WO2023062979A1

WO2023062979A1 - 電子機器および撮像装置

Info

Publication number: WO2023062979A1
Application number: PCT/JP2022/033555
Authority: WO
Inventors: 裕小島; 元基田中
Original assignee: キヤノン株式会社
Priority date: 2021-10-14
Filing date: 2022-09-07
Publication date: 2023-04-20

Abstract

複数のセンシングデバイスの機能を代替可能な検知手段を備える電子機器における、検知手段のレイアウトを提供する。電子機器の本体部に対して可動であるＴＦＴ表示部（１０３）と、ＥＶＦユニット（２０２）と、電波の照射によりＴＦＴ表示部（１０３）の姿勢およびＥＶＦユニット（２０２）に対する接眼を同時に検知可能なミリ波レーダーデバイス（３０９）とを有する撮像装置（１００）を設ける。ミリ波レーダーデバイス（３０９）は、指向角と、ＴＦＴ表示部（１０３）の配置情報と、姿勢検知のためのＴＦＴ表示部（１０３）の検知かかり量と、ＥＶＦユニット（２０２）に係るアイポイントに関する情報に基づく位置および姿勢で配置される。

Description

電子機器および撮像装置

　本発明は、電子機器および撮像装置に関する。

　特定波長の電波の照射結果により、対象物の判別と対象物までの距離の検知が可能なレーダーデバイスが開発され、自動車の自動運転や、スマートフォンのジェスチャー操作などへの応用が考えられている。レーダーデバイスはノイズ影響を受けにくく、かつ電波の透過性が高いので、機器内での配置の自由度が高い。特許文献１は、近距離の物体検知が可能なセンシングデバイス（カメラセンサ）と、遠距離の物体検知が可能なレーダーデバイスとを搭載した立体視検出システムを開示している。

特開２０１１－４７９３３号公報

　撮像装置を含む一部の電子機器では、既存のセンシングデバイスに加えて、レーダーデバイスを搭載することで、機器に対するユーザの位置や、デバイスの検知領域上にユーザが存在するか否かなど、様々なユーザ状態を判別することが可能となる。

　一方で、従来の電子機器においては、接眼部に対する接眼検知や、可動式の背面液晶の開閉状態の検知など、状態検知を行うためのセンシングデバイスが複数搭載されている。複数のセンシングデバイスの搭載は、コストアップの要因となるので、電子機器におけるセンシングデバイスの搭載数の減少が求められている。本発明は、複数のセンシングデバイスの機能を代替可能な検知手段を備える電子機器における、検知手段のレイアウトを提供することを目的とする。

　本発明の一実施形態の電子機器は、電子機器の本体部に対して可動である可動部材と、接眼部と、前記可動部材の姿勢および前記接眼部に対する接眼を同時に検知可能な検知手段と、を有する。前記検知手段は、前記検知手段の指向角と、前記可動部材の配置情報と、前記姿勢を検知するための、前記電波と干渉する前記可動部材の領域の情報と、前記接眼部に係るアイポイントに関する情報に基づく位置および姿勢で配置される。

　本発明によれば、複数のセンシングデバイスの機能を代替可能な検知手段を備える電子機器における、検知手段のレイアウトを提供することが可能となる。

本実施形態の電子機器の外観を示す図である。撮像装置の分解斜視図の一例である。撮像装置の機能ブロック図の一例である。撮像装置を背面側と上面側から見た状態の一例を示す図である。ミリ波レーダーデバイスの配置を説明する上面図である。ＴＦＴ表示部の状態遷移の例を説明する図である。電波の照射範囲とアイポイント位置との位置関係を示す図である。ミリ波レーダーデバイスの配置を説明する側面図である。ミリ波レーダーデバイスとコイルの位置関係を示す図である。ミリ波レーダーデバイスと無線アンテナモジュールとそれぞれを固定する板金の位置関係を示す図である。

（実施例１）
　図１は、本実施形態の電子機器の外観を示す図である。
　図１では、電子機器として撮像装置を例にとって説明する。なお、本発明の適用範囲は、撮像装置に限定されない。本発明は、撮像装置の他、例えばスマートフォンやタブレット端末、携帯型ゲーム機など、任意の電子機器に適用可能である。

　図１（Ａ）は、撮像装置を被写体側から見たときの外観を示す。図１（Ｂ）は、撮像装置を背面側から見たときの外観を示す。撮像装置１００は、正位置把持部１０１と縦位置把持部１０２とが一体となった筐体形状を有する。正位置把持部１０１は、撮像装置１００が正位置の状態でユーザが撮像装置１００を把持するために用いられる。縦位置把持部１０２は、撮像装置１００が縦位置の状態でユーザが撮像装置１００を把持するために用いられる。

　正位置用操作部材１０４は、縦位置撮影時に用いられる操作部材である。縦位置用操作部材１０５は、縦位置撮影時に用いられる操作部材である。正位置撮影時などは中央演算処理装置３０１（図３）からの制御により，縦位置用操作部材１０５を用いた操作入力を無効にすることが可能である。これにより、ユーザが正位置撮影時に縦位置用操作部材１０５に触れてしまっても、誤動作を防止することが可能である。物理操作部材１０６は、ユーザが物理的に操作を行う操作部材の総称である。ＴＦＴ表示部１０３は、所定の情報を表示する表示装置である。ＴＦＴは、Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒの略称である。ＴＦＴ表示部１０３は、例えばメニュー画面や、再生画像の情報等を表示する。

