WO2022201830A1 - Substrate processing method and substrate processing device - Google Patents
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Definitions
- the size of the particles is preferably smaller than the distance between the adjacent structures.
- the execution time of the processing liquid removal control is preferably longer than the execution time of the predetermined process.
- the predetermined step preferably indicates a step of shaking off the processing liquid, which is the same as the processing liquid and does not contain the particles, from the substrate by rotation.
- FIG. 3A is a side view showing a state in which the liquid film 26 of the suspension 25 covers the upper surface of the substrate W.
- FIG. 3(b) is a side view showing an enlarged part of the liquid film 26 of the suspension 25 and part of the substrate W shown in FIG. 3(a).
- the insulating layer is, for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film.
- the semiconductor layer is, for example, a polysilicon film or an amorphous silicon film.
- the conductor layer is, for example, a metal film.
- the metal film is, for example, a film containing at least one of titanium, tungsten, copper, and aluminum.
- the density of the particles 252 in the suspension 25 is, for example, a volume fraction of 0.1 or more and 0.9 or less.
- the density of the particles 252 in the suspension 25 is such that, for example, the particles 252 are in the space SP is a value that can occupy more than "M/10" of .
- M is a real number.
- M is, for example, "1", preferably "2", more preferably "3", more preferably "4", more preferably "5", more preferably "6", more preferably "7”
- Preferred is "8", more preferred is "9", and most preferred is "10".
- the more particles 252 occupying the space SP between the structures 23 at the completion of the treatment liquid removal step (FIGS. 4(c) and 5(a)), the more effectively the structure 23 collapses. can be suppressed. Details of this point will be described later.
- the process liquid 251 is poured from the upper surface of the substrate W so that the particles 252 remain between the structures 23 adjacent to each other. Eliminate (remove).
- the processing liquid 251 is removed (removed) from the substrate W by rotating the substrate W while the supply of the suspension 25 is stopped.
- step S6 the center robot CR loads the substrate W into the particle removal unit 5.
- the ozone gas supply unit 6B includes an ozone gas supply source 61B, a gas supply pipe 62B, a gas supply valve 63B, and a gas nozzle 64B.
- the gas nozzle 64B has a gas supply port 641B.
- the gas nozzle 64B is connected to the ozone gas supply source 61B via the gas supply pipe 62B. By opening the gas supply valve 63B, ozone (O 3 ) gas is supplied to the processing space 20B from the gas supply port 641B of the gas nozzle 64B.
- a discharge gas exists in the space between the electrodes 33C and 35C.
- a high voltage with a high frequency is applied between the electrodes 33C and 35C.
- the discharge gas is excited into an excimer state.
- the discharge gas generates ultraviolet rays when returning from the excimer state to the ground state.
- the ultraviolet rays pass through the openings 351C of the electrodes 35C, pass through the quartz glass plate 31C, and irradiate the substrate W with the ultraviolet rays.
Abstract
According to the present invention, a substrate processing method involves processing a substrate (W) that has a pattern (PT) that includes a plurality of structures (23). The substrate processing method includes a suspension liquid supply step (S3) and a processing liquid removal step (S4). The suspension liquid supply step (S3) involves supplying a suspension liquid (25) that combines a processing liquid (251) and a plurality of particles (252) that do not dissolve in the processing liquid (251) to an upper surface of the substrate (W) and thereby forming a liquid film (26) of the suspension liquid (25) on the upper surface of the substrate (W). The processing liquid removal step (S4) involves removing the processing liquid (251) from the upper surface of the substrate (W) such that the particles (252) remain between adjacent structures (23) of the plurality of structures (23).
Description
本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.
特許文献１に記載されている基板処理装置では、基板のパターン面に第１処理液を供給して第１湿式処理を実行する。次に、第１湿式処理を受けたパターン面に対して第１処理液の凝固点より高温の昇華性固体粒子を吹き付ける。その結果、パターン面に付着した第１処理液が除去されるとともに、パターン面が昇華性固体粒子で覆われる。次に、パターン面を覆う昇華性固体粒子を固相から気相に昇華させてパターン面から除去する。その結果、基板のパターン面に形成されている凹凸パターンを倒壊させることなく、基板を乾燥できる。
In the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, the first wet processing is performed by supplying the first processing liquid to the pattern surface of the substrate. Next, sublimable solid particles having a temperature higher than the freezing point of the first treatment liquid are sprayed onto the patterned surface that has undergone the first wet treatment. As a result, the first treatment liquid adhering to the pattern surface is removed, and the pattern surface is covered with the sublimable solid particles. Next, the sublimable solid particles covering the pattern surface are removed from the pattern surface by sublimating from the solid phase to the gas phase. As a result, the substrate can be dried without collapsing the uneven pattern formed on the pattern surface of the substrate.
しかしながら、特許文献１に記載されている基板処理装置では、凹凸パターンを構成する構造物と構造物との間隔によっては、昇華性固体粒子が構造物と構造物との間に進入し難い場合があり得る。特に、近年、凹凸パターンの微細化が進んでいるので、昇華性固体粒子が構造物と構造物との間に進入し難い場合が増加する可能性がある。例えば、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ ｔｒｅｎｃｈ ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）及びＣａｐａｃｉｔｏｒのような高アスペクト比の構造物の研究開発が進んでいる。
However, in the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, it may be difficult for the sublimable solid particles to enter between the structures, depending on the distance between the structures forming the uneven pattern. could be. In particular, in recent years, as uneven patterns have become finer, the number of cases where it is difficult for sublimable solid particles to enter between structures may increase. For example, research and development of high aspect ratio structures such as STI (Shallow trench isolation) and Capacitor are progressing.
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板のパターンを構成する構造物の倒壊を抑制するための粒子を、構造物と構造物との間に容易に進入させることができる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to allow particles to easily enter between structures for suppressing the collapse of structures constituting a pattern of a substrate. It is an object of the present invention to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of
本発明の一局面によれば、基板処理方法において、複数の構造物を含むパターンを有する基板を処理する。基板処理方法は、懸濁液供給工程と、処理液排除工程とを含む。懸濁液供給工程において、処理液と、前記処理液に溶解しない複数の粒子とが混在した懸濁液を、前記基板の上面に供給することで、前記懸濁液の液膜を前記基板の上面に形成する。処理液排除工程において、互いに隣り合う前記構造物と前記構造物との間に前記粒子が残留するように、前記基板の上面から前記処理液を排除する。
According to one aspect of the present invention, in a substrate processing method, a substrate having a pattern including a plurality of structures is processed. The substrate processing method includes a suspension supply step and a processing liquid removal step. In the suspension supplying step, a suspension containing a mixture of a processing liquid and a plurality of particles not dissolved in the processing liquid is supplied to the upper surface of the substrate, thereby forming a liquid film of the suspension on the substrate. Form on top. In the processing liquid removing step, the processing liquid is removed from the upper surface of the substrate such that the particles remain between the structures adjacent to each other.
本発明の一態様においては、基板処理方法は、非液体によって、前記構造物と前記構造物との間に残留した前記粒子を除去する粒子除去工程を更に含むことが好ましい。
In one aspect of the present invention, the substrate processing method preferably further includes a particle removal step of removing the particles remaining between the structures with a non-liquid.
本発明の一態様においては、前記粒子は、無機物であり、前記非液体は、薬液の蒸気であることが好ましい。前記粒子除去工程では、前記基板の上面に前記薬液の蒸気を供給することで、前記構造物と前記構造物との間から前記粒子を除去することが好ましい。
In one aspect of the present invention, it is preferable that the particles are inorganic and the non-liquid is vapor of a chemical solution. Preferably, in the particle removing step, the particles are removed from between the structures by supplying vapor of the chemical liquid to the upper surface of the substrate.
本発明の一態様においては、前記粒子は、シリカであることが好ましい。
In one aspect of the present invention, the particles are preferably silica.
本発明の一態様においては、前記粒子は、有機物であり、前記非液体は、紫外線又はオゾンであることが好ましい。前記粒子除去工程では、前記基板の上面に前記オゾンを供給することで、又は、前記基板の上面に前記紫外線を照射することで、前記構造物と前記構造物との間から前記粒子を除去することが好ましい。
In one aspect of the present invention, it is preferable that the particles are organic matter and the non-liquid is ultraviolet rays or ozone. In the particle removing step, the particles are removed from between the structures by supplying the ozone to the upper surface of the substrate or by irradiating the upper surface of the substrate with the ultraviolet rays. is preferred.
本発明の一態様においては、前記粒子は、ポリスチレンであることが好ましい。
In one aspect of the present invention, the particles are preferably polystyrene.
本発明の一態様においては、前記処理液は、リンス液であることが好ましい。
In one aspect of the present invention, the treatment liquid is preferably a rinse liquid.
本発明の一態様においては、前記粒子のサイズは、互いに隣り合う前記構造物と前記構造物との間隔よりも小さいことが好ましい。
In one aspect of the present invention, the size of the particles is preferably smaller than the distance between the adjacent structures.
本発明の一態様においては、前記処理液排除工程では、前記基板を回転させることで、前記基板から前記処理液を排除することが好ましい。
In one aspect of the present invention, in the processing liquid removing step, the processing liquid is preferably removed from the substrate by rotating the substrate.
本発明の一態様においては、前記処理液排除工程の実行時間は、所定工程の実行時間よりも長いことが好ましい。前記所定工程は、前記処理液と同じ処理液であって、前記粒子の混在しない処理液を、回転によって基板から振り切る工程を示すことが好ましい。
In one aspect of the present invention, it is preferable that the execution time of the processing liquid removal process is longer than the execution time of the predetermined process. The predetermined step preferably indicates a step of shaking off the processing liquid, which is the same as the processing liquid and does not contain the particles, from the substrate by rotation.
本発明の一態様においては、基板処理方法は、前記処理液排除工程よりも後であって、前記粒子除去工程よりも前において、前記基板を加熱する基板加熱工程を更に含むことが好ましい。
In one aspect of the present invention, the substrate processing method preferably further includes a substrate heating step of heating the substrate after the processing liquid removing step and before the particle removing step.
本発明の一態様においては、基板処理方法は、前記懸濁液供給工程よりも前において、薬液を前記基板の上面に供給する薬液供給工程と、前記薬液供給工程の次に、リンス液を前記基板の上面に供給することで、前記薬液を洗い流すリンス液供給工程とを更に含むことが好ましい。前記懸濁液供給工程は、前記リンス液供給工程の次に実行されることが好ましい。
In one aspect of the present invention, the substrate processing method includes, before the suspension supply step, a chemical solution supply step of supplying a chemical solution onto the upper surface of the substrate; It is preferable to further include a rinse liquid supply step of washing away the chemical liquid by supplying it to the upper surface of the substrate. The suspension supply step is preferably performed after the rinse liquid supply step.
本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、複数の構造物を含むパターンを有する基板を処理する。基板処理装置は、懸濁液供給部と、制御部とを備える。懸濁液供給部は、処理液と、前記処理液に溶解しない複数の粒子とが混在した懸濁液を、前記基板の上面に供給することで、前記懸濁液の液膜を前記基板の上面に形成する。制御部は、処理液排除制御を実行する。前記処理液排除制御は、互いに隣り合う前記構造物と前記構造物との間に前記粒子を残留させつつ、前記基板の上面から前記処理液を排除する制御を示す。
According to another aspect of the present invention, a substrate processing apparatus processes a substrate having a pattern including multiple structures. The substrate processing apparatus includes a suspension supply section and a control section. The suspension supply unit supplies a suspension containing a mixture of a processing liquid and a plurality of particles that are not dissolved in the processing liquid onto the upper surface of the substrate, thereby forming a liquid film of the suspension on the substrate. Form on top. The control unit executes processing liquid removal control. The processing liquid removal control indicates control for removing the processing liquid from the upper surface of the substrate while allowing the particles to remain between the structures adjacent to each other.
本発明の一態様においては、基板処理装置は粒子除去ユニットを更に備えることが好ましい。粒子除去ユニットは、非液体によって、前記構造物と前記構造物との間に残留した前記粒子を除去することが好ましい。
In one aspect of the present invention, the substrate processing apparatus preferably further includes a particle removal unit. Preferably, the particle removal unit removes the particles remaining between the structures with a non-liquid.
本発明の一態様においては、前記粒子は、無機物であり、前記非液体は、薬液の蒸気であることが好ましい。前記粒子除去ユニットは、前記基板の上面に前記薬液の蒸気を供給することで、前記構造物と前記構造物との間から前記粒子を除去することが好ましい。
In one aspect of the present invention, it is preferable that the particles are inorganic and the non-liquid is vapor of a chemical solution. Preferably, the particle removal unit removes the particles from between the structures by supplying vapor of the chemical liquid to the upper surface of the substrate.
本発明の一態様においては、前記粒子は、シリカであることが好ましい。
In one aspect of the present invention, the particles are preferably silica.
本発明の一態様においては、前記粒子は、有機物であり、前記非液体は、紫外線又はオゾンであることが好ましい。前記粒子除去ユニットは、前記基板の上面に前記オゾンを供給することで、又は、前記基板の上面に前記紫外線を照射することで、前記構造物と前記構造物との間から前記粒子を除去することが好ましい。
In one aspect of the present invention, it is preferable that the particles are organic matter and the non-liquid is ultraviolet rays or ozone. The particle removal unit removes the particles from between the structures by supplying the ozone to the upper surface of the substrate or by irradiating the upper surface of the substrate with the ultraviolet rays. is preferred.
本発明の一態様においては、前記粒子は、ポリスチレンであることが好ましい。
In one aspect of the present invention, the particles are preferably polystyrene.
本発明の一態様においては、前記処理液は、リンス液であることが好ましい。
In one aspect of the present invention, the treatment liquid is preferably a rinse liquid.
本発明の一態様においては、前記粒子のサイズは、互いに隣り合う前記構造物と前記構造物との間隔よりも小さいことが好ましい。
In one aspect of the present invention, the size of the particles is preferably smaller than the distance between the adjacent structures.
本発明の一態様においては、基板処理装置は、基板保持部と、基板回転部とを更に備えることが好ましい。基板保持部は、前記基板を保持することが好ましい。基板回転部は、前記基板保持部を回転させることで、前記基板を回転させることが好ましい。前記処理液排除制御は、前記基板回転部によって前記基板を回転させる制御を示すことが好ましい。
In one aspect of the present invention, the substrate processing apparatus preferably further includes a substrate holding section and a substrate rotating section. The substrate holding part preferably holds the substrate. It is preferable that the substrate rotating section rotates the substrate by rotating the substrate holding section. The processing liquid removal control preferably indicates control for rotating the substrate by the substrate rotation unit.
本発明の一態様においては、前記処理液排除制御の実行時間は、所定工程の実行時間よりも長いことが好ましい。前記所定工程は、前記処理液と同じ処理液であって、前記粒子の混在しない処理液を、回転によって基板から振り切る工程を示すことが好ましい。
In one aspect of the present invention, the execution time of the processing liquid removal control is preferably longer than the execution time of the predetermined process. The predetermined step preferably indicates a step of shaking off the processing liquid, which is the same as the processing liquid and does not contain the particles, from the substrate by rotation.
本発明の一態様においては、基板加熱部を更に備えることが好ましい。基板加熱部は、前記処理液排除制御の実行時よりも後であって、前記粒子除去ユニットによる前記粒子の除去処理よりも前において、前記基板を加熱することが好ましい。
In one aspect of the present invention, it is preferable to further include a substrate heating section. It is preferable that the substrate heating section heats the substrate after the processing liquid removal control is executed and before the particle removal processing by the particle removal unit.
本発明の一態様においては、基板処理装置は、薬液供給部と、リンス液供給部とを更に備えることが好ましい。薬液供給部は、前記懸濁液供給部による前記懸濁液の供給処理よりも前において、薬液を前記基板の上面に供給することが好ましい。リンス液供給部は、前記薬液供給部による前記薬液の供給処理の次に、リンス液を前記基板の上面に供給することで、前記薬液を洗い流すことが好ましい。前記懸濁液供給部は、前記リンス液供給部による前記リンス液の供給処理の次に、前記基板の上面に前記懸濁液を供給することが好ましい。
In one aspect of the present invention, the substrate processing apparatus preferably further includes a chemical supply section and a rinse liquid supply section. It is preferable that the chemical solution supply unit supplies the chemical solution to the upper surface of the substrate before the suspension supply process by the suspension supply unit. It is preferable that the rinsing liquid supply unit wash away the chemical liquid by supplying the rinsing liquid to the upper surface of the substrate after the processing of supplying the chemical liquid by the chemical liquid supplying section. It is preferable that the suspension supply section supplies the suspension onto the upper surface of the substrate after the rinse liquid supply process by the rinse liquid supply section.
本発明によれば、基板のパターンを構成する構造物の倒壊を抑制するための粒子を、構造物と構造物との間に容易に進入させることができる基板処理方法及び基板処理装置を提供できる。
According to the present invention, it is possible to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of allowing particles for suppressing the collapse of structures constituting a pattern of a substrate to easily enter between structures. .
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、図面には、説明の便宜のため、三次元直交座標系（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を適宜記載している。そして、図中、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated. For convenience of explanation, the drawings also show a three-dimensional orthogonal coordinate system (X, Y, Z) as appropriate. In the drawing, the X-axis and Y-axis are parallel to the horizontal direction, and the Z-axis is parallel to the vertical direction.
（実施形態１）
図１～図８を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００を説明する。まず、図１を参照して、基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００の内部を示す平面図である。図１に示す基板処理装置１００は、複数の構造物を含むパターンを有する基板Ｗを処理する。 (Embodiment 1)
Asubstrate processing apparatus 100 according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 8. FIG. First, the substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a plan view showing the inside of the substrate processing apparatus 100. FIG. A substrate processing apparatus 100 shown in FIG. 1 processes a substrate W having a pattern including a plurality of structures.
図１～図８を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００を説明する。まず、図１を参照して、基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００の内部を示す平面図である。図１に示す基板処理装置１００は、複数の構造物を含むパターンを有する基板Ｗを処理する。 (Embodiment 1)
A
基板Ｗは、例えば、半導体ウェハ（例えば、シリコンウェハ）、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。以下、一例として、基板Ｗは、シリコンウェハである。
The substrate W is, for example, a semiconductor wafer (e.g., silicon wafer), liquid crystal display substrate, plasma display substrate, field emission display (FED) substrate, optical disk substrate, magnetic disk substrate, magneto-optical They are disk substrates, photomask substrates, ceramic substrates, or solar cell substrates. Hereinafter, as an example, the substrate W is a silicon wafer.
