WO2022107679A1 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

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WO2022107679A1
WO2022107679A1 PCT/JP2021/041563 JP2021041563W WO2022107679A1 WO 2022107679 A1 WO2022107679 A1 WO 2022107679A1 JP 2021041563 W JP2021041563 W JP 2021041563W WO 2022107679 A1 WO2022107679 A1 WO 2022107679A1
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layer
display device
electrode
insulating layer
localized portion
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直也 笠原
竹雄 塚本
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Sony Semiconductor Solutions Corp
Sony Group Corp
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Sony Semiconductor Solutions Corp
Sony Group Corp
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    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
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    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers

Definitions

  • This disclosure relates to a display device and an electronic device equipped with the display device.
  • organic EL (Electroluminescence) display devices (hereinafter simply referred to as “display devices”) have become widespread.
  • a first electrode layer and a second electrode layer are arranged so as to face each other with an organic electroluminescence layer sandwiched between them, and the first electrode layer is composed of a plurality of electrodes separated by an insulating layer.
  • Patent Document 1 Has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
  • the display device having the above configuration has a problem that the emission brightness fluctuates.
  • An object of the present disclosure is to provide a display device capable of suppressing fluctuations in emission brightness and an electronic device provided with the display device.
  • the first disclosure is A first electrode layer having a plurality of electrodes arranged two-dimensionally, A second electrode layer provided so as to face the first electrode layer, and An electroluminescence layer provided between the first electrode layer and the second electrode layer, With an insulating layer provided between adjacent electrodes, The insulating layer has a plurality of openings, each of which is provided corresponding to each electrode. The insulating layer comprises a plurality of localizations, each of which is localized around each opening. The insulating layer is a display device that forms a potential barrier between the electroluminescence layer and the localized portion.
  • the second disclosure is an electronic device provided with the display device of the first disclosure.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of the overall configuration of the display device according to the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device according to the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the region R of FIG.
  • FIG. 4 is an energy diagram of each layer included in the cross section along the IV-IV line of FIG. 5A, 5B, and 5C are cross-sectional views for explaining an example of a method for manufacturing a display device according to an embodiment of the present disclosure, respectively.
  • 6A and 6B are cross-sectional views for explaining an example of a method for manufacturing a display device according to an embodiment of the present disclosure, respectively.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of the overall configuration of the display device according to the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device according to the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is an
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of the display device according to Comparative Example 1.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing the configuration of the display device according to Comparative Example 2.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device according to the first modification of the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device according to the first modification of the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device according to the second modification of the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 12 is a plan view showing an example of the schematic configuration of the module.
  • FIG. 13A is a front view showing an example of the appearance of a digital still camera.
  • FIG. 13B is a rear view showing an example of the appearance of the digital still camera.
  • FIG. 14 is a perspective view showing an example of the appearance of the head-mounted display.
  • FIG. 15
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of the overall configuration of the display device 10 according to the embodiment of the present disclosure.
  • the display device 10 has a display area 110A and a peripheral area 110B provided on the peripheral edge of the display area 110A.
  • a plurality of sub-pixels 100R, 100G, and 100B are two-dimensionally arranged in a predetermined arrangement pattern such as a matrix.
  • the sub-pixel 100R displays red
  • the sub-pixel 100G displays green
  • the sub-pixel 100B displays blue.
  • the sub-pixels 100R, 100G, and 100B are not particularly distinguished, they are referred to as sub-pixel 100.
  • a combination of adjacent sub-pixels 100R, 100G, and 100B constitutes one pixel.
  • FIG. 1 shows an example in which a combination of three sub-pixels 100R, 100G, and 100B arranged in the row direction (horizontal direction) constitutes one pixel.
  • the peripheral region 110B is provided with a signal line drive circuit 111 and a scanning line drive circuit 112, which are drivers for displaying images.
  • the signal line drive circuit 111 supplies the signal voltage of the video signal corresponding to the luminance information supplied from the signal supply source (not shown) to the sub-pixel 100 selected via the signal line 111A.
  • the scanning line drive circuit 112 is configured by a shift register or the like that sequentially shifts (transfers) the start pulse in synchronization with the input clock pulse.
  • the scanning line drive circuit 112 scans the video signals in line units when writing the video signals to the sub-pixels 100, and sequentially supplies the scanning signals to the scanning lines 112A.
  • the display device 10 may be a micro display.
  • the display device 10 may be provided in a VR (Virtual Reality) device, an MR (Mixed Reality) device, an AR (Augmented Reality) device, an electronic viewfinder (EVF), a small projector, or the like.
  • VR Virtual Reality
  • MR Magnetic Reality
  • AR Augmented Reality
  • EVF electronic viewfinder
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device 10 according to the embodiment of the present disclosure.
  • the display device 10 is between the drive substrate 11, the interlayer insulating layer 12, the first electrode layer 13, the organic electroluminescence layer 14 (hereinafter referred to as “EL layer 14”), the second electrode layer 15, and the elements.
  • the insulating layer 16, the protective layer 17, the color filter 18, the filled resin layer 19, and the facing substrate 20 are provided.
  • the display device 10 is an example of a light emitting device.
  • the display device 10 is a top emission type display device.
  • the opposite board 20 side of the display device 10 is the top side, and the drive board 11 side of the display device 10 is the bottom side.
  • the surface on the top side of the display device 10 is referred to as a first surface, and the surface on the bottom side of the display device 10 is referred to as a second surface.
  • the display device 10 includes a plurality of light emitting elements 10A.
  • the plurality of light emitting elements 10A are composed of a first electrode layer 13, an EL layer 14, and a second electrode layer 15.
  • the light emitting element 10A is a white light emitting element such as a white OLED or a white Micro-OLED (MODEL).
  • a colorization method in the display device 10 a method using a white light emitting element and a color filter 18 is used.
  • the colorization method is not limited to this, and a method of extracting three-color light (red light, green light, and blue light) by the resonator structure may be used.
  • the color purity may be increased by using the color filter 18 and the resonator structure in combination.
  • the drive board 11 is a so-called backplane and drives a plurality of light emitting elements 10A.
  • a drive circuit for driving a plurality of light emitting elements 10A, a power supply circuit for supplying electric power to the plurality of light emitting elements 10A, and the like are provided.
  • the substrate body of the drive substrate 11 may be made of, for example, glass or resin having low permeability of water and oxygen, or may be made of a semiconductor such as a transistor which can be easily formed.
  • the substrate body may be a glass substrate, a semiconductor substrate, a resin substrate, or the like.
  • the glass substrate includes, for example, high strain point glass, soda glass, borosilicate glass, forsterite, lead glass, quartz glass and the like.
  • the semiconductor substrate includes, for example, amorphous silicon, polycrystalline silicon, single crystal silicon, and the like.
  • the resin substrate contains, for example, at least one selected from the group consisting of polymethylmethacrylate, polyvinyl alcohol, polyvinylphenol, polyethersulfone, polyimide, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate and the like.
  • the interlayer insulating layer 12 (hereinafter, simply referred to as “insulating layer 12”) is provided on the first surface of the drive substrate 11 and covers the drive circuit, the power supply circuit, and the like.
  • the insulating layer 12 includes a plurality of contact plugs 12A. Each contact plug 12A connects the light emitting element 10A and the drive circuit.
  • the insulating layer 12 may further include a plurality of wirings (not shown).
  • the insulating layer 12 may have a single-layer structure or a laminated structure.
  • the insulating layer 12 may be an organic insulating layer, an inorganic insulating layer, or a laminate thereof.
  • the organic insulating layer contains, for example, at least one selected from the group consisting of polyimide-based resin, acrylic-based resin, novolak-based resin and the like.
  • the inorganic insulating layer contains, for example, at least one selected from the group consisting of silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiO x N y ) and the like.
  • the first electrode layer 13 is provided on the first surface of the insulating layer 12.
  • the first electrode layer 13 is an anode.
  • holes are injected from the first electrode layer 13 into the EL layer 14.
  • the first electrode layer 13 also functions as a reflective layer, and it is preferable that the first electrode layer 13 is made of a material having as high a reflectance as possible and a large work function in order to increase the luminous efficiency.
  • the first electrode layer 13 has a plurality of electrodes 13A.
  • the plurality of electrodes 13A are electrically separated from each other between adjacent light emitting elements 10A.
  • the plurality of electrodes 13A share the EL layer 14.
  • the plurality of electrodes 13A are two-dimensionally arranged in a predetermined arrangement pattern such as a matrix. Each of the plurality of electrodes 13A is connected to each contact plug 12A provided in the insulating layer 12. The first electrode layer 13 is connected to a drive circuit or wiring via the contact plug 12A.
  • the electrode 13A is composed of at least one of a metal layer and a metal oxide layer. More specifically, the electrode 13A is composed of a single-layer film of a metal layer or a metal oxide layer, or a laminated film of a metal layer and a metal oxide layer. When the electrode 13A is composed of a laminated film, the metal oxide layer may be provided on the EL layer 14 side, or the metal layer may be provided on the EL layer 14 side, but it has a high work function. From the viewpoint of placing the layer adjacent to the EL layer 14, it is preferable that the metal oxide layer is provided on the EL layer 14 side.
  • the metal layer is, for example, chromium (Cr), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), aluminum (Al). , Magnesium (Mg), Iron (Fe), Tungsten (W) and Silver (Ag).
  • the metal layer may contain at least one of the above metal elements as a constituent element of the alloy.
  • alloys include aluminum alloys and silver alloys.
  • Specific examples of the aluminum alloy include, for example, AlNd or AlCu.
  • the metal oxide layer contains, for example, a transparent conductive oxide (TCO: Transparent Conductive Oxide).