　図２は、撮像装置の分解斜視図の一例である。
　撮像装置の奥行き方向、つまり撮像装置が有する撮像光学系の光軸方向をＺ軸方向とする。光軸に直交する左右方向（撮像装置の長手方向）をＸ軸方向とする。光軸に直交する上下方向（撮像装置の短手方向）をＹ軸方向とする。

　フロントカバーユニット２０１は、撮像装置１００の本体部の一部であって、撮像装置１００の前面の外観部品である。フロントカバーユニット２０１は、撮像装置１００の剛性を維持するシャーシとしての役割もある。シャーシとしての剛性を維持するため、フロントカバーユニット２０１は、主に軽量で強靭なマグネシウム合金などで形成されるが、フロントカバーユニット２０１の素材はマグネシウム合金に限定されない。低コストや軽量化に重点を置いた機種においては、フロントカバーユニット２０１が樹脂などで形成される場合もある。

　また、フロントカバーユニット２０１には、レンズ装着・電気通信のためのレンズマウント２０１Ｍ、電気接点ピン、前面の物理操作釦、ストラップを吊り下げるための耳環などが組付けられる。そして、フロントカバーユニット２０１と、不図示の底面カバーとを組み合わせることで、バッテリー２０８を収納する電池室が形成される。

　フロントカバーユニット２０１の前面は、外観面であるので、美観のための塗装が施され、さらに、撮像装置１００を把持するためのＮＢＲ／ＰＶＣなどで形成されたゴム製のグリップラバー６０８などが貼り付けられる。後述する各ユニットは、フロントカバーユニット２０１の背面に積み上げるように順番に組み付けられていく。

　ＥＶＦユニット２０２は、接眼レンズや視度調整機構、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）液晶パネルなどを有する接眼部である。ＥＶＦユニット２０２は、ＦＰＣを介して、メイン基板ユニット２０６に接続される。ＦＰＣは、Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔｓの略称である。

　従来の撮像装置では、ＥＶＦユニットは、ＥＶＦユニットへのユーザの接眼検知を行う接眼検知センサ（近接センサ）を有する。接眼検知センサとしては、赤外光を投光し、物体に当たって反射した反射光の有無によって物体の近接を検知する方式のセンサが多く用いられる。しかし、本実施形態の撮像装置は、従来の接眼検知センサの機能を代替するミリ波レーダーデバイス３０９（図３）が接眼検知を行うので、ＥＶＦユニット２０２は、接眼検知センサを有しない。

　また、撮像ユニット２０５によって撮像した画像を、ＥＶＦユニット２０２内に配置された有機ＥＬ液晶パネルにリアルタイムに表示することで、ユーザは、撮影画角の確認をすることが可能となる。また、ＥＶＦユニット２０２は、ＴＦＴ表示部１０３に表示するメニュー画面や再生画像の情報等と同様の情報を表示することも可能であり、ユーザは、接眼したまま、表示された情報の確認をすることができる。

　トップカバーユニット２０３には、レリーズ釦やアクセサリシュー、撮影時の設定などを変更する正位置用操作部材１０４、正位置用操作部材１０４で設定した状態などを表示する液晶パネルなどが配置される。トップカバーユニット２０３は、外観部品であり、落下衝撃などに対する強度も必要であるので、例えばマグネシウム合金などで形成され、外観面には塗装が施される。トップカバーユニット２０３の素材は、マグネシウム合金に限定されない。低コストや軽量化に重点を置いた機種においては、トップカバーユニット２０３が樹脂などで形成される場合もある。

　シャッターユニット２０４は、露光量を決定する。シャッターユニット２０４は、例えば、フォーカルプレーンシャッター、シーケンス機構などを備えるメカニカルシャッターを有する。なお、撮像装置１００に、撮像素子の画素列毎に電気的なスリットを形成して露光量を決定する電子シャッターを適用してもよい。また、電子シャッターとメカニカルシャッターを併用してスリットを形成して、露光量の決定に用いるようにしてもよい。

　撮像ユニット２０５は、被写体を撮像する撮像手段として機能する。撮像ユニット２０５は、被写体光を光電変換して、撮像画像に係る信号を出力する。撮像ユニット２０５は、撮像駆動回路と、撮像素子と、Ａ／Ｄ変換回路と、スタビライザーユニットとを有する。撮像駆動回路は、撮像素子を駆動させる。撮像素子は、被写体光の光電変換を行ってアナログ信号を出力する。撮像素子は、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ
Ｄｅｖｉｃｅ）またはＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ　Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）等である。Ａ／Ｄ変換回路は、撮像素子が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換する。スタビライザーユニットは、電磁力を利用した駆動方式で撮像素子を揺動させる。これにより、撮像装置１００の揺れ、振動などによって撮像画像に生じるブレ（像ブレ）を補正する。

　メイン基板ユニット２０６は、撮像装置１００全体の制御を行う多層基板である。メイン基板ユニット２０６には、図３の中央演算処理装置３０１や不揮発性メモリ３０２などのＩＣや、各ユニットから延伸するＦＰＣなどを接続するためのコネクタなどが実装されている。

　リアカバーユニット２０７は、撮像装置１００の本体部の一部であって、背面側の外観部品である。リアカバーユニット２０７には、ＴＦＴ表示部１０３と、タッチ操作部３０６（図３）とが設けられる。ＴＦＴ表示部１０３は、開閉および回動可能なバリアングル機構を有し、液晶パネルを備える。バリアングル機構を有することにより、ＴＦＴ表示部１０３は、撮像装置１００の本体部に対して可動（開閉可能）な可動部材として機能する。バリアングル機構が開くと、ＴＦＴ表示部１０３が開いた状態となり、バリアングル機構が閉じると、ＴＦＴ表示部１０３が閉じた状態となる。