図１に示すように、基板処理装置１００は、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、複数の処理ユニット１と、制御装置２と、複数の流体ボックス３と、薬液キャビネット４と、粒子除去ユニット５とを備える。
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 includes a plurality of load ports LP, an indexer robot IR, a center robot CR, a plurality of processing units 1, a controller 2, a plurality of fluid boxes 3, A chemical solution cabinet 4 and a particle removal unit 5 are provided.
ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと処理ユニット１との間、インデクサーロボットＩＲと粒子除去ユニット５との間、又は、処理ユニット１と粒子除去ユニット５との間で基板Ｗを搬送する。処理ユニット１の各々は、薬液によって基板Ｗを処理する。流体ボックス３の各々は流体機器を収容する。薬液キャビネット４は薬液を収容する。粒子除去ユニット５については後述する。
Each of the load ports LP accommodates a plurality of substrates W stacked one on top of another. The indexer robot IR transports substrates W between the load port LP and the center robot CR. The center robot CR transports substrates W between the indexer robot IR and the processing unit 1 , between the indexer robot IR and the particle removal unit 5 , or between the processing unit 1 and the particle removal unit 5 . Each processing unit 1 processes a substrate W with a chemical solution. Each fluid box 3 houses a fluid device. A chemical solution cabinet 4 stores a chemical solution. The particle removal unit 5 will be described later.
具体的には、所定数の処理ユニット１（図１の例では３つの処理ユニット１）が鉛直方向に積層されて１つのタワーＴＷを構成している。ただし、図１の例では、複数のタワーＴＷ（図１の例では４つのタワーＴＷ）のうち、１つのタワーＴＷは、１つの処理ユニット１に代えて１つの粒子除去ユニット５を含む。複数のタワーＴＷは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。なお、粒子除去ユニット５の配置は、特に限定されず、例えば、粒子除去ユニット５は、基板処理装置１００における専用スペースに配置されていてもよいし、基板処理装置１００の外部に配置されていてもよい。また、基板処理装置１００は、複数の粒子除去ユニット５を備えていてもよい。
Specifically, a predetermined number of processing units 1 (three processing units 1 in the example of FIG. 1) are stacked vertically to form one tower TW. However, in the example of FIG. 1 , one tower TW among a plurality of towers TW (four towers TW in the example of FIG. 1) includes one particle removal unit 5 instead of one processing unit 1 . A plurality of towers TW are arranged to surround the center robot CR in plan view. The arrangement of the particle removal unit 5 is not particularly limited. For example, the particle removal unit 5 may be arranged in a dedicated space in the substrate processing apparatus 100, or may be arranged outside the substrate processing apparatus 100. good too. Moreover, the substrate processing apparatus 100 may include a plurality of particle removal units 5 .
複数の流体ボックス３は、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。薬液キャビネット４内の薬液は、いずれかの流体ボックス３を介して、流体ボックス３に対応するタワーＴＷに含まれる全ての処理ユニット１に供給される。
A plurality of fluid boxes 3 respectively correspond to a plurality of towers TW. The chemical solution in the chemical solution cabinet 4 is supplied to all the processing units 1 included in the tower TW corresponding to the fluid box 3 via one of the fluid boxes 3 .
制御装置２は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、処理ユニット１、流体ボックス３、薬液キャビネット４、及び、粒子除去ユニット５を制御する。制御装置２は、例えば、コンピューターである。
The controller 2 controls the load port LP, indexer robot IR, center robot CR, processing unit 1, fluid box 3, chemical liquid cabinet 4, and particle removal unit 5. The control device 2 is, for example, a computer.
制御装置２は、制御部２１と、記憶部２２とを含む。制御部２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等のプロセッサーを含む。記憶部２２は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。具体的には、記憶部２２は、半導体メモリー等の主記憶装置と、半導体メモリー、ソリッドステートドライブ、及び／又は、ハードディスクドライブ等の補助記憶装置とを含む。記憶部２２は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。記憶部２２は、非一時的コンピューター読取可能記憶媒体の一例に相当する。
The control device 2 includes a control unit 21 and a storage unit 22. The control unit 21 includes a processor such as a CPU (Central Processing Unit). The storage unit 22 includes a storage device and stores data and computer programs. Specifically, the storage unit 22 includes a main storage device such as a semiconductor memory, and an auxiliary storage device such as a semiconductor memory, a solid state drive, and/or a hard disk drive. The storage unit 22 may include removable media. The storage unit 22 corresponds to an example of a non-temporary computer-readable storage medium.
次に、図２を参照して、処理ユニット１を説明する。図２は、処理ユニット１の内部を示す側面図である。
Next, the processing unit 1 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a side view showing the inside of the processing unit 1. FIG.
図２に示すように、処理ユニット１は、チャンバー１１と、スピンチャック１２と、スピンモーター１３と、薬液ノズル１４と、ノズル移動部１５と、複数のガード１６と、懸濁液ノズル１７とを含む。また、基板処理装置１００は、バルブ６と、配管７と、バルブ８と、配管９とを更に備える。
As shown in FIG. 2, the processing unit 1 includes a chamber 11, a spin chuck 12, a spin motor 13, a chemical liquid nozzle 14, a nozzle moving section 15, a plurality of guards 16, and a suspension nozzle 17. include. The substrate processing apparatus 100 further includes a valve 6 , a pipe 7 , a valve 8 and a pipe 9 .
スピンチャック１２は、本発明の「基板保持部」の一例に相当する。スピンモーター１３は、本発明の「基板回転部」の一例に相当する。薬液ノズル１４は、本発明の「薬液供給部」の一例に相当する。懸濁液ノズル１７は、本発明の「懸濁液供給部」の一例に相当する。
The spin chuck 12 corresponds to an example of the "substrate holder" of the present invention. The spin motor 13 corresponds to an example of the "substrate rotating section" of the present invention. The chemical liquid nozzle 14 corresponds to an example of the "chemical liquid supply section" of the present invention. The suspension nozzle 17 corresponds to an example of the "suspension supply section" of the present invention.
チャンバー１１は略箱形状を有する。チャンバー１１は、スピンチャック１２、スピンモーター１３、薬液ノズル１４、ノズル移動部１５、複数のガード１６、懸濁液ノズル１７、配管７の一部、及び、配管９の一部を収容する。
The chamber 11 has a substantially box shape. Chamber 11 accommodates spin chuck 12 , spin motor 13 , chemical solution nozzle 14 , nozzle moving part 15 , multiple guards 16 , suspension nozzle 17 , part of pipe 7 and part of pipe 9 .
スピンチャック１２は基板Ｗを保持する。具体的には、スピンチャック１２は、基板Ｗを略水平に保持する。
The spin chuck 12 holds the substrate W. Specifically, the spin chuck 12 holds the substrate W substantially horizontally.
スピンモーター１３は、基板Ｗを保持したスピンチャック１２を回転させることで、基板Ｗを回転させる。具体的には、スピンモーター１３は、スピンチャック１２を回転軸線ＡＸ１の周りに回転させる。従って、スピンチャック１２は、基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線ＡＸ１の周りに基板Ｗを回転させる。具体的には、スピンチャック１２は、スピンベース１２１と、複数のチャック部材１２２とを含む。スピンベース１２１は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材１２２を支持する。複数のチャック部材１２２は基板Ｗを水平な姿勢で保持する。なお、スピンチャック１２は、例えば、バキュームチャック、又は、ベルヌーイ効果を利用したベルヌーイチャックであってもよく、特に限定されない。
The spin motor 13 rotates the substrate W by rotating the spin chuck 12 holding the substrate W. Specifically, the spin motor 13 rotates the spin chuck 12 around the rotation axis AX1. Therefore, the spin chuck 12 rotates the substrate W around the rotation axis AX1 while holding the substrate W horizontally. Specifically, the spin chuck 12 includes a spin base 121 and multiple chuck members 122 . The spin base 121 has a substantially disc shape and supports the plurality of chuck members 122 in a horizontal posture. A plurality of chuck members 122 hold the substrate W in a horizontal posture. The spin chuck 12 may be, for example, a vacuum chuck or a Bernoulli chuck using the Bernoulli effect, and is not particularly limited.
薬液ノズル１４は、薬液を基板Ｗの上面に供給する。具体的には、配管７が薬液ノズル１４に薬液を供給する。バルブ６は、配管７に配置される。そして、バルブ６は、配管７の流路を開閉し、薬液ノズル１４に対する薬液の供給と供給停止とを切り替える。バルブ６が配管７の流路を開放すると、薬液ノズル１４は、薬液を基板Ｗに向けて供給する。
The chemical liquid nozzle 14 supplies the chemical liquid to the upper surface of the substrate W. Specifically, the pipe 7 supplies the chemical solution to the chemical solution nozzle 14 . A valve 6 is arranged in the pipe 7 . The valve 6 opens and closes the flow path of the pipe 7 to switch supply and stop of supply of the chemical solution to the chemical solution nozzle 14 . When the valve 6 opens the channel of the pipe 7 , the chemical nozzle 14 supplies the chemical to the substrate W. As shown in FIG.
薬液は、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）、フッ酸（ＨＦ）、フッ硝酸（フッ酸と硝酸（ＨＮＯ3）との混合液）、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、燐酸（Ｈ3ＰＯ4）、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、シュウ酸）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、硫酸過酸化水素水混合液（ＳＰＭ）、アンモニア過酸化水素水混合液（ＳＣ１）、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）、界面活性剤、又は、腐食防止剤である。
Examples of the chemical solution include dilute hydrofluoric acid (DHF), hydrofluoric acid (HF), hydrofluoric acid (mixture of hydrofluoric acid and nitric acid (HNO 3 )), buffered hydrofluoric acid (BHF), ammonium fluoride, HFEG (hydrofluoric acid and ethylene glycol), phosphoric acid (H 3 PO 4 ), sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, ammonia water, hydrogen peroxide water, organic acids (e.g., citric acid, oxalic acid), organic alkalis (e.g., TMAH : tetramethylammonium hydroxide), sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture (SPM), ammonia-hydrogen peroxide mixture (SC1), hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture (SC2), surfactant or corrosion inhibitor is.
ノズル移動部１５は、薬液ノズル１４を昇降したり、薬液ノズル１４を回動軸線ＡＸ２の周りに水平回動させたりする。ノズル移動部１５は、薬液ノズル１４を昇降させるために、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モーターとを含む。また、ノズル移動部１５は、薬液ノズル１４を水平回動させるために、例えば、電動モーターを含む。
The nozzle moving unit 15 raises and lowers the chemical liquid nozzle 14 and horizontally rotates the chemical liquid nozzle 14 around the rotation axis AX2. The nozzle moving unit 15 includes, for example, a ball screw mechanism and an electric motor that applies a driving force to the ball screw mechanism in order to move the liquid medicine nozzle 14 up and down. Further, the nozzle moving unit 15 includes, for example, an electric motor to horizontally rotate the liquid medicine nozzle 14 .
懸濁液ノズル１７は、懸濁液を基板Ｗの上面に供給する。具体的には、配管９が懸濁液ノズル１７に懸濁液を供給する。バルブ８は、配管９に配置される。そして、バルブ８は、配管９の流路を開閉し、懸濁液ノズル１７に対する懸濁液の供給と供給停止とを切り替える。バルブ８が配管９の流路を開放すると、懸濁液ノズル１７は、懸濁液を基板Ｗに向けて供給する。なお、例えば、配管９は、懸濁液を貯留する懸濁液タンクに接続されている。
The suspension nozzle 17 supplies suspension onto the upper surface of the substrate W. Specifically, pipe 9 supplies suspension to suspension nozzle 17 . A valve 8 is arranged in the pipe 9 . The valve 8 opens and closes the flow path of the pipe 9 to switch between supplying and stopping the supply of the suspension to the suspension nozzle 17 . When the valve 8 opens the channel of the pipe 9 , the suspension nozzle 17 supplies the suspension toward the substrate W. FIG. For example, the pipe 9 is connected to a suspension tank that stores suspension.
懸濁液とは、固体粒子が液体中に分散した分散系のことである。懸濁液は、例えば、ゾルである。具体的には、懸濁液は、処理液と、処理液に溶解しない複数の粒子（多数の粒子）とが混在した物質である。処理液が分散媒であり、粒子が分散質である。粒子は固体粒子である。
A suspension is a dispersion system in which solid particles are dispersed in a liquid. Suspensions are, for example, sols. Specifically, the suspension is a substance in which a processing liquid and a plurality of particles (a large number of particles) that do not dissolve in the processing liquid are mixed. The treatment liquid is the dispersion medium and the particles are the dispersoids. The particles are solid particles.
懸濁液の分散媒である処理液は、特に限定されないが、典型的には、リンス液である。リンス液は、薬液、薬液による処理後副産物、及び／又は、異物を、基板Ｗから洗い流すための液体であって、基板Ｗに対して化学的に作用しない液体である。
The treatment liquid, which is the dispersion medium of the suspension, is not particularly limited, but is typically a rinse liquid. The rinsing liquid is a liquid for washing away the chemical solution, the post-treatment by-products with the chemical solution, and/or foreign substances from the substrate W, and is a liquid that does not act chemically on the substrate W. FIG.
リンス液は、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ：Ｄｅｉｏｎｚｉｅｄ Ｗａｔｅｒ）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、または、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水である。
The rinsing liquid is, for example, deionized water (DIW), carbonated water, electrolytic ion water, hydrogen water, ozone water, or hydrochloric acid water with a diluted concentration (eg, about 10 ppm to 100 ppm).
懸濁液の分散媒である処理液は、例えば、有機溶剤であってもよい。有機溶剤は、水溶性であり、リンス液よりも表面張力が小さい。例えば、有機溶剤は、低炭素の１価アルコール、エチレングリコール、または、低級ケトンである。低炭素の１価アルコールは、例えば、メタノール、エタノール、または、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）である。なお、処理液が有機溶剤である場合は、例えば、基板Ｗからリンス液によって薬液を洗い流した後に、懸濁液を基板Ｗに供給する。
The treatment liquid, which is the dispersion medium of the suspension, may be, for example, an organic solvent. The organic solvent is water-soluble and has a lower surface tension than the rinse liquid. For example, the organic solvent is a low carbon monohydric alcohol, ethylene glycol, or a lower ketone. Low-carbon monohydric alcohols are, for example, methanol, ethanol or IPA (isopropyl alcohol). If the processing liquid is an organic solvent, for example, the suspension is supplied to the substrate W after the chemical liquid is washed away from the substrate W with a rinse liquid.
懸濁液の分散質である粒子は、分散媒である処理液に溶解しない固体である。粒子は、例えば、無機物又は有機物である。粒子が無機物である場合、粒子は、例えば、シリカ、シリコン、又は、シリコンナイトライドである。シリカは、例えば、二酸化ケイ素等の酸化シリコンである。粒子が有機物である場合、粒子は、例えば、ポリスチレンである。粒子がポリスチレンである場合、懸濁液は、例えば、ポリスチレンラテックスである。
The particles, which are the dispersoids of the suspension, are solids that do not dissolve in the treatment liquid, which is the dispersion medium. The particles are, for example, inorganic or organic. When the particles are inorganic, the particles are for example silica, silicon or silicon nitride. Silica is, for example, silicon oxide, such as silicon dioxide. When the particles are organic, the particles are, for example, polystyrene. If the particles are polystyrene, the suspension is, for example, polystyrene latex.
なお、例えば、ノズル移動部１５と同様の構成のノズル移動部（不図示）によって、懸濁液ノズル１７を昇降したり、懸濁液ノズル１７を水平回動させたりすることもできる。
It should be noted that, for example, the suspension nozzle 17 can be moved up and down, or the suspension nozzle 17 can be horizontally rotated by a nozzle moving section (not shown) having the same configuration as the nozzle moving section 15 .
各ガード１６は略筒形状を有する。各ガード１６は、基板Ｗから排出された薬液又は懸濁液を受け止める。
Each guard 16 has a substantially cylindrical shape. Each guard 16 receives the chemical liquid or suspension discharged from the substrate W. FIG.
次に、図３を参照して、基板Ｗの上面に形成される懸濁液２５の液膜２６を説明する。図３（ａ）は、懸濁液２５の液膜２６が基板Ｗの上面を覆っている状態を示す側面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す懸濁液２５の液膜２６の一部及び基板Ｗの一部を拡大して示す側面図である。
Next, the liquid film 26 of the suspension 25 formed on the upper surface of the substrate W will be described with reference to FIG. 3A is a side view showing a state in which the liquid film 26 of the suspension 25 covers the upper surface of the substrate W. FIG. FIG. 3(b) is a side view showing an enlarged part of the liquid film 26 of the suspension 25 and part of the substrate W shown in FIG. 3(a).
図３（ａ）に示すように、懸濁液ノズル１７は、懸濁液２５を、基板Ｗの上面に供給することで、懸濁液２５の液膜２６を基板Ｗの上面に形成する。
As shown in FIG. 3A, the suspension nozzle 17 forms a liquid film 26 of the suspension 25 on the upper surface of the substrate W by supplying the suspension 25 to the upper surface of the substrate W. As shown in FIG.
図３（ｂ）に示すように、液膜２６の厚みｔ１は、特に限定されないが、例えば、１ｍｍ以上４ｍｍ以下である。基板Ｗの厚みｔ０は、特に限定されないが、例えば、０．５ｍｍ以上１ｍｍ以下である。
As shown in FIG. 3(b), the thickness t1 of the liquid film 26 is not particularly limited, but is, for example, 1 mm or more and 4 mm or less. The thickness t0 of the substrate W is not particularly limited, but is, for example, 0.5 mm or more and 1 mm or less.
引き続き図３（ｂ）を参照して、懸濁液２５を構成する処理液が基板Ｗから除去されて、懸濁液２５を構成する粒子が基板Ｗに残留する原理を説明する。懸濁液２５から処理液を除去する際は、懸濁液ノズル１７から基板Ｗへの懸濁液２５の供給を停止し、基板Ｗを回転させる。
Continuing to refer to FIG. 3B, the principle that the processing liquid forming the suspension 25 is removed from the substrate W and the particles forming the suspension 25 remain on the substrate W will be described. When removing the processing liquid from the suspension 25, the supply of the suspension 25 from the suspension nozzle 17 to the substrate W is stopped and the substrate W is rotated.