  • TCO Transparent Conductive Oxide
  • the transparent conductive oxide is, for example, a transparent conductive oxide containing indium (hereinafter referred to as "indium-based transparent conductive oxide”) and a transparent conductive oxide containing tin (hereinafter referred to as “tin-based transparent conductive oxide”). ”) And a transparent conductive oxide containing zinc (hereinafter referred to as“ zinc-based transparent conductive oxide ”).
  • the indium-based transparent conductive oxide includes, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium gallium oxide (IGO) or indium gallium zinc oxide (IGZO) fluorine-doped indium oxide (IFO).
  • ITO indium tin oxide
  • ITO indium tin oxide
  • Tin-based transparent conductive oxides include, for example, tin oxide, antimony-doped tin oxide (ATO) or fluorine-doped tin oxide (FTO).
  • Zinc-based transparent conductive oxides include, for example, zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide (AZO), boron-doped zinc oxide or gallium-doped zinc oxide (GZO).
  • the second electrode layer 15 is provided so as to face the first electrode layer 13.
  • the second electrode layer 15 is provided as an electrode common to all sub-pixels 100 in the display area 110A.
  • the second electrode layer 15 is a cathode.
  • the second electrode layer 15 is a transparent electrode having transparency to the light generated by the EL layer 14.
  • the transparent electrode also includes a translucent reflective layer.
  • the second electrode layer 15 is made of a material having as high a transparency as possible and a small work function in order to increase the luminous efficiency.
  • the second electrode layer 15 is composed of, for example, at least one of a metal layer and a metal oxide layer. More specifically, the second electrode layer 15 is composed of a single layer film of a metal layer or a metal oxide layer, or a laminated film of a metal layer and a metal oxide layer. When the second electrode layer 15 is composed of a laminated film, the metal layer may be provided on the EL layer 14 side or the metal oxide layer may be provided on the EL layer 14 side, but the work is low. From the viewpoint of making the layer having a function adjacent to the EL layer 14, it is preferable that the metal layer is provided on the EL layer 14 side.
  • the metal layer contains, for example, at least one metal element selected from the group consisting of magnesium (Mg), aluminum (Al), silver (Ag), calcium (Ca) and sodium (Na).
  • the metal layer may contain at least one of the above metal elements as a constituent element of the alloy. Specific examples of the alloy include MgAg alloy, MgAl alloy, AlLi alloy and the like.
  • the metal oxide layer contains a transparent conductive oxide. As the transparent conductive oxide, the same material as the transparent conductive oxide of the above-mentioned electrode 13A can be exemplified.
  • the EL layer 14 is provided between the first electrode layer 13 and the second electrode layer 15.
  • the EL layer 14 is continuously provided over all the electrodes 13A in the display area 110A, and is shared by all the electrodes 13A in the display area 110A.
  • the EL layer 14 is provided as an organic layer common to all sub-pixels 100 in the display area 110A.
  • the EL layer 14 is configured to be capable of emitting white light.
  • the EL layer 14 may be an organic EL layer having a 1-stack structure, an organic EL layer having a 2-stack structure, or an organic EL layer other than these.
  • the organic EL layer having a 1-stack structure is, for example, from the first electrode layer 13 to the second electrode layer 15, a hole injection layer, a hole transport layer, a red light emitting layer, a light emitting separation layer, a blue light emitting layer, and green.
  • the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer are laminated in this order.
  • the organic EL layer having a 2-stack structure includes, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a blue light emitting layer, an electron transport layer, a charge generation layer, and a positive electrode layer from the first electrode layer 13 to the second electrode layer 15. It has a structure in which a hole transport layer, a yellow light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are laminated in this order.
  • the hole injection layer is for increasing the hole injection efficiency into each light emitting layer and suppressing leakage.
  • the hole transport layer is for increasing the hole transport efficiency to each light emitting layer.
  • the electron injection layer is for increasing the electron injection efficiency into each light emitting layer.
  • the electron transport layer is for increasing the electron transport efficiency to each light emitting layer.
  • the light emitting separation layer is a layer for adjusting the injection of carriers into each light emitting layer, and the light emitting balance of each color is adjusted by injecting electrons or holes into each light emitting layer through the light emitting separating layer.
  • the charge generation layer supplies electrons and holes to the two light emitting layers sandwiching the charge generation layer, respectively.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the region R of FIG.
  • FIG. 4 is an energy diagram of each layer included in the cross section along the IV-IV line of FIG.
  • the inter-element insulating layer 16 (hereinafter, simply referred to as “insulating layer 16”) is provided on the first surface of the insulating layer 12 and between the adjacent first electrode layers 13, and is provided on the adjacent electrodes 13A. Electrically separate between.
  • the insulating layer 16 has a plurality of openings 16H. Each of the plurality of openings 16H is provided corresponding to each sub-pixel 100. Each of the plurality of openings 16H is provided on the first surface of each electrode 13A (that is, the surface facing the second electrode layer 15) to expose the first surface of each electrode 13A. The first electrode layer 13 and the EL layer 14 come into contact with each other through the opening 16H.
  • the peripheral surface of the opening 16H may be a slope inclined with respect to the first surface of the electrode 13A.
  • One opening 16H may be provided for one electrode 13A, or two or more openings 16H may be provided for one electrode 13A.
  • the insulating layer 16 covers from the peripheral edge of the first surface of the electrode 13A to the side surface (end surface) of the electrode 13A.
  • the peripheral edge portion of the first surface means a region having a predetermined width from the peripheral edge of the first surface toward the inside.
  • the insulating layer 16 includes an insulating layer main body 16A, a barrier layer 16B, and a plurality of localized portions 16C.
  • the insulating layer 16 forms a potential barrier between the EL layer 14 and the localized portion 16C.
  • the carrier is an electron
  • the potential barrier formed between the EL layer 14 and the localized portion 16C carriers are localized from the EL layer 14 when a voltage is applied between the first electrode layer 13 and the second electrode layer 15.
  • the portion 16C is configured to be tunnelable.
  • the insulating layer 16 preferably has a potential barrier formed around the localized portion 16C. That is, it is preferable that the localized portion 16C forms a well-shaped potential in the insulating layer 16. In this case, it is possible to prevent the carrier trapped in the localized portion 16C from being detrapped from the localized portion 16C to surrounding members such as the EL layer 14 and the electrode 13A.
  • the barrier layer 16B is provided between the insulating layer main body 16A and the EL layer 14, and between the localized portion 16C and the EL layer 14.
  • the barrier layer 16B forms a potential barrier between the EL layer 14 and the localized portion 16C.
  • the lower limit of the height of the potential barrier with respect to the localized portion 16C (that is, the energy barrier difference between the localized portion 16C and the barrier layer 16B) is preferably 1 eV or more.
  • the upper limit of the height of the potential barrier with respect to the localized portion 16C (that is, the energy barrier difference between the localized portion 16C and the barrier layer 16B) is, for example, 5 eV or less.
  • the height of the potential barrier with respect to the EL layer 14 (that is, the energy barrier difference between the EL layer 14 and the barrier layer 16B) is preferably 1 eV or less.
  • the height of the potential barrier with respect to the localized portion 16C is 1 eV or more, it is possible to suppress the carriers trapped in the localized portion 16C from being detrapped from the localized portion 16C to the EL layer 14.
  • the height of the potential barrier with respect to the EL layer 14 is 1 eV or less, it is possible to suppress a decrease in the number of carriers trapped from the EL layer 14 to the localized portion 16C via the potential barrier.
  • the height of the potential barrier with respect to the localized portion 16C and the height of the potential barrier with respect to the EL layer 14 are obtained as follows. It can be obtained by using photoelectron spectroscopy or back-photoelectron spectroscopy for a laminated structure composed of an EL layer 14, an insulating layer main body 16A, a barrier layer 16B, a localized portion 16C, and the like.
  • the barrier layer 16B may be made of the same material as the insulating layer main body 16A, or may be made of a material different from that of the insulating layer main body 16A.
  • the barrier layer 16B contains, for example, silicon oxide (SiO x ).
  • the average thickness of the barrier layer 16B (that is, the average distance between the EL layer 14 and the localized portion 16C) is preferably 2 nm or more and 5 nm or less.
  • the average thickness of the barrier layer 16B is 2 nm or more, it is possible to prevent the carriers trapped in the localized portion 16C from being detrapped from the localized portion 16C to the EL layer 14.
  • the average thickness of the barrier layer 16B is 5 nm or less, it is possible to suppress a decrease in the number of carriers trapped from the EL layer 14 to the localized portion 16C via the potential barrier.
  • the average thickness of the barrier layer 16B (that is, the average distance between the EL layer 14 and the localized portion 16C) is obtained as follows. First, a cross section of the display device 10 (a cross section parallel to the thickness direction of the display device 10) is cut out by cryoFIB (Focused Ion Beam) processing or the like to produce flakes. Subsequently, the prepared flakes are observed by TEM (Transmission Electron Microscope), and one cross-sectional TEM image is acquired. At this time, the acceleration voltage is set to 80 kV. Next, in the acquired one cross-sectional TEM image, the thickness D (see FIG. 3) of the portion of the barrier layer 16B located between the EL layer 14 and the localized portion 16C is measured at 10 points or more.
  • cryoFIB Fluorous Ion Beam
  • each measurement position is randomly selected from the portion of the barrier layer 16B located between the EL layer 14 and the localized portion 16C.
  • the thickness of the barrier layer 16B measured at 10 points or more is simply averaged (arithmetic mean) to obtain the average thickness of the barrier layer 16B.
  • the insulating layer main body 16A preferably forms a potential barrier between the localized portion 16C and the electrode 13A. Since a potential barrier is formed between the localized portion 16C and the electrode 13A, it is possible to prevent carriers from being detrapped from the localized portion 16C to the electrode 13A.
  • the lower limit of the height of the potential barrier with respect to the localized portion 16C is preferably 1 eV or more. When the height of the potential barrier is 1 eV or more, it is possible to prevent the carriers trapped in the localized portion 16C from being detrapped from the localized portion 16C to the electrode 13A or the like.
