tar (w k ), S 3tar (w k ).
  • S 1tar (w k ) is the correlation value with the first feature signal
  • S 2tar (w k ) is the correlation value with the second feature signal
  • S 3tar (w k ) is , is the correlation value with the third feature signal.
  • the correlation value calculator 82 subtracts the reference correlation value R i from the correlation values S 1tar (w k ), S 2tar (w k ), and S 3tar (w k ) to obtain the span gas concentration c of the component to be measured.
  • the single correlation values s 1tar (w k ), s 2tar (w k ), s 3tar (w k ) are calculated. This procedure is performed by changing the set temperature of the semiconductor laser 2 while sequentially changing the amount of wavelength deviation of the reference light (for example, from ⁇ 0.01 cm ⁇ 1 to +0.01 cm ⁇ 1 in increments of 0.001 cm ⁇ 1 ) . ) for each wavelength shift amount, and the relationship between the obtained single correlation value for each wavelength shift amount and the wavelength shift is stored.
  • the span gas concentration c tar of the component to be measured is input to the signal processing unit 8 in advance by a user or the like.
  • the correlation value calculator 82 calculates the correlation value S1int ( wk ) of the interference component. , S 2int (w k ), and S 3int (w k ).
  • S 1int (w k ) is the correlation value with the first feature signal
  • S 2int (w k ) is the correlation value with the second feature signal
  • S 3int (w k ) is , is the correlation value with the third feature signal.
  • the correlation value calculator 82 subtracts the reference correlation value Ri from the correlation values S 1int (w k ), S 2int (w k ), and S 3int (w k ) to obtain the span gas concentration c int of the interference component. to calculate the single correlation values s 1int (w k ), s 2int (w k ), s 3int (w k ).
  • This procedure is performed by changing the set temperature of the semiconductor laser 2 while sequentially changing the amount of wavelength deviation of the reference light (for example, from ⁇ 0.01 cm ⁇ 1 to +0.01 cm ⁇ 1 in increments of 0.001 cm ⁇ 1 ) . ) for each wavelength shift amount, and the relationship between the obtained single correlation value for each wavelength shift amount and the wavelength shift amount is stored.
  • the span gas concentration c int of the interference component is input to the signal processing unit 8 in advance by a user or the like.
  • Single correlation values s 1tar (w k ), s 2tar (w k ) , s 3tar (w k ), s 1int (w k ), s 2int (w k ) and s 3int (w k ) are stored in the storage unit 83 . Note that this reference measurement may be performed before product shipment, or may be performed periodically.
  • the light source controller 71 controls the semiconductor laser 2 to modulate the wavelength of the laser light with a predetermined modulation frequency and modulation depth centering on the peak of the absorption spectrum of the component to be measured.
  • the temperature control section 72 corrects the wavelength shift of the semiconductor laser 2 by changing the target temperature of the temperature control section 3 using the temperature detected by the temperature sensor 4 and the relationship data for wavelength correction.
  • the light source control unit 71 also corrects the modulation width of the semiconductor laser 2 by changing the drive voltage or drive current of the semiconductor laser 2 using the temperature detected by the temperature sensor 4 and the relationship data for modulation correction.
  • a sample gas is then introduced into the cell 1 by an operator or automatically, and a sample measurement is performed.
  • the logarithmic calculator 81 receives the output signal of the photodetector 3 and calculates the logarithmic intensity L(t). Then, the correlation value calculator 82 calculates sample correlation values S 1 , S 2 , S between the logarithmic intensity L(t) and the plurality of feature signals F 1 (t), F 2 (t), F 3 (t). 3 is calculated, and sample correlation values S' 1 and S' 2 are calculated by subtracting the reference correlation value R i from the correlation value.
  • the wavelength shift determination unit 84 determines the wavelength shift amount W by the method described above.
  • the density calculation unit 85 calculates the wavelength shift amount W Determine the single correlation values s' 1tar , s' 2tar , s' 1int , s' 2int of the measured component and the interfering component corrected by .
  • a method of determination for example, a method using linear interpolation, quadratic interpolation, spline interpolation, or the like can be considered.
  • the density calculation unit 85 calculates the sample correlation values S′ 1 and S′ 2 corrected by the reference correlation values calculated by the correlation value calculation unit 82, and the corrected single correlation values s′ 1tar , s′ 2tar and s′ 1int . , s′ 2int , and the concentrations C tar and C int of the component to be measured and each interfering component, respectively (see FIG. 9).
  • Equation 5 By solving the n-dimensional simultaneous equations represented by this equation (Equation 5), it is possible to determine the concentration corrected for the interference effects of each gas of the component to be measured and the interfering component. Note that even if the sample does not contain any interfering components, it is possible to determine the concentration corrected for the interference effects of each gas of the measurement target component and the interfering component by solving the above n-dimensional simultaneous equations. can.
  • the modulation correction relationship data indicating the relationship between the ambient temperature of the laser light source 2 and the correction parameter for correcting the modulation width deviation of the laser light source 2 is used. Since the drive voltage (or drive current) of the light source controller 71 is changed from the temperature detected by the temperature sensor 4 that detects the ambient temperature of the laser light source 2, the modulation width of the oscillation wavelength of the laser light source due to changes in the ambient temperature is change can be reduced. As a result, it is possible to reduce the change in the absorption spectrum due to the change in the laser light source, and to measure the concentration of the component to be measured with high accuracy.
  • ethane (C 2 H 6 ), formaldehyde (HCHO), sulfur dioxide (SO 2 ), methane (CH 4 ), the wavelength modulation range when measuring the concentration of each of methanol ( CH3OH ) or ethanol ( C2H5OH ), or carbon dioxide ( CO2 ), carbon monoxide (CO) in the material gas Accurate wavelength modulation range when measuring concentrations of ethylene (C 2 H 4 ), ethane (C 2 H 6 ), water (H 2 O), acetylene (C 2 H 2 ) or methane (CH 4 ) can be set, and their concentrations can be measured with high accuracy.
  • the wavelength shift amount W of the reference light is determined by calculation, and the determined wavelength shift amount W is used to further correct the influence of the wavelength shift of the reference light. Since the concentration of the component to be measured is calculated, the change in the light absorption spectrum of the component to be measured caused by the wavelength shift of the reference light, which cannot be suppressed by physical wavelength shift correction, is corrected, and the concentration of the component to be measured is measured with even higher accuracy. can do.
  • the logarithmic intensity L(t), which is an intensity-related signal related to the intensity of the sample light, and the plurality of characteristic signals F i (t) for the logarithmic intensity L(t) ) , and the concentration of the component to be measured is calculated using the plurality of calculated correlation values Si .
  • the concentration of the component to be measured can be measured with simple calculations without complicated spectral calculations. For example, several hundred data points are required for general spectrum fitting, but in the present invention, at most several to several tens of correlation values can be used to calculate concentrations with equivalent accuracy.
  • the load of arithmetic processing can be dramatically reduced, an advanced arithmetic processing device becomes unnecessary, the cost of the analysis device 100 can be reduced, and the size can be reduced.
  • the plurality of feature signals use signals that can obtain a correlation different from that of the sine wave signal, the accuracy is equal to or higher than that of an analyzer that performs concentration calculation by a method using conventional lock-in detection. It is possible to determine the concentration of the component to be measured.
  • the logarithmic calculator 61 in each of the above-described embodiments logarithmically calculates the light intensity signal of the photodetector 3.
  • the intensity of the sample light and the reference light It is also possible to calculate the logarithm (so-called absorbance) of the ratio to the intensity of the modulated light.
  • the logarithmic calculator 61 may calculate the logarithm of the intensity of the sample light, calculate the logarithm of the intensity of the reference light, and then subtract them to calculate the absorbance. After obtaining the ratio of the intensity of , the absorbance may be calculated by taking the logarithm of the ratio.
  • the correlation value calculator 62 in each of the above embodiments calculates the correlation value between the intensity-related signal and the feature signal, but instead calculates the inner product value of the intensity-related signal and the feature signal. good too.
  • the signal processing unit 8 of the analyzer 100 determines a broadening factor that indicates the rate of change in the optical absorption spectrum of the component to be measured or the interference component caused by the coexisting component contained in the sample.
  • a lighting factor determination unit 86 is provided.
  • the broadening factor determining section 86 determines a broadening factor FB that indicates the change rate of the light absorption spectra of the measurement target component and the interference component caused by the coexisting components contained in the sample. If the coexistence effect of the coexisting component on the interference component should also be considered, the broadening factor FB is added and determined for each component.
  • each single correlation value s itar ( p k ) and s iint (p k ) are obtained in advance, and the sample correlation value obtained at the time of measurement and the single correlation value are compared and collated to determine the broadening factor F B .
  • the single correlation value is converted and used using the pressure value in the cell and the relationship of the following formula (Equation 6).
  • the number of required feature signals is equal to or greater than the sum of the number of types of components to be measured, the number of types of interference components, and the number of types of broadening factors.
  • p is the sample pressure measured by the pressure sensor 7
  • F B is the broadening factor determined by the broadening factor determination unit 86
  • sij is the single correlation value at each pressure stored in the storage unit 63.
  • s' ij is the corrected single correlation value. Note that the above formula (Formula 6) is obtained by multiplying the single correlation value s ij (p) at the pressure p of the sample at the time of sample measurement by 1/FB times the single correlation value at the pressure obtained by multiplying the pressure by FB . indicates that the corrected single correlation value s' ij is obtained. If the interference component is also affected by broadening due to the coexisting component, the broadening factor of the interference component may be determined separately to correct the single correlation value of the interference component. This makes it possible to further improve the measurement accuracy.
  • the broadening factor FB is determined using the relationship data indicating the relationship between the concentration of the coexisting component and the broadening factor FB and the measured concentration of the coexisting component.
  • the relational data is generated in advance by determining the broadening factor FB for each concentration of the coexisting component by experiment or calculation.
  • the measured concentrations of the coexisting components may be those measured by the analyzer 100 of the present embodiment before coexistence influence correction, or the concentrations of the coexisting components may be measured using another analyzer.
  • the concentration calculator 65 calculates the concentration of the component to be measured using the plurality of sample correlation values obtained by the correlation value calculator 62 .
  • the density calculation unit 65 calculates the plurality of sample correlation values obtained by the correlation value calculation unit 62, the broadening factor FB determined by the broadening factor determination unit 64, and the plurality of correlation values stored in the storage unit 63.
  • the concentration of the component to be measured is calculated based on the single correlation value of .
  • the density calculator 65 corrects and acquires the plurality of single correlation values stored in the storage 63 from the broadening factor FB obtained by the broadening factor determiner 64 .
  • the concentration calculation unit 65 calculates the plurality of sample correlation values obtained by the correlation value calculation unit 62, the corrected plurality of single correlation values corresponding to the determined broadening factor FB , the component to be measured, and each The concentration of the component to be measured is calculated by solving simultaneous equations consisting of the concentrations of the interfering components.
  • the concentration calculator 65 calculates the single correlation value for the pressure p k in each cell stored in the storage unit 63, the pressure value p in the cell measured by the pressure sensor 7, and the broadening factor determination unit Using the broadening factor F B determined by 64 and the above equation (Equation 6), the single correlation values s′ 1tar , s′ of the component to be measured corrected for both the pressure in the cell and the broadening factor 2tar and the single correlation values s' 1int and s' 2int of the interference components corrected only for the pressure in the cell (assuming a broadening factor of 1).
  • a method of determination for example, a method using linear interpolation, quadratic interpolation, spline interpolation, or the like can be considered.
  • the density calculation unit 65 calculates the sample correlation values S′ 1 and S′ 2 corrected by the reference correlation values calculated by the correlation value calculation unit 62, and the corrected single correlation values s′ 1tar , s′ 2tar and s′. Solve the following simultaneous binary equations consisting of 1 int , s′ 2 int and the concentrations C tar , C int of the component to be measured and the interfering component, respectively.
  • the concentration C tar of the component to be measured from which the interference effect and coexistence effect have been removed can be determined by a simple and reliable calculation of solving the simultaneous equations of the above equation (Equation 7).
  • the analysis device 100 may include a plurality of laser light sources 2 for irradiating the cells 1 with laser light and a plurality of temperature control units 3 corresponding thereto.
  • the plurality of laser light sources 2 correspond to, for example, the measurement target components exemplified in the above embodiments.
  • the plurality of laser light sources 2 are pulse-oscillated by the light source control unit 71 with the same oscillation cycle and different oscillation timings.
  • the control contents of the light source control section 71 and the temperature control section 72 for each laser light source 2 and each temperature control section 3 are the same as in the above embodiment.
  • the signal processing device 6 separates the signal of each of the plurality of laser light sources 2 from the light intensity signal obtained by the photodetector 5 , and uses the separated light absorption signal of each laser light source 2 to generate a signal for each laser light source 2 . Calculate the concentration of the corresponding component to be measured. Calculation of the concentration of the component to be measured by the signal processing unit 8 is the same as in the above embodiment.
  • the wavelength shift is corrected physically and the wavelength shift is corrected by calculation, but the wavelength shift may not be corrected by calculation.
  • the wavelength shift may be corrected by calculation without physically correcting the wavelength shift, or the wavelength shift may be corrected by calculation without physically correcting the wavelength shift.
  • the modulation width deviation may not be corrected.
  • the storage unit 83 stores the single correlation value corrected using the reference correlation value.
  • the unit 83 may be configured to subtract the reference correlation value from the uncorrected single correlation value and then obtain the corrected single correlation value converted per unit density.
  • the plurality of feature signals are not limited to the above embodiment, and may be different functions. Further, as the feature signal, for example, a function indicating a waveform (sample spectrum) of light intensity, logarithmic intensity, or absorbance obtained by flowing a span gas of known concentration may be used. Also, when measuring the concentration of one component to be measured, at least one characteristic signal is sufficient.
  • the number of single correlation values and sample correlation values larger than the number of gas kinds is obtained using feature signals of more than n kinds, It is also possible to create simultaneous equations with a greater number of elements than the number of gas species, and determine the concentration of each component by the least squares method. Become.
  • sample gas may be not only exhaust gas but also air, liquid or solid.
  • present invention can be applied not only to gases, but also to liquids and solids as components to be measured.
  • it can be used not only for the absorbance of light transmitted through a measurement target, but also for the calculation of the absorbance by reflection.
  • the signal processing unit of the embodiment uses an intensity-related signal related to the intensity of the sample light and a feature signal that provides a predetermined correlation with the intensity-related signal to obtain a concentration-dependent measurement of the component to be measured. function of the correlation value calculation unit for calculating the correlation value and the concentration calculation unit for calculating the concentration of the component to be measured using the correlation value obtained by the correlation value calculation unit. may be used.
