WO2023032513A1

WO2023032513A1 - 高周波回路および通信装置

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Publication number: WO2023032513A1
Application number: PCT/JP2022/028391
Authority: WO
Inventors: 弘嗣森; 伸也人見; 聡田中; 正英武部
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2021-09-02
Filing date: 2022-07-21
Publication date: 2023-03-09

Abstract

高周波回路（１）は、パワークラス２に対応する電力増幅器（３０）と、電力増幅器（３０）に接続され、パワークラス３に対応し、ＦＤＤ用のバンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ（１２）と、電力増幅器（３０）に接続され、パワークラス３に対応し、バンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ（１１）と、電力増幅器（３０）に接続され、パワークラス２に対応し、ＴＤＤ用のバンドＢを含む通過帯域を有するフィルタ（２１）と、を備え、パワークラス２に対応したバンドＡの送信信号を出力する場合には、電力増幅器（３０）からバンドＡの送信信号をフィルタ（１１および１２）に分配出力し、パワークラス２に対応したバンドＢの送信信号を出力する場合には、電力増幅器（３０）からバンドＢの送信信号をフィルタ（２１）に出力する。

Description

高周波回路および通信装置

　本発明は、高周波回路及び通信装置に関する。

　３ＧＰＰ（登録商標）（3rd Generation Partnership Project）では、従来よりも高い最大出力パワー（電力）を許容するパワークラス（例えばパワークラス２等）の周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）用バンドへの適用が議論されている。

米国特許出願公開第２０１５／０１３３０６７号明細書

　しかしながら、従来よりも高い最大出力パワーを許容するパワークラスがＦＤＤ用バンドに適用される場合、フィルタには間欠的ではなく連続的に信号が供給されるため、当該フィルタが高温となり耐電力性能が臨界状態となり、当該フィルタを含む高周波回路の伝送特性が劣化することが懸念される。

　そこで、本発明は、従来よりも高い最大出力パワーを許容するパワークラスがＦＤＤ用バンドに適用された場合に、伝送特性の劣化が抑制された高周波回路および通信装置を提供する。

　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波回路は、アンテナ接続端子と、パワークラス２に対応する電力増幅回路と、電力増幅回路とアンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス３に対応し、周波数分割複信用の第１バンドのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、電力増幅回路とアンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス３に対応し、周波数分割複信用の第１バンドのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタと、電力増幅回路とアンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス２に対応し、時分割複信用の第２バンドを含む通過帯域を有する第３フィルタと、を備え、パワークラス２に対応した第１バンドの送信信号をアンテナ接続端子から出力する場合には、電力増幅回路から第１バンドの送信信号を第１フィルタおよび第２フィルタに分配出力し、パワークラス２に対応した第２バンドの送信信号をアンテナ接続端子から出力する場合には、電力増幅回路から第２バンドの送信信号を第３フィルタに出力する。

　また、本発明の一態様に係る高周波回路は、第１基板と、第１アンテナ接続端子および第２アンテナ接続端子と、パワークラス２に対応する第１増幅器と、第１増幅器と第１アンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス３に対応し、周波数分割複信用の第１バンドのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、第１増幅器と第１アンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス２に対応し、時分割複信用の第２バンドを含む通過帯域を有する第３フィルタと、第１共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、第１共通端子と第１選択端子との接続、および、第１共通端子と第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチと、第３共通端子、第４共通端子、第５選択端子、第６選択端子および第７選択端子を有し、第４共通端子と第６選択端子との接続および非接続を切り替え、第３共通端子と第５選択端子との接続および第３共通端子と第７選択端子との接続を切り替える第３スイッチと、を備え、第１増幅器の出力端子は第１共通端子に接続され、第１選択端子は第１フィルタの入力端に接続され、第２選択端子は第３フィルタの入力端に接続され、第３共通端子は第１アンテナ接続端子に接続され、第４共通端子は第２アンテナ接続端子に接続され、第５選択端子は第１フィルタの出力端に接続され、第７選択端子は第３フィルタの出力端に接続され、第１増幅器、第１スイッチ、第３スイッチ、第１フィルタおよび第３フィルタは、第１基板に配置され、パワークラス２に対応した第１バンドの送信信号を出力する場合には、第１増幅器と異なる第２増幅器からパワークラス３に対応した第１バンドのアップリンク動作バンドの送信信号が第６選択端子に入力されているときに、第１増幅器からパワークラス３に対応した第１バンドのアップリンク動作バンドの送信信号を第１フィルタに出力し、パワークラス２に対応した第２バンドの送信信号を出力する場合には、第１増幅器から第２バンドの送信信号を第３フィルタに出力する。

　本発明によれば、従来よりも高い最大出力パワーを許容するパワークラスがＦＤＤ用バンドに適用された場合に、伝送特性の劣化が抑制された高周波回路および通信装置を提供することが可能となる。

図１は、実施の形態に係る高周波回路および通信装置の回路構成図である。図２Ａは、実施の形態に係る高周波回路におけるパワークラス２のＦＤＤ信号の伝送状態を示す図である。図２Ｂは、実施の形態に係る高周波回路におけるパワークラス２のＴＤＤ信号の伝送状態を示す図である。図３Ａは、実施の形態に係る分配回路および合成回路の第１例を示す図である。図３Ｂは、実施の形態に係る分配回路および合成回路の第２例を示す図である。図３Ｃは、第２例における、負荷変動に対するフィルタのインピーダンス変動を説明する図である。図３Ｄは、実施の形態に係る分配回路および合成回路の第３例を示す図である。図４Ａは、実施の形態の変形例１に係る高周波回路の回路構成図である。図４Ｂは、実施の形態の変形例２に係る高周波回路の回路構成図である。図５Ａは、実施の形態の変形例３に係る高周波回路の回路構成図である。図５Ｂは、実施の形態の変形例４に係る高周波回路の回路構成図である。図５Ｃは、実施の形態の変形例５に係る高周波回路の回路構成図である。図６は、実施の形態の変形例６に係る高周波回路の回路構成図である。図７は、実施の形態の変形例７に係る高周波回路の回路構成図である。

　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例および変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。

　また、以下において、平行および垂直等の要素間の関係性を示す用語、矩形状等の要素の形状を示す用語、ならびに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。

　本発明の回路構成において、「接続される」とは、接続端子および／または配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含む。「ＡおよびＢの間に接続される」とは、ＡおよびＢの間でＡおよびＢの両方に接続されることを意味し、ＡおよびＢを結ぶ経路に直列接続されることに加えて、当該経路とグランドとの間に並列接続（シャント接続）されることを含む。

　また、本発明の部品配置において、「部品が基板に配置される」とは、部品が基板の主面上に配置されること、および、部品が基板内に配置されることを含む。「部品が基板の主面上に配置される」とは、部品が基板の主面に接触して配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに当該主面の上方に配置されること（例えば、部品が主面と接触して配置された他の部品上に積層されること）を含む。また、「部品が基板の主面上に配置される」は、主面に形成された凹部に部品が配置されることを含んでもよい。「部品が基板内に配置される」とは、部品がモジュール基板内にカプセル化されることに加えて、部品の全部が基板の両主面の間に配置されているが部品の一部が基板に覆われていないこと、および、部品の一部のみが基板内に配置されていることを含む。

　また、本開示において、「信号経路」とは、高周波信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。

　（実施の形態）
　［１　高周波回路１および通信装置５の回路構成］
　本実施の形態に係る高周波回路１およびそれを備える通信装置５の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、本実施の形態に係る高周波回路１および通信装置５の回路構成図である。

　［１．１　通信装置５の回路構成］
　通信装置５は、いわゆるユーザ端末（ＵＥ：User Equipment）に相当し、典型的には、携帯電話、スマートフォン、タブレットコンピュータ等である。このような通信装置５は、高周波回路１と、アンテナ２と、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）３と、を備える。

　高周波回路１は、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する。高周波回路１の内部構成については後述する。

　アンテナ２は、高周波回路１のアンテナ接続端子１００に接続される。アンテナ２は、高周波回路１から高周波信号を受信して外部に出力する。

　ＲＦＩＣ３は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit：図示せず）から入力された送信信号をアップコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波回路１の送信経路に出力する。また、ＲＦＩＣ３は、高周波回路１が有するスイッチ回路および増幅回路等を制御する制御部を有する。なお、ＲＦＩＣ３の制御部としての機能の一部または全部は、ＲＦＩＣ３の外部に構成されてもよく、例えば、ＢＢＩＣまたは高周波回路１に構成されてもよい。

　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２は必須の構成要素ではない。

　［１．２　高周波回路１の回路構成］
　次に、高周波回路１の回路構成について説明する。図１に示すように、高周波回路１は、フィルタ１１、１２および２１と、電力増幅器３０と、分配回路４１と、合成回路４２と、スイッチ５１、５２および５３と、アンテナ接続端子１００と、高周波入力端子１１０と、を備える。

