WO2022097517A1

WO2022097517A1 - 磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置

Info

Publication number: WO2022097517A1
Application number: PCT/JP2021/039238
Authority: WO
Inventors: 隆今井; 佑記福岡; 高史松井; 大輔澤井
Original assignee: 富士フイルム株式会社
Priority date: 2020-11-06
Filing date: 2021-10-25
Publication date: 2022-05-12
Also published as: US20240170012A1; CN116457880A; JP7465786B2; JP2022075330A

Abstract

非磁性支持体と強磁性粉末を含む磁性層とを有する磁気テープであって、上記非磁性支持体の小角Ｘ線散乱測定により得られた小角Ｘ線散乱スペクトルにおいて、ｑ値が０．０１～０．１０Å－１の領域で、散乱強度変化率の極小値におけるｑ値ｑｍｉｎでの散乱強度Ｉｍｉｎに対する散乱強度変化率の極大値におけるｑ値ｑｍａｘでの散乱強度Ｉｍａｘの比Ｉｍａｘ／Ｉｍｉｎは２．７以上であり、ｑｍｉｎ＜ｑｍａｘ、であり、かつ上記非磁性支持体のガラス転移温度Ｔｇは１４０℃以上である磁気テープ、上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置が提供される。

Description

磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置

　本発明は、磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置に関する。

　磁気記録媒体は、通常、磁性層と非磁性支持体とを含む（例えば特許文献１参照）。

特開平２－０３７５１９号公報

　磁気記録媒体には、ディスク状のものとテープ状のものがある。特許文献１には、ディスク状の磁気記録媒体の非磁性支持体として使用されるフィルムが開示されている。

　一方、近年、アーカイブ等のデータストレージ用の磁気記録媒体としては、テープ状の磁気記録媒体、即ち磁気テープが広く使用されている。

　磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジ内に収容されて保管される。詳しくは、磁気テープは、通常、テンションが加えられた状態で磁気テープカートリッジのリールに巻き取られて保管される。このテンションに起因して、磁気テープカートリッジ内で磁気テープの変形が発生し得る。かかる変形を抑制できることは、データストレージメディアとしての磁気テープの信頼性を高めるうえで望ましい。これは、例えば以下の理由による。磁気テープへのデータの記録は、通常、磁気テープのデータバンドに磁気信号を記録することにより行われる。これにより、データバンドにデータトラックが形成される。一方、記録されたデータの再生時には、磁気記録再生装置内で、磁気ヘッドを磁気テープのデータトラックに追従させてデータトラックに記録された磁気信号の読み取りが行われる。ここで、磁気ヘッドがデータトラックに追従する精度が高いほど、再生エラーの発生を抑制することができ、データストレージメディアとしての磁気テープの信頼性を高めることができる。しかし、磁気テープがデータ記録後に大きく変形してしまうと、データの再生時に磁気ヘッドがデータトラックに追従する精度が低下し、再生エラーが発生し易くなってしまう。例えばこのような理由から、保管中の磁気テープの変形を抑制できることは望ましい。

　本発明の一態様は、保管中の変形の抑制が可能な磁気テープを提供することを目的とする。

　本発明の一態様は、
　非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気テープであって、
　上記非磁性支持体の小角Ｘ線散乱測定により得られた小角Ｘ線散乱スペクトルにおいて、ｑ値が０．０１～０．１０Å^－１の領域で、散乱強度変化率の極小値におけるｑ値ｑ_ｍｉｎでの散乱強度Ｉ_ｍｉｎに対する散乱強度変化率の極大値におけるｑ値ｑ_ｍａｘでの散乱強度Ｉ_ｍａｘの比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎは２．７以上であり、ｑ_ｍｉｎ＜ｑ_ｍａｘ、であり、かつ
　上記非磁性支持体のガラス転移温度Ｔｇは１４０℃以上である磁気テープ、
　に関する。

　一形態では、上記非磁性支持体は、芳香族ポリエーテルケトン支持体であることができる。

　一形態では、上記芳香族ポリエーテルケトンは、ポリエーテルエーテルケトンであることができる。

　一形態では、上記芳香族ポリエーテルケトンは、ポリエーテルケトンケトンであることができる。

　一形態では、上記強磁性粉末は、六方晶バリウムフェライト粉末であることができる。

　一形態では、上記強磁性粉末は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末であることができる。

　一形態では、上記強磁性粉末は、ε－酸化鉄粉末であることができる。

　一形態では、上記磁気テープは、上記非磁性支持体と上記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を更に有することができる。

　一形態では、上記磁気テープは、上記非磁性支持体の上記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を更に有することができる。

　一形態では、上記非磁性支持体の上記磁性層を有する側の表面の光干渉粗さ計により測定される中心線平均粗さＲａは、１５．０ｎｍ以下であることができる。

　本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジに関する。

　本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気記録再生装置に関する。

　本発明の一態様によれば、保管中の変形の抑制が可能な磁気テープを提供することができる。また、本発明の一態様によれば、かかる磁気テープを含む磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置を提供することができる。

［磁気テープ］
　本発明の一態様は、非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気テープに関する。上記非磁性支持体の小角Ｘ線散乱測定により得られた小角Ｘ線散乱スペクトルにおいて、ｑ値が０．０１～０．１０Å^－１の領域で、散乱強度変化率の極小値におけるｑ値ｑ_ｍｉｎでの散乱強度Ｉ_ｍｉｎに対する散乱強度変化率の極大値におけるｑ値ｑ_ｍａｘでの散乱強度Ｉ_ｍａｘの比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎ（以下、「散乱強度比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎ」とも記載する。）は２．７以上であり、ｑ_ｍｉｎ＜ｑ_ｍａｘ、であり、かつ上記非磁性支持体のガラス転移温度Ｔｇは１４０℃以上である。

　以下、上記磁気テープについて、更に詳細に説明する。

＜非磁性支持体＞
（散乱強度比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎ）
　上記磁気テープに含まれる非磁性支持体（以下、「支持体」とも記載する。）の小角Ｘ線散乱測定により得られた小角Ｘ線散乱スペクトルにおいて、ｑ値が０．０１～０．１０Å^－１の領域で、散乱強度変化率の極小値におけるｑ値ｑ_ｍｉｎでの散乱強度Ｉ_ｍｉｎに対する散乱強度変化率の極大値におけるｑ値ｑ_ｍａｘでの散乱強度Ｉ_ｍａｘの比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎ（散乱強度比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎ）は、２．７以上であり、ｑ_ｍｉｎ＜ｑ_ｍａｘ、である。単位に関して、１Å（オングストローム）＝０．１ｎｍである。

　以下に、散乱強度比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎの求め方を説明する。

（１）測定用試料の準備
　測定対象の非磁性支持体から複数の試料片を切り出す。磁気テープから公知の方法で非磁性支持体以外の部分を除去して得られた支持体から、試料片を切り出すことができる。以下に記載の試料片についての方向は、磁気テープに含まれていたときの方向をいうものとする。長手方向とは、磁気テープにおいて長手方向であった方向であり、幅方向とは、磁気テープにおいて幅方向であった方向である。
　切り出した複数の試料片を、厚み２００μｍ以上になる枚数（例えば数十枚）重ね合わせる。重ね合わせる際、複数の試料片の長手方向同士を揃え、幅方向同士を揃えて、複数の試料片を重ね合わせる。
　上記の複数の試料片を重ね合わせた積層体から、長手方向数ｃｍ×幅方向数ｃｍのサイズの試料片を切り出し、これを測定用試料とする。

（２）小角Ｘ線散乱測定および各種スペクトルの取得
　測定用試料の無作為に選択したいずれか一方の表面に、この表面に垂直な方向からＸ線を入射させ、測定用試料を透過した散乱Ｘ線を二次元検出器によって検出し、透過小角Ｘ線散乱（ＳＡＸＳ）測定を行い、ＳＡＸＳスペクトルを得る。小角Ｘ線散乱は、一般に「ＳＡＸＳ（Ｓｍａｌｌ　Ａｎｇｌｅ　Ｘ－ｒａｙ　Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）」とも呼ばれる。Ｘ線のエネルギー（波長λ）は、５～２０ｋｅＶ（２．５～０．６Å）の範囲で選ぶ。
　得られた二次元のＳＡＸＳ強度分布データにおいて、子午線方向および赤道方向のそれぞれの方向について、方位角（ａｚｉｍｕｔｈａｌ　ａｎｇｌｅ）φ±１５°の範囲の円弧上で、各散乱角２θにおける平均散乱強度Ｉを求め、横軸を２θとし、縦軸をＩとする「２θ－Ｉ一次元ＳＡＸＳ強度スペクトル」を得る。子午線方向のデータは、上記試料片の長手方向についてのデータであり、赤道方向のデータは、上記試料片の幅方向についてのデータである。散乱強度を求める測定ピッチ（即ち隣り合う測定点の間隔）は、下記のｑ値についてのピッチとして、０．００１Å^－１以下とする。「Ｉ」は、「Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ（強度）」の略称として用いている。
　「２θ－Ｉ一次元ＳＡＸＳ強度スペクトル」から、散乱角２θに対して、ｑ値＝０．０１～０．２４Å^－１の範囲で、横軸をｑ値とし、縦軸をＩとする「ｑ－Ｉ一次元ＳＡＸＳ強度スペクトル」を得る。ｑ値は散乱ベクトルであり、ｑ＝４πｓｉｎθ／λ、である。
　上記とは別に、測定用試料なしのバックグラウンドのＳＡＸＳ測定を、測定用試料ありでのＳＡＸＳ測定と同じ積算時間で実施し、上記と同様にｑ－Ｉ一次元ＳＡＸＳ強度スペクトルを得る。こうして得られる一次元ＳＡＸＳ強度スペクトルが、バックグラウンドのｑ－Ｉ一次元ＳＡＸＳ強度スペクトルである。
　また、ＳＡＸＳ測定時の入射Ｘ線強度Ｉ_０および測定用試料透過後の透過Ｘ線強度Ｉを測定し、ＳＡＸＳ測定に使用するＸ線の測定用試料に対する透過率Ｔを、「Ｔ＝Ｉ／Ｉ_０」として求める。
　測定用試料について、子午線方向に関して得られたｑ－Ｉ一次元ＳＡＸＳ強度スペクトルおよび赤道方向に関して得られたｑ－Ｉ一次元ＳＡＸＳ強度スペクトルにおいて、各測定点でのｑ値をｑ、ｑ値＝ｑでの散乱強度を「Ｉ（ｑ）」と呼び、バックグラウンドのｑ－Ｉ一次元ＳＡＸＳ強度スペクトルにおける各測定点でのｑ値をｑ、ｑ値＝ｑでの散乱強度を「Ｉ＿Ｂｇ（ｑ）」と呼ぶ。「Ｂｇ」は、「Ｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ」の略称として用いている。
　各測定点でのｑ値について、Ｉ（ｑ）をＴで除した値からＩ＿Ｂｇ（ｑ）を差し引いた値「Ｉ（ｑ）／Ｔ－Ｉ＿Ｂｇ（ｑ）」として求められる正味の散乱強度（以下、単に「散乱強度」と記載する。）を縦軸とし、ｑ値を横軸とする「正味の一次元ＳＡＸＳ強度スペクトル」を求める。「正味の一次元ＳＡＸＳ強度スペクトル」を、以下では「Ｉ＿ｓａｘｓ（ｑ）」と呼ぶ。
「Ｉ＿ｓａｘｓ（ｑ）」について、ｑ値の順に移動平均化計算を行って移動平均化処理を施す。移動平均化計算は、測定全点について行い、中央１点と、この中央１点に対して、前（即ちｑ値が小さい側）５点、後（即ちｑ値が大きい側）５点の隣り合う計１１点の測定点について行う。ただし、ｑ値が最小の測定点、２番目に小さい測定点、３番目に小さい測定点、４番目に小さい測定点、５番目に小さい測定点、ｑ値が最大の測定点、２番目に大きい測定点、３番目に大きい測定点、４番目に大きい測定点および５番目に大きい測定点の合計１０点の測定点は、計算から除外する。こうして得られるスペクトルを、以下では「移動平均化処理済Ｉ＿ｓａｘｓ（ｑ）」と呼ぶ。
　正味の一次元ＳＡＸＳ強度スペクトル「Ｉ＿ｓａｘｓ（ｑ）」は、以下の２つの条件を満足するものとする。
　条件１：「０．２０Å^－１≦ｑ≦０．２４Å^－１」の範囲において、測定全点の散乱強度の算術平均（Ａｖｅ）を標準偏差（σ）で割った値「Ａｖｅ／σ」をＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ－ｔｏ－Ｎｏｉｓｅ　Ｒａｔｉｏ）とし、ＳＮＲの値が３．０以上である。「Ａｖｅ」は、「Ａｖｅｒａｇｅ」の略称として用いている。
　条件２：「０．０１Å^－１≦ｑ≦０．０２Å^－１」の範囲において、指数減衰関数（Ｉ＝ａ＊ｅｘｐ（－ｂ＊ｑ））で最小二乗法にてフィッティングした際、相関決定係数Ｒ^２が、Ｒ^２≧０．９５以上である。上記の指数減衰関数の関係式において、「ｑ」はＩ＿ｓａｘｓ（ｑ）におけるｑ値であり、「Ｉ」はフィッティング処理で得られるＩ＿ｓａｘｓ（ｑ）の近似関数である。また、「ａ」および「ｂ」は、フィッティング処理において決定される係数である。
　上記条件の一方または両方を満たさない正味の一次元ＳＡＸＳ強度スペクトル「Ｉ＿ｓａｘｓ（ｑ）」が得られた場合には、ＳＡＸＳ測定に使用するＸ線源の種類、Ｘ線のエネルギーならびに透過率Ｔおよび散乱光を求めるためのＸ線強度の測定方法の１つ以上を変更して、改めて正味の一次元ＳＡＸＳ強度スペクトル「Ｉ＿ｓａｘｓ（ｑ）」を得ることを、上記２つの条件を満たす正味の一次元ＳＡＸＳ強度スペクトル「Ｉ＿ｓａｘｓ（ｑ）」が得られるまで繰り返すものとする。
　上記２つの条件を満たす正味の一次元ＳＡＸＳ強度スペクトル「Ｉ＿ｓａｘｓ（ｑ）」を用いて計算した「移動平均化処理済Ｉ＿ｓａｘｓ（ｑ）」をｑ値にて一階微分して一階微分スペクトルを得る。一階微分スペクトルでは、縦軸は散乱強度変化率（無単位）であり、横軸はｑ値（単位：Å^―１）である。尚、一階微分スペクトルは、グラフ化することは必須ではなく、例えば、各測定点でのｑ値における散乱強度変化率を示す表データを用いてもよい。この点は、一階微分前および移動平均化処理前後の各種スペクトルについても同様である。
　上記一階微分スペクトルに対して、ｑ値の順に移動平均化計算を行って移動平均化処理を施す。移動平均化計算は、１階微分前のデータとして得られている移動平均化処理済Ｉ＿ｓａｘｓ（ｑ）とｑ値の対で構成されるデータについて行い、中央１点と、この中央１点に対して、前（即ちｑ値が小さい側）２点、後（即ちｑ値が大きい側）２点の隣り合う計５点のデータについて行う。ただし、ｑ値が最小のデータ、２番目に小さいデータ、ｑ値が最大のデータおよび２番目に大きいデータの合計４点のデータは計算から除外する。子午線方向および赤道方向について、それぞれ得られた移動平均化処理済一階微分スペクトルを、後述のｑ_ｍｉｎおよびｑ_ｍａｘを求めるために用いる。

