TW202310151A - 基板支持器及基板處理裝置 - Google Patents

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electrode
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永山晃
川端淳史
高山将歩
河西晃士
赤尾健司
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明之目的在於縮短基板支持器的製作期間，同時令製作成本更低廉。為了達成上述目的，本發明之基板支持器，其特徵為包含：基台；第1介電體部，其配置在該基台的上部，並載置基板；以及第2介電體部，其配置成包圍該第1介電體部，並載置邊緣環；該第1介電體部與該第2介電體部的至少其中任一方，具備由絕緣性材料所形成的熔射層。本發明之基板處理裝置，包含：電漿處理室；以及設置在該電漿處理室內部的該基板支持器。

Description

基板支持器及基板處理裝置
本發明係關於一種基板支持器以及基板處理裝置。
於專利文獻1，揭示了保持基板的靜電夾頭。靜電夾頭具有介電體部，在介電體部的內部設置了用以產生靜電引力的電極。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2021-44540號公報
[發明所欲解決的問題]
本發明之技術，縮短基板支持器的製作期間，同時令製作成本更低廉。 [解決問題的手段]
本發明一實施態樣之基板支持器，其特徵為包含：基台；第1介電體部，其配置在該基台的上部，並載置基板；以及第2介電體部，其配置成包圍該第1介電體部，並載置邊緣環；該第1介電體部與該第2介電體部的至少其中任一方，具備由絕緣性材料所形成的熔射層。 [發明的功效]
根據本發明，可縮短基板支持器的製作期間，同時令製作成本更低廉。
在半導體裝置的製造步驟中，例如會在電漿處理裝置中對半導體基板(以下稱為「基板」)實行電漿處理。電漿處理裝置，在處理室的內部將處理氣體激發以生成電漿，並利用該電漿對靜電夾頭所支持的基板進行處理。
靜電夾頭，例如，如專利文獻1所揭示的，具有介電體部，其在內部具備產生靜電吸引力用的電極。介電體部，以往，例如係由燒結板所構成。然而，若以燒結板製作介電體部，則製作期間較長，且製作成本較高。
於是，本發明之技術，將基板支持器的製作期間縮短，同時令製作成本更低廉。以下，針對本實施態樣之基板處理裝置以及基板支持器，一邊參照圖式，一邊進行說明。另外，在本說明書以及圖式中，針對實質上具有相同功能構造的要件，會附上相同的符號，並省略重複說明。
＜電漿處理系統＞ 首先，針對一實施態樣之電漿處理系統，參照圖1進行說明。圖1，係用以說明電漿處理系統的構造例的圖式。
在一實施態樣中，電漿處理系統，包含：電漿處理裝置1，以及控制部2。電漿處理系統，為基板處理系統的一例；電漿處理裝置1，為基板處理裝置的一例。電漿處理裝置1，包含：電漿處理室10、基板支持部11，以及電漿生成部12。電漿處理室10，具有電漿處理空間。另外，電漿處理室10，具有：至少1個氣體供給口，其用以將至少1種處理氣體供給到電漿處理空間；以及至少1個氣體排出口，其用以從電漿處理空間將氣體排出。氣體供給口，與後述的氣體供給部20連接；氣體排出口，與後述的排氣系統40連接。基板支持部11，配置在電漿處理空間內，並具有用以支持基板的基板支持面。
電漿生成部12，以「從供給到電漿處理空間內的至少1種處理氣體生成電漿」的方式構成。在電漿處理空間中所形成的電漿，亦可為：電容耦合電漿(Capacitively Coupled Plasma，CCP)、感應耦合電漿(Inductively Coupled Plasma，ICP)、電子迴旋共振電漿(Electron Cyclotron Resonance Plasma，ECRP)、螺旋波激發電漿(Helicon Wave Plasma，HWP)，或表面波電漿(Surface Wave Plasma，SWP)等。另外，亦可使用包含交流信號(Alternating Current，AC)電漿生成部以及直流信號(Direct Current，DC)電漿生成部在內的各種類型的電漿生成部。在一實施態樣中，交流信號電漿生成部所使用的交流信號(交流電力)，具有在100kHz～10GHz之範圍內的頻率。因此，交流信號，包含射頻信號(Radio Frequency，RF)以及微波信號。在一實施態樣中，射頻信號，具有在100kHz～150MHz之範圍內的頻率。
控制部2，對電腦可執行指令進行處理，其令電漿處理裝置1實行在本發明中所述的各種步驟。控制部2，可以「控制電漿處理裝置1的各要件，以實行在此所述之各種步驟」的方式構成。在一實施態樣中，亦可控制部2的一部分或全部為電漿處理裝置1所包含。控制部2，亦可包含處理部2a1、記憶部2a2以及通信介面2a3。控制部2，例如由電腦2a實現之。處理部2a1，可以「從記憶部2a2讀取程式，並執行所讀取之程式，以實行各種控制動作」的方式構成。該程式，亦可預先儲存於記憶部2a2，必要時，亦可透過媒體取得之。所取得之程式，儲存於記憶部2a2，並由處理部2a1從記憶部2a2讀取、執行之。媒體，亦可為電腦2a可讀取的各種記錄媒體，亦可為與通信介面2a3連接的通信線路。處理部2a1，亦可為CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)。記憶部2a2，亦可包含RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、HDD(Hard Disk Drive，硬碟機)、SSD(Solid State Drive，固態硬碟)，或其組合。通信介面2a3，亦可透過LAN(Local Area Network，區域網路)等的通信線路與電漿處理裝置1之間進行通信。
＜控制部或控制電路＞ 圖2，係可安裝本說明書所記載之各種實施態樣的控制部或控制電路(例如電腦)的方塊圖。圖2的控制部或控制電路，相當於上述控制部2。本發明之控制態樣，可具體實現為系統、方法及/或電腦程式產品。電腦程式產品，包含記錄了電腦可讀取程式指令的電腦可讀取記錄媒體，其有令1個以上之處理器實行實施態樣的功能。再者，圖2的控制部，可控制本發明之電漿處理裝置所實行的處理。
電腦可讀取記錄媒體，亦可為可記憶指令執行裝置(處理器)的使用指令的有形裝置。關於電腦可讀取記錄媒體，例如可列舉出：電子記憶裝置、磁性記憶裝置、光學記憶裝置、電磁記憶裝置、半導體記憶裝置，或該等裝置的任意適當組合，惟不限於此。電腦可讀取記錄媒體(以及適當組合)之更具體範例的非詳盡羅列清單，包含以下各項：軟碟、硬碟、固態硬碟(SSD)、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、可程式唯讀記憶體(EPROM，Erasable Programmable Read Only Memory，可抹除可程式唯讀記憶體，或Flash，快閃記憶體)、靜態隨機存取記憶體(SRAM，Static Random Access Memory)、光碟(CD，Compact Disc或CD-ROM，Compact Disc Read-Only Memory)、數位多功光碟(DVD，Digital Versatile Disc)、記憶卡或記憶棒。本發明所使用之電腦可讀取記錄媒體，不應被解釋為係：電波或其他自由傳播之電磁波、透過導波管或其他傳送媒體(例如通過光纖纜線的光脈衝)傳播的電磁波，或是通過電線的電子信號等本身為暫時信號者。
本發明所記載之電腦可讀取程式指令，可從電腦可讀取記錄媒體，或是透過全球網路(亦即網際網路)、區域網路、廣域網路及/或無線網路，下載到與外部電腦或外部記憶裝置配適的計算裝置或處理裝置。網路，有時會包含：銅線、光通信纖維、無線傳送部、路由器、防火牆、交換器、閘道計算機、邊緣伺服器。各計算裝置或處理裝置的網路配接卡或網路介面，亦可從網路接收電腦可讀取程式指令，並且為了儲存而將電腦可讀取程式指令轉送到計算裝置或處理裝置內的電腦可讀取記錄媒體。
用以實行本發明之操作的電腦可讀取程式指令，包含機器語言指令及/或微碼，可從包含組合語言、Basic、Fortran、Java、Python、R、C、C++、C#或同樣的程式語言在內的1種以上的程式語言的任意組合所記述的原始碼編譯或解譯。電腦可讀取程式指令，亦可在使用者的個人電腦、筆記型電腦、平板電腦或智慧型手機上完整地執行，亦可在遠程電腦或電腦伺服器上或是以該等計算裝置的任意組合完整地執行。遠程電腦或電腦伺服器，可透過區域網路或廣域網路，或是包含全球網路(網際網路)在內的電腦網路，與使用者的裝置或設備連接。在若干實施態樣中，電子電路，例如包含：可程式邏輯電路、場域可程式閘陣列(Field Programmable Gate Array，FPGA)，或可程式邏輯陣列(Programmable Logic Array，PLA)，其使用來自電腦可讀取程式指令的資訊，執行電腦可讀取程式指令，以構成或定制電子電路，進而實行本發明之態樣。
本發明之態樣，參照所揭示之實施態樣的方法的流程圖以及方塊圖、裝置(系統)以及電腦程式產品，進行說明。本領域從業人員應理解，流程圖與方塊圖的各區塊，以及流程圖以及方塊圖的區塊組合，可由電腦可讀取程式指令實現之。