　アンテナ接続端子１００は、アンテナ２に接続される。高周波入力端子１１０は、高周波回路１の外部（ＲＦＩＣ３）から高周波送信信号（以下、送信信号と記す）を受けるための端子である。

　フィルタ１１は、第２フィルタの一例であり、パワークラス３に対応し、ＦＤＤ用のバンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１１は、スイッチ５２および分配回路４１を介して電力増幅器３０に接続されている。

　フィルタ１２は、第１フィルタの一例であり、パワークラス３に対応し、ＦＤＤ用のバンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１２は、スイッチ５２および分配回路４１を介して電力増幅器３０に接続されている。

　フィルタ２１は、第３フィルタの一例であり、パワークラス２に対応し、時分割複信（ＴＤＤ：Time Division Duplex）用のバンドＢを含む通過帯域を有する。フィルタ２１は、スイッチ５２および５３を介して電力増幅器３０に接続されている。

　電力増幅器３０は、電力増幅回路の一例であり、パワークラス２に対応している。電力増幅器３０は、高周波入力端子１１０から入力されたバンドＡおよびバンドＢの送信信号を増幅可能である。電力増幅器３０は、高周波入力端子１１０とスイッチ５２との間に接続されている。

　バンドＡは、第１バンドの一例であり、標準化団体など（例えば３ＧＰＰ及びＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）によって予め定義された無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムのための周波数バンドである。通信システムとしては、例えば５ＧＮＲ（5th Generation New Radio）システム、ＬＴＥ（Long Term Evolution）システム及びＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システム等を用いることができるが、これに限定されない。

　バンドＡは、ダウンリンク動作バンドおよびアップリンク動作バンドで構成されている。バンドＢは、アップリンク動作バンドとダウンリンク動作バンドとが一致しており、バンドＢの周波数範囲全体がアップリンク動作バンドであり、またダウンリンク動作バンドでもある。

　なお、アップリンク動作バンドとは、上記バンドのうちのアップリンク用に指定された周波数範囲を意味する。また、ダウンリンク動作バンドとは、上記バンドのうちのダウンリンク用に指定された周波数範囲を意味する。

　また、パワークラスとは、最大出力パワーなどで定義されるＵＥの出力パワーの分類であり、パワークラスの値が小さいほど高いパワーの出力を許容することを示す。例えば、３ＧＰＰでは、パワークラス１で許容される最大出力パワーは３１ｄＢｍであり、パワークラス１．５で許容される最大出力パワーは２９ｄＢｍであり、パワークラス２で許容される最大出力パワーは２６ｄＢｍであり、パワークラス３で許容される最大出力パワーは２３ｄＢｍである。

　ＵＥの最大出力パワーは、ＵＥのアンテナ端における出力パワーで定義される。ＵＥの最大出力パワーの測定は、例えば、３ＧＰＰ等によって定義された方法で行われる。例えば、図１において、アンテナ２における放射パワーを測定することで最大出力パワーが測定される。なお、放射パワーの測定の代わりに、アンテナ２の近傍に端子を設けて、その端子に計測器（例えばスペクトルアナライザなど）を接続することで、アンテナ２の出力パワーを測定することもできる。

　本実施の形態に係る高周波回路１では、バンドＡは、例えば、ＦＤＤ用のＬＴＥのためのバンドＢ１、または、５ＧＮＲのためのバンドｎ１（アップリンク動作バンド：１９２０－１９８０ＭＨｚ、ダウンリンク動作バンド：２１１０－２１７０ＭＨｚ、）であり、バンドＢは、例えば、ＴＤＤ用のＬＴＥのためのバンドＢ３４、または、５ＧＮＲのためのバンドｎ３４（２０１０－２０２５ＭＨｚ）である。

　分配回路４１は、端子４１ａ（第１端子）、端子４１ｂ（第３端子）および端子４１ｃ（第２端子）を有し、端子４１ａに入力された信号を電力分配し、当該電力分配された高周波信号を、端子４１ｂおよび端子４１ｃから出力する。

　合成回路４２は、端子４２ａ（第６端子）、端子４２ｂ（第５端子）および端子４２ｃ（第４端子）を有し、端子４２ｂおよび端子４２ｃに入力された信号を電力合成し、当該電力合成された高周波信号を端子４２ａから出力する。

　スイッチ５１は、第２スイッチの一例であり、アンテナ接続端子１００と合成回路４２およびフィルタ２１との間に接続されている。具体的には、スイッチ５１は、共通端子５１ａ（第２共通端子）、選択端子５１ｂ（第３選択端子）および５１ｃ（第４選択端子）を有する。共通端子５１ａはアンテナ接続端子１００に接続され、選択端子５１ｂは端子４２ａに接続され、選択端子５１ｃはフィルタ２１の出力端に接続されている。この接続構成により、スイッチ５１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、アンテナ接続端子１００とフィルタ１１および１２との接続、ならびに、アンテナ接続端子１００とフィルタ２１との接続を切り替える。

　スイッチ５２は、第１スイッチの一例であり、電力増幅器３０と分配回路４１およびスイッチ５３との間に接続されている。具体的には、スイッチ５２は、共通端子５２ａ（第１共通端子）、選択端子５２ｂ（第１選択端子）および５２ｃ（第２選択端子）を有する。共通端子５２ａは電力増幅器３０の出力端子に接続され、選択端子５２ｂは端子４１ａに接続され、選択端子５２ｃはスイッチ５３を介してフィルタ２１に接続されている。この接続構成により、スイッチ５２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、電力増幅器３０とフィルタ１１および１２との接続、ならびに、電力増幅器３０とフィルタ２１との接続を切り替える。

　スイッチ５３は、いわゆるＴＤＤスイッチの一例であり、フィルタ２１の入力端と電力増幅器３０との接続、および、フィルタ２１の入力端と低雑音増幅器（図示せず）との接続を切り替える。

　なお、スイッチ５１～５３の少なくとも１つは、半導体ＩＣ（Integrated Circuit）に形成されていてもよい。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）で構成されている。具体的には、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）プロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。

　なお、図１に表された回路素子のいくつかは、高周波回路１に含まれなくてもよい。例えば、高周波回路１は、少なくとも電力増幅器３０、フィルタ１１、１２および２１を備えればよく、他の回路素子を備えなくてもよい。

　［１．３　高周波回路１のＦＤＤ信号およびＴＤＤ信号の伝送状態］
　次に、実施の形態に係る高周波回路１がＦＤＤ信号およびＴＤＤ信号を伝送する状態について説明する。

　図２Ａは、実施の形態に係る高周波回路１における、パワークラス２のバンドＡのＦＤＤ信号の伝送状態を示す図である。パワークラス２のバンドＡのＦＤＤ信号（例えば２６ｄＢｍ）を伝送する場合、共通端子５２ａと選択端子５２ｂとが接続状態となり、共通端子５１ａと選択端子５１ｂとが接続状態となる。

　このとき、バンドＡの送信信号は、同図に示すように、高周波入力端子１１０、電力増幅器３０、スイッチ５２、分配回路４１、フィルタ１１および１２、合成回路４２、スイッチ５１、アンテナ接続端子１００、およびアンテナ２という送信経路を伝送する。つまり、パワークラス２に対応したバンドＡの送信信号をアンテナ接続端子１００から出力する場合には、電力増幅器３０からバンドＡの送信信号をフィルタ１１および１２に電力分配して出力する。

　図２Ｂは、実施の形態に係る高周波回路１における、パワークラス２のバンドＢのＴＤＤ信号の伝送状態を示す図である。パワークラス２のバンドＢのＴＤＤ信号（例えば２６ｄＢｍ）を伝送する場合、共通端子５２ａと選択端子５２ｃとが接続状態となり、共通端子５１ａと選択端子５１ｃとが接続状態となる。

　このとき、バンドＢの送信信号は、同図に示すように、高周波入力端子１１０、電力増幅器３０、スイッチ５２、スイッチ５３、フィルタ２１、スイッチ５１、アンテナ接続端子１００、およびアンテナ２という送信経路を伝送する。つまり、パワークラス２に対応したバンドＢの送信信号をアンテナ接続端子１００から出力する場合には、電力増幅器３０からバンドＢの送信信号をフィルタ２１に出力する。

　これによれば、パワークラス２のＴＤＤ用の送信信号をフィルタ２１で伝送することが可能となる。一方、パワークラス２のＴＤＤ用の送信信号に対して、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号は、時分割でなく連続的に伝送されるため電力密度が高い。このため、フィルタ１１または１２単独で、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を伝送する場合には、当該フィルタが高温状態となり耐電力性が臨界状態となる。このため、フィルタ１１または１２の通過特性が劣化することが懸念される。これに対して、図２Ａに示すように、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を単独で伝送することが困難なフィルタ１１および１２について、それぞれ、パワークラス３の送信信号（例えば２３ｄＢｍ）を伝送させるので、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を、フィルタ通過特性を劣化させることなく伝送することが可能となる。