  • the light source is not limited to a semiconductor laser, but may be any other type of laser, or any light source that is a single-wavelength light source that has a sufficient half-value width to ensure measurement accuracy and that can be wavelength-modulated. may

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

本発明は、光吸収を利用した分析装置において、周囲温度変化によるレーザ光源の発振波長の変調幅の変動を低減して、測定対象成分の濃度を精度良く測定するものであり、サンプル中に含まれる測定対象成分を分析する分析装置１００であって、サンプルに参照光を照射するレーザ光源２と、参照光がサンプルを透過したサンプル光の強度を検出する光検出器５と、レーザ光源の温度を調整する温調部３と、レーザ光源の周囲温度を検出する温度センサ４と、レーザ光源２の周囲温度とレーザ光源の測定対象成分を測定するための既定の変調幅に対する変調幅ずれを補正するための補正用パラメータとの関係を示す変調補正用関係データを格納する関係データ格納部７３と、温度センサ４の検出温度及び変調補正用関係データを用いて、温調部３の目標温度を変更し、又は、レーザ光源２の波長変調のために印加される駆動電圧若しくは駆動電流の少なくとも一方を変更する制御部７とを備える。

Description

分析装置、分析装置用プログラム及び分析方法
　本発明は、例えばガスの成分分析等に用いられる分析装置等に関するものである。
　従来、特許文献１に示すように、半導体レーザの注入電流を変調して発振波長を掃引し、測定対象ガスの吸収スペクトルを得ることにより濃度定量を行う分析手法（ＴＤＬＡＳ：Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy）がある。
　ここで、測定対象ガスに対して干渉影響を有する干渉成分が含まれている場合には、測定対象ガスの吸収ピーク位置に干渉成分の吸収スペクトルが重なってしまい、濃度定量に誤差が生じてしまう。このため、上記のＴＤＬＡＳでは、測定により取得された吸収スペクトルから、スペクトルフィッティング、ベースライン推定又は多変量解析などのスペクトル演算処理を行うことによって、干渉成分による干渉影響を補正している。
　しかしながら、半導体レーザは周囲温度の変化によって、その発振波長の変調（又は掃引）幅が変化することから、取得される吸収スペクトルが変化し、濃度定量結果に誤差が生じるという課題がある。一般的に、半導体レーザは、ペルチェ素子などを用いて、温度を一定に制御する機能を備えていることが多いが、そのような場合でも、周囲温度の変化によって、温度制御のための温度センサと半導体レーザそのものの温度にずれが生じ、発振波長の変調範囲にずれが生じてしまう。特に消費電力の比較的大きな量子カスケードレーザを光源として用いる場合にこの影響がより顕著に表れる。
特開２０１６－９０５２１号公報
　そこで、本発明は上述したような問題に鑑みてなされたものであり、光吸収を利用した分析装置において、周囲温度の変化によるレーザ光源の発振波長の変調範囲の変化を低減して、測定対象成分の濃度を精度良く測定することをその主たる課題とするものである。
　すなわち、本発明に係る分析装置は、サンプル中に含まれる測定対象成分を分析する分析装置であって、前記サンプルに参照光を照射するレーザ光源と、前記参照光が前記サンプルを透過したサンプル光の強度を検出する光検出器と、前記レーザ光源の温度を調整する温調部と、前記レーザ光源の周囲温度を検出する温度センサと、前記レーザ光源の周囲温度と前記レーザ光源の前記測定対象成分を測定するための既定の変調範囲に対するずれを補正するための補正用パラメータとの関係を示す変調補正用関係データを格納する関係データ格納部と、前記温度センサの検出温度及び前記変調補正用関係データを用いて、前記温調部の目標温度、又は前記レーザ光源の波長変調のために印加される駆動電圧又は駆動電流の少なくとも一方を変更する制御部とを備えることを特徴とする。なお、レーザ光源の発振波長の変調範囲とは、レーザ光源の発振波長の変調幅のことである。また、既定の変調範囲に対する変調幅ずれを補正するための補正用パラメータとしては、変調幅ずれを補正するのに必要な駆動電圧（電流）変化量などが考えられる。
　このような構成であれば、レーザ光源の周囲温度と測定対象成分を測定するための既定の変調範囲に対するずれを補正するための補正用パラメータとの関係を示す変調補正用関係データを用いて、レーザ光源の周囲の温度を検出する温度センサの検出温度から、温調部の目標温度、又はレーザ光源の駆動電圧又は駆動電流を変更するので、周囲温度の変化によるレーザ光源の変調幅の変化を低減することができる。その結果、レーザ光源の変化による吸収スペクトルの変化を低減して、測定対象成分の濃度を精度良く測定することができる。なお、既定の変調幅とは、基準温度において測定対象成分を測定するために設定された変調幅であり、製品出荷前に設定され、又は、ユーザによって設定される。
　また、前記レーザ光源が、周囲温度の変化によって、その発振波長が変化してしまい、取得される吸収スペクトルが変化し、濃度定量結果に誤差が生じるという課題もある。
　この問題を好適に解決するためには、本発明の分析装置は、前記サンプル光の強度に関連する強度関連信号から前記参照光の波長ずれ量を決定する波長ずれ決定部と、前記サンプル光の強度に関連する強度関連信号と、前記波長ずれ量とを用いて、前記参照光の波長ずれを補正した前記測定対象成分の濃度を算出する濃度算出部とをさらに備えることが望ましい。
　具体的には、前記波長ずれ決定部は、波長ずれ量が既知である測定対象成分及び干渉成分の光吸収信号に関連するリファレンスデータと、前記サンプル光の強度から求まる光吸収信号に関連するサンプルデータとをフィッティングして、波長ずれ量を決定することが望ましい。
　レーザを用いた吸収分光法では、測定対象成分の光吸収スペクトルに重なる光吸収スペクトルを持つ干渉成分の影響（干渉影響）だけでなく、高濃度（数％～数十％程度）に共存する共存成分の濃度変化に影響を受けて、その形が変化してしまう（共存影響）。具体的には光吸収スペクトルの幅が広がり、吸収ピークが低くなってしまう（ブロードニング）。その結果、測定対象成分の濃度に測定誤差が生じてしまう。なお、測定対象成分自身が高濃度である場合は、測定対象成分自身が共存成分となり、測定対象成分自身の濃度変化により、共存影響が発生する（セルフブロードニング）。つまり、共存成分とは、自己又は他の成分に対してブロードニング影響を与える成分である。
　共存成分の影響によりブロードニングした光吸収スペクトルは、図１２（Ａ）に示すように、共存成分の濃度に応じて、スペクトル幅が広がり、吸収ピークの高さが低くなるものの、その全体の面積はほとんど変わらないことが知られている。一方、圧力が変動した場合には、図１２（Ｂ）に示すように、光吸収スペクトルの幅は広がるが、吸収ピークの高さはほぼ変わらない。
　そこで、本願発明者は、共存影響と圧力変動による光吸収スペクトルの変化の違いと類似性に着目し、サンプルに含まれる共存成分により生じる測定対象成分の光吸収スペクトルの変化率を示すブロードニングファクタＦＢを新たに導入し、ある圧力Ｐにおける吸光度信号をＡ（ｔ，Ｐ）とすると、共存影響によりブロードニングファクタＦＢのブロードニングが起こったときの吸光度信号Ａ’（ｔ，Ｐ）は、近似的に以下の式で表されることを見出した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　つまり、共存影響によるスペクトル変化は、圧力がＦＢ倍になり、吸光度が１／ＦＢ倍になったスペクトル変化とほぼ同じである。本発明は、このことを利用して共存影響によるブロードニングを圧力変化に換算して、圧力補正と同時に共存影響補正を行うことを基本概念とするものである。
　共存影響による濃度定量結果の誤差を低減するためには、前記サンプルに含まれる共存成分により生じる前記測定対象成分又は干渉成分の光吸収スペクトルの変化率を示すブロードニングファクタを決定するブロードニングファクタ決定部と、前記サンプル光の強度に関連する強度関連信号と、前記ブロードニングファクタとを用いて、前記共存成分による共存影響を補正した前記測定対象成分の濃度を算出する濃度算出部とを備えることが望ましい。このとき、周囲温度変化によってレーザ光源の変調幅が変化することによっても、光吸収スペクトルの幅が見かけ上変化してしまうため、共存影響によるブロードニングとの見分けがつかなくなる。そこで本発明のレーザ光源の変調幅補正を適用することで、周囲温度変化によるレーザ光源の変調幅の変化を抑えて、共存影響によるブロードニングを正しく補正することができるので、測定対象成分の濃度をより一層精度良く測定することができる。
　前記パラメータ決定部は、ブロードニングファクタ又は圧力が既知である測定対象成分及び干渉成分の光吸収信号に関連するリファレンスデータと、前記サンプル光の強度から求まる光吸収信号に関連するサンプルデータとをフィッティングして、ブロードニングファクタを決定することが考えられる。ここで、フィッティングとは、リファレンスデータとサンプルデータとを比較して照合することである。なお、比較及び照合の際に、サンプルの圧力値と、上述した式（数１）の関係を用いて、リファレンスデータを変換して用いる。
　また、前記パラメータ決定部は、前記共存成分の濃度及びブロードニングファクタの関係を示す関係データと、測定された前記共存成分の濃度とを用いて、ブロードニングファクタを決定することが考えられる。
　本発明の分析装置の用途として、燃焼ガス中の測定対象成分の濃度を測定することが考えられる。この場合、本発明の分析装置は、燃焼ガス中の一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、アンモニア（ＮＨ３）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、ホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）、アセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）、二酸化硫黄（ＳＯ２）、メタン（ＣＨ４）、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）又はエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）の少なくとも１つの濃度を測定するものとすることが考えられる。なお、燃焼ガスとしては、内燃機関から排出される排ガス、煙道を流れる排ガス、サンプルを燃焼させて生じるガス等を挙げることができる。
　また本発明の分析装置は、これらのガスが最も強い吸収を示す中赤外領域のレーザ光を発振する量子カスケードレーザを光源として用いて、多重反射セル又は共振セルによって長い光路長を実現することで、上記のガスを１００ｐｐｍ以下の低濃度においても計測することができる。ここで、長い光路長としては、１ｍ以上１００ｍ以下であり、１ｍ以上５０ｍ以下が好ましく、また、５ｍ以上３０ｍ以下がより好ましく、さらに、５ｍ以上１５ｍ以下がより好ましい。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１００ｐｐｍ以下の低濃度の一酸化窒素（ＮＯ）の濃度を測定する場合には、５．２４～５．２６μｍの間の一酸化窒素（ＮＯ）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、５．２４～５．２６μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　５．２４～５．２６μｍの間の波長、好ましくは５．２４５～５．２４７μｍの間の波長、より好ましくは５．２４６２μｍの波長は、一酸化窒素（ＮＯ）の最も強い吸収線の一つが存在し、この波長領域の燃焼ガス中における干渉成分である水（Ｈ２Ｏ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、及び／又はエチレン（Ｃ２Ｈ４）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、一酸化窒素（ＮＯ）の濃度の測定精度を向上することができる。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１００ｐｐｍ以下の低濃度の二酸化窒素（ＮＯ２）の濃度を測定する場合には、６．１４～６．２６μｍの間の二酸化窒素（ＮＯ２）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、６．１４～６．２６μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　６．１４～６．２６μｍの間の波長、好ましくは６．１４５～６．２５４μｍの間の波長、より好ましくは６．２３２２μｍ、又は６．２５３８μｍの波長は、二酸化窒素（ＮＯ２）の最も強い吸収線の一つが存在し、この波長領域の燃焼ガス中における干渉成分である水（Ｈ２Ｏ）、及び／又はアンモニア（ＮＨ３）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、二酸化窒素（ＮＯ２）の濃度の測定精度を向上することができる。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１００ｐｐｍ以下の低濃度の亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）の濃度を測定する場合には、７．８４～７．９１μｍの間の亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、７．８４～７．９１μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　７．８４～７．９１μｍの間の波長、好ましくは７．８４５～７．９０７の間の波長、より好ましくは７．８４５５μｍ、７．８５０９μｍ、７．８７８４μｍ、又は７．９０６７μｍの波長は、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）の最も強い吸収線の一つが存在し、この波長領域の燃焼ガス中における干渉成分である水（Ｈ２Ｏ）、メタン（ＣＨ４）、及び／又はアセチレン（Ｃ２Ｈ２）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）の濃度の測定精度を向上することができる。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１００ｐｐｍ以下の低濃度のアンモニア（ＮＨ３）の濃度を測定する場合には、９．３８～９．５６μｍの間のアンモニア（ＮＨ３）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、９．３８～９．５６μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　９．３８～９．５６μｍの間の波長、好ましくは９．３８４～９．５５７μｍの間の波長、より好ましくは９．３８４７μｍ、又は９．５５６６μｍの波長は、アンモニア（ＮＨ３）の最も強い吸収線の一つが存在し、この波長領域の燃焼ガス中における干渉成分である水（Ｈ２Ｏ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、及び／又はエチレン（Ｃ２Ｈ４）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、アンモニア（ＮＨ３）の濃度の測定精度を向上することができる。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１００ｐｐｍ以下の低濃度のエタン（Ｃ２Ｈ６）の濃度を測定する場合には、３．３３～３．３６μｍの間のエタン（Ｃ２Ｈ６）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、３．３３～３．３６μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　３．３３～３．３６μｍの間の波長、好ましくは３．３３６～３．３５２μｍの間の波長、より好ましくは３．３３６８μｍ、３．３４８２μｍ、又は３．３５１９μｍの波長は、エタン（Ｃ２Ｈ６）の最も強い吸収線の一つが存在し、この波長領域の燃焼ガス中における干渉成分である水（Ｈ２Ｏ）、メタン（ＣＨ４）、及び／又はエチレン（Ｃ２Ｈ４）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、エタン（Ｃ２Ｈ６）の濃度の測定精度を向上することができる。
　３．３４０６μｍの波長は、上記の３．３３６８μｍ、３．３４８２μｍ、又は３．３５１９μｍの波長よりもエタン（Ｃ２Ｈ６）の吸収強度は小さいが、この波長の近傍に水（Ｈ２Ｏ）の吸収線があり、エタン（Ｃ２Ｈ６）及び水（Ｈ２Ｏ）の同時計測が可能となる。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１００ｐｐｍ以下の低濃度のホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）又はアセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）の濃度を測定する場合には、５．６５～５．６７μｍの間のホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）又はアセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、５．６５～５．６７μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　５．６５～５．６７μｍの間の波長、好ましくは５．６５１～５．６５２μｍの間の波長、より好ましくは５．６５１４μｍの波長は、ホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）の最も強い吸収線の一つが存在し、この波長領域の燃焼ガス中における干渉成分である水（Ｈ２Ｏ）、及び／又はアンモニア（ＮＨ３）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、ホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）の濃度の測定精度を向上することができる。また、この波長は、アセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）の強い吸収帯とも一致するため、アセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）の計測、又はホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）及びアセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）の同時計測が可能となる。
