WO2023008209A1 - 基板支持器及び基板処理装置 - Google Patents

基板支持器及び基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2023008209A1
WO2023008209A1 PCT/JP2022/027680 JP2022027680W WO2023008209A1 WO 2023008209 A1 WO2023008209 A1 WO 2023008209A1 JP 2022027680 W JP2022027680 W JP 2022027680W WO 2023008209 A1 WO2023008209 A1 WO 2023008209A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
dielectric
substrate
insulating material
electrode
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/027680
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
晃 永山
淳史 川端
将歩 高山
晃士 河西
健司 赤尾
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Priority to JP2023538428A priority Critical patent/JPWO2023008209A1/ja
Priority to KR1020247005369A priority patent/KR20240036060A/ko
Priority to CN202280050917.5A priority patent/CN117678062A/zh
Publication of WO2023008209A1 publication Critical patent/WO2023008209A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

基板支持器は、基台と、前記基台の上部に配置され、基板を載置する第１の誘電体部と、前記第１の誘電体部を囲むように配置され、エッジリングを載置する第２の誘電体部と、を備え、前記第１の誘電体部と前記第２の誘電体部の少なくともいずれか一方は、絶縁性材料による溶射層を備える。基板処理装置は、プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバの内部に設けられた前記基板支持器と、を備える。

Description

基板支持器及び基板処理装置
　本開示は、基板支持器及び基板処理装置に関する。
　特許文献１には、基板を保持する静電チャックが開示されている。静電チャックは誘電体部を有し、誘電体部の内部には静電引力を発生させるための電極が設けられている。
特開２０２１－４４５４０号公報
　本開示にかかる技術は、基板支持器の製作期間を短縮しつつ、製作コストを低廉化する。
　本開示の一態様の基板支持器は、基台と、前記基台の上部に配置され、基板を載置する第１の誘電体部と、前記第１の誘電体部を囲むように配置され、エッジリングを載置する第２の誘電体部と、を備え、前記第１の誘電体部と前記第２の誘電体部の少なくともいずれか一方は、絶縁性材料による溶射層を備える。
　本開示によれば、基板支持器の製作期間を短縮しつつ、製作コストを低廉化することができる。
プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。 種々の実施形態を実装し得るコンピュータのブロック図である。 容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。 第１の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。 第２の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。 第３の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。 第４の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。 第５の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。 第６の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。 第７の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。 第８の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。 第９の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。 第９の実施形態において含侵部の形成方法を示す説明図である。 第１０の実施形態にかかる給電端子の構成の概略を示す断面図である。 第１０の実施形態にかかる給電端子の構成の概略を示す断面図である。 第１０の実施形態にかかる給電端子の構成の概略を示す断面図である。 第１１の実施形態にかかる基板支持部の静電チャックの構成の概略を示す平面図である。 第１１の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。 第１２の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。 第１３の実施形態にかかるヒータ電極の構成の概略を示す平面図である。
　半導体デバイスの製造工程では、例えばプラズマ処理装置において半導体基板（以下、「基板」という）にプラズマ処理が行われる。プラズマ処理装置では、チャンバの内部で処理ガスを励起させることによりプラズマを生成し、当該プラズマによって、静電チャックに支持された基板を処理する。
　静電チャックは、例えば特許文献１に開示されたように、内部に静電引力発生用の電極を備えた誘電体部を有している。誘電体部は、従来、例えば焼結板によって構成されている。しかしながら、誘電体部を焼結板で製作すると、製作期間が長く、また製作コストが高くなる。
　そこで、本開示にかかる技術は、基板支持器の製作期間を短縮しつつ、製作コストを低廉化する。以下、本実施形態にかかる基板処理装置及び基板支持器について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
＜プラズマ処理システム＞
　先ず、一実施形態にかかるプラズマ処理システムについて、図１を参照して説明する。図１は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。
　一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
　プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ　ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ　Ｗａｖｅ　Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｗａｖｅ　Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ　Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ　Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。
　制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ　Ａｒｅａ　Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。
＜制御部又は制御回路＞
　図２は、本明細書に記載された種々の実施形態を実装し得る制御部又は制御回路（例えば、コンピュータ）のブロック図である。図２の制御部又は制御回路は、上記制御部２に相当する。本開示の制御態様は、システム、方法、及び／又はコンピュータプログラム製品として具現化され得る。コンピュータプログラム製品は、コンピュータ読み取り可能なプログラム命令が記録されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を含み、１つ以上のプロセッサが実施形態の態様を実行する可能性がある。さらに図２の制御部は、本開示のプラズマ処理装置によって実行される処理を制御し得る。
　コンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、命令実行装置（プロセッサ）による使用命令を記憶できる有形装置であってもよい。コンピュータ読み取り可能な記憶媒体としては、例えば電子記憶装置、磁気記憶装置、光記憶装置、電磁記憶装置、半導体記憶装置、又はこれらの装置の任意の適切な組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。コンピュータ読み取り可能な記憶媒体（及び適切な組み合わせ）のより具体的な例の非網羅的なリストには、次の各々が含まれる：フレキシブルディスク、ハードディスク、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、プログラム可能な読み取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭ又はフラッシュ）、静的ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）、コンパクトディスク（ＣＤ又はＣＤ－ＲＯＭ）、デジタル汎用ディスク（ＤＶＤ）、メモリカード又はスティック。本開示で用いられているコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、電波や他の自由に伝播する電磁波、導波路やその他の伝送媒体（例えば、光ファイバケーブルを通過する光パルス）を介して伝播する電磁波、又は電線を通る電気信号など、それ自身が一時的な信号であると解釈されるべきではない。
　本開示に記載されたコンピュータ読み取り可能なプログラム命令は、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体から、又はグローバルネットワーク（すなわち、インターネット）、ローカルエリアネットワーク、広域ネットワーク及び／又は無線ネットワークを介して外部コンピュータ又は外部記憶装置に適切なコンピューティングデバイス又は処理デバイスにダウンロードすることができる。ネットワークには、銅線、光通信ファイバ、無線伝送、ルーター、ファイアウォール、スイッチ、ゲートウェイコンピュータ、エッジサーバが含まれる場合がある。各コンピューティングデバイス又は処理デバイスのネットワークアダプタカード又はネットワークインターフェースは、コンピュータ読み取り可能なプログラム命令をネットワークから受信し、コンピュータ読み取り可能なプログラム命令を、コンピューティングデバイス又は処理デバイス内のコンピュータの読み取り可能な記憶媒体に格納するために転送してもよい。
