WO2022091622A1

WO2022091622A1 - 受光装置

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Publication number: WO2022091622A1
Application number: PCT/JP2021/034101
Authority: WO
Inventors: 久志秋山
Original assignee: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date: 2020-10-30
Filing date: 2021-09-16
Publication date: 2022-05-05
Also published as: US20230384160A1

Abstract

本開示の一実施形態に係る受光装置は、複数の光電変換素子ユニットを備えており、各光電変換素子ユニットは、複数の光電変換素子が、第１の方向にＭ個、第２の方向にＮ個の、合計Ｍ×Ｎ個、配列されて成り、各光電変換素子は、光入射側から、四分の一波長層、ワイヤグリッド偏光素子及び光電変換部がこの順に配置されており、第１の方向に沿って並んだＭ個の光電変換素子は、同じ進相軸方位を有する四分の一波長層を備えており、第２の方向に沿って並んだＮ個の光電変換素子は、異なる進相軸方位を有する四分の一波長層を備えており、第２の方向に沿って並んだＮ個の光電変換素子は、同じ偏光方位を有するワイヤグリッド偏光素子を備えており、第１の方向に沿って並んだＭ個の光電変換素子は、異なる偏光方位を有するワイヤグリッド偏光素子を備えている。

Description

受光装置

　本開示は、受光装置に関し、より具体的には、ワイヤグリッド偏光素子及び四分の一波長層を有する光電変換素子を備えた受光装置に関する。

　ワイヤグリッド偏光素子（Wire Grid Polarizer，ＷＧＰ）及び四分の一波長層を有する光電変換素子、受光装置が、例えば、特開２０２０－０１３８４２号公報から知られている。具体的には、光電変換素子は、光入射側から、四分の一波長層、ワイヤグリッド偏光素子及び光電変換部がこの順に配置されている。

特開２０２０－０１３８４２号公報

　この特許公開公報に開示された光電変換素子にあっては、光電変換素子に入射する光の偏光状態を他の偏光状態に変化させることが可能となり、この変化した偏光状態を効率良くワイヤグリッド偏光素子を介して光電変換部で検出することができる結果、例えば、偏光の状態が左円偏光状態であるか右円偏光状態であるかを調べるための受光装置を提供することができる。しかしながら、光がどの偏光成分を多く有しているかを容易に知り得る受光装置、所謂偏光度を容易に知り得る受光装置、あるいは又、特定の直線偏光を有する光を取り出し得る受光装置に対する強い要望がある。

　従って、光がどの偏光成分を多く有しているかを容易に知り得る受光装置を提供することが望ましい。また、観察すべき物体の偏光状態を容易に測定する方法を提供することが望ましい。更には、所謂偏光度を容易に知り得る受光装置を提供することが望ましい。また、特定の直線偏光を有する光を取り出し得る受光装置を提供することが望ましい。

　本開示の第１の態様に係る受光装置は、
　複数の光電変換素子ユニットを備えており、
　各光電変換素子ユニットは、複数の光電変換素子が、第１の方向にＭ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＮ個の、合計Ｍ×Ｎ個、配列されて成り、
　各光電変換素子は、光入射側から、四分の一波長層、ワイヤグリッド偏光素子、及び、光電変換部がこの順に配置されており、
　第１の方向に沿って並んだＭ個の光電変換素子は、同じ進相軸方位を有する四分の一波長層を備えており、
　第２の方向に沿って並んだＮ個の光電変換素子は、異なる進相軸方位を有する四分の一波長層を備えており、
　第２の方向に沿って並んだＮ個の光電変換素子は、同じ偏光方位を有するワイヤグリッド偏光素子を備えており、
　第１の方向に沿って並んだＭ個の光電変換素子は、異なる偏光方位を有するワイヤグリッド偏光素子を備えている。