　［１．４　分配回路４１および合成回路４２の回路構成例］
　次に、実施の形態に係る高周波回路１が備える分配回路４１および合成回路４２の回路構成例について説明する。

　図３Ａは、実施の形態に係る分配回路４１および合成回路４２の第１例を示す図である。同図に示すように、本例の分配回路４１は、インダクタ４１１、４１２および４１３を有する。インダクタ４１１の一端は端子４１ａに接続され、他端はグランドに接続されている。インダクタ４１２の一端は端子４１ｂに接続され、他端はインダクタ４１３の一端に接続されている。インダクタ４１３の他端は端子４１ｃに接続されている。つまり、本例の分配回路４１は、インダクタ４１１を入力側コイルとし、インダクタ４１２および４１３を出力側コイルとするトランスフォーマである。

　また、図３Ａに示すように、本例の合成回路４２は、インダクタ４２１、４２２および４２３を有する。インダクタ４２１の一端は端子４２ａに接続され、他端はグランドに接続されている。インダクタ４２２の一端は端子４２ｂに接続され、他端はインダクタ４２３の一端に接続されている。インダクタ４２３の他端は端子４２ｃに接続されている。つまり、本例の合成回路４２は、インダクタ４２１を出力側コイルとし、インダクタ４２２および４２３を入力側コイルとするトランスフォーマである。

　図３Ｂは、実施の形態に係る分配回路４１および合成回路４２の第２例を示す図である。同図に示すように、本例の分配回路４１は、１／４波長伝送線路４５１および４５２、ならびに抵抗素子４５３を有する。１／４波長伝送線路４５１の一端および１／４波長伝送線路４５２の一端は端子４１ａに接続され、１／４波長伝送線路４５１の他端は抵抗素子４５３の一端および端子４１ｂに接続され、１／４波長伝送線路４５２の他端は抵抗素子４５３の他端および端子４１ｃに接続されている。つまり、本例の分配回路４１は、ウィルキンソン型の分配器である。

　また、図３Ｂに示すように、本例の合成回路４２は、１／４波長伝送線路４６１および４６２、ならびに抵抗素子４６３を有する。１／４波長伝送線路４６１の一端および１／４波長伝送線路４６２の一端は端子４２ａに接続され、１／４波長伝送線路４６１の他端は抵抗素子４６３の一端および端子４２ｂに接続され、１／４波長伝送線路４６２の他端は抵抗素子４６３の他端および端子４２ｃに接続されている。つまり、本例の合成回路４２は、ウィルキンソン型の分配器である。

　図３Ｃは、上記の第２例における、負荷変動に対するフィルタのインピーダンス変動を説明する図である。同図の（ａ）には、合成回路４２の各端子からアンテナ接続端子１００側（負荷）を見たインピーダンス（反射係数）が示されている。また、同図の（ｂ）には、フィルタ１２の出力端からアンテナ接続端子１００側（負荷）を見たインピーダンス（反射係数）に対する、フィルタ１２の入力端からフィルタ１２を見たインピーダンスが示されている。

　図３Ｃの（ａ）に示すように、端子４２ｂおよび４２ｃのそれぞれから負荷を見た場合のインピーダンスは、端子４２ａから負荷を見た場合のインピーダンスと比較して、基準インピーダンス（例えば５０Ω）に近くなっている。より具体的には、端子４２ｂおよび４２ｃのそれぞれにおける反射係数Γは、端子４２ａにおける反射係数Γの１／２となる。

　また、図３Ｃの（ｂ）に示すように、端子４２ｃの反射係数Γが０．６、０．３、０と小さくなるほど、端子４１ｃから見たフィルタ１２のインピーダンスの巻き（変化幅）は、小さくなり、基準インピーダンスに収束していく。

　つまり、ウィルキンソン型の分配器を分配回路４１および合成回路４２に適用し、分配回路４１と合成回路４２との間にフィルタ１１および１２を並列接続することで、負荷変動（反射係数Γの変動）に対してフィルタ１１および１２のインピーダンスが基準インピーダンスからずれることを抑制できる。これにより、負荷変動に対して電力増幅器３０の出力インピーダンスの変動を抑制することが可能となる。

　図３Ｄは、実施の形態に係る分配回路４１および合成回路４２の第３例を示す図である。同図に示すように、本例の分配回路４１は、９０°ハイブリッドカプラ４７０および終端抵抗４７１を有する。９０°ハイブリッドカプラ４７０の０°端子は端子４１ｂに接続され、９０°端子は端子４１ｃに接続され、ＩＮ端子は端子４１ａに接続され、ＩＳＯ端子は終端抵抗４７１に接続されている。ＩＮ端子から入力された送信信号は、０°端子および９０°端子に電力分配されて端子４１ｂおよび４１ｃから出力される。

　また、本例の合成回路４２は、９０°ハイブリッドカプラ４８０および終端抵抗４８１を有する。９０°ハイブリッドカプラ４８０の０°端子は端子４２ｂに接続され、９０°端子は端子４２ｃに接続され、ＯＵＴ端子は端子４２ａに接続され、ＩＳＯ端子は終端抵抗４８１に接続されている。分配回路４１で電力分配された送信信号は、それぞれフィルタ１１および１２を通過して０°端子および９０°端子に入力される。０°端子および９０°端子に入力された信号が電力合成されてＯＵＴ端子を経由して端子４２ａから出力される。

　［１．５　変形例１に係る高周波回路１Ａの回路構成］
　次に、変形例１に係る高周波回路１Ａの回路構成について、図４Ａを参照しながら説明する。

　図４Ａは、実施の形態の変形例１に係る高周波回路１Ａの回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ａは、フィルタ１１、１２および２１と、電力増幅器３１および３２と、合成回路４２と、スイッチ５１、５２および５３と、アンテナ接続端子１００と、高周波入力端子１１１および１１２と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ａは、実施の形態に係る高周波回路１と比較して、電力増幅回路の構成と、分配回路４１がないことが異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ａについて、実施の形態に係る高周波回路１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　高周波入力端子１１１および１１２は、それぞれ、高周波回路１Ａの外部（ＲＦＩＣ３）から送信信号を受けるための端子である。

　フィルタ１１は、第２フィルタの一例であり、パワークラス３に対応し、ＦＤＤ用のバンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１１は、電力増幅器３２に接続されている。

　フィルタ１２は、第１フィルタの一例であり、パワークラス３に対応し、ＦＤＤ用のバンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１２は、スイッチ５２を介して電力増幅器３１に接続されている。

　電力増幅器３１は、電力増幅回路を構成する第１増幅器の一例であり、パワークラス２に対応している。電力増幅器３１は、高周波入力端子１１１から入力されたバンドＡおよびバンドＢの送信信号を増幅可能である。電力増幅器３１は、高周波入力端子１１１とスイッチ５２との間に接続されている。

　電力増幅器３２は、電力増幅回路を構成する第２増幅器の一例であり、パワークラス３に対応している。電力増幅器３２は、高周波入力端子１１２から入力されたバンドＡの送信信号を増幅可能である。電力増幅器３２は、高周波入力端子１１２とフィルタ１１との間に接続されている。

　スイッチ５２は、第１スイッチの一例であり、電力増幅器３１とフィルタ１２およびスイッチ５３との間に接続されている。具体的には、スイッチ５２は、共通端子５２ａ（第１共通端子）、選択端子５２ｂ（第１選択端子）および５２ｃ（第２選択端子）を有する。共通端子５２ａは電力増幅器３１の出力端子に接続され、選択端子５２ｂはフィルタ１２の入力端に接続され、選択端子５２ｃはスイッチ５３を介してフィルタ２１の入力端に接続されている。この接続構成により、スイッチ５２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、電力増幅器３１とフィルタ１２との接続、および、電力増幅器３１とフィルタ２１との接続を切り替える。

　上記構成によれば、パワークラス２のバンドＡのＦＤＤ信号をアンテナ接続端子１００から出力する場合には、電力増幅器３１および３２のそれぞれからパワークラス３に対応する送信信号を出力し、パワークラス２のバンドＢのＴＤＤ信号をアンテナ接続端子１００から出力する場合には、電力増幅器３１からパワークラス２に対応する送信信号を出力できる。つまり、バンドＡのＦＤＤ信号を２つの電力増幅器３１および３２から分割出力することで、パワークラス２のＦＤＤ信号を伝送する場合の放熱性を向上できる。また、電力増幅器３１および３２の電力付加効率を向上でき、電力増幅器３１および３２、ならびにフィルタ１１および１２から発生するノイズを低減できる。

　［１．６　変形例２に係る高周波回路１Ｂの回路構成］
　次に、変形例２に係る高周波回路１Ｂの回路構成について、図４Ｂを参照しながら説明する。

　図４Ｂは、実施の形態の変形例２に係る高周波回路１Ｂの回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ｂは、フィルタ１１、１２および２１と、電力増幅器３１および３２と、スイッチ５２、５３および５４と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、高周波入力端子１１１および１１２と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｂは、変形例１に係る高周波回路１Ａと比較して、スイッチ５４の構成と、合成回路４２がないことが異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｂについて、変形例１に係る高周波回路１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　アンテナ接続端子１０１は、第１アンテナ接続端子の一例であり、アンテナ２ａ（第１アンテナ）に接続される。アンテナ接続端子１０２は、第２アンテナ接続端子の一例であり、アンテナ２ａと異なるアンテナ２ｂ（第２アンテナ）に接続される。