　本開示の操作を実行するためのコンピュータ読み取り可能なプログラム命令は、機械語命令及び／又はマイクロコードを含み、アセンブリ言語、Ｂａｓｉｃ、Ｆｏｒｔｒａｎ、Ｊａｖａ、Ｐｙｔｈｏｎ、Ｒ、Ｃ、Ｃ＋＋、Ｃ＃又は同様のプログラミング言語を含む１つ以上のプログラミング言語の任意の組み合わせで記述されたソースコードからコンパイル又はインタープリットすることができる。コンピュータの読み取り可能なプログラム命令は、ユーザのパーソナルコンピュータ、ノートブックコンピュータ、タブレット、又はスマートフォン上で完全に実行されてもよいし、リモートコンピュータ又はコンピュータサーバ上で、又はこれらのコンピューティングデバイスの任意の組み合わせで完全に実行されてもよい。リモートコンピュータ又はコンピュータサーバは、ローカルエリアネットワークやワイドエリアネットワーク、又はグローバルネットワーク（インターネット）を含むコンピュータネットワークを介して、ユーザのデバイス又はデバイスに接続することができる。いくつかの実施形態では、電子回路は、例えば、プログラマブル論理回路、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、又はプログラマブルロジックアレイ（ＰＬＡ）を含む、コンピュータ読み取り可能なプログラム命令からの情報を使用してコンピュータ読み取り可能なプログラム命令を実行して電子回路を構成又はカスタマイズし、本開示の態様を実行する。
　本開示の態様は、開示の実施形態にかかる方法のフロー図及びブロック図、装置（システム）、及びコンピュータプログラム製品を参照して説明する。フロー図とブロック図の各ブロック、及びフロー図及びブロック図におけるブロックの組み合わせは、コンピュータ読み取り可能なプログラム命令によって実現できることを当業者は理解する。
　本開示に記載されたシステム及び方法を実装することができるコンピュータ読み取り可能なプログラム命令は、汎用コンピュータ、特殊目的コンピュータ、又は他のプログラマブル装置の１つ以上のプロセッサ（及び／又はプロセッサ内の１つ以上のコア）に提供され得る。これらのコンピュータ読み取り可能なプログラム命令は、コンピュータ、プログラマブル装置、及び／又は他のデバイスが特定の方法で機能するように指示することができるコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納されてもよく、その場合、その指示を格納しているコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、本開示のフロー図及びブロック図で指定された機能の態様を実装する命令を含む製品である。
　また、コンピュータ読み取り可能なプログラム命令は、コンピュータ、他のプログラム可能な装置、又は他の装置にロードされてもよく、コンピュータ、他のプログラム可能な装置、又は他の装置上で実行される命令が、本開示のフロー図及びブロック図で指定された機能を実装するように、一連の動作ステップを実行させてコンピュータ実装プロセスを生成してもよい。
　図２は、１台又は複数台のネットワーク化されたコンピュータ及びサーバのネットワーク化システム８００を示す機能ブロック図である。一実施形態において、図２に示すハードウェア及びソフトウェア環境は、本開示にかかるソフトウェア及び／又は方法の実装のための例示的なプラットフォームを提供し得る。
　図２に示されるように、ネットワーク化システム８００は、コンピュータ８０５、ネットワーク８１０、リモートコンピュータ８１５、ウェブサーバ８２０、クラウドストレージサーバ８２５及びコンピュータサーバ８３０を含んでいてもよいが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、図２に示す１つ以上の機能ブロックの複数のインスタンスが採用されてもよい。
　コンピュータ８０５の追加詳細を図２に示す。コンピュータ８０５内に示される機能ブロックは、例示的な機能を確立するためにのみ提供され、網羅的であることを意図したものではない。また、リモートコンピュータ８１５、ウェブサーバ８２０、クラウドストレージサーバ８２５及びコンピュータサーバ８３０については詳細が提供されていないが、これらの他のコンピュータ及びデバイスは、コンピュータ８０５に対して示される同様の機能を備えてもよい。
　コンピュータ８０５は、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、ネットブックコンピュータ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、スマートフォン、又はネットワーク８１０上の他のデバイスと通信できる任意の他のプログラマブル電子装置とすることができる。
　コンピュータ８０５は、プロセッサ８３５、バス８３７、メモリ８４０、不揮発性ストレージ８４５、ネットワークインターフェース８５０、周辺インターフェース８５５及びディスプレイインターフェース８６５を含み得る。これらの各機能は、いくつかの実施形態において、個々の電子サブシステム（集積回路チップ又はチップと関連するデバイスの組み合わせ）として、又は、他の実施形態において、ある程度の機能の組み合わせが、単一のチップ（チップオンシステム又はＳｏＣと呼ばれる場合がある）上に実装され得る。
　プロセッサ８３５は、１つ又は複数のシングル又はマルチチップマイクロプロセッサであってもよい。
　バス８３７は、ＩＳＡ、ＰＣＩ、ＰＣＩＥｘｐｒｅｓｓ（ＰＣＩ－ｅ）、ＡＧＰなどの独自の標準の高速パラレル又はシリアルペリフェラルインターコネクトバスとすることができる。
　メモリ８４０及び不揮発性ストレージ８４５は、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体とすることができる。メモリ８４０は、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）及び静的ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）などの任意の適切な揮発性記憶装置を含んでいてもよい。不揮発性ストレージ８４５は、フレキシブルディスク、ハードディスク、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、プログラム可能な読み取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭ又はＦｌａｓｈ）、コンパクトディスク（ＣＤ又はＣＤ－ＲＯＭ）、デジタル汎用ディスク（ＤＶＤ）及びメモリカード又はスティックの１つ以上を含むことができる。
　プログラム８４８は、不揮発性ストレージ８４５に格納され、本開示の他の場所で詳細に説明され、かつ図面に示されている特定のソフトウェア機能を作成、管理、及び制御するために使用される機械読み取り可能な命令及び／又はデータの集合であってもよい。いくつかの実施形態では、メモリ８４０は、不揮発性ストレージ８４５よりもかなり速くてもよい。このような実施形態では、プログラム８４８は、プロセッサ８３５によって実行される前に不揮発性ストレージ８４５からメモリ８４０に転送されてもよい。
　コンピュータ８０５は、ネットワークインターフェース８５０を介してネットワーク８１０を介して他のコンピュータと通信し、対話することができる。ネットワーク８１０は、例えば、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、インターネット等の広域ネットワーク（ＷＡＮ）、又は両者の組み合わせ、有線、無線、又は光ファイバ接続を含んでもよい。一般に、ネットワーク８１０は、２台以上のコンピュータと関連するデバイス間の通信をサポートする接続及びプロトコルの任意の組み合わせであり得る。
　周辺インターフェース８５５は、コンピュータ８０５とローカルに接続されてもよい他の装置とのデータの入出力を可能にし得る。例えば、周辺インターフェース８５５は、外部デバイス８６０への接続を提供することができる。外部デバイス８６０は、キーボード、マウス、キーパッド、タッチスクリーン、及び／又は他の適切な入力デバイスなどのデバイスを含んでいてもよい。外部デバイス８６０はまた、例えばサムドライブ、ポータブル光ディスク又は磁気ディスク、及びメモリカードのようなポータブルコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を含むことができる。本開示の実施形態に用いるソフトウェア及びデータは、例えば、プログラム８４８、携帯型コンピュータ読み取り可能な記憶媒体などに記憶され得る。このような実施形態では、ソフトウェアは、不揮発性ストレージ８４５にロードされるか、あるいは、代わりに、周辺インターフェース８５５を介してメモリ８４０に直接ロードされ得る。周辺インターフェース８５５は、ＲＳ－２３２やユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）などの業界標準接続を使用して外部デバイス８６０と接続することができる。
　ディスプレイインターフェース８６５は、コンピュータ８０５をディスプレイ８７０に接続してもよい。ディスプレイ８７０は、いくつかの実施形態において、コンピュータ８０５のユーザにコマンドライン又はグラフィカルユーザインタフェースを提示するために使用され得る。ディスプレイインターフェース８６５は、１つ以上の独自仕様の接続、又はＶＧＡ、ＤＶＩ、ディスプレイポート、ＨＤＭＩ（登録商標）などの業界標準接続を使用してディスプレイ８７０に接続することができる。
　上述したように、ネットワークインターフェース８５０は、コンピュータ８０５外部の他のコンピューティングシステム及びストレージシステム又はデバイスとの通信を提供する。本明細書で説明するソフトウェアプログラム及びデータは、例えば、リモートコンピュータ８１５、ウェブサーバ８２０、クラウドストレージサーバ８２５及びコンピュータサーバ８３０から、ネットワークインターフェース８５０及びネットワーク８１０を介して不揮発性ストレージ８４５にダウンロードされ得る。さらに、本開示に記載されたシステム及び方法は、ネットワークインターフェース８５０及びネットワーク８１０を介してコンピュータ８０５に接続された１台以上のコンピュータによって実行され得る。例えば、いくつかの実施形態では、本開示に記載されたシステム及び方法は、リモートコンピュータ８１５、コンピュータサーバ８３０、又はネットワーク８１０上の相互接続されたコンピュータの組み合わせによって実行され得る。
　データ、データセット及び／又は本開示に記載されたシステム及び方法の実施の実施例で用いられたデータベースは、リモートコンピュータ８１５、ウェブサーバ８２０、クラウドストレージサーバ８２５及びコンピュータサーバ８３０から保存又はダウンロードされ得る。
＜プラズマ処理装置＞
　以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図３は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