　本開示の物体の偏光状態測定方法は、
　複数の光電変換素子ユニットを備えており、
　各光電変換素子ユニットは、複数の光電変換素子が、第１の方向にＭ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＮ個の、合計Ｍ×Ｎ個、配列されて成り、
　各光電変換素子は、光入射側から、四分の一波長層、ワイヤグリッド偏光素子、及び、光電変換部がこの順に配置されており、
　第１の方向に沿って並んだＭ個の光電変換素子は、同じ進相軸方位を有する四分の一波長層を備えており、
　第２の方向に沿って並んだＮ個の光電変換素子は、異なる進相軸方位を有する四分の一波長層を備えており、
　第２の方向に沿って並んだＮ個の光電変換素子は、同じ偏光方位を有するワイヤグリッド偏光素子を備えており、
　第１の方向に沿って並んだＭ個の光電変換素子は、異なる偏光方位を有するワイヤグリッド偏光素子を備えている受光装置を用いた物体の偏光状態測定方法であって、
　受光装置によって物体を撮像して、画像データを取得し、
　受光装置において、取得された偏光状態を示す画像データを標準物体の標準偏光状態データと比較し、比較結果を得る。

　本開示の第２の態様に係る受光装置は、
　複数の光電変換素子ユニットを備えており、
　各光電変換素子ユニットは、第１光電変換素子、第２光電変換素子、第３光電変換素子、第４光電変換素子、第５光電変換素子及び第６光電変換素子から構成されており、
　第１光電変換素子、第２光電変換素子、第３光電変換素子及び第４光電変換素子は、光入射側から、ワイヤグリッド偏光素子、及び、光電変換部がこの順に配置されており、
　第５光電変換素子及び第６光電変換素子は、光入射側から、四分の一波長層、ワイヤグリッド偏光素子、及び、光電変換部がこの順に配置されており、
　第１光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第２光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第３光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度であり、
　第５光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位はα’度であり、
　第６光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位はα’度であり、
　第５光電変換素子を構成する四分の一波長層における進相軸方位をβ度としたとき、第６光電変換素子を構成する四分の一波長層における進相軸方位は（β±９０）度である。

　本開示の第３の態様に係る受光装置は、
　複数の光電変換素子ユニットを備えており、
　各光電変換素子ユニットは、第１光電変換素子、第２光電変換素子、第３光電変換素子及び第４光電変換素子を備えており、
　第１光電変換素子、第２光電変換素子、第３光電変換素子及び第４光電変換素子は、光入射側から、第１層目の四分の一波長層、第２層目の四分の一波長層、ワイヤグリッド偏光素子、及び、光電変換部がこの順に配置されており、
　第１光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第２光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第３光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度であり、
　第１光電変換素子を構成する第１層目の四分の一波長層の進相軸方位はβ度であり、
　第２光電変換素子を構成する第１層目の四分の一波長層の進相軸方位は（β＋４５）度であり、
　第３光電変換素子を構成する第１層目の四分の一波長層の進相軸方位は（β＋９０）度であり、
　第４光電変換素子を構成する第１層目の四分の一波長層の進相軸方位は（β度＋１３５）であり、
　各光電変換素子において、第２層目の四分の一波長層の進相軸方位と、第１層目の四分の一波長層の進相軸方位との成す角度は、±４５度である。