可用以安裝本發明所記載之系統以及方法的電腦可讀取程式指令，可提供到通用電腦、特殊用途電腦或其他可程式裝置等1種以上的處理器(及/或處理器內的1個以上的核心)。該等電腦可讀取程式指令，亦可儲存於可指示電腦、可程式裝置及/或其他裝置以特定方法發揮功能的電腦可讀取記錄媒體，此時，儲存了該指示的電腦可讀取記錄媒體，係包含指令在內的產品，該指令會安裝本發明之流程圖以及方塊圖所指定的功能態樣。
另外，電腦可讀取程式指令，亦可載入電腦、其他可程式裝置或其他裝置，亦可以「在電腦、其他可程式裝置或其他裝置上所執行之指令，會安裝本發明之流程圖以及方塊圖所指定之功能」的方式，實行一連串動作步驟並生成電腦安裝程序。
圖2，係表示1台或複數台網路化電腦以及伺服器的網路化系統800的功能方塊圖。在一實施態樣中，圖2所示之硬體以及軟體環境，可提供本發明之軟體及/或方法的安裝用例示平台。
如圖2所示的，網路化系統800，亦可包含：電腦805、網路810、遠程電腦815、網站伺服器820、雲端儲存伺服器825以及電腦伺服器830，惟不限於此。在若干實施態樣中，亦可採用圖2所示之1個以上的功能方塊的複數個實例。
將電腦805的追加詳細構造揭示於圖2。電腦805內所示之功能方塊，係為了確立例示性功能而提供，並非意欲詳盡羅列者。另外，雖未針對遠程電腦815、網站伺服器820、雲端儲存伺服器825以及電腦伺服器830提供詳細構造，惟該等其他電腦以及裝置，亦可具備針對電腦805所揭示的同樣功能。
電腦805，可為個人電腦(Personal Computer，PC)、桌上型電腦、膝上型電腦、平板電腦、小筆電、個人數位助理(PDA，Personal Digital Assistant)、智慧型手機，或可與網路810上其他裝置通信的任意其他可程式電子裝置。
電腦805，可包含：處理器835、匯流排837、記憶體840、非揮發性存儲器845、網路介面850、周邊介面855以及顯示器介面865。該等各別功能，在若干實施態樣中，係作為各別電子次系統(積體電路晶片或晶片相關裝置的組合)，或者，在其他實施態樣中，某程度之功能組合可安裝在單一晶片 [ 有時會稱為系統晶片或SoC(System on a Chip，系統單晶片)] 上。
處理器835，亦可為1個或複數個單一或多晶片微處理器。
匯流排837，可為：ISA(Industry Standard Architecture，工業標準架構)、PCI(Peripheral Component Interconnect，週邊組件互連)、PCI Express(PCI-E，Peripheral Component Interconnect Express，快捷週邊組件互連介面)、AGP(Accelerated Graphics Port，加速影像處理埠)等獨特標準之高速並列或序列週邊互連匯流排。
記憶體840以及非揮發性存儲器845，可為電腦可讀取記錄媒體。記憶體840，亦可包含動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory，DRAM)以及靜態隨機存取記憶體(SRAM)等任意適當的揮發性記憶裝置。非揮發性存儲器845，亦可包含：軟碟、硬碟、固態硬碟(SSD)、唯讀記憶體(ROM)、可程式唯讀記憶體(EPROM或Flash)、光碟(CD或CD-ROM)、數位多功光碟(DVD)以及記憶卡或記憶棒其中1種以上。
程式848，亦可為「儲存於非揮發性存儲器845，為了作成、管理以及控制在本發明其他段落詳細說明且圖式所示之特定軟體功能而使用」的機器可讀取指令及/或資料集合。在若干實施態樣中，記憶體840，亦可比非揮發性存儲器845更快得多。在該等實施態樣中，程式848，亦可在由處理器835執行之前從非揮發性存儲器845轉送到記憶體840。
電腦805，可透過網路介面850並透過網路810與其他電腦通信、對話。網路810，例如亦可包含：區域網路(LAN)、網際網路等廣域網路(Wide Area Network，WAN)、或兩者的組合、有線、無線、或光纖連接。一般而言，網路810，可為支援2台以上電腦與相關裝置間之通信的連接以及協定的任意組合。
周邊介面855，可令「電腦805」與「亦可區域連接的其他裝置」之間的資料輸入輸出為可能。例如，周邊介面855，可提供與外部裝置860的連接。外部裝置860，亦可包含：鍵盤、滑鼠、鍵板、觸控面板及/或其他適當的輸入裝置等。外部裝置860更可包含例如：隨身碟、可攜式光碟或磁碟，以及記憶卡等可攜式電腦可讀取記錄媒體。本發明之實施態樣所使用的軟體以及資料(例如程式848)，可記憶於攜帶型電腦可讀取記錄媒體等。在該等實施態樣中，軟體，可載入非揮發性存儲器845，或取代於此，透過周邊介面855直接載入記憶體840。周邊介面855，可使用RS-232或通用序列匯流排(Universal Serial Bus，USB)等業界標準連接方式與外部裝置860連接。
顯示器介面865，亦可將電腦805與顯示器870連接。顯示器870，在若干實施態樣中，可用來對電腦805的使用者提示命令行或圖形使用者介面。顯示器介面865，可使用1種以上之獨特規格的連接方式，或VGA(Video Graphics Array，視訊圖形陣列)、DVI(Digital Visual Interface，數位視訊介面)、顯示埠、HDMI(High Definition Multimedia Interface，高畫質多媒體介面，登記商標)等業界標準連接方式，與顯示器870連接。
如上所述的，網路介面850，提供與電腦805外部的其他計算系統以及存儲系統或裝置的通信。本說明書所說明之軟體程式以及資料，例如，可從遠程電腦815、網站伺服器820、雲端儲存伺服器825以及電腦伺服器830，透過網路介面850以及網路810下載到非揮發性存儲器845。再者，本發明所記載之系統以及方法，可由透過網路介面850以及網路810與電腦805連接的1台以上的電腦實行之。例如，在若干實施態樣中，本發明所記載之系統以及方法，可由遠程電腦815、電腦伺服器830或網路810上相互連接的電腦的組合實行之。
資料、資料集及/或本發明所記載之系統以及方法的實施例所使用的資料庫，可從遠程電腦815、網站伺服器820、雲端儲存伺服器825以及電腦伺服器830保存或下載。
＜電漿處理裝置＞ 以下，針對作為電漿處理裝置1之一例的電容耦合型的電漿處理裝置的構造例進行說明。圖3，係用來說明電容耦合型的電漿處理裝置的構造例的圖式。
電容耦合型的電漿處理裝置1，包含：電漿處理室10、氣體供給部20、電源30以及排氣系統40。另外，電漿處理裝置1，包含：作為基板支持器之一例的基板支持部11，以及氣體導入部。氣體導入部，以將至少1種處理氣體導入到電漿處理室10內的方式構成。氣體導入部，包含噴淋頭13。基板支持部11，配置在電漿處理室10內。噴淋頭13，配置在基板支持部11的上方。在一實施態樣中，噴淋頭13，構成電漿處理室10的頂部(ceiling)的至少一部分。電漿處理室10，具有由噴淋頭13、電漿處理室10的側壁10a以及基板支持部11所劃定的電漿處理空間10s。電漿處理室10接地。噴淋頭13以及基板支持部11，與電漿處理室10的殼體電性絕緣。
基板支持部11，包含：本體部111，以及環狀組件112。本體部111，具有：用以支持基板W的中央區域111a，以及用以支持環狀組件112的環狀區域111b。晶圓為基板W的一例。本體部111的環狀區域111b，在俯視下包圍本體部111的中央區域111a。基板W，配置在本體部111的中央區域111a上；環狀組件112，以包圍本體部111的中央區域111a上的基板W的方式，配置在本體部111的環狀區域111b上。因此，中央區域111a，亦稱為用以支持基板W的基板支持面；環狀區域111b，亦稱為用以支持環狀組件112的環狀支持面。
在一實施態樣中，本體部111，包含：基台1110，以及靜電夾頭1111。基台1110，例如包含鋁等導電性構件，並大致具有圓盤形狀。基台1110的導電性構件可發揮作為下部電極的功能。靜電夾頭1111，配置在基台1110之上。靜電夾頭1111，包含：第1介電體部1111a，以及第2介電體部1111b。在一實施態樣中，第1介電體部1111a，具有中央區域111a，並載置基板W。第2介電體部1111b，具有環狀區域111b，並載置環狀組件112。第2介電體部1111b，以包圍第1介電體部1111a的方式配置。
另外，環狀靜電夾頭或環狀絕緣構件等包圍靜電夾頭1111的其他構件亦可具有環狀區域111b。此時，環狀組件112，亦可配置在環狀靜電夾頭或環狀絕緣構件之上，亦可配置在靜電夾頭1111與環狀絕緣構件二者之上。另外，與後述的射頻信號電源31及/或直流信號電源32連結的至少1個射頻信號/直流信號電極亦可配置在靜電夾頭1111內。此時，至少1個射頻信號/直流信號電極發揮作為下部電極的功能。當後述的偏壓射頻信號及/或直流信號供給到至少1個射頻信號/直流信號電極時，射頻信號/直流信號電極亦稱為偏壓電極。另外，基台1110的導電性構件與至少1個射頻信號/直流信號電極亦可發揮作為複數個下部電極的功能。另外，靜電夾頭1111內的電極亦可發揮作為下部電極的功能。因此，基板支持部11，包含至少1個下部電極。
環狀組件112，包含1或複數個環狀構件。在一實施態樣中，1或複數個環狀構件，包含1或複數個邊緣環與至少1個覆蓋環。邊緣環，係由導電性材料或絕緣材料所形成；覆蓋環，係由絕緣材料所形成。另外，覆蓋環亦可省略。
另外，基板支持部11，亦可包含調溫模組，其以「將靜電夾頭1111、環狀組件112以及基板W的其中至少1個，調節至目標溫度」的方式構成。調溫模組，亦可包含：加熱器、導熱媒體、流通管路1110c，或其組合。於流通管路1110c，流通鹽水或氣體等導熱流體。在一實施態樣中，流通管路1110c形成在基台1110內，1或複數個加熱器配置在靜電夾頭1111內。另外，基板支持部11，亦可包含導熱氣體供給部，其以「將導熱氣體供給到基板W的背面與中央區域111a之間的間隙」的方式構成。
