WO2023038064A1 - 光電変換素子、撮像素子、光センサ、化合物 - Google Patents

Abstract

本発明の課題は、暗電流のばらつきを抑えて安定的に製造できる光電変換素子を提供することである。また、本発明の他の課題は、撮像素子、光センサ、及び化合物を提供することである。　本発明の光電変換素子は、導電性膜、光電変換膜、及び透明導電性膜をこの順で積層してなる光電変換素子であって、上記光電変換膜が、式（１）で表される化合物を少なくとも含む。

Description

光電変換素子、撮像素子、光センサ、化合物

　本発明は、光電変換素子、撮像素子、光センサ、及び化合物に関する。

　近年、光電変換膜を有する素子（例えば、撮像素子）の開発が進んでいる。
　例えば、特許文献１では、光電変換素子に適用される材料として、以下に示す化合物が開示されている。

国際公開２０１４／０２６２４４号明細書

　近年、撮像素子及び光センサ等の性能向上の要求に伴い、これらに使用される光電変換素子に求められる諸特性の更なる向上が求められている。
　本発明者らは、特許文献１に開示されている化合物を用いた光電変換素子を複数作製して検討したところ、光電変換素子毎に暗電流の値が大きく異なる（換言すると、暗電流の値にばらつきが生じる）場合があることを明らかとした。すなわち、暗電流のばらつきを抑えて安定的に製造できる光電変換素子を検討する余地があることを明らかとした。

　そこで、本発明は、暗電流のばらつきを抑えて安定的に製造できる光電変換素子を提供することを課題とする。また、本発明は、撮像素子、光センサ、及び化合物の提供も課題とする。

　本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、所定の構造を有する化合物を光電変換膜に用いれば上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。

　〔１〕　導電性膜、光電変換膜、及び透明導電性膜をこの順で積層してなる光電変換素子であって、上記光電変換膜が、後述する式（１）で表される化合物を少なくとも含む、光電変換素子。
　〔２〕　上記式（１）で表される化合物が、上記ｎ^３が０を表す化合物であるか、又は、上記ｎ^１、上記ｎ^２、及び上記ｎ^３がいずれも１を表す化合物である、〔１〕に記載の光電変換素子。
　〔３〕　上記Ｘ^１及び上記Ｘ^２のうち、一方は硫黄原子を表し、他方は－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表し、且つ、上記Ｘ^３及び上記Ｘ^４のうち、一方は硫黄原子を表し、他方は－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表す、〔１〕又は〔２〕に記載の光電変換素子。
　〔４〕　上記Ａｒ^１及び上記Ａｒ^２の少なくとも一方が、以下の条件Ｘ１及びＸ２の少なくとも１種を満たす、〔１〕～〔３〕のいずれかに記載の光電変換素子。
　条件Ｘ１：環構造内に－Ｎ＝を含む。
　条件Ｘ２：置換基として、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基を有する。
　〔５〕　上記Ａｒ^１及び上記Ａｒ^２の少なくとも一方が、以下の条件Ｘ１及びＸ２’の少なくとも１種を満たす、〔１〕～〔４〕のいずれかに記載の光電変換素子。
　条件Ｘ１：環構造内に－Ｎ＝を含む。
　条件Ｘ２’：置換基として、ハロゲン原子及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基を有する。
　〔６〕　上記Ａ^１が式（２）で表される基を表し、且つ、上記Ｘ^１及び上記Ｘ^４が硫黄原子を表し、上記Ｘ^２及び上記Ｘ^３が窒素原子を表すか、又は、
　上記Ａ^１が式（３）で表される基を表し、且つ、上記Ｘ^１及び上記Ｘ^３が硫黄原子を表し、上記Ｘ^２及び上記Ｘ^４が窒素原子を表す、〔１〕～〔５〕のいずれかに記載の光電変換素子。
　〔７〕　上記式（２）で表される基が、後述する式（２’）で表される基であり、
　上記式（３）で表される基が、後述する式（３’）で表される基である、〔１〕～〔６〕のいずれかに記載の光電変換素子。
　〔８〕　上記式（２）で表される基が、後述する式（２’’）で表される基であり、
　上記式（３）で表される基が、後述する式（３’’）で表される基である、〔１〕～〔７〕のいずれかに記載の光電変換素子。
　〔９〕　上記Ａ^１が、上記式（３）で表される基を表す、〔１〕～〔６〕のいずれかに記載の光電変換素子。
　〔１０〕　上記Ｒ^ｘが、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、－ＣＲ^Ｚ８Ｒ^Ｚ９－、又は－ＳｉＲ^Ｚ１０Ｒ^Ｚ１１－を表す、〔９〕に記載の光電変換素子。
　〔１１〕　上記式（１）で表される化合物の分子量が４００～９００である、〔１〕～〔１０〕のいずれかに記載の光電変換素子。
　〔１２〕　上記光電変換膜が、更にｎ型半導体を含む、〔１〕～〔１１〕のいずれかに記載の光電変換素子。
　〔１３〕　上記ｎ型半導体が、フラーレン及びその誘導体からなる群より選択されるフラーレン類を含む、〔１２〕に記載の光電変換素子。
　〔１４〕　上記光電変換膜が、更にｐ型半導体を含む、〔１〕～〔１３〕のいずれかに記載の光電変換素子。
　〔１５〕　上記光電変換膜が、更に色素を含む、〔１〕～〔１４〕のいずれかに記載の光電変換素子。
　〔１６〕　上記導電性膜と上記透明導電性膜の間に、上記光電変換膜の他に１種以上の中間層を有する、〔１〕～〔１５〕のいずれかに記載の光電変換素子。
　〔１７〕　〔１〕～〔１６〕のいずれかに記載の光電変換素子を有する、撮像素子。
　〔１８〕　〔１〕～〔１６〕のいずれかに記載の光電変換素子を有する、光センサ。
　〔１９〕　後述する式（１）で表される化合物。
　〔２０〕　上記式（１）で表される化合物が、上記ｎ^３が０を表す化合物であるか、又は、上記ｎ^１、上記ｎ^２、及び上記ｎ^３がいずれも１を表す化合物である、〔１９〕に記載の化合物。
　〔２１〕　上記Ｘ^１及び上記Ｘ^２のうち、一方は硫黄原子を表し、他方は－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表し、且つ、上記Ｘ^３及び上記Ｘ^４のうち、一方は硫黄原子を表し、他方は－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表す、〔１９〕又は〔２０〕に記載の化合物。
　〔２２〕　上記Ａｒ^１及び上記Ａｒ^２の少なくとも一方が、以下の条件Ｘ１及びＸ２の少なくとも１種を満たす、〔１９〕～〔２１〕のいずれかに記載の化合物。
　条件Ｘ１：環構造内に－Ｎ＝を含む。
　条件Ｘ２：置換基として、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基を有する。
　〔２３〕　上記Ａｒ^１及び上記Ａｒ^２の少なくとも一方が、以下の条件Ｘ１及びＸ２’の少なくとも１種を満たす、〔１９〕～〔２２〕のいずれかに記載の化合物。
　条件Ｘ１：環構造内に－Ｎ＝を含む。
　条件Ｘ２’：置換基として、ハロゲン原子及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基を有する。
　〔２４〕　上記Ａ^１が式（２）で表される基を表し、且つ、上記Ｘ^１及び上記Ｘ^４が硫黄原子を表し、上記Ｘ^２及び上記Ｘ^３が窒素原子を表すか、又は、
　上記Ａ^１が式（３）で表される基を表し、且つ、上記Ｘ^１及び上記Ｘ^３が硫黄原子を表し、上記Ｘ^２及び上記Ｘ^４が窒素原子を表す、〔１９〕～〔２３〕のいずれかに記載の化合物。
　〔２５〕　上記式（２）で表される基が、後述する式（２’）で表される基であり、
　上記式（３）で表される基が、後述する式（３’）で表される基である、〔１９〕～〔２４〕のいずれかに記載の化合物。
　〔２６〕　上記式（２）で表される基が、後述する式（２’’）で表される基であり、
　上記式（３）で表される基が、後述する式（３’’）で表される基である、〔１９〕～〔２５〕のいずれかに記載の化合物。
　〔２７〕　上記Ａ^１が、上記式（３）で表される基を表す、〔１９〕～〔２４〕のいずれかに記載の化合物。
　〔２８〕　上記Ｒ^ｘが、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、－ＣＲ^Ｚ８Ｒ^Ｚ９－、又は－ＳｉＲ^Ｚ１０Ｒ^Ｚ１１－を表す、〔２７〕に記載の化合物。
　〔２９〕　上記式（１）で表される化合物の分子量が４００～９００である、〔１９〕～〔２８〕のいずれかに記載の化合物。

　本発明によれば、暗電流のばらつきを抑えて安定的に製造できる光電変換素子を提供することができる。また、本発明によれば、撮像素子、光センサ、及び化合物も提供できる。

光電変換素子の一構成例を示す断面模式図である。 光電変換素子の一構成例を示す断面模式図である。

　以下に、本発明の光電変換素子の好適実施形態について説明する。
　本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
　本明細書において、特定の符号で表示された置換基及び連結基等（以下、「置換基等」ともいう。）が複数あるとき、又は、複数の置換基等を同時に規定するときには、それぞれの置換基等は互いに同一でも異なっていてもよいことを意味する。この点は、置換基等の数の規定についても同様である。
　本明細書において、水素原子は、軽水素原子（通常の水素原子）及び重水素原子（例えば、二重水素原子等）であってもよい。

　本明細書において、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。

　本明細書において、芳香環は、特段の断りがない限り、単環及び多環（例えば、２～６環等）のいずれであってもよい。単環の芳香環は、環構造として、１環の芳香環構造のみを有する芳香環である。多環（例えば、２～６環等）の芳香環は、環構造として複数（例えば、２～６等である）の芳香環構造が縮環している芳香環である。
　上記芳香環の環員原子の数は、５～１５が好ましい。
　上記芳香環は、芳香族炭化水素環でも芳香族複素環でもよい。
　上記芳香環が芳香族複素環の場合、環員原子として有するヘテロ原子の数は、例えば、１～１０である。上記ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子及びホウ素原子が挙げられる。
　上記芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、及び、フェナントレン環が挙げられる。
　上記芳香族複素環としては、例えば、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トリアジン環（１，２，３－トリアジン環、１，２，４－トリアジン環、１，３，５－トリアジン環等）及びテトラジン環（１，２，４，５－テトラジン環等）、キノキサリン環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ベンゾピロール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ナフトピロール環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ナフトイミダゾール環、ナフトオキサゾール環、３Ｈ－ピロリジン環、ピロロイミダゾール環（５Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］イミダゾール環等）、イミダゾオキサゾール環（イミダゾ［２，１－ｂ］オキサゾール環等）、チエノチアゾール環（チエノ［２，３－ｄ］チアゾール環等）、ベンゾチアジアゾール環、ベンゾジチオフェン環（ベンゾ［１，２－ｂ：４，５－ｂ’］ジチオフェン環等）、チエノチオフェン環（チエノ［３，２－ｂ］チオフェン環等）、チアゾロチアゾール環（チアゾロ［５，４－ｄ］チアゾール環等）、ナフトジチオフェン環（ナフト［２，３－ｂ：６，７－ｂ’］ジチオフェン環、ナフト［２，１－ｂ：６，５－ｂ’］ジチオフェン環、ナフト［１，２－ｂ：５，６－ｂ’］ジチオフェン環、１，８－ジチアジシクロペンタ［ｂ，ｇ］ナフタレン環等）、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ジチエノ［３，２－ｂ：２’，３’－ｄ］チオフェン環及び３，４，７，８－テトラチアジシクロペンタ［ａ，ｅ］ペンタレン環が挙げられる。
　本明細書において、芳香環基という場合、例えば、上記芳香環から水素原子を１個以上（例えば、１～５等）除いてなる基が挙げられる。
　本明細書でアリール基という場合、例えば、上記芳香環のうちの芳香族炭化水素環に該当する環から水素原子を１個取り除いてなる基が挙げられる。
　本明細書でヘテロアリール基という場合、例えば、上記芳香環のうちの芳香族複素環に該当する環から水素原子を１個除いてなる基が挙げられる。
　本明細書でアリーレン基という場合、例えば、上記芳香環のうちの芳香族炭化水素環に該当する環から水素原子を２個除いてなる基が挙げられる。
　本明細書でヘテロアリーレン基という場合、例えば、上記芳香環のうちの芳香族複素環に該当する環から水素原子を２個除いてなる基が挙げられる。

　なお、式（１）で表される化合物中の、置換基を有していてもよいアリール基、及び置換基を有していてもよいヘテロアリール基において、特に断りのない限り、アリール基及びヘテロアリール基としては、なかでも、単環及び２環～４環の多環が好ましく、単環及び２環がより好ましく、単環が更に好ましい。

　また、式（１）で表される化合物以外の化合物（具体的には、例えば、後述する、色素、ｐ型半導体、及びｎ型半導体が挙げられる。）中の置換基を有してもよい芳香環において、芳香環が有してもよい置換基の種類は、特段の断りがない限り、例えば、後述する置換基Ｗが挙げられる。また、上記芳香環が置換基を有する場合の置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。
　また、式（１）で表される化合物以外の化合物（具体的には、例えば、後述する、色素、ｐ型半導体、及びｎ型半導体が挙げられる。）中の、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいヘテロアリール基、置換基を有してもよいアリール基、及び、置換基を有してもよいヘテロアリール基において、これらの基が有してもよい置換基の種類は、特段の断りがない限り、例えば、後述する置換基Ｗが挙げられる。置換基を有してもよいこれらの基が置換基を有する場合の置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。