　５．６５～５．６７μｍの間の波長、好ましくは５．６６５～５．６６７μｍの間の波長、より好ましくは５．６６６０μｍの波長は、上記の５．６５１４μｍの波長よりもホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）の吸収強度はやや小さいが、水（Ｈ２Ｏ）の吸収強度がより小さく、それらの干渉影響がより小さい。その結果、ホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）の濃度の測定精度を向上することができる。また、この波長は、アセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）の強い吸収帯とも一致するため、アセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）の計測、又はホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）及びアセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）の同時計測が可能となる。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１００ｐｐｍ以下の低濃度の二酸化硫黄（ＳＯ２）の濃度を測定する場合には、７．３８～７．４２μｍの間の二酸化硫黄（ＳＯ２）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、７．３８～７．４２μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　７．３８～７．４２μｍの間の波長、好ましくは７．３８５～７．４１７μｍの間の波長、より好ましくは７．３８５６μｍ、又は７．４１６３μｍの波長は、二酸化硫黄（ＳＯ２）の最も強い吸収線の一つが存在し、この波長領域の燃焼ガス中における干渉成分である水（Ｈ２Ｏ）、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、及び／又は亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、二酸化硫黄（ＳＯ２）の濃度の測定精度を向上することができる。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１００ｐｐｍ以下の低濃度のメタン（ＣＨ４）の濃度を測定する場合には、７．５０～７．５４μｍの間のメタン（ＣＨ４）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、７．５０～７．５４μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　７．５０～７．５４μｍの間の波長、好ましくは７．５０３～７．５０４μｍの間の波長、より好ましくは７．５０３５μｍの波長は、メタン（ＣＨ４）の最も強い吸収線の一つが存在し、この波長領域の燃焼ガス中における干渉成分である二酸化硫黄（ＳＯ２）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、及び／又は亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、メタン（ＣＨ４）の濃度の測定精度を向上することができる。また、この波長の近傍には、水（Ｈ２Ｏ）の吸収線があり、メタン（ＣＨ４）及び水（Ｈ２Ｏ）の同時計測が可能となる。
　７．５０～７．５４μｍの間の波長、好ましくは７．５３５～７．５３６μｍの間の波長、より好ましくは７．５３５４μｍの波長は、上記の７．５０３５μｍの波長とほぼ同等のメタン（ＣＨ４）の吸収強度であり、この波長領域の燃焼ガス中における干渉成分である水（Ｈ２Ｏ）、二酸化硫黄（ＳＯ２）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、及び／又は亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）の吸収強度がより小さく、それらの干渉影響がより小さい。その結果、メタン（ＣＨ４）の濃度の測定精度を向上することができる。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１００ｐｐｍ以下の低濃度のメタノール（ＣＨ３ＯＨ）又はエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）の濃度を測定する場合には、９．４５～９．４７μｍの間のメタノール（ＣＨ３ＯＨ）又はエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、９．４５～９．４７μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　９．４５～９．４７μｍの間の波長、好ましくは９．４６７～９．４６８μｍの間の波長、より好ましくは９．４６７１μｍの波長は、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）の最も強い吸収線の一つが存在し、この波長領域の燃焼ガス中における干渉成分であるエチレン（Ｃ２Ｈ４）、アンモニア（ＮＨ３）、及び／又は二酸化炭素（ＣＯ２）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）の濃度の測定精度を向上することができる。また、この波長は、エタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）の強い吸収帯とも一致するため、エタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）の計測、又はメタノール（ＣＨ３ＯＨ）及びエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）の同時計測が可能となる。
　９．４５～９．４７μｍの間の波長、好ましくは９．４５５～９．４５６μｍの間の波長、より好ましくは９．４５５７μｍの波長は、上記の９．４６７１μｍとほぼ同等のメタノール（ＣＨ３ＯＨ）又はエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）の吸収強度であり、この波長領域の燃焼ガス中における干渉成分であるエチレン（Ｃ２Ｈ４）、アンモニア（ＮＨ３）、及び／又は二酸化炭素（ＣＯ２）の吸収強度がより小さく、それらの干渉影響がより小さい。その結果、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）又はエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）の濃度の測定精度を向上することができる。また、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）及びエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）の同時計測が可能となる。
　また、本発明の分析装置の用途として、化学プラントに使用される天然ガス等を含むプロセスガス中の測定対象成分の濃度を測定することが考えられる。この場合、本発明の分析装置は、プロセスガス中の二酸化炭素（ＣＯ２）、一酸化炭素（ＣＯ）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、水（Ｈ２Ｏ）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メタン（ＣＨ４）、アンモニア（ＮＨ３）、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）の少なくとも１つの濃度を測定するものとすることが考えられる。
　また本発明の分析装置は、これらのガスが最も強い吸収を示す中赤外領域のレーザ光を発振する量子カスケードレーザを光源として用いて、多重反射セル又は共振セルによって長い光路長を実現することで、上記のガスを１００ｐｐｍ以下の低濃度においても計測することができる。ここで、長い光路長としては、１ｍ以上１００ｍ以下であり、１ｍ以上５０ｍ以下が好ましく、また、５ｍ以上３０ｍ以下がより好ましく、さらに、５ｍ以上１５ｍ以下がより好ましい。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１００ｐｐｍ以下の低濃度の二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度を測定する場合には、４．２３～４．２４μｍの間の二酸化炭素（ＣＯ２）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、４．２３～４．２４μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　４．２３～４．２４μｍの間の波長、好ましくは４．２３４～４．２３８μｍの間の波長、より好ましくは４．２３４７μｍ、又は４．２３７１μｍの波長は、二酸化炭素（ＣＯ２）の最も強い吸収線が存在し、この波長領域のプロセスガス中における干渉成分であるメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、高濃度のメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の低濃度の二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度の測定精度を向上することができる。
　また、本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１００ｐｐｍ～１％の中濃度の二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度を測定する場合には、４．３４～４．３５μｍの間の二酸化炭素（ＣＯ２）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、４．３４～４．３５μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　４．３４～４．３５μｍの間の波長、好ましくは４．３４２～４．３４７μｍの間の波長、より好ましくは４．３４２８μｍ、又は４．３４６９μｍの波長は、二酸化炭素（ＣＯ２）の中程度の強さの吸収線の一つが存在し、この波長領域のプロセスガス中における干渉成分であるメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、高濃度のメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の中濃度の二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度の測定精度を向上することができる。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１００ｐｐｍ以下の低濃度の一酸化炭素（ＣＯ）の濃度を測定する場合には、４．５９～４．６１μｍの間の一酸化炭素（ＣＯ）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、４．５９～４．６１μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　４．５９～４．６１μｍの間の波長、好ましくは４．５９４～４．６０４μｍの間の波長、より好ましくは４．５９５０μｍ、又は４．６０２４μｍの波長は、一酸化炭素（ＣＯ）の最も強い吸収線の一つが存在し、この波長領域のプロセスガス中における干渉成分であるメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、高濃度のメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の低濃度の一酸化炭素（ＣＯ）の濃度の測定精度を向上することができる。また、高濃度のエチレン（Ｃ２Ｈ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）を同時に計測することも可能である。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１００ｐｐｍ以下の低濃度の水（Ｈ２Ｏ）の濃度を測定する場合には、５．８９～６．１２μｍの間の水（Ｈ２Ｏ）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、５．８９～６．１２μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　５．８９～６．１２μｍの間の波長、好ましくは５．８９６～５．９３４μｍの間の波長、より好ましくは５．８９６５μｍ、又は５．９３５３μｍの波長は、水（Ｈ２Ｏ）の最も強い吸収線の一つが存在し、この波長領域のプロセスガス中における干渉成分であるメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、高濃度のメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の低濃度の水（Ｈ２Ｏ）の濃度の測定精度を向上することができる。
　５．８９～６．１２μｍの間の波長、好ましくは６．０４６～６．１１４μｍの間の波長、より好ましくは６．０４８６μｍ、又は６．１１３８μｍの波長は、水（Ｈ２Ｏ）の上記の波長の次に強い吸収線の一つが存在し、この波長領域のプロセスガス中における干渉成分であるメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、高濃度のメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の低濃度の水（Ｈ２Ｏ）の濃度の測定精度を向上することができる。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１００ｐｐｍ以下の低濃度のアセチレン（Ｃ２Ｈ２）の濃度を測定する場合には、７．５６～７．６６μｍの間、又は７．２７～７．８１μｍの間のアセチレン（Ｃ２Ｈ２）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、７．５６～７．６６μｍの間、又は７．２７～７．８１μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　アセチレン（Ｃ２Ｈ２）は、３．０～３．１μｍの波長帯に最も強い吸収線が存在するが、この波長帯は、量子カスケードレーザで実現するのは困難である。なお、３．０～３．１μｍの波長帯は、インターバンドカスケードレーザ（ＩＣＬ）を用いることによって測定可能である。一方、７．５６～７．６６μｍの間の波長、好ましくは、７．５９４～７．６５１μｍの間の波長は、量子カスケードレーザで実現可能であり、３．０～３．１μｍの波長帯の次に強い吸収線が存在し、より好ましくは７．５９６６μｍ、７．６２３３μｍ、又は７．６５０１μｍの波長に、この波長帯における最も強い吸収線が存在し、プロセスガス中における干渉成分であるメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の吸収強度が比較的小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、高濃度のメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の低濃度のアセチレン（Ｃ２Ｈ２）の濃度の測定精度を向上することができる。
　７．５６～７．６６μｍの間の波長、好ましくは７．５６６～７．６３４μｍの間の波長、より好ましくは７．５６９８μｍ、７．６２３１μｍ又は７．６３６７μｍの波長は、上記の７．５９６６μｍ、７．６２３３μｍ、又は７．６５０１μｍの波長よりは、吸収強度が小さいが、メタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の吸収強度がより小さく、それらの干渉影響がより小さい。その結果、高濃度のメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の低濃度のアセチレン（Ｃ２Ｈ２）の濃度の測定精度を向上することができる。
　また、１００ｐｐｍ以下の低濃度のアセチレン（Ｃ２Ｈ２）及び１０００ｐｐｍ以下の中濃度のメタン（ＣＨ４）を同時測定するためには７．２７～７．５９μｍの間、又は７．６４～７．８１μｍの間のアセチレン（Ｃ２Ｈ２）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、７．２７～７．８１μｍの間、７．２７～７．５９μｍの間、又は７．６４～７．８１μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。ここで、７．３７８～７．６３８μｍの間、７．３７８～７．６０３μｍの間、７．６２９～７．６８３μｍの間のアセチレンの吸収に基づいて濃度を算出することが望ましい。より好ましくは、７．５９６６μｍ、７．６５０１μｍ、７．５６９８μｍ、７．６３６７μｍの波長のアセチレンの吸収に基づいて濃度を算出する。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１００ｐｐｍ以下の低濃度のメタン（ＣＨ４）の濃度を測定する場合には、７．６７～７．８０μｍの間のメタン（ＣＨ４）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、７．６７～７．８０μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　７．６７～７．８０μｍの間の波長、好ましくは７．６７０～７．７９２μｍの間の波長、より好ましくは７．６７０４μｍ、又は７．７９１４μｍの波長は、メタン（ＣＨ４）の最も強い吸収線の一つが存在し、この波長領域のプロセスガス中における干渉成分であるエチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、高濃度のエチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の低濃度のメタン（ＣＨ４）の濃度の測定精度を向上することができる。
　また、本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１００ｐｐｍ～１％の中濃度のメタン（ＣＨ４）の濃度を測定する場合には、８．１０～８．１４μｍの間のメタン（ＣＨ４）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、８．１０～８．１４μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　８．１０～８．１４μｍの間の波長、好ましくは８．１０７～８．１３９μｍの間の波長、より好ましくは８．１０７３μｍ、又は８．１３８１μｍの波長は、メタン（ＣＨ４）の中程度の強さの吸収線の一つが存在し、この波長領域のプロセスガス中における干渉成分であるエチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、高濃度のエチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の中濃度のメタン（ＣＨ４）の濃度の測定精度を向上することができる。