噴淋頭13，以「將來自氣體供給部20的至少1種處理氣體，導入到電漿處理空間10s內」的方式構成。噴淋頭13，具有：至少1個氣體供給口13a、至少1個氣體擴散室13b，以及複數個氣體導入口13c。供給到氣體供給口13a的處理氣體，通過氣體擴散室13b，從複數個氣體導入口13c導入到電漿處理空間10s內。另外，噴淋頭13，包含至少1個上部電極。另外，氣體導入部，除了噴淋頭13之外，亦可包含1或複數個側邊氣體注入部(Side Gas Injector，SGI)，其安裝於1或複數個開口部，該1或複數個開口部形成於側壁10a。
氣體供給部20，亦可包含：至少1個氣體源21，以及至少1個流量控制器22。在一實施態樣中，氣體供給部20，以「將至少1種處理氣體，從各自對應的氣體源21，透過各自對應的流量控制器22，供給到噴淋頭13」的方式構成。各流量控制器22，例如亦可包含質量流量控制器或壓力控制式流量控制器。再者，氣體供給部20，亦可包含將至少1種處理氣體的流量調變或脈衝化的至少1個流量調變裝置。
電源30，包含透過至少1個阻抗匹配電路與電漿處理室10連結的射頻信號電源31。射頻信號電源31，以「將至少1種射頻信號(RF電力)供給到至少1個下部電極及/或至少1個上部電極」的方式構成。藉此，從供給到電漿處理空間10s的至少1種處理氣體形成電漿。因此，射頻信號電源31，可發揮作為電漿生成部12的至少一部分的功能。另外，藉由將偏壓射頻信號供給到至少1個下部電極，便可於基板W產生偏壓電位，而將所形成之電漿中的離子成分吸引到基板W。
在一實施態樣中，射頻信號電源31，包含：第1射頻信號生成部31a，以及第2射頻信號生成部31b。第1射頻信號生成部31a，以「透過至少1個阻抗匹配電路與至少1個下部電極及/或至少1個上部電極連結，並生成電漿生成用的來源射頻信號(來源射頻信號電力)」的方式構成。在一實施態樣中，來源射頻信號，具有在10MHz～150MHz之範圍內的頻率。在一實施態樣中，第1射頻信號生成部31a，亦可以「生成具有相異頻率之複數個來源射頻信號」的方式構成。所生成之1或複數個來源射頻信號，供給到至少1個下部電極及/或至少1個上部電極。
第2射頻信號生成部31b，以「透過至少1個阻抗匹配電路與至少1個下部電極連結，並生成偏壓射頻信號(偏壓射頻信號電力)」的方式構成。偏壓射頻信號的頻率，可與來源射頻信號的頻率相同，亦可相異。在一實施態樣中，偏壓射頻信號，具有比來源射頻信號的頻率更低的頻率。在一實施態樣中，偏壓射頻信號，具有在100kHz～60MHz之範圍內的頻率。在一實施態樣中，第2射頻信號生成部31b，亦可以「生成具有相異頻率之複數個偏壓射頻信號」的方式構成。所生成之1或複數個偏壓射頻信號，供給到至少1個下部電極。另外，在各種實施態樣中，亦可來源射頻信號以及偏壓射頻信號的其中至少1個被脈衝化。
另外，電源30，亦可包含與電漿處理室10連結的直流信號電源32。直流信號電源32，包含：第1直流信號生成部32a，以及第2直流信號生成部32b。在一實施態樣中，第1直流信號生成部32a，以「與至少1個下部電極連接，並生成第1直流信號」的方式構成。所生成之第1直流信號，施加於至少1個下部電極。在一實施態樣中，第2直流信號生成部32b，以「與至少1個上部電極連接，並生成第2直流信號」的方式構成。所生成之第2直流信號，施加於至少1個上部電極。
在各種實施態樣中，亦可第1以及第2直流信號被脈衝化。此時，電壓脈衝的序列施加於至少1個下部電極及/或至少1個上部電極。電壓脈衝，亦可具有矩形、梯形、三角形或其組合的脈衝波形。在一實施態樣中，用以從直流信號生成電壓脈衝序列的波形生成部連接在第1直流信號生成部32a與至少1個下部電極之間。因此，第1直流信號生成部32a以及波形生成部，構成電壓脈衝生成部。當第2直流信號生成部32b以及波形生成部構成電壓脈衝生成部時，電壓脈衝生成部，與至少1個上部電極連接。電壓脈衝，亦可具有正極性，亦可具有負極性。另外，電壓脈衝的序列，亦可在1周期內包含1或複數個正極性電壓脈衝與1或複數個負極性電壓脈衝。另外，第1以及第2直流信號生成部32a、32b，亦可增設於射頻信號電源31，亦可設置成第1直流信號生成部32a取代第2射頻信號生成部31b。
排氣系統40，例如可與設置在電漿處理室10的底部的氣體排出口10e連接。排氣系統40，亦可包含：壓力調整閥，以及真空泵。藉由壓力調整閥，電漿處理空間10s內的壓力受到調整。真空泵，亦可包含：渦輪分子泵、乾式泵或其組合。
＜基板支持部＞ 接著，針對上述基板支持部11的構造，例示出複數個實施態樣，進行說明。
＜第1實施態樣＞ 圖4，係表示第1實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。另外，第1實施態樣於第1介電體部1111a的構造具有特徴，在圖4的例子中將第2介電體部1111b的圖式省略。
第1介電體部1111a，具備：熔射層200，以及燒結層201。熔射層200，係藉由熔射絕緣性材料[例如Al 2O 3(氧化鋁，alumina)等的陶瓷]所形成。燒結層201，係由絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)的燒結板所形成。燒結層201配置在熔射層200的上部；燒結層201的頂面，構成用以支持基板W的中央區域111a(基板支持面)。
在熔射層200的內部，設置了用以調節基板W的溫度的加熱器電極202。加熱器電極202，係藉由熔射導電性材料(例如金屬)所形成。在燒結層201的內部，設置了用以吸附基板W的靜電電極203。靜電電極203，係燒結導電性材料(例如金屬)所形成。
另外，加熱器電極202與靜電電極203的配置不限於本實施態樣。例如，加熱器電極202，亦可配置於熔射層200與燒結層201的界面。另外，加熱器電極202與靜電電極203亦可各自被分割。再者，亦可在第1介電體部1111a的內部，設置被供給直流信號或交流信號的偏壓電力的偏壓電極(圖中未顯示)。
第1介電體部1111a，透過接合層204配置在基台1110之上。接合層204，發揮將熔射層200與基台1110接合之接合劑的功能。接合層204，係由具有耐電漿性以及耐熱性的材料(例如丙烯酸類樹脂、矽氧樹脂、環氧類樹脂等)所形成。
如以上所述的，第1介電體部1111a，為具備熔射層200與燒結層201的混合構造。
在此，熔射層200，具有「製作期間較短、可令製作成本更低廉」此等優點。另一方面，熔射層200，在射頻信號電力較大，或對靜電電極203所供給之電力較大時，會有發生異常放電而導致熔射層200劣化之虞。另外，熔射層200，緻密度較低，長時間暴露於電漿中表面容易發生變化。因此，相較於燒結層201，電漿耐性較低，壽命比燒結層201更短。因此，將熔射層200配置於非電漿曝露面側。
燒結層201，在射頻信號電力較大或對靜電電極203所供給之電力較大時也可使用，可因應高功率化之情況。而且，燒結層201，電漿耐性較高，壽命較長，而且揚塵量較少。另一方面，燒結層201，製作期間較長，製作成本較高。因此，燒結層201，僅配置於電漿曝露面側。
若根據本實施態樣，第1介電體部1111a，兼具熔射層200的優點與燒結層201的優點。亦即，可由電漿曝露面側的燒結層201實現高功率化與高壽命化，同時可由非曝露面側的熔射層200實現製作期間(前置時間)的縮短與製作成本的低廉化。
另外，由於係藉由熔射形成加熱器電極202，故可縮短該加熱器電極202的製作期間，同時令製作成本更低廉。其結果，便可例如配合任意的加熱器圖案而輕易地製作出加熱器電極202。
另外，在本實施態樣中，當欲製作第1介電體部1111a時，係先準備於內部具備靜電電極203的燒結層201，之後，在該燒結層201之上藉由熔射形成熔射層200與加熱器電極202。之後，將熔射層200，透過接合層204接合於基台1110。此時，由於接合層204係具有柔軟性的接合劑，故可將熔射層200與基台1110適當地接合。而且，亦可藉由接合層204降低熱阻。
如以上所述的，基板支持部11在製作上宜具備接合層204。然而，若從如上所述的發揮熔射層200的優點與燒結層201的優點此等觀點來看，可省略接合層204。
＜第2實施態樣＞ 圖5，係表示第2實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。
第1介電體部1111a，具備燒結層210。燒結層210，係由絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)的燒結板所形成。燒結層210的頂面，構成用以支持基板W的中央區域111a(基板支持面)。
在燒結層210的內部，設置了用以吸附基板W的第1靜電電極211。第1靜電電極211，係燒結導電性材料(例如金屬)所形成。另外，第1靜電電極211，亦可被分割。另外，亦可在燒結層201的內部，設置用以加熱基板W的加熱器電極(圖中未顯示)，或被供給直流信號或交流信號的偏壓電力的偏壓電極(圖中未顯示)。
第1介電體部1111a，透過接合層212配置在基台1110之上。接合層212，係由與第1實施態樣之接合層204同樣的材料所形成，發揮作為將燒結層210與基台1110接合之接合劑的功能。
