WO2022233325A1 - 一种用于激光雷达的光源组件及激光雷达 - Google Patents

一种用于激光雷达的光源组件及激光雷达 Download PDF

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WO2022233325A1
WO2022233325A1 PCT/CN2022/091248 CN2022091248W WO2022233325A1 WO 2022233325 A1 WO2022233325 A1 WO 2022233325A1 CN 2022091248 W CN2022091248 W CN 2022091248W WO 2022233325 A1 WO2022233325 A1 WO 2022233325A1
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optical
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孙杰
孙天博
李中宇
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光子集成科技香港有限公司
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30

Definitions

  • the present application relates to the technical field of sensing and optical communication, and more particularly, to a light source assembly for a lidar and a lidar.
  • the laser, the beam splitter and the optical amplification array are packaged on one wafer, and the coupling array is packaged on another wafer.
  • the optical amplification array is used for separately amplifying the N beams of the sub-lasers to obtain N beams of amplified sub-lasers; N is a positive integer greater than 1.
  • the optical chip 50 is used for receiving M beams of the output laser light.
  • an embodiment of the present application also provides an optical coupling method, as shown in FIG. 8 , including:
  • S104 Coupling the N beams of the to-be-coupled laser beams into M beams of output laser beams, where M is a positive integer less than or equal to N.
  • Laser 10' the laser 10' is used to output laser light to be processed
  • the medium of light emission is non-equilibrium carriers, that is, electron-hole pairs rather than rare elements.

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Abstract

一种用于激光雷达的光源组件及激光雷达，其中，光源组件利用分束器（20、20'）对激光器（10、10'）的待处理激光进行分束，并利用光放大阵列（30、30'）对分束获得的N束子激光进行分别放大，突破了激光器（10、10'）输出的待处理激光的光功率较小，以及单路耦合通道能够传输的光功率较小的限制，实现了为光芯片（50、200）提供高光功率的输出激光的目的。具体地，通过采用光放大阵列（30、30'），实现了数倍于单个激光器（10、10'）功率的高功率光源。

Description

一种用于激光雷达的光源组件及激光雷达 技术领域
本申请涉及传感和光通信技术领域，更具体地说，涉及一种用于激光雷达的光源组件及激光雷达。
背景技术