　スイッチ５４は、第３スイッチの一例であり、アンテナ接続端子１０１および１０２とフィルタ１１、１２および２１との間に接続されている。具体的には、スイッチ５４は、共通端子５４ａ（第４共通端子）、共通端子５４ｂ（第３共通端子）、選択端子５４ｃ（第６選択端子）、５４ｄ（第５選択端子）および５４ｅ（第７選択端子）を有する。共通端子５４ａはアンテナ接続端子１０２に接続され、共通端子５４ｂはアンテナ接続端子１０１に接続され、選択端子５４ｃはフィルタ１１の出力端に接続され、選択端子５４ｄはフィルタ１２の出力端に接続され、選択端子５４ｅはフィルタ２１の出力端に接続されている。この接続構成により、スイッチ５４は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、アンテナ接続端子１０２とフィルタ１１との接続および非接続を切り替え、アンテナ接続端子１０１とフィルタ１２との接続およびアンテナ接続端子１０１とフィルタ２１との接続を切り替える。

　上記構成によれば、パワークラス２のバンドＡのＦＤＤ信号を出力する場合には、電力増幅器３１および３２のそれぞれからパワークラス３に対応する送信信号を出力し、当該２つの送信信号は２つのアンテナ２ａおよび２ｂから送信される。また、パワークラス２のバンドＢのＴＤＤ信号を出力する場合には、電力増幅器３１からパワークラス２に対応する送信信号を出力し、当該１つの送信信号は１つのアンテナ２ａから送信される。つまり、バンドＡのＦＤＤ信号を２つの電力増幅器３１および３２から分割出力することで、パワークラス２のＦＤＤ信号を伝送する場合の放熱性を向上できる。また、電力増幅器３１および３２の電力付加効率を向上でき、電力増幅器３１および３２ならびにフィルタ１１および１２から発生するノイズを低減できる。

　［１．７　変形例３に係る高周波回路１Ｃの回路構成］
　次に、変形例３に係る高周波回路１Ｃの回路構成について、図５Ａを参照しながら説明する。

　図５Ａは、実施の形態の変形例３に係る高周波回路１Ｃの回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ｃは、フィルタ１１、１２および２１と、電力増幅器３１および３２と、スイッチ５２、５３および５４と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、高周波入力端子１１１および１１２と、第１基板６１および第２基板６２と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｃは、変形例２に係る高周波回路１Ｂと比較して、第１基板６１および第２基板６２を備える点が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｃについて、変形例２に係る高周波回路１Ｂと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　第１基板６１および第２基板６２のそれぞれは、高周波回路１Ｃを構成する回路部品を実装する基板である。第１基板６１および第２基板６２としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Low Temperature Co-fired Ceramics:ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（High Temperature Co-fired Ceramics:ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Redistribution Layer：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。

　本変形例に係る高周波回路１Ｃにおいて、電力増幅器３１、スイッチ５２、５３および５４、フィルタ１２および２１は、第１基板６１に配置され、電力増幅器３２およびフィルタ１１は、第２基板６２に配置されている。

　これによれば、電力増幅器３１と電力増幅器３２とが別基板に配置され、フィルタ１１とフィルタ１２とが別基板に配置されるので、高周波回路１Ｃの放熱性が向上し、また、フィルタ１１および１２の特性劣化を抑制できる。

　［１．８　変形例４に係る高周波回路１Ｄの回路構成］
　次に、変形例４に係る高周波回路１Ｄの回路構成について、図５Ｂを参照しながら説明する。

　図５Ｂは、実施の形態の変形例４に係る高周波回路１Ｄの回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ｄは、フィルタ１１、１２および２１と、電力増幅器３１および３２と、スイッチ５２、５３および５５と、アンテナ接続端子１００と、高周波入力端子１１１および１１２と、第１基板６１および第２基板６２と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｄは、変形例３に係る高周波回路１Ｃと比較して、スイッチ５５の接続構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｄについて、変形例３に係る高周波回路１Ｃと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　アンテナ接続端子１００は、第１アンテナ接続端子の一例であり、アンテナ２ａ（第１アンテナ）に接続される。

　スイッチ５５は、第２スイッチの一例であり、アンテナ接続端子１００とフィルタ１２および２１との間に接続されている。具体的には、スイッチ５５は、共通端子５５ａ（第２共通端子）、選択端子５５ｂ（第３選択端子）および５５ｃ（第４選択端子）を有する。共通端子５５ａはアンテナ接続端子１００に接続され、選択端子５５ｂはフィルタ１２の出力端に接続され、選択端子５５ｃはフィルタ２１の出力端に接続されている。この接続構成により、スイッチ５５は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、アンテナ接続端子１００とフィルタ１２との接続、および、アンテナ接続端子１００とフィルタ２１との接続を切り替える。

　また、フィルタ１１の出力端はアンテナ２ａと異なるアンテナ２ｂ（第２アンテナ）に接続されている。

　本変形例に係る高周波回路１Ｄにおいて、電力増幅器３１、スイッチ５２、５３および５５、フィルタ１２および２１は、第１基板６１に配置され、電力増幅器３２およびフィルタ１１は、第２基板６２に配置されている。

　これによれば、電力増幅器３１と電力増幅器３２とが別基板に配置され、フィルタ１１とフィルタ１２とが別基板に配置されるので、高周波回路１Ｄの放熱性が向上し、また、フィルタ１１および１２の特性劣化を抑制できる。

　［１．９　変形例５に係る高周波回路１Ｇの回路構成］
　次に、３つの電力増幅器と３つのアンテナとを利用した、変形例５に係る高周波回路１Ｇの回路構成について、図５Ｃを参照しながら説明する。

　図５Ｃは、実施の形態の変形例５に係る高周波回路１Ｇの回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ｇは、フィルタ１１、１２、２１および２２と、電力増幅器３１、３２および３５と、スイッチ５２、５３および５４と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、高周波入力端子１１１、１１２および１１３と、第１基板６１および第２基板６２と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｇは、変形例４に係る高周波回路１Ｄと比較して、バンドＣを含む通過帯域を有するフィルタ２２が付加されている点、および、スイッチ５４の構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｇについて、変形例４に係る高周波回路１Ｄと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　高周波入力端子１１１、１１２および１１３は、それぞれ、高周波回路１Ｇの外部（ＲＦＩＣ３）から送信信号を受けるための端子である。

　フィルタ２１は、第３フィルタの一例であり、パワークラス２に対応し、ＴＤＤ用のバンドＢを含む通過帯域を有する。フィルタ２１は、スイッチ５２および５３を介して電力増幅器３１に接続されている。

　フィルタ２２は、バンドＡおよびバンドＢと異なるＦＤＤ用のバンドＣのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ２２は、電力増幅器３５に接続されている。なお、フィルタ２２は、ＴＤＤ用のバンドＣを含む通過帯域を有していてもよい。

　電力増幅器３５は、高周波入力端子１１３から入力されたバンドＣの送信信号を増幅可能である。電力増幅器３５は、高周波入力端子１１３とフィルタ２２との間に接続されている。

　スイッチ５４は、アンテナ接続端子１０１および１０２とフィルタ１２、２１および２２との間に接続されている。具体的には、スイッチ５４は、共通端子５４ａ、共通端子５４ｂ、選択端子５４ｃ、５４ｄおよび５４ｅを有する。共通端子５４ａはアンテナ接続端子１０２に接続され、共通端子５４ｂはアンテナ接続端子１０１に接続され、選択端子５４ｃはフィルタ１２の出力端に接続され、選択端子５４ｄはフィルタ２１の出力端に接続され、選択端子５４ｅはフィルタ２２の出力端に接続されている。この接続構成により、スイッチ５４は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、アンテナ接続端子１０２とフィルタ１２との接続およびアンテナ接続端子１０２とフィルタ２１との接続を切り替え、アンテナ接続端子１０１とフィルタ２２との接続および非接続を切り替える。

　本変形例に係る高周波回路１Ｇにおいて、電力増幅器３１および３５、スイッチ５２、５３および５４、フィルタ１２、２１および２２は、第１基板６１に配置され、電力増幅器３２およびフィルタ１１は、第２基板６２に配置されている。

　上記構成によれば、パワークラス２のバンドＡのＦＤＤ信号とバンドＣのＦＤＤ（またはＴＤＤ）信号とを同時に出力する場合（２アップリンク）には、共通端子５４ａと選択端子５４ｃとが接続され、共通端子５４ｂと選択端子５４ｅとが接続される。これにより、電力増幅器３１および３２のそれぞれからパワークラス３に対応するバンドＡの送信信号が出力され、当該２つの送信信号は２つのアンテナ２ｂおよび２ｃから送信される。これと同時に、電力増幅器３５からバンドＣの送信信号が出力され、当該送信信号はアンテナ２ａから送信される。