（３）散乱強度比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎの算出
　上記（２）で得られた移動平均化処理済一階微分スペクトルにおいて、ｑ値が０．０１～０．１０Å^－１の領域で、ｑ値が０．０１Å^－１からｑ値が増加する方向に向かって、縦軸の散乱強度変化率が最初に「負または０」から「正」に転じる際の転じる直前の測定点における散乱強度変化率を、「散乱強度変化率の極小値Ｖ_ｍｉｎ」とし、極小値Ｖ_ｍｉｎを取るｑ値を「ｑ_ｍｉｎ」とする。更に、ｑ値がｑ_ｍｉｎより大きい領域でｑ値が増加する方向に向かって、縦軸の散乱強度変化率が最初に「正」から「負または０」に転じる際の転じた直後の測定点における散乱強度変化率を、「散乱強度変化率の極大値Ｖ_ｍａｘ」とし、極大値Ｖ_ｍａｘを取るｑ値を「ｑ_ｍａｘ」とする。したがって、ｑ_ｍｉｎ＜ｑ_ｍａｘ、である。「Ｖ」は「Ｖａｒｉａｔｉｏｎ（変化率）」、「ｍｉｎ」は「ｌｏｃａｌ　ｍｉｎｉｍｕｍ（極小）」、「ｍａｘ」は「ｌｏｃａｌ　ｍａｘｉｍｕｍ（極大）」の略称として用いている。
　上記の一階微分を施す前の移動平均化処理済Ｉ＿ｓａｘｓ（ｑ）について、子午線方向および赤道方向で、それぞれ上記のように求めたｑ_ｍｉｎでの散乱強度Ｉ_ｍｉｎに対するｑ_ｍａｘでの散乱強度Ｉ_ｍａｘの比（Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎ）を求める。こうして両方向についてそれぞれ求められた比（Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎ）の算術平均を、測定対象の非磁性支持体の散乱強度比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎとする。

　上記磁気テープに含まれる非磁性支持体は、上記のように求められる散乱強度比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎが、２．７以上である。本発明者は、散乱強度比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎは、非磁性支持体に含まれる結晶部の配列状態の指標になり得る値と考えている。結晶部とは、高分子鎖が規則性を持って配列している領域ということができ、非晶質部と比べて硬い領域であり得る。そのような結晶部がある程度の大きさを持ち、かつ結晶部同士が規則性を持って分布すると、散乱強度比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎの値は大きくなると推察される。散乱強度比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎの値が２．７以上となる状態で結晶部が存在する非磁性支持体は高硬度であり、保管中の変形への耐性に優れると考えられる。保管中の磁気テープの変形をより一層抑制する観点から、上記非磁性支持体の散乱強度比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎは、２．８以上であることが好ましく、２．９以上であることがより好ましい。また、上記非磁性支持体の散乱強度比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎは、例えば、２０．０以下、１５．０以下もしくは１０．０以下であることができ、または、ここに例示した値を上回ることもできる。散乱強度比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎは、例えば、非磁性支持体の製造条件によって制御することができる。この点については後述する。

（ガラス転移温度Ｔｇ）
　上記磁気テープに含まれる非磁性支持体のガラス転移温度Ｔｇは、１４０℃以上である。このことも、上記磁気テープの保管中の変形を抑制することに寄与し得ると本発明者は考えている。ガラス転移温度Ｔｇが１４０℃以上と高い非磁性支持体は、非磁性支持体に含まれる高分子鎖の鎖間の拘束力が強いと考えられ、このことが保管中の変形への耐性を高めることにつながると考えられる。保管中の磁気テープの変形をより一層抑制する観点から、上記非磁性支持体のガラス転移温度Ｔｇは、１４２℃以上であることが好ましく、１４５℃以上であることがより好ましく、１５０℃以上であることが更に好ましい。また、上記非磁性支持体のガラス転移温度Ｔｇは、例えば、１８０℃以下、１７５℃以下、１７０℃以下もしくは１６５℃以下であることができ、または、ここに例示した値を上回ることもできる。非磁性支持体のガラス転移温度は、例えば、非磁性支持体を構成する樹脂の種類に依り得る。非磁性支持体を構成し得る樹脂については後述する。

　本発明および本明細書における非磁性支持体のガラス転移温度Ｔｇは、ＪＩＳ　Ｋ　７１２１－１９８７「プラスチックの転移温度測定方法」にしたがい求められ、詳しくは、以下の方法によって測定される値とする。
　測定対象の非磁性支持体から試料片を切り出す。磁気テープから公知の方法で非磁性支持体以外の部分を除去して得られた支持体から、試料片を切り出すことができる。
　ガラス転移温度Ｔｇの測定は、示差走査熱量計（ＤＳＣ；Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ　Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）によって行う。ＤＳＣとしては、例えば、ＴＡ　ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＱ１００型を使用することができる。
　上記試料片を、雰囲気温度が２３±２℃であり相対湿度が５０±５％の環境に２４時間以上置いた後、ＤＳＣにセットし、以下の２回の昇降温を行う。２回目の昇温時に得たＤＳＣプロファイルを用いて、ＪＩＳ　Ｋ　７１２１－１９８７「プラスチックの転移温度測定方法」の項目９．３（２）に記載の補外ガラス転移開始温度（上記ＪＩＳにおいて「Ｔｉｇ」と表記されている。）を求め、これをガラス転移温度Ｔｇとする。
　（１回目の昇降温）
　　昇温：３００℃まで昇温し１０分保持
　　降温：２５℃まで冷却する
　　昇温速度：１０℃／ｍｉｎ
　　降温速度：５℃／ｍｉｎ
　　測定時の窒素ガス流量：５０ｍｌ／ｍｉｎ
　（２回目の昇降温）
　　昇温：３００℃まで昇温し１０分保持
　　降温：任意
　　昇温速度：１０℃／ｍｉｎ
　　降温速度：任意
　　測定時の窒素ガス流量：５０ｍｌ／ｍｉｎ

　以上説明したように、散乱強度比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎが２．７以上であり、かつガラス転移温度が１４０℃以上であることが、保管中の磁気テープの変形抑制に寄与し得ると本発明者は考えている。磁気テープについては、近年、変形がより生じ易い環境（例えば、より高温高湿の環境）での使用に耐え得る磁気テープのニーズが高まっている。また、高容量化に伴い、トラック数が増えトラック密度が高まっているため、磁気テープが変形すると再生エラーがより発生し易くなっている。かかる状況下、磁気テープへの変形抑制への要求は、より厳しくなっている。上記磁気テープは、そのような変形抑制への厳しい要求に耐え得る磁気テープであることができる。

（中心線平均粗さＲａ）
　磁気テープの磁性層が表面平滑性に優れることは、スペーシングロス低減につながり、電磁変換特性向上に寄与し得る。表面平滑性に優れる磁性層を形成する観点から、非磁性支持体の磁性層を有する側の表面平滑性が高いことは好ましい。この点から、上記磁気テープに含まれる非磁性支持体は、磁性層を有する側の表面の光干渉粗さ計により測定される中心線平均粗さが１５．０ｎｍ以下であることが好ましく、１２．０ｎｍ以下であることがより好ましく、１０．０ｎｍ以下であることが更に好ましい。一方、磁気テープ作製時の非磁性支持体のハンドリングの容易性の観点から、上記磁気テープに含まれる非磁性支持体は、磁性層を有する側の表面の光干渉粗さ計により測定される中心線平均粗さＲａが０．１ｎｍ以上であることが好ましく、０．１５ｎｍ以上であることがより好ましく、０．２ｎｍ以上であることが更に好ましく、０．３ｎｍ以上であることが一層好ましい。

　本発明および本明細書における中心線平均粗さＲａは、光干渉粗さ計により測定して求められる値である。詳しくは、倍率２０倍の対物レンズおよび倍率１倍のズームレンズを使用して測定対象表面の長辺３４０～３６０μｍ×短辺２５０～２７０μｍのサイズの領域において測定を行い、測定後、１．６５μｍ以下の波長成分および５０μｍ以上の波長成分は除去されるようにフィルタ処理し、更に、Ｃｙｌｉｎｄｅｒフィルタにて歪を除去してＲａ値を求める。光干渉粗さ計としては、例えば、Ｚｙｇｏ社製ｎｅｗｖｉｅｗ６３００型を使用することができ、フィルタ処理には、同光干渉粗さ計用のソフトｍｅｔｒｏｐｒｏ８．３．５を用いることができる。非磁性支持体の表面の中心線平均粗さＲａについては、磁気テープから公知の方法で、非磁性支持体の磁性層側に積層されている層を除去して非磁性支持体の表面を露出させ、この表面について中心線平均粗さＲａを求めることができる。