  • the upper limit of the height of the potential barrier is not particularly limited, but is, for example, 5 eV or less.
  • the barrier layer 16B contains, for example, silicon oxide (SiO x ).
  • the energy barrier difference between the localized portion 16C and the insulating layer main body 16A can be obtained in the same manner as the energy barrier difference between the localized portion 16C and the barrier layer 16B.
  • the localized portion 16C has a plurality of trap orders for trapping carriers in the forbidden band (band gap).
  • the localization unit 16C traps carriers reached from the EL layer 14 via the barrier layer 16B in a plurality of trap orders.
  • the LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) of the localized portion 16C may be higher than the LUMO of the EL layer 14.
  • Each of the plurality of localized portions 16C is provided on the first surface of each electrode 13A (that is, the surface facing the second electrode layer 15).
  • Each of the plurality of localization portions 16C is localized around each opening 16H of the insulating layer 16. Since carrier traps are likely to occur in the portion around the opening 16H of the insulating layer 16, the leakage current can be reduced by providing the localized portion 16C around the opening 16H of the insulating layer 16.
  • the localized portion 16C is preferably provided adjacent to the barrier layer 16B.
  • the localized portion 16C may have a closed loop shape surrounding the opening 16H of the insulating layer 16, or may be provided discretely and discontinuously so as to surround the opening 16H of the insulating layer 16.
  • the localized portion 16C is preferably surrounded by an insulating material (for example, silicon oxide (SiO x )) contained in the insulating layer 16. More specifically, it is preferable that the localized portion 16C is adjacent to the peripheral surface of the opening 16H of the insulating layer 16 via the barrier layer 16B.
  • the localized portion 16C is preferably separated from the first surface of the electrode 13A. As a result, it is possible to prevent the carriers trapped in the localized portion 16C from being detrapped from the localized portion 16C to the electrode 13A.
  • the shortest distance between the first electrode layer 13 and the localized portion 16C may be equal to or greater than the average thickness of the barrier layer 16B from the viewpoint of suppressing carrier detrap from the localized portion 16C to the electrode 13A. preferable.
  • the localized portion 16C contains an insulating material different from that of the barrier layer 16B.
  • the localized portion 16C is selected from the group consisting of, for example, silicon nitride (SiN x ), silicon nitride (SiO x N y ), hafnium oxide (HfO x ), aluminum oxide (AlO x ) and tantalum oxide (TaO x ). Includes at least one species.
  • the protective layer 17 is provided on the first surface of the second electrode layer 15 and covers a plurality of light emitting elements 10A.
  • the protective layer 17 blocks the light emitting element 10A from the outside air and suppresses the infiltration of moisture from the external environment into the light emitting element 10A.
  • the protective layer 17 may have a function of suppressing oxidation of the metal layer.
  • the protective layer 17 is made of, for example, an inorganic material having low hygroscopicity.
  • the inorganic material contains, for example, at least one of silicon oxide (SiO), silicon nitride (SiN), silicon oxide nitride (SiNO), titanium oxide (TIO) and aluminum oxide (AlO).
  • the protective layer 17 may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure when the thickness of the protective layer 17 is increased. This is to relieve the internal stress in the protective layer 17.
  • the protective layer 17 may be made of a polymer resin.
  • the polymer resin contains at least one selected from the group consisting of thermosetting resins, ultraviolet curable resins and the like.
  • the color filter 18 is provided on the first surface of the protective layer 17.
  • the color filter 18 is, for example, an on-chip color filter (OCCF).
  • the color filter 18 includes, for example, a red filter, a green filter, and a blue filter.
  • the red filter, the green filter, and the blue filter are each provided facing the light emitting element 10A.
  • the red filter and the light emitting element 10A form a sub-pixel 100R
  • the green filter and the light emitting element 10A form a sub pixel 100G
  • the blue filter and the light emitting element 10A form a sub pixel 100B.
  • the white light emitted from each of the light emitting elements 10A in the subpixels 100R, 100G, and 100B passes through the red filter, the green filter, and the blue filter, respectively, so that the red light, the green light, and the blue light are displayed on the display surface, respectively. Is emitted from. Further, a light-shielding layer (not shown) may be provided between the color filters of each color, that is, between the sub-pixels.
  • the color filter 18 is not limited to the on-chip color filter, and may be provided on one main surface of the facing substrate 20.
  • the filling resin layer 19 is provided between the color filter 18 and the facing substrate 20.
  • the filled resin layer 19 has a function as an adhesive layer for adhering the color filter 18 and the facing substrate 20.
  • the packed resin layer 19 contains at least one selected from the group consisting of, for example, a thermosetting resin and an ultraviolet curable resin.
  • the facing board 20 is provided facing the drive board 11. More specifically, the opposed substrate 20 is provided so that the second surface of the opposed substrate 20 and the first surface of the drive substrate 11 face each other.
  • the facing substrate 20 and the filled resin layer 19 seal the light emitting element 10A, the color filter 18, and the like.
  • the facing substrate 20 is made of a material such as glass that is transparent to each color light emitted from the color filter 18.
  • a drive circuit, a power supply circuit, and the like are formed on the first surface of the substrate body by using, for example, a thin film forming technique, a photolithography technique, and an etching technique. As a result, the drive board 11 is obtained.
  • the insulating layer 12 is formed on the first surface of the drive substrate 11 so as to cover the drive circuit, the power supply circuit, and the like. At this time, a plurality of contact plugs 12A, a plurality of wirings, and the like are formed on the insulating layer 12.
  • the metal layer and the metal oxide layer are sequentially formed on the first surface of the insulating layer 12 by, for example, a sputtering method, and then the metal layer and the metal oxide layer are patterned by using, for example, photolithography and etching techniques. do. As a result, the first electrode layer 13 having the plurality of electrodes 13A is formed.
  • the insulating layer 16D is formed on the first surface of the insulating layer 12 so as to cover the plurality of electrodes 13A.
  • recesses 16F are formed in portions of the insulating layer 16D located on the first surface of each electrode 13A, as shown in FIG. 5B. At this time, the formation position of each recess 16F is adjusted so that the recess 16F is located inside the peripheral edge of the first surface of the electrode 13A.
  • the insulating layer 16E is formed on the first surface of the insulating layer 16D so as to follow each recess 16F.
  • the insulating layer 16E is formed on the first surface of the insulating layer 16D so as to follow each recess 16F.
  • an opening 16H is formed on each of the first surfaces of the plurality of electrodes 13A.
  • a part of the insulating layer 16E remains on the peripheral surface (slope) of the opening 16H, and the localized portion 16C is formed by this residue.
  • the insulating layer 16D and the localized portion 16C are surface-treated to form the barrier layer 16B. As a result, the insulating layer 16 is obtained.
  • the hole injection layer, the hole transport layer, the red light emitting layer, the light emitting separation layer, the blue light emitting layer, the green light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer are formed on the first surface of the electrode 13A and the electron injection layer.
  • the EL layer 14 is formed by laminating in this order on the first surface of the insulating layer 16.
  • the second electrode layer 15 is formed on the first surface of the EL layer 14 by, for example, a thin film deposition method or a sputtering method. As a result, a plurality of light emitting elements 10A are formed on the first surface of the insulating layer 12.
  • the color filter 18 is formed on the first surface of the protective layer 17 by, for example, photolithography. Form.
  • the flattening layer may be formed on both the upper, lower or upper and lower sides of the color filter 18.
  • ODF One Drop Fill
  • the drive substrate 11 and the facing substrate 20 are formed via the filled resin layer 19. Are pasted together. As a result, the display device 10 is sealed. As a result, the display device 10 shown in FIG. 2 is obtained.
  • a plurality of sub-pixels 100 share the EL layer 14.
  • the interlayer insulating layer 416 known as the interlayer insulating layer
  • carriers flow from the electrode 13A to the interface between the EL layer 14 and the interlayer insulating layer 516 and leak.
  • the carrier leaks in this way, abnormal light emission occurs around the opening 16H of the interlayer insulating layer 416.
  • Comparative Example 2 In order to suppress the occurrence of the above-mentioned abnormal light emission, as shown in FIG. 8, the present inventors have described Comparative Example 2 in which the interlayer insulating layer 516 having a large trap level (defect order) is provided as the interlayer insulating layer.
  • the display device 510 is under consideration.
  • As the interlayer insulating layer 516 for example, silicon nitride (SiN x ) formed by plasma CVD or the like is used. By providing the interlayer insulating layer 516 having many trap levels, the interfacial conductivity between the EL layer 14 and the interlayer insulating layer 516 is lowered, and carrier leakage is suppressed.
  • the insulating layer 16 includes a localized portion 16C localized around the opening 16H of the insulating layer 16, an EL layer 14, and a station.
  • a barrier layer 16B provided between the existing portions 16C is provided.
  • the barrier layer 16B forms a potential barrier for carriers between the EL layer 14 and the localized portion 16C.
  • the peripheral surface of the opening 16H of the insulating layer 16 is the first electrode 13A. It may be a vertical plane substantially perpendicular to the plane.
  • the localized portion 16C may be adjacent to both the peripheral surface of the opening 16H of the insulating layer 16 and the first surface (upper surface) of the insulating layer 16 with the barrier layer 16B interposed therebetween.
  • the first surface of the insulating layer 16 is the surface on the top side of the display device 10 as described above, and is also the surface facing the second electrode layer 15.
  • the thickness D 1 of the barrier layer 16B on the first surface (upper surface) of the insulating layer 16 and the thickness D 2 of the barrier layer 16B on the peripheral surface of the opening 16H of the insulating layer 16 are substantially the same. It may be constant, or as shown in FIG. 10, the thickness D1 of the barrier layer 16B on the first surface (upper surface) of the insulating layer 16 is the barrier layer 16B on the peripheral surface of the opening 16H of the insulating layer 16. It may be thicker than the thickness D2 of. When the thickness D 1 is thicker than the thickness D 2 , the carriers trapped in the localized portion 16C are transferred from the first surface (upper surface) of the insulating layer 16 to the second electrode layer 15. It is possible to suppress the emission in the direction (upward in FIG. 10).