　また、パワークラス３のバンドＡのＦＤＤ信号とバンドＢのＴＤＤ信号とバンドＣのＦＤＤ（またはＴＤＤ）信号とを同時に出力する場合（３アップリンク）には、共通端子５４ａと選択端子５４ｄとが接続され、共通端子５４ｂと選択端子５４ｅとが接続される。これにより、電力増幅器３２からパワークラス３に対応するバンドＡの送信信号が出力され、当該送信信号はアンテナ２ｃから送信される。これと同時に、電力増幅器３１からバンドＢの送信信号が出力され、当該送信信号はアンテナ２ｂから送信される。さらにこれらと同時に、電力増幅器３５からバンドＣの送信信号が出力され、当該送信信号はアンテナ２ａから送信される。本変形例に係る高周波モジュール１Ｇによれば、バンドＡのＦＤＤ信号を２つの電力増幅器３１および３２から分割出力することで、パワークラス２のＦＤＤ信号を伝送する場合の放熱性を向上できる。また、電力増幅器３１および３２の電力付加効率を向上でき、電力増幅器３１および３２ならびにフィルタ１１および１２から発生するノイズを低減できる。

　［１．１０　変形例６に係る高周波回路１Ｅの回路構成］
　次に、変形例６に係る高周波回路１Ｅの回路構成について、図６を参照しながら説明する。

　図６は、実施の形態の変形例６に係る高周波回路１Ｅの回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ｅは、フィルタ１１、１２、１３および２１と、電力増幅器３１および３２と、低雑音増幅器３３と、スイッチ５２、５３、５４および５６と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、高周波入力端子１１１および１１２と、高周波出力端子１２０と、第１基板６１および第２基板６２と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｅは、変形例３に係る高周波回路１Ｃと比較して、フィルタ１３、低雑音増幅器３３およびスイッチ５６が付加されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｅについて、変形例３に係る高周波回路１Ｃと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　高周波出力端子１２０は、高周波回路１Ｅの外部（ＲＦＩＣ３）に、ＦＤＤ用のバンドＡの受信信号およびＴＤＤ用のバンドのＢの受信信号を供給するための出力端子である。

　フィルタ１３は、第４フィルタの一例であり、ＦＤＤ用のバンドＡのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１３の入力端は、フィルタ１２の出力端および選択端子５４ｄに接続され、フィルタ１３の出力端は、スイッチ５６を介して低雑音増幅器３３の入力端子に接続されている。フィルタ１２および１３は、バンドＡ用のデュプレクサを構成している。

　低雑音増幅器３３は、アンテナ接続端子１０１から入力されたバンドＡおよびバンドＢの受信信号を増幅可能である。低雑音増幅器３３は、高周波出力端子１２０とスイッチ５６との間に接続されている。

　スイッチ５６は、フィルタ１３および２１と低雑音増幅器３３との間に接続されている。具体的には、スイッチ５６は、共通端子５６ａ、選択端子５６ｂおよび５６ｃを有する。共通端子５６ａは低雑音増幅器３３の入力端子に接続され、選択端子５６ｂはフィルタ１３の出力端に接続され、選択端子５６ｃはスイッチ５３を介してフィルタ２１の出力端に接続されている。この接続構成により、スイッチ５６は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、低雑音増幅器３３とフィルタ１３との接続、および、低雑音増幅器３３とフィルタ２１との接続を切り替える。

　本変形例に係る高周波回路１Ｅにおいて、電力増幅器３１、低雑音増幅器３３、スイッチ５２、５３、５４および５６、フィルタ１２、１３および２１は、第１基板６１に配置され、電力増幅器３２およびフィルタ１１は、第２基板６２に配置されている。なお、バンドＡのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタは、第２基板には配置されていない。

　これによれば、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を単独で伝送することが困難なフィルタ１１および１２について、それぞれ、パワークラス３の送信信号（例えば２３ｄＢｍ）を伝送させるので、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を、フィルタ１１および１２の通過特性を劣化させることなく伝送することが可能となる。

　また、バンドＡのＦＤＤ信号を２つの電力増幅器３１および３２から分割出力することで、パワークラス２のＦＤＤ信号を伝送する場合の放熱性を向上でき、また、電力増幅器３１および３２の電力付加効率を向上でき、フィルタ１１および１２ならびに電力増幅器３１および３２から発生するノイズを低減できる。さらに、上記ノイズを低減できるため、低雑音増幅器３３が配置された受信経路におけるバンドＡの受信信号の受信感度を向上できる。

　また、電力増幅器３１と電力増幅器３２とが別基板に配置され、フィルタ１１とフィルタ１２とが別基板に配置されるので、高周波回路１Ｅの放熱性が向上し、また、フィルタ１１および１２の特性劣化を抑制できる。さらに、フィルタ１１および１２のうちのフィルタ１２のみがフィルタ１３とバンドＡのデュプレクサを構成するので、フィルタ員数を削減できる。

　なお、本変形例に係る高周波回路１Ｅにおいて、低雑音増幅器３３およびスイッチ５６はなくてもよい。

　［１．１１　変形例７に係る高周波回路１Ｆの回路構成］
　次に、変形例７に係る高周波回路１Ｆの回路構成について、図７を参照しながら説明する。

　図７は、実施の形態の変形例７に係る高周波回路１Ｆの回路構成図である。同図に示すように、高周波回路１Ｆは、フィルタ１１、１２、１４および２１と、電力増幅器３１および３２と、低雑音増幅器３４と、スイッチ５２、５３および５４と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、高周波入力端子１１１および１１２と、高周波出力端子１３０と、第１基板６１および第２基板６２と、を備える。本変形例に係る高周波回路１Ｆは、変形例３に係る高周波回路１Ｃと比較して、フィルタ１４および低雑音増幅器３４が付加されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波回路１Ｆについて、変形例３に係る高周波回路１Ｃと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　高周波出力端子１３０は、高周波回路１Ｆの外部（ＲＦＩＣ３）に、ＦＤＤ用のバンドＡの受信信号を供給するための出力端子である。

　フィルタ１４は、第５フィルタの一例であり、ＦＤＤ用のバンドＡのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。フィルタ１４の入力端は、フィルタ１１の出力端および選択端子５４ｃに接続され、フィルタ１４の出力端は低雑音増幅器３４の入力端子に接続されている。フィルタ１１および１４は、バンドＡ用のデュプレクサを構成している。なお、フィルタ１４は、バンドＡのダウンリンク動作バンドを通過帯域として含まなくてもよく、バンドＡ以外のダウンリンク動作バンドを通過帯域として含むフィルタであってもよい。

　低雑音増幅器３４は、アンテナ接続端子１０２から入力されたバンドＡの受信信号を増幅可能である。低雑音増幅器３４は、高周波出力端子１３０とフィルタ１４との間に接続されている。

　本変形例に係る高周波回路１Ｆにおいて、電力増幅器３１、スイッチ５２、５３および５４、フィルタ１２および２１は、第１基板６１に配置され、電力増幅器３２、低雑音増幅器３４、フィルタ１１および１４は、第２基板６２に配置されている。

　また、バンドＡのＦＤＤ信号を２つの電力増幅器３１および３２から分割出力することで、パワークラス２のＦＤＤ信号を伝送する場合の放熱性を向上でき、また、電力増幅器３１および３２の電力付加効率を向上でき、フィルタ１１および１２ならびに電力増幅器３１および３２から発生するノイズを低減できる。

　また、電力増幅器３１と電力増幅器３２とが別基板に配置され、フィルタ１１とフィルタ１２とが別基板に配置されるので、高周波回路１Ｆの放熱性が向上し、また、フィルタ１１および１２の特性劣化を抑制できる。また、フィルタ１４および低雑音増幅器３４は、フィルタ１２および２１が配置されていない第２基板６２に配置されるので、高周波回路１Ｆの放熱性が向上し、フィルタ１４および低雑音増幅器３４が配置された受信経路におけるバンドＡの受信感度の劣化を抑制できる。

　なお、本発明に係る高周波回路は、変形例３に係る高周波回路１Ｃ、変形例６に係る高周波回路１Ｅ、および変形例７に係る高周波回路１Ｆにおいて、第１基板６１および第１基板６１に配置された回路部品のみを備えてもよい。