第2介電體部1111b，包圍第1介電體部1111a，並具備熔射層220。熔射層220，係藉由將絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)熔射在基台1110的外周圍部位所形成。熔射層220的頂面，構成用以支持環狀組件112的環狀區域111b(環狀支持面)。另外，第1介電體部1111a與第2介電體部1111b的配置不限於本實施態樣。例如，第1介電體部1111a與第2介電體部1111b之間亦可分離，以防止第1介電體部1111a與第2介電體部1111b互相熱干擾。
在熔射層220的內部，設置了用以吸附環狀組件112的第2靜電電極221。第2靜電電極221，係藉由熔射導電性材料(例如金屬)所形成。另外，第2靜電電極221，亦可被分割。另外，亦可在熔射層220的內部，設置用以加熱基板W的加熱器電極(圖中未顯示)，或被供給直流信號或交流信號的偏壓電力的偏壓電極(圖中未顯示)。
在此，環狀組件112的邊緣環的溫度，有時會被要求為比基板W的溫度更低的設定值。然而，環狀區域111b的環狀支持面的吸附面積，比邊緣環曝露於電漿中的面積更小。因此，支持環狀組件112的第2介電體部1111b，有必要提高散熱能力。
然而，以往，由於第2介電體部係具備由絕緣性材料所形成的燒結層，且該燒結層係透過接合層配置在基台之上，故有時會要求接合層的散熱能力以上的散熱能力。另外，為了提高散熱能力，雖也會將導熱氣體(例如He氣)供給到第2介電體部的燒結層與邊緣環之間，惟此時，會有在邊緣環的底面發生異常放電之虞。
關於此點，在本實施態樣中，第2介電體部1111b的熔射層220，不透過接合層，而係直接配置在基台1110之上。因此，可提高散熱能力。而且，藉由以熔射層220構成第2介電體部1111b，便可縮短製作期間，亦可令製作成本更低廉。
＜第3實施態樣＞ 圖6，係表示第3實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。第3實施態樣，為第2實施態樣的變化實施例。
第1介電體部1111a，具備燒結層230。燒結層230，係由絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)的燒結板所形成。燒結層230的頂面，構成用以支持基板W的中央區域111a(基板支持面)。
在燒結層230的內部，設置了用以吸附基板W的第1靜電電極231。第1靜電電極231，係燒結導電性材料(例如金屬)所形成。另外，第1靜電電極231，亦可被分割。
第1介電體部1111a，透過接合層232，配置在後述的熔射層240之上。接合層232，係由與第2實施態樣之接合層212同樣的材料所形成，發揮作為將燒結層230與後述的熔射層240接合之接合劑的功能。
第2介電體部1111b，具備熔射層240。熔射層240，係將絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)熔射於基台1110的全面所形成。亦即，熔射層240，延伸、配置到第1介電體部1111a的下部。熔射層240的頂面外周圍部位，構成用以支持環狀組件112的環狀區域111b(環狀支持面)。
在熔射層240的內部的外周圍部位，設置了用以吸附環狀組件112的第2靜電電極241。第2靜電電極241，係藉由熔射導電性材料(例如金屬)所形成。另外，第2靜電電極241，亦可被分割。
在本實施態樣中，亦可享有與第2實施態樣同樣的功效。亦即，第2介電體部1111b的熔射層240，不透過接合層，而係直接配置在基台1110之上，故可提高散熱能力。另外，藉由以熔射層240構成第2介電體部1111b，亦可縮短製作期間，並令製作成本更低廉。
＜第4實施態樣＞ 圖7，係表示第4實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。第4實施態樣，係將第1實施態樣與第3實施態樣組合的例子。
第1介電體部1111a，具備：第1熔射層250，以及燒結層251。第1熔射層250，係藉由熔射絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)所形成。燒結層251，係由絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)的燒結板所形成。燒結層251配置在第1熔射層250的上部；燒結層251的頂面，構成用以支持基板W的中央區域111a(基板支持面)。
在燒結層251的內部，設置了用以吸附基板W的第1靜電電極252。第1靜電電極252，係燒結導電性材料(例如金屬)所形成。另外，第1靜電電極252，亦可被分割。
第1介電體部1111a，透過接合層253，配置在後述的第2熔射層260之上。接合層253，係由與第1實施態樣之接合層204同樣的材料所形成，發揮作為將第1熔射層250與第2熔射層260接合之接合劑的功能。
第2介電體部1111b，具備第2熔射層260。第2熔射層260，係藉由將絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)熔射於基台1110的全面所形成。亦即，第2熔射層260，延伸、配置到第1介電體部1111a的下部。第2熔射層260的頂面外周圍部位，構成用以支持環狀組件112的環狀區域111b(環狀支持面)。
在第2熔射層260的內部的外周圍部位，設置了用以吸附環狀組件112的第2靜電電極261。第2靜電電極261，係藉由熔射導電性材料(例如金屬)所形成。另外，第2靜電電極261，亦可被分割。
若根據本實施態樣，便可享有第1實施態樣的功效與第3實施態樣的功效二者。亦即，在第1介電體部1111a中，可由電漿曝露面側的燒結層251實現高功率化與高壽命化，同時可由非曝露面側的第1熔射層250實現製作期間的縮短與製作成本的低廉化。另外，在第2介電體部1111b中，由於第2熔射層260不透過接合層而係直接配置在基台1110之上，故可提高散熱能力。再者，藉由以第2熔射層260構成第2介電體部1111b，亦可縮短製作期間，並令製作成本更低廉。
另外，在本實施態樣中，第1熔射層250的熔射材料與第2熔射層260的熔射材料雖相同，惟該等熔射材料亦可相異。
＜第5實施態樣＞ 圖8，係表示第5實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。
第1介電體部1111a，具備：第1熔射層270，以及第1燒結層271。另外，第1熔射層270，包含所堆疊之複數層(例如2層)的第1熔射層270a、270b。上側所配置之第1上部熔射層270a，係藉由熔射絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)所形成。下側所配置之第1下部熔射層270b，亦係藉由熔射絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)所形成。第1燒結層271，係由絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)的燒結板所形成。第1燒結層271配置在第1熔射層270的上部；第1燒結層271的頂面，構成用以支持基板W的中央區域111a(基板支持面)。
第1上部熔射層270a的厚度，例如對應後述第1偏壓電極272與第1靜電電極273的距離適當調整之。第1下部熔射層270b的厚度，例如對應後述第1靜電電極273與基台1110的距離適當調整之。
在第1上部熔射層270a與第1下部熔射層270b的界面，設置了第1偏壓電極272，其被供給用以控制電漿電位的直流信號脈衝的偏壓電力。第1偏壓電極272，係藉由將導電性材料(例如金屬)熔射於第1上部熔射層270a所形成。另外，第1偏壓電極272，以外徑尺寸以及同軸的方式形成之。另外，第1偏壓電極272，亦可被分割。
在第1燒結層271與第1上部熔射層270a的界面，設置了用以吸附基板W的第1靜電電極273。第1靜電電極273，係藉由將導電性材料(例如金屬)熔射於第1燒結層271所形成。另外，第1靜電電極273，因應需要以外形尺寸以及單極、雙極、同軸的方式形成之，並作成導通用的電極構造。另外，第1靜電電極273，亦可被分割。
另外，第1偏壓電極272與第1靜電電極273的配置不限於本實施態樣。例如，第1靜電電極273，亦可設置在第1燒結層271的內部。此時，第1靜電電極273，係燒結導電性材料(例如金屬)所形成。
第2介電體部1111b，具備：第2熔射層280，以及第2燒結層281。另外，第2熔射層280，包含所堆疊之複數層(例如2層)的第2熔射層280a、280b。上側所配置之第2上部熔射層280a，係藉由熔射絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)所形成。下側所配置之第2下部熔射層280b，亦係藉由熔射絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)所形成。第2燒結層281，係由絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)的燒結板所形成。第2燒結層281配置在第2熔射層280的上部；第2燒結層281的頂面，構成用以支持環狀組件112的環狀區域111b(環狀支持面)。
第2上部熔射層280a的厚度，例如對應後述第2偏壓電極282與第2靜電電極283的距離適當調整之。第2下部熔射層280b的厚度，例如對應後述第2靜電電極283與基台1110的距離適當調整之。