  • the thickness D 1 and the thickness D 2 may be substantially the same, or the thickness D 1 may be thicker than the thickness D 2 .
  • the insulating layer 16 covers the peripheral edge of the first surface of the electrode 13A as shown in FIG. 3 has been described, but as shown in FIG. 11, the insulating layer 16 is the electrode. It is not necessary to cover the peripheral edge of the first surface of 13A. That is, the entire first surface of the electrode 13A may be exposed from the insulating layer 16 through the opening 16H.
  • the localized portion 16C may face the side surface of the electrode 13A.
  • the localized portion 16C may be adjacent to the first surface of the insulating layer 16 with the barrier layer 16B interposed therebetween.
  • the first surface (upper surface) of the electrode 13A and the first surface (upper surface) of the barrier layer 16B may be substantially the same height.
  • the localized portion 16C is preferably provided within a range of 10 nm from the side surface of the electrode 13A.
  • the entire localized portion 16C may be provided in the above range, or a part of the localized portion 16C may be provided in the above range.
  • Modification 3 In one embodiment described above, an example in which the insulating layer 16 includes the insulating layer main body 16A and the barrier layer 16B has been described. However, the insulating layer main body 16A and the barrier layer 16B are integrated, and the insulating layer main body 16A and the barrier are integrated. An interface may not be provided between the layer 16B and the layer 16.
  • the insulating layer 16 includes a localized portion 16C that traps electrons as a carrier
  • the insulating layer 16 traps holes as a carrier instead of the localized portion 16C. It may be provided with a localized portion.
  • the insulating layer 16 may include a localized portion that traps holes as a carrier together with the localized portion 16C. In this case, the localized portion 16C may be provided around the opening 16H of the insulating layer 16.
  • the localization part that traps holes has a plurality of trap orders for trapping holes.
  • the display device 10 can be used for various electronic devices.
  • the display device 10 is incorporated in various electronic devices, for example, as a module as shown in FIG. In particular, it is suitable for those that require high resolution such as an electronic viewfinder of a video camera or a single-lens reflex camera or a head-mounted display and are used by enlarging them near the eyes.
  • This module has a region 210 exposed on one short side of the drive board 11 without being covered by the facing board 20 or the like, and the wiring of the signal line drive circuit 111 and the scanning line drive circuit 112 is connected to this region 210.
  • An external connection terminal (not shown) is formed by extending it.
  • a flexible printed circuit board (FPC) 220 for signal input / output may be connected to the external connection terminal.
  • FPC flexible printed circuit board
  • 13A and 13B show an example of the appearance of the digital still camera 310.
  • This digital still camera 310 is a single-lens reflex type with interchangeable lenses, and has an interchangeable shooting lens unit (interchangeable lens) 312 in the center of the front of the camera body (camera body) 311 and on the left side of the front. It has a grip portion 313 for the photographer to grip.
  • interchangeable shooting lens unit interchangeable lens
  • a monitor 314 is provided at a position shifted to the left from the center of the back of the camera body 311.
  • An electronic viewfinder (eyepiece window) 315 is provided on the upper part of the monitor 314. By looking into the electronic viewfinder 315, the photographer can visually recognize the optical image of the subject guided from the photographing lens unit 312 and determine the composition.
  • the display device 10 can be used as the electronic viewfinder 315.
  • FIG. 14 shows an example of the appearance of the head-mounted display 320.
  • the head-mounted display 320 has, for example, ear hooks 322 for being worn on the user's head on both sides of the eyeglass-shaped display unit 321.
  • a display device 10 can be used as the display unit 321.
  • FIG. 15 shows an example of the appearance of the television device 330.
  • the television device 330 has, for example, a video display screen unit 331 including a front panel 332 and a filter glass 333, and the video display screen unit 331 is composed of a display device 10.
  • the present disclosure is not limited to the above-mentioned one embodiment and its variants, and various types based on the technical idea of the present disclosure. Can be transformed.
  • the insulating layer has a plurality of openings, each of which is provided corresponding to each of the electrodes.
  • the insulating layer comprises a plurality of localizations, each of which is localized around each of the openings.
  • the insulating layer is a display device that forms a potential barrier between the electroluminescence layer and the localized portion.
  • the insulating layer contains an insulating material and contains an insulating material.
  • the display device according to (1) wherein the localized portion is surrounded by the insulating material.
  • the localized portion contains at least one selected from the group consisting of silicon nitride, silicon oxynitride, hafnium oxide, aluminum oxide and tantalum oxide.
  • the insulating layer is Insulation layer body and A barrier layer provided between the insulating layer main body and the electroluminescence layer is provided.
  • the localized portion is provided adjacent to the barrier layer and is provided.
  • the electrode has a facing surface facing the second electrode layer and has a facing surface.