図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ、実施例１の受光装置における光電変換素子ユニットを構成するＮ個の四分の一波長層の並び順の概念図、及び、Ｍ個のワイヤグリッド偏光素子の並び順の概念図である。図２は、実施例１の受光装置における光電変換素子ユニットを構成する８×８個の光電変換素子の並び順の概念図である。図３は、実施例１の受光装置における光電変換素子ユニットの一部の模式的な一部断面図である。図４は、実施例１の受光装置における光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子の模式的な平面図である。図５は、実施例１の受光装置における光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子の模式的な平面図である。図６Ａ及び図６Ｂは、それぞれ、実施例１の受光装置における光電変換素子ユニットを構成する光電変換素子の光電変換部が受光する光量（光強度）を定性的に示す模式図である。図７Ａ及び図７Ｂは、それぞれ、実施例１の受光装置における光電変換素子ユニットを構成する光電変換素子の光電変換部が受光する光量（光強度）を定性的に示す模式図である。図８Ａ及び図８Ｂは、それぞれ、実施例１の受光装置における光電変換素子ユニットを構成する光電変換素子の光電変換部が受光する光量（光強度）を定性的に示す模式図である。図９Ａ、図９Ｂ及び図９Ｃは、それぞれ、図６Ａに類似した状態によって得られる画像、図８Ａに類似した状態によって得られる画像、及び、図８Ｂに類似した状態によって得られる画像を示す図である。図１０は、実施例１の受光装置において、異常が発見されたときの、光電変換素子ユニットを構成する光電変換素子の光電変換部が受光する光量（光強度）を定性的に示す模式図の一例である。図１１は、実施例１の受光装置の変形例における光電変換素子ユニットの一部の模式的な一部断面図である。図１２は、実施例１の受光装置の変形例における光電変換部の等価回路図である。図１３は、実施例２の受光装置における光電変換素子ユニットの模式的な一部断面図である。図１４は、実施例２の受光装置における光電変換素子ユニットを構成する３×２個の光電変換素子の並び順の概念図である。図１５Ａ及び図１５Ｂは、それぞれ、実施例２の受光装置における光電変換素子ユニットを構成する四分の一波長層を通過する光の偏光状態、及び、ワイヤグリッド偏光素子を通過する光の状態を、模式的に示す図である。図１６Ａ及び図１６Ｂは、実施例２の受光装置において第５光電変換素子を構成する四分の一波長層の進相軸方位、ワイヤグリッド偏光素子の偏光方位、四分の一波長層を通過した光の偏光状態、ワイヤグリッド偏光素子を通過した光の状態を、模式的に示す図であり、図１６Ｃ及び図１６Ｄは、実施例２の受光装置において第６光電変換素子を構成する四分の一波長層の進相軸方位、ワイヤグリッド偏光素子の偏光方位、四分の一波長層を通過した光の偏光状態、ワイヤグリッド偏光素子を通過した光の状態を、模式的に示す図である。図１７Ａ及び図１７Ｂは、実施例２の受光装置において第５光電変換素子を構成する四分の一波長層の進相軸方位、ワイヤグリッド偏光素子の偏光方位、四分の一波長層を通過した光の偏光状態、ワイヤグリッド偏光素子を通過した光の状態を、模式的に示す図であり、図１７Ｃ及び図１７Ｄは、実施例２の受光装置において第６光電変換素子を構成する四分の一波長層の進相軸方位、ワイヤグリッド偏光素子の偏光方位、四分の一波長層を通過した光の偏光状態、ワイヤグリッド偏光素子を通過した光の状態を、模式的に示す図である。図１８は、実施例２の受光装置において光電変換素子ユニットを構成する３×２個の光電変換素子の光電変換部が受光する光量（光強度）を模式的に示す図である。図１９Ａ及び図１９Ｂは、それぞれ、実施例２の受光装置の撮像状態を示す図である。図２０Ａ及び図２０Ｂは、所謂偏光度を説明するための図である。図２１は、実施例２の受光装置における光電変換素子ユニットの変形例の模式的な一部断面図である。図２２は、実施例３の受光装置における光電変換素子ユニットの一部の模式的な一部断面図である。図２３Ａ、図２３Ｂ及び図２３Ｃは、それぞれ、実施例３の受光装置における光電変換素子ユニットを構成する第１層目の四分の一波長層を通過する光の偏光状態、第２層目の四分の一波長層を通過する光の偏光状態、及び、ワイヤグリッド偏光素子を通過する光の状態を、模式的に示す図である。図２４Ａ、図２４Ｂ及び図２４Ｃは、それぞれ、実施例３の受光装置における光電変換素子ユニットを構成する第１層目の四分の一波長層を通過する光の偏光状態、第２層目の四分の一波長層を通過する光の偏光状態、及び、ワイヤグリッド偏光素子を通過する光の状態を、模式的に示す図である。図２５Ａ、図２５Ｂ及び図２５Ｃは、それぞれ、実施例３の受光装置における光電変換素子ユニットを構成する第１層目の四分の一波長層を通過する光の偏光状態、第２層目の四分の一波長層を通過する光の偏光状態、及び、ワイヤグリッド偏光素子を通過する光の状態を、模式的に示す図である。図２６Ａ、図２６Ｂ及び図２６Ｃは、それぞれ、実施例３の受光装置における光電変換素子ユニットを構成する第１層目の四分の一波長層を通過する光の偏光状態、第２層目の四分の一波長層を通過する光の偏光状態、及び、ワイヤグリッド偏光素子を通過する光の状態を、模式的に示す図である。図２７は、本開示の受光装置における光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子の模式的な斜視図である。図２８は、ワイヤグリッド偏光素子の変形例の模式的な斜視図である。図２９Ａ及び図２９Ｂは、ワイヤグリッド偏光素子の模式的な一部断面図である。図３０Ａ及び図３０Ｂは、ワイヤグリッド偏光素子の模式的な一部断面図である。図３１Ａ、図３１Ｂ、図３１Ｃ及び図３１Ｄは、本開示の受光装置におけるワイヤグリッド偏光素子の製造方法を説明するための下地絶縁層等の模式的な一部端面図である。図３２は、本開示の受光装置の光電変換素子を構成する四分の一波長層の模式的な斜視図である。図３３は、本開示の受光装置に入射する各種の偏光状態の光の挙動を説明するための図である。図３４は、本開示の受光装置を固体撮像装置に適用した場合の固体撮像装置の概念図である。図３５は、本開示の受光装置が適用された固体撮像装置である電子機器（カメラ）の概念図である。図３６は、ワイヤグリッド偏光素子を通過する光等を説明するための概念図である。

