WO2023032513A1 - 高周波回路および通信装置 - Google Patents

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WO2023032513A1
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filter
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band
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弘嗣 森
伸也 人見
聡 田中
正英 武部
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株式会社村田製作所
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    • H04L5/00—Arrangements affording multiple use of the transmission path
    • H04L5/14—Two-way operation using the same type of signal, i.e. duplex

Definitions

  • the present invention relates to high frequency circuits and communication devices.
  • the present invention provides a high-frequency circuit and a communication device in which deterioration of transmission characteristics is suppressed when a power class that allows a higher maximum output power than before is applied to the FDD band.
  • a high-frequency circuit is connected between an antenna connection terminal, a power amplifier circuit corresponding to power class 2, and the power amplifier circuit and the antenna connection terminal. and is connected between a first filter having a passband that includes the uplink operating band of the first band for frequency division duplexing, the power amplifier circuit and the antenna connection terminal, and supports power class 3, frequency division a second filter having a passband including the uplink operating band of the first band for duplexing, and a second band for time division duplexing, corresponding to power class 2, connected between the power amplifier circuit and the antenna connection terminal; and a third filter having a passband including the and the second filter, and when the transmission signal of the second band corresponding to power class 2 is output from the antenna connection terminal, the transmission signal of the second band is output from the power amplifier circuit to the third filter.
  • a high-frequency circuit includes a first substrate, a first antenna connection terminal and a second antenna connection terminal, a first amplifier corresponding to power class 2, a first amplifier, and a first antenna connection terminal. and having a passband corresponding to power class 3 and including the uplink operating band of the first band for frequency division duplexing, and between the first amplifier and the first antenna connection terminal a third filter connected to and corresponding to power class 2 and having a passband including a second band for time division duplexing; a first common terminal; a first selection terminal; and a second selection terminal; and the first selection terminal, and the connection between the first common terminal and the second selection terminal; a seventh selection terminal for switching connection and non-connection between the fourth common terminal and the sixth selection terminal; connection between the third common terminal and the fifth selection terminal; and connection between the third common terminal and the seventh selection terminal.
  • a third switch for switching connections, wherein the output terminal of the first amplifier is connected to the first common terminal, the first selection terminal is connected to the input terminal of the first filter, and the second selection terminal is connected to the third filter.
  • a third common terminal connected to the first antenna connection terminal; a fourth common terminal connected to the second antenna connection terminal; a fifth selection terminal connected to the output terminal of the first filter; 7 selection terminal is connected to the output end of the third filter, the first amplifier, the first switch, the third switch, the first filter and the third filter are arranged on the first substrate, the first band corresponding to the power class 2 , when the transmission signal of the uplink operating band of the first band corresponding to power class 3 is input to the sixth selection terminal from the second amplifier different from the first amplifier, the first When outputting a transmission signal in the uplink operating band of the first band corresponding to power class 3 from the amplifier to the first filter and outputting a transmission signal in the second band corresponding to power class 2 from the first amplifier to the second The transmit signal of the band is output to the third filter.
  • the present invention it is possible to provide a high-frequency circuit and a communication device in which deterioration of transmission characteristics is suppressed when a power class that allows a higher maximum output power than before is applied to the FDD band.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit and a communication device according to an embodiment.
  • FIG. 2A is a diagram showing a transmission state of an FDD signal of power class 2 in the high frequency circuit according to the embodiment.
  • FIG. 2B is a diagram showing a transmission state of a TDD signal of power class 2 in the high frequency circuit according to the embodiment.
  • 3A is a diagram illustrating a first example of a distribution circuit and a combining circuit according to an embodiment;
  • FIG. 3B is a diagram illustrating a second example of the distribution circuit and the combining circuit according to the embodiment;
  • FIG. 3C is a diagram for explaining impedance fluctuations of the filter with respect to load fluctuations in the second example.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit and a communication device according to an embodiment.
  • FIG. 2A is a diagram showing a transmission state of an FDD signal of power class 2 in the high frequency circuit according to the embodiment.
  • FIG. 2B is
  • 3D is a diagram illustrating a third example of a distribution circuit and a combining circuit according to the embodiment
  • 4A is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit according to Modification 1 of the embodiment.
  • FIG. FIG. 4B is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit according to Modification 2 of the embodiment.
  • FIG. 5A is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit according to Modification 3 of the embodiment.
  • FIG. 5B is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit according to Modification 4 of the embodiment.
  • 5C is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit according to Modification 5 of the embodiment.
  • FIG. FIG. 6 is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit according to Modification 6 of the embodiment.
  • FIG. 7 is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit according to Modification 7 of the embodiment.
  • connection includes not only direct connection with connection terminals and/or wiring conductors, but also electrical connection via other circuit elements.
  • Connected between A and B means connected to both A and B between A and B, in addition to being serially connected in the path connecting A and B, It includes parallel connection (shunt connection) between the path and the ground.
  • the component is placed on the board includes the component being placed on the main surface of the board and the component being placed inside the board.
  • the component is arranged on the main surface of the board means that the component is arranged in contact with the main surface of the board, and that the component is arranged above the main surface without contacting the main surface. (eg, a component is laminated onto another component placed in contact with a major surface).
  • the component is arranged on the main surface of the substrate may include that the component is arranged in a concave portion formed in the main surface.
  • Components are located within a substrate means that, in addition to encapsulating components within a module substrate, all of the components are located between major surfaces of the substrate, but some of the components are located between major surfaces of the substrate. Including not covered by the substrate and only part of the component being placed in the substrate.
  • signal path refers to a transmission line composed of a wire through which a high-frequency signal propagates, an electrode directly connected to the wire, and a terminal directly connected to the wire or the electrode.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit 1 and a communication device 5 according to this embodiment.
  • the communication device 5 corresponds to a so-called user terminal (UE: User Equipment), and is typically a mobile phone, a smart phone, a tablet computer, or the like.
  • UE User Equipment
  • Such a communication device 5 includes a high frequency circuit 1 , an antenna 2 and an RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit) 3 .
  • RFIC Radio Frequency Integrated Circuit
  • the high frequency circuit 1 transmits high frequency signals between the antenna 2 and the RFIC 3 .
  • the internal configuration of the high frequency circuit 1 will be described later.
  • the antenna 2 is connected to the antenna connection terminal 100 of the high frequency circuit 1 .
  • the antenna 2 receives a high frequency signal from the high frequency circuit 1 and outputs it to the outside.
  • the RFIC 3 is an example of a signal processing circuit that processes high frequency signals. Specifically, the RFIC 3 performs signal processing such as up-conversion on a transmission signal input from a BBIC (Baseband Integrated Circuit: not shown), and sends the high-frequency transmission signal generated by the signal processing to the high-frequency circuit 1. Output to the transmission path.
  • the RFIC 3 also has a control section that controls the switch circuit, amplifier circuit, and the like of the high-frequency circuit 1 . A part or all of the functions of the RFIC 3 as a control unit may be configured outside the RFIC 3 , for example, in the BBIC or the high frequency circuit 1 .
  • the antenna 2 is not an essential component in the communication device 5 according to the present embodiment.
  • the high frequency circuit 1 includes filters 11, 12 and 21, a power amplifier 30, a distribution circuit 41, a combining circuit 42, switches 51, 52 and 53, an antenna connection terminal 100, and a high frequency and an input terminal 110 .
  • the antenna connection terminal 100 is connected to the antenna 2.
  • a high-frequency input terminal 110 is a terminal for receiving a high-frequency transmission signal (hereinafter referred to as a transmission signal) from the outside of the high-frequency circuit 1 (RFIC 3).
  • Filter 11 is an example of a second filter, corresponds to power class 3, and has a passband that includes the uplink operating band of band A for FDD. Filter 11 is connected to power amplifier 30 via switch 52 and distribution circuit 41 .
  • the filter 12 is an example of a first filter, corresponds to power class 3, and has a passband that includes the uplink operating band of band A for FDD. Filter 12 is connected to power amplifier 30 via switch 52 and distribution circuit 41 .
  • the filter 21 is an example of a third filter, corresponds to power class 2, and has a passband including band B for time division duplex (TDD). Filter 21 is connected to power amplifier 30 via switches 52 and 53 .
  • the power amplifier 30 is an example of a power amplifier circuit and corresponds to power class 2. Power amplifier 30 can amplify transmission signals of band A and band B input from high-frequency input terminal 110 . Power amplifier 30 is connected between high frequency input terminal 110 and switch 52 .
  • Band A is an example of the first band, and is constructed using a radio access technology (RAT: Radio Access Technology) predefined by standardization organizations (for example, 3GPP and IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers), etc.) It is a frequency band for a communication system that uses Examples of communication systems that can be used include, but are not limited to, 5GNR (5th Generation New Radio) systems, LTE (Long Term Evolution) systems, and WLAN (Wireless Local Area Network) systems.
  • 5GNR Fifth Generation New Radio
  • LTE Long Term Evolution
  • WLAN Wireless Local Area Network
  • Band A consists of a downlink operating band and an uplink operating band.
  • Band B coincides with the uplink and downlink operating bands, and the entire frequency range of band B is both the uplink operating band and the downlink operating band.
  • the uplink operating band means the frequency range designated for the uplink among the above bands.
  • the downlink operating band means the frequency range designated for the downlink among the above bands.
  • the power class is a classification of UE output power defined by maximum output power, etc.
  • a smaller power class value indicates that a higher power output is allowed.
  • the maximum allowed output power for power class 1 is 31 dBm
  • the maximum allowed output power for power class 1.5 is 29 dBm
  • the maximum allowed output power for power class 2 is 26 dBm
  • the maximum allowed output power for power class 2 is 26 dBm.
  • 3 is 23 dBm.
  • the maximum output power of the UE is defined as the output power at the antenna end of the UE.
  • the measurement of the maximum output power of the UE is done, for example, in a manner defined by 3GPP or the like.
  • the maximum output power is measured by measuring the radiated power at antenna 2 .
  • band A is, for example, band B1 for LTE for FDD, or band n1 for 5GNR (uplink operating band: 1920-1980 MHz, downlink operating band: 2110-2170 MHz, ) and band B is for example band B34 for LTE for TDD or band n34 (2010-2025 MHz) for 5GNR.
  • the distribution circuit 41 has a terminal 41a (first terminal), a terminal 41b (third terminal), and a terminal 41c (second terminal), and distributes the power of the signal input to the terminal 41a, Signals are output from terminals 41b and 41c.
  • the combining circuit 42 has a terminal 42a (sixth terminal), a terminal 42b (fifth terminal), and a terminal 42c (fourth terminal), and power-combines the signals input to the terminals 42b and 42c. The resulting high frequency signal is output from the terminal 42a.
  • the switch 51 is an example of a second switch and is connected between the antenna connection terminal 100 and the combining circuit 42 and filter 21 .
  • the switch 51 has a common terminal 51a (second common terminal), selection terminals 51b (third selection terminal) and 51c (fourth selection terminal).
  • the common terminal 51 a is connected to the antenna connection terminal 100
  • the selection terminal 51 b is connected to the terminal 42 a
  • the selection terminal 51 c is connected to the output end of the filter 21 .
  • the switch 51 switches the connection between the antenna connection terminal 100 and the filters 11 and 12 and the connection between the antenna connection terminal 100 and the filter 21 based on a control signal from the RFIC 3, for example.
  • the switch 52 is an example of a first switch and is connected between the power amplifier 30 and the distribution circuit 41 and the switch 53.
  • the switch 52 has a common terminal 52a (first common terminal), selection terminals 52b (first selection terminal) and 52c (second selection terminal).
  • the common terminal 52a is connected to the output terminal of the power amplifier 30, the selection terminal 52b is connected to the terminal 41a, and the selection terminal 52c is connected to the filter 21 via the switch 53.
  • the switch 53 is an example of a so-called TDD switch, and switches connection between the input end of the filter 21 and the power amplifier 30 and connection between the input end of the filter 21 and a low noise amplifier (not shown).
  • At least one of the switches 51 to 53 may be formed in a semiconductor IC (Integrated Circuit).
  • the semiconductor IC is composed of, for example, CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Specifically, it is formed by an SOI (Silicon On Insulator) process. This makes it possible to manufacture semiconductor ICs at low cost.
  • the semiconductor IC may be made of at least one of GaAs, SiGe and GaN. This makes it possible to output a high frequency signal with high quality amplification performance and noise performance.
  • the high frequency circuit 1 may include at least the power amplifier 30 and the filters 11, 12 and 21, and may not include other circuit elements.
  • FIG. 2A is a diagram showing a transmission state of an FDD signal of band A of power class 2 in the high-frequency circuit 1 according to the embodiment.
  • an FDD signal for example, 26 dBm
  • the common terminal 52a and the selection terminal 52b are connected, and the common terminal 51a and the selection terminal 51b are connected.
  • the transmission signal of band A is divided into high frequency input terminal 110, power amplifier 30, switch 52, distribution circuit 41, filters 11 and 12, combining circuit 42, switch 51, antenna connection terminal 100, and antenna 2. That is, when a transmission signal of band A corresponding to power class 2 is output from the antenna connection terminal 100, the transmission signal of band A is power-divided from the power amplifier 30 to the filters 11 and 12 and output.
  • FIG. 2B is a diagram showing a transmission state of a TDD signal of band B of power class 2 in the high-frequency circuit 1 according to the embodiment.
  • a band B TDD signal for example, 26 dBm
  • the common terminal 52a and the selection terminal 52c are connected, and the common terminal 51a and the selection terminal 51c are connected.
  • the transmission signal of band B passes through a transmission path consisting of high frequency input terminal 110, power amplifier 30, switch 52, switch 53, filter 21, switch 51, antenna connection terminal 100, and antenna 2. transmit. That is, when a transmission signal of band B corresponding to power class 2 is to be output from the antenna connection terminal 100 , the transmission signal of band B is output from the power amplifier 30 to the filter 21 .
  • the filter 21 it is possible to transmit a transmission signal for TDD of power class 2 through the filter 21 .
  • the power density of the FDD transmission signal of power class 2 is high because it is not time-divisionally transmitted but continuously transmitted. Therefore, when a transmission signal for FDD of power class 2 is transmitted by the filter 11 or 12 alone, the filter is in a high temperature state and power durability is critical. Therefore, there is concern that the pass characteristic of the filter 11 or 12 will deteriorate.
  • the filters 11 and 12 which are difficult to independently transmit the FDD transmission signal of power class 2, transmit the transmission signal of power class 3 (for example, 23 dBm). , FDD transmission signals of power class 2 can be transmitted without deteriorating filter pass characteristics.
  • FIG. 3A is a diagram showing a first example of the distribution circuit 41 and the combining circuit 42 according to the embodiment.
  • the distribution circuit 41 of this example has inductors 411 , 412 and 413 .
  • One end of the inductor 411 is connected to the terminal 41a and the other end is grounded.
  • One end of the inductor 412 is connected to the terminal 41 b and the other end is connected to one end of the inductor 413 .
  • the other end of inductor 413 is connected to terminal 41c. That is, the distribution circuit 41 of this example is a transformer having the inductor 411 as an input side coil and the inductors 412 and 413 as output side coils.
  • the synthesis circuit 42 of this example has inductors 421, 422 and 423.
  • One end of the inductor 421 is connected to the terminal 42a, and the other end is grounded.
  • One end of inductor 422 is connected to terminal 42 b and the other end is connected to one end of inductor 423 .
  • the other end of inductor 423 is connected to terminal 42c. That is, the combining circuit 42 of this example is a transformer having the inductor 421 as an output side coil and the inductors 422 and 423 as input side coils.