  • the display device according to any one of (5), wherein the localized portion is provided on the facing surface.
  • the insulating layer has a facing surface facing the second electrode layer, and the thickness of the barrier layer on the facing surface is thicker than the thickness of the barrier layer on the peripheral surface of the opening (6). ).
  • the display device according to any one of (1) to (5), wherein the localized portion faces the side surface of the electrode. (9)
  • the height of the potential barrier with respect to the localized portion is 1 eV or more and 5 eV or less.
  • the display device according to any one of (1) to (8), wherein the height of the potential barrier with respect to the electroluminescence layer is 1 eV or less. (10) The display device according to any one of (1) to (9), wherein the average distance between the electroluminescence layer and the localized portion is 2 nm or more and 5 nm or less. (11) The display device according to any one of (1) to (10), wherein the electroluminescence layer is continuously provided over the plurality of electrodes. (12) The display device according to any one of (1) to (11), wherein the localized portion has a trap order for trapping carriers. (13) The display device according to (12), wherein the carrier is an electron. (14) An electronic device provided with the display device according to any one of (1) to (13).
  • Display device 10 Light emitting element 11 Drive board 12 Interlayer insulation layer 13 First electrode layer 13A Electrode 14 Organic electroluminescence layer 15 Second electrode layer 16, 416, 516 Inter-element insulation layer 16A Insulation layer body 16B Barrier layer 16C Localization part 16D, 16E Insulation layer 16F Recess 16H Opening 17 Protective layer 18 Color filter 19 Filling resin layer 20 Opposing substrate 100R, 100G, 100B Sub-pixel 110A Display area 110B Peripheral area 111 Signal line drive circuit 111A Signal line 112 Scanning line drive circuit 112A Scanning line 310 Digital still camera (electronic equipment) 320 Head-mounted display (electronic device) 330 Television equipment (electronic equipment)

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

発光輝度の変動を抑制することができる表示装置を提供する。　表示装置は、２次元配置された複数の電極を有する第１の電極層と、第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、第１の電極層と第２の電極層の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、隣接する電極の間に設けられた絶縁層とを備える。絶縁層は、複数の開口を有し、複数の開口はそれぞれ、各電極に対応して設けられる。絶縁層は、複数の局在部を備え、複数の局在部はそれぞれ、各開口の周りに局在する。絶縁層は、ポテンシャルバリアをエレクトロルミネッセンス層と局在部の間に形成する。

Description

表示装置および電子機器
　本開示は、表示装置およびそれを備える電子機器に関する。
　近年、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置（以下単に「表示装置」という。）は、広く普及している。この表示装置としては、第１の電極層と第２の電極層が有機エレクトロルミネッセンス層を間に挟んで対向配置され、第１の電極層が、絶縁層により分離された複数の電極により構成されているものが提案されている（例えば特許文献１参照）。
国際公開第２０１８／１４７０５０号パンフレット
　しかしながら、上記構成を有する表示装置では、発光輝度が変動するという問題がある。
　本開示の目的は、発光輝度の変動を抑制することができる表示装置およびそれを備える電子機器を提供することにある。
　上述の課題を解決するために、第１の開示は、
　２次元配置された複数の電極を有する第１の電極層と、
　第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、
　第１の電極層と第２の電極層の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
　隣接する電極の間に設けられた絶縁層と
　を備え、
　絶縁層は、複数の開口を有し、複数の開口はそれぞれ、各電極に対応して設けられ、
　絶縁層は、複数の局在部を備え、複数の局在部はそれぞれ、各開口の周りに局在し、
　絶縁層は、ポテンシャルバリアをエレクトロルミネッセンス層と局在部の間に形成する表示装置である。
　第２の開示は、第１の開示の表示装置を備える電子機器である。
図１は、本開示の一実施形態に係る表示装置の全体構成の一例を示す概略図である。 図２は、本開示の一実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図３は、図２の領域Ｒの拡大断面図である。 図４は、図３のIＶ－IＶ線に沿った断面に含まれる各層のエネルギーダイアグラムである。 図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃはそれぞれ、本開示の一実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための断面図である。 図６Ａ、図６Ｂはそれぞれ、本開示の一実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための断面図である。 図７は、比較例１に係る表示装置の構成を示す断面図である。 図８は、比較例２に係る表示装置の構成を示す断面図である。 図９は、本開示の一実施形態の変形例１に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１０は、本開示の一実施形態の変形例１に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１１は、本開示の一実施形態の変形例２に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１２は、モジュールの概略構成の一例を表す平面図である。 図１３Ａは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す正面図である。図１３Ｂは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す背面図である。 図１４は、ヘッドマウントディスプレイの外観の一例を斜視図である。 図１５は、テレビジョン装置の外観の一例を示す斜視図である。
　本開示の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
　１　一実施形態（表示装置の例）
　２　変形例（表示装置の変形例）
　３　応用例（電子機器の例）
＜１　一実施形態＞
［表示装置の構成］
　図１は、本開示の一実施形態に係る表示装置１０の全体構成の一例を示す概略図である。表示装置１０は、表示領域１１０Ａと、表示領域１１０Ａの周縁に設けられた周辺領域１１０Ｂとを有している。表示領域１１０Ａ内には、複数のサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがマトリクス状等の規定の配置パターンで２次元配置されている。
　サブ画素１００Ｒは赤色を表示し、サブ画素１００Ｇは緑色を表示し、サブ画素１００Ｂは青色を表示する。なお、以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを特に区別しない場合には、サブ画素１００という。隣接するサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。図１では、行方向（水平方向）に並ぶ３つのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの組み合わせが一つの画素を構成している例が示されている。
　周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１１１および走査線駆動回路１１２が設けられている。信号線駆動回路１１１は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１１１Ａを介して選択されたサブ画素１００に供給するものである。走査線駆動回路１１２は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成される。走査線駆動回路１１２は、各サブ画素１００への映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１１２Ａに走査信号を順次供給するものである。
　表示装置１０は、マイクロディスプレイであってもよい。表示装置１０は、ＶＲ（Virtual Reality）装置、ＭＲ（Mixed Reality）装置、ＡＲ（Augmented Reality）装置、電子ビューファインダ（Electronic View Finder：ＥＶＦ）または小型プロジェクタ等に備えられてもよい。
　図２は、本開示の一実施形態に係る表示装置１０の構成の一例を示す断面図である。表示装置１０は、駆動基板１１と、層間絶縁層１２、第１の電極層１３と、有機エレクトロルミネッセンス層１４（以下「ＥＬ層１４」という。）と、第２の電極層１５と、素子間絶縁層１６と、保護層１７と、カラーフィルタ１８と、充填樹脂層１９と、対向基板２０とを備える。
　表示装置１０は、発光装置の一例である。表示装置１０は、トップエミッション方式の表示装置である。表示装置１０の対向基板２０側がトップ側となり、表示装置１０の駆動基板１１側がボトム側となる。以下の説明において、表示装置１０を構成する各層において、表示装置１０のトップ側となる面を第１の面といい、表示装置１０のボトム側となる面を第２の面という。
　表示装置１０は、複数の発光素子１０Ａを備えている。複数の発光素子１０Ａは、第１の電極層１３とＥＬ層１４と第２の電極層１５とにより構成されている。発光素子１０Ａは、白色ＯＬＥＤまたは白色Ｍｉｃｒｏ－ＯＬＥＤ（ＭＯＬＥＤ）等の白色発光素子である。表示装置１０におけるカラー化の方式としては、白色発光素子とカラーフィルタ１８とを用いる方式が用いられる。但し、カラー化の方式はこれに限定されるものではなく、共振器構造により３色光（赤色光、緑色光、青色光）を取り出す方式が用いられてもよい。カラーフィルタ１８と共振器構造とを併用することにより、色純度を高めるようにしてもよい。
（駆動基板）
　駆動基板１１は、いわゆるバックプレーンであり、複数の発光素子１０Ａを駆動する。駆動基板１１の第１の面上には、複数の発光素子１０Ａを駆動する駆動回路、および複数の発光素子１０Ａに電力を供給する電源回路等（いずれも図示せず）が設けられている。