在激光雷达和空间光通信领域，如何将大功率的光耦合到芯片中，对激光雷达和空间光通信的探测或者传输距离起到至关重要的影响。但现有的光源受限于各种因素的限制，无法实现为光芯片提供高光功率的光信号。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请提供了一种用于激光雷达的光源组件及激光雷达，以实现为光芯片提供高光功率的输出激光的目的。
为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
一种用于激光雷达的光源组件，包括：
激光器，所述激光器用于输出待处理激光；
分束器，所述分束器用于将所述待处理激光分为N束子激光；
光放大阵列，用于对N束所述子激光进行分别放大，以获得N束待耦合激光；N为大于1的正整数；
耦合阵列，用于将N束所述待耦合激光耦合为M束输出激光，M为小于或等于N的正整数。
可选的，所述分束器包括至少一个一分二波导。
可选的，所述光放大阵列包括N个半导体光放大器，N个所述半导体光放大器与N束所述子激光一一对应；
所述半导体光放大器，用于将与所述半导体光放大器对应的子激光进行光功率放大。
可选的，所述耦合阵列包括多个耦合结构，所述耦合结构用于将X束所述待耦合激光耦合为一束所述输出激光，X为大于或等于1，且小于或等于N的正整数。
可选的，所述耦合结构包括垂直耦合结构或直接耦合结构。
可选的，所述激光器、分束器和所述光放大阵列封装在一片晶圆上，所述耦合阵列封装在另一片晶圆上。
可选的，所述激光器和所述分束器封装在一片晶圆上，所述光放大阵列封装在另一片晶圆上，所述耦合阵列封装在又一片晶圆上。
可选的，所述激光器、所述分束器、所述光放大阵列、所述耦合阵列封装在同一片晶圆上。
根据本申请的另一方面，还提供了一种激光雷达，其包括如上所述的光源组件。
可选的，所述激光雷达还可包括光芯片，用于接收M束所述输出激光，并将所接收的M束激光用于测量环境物体的速度信息和距离信息。
根据本申请的另一方面，还提供了一种用于激光雷达的光源组件，包括：
激光器，所述激光器用于输出待处理激光；
分束器，所述分束器用于将所述待处理激光分为N束子激光；
光放大阵列，用于对N束所述子激光进行分别放大，以获得N束经放大子激光；N为大于1的正整数。
可选的，所述分束器包括至少一个一分二波导。
可选的，所述光放大阵列包括N个半导体光放大器，N个所述半导体光放大器与N束所述子激光一一对应；
所述半导体光放大器，用于将与所述半导体光放大器对应的子激光进行光功率放大。
可选的，所述激光器和所述分束器封装在一片晶圆上，所述光放大阵列封装在另一片晶圆上。
可选的，所述激光器、所述分束器、所述光放大阵列封装在同一片晶圆上。
根据本申请的另一方面，还提供了一种激光雷达，包括如上所述的光源组件。
可选的，所述激光雷达，还包括：
光芯片，用于接收N束所述经放大子激光，并将所接收的N束经放大子激光用于测量环境物体的速度信息和距离信息。
从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种用于激光雷达的光源组件及激光雷达，其中，所述光源组件利用分束器对激光器的待处理激光进行分束，并利用光放大阵列对分束获得的N束子激光进行分别放大，最后利用耦合阵列将N束所述待耦合激光耦合为M束输出激光向光芯片传输，突破了激光器输出的待处理激光的光功率较小，以及单路耦合通道能够传输的光功率较小的限制，实现了为光芯片提供高光功率的输出激光的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请的一个实施例提供的一种采用阵列半导体光放大器实现的 光源的结构示意图；
图2示出了根据本申请一个实施例的光芯片的示意性框图；
图3为本申请的另一个实施例提供的一种采用阵列半导体光放大器实现的光源的结构示意图；
图4为本申请的又一个实施例提供的一种采用阵列半导体光放大器实现的光源的结构示意图；
图5为本申请的再一个实施例提供的一种采用阵列半导体光放大器实现的光源的结构示意图；
图6为本申请的一个可选实施例提供的一种采用阵列半导体光放大器实现的光源的结构示意图；
图7为本申请的另一个可选实施例提供的一种采用阵列半导体光放大器实现的光源的结构示意图；
图8为本申请的一个实施例提供的一种光耦合方法的流程示意图；
图9为本申请的一个实施例提供的一种用于激光雷达的光源组件的结构示意图；
图10为本申请的另一个实施例提供的一种用于激光雷达的光源组件的结构示意图；
图11为本申请的又一个实施例提供的一种用于激光雷达的光源组件的结构示意图；
图12为本申请的再一个实施例提供的一种用于激光雷达的光源组件的结构示意图；
