WO2023058577A1

WO2023058577A1 - 保護シート、電子部品の製造方法、及び、表示装置の表示面を構成するガラス片の製造方法

Info

Publication number: WO2023058577A1
Application number: PCT/JP2022/036777
Authority: WO
Inventors: 慧佐藤; 雄一郎宍戸; 尚英高本
Original assignee: 日東電工株式会社
Priority date: 2021-10-05
Filing date: 2022-09-30
Publication date: 2023-04-13
Also published as: KR20240065241A; TW202330862A

Abstract

本発明に係る保護シートは、保護対象面を有する電子部品の前記保護対象面、表示装置の表示面を構成するガラス片の一表面、または、前記ガラス片を得るためのガラス板の一表面に貼合される保護シートであって、前記電子部品の前記保護対象面、前記ガラス片の一表面、または、前記ガラス板の一表面に貼合される保護層を備え、前記保護層は、水溶性樹脂組成物または硬化反応により接着力が低下する硬化性樹脂組成物のいずれかで構成されている。

Description

保護シート、電子部品の製造方法、及び、表示装置の表示面を構成するガラス片の製造方法

関連出願の相互参照

　本願は、日本国特願２０２１－１６４１６３号及び日本国特願２０２２－０６３３８４号の優先権を主張し、これらの開示は、引用によって本願明細書の記載に組み込まれる。

　本発明は、保護シートに関する。
　詳しくは、本発明は、保護対象面を有する電子部品の前記保護対象面に貼合される保護シート、表示装置の表示面を構成するガラス片の一表面に貼合される保護シート、及び、前記ガラス片を得るためのガラス板に貼合される保護シートに関する。
　また、本発明は、電子部品の製造方法、及び、表示装置の表示面を構成するガラス片の製造方法に関する。

　従来、電子部品として半導体チップが知られている。
　このような半導体チップは、通常、半導体ウェハをダイシングして、個片化することにより得られる（例えば、下記特許文献１）。
　下記特許文献１には、半導体ウェハとして、半導体ウェハ本体と、該半導体ウェハ本体の両面に対となる複数の電極部とを備え、かつ、前記半導体ウェハ本体の両面が回路形成面となっているものが示されている。
　前記回路形成面には、通常、トランジスタなどの素子や配線などを含む回路が複数形成されており、前記半導体ウェハ本体では、前記回路形成面における一の回路ごとに対となる電極部が少なくとも一つ備えられている。
　そして、このような半導体ウェハをダイシングすることにより、半導体チップ本体と、該半導体チップ本体の両面に少なくとも一つの回路及び少なくとも一つの対となる電極部と、を備える半導体チップが複数得られる。

　下記特許文献１に示されるように、上記のごとき半導体チップは、一表面に取り付けられた電極部（以下、第１半導体チップ電極部ともいう）を回路基板の電極部（以下、回路基板電極部ともいう）に取付け、他表面に取り付けられた電極部（以下、第２半導体チップ電極部ともいう）を他の半導体チップの第１半導体チップ電極部に取り付けるなどして用いられる。

　また、電子部品として、ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）や、イメージセンサパッケージなども知られている。
　前記ウェハレベルパッケージは、回路基板と、該回路基板上に取り付けられた複数の半導体パッケージとを備えている。
　上記のごときウェハレベルパッケージは、通常、ダイシングなどされて、個々の半導体パッケージへと個片化される。
　また、前記イメージセンサパッケージは、一表面に回路が形成されたセンサチップ本体と、接着剤やガラスフリットなどで構成された接着層を介して前記センサチップ本体の一表面（回路が形成された面）に積層されたガラス片（カバーガラス）と、を備えている。
　そして、前記イメージセンサパッケージは、通常、一表面に複数の回路が形成されたセンサウェハ本体と、平面視において前記センサウェハ本体と略同一寸法を有し、かつ、接着剤やガラスフリットなどで構成された接着層を介して前記センサウェハ本体の一表面（複数の回路が形成された面）に積層されたガラス板と、を備えるイメージセンサパッケージ用積層体を、ダイシングなどにより少なくとも一の回路を含む個々のイメージセンサパッケージへと個片化することにより得られる。

　さらに、表示装置の表示面を構成するためのガラス片を得るために、一枚のガラス板をダイシングなどにより複数枚のガラス片に分割することも知られている。

日本国特開２０１５－１７０７５４号公報

　ところで、上記のように、ダイシングにより半導体ウェハを割断して複数の半導体チップへと個片化すると、割断部付近の半導体ウェハの一部が粉状化されるなどして微細な異物が発生することがある。
　また、上記のような微細な異物は、ダイシングにより前記ウェハレベルパッケージを個々の半導体パッケージへと個片化するとき、ダイシングにより前記イメージセンサパッケージ用積層体を個々のイメージセンサパッケージへと個片化するとき、及び、ダイシングにより一枚のガラス板を複数枚のガラス板に個片化するときにも同様に発生することがある。

　このような微細な異物が発生すると、該微細な異物が、複数の半導体チップ、複数の半導体パッケージ、複数のイメージセンサパッケージなどの電子部品の表面や複数枚のガラス片の表面に付着するようになって、これらの表面に数多く残存することがある。

　そして、前記複数の半導体チップの表面に前記微細な異物が数多く残存した場合には、複数の半導体チップのそれぞれの表面に形成された回路の動作信頼性が低下する虞があることから好ましくない。

　また、前記複数の半導体パッケージの表面のそれぞれがガラス片の一表面で構成される場合において、前記微細な異物が前記複数の半導体パッケージのそれぞれの表面に数多く残存すると、該微細な異物の残存によって、前記複数の半導体パッケージのそれぞれにおいて前記ガラス片の透過率が変化してしまうようになる。
　さらに、前記微細な異物が前記複数のイメージセンサパッケージの表面（ガラス片の表面）及び前記複数枚のガラス片の表面に数多く残存する場合においても、該微細な異物の残存によって前記ガラス片の透過率が変化してしまうようになる。

　ここで、複数の半導体パッケージは、出荷前において内部での配線の接続状態などを検査する必要がある。
　そして、この検査のためには、ガラス片越しに前記半導体パッケージの内部をカメラなどで撮像して画像を取得する必要がある。
　しかしながら、上記のように前記ガラス片の透過率が変化した場合においては、複数の半導体パッケージについて、内部での配線の接続状態を確認できる程度まで十分に鮮明な画像を取得できなくなることが懸念される。

　また、前記イメージセンサパッケージは、カメラなどの撮像素子として使用されるものの、上記のように前記ガラス片の透過率が変化した場合においては、撮像対象を十分鮮明に撮像することができなくなることが懸念される。

　さらに、上記のように透過率が変化したガラス片を用いて表示装置の表示面を構成した場合においては、前記表示装置の表示面に鮮明な像を表示できなくなることが懸念される。

　また、特許文献１に記載されたような半導体チップにおいて、前記第１半導体チップ電極部及び前記第２半導体チップ電極部が、例えば、半導体チップのそれぞれの表面と面一となるように取り付けられる場合には、上記のように、前記微細な異物が前記表面に数多く残存していると、前記微細な異物が介在されていることが原因となって、前記回路基板電極部への一半導体チップの第１半導体チップ電極部の密着が不十分になったり、他の半導体チップの第１半導体チップ電極部への一半導体チップの第２半導体チップ電極部の密着が不十分となったりすることがある。
　このような場合、各電極間で接合不良が生じるようになって、電気的な信頼性が十分得られなくなることから好ましくない。

　なお、上記のような問題は、特定の半導体チップだけではなく、全ての半導体チップに共通する。
　また、上記のような問題は、ダイシングのような割断などを伴うプロセスによって得られる半導体チップ以外の電子部品においても同様に生ずる。
　例えば、回路基板の複数が連接されて構成される連接回路基板を、個々の回路基板へと分割する場合においても上記と同様の問題が生ずる。

　しかしながら、微細な異物が電子部品の保護されるべき面（以下、保護対象面ともいう）に数多く残存することを抑制することについて、未だ十分な検討がなされているとは言い難い。
　また、微細な異物が表示装置の表示面を構成するガラス片の一表面に数多く残存することを抑制することについても、未だ十分な検討がなされているとは言い難い。

　そこで、本発明は、保護対象面を有する電子部品の前記保護対象面、及び、表示装置の表示面を構成するガラス片の一表面に微細な異物が数多く残存することを抑制できる保護シートを提供することを課題とする。
　また、本発明は、上記のような保護シートを用いた、電子部品の製造方法及び表示装置の表示面を構成するガラス片の製造方法を提供することを課題とする。

　本発明に係る保護シートは、
　保護対象面を有する電子部品の前記保護対象面、表示装置の表示面を構成するガラス片の一表面、または、前記ガラス片を得るためのガラス板の一表面に貼合される保護シートであって、
　前記電子部品の前記保護対象面、前記ガラス片の一表面、または、前記ガラス板の一表面に貼合される保護層を備え、
　前記保護層は、水溶性樹脂組成物または硬化反応により接着性が低下する硬化性樹脂組成物のいずれかで構成されている。

　本発明に係る電子部品の製造方法は、
　保護対象面を有する複数の電子部品が前記保護対象面を同一方向に向けて連結された電子部品の連結体について、前記複数の電子部品のそれぞれの前記保護対象面を保護するように保護シートを取り付ける保護シート取付工程と、
　前記保護シートが取り付けられた前記電子部品の連結体を面方向に間隔を空けるように分割して、分割された前記保護シートが取り付けられた前記複数の電子部品を得る電子部品の連結体分割工程と、
　前記複数の電子部品のそれぞれから分割された前記保護シートを除去する保護シート除去工程と、を有し、
　前記保護シートは、前記保護対象面に貼合される保護層を備え、
　前記保護層は、水溶性樹脂組成物または硬化反応により接着力が低下する硬化性樹脂組成物のいずれかで構成されている。

　本発明に係る表示装置の表示面を構成するガラス片の製造方法は、
　表示装置の表示面を構成するガラス片を得るためのガラス板の一表面を保護するように保護シートを取り付ける保護シート取付工程と、
　前記保護シートが取り付けられた前記ガラス板を面方向に間隔を空けるように分割して、分割された前記保護シートが取り付けられた複数のガラス片を得るガラス板分割工程と、
　前記複数のガラス片のそれぞれから分割された前記保護シートを除去する保護シート除去工程と、を有し、
　前記保護シートは、前記ガラス板の一表面または前記ガラス片の一表面に貼合される保護層を備え、
　前記保護層は、水溶性樹脂組成物または硬化反応により接着力が低下する硬化性樹脂組成物のいずれかで構成されている。

ウェハレベルパッケージの構成を示す模式断面図。イメージセンサパッケージの構成を示す模式断面図。イメージセンサパッケージ用積層体の構成を示す模式断面図。本発明の一実施形態に係る保護シートの構成を示す模式断面図。半導体チップ表面への本実施形態に係る保護シートの貼合態様の一例を模式的に示す断面図。半導体チップ表面への本実施形態に係る保護シートの貼合態様の他の例を模式的に示す断面図。半導体チップ表面への本実施形態に係る保護シートの貼合態様のさらに他の例を模式的に示す断面図。半導体チップ表面への本実施形態に係る保護シートの貼合態様のさらに他の例を模式的に示す断面図。半導体チップ表面への本実施形態に係る保護シートの貼合態様のさらに他の例を模式的に示す断面図。両面に電極部を備える半導体ウェハの一例を示す模式断面図。半導体装置の製造方法における準備工程の様子の一例を模式的に示す断面図。半導体装置の製造方法における準備工程の様子の一例を模式的に示す断面図。半導体装置の製造方法における準備工程の様子の一例を模式的に示す断面図。半導体装置の製造方法における保護シート取付工程の様子の一例を模式的に示す断面図。半導体装置の製造方法における弱化部形成工程の様子の一例を模式的に示す断面図。半導体装置の製造方法における半導体ウェハ割断工程の様子の一例を模式的に示す断面図。半導体装置の製造方法における半導体ウェハ割断工程の様子の一例を模式的に示す断面図。半導体装置の製造方法における保護シート除去工程の様子の一例を模式的に示す断面図。半導体チップの接合態様の一例を模式的に示す断面図。半導体装置の製造方法における保護シート取付工程の他の例を模式的に示す断面図。半導体装置の製造方法における弱化部形成工程の様子の他の例を模式的に示す断面図。半導体装置の製造方法における保護層硬化工程の様子の一例を模式的に示す断面図。半導体装置の製造方法におけるはく離ライナー除去工程の様子の一例を模式的に示す断面図。半導体装置の製造方法における保護シート除去工程の様子の他の例を模式的に示す断面図。

　以下、本発明の一実施形態について説明する。

［保護シート］
　本実施形態に係る保護シート１０は、保護対象面を備える電子部品の前記保護対象面、表示装置の表示面を構成するガラス片の一表面、または、前記ガラス片を得るためのガラス板の一表面に貼合される保護シートである。
　本実施形態に係る保護シート１０は、前記電子部品の前記保護対象面、前記ガラス片の一表面、または、前記ガラス板の一表面に貼合される保護層を備える。
　本実施形態に係る保護シート１０では、前記保護層は、水溶性樹脂組成物または硬化反応により接着性が低下する硬化性樹脂組成物のいずれかで構成されている。
　前記電子部品としては、例えば、半導体ウェハ、半導体チップ、回路基板や、前記回路基板が複数連接されて構成される連接回路基板などが挙げられる。

　前記電子部品としては、支持基板と、該支持基板上に複数の半導体チップを配した状態で前記複数の半導体チップを一括して樹脂封止して形成されるパッケージ体とを備える疑似ウェハなども挙げられる。
　前記疑似ウェハは、前記支持基板から取り外された前記パッケージ体であってもよい。
　また、前記疑似ウェハの少なくとも一表面には再配線層が形成されていてもよく、このような場合には、前記保護層は、前記再配線層を保護するように用いられてもよい。
　さらに、前記電子部品としては、前記疑似ウェハを少なくとも１つの半導体チップを含む構成単位ごとに分割した疑似ウェハの分割体なども挙げられる。

　前記電子部品としては、図１に示したようなウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）や図２Ａに示したようなイメージセンサパッケージなども挙げられる。

　図１に示したように、ウェハレベルパッケージ１００は、回路基板１１０と、該回路基板１１０上に取り付けられた複数の半導体パッケージ１２０とを備えている。
　すなわち、ウェハレベルパッケージ１０では、回路基板１１０上において、複数の半導体チップ１２０のそれぞれが別個に樹脂封止されている。
　ウェハレベルパッケージ１００では、複数の半導体パッケージ１２０の表面（回路基板１１０に取り付けられる面の反対面）のそれぞれがガラス片１２０ａの一表面で構成されていてもよい。
　すなわち、ウェハレベルパッケージ１００では、複数の半導体パッケージ１２０は、それぞれの表面側（回路基板１１０に取り付けられる面の反対面側）にガラス片１２０ａを備えていてもよい。
　ウェハレベルパッケージ１００がこのように構成される場合、前記保護層は、複数の半導体パッケージ１２０のそれぞれについて、ガラス片１２０ａの一表面を保護するように用いられる。
　なお、ウェハレベルパッケージ１００は、図１に示したような割断線Ｌに沿ってダイシングなどされて、個々の半導体パッケージへと個片化（割断）される。

　図２Ａに示したように、イメージセンサパッケージ２００は、一表面に回路が形成されたセンサチップ本体２１０と、接着剤やガラスフリットなどで構成された接着層２２０を介してセンサチップ本体２１０の一表面（回路が形成された面）に積層されたガラス片２３０（カバーガラス）と、を備えている。
　イメージセンサパッケージ２００は、例えば、カメラなどの撮像素子として使用される。
　上記のように構成されたイメージセンサパッケージ２００においては、前記保護層は、センサチップ本体２１０上に積層されたガラス片２３０の表面（センサチップ本体２１０側と反対側の面）を保護するように用いられる。
　なお、イメージセンサパッケージ２００は、通常、図２Ｂに示したような、一表面に複数の回路が形成されたセンサウェハ本体２１０’と、平面視においてセンサウェハ本体２１０’と略同一寸法を有し、かつ、接着剤やガラスフリットなどで構成された接着層２２０’を介してセンサウェハ本体２１０’の一表面（複数の回路が形成された面）に積層されたガラス板２３０’と、を備えるイメージセンサパッケージ用積層体２００’を、ダイシングなどにより少なくとも一つの回路を含む個々のイメージセンサパッケージ２００へと個片化することにより得られる。
　具体的には、図２Ｂに示したような割断線Ｌ’に沿ってダイシングなどされて、個々のイメージセンサパッケージ２００へと個片化されることにより得られる。