  • FIG. 3B is a diagram showing a second example of the distribution circuit 41 and the combining circuit 42 according to the embodiment.
  • the distribution circuit 41 of this example has quarter-wave transmission lines 451 and 452 and a resistive element 453 .
  • One end of the quarter-wave transmission line 451 and one end of the quarter-wave transmission line 452 are connected to the terminal 41a, and the other end of the quarter-wave transmission line 451 is connected to one end of the resistive element 453 and the terminal 41b.
  • the other end of the /4 wavelength transmission line 452 is connected to the other end of the resistance element 453 and the terminal 41c. That is, the distribution circuit 41 of this example is a Wilkinson type distributor.
  • the combining circuit 42 of this example has quarter-wave transmission lines 461 and 462 and a resistive element 463 .
  • One end of the quarter-wave transmission line 461 and one end of the quarter-wave transmission line 462 are connected to the terminal 42a, and the other end of the quarter-wave transmission line 461 is connected to one end of the resistive element 463 and the terminal 42b.
  • the other end of the /4 wavelength transmission line 462 is connected to the other end of the resistance element 463 and the terminal 42c. That is, the synthesizing circuit 42 of this example is a Wilkinson type divider.
  • FIG. 3C is a diagram for explaining impedance fluctuations of the filter with respect to load fluctuations in the above second example.
  • (a) of FIG. 4 shows the impedance (reflection coefficient) of the antenna connecting terminal 100 side (load) viewed from each terminal of the combining circuit 42 .
  • (b) of the figure shows the impedance (reflection coefficient) of the filter 12 viewed from the input end of the filter 12 with respect to the impedance (reflection coefficient) viewed from the output end of the filter 12 toward the antenna connection terminal 100 (load). ing.
  • the impedance when the load is viewed from each of terminals 42b and 42c is closer to the reference impedance (eg, 50 ⁇ ) than the impedance when the load is viewed from terminal 42a. It's becoming More specifically, the reflection coefficient ⁇ at each of terminals 42b and 42c is half the reflection coefficient ⁇ at terminal 42a.
  • the load fluctuation (variation of the reflection coefficient ⁇ )
  • the impedance of the filters 11 and 12 can be suppressed from deviating from the reference impedance. This makes it possible to suppress fluctuations in the output impedance of the power amplifier 30 with respect to load fluctuations.
  • FIG. 3D is a diagram showing a third example of the distribution circuit 41 and the synthesis circuit 42 according to the embodiment.
  • the distribution circuit 41 of this example has a 90° hybrid coupler 470 and a terminating resistor 471 .
  • the 0° terminal of the 90° hybrid coupler 470 is connected to the terminal 41 b
  • the 90° terminal is connected to the terminal 41 c
  • the IN terminal is connected to the terminal 41 a
  • the ISO terminal is connected to the terminating resistor 471 .
  • a transmission signal input from the IN terminal is power-divided to the 0° terminal and the 90° terminal and output from the terminals 41b and 41c.
  • the combining circuit 42 of this example has a 90° hybrid coupler 480 and a terminating resistor 481 .
  • the 0° terminal of the 90° hybrid coupler 480 is connected to the terminal 42 b
  • the 90° terminal is connected to the terminal 42 c
  • the OUT terminal is connected to the terminal 42 a
  • the ISO terminal is connected to the terminating resistor 481 .
  • the transmission signal power-divided by the distribution circuit 41 passes through the filters 11 and 12, respectively, and is input to the 0° terminal and the 90° terminal. Signals input to the 0° terminal and the 90° terminal are power-combined and output from the terminal 42a via the OUT terminal.
  • FIG. 4A is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit 1A according to Modification 1 of the embodiment.
  • the high frequency circuit 1A includes filters 11, 12 and 21, power amplifiers 31 and 32, a combining circuit 42, switches 51, 52 and 53, an antenna connection terminal 100, and a high frequency input terminal 111. and 112.
  • a high-frequency circuit 1A according to this modification differs from the high-frequency circuit 1 according to the embodiment in that the configuration of the power amplifier circuit and the distribution circuit 41 are not provided.
  • descriptions of the same points as those of the high-frequency circuit 1 according to the embodiment will be omitted, and different points will be mainly described.
  • the high-frequency input terminals 111 and 112 are terminals for receiving transmission signals from the outside (RFIC 3) of the high-frequency circuit 1A.
  • Filter 11 is an example of a second filter, corresponds to power class 3, and has a passband that includes the uplink operating band of band A for FDD. Filter 11 is connected to power amplifier 32 .
  • the filter 12 is an example of a first filter, corresponds to power class 3, and has a passband that includes the uplink operating band of band A for FDD. Filter 12 is connected to power amplifier 31 via switch 52 .
  • the power amplifier 31 is an example of a first amplifier that constitutes a power amplifier circuit, and corresponds to power class 2. Power amplifier 31 can amplify transmission signals of band A and band B input from high-frequency input terminal 111 . Power amplifier 31 is connected between high frequency input terminal 111 and switch 52 .
  • the power amplifier 32 is an example of a second amplifier that constitutes a power amplifier circuit, and corresponds to power class 3.
  • the power amplifier 32 can amplify the band A transmission signal input from the high frequency input terminal 112 .
  • Power amplifier 32 is connected between high frequency input terminal 112 and filter 11 .
  • the switch 52 is an example of a first switch and is connected between the power amplifier 31 and the filter 12 and the switch 53.
  • the switch 52 has a common terminal 52a (first common terminal), selection terminals 52b (first selection terminal) and 52c (second selection terminal).
  • the common terminal 52 a is connected to the output terminal of the power amplifier 31
  • the selection terminal 52 b is connected to the input terminal of the filter 12
  • the selection terminal 52 c is connected to the input terminal of the filter 21 via the switch 53 .
  • the switch 52 switches the connection between the power amplifier 31 and the filter 12 and the connection between the power amplifier 31 and the filter 21 based on a control signal from the RFIC 3, for example.
  • FIG. 4B is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit 1B according to Modification 2 of the embodiment.
  • the high frequency circuit 1B includes filters 11, 12 and 21, power amplifiers 31 and 32, switches 52, 53 and 54, antenna connection terminals 101 and 102, and high frequency input terminals 111 and 112. , provided.
  • a high-frequency circuit 1B according to this modified example differs from the high-frequency circuit 1A according to the first modified example in that the configuration of the switch 54 and the synthesizing circuit 42 are not provided.
  • description of the same points as those of the high-frequency circuit 1A according to the first modified example will be omitted, and different points will be mainly described.
  • the antenna connection terminal 101 is an example of a first antenna connection terminal, and is connected to the antenna 2a (first antenna).
  • the antenna connection terminal 102 is an example of a second antenna connection terminal, and is connected to an antenna 2b (second antenna) different from the antenna 2a.
  • the switch 54 is an example of a third switch and is connected between the antenna connection terminals 101 and 102 and the filters 11, 12 and 21.
  • the switch 54 includes a common terminal 54a (fourth common terminal), a common terminal 54b (third common terminal), a selection terminal 54c (sixth selection terminal), 54d (fifth selection terminal) and 54e (fifth selection terminal). 7 selection terminals).
  • the common terminal 54a is connected to the antenna connection terminal 102
  • the common terminal 54b is connected to the antenna connection terminal 101
  • the selection terminal 54c is connected to the output terminal of the filter 11
  • the selection terminal 54d is connected to the output terminal of the filter 12
  • the selection terminal 54 e is connected to the output terminal of the filter 21 .
  • the switch 54 switches connection and disconnection between the antenna connection terminal 102 and the filter 11 based on, for example, a control signal from the RFIC 3, and connects the antenna connection terminal 101 and the filter 12 and connects the antenna connection terminal 101. and the connection with the filter 21 are switched.
  • FIG. 5A is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit 1C according to Modification 3 of the embodiment.
  • the high frequency circuit 1C includes filters 11, 12 and 21, power amplifiers 31 and 32, switches 52, 53 and 54, antenna connection terminals 101 and 102, and high frequency input terminals 111 and 112. , a first substrate 61 and a second substrate 62 .
  • a high-frequency circuit 1C according to this modification differs from the high-frequency circuit 1B according to modification 2 in that a first substrate 61 and a second substrate 62 are provided.
  • description of the same points as those of the high-frequency circuit 1B according to the second modified example will be omitted, and different points will be mainly described.
  • Each of the first substrate 61 and the second substrate 62 is a substrate on which circuit components constituting the high frequency circuit 1C are mounted.
  • a low temperature co-fired ceramics (LTCC) substrate having a laminated structure of a plurality of dielectric layers for example, a low temperature co-fired ceramics (LTCC) substrate having a laminated structure of a plurality of dielectric layers, a high temperature co-fired ceramics (LTCC) substrate Ceramics: HTCC) substrate, component-embedded substrate, substrate having a redistribution layer (RDL), printed substrate, or the like is used.
  • LTCC low temperature co-fired ceramics
  • HTCC component-embedded substrate
  • RDL redistribution layer
  • power amplifier 31, switches 52, 53 and 54, and filters 12 and 21 are arranged on first substrate 61, and power amplifier 32 and filter 11 are arranged on second substrate 62. ing.
  • the power amplifier 31 and the power amplifier 32 are arranged on different substrates, and the filters 11 and 12 are arranged on different substrates, so that the heat radiation of the high frequency circuit 1C is improved, and the filter 11 and the filter 12 are arranged on different substrates. 12 characteristic deterioration can be suppressed.
  • FIG. 5B is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit 1D according to Modification 4 of the embodiment.
  • the high frequency circuit 1D includes filters 11, 12 and 21, power amplifiers 31 and 32, switches 52, 53 and 55, an antenna connection terminal 100, high frequency input terminals 111 and 112, and a second A first substrate 61 and a second substrate 62 are provided.
  • the high-frequency circuit 1D according to the present modification differs from the high-frequency circuit 1C according to the third modification in the connection configuration of the switch 55 .
  • descriptions of the same points as those of the high-frequency circuit 1C according to the third modified example will be omitted, and different points will be mainly described.
  • the antenna connection terminal 100 is an example of a first antenna connection terminal, and is connected to the antenna 2a (first antenna).
  • the switch 55 is an example of a second switch and is connected between the antenna connection terminal 100 and the filters 12 and 21 .
  • the switch 55 has a common terminal 55a (second common terminal), selection terminals 55b (third selection terminal) and 55c (fourth selection terminal).
  • the common terminal 55 a is connected to the antenna connection terminal 100
  • the selection terminal 55 b is connected to the output terminal of the filter 12
  • the selection terminal 55 c is connected to the output terminal of the filter 21 .
  • the switch 55 switches connection between the antenna connection terminal 100 and the filter 12 and connection between the antenna connection terminal 100 and the filter 21 based on a control signal from the RFIC 3, for example.
  • the output end of the filter 11 is connected to an antenna 2b (second antenna) different from the antenna 2a.
  • high-frequency circuit 1D In high-frequency circuit 1D according to this modification, power amplifier 31, switches 52, 53 and 55, and filters 12 and 21 are arranged on first substrate 61, and power amplifier 32 and filter 11 are arranged on second substrate 62. ing.
  • the power amplifier 31 and the power amplifier 32 are arranged on different substrates, and the filters 11 and 12 are arranged on different substrates, so that the heat radiation of the high frequency circuit 1D is improved, and the filter 11 and the filter 12 are arranged on different substrates. 12 characteristic deterioration can be suppressed.
  • FIG. 5C is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit 1G according to Modification 5 of the embodiment.
  • the high frequency circuit 1G includes filters 11, 12, 21 and 22, power amplifiers 31, 32 and 35, switches 52, 53 and 54, antenna connection terminals 101 and 102, and a high frequency input terminal. 111 , 112 and 113 , and a first substrate 61 and a second substrate 62 .
  • a high-frequency circuit 1G according to the present modification differs from the high-frequency circuit 1D according to modification 4 in that a filter 22 having a passband including band C is added and the configuration of a switch 54 is different.
  • description of the same points as those of the high-frequency circuit 1D according to the fourth modified example will be omitted, and different points will be mainly described.
  • the antenna connection terminal 101 is an example of a first antenna connection terminal, and is connected to the antenna 2a (first antenna).
  • the antenna connection terminal 102 is an example of a second antenna connection terminal, and is connected to an antenna 2b (second antenna) different from the antenna 2a.
  • High-frequency input terminals 111, 112, and 113 are terminals for receiving transmission signals from the outside (RFIC 3) of the high-frequency circuit 1G, respectively.
  • Filter 11 is an example of a second filter, corresponds to power class 3, and has a passband that includes the uplink operating band of band A for FDD. Filter 11 is connected to power amplifier 32 .
  • the filter 12 is an example of a first filter, corresponds to power class 3, and has a passband that includes the uplink operating band of band A for FDD. Filter 12 is connected to power amplifier 31 via switch 52 .
  • the filter 21 is an example of a third filter, corresponds to power class 2, and has a passband including band B for TDD. Filter 21 is connected to power amplifier 31 via switches 52 and 53 .
  • the filter 22 has a passband that includes the uplink operating band of Band C for FDD, which is different from Band A and Band B. Filter 22 is connected to power amplifier 35 . Note that the filter 22 may have a passband including band C for TDD.
  • the power amplifier 31 is an example of a first amplifier that constitutes a power amplifier circuit, and corresponds to power class 2. Power amplifier 31 can amplify transmission signals of band A and band B input from high-frequency input terminal 111 . Power amplifier 31 is connected between high frequency input terminal 111 and switch 52 .
  • the power amplifier 32 is an example of a second amplifier that constitutes a power amplifier circuit, and corresponds to power class 3.
  • the power amplifier 32 can amplify the band A transmission signal input from the high frequency input terminal 112 .
  • Power amplifier 32 is connected between high frequency input terminal 112 and filter 11 .
  • the power amplifier 35 can amplify the transmission signal of band C input from the high frequency input terminal 113 .
  • Power amplifier 35 is connected between high frequency input terminal 113 and filter 22 .
  • the switch 54 is connected between the antenna connection terminals 101 and 102 and the filters 12, 21 and 22.
  • the switch 54 has a common terminal 54a, a common terminal 54b, select terminals 54c, 54d and 54e.
  • the common terminal 54a is connected to the antenna connection terminal 102
  • the common terminal 54b is connected to the antenna connection terminal 101
  • the selection terminal 54c is connected to the output terminal of the filter 12
  • the selection terminal 54d is connected to the output terminal of the filter 21
  • the selection terminal 54 e is connected to the output terminal of the filter 22 .
  • the switch 54 switches the connection between the antenna connection terminal 102 and the filter 12 and the connection between the antenna connection terminal 102 and the filter 21 based on, for example, a control signal from the RFIC 3 , and switches the connection between the antenna connection terminal 101 and the filter 22 . Toggle between connecting and disconnecting with
  • power amplifiers 31 and 35, switches 52, 53 and 54, and filters 12, 21 and 22 are arranged on a first substrate 61, and power amplifier 32 and filter 11 are arranged on a second substrate. located at 62.
  • the common terminal 54a and the selection terminal 54d are connected.
  • the common terminal 54b and the selection terminal 54e are connected.
  • a transmission signal of band A corresponding to power class 3 is output from the power amplifier 32, and the transmission signal is transmitted from the antenna 2c.
  • a transmission signal of band B is output from the power amplifier 31, and the transmission signal is transmitted from the antenna 2b.
  • a transmission signal of band C is output from the power amplifier 35, and the transmission signal is transmitted from the antenna 2a.
