WO2023003043A1

WO2023003043A1 - シリコーン系高分子化合物及びシリコーン系高分子材料

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Publication number: WO2023003043A1
Application number: PCT/JP2022/028405
Authority: WO
Inventors: 義徳 ▲高▼島; 明原田; 基史大▲崎▼; 峻秀朴; 大地吉田; 秀夫中川; 実五十嵐; 野歩加藤; 正直亀井; 健太郎小倉
Original assignee: 国立大学法人大阪大学; 信越化学工業株式会社
Priority date: 2021-07-21
Filing date: 2022-07-21
Publication date: 2023-01-26
Also published as: CN117693545A; JPWO2023003043A1; EP4375312A1; KR20240035577A

Abstract

力学特性に優れる新規なシリコーン系高分子化合物及び該シリコーン系高分子化合物を含むシリコーン系高分子材料を提供する。　本発明のシリコーン系高分子化合物は、ポリシロキサン骨格を主鎖として有するシリコーン系高分子化合物（Ｈ）であって、前記ポリシロキサン骨格は側鎖に少なくとも一個のホスト基を有し、前記ホスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された１価の基である。

Description

シリコーン系高分子化合物及びシリコーン系高分子材料

　本発明は、シリコーン系高分子化合物及びシリコーン系高分子材料に関する。

　シロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ結合）を主骨格に有するシリコーン系高分子化合物（ポリシロキサン）は、有機高分子にはない特有の性質を有することが知られており、様々な分野で利用されている。シロキサン結合は、一般の有機高分子に存在する炭素－炭素あるいは炭素－酸素結合よりも強い結合力をもち、化学的に安定な性質を有することから、シロキサン結合を繰り返し有して形成されるポリシロキサンは、例えば、優れた耐熱性及び耐候性を備える。また、ポリシロキサンは、無機性のシロキサン結合が内側、有機性の側鎖置換基が外側に配置されたらせん構造を形成することができるので、柔軟かつ撥水性を有し、生体毒性も低い。従って、ポリシロキサンは、医用器具、ゴム、塗料、保護フィルム等の各種用途において、利用価値が高い材料である。

　近年では、ポリシロキサンをベースとするような材料に対して、さらに機能性を付与することが行われている。例えば、非特許文献１には、ポリシロキサン骨格中に水素結合可能な官能基を導入し、かかる官能基の水素結合を通じて自己修復性を発揮させる技術が提案されている。

Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２０１８，３０，１７０６８４６

　最近ではポリシロキサンを様々な用途に適用すべく、更なる機能をポリシロキサンに付加させることが強く望まれている。特にポリシロキサンに代表されるシリコーン材料は、汎用樹脂とは異なる特性を示すので、種々の分野に応用されることが期待されている。従って、新規シリコーン材料を創生することが産業界からも強く求められており、例えば、優れた力学特性を有する新規なシリコーン系高分子化合物の利用価値は極めて高いといえる。

　本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、力学特性に優れる新規なシリコーン系高分子化合物及び該シリコーン系高分子化合物を含むシリコーン系高分子材料を提供することを目的とする。

　本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、ポリシロキサン骨格を主鎖として有するシリコーン系高分子化合物に特定の官能基を導入することにより上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。

　すなわち、本発明は、例えば、以下の項に記載の主題を包含する。
項１
ポリシロキサン骨格を主鎖として有するシリコーン系高分子化合物（Ｈ）であって、
前記ポリシロキサン骨格は側鎖に少なくとも一個のホスト基を有し、
前記ホスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された１価の基である、シリコーン系高分子化合物。
項２
ポリシロキサン骨格を主鎖として有するシリコーン系高分子化合物（Ｇ）であって、
前記ポリシロキサン骨格は側鎖に少なくとも一個のゲスト基を有し、
前記ゲスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体に包接可能である基である、シリコーン系高分子化合物。
項３
ポリシロキサン骨格を主鎖として有するシリコーン系高分子化合物（ＨＧ）であって、前記ポリシロキサン骨格は側鎖に少なくとも一個のホスト基と、少なくとも一個のゲスト基とを有し、
前記ホスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された１価の基であり、
前記ゲスト基は、前記シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体に包接可能である基である、シリコーン系高分子化合物。
項４
前記ポリシロキサン骨格内のＳｉと前記ホスト基との間にチオエーテル結合を有する、項１又は３に記載のシリコーン系高分子化合物。
項５
項１に記載のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）と、項２に記載のシリコーン系高分子化合物（Ｇ）とを含み、
前記ホスト基は前記ゲスト基を包接している、シリコーン系高分子材料。
項６
項３に記載のシリコーン系高分子化合物（ＨＧ）を含み、
分子間でホスト基及びゲスト基との結合が生じている、シリコーン系高分子材料。
項７
請求項１に記載のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を含む架橋構造体を備え、
前記架橋構造体は、前記シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が有する少なくとも１個の前記ホスト基に他のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の主鎖が貫通した構造を有する、シリコーン系高分子材料。
項８
さらに鎖状高分子化合物（Ｐ１）を含み、
前記鎖状高分子化合物（Ｐ１）は、前記架橋構造体の網目を貫通している、請求項７に記載のシリコーン系高分子材料。
項９
項１に記載のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ１）を含む架橋構造体を備え、
前記架橋構造体は、前記シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が有する少なくとも１個の前記ホスト基に前記鎖状高分子化合物（Ｐ１）が貫通した構造を有する、シリコーン系高分子材料。
項１０
項１に記載のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び該高分子化合物以外の鎖状高分子化合物（Ｐ２）を含み、
前記鎖状高分子化合物（Ｐ２）は側鎖に少なくとも一個のホスト基を有し、前記ホスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された１価の基であり、
前記シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が有する少なくとも１個の前記ホスト基には、他の高分子化合物（Ｈ）の主鎖が貫通し、
前記鎖状高分子化合物（Ｐ２）が有する少なくとも１個の前記ホスト基には、他の鎖状高分子化合物（Ｐ２）の主鎖が貫通している、シリコーン系高分子材料。
項１１
項１～４のいずれか１項に記載のシリコーン系高分子化合物を含有する、光学材料。
項１２
項５～１０のいずれか１項に記載のシリコーン系高分子材料を含有する、光学材料。
項１３
項１～４に記載のシリコーン系高分子化合物の製造方法であって、
ポリシロキサン化合物と、少なくとも１種のアルケニル基含有化合物とを反応する工程を含み、
前記ポリシロキサン化合物は－ＳＨ基及び／又は－Ｓｉ－Ｈ基を有する、シリコーン系高分子化合物の製造方法。

　本発明に係るシリコーン系高分子化合物は、力学特性に優れるものであり、シリコーン系高分子材料を製造するための原料として適している。

シリコーン系高分子材料Ｃの構造（可動性架橋構造体）を示す模式図である。シリコーン系高分子材料Ｃ´の構造（可動性架橋構造体）を示す模式図である。シリコーン系高分子材料Ｄの構造を示す模式図である。実施例１－１のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造するための反応スキームである。実施例３－１のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造するための反応スキームである。実施例４－１のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造するための反応スキームである。実施例７のシリコーン系高分子化合物（ＨＧ）を製造するための反応スキームである。実施例８の高分子材料Ｃを製造するための反応スキームである。実施例９の高分子材料Ｄを製造するための反応スキームである。比較例１－１の高分子材料を製造するための反応スキームである。実施例１０－１の高分子材料を製造するための反応スキームである。実施例１０－１、１０－２で得た高分子材料Ｃ´の引張試験（ストローク－試験力曲線）の結果である。実施例１１－１～１１－３で得た高分子材料Ｃ´の引張試験（ストローク－試験力曲線）の結果である。実施例１２－１で得た高分子材料Ｃ´の引張試験（ストローク－試験力曲線）の結果である。実施例１３－１の高分子材料を製造するための反応スキームである。実施例１３－１で得た高分子材料Ｃ´及び比較例１３－１で得た高分子材料の引張試験（ストローク－試験力曲線）の結果である。実施例１４－１の高分子材料を製造するための反応スキームである。実施例１４－１で得た高分子材料Ｃ´及び比較例１４－１で得た高分子材料の引張試験（ストローク－試験力曲線）の結果である。実施例１５－１の高分子材料を製造するための反応スキームである。実施例１６－１～１６－３で得た高分子材料の引張試験（ストローク－試験力曲線）の結果である。実施例１６－１～１６－３及び比較例１６－１で得た高分子材料の透明性の試験結果を示す写真である。実施例１７－１～１７－５で得た高分子材料の引張試験（ストローク－試験力曲線）の結果である。

　以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書中において、「含有」及び「含む」なる表現については、「含有」、「含む」、「実質的にからなる」及び「のみからなる」という概念を含む。

　１．シリコーン系高分子化合物
　本発明に係るシリコーン系高分子化合物は、ポリシロキサン骨格を主鎖として有する化合物である。特に本発明に係るシリコーン系高分子化合物は、以下の３種類のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）、シリコーン系高分子化合物（Ｇ）、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）を包含する。

　シリコーン系高分子化合物（Ｈ）は、ポリシロキサン骨格を主鎖として有するシリコーン系高分子化合物であって、前記ポリシロキサン骨格は側鎖に少なくとも一個のホスト基を有する。シリコーン系高分子化合物（Ｈ）において、ホスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された１価の基である。

　シリコーン系高分子化合物（Ｇ）は、ポリシロキサン骨格を主鎖として有するシリコーン系高分子化合物であって、前記ポリシロキサン骨格は側鎖に少なくとも一個のゲスト基を有する。シリコーン系高分子化合物（Ｇ）において、前記ゲスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体に包接可能である基である。

　シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）は、ポリシロキサン骨格を主鎖として有する高分子化合物であって、前記ポリシロキサン骨格は側鎖に少なくとも一個のホスト基と、少なくとも一個のゲスト基とを有する。シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）において、前記ホスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された１価の基であり、ゲスト基は、前記シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体に包接可能である基である。

　シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及びシリコーン系高分子化合物（ＨＧ）はいずれも、前記ポリシロキサン骨格が側鎖に少なくとも一個のホスト基を有することから、これらの高分子化合物におけるポリシロキサン骨格を形成するための構造単位は、少なくともホスト基を有するシロキサン単位を含む。

　また、シリコーン系高分子化合物（Ｇ）及びシリコーン系高分子化合物（ＨＧ）はいずれも、前記ポリシロキサン骨格が側鎖に少なくとも一個のゲスト基を有することから、これらの高分子化合物におけるポリシロキサン骨格を形成するための構造単位は、少なくともゲスト基を有するシロキサン単位を含む。

　まず、上記のホスト基を有するシロキサン単位及びゲスト基を有するシロキサン単位について説明する。

　（ホスト基を有するシロキサン単位）
　ホスト基を有するシロキサン単位は、主鎖にシロキサン結合を有し、側鎖にホスト基が直接又は間接的に共有結合した構造を有する構造単位である。

　ホスト基は、前述のように、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された基である。ホスト基は、シクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された基であることが好ましい。ホスト基は１価の基に限定されるものではなく、例えば、ホスト基は２価の基であってもよい。また、ホスト基含有重合性単量体単位において、ホスト基は１個のみ含むことができ、あるいは、２個以上を含むことができる。

　前記シクロデキストリン誘導体とは、例えば、シクロデキストリンが有する水酸基のうちの少なくとも１個の水酸基において、その水素原子が疎水基で置換された構造を有することが好ましい。つまり、シクロデキストリン誘導体とは、シクロデキストリン分子が疎水性を有する他の有機基で置換された構造を有する分子をいう。ただし、シクロデキストリン誘導体は、少なくとも一つの水素原子又は少なくとも一つの水酸基を有し、好ましくは少なくとも一つの水酸基を有する。

　前記疎水基は、炭化水素基、アシル基及び－ＣＯＮＨＲ（Ｒはメチル基又はエチル基）からなる群より選ばれる少なくとも１種の基で置換された構造を有することが好ましい。以下、本明細書において、前述の「炭化水素基、アシル基及び－ＣＯＮＨＲ（Ｒはメチル基又はエチル基）からなる群より選ばれる少なくとも１種の基」を便宜上、「炭化水素基等」と表記することがある。

　ここで、念のための注記に過ぎないが、本明細書でのシクロデキストリンなる表記は、α－シクロデキストリン、β－シクロデキストリン及びγ－シクロデキストリンからなる群より選ばれる少なくとも１種を意味する。従って、シクロデキストリン誘導体は、α－シクロデキストリン誘導体、β－シクロデキストリン誘導体及びγ－シクロデキストリン誘導体からなる群より選ばれる少なくとも１種である。

　ホスト基は、シクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された１価以上の基であるが、シクロデキストリン誘導体において除される水素原子又は水酸基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体のどの部位であってもよい。

　ここで、シクロデキストリン１分子が有する水酸基の全個数をＮとした場合、α－シクロデキストリンはＮ＝１８、β－シクロデキストリンはＮ＝２１、γ－シクロデキストリンはＮ＝２４である。

　仮に、ホスト基がシクロデキストリン誘導体から１個の「水酸基」が除された１価の基である場合は、シクロデキストリン誘導体は、シクロデキストリン１分子あたり最大Ｎ－１個の水酸基の水素原子が炭化水素基等で置換されて形成される。他方、ホスト基がシクロデキストリン誘導体から１個の「水素原子」が除された１価の基である場合は、シクロデキストリン誘導体は、シクロデキストリン１分子あたり最大Ｎ個の水酸基の水素原子が炭化水素基等で置換され得る。

　前記ホスト基は、シクロデキストリン１分子中に存在する全水酸基数のうちの７０％以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換された構造を有することが好ましい。前記ホスト基は、シクロデキストリン１分子中に存在する全水酸基数のうちの８０％以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換されていることがより好ましく、全水酸基数のうちの９０％以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換されていることが特に好ましい。

　前記ホスト基は、α－シクロデキストリン１分子中に存在する全水酸基のうちの１３個以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換された構造を有することが好ましい。前記ホスト基は、α－シクロデキストリン１分子中に存在する全水酸基のうちの１５個以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換されていることがより好ましく、全水酸基のうちの１７個の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換されていることが特に好ましい。

　前記ホスト基は、β－シクロデキストリン１分子中に存在する全水酸基のうちの１５個以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換された構造を有することが好ましい。前記ホスト基は、β－シクロデキストリン１分子中に存在する全水酸基のうちの１７個以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換されていることがより好ましく、全水酸基のうちの１９個以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換されていることが特に好ましい。

　前記ホスト基は、γ－シクロデキストリン１分子中に存在する全水酸基のうちの１７個以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換された構造を有することが好ましい。前記ホスト基は、γ－シクロデキストリン１分子中に存在する全水酸基のうちの１９個以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換されていることがより好ましく、全水酸基のうちの２１個以上の水酸基の水素原子が前記炭化水素基等で置換されていることが特に好ましい。

　シクロデキストリン誘導体において、前記炭化水素基の種類は特に限定されない。前記炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、及びアルキニル基を挙げることができる。

　前記炭化水素基の炭素数の数は特に限定されず、例えば、炭化水素基の炭素数は１～４個であることが好ましい。

　炭素数が１～４個である炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ブチル基を挙げることができる。炭化水素基がプロピル基及びブチル基である場合は、直鎖状及び分岐鎖状のいずれであってもよい。

　シクロデキストリン誘導体において、アシル基は、アセチル基、プロピオニル、ホルミル基等を例示することができる。ホスト－ゲスト相互作用を形成しやすく、又は、ホスト基環内を他の高分子鎖が貫通しやすいという点で、また、靭性及び強度に優れる靭性及び強度に優れる高分子材料を得やすいという点で、アシル基は、アセチル基であることが好ましい。

　シクロデキストリン誘導体において、－ＣＯＮＨＲ（Ｒはメチル基又はエチル基）は、メチルカルバメート基又はエチルカルバメート基である。ホスト－ゲスト相互作用を形成しやすく、又は、ホスト基環内を他の高分子鎖が貫通しやすいという点で、また、靭性及び強度に優れる靭性及び強度に優れる高分子材料を得やすいという点で、－ＣＯＮＨＲは、エチルカルバメート基であることが好ましい。

　シクロデキストリン誘導体において、炭化水素基等は、炭素数１～４のアルキル基又はアシル基が好ましく、メチル基及びアシル基が好ましく、メチル基、アセチル基、プロピオニル基がさらに好ましく、メチル基及びアセチル基が特に好ましい。