　前記半導体チップは、通常、半導体チップ本体と、該半導体チップ本体の少なくとも一方面に配されて他の部材の電極部と電気的に接続される電極部と、を有する。
　また、前記半導体チップでは、少なくとも一方面が、回路が形成された回路形成面となっている。
　なお、他の部材としては、回路基板や、前記半導体チップと同様に構成された他の半導体チップなどが挙げられる。
　前記半導体チップとしては、例えば、半導体チップ本体の両面に配されて他の部材と電気的に接続される対となる電極部と、対となる電極部を導通するように前記半導体チップ本体を厚さ方向に貫通する導通部とを備える、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ　Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｖｉａ）形式のものが挙げられる。
　なお、ＴＳＶ形式の半導体チップでは、一方面のみが回路形成面となっていてもよいし、両面共に回路形成面となっていてもよい。
　また、前記半導体チップとしては、前記回路が素子としてセンサ素子（例えば、受光素子や振動素子）を備えているセンサチップも挙げられる。
　前記センサチップとしては、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ　Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）チップやＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｓｙｓｔｅｍｓ）チップなどが挙げられる。

　前記表示装置としては、液晶ディスプレイ装置、プラズマディスプレイ装置、有機ＥＬディスプレイ装置などが挙げられる。
　前記液晶ディスプレイ装置、プラズマディスプレイ装置、及び、前記有機ＥＬディスプレイ装置は、カラーディスプレイ装置であってもよいし、キャラクターディスプレイ装置であってもよいし、グラフィックディスプレイ装置であってもよい。

　本実施形態に係る保護シート１０は、図３に示したように、保護層１０ａを備えるとともに、保護層１０ａの一表面に第１はく離ライナー１０ｂを備え、保護層１０ａの他表面（前記一表面と対向する表面）に第２はく離ライナー１０ｃを備える。
　すなわち、本実施形態に係る保護シート１０は、一対のはく離ライナー（第１はく離ライナー１０ｂ及び第２はく離ライナー１０ｃ）によって、保護層１０ａが両面側から挟持されて構成されている。
　本実施形態に係る保護シート１０では、保護層１０ａが、保護対象面を備える電子部品の前記保護対象面、表示装置の表示面を構成するガラス片の一表面、または、前記ガラス片を得るためのガラス板の一表面に貼合される。

　保護シート１０は、例えば、アプリケータなどを用いて、余剰な液分を含む水溶性樹脂組成物や硬化反応により接着性が低下する余剰な液分を含む硬化性樹脂組成物を第１はく離ライナー１０ｂ上に所定厚さ（例えば、１０μｍ）で塗布し、所定温度で所定時間（例えば、１１０℃で２分間）乾燥させることにより、第１はく離ライナー１０ｂ上に保護層１０ａを形成した後、該保護層１０ａにおいて、第１はく離ライナー１０ｂが取り付けられている面の反対面に第２はく離ライナー１０ｃを貼り合せることにより作製することができる。

　なお、図１に示した例では、保護シート１０は、一対のはく離ライナー（第１はく離ライナー１０ｂ及び第２はく離ライナー１０ｃ）によって、保護層１０ａが両面側から挟持されて構成されているが、保護シート１０の構成はこれに限られるものではない。
　保護シート１０は、保護層１０ａのみで構成されたものであってもよいし、保護層１０ａの一表面のみに、第１はく離ライナー１０ｂまたは第２はく離ライナー１０ｃのいずれか一方を備えるものであってもよい。
　要すれば、保護シート１０は、少なくとも、保護層１０ａを含んでいればよい。

　以下では、第１実施形態に係る保護シート１０として、保護層１０ａが水溶性樹脂組成物で構成されているものを例に挙げて説明し、第２実施形態に係る保護シート１０として、保護層１０ａが硬化反応により接着性が低下する硬化性樹脂組成物で構成されているものを例に挙げて説明する。

（第１実施形態）
　第１実施形態に係る保護シート１０においては、保護層１０ａは、水溶性樹脂組成物で構成されている。
　前記水溶性樹脂組成物は、水溶性高分子化合物を含む。
　第１実施形態に係る保護シート１０においては、保護層１０ａは、例えば、はく離ライナー上に、余剰な液分を含む水溶性樹脂組成物を塗布して乾燥させることにより形成される。
　第１実施形態に係る保護シート１０においては、余剰な液分を含む水溶性樹脂組成物として、水に前記水溶性高分子化合物を分散させたもの（以下、第１保護層形成組成物という）を用いることが好ましい。
　第１保護層形成組成物においては、水１００質量部に対して、前記水溶性高分子化合物は、５質量部以上８０質量部以下含まれていることが好ましく、１０質量部以上７０質量部以下含まれていることがより好ましく、１５質量部以上６０質量部以下含まれていることがさらに好ましい。
　また、前記第１保護層形成組成物では、水に前記水溶性高分子が溶解した状態となっていることが好ましい。
　なお、前記第１保護層形成組成物では、前記水溶性高分子化合物は、２０℃～９０℃の温度で加熱されることにより水に溶解した状態とすることができる。
　さらに、前記第１保護層形成組成物は、２５℃における粘度が０．０３Ｐａ・ｓ以上であることが好ましく、０．０５Ｐａ・ｓ以上であることがより好ましく、０．１Ｐａ・ｓ以上であることがさらに好ましい。
　２５℃における粘度が上記した下限値以上であることにより、前記第１保護層形成組成物をはく離ライナー上に塗布して該はく離ライナー上に保護層１０ａを形成したときに、保護層１０ａの厚みが変動し易くなることを比較的抑制することができる。
　また、前記第１保護層形成組成物は、２５℃における粘度が１５Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、１０Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましく、５Ｐａ・ｓ以下であることがさらに好ましい。
　２５℃における粘度が上記した上限値以下であることにより、前記第１保護層形成組成物をはく離ライナー上に塗布するときの塗布性を向上させることができる。
　なお、２５℃における前記第１保護層形成組成物の粘度は、測定装置として、英弘精機社製のデジタル粘度計（製品名「ＤＶ－Ｉ　Ｐｒｉｍｅ」）を用いた上で、ＬＶ－３スピンドルを用いて、回転数５０ｒｐｍという条件を採用することにより測定することができる。

　前記水溶性高分子化合物としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、水溶性ポリエステル（ＰＥＳ）、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）などが挙げられる。
　前記水溶性高分子化合物は、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、水溶性ポリエステル、ポリエチレンオキシドなどを単独で用いてもよいし、これらを組み合わせて用いてもよい。
　前記水溶性高分子化合物としては、ポリビニルアルコール、水溶性ポリエステル、及び、ポリエチレンオキシドならなる群から選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。

　前記ポリビニルアルコールは、けん化度が５０以上９８以下であることが好ましく、６０以上９０以下であることがより好ましい。
　けん化度が上記数値範囲内であることにより、前記ポリビニルアルコールは、十分な水溶性を示すことができることに加えて、前記ポリビニルアルコールを前記第１保護層形成組成物に含ませた場合においては、はく離ライナー上への前記第１保護層形成組成物の塗布を作業性良く実施することができる。
　前記ポリビニルアルコールのけん化度は、プロトン磁気共鳴分光法（^１Ｈ－ＮＭＲ測定法）によって測定することができる。
　なお、測定試料中に添加剤が含まれており、該添加剤由来のピークがけん化度の算出に用いるピークに重なる場合には、前記測定試料にメタノール抽出等を施して前記添加剤を分離した後に、前記ポリビニルアルコールのけん化度を測定する。
　前記ポリビニルアルコールのけん化度は、以下のような条件で測定することができる。

＜測定条件＞
・分析装置　FT-NMR : Bruker Biospin , AVANCE III-400
・観測周波数　400MHz(1H)
・測定溶媒　重水、または、重ジメチルスルホキシド（重DMSO）
・測定温度　80℃
・化学シフト基準　外部標準TSP-d4(0.00ppm)（重水測定時）
　　　　　　　　　測定溶媒(2.50ppm)（重DMSO測定時）

　なお、前記ポリビニルアルコールのけん化度は、ビニルアルコールユニット(VOH)のメチレン基由来のピーク(重水;2.0～1.0ppm、重DMSO;1.9～1.0ppm)と、酢酸ビニルユニット(VAc)のアセチル基由来のピーク(重水;2.1ppm付近、重DMSO;2.0ppm付近)とを用いて、以下の式に基づいて算出する。
　以下の式において、［VOH(-CH₂)-］は、ビニルアルコールユニット中の-CH₂-由来のピークの強度を意味し、［VAc(CH₃CO-)］は、酢酸ビニルユニット中のCH₃CO-由来のピーク強度を意味する。

　前記ポリビニルアルコールは、平均重合度が１００以上１０００以下であることが好ましく、１００以上８００以下であることがより好ましい。
　平均重合度が上記数値範囲内であることにより、前記ポリビニルアルコールは、十分な水溶性を示すことができることに加えて、前記ポリビニルアルコールを前記第１保護層形成組成物に含ませた場合においては、はく離ライナー上への前記第１保護層形成組成物の塗布を作業性良く実施することができる。
　前記ポリビニルアルコールの平均重合度は、水系ＧＰＣによって測定することができる。
　前記ポリビニルアルコールの平均重合度は、以下のような条件で測定することができる。

＜測定条件＞
・分析装置　Agilent, 1260Infinity
・カラム　TSKgel G6000PWXL(東ソー社製)及びTSKgel G3000PWXL(東ソー社製)
　　　　　上記２本のカラムは直列接続する。
・カラム温度　40℃
・溶離液　0.2Mの硝酸ナトリウム水溶液
・注入量　100μL
・検出器　示差屈折計(RI)
・標準試料　PEG標準試料及びPVA標準試料

　具体的な測定は、以下のようにして行う。

（１）ＰＥＧ標準試料を用いたＧＰＣ測定によって、被測定試料（ＰＶＡ）及びＰＶＡ標準試料の質量平均分子量Ｍｗをそれぞれ算出する。なお、ＰＶＡ標準試料は、平均重合度が既知のものである。
（２）ＰＶＡ標準試料の平均重合度、及び、算出したＰＶＡ標準試料の質量平均分子量Ｍｗを用いて検量線を作成する。
（３）作成した検量線を用いて、被測定試料（ＰＶＡ）の質量平均分子量Ｍｗから被測定試料（ＰＶＡ）の平均重合度を求める。

　また、前記水溶性高分子として、前記ポリビニルアルコールを用いる場合には、けん化度が異なる複数のポリビニルアルコールを組み合わせて用いてもよいし、平均重合度が異なる複数のポリビニルアルコールを組み合わせて用いてもよい。

　前記水溶性ポリエステルは、多価カルボン酸の残基とポリオールの残基とを有する。
　前記水溶性ポリエステルは、例えば、多価カルボン酸成分とポリオール成分とを含むモノマー成分の重合生成物である。
　なお、前記水溶性ポリエステルが水溶性を有することは、技術常識に基づいて判断することができる。

　前記水溶性ポリエステルは、以下の（１）～（４）のうちの少なくとも１つを満たすことが好ましい。
（１）前記水溶性ポリエステルで形成された厚み２０μｍの薄膜の表面全体に常温（２３±２℃）の水を０．００５ＭＰａの噴霧圧で２０分間噴霧すると、この薄膜が全て水に溶解する。
（２）前記水溶性ポリエステルで形成された厚み２０μｍの薄膜の表面全体に５０℃の水を０．００５ＭＰａの噴霧圧で１０分間噴霧すると、この薄膜が全て水に溶解する。
（３）前記水溶性ポリエステルと常温の水とを、水溶性ポリエステル：常温の水＝１：５の質量比で混合して混合液を得て、該混合液に超音波を２０分間照射すると、前記水溶性ポリエステルが水に全て溶解する。
（４）前記水溶性ポリエステルと５０℃の水とを、水溶性ポリエステル：５０℃の水＝１：５の質量比で混合して混合液を得て、該混合液に超音波を１０分間照射すると、前記水溶性ポリエステルが水に全て溶解する。

　前記水溶性ポリエステルは、質量平均分子量Ｍｗが４０，０００（４万）以下であることが好ましい。
　前記第１保護層形成組成物が上記数値範囲内の質量平均分子量Ｍｗを有する水溶性ポリエステルを含んでいることにより、保護層１０ａを膜状に形成し易くなる。
　そして、このような膜状の保護層１０ａが電子部品の保護対象面や表示装置の表示面を構成するガラス片の一表面に配された場合には、該保護層１０ａによって前記保護対象面や前記ガラス片の一表面に微細な異物が付着することが十分に抑制されるようになる。
　上記数値範囲内の質量平均分子量Ｍｗを有する水溶性ポリエステルを含んでいることにより、保護層１０ａは水溶性に優れるものとなる。
　また、保護層１０ａを３０℃以下といった比較的低温の水に対する耐久性（以下、低温での水耐久性ともいう）に優れたものとする観点から、前記水溶性ポリエステルは、質量平均分子量Ｍｗが１５，０００（１．５万）以上であることが好ましい。
　保護層１０ａが上記数値範囲内の質量平均分子量Ｍｗを有する水溶性ポリエステルを含むことにより、保護層１０ａは、低温での水耐久性に優れることから、３０℃以下といった比較的低温の水と接した場合には、前記電子部品の保護対象面や前記表示装置の表示面を構成するガラス片の一表面から除去され難い。
　一方で、保護層１０ａが４０℃以上といった比較的高温の水（温水）と接した場合には、該保護層１０ａは前記電子部品の保護対象面や前記表示装置の表示面を構成するガラス片の一表面から除去され易いものとなる（高温での水耐久性が低くなる）。
　そのため、例えば、保護層１０ａが半導体ウェハの一表面に取り付けられた状態とされ、保護層１０ａ付の半導体ウェハが３０℃以下という比較的低温の水で洗浄されながらブレードダイシングされるような場合には、保護層１０ａは前記半導体ウェハの一表面に十分固定された状態となっていて該一表面を十分に保護することができる。
　一方で、ブレードダイシングによって前記半導体ウェハを個片化することにより得られる複数の半導体チップを、４０℃以上の温水を用いて洗浄することにより、前記複数の半導体チップのそれぞれから、個片化された保護層１０ａを容易に除去することができる。
　なお、連接回路基板をダイシングして回路基板を得る場合、疑似ウェハをダイシングして疑似ウェハの分割体を得る場合、ウェハレベルパッケージを個々の半導体パッケージへと分割する場合、イメージセンサパッケージ用積層体をダイシングして個々のイメージセンサパッケージへと分割する場合においても、上記と同様の効果を得ることができる。
　また、表示装置の表示面を構成するガラス片を得るために、該ガラス片を得るためのガラス板をダイシングして複数枚のガラス片へと個片化する場合においても、上記と同様の効果を得ることができる。

　また、前記水溶性ポリエステルとして、酸価が高いもの（高酸価なもの）を用いることによっても、保護層１０ａを低温での水耐久性に優れ、かつ、高温での水耐久性が低いものとすることができる。
　このような場合、前記水溶性エステルの酸価は、１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることが好ましく、２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることがより好ましく、３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることがさらに好ましく、４０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることがよりさらに好ましい。
　前記水溶性ポリエステルの酸価の上限値は、通常、７０ｍｇＫＯＨ／ｇである。
　前記酸価は、ＪＩＳ　Ｋ　００７０－１９９２に規定される中和滴定法により求められる。
　さらに、前記水溶性ポリエステルが上記のように高酸価なものである場合には、該水溶性ポリエステルの質量平均分子量Ｍｗは１０，０００（１万）以下であることが好ましく、７，０００以下であることがより好ましく、４，０００以下であることがさらに好ましい。
　前記水溶性ポリエステルが、高酸価なものであり、かつ、上のような数値範囲の質量平均分子量Ｍｗを有することにより、保護層１０ａは、低温での水耐久性により優れ、かつ、高温での水耐久性がより低いものとなる。
　なお、保護層１０ａの洗浄液として０．１ｍｏｌ／Ｌ程度のアンモニア水を用いた場合には、該アンモニア水の温度が低温（３０℃以下）であったとしても、前記保護対象面や前記表示装置の表示面を構成するガラス片の一表面から保護層１０ａを比較的容易に除去することができる。

　前記ポリエチレンオキシドは、質量平均分子量Ｍｗが１，０００，０００（１００万）以下であることが好ましい。
　また、前記ポリエチレンオキシドは、質量平均分子量Ｍｗが２０，０００（２万）以上であることが好ましい。
　保護層１０ａを形成するための前記第１保護層形成組成物が、上記数値範囲内の質量平均分子量Ｍｗを有するポリエチレンオキシドを含むことにより、前記第１保護層形成組成物を好適な粘性を有するものとすることができる。
　これにより、前記第１保護層形成組成物を用いて保護層１０ａを形成するに際して、保護層１０ａを形成し易くなる（成膜性が高くなる）。
　なお、前記第１保護層形成組成物の質量平均分子量が１，０００，０００を超える場合には、前記第１保護層形成組成物の粘度が比較的高くなるため、保護層１０ａの形成時に前記第１保護層形成組成物を塗り広げにくくなることが多く、前記第１保護層形成組成物の質量平均分子量Ｍｗが２０，０００を下回る場合には、前記第１保護層形成組成物の粘度が比較的低くなるため、保護層１０ａの形成時に保護層１０ａを所望の厚さとすることが難しくなることが多い。すなわち、成膜性が低くなることが多い。
　また、保護層１０ａが上記数値範囲内の質量平均分子量Ｍｗを有するポリエチレンオキシドを含んでいることにより、保護層１０ａは、水で洗浄することにより、前記電子部品の保護対象面や前記表示装置の表示面を構成するガラス片の一表面から比較的容易に除去できるものとなる。