  • the band A FDD signal is divided and output from the two power amplifiers 31 and 32, thereby improving the heat dissipation when transmitting the power class 2 FDD signal. Further, power added efficiency of power amplifiers 31 and 32 can be improved, and noise generated from power amplifiers 31 and 32 and filters 11 and 12 can be reduced.
  • FIG. 6 is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit 1E according to Modification 6 of the embodiment.
  • high frequency circuit 1E includes filters 11, 12, 13 and 21, power amplifiers 31 and 32, low noise amplifier 33, switches 52, 53, 54 and 56, antenna connection terminal 101 and 102 , high frequency input terminals 111 and 112 , high frequency output terminal 120 , first substrate 61 and second substrate 62 .
  • a high-frequency circuit 1E according to this modification differs from the high-frequency circuit 1C according to modification 3 in that a filter 13, a low-noise amplifier 33, and a switch 56 are added.
  • description of the same points as those of the high-frequency circuit 1C according to the third modified example will be omitted, and different points will be mainly described.
  • the high frequency output terminal 120 is an output terminal for supplying the reception signal of band A for FDD and the reception signal of band B for TDD to the outside (RFIC 3) of the high frequency circuit 1E.
  • Filter 13 is an example of a fourth filter and has a passband that includes the downlink operating band of band A for FDD.
  • the input terminal of filter 13 is connected to the output terminal of filter 12 and selection terminal 54 d , and the output terminal of filter 13 is connected to the input terminal of low noise amplifier 33 via switch 56 .
  • Filters 12 and 13 form a duplexer for band A.
  • the low noise amplifier 33 can amplify received signals of band A and band B input from the antenna connection terminal 101 .
  • Low noise amplifier 33 is connected between high frequency output terminal 120 and switch 56 .
  • a switch 56 is connected between the filters 13 and 21 and the low noise amplifier 33 .
  • the switch 56 has a common terminal 56a and selection terminals 56b and 56c.
  • the common terminal 56 a is connected to the input terminal of the low noise amplifier 33
  • the selection terminal 56 b is connected to the output terminal of the filter 13
  • the selection terminal 56 c is connected to the output terminal of the filter 21 via the switch 53 .
  • the switch 56 switches the connection between the low noise amplifier 33 and the filter 13 and the connection between the low noise amplifier 33 and the filter 21 based on the control signal from the RFIC 3, for example.
  • the power amplifier 31, the low noise amplifier 33, the switches 52, 53, 54 and 56, and the filters 12, 13 and 21 are arranged on the first substrate 61, and the power amplifier 32 and the filter 11 are arranged on the second substrate 62 . Note that no filters with passbands that include the Band A downlink operating band are located on the second substrate.
  • the filters 11 and 12 which are difficult to independently transmit the FDD transmission signal of power class 2, transmit the transmission signal of power class 3 (for example, 23 dBm).
  • a transmission signal can be transmitted without deteriorating the pass characteristics of the filters 11 and 12 .
  • the band A FDD signal from the two power amplifiers 31 and 32, it is possible to improve the heat dissipation when transmitting the FDD signal of power class 2, and the power added efficiency of the power amplifiers 31 and 32 can be improved. can be improved and noise generated from filters 11 and 12 and power amplifiers 31 and 32 can be reduced. Furthermore, since the noise can be reduced, the reception sensitivity of the reception signal of band A in the reception path in which the low noise amplifier 33 is arranged can be improved.
  • the low-noise amplifier 33 and the switch 56 may be omitted in the high-frequency circuit 1E according to this modification.
  • FIG. 7 is a circuit configuration diagram of a high-frequency circuit 1F according to Modification 7 of the embodiment.
  • high frequency circuit 1F includes filters 11, 12, 14 and 21, power amplifiers 31 and 32, low noise amplifier 34, switches 52, 53 and 54, antenna connection terminals 101 and 102, and , high-frequency input terminals 111 and 112 , a high-frequency output terminal 130 , a first substrate 61 and a second substrate 62 .
  • a high-frequency circuit 1F according to the present modification differs from the high-frequency circuit 1C according to modification 3 in that a filter 14 and a low-noise amplifier 34 are added.
  • description of the same points as those of the high-frequency circuit 1C according to the third modified example will be omitted, and different points will be mainly described.
  • the high frequency output terminal 130 is an output terminal for supplying a received signal of band A for FDD to the outside (RFIC 3) of the high frequency circuit 1F.
  • Filter 14 is an example of a fifth filter and has a passband that includes the downlink operating band of band A for FDD.
  • the input terminal of the filter 14 is connected to the output terminal of the filter 11 and the selection terminal 54 c , and the output terminal of the filter 14 is connected to the input terminal of the low noise amplifier 34 .
  • Filters 11 and 14 constitute a band A duplexer. Note that the filter 14 may not include the downlink operating band of band A as a passband, or may include a downlink operating band other than band A as a passband.
  • the low noise amplifier 34 can amplify the received signal of band A input from the antenna connection terminal 102 .
  • Low noise amplifier 34 is connected between high frequency output terminal 130 and filter 14 .
  • the power amplifier 31, the switches 52, 53 and 54, the filters 12 and 21 are arranged on the first substrate 61, the power amplifier 32, the low noise amplifier 34, the filters 11 and 14 are It is arranged on the second substrate 62 .
  • the filters 11 and 12 which are difficult to independently transmit the FDD transmission signal of power class 2, transmit the transmission signal of power class 3 (for example, 23 dBm).
  • a transmission signal can be transmitted without deteriorating the pass characteristics of the filters 11 and 12 .
  • the power amplifier 31 and the power amplifier 32 are arranged on separate substrates, and the filters 11 and 12 are arranged on separate substrates, the heat dissipation of the high-frequency circuit 1F is improved, and the characteristics of the filters 11 and 12 are improved. Deterioration can be suppressed.
  • filter 14 and low noise amplifier 34 are arranged on second substrate 62 where filters 12 and 21 are not arranged, the heat dissipation of high frequency circuit 1F is improved, and filter 14 and low noise amplifier 34 are arranged. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the reception sensitivity of the band A in the reception path.
  • the high-frequency circuit according to the present invention is arranged on the first substrate 61 and the first substrate 61 in the high-frequency circuit 1C according to Modification 3, the high-frequency circuit 1E according to Modification 6, and the high-frequency circuit 1F according to Modification 7. may include only the circuit components that are
  • the high-frequency circuit according to the present invention is connected between the first substrate 61, the antenna connection terminals 101 and 102, the power amplifier 31 corresponding to power class 2, and the power amplifier 31 and the antenna connection terminal 101. 3 and is connected between the filter 12 having a passband including the uplink operating band of band A for FDD, the power amplifier 31 and the antenna connection terminal 102, corresponding to power class 2, and the band for TDD A filter 21 having a passband including B, a switch 52 and a switch 54 may be provided.
  • the output terminal of the power amplifier 31 is connected to the common terminal 52a
  • the selection terminal 52b is connected to the input terminal of the filter 12
  • the selection terminal 52c is connected to the input terminal of the filter 21, and the common terminal 54b is the antenna connection terminal.
  • the common terminal 54 a is connected to the antenna connection terminal 102
  • the selection terminal 54 d is connected to the output terminal of the filter 12
  • the selection terminal 54 e is connected to the output terminal of the filter 21 .
  • Power amplifier 31 , switches 52 and 54 , and filters 12 and 21 are arranged on first substrate 61 .
  • the transmission signal of band A corresponding to power class 2 is to be output
  • the transmission signal of the uplink operating band of band A corresponding to power class 3 is input from the power amplifier 32 different from the power amplifier 31 to the selection terminal 54c.
  • the power amplifier 31 outputs a transmission signal of the uplink operating band of band A corresponding to power class 3 to the filter 12 .
  • the transmission signal of band B is output from the power amplifier 31 to the filter 21 .
  • the filter 21 it is possible to transmit a transmission signal for TDD of power class 2 through the filter 21 .
  • the transmission signal for FDD of power class 2 is not time-divisionally transmitted but continuously transmitted, so the power density is high, and the transmission signal is transmitted by the filter 11 or 12 alone. In that case, the filter will be in a high temperature state and the power durability will be in a critical state. Therefore, there is concern that the pass characteristics of the filter 12 may deteriorate.
  • the power class 3 transmission signal for the filter 12 that is difficult to transmit the power class 2 FDD transmission signal alone, the power class 3 transmission signal (for example, 23 dBm) is transmitted together with the filter 11, so that the power class 2 FDD transmission signal is transmitted.
  • a transmission signal can be transmitted without degrading the pass characteristic of the filter 12 .
  • the high-frequency circuit 1 is connected between the antenna connection terminal 100, the power amplifier 30 corresponding to the power class 2, and the power amplifier 30 and the antenna connection terminal 100.
  • the filter 12 having a passband including the band A uplink operating band for FDD, is connected between the power amplifier 30 and the antenna connection terminal 100, corresponds to power class 3, and has a band A uplink operating band.
  • the transmission signal of band A corresponding to power class 2 is output from the antenna connection terminal 100
  • the transmission signal of band A from the power amplifier 30 is distributed and output to the filters 11 and 12, and the transmission signal of band B corresponding to power class 2 is transmitted.
  • the power amplifier 30 outputs the transmission signal of band B to the filter 21 .
  • the filter 21 it is possible to transmit a transmission signal for TDD of power class 2 through the filter 21 .
  • the power class 2 FDD transmission signal is transmitted continuously instead of time division, the power density is high. Power durability becomes critical. Therefore, there is concern that the pass characteristic of the filter 11 or 12 will deteriorate.
  • the filters 11 and 12 which are difficult to independently transmit the FDD transmission signal of power class 2, transmit the transmission signal of power class 3 (for example, 23 dBm).
  • a transmission signal can be transmitted without deteriorating filter pass characteristics. Therefore, it is possible to provide a high-frequency circuit 1 in which deterioration of transmission characteristics is suppressed when a power class that allows a higher maximum output power than in the past is applied to the FDD band.
  • the high frequency circuit 1 further has terminals 41a, 41b and 41c.
  • a synthesizing circuit 42 for synthesizing the signals input to the terminals 42b and 42c and outputting from the terminal 42a, the terminal 41a being connected to the output terminal of the power amplifier 30 and the terminal 41b being the input terminal of the filter 11;
  • the terminal 41c is connected to the input end of the filter 12
  • the terminal 42b is connected to the output end of the filter 11
  • the terminal 42c is connected to the output end of the filter 12
  • the terminal 42a is connected to the antenna connection terminal 100.
  • the transmission circuit for transmitting band A can be simplified.
  • the high-frequency circuit 1 further has a common terminal 52a and selection terminals 52b and 52c. and a switch 51 having a common terminal 51a, select terminals 51b and 51c, and switching between the connection between the common terminal 51a and the select terminal 51b and the connection between the common terminal 51a and the select terminal 51c, and the common terminal 52a.
  • the selection terminal 52b is connected to the terminal 41a
  • the selection terminal 52c is connected to the input terminal of the filter 21
  • the common terminal 51a is connected to the antenna connection terminal 100
  • the selection terminal 51b is connected to It may be connected to the terminal 42 a and the selection terminal 51 c may be connected to the output end of the filter 21 .
  • the transmission signal of band A and the transmission signal of band B can be transmitted with high isolation.
  • the high-frequency circuit 1A includes a power amplifier 31 corresponding to power class 2, a power amplifier 32 corresponding to power class 3, filters 11, 12 and 21, a switch 52, a switch 51, and a combination a circuit 42, wherein the output terminal of the power amplifier 31 is connected to the common terminal 52a, the output terminal of the power amplifier 32 is connected to the input terminal of the filter 11, the selection terminal 52b is connected to the input terminal of the filter 12, The selection terminal 52c is connected to the input terminal of the filter 21, the terminal 42b is connected to the output terminal of the filter 11, the terminal 42c is connected to the output terminal of the filter 12, the terminal 42a is connected to the selection terminal 51b, and the common terminal 51a is connected.
  • the selection terminal 51 c may be connected to the output terminal of the filter 21 .
  • a transmission signal corresponding to power class 3 is output from each of the power amplifiers 31 and 32, and a TDD signal of band B of power class 2 is output.
  • a transmission signal corresponding to power class 2 can be output from the power amplifier 31 .
  • heat dissipation when transmitting the power class 2 FDD signal can be improved.
  • power added efficiency of power amplifiers 31 and 32 can be improved, and noise generated from power amplifiers 31 and 32 and filters 11 and 12 can be reduced.
  • the high-frequency circuit 1B includes antenna connection terminals 101 and 102, power amplifiers 31 and 32, filters 11, 12 and 21, a switch 52, and a switch 54, and the power amplifier 31 is connected to the common terminal 52a, the output terminal of the power amplifier 32 is connected to the input terminal of the filter 11, the selection terminal 52b is connected to the input terminal of the filter 12, and the selection terminal 52c is connected to the input terminal of the filter 21.
  • the common terminal 54b is connected to the antenna connection terminal 101, the common terminal 54a is connected to the antenna connection terminal 102, the selection terminal 54d is connected to the output terminal of the filter 12, and the selection terminal 54c is connected to the output terminal of the filter 11.
  • the selection terminal 54 e may be connected to the output terminal of the filter 21 .
  • a transmission signal corresponding to power class 3 is output from each of power amplifiers 31 and 32 and transmitted from two antennas 2a and 2b.
  • a transmission signal corresponding to power class 2 is output from the power amplifier 31 and transmitted from one antenna 2a.
  • a high-frequency circuit 1C according to Modification 3 further includes a first substrate 61 and a second substrate 62 in addition to the high-frequency circuit 1B. It may be located on the substrate 61 and the power amplifier 32 and the filter 11 may be located on the second substrate 62 .
  • the power amplifier 31 and the power amplifier 32 are arranged on different substrates, and the filters 11 and 12 are arranged on different substrates, so that the heat radiation of the high frequency circuit 1C is improved, and the filter 11 and the filter 12 are arranged on different substrates. 12 characteristic deterioration can be suppressed.
  • a high-frequency circuit 1D includes an antenna connection terminal 100, power amplifiers 31 and 32, filters 11, 12 and 21, a switch 52, a switch 55, a first substrate 61 and a second substrate.
  • the output terminal of the power amplifier 31 is connected to the common terminal 52a
  • the output terminal of the power amplifier 32 is connected to the input terminal of the filter 11
  • the selection terminal 52b is connected to the input terminal of the filter 12 to select
  • the terminal 52c is connected to the input terminal of the filter 21
  • the common terminal 55a is connected to the antenna connection terminal 100
  • the selection terminal 55b is connected to the output terminal of the filter 12
  • the selection terminal 55c is connected to the output terminal of the filter 21
  • Power amplifier 31 , switches 52 and 55 , filters 12 and 21 may be located on first substrate 61 and power amplifier 32 and filter 11 may be located on second substrate 62 .
  • the power amplifier 31 and the power amplifier 32 are arranged on different substrates, and the filters 11 and 12 are arranged on different substrates, so that the heat radiation of the high frequency circuit 1D is improved, and the filter 11 and the filter 12 are arranged on different substrates. 12 characteristic deterioration can be suppressed.
  • the high-frequency circuit 1E includes antenna connection terminals 101 and 102, power amplifiers 31 and 32, filters 11, 12 and 21, and a filter having a passband including the downlink operating band of band A. 13, a switch 52, a switch 54, a first substrate 61 and a second substrate 62, the output terminal of the power amplifier 31 is connected to the common terminal 52a, and the output terminal of the power amplifier 32 is connected to the input of the filter 11.