　また、本明細書において、式（１）で表される化合物について、「炭素数３以下の炭化水素基」と表す場合、炭素数３以下の炭化水素基としては、炭素数１～３のアルキル基、炭素数２又は３のアルケニル基、及び炭素数２又は３のアルキニル基が挙げられる。炭素数３以下の炭化水素基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ビニル基、及びエチニル基等が挙げられる。「炭素数３以下の炭化水素基」は、更に置換基を有さないのが好ましい。

　また、本明細書において、式（１）で表される化合物は、置換基として、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基の塩、スルホン酸基、スルホン酸基の塩、ヒドロキシ基、チオール基、アシルアミノ基、カルバモイル基、ウレイド基、ボロン酸基（－Ｂ（ＯＨ）_２）、及び／又は、１級アミノ基を有さないことも好ましい。

　本明細書において、式（１）で表される化合物以外の化合物（具体的には、例えば、後述する、色素、ｐ型半導体、及びｎ型半導体が挙げられる。）において「置換基」と表すとき、「置換基」は、特段の断りがない限り、後述する置換基Ｗで例示される基が挙げられる。

（置換基Ｗ）
　本明細書における置換基Ｗについて記載する。
　置換基Ｗは、例えば、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等）、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、及び、トリシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基及びビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基（ヘテロ環基といってもよい。）、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、２級又は３級のアミノ基（アニリノ基を含む。）、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、アルキル又はアリールスルフィニル基、アルキル又はアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリール又はヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、アシルアミノ基、カルバモイル基、ウレイド基、ボロン酸基及び１級アミノ基が挙げられる。また、上述の各基は、可能な場合、更に置換基（例えば、上述の各基のうちの１以上の基）を有してもよい。例えば、置換基を有してもよいアルキル基も、置換基Ｗの一形態として含まれる。
　また、置換基Ｗが炭素原子を有する場合、置換基Ｗが有する炭素数は、例えば、１～２０である。
　置換基Ｗが有する水素原子以外の原子の数は、例えば、１～３０である。

　また、本明細書において、特段の断りがない限り、アルキル基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６が更に好ましい。
　アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。
　アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ヘキシル基及びシクロペンチル基が挙げられる。
　また、アルキル基は、例えば、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基及びトリシクロアルキル基であってもよく、これらの環状構造を部分構造として有してもよい。
　置換基を有してもよいアルキル基において、アルキル基が有してもよい置換基は特に制限されず、例えば、置換基Ｗが挙げられ、アリール基（好ましくは炭素数６～１８、より好ましくは炭素数６）、ヘテロアリール基（好ましくは炭素数５～１８、より好ましくは炭素数５～６）又はハロゲン原子（好ましくはフッ素原子又は塩素原子）が好ましい。

　本明細書において、特段の断りがない限り、アルコキシ基におけるアルキル基部分は上記アルキル基が好ましい。アルキルチオ基におけるアルキル基部分は上記アルキル基が好ましい。
　置換基を有してもよいアルコキシ基において、アルコキシ基が有してもよい置換基は、置換基を有してもよいアルキル基における置換基と同様の例が挙げられる。置換基を有してもよいアルキルチオ基において、アルキルチオ基が有してもよい置換基は、置換基を有してもよいアルキル基における置換基と同様の例が挙げられる。

　本明細書において、特段の断りがない限り、アルケニル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。上記アルケニル基の炭素数は、２～２０が好ましい。置換基を有してもよいアルケニル基において、アルケニル基が有してもよい置換基は、置換基を有してもよいアルキル基における置換基と同様の例が挙げられる。
　本明細書において、特段の断りがない限り、アルキニル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。上記アルキニル基の炭素数は、２～２０が好ましい。置換基を有してもよいアルキニル基において、アルキニル基が有してもよい置換基は、置換基を有してもよいアルキル基における置換基と同様の例が挙げられる。

　本明細書において、特段の断りがない限り、置換基を有してもよいシリル基としては、例えば、－Ｓｉ（Ｒ^Ｓ１）（Ｒ^Ｓ２）（Ｒ^Ｓ３）で表される基が挙げられる。Ｒ^Ｓ１、Ｒ^Ｓ２及びＲ^Ｓ３は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアルキルチオ基、置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよいヘテロアリール基を表すことが好ましい。

　本明細書において、化学構造を示す一つの式（一般式）中に、基の種類、又は、数を示す同一の記号が複数存在する場合、特段の断りがない限り、それらの複数存在する同一の記号同士の内容はそれぞれ独立であり、同一の記号同士の内容は同一でもよいし異なっていてもよい。
　本明細書において、化学構造を示す一つの式（一般式）中に、同種の基（アルキル基等）が複数存在する場合、特段の断りがない限り、それらの複数存在する同種の基同士の具体的な内容はそれぞれ独立であり、同種の基同士の具体的な内容は同一でもよいし異なっていてもよい。

　本明細書において表記される２価の基（例えば、－ＣＯ－Ｏ－）の結合方向は、特に断らない限り制限されない。例えば、「Ｘ－Ｙ－Ｚ」なる一般式で表される化合物中の、Ｙが－ＣＯ－Ｏ－である場合、上記化合物は「Ｘ－Ｏ－ＣＯ－Ｚ」であってもよく「Ｘ－ＣＯ－Ｏ－Ｚ」であってもよい。

　本明細書において、幾何異性体（シス－トランス異性体）を有し得る化合物に関して、上記化合物を表す一般式又は構造式が、便宜上、シス体及びトランス体のいずれか一方の形態でのみ記載される場合がある。このような場合であっても、特段の記載がない限り、上記化合物の形態がシス体及びトランス体のいずれか一方に限定されることはなく、上記化合物は、シス体及びトランス体のいずれの形態であってもよい。

［光電変換素子］
　本発明の光電変換素子は、導電性膜、光電変換膜、及び、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、光電変換膜が、後述する式（１）で表される化合物（以下、「特定化合物」とも言う）を含む。
　本発明の光電変換素子がこのような構成をとることで上記課題を解決できるメカニズムは必ずしも明らかではないが、本発明者らは以下のように推測している。
　すなわち、特定化合物は、主に、式（１）中の中央部に位置する３環からなる多環構造とその両端に配置されるｎ^１個のＡｒ^１及びｎ^２個のＡｒ^２とから形成される母核を有している点、並びに、特定化合物が有していてもよい置換基種が所定種に限定されている点により、結晶性が比較的高い構造であると推測され、このため、特定化合物を使用して形成される光電変換膜は、暗電流のばらつきが抑制され安定した製造が可能となると考えている。
　更に、特定化合物は、上述の結晶性の高い構造に起因して電荷輸送性を担うことも可能である。その結果、例えば、光電変換膜が特定化合物を場合（特に、光電変換膜がｎ型半導体、ｐ型半導体、及び特定化合物を含む場合）、上記光電変換膜を備えた光電変換素子は、光電変換効率及び光電変換効率の電界強度依存抑制性にもより優れると推測している。
　以下、暗電流のばらつきがより抑制されること、光電変換効率がより優れること、及び／又は、光電変換効率の電界強度依存抑制性がより優れることを、「本発明の効果がより優れる」ともいう。

　図１に、本発明の光電変換素子の一実施形態の断面模式図を示す。
　図１に示す光電変換素子１０ａは、下部電極として機能する導電性膜（以下、「下部電極」ともいう。）１１と、電子ブロッキング膜１６Ａと、後述する特定化合物を含む光電変換膜１２と、上部電極として機能する透明導電性膜（以下、「上部電極」ともいう。）１５と、がこの順に積層された構成を有する。
　図２に別の光電変換素子の構成例を示す。図２に示す光電変換素子１０ｂは、下部電極１１上に、電子ブロッキング膜１６Ａと、光電変換膜１２と、正孔ブロッキング膜１６Ｂと、上部電極１５とがこの順に積層された構成を有する。なお、図１中及び図２中の電子ブロッキング膜１６Ａ、光電変換膜１２及び正孔ブロッキング膜１６Ｂの積層順は、用途及び特性に応じて、適宜変更してもよい。

　光電変換素子１０ａ（又は１０ｂ）では、上部電極１５を介して光電変換膜１２に光が入射されることが好ましい。
　また、光電変換素子１０ａ（又は１０ｂ）を使用する場合には、電圧を印加できる。この場合、下部電極１１と上部電極１５とが一対の電極を成して、この一対の電極間に、電圧を印加することが好ましい。
　上記電圧としては、１．０×１０^－５～１．０×１０^７Ｖ／ｃｍが好ましく、性能及び消費電力の点から、１．０×１０^－４～１．０×１０^７Ｖ／ｃｍがより好ましく、１．０×１０^－３～５．０×１０^６Ｖ／ｃｍが更に好ましい。
　なお、電圧印加方法については、図１及び図２において、電子ブロッキング膜１６Ａ側が陰極となり、光電変換膜１２側が陽極となるように印加することが好ましい。光電変換素子１０ａ（又は１０ｂ）を光センサとして使用した場合、また、撮像素子に組み込んだ場合も、同様の方法により電圧を印加できる。
　後段で、詳述するように、光電変換素子１０ａ（又は１０ｂ）は撮像素子用途に好適に適用できる。

　以下に、本発明の光電変換素子を構成する各層の形態について詳述する。

〔光電変換膜〕
　光電変換膜は、特定化合物を含む膜である。
　以下、特定化合物について詳述する。

＜式（１）で表される化合物（特定化合物）＞
　特定化合物は、式（１）で表される化合物である。

　式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、各々独立に、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、シアノ基、トリフルオロメチル基、又はハロゲン原子を表す。
　Ｒ^１及びＲ^２としては、本発明の効果がより優れる点で、水素原子を表すのが好ましい。

　Ｘ^１及びＸ^２のうち、一方は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、又は－ＮＲ^ａ１－を表し、他方は、－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表す。
　本発明の効果がより優れる点で、なかでも、Ｘ^１及びＸ^２のうち、一方は硫黄原子を表し、他方は－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表すのが好ましく、Ｘ^１及びＸ^２のうち、一方は硫黄原子を表し、他方は窒素原子を表すのがより好ましい。
　Ｘ^３及びＸ^４のうち、一方は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、又は－ＮＲ^ａ１－を表し、他方は－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表す。
　本発明の効果がより優れる点で、なかでも、Ｘ^３及びＸ^４のうち、一方は硫黄原子を表し、他方は－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表すのが好ましく、Ｘ^３及びＸ^４のうち、一方は硫黄原子を表し、他方は窒素原子を表すのがより好ましい。

　Ｘ^１～Ｘ^４の組み合わせの好適態様としては、例えば、以下の態様が挙げられる。
　（１）Ｘ^２及びＸ^３が硫黄原子を表し、Ｘ^１及びＸ^４が－ＣＲ^ａ２＝を表す。
　（２）Ｘ^２及びＸ^３が硫黄原子を表し、Ｘ^１及びＸ^４が窒素原子を表す。
　（３）Ｘ^１及びＸ^３が硫黄原子を表し、Ｘ^２及びＸ^４が－ＣＲ^ａ２＝を表す。
　（４）Ｘ^１及びＸ^３が硫黄原子を表し、Ｘ^２及びＸ^４が窒素原子を表す。

　Ｒ^ａ１は、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、トリフルオロメチル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。
　上述のアリール基及びヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、以下に示す置換基Ｓから選ばれる。また、アリール基及びヘテロアリール基が置換基を有する場合、置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。
（置換基Ｓ）
　炭素数３以下の炭化水素基；ハロゲン原子；シアノ基；トリフルオロメチル基

　Ｒ^ａ１としては、本発明の効果がより優れる点で、水素原子が好ましい。

　Ｒ^ａ２は、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。
　上述のアリール基及びヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、既述の置換基Ｓから選ばれる。また、アリール基及びヘテロアリール基が置換基を有する場合、置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。
　Ｒ^ａ２としては、本発明の効果がより優れる点で、水素原子が好ましい。

　Ａ^１は、下記式（２）で表される基又は下記式（３）で表される基を表す。

　式（２）中、Ｘ^５及びＸ^６は、各々独立に、－ＣＲ^ａ３＝又は窒素原子を表す。
　Ｘ^５及びＸ^６としては、本発明の効果がより優れる点で、いずれも－ＣＲ^ａ３＝であることが好ましい。
　Ｒ^ａ３は、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、シアノ基、又はトリフルオロメチル基を表す。なお、式（２）中に２つのＲ^ａ３が存在する場合、２つのＲ^ａ３は、各々同一であっても異なっていてもよい。また、上述のアリール基及びヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、既述の置換基Ｓから選ばれる。また、アリール基及びヘテロアリール基が置換基を有する場合、置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。
　＊は、結合位置を表す。

　式（３）中、Ｒ^ｘは、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、－ＣＲ^Ｚ８Ｒ^Ｚ９－、－ＳｉＲ^Ｚ１０Ｒ^Ｚ１１－、又は－ＧｅＲ^Ｚ１２Ｒ^Ｚ１３－を表す。
　Ｒ^ｘとしては、本発明の効果がより優れる点で、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、－ＣＲ^Ｚ８Ｒ^Ｚ９－、又は－ＳｉＲ^Ｚ１０Ｒ^Ｚ１１－を表すのが好ましい。
　Ｒ^Ｚ８～Ｒ^Ｚ１３は、各々独立に、炭素数３以下の炭化水素基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。
　上述のアリール基及びヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、既述の置換基Ｓから選ばれる。また、アリール基及びヘテロアリール基が置換基を有する場合、置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。
　＊は、結合位置を表す。

　式（２）又は式（３）で表される基中の＊は、既述のとおり結合位置を表し、この結合位置において、Ａ^１に隣接する２つの５員環と結合して３環からなる多環構造を構成する。この３環からなる多環構造の具体的としては、例えば、以下の構造が一例として挙げられる。なお、以下に挙げる構造は、いずれも、Ｘ^１及びＸ^２のうちの一方が硫黄原子を表し、他方が－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表し、且つ、Ｘ^３及びＸ^４のうちの一方が硫黄原子を表し、他方が－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表す場合に相当する。