　ホスト基を有するシロキサン単位は、シロキサン結合とホスト基を有する限り、その構造は特に限定されない。例えば、ホスト基を有するシロキサン単位は、下記一般式（１．１）で表される構造単位が挙げられる。

　式（１．１）において、Ｒ^Ｈは前記ホスト基を示す。Ｒ^１は水酸基、チオール基、１個以上の置換基を有していてもよいアルコキシ基、１個以上の置換基を有していてもよいチオアルコキシ基、１個以上の置換基を有していてもよいアルキル基、１個の置換基を有していてもよいアミノ基、１個の置換基を有していてもよいアミド基、アルデヒド基及びカルボキシル基からなる群より選択される１価の基から１個の水素原子を除去することにより形成される２価の基を示す。Ｒ^５は、置換基で置換されていてもよい炭素数１から１０の直鎖又は分岐のアルキル基、もしくは置換基で置換されていてもよい炭素数６から２０のアリール基を示し、Ｒ^６はヘテロ原子が介在していてもよいアルキレン基を示す。

　あるいは、ホスト基を有するシロキサン単位は、下記一般式（１．２）で表される構造単位も挙げられる。

　式（１．２）において、Ｒ^Ｈ、Ｒ^１はＲ^５及びＲ^６は前記式（１．１）におけるＲ^Ｈ、Ｒ^１はＲ^５及びＲ^６と同義である。

　式（１．１）及び式（１．２）において、Ｒ^５は、炭素数が１から４のアルキル基であることが好ましく、炭素数が１又は２のアルキル基が特に好ましい。具体的にはアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等が挙げられ、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基であることが好ましく、メチル基が特に好ましい。

　Ｒ^５が置換基を有する場合、斯かる置換基としては、水酸基、アルコキシ基、エステル基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、カルボキシ基、アリール基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）等が挙げられる。

　式（１．１）及び式（１．２）において、Ｒ^１中の置換基は、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数２～２０のアルキニル基、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、ニトロ基、スルホ基、カルボニル基、アリール基、シアノ基等を挙げることができる。

　式（１．１）及び式（１．２）において、Ｒ^１が１個の置換基を有していてもよいアミノ基から１個の水素原子を除去することにより形成される２価の基であれば、アミノ基の窒素原子がＲ^６と結合し得る。

　式（１．１）及び式（１．２）において、Ｒ^１が１個の置換基を有していてもよいアミド基から１個の水素原子を除去することにより形成される２価の基であれば、アミド基の炭素原子がＲ^６と結合し得る。

　式（１．１）及び式（１．２）において、Ｒ^１がアルデヒド基から１個の水素原子を除去することにより形成される２価の基であれば、アルデヒド基の炭素原子がＲ^６と結合し得る。

　式（１．１）及び式（１．２）において、Ｒ^１がカルボキシル基から１個の水素原子を除去することにより形成される２価の基である場合、カルボキシル基の炭素原子がＲ^６と結合し得る。

　式（１．１）及び式（１．２）において、Ｒ^６はヘテロ原子が介在していてもよいアルキレン基である。アルキレン基の炭素数は特に限定されず、例えば、炭素数１～１０とすることができる。Ｒ^６において、アルキレンの炭素数は１～８が好ましく、２～６がより好ましい。

　Ｒ^６は、ヘテロ原子が介在したアルキレン基であってもよい。この場合、Ｒ^６としては、チオエーテル結合を有するアルキレン基が挙げられ、例えば、－（ＣＨ_２）_ｍ１－Ｓ－（ＣＨ_２）_ｍ２－結合が例示される。ここで、ｍ１及びｍ２は同一又は異なって１～１０の数であり、好ましくは１～８、より好ましくは１～５である。

　Ｒ^６が、硫黄原子が介在したアルキレン基である場合、シリコーン系高分子化合物は、ポリシロキサン骨格内のＳｉと前記ホスト基との間にチオエーテル結合を有するものとなる。

　（ゲスト基を有するシロキサン単位）
　ゲスト基を有するシロキサン単位は、主鎖にシロキサン結合を有し、側鎖にゲスト基が直接又は間接的に共有結合した構造を有する構造単位である。

　ゲスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体に包接可能である基を意味する。即ち、ゲスト基は、前記ホスト基とホスト－ゲスト相互作用をすることができる基である限り、特には前記ホスト基に包接される基である限りは、その種類は限定されない。ゲスト基は１価の基に限定されるものではなく、例えば、ゲスト基は２価の基であってもよい。また、ゲスト基を有するシロキサン単位は、ゲスト基を１個のみ含むことができ、あるいは、２個以上を含むことができる。

　ゲスト基としては、炭素数３～３０の直鎖又は分岐状の炭化水素基、シクロアルキル基、ヘテロアリール基及び有機金属錯体等が挙げられ、これらは一以上の置換基を有していてもよい。置換基としては、前述の置換基と同様であり、例えば、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素等）、水酸基、カルボキシル基、エステル基、アミド基、保護されていてもよい水酸基等を挙げることができる。

　より具体的なゲスト基としては、炭素数４～１８の鎖状又は環状のアルキル基、多環芳香族炭化水素に由来する基が挙げられる。炭素数４～１８の鎖状のアルキル基は直鎖及び分岐のいずれでもよい。環状のアルキル基は、かご型の構造であってもよい。多環芳香族炭化水素としては、例えば、少なくとも２個以上の芳香族環で形成されるπ共役系化合物が挙げられ、具体的には、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ベンゾピレン、クリセン、ピレン、トリフェニレン等を挙げることができる。

　ゲスト基は、その他、例えば、アルコール誘導体；アリール化合物；カルボン酸誘導体；アミノ誘導体；環状アルキル基又はフェニル基を有するアゾベンゼン誘導体；桂皮酸誘導体；芳香族化合物及びそのアルコール誘導体；アミン誘導体；フェロセン誘導体；アゾベンゼン；ナフタレン誘導体；アントラセン誘導体；ピレン誘導体：ペリレン誘導体；フラーレン等の炭素原子で構成されるクラスター類；ダンシル化合物の群から選ばれる少なくとも１種が例示されるゲスト分子から一個の原子（例えば、水素原子）が除されて形成される１価の基を挙げることもできる。

　ゲスト基のさらなる具体例としては、ｔ－ブチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ドデシル基、イソボルニル基、アダマンチル基、ピレン由来の基及びこれらに前記置換基が結合した基を挙げることができる。

　ゲスト基を有するシロキサン単位の構造は、シロキサン結合とゲスト基を有する限りは特に限定されない。例えば、ゲスト基を有するシロキサン単位は、下記一般式（２．１）で表される構造単位、下記一般式（２．２）で表される構造単位及び下記一般式（２．３）で表される構造単位が挙げられる。

　式（２．１）において、Ｒ^Ｇは前記ゲスト基を示す。Ｒ^１、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ前記式（１．１）におけるＲ^１はＲ^５及びＲ^６と同義である。

　式（２．２）において、Ｒ^Ｇ、Ｒ^１はＲ^５及びＲ^６は前記式（２．１）におけるＲ^Ｇ、Ｒ^１はＲ^５及びＲ^６と同義である。

　式（２．３）において、Ｒ^Ｇ、及びＲ^５は前記式（２．１）におけるＲ^Ｇ、Ｒ^１はＲ^５及びＲ^６と同義である。

　式（２．１）、式（２．２）及び式（２．３）において、Ｒ^５は、炭素数が１から４のアルキル基であることが好ましく、炭素数が１又は２のアルキル基が特に好ましい。具体的にはアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等が挙げられ、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基であることが好ましく、メチル基が特に好ましい。

　式（２．１）及び式（２．２）において、Ｒ^１が１個の置換基を有していてもよいアミノ基から１個の水素原子を除去することにより形成される２価の基であれば、アミノ基の窒素原子がＲ^６と結合し得る。

　式（２．１）及び式（２．２）において、Ｒ^１が１個の置換基を有していてもよいアミド基から１個の水素原子を除去することにより形成される２価の基であれば、アミド基の炭素原子がＲ^６と結合し得る。

　式（２．１）及び式（２．２）において、Ｒ^１がアルデヒド基から１個の水素原子を除去することにより形成される２価の基であれば、アルデヒド基の炭素原子がＲ^６と結合し得る。

　式（２．１）及び式（２．２）において、Ｒ^１がカルボキシル基から１個の水素原子を除去することにより形成される２価の基である場合、カルボキシル基の炭素原子がＲ^６と結合し得る。

　式（２．１）及び式（２．２）において、Ｒ^６のアルキレンの炭素数は１～８が好ましく、２～６がより好ましい。Ｒ^６は、ヘテロ原子が介在したアルキレン基であってもよい。この場合、Ｒ^６としては、チオエーテル結合を有するアルキレン基が挙げられ、例えば、－（ＣＨ_２）_ｍ１－Ｓ－（ＣＨ_２）_ｍ２－結合が例示される。ここで、ｍ１及びｍ２は同一又は異なっては１～１０の数であり、好ましくは１～８、より好ましくは１～５である。

　式（２．１）及び式（２．２）において、Ｒ^６が、硫黄原子が介在したアルキレン基である場合、シリコーン系高分子化合物は、ポリシロキサン骨格内のＳｉと前記ホスト基との間にチオエーテル結合を有するものとなる。

　（他のシロキサン単位）
　本発明のシリコーン系高分子化合物は、ホスト基を有するシロキサン単位及びゲスト基を有するシロキサン単位以外に他のシロキサン単位を有することができる。他のシロキサン単位として、例えば、下記式（３．１）で表される構成単位を含有することができる。

　式（３．１）中、Ｒ^３及びＲ^４は同一又は異なって、水素、置換基で置換されていてもよい炭素数１から１０の直鎖又は分岐のアルキル基、もしくは置換基で置換されていてもよい炭素数６から２０のアリール基を示す。

　式（３．１）において、炭素数１から１０の直鎖又は分岐のアルキル基は、炭素数が１から４が好ましく、１又は２が特に好ましい。具体的にはアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等が挙げられる。

　式（３．１）において、炭素数１から１０の直鎖又は分岐のアルキル基が置換基で置換されている場合、置換基の数は１又は２以上とすることができる。この場合の置換基としては、例えば、水酸基、アルコキシ基、エステル基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、カルボキシ基、アリール基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）等が挙げられる。

　式（３．１）において、炭素数６から２０のアリール基は、例えば、フェニル基、ナフチル基、テトラヒドロナフチル基等が挙げられる。アリール基が置換基で置換されている場合、置換基の数は１又は２以上とすることができる。この場合の置換基としては、例えば、水酸基、アルコキシ基、エステル基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、カルボキシ基、アリール基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）等が挙げられる。

　式（３．１）において、Ｒ^３及びＲ^４は同一とすることができ、あるいは、異なっていてもよい。式（３．１）において、Ｒ^３及びＲ^４はいずれも、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基であることが好ましく、メチル基が特に好ましい。Ｒ^３及びＲ^４はいずれもメチル基である場合、ポリシロキサン骨格はポリジメチルシロキサンを含む。

　本発明のシリコーン系高分子化合物は、前記式（３．１）で表される構成単位と共に、あるいは、前記式（３．１）で表される構成単位に替えて、下記式（３．２）で表される構成単位を含有することができる。

　式（３．２）中、Ｒ^７は水素、置換基で置換されていてもよい炭素数１から１０の直鎖又は分岐のアルキル基、もしくは置換基で置換されていてもよい炭素数６から２０のアリール基を示す。式（３．２）中、Ｒ^８は、はヘテロ原子が介在していてもよいアルキレン基を示す。Ａは水素、チオール基、水酸基又はアミノ基を示す。

　式（３．２）において、Ｒ^７は、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基であることが好ましく、メチル基が特に好ましい。

　式（３．２）において、Ｒ^８はヘテロ原子が介在していてもよいアルキレン基である。アルキレン基の炭素数は特に限定されず、例えば、炭素数１～１０とすることができる。Ｒ^８において、アルキレンの炭素数は１～８が好ましく、２～６がより好ましい。

　Ｒ^８は、ヘテロ原子が介在したアルキレン基であってもよい。この場合、Ｒ^８としては、チオエーテル結合を有するアルキレン基が挙げられ、例えば、－（ＣＨ_２）_ｍ１－Ｓ－（ＣＨ_２）_ｍ２－結合が例示される。ここで、ｍ１及びｍ２は同一又は異なっては１～１０の数であり、好ましくは１～８、より好ましくは１～５である。

　本発明のシリコーン系高分子化合物は、前記式（３．１）で表される構成単位と共に、前記式（３．２）で表される構成単位を含む場合、シリコーン系高分子化合物は力学特性、特にヤング率及び破壊エネルギーの双方が向上し、さらには、透明性も向上しやすく、特に、式（３．２）で表される構成単位のＲ^８が、ヘテロ原子が介在したアルキレン基である場合、シリコーン系高分子化合物はヤング率及び破壊エネルギーの双方がさらに向上し、透明性も特に向上しやすい。

　さらに、本発明のシリコーン系高分子化合物が前記式（３．２）で表される構成単位を含む場合において、Ａがチオール基である場合、斯かるチオール基の一部または全部が炭化水素基で保護されていてもよい（すなわちチオール基の水素が他の基で置換されていてもよい）。この場合、シリコーン系高分子化合物及び該シリコーン系高分子化合物から形成される高分子材料の力学特性がさらに向上する。炭化水素基としては、炭素数１～１０のアルキル基、アルケニル基等を挙げることができ、好ましくは炭素数３～８のアルキル基である。

　以下、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）、シリコーン系高分子化合物（Ｇ）及びシリコーン系高分子化合物（ＨＧ）の構造等について説明する。

　（シリコーン系高分子化合物（Ｈ））
　シリコーン系高分子化合物（Ｈ）は、少なくとも前記ホスト基を有するシロキサン単位を構造単位中に有し得る高分子化合物である。シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の一態様としては、前記ホスト基を有するシロキサン単位と、前記他のシロキサン単位とを有する。具体例として、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）は、前記式（１．１）で表される構造単位及び／又は前記式（１．２）で表される構造単位と、必要に応じて前記式（３．１）で表される構造単位及び前記式（３．２）で表される構造単位の一方又は両方を有する。なお、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）は、前記式（２．１）で表される構造単位及び前記式（２．２）で表される構造単位（すなわち、ゲスト基を有するシロキサン単位）を有さない。

　シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の全構造単位中、前記ホスト基を有するシロキサン単位の含有割合は、例えば、０．１モル％以上、３０モル％以下である。力学特性がより向上した高分子材料を形成しやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の全構造単位中、前記ホスト基を有するシロキサン単位の含有割合は、好ましくは０．２モル％以上、より好ましくは０．５モル％以上、さらに好ましくは０．８モル％以上、特に好ましくは１モル％以上である。また、力学特性がより向上した高分子材料を形成しやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の全構造単位中、前記ホスト基を有するシロキサン単位の含有割合は、好ましくは２０モル％以下、より好ましくは１５モル％以下、さらに好ましくは１０モル％以下、特に好ましくは５モル％以下である。

　シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の全構造単位中、前記他のシロキサン単位の含有割合は、例えば、７０モル％以上、９９．９モル％以下である。力学特性がより向上した高分子材料を形成しやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の全構造単位中、前記他のシロキサン単位の含有割合は、好ましくは８０モル％以上、より好ましくは８５モル％以上、さらに好ましくは９０モル％以上、特に好ましくは９５モル％以上である。また、力学特性がより向上した高分子材料を形成しやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の全構造単位中、前記他のシロキサン単位の含有割合は、好ましくは９９．８モル％以下、より好ましくは９９．５モル％以下、さらに好ましくは９９．２モル％以下、特に好ましくは９９モル％以下である。

　シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が他のシロキサン単位として前記式（３．１）で表される構造単位を含む場合、その含有割合はシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の全構造単位中、好ましくは８０モル％以上、より好ましくは８５モル％以上、さらに好ましくは９０モル％以上、特に好ましくは９５モル％以上である。また、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が他のシロキサン単位として前記式（３．１）で表される構造単位を含む場合、その含有割合はシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の全構造単位中、好ましくは９９．８モル％以下、より好ましくは９９．５モル％以下、さらに好ましくは９９．２モル％以下、特に好ましくは９９モル％以下である。

　シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が他のシロキサン単位として前記式（３．２）で表される構造単位を含む場合、その含有割合はシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の全構造単位中、好ましくは０．２モル％以上、より好ましくは０．５モル％以上、さらに好ましくは０．８モル％以上、特に好ましくは１モル％以上である。また、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が他のシロキサン単位として前記式（３．１）で表される構造単位を含む場合、その含有割合はシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の全構造単位中、好ましくは２０モル％以下、より好ましくは１５モル％以下、さらに好ましくは１０モル％以下、特に好ましくは５モル％以下である。

　シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が前記式（３．２）で表される構成単位を含む場合、力学特性（特に、ヤング率及び破壊エネルギーの双方）が向上し、さらには、透明性も向上しやすく、特に、式（３．２）で表される構成単位のＲ^８が、ヘテロ原子が介在したアルキレン基である場合、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）は力学特性（特に、ヤング率及び破壊エネルギーの双方）がさらに向上し、透明性も特に向上しやすい。

　シリコーン系高分子化合物（Ｈ）は、前記式（１．１）、式（１．２）、式（３．１）及び（３，２）で表される構成単位以外に構造単位（以下、構造単位Ｓと表記する）を有することができる。構造単位Ｓの含有割合は、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の全構造単位中、５モル％以下、好ましくは１モル％以下、より好ましくは、０．１モル％以下であり、０モル％であってもよい。

　（シリコーン系高分子化合物（Ｇ））
　シリコーン系高分子化合物（Ｇ）は、少なくとも前記ゲスト基を有するシロキサン単位を構造単位中に有し得る高分子化合物である。シリコーン系高分子化合物（Ｇ）の一態様としては、前記ゲスト基を有するシロキサン単位と、前記他のシロキサン単位とを有する。具体例として、シリコーン系高分子化合物（Ｇ）は、前記式（２．１）で表される構造単位、前記式（２．２）で表される構造単位及び式（２．３）で表される構造単位の少なくとも１種と、必要に応じて前記式（３．１）で表される構造単位及び前記式（３．２）で表される構造単位の一方又は両方を有する。なお、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）は、前記式（１．１）で表される構造単位及び前記式（１．２）で表される構造単位（すなわち、ホスト基を有するシロキサン単位）を有さない。

　シリコーン系高分子化合物（Ｇ）の全構造単位中、前記ゲスト基を有するシロキサン単位の含有割合は、例えば、０．１モル％以上、３０モル％以下である。力学特性がより向上した高分子材料を形成しやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（Ｇ）の全構造単位中、前記ゲスト基を有するシロキサン単位の含有割合は、好ましくは０．２モル％以上、より好ましくは０．５モル％以上、さらに好ましくは０．８モル％以上、特に好ましくは１モル％以上である。また、力学特性がより向上した高分子材料を形成しやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（Ｇ）の全構造単位中、前記ゲスト基を有するシロキサン単位の含有割合は、好ましくは２０モル％以下、より好ましくは１５モル％以下、さらに好ましくは１０モル％以下、特に好ましくは５モル％以下である。

　シリコーン系高分子化合物（Ｇ）の全構造単位中、前記他のシロキサン単位の含有割合は、例えば、７０モル％以上、９９．９モル％以下である。力学特性がより向上した高分子材料を形成しやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（Ｇ）の全構造単位中、前記他のシロキサン単位の含有割合は、好ましくは８０モル％以上、より好ましくは８５モル％以上、さらに好ましくは９０モル％以上、特に好ましくは９５モル％以上である。また、力学特性がより向上した高分子材料を形成しやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（Ｇ）の全構造単位中、前記他のシロキサン単位の含有割合は、好ましくは９９．８モル％以下、より好ましくは９９．５モル％以下、さらに好ましくは９９．２モル％以下、特に好ましくは９９モル％以下である。

　シリコーン系高分子化合物（Ｇ）が他のシロキサン単位として前記式（３．１）で表される構造単位を含む場合、その含有割合はシリコーン系高分子化合物（Ｇ）の全構造単位中、好ましくは８０モル％以上、より好ましくは８５モル％以上、さらに好ましくは９０モル％以上、特に好ましくは９５モル％以上である。また、シリコーン系高分子化合物（Ｇ）が他のシロキサン単位として前記式（３．１）で表される構造単位を含む場合、その含有割合はシリコーン系高分子化合物（Ｇ）の全構造単位中、好ましくは９９．８モル％以下、より好ましくは９９．５モル％以下、さらに好ましくは９９．２モル％以下、特に好ましくは９９モル％以下である。

　シリコーン系高分子化合物（Ｇ）が他のシロキサン単位として前記式（３．２）で表される構造単位を含む場合、その含有割合はシリコーン系高分子化合物（Ｇ）の全構造単位中、好ましくは０．２モル％以上、より好ましくは０．５モル％以上、さらに好ましくは０．８モル％以上、特に好ましくは１モル％以上である。また、シリコーン系高分子化合物（Ｇ）が他のシロキサン単位として前記式（３．１）で表される構造単位を含む場合、その含有割合はシリコーン系高分子化合物（Ｇ）の全構造単位中、好ましくは２０モル％以下、より好ましくは１５モル％以下、さらに好ましくは１０モル％以下、特に好ましくは５モル％以下である。

　シリコーン系高分子化合物（Ｇ）は、前記式（２．１）、式（２．２）、式（２．３）、式（３．１）及び（３，２）で表される構成単位以外に前記構造単位Ｓを有することができる。構造単位Ｓの含有割合は、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の全構造単位中、５モル％以下、好ましくは１モル％以下、より好ましくは、０．１モル％以下であり、０モル％であってもよい。

　（シリコーン系高分子化合物（ＨＧ））
　シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）は、少なくとも前記ホスト基を有するシロキサン単位及び少なくとも前記ゲスト基シロキサン単位を構造単位中に有し得る高分子化合物である。シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）の一態様としては、前記ホスト基を有するシロキサン単位と、前記ゲスト基を有するシロキサン単位と、前記他のシロキサン単位とを有する。具体例として、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）は、前記式（１．１）で表される構造単位及び／又は前記式（１．２）で表される構造単位と、前記式（２．１）で表される構造単位、前記式（２．２）で表される構造単位及び式（２．３）で表される構造単位の少なくとも１種と、必要に応じて前記式（３．１）で表される構造単位及び前記式（３．２）で表される構造単位の一方又は両方を有する。

　シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）の全構造単位中、前記ホスト基を有するシロキサン単位の含有割合は、例えば、０．１モル％以上、３０モル％以下である。力学特性がより向上した高分子材料を形成しやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）の全構造単位中、前記ホスト基を有するシロキサン単位の含有割合は、好ましくは０．２モル％以上、より好ましくは０．５モル％以上、さらに好ましくは０．８モル％以上、特に好ましくは１モル％以上である。また、力学特性がより向上した高分子材料を形成しやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）の全構造単位中、前記ホスト基を有するシロキサン単位の含有割合は、好ましくは２０モル％以下、より好ましくは１５モル％以下、さらに好ましくは１０モル％以下、特に好ましくは５モル％以下である。

　シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）の全構造単位中、前記ゲスト基を有するシロキサン単位の含有割合は、例えば、０．１モル％以上、３０モル％以下である。力学特性がより向上した高分子材料を形成しやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）の全構造単位中、前記ゲスト基を有するシロキサン単位の含有割合は、好ましくは０．２モル％以上、より好ましくは０．５モル％以上、さらに好ましくは０．８モル％以上、特に好ましくは１モル％以上である。また、力学特性がより向上した高分子材料を形成しやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）の全構造単位中、前記ゲスト基を有するシロキサン単位の含有割合は、好ましくは２０モル％以下、より好ましくは１５モル％以下、さらに好ましくは１０モル％以下、特に好ましくは５モル％以下である。

　シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）の全構造単位中、前記他のシロキサン単位の含有割合は、例えば、７０モル％以上、９９．９モル％以下である。力学特性がより向上した高分子材料を形成しやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）の全構造単位中、前記他のシロキサン単位の含有割合は、好ましくは８０モル％以上、より好ましくは８５モル％以上、さらに好ましくは９０モル％以上、特に好ましくは９５モル％以上である。また、力学特性がより向上した高分子材料を形成しやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）の全構造単位中、前記他のシロキサン単位の含有割合は、好ましくは９９．８モル％以下、より好ましくは９９．５モル％以下、さらに好ましくは９９．２モル％以下、特に好ましくは９９モル％以下である。

　シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）が他のシロキサン単位として前記式（３．１）で表される構造単位を含む場合、その含有割合はシリコーン系高分子化合物（ＨＧ）の全構造単位中、好ましくは８０モル％以上、より好ましくは８５モル％以上、さらに好ましくは９０モル％以上、特に好ましくは９５モル％以上である。また、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）が他のシロキサン単位として前記式（３．１）で表される構造単位を含む場合、その含有割合はシリコーン系高分子化合物（ＨＧ）の全構造単位中、好ましくは９９．８モル％以下、より好ましくは９９．５モル％以下、さらに好ましくは９９．２モル％以下、特に好ましくは９９モル％以下である。

　シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）が他のシロキサン単位として前記式（３．２）で表される構造単位を含む場合、その含有割合はシリコーン系高分子化合物（ＨＧ）の全構造単位中、好ましくは０．２モル％以上、より好ましくは０．５モル％以上、さらに好ましくは０．８モル％以上、特に好ましくは１モル％以上である。また、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）が他のシロキサン単位として前記式（３．１）で表される構造単位を含む場合、その含有割合はシリコーン系高分子化合物（ＨＧ）の全構造単位中、好ましくは２０モル％以下、より好ましくは１５モル％以下、さらに好ましくは１０モル％以下、特に好ましくは５モル％以下である。

　シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）は、前記式（１．１）、式（１．２）、式（２．１）、式（２．２）、式（２．３）、式（３．１）及び（３，２）で表される構成単位以外に前記構造単位Ｓを有することができる。構造単位Ｓの含有割合は、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の全構造単位中、５モル％以下、好ましくは１モル％以下、より好ましくは、０．１モル％以下であり、０モル％であってもよい。

　（シリコーン系高分子化合物）
　本発明に係るシリコーン系高分子化合物は、前記シリコーン系高分子化合物（Ｈ）、シリコーン系高分子化合物（Ｇ）、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）を包含する。シリコーン系高分子化合物ランダムポリマー、ブロックポリマー等のいずれの構造を有していてもよく、例えば、製造が容易である点で、ランダムポリマーであることが好ましい。

　シリコーン系高分子化合物の質量平均分子量も特に限定されず、１０００～１００万、好ましくは、５０００～８０万、より好ましくは、１万～６０万である。ここでいう質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法によって測定した任意の標準物質（ポリスチレン）換算数平均分子量のことである。

　本発明に係るシリコーン系高分子化合物は、後記する種々のシリコーン系高分子材料を形成することができ、例えば、可逆性架橋構造を有するシリコーン系高分子材料、可動性架橋構造を有するシリコーン系高分子材料等を形成することができる。また、本発明に係るシリコーン系高分子化合物は、光修復性能にも優れる。

　（シリコーン系高分子化合物の製造方法）
　シリコーン系高分子化合物の製造方法は特に限定されず、種々の方法で製造することができる。例えば、ポリシロキサンにホスト基含有化合物及び／又はゲスト基含有化合物を反応させることで、ポリシロキサン骨格の側鎖にホスト基及び／又はゲスト基を導入することができる。当該反応種類は特に限定されず、例えば、付加反応を挙げることができる。

　シリコーン系高分子化合物の製造方法の一態様として、下記の工程Ａを備える製造方法を挙げることができる。
工程Ａ：ポリシロキサン化合物と、少なくとも１種のアルケニル基含有化合物とを反応する工程。

　工程Ａでは、側鎖に－ＳＨ基及び／又は－Ｓｉ－Ｈ基を有するポリシロキサン化合物を使用することができる。当該ポリシロキサン化合物は前記アルケニル基含有化合物と付加反応することができる。これにより、例えば、アルケニル基含有化合物がホスト基を有する場合は、ポリシロキサン骨格の側鎖にホスト基が共有結合的に導入され、また、アルケニル基含有化合物がゲスト基を有する場合は、ポリシロキサン骨格の側鎖にゲスト基が共有結合的に導入され得る。

　工程Ａで使用するポリシロキサン化合物の種類は、－ＳＨ基及び／又は－Ｓｉ－Ｈ基を有する限り特にその種類は制限されない。例えば、工程Ａで使用するポリシロキサン化合物は、前記式（３．１）で表される構造単位及び前記式（３．２）で表される構造単位を有する化合物を挙げることができる。以下、前記式（３．１）で表される構造単位及び前記式（３．２）で表される構造単位を有するポリシロキサン化合物を「ポリシロキサン化合物ａ」と表記する。

　ポリシロキサン化合物ａが－ＳＨ基を有さない場合、例えば、前記式（３．１）におけるＲ^３及びＲ^４の少なくとも一方は水素となる。前記式（３．１）におけるＲ^３及びＲ^４の両方が水素でない場合、Ｒ^３及びＲ^４は同一又は異なって、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基であることが好ましく、メチル基が特に好ましい。

　ポリシロキサン化合物ａにおいて、前記式（３．２）中、Ｒ^７は、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基であることが好ましく、メチル基が特に好ましい。また、Ｒ^８が、ヘテロ原子が介在したアルキレン基である場合、Ｒ^８としては、アルキレン基、又は、チオエーテル結合を有するアルキレン基が挙げられ、例えば、－（ＣＨ_２）_ｍ１－や－（ＣＨ_２）_ｍ１－Ｓ－（ＣＨ_２）_ｍ２－が例示される。これらにおいて、ｍ１及びｍ２は１～１０の数であり、好ましくは１～８、より好ましくは１～５である。ｍ１及びｍ２は同一であっても異なっていてもよい。

　ポリシロキサン化合物ａが－ＳＨ基を有さない場合、前記式（３．２）中、Ａはチオール基以外の基であり、ポリシロキサン化合物ａが－ＳＨ基を有するものであって、前記式（３．１）におけるＲ^３及びＲ^４の両方が水素でない場合、Ａはチオール基である。

　ポリシロキサン化合物ａの全構造単位中、前記式（３．１）で表される構造単位の含有割合は、例えば、７０モル％以上とすることができ、好ましくは７５モル％以上、より好ましくは８０モル％以上、さらに好ましくは８５モル％以上、特に好ましくは９０モル％以上である。また、ポリシロキサン化合物ａの全構造単位中、前記式（３．１）で表される構造単位の含有割合は、例えば、９９．９モル％以下とすることができ、好ましくは９９モル％以下、より好ましくは９８モル％以下、さらに好ましくは９６モル％以下、特に好ましくは９５モル％以下である。

　ポリシロキサン化合物ａの全構造単位中、前記式（３．２）で表される構造単位の含有割合は、例えば、０．１モル％以上とすることができ、好ましくは１モル％以上、より好ましくは２モル％以上、さらに好ましくは４モル％以上、特に好ましくは５モル％以上である。また、ポリシロキサン化合物ａの全構造単位中、前記式（３．２）で表される構造単位の含有割合は、例えば、３０モル％以下とすることができ、好ましくは２５モル％以下、より好ましくは２０モル％以下、さらに好ましくは１５モル％以下、特に好ましくは１０モル％以下である。

　工程Ａで使用するアルケニル基含有化合物は、ホスト基を有するアルケニル基含有化合物、ゲスト基を有するアルケニル基含有化合物を挙げることができる。具体的に、前記シリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造する場合はアルケニル基含有化合物としてホスト基を有するアルケニル基含有化合物を使用し、前記シリコーン系高分子化合物（Ｇ）を製造する場合はアルケニル基含有化合物としてゲスト基を有するアルケニル基含有化合物を使用し、前記シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）を製造する場合はアルケニル基含有化合物としてホスト基を有するアルケニル基含有化合物及びゲスト基を有するアルケニル基含有化合物の両方を使用する。