  • the selection terminal 52b is connected to the input terminal of the filter 12, the selection terminal 52c is connected to the input terminal of the filter 21, the common terminal 54b is connected to the antenna connection terminal 101, and the common terminal 54a is connected to the antenna connection terminal.
  • the selection terminal 54d is connected to the output terminal of the filter 12 and the input terminal of the filter 13
  • the selection terminal 54c is connected to the output terminal of the filter 11, the power amplifier 31, the switches 52 and 54
  • the filters 12 and 13 and 21 may be placed on a first substrate 61 and the power amplifier 32 and filter 11 may be placed on a second substrate 62 .
  • the band A FDD signal by dividing and outputting the band A FDD signal from the two power amplifiers 31 and 32, it is possible to improve the heat dissipation when transmitting the FDD signal of power class 2, and the power of the power amplifiers 31 and 32 can be improved. Added efficiency can be improved, and noise generated from filters 11 and 12 and power amplifiers 31 and 32 can be reduced. Furthermore, since the noise can be reduced, the reception sensitivity of the reception signal of band A in the reception path in which the low noise amplifier 33 is arranged can be improved. Further, since power amplifier 31 and power amplifier 32 are arranged on different substrates, and filter 11 and filter 12 are arranged on different substrates, the heat dissipation of high-frequency circuit 1E is improved, and the characteristics of filters 11 and 12 are improved. Deterioration can be suppressed. Furthermore, only the filter 12 out of the filters 11 and 12 constitutes the band A duplexer together with the filter 13, so that the number of filters can be reduced.
  • a high-frequency circuit 1F includes antenna connection terminals 101 and 102, power amplifiers 31 and 32, filters 11, 12 and 21, and a filter having a passband including a downlink operating band for FDD. 14, a switch 52, a switch 54, a first substrate 61 and a second substrate 62, the output terminal of the power amplifier 31 is connected to the common terminal 52a, and the output terminal of the power amplifier 32 is connected to the input of the filter 11.
  • the selection terminal 52b is connected to the input terminal of the filter 12
  • the selection terminal 52c is connected to the input terminal of the filter 21
  • the common terminal 54b is connected to the antenna connection terminal 101
  • the common terminal 54a is connected to the antenna connection terminal.
  • the selection terminal 54d is connected to the output terminal of the filter 12
  • the selection terminal 54c is connected to the output terminal of the filter 11 and the input terminal of the filter 14
  • the output terminal of the filter 14 is connected to the input terminal of the low noise amplifier 34.
  • the power amplifier 31, the switches 52 and 54, the filters 12 and 21 may be located on the first substrate 61
  • the power amplifier 32, the low noise amplifier 34, the filters 11 and 14 may be located on the second substrate 62.
  • the power amplifier 31 and the power amplifier 32 are arranged on different substrates, and the filters 11 and 12 are arranged on different substrates, so that the heat radiation of the high frequency circuit 1F is improved, and the filter 11 and the filter 12 are arranged on different substrates. 12 characteristic deterioration can be suppressed.
  • filter 14 and low noise amplifier 34 are arranged on second substrate 62 where filters 12 and 21 are not arranged, the heat dissipation of high frequency circuit 1F is improved, and filter 14 and low noise amplifier 34 are arranged. Therefore, it is possible to suppress the deterioration of the reception sensitivity of the band A in the reception path.
  • the high-frequency circuit according to the present invention may include a first substrate 61, a power amplifier 31, a filter 12, a filter 21, antenna connection terminals 101 and 102, and switches 52 and 54.
  • the transmission signal of band A corresponding to power class 2 is to be output
  • the transmission signal of the uplink operating band of band A corresponding to power class 3 is input from the power amplifier 32 different from the power amplifier 31 to the selection terminal 54c.
  • the power amplifier 31 outputs a transmission signal of the uplink operating band of band A corresponding to power class 3 to the filter 12 .
  • the transmission signal of band B is output from the power amplifier 31 to the filter 21 .
  • the filter 21 it is possible to transmit a transmission signal for TDD of power class 2 through the filter 21 .
  • the transmission signal for FDD of power class 2 is not time-divisionally transmitted but continuously transmitted, so the power density is high, and the transmission signal is transmitted by the filter 11 or 12 alone. In that case, the filter will be in a high temperature state and the power durability will be in a critical state. Therefore, there is concern that the pass characteristics of the filter 12 may deteriorate.
  • the power class 3 transmission signal is transmitted together with the filter 11, so that the power class 2 FDD transmission signal is It becomes possible to transmit without deteriorating the pass characteristics of the filter 12 .
  • the communication device 5 includes an RFIC 3 that processes high frequency signals, and a high frequency circuit 1 that transmits high frequency signals between the RFIC 3 and the antenna 2 .
  • the communication device 5 can achieve the same effects as those of the high-frequency circuit 1 described above.
  • bands for 5G-NR or LTE were used, but in addition to or instead of 5G-NR or LTE, communication bands for other radio access technologies are used. good too.
  • communication bands for wireless local area networks may be used.
  • a millimeter wave band of 7 gigahertz or more may be used.
  • the high-frequency circuit 1, the antenna 2, and the RFIC 3 constitute a millimeter wave antenna module, and a distributed constant filter, for example, may be used as the filter.
  • the present invention can be widely used in communication equipment such as mobile phones as a high-frequency circuit arranged in the front end section.

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Abstract

高周波回路（１）は、パワークラス２に対応する電力増幅器（３０）と、電力増幅器（３０）に接続され、パワークラス３に対応し、ＦＤＤ用のバンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ（１２）と、電力増幅器（３０）に接続され、パワークラス３に対応し、バンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ（１１）と、電力増幅器（３０）に接続され、パワークラス２に対応し、ＴＤＤ用のバンドＢを含む通過帯域を有するフィルタ（２１）と、を備え、パワークラス２に対応したバンドＡの送信信号を出力する場合には、電力増幅器（３０）からバンドＡの送信信号をフィルタ（１１および１２）に分配出力し、パワークラス２に対応したバンドＢの送信信号を出力する場合には、電力増幅器（３０）からバンドＢの送信信号をフィルタ（２１）に出力する。

Description

高周波回路および通信装置
　本発明は、高周波回路及び通信装置に関する。
　３ＧＰＰ（登録商標）（3rd Generation Partnership Project）では、従来よりも高い最大出力パワー（電力）を許容するパワークラス（例えばパワークラス２等）の周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）用バンドへの適用が議論されている。
米国特許出願公開第２０１５／０１３３０６７号明細書
　しかしながら、従来よりも高い最大出力パワーを許容するパワークラスがＦＤＤ用バンドに適用される場合、フィルタには間欠的ではなく連続的に信号が供給されるため、当該フィルタが高温となり耐電力性能が臨界状態となり、当該フィルタを含む高周波回路の伝送特性が劣化することが懸念される。
　そこで、本発明は、従来よりも高い最大出力パワーを許容するパワークラスがＦＤＤ用バンドに適用された場合に、伝送特性の劣化が抑制された高周波回路および通信装置を提供する。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波回路は、アンテナ接続端子と、パワークラス２に対応する電力増幅回路と、電力増幅回路とアンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス３に対応し、周波数分割複信用の第１バンドのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、電力増幅回路とアンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス３に対応し、周波数分割複信用の第１バンドのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタと、電力増幅回路とアンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス２に対応し、時分割複信用の第２バンドを含む通過帯域を有する第３フィルタと、を備え、パワークラス２に対応した第１バンドの送信信号をアンテナ接続端子から出力する場合には、電力増幅回路から第１バンドの送信信号を第１フィルタおよび第２フィルタに分配出力し、パワークラス２に対応した第２バンドの送信信号をアンテナ接続端子から出力する場合には、電力増幅回路から第２バンドの送信信号を第３フィルタに出力する。
　また、本発明の一態様に係る高周波回路は、第１基板と、第１アンテナ接続端子および第２アンテナ接続端子と、パワークラス２に対応する第１増幅器と、第１増幅器と第１アンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス３に対応し、周波数分割複信用の第１バンドのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、第１増幅器と第１アンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス２に対応し、時分割複信用の第２バンドを含む通過帯域を有する第３フィルタと、第１共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、第１共通端子と第１選択端子との接続、および、第１共通端子と第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチと、第３共通端子、第４共通端子、第５選択端子、第６選択端子および第７選択端子を有し、第４共通端子と第６選択端子との接続および非接続を切り替え、第３共通端子と第５選択端子との接続および第３共通端子と第７選択端子との接続を切り替える第３スイッチと、を備え、第１増幅器の出力端子は第１共通端子に接続され、第１選択端子は第１フィルタの入力端に接続され、第２選択端子は第３フィルタの入力端に接続され、第３共通端子は第１アンテナ接続端子に接続され、第４共通端子は第２アンテナ接続端子に接続され、第５選択端子は第１フィルタの出力端に接続され、第７選択端子は第３フィルタの出力端に接続され、第１増幅器、第１スイッチ、第３スイッチ、第１フィルタおよび第３フィルタは、第１基板に配置され、パワークラス２に対応した第１バンドの送信信号を出力する場合には、第１増幅器と異なる第２増幅器からパワークラス３に対応した第１バンドのアップリンク動作バンドの送信信号が第６選択端子に入力されているときに、第１増幅器からパワークラス３に対応した第１バンドのアップリンク動作バンドの送信信号を第１フィルタに出力し、パワークラス２に対応した第２バンドの送信信号を出力する場合には、第１増幅器から第２バンドの送信信号を第３フィルタに出力する。