　特定化合物の母核の好適な一態様として、Ａ^１が式（３）で表される基を表す態様が挙げられる。
　また、特定化合物の母核の好適な一態様として、Ａ^１が式（３）で表される基を表し、且つ、Ｒ^ｘが、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、－ＣＲ^Ｚ８Ｒ^Ｚ９－、又は－ＳｉＲ^Ｚ１０Ｒ^Ｚ１１－を表す態様も挙げられる。

　また、特定化合物の母核の好適な一態様として、母核中の上述の３環からなる多環構造が窒素原子を含む態様が挙げられる。母核中の３環からなる多環構造が窒素原子を含む好適態様としては、例えば、以下の態様が挙げられる。
（１）Ａ^１が式（２）で表される基を表し、且つ、Ｘ^１及びＸ^４が硫黄原子を表し、Ｘ^２及びＸ^３が窒素原子を表す（上記式（Ａ１－１）が該当）。
（２）Ａ^１が式（３）で表される基を表し、且つ、Ｘ^１及びＸ^３が硫黄原子を表し、Ｘ^２及びＸ^４が窒素原子を表す（上記式（Ａ１－６）が該当）。
　上記（１）の態様の場合、Ｘ^５及びＸ^６が－ＣＲ^ａ３＝を表すのも好ましい。

　また、特定化合物の母核の好適な一態様として、上記式（２）で表される基が、下記式（２’）で表される基（より好ましくは、下記式（２’’）で表される基）である態様が挙げられる。
　また、特定化合物の母核の好適な一態様として、上記式（３）で表される基が、下記式（３’）で表される基（より好ましくは、下記式（３’’）で表される基）である態様が挙げられる。

　式（２’）中、Ａ^４及びＡ^５は、各々独立に、置換基を有していてもよい単環のアリール基、又は、置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。但し、上記置換基は、既述の置換基Ｓから選ばれる基である。また、上述の単環のアリール基又は単環のヘテロアリール基が置換基を有する場合、置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。なお、ここで指す置換基とは、式（２’）中に明示されるＲ^Ａ以外に有し得る置換基を意図する。

　Ｒ^Ａは、ハロゲン原子又は炭素数３以下の炭化水素基を表す。なお、Ａ^４において、式中に明示されるフェニレン基との結合位置及びＲ^Ａで表される置換基との結合位置は、炭素原子が配置されており、２つの上記炭素原子は隣接して存在している。また、Ａ^５において、式中に明示されるフェニレン基との結合位置及びＲ^Ａで表される置換基との結合位置は、炭素原子が配置されており、２つの上記炭素原子は隣接して存在している。
　なお、式（２’）中の２つのＲ^Ａは、各々同一であっても異なっていてもよい。
　＊は、結合位置を表す。

　式（３’）中、Ａ^６及びＡ^７は、各々独立に、置換基を有していてもよい単環のアリール基、又は、置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。但し、上記置換基は、既述の置換基Ｓから選ばれる基である。また、上述の単環のアリール基又は単環のヘテロアリール基が置換基を有する場合、置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。
　Ｚは、炭素原子、珪素原子、又はゲルマニウム原子を表す。Ｚとしては、炭素原子又は珪素原子であるのが好ましい。
　＊は、結合位置を表す。

　式（２’’）中、Ｒ^Ａは、ハロゲン原子又は炭素数３以下の炭化水素基を表す。なお、式（２’’）中の４つのＲ^Ａは、各々同一であっても異なっていてもよい。
　＊は、結合位置を表す。
　式（３’’）中、Ｚは、炭素原子、珪素原子、又はゲルマニウム原子を表す。Ｚとしては、なかでも、炭素原子又は珪素原子であるのが好ましい。
　＊は、結合位置を表す。

　ｎ^１が０又は１であり、且つ、ｎ^３が１の場合、Ａｒ^１は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のアリーレン基、又は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のヘテロアリーレン基を表し、ｎ^１が０又は１であり、且つ、ｎ^３が０の場合、Ａｒ^１は、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。なお、ｎ^１が０を表す場合には、後段部にて示すように、式（１）中の－（Ａｒ^１）ｎ^１－で表される部位は存在せず、例えば、ｎ^３が１の場合においては、母核中の３環の多環構造と、式（１）中に明示される、Ｒ^２が置換した炭素原子とが直接結合する。
　また、ｎ^１が２であり、且つ、ｎ^３が１の場合、２つのＡｒ^１は、各々独立に、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のアリーレン基、又は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のヘテロアリーレン基を表し、ｎ^１が２であり、且つ、ｎ^３が０の場合、２つのＡｒ^１のうちの端部のＡｒ^１は、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表し、他方のＡｒ^１は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のアリーレン基、又は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のヘテロアリーレン基を表す。
　Ａｒ^１で表される上述の単環若しくは２環のアリーレン基、単環若しくは２環のヘテロアリーレン基、アリール基、及びヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、既述の置換基Ｓから選ばれる。また、上述の単環若しくは２環のアリーレン基、単環若しくは２環のヘテロアリーレン基、アリール基、及びヘテロアリール基が置換基を有する場合、置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。

　Ａｒ^２は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のアリーレン基、又は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のヘテロアリーレン基を表す。
　Ａｒ^２で表される上述の単環若しくは２環のアリーレン基、及び、単環若しくは２環のヘテロアリーレン基が有していてもよい置換基としては、既述の置換基Ｓから選ばれる。また、上述の単環若しくは２環のアリーレン基、及び、単環若しくは２環のヘテロアリーレン基が置換基を有する場合、置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。
　なお、ｎ^２が０を表す場合には、式（１）中の－（Ａｒ^２）ｎ^２－で表される部位は存在せず、母核中の３環の多環構造と、式（１）中に明示される、Ｒ^１が置換する炭素原子とが直接結合する。
　なお、ｎ^２が２の場合、２つのＡｒ^２は、各々同一であっても異なっていてもよい。

　Ａｒ^１及びＡｒ^２のうち少なくとも一方は、特定化合物のイオン化ポテンシャルがより適切になって本発明の効果がより優れる点で、以下の条件Ｘ１及びＸ２の少なくとも１種を満たすのが好ましく、以下の条件Ｘ１及びＸ２’の少なくとも１種を満たすのがより好ましい。
　条件Ｘ１：環構造内に－Ｎ＝を含む（換言すると、環構造内に環員原子構造として－Ｎ＝を含む）。
　条件Ｘ２：置換基として、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基を有する。
　条件Ｘ２’：置換基として、ハロゲン原子及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基を有する。

　Ｙ^１及びＹ^２は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子、＝ＮＲ^Ｚ１、又はＣＲ^Ｚ２Ｒ^Ｚ３を表す。Ｙ^１及びＹ^２としては、本発明の効果がより優れる点で、なかでも、酸素原子であるのが好ましい。
　Ｒ^Ｚ１は、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。
　Ｒ^Ｚ１で表されるアリール基及びヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、既述の置換基Ｓから選ばれる。また、上述のアリール基及びヘテロアリール基が置換基を有する場合、置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。

　Ｒ^Ｚ２及びＲ^Ｚ３は、各々独立に、シアノ基、－ＣＯ_２Ｒ^Ｚ４、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^Ｚ５、－Ｓ（＝Ｏ）Ｒ^Ｚ６、又は－Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｚ７を表す。
　Ｒ^Ｚ４～Ｒ^Ｚ７は、各々独立に、炭素数３以下の炭化水素基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。
　Ｒ^Ｚ４～Ｒ^Ｚ７で表されるアリール基及びヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、既述の置換基Ｓから選ばれる。また、上述のアリール基及びヘテロアリール基が置換基を有する場合、置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。

　Ａ^２は、少なくとも２つの炭素原子を含む環構造を表す。なお、２つの炭素原子とは、式（１）中のＹ^１が結合する炭素原子と、Ｙ^１が結合する炭素原子に隣接する炭素原子とを意図し、いずれの炭素原子もＡ^２を構成する原子である。

　Ａ^２の炭素数としては、３～３０が好ましく、３～２０がより好ましく、３～１５が更に好ましい。なお、上記炭素数は、上述の、環構造中に含まれる２個の炭素原子を含む数である。
　Ａ^２は、ヘテロ原子を有していてもよく、ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子、及びホウ素原子が挙げられ、窒素原子、硫黄原子、又は酸素原子が好ましく、酸素原子がより好ましい。
　Ａ^２は、置換基を有していてもよい。置換基としては、炭素数３以下の炭化水素基、シアノ基、トリフルオロメチル基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表すのが好ましい。アリール基及びヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、既述の置換基Ｓから選ばれる。また、上述のアリール基及びヘテロアリール基が置換基を有する場合、置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。
　Ａ^２中のヘテロ原子の数としては、０～１０が好ましく、０～５がより好ましく、０～２が更に好ましい。なお、上記ヘテロ原子の数は、式（１）中のＹ^１で表される基が含むヘテロ原子、及び、Ａ^２が有し得る置換基中に含まれるヘテロ原子（例えば、ハロゲン原子）の数を含まない数である。
　Ａ^２は、芳香族性を示してもよく、示さなくてもよい。
　Ａ^２は、単環構造でもよく、縮環構造でもよいが、５員環、６員環、又は、５員環及び６員環の少なくともいずれかを含む縮合環であるのが好ましい。上記縮合環を形成する環の数としては、２～４が好ましく、２～３がより好ましい。

　Ａ^２で表される環としては、なかでも、下記式（ＡＸ１）で表される基を有しているのが好ましい。なお、＊^１は、式（１）中に明示されるＹ^１が結合する炭素原子との結合位置を表し、＊^２は、式（１）中に明示されるＹ^１が結合する炭素原子に隣接する炭素原子との結合位置を表す。

＊^１－Ｌ^１－Ｖ^１－Ｗ^１－＊^２　　　　　（ＡＸ１）

　式（ＡＸ１）中、Ｌ^１は、単結合又は－ＮＲ^Ｌ－を表す。
　Ｒ^Ｌは、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。
　上述のアリール基及びヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、既述の置換基Ｓから選ばれる。また、アリール基及びヘテロアリール基が置換基を有する場合、置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。

　Ｖ^１は、－ＣＲ^Ｖ１＝ＣＲ^Ｖ２－、－ＣＳ－、－ＣＯ－、－ＣＳ－ＮＲ^Ｖ３－、－ＣＯ－ＮＲ^Ｖ４－、－ＮＲ^Ｖ５－、又は－Ｎ＝を表し、なかでも、－ＣＯ－ＮＲ^Ｖ４、－ＮＲ^Ｖ５－、又は－ＣＲ^Ｖ１＝ＣＲ^Ｖ２－が好ましい。
　Ｒ^Ｖ１～Ｒ^Ｖ５は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、シアノ基、トリフルオロメチル基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。アリール基及びヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、既述の置換基Ｓから選ばれる。また、上述のアリール基及びヘテロアリール基が置換基を有する場合、置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。
　また、Ｖ^１が－ＣＲ^Ｖ１＝ＣＲ^Ｖ２－を表す場合、Ｒ^Ｖ１とＲ^Ｖ２とは互いに連結して環を形成するのが好ましく、Ｒ^Ｖ１とＲ^Ｖ２とは互いに連結してベンゼン環を形成するのがより好ましい。

　Ｗ^１は、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ_２－、－ＣＯ－、－ＣＳ－、－Ｃ［＝Ｎ（ＣＮ）］－、－Ｃ［＝Ｃ（ＣＮ）_２］－、＝ＣＣＮ－、＝ＣＣＦ_３－、又は、－Ｃ（ＣＮ）＝ＣＲ^Ｗ１－を表し、なかでも、＝ＣＣＮ－、＝ＣＣＦ_３－、－Ｃ［＝Ｃ（ＣＮ）_２］－、又は－ＣＯ－が好ましい。

　Ｒ^Ｗ１は、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、シアノ基、トリフルオロメチル基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。アリール基及びヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、既述の置換基Ｓから選ばれる。また、上述のアリール基及びヘテロアリール基が置換基を有する場合、置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。

　なお、上記、Ｌ^１、Ｖ^１、及びＷ^１の組み合わせとしては、－Ｌ^１－Ｖ^１－Ｗ^１－と式（１）中に明示される上述の２個の炭素原子とが結合して形成される環が、５員環又は６員環となる組み合わせが好ましい。ただし、上述の通り上記５員環又は６員環は、更に異なる環（好ましくはベンゼン環）と縮環して、縮環構造を形成していてもよい。

　式（ＡＸ１）で表される基としては、例えば、式（ＡＸ２）で表される基、＊１－ＮＲ^Ｌ－ＣＳ－ＮＲ^Ｖ５－ＣＯ－＊２、＊１－ＮＲ^Ｌ－ＣＯ－ＮＲ^Ｖ５－ＣＯ－＊２、＊１－ＮＲ^Ｌ－ＣＯ－Ｃ（ＣＮ）＝ＣＲ^Ｗ１－＊２、＊１－ＮＲ^Ｌ－ＣＳ－Ｓ－＊２、＊１－ＮＲ^Ｌ－ＣＯ－Ｓ－＊２、＊１－ＮＲ^Ｌ－ＮＲ^Ｖ５－ＣＯ－＊２、＊１－ＮＲ^Ｌ－Ｎ＝ＣＣＮ－＊２、及び、＊１－ＮＲ^Ｌ－Ｎ＝ＣＣＦ_３－＊２等が挙げられる。なお、上記Ｒ^Ｌ、Ｒ^Ｖ５、及びＲ^Ｗ１は既述のとおりである。