在第2上部熔射層280a與第2下部熔射層280b的界面，設置了第2偏壓電極282，其被供給直流信號脈衝的偏壓電力。第2偏壓電極282，係藉由將導電性材料(例如金屬)熔射於第2上部熔射層280a所形成。另外，第2偏壓電極282，以外徑尺寸以及同軸的方式形成之。另外，第2偏壓電極282，亦可被分割。
在第2燒結層281與第2上部熔射層280a的界面，設置了用以吸附環狀組件112的第2靜電電極283。第2靜電電極283，係藉由將導電性材料(例如金屬)熔射於第2燒結層281所形成。另外，第2靜電電極283，因應需要以外形尺寸以及單極、雙極、同軸的方式形成之，並作成導通用的電極構造。另外，第2靜電電極283，亦可被分割。
另外，第2偏壓電極282與第2靜電電極283的配置不限於本實施態樣。例如，第2靜電電極283，亦可設置在第2燒結層281的內部。此時，第2靜電電極283，係燒結導電性材料(例如金屬)所形成。另外，第2偏壓電極282與第2靜電電極283亦可均省略之。
若根據本實施態樣，第1介電體部1111a，便可由電漿曝露面側的第1燒結層271實現高功率化與高壽命化，同時可由非曝露面側的第1熔射層270實現製作期間的縮短與製作成本的低廉化。第2介電體部1111b，亦可享有與第1介電體部1111a同樣的功效。
另外，在本實施態樣中，係第1介電體部1111a具備第1熔射層270，而第2介電體部1111b具備第2熔射層280，惟亦可第1介電體部1111a與第2介電體部1111b的其中任一方由燒結層所形成。
另外，若根據本實施態樣，由於第1熔射層270包含複數個第1熔射層270a、270b，故可控制第1偏壓電極272與基板W的距離，並可提高功率效率。第2熔射層280，亦可享有與第1熔射層270同樣的功效。
另外，第1熔射層270與第2熔射層280的堆疊數，均不限於本實施態樣。例如，亦可為1層，亦可在3層以上。
另外，在本實施態樣中，第1上部熔射層270a的熔射材料與第1下部熔射層270b的熔射材料雖相同，惟該等熔射材料亦可相異。此時，可活化各層的特性，例如可使用對應內包電極的熔射材料。
另外，若根據本實施態樣，由於均利用熔射形成第1偏壓電極272與第1靜電電極273，故可縮短該等電極272、273的製作期間，同時可降低製作成本。其結果，便可配合例如任意的圖案輕易地製作出電極272、273。
另外，在本實施態樣中，第1偏壓電極272與第2偏壓電極282，亦可配置成在俯視下重疊。此時，便可藉由調整在第1偏壓電極272與第2偏壓電極282之間所產生的寄生電容以控制阻抗，並可控制在基板W側與環狀組件112側傳播的偏壓射頻信號的量。
在本實施態樣中，當欲製作第1介電體部1111a時，首先，準備第1燒結層271。之後，在第1燒結層271之上，依序利用熔射形成第1靜電電極273、第1上部熔射層270a、第1偏壓電極272、第1下部熔射層270b。在形成第1靜電電極273與第1偏壓電極272時，亦可用遮罩直接熔射形成圖案，亦可在全面熔射之後，利用機械加工或燒除形成圖案。
另外，雖在本實施態樣的圖中並未顯示，惟亦可在製作第1介電體部1111a之後，將第1下部熔射層270b，透過第1接合層(圖中未顯示)接合於基台1110。可於第1接合層設置具有柔軟性的接合劑，以將第1下部熔射層270b與基台1110適當地接合。另外，亦可利用第1接合層降低熱阻。
第2介電體部1111b，亦可以與第1介電體部1111a的製作同樣的方法製作之。然後，亦可在第2介電體部1111b中將第2下部熔射層280b透過第2接合層(圖中未顯示)接合於基台1110。
＜第6實施態樣＞ 圖9，係表示第6實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。第6實施態樣，為第5實施態樣的變化實施例。
在本實施態樣中，第1介電體部1111a與第2介電體部1111b配置成互相分離。另外，基台1110具備第1基台1110a與第2基台1110b；該等第1基台1110a與第2基台1110b配置成互相分離。第1基台1110a係第1介電體部1111a的下部的基台；第2基台1110b係第2介電體部1111b的下部的基台。
像這樣，藉由將「第1介電體部1111a以及第1基台1110a」與「第2介電體部1111b以及第2基台1110b」分離，便可防止彼此的熱干擾。另外，該分離，亦可適用於上述第1～第5實施態樣。
第1介電體部1111a，具備：第1熔射層290，以及第1燒結層291。第1熔射層290，係藉由熔射絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)所形成。第1燒結層291，係由絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)的燒結板所形成。另外，第1熔射層290，亦可與第5實施態樣的第1熔射層270同樣，包含複數個熔射層。第1燒結層291配置在第1熔射層290的上部；第1燒結層291的頂面，構成用以支持基板W的中央區域111a(基板支持面)。
在第1燒結層291與第1熔射層290的界面，設置了用以加熱基板W的第1加熱器電極292。第1加熱器電極292，係藉由將導電性材料(例如金屬)熔射於第1燒結層291所形成。另外，第1加熱器電極292，亦可被分割。
在第1燒結層291的內部，設置了用以吸附基板W的第1靜電電極293。第1靜電電極293，係燒結導電性材料(例如金屬)所形成。另外，第1靜電電極293，亦可被分割。
另外，第1加熱器電極292與第1靜電電極293的配置不限於本實施態樣。
第2介電體部1111b，具備：第2熔射層300，以及第2燒結層301。第2熔射層300，係藉由熔射絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)所形成。另外，第2熔射層300，亦可與第5實施態樣的第2熔射層280同樣，包含複數個熔射層。第2燒結層301，係由絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)的燒結板所形成。第2燒結層301配置在第2熔射層300的上部；第2燒結層301的頂面，構成用以支持環狀組件112的環狀區域111b(環狀支持面)。
在第2燒結層301與第2熔射層300的界面，設置了用以加熱環狀組件112的第2加熱器電極302。第2加熱器電極302，係藉由將導電性材料(例如金屬)熔射於第2燒結層301所形成。另外，第2加熱器電極302，亦可被分割。
另外，亦可在第2燒結層301的內部，設置用以吸附環狀組件112的第2靜電電極(圖中未顯示)。此時，第2靜電電極，係燒結導電性材料(例如金屬)所形成。另外，第2靜電電極，亦可被分割。
在本實施態樣中，亦可享有與第5實施態樣同樣的功效。亦即，第1介電體部1111a，可由電漿曝露面側的第1燒結層291實現高功率化與高壽命化，同時可由非曝露面側的第1熔射層290實現製作期間的縮短與製作成本的低廉化。第2介電體部1111b，亦可享有與第1介電體部1111a同樣的功效。
另外，在本實施態樣中，係第1介電體部1111a具備第1熔射層290，第2介電體部1111b具備第2熔射層300，惟亦可第1介電體部1111a與第2介電體部1111b的其中任一方由燒結層所形成。
在本實施態樣中，當欲製作第1介電體部1111a時，係先準備於內部具備第1靜電電極293的第1燒結層291，之後，在第1燒結層291之上依序利用熔射形成第1加熱器電極292與第1熔射層290。在形成第1加熱器電極292時，亦可用遮罩直接熔射形成圖案，亦可在全面熔射之後利用機械加工或燒除形成圖案。
在該第1介電體部1111a的製作步驟中，亦可在形成了第1加熱器電極292之後，對該第1加熱器電極292供給電力，以測定基板面內的發熱分布。若以修正所測定到之發熱分布與設計上之發熱分布的差分的方式，修整第1加熱器電極292的線寬，便可修正製造上的個體差異，並製作出溫度面內均一性優異的第1介電體部1111a。
另外，雖在本實施態樣的圖中並未顯示，惟亦可在製作第1介電體部1111a之後，將第1熔射層290透過第1接合層(圖中未顯示)接合於基台1110。可於第1接合層設置具有柔軟性的接合劑，以將第1熔射層290與基台1110適當地接合。另外，亦可利用第1接合層降低熱阻。
第2介電體部1111b，亦可以與第1介電體部1111a的製作同樣的方法製作之。然後，亦可在第2介電體部1111b中將第2熔射層300透過第2接合層(圖中未顯示)接合於基台1110。
＜第7實施態樣＞ 圖10，係表示第7實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。本實施態樣，係在上述第1～第6實施態樣中，保護將第1介電體部1111a與基台1110接合的接合層。在以下的例子中，係針對保護第2實施態樣中的接合層212的態樣，進行說明。另外，在圖10的例子中，省略第2介電體部1111b的圖式。
將第1介電體部1111a與基台1110接合的接合層212的半徑，比第1介電體部1111a的半徑更小。在該接合層212的外周圍部位，以覆蓋該接合層212的外側面的方式，配置了作為保護構件的熔射環310。熔射環310，配置在第1介電體部1111a的燒結層210的下部。熔射環310，大致具有圓環形狀。熔射環310的徑向的厚度，設定成與散熱能力取得平衡，例如為數mm。
熔射環310，係藉由熔射絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)所形成。在本實施態樣中，係在像這樣形成熔射環310之後，於該熔射環310的內側形成接合層212，再於接合層212與熔射環310之上形成燒結層210。