液膜２６が形成された基板Ｗが回転されると、液膜２６のうち領域２６１に存在する懸濁液２５は、遠心力によって流動する。従って、領域２６１の懸濁液２５が基板Ｗから振り切られる。その結果、液膜２６の液面が下降する。液面が下降して、液膜２６のうち領域２６２に存在する懸濁液２５は、基板Ｗの回転にも拘らず、ほとんど流動しない。従って、領域２６２では、懸濁液２５中の処理液が主に気化することで、液膜２６の液面が下降する。よって、懸濁液２５中の粒子は液面によって押し下げられる。従って、処理液中に分散していた多数の粒子が基板Ｗの上面に堆積していく。更に処理液の気化が進行すると、処理液が基板Ｗから除去され、基板Ｗの上面には、堆積した多数の粒子が残留する。
When the substrate W on which the liquid film 26 is formed is rotated, the suspension 25 existing in the area 261 of the liquid film 26 flows due to centrifugal force. Therefore, the suspension 25 in the area 261 is shaken off from the substrate W. FIG. As a result, the liquid surface of the liquid film 26 descends. The liquid surface drops and the suspension 25 existing in the region 262 of the liquid film 26 hardly flows even though the substrate W rotates. Therefore, in the region 262, the liquid surface of the liquid film 26 is lowered by mainly vaporizing the processing liquid in the suspension 25. FIG. Thus, particles in suspension 25 are pushed down by the liquid surface. Therefore, many particles dispersed in the processing liquid are deposited on the upper surface of the substrate W. As shown in FIG. As the process liquid vaporizes further, the process liquid is removed from the substrate W, leaving a large number of deposited particles on the upper surface of the substrate W. As shown in FIG.
例えば、領域２６１は、ミリメートルオーダーの領域である。例えば、領域２６２は、マイクロメートルオーダーの領域である。領域２６２は、領域２６１よりも基板Ｗに近接している。
For example, the area 261 is a millimeter-order area. For example, region 262 is a micrometer-order region. Region 262 is closer to substrate W than region 261 .
次に、図１、図２、図４及び図５を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理方法を説明する。図４（ａ）は、薬液供給工程において、薬液２７が基板ＷのパターンＰＴを覆っている状態を示す図である。図４（ｂ）は、懸濁液供給工程において、懸濁液２５が基板ＷのパターンＰＴを覆っている状態を示す図である。図４（ｃ）は、処理液排除工程において、懸濁液２５から処理液２５１が減少し、パターンＰＴを構成する構造物２３間に粒子が堆積している状態を示す図である。図５（ａ）は、処理液排除工程の完了後において、懸濁液２５から処理液２５１が除去され、基板ＷのパターンＰＴを構成する構造物２３間に粒子２５２が堆積している状態を示す図である。図５（ｂ）は、粒子除去工程において、構造物２３間からの粒子２５２の除去中の状態を示す図である。図５（ｃ）は、粒子除去工程の完了後において、粒子２５２が構造物２３間から除去された状態を示す図である。
Next, a substrate processing method according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 4A is a diagram showing a state in which the chemical solution 27 covers the pattern PT of the substrate W in the chemical solution supply process. FIG. 4B is a diagram showing a state in which the pattern PT of the substrate W is covered with the suspension 25 in the suspension supply step. FIG. 4C is a diagram showing a state in which the processing liquid 251 is reduced from the suspension 25 and particles are deposited between the structures 23 forming the pattern PT in the processing liquid removal step. FIG. 5A shows a state in which the processing liquid 251 is removed from the suspension 25 and particles 252 are deposited between the structures 23 forming the pattern PT of the substrate W after the processing liquid removal step is completed. FIG. 4 is a diagram showing; FIG. 5B is a diagram showing a state during removal of the particles 252 from between the structures 23 in the particle removal step. FIG. 5(c) is a diagram showing a state in which the particles 252 are removed from between the structures 23 after the particle removal step is completed.
図４（ａ）に示すように、基板Ｗは、パターンＰＴを有する。つまり、基板Ｗの上面には、パターンＰＴが形成されている。パターンＰＴは、例えば、凹凸パターンである。パターンＰＴは、複数の構造物２３を含む。構造物２３は、例えば、微細構造物である。構造物２３のアスペクト比ＡＲは、例えば、１０以上１００以下である。アスペクト比ＡＲは、長さＬに対する長さＨの比率を示す（ＡＲ＝Ｈ／Ｌ）。長さＬは、例えば、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。長さＨは、例えば、５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である。長さＨは、構造物２３の第１方向Ｄ１の長さを示す。長さＬは、構造物２３の第２方向Ｄ２の長さを示す。
As shown in FIG. 4(a), the substrate W has a pattern PT. That is, the pattern PT is formed on the upper surface of the substrate W. As shown in FIG. The pattern PT is, for example, an uneven pattern. The pattern PT includes multiple structures 23 . The structure 23 is, for example, a microstructure. The aspect ratio AR of the structure 23 is, for example, 10 or more and 100 or less. Aspect ratio AR indicates the ratio of length H to length L (AR=H/L). The length L is, for example, 5 nm or more and 50 nm or less. The length H is, for example, 50 nm or more and 5000 nm or less. A length H indicates the length of the structure 23 in the first direction D1. A length L indicates the length of the structure 23 in the second direction D2.
第１方向Ｄ１は、基板Ｗに対して交差する方向を示す。図４（ａ）の例では、第１方向Ｄ１は、基板Ｗに対して略直交する方向を示す。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１に交差する。図４（ａ）の例では、第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１に略直交する。
A first direction D1 indicates a direction intersecting with the substrate W. In the example of FIG. 4A, the first direction D1 indicates a direction substantially perpendicular to the substrate W. In the example of FIG. The second direction D2 crosses the first direction D1. In the example of FIG. 4A, the second direction D2 is substantially orthogonal to the first direction D1.
複数の構造物２３のうち、互いに隣り合う構造物２３と構造物２３との間隔Ｇは、例えば、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
Among the plurality of structures 23, the gap G between adjacent structures 23 is, for example, 10 nm or more and 100 nm or less.
構造物２３は、一例として、第１方向Ｄ１に沿って延びている。なお、図４（ａ）は、構造物２３を模式化して示しているに過ぎず、構造物２３は、基板Ｗの使用目的に応じた任意の形状及び構成をとり得る。
As an example, the structure 23 extends along the first direction D1. Note that FIG. 4A merely shows the structure 23 schematically, and the structure 23 can have any shape and configuration according to the intended use of the substrate W. FIG.
例えば、構造物２３は、単層または複数層によって構成される。構造物２３が単層によって構成される場合、構造物２３は、絶縁層、半導体層、又は、導体層である。構造物２３が複数層によって構成される場合、構造物２３は、絶縁層を含んでもよいし、半導体層を含んでもよいし、導体層を含んでもよいし、絶縁層と半導体層と導体層とのうちの２以上を含んでもよい。
For example, the structure 23 is composed of a single layer or multiple layers. When the structure 23 is composed of a single layer, the structure 23 is an insulating layer, a semiconductor layer, or a conductor layer. When the structure 23 is composed of multiple layers, the structure 23 may include an insulating layer, a semiconductor layer, or a conductor layer, or may include an insulating layer, a semiconductor layer, and a conductor layer. may include two or more of
絶縁層は、例えば、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜である。半導体層は、例えば、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜である。導体層は、例えば、金属膜である。金属膜は、例えば、チタン、タングステン、銅、及び、アルミニウムのうちの少なくとも１つを含む膜である。
The insulating layer is, for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film. The semiconductor layer is, for example, a polysilicon film or an amorphous silicon film. The conductor layer is, for example, a metal film. The metal film is, for example, a film containing at least one of titanium, tungsten, copper, and aluminum.
図２及び図４（ａ）に示すように、まず、薬液供給工程において、薬液ノズル１４は、基板Ｗの上面に薬液２７を供給する。その結果、基板Ｗが薬液によって処理される。
As shown in FIGS. 2 and 4A, first, the chemical nozzle 14 supplies the chemical solution 27 to the upper surface of the substrate W in the chemical solution supply step. As a result, the substrate W is treated with the chemical solution.
次に、図２及び図４（ｂ）に示すように、懸濁液供給工程において、懸濁液ノズル１７は、基板Ｗの上面に懸濁液２５を供給する。その結果、基板Ｗの上面には、懸濁液２５の液膜２６が形成される。懸濁液２５は、処理液２５１と複数の粒子２５２（多数の粒子）とが混在した物質である。懸濁液２５において、複数の粒子２５２が処理液２５１中に分散している。粒子２５２は、基板Ｗを乾燥させる際に構造物２３が倒壊することを抑制する。この点の詳細は後述する。
Next, as shown in FIGS. 2 and 4(b), the suspension nozzle 17 supplies the suspension 25 onto the upper surface of the substrate W in the suspension supply step. As a result, a liquid film 26 of the suspension 25 is formed on the upper surface of the substrate W. FIG. The suspension 25 is a substance in which a processing liquid 251 and a plurality of particles 252 (a large number of particles) are mixed. In suspension 25 , a plurality of particles 252 are dispersed in treatment liquid 251 . The particles 252 prevent the structure 23 from collapsing when the substrate W is dried. Details of this point will be described later.
粒子２５２の粒径（サイズ）は、互いに隣り合う構造物２３と構造物２３との間隔Ｇよりも小さい。従って、実施形態１によれば、構造物２３と構造物２３との間に粒子２５２を容易に進入させることができる。
The particle size (size) of the particles 252 is smaller than the gap G between the structures 23 adjacent to each other. Therefore, according to Embodiment 1, the particles 252 can easily enter between the structures 23 .
粒子２５２の粒径（サイズ）は、例えば、数ｎｍ以上数十ｎｍ以下である。例えば、粒子２５２の粒径は、２０ｎｍである。
The particle size (size) of the particles 252 is, for example, several nanometers or more and several tens of nanometers or less. For example, the particle size of particles 252 is 20 nm.
懸濁液２５における粒子２５２の密度は、例えば、体積分率０．１以上０．９以下である。懸濁液２５における粒子２５２の密度は、例えば、処理液排除工程（図４（ｃ）、図５（ａ））の完了時に、粒子２５２が構造物２３と構造物２３との間の空間ＳＰの「Ｍ／１０」以上を占めることの可能な値である。Ｍは実数である。Ｍは、例えば、「１」であり、「２」が好ましく、「３」が更に好ましく、「４」が更に好ましく、「５」が更に好ましく、「６」が更に好ましく、「７」が更に好ましく、「８」が更に好ましく、「９」が更に好ましく、「１０」が最も好ましい。処理液排除工程（図４（ｃ）、図５（ａ））の完了時に、構造物２３と構造物２３との間の空間ＳＰを占める粒子２５２が多いほど、効果的に構造物２３の倒壊を抑制できるからである。この点の詳細は後述する。
The density of the particles 252 in the suspension 25 is, for example, a volume fraction of 0.1 or more and 0.9 or less. The density of the particles 252 in the suspension 25 is such that, for example, the particles 252 are in the space SP is a value that can occupy more than "M/10" of . M is a real number. M is, for example, "1", preferably "2", more preferably "3", more preferably "4", more preferably "5", more preferably "6", more preferably "7" Preferred is "8", more preferred is "9", and most preferred is "10". The more particles 252 occupying the space SP between the structures 23 at the completion of the treatment liquid removal step (FIGS. 4(c) and 5(a)), the more effectively the structure 23 collapses. can be suppressed. Details of this point will be described later.
次に、図４（ｃ）に示すように、処理液排除工程において、互いに隣り合う構造物２３と構造物２３との間に粒子２５２が残留するように、基板Ｗの上面から処理液２５１を排除（除去）する。この場合、図３（ｂ）に示す領域２６２において処理液２５１が気化することによって、処理液２５１（懸濁液２５）の液面２５１ａが下降している。そして、互いに隣り合う構造物２３と構造物２３との間に粒子２５２が残留している。従って、実施形態１によれば、基板Ｗから処理液２５１を排除する際に、粒子２５２が構造物２３を支持する。その結果、処理液２５１の表面張力によって構造物２３が倒壊することを抑制できる。
Next, as shown in FIG. 4C, in the process liquid removing process, the process liquid 251 is poured from the upper surface of the substrate W so that the particles 252 remain between the structures 23 adjacent to each other. Eliminate (remove). In this case, the liquid surface 251a of the processing liquid 251 (suspension 25) is lowered due to the vaporization of the processing liquid 251 in the region 262 shown in FIG. 3B. Particles 252 remain between structures 23 adjacent to each other. Therefore, according to the first embodiment, the particles 252 support the structure 23 when the processing liquid 251 is removed from the substrate W. FIG. As a result, it is possible to prevent the structure 23 from collapsing due to the surface tension of the treatment liquid 251 .
具体的には、少なくとも構造物２３と構造物２３との間の処理液２５１が気化（除去）される期間（以下、「期間Ｔ」と記載する。）では、基板ＷのうちパターンＰＴが形成された領域全体にわたって、構造物２３と構造物２３との間に複数の粒子２５２が堆積している。換言すれば、少なくとも期間Ｔでは、構造物２３と構造物２３との間に複数の粒子２５２が敷き詰められている。更に換言すれば、少なくとも期間Ｔでは、構造物２３と構造物２３との間に複数の粒子２５２が充填されている。従って、複数の構造物２３が複数の粒子２５２によって支持されている。その結果、基板Ｗから処理液２５１を排除する際に、処理液２５１の表面張力によって構造物２３が倒壊することを抑制できる。
Specifically, the pattern PT is formed on the substrate W at least during the period in which the processing liquid 251 between the structures 23 is vaporized (removed) (hereinafter referred to as “period T”). A plurality of particles 252 are deposited between the structures 23 over the entire area marked with the lines. In other words, at least during the period T, the plurality of particles 252 are spread between the structures 23 . Further in other words, at least during the period T, the plurality of particles 252 are filled between the structures 23 . Therefore, multiple structures 23 are supported by multiple particles 252 . As a result, when the processing liquid 251 is removed from the substrate W, it is possible to prevent the structure 23 from collapsing due to the surface tension of the processing liquid 251 .
特に、実施形態１では、図４（ｂ）に示すように、懸濁液２５を基板Ｗの上面に供給する。この段階で既に、粒子２５２は、構造物２３と構造物２３との間に進入している。そして、図４（ｃ）に示すように、懸濁液２５から処理液２５１を排除する。この場合、処理液２５１（懸濁液２５）の液面２５１ａの下降によって、粒子２５２がパターンＰＴに向かって押し下げられる。その結果、基板ＷのパターンＰＴを構成する構造物２３の倒壊を抑制するための粒子２５２を、構造物２３と構造物２３との間に容易に進入及び堆積させることができる。つまり、処理液２５１によって、構造物２３と構造物２３との間に粒子２５２を容易に進入及び堆積させることができる。
Especially in Embodiment 1, the suspension 25 is supplied to the upper surface of the substrate W as shown in FIG. 4(b). Particles 252 have already entered between structures 23 at this stage. Then, as shown in FIG. 4C, the treatment liquid 251 is removed from the suspension 25 . In this case, the lowering of the liquid surface 251a of the processing liquid 251 (suspension 25) pushes down the particles 252 toward the pattern PT. As a result, the particles 252 for suppressing collapse of the structures 23 forming the pattern PT of the substrate W can easily enter and deposit between the structures 23 . That is, the treatment liquid 251 allows the particles 252 to easily enter and deposit between the structures 23 .
具体的には、処理液排除工程では、懸濁液２５の供給を停止した状態で基板Ｗを回転させることで、基板Ｗから処理液２５１を排除する。従って、実施形態１によれば、簡素な構成によって基板Ｗから処理液２５１を容易に排除できる。
Specifically, in the process liquid removing step, the process liquid 251 is removed from the substrate W by rotating the substrate W while the supply of the suspension 25 is stopped. Therefore, according to the first embodiment, the processing liquid 251 can be easily removed from the substrate W with a simple configuration.
また、例えば、処理液排除工程の実行時間は、所定工程（以下、「所定工程ＳＴ」と記載する。）の実行時間よりも長い。所定工程ＳＴは、処理液２５１と同じ処理液であって、粒子２５２の混在しない処理液を、回転によって基板から振り切る工程を示す。処理液排除工程の実行時間が所定工程ＳＴの実行時間よりも長い理由は、処理液２５１には粒子２５２が混在しているため、粒子が混在しない処理液と比較して、処理液２５１の排除に時間を要するからである。実施形態１では、処理液排除工程の実行時間が所定工程ＳＴの実行時間よりも長いため、より確実に基板Ｗから処理液を排除できる。
Also, for example, the execution time of the treatment liquid removal process is longer than the execution time of the predetermined process (hereinafter referred to as "predetermined process ST"). The predetermined step ST indicates a step of shaking off the processing liquid, which is the same as the processing liquid 251 and does not contain the particles 252, from the substrate by rotation. The reason why the execution time of the processing liquid removal step is longer than the execution time of the predetermined step ST is that particles 252 are mixed in the processing liquid 251, and thus the processing liquid 251 is removed more quickly than the processing liquid in which particles are not mixed. This is because it takes time to In Embodiment 1, the execution time of the processing liquid removal step is longer than the execution time of the predetermined step ST, so the processing liquid can be removed from the substrate W more reliably.
処理液２５１がリンス液である場合は、「所定工程ＳＴ」はリンス工程（リンス液供給工程）であり、「処理液２５１と同じ処理液であって、粒子２５２の混在しない処理液」はリンス液である。「リンス工程（リンス液供給工程）」は、薬液、薬液による処理後副産物、及び／又は、異物を、基板Ｗから洗い流す工程を示す。
When the treatment liquid 251 is the rinse liquid, the "predetermined process ST" is the rinse process (rinse liquid supply step), and the "treatment liquid which is the same as the treatment liquid 251 and does not contain the particles 252" is the rinse liquid. Liquid. The “rinsing step (rinsing solution supplying step)” indicates a step of washing away from the substrate W the chemical solution, the by-product after treatment with the chemical solution, and/or the foreign matter.