　工程Ａで使用するアルケニル基含有化合物において、アルケニル基は、例えば、ビニル基、アリル基等を挙げることができる。

　ホスト基を有するアルケニル基含有化合物及びゲスト基を有するアルケニル基含有化合物の種類は特に限定されず、例えば、公知の化合物を広く使用することができる。

　ホスト基を有するアルケニル基含有化合物の具体例としては、下記の一般式（ｈ１）で表される化合物を挙げることができる。

　式（ｈ１）中、Ｒａは水素原子またはメチル基を表し、Ｒ^Ｈは前記ホスト基を示し、Ｒ^１は前記式（１．１）におけるＲ^１と同義である。

　ホスト基を有するアルケニル基含有化合物の他の具体例としては、下記の一般式（ｈ２）で表される化合物を挙げることができる。

　式（ｈ２）中、Ｒａ、Ｒ^Ｈ及びＲ^１はそれぞれ式（ｈ１）のＲａ、Ｒ^Ｈ及びＲ^１と同義である。

　ゲスト基を有するアルケニル基含有化合物の具体例としては、下記の一般式（ｇ１）で表される化合物を挙げることができる。

　式（ｇ１）中、Ｒａは水素原子またはメチル基を表し、Ｒ^Ｇは前記ゲスト基を示し、Ｒ^２は前記式（１．１）におけるＲ^１と同義である。ゲスト基を有するアルケニル基含有化合物の具体例としては、（メタ）アクリル酸ｎ－ヘキシル、（メタ）アクリル酸ｎ－オクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－ドデシル、（メタ）アクリル酸アダマンチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシアダマンチル、１－（メタ）アクリルアミドアダマンタン、２－エチル－２－アダマンチル（メタ）アクリレート、Ｎ－ドデシル（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、１－アクリルアミドアダマンタン、Ｎ－（１－アダマンチル）（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ベンジル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－１－ナフチルメチル（メタ）アクリルアミド、エトキシ化Ｏ－フェニルフェノールアクリレート、フェノキシポリエチレングリコールアクリレート、イソステアリルアクリレート、ノニルフェノールＥＯ付加物アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ピレン部位を有する（メタ）アクリレート、ピレン部位を有する（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。

　なお、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは「アクリル」または「メタクリル」を、「（メタ）アクリレート」とは「アクリレート」または「メタクリレート」を、「（メタ）アリル」とは「アリル」または「メタリル」を意味する。

　ホスト基を有するアルケニル基含有化合物及びゲスト基を有するアルケニル基含有化合物は、公知の方法で製造することができ、あるいは、市販品を使用することもできる。

　工程Ａの反応では、ホスト基を有するアルケニル基含有化合物及びゲスト基を有するアルケニル基含有化合物以外のアルケニル基含有化合物を併用することもできる。斯かるアルケニル基含有化合物を「アルケニル基含有化合物ｃ」と表記する。

　アルケニル基含有化合物ｃとしては、置換基を有していてもよい炭素数２～１０のアルケニル化合物を挙げることができる。置換基は、例えば、水酸基、アミノ基、カルボキシ基等を挙げることができる。アルケニル化合物において、炭素－炭素二重結合の位置は特に限定されず、例えば、アルケニル化合物の末端（例えば、１，２－アルケニル化合物）とすることができ、この場合、逆側の末端に前記置換基を有することができる。アルケニル基含有化合物ｃの具体例として、１－ペンテン、２－ペンテン、アリルアルコール等を挙げることができ、１－ペンテンの場合は高分子材料の力学特性が向上しやすい。

　工程Ａの反応では、前記ポリシロキサン化合物と、少なくとも１種のアルケニル基含有化合物（ホスト基を有するアルケニル基含有化合物及び／又はゲスト基を有するアルケニル基含有化合物）とを反応する。この反応では必要に応じて、前記アルケニル基含有化合物ｃも使用する。この場合、得られるポリマーは優れた力学特性（特に優れたヤング率及び破壊エネルギー）を有しやすく、また、透明性も高くなりやすい。

　工程Ａの反応では、アルケニル基含有化合物（アルケニル基含有化合物ｃは含まない）の使用量は特に限定されず、例えば、前記ポリシロキサン化合物に対し、０．１～３０モル％とすることができる。また、工程Ａの反応では、アルケニル基含有化合物ｃの使用量は、例えば、前記ポリシロキサン化合物に対し、５０～１５０モル％とすることができる。

　工程Ａの反応は、例えば、光重合開始剤の存在下で行うことができる。これにより、前記ポリシロキサン化合物と、アルケニル基含有化合物との反応が促進されやすくなる。具体的に、ポリシロキサン化合物における－ＳＨ基及び／又は－Ｓｉ－Ｈ基と、アルケニル基含有化合物のアルケニル基との反応（付加反応）が起こりやすくなる。

　工程Ａの反応で光重合開始剤を使用する場合、その使用量は特に限定されず、例えば、前記ポリシロキサン化合物に対し、１～２０モル％とすることができる。

　工程Ａの反応は、各種溶媒中で行うことができる。溶媒の種類は特に限定されず、例えば、アルケニル化合物とシリル基との付加反応あるいは、アルケニル化合物とチオール基との付加反応で従来から使用されている溶媒を広く適用することができる。溶媒として、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、イソホロン等のケトン系溶媒；ｔｅｒｔ－ブチルアルコール、ベンジルアルコール、フェノキシエタノール、フェニルプロピレングリコール等のアルコール系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒；１，２－ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒；酢酸エチル、酢酸プロピル、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート等のエステル系溶媒；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルミアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒等が挙げられる。

　工程Ａの反応は、例えば、ポリシロキサン化合物、アルケニル基含有化合物、アルケニル基含有化合物ｃ、光重合開始剤及び溶媒を含む原料に活性エネルギー線を照射して反応を進行させる方法、前記原料を所定の温度に調節して反応を進行させる方法で行うことができる。中でも反応が進行しやすいという点で、活性エネルギー線を照射する方法を採用することが好ましい。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線、可視光線、Ｘ線、イオン線等が挙げられ、中でも、汎用性の点から紫外線または電子線が好ましく、紫外線が特に好ましい。

　工程Ａの反応を行った後、さらに追加で出発原料（例えば、ポリシロキサン化合物、アルケニル基含有化合物、アルケニル基含有化合物ｃ）等を加えることもできる。この場合、アルケニル基含有化合物ｃを追加することが好ましく、これにより、ポリシロキサン化合物中の未反応のＳｉ－Ｈ基やＳＨ基を消費させることが可能となる。

　工程Ａの反応が終了した後は、適宜の精製手段で所望のシリコーン系高分子化合物を得ることができる。

　２．シリコーン系高分子材料
　本発明のシリコーン系高分子材料は、以下のシリコーン系高分子材料Ａ、シリコーン系高分子材料Ｂ、シリコーン系高分子材料Ｃ、シリコーン系高分子材料Ｃ´、及び、シリコーン系高分子材料Ｄを包含する。

　（シリコーン系高分子材料Ａ）
　シリコーン系高分子材料Ａは、前記シリコーン系高分子化合物（Ｈ）と、前記シリコーン系高分子化合物（Ｇ）とを含み、前記シリコーン系高分子化合物（Ｈ）中のホスト基は前記シリコーン系高分子化合物（Ｇ）のゲスト基を包接している。

　具体的にシリコーン系高分子材料Ａでは、前記シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が有する少なくとも１個の前記ホスト基と、前記シリコーン系高分子化合物（Ｇ）が有する少なくとも１個の前記ゲスト基とがホスト－ゲスト相互作用を形成している。要するに、シリコーン系高分子材料Ａでは、分子間で可逆的なホスト－ゲスト相互作用が生じ、これにより、可逆型架橋構造が形成される。

　シリコーン系高分子材料Ａにおいて、ホスト基及びゲスト基の組み合わせは特に限定されず、前述のホスト基及びゲスト基を任意に組み合わせることができる。中でも、シリコーン系高分子材料Ａの力学特性を向上させやすいという点で、ホスト基がα－シクロデキストリン又はその誘導体由来である場合、ゲスト基はオクチル基及びドデシル基の群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。同様の理由で、ホスト基がβ－シクロデキストリン又はその誘導体由来である場合、ゲスト基はアダマンチル基及びイソボルニル基の群から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ホスト基がγ－シクロデキストリン又はその誘導体由来である場合、ゲスト基はオクチル基、ドデシル基、シクロドデシル基及びアダマンチル基からなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましい。

　シリコーン系高分子材料Ａは、分子間のホスト－ゲスト相互作用が形成されることから、自己修復性を有することもできる。例えば、シリコーン系高分子材料Ａが切断等されたとしても、切断面どうしを再接着することで、その接着面でホスト－ゲスト相互作用が再度形成され、この結果、再接合が起こって自己修復が生じる。

　シリコーン系高分子材料Ａにおいて、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及びシリコーン系高分子化合物（Ｇ）の含有割合は特に限定されない。例えば、ホスト－ゲスト相互作用がしやすい点で、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及びシリコーン系高分子化合物（Ｇ）の総質量に対するシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の含有割合は３０～８０質量％、好ましくは４０～６０質量％であり、両者は同量であってもよい。

　シリコーン系高分子材料Ａには、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）、シリコーン系高分子化合物（Ｇ）以外の他の添加剤が含まれていてもよいし、あるいは、シリコーン系高分子材料Ａはシリコーン系高分子化合物（Ｈ）及びシリコーン系高分子化合物（Ｇ）のみで形成され得る。

　シリコーン系高分子材料Ａを製造する方法は特に限定されず、例えば、公知の方法を広く採用することができる。例えば、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）、シリコーン系高分子化合物（Ｇ）を公知の混合手段で混合することでシリコーン系高分子材料Ａを得ることができる。混合手段は公知の混合機を広く使用することができ、例えば、ボールミル等の混合機を挙げることができる。混合は乾式及び湿式のいずれで行ってもよい。湿式の場合は、例えば、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及びシリコーン系高分子化合物（Ｇ）を含む溶液と、導電性材料を混合する方法が挙げられる。前記溶液の溶媒は特に限定されず、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及びシリコーン系高分子化合物（Ｇ）の両方が溶解する各種有機溶媒を使用することができる。

　（シリコーン系高分子材料Ｂ）
　シリコーン系高分子材料Ｂは、前記シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）を含み、分子間でホスト基及びゲスト基との結合が生じている。

　シリコーン系高分子材料Ｂでは、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）が少なくとも１個のホスト基と、少なくとも１個のゲスト基とを含むので、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）どうしが分子間でホスト－ゲスト相互作用を形成することができる。即ち、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）のホスト基の少なくとも一つに、他のシリコーン系高分子化合物（ＨＧ）の少なくとも一つのゲスト基が包接され、これにより、分子間の可逆的なホスト－ゲスト相互作用が形成され得る。従って、シリコーン系高分子材料Ｂもシリコーン系高分子材料Ａ同様、可逆型架橋構造が形成される。

　斯かる分子間のホスト－ゲスト相互作用によって、シリコーン系高分子材料Ｂの力学特性が向上し、特に、ヤング率及び破壊エネルギーの双方が向上するので、強靭でありながら優れた柔軟性を有することができる。

　シリコーン系高分子材料Ｂにおいて、ホスト基及びゲスト基の組み合わせは特に限定されず、前述のホスト基及びゲスト基を任意に組み合わせることができる。中でも、シリコーン系高分子材料Ｂの力学特性を向上させやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）のホスト基がα－シクロデキストリン又はその誘導体由来である場合、ゲスト基はオクチル基及びドデシル基の群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。同様の理由で、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）のホスト基がβ－シクロデキストリン又はその誘導体由来である場合、ゲスト基はアダマンチル基及びイソボルニル基の群から選ばれる少なくとも１種が好ましく、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）のホスト基がγ－シクロデキストリン又はその誘導体由来である場合、ゲスト基はオクチル基、ドデシル基、シクロドデシル基及びアダマンチル基からなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましい。

　シリコーン系高分子材料Ｂは、分子間のホスト－ゲスト相互作用が形成されることから、自己修復性を有することもできる。例えば、シリコーン系高分子材料Ｂが切断等されたとしても、切断面どうしを再接着することで、その接着面でホスト－ゲスト相互作用が再度形成され、この結果、再接合が起こって自己修復が生じる。

　シリコーン系高分子材料Ｂには、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）以外の他の添加剤が含まれていてもよいし、あるいは、シリコーン系高分子材料Ｂは、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）のみで形成することもできる。

　シリコーン系高分子材料Ｂを製造する方法は特に限定されず、例えば、公知の方法を広く採用することができる。例えば、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）の溶液を用いてシリコーン系高分子材料Ｂを製造することができる。

　（シリコーン系高分子材料Ｃ）
　シリコーン系高分子材料Ｃは、前記シリコーン系高分子化合物（Ｈ）を含む架橋構造体を備え、前記架橋構造体は、前記シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が有する少なくとも１個の前記ホスト基に他のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の主鎖が貫通した構造を有する。

　図１は、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が有する少なくとも１個の前記ホスト基に他のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の主鎖が貫通した構造を模式的に示している。シリコーン系高分子化合物（Ｈ）のホスト基に他のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の主鎖が貫通することよって架橋構造体が形成され、しかも、ホスト基環内を貫通するポリマー鎖がスライド可能になる。すなわち、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）はいわゆる可動性を有する架橋構造（可動性架橋構造体）を形成する。この架橋構造をシングルクロスネットワークと称することもできる。この架橋構造により、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の力学特性（特に、ヤング率及び破壊エネルギーの双方）が向上し、強靭でありながら優れた柔軟性を有することができる。なお、ホスト基を貫通したシリコーン系高分子化合物（Ｈ）もまたホスト基を有することから、当該ホスト基がいわゆるストッパーとなり、脱落が防止され得る。

　図１に示すように、シリコーン系高分子材料Ｃは、さらに鎖状高分子化合物（Ｐ１）を含むことができる。前記鎖状高分子化合物（Ｐ１）は、前記架橋構造体の網目を貫通している。ここでいう架橋構造体の網目とは、前述のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）のホスト基に他のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の主鎖が貫通することよって形成される可動性架橋構造体を意味する。

　シリコーン系高分子材料Ｃにおいて、鎖状高分子化合物（Ｐ１）が架橋構造体の網目を貫通するように存在することで、シリコーン系高分子材料Ｃの力学特性がさらに向上しやすくなる。

　鎖状高分子化合物（Ｐ１）は、ホスト基を有さない高分子化合物であり、例えば、各種の重合性単量体Ｍが重合してなるポリマーを挙げることができる。重合性単量体Ｍは、（メタ）アクリル酸アルキル、水酸基を有する（メタ）アクリル酸アルキル、カルボキシ基を有する（メタ）アクリル酸系単量体等の各種（メタ）アクリルエステル系単量体を挙げることができる。重合性単量体Ｍの具体例として、（メタ）アクリル酸、アリルアミン、無水マレイン酸；（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸ｎ－オクチル等の（メタ）アクリル酸アルキル；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド、Ｎ－イソプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ヒドロキシメチル（メタ）アクリルアミド等の（メタ）アクリルアミド又はその誘導体；ヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリルアミド、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート等の水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル；エトキシ－ジエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシ－トリエチレングルコール（メタ）アクリレート、メトキシ－ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、スチレン等が挙げられる。

　鎖状高分子化合物（Ｐ１）は、前記架橋構造体の網目を貫通して存在しやすいという点で、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリルアミド又はその誘導体のポリマーであることが好ましく、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル等の（メタ）アクリル酸アルキル単位を含むポリマーであることがさらに好ましい。鎖状高分子化合物（Ｐ１）が水酸基、カルボキシ基等の水性結合性官能基を有する場合は、分子間水素結合によって力学特性が向上しやすいので、鎖状高分子化合物（Ｐ１）は、水性結合性官能基を有することが特に好ましい。この観点から、鎖状高分子化合物（Ｐ１）は、前記（メタ）アクリル酸アルキルと、前記水酸基含有（メタ）アクリルエステルとの共重合体であることが好ましく、あるいは、鎖状高分子化合物（Ｐ１）は、前記水酸基含有（メタ）アクリルエステルの単独重合体であってもよい。鎖状高分子化合物（Ｐ１）が、前記（メタ）アクリル酸アルキルと、前記水酸基含有（メタ）アクリルエステルとの共重合体である場合、両者の含有割合は特に限定されず、例えば、前記水酸基含有（メタ）アクリルエステルの含有割合を５～８０質量％、好ましくは１０～６０質量％とすることができる。

　鎖状高分子化合物（Ｐ１）のさらなる他例として、後記するように、ポリウレタン等の重付加系の高分子化合物や重縮合系の高分子化合物であってもよい。

　鎖状高分子化合物（Ｐ１）の質量平均分子量（Ｍｗ）は特に限定されず、例えば、１万～２００万とすることができ、好ましくは２万～１００万である。鎖状高分子化合物（Ｐ１）は、例えば、ホモポリマー、ランダムポリマー等の構造を有することができる、また、鎖状高分子化合物（Ｐ１）は、直鎖状とすることができ、本発明の効果が阻害されない限りや、枝分かれ構造及び架橋構造を有することもできる。

