WO2022091728A1 - ラテックス組成物およびディップ成形体 - Google Patents

Abstract

共役ジエン系重合体のラテックス、および、ケイ素原子含有量が１．５～１０重量％であるシリコーン系界面活性剤を含有するラテックス組成物を提供する。また、前記ラテックス組成物をディップ成形してなるディップ成形体を提供する。

Description

ラテックス組成物およびディップ成形体

　本発明は、貯蔵安定性に優れ、かつ、膜厚が薄く、膜厚均一性および引張強度に優れたディップ成形体を与えることができるラテックス組成物、および、これをディップ成形してなるディップ成形体に関する。

　従来、ゴムラテックスを含有するラテックス組成物をディップ成形することにより、乳首、風船、手袋、バルーン、サック等の人体と接触して使用される各種のディップ成形体が得られることが知られている。ディップ成形に用いられるラテックス組成物としては、アノード凝着浸漬法や、ティーグ凝着浸漬法などの、凝固剤を用いるディップ成形法向けに開発されたものが多い。

　たとえば、特許文献１には、エラストマー、及び手袋用ディップ組成物を凝固させるためのケイ素含有有機凝固剤を含む、手袋用ディップ組成物が開示されている。しかしながら、特許文献１のように、凝固剤を用いる技術によると、得られるディップ成形体の膜厚は比較的厚くなる。

　一方で、ラテックス組成物としては、医療用手袋やコンドーム等の、膜厚が薄いディップ成形体の製造に用いられるものがある。このような膜厚が薄いディップ成形体は、膜厚を薄くするという観点より、凝固剤を用いない直接浸漬法により製造されることが一般的であり、そのようなラテックス組成物としては、医療用手袋やコンドーム等の用途に好適に用いることができるように、膜厚が薄く、膜厚均一性および引張強度に優れたディップ成形体を与えることができるものが要求されている。しかしながら、従来のラテックス組成物では、直接浸漬法などにより、膜厚が薄いディップ成形体を得た場合に、膜厚均一性が充分ではないという課題があった。また、ディップ成形体の生産性向上の観点や、ディップ成形体の成形不良を抑制する観点から、ラテックス組成物としては、貯蔵時における凝集物の発生が抑制されたもの、すなわち貯蔵安定性に優れたものが要求されている。

特開２０２０－３７６３５号公報

　本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、貯蔵安定性に優れ、かつ、膜厚が薄く、膜厚均一性および引張強度に優れたディップ成形体を与えることができるラテックス組成物を提供することを目的とする。

　本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、共役ジエン系重合体のラテックス、および、ケイ素原子含有量が１．５～１０重量％であるシリコーン系界面活性剤を含有するラテックス組成物によれば、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

　すなわち、本発明によれば、共役ジエン系重合体のラテックス、および、ケイ素原子含有量が１．５～１０重量％であるシリコーン系界面活性剤を含有するラテックス組成物が提供される。

　本発明のラテックス組成物は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。
　本発明のラテックス組成物は、さらに架橋促進剤を含有することが好ましく、前記架橋促進剤が、キサントゲン化合物であることがより好ましい。
　本発明のラテックス組成物において、前記共役ジエン系重合体が、合成ポリイソプレン、天然ゴムおよびスチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体から選択される少なくとも一種であることが好ましい。
　本発明のラテックス組成物において、前記シリコーン系界面活性剤が、ポリエーテル変性シリコーンであることが好ましい。
　本発明のラテックス組成物において、前記シリコーン系界面活性剤のＨＬＢ値が２～１８であることが好ましい。
　本発明のラテックス組成物において、前記シリコーン系界面活性剤の含有量が、前記共役ジエン系重合体１００重量部に対して０．１～５重量部であることが好ましい。
　本発明のラテックス組成物において、前記シリコーン系界面活性剤が、側鎖変性型変性シリコーンであることが好ましい。

　また、本発明によれば、上記本発明のラテックス組成物をディップ成形してなるディップ成形体が提供される。

　本発明によれば、貯蔵安定性に優れ、かつ、膜厚が薄く、膜厚均一性および引張強度に優れたディップ成形体を与えることができるラテックス組成物を提供することができる。

　本発明のラテックス組成物は、共役ジエン系重合体のラテックス、および、ケイ素原子含有量が１．５～１０重量％であるシリコーン系界面活性剤を含有するものである。

　本発明で用いる共役ジエン系重合体のラテックスを構成する共役ジエン系重合体としては、特に限定されないが、たとえば、合成ポリイソプレン、天然ゴム、スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、ニトリル基含有共役ジエン系共重合体などが挙げられる。これらのなかでも、合成ポリイソプレン、天然ゴムおよびスチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）から選択される少なくとも一種が好ましく、合成ポリイソプレン、蛋白質を除去した天然ゴム（脱蛋白質天然ゴム）およびスチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）から選択される少なくとも一種がより好ましく、合成ポリイソプレンおよびスチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）から選択される少なくとも一種がさらに好ましく、合成ポリイソプレンが特に好ましい。

　共役ジエン系重合体として合成ポリイソプレンを用いる場合には、合成ポリイソプレンは、イソプレンの単独重合体であってもよいし、イソプレンと共重合可能な他のエチレン性不飽和単量体とを共重合したものであってもよい。合成ポリイソプレン中のイソプレン単位の含有量は、柔軟で、引張強度により優れるディップ成形体が得られやすいことから、全単量体単位に対して、好ましくは７０重量％以上、より好ましくは９０重量％以上、さらに好ましくは９５重量％以上、特に好ましくは１００重量％（イソプレンの単独重合体）である。

　イソプレンと共重合可能な他のエチレン性不飽和単量体としては、たとえば、ブタジエン、クロロプレン、１，３－ペンタジエン等のイソプレン以外の共役ジエン単量体；アクリロニトリル、メタクリロニトリル、フマロニトリル、α－クロロアクリロニトリル等のエチレン性不飽和ニトリル単量体；スチレン、アルキルスチレン等のビニル芳香族単量体；（メタ）アクリル酸メチル（「アクリル酸メチルおよび／またはメタクリル酸メチル」の意味であり、以下、（メタ）アクリル酸エチルなども同様。）、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸－２－エチルヘキシル等のエチレン性不飽和カルボン酸エステル単量体；などが挙げられる。これらのイソプレンと共重合可能な他のエチレン性不飽和単量体は、１種単独でも、複数種を併用してもよい。

　合成ポリイソプレンは、従来公知の方法、たとえばトリアルキルアルミニウム－四塩化チタンからなるチーグラー系重合触媒やｎ－ブチルリチウム、ｓｅｃ－ブチルリチウムなどのアルキルリチウム重合触媒を用いて、不活性重合溶媒中で、イソプレンと、必要に応じて用いられる共重合可能な他のエチレン性不飽和単量体とを溶液重合して得ることができる。溶液重合により得られた合成ポリイソプレンの重合体溶液は、そのまま、合成ポリイソプレンのラテックスの製造に用いてもよいが、該重合体溶液から固形の合成ポリイソプレンを取り出した後、有機溶媒に溶解して、合成ポリイソプレンのラテックスの製造に用いることもできる。

　上述した方法により合成ポリイソプレンの重合体溶液を得た場合には、重合体溶液中に残った重合触媒の残渣などの不純物を取り除いてもよい。また、重合中または重合後の溶液に、後述する老化防止剤を添加してもよい。また、市販の固形の合成ポリイソプレンを用いることもできる。

　合成ポリイソプレン中のイソプレン単位としては、イソプレンの結合状態により、シス結合単位、トランス結合単位、１，２－ビニル結合単位、３，４－ビニル結合単位の４種類が存在する。得られるディップ成形体の引張強度向上の観点から、合成ポリイソプレンに含まれるイソプレン単位中のシス結合単位の含有割合は、全イソプレン単位に対して、好ましくは７０重量％以上、より好ましくは９０重量％以上、さらに好ましくは９５重量％以上である。

　合成ポリイソプレンの重量平均分子量は、ゲル・パーミーエーション・クロマトグラフィー分析による標準ポリスチレン換算で、好ましくは１０，０００～５，０００，０００、より好ましくは５００，０００～５，０００，０００、さらに好ましくは８００，０００～３，０００，０００である。合成ポリイソプレンの重量平均分子量を上記範囲とすることにより、ディップ成形体の引張強度がより向上し、引張伸び、および引裂強度が向上するとともに、合成ポリイソプレンのラテックスが製造しやすくなる傾向がある。

　また、合成ポリイソプレンのポリマー・ムーニー粘度（ＭＬ１＋４、１００℃）は、好ましくは５０～８０、より好ましくは６０～８０、さらに好ましくは７０～８０である。

　合成ポリイソプレンのラテックスを得るための方法としては、たとえば、（１）有機溶媒に溶解または微分散した合成ポリイソプレンの溶液または微細懸濁液を、乳化剤の存在下に、水中で乳化し、必要により有機溶媒を除去して、合成ポリイソプレンのラテックスを製造する方法、（２）イソプレン単独または、イソプレンとそれと共重合可能なエチレン性不飽和単量体との混合物を、乳化剤の存在下に、乳化重合もしくは懸濁重合して、直接、合成ポリイソプレンのラテックスを製造する方法、が挙げられるが、イソプレン単位中のシス結合単位の割合が高い合成ポリイソプレンを用いることができ、引張強度により優れるディップ成形体が得られやすい点から、上記（１）の製造方法が好ましい。

　上記（１）の製造方法で用いる有機溶媒としては、たとえば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒；シクロペンタン、シクロペンテン、シクロヘキサン、シクロヘキセン等の脂環族炭化水素溶媒；ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素溶媒；塩化メチレン、クロロホルム、二塩化エチレン等のハロゲン化炭化水素溶媒；等を挙げることができる。これらのうち、脂環族炭化水素溶媒、脂肪族炭化水素溶媒が好ましく、ペンタン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサンがより好ましく、ｎ－ヘキサンが特に好ましい。

　なお、有機溶媒の使用量は、合成ポリイソプレン１００重量部に対して、好ましくは２，０００重量部以下、より好ましくは２０～１，５００重量部、さらに好ましくは５００～１，５００重量部である。