图13为本申请的一个可选实施例提供的一种用于激光雷达的光源组件的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术中所述，在激光雷达和空间光通信领域，对于将大功率的光耦合到芯片中有着迫切的需求。
但发明人研究发现，将大功率的光耦合到芯片中存在诸多限制，例如，一方面：光源，特别是窄线宽半导体激光器的输出光功率较小。另一方面，受到芯片功率密度的限制，单路耦合通道能够传输的光功率较小，导致能够耦合到光芯片上的总光功率很小。
有鉴于此，本申请实施例提供了一种采用阵列半导体光放大器实现的光源，包括：
激光器10，所述激光器10用于输出待处理激光；
分束器20，所述分束器20用于将所述待处理激光分为N束子激光；
光放大阵列30，用于对N束所述子激光进行分别放大，以获得N束待耦合激光；N为大于1的正整数；
耦合阵列40，用于将N束所述待耦合激光耦合为M束输出激光，M为小于或等于N的正整数；
光芯片50，用于接收M束所述输出激光。
相应的，还提供了一种光耦合方法，包括：
提供待处理激光；
对所述待处理激光进行分束，以获得N束子激光；
分别对N束所述子激光进行放大，以获得N束待耦合激光；
将N束所述待耦合激光耦合为M束输出激光，M为小于或等于N的正整数。
其中，所述采用阵列半导体光放大器实现的光源利用分束器20对激光器10的待处理激光进行分束，并利用光放大阵列30对分束获得的N束子激光进行分别放大，最后利用耦合阵列40将N束所述待耦合激光耦合为M束输出激光向光芯片50传输，突破了激光器10输出的待处理激光的光功率较小，以及单路耦合通道能够传输的光功率较小的限制，实现了为光芯片50提供高光功率的输出激光的目的。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行 清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。为了更加特定地强调实施的独立性，本说明书涉及许多模块或单元。
本说明书所提及的“实施例”或类似用语表示与实施例有关的特性、结构或特征，包括在本发明的至少一实施例中。因此，本说明书所出现的用语“在一实施例中”、“在实施例中”以及类似用语可能但不必然都指向相同实施例。
再者，本发明所述特性、结构或特征可以以任何方式结合在一个或多个实施例中。以下说明将提供许多特定的细节，比如半导体光放大器31、一分二波导21等例子，以提供对本发明实施例的了解。然而相关领域的普通技术人员将看出本发明，即使没有利用其中一个或多个特定细节，或利用其它方法、组件、材料等亦可实施。另一方面，为避免混淆本发明，公知的结构、材料或操作并没有详细描述。
本申请实施例提供了一种采用阵列半导体光放大器实现的光源，其可用于激光雷达，如图1所示，其包括：
激光器10，所述激光器10用于输出待处理激光；
分束器20，所述分束器20用于将所述待处理激光分为N束子激光；
光放大阵列30，用于对N束所述子激光进行分别放大，以获得N束待耦合激光；N为大于1的正整数；
耦合阵列40，用于将N束所述待耦合激光耦合为M束输出激光，M为小于或等于N的正整数；
光芯片50，用于接收M束所述输出激光，并将所接收的M束激光用于测量环境物体的速度信息和距离信息。
在本实施例中，所述采用阵列半导体光放大器实现的光源利用分束器20对激光器10的待处理激光进行分束，并利用光放大阵列30对分束获得的N束子激光进行分别放大，最后利用耦合阵列40将N束所述待耦合激光耦合为M束输出激光向光芯片50传输，突破了激光器10输出的待处理激光的光功率较小，以及单路耦合通道能够传输的光功率较小的限制，实现了为光芯片50提供高光功率的输出激光的目的。
具体地，通过采用光放大阵列30，实现了数倍于单个激光器10功率的高功率光源。通过耦合阵列40使得输出的M束激光可以耦合进入所述光芯片50中，突破了单路耦合通道的最大功率限制，提高了进入光芯片50的总光功率。
图2示出了根据本申请一个实施例的光芯片的示意性框图。本领域技术人员可以理解，光芯片可以与上述光源装置集成在一起，也可以独立于上述光源装置。
如图2所示，光芯片200可包括分光器204、1×2耦合器402、光学混频器208、平衡探测器212。分光器204可配置为接收从激光器输出的光束，并且进一步将光束分成第一部分和第二部分。第一部分可以被传输到1×2耦合器402，第二部分可以被传输到光学混频器208。
1×2耦合器402可配置为从分光器204接收光束的第一部分并输出光束的第一部分。1×2耦合器402还可配置为接收所反射的光束的第一部分，并将所反射的光束的第一部分传输到光学混频器208。在一些示例中，输入到端口1的光可以传输到端口2，有50％的光损失。类似地，传输到端口3中的光可以传输到端口2，有50％的光损失。在端口2处接收的光可以被均匀地分配到端口1和端口2。也就是说，在端口2处接收的光的50％可以传输到端口1，而另外的50％可以传输到端口3。