　容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持器の一例としての基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
　基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
　一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、例えばアルミニウム等の導電性部材を含み、略円盤形状を有している。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、第１の誘電体部１１１１ａと第２の誘電体部１１１１ｂとを含む。一実施形態において、第１の誘電体部１１１１ａは、中央領域１１１ａを有し、基板Ｗを載置する。第２の誘電体部１１１１ｂは、環状領域１１１ｂを有し、リングアセンブリ１１２を載置する。第２の誘電体部１１１１ｂは、第１の誘電体部１１１１ａを囲むように配置される。
　なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が静電チャック１１１１内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電チャック１１１１内の電極が下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。
　リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。なお、カバーリングは省略されてもよい。
　また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ｃ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ｃには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ｃが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
　シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ　Ｇａｓ　Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
　ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。
　電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
　一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。
　第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
　また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。
　種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ、３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
　排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
＜基板支持部＞
　次に、上述した基板支持部１１の構成について、複数の実施形態を例示して説明する。
＜第１の実施形態＞
　図４は、第１の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。なお、第１の実施形態は第１の誘電体部１１１１ａの構成に特徴を有し、図４の例においては第２の誘電体部１１１１ｂの図示を省略する。
　第１の誘電体部１１１１ａは、溶射層２００と焼結層２０１を備える。溶射層２００は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム、アルミナ）等のセラミックを溶射することで形成される。焼結層２０１は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックの焼結板で形成される。焼結層２０１は溶射層２００の上部に配置され、焼結層２０１の上面は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａ（基板支持面）を構成する。
　溶射層２００の内部には、基板Ｗの温度を調節するためのヒータ電極２０２が設けられている。ヒータ電極２０２は、導電性材料、例えば金属を溶射することで形成される。焼結層２０１の内部には、基板Ｗを吸着するための静電電極２０３が設けられている。静電電極２０３は、導電性材料、例えば金属を焼結して形成される。
　なお、ヒータ電極２０２と静電電極２０３の配置は本実施形態に限定されない。例えば、ヒータ電極２０２は、溶射層２００と焼結層２０１との界面に配置されてもよい。また、ヒータ電極２０２と静電電極２０３はそれぞれ、分割されていてもよい。さらに、第１の誘電体部１１１１ａの内部には、ＤＣ又はＡＣのバイアス電力が供給されるバイアス電極（図示せず）が設けられていてもよい。
　第１の誘電体部１１１１ａは、接合層２０４を介して基台１１１０の上に配置される。接合層２０４は、溶射層２００と基台１１１０とを接合する接着剤として機能する。接合層２０４は、耐プラズマ性及び耐熱性を有する材料、例えばアクリル系樹脂、シリコン樹脂、エポキシ系樹脂等で形成されている。
　以上のように第１の誘電体部１１１１ａは、溶射層２００と焼結層２０１を備えたハイブリッド構造を有する。
　ここで、溶射層２００は、製作期間が短く、製作コストを低廉化できるという利点を有する。一方、溶射層２００は、ＲＦ電力が大きく、あるいは静電電極２０３に供給される電力が大きい場合、異常放電が発生し、溶射層２００が劣化するおそれがある。また、溶射層２００は、緻密度が低く、プラズマに暴露された際の経時的な表面の変化が生じ易い。従って、焼結層２０１と比較してプラズマ耐性が低く、寿命が焼結層２０１より短くなる。そこで、溶射層２００は、プラズマの非曝露面側に配置する。
　焼結層２０１は、ＲＦ電力が大きく、また静電電極２０３に供給される電力が大きい場合でも用いることができ、高パワー化に対応することができる。しかも、焼結層２０１は、プラズマ耐性が高く寿命が長く、さらに発塵が少ない。一方、焼結層２０１は、製作期間が長く、製作コストが高い。そこで、焼結層２０１は、プラズマの曝露面側のみに配置する。
　本実施形態によれば、第１の誘電体部１１１１ａは、溶射層２００の利点と焼結層２０１の利点を兼ね備える。すなわち、プラズマ曝露面側の焼結層２０１で高パワー化と高寿命化を実現しつつ、非曝露面側の溶射層２００で製作期間（リードタイム）の短縮と製作コストの低廉化を実現することができる。
　また、ヒータ電極２０２を溶射により形成するので、当該ヒータ電極２０２の製作期間を短縮しつつ、製作コストを低廉化することができる。その結果、例えば任意のヒータパターンに合わせて、ヒータ電極２０２を容易に製作することが可能となる。
　なお、本実施形態において、第１の誘電体部１１１１ａを製作する際には、内部に静電電極２０３を備えた焼結層２０１を準備した後、当該焼結層２０１の上に溶射層２００とヒータ電極２０２を溶射により形成する。その後、溶射層２００を、接合層２０４を介して基台１１１０に接合する。この際、接合層２０４は柔軟性の有する接着剤であるため、溶射層２００と基台１１１０を適切に接合することができる。しかも、接合層２０４によって熱抵抗を下げることも可能となる。
　以上のように、基板支持部１１は製作上、接合層２０４を備えるのが好ましい。但し、上述したように、溶射層２００の利点と焼結層２０１の利点を発揮させるという観点化からは、接合層２０４を省略することができる。
＜第２の実施形態＞
　図５は、第２の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。
　第１の誘電体部１１１１ａは、焼結層２１０を備える。焼結層２１０は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックの焼結板で形成される。焼結層２１０の上面は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａ（基板支持面）を構成する。
　焼結層２１０の内部には、基板Ｗを吸着するための第１の静電電極２１１が設けられている。第１の静電電極２１１は、導電性材料、例えば金属を焼結して形成される。なお、第１の静電電極２１１は、分割されていてもよい。また、焼結層２０１の内部には、基板Ｗを加熱するためのヒータ電極（図示せず）や、ＤＣ又はＡＣのバイアス電力が供給されるバイアス電極（図示せず）が設けられていてもよい。
　第１の誘電体部１１１１ａは、接合層２１２を介して基台１１１０の上に配置される。接合層２１２は、第１の実施形態の接合層２０４と同様の材料で形成され、焼結層２１０と基台１１１０とを接合する接着剤として機能する。
　第２の誘電体部１１１１ｂは、第１の誘電体部１１１１ａを囲んでおり、溶射層２２０を備える。溶射層２２０は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックを、基台１１１０の外周部に溶射することで形成される。溶射層２２０の上面は、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂ（リング支持面）を構成する。なお、第１の誘電体部１１１１ａと第２の誘電体部１１１１ｂの配置は本実施形態に限定されない。例えば、第１の誘電体部１１１１ａと第２の誘電体部１１１１ｂの間は、第１の誘電体部１１１１ａと第２の誘電体部１１１１ｂの互いの熱干渉を抑制するために分離されていてもよい。
　溶射層２２０の内部には、リングアセンブリ１１２を吸着するための第２の静電電極２２１が設けられている。第２の静電電極２２１は、導電性材料、例えば金属を溶射することで形成される。なお、第２の静電電極２２１は、分割されていてもよい。また、溶射層２２０の内部には、基板Ｗを加熱するためのヒータ電極（図示せず）や、ＤＣ又はＡＣのバイアス電力が供給されるバイアス電極（図示せず）が設けられていてもよい。
　ここで、リングアセンブリ１１２のエッジリングの温度は、基板Ｗの温度より低い設定値が要求される場合がある。しかし、環状領域１１１ｂのリング支持面の吸着面積は、エッジリングがプラズマに暴露される面積よりも小さい。このため、リングアセンブリ１１２を支持する第２の誘電体部１１１１ｂにおいて、抜熱能力を向上させる必要がある。
　しかしながら、従来、第２の誘電体部は絶縁性材料による焼結層を備え、当該焼結層が接合層を介して基台の上に配置されていたため、接合層による抜熱能力以上の抜熱能力が要求される場合があった。また、抜熱能力を向上させるために、第２の誘電体部の焼結層とエッジリングとの間に伝熱ガス、例えばＨｅガスを供給することも行われるが、かかる場合、エッジリングの下面において異常放電が発生するおそれがある。
　この点、本実施形態では、第２の誘電体部１１１１ｂの溶射層２２０は、接合層を介さずに直接、基台１１１０の上に配置される。このため、抜熱能力を向上させることができる。しかも、第２の誘電体部１１１１ｂを溶射層２２０で構成することによって、製作期間を短縮して、製作コストを低廉化することも可能となる。