　本発明によれば、従来よりも高い最大出力パワーを許容するパワークラスがＦＤＤ用バンドに適用された場合に、伝送特性の劣化が抑制された高周波回路および通信装置を提供することが可能となる。
図１は、実施の形態に係る高周波回路および通信装置の回路構成図である。 図２Ａは、実施の形態に係る高周波回路におけるパワークラス２のＦＤＤ信号の伝送状態を示す図である。 図２Ｂは、実施の形態に係る高周波回路におけるパワークラス２のＴＤＤ信号の伝送状態を示す図である。 図３Ａは、実施の形態に係る分配回路および合成回路の第１例を示す図である。 図３Ｂは、実施の形態に係る分配回路および合成回路の第２例を示す図である。 図３Ｃは、第２例における、負荷変動に対するフィルタのインピーダンス変動を説明する図である。 図３Ｄは、実施の形態に係る分配回路および合成回路の第３例を示す図である。 図４Ａは、実施の形態の変形例１に係る高周波回路の回路構成図である。 図４Ｂは、実施の形態の変形例２に係る高周波回路の回路構成図である。 図５Ａは、実施の形態の変形例３に係る高周波回路の回路構成図である。 図５Ｂは、実施の形態の変形例４に係る高周波回路の回路構成図である。 図５Ｃは、実施の形態の変形例５に係る高周波回路の回路構成図である。 図６は、実施の形態の変形例６に係る高周波回路の回路構成図である。 図７は、実施の形態の変形例７に係る高周波回路の回路構成図である。
　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例および変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。
　また、以下において、平行および垂直等の要素間の関係性を示す用語、矩形状等の要素の形状を示す用語、ならびに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。
　本発明の回路構成において、「接続される」とは、接続端子および／または配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含む。「ＡおよびＢの間に接続される」とは、ＡおよびＢの間でＡおよびＢの両方に接続されることを意味し、ＡおよびＢを結ぶ経路に直列接続されることに加えて、当該経路とグランドとの間に並列接続（シャント接続）されることを含む。
　また、本発明の部品配置において、「部品が基板に配置される」とは、部品が基板の主面上に配置されること、および、部品が基板内に配置されることを含む。「部品が基板の主面上に配置される」とは、部品が基板の主面に接触して配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに当該主面の上方に配置されること（例えば、部品が主面と接触して配置された他の部品上に積層されること）を含む。また、「部品が基板の主面上に配置される」は、主面に形成された凹部に部品が配置されることを含んでもよい。「部品が基板内に配置される」とは、部品がモジュール基板内にカプセル化されることに加えて、部品の全部が基板の両主面の間に配置されているが部品の一部が基板に覆われていないこと、および、部品の一部のみが基板内に配置されていることを含む。
　また、本開示において、「信号経路」とは、高周波信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。
　（実施の形態）
　［１　高周波回路１および通信装置５の回路構成］
　本実施の形態に係る高周波回路１およびそれを備える通信装置５の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、本実施の形態に係る高周波回路１および通信装置５の回路構成図である。
　［１．１　通信装置５の回路構成］
　通信装置５は、いわゆるユーザ端末（ＵＥ：User Equipment）に相当し、典型的には、携帯電話、スマートフォン、タブレットコンピュータ等である。このような通信装置５は、高周波回路１と、アンテナ２と、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）３と、を備える。
　高周波回路１は、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する。高周波回路１の内部構成については後述する。
　アンテナ２は、高周波回路１のアンテナ接続端子１００に接続される。アンテナ２は、高周波回路１から高周波信号を受信して外部に出力する。
　ＲＦＩＣ３は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit：図示せず）から入力された送信信号をアップコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波回路１の送信経路に出力する。また、ＲＦＩＣ３は、高周波回路１が有するスイッチ回路および増幅回路等を制御する制御部を有する。なお、ＲＦＩＣ３の制御部としての機能の一部または全部は、ＲＦＩＣ３の外部に構成されてもよく、例えば、ＢＢＩＣまたは高周波回路１に構成されてもよい。
　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２は必須の構成要素ではない。
　［１．２　高周波回路１の回路構成］
　次に、高周波回路１の回路構成について説明する。図１に示すように、高周波回路１は、フィルタ１１、１２および２１と、電力増幅器３０と、分配回路４１と、合成回路４２と、スイッチ５１、５２および５３と、アンテナ接続端子１００と、高周波入力端子１１０と、を備える。
　アンテナ接続端子１００は、アンテナ２に接続される。高周波入力端子１１０は、高周波回路１の外部（ＲＦＩＣ３）から高周波送信信号（以下、送信信号と記す）を受けるための端子である。
　フィルタ１１は、第２フィルタの一例であり、パワークラス３に対応し、ＦＤＤ用のバンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１１は、スイッチ５２および分配回路４１を介して電力増幅器３０に接続されている。
　フィルタ１２は、第１フィルタの一例であり、パワークラス３に対応し、ＦＤＤ用のバンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１２は、スイッチ５２および分配回路４１を介して電力増幅器３０に接続されている。
　フィルタ２１は、第３フィルタの一例であり、パワークラス２に対応し、時分割複信（ＴＤＤ：Time Division Duplex）用のバンドＢを含む通過帯域を有する。フィルタ２１は、スイッチ５２および５３を介して電力増幅器３０に接続されている。
　電力増幅器３０は、電力増幅回路の一例であり、パワークラス２に対応している。電力増幅器３０は、高周波入力端子１１０から入力されたバンドＡおよびバンドＢの送信信号を増幅可能である。電力増幅器３０は、高周波入力端子１１０とスイッチ５２との間に接続されている。
　バンドＡは、第１バンドの一例であり、標準化団体など（例えば３ＧＰＰ及びＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）によって予め定義された無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムのための周波数バンドである。通信システムとしては、例えば５ＧＮＲ（5th Generation New Radio）システム、ＬＴＥ（Long Term Evolution）システム及びＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システム等を用いることができるが、これに限定されない。
　バンドＡは、ダウンリンク動作バンドおよびアップリンク動作バンドで構成されている。バンドＢは、アップリンク動作バンドとダウンリンク動作バンドとが一致しており、バンドＢの周波数範囲全体がアップリンク動作バンドであり、またダウンリンク動作バンドでもある。
　なお、アップリンク動作バンドとは、上記バンドのうちのアップリンク用に指定された周波数範囲を意味する。また、ダウンリンク動作バンドとは、上記バンドのうちのダウンリンク用に指定された周波数範囲を意味する。
　また、パワークラスとは、最大出力パワーなどで定義されるＵＥの出力パワーの分類であり、パワークラスの値が小さいほど高いパワーの出力を許容することを示す。例えば、３ＧＰＰでは、パワークラス１で許容される最大出力パワーは３１ｄＢｍであり、パワークラス１．５で許容される最大出力パワーは２９ｄＢｍであり、パワークラス２で許容される最大出力パワーは２６ｄＢｍであり、パワークラス３で許容される最大出力パワーは２３ｄＢｍである。
　ＵＥの最大出力パワーは、ＵＥのアンテナ端における出力パワーで定義される。ＵＥの最大出力パワーの測定は、例えば、３ＧＰＰ等によって定義された方法で行われる。例えば、図１において、アンテナ２における放射パワーを測定することで最大出力パワーが測定される。なお、放射パワーの測定の代わりに、アンテナ２の近傍に端子を設けて、その端子に計測器（例えばスペクトルアナライザなど）を接続することで、アンテナ２の出力パワーを測定することもできる。
　本実施の形態に係る高周波回路１では、バンドＡは、例えば、ＦＤＤ用のＬＴＥのためのバンドＢ１、または、５ＧＮＲのためのバンドｎ１（アップリンク動作バンド：１９２０－１９８０ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド：２１１０－２１７０ＭＨｚ、）であり、バンドＢは、例えば、ＴＤＤ用のＬＴＥのためのバンドＢ３４、または、５ＧＮＲのためのバンドｎ３４（２０１０－２０２５ＭＨｚ）である。
　分配回路４１は、端子４１ａ（第１端子）、端子４１ｂ（第３端子）および端子４１ｃ（第２端子）を有し、端子４１ａに入力された信号を電力分配し、当該電力分配された高周波信号を、端子４１ｂおよび端子４１ｃから出力する。
　合成回路４２は、端子４２ａ（第６端子）、端子４２ｂ（第５端子）および端子４２ｃ（第４端子）を有し、端子４２ｂおよび端子４２ｃに入力された信号を電力合成し、当該電力合成された高周波信号を端子４２ａから出力する。
　スイッチ５１は、第２スイッチの一例であり、アンテナ接続端子１００と合成回路４２およびフィルタ２１との間に接続されている。具体的には、スイッチ５１は、共通端子５１ａ（第２共通端子）、選択端子５１ｂ（第３選択端子）および５１ｃ（第４選択端子）を有する。共通端子５１ａはアンテナ接続端子１００に接続され、選択端子５１ｂは端子４２ａに接続され、選択端子５１ｃはフィルタ２１の出力端に接続されている。この接続構成により、スイッチ５１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、アンテナ接続端子１００とフィルタ１１および１２との接続、ならびに、アンテナ接続端子１００とフィルタ２１との接続を切り替える。
　スイッチ５２は、第１スイッチの一例であり、電力増幅器３０と分配回路４１およびスイッチ５３との間に接続されている。具体的には、スイッチ５２は、共通端子５２ａ（第１共通端子）、選択端子５２ｂ（第１選択端子）および５２ｃ（第２選択端子）を有する。共通端子５２ａは電力増幅器３０の出力端子に接続され、選択端子５２ｂは端子４１ａに接続され、選択端子５２ｃはスイッチ５３を介してフィルタ２１に接続されている。この接続構成により、スイッチ５２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、電力増幅器３０とフィルタ１１および１２との接続、ならびに、電力増幅器３０とフィルタ２１との接続を切り替える。
　スイッチ５３は、いわゆるＴＤＤスイッチの一例であり、フィルタ２１の入力端と電力増幅器３０との接続、および、フィルタ２１の入力端と低雑音増幅器（図示せず）との接続を切り替える。
　なお、スイッチ５１～５３の少なくとも１つは、半導体ＩＣ（Integrated Circuit）に形成されていてもよい。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）で構成されている。具体的には、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）プロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。
　なお、図１に表された回路素子のいくつかは、高周波回路１に含まれなくてもよい。例えば、高周波回路１は、少なくとも電力増幅器３０、フィルタ１１、１２および２１を備えればよく、他の回路素子を備えなくてもよい。
　［１．３　高周波回路１のＦＤＤ信号およびＴＤＤ信号の伝送状態］
　次に、実施の形態に係る高周波回路１がＦＤＤ信号およびＴＤＤ信号を伝送する状態について説明する。
　図２Ａは、実施の形態に係る高周波回路１における、パワークラス２のバンドＡのＦＤＤ信号の伝送状態を示す図である。パワークラス２のバンドＡのＦＤＤ信号（例えば２６ｄＢｍ）を伝送する場合、共通端子５２ａと選択端子５２ｂとが接続状態となり、共通端子５１ａと選択端子５１ｂとが接続状態となる。
　このとき、バンドＡの送信信号は、同図に示すように、高周波入力端子１１０、電力増幅器３０、スイッチ５２、分配回路４１、フィルタ１１および１２、合成回路４２、スイッチ５１、アンテナ接続端子１００、およびアンテナ２という送信経路を伝送する。つまり、パワークラス２に対応したバンドＡの送信信号をアンテナ接続端子１００から出力する場合には、電力増幅器３０からバンドＡの送信信号をフィルタ１１および１２に電力分配して出力する。
　図２Ｂは、実施の形態に係る高周波回路１における、パワークラス２のバンドＢのＴＤＤ信号の伝送状態を示す図である。パワークラス２のバンドＢのＴＤＤ信号（例えば２６ｄＢｍ）を伝送する場合、共通端子５２ａと選択端子５２ｃとが接続状態となり、共通端子５１ａと選択端子５１ｃとが接続状態となる。
　このとき、バンドＢの送信信号は、同図に示すように、高周波入力端子１１０、電力増幅器３０、スイッチ５２、スイッチ５３、フィルタ２１、スイッチ５１、アンテナ接続端子１００、およびアンテナ２という送信経路を伝送する。つまり、パワークラス２に対応したバンドＢの送信信号をアンテナ接続端子１００から出力する場合には、電力増幅器３０からバンドＢの送信信号をフィルタ２１に出力する。
　これによれば、パワークラス２のＴＤＤ用の送信信号をフィルタ２１で伝送することが可能となる。一方、パワークラス２のＴＤＤ用の送信信号に対して、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号は、時分割でなく連続的に伝送されるため電力密度が高い。このため、フィルタ１１または１２単独で、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を伝送する場合には、当該フィルタが高温状態となり耐電力性が臨界状態となる。このため、フィルタ１１または１２の通過特性が劣化することが懸念される。これに対して、図２Ａに示すように、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を単独で伝送することが困難なフィルタ１１および１２について、それぞれ、パワークラス３の送信信号（例えば２３ｄＢｍ）を伝送させるので、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を、フィルタ通過特性を劣化させることなく伝送することが可能となる。
　［１．４　分配回路４１および合成回路４２の回路構成例］
　次に、実施の形態に係る高周波回路１が備える分配回路４１および合成回路４２の回路構成例について説明する。
　図３Ａは、実施の形態に係る分配回路４１および合成回路４２の第１例を示す図である。同図に示すように、本例の分配回路４１は、インダクタ４１１、４１２および４１３を有する。インダクタ４１１の一端は端子４１ａに接続され、他端はグランドに接続されている。インダクタ４１２の一端は端子４１ｂに接続され、他端はインダクタ４１３の一端に接続されている。インダクタ４１３の他端は端子４１ｃに接続されている。つまり、本例の分配回路４１は、インダクタ４１１を入力側コイルとし、インダクタ４１２および４１３を出力側コイルとするトランスフォーマである。
　また、図３Ａに示すように、本例の合成回路４２は、インダクタ４２１、４２２および４２３を有する。インダクタ４２１の一端は端子４２ａに接続され、他端はグランドに接続されている。インダクタ４２２の一端は端子４２ｂに接続され、他端はインダクタ４２３の一端に接続されている。インダクタ４２３の他端は端子４２ｃに接続されている。つまり、本例の合成回路４２は、インダクタ４２１を出力側コイルとし、インダクタ４２２および４２３を入力側コイルとするトランスフォーマである。
　図３Ｂは、実施の形態に係る分配回路４１および合成回路４２の第２例を示す図である。同図に示すように、本例の分配回路４１は、１／４波長伝送線路４５１および４５２、ならびに抵抗素子４５３を有する。１／４波長伝送線路４５１の一端および１／４波長伝送線路４５２の一端は端子４１ａに接続され、１／４波長伝送線路４５１の他端は抵抗素子４５３の一端および端子４１ｂに接続され、１／４波長伝送線路４５２の他端は抵抗素子４５３の他端および端子４１ｃに接続されている。つまり、本例の分配回路４１は、ウィルキンソン型の分配器である。
　また、図３Ｂに示すように、本例の合成回路４２は、１／４波長伝送線路４６１および４６２、ならびに抵抗素子４６３を有する。１／４波長伝送線路４６１の一端および１／４波長伝送線路４６２の一端は端子４２ａに接続され、１／４波長伝送線路４６１の他端は抵抗素子４６３の一端および端子４２ｂに接続され、１／４波長伝送線路４６２の他端は抵抗素子４６３の他端および端子４２ｃに接続されている。つまり、本例の合成回路４２は、ウィルキンソン型の分配器である。
　図３Ｃは、上記の第２例における、負荷変動に対するフィルタのインピーダンス変動を説明する図である。同図の（ａ）には、合成回路４２の各端子からアンテナ接続端子１００側（負荷）を見たインピーダンス（反射係数）が示されている。また、同図の（ｂ）には、フィルタ１２の出力端からアンテナ接続端子１００側（負荷）を見たインピーダンス（反射係数）に対する、フィルタ１２の入力端からフィルタ１２を見たインピーダンスが示されている。
　図３Ｃの（ａ）に示すように、端子４２ｂおよび４２ｃのそれぞれから負荷を見た場合のインピーダンスは、端子４２ａから負荷を見た場合のインピーダンスと比較して、基準インピーダンス（例えば５０Ω）に近くなっている。より具体的には、端子４２ｂおよび４２ｃのそれぞれにおける反射係数Γは、端子４２ａにおける反射係数Γの１／２となる。
　また、図３Ｃの（ｂ）に示すように、端子４２ｃの反射係数Γが０．６、０．３、０と小さくなるほど、端子４１ｃから見たフィルタ１２のインピーダンスの巻き（変化幅）は、小さくなり、基準インピーダンスに収束していく。
　つまり、ウィルキンソン型の分配器を分配回路４１および合成回路４２に適用し、分配回路４１と合成回路４２との間にフィルタ１１および１２を並列接続することで、負荷変動（反射係数Γの変動）に対してフィルタ１１および１２のインピーダンスが基準インピーダンスからずれることを抑制できる。これにより、負荷変動に対して電力増幅器３０の出力インピーダンスの変動を抑制することが可能となる。