　また、本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１％以上の高濃度のメタン（ＣＨ４）の濃度を測定する場合には、８．１０～８．１３μｍの間のメタン（ＣＨ４）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、８．１０～８．１３μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　８．１０～８．１３μｍの間の波長、好ましくは８．１０２～８．１２１μｍの間の波長、より好ましくは８．１０２２μｍ、又は８．１２０６μｍの波長は、メタン（ＣＨ４）の比較的弱い吸収線の一つが存在し、この波長領域のプロセスガス中における干渉成分であるエチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、高濃度のエチレン（Ｃ２Ｈ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の高濃度のメタン（ＣＨ４）の濃度の測定精度を向上することができる。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１％以上の高濃度のエチレン（Ｃ２Ｈ４）の濃度を測定する場合には、８．４６～８．６０μｍの間のエチレン（Ｃ２Ｈ４）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、８．４６～８．６０μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。
　８．４６～８．６０μｍの間の波長、好ましくは８．４６４～８．５９９μｍの間の波長、より好ましくは８．４６４７μｍ、又は８．５９８１μｍの波長は、エチレン（Ｃ２Ｈ４）の比較的弱い吸収線の一つが存在し、この波長領域のプロセスガス中における干渉成分であるメタン（ＣＨ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、高濃度のメタン（ＣＨ４）、及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の高濃度のエチレン（Ｃ２Ｈ４）の濃度の測定精度を向上することができる。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１％以上の高濃度のエタン（Ｃ２Ｈ６）の濃度を測定する場合には、６．１３～６．１４μｍの間、又は６．０９～６．４５μｍの間のエタン（Ｃ２Ｈ６）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、６．１３～６．１４μｍの間、又は６．０９～６．４５μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。なお、１％以上３％以下の高濃度のエタン（Ｃ２Ｈ６）の濃度を測定する場合には、６．０９～６．４５μｍの間のエタン（Ｃ２Ｈ６）の吸収に基づいて濃度を算出することが望ましい。
　６．１３～６．１４μｍの間、又は６．０９～６．４５μｍの間の波長、好ましくは６．１３５～６．１３９μｍの間、又は６．４６３～６．６１９μｍの間の波長、より好ましくは６．１３８４μｍ、６．４６７３μｍ、６．５００８μｍ、６．５６２４μｍ、又は６．６１４５μｍの波長は、エタン（Ｃ２Ｈ６）の比較的弱い吸収線の一つが存在し、この波長領域のプロセスガス中における干渉成分であるメタン（ＣＨ４）、及び／又はエチレン（Ｃ２Ｈ４）の吸収強度が小さく、それらの干渉影響が小さい。その結果、高濃度のメタン（ＣＨ４）、及び／又はエチレン（Ｃ２Ｈ４）が含まれるプロセスガス中の高濃度のエタン（Ｃ２Ｈ６）の濃度の測定精度を向上することができる。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１００ｐｐｍ～２００ｐｐｍの中濃度又は１００ｐｐｍ以下の低濃度のアンモニア（ＮＨ３）の濃度を測定する場合には、６．０６～６．２５μｍの間、又は８．６２～９．０９μｍの間のアンモニア（ＮＨ３）の吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、６．０６～６．２５μｍの間、又は８．６２～９．０９μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。好ましくは、６．１４１～６．１５３μｍの間、又は８．９３９～８．９６８μｍの間のアンモニアの吸収に基づいて濃度を算出し、より好ましくは、６．１４５０μｍ、６．１４８７μｍ、６．１４９６μｍ、８．９６０４μｍ、８．９４７３μｍ、又は８．７６７１μｍのアンモニアの吸収に基づいて濃度を算出する。
　本発明の分析装置は、多重反射セル等を用いて、１％以下の高濃度以下のメタノール（ＣＨ３ＯＨ）の濃度を測定する場合には、９．３５～９．６２μｍの間のメタノールの吸収に基づいて濃度を算出する。ここで、前記レーザ光源は、９．３５～９．６２μｍの間の波長を含む発振波長のレーザ光を射出する。好ましくは、９．４７７～９．５２６μｍの間のメタノールの吸収に基づいて濃度を算出し、より好ましくは、９．５１６８μｍ、９．５０４２μｍ、又は９．４８６１μｍのメタノールの吸収に基づいて濃度を算出する。
　また、本発明に係る分析装置用プログラムは、サンプルに参照光を照射するレーザ光源と、前記サンプルを透過したサンプル光を検出する光検出器と、前記レーザ光源の温度を調整する温調部と、前記レーザ光源の周囲温度を検出する温度センサとを具備し、前記サンプルに含まれる測定対象成分を分析する分析装置に適用されるプログラムであって、前記レーザ光源の周囲温度と前記レーザ光源の前記測定対象成分を測定するための既定の変調範囲に対するずれを補正するための補正用パラメータとの関係を示す変調補正用関係データを格納する関係データ格納部と、前記温度センサの検出温度及び前記変調補正用関係データを用いて、前記温調部の目標温度を変更し、又は、前記レーザ光源の波長変調のために印加される駆動電圧又は駆動電流を変更する制御部と、としての機能を前記分析装置に発揮させることを特徴とする。
　さらに、本発明に係る分析方法は、サンプルに参照光を照射するレーザ光源と、前記サンプルを透過したサンプル光を検出する光検出器と、前記レーザ光源の温度を調整する温調部と、前記レーザ光源の周囲温度を検出する温度センサとを具備した分析装置を用いて、前記サンプルに含まれる測定対象成分を分析する分析方法であって、前記レーザ光源の周囲温度と前記レーザ光源の前記測定対象成分を測定するための既定の変調範囲に対するずれを補正するための補正用パラメータとの関係を示す変調補正用関係データを参照して、前記変調補正用関係データを用いて、前記温調部の目標温度を変更し、又は、前記レーザ光源の波長変調のために印加される駆動電圧又は駆動電流を変更することを特徴とする。
　以上に述べた本発明によれば、光吸収を利用した分析装置において、周囲温度の変化によるレーザ光源の発振波長の変調幅の変化を低減して、測定対象成分の濃度を精度良く測定することができる。
本発明の一実施形態に係る分析装置の全体模式図である。 同実施形態における信号処理装置の機能ブロック図である。 疑似連続発振における駆動電流（電圧）及び変調信号を示す図である。 同実施形態におけるレーザ発振波長の変調方法を示す模式図である。 同実施形態における発振波長、光強度Ｉ（ｔ）、対数強度Ｌ（ｔ）、特徴信号Ｆｉ（ｔ）、相関値Ｓｉ（ｔ）の一例を示す時系列グラフである。 強度関連信号（吸収信号）における波長ずれ及び変調幅ずれを示す図である。 同実施形態における（ａ）波長補正用関係データ、及び、（ｂ）変調補正用関係データを示すグラフである。 同実施形態における（ａ）波長補正用関係データ、及び、（ｂ）変調補正用関係データを示すルックアップテーブルである。 同実施形態の単独相関値及び実測相関値を用いた濃度算出の概念図を示す図である。 変形実施形態における信号処理装置の機能ブロック図である。 変形実施形態に係る分析装置の全体模式図である。 共存影響によるスペクトル変化及び圧力変化によるスペクトル変化を示す模式図である。
　本実施形態の分析装置１００は、燃焼中のガス若しくは燃焼排ガス等の燃焼ガス又はプロセスガス等のサンプルガス中に含まれる測定対象成分の濃度を測定する濃度測定装置であり、図１に示すように、サンプルガスが導入されるセル１と、セル１に変調するレーザ光を照射するレーザ光源たる半導体レーザ２と、半導体レーザ２の温度を調整する温調部３と、半導体レーザ２の周囲温度を検出する温度センサ４と、セル１を透過したレーザ光であるサンプル光の光路上に設けられてサンプル光を受光する光検出器５と、光検出器５の出力信号を受信し、その値に基づいて測定対象成分の濃度を算出する信号処理装置６とを備えている。ここで、燃焼中のガスとは、自動車等の内燃機関、外燃機関、工業炉、焼却炉、タービン又は発電所等において燃焼中のガスであり、燃焼排ガスとは、自動車等の内燃機関、外燃機関、工業炉、焼却炉、タービン又は発電所等から排出される燃焼後のガスである。また、プロセスガスとは、石油化学、石炭化学、天然ガス化学、石油精製、メタネーション、ガス化炉などの化学プラントにおけるガスであり、天然ガス等の原料ガスの他、化学プラントにおいて分離されたガス、又は、化学プラントにおいて生成されたガス等を含む。
　なお、本実施形態の分析装置１００には、分析装置１００にサンプリングガスを導入するための導入流路が接続されており、また、分析装置１００により分析されたガスが排出する排出流路が接続されている。そして、導入流路又は排出流路には、分析装置１００にサンプリングガスを導入するためのポンプが設けられている。また、導入流路は、排気管等からの排ガスをダイレクトでサンプリングする構成であっても良いし、排ガスが捕集されたバッグから排ガスを導入する構成であっても良いし、例えばＣＶＳ（Constant volume sampler）等の希釈装置により希釈された排ガスを導入する構成であっても良い。
　各部を説明する。
　セル１は、測定対象成分の吸収波長帯域において光の吸収がほとんどない石英、フッ化カルシウム、フッ化バリウム等の透明材質で光の入射口及び出射口が形成されたものである。このセル１には、図示しないが、ガスを内部に導入するためのインレットポートと、内部のガスを排出するためのアウトレットポートとが設けられており、サンプルガスは、このインレットポートからセル１内に導入される。
　半導体レーザ２は、ここでは半導体レーザ２の一種である量子カスケードレーザ（ＱＣＬ：Quantum Cascade Laser）であり、中赤外（４～１２μｍ）のレーザ光を発振する。この半導体レーザ２は、与えられた電流（又は電圧）によって、発振波長を変調する（変える）ことが可能なものである。なお、発振波長が可変でさえあれば、他のタイプのレーザを用いても良く、発振波長を変化させるために、温度を変化させる等しても構わない。
　温調部３は、半導体レーザ２の温度を調整するものであり、例えばペルチェ素子等の熱電変換素子を用いたものである。本実施形態の温調部３は、その上面である吸熱面に半導体レーザ２及び半導体レーザ２の温度を検出するための温度センサ（不図示）が搭載されており、下面である放熱面に例えば放熱フィン等のヒートシンク（不図示）が設けられている。この温調部３は、後述する温調制御部７２により与えられた目標温度に従って、印加される直流電圧（直流電流）が制御されることによって、半導体レーザ２の温度を調整する。
　温度センサ４は、半導体レーザ２の周囲温度を検出するものであり、ここでは、半導体レーザ及び温調部３を収容するパッケージ内の雰囲気中の温度、又はパッケージ外の近傍の周囲温度を検出する。
　光検出器５は、ここでは、比較的安価なサーモパイル等の熱型のものを用いているが、その他のタイプのもの、例えば、応答性がよいＨｇＣｄＴｅ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｓＳｂ、又はＰｂＳｅ等の量子型光電素子を用いても構わない。
　信号処理装置６は、バッファ、増幅器等からなるアナログ電気回路と、ＣＰＵ、メモリ等からなるデジタル電気回路と、それらアナログ／デジタル電気回路間を仲立ちするＡＤコンバータ、ＤＡコンバータ等の少なくとも１つを具備したものであり、前記メモリの所定領域に格納した所定のプログラムに従ってＣＰＵやその周辺機器が協働することによって、図２に示すように、半導体レーザ２及び温調部３を制御する制御部７や、光検出器５からの出力信号を受信し、その値を演算処理して測定対象成分の濃度を算出する信号処理部８としての機能を発揮する。
　以下に各部を詳述する。
　制御部７は、半導体レーザ２の発振と変調幅を制御する光源制御部７１と、温調部３を所定温度に制御する温調制御部７２とを有している。
　光源制御部７１は、電流（又は電圧）制御信号を出力することによって半導体レーザ２を駆動させる電流源（又は電圧源）を制御するものである。具体的に光源制御部７１は、図３に示すように、半導体レーザ２をパルス発振させるための駆動電流（又は駆動電圧）とは別に、波長変調を与える駆動電流（又は駆動電圧）を所定周波数で変化させ、半導体レーザ２から出力されるレーザ光の発振波長を中心波長に対して所定周波数で変調させる。これによって、半導体レーザ２は、所定の変調周波数で変調された変調光を射出することになる。
　この実施形態においては、光源制御部７１は駆動電流を三角波状に変化させ、発振波長を三角波状に変調する（図５の「発振波長」参照）。実際には、発振波長が三角波状になるように、駆動電流の変調を別の関数で行う。また、レーザ光の発振波長は、図４に示すように、測定対象成分の光吸収スペクトルのピークを中心波長として変調されるようにしてある。その他、光源制御部７１は、駆動電流を正弦波状や鋸波状、または任意の関数状に変化させ、発振波長を正弦波状や鋸波状、または任意の関数状に変調してもよい。
　具体的に分析装置１００が、燃焼ガス中の一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、アンモニア（ＮＨ３）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、ホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）、アセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）二酸化硫黄（ＳＯ２）、メタン（ＣＨ４）、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）又はエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）の少なくとも１つの濃度を測定する場合には、光源制御部７１は、以下の波長変調範囲となるように半導体レーザ２を変調させる。なお、半導体レーザ２は、以下の波長変調範囲で変調された変調光を射出できるものが適宜選択される。
　測定対象成分が１００ｐｐｍ以下の低濃度の一酸化窒素（ＮＯ）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、５．２４～５．２６μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは５．２４５～５．２４７μｍの間の波長、より好ましくは５．２４６２μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、水（Ｈ２Ｏ）、二酸化炭素（ＣＯ２）及び／又はエチレン（Ｃ２Ｈ４）の干渉影響を小さくすることができ、低濃度の一酸化窒素（ＮＯ）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１００ｐｐｍ以下の低濃度の二酸化窒素（ＮＯ２）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、６．１４～６．２６μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは６．１４５～６．２５４μｍの間の波長、より好ましくは６．２３２２μｍ、又は６．２５３８μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、水（Ｈ２Ｏ）及び／又はアンモニア（ＮＨ３）の干渉影響を小さくすることができ、低濃度の二酸化窒素（ＮＯ２）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１００ｐｐｍ以下の低濃度の亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、７．８４～７．９１μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、７好ましくは７．８４５～７．９０７の間の波長、より好ましくは７．８４５５μｍ、７．８５０９μｍ、７．８７８４μｍ、又は７．９０６７μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、水（Ｈ２Ｏ）、メタン（ＣＨ４）及び／又はアセチレン（Ｃ２Ｈ２）の干渉影響を小さくすることができ、低濃度の亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１００ｐｐｍ以下の低濃度のアンモニア（ＮＨ３）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、９．３８～９．５６μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは９．３８４～９．５５７μｍの間の波長、より好ましくは９．３８４７μｍ、又は９．５５６６μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、水（Ｈ２Ｏ）、二酸化炭素（ＣＯ２）及び／又はエチレン（Ｃ２Ｈ４）の干渉影響を小さくすることができ、低濃度のアンモニア（ＮＨ３）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１００ｐｐｍ以下の低濃度のエタン（Ｃ２Ｈ６）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、３．３３～３．３６μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは３．３３６～３．３５２μｍの間の波長、より好ましくは３．３３６８μｍ、３．３４８２μｍ、又は３．３５１９μｍの波長の波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、水（Ｈ２Ｏ）、メタン（ＣＨ４）及び／又はエチレン（Ｃ２Ｈ４）の干渉影響を小さくすることができ、低濃度のエタン（Ｃ２Ｈ６）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１００ｐｐｍ以下の低濃度のホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、５．６５～５．６７μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは５．６５１～５．６５２の間の波長、より好ましくは５．６５１４μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、水（Ｈ２Ｏ）及び／又はアンモニア（ＮＨ３）の干渉影響を小さくすることができ、低濃度のホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）の濃度の測定精度を向上することができる。また、これらの波長は、アセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）の強い吸収帯とも一致するため、ホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）及びアセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）の同時計測が可能となる。