　式（ＡＸ２）中、Ｒ^Ｖ７～Ｒ^Ｖ１０は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、シアノ基、トリフルオロメチル基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。アリール基及びヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、既述の置換基Ｓから選ばれる。また、上述のアリール基及びヘテロアリール基が置換基を有する場合、置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。
　Ｒ^Ｖ７～Ｒ^Ｖ１０としては、なかでも、それぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子が好ましく、水素原子、塩素原子、又はフッ素原子がより好ましい。
　Ｒ^Ｖ７とＲ^Ｖ８とは互いに連結して環を形成していてもよく、Ｒ^Ｖ８とＲ^Ｖ９とは互いに連結して環を形成していてもよく、Ｒ^Ｖ９とＲ^Ｖ１０とは互いに連結して環を形成していてもよい。Ｒ^Ｖ７とＲ^Ｖ８、Ｒ^Ｖ８とＲ^Ｖ９、及びＲ^Ｖ９とＲ^Ｖ１０とが、それぞれ互いに連結して形成する環はベンゼン環が好ましい。なかでも、Ｒ^Ｖ８とＲ^Ｖ９とが互いに連結して環を形成するのが好ましく、Ｒ^Ｖ８とＲ^Ｖ９とが互いに連結して形成される環はベンゼン環が好ましい。なお、Ｒ^Ｖ８とＲ^Ｖ９とが互いに連結して形成される環には、更に置換基が置換していてもよい。置換基としては、炭素数３以下の炭化水素基、シアノ基、トリフルオロメチル基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。アリール基及びヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、既述の置換基Ｓから選ばれる。また、上述のアリール基及びヘテロアリール基が置換基を有する場合、置換基の数は１以上（例えば、１～４等）であればよい。
　式（ＡＸ３）中の＊^１、＊^２、及びＷ^２は、上述した式（ＡＸ１）中の＊^１、＊^２、Ｗ^１と同義であり、好適態様も同じである。

　Ａ^３は、少なくとも２つの炭素原子を含む環構造を表す。なお、２つの炭素原子とは、式（１）中のＹ^２が結合する炭素原子と、Ｙ^２が結合する炭素原子に隣接する炭素原子とを意図し、いずれの炭素原子もＡ^３を構成する原子である。Ａ^３で表される環としては、Ａ^２で表される環と同義であり、好適態様も同じである。なお、Ａ^３で表される環についても、Ａ^２で表される環と同様に、上述の式（ＡＸ１）で表される基等を有しているのが好ましい。この場合、＊^１は、式（１）中に明示されるＹ^２が結合する炭素原子との結合位置を表し、＊^２は、式（１）中に明示されるＹ^２が結合する炭素原子に隣接する炭素原子との結合位置を表す。

　このようなＡ^２及びＡ^３で表される環としては、通常メロシアニン色素で酸性核として用いられるものが好ましい。

　ｎ^１及びｎ^２は、各々独立に、０～２の整数を表す。但し、ｎ^１とｎ^２の合計は１以上である。
　ｎ^３は、０又は１を表す。

　ｎ^３が０のとき、ｎ^１としては、１又は２が好ましく、１がより好ましい。
　ｎ^３が１のとき、ｎ^１としては、０又は１が好ましく、１がより好ましい。
　なお、例えば、式（１）中のｎ^１及びｎ^３がいずれも０である場合、式（１）で表される化合物は、以下の構造で表される（なお、以下の構造中、ｎ^２は、１又は２を表す）。

　また、例えば、式（１）中のｎ^１が２である場合、式（１）で表される化合物は、以下の構造で表される（なお、以下の構造中、ｎ^３は、０又は１を表し、ｎ^２は、０～２の整数を表す）。

　式（１）において、ｎ^２としては、１又は２が好ましく、１がより好ましい。

　特定化合物としては、ｎ^３が０を表す化合物であるか、又は、ｎ^１、ｎ^２、及びｎ^３がいずれも１を表す化合物であることが好ましい。特定化合物は、ｎ^３が０を表す化合物である場合には、下記式（１Ａ）で表される化合物に相当し、ｎ^１、ｎ^２、及びｎ^３がいずれも１を表す化合物である場合には、下記式（１Ｂ）で表される化合物に相当する。

　式（１Ａ）中、Ｒ^１、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｙ^１、Ａ^１、Ａ^２、ｎ^１、及びｎ^２は、式（１）中のＲ^１、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｙ^１、Ａ^１、Ａ^２、ｎ^１、及びｎ^２と同義であり好適態様も同じである。

　式（１Ｂ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｙ^１、Ｙ^２、Ａ^１、Ａ^２、及びＡ^３は、式（１）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｙ^１、Ｙ^２、Ａ^１、Ａ^２、及びＡ^３と同義であり好適態様も同じである。

　以下において特定化合物の具体例を示すが、本発明における特定化合物はこれに制限されない。

《式（１Ａ）で表される化合物の具体例》
　以下、式（１Ａ）で表される化合物に該当する特定化合物の具体例を示す。
　以下においては、特定化合物を構造部位１（酸性核）と構造部位２（母核）の２つの構造に分けて示す。より具体的には、特定化合物は、以下に例示される≪構造部位１群≫から選択される任意の１種の構造部位１と≪構造部位２群≫から選択される任意の１種の構造部位２とを、構造部位１及び構造部位２の各構造部位中に示される結合位置（＊）で結合させた化合物に該当する。例えば、≪構造部位１群≫の左上端部と≪構造部位２群≫の左上端部とを各々選択した場合、特定化合物は以下に示す構造に該当する。

≪構造部位１群≫
　以下に、構造部位１群を示す。

≪構造部位２群≫
　以下に、構造部位２群を示す。

《式（１Ｂ）で表される化合物の具体例》
　以下、式（１Ｂ）で表される化合物に該当する特定化合物の具体例を示す。
　以下においては、特定化合物を構造部位１（酸性核）と構造部位３（母核）とに分けて示す。より具体的には、特定化合物は、上段部において例示された≪構造部位１群≫から選択される任意の２種の構造部位１と、≪構造部位３群≫から選択される任意の１種の構造部位３とを、構造部位１及び構造部位３の各構造部位中に示される結合位置（＊）で結合させた化合物に該当する。換言すると、特定化合物は、構造部位３中に示される２つの結合位置（＊）が、各々、上段部において例示された≪構造部位１群≫から選択される２種の任意の構造部位１の結合位置（＊）と各々結合する。特定化合物において、２つの構造部位１は、互いに同一であっても異なっていてもよい。

　特定化合物の分子量は、４００以上が好ましく、６００以上がより好ましい。上限は、１２００以下が好ましく、１０００以下がより好ましく、９００以下が更に好ましい。
　分子量が１２００以下であれば、蒸着温度が高くならず、化合物の分解が起こりにくい。分子量が４００以上であれば、蒸着膜のガラス転移点が低くならず、光電変換素子の耐熱性が向上する。

　特定化合物は、撮像素子、光センサ、又は、光電池に用いる光電変換膜の材料として特に有用である。また、特定化合物は、着色材料、液晶材料、有機半導体材料、電荷輸送材料、医薬材料、及び、蛍光診断薬材料としても使用できる。

　特定化合物の極大吸収波長は、例えば、３００～７００ｎｍの範囲にあることが好ましく、４００～６００ｎｍの範囲にあることがより好ましい。
　なお、上記極大吸収波長は、特定化合物の吸収スペクトルを吸光度が０．５～１になる程度の濃度に調整して溶液状態（溶剤：クロロホルム）で測定した値である。ただし、特定化合物がクロロホルムに溶解しない場合は、特定化合物を蒸着し、膜状態にした特定化合物を用いて測定した値を特定化合物の極大吸収波長とする。

　光電変換膜の極大吸収波長は、例えば、３００～７００ｎｍの範囲にあることが好ましく、４００～７００ｎｍの範囲にあることがより好ましい。

　特定化合物は、色素、ｐ型半導体材料（正孔の輸送性に優れる材料）、及び、ｎ型半導体材料（電子の輸送性に優れる材料）としても使用できる。

　特定化合物をｐ型半導体材料として使用する場合、その特定化合物のイオン化ポテンシャルは、５．０～６．０ｅＶが好ましい。

　また、特定化合物をｎ型半導体材料として使用する場合、その特定化合物の電子親和力は、３．０～４．５ｅＶが好ましい。
　本明細書において、電子親和力の値としてＧａｕｓｓｉａｎ‘０９（ソフトウェア、Ｇａｕｓｓｉａｎ社製）を用いてＢ３ＬＹＰ／６－３１Ｇ（ｄ）の計算により求められるＬＵＭＯの値の反数の値（マイナス１を掛けた値）を用いる。

　光電変換素子の応答性の点から、光電変換膜中の特定化合物の含有量（＝特定化合物の単層換算での膜厚／光電変換膜の膜厚×１００）は、１５～８５体積％が好ましい。
　光電変換素子が特定化合物を１種単独で含んでいてもよいし、２種以上を含んでいてもよい。

＜ｎ型半導体材料＞
　光電変換膜は、特定化合物以外に、ｎ型半導体材料を含むことが好ましい。
　ｎ型半導体材料は、アクセプター性有機半導体材料（化合物）であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。
　更に詳しくは、ｎ型半導体材料は、上述の特定化合物と接触させて用いた場合に、特定化合物よりも電子親和力の大きい有機化合物が好ましい。
　また、ｎ型半導体材料は、後述の色素と接触させて用いた場合に、色素よりも電子親和力の大きい有機化合物であることが好ましい。
　ｎ型半導体材料の電子親和力は、３．０～５．０ｅＶが好ましい。

　ｎ型半導体材料は、例えば、フラーレン及びその誘導体からなる群から選択されるフラーレン類、縮合芳香族炭素環化合物（例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体及びフルオランテン誘導体等）；窒素原子、酸素原子及び硫黄原子からなる群から選択される１種以上を有する５～７員環のヘテロ環化合物（例えば、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール及びチアゾール等）；ポリアリーレン化合物；フルオレン化合物；シクロペンタジエン化合物；シリル化合物；１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸無水物；１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸無水物イミド誘導体、オキサジアゾール誘導体；アントラキノジメタン誘導体；ジフェニルキノン誘導体；バソクプロイン、バソフェナントロリン及びこれらの誘導体；トリアゾール化合物；ジスチリルアリーレン誘導体；含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体；シロール化合物；並びに、特開２００６－１００７６７号公報の段落［００５６］～［００５７］に記載の化合物が挙げられる。

　ｎ型半導体材料は、フラーレン及びその誘導体からなる群から選択されるフラーレン類を含むことが好ましい。
　フラーレンは、例えば、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、フラーレンＣ７６、フラーレンＣ７８、フラーレンＣ８０、フラーレンＣ８２、フラーレンＣ８４、フラーレンＣ９０、フラーレンＣ９６、フラーレンＣ２４０、フラーレンＣ５４０及びミックスドフラーレンが挙げられる。
　フラーレン誘導体は、例えば、上記フラーレンに置換基が付加した化合物が挙げられる。置換基としては、アルキル基、アリール基、又は複素環基が好ましい。フラーレン誘導体としては、特開２００７－１２３７０７号公報に記載の化合物が好ましい。

　光電変換膜がｎ型半導体材料を含む場合、光電変換膜中のｎ型半導体材料の含有量（＝ｎ型半導体材料の単層換算での膜厚／光電変換膜の膜厚×１００）は、１５～７５体積％が好ましく、２０～６０体積％がより好ましく、２５～５０体積％が更に好ましい。
　ｎ型半導体材料は、１種単独又は２種以上で用いてもよい。

　また、ｎ型半導体材料がフラーレン類を含む場合、ｎ型半導体材料の合計の含有量に対する、フラーレン類の含有量（＝（フラーレン類の単層換算での膜厚／単層換算した各ｎ型半導体材料の膜厚の合計）×１００）は、５０～１００体積％が好ましく、８０～１００体積％がより好ましい。
　フラーレン類は、１種単独又は２種以上で用いてもよい。

　ｎ型半導体材料の分子量は、２００～１２００が好ましく、２００～１０００がより好ましい。

＜ｐ型半導体材料＞
　光電変換膜は、特定化合物以外に、ｐ型半導体材料を含むことも好ましい。
　ｐ型半導体材料は、ドナー性有機半導体材料（化合物）であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。具体的には、ｐ型半導体材料とは、光電変換膜中の特定化合よりも正孔輸送性に優れる有機化合物が好ましく、特定化合物及び後述する色素のいずれよりも正孔輸送性に優れる有機化合物がより好ましい。
　本明細書において、化合物の正孔輸送性（正孔キャリア移動度）は、例えば、Ｔｉｍｅ－ｏｆ－Ｆｌｉｇｈｔ法（例えば、飛程時間法及びＴＯＦ法等）又は電界効果トランジスタ素子を用いて評価できる。
　ｐ型半導体材料の正孔キャリア移動度は、１０^－４ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上が好ましく、１０^－３ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上がより好ましく、１０^－２ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上が更に好ましい。上限は、光照射していない状態で微量の電流が流れることを抑制する点から、１０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以下が好ましい。
　また、ｐ型半導体材料は、光電変換膜中の特定化合物よりもイオン化ポテンシャルが小さいことも好ましく、特定化合物及び後述する色素のいずれよりもイオン化ポテンシャルが小さいことがより好ましい。