　以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様～第３の態様に係る受光装置、本開示の物体の偏光状態測定方法、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様に係る受光装置及び本開示の物体の偏光状態測定方法）
３．実施例２（本開示の第２の態様に係る受光装置）
４．実施例３（本開示の第３の態様に係る受光装置）
５．その他

〈本開示の第１の態様～第３の態様に係る受光装置、本開示の物体の偏光状態測定方法、全般に関する説明〉
　本開示の第１の態様に係る受光装置、あるいは又、本開示の物体の偏光状態測定方法における本開示の第１の態様に係る受光装置（以下、これらの受光装置を総称して、便宜上、『本開示の第１の態様に係る受光装置等』と呼ぶ場合がある）において、各光電変換素子ユニットは、Ｍ種類のワイヤグリッド偏光素子、及び、Ｎ種類の四分の一波長層を有する形態とすることができる。

　上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る受光装置等にあっては、Ｍ＝Ｎ＝２a（但し、ａは２以上の整数、好ましくは、ａ＝３，４，５）である形態とすることができる。そして、この場合、Ｍ種類のワイヤグリッド偏光素子の偏光方位は、（１８０／２a）×ｍ［度］（但し、ｍ＝０，１，２，３・・・，［２a－１］）であり、Ｎ種類の四分の一波長層の進相軸方位は、（１８０／２a）×ｎ［度］（但し、ｎ＝０，１，２，３・・・，［２a－１］）である形態とすることができる。