　また、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは５．６６５～５．６６７μｍの間の波長、より好ましくは５．６６６０μｍの波長を含むように変調させることもできる。上記の５．６５１４μｍの波長よりもホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）の吸収強度はやや小さいが、水（Ｈ２Ｏ）の吸収強度がより小さく、それらの干渉影響がより小さい。その結果、ホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）の濃度の測定精度を向上することができる。また、この波長は、アセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）の強い吸収帯とも一致するため、アセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）の計測、又はホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）及びアセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）の同時計測が可能となる。
　測定対象成分が１００ｐｐｍ以下の低濃度の二酸化硫黄（ＳＯ２）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、７．３８～７．４２μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは７．３８５～７．４１７μｍの間の波長、より好ましくは７．３８５６μｍ、又は７．４１６３μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、水（Ｈ２Ｏ）、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）及び／又は亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）の干渉影響を小さくすることができ、低濃度の二酸化硫黄（ＳＯ２）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１００ｐｐｍ以下の低濃度のメタン（ＣＨ４）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、７．５０～７．５４μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは７．５０３～７．５０４μｍの間の波長、より好ましくは７．５０３５μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、水（Ｈ２Ｏ）、二酸化硫黄（ＳＯ２）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）及び／又は亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）の干渉影響を小さくすることができ、低濃度のメタン（ＣＨ４）の濃度の測定精度を向上することができる。また、７．５０３５μｍを含むように変調させることで、この波長の近傍には、水（Ｈ２Ｏ）の吸収線があり、メタン（ＣＨ４）及び水（Ｈ２Ｏ）の同時計測が可能となる。
　また、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは７．５３５～７．５３６μｍの間の波長、より好ましくは７．５３５４μｍの波長を含むように変調させることもできる。上記の７．５０３５μｍの波長とほぼ同等のメタン（ＣＨ４）の吸収強度であり、この波長領域の燃焼ガス中における干渉成分である水（Ｈ２Ｏ）、二酸化硫黄（ＳＯ２）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）及び／又は亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）の吸収強度がより小さく、それらの干渉影響がより小さい。その結果、メタン（ＣＨ４）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１００ｐｐｍ以下の低濃度のメタノール（ＣＨ３ＯＨ）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、９．４５～９．４７μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは９．４６７～９．４６８μｍの間の波長、より好ましくは９．４６７１μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、アンモニア（ＮＨ３）及び／又は二酸化炭素（ＣＯ２）の干渉影響を小さくすることができ、低濃度のメタノール（ＣＨ３ＯＨ）の濃度の測定精度を向上することができる。また、これらの波長は、エタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）の強い吸収帯とも一致するため、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）及びエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）の同時計測が可能となる。
　また、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは９．４５５～９．４５６μｍの間の波長、より好ましくは９．４５５７μｍの波長を含むように変調させることもできる。上記の９．４６７１μｍとほぼ同等のメタノール（ＣＨ３ＯＨ）又はエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）の吸収強度であり、この波長領域の燃焼ガス中における干渉成分であるエチレン（Ｃ２Ｈ４）、アンモニア（ＮＨ３）及び／又は二酸化炭素（ＣＯ２）の吸収強度がより小さく、それらの干渉影響がより小さい。その結果、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）又はエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）の濃度の測定精度を向上することができる。また、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）及びエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）の同時計測が可能となる。
　また、分析装置１００が、プロセスガス中の二酸化炭素（ＣＯ２）、一酸化炭素（ＣＯ）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、アンモニア（ＮＨ３）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、水（Ｈ２Ｏ）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メタン（ＣＨ４）、アンモニア（ＮＨ３）、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）の少なくとも１つの濃度を測定する場合には、光源制御部７１は、以下の波長変調範囲となるように半導体レーザ２を変調させる。
　測定対象成分が１００ｐｐｍ以下の低濃度の二酸化炭素（ＣＯ２）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、４．２３～４．２４μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは４．２３４～４．２３８μｍ、又は４．２３５～４．２３８μｍの間の波長、より好ましくは４．２３４７μｍ、又は４．２３７１μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、メタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の干渉影響を小さくすることができ、高濃度のメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の低濃度の二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１００ｐｐｍ～１％の中濃度の二酸化炭素（ＣＯ２）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、４．３４～４．３５μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは４．３４２～４．３４７μｍの間の波長、より好ましくは４．３４２８μｍ、又は４．３４６９μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、メタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の干渉影響を小さくすることができ、高濃度のメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の中濃度の二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１００ｐｐｍ以下の低濃度の一酸化炭素（ＣＯ）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、４．５９～４．６１μｍの間、又は４．５９～４．６０μｍの波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは４．５９４～４．６０４μｍの間の波長、より好ましくは４．５９５０μｍ、又は４．６０２４μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、メタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の干渉影響を小さくすることができ、高濃度のメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の低濃度の一酸化炭素（ＣＯ）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１００ｐｐｍ以下の低濃度の水（Ｈ２Ｏ）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、５．８９～６．１２μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは５．８９６～５．９３４μｍの間の波長、より好ましくは５．８９６５μｍ、又は５．９３５３μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、メタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の干渉影響を小さくすることができ、高濃度のメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の低濃度の水（Ｈ２Ｏ）の濃度の測定精度を向上することができる。
　また、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは６．０４６～６．１１４μｍの間の波長、より好ましくは６．０４８６μｍ、又は６．１１３８μｍの波長を含むように変調させることもできる。このように変調させることによって、メタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の干渉影響を小さくすることができ、高濃度のメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の低濃度の水（Ｈ２Ｏ）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１００ｐｐｍ以下の低濃度のアセチレン（Ｃ２Ｈ２）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、７．５６～７．６６μｍの間、７．２７～７．８１μｍの間、７．２７～７．２４μｍの間、又は７．２５～７．８１μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは、７．３７８～７．６３８μｍの間、７．３７８～７．６０３μｍの間、７．３７８～７．４２０μｍの間、７．４３０～７．６０３μｍの間、７．４３０～７．６３８μｍの間、７．６２９～７．６８３μｍの間、又は７．５９４～７．６５１μｍの間の波長、より好ましくは７．５９６６μｍ、７．６２３３μｍ、又は７．６５０１μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、メタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の干渉影響を小さくすることができ、高濃度のメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の低濃度のアセチレン（Ｃ２Ｈ２）の濃度の測定精度を向上することができる。
　また、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは７．５６６～７．６３４μｍの間の波長、より好ましくは７．５６９８μｍ、７．６２３１μｍ又は７．６３６７μｍの波長を含むように変調させることもできる。このように変調させることによって、メタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の干渉影響を小さくすることができ、高濃度のメタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の低濃度のアセチレン（Ｃ２Ｈ２）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１００ｐｐｍ以下の低濃度のメタン（ＣＨ４）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、７．６７～７．８０μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは７．６７０～７．７９２μｍの間の波長、より好ましくは７．６７０４μｍ、又は７．７９１４μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の干渉影響を小さくすることができ、高濃度のエチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の低濃度のメタン（ＣＨ４）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１００ｐｐｍ～１％の中濃度のメタン（ＣＨ４）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、８．１０～８．１４μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは８．１０７～８．１３９の間の波長、より好ましくは８．１０７３μｍ、又は８．１３８１μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の干渉影響を小さくすることができ、高濃度のエチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の中濃度のメタン（ＣＨ４）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１％以上の高濃度のメタン（ＣＨ４）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、８．１０～８．１３μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは８．１０２～８．１２１の間の波長、より好ましくは８．１０２２μｍ、又は８．１２０６μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の干渉影響を小さくすることができ、高濃度のエチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の高濃度のメタン（ＣＨ４）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１％以上の高濃度のメタン（ＣＨ４）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、８．１０～８．１３μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、８．１０２２μｍ、又は８．１２０６μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の干渉影響を小さくすることができ、高濃度のエチレン（Ｃ２Ｈ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の高濃度のメタン（ＣＨ４）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１％以上の高濃度のエチレン（Ｃ２Ｈ４）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、８．４６～８．６０μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは８．４６４～８．５９９μｍの間の波長、より好ましくは８．４６４７μｍ、又は８．５９８１μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、メタン（ＣＨ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）の干渉影響を小さくすることができ、高濃度のメタン（ＣＨ４）及び／又はエタン（Ｃ２Ｈ６）が含まれるプロセスガス中の高濃度のエチレン（Ｃ２Ｈ４）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１％以上の高濃度のエタン（Ｃ２Ｈ６）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、６．１３～６．１４μｍの間、６．０９～６．４５μｍの間、６．０９～６．３９μｍの間、又は６．４１μｍ～６．４５μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは６．１３５～６．１３９μｍの間、又は６．４６３～６．６１９μｍの間の波長、より好ましくは６．１３８４μｍ、６．４６７３μｍ、６．５００８μｍ、６．５６２４μｍ、又は６．６１４５μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、メタン（ＣＨ４）及び／又はエチレン（Ｃ２Ｈ４）の干渉影響を小さくすることができ、高濃度のメタン（ＣＨ４）及び／又はエチレン（Ｃ２Ｈ４）が含まれるプロセスガス中の高濃度のエタン（Ｃ２Ｈ６）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１００ｐｐｍ～２００ｐｐｍの中濃度又は１００ｐｐｍ以下の低濃度のアンモニア（ＮＨ３）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、６．０６～６．２５μｍの間、６．０６～６．１４μｍの間、６．１５～６．１７μｍの間、６．１９～６．２５μｍの間、又は８．６２～９．０９μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは６．１４１～６．１５３μｍの間、６．１４１～６．１４９μｍの間、６．１５０～６．１５３μｍの間、又は８．９３９～８．９６８μｍの間の波長、より好ましくは６．１４５０μｍ、６．１４８７μｍ、６．１４９６μｍ、８．９６０４μｍ、８．９４７３μｍ、又は８．７６７１μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、メタン（ＣＨ４）及び／又はエチレン（Ｃ２Ｈ４）の干渉影響を小さくすることができ、高濃度のメタン（ＣＨ４）及び／又はエチレン（Ｃ２Ｈ４）が含まれるプロセスガス中の中濃度又は低濃度のアンモニア（ＮＨ３）の濃度の測定精度を向上することができる。