在此，若接合層212曝露在電漿中，該接合層212會經常地消耗。若接合層212消耗，該部分的熱阻會變大。作為其對策，吾人亦思及在接合層212的外周圍部位設置例如O-ring(O型環)，惟O-ring施工較困難，成本較高。再者，O-ring，會有從接合層212脫離之虞。
關於此點，在本實施態樣中，係以覆蓋接合層212的外側面的方式設置了熔射環310，故可防止接合層212的消耗，並提高散熱能力。而且，熔射環310，具有「製作期間較短，可令製作成本低廉」此等優點。再者，熔射環310，不會從接合層212脫離。
＜第8實施態樣＞ 圖11，係表示第8實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。第8實施態樣，為第7實施態樣的變化實施例，其保護上述第1～第6實施態樣中的接合層。在以下的例子中，亦針對保護第2實施態樣中的接合層212的態樣進行說明，在圖11的例子中，省略第2介電體部1111b的圖式。
將第1介電體部1111a與基台1110接合的接合層212的半徑，與第1介電體部1111a的半徑大致相同。在該接合層212的外周圍部位，以覆蓋該接合層212的外側面的方式，配置了作為保護構件的熔射環320。熔射環320的上部，亦可覆蓋燒結層210的下部外側面。熔射環320，大致具有圓環形狀。熔射環320的徑向的厚度，設定成與散熱能力取得平衡，例如為數mm。
熔射環320，係藉由熔射絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)所形成。在本實施態樣中，係在透過接合層212將燒結層210接合於基台1110之後，利用熔射形成熔射環320。
在本實施態樣中，亦可享有與第7實施態樣同樣的功效。亦即，係以覆蓋接合層212的外側面的方式設置熔射環320，故可防止接合層212的消耗，並提高散熱能力。而且，熔射環320，具有「製作期間較短，可令製作成本更低廉」此等優點。再者，熔射環320，不會從接合層212脫離。
＜第9實施態樣＞ 圖12，係表示第9實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。本實施態樣，係在上述第1～第8實施態樣中，於本體部111中的吾人所期望的位置設置含浸部。在以下的例子中，係針對於第1實施態樣中的第1介電體部1111a設置含浸部的態樣，進行說明。另外，在圖12的例子中，省略第2介電體部1111b的圖式。
於本體部111，形成了貫通孔330。貫通孔330，設置成貫通第1介電體部1111a的燒結層201以及熔射層200、接合層204、基台1110。貫通孔330的用途隨意，例如用於：流通導熱氣體的流通管路、對電極供電的路徑、用以將基板W載置於靜電夾頭1111的升降銷所插通的貫通孔等。
在此，基板W的處理中，電漿處理空間10s維持真空環境，另一方面，貫通孔330的內部為大氣氛圍。然後，由於熔射層200具有多孔結構，故會有貫通孔330的空氣透過該熔射層200洩漏(leak)到真空環境的電漿處理空間10s中之虞。
於是，本實施態樣，在熔射層200中，於貫通孔330的周圍形成含浸部340。含浸部340，例如係將熔射部含浸於樹脂所形成。此時，由於利用含浸部340將貫通孔330的周圍封住，故可防止從上述貫通孔330洩漏空氣。
如以上所述的，含浸部340，係將貫通孔330的周圍的熔射部含浸於樹脂所形成。為了適當地控制該含浸部340的範圍，本實施態樣係用以下的方法形成含浸部340。圖13，係表示含浸部340的形成方法的說明圖。在圖13中，左側的流程係從底面側觀察貫通孔330的周邊的俯視圖；右側的流程係貫通孔330的周邊的剖面圖。
首先，如圖13(a)所示的，準備形成了貫通孔330的燒結層201。
接著，如圖13(b)所示的，在燒結層201的底面，於貫通孔330的吾人所期望的範圍形成熔射部341。熔射部341，係藉由熔射絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)所形成。由於像這樣熔射部341係由熔射所形成，故可適當地控制俯視下的形成範圍與形成厚度。
接著，如圖13(c)所示的，將熔射部341含浸於樹脂，形成含浸部340。
接著，如圖13(d)所示的，於燒結層201的底面的全面形成熔射層200。熔射層200，係藉由熔射絕緣性材料(例如Al 2O 3等的陶瓷)所形成。此時，於含浸部340的底面側亦形成了熔射層200。
接著，如圖13(e)所示的，研磨除去含浸部340的底面側的熔射層200，令該含浸部340露出。像這樣，在熔射層200中，於貫通孔330的周圍形成含浸部340。
另外，在本實施態樣中，係在貫通孔330的周圍形成含浸部340，惟含浸部340的形成位置不限於此。在有必要將真空環境與大氣氛圍封住的部位，可設置本實施態樣的含浸部340。
另外，藉由設置含浸部340，亦可調整熔射層200的熱阻，或是調整靜電容量。含浸部340，亦可以該熱阻的調整或靜電容量的調整為目的，形成於吾人所期望的位置。
＜第10實施態樣＞ 圖14～圖16，各自係表示第10實施態樣之供電端子的概略構造的剖面圖。本實施態樣之供電端子，係用來對上述第1～第9實施態樣之各電極供給電力的供電端子。在以下的例子中，係就對第1實施態樣之加熱器電極202供給電力的供電端子，進行說明。
與設置於靜電夾頭的電極連接的供電端子，有必要對該電極適當地供給電力。另外，由於在設置了電極的燒結層或熔射層與基台之間會產生線膨脹係數差，故供電端子亦有必要吸收在該等燒結層或熔射層與基台之間所產生的剪切應力。於是，本實施態樣之供電端子，具備供電功能以及剪切應力吸收功能。
圖14所示之供電端子400，設置成在第1介電體部1111a的內部與加熱器電極202連接。第1介電體部1111a為燒結層或熔射層。供電端子400，具備：圓筒部401，以及熔射部402。圓筒部401，係由絕緣性材料所形成。熔射部402，係在圓筒部401的內部熔射導電性材料(例如鋁等的金屬)，而埋設在該圓筒部401的內部。熔射部402，與加熱器電極202連接，同時與連通電源(圖中未顯示)的供電線(圖中未顯示)連接。
此時，便可利用熔射部402對加熱器電極202適當地供給電力。另外，由於熔射部402具有多孔結構，故亦可吸收上述的剪切應力，並可防止供電端子400的損壞。
圖15所示之供電端子410，設置成在第1介電體部1111a的內部與加熱器電極202連接。第1介電體部1111a為燒結層或熔射層。供電端子410，具備：圓筒部411、芯部412，以及熔射部413。圓筒部411，係由絕緣性材料所形成。芯部412，配置成插通圓筒部411的內部，並由絕緣性材料所形成。熔射部413，係在圓筒部411的內部，於芯部412的周圍，熔射導電性材料(例如鋁等的金屬)所形成。熔射部413，與加熱器電極202連接，同時與連通電源(圖中未顯示)的供電線(圖中未顯示)連接。
此時，便可利用熔射部413對加熱器電極202適當地供給電力。另外，由於熔射部413具有多孔結構，故亦可吸收上述的剪切應力，並可防止供電端子400的損壞。例如，當如圖14所示的在圓筒部401的內部埋設熔射部402於製作上很困難時，亦可如本例在芯部412的周圍設置熔射部413。
圖16所示之供電端子420，設置成在第1介電體部1111a的內部與加熱器電極202連接。第1介電體部1111a為燒結層或熔射層。供電端子420，具備：圓筒部421，導電體部422、423、導電線部424，以及熔射部425。圓筒部421，係由絕緣性材料所形成。導電體部422，係由導電性材料(例如金屬)所形成。導電體部422，在圓筒部421的內部的上部，與加熱器電極202連接。導電體部423，亦由導電性材料(例如金屬)所形成。導電體部423，設置在圓筒部421的內部，並與連通電源(圖中未顯示)的供電線(圖中未顯示)連接。導電線部424，係由導電性材料所形成，例如具有撚合複數條金屬線的絞線構造。導電線部424，與導電體部422、423連接。熔射部425，係在圓筒部421的內部的上部，於導電體部422的周圍熔射導電性材料(例如鋁等的金屬)所形成。熔射部425，與加熱器電極202連接。
此時，對加熱器電極202的電力供給，係透過熔射部425與導電體部422一起實行，故可適當地實行該電力供給。另外，上述的剪切應力，亦由具有多孔結構的熔射部425與導電體部422一起吸收。其結果，便可防止供電端子400的損壞。
如以上所述的，無論在供電端子400、410、420的其中哪一個中，均可適當地實行對加熱器電極202的電力供給與剪切應力吸收。而且，用以享有該等功效的熔射部402、413、425，均具有「製作期間較短、可令製作成本更低廉」此等優點。
＜第11實施態樣＞ 圖17，係表示第11實施態樣之基板支持部的靜電夾頭的概略構造的俯視圖。圖18，係表示第11實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。本實施態樣，在第1～第10實施態樣中，係將各電極所連接的供電端子，與設置於基台1110並與供電端子連通的連接端子，配置成在俯視下錯開。
在圖17以及圖18所示之例中，為了方便說明，靜電夾頭1111中的第1介電體部1111a的構造並未特定，茲針對在該第1介電體部1111a的內部設置了加熱器電極500的例子進行說明。加熱器電極500的加熱器圖案隨意，例如在俯視下具有螺旋形狀。