　シリコーン系高分子材料Ｃにおいて、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ１）の含有割合は特に限定されない。例えば、力学特性が高まりやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ１）の総質量に対するシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の含有割合は、例えば、１０質量％以上とすることができ、好ましくは２０質量％以上、より好ましくは４０質量％以上、さらに好ましくは５０質量％以上である。また、力学特性が高まりやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ１）の総質量に対するシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の含有割合は、９０質量％以下とすることができ、好ましくは８０質量％以下、より好ましくは７０質量％以下ある。

　シリコーン系高分子材料Ｃには、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ１）以外の他の添加剤が含まれていてもよいし、あるいは、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ１）のみで形成することもできる。

　シリコーン系高分子材料Ｃを製造する方法は特に限定されず、例えば、公知の方法を広く採用することができる。例えば、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が溶媒に溶解した溶液を調製し、溶媒乾燥させる過程で、前記シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が有する少なくとも１個の前記ホスト基に他のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の主鎖が貫通し得る。これにより、架橋構造体（前述の可動性架橋構造体）が形成され、シリコーン系高分子材料Ｃが得られる。あるいは、前記工程Ａにおいて、ポリシロキサン化合物ａとホスト基を有するアルケニル化合物とを反応する際に、ポリシロキサン化合物ａがホスト基を貫通することがあるので、前記工程Ａによって直接シリコーン系高分子材料Ｃが製造され得る。

　また、可動性架橋構造体が形成されたシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の存在下、鎖状高分子化合物（Ｐ１）を得るための重合反応を行うことで、架橋構造体の網目に前記鎖状高分子化合物（Ｐ１）が貫通してなるシリコーン系高分子材料Ｃを製造することができる。具体的には、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の存在下、前記重合性単量体Ｍの重合反応を行うことで、シリコーン系高分子材料Ｃが得られる。この製造方法では、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が可動性架橋構造を有するので、重合性単量体Ｍによってシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の膨潤が起こりやすく、この結果、可動性架橋構造の網目を重合性単量体Ｍの生長鎖が貫通しやすくなる。

　（シリコーン系高分子材料Ｃ´）
　シリコーン系高分子材料Ｃ´は、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ１）を含む架橋構造体を備え、前記架橋構造体は、前記シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が有する少なくとも１個の前記ホスト基に前記鎖状高分子化合物（Ｐ１）が貫通した構造を有する。

　図２は、シリコーン系高分子材料Ｃ´の構造を模式的に示している。シリコーン系高分子化合物（Ｈ）のホスト基に鎖状高分子化合物（Ｐ１）が貫通することよって、可動性を有する架橋構造（可動性架橋構造体）が形成され、これにより、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の力学特性（特に、ヤング率及び破壊エネルギーの双方）が向上し、強靭でありながら優れた柔軟性を有することができる。

　シリコーン系高分子材料Ｃ´において、鎖状高分子化合物（Ｐ１）は、シリコーン系高分子材料Ｃにおける鎖状高分子化合物（Ｐ１）と同様である。鎖状高分子化合物（Ｐ１）がホスト基を貫通しやすいという点で、鎖状高分子化合物（Ｐ１）は、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリルアミド又はその誘導体のポリマーであることが好ましく、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル等のポリマーであることがさらに好ましい。

　シリコーン系高分子材料Ｃ´において、鎖状高分子化合物（Ｐ１）が水酸基、カルボキシ基等の水性結合性官能基を有する場合は、分子間水素結合によって力学特性が向上しやすいので、鎖状高分子化合物（Ｐ１）は、水性結合性官能基を有することが特に好ましい。この観点から、鎖状高分子化合物（Ｐ１）は、前記（メタ）アクリル酸アルキルと、前記水酸基含有（メタ）アクリルエステルとの共重合体であることが好ましく、あるいは、鎖状高分子化合物（Ｐ１）は、前記水酸基含有（メタ）アクリルエステルの単独重合体であってもよい。鎖状高分子化合物（Ｐ１）が、前記（メタ）アクリル酸アルキルと、前記水酸基含有（メタ）アクリルエステルとの共重合体である場合、両者の含有割合は特に限定されず、例えば、前記水酸基含有（メタ）アクリルエステルの含有割合を５～８０質量％、好ましくは１０～６０質量％とすることができる。

　シリコーン系高分子材料Ｃ´において、鎖状高分子化合物（Ｐ１）の他例として、前述のポリウレタン等の重付加系の高分子化合物や重縮合系の高分子化合物を挙げることができる。これらの高分子化合物は、１個又は２個のアミノ基を有する化合物、１個又は２個の水酸基を有する化合物、１個又は２個のカルボキシ基を有する化合物、１個又は２個のエポキシ基を有する化合物、１個又は２個のイソシアネート基を有する化合物、１個又は２個のチオール基を有する化合物及び１個又は２個のカルボン酸塩化物を有する化合物からなる群より選ばれる２種以上の化合物（以下、「重付加系化合物」という）を用いた重合反応により製造される。中でも、重付加系の高分子化合物及び重縮合系の高分子化合物としての鎖状高分子化合物（Ｐ１）は、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂を好ましく挙げることができる。

　１又は２個のアミノ基を有する化合物としては、例えば、１－アダマンタンアミン、ベンジルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルアミン、ブチルアミン、１－アミノピレン、アミノフェロセン、４－アミノアゾベンゼン、４－アミノスチルベン、シクロヘキシルアミン、ヘキシルアミン、４，７，１０－トリオキサ－４，６－１，１３－トリデカンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、ｐ－キシリレンジアミン、ジアミノフェロセン、４，４’－ジアミノアゾベンゼン、４，４’－ジアミノスチルベン、１，４－ジアミノシクロヘキサン、１，６－ジアミノシクロヘキサン、α、ω－ジアミノポリエチレングルコール、α、ω－ジアミノポリプロピレングルコール、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン１，１－ビス（４－アミノフェニル）－１－フェニルエタン、２、２－ビス（４-アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２、２－ビス（４-アミノフェニル）ブタン、ビス（４－アミノフェニル）ジフェニルメタン、２、２－ビス（３－メチル－４－アミノフェニル）プロパン、ビス（４－アミノフェニル）－２、２－ジクロロエチレン、１、１－ビス（４－アミノフェニル）エタン、２，２－ビス（４－アミノ－３－イソプロピルフェニル）プロパン、１，３－ビス（２－（４－アミノフェニル）－２－プロピル）ベンゼン、ビス（４－アミノフェニル）スルホン、１，４－ビス（２－（４－アミノフェニル）－２－プロピル）ベンゼン、５，５’－（１－メチルエチリデン）-ビス［１，１’－（ビスフェニル）－２－アミン］プロパン、１，１－ビス（４－アミノフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、１，１－ビス（４－アミノフェニル）シクロヘキサン等を挙げることができる。

　１又は２個の水酸基を有する化合物としては、例えば、１－ヒドロキシアダマンタン、ベンジルアルコール、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール、ブチルアルコール、１－ヒドロキシピレン、１－ヒドロキシメチルフェロセン、４－ヒドロキシアゾベンゼン、４－ヒドロキシスチルベン、シクロヘキサノール、ヘキサノール、４，４’－ジヒドロキシジフェニルメタン、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４－ベンゼンジメタノール、１，１’－ジヒドロキシメチルフェロセン、４，４’－ジヒドロキシアゾベンゼン、４，４’－ジヒドロキシスチルベン、１，３－プロパンジオール、ポリテトラヒドロフラン、１，４－シクロヘキノール、１，６－ヘキサンジオール、ポリエチレングルコール、ポリプロピレングルコール、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－１－フェニルエタン、２、２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２、２－ビス（４-ヒドロキシフェニル）ブタン、ビス（４－ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、２、２－ビス（３－メチル－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４－ヒドロキシフェニル）－２、２－ジクロロエチレン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）エタン、２，２－ビス（４－ヒドロキシ－３－イソプロピルフェニル）プロパン、１，３－ビス（２－（４－ヒドロキシフェニル）－２－プロピル）ベンゼン、ビス（４－ヒドロキシフェニル）スルホン、１，４－ビス（２－（４－ヒドロキシフェニル）－２－プロピル）ベンゼン、５，５’－（１－メチルエチリデン）-ビス［１，１’－（ビスフェニル）－２－ヒドロキシ］プロパン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、ビスフェノールＡ等を挙げることができる。中でも、プロパンジオール（ＰＯＤ）及びポリテトラヒドロフラン（ＰＴＨＦ）が好ましく、これらを併用しても良いし、特に好ましくはテトラヒドロフラン（ＰＴＨＦ）を単独で使用することである。

　１又は２個のカルボキシ基を有する化合物としては、例えば、１－カルボキシアダマンタン、安息香酸、ピバル酸、ブタン酸、１－カルボキシピレン、１－カルボキシフェロセン、４－カルボキシアゾベンゼン、４－カルボキシスチルベン、シクロヘキサン酸、ヘキサン酸、４，４’－ジカルボキシジフェニルメタン、１，４－ベンゼンジカルボン酸、１，４－フェニレン二酢酸、１，１’－ジカルボキシフェロセン、４，４’－ジカルボキシアゾベンゼン、４，４’－ジカルボキシスチルベン、１，４－シクロヘキサンジカルボン酸、１，６－ヘキサンジカルボン酸、α、ω－ジカルボキシポリエチレングルコール、α、ω－ジカルボキシポリプロピレングルコール、２，２－ビス（４－カルボキシフェニル）プロパン、１，１－ビス（４－カルボキシフェニル）－１－フェニルエタン、２、２－ビス（４－カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２、２－ビス（４-カルボキシフェニル）ブタン、ビス（４－カルボキシフェニル）ジフェニルメタン、２、２－ビス（３－メチル－４－カルボキシフェニル）プロパン、ビス（４－カルボキシフェニル）－２、２－ジクロロエチレン、１、１－ビス（４－カルボキシフェニル）エタン、２，２－ビス（４－カルボキシ３－イソプロピルフェニル）プロパン、１，３－ビス（２－（４－カルボキシフェニル）－２－プロピル）ベンゼン、ビス（４－カルボキシフェニル）スルホン、１，４－ビス（２－（４－カルボキシフェニル）－２－プロピル）ベンゼン、５，５’－（１－メチルエチリデン）－ビス［１，１’－（ビスフェニル）－２－カルボキシ］プロパン、１，１－ビス（４－カルボキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、１，１－ビス（４－カルボキシフェニル）シクロヘキサン等を挙げることができる。

　１又は２個のカルボン酸塩化物を有する化合物としては、例えば、１－アダマンタンカルボニルクロリド、テレフタロイルクロリド、トリメチルアセチルクロリド、ブチリルクロリド、１－ピレンカルボニルクロリド、１－フェロセンカルボニルクロリド、４－アゾベンゼンカルボニルクロリド、４－スチルベンカルボニルクロリド、シクロヘキサンカルボニルクロリド、ヘキシルクロリド、４，４’－ジフェニルメタンジカルボニルクロリド、１，４－ベンゼンジカルボンニルクロリド、１，４－フェニレンジカルボニルクロリド、１，１’－フェロセンジカルボニルクロリド、４，４’－アゾベンゼンジカルボニルクロリド、４，４’－スチルベンカルボニルクロリド、１，４－シクロヘキサンジカルボニルクロリド、１，６－ヘキサンジカルボニルクロリド、α、ω－ポリエチレングルコールジカルボニルクロリド、α、ω－ポリプロピレングルコールジカルボニルクロリド、２,２-ビス（４－フェニルカルボニルクロリド）プロパン、１，１－ビス（４－フェニルカルボニルクロリド）－１－フェニルエタン、２、２－ビス（４－フェニルカルボニルクロリド）ヘキサフルオロプロパン、２、２－ビス（４－フェニルカルボニルクロリド）ブタン、ビス（４－フェニルカルボニルクロリド）ジフェニルメタン、２、２－ビス（３－メチル－４－フェニルカルボニルクロリド）プロパン、ビス（４－フェニルカルボニルクロリド）－２、２－ジクロロエチレン、１、１－ビス（４－フェニルカルボニルクロリド）エタン、２，２－ビス（３－イソプロピルフェニル－４－カルボニルクロリド）プロパン、１，３－ビス（２－（４－フェニルカルボニルクロリド）－２－プロピル）ベンゼン、ビス（４－フェニルカルボニルクロリド）スルホン、１，４－ビス（２－（４－フェニルカルボニルクロリド）－２－プロピル）ベンゼン、５，５’－（１－メチルエチリデン）－ビス［１，１’－（ビスフェニル）－２－カルボニルクロリド］プロパン、１，１－ビス（４－フェニルカルボニルクロリド）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、１，１－ビス（４－フェニルカルボニルクロリド）シクロヘキサン等を挙げることができる。

　１又は２個のエポキシ基を有する化合物としては、例えば、アダマンタンオキシド、スチレンオキシド、１，２－エポキシブタン、１－エポキシピレン、エポキシフェロセン、４－エポキシアゾベンゼン、４－エポキシスチルベン、シクロヘキシルオキシド、１，２－エポキシヘキサン、２，２’－ビス（４－グリシジルオキシフェニル）プロパン、ｐ－ジグリシジルオキシベンゼン、ジグリシジルオキイシフェロセン、４，４’－ジグリシジルオキシアゾベンゼン、４，４’－ジグリシジルオキシフェロセン、１，４－ジグリシジルオキシシクロヘキサン、１，６－ジグリシジルオキシシクロヘキサン、α、ω－ジグリシジルオキシポリエチレングルコール、α、ω－ジグリシジルオキシポリプロピレングルコール、１,１-ビス（４-グリシジルオキシフェニル）－１－フェニルエタン、２、２－ビス（４-グリシジルオキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２、２－ビス（４-グリシジルオキシフェニル）ブタン、ビス（４－グリシジルオキシフェニル）ジフェニルメタン、２、２－ビス（３－メチル－４－グリシジルオキシフェニル）プロパン、ビス（４－グリシジルオキシフェニル）－２、２－ジクロロエチレン、１、１－ビス（４－グリシジルオキシフェニル）エタン、２，２－ビス（４－グリシジルオキシ－３－イソプロピルフェニル）プロパン、１，３－ビス（２－（４－グリシジルオキシフェニル）－２－プロピル）ベンゼン、ビス（４－グリシジルオキシフェニル）スルホン、１，４－ビス（２－（４－グリシジルオキシフェニル）－２－プロピル）ベンゼン、５，５’－（１－メチルエチリデン）－ビス［１，１’－（ビスフェニル）－２－グリシジルオキシ］プロパン、１，１－ビス（４－グリシジルオキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、１，１－ビス（４－グリシジルオキシフェニル）シクロヘキサン等を挙げることができる。

　１又は２個のイソシアネート基を有する化合物としては、例えば、１－アダマンタンイソシアネート、ベンジルイソシアネート、フェニルイソシアネート、ｔｅｒｔ－ブチルイソシアネート、ブチルイソシアネート、１－ピレンイソシアネート、フェロセンイソシアネート、アゾベンゼン－４－イソシアネート、スチルベン－４－イソシアネート、シクロヘキサンイソシアネート、ヘキサンイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、４，４’－ジイソシアネートフェニルメタン、ｐ－ベンゼンジイソシアネート、フェロセン－１，１’－ジイソシアネート、アゾベンゼン－４，４’－ジイソシアネート、スチルベン－４，４’－ジイソシアネート、シクロヘキサン－１，４－ジイソシアネート、シクロヘキサン－１，６－ジイソシアネート、ポリエチレングルコールジイソシアネート、ポリプロピレングルコールジイソシアネート、２,２－ビス（４－フェニルイソシアネート）プロパン、１，１－ビス（４－フェニルイソシアネート）－１－フェニルエタン、２、２－ビス（４-フェニルイソシアネート）ヘキサフルオロプロパン、２、２－ビス（４－フェニルイソシアネート）ブタン、ビス（４－フェニルイソシアネート）ジフェニルメタン、２、２－ビス（３－メチル－４－フェニルイソシアネート）プロパン、ビス（４－フェニルイソシアネート）－２、２－ジクロロエチレン、１、１－ビス（４－フェニルイソシアネート）エタン、２，２－ビス（３－イソプロピル－４－フェニルイソシアネート）プロパン、１，３－ビス（２－（４－フェニルイソシアネート－）－２－プロピル）ベンゼン、ビス（４－フェニルイソシアネート－）スルホン、１，４－ビス（２－（４－フェニルイソシアネート－）－２－プロピル）ベンゼン、５，５’－（１－メチルエチリデン）-ビス［１，１’－（ビスフェニル）－２－イソシアネート］プロパン、１，１－ビス（４－フェニルイソシアネート－）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、１，１－ビス（４－フェニルイソシアネート－）シクロヘキサン等を挙げることができる。