　従来の撮像装置では、リアカバーユニット２０７内には、ＴＦＴ表示部１０３の開閉状態を検知するＴＦＴ開閉検知センサが配置されている。ＴＦＴ開閉検知センサとしては、例えば磁気検知式のＧＭＲセンサが適用される。しかし、本実施形態の撮像装置は、従来のＴＦＴ開閉検知センサの機能を代替するミリ波レーダーデバイス３０９（図３）が、ＴＦＴ表示部１０３の開閉状態を検知する。したがって、リアカバーユニット２０７内には、従来のＴＦＴ開閉検知センサは設けられていない。

　また、リアカバーユニット２０７内には、撮像時の測距点選択、撮像装置１００の設定変更、撮像画像の再生や消去、編集などを行うために用いられる各種の物理操作部材１０６が配置されている。リアカバーユニット２０７は、外観部品であり、かつ、落下衝撃などに対する強度も必要であるので、例えばマグネシウム合金などで形成され、外観面は塗装が施される。なお、リアカバーユニット２０７の素材はマグネシウム合金に限定されない。低コストや軽量化に重点を置いた機種においては、リアカバーユニット２０７が樹脂などで形成される場合もある。

　図３は、撮像装置の機能ブロック図の一例である。
　撮像装置１００は、ＴＦＴ表示部１０３乃至ミリ波レーダーデバイス３０９を備える。中央演算処理装置３０１は、撮像装置１００全体を制御する。中央演算処理装置３０１は、撮像装置１００の各種処理を実行するマイクロプロセッサ等を有する。中央演算処理装置３０１、不揮発性メモリ３０２、主記憶装置３０３、画像処理部３０５は、ＩＣまたはマイコンで実現される。

　タッチ操作部３０６は、タッチ操作に用いられる操作部である。ジャイロセンサ３０７は、コリオリ力を利用して、撮像装置１００の回転や向きの変化を角速度として検知し、電気信号で出力するセンサである。ジャイロセンサ３０７は、不図示のＦＰＣに実装され、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸各方向の角速度が検知できる。このために、ジャイロセンサ３０７としての３個のセンサが、トップカバーユニット２０３内に配置され、撮像装置１００の不要な振動や衝撃の影響を受けないよう、スポンジなどで挟持されている。

　中央演算処理装置３０１は、ジャイロセンサ３０７の出力結果に応じて、撮像装置１００の振れや振動方向を推定する。中央演算処理装置３０１は、スタビライザーユニットによって、撮像素子が上記推定された振れをキャンセルさせる方向へ揺動するようにフィードバック制御を行う。これにより撮影画像に生じる像ブレを補正する。

　加速度センサ３０８は、重力、動き、振動、衝撃の測定を目的とした慣性センサの１つであり、撮像装置１００の３次元の慣性運動（直行３軸方向の並進運動）を検知するセンサである。加速度センサ３０８には、例えば、周波数変化式、圧電式、ピエゾ抵抗式、静電容量式の検知方式を適用できる。加速度センサ３０８の出力値によって、撮像装置１００のＸ、Ｙ、Ｚ軸と並進方向、重力方向などの動きを検知することが可能である。ジャイロセンサ３０７と加速度センサ３０８の出力値を組み合わせることで、撮像装置１００の姿勢または動きの状態を判別することが可能となる。

　中央演算処理装置３０１は、撮像ユニット２０５が出力する撮像画像に係る信号を受け付け、ＴＦＴ表示部１０３内またはＥＶＦユニット２０２内の表示手段である有機ＥＬ液晶パネルに映像信号として出力する。また、中央演算処理装置３０１は、映像信号を画像データとして現像し、記憶媒体３０４へ記録する処理と、記憶媒体３０４から保存画像を読み出す処理などを行う。

　不揮発性メモリ３０２には、撮像等の機器制御を行うための制御プログラム、オペレーティングシステム（ＯＳ）等が予め記憶される。また、不揮発性メモリ３０２には、例えば、設定情報等、撮像装置１００が電源ＯＦＦの間も保持すべき情報、画像データを転送する度に生成される転送済み情報等が記憶される。不揮発性メモリ３０２は、フラッシュメモリ等を有する。主記憶装置３０３は、画像処理部３０５のデータを一時的に保存するために用いられる。主記憶装置３０３は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）等を有する。

　記憶媒体３０４は、撮像によって得られた画像データを保存する。例えば、スロット型のコネクタソケットがメイン基板ユニット２０６上に実装されており、カード型の記憶媒体３０４が、コネクタソケットを介して着脱・交換可能である。

　画像処理部３０５は、被写体認識、撮像画像や動画の画像解析などの画像処理を行う。画像処理部３０５が被写体を認識すると、中央演算処理装置３０１が認識された被写体の範囲を演算、定義し、認識された範囲（ゾーン）をＴＦＴ表示部１０３上に表示することが可能である。