　測定対象成分が１％以下の高濃度以下のメタノール（ＣＨ３ＯＨ）の場合には、光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、９．３５～９．６２μｍの間の波長を含むように変調させる。具体的に光源制御部７１は、レーザ光の波長変調範囲が、好ましくは９．４７７～９．５２６μｍの間の波長、より好ましくは９．５１６８μｍ、９．５０４２μｍ、又は９．４８６１μｍの波長を含むように変調させる。このように変調させることによって、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、アンモニア（ＮＨ３）及び／又は二酸化炭素（ＣＯ２）の干渉影響を小さくすることができ、低濃度のメタノール（ＣＨ３ＯＨ）の濃度の測定精度を向上することができる。なお、メタノールを測定する場合には、セル１の内部を１５ｋＰａ以下に減圧する必要がある。
　温調制御部７２は、温調部３を所定の目標温度にするための制御信号を出力することによって温調部３の電流源（又は電圧源）を制御するものである。これによって、温調部３は、半導体レーザ２を所定の目標温度に温調することになる。
　そして、本実施形態の制御部７は、半導体レーザ２の周囲温度と半導体レーザ２の測定対象成分を測定するための目標波長に対する波長ずれを補正するための補正用パラメータＰ（Δλ）（図６参照）との関係を示す波長補正用関係データ、及び、当該周囲温度と半導体レーザ２の変調幅ずれを補正するための補正用パラメータＰ（Δｗ）（図６参照）との関係を示す変調補正用関係データを格納する関係データ格納部７３を備えている。
　ここで、波長補正用関係データは、図７（ａ）に示すものであり、予め、半導体レーザ２の周囲温度毎に半導体レーザ２の波長ずれを補正するのに必要なパラメータＰ（Δλ）である目標温度変化量を予め実験により又は計算により求めることで生成される。図７（ａ）において、Ｐ（Δλ）は、目標温度変化量であり、Ｔ０は、基準温度（例えば室温（２５℃））であり、ｔｋは、基準温度Ｔ０に対する周囲温度Ｔにおける目標温度変化量の影響度合いを示す係数である。波長補正用関係データは、図７（ａ）のように式形式のものであっても良いし、図８（ａ）のようにルックアップテーブル形式であっても良い。
　また、変調補正用関係データは、図７（ｂ）に示すものであり、予め、半導体レーザ２の周囲温度毎に半導体レーザ２の変調幅ずれを補正するのに必要なパラメータＰ（Δｗ）である駆動電圧（電流）変化量を予め実験により又は計算により求めることで生成される。図７（ｂ）において、Ｐ（Δｗ）は、駆動電圧（電流）変化量であり、Ｔ０は、基準温度（例えば室温（２５℃））であり、ｖｋは、基準温度Ｔ０に対する周囲温度Ｔにおける駆動電圧（電流）変化量の影響度合いを示す係数である。変調補正用関係データは、図７（ｂ）のように式形式のものであっても良いし、図８（ｂ）のようにルックアップテーブル形式であっても良い。
　また、温調制御部７２は、温度センサ４により得られる検出温度及び波長補正用関係データを用いて、温調部３の目標温度を変更して、半導体レーザ２の波長ずれを補正する。また、光源制御部７１は、温度センサ４により得られる検出温度及び変調補正用関係データを用いて、半導体レーザ２の駆動電圧又は駆動電流を変更して、半導体レーザ２の変調幅を補正する。具体的に光源制御部７１は、波長を変調させるための変調電圧（変調電流）の振幅又はオフセットを調整することによって、変調幅を補正する。
　信号処理部８は、対数演算部８１、相関値算出部８２、格納部８３、波長ずれ決定部８４、濃度算出部８５等からなる。
　対数演算部８１は、光検出器５の出力信号である光強度信号に対数演算を施すものである。光検出器５により得られる光強度信号の継時変化を示す関数Ｉ（ｔ）は、図５の「光強度Ｉ（ｔ）」のようになり、対数演算を施すことにより、図５の「対数強度Ｌ（ｔ）」のようになる。
　相関値算出部８２は、サンプル光の強度に関連する強度関連信号と複数の所定の特徴信号とのそれぞれの相関値を算出するものである。特徴信号とは、強度関連信号と相関を取ることで、強度関連信号の波形特徴を抽出するための信号である。特徴信号としては、例えば正弦波信号や、それ以外の強度関連信号から抽出したい波形特徴に合わせた様々な信号を用いることができる。
　以下では、特徴信号に正弦波信号以外のものを用いた場合の例を説明する。相関値算出部８２は、サンプル光の強度に関連する強度関連信号と、当該強度関連信号に対して正弦波信号（正弦関数）とは異なる相関が得られる複数の特徴信号とのそれぞれの相関値を算出する。ここでは、相関値算出部８２は、対数演算された光強度信号（対数強度Ｌ（ｔ））を強度関連信号として用いる。
　また、相関値算出部８２は、測定対象成分の種類数及び干渉影響を除去すべき干渉成分の種類数を合わせた数以上の特徴信号Ｆｉ（ｔ）（ｉ＝１，２，・・・，ｎ）を用いて、下式（数１）により、サンプル光の強度関連信号と複数の特徴信号とのそれぞれの相関値である複数のサンプル相関値Ｓｉを算出するものである。なお、下式（数１）におけるＴは、変調の周期である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
　相関値算出部８２は、サンプル相関値を算出する時、式（数２）のように、サンプル光の強度関連信号Ｌ（ｔ）と複数の特徴信号Ｆｉ（ｔ）との相関値Ｓｉからリファレンス光の強度関連信号Ｌ０（ｔ）と複数の特徴信号Ｆｉ（ｔ）との相関値であるリファレンス相関値Ｒｉを差し引く補正をしたサンプル相関値Ｓ′ｉを算出することが望ましい。これにより、サンプル相関値に含まれるオフセットを除去し、測定対象成分及び干渉成分の濃度に比例した相関値となり、測定誤差を低減できる。なお、リファレンス相関値を差し引かない構成であっても良い。
　ここで、リファレンス光の取得タイミングは、サンプル光と同時、測定の前後又は任意のタイミングである。リファレンス光の強度関連信号又はリファレンス相関値は、予め取得して格納部８３に記憶させておいても良い。また、リファレンス光を同時に取得する方法は、例えば、光検出器５を２つ設けて、半導体レーザ２からの変調光をビームスプリッタなどにより分岐させて、一方をサンプル光測定用とし、他方をリファレンス光測定用とすることが考えられる。
　本実施形態では、相関値算出部８２は、複数の特徴信号Ｆｉ（ｔ）として、正弦関数よりも対数強度Ｌ（ｔ）の波形特徴を捉えやすい関数を用いている。測定対象成分及び１つの干渉成分を含むサンプルガスで、さらに参照光の波長ずれの影響を補正したい場合には、３つの特徴信号Ｆ１（ｔ）、Ｆ２（ｔ）、Ｆ３（ｔ）を用いることが考えられ、この３つの特徴信号としては、例えば、以下の式（数３）に示すような吸収スペクトルの形に近いローレンツ関数に基づいた関数と、当該ローレンツ関数に基づいた関数の基準時間位置からのずれの偏微分関数とを用いることが考えられる。なお、式（数３）のｗはローレンツ幅、ｓは波長ずれによる吸収ピークの基準時間位置からのずれ、Ａは任意の定数、Ａ１、Ａ２、Ａ３はそれぞれＦ１（ｔ）、Ｆ２（ｔ）、Ｆ３（ｔ）を変調周期で積分した時にゼロになるように調整するオフセットである。このような関数を特徴信号として用いると参照光の波長ずれの影響によるスペクトル変化をより感度良くとらえることができ、参照光の波長ずれの影響の補正をより精度よく実施することができる。また、特徴信号としては、ローレンツ関数に基づいた関数の代わりに、フォークト関数に基づいた関数、又はガウス関数に基づいた関数等を用いることもできる。このような関数を特徴信号に用いることで、正弦関数を用いた時よりもより大きな相関値を得ることができ、測定精度を向上させることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
　格納部８３は、既知の参照光の波長ずれ量における測定対象成分及び各干渉成分が単独で存在する場合のそれぞれの強度関連信号と、複数の特徴信号Ｆｉ（ｔ）とから求められた測定対象成分及び各干渉成分それぞれの単位濃度当たりの相関値である単独相関値を格納するものである。この単独相関値を求めるのに用いる複数の特徴信号Ｆｉ（ｔ）は、相関値算出部８２で用いる複数の特徴信号Ｆｉ（ｔ）と同一である。このように格納部８３には、種々の参照光の波長ずれ毎の単独相関値が格納される。
　ここで、格納部８３は、単独相関値を格納する時、測定対象成分及び各干渉成分が単独で存在する場合の相関値からリファレンス相関値を差し引いた上で、単位濃度当たりに換算する補正をした単独相関値を格納することが望ましい。これにより、単独相関値に含まれるオフセットを除去し、測定対象成分及び干渉成分の濃度に比例した相関値となり、測定誤差を低減できる。なお、リファレンス相関値を差し引かない構成であっても良い。
　波長ずれ決定部８４は、光検出器５の出力信号である光強度信号から、参照光の波長ずれ量Ｗを決定するものである。
　波長ずれ量Ｗの決定方法としては、例えば、以下の手順が考えられる。
（ａ）各参照光の波長ずれＷｋ（ｋ＝１，２，・・・，ｌ）における測定対象成分及び干渉成分の各特徴信号Ｆｉ（ｔ）に対応する各単独相関値ｓｉｔａｒ（Ｗｋ）、ｓｉｉｎｔ（Ｗｋ）を予め取得し、測定時に得られたサンプル相関値と、前記単独相関値とを比較、照合して、参照光の波長ずれＷを決定する。具体的な比較及び照合の方法としては、例えば、最急降下法、ガウス・ニュートン法、レーベンバーグ・マルカート法などを用いた反復計算を伴う非線形最小二乗法が挙げられる。この方法の場合、必要な特徴信号の数は、測定対象成分の種類数と干渉成分の種類数とを合わせた数に１を加えた数以上となる。１を加えた理由は、各成分の光吸収スペクトルに共通するパラメータである波長ずれ量に対応するためである。
（ｂ）周囲温度と波長ずれ量Ｗの関係を示す関係データと、測定された周囲温度とを用いて、参照光の波長ずれ量Ｗを決定する。このとき、前記関係データは、予め、光源２の周囲温度毎に参照光の波長ずれＷを実験により又は計算により求めることで生成される。
　濃度算出部８５は、相関値算出部８２により得られた複数のサンプル相関値を用いて測定対象成分の濃度を算出するものである。
　具体的に濃度算出部８５は、相関値算出部８２により得られた複数のサンプル相関値と、波長ずれ決定部８４により決定された波長ずれ量Ｗと、格納部８３に格納された複数の単独相関値とに基づいて、測定対象成分の濃度を算出するものである。より詳細には、濃度算出部８５は、波長ずれ決定部８４により得られた波長ずれ量Ｗから、格納部８３に格納された複数の単独相関値を補正して取得する。そして、濃度算出部８５は、相関値算出部８２により得られた複数のサンプル相関値と、決定された波長ずれ量Ｗに対応する補正された複数の単独相関値と、測定対象成分及び各干渉成分それぞれの濃度とからなる連立方程式を解くことにより、測定対象成分の濃度を算出するものである（図９参照）。
　次に、前記各部の詳細説明を兼ねて、この分析装置１００の動作の一例を説明する。以下では、サンプルガス中に１つの測定対象成分と１つの干渉成分とが含まれる場合を想定している。
＜リファレンス測定＞
　周囲温度が基準温度Ｔ０（例えば室温２５℃）で一定の状態で、まず、光源制御部７１が、半導体レーザ２を制御し、所定の変調周波数と変調深さで且つ測定対象成分の吸収スペクトルのピークを中心に、レーザ光の波長を変調する。なお、スパンガスを用いたリファレンス測定の前に、ゼロガスを用いたリファレンス測定を行い、リファレンス相関値の測定を行ってもよい。
　次に、オペレータにより又は自動的に、セル１内にスパンガス（成分濃度既知のガス）が導入されて、リファレンス測定が行われる。このリファレンス測定は、測定対象成分が単独で存在するスパンガスと、干渉成分が単独で存在するスパンガスとのそれぞれにおいて行われる。
　具体的には、リファレンス測定において、対数演算部６１が参照光の各波長ずれ量における光検出器５の各出力信号を受信して対数強度Ｌ（ｔ）を算出する。そして、相関値算出部８２は、その対数強度Ｌ（ｔ）と３つの特徴信号Ｆ１（ｔ）、Ｆ２（ｔ）、Ｆ３（ｔ）との相関値を算出し、その相関値からリファレンス相関値を差し引いたものをスパンガスの濃度で割ることにより、単位濃度当たりの各スパンガスの相関値である単独相関値を算出する。なお、単独相関値を算出する代わりに、スパンガス濃度と当該スパンガスの相関値との関係を記憶させておいても良い。
　具体的には以下の通りである。
　参照光の波長ずれ量をｗｋに調整し、測定対象成分が単独で存在するスパンガスをセル１内に導入することにより、相関値算出部８２により測定対象成分の相関値Ｓ１ｔａｒ（ｗｋ）、Ｓ２ｔａｒ（ｗｋ）、Ｓ３ｔａｒ（ｗｋ）を算出する。ここで、Ｓ１ｔａｒ（ｗｋ）は、第１の特徴信号との相関値であり、Ｓ２ｔａｒ（ｗｋ）は、第２の特徴信号との相関値であり、Ｓ３ｔａｒ（ｗｋ）は、第３の特徴信号との相関値である。そして、相関値算出部８２は、それら相関値Ｓ１ｔａｒ（ｗｋ）、Ｓ２ｔａｒ（ｗｋ）、Ｓ３ｔａｒ（ｗｋ）からリファレンス相関値Ｒｉを差し引いたものを測定対象成分のスパンガス濃度ｃｔａｒで割ることにより、単独相関値ｓ１ｔａｒ（ｗｋ）、ｓ２ｔａｒ（ｗｋ）、ｓ３ｔａｒ（ｗｋ）を算出する。この手順を半導体レーザ２の設定温度を変化させるなどの方法により、参照光の波長ずれ量を順次変化させながら（例えば、－０．０１ｃｍ－１～＋０．０１ｃｍ－１を０．００１ｃｍ－１毎）、各波長ずれ量において行い、得られた各波長ずれ量における単独相関値とその波長ずれの関係を記憶しておく。なお、測定対象成分のスパンガス濃度ｃｔａｒは、予めユーザ等により信号処理部８に入力される。
　また、参照光の波長ずれ量をｗｋに調整し、干渉成分が単独で存在するスパンガスをセル１内に導入することにより、相関値算出部８２により干渉成分の相関値Ｓ１ｉｎｔ（ｗｋ）、Ｓ２ｉｎｔ（ｗｋ）、Ｓ３ｉｎｔ（ｗｋ）を算出する。ここで、Ｓ１ｉｎｔ（ｗｋ）は、第１の特徴信号との相関値であり、Ｓ２ｉｎｔ（ｗｋ）は、第２の特徴信号との相関値であり、Ｓ３ｉｎｔ（ｗｋ）は、第３の特徴信号との相関値である。そして、相関値算出部８２は、それら相関値Ｓ１ｉｎｔ（ｗｋ）、Ｓ２ｉｎｔ（ｗｋ）、Ｓ３ｉｎｔ（ｗｋ）からリファレンス相関値Ｒｉを差し引いたものを干渉成分のスパンガス濃度ｃｉｎｔで割ることにより、単独相関値ｓ１ｉｎｔ（ｗｋ）、ｓ２ｉｎｔ（ｗｋ）、ｓ３ｉｎｔ（ｗｋ）を算出する。この手順を半導体レーザ２の設定温度を変化させるなどの方法により、参照光の波長ずれ量を順次変化させながら（例えば、－０．０１ｃｍ－１～＋０．０１ｃｍ－１を０．００１ｃｍ－１毎）、各波長ずれ量において行い、得られた各波長ずれ量における単独相関値とその波長ずれ量の関係を記憶しておく。なお、干渉成分のスパンガス濃度ｃｉｎｔは、予めユーザ等により信号処理部８に入力される。
　上記により算出された各参照光の波長ずれ量ｗｋにおける単独相関値ｓ１ｔａｒ（ｗｋ）、ｓ２ｔａｒ（ｗｋ）、ｓ３ｔａｒ（ｗｋ）、ｓ１ｉｎｔ（ｗｋ）、ｓ２ｉｎｔ（ｗｋ）、ｓ３ｉｎｔ（ｗｋ）は、格納部８３に格納される。なお、このリファレンス測定は、製品出荷前に行うようにしても良いし、定期的に行うようにしてもよい。
＜サンプル測定＞
　光源制御部７１が、半導体レーザ２を制御し、所定の変調周波数と変調深さで且つ測定対象成分の吸収スペクトルのピークを中心に、レーザ光の波長を変調する。ここで、温調制御部７２は、温度センサ４により得られる検出温度及び波長補正用関係データを用いて、温調部３の目標温度を変更して、半導体レーザ２の波長ずれを補正する。また、光源制御部７１は、温度センサ４により得られる検出温度及び変調補正用関係データを用いて、半導体レーザ２の駆動電圧又は駆動電流を変更して、半導体レーザ２の変調幅を補正する。
　次に、オペレータにより又は自動的に、セル１内にサンプルガスが導入されて、サンプル測定が行われる。
　具体的には、サンプル測定において、対数演算部８１が光検出器３の出力信号を受信して対数強度Ｌ（ｔ）を算出する。そして、相関値算出部８２は、その対数強度Ｌ（ｔ）と複数の特徴信号Ｆ１（ｔ）、Ｆ２（ｔ）、Ｆ３（ｔ）とのサンプル相関値Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を算出し、その相関値からリファレンス相関値Ｒｉを差し引いたサンプル相関値Ｓ′１、Ｓ′２を算出する。
　また、波長ずれ決定部８４は、上述した方法により、波長ずれ量Ｗを決定する。
　濃度算出部８５は、格納部８３に格納された各参照光の波長ずれ量ｗｋにおける単独相関値と、波長ずれ決定部８４により決定された波長ずれ量Ｗとを用いて、波長ずれ量Ｗで補正した測定対象成分及び干渉成分の単独相関値ｓ′１ｔａｒ、ｓ′２ｔａｒ、ｓ′１ｉｎｔ、ｓ′２ｉｎｔとを決定する。決定の方法は、例えば、線形補間、２次補間、スプライン補間などを使う方法が考えられる。
　そして、濃度算出部８５は、相関値算出部８２が算出したリファレンス相関値で補正したサンプル相関値Ｓ′１、Ｓ′２と、補正した単独相関値ｓ′１ｔａｒ、ｓ′２ｔａｒ、ｓ′１ｉｎｔ、ｓ′２ｉｎｔと、測定対象成分及び各干渉成分それぞれの濃度Ｃｔａｒ、Ｃｉｎｔとからなる以下の二元連立方程式を解く（図９参照）。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
　なお、干渉成分が２以上存在すると想定し得る場合でも、干渉成分の数だけ、単独相関値を追加して、成分種の数と同じ元数の連立方程式を解くことで、同様に干渉影響及び共存影響が取り除かれた測定対象成分の濃度を決定することができる。
　すなわち、一般に測定対象成分と干渉成分を合わせてｎ種のガスが存在する場合、ｉ番目の特徴信号におけるｊ番目のガス種の補正した単独相関値をｓ′ｉｊ、ｊ番目のガス種の濃度をＣｊ、ｉ番目の特徴信号Ｆｉ（ｔ）におけるサンプル相関値をＳｉとすると、以下の式（数５）が成り立つ。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000005