於加熱器電極500的中心側的一端，連接了用以對加熱器電極500供給電力的供電端子501。供電端子501，設置在第1介電體部1111a的內部。另外，於基台1110，設置了連接端子502，其露出於該基台1110的頂面。連接端子502，在第1介電體部1111a的下部，配置成在俯視下從供電端子501往外周圍側錯開。另外，連接端子502，設置成插通絕緣體部503的內部，而與基台1110電性絕緣。
在第1介電體部1111a與基台1110的界面，設置了將供電端子501的下端與連接端子502的上端連接的熔射電極504。熔射電極504，係熔射導電性材料(例如金屬)所形成。
在此，以往，加熱器電極500所連接的供電端子，與設置於基台1110的連接端子，在俯視下係配置於相同位置。亦即，連接端子配置於供電端子的正下方，該供電端子與連接端子互相連接。此時，若加熱器電極500的加熱器圖案變更而供電端子的位置跟著變更，則必須配合其準備變更了連接端子的位置的基台1110。因此，靜電夾頭1111的製作期間拉長，且製作成本也提高。
關於此點，若根據本實施態樣，即使加熱器電極500的加熱器圖案變更而供電端子501的位置跟著變更，仍無須重新製作基台1110。因此，可對應加熱器電極500的任意加熱器圖案，同時相對於複數個靜電夾頭1111令基台1110共通化。而且，熔射電極504，具有「製作期間較短、可令製作成本更低廉」此等優點。其結果，便可縮短基板支持部11整體的製作期間，並令製作成本更低廉。
另外，由於第1介電體部1111a與基台1110係由相異種類的材料所形成而會產生線膨脹係數差，故會在第1介電體部1111a與基台1110的界面發生剪切應力，該界面會有變脆弱之虞。關於此點，由於熔射電極504具有多孔結構，故可吸收剪切應力，而可改善上述界面的脆弱性質。
另外，本實施態樣之熔射電極504，如上所述的可適用於第1介電體部1111a的任意構造。例如，第1介電體部1111a，亦可如第1實施態樣具備熔射層與燒結層，或者亦可如第2實施態樣僅由燒結層所構成。
另外，在本實施態樣中，作為供電對象的電極為加熱器電極500，惟不限於此。例如，在對靜電電極或偏壓電極供給電力的情況下，亦可適用本實施態樣的熔射電極。
＜第12實施態樣＞ 圖19，係表示第12實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。第12實施態樣，為第11實施態樣的變化實施例。
在本實施態樣中，與第11實施態樣同樣，加熱器電極500所連接的供電端子501，與設置於基台1110的連接端子502，配置成在俯視下錯開。另一方面，本實施態樣之連接端子502，配置成比第11實施態樣的連接端子502更靠外周圍側，配置在第1介電體部1111a的徑向外側。亦即，連接端子502，配置在第2介電體部1111b的下部。
在此，連接端子502，會在基板W的溫度調節時成為特異點。關於此點，在本實施態樣中，由於連接端子502係配置在第1介電體部1111a所支持之基板W的徑向外側，故該特異點會消失，可令電漿處理的基板面內的均一性提高。
而且，在本實施態樣中，亦可享有與第11實施態樣同樣的功效。亦即，可對應任意的加熱器圖案而令基台1110共通化，並可縮短基板支持部11的製作期間，令製作成本更低廉。
＜第13實施態樣＞ 圖20，係表示第13實施態樣之加熱器電極的概略構造的俯視圖。在本實施態樣中，係於上述實施態樣中的加熱器電極形成銷孔。
設置在第1介電體部1111a的內部，用以調節基板W的溫度的加熱器電極600，例如與第1實施態樣的加熱器電極202同樣，係藉由熔射導電性材料(例如金屬)所形成。該加熱器電極600，相當於本發明中的熔射加熱器電極。對加熱器電極600，在吾人所期望的位置實行修整，形成複數個銷孔601作為貫通孔。
在此，近年來，伴隨產品世代的推進，防止靜電夾頭的個體差異的參差不齊的需求逐漸提高。另外，修正靜電夾頭內部之加熱器電極的膜厚差異亦有其必要。然後，以往，為了獲得加熱器電極的必要發熱量，會在以一定的寬度形成加熱器電極之後，例如實行將加熱器電極的外側削除等步驟，藉由調整加熱器電極的寬度，以調整該加熱器電極的電阻值。然而，有時僅調整加熱器電極的寬度，仍無法適當地控制基板的任意位置的溫度。
關於此點，在本實施態樣中，係在加熱器電極600的吾人所期望的位置形成複數個銷孔601。藉由調整該銷孔601的數量以及配置，便可調整加熱器電極600的吾人所期望的位置的電阻值。換言之，藉由將銷孔601分散、形成於吾人所期望的部分，便可精密地調節溫度。因此，便可將基板W調節到適當的溫度，而令電漿處理的基板面內的均一性提高。
而且，由於除了像以往那樣調整加熱器電極的寬度之外，更利用銷孔601調整加熱器電極600的電阻值，故加熱器電極600的設計自由度會提高。
在本實施態樣中，在製作第1介電體部1111a時，首先，利用熔射形成加熱器電極600。之後，在加熱器電極600的任意區間測定電阻值，預先確認確保基板W的溫度分布的面內均一性所必要的加熱器電極600的差異。之後，根據該差異的確認結果，算出必要的電阻上升值，並決定在加熱器電極600中所應修整之銷孔601的數量與配置。然後，根據數量與配置的決定結果，實施加熱器電極600的修整，形成銷孔601。
另外，在圖20的例子中，銷孔601在俯視下具有圓形形狀，惟其平面形狀不限於此。例如，亦可為三角形或四角形。然而，設置成單純的形狀，加熱器電極600的製作會變得比較容易。
本案所揭示之實施態樣其全部的特徵點應被認為僅係例示而並非限制要件。上述的實施態樣，在不超出所附請求範圍以及其發明精神的情況下，亦可省略、置換、變更為各種態樣。
例如，亦可將上述第1～第13實施態樣的其中任2個以上組合，構成基板支持部11的本體部111。
1:電漿處理裝置 2:控制部 2a:電腦 2a1:處理部 2a2:記憶部 2a3:通信介面 10:電漿處理室 10a:側壁 10e:氣體排出口 10s:電漿處理空間 11:基板支持部 12:電漿生成部 13:噴淋頭 13a:氣體供給口 13b:氣體擴散室 13c:氣體導入口 20:氣體供給部 21:氣體源 22:流量控制器 30:電源 31:射頻信號電源 31a:第1射頻信號生成部 31b:第2射頻信號生成部 32:直流信號電源 32a:第1直流信號生成部 32b:第2直流信號生成部 40:排氣系統 111:本體部 111a:中央區域 111b:環狀區域 112:環狀組件 200:熔射層 201:燒結層 202:加熱器電極 203:靜電電極 204:接合層 210:燒結層 211:第1靜電電極 212:接合層 220:熔射層 221:第2靜電電極 230:燒結層 231:第1靜電電極 232:接合層 240:熔射層 241:第2靜電電極 250:第1熔射層 251:燒結層 252:第1靜電電極 253:接合層 260:第2熔射層 261:第2靜電電極 270:第1熔射層 270a:第1熔射層 270b:第1熔射層 271:第1燒結層 272:第1偏壓電極 273:第1靜電電極 280:第2熔射層 280a:第2熔射層 280b:第2熔射層 281:第2燒結層 282:第2偏壓電極 283:第2靜電電極 290:第1熔射層 291:第1燒結層 292:第1加熱器電極 293:第1靜電電極 300:第2熔射層 301:第2燒結層 302:第2加熱器電極 310:熔射環 320:熔射環 330:貫通孔 340:含浸部 341:熔射部 400:供電端子 401:圓筒部 402:熔射部 410:供電端子 411:圓筒部 412:芯部 413:熔射部 420:供電端子 421:圓筒部 422:導電體部 423:導電體部 424:導電線部 425:熔射部 500:加熱器電極 501:供電端子 502:連接端子 503:絕緣體部 504:熔射電極 600:加熱器電極 601:銷孔 800:網路化系統 805:電腦 810:網路 815:遠程電腦 820:網站伺服器 825:雲端儲存伺服器 830:電腦伺服器 835:處理器 837:匯流排 840:記憶體 845:非揮發性存儲器 848:程式 850:網路介面 855:周邊介面 860:外部裝置 865:顯示器介面 870:顯示器 1110:基台 1110a:第1基台 1110b:第2基台 1110c:流通管路 1111:靜電夾頭 1111a:第1介電體部 1111b:第2介電體部 W:基板
[圖1] 係用以說明電漿處理系統的構造例的圖式。 [圖2] 係可安裝各種實施態樣的電腦的方塊圖。 [圖3] 係用以說明電容耦合型的電漿處理裝置的構造例的圖式。 [圖4] 係表示第1實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。 [圖5] 係表示第2實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。 [圖6] 係表示第3實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。 [圖7] 係表示第4實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。 [圖8] 係表示第5實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。 [圖9] 係表示第6實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。 [圖10] 係表示第7實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。 [圖11] 係表示第8實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。 [圖12] 係表示第9實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。 [圖13] (a)～(e)係表示在第9實施態樣中含浸部的形成方法的說明圖。 [圖14] 係表示第10實施態樣之供電端子的概略構造的剖面圖。 [圖15] 係表示第10實施態樣之供電端子的概略構造的剖面圖。 [圖16] 係表示第10實施態樣之供電端子的概略構造的剖面圖。 [圖17] 係表示第11實施態樣之基板支持部的靜電夾頭的概略構造的俯視圖。 [圖18] 係表示第11實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。 [圖19] 係表示第12實施態樣之基板支持部的本體部的概略構造的剖面圖。 [圖20] 係表示第13實施態樣之加熱器電極的概略構造的俯視圖。
