WO2022230910A1

WO2022230910A1 - 配線回路基板の製造方法

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Publication number: WO2022230910A1
Application number: PCT/JP2022/018986
Authority: WO
Inventors: 裕紀 ▲桑▼山; 森悟田中
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2021-04-30
Filing date: 2022-04-26
Publication date: 2022-11-03
Anticipated expiration: 2023-10-30
Also published as: TW202249552A; JPWO2022230910A1

Abstract

配線回路基板の製造方法は、ロールツーロールにより長尺状の金属支持基板上に絶縁層を形成する工程と、ロールツーロールにより絶縁層上に感光性材料を含むめっきレジスト層を形成する工程とを含む。また、配線回路基板の製造方法は、ロールツーロールによりめっきレジスト層を所定パターンで露光する工程と、ロールツーロールにより所定パターンで露光されためっきレジスト層を現像することにより、めっきレジスト層に所定パターンまたは所定パターンとは逆パターンの開口を形成する工程と、ロールツーロールにより開口内に導体層を形成する工程とを含む。めっきレジスト層を形成する工程は、絶縁層上に感光性のレジスト液を塗布し、塗布されたレジスト液の液膜に熱処理を施すことを含む。

Description

配線回路基板の製造方法

　本発明は、配線回路基板の製造方法に関する。

　従来より、フレキシブル配線回路基板等の配線回路基板の製造方法においては、ロールツーロールが多く利用されている。ロールツーロールにおいては、例えば長尺状の支持基板が巻回されたロールが用意される。用意されたロールから支持基板が繰り出される。繰り出された支持基板に所定の処理が施され、処理後の支持基板がロール状に巻き取られる（例えば、特許文献１参照）。

　特許文献１に記載された回路付きサスペンション基板の製造方法においては、上記の所定の処理として、支持基板上にベース絶縁層、クロム薄膜および銅薄膜がこの順で形成される。また、ドライフィルムレジストを用いて銅薄膜上にめっきレジストが形成される。めっきレジストは、所定パターンと逆パターンの開口を有する。さらに、めっきレジストが形成されていない部分で露出する銅薄膜上に、所定パターンの導体層が配線として形成される。その後、めっきレジストと、導体層が形成されていない部分の銅薄膜が除去される。

　ロールツーロールによれば、上記の一連の処理の一部または全てを連続的に行うことが可能になる。それにより、配線回路基板の生産効率が向上し、生産コストの低減が実現される。

特開２００５－１３５９８１号公報

　近年、フレキシブル配線回路基板の用途の多様化に伴い、導体パターンの微細化が求められている。しかしながら、特許文献１に記載された製造方法では、導体パターンの微細化に限界があった。

　本発明の目的は、微細な導体パターンを有する配線回路基板を高い生産効率で製造することが可能な配線回路基板の製造方法を提供することである。

　上記のように、支持基板および絶縁層上にめっきレジストを形成するために、ドライフィルムレジストが用いられる。ドライフィルムレジストは、感光性材料からなるフィルムと保護フィルムとが積層された構造を有し、支持基板および絶縁層上に容易に貼り付けることが可能である。支持基板および絶縁層上に貼り付けられたドライフィルムレジストが、露光および現像される。それにより、所定パターンの開口を有するめっきレジストが形成される。

　導体パターンの微細化を実現するためには、めっきレジストにおける開口のパターンをより微細化する必要がある。開口のパターンをより微細化するためには、めっきレジストの厚みを小さくすること、すなわちドライフィルムレジストが薄型化されることが望ましい。しかしながら、ロールツーロールに用いるために必要な強度等を考慮すると、ドライフィルムレジストの薄型化には限界がある。本発明者らは、上記の点に着目し、以下に示す発明を案出した。

　（１）本発明の一局面に従う配線回路基板の製造方法は、長尺状の金属支持基板上に絶縁層が形成された積層体を用意する工程と、ロールツーロールにより絶縁層上に感光性材料を含むめっきレジスト層を形成する工程と、ロールツーロールによりめっきレジスト層を所定パターンで露光する工程と、ロールツーロールにより所定パターンで露光されためっきレジスト層を現像することにより、めっきレジスト層に所定パターンまたは所定パターンとは逆パターンの開口を形成する工程と、ロールツーロールにより開口内に導体層を形成する工程とを含み、めっきレジスト層を形成する工程は、絶縁層上に感光性のめっきレジスト液を塗布し、塗布されためっきレジスト液に熱処理を施すことを含む。

　その配線回路基板の製造方法においては、めっきレジスト層を形成する工程、めっきレジスト層を所定パターンで露光する工程、めっきレジスト層に開口を形成する工程、導体層を形成する工程が、それぞれロールツーロールにより行われる。それにより、高い生産効率で配線回路基板を製造することができる。

　また、めっきレジスト層は、絶縁層上にめっきレジスト液を塗布し、塗布されためっきレジスト液に熱処理を施すことにより形成される。ここで、絶縁層上へのめっきレジスト液の供給量を調整することにより、絶縁層上に形成されるめっきレジスト液の液膜の厚みを小さくすることができる。この場合、ドライフィルムレジストを用いて形成されるめっきレジスト層に比べて、めっきレジスト層の厚みを十分小さくすることができる。めっきレジスト層の厚みが小さいと、当該めっきレジスト層に、より微細なパターンで開口を形成することが可能になる。

　これらの結果、微細な導体パターンを有する配線回路基板を高い生産効率で製造することが可能になる。

　（２）めっきレジスト層を所定パターンで露光する工程は、所定パターンに対応するマスクとめっきレジスト層とを互いに接触させつつ、マスクを通してめっきレジスト層に露光光を照射する接触露光を行うことを含んでもよい。

　この場合、マスクとめっきレジスト層とが接触することにより、マスクとめっきレジスト層との位置関係が固定される。また、マスクとめっきレジスト層との間に隙間（空間）が形成されないので、露光光の広がりが抑制される。これらの結果、より高い精度で微細なパターンの露光が可能となる。

　（３）接触露光は、マスクとめっきレジスト層とが互いに接触した状態で、マスクとめっきレジスト層との間に予め定められた圧力以上の圧力を作用させることを含んでもよい。これにより、さらに高い精度で微細なパターンの露光が可能となる。

　（４）金属支持基板は、ステンレス鋼からなってもよい。ステンレス鋼からなる金属支持基板は、例えば銅からなる金属支持基板に比べて高い剛性を有する。それにより、ロールツーロールにおいて、繰り出し用のロールと巻き取り用のロールとの間に位置する金属支持基板の部分にうねりが発生することが低減される。したがって、搬送中の金属支持基板の形状が平坦に維持されやすい。この場合、金属支持基板上に形成されるめっきレジスト層の厚みにばらつきが生じにくいので、高い精度で微細なパターンの露光が可能となる。また、金属支持基板の変形に伴ってめっきレジスト層に形成される開口のパターンが変形することが低減される。

　さらに、ステンレス鋼は、金属材料として比較的低い熱伝導率を有する。例えば、ステンレス鋼からなる金属支持基板は、銅からなる金属支持基板に比べて低い熱伝導率を有する。これにより、めっきレジスト液に熱処理を施す場合には、金属支持基板により、めっきレジスト液の温度が急峻に上昇することが抑制される。それにより、めっきレジスト液の溶剤成分が適切に除去される。

　（５）めっきレジスト液は、ポジ型の感光性樹脂からなり、配線回路基板の製造方法は、導体層を形成する工程の後、ロールツーロールによりめっきレジスト層の全体を露光する工程と、ロールツーロールにより全体が露光されためっきレジスト層を現像することにより、絶縁層上のめっきレジスト層を除去する工程とをさらに含んでもよい。

　この場合、導体層と隣り合うように形成されためっきレジスト層の全体が、現像液に溶解する。したがって、導体層形成後の金属支持基板上から、不要なめっきレジスト層を容易に除去することができる。それにより、作製された配線回路基板にめっきレジスト層の一部が異物として残留することが防止される。

　（６）導体層を形成する工程の後、めっきレジスト層の全体を露光する工程において、めっきレジスト層の露光量は５ｍＪ／ｃｍ^２以上であってもよい。この場合、露光後のめっきレジスト層に現像液を供給することにより、絶縁層上のめっきレジスト層が現像液に円滑に溶解する。それにより、導体層からなる複数の微細な配線間にめっきレジスト層が存在する場合でも、導体層を損傷させることなくそれらのめっきレジスト層が短時間で円滑に除去される。

　（７）絶縁層は、感光性ポリイミドからなってもよい。この場合、フォトリソグラフィ技術を用いて絶縁層を形成することにより、絶縁層の薄膜化が可能になる。また、絶縁層を所望のパターンに容易に形成することが可能になる。さらに、絶縁層を感光性ポリイミドにより形成する場合には、機械的または化学的な加工を要することなく、絶縁層の表面を鏡面状態にすることができる。絶縁層の表面が鏡面状態にある場合、めっきレジスト層の露光時に、絶縁層に入射する露光光が絶縁層の表面で散乱することが抑制される。それにより、めっきレジスト層に、さらに微細なパターンで開口を形成することが可能になる。

　（８）積層体を用意する工程の後、めっきレジスト層を形成する工程の前に、ロールツーロールにより絶縁層上にシード層を形成する工程をさらに含み、めっきレジスト層を形成する工程において、めっきレジスト層は、シード層を介して絶縁層上に形成され、導体層を形成する工程は、開口部内で露出するシード層上に電解めっきにより導体層を形成することを含んでもよい。この場合、導体層を電解めっきにより形成することができる。

　本発明によれば、微細な導体パターンを有する配線回路基板を高い生産効率で製造することが可能になる。

図１は本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。図２は本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。図３は本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。図４は本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。図５は本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。図６は本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。図７は本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。図８は本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。図９は本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。図１０は本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。図１１は本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。図１２は本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。図１３は配線回路基板の製造方法に用いられるロールツーロール装置の一構成例を示す模式図である。図１４は配線回路基板の製造方法に用いられるロールツーロール装置の他の構成例を示す模式図である。図１５は配線回路基板の製造方法に用いられるロールツーロール装置の他の構成例を示す模式図である。

　以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法について図面を参照しつつ説明する。配線回路基板の製造方法の一例として、半導体装置等に適用可能なフレキシブル配線回路基板の製造方法を説明する。なお、以下の説明では、フレキシブル配線回路基板を配線回路基板と略記する。

　［１］配線回路基板の製造方法
　図１～図１２は、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。まず、長尺状の金属支持基板１が巻回されたロール（以下、繰り出しロールと呼ぶ。）を用意し、用意した繰り出しロールから金属支持基板１を繰り出す。繰り出しロールから繰り出された金属支持基板１は、他のロール（以下、巻き取りロールと呼ぶ。）に巻き取られる。図１では、繰り出しロールから繰り出された金属支持基板１の一部が示される。本実施の形態に係る金属支持基板１は、ステンレス鋼からなる支持基板である。

　金属支持基板１の厚みは、１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、本実施の形態では２０μｍである。金属支持基板１の厚みが１０μｍ以上であることにより、金属支持基板１において、ロールツーロールによる配線回路基板の作製に必要な剛性が確保される。金属支持基板１の厚みが１００μｍ以下であることにより、ロールツーロールによる配線回路基板の作製に必要なフレキシブル性が確保される。

　次に、図２に示すように、繰り出された金属支持基板１の上面における所定領域に感光性ポリイミドからなる絶縁層２を形成する。絶縁層２の厚みは、１μｍ以上３０μｍ以下である。なお、絶縁層２は、金属支持基板１の上面全体を覆うように形成されてもよい。

　次に、図３に示すように、絶縁層２の上面、絶縁層２の側面および金属支持基板１の上面のうち絶縁層２が形成されていない部分を覆うように、シード層３を形成する。シード層３は、クロム薄膜、ニッケル薄膜、チタン薄膜およびクロムとニッケルとの合金薄膜のうち二以上の薄膜が積層された下地層上に、さらに銅薄膜が積層された構成を有する。なお、シード層３は、クロム薄膜、ニッケル薄膜、チタン薄膜およびクロムとニッケルとの合金薄膜のうち一の薄膜を下地層とし、その下地層上に銅薄膜が積層された構成を有してもよい。シード層３を構成する各薄膜は、例えばスパッタリングまたは無電解めっき等により形成される。シード層３の厚みは、０．０１μｍ以上１μｍ以下である。

　次に、図４に示すように、シード層３上にレジスト液４ｐを塗布する。それにより、シード層３上にレジスト液４ｐの液膜４が形成される。シード層３上へのレジスト液４ｐの塗布は、レジスト塗布装置３０により行われる。レジスト塗布装置３０は、例えば金属支持基板１の搬送方向に対して直交する方向（以下、横断方向と呼ぶ。）に延びる塗布ノズル３１を備える。

　塗布ノズル３１は、繰り出しロールと巻き取りロールとの間で搬送される金属支持基板１よりも上方の位置に設けられ、横断方向に延びるスリット状の液吐出口３１ｓを有する。塗布ノズル３１は、スリット状の液吐出口３１ｓから搬送される金属支持基板１に向けてレジスト液４ｐをカーテン状に吐出する。本実施の形態においては、レジスト液４ｐとしては、ポジ型の感光性樹脂が用いられる。より具体的には、レジスト液４ｐとしては、ポジ型の感光性フェノール樹脂またはポジ型のアクリル樹脂が用いられる。金属支持基板１上に供給されるレジスト液４ｐの量は、液膜４が１μｍ以上１５μｍ以下となるように調整する。

　次に、レジスト液４ｐの液膜４に熱処理を施す。レジスト液４ｐには、溶剤成分が含まれる。熱処理により、液膜４に含まれる溶剤成分が除去され、図５に示すように硬化したレジスト層５が形成される。レジスト層５の厚みは、１μｍ以上５μｍ以下である。

　次に、レジスト層５を所定パターンで露光する。レジスト層５の露光は、図６に示す第１の露光装置５０により行われる。第１の露光装置５０は、マスク５１、光源５２および接触駆動部５９を含む。マスク５１は、透光部５１ａおよび遮光部５１ｂを有し、搬送される金属支持基板１の上方の位置に配置される。マスク５１においては、所定パターンで透光部５１ａが形成されている。光源５２は、主としてランプ５２ａおよびミラー５２ｂからなり、マスク５１を挟んでレジスト層５に対向するように配置される。ランプ５２ａは、レジスト層５に対応する露光光を発生する。ミラー５２ｂは、ランプ５２ａにより発生される露光光をマスク５１に向けて反射する。

　ここで、本実施の形態に係る配線回路基板の製造方法においては、レジスト層５の露光前に、図６に白抜きの矢印で示すように、接触駆動部５９により金属支持基板１がマスク５１に向けて押圧される。または、接触駆動部５９によりマスク５１が金属支持基板１に向けて押圧される。それにより、レジスト層５の上面とマスク５１の下面とが接触する。このとき、レジスト層５とマスク５１との間には、予め定められた圧力（圧着力）以上の圧力を作用させる。

　なお、接触駆動部５９は、例えば金属支持基板１の下面に接触する下面接触部材と、金属支持基板１がマスク５１に向けて押し込まれるように下面接触部材を移動させるアクチュエータとを有してもよい。または、接触駆動部５９は、マスク５１の上面に接触する上面接触部材と、マスク５１が金属支持基板１に向けて押し込まれるように上面接触部材を移動させるアクチュエータとを有してもよい。あるいは、接触駆動部５９は、マスク５１の下面とレジスト層５とが接触する状態でその接触部を取り囲む空間の気圧を低下させることによりマスク５１とレジスト層５との間に予め定められた圧力（圧着力）以上の圧力を作用させる構成を有してもよい。予め定められた圧力の値は、マスク５１とレジスト層５とを接触させる接触駆動部５９の構成に応じて異なる値に設定されてもよい。

　レジスト層５がマスク５１の下面に押し当てられた状態で、図７に示すように、光源５２から露光光を発生させる。この場合、マスク５１のうち透光部５１ａを透過する光がレジスト層５に入射する。それにより、レジスト層５が所定パターンで露光される。このように、レジスト層５とマスク５１とを互いに接触させるとともに、レジスト層５およびマスク５１間に予め定められた圧力の値以上の圧力を作用させつつ露光を行う処理は、ハードコンタクト露光と呼ばれる。

　次に、図８に示すように、露光されたレジスト層５を現像する。このとき、レジスト層５の現像は、第１の現像装置６０により行われる。第１の現像装置６０は、複数の現像ノズル６１を含む。各現像ノズル６１は、搬送される金属支持基板１の上方の位置に配置されたスプレーノズルであり、金属支持基板１に向けて現像液を噴射する。レジスト層５がポジ型の感光性樹脂で構成される場合、露光された部分が現像液に溶解し、除去される。それにより、レジスト層５に所定パターンの開口５ａが形成される。開口５ａ内では、シード層３が上方に向かって露出する。一方向に延びるように形成される開口５ａのうち、当該一方向に直交する断面における開口５ａのパターン幅は、１μｍ以上６μｍ以下である。

　次に、図９に示すように、レジスト層５の開口５ａ（図８）内で露出するシード層３の部分に、電解めっきにより所定パターンの導体層６を形成する。導体層６の厚みは、１μｍ以上６μｍ以下である。また、一方向に延びるように形成される導体層６のうち、当該一方向に直交する断面における導体層６のパターン幅は、１μｍ以上５μｍ以下である。

　次に、図１０に示すように、シード層３上に形成されたレジスト層５の全体に露光光が入射するように、レジスト層５の全体を露光する（以下、全面露光と呼ぶ。）。レジスト層５の露光は、第２の露光装置８０により行われる。第２の露光装置８０は、光源８１を含み、マスクを有しない。光源８１は、光源５２と同様に、主としてランプ８１ａおよびミラー８１ｂからなる。なお、第２の露光装置８０は、透明なマスク、すなわち遮光部５１ｂを有しない透光部５１ａのみからなるマスクを備えてもよい。

　対象物の露光時に当該対象物の単位面積当たりに照射される露光光のエネルギーを露光量と呼ぶ。露光量の単位は、例えば「ｍＪ／ｃｍ^２」で表される。レジスト層５の露光量は、第２の露光装置８０からレジスト層５に向けて照射される露光光の積算光量であり、レジスト層５に向けて照射される露光光の照度およびレジスト層５に対する露光光の照射時間により定まる。そのため、第２の露光装置８０が一定の照度でレジスト膜５に露光光を照射する場合には、照射時間を調整することで、レジスト層５の露光量を容易に調整することができる。本実施の形態に係る全面露光においては、レジスト層５の露光量は、５ｍＪ／ｃｍ^２以上である。レジスト層５の露光量は、１００ｍＪ／ｃｍ^２以上であることが好ましく、５００ｍＪ／ｃｍ^２以上であることがより好ましい。

　次に、図１１に示すように、露光されたレジスト層５を現像する。レジスト層５の現像は、第２の現像装置９０により行われる。第２の現像装置９０は、第１の現像装置６０と同様に、複数の現像ノズル９１を含む。各現像ノズル９１は、搬送される金属支持基板１の上方の位置に配置されたスプレーノズルであり、金属支持基板１に向けて現像液を噴射する。

　レジスト層５がポジ型の感光性樹脂で構成される場合、レジスト層５の全体が現像液に溶解し、除去される。それにより、導体層６が形成されていないシード層３の部分が露出する。最後に、図１２に示すように、露出するシード層３の不要部分を例えばウェットエッチングにより除去する。このようにして、金属支持基板１、絶縁層２、シード層３および導体層６の積層体が、配線回路基板７として完成する。絶縁層２上に所定パターンで形成されたシード層３および導体層６は、配線回路基板７の配線を構成する。完成した配線回路基板７は、巻き取りロールに巻き取られる。

　［２］ロールツーロール装置の一構成例
　上記の一連の処理は、例えば一のロールツーロール装置において連続的に行われる。図１３は、配線回路基板の製造方法に用いられるロールツーロール装置の一構成例を示す模式図である。

　図１３のロールツーロール装置１００は、繰り出しロール１１０、絶縁層形成装置１０、シード層形成装置２０、レジスト塗布装置３０、熱処理装置４０、第１の露光装置５０、第１の現像装置６０、めっき装置７０、第２の露光装置８０、第２の現像装置９０、エッチング装置９５および巻き取りロール１２０を含む。

　繰り出しロール１１０においては、図示しないボビンに長尺状の金属支持基板１（図１）が巻回されている。繰り出しロール１１０が回転することにより、繰り出しロール１１０から金属支持基板１が繰り出される。繰り出された金属支持基板１は、絶縁層形成装置１０に送られる。図１３では、繰り出しロール１１０から繰り出される金属支持基板１の搬送方向が点線の矢印で示される。

　絶縁層形成装置１０は、図２の例に示すように、金属支持基板１上に絶縁層２を形成する。絶縁層２が形成された金属支持基板１は、シード層形成装置２０に送られる。シード層形成装置２０は、図３の例に示すように、絶縁層２を覆うように金属支持基板１上にシード層３を形成する。金属支持基板１、絶縁層２およびシード層３からなる積層体は、レジスト塗布装置３０に送られる。

　レジスト塗布装置３０は、図４の例に示すように、塗布ノズル３１を備え、シード層３上にレジスト液４ｐの液膜４を形成する。液膜４が形成された積層体は、熱処理装置４０に送られる。熱処理装置４０は、例えばヒータを備え、レジスト液４ｐの液膜４（図４）に熱処理を施す。それにより、図５の例に示すように、シード層３上にレジスト層５を形成する。レジスト層５が形成された積層体は、第１の露光装置５０に送られる。

　第１の露光装置５０は、図６および図７の例に示すように、マスク５１、光源５２および接触駆動部５９を備える。第１の露光装置５０は、レジスト層５とマスク５１とを接触させつつ所定パターンでレジスト層５を露光する。所定パターンでレジスト層５が露光された積層体は、第１の現像装置６０に送られる。

　第１の現像装置６０は、図８の例に示すように、複数の現像ノズル６１を備え、複数の現像ノズル６１から露光後のレジスト層５上に現像液を供給する。それにより、露光されたレジスト層５の部分が現像液により除去され、レジスト層５に所定パターンの開口５ａが形成される。現像後のレジスト層５を含む積層体は、めっき装置７０に送られる。

　めっき装置７０は、図９の例に示すように、レジスト層５の開口５ａ（図８）内に電解めっきにより導体層６を形成する。所定パターンの導体層６が形成された積層体は、第２の露光装置８０に送られる。第２の露光装置８０は、図１０の例に示すように、光源８１を備える。第２の露光装置８０は、レジスト層５の全面露光を行う。レジスト層５の全体が露光された積層体は、第２の現像装置９０に送られる。

　第２の現像装置９０は、図１１の例に示すように、複数の現像ノズル９１を備え、複数の現像ノズル９１から露光後のレジスト層５上に現像液を供給する。それにより、露光されたレジスト層５の全体が現像液により除去される。レジスト層５が除去された積層体は、エッチング装置９５に送られる。

　エッチング装置９５は、図１２の例に示すように、露出するシード層３の部分を例えばウェットエッチングにより除去する。これにより、絶縁層２上に存在するシード層３および導体層６が配線として形成され、配線回路基板７が完成する。エッチング装置９５において完成した配線回路基板７は、巻き取りロール１２０に巻き取られる。

　［３］ロールツーロール装置の他の例
　本実施の形態においては、配線回路基板７の作製は、図１３のロールツーロール装置１００に代えて、以下のロールツーロール装置を用いて行ってもよい。図１４および図１５は、配線回路基板の製造方法に用いられるロールツーロール装置の他の構成例を示す模式図である。本例では、図１３のロールツーロール装置１００に代えて、２つのロールツーロール装置２００，３００が用いられる。図１４のロールツーロール装置２００においては、配線回路基板７を作製するための一連の工程のうち概ね前半部分の工程が行われる。一方、図１５のロールツーロール装置３００においては、配線回路基板７を作製するための一連の工程のうち概ね後半部分の工程が行われる。

　具体的には、図１４のロールツーロール装置２００は、繰り出しロール１１０、絶縁層形成装置１０、シード層形成装置２０、レジスト塗布装置３０、熱処理装置４０および中間巻き取りロール１３０を含む。ロールツーロール装置２００においては、繰り出しロール１１０から繰り出される金属支持基板１が絶縁層形成装置１０、シード層形成装置２０、レジスト塗布装置３０および熱処理装置４０に順次送られる。図１４では、図１３の例と同様に、繰り出しロール１１０から繰り出される金属支持基板１の搬送方向が点線の矢印で示される。

　図１４の絶縁層形成装置１０、シード層形成装置２０、レジスト塗布装置３０および熱処理装置４０は、図１３において同じ符号が付された構成要素とそれぞれ同じ構成を有する。それにより、金属支持基板１上に絶縁層２、シード層３およびレジスト層５が順次形成される。熱処理装置４０によるレジスト層５の形成後の積層体ＭＬが、中間巻き取りロール１３０に巻き取られる。

　図１５のロールツーロール装置３００は、中間繰り出しロール１４０、第１の露光装置５０、第１の現像装置６０、めっき装置７０、第２の露光装置８０、第２の現像装置９０、エッチング装置９５および巻き取りロール１２０を含む。中間繰り出しロール１４０として、図１４のロールツーロール装置２００の中間巻き取りロール１３０が用意される。

　ロールツーロール装置３００においては、中間繰り出しロール１４０から繰り出される積層体ＭＬが第１の露光装置５０、第１の現像装置６０、めっき装置７０、第２の露光装置８０、第２の現像装置９０およびエッチング装置９５に順次送られる。図１５では、図１３の例と同様に、中間繰り出しロール１４０から繰り出される積層体ＭＬの搬送方向が点線の矢印で示される。

　図１５の第１の露光装置５０、第１の現像装置６０、めっき装置７０、第２の露光装置８０、第２の現像装置９０およびエッチング装置９５は、図１３において同じ符号が付された構成要素とそれぞれ同じ構成を有する。それにより、金属支持基板１上に形成されたレジスト層５が所定パターンで露光され、現像される。また、現像により形成されたレジスト層５の開口５ａ内に導体層６が形成される。さらに、レジスト層５が全面露光され、現像される。また、露出するシード層３が除去される。エッチング装置９５によるシード層３の除去後の配線回路基板７が、巻き取りロール１２０に巻き取られる。

　［４］効果
　（１）本実施の形態においては、金属支持基板１の繰り出しロール１１０を用意した後、配線回路基板７が完成するまでの複数の処理工程の全てがロールツーロールにより行われる。それにより、高い生産効率で配線回路基板７を製造することができる。

　また、レジスト層５は、絶縁層２上にレジスト液４ｐを塗布し、塗布されたレジスト液４ｐの液膜４に熱処理を施すことにより形成される。絶縁層上へのレジスト液４ｐの供給量を調整することにより、絶縁層２上に形成される液膜４の厚みを小さくすることができる。この場合、ドライフィルムレジストを用いて形成されるレジスト層に比べて、レジスト層５の厚みを十分小さくすることができる。レジスト層５の厚みが小さいと、当該レジスト層５に、より微細なパターンで開口５ａを形成することが可能になる。

　これらの結果、微細な導体パターンを有する配線回路基板７を高い生産効率で製造することが可能になる。

　（２）マスク５１を用いたレジスト層５の露光時には、マスク５１とレジスト層５とが接触する状態で、マスク５１とレジスト層５との間に予め定められた圧力以上の圧力が作用する。それにより、マスク５１とレジスト層５との位置関係が固定される。また、マスク５１とレジスト層５との間に隙間（空間）が形成されないので、露光光の広がりが抑制される。これらの結果、高い精度で微細なパターンの露光が可能となる。

　（３）本実施の形態では、金属支持基板１としてステンレス鋼からなる支持基板が用いられる。ステンレス鋼からなる金属支持基板１は、比較的高い剛性を有する。例えば、ステンレス鋼からなる金属支持基板１は、銅からなる金属支持基板に比べて高い剛性を有する。それにより、ロールツーロールにおいて、繰り出しロールと巻き取りロールとの間に位置する金属支持基板１の部分にうねりが発生することが低減される。したがって、搬送中の金属支持基板１の形状が平坦に維持されやすい。この場合、金属支持基板１上に形成されるレジスト層５の厚みにばらつきが生じにくいので、高い精度で微細なパターンの露光が可能となる。また、ステンレス鋼である金属支持基板１に変形が生じにくいので、露光時の位置精度が向上する。したがって、金属支持基板１の変形に伴ってレジスト層５に形成される開口５ａのパターンが変形することが低減される。

　さらに、ステンレス鋼は、金属材料として比較的低い熱伝導率を有する。例えば、ステンレス鋼からなる金属支持基板１は、銅からなる金属支持基板に比べて低い熱伝導率を有する。これにより、レジスト液４ｐの液膜４に熱処理を施す場合には、金属支持基板１により液膜４の温度が急峻に上昇することが抑制される。それにより、液膜４の溶剤成分が適切に除去される。

　（４）本実施の形態では、レジスト層５は、ポジ型の感光性樹脂からなる。導体層６の形成後には、レジスト層５の全体が露光され、現像される。したがって、レジスト層５の開口５ａ内に導体層６が形成された後、導体層６に隣り合うレジスト層５の部分が、現像液（アルカリ性の溶液）に溶解する。それにより、導体層６形成後の金属支持基板１上から、不要なレジスト層５を容易に除去することができる。その結果、作製された配線回路基板７にレジスト層５の一部が異物として残留することが防止される。また、レジスト層５の一部が残留することに起因するシード層３の除去不良が防止される。したがって、配線回路基板７における複数の配線間の短絡の発生が防止される。

　（５）本実施の形態では、絶縁層２が感光性ポリイミドからなる。この場合、フォトリソグラフィ技術を用いて絶縁層２を形成することにより、絶縁層２の薄膜化が可能になる。また、絶縁層２を所望のパターンに容易に形成することが可能になる。さらに、絶縁層２を感光性ポリイミドにより形成する場合には、機械的または化学的な加工を要することなく、絶縁層２の表面を鏡面状態にすることができる。絶縁層２の表面が鏡面状態にある場合、レジスト層５の露光時に、絶縁層２に入射する露光光が絶縁層２の表面で散乱することが抑制される。それにより、レジスト層５に、さらに微細なパターンで開口５ａを形成することが可能になる。

　［５］他の実施の形態
　（１）上記実施の形態においては、１台のロールツーロール装置１００または２台のロールツーロール装置２００，３００により配線回路基板７を形成するための複数の処理工程が行われるが、本発明はこれらに限定されない。配線回路基板７を形成するための複数の処理工程が、３台以上のロールツーロール装置を用いて行われてもよい。あるいは、配線回路基板７を形成するための複数の処理工程の各々が、個別のロールツーロール装置を用いて行われてもよい。

　（２）上記実施の形態においては、最初に、長尺状の金属支持基板１が巻回された繰り出しロール１１０が用意されるが、本発明はこれに限定されない。金属支持基板１の繰り出しロール１１０に代えて、金属支持基板１および絶縁層２が積層された２層基材のロールが繰り出しロール１１０として用意されてもよい。この場合、金属支持基板１上に絶縁層２を形成する工程（図２）を省略することができる。

　（３）上記実施の形態においては、レジスト層５に所定パターンの開口５ａを形成するための露光時に、レジスト層５がマスク５１の下面に所定の力で押圧される。または、マスク５１がレジスト層５の上面に所定の力で押圧される。しかしながら、本発明はこれらの例に限定されない。レジスト層５に所定パターンの開口５ａを形成するための露光時には、レジスト層５とマスク５１とが互いに離間した状態が保持されてもよい。

　あるいは、レジスト層５に所定パターンの開口５ａを形成するための露光時には、上記実施の形態の予め定められた圧力よりも低い圧力でレジスト層５とマスク５１とが互いに接触する状態が保持されてもよい。このように、レジスト層５とマスク５１とを互いに接触させるとともに、レジスト層５およびマスク５１間に所定値よりも低い圧力を作用させつつ露光を行う処理は、ソフトコンタクト露光と呼ばれる。

　（４）上記実施の形態においては、レジスト層５の材料としてポジ型の感光性フェノール樹脂またはポジ型のアクリル樹脂が用いられるが、本発明はこれに限定されない。レジスト層５の材料として、ポジ型のエポキシ樹脂が用いられてもよいし、ポジ型の感光性ポリイミドが用いられてもよい。

　（５）上記実施の形態においては、レジスト層５の材料としてポジ型の感光性樹脂が用いられるが、本発明はこれに限定されない。レジスト層５の材料として、ポジ型の感光性樹脂に代えてネガ型の感光性樹脂が用いられてもよい。この場合、導体層６の形成後にレジスト層５を除去する際に、レジスト層５が例えば溶剤または当該感光性樹脂用の現像液と同じ成分を含む剥離液を用いて除去される。それにより、レジスト層５の全体を露光して現像する工程が不要となる。

　（６）上記実施の形態においては、金属支持基板１としてステンレス鋼からなる支持基板が用いられるが、本発明はこれに限定されない。金属支持基板１としては、ステンレス鋼からなる支持基板に代えて、銅からなる支持基板、ニッケルからなる支持基板または銅合金からなる支持基板等を用いることもできる。

　（７）上記実施の形態においては、電解めっきにより導体層６を形成するために絶縁層２上にシード層３が形成されるが、本発明はこれに限定されない。導体層６が例えば無電解めっきで形成される場合には、シード層３は形成されなくてもよい。

　（８）上記実施の形態においては、絶縁層２の材料として感光性ポリイミドが用いられるが、本発明はこれに限定されない。絶縁層２の材料として、感光性ポリイミド以外の樹脂（フェノール樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等）を用いてもよい。

　（９）上記実施の形態においてシード層３上に形成されるレジスト層５は、当該感光性樹脂用の現像液と同じ成分を含む剥離液を用いることにより、露光および現像を行うことなく除去することも可能である。したがって、導体層６の形成後には、レジスト層５に対する全面露光および現像を行う代わりに、剥離液を用いて不要なレジスト層５を除去してもよい。

　なお、剥離液を用いたレジスト層５の除去時には、全面露光および現像によりレジスト層５を除去する場合に比べて、レジスト層５を溶解させるのに要する時間が長くなる。また、この場合、レジスト層５と剥離液との間の反応の促進および反応の安定のために、処理環境を常温よりも高い温度（例えば４０℃～５０℃程度）に維持する必要がある。そのため、先に形成された導体層６が剥離液により酸化し、配線の電気的特性が低下する可能性がある。そのため、レジスト層５は、上記実施の形態に示すように、全面露光および現像により除去することが好ましい。

　［６］請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
　以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。上記の実施の形態では、配線回路基板７が配線回路基板の例であり、金属支持基板１が金属支持基板の例であり、絶縁層２が絶縁層の例であり、レジスト層５がめっきレジスト層の例である。また、開口５ａが開口の例であり、導体層６が導体層の例であり、マスク５１がマスクの例であり、シード層３がシード層の例である。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

　［７］ラインアンドスペースの確認試験（実施例および比較例）
　本発明者らは、上記実施の形態に係る配線回路基板の製造方法による効果を確認するために、製造方法が互いに異なる実施例１および比較例１～４の配線回路基板を作製した。これらの配線回路基板の作製時には、複数種類のラインアンドスペースに対応するパターンで投光部が形成されたテスト用マスクを用いた。ここで、ラインアンドスペースは、配線回路基板における配線の幅および隣り合う配線間の間隔を意味し、Ｌ／Ｓで表される。

　具体的には、実施例１および比較例１～４の配線回路基板の作製に用いたテスト用マスクには、１μｍ／１μｍ、２μｍ／２μｍ、３μｍ／３μｍ、４μｍ／４μｍ、５μｍ／５μｍ、６μｍ／６μｍ、７μｍ／７μｍ、８μｍ／８μｍおよび９μｍ／９μｍの９つのＬ／Ｓに対応する９つのパターンで投光部が形成されている。本発明者らは、実施例１および比較例１～４の配線回路基板について、配線の形成が可能であった最小のＬ／Ｓを比較した。

　実施例１の配線回路基板は、上記実施の形態に係る配線回路基板の製造方法（図１～図１２参照）に従って作製した。具体的には、実施例１の配線回路基板の作製時には、金属支持基板１上に感光性ポリイミドからなる絶縁層２を形成し、絶縁層２上にさらにシード層３を形成した。また、シード層３上にレジスト液４ｐを塗布して熱処理を行うことにより、シード層３上にポジ型の感光性樹脂からなるレジスト層５を形成した。レジスト層５の厚みは３μｍであった。また、レジスト層５を露光する際には、上記のテスト用マスクを用いてハードコンタクト露光を行った。このハードコンタクト露光においては、レジスト層５とマスク５１との間に０．５ＭＰａの圧力が作用するように、金属支持基板１をマスク５１に向けて押圧した。

　完成した実施例１の配線回路基板においては、Ｌ／Ｓが２μｍ／２μｍ～９μｍ／９μｍの配線が形成されていた。一方、Ｌ／Ｓが１μｍ／１μｍの配線は形成されなかった。すなわち、実施例１の配線回路基板については、配線の形成が可能であった最小のＬ／Ｓは、２μｍ／２μｍであった。なお、実施例１の配線回路基板に形成された配線の厚みは２μｍであった。

　比較例１の配線回路基板は、下記の点を除いて上記の実施例１の配線回路基板の製造方法と同じ方法で作製した。比較例１の配線回路基板の作製時には、シード層３上にドライフィルムレジストを貼り付けることによりレジスト層５を形成した。そのレジスト層５は、ネガ型の感光性樹脂からなり、厚みは１０μｍであった。また、比較例１の配線回路基板の作製時には、導体層６の形成後、フィルム状のレジスト層５をシード層３から引き剥がす処理を行った。完成した比較例１の配線回路基板においては、Ｌ／Ｓが６μｍ／６μｍ～９μｍ／９μｍの配線が形成されていた。一方、Ｌ／Ｓが１μｍ／１μｍ～５μｍ／５μｍの配線は形成されなかった。すなわち、比較例１の配線回路基板については、配線の形成が可能であった最小のＬ／Ｓは、６μｍ／６μｍであった。なお、比較例１の配線回路基板に形成された配線の厚みは６μｍであった。

　比較例２の配線回路基板は、使用するドライフィルムレジストの厚みを変更した点を除いて比較例１の配線回路基板の製造方法と同じ方法で作製した。比較例２の配線回路基板の作製時において、シード層３上に形成されたレジスト層５の厚みは１５μｍであった。完成した比較例２の配線回路基板においては、Ｌ／Ｓが８μｍ／８μｍ～９μｍ／９μｍの配線が形成されていた。一方、Ｌ／Ｓが１μｍ／１μｍ～７μｍ／７μｍの配線は形成されなかった。すなわち、比較例２の配線回路基板については、配線の形成が可能であった最小のＬ／Ｓは、８μｍ／８μｍであった。なお、比較例２の配線回路基板に形成された配線の厚みは８μｍであった。

　比較例３の配線回路基板は、レジスト層５の露光方法を変更した点を除いて比較例１の配線回路基板の製造方法と同じ方法で作製した。比較例３の配線回路基板の作製時において、レジスト層５を所定パターンで露光する際には、レジスト層５とテスト用マスクとが微小距離互いに離間した状態で、露光装置からレジスト層５に露光光を照射する処理を行った。このような露光処理は、プロキシミティ露光と呼ばれる。プロキシミティ露光において、レジスト層５とマスク（本例では、テスト用マスク）との間の距離は、例えば数十μｍ程度に保持される。完成した比較例３の配線回路基板においては、Ｌ／Ｓが６μｍ／６μｍ～９μｍ／９μｍの配線が形成されていた。一方、Ｌ／Ｓが１μｍ／１μｍ～５μｍ／５μｍの配線は形成されなかった。すなわち、比較例３の配線回路基板については、配線の形成が可能であった最小のＬ／Ｓは、６μｍ／６μｍであった。なお、比較例３の配線回路基板に形成された配線の厚みは６μｍであった。

　比較例４の配線回路基板は、使用するドライフィルムレジストの厚みを変更した点を除いて比較例３の配線回路基板の製造方法と同じ方法で作製した。比較例４の配線回路基板の作製時において、シード層３上に形成されたレジスト層５の厚みは２０μｍであった。完成した比較例４の配線回路基板においては、Ｌ／Ｓが６μｍ／６μｍ～９μｍ／９μｍの配線が形成されていた。一方、Ｌ／Ｓが１μｍ／１μｍ～５μｍ／５μｍの配線は形成されなかった。すなわち、比較例４の配線回路基板については、配線の形成が可能であった最小のＬ／Ｓは、６μｍ／６μｍであった。なお、比較例４の配線回路基板に形成された配線の厚みは６μｍであった。

　上記の実施例１および比較例１～４の配線回路基板の製造方法の相違点および完成した配線回路基板の評価結果（配線の形成が可能であった最小のＬ／Ｓ）を下記表１に示す。なお、実施例１および比較例１～４の配線回路基板には、２０μｍの厚みを有するステンレス鋼製の金属支持基板１を用いた。

　上記のように、実施例１の配線回路基板に形成されたレジスト層５の厚み（３μｍ）は、比較例１～４の配線回路基板に形成されたレジスト層５の厚み（１０μｍ～２０μｍ）に比べて十分に小さい。これにより、レジスト液４ｐを塗布して熱処理を行う場合には、既存のドライフィルムレジストを用いる場合に比べて十分に厚みが小さいレジスト層５を形成することができることがわかる。

　それにより、完成した実施例１および比較例１～４の配線回路基板においては、実施例１の最小Ｌ／Ｓ（２μｍ／２μｍ）が、比較例１の最小Ｌ／Ｓ（６μｍ／６μｍ）、比較例２の最小Ｌ／Ｓ（８μｍ／８μｍ）、比較例３の最小Ｌ／Ｓ（６μｍ／６μｍ）および比較例４の最小Ｌ／Ｓ（６μｍ／６μｍ）に比べて十分に小さい。

　［８］レジスト層の剥離に関する確認試験（実施例および比較例）
　上記のように、本発明の一局面に従う配線回路基板の製造方法においては、導体層６の形成後の不要なレジスト層５は、全面露光および現像を行うことにより除去してもよいし、全面露光および現像を行うことなく剥離液を用いて除去してもよい。本発明者らは、導体層６の形成後の不要なレジスト層５について、除去方法および除去条件に応じた剥離能力を確認するために、製造方法が互いに異なる実施例１～６および比較例１～４の配線回路基板を作製した。

　本確認試験で用いた実施例１の配線回路基板は、ラインアンドスペースの確認試験で作製した実施例１の配線回路基板と同じである。上記のように、実施例１の配線回路基板は、図１１～図１２に記載された配線回路基板の製造方法に従って作製した。

　ここで、実施例１の配線回路基板の作製においては、導体層６の形成後の不要なレジスト層５を除去するための全面露光時に、レジスト層５の露光量を２０００ｍＪ／ｃｍ^２とした。なお、この全面露光では、株式会社三永電機製作所製の紫外線照射器（型式ＵＶ－２００１Ｍ－ＮＤ）を用いた。また、上記の全面露光においては、紫外線照射器からレジスト層５に、単位面積当たりかつ単位時間当たりに照射される露光光（ｇ線、ｈ線およびｉ線の少なくとも一部を含む紫外線）のエネルギー（照度）は９０ｍＪ／ｃｍ^２であった。

　さらに、実施例１の配線回路基板の作製においては、導体層６の形成後の不要なレジスト層５を除去するための現像時に、東京応化工業株式会社製の現像液（Ｐ－１０）を用いた。この現像は、温度環境を２５℃に設定し、現像時間を１００秒に設定して行った。

　本確認試験で用いた実施例２～５の配線回路基板は、レジスト層５の全面露光時におけるレジスト層５の露光量が異なる点を除いて、実施例１の配線回路基板と同じ方法で作製した。具体的には、実施例２の配線回路基板は、全面露光時のレジスト層５の露光量を５ｍＪ／ｃｍ^２とした。実施例３の配線回路基板は、全面露光時のレジスト層５の露光量を１００ｍＪ／ｃｍ^２とした。実施例４の配線回路基板は、全面露光時のレジスト層５の露光量を５００ｍＪ／ｃｍ^２とした。実施例５の配線回路基板は、全面露光時のレジスト層５の露光量を１０００ｍＪ／ｃｍ^２とした。

　本確認試験で用いた実施例６の配線回路基板は、導体層６の形成後の不要なレジスト層５を、全面露光および現像を行うことなく剥離液を用いて除去した点を除いて実施例１の配線回路基板と同じ方法で作製した。

　本確認試験で用いた比較例１～４の配線回路基板は、ラインアンドスペースの確認試験で作製した比較例１～４の配線回路基板と同じである。上記のように、比較例１～４の配線回路基板の作製時には、ドライフィルムレジストを用いてレジスト層５を形成した。また、導体層６の形成後の不要なレジスト層５は、シード層３から物理的に引き剥がすことにより除去した。このように、比較例１～４の配線回路基板については、導体層６の形成後の不要なレジスト層５の全面露光および現像を行っていない。

　以下の説明では、不要なレジスト層５の除去後に、複数の配線およびその周辺部に残留するレジスト層５の一部をレジスト残渣と呼ぶ。

　本発明者らは、上記のようにして作製された実施例１～６および比較例１～４の配線回路基板について、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により、加速電圧を１５ｋＶとし、１５００倍の倍率で二次電子像を取得し、レジスト残渣の有無を確認した。その結果、実施例１～５の配線回路基板については、レジスト残渣の存在が認められなかった。一方、実施例６および比較例１～４の配線回路基板については、レジスト残渣の存在が認められた。

　また、本発明者らは、上記のようにして作製された実施例１～６および比較例１～４の配線回路基板について、光学顕微鏡により、２０倍の倍率でレジスト残渣の有無を確認した。その結果、実施例１～６の配線回路基板については、レジスト残渣の存在が認められなかった。一方、比較例１～４の配線回路基板については、レジスト残渣の存在が認められた。

　さらに、本発明者らは、ＳＥＭおよび光学顕微鏡による各配線回路基板の確認結果から、レジスト残渣に関する総合的な確認結果として、実施例１～６および比較例１～４の配線回路基板について、レジスト残渣の発生レベルＡ，Ｂ，Ｃを決定した。ここで、レジスト残渣の発生レベルＡは、ＳＥＭおよび光学顕微鏡による確認結果のいずれにおいてもレジスト残渣が認められなかったことを表すものとする。レジスト残渣の発生レベルＢは、ＳＥＭおよび光学顕微鏡による確認結果のいずれか一方でのみレジスト残渣が認められなかったことを表すものとする。レジスト残渣の発生レベルＣは、ＳＥＭおよび光学顕微鏡による確認結果のいずれにおいてもレジスト残渣が認められたことを表すものとする。

　この場合、実施例１～５の配線回路基板のレジスト残渣の発生レベルはＡとなる。一方、実施例６および比較例４の配線回路基板のレジスト残渣の発生レベルはＢとなる。他方、比較例１～３の配線回路基板のレジスト残渣の発生レベルはＣとなる。上記のレジスト層の剥離に関する確認試験結果を下記表２に示す。下記表２においては、試験結果とともに、導体層６の形成後の不要なレジスト層５の除去を行う際の全面露光の有無および全面露光時の露光量が示される。

　上記のように、実施例１～６の配線回路基板のうち不要なレジスト層５を５ｍＪ／ｃｍ^２以上の露光量で全面露光し、現像することにより得られた実施例１～５の配線回路基板には、レジスト残渣の発生が認められなかった。これに対して、実施例１～６の配線回路基板のうち不要なレジスト層５を全面露光および現像することなく剥離液により除去した実施例６の配線回路基板には、ＳＥＭによりレジスト残渣の発生が認められた。また、ドライフィルムレジストを引き剥がすことにより不要なレジスト層５を除去した比較例１～４の配線回路基板には、少なくともＳＥＭによりレジスト残渣の発生が認められた。したがって、レジスト残渣の発生を抑制するためには、不要なレジスト層５を５ｍＪ／ｃｍ^２以上の露光量で全面露光し、現像することが好ましいことが分かった。

Claims

長尺状の金属支持基板上に絶縁層が形成された積層体を用意する工程と、
　ロールツーロールにより前記絶縁層上に感光性材料を含むめっきレジスト層を形成する工程と、
　ロールツーロールにより前記めっきレジスト層を所定パターンで露光する工程と、
　ロールツーロールにより前記所定パターンで露光されためっきレジスト層を現像することにより、前記めっきレジスト層に前記所定パターンまたは前記所定パターンとは逆パターンの開口を形成する工程と、
　ロールツーロールにより前記開口内に導体層を形成する工程とを含み、
　前記めっきレジスト層を形成する工程は、前記絶縁層上に感光性のめっきレジスト液を塗布し、塗布されためっきレジスト液に熱処理を施すことを含む、配線回路基板の製造方法。
前記めっきレジスト層を前記所定パターンで露光する工程は、前記所定パターンに対応するマスクと前記めっきレジスト層とを互いに接触させつつ、前記マスクを通して前記めっきレジスト層に露光光を照射する接触露光を行うことを含む、請求項１記載の配線回路基板の製造方法。
前記接触露光は、前記マスクと前記めっきレジスト層とが互いに接触した状態で、前記マスクと前記めっきレジスト層との間に予め定められた圧力以上の圧力を作用させることを含む、請求項２記載の配線回路基板の製造方法。
前記金属支持基板は、ステンレス鋼からなる、請求項１～３のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
前記めっきレジスト液は、ポジ型の感光性樹脂からなり、
　前記配線回路基板の製造方法は、
　前記導体層を形成する工程の後、ロールツーロールにより前記めっきレジスト層の全体を露光する工程と、
　ロールツーロールにより前記全体が露光されためっきレジスト層を現像することにより、前記絶縁層上のめっきレジスト層を除去する工程とをさらに含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
前記導体層を形成する工程の後、前記めっきレジスト層の全体を露光する工程において、前記めっきレジスト層の露光量は５ｍＪ／ｃｍ^２以上である、請求項５記載の配線回路基板の製造方法。
前記絶縁層は、感光性ポリイミドからなる、請求項１～６のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
前記積層体を用意する工程の後、前記めっきレジスト層を形成する工程の前に、ロールツーロールにより前記絶縁層上にシード層を形成する工程をさらに含み、
　めっきレジスト層を形成する工程において、前記めっきレジスト層は、前記シード層を介して前記絶縁層上に形成され、
　前記導体層を形成する工程は、前記開口部内で露出するシード層上に電解めっきにより前記導体層を形成することを含む、請求項１～７のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。