　駆動基板１１の基板本体は、例えば、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されていてもよく、トランジスタ等の形成が容易な半導体で形成されてもよい。具体的には、基板本体は、ガラス基板、半導体基板または樹脂基板等であってもよい。ガラス基板は、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラスまたは石英ガラス等を含む。半導体基板は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン等を含む。樹脂基板は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートおよびポリエチレンナフタレート等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（層間絶縁層）
　層間絶縁層１２（以下、単に「絶縁層１２」という。）は、駆動基板１１の第１の面上に設けられ、駆動回路および電源回路等を覆っている。絶縁層１２は、複数のコンタクトプラグ１２Ａを備える。各コンタクトプラグ１２Ａは、発光素子１０Ａと駆動回路とを接続する。絶縁層１２は、複数の配線（図示せず）をさらに備えていてもよい。
　絶縁層１２は、単層構造を有していてもよいし、積層構造を有していてもよい。絶縁層１２は、有機絶縁層であってもよいし、無機絶縁層であってもよいし、これらの積層体であってもよい。有機絶縁層は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂およびノボラック系樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。無機絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（第１の電極層）
　第１の電極層１３は、絶縁層１２の第１の面上に設けられている。第１の電極層１３は、アノードである。第１の電極層１３と第２の電極層１５の間に電圧が加えられると、第１の電極層１３からＥＬ層１４にホールが注入される。第１の電極層１３は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ反射率が高く、かつ仕事関数が大きい材料によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。第１の電極層１３は、複数の電極１３Ａを有する。複数の電極１３Ａは、隣接する発光素子１０Ａ間で電気的に分離されている。複数の電極１３Ａは、ＥＬ層１４を共有している。複数の電極１３Ａは、マトリクス状等の規定の配置パターンで２次元配置されている。複数の電極１３Ａはそれぞれ、絶縁層１２に備えられた各コンタクトプラグ１２Ａに接続されている。このコンタクトプラグ１２Ａを介して第１の電極層１３は駆動回路または配線に接続されている。
　電極１３Ａは、金属層および金属酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。より具体的には、電極１３Ａは、金属層もしくは金属酸化物層の単層膜、または金属層と金属酸化物層の積層膜により構成されている。電極１３Ａが積層膜により構成されている場合、金属酸化物層がＥＬ層１４側に設けられていてもよいし、金属層がＥＬ層１４側に設けられていてもよいが、高い仕事関数を有する層をＥＬ層１４に隣接させる観点からすると、金属酸化物層がＥＬ層１４側に設けられていることが好ましい。
　金属層は、例えば、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）および銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、アルミニウム合金または銀合金が挙げられる。アルミニウム合金の具体例としては、例えば、ＡｌＮｄまたはＡｌＣｕが挙げられる。
　金属酸化物層は、例えば、透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Transparent Conductive Oxide）を含む。透明導電性酸化物は、例えば、インジウムを含む透明導電性酸化物（以下「インジウム系透明導電性酸化物」という。）、錫を含む透明導電性酸化物（以下「錫系透明導電性酸化物」という。）および亜鉛を含む透明導電性酸化物（以下「亜鉛系透明導電性酸化物」という。）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
　インジウム系透明導電性酸化物は、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）または酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）フッ素ドープ酸化インジウム（ＩＦＯ）を含む。これらの透明導電性酸化物のうちでも酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が特に好ましい。酸化インジウム錫（ＩＴＯ）は、仕事関数的にＥＬ層１４へのホール注入障壁が特に低いため、表示装置１０の駆動電圧を特に低電圧化することができるからである。錫系透明導電性酸化物は、例えば、酸化錫、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）またはフッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）を含む。亜鉛系透明導電性酸化物は、例えば、酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ホウ素ドープ酸化亜鉛またはガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）を含む。
（第２の電極層）
　第２の電極層１５は、第１の電極層１３と対向して設けられている。第２の電極層１５は、表示領域１１０Ａ内においてすべてのサブ画素１００に共通の電極として設けられている。第２の電極層１５は、カソードである。第１の電極層１３と第２の電極層１５の間に電圧が加えられると、第２の電極層１５からＥＬ層１４に電子が注入される。第２の電極層１５は、ＥＬ層１４で発生した光に対して透過性を有する透明電極である。ここで、透明電極には、半透過性反射層も含まれるものとする。第２の電極層１５は、できるだけ透過性が高く、かつ仕事関数が小さい材料によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。
　第２の電極層１５は、例えば、金属層および金属酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。より具体的には、第２の電極層１５は、金属層もしくは金属酸化物層の単層膜、または金属層と金属酸化物層の積層膜により構成されている。第２の電極層１５が積層膜により構成されている場合、金属層がＥＬ層１４側に設けられてもよいし、金属酸化物層がＥＬ層１４側に設けられてもよいが、低い仕事関数を有する層をＥＬ層１４に隣接させる観点からすると、金属層がＥＬ層１４側に設けられていることが好ましい。
　金属層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）およびナトリウム（Ｎａ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、ＭｇＡｇ合金、ＭｇＡｌ合金またはＡｌＬｉ合金等が挙げられる。金属酸化物層は、透明導電性酸化物を含む。透明導電性酸化物としては、上述の電極１３Ａの透明導電性酸化物と同様の材料を例示することができる。
（ＥＬ層）
　ＥＬ層１４は、第１の電極層１３と第２の電極層１５の間に設けられている。ＥＬ層１４は、表示領域１１０Ａ内においてすべての電極１３Ａに亘って連続して設けられ、表示領域１１０Ａ内においてすべての電極１３Ａに共用されている。ＥＬ層１４は、表示領域１１０Ａ内においてすべてのサブ画素１００に共通の有機層として設けられている。ＥＬ層１４は、白色光を発光可能に構成されている。
　ＥＬ層１４は、１ｓｔａｃｋ構造の有機ＥＬ層であってもよいし、２ｓｔａｃｋ構造の有機ＥＬ層であってもよいし、これら以外の有機ＥＬ層であってもよい。１ｓｔａｃｋ構造の有機ＥＬ層は、例えば、第１の電極層１３から第２の電極層１５に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層、電子注入層がこの順序で積層された構成を有する。２ｓｔａｃｋ構造の有機ＥＬ層は、例えば、第１の電極層１３から第２の電極層１５に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、青色発光層、電子輸送層、電荷発生層、正孔輸送層、黄色発光層、電子輸送層と、電子注入層がこの順序で積層された構成を有する。
　正孔注入層は、各発光層への正孔注入効率を高めると共に、リークを抑制するためのものである。正孔輸送層は、各発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、各発光層への電子注入効率を高めるためのものである。電子輸送層は、各発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。発光分離層は、各発光層へのキャリアの注入を調整するための層であり、発光分離層を介して各発光層に電子やホールが注入されることにより各色の発光バランスが調整される。電荷発生層は、電荷発生層を挟む２つの発光層に電子と正孔をそれぞれ供給する。
　赤色発光層、緑色発光層、青色発光層、黄色発光層はそれぞれ、電界をかけることにより、電極１３Ａから注入された正孔と第２の電極層１５から注入された電子との再結合が起こり、赤色光、緑色光、青色光、黄色光を発生するものである。
（素子間絶縁層）
　図３は、図２の領域Ｒの拡大断面図である。図４は、図３のIＶ－IＶ線に沿った断面に含まれる各層のエネルギーダイアグラムである。素子間絶縁層１６（以下、単に「絶縁層１６」という。）は、絶縁層１２の第１の面上、かつ、隣接する第１の電極層１３の間に設けられ、隣接する電極１３Ａの間を電気的に分離する。
　絶縁層１６は、複数の開口１６Ｈを有する。複数の開口１６Ｈはそれぞれ、各サブ画素１００に対応して設けられている。複数の開口１６Ｈはそれぞれ、各電極１３Ａの第１の面（すなわち第２の電極層１５との対向面）上に設けられ、各電極１３Ａの第１の面を露出させる。開口１６Ｈを介して、第１の電極層１３とＥＬ層１４とが接触する。開口１６Ｈの周面は、電極１３Ａの第１の面に対して傾斜した斜面であってもよい。一つの電極１３Ａに対して１つの開口１６Ｈが設けられていてもよいし、一つの電極１３Ａに対して２つ以上の開口１６Ｈが設けられていてもよい。絶縁層１６が、電極１３Ａの第１の面の周縁部から電極１３Ａの側面（端面）にかけて覆っている。本明細書において、第１の面の周縁部とは、第１の面の周縁から内側に向かって、所定の幅を有する領域をいう。
　絶縁層１６は、絶縁層本体１６Ａと、バリア層１６Ｂと、複数の局在部１６Ｃを備える。絶縁層１６は、ポテンシャルバリアをＥＬ層１４と局在部１６Ｃの間に形成する。これにより、局在部１６Ｃにトラップされたキャリアが、局在部１６ＣからＥＬ層１４にデトラップされることを抑制することができる。したがって、可逆的な輝度変動を抑制することができる。なお、本実施形態においては、キャリアが電子である場合について説明する。ＥＬ層１４と局在部１６Ｃの間に形成されるポテンシャルバリアは、第１の電極層１３と第２の電極層１５の間に電圧が印加された際に、キャリアがＥＬ層１４から局在部１６Ｃにトンネリング可能に構成されている。
　絶縁層１６は、ポテンシャルバリアを局在部１６Ｃの周りに形成することが好ましい。すなわち、局在部１６Ｃは、絶縁層１６内に井戸型ポテンシャルを形成することが好ましい。この場合には、局在部１６Ｃにトラップされたキャリアが、局在部１６ＣからＥＬ層１４および電極１３Ａ等の周囲の部材にデトラップされることを抑制することができる。
（バリア層）
　バリア層１６Ｂは、絶縁層本体１６ＡとＥＬ層１４の間、および局在部１６ＣとＥＬ層１４の間に設けられている。バリア層１６Ｂは、ＥＬ層１４と局在部１６Ｃとの間にポテンシャルバリアを形成する。局在部１６Ｃに対するポテンシャルバリアの高さ（すなわち局在部１６Ｃとバリア層１６Ｂとのエネルギー障壁差）の下限値は、好ましくは１ｅＶ以上である。局在部１６Ｃに対するポテンシャルバリアの高さ（すなわち局在部１６Ｃとバリア層１６Ｂとのエネルギー障壁差）の上限値は、例えば５ｅＶ以下である。ＥＬ層１４に対するポテンシャルバリアの高さ（すなわちＥＬ層１４とバリア層１６Ｂとのエネルギー障壁差）は、好ましくは１ｅＶ以下である。局在部１６Ｃに対するポテンシャルバリアの高さが１ｅＶ以上であると、局在部１６Ｃにトラップされたキャリアが、局在部１６ＣからＥＬ層１４にデトラップされることを抑制することができる。ＥＬ層１４に対するポテンシャルバリアの高さが１ｅＶ以下であると、ポテンシャルバリアを介してＥＬ層１４から局在部１６Ｃにトラップされるキャリア数の低下を抑制することができる。