　異なる偏光方位を有するＭ種類のワイヤグリッド偏光素子の第１の方向における並び順は、本質的に任意であるし、異なる進相軸方位を有するＮ種類の四分の一波長層の第２の方向における並び順は、本質的に任意である。但し、Ｍ種類のワイヤグリッド偏光素子の第１の方向における並び順、及び、Ｎ種類の四分の一波長層の第２の方向における並び順に依存して、得られる画像データが異なるので、予め、標準物体において偏光状態を求め、標準偏光状態データを作成しておくことが望ましい。Ｍ種類のワイヤグリッド偏光素子のそれぞれは、第２の方向に沿って実質的に連続して設けられていてもよい。また、Ｎ種類の四分の一波長層のそれぞれは、第１の方向に沿って実質的に連続して設けられていてもよい。

　本開示の物体の偏光状態測定方法にあっては、所定の偏光状態及び波長を有する光を物体に照射して、受光装置によって物体を撮像する形態とすることができる。即ち、１種類の偏光状態及び１種類の波長を有する光（単波長の光）を光源から物体に照射して、受光装置によって物体を撮像する形態とすることができる。所定の偏光状態、所定の波長は、偏光状態を測定すべき物体に合わせて、予め、適宜、決定しておけばよい。

　そして、上記の好ましい形態を含む本開示の物体の偏光状態測定方法にあっては、比較結果を得ることで、物体の表面状態を評価する構成とすることができる。この場合、所望の表面状態を有する物体を標準物体として、標準物体において偏光状態を求め、標準偏光状態データを作成しておくことが望ましい。あるいは又、上記の好ましい形態を含む本開示の物体の偏光状態測定方法にあっては、薄膜状の物体において、比較結果を得ることで、物体の膜厚の状態を評価する構成とすることができる。この場合、所望の膜厚を有する物体（薄膜）を標準物体として、標準物体において偏光状態を求め、標準偏光状態データを作成しておくことが望ましい。あるいは又、上記の好ましい形態を含む本開示の物体の偏光状態測定方法にあっては、比較結果を得ることで、物体における異物の存在を評価する構成とすることができる。この場合、異物が存在していない状態の物体を標準物体として、標準物体において偏光状態を求め、標準偏光状態データを作成しておくことが望ましい。

　本開示の第２の態様に係る受光装置にあっては、α’＝（β±４５）度を満足する形態とすることができる。

　上記の好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る受光装置において、
各光電変換素子ユニットは、第１の方向に３個、第１の方向とは異なる第２の方向に２個の、合計３×２個の光電変換素子から構成されており、
第１の方向に沿った第１列目に、第１光電変換素子、第２光電変換素子及び第５光電変換素子が順不同で配置されており、第１の方向に沿った第２列目に、第３光電変換素子、第４光電変換素子及び第６光電変換素子が順不同で配置されている形態とすることができる。

　第１光電変換素子、第２光電変換素子、第３光電変換素子、第４光電変換素子を、便宜上、『第１タイプの光電変換素子』と呼び、第５光電変換素子、第６光電変換素子を、便宜上、『第２タイプの光電変換素子』と呼ぶとき、上記のとおり、第１の方向に沿った第１列目に、２つの第１タイプの光電変換素子及び１つの第２タイプの光電変換素子が順不同で配置されており、第１の方向に沿った第２列目に、２つの第１タイプの光電変換素子及び１つの第２タイプの光電変換素子が順不同で配置されている形態とすることができる。但し、これに限定されるものではなく、第１の方向に沿った第１列目に、４つの第１タイプの光電変換素子の内の任意の１つの第１タイプの光電変換素子及び２つの第２タイプの光電変換素子が順不同で配置されており、第１の方向に沿った第２列目に、残りの３つの第１タイプの光電変換素子が順不同で配置されている形態とすることができるし、第１の方向に沿った第１列目に、４つの第１タイプの光電変換素子の内の任意の３つの第１タイプの光電変換素子が順不同で配置されており、第１の方向に沿った第２列目に、残りの１つの第１タイプの光電変換素子及び２つの第２タイプの光電変換素子が順不同で配置されている形態とすることもできる。