具体的には、処理液排除工程では、図２に示す制御部２１が、処理液排除制御を実行する。処理液排除制御は、互いに隣り合う構造物２３と構造物２３との間に粒子２５２を残留させつつ、基板Ｗの上面から処理液２５１を排除する制御を示す。この場合、制御部２１は、スピンチャック１２を回転するようにスピンモーター１３を制御する。その結果、基板Ｗが回転する。この例では、処理液排除制御は、スピンモーター１３によって基板Ｗを回転させる制御を示す。そして、例えば、処理液排除制御の実行時間は、所定工程ＳＴの実行時間よりも長い。
Specifically, in the processing liquid removal step, the control unit 21 shown in FIG. 2 executes processing liquid removal control. The processing liquid removal control indicates control for removing the processing liquid 251 from the upper surface of the substrate W while leaving the particles 252 between the structures 23 adjacent to each other. In this case, the controller 21 controls the spin motor 13 to rotate the spin chuck 12 . As a result, the substrate W rotates. In this example, the processing liquid removal control indicates control for rotating the substrate W by the spin motor 13 . Then, for example, the execution time of the processing liquid removal control is longer than the execution time of the predetermined process ST.
ここで、処理液排除工程では、粒子２５２が構造物２３と構造物２３との間の空間ＳＰの「Ｍ／１０」以上を占めるように、粒子２５２を空間ＳＰに残留させる。Ｍは実数である。Ｍは、例えば、「１」であり、「２」が好ましく、「３」が更に好ましく、「４」が更に好ましく、「５」が更に好ましく、「６」が更に好ましく、「７」が更に好ましく、「８」が更に好ましく、「９」が更に好ましく、「１０」が最も好ましい。
Here, in the process liquid removing step, the particles 252 are left in the space SP so that the particles 252 occupy "M/10" or more of the space SP between the structures 23 and 23 . M is a real number. M is, for example, "1", preferably "2", more preferably "3", more preferably "4", more preferably "5", more preferably "6", more preferably "7" Preferred is "8", more preferred is "9", and most preferred is "10".
次に、図５（ａ）に示すように、処理液排除工程が完了すると、処理液２５１が排除されて、互いに隣り合う構造物２３と構造物２３との間に粒子２５２が残留している。図５（ａ）の例では、構造物２３と構造物２３との間に複数の粒子２５２が堆積している。換言すれば、構造物２３と構造物２３との間に複数の粒子２５２が敷き詰められている。更に換言すれば、構造物２３と構造物２３との間に複数の粒子２５２が充填されている。
Next, as shown in FIG. 5A, when the treatment liquid removal step is completed, the treatment liquid 251 is removed and particles 252 remain between the structures 23 adjacent to each other. . In the example of FIG. 5( a ), a plurality of particles 252 are deposited between structures 23 . In other words, a plurality of particles 252 are spread between the structures 23 and 23 . Further in other words, a plurality of particles 252 are filled between structures 23 and 23 .
次に、図１及び図５（ｂ）に示すように、粒子除去工程において、粒子除去ユニット５は、非液体によって、パターンＰＴを構成する構造物２３と構造物２３との間に残留した粒子２５２を除去する。その結果、実施形態１では、基板Ｗの乾燥状態を維持したまま、基板Ｗから粒子２５２を除去できる。
Next, as shown in FIGS. 1 and 5B, in the particle removing step, the particle removing unit 5 removes the particles remaining between the structures 23 forming the pattern PT using a non-liquid. 252 is removed. As a result, in Embodiment 1, the particles 252 can be removed from the substrate W while the substrate W is kept dry.
粒子除去工程の第１例～第３例を説明する。第１例では、懸濁液２５を構成する粒子２５２は無機物であり、懸濁液２５を構成する処理液２５１はリンス液である。この場合、粒子除去ユニット５は、気相洗浄（蒸気洗浄）によって、構造物２３と構造物２３との間に残留した粒子２５２を除去する。具体的には、粒子除去ユニット５は、基板Ｗの上面に、非液体（気体）である薬液の蒸気を供給することで、構造物２３と構造物２３との間から粒子２５２を除去する。実施形態１によれば、無機物である粒子２５２を、薬液の蒸気によって基板Ｗから効果的に除去できる。例えば、処理液２５１がリンス液で、粒子２５２がシリカである場合は、粒子除去ユニット５は、基板Ｗの上面にフッ酸の蒸気を供給することで、構造物２３と構造物２３との間から粒子２５２（シリカ）を除去する。この点の詳細は、図１１を参照して後述する。
The first to third examples of the particle removal process will be explained. In the first example, the particles 252 that make up the suspension 25 are inorganic, and the treatment liquid 251 that makes up the suspension 25 is a rinse liquid. In this case, the particle removal unit 5 removes the particles 252 remaining between the structures 23 by gas phase cleaning (vapor cleaning). Specifically, the particle removal unit 5 removes the particles 252 from between the structures 23 by supplying the vapor of the chemical liquid, which is a non-liquid (gas), onto the upper surface of the substrate W. FIG. According to Embodiment 1, the inorganic particles 252 can be effectively removed from the substrate W by vapor of the chemical solution. For example, when the treatment liquid 251 is a rinse liquid and the particles 252 are silica, the particle removal unit 5 supplies the vapor of hydrofluoric acid to the upper surface of the substrate W to remove the gap between the structures 23 and the structures 23 . Remove the particles 252 (silica) from. Details of this point will be described later with reference to FIG.
第２例では、懸濁液２５を構成する粒子２５２は有機物であり、懸濁液２５を構成する処理液２５１はリンス液である。この場合、粒子除去ユニット５は、基板Ｗの上面に、非液体（気体）であるオゾンを供給することで、構造物２３と構造物２３との間から粒子２５２を除去する。実施形態１によれば、有機物である粒子２５２をオゾンによって酸化及び分解することで、粒子２５２を基板Ｗから効果的に除去できる。例えば、処理液２５１がリンス液で、粒子２５２がポリスチレンである場合は、つまり、懸濁液２５がポリスチレンラテックスである場合は、粒子除去ユニット５は、基板Ｗの上面にオゾンを供給することで、構造物２３と構造物２３との間から粒子２５２（ポリスチレン）を除去する。この点の詳細は、図１２を参照して後述する。
In the second example, the particles 252 that make up the suspension 25 are organic matter, and the treatment liquid 251 that makes up the suspension 25 is a rinse liquid. In this case, the particle removal unit 5 removes the particles 252 from between the structures 23 by supplying non-liquid (gas) ozone to the upper surface of the substrate W. FIG. According to the first embodiment, the particles 252 can be effectively removed from the substrate W by oxidizing and decomposing the organic particles 252 with ozone. For example, when the processing liquid 251 is a rinse liquid and the particles 252 are polystyrene, that is, when the suspension 25 is polystyrene latex, the particle removal unit 5 supplies ozone to the upper surface of the substrate W. , remove particles 252 (polystyrene) from between structures 23 . Details of this point will be described later with reference to FIG.
第３例では、懸濁液２５を構成する粒子２５２は有機物であり、懸濁液２５を構成する処理液２５１はリンス液である。この場合、粒子除去ユニット５は、基板Ｗの上面に、非液体（電磁波）である紫外線を照射することで、構造物２３と構造物２３との間から粒子２５２を除去する。実施形態１によれば、有機物である粒子２５２を紫外線によって酸化及び分解することで、粒子２５２を基板Ｗから効果的に除去できる。例えば、処理液２５１がリンス液で、粒子２５２がポリスチレンである場合は、つまり、懸濁液２５がポリスチレンラテックスである場合は、粒子除去ユニット５は、基板Ｗの上面に紫外線を照射することで、構造物２３と構造物２３との間から粒子２５２（ポリスチレン）を除去する。この点の詳細は、図１３を参照して後述する。
In the third example, the particles 252 that make up the suspension 25 are organic matter, and the treatment liquid 251 that makes up the suspension 25 is a rinse liquid. In this case, the particle removal unit 5 removes the particles 252 from between the structures 23 by irradiating the upper surface of the substrate W with ultraviolet rays that are non-liquid (electromagnetic waves). According to the first embodiment, the particles 252, which are organic substances, can be effectively removed from the substrate W by oxidizing and decomposing the particles 252 with ultraviolet rays. For example, when the treatment liquid 251 is the rinse liquid and the particles 252 are polystyrene, that is, when the suspension 25 is polystyrene latex, the particle removal unit 5 irradiates the upper surface of the substrate W with ultraviolet rays. , remove particles 252 (polystyrene) from between structures 23 . Details of this point will be described later with reference to FIG.
次に、図５（ｃ）に示すように、粒子除去工程が完了すると、互いに隣り合う構造物２３と構造物２３との間から粒子２５２が除去されている。
Next, as shown in FIG. 5(c), when the particle removal process is completed, the particles 252 are removed from between the structures 23 adjacent to each other.
ここで、図１、図２、図６及び図７を参照して、基板ＷのパターンＰＴの他の例を説明する。図６（ａ）は、薬液供給工程において、薬液２７が基板ＷのパターンＰＴを覆っている状態を示す図である。図６（ｂ）は、懸濁液供給工程において、懸濁液２５が基板ＷのパターンＰＴを覆っている状態を示す図である。図６（ｃ）は、処理液排除工程において、懸濁液２５から処理液２５１が減少し、パターンＰＴを構成する構造物２３間に粒子が堆積している状態を示す図である。図７（ａ）は、処理液排除工程の完了後において、懸濁液２５から処理液２５１が除去され、基板ＷのパターンＰＴを構成する構造物２３間に粒子２５２が堆積している状態を示す図である。図７（ｂ）は、粒子除去工程において、構造物２３間からの粒子２５２の除去中の状態を示す図である。図７（ｃ）は、粒子除去工程の完了後において、粒子２５２が構造物２３間から除去された状態を示す図である。以下、図４及び図５を参照して説明した内容と異なる点を主に説明する。
Here, another example of the pattern PT of the substrate W will be described with reference to FIGS. 1, 2, 6 and 7. FIG. FIG. 6A is a diagram showing a state where the pattern PT of the substrate W is covered with the chemical solution 27 in the chemical solution supply process. FIG. 6B is a diagram showing a state in which the pattern PT of the substrate W is covered with the suspension 25 in the suspension supply step. FIG. 6C is a diagram showing a state in which the processing liquid 251 is reduced from the suspension 25 and particles are deposited between the structures 23 forming the pattern PT in the processing liquid removal process. FIG. 7A shows a state in which the processing liquid 251 is removed from the suspension 25 and particles 252 are deposited between the structures 23 forming the pattern PT of the substrate W after the processing liquid removal step is completed. FIG. 4 is a diagram showing; FIG. 7B is a diagram showing a state during removal of the particles 252 from between the structures 23 in the particle removal step. FIG. 7(c) is a diagram showing a state in which the particles 252 are removed from between the structures 23 after the particle removal step is completed. Differences from the contents described with reference to FIGS. 4 and 5 will be mainly described below.
図６（ａ）に示すように、基板Ｗは、パターンＰＴを有する。パターンＰＴにおいて、複数の構造物２３の各々は、構造体２４１と、複数の凸部２４２とを有する。
As shown in FIG. 6(a), the substrate W has a pattern PT. In the pattern PT, each of the multiple structures 23 has a structure 241 and multiple protrusions 242 .
構造体２４１は、一例として、第１方向Ｄ１に沿って延びている。凸部２４２は、構造体２４１から第２方向Ｄ２に沿って突出する。複数の凸部２４２は、第１方向Ｄ１に間隔をあけて形成されている。従って、第２方向Ｄ２に互いに対向する凸部２４２と凸部２４２との間には空間ＳＰＸが存在する。なお、図６（ａ）は、構造物２３を模式化して示しているに過ぎず、構造物２３は、基板Ｗの使用目的に応じた任意の形状及び構成をとり得る。
As an example, the structure 241 extends along the first direction D1. The convex portion 242 protrudes from the structure 241 along the second direction D2. The plurality of protrusions 242 are formed at intervals in the first direction D1. Therefore, a space SPX exists between the convex portions 242 facing each other in the second direction D2. Note that FIG. 6A merely shows the structure 23 schematically, and the structure 23 can have any shape and configuration according to the intended use of the substrate W. FIG.
図２及び図６（ａ）に示すように、まず、薬液供給工程において、薬液ノズル１４は、基板Ｗの上面に薬液２７を供給する。その結果、基板Ｗが薬液によって処理される。
As shown in FIGS. 2 and 6A, first, the chemical nozzle 14 supplies the chemical solution 27 to the upper surface of the substrate W in the chemical solution supply step. As a result, the substrate W is treated with the chemical solution.
次に、図２及び図６（ｂ）に示すように、懸濁液供給工程において、懸濁液ノズル１７は、基板Ｗの上面に懸濁液２５を供給する。その結果、基板Ｗの上面には、懸濁液２５の液膜２６が形成される。
Next, as shown in FIGS. 2 and 6(b), the suspension nozzle 17 supplies the suspension 25 onto the upper surface of the substrate W in the suspension supply step. As a result, a liquid film 26 of the suspension 25 is formed on the upper surface of the substrate W. FIG.
粒子２５２の粒径（サイズ）は、互いに隣り合う構造物２３と構造物２３との間隔Ｇよりも小さい。従って、懸濁液供給工程において、構造物２３と構造物２３との間に粒子２５２が進入している。間隔Ｇは、例えば、第１方向Ｄ１に互いに隣り合う構造物２３と構造物２３とにおいて最も近接する部分の間隔を示す。
The particle size (size) of the particles 252 is smaller than the gap G between the structures 23 adjacent to each other. Therefore, the particles 252 enter between the structures 23 in the suspension supply step. The interval G indicates, for example, the interval between the closest portions of the structures 23 adjacent to each other in the first direction D1.
次に、図６（ｃ）に示すように、処理液排除工程において、互いに隣り合う構造物２３と構造物２３との間に粒子２５２が残留するように、基板Ｗの上面から処理液２５１を排除（除去）する。例えば、処理液排除工程では、懸濁液２５の供給を停止した状態で基板Ｗを回転させることで、基板Ｗから処理液２５１を排除（除去）する。
Next, as shown in FIG. 6C, in the process liquid removing process, the process liquid 251 is poured from the upper surface of the substrate W so that the particles 252 remain between the structures 23 adjacent to each other. Eliminate (remove). For example, in the processing liquid removing step, the processing liquid 251 is removed (removed) from the substrate W by rotating the substrate W while the supply of the suspension 25 is stopped.
処理液排除工程では、図３（ｂ）に示す領域２６２において処理液２５１が気化することによって、処理液２５１（懸濁液２５）の液面２５１ａが下降する。そして、第１方向Ｄ１に互いに隣り合う構造物２３と構造物２３との間に粒子２５２が残留する。また、第２方向Ｄ２に隣り合う凸部２４２と凸部２４２との間にも、粒子２５２が残留する。従って、実施形態１によれば、基板Ｗから処理液２５１を排除する際に、粒子２５２は、構造体２４１だけでなく、凸部２４２も支持する。その結果、処理液２５１の表面張力によって構造体２４１及び凸部２４２が倒壊することを抑制できる。
In the process liquid removal step, the liquid surface 251a of the process liquid 251 (suspension 25) descends as the process liquid 251 vaporizes in the region 262 shown in FIG. 3(b). Particles 252 remain between the structures 23 adjacent to each other in the first direction D1. Particles 252 also remain between adjacent protrusions 242 in the second direction D2. Therefore, according to the first embodiment, when the processing liquid 251 is removed from the substrate W, the particles 252 support not only the structures 241 but also the protrusions 242 . As a result, it is possible to prevent the structures 241 and the protrusions 242 from collapsing due to the surface tension of the treatment liquid 251 .
具体的には、少なくとも構造物２３と構造物２３との間の処理液２５１が気化（除去）される期間Ｔでは、基板ＷのうちパターンＰＴが形成された領域全体にわたって、第１方向Ｄ１に隣り合う構造物２３と構造物２３との間に複数の粒子２５２が堆積しているとともに、第２方向Ｄ２に隣り合う凸部２４２と凸部２４２との間に複数の粒子２５２が充填されている。換言すれば、少なくとも期間Ｔでは、構造物２３と構造物２３との間、及び、凸部２４２と凸部２４２との間に、複数の粒子２５２が敷き詰められている。従って、構造物２３の構造体２４１及び凸部２４２が複数の粒子２５２によって支持されている。その結果、基板Ｗから処理液２５１を排除する際に、処理液２５１の表面張力によって構造体２４１及び凸部２４２が倒壊することを抑制できる。
Specifically, at least during the period T in which the processing liquid 251 between the structures 23 is vaporized (removed), the entire region of the substrate W where the pattern PT is formed is covered in the first direction D1. A plurality of particles 252 are deposited between structures 23 adjacent to each other, and a plurality of particles 252 are filled between protrusions 242 adjacent to each other in the second direction D2. there is In other words, at least during the period T, the plurality of particles 252 are spread between the structures 23 and between the protrusions 242 and 242 . Therefore, the structure 241 and the convex portion 242 of the structure 23 are supported by the multiple particles 252 . As a result, when the processing liquid 251 is removed from the substrate W, the surface tension of the processing liquid 251 can prevent the structures 241 and the protrusions 242 from collapsing.
特に、実施形態１では、図６（ｂ）に示すように、懸濁液２５を基板Ｗの上面に供給する。この段階で既に、粒子２５２は、第１方向Ｄ１に隣り合う構造物２３と構造物２３との間、及び、第２方向Ｄ２に隣り合う凸部２４２と凸部２４２との間に進入している。そして、図６（ｃ）に示すように、懸濁液２５から処理液２５１を排除する。この場合、処理液２５１（懸濁液２５）の液面２５１ａの下降によって、粒子２５２がパターンＰＴに向かって押し下げられる。その結果、粒子２５２を、構造物２３と構造物２３との間に粒子２５２を容易に進入及び堆積させることができるとともに、凸部２４２と凸部２４２との間に粒子２５２を容易に進入及び充填させることができる。
Especially in Embodiment 1, the suspension 25 is supplied to the upper surface of the substrate W as shown in FIG. 6(b). At this stage, the particles 252 have already entered between the structures 23 adjacent in the first direction D1 and between the convex portions 242 adjacent in the second direction D2. there is Then, the treatment liquid 251 is removed from the suspension 25, as shown in FIG. 6(c). In this case, the lowering of the liquid surface 251a of the processing liquid 251 (suspension 25) pushes down the particles 252 toward the pattern PT. As a result, the particles 252 can easily enter and deposit between the structures 23 and between the structures 23 and can easily enter and accumulate between the convex portions 242 . can be filled.