　ミリ波レーダーデバイス３０９は、特定波長の電波の一例であるミリ波の照射により、対象物を検知するレーダーデバイスである。ここでミリ波とは、波長が１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、３０ＧＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の周波数である電波のことである。ミリ波レーダーデバイス３０９は、シンセサイザーと呼ばれる装置で、ミリ波の信号を生成し、送信用のＴＸアンテナから送信する。ミリ波レーダーデバイス３０９は、周波数連続変調方式で、ミリ波の周波数を徐々に変化させながら連続で発信し、対象物に反射して戻ってきた反射波の測定によって対象物の判別と、対象物までの距離を検知する。具体的には、対象物に反射して戻ってきた反射波が、受信用のＲＸアンテナで受信され、送信したミリ波の信号と受信した反射波の信号との混合によって、ＩＦ信号が生成される。そして、ＩＦ信号に基づく演算によって、対象物までの距離が算出される。ミリ波レーダーデバイス３０９は、反射波の時間的な遅延差などに応じて、連続的な対物測距を行うことで、対象物までの距離、対象物の速度、対象物の方向、物体の存在、概略形状などを求めることができる。ミリ波レーダーデバイス３０９の特徴として、樹脂やガラスなどの金属でない材料を透過して検知可能であることが挙げられる。この特徴により、雨天や霧などの見通しが悪い環境でも対象物の検知が可能であり、また搭載装置の筐体内部に配置することが可能である。

　図４は、撮像装置を背面側から見た状態と、上面側から見た状態の一例を示す図である。
　図４（Ａ）は、撮像装置１００を背面側から見た状態を示す。図４（Ｂ）は、撮像装置１００を上面側から見た状態を示す。図４（Ａ），（Ｂ）に示す例では、撮像装置１００は、トップカバーユニット２０３が外され、バリアングル機構が開いており、ＴＦＴ表示部１０３が撮影者側に開いた状態である。

　ミリ波は、低誘電率のプラスチックやガラスなどで形成された部品を透過する特性を持つので、撮像装置１００が有する樹脂部品や接眼レンズ群を透過することが可能である。したがって、ミリ波レーダーデバイス３０９を撮像装置１００内部に配置した場合であっても、所定距離内の範囲にある対象物を検知できる。本実施形態では、ミリ波レーダーデバイス３０９は、ＴＦＴ表示部１０３の姿勢（開閉状態）と、ＥＶＦユニット２０２に対する接眼を同時に検知可能な位置および姿勢で、撮像装置１００に配置される。従来の撮像装置が有していたＴＦＴ開閉検知センサと接眼検知センサの機能を、ミリ波レーダーデバイス３０９が代替するので、撮像装置１００のコストダウンや小型化などを図ることが可能である。

　ミリ波レーダーデバイス３０９は不図示のＦＰＣに実装されている。ミリ波レーダーデバイス３０９による電波（ミリ波）の照射範囲は、指向角αで表される。そして、ミリ波レーダーデバイス３０９には、ＥＶＦユニット２０２の右側近傍の位置に、光軸ＯＰに対するレーダー検知中心軸ｅの角度（検知中心軸角度）がθとなる姿勢で配置される。レーダー検知中心軸ｅは、ミリ波レーダーデバイス３０９の指向方向の中心軸（電波軸）を示す。

　図４（Ｂ）において、レンズマウント２０１Ｍ（図２）のマウント面をＭｏとし、Ｍｏと撮像装置１００の光軸ＯＰとの交点を原点Ｏとする。このとき、ミリ波レーダーデバイス３０９のレーダー原点のＸ座標をＬｘ、Ｚ座標をＬｚとし、ＥＶＦユニット２０２のアイポイント位置を２０２Ｅとする。

　図５は、ミリ波レーダーデバイスの配置を説明する図である。
　図５には、原点Ｏを基準とした、開状態のＴＦＴ表示部１０３、アイポイント位置２０２Ｅ、アイポイント基準位置２０２Ｇ、ミリ波レーダーデバイス３０９の配置と各寸法が示される。図５では、当該配置と各寸法は、ＸＺ平面上に投影されている。以下、距離とは投影面上での距離を示す。ここでアイポイントとは、接眼枠周辺の部材の最も撮影者に近い位置、もしくは保護ガラスを含めた接眼レンズの最後尾から、ファインダー内の全ての映像および全て情報を見る事が出来る瞳の位置までの最大距離のことである。アイポイント値は、眼鏡をかけた使用者や、目元の彫りが深い使用者でもファインダー内の表示を認識できるよう、１８ｍｍ以上２５ｍｍ以下、より好ましくは２０ｍｍ以上２３ｍｍ以下の値を持つ。

　ＴＦＴ表示部１０３に関する寸法として、ＴＦＴ表示部１０３の配置情報として、Ｘ軸方向の端部の座標Ｔｘと、Ｚ軸方向の端部の座標Ｔｚとが示される。検知かかり量ＴＬは、ミリ波レーダーデバイス３０９によるＴＦＴ表示部１０３の姿勢検知に最低限必要である、ＴＦＴ表示部１０３と電波（ミリ波）とが干渉するＴＦＴ表示部１０３の領域の大きさを示す。ＴＬの値は、ＴＦＴ表示部の開閉動作後の位置ずれや、ＴＦＴ表示部自体の寸法公差の振れによって検知不可とならないよう、１ｍｍ以上３ｍｍ以下、より好ましくは３ｍｍ以上１０ｍｍ以下の値を持つ。