　上記の好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る受光装置において、光電変換素子ユニットには、少なくとも、直線偏光成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光が混在した状態で入射する形態とすることができる。

　そして、このような形態にあっては、
　第１光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位α度の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位α度の成分を有する光を通過させ、
　第２光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋４５）度の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋４５）度の成分を有する光を通過させ、
　第３光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋９０）度の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋９０）度の成分を有する光を通過させ、
　第４光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋１３５）度の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋１３５）度の成分を有する光を通過させる構成とすることができる。

　更には、このような構成において、
　データ処理部を更に有し、
　第１光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量（光強度）をＡＬ₁、第２光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量（光強度）をＡＬ₂、第３光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量（光強度）をＡＬ₃、第４光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量（光強度）をＡＬ₄、第５光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量（光強度）をＡＬ₅、第６光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量（光強度）をＡＬ₆としたとき、
　データ処理部は、
ＡＬ₅≧ＡＬ₆の場合、ΔＡＬ’＝ＡＬ₅－ＡＬ₆を求め、
ＡＬ₅＜ＡＬ₆の場合、ΔＡＬ’＝ＡＬ₆－ＡＬ₅を求め、
　データ処理部は、更に、光量（光強度）ＡＬ₁，ＡＬ₂，ＡＬ₃及びＡＬ₄に基づき得られるフィッテイング・カーブの最大値と最小値との差ΔＡＬ及びΔＡＬ’から偏光度を求める形態とすることができ、更にはこの場合、偏光度は、
偏光度＝ΔＡＬ／（ΔＡＬ＋ΔＡＬ’）
で求められ、更には、得られた画像データの内、データ処理部は、偏光度が高い領域と偏光度が低い領域とを、異なる色で表示する形態とすることができる。ここで、ΔＡＬは、偏光成分の光量（光強度）を示し、あるいは又、鏡面反射光の光量（光強度）を示し、一種の変動成分であり、ΔＡＬ’は、非偏光成分の光量（光強度）を示し、あるいは又、拡散反射光の光量（光強度）を示し、一種の固定成分である。偏光度は、反射光の成分比を示し、あるいは又、反射面の状態を示す指標である。尚、光電変換素子ユニットには、直線偏光成分を有する光及び円偏光成分を有する光だけでなく、無偏光成分の光も含まれ得るが、ΔＡＬ’を求めることで、無偏光成分の光による影響を実質的に無くすことができる。

　本開示の第３の態様に係る受光装置にあっては、α＝βである形態とすることができる。

　尚、「ワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位はα度である」との表現には、ワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は、厳密にα度でなくてもよく、或る程度の偏光方位の角度の拡がり（例えば、α±５度）をもって、ワイヤグリッド偏光素子は光を透過させる。

　上述した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様に係る受光装置にあっては、
（１）本開示の第１の態様に係る受光装置における光電変換素子ユニットによって、全ての光電変換素子ユニットが構成されている形態とすることができる。