次に、図７（ａ）に示すように、処理液排除工程が完了すると、処理液２５１が排除されて、第１方向Ｄ１に隣り合う構造物２３と構造物２３との間、及び、第２方向Ｄ２に隣り合う凸部２４２と凸部２４２との間に粒子２５２が残留している。図７（ａ）の例では、構造物２３と構造物２３との間に複数の粒子が堆積しているとともに、凸部２４２と凸部２４２との間に複数の粒子２５２が充填されている。換言すれば、構造物２３と構造物２３との間、及び、凸部２４２と凸部２４２との間に、複数の粒子２５２が敷き詰められている。
Next, as shown in FIG. 7A, when the treatment liquid removing step is completed, the treatment liquid 251 is removed, and the gap between the structures 23 adjacent to each other in the first direction D1 and between the structures 23 and in the first direction D1 are removed. Particles 252 remain between the convex portions 242 adjacent to each other in the two directions D2. In the example of FIG. 7A, a plurality of particles are deposited between the structures 23 and a plurality of particles 252 are filled between the convex portions 242. . In other words, the plurality of particles 252 are spread between the structures 23 and between the protrusions 242 and 242 .
次に、図１及び図７（ｂ）に示すように、粒子除去工程において、粒子除去ユニット５は、非液体によって、パターンＰＴを構成する構造物２３と構造物２３との間、及び、凸部２４２と凸部２４２との間に残留した粒子２５２を除去する。その結果、実施形態１では、基板Ｗの乾燥状態を維持したまま、基板Ｗから粒子２５２を除去できる。
Next, as shown in FIGS. 1 and 7(b), in the particle removal step, the particle removal unit 5 removes a non-liquid between the structures 23 forming the pattern PT and between the structures 23 and the protrusions. Particles 252 remaining between the portion 242 and the convex portion 242 are removed. As a result, in Embodiment 1, the particles 252 can be removed from the substrate W while the substrate W is kept dry.
次に、図７（ｃ）に示すように、粒子除去工程が完了すると、構造物２３と構造物２３との間、及び、凸部２４２と凸部２４２との間から粒子２５２が除去されている。
Next, as shown in FIG. 7(c), when the particle removing step is completed, the particles 252 are removed from between the structures 23 and between the protrusions 242 and between the protrusions 242. there is
以上、図４～図７を参照して説明したように、懸濁液供給工程、処理液排除工程、及び、粒子除去工程によって、基板ＷのパターンＰＴにおける構造物２３の倒壊を抑制しつつ、薬液による処理後の基板Ｗを乾燥できる。
As described above with reference to FIGS. 4 to 7, the suspension supply step, the treatment liquid removal step, and the particle removal step suppress collapse of the structures 23 in the pattern PT of the substrate W, It is possible to dry the substrate W after being treated with the chemical solution.
ここで、構造物２３の倒壊を抑制しつつ基板Ｗを乾燥する参考例を説明する。第１参考例では、粒子２５２を含まない有機溶剤（例えばＩＰＡ）及び／又は疎水化剤を利用することで、リンス液の表面張力に起因する構造物２３の倒壊を抑制する。しかしながら、構造物２３の倒壊をより効果的に抑制する技術が要望されている。
Here, a reference example for drying the substrate W while suppressing collapse of the structure 23 will be described. In the first reference example, by using an organic solvent (for example, IPA) and/or a hydrophobizing agent that does not contain the particles 252, collapse of the structure 23 due to the surface tension of the rinse liquid is suppressed. However, there is a demand for a technique for more effectively suppressing the collapse of the structure 23 .
第２参考例では、昇華技術によって、薬液による処理後の基板Ｗを乾燥する。昇華技術は、基板Ｗを薬液によって処理した後に、昇華性物質によってパターンＰＴを覆う。そして、昇華性物質を気体に昇華させることで、基板Ｗを乾燥する。具体的には、昇華性物質によってパターンＰＴを覆う際に、薬液を昇華性物質に置換する必要がある。この場合、例えば、昇華性物質を液体状態で薬液と置換し、その後に、冷却して昇華性物質を固体状態にする。又は、例えば、有機溶剤を揮発させることで、昇華性物質を析出させて固体状態にする。しかしながら、第２参考例では、例えばナノオーダーの構造物２３の隙間で凝固点降下が起こることで、昇華性物質が固体状態にならなかったり、パターンＰＴの種類によって最適な昇華性物質の濃度が変わったりと、状況によっては昇華性物質の性能が安定しない場合があり得る。
In the second reference example, the sublimation technique is used to dry the substrate W after being treated with the chemical solution. In the sublimation technique, the pattern PT is covered with a sublimation substance after treating the substrate W with a chemical solution. Then, the substrate W is dried by sublimating the sublimable substance into gas. Specifically, when the pattern PT is covered with the sublimable substance, it is necessary to replace the chemical solution with the sublimable substance. In this case, for example, the sublimable substance in a liquid state is replaced with the chemical solution, and then cooled to make the sublimable substance in a solid state. Alternatively, for example, by volatilizing the organic solvent, the sublimable substance is precipitated and made into a solid state. However, in the second reference example, for example, freezing point depression occurs in the gaps between the nano-order structures 23, so that the sublimable substance does not turn into a solid state, or the optimum concentration of the sublimable substance varies depending on the type of pattern PT. For example, depending on the situation, the performance of the sublimable substance may not be stable.
これに対して、実施形態１では、薬液による処理後に懸濁液２５を基板Ｗに供給し、懸濁液２５を構成する粒子２５２によって、基板Ｗの乾燥時においてパターンＰＴの構造物２３を支持する。つまり、基板Ｗの乾燥時において、構造物２３が粒子２５２によって物理的に支持される。その結果、第１参考例と比較して、構造物２３の倒壊が更に効果的に抑制される。また、処理液２５１の下降によって構造物２３間に粒子２５２を堆積させる簡素な手法を用いているため、第２参考例と比較して、構造物２３の倒壊を抑制するための性能が安定している。
On the other hand, in Embodiment 1, the suspension 25 is supplied to the substrate W after the treatment with the chemical solution, and the particles 252 forming the suspension 25 support the structure 23 of the pattern PT when the substrate W is dried. do. That is, the structure 23 is physically supported by the particles 252 when the substrate W is dried. As a result, collapse of the structure 23 is suppressed more effectively than in the first reference example. In addition, since a simple method of depositing the particles 252 between the structures 23 by descending the treatment liquid 251 is used, compared with the second reference example, the performance for suppressing the collapse of the structures 23 is stable. ing.
次に、図１、図２、及び、図８を参照して、実施形態１に係る基板処理方法を説明する。基板処理装置１００が基板処理方法を実行する。基板処理方法においては、複数の構造物２３を含むパターンＰＴを有する基板Ｗが処理される。図６は、基板処理方法を示すフローチャートである。図６に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１～工程Ｓ８を含む。工程Ｓ１～工程Ｓ８は、制御部２１による制御に従って実行される。
Next, a substrate processing method according to Embodiment 1 will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 8. FIG. A substrate processing apparatus 100 executes a substrate processing method. In the substrate processing method, a substrate W having a pattern PT including a plurality of structures 23 is processed. FIG. 6 is a flow chart showing a substrate processing method. As shown in FIG. 6, the substrate processing method includes steps S1 to S8. Steps S1 to S8 are executed under the control of the control section 21. FIG.
図１、図２、及び、図８に示すように、工程Ｓ１において、センターロボットＣＲは、基板Ｗを処理ユニット１に搬入する。そして、処理ユニット１において、スピンチャック１２は基板Ｗを保持する。更に、スピンモーター１３は、スピンチャック１２を回転させることで、基板Ｗを回転させる。
As shown in FIGS. 1, 2, and 8, the central robot CR loads the substrate W into the processing unit 1 in step S1. The spin chuck 12 holds the substrate W in the processing unit 1 . Furthermore, the spin motor 13 rotates the substrate W by rotating the spin chuck 12 .
次に、工程Ｓ２において、薬液ノズル１４は、薬液を、回転中の基板Ｗの上面に供給する。工程Ｓ２は、本発明の「薬液供給工程」の一例に相当する。
Next, in step S2, the chemical nozzle 14 supplies the chemical to the upper surface of the substrate W during rotation. Step S2 corresponds to an example of the "chemical supply step" of the present invention.
次に、工程Ｓ３において、懸濁液ノズル１７は、懸濁液２５を、回転中の基板Ｗの上面に供給することで、懸濁液２５の液膜２６を基板Ｗの上面に形成する。工程Ｓ３は、本発明の「懸濁液供給工程」の一例に相当する。
Next, in step S3, the suspension nozzle 17 forms a liquid film 26 of the suspension 25 on the upper surface of the substrate W by supplying the suspension 25 onto the upper surface of the substrate W during rotation. Step S3 corresponds to an example of the "suspension supply step" of the present invention.
特に、懸濁液２５を構成する処理液２５１がリンス液である場合には、工程Ｓ３が、リンス工程としても機能する。なぜなら、懸濁液２５によって薬液が洗い流されるからである。従って、この場合、リンス工程を省略できるため、基板Ｗを処理する際の工数を削減できる。
In particular, when the treatment liquid 251 forming the suspension 25 is a rinse liquid, the step S3 also functions as a rinse step. This is because the liquid medicine is washed away by the suspension 25 . Therefore, in this case, since the rinsing process can be omitted, the number of man-hours for processing the substrate W can be reduced.
次に、工程Ｓ４において、基板Ｗにおいて互いに隣り合う構造物２３と構造物２３との間に粒子２５２が残留するように、基板Ｗの上面から処理液２５１を排除する。つまり、工程Ｓ４において、制御部２１は処理液排除制御を実行する。工程Ｓ４は、本発明の「処理液排除工程」の一例に相当する。
Next, in step S4, the processing liquid 251 is removed from the upper surface of the substrate W so that the particles 252 remain between the structures 23 adjacent to each other on the substrate W. That is, in step S4, the control unit 21 executes processing liquid removal control. Step S4 corresponds to an example of the "treatment liquid removal step" of the present invention.
具体的には、工程Ｓ４において、スピンモーター１３は、スピンチャック１２を回転させることで基板Ｗを回転させる。この場合、図３（ｂ）の領域２６１の範囲では、遠心力による懸濁液２５の流動によって、基板Ｗから懸濁液２５が排除される。そして、図３（ｂ）の領域２６２の範囲では、懸濁液２５を構成する処理液２５１が気化することによって、基板Ｗから処理液２５１が排除される。この場合、少なくとも処理液２５１が構造物２３と構造物２３との間から気化する期間Ｔでは、構造物２３と構造物２３との間に粒子２５２が残留する。つまり、構造物２３と構造物２３との間に粒子２５２が堆積する。その結果、実施形態１によれば、粒子２５２によって構造物２３が支持されるため、処理液２５１の表面張力による構造物２３の倒壊を抑制できる。また、実施形態１では、処理液２５１によって、粒子２５２を構造物２３と構造物２３との間に容易に進入させることができる。
Specifically, in step S<b>4 , the spin motor 13 rotates the substrate W by rotating the spin chuck 12 . In this case, in the region 261 of FIG. 3B, the suspension 25 is removed from the substrate W by the flow of the suspension 25 due to the centrifugal force. 3B, the processing liquid 251 forming the suspension 25 is vaporized, and the processing liquid 251 is removed from the substrate W. As shown in FIG. In this case, the particles 252 remain between the structures 23 at least during the period T in which the treatment liquid 251 evaporates from between the structures 23 and 23 . That is, particles 252 are deposited between structures 23 and 23 . As a result, according to the first embodiment, since the structure 23 is supported by the particles 252 , collapse of the structure 23 due to the surface tension of the treatment liquid 251 can be suppressed. Further, in Embodiment 1, the treatment liquid 251 allows the particles 252 to easily enter between the structures 23 .
工程Ｓ４での基板Ｗの回転速度は、例えば、工程Ｓ２及び工程Ｓ３での基板Ｗの回転速度よりも大きい。回転速度は、例えば、単位時間当たりの基板Ｗの回転数を示す。スピンモーター１３は、工程Ｓ４を所定期間実行すると、スピンチャック１２の回転を停止させることで、基板Ｗの回転を停止させる。所定期間は、例えば、実験的及び／又は経験的に定められる。
The rotation speed of the substrate W in step S4 is, for example, higher than the rotation speed of the substrate W in steps S2 and S3. The rotation speed indicates, for example, the number of rotations of the substrate W per unit time. The spin motor 13 stops the rotation of the substrate W by stopping the rotation of the spin chuck 12 after executing step S4 for a predetermined period. The predetermined period is determined experimentally and/or empirically, for example.
次に、工程Ｓ５において、センターロボットＣＲは、基板Ｗを処理ユニット１から搬出する。
Next, in step S<b>5 , the center robot CR unloads the substrate W from the processing unit 1 .
次に、工程Ｓ６において、センターロボットＣＲは、基板Ｗを粒子除去ユニット５に搬入する。
Next, in step S6, the center robot CR loads the substrate W into the particle removal unit 5.
次に、工程Ｓ７において、粒子除去ユニット５は、非液体によって、基板Ｗの構造物２３と構造物２３との間に残留した粒子２５２を除去する。
Next, in step S7, the particle removal unit 5 removes the particles 252 remaining between the structures 23 of the substrate W with a non-liquid.
次に、工程Ｓ８において、センターロボットＣＲは、基板Ｗを粒子除去ユニット５から搬出する。そして、基板処理方法は終了する。
Next, in step S8, the center robot CR unloads the substrate W from the particle removal unit 5. The substrate processing method then ends.
以上、図８を参照して説明したように、実施形態１に係る基板処理方法によれば、工程Ｓ３、工程Ｓ４、及び、工程Ｓ７によって、基板ＷのパターンＰＴにおける構造物２３の倒壊を抑制しつつ、薬液による処理後の基板Ｗを乾燥できる。
As described above with reference to FIG. 8, according to the substrate processing method according to the first embodiment, collapse of the structure 23 in the pattern PT of the substrate W is suppressed by the steps S3, S4, and S7. while drying the substrate W after being treated with the chemical solution.
（実施形態２）
図９及び図１０を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００を説明する。実施形態２に係る基板処理装置１００が懸濁液供給工程の前にリンス液供給工程を実行する点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。その他、実施形態２に係る基板処理装置１００の全体構成は、図１を参照して説明した実施形態１に係る基板処理装置１００の全体構成と同様である。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。 (Embodiment 2)
Asubstrate processing apparatus 100 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 and 10. FIG. The second embodiment is mainly different from the first embodiment in that the substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment performs the rinse solution supply process before the suspension supply process. In addition, the overall configuration of the substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment is similar to the overall configuration of the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment described with reference to FIG. In the following, differences of the second embodiment from the first embodiment will be mainly described.
図９及び図１０を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００を説明する。実施形態２に係る基板処理装置１００が懸濁液供給工程の前にリンス液供給工程を実行する点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。その他、実施形態２に係る基板処理装置１００の全体構成は、図１を参照して説明した実施形態１に係る基板処理装置１００の全体構成と同様である。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。 (Embodiment 2)
A
図９は、実施形態２に係る処理ユニット１の内部を示す側面図である。図９に示すように、実施形態２に係る処理ユニット１は、図２に示す実施形態１に係る処理ユニット１の構成に加えて、リンス液ノズル３１を備える。実施形態２に係る処理ユニット１は、基板加熱部３４を更に備えていてもよい。また、実施形態２に係る基板処理装置１００は、図１に示す実施形態１に係る基板処理装置１００の構成に加えて、配管３２及びバルブ３３を備える。
FIG. 9 is a side view showing the inside of the processing unit 1 according to the second embodiment. As shown in FIG. 9, the processing unit 1 according to the second embodiment includes a rinse liquid nozzle 31 in addition to the configuration of the processing unit 1 according to the first embodiment shown in FIG. The processing unit 1 according to the second embodiment may further include a substrate heating section 34 . Further, the substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment includes pipes 32 and valves 33 in addition to the configuration of the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment shown in FIG.
リンス液ノズル３１は、リンス液を基板Ｗの上面に供給する。具体的には、配管３２がリンス液ノズル３１リンス液を供給する。バルブ３３は、配管３２に配置される。そして、バルブ３３は、配管３２の流路を開閉し、リンス液ノズル３１に対するリンス液の供給と供給停止とを切り替える。バルブ３３が配管３２の流路を開放すると、リンス液ノズル３１は、リンス液を基板Ｗに向けて供給する。リンス液ノズル３１は、本発明の「リンス液供給部」の一例に相当する。
The rinse liquid nozzle 31 supplies the upper surface of the substrate W with the rinse liquid. Specifically, the pipe 32 supplies the rinse liquid to the rinse liquid nozzle 31 . A valve 33 is arranged in the pipe 32 . The valve 33 opens and closes the flow path of the pipe 32 to switch between supplying and stopping the supply of the rinsing liquid to the rinsing liquid nozzle 31 . The rinse liquid nozzle 31 supplies the rinse liquid toward the substrate W when the valve 33 opens the flow path of the pipe 32 . The rinse liquid nozzle 31 corresponds to an example of the "rinse liquid supply section" of the present invention.
なお、例えば、ノズル移動部１５と同様の構成のノズル移動部（不図示）によって、リンス液ノズル３１を昇降したり、リンス液ノズル３１を水平回動させたりすることもできる。
It should be noted that, for example, the rinse liquid nozzle 31 can be moved up and down or horizontally rotated by a nozzle moving section (not shown) having the same configuration as the nozzle moving section 15 .
基板加熱部３４は、基板Ｗを加熱する。図９の例では、基板加熱部３４は、基板Ｗに対して離隔しており、基板Ｗの下方から基板Ｗを加熱する。具体的には、基板加熱部３４は、スピンベース１２１と基板Ｗとの間に配置される。基板加熱部３４は、略円板形状を有する。基板加熱部３４は、例えば、通電によって発熱するヒーターである。ヒーターは、例えば、発熱体（例えば、抵抗体）を有する。なお、基板Ｗの上方から基板Ｗを加熱してもよい。
The substrate heating unit 34 heats the substrate W. In the example of FIG. 9, the substrate heating unit 34 is separated from the substrate W and heats the substrate W from below. Specifically, the substrate heating unit 34 is arranged between the spin base 121 and the substrate W. As shown in FIG. The substrate heating part 34 has a substantially disk shape. The substrate heating unit 34 is, for example, a heater that generates heat when energized. A heater has, for example, a heating element (eg, a resistor). Alternatively, the substrate W may be heated from above.
次に、図１、図９、及び、図１０を参照して、実施形態２に係る基板処理方法を説明する。図１０は、基板処理方法を示すフローチャートである。図１０に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１１～工程Ｓ２０を含む。工程Ｓ１１～工程Ｓ２０は、制御部２１による制御に従って実行される。
Next, a substrate processing method according to Embodiment 2 will be described with reference to FIGS. 1, 9, and 10. FIG. FIG. 10 is a flow chart showing a substrate processing method. As shown in FIG. 10, the substrate processing method includes steps S11 to S20. Steps S11 to S20 are executed under the control of the control section 21. FIG.
図１、図９、及び、図１０に示すように、工程Ｓ１１において、センターロボットＣＲは、基板Ｗを処理ユニット１に搬入する。その他、工程Ｓ１１は、図８の工程Ｓ１と同様である。
As shown in FIGS. 1, 9, and 10, the center robot CR loads the substrate W into the processing unit 1 in step S11. Otherwise, step S11 is the same as step S1 in FIG.
次に、工程Ｓ１２において、薬液ノズル１４は、薬液を、回転中の基板Ｗの上面に供給する。つまり、工程Ｓ１３及び工程Ｓ１４よりも前において、薬液ノズル１４は、薬液を、回転中の基板Ｗの上面に供給する。具体的には、リンス液ノズル３１によるリンス液の供給処理及び懸濁液ノズル１７による懸濁液２５の供給処理よりも前において、薬液ノズル１４は、薬液を、回転中の基板Ｗの上面に供給する。その他、工程Ｓ１２は、図８の工程Ｓ２と同様である。工程Ｓ１２は、本発明の「薬液供給工程」の一例に相当する。
Next, in step S12, the chemical nozzle 14 supplies the chemical to the upper surface of the substrate W during rotation. In other words, before steps S13 and S14, the chemical nozzle 14 supplies the chemical to the upper surface of the substrate W during rotation. Specifically, before the rinsing liquid supply process by the rinsing liquid nozzle 31 and the suspension 25 supply process by the suspension nozzle 17, the chemical liquid nozzle 14 applies the chemical liquid to the upper surface of the substrate W during rotation. supply. Otherwise, step S12 is the same as step S2 in FIG. Step S12 corresponds to an example of the "chemical supply step" of the present invention.
次に、工程Ｓ１３において、リンス液ノズル３１は、リンス液を、回転中の基板Ｗの上面に供給することで、基板Ｗから薬液を洗い流す。つまり、薬液ノズル１４による薬液の供給処理の次に、リンス液ノズル３１は、リンス液を、回転中の基板Ｗの上面に供給することで、基板Ｗから薬液を洗い流す。工程Ｓ１３は、本発明の「リンス液供給工程」の一例に相当する。
Next, in step S13, the rinse liquid nozzle 31 washes away the chemical liquid from the substrate W by supplying the rinse liquid to the upper surface of the substrate W during rotation. In other words, after the chemical liquid supply processing by the chemical liquid nozzle 14, the rinse liquid nozzle 31 rinses the chemical liquid from the substrate W by supplying the rinse liquid to the upper surface of the substrate W during rotation. Step S13 corresponds to an example of the "rinse liquid supply step" of the present invention.
次に、工程Ｓ１４において、懸濁液ノズル１７は、懸濁液２５を、回転中の基板Ｗの上面に供給することで、懸濁液２５の液膜２６を基板Ｗの上面に形成する。つまり、懸濁液ノズル１７は、リンス液ノズル３１によるリンス液の供給処理の次に、懸濁液ノズル１７は、基板Ｗの上面に懸濁液２５を供給する。その他、工程Ｓ１４は、図８の工程Ｓ３と同様である。工程Ｓ１４は、本発明の「懸濁液供給工程」の一例に相当する。
Next, in step S14, the suspension nozzle 17 forms a liquid film 26 of the suspension 25 on the upper surface of the substrate W by supplying the suspension 25 to the upper surface of the substrate W during rotation. That is, the suspension nozzle 17 supplies the suspension 25 to the upper surface of the substrate W after the rinse liquid supply processing by the rinse liquid nozzle 31 is performed. Otherwise, step S14 is the same as step S3 in FIG. Step S14 corresponds to an example of the "suspension supply step" of the present invention.
特に、懸濁液２５を構成する処理液２５１がリンス液である場合は、工程Ｓ１３と相俟って、より効果的に基板Ｗから薬液を排出できる。
In particular, when the processing liquid 251 forming the suspension 25 is a rinse liquid, the chemical liquid can be discharged from the substrate W more effectively in combination with step S13.
次に、工程Ｓ１５において、基板Ｗにおいて互いに隣り合う構造物２３と構造物２３との間に粒子２５２が残留するように、基板Ｗの上面から処理液２５１を排除する。つまり、工程Ｓ１５において、制御部２１は処理液排除制御を実行する。その他、工程Ｓ１５は、図８の工程Ｓ４と同様である。工程Ｓ１５は、本発明の「処理液排除工程」の一例に相当する。
Next, in step S15, the processing liquid 251 is removed from the upper surface of the substrate W so that the particles 252 remain between the structures 23 adjacent to each other on the substrate W. That is, in step S15, the control unit 21 executes processing liquid removal control. Otherwise, step S15 is the same as step S4 in FIG. Step S15 corresponds to an example of the "treatment liquid removal step" of the present invention.
次に、工程Ｓ１６において、基板加熱部３４は、回転中の基板Ｗを加熱する。つまり、工程Ｓ１４よりも後であって、工程Ｓ１９よりも前において、基板加熱部３４は、基板Ｗを加熱する。具体的には、処理液排除制御の実行時よりも後であって、粒子除去ユニット５による粒子２５２の除去処理よりも前において、基板Ｗを加熱する。従って、より確実に基板Ｗを乾燥させることができる。工程Ｓ１６は、本発明の「基板加熱工程」の一例に相当する。
Next, in step S16, the substrate heating unit 34 heats the substrate W during rotation. That is, the substrate heating unit 34 heats the substrate W after step S14 and before step S19. Specifically, the substrate W is heated after the processing liquid removal control is executed and before the particles 252 are removed by the particle removal unit 5 . Therefore, the substrate W can be dried more reliably. Step S16 corresponds to an example of the "substrate heating step" of the present invention.
スピンモーター１３は、工程Ｓ１６を所定期間実行すると、スピンチャック１２の回転を停止させることで、基板Ｗの回転を停止させる。所定期間は、実験的及び／又は経験的に定められる。なお、工程Ｓ１５と工程Ｓ１６とが並行して実行されてもよい。
After executing step S16 for a predetermined period, the spin motor 13 stops the rotation of the substrate W by stopping the rotation of the spin chuck 12 . The predetermined period of time is determined experimentally and/or empirically. In addition, process S15 and process S16 may be performed in parallel.
次に、工程Ｓ１７において、センターロボットＣＲは、基板Ｗを処理ユニット１から搬出する。
Next, in step S<b>17 , the center robot CR unloads the substrate W from the processing unit 1 .
次に、工程Ｓ１８において、センターロボットＣＲは、基板Ｗを粒子除去ユニット５に搬入する。
Next, in step S<b>18 , the center robot CR loads the substrate W into the particle removal unit 5 .
次に、工程Ｓ１９において、粒子除去ユニット５は、非液体によって、基板Ｗの構造物２３と構造物２３との間に残留した粒子２５２を除去する。
Next, in step S19, the particle removal unit 5 removes the particles 252 remaining between the structures 23 of the substrate W with a non-liquid.
次に、工程Ｓ２０において、センターロボットＣＲは、基板Ｗを粒子除去ユニット５から搬出する。そして、基板処理方法は終了する。
Next, in step S<b>20 , the center robot CR unloads the substrate W from the particle removal unit 5 . The substrate processing method then ends.
以上、図１０を参照して説明したように、実施形態２に係る基板処理方法によれば、工程Ｓ１４、工程Ｓ１５、工程Ｓ１６、及び、工程Ｓ１９によって、基板ＷのパターンＰＴにおける構造物２３の倒壊を抑制しつつ、薬液による処理後の基板Ｗを乾燥できる。なお、基板処理方法は工程Ｓ１６を含まなくてもよい。
As described above with reference to FIG. 10, according to the substrate processing method according to the second embodiment, the structures 23 in the pattern PT of the substrate W are formed in the steps S14, S15, S16, and S19. It is possible to dry the substrate W after being treated with the chemical liquid while suppressing collapse. Note that the substrate processing method does not have to include step S16.
次に、図１１～図１３を参照して、実施形態１及び実施形態２で使用する粒子除去ユニット５の３つの具体例を説明する。
Next, three specific examples of the particle removal unit 5 used in Embodiments 1 and 2 will be described with reference to FIGS. 11 to 13. FIG.
［フッ酸の蒸気による粒子２５２の除去］
図１１は、本発明の一実施形態に係る粒子除去ユニット５を示す模式的断面図である。図１１に示す粒子除去ユニット５は、懸濁液２５を構成する処理液２５１がリンス液で、懸濁液２５を構成する粒子２５２がシリカである場合に、処理液２５１が排除された基板Ｗの上面にフッ酸の蒸気を供給することで、基板Ｗの構造物２３と構造物２３との間から粒子２５２を除去する。なお、図８の工程Ｓ６又は図１０の工程Ｓ１８において、基板Ｗが粒子除去ユニット５に搬入される。従って、粒子除去ユニット５によって処理される基板Ｗは、懸濁液２５のうちの処理液２５１（リンス液）が排除されて粒子２５２（シリカ）が堆積した状態の基板Ｗ（図５（ａ）又は図７（ａ））である。 [Removal ofparticles 252 by hydrofluoric acid vapor]
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing aparticle removal unit 5 according to one embodiment of the invention. The particle removal unit 5 shown in FIG. 11 can remove the substrate W from which the processing liquid 251 has been removed when the processing liquid 251 forming the suspension 25 is the rinsing liquid and the particles 252 forming the suspension 25 are silica. The particles 252 are removed from between the structures 23 of the substrate W by supplying vapor of hydrofluoric acid to the upper surface of the substrate W. FIG. 8 or S18 in FIG. 10, the substrate W is carried into the particle removing unit 5. As shown in FIG. Therefore, the substrate W to be processed by the particle removing unit 5 is in a state where the processing liquid 251 (rinse liquid) in the suspension 25 is removed and the particles 252 (silica) are deposited (FIG. 5A). or FIG. 7(a)).
図１１は、本発明の一実施形態に係る粒子除去ユニット５を示す模式的断面図である。図１１に示す粒子除去ユニット５は、懸濁液２５を構成する処理液２５１がリンス液で、懸濁液２５を構成する粒子２５２がシリカである場合に、処理液２５１が排除された基板Ｗの上面にフッ酸の蒸気を供給することで、基板Ｗの構造物２３と構造物２３との間から粒子２５２を除去する。なお、図８の工程Ｓ６又は図１０の工程Ｓ１８において、基板Ｗが粒子除去ユニット５に搬入される。従って、粒子除去ユニット５によって処理される基板Ｗは、懸濁液２５のうちの処理液２５１（リンス液）が排除されて粒子２５２（シリカ）が堆積した状態の基板Ｗ（図５（ａ）又は図７（ａ））である。 [Removal of
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing a
図１１に示すように、粒子除去ユニット５は、処理蒸気の一例であるフッ化水素を含む蒸気を基板Ｗに供給するベーパ処理ユニットである。粒子除去ユニット５は、フッ酸（液体）を貯留するＨＦベーパ発生容器４Ａと、ＨＦベーパ発生容器４Ａを収容する密閉空間ＳＰ１が内部に設けられたチャンバー５Ａとを含む。ＨＦベーパ発生容器４Ａ内のフッ酸は、ＨＦベーパ発生容器４Ａに内蔵されたＨＦヒーター６Ａによって加熱されている。ＨＦベーパ発生容器４Ａ内のフッ酸の温度は、制御部２１によって制御される。
As shown in FIG. 11, the particle removal unit 5 is a vapor processing unit that supplies the substrate W with vapor containing hydrogen fluoride, which is an example of processing vapor. The particle removal unit 5 includes an HF vapor generation container 4A that stores hydrofluoric acid (liquid), and a chamber 5A that is provided with a closed space SP1 that houses the HF vapor generation container 4A. The hydrofluoric acid in the HF vapor generation container 4A is heated by the HF heater 6A built in the HF vapor generation container 4A. A controller 21 controls the temperature of the hydrofluoric acid in the HF vapor generation container 4A.
粒子除去ユニット５は、ＨＦベーパ発生容器４Ａの下方に配置されたパンチングプレート７Ａと、パンチングプレート７Ａの下方に配置されたホットプレート８Ａとを含む。ホットプレート８Ａは、基板Ｗの上面がパンチングプレート７Ａに対向する基板保持位置（図１１に示す位置）で基板Ｗを水平に保持する。基板Ｗは、ホットプレート８Ａによって加熱されながら支持される。基板Ｗの温度は、制御部２１によって、一定温度に維持される。ホットプレート８Ａは、回転軸９Ａの上端部に連結されている。モーター等を含む回転駆動機構１０Ａは、回転軸９Ａに連結されている。回転駆動機構１０Ａが回転軸９Ａを回転させると、ホットプレート８Ａは、回転軸９Ａと共に鉛直軸線まわりに回転する。その結果、ホットプレート８Ａに保持されている基板Ｗが、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａａまわりに回転する。
The particle removal unit 5 includes a punching plate 7A arranged below the HF vapor generation container 4A and a hot plate 8A arranged below the punching plate 7A. The hot plate 8A horizontally holds the substrate W at the substrate holding position (the position shown in FIG. 11) where the upper surface of the substrate W faces the punching plate 7A. The substrate W is supported while being heated by the hot plate 8A. The temperature of the substrate W is maintained at a constant temperature by the controller 21 . The hot plate 8A is connected to the upper end of the rotating shaft 9A. A rotation drive mechanism 10A including a motor and the like is connected to the rotation shaft 9A. When the rotary drive mechanism 10A rotates the rotary shaft 9A, the hot plate 8A rotates together with the rotary shaft 9A around the vertical axis. As a result, the substrate W held by the hot plate 8A rotates around the vertical rotation axis Aa passing through the center of the substrate W. As shown in FIG.
粒子除去ユニット５は、ホットプレート８Ａの周囲に配置された筒状のベローズ１１Ａと、ベローズ１１Ａを上下に伸縮させる伸縮ユニット（不図示）とをさらに含む。ホットプレート８Ａは、ベローズ１１Ａの内側に配置されている。伸縮ユニットは、ベローズ１１Ａの上端縁がパンチングプレート７Ａに当接し、ホットプレート８Ａの周囲の空間が密閉される密閉位置（実線で示す位置）と、ベローズ１１Ａの上端縁がホットプレート８Ａの上面よりも下方に退避した退避位置（二点鎖線で示す位置）との間でベローズ１１Ａを伸縮させる。
The particle removal unit 5 further includes a tubular bellows 11A arranged around the hot plate 8A and an expansion unit (not shown) for expanding and contracting the bellows 11A vertically. The hot plate 8A is arranged inside the bellows 11A. The telescopic unit has two positions: a closed position (indicated by a solid line) where the upper edge of the bellows 11A abuts against the punching plate 7A and the space around the hot plate 8A is sealed; The bellows 11A is extended and contracted between the retracted position (the position indicated by the two-dot chain line), which is also retracted downward.
ＨＦベーパ発生容器４Ａは、フッ酸の蒸気（フッ酸の蒸発によって生じた気体）によって満たされたベーパ発生空間ＳＰ２と、連通バルブ１４Ａを介してベーパ発生空間ＳＰ２に接続された流路１５Ａとを含む。ＨＦベーパ発生容器４Ａは、第１流量コントローラ１６Ａおよび第１バルブ１７Ａが介装された第１配管１８Ａに接続されている。ＨＦベーパ発生容器４Ａは、第１配管１８Ａを介して第１窒素ガス供給源１９Ａに接続されている。不活性ガスの一例である窒素ガスは、第１配管１８Ａを介してベーパ発生空間ＳＰ２に供給される。同様に、流路１５Ａは、第２流量コントローラ２０Ａおよび第２バルブ２１Ａが介装された第２配管２２Ａに接続されている。流路１５Ａは、第２配管２２Ａを介して第２窒素ガス供給源２３Ａに接続されている。窒素ガスは、第２配管２２Ａを介して流路１５Ａに供給される。
The HF vapor generation container 4A includes a vapor generation space SP2 filled with hydrofluoric acid vapor (gas generated by evaporation of hydrofluoric acid) and a flow path 15A connected to the vapor generation space SP2 via a communication valve 14A. include. The HF vapor generation container 4A is connected to a first pipe 18A in which a first flow rate controller 16A and a first valve 17A are interposed. The HF vapor generation container 4A is connected to a first nitrogen gas supply source 19A via a first pipe 18A. Nitrogen gas, which is an example of inert gas, is supplied to the vapor generating space SP2 through the first pipe 18A. Similarly, the flow path 15A is connected to a second pipe 22A in which a second flow rate controller 20A and a second valve 21A are interposed. 15 A of flow paths are connected to 23 A of 2nd nitrogen gas supply sources via 22 A of 2nd piping. Nitrogen gas is supplied to the flow path 15A through the second pipe 22A.