　ｐ型半導体材料は、例えば、トリアリールアミン化合物（例えば、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’－ビス［Ｎ－（ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）、特開２０１１－２２８６１４号公報の段落［０１２８］～［０１４８］に記載の化合物、特開２０１１－１７６２５９号公報の段落［００５２］～［００６３］に記載の化合物、特開２０１１－２２５５４４号公報の段落［０１１９］～［０１５８］に記載の化合物、特開２０１５－１５３９１０号公報の［００４４］～［００５１］に記載の化合物及び特開２０１２－０９４６６０号公報の段落［００８６］～［００９０］に記載の化合物等）、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、ポリシラン化合物、チオフェン化合物（例えば、チエノチオフェン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ベンゾジチオフェン誘導体、ジチエノチオフェン誘導体、［１］ベンゾチエノ［３，２－ｂ］チオフェン（ＢＴＢＴ）誘導体、チエノ［３，２－ｆ：４，５－ｆ’］ビス［１］ベンゾチオフェン（ＴＢＢＴ）誘導体、特開２０１８－１４４７４号の段落［００３１］～［００３６］に記載の化合物、ＷＯ２０１６－１９４６３０号の段落［００４３］～［００４５］に記載の化合物、ＷＯ２０１７－１５９６８４号の段落［００２５］～［００３７］、［００９９］～［０１０９］に記載の化合物、特開２０１７－０７６７６６号公報の段落［００２９］～［００３４］に記載の化合物、ＷＯ２０１８－２０７７２２の段落［００１５］～［００２５］に記載の化合物、特開２０１９－５４２２８の段落［００４５］～［００５３］に記載の化合物、ＷＯ２０１９－０５８９９５の段落［００４５］～［００５５］に記載の化合物、ＷＯ２０１９－０８１４１６の段落［００６３］～［００８９］に記載の化合物、特開２０１９－８００５２の段落［００３３］～［００３６］に記載の化合物、ＷＯ２０１９－０５４１２５の段落［００４４］～［００５４］に記載の化合物及びＷＯ２０１９－０９３１８８の段落［００４１］～［００４６］に記載の化合物等）、シアニン化合物、オキソノール化合物、ポリアミン化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物（例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体及びフルオランテン誘導体等）、ポルフィリン化合物、フタロシアニン化合物、トリアゾール化合物、オキサジアゾール化合物、イミダゾール化合物、ポリアリールアルカン化合物、ピラゾロン化合物、アミノ置換カルコン化合物、オキサゾール化合物、フルオレノン化合物、シラザン化合物、並びに、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体が挙げられる。

　また、ｐ型半導体材料は、式（ｐ１）～式（ｐ６）のいずれかで表される化合物も好ましく、式（ｐ１）で表される化合物がより好ましい。

　式（ｐ１）～式（ｐ６）中、２つ存在するＲは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
　上記置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アルキルチオ基、（ヘテロ）アリールチオ基、アルキルアミノ基、（ヘテロ）アリールアミノ基及び（ヘテロ）アリール基が挙げられる。上記置換基は、更に置換基を有していてもよい。具体的には、（ヘテロ）アリール基は、更に置換基を有してもよいアリールアリール基（ビアリール基）が挙げられる。なお、上記ビアリール基を構成する２つのアリール基の少なくとも一方が、ヘテロアリール基であってもよい。
　「（ヘテロ）アリール基」は、アリール基及びヘテロアリール基の両方を含む概念である。具体的には、「（ヘテロ）アリールチオ基」である場合、アリールチオ基及びヘテロアリールチオ基のいずれであってもよい。
　また、Ｒとしては、国際公開第２０１９－０８１４１６号に記載の式（ＩＸ）におけるＲで表される基も好ましい。

　Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、－ＣＲ^２ _２－、硫黄原子（－Ｓ－）、酸素原子（－Ｏ－）、－ＮＲ^２－又は－ＳｉＲ^２ _２－を表す。
　Ｒ^２は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基（好ましくはメチル基又はトリフルオロメチル基）、置換基を有していてもよいアリール基、又は、置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。２以上存在するＲ^２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
　Ａｒは、芳香環基を表す。Ａｒとしては、ベンゼン環基が好ましい。
　上記芳香環基は、単環及び多環（例えば、２環、３環及び４環等）のいずれであってもよい。

　光電変換膜がｐ型半導体材料を含む場合、光電変換膜中のｐ型半導体材料の含有量（＝ｐ型半導体材料の単層換算での膜厚／光電変換膜の膜厚×１００）は、１５～７５体積％が好ましく、２０～６０体積％がより好ましく、２５～５０体積％が更に好ましい。
　ｐ型半導体材料は、１種単独又は２種以上で用いてもよい。

＜色素＞
　光電変換膜は、特定化合物以外に、色素を含んでいてもよい。
　上記色素としては、有機色素が好ましい。
　上記色素は、例えば、シアニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、メロシアニン色素（ゼロメチンメロシアニン（シンプルメロシアニン）を含む）、ロダシアニン色素、アロポーラー色素、オキソノール色素、ヘミオキソノール色素、スクアリウム色素、クロコニウム色素、アザメチン色素、クマリン色素、アリーリデン色素、アントラキノン色素、トリフェニルメタン色素、アゾ色素、アゾメチン色素、メタロセン色素、フルオレノン色素、フルギド色素、ペリレン色素、フェナジン色素、フェノチアジン色素、キノン色素、ジフェニルメタン色素、ポリエン色素、アクリジン色素、アクリジノン色素、キノキサリン色素、ジフェニルアミン色素、キノフタロン色素、フェノキサジン色素、フタロペリレン色素、ジオキサン色素、ポルフィリン色素、クロロフィル色素、フタロシアニン色素、サブフタロシアニン色素、金属錯体色素、特開２０１４－０８２４８３号公報の段落［００８３］～［００８９］に記載の化合物、特開２００９－１６７３４８号公報の段落［００２９］～［００３３］に記載の化合物、特開２０１２－０７７０６４号公報の段落［０１９７］～［０２２７］に記載の化合物、ＷＯ２０１８－１０５２６９号公報の段落［００３５］～［００３８］に記載の化合物、ＷＯ２０１８－１８６３８９号公報の段落［００４１］～［００４３］に記載の化合物、ＷＯ２０１８－１８６３９７号公報の段落［００５９］～［００６２］に記載の化合物、ＷＯ２０１９－００９２４９号公報の段落［００７８］～［００８３］に記載の化合物、ＷＯ２０１９－０４９９４６号公報の段落［００５４］～［００５６］に記載の化合物、ＷＯ２０１９－０５４３２７号公報の段落［００５９］～［００６３］に記載の化合物、ＷＯ２０１９－０９８１６１号公報の段落［００８６］～［００８７］に記載の化合物及びＷＯ２０２０－０１３２４６号公報の段落［００８５］～［０１１４］に記載の化合物が挙げられる。

　光電変換膜中の色素の含有量（＝色素の単層換算での膜厚／光電変換膜の膜厚×１００）は、１～８５体積％が好ましく、５～６０体積％がより好ましく、１０～４０体積％が更に好ましい。
　光電変換膜中における、特定化合物と色素との合計の含有量に対する、色素の含有量（＝（色素の単層換算での膜厚／（特定化合物の単層換算での膜厚＋色素の単層換算での膜厚）×１００））は、１～７５体積％が好ましく、５～６５体積％がより好ましく、１０～６０体積％が更に好ましい。
　色素は、１種単独又は２種以上で用いてもよい。

　色素の極大吸収波長は、例えば、４００～７００ｎｍの範囲にあることが好ましく、４００～６５０ｎｍの範囲にあることがより好ましい。
　なお、上記極大吸収波長は、色素の吸収スペクトルを吸光度が０．５～１になる程度の濃度に調整して溶液状態（溶剤：クロロホルム）で測定した値である。ただし、色素がクロロホルムに溶解しない場合は、色素を蒸着し、膜状態にした色素を用いて測定した値を色素の極大吸収波長とする。

　光電変換膜は、実質的に、特定化合物とｎ型半導体材料とｐ型半導体材料のみから構成されることも好ましい。光電変換膜が実質的に、特定化合物とｎ型半導体材料とｐ型半導体材料のみから構成されるとは、特定化合物とｎ型半導体材料とｐ型半導体材料の合計含有量が、光電変換膜の全質量に対して、９５～１００質量％であることを意味する。

　光電変換膜は、実質的に、特定化合物と色素とｎ型半導体材料とｐ型半導体材料のみから構成されることも好ましい。光電変換膜が実質的に、特定化合物と色素とｎ型半導体材料とｐ型半導体材料とのみから構成されるとは、特定化合物とｎ型半導体材料とｐ型半導体材料と色素の合計含有量が、光電変換膜の全質量に対して、９５～１００質量％であることを意味する。

　また、光電変換膜がｎ型半導体材料及び／又はｐ型半導体材料を含む場合、光電変換膜は、特定化合物とｎ型半導体材料及び／又はｐ型半導体材料とが混合された状態で形成される混合層であることが好ましい。
　光電変換膜が色素とｎ型半導体材料及び／又はｐ型半導体材料とを含む場合、光電変換膜は、特定化合物と色素とｎ型半導体材料及び／又はｐ型半導体材料とが混合された状態で形成される混合層であることが好ましい。
　混合層は、単一の層の中において、２種以上の材料が混合されている層である。

　特定化合物を含む光電変換膜は非発光性膜であり、有機電界発光素子（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）とは異なる性質を有する。非発光性膜とは、発光量子効率が１％以下の膜を意味し、発光量子効率は０．５％以下が好ましく、０．１％以下がより好ましい。

＜成膜方法＞
　光電変換膜の成膜方法としては、例えば、乾式成膜法により成膜する方法が挙げられる。
　乾式成膜法は、例えば、蒸着法（例えば、真空蒸着法等）、スパッタ法、イオンプレーティング法及びＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｂｅａｍ　Ｅｐｉｔａｘｙ）法等の物理気相成長法、並びに、プラズマ重合等のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が挙げられ、真空蒸着法が好ましい。真空蒸着法により光電変換膜を成膜する場合、真空度及び蒸着温度等の製造条件は、常法に従って設定できる。

　光電変換膜の厚みは、１０～１０００ｎｍが好ましく、５０～８００ｎｍがより好ましく、５０～５００ｎｍが更に好ましく、５０～４００ｎｍが特に好ましい。

〔電極（導電性膜）〕
　電極（上部電極（透明導電性膜）１５と下部電極（導電性膜）１１）は、導電性材料から構成される。導電性材料は、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物及びこれらの混合物が挙げられる。
　上部電極１５から光が入射されるため、上部電極１５は、検知したい光に対して透明であることが好ましい。上部電極１５を構成する材料としては、例えば、アンチモン又はフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ：Ａｎｔｉｍｏｎｙ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ、又は、ＦＴＯ：Ｆｌｕｏｒｉｎｅ　ｄｏｐｅｄ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）及び酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　ｚｉｎｃ　ｏｘｉｄｅ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム及びニッケル等の金属薄膜；これらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物；ポリアニリン、ポリチオフェン及びポリピロール等の有機導電性材料；並びに、グラフェン及びカーボンナノチューブ等の炭素材料が挙げられ、高導電性及び透明性の点から、導電性金属酸化物が好ましい。

　通常、導電性膜をある範囲より薄くすると、急激な抵抗値の増加する一方で、本実施形態にかかる光電変換素子を組み込んだ固体撮像素子では、シート抵抗は、例えば、１００～１００００Ω／□でよく、薄膜化できる膜厚の範囲の自由度は大きい。また、上部電極（透明導電性膜）１５は厚みが薄いほど吸収する光の量は少なくなり、一般に光透過率が増す。光透過率の増加は、光電変換膜での光吸収を増大させ、光電変換能を増大させるため、好ましい。薄膜化に伴う、リーク電流の抑制、薄膜の抵抗値の増大及び透過率の増加を考慮すると、上部電極１５の膜厚は、５～１００ｎｍが好ましく、５～２０ｎｍがより好ましい。

　下部電極１１は、用途に応じて、透明性を持たせる場合と、逆に透明性を持たせず光を反射させる場合とがある。下部電極１１を構成する材料は、例えば、アンチモン又はフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ又はＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）及び酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル、チタン、タングステン及びアルミ等の金属、並びに、これらの金属の酸化物又は窒化物等の導電性化合物（例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）等）；これらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物；ポリアニリン、ポリチオフェン及び、ポリピロール等の有機導電性材料；並びに、グラフェン及びカーボンナノチューブ等の炭素材料が挙げられる。

　電極を形成する方法は、電極材料に応じて適宜選択できる。具体的には、印刷方式及びコーティング方式等の湿式方式；真空蒸着法、スパッタ法及びイオンプレーティング法等の物理的方式；並びに、ＣＶＤ及びプラズマＣＶＤ法等の化学的方式が挙げられる。
　電極の材料がＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（例えば、ゾル－ゲル法等）及び酸化インジウムスズの分散物の塗布等の方法が挙げられる。

〔電荷ブロッキング膜：電子ブロッキング膜、正孔ブロッキング膜〕
　本発明の光電変換素子は、導電性膜と透明導電性膜との間に、光電変換膜の他に１種以上の中間層を有していることも好ましい。
　上記中間層としては、例えば、電荷ブロッキング膜が挙げられる。光電変換素子が上記膜を有することにより、得られる光電変換素子の特性（例えば、光電変換効率及び応答性等）がより優れる。電荷ブロッキング膜としては、例えば、電子ブロッキング膜及び正孔ブロッキング膜が挙げられる。以下に、それぞれの膜について詳述する。

＜電子ブロッキング膜＞
　電子ブロッキング膜は、ドナー性有機半導体材料（化合物）である。
　また、ドナー性有機半導体材料としては、上記ｐ型有機半導体も使用できる。ｐ型有機半導体は、１種単独又は２種以上で用いてもよい。

　また、電子ブロッキング膜において使用されるｐ型有機半導体としては、例えば、ｎ型半導体材料よりもイオン化ポテンシャルが小さい化合物が挙げられ、この条件を満たせば、上記色素も使用できる。