　前記水溶性ポリエステル及び前記ポリエチレンオキシドの質量平均分子量Ｍｗは、前記ポリビニルアルコールの平均重合度で説明したのと同様にして、ＧＰＣによって測定することができる。
　ただし、溶離液は、測定対象の組成に応じて、０．２Ｍの硝酸ナトリウム水溶液またはＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）を適宜選択する。
　具体的には、測定対象を溶解させることができるものを前記溶離液として適宜選択する。

　第１実施形態に係る保護シート１０においては、ベアウェハに対する保護層１０ａの密着力が０．０５Ｎ／１００ｍｍ以上であることが好ましく、０．５Ｎ／１００ｍｍ以上であることがより好ましく、５．０Ｎ／１００ｍｍ以上であることがさらに好ましい。
　ベアウェハに対する保護層１０ａの密着力が上記した下限値以上であることにより、保護シート１０の被着対象が、両面に電極部を有する半導体ウェハや該半導体ウェハを割断することにより得られる半導体チップ（詳しくは、両面に電極部を有する半導体チップ）であっても、保護シート１０を十分に密着させることができることに加えて、後述する脆弱部形成工程や半導体ウェハ割断工程においても、被着対象である半導体ウェハや半導体チップから、保護シート１０がはく離することを抑制することができる。
　ここで、後述するように、脆弱部形成工程では、保護シート１０が取り付けられた前記半導体ウェハに、保護シート１０側からレーザ光を照射することにより、前記半導体ウェハに脆弱部を形成するものの、上記のごとく、保護シート１０が前記半導体ウェハからはく離することを抑制できることにより、レーザ光の照射面たる保護シート１０の表面を比較的平坦な状態に維持することができる。これにより、比較的平滑な面に向けてレーザ光を照射することができる。
　また、保護シート１０が前記半導体ウェハからはく離することを抑制できることにより、前記半導体ウェハからの保護シート１０のはく離部分が基点となって保護シート１０に欠点が生じ、該欠点を通じて保護シート１０の外部から前記半導体ウェハの表面に異物が到達して、前記半導体ウェハの表面に前記異物が付着することを抑制することができる。
　さらに、第１実施形態に係る保護シート１０においては、ベアウェハに対する保護層１０ａの密着力が２００Ｎ／１００ｍｍ以下であることが好ましく、１５０Ｎ／１００ｍｍ以下であることがより好ましく、１００Ｎ／１００ｍｍ以下であることがさらに好ましい。

　ベアウェハに対する保護層１０ａの密着力は、以下のようにして測定することができる。以下では、図１に示したように構成された保護シート１０を例にして、測定方法を説明する。

（１）保護層１０ａから一方のはく離ライナー（第１はく離ライナー１０ｂ）をはく離して、保護層１０ａの一方面を露出させ、該露出面（第１露出面）に裏打ちテープを貼り合せて、第１試験体を得る。第１露出面への裏打ちテープの貼り合せは、ハンドローラを用いて温度２５℃にて行う。
（２）前記第１試験体を１００ｍｍ幅にカットした後、保護層１０ａの他方のはく離ライナー（第２はく離ライナー１０ｃ）をはく離して、保護層１０ａの他方面を露出させ、該露出面（第２露出面）をベアウェハに貼り合せて、第２試験体（測定用サンプル）を得る。前記ベアウェハへの第２露出面の貼り合せは、２ｋｇ標準ローラ（手動接着試験プレスホイール接着テープ接着試験機）を用いて、温度９０℃、１０ｍｍ／秒の条件にて行う。なお、貼り合せ後には、２０分以上の自然放冷（冷却）を行う。
（３）温度２３℃の雰囲気下において、前記測定用サンプルについて、はく離角度を１８０°とし、はく離速度を３００ｍｍ／ｍｉｎとする条件にて、はく離力を測定する。そして、測定されたはく離力を密着力とする。測定装置としては、例えば、オートグラフ（ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製）を使用することができる。

　第１実施形態に係る保護シート１０においては、保護層１０ａは、－１５℃における破断強度が２００ＭＰａ以下であることが好ましく、１００ＭＰａ以下であることがより好ましく、５０ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。
　また、第１実施形態に係る保護シート１０においては、保護層１０ａは、－１５℃における破断強度が０．０１ＭＰａ以上であることが好ましく、０．０５ＭＰａ以上であることがより好ましく、０．１ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。
　さらに、第１実施形態に係る保護シート１０においては、保護層１０ａは、－１５℃における破断伸びが１００％以下であることが好ましく、８０％以下であることがより好ましく、５０％以下であることがさらに好ましい。
　また、第１実施形態に係る保護シート１０においては、保護層１０ａは、－１５℃における破断伸びが０．１％以上であることが好ましく、０．３％以上であることがより好ましく、０．５％以上であることがさらに好ましい。
　保護層１０ａの－１５℃における破断強度及び破断伸びが上記数値範囲内であることにより、保護層１０ａを半導体ウェハの表面に取り付けた状態で、低温条件下にて前記半導体ウェハとともに保護層１０ａを割断して個片化する（例えば、クールエキスパンドする）ときに、保護層１０ａをより十分に割断することができる。

　－１５℃における破断強度、及び、－１５℃における破断伸びは、以下のようにして測定することができる。
　－１５℃における破断伸びについては、詳しくは、長さ５０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚み３０μｍの保護層１０ａを試験片とし、引張試験機（オートグラフＡＧ－ＩＳ、島津製作所製）を用いて、温度－１５℃、チャック間距離２０ｍｍ（測定長さ。Ｌ_０）、及び、引張速度１０ｍｍ／ｓｅｃの条件にて、上記試験片を長さ方向に引っ張り、上記試験片が破断するときの長さ（測定長さＬ_０に伸び量を加算した値。Ｌ_１）を測定する。
　そして、下記式に基づいて、－１５℃における破断伸びＥを算出する。

　破断伸びＥ＝（Ｌ_１－Ｌ_０）／Ｌ_０×１００

　また、－１５℃における破断強度については、上記試験片及び上記引張試験機を用いて、上記と同条件で引張試験を行ったときに、上記試験片が破断するときに加わっている力を測定することにより求めることができる。

　第１実施形態に係る保護シート１０においては、保護層１０ａは、－１５℃における引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上３０ＧＰａ以下であることが好ましく、２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下であることがより好ましく、３ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下であることがさらに好ましい。
　－１５℃における引張貯蔵弾性率が上記数値範囲内であることにより、保護層１０ａを半導体ウェハの表面に取り付けた状態で、低温条件下にて前記半導体ウェハとともに保護層１０ａを割断して個片化する（例えば、クールエキスパンドする）ときに、保護層１０ａをより十分に割断することができる。
　また、第１実施形態に係る保護シート１０においては、保護層１０ａは、２５℃における引張貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ以上２０ＧＰａ以下であることが好ましく、０．５ＭＰａ以上１５ＧＰａ以下であることがより好ましく、１ＭＰａ以上１０ＧＰａ以下であることがさらに好ましい。
　ここで、半導体ウェハへの保護シート１０の貼り付けは、通常、２５℃程度の温度で行われることから、２５℃における引張貯蔵弾性率が上記数値範囲内であることにより、前記半導体ウェハへの保護層１０ａの貼り合せを比較的容易に行うことができることに加えて、保護層１０ａにスリット加工を施す必要がある場合には、該スリット加工を施し易くなる。
　また、２５℃における引張貯蔵弾性率が上記数値範囲内であることにより、保護シート１０が取り付けた状態の半導体ウェハを用いて、複数の個片化された半導体チップを製造するときに、２５℃程度の温度において、保護層１０ａが過度に変形することを抑制することができる。
　さらに、２５℃における引張貯蔵弾性率が上記数値範囲内であることにより、保護シート１０が半導体ウェハや半導体チップに取り付けられている場合には、外部から加わる衝撃から半導体ウェハや半導体チップを十分に保護することができる。
　なお、連接回路基板をダイシングして回路基板を得る場合、疑似ウェハをダイシングして疑似ウェハの分割体を得る場合、ウェハレベルパッケージを個々の半導体パッケージへと分割する場合、イメージセンサパッケージ用積層体をダイシングして個々のイメージセンサパッケージへと分割する場合においても、上記と同様の効果を得ることができる。
　また、表示装置の表示面を構成するガラス片を得るために、該ガラス片を得るためのガラス板をダイシングして複数枚のガラス片へと個片化する場合においても、上記と同様の効果を得ることができる。

　－１５℃及び２５における引張貯蔵弾性率は、以下のようにして測定された値を意味する。
　詳しくは、長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚み５０μｍの保護層１０ａを試験片とし、固体粘弾性測定装置（例えば、型式ＲＳＡＩＩＩ、ＴＡインスツルメント社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、ひずみ量０．１％、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２０ｍｍの条件において、－４０℃～８０℃の温度範囲での前記試験片の引張貯蔵弾性率を測定する。
　その際、－１５℃での値を読み取ることにより、－１５℃における引張貯蔵弾性率を求めることができ、２５℃での値を読み取ることにより、２５℃における引張貯蔵弾性率を求めることができる。
　なお、前記測定は、前記試験片を長さ方向に引っ張ることにより行う。

　第１実施形態に係る保護シート１０においては、保護層１０ａは、表面自由エネルギーが２５ｍＪ／ｍ^２以上８５ｍＪ／ｍ^２以下であることが好ましく、３５ｍＪ／ｍ^２以上７５ｍＪ／ｍ^２以下であることがより好ましい。
　保護層１０ａでは、第１はく離ライナー１０ｂと当接する面、及び、第２はく離ライナー１０ｃと当接する面の両面について、表面自由エネルギーが上記数値範囲内であることが好ましい。
　保護層１０ａにおいて、両面側の表面自由エネルギーが上記数値範囲内であることにより、第１はく離ライナー１０ｂ及び第２はく離ライナー１０ｃとの密着力が制御し易くなる。
　また、少なくとも、半導体ウェハに貼り付ける側の面（例えば、第１はく離ライナー１０ｂと当接する面）の表面自由エネルギーが上記数値範囲内であることにより、半導体ウェハへの密着性を比較的高くすることができる。これにより、保護シート１０が取り付けた状態の半導体ウェハを用いて、複数の個片化された半導体チップを製造するときに、半導体ウェハの表面から保護シート１０がはく離し難くなるので、工程安定性を高めることができる。

　表面自由エネルギーは、以下のようにして測定することができる。

　まず、温度２０℃、相対湿度６５％ＲＨの条件下において、保護層１０ａの表面に接触させた水滴（Ｈ_２Ｏ）の接触角およびヨウ化メチレン（ＣＨ_２Ｉ_２）の液滴の接触角を、接触角計を用いてそれぞれ測定する。
　次に、水滴の接触角θｗの測定値およびヨウ化メチレンの液滴の接触角θｉの測定値から、以下のようにして、表面自由エネルギーを算出する。
　詳しくは、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ，ｖｏｌ．１３，ｐ１７４１－１７４７（１９６９）に記載のＯｗｅｎｓらの方法にしたがって、γｓ^ｄ（表面自由エネルギーの分散成分）およびγｓ^ｈ（表面自由エネルギーの極性成分）を求める。
　そして、γｓ^ｄおよびγｓ^ｈを加算して得られる値γｓ（＝γｓ^ｄ＋γｓ^ｈ）を、保護層１０ａの表面自由エネルギーとする。
　γｓ^ｄ（分散成分）およびγｓ^ｈ（極性成分）それぞれの値は、下記式（１）及び（２）の二元連立方程式の解として得られる。

　なお、式（１）及び（２）において、γｗは水の表面自由エネルギー、γｗ^ｄは水の表面自由エネルギーの分散成分、γｗ^ｈは水の表面自由エネルギーの極性成分、γｉはヨウ化メチレンの表面自由エネルギー、γｉ^ｄはヨウ化メチレンの表面自由エネルギーの分散成分、γｉ^ｈはヨウ化メチレンの表面自由エネルギーの極性成分であり、下記の通り既知の値である。

　γｗ＝７２．８［ｍＪ／ｍ^２］
　γｗ^ｄ＝２１．８［ｍＪ／ｍ^２］
　γｗ^ｈ＝５１．０［ｍＪ／ｍ^２］
　γｉ＝５０．８［ｍＪ／ｍ^２］
　γｉ^ｄ＝４８．５［ｍＪ／ｍ^２］
　γｉ^ｈ＝２．３［ｍＪ／ｍ^２］

　具体的には、保護層１０ａにおいて、一方の面（半導体ウェハに貼り付けられる側の面）の表面自由エネルギーを測定する。
　水滴及びヨウ化メチレンの液滴の接触角をそれぞれ測定し、５回の測定値の平均値を採用する。
　なお、接触角の測定は、１ｍＬの液を前記一方の面上に垂らして５秒以内の接触角を測定することにより行う。
　接触角の各測定値から分散成分と極性成分とを算出し、それらを加算することによって表面自由エネルギーを求める。
　なお、保護層１０ａにおいて、他方の面（半導体ウェハに貼り付けられる側と反対側の面）の表面自由エネルギーも、上記と同様にして求めることができる。

　保護層１０ａの厚さは、２μｍ以上７０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上４０μｍ以下であることがさらに好ましい。
　保護層１０ａの厚さは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ－２０５）を用いて、ランダムに選んだ任意の５点の厚さを測定し、これらの厚さを算術平均することにより求めることができる。

　ところで、後述するように、保護シート１０は、第１はく離ライナー１０ｂを保護層１０ａからはく離して保護層１０ａの一方面を露出した状態とした後で、保護層１０ａの露出面を、両面に複数の電極部を備え且つ少なくとも一方面が回路が形成される回路形成面となっている半導体ウェハの少なくとも一の回路形成面に取付け、さらに、第２はく離ライナー１０ｃを保護層１０ａからはく離した状態で、すなわち、保護層１０ａのみが前記半導体ウェハの一方面に取り付けられた状態で、ステルスダイシングなどのダイシング処理に供される。
　そのため、保護層１０ａは、ステルスダイシングなどのダイシング処理により割断可能であることが好ましい。
　なお、ダイシング処理は、ブレードダイシングやレーザダイシングによって実施されてもよいし、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒｅ　Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）法によって実施されてもよい。
　また、レーザダイシングはレーザアブレーション方式で実施されることが好ましい。
　なお、保護層１０ａが、前記ポリエチレンオキシドを含んでいる場合には、該保護層１０ａが取りけられた半導体ウェハは、必ずしも割断性に優れるものではないことから、このような場合には、ステルスダイシング以外の方法で、ダイシング処理を実施することが好ましい。
　ここで、後述するように、保護シート１０の保護層１０ａは、ダイシング処理後には、低温（－２０℃～５℃）でのエキスパンド処理に供されることから、保護層１０ａは、－１５℃における破断伸びが１００％以下であることが好ましい。
　－１５℃における破断伸びが１００％以下であることにより、保護層１０ａに低温でのエキスパンド処理を実施したときに、割断後に得られる半導体チップのチップサイズに相当する大きさを有するように、保護層１０ａを容易に個片化することができる。

　第１はく離ライナー１０ｂとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等などの樹脂を用いて作製された基材シートに、離型処理を施したものが挙げられる。
　離型処理としては、シリコーン離型処理などが挙げられる。
　このようなはく離ライナーとしては、例えば、三菱ケミカル社製の製品名ＭＲＡ５０が挙げられる。
　また、第２はく離ライナー１０ｃも、第１はく離ライナー１０ｂと同様のものを用いることができる。

　第１はく離ライナー１０ｂ及び第２はく離ライナー１０ｃの厚みは、１５μｍ以上７５μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上６０μｍ以下であることがより好ましい。
　第１はく離ライナー１０ｂの厚み及び第２はく離ライナー１０ｃの厚みは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
　第１はく離ライナー１０ｂ及び第２はく離ライナー１０ｃの厚みは、保護層１０ａの厚さと同様にして求めることができる。

（第２実施形態）
　第２実施形態に係る保護シート１０においては、保護層１０ａは、硬化反応により接着性が低下する硬化性樹脂組成物で構成されている。
　第２実施形態に係る保護シート１０においては、硬化反応により接着性が低下する硬化性樹脂組成物は、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの硬化性樹脂を含んでいることが好ましい。
　これらの硬化性樹脂は、単独で用いられてもよいし、複数種を組み合わせて用いられてもよい。
　前記硬化性樹脂としては、アクリル樹脂を用いることが好ましい。
　第２実施形態に係る保護シート１０においては、保護層１０ａは、例えば、はく離ライナー上に、硬化反応により接着性が低下する余剰な液分を含む硬化性樹脂組成物（以下、第２保護層形成組成物という）を塗布して乾燥させることにより形成される。