　この式（数５）で表されるｎ元連立方程式を解くことで、測定対象成分及び干渉成分の各ガスの干渉影響が補正された濃度を決定することができる。なお、サンプル中に干渉成分が含まれない場合であっても、上記のｎ元連立方程式を解くことにより、測定対象成分及び干渉成分の各ガスの干渉影響が補正された濃度を決定することができる。
＜本実施形態の効果＞
　このように構成した本実施形態の分析装置１００によれば、レーザ光源２の周囲温度とレーザ光源２の変調幅ずれを補正するための補正用パラメータとの関係を示す変調補正用関係データを用いて、レーザ光源２の周囲の温度を検出する温度センサ４の検出温度から、光源制御部７１の駆動電圧（又は駆動電流）を変更するので、周囲温度の変化によるレーザ光源の発振波長の変調幅の変化を低減することができる。その結果、レーザ光源の変化による吸収スペクトルの変化を低減して、測定対象成分の濃度を精度良く測定することができる。
　特に本実施形態では、周囲温度の変化による波長ずれ及び変調幅を補正しているので、燃焼ガス中のエタン（Ｃ２Ｈ６）、ホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）、二酸化硫黄（ＳＯ２）、メタン（ＣＨ４）、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）又はエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）それぞれの濃度を測定する場合の波長変調範囲、又は、材料ガス中の二酸化炭素（ＣＯ２）、一酸化炭素（ＣＯ）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、水（Ｈ２Ｏ）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）又はメタン（ＣＨ４）それぞれの濃度を測定する場合の波長変調範囲を精度良く設定することができ、それらの濃度を精度良く測定することができる。
　また、上記の物理的な波長ずれの補正に加えて、演算により参照光の波長ずれ量Ｗを決定し、決定された波長ずれ量Ｗを用いて、参照光の波長ずれの影響をさらに補正した測定対象成分の濃度を算出するので、物理的な波長ずれ補正だけでは抑え込めない参照光の波長ずれによって生じる測定対象成分の光吸収スペクトルの変化を補正し、測定対象成分の濃度をさらに精度良く測定することができる。
　また本実施形態の分析装置１００によれば、サンプル光の強度に関連する強度関連信号である対数強度Ｌ（ｔ）と、当該対数強度Ｌ（ｔ）に対して複数の特徴信号Ｆｉ（ｔ）とのそれぞれの相関値Ｓｉを算出し、算出された複数の相関値Ｓｉを用いて測定対象成分の濃度を算出するので、吸収信号を吸収スペクトルへ変換することなく、吸収信号の特徴を劇的に少ない変数で捉えることができ、複雑なスペクトル演算処理をすることなく、測定対象成分の濃度を簡単な演算で測定できる。例えば一般的なスペクトルフィッティングで用いるデータ点数は数百点必要だが、本発明ではせいぜい数個から数十個程度の相関値を使えば同等の精度で濃度の算出が可能となる。その結果、演算処理の負荷を劇的に小さくすることができ、高度な演算処理装置が不要となり、分析装置１００のコストを削減することができるとともに、小型化が可能となる。
　ここで、複数の特徴信号が、正弦波信号とは異なる相関が得られる信号を用いているので、従来のロックイン検波を用いた手法により濃度演算を行う分析装置と同等或いはそれ以上の精度で測定対象成分の濃度を求めることができる。
＜その他の実施形態＞
　例えば、前記各実施形態の対数演算部６１は、光検出器３の光強度信号を対数演算するものであったが、光検出器３の光強度信号を用いて、サンプル光の強度と参照光である変調光の強度との比の対数（いわゆる吸光度）を算出するものであってもよい。このとき、対数演算部６１は、サンプル光の強度の対数を演算し、リファレンス光の強度の対数を演算した後にそれらを差し引くことで吸光度を算出しても良いし、サンプル光の強度とリファレンス光の強度との比を求めた後にその比の対数を取ることで吸光度を算出してもよい。
　また、前記各実施形態の相関値算出部６２は、強度関連信号と特徴信号との相関値を算出するものであったが、強度関連信号と特徴信号との内積値を算出するものであってもよい。
　さらに、前記実施形態の分析装置１００の波長ずれを補正する機能に加えて、又は、波長ずれを補正する機能に代えて、共存影響によるブロードニングを補正する機能を有していても良い。この場合、分析装置１００の信号処理部８は、図１０に示すように、サンプルに含まれる共存成分により生じる測定対象成分又は干渉成分の光吸収スペクトルの変化率を示すブロードニングファクタを決定するブロードニングファクタ決定部８６を備えている。
　ブロードニングファクタ決定部８６は、サンプルに含まれる共存成分により生じる測定対象成分及び干渉成分の光吸収スペクトルの変化率を示すブロードニングファクタＦＢを決定するものである。なお、干渉成分に対する共存成分による共存影響も考慮すべき場合は、ブロードニングファクタＦＢはその成分ごとに追加され、決定される。
　ブロードニングファクタＦＢの決定方法としては、例えば、以下の（ａ）又は（ｂ）の手順が考えられる。
（ａ）セル内の各圧力ｐｋ（ｋ＝１，２，・・・，ｌ）における測定対象成分及び干渉成分の各特徴信号Ｆｉ（ｔ）に対応する各単独相関値ｓｉｔａｒ（ｐｋ）、ｓｉｉｎｔ（ｐｋ）を予め取得し、測定時に得られたサンプル相関値と、前記単独相関値とを比較、照合してブロードニングファクタＦＢを決定する。なお、比較、照合の際、セル内の圧力値と、下記の式（数６）の関係とを用いて、前記単独相関値を変換して用いる。この方法の場合、必要な特徴信号の数は、測定対象成分の種類数と干渉成分の種類数とブロードニングファクタの種類数を合わせた数以上となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000006
　ここで、ｐは圧力センサ７により測定されたサンプルの圧力、ＦＢはブロードニングファクタ決定部８６により決定されたブロードニングファクタ、ｓｉｊは格納部６３に格納された各圧力における単独相関値であり、ｓ′ｉｊは補正された単独相関値である。なお、上記式（数６）は、サンプル測定時のサンプルの圧力ｐにおける単独相関値ｓｉｊ（ｐ）に対して、圧力をＦＢ倍した圧力における単独相関値を１／ＦＢ倍することによって、補正した単独相関値ｓ′ｉｊを求めることを示している。
　なお、干渉成分も共存成分によってブロードニングの影響を受ける場合は、干渉成分のブロードニングファクタを別途決定して、干渉成分の単独相関値を補正してもよい。これによって、さらに測定精度を上げることができる。
（ｂ）共存成分の濃度及びブロードニングファクタＦＢの関係を示す関係データと、測定された共存成分の濃度とを用いて、ブロードニングファクタＦＢを決定する。
　このとき、前記関係データは、予め、共存成分の各濃度毎にブロードニングファクタＦＢを実験により又は計算により求めることで生成される。測定された共存成分の濃度は、本実施形態の分析装置１００により、共存影響補正前に測定したものであってもよいし、別の分析装置を用いて共存成分の濃度を測定したものであっても良い。
　濃度算出部６５は、相関値算出部６２により得られた複数のサンプル相関値を用いて測定対象成分の濃度を算出するものである。
　具体的に濃度算出部６５は、相関値算出部６２により得られた複数のサンプル相関値と、ブロードニングファクタ決定部６４により決定されたブロードニングファクタＦＢと、格納部６３に格納された複数の単独相関値とに基づいて、測定対象成分の濃度を算出するものである。より詳細には、濃度算出部６５は、ブロードニングファクタ決定部６４により得られたブロードニングファクタＦＢから、格納部６３に格納された複数の単独相関値を補正して取得する。そして、濃度算出部６５は、相関値算出部６２により得られた複数のサンプル相関値と、決定されたブロードニングファクタＦＢに対応する補正された複数の単独相関値と、測定対象成分及び各干渉成分それぞれの濃度とからなる連立方程式を解くことにより、測定対象成分の濃度を算出するものである。
　より詳細には、濃度算出部６５は、格納部６３に格納された各セル内の圧力ｐｋにおける単独相関値と、圧力センサ７によって測定したセル内の圧力値ｐと、ブロードニングファクタ決定部６４により決定されたブロードニングファクタＦＢと、上述した式（数６）とを用いて、セル内の圧力とブロードニングファクタの両方で補正した測定対象成分の単独相関値ｓ′１ｔａｒ、ｓ′２ｔａｒと、セル内の圧力でのみ補正した（ブロードニングファクタは１とする）干渉成分の単独相関値ｓ′１ｉｎｔ、ｓ′２ｉｎｔとを決定する。決定の方法は、例えば、線形補間、２次補間、スプライン補間などを使う方法が考えられる。
　そして、濃度算出部６５は、相関値算出部６２が算出したリファレンス相関値で補正したサンプル相関値Ｓ′１、Ｓ′２、と、補正した単独相関値ｓ′１ｔａｒ、ｓ′２ｔａｒ、ｓ′１ｉｎｔ、ｓ′２ｉｎｔと、測定対象成分及び干渉成分それぞれの濃度Ｃｔａｒ、Ｃｉｎｔとからなる以下の二元連立方程式を解く。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000007
　これにより、上式（数７）の連立方程式を解くという簡単かつ確実な演算により、干渉影響及び共存影響が取り除かれた測定対象成分の濃度Ｃｔａｒを決定することができる。この構成であれば、本発明のレーザ光源２の変調幅補正により、周囲温度変化によるレーザ光源の変調幅の変化を抑えて、共存影響によるブロードニングを正しく補正することができるので、測定対象成分の濃度をより一層精度良く測定することができる。
　また、分析装置１００は、図１１に示すように、セル１にレーザ光を照射する複数のレーザ光源２及びそれに対応する複数の温調部３を備えるものであってもよい。複数のレーザ光源２は、例えば前記実施形態に例示した測定対象成分に対応したものとすることが考えられる。ここで、分析装置１００は、複数のレーザ光源２は、光源制御部７１によって、互いに同じ発振周期で且つそれらの発振タイミングが互いに異なるようにパルス発振される。ここで、各レーザ光源２及び各温調部３に対する光源制御部７１及び温調制御部７２の制御内容は前記実施形態と同じである。信号処理装置６は、光検出器５により得られた光強度信号から、複数のレーザ光源２それぞれの信号を分離し、分離した各レーザ光源２の光吸収信号を用いて、各レーザ光源２に対応する測定対象成分の濃度を算出する。なお、信号処理部８による測定対象成分の濃度の算出は前記実施形態と同様である。
　前記実施形態では、物理的に波長ずれを補正するとともに演算により波長ずれを補正するものであったが、演算による波長ずれを補正しないものであっても良い。又は、物理的に波長ずれを補正すること無く、演算による波長ずれを補正するものであってもよく、物理的に波長ずれを補正せずに、かつ、演算による波長ずれを補正しないものであっても良い。
　また、前記実施形態では、周囲温度による波長ずれだけでなく変調幅のずれも補正しているが、変調幅のずれは補正しない構成であっても良い。
　また、前記各実施形態では、格納部８３はリファレンス相関値を用いて補正した単独相関値を格納するものであったが、格納部８８３に補正前の単独相関値を格納しておき、濃度算出部８３が、補正前の単独相関値からリファレンス相関値を差し引いた上で、単位濃度当たりに換算する補正をした単独相関値を求める構成としても良い。
　複数の特徴信号は、前記実施形態に限られず、互いに異なる関数であれば良い。また、特徴信号として、例えば濃度既知のスパンガスを流して得られた光強度や対数強度又は吸光度の波形（サンプルスペクトル）を示す関数を用いてもよい。また、１つの測定対象成分の濃度を測定する場合には、特徴信号は少なくとも１つあれば良い。
　さらに、測定対象成分と干渉成分を合わせてｎ種のガスが存在する場合、ｎより大きい種類の特徴信号を用いて、ガス種の数より大きい個数の単独相関値及びサンプル相関値を求めて、ガス種の数よりも大きい元数の連立方程式を作り、最小二乗法で、各成分濃度を決定してもよく、こうすることで、より測定ノイズに対しても誤差の小さい濃度決定が可能となる。
　また、サンプルガスは、排ガスのみならず大気などでもよいし、液体や固体でも構わない。その意味では、測定対象成分もガスのみならず液体や固体でも本発明を適用可能である。また、測定対象を貫通透過した光の吸光度のみならず、反射による吸光度算出にも用いることができる。
　前記実施形態の信号処理部は、前記サンプル光の強度に関連する強度関連信号と、当該強度関連信号に対して所定の相関が得られる特徴信号とを用いて、前記測定対象成分の濃度に依存する相関値を算出する相関値算出部、及び前記相関値算出部により得られた相関値を用いて前記測定対象成分の濃度を算出する濃度算出部の機能を発揮するものであったが、その他の演算方法を用いたものであっても良い。
　光源も、半導体レーザに関わらず、他のタイプのレーザでもよいし、測定精度を担保するに十分な半値幅をもつ単波長光源であって、波長変調さえできるものなら、どのような光源を用いてもよい。
　その他、本発明の趣旨に反しない限りにおいて様々な実施形態の変形や組み合わせを行っても構わない。
　本発明によれば、光吸収を利用した分析装置において、周囲温度変化によるレーザ光源の発振波長の変調幅の変動を低減して、測定対象成分の濃度を精度良く測定することができる。
１００・・・分析装置
１　　・・・セル
２　　・・・レーザ光源（半導体レーザ）
３　　・・・温調部
４　　・・・温度センサ
５　　・・・光検出器
６　　・・・信号処理装置
７　　・・・制御部
８１　・・・対数演算部
８２　・・・相関値算出部
８３　・・・格納部
８４　・・・波長ずれ決定部
８５　・・・濃度算出部

Claims (15)

  1. 　サンプル中に含まれる測定対象成分を分析する分析装置であって、
    　前記サンプルに参照光を照射するレーザ光源と、
    　前記参照光が前記サンプルを透過したサンプル光の強度を検出する光検出器と、
    　前記レーザ光源の温度を調整する温調部と、
    　前記レーザ光源の周囲温度を検出する温度センサと、
    　前記レーザ光源の周囲温度と、前記レーザ光源の前記測定対象成分を測定するための既定の変調範囲に対するずれを補正するための補正用パラメータとの関係を示す変調補正用関係データを格納する関係データ格納部と、
    　前記温度センサの検出温度及び前記変調補正用関係データを用いて、前記温調部の目標温度、又は、前記レーザ光源の波長変調のために印加される駆動電圧若しく駆動電流の少なくとも一方を変更する制御部とを備える、分析装置。
  2. 　前記サンプル光の強度に関連する強度関連信号から前記参照光の波長ずれ量を決定する波長ずれ決定部と、
    　前記サンプル光の強度に関連する強度関連信号と、前記波長ずれ量とを用いて、前記参照光の波長ずれを補正した前記測定対象成分の濃度を算出する濃度算出部とをさらに備える、請求項１に記載の分析装置。
  3. 　前記波長ずれ決定部は、波長ずれ量が既知である測定対象成分及び干渉成分の光吸収信号に関連するリファレンスデータと、前記サンプル光の強度から求まる光吸収信号に関連するサンプルデータとをフィッティングして、波長ずれ量を決定する、請求項２に記載の分析装置。
  4. 　前記サンプルに含まれる共存成分により生じる前記測定対象成分又は干渉成分の光吸収スペクトルの変化率を示すブロードニングファクタを決定するブロードニングファクタ決定部と、
    　前記サンプル光の強度に関連する強度関連信号と、前記ブロードニングファクタとを用いて、前記共存成分による共存影響を補正した前記測定対象成分の濃度を算出する濃度算出部とをさらに備える、請求項１乃至３の何れか一項に記載の分析装置。
  5. 　前記ブロードニングファクタ決定部は、ブロードニングファクタ又は圧力が既知である測定対象成分及び干渉成分の光吸収信号に関連するリファレンスデータと、前記サンプル光の強度から求まる光吸収信号に関連するサンプルデータとをフィッティングして、前記ブロードニングファクタを決定する、請求項４に記載の分析装置。
  6. 　前記ブロードニングファクタ決定部は、前記共存成分の濃度及びブロードニングファクタの関係を示す関係データと、測定された前記共存成分の濃度とを用いて、前記ブロードニングファクタを決定する、請求項４に記載の分析装置。
  7. 　前記レーザ光源は、量子カスケードレーザである、請求項１乃至６の何れか一項に記載の分析装置。
  8. 　燃焼ガス中の一酸化窒素、二酸化窒素、亜酸化窒素、アンモニア、エタン、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、二酸化硫黄、メタン、メタノール又はエタノールの少なくとも１つの濃度を測定するものであって、
    　前記一酸化窒素の濃度を測定する場合には、５．２４～５．２６μｍの間の一酸化窒素の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記二酸化窒素の濃度を測定する場合には、６．１４～６．２６μｍの間の二酸化窒素の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記亜酸化窒素の濃度を測定する場合には、７．８４～７．９１μｍの間の亜酸化窒素の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記アンモニアの濃度を測定する場合には、９．３８～９．５６μｍの間のアンモニアの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記エタンの濃度を測定する場合には、３．３３～３．３６μｍの間のエタンの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記ホルムアルデヒド又は前記アセトアルデヒドの濃度を測定する場合には、５．６５～５．６７μｍの間のホルムアルデヒド又はアセトアルデヒドの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記二酸化硫黄の濃度を測定する場合には、７．３８～７．４２μｍの間の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記メタンの濃度を測定する場合には、７．５０～７．５４μｍの間の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記メタノール又はエタノールの濃度を測定する場合には、９．４５～９．４７μｍの間の吸収に基づいて濃度を算出する、請求項１乃至７の何れか一項に記載の分析装置。
  9. 　燃焼ガス中の一酸化窒素、二酸化窒素、亜酸化窒素、アンモニア、エタン、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、二酸化硫黄、メタン、メタノール又はエタノールの少なくとも１つの濃度を測定するものであって、