　また、電子ブロッキング膜としては、高分子材料も使用できる。
　高分子材料としては、例えば、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、チオフェン、アセチレン及びジアセチレン等の重合体、並びに、その誘導体が挙げられる。

　電子ブロッキング膜は、複数膜で構成してもよい。
　電子ブロッキング膜は、無機材料で構成されていてもよい。一般的に、無機材料は有機材料よりも誘電率が大きいため、無機材料を電子ブロッキング膜に用いた場合に、光電変換膜に電圧が多くかかるようになり、光電変換効率が高くなる。電子ブロッキング膜となりうる無機材料としては、例えば、酸化カルシウム、酸化クロム、酸化クロム銅、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化銅、酸化ガリウム銅、酸化ストロンチウム銅、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化インジウム銅、酸化インジウム銀及び酸化イリジウムが挙げられる。

＜正孔ブロッキング膜＞
　正孔ブロッキング膜は、アクセプター性有機半導体材料（化合物）である。
　アクセプター性有機半導体材料としては、上記ｎ型半導体材料も使用できる。

　電荷ブロッキング膜の製造方法としては、例えば、乾式成膜法及び湿式成膜法が挙げられる。
　乾式成膜法としては、例えば、蒸着法及びスパッタ法が挙げられる。蒸着法は、物理蒸着（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法及び化学蒸着（ＣＶＤ）法のいずれでもよく、真空蒸着法等の物理蒸着法が好ましい。湿式成膜法は、例えば、インクジェット法、スプレー法、ノズルプリント法、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法及びグラビアコート法が挙げられ、高精度パターニングの点から、インクジェット法が好ましい。

　電荷ブロッキング膜（電子ブロッキング膜及び正孔ブロッキング膜）の厚みは、それぞれ、３～２００ｎｍが好ましく、５～１００ｎｍがより好ましく、５～３０ｎｍが更に好ましい。

〔基板〕
　光電変換素子は、更に基板を有してもよい。
　上記基板としては、例えば、半導体基板、ガラス基板及びプラスチック基板が挙げられる。
　なお、光電変換素子において、基板の位置は特に制限されず、通常、基板上に導電性膜、光電変換膜及び透明導電性膜をこの順で積層する。

〔封止層〕
　光電変換素子は、更に封止層を有していてもよい。
　光電変換材料は、水分子等の劣化因子の存在で顕著にその性能が劣化してしまうことがある。そこで、水分子を浸透させない緻密な金属酸化物、金属窒化物若しくは金属窒化酸化物等のセラミクス、又は、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ：Ｄｉａｍｏｎｄ－ｌｉｋｅ　Ｃａｒｂｏｎ）等の封止層で光電変換膜全体を被覆して封止することで、上記劣化を防止できる。
　封止層は、特開２０１１－０８２５０８号公報の段落［０２１０］～［０２１５］に記載に従って、材料の選択及び製造を行ってもよい。

［撮像素子、光センサ］
　光電変換素子の用途として、例えば、撮像素子が挙げられる。
　撮像素子とは、画像の光情報を電気信号に変換する素子であり、通常、複数の光電変換素子が同一平面上でマトリクス状に配置されており、各々の光電変換素子（画素）において光信号を電気信号に変換し、その電気信号を画素ごとに逐次撮像素子外に出力できるものをいう。そのために、画素１つ当たり、１つ以上の光電変換素子及び１つ以上のトランジスタから構成される。
　撮像素子は、デジタルカメラ及びデジタルビデオカメラ等の撮像素子、電子内視鏡、並びに、携帯電話機等の撮像モジュール等に搭載される。

　本発明の光電変換素子は、本発明の光電変換素子を有する光センサに用いることも好ましい。
　光センサは、上記光電変換素子単独で用いてもよいし、上記光電変換素子を直線状に配したラインセンサ、又は、平面状に配した２次元センサとして用いてもよい。

［化合物］
　本発明は、化合物にも関する。
　本発明の化合物は、上記特定化合物と同義であり、好適態様も同じである。

　以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

［化合物（評価化合物）］
〔化合物（１－１）の合成方法〕

＜化合物１－１の合成＞
　ガラス製反応容器に化合物（１－１－１）５ｍｍｏｌ、化合物（１－１－２）６．５ｍｍｏｌ、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２５ｍＬ、及びピペリジン２．５ｍＬをとり、窒素雰囲気下７０℃で３時間反応させた。次いで、化合物（１－１－２）６．５ｍｍｏｌを追加し、７０℃で更に３時間反応後、反応液にメタノールを加え、固体を濾取した。得られた固体をＴＨＦ及びトルエンで洗浄した後、昇華精製することにより、化合物（１－１）を３．６ｍｍｏｌ得た。
　化合物（１－１）：ＬＤＩ－ＭＳ　４２８．１（Ｍ^＋）。

　上述の合成方法を参照にその他の特定化合物も合成した。
　以下に、試験に使用した特定化合物と比較用化合物を示す。
　以下において、化合物（１－１）～（１－３９）、化合物（２－１）、化合物（２－２）、化合物（３－１）、化合物（３－２）、化合物（４－１）、化合物（４－２）、化合物（５－１）～（５－７）、化合物（６－１）～（６－７）、化合物（７－１）、化合物（７－２）、化合物（８－１）～（８－３）、化合物（９－１）、化合物（９－２）、化合物（１０－１）～（１０－１０）、化合物（１１－１）、及び化合物（１２－１）～（１２－５）が特定化合物である。
　以下、特定化合物と比較用化合物とを総称して、評価化合物ともいう。
　評価化合物を、後述する光電変換素子の作製に用いた。

（特定化合物）

（比較化合物）

［色素］
　下記に示す色素を、評価に用いる色素として、後述する光電変換素子の作製に用いた。

［ｐ型半導体］
　下記に示すｐ型半導体を、評価に用いるｐ型半導体として、後述する光電変換素子の作製に用いた。

［ｎ型半導体］
　フラーレンＣ_６０（Ｃ６０）を、評価に用いるｎ型半導体として、後述する光電変換素子の作製に用いた。

［評価］
〔光電変換素子（Ａ）の作製〕
　評価化合物（特定化合物又は比較用化合物）を用いて図２の形態の光電変換素子を作製した。ここで、光電変換素子は、下部電極１１、電子ブロッキング膜１６Ａ、光電変換膜１２、正孔ブロッキング膜１６Ｂ、及び上部電極１５からなる。
　具体的には、ガラス基板上に、アモルファス性ＩＴＯをスパッタ法により成膜して、下部電極１１（厚み：３０ｎｍ）を形成し、更に下部電極１１上に下記の化合物（Ｂ－１）を真空加熱蒸着法により成膜して、電子ブロッキング膜１６Ａ（厚み：３０ｎｍ）を形成した。更に、電子ブロッキング膜１６Ａ上に、表１に示す各材料（評価化合物、ｎ型半導体（フラーレン（Ｃ_６０））、及び、ｐ型半導体）を表１に記載の成分比（体積比）となるように蒸着して、バルクヘテロ構造を有する光電変換膜１２を形成した。さらに光電変換膜１２上に下記の化合物（Ｂ－２）を蒸着して正孔ブロッキング膜１６Ｂ（厚み：１０ｎｍ）を形成した。正孔ブロッキング膜１６Ｂ上に、アモルファス性ＩＴＯをスパッタ法により成膜して、上部電極１５（透明導電性膜）（厚み：１０ｎｍ）を形成した。上部電極１５上に、真空蒸着法により封止層としてＳｉＯ膜を形成した後、その上にＡＬＣＶＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）層を形成し、光電変換素子を作製した。

〔光電変換素子（Ａ）の評価〕
＜暗電流の評価＞
　各実施例及び比較例について上記方法にて各々１０個の素子を作製し、得られた各光電変換素子について、以下の方法で暗電流を測定した。具体的には、各光電変換素子の下部電極及び上部電極に２．５×１０^５Ｖ／ｃｍの電界強度となるように電圧を印加して、暗所での電流値（暗電流）を測定した。そして、下記式に基づいて暗電流の相対比を算出して、後述する評価基準に基づいて評価を実施した。
　暗電流の相対比＝（１０個の素子中最も高い暗電流の値）／（１０個の素子中最も低い暗電流の値）
(評価基準)
　「ＡＡ」：暗電流の相対比が１．７５未満
　「Ａ」：暗電流の相対比が１．７５以上、２．０未満
　「Ｂ」：暗電流の相対比が２．０以上、２．５未満
　「Ｃ」：暗電流の相対比が２．５以上、３．０未満
　「Ｄ」：暗電流の相対比が３．０以上、３．５未満
　「Ｅ」：暗電流の相対比が３．５以上

＜量子効率の評価＞
　得られた各光電変換素子に２．０×１０^５Ｖ／ｃｍの電界強度となるように電圧を印加した。その後、上部電極（透明導電性膜）側から光を照射して４６０ｎｍの波長における光電変換効率（外部量子効率）を評価し、下記式（Ｓ１）より光電変換効率の相対比を算出して、後述する評価基準に基づいて評価を実施した。
　式（Ｓ１）＝（各実施例又は比較例の素子の４６０ｎｍの波長における光電変換効率）／（実施例１－１の素子の４６０ｎｍの波長における光電変換効率）

(評価基準)
　「ＡＡ」：光電変換効率の相対比が１．５以上
　「Ａ」：光電変換効率の相対比が１．４以上、１．５未満
　「Ｂ」：光電変換効率の相対比が１．２以上、１．４未満
　「Ｃ」：光電変換効率の相対比が１．０以上、１．２未満
　「Ｄ」：光電変換効率の相対比が０．８以上、１．０未満
　「Ｅ」：光電変換効率の相対比が０．８未満

＜量子効率の電界強度依存性の評価＞
　得られた各光電変換素子に１．５×１０^５Ｖ／ｃｍの電界強度となるように電圧を印加した。その後、上部電極（透明導電性膜）側から光を照射して４６０ｎｍの波長における光電変換効率（外部量子効率）を評価した。さらに、各光電変換素子に２．０×１０^５Ｖ／ｃｍの電界強度となるように電圧を印加した。その後、上部電極（透明導電性膜）側から光を照射して４６０ｎｍの波長における光電変換効率（外部量子効率）を評価した。
　次いで、下記式より光電変換効率比を算出して、後述する評価基準に基づいて評価を実施した。
　光電変換効率比＝（１．５×１０^５Ｖ／ｃｍの電界強度となるように電圧を印加したときの各実施例又は比較例の素子の４６０ｎｍの波長における光電変換効率）／（２．０×１０^５Ｖ／ｃｍの電界強度となるように電圧を印加したときの各実施例又は比較例の素子の４６０ｎｍの波長における光電変換効率）

(評価基準)
　「ＡＡ」：光電変換効率比が０．９０以上
　「Ａ」：光電変換効率比が０．８５以上０．９０未満
　「Ｂ」：光電変換効率比が０．８０以上０．８５未満
　「Ｃ」：光電変換効率比が０．７０以上０．８０未満
　「Ｄ」：光電変換効率比が０．６０以上０．７０未満
　「Ｅ」：光電変換効率比が０．６０未満

　結果を表１に示す。
　表１中の備考欄における「Ａｒ^１及びＡｒ^２の種類」において、「Ｐ」は、Ａｒ^１及びＡｒ^２のうち少なくとも一方が、下記条件Ｘ１及び下記条件Ｘ２の少なくとも１種を満たす場合を表し、「Ｎ」は、上記「Ｐ」の場合に該当しない場合（換言すると、Ａｒ^１及びＡｒ^２のいずれもが、下記条件Ｘ１及び下記条件Ｘ２をいずれも満たさない場合）を表す。
　条件Ｘ１：環構造内に－Ｎ＝を含む。
　条件Ｘ２：置換基として、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基を有する。
　また、「Ｐ」欄に示される「＊」は、Ａｒ^１及びＡｒ^２のうち少なくとも一方が、置換基として、シアノ基を有する場合を表す。

　表１中の備考欄における「Ａ^１の種類（１）」において、「Ｐ」は、Ａ^１が、式（３）で表される基を表し、且つ、Ｒ^ｘが、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、－ＣＲ^Ｚ８Ｒ^Ｚ９－、又は－ＳｉＲ^Ｚ１０Ｒ^Ｚ１１－を表す場合を表し、「Ｎ」は、上記「Ｐ」の場合に該当しない場合を表す。

　表１中の備考欄における「Ａ^１の種類（２）」において、「Ｐ」は、Ａ^１が、式（２’）で表される基及び式（３’）で表される基のいずれかで表される基に該当する場合を表し、「Ｎ」は、上記「Ｐ」の場合に該当しない場合を表す。

　表１中の備考欄における「Ｘ^１～Ｘ^４の種類」において、「Ｐ」は、Ａ^１が式（２）で表される基を表し、且つ、Ｘ^１及びＸ^４が硫黄原子を表し、Ｘ^２及びＸ^３が窒素原子を表す場合、又は、Ａ^１が式（３）で表される基を表し、且つ、Ｘ^１及びＸ^３が硫黄原子を表し、Ｘ^２及びＸ^４が窒素原子を表す場合を表し、「Ｎ」は、上記「Ｐ」の場合に該当しない場合を表す。

　表１に示される結果から、実施例の光電変換素子は、暗電流のばらつきが抑制されていることが明らかである。また、実施例の光電変換素子は、光電変換効率、及び、光電変換効率の電界強度依存性にも優れることが明らかである。
　また、各実施例の対比から、特定化合物において、Ａｒ^１及びＡｒ^２のうち少なくとも一方が、下記条件Ｘ１及び下記条件Ｘ２の少なくとも１種を満たす場合（好ましくは、Ａｒ^１及びＡｒ^２のうち少なくとも一方が、下記条件Ｘ１及び下記条件Ｘ２’の少なくとも１種を満たす場合）、暗電流のばらつき、光電変換効率、及び、光電変換効率の電界強度依存性の少なくともいずれかの効果がより一層優れることが確認された。
　条件Ｘ１：環構造内に－Ｎ＝を含む。
　条件Ｘ２：置換基として、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基を有する。
　条件Ｘ２’：置換基として、ハロゲン原子、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基を有する。