　１又は２個のチオール基を有する化合物としては、例えば、１－アダマンタンチオール、ベンジルチオール、ｔｅｒｔ－メルカプタン、ブタンチオール、１－チオールピレン、フェロセンチオール、４－チオアゾベンゼン、４－チオスチルベン、シクロヘキシルチオール、ヘキサンチオール、４，４’－ジチオフェニルメタン、ｐ－ベンゼンジチオール、１，１’－ジチオフェロセン、４，４’－ジチオアゾベンゼン、４，４’－ジチオスチルベン、１，４－ジチオシクロヘキサン、１，６－ジチオシクロヘキサン、α、ω－ジチオポリエチレングルコール、α、ω－ジチオポリプロピレングルコール、１，１－ビス（４－チオフェニル）－１－フェニルエタン、２、２－ビス（４－チオフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２、２－ビス（４－チオフェニル）ブタン、ビス（４－チオフェニル）ジフェニルメタン、２、２－ビス（３－メチル－４－チオフェニル）プロパン、ビス（４－チオフェニル）－２、２－ジクロロエチレン、１、１－ビス（４－チオフェニル）エタン、２，２－ビス（４－チオ３－イソプロピルフェニル）プロパン、１，３－ビス（２－（４－チオフェニル）－２－プロピル）ベンゼン、ビス（４－チオフェニル）スルホン、１，４－ビス（２－（４－チオフェニル）－２－プロピル）ベンゼン、５，５’－（１－メチルエチリデン）－ビス［１，１’－（ビスフェニル）－２－チオール］プロパン、１，１－ビス（４－チオフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、１，１－ビス（４－チオフェニル）シクロヘキサン等を挙げることができる。

　鎖状高分子化合物（Ｐ１）が重付加系の高分子化合物や重縮合系の高分子化合物である場合、鎖状高分子化合物（Ｐ１）はウレタン樹脂、エポキシ樹脂が好ましく、ウレタン樹脂の場合、２個の水酸基を有する化合物と、２個のイソシアネートを有する化合物の重合体であることが好ましく、中でも、プロパンジオール（ＰＯＤ）と、ポリテトラヒドロフラン（ＰＴＨＦ、数平均分子量約１０００）と、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）との重合体であることがより好ましく、ポリテトラヒドロフラン（ＰＴＨＦ、数平均分子量約１０００）と、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）との重合体であることが特に好ましい。

　シリコーン系高分子材料Ｃ´において、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ１）の含有割合は特に限定されない。例えば、力学特性が高まりやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ１）の総質量に対するシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の含有割合は、例えば、１０質量％以上とすることができ、好ましくは２０質量％以上、より好ましくは４０質量％以上、さらに好ましくは５０質量％以上である。また、力学特性が高まりやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ１）の総質量に対するシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の含有割合は、９０質量％以下とすることができ、好ましくは８０質量％以下、より好ましくは７０質量％以下ある。

　シリコーン系高分子材料Ｃ´には、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ１）以外の他の添加剤が含まれていてもよいし、あるいは、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ１）のみで形成することもできる。

　シリコーン系高分子材料Ｃ´を製造する方法は特に限定されず、例えば、公知の方法を広く採用することができる。シリコーン系高分子材料Ｃの製造では、前述のように、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の溶液を乾燥させる過程でシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の架橋構造体（可動性架橋構造体）を調製したが、シリコーン系高分子材料Ｃ´では、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の架橋構造体を形成させることは必ずしも必要ではない。従って、シリコーン系高分子材料Ｃ´の製造では、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の溶液を乾燥させる工程は不要とすることができる。具体的には、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の溶液中で鎖状高分子化合物（Ｐ１）の重合反応を行うことで、シリコーン系高分子材料Ｃ´を製造することができる。鎖状高分子化合物（Ｐ１）の重合過程で伸長する鎖状高分子化合物（Ｐ１）がシリコーン系高分子化合物（Ｈ）中のホスト基を貫通する。

　また、シリコーン系高分子材料Ｃ´の製造では、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）の溶液を乾燥させて形成したフィルムに鎖状高分子化合物（Ｐ１）を形成するために単量体を含侵させた状態で重合反応する方法を採用することも可能である。この方法では、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が前記式（３．２）で表される構成単位を含む場合において、Ａのチオール基の一部または全部が炭素数３～８のアルキル基で置換された構造を有する場合に好適に使用することができる。

　鎖状高分子化合物（Ｐ１）が前述のポリウレタン等の重付加系の高分子化合物や重縮合系の高分子化合物である場合、シリコーン系高分子材料Ｃ´を製造する方法は、例えば、前記ポリシロキサン化合物ａと、ホスト基を有するアルケニル化合物ｃと、前記重付加系化合物の少なくとも２種とを含む溶液中で、まず、前記ポリシロキサン化合物ａと、ホスト基を有するアルケニル化合物ｃとの付加反応を前記工程Ａと同様の方法で行い、次いで、前記重付加系化合物の重合反応を行うことで、シリコーン系高分子材料Ｃ´を製造することができる。鎖状高分子化合物（Ｐ１）の重合過程で伸長する鎖状高分子化合物（Ｐ１）がシリコーン系高分子化合物（Ｈ）中のホスト基を貫通する。前記重付加系化合物の重合反応は、例えば、公知の方法と同様の条件を採用することができ、必要に応じて、公知の触媒を使用することができる。

　（シリコーン系高分子材料Ｄ）
　シリコーン系高分子材料Ｄは、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び該高分子化合物以外の鎖状高分子化合物（Ｐ２）を含み、前記鎖状高分子化合物（Ｐ２）は側鎖に少なくとも一個のホスト基を有し、前記ホスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された１価の基であり、前記シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が有する少なくとも１個の前記ホスト基には、他の高分子化合物Ｈの主鎖が貫通し、前記鎖状高分子化合物（Ｐ２）が有する少なくとも１個の前記ホスト基には、他の鎖状高分子化合物（Ｐ２）の主鎖が貫通している。

　図３は、シリコーン系高分子材料Ｄの構造を模式的に示している。この図に示すように、シリコーン系高分子材料Ｄでは、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）によって形成された可動性架橋構造体と、鎖状高分子化合物（Ｐ２）によって形成された可動性架橋構造体とで構成される。この架橋構造をダブルクロスネットワークと称することもできる。この架橋構造により、シリコーン系高分子材料Ｄは、優れた力学特性（特に、ヤング率及び破壊エネルギーの双方が向上し）を有し、強靭でありながら優れた柔軟性を有することができる。

　鎖状高分子化合物（Ｐ２）は、側鎖にホスト基を有するポリマーである限りは特に限定されず、公知のホスト基を有するポリマーを広く適用することができる。例えば、前記式（ｈ１）で表される化合物に基づく構造単位、あるいは、前記式（ｈ２）で表される化合物に基づく構造単位を有するポリマーを広く挙げることができる。鎖状高分子化合物（Ｐ２）は、例えば、前記式（ｈ１）で表される化合物又は前記式（ｈ２）で表される化合物と、各種重合性単量体との共重合体を挙げることができる。

　ここでいう重合性単量体は、例えば、前述の鎖状高分子化合物（Ｐ１）を得るための重合性単量体Ｍと同様であり、好ましくは（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル等である。

　鎖状高分子化合物（Ｐ２）において、ホスト基の含有割合は鎖状高分子化合物（Ｐ２）の全構造単位に対して、好ましくは０．２モル％以上、より好ましくは０．５モル％以上、さらに好ましくは０．８モル％以上、特に好ましくは１モル％以上であり、また、好ましくは２０モル％以下、より好ましくは１５モル％以下、さらに好ましくは１０モル％以下、特に好ましくは５モル％以下である。

　鎖状高分子化合物（Ｐ２）の質量平均分子量（Ｍｗ）も特に限定されず、例えば、１万～２００万とすることができ、好ましくは２万～１００万とすることができる。鎖状高分子化合物（Ｐ２）は、例えば、ホモポリマー、ランダムポリマー等の構造を有することができる、また、鎖状高分子化合物Ｐは、直鎖状とすることができ、本発明の効果が阻害されない限りや、枝分かれ構造及び架橋構造を有することもできる。

　シリコーン系高分子材料Ｄにおいて、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ２）の含有割合は特に限定されない。例えば、力学特性が高まりやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ２）の総質量に対するシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の含有割合は、例えば、１０質量％以上とすることができ、好ましくは２０質量％以上、より好ましくは４０質量％以上、さらに好ましくは５０質量％以上である。また、力学特性が高まりやすいという点で、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ２）の総質量に対するシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の含有割合は、９０質量％以下とすることができ、好ましくは８０質量％以下、より好ましくは７０質量％以下ある。

　シリコーン系高分子材料Ｄには、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ１）以外の他の添加剤が含まれていてもよいし、あるいは、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ２）のみで形成することもできる。

　シリコーン系高分子材料Ｄを製造する方法は特に限定されず、例えば、公知の方法を広く採用することができる。例えば、可動性架橋構造体が形成されたシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の存在下、鎖状高分子化合物（Ｐ２）を得るための重合反応を行うことで、シリコーン系高分子材料Ｄを製造することができる。具体的には、可動性架橋構造体が形成されたシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の存在下、前記重合性単量体Ｍと、前記式（ｈ１）で表される化合物に基づく構造単位又は前記式（ｈ２）で表される化合物混合物の重合反応を行うことで、シリコーン系高分子材料Ｄが得られる。この製造方法では、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が可動性架橋構造を有するので、重合性単量体Ｍによってシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の膨潤が起こりやすく、この結果、可動性架橋構造の網目を重合性単量体Ｍの生長鎖が貫通しやすくなる。

　（シリコーン系高分子材料）
　本発明の高分子材料は、前述のように、高分子材料Ａ、高分子材料Ｂ、高分子材料Ｃ、高分子材料Ｃ´、及び高分子材料Ｄを包含する。

　シリコーン系高分子材料の形状は特に限定されず、例えば、フィルム、シート、板、ブロック等の成形体であってもよいし、あるいは、粒子状、繊維状、顆粒状、ペレット状等であってもよい。

　シリコーン系高分子材料の成形体を製造する場合、その製造方法は特に限定されず、例えば、公知の成形方法を広く採用することができ、具体的には、キャスト法、プレス成形法、押出成形法、射出成形法等を挙げることができる。

　本発明のシリコーン系高分子材料は、力学特性にも優れるものであり、特にヤング率及び破壊エネルギーの双方が向上するので、柔軟性を有し、かつ、強靭な材料である。しかも、本発明のシリコーン系高分子材料は、高い透明性を有することもできる。

　従って、本発明のシリコーン系高分子材料は、各種用途に使用することが可能であり、中でも、透明性が高いことから光学材料としても好適に使用することができる。

　前記光学材料は、本発明のシリコーン系高分子材料を含む限り、他の添加剤を含むこともできる。光学材料の製造方法も特に限定されず、公知の光学材料の製造方法を広く採用することができる。

　光学材料は、本発明のシリコーン系高分子材料を含むことから、強靭でありながら優れた透明性を発揮することができ、透明性が要求される各種分野への使用に適している。

　以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例の態様に限定されるものではない。

　（製造例１）
　２００ｍＬガラス製丸底フラスコにγシクロデキストリン５ｇ（３．９ｍｍｏｌ）、Ｎ－ヒドロキシメチルアクリルアミド７００ｍｇ（６．９ｍｍｏｌ）及びｐ－トルエンスルホン酸一水和物９５ｍｇ（０．６ｍｍｏｌ）を秤量し、これらを２５ｍＬのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドに加えて反応液を調製した。溶液をオイルバスで９０℃に加熱し、１時間にわたって加熱撹拌することで反応液を得た。次いで、該反応液を放冷し、激しく撹拌しているアセトン４５ｍＬに注ぎこんだ。生じた沈殿をろ別した後、１０ｍＬのアセトンで三回洗浄し常温で一時間減圧乾燥することで反応物を得た。反応物を蒸留水１００ｍＬに溶解し、多孔質ポリスチレン樹脂（三菱化学ダイヤイオンＨＰ－２０）を充填したカラム（見かけ密度６００ｇ／Ｌ）に通じ、３０分間吸着させた。その後、溶液成分を除去し、カラムに新たに１０％メタノール（もしくはアセトニトリル）水溶液５０ｍＬを３回通じ、ポリスチレン樹脂を洗浄することで未反応γシクロデキストリンを除去した。続いてカラムに２５％メタノール水溶液５００ｍＬを二回通ずることで、目的物であるアクリルアミドメチルγシクロデキストリン（γＣＤＡＡｍＭｅと表記）を溶出させた。溶媒を減圧除去することで、γＣＤＡＡｍＭｅを白色粉末として得た。

　このγＣＤＡＡｍＭｅ２０ｇをピリジン３００ｍＬに溶解し、無水酢酸１７０．１３３ｇを加え、５５℃で１２時間以上撹拌した。その後、メタノール５０ｍＬを加えクエンチし、内容量が２００ｍＬになるまでエバポレーターで濃縮した。得られた濃縮液を、水２０００ｍＬに滴下し、沈殿を回収した。沈殿をアセトン２００ｍＬに溶解し、水２０００ｍＬに滴下し、生成した沈殿物を回収し、これを減圧乾燥することにより目的物であるホスト基含有重合性単量体を単離した。得られたホスト基含有重合性単量体は、下記の式（ｈ１－２）で表される化合物であった（以下、「ＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅ」と表記する）。

　（実施例１－１）
　図４に示す反応スキームに従い、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造した。まず、ＰＤＭＳ－ＳＨと、製造例１で得られたＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅと、１－ペンテンとをクロロホルムに溶解して溶液を調製し、そこへ、ＰＤＭＳ－ＳＨ中のＳＨ基に対して０．１ｅｑ．となるように光重合開始剤であるＩｒｇａｃｕｒｅ１８４（登録商標）を加えて原料を調製した。なお、ＰＤＭＳ－ＳＨは、式（３．１）で表される構成単位（Ｒ^３＝Ｒ^４＝ＣＨ_３）９０モル％と、式（３．２）で表される構成単位（Ｒ^７＝ＣＨ_３、Ｒ^８＝－（ＣＨ_２）_３－、Ａ＝ＳＨ）１０モル％とを含むポリシロキサン化合物ａである。ＰＤＭＳ－ＳＨは公知の製造方法で調製した。また、ＰＤＭＳ－ＳＨ中のＳＨ基と、ＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅ及び１－ペンテンのアルケニル基との総量が等量となるようにＰＤＭＳ－ＳＨと、ＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅ及び１－ペンテンの使用量を調節した。クロロホルムの使用量は、１００ｍｇあたりのＰＤＭＳ－ＳＨに対して、１ｍＬとした。また、図４に示す反応スキームに示すシリコーン系高分子化合物（Ｈ）において、ｘが１となるようにＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅの使用量を調節した。

　前記原料にＨｇランプを３０分照射して反応を進行させて反応液を得た。この反応液に、さらに過剰量の１－ペンテンを加えて３０分反応を続け、溶液を得た。得られた溶液をテフロン（登録商標）シートから作ったモールドに入れて風乾後、７０℃のバキュームオーブンでさらに乾燥し、厚み２００～４００μｍフィルム状のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造した。

　（実施例１－２）
　ｘが０．５となるようにＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅの使用量を調節したこと以外は実施例１－１と同様の方法でシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造した。

　（実施例１－３）
　ｘが２となるようにＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅの使用量を調節したこと以外は実施例１－１と同様の方法でシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造した。

　（実施例１－４）
　１－ペンテンを使用しなかったこと以外は実施例１－１と同様の方法でシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造した。

　（実施例２－１）
　光重合開始剤をＩｒｇａｃｕｒｅ１１７３（登録商標）に変更したこと以外は実施例１－１と同様の方法でシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造した。

　（実施例２－２）
　光重合開始剤をＩｒｇａｃｕｒｅ１１７３（登録商標）に変更したこと以外は実施例１－２と同様の方法でシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造した。

　（実施例２－３）
　光重合開始剤をＩｒｇａｃｕｒｅ１１７３（登録商標）に変更したこと以外は実施例１－３と同様の方法でシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造した。