＜第３の実施形態＞
　図６は、第３の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。第３の実施形態は、第２の実施形態の変形例である。
　第１の誘電体部１１１１ａは、焼結層２３０を備える。焼結層２３０は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックの焼結板で形成される。焼結層２３０の上面は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａ（基板支持面）を構成する。
　焼結層２３０の内部には、基板Ｗを吸着するための第１の静電電極２３１が設けられている。第１の静電電極２３１は、導電性材料、例えば金属を焼結して形成される。なお、第１の静電電極２３１は、分割されていてもよい。
　第１の誘電体部１１１１ａは、接合層２３２を介して、後述する溶射層２４０の上に配置される。接合層２３２は、第２の実施形態の接合層２１２と同様の材料で形成され、焼結層２３０と後述する溶射層２４０とを接合する接着剤として機能する。
　第２の誘電体部１１１１ｂは、溶射層２４０を備える。溶射層２４０は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックを、基台１１１０の全面に溶射することで形成される。すなわち、溶射層２４０は、第１の誘電体部１１１１ａの下部まで延伸して配置される。溶射層２４０の上面外周部は、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂ（リング支持面）を構成する。
　溶射層２４０の内部外周部には、リングアセンブリ１１２を吸着するための第２の静電電極２４１が設けられている。第２の静電電極２４１は、導電性材料、例えば金属を溶射することで形成される。なお、第２の静電電極２４１は、分割されていてもよい。
　本実施形態においても、第２の実施形態と同様の効果を享受できる。すなわち、第２の誘電体部１１１１ｂの溶射層２４０は、接合層を介さずに直接、基台１１１０の上に配置されるため、抜熱能力を向上させることができる。また、第２の誘電体部１１１１ｂを溶射層２４０で構成することによって、製作期間を短縮して、製作コストを低廉化することも可能となる。
＜第４の実施形態＞
　図７は、第４の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。第４の実施形態は、第１の実施形態と第３の実施形態を組み合わせた例である。
　第１の誘電体部１１１１ａは、第１の溶射層２５０と焼結層２５１を備える。第１の溶射層２５０は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックを溶射することで形成される。焼結層２５１は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックの焼結板で形成される。焼結層２５１は第１の溶射層２５０の上部に配置され、焼結層２５１の上面は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａ（基板支持面）を構成する。
　焼結層２５１の内部には、基板Ｗを吸着するための第１の静電電極２５２が設けられている。第１の静電電極２５２は、導電性材料、例えば金属を焼結して形成される。なお、第１の静電電極２５２は、分割されていてもよい。
　第１の誘電体部１１１１ａは、接合層２５３を介して、後述する第２の溶射層２６０の上に配置される。接合層２５３は、第１の実施形態の接合層２０４と同様の材料で形成され、第１の溶射層２５０と第２の溶射層２６０とを接合する接着剤として機能する。
　第２の誘電体部１１１１ｂは、第２の溶射層２６０を備える。第２の溶射層２６０は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックを、基台１１１０の全面に溶射することで形成される。すなわち、第２の溶射層２６０は、第１の誘電体部１１１１ａの下部まで延伸して配置される。第２の溶射層２６０の上面外周部は、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂ（リング支持面）を構成する。
　第２の溶射層２６０の内部外周部には、リングアセンブリ１１２を吸着するための第２の静電電極２６１が設けられている。第２の静電電極２６１は、導電性材料、例えば金属を溶射することで形成される。なお、第２の静電電極２６１は、分割されていてもよい。
　本実施形態によれば、第１の実施形態の効果と第３の実施形態の効果の両方を享受できる。すなわち、第１の誘電体部１１１１ａにおいて、プラズマ曝露面側の焼結層２５１で高パワー化と高寿命化を実現しつつ、非曝露面側の第１の溶射層２５０で製作期間の短縮と製作コストの低廉化を実現することができる。また、第２の誘電体部１１１１ｂにおいて、第２の溶射層２６０は接合層を介さずに直接、基台１１１０の上に配置されるため、抜熱能力を向上させることができる。さらに、第２の誘電体部１１１１ｂを第２の溶射層２６０で構成することによって、製作期間を短縮して、製作コストを低廉化することも可能となる。
　なお、本実施形態において、第１の溶射層２５０の溶射材料と第２の溶射層２６０の溶射材料は同じであったが、これらの溶射材料は異なっていてもよい。
＜第５の実施形態＞
　図８は、第５の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。
　第１の誘電体部１１１１ａは、第１の溶射層２７０と第１の焼結層２７１を備える。また、第１の溶射層２７０は、積層された複数、例えば２つの第１の溶射層２７０ａ、２７０ｂを含む。上側に配置された第１の上部溶射層２７０ａは、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックを溶射することで形成される。下側に配置された第１の下部溶射層２７０ｂも、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックを溶射することで形成される。第１の焼結層２７１は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックの焼結板で形成される。第１の焼結層２７１は第１の溶射層２７０の上部に配置され、第１の焼結層２７１の上面は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａ（基板支持面）を構成する。
　第１の上部溶射層２７０ａの厚みは、例えば後述する第１のバイアス電極２７２と第１の静電電極２７３との距離に応じて適宜調節される。第１の下部溶射層２７０ｂの厚みは、例えば後述する第１の静電電極２７３と基台１１１０とのとの距離に応じて適宜調節される。
　第１の上部溶射層２７０ａと第１の下部溶射層２７０ｂとの界面には、プラズマ電位を制御するためのＤＣパルスのバイアス電力が供給される第１のバイアス電極２７２が設けられている。第１のバイアス電極２７２は、導電性材料、例えば金属を第１の上部溶射層２７０ａに溶射することで形成される。なお、第１のバイアス電極２７２は、外径寸法及び同軸で形成する。また、第１のバイアス電極２７２は、分割されていてもよい。
　第１の焼結層２７１と第１の上部溶射層２７０ａとの界面には、基板Ｗを吸着するための第１の静電電極２７３が設けられている。第１の静電電極２７３は、導電性材料、例えば金属を第１の焼結層２７１に溶射することで形成される。なお、第１の静電電極２７３は、必要に応じて外形寸法、及び、単極、双極、同軸で形成し、また導通用の電極構造を作成する。また、第１の静電電極２７３は、分割されていてもよい。
　なお、第１のバイアス電極２７２と第１の静電電極２７３の配置は本実施形態に限定されない。例えば、第１の静電電極２７３は、第１の焼結層２７１の内部に設けられていてもよい。かかる場合、第１の静電電極２７３は、導電性材料、例えば金属を焼結して形成される。
　第２の誘電体部１１１１ｂは、第２の溶射層２８０と第２の焼結層２８１を備える。また、第２の溶射層２８０は、積層された複数、例えば２つの第２の溶射層２８０ａ、２８０ｂを含む。上側に配置された第２の上部溶射層２８０ａは、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックを溶射することで形成される。下側に配置された第２の下部溶射層２８０ｂも、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックを溶射することで形成される。第２の焼結層２８１は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックの焼結板で形成される。第２の焼結層２８１は第２の溶射層２８０の上部に配置され、第２の焼結層２８１の上面は、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂ（リング支持面）を構成する。
　第２の上部溶射層２８０ａの厚みは、例えば後述する第２のバイアス電極２８２と第２の静電電極２８３との距離に応じて適宜調節される。第２の下部溶射層２８０ｂの厚みは、例えば後述する第２の静電電極２８３と基台１１１０とのとの距離に応じて適宜調節される。
　第２の上部溶射層２８０ａと第２の下部溶射層２８０ｂとの界面には、ＤＣパルスのバイアス電力が供給される第２のバイアス電極２８２が設けられている。第２のバイアス電極２８２は、導電性材料、例えば金属を第２の上部溶射層２８０ａに溶射することで形成される。なお、第２のバイアス電極２８２は、外径寸法及び同軸で形成する。また、第２のバイアス電極２８２は、分割されていてもよい。
　第２の焼結層２８１と第２の上部溶射層２８０ａとの界面には、基板Ｗを吸着するための第２の静電電極２８３が設けられている。第２の静電電極２８３は、導電性材料、例えば金属を第２の焼結層２８１に溶射することで形成される。なお、第２の静電電極２８３は、必要に応じて外形寸法、及び、単極、双極、同軸で形成し、また導通用の電極構造を作成する。また、第２の静電電極２８３は、分割されていてもよい。
　なお、第２のバイアス電極２８２と第２の静電電極２８３の配置は本実施形態に限定されない。例えば、第２の静電電極２８３は、第２の焼結層２８１の内部に設けられていてもよい。かかる場合、第２の静電電極２８３は、導電性材料、例えば金属を焼結して形成される。また、第２のバイアス電極２８２と第２の静電電極２８３はそれぞれ、省略することも可能である。
　本実施形態によれば、第１の誘電体部１１１１ａは、プラズマ曝露面側の第１の焼結層２７１で高パワー化と高寿命化を実現しつつ、非曝露面側の第１の溶射層２７０で製作期間の短縮と製作コストの低廉化を実現することができる。第２の誘電体部１１１１ｂも、第１の誘電体部１１１１ａと同様の効果を享受できる。
　なお、本実施形態において、第１の誘電体部１１１１ａは第１の溶射層２７０を備え、第２の誘電体部１１１１ｂは第２の溶射層２８０を備えるが、第１の誘電体部１１１１ａと第２の誘電体部１１１１ｂのいずれか一方は焼結層のみで形成されてもよい。