　つまり、本発明に係る高周波回路は、第１基板６１と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、パワークラス２に対応する電力増幅器３１と、電力増幅器３１とアンテナ接続端子１０１との間に接続され、パワークラス３に対応し、ＦＤＤ用のバンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ１２と、電力増幅器３１とアンテナ接続端子１０２との間に接続され、パワークラス２に対応し、ＴＤＤ用のバンドＢを含む通過帯域を有するフィルタ２１と、スイッチ５２と、スイッチ５４と、を備えてもよい。ここで、電力増幅器３１の出力端子は共通端子５２ａに接続され、選択端子５２ｂはフィルタ１２の入力端に接続され、選択端子５２ｃはフィルタ２１の入力端に接続され、共通端子５４ｂはアンテナ接続端子１０１に接続され、共通端子５４ａはアンテナ接続端子１０２に接続され、選択端子５４ｄはフィルタ１２の出力端に接続され、選択端子５４ｅはフィルタ２１の出力端に接続される。電力増幅器３１、スイッチ５２および５４、ならびにフィルタ１２および２１は第１基板６１に配置されている。このとき、パワークラス２に対応したバンドＡの送信信号を出力する場合には、電力増幅器３１と異なる電力増幅器３２からパワークラス３に対応したバンドＡのアップリンク動作バンドの送信信号が選択端子５４ｃに入力されているときに、電力増幅器３１からパワークラス３に対応したバンドＡのアップリンク動作バンドの送信信号をフィルタ１２に出力する。一方、パワークラス２に対応したバンドＢの送信信号を出力する場合には、電力増幅器３１からバンドＢの送信信号をフィルタ２１に出力する。

　これによれば、パワークラス２のＴＤＤ用の送信信号をフィルタ２１で伝送することが可能となる。一方、パワークラス２のＴＤＤ用の送信信号に対してパワークラス２のＦＤＤ用の送信信号は、時分割でなく連続的に伝送されるため電力密度が高く、フィルタ１１または１２単独で当該送信信号を伝送する場合には、当該フィルタが高温状態となり耐電力性が臨界状態となる。このため、フィルタ１２の通過特性が劣化することが懸念される。これに対して、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を単独で伝送することが困難なフィルタ１２について、フィルタ１１とともに、パワークラス３の送信信号（例えば２３ｄＢｍ）を伝送させるので、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を、フィルタ１２の通過特性を劣化させることなく伝送することが可能となる。

　［２　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波回路１は、アンテナ接続端子１００と、パワークラス２に対応する電力増幅器３０と、電力増幅器３０とアンテナ接続端子１００との間に接続され、パワークラス３に対応し、ＦＤＤ用のバンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ１２と、電力増幅器３０とアンテナ接続端子１００との間に接続され、パワークラス３に対応し、バンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ１１と、電力増幅器３０とアンテナ接続端子１００との間に接続され、パワークラス２に対応し、ＴＤＤ用のバンドＢを含む通過帯域を有するフィルタ２１と、を備え、パワークラス２に対応したバンドＡの送信信号をアンテナ接続端子１００から出力する場合には、電力増幅器３０からバンドＡの送信信号をフィルタ１１および１２に分配出力し、パワークラス２に対応したバンドＢの送信信号をアンテナ接続端子１００から出力する場合には、電力増幅器３０からバンドＢの送信信号をフィルタ２１に出力する。

　これによれば、パワークラス２のＴＤＤ用の送信信号をフィルタ２１で伝送することが可能となる。一方、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号は、時分割でなく連続的に伝送されるため電力密度が高く、フィルタ１１または１２単独で当該送信信号を伝送する場合には、当該フィルタが高温状態となり耐電力性が臨界状態となる。このため、フィルタ１１または１２の通過特性が劣化することが懸念される。これに対して、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を単独で伝送することが困難なフィルタ１１および１２について、それぞれ、パワークラス３の送信信号（例えば２３ｄＢｍ）を伝送させるので、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を、フィルタ通過特性を劣化させることなく伝送することが可能となる。よって、従来よりも高い最大出力パワーを許容するパワークラスがＦＤＤ用バンドに適用された場合に、伝送特性の劣化が抑制された高周波回路１を提供できる。

　また例えば、高周波回路１は、さらに、端子４１ａ、４１ｂおよび４１ｃを有し、端子４１ａに入力された信号を分配して端子４１ｂおよび４１ｃから出力する分配回路４１と、端子４２ａ、４２ｂおよび４２ｃを有し、端子４２ｂおよび４２ｃに入力された信号を合成して端子４２ａから出力する合成回路４２と、を備え、端子４１ａは電力増幅器３０の出力端子に接続され、端子４１ｂはフィルタ１１の入力端に接続され、端子４１ｃはフィルタ１２の入力端に接続され、端子４２ｂはフィルタ１１の出力端に接続され、端子４２ｃはフィルタ１２の出力端に接続され、端子４２ａはアンテナ接続端子１００に接続されてもよい。

　これによれば、バンドＡを伝送する送信回路を簡素化できる。

　また例えば、高周波回路１は、さらに、共通端子５２ａ、選択端子５２ｂおよび５２ｃを有し、共通端子５２ａと選択端子５２ｂとの接続、および、共通端子５２ａと選択端子５２ｃとの接続を切り替えるスイッチ５２と、共通端子５１ａ、選択端子５１ｂおよび５１ｃを有し、共通端子５１ａと選択端子５１ｂとの接続、および、共通端子５１ａと選択端子５１ｃとの接続を切り替えるスイッチ５１と、を備え、共通端子５２ａは電力増幅器３０の出力端子に接続され、選択端子５２ｂは端子４１ａに接続され、選択端子５２ｃはフィルタ２１の入力端に接続され、共通端子５１ａはアンテナ接続端子１００に接続され、選択端子５１ｂは端子４２ａに接続され、選択端子５１ｃはフィルタ２１の出力端に接続されてもよい。

　これによれば、バンドＡの送信信号とバンドＢの送信信号とを、高アイソレーションで伝送できる。

　また例えば、変形例１に係る高周波回路１Ａは、パワークラス２に対応する電力増幅器３１と、パワークラス３に対応する電力増幅器３２と、フィルタ１１、１２および２１と、スイッチ５２と、スイッチ５１と、合成回路４２と、を備え、電力増幅器３１の出力端子は共通端子５２ａに接続され、電力増幅器３２の出力端子はフィルタ１１の入力端に接続され、選択端子５２ｂはフィルタ１２の入力端に接続され、選択端子５２ｃはフィルタ２１の入力端に接続され、端子４２ｂはフィルタ１１の出力端に接続され、端子４２ｃはフィルタ１２の出力端に接続され、端子４２ａは選択端子５１ｂに接続され、共通端子５１ａはアンテナ接続端子１００に接続され、選択端子５１ｃはフィルタ２１の出力端に接続されてもよい。

　これによれば、パワークラス２のバンドＡのＦＤＤ信号を出力する場合には、電力増幅器３１および３２のそれぞれからパワークラス３に対応する送信信号を出力し、パワークラス２のバンドＢのＴＤＤ信号を出力する場合には、電力増幅器３１からパワークラス２に対応する送信信号を出力できる。つまり、バンドＡのＦＤＤ信号を２つの電力増幅器３１および３２から分割出力することで、パワークラス２のＦＤＤ信号を伝送する場合の放熱性を向上できる。また、電力増幅器３１および３２の電力付加効率を向上でき、電力増幅器３１および３２ならびにフィルタ１１および１２から発生するノイズを低減できる。

　また例えば、変形例２に係る高周波回路１Ｂは、アンテナ接続端子１０１および１０２と、電力増幅器３１および３２と、フィルタ１１、１２および２１と、スイッチ５２と、スイッチ５４と、を備え、電力増幅器３１の出力端子は共通端子５２ａに接続され、電力増幅器３２の出力端子はフィルタ１１の入力端に接続され、選択端子５２ｂはフィルタ１２の入力端に接続され、選択端子５２ｃはフィルタ２１の入力端に接続され、共通端子５４ｂはアンテナ接続端子１０１に接続され、共通端子５４ａはアンテナ接続端子１０２に接続され、選択端子５４ｄはフィルタ１２の出力端に接続され、選択端子５４ｃはフィルタ１１の出力端に接続され、選択端子５４ｅはフィルタ２１の出力端に接続されてもよい。

　これによれば、パワークラス２のバンドＡのＦＤＤ信号を出力する場合には、電力増幅器３１および３２のそれぞれからパワークラス３に対応する送信信号を出力し、２つのアンテナ２ａおよび２ｂから送信される。また、パワークラス２のバンドＢのＴＤＤ信号を出力する場合には、電力増幅器３１からパワークラス２に対応する送信信号を出力し、１つのアンテナ２ａから送信される。つまり、バンドＡのＦＤＤ信号を２つの電力増幅器３１および３２から分割出力することで、パワークラス２のＦＤＤ信号を伝送する場合の放熱性を向上できる。また、電力増幅器３１および３２の電力付加効率を向上でき、電力増幅器３１および３２ならびにフィルタ１１および１２から発生するノイズを低減できる。

　また例えば、変形例３に係る高周波回路１Ｃは、高周波回路１Ｂに対して、さらに、第１基板６１および第２基板６２を備え、電力増幅器３１、スイッチ５２、５４、フィルタ１２および２１は第１基板６１に配置され、電力増幅器３２およびフィルタ１１は第２基板６２に配置されてもよい。

