JPS5965828A - 光信号増幅方式 - Google Patents

光信号増幅方式

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JPS5965828A
JPS5965828A JP17631282A JP17631282A JPS5965828A JP S5965828 A JPS5965828 A JP S5965828A JP 17631282 A JP17631282 A JP 17631282A JP 17631282 A JP17631282 A JP 17631282A JP S5965828 A JPS5965828 A JP S5965828A
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Taiji Murakami
村上 泰司
Kazuhiro Noguchi
一博 野口
Yasuro Kimura
康郎 木村
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/30Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects
    • H01S3/302Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects in an optical fibre

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  • Optics & Photonics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、通信用光信号を増幅する光信号増幅方式に関
する。特に、光ファイバの内部で生しる誘導ラマン散乱
効果を利用して、光信号を増幅する光信号増幅方式に関
する。
〔従来技術の説明〕
一本の単一モード光ファイバに周波数Fsの信号光と、
この信号光の周波数とは異なる周波数Fpの振幅の大き
い励起光を同時に注入すると、Fi=2Fp−Fs なる周波数のアイドラ光が発生し、励起光、信号光およ
びアイ1.う光の間に位相整合条件が満たされると、励
起光のエネルギーが信号光およびアイドラ光へ移行する
現象が知られている。これを四光子混合増幅現象といい
、この現象を利用した光、信号増幅器が次の文献に報告
されζいる。
〔文献) K、Washjo et al、  ”静p
lication and Frequency  C
onversion  of  InGaAsP  L
a5er  Ligbt  1nOptical Fi
ber Pumped in the Low Dis
persion Region at 1.3  μm
″Topical Meeting ot+ 0pti
cal  Fiber  Communication
、  Δrizona、April  13−15+1
982、 pp60 第1図はこの従来例増幅器の構成図である。半導体レー
ザ1は波長1.38μmの光信号を発生し、Nd:YA
Gレーザ2は波長1.32μmの光信号を発生する。こ
の2つのレーザの出力光は、ハーフミラ−3を用いて単
−モート光ファイバ4に入射される。この光ファイバ4
の内部で上記式の周波数のアイドラ光が発生し、このア
イドラ光の振幅が半導体レーザlの出力光より大きくな
って、帯域濾波器5を介して取り出される。この従来例
装置では、゛光ファイバ4にコア直径111!m、高次
モードカットオフ波長1.2μrn、長さ約3 Q r
nの単一モード光ファイバを使用して、ピーク出力15
W、パルス幅0.4μsの光パルスで励起したとき、こ
の光ファイバ4の中で約47dB増幅され、励起光パル
スのピーク出力を30Wにしたときには、約60dBの
増幅が行われることが報告されている。
しかし、この従来例装置では、光ファイバ4として、信
号光と励起光との間で位相整合条件を高定させるような
特殊な単一モード光ファイバを用いることが必要であり
、このような光ファイバは一般の通信用に使用するには
適当ではなく、また出力信号光の波長は」二記のように
アイドラ光であり、これは一般の通信用光ファイバのO
H基吸収損失の大きい領域にあるので、この波長では長
距離伝送が困雌である。
〔発明の目的〕
本発明は、特殊な光ファイバを使用する必要がなく、出
力光が通雷の光ファイバの低田失波長領域にある光信号
増幅方式を提供することを目的とする。
〔発明の特徴〕
本発明は、 連続光を発生ずる高出力光源と、 1本以上の単一モード光ファイバと、 この単一モード光ファイバ内で」−配器出力光源の第1
次ないし第n次(nは2以上の正の整数)のストークス
光を誘発することができるr(Ililの異なる波長の
出力光を発生ずるn1llilの副光源と、このn個の
副光源のうちの少なくとも1(lllIの出力光を入力
信号により変調する変調手段と、上記高出力光源の出力