　また、本実施形態によれば、第１の溶射層２７０は複数の第１の溶射層２７０ａ、２７０ｂを含むので、第１のバイアス電極２７２と基板Ｗとの距離を制御でき、パワー効率を向上させることができる。第２の溶射層２８０も、第１の溶射層２７０と同様の効果を享受することができる。
　なお、第１の溶射層２７０と第２の溶射層２８０の積層数はそれぞれ、本実施形態に限定されない。例えば、１層であってもよいし、３層以上であってもよい。
　また、本実施形態において、第１の上部溶射層２７０ａの溶射材料と第１の下部溶射層２７０ｂの溶射材料は同じであったが、これらの溶射材料は異なっていてもよい。かかる場合、各層の特性を活かすことが可能となり、例えば内包する電極に応じた溶射材料を用いることができる。
　また、本実施形態によれば、第１のバイアス電極２７２と第１の静電電極２７３をそれぞれ溶射により形成するので、これら電極２７２、２７３の製作期間を短縮しつつ、製作コストを低廉化することができる。その結果、例えば任意のパターンに合わせて、電極２７２、２７３を容易に製作することが可能となる。
　なお、本実施形態において、第１のバイアス電極２７２と第２のバイアス電極２８２は、平面視においてオーバーラップして配置されてもよい。かかる場合、第１のバイアス電極２７２と第２のバイアス電極２８２の間に生じる寄生容量を調整することでインピーダンスを制御し、基板Ｗ側とリングアセンブリ１１２側を伝搬するバイアスＲＦ信号の量を制御することができる。
　本実施形態において、第１の誘電体部１１１１ａを製作する際には、先ず、第１の焼結層２７１を準備する。その後、第１の焼結層２７１の上に、第１の静電電極２７３、第１の上部溶射層２７０ａ、第１のバイアス電極２７２、第１の下部溶射層２７０ｂを順次溶射により形成する。第１の静電電極２７３と第１のバイアス電極２７２を形成する際には、マスクを用いて直接溶射してパターンを形成してもよいし、全面溶射した後、機械加工又は焼き切りによりパターンを形成してもよい。
　なお、本実施形態では図示していないが、第１の誘電体部１１１１ａを製作した後、第１の下部溶射層２７０ｂを、第１の接合層（図示せず）を介して基台１１１０に接合してもよい。第１の接合層には柔軟性のある接着剤が設けられ、第１の下部溶射層２７０ｂと基台１１１０を適切に接合することができる。また、第１の接合層によって熱抵抗を下げることも可能となる。
　第２の誘電体部１１１１ｂも、第１の誘電体部１１１１ａの製作と同様の方法で製作することができる。そして、第２の誘電体部１１１１ｂにおいて第２の下部溶射層２８０ｂを、第２の接合層（図示せず）を介して基台１１１０に接合してもよい。
＜第６の実施形態＞
　図９は、第６の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。第６の実施形態は、第５の実施形態の変形例である。
　本実施形態において、第１の誘電体部１１１１ａと第２の誘電体部１１１１ｂは離間して配置される。また、基台１１１０は第１の基台１１１０ａと第２の基台１１１０ｂを備え、これら第１の基台１１１０ａと第２の基台１１１０ｂは離間して配置される。第１の基台１１１０ａは第１の誘電体部１１１１ａの下部の基台であり、第２の誘電体部１１１１ｂは第２の誘電体部１１１１ｂの下部の基台である。
　このように、第１の誘電体部１１１１ａ及び第１の基台１１１０ａと、第２の誘電体部１１１１ｂ及び第２の基台１１１０ｂとを分離することで、互いの熱干渉を抑制することができる。なお、かかる分離は、上記第１～第５の実施形態に適用してもよい。
　第１の誘電体部１１１１ａは、第１の溶射層２９０と第１の焼結層２９１を備える。第１の溶射層２９０は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックを溶射することで形成される。第１の焼結層２９１は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックの焼結板で形成される。なお、第１の溶射層２９０は、第５の実施形態の第１の溶射層２７０と同様に、複数の溶射層を含んでいてもよい。第１の焼結層２９１は第１の溶射層２９０の上部に配置され、第１の焼結層２９１の上面は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａ（基板支持面）を構成する。
　第１の焼結層２９１と第１の溶射層２９０との界面には、基板Ｗを加熱するための第１のヒータ電極２９２が設けられている。第１のヒータ電極２９２は、導電性材料、例えば金属を第１の焼結層２９１に溶射することで形成される。なお、第１のヒータ電極２９２は、分割されていてもよい。
　第１の焼結層２９１の内部には、基板Ｗを吸着するための第１の静電電極２９３が設けられている。第１の静電電極２９３は、導電性材料、例えば金属を焼結して形成される。なお、第１の静電電極２９３は、分割されていてもよい。
　なお、第１のヒータ電極２９２と第１の静電電極２９３の配置は本実施形態に限定されない。
　第２の誘電体部１１１１ｂは、第２の溶射層３００と第２の焼結層３０１を備える。第２の溶射層３００は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックを溶射することで形成される。なお、第２の溶射層３００は、第５の実施形態の第２の溶射層２８０と同様に、複数の溶射層を含んでいてもよい。第２の焼結層３０１は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックの焼結板で形成される。第２の焼結層３０１は第２の溶射層３００の上部に配置され、第２の焼結層３０１の上面は、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂ（リング支持面）を構成する。
　第２の焼結層３０１と第２の溶射層３００との界面には、リングアセンブリ１１２を加熱するための第２のヒータ電極３０２が設けられている。第２のヒータ電極３０２は、導電性材料、例えば金属を第２の焼結層３０１に溶射することで形成される。なお、第２のヒータ電極３０２は、分割されていてもよい。
　なお、第２の焼結層３０１の内部には、リングアセンブリ１１２を吸着するための第２の静電電極（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、第２の静電電極は、導電性材料、例えば金属を焼結して形成される。なお、第２の静電電極は、分割されていてもよい。
　本実施形態においても、第５の実施形態と同様の効果を享受できる。すなわち、第１の誘電体部１１１１ａは、プラズマ曝露面側の第１の焼結層２９１で高パワー化と高寿命化を実現しつつ、非曝露面側の第１の溶射層２９０で製作期間の短縮と製作コストの低廉化を実現することができる。第２の誘電体部１１１１ｂも、第１の誘電体部１１１１ａと同様の効果を享受できる。
　なお、本実施形態において、第１の誘電体部１１１１ａは第１の溶射層２９０を備え、第２の誘電体部１１１１ｂは第２の溶射層３００を備えるが、第１の誘電体部１１１１ａと第２の誘電体部１１１１ｂのいずれか一方は焼結層のみで形成されてもよい。
　本実施形態において、第１の誘電体部１１１１ａを製作する際には、内部に第１の静電電極２９３を備えた第１の焼結層２９１を準備した後、第１の焼結層２９１の上に、第１のヒータ電極２９２と第１の溶射層２９０を順次溶射により形成する。第１のヒータ電極２９２を形成する際には、マスクを用いて直接溶射してパターンを形成してもよいし、全面溶射した後、機械加工又は焼き切りによりパターンを形成してもよい。
　この第１の誘電体部１１１１ａの製作において、第１のヒータ電極２９２を形成した後、当該第１のヒータ電極２９２に電力を供給し、基板面内の発熱分布を測定してもよい。この測定した発熱分布と、設計の発熱分布との差分を修正するように、第１のヒータ電極２９２の線幅をトリミングすれば、製造上の個体差を補正し温度面内均一性の優れた第１の誘電体部１１１１ａを製作することができる。
　なお、本実施形態では図示していないが、第１の誘電体部１１１１ａを製作した後、第１の溶射層２９０を、第１の接合層（図示せず）を介して基台１１１０に接合してもよい。第１の接合層には柔軟性のある接着剤が設けられ、第１の溶射層２９０と基台１１１０を適切に接合することができる。また、第１の接合層によって熱抵抗を下げることも可能となる。
　第２の誘電体部１１１１ｂも、第１の誘電体部１１１１ａの製作と同様の方法で製作することができる。そして、第２の誘電体部１１１１ｂにおいて第２の溶射層３００を、第２の接合層（図示せず）を介して基台１１１０に接合してもよい。
＜第７の実施形態＞
　図１０は、第７の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。本実施形態では、上記第１～第６の実施形態において、第１の誘電体部１１１１ａと基台１１１０を接合する接合層を保護する。以下の例においては、第２の実施形態における接合層２１２を保護する場合について説明する。また、図１０の例においては、第２の誘電体部１１１１ｂの図示を省略する。
　第１の誘電体部１１１１ａと基台１１１０を接合する接合層２１２の径は、第１の誘電体部１１１１ａの径より小さい。この接合層２１２の外周部には、当該接合層２１２の外側面を覆うように、保護部材としての溶射リング３１０が配置される。溶射リング３１０は、第１の誘電体部１１１１ａの焼結層２１０の下部に配置される。溶射リング３１０は、略円環形状を有する。溶射リング３１０の径方向の厚みは、抜熱能力とのバランスで設定されるが、例えば数ｍｍである。
　溶射リング３１０は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックを溶射することで形成される。本実施形態では、このように溶射リング３１０を形成した後、当該溶射リング３１０の内側に接合層２１２を形成し、さらに接合層２１２と溶射リング３１０の上に焼結層２１０を形成する。
　ここで、接合層２１２がプラズマに曝露されると、当該接合層２１２が経時的に消耗する。接合層２１２が消耗すると、その部分の熱抵抗が大きくなってしまう。この対策として、接合層２１２の外周部に、例えばＯｒｉｎｇを設けることも考えられるが、Ｏｒｉｎｇは施工が困難であり、コストが高くなる。さらに、Ｏｒｉｎｇは、接合層２１２から脱離するおそれがある。
　この点、本実施形態では、接合層２１２の外側面を覆うように溶射リング３１０が設けられているので、接合層２１２の消耗を抑制して、抜熱能力を向上させることができる。しかも、溶射リング３１０は、製作期間が短く、製作コストを低廉化できるという利点を有する。さらに、溶射リング３１０は、接合層２１２から脱離することがない。
＜第８の実施形態＞
　図１１は、第８の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。第８の実施形態は、第７の実施形態の変形例であり、上記第１～第６の実施形態における接合層を保護する。以下の例においても、第２の実施形態における接合層２１２を保護する場合について説明し、図１１の例においては、第２の誘電体部１１１１ｂの図示を省略する。