　図３Ｄは、実施の形態に係る分配回路４１および合成回路４２の第３例を示す図である。同図に示すように、本例の分配回路４１は、９０°ハイブリッドカプラ４７０および終端抵抗４７１を有する。９０°ハイブリッドカプラ４７０の０°端子は端子４１ｂに接続され、９０°端子は端子４１ｃに接続され、ＩＮ端子は端子４１ａに接続され、ＩＳＯ端子は終端抵抗４７１に接続されている。ＩＮ端子から入力された送信信号は、０°端子および９０°端子に電力分配されて端子４１ｂおよび４１ｃから出力される。
　また、本例の合成回路４２は、９０°ハイブリッドカプラ４８０および終端抵抗４８１を有する。９０°ハイブリッドカプラ４８０の０°端子は端子４２ｂに接続され、９０°端子は端子４２ｃに接続され、ＯＵＴ端子は端子４２ａに接続され、ＩＳＯ端子は終端抵抗４８１に接続されている。分配回路４１で電力分配された送信信号は、それぞれフィルタ１１および１２を通過して０°端子および９０°端子に入力される。０°端子および９０°端子に入力された信号が電力合成されてＯＵＴ端子を経由して端子４２ａから出力される。
　［１．５　変形例１に係る高周波回路１Ａの回路構成］
　次に、変形例１に係る高周波回路１Ａの回路構成について、図４Ａを参照しながら説明する。
　図４Ａは、実施の形態の変形例１に係る高周波回路１Ａの回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ａは、フィルタ１１、１２および２１と、電力増幅器３１および３２と、合成回路４２と、スイッチ５１、５２および５３と、アンテナ接続端子１００と、高周波入力端子１１１および１１２と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ａは、実施の形態に係る高周波回路１と比較して、電力増幅回路の構成と、分配回路４１がないことが異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ａについて、実施の形態に係る高周波回路１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　高周波入力端子１１１および１１２は、それぞれ、高周波回路１Ａの外部（ＲＦＩＣ３）から送信信号を受けるための端子である。
　フィルタ１１は、第２フィルタの一例であり、パワークラス３に対応し、ＦＤＤ用のバンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１１は、電力増幅器３２に接続されている。
　フィルタ１２は、第１フィルタの一例であり、パワークラス３に対応し、ＦＤＤ用のバンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１２は、スイッチ５２を介して電力増幅器３１に接続されている。
　電力増幅器３１は、電力増幅回路を構成する第１増幅器の一例であり、パワークラス２に対応している。電力増幅器３１は、高周波入力端子１１１から入力されたバンドＡおよびバンドＢの送信信号を増幅可能である。電力増幅器３１は、高周波入力端子１１１とスイッチ５２との間に接続されている。
　電力増幅器３２は、電力増幅回路を構成する第２増幅器の一例であり、パワークラス３に対応している。電力増幅器３２は、高周波入力端子１１２から入力されたバンドＡの送信信号を増幅可能である。電力増幅器３２は、高周波入力端子１１２とフィルタ１１との間に接続されている。
　スイッチ５２は、第１スイッチの一例であり、電力増幅器３１とフィルタ１２およびスイッチ５３との間に接続されている。具体的には、スイッチ５２は、共通端子５２ａ（第１共通端子）、選択端子５２ｂ（第１選択端子）および５２ｃ（第２選択端子）を有する。共通端子５２ａは電力増幅器３１の出力端子に接続され、選択端子５２ｂはフィルタ１２の入力端に接続され、選択端子５２ｃはスイッチ５３を介してフィルタ２１の入力端に接続されている。この接続構成により、スイッチ５２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、電力増幅器３１とフィルタ１２との接続、および、電力増幅器３１とフィルタ２１との接続を切り替える。
　上記構成によれば、パワークラス２のバンドＡのＦＤＤ信号をアンテナ接続端子１００から出力する場合には、電力増幅器３１および３２のそれぞれからパワークラス３に対応する送信信号を出力し、パワークラス２のバンドＢのＴＤＤ信号をアンテナ接続端子１００から出力する場合には、電力増幅器３１からパワークラス２に対応する送信信号を出力できる。つまり、バンドＡのＦＤＤ信号を２つの電力増幅器３１および３２から分割出力することで、パワークラス２のＦＤＤ信号を伝送する場合の放熱性を向上できる。また、電力増幅器３１および３２の電力付加効率を向上でき、電力増幅器３１および３２、ならびにフィルタ１１および１２から発生するノイズを低減できる。
　［１．６　変形例２に係る高周波回路１Ｂの回路構成］
　次に、変形例２に係る高周波回路１Ｂの回路構成について、図４Ｂを参照しながら説明する。
　図４Ｂは、実施の形態の変形例２に係る高周波回路１Ｂの回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ｂは、フィルタ１１、１２および２１と、電力増幅器３１および３２と、スイッチ５２、５３および５４と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、高周波入力端子１１１および１１２と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｂは、変形例１に係る高周波回路１Ａと比較して、スイッチ５４の構成と、合成回路４２がないことが異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｂについて、変形例１に係る高周波回路１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　アンテナ接続端子１０１は、第１アンテナ接続端子の一例であり、アンテナ２ａ（第１アンテナ）に接続される。アンテナ接続端子１０２は、第２アンテナ接続端子の一例であり、アンテナ２ａと異なるアンテナ２ｂ（第２アンテナ）に接続される。
　スイッチ５４は、第３スイッチの一例であり、アンテナ接続端子１０１および１０２とフィルタ１１、１２および２１との間に接続されている。具体的には、スイッチ５４は、共通端子５４ａ（第４共通端子）、共通端子５４ｂ（第３共通端子）、選択端子５４ｃ（第６選択端子）、５４ｄ（第５選択端子）および５４ｅ（第７選択端子）を有する。共通端子５４ａはアンテナ接続端子１０２に接続され、共通端子５４ｂはアンテナ接続端子１０１に接続され、選択端子５４ｃはフィルタ１１の出力端に接続され、選択端子５４ｄはフィルタ１２の出力端に接続され、選択端子５４ｅはフィルタ２１の出力端に接続されている。この接続構成により、スイッチ５４は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、アンテナ接続端子１０２とフィルタ１１との接続および非接続を切り替え、アンテナ接続端子１０１とフィルタ１２との接続およびアンテナ接続端子１０１とフィルタ２１との接続を切り替える。
　上記構成によれば、パワークラス２のバンドＡのＦＤＤ信号を出力する場合には、電力増幅器３１および３２のそれぞれからパワークラス３に対応する送信信号を出力し、当該２つの送信信号は２つのアンテナ２ａおよび２ｂから送信される。また、パワークラス２のバンドＢのＴＤＤ信号を出力する場合には、電力増幅器３１からパワークラス２に対応する送信信号を出力し、当該１つの送信信号は１つのアンテナ２ａから送信される。つまり、バンドＡのＦＤＤ信号を２つの電力増幅器３１および３２から分割出力することで、パワークラス２のＦＤＤ信号を伝送する場合の放熱性を向上できる。また、電力増幅器３１および３２の電力付加効率を向上でき、電力増幅器３１および３２ならびにフィルタ１１および１２から発生するノイズを低減できる。
　［１．７　変形例３に係る高周波回路１Ｃの回路構成］
　次に、変形例３に係る高周波回路１Ｃの回路構成について、図５Ａを参照しながら説明する。
　図５Ａは、実施の形態の変形例３に係る高周波回路１Ｃの回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ｃは、フィルタ１１、１２および２１と、電力増幅器３１および３２と、スイッチ５２、５３および５４と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、高周波入力端子１１１および１１２と、第１基板６１および第２基板６２と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｃは、変形例２に係る高周波回路１Ｂと比較して、第１基板６１および第２基板６２を備える点が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｃについて、変形例２に係る高周波回路１Ｂと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　第１基板６１および第２基板６２のそれぞれは、高周波回路１Ｃを構成する回路部品を実装する基板である。第１基板６１および第２基板６２としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Low Temperature Co-fired Ceramics:ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（High Temperature Co-fired Ceramics:ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Redistribution Layer：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。
　本変形例に係る高周波回路１Ｃにおいて、電力増幅器３１、スイッチ５２、５３および５４、フィルタ１２および２１は、第１基板６１に配置され、電力増幅器３２およびフィルタ１１は、第２基板６２に配置されている。
　これによれば、電力増幅器３１と電力増幅器３２とが別基板に配置され、フィルタ１１とフィルタ１２とが別基板に配置されるので、高周波回路１Ｃの放熱性が向上し、また、フィルタ１１および１２の特性劣化を抑制できる。
　［１．８　変形例４に係る高周波回路１Ｄの回路構成］
　次に、変形例４に係る高周波回路１Ｄの回路構成について、図５Ｂを参照しながら説明する。
　図５Ｂは、実施の形態の変形例４に係る高周波回路１Ｄの回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ｄは、フィルタ１１、１２および２１と、電力増幅器３１および３２と、スイッチ５２、５３および５５と、アンテナ接続端子１００と、高周波入力端子１１１および１１２と、第１基板６１および第２基板６２と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｄは、変形例３に係る高周波回路１Ｃと比較して、スイッチ５５の接続構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｄについて、変形例３に係る高周波回路１Ｃと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　アンテナ接続端子１００は、第１アンテナ接続端子の一例であり、アンテナ２ａ（第１アンテナ）に接続される。
　スイッチ５５は、第２スイッチの一例であり、アンテナ接続端子１００とフィルタ１２および２１との間に接続されている。具体的には、スイッチ５５は、共通端子５５ａ（第２共通端子）、選択端子５５ｂ（第３選択端子）および５５ｃ（第４選択端子）を有する。共通端子５５ａはアンテナ接続端子１００に接続され、選択端子５５ｂはフィルタ１２の出力端に接続され、選択端子５５ｃはフィルタ２１の出力端に接続されている。この接続構成により、スイッチ５５は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、アンテナ接続端子１００とフィルタ１２との接続、および、アンテナ接続端子１００とフィルタ２１との接続を切り替える。
　また、フィルタ１１の出力端はアンテナ２ａと異なるアンテナ２ｂ（第２アンテナ）に接続されている。
　本変形例に係る高周波回路１Ｄにおいて、電力増幅器３１、スイッチ５２、５３および５５、フィルタ１２および２１は、第１基板６１に配置され、電力増幅器３２およびフィルタ１１は、第２基板６２に配置されている。
　これによれば、電力増幅器３１と電力増幅器３２とが別基板に配置され、フィルタ１１とフィルタ１２とが別基板に配置されるので、高周波回路１Ｄの放熱性が向上し、また、フィルタ１１および１２の特性劣化を抑制できる。
　［１．９　変形例５に係る高周波回路１Ｇの回路構成］
　次に、３つの電力増幅器と３つのアンテナとを利用した、変形例５に係る高周波回路１Ｇの回路構成について、図５Ｃを参照しながら説明する。
　図５Ｃは、実施の形態の変形例５に係る高周波回路１Ｇの回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ｇは、フィルタ１１、１２、２１および２２と、電力増幅器３１、３２および３５と、スイッチ５２、５３および５４と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、高周波入力端子１１１、１１２および１１３と、第１基板６１および第２基板６２と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｇは、変形例４に係る高周波回路１Ｄと比較して、バンドＣを含む通過帯域を有するフィルタ２２が付加されている点、および、スイッチ５４の構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｇについて、変形例４に係る高周波回路１Ｄと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　アンテナ接続端子１０１は、第１アンテナ接続端子の一例であり、アンテナ２ａ（第１アンテナ）に接続される。アンテナ接続端子１０２は、第２アンテナ接続端子の一例であり、アンテナ２ａと異なるアンテナ２ｂ（第２アンテナ）に接続される。
　高周波入力端子１１１、１１２および１１３は、それぞれ、高周波回路１Ｇの外部（ＲＦＩＣ３）から送信信号を受けるための端子である。
　フィルタ１１は、第２フィルタの一例であり、パワークラス３に対応し、ＦＤＤ用のバンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１１は、電力増幅器３２に接続されている。
　フィルタ１２は、第１フィルタの一例であり、パワークラス３に対応し、ＦＤＤ用のバンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１２は、スイッチ５２を介して電力増幅器３１に接続されている。
　フィルタ２１は、第３フィルタの一例であり、パワークラス２に対応し、ＴＤＤ用のバンドＢを含む通過帯域を有する。フィルタ２１は、スイッチ５２および５３を介して電力増幅器３１に接続されている。
　フィルタ２２は、バンドＡおよびバンドＢと異なるＦＤＤ用のバンドＣのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２２は、電力増幅器３５に接続されている。なお、フィルタ２２は、ＴＤＤ用のバンドＣを含む通過帯域を有していてもよい。
　電力増幅器３１は、電力増幅回路を構成する第１増幅器の一例であり、パワークラス２に対応している。電力増幅器３１は、高周波入力端子１１１から入力されたバンドＡおよびバンドＢの送信信号を増幅可能である。電力増幅器３１は、高周波入力端子１１１とスイッチ５２との間に接続されている。
　電力増幅器３２は、電力増幅回路を構成する第２増幅器の一例であり、パワークラス３に対応している。電力増幅器３２は、高周波入力端子１１２から入力されたバンドＡの送信信号を増幅可能である。電力増幅器３２は、高周波入力端子１１２とフィルタ１１との間に接続されている。
　電力増幅器３５は、高周波入力端子１１３から入力されたバンドＣの送信信号を増幅可能である。電力増幅器３５は、高周波入力端子１１３とフィルタ２２との間に接続されている。
　スイッチ５４は、アンテナ接続端子１０１および１０２とフィルタ１２、２１および２２との間に接続されている。具体的には、スイッチ５４は、共通端子５４ａ、共通端子５４ｂ、選択端子５４ｃ、５４ｄおよび５４ｅを有する。共通端子５４ａはアンテナ接続端子１０２に接続され、共通端子５４ｂはアンテナ接続端子１０１に接続され、選択端子５４ｃはフィルタ１２の出力端に接続され、選択端子５４ｄはフィルタ２１の出力端に接続され、選択端子５４ｅはフィルタ２２の出力端に接続されている。この接続構成により、スイッチ５４は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、アンテナ接続端子１０２とフィルタ１２との接続およびアンテナ接続端子１０２とフィルタ２１との接続を切り替え、アンテナ接続端子１０１とフィルタ２２との接続および非接続を切り替える。
　本変形例に係る高周波回路１Ｇにおいて、電力増幅器３１および３５、スイッチ５２、５３および５４、フィルタ１２、２１および２２は、第１基板６１に配置され、電力増幅器３２およびフィルタ１１は、第２基板６２に配置されている。
　上記構成によれば、パワークラス２のバンドＡのＦＤＤ信号とバンドＣのＦＤＤ（またはＴＤＤ）信号とを同時に出力する場合（２アップリンク）には、共通端子５４ａと選択端子５４ｃとが接続され、共通端子５４ｂと選択端子５４ｅとが接続される。これにより、電力増幅器３１および３２のそれぞれからパワークラス３に対応するバンドＡの送信信号が出力され、当該２つの送信信号は２つのアンテナ２ｂおよび２ｃから送信される。これと同時に、電力増幅器３５からバンドＣの送信信号が出力され、当該送信信号はアンテナ２ａから送信される。
　また、パワークラス３のバンドＡのＦＤＤ信号とバンドＢのＴＤＤ信号とバンドＣのＦＤＤ（またはＴＤＤ）信号とを同時に出力する場合（３アップリンク）には、共通端子５４ａと選択端子５４ｄとが接続され、共通端子５４ｂと選択端子５４ｅとが接続される。これにより、電力増幅器３２からパワークラス３に対応するバンドＡの送信信号が出力され、当該送信信号はアンテナ２ｃから送信される。これと同時に、電力増幅器３１からバンドＢの送信信号が出力され、当該送信信号はアンテナ２ｂから送信される。さらにこれらと同時に、電力増幅器３５からバンドＣの送信信号が出力され、当該送信信号はアンテナ２ａから送信される。本変形例に係る高周波モジュール１Ｇによれば、バンドＡのＦＤＤ信号を２つの電力増幅器３１および３２から分割出力することで、パワークラス２のＦＤＤ信号を伝送する場合の放熱性を向上できる。また、電力増幅器３１および３２の電力付加効率を向上でき、電力増幅器３１および３２ならびにフィルタ１１および１２から発生するノイズを低減できる。
　［１．１０　変形例６に係る高周波回路１Ｅの回路構成］
　次に、変形例６に係る高周波回路１Ｅの回路構成について、図６を参照しながら説明する。