（非磁性支持体の種類）
　上記磁気テープに含まれる非磁性支持体は、樹脂フィルムを含む支持体であることができる。上記樹脂としては、１４０℃以上のガラス転移温度Ｔｇを有する支持体を作製可能な種類の樹脂であることが好ましい。この点からは、上記非磁性支持体は、芳香族ポリエーテルケトン支持体であることが好ましい。本発明および本明細書において、「芳香族ポリエーテルケトン」とは、エーテル結合、フェニレン基およびケトン結合が「エーテル結合－フェニレン基－ケトン結合－フェニレン基」の順に連結した部分構造を複数有する樹脂をいうものとする。上記において「－」は、直接結合していることを示す。各フェニレン基への上記結合の結合位置は、それぞれ独立に、パラ位、オルト位またはメタ位のいずれかであり、例えばパラ位であることができる。上記部分構造に含まれる複数のフェニレン基は、それぞれ独立に無置換フェニレン基または置換フェニレン基であることができる。以上の点は、後述する各種芳香族ポリエーテルケトンについても同様である。本発明および本明細書における「芳香族ポリエーテルケトン」には、樹脂を構成する繰り返し単位が上記部分構造のもののみからなるものと、上記部分構造と他の部分構造とを含むものと、が包含される。「芳香族ポリエーテルケトン支持体」とは、少なくとも１層の芳香族ポリエーテルケトンフィルムを含む支持体を意味する。「芳香族ポリエーテルケトンフィルム」とは、このフィルムを構成する成分の中で質量基準で最も多くを占める成分が芳香族ポリエーテルケトンであるフィルムをいうものとする。本発明および本明細書における「芳香族ポリエーテルケトン支持体」には、この支持体に含まれる樹脂フィルムがすべて芳香族ポリエーテルケトンフィルムであるものと、芳香族ポリエーテルケトンフィルムと他の樹脂フィルムとを含むものとが包含される。芳香族ポリエーテルケトンフィルム支持体の具体的形態としては、単層の芳香族ポリエーテルケトンフィルム、構成成分が同じ二層以上の芳香族ポリエーテルケトンフィルムの積層フィルム、構成成分が異なる二層以上の芳香族ポリエーテルケトンフィルムの積層フィルム、１層以上の芳香族ポリエーテルケトンフィルムおよび１層以上の芳香族ポリエーテルケトン以外の樹脂フィルムを含む積層フィルム等を挙げることができる。積層フィルムにおいて隣り合う２層の間に接着層等が任意に含まれていてもよい。また、芳香族ポリエーテルケトン支持体には、一方または両方の表面に蒸着等によって形成された金属膜および／または金属酸化物膜が任意に含まれていてもよい。芳香族ポリエーテルケトンとしては、エーテル結合とケトン結合とがフェニレン基を介して交互に含まれるポリエーテルケトン（ＰＥＫ；ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ）；エーテル結合とケトン結合とがフェニレン基を介して「エーテル結合、エーテル結合、ケトン結合」の順に含まれるポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ；ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ）；エーテル結合とケトン結合とがフェニレン基を介して「エーテル結合、ケトン結合、ケトン結合」の順に含まれるポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ；ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅｋｅｔｏｎｅ）；エーテル結合とケトン結合とがフェニレン基を介して「エーテル結合、エーテル結合、ケトン結合、ケトン結合」の順に含まれるポリエーテルエーテルケトンケトン（ＰＥＥＫＫ；ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅｋｅｔｏｎｅ）；エーテル結合とケトン結合とがフェニレン基を介して「エーテル結合、ケトン結合、エーテル結合、ケトン結合、ケトン結合」の順に含まれるポリエーテルケトンエーテルケトンケトン（ＰＥＫＥＫＫ；ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅｋｅｔｏｎｅ）等が挙げられ、ポリエーテルエーテルケトンおよびポリエーテルケトンケトンが好ましい。詳しくは、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）は、エーテル結合、フェニレン基およびケトン結合が「エーテル結合－フェニレン基－エーテル結合－フェニレン基－ケトン結合－フェニレン基」の順に連結した部分構造を複数有する樹脂である。本発明および本明細書における「ポリエーテルエーテルケトン」には、樹脂を構成する繰り返し単位が上記部分構造のもののみからなるものと、上記部分構造と他の部分構造とを含むものと、が包含される。ポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）は、エーテル結合、フェニレン基およびケトン結合が「エーテル結合－フェニレン基－ケトン結合－フェニレン基－ケトン結合－フェニレン基」の順に連結した部分構造を複数有する樹脂である。本発明および本明細書における「ポリエーテルケトンケトン」には、樹脂を構成する繰り返し単位が上記部分構造のもののみからなるものと、上記部分構造と他の部分構造とを含むものと、が包含される。

（非磁性支持体の製造方法）
　上記磁気テープに含まれる非磁性支持体は、例えば、市販の樹脂フィルムまたは公知の方法で作製した樹脂フィルムに延伸処理を行う工程を含む製造工程を経て製造することができる。長手方向と幅方向の２方向に延伸する延伸処理が、二軸延伸である。長手方向での延伸と幅方向での延伸は、同時に行うことができ、または逐次行うことができる。非磁性支持体の長手方向は、支持体原反製造時のＭＤ方向（Ｍａｃｈｉｎｅ　ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）であり、非磁性支持体の幅方向は、支持体原反製造時のＴＤ方向（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ　ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）である。ＭＤ方向は、支持体原反製造時の支持体原反の走行方向であって、ＴＤ方向は、ＭＤ方向と直交する方向である。延伸倍率は、長手方向および幅方向において、それぞれ２．６倍以上であることが好ましく、２．８倍以上であることがより好ましい。延伸倍率は、延伸処理前の寸法に対する延伸処理後の寸法の倍率である。また、結晶析出によって支持体の表面平滑性が低下することを抑制する観点からは、延伸倍率は、長手方向および幅方向において、それぞれ６．０倍以下であることが好ましく、破断の発生を抑制して安定的に延伸を行うことも考慮すると、３．３倍以下であることがより好ましい。また、延伸温度は、例えば１５０℃以上または１５５℃以上であることができる。結晶析出によって支持体の表面平滑性が低下することを抑制する観点からは、延伸温度は、１７５℃以下であることが好ましく、１７０℃以下であることがより好ましく、１６５℃以下であることが更に好ましい。ここで「延伸温度」とは、延伸処理が行われる環境の雰囲気温度をいうものとする。延伸処理における延伸レートは、例えば、１０～９００００％／分の範囲とすることができ、２０～１００００％／分の範囲とすることが好ましく、５０～３０００％／分の範囲とすることがより好ましい。延伸レートとは、（（延伸処理後の寸法／延伸処理前の寸法）－１）×１００（単位：％）を、延伸処理時間（単位：分）で除した値である。

　延伸処理後の樹脂フィルムには、任意に公知の後処理を施すことができる。後処理の具体例としては、熱処理を挙げることができる。熱処理は、例えば、延伸温度以上の雰囲気温度の環境に延伸処理後の樹脂フィルムを保持することによって行うことができる。熱処理温度は、例えば、延伸温度以上であって樹脂フィルムの融点よりも１０℃低い温度以下であることが好ましく、延伸温度以上であって樹脂フィルムの融点よりも２０℃低い温度以下であることがより好ましい。尚、融点は、ＪＩＳ　Ｋ　７１２１－１９８７に記載の融解ピーク温度の測定方法にしたがって測定することができる。熱処理は、延伸処理によって配向した樹脂の高分子鎖の配向状態を固定化することに寄与し得る。熱処理での弛緩率は、長手方向および幅方向において、それぞれ０．８０倍以上１．００倍未満であることができる。弛緩率は、熱処理前の寸法に対する熱処理後の寸法の倍率である。

　非磁性支持体には、その上に磁性層等の層を形成する前に、コロナ放電、プラズマ処理、易接着処理等の処理の一種以上を施してもよい。

＜磁性層＞
（強磁性粉末）
　磁性層は、強磁性粉末を含む。磁性層に含まれる強磁性粉末としては、各種磁気記録媒体の磁性層において用いられる強磁性粉末として公知の強磁性粉末を使用することができる。強磁性粉末として平均粒子サイズの小さいものを使用することは記録密度向上の観点から好ましい。この点から、強磁性粉末の平均粒子サイズは５０ｎｍ以下であることが好ましく、４５ｎｍ以下であることがより好ましく、４０ｎｍ以下であることが更に好ましく、３５ｎｍ以下であることが一層好ましく、３０ｎｍ以下であることがより一層好ましく、２５ｎｍ以下であることが更に一層好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子サイズは５ｎｍ以上であることが好ましく、８ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることが更に好ましく、１５ｎｍ以上であることが一層好ましく、２０ｎｍ以上であることがより一層好ましい。

六方晶フェライト粉末
　強磁性粉末の好ましい具体例としては、六方晶フェライト粉末を挙げることができる。六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば、特開２０１１－２２５４１７号公報の段落００１２～００３０、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３４～０１３６、特開２０１２－２０４７２６号公報の段落００１３～００３０および特開２０１５－１２７９８５号公報の段落００２９～００８４を参照できる。

　本発明および本明細書において、「六方晶フェライト粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相として六方晶フェライト型の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。主相とは、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが帰属する構造をいう。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが六方晶フェライト型の結晶構造に帰属される場合、六方晶フェライト型の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。Ｘ線回折分析によって単一の構造のみが検出された場合には、この検出された構造を主相とする。六方晶フェライト型の結晶構造は、構成原子として、少なくとも鉄原子、二価金属原子および酸素原子を含む。二価金属原子とは、イオンとして二価のカチオンになり得る金属原子であり、ストロンチウム原子、バリウム原子、カルシウム原子等のアルカリ土類金属原子、鉛原子等を挙げることができる。本発明および本明細書において、六方晶ストロンチウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がストロンチウム原子であるものをいい、六方晶バリウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がバリウム原子であるものをいう。主な二価金属原子とは、この粉末に含まれる二価金属原子の中で、原子％基準で最も多くを占める二価金属原子をいうものとする。ただし、上記の二価金属原子には、希土類原子は包含されないものとする。本発明および本明細書における「希土類原子」は、スカンジウム原子（Ｓｃ）、イットリウム原子（Ｙ）、およびランタノイド原子からなる群から選択される。ランタノイド原子は、ランタン原子（Ｌａ）、セリウム原子（Ｃｅ）、プラセオジム原子（Ｐｒ）、ネオジム原子（Ｎｄ）、プロメチウム原子（Ｐｍ）、サマリウム原子（Ｓｍ）、ユウロピウム原子（Ｅｕ）、ガドリニウム原子（Ｇｄ）、テルビウム原子（Ｔｂ）、ジスプロシウム原子（Ｄｙ）、ホルミウム原子（Ｈｏ）、エルビウム原子（Ｅｒ）、ツリウム原子（Ｔｍ）、イッテルビウム原子（Ｙｂ）、およびルテチウム原子（Ｌｕ）からなる群から選択される。

　以下に、六方晶フェライト粉末の一形態である六方晶ストロンチウムフェライト粉末について、更に詳細に説明する。

　六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００～１５００ｎｍ^３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化された六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気テープの作製のために好適である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００ｎｍ^３以上であり、例えば８５０ｎｍ^３以上であることもできる。また、電磁変換特性の更なる向上の観点から、六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、１４００ｎｍ^３以下であることがより好ましく、１３００ｎｍ^３以下であることが更に好ましく、１２００ｎｍ^３以下であることが一層好ましく、１１００ｎｍ^３以下であることがより一層好ましい。

　「活性化体積」とは、磁化反転の単位であって、粒子の磁気的な大きさを示す指標である。本発明および本明細書に記載の活性化体積および後述の異方性定数Ｋｕは、振動試料型磁束計を用いて保磁力Ｈｃ測定部の磁場スイープ速度３分と３０分とで測定し（測定温度：２３℃±１℃）、以下のＨｃと活性化体積Ｖとの関係式から求められる値である。なお異方性定数Ｋｕの単位に関して、１ｅｒｇ／ｃｃ＝１．０×１０^－１Ｊ／ｍ^３である。
　Ｈｃ＝２Ｋｕ／Ｍｓ｛１－［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（Ａｔ／０．６９３）］^１／２｝
［上記式中、Ｋｕ：異方性定数（単位：Ｊ／ｍ^３）、Ｍｓ：飽和磁化（単位：ｋＡ／ｍ）、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度（単位：Ｋ）、Ｖ：活性化体積（単位：ｃｍ^３）、Ａ：スピン歳差周波数（単位：ｓ^－１）、ｔ：磁界反転時間（単位：ｓ）］

　熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、好ましくは１．８×１０^５Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは２．０×１０^５Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができる。また、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のＫｕは、例えば２．５×１０^５Ｊ／ｍ^３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。

　六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含んでいてもよく、含まなくてもよい。六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、鉄原子１００原子％に対して、０．５～５．０原子％の含有率（バルク含有率）で希土類原子を含むことが好ましい。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一形態では、希土類原子表層部偏在性を有することができる。本発明および本明細書における「希土類原子表層部偏在性」とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により部分溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子表層部含有率」または希土類原子に関して単に「表層部含有率」と記載する。）が、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により全溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子バルク含有率」または希土類原子に関して単に「バルク含有率」と記載する。）と、
　希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０
の比率を満たすことを意味する。後述の六方晶フェライト粉末の希土類原子含有率とは、希土類原子バルク含有率と同義である。これに対し、酸を用いる部分溶解は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部を溶解するため、部分溶解により得られる溶解液中の希土類原子含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部における希土類原子含有率である。希土類原子表層部含有率が、「希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０」の比率を満たすことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。本発明および本明細書における表層部とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面から内部に向かう一部領域を意味する。

　六方晶フェライト粉末が希土類原子を含む場合、希土類原子含有率（バルク含有率）は、鉄原子１００原子％に対して０．５～５．０原子％の範囲であることが好ましい。上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることは、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することに寄与すると考えられる。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末が上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることにより、異方性定数Ｋｕを高めることができるためと推察される。異方性定数Ｋｕは、この値が高いほど、いわゆる熱揺らぎと呼ばれる現象の発生を抑制すること（換言すれば熱的安定性を向上させること）ができる。熱揺らぎの発生が抑制されることにより、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の粒子表層部に希土類原子が偏在することが、表層部の結晶格子内の鉄（Ｆｅ）のサイトのスピンを安定化することに寄与し、これにより異方性定数Ｋｕが高まるのではないかと推察される。
　また、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末を磁性層の強磁性粉末として用いることは、磁気ヘッドとの摺動によって磁性層表面が削れることを抑制することにも寄与すると推察される。即ち、磁気テープの走行耐久性の向上にも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末が寄与し得ると推察される。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面に希土類原子が偏在することが、粒子表面と磁性層に含まれる有機物質（例えば、結合剤および／または添加剤）との相互作用の向上に寄与し、その結果、磁性層の強度が向上するためではないかと推察される。
　繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点および／または走行耐久性の更なる向上の観点からは、希土類原子含有率（バルク含有率）は、０．５～４．５原子％の範囲であることがより好ましく、１．０～４．５原子％の範囲であることが更に好ましく、１．５～４．５原子％の範囲であることが一層好ましい。