連通バルブ１４Ａ、第１バルブ１７Ａ、および第２バルブ２１Ａは、制御部２１によって開閉される。連通バルブ１４Ａおよび第１バルブ１７Ａが開かれている状態では、ベーパ発生空間ＳＰ２を漂うフッ酸の蒸気が、第１窒素ガス供給源１９Ａからの窒素ガスの流れによって、連通バルブ１４Ａを介して流路１５Ａに供給される。従って、全てのバルブ１４Ａ、１７Ａ、２１Ａが開かれている状態では、流路１５Ａに供給されたＨＦベーパ（フッ酸の蒸気と窒素ガスとを含む気体）が、第２窒素ガス供給源２３Ａからの窒素ガスの流れによってパンチングプレート７Ａに導かれる。よって、ＨＦベーパが、パンチングプレート７Ａに形成された多数の貫通孔を通過し、ホットプレート８Ａに保持されている基板Ｗの上面に吹き付けられる。その結果、基板Ｗの構造物２３と構造物２３との間に堆積した粒子２５２（シリカ）が、構造物２３と構造物２３との間から除去される（図５（ｂ）、図５（ｃ）、図７（ｂ）、図７（ｃ））。
The communication valve 14A, the first valve 17A, and the second valve 21A are opened and closed by the controller 21. When the communication valve 14A and the first valve 17A are open, the hydrofluoric acid vapor floating in the vapor generation space SP2 flows through the communication valve 14A due to the flow of nitrogen gas from the first nitrogen gas supply source 19A. 15A is supplied. Therefore, when all the valves 14A, 17A, and 21A are open, the HF vapor (gas containing hydrofluoric acid vapor and nitrogen gas) supplied to the flow path 15A is supplied from the second nitrogen gas supply source 23A. is guided to the punching plate 7A by the flow of nitrogen gas. Therefore, the HF vapor passes through many through-holes formed in the punching plate 7A and is blown onto the upper surface of the substrate W held on the hot plate 8A. As a result, the particles 252 (silica) deposited between the structures 23 of the substrate W are removed from between the structures 23 (FIG. 5(b), FIG. 5( c), FIG. 7(b), FIG. 7(c)).
また、第２バルブ２１Ａだけが開かれている状態では、窒素ガスだけが、パンチングプレート７Ａに導かれる。その結果、窒素ガスが基板Ｗの上面に吹き付けられる。基板処理装置１００は、さらに、チャンバー５Ａ内の気体を排出する排気ユニット２４Ａ（排気手段）を含む。
Also, when only the second valve 21A is open, only nitrogen gas is led to the punching plate 7A. As a result, the upper surface of the substrate W is sprayed with nitrogen gas. The substrate processing apparatus 100 further includes an exhaust unit 24A (exhaust means) that exhausts the gas inside the chamber 5A.
［オゾンによる粒子２５２の除去］
図１２は、本発明の他の実施形態に係る粒子除去ユニット５を示す模式的断面図である。図１２に示す粒子除去ユニット５は、懸濁液２５がポリスチレンラテックスである場合に、懸濁液２５のうちの処理液２５１が排除された基板Ｗの上面にオゾンを供給することで、基板Ｗの構造物２３と構造物２３との間から粒子２５２（ポリスチレン）を除去する。なお、図８の工程Ｓ６又は図１０の工程Ｓ１８において、基板Ｗが粒子除去ユニット５に搬入される。従って、粒子除去ユニット５によって処理される基板Ｗは、懸濁液２５のうちの処理液２５１（リンス液）が排除されて粒子２５２（ポリスチレン）が堆積した状態の基板Ｗ（図５（ａ）又は図７（ａ））である。 [Removal ofparticles 252 by ozone]
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing aparticle removal unit 5 according to another embodiment of the invention. When the suspension 25 is polystyrene latex, the particle removal unit 5 shown in FIG. Particles 252 (polystyrene) are removed from between the structures 23 of . 8 or S18 in FIG. 10, the substrate W is carried into the particle removing unit 5. As shown in FIG. Therefore, the substrate W to be processed by the particle removing unit 5 is in a state where the processing liquid 251 (rinse liquid) in the suspension 25 is removed and the particles 252 (polystyrene) are deposited (FIG. 5A). or FIG. 7(a)).
図１２は、本発明の他の実施形態に係る粒子除去ユニット５を示す模式的断面図である。図１２に示す粒子除去ユニット５は、懸濁液２５がポリスチレンラテックスである場合に、懸濁液２５のうちの処理液２５１が排除された基板Ｗの上面にオゾンを供給することで、基板Ｗの構造物２３と構造物２３との間から粒子２５２（ポリスチレン）を除去する。なお、図８の工程Ｓ６又は図１０の工程Ｓ１８において、基板Ｗが粒子除去ユニット５に搬入される。従って、粒子除去ユニット５によって処理される基板Ｗは、懸濁液２５のうちの処理液２５１（リンス液）が排除されて粒子２５２（ポリスチレン）が堆積した状態の基板Ｗ（図５（ａ）又は図７（ａ））である。 [Removal of
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing a
図１２に示すように、粒子除去ユニット５は、チャンバー２Ｂと、蓋部昇降機構３１Ｂと、ホットプレート４Ｂと、複数のリフトピン５１Ｂと、ピン昇降機構３２Ｂと、オゾンガス供給部６Ｂと、ガス排出部７１Ｂと、濃度測定部７２Ｂとを備える。制御部２１は、粒子除去ユニット５の全体制御を担う。
As shown in FIG. 12, the particle removal unit 5 includes a chamber 2B, a lid lifting mechanism 31B, a hot plate 4B, a plurality of lift pins 51B, a pin lifting mechanism 32B, an ozone gas supply unit 6B, and a gas discharge unit. 71B and a density measurement unit 72B. The control section 21 is responsible for overall control of the particle removal unit 5 .
チャンバー２Ｂは、チャンバー本体２１Ｂと、チャンバー蓋部２２Ｂとを備える。チャンバー本体２１Ｂは、円板状の底板部２１１Ｂと、円筒状の本体側部２１２Ｂとを備える。チャンバー蓋部２２Ｂは、円板状の天板部２２１Ｂと、円筒状の蓋側部２２２Ｂとを備える。天板部２２１Ｂの下面には、水平方向に広がるシャワープレート２２３Ｂが、プレート支持部２２４Ｂを介して固定される。シャワープレート２２３Ｂには、多数の貫通孔が形成される。蓋側部２２２Ｂと本体側部２１２Ｂとの間には、Ｏリング２３Ｂが設けられる。
The chamber 2B includes a chamber body 21B and a chamber lid portion 22B. The chamber body 21B includes a disk-shaped bottom plate portion 211B and a cylindrical body side portion 212B. The chamber lid portion 22B includes a disk-shaped top plate portion 221B and a cylindrical lid side portion 222B. A horizontally extending shower plate 223B is fixed to the lower surface of the top plate portion 221B via a plate support portion 224B. A large number of through holes are formed in the shower plate 223B. An O-ring 23B is provided between the lid side portion 222B and the body side portion 212B.
蓋部昇降機構３１Ｂは、チャンバー蓋部２２Ｂを上下方向に昇降する。図１２では、蓋側部２２２Ｂの下端面と本体側部２１２Ｂの上端面とがほぼ接触しており、チャンバー本体２１Ｂの上方がチャンバー蓋部２２Ｂにより閉塞される。図１２の状態では、蓋側部２２２Ｂの下端面と本体側部２１２Ｂの上端面との間が、Ｏリング２３Ｂにより密閉され、チャンバー２Ｂの内部において、外部から遮断された処理空間２０Ｂが形成される。蓋部昇降機構３１Ｂでは、例えば、モーター、又は、モーター以外のアクチュエーターが利用されてよい。
The lid lifting mechanism 31B vertically moves the chamber lid 22B up and down. In FIG. 12, the lower end surface of the lid side portion 222B and the upper end surface of the main body side portion 212B are substantially in contact with each other, and the upper side of the chamber main body 21B is closed by the chamber lid portion 22B. In the state shown in FIG. 12, the lower end surface of the lid side portion 222B and the upper end surface of the main body side portion 212B are sealed by the O-ring 23B, and a processing space 20B that is cut off from the outside is formed inside the chamber 2B. be. For example, a motor or an actuator other than a motor may be used in the lid lifting mechanism 31B.
ホットプレート４Ｂは、処理空間２０Ｂに配置される。ホットプレート４Ｂには、電熱線を含むヒーター４０Ｂが設けられる。ヒーター４０Ｂによって、ホットプレート４Ｂが、所定の設定温度に加熱される。ホットプレート４Ｂは、チャンバー本体２１Ｂに対して固定される。円板状である底板部２１１Ｂ、天板部２２１Ｂおよびホットプレート４Ｂの中心軸はほぼ同じである。以下の説明では、当該中心軸を中心とする周方向を、単に「周方向」という。
The hot plate 4B is arranged in the processing space 20B. The hot plate 4B is provided with a heater 40B including a heating wire. The hot plate 4B is heated to a predetermined set temperature by the heater 40B. The hot plate 4B is fixed to the chamber main body 21B. The disk-shaped bottom plate portion 211B, top plate portion 221B, and hot plate 4B have substantially the same center axis. In the following description, the circumferential direction centered on the central axis is simply referred to as "circumferential direction".
ホットプレート４Ｂには、複数の貫通孔４１Ｂが周方向に一定の角度間隔で配置される。底板部２１１Ｂには、上下方向において各貫通孔４１Ｂと重なる位置に貫通孔２１３Ｂが設けられる。複数のリフトピン５１Ｂのそれぞれは、貫通孔４１Ｂおよび貫通孔２１３Ｂのいずれかの組合せに挿入される。複数のリフトピン５１Ｂの下端は、ピン支持板５２Ｂに固定される。底板部２１１Ｂの下方において、各リフトピン５１Ｂの周囲は、ベローズ５３Ｂにより囲まれる。
A plurality of through holes 41B are arranged in the hot plate 4B at regular angular intervals in the circumferential direction. The bottom plate portion 211B is provided with through holes 213B at positions overlapping the through holes 41B in the vertical direction. Each of the plurality of lift pins 51B is inserted into any combination of through holes 41B and through holes 213B. Lower ends of the plurality of lift pins 51B are fixed to the pin support plate 52B. Below the bottom plate portion 211B, each lift pin 51B is surrounded by a bellows 53B.
ピン昇降機構３２Ｂは、ステッピングモーターを備え、ピン支持板５２Ｂを上下方向に昇降する。その結果、複数のリフトピン５１Ｂが上下方向に移動する。図１２では、複数のリフトピン５１Ｂの先端（上端）がホットプレート４Ｂの貫通孔４１Ｂの内部に配置される。ピン昇降機構３２Ｂでは、例えば、他の種類のモーター、又は、モーター以外のアクチュエーターが利用されてもよい。
The pin elevating mechanism 32B includes a stepping motor and vertically elevates the pin support plate 52B. As a result, the plurality of lift pins 51B move vertically. In FIG. 12, tips (upper ends) of the plurality of lift pins 51B are arranged inside the through holes 41B of the hot plate 4B. For example, other types of motors or actuators other than motors may be used in the pin lift mechanism 32B.
粒子除去ユニット５では、複数のリフトピン５１Ｂの先端が貫通孔４１Ｂの内部に配置される際には、基板Ｗがホットプレート４Ｂの上面に載置され、水平な姿勢にて保持される。以下、このような保持状態を「第１保持状態」と記載する。また、複数のリフトピン５１Ｂの先端がホットプレート４Ｂの上面よりも上方に配置される際には、基板Ｗが複数のリフトピン５１Ｂにより下方から支持され、水平な姿勢にて保持される。以下、このような保持状態を「第２保持状態」と記載する。
In the particle removal unit 5, when the tips of the plurality of lift pins 51B are arranged inside the through holes 41B, the substrate W is placed on the upper surface of the hot plate 4B and held in a horizontal posture. Such a holding state is hereinafter referred to as a "first holding state". Further, when the tips of the plurality of lift pins 51B are arranged above the upper surface of the hot plate 4B, the substrate W is supported from below by the plurality of lift pins 51B and held in a horizontal posture. Such a holding state is hereinafter referred to as a "second holding state".
オゾンガス供給部６Ｂは、オゾンガス供給源６１Ｂと、ガス供給管６２Ｂと、ガス供給弁６３Ｂと、ガスノズル６４Ｂとを備える。ガスノズル６４Ｂは、ガス供給口６４１Ｂを有する。ガスノズル６４Ｂは、ガス供給管６２Ｂを介してオゾンガス供給源６１Ｂに接続される。ガス供給弁６３Ｂを開くことにより、ガスノズル６４Ｂのガス供給口６４１Ｂから処理空間２０Ｂにオゾン（Ｏ3）ガスが供給される。
The ozone gas supply unit 6B includes an ozone gas supply source 61B, a gas supply pipe 62B, a gas supply valve 63B, and a gas nozzle 64B. The gas nozzle 64B has a gas supply port 641B. The gas nozzle 64B is connected to the ozone gas supply source 61B via the gas supply pipe 62B. By opening the gas supply valve 63B, ozone (O 3 ) gas is supplied to the processing space 20B from the gas supply port 641B of the gas nozzle 64B.
オゾンガスは、シャワープレート２２３Ｂの多数の貫通孔を通過し、基板Ｗの上面９１Ｂに対して一様に供給される。オゾンガスは、例えば、オゾンを所定のガスで希釈したものである。オゾンガスには、他の種類の酸化性ガス等が混合されてもよい。
The ozone gas passes through a large number of through-holes in the shower plate 223B and is uniformly supplied to the upper surface 91B of the substrate W. Ozone gas is, for example, ozone diluted with a predetermined gas. Ozone gas may be mixed with other kinds of oxidizing gas or the like.
具体的には、第１保持状態又は第２保持状態において、基板Ｗの上面９１Ｂにオゾンガスが供給される。その結果、基板Ｗの構造物２３と構造物２３との間に堆積した粒子２５２（ポリスチレン）が、オゾンによって酸化及び分解されて、構造物２３と構造物２３との間から除去される（図５（ｂ）、図５（ｃ）、図７（ｂ）、図７（ｃ））。
Specifically, ozone gas is supplied to the upper surface 91B of the substrate W in the first holding state or the second holding state. As a result, the particles 252 (polystyrene) deposited between the structures 23 of the substrate W are oxidized and decomposed by the ozone and removed from between the structures 23 (Fig. 5(b), FIG. 5(c), FIG. 7(b), FIG. 7(c)).
ガス排出部７１Ｂは、ガス排出口７１１Ｂと、ガス排出管７１２Ｂとを備える。処理空間２０Ｂのガスは、ガス排出口７１１Ｂおよびガス排出管７１２Ｂを介して外部に排出される。ガス排出管７１２Ｂには、濃度測定部７２Ｂが接続される。濃度測定部７２Ｂは、処理空間２０Ｂから排出されるガス（排出ガス）における所定成分の濃度を測定する。
The gas discharge part 71B includes a gas discharge port 711B and a gas discharge pipe 712B. The gas in the processing space 20B is discharged outside through the gas discharge port 711B and the gas discharge pipe 712B. A concentration measurement unit 72B is connected to the gas discharge pipe 712B. The concentration measurement unit 72B measures the concentration of a predetermined component in the gas (exhaust gas) discharged from the processing space 20B.
［紫外線による粒子２５２の除去］
図１３は、本発明の更に他の実施形態に係る粒子除去ユニット５を示す模式的断面図である。図１３に示す粒子除去ユニット５は、懸濁液２５がポリスチレンラテックスである場合に、懸濁液２５のうちの処理液２５１が排除された基板Ｗの上面に紫外線を照射することで、基板Ｗの構造物２３と構造物２３との間から粒子２５２（ポリスチレン）を除去する。なお、図８の工程Ｓ６又は図１０の工程Ｓ１８において、基板Ｗが粒子除去ユニット５に搬入される。従って、粒子除去ユニット５によって処理される基板Ｗは、懸濁液２５のうちの処理液２５１（リンス液）が排除されて粒子２５２（ポリスチレン）が堆積した状態の基板Ｗ（図５（ａ）又は図７（ａ））である。 [Removal ofParticles 252 by UV Rays]
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing aparticle removal unit 5 according to still another embodiment of the invention. When the suspension 25 is polystyrene latex, the particle removal unit 5 shown in FIG. Particles 252 (polystyrene) are removed from between the structures 23 of . 8 or S18 in FIG. 10, the substrate W is carried into the particle removing unit 5. As shown in FIG. Therefore, the substrate W to be processed by the particle removing unit 5 is in a state where the processing liquid 251 (rinse liquid) in the suspension 25 is removed and the particles 252 (polystyrene) are deposited (FIG. 5A). or FIG. 7(a)).
図１３は、本発明の更に他の実施形態に係る粒子除去ユニット５を示す模式的断面図である。図１３に示す粒子除去ユニット５は、懸濁液２５がポリスチレンラテックスである場合に、懸濁液２５のうちの処理液２５１が排除された基板Ｗの上面に紫外線を照射することで、基板Ｗの構造物２３と構造物２３との間から粒子２５２（ポリスチレン）を除去する。なお、図８の工程Ｓ６又は図１０の工程Ｓ１８において、基板Ｗが粒子除去ユニット５に搬入される。従って、粒子除去ユニット５によって処理される基板Ｗは、懸濁液２５のうちの処理液２５１（リンス液）が排除されて粒子２５２（ポリスチレン）が堆積した状態の基板Ｗ（図５（ａ）又は図７（ａ））である。 [Removal of
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing a
図１３に示すように、粒子除去ユニット５は、紫外線照射部３Ｃと、基板保持部５Ｃと、収容部７Ｃと、複数の気体供給部１０Ｃと、排気部１１Ｃと、移動機構１３Ｃと、回転機構１５Ｃとを含む。
As shown in FIG. 13, the particle removal unit 5 includes an ultraviolet irradiation section 3C, a substrate holding section 5C, a storage section 7C, a plurality of gas supply sections 10C, an exhaust section 11C, a moving mechanism 13C, and a rotating mechanism. 15C and.
基板保持部５Ｃは基板Ｗを保持する。具体的には、基板保持部５Ｃは、基板Ｗを水平に保持しながら、基板保持部５Ｃの回転軸線Ａｂの回りに基板Ｗを回転させる。回転軸線Ａｂは鉛直方向に略平行であり、基板Ｗの中心を通る。更に具体的には、基板保持部５Ｃは、スピンベース５１Ｃと、複数のチャック部材５３Ｃとを含む。複数のチャック部材５３Ｃは基板Ｗを水平な姿勢で保持する。スピンベース５１Ｃは、略円板状又は略円柱状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材５３Ｃを支持する。
The substrate holding part 5C holds the substrate W. Specifically, the substrate holding part 5C rotates the substrate W around the rotation axis Ab of the substrate holding part 5C while holding the substrate W horizontally. The rotation axis Ab is substantially parallel to the vertical direction and passes through the center of the substrate W. As shown in FIG. More specifically, the substrate holder 5C includes a spin base 51C and multiple chuck members 53C. A plurality of chuck members 53C hold the substrate W in a horizontal posture. The spin base 51C has a substantially disk-like or substantially columnar shape, and supports the plurality of chuck members 53C in a horizontal posture.