　また、各実施例の対比から、特定化合物において、Ａ^１が、式（３）で表される基を表す場合において、Ｒ^ｘが、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、－ＣＲ^Ｚ８Ｒ^Ｚ９－、又は－ＳｉＲ^Ｚ１０Ｒ^Ｚ１１－を表す場合、暗電流のばらつき、光電変換効率、及び、光電変換効率の電界強度依存性の少なくともいずれかの効果がより一層優れることが確認された。

　また、各実施例の対比から、特定化合物において、Ａ^１が、式（２’）で表される基及び式（３’）を表す場合、暗電流のばらつき、光電変換効率、及び、光電変換効率の電界強度依存性の少なくともいずれかの効果がより一層優れることが確認された。なかでも、Ａ^１が、式（２’’）で表される基及び式（３’’）を表す場合、暗電流のばらつき、光電変換効率、及び、光電変換効率の電界強度依存性の少なくともいずれかの効果が更に一層優れることが確認された（評価化合物１０－８を使用した実施例１－８１、評価化合物１０－９を使用した実施例１－８２、及び評価化合物１０－１０を使用した実施例１－８３と、価化合物１０－２を使用した実施例１－６９との対比参照）。

　また、各実施例の対比から、特定化合物において、Ａ^１が式（２）で表される基を表し、且つ、Ｘ^１及びＸ^４が硫黄原子を表し、Ｘ^２及びＸ^３が窒素原子を表す場合、又は、Ａ^１が式（３）で表される基を表し、且つ、Ｘ^１及びＸ^３が硫黄原子を表し、Ｘ^２及びＸ^４が窒素原子を表す場合、暗電流のばらつき、光電変換効率、及び、光電変換効率の電界強度依存性の少なくともいずれかの効果がより一層優れることが確認された（例えば、評価化合物５－１を使用した実施例１－４７と、評価化合物５－７を使用した実施例１－５３との対比；評価化合物１－６を使用した実施例１－７と、評価化合物１２－２を使用した実施例１－７７との対比；評価化合物６－３を使用した実施例１－５６と、評価化合物１２－４を使用した実施例１－７９との対比等参照）。

〔光電変換素子（Ｂ）の作製〕
　表２に示す各材料（評価化合物、ｎ型半導体（フラーレン（Ｃ_６０））、ｐ型半導体、及び、色素）を表２に記載の成分比（体積比）となるように蒸着して、バルクヘテロ構造を有する光電変換膜１２を形成した以外は、上述の〔光電変換素子（Ａ）の作製〕と同様の手順により光電変換素子を作製した。

〔光電変換素子（Ｂ）の評価〕
＜暗電流の評価＞
　各実施例及び比較例について上記方法にて各々１０個の素子を作製し、得られた各光電変換素子について、以下の方法で暗電流を測定した。具体的には、各光電変換素子の下部電極及び上部電極に２．５×１０^５Ｖ／ｃｍの電界強度となるように電圧を印加して、暗所での電流値（暗電流）を測定した。そして、下記式に基づいて暗電流の相対比を算出して、後述する評価基準に基づいて評価を実施した。
　暗電流の相対比＝（１０個の素子中最も高い暗電流の値）／（１０個の素子中最も低い暗電流の値）
(評価基準)
　「ＡＡ」：暗電流の相対比が１．７５未満
　「Ａ」：暗電流の相対比が１．７５以上、２．０未満
　「Ｂ」：暗電流の相対比が２．０以上、２．５未満
　「Ｃ」：暗電流の相対比が２．５以上、３．０未満
　「Ｄ」：暗電流の相対比が３．０以上、３．５未満
　「Ｅ」：暗電流の相対比が３．５以上

＜量子効率の評価＞
　得られた各光電変換素子に２．０×１０^５Ｖ／ｃｍの電界強度となるように電圧を印加した。その後、上部電極（透明導電性膜）側から光を照射して４５０ｎｍ～６５０ｎｍの波長領域における光電変換効率（外部量子効率）を評価し、下記式（Ｓ２）より光電変換効率の積分値の相対比を算出して、後述する評価基準に基づいて評価を実施した。
　式（Ｓ２）＝（各実施例又は比較例の素子の４５０ｎｍ～６５０ｎｍの波長領域における光電変換効率の積分値）／（実施例２－１の素子の４５０ｎｍ～６５０ｎｍの波長領域における光電変換効率の積分値）

(評価基準)
　「ＡＡ」：光電変換効率の相対比が１．５以上
　「Ａ」：光電変換効率の相対比が１．４以上、１．５未満
　「Ｂ」：光電変換効率の相対比が１．２以上、１．４未満
　「Ｃ」：光電変換効率の相対比が１．０以上、１．２未満
　「Ｄ」：光電変換効率の相対比が０．８以上、１．０未満
　「Ｅ」：光電変換効率の相対比が０．８未満

＜量子効率の電界強度依存性の評価＞
　得られた各光電変換素子に１．５×１０^５Ｖ／ｃｍの電界強度となるように電圧を印加した。その後、上部電極（透明導電性膜）側から光を照射して４５０ｎｍ～６５０ｎｍの波長領域における光電変換効率（外部量子効率）の積分値を評価した。さらに、各光電変換素子に２．０×１０^５Ｖ／ｃｍの電界強度となるように電圧を印加した。その後、上部電極（透明導電性膜）側から光を照射して４５０ｎｍ～６５０ｎｍの波長領域における光電変換効率（外部量子効率）の積分値を評価した。次いで、下記式（Ｓ３）より光電変換効率の積分値の相対比を算出して、後述する評価基準に基づいて評価を実施した。
　式（Ｓ３）＝（１．５×１０^５Ｖ／ｃｍの電界強度となるように電圧を印加したときの各実施例又は比較例の素子の４５０ｎｍ～６５０ｎｍの波長領域における光電変換効率の積分値）／（２．０×１０^５Ｖ／ｃｍの電界強度となるように電圧を印加したときの各実施例又は比較例の素子の４５０ｎｍ～６５０ｎｍの波長領域における光電変換効率の積分値）

(評価基準)
　「ＡＡ」：光電変換効率比が０．９０以上
　「Ａ」：光電変換効率比が０．８５以上０．９０未満
　「Ｂ」：光電変換効率比が０．８０以上０．８５未満
　「Ｃ」：光電変換効率比が０．７０以上０．８０未満
　「Ｄ」：光電変換効率比が０．６０以上０．７０未満
　「Ｅ」：光電変換効率比が０．６０未満

　結果を表２に示す。
　表２中の備考欄における「Ａｒ^１及びＡｒ^２の種類」において、「Ｐ」は、Ａｒ^１及びＡｒ^２のうち少なくとも一方が、下記条件Ｘ及び下記条件Ｘ１の少なくとも１種を満たす場合を表し、「Ｎ」は、上記「Ｐ」の場合に該当しない場合（換言すると、Ａｒ^１及びＡｒ^２のいずれもが、下記条件Ｘ及び下記条件Ｘ２をいずれも満たさない場合）を表す。
　条件Ｘ１：環構造内に－Ｎ＝を含む。
　条件Ｘ２：置換基として、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基を有する。
　また、「Ｐ」欄に示される「＊」は、Ａｒ^１及びＡｒ^２のうち少なくとも一方が、置換基として、シアノ基を有する場合を表す。

　表２中の備考欄における「Ａ^１の種類（１）」において、「Ｐ」は、Ａ^１が、式（３）で表される基を表し、且つ、Ｒ^ｘが、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、－ＣＲ^Ｚ８Ｒ^Ｚ９－、又は－ＳｉＲ^Ｚ１０Ｒ^Ｚ１１－を表す場合を表し、「Ｎ」は、上記「Ｐ」の場合に該当しない場合を表す。

　表２中の備考欄における「Ａ^１の種類（２）」において、「Ｐ」は、Ａ^１が、式（２’）で表される基及び式（３’）で表される基のいずれかで表される基に該当する場合を表し、「Ｎ」は、上記「Ｐ」の場合に該当しない場合を表す。

　表２中の備考欄における「Ｘ^１～Ｘ^４の種類」において、「Ｐ」は、Ａ^１が式（２）で表される基を表し、且つ、Ｘ^１及びＸ^４が硫黄原子を表し、Ｘ^２及びＸ^３が窒素原子を表す場合、又は、Ａ^１が式（３）で表される基を表し、且つ、Ｘ^１及びＸ^３が硫黄原子を表し、Ｘ^２及びＸ^４が窒素原子を表す場合を表し、「Ｎ」は、上記「Ｐ」の場合に該当しない場合を表す。

　表２に示される結果から、実施例の光電変換素子は、暗電流のばらつきが抑制されていることが明らかである。また、実施例の光電変換素子は、光電変換効率、及び、光電変換効率の電界強度依存性にも優れることが明らかである。
　また、各実施例の対比から、特定化合物において、Ａｒ^１及びＡｒ^２のうち少なくとも一方が、下記条件Ｘ１及び下記条件Ｘ２の少なくとも１種を満たす場合（好ましくは、Ａｒ^１及びＡｒ^２のうち少なくとも一方が、下記条件Ｘ１及び下記条件Ｘ２’の少なくとも１種を満たす場合）、暗電流のばらつき、光電変換効率、及び、光電変換効率の電界強度依存性の少なくともいずれかの効果がより一層優れることが確認された。
　条件Ｘ１：環構造内に－Ｎ＝を含む。
　条件Ｘ２：置換基として、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基を有する。
　条件Ｘ２’：置換基として、ハロゲン原子、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基を有する。

　また、各実施例の対比から、特定化合物において、Ａ^１が、式（３）で表される基を表す場合において、Ｒ^ｘが、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、－ＣＲ^Ｚ８Ｒ^Ｚ９－、又は－ＳｉＲ^Ｚ１０Ｒ^Ｚ１１－を表す場合、暗電流のばらつき、光電変換効率、及び、光電変換効率の電界強度依存性の少なくともいずれかの効果がより一層優れることが確認された。

　また、各実施例の対比から、特定化合物において、Ａ^１が、式（２’）で表される基及び式（３’）を表す場合、暗電流のばらつき、光電変換効率、及び、光電変換効率の電界強度依存性の少なくともいずれかの効果がより一層優れることが確認された。なかでも、Ａ^１が、式（２’’）で表される基及び式（３’’）を表す場合、暗電流のばらつき、光電変換効率、及び、光電変換効率の電界強度依存性の少なくともいずれかの効果が更に一層優れることが確認された（評価化合物１０－８を使用した実施例２－８２、評価化合物１０－９を使用した実施例２－８３、及び評価化合物１０－１０を使用した実施例２－８４と、価化合物１０－２を使用した実施例２－７０との対比参照）。

　また、各実施例の対比から、特定化合物において、Ａ^１が式（２）で表される基を表し、且つ、Ｘ^１及びＸ^４が硫黄原子を表し、Ｘ^２及びＸ^３が窒素原子を表す場合、又は、Ａ^１が式（３）で表される基を表し、且つ、Ｘ^１及びＸ^３が硫黄原子を表し、Ｘ^２及びＸ^４が窒素原子を表す場合、暗電流のばらつき、光電変換効率、及び、光電変換効率の電界強度依存性の少なくともいずれかの効果がより一層優れることが確認された（例えば、評価化合物５－１を使用した実施例２－４８と、評価化合物５－７を使用した実施例２－５４との対比；評価化合物１－６を使用した実施例２－８と、評価化合物１２－２を使用した実施例２－７８との対比；評価化合物６－３を使用した実施例２－５７と、評価化合物１２－４を使用した実施例２－８０との対比等参照）。

　１０ａ、１０ｂ　　光電変換素子
　１１　　導電性膜（下部電極）
　１２　　光電変換膜
　１５　　透明導電性膜（上部電極）
　１６Ａ　　電子ブロッキング膜
　１６Ｂ　　正孔ブロッキング膜

Claims (29)

1. 　導電性膜、光電変換膜、及び透明導電性膜をこの順で積層してなる光電変換素子であって、前記光電変換膜が、式（１）で表される化合物を少なくとも含む、光電変換素子。
   

   

   　式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、各々独立に、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、シアノ基、トリフルオロメチル基、又はハロゲン原子を表す。
   　Ｘ^１及びＸ^２のうち、一方は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、又は－ＮＲ^ａ１－を表し、他方は、－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表す。Ｘ^３及びＸ^４のうち、一方は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、又は－ＮＲ^ａ１－を表し、他方は、－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表す。Ｒ^ａ１は、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、トリフルオロメチル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。Ｒ^ａ２は、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。
   　ｎ^１が０又は１であり、且つ、ｎ^３が１の場合、Ａｒ^１は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のアリーレン基、又は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のヘテロアリーレン基を表し、ｎ^１が０又は１であり、且つ、ｎ^３が０の場合、Ａｒ^１は、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。また、ｎ^１が２であり、且つ、ｎ^３が１の場合、２つのＡｒ^１は、各々独立に、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のアリーレン基、又は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のヘテロアリーレン基を表し、ｎ^１が２であり、且つ、ｎ^３が０の場合、２つのＡｒ^１のうちの端部のＡｒ^１は、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表し、他方のＡｒ^１は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のアリーレン基、又は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のヘテロアリーレン基を表す。
   　Ａｒ^２は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のアリーレン基、又は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のヘテロアリーレン基を表す。なお、ｎ^２が２の場合、２つのＡｒ^２は、各々同一であっても異なっていてもよい。
   　Ｙ^１及びＹ^２は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子、＝ＮＲ^Ｚ１、又はＣＲ^Ｚ２Ｒ^Ｚ３を表す。Ｒ^Ｚ１は、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。Ｒ^Ｚ２及びＲ^Ｚ３は、各々独立に、シアノ基、－ＣＯ_２Ｒ^Ｚ４、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^Ｚ５、－Ｓ（＝Ｏ）Ｒ^Ｚ６、又は－Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｚ７を表す。Ｒ^Ｚ４～Ｒ^Ｚ７は、各々独立に、炭素数３以下の炭化水素基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。
   　Ａ^２及びＡ^３は、各々独立に、少なくとも２つの炭素原子を含む環構造を表す。
   　ｎ^１及びｎ^２は、各々独立に、０～２の整数を表す。但し、ｎ^１とｎ^２の合計は１以上である。
   　ｎ^３は、０又は１を表す。
   　Ａ^１は、式（２）で表される基又は式（３）で表される基を表す。
   