光学混频器208将来自于分光器204和1×2耦合器402的两部分光进行混合，即将本振光和返回的探测光在混频器208进行混频。此处，光学混频器的混频指的是，两束或两束以上不同频率的单色强光同时入射到非线性介质后，通过介质的两次或更高次非线性电极化系数的耦合，产生光学和频与光学差频光波的现象。
平衡检测器212检测信号，并从两个分支中去除普通的噪声和DC信号。由平衡检测器212检测到的信号频率是反射光和发射光之间的频率差，将用于计算距离。在确定差拍信号频率的基础上，可以进一步计算激光雷达和环境物 体之间的速度信息和距离信息。
可选的，如图3所示，所述分束器20可以包括至少一个一分二波导21。N的取值与所述分束器20中的一分二波导21的数量有关，可选的，N的取值可以为2、4、6等，本申请对此并不做限定，具体视实际情况而定。
可选的，如图4所示，所述光放大阵列30包括N个半导体光放大器31，N个所述半导体光放大器31与N束所述子激光一一对应；
所述半导体光放大器31，用于将与所述半导体光放大器31对应的子激光进行光功率放大。
在本实施例中，N个半导体光放大器31构成阵列半导体光放大器。半导体光放大器31(Semiconductor Optical Amplifier，SOA)的原理与掺稀土光纤放大器相似但也有不同，其放大特性主要取决于有源层的介质特性和激光腔的特性。
半导体光放大器31的光放大原理虽然也是基于粒子数反转放大发光，但是发光的媒介是非平衡载流子，即电子空穴对而非稀有元素。
在图4中以N＝4为例进行说明，在本申请的其他实施例中，N还可以等于2(如图5所示)或6(如图6所示)等，本申请对此并不做限定，具体视实际情况而定。
可选的，如图7所示，所述耦合阵列40包括多个耦合结构41，所述耦合结 构41用于将X束所述待耦合激光耦合为一束所述输出激光，X为大于或等于1，且小于或等于N的正整数。
其中，所述耦合结构41包括垂直耦合结构或直接耦合结构。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述耦合结构41还可以包括其他耦合方式的耦合结构，本申请对此并不做限定，具体视实际情况而定。
可选的，在本申请的一个实施例中，所述激光器10、分束器20和所述光放大阵列30封装在一片晶圆上，所述耦合阵列40和所述光芯片50封装在另一片晶圆上。
在本实施例中，所述激光器10、分束器20和光放大阵列30封装在一片晶圆上，作为一颗芯片，所述耦合阵列40和所述光芯片50封装在另一片晶圆上，作为另一颗芯片。
可选的，在本申请的另一个实施例中，所述激光器10和所述分束器20封装在一片晶圆上，所述光放大阵列30封装在另一片晶圆上，所述耦合阵列40和所述光芯片50封装在又一片晶圆上。
在本实施例中，所述激光器10、所述光放大阵列30和所述光芯片50分别封装在不同的晶圆上，即各自封装为一颗芯片。
可选的，在本申请的又一个实施例中，所述激光器10、所述分束器20、所述光放大阵列30、所述耦合阵列40和所述光芯片50封装在同一片晶圆上。
在本实施例中，所述激光器10、所述光放大阵列30和所述光芯片50封装在同一片晶圆上，即所述激光器10、所述光放大阵列30和所述光芯片50封装为一颗芯片。
不同的封装方式使得所述采用阵列半导体光放大器实现的光源可适用于不同的应用场景，且其中将某一或某些结构封装在一片晶圆上的方式可大大减小整个采用阵列半导体光放大器实现的光源的体积和成本，减小了耦合封装的难度，具备很强的实用价值。
下面对本申请实施例提供的光耦合方法进行描述，下文描述的光耦合方法可与上文描述的采用阵列半导体光放大器实现的光源相互对应参照。
相应的，本申请实施例还提供了一种光耦合方法，如图8所示，包括：
S101：提供待处理激光；
S102：对所述待处理激光进行分束，以获得N束子激光；
S103：分别对N束所述子激光进行放大，以获得N束待耦合激光；
S104：将N束所述待耦合激光耦合为M束输出激光，M为小于或等于N的正整数。
综上所述，本申请实施例提供了一种采用阵列半导体光放大器实现的光源及光耦合方法，其中，所述采用阵列半导体光放大器实现的光源利用分束器20对激光器10的待处理激光进行分束，并利用光放大阵列30对分束获得的N束子激光进行分别放大，最后利用耦合阵列40将N束所述待耦合激光耦合为M束输出激光向光芯片50传输，突破了激光器10输出的待处理激光的光功率较小，以及单路耦合通道能够传输的光功率较小的限制，实现了为光芯片50提供高光功率的输出激光的目的。
根据本申请的另一实施例，提供了一种光源，其可用于激光雷达，如图9所示，其包括：
激光器10’，所述激光器10’用于输出待处理激光；
分束器20’，所述分束器20’用于将所述待处理激光分为N束子激光；
光放大阵列30’，用于对N束所述子激光进行分别放大，以获得N束经放大子激光；N为大于1的正整数。