　前記硬化性樹脂がアクリル樹脂の場合、保護層１０ａは、前記アクリル樹脂を４０質量％以上含んでいることが好ましく、６０質量％以上含んでいることがより好ましく、８０質量％以上含んでいることがさらに好ましい。
　また、保護層１０ａは、前記アクリル樹脂を９８質量％以下含んでいることが好ましく、９５質量％以下含んでいることがより好ましい。

　前記アクリル樹脂は、質量平均分子量Ｍｗが５万以上２００万以下であることが好ましい。前記アクリル樹脂の質量平均分子量Ｍｗが上記数値範囲内であることにより、保護層１０ａを前記半導体ウェハの一方面により十分に密着させることができることに加えて、上記したように、保護層１０ａのみが前記半導体ウェハの一方面に取り付けられた状態で、ステルスダイシングなどのダイシング処理に供されるときに、保護層１０ａをより十分に割断することができる。
　また、はく離ライナー上にアクリル樹脂を含む第２保護層形成組成物を塗布して保護層１０ａを形成ときに製膜性の低下を抑制することができることに加えて、保護層１０ａにおいて凝集破壊が生じることを抑制することができる。
　そして、凝集破壊が生じることを抑制できることにより、保護層１０ａが脆くなって前記半導体ウェハの一方面に糊残りが生じ易くなることを抑制することができる。
　なお、前記アクリル樹脂の質量平均分子量Ｍｗは、以下の方法により測定した値を意味する。

＜アクリル樹脂の質量平均分子量Ｍｗの測定＞
　前記アクリル樹脂の質量平均分子量Ｍｗの測定は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ）により行う。
　測定条件は以下の通りである。
　なお、質量平均分子量Ｍｗはポリスチレン換算にて算出する。

・測定装置：製品名ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣ（東ソー社製）
・カラム：品番ＴＳＫｇｅｌ　ＧＭＨ－Ｈ（Ｓ）（東ソー社製）の２本を直列に連結
・流量：０．５ｍＬ／ｍｉｎ
・溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
・注入試料濃度：０．１質量％
・検出器：示差屈折計

　前記アクリル樹脂としては、主成分としてのベースポリマーとして、アクリル系ポリマーを含むとともに、活性エネルギー線によって重合する炭素－炭素二重結合等の官能基を有する重合性モノマー成分や重合性オリゴマー成分を含むものが好ましい。
　このようなアクリル樹脂は、活性エネルギー線の照射前においては比較的高い粘着性を有しているため（高粘着状態であるため）、保護層１０ａが該アクリル樹脂を含んでいる場合には、前記半導体チップに保護層１０ａを十分に接着しておくことができる。
　一方で、このようなアクリル樹脂は、活性エネルギー線の照射によって硬化した後においては粘着性が低下して（低粘着状態となって）、前記半導体チップから比較的容易に取り外すことができる。
　なお、活性エネルギー線としては、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、またはＸ線などが挙げられる。

　前記アクリル系ポリマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。
　前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）、エチルアクリレート（ＥＡ）、ブチルアクリレート（ＢＡ）、２－エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）、イソノニルアクリレート（ＩＮＡ）、ラウリルアクリレート（ＬＡ）、４－アクリロイルモルホリン（ＡＭＣＯ）、２－イソシアナトエチル＝メタアクリレート（ＭＯＩ）等を構成単位として用いることが好ましい。
　これらのアクリル系ポリマーは、上記のごとき（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものを１種のみで用いてもよいし、上記のごとき（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものを２種以上組み合わせて用いてもよい。

　前記重合性モノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、および、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　前記重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系などの種々のオリゴマーが挙げられる。
　前記第２保護層形成組成物中の重合性モノマー成分や重合性オリゴマー成分の含有割合は、保護層１０ａの粘着性を適切に低下させる範囲で選ばれる。

　保護層１０ａは、外部架橋剤を含んでいてもよい。外部架橋剤としては、ベースポリマー（例えば、アクリル系ポリマー）と反応して架橋構造を形成できるものであれば、どのようなものでも用いることができる。このような外部架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物、アジリジン化合物、及び、メラミン系架橋剤等が挙げられる。

　保護層１０ａが外部架橋剤を含む場合、保護層１０ａは、前記アクリル樹脂の１００質量部に対して、外部架橋剤を０．１質量部以上１０質量部以下含むことが好ましく、０．５質量部以上８質量部以下含むことがより好ましい。

　保護層１０ａは、光重合開始剤を含むことが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、α－ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、及び、アシルホスフォナート等が挙げられる。

　α－ケトール系化合物としては、例えば、４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル（２－ヒドロキシ－２－プロピル）ケトン、α－ヒドロキシ－α，α’－ジメチルアセトフェノン、２－メチル－２－ヒドロキシプロピオフェノン、および、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンが挙げられる。
　アセトフェノン系化合物としては、例えば、メトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）－フェニル］－２－モルホリノプロパン－１、および、２－ヒドロキシ－１－（４－（４－（２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオニル）ベンゾイル）フェニル）－２－メチルプロパン－１－オンが挙げられる。
　ベンゾインエーテル系化合物としては、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、および、アニソインメチルエーテルが挙げられる。
　ケタール化合物としては、例えば、ベンジルジメチルケタール化合物が挙げられる。
　芳香族スルホニルクロリド系化合物としては、例えば、２－ナフタレンスルホニルクロリドが挙げられる。
　光活性オキシム系化合物としては、例えば、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシムが挙げられる。
　ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイン安息香酸、および、３，３’－ジメチル－４－メトキシベンゾフェノンが挙げられる。
　チオキサントン系化合物としては、例えば、チオキサントン、２－クロロチオキサントン、２－メチルチオキサントン、２，４－ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，４－ジクロロチオキサントン、２，４－ジエチルチオキサントン、および、２，４－ジイソプロピルチオキサントンが挙げられる。
　これらの中でも、２－ヒドロキシ－１－（４－（４－（２－ヒドロキシ－２メチルプロピオニル）ベンゾイル）フェニル）－２－メチルプロパン－１－オン（市販品としては、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ社製のＯｍｎｉｒａｄ　１２７）を用いることが好ましい。

　保護層１０ａは、前記光重合開始剤を、前記アクリル樹脂の１００質量部に対して０．１質量部以上１０質量部以下含むことが好ましく、０．５質量部以上７質量部以下含むことがより好ましく、０．７５質量部以上５質量部以下含むことがさらに好ましい。

　保護層１０ａは、上記した以外の他の成分を含んでいてもよい。
　前記他の成分としては、可塑剤、充填剤、老化防止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、耐熱安定剤、帯電防止剤、界面活性剤、軽剥離化剤などが挙げられる。

　ポリウレタン樹脂としては、活性エネルギー線（例えば、紫外線）によって硬化するポリウレタン樹脂が挙げられる。
　このようなポリウレタン樹脂としては、ウレタンポリマーを主鎖とし、側鎖にメタクリロイル基などの不飽和基が導入されたものが挙げられる。
　このようなポリウレタン樹脂の具体例としては、例えば、大成ファインケミカル社製の商品名８ＵＨ－１０９４、８ＵＨ－４００５Ａ、８ＵＨ－４０２５Ａなどが挙げられる。
　なお、ポリウレタン樹脂を用いる場合には、保護層１０ａは、上記したアクリル樹脂の含有割合と同様な割合で、前記ポリウレタン樹脂を含有していることが好ましい。

　エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、及び、グリシジルアミン型のエポキシ樹脂が挙げられる。
　ここで、エポキシ樹脂は熱硬化させて用いられるものであることから、前記第２保護層形成組成物及び保護層１０ａが、エポキシ樹脂を含む場合には、さらに、エポキシ樹脂の硬化剤を含むことが好ましい。
　前記エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール樹脂を含むことが好ましい。
　前記フェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、及び、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレンが挙げられる。
　なお、エポキシ樹脂を用いる場合には、保護層１０ａは、前記エポキシ樹脂を５質量％以上７０質量％以下含有していることが好ましく、前記フェノール樹脂を１０質量％以上８０質量％以下含有していることが好ましい。

　シリコーン樹脂としては、付加型シリコーン樹脂、縮合型シリコーン樹脂などが挙げられる。
　なお、シリコーン樹脂は、通常、熱硬化させて用いられる。
　前記付加型シリコーン樹脂としては、白金系化合物を触媒としてアルケニル基含有ポリジアルキルシクロヘキサンとポリジアルキルハイドロジェンポリシロキサンとを付加反応により硬化させて得られるものが挙げられる。
　前記縮合型シリコーン樹脂としては、スズ系触媒を用いたメチロール基含有ポリジアルキルシロキサンとポリジアルキルハイドロジェンポリシロキサンとを反応させて得られるものが挙げられる。
　前記付加型シリコーン樹脂としては、例えば、信越化学工業社製の「ＫＳ－７７６Ａ」、「ＫＳ－８３９Ｌ」などが挙げられ、前記縮合型シリコーン樹脂としては、例えば、信越化学工業社製の「ＫＳ－７２３Ａ」、「ＫＳ－７２３Ｂ」などが挙げられる。
　なお、シリコーン樹脂を用いる場合には、保護層１０ａは、上記したアクリル樹脂の含有割合と同様な割合で、前記シリコーン樹脂を含有していることが好ましい。

　第２実施形態に係る保護シート１０においては、硬化前におけるベアウェハに対する保護層１０ａの密着力が０．１Ｎ／１００ｍｍ以上５０Ｎ／１００ｍｍ以下であることが好ましく、０．５Ｎ／１００ｍｍ以上４０Ｎ／１００ｍｍ以下であることがより好ましく、１Ｎ／１００ｍｍ以上３０Ｎ／１００以下であることがさらに好ましい。
　また、硬化後におけるベアウェハに対する保護層１０ａの密着力が、０．０１Ｎ／１００ｍｍ以上１０Ｎ／１００ｍｍ以下であることが好ましく、０．０３Ｎ／１００ｍｍ以上６Ｎ／１００ｍｍ以下であることがより好ましく、０．０５Ｎ／１００ｍｍ以上３Ｎ／１００ｍｍ以下であることがさらに好ましい。
　硬化前におけるベアウェハに対する保護層１０ａの密着力は、第１実施形態において説明したのと同様の方法で測定することができる。
　硬化後におけるベアウェハに対する保護層１０ａの密着力は、保護層１０ａを硬化させた後に測定を行うこと以外は、第１実施形態における説明したのと同様の方法で測定することができる。
　なお、活性エネルギー線として、紫外線（ＵＶ）を用いる場合には、ＵＶの積算照射量が２００ｍＪ／ｃｍ^２～５００ｍＪ／ｃｍ^２となるように、紫外線を照射して保護層１０ａを硬化させる。
　また、熱硬化させる場合には、硬化性樹脂が硬化する温度（例えば、エポキシ樹脂では１７０℃）で所定時間（例えば、エポキシ樹脂では１時間）加熱処理することにより、保護層１０ａを硬化させる。

　第２実施形態に係る保護シート１０においても、保護層１０ａは、－１５℃における破断強度が２００ＭＰａ以下であることが好ましく、１００ＭＰａ以下であることがより好ましく、５０ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。
　また、第２実施形態に係る保護シート１０においても、保護層１０ａは、－１５℃における破断強度が０．０１ＭＰａ以上であることが好ましく、０．０５ＭＰａ以上であることがより好ましく、０．１ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。
　さらに、第２実施形態に係る保護シート１０においても、保護層１０ａは、－１５℃における破断伸びが１００％以下であることが好ましく、８０％以下であることがより好ましく、５０％以下であることがさらに好ましい。
　また、第２実施形態に係る保護シート１０においても、保護層１０ａは、－１５℃における破断伸びが０．１％以上であることが好ましく、０．３％以上であることがより好ましく、０．５％以上であることがさらに好ましい。
　さらに、第２実施形態に係る保護シート１０においては、硬化前及び硬化後の両方において、－１５℃における破断強度、及び、－１５℃における破断伸びが、上記数値範囲内であることが好ましい。
　－１５℃における破断強度、及び、－１５℃における破断伸びは、第１実施形態において説明したのと同様の方法で測定することができる。

　第２実施形態に係る保護シート１０においては、保護層１０ａは、硬化後において、－１５℃における引張貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上３０ＧＰａ以下であることが好ましく、１０ＭＰａ以上２０ＧＰａ以下であることがより好ましく、１００ＭＰａ以上１５ＧＰａ以下であることがさらに好ましい。
　また、第２実施形態に係る保護シート１０においては、保護層１０ａは、硬化後において、２５℃における引張貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上２０ＧＰａ以下であることが好ましく、５ＭＰａ以上１５ＧＰａ以下であることがより好ましく、１０ＭＰａ以上１０ＧＰａ以下であることがさらに好ましい。
　硬化後の保護層１０ａについての－１５℃における引張貯蔵弾性率、及び、硬化後の保護層１０ａについての２５℃における引張貯蔵弾性率は、保護層１０ａを硬化させた後に測定を行うこと以外は、第１実施形態において説明したのと同様の方法で測定することができる。
　なお、保護層１０ａの硬化は上記と同様にして行うことができる。
　さらに、第２実施形態に係る保護シート１０においては、保護層１０ａは、硬化前において、２５℃における引張貯蔵弾性率が１０ＧＰａ以下であることが好ましく、１ＧＰａ以下であることがより好ましい。
　硬化前の保護層１０ａについての２５℃における引張貯蔵弾性率は、第１実施形態において説明したのと同様の方法で測定することができる。

　また、第２実施形態に係る保護シート１０においても、保護層１０ａの厚さは、第１実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａと同様の厚さであることが好ましい。
　さらに、第２実施形態に係る保護シート１０においても、第１はく離ライナー１０ｂ及び第２はく離ライナー１０ｃとして、第１実施形態に係る保護シート１０で説明したのと同様のものを用いることができる。

［保護対象面への保護シートの貼合態様］
　以下、図４Ａ～４Ｅを参照しながら、保護対象面を有する電子部品が半導体チップである場合を例に挙げて、保護対象面への本実施形態に係る保護シート１０の貼合態様について説明する。
　図４Ａ及び図４Ｂでは、半導体チップ５０として、半導体チップ本体５０ａと、半導体チップ本体５０ａの両面に対となる２個の電極部５０ｂとを備えるものを示している。
　そして、図４Ａ及び図４Ｂでは、半導体チップ本体５０ａの一方面が、回路が形成される回路形成面となっている。なお、図４Ａ及び４Ｂにおいては、回路形成面側において回路が形成される領域を回路形成領域５０ｃとして示している。
　また、図４Ｃ～４Ｅでは、半導体チップ５０として、半導体チップ本体５０ａと、半導体チップ本体の一方面に１個の電極部５０ｂとを備えるものを示している。
　そして、図４Ｃでは、前記回路形成面（回路形成領域５０ｃに含まれる面）上に１個の電極部５０ｂが備えられており、図４Ｄ及び４Ｅでは、前記回路形成面と反対側の面上に１個の電極部５０ｂが備えられている。

　図４Ａに示したように、本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａは、半導体チップ本体５０ａの両面に対となる２個の電極部５０ｂを備え、かつ、一方面が回路形成面となっている半導体チップ５０において、前記回路形成面を保護するように貼合されることができる。
　すなわち、図４Ａに示した例では、電極部５０ｂを備える回路形成面が保護対象面となっている。
　本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａがこのように貼合されることにより、保護層１０ａによって前記回路形成面と該回路形成面に備えられる電極部５０ｂとを保護することができる。
　このような貼合態様は、半導体ウェハ本体と、該半導体ウェハ本体の両面に対となる複数の電極部とを備え、かつ、前記半導体ウェハ本体の両面が回路形成面となっている半導体の前記回路形成面と反対側の面側をダイシング装置のステージに当接させて前記ステージ上に前記半導体ウェハを載置した状態とし、前記ステージ上に載置された前記半導体ウェハを複数の半導体チップへと個片化するときに、特に有用である。
　具体的には、前記半導体ウェハを割断して複数の半導体チップに個片化するときに、割断部付近の前記半導体ウェハの一部が粉状化して微細な異物が発生したとしても、前記微細な異物が、前記回路形成面に数多く付着して残存することを抑制することができる。

　また、図４Ｂに示したように、本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａは、半導体チップ本体５０ａの両面に対となる２個の電極部５０ｂを備え、かつ、一方面が回路形成面となっている半導体チップ５０において、前記回路形成面と反対側の面を保護するように貼合されることもできる。
　すなわち、図４Ｂに示した例では、電極部５０ｂを備える、前記回路形成面とは反対側の面が保護対象面となっている。
　本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａがこのように貼合されることにより、保護層１０ａによって前記回路形成面とは反対側の面と該面に備えられる電極部５０ｂとを保護することができる。
　このような貼合態様は、半導体ウェハ本体と、該半導体ウェハ本体の両面に対となる複数の電極部とを備え、かつ、前記半導体ウェハ本体の両面が回路形成面となっている半導体ウェハの回路形成面側をダイシング装置のステージに当接させて前記ステージ上に半導体ウェハを載置した状態とし、前記ステージ上に載置された半導体ウェハを複数の半導体チップへと個片化するときに、特に有用である。
　具体的には、前記半導体ウェハを割断して複数の半導体チップに個片化するときに、上で説明したような微細な異物が発生したとしても、前記微細な異物が、前記回路形成面とは反対側の面に数多く付着して残存することを抑制することができる。