　また、上述した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第２の態様に係る受光装置にあっては、
（２－１）本開示の第２の態様に係る受光装置における光電変換素子ユニット（便宜上、『光電変換素子ユニット－２Ａ』と呼ぶ）によって、全ての光電変換素子ユニットが構成されている形態
（２－２）光電変換素子ユニット－２Ａによって、受光装置の一部の領域（例えば、受光装置の中央部の領域）が占められており、受光装置の他の領域（例えば、受光装置の中央部の領域を囲む領域）は、第５光電変換素子及び第６光電変換素子を除いた、第１光電変換素子、第２光電変換素子、第３光電変換素子及び第４光電変換素子から構成された光電変換素子ユニット（便宜上、『光電変換素子ユニット－２Ｂ』と呼ぶ）によって占められている形態
（２－３）光電変換素子ユニット－２Ｂによって受光装置が占められており、受光装置の一部の領域（所望の領域）に光電変換素子ユニット－２Ａが配されている形態。即ち、光電変換素子ユニット－２Ｂによって受光装置が占められているが、間引きされており、間引かれた部分を光電変換素子ユニット－２Ａが占める形態
（２－４）光電変換素子ユニット－２Ａ及び光電変換素子ユニット－２Ｂが並置されている形態
（２－５）光電変換素子ユニット－２Ａと光電変換素子ユニット－２Ｂとが、所定の割合で配置されている形態
（２－６）光電変換素子ユニット－２Ａによって、受光装置の一部の領域（例えば、受光装置の中央部の領域）が占められており、受光装置の他の領域（例えば、受光装置の中央部の領域を囲む領域）は、第１光電変換素子、第２光電変換素子、第３光電変換素子及び第４光電変換素子、並びに、四分の一波長層及びワイヤグリッド偏光素子が設けられていない第５光電変換素子及び第６光電変換素子の、合計６つの光電変換素子から構成された光電変換素子ユニット（便宜上、『光電変換素子ユニット－２Ｃ』と呼ぶ）によって占められている形態
（２－７）光電変換素子ユニット－２Ｃによって受光装置が占められており、受光装置の一部の領域（所望の領域）に光電変換素子ユニット－２Ａが配されている形態。即ち、光電変換素子ユニット－２Ｃによって受光装置が占められているが、間引きされており、間引かれた部分を光電変換素子ユニット－２Ａが占める形態
（２－８）光電変換素子ユニット－２Ａ及び光電変換素子ユニット－２Ｃが並置されている形態
（２－９）光電変換素子ユニット－２Ａと光電変換素子ユニット－２Ｃとが、所定の割合で配置されている形態
（２－１０）上記の（２－２）乃至（２－５）と、上記の（２－６）乃至（２－９）とが適宜、組み合わされた形態
とすることができる。

　更には、上述した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第３の態様に係る受光装置にあっては、
（３－１）本開示の第３の態様に係る受光装置における光電変換素子ユニット（便宜上、『光電変換素子ユニット－３Ａ』と呼ぶ）によって、全ての光電変換素子ユニットが構成されている形態
（３－２）光電変換素子ユニット－３Ａによって、受光装置の一部の領域（例えば、受光装置の中央部の領域）が占められており、受光装置の他の領域（例えば、受光装置の中央部の領域を囲む領域）は、第１層目の四分の一波長層及び第２層目の四分の一波長層を除いた、第１光電変換素子、第２光電変換素子、第３光電変換素子及び第４光電変換素子から構成された光電変換素子ユニット（便宜上、『光電変換素子ユニット－３Ｂ』と呼ぶ）によって占められている形態
（３－３）光電変換素子ユニット－３Ｂによって受光装置が占められており、受光装置の一部の領域（所望の領域）に光電変換素子ユニット－３Ａが配されている形態。即ち、光電変換素子ユニット－３Ｂによって受光装置が占められているが、間引きされており、間引かれた部分を光電変換素子ユニット－３Ａが占める形態
（３－４）光電変換素子ユニット－３Ａ及び光電変換素子ユニット－３Ｂが並置されている形態
（３－５）光電変換素子ユニット－３Ａと光電変換素子ユニット－３Ｂとが、所定の割合で配置されている形態
（３－６）光電変換素子ユニット－３Ａによって、受光装置の一部の領域（例えば、受光装置の中央部の領域）が占められており、受光装置の他の領域（例えば、受光装置の中央部の領域を囲む領域）は、第１層目の四分の一波長層、第２層目の四分の一波長層及びワイヤグリッド偏光素子を除いた、第１光電変換素子、第２光電変換素子、第３光電変換素子及び第４光電変換素子から構成された光電変換素子ユニット（便宜上、『光電変換素子ユニット－３Ｃ』と呼ぶ）によって占められている形態
（３－７）光電変換素子ユニット－３Ｃによって受光装置が占められており、受光装置の一部の領域（所望の領域）に光電変換素子ユニット－３Ａが配されている形態。即ち、光電変換素子ユニット－３Ｃによって受光装置が占められているが、間引きされており、間引かれた部分を光電変換素子ユニット－３Ａが占める形態
（３－８）光電変換素子ユニット－３Ａ及び光電変換素子ユニット－３Ｃが並置されている形態
（３－９）光電変換素子ユニット－３Ａと光電変換素子ユニット－３Ｃとが、所定の割合で配置されている形態
（３－１０）上記の（３－２）乃至（３－５）と、上記の（３－６）乃至（３－９）とが適宜、組み合わされた形態
とすることができる。