　図６は、実施の形態の変形例６に係る高周波回路１Ｅの回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ｅは、フィルタ１１、１２、１３および２１と、電力増幅器３１および３２と、低雑音増幅器３３と、スイッチ５２、５３、５４および５６と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、高周波入力端子１１１および１１２と、高周波出力端子１２０と、第１基板６１および第２基板６２と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｅは、変形例３に係る高周波回路１Ｃと比較して、フィルタ１３、低雑音増幅器３３およびスイッチ５６が付加されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｅについて、変形例３に係る高周波回路１Ｃと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　高周波出力端子１２０は、高周波回路１Ｅの外部（ＲＦＩＣ３）に、ＦＤＤ用のバンドＡの受信信号およびＴＤＤ用のバンドのＢの受信信号を供給するための出力端子である。
　フィルタ１３は、第４フィルタの一例であり、ＦＤＤ用のバンドＡのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１３の入力端は、フィルタ１２の出力端および選択端子５４ｄに接続され、フィルタ１３の出力端は、スイッチ５６を介して低雑音増幅器３３の入力端子に接続されている。フィルタ１２および１３は、バンドＡ用のデュプレクサを構成している。
　低雑音増幅器３３は、アンテナ接続端子１０１から入力されたバンドＡおよびバンドＢの受信信号を増幅可能である。低雑音増幅器３３は、高周波出力端子１２０とスイッチ５６との間に接続されている。
　スイッチ５６は、フィルタ１３および２１と低雑音増幅器３３との間に接続されている。具体的には、スイッチ５６は、共通端子５６ａ、選択端子５６ｂおよび５６ｃを有する。共通端子５６ａは低雑音増幅器３３の入力端子に接続され、選択端子５６ｂはフィルタ１３の出力端に接続され、選択端子５６ｃはスイッチ５３を介してフィルタ２１の出力端に接続されている。この接続構成により、スイッチ５６は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、低雑音増幅器３３とフィルタ１３との接続、および、低雑音増幅器３３とフィルタ２１との接続を切り替える。
　本変形例に係る高周波回路１Ｅにおいて、電力増幅器３１、低雑音増幅器３３、スイッチ５２、５３、５４および５６、フィルタ１２、１３および２１は、第１基板６１に配置され、電力増幅器３２およびフィルタ１１は、第２基板６２に配置されている。なお、バンドＡのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタは、第２基板には配置されていない。
　これによれば、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を単独で伝送することが困難なフィルタ１１および１２について、それぞれ、パワークラス３の送信信号（例えば２３ｄＢｍ）を伝送させるので、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を、フィルタ１１および１２の通過特性を劣化させることなく伝送することが可能となる。
　また、バンドＡのＦＤＤ信号を２つの電力増幅器３１および３２から分割出力することで、パワークラス２のＦＤＤ信号を伝送する場合の放熱性を向上でき、また、電力増幅器３１および３２の電力付加効率を向上でき、フィルタ１１および１２ならびに電力増幅器３１および３２から発生するノイズを低減できる。さらに、上記ノイズを低減できるため、低雑音増幅器３３が配置された受信経路におけるバンドＡの受信信号の受信感度を向上できる。
　また、電力増幅器３１と電力増幅器３２とが別基板に配置され、フィルタ１１とフィルタ１２とが別基板に配置されるので、高周波回路１Ｅの放熱性が向上し、また、フィルタ１１および１２の特性劣化を抑制できる。さらに、フィルタ１１および１２のうちのフィルタ１２のみがフィルタ１３とバンドＡのデュプレクサを構成するので、フィルタ員数を削減できる。
　なお、本変形例に係る高周波回路１Ｅにおいて、低雑音増幅器３３およびスイッチ５６はなくてもよい。
　［１．１１　変形例７に係る高周波回路１Ｆの回路構成］
　次に、変形例７に係る高周波回路１Ｆの回路構成について、図７を参照しながら説明する。
　図７は、実施の形態の変形例７に係る高周波回路１Ｆの回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ｆは、フィルタ１１、１２、１４および２１と、電力増幅器３１および３２と、低雑音増幅器３４と、スイッチ５２、５３および５４と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、高周波入力端子１１１および１１２と、高周波出力端子１３０と、第１基板６１および第２基板６２と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｆは、変形例３に係る高周波回路１Ｃと比較して、フィルタ１４および低雑音増幅器３４が付加されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｆについて、変形例３に係る高周波回路１Ｃと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　高周波出力端子１３０は、高周波回路１Ｆの外部（ＲＦＩＣ３）に、ＦＤＤ用のバンドＡの受信信号を供給するための出力端子である。
　フィルタ１４は、第５フィルタの一例であり、ＦＤＤ用のバンドＡのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１４の入力端は、フィルタ１１の出力端および選択端子５４ｃに接続され、フィルタ１４の出力端は低雑音増幅器３４の入力端子に接続されている。フィルタ１１および１４は、バンドＡ用のデュプレクサを構成している。なお、フィルタ１４は、バンドＡのダウンリンク動作バンドを通過帯域として含まなくてもよく、バンドＡ以外のダウンリンク動作バンドを通過帯域として含むフィルタであってもよい。
　低雑音増幅器３４は、アンテナ接続端子１０２から入力されたバンドＡの受信信号を増幅可能である。低雑音増幅器３４は、高周波出力端子１３０とフィルタ１４との間に接続されている。
　本変形例に係る高周波回路１Ｆにおいて、電力増幅器３１、スイッチ５２、５３および５４、フィルタ１２および２１は、第１基板６１に配置され、電力増幅器３２、低雑音増幅器３４、フィルタ１１および１４は、第２基板６２に配置されている。
　これによれば、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を単独で伝送することが困難なフィルタ１１および１２について、それぞれ、パワークラス３の送信信号（例えば２３ｄＢｍ）を伝送させるので、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を、フィルタ１１および１２の通過特性を劣化させることなく伝送することが可能となる。
　また、バンドＡのＦＤＤ信号を２つの電力増幅器３１および３２から分割出力することで、パワークラス２のＦＤＤ信号を伝送する場合の放熱性を向上でき、また、電力増幅器３１および３２の電力付加効率を向上でき、フィルタ１１および１２ならびに電力増幅器３１および３２から発生するノイズを低減できる。
　また、電力増幅器３１と電力増幅器３２とが別基板に配置され、フィルタ１１とフィルタ１２とが別基板に配置されるので、高周波回路１Ｆの放熱性が向上し、また、フィルタ１１および１２の特性劣化を抑制できる。また、フィルタ１４および低雑音増幅器３４は、フィルタ１２および２１が配置されていない第２基板６２に配置されるので、高周波回路１Ｆの放熱性が向上し、フィルタ１４および低雑音増幅器３４が配置された受信経路におけるバンドＡの受信感度の劣化を抑制できる。
　なお、本発明に係る高周波回路は、変形例３に係る高周波回路１Ｃ、変形例６に係る高周波回路１Ｅ、および変形例７に係る高周波回路１Ｆにおいて、第１基板６１および第１基板６１に配置された回路部品のみを備えてもよい。
　つまり、本発明に係る高周波回路は、第１基板６１と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、パワークラス２に対応する電力増幅器３１と、電力増幅器３１とアンテナ接続端子１０１との間に接続され、パワークラス３に対応し、ＦＤＤ用のバンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ１２と、電力増幅器３１とアンテナ接続端子１０２との間に接続され、パワークラス２に対応し、ＴＤＤ用のバンドＢを含む通過帯域を有するフィルタ２１と、スイッチ５２と、スイッチ５４と、を備えてもよい。ここで、電力増幅器３１の出力端子は共通端子５２ａに接続され、選択端子５２ｂはフィルタ１２の入力端に接続され、選択端子５２ｃはフィルタ２１の入力端に接続され、共通端子５４ｂはアンテナ接続端子１０１に接続され、共通端子５４ａはアンテナ接続端子１０２に接続され、選択端子５４ｄはフィルタ１２の出力端に接続され、選択端子５４ｅはフィルタ２１の出力端に接続される。電力増幅器３１、スイッチ５２および５４、ならびにフィルタ１２および２１は第１基板６１に配置されている。このとき、パワークラス２に対応したバンドＡの送信信号を出力する場合には、電力増幅器３１と異なる電力増幅器３２からパワークラス３に対応したバンドＡのアップリンク動作バンドの送信信号が選択端子５４ｃに入力されているときに、電力増幅器３１からパワークラス３に対応したバンドＡのアップリンク動作バンドの送信信号をフィルタ１２に出力する。一方、パワークラス２に対応したバンドＢの送信信号を出力する場合には、電力増幅器３１からバンドＢの送信信号をフィルタ２１に出力する。
　これによれば、パワークラス２のＴＤＤ用の送信信号をフィルタ２１で伝送することが可能となる。一方、パワークラス２のＴＤＤ用の送信信号に対してパワークラス２のＦＤＤ用の送信信号は、時分割でなく連続的に伝送されるため電力密度が高く、フィルタ１１または１２単独で当該送信信号を伝送する場合には、当該フィルタが高温状態となり耐電力性が臨界状態となる。このため、フィルタ１２の通過特性が劣化することが懸念される。これに対して、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を単独で伝送することが困難なフィルタ１２について、フィルタ１１とともに、パワークラス３の送信信号（例えば２３ｄＢｍ）を伝送させるので、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を、フィルタ１２の通過特性を劣化させることなく伝送することが可能となる。
　［２　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波回路１は、アンテナ接続端子１００と、パワークラス２に対応する電力増幅器３０と、電力増幅器３０とアンテナ接続端子１００との間に接続され、パワークラス３に対応し、ＦＤＤ用のバンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ１２と、電力増幅器３０とアンテナ接続端子１００との間に接続され、パワークラス３に対応し、バンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ１１と、電力増幅器３０とアンテナ接続端子１００との間に接続され、パワークラス２に対応し、ＴＤＤ用のバンドＢを含む通過帯域を有するフィルタ２１と、を備え、パワークラス２に対応したバンドＡの送信信号をアンテナ接続端子１００から出力する場合には、電力増幅器３０からバンドＡの送信信号をフィルタ１１および１２に分配出力し、パワークラス２に対応したバンドＢの送信信号をアンテナ接続端子１００から出力する場合には、電力増幅器３０からバンドＢの送信信号をフィルタ２１に出力する。
　これによれば、パワークラス２のＴＤＤ用の送信信号をフィルタ２１で伝送することが可能となる。一方、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号は、時分割でなく連続的に伝送されるため電力密度が高く、フィルタ１１または１２単独で当該送信信号を伝送する場合には、当該フィルタが高温状態となり耐電力性が臨界状態となる。このため、フィルタ１１または１２の通過特性が劣化することが懸念される。これに対して、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を単独で伝送することが困難なフィルタ１１および１２について、それぞれ、パワークラス３の送信信号（例えば２３ｄＢｍ）を伝送させるので、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を、フィルタ通過特性を劣化させることなく伝送することが可能となる。よって、従来よりも高い最大出力パワーを許容するパワークラスがＦＤＤ用バンドに適用された場合に、伝送特性の劣化が抑制された高周波回路１を提供できる。
　また例えば、高周波回路１は、さらに、端子４１ａ、４１ｂおよび４１ｃを有し、端子４１ａに入力された信号を分配して端子４１ｂおよび４１ｃから出力する分配回路４１と、端子４２ａ、４２ｂおよび４２ｃを有し、端子４２ｂおよび４２ｃに入力された信号を合成して端子４２ａから出力する合成回路４２と、を備え、端子４１ａは電力増幅器３０の出力端子に接続され、端子４１ｂはフィルタ１１の入力端に接続され、端子４１ｃはフィルタ１２の入力端に接続され、端子４２ｂはフィルタ１１の出力端に接続され、端子４２ｃはフィルタ１２の出力端に接続され、端子４２ａはアンテナ接続端子１００に接続されてもよい。
　これによれば、バンドＡを伝送する送信回路を簡素化できる。
　また例えば、高周波回路１は、さらに、共通端子５２ａ、選択端子５２ｂおよび５２ｃを有し、共通端子５２ａと選択端子５２ｂとの接続、および、共通端子５２ａと選択端子５２ｃとの接続を切り替えるスイッチ５２と、共通端子５１ａ、選択端子５１ｂおよび５１ｃを有し、共通端子５１ａと選択端子５１ｂとの接続、および、共通端子５１ａと選択端子５１ｃとの接続を切り替えるスイッチ５１と、を備え、共通端子５２ａは電力増幅器３０の出力端子に接続され、選択端子５２ｂは端子４１ａに接続され、選択端子５２ｃはフィルタ２１の入力端に接続され、共通端子５１ａはアンテナ接続端子１００に接続され、選択端子５１ｂは端子４２ａに接続され、選択端子５１ｃはフィルタ２１の出力端に接続されてもよい。
　これによれば、バンドＡの送信信号とバンドＢの送信信号とを、高アイソレーションで伝送できる。
　また例えば、変形例１に係る高周波回路１Ａは、パワークラス２に対応する電力増幅器３１と、パワークラス３に対応する電力増幅器３２と、フィルタ１１、１２および２１と、スイッチ５２と、スイッチ５１と、合成回路４２と、を備え、電力増幅器３１の出力端子は共通端子５２ａに接続され、電力増幅器３２の出力端子はフィルタ１１の入力端に接続され、選択端子５２ｂはフィルタ１２の入力端に接続され、選択端子５２ｃはフィルタ２１の入力端に接続され、端子４２ｂはフィルタ１１の出力端に接続され、端子４２ｃはフィルタ１２の出力端に接続され、端子４２ａは選択端子５１ｂに接続され、共通端子５１ａはアンテナ接続端子１００に接続され、選択端子５１ｃはフィルタ２１の出力端に接続されてもよい。
　これによれば、パワークラス２のバンドＡのＦＤＤ信号を出力する場合には、電力増幅器３１および３２のそれぞれからパワークラス３に対応する送信信号を出力し、パワークラス２のバンドＢのＴＤＤ信号を出力する場合には、電力増幅器３１からパワークラス２に対応する送信信号を出力できる。つまり、バンドＡのＦＤＤ信号を２つの電力増幅器３１および３２から分割出力することで、パワークラス２のＦＤＤ信号を伝送する場合の放熱性を向上できる。また、電力増幅器３１および３２の電力付加効率を向上でき、電力増幅器３１および３２ならびにフィルタ１１および１２から発生するノイズを低減できる。
　また例えば、変形例２に係る高周波回路１Ｂは、アンテナ接続端子１０１および１０２と、電力増幅器３１および３２と、フィルタ１１、１２および２１と、スイッチ５２と、スイッチ５４と、を備え、電力増幅器３１の出力端子は共通端子５２ａに接続され、電力増幅器３２の出力端子はフィルタ１１の入力端に接続され、選択端子５２ｂはフィルタ１２の入力端に接続され、選択端子５２ｃはフィルタ２１の入力端に接続され、共通端子５４ｂはアンテナ接続端子１０１に接続され、共通端子５４ａはアンテナ接続端子１０２に接続され、選択端子５４ｄはフィルタ１２の出力端に接続され、選択端子５４ｃはフィルタ１１の出力端に接続され、選択端子５４ｅはフィルタ２１の出力端に接続されてもよい。
　これによれば、パワークラス２のバンドＡのＦＤＤ信号を出力する場合には、電力増幅器３１および３２のそれぞれからパワークラス３に対応する送信信号を出力し、２つのアンテナ２ａおよび２ｂから送信される。また、パワークラス２のバンドＢのＴＤＤ信号を出力する場合には、電力増幅器３１からパワークラス２に対応する送信信号を出力し、１つのアンテナ２ａから送信される。つまり、バンドＡのＦＤＤ信号を２つの電力増幅器３１および３２から分割出力することで、パワークラス２のＦＤＤ信号を伝送する場合の放熱性を向上できる。また、電力増幅器３１および３２の電力付加効率を向上でき、電力増幅器３１および３２ならびにフィルタ１１および１２から発生するノイズを低減できる。
　また例えば、変形例３に係る高周波回路１Ｃは、高周波回路１Ｂに対して、さらに、第１基板６１および第２基板６２を備え、電力増幅器３１、スイッチ５２、５４、フィルタ１２および２１は第１基板６１に配置され、電力増幅器３２およびフィルタ１１は第２基板６２に配置されてもよい。
　これによれば、電力増幅器３１と電力増幅器３２とが別基板に配置され、フィルタ１１とフィルタ１２とが別基板に配置されるので、高周波回路１Ｃの放熱性が向上し、また、フィルタ１１および１２の特性劣化を抑制できる。
　また例えば、変形例４に係る高周波回路１Ｄは、アンテナ接続端子１００と、電力増幅器３１および３２と、フィルタ１１、１２および２１と、スイッチ５２と、スイッチ５５と、第１基板６１および第２基板６２と、を備え、電力増幅器３１の出力端子は共通端子５２ａに接続され、電力増幅器３２の出力端子はフィルタ１１の入力端に接続され、選択端子５２ｂはフィルタ１２の入力端に接続され、選択端子５２ｃはフィルタ２１の入力端に接続され、共通端子５５ａはアンテナ接続端子１００に接続され、選択端子５５ｂはフィルタ１２の出力端に接続され、選択端子５５ｃはフィルタ２１の出力端に接続され、電力増幅器３１、スイッチ５２および５５、フィルタ１２および２１は第１基板６１に配置され、電力増幅器３２およびフィルタ１１は第２基板６２に配置されてもよい。
　これによれば、電力増幅器３１と電力増幅器３２とが別基板に配置され、フィルタ１１とフィルタ１２とが別基板に配置されるので、高周波回路１Ｄの放熱性が向上し、また、フィルタ１１および１２の特性劣化を抑制できる。
　また例えば、変形例６に係る高周波回路１Ｅは、アンテナ接続端子１０１および１０２と、電力増幅器３１および３２と、フィルタ１１、１２および２１と、バンドＡのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ１３と、スイッチ５２と、スイッチ５４と、第１基板６１および第２基板６２と、を備え、電力増幅器３１の出力端子は共通端子５２ａに接続され、電力増幅器３２の出力端子はフィルタ１１の入力端に接続され、選択端子５２ｂはフィルタ１２の入力端に接続され、選択端子５２ｃはフィルタ２１の入力端に接続され、共通端子５４ｂはアンテナ接続端子１０１に接続され、共通端子５４ａはアンテナ接続端子１０２に接続され、選択端子５４ｄはフィルタ１２の出力端およびフィルタ１３の入力端に接続され、選択端子５４ｃはフィルタ１１の出力端に接続され、電力増幅器３１、スイッチ５２および５４、フィルタ１２、１３および２１は第１基板６１に配置され、電力増幅器３２およびフィルタ１１は第２基板６２に配置されてもよい。