　（実施例３－１）
　図５に示す反応スキームに従い、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造した。具体的に１－ペンテンを使用しなかったこと以外は実施例１－１と同様の方法でシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造した。

　（実施例３－２）
　１－ペンテンを使用しなかったこと以外は実施例１－２と同様の方法でシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造した。

　（実施例３－３）
　１－ペンテンを使用しなかったこと以外は実施例１－３と同様の方法でシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造した。

　（実施例４－１）
　図６に示す反応スキームに従い、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造した。具体的に１－ペンテンの代わりにアリルアルコールを使用したこと以外は実施例１－１と同様の方法でシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造した。

　（実施例４－２）
　１－ペンテンの代わりにアリルアルコールを使用したこと以外は実施例１－２と同様の方法でシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造した。

　（実施例４－３）
　１－ペンテンの代わりにアリルアルコールを使用したこと以外は実施例１－３と同様の方法でシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造した。

　（実施例５）
　ＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅの代わりに、ゲスト基を有するアルケニル基含有化合物として２－エチル－２－アダマンチルアクリレート（ＡｄＥｔＡ）に変更したこと以外は実施例４－３と同様の方法でシリコーン系高分子化合物（Ｇ）を製造した。

　（実施例６）
　実施例４－３で得られたシリコーン系高分子化合物（Ｈ）のクロロホルム溶液と、実施例５で得られたシリコーン系高分子化合物（Ｇ）のクロロホルム溶液とを混合して３０分撹拌した後、円形テフロン（登録商標）モールド（半径３ｃｍ）に入れて終夜風乾後、７０℃のバキュームオーブンでさらに乾燥して、厚み２００～４００μｍフィルム状の高分子材料Ａを得た。

　（実施例７）
　図７に示す反応スキームに従い、シリコーン系高分子化合物（ＨＧ）を製造した。まず、ＰＤＭＳ－ＳＨと、製造例１で得られたＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅと、ＡｄＥｔＡと、アリルアルコールとをクロロホルムに溶解して溶液を調製し、そこへ、ＰＤＭＳ－ＳＨ中のＳＨ基に対して０．１ｅｑ．となるように光重合開始剤であるＩｒｇａｃｕｒｅ１８４（登録商標）を加えて原料を調製した。ＰＤＭＳ－ＳＨは公知の製造方法で調製した。また、ＰＤＭＳ－ＳＨ中のＳＨ基と、ＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅ、ＡｄＥｔＡ及び１－ペンテンのアルケニル基との総量が等量となるようにＰＤＭＳ－ＳＨと、ＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅ、ＡｄＥｔＡ及び１－ペンテンの使用量を調節した。クロロホルムの使用量は、１００ｍｇあたりのＰＤＭＳ－ＳＨに対して、１ｍＬとした。また、図７に示す反応スキームに示すシリコーン系高分子化合物（ＨＧ）において、ｘ及びｙが２となるようにＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅ及びＡｄＥｔＡの使用量を調節した。

　前記原料にＨｇランプを３０分照射して反応を進行させて反応液を得た。得られた反応液をテフロン（登録商標）シートから作ったモールドに入れて風乾後、７０℃のバキュームオーブンでさらに乾燥し、厚み２００～４００μｍフィルム状のシリコーン系高分子化合物（ＨＧ）で形成される高分子材料Ｂを得た。

　（実施例８）
　図８に示す反応スキームに従い、高分子材料Ｃを製造した。具体的に、エチルアクリレート（ＥＡ）と、このＥＡに対して０．００２当量のＩｒｇａｃｕｒｅ１８４（登録商標）とをクロロホルムに溶解して溶液を調製した。この溶液に実施例４－３で得られたシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）とエチルアクリレート（ＥＡ）とが質量比で１：１となるように添加して１時間放置することで、実施例４－３で得られたシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を膨潤させた。膨潤によって得られたゲルを、一対のポリプロピレン板の間に挟み、このゲルにＨｇランプを３０分照射することでＥＡを重合させエラストマーを得た。得られたエラストマーを７０℃のバキュームオーブンで終夜乾燥させ、厚み２００～４００μｍフィルム状の高分子材料Ｃを得た。この高分子材料Ｄは、図１に示される可動性架橋構造体を有していた。

　（実施例９）
　図９に示す反応スキームに従い、高分子材料Ｄを製造した。具体的に、エチルアクリレート（ＥＡ）と、このＥＡに対して０．０１当量のＰＡｃγＣＤＡＡｍＭと、０．００２当量のＩｒｇａｃｕｒｅ１８４（登録商標）とをクロロホルムに溶解して溶液を調製した。この溶液に実施例４－３で得られたシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）：エチルアクリレート（ＥＡ）及びＰＡｃγＣＤＡＡｍＭ＝１：１（質量比）となるように添加して１時間放置することで、実施例４－３で得られたシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を膨潤させた。膨潤によって得られたゲルを、一対のポリプロピレン板の間に挟み、このゲルにＨｇランプを３０分照射することでＥＡ及びＰＡｃγＣＤＡＡｍＭを重合させエラストマーを得た。得られたエラストマーを７０℃のバキュームオーブンで終夜乾燥させ、厚み２００～４００μｍフィルム状の高分子材料Ｄを得た。この高分子材料Ｄは、図３に示される可動性架橋構造体を有していた。

　（比較例１－１）
　図１０に示す反応スキームに従い、比較用のポリシロキサンを製造した。まず、ＰＤＭＳ－ＳＨ、ＢＤＡ及び１－ペンテンを秤量し、ＳＨに対して０．１当量のＩｒｇａｃｕｒｅ１１７３（登録商標）を、無溶媒にて混錬して混合物を得た。このとき、ＰＤＭＳ－ＳＨ中のＳＨ基と、ＢＤＡ及びＰｅｎのアルケニル基とが等量となるように、それらの使用量を調節した。前記混合物を円形テフロン（登録商標）モールドに入れてＨｇランプを３０分照射し、さらに２ｍＬの１－ペンテンを追加して３０分反応させた。これにより得られたエラストマーを７０℃のバキュームオーブンで乾燥し、比較用のポリシロキサンを得た。

　（比較例１－２）
　ＰＤＭＳ－ＳＨ中のＳＨ基に対し、ＢＤＡ及びＰｅｎのアルケニル基が０．５当量になるようにしたこと以外は比較例１－１と同様の方法で比較用のポリシロキサンを得た。

　（比較例１－３）
　ＰＤＭＳ－ＳＨ中のＳＨ基に対し、ＢＤＡ及びＰｅｎのアルケニル基が２当量になるようにしたこと以外は比較例１－１と同様の方法で比較用のポリシロキサンを得た。

　（比較例２）
　国際公開第２０２１／０４５２０３号の実施例１に記載の高分子材料を準備した。

　（実施例１０－１）
　図１１に示す反応スキームに従い、まずシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を製造した。実施例１で使用したＰＤＭＳ－ＳＨ（５．６１ｍｍｏｌ、１０ｅｑ．）と、製造例１で得られたＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅ（０．５５ｍｍｏｌ、１ｅｑ．）と、アリルアルコール（５．０ｍｍｏｌ、９ｅｑ．）とを酢酸エチル２０ｍＬに溶解して溶液を調製し、そこへ、ＰＤＭＳ－ＳＨ中のＳＨ基に対して０．１ｅｑ．となるように光重合開始剤であるＩｒｇａｃｕｒｅ１１７３（登録商標）を加えた後、Ｈｇランプを６０分照射して反応を進行させてシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を含む溶液を得た。なお、ＰＤＭＳ－ＳＨ中のＳＨ基と、ＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅ及びアリルアルコールのアルケニル基との総量が等量となるようにＰＤＭＳ－ＳＨと、ＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅ及びアリルアルコールの使用量を調節した。

　得られたシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を含む溶液に、エチルアクリレート（ＥＡ）を、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及びＥＡの全質量に対して５０質量％となるように添加し、さらにＢＡＰＯ（Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９（登録商標））を加えてから溶液を型内へ移し、その型内に４２０ｎｍのＬＥＤを１時間照射した。これにより生成したポリマーをドラフト内で一晩風乾し、最後に８０℃の真空オーブンで一晩真空乾燥することで、厚み２００～４００μｍフィルム状の高分子材料Ｃ´を得た。この高分子材料Ｃ´は、図２に示される可動性架橋構造体を有していた。

　（実施例１０－２）
　ＥＡの使用量を、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）及びＥＡの全質量に対して２０質量％に変更したこと以外は実施例１０－１と同様の方法で高分子材料Ｃ´を得た。

　実施例１０－１及び１０－２で得られた高分子材料Ｃ´はいずれも高い透明性を有しており、特に実施例１０－１で得られた高分子材料Ｃ´の方が透明性に優れていた。

　図１２は、実施例１０－１、１０－２で得た高分子材料Ｃ´の引張試験（ストローク－試験力曲線）の結果を示している。なお、図１２（ａ）において「ＰＤＭＳ－ＴＡｃｙγＣＤ－ＡＡＩ」及び図１２（ｂ）において「ＰＤＭＳ－ＴＡｃｙγＣＤ－ＡＡＩ（１）」はいずれも実施例１０－１の製造途中で得られるシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の測定結果を示す。

　実施例１０－１、１０－２で得られたシリコーン系高分子材料はいずれも力学特性に優れるものであり、強靭な材料であることがわかった。また、図１２（ｂ）は、シリコーン系高分子材料のひずみを４００％まで伸長して固定したときの応力の時間変化を追跡することで、応力分散特性を確かめた結果である。この結果から、実施例１０－１で得られたシリコーン系高分子材料は、応力分散にも優れるものであることがわかった。

　得られた時間－応力曲線（図１２（ｂ）において、時間ｔに応じて変化する応力をσ（ｔ）とした時、下記のＫｏｈｌａｕｓｃｈ－Ｗｉｌｌｉａｍｓ－Ｗａｔｔｓ式（ＫＷＷ式）

を用いた最小二乗法でのカーブフィッティングを行った。これにより時間経過で緩和できる応力成分σｒ、時間変化しない残留応力成分σ∞、応力緩和の速さを表現する時定数τ、緩和時間の分布に関連する拡張指数βを導出し、応力分散性を解析した。

　この結果、表２に示すように時定数τが「前記ＰＤＭＳ－ＴＡｃｙγＣＤ－ＡＡＩ（１）」で５５７ｓ、実施例１０－１の高分子材料（ＰＤＭＳ－ＴＡｃｙＣＤ－ＡＡｌ⊃ＰＥＡ（１；５０）））が３３ｓであり、また、残留応力成分σ∞が「ＰＤＭＳ－ＴＡｃｙγＣＤ－ＡＡＩ（１）」で０．１２ＭＰａ、実施例１０－１の高分子材料が０．０１ＭＰａであった。小さい時定数τと残留応力成分σ∞から、実施例１０－１の高分子材料はより早くかつ多くの応力を緩和することが示された。さらに、図１２（ｃ）は、実施例１０－１の高分子材料の延伸速度（１０ｍｍ／ｓ及び１ｍｍ／ｓ）と力学物性との関係を示している。この結果から、実施例１０－１の高分子材料は、延伸速度を１０倍にすると、破断ひずみ、破断応力ともに増加することがわかった。

　（実施例１１－１）
　ＥＡを２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）に変更したこと以外は実施例１０－１と同様の方法で高分子材料Ｃ´を得た。

　（実施例１１－２）
　ＥＡを、ＥＡとＨＥＭＡの質量比が１２．５：３７．５（ＥＡ：ＨＥＭＡ）である混合物に変更したこと以外は実施例１０－１と同様の方法で高分子材料Ｃ´を得た。

　（実施例１１－３）
　ＥＡを、ＥＡとＨＥＭＡの質量比が３７．５：１２．５（ＥＡ：ＨＥＭＡ）である混合物に変更したこと以外は実施例１０－１と同様の方法で高分子材料Ｃ´を得た。

　図１３は、実施例１１－１～１１－３で得た高分子材料Ｃ´の引張試験（ストローク－試験力曲線）の結果を示している。なお、図１３（ａ）において「ＰＤＭＳ－ＴＡｃｙγＣＤ－ＡＡＩ」は実施例１０－１の製造途中で得られる得られたシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を意味し、「ＰＤＭＳ－ＴＡｃγＣＤ－ＡＡｌ⊃ＰＨＥＭＡ（５０）」は実施例１１－１で得た高分子材料Ｃ´を意味する。

　図１３（ａ）、（ｂ）から、実施例１１－１～１１－３で得た高分子材料Ｃ´も力学特性に優れるものであり、強靭な材料であることがわかった。ホスト基を貫通する鎖状高分子化合物（Ｐ１）が水酸基（すなわち、水素結合性の官能基）を有することで、分子間で水素結合が可能となり、力学特性が向上したものと推察される。

　（実施例１２－１）
　アリルアルコールを１－ペンテンに変更したこと以外は実施例１１－２と同様の方法で高分子材料Ｃ´を得た。

　図１４は、実施例１２－１及び実施例１１－２で得た高分子材料Ｃ´の引張試験（ストローク－試験力曲線）の結果を示している。この結果から、実施例１２－１で得た高分子材料Ｃ´も力学特性に優れるものであり、強靭な材料であることがわかった。実施例１２－１で得られた高分子材料Ｃ´は、実施例１１－２で得た高分子材料Ｃ´よりもさらに力学特性が向上しており、この結果から、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）のＰＤＭＳ部位のＳＨがペンチル基等のアルキル基でキャップされることで力学特性が向上するものと考えられる。

　（実施例１３－１）
　図１５に示す反応スキームに従い、図２に示される可動性架橋構造体を有する高分子材料Ｃ´を製造した。１２３ｍｇのＰＤＭＳ－ＳＨと、３６ｍｇの製造例１で得られたＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅと、７６ｍｇ（１ｍｍｏｌ）のプロパンジオール（ＰＯＤ）と、１０００ｍｇ（１ｍｍｏｌ）のポリテトラヒドロフラン（ＰＴＨＦ、数平均分子量約１０００）とを、１０ｍＬのジクロロメタン（ＤＣＭ）に溶解させ、そこへ２．５ｍｇのＩＲＧＡＣＵＲＥ１１７３（登録商標）を添加して原料液を調整製した。この原料液を撹拌しながら２５℃で１時間にわたり水銀ランプを照射することで重合反応を実施し、その後、すず触媒であるＤＢＴＤＡ（ジラウリン酸ジブチルすず）と３５３ｍｇ（２．１ｍｍｏｌ）のヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）を添加し、２５℃で２４時間攪拌した。得られた重合混合物をテフロン（登録商標）製のキューブ型（サイズ：５０ｍｍ×５０ｍｍ×２０ｍｍ）に流し込み、２５℃で１６時間以上静置乾燥した。これにより、図２に示される可動性架橋構造体を有する高分子材料Ｃ´を得た。斯かる高分子材料Ｃ´において、鎖状高分子化合物（Ｐ１）はウレタン樹脂）である。

　（実施例１３－２）
　図１５に示す反応スキームに従い、図２に示される可動性架橋構造体を有する高分子材料Ｃ´を製造した。１００２ｍｇのＰＤＭＳ－ＳＨと、２９３ｍｇの製造例１で得られたＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅと、８ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）のプロパンジオール（ＰＯＤ）と、１００ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）のポリテトラヒドロフラン（ＰＴＨＦ、数平均分子量約１０００）とを、１０ｍＬのジクロロメタン（ＤＣＭ）に溶解させ、そこへ２１ｍｇのＩＲＧＡＣＵＲＥ１１７３（登録商標）を添加して原料液を調整製した。この原料液を撹拌しながら２５℃で１時間にわたり水銀ランプを照射することで重合反応を実施し、その後、すず触媒であるＤＢＴＤＡ（ジラウリン酸ジブチルすず）と３５ｍｇ（０．２１ｍｍｏｌ）のヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）を添加し、２５℃で２４時間攪拌した。得られた重合混合物をテフロン（登録商標）製のキューブ型（サイズ：５０ｍｍ×５０ｍｍ×２０ｍｍ）に流し込み、２５℃で１６時間以上静置乾燥した。これにより、図２に示される可動性架橋構造体を有する高分子材料Ｃ´を得た。