　第１の誘電体部１１１１ａと基台１１１０を接合する接合層２１２の径は、第１の誘電体部１１１１ａの径と略同一である。この接合層２１２の外周部には、当該接合層２１２の外側面を覆うように、保護部材としての溶射リング３２０が配置される。溶射リング３２０の上部は、焼結層２１０の下部外側面を覆っていてもよい。溶射リング３２０は、略円環形状を有する。溶射リング３２０の径方向の厚みは、抜熱能力とのバランスで設定されるが、例えば数ｍｍである。
　溶射リング３２０は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックを溶射することで形成される。本実施形態では、接合層２１２を介して、焼結層２１０を基台１１１０に接合した後、溶射リング３２０を溶射により形成する。
　本実施形態においても、第７の実施形態と同様の効果を享受できる。すなわち、接合層２１２の外側面を覆うように溶射リング３２０が設けられているので、接合層２１２の消耗を抑制して、抜熱能力を向上させることができる。しかも、溶射リング３２０は、製作期間が短く、製作コストを低廉化できるという利点を有する。さらに、溶射リング３２０は、接合層２１２から脱離することがない。
＜第９の実施形態＞
　図１２は、第９の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。本実施形態では、上記第１～第８の実施形態において、本体部１１１における所望の位置に含侵部を設ける。以下の例においては、第１の実施形態における第１の誘電体部１１１１ａに含侵部を設ける場合について説明する。また、図１２の例においては、第２の誘電体部１１１１ｂの図示を省略する。
　本体部１１１には、貫通孔３３０が形成されている。貫通孔３３０は、第１の誘電体部１１１１ａの焼結層２０１及び溶射層２００、接合層２０４、基台１１１０を貫通して設けられている。貫通孔３３０の用途は任意であるが、例えば、伝熱ガスが流通する流路、電極に給電する経路、基板Ｗを静電チャック１１１１に載置するための昇降ピンが挿通する貫通孔等に用いられる。
　ここで、基板Ｗの処理中、プラズマ処理空間１０ｓは真空雰囲気に維持される一方、貫通孔３３０の内部は大気雰囲気である。そして、溶射層２００はポーラス構造を有するため、当該溶射層２００を介して貫通孔３３０の空気が真空雰囲気のプラズマ処理空間１０ｓに漏出（リーク）するおそれがある。
　そこで、本実施形態では、溶射層２００において貫通孔３３０の周囲に含侵部３４０を形成する。含侵部３４０は、例えば溶射部に樹脂を含侵させて形成する。かかる場合、含侵部３４０によって貫通孔３３０の周囲が封止されるため、上述した貫通孔３３０からの空気の漏出を抑制することができる。
　以上のように含侵部３４０は、貫通孔３３０の周囲の溶射部に樹脂を含侵させて形成する。この含侵部３４０の範囲を適切に制御するため、本実施形態では以下の方法を用いて含侵部３４０を形成する。図１３は、含侵部３４０の形成方法を示す説明図である。図１３において、左側のフローは貫通孔３３０の周辺を下面側から見た平面図であり、右側のフローは貫通孔３３０の周辺の断面図である。
　先ず、図１３（ａ）に示すように、貫通孔３３０が形成された焼結層２０１を準備する。
　次に、図１３（ｂ）に示すように、焼結層２０１の下面において貫通孔３３０の所望の範囲に溶射部３４１を形成する。溶射部３４１は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックを溶射することで形成される。このように溶射部３４１は溶射により形成されるので、平面視における形成範囲と形成厚みを適切に制御することができる。
　次に、図１３（ｃ）に示すように、溶射部３４１に樹脂を含侵させて、含侵部３４０を形成する。
　次に、図１３（ｄ）に示すように、焼結層２０１の下面全面に溶射層２００を形成する。溶射層２００は、絶縁性材料、例えばＡｌ２Ｏ３等のセラミックを溶射することで形成される。この際、含侵部３４０の下面側にも溶射層２００が形成される。
　次に、図１３（ｅ）に示すように、含侵部３４０の下面側の溶射層２００を研削して、当該含侵部３４０を露出させる。こうして、溶射層２００において貫通孔３３０の周囲に含侵部３４０が形成される。
　なお、本実施形態では、貫通孔３３０の周囲に含侵部３４０が形成されたが、含侵部３４０の形成位置はこれに限定されない。真空雰囲気と大気雰囲気を封止する必要がある場所には、本実施形態の含侵部３４０を設けることができる。
　また、含侵部３４０を設けることで、溶射層２００における熱抵抗を調節し、あるいは静電容量を調節することも可能となる。含侵部３４０は、かかる熱抵抗の調節や静電容量の調節を目的として、所望の位置に形成してもよい。
＜第１０の実施形態＞
　図１４～図１６はそれぞれ、第１０の実施形態にかかる給電端子の構成の概略を示す断面図である。本実施形態の給電端子は、上記第１～第９の実施形態における各電極に電力を供給するための給電端子である。以下の例においては、第１の実施形態のヒータ電極２０２に電力を供給する給電端子について説明する。
　静電チャックに設けられた電極に接続される給電端子は、当該電極に電力を適切に供給する必要がある。また、電極が設けられた焼結層又は溶射層と、基台との間には線膨張係数差が生じるため、給電端子は、これら焼結層又は溶射層と、基台との間に生じる剪断応力を吸収する必要もある。そこで、本実施形態の給電端子は、給電機能と剪断応力吸収機能を備える。
　図１４に示す給電端子４００は、第１の誘電体部１１１１ａの内部において、ヒータ電極２０２に接続されて設けられる。第１の誘電体部１１１１ａは焼結層又は溶射層である。給電端子４００は、円筒部４０１と溶射部４０２を備える。円筒部４０１は、絶縁性材料により形成される。溶射部４０２は、円筒部４０１の内部に導電性材料、例えばアルミニウム等の金属を溶射して、当該円筒部４０１の内部に埋設される。溶射部４０２は、ヒータ電極２０２に接続されるとともに、電源（図示せず）と連通する給電線（図示せず）に接続される。
　かかる場合、溶射部４０２によってヒータ電極２０２に電力を適切に供給することができる。また、溶射部４０２はポーラス構造を有するため、上述した剪断応力を吸収することもでき、給電端子４００の破損を抑制することができる。
　図１５に示す給電端子４１０は、第１の誘電体部１１１１ａの内部において、ヒータ電極２０２に接続されて設けられる。第１の誘電体部１１１１ａは焼結層又は溶射層である。給電端子４１０は、円筒部４１１、芯部４１２、及び溶射部４１３を備える。円筒部４１１は、絶縁性材料により形成される。芯部４１２は、円筒部４１１の内部を挿通して配置され、絶縁性材料により形成される。溶射部４１３は、円筒部４０１の内部において芯部４１２の周囲に、導電性材料、例えばアルミニウム等の金属を溶射して形成される。溶射部４１３は、ヒータ電極２０２に接続されるとともに、電源（図示せず）と連通する給電線（図示せず）に接続される。
　かかる場合、溶射部４１３によってヒータ電極２０２に電力を適切に供給することができる。また、溶射部４１３はポーラス構造を有するため、上述した剪断応力を吸収することもでき、給電端子４００の破損を抑制することができる。例えば、図１４に示したように円筒部４０１の内部に溶射部４０２を埋設することが製作上困難な場合、本例のように芯部４１２の周囲に溶射部４１３を設けてもよい。
　図１６に示す給電端子４２０は、第１の誘電体部１１１１ａの内部において、ヒータ電極２０２に接続されて設けられる。第１の誘電体部１１１１ａは焼結層又は溶射層である。給電端子４２０は、円筒部４２１、導電体部４２２、４２３、導電線部４２４、及び溶射部４２５を備える。円筒部４２１は、絶縁性材料により形成される。導電体部４２２は、導電性材料、例えば金属により形成される。導電体部４２２は、円筒部４２１の内部上部において、ヒータ電極２０２に接続される。導電体部４２３も、導電性材料、例えば金属により形成される。導電体部４２３は、円筒部４２１の内部に設けられ、電源（図示せず）と連通する給電線（図示せず）に接続される。導電線部４２４は、導電性材料により形成され、例えば複数の金属線を束ねた撚線構造を有する。導電線部４２４は、導電体部４２２、４２３に接続される。溶射部４２５は、円筒部４２１の内部上部において導電体部４２２の周囲に、導電性材料、例えばアルミニウム等の金属を溶射して形成される。溶射部４２５は、ヒータ電極２０２に接続される。
　かかる場合、ヒータ電極２０２への電力の供給は、導電体部４２２と共に溶射部４２５を介して行われるので、当該電力供給を適切に行うことができる。また、上述した剪断応力は、導電体部４２２と共にポーラス構造を有する溶射部４２５によっても吸収される。その結果、給電端子４００の破損を抑制することができる。
　以上のとおり、給電端子４００、４１０、４２０のいずれにおいても、ヒータ電極２０２への電力供給と剪断応力吸収を適切に行うことができる。しかも、これら効果を享受するための溶射部４０２、４１３、４２５はそれぞれ、製作期間が短く、製作コストを低廉化できるという利点を有する。
＜第１１の実施形態＞
　図１７は、第１１の実施形態にかかる基板支持部の静電チャックの構成の概略を示す平面図である。図１８は、第１１の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。本実施形態では、第１～第１０の実施形態において、各電極接続される給電端子と、基台１１１０に設けられ給電端子に連通する接続端子とを、平面視においてオフセットして配置する。
　図１７及び図１８に示す例では、説明を容易にするため、静電チャック１１１１における第１の誘電体部１１１１ａの構造は特定せず、当該第１の誘電体部１１１１ａの内部にヒータ電極５００を設けた例について説明する。ヒータ電極５００のヒータパターンは任意であるが、例えば平面視において渦巻形状を有する。
　ヒータ電極５００の中心側の一端には、ヒータ電極５００に電力を供給するための給電端子５０１が接続される。給電端子５０１は、第１の誘電体部１１１１ａの内部に設けられる。また、基台１１１０には、当該基台１１１０の上面に露出する接続端子５０２が設けられる。接続端子５０２は、第１の誘電体部１１１１ａの下部において、平面視で給電端子５０１から外周側にオフセットして配置される。なお、接続端子５０２は、絶縁体部５０３の内部に挿通して設けられ、基台１１１０から電気的に絶縁されている。
　第１の誘電体部１１１１ａと基台１１１０の界面には、給電端子５０１の下端と接続端子５０２の上端とを接続する溶射電極５０４が設けられている。溶射電極５０４は、導電性材料、例えば金属を溶射して形成される。
　ここで従来、ヒータ電極５００に接続される給電端子と、基台１１１０に設けられる接続端子は、平面視において同じ位置に配置されていた。すなわち、接続端子は給電端子の直下に配置され、当該給電端子と接続端子が接続されていた。かかる場合、ヒータ電極５００のヒータパターンが変更されて給電端子の位置が変更されると、それに合わせて接続端子の位置を変更した基台１１１０を準備する必要があった。このため、静電チャック１１１１の製作期間が長くなり、また製作コストも高くなっていた。
　この点、本実施形態によれば、ヒータ電極５００のヒータパターンが変更されて給電端子５０１の位置が変更されても、基台１１１０を新たに製作する必要がない。したがって、ヒータ電極５００の任意のヒータパターンに対応しつつ、複数の静電チャック１１１１に対して基台１１１０を共通化することができる。しかも、溶射電極５０４は、製作期間が短く、製作コストを低廉化できるという利点を有する。その結果、基板支持部１１全体の製作期間を短縮して、製作コストを低廉化することができる。