光および」二記n個の副光源の各出力光を結合させ上記
単一モード光ファイバの一端に入射させる結合手段と を備え、 上記単一モード光ファイバ内で誘導ラマン散乱効果によ
り第1次ないし第n次のスト−クス光を順次誘発させ、 この第n次のストークス光を出力光とし一ζ利用するこ
とを特徴とする。
〔実施例による説明〕
第2図は本発明第一実施例装置の構成図である。
高出力光源11はNd:YΔGレーザにより構成され、
波長1.06μmのレベルの高い連続的な出力光を送出
する。この出力光の光路には光方向性結合器12が配置
され、第一の副光tA13の出力光が結合される。第一
の副光源13は半導体レーザを用いて、中心波長1.1
2μmの連続光を送出する。
光方向性結合器12の出力光の光路には、光方向性結合
器14が配置され、これに第二の副光源15の出力光が
結合される。第二の副光源15は半導体レーザを用いて
、中心波長1,18μmの連続光を送出する。さらに、
光方向性結合器14の出力光の光路には光方向性結合器
16が配置され、これに第三の副光源17の出力光が結
合される。この第三の副光源17は半導体レーザにより
構成され、中心波長1゜24μrnの連続光を送出する
。光方向性結合器I6の出力光の光路には、さらに光方
向性結合′aIBが配置され、第四の副光源20の出力
光を結合する。
この第四の副光源20は中心波長1.31μmの出力光
を送出する半導体レーデにより構成される。この第四の
副光源20には、電気信号入力端子21に入力する入力
信号が導かれ、その出力光がこの人力信号によりパルス
振幅変調されるように構成される。この光方向性結合器
18の出力光は、中−モード光ファイバ22の一端に入
射される。
このように構成された装置では、高出力光源IIの出力
光と、各副光源13.15.17および20の出力光が
総て単一モード光ファイバ22に入射し、この単一モー
ト光ファイバ22の中を伝播中に、次のような作用が起
こる。すなわち、高出力光源11の波長1.06μmの
出力光は、単一モート光ファイバ22を伝播中に副光源
13の波長1.12μmの出力光に誘発されて、誘導ラ
マン散乱効果により、波長1.12μmの第1次ストー
クス光を発生さ・毬、波長1.0671 mの光エネル
ギーは、波JL1.12μmの光エネルギーに変換され
る。
この第1次ストークス光はさらに副光源】5の波長1.
18μmの出力光に誘発されて、誘導ラマン散乱効果に
より、波長1.18μmの第2次ストークス光を発生さ
せ、波長1.12μmの1次ス1−−クス光の光エネル
ギーは、波長1.18μmの第2次ストークス光の光エ
ネルギーに変換される。
この第2次ストークス光は、さらに副光源17の波長1
.24μmの出力光に誘発されて、誘導ラマン散乱効果
ムこより、波長1.24 /J mの第3次スト−クス
光を発生させ、第2次スI・−ラス光の光エネルギーは
この第3次ストークス光の光エネルギーに変換される。
この第3次スト−クス光は、副光源20から送出される
波長1.3111mの変調された出力光が存在する時間
だ番ノ誘導ラマン散乱効果を起、〕し、この変調された
出力光のボンピング光になる。
この結果第3次ストークス光の光エネルギーは第4次ス
トークス光である波長1.31μmの信号光エネルギー
に変換され、この信号光は増幅されたことになる。
第3図は上記第一実施例装置におりる増幅された第4次
ストークス光による信号光パワーの理論計算値を示す。
高出力光源11の出力光パワーPOをパラメタにとり、
横軸に光ファイバ22の全長を示し、縦軸にこの光ファ
イバ22の出力端に得られる波長1.31μmの第4次
ストークス光の信号光パワーを示す。それぞれ横軸はリ
ニア尺、縦軸は対数尺で表す。
誘導ラマン散乱効果によるストークス光の光パワーにつ
いては、次の文献に詳しい記述がある。
〔文献〕野口、村上、芦谷、「長尺光ファイバケーブル
の新しい破断点検出法」電子通信学会通信方式研究会資
料C381−156,1982年1月19日、特にその
62〜63頁の記載 この理論値を求めるために用いた各パラメタの条件は、
光ファイバ22は単一モード光ファイバであって、コア
直径9μm、比屈折率0.28%、構造不完全性損失0
.15dB/ km、副光源I3.15.17および2
0の出力光パワーはそれぞれimWである。
この理論計算によると、高出力光源11の出力光パワー
が約8wのところに増幅作用の臨界点があり、高出力光
源11でこれより大きい出力光パワーを発生させると、
第3図に示すように信号光が増幅される。しかし、高出
力光源11の出力光パワーが18W以上になると、単一
モード光ファイバ22の内部でさらに高次のス1−−ク
ス光が発生して、本発明の原理による信号光の増幅作用
は急速に減衰する。したがって、第2図に示す第一実施
例では、高出力光源11の出力光パワーを9〜16W程
度に設定することが実用上最適である。高出力光源11
の出力光パワーを16Wとするとき、信号光の環11V
Ti率は約41dBになる。
第4図は同じ(上記第一実施例装置におりる増幅された
信号光パワーの理論側算値である。この例は光ファイバ
22として、コア直径5μm、比屈折率0.28%、構
造不完全性損失0.15dB/ kmの単一モード光フ
ァイバ、を用いたものである。副光源13.15.17
および20の出力光パワーは同じ(1mWである。
この場合には、単一モード光ファイバ22の断面積が小
さいので、光パワーがコア中心部に集中して、誘導ラマ
ン散乱効果が生じる高出力光#i11の出力光パワーの
範囲が狭くなる。高出力光源11の出力光パワーの値が
5Wのときに、信号光の増幅率は約37dBであり、高
出力光源11の出力光パワーが8Wになると、高次のス
1−−クス光が発生して増幅出力光パワーは急速に減衰
する。したがってこの場合には、実用的な高出力光源1
1の出力光パワーは5w〜7Wとなる。
第5図は本発明第二実施例装置の構成図である。
この例は、高出力光allに波長1.32μmのNd:
YAGレーザを用い、第一の副光源13は出力光波長1
.40μn1の半導体レーザ、第二の副光源15を波J
L1.49μmの半導体レーデとするものである。さら
に第一の副光源13に変調信号入力端子21の信号を与
え、第一の副光源13の出力光を変調するように構成さ
れる。高出力光源11の出力光および側副光源13.1
5の出力光は光方向性結合器12および14で結合され
て、単−モート光ファイバ22に入力される。
このように構成された装置では、単一モード光ファイバ
22で発生する第1次ストークス光の波長は1.40μ
mであり、この第1次ストークス光はすでに変調された
信号光である。さらに副光源15により誘発される第2
次ストークス光の波長は1,49μmである。この第2
次スト−クス光を増幅出力とすれば、この出力光波長1
.49μn1は広く使用されている通信用光ファイバの
伝送損失の極小点に近い波長であり、長距離伝送に適す
る。
この第5図の第二実施例装置の構成に、さらに波長1.
60μmの第三の副光源を設置、この出力光を同時の結
合することにより、波長1.60μmの増幅された第3
次のストークス光を得ることができる。波長1.60μ
mも広く使用されている通信用光ファイバの低い伝送t
i失領領域波長である。
第6図は本発明の第三実施例装置の構成図である。この
例は第1次スト−クス光を発生さゼる屯−モード光ファ
イバと、第2次ストークス光を発生させる単一モード光
ファイバとを別にしたと、二ろに特徴がある。すなわち
この第三実施例では、高出力光源IIは波長1.32μ
Tnの出力光を送出するNd:YAGレーザであり、第
一の副光#13は波長1.40μmの出力光を送出する
半導体レーザである。この高出力光源11の出力光と、
副光源13の出力光とは光方向性結合器I2で結合して
第一の中−モード光ファイバ22に入射する。この中−
モー!−′光ファイバ22の内部で、誘導ラマン散乱効
果により波長1.40μmの第1次ストークス光を発生
さ一1!、この単一モード光ファイバ22の他端から送
出されるこの第1次ストークス光を次段の光源として利
用する。
第二の副光源15ば/JJL長1.49μmの変調され
た出力光を送出する半導体レーザである。この出力光は
、光方向性結合器14で」二記単−モード光ファイバ2
2から送出される第1次スト−クス光と結合され、第二
の単一モード光ファイバ23の一端に入力される。この
第二の単一モード光ファイバ23の内部では、誘導ラマ
ン散乱効果により、波長1.49μmの第2次ストーク
ス光が誘発され、これば単一モーl−光ファイバ23の
中を伝送してその他端に現れる。副光源15の出力光は
入力端子21の入力信号により変調されているので、こ
の第2次ストークス光は同じくこの入力信号により変調
されたレヘルの高い信号光であり、フィルタ24を介し
て通信用光ファイバ25の一端から送信される。
このように、第1次ストークス光と第2次スト−クス光
とは、別の単一モード光ファイバで発生さセることかで
きる。
さらに一般に、第1次〜第n次のストークス光を総て1
本の単一モード光ファイバ内で発生さセる必要はなく、
単一モード光ファイバを複数個用意して、各次のストー
クス光を順次段階的に別の単一モート光ファイバ内で発
生さ−けてもよい。
このように複数の単一モード光ファイバを用いることに
より、不要な光の相互干渉を御所のることができる。
上記例では、第一番目の副光源あるし\→よ最終番目の
副光源を入力信号により変調するように説明したが、こ
れは何番目の副光源を変調するように構成してもよい。
また、変調する副光源の数は1個に限らず複数個でもよ
い。
上記各側では、各光源の出力光を結合するために光方向
性結合器を使用する例を示したが、これ以外のどのよう
な光結合手段を用いてもよい。
光源については、高出力光源をNd:YAGレーザとし
、その他の光源を半導体レーデとしたが、光源の種類は
本発明の本質に直接関係なく、適当な波長と出入レベル
が得られるならば、どのような光源を用いてもよい。
〔効果の説明〕
以上説明したように、本発明によれば、光通信に有利な
波長であって、入力信号により変調された大振幅の光信
号が送出される光信号増幅方式が得られる。この方式を
利用することにより、光フアイバ通信の伝送距離を飛躍
的に増大さ・けることができる。本発明の方式では、入
力光信号の位相を整合させ名な□どの複雑かつ精密な操
作を一切必要としないので装置は安定である。また光フ
ァイバとして特殊なものを使用する必要がない優れた特
徴がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例装置の構成図。 第2図は本発明第一実施例装置の構成図。 第3図はその出力信号光パワーの理論di算値を示す図
。 第4図はその出力信号光パワーの理論計算値を示す図(
第3図と第4図では、使用する単一モート光ファイバが
異なる。)。 第5図は本発明第二実施例装置の構成図。。 第6図は本発明第三実施例装置の構成図。 11・・・高出力光源(Nd + YAGレーザ)、1
2、■4.16.18・・・光方向性結合器、13.1
5.17.20−・・副光源(半導体レーザ)、21・
・・変調用電気信号入力端子、22.23・・・単一モ
ード光ファ・イハ、24・・・フィルタ、25・・・光
ファイバ 特許出願人 日本電信電話公社、11、代理人弁理士 
井 出 直 孝ゝlid、、  。 第 1 回 兜 2圓 ( 、¥!、3圏−’)fiRゝ(゛) →ファイバ長−(km) 兜 4[k

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)連続光を発生ずる高出力光源と、1木取」二の単
    一モード光ファイバと、この単一モード光ファイバ内で
    」二記高出力光源の第1次ないし第n次(nは2以上の
    正の整数)のスI・−ラス光を誘発することができるn
     (llilの異なる波長の出力光を発生ずるn (I
    lilの副光源と、このn個の副光源のうちの少なくと
    も1個の出力光を入力信号により変調する変調手段と、
    上記高出力光源の出力光および上記n1llの副光源の
    各出力光を結合させ上記単一モート光ファイバの−・端
    に入射させる結合手段と を備え、 」二記単−モード光ファイバ内で誘導ラマン散乱効果に
    より第1次ないし第n次のストークス光を順次誘発させ
    、 この第n次のストークス光を出力光として利用すること
    を特徴とする光信号増幅方式。
  2. (2)高出力光源が波長1.06μmの出力光を発生す
    るNd:YAGレーザ光源であり、 単一モード光ファイバは1本であり、 n=4  であり、 第1次のストークス光を誘発する第一の副光源が波長1
    .12μmの光を発生ずる半導体シー9′光源であり、 第2次のストークス光を誘発する第二の副光源が波長1
    .18μmの光を発生ずる半導体レーザ光源であり、 第3次のストークス光を誘発する第三の副光源が波長1
    .24μmの光を発生ずる半導体レーザ光源であり、 第4次のストークス光を誘発する第四の副光源が波長1
    931μmの光を発生ずる半導体レーザ光源であって、 変調手段は上記第四の副光源の出力光を変調するように
    構成された特許請求の範囲第(1)項に記載の光信号増
    幅方式。
  3. (3)高出力光源が波長1.32μmの出力光を発生ず
    るNd : YAGレーザ光源であり、単一モード光フ
    ァイバは1本であり、 n=3  であり、 第1次のストークス光を誘発する第一の副光源が波長1
    .40μmの光を発生ずる半導体レーザ光源であり、 第2次のスト−クス光を誘発する第二の副光源が波長1
    .49/1mの光を発生する半導体レーザ光源であり、 第3次のスト−クス光を誘発する第三の副光源が波長1
    .60μmの光を発生ずる半導体レーザ光源であり、 変調手段は上記第一の副光源の出刃光を変調するように
    構成された特許請求の範囲第T11項に記載の光信号増
    幅方式。
  4. (4)高出力光源が波長1.32μmの出力光を発生す
    るNd:YAGレーザであり、 単一モード光ファイバは2本であり、 n=2  であり、 第1次のス1−−クス光を誘発する第一の副光源が波長
    1.40μmの光を発生ずる半導体レーザ光源であり、 第2次のストークス光を誘発する第二の副光源が波長1
    .49ノ!mの光を発生する半導体レーザ光源であり、 第1次のストークス光は第一の単一モード光ファイバ内
    で発生され、 第2次のス1−−クス光は」二記第−の単−七−ト光フ
    ァイバ内で発生された第1次のストークス光を光源とし
    て第二の単一モード光ファイバ内で発生されるように構
    成された特許請求の範囲第(1)項に記載の光信号増幅
    方式。
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