　上記バルク含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる含有率である。なお本発明および本明細書において、特記しない限り、原子について含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められるバルク含有率をいうものとする。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子として一種の希土類原子のみ含んでもよく、二種以上の希土類原子を含んでもよい。二種以上の希土類原子を含む場合の上記バルク含有率とは、二種以上の希土類原子の合計について求められる。この点は、本発明および本明細書における他の成分についても同様である。即ち、特記しない限り、ある成分は、一種のみ用いてもよく、二種以上用いてもよい。二種以上用いられる場合の含有量または含有率とは、二種以上の合計についていうものとする。

　六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、含まれる希土類原子は、希土類原子のいずれか一種以上であればよい。繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点から好ましい希土類原子としては、ネオジム原子、サマリウム原子、イットリウム原子およびジスプロシウム原子を挙げることができ、ネオジム原子、サマリウム原子およびイットリウム原子がより好ましく、ネオジム原子が更に好ましい。

　希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、偏在の程度は限定されるものではない。例えば、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末について、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は１．０超であり、１．５以上であることができる。「表層部含有率／バルク含有率」が１．０より大きいことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。また、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は、例えば、１０．０以下、９．０以下、８．０以下、７．０以下、６．０以下、５．０以下、または４．０以下であることができる。ただし、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、上記の「表層部含有率／バルク含有率」は、例示した上限または下限に限定されるものではない。

　六方晶ストロンチウムフェライト粉末の部分溶解および全溶解について、以下に説明する。粉末として存在している六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、部分溶解および全溶解する試料粉末は、同一ロットの粉末から採取する。一方、磁気テープの磁性層に含まれている六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、磁性層から取り出した六方晶ストロンチウムフェライト粉末の一部を部分溶解に付し、他の一部を全溶解に付す。磁性層からの六方晶ストロンチウムフェライト粉末の取り出しは、例えば、特開２０１５－９１７４７号公報の段落００３２に記載の方法によって行うことができる。
　上記部分溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認できる程度に溶解することをいう。例えば、部分溶解により、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子について、粒子全体を１００質量％として１０～２０質量％の領域を溶解することができる。一方、上記全溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認されない状態まで溶解することをいう。
　上記部分溶解および表層部含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。ただし、下記の試料粉末量等の溶解条件は例示であって、部分溶解および全溶解が可能な溶解条件を任意に採用できる。
　試料粉末１２ｍｇおよび１ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍｌを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度７０℃のホットプレート上で１時間保持する。得られた溶解液を０．１μｍのメンブレンフィルタでろ過する。こうして得られたろ液の元素分析を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）分析装置によって行う。こうして、鉄原子１００原子％に対する希土類原子の表層部含有率を求めることができる。元素分析により複数種の希土類原子が検出された場合には、全希土類原子の合計含有率を、表層部含有率とする。この点は、バルク含有率の測定においても、同様である。
　一方、上記全溶解およびバルク含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。
　試料粉末１２ｍｇおよび４ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍｌを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度８０℃のホットプレート上で３時間保持する。その後は上記の部分溶解および表層部含有率の測定と同様に行い、鉄原子１００原子％に対するバルク含有率を求めることができる。

　磁気テープに記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気テープに含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、希土類原子を含むものの希土類原子表層部偏在性を持たない六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含まない六方晶ストロンチウムフェライト粉末と比べてσｓが大きく低下する傾向が見られた。これに対し、そのようなσｓの大きな低下を抑制するうえでも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末は好ましいと考えられる。一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のσｓは、４５Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることができ、４７Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることもできる。一方、σｓは、ノイズ低減の観点からは、８０Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることが好ましく、６０Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることがより好ましい。σｓは、振動試料型磁束計等の磁気特性を測定可能な公知の測定装置を用いて測定することができる。本発明および本明細書において、特記しない限り、質量磁化σｓは、磁場強度１１９４ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）で測定される値とする。

　六方晶フェライト粉末の構成原子の含有率（バルク含有率）に関して、ストロンチウム原子含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば２．０～１５．０原子％の範囲であることができる。一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、この粉末に含まれる二価金属原子がストロンチウム原子のみであることができる。また他の一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、ストロンチウム原子に加えて一種以上の他の二価金属原子を含むこともできる。例えば、バリウム原子および／またはカルシウム原子を含むことができる。ストロンチウム原子以外の他の二価金属原子が含まれる場合、六方晶ストロンチウムフェライト粉末におけるバリウム原子含有率およびカルシウム原子含有率は、それぞれ、例えば、鉄原子１００原子％に対して、０．０５～５．０原子％の範囲であることができる。

　六方晶フェライトの結晶構造としては、マグネトプランバイト型（「Ｍ型」とも呼ばれる。）、Ｗ型、Ｙ型およびＺ型が知られている。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、いずれの結晶構造を取るものであってもよい。結晶構造は、Ｘ線回折分析によって確認することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によって、単一の結晶構造または二種以上の結晶構造が検出されるものであることができる。例えば一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によってＭ型の結晶構造のみが検出されるものであることができる。例えば、Ｍ型の六方晶フェライトは、ＡＦｅ_１２Ｏ_１９の組成式で表される。ここでＡは二価金属原子を表し、六方晶ストロンチウムフェライト粉末がＭ型である場合、Ａはストロンチウム原子（Ｓｒ）のみであるか、またはＡとして複数の二価金属原子が含まれる場合には、上記の通り原子％基準で最も多くをストロンチウム原子（Ｓｒ）が占める。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の二価金属原子含有率は、通常、六方晶フェライトの結晶構造の種類により定まるものであり、特に限定されるものではない。鉄原子含有率および酸素原子含有率についても、同様である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、少なくとも、鉄原子、ストロンチウム原子および酸素原子を含み、更に希土類原子を含むこともできる。更に、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、これら原子以外の原子を含んでもよく、含まなくてもよい。一例として、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、アルミニウム原子（Ａｌ）を含むものであってもよい。アルミニウム原子の含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば０．５～１０．０原子％であることができる。繰り返し再生における再生出力低下をより一層抑制する観点からは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子を含み、これら原子以外の原子の含有率が、鉄原子１００原子％に対して、１０．０原子％以下であることが好ましく、０～５．０原子％の範囲であることがより好ましく、０原子％であってもよい。即ち、一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子以外の原子を含まなくてもよい。上記の原子％で表示される含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる各原子の含有率（単位：質量％）を、各原子の原子量を用いて原子％表示の値に換算して求められる。また、本発明および本明細書において、ある原子について「含まない」とは、全溶解してＩＣＰ分析装置により測定される含有率が０質量％であることをいう。ＩＣＰ分析装置の検出限界は、通常、質量基準で０．０１ｐｐｍ（ｐａｒｔｓ　ｐｅｒ　ｍｉｌｌｉｏｎ）以下である。上記の「含まない」とは、ＩＣＰ分析装置の検出限界未満の量で含まれることを包含する意味で用いるものとする。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一形態では、ビスマス原子（Ｂｉ）を含まないものであることができる。

金属粉末
　強磁性粉末の好ましい具体例としては、強磁性金属粉末を挙げることもできる。強磁性金属粉末の詳細については、例えば特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１３７～０１４１および特開２００５－２５１３５１号公報の段落０００９～００２３を参照できる。

ε－酸化鉄粉末
　強磁性粉末の好ましい具体例としては、ε－酸化鉄粉末を挙げることもできる。本発明および本明細書において、「ε－酸化鉄粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相としてε－酸化鉄型の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークがε－酸化鉄型の結晶構造に帰属される場合、ε－酸化鉄型の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。ε－酸化鉄粉末の製造方法としては、ゲーサイトから作製する方法、逆ミセル法等が知られている。上記製造方法は、いずれも公知である。また、Ｆｅの一部がＧａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ等の置換原子によって置換されたε－酸化鉄粉末を製造する方法については、例えば、Ｊ．　Ｊｐｎ．　Ｓｏｃ．　Ｐｏｗｄｅｒ　Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ　Ｖｏｌ．　６１　Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ，　Ｎｏ．　Ｓ１，　ｐｐ．　Ｓ２８０－Ｓ２８４、Ｊ．　Ｍａｔｅｒ．　Ｃｈｅｍ．　Ｃ，　２０１３，　１，　ｐｐ．５２００－５２０６等を参照できる。ただし、上記磁気テープの磁性層において強磁性粉末として使用可能なε－酸化鉄粉末の製造方法は、ここで挙げた方法に限定されない。

　ε－酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００～１５００ｎｍ^３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化されたε－酸化鉄粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気テープの作製のために好適である。ε－酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００ｎｍ^３以上であり、例えば５００ｎｍ^３以上であることもできる。また、電磁変換特性の更なる向上の観点から、ε－酸化鉄粉末の活性化体積は、１４００ｎｍ^３以下であることがより好ましく、１３００ｎｍ^３以下であることが更に好ましく、１２００ｎｍ^３以下であることが一層好ましく、１１００ｎｍ^３以下であることがより一層好ましい。

　熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。ε－酸化鉄粉末は、好ましくは３．０×１０^４Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは８．０×１０^４Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができる。また、ε－酸化鉄粉末のＫｕは、例えば３．０×１０^５Ｊ／ｍ^３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し、好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。

　磁気テープに記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気テープに含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、一形態では、ε－酸化鉄粉末のσｓは、８Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることができ、１２Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることもできる。一方、ε－酸化鉄粉末のσｓは、ノイズ低減の観点からは、４０Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることが好ましく、３５Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることがより好ましい。

　本発明および本明細書において、特記しない限り、強磁性粉末等の各種粉末の平均粒子サイズは、透過型電子顕微鏡を用いて、以下の方法により測定される値とする。
　粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントするか、ディスプレイに表示する等して、粉末を構成する粒子の写真を得る。得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子（一次粒子）のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。
　以上の測定を、無作為に抽出した５００個の粒子について行う。こうして得られた５００個の粒子の粒子サイズの算術平均を、粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて行うことができる。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ－９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ－４００を用いて測定された値である。本発明および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している態様に限定されず、後述する結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している態様も包含される。粒子との語が、粉末を表すために用いられることもある。

　粒子サイズ測定のために磁気テープから試料粉末を採取する方法としては、例えば特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００１５に記載の方法を採用することができる。

　本発明および本明細書において、特記しない限り、粉末を構成する粒子のサイズ（粒子サイズ）は、上記の粒子写真において観察される粒子の形状が、
（１）針状、紡錘状、柱状（ただし、高さが底面の最大長径より大きい）等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、即ち長軸長で表され、
（２）板状または柱状（ただし、厚みまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい）の場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
（３）球形、多面体状、不特定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものを言う。

　また、粉末の平均針状比は、上記測定において粒子の短軸の長さ、即ち短軸長を測定し、各粒子の（長軸長／短軸長）の値を求め、上記５００個の粒子について得た値の算術平均を指す。ここで、特記しない限り、短軸長とは、上記粒子サイズの定義で（１）の場合は、粒子を構成する短軸の長さを、同じく（２）の場合は、厚みまたは高さを各々指し、（３）の場合は、長軸と短軸の区別がないから、（長軸長／短軸長）は、便宜上１とみなす。
　そして、特記しない限り、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義（１）の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義（２）の場合、平均粒子サイズは平均板径である。同定義（３）の場合、平均粒子サイズは、平均直径（平均粒径、平均粒子径ともいう）である。

　磁性層における強磁性粉末の含有率（充填率）は、好ましくは５０～９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０～９０質量％の範囲である。磁性層において強磁性粉末の充填率が高いことは、記録密度向上の観点から好ましい。

（結合剤）
　上記磁気テープは塗布型磁気テープであることができ、磁性層に結合剤を含むことができる。結合剤は、一種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００２８～００３１、特開２００４－５７９５号公報の段落０００６～００２１等を参照できる。結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本発明および本明細書における平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって、下記測定条件により測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。後述の実施例に示す結合剤の平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。結合剤は、強磁性粉末１００．０質量部に対して、例えば１．０～８０．０質量部の量で使用することができる。非磁性層およびバックコート層の結合剤量については、磁性層の結合剤量に関する記載を、強磁性粉末を非磁性粉末に読み替えて適用することができる。
　ＧＰＣ装置：ＨＬＣ－８１２０（東ソー社製）
　カラム：ＴＳＫｇｅｌＭｕｌｔｉｐｏｒｅＨＸＬ－Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ(Ｉｎｎｅｒ　Ｄｉａｍｅｔｅｒ)×３０．０ｃｍ）
　溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）

　結合剤として使用可能な樹脂とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一形態では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一形態では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁性層形成工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。この点は、他の層を形成するために用いられる組成物が硬化剤を含む場合に、この組成物を用いて形成される層についても同様である。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１２４～０１２５を参照できる。磁性層形成用組成物の硬化剤の含有量は、結合剤１００．０質量部に対して例えば０～８０．０質量部であることができ、磁性層の強度向上の観点からは５０．０～８０．０質量部であることができる。この点は、非磁性層形成用組成物およびバックコート層形成用組成物についても同様である。