　また、アイポイントに関する情報として、アイポイント値Ｅと、原点からアイポイント基準位置２０２Ｇまでの距離Ｇが示される。アイポイント値Ｅは、アイポイント基準位置２０２Ｇからアイポイント位置２０２Ｅまでの距離を示す。また、距離Ｇは、アイポイント基準の座標（アイポイントの基準座標）の値を示す。アイポイント基準は、例えば最終光学系やファインダー接眼枠などである。ミリ波レーダーデバイス３０９によって接眼検知を行うためには、撮影者がアイポイント位置に存在するか判別する必要があるから、アイポイント位置２０２Ｅは、ミリ波レーダーデバイス３０９による電波の照射範囲内に存在する必要がある。

　次に、ＴＦＴ表示部１０３の開閉状態とＥＶＦユニット２０２の接眼を同時に検知可能なミリ波レーダーデバイス３０９の位置および姿勢を、図５に示した各寸法を用いた式によって表す。

　ＴＦＴ表示部１０３に係る各寸法間の関係をまとめると、式（１）が導かれる。

　ＴＬ、Ｔｘ、Ｔｚは、撮像装置１００ごとに固有の値であり、ボディサイズやＴＦＴ表示部１０３の構造や位置によって異なる。指向角αは、ミリ波レーダーデバイス３０９の特性値である。したがって、ＴＬ、Ｔｘ、Ｔｚ、αは、実際には定数となる。つまり、式（１）において、ミリ波レーダーデバイス３０９のＸ座標Ｌｘと、Ｚ座標Ｌｚと、θとを決定することで、検知かかり量ＴＬを任意の範囲に設定することができる。このとき、ＴＦＴ表示部１０３の開閉状態の検知が可能となるためには、検知かかり量ＴＬの値、すなわち式（１）の右辺が正となるようにＬｘ、Ｌｚ、θを設定する必要がある。式（１）の右辺が負の値となった場合には、ミリ波レーダーデバイス３０９によるＴＦＴ表示部１０３の開閉状態の検知は不可となる。

　図６は、ＴＦＴ表示部が開状態から閉状態になるまでの状態遷移の例を説明する図である。
　ＴＦＴ表示部１０３の開状態からの可動方向は、バリアングル回転軸１０３Ｏを回転中心とした反時計回りの回転移動のみである。図６に示す例では、ＴＦＴ表示部１０３は、符号１０３ａ、１０３ｂで示す状態に遷移可能である。図６に示す例では、ＴＦＴ表示部１０３の一部は、常に指向角αの内に存在することとなるので、ＴＦＴ表示部１０３の姿勢に関わらず常にその一部を検知することが可能である。しかもＴＦＴ表示部１０３の回転位置によって検知距離が変化するので、ミリ波レーダーデバイス３０９によってＴＦＴ表示部１０３の開閉状態を検知することが可能となる。

　次に、ＥＶＦユニット２０２に係る各寸法間の関係をまとめると、式（２）が導かれる。

　Ｇ、Ｅは撮像装置１００ごとに固有の値であり、ＥＶＦユニット２０２の光学性能によって異なる。αはミリ波レーダーデバイス３０９の特性値である。

　図７は、ミリ波レーダーデバイスによる電波の照射範囲とアイポイント位置との位置関係を示す図である。
　図７を参照して、接眼検知を可能とするための式（２）の条件について説明する。撮影者が接眼を行っているかどうかを判別するためには、アイポイント位置２０２Ｅよりも＋Ｚ側で撮影者を検知する必要がある。したがって、アイポイント位置２０２Ｅは、必ず指向角αに対応する電波の照射範囲内に位置している必要がある。つまり、図７の点線の矩形で示すミリ波レーダーデバイス３０９のように、投影面上で光軸ＯＰ上に位置するアイポイント位置２０２Ｅと、指向角αの範囲の端とがちょうど重なる状態が、接眼検知を可能とする電波照射の境界条件である。

　図７の太線の矩形で示すミリ波レーダーデバイス３０９'のように、光軸ＯＰと電波照射範囲の端との交点がアイポイント位置２０２Ｅよりも－Ｚ方向に位置する状態である場合は、漏れなく接眼検知を行える。そして、光軸ＯＰと電波照射範囲の端との交点がアイポイント位置２０２Ｅよりも＋Ｚ方向に位置する状態である場合には、アイポイント位置２０２Ｅに撮影者が近づいても接眼検知を行えなくなる領域が存在する。したがって、光軸ＯＰと電波照射範囲の端との交点が、アイポイント位置２０２Ｅよりも－Ｚ方向に位置するように、式（２）におけるミリ波レーダーデバイス３０９のＸ座標Ｌｘ、Ｚ座標Ｌｚ、および検知中心軸角度θを設定する必要がある。

　式（１）と式（２）とが成り立つようにＬｘ、Ｌｚ、θを求めることで、ＴＦＴ表示部１０３の開閉状態と、ＥＶＦユニット２０２に対する接眼とを同時に検知可能なミリ波レーダーデバイス３０９の配置が決定される。しかし、ミリ波レーダーデバイス３０９の配置に関する未知数が、Ｌｘ、Ｌｚ、θの３種であるのに対し、関係式は式（１）、式（２）の２式しかないので、Ｌｘ、Ｌｚ、θを一意に定めることはできない。そこで、まずは撮像装置１００の機種に依存する条件を基に、Ｌｘ、Ｌｚ、θのうちいずれかの値を定める必要がある。例えば、ミリ波レーダーデバイス３０９をＥＶＦユニット２０２のＸ側面に組み付けることを想定すれば、Ｌｘの値が決定し、あるいはリアカバーユニット２０７に組み付けることを想定すれば、Ｌｚの値が決定する。撮像装置１００の機種ごとに異なる設計思想を踏まえ、どのパラメータを優先して定めるのか設計者が決定すればよい。Ｌｘ、Ｌｚ、θのうちの一つが定まれば、式（１）、式（２）に対して未知数が２つとなるので、連立方程式を解いて、Ｌｘ、Ｌｚ、θの全てを定めることができる。

　以上説明した式（１）、式（２）における各条件により、ＴＬが正の値で、かつ光軸ＯＰと電波照射範囲の端との交点がアイポイント位置２０２Ｅより－Ｚ方向に位置するようなＬｘ、Ｌｚ、θが設定される。設定されたＬｘ、Ｌｚ、θは、ミリ波レーダーデバイス３０９でＴＦＴ表示部１０３の開閉状態の検知と、ＥＶＦユニット２０２の接眼検知とを同時に行うことを可能とするミリ波レーダーデバイス３０９の位置および姿勢を示す。本実施形態の撮像装置によれば、従来機種で搭載していた、接眼検知センサとＴＦＴ開閉検知センサの機能をミリ波レーダーデバイス３０９が代替できる。その結果、搭載センサ数が削減して、システムのコストダウンが可能となる。

　次に、撮像装置１００内にミリ波レーダーデバイス３０９を配置する際、式（１）、（２）を満たすＬｘ、Ｌｚ、θを設定した上で、さらに配慮すべき点について説明する。電波を用いたデバイスの特徴として、他のデバイスが同帯域の電波を発している場合、電波照射範囲が重畳すると干渉を引き起こし電波が減衰してしまうということがある。他のデバイスは、例えば、ミリ波帯である無線ＬＡＮ規格ＩＥＥＥ８０２．１１ａｄ／ａｙのデバイスである。したがって、ミリ波レーダーデバイス３０９の電波の照射範囲と、撮像装置１００が有するミリ波レーダーデバイス３０９とは異なるデバイスからの電波の照射範囲とが重畳しないように、ミリ波レーダーデバイス３０９を配置することが望ましい。

　また、電波は、周囲からの電磁波によって減衰するという特徴を持つ。したがって、ミリ波レーダーデバイス３０９は、電子機器内（撮像装置１００内）の電磁波の発生領域には配置しないことが望ましい。例えば、ミリ波レーダーデバイス３０９は、撮像ユニット２０５内のコイルなどからの電磁波の発生領域とは異なる領域に配置する。上記構成とすることで、ミリ波レーダーデバイス３０９と他の無線デバイスの電波が干渉せず、かつ電磁波の影響も防ぐことができる。これにより、ミリ波レーダーデバイス３０９の電波減衰による検知不良や検知範囲の意図しない縮小などの問題を防止することが可能である。

　また、撮像装置１００が被写体を撮像する際、撮像素子や撮像素子が実装された基板を電波が通過すると、周期的な電圧変動を引き起こし、撮影画像にノイズが発生する可能性がある。また、撮像素子や撮像素子が実装された基板には、はんだや配線等の金属が使用されているので、電波が遮断されやすい。したがって、ミリ波レーダーデバイス３０９は撮像素子よりもＴＦＴ表示部１０３に近い位置に配置することが望ましい。この構成とすることで、ミリ波レーダーデバイス３０９の電波は、撮像素子を通過しないので撮影画像にノイズを発生させることはなく、さらに電波が遮断されることもないので、検知不良を引き起こす問題も回避することが可能である。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
（実施例２）

　次に、撮像装置１００が有するユニットやモジュールに対する、ミリ波レーダーデバイス３０９の配置について、第二の実施形態として説明する。なお、第二の実施形態の説明において、説明を省略している部分は第１の実施形態と同様の構成である。

　はじめに、撮像ユニット２０５とミリ波レーダーデバイス３０９の配置関係について、図８、９を用いて説明する。まず、図５のＸＺ平面上においてレーダー指向角αの範囲内に撮像素子３１０が配置される場合における、ミリ波レーダーデバイス３０９のＹＺ平面上での配置について説明する。

　図８は撮像装置１００内におけるミリ波レーダーデバイス３０９の配置をＹＺ平面上に示した図である。図８において、ミリ波レーダーデバイス３０９のＹ座標をＬｙ、光軸ＯＰに対するＹＺ平面におけるレーダー検知中心軸ｅの角度（検知中心軸角度）をφ、ミリ波レーダーデバイス３０９のＹＺ平面における指向角をβとする。ここで、ミリ波レーダーデバイス３０９のＹＺ平面における指向角βは、ＸＺ平面における指向角αと異なる値でもよい。

　このとき、ＸＺ平面上においてＬｘ、Ｌｚ、θがレーダー指向角αの範囲内に撮像素子３１０が配置されるような値を取る場合、Ｌｙ、φはＹＺ平面において撮像素子３１０がレーダー指向角βの範囲内に配置されないような値として決められる。この結果として、レーダーの三次元的な指向角の範囲内に、撮像素子３１０が配置されることを避けることができる。

　この構成を取ることで、ミリ波レーダーデバイス３０９の電波は撮像素子３１０や撮像素子３１０が実装された基板を通過しない。このため、実施例１で前述したように、撮影画像にノイズを発生させることはなく、さらに電波が遮断されることもないので、検知不良を引き起こす問題も回避することが可能である。