　上記（１）の製造方法で用いる乳化剤としては、イオン性乳化剤を用いることが好ましく、中でも、アニオン性乳化剤を用いることがより好ましい。アニオン性乳化剤としては、たとえば、ラウリン酸ナトリウム、ミリスチン酸カリウム、パルミチン酸ナトリウム、オレイン酸カリウム、リノレン酸ナトリウム、ロジン酸ナトリウム、ロジン酸カリウム等の脂肪酸塩；ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウム、デシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、デシルベンゼンスルホン酸カリウム、セチルベンゼンスルホン酸ナトリウム、セチルベンゼンスルホン酸カリウム等のアルキルベンゼンスルホン酸塩；ジ（２－エチルヘキシル）スルホコハク酸ナトリウム、ジ（２－エチルヘキシル）スルホコハク酸カリウム、ジオクチルスルホコハク酸ナトリウム等のアルキルスルホコハク酸塩；ラウリル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸カリウム等のアルキル硫酸エステル塩；ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸カリウム等のポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩；ラウリルリン酸ナトリウム、ラウリルリン酸カリウム等のモノアルキルリン酸塩；等が挙げられる。

　これらアニオン性乳化剤の中でも、脂肪酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、アルキル硫酸エステル塩およびポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩が好ましく、脂肪酸塩およびアルキルベンゼンスルホン酸塩が特に好ましい。

　また、合成ポリイソプレン由来の、微量に残留する重合触媒（特に、アルミニウムとチタニウム）をより効率的に除去でき、ラテックス組成物を製造する際における、凝集物の発生が抑制されることから、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、アルキル硫酸エステル塩およびポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩からなる群から選ばれる少なくとも１種と、脂肪酸塩とを併用して用いることが好ましく、アルキルベンゼンスルホン酸塩と、脂肪酸塩とを併用して用いることが特に好ましい。ここで、脂肪酸塩としては、ロジン酸ナトリウムおよびロジン酸カリウムが好ましく、また、アルキルベンゼンスルホン酸塩としては、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムおよびドデシルベンゼンスルホン酸カリウムが好ましい。また、これらの乳化剤は、１種単独でも２種以上を併用してもよい。

　なお、上述したように、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、アルキル硫酸エステル塩およびポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩からなる群から選ばれる少なくとも１種と、脂肪酸塩とを併用して用いることにより、得られるラテックスが、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、アルキル硫酸エステル塩およびポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩の中から選ばれた少なくとも１種と、脂肪酸塩とを含有するものとなる。

　また、アニオン性乳化剤以外のイオン性乳化剤としては、α，β－不飽和カルボン酸のスルホエステル、α，β－不飽和カルボン酸のサルフェートエステル、スルホアルキルアリールエーテル等の共重合性の乳化剤が挙げられる。

　さらに、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエステル、ポリオキシエチレンソルビタンアルキルエステル等の非イオン性乳化剤も併用してもよい。

　上記（１）の製造方法で用いる乳化剤の使用量は、合成ポリイソプレン１００重量部に対して、好ましくは０．１～５０重量部、より好ましくは０．５～３０重量部である。なお、２種類以上の乳化剤を用いる場合においては、これらの合計の使用量を上記範囲とすることが好ましい。すなわち、たとえば、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、アルキル硫酸エステル塩およびポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩の中から選ばれた少なくとも１種と、脂肪酸塩とを併用する場合には、これらの使用量の合計を上記範囲とすることが好ましい。乳化剤の使用量を上記範囲とすることにより、乳化時の凝集物の発生を抑制することができる。

　また、アニオン性乳化剤として、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、アルキル硫酸エステル塩およびポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩の中から選ばれた少なくとも１種と、脂肪酸塩とを併用する場合には、これらの使用割合を、「脂肪酸塩」：「アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、アルキル硫酸エステル塩およびポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩の中から選ばれた少なくとも１種の乳化剤の合計」の重量比で、１：１～１０：１の範囲とすることが好ましく、１：１～７：１の範囲とすることがより好ましい。アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、アルキル硫酸エステル塩およびポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩の中から選ばれた少なくとも１種の乳化剤の使用割合を上記範囲とすることにより、合成ポリイソプレンの取り扱い時に発生する泡立ちを抑制することができ、これにより、長時間の静置や、消泡剤の添加などの操作が不要になり、作業性の改善およびコストダウンに繋がる。

　上記（１）の製造方法で使用する水の量は、合成ポリイソプレンの有機溶媒溶液１００重量部に対して、好ましくは１０～１，０００重量部、より好ましくは３０～５００重量部、最も好ましくは５０～１００重量部である。使用する水の種類としては、硬水、軟水、イオン交換水、蒸留水、ゼオライトウォーターなどが挙げられ、軟水、イオン交換水および蒸留水が好ましい。

　有機溶媒に溶解または微分散した合成ポリイソプレンの溶液または微細懸濁液を、乳化剤の存在下、水中で乳化する装置は、一般に乳化機または分散機として市販されているものであれば特に限定されず使用できる。合成ポリイソプレンの溶液または微細懸濁液に、乳化剤を添加する方法としては、特に限定されず、予め、水もしくは合成ポリイソプレンの溶液または微細懸濁液のいずれか、あるいは両方に添加してもよいし、乳化操作を行っている最中に、乳化液に添加してもよく、一括添加しても、分割添加してもよい。

　乳化装置としては、たとえば、商品名「ホモジナイザー」（ＩＫＡ社製）、商品名「ポリトロン」（キネマティカ社製）、商品名「ＴＫオートホモミキサー」（特殊機化工業社製）等のバッチ式乳化機；商品名「ＴＫパイプラインホモミキサー」（特殊機化工業社製）、商品名「コロイドミル」（神鋼パンテック社製）、商品名「スラッシャー」（日本コークス工業社製）、商品名「トリゴナル湿式微粉砕機」（三井三池化工機社製）、商品名「キャビトロン」（ユーロテック社製）、商品名「マイルダー」（太平洋機工社製）、商品名「ファインフローミル」（太平洋機工社製）等の連続式乳化機；商品名「マイクロフルイダイザー」（みずほ工業社製）、商品名「ナノマイザー」（ナノマイザー社製）、商品名「ＡＰＶガウリン」（ガウリン社製）等の高圧乳化機；商品名「膜乳化機」（冷化工業社製）等の膜乳化機；商品名「バイブロミキサー」（冷化工業社製）等の振動式乳化機；商品名「超音波ホモジナイザー」（ブランソン社製）等の超音波乳化機；等が挙げられる。なお、乳化装置による乳化操作の条件は、特に限定されず、所望の分散状態になるように、処理温度、処理時間などを適宜選定すればよい。

　上記（１）の製造方法においては、乳化操作を経て得られた乳化物から、有機溶媒を除去することが望ましい。乳化物から有機溶媒を除去する方法としては、得られる合成ポリイソプレンのラテックス中における、有機溶媒（好ましくは脂環族炭化水素溶媒）の含有量を５００重量ｐｐｍ以下とすることのできる方法が好ましく、たとえば、減圧蒸留、常圧蒸留、水蒸気蒸留、遠心分離等の方法を採用することができる。

　上記（１）の方法においては、乳化操作を経て得られた乳化物から、有機溶媒を除去して、合成ポリイソプレンのラテックスを得ることが望ましい。乳化物から有機溶媒を除去する方法は、得られる合成ポリイソプレンのラテックス中における、有機溶媒としての脂環族炭化水素溶媒および芳香族炭化水素溶媒の合計含有量を５００重量ｐｐｍ以下とすることができるような方法であれば、特に限定されず、減圧蒸留、常圧蒸留、水蒸気蒸留、遠心分離等の方法を採用することができる。

　さらに、有機溶媒を除去した後、必要に応じ、合成ポリイソプレンのラテックスの固形分濃度を上げるために、減圧蒸留、常圧蒸留、遠心分離、膜濃縮等の方法で濃縮操作を施してもよく、特に、合成ポリイソプレンのラテックスの固形分濃度を上げるとともに、合成ポリイソプレンのラテックス中の乳化剤の残留量を低減することができるという観点より、遠心分離を行うことが好ましい。

　遠心分離は、たとえば、連続遠心分離機を用いて、遠心力を、好ましくは１００～１０，０００Ｇ、遠心分離前の合成ポリイソプレンのラテックスの固形分濃度を、好ましくは２～１５重量％、遠心分離機に送り込む流速を、好ましくは５００～１７００Ｋｇ／ｈｒ、遠心分離機の背圧（ゲージ圧）を、好ましくは０．０３～１．６ＭＰａの条件にて実施することが好ましく、遠心分離後の軽液として、合成ポリイソプレンのラテックスを得ることができる。そして、これにより、合成ポリイソプレンのラテックス中における、乳化剤の残留量を低減することができる。

　合成ポリイソプレンのラテックスの固形分濃度は、好ましくは１０～７０重量％、より好ましくは２０～６０重量％、さらに好ましくは３０～５０重量％である。固形分濃度を上記範囲の下限以上とすることにより、後述するディップ成形体が破れにくくなる。また、固形分濃度を上記範囲の上限以下とすることにより、合成ポリイソプレンのラテックスの粘度が高くなりすぎることを防止し、配管での移送や調合タンク内での撹拌が容易なものとなる。

　合成ポリイソプレンのラテックスの体積平均粒子径は、好ましくは０．１～１０μｍ、より好ましくは０．５～３μｍ、さらに好ましくは０．５～２．０μｍである。この体積平均粒子径を上記範囲とすることにより、ラテックス粘度が適度なものとなり取り扱いやすくなるとともに、合成ポリイソプレンのラテックスを貯蔵した際に、ラテックス表面に皮膜が生成することを抑制できる。

　また、合成ポリイソプレンのラテックスには、ラテックスの分野で通常配合される、ｐＨ調整剤、消泡剤、防腐剤、架橋剤、キレート剤、酸素捕捉剤、分散剤、老化防止剤等の添加剤を配合してもよい。