　また、第１の誘電体部１１１１ａと基台１１１０は異種材料で形成され、線膨張係数差が生じるため、第１の誘電体部１１１１ａと基台１１１０の界面において剪断応力が発生し、当該界面が脆弱になるおそれがある。この点、溶射電極５０４はポーラス構造を有するため、剪断応力を吸収することができ、上記界面の脆弱性を改善することができる。
　なお、本実施形態の溶射電極５０４は、上述したように第１の誘電体部１１１１ａの任意の構造に適用できる。例えば第１の誘電体部１１１１ａは、第１の実施形態のように溶射層と焼結層を備えていてもよいし、あるいは第２の実施形態のように焼結層のみで構成されていていてもよい。
　また、本実施形態では、給電対象の電極がヒータ電極５００であったが、これに限定されない。例えば、静電電極やバイアス電極に電力を供給する場合にも、本実施形態の溶射電極を適用することができる。
＜第１２の実施形態＞
　図１９は、第１２の実施形態にかかる基板支持部の本体部の構成の概略を示す断面図である。第１２の実施形態は、第１１の実施形態の変形例である。
　本実施形態では、第１１の実施形態と同様に、ヒータ電極５００に接続される給電端子５０１と、基台１１１０に設けられる接続端子５０２は、平面視においてオフセットして配置される。一方、本実施形態の接続端子５０２は、第１１の実施形態の接続端子５０２よりさらに外周側に配置され、第１の誘電体部１１１１ａの径方向外側に配置される。すなわち、接続端子５０２は、第２の誘電体部１１１１ｂの下部に配置される。
　ここで、接続端子５０２は、基板Ｗの温度調節に際して特異点になり得る。この点、本実施形態では、接続端子５０２が第１の誘電体部１１１１ａに支持された基板Ｗの径方向外側に配置されるので、この特異点がなくなり、プラズマ処理の基板面内の均一性を向上させることができる。
　しかも、本実施形態においても、第１１の実施形態と同様の効果を享受することができる。すなわち、任意のヒータパターンに対応して基台１１１０を共通化することができ、基板支持部１１の製作期間を短縮して、製作コストを低廉化することができる。
＜第１３の実施形態＞
　図２０は、第１３の実施形態にかかるヒータ電極の構成の概略を示す平面図である。本実施形態では、上記実施形態におけるヒータ電極にピンホールを形成する。
　第１の誘電体部１１１１ａの内部に設けられ、基板Ｗの温度を調節するためのヒータ電極６００は、例えば第１の実施形態のヒータ電極２０２と同様に、導電性材料、例えば金属を溶射することで形成される。このヒータ電極６００は、本開示における溶射ヒータ電極に相当する。ヒータ電極６００には、所望の位置にトリミングを行い、貫通孔としてのピンホール６０１が複数形成されている。
　ここで、近年、製品世代の進行に伴い、静電チャックの個体差のバラツキを抑制する要求が高まっている。また、静電チャックの内部のヒータ電極の膜厚バラツキを補正する必要もある。そして従来、ヒータ電極における必要な発熱量を得るため、ヒータ電極を一定の幅で形成した後、例えばヒータ電極の外側を削除する等を行い、ヒータ電極の幅を調節することで、当該ヒータ電極の抵抗値を調節していた。しかしながら、ヒータ電極の幅を調節するだけでは、基板の任意位置の温度を適切に制御できない場合があった。
　この点、本実施形態では、ヒータ電極６００の所望の位置に複数のピンホール６０１を形成する。このピンホール６０１の数及び配置を調節することにより、ヒータ電極６００の所望の位置の抵抗値を調節することができる。換言すれば、ピンホール６０１を所望の一部に分散させて形成することで精緻な温度調節が可能となる。したがって、基板Ｗを適切な温度に調節して、プラズマ処理の基板面内の均一性を向上させることができる。
　しかも、従来のようにヒータ電極の幅ではなく、ピンホール６０１によってヒータ電極６００の抵抗値を調節するので、ヒータ電極６００の設計の自由度が向上する。
　本実施形態において、第１の誘電体部１１１１ａを製作する際には、先ず、ヒータ電極６００を溶射により形成する。その後、ヒータ電極６００の任意の区間で抵抗値を測定し、予め基板Ｗの温度分布の面内均一性の確保に必要な、ヒータ電極６００のバラツキを確認しておく。その後、このバラツキの確認結果に基づいて、必要な抵抗上昇値を算出し、ヒータ電極６００においてトリミングすべきピンホール６０１の数と配置を決定する。そして、数と配置の決定結果に基づいてヒータ電極６００のトリミングを実施し、ピンホール６０１を形成する。
　なお、図２０の例では、ピンホール６０１は平面視で円形状を有するが、平面形状はこれに限定されない。例えば、三角形や四角形であってもよい。但し、単純な形状とすることで、ヒータ電極６００の製作が容易になる。
　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　例えば、上記第１～第１３の実施形態のいずれか２つ以上を組み合わせて、基板支持部１１の本体部１１１を構成してもよい。
　　１１　　　　基板支持部
　　１１２　　　リングアセンブリ
　　２００　　　溶射層
　　２２０　　　溶射層
　　１１１０　　基台
　　１１１１ａ　第１の誘電体部
　　１１１１ｂ　第２の誘電体部
　　Ｗ　　　　　基板

Claims (37)

  1. 基台と、
    前記基台の上部に配置され、基板を載置する第１の誘電体部と、
    前記第１の誘電体部を囲むように配置され、エッジリングを載置する第２の誘電体部と、を備え、
    前記第１の誘電体部と前記第２の誘電体部の少なくともいずれか一方は、絶縁性材料による溶射層を備える、基板支持器。
  2. 前記第１の誘電体部は、
    絶縁性材料による溶射層と、
    前記溶射層の上部に配置され、絶縁性材料による焼結層と、を備える、請求項１に記載の基板支持器。
  3. 前記第１の誘電体部は、
    前記基板の温度を調節するためのヒータ電極と、
    前記基板を吸着するための静電電極と、を備える、請求項２に記載の基板支持器。
  4. 前記基台と、前記第１の誘電体部の溶射層とを接合する接合層を備える、請求項２又は３に記載の基板支持器。
  5. 前記第１の誘電体部は、絶縁性材料による焼結層を備え、
    前記第２の誘電体部は、絶縁性材料による溶射層を備え、
    前記基板支持器は、前記基台と、前記第１の誘電体部の焼結層とを接合する接合層を備える、請求項１に記載の基板支持器。
  6. 前記第１の誘電体部は、絶縁性材料による焼結層を備え、
    前記第２の誘電体部は、絶縁性材料による溶射層を備え、
    前記第２の誘電体部の溶射層は、前記第１の誘電体部の下部まで延伸して配置され、
    前記基板支持器は、前記第１の誘電体部の焼結層と、前記第２の誘電体部の溶射層とを接合する接合層を備える、請求項１に記載の基板支持器。
  7. 前記第１の誘電体部は、
    絶縁性材料による第１の溶射層と、
    前記第１の溶射層の上部に配置され、絶縁性材料による焼結層と、を備え、
    前記第２の誘電体部は、絶縁性材料による第２の溶射層を備え、
    前記第２の誘電体部の第２の溶射層は、前記第１の誘電体部の下部まで延伸して配置され、
    前記基板支持器は、前記第１の誘電体部の溶射層と、前記第２の誘電体部の第２の溶射層とを接合する接合層を備える、請求項１に記載の基板支持器。
  8. 前記第１の誘電体部は、前記基板を吸着するための第１の静電電極を備え、
    前記第２の誘電体部は、前記エッジリングを吸着するための第２の静電電極を備える、請求項５～７のいずれか一項に記載の基板支持器。
  9. 前記第１の誘電体部は、
    絶縁性材料による第１の溶射層と、
    前記第１の溶射層の上部に配置され、絶縁性材料による第１の焼結層と、を備え、
    前記第２の誘電体部は、
    絶縁性材料による第２の溶射層と、
    前記第２の溶射層の上部に配置され、絶縁性材料による第２の焼結層と、を備える、請求項１に記載の基板支持器。
  10. 前記第１の誘電体部の第１の溶射層は、積層された複数の溶射層を含み、
    前記第２の誘電体部の第２の溶射層は、積層された複数の溶射層を含む、請求項９に記載の基板支持器。
  11. 前記第１の誘電体部は、
    バイアス電力が供給される第１のバイアス電極と、
    前記基板を吸着するための第１の静電電極と、備える、請求項９又は１０に記載の基板支持器。
  12. 前記第２の誘電体部は、
    バイアス電力が供給される第２のバイアス電極と、
    前記エッジリングを吸着するための第２の静電電極と、を備える、請求項１１に記載の基板支持器。
  13. 前記第１の誘電体部は、
    前記基板の温度を調節するための第１のヒータ電極と、
    前記基板を吸着するための第１の静電電極と、を備える、請求項９又は１０に記載の基板支持器。
  14. 前記第２の誘電体部は、前記エッジリングの温度を調節するための第２のヒータ電極と、前記エッジリングを吸着するための第２の静電電極の少なくともいずれか一方を備える、請求項１３に記載の基板支持器。
  15. 前記第１のバイアス電極と前記第２のバイアス電極は、平面視においてオーバーラップして配置される、請求項１２に記載の基板支持器。
  16. 前記第１の誘電体部及び当該第１の誘電体部の下部の前記基台と、前記第２の誘電体部及び当該第２の誘電体部の下部の前記基台とは、離間して配置される、請求項９～１４のいずれか一項に記載の基板支持器。
  17. 前記基台と、前記第１の誘電体部の第１の溶射層とを接合する第１の接合層と、
    前記基台と、前記第２の誘電体部の第２の溶射層とを接合する第２の接合層と、を備える、請求項９～１６のいずれか一項に記載の基板支持器。
  18. 前記基台と前記第１の誘電体部を接合する接合層と、
    前記接合層の外側面を覆うように配置され、絶縁性材料による溶射リングと、を備える、請求項１に記載の基板支持器。
  19. 前記溶射層は、所望の位置に樹脂を含侵させた含侵部を備える、請求項１に記載の基板支持器。
  20. 前記所望の位置は、前記溶射層を貫通する貫通孔の周囲である、請求項１９に記載の基板支持器。
  21. 前記第１の誘電体部は電極を備え、
    前記基板支持器は、前記電極に電力を供給するための給電端子を備え、
    前記給電端子は、前記電極に接続され、導電性材料による溶射部を備える、請求項１に記載の基板支持器。
  22. 前記給電端子は、絶縁性材料による円筒部を備え、
    前記溶射部は、前記円筒部の内部に埋設される、請求項２１に記載の基板支持器。
  23. 前記給電端子は、
    絶縁性材料による円筒部と、
    前記円筒部の内部を挿通して配置され、絶縁性材料による芯部と、備え、
    前記溶射部は、前記円筒部の内部において前記芯部の周囲に配置される、請求項２１に記載の基板支持器。
  24. 前記溶射部は、前記電極に接続される導電体部の周囲に配置される、請求項２１に記載の基板支持器。
  25. 前記第１の誘電体部は電極を備え、
    前記基板支持器は、
    前記電極に電力を供給するための給電端子と、
    前記基台の表面に露出して配置された接続端子と、
    前記給電端子と前記接続端子を接続し、導電性材料による溶射電極と、を備える、請求項１に記載の基板支持器。