　次に、図９を用いて撮像ユニット２０５の有するスタビライザーユニットと、ミリ波レーダーデバイス３０９の配置関係について説明する。スタビライザーユニットは電磁力を用いて撮像素子３１０を揺動させるために、コイル３１１を有する。このとき、コイル３１１とミリ波レーダーデバイス３０９の間に金属、例えばＳＰＣＣを材料とする金属板３１２等の電波を遮断可能な部品が配置される。この金属板３１２は磁性を有するため、撮像素子３１０の揺動に必要な磁石のヨークとしても機能する。

　ここで、ミリ波レーダーデバイス３０９の電波は、外部からの電磁波の干渉を受けるとその電磁波がノイズとなり、検知能力に影響が出る。しかし前述の構成によれば、電磁波は金属によって反射される特性を持つため、撮像素子３１０の揺動のためにコイル３１２に電流を流した際に発生する電磁波は、金属板３１２によって反射される。

　これにより、ミリ波レーダーデバイス３０９の電波に対して、コイル３１２の発生する電磁波による干渉の影響を低減し、検知不良を引き起こすリスクを低減することが可能である。また、金属板３１２の代わりに電磁波吸収シートなどのノイズ抑制シートを用いてもよい。

　次に、ミリ波レーダーデバイス３０９と無線アンテナモジュール３１３の配置関係について、図１０を用いて説明する。無線アンテナモジュール３１３は、実施例１で前述の通り、例えばミリ波帯である無線ＬＡＮ規格ＩＥＥＥ８０２．１１ａｄ／ａｙを用いて、撮像装置１００が他のデバイスと通信するために、撮像装置１００内に配置される。

　図１０（Ａ）は、ミリ波レーダーデバイス３０９と、ミリ波レーダーデバイス３０９の保持板金３０９Ｐと、無線アンテナモジュール３１３と、無線アンテナモジュール３１３の保持板金３１３Ｐの位置関係を示した斜視図である。図１０（Ｂ）は、上面側から見た図である。

　保持板金３０９Ｐと３１３Ｐはそれぞれ不図示の部品に固定され、撮像装置１００内におけるミリ波レーダーデバイス３０９と無線アンテナモジュール３１３の位置を定めている。このとき、保持板金３０９Ｐと３１３Ｐはそれぞれミリ波レーダーデバイス３０９と無線アンテナモジュール３１３の間に配置されるよう、各デバイスを保持している。

　このような構成を取ることで、ミリ波レーダーデバイス３０９の電波に対して無線アンテナモジュール３１３の電波干渉を低減することが可能であり、検知不良を引き起こすリスクを低減することが可能である。ここで、保持板金３０９Ｐと３１３Ｐの両方がミリ波レーダーデバイス３０９と無線アンテナモジュール３１３の間に配置されていてもよいし、どちらか一方のみが間に配置されていてもよい。

　以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて詳述してきたが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲から除外するものではない。尚、本実施形態は、以下の組み合わせを含む。

　（構成１）
　電子機器の本体部に対して可動である可動部材と、
　接眼部と、
　電波の照射により前記可動部材の姿勢および前記接眼部に対する接眼を同時に検知可能な検知手段と、を有し、
　前記検知手段は、前記検知手段の指向角と、前記可動部材の配置情報と、前記姿勢を検知するための、前記電波と干渉する前記可動部材の領域の情報と、前記接眼部に係るアイポイントに関する情報に基づく位置および姿勢で配置される
　ことを特徴とする電子機器。

　（構成２）
　前記可動部材は、情報を表示する表示手段を有する
　ことを特徴とする構成１に記載の電子機器。

　（構成３）
　前記可動部材は、前記本体部に対して開閉可能であり、
　前記検知手段は、前記可動部材の開閉状態を検知する
　ことを特徴とする構成１または２に記載の電子機器。

　（構成４）
　前記検知手段の指向角をα、前記検知手段の指向方向の中心軸と光軸とがなす角度をθ、前記検知手段のＸ座標をＬｘ、Ｚ座標をＬｚとし、
　前記可動部材のＸ座標をＴｘ、Ｚ座標をＴｚ、前記電波と干渉する前記可動部材の領域の大きさをＴＬ、アイポイント値をＥ、アイポイントの基準座標の値をＧとしたとき、
　ＴｘとＴｚとＴＬとＥとＧとに基づいて、θとＬｘとＬｚが決定される
　ことを特徴とする構成１乃至３のいずれか１項に記載の電子機器。

　（構成５）
　前記θとＬｘとＬｚは、

　と、

　とが成り立つように決められる
　ことを特徴とする構成４に記載の電子機器。

　（構成６）
　前記検知手段は、レーダーデバイスである
　ことを特徴とする構成１乃至５のいずれか１項に記載の電子機器。

　（構成７）
　前記検知手段は、前記検知手段を前記電子機器に固定するための金属板と、
前記電子機器が有する前記検知手段とは異なるデバイスを前記電子機器に固定するための金属板のうち少なくとも一方が、
前記検知手段と前記電子機器が有する前記検知手段とは異なるデバイスの間に配置される
　ことを特徴とする構成１乃至６のいずれか１項に記載の電子機器。

　（構成８）
　前記検知手段と、前記電子機器が有するコイルの間に電波を遮断可能な部品が配置される
　ことを特徴とする構成１乃至７のいずれか１項に記載の電子機器。

　（構成９）
　被写体を撮像する撮像手段と、構成１乃至８のいずれか１項に記載の電子機器とを有する
　ことを特徴とする撮像装置。

　（構成１０）
　前記検知手段のＹＺ平面における指向角をβ、前記検知手段の指向方向の中心軸と光軸とがなす角度をφ、前記検知手段のＹ座標をＬｙとし、
ＸＺ平面において、