　さらに、図４Ｃに示したように、本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａは、半導体チップ本体５０ａの一方面が回路形成面となっており、かつ、前記回路形成面上のみに１個の電極部５０ｂが備えられている半導体チップ５０において、前記回路形成面を保護するように貼合されることもできる。
　すなわち、図４Ｃに示した例でも、電極部５０ｂを備える回路形成面が保護対象面となっている。
　本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａがこのように貼合されることにより、保護層１０ａによって前記回路形成面と該回路形成面に備えられる電極部５０ｂとを保護することができる。
　このような貼合態様は、半導体ウェハ本体を備え、前記半導体ウェハ本体の一方面が回路形成面となっており、かつ、前記回路形成面上のみに複数の電極部を備える半導体ウェハの回路形成面と反対側の面側をダイシング装置のステージに当接させて前記ステージ上に半導体ウェハを載置した状態とし、前記ステージ上に載置された半導体ウェハを複数の半導体チップへと個片化するときに、特に有用である。
　具体的には、前記半導体ウェハを割断して複数の半導体チップに個片化するときに、上で説明したような微細な異物が発生したとしても、前記微細な異物が、前記回路形成面に数多く付着して残存することを抑制することができる。

　また、図４Ｄに示したように、本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａは、半導体チップ本体５０ａの一方面が回路形成面となっており、かつ、前記回路形成面と反対側の面上のみに１個の電極部５０ｂが備えられている半導体チップ５０において、前記回路形成面とは反対側の面を保護するように貼合されることもできる。
　すなわち、図４Ｄに示した例でも、電極部５０ｂを備える、前記回路形成面とは反対側の面が保護対象面となっている。
　本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａがこのように貼合されることにより、保護層１０ａによって前記回路形成面とは反対側の面と該面に備えられる電極部５０ｂとを保護することができる。
　このような貼合態様は、半導体ウェハ本体を備え、前記半導体ウェハ本体の一方面が回路形成面となっており、かつ、前記回路形成面と反対側の面上のみに複数の電極部を備える半導体ウェハの回路形成面側をダイシング装置のステージに当接させて前記ステージ上に前記半導体ウェハを載置した状態とし、前記ステージ上に載置された前記半導体ウェハを複数の半導体チップへと個片化するときに、特に有用である。
　具体的には、前記半導体ウェハを割断して複数の半導体チップに個片化するときに、上で説明したような微細な異物が発生したとしても、前記微細な異物が、前記回路形成面とは反対側の面に数多く付着して残存することを抑制することができる。

　さらに、図４Ｅに示したように、本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａは、半導体チップ本体５０ａの一方面が回路形成面となっており、かつ、前記回路形成面と反対側の面上のみに１個の電極部５０ｂが備えられている半導体チップ５０において、前記回路形成面を保護するように貼合されることもできる。
　すなわち、図４Ｅに示した例では、電極部５０ｂを備えない前記回路形成面が保護対象面となっている。
　本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａがこのように貼合されることにより、保護層１０ａによって前記回路形成面を保護することができる。
　このような貼合態様は、半導体ウェハ本体を備え、前記半導体ウェハ本体の一方面が回路形成面となっており、かつ、前記回路形成面と反対側の面上のみに複数の電極部を備える半導体ウェハの回路形成面側と反対側の面をダイシング装置のステージに当接させて前記ステージ上に前記半導体ウェハを載置した状態とし、前記ステージ上に載置させた前記半導体ウェハを複数の半導体チップへと個片化することに、特に有用である。
　具体的には、前記半導体ウェハを割断して複数の半導体チップに個片化するときに、上で説明したような微細な異物が発生したとしても、前記微細な異物が、前記回路形成面に数多く付着して残存することを抑制することができる。

　なお、図４Ａ～４Ｅでは、本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａを半導体チップに一方面のみに貼合する例について示しているが、必要に応じて、保護層１０ａは、半導体チップの両面に貼合されてもよい。

　また、図４Ａ～４Ｅでは、保護対象面が半導体チップの一方面である例について示しているが、保護対象面は、他の電子部品の保護対象面であってもよい。
　例えば、半導体チップを得るための半導体ウェハの少なくとも一方面であってもよいし、支持基板と該支持基板上に複数の半導体チップを配した状態で前記複数の半導体チップを一括して樹脂封止して形成されるパッケージ体とを備える疑似ウェハ、すなわち、前記支持基板と前記パッケージ体とが一体とされている疑似ウェハの少なくとも一方面であってもよいし、前記パッケージ体から前記支持基板が取り外されて構成されている疑似ウェハ、すなわち、前記パッケージ体のみで構成されている疑似ウェハの少なくとも一方面であってもよいいし、少なくとも１つの半導体チップを含む構成単位ごとに前記疑似ウェハを分割した疑似ウェハの分割体の少なくとも一方面であってもよいし、回路基板の少なくとも一方面であってもよいし、前記回路基板が複数連接されて構成された連接回路基板の少なくとも一方面であってもよい。
　なお、前記疑似ウェハが少なくとも一方面に再配線層を備えている場合には、前記疑似ウェハや前記疑似ウェハの分割体においては、本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａは、これらに形成された前記再配線層などを保護するために貼合される。
　このように、前記再配線層などを保護するように、本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａを前記疑似ウェハに貼合しておくことにより、前記疑似ウェハを割断して前記疑似ウェハの分割体を得るときに、割断部付近の封止樹脂の一部が粉状化して微細な異物が発生したとしても、前記微細な異物が、前記再配線層などに数多く付着して残存することを抑制することができる。
　また、前記回路基板や前記連接回路基板においては、本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａは、これらに形成された回路などを保護するために貼合される。
　このように、前記回路などを保護するように、本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａを前記連接回路基板に貼合しておくことにより、前記連接回路基板を割断して前記回路基板を複数得るときに、前記連接回路基板の支持基板を構成している樹脂が粉状化して微細な異物が発生したとしても、前記微細な異物が、前記回路などに数多く付着して残存することを抑制することができる。

　また、他の電子部品の保護対象面は、回路基板と該回路基板上に取り付けられた複数の半導体パッケージとを備えるウェハレベルパッケージの少なくとも一方面であってもよいし、前記ウェハレベルパッケージが個片化された半導体パッケージの少なくとも一方面であってもよい。
　前記ウェハレベルパッケージにおいて、複数の半導体パッケージの一方面はガラス片の一表面で構成されていてもよい。
　前記ウェハレベルパッケージにおいて、複数の半導体パッケージの一方面がガラス片の一表面で構成されている場合、本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａは、複数の半導体パッケージの一方面を構成する前記ガラス片の一表面を保護するために貼合される。
　このように、前記ガラス板の一表面を保護するように、本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａを前記ウェハレベルパッケージに貼合しておくことにより、前記ウェハレベルパッケージの回路基板部分を割断して前記半導体パッケージを得るときに、割断部付近の回路基板の一部が粉状化して微細な異物が発生したとしても、前記微細な異物が、前記ガラス板の一表面に数多く付着して残存することを抑制することができる。

　さらに、他の電子部品の保護対象面は、一表面に複数の回路が形成されたセンサウェハ本体と、平面視において前記センサウェハ本体と略同一寸法を有し、かつ、接着剤やガラスフリットなどで構成された接着層を介して前記センサウェハ本体の一表面（複数の回路が形成された面）に積層されたガラス板と、を備えるイメージセンサパッケージ用積層体の少なくとも一方面であってもよいし、前記イメージセンサパッケージ用積層体が個片化されたイメージセンサパッケージの少なくとも一方面であってもよい。
　前記イメージセンサパッケージ用積層体においては、本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａは、例えば、前記ガラス板の一表面を保護するために貼合される。
　また、前記イメージセンサパッケージにおいては、本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａは、例えば、前記ガラス板が割断されることにより得られるガラス片の一表面を保護するために貼合される。
　このように、前記ガラス板の一表面を保護するように、本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａを前記イメージセンサパッケージ用積層体に貼合しておくことにより、前記イメージセンサパッケージ用積層体を割断して前記イメージセンサパッケージを得るときに、割断部付近のセンサウェハ本体などの一部が粉状化して微細な異物が発生したとしても、前記微細な異物が、前記イメージセンサパッケージの前記ガラス片の一表面に付着して残存することを抑制することができる。

　また、本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａの保護対象は、上記したように、電子部品の保護対象面ではなく、表示装置の表示面を構成するガラス片の一表面であってもよいし、前記ガラス片を得るためのガラス板の一表面であってもよい。
　このように、本実施形態に係る保護シート１０の保護層１０ａを、前記ガラス片を得るためのガラス板の一表面に貼合しておくことにより、前記ガラス板を割断して複数のガラス片を得るときに、割断部付近のガラス板の一部が粉状化して微細な異物が発生したとしても、前記微細な異物が、前記ガラス片の一表面（表示装置の表示面）に付着して残存することを抑制することができる。

［保護シートの使用方法］
　本実施形態に係る保護シート１０は、電子部品装置を製造するための補助用具として使用される。
　以下、電子部品装置として半導体装置を製造する場合において、本実施形態に係る保護シート１０の使用の具体例について説明する。
　なお、以下では、本実施形態に係る保護シート１０を使用して、ＴＳＶ形式の半導体チップを得る例について説明する。

　本実施形態に係る半導体装置の製造においては、本実施形態に係る保護シート１０は、電極部を有する半導体ウェハの前記電極部を保護するように取り付けられて用いられる。
　前記半導体ウェハは、半導体ウェハ本体と、該半導体ウェハ本体の両面のそれぞれに複数配されて他の部材の電極部と電気的に接続される電極部と、を備えている。
　半導体ウェハにおいては、前記半導体ウェハ本体は、通常、円盤状の形状を有しており、前記半導体ウェハ本体の寸法としては、例えば、外径１２インチ（３００ｍｍ）、厚み４０μｍ～５０μｍが挙げられる。
　また、前記半導体ウェハでは、前記半導体ウェハ本体の少なくとも一方面が、回路が形成された回路形成面となっている。
　より具体的には、前記半導体ウェハは、半導体チップへと割断されて個片化される各半導体ウェハ本体部分の両面のそれぞれに、他の部材と電気的に接続される少なくとも一対の電極部を備えていている。
　また、前記半導体ウェハでは、半導体チップへと割断されて個片化される各半導体ウェハ本体部分の少なくとも一方面においては、各半導体チップに対応する回路が形成されている。

　このような半導体ウェハとしては、例えば、図５に示したようなものが挙げられる。
　図５に示した半導体ウェハ２０は、半導体ウェハ本体２０ａと、半導体ウェハ本体２０ａの両面に配されて他の部材と電気的に接続される一対の電極部２０ｂ、２０ｃと、一対の電極部２０ｂ、２０ｃを導通するように半導体ウェハ本体２０ａを厚さ方向に貫通する導通部２０ｄと、を備える、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ　Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｖｉａ）形式のものである。
　なお、図５に示した半導体ウェハ２０では、一方面のみ（電極部２０ｂが備えられた側の面のみ）が回路形成面となっている。

　図５に示した半導体ウェハ２０では、導通部２０ｄは、中実な導体で構成されている。
　しかしながら、導通部２０ｄは、一対の電極部２０ｂ、２０ｃの少なくとも一部と接触して、一対の電極部２０ｂ、２０ｃを電気的に接続できるように構成されていればよく、例えば、中空の導体で構成されていてもよい。
　また、図５に示した半導体ウェハ２０では、隣り合う電極部間、具体的には、隣り合う電極部２０ｂ間や隣り合う電極部２０ｃ間において、導通が生じることを抑制するために、半導体ウェハ本体２０ａの両面に、それぞれ絶縁層２０ｅが形成されている。
　なお、図５に示した半導体ウェハ２０では、一方の絶縁層２０ｅの最外表面と各電極部２０ｂの最外表面とは面一となっており、他方の絶縁層２０ｅの最外表面と各電極部２０ｃの最外表面とは面一となっている。
　すなわち、図５に示した半導体ウェハ２０では、各電極部２０ｂは、一方の絶縁層２０ｅから最外表面のみが露出するように半導体ウェハ本体２０ａに備えられており、各電極部２０ｃは、他方の絶縁層２０ｅから最外表面のみが露出するように半導体ウェハ本体２０ａに備えられている。
　一方で、各電極部２０ｂは、一方の絶縁層２０ｅによって全体が覆われるように半導体ウェハ本体２０ａに備えられ、各電極部２０ｃは、他方の絶縁層２０ｅによって全体が覆われるように半導体ウェハ本体２０ａに備えられてもよい。すなわち、各電極部２０ｂは一方の絶縁層２０ｅによって包埋されるように半導体ウェハ本体２０ａに備えられ、各電極部２０ｃは他方の絶縁層２０ｅに包埋されるように半導体ウェハ本体２０ａに備えられてもよい。

　電極部２０ｂ、２０ｃと導通部２０ｄとは、一体に構成されていてもよいし、別体に構成されていてもよい。
　電極部２０ｂ、２０ｃ、及び、導通部２０ｄは、一体とされた状態で、半導体ウェハ本体２０ａを貫通するように形成される導通部貫通穴（スルーホール）に挿通される。
　電極部２０ｂ、２０ｃ、及び、導通部２０ｄを構成する材料としては、銅、アルミニウムなどが挙げられる。
　電極部２０ｂ、２０ｃは、半導体ウェハ本体２０ａの最外表面から５ｎｍ～１０μｍの厚みを有するように、半導体ウェハ本体２０ａに備えられる。
　導通部２０ｄの長さは、前記導通部貫通穴の長さ（すなわち、半導体ウェハ本体２０ａの厚み）と略同一とされる。
　また、導通部２０ｄの寸法・形状は、前記導通部貫通穴の形状に応じて適宜選択される。例えば、前記導通部貫通穴の形状が円筒状である場合には、導通部２０ｄの寸法・形状としては前記導通部貫通穴の外径よりも一回り外径の小さい円筒状が選択される。

　絶縁層２０ｅは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）や窒化ケイ素（ＳｉＮ）などを材料として構成される。
　絶縁層２０ｅは、ＣＶＤ法などにより、半導体ウェハ本体２０ａの両面に形成することができる。
　絶縁層２０ｅの厚みは、電極部２０ｂ、２０ｃの厚みに応じて適宜選択される。

［電子部品の製造方法］
　本実施形態に係る電子部品の製造方法は、
　保護対象面を有する複数の電子部品が前記保護対象面を同一方向に向けて連結された電子部品の連結体について、前記複数の電子部品のそれぞれの前記保護対象面を保護するように保護シートを取り付ける保護シート取付工程Ｓ１と、
　前記保護シートが取り付けられた前記電子部品の連結体を面方向に間隔を空けるように分割して、分割された前記保護シートが取り付けられた前記複数の電子部品を得る電子部品の連結体分割工程Ｓ２と、
　前記複数の電子部品のそれぞれから分割された前記保護シートを除去する保護シート除去工程Ｓ３と、を有する。
　本実施形態に係る電子部品の製造方法では、前記保護シートは、前記保護対象面に貼合される保護層を備える。
　本実施形態に係る電子部品の製造方法では、前記保護層は、水溶性樹脂組成物または硬化により接着力が低下する硬化性樹脂組成物のいずれかで構成されている。

［半導体装置の製造方法］
　次に、電子部品の製造方法の一例として、電極部を両面に有する半導体ウェハ及び本実施形態に係る保護シート１０を用いて、半導体装置を製造する方法について説明する。
　なお、半導体装置を製造する方法においては、「半導体ウェハ」が、上記した電子部品の製造方法における「電子部品の連結体」に相当し、「半導体チップ」が、上記した電子部品の製造方法における「電子部品」に相当する。
　また、半導体装置を製造する方法において、「割断されて個片化される」は「分割される」に包含される概念である。

　半導体装置を製造する方法は、
　半導体ウェハ本体と、該半導体ウェハ本体の両面に配されて他の部材の電極部と電気的に接続される電極部と、を備え、かつ、前記半導体ウェハ本体の少なくとも一方面が、回路が形成される回路形成面となっている、半導体ウェハの少なくとも一の回路形成面に保護シート１０を取り付ける工程（保護シート取付工程Ｓ１ａ）と、
　保護シート１０が取り付けられた前記半導体ウェハ（詳しくは、前記半導体ウェハ本体）を割断して個片化する工程（半導体ウェハ割断工程Ｓ２ａ）と、
　前記半導体ウェハから保護シート１０を除去する工程（保護シート除去工程Ｓ３ａ）と、を有する。
　以下、本実施形態に係る半導体装置を製造する方法について、第１’実施形態及び第２’実施形態を例に挙げてさらに具体的に説明する。
　なお、第１’実施形態及び第２’実施形態では、図５に示した半導体ウェハ２０及び本実施形態に係る保護シート１０を用いて、半導体装置を製造する方法を実施している。

