WO2023074207A1 - 制御装置、制御方法、制御プログラム - Google Patents

Abstract

レーザダイオードの発光により照射した照射光に対する物標からの反射光を受光して、当該物標までの距離を測定する光学センサを、制御する制御装置のプロセッサは、測距停止期間において前後する複数の試行期間（Ｐｔｆ，Ｐｔｓ）毎に試行電流値（Ｃｔｆ，Ｃｔｓ）をそれぞれ設定することで発光したレーザダイオードの、試行発光強度（Ｉｔｆ，Ｉｔｓ）を反射光に基づき取得することと、レーザダイオードでの電流値に対する発光強度の特性データ（Ｄｓ）を、各試行期間（Ｐｔｆ，Ｐｔｓ）毎に試行電流値（Ｃｔｆ，Ｃｔｓ）と試行発光強度（Ｉｔｆ，Ｉｔｓ）との相関に基づき学習することと、測距実行期間に要求される要求発光強度（Ｉｄ）を与える電流値として、レーザダイオードを制御する制御電流値（Ｃｃ）を、各試行期間（Ｐｔｆ，Ｐｔｓ）毎の特性データ（Ｄｓ）に基づき調整することと、を実行するように構成される。

Description

制御装置、制御方法、制御プログラム 関連出願の相互参照

　この出願は、２０２１年１０月２８日に日本に出願された特許出願第２０２１－１７６８３０号を基礎としており、基礎の出願の内容を、全体的に、参照により援用している。

　本開示は、光学センサを制御する技術に関する。

　照射した照射光に対する物標からの反射光を受光して、当該物標までの距離を測定する光学センサは、広く知られている。特許文献１に開示される光学センサでは、レーザダイオードの発光により照射光が照射されることで、距離の測定である測距が行われている。

特開２０１８－１００８０号公報

　しかし、レーザダイオードの発光特性は、特に温度変化に応じてばらつき易い。こうした発光特性のばらつきは、測距に誤差を生じさせるおそれがある。

　本開示の課題は、光学センサの測距精度を確保する制御装置を、提供することにある。本開示のまた別の課題は、光学センサの測距精度を確保する制御方法を、提供することにある。本開示のさらに別の課題は、光学センサの測距精度を確保する制御プログラムを、提供することにある。

　以下、課題を解決するための本開示の技術的手段について、説明する。

　本開示の第一態様は、
　プロセッサを有し、レーザダイオードの発光により照射した照射光に対する物標からの反射光を受光して、当該物標までの距離を測定する光学センサを、制御する制御装置であって、
　プロセッサは、
　距離の測定を停止する測距停止期間において前後する複数の試行期間毎に試行電流値をそれぞれ設定することにより発光したレーザダイオードの、試行発光強度を反射光に基づき取得することと、
　レーザダイオードでの電流値に対する発光強度の特性データを、各試行期間毎に試行電流値と試行発光強度との相関に基づき学習することと、
　距離の測定を実行する測距実行期間に要求される要求発光強度を与える電流値として、レーザダイオードを制御する制御電流値を、各試行期間毎の特性データに基づき調整することと、を実行するように構成される。

　本開示の第二態様は、
　レーザダイオードの発光により照射した照射光に対する物標からの反射光を受光して、当該物標までの距離を測定する光学センサを、制御するためにプロセッサにより実行される制御方法であって、
　距離の測定を停止する測距停止期間において前後する複数の試行期間毎に試行電流値をそれぞれ設定することにより発光したレーザダイオードの、試行発光強度を反射光に基づき取得することと、
　レーザダイオードでの電流値に対する発光強度の特性データを、各試行期間毎に試行電流値と試行発光強度との相関に基づき学習することと、
　距離の測定を実行する測距実行期間に要求される要求発光強度を与える電流値として、レーザダイオードを制御する制御電流値を、各試行期間毎の特性データに基づき調整することと、を含む。

　本開示の第三態様は、
　レーザダイオードの発光により照射した照射光に対する物標からの反射光を受光して、当該物標までの距離を測定する光学センサを、制御するために記憶媒体に記憶され、プロセッサに実行させる命令を含む制御プログラムであって、
　命令は、
　距離の測定を停止する測距停止期間において前後する複数の試行期間毎に試行電流値をそれぞれ設定することにより発光したレーザダイオードの、試行発光強度を反射光に基づき取得させることと、
　レーザダイオードでの電流値に対する発光強度の特性データを、各試行期間毎に試行電流値と試行発光強度との相関に基づき学習させることと、
　距離の測定を実行する測距実行期間に要求される要求発光強度を与える電流値として、レーザダイオードを制御する制御電流値を、各試行期間毎の特性データに基づき調整させることと、を含む。

　これら第一～第三態様によると、測距停止期間において前後する複数の試行期間毎に試行電流値をそれぞれ設定することで発光したレーザダイオードの、試行発光強度が反射光に基づき取得される。そこで、各試行期間毎に試行電流値と試行発光強度との相関に基づくことで、レーザダイオードでの電流値に対する発光強度の特性データが学習される。これによれば、測距実行期間に要求発光強度を与える電流値としてレーザダイオードを制御する制御電流値は、時間経過に伴う温度変化と対応し得る各試行期間毎の特性データに基づくことで、適正に調整することができる。故に、光学センサの測距精度を確保することが可能となる。

一実施形態によるセンシングシステムの全体構成を示す模式図である。 一実施形態による光学センサの詳細構成を示す模式図である。 一実施形態による制御装置の機能構成を示すブロック図である。 一実施形態による投光器を示す模式図である。 一実施形態によるレーザダイオードの特性を示すグラフである。 一実施形態による受光器を示す模式図である。 一実施形態による制御フレームを示すタイムチャートである。 一実施形態による走査制御フローを示すフローチャートである。 一実施形態による測定制御フローを示すフローチャートである。 一実施形態による試行期間を示すタイムチャートである。 一実施形態による試行電流値及び試行発光強度の相関を示すグラフである。 一実施形態による試行電流値の設定を示すグラフである。 一実施形態による試行電流値の設定を示すグラフである。 一実施形態による受光強度と測定距離との相関を示すグラフである。 一実施形態による特性データを示すグラフである。 一実施形態による制御電流値の調整を示すグラフである。 一実施形態による制御電流値の調整を示すタイムチャートである。

　図１に示すように本開示の一実施形態は、光学センサ１０及び制御装置１を含んで構成されるセンシングシステム２に関する。センシングシステム２は、車両５に搭載される。車両５は、乗員の搭乗状態において走行路を走行可能な、例えば自動車等の移動体である。

　車両５は、自動運転制御モードにおいて定常的、又は一時的に自動走行可能となっている。ここで自動運転制御モードは、条件付運転自動化、高度運転自動化、又は完全運転自動化といった、作動時のシステムが全ての運転タスクを実行する自律運転制御により、実現されてもよい。自動運転制御モードは、運転支援、又は部分運転自動化といった、乗員が一部又は全ての運転タスクを実行する高度運転支援制御において、実現されてもよい。自動運転制御モードは、それら自律運転制御と高度運転支援制御とのいずれか一方、組み合わせ、又は切り替えにより実現されてもよい。

　尚、以下の説明では断り書きがない限り、前、後、上、下、左、及び右の各方向は、水平面上の車両５を基準として定義される。また水平方向とは、車両５の方向基準となる水平面に対して、平行方向を示す。さらに鉛直方向とは、車両５の方向基準となる水平面に対して、上下方向でもある垂直方向を示す。

　光学センサ１０は、自動制御運転モードを含む車両５の運転制御に活用可能な画像データを取得するための、所謂ＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging / Laser Imaging Detection and Ranging）である。光学センサ１０は、例えば前方部、左右の側方部、後方部、及び上方のルーフ等のうち、車両５の少なくとも一箇所に配置される。図２に示すように光学センサ１０においては、互いに直交する三軸としてのＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸により、三次元直交座標系が定義されている。ここで特に本実施形態では、Ｘ軸及びＺ軸がそれぞれ車両５の相異なる水平方向に沿って設定され、またＹ軸が車両５の鉛直方向に沿って設定される。尚、図２においてＹ軸に沿う一点鎖線よりも左側部分（後述の透光カバー１２側）は、実際には当該一点鎖線よりも右側部分（後述のユニット２１，４１側）に対して垂直な断面を図示している。

　光学センサ１０は、車両５の外界空間のうち配置箇所に応じたセンシングエリアＡｓへと向けて、光を照射する。図３に示すように光学センサ１０は、照射した照射光がセンシングエリアＡｓから反射されることで入射してくる反射光を、受光する。光学センサ１０は、反射光の受光によりセンシングエリアＡｓ内において光を反射する物標Ｔｒを、センシングする。特に本実施形態におけるセンシングとは、光学センサ１０から物標Ｔｒまでの距離Ｌｒ、及び物標Ｔｒから反射されてくる反射光の受光強度Ｉｒを、測定することを意味する。車両５に適用される光学センサ１０において代表的なセンシング対象物標Ｔｒは、例えば歩行者、サイクリスト、人間以外の動物、及び他車両等の移動物体のうち、少なくとも一種類であってもよい。車両５に適用される光学センサ１０において代表的なセンシング対象物標Ｔｒは、例えばガードレール、道路標識、道路脇の構造物、及び道路上の落下物等の静止物体のうち、少なくとも一種類であってもよい。

　図２に示すように光学センサ１０は、筐体１１、投光ユニット２１、走査ユニット３１、及び受光ユニット４１を含んで構成されている。筐体１１は、光学センサ１０の外装を構成している。筐体１１は、箱状に形成され、遮光性を有している。筐体１１は、投光ユニット２１、走査ユニット３１、及び受光ユニット４１を内部に収容している。筐体１１において開口状の光学窓には、透光カバー１２が設けられている。透光カバー１２は、板状に形成され、照射光及び反射光に対して透光性を有している。透光カバー１２は、照射光及び反射光の双方を透過可能に、筐体１１の光学窓を閉塞している。

　投光ユニット２１は、投光器２２、及び投光レンズ系２６を備えている。投光器２２は、筐体１１内に配置されている。図４に示すように投光器２２は、複数のレーザダイオード２４が基板上においてアレイ状に配列されることで、形成されている。各レーザダイオード２４は、Ｙ軸に沿って単列に配列されている。各レーザダイオード２４は、ＰＮ接合層において発振された光を共振可能な共振器構造、及びＰＮ接合層を挟んで光を繰り返し反射可能なミラー層構造を、有している。

　各レーザダイオード２４は、制御装置１からの制御信号に従う電流の印加に応じた光を、互いに同期したパルス状に繰り返し発する。特に本実施形態の各レーザダイオード２４は、車両５の外界空間に存在する人間から視認困難な近赤外域のパルス光を、それぞれ発する。図５に示すように各レーザダイオード２４は、境界電流値Ｃｂよりも高い範囲ΔＣｌｄ内の電流を印加される場合には発振状態のＬＤ（Laser Diode）モードに駆動されることで、発光する。このようなＬＤモードの各レーザダイオード２４から発せされたパルス光は、近赤外域でのトータルでの発光強度が境界強度Ｉｂよりも高い照射光を、生成することになる。

　尚、各レーザダイオード２４は、境界電流値Ｃｂよりも低い電流を印加される場合には未発振状態のＬＥＤ（Light Emitting Diode）モードに駆動されることで、発光可能となる。このようなＬＥＤモードの各レーザダイオード２４から発せされたパルス光は、近赤外域でのトータルでの発光強度が境界強度Ｉｂよりも低い照射光を、生成することになるが、本実施形態において当該ＬＥＤモードは利用されない。

　図４に示すように投光器２２は、長辺側がＹ軸に沿った長方形輪郭をもって擬似的に規定される投光窓２５を、基板の片面側に形成している。投光窓２５は、各レーザダイオード２４における投射開口の集合体として、構成されている。各レーザダイオード２４の投射開口から発せられたパルス光は、センシングエリアＡｓではＹ軸に沿った長手のライン状に擬制される照射光として、投光窓２５から投射される。照射光には、Ｙ軸方向において各レーザダイオード２４の配列間隔に応じた非発光部が、含まれていてもよい。この場合でも、センシングエリアＡｓにおいては回折作用によって巨視的に非発光部の解消されたライン状の照射光が、形成されるとよい。

　図２に示すように投光レンズ系２６は、投光器２２からの照射光を、走査ユニット３１の走査ミラー３２へ向かって投光する。投光レンズ系２６は、筐体１１内において投光器２２及び走査ミラー３２の間に、配置されている。投光レンズ系２６は、例えば集光、コリメート、及び整形等のうち、少なくとも一種類の光学作用を発揮する。投光レンズ系２６は、Ｚ軸に沿った投光光軸を、形成する。投光レンズ系２６は、発揮する光学作用に応じたレンズ形状の投光レンズ２７を、投光光軸上に少なくとも一つ有している。投光レンズ系２６の投光光軸上には、投光器２２が位置決めされている。投光器２２において投光窓２５の中心から射出される照射光は、投光レンズ系２６の投光光軸に沿って導光される。

　走査ユニット３１は、走査ミラー３２、及び走査モータ３５を備えている。走査ミラー３２は、投光ユニット２１の投光レンズ系２６から照射された照射光をセンシングエリアＡｓへ向けて走査し、当該センシングエリアＡｓからの反射光を受光ユニット４１の受光レンズ系４２へ向けて反射する。走査ミラー３２は、照射光の光路上における透光カバー１２及び投光レンズ系２６の間、且つ反射光の光路上における透光カバー１２及び受光レンズ系４２の間に配置されている。

　走査ミラー３２は、基材の片面である反射面３３に反射膜が蒸着されることで、板状に形成されている。走査ミラー３２は、Ｙ軸に沿う回転中心線まわりに回転可能に、筐体１１によって支持されている。走査ミラー３２は、回転中心線まわりの回転により、反射面３３の法線方向を調整可能となっている。走査ミラー３２は、機械的又は電気的なストッパにより有限となる駆動角度範囲内において、往復揺動運動する。特に本実施形態では、駆動角度範囲内において図７に示す原点角度θ０から往方向への走査ミラー３２の駆動が順駆動に規定されている一方、駆動角度範囲内において同図に示す終点角度θｅから復方向への走査ミラー３２の駆動が逆駆動に規定されている。

　図２に示すように走査ミラー３２は、投光ユニット２１と受光ユニット４１とに共通に設けられている。即ち走査ミラー３２は、照射光と反射光とに共通に設けられている。これにより走査ミラー３２は、投光ユニット２１からの照射光の反射に利用する投光反射面部と、反射光の受光ユニット４１への反射に利用する受光反射面部とを、反射面３３においてＹ軸方向にずらして形成している。

　照射光は、走査ミラー３２の回転に応じた法線方向を向く反射面３３において投光反射面部から反射作用を受けることで、透光カバー１２を透過してセンシングエリアＡｓを時間的及び空間的に走査する。このとき照射光によるセンシングエリアＡｓの走査は、特に本実施形態では水平方向での二次元走査に実質制限される。照射光は、センシングエリアＡｓに存在する物標Ｔｒによって反射されることで、反射光として光学センサ１０に入射する。入射した反射光は、透光カバー１２を透過して、走査ミラー３２の回転に応じた法線方向を向く反射面３３において受光反射面部から反射作用を受けることで、受光ユニット４１の受光レンズ系４２へ導光される。ここで走査ミラー３２の回転運動速度に対しては、照射光及び反射光の速度が十分に大きい。これにより反射光は、照射光と略同一回転角度の走査ミラー３２において、照射光とは逆行するように受光レンズ系４２へと導光される。

　走査モータ３５は、筐体１１内において走査ミラー３２の周囲に、配置されている。走査モータ３５は、例えばボイスコイルモータ、ブラシ付き直流モータ、又はステッピングモータ等である。走査モータ３５は、制御装置１からの制御信号に従って、走査ミラー３２を有限の駆動角度範囲内において回転駆動（即ち、揺動駆動）する。

　受光ユニット４１は、受光レンズ系４２、及び受光器４５を備えている。受光レンズ系４２は、走査ミラー３２によって反射されたエコーを、受光器４５へ向かって導光する。受光レンズ系４２は、筐体１１内において走査ミラー３２及び受光器４５の間に、配置されている。受光レンズ系４２は、Ｙ軸方向において投光レンズ系２６よりも下方に、位置決めされている。受光レンズ系４２は、受光器４５に対して反射光を結像させるように、光学作用を発揮する。受光レンズ系４２は、Ｚ軸に沿った受光光軸を、形成する。受光レンズ系４２は、発揮する光学作用に応じたレンズ形状の受光レンズ４３を、受光光軸上に少なくとも一つ有している。走査ミラー３２の反射面３３のうち受光反射面部から反射されてくる、センシングエリアＡｓからの反射光は、走査ミラー３２の駆動範囲内において受光レンズ系４２の受光光軸に沿って導光される。

　受光器４５は、受光レンズ系４２によって結像された、センシングエリアＡｓからの反射光を受光することで、当該受光に応じた信号を出力する。受光器４５は、筐体１１内において走査ミラー３２とは受光レンズ系４２を挟んだ反対側に、配置されている。受光器４５は、Ｙ軸方向において投光器２２よりも下方、且つ受光レンズ系４２の受光光軸上に位置決めされている。

　図６に示すように受光器４５は、受光要素４６が基板上においてＸ軸方向及びＹ軸方向の二次元アレイ状に配列されることで、形成されている。各受光要素４６は、それぞれ複数ずつの受光素子から構成されている。即ち、各受光要素４６毎に複数ずつの受光素子が対応していることから、それら受光素子の応答数に応じて出力値が異なってくる。各受光要素４６の受光素子は、例えばシングルフォトンアバランシェダイオード（SPAD：Single Photon Avalanche Diode）等のフォトダイオードを主体として、構築されている。各受光要素４６の受光素子は、フォトダイオードアレイの前段にマイクロレンズアレイが積層されることで、一体的に構築されていてもよい。

　受光器４５は、長方形輪郭の受光面４７を、基板の片面側に形成している。受光面４７は、各受光要素４６における入射面の集合体として、構成されている。受光面４７の長方形輪郭に対する幾何学中心は、受光レンズ系４２の受光光軸上に、又は受光レンズ系４２の受光光軸から僅かにずれて、位置合わせされている。各受光要素４６は、受光レンズ系４２から受光面４７へ入射した反射光を、それぞれの受光素子によって受光する。ここで、長方形輪郭を呈する受光面４７の長辺側は、Ｙ軸に沿って規定されている。これにより、センシングエリアＡｓにおいてライン状に擬制される照射光に対応して、当該照射光に対する反射光は、ライン状に拡がったビームとして各受光要素４６の受光素子により受光されることとなる。

　図２に示すように受光器４５は、デコーダ４８を一体的に有している。デコーダ４８は、受光面４７での反射光の受光に応じて各受光要素４６の生成する電気パルスを、サンプリング処理によって順次読み出す。デコーダ４８は、順次読み出した電気パルスを、図７に示す制御フレーム（即ち、制御サイクル）Ｆｃでの受光信号として、制御装置１へと出力する。このとき制御フレームＦｃは、車両５の起動中において所定時間間隔で繰り返される。

　図１に示す制御装置１は、例えばＬＡＮ（Local Area Network）、ワイヤハーネス、及び内部バス等のうち、少なくとも一種類を介して光学センサ１０に接続される。制御装置１は、少なくとも一つの専用コンピュータを含んで構成される。制御装置１を構成する専用コンピュータは、光学センサ１０を制御することに特化した、センサＥＣＵ（Electronic Control Unit）であってもよく、この場合にセンサＥＣＵは、筐体１１内に収容されていてもよい。制御装置１を構成する専用コンピュータは、車両５の運転を制御する、運転制御ＥＣＵであってもよい。制御装置１を構成する専用コンピュータは、車両５の走行経路をナビゲートする、ナビゲーションＥＣＵであってもよい。制御装置１を構成する専用コンピュータは、車両５の自己状態量を推定する、ロケータＥＣＵであってもよい。

　制御装置１を構成する専用コンピュータは、メモリ１ａ及びプロセッサ１ｂを、少なくとも一つずつ有している。メモリ１ａは、コンピュータにより読み取り可能なプログラム及びデータ等を非一時的に記憶する、例えば半導体メモリ、磁気媒体、及び光学媒体等のうち、少なくとも一種類の非遷移的実体的記憶媒体（non-transitory tangible storage medium）である。プロセッサ１ｂは、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）、ＲＩＳＣ（Reduced Instruction Set Computer）－ＣＰＵ、ＤＦＰ（Data Flow Processor）、及びＧＳＰ（Graph Streaming Processor）等のうち、少なくとも一種類をコアとして含む。

　制御装置１は、各制御フレームＦｃにおいてデコーダ４８から受光信号を取得する。制御装置１は、走査ミラー３２の回転に伴って各受光要素４６の受光した反射光に関する受光信号の表す物理量に基づくことで、図３に示すように、センシングエリアＡｓ内における物標Ｔｒまでの距離Ｌｒ、及び当該物標Ｔｒからの反射光の受光強度Ｉｒを測定する。そこで図７に示すように各制御フレームＦｃには、物標Ｔｒまでの距離Ｌｒを測定する測距を実行する測距実行期間Ｐｅと、当該測距を停止して物標Ｔｒからの受光強度Ｉｒを測定する測距停止期間Ｐｓとが、時間経過に従って連続的に規定されている。特に本実施形態では各制御フレームＦｃ毎に、測距実行期間Ｐｅよりも短い測距停止期間Ｐｓが、当該測距実行期間Ｐｅに後続して設定される。

　ここで距離Ｌｒ及び受光強度Ｉｒの測定は、照射光の照射から反射光を受光するまでの飛行時間に基づいたｄＴＯＦ（direct Time Of Flight）により、実行されてもよい。距離Ｌｒ及び受光強度Ｉｒの測定は、周波数変化する照射光と反射光との位相差に基づいたｉＴＯＦ（indirect Time Of Flight）により、実行されてもよい。距離Ｌｒ及び受光強度Ｉｒの測定は、周波数変化する照射光と反射光との干渉によるビート周波数に基づいたＦＭＣＷ（Frequency Modulated Continuous Wave）により、実行されてもよい。

　こうした測定を制御するためにプロセッサ１ｂは、メモリ１ａに記憶された制御プログラムに含まれる複数の命令を、実行する。これにより制御装置１は、光学センサ１０を制御するための機能ブロックを、複数構築する。このように制御装置１では、光学センサ１０を制御するためにメモリ１ａに記憶された制御プログラムが複数の命令をプロセッサ１ｂに実行させることで、複数の機能ブロックが構築される。制御装置１により構築される複数の機能ブロックには、図３に示すように走査ブロック１００、測距ブロック１１０、及び学習ブロック１２０が含まれる。

　これらブロック１００，１１０，１２０，１３０の共同により、制御装置１が光学センサ１０を制御する制御方法は、図８，９に示す複数の制御フローに従って実行される。各制御フローは、車両５の起動中において設定周期の各制御フレームＦｃ毎に繰り返し実行される。尚、各制御フローにおける各「Ｓ」は、制御プログラムに含まれた複数命令によって実行される複数ステップを、それぞれ意味している。

　まず、図８に示す走査制御フローを説明する。走査制御フローのＳ１００において走査ブロック１００は、今回の制御フレームＦｃのうち測距実行期間Ｐｅには走査ミラー３２を、図７に示すように駆動角度範囲内の原点角度θ０から終点角度θｅまで順駆動する。このとき走査ブロック１００は、走査モータ３５により走査ミラー３２を回転駆動させる角速度を、各レーザダイオード２４でのパルス光の同期発光に合わせた一定又は可変の角速度に、制御する。

　図８に示す走査制御フローのＳ１０１において走査ブロック１００は、今回の制御フレームＦｃのうち測距停止期間Ｐｓには走査ミラー３２を、図７に示すように駆動角度範囲内の終点角度θｅから原点角度θ０まで逆駆動する。このとき走査ブロック１００は、走査モータ３５により走査ミラー３２を回転駆動させる角速度を、各レーザダイオード２４でのパルス光の同期発光に合わせた一定又は可変の角速度であって、Ｓ１００での測距実行期間Ｐｅよりも速い角速度に、制御する。

　次に、図９に示す測定制御フローを説明する。測定制御フローにおいてＳ２００，Ｓ２０１は測距実行期間Ｐｅに実行される一方、Ｓ２０２～Ｓ２０７は測距停止期間Ｐｓに実行される。具体的に測定制御フローのＳ２００において測距ブロック１１０は、光学センサ１０の各レーザダイオード２４に設定する制御電流値Ｃｃを、メモリ１ａのうち図３に示す特性記憶領域１ａｓから読み出すことで、取得する。

　図９に示す測定制御フローのＳ２０１において測距ブロック１１０は、Ｓ２００により読み出した制御電流値Ｃｃを各レーザダイオード２４に設定することで、それら各レーザダイオード２４からのパルス光を当該制御電流値Ｃｃに従い制御して、照射光を生成する。これにより測距ブロック１１０は、各レーザダイオード２４でのパルス光の同期発光タイミングに合わせて異なる走査ミラー３２の回転角度に対応付けられる複数の走査ライン（以下、単に走査ラインという）毎に、センシングエリアＡｓ内における複数物標Ｔｒまでの距離Ｌｒをそれぞれ測定する。

　測定制御フローのＳ２０２において測距ブロック１１０は、次回の測定制御フローにおける測距実行期間Ｐｅに要求される要求発光強度Ｉｄを、設定する。特に本実施形態の測距ブロック１１０は、発振状態のＬＤモードに駆動された各レーザダイオード２４トータルでの発光強度として、図５の境界強度Ｉｂよりも高い値に要求発光強度Ｉｄを設定する。このとき要求発光強度Ｉｄは、各走査ラインに共通な固定値に設定されてもよい。要求発光強度Ｉｄは、例えばＳ２０１により測定された物標Ｔｒまでの距離Ｌｒ等に基づく可変値に、各走査ラインに共通に設定されてもよい。要求発光強度Ｉｄは、例えばＳ２０１により測定された物標Ｔｒまでの距離Ｌｒ等に基づく個別の可変値に、各走査ライン毎に設定されてもよい。

　図９に示す測定制御フローのＳ２０３において学習ブロック１２０は、図１０に示す今回の測距停止期間Ｐｓにおいて前後するように、各レーザダイオード２４を試行発光させる複数の試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓを、設定する。このとき前段試行期間Ｐｔｆは、測距停止期間Ｐｓの始点である停止始点Ｓｓ側に偏る期間として、特に本実施形態では当該停止始点Ｓｓから試行発光に必要な時間が経過するまでの期間に、設定される。一方で後段試行期間Ｐｔｓは、測距停止期間Ｐｓの終点である停止終点Ｓｅ側に偏る期間として、特に本実施形態では当該停止終点Ｓｅから試行発光に必要な時間を遡った期間に、設定される。

　Ｓ２０３における学習ブロック１２０は、測定制御フローにおいて測距実行期間Ｐｅに後続する測距停止期間Ｐｓのうち、前段試行期間Ｐｔｆと後段試行期間Ｐｔｓとの間に、中間停止期間Ｐｓｍを設定する。この設定により中間停止期間Ｐｓｍは、前段試行期間Ｐｔｆよりも後且つ後段試行期間Ｐｔｓよりも前において、各レーザダイオード２４の試行発光を停止させる期間となる。

　図９に示す測定制御フローのＳ２０４において学習ブロック１２０は、図１１に示すように各試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓ毎に、それぞれ試行電流値Ｃｔｆ，Ｃｔｓを複数回ずつ設定して各レーザダイオード２４を発光させる。そこでＳ２０４の学習ブロック１２０は、各試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓ毎に、それぞれ試行電流値Ｃｔｆ，Ｃｔｓに応じた複数回ずつの試行発光強度Ｉｔｆ，Ｉｔｓを、受光器４５で受光の反射光に基づき取得する。特に本実施形態の学習ブロック１２０は、発振状態のＬＤモードに各レーザダイオード２４を駆動制御可能な電流値として、境界電流値Ｃｂよりも高い発振電流範囲ΔＣｌｄ内の値に、各回の試行電流値Ｃｔｆ，Ｃｔｓを設定する。尚、試行電流値Ｃｔｆ，Ｃｔｓの設定回数（即ち、試行発光強度Ｉｔｆ，Ｉｔｓの取得回数）は、後述する関数フィッテングの精度を高めるために、例えば２回以上であるとよい。

　ここで前段試行期間Ｐｔｆの場合を例にとり、各回毎での試行電流値Ｃｔｆの設定処理を説明する。図１２に示すように、前の試行発光強度ＩｔｆがＳ２０２により設定の要求発光強度Ｉｄよりも大きい場合には、次の試行電流値Ｃｔｆを前の試行電流値Ｃｔｆよりも低く設定する。一方で図１３に示すように、前の試行発光強度ＩｔｆがＳ２０２により設定の要求発光強度Ｉｄよりも小さい場合には、次の試行電流値Ｃｔｆを前の試行電流値Ｃｔｆよりも高く設定する。尚、後段試行期間Ｐｔｓの場合には、前段試行期間Ｐｔｆの場合における「試行発光強度Ｉｔｆ」及び「試行電流値Ｃｔｆ」をそれぞれ、「試行発光強度Ｉｔｓ」及び「試行電流値Ｃｔｓ」と読み替えた設定処理が、実行される。また、初回の試行電流値Ｃｔｆ，Ｃｔｓはそれぞれ、例えば予め決められた固定値、又はＳ２００により読み出された（即ち、Ｓ２０１により実際に制御された）制御電流値Ｃｃ等に設定されるとよい。

　さらに前段試行期間Ｐｔｆの場合を例にとり、各回毎での試行発光強度Ｉｔｆの取得処理を説明する。Ｓ２０４における学習ブロック１２０は、試行電流値Ｃｔｆの設定に応じて各回毎に測定した反射光の受光強度Ｉｒから、それら各回毎の試行発光強度Ｉｔｆを取得する。このとき学習ブロック１２０は、試行電流値Ｃｔｆの設定よりも前にＳ２０１によって測距された物標Ｔｒのうち静止物標Ｔｒまでの測定距離Ｌｒに基づき、当該設定に対する受光強度Ｉｒを変換することで、試行発光強度Ｉｔｆを取得する。こうした変換処理は、図１４に示すように同一の試行発光強度Ｉｔｆに対して測定される受光強度Ｉｒは測定距離Ｌｒに実質比例することと、Ｓ２０１，Ｓ２０４間での測定距離Ｌｒの変化は車両５の速度及び加速度から補償可能であることに、依拠する。尚、後段試行期間Ｐｔｓの場合には、前段試行期間Ｐｔｆの場合における「試行電流値Ｃｔｆ」及び「試行発光強度Ｉｔｆ」をそれぞれ、「試行電流値Ｃｔｓ」及び「試行発光強度Ｉｔｓ」と読み替えた取得処理が、実行される。

　図９に示す測定制御フローのＳ２０５において学習ブロック１２０は、Ｓ２０４による各試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓ毎に複数回ずつの試行電流値Ｃｔｆ，Ｃｔｓと試行発光強度Ｉｔｆ，Ｉｔｓとの相関に基づくことで、特性データＤｓを学習する。図１５に二点鎖線で示すように特性データＤｓは、光学センサ１０において各レーザダイオード２４に共通に印加される電流の変化に追従して、照射光を構成する各レーザダイオード２４のパルス光トータルでの発光強度が変化する特性を、表す。

　特に本実施形態の特性データＤｓでは、各レーザダイオード２４を発振状態のＬＤモードに駆動制御する発振電流範囲ΔＣｌｄ内の電流値に対して、現出する発光強度の対応関係が、関数式によってデータ化される。このとき関数式は、例えば一次関数式、又は二次以上の高次関数式等であってもよい。また関数式のデータ化は、複数回ずつの試行電流値Ｃｔｆ，Ｃｔｓと試行発光強度Ｉｔｆ，Ｉｔｓとの組に対して、例えば線形最小二乗フィッテング、又は非線形最小二乗フィッテング等の関数フィッテングを、各試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓ毎に個別に適用することで、実現されるとよい。そこで特性データＤｓのうち、前段試行期間Ｐｔｆ及び後段試行期間Ｐｔｓでの各データは、それぞれ前段データＤｓｆ及び後段データＤｓｓとして個別に活用可能に取得される。

　図９に示す測定制御フローのＳ２０６において学習ブロック１２０は、Ｓ２０２により設定の要求発光強度Ｉｄを与える電流値を、Ｓ２０５により学習された各試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓ毎の特性データＤｓに基づき調整する。このとき要求発光強度Ｉｄを与える電流値は、図１６に示すように各試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓ毎の特性データＤｓとなる前段データＤｓｆ及び後段データＤｓｓにおいて、それぞれ要求発光強度Ｉｄと対応する制御電流値Ｃｃに調整される。特に本実施形態では、次回の測定制御フローにおいて各レーザダイオード２４を発振状態のＬＤモードに駆動制御する発振電流範囲ΔＣｌｄ内の電流値に、試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓ毎での要求発光強度Ｉｄを与える制御電流値Ｃｃが設定される。ここで、Ｓ２０２により要求発光強度Ｉｄが各走査ラインに共通な固定値に設定された場合には、制御電流値Ｃｃも各走査ラインに共通な固定値に設定される。Ｓ２０２により要求発光強度Ｉｄが各走査ラインに共通な可変値に設定された場合には、制御電流値Ｃｃも各走査ラインに共通な可変値に設定される。Ｓ２０２により要求発光強度Ｉｄが各走査ライン毎に個別な可変値に設定された場合には、制御電流値Ｃｃも各走査ライン毎に個別な可変値に設定される。

　図１７に示すように、次回の測定制御フローにおける測距実行期間Ｐｅは、今回の測定制御フローにおける測距停止期間Ｐｓから切り替わる。そのため、各レーザダイオード２４の温度は、測距実行期間Ｐｅには時間経過に伴って上昇する一方、測距停止期間Ｐｓには時間経過に伴って降下する。そこでＳ２０６における学習ブロック１２０は、図１６，１７に示すように、次回の測定制御フローにおいて測距実行期間Ｐｅの始点となる実行始点Ｅｓでの制御電流値Ｃｃを始点電流値Ｃｃｓとして、特性データＤｓのうち後段試行期間Ｐｔｓの後段データＤｓｓに基づき調整する。それと共にＳ２０６における学習ブロック１２０は、次回の測定制御フローにおいて測距実行期間Ｐｅの終点となる実行終点Ｅｅでの制御電流値Ｃｃを終点電流値Ｃｃｅとして、特性データＤｓのうち前段試行期間Ｐｔｆの前段データＤｓｆに基づき調整する。さらにＳ２０６において学習ブロック１２０は、次回の測定制御フローにおける測距実行期間Ｐｅのうち、実行始点Ｅｓよりも後且つ実行終点Ｅｅよりも前となる中間実行期間Ｐｅｍでの制御電流値Ｃｃを、図１７の如き始点電流値Ｃｃｓ及び終点電流値Ｃｃｅ間での内挿補間により、調整する。

　図９に示す測定制御フローのＳ２０７において学習ブロック１２０は、Ｓ２０５によって学習された特性データＤｓに基づきＳ２０７によって各試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓ毎に調整された最新の制御電流値Ｃｃを、図３に示す特性記憶領域１ａｓに記憶する。こうして今回の測定制御フローは、終了する。以上より今回の測定制御フローにおいて、Ｓ２０６では各走査ラインに共通な固定値に調整された制御電流値ＣｃがＳ２０７により記憶された場合には、次回の測定制御フローのＳ２０１において、発光強度が各走査ラインに共通な固定の要求発光強度Ｉｄに制御される。今回の測定制御フローにおいて、Ｓ２０６では各走査ラインに共通な可変値に調整された制御電流値ＣｃがＳ２０７により記憶された場合には、次回の測定制御フローのＳ２０１において、発光強度が各走査ラインに共通な可変の要求発光強度Ｉｄに制御される。今回の測定制御フローにおいて、Ｓ２０６では各走査ライン毎に個別な可変値に調整された制御電流値ＣｃがＳ２０７により記憶された場合には、次回の測定制御フローのＳ２０１において、発光強度が各走査ライン毎に個別な可変の要求発光強度Ｉｄに制御される。

　Ｓ２０７における学習ブロック１２０は、制御電流値Ｃｃを特性データＤｓと関連付けて、特性記憶領域１ａｓに記憶してもよい。こうした関連付け記憶の場合に次回以降の測距制御フローのＳ２０５では、記憶された特性データＤｓも踏まえて、当該次回以降の特性データＤｓを学習することが可能となる。尚、特性記憶領域１ａｓにおける記憶とは、車両５の起動オフによってもデータが保持されるものであってもよいし、車両５の起動オフによりデータが消去されるものであってもよい。

　（作用効果）
　以上説明した本実施形態の作用効果を、以下に説明する。

　本実施形態によると、測距停止期間Ｐｓにおいて前後する複数の試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓ毎に試行電流値Ｃｔｆ，Ｃｔｓをそれぞれ設定することで発光した各レーザダイオード２４トータルでの、試行発光強度Ｉｔｆ，Ｉｔｓが反射光に基づき取得される。そこで、各試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓ毎に試行電流値Ｃｔｆ，Ｃｔｓと試行発光強度Ｉｔｆ，Ｉｔｓとの相関に基づくことで、各レーザダイオード２４での電流値に対するトータル発光強度の特性データＤｓが学習される。これによれば、測距実行期間Ｐｅに要求発光強度Ｉｄを与える電流値として各レーザダイオード２４を制御する制御電流値Ｃｃは、図１７の如き時間経過に伴う温度変化に対応し得る各試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓ毎の特性データＤｓに基づくことで、適正に調整することができる。故に、光学センサ１０の測距精度を確保することが可能となる。

　本実施形態によると、測距停止期間Ｐｓにおいて停止始点Ｓｓ側及び停止終点Ｓｅ側にそれぞれ偏る試行期間として、前段試行期間Ｐｔｆ及び後段試行期間Ｐｔｓが設定される。これによれば、前段試行期間Ｐｔｆと後段試行期間Ｐｔｓとでの温度差を各レーザダイオード２４に可及的に生じさせて、それら各試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓ毎の特性データＤｓを図１７の如き測距実行期間Ｐｅでの温度変化に対応させることができる。故に、各試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓ毎の特性データＤｓに基づき制御電流値Ｃｃを調整することで、光学センサ１０の測距精度を確保することが可能となる。

　本実施形態によると、測距実行期間Ｐｅに後続する測距停止期間Ｐｓのうち、前段試行期間Ｐｔｆよりも後且つ後段試行期間Ｐｔｓよりも前の中間停止期間Ｐｓｍにおいて、各レーザダイオード２４の発光が停止される。これによれば、測距実行期間Ｐｅに後続することで各レーザダイオード２４が高温となる前段試行期間Ｐｔｆから、中間停止期間Ｐｓｍでは各レーザダイオード２４の温度が降下するのに応じて、図１７の如く後段試行期間Ｐｔｓには前段試行期間Ｐｔｆに対する温度差を各レーザダイオード２４に与えることができる。故に、各試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓ毎の特性データＤｓに基づき制御電流値Ｃｃを調整することで、光学センサ１０の測距精度を高めることが可能となる。

　本実施形態によると、図１７の如く測距停止期間Ｐｓから切り替わる測距実行期間Ｐｅのうち比較的低温な実行始点Ｅｓにおける制御電流値Ｃｃは、比較的低温となる後段試行期間Ｐｔｓの特性データＤｓに基づく始点電流値Ｃｃｓとして調整され得る。一方で、測距停止期間Ｐｓから切り替わる測距実行期間Ｐｅのうち比較的高温な実行終点Ｅｅにおける制御電流値Ｃｃは、比較的高温となる前段試行期間Ｐｔｆの特性データＤｓに基づく終点電流値Ｃｃｅとして調整され得る。これらによれば、測距実行期間Ｐｅでの温度変化に対しては、各試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓ毎の特性データＤｓを適正に対応させて、始点電流値Ｃｃｓ及び終点電流値Ｃｃｅを調整することができる。しかも測距実行期間Ｐｅのうち、実行始点Ｅｓよりも後且つ実行終点Ｅｅよりも前の中間実行期間Ｐｅｍにおける制御電流値Ｃｃは、始点電流値Ｃｃｓ及び終点電流値Ｃｃｅ間での補間により、測距実行期間Ｐｅでの温度変化に合わせて調整することができる。こうしたことから、光学センサ１０の測距精度を高めることが可能となる。

　本実施形態によると、各試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓ毎での試行電流値Ｃｔｆ，Ｃｔｓの設定に対する反射光の受光強度Ｉｒが、当該設定よりも前の測距実行期間Ｐｅに測定された距離Ｌｒに基づき変換されることで、試行発光強度Ｉｔｆ，Ｉｔｓは高精度に取得され得る。故に、高精度な試行発光強度Ｉｔｆ，Ｉｔｓに基づく特性データＤｓの学習、ひいては当該学習データＤｓに基づく制御電流値Ｃｃの調整により、光学センサ１０の測距精度を高めることが可能となる。

　本実施形態によると、光学センサ１０において照射光を走査するために測距実行期間Ｐｅに順駆動される走査ミラー３２は、測距停止期間Ｐｓには逆駆動される。これによれば、走査ミラー３２の逆駆動に伴って測距の停止が不可避となる測距停止期間Ｐｓを有効活用して、測距実行期間Ｐｅにおける制御電流値Ｃｃを適正に調整することができる。故に、必要頻度及び必要長さの測距実行期間Ｐｅを確保して、光学センサ１０の測距精度を高めることが可能となる。

　（他の実施形態）
　以上、一実施形態について説明したが、本開示は、当該説明の実施形態に限定して解釈されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において種々の実施形態に適用することができる。

　変形例において制御装置１を構成する専用コンピュータは、車両５との間で通信可能な外部センタ又はモバイル端末を構築する、車両５以外のコンピュータであってもよい。変形例において制御装置１を構成する専用コンピュータは、デジタル回路及びアナログ回路のうち、少なくとも一方をプロセッサとして有していてもよい。ここでデジタル回路とは、例えばＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、ＳＯＣ（System on a Chip）、ＰＧＡ（Programmable Gate Array）、及びＣＰＬＤ（Complex Programmable Logic Device）等のうち、少なくとも一種類である。またこうしたデジタル回路は、プログラムを記憶したメモリを、有していてもよい。

　変形例の走査制御フローでは、Ｓ１００を前且つＳ１０１を後に実行する実行順序が、入れ替えられてもよい。それに応じて変形例の測定制御フローでは、Ｓ２００，Ｓ２０１を前且つＳ２０２～Ｓ２０７を後に実行する実行順序が、入れ替えられてもよい。この場合、測定制御フローに関する「次回」は、「今回」として読み替えられるとよい。

　変形例の測定制御フローでは、Ｓ２００，Ｓ２０７の処理が省かれると共に、Ｓ２０６の処理がＳ２０１よりも前に測距ブロック１１０によって実行されてもよい。この場合、Ｓ２０６に関する「Ｓ２０２」、「Ｓ２０５」、及び「次回」は、それぞれ「前回の測定制御フローのＳ２０２」、「前回の測定制御フローのＳ２０５」、及び「今回」として読み替えられるとよい。

　変形例の測定制御フローでは、Ｓ２０３において測距停止期間Ｐｓ内のうち試行期間Ｐｔｆ，Ｐｔｓの間に、少なくとも一つの試行期間が追加設定されてもよい。この場合に変形例の測定制御フローでは、Ｓ２０４において追加の試行期間にも試行電流値が複数回ずつ設定されることで、当該複数回での試行発光強度が取得されるとよい。それに応じて変形例の測定制御フローでは、追加の試行期間における試行電流値と試行発光強度の相関に基づくデータも含むように、Ｓ２０５において特性データＤｓが学習されるとよい。以上により変形例の測定制御フローでは、次回の測距実行期間Ｐｅのうち追加の試行期間に対応して特性データＤｓに基づき調整される中間点での制御電流値Ｃｃと共に、始点電流値Ｃｃｓ及び終点電流値Ｃｃｅを用いた補間によって、残りの制御電流値Ｃｃが調整されてもよい。

　変形例の測定制御フローでは、Ｓ２０４において照射光に対しての透光カバー１２による、例えばクラッタ等の散乱光の受光強度Ｉｒから試行発光強度Ｉｔｆ，Ｉｔｓが取得されてもよい。変形例の測定制御フローでは、Ｓ２０１において順次発光する各レーザダイオード２４毎の要求発光強度Ｉｄが、それら各レーザダイオード２４に対応する画素群毎にＳ２０２において設定されてもよい。この場合に変形例の測定制御フローでは、Ｓ２０４における試行発光強度Ｉｔｆ，Ｉｔｓの取得、Ｓ２０５における特性データＤｓの学習、及びＳ２０６における制御電流値Ｃｃの設定が、各レーザダイオード２４毎にそれぞれ対応して実行されるとよい。

　変形例の光学センサ１０において投光器２２は、レーザダイオード２４を主体とした点状光源から、構成されていてもよい。変形例の光学センサ１０は、受光器４５とは別に、試行専用の受光器を備えていてもよい。この場合に変形例の測定制御フローでは、Ｓ２０４において試行専用の受光器により受光された反射光に基づき、試行発光強度Ｉｔｆ，Ｉｔｓが取得されてもよい。

　変形例の光学センサ１０は、説明した二次元揺動式の他、三次元揺動式の走査方式を採用していてもよい。あるいは変形例の光学センサ１０は、例えば回転式、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）式、若しくはリサージュ式等のうち、二次元又は三次元の走査方式を採用していてもよい。これらいずれの場合でも変形例の走査制御フローでは、Ｓ１０１により走査方式に応じた測距停止期間Ｐｓが確保されるとよい。

　変形例において制御装置１の適用される車両は、例えば外部センタから走行路での走行をリモート制御可能な走行ロボット等であってもよい。変形例における制御装置１は、測距の必要な車両以外の環境に、適用されてもよい。ここまでの説明形態の他、上述の実施形態及び変形例は、プロセッサ１ｂ及びメモリ１ａを少なくとも一つずつ有した半導体装置（例えば半導体チップ等）として、実施されてもよい。

Claims (9)

1. 　プロセッサ（１ｂ）を有し、レーザダイオード（２４）の発光により照射した照射光に対する物標（Ｔｒ）からの反射光を受光して、当該物標までの距離を測定する光学センサ（１０）を、制御する制御装置（１）であって、
   　前記プロセッサは、
   　前記距離の測定を停止する測距停止期間（Ｐｓ）において前後する複数の試行期間（Ｐｔｆ，Ｐｔｓ）毎に試行電流値（Ｃｔｆ，Ｃｔｓ）をそれぞれ設定することにより発光した前記レーザダイオードの、試行発光強度（Ｉｔｆ，Ｉｔｓ）を前記反射光に基づき取得することと、
   　前記レーザダイオードでの電流値に対する発光強度の特性データ（Ｄｓ）を、各前記試行期間毎に前記試行電流値と前記試行発光強度との相関に基づき学習することと、
   　前記距離の測定を実行する測距実行期間（Ｐｅ）に要求される要求発光強度（Ｉｄ）を与える電流値として、前記レーザダイオードを制御する制御電流値（Ｃｃ）を、各前記試行期間毎の前記特性データに基づき調整することと、を実行するように構成される制御装置。
2. 　前記試行発光強度を取得することは、
   　前記測距停止期間において停止始点（Ｓｓ）側及び停止終点（Ｓｅ）側にそれぞれ偏る前記試行期間として、前段試行期間（Ｐｔｆ）及び後段試行期間（Ｐｔｓ）を設定すること、を含む請求項１に記載の制御装置。
3. 　前記試行発光強度を取得することは、
   　前記測距実行期間に後続する前記測距停止期間のうち、前記前段試行期間よりも後且つ前記後段試行期間よりも前の中間停止期間（Ｐｓｍ）において、前記レーザダイオードの発光を停止すること、を含む請求項２に記載の制御装置。
4. 　前記制御電流値を調整することは、
   　前記測距停止期間から切り替わる前記測距実行期間の実行始点（Ｅｓ）における前記制御電流値を、前記後段試行期間の前記特性データに基づく始点電流値（Ｃｃｓ）として調整することと、
   　前記測距実行期間の実行終点（Ｅｅ）における前記制御電流値を、前記前段試行期間の前記特性データに基づく終点電流値（Ｃｃｅ）として調整することと、
   　前記測距実行期間のうち、前記実行始点よりも後且つ前記実行終点よりも前の中間実行期間（Ｐｅｍ）における前記制御電流値を、前記始点電流値及び前記終点電流値間での補間により調整することと、を含む請求項３に記載の制御装置。
5. 　前記試行発光強度を取得することは、
   　各前記試行期間毎での前記試行電流値の設定に対する前記反射光の受光強度（Ｉｒ）を、当該設定よりも前の前記測距実行期間に測定された前記距離に基づき変換することにより、前記試行発光強度を取得すること、を含む請求項１～４のいずれか一項に記載の制御装置。
6. 　記憶媒体（１ａ）を有し、
   　前記制御電流値を調整することは、
   　学習された各前記試行期間毎の前記特性データに基づく前記制御電流値を前記記憶媒体に記憶すること、を含む請求項１～５のいずれか一項に記載の制御装置。
7. 　前記プロセッサは、
   　前記光学センサにおいて前記照射光を走査する走査ミラー（３２）を、前記測距実行期間に順駆動することと、
   　前記走査ミラーを前記測距停止期間に逆駆動することと、をさらに実行するように構成される請求項１～６のいずれか一項に記載の制御装置。
8. 　レーザダイオード（２４）の発光により照射した照射光に対する物標（Ｔｒ）からの反射光を受光して、当該物標までの距離を測定する光学センサ（１０）を、制御するためにプロセッサ（１ｂ）により実行される制御方法であって、
   　前記距離の測定を停止する測距停止期間（Ｐｓ）において前後する複数の試行期間（Ｐｔｆ，Ｐｔｓ）毎に試行電流値（Ｃｔｆ，Ｃｔｓ）をそれぞれ設定することにより発光した前記レーザダイオードの、試行発光強度（Ｉｔｆ，Ｉｔｓ）を前記反射光に基づき取得することと、
   　前記レーザダイオードでの電流値に対する発光強度の特性データ（Ｄｓ）を、各前記試行期間毎に前記試行電流値と前記試行発光強度との相関に基づき学習することと、
   　前記距離の測定を実行する測距実行期間（Ｐｅ）に要求される要求発光強度（Ｉｄ）を与える電流値として、前記レーザダイオードを制御する制御電流値（Ｃｃ）を、各前記試行期間毎の前記特性データに基づき調整することと、を含む制御方法。
9. 　レーザダイオード（２４）の発光により照射した照射光に対する物標（Ｔｒ）からの反射光を受光して、当該物標までの距離を測定する光学センサ（１０）を、制御するために記憶媒体（１ａ）に記憶され、プロセッサ（１ｂ）に実行させる命令を含む制御プログラムであって、
   　前記命令は、
   　前記距離の測定を停止する測距停止期間（Ｐｓ）において前後する複数の試行期間（Ｐｔｆ，Ｐｔｓ）毎に試行電流値（Ｃｔｆ，Ｃｔｓ）をそれぞれ設定することにより発光した前記レーザダイオードの、試行発光強度（Ｉｔｆ，Ｉｔｓ）を前記反射光に基づき取得させることと、
   　前記レーザダイオードでの電流値に対する発光強度の特性データ（Ｄｓ）を、各前記試行期間毎に前記試行電流値と前記試行発光強度との相関に基づき学習させることと、
   　前記距離の測定を実行する測距実行期間（Ｐｅ）に要求される要求発光強度（Ｉｄ）を与える電流値として、前記レーザダイオードを制御する制御電流値（Ｃｃ）を、各前記試行期間毎の前記特性データに基づき調整させることと、を含む制御プログラム。

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