  26. 前記接続端子は、平面視において、前記第１の誘電体部の径方向外側に配置される、請求項２５に記載の基板支持器。
  27. 前記第１の誘電体部は、前記基板の温度を調節するための、溶射による溶射ヒータ電極を備え、
    前記溶射ヒータ電極には、所望の位置に形成された貫通孔が形成される、請求項１に記載の基板支持器。
  28. プラズマ処理チャンバと、
    前記プラズマ処理チャンバの内部に設けられた基板支持器と、を備え、
    前記基板支持器は、
    基台と、
    前記基台の上部に配置され、基板を載置する第１の誘電体部と、
    前記第１の誘電体部を囲むように配置され、エッジリングを載置する第２の誘電体部と、を備え、
    前記第１の誘電体部と前記第２の誘電体部の少なくともいずれか一方は、絶縁性材料による溶射層を備える、基板処理装置。
  29. 前記第１の誘電体部は、
    絶縁性材料による溶射層と、
    前記溶射層の上部に配置され、絶縁性材料による焼結層と、を備える、請求項２８に記載の基板処理装置。
  30. 前記基台と、前記第１の誘電体部の溶射層とを接合する接合層を備える、請求項２９に記載の基板処理装置。
  31. 前記第１の誘電体部は、絶縁性材料による焼結層を備え、
    前記第２の誘電体部は、絶縁性材料による溶射層を備え、
    前記基板支持器は、前記基台と、前記第１の誘電体部の焼結層とを接合する接合層を備える、請求項２８に記載の基板処理装置。
  32. 前記第１の誘電体部は、絶縁性材料による焼結層を備え、
    前記第２の誘電体部は、絶縁性材料による溶射層を備え、
    前記第２の誘電体部の溶射層は、前記第１の誘電体部の下部まで延伸して配置され、
    前記基板支持器は、前記第１の誘電体部の焼結層と、前記第２の誘電体部の溶射層とを接合する接合層を備える、請求項２８に記載の基板処理装置。
  33. 前記第１の誘電体部は、
    絶縁性材料による第１の溶射層と、
    前記第１の溶射層の上部に配置され、絶縁性材料による焼結層と、を備え、
    前記第２の誘電体部は、絶縁性材料による第２の溶射層を備え、
    前記第２の誘電体部の第２の溶射層は、前記第１の誘電体部の下部まで延伸して配置され、
    前記基板支持器は、前記第１の誘電体部の溶射層と、前記第２の誘電体部の第２の溶射層とを接合する接合層を備える、請求項２８に記載の基板処理装置。
  34. 前記第１の誘電体部は、
    絶縁性材料による第１の溶射層と、
    前記第１の溶射層の上部に配置され、絶縁性材料による第１の焼結層と、を備え、
    前記第２の誘電体部は、
    絶縁性材料による第２の溶射層と、
    前記第２の溶射層の上部に配置され、絶縁性材料による第２の焼結層と、を備える、請求項２８に記載の基板処理装置。
  35. 前記第１の誘電体部の第１の溶射層は、積層された複数の溶射層を含み、
    前記第２の誘電体部の第２の溶射層は、積層された複数の溶射層を含む、請求項３４に記載の基板処理装置。
  36. 前記第１の誘電体部及び当該第１の誘電体部の下部の前記基台と、前記第２の誘電体部及び当該第２の誘電体部の下部の前記基台とは、離間して配置される、請求項３４又は３５に記載の基板処理装置。
  37. 前記基台と、前記第１の誘電体部の第１の溶射層とを接合する第１の接合層と、
    前記基台と、前記第２の誘電体部の第２の溶射層とを接合する第２の接合層と、を備える、請求項３４～３６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
PCT/JP2022/027680 2021-07-28 2022-07-14 基板支持器及び基板処理装置 WO2023008209A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023538428A JPWO2023008209A1 (ja) 2021-07-28 2022-07-14
KR1020247005369A KR20240036060A (ko) 2021-07-28 2022-07-14 기판 지지기 및 기판 처리 장치
CN202280050917.5A CN117678062A (zh) 2021-07-28 2022-07-14 基片支承器和基片处理装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202163226662P 2021-07-28 2021-07-28
US63/226,662 2021-07-28
JP2022019880 2022-02-10
JP2022-019880 2022-02-10

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US18/424,223 Continuation US20240162075A1 (en) 2022-02-10 2024-01-26 Substrate support and substrate processing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023008209A1 true WO2023008209A1 (ja) 2023-02-02

Family

ID=85087572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/027680 WO2023008209A1 (ja) 2021-07-28 2022-07-14 基板支持器及び基板処理装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPWO2023008209A1 (ja)
KR (1) KR20240036060A (ja)
TW (1) TW202310151A (ja)
WO (1) WO2023008209A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014013863A1 (ja) * 2012-07-17 2014-01-23 東京エレクトロン株式会社 下部電極、及びプラズマ処理装置
JP2018110216A (ja) * 2017-01-05 2018-07-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2019239939A1 (ja) * 2018-06-15 2019-12-19 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7474651B2 (ja) 2019-09-09 2024-04-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014013863A1 (ja) * 2012-07-17 2014-01-23 東京エレクトロン株式会社 下部電極、及びプラズマ処理装置
JP2018110216A (ja) * 2017-01-05 2018-07-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2019239939A1 (ja) * 2018-06-15 2019-12-19 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2023008209A1 (ja) 2023-02-02
KR20240036060A (ko) 2024-03-19
TW202310151A (zh) 2023-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102603893B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP2019021803A (ja) プラズマ処理装置
TWI762551B (zh) 電漿處理裝置
JP6081292B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2009170509A (ja) ヒータ内蔵静電チャックを備えたプラズマ処理装置
KR20200053425A (ko) 기판 지지기, 플라즈마 처리 장치, 및 포커스 링
US11798791B2 (en) Substrate support and plasma processing apparatus
US11127620B2 (en) Electrostatic chuck for high temperature processing chamber
WO2023008209A1 (ja) 基板支持器及び基板処理装置
US20230207285A1 (en) Plasma processing apparatus and electrostatic chuck manufacturing method
US20230087660A1 (en) Plasma processing apparatus
US20230090650A1 (en) Plasma processing apparatus
TW202004831A (zh) 電漿處理裝置
US20240162075A1 (en) Substrate support and substrate processing device
CN117678062A (zh) 基片支承器和基片处理装置
WO2023026908A1 (ja) 基板支持器及び基板処理装置
WO2023022041A1 (ja) 静電チャック、基板支持器及び基板処理装置
WO2024090276A1 (ja) 基板支持器及びプラズマ処理装置
WO2023182048A1 (ja) 静電チャック及びプラズマ処理装置
CN117916862A (zh) 基片支承器和基片处理装置
WO2024018960A1 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
WO2023175690A1 (ja) プラズマ処理装置
US20230268216A1 (en) Substrate support and plasma processing apparatus
US20230402263A1 (en) Plasma treatment device and electrode mechanism
WO2023120245A9 (ja) 基板支持器及びプラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22849272

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2023538428

Country of ref document: JP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20247005369

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020247005369

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE