WO2022202670A1 - 発光素子駆動装置、発光装置、および車両 - Google Patents

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昌昭 中山
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    • B60Q1/04—Arrangement of optical signalling or lighting devices, the mounting or supporting thereof or circuits therefor the devices being primarily intended to illuminate the way ahead or to illuminate other areas of way or environments the devices being headlights
    • B60Q1/14—Arrangement of optical signalling or lighting devices, the mounting or supporting thereof or circuits therefor the devices being primarily intended to illuminate the way ahead or to illuminate other areas of way or environments the devices being headlights having dimming means
    • B60Q1/1415—Dimming circuits

Definitions

  • the present disclosure relates to a light-emitting element driving device.
  • LEDs light emitting diodes
  • a conventional LED driving device is disclosed in Patent Document 1, for example.
  • the LED driving device of Patent Document 1 has a current setting section. An output current supplied to the LED is generated according to the reference current generated by the current setting unit.
  • the current setting unit is connected to a setting resistor and a negative characteristic thermistor that are externally attached to the LED driving device.
  • the current setting resistor and the negative characteristic thermistor are connected in parallel.
  • the current setting characteristic realized by the current setting unit is a positive characteristic (characteristic in which the reference current increases as the resistance value of the current setting resistor increases).
  • the light-emitting element driving device of Patent Document 2 includes a current driver that generates an output current flowing through a light-emitting element light source connected between a power supply voltage application terminal and a ground terminal, and the light-emitting element light source that is driven when the power supply voltage drops. and a bypass function unit that bypasses at least one of the plurality of constituent light emitting elements to reduce the number of series stages of the light emitting elements through which the output current flows. As a result, lighting of the light emitting element light source can be maintained even when the power supply voltage drops.
  • LEDs have the characteristic that the luminance drops significantly as the ambient temperature of the LEDs rises.
  • the output current is reduced as the temperature rises, so there is room for improvement in terms of LED brightness control.
  • the first object of the present disclosure is to provide a light-emitting element driving device capable of suppressing changes in luminance of light-emitting elements due to temperature changes.
  • the first object of the present disclosure is to provide a light-emitting element driving device having a bypass function that realizes suppression of abnormal lighting of the light-emitting element due to the occurrence of an open circuit by an effective configuration. 2 purpose.
  • a light-emitting element driving device includes: a first external terminal connectable to the first setting resistor; a second external terminal connectable to a negative characteristic first thermistor arranged around the light emitting element light source; a current setting unit that generates a set current based on the resistance value of the first set resistor; a current addition unit that generates an additional current having a negative characteristic with respect to the resistance value of the first thermistor; a current driver that generates an output current flowing through the light emitting element light source connected between a power supply voltage application terminal and a ground terminal based on a reference current that is the sum of the set current and the additional current; It is configured to have
  • a light-emitting element driving device includes: a current driver for generating an output current flowing through a light emitting element light source connected between a power supply voltage application terminal and a ground terminal; a first external terminal connectable to a node where the high potential side light source and the low potential side light source included in the light emitting element light source are connected in series; a bypass control unit configured to draw the output current from the first external terminal according to the power supply voltage and control the conduction state of a path bypassing the low-potential-side light source; a constant current source and a switch provided between the power supply voltage application terminal and the first external terminal; a comparator that compares the voltage of the first external terminal and an open detection threshold voltage and outputs a detection signal; a UVLO unit that compares the power supply voltage with a UVLO (Under Voltage Lock Out) threshold voltage and outputs a UVLO detection signal; a variable setting unit that variably sets the open detection threshold voltage and the UVLO threshold voltage in conjunction with
  • the light-emitting element driving device it is possible to suppress changes in brightness of the light-emitting elements due to temperature changes.
  • the light-emitting element driving device in the light-emitting element driving device having the bypass function, it is possible to suppress abnormal lighting of the light-emitting element due to the occurrence of an open circuit with an effective configuration.
  • FIG. 1 is a diagram showing the overall configuration of an LED light emitting device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing a specific internal configuration example of each of the current setting section and the current adding section.
  • FIG. 3 is a graph showing an example of the relationship between the LED ambient temperature and luminance for a red LED.
  • FIG. 4 is a graph showing an example of the relationship between the ambient temperature of the LED light source and the combined resistance value of the set resistor Rset_th and the thermistor TH1.
  • FIG. 5 is a graph showing an example of the relationship between the ambient temperature of the LED light source and the additional current Iadd corresponding to FIG.
  • FIG. 6 is a graph showing an example of the relationship between the ambient temperature of the LED light source and the reference current Iref corresponding to FIGS.
  • FIG. 7 is a plan view showing an example of a socket-type LED module.
  • FIG. 8 is an external view (front) showing an example of a vehicle in which the LED driving device is mounted.
  • FIG. 9 is an external view (rear view) showing an example of a vehicle in which the LED driving device is mounted.
  • FIG. 10 is a diagram showing the overall configuration of an LED light emitting device according to an exemplary embodiment;
  • FIG. 11 is a diagram showing an internal configuration example of the CR timer.
  • FIG. 12 is a diagram showing a case where no open occurs on the lower potential side than the node Nx.
  • FIG. 13 is a diagram showing a case where an open occurs on the lower potential side than the node Nx.
  • FIG. 12 is a diagram showing a case where no open occurs on the lower potential side than the node Nx.
  • FIG. 14 shows the operation when no open occurs on the lower potential side than the node Nx.
  • FIG. 15 is a diagram showing the operation when an open occurs on the lower potential side than the node Nx.
  • FIG. 16 is a diagram showing the first output current and the second output current.
  • FIG. 17 is a diagram showing a first configuration example of the variable setting section.
  • FIG. 18 is a diagram showing a second configuration example of the variable setting section.
  • FIG. 19 is a plan view showing a configuration example of a socket-type LED module.
  • FIG. 20 is an enlarged view of a wiring pattern example on a substrate.
  • FIG. 21 is an enlarged view of another example of the wiring pattern on the substrate.
  • FIG. 22 is an external view (front) showing an example of a vehicle in which the LED driving device is mounted.
  • FIG. 23 is an external view (rear view) showing an example of a vehicle in which the LED driving device is mounted.
  • FIG. 1 is a diagram showing the overall configuration of an LED light emitting device X1 according to an exemplary embodiment.
  • the LED light-emitting device X1 is an in-vehicle lamp that receives supply of the power supply voltage Vin from the battery B and lights. Examples of the LED light emitting device X1 include headlamps, daytime running lamps, tail lamps, stop lamps, turn lamps, and the like.
  • the battery is a power source for the vehicle in which the LED light emitting device X1 is mounted, and a lead-acid battery, a lithium ion battery, or the like is preferably used.
  • the LED light-emitting device X1 includes an LED driving device 5 and an LED light source 10, as well as various discrete components externally attached to the LED driving device 5, including setting resistors Rset, Rset_th, and thermistors TH1 and TH2.
  • the LED driving device 5 is a semiconductor integrated circuit device (a so-called LED driver IC) that operates by receiving power supply voltage Vin from the battery B and generates an output current Iout to be supplied to the LED light source 10 .
  • a semiconductor integrated circuit device a so-called LED driver IC
  • the LED driving device 5 has a VIN terminal, an OUT terminal, a THD terminal, a SET terminal, a SET_TH terminal, and a GND terminal as external terminals for establishing electrical connection with the outside.
  • the VIN terminal is connected to the application end of the power supply voltage Vin. That is, the LED driving device 5 is supplied with the power supply voltage Vin through the VIN terminal.
  • the LED light source 10 is an LED string composed of a plurality of LED chips (light emitting elements) connected in series.
  • the LED light source 10 may be composed of a single LED, or may be composed of LED chips connected in series and parallel.
  • the LED driving device 5 has, as an internal configuration, a current driver 1, a current setting section 2, a current adding section 3, and a constant current source 4, which are integrated.
  • the LED driving device 5 includes, in addition to the configuration shown in FIG. ) It has a light control unit that performs dimming, various abnormality detection units, an abnormality notification unit that notifies the abnormality to the outside, an internal power supply circuit that generates internal voltage, and a UVLO (Under Voltage Lock Out) unit.
  • the current driver 1 is provided between the VIN terminal and the OUT terminal.
  • the anode of the LED light source 10 is connected to the OUT terminal.
  • the cathode of the LED light source 10 is connected to ground.
  • the current driver 1 generates an output current Iout flowing through the LED light source 10 connected between the application terminal of the power supply voltage Vin and the ground terminal.
  • the current driver 1 performs constant current control of the output current Iout so that the output current Iout matches a predetermined target value.
  • the current driver 1 includes, for example, an output transistor provided on a current path through which the output current Iout flows, a sense resistor for converting the output current Iout into a feedback voltage, a feedback voltage and a reference voltage. and an error amplifier that linearly drives the output transistor so that Note that the target value of the output current Iout can be arbitrarily set according to the reference current Iref, which will be described later.
  • the current setting unit 2 generates a set current Iset.
  • the set current Iset is used to generate the reference current Iref. That is, the current setting unit 2 generates the set current Iset for setting the target value of the output current Iout.
  • the setting current Iset can be adjusted by adjusting the resistance value of the setting resistor Rset externally connected to the SET terminal.
  • a constant current source 4 is provided between the terminal for applying the internal voltage Vreg and the THD terminal.
  • a thermistor TH2 is externally connected to the THD terminal.
  • the thermistor TH2 is a negative characteristic thermistor.
  • a negative temperature coefficient thermistor has a characteristic that the higher the temperature, the smaller the resistance value.
  • the thermistor TH2 is arranged around the LED light source 10 .
  • the constant current source 4 supplies a constant current Ithd to the thermistor TH2 via the THD terminal, thereby generating a terminal voltage Vthd at the THD terminal.
  • the current setting unit 2 adjusts the set current Iset based on the terminal voltage Vthd. Thereby, temperature derating is performed to adjust the output current Iout according to the ambient temperature of the LED light source 10 .
  • the current addition unit 3 generates an additional current Iadd.
  • the reference current Iref is generated by synthesizing (summing) the set current Iset and the additional current Iadd.
  • a setting resistor Rset_th and a thermistor TH1 are connected in series between the SET_TH terminal and the ground terminal.
  • the thermistor TH ⁇ b>1 is a negative characteristic thermistor and is arranged around the LED light source 10 .
  • the current adder 3 adjusts the additional current Iadd based on the resistance value of the setting resistor Rset_th and the resistance value of the thermistor TH1 (that is, the combined resistance value of the setting resistor Rset_th and the thermistor TH1) and the terminal voltage Vthd. Therefore, the current addition unit 3 adjusts the output current Iout according to the ambient temperature of the LED light source 10 to perform brightness control and temperature derating of the LED light source 10 .
  • FIG. 2 is a diagram showing a specific internal configuration example of each of the current setting section 2 and the current adding section 3. As shown in FIG.
  • the current setting unit 2 has an output transistor 2A and an error amplifier 2B.
  • the output transistor 2A is arranged on the path through which the set current Iset flows, and is composed of an NMOS transistor (N-channel MOSFET).
  • the source of the output transistor 2A is connected to the SET terminal.
  • the node where the output transistor 2A and the SET terminal are connected is connected to the inverting input terminal (-) of the error amplifier 2B.
  • a non-inverting input terminal (+) of the error amplifier 2B is connected to the THD terminal.
  • the output terminal of the error amplifier 2B is connected to the gate of the output transistor 2A.
  • the current addition unit 3 has an output transistor 3A and an error amplifier 3B.
  • the output transistor 3A is arranged in the path through which the additional current Iadd flows, and is composed of an NMOS transistor.
  • the drain of the output transistor 3A is connected to the drain of the output transistor 2A.
  • the source of the output transistor 3A is connected to the SET_TH terminal.
  • a node where the output transistor 3A and the SET_TH terminal are connected is connected to the inverting input terminal (-) of the error amplifier 3B.
  • a non-inverting input terminal (+) of the error amplifier 3B is connected to the THD terminal.
  • the output terminal of the error amplifier 3B is connected to the gate of the output transistor 3A.
  • the voltage of the SET terminal is controlled so as to match the terminal voltage Vthd, so the set current Iset is represented by the following equation.
  • Iset Vthd/Rset
  • Vthd TH2 x Itd (TH2: resistance value of thermistor TH2)
  • the set current Iset has a negative characteristic with respect to the set resistor Rset (the characteristic that the set current Iset decreases as the resistance value of the set resistor Rset increases), and the set current Iset decreases with respect to the thermistor TH2 (terminal voltage Vthd). has a positive characteristic (characteristic that the set current Iset increases as the resistance value of the thermistor TH2 increases (as the terminal voltage Vthd increases)).
  • the additional current Iadd has a negative characteristic with respect to the resistance value of the thermistor TH1 (a characteristic in which the additional current Iadd decreases as the resistance value of the thermistor TH1 increases), and with respect to the thermistor TH2 (terminal voltage Vthd). has a positive characteristic (characteristic that the additional current Iadd increases as the resistance value of the thermistor TH2 increases (as the terminal voltage Vthd increases)).
  • the target value of the output current Iout is set larger as the reference current Iref is larger (positive characteristic with respect to the reference current Iref).
  • the additional current Iadd increases.
  • the additional current Iadd decreases. The additional current Iadd increases as the temperature rises.
  • FIG. 3 shows an example of the relationship between the LED ambient temperature (horizontal axis) and luminance (vertical axis) in the case of a red LED (assuming that the LED current is a predetermined constant value).
  • the luminance on the vertical axis is indicated by the ratio of the luminance to the luminance at 20°C.
  • Characteristics differ depending on the LED used, and two examples of characteristics are shown in FIG. 3 with a solid line and a dashed line. In this way, LEDs have the characteristic that the brightness drops significantly as the temperature rises. Therefore, by increasing the additional current Iadd as the ambient temperature of the LED light source 10 rises as described above, the reference current Iref and, in turn, the output current Iout can be increased to suppress the decrease in brightness.
  • FIG. 4 shows an example of the relationship between the ambient temperature of the LED light source 10 (LED ambient temperature) and the combined resistance value of the set resistor Rset_th and the thermistor TH1.
  • LED ambient temperature the ambient temperature
  • Rset_th the combined resistance value of the set resistor
  • thermistor TH1 the combined resistance value of the set resistor Rset_th and the thermistor TH1.
  • FIG. 5 shows an example of the relationship between the LED ambient temperature and the additional current Iadd corresponding to FIG.
  • the additional current Iadd increases as the temperature rises at low temperatures, but at high temperatures the change in the combined resistance value is suppressed as shown in FIG. increases, and the additional current Iadd decreases as the temperature increases.
  • the reference current Iref and, in turn, the output current Iout can be decreased at high temperatures as the temperature rises, and the heat generation of the LED light source 10 can be suppressed. Therefore, the life of the LED light source 10 can be extended.
  • FIG. 6 shows an example of the relationship between the LED ambient temperature and the reference current Iref corresponding to FIGS.
  • the higher the ambient temperature of the LED the smaller the resistance value of the thermistor TH2 and the smaller the set current Iset. Since the increasing change in the additional current Iadd with the increase in LED temperature is greater than the decreasing change in the set current Iset, the reference current Iref increases. However, when the ambient temperature around the LED is high, the additional current Iadd decreases as the temperature rises, as shown in FIG. As a result, the output current Iout can be reduced where the LED ambient temperature is high, and the heat generation of the LED light source 10 can be suppressed.
  • the non-inverting input terminal (+) of the error amplifier 3B in the current adding section 3 is not limited to the connection of the THD terminal, and may be connected to, for example, the application terminal of the internal voltage of a fixed value.
  • the additional current Iadd does not decrease when the LED ambient temperature is high, but the increase in the additional current Iadd is suppressed by using the setting resistor Rset_th.
  • FIG. 7 is a plan view showing a socket-type LED module Y as an example of realizing the LED light-emitting device X1 described so far.
  • the socket-type LED module Y of this configuration example is, for example, a vehicle-mounted lighting fixture, and includes a substrate 300 , an LED chip 400 , a white resin 480 , a reflector 600 , an LED driving device 5 , and a socket 900 .
  • the LED chip 400 shown in FIG. 7 shows the case where the number of LED chips constituting the LED light source 10 corresponding to the example of FIG. 1 is three, the number of LED chips is not limited to this. Further, in FIG. 7, the illustration of electronic components externally attached to the LED drive device 5 is omitted for the sake of convenience.
  • the substrate 300 has a base material and a wiring pattern formed thereon (see the hatched area in this figure).
  • the base material has a rectangular shape and is made of glass epoxy resin, for example.
  • the wiring pattern is a conductive member laid on the surface of the substrate for mounting the LED chip 400 and various electronic components, and is made of metal such as Cu or Ag, for example.
  • the LED driving device 5 and various external components are mounted on the upper surface of the substrate 300 .
  • Each electronic component is connected by wiring patterns laid on the upper and lower surfaces of the substrate 300 to form a circuit, and is for lighting the LED chip 400 in a desired light emission state.
  • the reflector 600 is made of, for example, white resin, and is fixed to the central region of the substrate 300 so as to surround the LED chip 400 .
  • the reflector 600 serves to reflect upward the light emitted sideways from the LED chip 400 .
  • a reflecting surface 601 is formed on the reflector 600 .
  • a reflective surface 601 surrounds the LED chip 400 .
  • the reflective surface 601 moves away from the LED chip 400 in the direction perpendicular to the thickness direction of the substrate 300 as the distance from the substrate 300 increases in the thickness direction of the substrate 300 .
  • the reflective surface 601 has a tapered shape in which the cross section orthogonal to the thickness direction of the substrate 300 becomes larger toward the opening side of the reflector 600 .
  • the white resin 480 is made of a white resin material that does not transmit light from the LED chip 400, and corresponds to an example of an opaque resin. As understood from FIG. 7 , the white resin 480 surrounds the LED chip 400 and its outer edge reaches the reflective surface 601 of the reflector 600 . Therefore, in FIG. 7, white resin 480 fills the area extending from LED chip 400 to reflecting surface 601 in the vertical and horizontal directions in the figure.
  • the socket 900 is a component for mounting the substrate 300 and attaching it to, for example, an automobile.
  • the socket 900 is made of synthetic resin, for example, and is formed by injection molding, for example.
  • the socket 900 has a mounting portion 910 for mounting the substrate 300 and a mounting portion for mounting on an automobile or the like.
  • the mounting portion 910 has a cylindrical shape with one opening, and the substrate 300 is mounted on the inner bottom surface of the mounting portion 910 .
  • a radiator plate 950 which is a circular plate made of aluminum, for example, is fixed to the inner bottom surface of the mounting portion 910 .
  • the substrate 300 is mounted on the mounting portion 910 of the socket 900 by bonding the lower surface to the upper surface of the heat sink 950 with an adhesive.
  • the white resin 480 covers the entire annular area from the supporting substrate of the LED chip 400 to the reflecting surface 601 of the reflector 600. Therefore, the area surrounded by the reflective surface 601 is covered with the white resin 480 except for the area occupied by the LED chip 400 . This makes it possible to reflect more light from the semiconductor layer of the LED chip 400 . This is suitable for increasing the brightness of the socket-type LED module Y. In addition, it is not necessary to perform a separate process for appropriately reflecting light on the area surrounded by the reflecting surface 601 of the substrate 300 .
  • the reflector 600 having the reflective surface 601 By providing the reflector 600 having the reflective surface 601, the direction directly above the socket-type LED module Y can be illuminated more brightly.
  • the LED chip 400 (LED light source 10) is provided in such a socket-type LED module Y
  • the ambient temperature around the LED light source 10 tends to rise. Therefore, the effect of suppressing the decrease in luminance due to the increase in the ambient temperature of the LED by controlling the luminance as in the LED driving device 5 of the present embodiment is important. Furthermore, the effect of suppressing heat generation of the LED light source 10 by performing temperature derating to reduce the output current Iout at a high LED ambient temperature as in the LED driving device 5 of the present embodiment is important.
  • the LED driving device 5 described so far includes, for example, headlamps (including high beam/low beam/small lamp/fog lamp, etc.) X11 of vehicle X10, daytime running lamps ( DRL [daylight running lamps]) X12, tail lamps (including small lamps or back lamps as appropriate) X13, stop lamps X14, turn lamps X15, and the like.
  • the LED driving device 5 may be provided as a module (such as the aforementioned socket-type LED module Y) together with the LED light source 10 to be driven, or may be provided as a single IC independently of the LED light source 10. It may be provided as a module (such as the aforementioned socket-type LED module Y) together with the LED light source 10 to be driven, or may be provided as a single IC independently of the LED light source 10. It may be provided as a module (such as the aforementioned socket-type LED module Y) together with the LED light source 10 to be driven, or may be provided as a single IC independently of the LED light source 10. It may be provided as a module (such as the aforementioned socket-type LED module Y) together with the LED light source 10 to be driven, or may be provided as a single IC independently of the LED light source 10. It may be provided as a module (such as the aforementioned socket-type LED module Y) together with the LED light source 10 to be driven, or may be provided as a single IC independently of
  • the configuration using an LED as a light emitting element was described as an example, but the configuration of the present invention is not limited to this, and the brightness decreases as the temperature rises.
  • the light-emitting element driving device (5) is a first external terminal (SET terminal) connectable to the first setting resistor (Rset); a second external terminal (SET_TH terminal) connectable to a negative characteristic first thermistor (TH1) arranged around the light emitting element light source (10); a current setting unit (2) that generates a set current (Iset) based on the resistance value of the first set resistor; a current adding section (3) for generating an additional current (Iadd) having a negative characteristic with respect to the resistance value of the first thermistor; Based on the reference current (Iref) which is the sum of the set current and the additional current, the output current (Iout) flowing through the light emitting element light source connected between the application terminal of the power supply voltage (Vin) and the ground terminal is determined.
  • a second setting resistor (Rset_th) connected in series with the first thermistor (TH1) can be connected to the second external terminal (SET_TH terminal), and the current addition
  • the unit may be configured to generate the additional current having a negative characteristic with respect to the combined resistance value of the first thermistor and the second set resistor (second configuration).
  • a third external terminal connectable to a second thermistor (TH2) having a negative characteristic disposed around the light emitting element light source, and a terminal connected to the third external terminal and a constant current source (4), wherein the current addition unit generates the additional current having a positive characteristic with respect to the terminal voltage (Vthd) of the third external terminal (the third configuration).
  • the current setting section may be configured to generate the set current having a positive characteristic with respect to the terminal voltage (fourth configuration).
  • the current setting unit includes a first output transistor (2A) arranged on a path through which the set current flows, a first terminal of the first output transistor and the first external terminal (SET terminal), a second input terminal connected to the application terminal of the terminal voltage (Vthd), and a control terminal of the first output transistor. and a first error amplifier (2B) including an output terminal (fifth configuration).
  • the current adding section includes a second output transistor (3A) arranged on a path through which the additional current flows, and a first end of the second output transistor. a first input terminal connected to a second node connected to the second external terminal (SET_TH terminal), a second input terminal connected to a reference voltage (Vthd) application terminal, and the second output transistor and a second error amplifier (3B) including a second error amplifier (3B) (sixth configuration).
  • a third external terminal connectable to a negative characteristic second thermistor (TH2) arranged around the light emitting element light source, and a terminal connected to the third external terminal a constant current source (4), wherein a second setting resistor (Rset_th) connected in series with the first thermistor is connectable to the second external terminal (SET_TH terminal);
  • the reference voltage may be the terminal voltage (Vthd) of the third external terminal (seventh configuration).
  • the light-emitting device (X1) includes a light-emitting element driving device (5) having any one of the first to seventh configurations and the light-emitting element light source (10) ( eighth configuration).
  • the light emitting element light source may be an LED light source (ninth configuration).
  • vehicle (X10) is configured to have the light emitting device having any one of the eighth to tenth configurations.
  • FIG. 10 is a diagram showing the overall configuration of an LED light emitting device X1 according to an exemplary embodiment.
  • the LED light-emitting device X1 is an in-vehicle lamp that lights when supplied with a power supply voltage Vin from a battery (not shown). Examples of the LED light emitting device X1 include headlamps, daytime running lamps, tail lamps, stop lamps, turn lamps, and the like.
  • the battery is a power source for the vehicle in which the LED light emitting device X1 is mounted, and a lead-acid battery, a lithium ion battery, or the like is preferably used.
  • the LED light emitting device X1 includes an LED driving device 15 and an LED light source 200.
  • the LED driving device 15 is a semiconductor integrated circuit device (a so-called LED driver IC) that operates by receiving supply of the power supply voltage Vin from the battery and generates an output current Iout to be supplied to the LED light source 200 .
  • the LED driving device 15 has a VIN terminal, an OUT terminal, an ISINK terminal, a CRT terminal, a DISC terminal, and a CNT terminal as external terminals for establishing electrical connection with the outside.
  • the VIN terminal is connected to the application end of the power supply voltage Vin. That is, the LED driving device 15 receives supply of the power supply voltage Vin via the VIN terminal.
  • the LED light source 200 is an LED string composed of a plurality of LED chips (light emitting elements) connected in series.
  • the LED light source 200 is divided into a high potential side LED 201 (high potential side light source) and a low potential side LED 202 (low potential side light source).
  • the low potential side LED 202 is composed of at least one LED chip. In the example shown in FIG. 10, the low potential side LED 202 consists of two LED chips connected in series. The cathode of the low potential side LED 202 is connected to the ground terminal. On the other hand, the node Nx where the cathode of the high potential side LED 201 and the anode of the low potential side LED 202 are connected is connected to the ISINK terminal, the reason for which will be described later.
  • the LED driving device 15 has an internal configuration including a current driver 1, a UVLO section 2, a control logic section 3, a bypass control section 4, a constant current circuit 5, a comparator 6, a constant current source 7, and a switch 8. , a CR timer 9 and a variable setting unit 10 are integrated.
  • the LED driving device 15 includes, in addition to the configuration shown in FIG. and an output current setting unit for setting the output current Iout.
  • the abnormality detection unit includes an LED open detection unit that detects open of the LED light source 200 based on the voltage of the OUT terminal, an output ground fault detection unit that detects a ground fault of the OUT terminal based on the voltage of the OUT terminal, a temperature protection circuit ( TSD), etc.
  • the current driver 1 performs constant current control of the output current Iout so that the output current Iout flowing through the LED light source 200 matches a predetermined target value.
  • the current driver 1 has an error amplifier 1A, a sense resistor 1B and a PMOS transistor 1C.
  • One end of the sense resistor 1B is connected to the application end of the power supply voltage Vin.
  • the other end of the sense resistor 1B is connected to the inverting input terminal (-) of the error amplifier 1A and to the source of the PMOS transistor 1C.
  • the non-inverting input terminal (+) of the error amplifier 1A is connected to the application terminal of the reference voltage.
  • the output terminal of the error amplifier 1A is connected to the gate of the PMOS transistor 1C.
  • the drain of the PMOS transistor 1C is connected to the OUT terminal.
  • a UVLO (Under Voltage Lock Out) unit 2 is a circuit that detects a voltage drop in the power supply voltage Vin.
  • the UVLO unit 2 compares the power supply voltage Vin and the UVLO threshold voltage Vin_UVLO, and outputs a UVLO detection signal Suvlo as a comparison result.
  • the control logic unit 3 is the main body that controls the overall operation of the LED driving device 15 .
  • the control logic unit 3 performs stop control of the output current Iout according to the detection results obtained by various abnormality detection units (LED open detection unit, output ground fault detection unit, temperature protection circuit, etc.), or
  • the notification unit is caused to perform notification to the outside.
  • FIG. 11 is a diagram showing an internal configuration example of the CR timer 9. As shown in FIG. The CR timer 9 is configured to enable PWM dimming by connecting external components (capacitor Ccrt, resistor Rcrt) to the CRT terminal and the DISC terminal.
  • external components capacitor Ccrt, resistor Rcrt
  • the CRT timer 9 has a constant current source 9A, a switch 9B, a comparator 9C, a comparator 9D, a NOR circuit 9E, an NMOS transistor 9F, and an NMOS transistor 9G.
  • One end of a capacitor Ccrt is externally connected to the CRT terminal.
  • One end of a resistor Rcrt is also connected to the CRT terminal.
  • the other end of the resistor Rcrt is connected to the DISC terminal.
  • the comparator 9C compares the voltage of the CRT terminal with the reference voltage Vcrt_dis1.
  • a constant current source 9A and a switch 9B are provided between the terminal to which the internal voltage Vreg is applied and the CRT terminal.
  • the internal voltage Vreg is generated by an internal voltage source (not shown) based on the power supply voltage Vin.
  • the switch 9B is turned on and off according to the output of the comparator 9C.
  • the comparator 9D compares the voltage of the CRT terminal and the reference voltage Vcrt_dis2 (>Vcrt_dis1).
  • One input terminal of the NOR circuit 9E is connected to the output terminal of the comparator 9C.
  • the other input terminal of the NOR circuit 9E is connected to the output terminal of the comparator 9D.
  • the drain of the NMOS transistor 9F is connected to the DISC terminal.
  • the source of NMOS transistor 9F is connected to the ground terminal.
  • the gate of NMOS transistor 9F is connected to the output terminal of NOR circuit 9E.
  • the drain of the NMOS transistor 9G is connected to the DISC terminal.
  • the source of NMOS transistor 9G is connected to the ground terminal.
  • the gate of NMOS transistor 9G is connected to the output terminal of comparator 9D.
  • a switch SWdc is arranged between the battery B that generates the power supply voltage Vin and the CRT terminal.
  • the switch SWdc is turned off. In this case, a triangular wave is generated at the CRT terminal.
  • the PWM dimming signal Spwm output from the comparator 9C is generated in a pulse shape.
  • the control logic unit 3 generates an LED-on signal Sled_on based on the PWM dimming signal Spwm, and controls the current driver 1 on and off.
  • the current driver 1 that is, the output current Iout
  • the current driver 1 that is, the output current Iout
  • the frequency and on-duty of PWM dimming can be arbitrarily set by adjusting the resistance value of resistor Rcrt and the capacitance value of capacitor Ccrt.
  • the switch SWdc when used in the DC dimming mode, the switch SWdc is turned on to apply the power supply voltage Vin to the CRT terminal.
  • the PWM dimming signal Spwm is fixed at Low level and the current driver 1 is kept on.
  • the output of the comparator 9D is set to High level, and the NMOS transistor 9F is turned off and the NMOS transistor 9G is turned on. state can be switched. Since the NMOS transistor 9G has a higher on-resistance than the NMOS transistor 9F, the power consumption of the IC can be suppressed by reducing the inflow current to the DISC terminal.
  • the bypass control unit 4 and the constant current circuit 5 constitute a bypass function unit.
  • the constant current circuit 5 has an error amplifier 5A, an NMOS transistor 5B, and a sense resistor 5C.
  • the drain of the NMOS transistor 5B is connected to the ISINK terminal.
  • the source of NMOS transistor 5B is connected to one end of sense resistor 5C.
  • the other end of the sense resistor 5C is connected to the ground terminal.
  • a node where the NMOS transistor 5B and the sense resistor 5C are connected is connected to the inverting input terminal (-) of the error amplifier 5A.
  • a reference voltage application terminal is connected to the non-inverting input terminal (+) of the error amplifier 5A.
  • the bypass control unit 4 performs on/off control of the constant current circuit 5 .
  • the constant current circuit 5 When the constant current circuit 5 is in the ON state, the output current Iout flows through the high potential side LED 201 and is drawn into the constant current circuit 5 from the ISINK terminal. That is, the low potential side LED 202 is bypassed.
  • the low-potential-side LED 202 is bypassed to reduce the number of series stages of the LED chips through which the output current Iout flows. 200 lighting can be maintained.
  • the output current Iout flows through the high potential side LED 201 and the low potential side LED 202 in order, and all the LED chips in the LED light source 200 are lit. do.
  • Open detection function> When the power supply voltage Vin rises (at the start of the power supply voltage Vin), the constant current circuit 5 is turned on during a period when the power supply voltage Vin is low, thereby bypassing the low potential side LED 202 and lighting the high potential side LED 201, After that, when the power supply voltage Vin increases, control is performed to switch the constant current circuit 5 to the off state. However, if an open occurs on the low potential side of the node Nx (including an open at the low potential side LED 202), and the constant current circuit 5 is in the off state, the output current Iout will not flow. lights out. In such a case, when seen by human eyes, the LED light source 200 turns on momentarily and then turns off. Therefore, the LED driving device 15 according to the present embodiment is provided with a function (open detection function) for detecting the occurrence of an open on the lower potential side than the node Nx.
  • a function open detection function
  • the comparator 6 is provided for the open detection function as described above.
  • a non-inverting input terminal (+) of the comparator 6 is connected to the ISINK terminal.
  • the inverting input terminal (-) of the comparator 6 is connected to the application terminal of the open detection threshold voltage Vth_op.
  • the comparator 6 compares the voltage of the ISINK terminal and the open detection threshold voltage Vth_op, and outputs a detection signal Sdet as a comparison result to the bypass control section 4 .
  • a constant current source 7 and a switch 8 are also provided for the open detection function.
  • a constant current source 7 and a switch 8 are provided between the terminal for applying the power supply voltage Vin and the ISINK terminal.
  • the bypass controller 4 keeps the constant current circuit 5 in an off state.
  • the UVLO signal Suvlo indicating UVLO cancellation is output from the UVLO unit 2 .
  • the bypass control unit 4 switches the switch 8 to the on state when the UVLO signal Suvlo indicates UVLO cancellation and the LED-on signal Sled_on indicates on.
  • the low potential side LED 202 is driven by the constant current Imoni (broken line arrow) via the switch 8 and the ISINK terminal which are turned on. ) flows.
  • the open detection threshold voltage Vth_op is set to a voltage higher than the voltage of the ISINK terminal.
  • the comparator 6 determines that the voltage of the ISINK terminal is lower than the open detection threshold voltage Vth_op, and outputs a low-level detection signal Sdet indicating that no open has occurred.
  • the bypass control unit 4 switches the constant current circuit 5 to the ON state.
  • the low potential side LED 202 is bypassed, the output current Iout is drawn from the high potential side LED 201 to the ISINK terminal, and the high potential side LED lights up.
  • the bypass control unit 4 switches the constant current circuit 5 to the OFF state, thereby canceling the bypass, and the output current Iout flows through the high potential side LED 201 and the low potential side LED 202, and the LED light source 200 all the LED chips in the light up.
  • the capacitive element Csink is an EMC (Electromagnetic Compatibility) test countermeasure element externally connected to the ISINK terminal.
  • the EMC test is a BCI (Bulk Current Injection) test that injects noise into the power supply line, and the capacitive element Csink is provided to suppress fluctuations in the voltage of the ISINK terminal during the test.
  • a comparator 6 compares the voltage of the ISINK terminal generated by the charging and the open detection threshold voltage Vth_op. Since the voltage of the ISINK terminal becomes higher than the open detection threshold voltage Vth_op, the comparator 6 outputs a high-level detection signal Sdet indicating the occurrence of an open.
  • the open detection threshold voltage Vth_op must be less than or equal to the UVLO threshold voltage Vin_UVLO.
  • the level of the PWM dimming signal Spwm output from the CR timer 9 is fixed, and the LED-on signal Sled_on indicates ON when the UVLO is canceled.
  • the voltage of the ISINK terminal does not exceed the power supply voltage Vin. Therefore, if the open detection threshold voltage Vth_op is higher than the UVLO threshold voltage Vin_UVLO, the voltage of the ISINK terminal is lower than the open detection threshold voltage Vth_op, and the comparator This is because there is a risk of erroneous detection if an open does not occur according to 6.
  • the bypass control unit 4 determines whether the ISINK terminal is open based on the detection signal Sdet that is output from the comparator 6, and the voltage at the ISINK terminal increases from the open detection threshold voltage Vth_op due to charging. must wait for the waiting time required for the The required waiting time Twait must satisfy the condition of the following formula (1).
  • C Cled+Csink
  • bypass control unit 4 After the bypass control unit 4 waits for the waiting time Twait, it determines whether it is open. As a result, momentary lighting of the high-potential-side LED 201 due to the occurrence of an open can be avoided.
  • the operation when the power supply voltage Vin is started will be described.
  • the waveforms of the power supply voltage Vin, the constant current Imoni, the voltage Vsink of the ISINK terminal, the output current Iout, the first output current Ia, and the second output current Ib are shown in order from the top.
  • the first output current Ia is the output current flowing through the path from the node Nx to the ISINK terminal
  • the second output current Ib is the path from the node Nx to the low potential side LED 202.
  • the open detection threshold voltage Vth_op is equal to or lower than the UVLO threshold voltage Vin_UVLO.
  • FIG. 14 is a diagram showing the operation when no open occurs on the lower potential side than the node Nx. Note that FIG. 14 and FIG. 15 described later show the case of the DC dimming mode.
  • FIG. 15 shows the operation when an open occurs on the lower potential side than the node Nx.
  • the power supply voltage Vin rises from 0V and becomes equal to or higher than the UVLO threshold voltage Vin_UVLO (timing t11)
  • Vin_UVLO threshold voltage
  • the UVLO is released and the LED-on signal Sled_on indicates on, so the switch 8 is turned on immediately. state can be switched.
  • Vsink exceeds the open detection threshold voltage Vth_op.
  • the bypass control unit 4 determines that an open state has occurred based on the detection signal Sdet, turns off the switch 8, and maintains the off state of the constant current circuit 5.
  • the output current Iout does not flow, and the high-potential-side LED 201 does not light.
  • variable setting section 10 Next, the variable setting section 10 will be described.
  • the number of LED chips forming the low potential side LED 202 may change. For example, although the number is two in FIG. 1, it may be, for example, three. In this case, the total forward voltage of the low potential side LEDs 202 changes according to the change in the number.
  • the open detection threshold voltage Vth_op needs to be set higher than the total forward voltage of the low potential side LED 202. Therefore, the open detection threshold voltage Vth_op is determined according to the number of LED chips forming the low potential side LED 202. It is necessary to change the threshold voltage Vth_op.
  • the UVLO threshold voltage Vin_UVLO since the UVLO threshold voltage Vin_UVLO must be equal to or higher than the open detection threshold voltage Vth_op, it is necessary to change the open detection threshold voltage Vth_op in accordance with the change in the open detection threshold voltage Vth_op as described above. .
  • the waiting time Twait it is necessary to change the waiting time Twait according to the change in the open detection threshold voltage Vth_op.
  • the capacitive element Csink is not essential and may be omitted.
  • the waiting time Twait may be a fixed value.
  • variable setting unit 10 sets the open detection threshold voltage Vth_op, the UVLO threshold voltage Vin_UVLO, and the waiting time Twait in the bypass control unit 4 according to the number of LED chips that constitute the low potential side LED 202. It is supposed to be interlocked and variably set.
  • the variable setting unit 10 performs variable setting using the CNT terminal.
  • the variable setting unit 10 detects, for example, two patterns of open/GND (ground potential) application to the CNT terminal, and variably sets according to the detection result.
  • variable setting unit 10 detects, for example, three patterns of application of the power supply voltage Vin/open/GND to the CNT terminal, and variably sets according to the detection result.
  • FIG. 17 is a diagram showing a configuration example of the variable setting section 10 configured to detect the above three patterns.
  • the variable setting section 10 has comparators 10A, 10B, 10C and a constant current source 10D.
  • the non-inverting input terminal (+) of the comparator 10A is connected to the CNT terminal.
  • the inverting input terminal (-) of the comparator 10A is connected to the application terminal of the reference voltage V1.
  • the inverting input terminal (-) of the comparator 10B is connected to the CNT terminal.
  • the non-inverting input terminal (+) of the comparator 10B is connected to the application terminal of the reference voltage V2.
  • the inverting input terminal (-) of the comparator 10C is connected to the CNT terminal.
  • the non-inverting input terminal (+) of the comparator 10C is connected to the application terminal of the reference voltage V3.
  • a constant current source 10D is provided between the terminal to which the internal voltage Vdd is applied and the CNT terminal.
  • the reference voltage V1 is set to a voltage value slightly higher than 0V (for example, 0.6V).
  • the reference voltage V3 is set to a voltage slightly lower than the power supply voltage Vin (for example, VIN-1V).
  • FIG. 18 is a diagram showing another configuration example of the variable setting unit 10. As shown in FIG. In the configuration shown in FIG. 18, the variable setting section 10 has a constant current source 10E.
  • the constant current source 10E is provided between the application terminal of the internal voltage Vdd and the CNT terminal.
  • a setting resistor Rcnt is externally connected to the CNT terminal.
  • Icnt constant current value by the constant current source 10E.
  • FIG. 19 is a plan view showing a socket-type LED module Y as an example of the LED light-emitting device X1 described above.
  • the socket-type LED module Y of this configuration example is, for example, a vehicle-mounted lighting fixture, and includes a substrate 300 , an LED chip 400 , a white resin 480 , a reflector 600 , an LED driving device 15 , and a socket 900 .
  • the LED chip 400 shown in FIG. 19 is shown as a case in which the number of LED chips constituting the LED light source 200 is three, but the number of LED chips is not limited to this (the number of LED chips in the example of FIG. number is 4).
  • electronic components externally attached to the LED driving device 15 are omitted for convenience.
  • the substrate 300 has a base material and a wiring pattern formed thereon (see the hatched area in this figure).
  • the base material has a rectangular shape and is made of glass epoxy resin, for example.
  • the wiring pattern is a conductive member laid on the surface of the substrate for mounting the LED chip 400 and various electronic components, and is made of metal such as Cu or Ag, for example.
  • the LED driving device 15 and various external components are mounted on the upper surface of the substrate 300 .
  • Each electronic component is connected by wiring patterns laid on the upper and lower surfaces of the substrate 300 to form a circuit, and is for lighting the LED chip 400 in a desired light emission state.
  • the reflector 600 is made of, for example, white resin, and is fixed to the central region of the substrate 300 so as to surround the LED chip 400 .
  • the reflector 600 serves to reflect upward the light emitted sideways from the LED chip 400 .
  • a reflecting surface 601 is formed on the reflector 600 .
  • a reflective surface 601 surrounds the LED chip 400 .
  • the reflective surface 601 moves away from the LED chip 400 in the direction perpendicular to the thickness direction of the substrate 300 as the distance from the substrate 300 increases in the thickness direction of the substrate 300 .
  • the reflective surface 601 has a tapered shape in which the cross section orthogonal to the thickness direction of the substrate 300 becomes larger toward the opening side of the reflector 600 .
  • the white resin 480 is made of a white resin material that does not transmit light from the LED chip 400, and corresponds to an example of an opaque resin. As understood from FIG. 19 , the white resin 480 surrounds the LED chip 400 and its outer edge reaches the reflective surface 601 of the reflector 600 . For this reason, in FIG. 19, white resin 480 fills the area extending from LED chip 400 to reflective surface 601 in the vertical and horizontal directions in the figure.
  • the socket 900 is a component for mounting the substrate 300 and attaching it to, for example, an automobile.
  • the socket 900 is made of synthetic resin, for example, and is formed by injection molding, for example.
  • the socket 900 has a mounting portion 910 for mounting the substrate 300 and a mounting portion for mounting on an automobile or the like.
  • the mounting portion 910 has a cylindrical shape with one opening, and the substrate 300 is mounted on the inner bottom surface of the mounting portion 910 .
  • a radiator plate 950 which is a circular plate made of aluminum, for example, is fixed to the inner bottom surface of the mounting portion 910 .
  • the substrate 300 is mounted on the mounting portion 910 of the socket 900 by bonding the lower surface to the upper surface of the heat sink 950 with an adhesive.
  • the white resin 480 covers the entire annular area from the supporting substrate of the LED chip 400 to the reflecting surface 601 of the reflector 600. Therefore, the area surrounded by the reflective surface 601 is covered with the white resin 480 except for the area occupied by the LED chip 400 . This makes it possible to reflect more light from the semiconductor layer of the LED chip 400 . This is suitable for increasing the brightness of the socket-type LED module Y. In addition, it is not necessary to perform a separate process for appropriately reflecting light on the area surrounded by the reflecting surface 601 of the substrate 300 .
  • the reflector 600 having the reflective surface 601 By providing the reflector 600 having the reflective surface 601, the direction directly above the socket-type LED module Y can be illuminated more brightly.
  • in-vehicle lamps are required to comply with regulations that must maintain the lighting state even when the power supply voltage Vin drops.
  • the LED driving device 15 having a bypass function is very suitable as a driving main body for an in-vehicle lamp.
  • FIG. 20 is an enlarged view of an example wiring pattern on the substrate 300.
  • the wiring pattern shown in FIG. 20 includes a ground wiring 301 forming a so-called solid ground and a plurality of terminal wirings 302 arranged around the ground wiring 301 .
  • the heat radiation pad 150 formed on the bottom surface of the LED driving device 15 is electrically connected to the ground wiring 301 .
  • Each external terminal in the LED driving device 15 is electrically connected to each terminal wiring.
  • a terminal wiring 302A shown in FIG. 20 is electrically connected to a CNT terminal of the LED driving device 15.
  • FIG. 302 A of terminal wirings are integrated with the ground wiring 301, and it becomes possible to apply GND to a CNT terminal.
  • FIG. 21 is an enlarged view of another example of the wiring pattern on the substrate 300.
  • the wiring pattern shown in FIG. 21 includes terminal wiring 302B and terminal wiring 302C.
  • Terminal wiring 302C is not a terminal wiring adjacent to terminal wiring 302B.
  • Terminal wiring 302B is electrically connected to the CNT terminal of LED driving device 15 .
  • the terminal wiring 302C is electrically connected to the VIN terminal of the LED driving device 15 .
  • the terminal wiring 302B is connected to the terminal wiring 302C and the connection wiring 302D in order to apply the power supply voltage Vin to the CNT terminal.
  • the connection wiring 302D extends in the horizontal direction along which the terminal wiring 302 (the external terminal of the LED driving device 15) is arranged.
  • the substrate 300 is small in size, and there is a possibility that a component P (resistor, etc.) is arranged where the connection wiring 302D is to be provided, and the connection wiring 302D cannot be provided. In some cases. That is, there is a possibility that the power supply voltage Vin cannot be applied to the CNT terminal.
  • the socket-type LED module Y it is easy to integrate the terminal wiring 302A for GND with the ground wiring 301 even if the size of the substrate 300 is small. Therefore, in the socket-type LED module Y, it is particularly easy to apply the LED driving device 15 provided with the variable setting section 10 configured to detect the two patterns of open/GND application to the CNT terminal.
  • the variable setting unit 10 When the variable setting unit 10 is configured to detect the three patterns of application of the power supply voltage Vin/open/GND to the CNT terminal described above, the power supply voltage Vin is applied to the CNT terminal as described above.
  • the most frequently used number for example, one
  • the second most frequently used number is GND.
  • the power supply voltage Vin may be applied to the CNT terminal.
  • the LED driving device 15 described so far includes, for example, headlamps (high beam/low beam/small lamps/fog lamps, etc.) X11 of vehicle X10, daytime running lamps ( DRL [daylight running lamps]) X12, tail lamps (including small lamps or back lamps as appropriate) X13, stop lamps X14, turn lamps X15, and the like.
  • the LED driving device 15 may be provided as a module (such as the aforementioned socket-type LED module Y) together with the LED light source 200 to be driven, or may be provided as a single IC independent of the LED light source 200. It may be
  • the configuration using a light-emitting diode as a light-emitting element was described as an example, but the configuration of the present invention is not limited to this. electro-luminescence) elements can also be used.
  • the light-emitting element driving device (15) is a current driver (1) for generating an output current (Iout) flowing through a light emitting element light source (200) connected between a supply voltage (Vin) application terminal and a ground terminal; a first external terminal (ISINK terminal) connectable to a node (Nx) where a high potential side light source (201) and a low potential side light source (202) included in the light emitting element light source are connected in series; a bypass control unit (4) for controlling, in accordance with the power supply voltage, the conduction state of a path for drawing the output current from the first external terminal and bypassing the low-potential-side light source; a constant current source (7) and a switch (8) provided between the power supply voltage application terminal and the first external terminal; a comparator (6) that compares the voltage of the first external terminal and an open detection threshold voltage (Vth_op) and outputs a detection signal; a UVLO unit (2) that compares the
  • variable setting unit sets the open detection threshold voltage as the wait time (Twait) for waiting from when the bypass control unit switches the switch to the ON state to when the open determination is performed. It may be configured to be variably set in conjunction with the UVLO threshold voltage (13th configuration).
  • the waiting time may be set in consideration of the capacitance of an EMC test countermeasure capacitive element (Csink) externally connectable to the first external terminal (the fourteenth configuration). Constitution).
  • Csink EMC test countermeasure capacitive element
  • the bypass control unit determines that the UVLO detection signal indicates UVLO cancellation and the light emitting element ON signal (Sled_on) turns on the light emitting element light source.
  • the switch may be turned on (a fifteenth configuration).
  • a capacitor (Ccrt) and a resistor (Rcrt) can be externally connected, and a triangular wave and a pulse signal corresponding to the triangular wave are generated based on charging of the capacitor and discharging from the capacitor through the resistor.
  • a CR timer (9) that generates a PWM dimming signal (Spwm) that is the current driver is on/off controlled based on the PWM dimming signal;
  • the light emitting element ON signal is a signal based on the PWM dimming signal,
  • the CR timer may be configured to generate the PWM dimming signal with a fixed level in the DC dimming mode (sixteenth configuration).
  • a second external terminal (CNT terminal) is further provided, and the variable setting section performs variable setting according to application of a signal to the second external terminal.
  • CNT terminal CNT terminal
  • a configuration may also be used (17th configuration).
  • variable setting unit detects two patterns of application of open/GND (ground potential) to the second external terminal, and performs variable setting according to the detection result. (18th configuration).
  • variable setting unit detects three patterns of application of the power supply voltage/open/GND (ground potential) to the second external terminal, and performs variable setting according to the detection result. (19th configuration).
  • variable setting unit has a constant current source (10E), and a setting resistor ( Rcnt) to perform variable setting based on the voltage generated at the second external terminal (twentieth configuration).
  • the light-emitting device (X1) includes a light-emitting element driving device (15) having any one of the first to ninth configurations and the light-emitting element light source (200) ( 21st configuration).
  • the light emitting element light source may be an LED light source (22nd configuration).
  • a substrate (300) provided with a wiring pattern for mounting the light emitting element light source and the light emitting element driving device, a socket (900) for mounting the substrate, (23rd configuration).
  • the light-emitting element driving device has a second external terminal (CNT terminal) and a heat dissipation pad (150) provided on the bottom surface
  • the wiring pattern has a terminal wiring (302A) electrically connected to the second external terminal, and a ground wiring (301) integrated with the terminal wiring and electrically connected to the heat dissipation pad.
  • the variable setting unit may detect two patterns of open/GND (ground potential) application to the second external terminal and perform variable setting according to the detection result (24th configuration).
  • vehicle (X10) is configured to have the light emitting device (X1) having any one of the 21st to 24th configurations.
  • the present disclosure can be used, for example, in a vehicle-mounted light-emitting element driving device.
  • LED driving device 10 LED light source 300 substrate 400 LED chip 480 white resin 600 reflector 601 reflective surface 900 socket 910 Mounting part 950 Heat sink B Battery Rset, Rset_th Setting resistors TH1, TH2 Thermistor X1 LED light emitting device X10 Vehicle X11 Head lamp X12 Daytime running lamp X13 Tail lamp X14 Stop lamp X15 Turn lamp Y Socket type LED module

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Abstract

発光素子駆動装置（５）は、第１設定抵抗（Ｒｓｅｔ）に接続可能な第１外部端子（ＳＥＴ端子）と、発光素子光源（１０）の周囲に配置される負特性の第１サーミスタ（ＴＨ１）に接続可能な第２外部端子（ＳＥＴ_ＴＨ端子）と、前記第１設定抵抗の抵抗値に基づき設定電流（Ｉｓｅｔ）を生成する電流設定部（２）と、前記第１サーミスタの抵抗値に対して負特性の追加電流（Ｉａｄｄ）を生成する電流追加部（３）と、前記設定電流と前記追加電流との総和である基準電流（Ｉｒｅｆ）に基づき、電源電圧（Ｖｉｎ）の印加端と接地端との間に接続された前記発光素子光源に流れる出力電流（Ｉｏｕｔ）を生成する電流ドライバ（１）と、を有する。

Description

発光素子駆動装置、発光装置、および車両
　本開示は、発光素子駆動装置に関する。
　従来、ＬＥＤ（light  emitting  diode；発光ダイオード）などの発光素子を駆動する発光素子駆動装置が様々に開発されている。
　従来のＬＥＤ駆動装置は、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１のＬＥＤ駆動装置は、電流設定部を有する。電流設定部により生成される基準電流に応じて、ＬＥＤに供給される出力電流が生成される。電流設定部は、ＬＥＤ駆動装置の外部に外付けされる設定抵抗と負特性サーミスタと接続される。電流設定抵抗と負特性サーミスタは、並列に接続される。電流設定部で実現される電流設定特性は、正特性（電流設定抵抗の抵抗値を大きくするほど、基準電流が高くなる特性）である。これにより、サーミスタの周囲が高温になるほど基準電流を低下させることができるので、出力電流の温度ディレーティングを行うことが可能となる。
　また、従来の発光素子駆動装置は、例えば特許文献２に開示されている。特許文献２の発光素子駆動装置は、電源電圧の印加端と接地端との間に接続された発光素子光源に流れる出力電流を生成する電流ドライバと、上記電源電圧の低下時に上記発光素子光源を構成する複数の発光素子の少なくとも一つをバイパスして上記出力電流が流れる発光素子の直列段数を減らすバイパス機能部と、を有している。これにより、電源電圧が低下しても発光素子光源の点灯を維持することができる。
特開２０１２－７１７１２号公報 国際公開第２０１９／１８７２７９号
　しかしながら、ＬＥＤは、ＬＥＤの周囲温度の上昇に伴って輝度が大幅に低下する特性を有する。従来のＬＥＤ駆動装置の温度ディレーティングでは、温度上昇に伴い出力電流を低下させるため、ＬＥＤの輝度制御の点で改善の余地があった。
　上記状況に鑑み、本開示は、温度変化に対する発光素子の輝度変化を抑制することができる発光素子駆動装置を提供することを第１の目的とする。
　また、上記従来の発光素子駆動装置では、電源電圧の起動時には、電源電圧が低いときにバイパス機能部によりバイパスが行われ、その後、電源電圧が高くなると、バイパスが解除される。しかしながら、仮にバイパス対象の発光素子にオープンが生じている場合、バイパスされているときは、パイパス対象以外の発光素子に電流が流れて当該発光素子が点灯するが、その後、バイパスが解除されると当該発光素子に電流が流れなくなり、当該発光素子が消灯する。これにより、人の目には、電源電圧の起動時に発光素子が瞬間的に点灯した後、消灯するように見えてしまい、望ましくない。
　上記状況に鑑み、本開示は、バイパス機能を有する発光素子駆動装置において、オープン発生に起因する発光素子の異常な点灯の抑制を効果的な構成により実現する発光素子駆動装置を提供することを第２の目的とする。
　例えば、本開示の一態様に係る発光素子駆動装置は、
　第１設定抵抗に接続可能な第１外部端子と、
　発光素子光源の周囲に配置される負特性の第１サーミスタに接続可能な第２外部端子と、
　前記第１設定抵抗の抵抗値に基づき設定電流を生成する電流設定部と、
　前記第１サーミスタの抵抗値に対して負特性の追加電流を生成する電流追加部と、
　前記設定電流と前記追加電流との総和である基準電流に基づき、電源電圧の印加端と接地端との間に接続された前記発光素子光源に流れる出力電流を生成する電流ドライバと、
　を有する構成としている。
　また、例えば、本開示の一態様に係る発光素子駆動装置は、
　電源電圧の印加端と接地端との間に接続された発光素子光源に流れる出力電流を生成する電流ドライバと、
　前記発光素子光源に含まれる高電位側光源と低電位側光源とが直列に接続されるノードに接続可能な第１外部端子と、
　前記電源電圧に応じて、前記第１外部端子から前記出力電流を引き込んで前記低電位側光源をバイパスする経路の導通状態を制御するバイパス制御部と、
　前記電源電圧の印加端と前記第１外部端子との間に設けられる定電流源およびスイッチと、
　前記第１外部端子の電圧とオープン検出閾値電圧とを比較して検出信号を出力するコンパレータと、
　前記電源電圧とＵＶＬＯ（Under  Voltage　Lock　Out）閾値電圧とを比較してＵＶＬＯ検出信号を出力するＵＶＬＯ部と、
　前記オープン検出用閾値電圧と前記ＵＶＬＯ閾値電圧を連動して可変設定する可変設定部と、
　を有し、
　前記電源電圧の立上げ時に、前記バイパス制御部は、前記経路をオフ状態としつつ、前記ＵＶＬＯ検出信号がＵＶＬＯ解除を示している場合、前記スイッチをオン状態に切り替え、前記第１外部端子の電圧が前記オープン検出閾値電圧を上回っていることを前記検出信号が示している場合、前記ノードより低電位側においてオープンが発生していると判定し、前記経路のオフ状態を維持する構成としている。
　本開示に係る発光素子駆動装置によれば、温度変化に対する発光素子の輝度変化を抑制することができる。
　また、本開示に係る発光素子駆動装置によれば、バイパス機能を有する発光素子駆動装置において、オープン発生に起因する発光素子の異常な点灯の抑制を効果的な構成により実現することができる。
図１は、例示的な実施形態に係るＬＥＤ発光装置の全体構成を示す図である。 図２は、電流設定部および電流追加部それぞれの具体的な内部構成例を示す図である。 図３は、赤色ＬＥＤの場合のＬＥＤ周囲温度と輝度の関係の一例を示すグラフである。 図４は、ＬＥＤ光源の周囲温度と、設定抵抗Ｒｓｅｔ_ｔｈとサーミスタＴＨ１との合成抵抗値との関係の一例を示すグラフである。 図５は、図４に対応してＬＥＤ光源の周囲温度と追加電流Ｉａｄｄとの関係の一例を示すグラフである。 図６は、図４および図５に対応してＬＥＤ光源の周囲温度と基準電流Ｉｒｅｆとの関係の一例を示すグラフである。 図７は、ソケット型ＬＥＤモジュールの一例を示す平面図である。 図８は、ＬＥＤ駆動装置が搭載される車両の一例を示す外観図（前面）である。 図９は、ＬＥＤ駆動装置が搭載される車両の一例を示す外観図（後面）である。 図１０は、例示的な実施形態に係るＬＥＤ発光装置の全体構成を示す図である。 図１１は、ＣＲタイマの内部構成例を示す図である。 図１２は、ノードＮｘより低電位側においてオープンが発生していない場合を示す図である。 図１３は、ノードＮｘより低電位側においてオープンが発生している場合を示す図である。 図１４は、ノードＮｘより低電位側においてオープンが発生していない場合の動作を示す図である。 図１５は、ノードＮｘより低電位側においてオープンが発生している場合の動作を示す図である。 図１６は、第１出力電流および第２出力電流を示す図である。 図１７は、可変設定部の第１構成例を示す図である。 図１８は、可変設定部の第２構成例を示す図である。 図１９は、ソケット型ＬＥＤモジュールの構成例を示す平面図である。 図２０は、基板における配線パターン例の拡大図である。 図２１は、基板における配線パターンの別例の拡大図である。 図２２は、ＬＥＤ駆動装置が搭載される車両の一例を示す外観図（前面）である。 図２３は、ＬＥＤ駆動装置が搭載される車両の一例を示す外観図（後面）である。
＜＜第１の技術開示＞＞
　以下、第１の技術開示について説明する。
＜１．ＬＥＤ発光装置＞
　図１は、例示的な実施形態に係るＬＥＤ発光装置Ｘ１の全体構成を示す図である。ＬＥＤ発光装置Ｘ１は、バッテリＢから電源電圧Ｖｉｎの供給を受けて点灯する車載ランプである。なお、ＬＥＤ発光装置Ｘ１の一例としては、ヘッドランプ、昼間走行用ランプ、テールランプ、ストップランプ、または、ターンランプなどを挙げることができる。上記バッテリは、ＬＥＤ発光装置Ｘ１が搭載される車両の電源であり、鉛蓄電池またはリチウムイオン電池などが好適に用いられる。
　図１に示すように、ＬＥＤ発光装置Ｘ１は、ＬＥＤ駆動装置５と、ＬＥＤ光源１０と、を含むほか、ＬＥＤ駆動装置５に外付けされる種々のディスクリート部品として、設定抵抗Ｒｓｅｔ，Ｒｓｅｔ_ｔｈと、サーミスタＴＨ１，ＴＨ２と、を含む。
　ＬＥＤ駆動装置５は、バッテリＢから電源電圧Ｖｉｎの供給を受けて動作し、ＬＥＤ光源１０に供給するための出力電流Ｉｏｕｔを生成する半導体集積回路装置（いわゆるＬＥＤドライバＩＣ）である。
　ＬＥＤ駆動装置５は、外部との電気的接続を確立するための外部端子として、ＶＩＮ端子、ＯＵＴ端子、ＴＨＤ端子、ＳＥＴ端子、ＳＥＴ_ＴＨ端子、およびＧＮＤ端子を有している。ＶＩＮ端子は、電源電圧Ｖｉｎの印加端に接続される。すなわち、ＬＥＤ駆動装置５は、ＶＩＮ端子を介して電源電圧Ｖｉｎの供給を受ける。
　ＬＥＤ光源１０は、直列に接続された複数のＬＥＤチップ（発光素子）から構成されるＬＥＤストリングである。なお、ＬＥＤ光源１０は、単体のＬＥＤから構成されてもよいし、直並列に接続されたＬＥＤチップから構成されてもよい。
　ＬＥＤ駆動装置５は、内部構成として、電流ドライバ１と、電流設定部２と、電流追加部３と、定電流源４と、を集積化して有する。
　なお、図１は、ＬＥＤ駆動装置５の内部構成のうち一部のみを示しており、ＬＥＤ駆動装置５は、図１に示す構成以外に、制御ロジック部、ＬＥＤ光源１０のＰＷＭ（Pulse  Width　Modulation）調光を行う調光部、各種の異常検出部、異常を外部に通知するための異常通知部、内部電圧を生成する内部電源回路、およびＵＶＬＯ（Under  Voltage　Lock　Out）部などを有している。
　電流ドライバ１は、ＶＩＮ端子とＯＵＴ端子との間に設けられる。ＬＥＤ光源１０のアノードは、ＯＵＴ端子に接続される。ＬＥＤ光源１０のカソードは、接地端に接続される。電流ドライバ１は、電源電圧Ｖｉｎの印加端と接地端の間に接続されたＬＥＤ光源１０に流れる出力電流Ｉｏｕｔを生成する。
　電流ドライバ１は、出力電流Ｉｏｕｔが所定の目標値と一致するように出力電流Ｉｏｕｔの定電流制御を行う。図１では図示していないが、電流ドライバ１は、例えば、出力電流Ｉｏｕｔが流れる電流経路上に設けられた出力トランジスタと、出力電流Ｉｏｕｔを帰還電圧に変換するセンス抵抗と、帰還電圧と参照電圧とが一致するように出力トランジスタのリニア駆動を行うエラーアンプと、を含む構成とすればよい。なお、出力電流Ｉｏｕｔの目標値は、後述する基準電流Ｉｒｅｆに応じて任意に設定することが可能である。
　電流設定部２は、設定電流Ｉｓｅｔを生成する。設定電流Ｉｓｅｔは、基準電流Ｉｒｅｆの生成に用いられる。すなわち、電流設定部２は、出力電流Ｉｏｕｔの目標値を設定するための設定電流Ｉｓｅｔを生成する。設定電流Ｉｓｅｔは、ＳＥＴ端子に外部接続された設定抵抗Ｒｓｅｔの抵抗値を調整することにより、調整することができる。
　また、内部電圧Ｖｒｅｇの印加端とＴＨＤ端子との間には、定電流源４が設けられる。ＴＨＤ端子には、サーミスタＴＨ２が外部接続される。サーミスタＴＨ２は、負特性サーミスタである。負特性サーミスタは、温度が高いほど抵抗値が小さくなる特性を有する。サーミスタＴＨ２は、ＬＥＤ光源１０の周囲に配置される。定電流源４がＴＨＤ端子を介してサーミスタＴＨ２に定電流Ｉｔｈｄを流すことで、ＴＨＤ端子には端子電圧Ｖｔｈｄが生成される。電流設定部２は、端子電圧Ｖｔｈｄに基づき設定電流Ｉｓｅｔを調整する。これにより、ＬＥＤ光源１０の周囲温度に応じて出力電流Ｉｏｕｔを調整する温度ディレーティングが行われる。
　電流追加部３は、追加電流Ｉａｄｄを生成する。基準電流Ｉｒｅｆは、設定電流Ｉｓｅｔと追加電流Ｉａｄｄとの合成（総和）により生成される。ＬＥＤ駆動装置５の外部において、ＳＥＴ_ＴＨ端子と接地端との間には、設定抵抗Ｒｓｅｔ_ｔｈとサーミスタＴＨ１とが直列に接続される。サーミスタＴＨ１は、負特性サーミスタであり、ＬＥＤ光源１０の周囲に配置される。電流追加部３は、設定抵抗Ｒｓｅｔ_ｔｈの抵抗値およびサーミスタＴＨ１の抵抗値（すなわち設定抵抗Ｒｓｅｔ_ｔｈとサーミスタＴＨ１との合成抵抗値）と、端子電圧Ｖｔｈｄに基づいて追加電流Ｉａｄｄを調整する。従って、電流追加部３は、ＬＥＤ光源１０の周囲温度に応じて出力電流Ｉｏｕｔを調整することで、ＬＥＤ光源１０の輝度制御と温度ディレーティングを行う。
＜２．出力電流の調整方法＞
　図２は、電流設定部２および電流追加部３それぞれの具体的な内部構成例を示す図である。
　電流設定部２は、出力トランジスタ２Ａと、エラーアンプ２Ｂと、を有する。出力トランジスタ２Ａは、設定電流Ｉｓｅｔが流れる経路に配置され、ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ）により構成される。出力トランジスタ２Ａのソースは、ＳＥＴ端子に接続される。出力トランジスタ２ＡとＳＥＴ端子とが接続されるノードは、エラーアンプ２Ｂの反転入力端（－）に接続される。エラーアンプ２Ｂの非反転入力端（＋）は、ＴＨＤ端子に接続される。エラーアンプ２Ｂの出力端は、出力トランジスタ２Ａのゲートに接続される。
　電流追加部３は、出力トランジスタ３Ａと、エラーアンプ３Ｂと、を有する。出力トランジスタ３Ａは、追加電流Ｉａｄｄが流れる経路に配置され、ＮＭＯＳトランジスタにより構成される。出力トランジスタ３Ａのドレインは、出力トランジスタ２Ａのドレインに接続される。出力トランジスタ３Ａのソースは、ＳＥＴ_ＴＨ端子に接続される。出力トランジスタ３ＡとＳＥＴ_ＴＨ端子とが接続されるノードは、エラーアンプ３Ｂの反転入力端（－）に接続される。エラーアンプ３Ｂの非反転入力端（＋）は、ＴＨＤ端子に接続される。エラーアンプ３Ｂの出力端は、出力トランジスタ３Ａのゲートに接続される。
　上記のような電流設定部２の構成により、ＳＥＴ端子の電圧が端子電圧Ｖｔｈｄと一致するように制御されるため、設定電流Ｉｓｅｔは、下記式のように表される。
　Ｉｓｅｔ＝Ｖｔｈｄ／Ｒｓｅｔ
　ただし、Ｖｔｈｄ＝ＴＨ２×Ｉｔｈｄ　（ＴＨ２：サーミスタＴＨ２の抵抗値）
　従って、設定電流Ｉｓｅｔは、設定抵抗Ｒｓｅｔに対しては負特性（設定抵抗Ｒｓｅｔの抵抗値を大きくするほど、設定電流Ｉｓｅｔが小さくなる特性）を有するとともに、サーミスタＴＨ２（端子電圧Ｖｔｈｄ）に対しては正特性（サーミスタＴＨ２の抵抗値を大きくするほど（端子電圧Ｖｔｈｄを高くするほど）、設定電流Ｉｓｅｔが大きくなる特性）を有する。
　また、上記のような電流追加部３の構成により、ＳＥＴ_ＴＨ端子の電圧が端子電圧Ｖｔｈｄと一致するように制御されるため、追加電流Ｉａｄｄは、下記式のように表される。
　Ｉａｄｄ＝Ｖｔｈｄ／（Ｒｓｅｔ_ｔｈ＋ＴＨ１）　（ＴＨ１：サーミスタＴＨ１の抵抗値）
　従って、追加電流Ｉａｄｄは、サーミスタＴＨ１の抵抗値に対しては負特性（サーミスタＴＨ１の抵抗値を大きくするほど、追加電流Ｉａｄｄが小さくなる特性）を有するとともに、サーミスタＴＨ２（端子電圧Ｖｔｈｄ）に対しては正特性（サーミスタＴＨ２の抵抗値を大きくするほど（端子電圧Ｖｔｈｄを高くするほど）、追加電流Ｉａｄｄが大きくなる特性）を有する。
　また、基準電流Ｉｒｅｆは、
　Ｉｒｅｆ＝Ｉｓｅｔ＋Ｉａｄｄ
　となる。出力電流Ｉｏｕｔの目標値は、基準電流Ｉｒｅｆが大きいほど、大きく設定される（基準電流Ｉｒｅｆに対して正特性）。
　これにより、ＬＥＤ光源１０の周囲温度が高くなり、サーミスタＴＨ１の抵抗値が小さくなると、追加電流Ｉａｄｄが大きくなる。なお、ＬＥＤ光源１０の周囲温度が高くなり、サーミスタＴＨ２の抵抗値が小さくなると、追加電流Ｉａｄｄは低くなるが、その低くなる変化よりも、サーミスタＴＨ１による追加電流Ｉａｄｄの増える変化のほうが大きいため、温度上昇に伴い追加電流Ｉａｄｄは増える。
　ここで、図３には、赤色ＬＥＤの場合のＬＥＤ周囲温度（横軸）と輝度（縦軸）の関係（ＬＥＤ電流は所定の一定値とした場合）の一例を示す。ただし、縦軸の輝度は、２０℃での輝度に対する輝度の比率で示す。使用するＬＥＤによって特性は異なり、図３では実線と破線にて２つの特性の例を示している。このように、ＬＥＤは、温度上昇に伴い輝度が大幅に低下する特性を有する。そこで、上記のようにＬＥＤ光源１０の周囲温度の上昇に伴い追加電流Ｉａｄｄを増やすことで、基準電流Ｉｒｅｆ、ひいては出力電流Ｉｏｕｔを大きくし、輝度の低下を抑制することができる。
　ここで、図４は、ＬＥＤ光源１０の周囲温度（ＬＥＤ周囲温度）と、設定抵抗Ｒｓｅｔ_ｔｈとサーミスタＴＨ１との合成抵抗値との関係の一例を示す。このように温度が高いほど、合成抵抗値は小さくなるが、サーミスタＴＨ１のみでなく、固定抵抗である設定抵抗Ｒｓｅｔ_ｔｈを直列に接続して使用することで、温度が高いところで合成抵抗値の変化が抑えられる。これにより、温度が高いところで追加電流Ｉａｄｄが過大になることを抑制できる。
　また、図５は、図４に対応してＬＥＤ周囲温度と追加電流Ｉａｄｄとの関係の一例を示す。このように、温度が低いところでは温度が高いほど追加電流Ｉａｄｄが増えるが、温度が高いところでは図４に示したように上記合成抵抗値の変化が抑えられるため、サーミスタＴＨ２（端子電圧Ｖｔｈｄ）の影響が大きくなり、温度が高いほど追加電流Ｉａｄｄは減少する。これにより、温度が高いところで基準電流Ｉｒｅｆ、ひいては出力電流Ｉｏｕｔを温度上昇に伴い減少させることができ、ＬＥＤ光源１０の発熱を抑えることができる。従って、ＬＥＤ光源１０の長寿命化を図ることができる。
　また、図６は、図４および図５に対応してＬＥＤ周囲温度と基準電流Ｉｒｅｆとの関係の一例を示す。ＬＥＤ周囲温度が高いほど、サーミスタＴＨ２の抵抗値が小さくなり、設定電流Ｉｓｅｔは小さくなる。ＬＥＤ温度上昇に伴う追加電流Ｉａｄｄの増加する変化は、設定電流Ｉｓｅｔの減少する変化よりも大きいため、基準電流Ｉｒｅｆは増加する。ただし、ＬＥＤ周囲温度が高いところでは、温度上昇に伴って図５に示すように追加電流Ｉａｄｄは減少するため、設定電流Ｉｓｅｔの減少とあわせて、基準電流Ｉｒｅｆは大きく減少する。これにより、ＬＥＤ周囲温度が高いところで出力電流Ｉｏｕｔを減少させ、ＬＥＤ光源１０の発熱を抑制することができる。
　なお、電流追加部３におけるエラーアンプ３Ｂの非反転入力端（＋）には、ＴＨＤ端子を接続することに限らず、例えば、固定値の内部電圧の印加端を接続してもよい。この場合、ＬＥＤ周囲温度の高いところで追加電流Ｉａｄｄが減少することはないが、設定抵抗Ｒｓｅｔ_ｔｈを用いることで追加電流Ｉａｄｄの増加は抑制される。
＜３．ソケット型ＬＥＤモジュール＞
　図７は、これまでに説明してきたＬＥＤ発光装置Ｘ１を具現化した一例として、ソケット型ＬＥＤモジュールＹを示す平面図である。本構成例のソケット型ＬＥＤモジュールＹは、例えば車載用の照明器具であって、基板３００、ＬＥＤチップ４００、白色樹脂４８０、リフレクタ６００、ＬＥＤ駆動装置５、および、ソケット９００を備えている。ただし、図７に示すＬＥＤチップ４００は、図１の例に対応してＬＥＤ光源１０を構成するＬＥＤチップが３個である場合で示しているが、ＬＥＤチップの個数はこれに限らない。また、図７においては、ＬＥＤ駆動装置５に対して外付けされる電子部品は便宜上、図示を省略している。
　基板３００は、基材とこれに形成された配線パターン（本図の斜線ハッチング領域を参照）を有している。基材は、矩形状であり、例えばガラスエポキシ樹脂から成る。配線パターンは、ＬＥＤチップ４００および種々の電子部品を実装するために基材の表面上に敷設された導電性部材であり、例えば、ＣｕまたはＡｇなどの金属から成る。基板３００の上面には、ＬＥＤ駆動装置５、および各種の外付け部品などが搭載されている。各電子部品は、基板３００の上面および下面に敷設された配線パターンによって接続されて回路を構成しており、ＬＥＤチップ４００を所望の発光状態で点灯させるためのものである。
　リフレクタ６００は、例えば白色樹脂から成り、ＬＥＤチップ４００を囲むようにして基板３００の中央領域に固定されている。リフレクタ６００は、ＬＥＤチップ４００から側方に発せられた光を上方に向けて反射するためのものである。リフレクタ６００には、反射面６０１が形成されている。反射面６０１は、ＬＥＤチップ４００を囲んでいる。なお、図７では分かりにくいが、反射面６０１は、基板３００の厚さ方向において、基板３００から離間するほど、基板３００の厚さ方向に対して直角である方向において、ＬＥＤチップ４００から遠ざかるように傾斜している。つまり、反射面６０１は、基板３００の厚さ方向に直交する断面が、リフレクタ６００の開口側に向かうほど大きくなるテーパ形状になっている。
　白色樹脂４８０は、ＬＥＤチップ４００からの光を透過しない、白色を呈する樹脂材料から成り、不透明樹脂の一例に相当する。図７から理解されるように、白色樹脂４８０はＬＥＤチップ４００を囲んでおり、その外周縁がリフレクタ６００の反射面６０１に到達している。このため、図７において、ＬＥＤチップ４００から反射面６０１へと図中上下方向および左右方向に広がる領域は、白色樹脂４８０によって埋められている。
　ソケット９００は、基板３００を搭載して、例えば自動車などに取り付けるための部品である。ソケット９００は、例えば合成樹脂から成り、例えば射出成形によって形成される。ソケット９００は、基板３００を搭載するための搭載部９１０および自動車などに取り付けるための取付部を備えている。搭載部９１０は、一方が開口した円筒形状をなしており、搭載部９１０の内側底面に基板３００が搭載される。搭載部９１０の内側底面には、例えばアルミニウム製の円形の板である放熱板９５０が固定されている。基板３００は、下面を放熱板９５０の上面に接着剤で接着することで、ソケット９００の搭載部９１０に搭載される。
　白色樹脂４８０は、ＬＥＤチップ４００の支持基板からリフレクタ６００の反射面６０１にいたる環状領域のすべてを覆っている。従って、反射面６０１に囲まれた領域は、ＬＥＤチップ４００が占める領域を除き、白色樹脂４８０によって覆われている。これにより、ＬＥＤチップ４００の半導体層からの光をより多く反射することが可能である。これは、ソケット型ＬＥＤモジュールＹの高輝度化に好適である。また、基板３００の反射面６０１に囲まれた領域に、光を好適に反射させる処理を別途施しておく必要がない。
　反射面６０１を有するリフレクタ６００を備えることにより、ソケット型ＬＥＤモジュールＹの直上方向をより明るく照らすことができる。
　特に、このようなソケット型ＬＥＤモジュールＹにＬＥＤチップ４００（ＬＥＤ光源１０）を設ける場合、ＬＥＤ光源１０の周囲温度が上昇しやすい。そこで、本実施形態のＬＥＤ駆動装置５のように輝度制御を行うことでＬＥＤ周囲温度の上昇に伴う輝度の低下を抑制する効果が重要となる。さらに、本実施形態のＬＥＤ駆動装置５のようにＬＥＤ周囲温度の高いところで出力電流Ｉｏｕｔを減少させる温度ディレーティングを行うことでＬＥＤ光源１０の発熱を抑制する効果が重要となる。
＜４．用途＞
　これまでに説明してきたＬＥＤ駆動装置５は、例えば、図８および図９で示すように、車両Ｘ１０のヘッドランプ（ハイビーム／ロービーム／スモールランプ／フォグランプなどを適宜含む）Ｘ１１、昼間走行用ランプ（ＤＲＬ［daylight　running  lamps］）Ｘ１２、テールランプ（スモールランプまたはバックランプなどを適宜含む）Ｘ１３、ストップランプＸ１４、ターンランプＸ１５などの発光装置に組み込んで用いることができる。
　なお、ＬＥＤ駆動装置５は、駆動対象となるＬＥＤ光源１０とともにモジュール（先述のソケット型ＬＥＤモジュールＹなど）として提供されるものであってもよいし、ＬＥＤ光源１０とは独立にＩＣ単体として提供されるものであってもよい。
＜５．その他＞
　以上、例示的な実施形態について説明したが、本発明の趣旨の範囲内において、実施形態は種々に変形が可能である。
　例えば、上記の実施形態では、発光素子としてＬＥＤを用いた構成を例に挙げて説明を行ったが、本発明の構成はこれに限定されるものではなく、温度の上昇に伴って輝度が低下する特性を有するＬＥＤ以外の発光素子を用いてもよい。
　また、上記の実施形態では、電流ドライバ１が電流ソース型（＝電源端からＬＥＤ光源１０のアノードに出力電流Ｉｏｕｔを流し込む出力形式）である場合を例に挙げたが、ＬＥＤ駆動装置５の構成は何らこれに限定されるものではなく、電流ドライバ１が電流シンク型（＝ＬＥＤ光源１０のカソードから接地端に向けて出力電流Ｉｏｕｔを引き込む出力形式）であってもよい。
＜６．付記＞
　以上の通り、例えば、本開示に係る発光素子駆動装置（５）は、
　第１設定抵抗（Ｒｓｅｔ）に接続可能な第１外部端子（ＳＥＴ端子）と、
　発光素子光源（１０）の周囲に配置される負特性の第１サーミスタ（ＴＨ１）に接続可能な第２外部端子（ＳＥＴ_ＴＨ端子）と、
　前記第１設定抵抗の抵抗値に基づき設定電流（Ｉｓｅｔ）を生成する電流設定部（２）と、
　前記第１サーミスタの抵抗値に対して負特性の追加電流（Ｉａｄｄ）を生成する電流追加部（３）と、
　前記設定電流と前記追加電流との総和である基準電流（Ｉｒｅｆ）に基づき、電源電圧（Ｖｉｎ）の印加端と接地端との間に接続された前記発光素子光源に流れる出力電流（Ｉｏｕｔ）を生成する電流ドライバ（１）と、
　を有する構成としている（第１の構成）。
　また、上記第１の構成において、前記第２外部端子（ＳＥＴ_ＴＨ端子）には、前記第１サーミスタ（ＴＨ１）と直列に接続される第２設定抵抗（Ｒｓｅｔ_ｔｈ）が接続可能であり、前記電流追加部は、前記第１サーミスタと前記第２設定抵抗との合成抵抗値に対して負特性の前記追加電流を生成する構成としてもよい（第２の構成）。
　また、上記第２の構成において、前記発光素子光源の周囲に配置される負特性の第２サーミスタ（ＴＨ２）に接続可能な第３外部端子（ＴＨＤ端子）と、前記第３外部端子に接続される定電流源（４）と、をさらに有し、前記電流追加部は、前記第３外部端子の端子電圧（Ｖｔｈｄ）に対して正特性の前記追加電流を生成する構成としてもよい（第３の構成）。
　また、上記第３の構成において、前記電流設定部は、前記端子電圧に対して正特性の前記設定電流を生成する構成としてもよい（第４の構成）。
　また、上記第４の構成において、前記電流設定部は、前記設定電流が流れる経路に配置される第１出力トランジスタ（２Ａ）と、前記第１出力トランジスタの第１端と前記第１外部端子（ＳＥＴ端子）とが接続される第１ノードに接続される第１入力端と、前記端子電圧（Ｖｔｈｄ）の印加端に接続される第２入力端と、前記第１出力トランジスタの制御端に接続される出力端と、を含む第１エラーアンプ（２Ｂ）と、を有する構成としてもよい（第５の構成）。
　また、上記第１から第５のいずれかの構成において、前記電流追加部は、前記追加電流が流れる経路に配置される第２出力トランジスタ（３Ａ）と、前記第２出力トランジスタの第１端と前記第２外部端子（ＳＥＴ_ＴＨ端子）とが接続される第２ノードに接続される第１入力端と、基準電圧（Ｖｔｈｄ）の印加端に接続される第２入力端と、前記第２出力トランジスタの制御端に接続される出力端と、を含む第２エラーアンプ（３Ｂ）と、を有する構成としてもよい（第６の構成）。
　また、上記第６の構成において、前記発光素子光源の周囲に配置される負特性の第２サーミスタ（ＴＨ２）に接続可能な第３外部端子（ＴＨＤ端子）と、前記第３外部端子に接続される定電流源（４）と、をさらに有し、前記第２外部端子（ＳＥＴ_ＴＨ端子）には、前記第１サーミスタと直列に接続される第２設定抵抗（Ｒｓｅｔ_ｔｈ）が接続可能であり、前記基準電圧は、前記第３外部端子の端子電圧（Ｖｔｈｄ）である構成としてもよい（第７の構成）。
　また、本開示に係る発光装置（Ｘ１）は、上記第１から第７のいずれかの構成とした発光素子駆動装置（５）と、前記発光素子光源（１０）と、を有する構成としている（第８の構成）。
　また、上記第８の構成において、前記発光素子光源は、ＬＥＤ光源である構成としてもよい（第９の構成）。
　また、上記第８または第９の構成において、前記発光素子光源と前記発光素子駆動装置を実装するための配線パターンが設けられた基板（３００）と、前記基板を搭載するソケット（９００）と、をさらに有する構成としてもよい（第１０の構成）。
　また、本開示に係る車両（Ｘ１０）は、上記第８から第１０のいずれかの構成とした発光装置を有する構成としている。
＜＜第２の技術開示＞＞
　以下、第２の技術開示について説明する。なお、以下の説明において、構成要素および信号をそれぞれ示す符号については先述した第１の技術開示とは関連性がないものとして扱う。
＜１．ＬＥＤ発光装置＞
　図１０は、例示的な実施形態に係るＬＥＤ発光装置Ｘ１の全体構成を示す図である。ＬＥＤ発光装置Ｘ１は、図示しないバッテリから電源電圧Ｖｉｎの供給を受けて点灯する車載ランプである。なお、ＬＥＤ発光装置Ｘ１の一例としては、ヘッドランプ、昼間走行用ランプ、テールランプ、ストップランプ、または、ターンランプなどを挙げることができる。上記バッテリは、ＬＥＤ発光装置Ｘ１が搭載される車両の電源であり、鉛蓄電池またはリチウムイオン電池などが好適に用いられる。
　図１０に示すように、ＬＥＤ発光装置Ｘ１は、ＬＥＤ駆動装置１５と、ＬＥＤ光源２００と、を含んでいる。ＬＥＤ駆動装置１５は、上記バッテリから電源電圧Ｖｉｎの供給を受けて動作し、ＬＥＤ光源２００に供給するための出力電流Ｉｏｕｔを生成する半導体集積回路装置（いわゆるＬＥＤドライバＩＣ）である。
　ＬＥＤ駆動装置１５は、外部との電気的接続を確立するための外部端子として、ＶＩＮ端子、ＯＵＴ端子、ＩＳＩＮＫ端子、ＣＲＴ端子、ＤＩＳＣ端子、およびＣＮＴ端子を有している。ＶＩＮ端子は、電源電圧Ｖｉｎの印加端に接続される。すなわち、ＬＥＤ駆動装置１５は、ＶＩＮ端子を介して電源電圧Ｖｉｎの供給を受ける。
　ＬＥＤ光源２００は、直列に接続された複数のＬＥＤチップ（発光素子）から構成されるＬＥＤストリングである。ＬＥＤ光源２００は、高電位側ＬＥＤ２０１（高電位側光源）と、低電位側ＬＥＤ２０２（低電位側光源）と、に分かれる。
　高電位側ＬＥＤ２０１は、少なくとも１つのＬＥＤチップから構成される。図１０に示す例では、高電位側ＬＥＤ２０１は、直列に接続された２つのＬＥＤチップから構成される。高電位側ＬＥＤ２０１のアノードは、ＬＥＤ駆動装置１５のＯＵＴピン（＝出力電流Ｉｏｕｔの出力端）に接続されている。
　低電位側ＬＥＤ２０２は、少なくとも１つのＬＥＤチップから構成される。図１０に示す例では、低電位側ＬＥＤ２０２は、直列に接続された２つのＬＥＤチップから構成される。低電位側ＬＥＤ２０２のカソードは、接地端に接続されている。一方、高電位側ＬＥＤ２０１のカソードと低電位側ＬＥＤ２０２のアノードとが接続されるノードＮｘは、ＩＳＩＮＫ端子に接続されているが、その理由については後述する。
　ＬＥＤ駆動装置１５は、内部構成として、電流ドライバ１と、ＵＶＬＯ部２と、制御ロジック部３と、バイパス制御部４と、定電流回路５と、コンパレータ６と、定電流源７とスイッチ８と、ＣＲタイマ９と、可変設定部１０と、を集積化して有する。
　なお、図１０は、ＬＥＤ駆動装置１５の内部構成のうち一部のみを示しており、ＬＥＤ駆動装置１５は、図１０に示す構成以外に、各種の異常検出部、異常を外部に通知するための異常通知部、および出力電流Ｉｏｕｔを設定するための出力電流設定部などを有している。上記異常検出部には、ＯＵＴ端子の電圧に基づきＬＥＤ光源２００のオープンを検出するＬＥＤオープン検出部、ＯＵＴ端子の電圧に基づきＯＵＴ端子の地絡を検出する出力地絡検出部、温度保護回路（ＴＳＤ）などが含まれる。
　電流ドライバ１は、ＬＥＤ光源２００に流れる出力電流Ｉｏｕｔが所定の目標値と一致するように出力電流Ｉｏｕｔの定電流制御を行う。電流ドライバ１は、エラーアンプ１Ａと、センス抵抗１Ｂと、ＰＭＯＳトランジスタ１Ｃと、を有する。センス抵抗１Ｂの一端は、電源電圧Ｖｉｎの印加端に接続される。センス抵抗１Ｂの他端は、エラーアンプ１Ａの反転入力端（－）に接続されるとともに、ＰＭＯＳトランジスタ１Ｃのソースに接続される。エラーアンプ１Ａの非反転入力端（＋）は、基準電圧の印加端に接続される。エラーアンプ１Ａの出力端は、ＰＭＯＳトランジスタ１Ｃのゲートに接続される。ＰＭＯＳトランジスタ１Ｃのドレインは、ＯＵＴ端子に接続される。
　ＵＶＬＯ（Under  Voltage　Lock　Out）部２は、電源電圧Ｖｉｎの減電圧を検出する回路である。ＵＶＬＯ部２は、電源電圧ＶｉｎとＵＶＬＯ閾値電圧Ｖｉｎ_ＵＶＬＯとを比較し、比較結果としてＵＶＬＯ検出信号Ｓｕｖｌｏを出力する。
　制御ロジック部３は、ＬＥＤ駆動装置１５全体の動作を統括的に制御する主体である。例えば、制御ロジック部３は、各種の異常検出部（ＬＥＤオープン検出部、出力地絡検出部、温度保護回路など）で得られた検出結果に応じて出力電流Ｉｏｕｔの停止制御を行ったり、異常通知部に外部への通知を行わせたりする。
＜２．ＣＲタイマ＞
　ここで、ＣＲタイマ９について、図１１を参照して説明する。図１１は、ＣＲタイマ９の内部構成例を示す図である。ＣＲタイマ９は、ＣＲＴ端子およびＤＩＳＣ端子に外付けの部品（キャパシタＣｃｒｔ、抵抗Ｒｃｒｔ）を接続することでＰＷＭ調光を可能とする構成である。
　図１１に示すようにＣＲＴタイマ９は、定電流源９Ａと、スイッチ９Ｂと、コンパレータ９Ｃと、コンパレータ９Ｄと、ＮＯＲ回路９Ｅと、ＮＭＯＳトランジスタ９Ｆと、ＮＭＯＳトランジスタ９Ｇと、を有する。
　ＣＲＴ端子には、キャパシタＣｃｒｔの一端が外部接続される。また、ＣＲＴ端子には、抵抗Ｒｃｒｔの一端も接続される。抵抗Ｒｃｒｔの他端は、ＤＩＳＣ端子に接続される。
　コンパレータ９Ｃは、ＣＲＴ端子の電圧と基準電圧Ｖｃｒｔ_ｄｉｓ１とを比較する。内部電圧Ｖｒｅｇの印加端とＣＲＴ端子との間には、定電流源９Ａとスイッチ９Ｂとが設けられる。なお、内部電圧Ｖｒｅｇは、電源電圧Ｖｉｎに基づき図示しない内部電圧源により生成される。スイッチ９Ｂは、コンパレータ９Ｃの出力に応じてオンオフされる。
　コンパレータ９Ｄは、ＣＲＴ端子の電圧と基準電圧Ｖｃｒｔ_ｄｉｓ２（＞Ｖｃｒｔ_ｄｉｓ１）とを比較する。ＮＯＲ回路９Ｅの一方の入力端は、コンパレータ９Ｃの出力端に接続される。ＮＯＲ回路９Ｅの他方の入力端は、コンパレータ９Ｄの出力端に接続される。
　ＮＭＯＳトランジスタ９Ｆのドレインは、ＤＩＳＣ端子に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ９Ｆのソースは、接地端に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ９Ｆのゲートは、ＮＯＲ回路９Ｅの出力端に接続される。
　ＮＭＯＳトランジスタ９Ｇのドレインは、ＤＩＳＣ端子に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ９Ｇのソースは、接地端に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ９Ｇのゲートは、コンパレータ９Ｄの出力端に接続される。
　また、電源電圧Ｖｉｎを生成するバッテリＢと、ＣＲＴ端子との間には、スイッチＳＷｄｃが配置される。ＰＷＭ調光モードで使用する場合、スイッチＳＷｄｃをオフ状態とする。この場合、ＣＲＴ端子には三角波が生成される。
　具体的に説明すると、まず、ＣＲＴ端子の電圧が基準電圧Ｖｃｒｔ_ｄｉｓ１より低い場合、コンパレータ９Ｃの出力はＨｉｇｈレベルであり、スイッチ９Ｂはオン状態であり、定電流源９ＡによりＣＲＴ端子を介してキャパシタＣｃｒｔが充電される。充電によってＣＲＴ端子の電圧が上昇して基準電圧Ｖｃｒｔ_ｄｉｓ１を上回ると、コンパレータ９Ｃの出力がＬｏｗレベルに切り替わり、スイッチ９Ｂはオフ状態とされる。このとき、コンパレータ９Ｃ，９Ｄの出力はともにＬｏｗレベルのため、ＮＯＲ回路９Ｅの出力がＨｉｇｈレベルとなり、ＮＭＯＳトランジスタ９Ｆがオン状態とされる。従って、キャパシタＣｃｒｔがＤＩＳＣ端子を介して放電される。また、上記のようにコンパレータ９Ｃの出力がＬｏｗレベルに切り替わると、基準電圧はＶｃｒｔ_ｄｉｓ１からＶｃｒｔ_ｃｈａ（＜Ｖｃｒｔ_ｄｉｓ１）に切り替わる。
　放電によってＣＲＴ端子の電圧が低下して基準電圧Ｖｃｒｔ_ｃｈａを下回ると、コンパレータ９Ｃの出力がＨｉｇｈレベルに切り替わり、スイッチ９Ｂはオン状態とされる。このとき、キャパシタＣｃｒｔの充電が開始されるとともに、コンパレータ９Ｃの基準電圧がＶｃｒｔ_ｃｈａからＶｃｒｔ_ｄｉｓ１に切り替わる。このような動作の繰り返しにより、ＣＲＴ端子に三角波が生成される。
　三角波が生成されるときに、コンパレータ９Ｃから出力されるＰＷＭ調光信号Ｓｐｗｍはパルス状に生成される。制御ロジック部３は、ＰＷＭ調光信号Ｓｐｗｍに基づきＬＥＤオン信号Ｓｌｅｄ_ｏｎを生成し、電流ドライバ１をオンオフ制御する。三角波の立上り期間（＝ＳｐｗｍのＨｉｇｈレベル期間）では電流ドライバ１（すなわち出力電流Ｉｏｕｔ）がオフ状態、三角波の立下り期間（＝ＳｐｗｍのＬｏｗレベル期間）では電流ドライバ１（すなわち出力電流Ｉｏｕｔ）がオン状態となる。ＰＷＭ調光の周波数およびオンデューティは、抵抗Ｒｃｒｔの抵抗値およびキャパシタＣｃｒｔの容量値を調整することにより、任意に設定可能である。
　一方、ＤＣ調光モードで使用する場合、スイッチＳＷｄｃをオン状態とし、ＣＲＴ端子に電源電圧Ｖｉｎを印加させる。これにより、ＣＲＴ端子の電圧が基準電圧Ｖｃｒｔ_ｄｉｓ１を上回ると、ＰＷＭ調光信号ＳｐｗｍがＬｏｗレベルに固定され、電流ドライバ１はオン状態を維持される。
　また、ＣＲＴ端子の電圧がＶｃｒｔ_ｄｉｓ２を上回った場合、コンパレータ９Ｄの出力がＨｉｇｈレベルとされ、ＮＭＯＳトランジスタ９Ｆがオン状態、ＮＭＯＳトランジスタ９Ｇがオフ状態から、ＮＭＯＳトランジスタ９Ｆがオフ状態、ＮＭＯＳトランジスタ９Ｇがオン状態に切り替えられる。ＮＭＯＳトランジスタ９ＧはＮＭＯＳトランジスタ９Ｆよりもオン抵抗が大きいため、ＤＩＳＣ端子への流入電流を減少させることでＩＣの消費電力を抑制することができる。
　なお、ＤＣ調光モードのみで使用する場合は、ＣＲＴ端子をＶＩＮ端子と短絡させ、ＤＩＳＣ端子はオープンとする。
＜３．バイパス機能＞
　次に、図１０に説明を戻し、ＬＥＤ駆動装置１５に備えられるバイパス機能について説明する。先述したように、高電位側ＬＥＤ２０１と低電位側ＬＥＤ２０２とが接続されるノードＮｘは、ＩＳＩＮＫ端子に接続される。
　バイパス制御部４および定電流回路５は、バイパス機能部を構成する。定電流回路５は、エラーアンプ５Ａと、ＮＭＯＳトランジスタ５Ｂと、センス抵抗５Ｃと、を有する。ＮＭＯＳトランジスタ５Ｂのドレインは、ＩＳＩＮＫ端子に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ５Ｂのソースは、センス抵抗５Ｃの一端に接続される。センス抵抗５Ｃの他端は、接地端に接続される。ＮＭＯＳトランジスタ５Ｂとセンス抵抗５Ｃとが接続されるノードは、エラーアンプ５Ａの反転入力端（－）に接続される。エラーアンプ５Ａの非反転入力端（＋）には、基準電圧の印加端が接続される。このような構成により、定電流回路５は、ＩＳＩＮＫ端子から引き込む電流の定電流制御を行う。
　バイパス制御部４は、定電流回路５のオンオフ制御を行う。定電流回路５がオン状態の場合、出力電流Ｉｏｕｔは高電位側ＬＥＤ２０１を流れて、ＩＳＩＮＫ端子から定電流回路５へ引き込まれる。すなわち、低電位側ＬＥＤ２０２がバイパスされる。これにより、電源電圧Ｖｉｎが低い場合に、低電位側ＬＥＤ２０２をバイパスすることで、出力電流Ｉｏｕｔが流れるＬＥＤチップの直列段数を減らし、ＬＥＤ光源２００の総順方向電圧を低くすることにより、ＬＥＤ光源２００の点灯を維持することができる。
　なお、電源電圧Ｖｉｎが高い場合は、定電流回路５をオフ状態とさせることで、出力電流Ｉｏｕｔは、高電位側ＬＥＤ２０１と低電位側ＬＥＤ２０２を順に流れ、ＬＥＤ光源２００におけるすべてのＬＥＤチップが点灯する。
＜４．オープン検出機能＞
　電源電圧Ｖｉｎが立ち上がるとき（電源電圧Ｖｉｎの起動時）に、電源電圧Ｖｉｎが低い期間では定電流回路５をオン状態とすることで低電位側ＬＥＤ２０２をバイパスし、高電位側ＬＥＤ２０１を点灯させ、その後、電源電圧Ｖｉｎが高くなると、定電流回路５をオフ状態に切り替える制御を行う。しかしながら、仮にノードＮｘより低電位側においてオープンが発生（低電位側ＬＥＤ２０２におけるオープンを含む）した場合、定電流回路５がオフ状態であると、出力電流Ｉｏｕｔが流れなくなるため、高電位側ＬＥＤ２０１は消灯する。このような場合、人の目で見ると、瞬間的にＬＥＤ光源２００が点灯した後、消灯してしまう。そこで、本実施形態に係るＬＥＤ駆動装置１５においては、ノードＮｘより低電位側におけるオープンの発生を検出する機能（オープン検出機能）が備えられている。
　コンパレータ６は、上記のようなオープン検出機能のために設けられている。コンパレータ６の非反転入力端（＋）は、ＩＳＩＮＫ端子に接続される。コンパレータ６の反転入力端（－）は、オープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐの印加端に接続される。コンパレータ６は、ＩＳＩＮＫ端子の電圧とオープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐとを比較し、比較結果としての検出信号Ｓｄｅｔをバイパス制御部４へ出力する。
　また、定電流源７とスイッチ８もオープン検出機能のために設けられる。定電流源７とスイッチ８は、電源電圧Ｖｉｎの印加端とＩＳＩＮＫ端子との間に設けられる。
　ここで、電源電圧Ｖｉｎの立上り時におけるオープン検出機能の動作について説明する。電源電圧Ｖｉｎが０Ｖから立ち上がるとき、バイパス制御部４は、定電流回路５はオフ状態としておく。
　そして、電源電圧Ｖｉｎが立ち上がってＵＶＬＯ閾値電圧Ｖｉｎ_ＵＶＬＯを上回ると、ＵＶＬＯ解除を示すＵＶＬＯ信号ＳｕｖｌｏがＵＶＬＯ部２から出力される。バイパス制御部４は、ＵＶＬＯ信号ＳｕｖｌｏがＵＶＬＯ解除を示し、かつ、ＬＥＤオン信号Ｓｌｅｄ_ｏｎがオンを示している場合に、スイッチ８をオン状態に切り替える。
　ここで、図１２に示すように、ノードＮｘより低電位側においてオープンが発生していない場合は、オン状態となったスイッチ８およびＩＳＩＮＫ端子を介して低電位側ＬＥＤ２０２を定電流Ｉｍｏｎｉ（破線矢印）が流れる。このとき、ＩＳＩＮＫ端子の電圧は、低電位側ＬＥＤ２０２の総順方向電圧付近の電圧となるため、オープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐを上記ＩＳＩＮＫ端子の電圧よりも高い電圧に設定しておく。これにより、コンパレータ６は、ＩＳＩＮＫ端子の電圧がオープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐよりも低いとして、オープンが発生していないことを示すＬｏｗレベルの検出信号Ｓｄｅｔを出力する。
　この場合、バイパス制御部４は、定電流回路５をオン状態に切り替える。これにより、低電位側ＬＥＤ２０２はバイパスされ、出力電流Ｉｏｕｔが高電位側ＬＥＤ２０１からＩＳＩＮＫ端子へ引き込まれ、高電位側ＬＥＤが点灯する。その後、電源電圧Ｖｉｎが高くなると、バイパス制御部４が定電流回路５をオフ状態に切り替えることで、バイパスが解除され、出力電流Ｉｏｕｔが高電位側ＬＥＤ２０１と低電位側ＬＥＤ２０２を流れ、ＬＥＤ光源２００におけるすべてのＬＥＤチップが点灯する。
　一方、上記のようにスイッチ８をオン状態に切り替えたときに、図１３に示すように、ノードＮｘより低電位側においてオープンが発生している場合、定電流Ｉｍｏｎｉは、ＩＳＩＮＫ端子を介して高電位側ＬＥＤ２０１の寄生容量Ｃｌｅｄと、外付けの容量素子Ｃｓｉｎｋを充電する。容量素子Ｃｓｉｎｋは、ＩＳＩＮＫ端子に外部接続されるＥＭＣ（Electromagnetic  Compatibility）テスト対策素子である。ＥＭＣテストは、電源ラインにノイズを注入するＢＣＩ（Bulk　Current  Injection）試験であり、容量素子Ｃｓｉｎｋは、テスト時におけるＩＳＩＮＫ端子の電圧の揺れを抑制するために設けられる。上記充電により生成されるＩＳＩＮＫ端子の電圧とオープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐとがコンパレータ６により比較される。ＩＳＩＮＫ端子の電圧がオープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐよりも高くなるため、コンパレータ６からはオープンの発生を示すＨｉｇｈレベルの検出信号Ｓｄｅｔが出力される。
　ここで、オープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐは、ＵＶＬＯ閾値電圧Ｖｉｎ_ＵＶＬＯ以下である必要がある。ＤＣ調光モードの場合、ＣＲタイマ９から出力されるＰＷＭ調光信号Ｓｐｗｍのレベルが固定され、ＵＶＬＯ解除のときにＬＥＤオン信号Ｓｌｅｄ_ｏｎがオンを示すため、即時にバイパス制御部４はスイッチ８をオン状態とするが、ＩＳＩＮＫ端子の電圧は電源電圧Ｖｉｎ以上にはならないため、オープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐがＵＶＬＯ閾値電圧Ｖｉｎ_ＵＶＬＯよりも高いと、ＩＳＩＮＫ端子の電圧がオープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐよりも低く、コンパレータ６によりオープンが発生してないと誤検出される虞があるためである。
　また、バイパス制御部４は、スイッチ８をオン状態としてから、コンパレータ６からの出力である検出信号Ｓｄｅｔに基づきオープンであるかを判定するまで、充電によりＩＳＩＮＫ端子の電圧がオープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐよりも高くなるのに要する待ち時間だけ待機する必要がある。必要な待ち時間Ｔｗａｉｔは、下記（１）式の条件を満たす必要がある。
　Ｖｔｈ_ｏｐ　＜　Ｉｍｏｎｉ×Ｔｗａｉｔ／Ｃ　　（１）
　ただし、Ｃ＝Ｃｌｅｄ＋Ｃｓｉｎｋ
　バイパス制御部４が上記待ち時間Ｔｗａｉｔだけ待機してからオープンであるかを判定し、もしオープンの場合（Ｓｄｅｔ＝Ｈｉｇｈの場合）、定電流回路５のオフ状態を維持させる。これにより、オープンの発生による高電位側ＬＥＤ２０１の瞬間的な点灯を回避できる。
　ここで、図１４および図１５を参照して、電源電圧Ｖｉｎの立ち上げ時の動作について説明する。図１４および図１５に示すタイミングチャートにおいては、上段から順に、電源電圧Ｖｉｎ、定電流Ｉｍｏｎｉ、ＩＳＩＮＫ端子の電圧Ｖｓｉｎｋ、出力電流Ｉｏｕｔ、第１出力電流Ｉａ、および、第２出力電流Ｉｂの各波形を示す。図１６に示すように、第１出力電流Ｉａは、ノードＮｘからＩＳＩＮＫ端子へ向けての経路を流れる出力電流であり、第２出力電流Ｉｂは、ノードＮｘから低電位側ＬＥＤ２０２へ向けての経路を流れる出力電流である。また、図１４および図１５に示すように、オープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐは、ＵＶＬＯ閾値電圧Ｖｉｎ_ＵＶＬＯ以下である。
　図１４は、ノードＮｘより低電位側においてオープンが発生していない場合の動作を示す図である。なお、図１４および後述する図１５は、ＤＣ調光モードである場合を示す。
　図１４に示すように、電源電圧Ｖｉｎが０Ｖから立ち上がってＵＶＬＯ閾値電圧Ｖｉｎ_ＵＶＬＯ以上となると（タイミングｔ１）、ＵＶＬＯが解除され、かつ、ＬＥＤオン信号Ｓｌｅｄ_ｏｎはオンを示すため、即時にスイッチ８がオン状態に切り替えられる。これにより、定電流Ｉｍｏｎｉが立ち上り、電圧Ｖｓｉｎｋは低電位側ＬＥＤ２０２の総順方向電圧Ｖｆ付近の値となる。電圧Ｖｓｉｎｋは、オープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐよりも低い。
　バイパス制御部４は、上記タイミングｔ１から待機時間Ｔｗａｉｔだけ待機してから検出信号Ｓｄｅｔに基づきオープンが発生していないと判定する（タイミングｔ２）。これにより、バイパス制御部４は、スイッチ８をオフ状態とし、定電流回路５をオン状態に切り替える。これにより、第１出力電流Ｉａ（＝Ｉｏｕｔ）がＩＳＩＮＫ端子から引き込まれ、高電位側ＬＥＤ２０１が点灯する。
　その後、電源電圧Ｖｉｎが十分に高くなると、バイパス制御部４は、定電流回路５をオフ状態に切り替える（タイミングｔ３）。これにより、第２出力電流Ｉｂ（＝Ｉｏｕｔ）が低電位側ＬＥＤ２０２を流れる。従って、ＬＥＤ光源２００におけるすべてのＬＥＤチップが点灯する。
　一方、図１５は、ノードＮｘより低電位側においてオープンが発生している場合の動作を示す。図１５に示すように、電源電圧Ｖｉｎが０Ｖから立ち上がってＵＶＬＯ閾値電圧Ｖｉｎ_ＵＶＬＯ以上となると（タイミングｔ１１）、ＵＶＬＯが解除され、かつ、ＬＥＤオン信号Ｓｌｅｄ_ｏｎはオンを示すため、即時にスイッチ８がオン状態に切り替えられる。
　すると、定電流Ｉｍｏｎｉが立ち上り、定電流Ｉｍｏｎｉによる寄生容量Ｃｌｅｄと容量素子Ｃｓｉｎｋの充電により電圧Ｖｓｉｎｋが上昇する。上記タイミングｔ１１から待ち時間Ｔｗａｉｔだけ待機したタイミングｔ１２では、Ｖｓｉｎｋはオープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐを上回っている。これにより、バイパス制御部４は、検出信号Ｓｄｅｔに基づきオープンが発生していると判定し、スイッチ８をオフ状態とし、定電流回路５のオフ状態を維持する。これにより、出力電流Ｉｏｕｔは流れず、高電位側ＬＥＤ２０１は点灯しない。
＜５．可変設定機能＞
　次に、可変設定部１０について説明する。
　低電位側ＬＥＤ２０２を構成するＬＥＤチップの個数は、変化する可能性がある。例えば、図１では、上記個数は２個であるが、例えば３個などとしてもよい。この場合、個数の変化に応じて、低電位側ＬＥＤ２０２の総順方向電圧が変化する。ここで、先述したように、オープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐは、低電位側ＬＥＤ２０２の総順方向電圧よりも高く設定する必要があるため、低電位側ＬＥＤ２０２を構成するＬＥＤチップの個数に応じてオープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐを変化させる必要がある。
　また、先述したように、ＵＶＬＯ閾値電圧Ｖｉｎ_ＵＶＬＯはオープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐ以上である必要があるため、上記のようなオープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐの変化に応じてオープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐも変化させる必要がある。
　さらに、上記（１）式から、待ち時間Ｔｗａｉｔもオープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐの変化に応じて変化させる必要がある。なお、容量素子Ｃｓｉｎｋは必須ではなく、設けなくてもよい。この場合、待ち時間Ｔｗａｉｔは、固定値であってもよい。
　そこで、ＬＥＤ駆動装置１５においては、低電位側ＬＥＤ２０２を構成するＬＥＤチップの個数に応じて、可変設定部１０がオープン検出閾値電圧Ｖｔｈ_ｏｐ、ＵＶＬＯ閾値電圧Ｖｉｎ_ＵＶＬＯ、およびバイパス制御部４における待ち時間Ｔｗａｉｔを連動して可変設定することとしている。可変設定部１０は、ＣＮＴ端子を用いて可変設定を行う。
　可変設定部１０は、例えば、ＣＮＴ端子へのオープン／ＧＮＤ（グランド電位）の印加の２つのパターンを検出し、検出結果に応じて可変設定する。
　また、可変設定部１０は、例えば、ＣＮＴ端子への電源電圧Ｖｉｎ／オープン／ＧＮＤの印加の３つのパターンを検出し、検出結果に応じて可変設定する。
　図１７は、上記３つのパターンを検出可能に構成される可変設定部１０の構成例を示す図である。図１７に示す構成では、可変設定部１０は、コンパレータ１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃと、定電流源１０Ｄと、を有する。
　コンパレータ１０Ａの非反転入力端（＋）は、ＣＮＴ端子に接続される。コンパレータ１０Ａの反転入力端（－）は、基準電圧Ｖ１の印加端に接続される。コンパレータ１０Ｂの反転入力端（－）は、ＣＮＴ端子に接続される。コンパレータ１０Ｂの非反転入力端（＋）は、基準電圧Ｖ２の印加端に接続される。コンパレータ１０Ｃの反転入力端（－）は、ＣＮＴ端子に接続される。コンパレータ１０Ｃの非反転入力端（＋）は、基準電圧Ｖ３の印加端に接続される。内部電圧Ｖｄｄの印加端とＣＮＴ端子との間に定電流源１０Ｄが設けられる。
　ここで、基準電圧Ｖ１は、０Ｖよりも若干高い電圧値（例えば０．６Ｖなど）とする。基準電圧Ｖ２は、内部電圧Ｖｄｄよりも若干高い電圧値（Ｖｄｄ＝２．５Ｖであれば、３．０Ｖなど）とする。基準電圧Ｖ３は、電源電圧Ｖｉｎよりも若干低い電圧（例えばＶＩＮ－１Ｖなど）とする。
　この場合、ＣＮＴ端子＝電源電圧Ｖｉｎは、コンパレータ１０Ｃの出力がＬｏｗレベルであることにより検出される。また、ＣＮＴ端子＝オープンは、コンパレータ１０Ｂの出力がＬｏｗレベル、かつコンパレータ１０Ｃの出力がＨｉｇｈレベルであることにより検出される。また、ＣＮＴ端子＝ＧＮＤは、コンパレータ１０Ａの出力がＬｏｗレベルであることにより検出される。
　なお、先述したようなＣＮＴ端子へのオープン／ＧＮＤの印加の２つのパターンを検出する構成の場合は、例えば図１７の構成において、コンパレータ１０Ｂ，１０Ｃを省略した構成、またはコンパレータ１０Ａ，１０Ｃを省略した構成とすればよい。
　図１８は、可変設定部１０の別の構成例を示す図である。図１８に示す構成では、可変設定部１０は、定電流源１０Ｅを有する。定電流源１０Ｅは、内部電圧Ｖｄｄの印加端とＣＮＴ端子との間に設けられる。ＣＮＴ端子には、設定用抵抗Ｒｃｎｔが外部接続される。
　このような構成によれば、ＣＮＴ端子の電圧Ｖｃｎｔ＝Ｉｃｎｔ×Ｒｃｎｔ（Ｉｃｎｔ：定電流源１０Ｅによる定電流値）となり、外付けの設定用抵抗Ｒｃｎｔの抵抗値を変更することで、電圧Ｖｃｎｔを変更することができる。可変設定部１０は、電圧Ｖｃｎｔに応じて可変設定を行う。これにより、より柔軟に可変設定を行うことができる。
＜６．ソケット型ＬＥＤモジュール＞
　図１９は、これまでに説明してきたＬＥＤ発光装置Ｘ１を具現化した一例として、ソケット型ＬＥＤモジュールＹを示す平面図である。本構成例のソケット型ＬＥＤモジュールＹは、例えば車載用の照明器具であって、基板３００、ＬＥＤチップ４００、白色樹脂４８０、リフレクタ６００、ＬＥＤ駆動装置１５、および、ソケット９００を備えている。ただし、図１９に示すＬＥＤチップ４００は便宜上、ＬＥＤ光源２００を構成するＬＥＤチップが３個である場合で示しているが、ＬＥＤチップの個数はこれに限らない（図１の例ではＬＥＤチップの個数は４個）。また、図１９においては、ＬＥＤ駆動装置１５に対して外付けされる電子部品は便宜上、図示を省略している。
　基板３００は、基材とこれに形成された配線パターン（本図の斜線ハッチング領域を参照）を有している。基材は、矩形状であり、例えばガラスエポキシ樹脂から成る。配線パターンは、ＬＥＤチップ４００および種々の電子部品を実装するために基材の表面上に敷設された導電性部材であり、例えば、ＣｕまたはＡｇなどの金属から成る。基板３００の上面には、ＬＥＤ駆動装置１５、および各種の外付け部品などが搭載されている。各電子部品は、基板３００の上面および下面に敷設された配線パターンによって接続されて回路を構成しており、ＬＥＤチップ４００を所望の発光状態で点灯させるためのものである。
　リフレクタ６００は、例えば白色樹脂から成り、ＬＥＤチップ４００を囲むようにして基板３００の中央領域に固定されている。リフレクタ６００は、ＬＥＤチップ４００から側方に発せられた光を上方に向けて反射するためのものである。リフレクタ６００には、反射面６０１が形成されている。反射面６０１は、ＬＥＤチップ４００を囲んでいる。なお、図１６では分かりにくいが、反射面６０１は、基板３００の厚さ方向において、基板３００から離間するほど、基板３００の厚さ方向に対して直角である方向において、ＬＥＤチップ４００から遠ざかるように傾斜している。つまり、反射面６０１は、基板３００の厚さ方向に直交する断面が、リフレクタ６００の開口側に向かうほど大きくなるテーパ形状になっている。
　白色樹脂４８０は、ＬＥＤチップ４００からの光を透過しない、白色を呈する樹脂材料から成り、不透明樹脂の一例に相当する。図１９から理解されるように、白色樹脂４８０はＬＥＤチップ４００を囲んでおり、その外周縁がリフレクタ６００の反射面６０１に到達している。このため、図１９において、ＬＥＤチップ４００から反射面６０１へと図中上下方向および左右方向に広がる領域は、白色樹脂４８０によって埋められている。
　ソケット９００は、基板３００を搭載して、例えば自動車などに取り付けるための部品である。ソケット９００は、例えば合成樹脂から成り、例えば射出成形によって形成される。ソケット９００は、基板３００を搭載するための搭載部９１０および自動車などに取り付けるための取付部を備えている。搭載部９１０は、一方が開口した円筒形状をなしており、搭載部９１０の内側底面に基板３００が搭載される。搭載部９１０の内側底面には、例えばアルミニウム製の円形の板である放熱板９５０が固定されている。基板３００は、下面を放熱板９５０の上面に接着剤で接着することで、ソケット９００の搭載部９１０に搭載される。
　白色樹脂４８０は、ＬＥＤチップ４００の支持基板からリフレクタ６００の反射面６０１にいたる環状領域のすべてを覆っている。従って、反射面６０１に囲まれた領域は、ＬＥＤチップ４００が占める領域を除き、白色樹脂４８０によって覆われている。これにより、ＬＥＤチップ４００の半導体層からの光をより多く反射することが可能である。これは、ソケット型ＬＥＤモジュールＹの高輝度化に好適である。また、基板３００の反射面６０１に囲まれた領域に、光を好適に反射させる処理を別途施しておく必要がない。
　反射面６０１を有するリフレクタ６００を備えることにより、ソケット型ＬＥＤモジュールＹの直上方向をより明るく照らすことができる。
　特に、車載ランプには、電源電圧Ｖｉｎの低下時でも点灯状態を維持しなければならないという法規の遵守が求められる。これを鑑みると、バイパス機能を備えたＬＥＤ駆動装置１５は、車載ランプの駆動主体として非常に好適であると言える。
　また、図２０は、基板３００における配線パターン例の拡大図である。図２０に示す配線パターンは、いわゆるベタグランドを形成するグランド配線３０１と、グランド配線３０１の周辺に配置される複数の端子配線３０２と、を含む。
　ＬＥＤ駆動装置１５を基板３００に実装した状態で、ＬＥＤ駆動装置１５の下面に形成される放熱パッド１５０は、グランド配線３０１と電気的に接続される。また、ＬＥＤ駆動装置１５における各外部端子は、それぞれ各端子配線と電気的に接続される。図２０に示す端子配線３０２Ａは、ＬＥＤ駆動装置１５のＣＮＴ端子と電気的に接続される。端子配線３０２Ａはグランド配線３０１と一体化しており、ＣＮＴ端子にＧＮＤを印加することが可能となる。
　一方、図２１は、基板３００における配線パターンの別例の拡大図である。図２１に示す配線パターンは、端子配線３０２Ｂと、端子配線３０２Ｃと、を含む。端子配線３０２Ｃは、端子配線３０２Ｂに隣接する端子配線ではない。端子配線３０２Ｂは、ＬＥＤ駆動装置１５のＣＮＴ端子と電気的に接続される。端子配線３０２Ｃは、ＬＥＤ駆動装置１５のＶＩＮ端子と電気的に接続される。
　図２１に示すように、ＣＮＴ端子に電源電圧Ｖｉｎを印加すべく、端子配線３０２Ｂを端子配線３０２Ｃと接続配線３０２Ｄにより接続している。接続配線３０２Ｄは、端子配線３０２（ＬＥＤ駆動装置１５の外部端子）が並ぶ横方向に延びる。しかしながら、ソケット型ＬＥＤモジュールＹにおいては基板３００はサイズが小さく、接続配線３０２Ｄを設けようとする箇所に部品Ｐ（抵抗など）が配置されている可能性もあり、接続配線３０２Ｄを設けることができない場合もある。すなわち、電源電圧ＶｉｎをＣＮＴ端子に印加することができない可能性がある。
　これに対し、図２０に示すように、基板３００のサイズが小さくても、ＧＮＤ用の端子配線３０２Ａをグランド配線３０１と一体化させることは容易である。従って、ソケット型ＬＥＤモジュールＹにおいては、先述したＣＮＴ端子へのオープン／ＧＮＤの印加の２つのパターンを検出する構成の可変設定部１０を設けたＬＥＤ駆動装置１５を特に適用しやすい。
　なお、可変設定部１０を先述したＣＮＴ端子への電源電圧Ｖｉｎ／オープン／ＧＮＤの印加の３つのパターンを検出する構成とする場合は、上記のように電源電圧ＶｉｎのＣＮＴ端子への印加が行いにくい可能性があるため、例えば、低電位側ＬＥＤ２０２を構成するＬＥＤチップの個数（直列段数）に応じて、最も使用頻度の高い個数（例えば１個）の場合はＧＮＤ、次に使用頻度の高い個数（例えば２個）の場合はオープン、最も使用頻度の低い個数（例えば３個）の場合は電源電圧ＶｉｎをＣＮＴ端子に印加させるようにすればよい。
＜７．用途＞
　これまでに説明してきたＬＥＤ駆動装置１５は、例えば、図２２および図２３で示すように、車両Ｘ１０のヘッドランプ（ハイビーム／ロービーム／スモールランプ／フォグランプなどを適宜含む）Ｘ１１、昼間走行用ランプ（ＤＲＬ［daylight　running  lamps］）Ｘ１２、テールランプ（スモールランプまたはバックランプなどを適宜含む）Ｘ１３、ストップランプＸ１４、ターンランプＸ１５などの発光装置に組み込んで用いることができる。
　なお、ＬＥＤ駆動装置１５は、駆動対象となるＬＥＤ光源２００とともにモジュール（先述のソケット型ＬＥＤモジュールＹなど）として提供されるものであってもよいし、ＬＥＤ光源２００とは独立にＩＣ単体として提供されるものであってもよい。
＜８．その他＞
　以上、例示的な実施形態について説明したが、本発明の趣旨の範囲内において、実施形態は種々に変形が可能である。
　例えば、上記の実施形態では、発光素子として発光ダイオードを用いた構成を例に挙げて説明を行ったが、本発明の構成はこれに限定されるものではなく、例えば、発光素子として有機ＥＬ（electro-luminescence）素子を用いることも可能である。
　また、上記の実施形態では、電流ドライバ１が電流ソース型（＝電源端からＬＥＤ光源２００のアノードに出力電流Ｉｏｕｔを流し込む出力形式）である場合を例に挙げたが、ＬＥＤ駆動装置１５の構成は何らこれに限定されるものではなく、電流ドライバ１が電流シンク型（＝ＬＥＤ光源２００のカソードから接地端に向けて出力電流Ｉｏｕｔを引き込む出力形式）である場合にも、上記バイパス機能の導入は有効である。
＜９．付記＞
　以上の通り、例えば、本開示に係る発光素子駆動装置（１５）は、
　電源電圧（Ｖｉｎ）の印加端と接地端との間に接続された発光素子光源（２００）に流れる出力電流（Ｉｏｕｔ）を生成する電流ドライバ（１）と、
　前記発光素子光源に含まれる高電位側光源（２０１）と低電位側光源（２０２）とが直列に接続されるノード（Ｎｘ）に接続可能な第１外部端子（ＩＳＩＮＫ端子）と、
　前記電源電圧に応じて、前記第１外部端子から前記出力電流を引き込んで前記低電位側光源をバイパスする経路の導通状態を制御するバイパス制御部（４）と、
　前記電源電圧の印加端と前記第１外部端子との間に設けられる定電流源（７）およびスイッチ（８）と、
　前記第１外部端子の電圧とオープン検出閾値電圧（Ｖｔｈ_ｏｐ）とを比較して検出信号を出力するコンパレータ（６）と、
　前記電源電圧とＵＶＬＯ（Under  Voltage　Lock　Out）閾値電圧（Ｖｉｎ_ＵＶＬＯ）とを比較してＵＶＬＯ検出信号（Ｓｕｖｌｏ）を出力するＵＶＬＯ部（２）と、
　前記オープン検出用閾値電圧と前記ＵＶＬＯ閾値電圧を連動して可変設定する可変設定部（１０）と、
　を有し、
　前記電源電圧の立上げ時に、前記バイパス制御部は、前記経路をオフ状態としつつ、前記ＵＶＬＯ検出信号がＵＶＬＯ解除を示している場合、前記スイッチをオン状態に切り替え、前記第１外部端子の電圧が前記オープン検出閾値電圧を上回っていることを前記検出信号が示している場合、前記ノードより低電位側においてオープンが発生していると判定し、前記経路のオフ状態を維持する構成としている（第１２の構成）。
　また、上記第１２の構成において、前記可変設定部は、前記バイパス制御部が前記スイッチをオン状態に切り替えてからオープン判定を行うまでに待機する待ち時間（Ｔｗａｉｔ）を前記オープン検出用閾値電圧と前記ＵＶＬＯ閾値電圧と連動して可変設定する構成としてもよい（第１３の構成）。
　また、上記第１３の構成において、前記待ち時間は、前記第１外部端子に外部接続可能なＥＭＣテスト対策用容量素子（Ｃｓｉｎｋ）の容量を考慮して設定される構成としてもよい（第１４の構成）。
　また、上記第１２から第１４のいずれかの構成において、前記バイパス制御部は、前記ＵＶＬＯ検出信号がＵＶＬＯ解除を示しており、かつ、発光素子オン信号（Ｓｌｅｄ_ｏｎ）が前記発光素子光源のオンを示している場合に、前記スイッチをオン状態に切り替える構成としてもよい（第１５の構成）。
　また、上記第１５の構成において、キャパシタ（Ｃｃｒｔ）および抵抗（Ｒｃｒｔ）を外部接続可能で、前記キャパシタの充電および前記キャパシタからの前記抵抗を介した放電に基づき三角波および前記三角波に応じたパルス信号であるＰＷＭ調光信号（Ｓｐｗｍ）を生成するＣＲタイマ（９）をさらに有し、
　前記ＰＷＭ調光信号に基づき前記電流ドライバはオンオフ制御され、
　前記発光素子オン信号は、前記ＰＷＭ調光信号に基づく信号であり、
　前記ＣＲタイマは、ＤＣ調光モードにおいて、レベルを固定した前記ＰＷＭ調光信号を生成可能である構成としてもよい（第１６の構成）。
　また、上記第１２から第１６のいずれかの構成において、第２外部端子（ＣＮＴ端子）をさらに有し、前記可変設定部は、前記第２外部端子への信号印加に応じて可変設定を行う構成としてもよい（第１７の構成）。
　また、上記第１７の構成において、前記可変設定部は、前記第２外部端子へのオープン／ＧＮＤ（グランド電位）の印加の２つのパターンを検出し、検出結果に応じて可変設定を行う構成としてもよい（第１８の構成）。
　また、上記第１７の構成において、前記可変設定部は、前記第２外部端子への前記電源電圧／オープン／ＧＮＤ（グランド電位）の印加の３つのパターンを検出し、検出結果に応じて可変設定を行う構成としてもよい（第１９の構成）。
　また、上記第１７の構成において、前記可変設定部は、定電流源（１０Ｅ）を有し、前記定電流源による定電流（Ｉｃｎｔ）を前記第２外部端子に外部接続可能な設定用抵抗（Ｒｃｎｔ）に流すことにより前記第２外部端子に発生する電圧に基づき可変設定を行う構成としてもよい（第２０の構成）。
　また、本開示に係る発光装置（Ｘ１）は、上記第１から第９のいずれかの構成とした発光素子駆動装置（１５）と、前記発光素子光源（２００）と、を有する構成としている（第２１の構成）。
　また、上記第２１の構成において、前記発光素子光源は、ＬＥＤ光源である構成としてもよい（第２２の構成）。
　また、上記第２１または第２２の構成において、前記発光素子光源と前記発光素子駆動装置を実装するための配線パターンが設けられた基板（３００）と、前記基板を搭載するソケット（９００）と、をさらに有する構成としてもよい（第２３の構成）。
　また、上記第２３の構成において、前記発光素子駆動装置は、第２外部端子（ＣＮＴ端子）と、下面に設けられた放熱パッド（１５０）と、を有し、
　前記配線パターンは、前記第２外部端子と電気的に接続される端子配線（３０２Ａ）と、前記端子配線と一体化して前記放熱パッドと電気的に接続されるグランド配線（３０１）と、を有し、
前記可変設定部は、前記第２外部端子へのオープン／ＧＮＤ（グランド電位）の印加の２つのパターンを検出し、検出結果に応じて可変設定を行う構成としてもよい（第２４の構成）。
　また、本開示に係る車両（Ｘ１０）は、上記第２１から第２４のいずれかの構成とした発光装置（Ｘ１）を有する構成としている。
　本開示は、例えば、車載用の発光素子駆動装置に利用することができる。
　　　１　　　電流ドライバ
　　　２　　　電流設定部
　　　２Ａ　　出力トランジスタ
　　　２Ｂ　　エラーアンプ
　　　３　　　電流追加部
　　　３Ａ　　出力トランジスタ
　　　３Ｂ　　エラーアンプ
　　　４　　　定電流源
　　　５　　　ＬＥＤ駆動装置
　　１０　　　ＬＥＤ光源
　３００　　　基板
　４００　　　ＬＥＤチップ
　４８０　　　白色樹脂
　６００　　　リフレクタ
　６０１　　　反射面
　９００　　　ソケット
　９１０　　　搭載部
　９５０　　　放熱板
　　　Ｂ　　　バッテリ
Ｒｓｅｔ，Ｒｓｅｔ_ｔｈ　設定抵抗
ＴＨ１，ＴＨ２　サーミスタ
　　Ｘ１　　　ＬＥＤ発光装置
　Ｘ１０　　　車両
　Ｘ１１　　　ヘッドランプ
　Ｘ１２　　　昼間走行用ランプ
　Ｘ１３　　　テールランプ
　Ｘ１４　　　ストップランプ
　Ｘ１５　　　ターンランプ
　　　Ｙ　　　ソケット型ＬＥＤモジュール

Claims (25)

  1. 　第１設定抵抗に接続可能な第１外部端子と、
    　発光素子光源の周囲に配置される負特性の第１サーミスタに接続可能な第２外部端子と、
    　前記第１設定抵抗の抵抗値に基づき設定電流を生成する電流設定部と、
    　前記第１サーミスタの抵抗値に対して負特性の追加電流を生成する電流追加部と、
    　前記設定電流と前記追加電流との総和である基準電流に基づき、電源電圧の印加端と接地端との間に接続された前記発光素子光源に流れる出力電流を生成する電流ドライバと、
    　を有する、発光素子駆動装置。
  2. 　前記第２外部端子には、前記第１サーミスタと直列に接続される第２設定抵抗が接続可能であり、
    　前記電流追加部は、前記第１サーミスタと前記第２設定抵抗との合成抵抗値に対して負特性の前記追加電流を生成する、請求項１に記載の発光素子駆動装置。
  3. 　前記発光素子光源の周囲に配置される負特性の第２サーミスタに接続可能な第３外部端子と、
    　前記第３外部端子に接続される定電流源と、
    　をさらに有し、
    　前記電流追加部は、前記第３外部端子の端子電圧に対して正特性の前記追加電流を生成する、請求項２に記載の発光素子駆動装置。
  4. 　前記電流設定部は、前記端子電圧に対して正特性の前記設定電流を生成する、請求項３に記載の発光素子駆動装置。
  5. 　前記電流設定部は、
    　前記設定電流が流れる経路に配置される第１出力トランジスタと、
    　前記第１出力トランジスタの第１端と前記第１外部端子とが接続される第１ノードに接続される第１入力端と、前記端子電圧の印加端に接続される第２入力端と、前記第１出力トランジスタの制御端に接続される出力端と、を含む第１エラーアンプと、
    　を有する、請求項４に記載の発光素子駆動装置。
  6. 　前記電流追加部は、
    　前記追加電流が流れる経路に配置される第２出力トランジスタと、
    　前記第２出力トランジスタの第１端と前記第２外部端子とが接続される第２ノードに接続される第１入力端と、基準電圧の印加端に接続される第２入力端と、前記第２出力トランジスタの制御端に接続される出力端と、を含む第２エラーアンプと、
    　を有する、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の発光素子駆動装置。
  7. 前記発光素子光源の周囲に配置される負特性の第２サーミスタに接続可能な第３外部端子と、
    　前記第３外部端子に接続される定電流源と、
    　をさらに有し、
    　前記第２外部端子には、前記第１サーミスタと直列に接続される第２設定抵抗が接続可能であり、
    　前記基準電圧は、前記第３外部端子の端子電圧である、請求項６に記載の発光素子駆動装置。
  8. 　請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の発光素子駆動装置と、前記発光素子光源と、を有する、発光装置。
  9. 　前記発光素子光源は、ＬＥＤ光源である、請求項８に記載の発光装置。
  10. 　前記発光素子光源と前記発光素子駆動装置を実装するための配線パターンが設けられた基板と、
    　前記基板を搭載するソケットと、
    　をさらに有する、請求項８または請求項９に記載の発光装置。
  11. 　請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載の発光装置を有する車両。
  12. 　電源電圧の印加端と接地端との間に接続された発光素子光源に流れる出力電流を生成する電流ドライバと、
    　前記発光素子光源に含まれる高電位側光源と低電位側光源とが直列に接続されるノードに接続可能な第１外部端子と、
    　前記電源電圧に応じて、前記第１外部端子から前記出力電流を引き込んで前記低電位側光源をバイパスする経路の導通状態を制御するバイパス制御部と、
    　前記電源電圧の印加端と前記第１外部端子との間に設けられる定電流源およびスイッチと、
    　前記第１外部端子の電圧とオープン検出閾値電圧とを比較して検出信号を出力するコンパレータと、
    　前記電源電圧とＵＶＬＯ（Under  Voltage　Lock　Out）閾値電圧とを比較してＵＶＬＯ検出信号を出力するＵＶＬＯ部と、
    　前記オープン検出用閾値電圧と前記ＵＶＬＯ閾値電圧を連動して可変設定する可変設定部と、
    　を有し、
    　前記電源電圧の立上げ時に、前記バイパス制御部は、前記経路をオフ状態としつつ、前記ＵＶＬＯ検出信号がＵＶＬＯ解除を示している場合、前記スイッチをオン状態に切り替え、前記第１外部端子の電圧が前記オープン検出閾値電圧を上回っていることを前記検出信号が示している場合、前記ノードより低電位側においてオープンが発生していると判定し、前記経路のオフ状態を維持する、発光素子駆動装置。
  13. 　前記可変設定部は、前記バイパス制御部が前記スイッチをオン状態に切り替えてからオープン判定を行うまでに待機する待ち時間を前記オープン検出用閾値電圧と前記ＵＶＬＯ閾値電圧と連動して可変設定する、請求項１２に記載の発光素子駆動装置。
  14. 　前記待ち時間は、前記第１外部端子に外部接続可能なＥＭＣテスト対策用容量素子の容量を考慮して設定される、請求項１３に記載の発光素子駆動装置。
  15. 　前記バイパス制御部は、前記ＵＶＬＯ検出信号がＵＶＬＯ解除を示しており、かつ、発光素子オン信号が前記発光素子光源のオンを示している場合に、前記スイッチをオン状態に切り替える、請求項１２から請求項１４のいずれか１項に記載の発光素子駆動装置。
  16. 　キャパシタおよび抵抗を外部接続可能で、前記キャパシタの充電および前記キャパシタからの前記抵抗を介した放電に基づき三角波および前記三角波に応じたパルス信号であるＰＷＭ調光信号を生成するＣＲタイマをさらに有し、
    　前記ＰＷＭ調光信号に基づき前記電流ドライバはオンオフ制御され、
    　前記発光素子オン信号は、前記ＰＷＭ調光信号に基づく信号であり、
    　前記ＣＲタイマは、ＤＣ調光モードにおいて、レベルを固定した前記ＰＷＭ調光信号を生成可能である、請求項１５に記載の発光素子駆動装置。
  17. 　第２外部端子をさらに有し、
    　前記可変設定部は、前記第２外部端子への信号印加に応じて可変設定を行う、請求項１２から請求項１６のいずれか１項に記載の発光素子駆動装置。
  18. 　前記可変設定部は、前記第２外部端子へのオープン／ＧＮＤ（グランド電位）の印加の２つのパターンを検出し、検出結果に応じて可変設定を行う、請求項１７に記載の発光素子駆動装置。
  19. 　前記可変設定部は、前記第２外部端子への前記電源電圧／オープン／ＧＮＤ（グランド電位）の印加の３つのパターンを検出し、検出結果に応じて可変設定を行う、請求項１７に記載の発光素子駆動装置。
  20. 　前記可変設定部は、定電流源を有し、前記定電流源による定電流を前記第２外部端子に外部接続可能な設定用抵抗に流すことにより前記第２外部端子に発生する電圧に基づき可変設定を行う、請求項１７に記載の発光素子駆動装置。
  21. 　請求項１２から請求項２０のいずれか１項に記載の発光素子駆動装置と、前記発光素子光源と、を有する、発光装置。
  22. 　前記発光素子光源は、ＬＥＤ光源である、請求項２１に記載の発光装置。
  23. 　前記発光素子光源と前記発光素子駆動装置を実装するための配線パターンが設けられた基板と、
    　前記基板を搭載するソケットと、
    　をさらに有する、請求項２１または請求項２２に記載の発光装置。
  24. 　前記発光素子駆動装置は、第２外部端子と、下面に設けられた放熱パッドと、を有し、
    　前記配線パターンは、前記第２外部端子と電気的に接続される端子配線と、前記端子配線と一体化して前記放熱パッドと電気的に接続されるグランド配線と、を有し、
    前記可変設定部は、前記第２外部端子へのオープン／ＧＮＤ（グランド電位）の印加の２つのパターンを検出し、検出結果に応じて可変設定を行う、請求項２３に記載の発光装置。
  25. 　請求項２１から請求項２４のいずれか１項に記載の発光装置を有する車両。
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