と、

によって決まる前記検知手段の指向角αの範囲内に前記撮像手段の一部が配置されるとき、
　Ｌｙとφは、ＹＺ平面において前記撮像手段の一部が指向角βの範囲内に含まれないような値に決定される
　ことを特徴とする構成９に記載の撮像装置。

　（構成１１）
　前記可動部材は、電子機器の本体部に対して開閉可能であり且つ情報を表示する表示部材を有し、
　前記検知手段は、電波の照射により前記表示部材の開閉状態の検知および前記接眼部に対する接眼検知を同時に検知可能な位置に設けられたレーダーデバイスである
　ことを特徴とする構成１乃至８のいずれか１項に記載の電子機器。

　（構成１２）
　前記表示部材、前記接眼部、前記レーダーデバイスをＸＺ平面上に投影した場合、前記レーダーデバイスの指向角をα、前記レーダーデバイスの指向方向の中心軸と光軸とがなす角度をθ、前記レーダーデバイスの前記光軸方向と直交する方向のＸ座標位置をＬｘ、前記光軸方向のＺ座標位置をＬｚとし、
　前記表示部材のＸ座標位置をＴｘ、前記表示部材のＺ座標位置をＴｚ、前記開状態における前記電波と干渉する前記表示部材の領域の大きさをＴＬ、アイポイント値をＥ、前記アイポイントの基準座標の値をＧとしたとき、ＴｘとＴｚとＴＬとＥとＧとに基づいて、θとＬｘとＬｚが決定される
　ことを特徴とする構成１１に記載の電子機器。
（その他の実施形態）

　本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

　１０３　ＴＦＴ表示部
　２０２　ＥＶＦユニット
　３０９　ミリ波レーダーデバイス

Claims

　電子機器の本体部に対して可動である可動部材と、
　接眼部と、
　電波の照射により前記可動部材の姿勢および前記接眼部に対する接眼を同時に検知可能な検知手段と、を有し、
　前記検知手段は、前記検知手段の指向角と、前記可動部材の配置情報と、前記姿勢を検知するための、前記電波と干渉する前記可動部材の領域の情報と、前記接眼部に係るアイポイントに関する情報に基づく位置および姿勢で配置される
　ことを特徴とする電子機器。
　前記可動部材は、情報を表示する表示手段を有する
　ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
　前記可動部材は、前記本体部に対して開閉可能であり、
　前記検知手段は、前記可動部材の開閉状態を検知する
　ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
　前記検知手段の指向角をα、前記検知手段の指向方向の中心軸と光軸とがなす角度をθ、前記検知手段のＸ座標をＬｘ、Ｚ座標をＬｚとし、
　前記可動部材のＸ座標をＴｘ、Ｚ座標をＴｚ、前記電波と干渉する前記可動部材の領域の大きさをＴＬ、アイポイント値をＥ、アイポイントの基準座標の値をＧとしたとき、
　ＴｘとＴｚとＴＬとＥとＧとに基づいて、θとＬｘとＬｚが決定される
　ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
　前記θとＬｘとＬｚは、

　と、

　とが成り立つように決められる
　ことを特徴とする請求項４に記載の電子機器。
　前記検知手段は、レーダーデバイスである
　ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
　前記検知手段は、前記検知手段を前記電子機器に固定するための金属板と、
前記電子機器が有する前記検知手段とは異なるデバイスを前記電子機器に固定するための金属板のうち少なくとも一方が、
前記検知手段と前記電子機器が有する前記検知手段とは異なるデバイスの間に配置される
　ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
　前記検知手段と、前記電子機器が有するコイルの間に電波を遮断可能な部品が配置される
　ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
　被写体を撮像する撮像手段と、請求項１に記載の電子機器とを有する
　ことを特徴とする撮像装置。
　前記検知手段のＹＺ平面における指向角をβ、前記検知手段の指向方向の中心軸と光軸とがなす角度をφ、前記検知手段のＹ座標をＬｙとし、
ＸＺ平面において、

と、

によって決まる前記検知手段の指向角αの範囲内に前記撮像手段の一部が配置されるとき、
　Ｌｙとφは、ＹＺ平面において前記撮像手段の一部が指向角βの範囲内に含まれないような値に決定される
　ことを特徴とする請求項９に記載の撮像装置。
　前記可動部材は、電子機器の本体部に対して開閉可能であり且つ情報を表示する表示部材を有し、
　前記検知手段は、電波の照射により前記表示部材の開閉状態の検知および前記接眼部に対する接眼検知を同時に検知可能な位置に設けられたレーダーデバイスである
　ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
前記表示部材、前記接眼部、前記レーダーデバイスをＸＺ平面上に投影した場合、前記レーダーデバイスの指向角をα、前記レーダーデバイスの指向方向の中心軸と光軸とがなす角度をθ、前記レーダーデバイスの前記光軸方向と直交する方向のＸ座標位置をＬｘ、前記光軸方向のＺ座標位置をＬｚとし、
　前記表示部材のＸ座標位置をＴｘ、前記表示部材のＺ座標位置をＴｚ、前記開状態における前記電波と干渉する前記表示部材の領域の大きさをＴＬ、アイポイント値をＥ、前記アイポイントの基準座標の値をＧとしたとき、ＴｘとＴｚとＴＬとＥとＧとに基づいて、θとＬｘとＬｚが決定される
　ことを特徴とする請求項１１に記載の電子機器。