　局在部１６Ｃに対するポテンシャルバリアの高さおよびＥＬ層１４に対するポテンシャルバリアの高さは以下のようにして求められる。ＥＬ層１４、絶縁層本体１６Ａ、バリア層１６Ｂおよび局在部１６Ｃ等により構成される積層構造に対して、光電子分光法または逆光電子分光法を用いることで求めることができる。
　バリア層１６Ｂは、絶縁層本体１６Ａと同一の材料により構成されていてもよいし、絶縁層本体１６Ａとは異なる材料により構成されていてもよい。バリア層１６Ｂは、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）を含む。
　バリア層１６Ｂの平均厚さ（すなわち、ＥＬ層１４と局在部１６Ｃの間の平均距離）は、好ましくは２ｎｍ以上５ｎｍ以下である。バリア層１６Ｂの平均厚さが２ｎｍ以上であると、局在部１６Ｃにトラップされたキャリアが、局在部１６ＣからＥＬ層１４にデトラップされることを抑制することができる。一方、バリア層１６Ｂの平均厚さが５ｎｍ以下であると、ポテンシャルバリアを介してＥＬ層１４から局在部１６Ｃにトラップされるキャリア数の低下を抑制することができる。
　バリア層１６Ｂの平均厚さ（すなわち、ＥＬ層１４と局在部１６Ｃの間の平均距離）は以下のようにして求められる。まず、クライオＦＩＢ（Focused Ion Beam）加工等により表示装置１０の断面（表示装置１０の厚さ方向に平行な断面）を切り出し、薄片を作製する。続いて、作製した薄片をＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）により観察し、断面ＴＥＭ像を１枚取得する。この際、加速電圧は８０ｋＶに設定される。次に、取得した１枚の断面ＴＥＭ像中において、バリア層１６ＢのうちＥＬ層１４と局在部１６Ｃとの間に位置する部分の厚さＤ（図３参照）を１０点以上測定する。この際、各測定位置は、バリア層１６ＢのうちＥＬ層１４と局在部１６Ｃとの間に位置する部分から無作為に選ばれるものとする。その後、１０点以上測定したバリア層１６Ｂの厚さを単純に平均（算術平均）してバリア層１６Ｂの平均厚さを求める。
（絶縁層本体）
　絶縁層本体１６Ａは、局在部１６Ｃと電極１３Ａとの間にポテンシャルバリアを形成することが好ましい。局在部１６Ｃと電極１３Ａとの間にポテンシャルバリアが形成されていることで、局在部１６Ｃから電極１３Ａにキャリアがデトラップされることを抑制することができる。局在部１６Ｃに対するポテンシャルバリアの高さ（すなわち局在部１６Ｃと絶縁層本体１６Ａとのエネルギー障壁差）の下限値は、好ましくは１ｅＶ以上である。ポテンシャルバリアの高さが１ｅＶ以上であると、局在部１６Ｃにトラップされたキャリアが、局在部１６Ｃから電極１３Ａ等にデトラップされることを抑制することができる。ポテンシャルバリアの高さの上限値は、特に限定されるものではないが、例えば５ｅＶ以下である。バリア層１６Ｂは、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）を含む。局在部１６Ｃと絶縁層本体１６Ａとのエネルギー障壁差は、局在部１６Ｃとバリア層１６Ｂとのエネルギー障壁差と同様にして求めることができる。
（局在部）
　局在部１６Ｃは、禁止帯（バンドギャップ）中に、キャリアをトラップする複数のトラップ順位を有する。局在部１６Ｃは、ＥＬ層１４からバリア層１６Ｂを介して到達したキャリアを複数のトラップ順位にトラップする。局在部１６ＣのＬＵＭＯ（Lowest Unoccupied Molecular Orbital）は、ＥＬ層１４のＬＵＭＯよりも高くてもよい。
　複数の局在部１６Ｃはそれぞれ、各電極１３Ａの第１の面（すなわち第２の電極層１５との対向面）上に設けられている。複数の局在部１６Ｃはそれぞれ、絶縁層１６の各開口１６Ｈの周りに局在する。絶縁層１６の開口１６Ｈの周りの部分でキャリアのトラップが起きやすいため、絶縁層１６の開口１６Ｈの周りに局在部１６Ｃが設けられることで、リーク電流を低減することができる。局在部１６Ｃは、バリア層１６Ｂに隣接して設けられていることが好ましい。
　局在部１６Ｃは、絶縁層１６の開口１６Ｈを囲む閉ループ状を有していてもよいし、絶縁層１６の開口１６Ｈを囲むように飛び飛びに不連続的に設けられていてもよい。局在部１６Ｃは、絶縁層１６に含まれる絶縁材料（例えば酸化ケイ素（ＳｉＯｘ））により囲まれていることが好ましい。より具体的には、局在部１６Ｃは、絶縁層１６の開口１６Ｈの周面にバリア層１６Ｂを介して隣接していることが好ましい。
　局在部１６Ｃは、電極１３Ａの第１の面から離されていることが好ましい。これにより、局在部１６Ｃにトラップされたキャリアが、局在部１６Ｃから電極１３Ａにデトラップされることを抑制することができる。第１の電極層１３と局在部１６Ｃとの間の最短距離は、局在部１６Ｃから電極１３Ａへのキャリアのデトラップを抑制する観点からすると、バリア層１６Ｂの平均厚さ以上であることが好ましい。
　局在部１６Ｃは、バリア層１６Ｂとは異なる絶縁材料を含む。局在部１６Ｃは、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）および酸化タンタル（ＴａＯｘ）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（保護層）
　保護層１７は、第２の電極層１５の第１の面上に設けられ、複数の発光素子１０Ａを覆う。保護層１７は、発光素子１０Ａを外気と遮断し、外部環境から発光素子１０Ａ内部への水分浸入を抑制する。また、第２の電極層１５が金属層により構成されている場合には、保護層１７は、この金属層の酸化を抑制する機能を有していてもよい。
　保護層１７は、例えば、吸湿性が低い無機材料により構成される。無機材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ）および酸化アルミニウム（ＡｌＯ）のうちの少なくとも１種を含む。保護層１７は、単層構造であってもよいが、保護層１７の厚さを厚くする場合には多層構造としてもよい。保護層１７における内部応力を緩和するためである。保護層１７が、高分子樹脂により構成されていてもよい。高分子樹脂は、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（カラーフィルタ）
　カラーフィルタ１８は、保護層１７の第１の面上に設けられている。カラーフィルタ１８は、例えば、オンチップカラーフィルタ（On Chip Color Filter：ＯＣＣＦ）である。カラーフィルタ１８は、例えば、赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタを備える。赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタはそれぞれ、発光素子１０Ａに対向して設けられている。赤色フィルタと発光素子１０Ａとによりサブ画素１００Ｒが構成され、緑色フィルタと発光素子１０Ａとによりサブ画素１００Ｇが構成され、青色フィルタと発光素子１０Ａとによりサブ画素１００Ｂが構成されている。
　サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ内の各発光素子１０Ａから発せられた白色光がそれぞれ、上記の赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタを透過することによって、赤色光、緑色光、青色光がそれぞれ表示面から出射される。また、各色のカラーフィルタ間、すなわちサブ画素間の領域には、遮光層（図示せず）が設けられていてもよい。なお、カラーフィルタ１８は、オンチップカラーフィルタに限定されるものではなく、対向基板２０の一主面に設けられたものであってもよい。
（充填樹脂層）
　充填樹脂層１９は、カラーフィルタ１８と対向基板２０の間に設けられている。充填樹脂層１９は、カラーフィルタ１８と対向基板２０とを接着する接着層としての機能を有している。充填樹脂層１９は、例えば、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（対向基板）
　対向基板２０は、駆動基板１１に対向して設けられている。より具体的には、対向基板２０は、対向基板２０の第２の面と駆動基板１１の第１の面とが対向するように設けられている。対向基板２０および充填樹脂層１９は、発光素子１０Ａおよびカラーフィルタ１８等を封止する。対向基板２０は、カラーフィルタ１８から出射される各色光に対して透明なガラス等の材料により構成される。
［表示装置の製造方法］
　以下、図５Ａ～図５Ｃ、図６Ａ、図６Ｂを参照して、本開示の一実施形態に係る表示装置１０の製造方法の一例について説明する。
　まず、例えば薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、基板本体の第１の面上に駆動回路および電源回路等を形成する。これにより、駆動基板１１が得られる。次に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、駆動回路および電源回路等を覆うように絶縁層１２を駆動基板１１の第１の面上に形成する。この際、絶縁層１２に複数のコンタクトプラグ１２Ａおよび複数の配線等を形成する。
　次に、例えばスパッタリング法により、金属層、金属酸化物層を絶縁層１２の第１の面上に順次形成したのち、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて金属層および金属酸化物層をパターニングする。これにより、複数の電極１３Ａを有する第１の電極層１３が形成される。
　次に、例えばプラズマＣＶＤ法により、図５Ａに示すように、複数の電極１３Ａを覆うように絶縁層１２の第１の面上に絶縁層１６Ｄを形成する。次に、例えばフォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術により、図５Ｂに示すように、絶縁層１６Ｄのうち、各電極１３Ａの第１の面上に位置する部分に凹部１６Ｆをそれぞれ形成する。この際、凹部１６Ｆが電極１３Ａの第１の面の周縁よりも内側に位置するように、各凹部１６Ｆの形成位置が調整される。
　次に、例えばプラズマＣＶＤ法により、図５Ｃに示すように、各凹部１６Ｆに倣うように、絶縁層１６Ｄの第１の面上に絶縁層１６Ｅを形成する。次に、例えばエッチバックにより、図６Ａに示すように、複数の電極１３Ａの第１の面上にそれぞれ開口１６Ｈを形成する。この際、開口１６Ｈの周面（斜面）に絶縁層１６Ｅの一部が残存し、この残存物により局在部１６Ｃが形成される。次に、例えばプラズマ処理により、図６Ｂに示すように、絶縁層１６Ｄおよび局在部１６Ｃを表面処理し、バリア層１６Ｂを形成する。これにより、絶縁層１６が得られる。
　次に、例えば蒸着法により、正孔注入層、正孔輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層、電子注入層を電極１３Ａの第１の面および絶縁層１６の第１の面上にこの順序で積層することにより、ＥＬ層１４を形成する。次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法により、第２の電極層１５をＥＬ層１４の第１の面上に形成する。これにより、絶縁層１２の第１の面上に複数の発光素子１０Ａが形成される。
　次に、例えばＣＶＤ法または蒸着法により、保護層１７を第２の電極層１５の第１の面上に形成した後、例えばフォトリソグラフィにより、保護層１７の第１の面上にカラーフィルタ１８を形成する。なお、保護層１７の段差やカラーフィルタ１８自体の膜厚差による段差を平坦化するために、カラーフィルタ１８の上、下または上下両方に平坦化層を形成してもよい。次に、例えばＯＤＦ（One Drop Fill）方式を用いて、充填樹脂層１９によりカラーフィルタ１８を覆った後、対向基板２０を充填樹脂層１９上に載置する。次に、例えば充填樹脂層１９に熱を加えるか、または充填樹脂層１９に紫外線を照射し、充填樹脂層１９を硬化させることにより、充填樹脂層１９を介して駆動基板１１と対向基板２０とを貼り合せる。これにより、表示装置１０が封止される。以上により、図２に示す表示装置１０が得られる。
［作用効果］
　一実施形態に係る表示装置１０の作用効果の理解を容易とするために、比較例１、２に係る表示装置４１０、５１０の構成と一実施形態に係る表示装置１０の構成を比較して、表示装置１０の作用効果について説明する。
　比較例１に係る表示装置４１０では、図７に示すように、複数のサブ画素１００がＥＬ層１４を共有している。このような構成を有する表示装置４１０において、層間絶縁層として公知の層間絶縁層４１６が備えられている場合には、電極１３ＡからＥＬ層１４と層間絶縁層５１６の界面にキャリアが流れリークする。このようにキャリアがリークすると、層間絶縁層４１６の開口１６Ｈの周りで異常発光が発生する。
　上記の異常発光の発生を抑制するために、本発明者らは、図８に示すように、層間絶縁層としてトラップ準位（欠陥順位）が多い層間絶縁層５１６が備えられた比較例２に係る表示装置５１０を検討している。層間絶縁層５１６としては、例えば、プラズマＣＶＤ等で形成された窒化シリコン（ＳｉＮｘ）が用いられる。このようなトラップ準位の多い層間絶縁層５１６が備えられていることで、ＥＬ層１４と層間絶縁層５１６の界面伝導度が下げられ、キャリアのリークが抑制される。
　しかしながら、比較例２に係る表示装置５１０では、層間絶縁層５１６にキャリアがトラップおよびデトラップされる。これに伴って、トラップされた電荷量に応じて可逆的にリーク電流が変動する現象が発生し、その結果、可逆的な輝度の変動が発生する。