移動機構１３Ｃは基板保持部５Ｃを鉛直方向に沿って移動させる。具体的には、移動機構１３Ｃは、第１位置と第２位置との間で、基板保持部５Ｃを往復移動させる。第１位置は、基板保持部５Ｃが紫外線照射部３Ｃに近い位置を示す。図１３では、第１位置に位置する基板保持部５Ｃを図示している。第２位置は、基板保持部５Ｃが紫外線照射部３Ｃから遠い位置を示す。第１位置は、紫外線を用いた処理を基板Ｗに対して行うときの基板保持部５Ｃの位置である。第２位置は、基板Ｗの授受を行うときの基板保持部５Ｃの位置である。移動機構１３Ｃは、例えば、ボールねじ機構を含む。
The moving mechanism 13C moves the substrate holding part 5C along the vertical direction. Specifically, the moving mechanism 13C reciprocates the substrate holder 5C between the first position and the second position. The first position indicates a position where the substrate holding portion 5C is close to the ultraviolet irradiation portion 3C. FIG. 13 shows the substrate holder 5C located at the first position. A second position indicates a position where the substrate holding portion 5C is far from the ultraviolet irradiation portion 3C. The first position is the position of the substrate holder 5C when the substrate W is processed using ultraviolet rays. The second position is the position of the substrate holder 5C when the substrate W is transferred. 13 C of movement mechanisms contain a ball-screw mechanism, for example.
回転機構１５Ｃは、回転軸線Ａｂの回りに基板保持部５Ｃを回転させる。その結果、基板保持部５Ｃに保持された基板Ｗが、回転軸線Ａｂの回りに回転する。回転機構１５Ｃは、例えば、モーターを含む。
The rotation mechanism 15C rotates the substrate holder 5C around the rotation axis Ab. As a result, the substrate W held by the substrate holding part 5C rotates around the rotation axis Ab. The rotating mechanism 15C includes, for example, a motor.
紫外線照射部３Ｃと基板保持部５Ｃとは、回転軸線Ａｂに沿って配置され、互いに対向している。紫外線照射部３Ｃは、空間ＳＰＡを隔てて、基板Ｗと対向する。紫外線照射部３Ｃは紫外線を発生する。紫外線照射部３Ｃは、基板Ｗの上面に紫外線を照射する。例えば、紫外線照射部３Ｃは、基板Ｗの回転中に、基板Ｗの上面に紫外線を照射する。その結果、基板Ｗの構造物２３と構造物２３との間に堆積した粒子２５２（ポリスチレン）が、紫外線によって酸化及び分解されて、構造物２３と構造物２３との間から除去される（図５（ｂ）、図５（ｃ）、図７（ｂ）、図７（ｃ））。
The ultraviolet irradiation section 3C and the substrate holding section 5C are arranged along the rotation axis Ab and face each other. The ultraviolet irradiation section 3C faces the substrate W across the space SPA. 3 C of ultraviolet irradiation parts generate|occur|produce an ultraviolet-ray. 3 C of ultraviolet irradiation parts irradiate the upper surface of the board|substrate W with an ultraviolet-ray. For example, the ultraviolet irradiation section 3C irradiates the upper surface of the substrate W with ultraviolet rays while the substrate W is rotating. As a result, the particles 252 (polystyrene) deposited between the structures 23 of the substrate W are oxidized and decomposed by the ultraviolet rays and removed from between the structures 23 (Fig. 5(b), FIG. 5(c), FIG. 7(b), FIG. 7(c)).
具体的には、紫外線照射部３Ｃは、電極３３Ｃと、電極３５Ｃと、石英ガラス板３１Ｃとを含む。電極３３Ｃは略平板状の形状を有している。電極３５Ｃは略板平板状の形状を有している。また、電極３５Ｃは複数の開口３５１Ｃを有する。電極３５Ｃは、空間を隔てて電極３３Ｃと対向する。電極３５Ｃは、電極３３Ｃに対して石英ガラス板３１Ｃ側に位置している。石英ガラス板３１Ｃは基板Ｗ側に設けられている。
Specifically, the ultraviolet irradiation section 3C includes an electrode 33C, an electrode 35C, and a quartz glass plate 31C. The electrode 33C has a substantially flat plate shape. The electrode 35C has a substantially plate-like shape. Also, the electrode 35C has a plurality of openings 351C. The electrode 35C faces the electrode 33C with a space therebetween. The electrode 35C is located on the quartz glass plate 31C side with respect to the electrode 33C. A quartz glass plate 31C is provided on the substrate W side.
電極３３Ｃと電極３５Ｃとの間の空間には放電用ガスが存在している。そして、電極３３Ｃと電極３５Ｃとの間には高い周波数の高電圧が印加される。その結果、放電用ガスが励起されてエキシマ状態となる。放電用ガスはエキシマ状態から基底状態へ戻る際に紫外線を発生する。紫外線は電極３５Ｃの開口３５１Ｃを通過し、さらに石英ガラス板３１Ｃを透過して基板Ｗに照射される。
A discharge gas exists in the space between the electrodes 33C and 35C. A high voltage with a high frequency is applied between the electrodes 33C and 35C. As a result, the discharge gas is excited into an excimer state. The discharge gas generates ultraviolet rays when returning from the excimer state to the ground state. The ultraviolet rays pass through the openings 351C of the electrodes 35C, pass through the quartz glass plate 31C, and irradiate the substrate W with the ultraviolet rays.
収容部７Ｃは、基板保持部５Ｃ、移動機構１３Ｃ、および、回転機構１５Ｃを収容する。そして、紫外線照射部３Ｃは、収容部７Ｃの上部開口を塞ぐ。従って、紫外線照射部３Ｃと収容部７Ｃとはチャンバーとして機能する。
The housing portion 7C houses the substrate holding portion 5C, the moving mechanism 13C, and the rotating mechanism 15C. Then, the ultraviolet irradiation section 3C closes the upper opening of the housing section 7C. Therefore, the ultraviolet irradiation section 3C and the storage section 7C function as a chamber.
気体供給部１０Ｃの各々は、貫通孔７１Ｃから、不活性ガスを空間ＳＰＡに供給する。不活性ガスは、例えば、窒素又はアルゴンである。排気部１１Ｃは、貫通孔７３Ｃから、収容部７Ｃの内部の気体を排気する。
Each of the gas supply units 10C supplies inert gas to the space SPA from the through holes 71C. Inert gases are, for example, nitrogen or argon. 11 C of exhaust parts exhaust the gas inside 7 C of accommodating parts from 73 C of through-holes.
以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
The embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be embodied in various aspects without departing from the spirit of the present invention. Also, the plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments can be modified as appropriate. For example, some of all the components shown in one embodiment may be added to the components of another embodiment, or some configurations of all the components shown in one embodiment may be added. Elements may be deleted from the embodiment.
また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
In addition, the drawings schematically show each component mainly for easy understanding of the invention, and the thickness, length, number, spacing, etc. It may be different from the actual one due to the convenience of Further, the configuration of each component shown in the above embodiment is an example and is not particularly limited, and it goes without saying that various modifications are possible within a range that does not substantially deviate from the effects of the present invention. .
本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。
The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus, and has industrial applicability.
５ 粒子除去ユニット
１２ スピンチャック（基板保持部）
１３ スピンモーター（基板回転部）
１４ 薬液ノズル（薬液供給部）
１７ 懸濁液ノズル（懸濁液供給部）
２１ 制御部
３１ リンス液ノズル（リンス液供給部）
３４ 基板加熱部
１００ 基板処理装置
Ｗ 基板 5particle removal unit 12 spin chuck (substrate holder)
13 Spin motor (substrate rotating part)
14 chemical nozzle (chemical supply unit)
17 suspension nozzle (suspension supply unit)
21control unit 31 rinse liquid nozzle (rinse liquid supply unit)
34substrate heating unit 100 substrate processing apparatus W substrate
１２ スピンチャック（基板保持部）
１３ スピンモーター（基板回転部）
１４ 薬液ノズル（薬液供給部）
１７ 懸濁液ノズル（懸濁液供給部）
２１ 制御部
３１ リンス液ノズル（リンス液供給部）
３４ 基板加熱部
１００ 基板処理装置
Ｗ 基板 5
13 Spin motor (substrate rotating part)
14 chemical nozzle (chemical supply unit)
17 suspension nozzle (suspension supply unit)
21
34
Claims (24)
- 複数の構造物を含むパターンを有する基板を処理する基板処理方法であって、
処理液と、前記処理液に溶解しない複数の粒子とが混在した懸濁液を、前記基板の上面に供給することで、前記懸濁液の液膜を前記基板の上面に形成する懸濁液供給工程と、
互いに隣り合う前記構造物と前記構造物との間に前記粒子が残留するように、前記基板の上面から前記処理液を排除する処理液排除工程と
を含む、基板処理方法。 A substrate processing method for processing a substrate having a pattern including a plurality of structures,
A suspension for forming a liquid film of the suspension on the upper surface of the substrate by supplying a suspension containing a treatment liquid and a plurality of particles insoluble in the treatment liquid to the upper surface of the substrate. a supply process;
a processing liquid removing step of removing the processing liquid from the upper surface of the substrate so that the particles remain between the structures adjacent to each other. - 非液体によって、前記構造物と前記構造物との間に残留した前記粒子を除去する粒子除去工程を更に含む、請求項１に記載の基板処理方法。 2. The substrate processing method according to claim 1, further comprising a particle removing step of removing said particles remaining between said structures with a non-liquid.
- 前記粒子は、無機物であり、
前記非液体は、薬液の蒸気であり、
前記粒子除去工程では、前記基板の上面に前記薬液の蒸気を供給することで、前記構造物と前記構造物との間から前記粒子を除去する、請求項２に記載の基板処理方法。 the particles are inorganic,
the non-liquid is vapor of a chemical liquid;
3. The substrate processing method according to claim 2, wherein in said particle removing step, said particles are removed from between said structures by supplying vapor of said chemical solution to the upper surface of said substrate. - 前記粒子は、シリカである、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 3, wherein the particles are silica.
- 前記粒子は、有機物であり、
前記非液体は、紫外線又はオゾンであり、
前記粒子除去工程では、前記基板の上面に前記オゾンを供給することで、又は、前記基板の上面に前記紫外線を照射することで、前記構造物と前記構造物との間から前記粒子を除去する、請求項２に記載の基板処理方法。 the particles are organic,
the non-liquid is ultraviolet light or ozone;
In the particle removing step, the particles are removed from between the structures by supplying the ozone to the upper surface of the substrate or by irradiating the upper surface of the substrate with the ultraviolet rays. 3. The substrate processing method according to claim 2. - 前記粒子は、ポリスチレンである、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 3, wherein the particles are polystyrene.
- 前記処理液は、リンス液である、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 6, wherein the processing liquid is a rinse liquid.
- 前記粒子のサイズは、互いに隣り合う前記構造物と前記構造物との間隔よりも小さい、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 7, wherein the size of said particles is smaller than the distance between said structures adjacent to each other.
- 前記処理液排除工程では、前記基板を回転させることで、前記基板から前記処理液を排除する、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 8, wherein in the processing liquid removing step, the processing liquid is removed from the substrate by rotating the substrate.
- 前記処理液排除工程の実行時間は、所定工程の実行時間よりも長く、
前記所定工程は、前記処理液と同じ処理液であって、前記粒子の混在しない処理液を、回転によって基板から振り切る工程を示す、請求項９に記載の基板処理方法。 the execution time of the treatment liquid removal step is longer than the execution time of the predetermined step;
10. The substrate processing method according to claim 9, wherein said predetermined step is a step of shaking off said processing liquid, which is the same as said processing liquid and does not contain said particles, from said substrate by rotation. - 前記処理液排除工程よりも後であって、前記粒子除去工程よりも前において、前記基板を加熱する基板加熱工程を更に含む、請求項２に記載の基板処理方法。 3. The substrate processing method according to claim 2, further comprising a substrate heating step of heating the substrate after the processing liquid removing step and before the particle removing step.
- 前記懸濁液供給工程よりも前において、薬液を前記基板の上面に供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程の次に、リンス液を前記基板の上面に供給することで、前記薬液を洗い流すリンス液供給工程と
を更に含み、
前記懸濁液供給工程は、前記リンス液供給工程の次に実行される、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。 a chemical solution supply step of supplying a chemical solution to the upper surface of the substrate before the suspension supply step;
a rinsing liquid supplying step, subsequent to the chemical liquid supplying step, for washing away the chemical liquid by supplying a rinsing liquid to the upper surface of the substrate,
12. The substrate processing method according to any one of claims 1 to 11, wherein said suspension supplying step is performed after said rinse liquid supplying step. - 複数の構造物を含むパターンを有する基板を処理する基板処理装置であって、
処理液と、前記処理液に溶解しない複数の粒子とが混在した懸濁液を、前記基板の上面に供給することで、前記懸濁液の液膜を前記基板の上面に形成する懸濁液供給部と、
処理液排除制御を実行する制御部と
を更に備え、
前記処理液排除制御は、互いに隣り合う前記構造物と前記構造物との間に前記粒子を残留させつつ、前記基板の上面から前記処理液を排除する制御を示す、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate having a pattern including a plurality of structures,
A suspension for forming a liquid film of the suspension on the upper surface of the substrate by supplying a suspension containing a treatment liquid and a plurality of particles insoluble in the treatment liquid to the upper surface of the substrate. a supply unit;
further comprising a control unit that executes processing liquid removal control,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid removal control indicates control for removing the processing liquid from the upper surface of the substrate while allowing the particles to remain between the structures adjacent to each other. - 非液体によって、前記構造物と前記構造物との間に残留した前記粒子を除去する粒子除去ユニットを更に備える、請求項１３に記載の基板処理装置。 14. The substrate processing apparatus according to claim 13, further comprising a particle removal unit that removes the particles remaining between the structures with a non-liquid.
- 前記粒子は、無機物であり、
前記非液体は、薬液の蒸気であり、
前記粒子除去ユニットは、前記基板の上面に前記薬液の蒸気を供給することで、前記構造物と前記構造物との間から前記粒子を除去する、請求項１４に記載の基板処理装置。 the particles are inorganic,
the non-liquid is vapor of a chemical liquid;
15. The substrate processing apparatus of claim 14, wherein the particle removal unit removes the particles from between the structures by supplying vapor of the chemical solution to the upper surface of the substrate. - 前記粒子は、シリカである、請求項１３から請求項１５のいずれか１項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 13 to 15, wherein said particles are silica.
- 前記粒子は、有機物であり、
前記非液体は、紫外線又はオゾンであり、
前記粒子除去ユニットは、前記基板の上面に前記オゾンを供給することで、又は、前記基板の上面に前記紫外線を照射することで、前記構造物と前記構造物との間から前記粒子を除去する、請求項１４に記載の基板処理装置。 the particles are organic,
the non-liquid is ultraviolet light or ozone;
The particle removal unit removes the particles from between the structures by supplying the ozone to the upper surface of the substrate or by irradiating the upper surface of the substrate with the ultraviolet rays. 15. The substrate processing apparatus according to claim 14. - 前記粒子は、ポリスチレンである、請求項１３から請求項１５のいずれか１項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 13 to 15, wherein said particles are polystyrene.
- 前記処理液は、リンス液である、請求項１３から請求項１８のいずれか１項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 13 to 18, wherein the processing liquid is a rinse liquid.
- 前記粒子のサイズは、互いに隣り合う前記構造物と前記構造物との間隔よりも小さい、請求項１３から請求項１９のいずれか１項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 13 to 19, wherein the size of said particles is smaller than the distance between said structures adjacent to each other.
- 前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させることで、前記基板を回転させる基板回転部と
を更に備え、
前記処理液排除制御は、前記基板回転部によって前記基板を回転させる制御を示す、請求項１３から請求項２０のいずれか１項に記載の基板処理装置。 a substrate holder that holds the substrate;
a substrate rotating unit that rotates the substrate by rotating the substrate holding unit;
21. The substrate processing apparatus according to any one of claims 13 to 20, wherein said processing liquid removal control indicates control for rotating said substrate by said substrate rotating section. - 前記処理液排除制御の実行時間は、所定工程の実行時間よりも長く、
前記所定工程は、前記処理液と同じ処理液であって、前記粒子の混在しない処理液を、回転によって基板から振り切る工程を示す、請求項２１に記載の基板処理装置。 the execution time of the processing liquid removal control is longer than the execution time of the predetermined process;
22. The substrate processing apparatus according to claim 21, wherein said predetermined step is a step of shaking off said processing liquid, which is the same as said processing liquid and does not contain said particles, from said substrate by rotation. - 前記処理液排除制御の実行時よりも後であって、前記粒子除去ユニットによる前記粒子の除去処理よりも前において、前記基板を加熱する基板加熱部を更に備える、請求項１４に記載の基板処理装置。 15. The substrate processing according to claim 14, further comprising a substrate heating unit that heats the substrate after execution of the processing liquid removal control and before the particle removal process by the particle removal unit. Device.
- 前記懸濁液供給部による前記懸濁液の供給処理よりも前において、薬液を前記基板の上面に供給する薬液供給部と、
前記薬液供給部による前記薬液の供給処理の次に、リンス液を前記基板の上面に供給することで、前記薬液を洗い流すリンス液供給部と
を更に備え、
前記懸濁液供給部は、前記リンス液供給部による前記リンス液の供給処理の次に、前記基板の上面に前記懸濁液を供給する、請求項１３から請求項２３のいずれか１項に記載の基板処理装置。 a chemical solution supply unit that supplies a chemical solution to the upper surface of the substrate before the suspension supply process by the suspension supply unit;
a rinse liquid supply unit for supplying a rinse liquid to the upper surface of the substrate to wash away the chemical liquid after the chemical liquid supply processing by the chemical liquid supply unit;
24. The suspension supply unit according to any one of claims 13 to 23, wherein the suspension supply unit supplies the suspension onto the upper surface of the substrate after the rinse liquid supply process by the rinse liquid supply unit. A substrate processing apparatus as described.
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