　また例えば、変形例４に係る高周波回路１Ｄは、アンテナ接続端子１００と、電力増幅器３１および３２と、フィルタ１１、１２および２１と、スイッチ５２と、スイッチ５５と、第１基板６１および第２基板６２と、を備え、電力増幅器３１の出力端子は共通端子５２ａに接続され、電力増幅器３２の出力端子はフィルタ１１の入力端に接続され、選択端子５２ｂはフィルタ１２の入力端に接続され、選択端子５２ｃはフィルタ２１の入力端に接続され、共通端子５５ａはアンテナ接続端子１００に接続され、選択端子５５ｂはフィルタ１２の出力端に接続され、選択端子５５ｃはフィルタ２１の出力端に接続され、電力増幅器３１、スイッチ５２および５５、フィルタ１２および２１は第１基板６１に配置され、電力増幅器３２およびフィルタ１１は第２基板６２に配置されてもよい。

　また例えば、変形例６に係る高周波回路１Ｅは、アンテナ接続端子１０１および１０２と、電力増幅器３１および３２と、フィルタ１１、１２および２１と、バンドＡのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ１３と、スイッチ５２と、スイッチ５４と、第１基板６１および第２基板６２と、を備え、電力増幅器３１の出力端子は共通端子５２ａに接続され、電力増幅器３２の出力端子はフィルタ１１の入力端に接続され、選択端子５２ｂはフィルタ１２の入力端に接続され、選択端子５２ｃはフィルタ２１の入力端に接続され、共通端子５４ｂはアンテナ接続端子１０１に接続され、共通端子５４ａはアンテナ接続端子１０２に接続され、選択端子５４ｄはフィルタ１２の出力端およびフィルタ１３の入力端に接続され、選択端子５４ｃはフィルタ１１の出力端に接続され、電力増幅器３１、スイッチ５２および５４、フィルタ１２、１３および２１は第１基板６１に配置され、電力増幅器３２およびフィルタ１１は第２基板６２に配置されてもよい。

　これによれば、バンドＡのＦＤＤ信号を２つの電力増幅器３１および３２から分割出力することで、パワークラス２のＦＤＤ信号を伝送する場合の放熱性を向上でき、また、電力増幅器３１および３２の電力付加効率を向上でき、フィルタ１１および１２ならびに電力増幅器３１および３２から発生するノイズを低減できる。さらに、上記ノイズを低減できるため、低雑音増幅器３３が配置された受信経路におけるバンドＡの受信信号の受信感度を向上できる。また、電力増幅器３１と電力増幅器３２とが別基板に配置され、フィルタ１１とフィルタ１２とが別基板に配置されるので、高周波回路１Ｅの放熱性が向上し、また、フィルタ１１および１２の特性劣化を抑制できる。さらに、フィルタ１１および１２のうちのフィルタ１２のみがフィルタ１３とバンドＡのデュプレクサを構成するので、フィルタ員数を削減できる。

　また例えば、変形例７に係る高周波回路１Ｆは、アンテナ接続端子１０１および１０２と、電力増幅器３１および３２と、フィルタ１１、１２および２１と、ＦＤＤ用のダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有するフィルタ１４と、スイッチ５２と、スイッチ５４と、第１基板６１および第２基板６２と、を備え、電力増幅器３１の出力端子は共通端子５２ａに接続され、電力増幅器３２の出力端子はフィルタ１１の入力端に接続され、選択端子５２ｂはフィルタ１２の入力端に接続され、選択端子５２ｃはフィルタ２１の入力端に接続され、共通端子５４ｂはアンテナ接続端子１０１に接続され、共通端子５４ａはアンテナ接続端子１０２に接続され、選択端子５４ｄはフィルタ１２の出力端に接続され、選択端子５４ｃはフィルタ１１の出力端およびフィルタ１４の入力端に接続され、フィルタ１４の出力端は低雑音増幅器３４の入力端子に接続され、電力増幅器３１、スイッチ５２および５４、フィルタ１２および２１は第１基板６１に配置され、電力増幅器３２、低雑音増幅器３４、フィルタ１１および１４は第２基板６２に配置されてもよい。

　これによれば、電力増幅器３１と電力増幅器３２とが別基板に配置され、フィルタ１１とフィルタ１２とが別基板に配置されるので、高周波回路１Ｆの放熱性が向上し、また、フィルタ１１および１２の特性劣化を抑制できる。また、フィルタ１４および低雑音増幅器３４は、フィルタ１２および２１が配置されていない第２基板６２に配置されるので、高周波回路１Ｆの放熱性が向上し、フィルタ１４および低雑音増幅器３４が配置された受信経路におけるバンドＡの受信感度の劣化を抑制できる。

　また例えば、本発明に係る高周波回路は、第１基板６１と、電力増幅器３１と、フィルタ１２と、フィルタ２１と、アンテナ接続端子１０１および１０２と、スイッチ５２および５４と、を備えてもよい。このとき、パワークラス２に対応したバンドＡの送信信号を出力する場合には、電力増幅器３１と異なる電力増幅器３２からパワークラス３に対応したバンドＡのアップリンク動作バンドの送信信号が選択端子５４ｃに入力されているときに、電力増幅器３１からパワークラス３に対応したバンドＡのアップリンク動作バンドの送信信号をフィルタ１２に出力する。一方、パワークラス２に対応したバンドＢの送信信号を出力する場合には、電力増幅器３１からバンドＢの送信信号をフィルタ２１に出力する。

　これによれば、パワークラス２のＴＤＤ用の送信信号をフィルタ２１で伝送することが可能となる。一方、パワークラス２のＴＤＤ用の送信信号に対してパワークラス２のＦＤＤ用の送信信号は、時分割でなく連続的に伝送されるため電力密度が高く、フィルタ１１または１２単独で当該送信信号を伝送する場合には、当該フィルタが高温状態となり耐電力性が臨界状態となる。このため、フィルタ１２の通過特性が劣化することが懸念される。これに対して、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を単独で伝送することが困難なフィルタ１２について、フィルタ１１とともに、パワークラス３の送信信号を伝送させるので、パワークラス２のＦＤＤ用の送信信号を、フィルタ１２の通過特性を劣化させることなく伝送することが可能となる。

　また、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、ＲＦＩＣ３とアンテナ２との間で高周波信号を伝送する高周波回路１と、を備える。

　これによれば、通信装置５は、高周波回路１の上記効果と同様の効果を奏することができる。

　（その他の実施の形態）
　以上、本発明に係る高周波回路および通信装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明に係る高周波回路および通信装置は、上記実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波回路および通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

　例えば、上記実施の形態および変形例に係る高周波回路および通信装置の回路構成において、図面に表された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されてもよい。

　また、上記実施の形態において、５Ｇ－ＮＲまたはＬＴＥのためのバンドが用いられていたが、５Ｇ－ＮＲまたはＬＴＥに加えてまたは代わりに、他の無線アクセス技術のための通信バンドが用いられてもよい。例えば、無線ローカルエリアネットワークのための通信バンドが用いられてもよい。また例えば、７ギガヘルツ以上のミリ波帯域が用いられてもよい。この場合、高周波回路１と、アンテナ２と、ＲＦＩＣ３とは、ミリ波アンテナモジュールを構成し、フィルタとして、例えば分布定数型フィルタが用いられてもよい。

　本発明は、フロントエンド部に配置される高周波回路として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ　　高周波回路
　２、２ａ、２ｂ、２ｃ　　アンテナ
　３　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　５　　通信装置
　１１、１２、１３、１４、２１、２２　　フィルタ
　３０、３１、３２、３５　　電力増幅器
　３３、３４　　低雑音増幅器
　４１　　分配回路
　４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４２ａ、４２ｂ、４２ｃ　　端子
　４２　　合成回路
　５１、５２、５３、５４、５５、５６　　スイッチ
　５１ａ、５２ａ、５４ａ、５４ｂ、５５ａ、５６ａ　　共通端子
　５１ｂ、５１ｃ、５２ｂ、５２ｃ、５４ｃ、５４ｄ、５４ｅ、５５ｂ、５５ｃ、５６ｂ、５６ｃ　　選択端子
　６１　　第１基板
　６２　　第２基板
　１００、１０１、１０２　　アンテナ接続端子
　１１０、１１１、１１２、１１３　　高周波入力端子
　１２０、１３０　　高周波出力端子
　４１１、４１２、４１３、４２１、４２２、４２３　　インダクタ
　４５１、４５２、４６１、４６２　　１／４波長伝送線路
　４５３、４６３　　抵抗素子
　４７０、４８０　　９０°ハイブリッドカプラ
　４７１、４８１　　終端抵抗