（第１’実施形態）
　まず、図６Ａ～６Ｈを参照しながら、第１’実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
　なお、第１’実施形態に係る半導体装置の製造方法では、保護シート１０として、上記した第１実施形態に係る保護シート１０を用いている。
　すなわち、保護シート１０の保護層１０ａには、水溶性高分子化合物が含まれている。

＜準備工程Ｓ０ａ＞
　第１’に係る半導体装置の製造方法では、図６Ａに示したように、準備工程Ｓ０ａにおいて、半導体ウェハ本体２０ａと、半導体ウェハ本体２０ａの両面に配されて他の部材の電極部と電気的に接続される電極部２０ｂ、２０ｃと、を備え、かつ、半導体ウェハ本体２０ａの一方面（電極部２０ｂが備えられた側の面）に回路が形成される回路形成面を備える半導体チップの前記回路形成面（電極部２０ｂが備えられた側の面）に、支持体たるガラスキャリア３０を取り付ける。
　なお、半導体ウェハ２０としては、半導体ウェハ本体２０ａの寸法が、外径１２インチ（３００ｍｍ）、厚み４０μｍ～５０μｍのものが汎用的に用いられている。
　また、ガラスキャリア３０としては、平面寸法及び平面形状が半導体ウェハ２０の平面形状と略同一であって、厚みが０．５ｍｍ～５ｍｍのものが汎用的に用いられている。
　次に、図６Ｂに示したように、ガラスキャリア３０が取り付けられた半導体ウェハ２０を、基材層４０ａ上に粘着剤層４０ｂが積層されたダイシングテープ４０の粘着剤層４０ｂ上に取り付ける。
　詳しくは、ダイシングテープ４０の粘着剤層４０ｂにダイシングリングＲを取り付けた後、ダイシングテープ４０の粘着剤層４０ｂに、ガラスキャリア３０が取り付けられた半導体ウェハ２０の電極部２０ｃが備えられた側の面（ガラスキャリア３０が取り付けられた面と反対側の面）を取り付ける。
　半導体ウェハ２０は、半導体ウェハ本体２０ａの厚みが２０μｍ～１００μｍと比較的薄いため、それ単体では必ずしも十分な強度を有するものではないが、ガラスキャリア３０に取り付けることにより十分な強度を有した状態で、ダイシングテープ４０の粘着剤層４０ｂ上に取り付けることができる。
　そのため、ダイシングテープ４０の粘着剤層４０ｂ上への取り付け時において、半導体ウェハ本体２０ａが破損することを抑制することができる。
　次に、図６Ｃに示したように、半導体ウェハ２０からガラスキャリア３０を取り外す。

＜保護シート取付工程Ｓ１ａ＞
　第１’に係る半導体装置の製造方法では、図６Ｄに示したように、保護シート取付工程Ｓ１ａにおいて、半導体ウェハ２０上に保護シート１０を取り付ける。
　詳しくは、保護シート１０から第１はく離ライナー１０ｂをはく離させて、保護層１０ａの一方面を露出させて、該露出面を半導体ウェハ２０の一方面（電極部２０ｂが備えられた側の面）に取り付けた後、保護シート１０から第２はく離ライナー１０ｃをはく離させて、保護層１０ａの他方面を露出させた状態で、半導体ウェハ２０上に保護シート１０を取り付ける。
　なお、図６Ｄに示した例では、保護シート１０から第２はく離ライナー１０ｃをはく離させて、保護層１０ａの他方面を露出させているが、保護シート取付工程Ｓ１において、必ずしも、第２はく離ライナー１０ｃをはく離させておく必要はない。
　第２はく離ライナー１０ｃを貼り付けた状態で後述する脆弱部形成工程までを実施して、脆弱部形成工程後に第２はく離ライナー１０ｃをはく離して、半導体ウェハ割断工程Ｓ２ａを実施してもよい。

　次に、図６Ｅに示したように、一方面が保護シート１０（詳しくは、保護層１０ａ）に取り付けられ、他方面がダイシングテープ４０の粘着剤層４０ｂに取り付けられた状態の半導体ウェハ２０を、ステルスダイシング装置のステージＳ上に載置する。
　詳しくは、保護シート１０がステージＳと当接するように、半導体ウェハ２０をステージＳ上に載置する。
　次に、ステルスダイシング装置のレーザ照射光源から、半導体ウェハ２０の内部（すなわち、半導体ウェハ本体２０ａ）に集光点が合わせられたレーザ光を予め求めておいたダイシング位置（分割予定ライン）に沿って照射して、多光子吸収によるアブレーションによって半導体ウェハ２０の内部（すなわち、半導体ウェハ本体２０ａ）に脆弱部ＷＰを形成する（脆弱部形成工程）。脆弱部ＷＰは、半導体ウェハ２０を半導体チップ単位に個片化するための改質領域である。
　半導体ウェハ２０においてレーザ光を照射することによって、分割予定ライン上に脆弱部ＷＰを形成する方法については、例えば、日本国特開２００２－１９２３７０号公報に詳述されているが、当該実施形態におけるレーザ光の照射条件は、例えば、以下の条件の範囲内で適宜調整される。

＜レーザ光の照射条件＞
（Ａ）レーザ光
　レーザ光源；半導体レーザ励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
　波長；１０６４ｎｍ、１０８８ｎｍ、１０９９ｎｍ、または１３４２ｎｍ
　レーザ光スポット断面積；３．１４×１０^－８ｃｍ^２
　発振形態；Ｑスイッチパルス
　繰り返し周波数；１００ｋＨｚ以下
　パルス幅；１μｓ以下
　出力；１ｍＪ以下
　レーザ光品質；ＴＥＭ００
　偏光特性；直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
　倍率；１００倍以下
　ＮＡ；０．５５
　レーザ光波長に対する透過率；１００％以下
（Ｃ）ステージの移動速度；２８０ｍｍ／秒以下

＜半導体ウェハ割断工程Ｓ２ａ＞
　次に、ステルスダイシング装置のステージＳから半導体ウェハ２０を取り除いた後、図６Ｆに示したように、ダイシングリングＲをエキスパンド装置の保持具Ｈに固定するとともに、ダイシングテープ４０の基材層４０ａの両端縁側を保持具Ｈに固定する。
　そして、エキスパンド装置が備える突き上げ部材Ｕを用いて、ダイシングテープ４０を下側から突き上げることによって、ダイシングテープ４０を面方向に広げるように引き伸ばす。これにより、特定の温度条件において、内部に脆弱部ＷＰを有する半導体ウェハ本体２０ａを、脆弱部ＷＰに沿って割断して、複数の半導体チップへと個片化する。
　このとき、半導体ウェハとともに、保護層１０ａもチップ相当サイズに割断されて個片化される。
　前記温度条件は、例えば、－３０℃～５℃であり、好ましくは、－２５℃～０℃、より好ましくは、－２０℃～－５℃である。
　次に、図６Ｇに示したように、突き上げ部材Ｕを下降させることによって、エキスパンド状態を解除する。

＜保護シート除去工程Ｓ３ａ＞
　第１’実施形態に係る半導体装置の製造方法では、保護シート除去工程Ｓ３ａにおいて、エキスパンド装置が備える水洗浄機構を用いて、保護層１０ａに向けて水を加える。
　具体的には、エキスパンド装置の水洗浄機構から、個片化された保護層１０ａに向けて水を加えて（具体的には、噴射して）、各半導体チップの表面から個片化された保護層１０ａを除去することにより、各半導体チップの一表面（ダイシングテープ４０に取り付けられていない側の表面）を露出させる（図６Ｈ参照）。
　水洗浄機構を備えるエキスパンド装置としては、例えば、ディスコ社製の割断装置ＤＤＳ２３００が挙げられる。
　前記エキスパンド装置は、回転可能なステージを備えており、前記水洗浄機構は、個片化された保護層１０ａに向けて水を噴射する水噴射部を備えている。
　そして、前記ステージを回転させながら、個片化された保護層１０ａに向けて前記水噴射部から水を噴射することにより、水によって溶かされた保護層１０ａがステージの外部に排出されることとなる。
　このような装置において、ステージの回転速度は、５００ｒｐｍ～４０００ｒｐｍであることが好ましく、水の噴射量（水量）は、０．０５Ｌ／ｍｉｎ～５．０Ｌ／ｍｉｎであることが好ましく、水の噴射時間は、５秒～３００秒であることが好ましい。
　また、保護シート除去工程Ｓ３ａは、水を高圧で噴射することによって行ってもよい。水を噴射するときの圧力は、噴射対象物である半導体チップのサイズや、半導体チップと保護シート（個片化された保護シート）との密着力のバランスなどを考慮して適宜設定することができる。

　上記のようにして、一表面が露出された各半導体チップは、ピン部材と吸着治具とを備えるピックアップ装置によってそれぞれ回収することができる。
　具体的には、ダイシングテープ４０側からピン部材を上昇させて、ダイシングテープ４０を介してピックアップ対象の半導体チップを突き上げ、突き上げられた半導体チップを吸着治具によって保持することにより、各半導体チップを回収することができる。
　そして、図７に示したように、一の半導体チップ２０ａａの一方面の電極部２０ｃは、回路基板ＣＢの電極部ＣＢａに接合され、一の半導体チップ２０ａａの他方面の電極部２０ｂは、他の半導体チップの一方面の電極部２０ｃと接合されるなどを繰り返して、多段に積層された後、モールド処理が施されてパッケージングされることにより、半導体装置とされる。
　なお、回路基板ＣＢの電極部ＣＢａと一の半導体チップ２０ａａの一方面の電極部２０ｃとの接合、および、一の半導体チップ２０ａａの他方面の電極部２０ｂと他の半導体チップ２０ａａの一方面の電極部２０ｃとの接合は、原子拡散接合法などによって接合することができる。
　すなわち、保護シート１０は、他の部材の電極部と直に接合される半導体チップの電極部を保護するように用いられる。

（第２’実施形態）
　次に、図６Ａ～図６Ｃ、図６Ｆ、及び、図６Ｇを参照するとともに、図８Ａ～図８Ｅを参照しながら、第２’実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
　なお、第２’実施形態に係る半導体装置の製造方法では、保護シート１０として、上記した第２実施形態に係る保護シートを用いている。
　すなわち、保護シート１０の保護層１０ａには、樹脂、より具体的には、アクリル樹脂が含まれている。

　＜準備工程Ｓ０ｂ＞
　第２’に係る半導体装置の製造方法でも、第１’実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様にして、準備工程Ｓ０ｂを実施する。
　具体的には、図６Ａ～図６Ｃに示したように、準備工程Ｓ０ｂを実施する。

＜保護シート取付工程Ｓ１ｂ＞
　第２’実施形態に係る半導体装置の製造方法では、保護シート取付工程Ｓ１ｂにおいて、図８Ａに示したように、半導体ウェハ２０上に保護シート１０を取り付ける。
　詳しくは、保護シート１０から第１はく離ライナー１０ｂをはく離させて、保護層１０ａの一方面を露出させて、該露出面を半導体ウェハ２０の一方面（電極部２０ｂが備えられた側の面）に取り付けることにより、保護層１０ａの他方面を露出させない状態で、半導体ウェハ２０上に保護シート１０を取り付ける。
　第２’実施形態に係る半導体装置の製造方法では、保護シート取付工程Ｓ１ｂにおいて、保護層１０ａの他方面を露出させない状態として、保護シート１０を半導体ウェハ２０上に取り付ける点で、第１’実施形態に係る半導体装置の製造方法における保護シート取付工程Ｓ１ａと異なる。
　なお、図６Ａに示した例では、保護シート１０から第２はく離ライナー１０ｃをはく離させずに、第２はく離ライナー１０ｃで保護層１０ａの他方面を覆っているが、保護シート取付工程Ｓ１ｂにおいて、必ずしも、第２はく離ライナー１０ｃで保護層１０ａの他方面を覆っておく必要はない。
　保護シート取付工程Ｓ１ｂにおいて、保護シート１０から第２はく離ライナー１０ｃをはく離させて、保護層１０ａの他方面を露出させておき、後段の脆弱部形成工程を実施してもよい。

　次に、図８Ｂに示したように、保護シート１０の第２はく離ライナー１０ｃを当接させた状態（第２はく離ライナー１０ｃで保護層１０ａの他方面を覆った状態）で、半導体ウェハ２０をステルスダイシング装置のステージＳ上に載置する以外は、第１’実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様にして、半導体ウェハ本体２０ａの内部に脆弱部ＷＰを形成する（脆弱部形成工程）。

　次に、ステルスダイシング装置のステージＳから半導体ウェハ２０を取り除いた後、図８Ｃに示したように、ＵＶ（紫外線）照射光源（例えば、日東精機製の商品名「ＵＭ－８１０」（高圧水銀ランプ、６０ｍＷ／ｃｍ^２））を用いて、第２はく離ライナー１０ｃ側からＵＶを照射して、保護層１０ａを硬化させる（保護層硬化工程）。
　保護層１０ａに含まれる樹脂がアクリル樹脂である場合、ＵＶの積算照射量は、２００ｍＪ／ｃｍ^２～５００ｍＪ／ｃｍ^２であることが好ましい。
　そして、図６Ｄに示したように、硬化させた保護層１０ａから第２はく離ライナー１０ｃを除去する（はく離ライナー除去工程）。

＜半導体ウェハ割断工程Ｓ２ｂ＞
　第２’に係る半導体装置の製造方法では、図６Ｆ及び図６Ｇに示したように、第１’に係る半導体装置の製造方法で説明したのと同様にして、半導体ウェハ割断工程Ｓ２ｂを実施する。

＜保護シート除去工程Ｓ３ｂ＞
　第２’実施形態に係る半導体装置の製造方法では、保護シート除去工程Ｓ３ｂにおいて、図８Ｅに示したように、個片化された保護層１０ａ上にはく離テープＴを取り付けた後、はく離テープＴを上方に引き上げて、各半導体チップから個片化された保護層１０ａを除去することにより、各半導体チップの一表面（ダイシングテープ４０に取付けられていない側の表面）を露出させる。

　上記のようにして、一表面が露出された各半導体チップは、第１’実施形態に係る半導体装置の製造方法で説明したように、ピン部材と吸着治具とを備えるピックアップ装置によってそれぞれ回収することができる。
　そして、図７に示したように、一の半導体チップ２０ａａの一方面の電極部２０ｃは、回路基板ＣＢの電極部ＣＢａに接合され、一の半導体チップ２０ａａの他方面の電極部２０ｂは、他の半導体チップ２０ａａの一方面の電極部２０ｃと接合されるなどを繰り返して、多段に積層された後、モールド処理が施されてパッケージングされることにより、半導体装置とされる。

　なお、上記では、保護シート１０を用いた半導体装置の製造方法について、第１’実施形態及び第２’実施形態を挙げて説明したが、保護シート１０を用いた半導体装置の製造方法は、これらに限定されるものではなく、種々の変更が可能である。

［表示装置の表示面を構成するガラス片の製造方法］
　本実施形態に係る表示装置の表示面を構成するガラス片の製造方法は、
　表示装置の表示面を構成するガラス片を得るためのガラス板の一表面を保護するように保護シートを取り付ける保護シート取付工程Ｓ１’と、
　前記保護シートが取り付けられた前記ガラス板を面方向に間隔を空けるように分割して、分割された前記保護シートが取り付けられた複数のガラス片を得るガラス板分割工程Ｓ２’と、
　前記複数のガラス片のそれぞれから分割された前記保護シートを除去する保護シート除去工程Ｓ３’と、を有し、
　前記保護シートは、前記ガラス板の一表面または前記ガラス片の一表面に貼合される保護層を備え、
　前記保護層は、水溶性樹脂組成物または硬化反応により接着力が低下する硬化性樹脂組成物のいずれかで構成されている。

　前記保護シート取付工程Ｓ１’は、上の半導体装置の製造方法の項の「保護シート取付工程Ｓ１ａ」または「保護シート取付工程Ｓ１ｂ」で説明したのと同様にして実施することができる。
　また、前記ガラス板分割工程Ｓ２’は、上の半導体装置の製造方法の項の「半導体ウェハ分割工程Ｓ２ａ」または「半導体ウェハ分割工程Ｓ２ｂ」で説明したのと同様にして実施することができる。
　さらに、前記保護シート除去工程Ｓ３’は、上の半導体装置の製造方向の項の「保護シート除去工程Ｓ３ａ」または「保護シート除去工程Ｓ３ｂ」で説明したのと同様にして実施することができる。

　本明細書によって開示される事項は、以下のものを含む。

　（１）
　保護対象面を有する電子部品の前記保護対象面、表示装置の表示面を構成するガラス片の一表面、または、前記ガラス片を得るためのガラス板の一表面に貼合される保護シートであって、
　前記電子部品の前記保護対象面、前記ガラス片の一表面、または、前記ガラス板の一表面に貼合される保護層を備え、
　前記保護層は、水溶性樹脂組成物または硬化反応により接着性が低下する硬化性樹脂組成物のいずれかで構成されている
　保護シート。