   

   　式（２）中、Ｘ^５及びＸ^６は、各々独立に、－ＣＲ^ａ３＝又は窒素原子を表す。Ｒ^ａ３は、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、シアノ基、又はトリフルオロメチル基を表す。なお、式（２）中に２つのＲ^ａ３が存在する場合、２つのＲ^ａ３は、各々同一であっても異なっていてもよい。＊は、結合位置を表す。
   　式（３）中、Ｒ^ｘは、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、－ＣＲ^Ｚ８Ｒ^Ｚ９－、－ＳｉＲ^Ｚ１０Ｒ^Ｚ１１－、又は－ＧｅＲ^Ｚ１２Ｒ^Ｚ１３－を表す。Ｒ^Ｚ８～Ｒ^Ｚ１３は、各々独立に、炭素数３以下の炭化水素基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
   　但し、前記式（１）で表される化合物において、前記置換基は、炭素数３以下の炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基である。
2. 　前記式（１）で表される化合物が、前記ｎ^３が０を表す化合物であるか、又は、前記ｎ^１、前記ｎ^２、及び前記ｎ^３がいずれも１を表す化合物である、請求項１に記載の光電変換素子。
3. 　前記Ｘ^１及び前記Ｘ^２のうち、一方は硫黄原子を表し、他方は－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表し、且つ、前記Ｘ^３及び前記Ｘ^４のうち、一方は硫黄原子を表し、他方は－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表す、請求項１又は２に記載の光電変換素子。
4. 　前記Ａｒ^１及び前記Ａｒ^２の少なくとも一方が、以下の条件Ｘ１及びＸ２の少なくとも１種を満たす、請求項１又は２に記載の光電変換素子。
   　条件Ｘ１：環構造内に－Ｎ＝を含む。
   　条件Ｘ２：置換基として、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基を有する。
5. 　前記Ａｒ^１及び前記Ａｒ^２の少なくとも一方が、以下の条件Ｘ１及びＸ２’の少なくとも１種を満たす、請求項１又は２に記載の光電変換素子。
   　条件Ｘ１：環構造内に－Ｎ＝を含む。
   　条件Ｘ２’：置換基として、ハロゲン原子及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基を有する。
6. 　前記Ａ^１が式（２）で表される基を表し、且つ、前記Ｘ^１及び前記Ｘ^４が硫黄原子を表し、前記Ｘ^２及び前記Ｘ^３が窒素原子を表すか、又は、
   　前記Ａ^１が式（３）で表される基を表し、且つ、前記Ｘ^１及び前記Ｘ^３が硫黄原子を表し、前記Ｘ^２及び前記Ｘ^４が窒素原子を表す、請求項１又は２に記載の光電変換素子。
7. 　前記式（２）で表される基が、下記式（２’）で表される基であり、
   　前記式（３）で表される基が、下記式（３’）で表される基である、請求項１又は２に記載の光電変換素子。
   

   

   　式（２’）中、Ａ^４及びＡ^５は、各々独立に、置換基を有していてもよい単環のアリール基、又は、置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。但し、前記置換基は、炭素数３以下の炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基である。
   　Ｒ^Ａは、ハロゲン原子又は炭素数３以下の炭化水素基を表す。なお、式（２’）中の２つのＲ^Ａは、各々同一であっても異なっていてもよい。＊は、結合位置を表す。
   　式（３’）中、Ａ^６及びＡ^７は、各々独立に、置換基を有していてもよい単環のアリール基、又は、置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。但し、前記置換基は、炭素数３以下の炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基である。
   　Ｚは、炭素原子、珪素原子、又はゲルマニウム原子を表す。＊は、結合位置を表す。
8. 　前記式（２）で表される基が、下記式（２’’）で表される基であり、
   　前記式（３）で表される基が、下記式（３’’）で表される基である、請求項１又は２に記載の光電変換素子。
   

   

   　式（２’’）中、Ｒ^Ａは、ハロゲン原子又は炭素数３以下の炭化水素基を表す。なお、式（２’’）中の４つのＲ^Ａは、各々同一であっても異なっていてもよい。＊は、結合位置を表す。
   　式（３’’）中、Ｚは、炭素原子、珪素原子、又はゲルマニウム原子を表す。＊は、結合位置を表す。
9. 　前記Ａ^１が、前記式（３）で表される基を表す、請求項１又は２に記載の光電変換素子。
10. 　前記Ｒ^ｘが、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、－ＣＲ^Ｚ８Ｒ^Ｚ９－、又は－ＳｉＲ^Ｚ１０Ｒ^Ｚ１１－を表す、請求項９に記載の光電変換素子。
11. 　前記式（１）で表される化合物の分子量が４００～９００である、請求項１又は２に記載の光電変換素子。
12. 　前記光電変換膜が、更にｎ型半導体を含む、請求項１又は２に記載の光電変換素子。
13. 　前記ｎ型半導体が、フラーレン及びその誘導体からなる群より選択されるフラーレン類を含む、請求項１２に記載の光電変換素子。
14. 　前記光電変換膜が、更にｐ型半導体を含む、請求項１又は２に記載の光電変換素子。
15. 　前記光電変換膜が、更に色素を含む、請求項１又は２に記載の光電変換素子。
16. 　前記導電性膜と前記透明導電性膜の間に、前記光電変換膜の他に１種以上の中間層を有する、請求項１又は２に記載の光電変換素子。
17. 　請求項１又は２に記載の光電変換素子を有する、撮像素子。
18. 　請求項１又は２に記載の光電変換素子を有する、光センサ。
19. 　式（１）で表される化合物。
    

    

    　式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、各々独立に、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、シアノ基、トリフルオロメチル基、又はハロゲン原子を表す。
    　Ｘ^１及びＸ^２のうち、一方は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、又は－ＮＲ^ａ１－を表し、他方は、－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表す。Ｘ^３及びＸ^４のうち、一方は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、又は－ＮＲ^ａ１－を表し、他方は、－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表す。Ｒ^ａ１は、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、トリフルオロメチル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。Ｒ^ａ２は、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。
    　ｎ^１が０又は１であり、且つ、ｎ^３が１の場合、Ａｒ^１は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のアリーレン基、又は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のヘテロアリーレン基を表し、ｎ^１が０又は１であり、且つ、ｎ^３が０の場合、Ａｒ^１は、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。また、ｎ^１が２であり、且つ、ｎ^３が１の場合、２つのＡｒ^１は、各々独立に、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のアリーレン基、又は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のヘテロアリーレン基を表し、ｎ^１が２であり、且つ、ｎ^３が０の場合、２つのＡｒ^１のうちの端部のＡｒ^１は、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表し、他方のＡｒ^１は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のアリーレン基、又は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のヘテロアリーレン基を表す。
    　Ａｒ^２は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のアリーレン基、又は、置換基を有していてもよい、単環若しくは２環のヘテロアリーレン基を表す。なお、ｎ^２が２の場合、２つのＡｒ^２は、各々同一であっても異なっていてもよい。
    　Ｙ^１及びＹ^２は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子、＝ＮＲ^Ｚ１、又はＣＲ^Ｚ２Ｒ^Ｚ３を表す。Ｒ^Ｚ１は、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。Ｒ^Ｚ２及びＲ^Ｚ３は、各々独立に、シアノ基、－ＣＯ_２Ｒ^Ｚ４、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^Ｚ５、－Ｓ（＝Ｏ）Ｒ^Ｚ６、又は－Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｚ７を表す。Ｒ^Ｚ４～Ｒ^Ｚ７は、各々独立に、炭素数３以下の炭化水素基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。
    　Ａ^２及びＡ^３は、各々独立に、少なくとも２つの炭素原子を含む環構造を表す。
    　ｎ^１及びｎ^２は、各々独立に、０～２の整数を表す。但し、ｎ^１とｎ^２の合計は１以上である。
    　ｎ^３は、０又は１を表す。
    　Ａ^１は、式（２）で表される基又は式（３）で表される基を表す。
    

    

    　式（２）中、Ｘ^５及びＸ^６は、各々独立に、－ＣＲ^ａ３＝又は窒素原子を表す。Ｒ^ａ３は、水素原子、炭素数３以下の炭化水素基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、シアノ基、又はトリフルオロメチル基を表す。なお、式（２）中に２つのＲ^ａ３が存在する場合、２つのＲ^ａ３は、各々同一であっても異なっていてもよい。＊は、結合位置を表す。
    　式（３）中、Ｒ^ｘは、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、－ＣＲ^Ｚ８Ｒ^Ｚ９－、－ＳｉＲ^Ｚ１０Ｒ^Ｚ１１－、又は－ＧｅＲ^Ｚ１２Ｒ^Ｚ１３－を表す。Ｒ^Ｚ８～Ｒ^Ｚ１３は、各々独立に、炭素数３以下の炭化水素基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。＊は、結合位置を表す。
    　但し、前記式（１）で表される化合物において、前記置換基は、炭素数３以下の炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基である。
20. 　前記式（１）で表される化合物が、前記ｎ^３が０を表す化合物であるか、又は、前記ｎ^１、前記ｎ^２、及び前記ｎ^３がいずれも１を表す化合物である、請求項１９に記載の化合物。
21. 　前記Ｘ^１及び前記Ｘ^２のうち、一方は硫黄原子を表し、他方は－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表し、且つ、前記Ｘ^３及び前記Ｘ^４のうち、一方は硫黄原子を表し、他方は－ＣＲ^ａ２＝又は窒素原子を表す、請求項１９又は２０に記載の化合物。
22. 　前記Ａｒ^１及び前記Ａｒ^２の少なくとも一方が、以下の条件Ｘ１及びＸ２の少なくとも１種を満たす、請求項１９又は２０に記載の化合物。
    　条件Ｘ１：環構造内に－Ｎ＝を含む。
    　条件Ｘ２：置換基として、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基を有する。
23. 　前記Ａｒ^１及び前記Ａｒ^２の少なくとも一方が、以下の条件Ｘ１及びＸ２’の少なくとも１種を満たす、請求項１９又は２０に記載の化合物。
    　条件Ｘ１：環構造内に－Ｎ＝を含む。
    　条件Ｘ２’：置換基として、ハロゲン原子及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基を有する。
24. 　前記Ａ^１が式（２）で表される基を表し、且つ、前記Ｘ^１及び前記Ｘ^４が硫黄原子を表し、前記Ｘ^２及び前記Ｘ^３が窒素原子を表すか、又は、
    　前記Ａ^１が式（３）で表される基を表し、且つ、前記Ｘ^１及び前記Ｘ^３が硫黄原子を表し、前記Ｘ^２及び前記Ｘ^４が窒素原子を表す、請求項１９又は２０に記載の化合物。
25. 　前記式（２）で表される基が、下記式（２’）で表される基であり、
    　前記式（３）で表される基が、下記式（３’）で表される基である、請求項１９又は２０に記載の化合物。
    

    

    　式（２’）中、Ａ^４及びＡ^５は、各々独立に、置換基を有していてもよい単環のアリール基、又は、置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。但し、前記置換基は、炭素数３以下の炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基である。
    　Ｒ^Ａは、ハロゲン原子又は炭素数３以下の炭化水素基を表す。なお、式（２’）中の２つのＲ^Ａは、各々同一であっても異なっていてもよい。＊は、結合位置を表す。
    　式（３’）中、Ａ^６及びＡ^７は、各々独立に、置換基を有していてもよい単環のアリール基、又は、置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。但し、前記置換基は、炭素数３以下の炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、及びトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる基である。
    　Ｚは、炭素原子、珪素原子、又はゲルマニウム原子を表す。＊は、結合位置を表す。
26. 　前記式（２）で表される基が、下記式（２’’）で表される基であり、
    　前記式（３）で表される基が、下記式（３’’）で表される基である、請求項１９又は２０に記載の化合物。
    

    

    　式（２’’）中、Ｒ^Ａは、ハロゲン原子又は炭素数３以下の炭化水素基を表す。なお、式（２’’）中の４つのＲ^Ａは、各々同一であっても異なっていてもよい。＊は、結合位置を表す。
    　式（３’’）中、Ｚは、炭素原子、珪素原子、又はゲルマニウム原子を表す。＊は、結合位置を表す。
27. 　前記Ａ^１が、前記式（３）で表される基を表す、請求項１９又は２０に記載の化合物。
28. 　前記Ｒ^ｘが、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、－ＣＲ^Ｚ８Ｒ^Ｚ９－、又は－ＳｉＲ^Ｚ１０Ｒ^Ｚ１１－を表す、請求項２７に記載の化合物。
29. 　前記式（１）で表される化合物の分子量が４００～９００である、請求項１９又は２０に記載の化合物。

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