在本实施例中，所述光源组件利用分束器20’对激光器10’的待处理激光进行分束，并利用光放大阵列30’对分束获得的N束子激光进行分别放大，突破了激光器10’输出的待处理激光的光功率较小的限制，实现了为光芯片提供高光功率的输出激光的目的。
具体地，再参照图9，通过采用光放大阵列30’，实现了数倍于单个激光器10’功率的高功率光源，从而提高了进入激光雷达的光芯片的总光功率。
可选的，如图10所示，所述分束器20’可以包括至少一个一分二波导21’。N的取值与所述分束器20’中的一分二波导21’的数量有关，可选的，N的取值可以为2、4、6等，本申请对此并不做限定，具体视实际情况而定。
可选的，如图11所示，所述光放大阵列30’包括N个半导体光放大器31’N个所述半导体光放大器31’与N束所述子激光一一对应；
所述半导体光放大器31’，用于将与所述半导体光放大器31’对应的子激光进行光功率放大。
在本实施例中，N个半导体光放大器31’构成阵列半导体光放大器。半导体光放大器31’(Semiconductor Optical Amplifier，SOA)的原理与掺稀土光纤放大器相似但也有不同，其放大特性主要取决于有源层的介质特性和激光腔的特性。
半导体光放大器31’的光放大原理虽然也是基于粒子数反转放大发光，但是发光的媒介是非平衡载流子，即电子空穴对而非稀有元素。
在图11中以N＝4为例进行说明，在本申请的其他实施例中，N还可以等2(如图12所示)或6(如图13所示)等，本申请对此并不做限定，具体视实际情况而定。
可选的，在本申请的一个实施例中，所述激光器10’和所述分束器20’封装在一片晶圆上，所述光放大阵列30’封装在另一片晶圆上。
在本实施例中，所述激光器10’、所述光放大阵列30’分别封装在不同的晶圆上，即各自封装为一颗芯片。
可选的，在本申请的又一个实施例中，所述激光器10’、所述分束器20’、所述光放大阵列30’封装在同一片晶圆上。
在本实施例中，所述激光器10’、所述光放大阵列30’封装在同一片晶圆上，即所述激光器10’、所述光放大阵列30’封装为一颗芯片。
不同的封装方式使得所述采用阵列半导体光放大器实现的光源可适用于不同的应用场景，且其中将某一或某些结构封装在一片晶圆上的方式可大大减小整个采用阵列半导体光放大器实现的光源的体积和成本，减小了耦合封装的难度，具备很强的实用价值。
根据本申请的另一实施例，提供了一种的激光雷达，其可包括如上所述的光源组件。此外，所述激光雷达还可包括光芯片(如图9-13所示)，其用于接收N束所述经放大子激光，并将所接收的N束经放大子激光用于测量环境物体的速度信息和距离信息。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的较佳实施例及所运用技术原理，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明专利的保护范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (17)

  1. 一种用于激光雷达的光源组件，其特征在于，包括：
    激光器，所述激光器用于输出待处理激光；
    分束器，所述分束器用于将所述待处理激光分为N束子激光；
    光放大阵列，用于对N束所述子激光进行分别放大，以获得N束待耦合激光；N为大于1的正整数；
    耦合阵列，用于将N束所述待耦合激光耦合为M束输出激光，M为小于或等于N的正整数。
  2. 根据权利要求1所述的光源组件，其特征在于，所述分束器包括至少一个一分二波导。
  3. 根据权利要求1所述的光源组件，其特征在于，所述光放大阵列包括N个半导体光放大器，N个所述半导体光放大器与N束所述子激光一一对应；
    所述半导体光放大器，用于将与所述半导体光放大器对应的子激光进行光功率放大。
  4. 根据权利要求1所述的光源组件，其特征在于，所述耦合阵列包括多个耦合结构，所述耦合结构用于将X束所述待耦合激光耦合为一束所述输出激光，X为大于或等于1，且小于或等于N的正整数。
  5. 根据权利要求4所述的光源组件，其特征在于，所述耦合结构包括垂直耦合结构或直接耦合结构。
  6. 根据权利要求1所述的光源组件，其特征在于，所述激光器、分束器和所述光放大阵列封装在一片晶圆上，所述耦合阵列封装在另一片晶圆上。
  7. 根据权利要求1所述的光源组件，其特征在于，所述激光器和所述分束器封装在一片晶圆上，所述光放大阵列封装在另一片晶圆上，所述耦合阵列封装在又一片晶圆上。
  8. 根据权利要求1所述的光源组件，其特征在于，所述激光器、所述分束器、所述光放大阵列、所述耦合阵列封装在同一片晶圆上。
  9. 一种激光雷达，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的光源组件。
  10. 根据权利要求9所述的激光雷达，其特征在于，还包括：
    光芯片，用于接收M束所述输出激光，并将所接收的M束激光用于测量环境物体的速度信息和距离信息。
  11. 一种用于激光雷达的光源组件，其特征在于，包括：
    激光器，所述激光器用于输出待处理激光；
    分束器，所述分束器用于将所述待处理激光分为N束子激光；
    光放大阵列，用于对N束所述子激光进行分别放大，以获得N束经放大子激光；N为大于1的正整数。
  12. 根据权利要求11所述的光源组件，其特征在于，所述分束器包括至少一个一分二波导。
  13. 根据权利要求11所述的光源组件，其特征在于，所述光放大阵列包括N个半导体光放大器，N个所述半导体光放大器与N束所述子激光一一对应；
    所述半导体光放大器，用于将与所述半导体光放大器对应的子激光进行光功率放大。
  14. 根据权利要求11所述的光源组件，其特征在于，所述激光器和所述分束器封装在一片晶圆上，所述光放大阵列封装在另一片晶圆上。
  15. 根据权利要求11所述的光源组件，其特征在于，所述激光器、所述分束器、所述光放大阵列封装在同一片晶圆上。
  16. 一种激光雷达，其特征在于，包括如权利要求11-15中任一项所述的光源组件。
  17. 根据权利要求16所述的激光雷达，其特征在于，还包括：
    光芯片，用于接收N束所述经放大子激光，并将所接收的N束经放大子激光用于测量环境物体的速度信息和距离信息。
PCT/CN2022/091248 2021-05-06 2022-05-06 一种用于激光雷达的光源组件及激光雷达 WO2022233325A1 (zh)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113394659A (zh) * 2021-05-06 2021-09-14 光子集成科技香港有限公司 一种采用阵列半导体光放大器实现的光源及光耦合方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6128425A (en) * 1997-09-01 2000-10-03 Alcatel Semiconductor optical amplifier device
CN203690697U (zh) * 2014-02-28 2014-07-02 福州高意光学有限公司 一种高功率光纤激光器
CN203688802U (zh) * 2014-01-11 2014-07-02 桂林理工大学 一种n×n阵列激光雷达装置
CN104216123A (zh) * 2014-09-26 2014-12-17 中国工程物理研究院流体物理研究所 一种基于自适应偏振与相位控制的光纤激光阵列组束系统
CN211668632U (zh) * 2020-01-07 2020-10-13 上海拜安传感技术有限公司 一种超高速光纤光栅斜边强度型解调装置
CN113394659A (zh) * 2021-05-06 2021-09-14 光子集成科技香港有限公司 一种采用阵列半导体光放大器实现的光源及光耦合方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111585171A (zh) * 2020-05-26 2020-08-25 浙江光珀智能科技有限公司 一种光信号放大器阵列、光学芯片及其制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6128425A (en) * 1997-09-01 2000-10-03 Alcatel Semiconductor optical amplifier device
CN203688802U (zh) * 2014-01-11 2014-07-02 桂林理工大学 一种n×n阵列激光雷达装置
CN203690697U (zh) * 2014-02-28 2014-07-02 福州高意光学有限公司 一种高功率光纤激光器
CN104216123A (zh) * 2014-09-26 2014-12-17 中国工程物理研究院流体物理研究所 一种基于自适应偏振与相位控制的光纤激光阵列组束系统
CN211668632U (zh) * 2020-01-07 2020-10-13 上海拜安传感技术有限公司 一种超高速光纤光栅斜边强度型解调装置
CN113394659A (zh) * 2021-05-06 2021-09-14 光子集成科技香港有限公司 一种采用阵列半导体光放大器实现的光源及光耦合方法

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