11:基板支持部
111:本體部
111a:中央區域
200:熔射層
201:燒結層
202:加熱器電極
203:靜電電極
204:接合層
1110:基台
1111a:第1介電體部

Claims (37)

  1. 一種基板支持器，包含： 基台； 第1介電體部，配置在該基台的上部，並載置基板；以及 第2介電體部，配置成包圍該第1介電體部，並載置邊緣環； 該第1介電體部與該第2介電體部的至少其中任一方，包含熔射層，由絕緣性材料所形成。
  2. 如請求項1之基板支持器，其中， 該第1介電體部，包含： 熔射層，由絕緣性材料所形成；以及 燒結層，由絕緣性材料所形成，且配置在該熔射層的上部。
  3. 如請求項2之基板支持器，其中， 該第1介電體部，包含： 加熱器電極，用以調節該基板的溫度；以及 靜電電極，用以吸附該基板。
  4. 如請求項2或3之基板支持器，其中， 更包含接合層，其將該基台與該第1介電體部的熔射層接合。
  5. 如請求項1之基板支持器，其中， 該第1介電體部，包含燒結層，其由絕緣性材料所形成； 該第2介電體部，包含熔射層，其由絕緣性材料所形成； 該基板支持器，包含接合層，其將該基台與該第1介電體部的燒結層接合。
  6. 如請求項1之基板支持器，其中， 該第1介電體部，包含燒結層，其由絕緣性材料所形成； 該第2介電體部，包含熔射層，其由絕緣性材料所形成； 該第2介電體部的熔射層，配置成延伸到該第1介電體部的下部； 該基板支持器，包含接合層，其將該第1介電體部的該燒結層與該第2介電體部的該熔射層接合。
  7. 如請求項1之基板支持器，其中， 該第1介電體部，包含： 第1熔射層，其由絕緣性材料所形成；以及 燒結層，其由絕緣性材料所形成，且配置在該第1熔射層的上部； 該第2介電體部，包含第2熔射層，其由絕緣性材料所形成； 該第2介電體部的該第2熔射層，配置成延伸到該第1介電體部的下部； 該基板支持器，包含接合層，其將該第1介電體部的該第1熔射層與該第2介電體部的該第2熔射層接合。
  8. 如請求項5至7中任一項之基板支持器，其中， 該第1介電體部，包含第1靜電電極，其用以吸附該基板； 該第2介電體部，包含第2靜電電極，其用以吸附該邊緣環。
  9. 如請求項1之基板支持器，其中， 該第1介電體部，包含： 第1熔射層，其由絕緣性材料所形成；以及 第1燒結層，其由絕緣性材料所形成，且配置在該第1熔射層的上部； 該第2介電體部，包含： 第2熔射層，其由絕緣性材料所形成；以及 第2燒結層，其由絕緣性材料所形成，且配置在該第2熔射層的上部。
  10. 如請求項9之基板支持器，其中， 該第1介電體部的該第1熔射層，包含堆疊的複數個熔射層； 該第2介電體部的該第2熔射層，包含堆疊的複數個熔射層。
  11. 如請求項9或10之基板支持器，其中， 該第1介電體部，包含： 第1偏壓電極，其被供給偏壓電力；以及 第1靜電電極，其用以吸附該基板。
  12. 如請求項11之基板支持器，其中， 該第2介電體部，包含： 第2偏壓電極，其被供給偏壓電力；以及 第2靜電電極，其用以吸附該邊緣環。
  13. 如請求項9或10之基板支持器，其中， 該第1介電體部，包含： 第1加熱器電極，其用以調節該基板的溫度；以及 第1靜電電極，其用以吸附該基板。
  14. 如請求項13之基板支持器，其中， 該第2介電體部，包含用以調節該邊緣環的溫度的第2加熱器電極以及用以吸附該邊緣環的第2靜電電極的至少其中任一方。
  15. 如請求項12之基板支持器，其中， 該第1偏壓電極與該第2偏壓電極，配置成在俯視下重疊。
  16. 如請求項9至14中任一項之基板支持器，其中， 該第1介電體部以及該第1介電體部的下部的該基台，與該第2介電體部以及該第2介電體部的下部的該基台，係配置成互相分離。
  17. 如請求項9至16中任一項之基板支持器，其中， 更包含： 第1接合層，其將該基台與該第1介電體部的第1熔射層接合；以及 第2接合層，其將該基台與該第2介電體部的第2熔射層接合。
  18. 如請求項1之基板支持器，其中， 更包含： 接合層，其將該基台與該第1介電體部接合；以及 熔射環，其由絕緣性材料所形成，且配置成覆蓋該接合層的外側面。
  19. 如請求項1之基板支持器，其中， 該熔射層，在吾人所期望的位置包含含浸過樹脂的含浸部。
  20. 如請求項19之基板支持器，其中， 該吾人所期望的位置，係貫通該熔射層的貫通孔的周圍。
  21. 如請求項1之基板支持器，其中， 該第1介電體部，包含電極； 該基板支持器，包含供電端子，其用以對該電極供給電力； 該供電端子，包含熔射部，其由導電性材料所形成，且與該電極連接。
  22. 如請求項21之基板支持器，其中， 該供電端子，包含圓筒部，其由絕緣性材料所形成； 該熔射部，埋設在該圓筒部的內部。
  23. 如請求項21之基板支持器，其中， 該供電端子，包含： 圓筒部，其由絕緣性材料所形成；以及 芯部，其由絕緣性材料所形成，且配置成插通該圓筒部的內部； 該熔射部，在該圓筒部的內部配置在該芯部的周圍。
  24. 如請求項21之基板支持器，其中， 該熔射部，配置在與該電極連接的導電體部的周圍。
  25. 如請求項1之基板支持器，其中， 該第1介電體部，包含電極； 該基板支持器，包含： 供電端子，其用以對該電極供給電力； 連接端子，其配置成露出於該基台的表面；以及 熔射電極，其由導電性材料所形成，且將該供電端子與該連接端子連接。
  26. 如請求項25之基板支持器，其中， 該連接端子，在俯視下，配置在該第1介電體部的徑向外側。
  27. 如請求項1之基板支持器，其中， 該第1介電體部，包含熔射加熱器電極，其由熔射所形成，用以調節該基板的溫度； 於該熔射加熱器電極形成了貫通孔，該貫通孔形成於吾人所期望的位置。
  28. 一種基板處理裝置，包含： 電漿處理室；以及 基板支持器，其設置在該電漿處理室的內部； 該基板支持器，包含： 基台； 第1介電體部，其配置在該基台的上部，並載置基板；以及 第2介電體部，其配置成包圍該第1介電體部，並載置邊緣環； 該第1介電體部與該第2介電體部的至少其中任一方，包含由絕緣性材料所形成之熔射層。
  29. 如請求項28之基板處理裝置，其中， 該第1介電體部，包含： 熔射層，由絕緣性材料所形成；以及 燒結層，由絕緣性材料所形成，且配置在該熔射層的上部。
  30. 如請求項29之基板處理裝置，其中， 更包含接合層，其將該基台與該第1介電體部的熔射層接合。
  31. 如請求項28之基板處理裝置，其中， 該第1介電體部，包含燒結層，其由絕緣性材料所形成； 該第2介電體部，包含熔射層，其由絕緣性材料所形成； 該基板支持器，包含接合層，其將該基台與該第1介電體部的燒結層接合。
  32. 如請求項28之基板處理裝置，其中， 該第1介電體部，包含燒結層，其由絕緣性材料所形成； 該第2介電體部，包含熔射層，其由絕緣性材料所形成； 該第2介電體部的熔射層，配置成延伸到該第1介電體部的下部； 該基板支持器，包含接合層，其將該第1介電體部的該燒結層與該第2介電體部的該熔射層接合。
  33. 如請求項28之基板處理裝置，其中， 該第1介電體部，包含： 第1熔射層，其由絕緣性材料所形成；以及 燒結層，其由絕緣性材料所形成，且配置在該第1熔射層的上部； 該第2介電體部，包含第2熔射層，其由絕緣性材料所形成； 該第2介電體部的第2熔射層，配置成延伸到該第1介電體部的下部； 該基板支持器，包含接合層，其將該第1介電體部的該第1熔射層與該第2介電體部的該第2熔射層接合。
  34. 如請求項28之基板處理裝置，其中， 該第1介電體部，包含： 第1熔射層，其由絕緣性材料所形成；以及 第1燒結層，其由絕緣性材料所形成，且配置在該第1熔射層的上部； 該第2介電體部，包含： 第2熔射層，其由絕緣性材料所形成；以及 第2燒結層，其由絕緣性材料所形成，且配置在該第2熔射層的上部。
  35. 如請求項34之基板處理裝置，其中， 該第1介電體部的該第1熔射層，包含堆疊的複數個熔射層； 該第2介電體部的該第2熔射層，包含堆疊的複數個熔射層。
  36. 如請求項34或35之基板處理裝置，其中， 該第1介電體部以及該第1介電體部的下部的該基台，與該第2介電體部以及該第2介電體部的下部的該基台，係配置成互相分離。
  37. 如請求項34至36中任一項之基板處理裝置，其中， 更包含： 第1接合層，其將該基台與該第1介電體部的該第1熔射層接合；以及 第2接合層，其將該基台與該第2介電體部的該第2熔射層接合。
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