　斯かる構成によれば、保護シートの保護層で前記電子部品の保護対象面、表示装置の表示面を構成するガラス片の一表面、または、前記ガラス片を得るためのガラス板の一表面を保護することができるので、ダイシング工程などにおいて微細な異物が発生したとしても、前記電子部品の保護対象面または前記ガラス片の一表面に微細な異物が数多く付着することを抑制できる。
　その結果、前記電子部品の保護対象面または前記ガラス片の一表面において微細な異物が数多く残存することを抑制することができる。

　（２）
　前記保護層は、前記水溶性樹脂組成物で構成されており、
　前記水溶性樹脂組成物は、ポリビニルアルコール、水溶性ポリエステル、及び、ポリエチレンオキシドからなる群から選択される少なくとも１種の水溶性高分子化合物を含んでいる
　上記（１）に記載の保護シート。

　斯かる構成によれば、前記電子部品の保護対象面または前記ガラス片の一表面から前記保護層を取り外すときに、前記保護層に水を加えることにより、前記電子部品の保護対象面または前記ガラス片の一表面から前記保護層をより一層容易に取り外すことができる。
　すなわち、前記電子部品の保護対象面または前記ガラス片の一表面から前記保護層を作業性良く取り外すことができる。

　（３）
　前記保護層は、硬化反応により接着性が低下する前記硬化性樹脂組成物で構成され、
　前記硬化性樹脂組成物は、アクリル樹脂を含んでおり、熱または活性エネルギー線によって硬化される
　上記（１）に記載の保護シート。

　斯かる構成によれば、前記保護層の硬化反応を促進させることができるので、前記保護層が適度に硬化性を有することとなって、前記電子部品の保護対象面または前記ガラス片の一表面から前記保護層を比較的容易に取り外すことができる。
　すなわち、前記電子部品の保護対象面または前記ガラス片の一表面から前記保護層を比較的容易に取り外すことができる。

　（４）
　保護対象面を有する複数の電子部品が前記保護対象面を同一方向に向けて連結された電子部品の連結体について、前記複数の電子部品のそれぞれの前記保護対象面を保護するように保護シートを取り付ける保護シート取付工程と、
　前記保護シートが取り付けられた前記電子部品の連結体を面方向に間隔を空けるように分割して、分割された前記保護シートが取り付けられた前記複数の電子部品を得る電子部品の連結体分割工程と、
　前記複数の電子部品のそれぞれから分割された前記保護シートを除去する保護シート除去工程と、を有し、
　前記保護シートは、前記保護対象面に貼合される保護層を備え、
　前記保護層は、水溶性樹脂組成物または硬化反応により接着力が低下する硬化性樹脂組成物のいずれかで構成されている
　電子部品の製造方法。

　斯かる構成によれば、前記電子部品の製造中に微細な異物が発生したとしても、該微細な異物が前記電子部品の前記保護対象面に数多く付着することを抑制することができる。
　その結果、前記電子部品の前記保護対象面において前記微細な異物が数多く残存することを抑制することができる。

　（５）
　表示装置の表示面を構成するガラス片を得るためのガラス板の一表面を保護するように保護シートを取り付ける保護シート取付工程と、
　前記保護シートが取り付けられた前記ガラス板を面方向に間隔を空けるように分割して、分割された前記保護シートが取り付けられた複数のガラス片を得るガラス板分割工程と、
　前記複数のガラス片のそれぞれから分割された前記保護シートを除去する保護シート除去工程と、を有し、
　前記保護シートは、前記ガラス板の一表面または前記ガラス片の一表面に貼合される保護層を備え、
　前記保護層は、水溶性樹脂組成物または硬化反応により接着力が低下する硬化性樹脂組成物のいずれかで構成されている
　表示装置の表示面を構成するガラス片の製造方法。

　斯かる構成によれば、前記表示面を構成するガラス片の製造中に微細な異物が発生したとしても、該微細な異物が前記表示面を構成するガラス片の一表面に数多く付着することを抑制することができる。
　その結果、前記表示面を構成するガラス片の一表面において前記微細な異物が数多く残存することを抑制することができる。

　なお、本発明に係る保護シート、電子部品の製造方法、及び、表示装置の表示面を構成するガラス片の製造方法は、前記実施形態に限定されるものではない。また、本発明に係る保護シート、電子部品の製造方法、及び、表示装置の表示面を構成するガラス片の製造方法は、前記した作用効果によって限定されるものでもない。本発明に係る保護シート、電子部品の製造方法、及び、表示装置の表示面を構成するガラス片の製造方法は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

　上記実施形態では、半導体ウェハ２０において、一方の絶縁層２０ｅの最外表面と各電極部２０ｂの最外表面とが面一となっており、他方の絶縁層２０ｅの最外表面と各電極部２０ｃの最外表面とが面一となっている例について説明したが、半導体ウェハ２０における各電極部２０ｂ、２０ｃの取り付け態様はこれに限られない。
　例えば、半導体ウェハ２０において、各電極部２０ｂの最外表面は一方の絶縁層２０ｅの最外表面から突出していてもよいし、各電極部２０ｃの最外表面は他方の絶縁層２０ｅの最外表面から突出していてもよい。
　また、各電極部２０ｂおよび各電極部２０ｃは、ハンダボールで形成されていてもよい。

　次に、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。以下の実施例は本発明をさらに詳しく説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。

［実施例１］
　容器内において、水にポリビニルアルコール（けん価度６５、平均重合度２４０）を分散させた水分散溶液を作成した。
　次に、該水分散溶液を含む容器を９０℃の水浴中に入れ、該水分散容器を撹拌することによってポリビニルアルコールを水に溶解させて、第１保護層組成物を得た。
　次に、シリコーン離型処理が施された面を有する第１ＰＥＴはく離ライナー（三菱ケミカル社製の製品名ＭＲＡ５０。厚み５０μｍ）の離型処理面上に、アプリケータを用いて前記第１保護層組成物を厚み１０μｍで塗布した。
　次に、前記第１保護層組成物を塗布した第１ＰＥＴはく離ライナーを１１０℃で２分間乾燥することにより、前記第１ＰＥＴはく離ライナー上に保護層を形成した。
　次に、前記保護層上に、シリコーン離型処理が施された面を有する第２ＰＥＴはく離ライナー（三菱ケミカル社製の製品名ＭＲＡ２５。厚み２５μｍ）の離型処理面側を貼り合せて、実施例１に係る保護シートを得た。

　前記ポリビニルアルコールのけん価度及び平均重合度は、上記の実施形態の項で説明した方法に準じて測定した。

［実施例２］
　ポリビニルアルコールとして、けん価度が８０及び平均重合度が２４０のものを用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例２に係る保護シートを得た。
　実施例２においても、ポリビニルアルコールのけん価度、及び、ポリビニルアルコールの平均重合度は、実施例１と同様にして求めた。

［実施例３］
　ポリビニルアルコールとして、けん価度が７４及び平均重合度が５００のものを用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例３に係る保護シートを得た。
　実施例３においても、ポリビニルアルコールのけん価度、及び、ポリビニルアルコールの平均重合度は、実施例１と同様にして求めた。

［実施例４］
　ポリビニルアルコールとして、けん価度が８８及び平均重合度が５００のものを用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例４に係る保護シートを得た。
　実施例４においても、ポリビニルアルコールのけん価度、及び、ポリビニルアルコールの平均重合度は、実施例１と同様にして求めた。

［実施例５］
　ポリビニルアルコールとして、けん価度が６５及び平均重合度が１００のものを用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例５に係る保護シートを得た。
　実施例５においても、ポリビニルアルコールのけん価度、及び、ポリビニルアルコールの平均重合度は、実施例１と同様にして求めた。

［実施例７］
　ポリビニルアルコールに代えて、水溶性ポリエステル（商品名「Ｚ－２２１」、互応化学社製）を用いて、実施例１と同様にして、実施例７に係る保護シートを得た。
　なお、前記水溶性ポリエステルの質量平均分子量Ｍｗは、１４，０００であった。
　前記質量平均分子量Ｍｗは、先に実施形態の項で説明した方法にしたがって測定した。
　また、前記水溶性ポリエステルの酸価は、５ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であった。

［実施例８］
　ポリビニルアルコールに代えて、水溶性ポリエステル（商品名「Ｚ－５９２」、互応化学社製）を用いて、実施例１と同様にして、実施例８に係る保護シートを得た。
　なお、前記水溶性ポリエステルの質量平均分子量Ｍｗは、３０，０００であった。
　前記質量平均分子量Ｍｗは、先に実施形態の項で説明した方法にしたがって測定した。
　また、前記水溶性ポリエステルの酸価は、５ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であった。

［実施例９］
　ポリビニルアルコールに代えて、水溶性ポリエステル（商品名「Ｚ－７３０」、互応化学社製）を用いて、実施例１と同様にして、実施例９に係る保護シートを得た。
　なお、前記水溶性ポリエステルの質量平均分子量Ｍｗは、３，０００であった。
　前記質量平均分子量Ｍｗは、先に実施形態の項で説明した方法にしたがって測定した。
　また、前記水溶性ポリエステルの酸価は、約５０ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

［実施例１０］
　ポリビニルアルコールに代えて、ポリエチレンオキシド（商品名「ＰＥＯ－３」、住友精化社製）を用いて、水分散溶液を加熱せずに前記ポリエチレンオキシドを水に溶解させた以外は、実施例１と同様にして、実施例１０に係る保護シートを得た。
　なお、前記ポリエチレンオキシドの質量平均分子量Ｍｗは、６００，０００（６０万）であった。
　前記質量平均分子量Ｍｗは、先に実施形態の項で説明した方法にしたがって測定した。

［実施例１１］
　ポリビニルアルコールに代えて、ポリエチレンオキシド（商品名「ＰＥＯ－８」、住友精化社製）を用いて、水分散溶液を加熱せずに前記ポリエチレンオキシドを水に溶解させた以外は、実施例１と同様にして、実施例１１に係る保護シートを得た。
　なお、前記ポリエチレンオキシドの質量平均分子量Ｍｗは、２，０００，０００（２００万）であった。
　前記質量平均分子量Ｍｗは、先に実施形態の項で説明した方法にしたがって測定した。

＜微細異物の評価＞
　ベアウェハの表面に実施例１～５、及び、実施例８～１１に係る保護シートを取り付けた状態で、前記ベアウェハを複数の半導体チップに割断した後において、前記複数の半導体チップの表面に残存している微細異物について評価した。
　微細異物の評価は、以下のようにして行った。

（１）作製した保護シートから、第２ＰＥＴはく離ライナーを取り除いて、前記保護シートの保護層の一方面を露出させる。
（２）一方面にガラスキャリアが取り付けられ、他方面にダイシングテープが取り付けられた（詳しくは、ダイシングテープの粘着剤層に取り付けられた）ベアウェハ（外径１２インチ（３００ｍｍ）、厚み４０μｍ）を準備し、前記ベアウェハの一方面から前記ガラスキャリアを取り除いて、ダイシングテープ付のベアウェハを得る。
　そして、前記ベアウェハの前記ガラスキャリアを取り除いた面に、前記保護シートを取り付ける。
　なお、前記ダイシングテープの粘着剤層の端縁にはダイシングリングが取り付けられている。
（３）真空マウンター装置（型式ＭＶ３０００、日東精機社製）のステージ上に、前記保護シートを取り付けた前記ベアウェハを載置した後、ステージ温度を９０℃として、前記保護シートを前記ベアウェハに接着させる（以下、保護シート付のベアウェハという）。
（４）ステルスダイシング装置（型式ＤＦＬ７３６１、ディスコ社製）のステージ上に、前記第１ＰＥＴはく離ライナーが当接するように、保護シート付のベアウェハを載置した後、前記ステルスダイシング装置のレーザ照射光源から、予め定めておいたダイシング一に沿ってレーザ光を照射して、前記ベアウェハの内部に脆弱部を形成する。
　具体的には、割断後において、平面寸法が１０ｍｍ×１０ｍｍとなる複数のベアチップが得られるように、前記ベアウェハの内部に格子状に脆弱部を形成する。
　なお、レーザ照射光源からのレーザ光の照射は、実施形態に項において説明した条件に従う。
　前記ベアウェハの内部に脆弱部を形成した後、前記保護シートの保護層の他方面から第１ＰＥＴはく離ライナーを取り除いて、前記保護シートの保護層の他方面側を露出させる（以下、脆弱部形成済ベアウェハという）。
（５）前記ステルスダイシング装置の前記ステージ上から、脆弱部形成済ベアウェハを取り除いた後、エキスパンド装置（型式ＤＤＳ２３００、ディスコ社製）を用いて、前記脆弱部形成済ベアウェハを面方向に広げることにより（エキスパンドすることにより）、前記脆弱部形成済ベアウェハを割断して複数の半導体チップへと個片化するとともに、保護シートの保護層もチップ相当サイズに割断して個片化する。
　なお、前記エキスパンド装置のエキスパンドは、温度－１５℃、エキスパンド速度２００ｍｍ／ｓという条件で行う。
（６）前記エキスパンド装置のステージを１０００ｒｐｍで回転させながら、前記エキスパンド装置が備える水洗浄機構の水噴射部から、個片化された保護層に向けて水を加えて（水を噴射して）、各半導体チップの表面から個片化された保護層を前記ステージの外部に向けて除去することにより、各半導体チップの一表面（ダイシングテープが取り付けられていない側の面）を露出させる。
　水の噴射量（水量）は、１００Ｌ／ｍｉｎ～３００Ｌ／ｍｉｎの範囲内の値とし、水の噴射時間は、６０秒～９０秒の範囲内の値とする。
　また、水としては、まず、低温（２３±２℃）の水を用い、低温の水で個片化された保護層が除去できない場合には、高温（４０±２℃）を用いて、個片化された保護層を除去する。
　なお、実施例９については、水に代えて、０．１ｍｏｌ／Ｌのアンモニア水（温度２３±２℃）を用いて、個片化された保護層の除去を実施した。
（７）ピックアップ装置を用いて、一表面が露出した各半導体チップをピックアップした後、前記半導体チップについて、個片化された保護層が取り外された側の表面をデジタルマイクロスコープ（型式ＶＨＸ－５０００、キーエンス社製）で観察した。
　なお、デジタルマイクロスコープによる前記半導体チップの表面の観察は、前記表面においてランダムに選んだ１０ｍｍ×１０ｍｍの領域について行い、観察倍率は５０倍とした。
　そして、前記表面に残存している微細な異物の個数をカウントした。
　また、デジタルマイクロスコープによる観察は、５個の半導体チップについて行い、微細な異物の個数については、算術平均することにより求めた。
　なお、小数点以下の数値については、四捨五入した。
（８）微細な異物の残存の良否については、以下の評価基準により評価した。

　優：微細な異物の残存個数が１０個未満である。
　不可：微細な異物の残存個数が１０個以上である。

　その結果について、以下の表１に示した。

＜半導体ウェハの割断性及び保護層の除去性の評価＞
　上記のように微細異物の評価を行っているときに、実施例１～５、及び、実施例７～１１について、半導体ウェハの割断性、及び、保護層の除去性についても同時に評価した。
　半導体ウェハの割断性については、割断後に得られる１０ｍｍ×１０ｍｍの複数のベアチップの全てを観察し、カーフ幅（ペアチップ間の距離）が十分に認められるか（１０μｍ以上になっているか）否かと、保護層における繋がり部分の有無を評価することにより行った。
　また、保護層の除去性については、水噴射後において、割断後に得られる１０ｍｍ×１０ｍｍの複数のベアチップの全ての表面をフーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ－ＩＲ）で分析することにより、残留有機物の有無を評価することにより行った。
　なお、半導体ウェハの割断性及び保護層の除去性の評価基準は以下にしたがった。

・半導体ウェハの割断性
　優　複数のベアチップの全てについて、カーフ幅が十分に認められており、保護層における繋がり部分が認められない。
　不可　複数のベアチップの一つでも、カーブ幅が十分に認められないものがあるか、あるいは、保護層における繋がり部分が認められるものがある。

・保護層の除去性
　優　複数のベアチップの全てについて、残留有機物が認められない（８００～４０００ｃｍ^－１における極大吸収≦０．０５）
　不可　複数のベアチップの一つでも、残留有機物が認められるものがある（８００～４００ｃｍ^－１における極大吸収＞０．０５）

　その結果を以下の表１に示した。

＜低温での水耐久性＞
　実施例７に係る保護層（水溶性ポリエステル含有）、実施例８に係る保護層（水溶性ポリエステル含有）、実施例９に係る保護層（水溶性ポリエステル含有）、実施例１０に係る保護層（ポリエチレンオキシド含有）、及び、実施例１１に係る保護層（ポリエチレンオキシド含有）について、低温（２３±２℃）の水で洗浄したときの耐久性、すなわち、低温での水耐久性について評価した。
　具体的には、上記の＜微細異物の評価＞の（６）において、低温の水で保護層が除去できない場合には、「優」と判断し、低温の水で保護層が除去できる場合には、「不可」と判断した。
　その結果を以下の表１に示した。

＜成膜性＞
　実施例７～１１に係る保護層について、保護層を形成するときの成膜性について評価した。
　具体的には、前記第１ＰＥＴはく離ライナーの離型処理面上に、アプリケータを用いて前記第１保護組成物を所定厚さに塗布するときに、十分に塗り広げられる場合や所望の厚さとなるように塗布できる場合には、「優」と評価し、それ以外の場合には、「不可」と判断した。
　その結果を以下の表１に示した。

［実施例６］
（アクリル系ポリマーの作製）
　冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器内に、モノマーとして、ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）１１質量部及び２－エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）８９質量部を入れるとともに、熱重合開始剤として、２，２’－アゾビスブチロニトリル（ＡＩＢＮ）を入れ、さらに、前記モノマーの濃度が３６質量％となるように反応溶剤として、酢酸ブチルを加えて第１反応溶液を調製した。
　前記第１反応溶液について、窒素気流下で重合処理を行って、中間体としての第１アクリル系ポリマーＡを得た。
　なお、前記重合処理では、温度６２℃にて４時間の第１重合処理を行った後、温度７５℃にて２時間の第２重合処理を行った。
　この第１アクリル系ポリマーをＡ含む第１反応溶液に、モノマーとして、２－イソシアナトエチルメタクリレート（ＭＯＩ）１３質量部加えるとともに、第１アクリル系ポリマーＡの１００質量部に対してジラウリル酸ジブチルスズ０．０７質量部を加えて第２反応溶液を調製した。
　前記第２反応溶液について、空気気流下で、５０℃にて１２時間付加反応処理をし、実施例６に係るアクリル系ポリマーＡ’（アクリル樹脂）を得た。
　なお、前記ＭＯＩとしては、昭和電工社製の商品名「カレンズＭＯＩ（登録商標）」を用いた。「カレンズＭＯＩ（登録商標）」は、イソシアネート基を有する重合性基含有（メタ）アクリレートであり、重合性基としてビニル基を有するものである。

（粘着剤溶液の作製）
　実施例６に係るアクリル系ポリマーＡ’を含む第２反応溶液に、外部架橋剤として、ポリイソシアネート化合物（商品名「タケネートＤ－１０１Ａ」、三井化学社製）０．８質量部を加えるととともに、光重合開始剤（商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７」、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ社製）５質量部を加えて、実施例６に係る粘着剤溶液Ａを作製した。
　なお、外部架橋剤及び光重合開始剤の質量部は、実施例６に係るアクリル系ポリマーＡ’の１００質量部に対する値である。

（保護シートの作製）
　実施例６に係る粘着剤溶液Ａを、シリコーン離型処理が施された面を有する第１ＰＥＴはく離ライナー（厚み５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚さ３０μｍの粘着剤層を形成した。その後、該粘着剤層上に、はく離ライナーとしての第２ＰＥＴはく離ライナー（商品名「ＭＲＡ２５」、三菱ケミカル社製、厚み２５μｍ）の離型処理面を貼り合せた後、温度５０℃で２４時間保存して、実施例６に係る保護シートを得た。

＜微細異物の評価＞
　ベアウェハの表面に実施例６に係る保護シートを取り付けた状態で、前記ベアウェハを複数の半導体チップに割断した後において、前記複数の半導体チップの表面に残存している微細異物について評価した。
　微細異物の評価は、以下のようにして行った。

（１）～（３）上記した実施例１～５の保護シートを用いた場合の（１）～（３）と同様にして行う。
（４）ステルスダイシング装置（型式ＤＦＬ７３６１、ディスコ社製）のステージ上に、前記第１ＰＥＴはく離ライナーが当接するように、保護シート付のベアウェハを載置した後、前記ステルスダイシング装置のレーザ照射光源から、予め定めておいたダイシング一に沿ってレーザ光を照射して、前記ベアウェハの内部に脆弱部を形成する。
　具体的には、割断後において、平面寸法が１０ｍｍ×１０ｍｍとなる複数のベアチップが得られるように、前記ベアウェハの内部に格子状に脆弱部を形成する。
　そして、第１ＰＥＴはく離ライナー側からＵＶ（紫外線）を照射して（積算照射量は３００ｍＪ／ｃｍ^２）、保護シートの保護層を硬化させて、前記保護シートの前記保護層から第１ＰＥＴはく離ライナーをはく離して、前記保護シートの保護層の他方面側を露出させる。
　これにより、脆弱部形成済ベアウェハを得る。
（５）上記した実施例１～５の保護シートを用いた場合の（５）と同様にして、前記脆弱部形成済半導体ウェハを割断して複数の半導体チップへと個片化するとともに、保護シートの保護層もチップ相当サイズに割断して個片化する。
（６）ラミネータを用いて、個片化された各保護層にはく離テープ（型番３６０ＵＬ、日東電工製）を取り付けた後、該はく離テープを上方に引き上げて、個片化された各半導体チップから個片化された各保護層を除去することにより、各半導体チップの一表面（ダイシングテープが取り付けられていない側の面）を露出させる。
（７）上記した実施例１～５の保護シートを用いた場合の（７）と同様にして、５個の半導体チップについて、個片化された保護層が取り外された側の表面をデジタルマイクロスコープ（型式ＶＨＸ－５０００、キーエンス社製）で観察する。
（８）上記した実施例１～５の保護シートを用いた場合の（８）と同様にして、微細な異物の残存の良否について評価する。

　その結果について、以下の表１に示した。

＜半導体ウェハの割断性及び保護層の除去性の評価＞
　上記のように微細異物の評価を行っているときに、実施例６についても、半導体ウェハの割断性、及び、保護層の除去性についても同時に評価した。
　半導体ウェハの割断性、及び、保護層の除去性については、上記の実施例１～５の場合と同様の基準にしたがって評価した。
　その結果を以下の表１に示した。

＜保護層の厚み＞
　実施例１～１１に係る保護シートについて、保護層の厚みを測定した。
　保護層の厚みは、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ－２０５）を用いて、ランダムに選んだ任意の５箇所の厚みを測定し、これらの厚さを算術平均することにより求めた。
　その結果を、以下の表１に示した。

＜ベアウェハに対する保護層の密着力＞
　実施例１～１１に係る保護シートについて、ベアウェハに対する保護層の密着力を測定した。
　ベアウェハに対する保護層の密着力は、上記実施形態で説明したようにして測定した。
　なお、実施例６に係る保護シートについては、ＵＶ照射前とＵＶ照射後の両方について、ベアウェハに対する保護層の密着力を測定した。

＜－１５℃における破断強度、及び、－１５℃における破断伸び＞
　実施例１～８に係る保護シートについて、－１５℃における破断強度、及び、－１５℃における破断伸びを測定した。
　－１５℃における破断伸びについては、詳しくは、長さ５０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚み３０μｍの保護層を試験片とし、引張試験機（オートグラフＡＧ－ＩＳ、島津製作所製）を用いて、温度－１５℃、チャック間距離２０ｍｍ（測定長さ。Ｌ_０）、及び、引張速度１０ｍｍ／ｓｅｃの条件にて、上記試験片を長さ方向に引っ張り、上記試験片が破断するときの長さ（測定長さＬ_０に伸び量を加算した値。Ｌ_１）を測定した。
　そして、下記式に基づいて、－１５℃における破断伸びＥを算出した。

　破断伸びＥ＝（Ｌ_１－Ｌ_０）／Ｌ_０×１００

　また、－１５℃における破断強度については、上記試験片及び上記引張試験機を用いて、上記と同条件で引張試験を行ったときに、上記試験片が破断するときに加わっている力を測定することにより求めた。
　その結果を以下の表１に示した。

＜－１５℃における引張貯蔵弾性率、及び、２５℃における引張貯蔵弾性率＞
　実施例１～１１に係る保護シートについて、－１５℃における引張貯蔵弾性率、及び、２５℃における引張貯蔵弾性率を測定した。
　詳しくは、長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚み５０μｍの保護層を試験片とし、固体粘弾性測定装置（例えば、型式ＲＳＡＩＩＩ、ＴＡインスツルメント社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、ひずみ量０．１％、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２０ｍｍの条件において、－４０℃～８０℃の温度範囲での前記試験片の引張貯蔵弾性率を測定した。
　その際、－１５℃での値を読み取ることにより、－１５℃における引張貯蔵弾性率を求め、２５℃での値を読み取ることにより、２５℃における引張貯蔵弾性率を求めた。
　なお、前記測定は、前記試験片を長さ方向に引っ張ることにより行った。
　その結果を、以下の表１に示した。

＜表面自由エネルギー＞
　実施例１～５係る保護シート及び実施例７～１１に係る保護シートについて、保護層の表面自由エネルギーを測定した。
　保護層の表面自由エネルギーは、上記実施形態で説明したようにして測定した。
　その結果を、以下の表１に示した。

［比較例１］
　保護シートを取り付けていないベアウェハを用いた以外は、実施例１などと同様にして、半導体ウェハを割断して複数の半導体チップに個片化した例を比較例１とした。
　比較例１については、微細な異物のみを評価した。
　その結果を、以下の表１に示した。

［比較例２］
　ポリエチレンオキシド（商品名「ＰＥＯ－１」、住友精化社製）に代えて、別のポリエチレンオキシド（商品名「ＰＥＯ－４」、住友精化社製）を用いた以外は、実施例９と同様にして、比較例２に係る保護シートを得た。
　なお、比較例２に係る保護シートに含まれるポリエチレンオキシドの質量平均分子量Ｍｗは、１，０００，０００（１００万）であった。
　前記質量平均分子量Ｍｗは、先に実施形態の項で説明した方法にしたがって測定した。
　比較例２に係る保護シートにおいては、保護層を形成するための第１保護層形成組成物に含まれるポリエチレンオキシドの質量平均分子量Ｍｗが１００万と高かったため、保護層の形成時に、前記第１保護層形成組成物を前記第１ＰＥＴはく離ライナーの離型処理面上に、十分に塗り広げることができなかった。すなわち、成膜性の評価が不可となるものであった。
　そのため、以下の表１の各評価項目には、「測定不可」や「評価不可」などと記載している。

［比較例３］
　ポリエチレンオキシド（商品名「ＰＥＯ－１」、住友精化社製）に代えて、ポリエチレングリコール（商品名「ＰＥＧ－２００００」、三洋化成工業社製）を用いた以外は、実施例９と同様にして、比較例３に係る保護シートを得た。
　なお、比較例３に係る保護シートに含まれるポリエチレングリコールの質量平均分子量Ｍｗは、２０，０００（２万）であった。
　前記質量平均分子量Ｍｗは、先に実施形態の項で説明した方法にしたがって測定した。
　比較例３に係る保護シートにおいては、保護層を形成するための第１保護層形成組成物に含まれるポリエチレンオキシドの質量平均分子量Ｍｗが２万と低かったため、保護層の形成時に、所望の厚さとなるように塗布することができなかった。すなわち、成膜性の評価が不可となるものであった。
　そのため、以下の表１の各評価項目には、「測定不可」や「評価不可」などと記載している。

［参考例１］
　実施例６と同様にして作製した保護シートを用い、保護シートの保護層を硬化させないこと以外は、実施例６と同様にして、半導体ウェハを割断して複数の半導体チップに個片化した例を参考例１とした。
　参考例１については、保護層の厚み、ＵＶ照射前におけるベアウェハに対する保護層の密着力、－１５℃における破断強度、－１５℃における破断伸び、半導体ウェハの割断性、及び、保護層の除去性について評価した。
　その結果を以下の表１に示した。
　なお、参考例１について、－１５℃における引張貯蔵弾性率、及び、２５℃における引張貯蔵弾性率を測定することを試みたものの、測定すること自体が困難であった。
　また、参考例１について、微細な異物の評価を行うことを試みたが、個片化された各半導体チップから個片化された保護層を取り除いた後に、各半導体チップの表面に糊残りがあり、微細な異物をカウントすることが困難であった。

　表１より、実施例１～６、及び、実施例８～１１に係る保護シートを用いた場合には、微細な異物の評価は、いずれも“優”であった。
　なお、微細な異物の評価において、各例の括弧書きは、個片化された半導体チップ表面の微細な異物の個数を表している。
　これに対し、保護シートを用いていない比較例１では、微細な異物の評価は、“不可”であり、個片化された半導体チップ表面での微細な異物の個数は、２００個を上回るものであった。
　また、比較例２及び３は、保護シートの保護層を十分に成膜することができなかったため、“評価不可”という結果となった。
　なお、参考例１では、上記したように、個片化された各半導体チップから個片化された保護層を取り除いた後に、各半導体チップの表面に糊残りがあり、微細な異物をカウントすることが困難であり、微細な異物の評価を行うこと自体が困難であった。

　これらの結果から、半導体ウェハを割断して複数の半導体チップに個片化するときに、保護シートを用いることにより、個片化された半導体チップ表面に、微細な異物が数多く残存することを抑制できることが把握される。

　また、低温での水耐久性について、実施例７に係る保護シートと実施例８に係る保護シートとを比較すると、実施例８に係る保護シートの評価結果は“優”となっているのに対し、実施例７に係る保護シートの評価結果は“不可”となっていた。
　これは、保護層に含まれる水溶性ポリエステルの質量平均分子量Ｍｗに起因するものであると考えられる。
　さらに、成膜性について、実施例１０及び１１に係る保護シートと比較例２及び３に係る保護シートとを比較すると、実施例１０及び１１に係る保護シートの評価結果は、“優”となっているのに対し、比較例２及び３に係る保護シートの評価結果は、“不可”となっていた。
　これも、保護層に含まれるポリエチレンオキシドやポリエチレングルコールの質量平均分子量Ｍｗに起因するものであると考えられる。

　１０　保護シート、
　　１０ａ　保護層、１０ｂ、第１はく離ライナー、１０ｃ　第２はく離ライナー、
　２０　半導体ウェハ、
　　２０ａ　半導体ウェハ本体、２０ｂ　電極部、２０ｃ　電極部、２０ｄ　導通部、
　　２０ｅ　絶縁層、
　３０　ガラスキャリア、
　４０　ダイシングテープ、
　　４０ａ　基材層、４０ｂ　粘着剤層、
　５０　半導体チップ、
　　５０ａ　半導体チップ本体、５０ｂ　電極部、５０ｃ　回路形成領域。
　１００　ウェハレベルパッケージ、１１０　回路基板、１２０　半導体パッケージ、
　　１２０ａ　ガラス片、
　２００　イメージセンサパッケージ、２１０　センサチップ本体、２２０　接着層、２３０　ガラス片、
　２００’　イメージセンサパッケージ用積層体、２１０’　センサウェハ本体、２２０’接着層、２３０’　ガラス板。

Claims

　保護対象面を有する電子部品の前記保護対象面、表示装置の表示面を構成するガラス片の一表面、または、前記ガラス片を得るためのガラス板の一表面に貼合される保護シートであって、
　前記電子部品の前記保護対象面、前記ガラス片の一表面、または、前記ガラス板の一表面に貼合される保護層を備え、
　前記保護層は、水溶性樹脂組成物または硬化反応により接着力が低下する硬化性樹脂組成物のいずれかで構成されている
　保護シート。
　前記保護層は、前記水溶性樹脂組成物で構成されており、
　前記水溶性樹脂組成物は、ポリビニルアルコール、水溶性ポリエステル、及び、ポリエチレンオキシドからなる群から選択される少なくとも１種の水溶性高分子化合物を含んでいる
　請求項１に記載の保護シート。
　前記保護層は、硬化反応により接着性が低下する前記硬化性樹脂組成物で構成され、
　前記硬化性樹脂組成物は、アクリル樹脂を含んでおり、熱または活性エネルギー線によって硬化される
　請求項１に記載の保護シート。
　保護対象面を有する複数の電子部品が前記保護対象面を同一方向に向けて連結された電子部品の連結体について、前記複数の電子部品のそれぞれの前記保護対象面を保護するように保護シートを取り付ける保護シート取付工程と、
　前記保護シートが取り付けられた前記電子部品の連結体を面方向に間隔を空けるように分割して、分割された前記保護シートが取り付けられた前記複数の電子部品を得る電子部品の連結体分割工程と、
　前記複数の電子部品のそれぞれから分割された前記保護シートを除去する保護シート除去工程と、を有し、
　前記保護シートは、前記保護対象面に貼合される保護層を備え、
　前記保護層は、水溶性樹脂組成物または硬化反応により接着力が低下する硬化性樹脂組成物のいずれかで構成されている
　電子部品の製造方法。
　表示装置の表示面を構成するガラス片を得るためのガラス板の一表面を保護するように保護シートを取り付ける保護シート取付工程と、
　前記保護シートが取り付けられた前記ガラス板を面方向に間隔を空けるように分割して、分割された前記保護シートが取り付けられた複数のガラス片を得るガラス板分割工程と、
　前記複数のガラス片のそれぞれから分割された前記保護シートを除去する保護シート除去工程と、を有し、
　前記保護シートは、前記ガラス板の一表面または前記ガラス片の一表面に貼合される保護層を備え、
　前記保護層は、水溶性樹脂組成物または硬化反応により接着力が低下する硬化性樹脂組成物のいずれかで構成されている
　表示装置の表示面用ガラス片の製造方法。