　上述したように、一実施形態に係る表示装置１０では、図２に示すように、絶縁層１６は、絶縁層１６の開口１６Ｈの周りに局在する局在部１６Ｃと、ＥＬ層１４と局在部１６Ｃの間に設けられたバリア層１６Ｂとを備える。バリア層１６Ｂは、キャリアに対するポテンシャルバリアをＥＬ層１４と局在部１６Ｃの間に形成する。これにより、ＥＬ層１４から局在部１６Ｃに一度トラップされたキャリアは、局在部１６ＣからＥＬ層１４に容易にはデトラップされず、局在部１６Ｃに留まる。したがって、可逆的なリーク電流の変動を抑制することができるので、可逆的な輝度の変動を抑制することができる。
＜２　変形例＞
（変形例１）
　上述の一実施形態では、絶縁層１６の開口１６Ｈの周面が斜面である例について説明したが、絶縁層１６の開口１６Ｈの周面が、図９に示すように、電極１３Ａの第１の面に対してほぼ垂直な垂直面であっていてもよい。この場合、局在部１６Ｃは、絶縁層１６の開口１６Ｈの周面および絶縁層１６の第１の面（上面）の両方にバリア層１６Ｂを挟んで隣接していてもよい。絶縁層１６の第１の面は、上述のように表示装置１０のトップ側となる面であり、第２の電極層１５に対向する対向面でもある。
　図９に示すように、絶縁層１６の第１の面（上面）におけるバリア層１６Ｂの厚さＤ１と、絶縁層１６の開口１６Ｈの周面におけるバリア層１６Ｂの厚さＤ２が、略一定であってもよいし、図１０に示すように、絶縁層１６の第１の面（上面）におけるバリア層１６Ｂの厚さＤ１が、絶縁層１６の開口１６Ｈの周面におけるバリア層１６Ｂの厚さＤ２に比べて厚くなっていてもよい。厚さＤ１が厚さＤ２に比べて厚くなっている場合には、局在部１６Ｃにトラップされたキャリアが、絶縁層１６の第１の面（上面）から第２の電極層１５の方向（図１０では上方）に放出されることを抑制することができる。
　なお、上述の一実施形態においても、厚さＤ１と厚さＤ２が略同一となっていてもよいし、厚さＤ１が厚さＤ２に比べて厚くなっていてもよい。
（変形例２）
　上述の一実施形態では、図３に示すように、絶縁層１６が電極１３Ａの第１の面の周縁部を覆っている例について説明したが、図１１に示すように、絶縁層１６が電極１３Ａの第１の面の周縁部を覆っていなくてもよい。すなわち、電極１３Ａの第１の面の全体が開口１６Ｈを介して絶縁層１６から露出していてもよい。局在部１６Ｃは、電極１３Ａの側面に対向していてもよい。局在部１６Ｃは、絶縁層１６の第１の面にバリア層１６Ｂを挟んで隣接していてもよい。電極１３Ａの第１の面（上面）とバリア層１６Ｂの第１の面（上面）とは、略同一高さであってもよい。局在部１６Ｃは、局在部１６Ｃにトラップされるキャリア数の低下を抑制する観点からすると、電極１３Ａの側面から１０ｎｍ以内の範囲に設けられていることが好ましい。この場合、局在部１６Ｃの全体が上記範囲に設けられていてもよいし、局在部１６Ｃの一部が上記範囲に設けられていてもよい。
（変形例３）
　上述の一実施形態では、絶縁層１６が絶縁層本体１６Ａとバリア層１６Ｂとを備える例について説明したが、絶縁層本体１６Ａとバリア層１６Ｂとが一体になっており、絶縁層本体１６Ａとバリア層１６Ｂとの間に界面が設けられていなくてもよい。
（変形例４）
　上述の一実施形態では、絶縁層１６が、キャリアとして電子をトラップする局在部１６Ｃを備える例について説明したが、絶縁層１６が、局在部１６Ｃに代えて、キャリアとして正孔をトラップする局在部を備えるようにしてもよい。あるいは、絶縁層１６が、局在部１６Ｃと共に、キャリアとして正孔をトラップする局在部を備えるようにしてもよい。この場合、局在部１６Ｃは、絶縁層１６の開口１６Ｈの周りに設けられていてもよい。正孔をトラップする局在部は、正孔をトラップする複数のトラップ順位を有する。
（変形例５）
　上述の一実施形態では、局在部１６Ｃが、絶縁材料を含む例について説明したが、局在部１６Ｃが、金属等の導電材料を含んでいてもよい。
＜３　応用例＞
（電子機器）
　上述の一実施形態およびその変形例に係る表示装置１０は、各種の電子機器に用いることが可能である。表示装置１０は、例えば、図１２に示したようなモジュールとして、種々の電子機器に組み込まれる。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに適する。このモジュールは、駆動基板１１の一方の短辺側に、対向基板２０等により覆われず露出した領域２１０を有し、この領域２１０に、信号線駆動回路１１１および走査線駆動回路１１２の配線を延長して外部接続端子（図示せず）が形成されている。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（Flexible Printed Circuit：ＦＰＣ）２２０が接続されていてもよい。
（具体例１）
　図１３Ａ、図１３Ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。
　カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５としては、表示装置１０を用いることができる。
（具体例２）
　図１４は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１としては、表示装置１０を用いることができる。
（具体例３）
　図１５は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２およびフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有しており、この映像表示画面部３３１は、表示装置１０により構成されている。
　以上、本開示の一実施形態およびその変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の一実施形態およびその変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
　例えば、上述の一実施形態およびその変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。
　上述の一実施形態およびその変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
　上述の一実施形態およびその変形例に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　２次元配置された複数の電極を有する第１の電極層と、
　前記第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、
　前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
　隣接する前記電極の間に設けられた絶縁層と
　を備え、
　前記絶縁層は、複数の開口を有し、前記複数の開口はそれぞれ、各前記電極に対応して設けられ、
　前記絶縁層は、複数の局在部を備え、前記複数の局在部はそれぞれ、各前記開口の周りに局在し、
　前記絶縁層は、ポテンシャルバリアを前記エレクトロルミネッセンス層と前記局在部の間に形成する表示装置。
（２）
　前記絶縁層は、絶縁材料を含み、
　前記局在部は、前記絶縁材料に囲まれている（１）に記載の表示装置。
（３）
　前記絶縁層は、前記ポテンシャルバリアを前記局在部の周りに形成する（２）に記載の表示装置。
（４）
　前記局在部は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化アルミニウムおよび酸化タンタルからなる群より選ばれた少なくとも１種を含み、
　前記絶縁材料は、酸化ケイ素を含む（２）または（３）に記載の表示装置。
（５）
　前記絶縁層は、
　絶縁層本体と、
　前記絶縁層本体と前記エレクトロルミネッセンス層の間に設けられたバリア層と
　を備え、
　前記局在部は、前記バリア層に隣接して設けられ、
　前記バリア層が、前記ポテンシャルバリアを形成する（１）から（４）のいずれかに記載の表示装置。
（６）
　前記電極は、前記第２の電極層と対向する対向面を有し、
　前記局在部は、前記対向面上に設けられている（５）のいずれかに記載の表示装置。
（７）
　前記絶縁層は、前記第２の電極層に対向する対向面を有し、該対向面における前記バリア層の厚さは、前記開口の周面における前記バリア層の厚さに比べて厚い（６）に記載の表示装置。
（８）
　前記局在部は、前記電極の側面に対向する（１）から（５）のいずれかに記載の表示装置。
（９）
　前記局在部に対する前記ポテンシャルバリアの高さは、１ｅＶ以上５ｅＶ以下であり、
　前記エレクトロルミネッセンス層に対する前記ポテンシャルバリアの高さは、１ｅＶ以下である（１）から（８）のいずれかに記載の表示装置。
（１０）
　前記エレクトロルミネッセンス層と前記局在部の間の平均距離は、２ｎｍ以上５ｎｍ以下である（１）から（９）のいずれかに記載の表示装置。
（１１）
　前記エレクトロルミネッセンス層は、前記複数の電極に亘って連続して設けられている（１）から（１０）のいずれかに記載の表示装置。
（１２）
　前記局在部は、キャリアをトラップするトラップ順位を有する（１）から（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１３）
　前記キャリアは、電子である（１２）に記載の表示装置。
（１４）
　（１）から（１３）のいずれかに記載の表示装置を備える電子機器。
　１０、４１０、５１０　表示装置
　１０Ａ　　発光素子
　１１　　駆動基板
　１２　　層間絶縁層
　１３　　第１の電極層
　１３Ａ　　電極
　１４　　有機エレクトロルミネッセンス層
　１５　　第２の電極層
　１６、４１６、５１６　　素子間絶縁層
　１６Ａ　　絶縁層本体
　１６Ｂ　　バリア層
　１６Ｃ　　局在部
　１６Ｄ、１６Ｅ　　絶縁層
　１６Ｆ　　凹部
　１６Ｈ　　開口
　１７　　保護層
　１８　　カラーフィルタ
　１９　　充填樹脂層
　２０　　対向基板
　１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ　　サブ画素
　１１０Ａ　　表示領域
　１１０Ｂ　　周辺領域
　１１１　　信号線駆動回路
　１１１Ａ　　信号線
　１１２　　走査線駆動回路
　１１２Ａ　　走査線
　３１０　　デジタルスチルカメラ（電子機器）
　３２０　　ヘッドマウントディスプレイ（電子機器）
　３３０　　テレビジョン装置（電子機器）

Claims (14)

  1. 　２次元配置された複数の電極を有する第１の電極層と、
    　前記第１の電極層に対向して設けられた第２の電極層と、
    　前記第１の電極層と前記第２の電極層の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
    　隣接する前記電極の間に設けられた絶縁層と
    　を備え、
    　前記絶縁層は、複数の開口を有し、前記複数の開口はそれぞれ、各前記電極に対応して設けられ、
    　前記絶縁層は、複数の局在部を備え、前記複数の局在部はそれぞれ、各前記開口の周りに局在し、
    　前記絶縁層は、ポテンシャルバリアを前記エレクトロルミネッセンス層と前記局在部の間に形成する表示装置。
  2. 　前記絶縁層は、絶縁材料を含み、
    　前記局在部は、前記絶縁材料に囲まれている請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記絶縁層は、前記ポテンシャルバリアを前記局在部の周りに形成する請求項２に記載の表示装置。
  4. 　前記局在部は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化アルミニウムおよび酸化タンタルからなる群より選ばれた少なくとも１種を含み、
    　前記絶縁材料は、酸化ケイ素を含む請求項２に記載の表示装置。
  5. 　前記絶縁層は、
    　絶縁層本体と、
    　前記絶縁層本体と前記エレクトロルミネッセンス層の間に設けられたバリア層と
    　を備え、
    　前記局在部は、前記バリア層に隣接して設けられ、
    　前記バリア層が、前記ポテンシャルバリアを形成する請求項１に記載の表示装置。
  6. 　前記電極は、前記第２の電極層と対向する対向面を有し、
    　前記局在部は、前記対向面上に設けられている請求項５に記載の表示装置。
  7. 　前記絶縁層は、前記第２の電極層に対向する対向面を有し、該対向面における前記バリア層の厚さは、前記開口の周面における前記バリア層の厚さに比べて厚い請求項６に記載の表示装置。
  8. 　前記局在部は、前記電極の側面に対向する請求項１に記載の表示装置。
  9. 　前記局在部に対する前記ポテンシャルバリアの高さは、１ｅＶ以上５ｅＶ以下であり、
    　前記エレクトロルミネッセンス層に対する前記ポテンシャルバリアの高さは、１ｅＶ以下である請求項１に記載の表示装置。
  10. 　前記エレクトロルミネッセンス層と前記局在部の間の平均距離は、２ｎｍ以上５ｎｍ以下である請求項１に記載の表示装置。
  11. 　前記エレクトロルミネッセンス層は、前記複数の電極に亘って連続して設けられている請求項１に記載の表示装置。
  12. 　前記局在部は、キャリアをトラップするトラップ順位を有する請求項１に記載の表示装置。
  13. 　前記キャリアは、電子である請求項１２に記載の表示装置。
  14. 　請求項１に記載の表示装置を備える電子機器。
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