　（比較例１３－１）
　１４２９ｍｇのＰＤＭＳ－ＳＨと、７６ｍｇ（１ｍｍｏｌ）のプロパンジオール（ＰＯＤ）と、１０００ｍｇ（１ｍｍｏｌ）のポリテトラヒドロフラン（ＰＴＨＦ、数平均分子量約１０００）とを、１０ｍＬのジクロロメタン（ＤＣＭ）に溶解させ、原料液を調製した。この原料液に、すず触媒であるＤＢＴＤＡ（ジラウリン酸ジブチルすず）と３５３ｍｇ（２．１ｍｍｏｌ）のヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）を添加し、２５℃で２４時間攪拌した。得られた重合混合物をテフロン（登録商標）製のキューブ型（サイズ：５０ｍｍ×５０ｍｍ×２０ｍｍ）に流し込み、２５℃で１６時間以上静置乾燥した。これにより、可動性架橋構造体を含まない高分子材料を得た。

　図１６（ａ）、（ｂ）は、実施例１３－１で得た高分子材料Ｃ´及び比較例１３－１で得た高分子材料の引張試験（ストローク－試験力曲線）の結果を示している。なお、図１６において「ＰＤＭＳ－ＣＤ（１０）⊃ＰＵ」は実施例１３－１で得られた高分子材料Ｃ´を意味し、「ＰＤＭＳ－ＣＤ（９０）⊃ＰＵ」は実施例１３－２で得られた高分子材料Ｃ´を意味し、「ＰＤＭＳ（５０）／ＰＵ」は比較例１３－１で得た高分子材料を意味する。

　表３は、図１６の結果をまとめた表である。表３及び図１６の結果から、実施例１３－１及び実施例１３－２で得た高分子材料Ｃ´は、ホスト基を有していない比較例１の高分子材料（すなわち、可動性架橋構造体を形成していない高分子材料）に比べて力学特性に優れるものであり、強靭な材料であることがわかった。

　（実施例１４－１）
　図１７に示す反応スキームに従い、図２に示される可動性架橋構造体を有する高分子材料Ｃ´を製造した。実施例１で使用したＰＤＭＳ－ＳＨ（５．６１ｍｍｏｌ、１０ｅｑ．）と、製造例１で得られたＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅ（０．５５ｍｍｏｌ、１ｅｑ．）と、ペンテン（５．０ｍｍｏｌ、９ｅｑ．）とを酢酸エチル２０ｍＬに溶解して溶液を調製し、そこへ、ＰＤＭＳ－ＳＨ中のＳＨ基に対して０．１ｅｑ．となるように光重合開始剤であるＩｒｇａｃｕｒｅ１１７３（登録商標）を加えた後、Ｈｇランプを６０分照射して反応を進行させてシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を含む溶液を得た。この溶液を７０℃のウィンディ―オーブンで８時間、８０℃のバキュームオーブンで１２時間乾燥させてフィルム化させ、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）のフィルムを得た。

　次いで、両末端グリシジル基修飾ポリエチレングリコール１０４ｍｇ（ＰＥＧ－ＧＬＹ、数平均分子量５００、０．２１ｍｍｏｌ）と４，７，１０－トリオキサ－４，６－１，１３－トリデカンジアミン４６ｍｇ（ＤＥＧ、０．２１ｍｍｏｌ）をトルエン１５０ｍｌに加えた溶液を調製し、前述のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）のフィルム１５０ｍｇに含浸させた。２日後溶液の一部を取り込んだオルガノゲルを７０℃のウィンディ―オーブンで８時間静置することで重付加反応を行った。その後８０℃のバキュームオーブンで１２時間乾燥させた。これにより、図２に示される可動性架橋構造体を有する高分子材料Ｃ´を得た。得られた高分子材料Ｃ´の収量が１９８ｍｇであったため、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）とホスト基を貫通する鎖状高分子化合物（Ｐ１）（エポキシ樹脂）の質量比は３：１であった。

　（比較例１４－１）
　シリコーン系高分子化合物（Ｈ）のフィルムを製造せずにＰＥＧ－ＧＬＹ及びＤＥＧの重付加反応を行ったこと以外は実施例１４－１と同様の方法で高分子材料を製造した。

　図１８は、実施例１４－１で得た高分子材料Ｃ´の引張試験（ストローク－試験力曲線）の結果を示している。なお、図１８（ａ）において「ＰＤＭＳ－ＴＡｃｙγＣＤ－Ｐｅｎ（１）」は実施例１４－１の製造途中で得られるシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を意味し、「ＰＤＭＳ－ＴＡｃγＣＤ⊃Ｅｐｏｘｙ（１；２５）」は実施例１４－１で得た高分子材料Ｃ´を意味、「Ｅｐｏｘｙ」は比較例１４－１のエポキシ樹脂を意味する。

　図１８から、実施例１４－１で得た高分子材料Ｃ´は力学特性に優れるものであり、強靭な材料であることがわかった。

　（実施例１５－１）
　図１９に示す反応スキームに従い、図２に示される可動性架橋構造体を有する高分子材料Ｃ´を製造した。実施例１で使用したＰＤＭＳ－ＳＨと、製造例１で得られたＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅと、ペンテンと、プロパンジオール（ＰＯＤ）と、ポリテトラヒドロフラン（ＰＴＨＦ、数平均分子量約１０００）とを、１０ｍＬのジクロロメタン（ＤＣＭ）に溶解させ、原料液を調製した。そこへ、ＰＤＭＳ－ＳＨ中のＳＨ基に対して０．１ｅｑ．となるように光重合開始剤であるＩｒｇａｃｕｒｅ１１７３（登録商標）を加えた後、Ｈｇランプを６０分照射して反応を進行させて、次いで、すず触媒であるＤＢＴＤＡ（ジラウリン酸ジブチルすず）とヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）を添加し、２５℃で２４時間攪拌した。得られた重合混合物をテフロン（登録商標）製のキューブ型（サイズ：５０ｍｍ×５０ｍｍ×２０ｍｍ）に流し込み、２５℃で１６時間以上静置乾燥し、図２に示される可動性架橋構造体を有する高分子材料Ｃ´を得た。

　（実施例１５－２～１５－５）
　表４に示す配合表に従って各原料の使用量を変更したこと以外は実施例１５－１と同様の方法で図２に示される可動性架橋構造体を有する高分子材料Ｃ´（鎖状高分子化合物（Ｐ１）＝ウレタン樹脂）を得た。

　表５には、実施例１５－１～１５－５の力学特性の結果をまとめている。これらの結果から、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）と、鎖状高分子化合物（Ｐ１）の割合を調整することで力学特性が制御でき、とりわけシリコーン系高分子化合物（Ｈ）７０質量％及び８０質量％のときに靭性が劇的に向上することが明らかになった。

　（実施例１６－１）
　実施例１５－１と同様の方法で、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）（ウレタン樹脂以外）が８０質量％、鎖状高分子化合物（Ｐ１）（ウレタン樹脂）が２０質量％となるように高分子材料Ｃ´を製造した。この際、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）に含まれるＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅ（製造例１の生成物）のＰＤＭＳ－ＳＨのＳＨ基に対する当量ｘを１とした。

　（実施例１６－２）
　当量ｘを２に変更したこと以外は実施例１６－１と同様の方法で高分子材料Ｃ´を製造した。

　（実施例１６－３）
　当量ｘを３に変更したこと以外は実施例１６－１と同様の方法で高分子材料Ｃ´を製造した。

　（比較例１６－１）
　当量ｘを０に変更したこと以外は実施例１６－１と同様の方法で高分子材料Ｃ´を製造した。

　表６には実施例１６－１～１６－３及び比較例１６－１で得た高分子材料の製造条件を示している（ｘ＝０が比較例１６－１、ｘ＝１，２、３がそれぞれ実施例１６－１、１６－２、１６－３である）。

　図２０は実施例１６－１～１６－３の力学特性の結果であり、表７は図２０をまとめた結果である。これらの結果から、製造時に調整する当量ｘが大きくなるにつれて破断ひずみは減少し、弾性率（ヤング率）が増加することがわかる。シリコーン系高分子化合物（Ｈ）と鎖状高分子化合物（Ｐ１）間の可動性架橋の形成が力学特性に寄与することためであると推察される。また、ヤング率が上昇するにも関わらず靭性（タフネス、すなわち破壊エネルギー）がほぼ一定である特徴を示した。

　図２１に示すようにｘ＝０である比較例１６－１（すなわち、ＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅを含まない場合）、得られた高分子材料は相分離が起こって不透明な材料となり、引張試験できなかった。一方、図２１に示すようにｘ＝１、２及び３である実施例１６－１～１６－３（すなわち、ＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅを含む場合）、透明性が向上し、可動性架橋形成による相溶性向上も示された。

　（実施例１７－１）
　実施例１５－１と同様の方法で、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）（ウレタン樹脂以外）が８０質量％、鎖状高分子化合物（Ｐ１）（ウレタン樹脂）が２０質量％となるように高分子材料Ｃ´を製造した。この際、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）に含まれるＰＡｃγＣＤＡＡｍＭｅ（製造例１）のＰＤＭＳ－ＳＨのＳＨ基に対する当量ｘは２とし、ＰＴＨＦとＰＯＤのモル比ｙ（ＰＯＤ／（ＰＯＤ＋ＰＴＨＦ）の値、以下、同じ）を０とした。

　（実施例１７－２）
　モル比ｙを３３に変更したこと以外は実施例１７－１と同様の方法で高分子材料Ｃ´を製造した。

　（実施例１７－３）
　モル比ｙを５０に変更したこと以外は実施例１７－１と同様の方法で高分子材料Ｃ´を製造した。

　（実施例１７－４）
　モル比ｙを６４に変更したこと以外は実施例１７－１と同様の方法で高分子材料Ｃ´を製造した。

　（実施例１７－５）
　モル比ｙを７５に変更したこと以外は実施例１７－１と同様の方法で高分子材料Ｃ´を製造した。

　表８には実施例１７－１～１７－５（順にｙ＝０、３３、５０、６４、７５）で得た高分子材料の製造条件を示している。

　図２２は、実施例１７－１～１７－５の力学特性の結果、表９は、図２２をまとめたものである。この結果から、ｙ（すなわちＰＴＨＦとＰＯＤのモル比）の違いによる明らかな力学特性が確認できた。ｙが０のとき、実施例１５－１に比べ同程度のヤング率を維持しながらも靭性（破壊エネルギー）が約５倍向上した。

　以上の結果から、実施例で得られたシリコーン系高分子材料はいずれも力学特性に優れるものであった。透明性については、表１では実施例１－３及び実施例３－３並びに実施例１６－１～１６－３の高分子材料のみの結果を示しているが、これらの結果から、表１に示す実施例で得られたすべての高分子材料において、透明性が高いものであるといえ、比較例２に比べて優れた透明性を有していることが実証された。また、結果を図示等していないが、実施例１０－１、１１－３で得られた高分子材料も優れた透明性を有していることがわかった。

　（力学特性の評価方法）
　高分子材料の力学特性は、引張試験（ストローク－試験力曲線）（島津製作所社製「ＡＵＴＯＧＲＡＰＨ」（型番：ＡＧＸ－ｐｌｕｓ）により、高分子材料の破断点を観測することで評価した。この破断点を終点として、終点までの最大応力を高分子材料の破断応力とした。この引張り試験は、厚み２００～４００μｍに成形したフィルム状の高分子材料の下端を固定し、上端を引張り速度１ｍｍ／秒で稼動させるアップ方式で実施した。この測定から、高分子材料のヤング率及び破壊エネルギーを算出した。

　（透明性評価）
　厚み２００～４００μｍに成形したフィルム状の高分子材料のフィルムを作成し、下記の基準で透明性を評価した。
＜評価基準＞
〇：目視にてフィルムの透明性が高いことが確認され、また、フィルム越しに透かした文字を明確に認識できた。
×：目視にてフィルムの透明性が低く、黄色味を帯びたものであり、あるいは、フィルム越しに透かした文字を明確に認識できなかった。

　（光修復性評価）
　シリコーン系高分子化合物（Ｈ）のフィルムの光修復性評価を以下の手順で行った。フィルムとしては、実施例１－４で得たシリコーン系高分子化合物（Ｈ）のフィルムと、実施例４－１で得たシリコーン系高分子化合物（Ｈ）とをそれぞれ測定サンプルとした。それぞれのサンプルに、Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４（登録商標）のアセトン溶液を滴下して一晩かけて膨潤させた。なお、Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４は、フィルムに対して５質量％となるように濃度及び滴下量を調整した。膨潤後、ドラフト内で終夜乾燥させた後、３５℃の真空オーブンで一晩真空乾燥させ、得られた乾燥フィルムにカッターナイフで「Ｘ」字状の切れ込みを形成させ、その部分に水銀ランプを照射させ、切れ込みが消失するかどうかを確認した。

　その結果、実施例１－４で得たシリコーン系高分子化合物（Ｈ）のフィルムサンプルは、切れ込みが明確に薄くなり、実施例４－１で得たシリコーン系高分子化合物（Ｈ）のフィルムサンプルは、切れ込みが完全に消失した。なお、Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４（登録商標）を含まないアセトンを滴下して同様の試験を行った場合でも同じ傾向がみられた。従って、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）は、光修復性に優れるものであり、とりわけ、シリコーン系高分子化合物（Ｈ）中にＳＨ基を有していない方が優れた光修復性を有していることがわかった。

Claims

ポリシロキサン骨格を主鎖として有するシリコーン系高分子化合物（Ｈ）であって、
前記ポリシロキサン骨格は側鎖に少なくとも一個のホスト基を有し、
前記ホスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された１価の基である、シリコーン系高分子化合物。
ポリシロキサン骨格を主鎖として有するシリコーン系高分子化合物（Ｇ）であって、
前記ポリシロキサン骨格は側鎖に少なくとも一個のゲスト基を有し、
前記ゲスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体に包接可能である基である、シリコーン系高分子化合物。
ポリシロキサン骨格を主鎖として有するシリコーン系高分子化合物（ＨＧ）であって、前記ポリシロキサン骨格は側鎖に少なくとも一個のホスト基と、少なくとも一個のゲスト基とを有し、
前記ホスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された１価の基であり、
前記ゲスト基は、前記シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体に包接可能である基である、シリコーン系高分子化合物。
前記ポリシロキサン骨格内のＳｉと前記ホスト基との間にチオエーテル結合を有する、請求項１又は３に記載のシリコーン系高分子化合物。
請求項１に記載のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）と、請求項２に記載のシリコーン系高分子化合物（Ｇ）とを含み、
前記ホスト基は前記ゲスト基を包接している、シリコーン系高分子材料。
請求項３に記載のシリコーン系高分子化合物（ＨＧ）を含み、
分子間でホスト基及びゲスト基との結合が生じている、シリコーン系高分子材料。
請求項１に記載のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）を含む架橋構造体を備え、
前記架橋構造体は、前記シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が有する少なくとも１個の前記ホスト基に他のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）の主鎖が貫通した構造を有する、シリコーン系高分子材料。
さらに鎖状高分子化合物（Ｐ１）を含み、
前記鎖状高分子化合物（Ｐ１）は、前記架橋構造体の網目を貫通している、請求項７に記載のシリコーン系高分子材料。
請求項１に記載のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び鎖状高分子化合物（Ｐ１）を含む架橋構造体を備え、
前記架橋構造体は、前記シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が有する少なくとも１個の前記ホスト基に前記鎖状高分子化合物（Ｐ１）が貫通した構造を有する、シリコーン系高分子材料。
請求項１に記載のシリコーン系高分子化合物（Ｈ）及び該高分子化合物以外の鎖状高分子化合物（Ｐ２）を含み、
前記鎖状高分子化合物（Ｐ２）は側鎖に少なくとも一個のホスト基を有し、前記ホスト基は、シクロデキストリン又はシクロデキストリン誘導体から１個の水素原子又は水酸基が除された１価の基であり、
前記シリコーン系高分子化合物（Ｈ）が有する少なくとも１個の前記ホスト基には、他の高分子化合物（Ｈ）の主鎖が貫通し、
前記鎖状高分子化合物（Ｐ２）が有する少なくとも１個の前記ホスト基には、他の鎖状高分子化合物（Ｐ２）の主鎖が貫通している、シリコーン系高分子材料。
請求項１～４のいずれか１項に記載のシリコーン系高分子化合物を含有する、光学材料。
請求項５～１０のいずれか１項に記載のシリコーン系高分子材料を含有する、光学材料。
請求項１～４に記載のシリコーン系高分子化合物の製造方法であって、
ポリシロキサン化合物と、少なくとも１種のアルケニル基含有化合物とを反応する工程を含み、
前記ポリシロキサン化合物は－ＳＨ基及び／又は－Ｓｉ－Ｈ基を有する、シリコーン系高分子化合物の製造方法。