　ｐＨ調整剤としては、たとえば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物；炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属の炭酸塩；炭酸水素ナトリウムなどのアルカリ金属の炭酸水素塩；アンモニア；トリメチルアミン、トリエタノールアミンなどの有機アミン化合物；等が挙げられるが、アルカリ金属の水酸化物またはアンモニアが好ましい。

　また、共役ジエン系重合体のラテックスとして、上述したように、蛋白質を除去した天然ゴム（脱蛋白質天然ゴム）のラテックスを用いることもできる。脱蛋白質天然ゴムのラテックスとしては、天然ゴムラテックス中の蛋白質を、たとえば蛋白質分解酵素や界面活性剤などにより分解し、洗浄や遠心分離などにより除去する方法などの、公知の蛋白質除去法により得られる、いわゆる「脱蛋白質天然ゴムラテックス」として知られているものを用いることができる。

　また、共役ジエン系重合体のラテックスとしては、上述したように、スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）のラテックスを用いることもできる。なお、ＳＩＳにおいては、「Ｓ」はスチレンブロック、「Ｉ」はイソプレンブロックをそれぞれ表す。

　ＳＩＳのラテックスに含まれるＳＩＳは、従来公知の方法、たとえばｎ－ブチルリチウムなどの活性有機金属を開始剤として、不活性重合溶媒中で、イソプレンとスチレンとをブロック共重合して得ることができる。そして、得られたＳＩＳの重合体溶液は、ＳＩＳラテックスの製造にそのまま用いてもよいが、該重合体溶液から固形のＳＩＳを取り出した後、その固形のＳＩＳを有機溶媒に溶解して、ＳＩＳラテックスの製造に用いることもできる。ＳＩＳラテックスの製造方法としては、特に限定されないが、有機溶媒に溶解または微分散したＳＩＳの溶液または微細懸濁液を、乳化剤の存在下に、水中で乳化し、必要により有機溶媒を除去して、ＳＩＳラテックスを製造する方法が好ましい。この際、合成した後に重合体溶液中に残った重合触媒の残渣などの不純物を取り除いてもよい。また、重合中または重合後の溶液に、後述する老化防止剤を添加してもよい。また、市販の固形のＳＩＳを用いることもできる。

　有機溶媒としては、上記合成ポリイソプレンの場合と同様のものを使用することができ、芳香族炭化水素溶媒および脂環族炭化水素溶媒が好ましく、シクロヘキサンおよびトルエンが特に好ましい。なお、有機溶媒の使用量は、ＳＩＳ１００重量部に対して、通常５０～２，０００重量部、好ましくは８０～１，０００重量部、より好ましくは１０～５００重量部、さらに好ましくは１５０～３００重量部である。

　乳化剤としては、上記合成ポリイソプレンの場合と同様のものを例示することができ、アニオン性乳化剤が好適であり、ロジン酸カリウムおよびドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムが特に好ましい。

　乳化剤の使用量は、ＳＩＳ１００重量部に対して、好ましくは０．１～５０重量部、より好ましくは０．５～３０重量部である。乳化剤の使用量を上記範囲とすることにより、得られるラテックスの貯蔵安定性をより向上させることができる。

　上述したＳＩＳラテックスの製造方法で使用する水の量は、ＳＩＳの有機溶媒溶液１００重量部に対して、好ましくは１０～１，０００重量部、より好ましくは３０～５００重量部、最も好ましくは５０～１００重量部である。使用する水の種類としては、硬水、軟水、イオン交換水、蒸留水、ゼオライトウォーターなどが挙げられる。また、メタノールなどのアルコールに代表される極性溶媒を水と併用してもよい。

　ＳＩＳの有機溶媒溶液または微細懸濁液を、乳化剤の存在下、水中で乳化する装置は、上記合成ポリイソプレンの場合と同様のものを例示することができる。そして、乳化剤の添加方法は、特に限定されず、予め水もしくはＳＩＳの有機溶媒溶液または微細懸濁液のいずれか、あるいは両方に添加してもよいし、乳化操作を行っている最中に、乳化液に添加してもよく、一括添加しても、分割添加してもよい。

　上述したＳＩＳラテックスの製造方法においては、乳化操作を経て得られた乳化物から、有機溶媒を除去して、ＳＩＳラテックスを得ることが好ましい。乳化物から有機溶媒を除去する方法は、特に限定されず、減圧蒸留、常圧蒸留、水蒸気蒸留、遠心分離等の方法を採用することができる。

　また、有機溶媒を除去した後、必要に応じ、ＳＩＳラテックスの固形分濃度を上げるために、減圧蒸留、常圧蒸留、遠心分離、膜濃縮等の方法で濃縮操作を施してもよい。

　ＳＩＳラテックスの固形分濃度は、好ましくは３０～７０重量％、より好ましくは５０～７０重量％である。固形分濃度を上記範囲の下限以上とすることにより、得られるディップ成形体が破れにくくなる。また、固形分濃度を上記範囲の上限以下とすることにより、ＳＩＳラテックスの粘度が高くなりすぎることを防止し、配管での移送や調合タンク内での撹拌が容易なものとなる。

　また、ＳＩＳラテックスには、ラテックスの分野で通常配合される、ｐＨ調整剤、消泡剤、防腐剤、架橋剤、キレート剤、酸素捕捉剤、分散剤、老化防止剤等の添加剤を配合しても良い。ｐＨ調整剤としては、上記合成ポリイソプレンの場合と同様のものを例示することができ、アルカリ金属の水酸化物またはアンモニアが好ましい。なお、この際におけるＳＩＳラテックスのｐＨは特に限定されないが、後述するように、ＳＩＳラテックス等を用いてラテックス組成物とし、該ラテックス組成物を所定の条件で熟成させる際に、熟成前のラテックス組成物のｐＨが、１０以上となっていることが好ましい。

　このようにして得られるＳＩＳラテックスに含まれる、ＳＩＳ中のスチレンブロックにおけるスチレン単位の含有量は、全単量体単位に対して、好ましくは７０～１００重量％、より好ましくは９０～１００重量％、さらに好ましくは１００重量％である。

　また、ＳＩＳ中のイソプレンブロックにおけるイソプレン単位の含有量は、全単量体単位に対して、好ましくは７０～１００重量％、より好ましくは９０～１００重量％、さらに好ましくは１００重量％である。

　なお、ＳＩＳ中のスチレン単位とイソプレン単位の含有割合は、「スチレン単位：イソプレン単位」の重量比で、通常１：９９～９０：１０、好ましくは３：９７～７０：３０、より好ましくは５：９５～５０：５０、さらに好ましくは１０：９０～３０：７０の範囲である。

　ＳＩＳの重量平均分子量は、ゲル・パーミーエーション・クロマトグラフィー分析による標準ポリスチレン換算で、好ましくは１０，０００～１，０００，０００、より好ましくは５０，０００～５００，０００、さらに好ましくは１００，０００～３００，０００である。ＳＩＳの重量平均分子量を上記範囲とすることにより、ディップ成形体の引張強度と柔軟性とのバランスが向上するとともに、ＳＩＳのラテックスが製造しやすくなる傾向がある。

　ＳＩＳラテックス中のラテックス粒子（ＳＩＳ粒子）の体積平均粒子径は、好ましくは０．１～１０μｍ、より好ましくは０．５～３μｍ、さらに好ましくは０．５～２．０μｍである。ラテックス粒子の体積平均粒子径を上記範囲とすることにより、ラテックス粘度が適度なものとなり取り扱いやすくなるとともに、ＳＩＳラテックスを貯蔵した際に、ラテックス表面に皮膜が生成することを抑制できる。

　本発明で用いる共役ジエン系重合体としては、上述したように、合成ポリイソプレン、天然ゴム、スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、ニトリル基含有共役ジエン系共重合体などを用いることができるが、これらに限定されず、ブタジエン重合体、スチレン－ブタジエン共重合体などを用いてもよい。

　ブタジエン重合体は、共役ジエン単量体としての１，３－ブタジエンの単独重合体であってもよいし、共役ジエン単量体としての１，３－ブタジエンと共重合可能な他のエチレン性不飽和単量体とを共重合してなる共重合体であってもよい。

　また、スチレン－ブタジエン共重合体は、共役ジエン単量体としての１，３－ブタジエンにスチレンを共重合してなる共重合体であり、これらに加えて、必要に応じて用いられる、これらと共重合可能な他のエチレン性不飽和単量体を共重合してなる共重合体であってもよい。

　また、本発明で用いる共役ジエン系重合体は、酸性基を有する単量体により変性して得られる酸変性共役ジエン系重合体であってもよく、カルボキシ変性されたカルボキシ変性共役ジエン系重合体であることが好ましい。カルボキシ変性共役ジエン系重合体は、上述した共役ジエン系重合体を、カルボキシル基を有する単量体により変性することにより得ることができる。なお、ニトリル基含有共役ジエン系共重合体として、可能なその他のエチレン性不飽和単量体として、エチレン性不飽和カルボン酸単量体を使用した場合には、既にカルボキシ変性されているため、後述するカルボキシル基を有する単量体による変性は、必ずしも必要でない。

　共役ジエン系重合体を、カルボキシル基を有する単量体により変性する方法としては、特に限定されないが、たとえば、共役ジエン系重合体に、カルボキシル基を有する単量体を水相中でグラフト重合する方法が挙げられる。カルボキシル基を有する単量体を水相中でグラフト重合する方法としては、特に限定されず、従来公知の方法を用いればよいが、たとえば、共役ジエン系重合体のラテックスに、カルボキシル基を有する単量体と、グラフト重合触媒とを添加した後、水相中で、共役ジエン系重合体に、カルボキシル基を有する単量体を反応させる方法が好ましい。

　グラフト重合触媒としては、特に限定されないが、たとえば、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、過リン酸カリウム、過酸化水素等の無機過酸化物；ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ｔ－ブチルハイドロパーオキサイド、１，１，３，３－テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、ジ－ｔ－ブチルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド等の有機過酸化物；２，２’－アゾビスイソブチロニトリル、アゾビス－２，４－ジメチルバレロニトリル、アゾビスイソ酪酸メチル等のアゾ化合物；等を挙げることができるが、得られるディップ成形体の引張強度がより向上するという観点から、有機過酸化物が好ましく、１，１，３，３－テトラメチルブチルハイドロパーオキサイドが特に好ましい。これらのグラフト重合触媒は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　上記グラフト重合触媒は、それぞれ単独で、あるいは２種類以上を組み合わせて使用することができる。グラフト重合触媒の使用量は、その種類によって異なるが、共役ジエン系重合体１００重量部に対して、好ましくは０．１～１０重量部、より好ましくは０．２～５重量部である。また、グラフト重合触媒を添加する方法としては、特に限定されず、一括添加、分割添加、連続添加等の公知の添加方法を採用することができる。

　また、有機過酸化物は、還元剤との組み合わせで、レドックス系重合開始剤として使用することができる。還元剤としては、特に限定されないが、たとえば、硫酸第一鉄、ナフテン酸第一銅等の還元状態にある金属イオンを含有する化合物；ヒドロキシメタンスルフィン酸ナトリウムなどのスルフィン酸塩；ジメチルアニリン等のアミン化合物；等が挙げられる。これらの還元剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　還元剤の添加量は、特に限定されないが、有機過酸化物１重量部に対して０．０１～１重量部であることが好ましい。

　有機過酸化物および還元剤の添加方法は、特に限定されず、それぞれ、一括添加、分割添加、連続添加等の公知の添加方法を用いることができる。

　共役ジエン系重合体にカルボキシル基を有する単量体を反応させる際の反応温度は、特に限定されないが、好ましくは１５～８０℃、より好ましくは３０～５０℃である。共役ジエン系重合体にカルボキシル基を有する単量体を反応させる際の反応時間は、上記反応温度に応じて適宜設定すればよいが、好ましくは３０～３００分間、より好ましくは６０～１２０分間である。

　共役ジエン系重合体にカルボキシル基を有する単量体を反応させる際における、共役ジエン系重合体のラテックスの固形分濃度は、特に限定されないが、好ましくは５～６０重量％、より好ましくは１０～４０重量％である。

　カルボキシル基を有する単量体としては、たとえば、アクリル酸、メタクリル酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸単量体；イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、ブテントリカルボン酸等のエチレン性不飽和多価カルボン酸単量体；フマル酸モノブチル、マレイン酸モノブチル、マレイン酸モノ２－ヒドロキシプロピル等のエチレン性不飽和多価カルボン酸の部分エステル単量体；無水マレイン酸、無水シトラコン酸等の多価カルボン酸無水物；などを挙げることができるが、カルボキシ変性による効果がより一層顕著になることから、エチレン性不飽和モノカルボン酸単量体が好ましく、アクリル酸およびメタクリル酸がより好ましく、メタクリル酸が特に好ましい。なお、これらの単量体は１種単独でも、２種以上を併用して用いてもよい。また、上記カルボキシル基は、アルカリ金属やアンモニア等との塩になっているものも含まれる。

　カルボキシル基を有する単量体の使用量は、共役ジエン系重合体１００重量部に対して、好ましくは０．０１～１００重量部、より好ましくは０．０１～４０重量部、さらに好ましくは０．５～２０重量部、特に好ましくは２～５重量部である。カルボキシル基を有する単量体の使用量を上記範囲とすることにより、得られるディップ成形体の引張強度が一層向上する。

　カルボキシル基を有する単量体を共役ジエン系重合体のラテックスに添加する方法としては、特に限定されず、一括添加、分割添加、連続添加等の公知の添加方法を採用することができる。

　カルボキシ変性共役ジエン系重合体におけるカルボキシル基を有する単量体による変性率は、得られる共役ジエン系重合体ラテックス組成物の使用目的に応じて適宜制御すればよいが、好ましくは０．０１～１０重量％、より好ましくは０．２～５重量％であり、さらに好ましくは０．３～３重量％、特に好ましくは０．４～２重量％、たとえば０．４～１重量％である。なお、変性率は、下記式で表される。
　　変性率（重量％）＝（Ｘ／Ｙ）×１００
　なお、上記式においては、Ｘは、カルボキシ変性共役ジエン系重合体中における、カルボキシル基を有する単量体の単位の重量を、Ｙは、カルボキシ変性共役ジエン系重合体の重量をそれぞれ表す。Ｘは、カルボキシ変性共役ジエン系重合体について、^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、^１Ｈ－ＮＭＲ測定の結果から算出する方法、あるいは、中和滴定により酸量を求め、求めた酸量から算出する方法などにより求めることができる。

　本発明のラテックス組成物は、上述した共役ジエン系重合体のラテックスに加えて、ケイ素原子含有量が１．５～１０重量％であるシリコーン系界面活性剤を含有する。

　本発明で用いるシリコーン系界面活性剤は、ポリシロキサン骨格を有する重合体からなる界面活性剤である。シリコーン系界面活性剤としては、たとえば、主鎖がシロキサン結合からなり、重合体主鎖末端および重合体側鎖側鎖がメチル基で構成されるジメチルシリコーン、側鎖の一部が水素であるメチルハイドロジェンシリコーンが挙げられる。

　シリコーン系界面活性剤としては、ジメチルシリコーンまたはメチルハイドロジェンシリコーン等のベースシリコーンに対して、ポリエーテル基、フロロアルキル基、フェニル基、アルキル基、アラルキル基等の変性基が導入されてなる変性シリコーンが好ましく、ベースシリコーンの主鎖末端の少なくとも一部に変性基が導入されてなる主鎖末端変性型変性シリコーンおよび／またはベースシリコーンの側鎖の少なくとも一部に変性基が導入されてなる側鎖変性型変性シリコーンがより好ましく、側鎖変性型変性シリコーンがさらに好ましい。以下、ベースシリコーンに対して、ポリエーテル基、フロロアルキル基、フェニル基、アルキル基、アラルキル基が導入されてなる変性シリコーンを、それぞれ、「ポリエーテル変性シリコーン」、「フロロアルキル変性シリコーン」、「フェニル変性シリコーン」、「アルキル変性シリコーン」、「アラルキル変性シリコーン」という場合がある。なお、変性シリコーンにおいて、変性基は、１種のみが導入されていてもよく、２種以上が導入されていてもよい。

　シリコーン系界面活性剤としての変性シリコーンとしては、ベースシリコーンとしてのジメチルシリコーンに対して変性基が導入されてなる変性ジメチルシリコーンが好ましい。

　シリコーン系界面活性剤としての変性シリコーンに導入される変性基としては、ポリエーテル基、フロロアルキル基、フェニル基、アルキル基またはアラルキル基が好ましく、ポリエーテル基がより好ましい。すなわち、シリコーン系界面活性剤としての変性シリコーンとしては、ポリエーテル変性シリコーン、フロロアルキル変性シリコーン、フェニル変性シリコーン、アルキル変性シリコーンまたはアラルキル変性シリコーンが好ましく、ポリエーテル変性シリコーンがより好ましい。

　ここで、ポリエーテル基とは、エーテル結合を含む２以上の繰り返し単位を含む置換基であり、特に限定されないが、［－Ｒ^１１（Ｃ_２Ｈ_４Ｏ）_ａＲ^１２］、［－Ｒ^１３（Ｃ_３Ｈ_６Ｏ）_ｂＲ^１４］、［－Ｒ^１５（Ｃ_２Ｈ_４Ｏ）_ｃ（Ｃ_３Ｈ_６Ｏ）_ｄＲ^１６］で表されるエチレンオキシド、プロピレンオキシド単位を主成分とする有機基が好ましく例示される。なお、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６は炭化水素基であり、ａ、ｂは６～３０の整数、ｃ、ｄは１～２０の整数である。

　シリコーン系界面活性剤としての変性シリコーンとしては、具体的には、下記一般式（１）～（３）で表される化合物が挙げられる。

　なお、一般式（１）～（３）において、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３は、それぞれ、水素原子またはメチル基であり、Ｘ^１、Ｘ^２は、それぞれ、変性基であり、ｍは０以上の整数であり、ｎは１以上の整数である。ここで、一般式（１）～（３）において、ｍが２以上である場合、２以上のＲ^１は互いに同一であっても異なってもよく、２以上のＲ^２は互いに同一であっても異なってもよい。また、一般式（３）において、ｎが２以上である場合、２以上のＲ^３は互いに同一であっても異なってもよく、２以上のＸ^１は互いに同一であっても異なってもよい。

　一般式（１）および（２）は、主鎖末端変性型変性シリコーンを表す。また、一般式（３）は、側鎖変性型変性シリコーンを表す。

　一般式（１）および一般式（２）において、Ｒ^１、Ｒ^２は、それぞれ、水素原子またはメチル基であり、特に限定されないが、全てのＲ^１およびＲ^２がメチル基であることが好ましい。なお、全てのＲ^１およびＲ^２がメチル基である場合、一般式（１）および一般式（２）は、主鎖末端変性型変性ジメチルシリコーンを表す。

　一般式（３）において、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３は、それぞれ、水素原子またはメチル基であり、特に限定されないが、全てのＲ^１、Ｒ^２およびＲ^３がメチル基であることが好ましい。なお、全てのＲ^１、Ｒ^２およびＲ^３がメチル基である場合、一般式（３）は、側鎖変性型変性ジメチルシリコーンを表す。

　一般式（１）において、Ｘ^１、Ｘ^２は、それぞれ、変性基である。変性基としては、たとえば、ポリエーテル基、フロロアルキル基、フェニル基、アルキル基、アラルキル基が挙げられ、ポリエーテル基が好ましい。たとえば、シリコーン系界面活性剤としての変性シリコーンが、ポリエーテル変性シリコーンである場合について例示すると、一般式（１）において、Ｘ^１、Ｘ^２の少なくとも一方がポリエーテル基であればよく、特に限定されないが、Ｘ^１、Ｘ^２の両方がポリエーテル基であることが好ましい。なお、Ｘ^１、Ｘ^２の両方がポリエーテル基である場合において、Ｘ^１、Ｘ^２は同一のポリエーテル基であってもよく、異なるポリエーテル基であってもよい。

　一般式（１）～（３）において、ｍは０以上の整数であり、特に限定されないが、１以上の整数が好ましい。

　シリコーン系界面活性剤としての変性シリコーンとしては、一般式（１）または一般式（３）で表される化合物が好ましく、一般式（１）においてＸ^１、Ｘ^２の両方がポリエーテル基であるポリエーテル変性シリコーン、または、一般式（３）においてＸ^１がポリエーテル基であるポリエーテル変性シリコーンがより好ましく、一般式（３）においてＸ^１がポリエーテル基であるポリエーテル変性シリコーンがさらに好ましい。

　本発明で用いるシリコーン系界面活性剤のケイ素原子含有量は、１．５～１０重量％である。ケイ素原子含有量が１．５～１０重量％であるシリコーン系界面活性剤を含有する本発明のラテックス組成物は、貯蔵安定性に優れ、かつ、膜厚が薄く、膜厚均一性および引張強度に優れたディップ成形体を与えることができる。特に、本発明のラテックス組成物を用いて多層のディップ成形層を形成する場合には、１層目のディップ成形層を形成した後、２層目のディップ成形層を形成する際に、１層目のディップ成形層上に本発明のラテックス組成物からなる層を均一に形成することができるため、２層目のディップ成形層の形成によりピンホール等の欠損を有効に抑制しながら、形成されるディップ成形層全体（１層目のディップ成形層と、２層目のディップ成形層とからなるディップ成形層全体）を均一性に優れたものすることができる。その結果として、本発明のラテックス組成物は、貯蔵安定性に優れ、かつ、膜厚が薄く、膜厚均一性および引張強度に優れたディップ成形体を与えることができる。

　シリコーン系界面活性剤が、一般式（１）～（３）で表される化合物である場合には、シリコーン系界面活性剤のケイ素原子含有量は、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３の種類や、変性基の種類や変性基の導入数によって調整することができ、また、一般式（３）で表される化合物である場合には、これに加えて、ｍとｎとの比率を調整することによっても調整することができる。

　シリコーン系界面活性剤のケイ素原子含有量は、１．５～１０重量％であればよく、特に限定されないが、２～９重量％であることが好ましく、２．５～７重量％であることがより好ましく、３～５重量％であることがさらに好ましい。ケイ素原子含有量が上記範囲内であることにより、得られるディップ成形体の膜厚均一性をより高めることができる。

　本発明で用いるシリコーン系界面活性剤のＨＬＢ値（Ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｅ－Ｌｉｐｏｐｈｉｌｅ　Ｂａｌａｎｃｅ）は、特に限定されないが、２～１８であることが好ましく、８～１７であることがより好ましく、１０～１６であることがさらに好ましい。ＨＬＢ値が上記範囲内であることにより、得られるディップ成形体の膜厚均一性をより高めることができる。

　本発明のラテックス組成物において、シリコーン系界面活性剤の含有量は、特に限定されないが、共役ジエン系重合体１００重量部に対して、０．１～５重量部であることが好ましく、０．３～３重量部であることがより好ましく、０．５～１．５重量部であることがさらに好ましい。シリコーン系界面活性剤の含有量が上記範囲内であることにより、得られるディップ成形体の膜厚均一性をより高めることができる。

　本発明のラテックス組成物は、上述した共役ジエン系重合体のラテックスおよびケイ素原子含有量が１．５～１０重量％であるシリコーン系界面活性剤に加えて、架橋剤を含有することが好ましい。

　架橋剤としては、硫黄系加硫剤が好適に用いられる。硫黄系加硫剤としては、たとえば、粉末硫黄、硫黄華、沈降硫黄、コロイド硫黄、表面処理硫黄、不溶性硫黄等の硫黄；塩化硫黄、二塩化硫黄、モルホリン・ジスルフィド、アルキルフェノールジスルフィド、カプロラクタムジスルフィド（Ｎ，Ｎ’－ジチオ－ビス（ヘキサヒドロ－２Ｈ－アゼピノン－２））、含りんポリスルフィド、高分子多硫化物、２－（４’－モルホリノジチオ）ベンゾチアゾール等の硫黄含有化合物が挙げられる。これらのなかでも、硫黄が好ましく使用できる。架橋剤は、１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

　本発明のラテックス組成物中における、架橋剤の含有量は、特に限定されないが、共役ジエン系重合体１００重量部に対して、好ましくは０．１～１０重量部、より好ましくは０．２～５重量部、さらに好ましくは０．５～３重量部である。架橋剤の含有量を上記範囲とすることにより、得られるディップ成形体において、硬さの上昇を抑えながら、引張強度をより高めることができる。

　また、本発明のラテックス組成物は、架橋促進剤をさらに含有することが好ましい。架橋促進剤としては、得られるディップ成形体を、遅延型アレルギー（Ｔｙｐｅ　ＩＶ）の症状の発生が好適に抑制されたものとするという観点より、キサントゲン化合物が好適に用いられる。

　キサントゲン化合物としては、特に限定されないが、たとえば、キサントゲン酸、キサントゲン酸塩、キサントゲン二硫化物（２つのキサントゲン酸が硫黄原子等を介して結合された化合物）、キサントゲン多硫化物（３以上のキサントゲン酸が硫黄原子等を介して結合された化合物）などが挙げられる。

　キサントゲン酸塩としては、キサントゲン酸構造を有する塩化合物であればよく、特に限定されないが、キサントゲン酸の金属塩であることが好ましく、なかでも、一般式（ＲＯＣ（＝Ｓ）Ｓ）ｘ－Ｚ（ここで、Ｒは直鎖状または分岐状の炭化水素、Ｚは金属原子である。ｘはＺの原子価と一致する数で、通常１～４、好ましくは２～４、特に好ましくは２である。）で表される化合物が好適である。また、キサントゲン酸の金属塩の中でも、キサントゲン酸の亜鉛塩がより好ましい。

　上記一般式（ＲＯＣ（＝Ｓ）Ｓ）ｘ－Ｚで表されるキサントゲン酸塩としては、特に限定されないが、たとえば、ジメチルキサントゲン酸亜鉛、ジエチルキサントゲン酸亜鉛、ジプロピルキサントゲン酸亜鉛、ジイソプロピルキサントゲン酸亜鉛、ジブチルキサントゲン酸亜鉛、ジペンチルキサントゲン酸亜鉛、ジヘキシルキサントゲン酸亜鉛、ジヘプチルキサントゲン酸亜鉛、ジオクチルキサントゲン酸亜鉛、ジ（２－エチルヘキシル）キサントゲン酸亜鉛、ジデシルキサントゲン酸亜鉛、ジドデシルキサントゲン酸亜鉛、ジメチルキサントゲン酸カリウム、エチルキサントゲン酸カリウム、プロピルキサントゲン酸カリウム、イソプロピルキサントゲン酸カリウム、ブチルキサントゲン酸カリウム、ペンチルキサントゲン酸カリウム、ヘキシルキサントゲン酸カリウム、ヘプチルキサントゲン酸カリウム、オクチルキサントゲン酸カリウム、２－エチルヘキシルキサントゲン酸カリウム、デシルキサントゲン酸カリウム、ドデシルキサントゲン酸カリウム、メチルキサントゲン酸ナトリウム、エチルキサントゲン酸ナトリウム、プロピルキサントゲン酸ナトリウム、イソプロピルキサントゲン酸ナトリウム、ブチルキサントゲン酸ナトリウム、ペンチルキサントゲン酸ナトリウム、ヘキシルキサントゲン酸ナトリウム、ヘプチルキサントゲン酸ナトリウム、オクチルキサントゲン酸ナトリウム、２－エチルヘキシルキサントゲン酸ナトリウム、デシルキサントゲン酸ナトリウム、ドデシルキサントゲン酸ナトリウム等が挙げられる。これらのなかでも、イソプロピルキサントゲン酸塩類、ブチルキサントゲン酸塩類であってよく、上記一般式（ＲＯＣ（＝Ｓ）Ｓ）ｘ－Ｚにおけるｘが２以上であるキサントゲン酸塩が好ましく、ジイソプロピルキサントゲン酸塩類、ジブチルキサントゲン酸塩類がより好ましく、ジイソプロピルキサントゲン酸亜鉛、ジブチルキサントゲン酸亜鉛がさらに好ましく、ジイソプロピルキサントゲン酸亜鉛が特に好ましい。これらのキサントゲン酸塩は、１種単独でも、複数種を併用してもよい。

　キサントゲン二硫化物は、２つのキサントゲン酸が硫黄原子等を介して結合された化合物であり、特に限定されないが、ジメチルキサントゲンジスルフィド、ジエチルキサントゲンジスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド、ジブチルキサントゲンジスルフィド、ジメチルキサントゲンポリスルフィド、ジエチルキサントゲンポリスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンポリスルフィド、ジブチルキサントゲンポリスルフィドなどが挙げられ、これらのなかでも、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド、ジブチルキサントゲンジスルフィドが好ましい。

　キサントゲン多硫化物は、３以上のキサントゲン酸が硫黄原子等を介して結合された化合物であり、３つのキサントゲン酸が硫黄を介して結合されたキサントゲン三硫化物、４つのキサントゲン酸が硫黄を介して結合されたキサントゲン四硫化物、５つのキサントゲン酸が硫黄を介して結合されたキサントゲン五硫化物などが挙げられる。

　なお、これらのキサントゲン化合物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　また、本発明においては、架橋促進剤として、キサントゲン化合物に代えて、あるいは、キサントゲン化合物とともに、キサントゲン化合物以外の架橋促進剤を用いてもよい。得られるディップ成形体を、遅延型アレルギー（Ｔｙｐｅ　ＩＶ）の症状の発生が好適に抑制されたものとするという観点より、架橋促進剤の主成分（好ましくは架橋促進剤の５０重量％以上、より好ましくは８０重量％以上、さらに好ましくは９９重量％以上）がキサントゲン化合物であることが好ましい。

　このようなキサントゲン化合物以外の架橋促進剤としては、ディップ成形において通常用いられるものが使用でき、たとえば、ジエチルジチオカルバミン酸、ジブチルジチオカルバミン酸、ジ－２－エチルヘキシルジチオカルバミン酸、ジシクロヘキシルジチオカルバミン酸、ジフェニルジチオカルバミン酸、ジベンジルジチオカルバミン酸などのジチオカルバミン酸類およびそれらの亜鉛塩；２－メルカプトベンゾチアゾール、２－メルカプトベンゾチアゾール亜鉛、２－メルカプトチアゾリン、ジベンゾチアジル・ジスルフィド、２－（２，４－ジニトロフェニルチオ）ベンゾチアゾール、２－（Ｎ，Ｎ－ジエチルチオ・カルバモイルチオ）ベンゾチアゾール、２－（２，６－ジメチル－４－モルホリノチオ）ベンゾチアゾール、２－（４′－モルホリノ・ジチオ）ベンゾチアゾール、４－モルホリニル－２－ベンゾチアジル・ジスルフィド、１，３－ビス（２－ベンゾチアジル・メルカプトメチル）ユリアなどが挙げられるが、これらのなかでは、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛、２－メルカプトベンゾチアゾール亜鉛が好ましく、これら３種を組み合わせて用いることがより好ましい。架橋促進剤は、１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。一方で、得られるディップ成形体を、遅延型アレルギー（Ｔｙｐｅ　ＩＶ）の症状の発生が好適に抑制されたものとするという観点からは、ジチオカルバミン酸類およびそれらの亜鉛塩、ならびに、２－メルカプトベンゾチアゾール亜鉛を実質的に含まない（共役ジエン系重合体１００重量部に対して好ましくは０．１重量部以下である）ことが好ましい。

　本発明のラテックス組成物中における、架橋促進剤の含有量は、共役ジエン系重合体１００重量部に対して、好ましくは０．０１～１０重量部、より好ましくは０．１～７重量部、さらに好ましくは０．５～５重量部である。架橋促進剤の含有量を上記範囲とすることにより、得られるディップ成形体において、硬さの上昇を抑えながら、引張強度をより高めることができる。

　本発明のラテックス組成物は、活性化剤をさらに含有するものであることが好ましい。活性化剤としては、架橋を活性化する作用のある化合物であればよく、特に限定されないが、たとえば、金属酸化物が挙げられる。金属酸化物は、共役ジエン系重合体としてカルボキシ変性共役ジエン系重合体を使用した場合に、カルボキシル基を架橋する架橋剤としても作用し、これにより、得られるディップ成形体の引張強度をより高めることができるため、好ましい。

　金属酸化物としては、特に限定されないが、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化カルシウム、鉛酸化物、酸化鉄、酸化銅、酸化錫、酸化ニッケル、酸化クロム、酸化コバルト、および酸化アルミニウムなどが挙げられる。これらのなかでも、得られるディップ成形体の引張強度がより向上するという観点より、酸化亜鉛が好ましい。これらの金属酸化物は、１種単独でも、複数種を併用してもよい。

　本発明のラテックス組成物中における、活性化剤の含有量は、特に限定されないが、共役ジエン系重合体１００重量部に対して、好ましくは０．０１～３０重量部、より好ましくは０．１～１０重量部、さらに好ましくは０．５～５重量部である。活性化剤の含有割合を上記範囲とすることにより、得られるディップ成形体の引張強度をより向上させることができる。

　本発明のラテックス組成物には、さらに、老化防止剤；分散剤；カーボンブラック、シリカ、タルク等の補強剤；炭酸カルシウム、クレー等の充填剤；紫外線吸収剤；可塑剤；等の配合剤を必要に応じて配合することができる。

　老化防止剤としては、２，６－ジ－４－メチルフェノール、２，６－ジ－ｔ－ブチルフェノール、ブチルヒドロキシアニソール、２，６－ジ－ｔ－ブチル－α－ジメチルアミノ－ｐ－クレゾール、オクタデシル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、スチレン化フェノール、２，２’－メチレン－ビス（６－α－メチル－ベンジル－ｐ－クレゾール）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジ－ｔ－ブチルフェノール）、２，２’－メチレン－ビス（４－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、アルキル化ビスフェノール、ｐ－クレゾールとジシクロペンタジエンのブチル化反応生成物、などの硫黄原子を含有しないフェノール系老化防止剤；２，２’－チオビス－（４－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、４，４’－チオビス－（６－ｔ－ブチル－ｏ－クレゾール）、２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－（４，６－ビス（オクチルチオ）－１，３，５－トリアジン－２－イルアミノ）フェノールなどのチオビスフェノール系老化防止剤；トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、テトラフェニルジプロピレングリコール・ジホスファイトなどの亜燐酸エステル系老化防止剤；チオジプロピオン酸ジラウリルなどの硫黄エステル系老化防止剤；フェニル－α－ナフチルアミン、フェニル－β－ナフチルアミン、ｐ－（ｐ－トルエンスルホニルアミド）－ジフェニルアミン、４，４’―（α，α－ジメチルベンジル）ジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ－ジフェニル－ｐ－フェニレンジアミン、Ｎ－イソプロピル－Ｎ’－フェニル－ｐ－フェニレンジアミン、ブチルアルデヒド－アニリン縮合物などのアミン系老化防止剤；６－エトキシ－２，２，４－トリメチル－１，２－ジヒドロキノリンなどのキノリン系老化防止剤；２，５－ジ－（ｔ－アミル）ハイドロキノンなどのハイドロキノン系老化防止剤；などが挙げられる。これらの老化防止剤は、１種単独で、または２種以上を併用することができる。

　本発明のラテックス組成物中における、老化防止剤の含有量は、共役ジエン系重合体１００重量部に対して、好ましくは０．０５～１０重量部、より好ましくは０．１～５重量部である。

　本発明のラテックス組成物を調製する方法としては、特に限定されないが、たとえば、上述した共役ジエン系重合体のラテックスに、上述したシリコーン系界面活性剤、ならびに必要に応じて用いられる各種配合剤を混合する方法などが挙げられる。この際においては、共役ジエン系重合体のラテックス以外の配合成分の水性分散液を調製した後、該水性分散液を、共役ジエン系重合体のラテックスに混合する方法などを採用することもできる。また、架橋促進剤を用いる場合（特に、架橋促進剤として、キサントゲン化合物を用いる場合）には、架橋促進剤と、ポリオキシアルキレン系界面活性剤とを含有する水分散液を予め調製し、これらを水分散液の状態で配合することが好ましい。

　なお、本発明のラテックス組成物の固形分濃度は、好ましくは１０～６０重量％、より好ましくは１０～５５重量％である。

　また、得られるディップ成形体の機械的特性を十分なものとするという観点より、本発明のラテックス組成物について、ディップ成形に供する前に、熟成（前架橋）を行うことが好ましい。なお、熟成の温度は、特に限定されないが、好ましくは２０～４０℃である。

　本発明のラテックス組成物をディップ成形することにより、本発明のディップ成形体を得ることができる。本発明のディップ成形体は、本発明のラテックス組成物をディップ成形してなるものであるため、膜厚が薄いものとすることができ、そのように膜厚が薄い（たとえば、膜厚が１００μｍ以下である）場合であっても、膜厚均一性および引張強度に優れている。

　ディップ成形は、ラテックス組成物に型を浸漬し、型の表面に当該組成物を沈着させ、次に型を当該組成物から引き上げ、その後、型の表面に沈着した当該組成物を乾燥させる方法である。乾燥条件は適宜選択すればよい。なお、ラテックス組成物に浸漬される前の型は予熱しておいてもよい。

　ディップ成形方法としては、ラテックス組成物に浸漬する前の型を凝固剤の溶液に浸漬して型に凝固剤を付着させる方法（アノード凝着浸漬法）、ラテックス組成物を沈着させた型を凝固剤溶液に浸漬する方法（ティーグ凝着浸漬法）、凝固剤を使用しないで型にラテックス組成物を沈着させる方法（直接浸漬法）などが挙げられるが、得られるディップ成形体の膜厚を薄いものとするという観点より、本発明のディップ成形体は、直接浸漬法により得ることが好ましい。

　直接浸漬法においては、ラテックス組成物に型を浸漬した後に型を引きあげ、型の表面に付着させたラテックス組成物を乾燥等により沈着させ、型上にディップ成形層を形成する。なお、乾燥条件は適宜選択すればよい。そして、直接浸漬法においては、ピンホールの抑制や、外観のムラを抑制するため、通常、型上に第１のディップ成形層を形成した後、再度、ディップ成形層が形成された型をラテックス組成物に浸漬し、引きあげ、乾燥等することにより、型上に第２のディップ成形層を形成する、２回浸漬法が採用される。本発明のディップ成形体を２回浸漬法により得る場合には、ディップ成形体の膜厚均一性および引張強度をより高める観点から、１回目のディップ成形も、２回目のディップ成形も、本発明のラテックス組成物を用いて行うことが好ましい。すなわち、本発明のラテックス組成物をディップ成形することにより、第１のディップ成形層を形成した後、第１のディップ成形層上に、本発明のラテックス組成物をディップ成形することにより、第２のディップ成形層を形成することが好ましい。このような方法により、本発明のラテックス組成物をディップ成形してなる第１のディップ成形層、および、第１のディップ成形層上に形成された、本発明のラテックス組成物をディップ成形してなる第２のディップ成形層を備えるディップ成形体を得ることができる。

　直接浸漬法においては、凝固剤を使用しないことから、膜厚が薄く、凝固剤の残留が抑制されたディップ成形体を得ることができる一方で、１度のディップ成形のみでは（すなわち、ディップ成形により１層のみ形成した場合には）、膜厚が薄いため、ピンホールなどの構造欠陥が生じてしまう場合がある。このようなピンホールなどの構造欠陥を抑制するという観点より、ディップ成形を複数回行い、ディップ成形層を多層とする方法が考えられるが、本発明者等が検討を行ったところ、ディップ層を多層とすると、新しく形成された層と、下層との間において充分な親和性が確保できず、ハジキやムラなどが発生してしまい、膜厚の均一性を確保することが難しいという課題があった。これに対し、本発明者等が鋭意検討を行ったところ、上記した本発明のラテックス組成物によれば、このような課題を有効に解決することができ、これにより、直接浸漬法、特に、２回浸漬法によりディップ成形体を得た場合でも、優れた膜厚均一性および引張強度を達成できることを見出したものである。また、直接浸漬法、特に、２回浸漬法を採用することにより、得られるディップ成形体の膜厚の薄膜化をも可能とすることができるものである。

　次いで、型上に形成されたディップ成形層を、加熱により架橋させる。ディップ成形層の架橋は、通常、８０～１５０℃の温度で、好ましくは１０～１３０分の加熱処理を施すことにより行うことができる。加熱の方法としては、赤外線や加熱空気による外部加熱または高周波による内部加熱による方法が採用できる。なかでも、加熱空気による外部加熱が好ましい。なお、加熱処理を施す前に、ディップ成形層を、水、好ましくは３０～７０℃の温水に、１～６０分程度浸漬し、水溶性不純物（たとえば、余剰の乳化剤や凝固剤等）を除去してもよい。水溶性不純物の除去操作は、ディップ成形層を加熱処理した後に行なってもよいが、より効率的に水溶性不純物を除去できる点から、加熱処理前に行なうことが好ましい。

　そして、ディップ成形層をディップ成形用型から脱着することによって、ディップ成形体が得られる。脱着方法としては、手で成形用型から剥したり、水圧や圧縮空気の圧力により剥したりする方法を採用することができる。なお、脱着後、更に６０～１２０℃の温度で、１０～１２０分の加熱処理を行なってもよい。

　ディップ成形体の膜厚は、好ましくは１０～５００μｍ、より好ましくは１０～１００μｍ、特に好ましくは１０～５０μｍである。本発明のディップ成形体は、膜厚が薄い（たとえば、膜厚が１００μｍ以下である）場合にも、膜厚均一性および引張強度に優れている。

　本発明のディップ成形体は、たとえば、手袋、哺乳瓶用乳首、スポイト、チューブ、水枕、バルーンサック、カテーテル、コンドーム、プローブカバーなどの医療用品；風船、人形、ボールなどの玩具；加圧成形用バック、ガス貯蔵用バックなどの工業用品；指サックなどに用いることができる。

　特に、本発明のディップ成形体は、膜厚が薄いものとした場合であっても、膜厚均一性および引張強度に優れていることから、医療用手袋やコンドーム、プローブカバー等の、膜厚が薄い医療用品として特に好適に用いることができる。

　以下、実施例により本発明が詳細に説明されるが、本発明はこれらの実施例に限定されない。なお、以下の「部」は、特に断りのない限り、重量基準である。なお、各種の物性は以下のように測定した。

＜固形分濃度＞
　アルミ皿（重量：Ｘ１）に試料２ｇを精秤し（重量：Ｘ２）、これを１０５℃の熱風乾燥器内で２時間乾燥させた。次いで、デシケーター内で冷却した後、アルミ皿ごと重量を測定し（重量：Ｘ３）、下記の計算式にしたがって、固形分濃度を算出した。
　固形分濃度（重量％）＝（Ｘ３－Ｘ１）×１００／Ｘ２

＜カルボキシ変性合成ポリイソプレンの変性率＞
　カルボキシ変性合成ポリイソプレンのラテックスを構成するカルボキシ変性合成ポリイソプレンについて、水酸化ナトリウム水溶液を用いた中和滴定により、カルボキシ変性合成ポリイソプレン中におけるカルボキシル基の数を求めた。次いで、求めたカルボキシル基の数に基づいて、下記式にしたがって、カルボキシル基を有する単量体による変性率を求めた。
　　変性率（重量％）＝（Ｘ／Ｙ）×１００
　なお、上記式においては、Ｘは、カルボキシ変性合成ポリイソプレン中における、カルボキシル基を有する単量体の単位の重量を、Ｙは、カルボキシ変性合成ポリイソプレンの重量をそれぞれ表す。

＜貯蔵安定性＞
　ラテックス組成物に対し、２５℃に調整された恒温水槽でさらに４８時間熟成（前加硫）した。なお、合計の熟成時間は９６時間である。そして、得られた熟成後のラテックス組成物の重量を測定した後、２００メッシュのふるいでろ過し、ふるい上に残留した凝集物の重量を測定した。下式に従い凝集割合を算出した。
　凝集割合（％）＝凝集物の重量÷熟成後のラテックス組成物の重量×１００

　上記にて算出した凝集割合に基づき、以下の基準でラテックス組成物の貯蔵安定性を評価した。
◎：凝集割合が０％である。（ふるい上に凝集物が全く残留しなかった。）
〇：凝集割合が０％超１％未満である。
△：凝集割合が１％以上５％未満である。
×：凝集割合が５％以上である。

＜ディップ成形層の外観＞
　実施例および比較例において、第１のディップ成形層の形成後に、第１のディップ成形層について、ディップ成形層が形成されない部分の有無や、膜厚のムラの有無を目視にて観察した。また、第２のディップ成形層の形成後に、第２のディップ成形層について、同様に目視にて観察した。ディップ成形層が形成されない部分が観察されず、かつ、膜厚のムラが観察されない場合には、外観が良好であると判断した。

＜膜厚均一性＞
　ガラスモールドをラテックス組成物に浸漬させた際における、ラテックス組成物との接触時間が最も長い箇所（ガラスモールドの先端）に対応する、ディップ成形体の箇所から、３ｃｍ以内で測定箇所を１０点選択した。そして、選択した１０点の厚みを測定し、測定した１０点の厚みの算術平均を算出し、ディップ成形体の膜厚を求めた。また、上記にて測定した１０点の厚みの標準偏差σを算出し、３σ（標準偏差σの３倍の値）を求めた。膜厚が同程度である場合、３σが小さいほど膜厚均一性に優れると判断できる。

＜引張強度＞
　ＡＳＴＭ　Ｄ６２４－００に基づいて、ディップ成形体を、２３℃、相対湿度５０％の恒温恒湿室で２４時間以上放置した後、ダンベル（商品名「Ｄｉｅ　Ｃ」、ダンベル社製）で打ち抜き、引裂強度測定用の試験片を作製した。当該試験片をテンシロン万能試験機（商品名「ＲＴＧ－１２１０」、Ａ＆Ｄ社製）で引張速度５００ｍｍ／ｍｉｎで引っ張り、引裂強度（単位：Ｎ／ｍｍ）を測定した。引裂強度が高いほど、引裂強度に優れたディップ成形体であると判断できる。

＜実施例１＞
（カルボキシ変性合成ポリイソプレン（Ａ－１）のラテックスの製造）
　合成ポリイソプレン（商品名「ＮＩＰＯＬ　ＩＲ２２００Ｌ」、日本ゼオン社製）をｎ－ヘキサン（沸点：６９℃）と混合し、攪拌しながら温度を６０℃に昇温して溶解し、合成ポリイソプレン濃度１５重量％である、合成ポリイソプレンのｎ－ヘキサン溶液（ａ）を調製した。

　一方、ロジン酸カリウムを水に添加し、温度を６０℃に昇温して溶解し、濃度１．５重量％の乳化剤水溶液（ｂ）を調製した。

　次に、上記にて得られた合成ポリイソプレンのｎ－ヘキサン溶液（ａ）と、乳化剤水溶液（ｂ）とを、合成ポリイソプレンのｎ－ヘキサン溶液（ａ）中の合成ポリイソプレン１００部に対して、乳化剤水溶液（ｂ）中のロジン酸カリウムが１０部となるように、ミキサー（製品名「マルチラインミキサーＭＳ２６－ＭＭＲ－５．５Ｌ」、佐竹化学機械工業社製）を用いて混合し、続いて、乳化装置（製品名「マイルダーＭＤＮ３１０」、太平洋機工社製）を用いて、回転数４１００ｒｐｍで混合および乳化することで、乳化分散液（ｃ）を得た。なお、この際、合成ポリイソプレンのｎ－ヘキサン溶液（ａ）と乳化剤水溶液（ｂ）との合計のフィード流速は２，０００ｋｇ／ｈｒ、温度は６０℃、背圧（ゲージ圧）は０．５ＭＰａとした。

　次いで、得られた乳化分散液（ｃ）を、－０．０１～－０．０９ＭＰａ（ゲージ圧）の減圧下で８０℃に加温し、ｎ－ヘキサンを留去し、合成ポリイソプレンの水分散液（ｄ）を得た。その際、消泡剤（商品名「ＳＭ５５１５」、東レ・ダウコーニング社製）を、乳化分散液（ｃ）中の合成ポリイソプレンに対して３００重量ｐｐｍの量になるよう、噴霧しながら連続添加した。なお、ｎ－ヘキサンを留去する際には、乳化分散液（ｃ）がタンクの容積の７０体積％以下になるように調整し、かつ、攪拌翼として３段の傾斜パドル翼を用い、６０ｒｐｍでゆっくり攪拌を実施した。

　そして、ｎ－ヘキサンの留去が完了した後、得られた合成ポリイソプレンの水分散液（ｄ）を、連続遠心分離機（製品名「ＳＲＧ５１０」、アルファラバル社製）を用いて、８，０００～９，０００Ｇで遠心分離することで濃縮し、軽液としての固形分濃度６０重量％の合成ポリイソプレンのラテックス（ｅ）を得た。なお、遠心分離の条件は、遠心分離前の水分散液（ｄ）の固形分濃度８重量％、連続遠心分離時の流速は１３００ｋｇ／ｈｒ、遠心分離機の背圧（ゲージ圧）は０．１ＭＰａとした。

　次いで、得られた合成ポリイソプレンのラテックス（ｅ）中の合成ポリイソプレン１００部に対して、蒸留水１３０部を添加して希釈した。そして、合成ポリイソプレンのラテックス（ｅ）に、合成ポリイソプレン１００部に対して、分散剤としてのβ－ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のナトリウム塩（商品名「デモールＴ－４５」、花王社製）０．８部を合成ポリイソプレン１００部に対し４部の蒸留水で希釈したものを５分間かけて添加した。次いで、分散剤を添加した合成ポリイソプレンのラテックス（ｅ）を、窒素置換された攪拌機付き反応容器に仕込み、撹拌しながら温度を３０℃にまで加温した。また、別の容器を用い、カルボキシル基含有化合物としてのメタクリル酸３部と蒸留水１６部とを混合してメタクリル酸希釈液を調製した。このメタクリル酸希釈液を、温度２０℃に保った反応容器内に、３０分間かけて添加した。

　さらに、別の容器を用い、蒸留水７部、ナトリウムホルムアルデヒドスルホキシレート（商品名「ＳＦＳ」、三菱ガス化学社製）０．３２部、硫酸第一鉄（商品名「フロストＦｅ」、中部キレスト社製）０．０１部からなる溶液（ｆ）を調製した。この溶液（ｆ）を反応容器内に移した後、１，１，３，３－テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド（商品名「パーオクタＨ」、日本油脂社製）０．５部を添加して２０℃で１時間反応させた後、遠心分離機にて濃縮することで、カルボキシ変性合成ポリイソプレン（Ａ－１）のラテックスを得た。得られたカルボキシ変性合成ポリイソプレン（Ａ－１）のラテックスについて、上記方法にしたがって変性率を測定したところ、変性率は０．５モル％であった。

（硫黄の水分散液の調製）
　架橋剤として、硫黄０．５部、アニオン系界面活性剤としてのβ－ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のナトリウム塩（商品名「デモールＴ－４５」、花王社製）０．０３部（硫黄１００部に対し６．０部）、５％水酸化カリウム水溶液０．００４部、および水０．４２部を、ボールミル（商品名「磁製ボールミル」、日陶科学社製）により混合することで解砕処理を行うことで、硫黄の水分散液を得た。なお、ボールミルによる、混合条件としては、φ１０ｍｍ～φ３５ｍｍのセラミック磁製ボール（φ１０ｍｍ、φ１５ｍｍ、φ２０ｍｍ、φ２５ｍｍ、φ３０ｍｍおよびφ３５ｍｍのセラミック磁製ボールを混合したもの）を使用し、５０ｒｐｍで７２時間とした。

（キサントゲン化合物の水分散液の調製）
　架橋促進剤として、キサントゲン化合物としてのジイソプロピルキサントゲン酸亜鉛（商品名「ノクセラーＺＩＸ」、大内新興化学工業株式会社製、体積平均粒子径：１４μｍ、９５％体積累積径（Ｄ９５）：５５μｍ）２．５部、ノニオン系界面活性剤としてのポリオキシエチレンジスチレン化フェニルエーテル（商品名「エマルゲンＡ－６０」、花王社製）０．４５部（ジイソプロピルキサントゲン酸亜鉛１００部に対し１８．０部）、および水２．０５部を、ボールミル（商品名「磁製ボールミル」、日陶科学社製）により混合することで解砕処理を行うことで、キサントゲン化合物の水分散液を得た。なお、ボールミルによる、混合条件としては、φ１０ｍｍ～φ３５ｍｍのセラミック磁製ボール（φ１０ｍｍ、φ１５ｍｍ、φ２０ｍｍ、φ２５ｍｍ、φ３０ｍｍおよびφ３５ｍｍのセラミック磁製ボールを混合したもの）を使用し、５０ｒｐｍで７２時間とした。

（ラテックス組成物の調製）
　上記にて得られたカルボキシ変性合成ポリイソプレン（Ａ－１）のラテックスを撹拌しながら、カルボキシ変性合成ポリイソプレン（Ａ－１）のラテックス中のカルボキシ変性合成ポリイソプレン（Ａ－１）１００部に対して、上記にて調製した架橋剤としての硫黄の水分散液を、硫黄換算で１．０部となる量、架橋促進剤としてのキサントゲン化合物の水分散液を、ジイソプロピルキサントゲン酸亜鉛換算で２．５部となる量、およびポリエーテル系界面活性剤（商品名「ＤＯＷＳＩＬ　ＳＨ３７４６」、一般式（３）においてＸ^１がポリエーテル基でありＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３の全てがメチル基である側鎖変性型ポリエーテル変性ジメチルシリコーン、ダウ・東レ株式会社製、ケイ素原子含有量３．８重量％、ＨＬＢ値１６）１．０部を添加した。その後、重合体ラテックスの固形分濃度を４０重量％に調整した。

　そして、得られた混合物を撹拌しながら、混合物中のカルボキシ変性合成ポリイソプレン（Ａ－１）１００部に対して、それぞれ固形分換算で、活性化剤としての酸化亜鉛１．５部、老化防止剤（商品名「Ｗｉｎｇｓｔａｙ　Ｌ」、グッドイヤー社製）２部となるように、各配合剤の水分散液を添加し、さらに、２５℃に調整された恒温水槽で４８時間熟成（前加硫）することで、ラテックス組成物を得た。得られたラテックス組成物ディップ成形体について、上述した方法に従い、貯蔵安定性を評価した。結果を表１に示す。

（ディップ成形体の製造）
　上記にて得られたラテックス組成物およびガラスモールドを用いて、直接浸漬法により、ディップ成形体を製造した。具体的には、ガラスモールドをラテックス組成物に１５秒間浸漬し、ラテックス組成物から引き上げた。その後、ガラスモールドに付着したラテックス組成物を、温度８０℃、５分間の条件で乾燥させることで、第１のディップ成形層を形成した。さらに、第１のディップ成形層が形成されたガラスモールドを、再度ラテックス組成物に１５秒間浸漬し、ラテックス組成物から引き上げた。その後、第１のディップ成形層が形成されたガラスモールド上に付着したラテックス組成物を、温度８０℃、５分間の条件で乾燥させ、６０℃の温水に５分間浸漬してリーチングすることで、第２のディップ成形層を形成した。第１および第２のディップ成形層について、外観を評価した結果を表１に示す。

　次いで、温度１２０℃、２０分間の条件で熱処理を行うことで、第１および第２のディップ成形層中のカルボキシ変性合成ポリイソプレン（Ａ－１）に加硫処理（後加硫）を施し、ディップ成形体を形成した。次いで、ディップ成形体をガラスモールドから剥がすことで、ディップ成形体を得た。得られたディップ成形体について、上述した方法に従い、膜厚均一性および引張強度について評価および測定した。結果を表１に示す。

＜実施例２，３および比較例１～４＞
　用いるシリコーン系界面活性剤の種類および量を、表１に記載のとおりに変更した以外は、実施例１と同様にして、ラテックス組成物を得て、さらにディップ成形体を得た。実施例１と同様に評価、観察および測定した結果を表１に示す。なお、比較例１では、シリコーン系界面活性剤を用いなかった。また、比較例３では、ディップ成形体を得ることができなかった。

　使用したシリコーン系界面活性剤は、以下のとおり。
ＤＯＷＳＩＬ　ＳＨ３７４６：一般式（３）においてＸ^１がポリエーテル基でありＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３の全てがメチル基である側鎖変性型ポリエーテル変性ジメチルシリコーン、ダウ・東レ株式会社製、ケイ素原子含有量３．８重量％、ＨＬＢ値１６
ＫＰ－１１０：ポリエーテル変性シリコーン、信越化学工業株式会社製、ケイ素原子含有量４．０重量％
ＤＯＷＳＩＬ　ＳＨ８４００：一般式（３）においてＸ^１がポリエーテル基でありＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３の全てがメチル基である側鎖変性型ポリエーテル変性ジメチルシリコーン、ダウ・東レ株式会社製、ケイ素原子含有量８．２重量％、ＨＬＢ値８
ＴＰＡ４３８０：ポリエーテル変性シリコーン、東芝シリコーン社製、ケイ素原子含有量０．６重量％
ＫＦ－６０１５：ポリエーテル変性シリコーン、信越化学工業株式会社製、ケイ素原子含有量１５重量％
ＤＯＷＳＩＬ　ＳＭ５５１２：シリコーン消泡剤エマルション、ダウ・東レ株式会社製、ケイ素原子含有量５０重量％超

　表１に示すように、共役ジエン系重合体のラテックス、および、ケイ素原子含有量が１．５～１０重量％であるシリコーン系界面活性剤を含有するラテックス組成物によれば、貯蔵安定性に優れ、かつ、膜厚が薄く、膜厚均一性および引張強度に優れたディップ成形体を与えることができるものであった（実施例１～３）。

　一方、シリコーン系界面活性剤を含有しない場合や、シリコーン系界面活性剤のケイ素原子含有量が少なすぎる場合には、得られるディップ成形体は膜厚均一性に劣るものであった（比較例１，２）。
　また、シリコーン系界面活性剤のケイ素原子含有量が多すぎる場合には、貯蔵安定性に劣り、さらに、ディップ成形体が得られないか（比較例３）、得られるディップ成形体が膜厚均一性に劣るものであった（比較例４）。

Claims (10)

1. 　共役ジエン系重合体のラテックス、および、ケイ素原子含有量が１．５～１０重量％であるシリコーン系界面活性剤を含有するラテックス組成物。
2. 　さらに架橋剤を含有する請求項１に記載のラテックス組成物。
3. 　さらに架橋促進剤を含有する請求項１または２に記載のラテックス組成物。
4. 　前記架橋促進剤が、キサントゲン化合物である請求項３に記載のラテックス組成物。
5. 　前記共役ジエン系重合体が、合成ポリイソプレン、天然ゴムおよびスチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体から選択される少なくとも一種である請求項１～４のいずれかに記載のラテックス組成物。
6. 　前記シリコーン系界面活性剤が、ポリエーテル変性シリコーンである請求項１～５のいずれかに記載のラテックス組成物。
7. 　前記シリコーン系界面活性剤のＨＬＢ値が２～１８である請求項１～６のいずれかに記載のラテックス組成物。
8. 　前記シリコーン系界面活性剤の含有量が、前記共役ジエン系重合体１００重量部に対して０．１～５重量部である請求項１～７のいずれかに記載のラテックス組成物。
9. 　前記シリコーン系界面活性剤が、側鎖変性型変性シリコーンである請求項１～８のいずれかに記載のラテックス組成物。
10. 　請求項１～９のいずれかに記載のラテックス組成物をディップ成形してなるディップ成形体。