    　前記一酸化窒素の濃度を測定する場合には、５．２４５～５．２４７μｍの間の一酸化窒素の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記二酸化窒素の濃度を測定する場合には、６．１４５～６．２５４μｍの間の二酸化窒素の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記亜酸化窒素の濃度を測定する場合には、７．８４５～７．９０７μｍの間の亜酸化窒素の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記アンモニアの濃度を測定する場合には、９．３８４～９．５５７μｍの間のアンモニアの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記エタンの濃度を測定する場合には、３．３３６～３．３５２μｍの間のエタンの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記ホルムアルデヒド又は前記アセトアルデヒドの濃度を測定する場合には、５．６５１～５．６５２μｍの間、又は、５．６６５～５．６６７μｍの間のホルムアルデヒド又はアセトアルデヒドの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記二酸化硫黄の濃度を測定する場合には、７．３８５～７．４１７μｍの間の二酸化硫黄の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記メタンの濃度を測定する場合には、７．５０３～７．５０４μｍの間、又は、７．５３５～７．５３６μｍの間のメタンの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記メタノール又はエタノールの濃度を測定する場合には、９．４６７～９．４６８μｍの間、又は、９．４５５～９．４５６μｍの間のメタノール又はエタノールの吸収に基づいて濃度を算出する、請求項１乃至７の何れか一項に記載の分析装置。
  10. 　燃焼ガス中の一酸化窒素、二酸化窒素、亜酸化窒素、アンモニア、エタン、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、二酸化硫黄、メタン、メタノール又はエタノールの少なくとも１つの濃度を測定するものであって、
    　前記一酸化窒素の濃度を測定する場合には、５．２４６２μｍの一酸化窒素の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記二酸化窒素の濃度を測定する場合には、６．２３２２μｍ、又は６．２５３８μｍの二酸化窒素の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記亜酸化窒素の濃度を測定する場合には、７．８４５５μｍ、７．８５０９μｍ、７．８７８４μｍ、又は７．９０６７μｍの亜酸化窒素の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記アンモニアの濃度を測定する場合には、９．３８４７μｍ、又は９．５５６６μｍのアンモニアの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記エタンの濃度を測定する場合には、３．３３６８μｍ、３．３４８２μｍ、又は３．３５１９μｍのエタンの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記ホルムアルデヒド又は前記アセトアルデヒドの濃度を測定する場合には、５．６５１４μｍ、又は５．６６６０μｍのホルムアルデヒド又はアセトアルデヒドの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記二酸化硫黄の濃度を測定する場合には、７．３８５６μｍ、又は７．４１６３μｍの二酸化硫黄の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記メタンの濃度を測定する場合には、７．５０３５μｍ、又は７．５３５４ μｍのメタンの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記メタノール又はエタノールの濃度を測定する場合には、９．４６７１μｍ、又は９．４５５７μｍのメタノール又はエタノールの吸収に基づいて濃度を算出する、請求項１乃至７の何れか一項に記載の分析装置。
  11. 　プロセスガス中の二酸化炭素、一酸化炭素、エチレン、エタン、水、アセチレン、メタン、アンモニア、メタノールの少なくとも１つの濃度を測定するものであって、
    　前記二酸化炭素の濃度を測定する場合には、４．２３～４．２４μｍの間、又は４．３４～４．３５μｍの間の二酸化炭素の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記一酸化炭素の濃度を測定する場合には、４．５９～４．６１μｍの間の一酸化炭素の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記水の濃度を測定する場合には、５．８９～６．１２μｍの間の水の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記アセチレンの濃度を測定する場合には、７．５６～７．６６μｍの間、又は７．２７～７．８１μｍの間のアセチレンの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記メタンの濃度を測定する場合には、７．６７～７．８０μｍの間、又は８．１０～８．１４μｍの間のメタンの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記エチレンの濃度を測定する場合には、８．４６～８．６０μｍの間のエチレンの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記エタンの濃度を測定する場合には、６．１３～６．１４μｍの間、又は６．０９～６．４５μｍの間のエタンの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記アンモニアの濃度を測定する場合には、６．０６～６．２５μｍの間、又は８．６２～９．０９μｍの間のアンモニアの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記メタノールの濃度を測定する場合には、９．３５～９．６２μｍの間のメタノールの吸収に基づいて濃度を算出する、請求項１乃至７の何れか一項に記載の分析装置。
  12. 　プロセスガス中の二酸化炭素、一酸化炭素、エチレン、エタン、水、アセチレン、メタン、アンモニア、メタノールの少なくとも１つの濃度を測定するものであって、
    　前記二酸化炭素の濃度を測定する場合には、４．２３４～４．２３８μｍの間、又は４．３４２～４．３４７μｍの間の二酸化炭素の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記一酸化炭素の濃度を測定する場合には、４．５９４～４．６０４μｍの間の一酸化炭素の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記水の濃度を測定する場合には、５．８９６～５．９３４μｍの間、又は６．０４６～６．１１４μｍの間の水の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記アセチレンの濃度を測定する場合には、７．３７８～７．６３８μｍの間、７．３７８～７．６０３μｍの間、７．６２９～７．６８３μｍの間、７．５９４～７．６５１μｍの間、又は７．５６６～７．６３４μｍの間のアセチレンの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記メタンの濃度を測定する場合には、７．６７０～７．７９２μｍの間、８．１０７～８．１３９μｍの間、又は８．１０２～８．１２１μｍの間のメタンの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記エチレンの濃度を測定する場合には、８．４６４～８．５９９μｍの間のエチレンの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記エタンの濃度を測定する場合には、６．１３５～６．１３９μｍの間、又は６．４６３～６．６１９μｍの間のエタンの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記アンモニアの濃度を測定する場合には、６．１４１～６．１５３μｍの間、又は８．９３９～８．９６８μｍの間のアンモニアの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記メタノールの濃度を測定する場合には、９．４７７～９．５２６μｍの間のメタノールの吸収に基づいて濃度を算出する、請求項１乃至７の何れか一項に記載の分析装置。
  13. 　プロセスガス中の二酸化炭素、一酸化炭素、エチレン、エタン、水、アセチレン、メタン、アンモニア、メタノールの少なくとも１つの濃度を測定するものであって、
    　前記二酸化炭素の濃度を測定する場合には、４．２３４７μｍ、４．２３７１μｍ、４．３４２８μｍ、又は４．３４６９μｍの二酸化炭素の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記一酸化炭素の濃度を測定する場合には、４．５９５０μｍ、又は４．６０２４μｍの一酸化炭素の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記水の濃度を測定する場合には、５．８９６５μｍ、５．９３５３μｍ、６．０４８６μｍ、又は６．１１３８μｍの水の吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記アセチレンの濃度を測定する場合には、７．５９６６μｍ、７．６２３３μｍ、、７．６５０１μｍ、７．５６９８μｍ、７．６３６７μｍ、又は７．６２３１μｍのアセチレンの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記メタンの濃度を測定する場合には、７．６７０４μｍ、７．７９１４μｍ、８．１０７３μｍ、８．１３８１μｍ、８．１０２２μｍ、又は８．１２０６μｍのメタンの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記エチレンの濃度を測定する場合には、８．４６４７μｍ、又は８．５９８１μｍのエチレンの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記エタンの濃度を測定する場合には、６．１３８４μｍ、６．４６７３μｍ、６．５００８μｍ、６．５６２４μｍ、又は６．６１４５μｍのエタンの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記アンモニアの濃度を測定する場合には、６．１４５０μｍ、６．１４８７μｍ、６．１４９６μｍ、８．９６０４μｍ、８．９４７３μｍ、又は８．７６７１μｍのアンモニアの吸収に基づいて濃度を算出し、
    　前記メタノールの濃度を測定する場合には、９．５１６８μｍ、９．５０４２μｍ、又は９．４８６１μｍのメタノールの吸収に基づいて濃度を算出する、請求項１乃至７の何れか一項に記載の分析装置。
  14. 　サンプルに参照光を照射するレーザ光源と、前記サンプルを透過したサンプル光を検出する光検出器と、前記レーザ光源の温度を調整する温調部と、前記レーザ光源の周囲温度を検出する温度センサとを具備し、前記サンプルに含まれる測定対象成分を分析する分析装置に適用されるプログラムであって、
    　前記レーザ光源の周囲温度と、前記レーザ光源の前記測定対象成分を測定するための既定の変調範囲に対するずれを補正するための補正用パラメータとの関係を示す変調補正用関係データを格納する関係データ格納部と、
    　前記温度センサの検出温度及び前記変調補正用関係データを用いて、前記温調部の目標温度、又は、前記レーザ光源の波長変調のために印加される駆動電圧若しく駆動電流の少なくとも一方を変更する制御部と、としての機能を前記分析装置に発揮させることを特徴とする、分析装置用プログラム。
  15. 　サンプルに参照光を照射するレーザ光源と、前記サンプルを透過したサンプル光を検出する光検出器と、前記レーザ光源の温度を調整する温調部と、前記レーザ光源の周囲温度を検出する温度センサとを具備した分析装置を用いて、前記サンプルに含まれる測定対象成分を分析する分析方法であって、
    　前記レーザ光源の周囲温度と、前記レーザ光源の前記測定対象成分を測定するための既定の変調範囲に対するずれを補正するための補正用パラメータとの関係を示す変調補正用関係データを参照して、前記変調補正用関係データを用いて、前記温調部の目標温度、又は、前記レーザ光源の波長変調のために印加される駆動電圧若しく駆動電流の少なくとも一方を変更する、分析方法。
PCT/JP2022/043575 2021-11-25 2022-11-25 分析装置、分析装置用プログラム及び分析方法 WO2023095881A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-191220 2021-11-25
JP2021191220 2021-11-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023095881A1 true WO2023095881A1 (ja) 2023-06-01

Family

ID=86539630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/043575 WO2023095881A1 (ja) 2021-11-25 2022-11-25 分析装置、分析装置用プログラム及び分析方法

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2023095881A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0579976A (ja) * 1991-09-20 1993-03-30 Tokyo Gas Co Ltd ガス濃度測定装置
JP2008232920A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Anritsu Corp ガス検知装置及び該装置を用いた校正方法並びに波長確認方法
JP2016090521A (ja) 2014-11-11 2016-05-23 株式会社島津製作所 ガス吸光度測定装置
JP2019110164A (ja) * 2017-12-15 2019-07-04 株式会社堀場製作所 半導体レーザ装置及びその製造方法並びにガス分析装置
CN111521581A (zh) * 2020-04-24 2020-08-11 北京航天控制仪器研究所 一氧化碳和甲烷组分判断及浓度检测方法、装置及应用
JP2021043117A (ja) * 2019-09-12 2021-03-18 富士電機株式会社 レーザ式ガス分析計

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0579976A (ja) * 1991-09-20 1993-03-30 Tokyo Gas Co Ltd ガス濃度測定装置
JP2008232920A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Anritsu Corp ガス検知装置及び該装置を用いた校正方法並びに波長確認方法
JP2016090521A (ja) 2014-11-11 2016-05-23 株式会社島津製作所 ガス吸光度測定装置
JP2019110164A (ja) * 2017-12-15 2019-07-04 株式会社堀場製作所 半導体レーザ装置及びその製造方法並びにガス分析装置
JP2021043117A (ja) * 2019-09-12 2021-03-18 富士電機株式会社 レーザ式ガス分析計
CN111521581A (zh) * 2020-04-24 2020-08-11 北京航天控制仪器研究所 一氧化碳和甲烷组分判断及浓度检测方法、装置及应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3218695B1 (en) Target analyte detection and quantification in sample gases with complex background compositions
US8152900B2 (en) Reactive gas detection in complex backgrounds
JP5907442B2 (ja) レーザ式ガス分析計
US8686364B1 (en) Method and system for determining energy content and detecting contaminants in a fluid stream
CN109490250B (zh) 校准激光器的波长的方法及装置、气体浓度分析仪
CN108226064B (zh) 分析装置、计算机可读存储介质和分析方法
US10935489B2 (en) Analysis apparatus and analysis method
CN110927100B (zh) 用于测量气体通量的系统和测量气体通量的方法
CN116297268A (zh) 一种氨气和水蒸气浓度同时在线检测方法
CN110715905A (zh) 光谱测定装置
WO2023095881A1 (ja) 分析装置、分析装置用プログラム及び分析方法
JP6886507B2 (ja) 分析装置、分析装置用プログラム及び分析方法
WO2023095864A1 (ja) 分析装置、分析装置用プログラム及び分析方法
WO2023095876A1 (ja) 分析装置及び分析方法
US20220244176A1 (en) Sample analyzing apparatus
WO2021241589A1 (ja) 分析装置、分析装置用プログラム及び分析方法
CN118140129A (zh) 分析装置以及分析方法
US11243116B2 (en) Spectrometry device and spectrometry method
WO2023106196A1 (ja) 分析装置及び分析方法
US10727646B2 (en) Sweeping signal generating device
WO2020262640A1 (ja) 分析装置
Bozóki Airborne application of a photoacoustic instrument
Ji et al. Extreme Learning Machine for Robustness Enhancement of Gas Detection Based on Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy
CN117288714A (zh) 通过测量碳氢化合物燃料气体组分来增强激光光谱建模
Amerov et al. PROCESS GAS ANALYZERS FOR THE MEASUREMENT OF AMMONIA AND ACETYLENE CONCENTRATION

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22898663

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2023563757

Country of ref document: JP