　これによれば、バンドＡのＦＤＤ信号を２つの電力増幅器３１および３２から分割出力することで、パワークラス２のＦＤＤ信号を伝送する場合の放熱性を向上でき、また、電力増幅器３１および３２の電力付加効率を向上でき、フィルタ１１および１２ならびに電力増幅器３１および３２から発生するノイズを低減できる。さらに、上記ノイズを低減できるため、低雑音増幅器３３が配置された受信経路におけるバンドＡの受信信号の受信感度を向上できる。また、電力増幅器３１と電力増幅器３２とが別基板に配置され、フィルタ１１とフィルタ１２とが別基板に配置されるので、高周波回路１Ｅの放熱性が向上し、また、フィルタ１１および１２の特性劣化を抑制できる。さらに、フィルタ１１および１２のうちのフィルタ１２のみがフィルタ１３とバンドＡのデュプレクサを構成するので、フィルタ員数を削減できる。
　また例えば、変形例７に係る高周波回路１Ｆは、アンテナ接続端子１０１および１０２と、電力増幅器３１および３２と、フィルタ１１、１２および２１と、ＦＤＤ用のダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ１４と、スイッチ５２と、スイッチ５４と、第１基板６１および第２基板６２と、を備え、電力増幅器３１の出力端子は共通端子５２ａに接続され、電力増幅器３２の出力端子はフィルタ１１の入力端に接続され、選択端子５２ｂはフィルタ１２の入力端に接続され、選択端子５２ｃはフィルタ２１の入力端に接続され、共通端子５４ｂはアンテナ接続端子１０１に接続され、共通端子５４ａはアンテナ接続端子１０２に接続され、選択端子５４ｄはフィルタ１２の出力端に接続され、選択端子５４ｃはフィルタ１１の出力端およびフィルタ１４の入力端に接続され、フィルタ１４の出力端は低雑音増幅器３４の入力端子に接続され、電力増幅器３１、スイッチ５２および５４、フィルタ１２および２１は第１基板６１に配置され、電力増幅器３２、低雑音増幅器３４、フィルタ１１および１４は第２基板６２に配置されてもよい。
　これによれば、電力増幅器３１と電力増幅器３２とが別基板に配置され、フィルタ１１とフィルタ１２とが別基板に配置されるので、高周波回路１Ｆの放熱性が向上し、また、フィルタ１１および１２の特性劣化を抑制できる。また、フィルタ１４および低雑音増幅器３４は、フィルタ１２および２１が配置されていない第２基板６２に配置されるので、高周波回路１Ｆの放熱性が向上し、フィルタ１４および低雑音増幅器３４が配置された受信経路におけるバンドＡの受信感度の劣化を抑制できる。
　また例えば、本発明に係る高周波回路は、第１基板６１と、電力増幅器３１と、フィルタ１２と、フィルタ２１と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、スイッチ５２および５４と、を備えてもよい。このとき、パワークラス２に対応したバンドＡの送信信号を出力する場合には、電力増幅器３１と異なる電力増幅器３２からパワークラス３に対応したバンドＡのアップリンク動作バンドの送信信号が選択端子５４ｃに入力されているときに、電力増幅器３１からパワークラス３に対応したバンドＡのアップリンク動作バンドの送信信号をフィルタ１２に出力する。一方、パワークラス２に対応したバンドＢの送信信号を出力する場合には、電力増幅器３１からバンドＢの送信信号をフィルタ２１に出力する。
　これによれば、パワークラス２のＴＤＤ用の送信信号をフィルタ２１で伝送することが可能となる。一方、パワークラス２のＴＤＤ用の送信信号に対してパワークラス２のＦＤＤ用の送信信号は、時分割でなく連続的に伝送されるため電力密度が高く、フィルタ１１または１２単独で当該送信信号を伝送する場合には、当該フィルタが高温状態となり耐電力性が臨界状態となる。このため、フィルタ１２の通過特性が劣化することが懸念される。これに対して、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を単独で伝送することが困難なフィルタ１２について、フィルタ１１とともに、パワークラス３の送信信号を伝送させるので、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を、フィルタ１２の通過特性を劣化させることなく伝送することが可能となる。
　また、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、ＲＦＩＣ３とアンテナ２との間で高周波信号を伝送する高周波回路１と、を備える。
　これによれば、通信装置５は、高周波回路１の上記効果と同様の効果を奏することができる。
　（その他の実施の形態）
　以上、本発明に係る高周波回路および通信装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明に係る高周波回路および通信装置は、上記実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波回路および通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
　例えば、上記実施の形態および変形例に係る高周波回路および通信装置の回路構成において、図面に表された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されてもよい。
　また、上記実施の形態において、５Ｇ－ＮＲまたはＬＴＥのためのバンドが用いられていたが、５Ｇ－ＮＲまたはＬＴＥに加えてまたは代わりに、他の無線アクセス技術のための通信バンドが用いられてもよい。例えば、無線ローカルエリアネットワークのための通信バンドが用いられてもよい。また例えば、７ギガヘルツ以上のミリ波帯域が用いられてもよい。この場合、高周波回路１と、アンテナ２と、ＲＦＩＣ３とは、ミリ波アンテナモジュールを構成し、フィルタとして、例えば分布定数型フィルタが用いられてもよい。
　本発明は、フロントエンド部に配置される高周波回路として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ　　高周波回路
　２、２ａ、２ｂ、２ｃ　　アンテナ
　３　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　５　　通信装置
　１１、１２、１３、１４、２１、２２　　フィルタ
　３０、３１、３２、３５　　電力増幅器
　３３、３４　　低雑音増幅器
　４１　　分配回路
　４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４２ａ、４２ｂ、４２ｃ　　端子
　４２　　合成回路
　５１、５２、５３、５４、５５、５６　　スイッチ
　５１ａ、５２ａ、５４ａ、５４ｂ、５５ａ、５６ａ　　共通端子
　５１ｂ、５１ｃ、５２ｂ、５２ｃ、５４ｃ、５４ｄ、５４ｅ、５５ｂ、５５ｃ、５６ｂ、５６ｃ　　選択端子
　６１　　第１基板
　６２　　第２基板
　１００、１０１、１０２　　アンテナ接続端子
　１１０、１１１、１１２、１１３　　高周波入力端子
　１２０、１３０　　高周波出力端子
　４１１、４１２、４１３、４２１、４２２、４２３　　インダクタ
　４５１、４５２、４６１、４６２　　１／４波長伝送線路
　４５３、４６３　　抵抗素子
　４７０、４８０　　９０°ハイブリッドカプラ
　４７１、４８１　　終端抵抗

Claims (11)

  1. 　アンテナ接続端子と、
    　パワークラス２に対応する電力増幅回路と、
    　前記電力増幅回路と前記アンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス３に対応し、周波数分割複信用の第１バンドのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、
    　前記電力増幅回路と前記アンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス３に対応し、前記第１バンドの前記アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタと、
    　前記電力増幅回路と前記アンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス２に対応し、時分割複信用の第２バンドを含む通過帯域を有する第３フィルタと、を備え、
    　パワークラス２に対応した前記第１バンドの送信信号を前記アンテナ接続端子から出力する場合には、前記電力増幅回路から前記第１バンドの送信信号を前記第１フィルタおよび前記第２フィルタに分配出力し、
    　パワークラス２に対応した前記第２バンドの送信信号を前記アンテナ接続端子から出力する場合には、前記電力増幅回路から前記第２バンドの送信信号を前記第３フィルタに出力する、
    　高周波回路。
  2. 　さらに、
    　第１端子、第２端子および第３端子を有し、前記第１端子に入力された信号を電力分配して前記第２端子および前記第３端子から出力する分配回路と、
    　第４端子、第５端子および第６端子を有し、前記第４端子および前記第５端子に入力された信号を電力合成して前記第６端子から出力する合成回路と、を備え、
    　前記第１端子は前記電力増幅回路の出力端子に接続され、前記第２端子は前記第１フィルタの入力端に接続され、前記第３端子は前記第２フィルタの入力端に接続され、
    　前記第４端子は前記第１フィルタの出力端に接続され、前記第５端子は前記第２フィルタの出力端に接続され、前記第６端子は前記アンテナ接続端子に接続される、
    　請求項１に記載の高周波回路。
  3. 　さらに、
    　第１共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、前記第１共通端子と前記第１選択端子との接続、および、前記第１共通端子と前記第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチと、
    　第２共通端子、第３選択端子および第４選択端子を有し、前記第２共通端子と前記第３選択端子との接続、および、前記第２共通端子と前記第４選択端子との接続を切り替える第２スイッチと、を備え、
    　前記第１共通端子は前記電力増幅回路の前記出力端子に接続され、前記第１選択端子は前記第１端子に接続され、前記第２選択端子は前記第３フィルタの入力端に接続され、
    　前記第２共通端子は前記アンテナ接続端子に接続され、前記第３選択端子は前記第６端子に接続され、前記第４選択端子は前記第３フィルタの出力端に接続される、
    　請求項２に記載の高周波回路。
  4. 　さらに、
    　第１共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、前記第１共通端子と前記第１選択端子との接続、および、前記第１共通端子と前記第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチと、
    　第２共通端子、第３選択端子および第４選択端子を有し、前記第２共通端子と前記第３選択端子との接続、および、前記第２共通端子と前記第４選択端子との接続を切り替える第２スイッチと、
    　第４端子、第５端子および第６端子を有し、前記第４端子および前記第５端子に入力された信号を合成して前記第６端子から出力する合成回路と、を備え、
    　前記電力増幅回路は、
    　パワークラス２に対応する第１増幅器と、
    　パワークラス３に対応する第２増幅器と、を有し、
    　前記第１増幅器の出力端子は前記第１共通端子に接続され、
    　前記第２増幅器の出力端子は前記第２フィルタの入力端に接続され、
    　前記第１選択端子は前記第１フィルタの入力端に接続され、前記第２選択端子は前記第３フィルタの入力端に接続され、
    　前記第４端子は前記第１フィルタの出力端に接続され、前記第５端子は前記第２フィルタの出力端に接続され、前記第６端子は前記第３選択端子に接続され、
    　前記第２共通端子は前記アンテナ接続端子に接続され、前記第４選択端子は前記第３フィルタの出力端に接続される、
    　請求項１に記載の高周波回路。
  5. 　前記アンテナ接続端子は、第１アンテナ接続端子および第２アンテナ接続端子を含み、
    　第１共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、前記第１共通端子と前記第１選択端子との接続、および、前記第１共通端子と前記第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチと、
    　第３共通端子、第４共通端子、第５選択端子、第６選択端子および第７選択端子を有し、前記第４共通端子と前記第６選択端子との接続および非接続を切り替え、前記第３共通端子と前記第５選択端子との接続および前記第３共通端子と前記第７選択端子との接続を切り替える第３スイッチと、を備え、
    　前記電力増幅回路は、
    　パワークラス２に対応する第１増幅器と、
    　パワークラス３に対応する第２増幅器と、を有し、
    　前記第１増幅器の出力端子は前記第１共通端子に接続され、
    　前記第２増幅器の出力端子は前記第２フィルタの入力端に接続され、
    　前記第１選択端子は前記第１フィルタの入力端に接続され、前記第２選択端子は前記第３フィルタの入力端に接続され、
    　前記第３共通端子は前記第１アンテナ接続端子に接続され、前記第４共通端子は前記第２アンテナ接続端子に接続され、前記第５選択端子は前記第１フィルタの出力端に接続され、前記第６選択端子は前記第２フィルタの出力端に接続され、前記第７選択端子は前記第３フィルタの出力端に接続される、
    　請求項１に記載の高周波回路。
  6. 　さらに、第１基板および第２基板を備え、
    　前記第１増幅器、前記第１スイッチ、前記第３スイッチ、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタは、前記第１基板に配置され、
    　前記第２増幅器および前記第２フィルタは、前記第２基板に配置される、
    　請求項５に記載の高周波回路。
  7. 　さらに、
    　第１基板および第２基板と、
    　第１共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、前記第１共通端子と前記第１選択端子との接続、および、前記第１共通端子と前記第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチと、
    　第２共通端子、第３選択端子および第４選択端子を有し、前記第２共通端子と前記第３選択端子との接続、および、前記第２共通端子と前記第４選択端子との接続を切り替える第２スイッチと、を備え、
    　前記電力増幅回路は、
    　パワークラス２に対応する第１増幅器と、
    　パワークラス３に対応する第２増幅器と、を有し、
    　前記第１増幅器の出力端子は前記第１共通端子に接続され、
    　前記第２増幅器の出力端子は前記第２フィルタの入力端に接続され、
    　前記第１選択端子は前記第１フィルタの入力端に接続され、前記第２選択端子は前記第３フィルタの入力端に接続され、
    　前記第２共通端子は前記アンテナ接続端子に接続され、前記第３選択端子は前記第１フィルタの出力端に接続され、前記第４選択端子は前記第３フィルタの出力端に接続され、
    　前記第１増幅器、前記第１スイッチ、前記第２スイッチ、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタは、前記第１基板に配置され、
    　前記第２増幅器および前記第２フィルタは、前記第２基板に配置される、
    　請求項１に記載の高周波回路。
  8. 　さらに、
    　前記第１バンドのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第４フィルタを備え、
    　前記第４フィルタの入力端は、前記第１フィルタの出力端に接続され、
    　前記第４フィルタは、前記第１基板に配置される、
    　請求項６または７に記載の高周波回路。
  9. 　さらに、
    　周波数分割複信用のダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第５フィルタと、
    　前記第５フィルタの出力端に接続された低雑音増幅器と、を備え、
    　前記第５フィルタおよび前記低雑音増幅器は、前記第２基板に配置される、
    　請求項６または７に記載の高周波回路。
  10. 　第１基板と、
    　第１アンテナ接続端子および第２アンテナ接続端子と、
    　パワークラス２に対応する第１増幅器と、
    　前記第１増幅器と前記第１アンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス３に対応し、周波数分割複信用の第１バンドのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、
    　前記第１増幅器と前記第１アンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス２に対応し、時分割複信用の第２バンドを含む通過帯域を有する第３フィルタと、
    　第１共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、前記第１共通端子と前記第１選択端子との接続、および、前記第１共通端子と前記第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチと、
    　第３共通端子、第４共通端子、第５選択端子、第６選択端子および第７選択端子を有し、前記第４共通端子と前記第６選択端子との接続および非接続を切り替え、前記第３共通端子と前記第５選択端子との接続および前記第３共通端子と前記第７選択端子との接続を切り替える第３スイッチと、を備え、
    　前記第１増幅器の出力端子は前記第１共通端子に接続され、
    　前記第１選択端子は前記第１フィルタの入力端に接続され、前記第２選択端子は前記第３フィルタの入力端に接続され、
    　前記第３共通端子は前記第１アンテナ接続端子に接続され、前記第４共通端子は前記第２アンテナ接続端子に接続され、前記第５選択端子は前記第１フィルタの出力端に接続され、前記第７選択端子は前記第３フィルタの出力端に接続され、
    　前記第１増幅器、前記第１スイッチ、前記第３スイッチ、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタは、前記第１基板に配置され、
    　パワークラス２に対応した前記第１バンドの送信信号を出力する場合には、前記第１増幅器と異なる第２増幅器からパワークラス３に対応した前記第１バンドの前記アップリンク動作バンドの送信信号が前記第６選択端子に入力されているときに、前記第１増幅器からパワークラス３に対応した前記第１バンドの前記アップリンク動作バンドの送信信号を前記第１フィルタに出力し、
    　パワークラス２に対応した前記第２バンドの送信信号を出力する場合には、前記第１増幅器から前記第２バンドの送信信号を前記第３フィルタに出力する、
    　高周波回路。
  11. 　高周波信号を処理する信号処理回路と、
    　前記信号処理回路とアンテナとの間で前記高周波信号を伝送する請求項１～１０のいずれか１項に記載の高周波回路と、備える、
    　通信装置。
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