Claims

　アンテナ接続端子と、
　パワークラス２に対応する電力増幅回路と、
　前記電力増幅回路と前記アンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス３に対応し、周波数分割複信用の第１バンドのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、
　前記電力増幅回路と前記アンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス３に対応し、前記第１バンドの前記アップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタと、
　前記電力増幅回路と前記アンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス２に対応し、時分割複信用の第２バンドを含む通過帯域を有する第３フィルタと、を備え、
　パワークラス２に対応した前記第１バンドの送信信号を前記アンテナ接続端子から出力する場合には、前記電力増幅回路から前記第１バンドの送信信号を前記第１フィルタおよび前記第２フィルタに分配出力し、
　パワークラス２に対応した前記第２バンドの送信信号を前記アンテナ接続端子から出力する場合には、前記電力増幅回路から前記第２バンドの送信信号を前記第３フィルタに出力する、
　高周波回路。
　さらに、
　第１端子、第２端子および第３端子を有し、前記第１端子に入力された信号を電力分配して前記第２端子および前記第３端子から出力する分配回路と、
　第４端子、第５端子および第６端子を有し、前記第４端子および前記第５端子に入力された信号を電力合成して前記第６端子から出力する合成回路と、を備え、
　前記第１端子は前記電力増幅回路の出力端子に接続され、前記第２端子は前記第１フィルタの入力端に接続され、前記第３端子は前記第２フィルタの入力端に接続され、
　前記第４端子は前記第１フィルタの出力端に接続され、前記第５端子は前記第２フィルタの出力端に接続され、前記第６端子は前記アンテナ接続端子に接続される、
　請求項１に記載の高周波回路。
　さらに、
　第１共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、前記第１共通端子と前記第１選択端子との接続、および、前記第１共通端子と前記第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチと、
　第２共通端子、第３選択端子および第４選択端子を有し、前記第２共通端子と前記第３選択端子との接続、および、前記第２共通端子と前記第４選択端子との接続を切り替える第２スイッチと、を備え、
　前記第１共通端子は前記電力増幅回路の前記出力端子に接続され、前記第１選択端子は前記第１端子に接続され、前記第２選択端子は前記第３フィルタの入力端に接続され、
　前記第２共通端子は前記アンテナ接続端子に接続され、前記第３選択端子は前記第６端子に接続され、前記第４選択端子は前記第３フィルタの出力端に接続される、
　請求項２に記載の高周波回路。
　さらに、
　第１共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、前記第１共通端子と前記第１選択端子との接続、および、前記第１共通端子と前記第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチと、
　第２共通端子、第３選択端子および第４選択端子を有し、前記第２共通端子と前記第３選択端子との接続、および、前記第２共通端子と前記第４選択端子との接続を切り替える第２スイッチと、
　第４端子、第５端子および第６端子を有し、前記第４端子および前記第５端子に入力された信号を合成して前記第６端子から出力する合成回路と、を備え、
　前記電力増幅回路は、
　パワークラス２に対応する第１増幅器と、
　パワークラス３に対応する第２増幅器と、を有し、
　前記第１増幅器の出力端子は前記第１共通端子に接続され、
　前記第２増幅器の出力端子は前記第２フィルタの入力端に接続され、
　前記第１選択端子は前記第１フィルタの入力端に接続され、前記第２選択端子は前記第３フィルタの入力端に接続され、
　前記第４端子は前記第１フィルタの出力端に接続され、前記第５端子は前記第２フィルタの出力端に接続され、前記第６端子は前記第３選択端子に接続され、
　前記第２共通端子は前記アンテナ接続端子に接続され、前記第４選択端子は前記第３フィルタの出力端に接続される、
　請求項１に記載の高周波回路。
　前記アンテナ接続端子は、第１アンテナ接続端子および第２アンテナ接続端子を含み、
　第１共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、前記第１共通端子と前記第１選択端子との接続、および、前記第１共通端子と前記第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチと、
　第３共通端子、第４共通端子、第５選択端子、第６選択端子および第７選択端子を有し、前記第４共通端子と前記第６選択端子との接続および非接続を切り替え、前記第３共通端子と前記第５選択端子との接続および前記第３共通端子と前記第７選択端子との接続を切り替える第３スイッチと、を備え、
　前記電力増幅回路は、
　パワークラス２に対応する第１増幅器と、
　パワークラス３に対応する第２増幅器と、を有し、
　前記第１増幅器の出力端子は前記第１共通端子に接続され、
　前記第２増幅器の出力端子は前記第２フィルタの入力端に接続され、
　前記第１選択端子は前記第１フィルタの入力端に接続され、前記第２選択端子は前記第３フィルタの入力端に接続され、
　前記第３共通端子は前記第１アンテナ接続端子に接続され、前記第４共通端子は前記第２アンテナ接続端子に接続され、前記第５選択端子は前記第１フィルタの出力端に接続され、前記第６選択端子は前記第２フィルタの出力端に接続され、前記第７選択端子は前記第３フィルタの出力端に接続される、
　請求項１に記載の高周波回路。
　さらに、第１基板および第２基板を備え、
　前記第１増幅器、前記第１スイッチ、前記第３スイッチ、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタは、前記第１基板に配置され、
　前記第２増幅器および前記第２フィルタは、前記第２基板に配置される、
　請求項５に記載の高周波回路。
　さらに、
　第１基板および第２基板と、
　第１共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、前記第１共通端子と前記第１選択端子との接続、および、前記第１共通端子と前記第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチと、
　第２共通端子、第３選択端子および第４選択端子を有し、前記第２共通端子と前記第３選択端子との接続、および、前記第２共通端子と前記第４選択端子との接続を切り替える第２スイッチと、を備え、
　前記電力増幅回路は、
　パワークラス２に対応する第１増幅器と、
　パワークラス３に対応する第２増幅器と、を有し、
　前記第１増幅器の出力端子は前記第１共通端子に接続され、
　前記第２増幅器の出力端子は前記第２フィルタの入力端に接続され、
　前記第１選択端子は前記第１フィルタの入力端に接続され、前記第２選択端子は前記第３フィルタの入力端に接続され、
　前記第２共通端子は前記アンテナ接続端子に接続され、前記第３選択端子は前記第１フィルタの出力端に接続され、前記第４選択端子は前記第３フィルタの出力端に接続され、
　前記第１増幅器、前記第１スイッチ、前記第２スイッチ、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタは、前記第１基板に配置され、
　前記第２増幅器および前記第２フィルタは、前記第２基板に配置される、
　請求項１に記載の高周波回路。
　さらに、
　前記第１バンドのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第４フィルタを備え、
　前記第４フィルタの入力端は、前記第１フィルタの出力端に接続され、
　前記第４フィルタは、前記第１基板に配置される、
　請求項６または７に記載の高周波回路。
　さらに、
　周波数分割複信用のダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第５フィルタと、
　前記第５フィルタの出力端に接続された低雑音増幅器と、を備え、
　前記第５フィルタおよび前記低雑音増幅器は、前記第２基板に配置される、
　請求項６または７に記載の高周波回路。
　第１基板と、
　第１アンテナ接続端子および第２アンテナ接続端子と、
　パワークラス２に対応する第１増幅器と、
　前記第１増幅器と前記第１アンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス３に対応し、周波数分割複信用の第１バンドのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、
　前記第１増幅器と前記第１アンテナ接続端子との間に接続され、パワークラス２に対応し、時分割複信用の第２バンドを含む通過帯域を有する第３フィルタと、
　第１共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有し、前記第１共通端子と前記第１選択端子との接続、および、前記第１共通端子と前記第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチと、
　第３共通端子、第４共通端子、第５選択端子、第６選択端子および第７選択端子を有し、前記第４共通端子と前記第６選択端子との接続および非接続を切り替え、前記第３共通端子と前記第５選択端子との接続および前記第３共通端子と前記第７選択端子との接続を切り替える第３スイッチと、を備え、
　前記第１増幅器の出力端子は前記第１共通端子に接続され、
　前記第１選択端子は前記第１フィルタの入力端に接続され、前記第２選択端子は前記第３フィルタの入力端に接続され、
　前記第３共通端子は前記第１アンテナ接続端子に接続され、前記第４共通端子は前記第２アンテナ接続端子に接続され、前記第５選択端子は前記第１フィルタの出力端に接続され、前記第７選択端子は前記第３フィルタの出力端に接続され、
　前記第１増幅器、前記第１スイッチ、前記第３スイッチ、前記第１フィルタおよび前記第３フィルタは、前記第１基板に配置され、
　パワークラス２に対応した前記第１バンドの送信信号を出力する場合には、前記第１増幅器と異なる第２増幅器からパワークラス３に対応した前記第１バンドの前記アップリンク動作バンドの送信信号が前記第６選択端子に入力されているときに、前記第１増幅器からパワークラス３に対応した前記第１バンドの前記アップリンク動作バンドの送信信号を前記第１フィルタに出力し、
　パワークラス２に対応した前記第２バンドの送信信号を出力する場合には、前記第１増幅器から前記第２バンドの送信信号を前記第３フィルタに出力する、
　高周波回路。
　高周波信号を処理する信号処理回路と、
　前記信号処理回路とアンテナとの間で前記高周波信号を伝送する請求項１～１０のいずれか１項に記載の高周波回路と、備える、
　通信装置。