（添加剤）
　磁性層には、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、一例として、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれる添加剤としては、非磁性粉末（例えば無機粉末、カーボンブラック等）、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる。例えば、潤滑剤については、特開２０１６－１２６８１７号公報の段落００３０～００３３、００３５および００３６を参照できる。後述する非磁性層に潤滑剤が含まれていてもよい。非磁性層に含まれ得る潤滑剤については、特開２０１６－１２６８１７号公報の段落００３０～００３１、００３４、００３５および００３６を参照できる。分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１および００７１を参照できる。また、磁性層の添加剤については、特開２０１６－５１４９３号公報の段落００３５～００７７も参照できる。分散剤を非磁性層形成用組成物に添加してもよい。非磁性層形成用組成物に添加し得る分散剤については、特開２０１２－１３３８３７号公報の段落００６１を参照できる。また、磁性層に含まれ得る非磁性粉末としては、研磨剤として機能することができる非磁性粉末、磁性層表面に適度に突出する突起を形成する突起形成剤として機能することができる非磁性粉末（例えば非磁性コロイド粒子等）等が挙げられる。なお後述の実施例に示すコロイダルシリカ（シリカコロイド粒子）の平均粒子サイズは、特開２０１１－０４８８７８号公報の段落００１５に平均粒径の測定方法として記載されている方法により求められた値である。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して、または公知の方法で製造して、任意の量で使用することができる。研磨剤を含む磁性層に研磨剤の分散性を向上するために使用され得る添加剤の一例としては、特開２０１３－１３１２８５号公報の段落００１２～００２２に記載の分散剤を挙げることができる。

　先に記載したように、磁気テープの磁性層の表面平滑性が高いことは、電磁変換特性の向上に寄与し得る。電磁変換特性向上の観点から、上記磁気テープの磁性層表面の光干渉粗さ計により測定される中心線平均粗さＲａは、４．０ｎｍ以下であることが好ましく、３．８ｎｍ以下であることがより好ましく、３．７ｎｍ以下であることが更に好ましい。本発明および本明細書において、磁気テープの「磁性層（の）表面」とは、磁気テープの磁性層側表面と同義である。また、走行安定性向上の観点からは、上記磁気テープの磁性層表面の光干渉粗さ計により測定される中心線平均粗さＲａは、０．３ｎｍ以上であることが好ましく、０．５ｎｍ以上であることがより好ましい。

　以上説明した磁性層は、非磁性支持体表面上に直接、または非磁性層を介して間接的に、設けることができる。

＜非磁性層＞
　次に非磁性層について説明する。上記磁気テープは、非磁性支持体表面上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体表面上に非磁性粉末を含む非磁性層を介して磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機粉末でも有機粉末でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機粉末としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等の粉末が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１４６～０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００４０～００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有率（充填率）は、好ましくは５０～９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０～９０質量％の範囲である。

　非磁性層の結合剤、添加剤等のその他詳細は、非磁性層に関する公知技術が適用できる。また、例えば、結合剤の種類および含有量、添加剤の種類および含有量等に関しては、磁性層に関する公知技術も適用できる。

　本発明および本明細書において、非磁性層には、非磁性粉末とともに、例えば不純物として、または意図的に、少量の強磁性粉末を含む実質的に非磁性な層も包含されるものとする。ここで実質的に非磁性な層とは、この層の残留磁束密度が１０ｍＴ以下であるか、保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下であるか、または、残留磁束密度が１０ｍＴ以下であり、かつ保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下である層をいうものとする。非磁性層は、残留磁束密度および保磁力を持たないことが好ましい。

＜バックコート層＞
　上記磁気テープは、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を有することもでき、有さないこともできる。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末のいずれか一方または両方が含有されていることが好ましい。カーボンブラックとしては、例えば、平均粒子サイズが１７ｎｍ以上５０ｎｍ以下のカーボンブラック（以下、「微粒子カーボンブラック」と記載する。）を使用することができ、平均粒子サイズが５０ｎｍ超３００ｎｍ以下のカーボンブラック（以下、「粗粒子カーボンブラック」と記載する。）を使用することもできる。また、微粒子カーボンブラックと粗粒子カーボンブラックとを併用することもできる。
　無機粉末としては、一般に非磁性層に使用される非磁性粉末、一般に磁性層に研磨剤として使用される非磁性粉末等を挙げることができ、中でもα－酸化鉄、α－アルミナ等が好ましい。バックコート層の無機粉末の平均粒子サイズは、例えば５～２５０ｎｍの範囲であることができる。バックコート層の非磁性粉末として、カーボンブラックと無機粉末とを併用する場合、一形態では、非磁性粉末の合計量１００．０質量部に対して、無機粉末が５０．０質量部超含まれることが好ましく、７０．０～９０．０質量部含まれることがより好ましい。以上のバックコート層の非磁性粉末に関する記載は、一形態では、非磁性層の非磁性粉末についても適用され得る。

　バックコート層は、結合剤を含むことができ、必要に応じて添加剤を含むこともできる。バックコート層の結合剤および添加剤については、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層の処方に関する公知技術を適用することもできる。例えば、特開２００６－３３１６２５号公報の段落００１８～００２０および米国特許第７，０２９，７７４号明細書の第４欄６５行目～第５欄３８行目の記載を、バックコート層について参照できる。

＜各種厚み＞
　磁気テープの厚みが薄いことは、磁気テープカートリッジ１巻あたりの高容量化の観点から好ましい。非磁性支持体の厚みを薄くすることは、磁気テープの厚みを薄くすることにつながり得るため好ましい。この点から、上記磁気テープに含まれる非磁性支持体の厚みは、１０．０μｍ未満であることが好ましく、９．０μｍ以下であることがより好ましく、８．０μｍ以下であることが更に好ましく、７．０μｍ以下であることが一層好ましく、６．０μｍ以下であることがより一層好ましい。また、非磁性支持体の厚みは、例えば、０．５μｍ以上または１．０μｍ以上であることができる。

　磁性層の厚みは、用いる磁気ヘッドの飽和磁化量、ヘッドギャップ長、記録信号の帯域等により最適化することができ、一般には０．０１μｍ～０．１５μｍであり、高密度記録化の観点から、好ましくは０．０１５μｍ～０．１２μｍであり、更に好ましくは０．０２μｍ～０．１μｍである。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する二層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。二層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。
　非磁性層の厚みは、例えば０．１～１．５μｍであり、０．１～１．０μｍであることが好ましい。
　バックコート層の厚みは、０．９μｍ以下であることが好ましく、０．１～０．７μｍであることが更に好ましい。

　本発明および本明細書における非磁性支持体の厚みおよび各層の厚みは、公知の方法によって求めることができる。例えば、磁性層の厚みは、以下の方法によって求めることができる。磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビーム、ミクロトーム等の公知の手法により露出させた後、露出した断面について走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ；Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）または透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により断面画像を取得する。無作為に選択した１０箇所について断面画像を取得する。こうして取得された１０画像について、各画像の無作為に選択した１箇所において磁性層の厚みを測定する。こうして１０画像について求められた１０個の測定値の算術平均として、磁性層の厚みを求めることができる。磁性層の厚みを求める際、磁性層と隣接する部分（例えば非磁性層）との界面は、特開２０１７－３３６１７号公報の段落００２９に記載の方法により特定することができる。その他の厚みも、同様に求めることができる。

＜製造工程＞
（各層形成用組成物の調製）
　磁性層、非磁性層またはバックコート層を形成するための組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ二段階以上に分かれていてもかまわない。各層形成用組成物の調製に用いられる成分は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。溶剤としては、塗布型磁気記録媒体の製造に通常用いられる各種溶剤の一種または二種以上を用いることができる。溶媒については、例えば特開２０１１－２１６１４９号公報の段落０１５３を参照できる。また、個々の成分を２つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。例えば、結合剤を混練工程、分散工程および分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。上記磁気テープを製造するためには、公知の製造技術を各種工程において用いることができる。混練工程ではオープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつものを使用することが好ましい。混練処理の詳細については、特開平１－１０６３３８号公報および特開平１－７９２７４号公報を参照できる。分散機は公知のものを使用することができる。各層形成用組成物を調製する任意の段階において、公知の方法によってろ過を行ってもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１～３μｍのフィルタ（例えばガラス繊維製フィルタ、ポリプロピレン製フィルタ等）を用いることができる。

（塗布工程）
　磁性層は、磁性層形成用組成物を、非磁性支持体表面上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。バックコート層は、バックコート層形成用組成物を、非磁性支持体の非磁性層および／または磁性層を有する（または非磁性層および／または磁性層が追って設けられる）表面とは反対側の表面に塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６６を参照できる。

（その他の工程）
　磁気テープの製造のためのその他の各種工程については、公知技術を適用できる。各種工程については、例えば特開２０１０－２３１８４３号公報の段落００６７～００７０を参照できる。例えば、磁性層形成用組成物の塗布層には、この塗布層が湿潤（未乾燥）状態にあるうちに配向処理を施すことができる。配向処理については、特開２０１０－２４１１３号公報の段落００５２の記載をはじめとする各種公知技術を適用することができる。例えば、垂直配向処理は、異極対向磁石を用いる方法等の公知の方法によって行うことができる。配向ゾーンでは、乾燥風の温度、風量および／または配向ゾーンにおける搬送速度によって塗布層の乾燥速度を制御することができる。また、配向ゾーンに搬送する前に塗布層を予備乾燥させてもよい。
　各種工程を経ることによって、長尺状の磁気テープ原反を得ることができる。得られた磁気テープ原反は、公知の裁断機によって、磁気テープカートリッジに巻装すべき磁気テープの幅に裁断（スリット）される。上記の幅は規格にしたがい決定され、例えば、１／２インチである。１インチ＝０．０２５４メートルである。

　上記のように製造された磁気テープには、磁気記録再生装置における磁気ヘッドのトラッキング制御、磁気テープの走行速度の制御等を可能とするために、公知の方法によってサーボパターンを形成することができる。「サーボパターンの形成」は、「サーボ信号の記録」ということもできる。以下に、サーボパターンの形成について説明する。

　サーボパターンは、通常、磁気テープの長手方向に沿って形成される。サーボ信号を利用する制御（サーボ制御）の方式としては、タイミングベースサーボ（ＴＢＳ）、アンプリチュードサーボ、周波数サーボ等が挙げられる。

　ＥＣＭＡ（Ｅｕｒｏｐｅａｎ　Ｃｏｍｐｕｔｅｒ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ　Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）―３１９（Ｊｕｎｅ　２００１）に示される通り、ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ　Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ）規格に準拠した磁気テープ（一般に「ＬＴＯテープ」と呼ばれる。）では、タイミングベースサーボ方式が採用されている。このタイミングベースサーボ方式において、サーボパターンは、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（「サーボストライプ」とも呼ばれる。）が、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置されることによって構成されている。サーボシステムとは、サーボ信号を利用してヘッドトラッキングを行うシステムである。本発明および本明細書において、「タイミングベースサーボパターン」とは、タイミングベースサーボ方式のサーボシステムにおけるヘッドトラッキングを可能とするサーボパターンをいう。上記のように、サーボパターンが互いに非平行な一対の磁気ストライプにより構成される理由は、サーボパターン上を通過するサーボ信号読み取り素子に、その通過位置を教えるためである。具体的には、上記の一対の磁気ストライプは、その間隔が磁気テープの幅方向に沿って連続的に変化するように形成されており、サーボ信号読み取り素子がその間隔を読み取ることによって、サーボパターンとサーボ信号読み取り素子との相対位置を知ることができる。この相対位置の情報が、データトラックのトラッキングを可能にする。そのために、サーボパターン上には、通常、磁気テープの幅方向に沿って、複数のサーボトラックが設定されている。

　サーボバンドは、磁気テープの長手方向に連続するサーボパターンにより構成される。このサーボバンドは、通常、磁気テープに複数本設けられる。例えば、ＬＴＯテープにおいて、その数は５本である。隣接する２本のサーボバンドに挟まれた領域が、データバンドである。データバンドは、複数のデータトラックで構成されており、各データトラックは、各サーボトラックに対応している。

　また、一形態では、特開２００４－３１８９８３号公報に示されているように、各サーボバンドには、サーボバンドの番号を示す情報（「サーボバンドＩＤ（ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）」または「ＵＤＩＭ（Ｕｎｉｑｕｅ　ＤａｔａＢａｎｄ　Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ　Ｍｅｔｈｏｄ）情報」とも呼ばれる。）が埋め込まれている。このサーボバンドＩＤは、サーボバンド中に複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のものを、その位置が磁気テープの長手方向に相対的に変位するように、ずらすことによって記録されている。具体的には、複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のもののずらし方を、サーボバンド毎に変えている。これにより、記録されたサーボバンドＩＤはサーボバンド毎にユニークなものとなるため、一つのサーボバンドをサーボ信号読み取り素子で読み取るだけで、そのサーボバンドを一意に（ｕｎｉｑｕｅｌｙ）特定することができる。

　尚、サーボバンドを一意に特定する方法には、ＥＣＭＡ―３１９（Ｊｕｎｅ　２００１）に示されているようなスタッガード方式を用いたものもある。このスタッガード方式では、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置された、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（サーボストライプ）の群を、サーボバンド毎に磁気テープの長手方向にずらすように記録する。隣接するサーボバンド間における、このずらし方の組み合わせは、磁気テープ全体においてユニークなものとされているため、２つのサーボ信号読み取り素子によりサーボパターンを読み取る際に、サーボバンドを一意に特定することも可能となっている。

　また、各サーボバンドには、ＥＣＭＡ―３１９（Ｊｕｎｅ　２００１）に示されている通り、通常、磁気テープの長手方向の位置を示す情報（「ＬＰＯＳ（Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ　Ｐｏｓｉｔｉｏｎ）情報」とも呼ばれる。）も埋め込まれている。このＬＰＯＳ情報も、ＵＤＩＭ情報と同様に、一対のサーボストライプの位置を、磁気テープの長手方向にずらすことによって記録されている。ただし、ＵＤＩＭ情報とは異なり、このＬＰＯＳ情報では、各サーボバンドに同じ信号が記録されている。

　上記のＵＤＩＭ情報およびＬＰＯＳ情報とは異なる他の情報を、サーボバンドに埋め込むことも可能である。この場合、埋め込まれる情報は、ＵＤＩＭ情報のようにサーボバンド毎に異なるものであってもよいし、ＬＰＯＳ情報のようにすべてのサーボバンドに共通のものであってもよい。
　また、サーボバンドに情報を埋め込む方法としては、上記以外の方法を採用することも可能である。例えば、一対のサーボストライプの群の中から、所定の対を間引くことによって、所定のコードを記録するようにしてもよい。

　サーボパターン形成用ヘッドは、サーボライトヘッドと呼ばれる。サーボライトヘッドは、通常、上記一対の磁気ストライプに対応した一対のギャップを、サーボバンドの数だけ有する。通常、各一対のギャップには、それぞれコアとコイルが接続されており、コイルに電流パルスを供給することによって、コアに発生した磁界が、一対のギャップに漏れ磁界を生じさせることができる。サーボパターンの形成の際には、サーボライトヘッド上に磁気テープを走行させながら電流パルスを入力することによって、一対のギャップに対応した磁気パターンを磁気テープに転写させて、サーボパターンを形成することができる。各ギャップの幅は、形成されるサーボパターンの密度に応じて適宜設定することができる。各ギャップの幅は、例えば、１μｍ以下、１～１０μｍ、１０μｍ以上等に設定可能である。

　磁気テープにサーボパターンを形成する前には、磁気テープに対して、通常、消磁（イレース）処理が施される。このイレース処理は、直流磁石または交流磁石を用いて、磁気テープに一様な磁界を加えることによって行うことができる。イレース処理には、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ　Ｃｕｒｒｅｎｔ）イレースとＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ　Ｃｕｒｒｅｎｔ）イレースとがある。ＡＣイレースは、磁気テープに印加する磁界の方向を反転させながら、その磁界の強度を徐々に下げることによって行われる。一方、ＤＣイレースは、磁気テープに一方向の磁界を加えることによって行われる。ＤＣイレースには、更に２つの方法がある。第一の方法は、磁気テープの長手方向に沿って一方向の磁界を加える、水平ＤＣイレースである。第二の方法は、磁気テープの厚み方向に沿って一方向の磁界を加える、垂直ＤＣイレースである。イレース処理は、磁気テープ全体に対して行ってもよいし、磁気テープのサーボバンド毎に行ってもよい。

　形成されるサーボパターンの磁界の向きは、イレースの向きに応じて決まる。例えば、磁気テープに水平ＤＣイレースが施されている場合、サーボパターンの形成は、磁界の向きがイレースの向きと反対になるように行われる。これにより、サーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号の出力を、大きくすることができる。尚、特開２０１２－５３９４０号公報に示されている通り、垂直ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、単極パルス形状となる。一方、水平ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、双極パルス形状となる。

　磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジに収容される。

［磁気テープカートリッジ］
　本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジに関する。

　上記磁気テープカートリッジに含まれる磁気テープの詳細は、先に記載した通りである。

　磁気テープカートリッジでは、一般に、カートリッジ本体内部に磁気テープがリールに巻き取られた状態で収容されている。リールは、カートリッジ本体内部に回転可能に備えられている。磁気テープカートリッジとしては、カートリッジ本体内部にリールを１つ具備する単リール型の磁気テープカートリッジおよびカートリッジ本体内部にリールを２つ具備する双リール型の磁気テープカートリッジが広く用いられている。単リール型の磁気テープカートリッジは、磁気テープへのデータの記録および／または再生のために磁気記録再生装置に装着されると、磁気テープカートリッジから磁気テープが引き出されて磁気記録再生装置側のリールに巻き取られる。磁気テープカートリッジから巻き取りリールまでの磁気テープ搬送経路には、磁気ヘッドが配置されている。磁気テープカートリッジ側のリール（供給リール）と磁気記録再生装置側のリール（巻き取りリール）との間で、磁気テープの送り出しと巻き取りが行われる。この間、例えば、磁気ヘッドと磁気テープの磁性層表面とが接触し摺動することにより、データの記録および／または再生が行われる。これに対し、双リール型の磁気テープカートリッジは、供給リールと巻き取りリールの両リールが、磁気テープカートリッジ内部に具備されている。上記磁気テープカートリッジは、単リール型および双リール型のいずれの磁気テープカートリッジであってもよい。上記磁気テープカートリッジは、本発明の一態様にかかる磁気テープを含むものであればよく、その他については公知技術を適用することができる。

［磁気記録再生装置］
　本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気記録再生装置に関する。

　本発明および本明細書において、「磁気記録再生装置」とは、磁気テープへのデータの記録および磁気記録媒体に記録されたデータの再生の少なくとも一方を行うことができる装置を意味するものとする。かかる装置は、一般にドライブと呼ばれる。上記磁気記録再生装置は、例えば、摺動型の磁気記録再生装置であることができる。摺動型の磁気記録再生装置とは、磁気テープへのデータの記録および／または記録されたデータの再生を行う際に磁性層側の表面と磁気ヘッドとが接触し摺動する装置をいう。例えば、上記磁気記録再生装置は、上記磁気テープカートリッジを着脱可能に含むことができる。

　上記磁気記録再生装置は磁気ヘッドを含むことができる。磁気ヘッドは、磁気テープへのデータの記録を行うことができる記録ヘッドであることができ、磁気テープに記録されたデータの再生を行うことができる再生ヘッドであることもできる。また、上記磁気記録再生装置は、一形態では、別々の磁気ヘッドとして、記録ヘッドと再生ヘッドの両方を含むことができる。他の一形態では、上記磁気記録再生装置に含まれる磁気ヘッドは、データの記録のための素子（記録素子）とデータの再生のための素子（再生素子）の両方を１つの磁気ヘッドに備えた構成を有することもできる。以下において、データの記録のための素子および再生のための素子を、「データ用素子」と総称する。再生ヘッドとしては、磁気テープに記録されたデータを感度よく読み取ることができる磁気抵抗効果型（ＭＲ；Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子を再生素子として含む磁気ヘッド（ＭＲヘッド）が好ましい。ＭＲヘッドとしては、ＡＭＲ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド、ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ　Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ　Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド等の公知の各種ＭＲヘッドを用いることができる。また、データの記録および／またはデータの再生を行う磁気ヘッドには、サーボ信号読み取り素子が含まれていてもよい。または、データの記録および／またはデータの再生を行う磁気ヘッドとは別のヘッドとして、サーボ信号読み取り素子を備えた磁気ヘッド（サーボヘッド）が上記磁気記録再生装置に含まれていてもよい。例えば、データの記録および／または記録されたデータの再生を行う磁気ヘッド（以下、「記録再生ヘッド」とも呼ぶ。）は、サーボ信号読み取り素子を２つ含むことができ、２つのサーボ信号読み取り素子のそれぞれが、隣接する２つのサーボバンドを同時に読み取ることができる。２つのサーボ信号読み取り素子の間に、１つまたは複数のデータ用素子を配置することができる。

　上記磁気記録再生装置において、磁気テープへのデータの記録および／または磁気記録媒体に記録されたデータの再生は、例えば、磁気テープの磁性層表面と磁気ヘッドとを接触させて摺動させることにより行うことができる。上記磁気記録再生装置は、本発明の一態様にかかる磁気テープを含むものであればよく、その他については公知技術を適用することができる。

　例えば、データの記録および／または記録されたデータの再生の際には、まず、サーボ信号を用いたトラッキングが行われる。すなわち、サーボ信号読み取り素子を所定のサーボトラックに追従させることによって、データ用素子が、目的とするデータトラック上を通過するように制御される。データトラックの移動は、サーボ信号読み取り素子が読み取るサーボトラックを、テープ幅方向に変更することにより行われる。
　また、記録再生ヘッドは、他のデータバンドに対する記録および／または再生を行うことも可能である。その際には、先に記載したＵＤＩＭ情報を利用してサーボ信号読み取り素子を所定のサーボバンドに移動させ、そのサーボバンドに対するトラッキングを開始すればよい。

　以下に、本発明を実施例により更に具体的に説明する。ただし本発明は、実施例に示す態様に限定されるものではない。以下に記載の「部」および「％」は、特記しない限り、「質量部」および「質量％」を示す。「ｅｑ」は、当量（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ）であり、ＳＩ単位に換算不可の単位である。下記工程および評価は、特記しない限り、２３℃±１℃の大気中で行った。

［非磁性支持体］
　表１の「樹脂」の欄に「ＰＥＥＫ」と記載されている支持体は、以下の方法によって作製した。
　市販のＰＥＥＫフィルム（Ｖｉｃｔｒｅｘ社製Ａｐｔｉｖフィルム１０００）を１６５ｍｍ×１１５ｍｍのサイズに切り出し、バッチ式同時二軸延伸装置に取付け、表１に記載の延伸温度、延伸倍率および延伸レートで延伸処理を行った。
　次いで、炉内雰囲気温度３００℃の加熱炉で０．９５倍の弛緩率での熱処理を行った。
　こうして得られた延伸処理済フィルムを１／２インチ幅に切り出し、両端に市販のポリエチレンテレフタレートフィルムを１／２インチ幅に切り出したものを接合し、支持体原反を作製した。この支持体原反を用いて後述の方法で磁気テープ原反を作製した。後述の評価の評価対象の磁気テープとしては、作製した磁気テープ原反から、支持体部分がＰＥＥＫフィルムである部分を切り出して得た磁気テープを使用した。
　表１の「樹脂」の欄に「ＰＥＫＫ」と記載されている支持体は、以下の方法によって作製した。
　樹脂を構成する繰り返し単位が以下の構造式：

の繰り返し単位のみからなるポリエーテルケトンケトン（ガラス転移温度：１６２℃、融点：３３１℃）を使用し、押出機において溶融および混練し、樹脂温度３９０℃でＴダイから押し出し、冷却し、フィルムを得た。押し出し前には、フィルトレーション処理により、異物（未溶解の樹脂、架橋が進みすぎた樹脂と推察）の除去を行った。このフィルムを、１６５ｍｍ×１１５ｍｍのサイズに切り出し、バッチ式同時二軸延伸装置に取付け、表１に記載の延伸温度、延伸倍率および延伸レートで延伸処理を行った。
　次いで、炉内雰囲気温度３００℃の熱処理炉で０．９５倍の弛緩率での熱処理を行った。
　こうして得られた延伸処理済フィルムを１／２インチ幅に切り出し、両端に市販の二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムから１／２インチ幅に切り出したものを接合し、支持体原反を作製した。この支持体原反を用いて後述の方法で磁気テープ原反を作製した。後述の評価の評価対象の磁気テープとしては、作製した磁気テープ原反から、支持体部分がＰＥＫＫフィルムである部分を切り出して得た磁気テープを使用した。
　表１の「樹脂」の欄に「ＰＥＥＫ」と記載され、かつ「延伸倍率」の欄に「無」と記載されている支持体としては、市販のＰＥＥＫフィルム（Ｖｉｃｔｒｅｘ社製Ａｐｔｉｖフィルム１０００）から１／２インチ幅および磁気テープ原反の製造に使用する長さに切り出したフィルムを上記延伸処理も熱処理も施さずに使用した。
　表１の「樹脂」の欄に「ＰＥＴ」と記載されている支持体は、市販の二軸延伸ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ　ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルムから、１／２インチ幅および磁気テープ原反の製造に使用する長さに切り出したものである。
　表１の「樹脂」の欄に「ＰＥＮ」と記載されている支持体は、市販の二軸延伸ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ　ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルムから、１／２インチ幅および磁気テープ原反の製造に使用する長さに切り出したものである。
　表１の「樹脂」の欄に「芳香族ポリアミド」と記載されている支持体は、市販の二軸延伸芳香族ポリアミドフィルムから、１／２インチ幅および磁気テープ原反の製造に使用する長さに切り出したものである。

［実施例１］
（１）アルミナ分散物の調製
　アルファ化率約６５％、ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ－Ｅｍｍｅｔｔ－Ｔｅｌｌｅｒ）比表面積２０ｍ^２／ｇのアルミナ粉末（住友化学社製ＨＩＴ－８０）１００．０部に対し、３．０部の２，３－ジヒドロキシナフタレン（東京化成社製）、極性基としてＳＯ_３Ｎａ基を有するポリエステルポリウレタン樹脂（東洋紡社製ＵＲ－４８００（極性基量：８０ｍｅｑ／ｋｇ））の３２％溶液（溶剤はメチルエチルケトンとトルエンの混合溶剤）を３１．３部、溶剤としてメチルエチルケトンとシクロヘキサノン１：１（質量比）の混合溶液５７０．０部を混合し、ジルコニアビーズ存在下で、ペイントシェーカーにより５時間分散させた。分散後、メッシュにより分散液とビーズとを分け、アルミナ分散物を得た。

（２）磁性層形成用組成物処方
（磁性液）
強磁性粉末　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１００．０部
　平均粒子サイズ（平均板径）２１ｎｍの六方晶バリウムフェライト粉末（表１中、「ＢａＦｅ」）
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂　　　　　　　　　　　　１４．０部
　重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ_３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
シクロヘキサノン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５０．０部
メチルエチルケトン　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５０．０部
（研磨剤液）
上記（１）で調製したアルミナ分散物　　　　　　　　　　　　６．０部
（シリカゾル（突起形成剤液））
コロイダルシリカ（平均粒子サイズ１２０ｎｍ）　　　　　　　２．０部
メチルエチルケトン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１．４部
（その他の成分）
ステアリン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２．０部
ステアリン酸アミド　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．２部
ブチルステアレート　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標）Ｌ）　２．５部
（溶剤－１）
シクロヘキサノン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２００．０部
メチルエチルケトン　　　　　　　　　　　　　　　　　　２００．０部
（溶剤－２）
シクロヘキサノン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３５０．０部
メチルエチルケトン　　　　　　　　　　　　　　　　　　３５０．０部

（３）非磁性層形成用組成物処方
非磁性無機粉末：α－酸化鉄　　　　　　　　　　　　　　１００．０部
　平均粒子サイズ（平均長軸長）：０．１５μｍ
　平均針状比：７
　ＢＥＴ比表面積：５２ｍ^２／ｇ
カーボンブラック　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２０．０部
　平均粒子サイズ：２０ｎｍ
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂　　　　　　　　　　　　１８．０部
　重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ_３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ステアリン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２．０部
ステアリン酸アミド　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．２部
ブチルステアレート　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２．０部
シクロヘキサノン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３００．０部
メチルエチルケトン　　　　　　　　　　　　　　　　　　３００．０部

（４）各層形成用組成物の調製
　磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。磁性液を、上記成分をバッチ式縦型サンドミルを用いて２４時間分散（ビーズ分散）することにより調製した。分散ビーズとしては、ビーズ径０．５ｍｍのジルコニアビーズを使用した。上記サンドミルを用いて、調製した磁性液、上記研磨剤液、シリカゾル、その他の成分および溶剤－１と混合し５分間ビーズ分散した後、バッチ型超音波装置（２０ｋＨｚ、３００Ｗ）で０．５分間処理（超音波分散）を行った。その後、０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過を行った後、溶剤－２を添加して磁性層形成用組成物を調製した。
　非磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。潤滑剤（ステアリン酸、ステアリン酸アミドおよびブチルステアレート）を除く上記成分を、オープンニーダにより混練および希釈処理し、その後、横型ビーズミル分散機により分散処理を実施した。その後、潤滑剤（ステアリン酸、ステアリン酸アミドおよびブチルステアレート）を添加して、ディゾルバー撹拌機にて撹拌および混合処理を施して非磁性層形成用組成物を調製した。
　バックコート層形成用組成物は、上記非磁性層形成用組成物と同様に調製した組成物に、更に以下の溶剤を追加して希釈して調製した。
　シクロヘキサノン　　　　　　　　　　　　　　　　　　３００．０部
　メチルエチルケトン　　　　　　　　　　　　　　　　　３００．０部

（５）磁気テープの作製方法
　表１に示す支持体の表面上に、乾燥後の厚みが１．０μｍとなるように非磁性層形成用組成物を塗布および乾燥させて非磁性層を形成した。
　次いで、非磁性層の表面上に、乾燥後の厚みが０．１μｍとなるように磁性層形成用組成物を塗布および乾燥させて磁性層を形成した。
　その後、支持体の非磁性層および磁性層を形成した表面とは反対側の表面上に、乾燥後の厚みが０．５μｍとなるようにバックコート層形成用組成物を塗布および乾燥させてバックコート層を形成した。
　その後、２本の金属ロールからなるカレンダロールを用いて、速度２０ｍ／分、線圧３２０ｋＮ／ｍ（３２７ｋｇ／ｃｍ）、および９５℃のカレンダ温度（カレンダロールの表面温度）にて表面平滑化処理（カレンダ処理）を行うことを２回実施した後、炉内雰囲気温度７０℃の熱処理炉内に３６時間保管することにより熱処理を行った。
　こうして作製された磁気テープ原反から、支持体部分がＰＥＫＫフィルムである部分を、支持体部分がポリエチレンテレフタレートフィルムである部分との接合箇所で切断して後述の評価に使用する磁気テープを得た。

［実施例２～５、比較例１～７］
　支持体および／または強磁性粉末として表１に示すものを使用した点以外、実施例１と同様に磁気テープ原反を作製した。
　実施例２～５および比較例１～４については、実施例１と同様に、磁気テープ原反から支持体部分がＰＥＥＫフィルムまたはＰＥＫＫフィルムである部分を切断して後述の評価に使用する磁気テープを得た。
　比較例５～７については、磁気テープ原反の任意の長さの領域を切り出して得た磁気テープを後述の評価に使用した。

［強磁性粉末の作製方法］
＜六方晶ストロンチウムフェライト粉末の作製方法＞
　表１に示す「ＳｒＦｅ」は、以下の方法により作製された六方晶ストロンチウムフェライト粉末である。
　ＳｒＣＯ_３を１７０７ｇ、Ｈ_３ＢＯ_３を６８７ｇ、Ｆｅ_２Ｏ_３を１１２０ｇ、Ａｌ（ＯＨ）_３を４５ｇ、ＢａＣＯ_３を２４ｇ、ＣａＣＯ_３を１３ｇ、およびＮｄ_２Ｏ_３を２３５ｇ秤量し、ミキサーにて混合し原料混合物を得た。
　得られた原料混合物を、白金ルツボで溶融温度１３９０℃で溶融し、融液を撹拌しつつ白金ルツボの底に設けた出湯口を加熱し、融液を約６ｇ／秒で棒状に出湯させた。出湯液を水冷双ローラーで圧延急冷して非晶質体を作製した。
　作製した非晶質体２８０ｇを電気炉に仕込み、昇温速度３．５℃／分にて６３５℃（結晶化温度）まで昇温し、同温度で５時間保持して六方晶ストロンチウムフェライト粒子を析出（結晶化）させた。
　次いで六方晶ストロンチウムフェライト粒子を含む上記で得られた結晶化物を乳鉢で粗粉砕し、ガラス瓶に粒径１ｍｍのジルコニアビーズ１０００ｇと濃度１％の酢酸水溶液を８００ｍＬ加えてペイントシェーカーにて３時間分散処理を行った。その後、得られた分散液をビーズと分離させステンレスビーカーに入れた。分散液を液温１００℃で３時間静置させてガラス成分の溶解処理を行った後、遠心分離器で沈澱させてデカンテーションを繰り返して洗浄し、炉内温度１１０℃の加熱炉内で６時間乾燥させて六方晶ストロンチウムフェライト粉末を得た。
　上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末（表１中、「ＳｒＦｅ１」）の平均粒子サイズは１８ｎｍ、活性化体積は９０２ｎｍ^３、異方性定数Ｋｕは２.２×１０^５Ｊ／ｍ^３、質量磁化σｓは４９Ａ・ｍ^２／ｋｇであった。
　上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって部分溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子の表層部含有率を求めた。
　別途、上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって全溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子のバルク含有率を求めた。
　上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の鉄原子１００原子％に対するネオジム原子の含有率（バルク含有率）は、２．９原子％であった。また、ネオジム原子の表層部含有率は８．０原子％であった。表層部含有率とバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は２．８であり、ネオジム原子が粒子の表層に偏在していることが確認された。

　上記で得られた粉末が六方晶フェライトの結晶構造を示すことは、ＣｕＫα線を電圧４５ｋＶかつ強度４０ｍＡの条件で走査し、下記条件でＸ線回折パターンを測定すること（Ｘ線回折分析）により確認した。上記で得られた粉末は、マグネトプランバイト型（Ｍ型）の六方晶フェライトの結晶構造を示した。また、Ｘ線回折分析により検出された結晶相は、マグネトプランバイト型の単一相であった。
　ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ　Ｘ’Ｐｅｒｔ　Ｐｒｏ回折計、ＰＩＸｃｅｌ検出器
　入射ビームおよび回折ビームのＳｏｌｌｅｒスリット：０．０１７ラジアン
　分散スリットの固定角：１／４度
　マスク：１０ｍｍ
　散乱防止スリット：１／４度
　測定モード：連続
　１段階あたりの測定時間：３秒
　測定速度：毎秒０．０１７度
　測定ステップ：０．０５度

＜ε－酸化鉄粉末の作製方法＞
　表１に示す「ε－酸化鉄」は、以下の方法により作製されたε－酸化鉄粉末である。
　純水９０ｇに、硝酸鉄（ＩＩＩ）９水和物８．３ｇ、硝酸ガリウム（ＩＩＩ）８水和物１．３ｇ、硝酸コバルト（ＩＩ）６水和物１９０ｍｇ、硫酸チタン（ＩＶ）１５０ｍｇ、およびポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）１．５ｇを溶解させたものを、マグネチックスターラーを用いて撹拌しながら、大気雰囲気中、雰囲気温度２５℃の条件下で、濃度２５％のアンモニア水溶液４．０ｇを添加し、雰囲気温度２５℃の温度条件のまま２時間撹拌した。得られた溶液に、クエン酸１ｇを純水９ｇに溶解させて得たクエン酸水溶液を加え、１時間撹拌した。撹拌後に沈殿した粉末を遠心分離によって採集し、純水で洗浄し、炉内温度８０℃の加熱炉内で乾燥させた。
　乾燥させた粉末に純水８００ｇを加えて再度粉末を水に分散させて分散液を得た。得られた分散液を液温５０℃に昇温し、撹拌しながら濃度２５％アンモニア水溶液を４０ｇ滴下した。５０℃の温度を保ったまま１時間撹拌した後、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）１４ｍＬを滴下し、２４時間撹拌した。得られた反応溶液に、硫酸アンモニウム５０ｇを加え、沈殿した粉末を遠心分離によって採集し、純水で洗浄し、炉内温度８０℃の加熱炉内で２４時間乾燥させ、強磁性粉末の前駆体を得た。
　得られた強磁性粉末の前駆体を、大気雰囲気下、炉内温度１０００℃の加熱炉内に装填し、４時間の加熱処理を施した。
　加熱処理した強磁性粉末の前駆体を、４ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液中に投入し、液温を７０℃に維持して２４時間撹拌することにより、加熱処理した強磁性粉末の前駆体から不純物であるケイ酸化合物を除去した。
　その後、遠心分離処理により、ケイ酸化合物を除去した強磁性粉末を採集し、純水で洗浄を行い、強磁性粉末を得た。
　得られた強磁性粉末の組成を高周波誘導結合プラズマ発光分光分析(ＩＣＰ－ＯＥＳ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ－Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により確認したところ、Ｇａ、ＣｏおよびＴｉ置換型ε－酸化鉄（ε－Ｇａ_０．２８Ｃｏ_０．０５Ｔｉ_０．０５Ｆｅ_１．６２Ｏ_３）であった。また、先に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の作製方法について記載した条件と同様の条件でＸ線回折分析を行い、Ｘ線回折パターンのピークから、得られた強磁性粉末が、α相およびγ相の結晶構造を含まない、ε相の単相の結晶構造（ε－酸化鉄型の結晶構造）を有することを確認した。
　得られたε－酸化鉄粉末（表１中、「ε－酸化鉄」）の平均粒子サイズは１２ｎｍ、活性化体積は７４６ｎｍ^３、異方性定数Ｋｕは１．２×１０^５Ｊ／ｍ^３、質量磁化σｓは１６Ａ・ｍ^２／ｋｇであった。

［評価方法］
＜磁気テープの磁性層表面の中心線平均粗さＲａ＞
　実施例および比較例の各磁気テープから切り出した試料片を、磁性層表面を上方に向けてスライドガラス上に目視でシワが確認されないように貼り付けた。このスライドガラスを光干渉粗さ計Ｚｙｇｏ社製ｎｅｗｖｉｅｗ６３００型に設置し、先に記載した方法によって磁性層表面の中心線平均粗さＲａを求めた。フィルタ処理には、上記光干渉粗さ計用のソフトｍｅｔｒｏｐｒｏ８．３．５を用いた。求められた値を、表１の「磁気テープ」の「中心線平均粗さＲａ」の欄に示す。

＜磁気テープのＴＭＡ（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｉｓ）測定クリープ変化量＞
　雰囲気温度が３５℃で相対湿度が５０％の評価環境において、評価装置として日立ハイテクサイエンス社製ＴＭＡ／ＳＳ６１００を用いて、以下の方法によってＴＭＡ測定クリープ変化量を求めた。
　実施例および比較例の各磁気テープの長手方向から、長さが１５．０ｍｍで幅が５．０ｍｍの試料を切り出し、チャック間距離が１０．０ｍｍとなるように上記評価装置に試料を固定し、２段階で長手方向に荷重を印加した。第１段階は３９．２ｍＮの荷重で２時間保持し、第２段階は３９２ｍＮの荷重で更に２４時間保持した。第２段階の荷重印加を開始してから１０時間後の試料長（以下、「試料長１」）および第２段階の荷重印加を開始してから２４時間後の試料長（以下、「試料長２」）をそれぞれ測定した。これら試料長は、長手方向の長さであり、単位はμｍである。ＴＭＡ測定クリープ変化量を、「ＴＭＡ測定クリープ変化量＝試料長２－試料長１」として算出した。算出された値を、表１の「ＴＭＡ測定クリープ変化量」の欄に示す。

＜非磁性支持体の厚み＞
　実施例および比較例の各磁気テープから以下に記載の方法により断面観察用試料を作製した。ＳＥＭ観察のためのＳＥＭとしては、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）－ＳＥＭ）である日立製作所製ＦＥ－ＳＥＭ　Ｓ４８００を使用した。
（ｉ）磁気テープの幅方向１０ｍｍ×長手方向１０ｍｍのサイズの試料を剃刀を用いて切り出した。
　切り出した試料の磁性層表面に保護膜を形成して保護膜付試料を得た。保護膜の形成は、以下の方法により行った。
　上記試料の磁性層表面に、スパッタリングにより白金（Ｐｔ）膜（厚み３０ｎｍ）を形成した。白金膜のスパッタリングは、下記条件で行った。
　　（白金膜のスパッタリング条件）
　　　ターゲット：Ｐｔ
　　　スパッタリング装置のチャンバー内真空度：７Ｐａ以下
　　　電流値：１５ｍＡ
　上記で作製した白金膜付試料に、更に厚み１００～１５０ｎｍのカーボン膜を形成した。カーボン膜の形成は、下記（ｉｉ）で用いるＦＩＢ（集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ））装置に備えられた、ガリウムイオン（Ｇａ^＋）ビームを用いるＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）機構により行った。
（ｉｉ）上記（ｉ）で作製した保護膜付試料に対し、ＦＩＢ装置によりガリウムイオン（Ｇａ^＋）ビームを用いるＦＩＢ加工を行い磁気テープの断面を露出させた。ＦＩＢ加工における加速電圧は３０ｋＶ、プローブ電流は１３００ｐＡとした。
　こうして露出させた断面観察用試料をＳＥＭ観察し、断面のＳＥＭ画像を取得した。ＳＥＭ画像は、作製した断面観察用試料の無作為に選択した１０箇所において、合計１０画像取得した。各ＳＥＭ画像は、加速電圧５ｋＶ、撮像倍率２万倍および縦９６０画素（ｐｉｘｅｌ）×横１２８０画素で撮像される二次電子像として取得した。磁性層と非磁性層との界面は、特開２０１７－３３６１７号公報の段落００２９に記載の方法により特定した。非磁性層と非磁性支持体との界面およびバックコート層と非磁性支持体との界面は、ＳＥＭ画像を目視することにより特定した。各ＳＥＭ画像上の任意の位置１箇所において、磁性層と非磁性層との界面と磁気テープの磁性層側最表面との厚み方向の間隔を測定し、１０画像について得られた値の算術平均を磁性層の厚みとした。各ＳＥＭ画像上の任意の位置１箇所において、非磁性層の磁性層との界面と非磁性支持体との界面との厚み方向の間隔を測定し、１０画像について得られた値の算術平均を非磁性層の厚みとした。各ＳＥＭ画像上の任意の位置１箇所において、磁気テープのバックコート層側最表面とバックコート層と非磁性支持体との界面との厚み方向の間隔を測定し、１０画像について得られた値の算術平均をバックコート層の厚みとした。各ＳＥＭ画像上の任意の位置１箇所において、非磁性支持体とバックコート層との界面と非磁性層との界面との厚み方向の間隔を測定し、１０画像について得られた値の算術平均を非磁性支持体の厚みとした。こうして求められた非磁性支持体の厚みを、表１の「非磁性支持体」の「厚み」の欄に示す。実施例および比較例のすべての磁気テープにおいて、非磁性層、磁性層およびバックコート層の厚みは、非磁性層：１．０μｍ、磁性層：０．１μｍ、バックコート層：０．５μｍ、であった。

　以下に記載の評価は、実施例および比較例の各磁気テープの非磁性層、磁性層およびバックコート層を溶剤で除去して取り出した支持体について実施した。支持体の取り出しは、取り出し処理によって支持体に不必要に大きな外部エネルギー（応力、熱等）が印加されないように実施した。

＜非磁性支持体の散乱強度比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎ＞
　実施例および比較例の各磁気テープから取り出した支持体について、測定装置としてＢｒｕｋｅｒ社製ＮＡＮＯＳＴＡＲを使用して先に記載したように小角Ｘ線散乱測定を行った。測定結果から、先に記載した方法によって、散乱強度比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎを求めた。Ｘ線源としては回転対陰極型Ｘ線発生装置を使用し、Ｘ線のエネルギー（波長λ）は、８．０４ｋｅＶ（Ｃｕ　Ｋα線１．５４１８Å）とした。また、透過率Ｔは、標準試料としてグラッシーカーボンを用いて測定した。求められた値を、表１の「非磁性支持体」の「散乱強度比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎ」の欄に示す。

＜非磁性支持体のガラス転移温度Ｔｇ＞
　実施例および比較例の各磁気テープから取り出した支持体から質量１０ｍｇの試料片を切り出し、この試料片を用いて、ＤＳＣとしてＴＡ　ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のＱ１００型を使用して先に記載した方法によってガラス転移温度Ｔｇを求めた。求められた値を、表１の「非磁性支持体」の「ガラス転移温度Ｔｇ」の欄に示す。比較例７については、１４０℃以下ではガラス転移温度Ｔｇは確認されなかったため、表１には「１４０℃超」と記載した。

＜非磁性支持体の磁性層を有する側の表面の中心線平均粗さＲａ＞
　実施例および比較例の各磁気テープから取り出した支持体から切り出した試料片を、磁性層を有していた側の表面を上方に向けてスライドガラス上に目視でシワが確認されないように貼り付けた。このスライドガラスを光干渉粗さ計Ｚｙｇｏ社製ｎｅｗｖｉｅｗ６３００型に設置し、先に記載した方法によって、非磁性支持体の磁性層を有していた側の表面の中心線平均粗さＲａを求めた。フィルタ処理には、上記光干渉粗さ計用のソフトｍｅｔｒｏｐｒｏ８．３．５を用いた。求められた値を、表１の「非磁性支持体」の「中心線平均粗さＲａ」の欄に示す。

　以上の結果を、表１に示す。

　表１に示すＴＭＡ測定クリープ変化量の値から、実施例１～３の磁気テープは、将来の磁気テープに求められる長期保管でのテープ変形抑制へのニーズに応え得る磁気テープであると評価できる。
　ＩＮＳＩＣ（Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｓｔｏｒａｇｅ　Ｉｎｄｕｓｔｒｙ　Ｃｏｎｓｏｒｔｉｕｍ）発行の「２０１９　ＩＮＳＩＣ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｒｏａｄｍａｐ」では、テープ技術ロードマップにおいて、リールに巻かれた状態での磁気テープの幅方向の変形に関して、２０２９年に目標とされるＴａｐｅ　Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ　Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ（以下、「ＴＤＳ」と記載する。）は、１０年間保管で３２ｐｐｍ（ｐａｒｔｓｐｅｒｍｉｌｌｉｏｎ）以下とされている。記録密度が高まるほど、記録時および／または再生時のエラー発生の抑制の観点から製品磁気テープに許容されるＴＤＳの値は小さくなる傾向がある。この点に関して、１０年保管で３２ｐｐｍ以下のＴＤＳを実現可能な磁気テープは、例えば、トラック密度が５００００ＴＰＩ（ｔｒａｃｋ　ｐｅｒ　ｉｎｃｈ）（約５００ｎｍ／ｔｒａｃｋ）以上の磁気記録再生システムにおいて好適であり、更に、トラック密度が７５０００ＴＰＩ以上、１０００００ＴＰＩ以上、更には２０００００ＴＰＩ以上の磁気記録再生システムにおいても好適である。
　一方、磁気テープの変形については、「Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ，　Ｖｏｌ．　１０２，　１１０６－１１２８　（２００６）“Ｖｉｓｃｏｅｌａｓｔｉｃ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ａｐｐｌｉｅｄ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｌｏｎｇ‐ｔｅｒｍ　ｃｒｅｅｐ　ｂｅｈａｖｉｏｒ　ｆｏｒ　ｍａｇｎｅｔｉｃ　ｔａｐｅ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ”」（Ｂｒｉａｎ　Ｌ．　Ｗｅｉｃｋ著、Ｗｉｌｅｙ　ＩｎｔｅｒＳｃｉｅｎｃｅにてオンライン発行）のＦｉｇｕｒｅ　９に、クリープ試験により求められたクリープ変化量から、長期保管後の磁気テープのクリープ変化量を予測することが提案されている。具体的には、Ｆｉｇｕｒｅ　９では、時間の対数ｌｏｇを横軸に取り、クリープ変化量の対数ｌｏｇを縦軸に取ると、ほぼ直線のグラフが得られている。そこで、時間の対数ｌｏｇとクリープ変化量との間には比例関係が成り立つものとして、以下の計算を行った。
　表１に示したＴＭＡ測定クリープ変化量は、２段階の荷重印加終了から１０時間後での試料長と２４時間後での試料長との差であるため、１４時間の間に生じたクリープ変化量である。１４時間を対数ｌｏｇで表示すると約１．１５である。一方、１０年間＝８７６００時間であり、これを対数ｌｏｇで表示すると約４．９４である。時間（対数）で比例計算するための係数として、「８７６００時間の対数表示／１０時間の対数表示＝４．３１」を採用する。また、同文献では、長手方向の変形を幅方向の変形に変換するために、ポアソン比＝０．３が採用されている。先に記載した方法に求められたＴＭＡ測定クリープ変化量を「Ａ」と表記し、チャック間距離１０．０ｍｍを基準長として規格化すると、「規格化されたＡ＝（Ａ／１００００）×１０^６」（単位：ｐｐｍ）を算出できる。この規格化されたＡは長手方向の変形量であり、これをポアソン比＝０．３を用いて、「Ｂ＝規格化されたＡ×０．３」として、幅方向の変形量に換算された値Ｂを求めることができる。ここで求められたＢに上記係数４．３１を乗じた「Ｂ×４．３１」として、１０年間保管で生じると予想されるＴＤＳの予測値を算出した。こうして算出された値を、表２に示す。表２に示すように、実施例１～５では、１０年間保管ＴＤＳ予測値が３２ｐｐｍ以下であった。この結果から、実施例１～５の磁気テープは、将来の磁気テープに求められる長期保管でのテープ変形抑制へのニーズに応え得る磁気テープであると評価できる。

　本発明の一態様は、データストレージ用途において有用である。

Claims

非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気テープであって、
前記非磁性支持体の小角Ｘ線散乱測定により得られた小角Ｘ線散乱スペクトルにおいて、ｑ値が０．０１～０．１０Å^－１の領域で、散乱強度変化率の極小値におけるｑ値ｑ_ｍｉｎでの散乱強度Ｉ_ｍｉｎに対する散乱強度変化率の極大値におけるｑ値ｑ_ｍａｘでの散乱強度Ｉ_ｍａｘの比Ｉ_ｍａｘ／Ｉ_ｍｉｎは２．７以上であり、ｑ_ｍｉｎ＜ｑ_ｍａｘ、であり、かつ
前記非磁性支持体のガラス転移温度Ｔｇは１４０℃以上である磁気テープ。
前記非磁性支持体は、芳香族ポリエーテルケトン支持体である、請求項１に記載の磁気テープ。
前記芳香族ポリエーテルケトンは、ポリエーテルエーテルケトンである、請求項２に記載の磁気テープ。
前記芳香族ポリエーテルケトンは、ポリエーテルケトンケトンである、請求項２に記載の磁気テープ。
前記強磁性粉末は、六方晶バリウムフェライト粉末である、請求項１～４のいずれか１項に記載の磁気テープ。
前記強磁性粉末は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末である、請求項１～４のいずれか１項に記載の磁気テープ。
前記強磁性粉末は、ε－酸化鉄粉末である、請求項１～４のいずれか１項に記載の磁気テープ。
前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を更に有する、請求項１～７のいずれか１項に記載の磁気テープ。
前記非磁性支持体の前記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を更に有する、請求項１～８のいずれか１項に記載の磁気テープ。
前記非磁性支持体の前記磁性層を有する側の表面の光干渉粗さ計により測定される中心線平均粗さＲａは、１５．０ｎｍ以下である、請求項１～９のいずれか１項に記載の磁気テープ。
請求項１～１０のいずれか１項に記載の磁気テープを含む磁気テープカートリッジ。
請求項１～１０のいずれか１項に記載の磁気テープを含む磁気記録再生装置。