　以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様～第３の態様に係る受光装置を構成する光電変換素子、あるいは又、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の物体の偏光状態測定方法において使用される本開示の第１の態様に係る受光装置を構成する光電変換素子を、以下、総称して、便宜上、『本開示の光電変換素子等』と呼ぶ場合がある。また、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様～第３の態様に係る受光装置を、以下、総称して、便宜上、『本開示の受光装置等』と呼ぶ場合がある。

　本開示の受光装置等においては、複数の光電変換素子が２次元マトリクス状に配列されているが、第１の方向と第２の方向とは直交していることが好ましい。例えば、第１の方向は所謂行方向あるいは所謂列方向であり、第２の方向は列方向あるいは行方向である。

　光電変換素子ユニットには、前述したとおり、四分の一波長層やワイヤグリッド偏光素子が設けられていない従来の光電変換素子が備えられていてもよい。

　本開示の第２の態様～第３の態様に係る受光装置における光電変換素子は、必要に応じてフィルタ層を備えていてもよい。

　即ち、本開示の第２の態様～第３の態様に係る受光装置は、２次元状に配列された複数の光電変換素子ユニット群から構成されており、
　１つの光電変換素子ユニット群は、２×２に配置された４つの光電変換素子ユニットから構成されており、
第１光電変換素子ユニットは、第１の波長範囲の光を通過させる第１フィルタ層を備えており、
　第２光電変換素子ユニットは、第２の波長範囲の光を通過させる第２フィルタ層を備えており、
　第３光電変換素子ユニットは、第３の波長範囲の光を通過させる第３フィルタ層を備えており、
　第４光電変換素子ユニットは、第４の波長範囲の光を通過させる第４フィルタ層を備えている構成とすることができる。

　以上のとおり、第１光電変換素子ユニットを構成する光電変換部は第１の波長範囲の光を受光し、第２光電変換素子ユニットを構成する光電変換部は第２の波長範囲の光を受光し、第３光電変換素子ユニットを構成する光電変換部は第３の波長範囲の光を受光し、第４光電変換素子ユニットを構成する光電変換部は第４の波長範囲の光を受光する。

　ここで、第１の波長範囲の光として赤色光、第２の波長範囲の光及び第３の波長範囲の光として緑色光、第４の波長範囲の光として青色光を挙げることができる。あるいは又、第１の波長範囲の光として赤色光、第２の波長範囲の光として緑色光、第３の波長範囲の光として青色光、第４の波長範囲の光として赤外光を挙げることができ、この場合には、第４光電変換素子ユニットは、第１の波長範囲、第２の波長範囲及び第３の波長範囲の光を通過させない第４フィルタ層を備えている構成とすることができる。

　フィルタ層として、例えば、赤色光といった第１の波長範囲の光、緑色光といった第２の波長範囲あるいは第３の波長範囲の光、青色光といった第４の波長範囲を透過させるフィルタ層だけでなく、シアン色、マゼンダ色、黄色等の特定波長を透過させるフィルタ層を挙げることができるし、第１の波長範囲、第２の波長範囲及び第３の波長範囲の光を通過させないフィルタ層を挙げることができる。また、色分離や分光を目的としない場合、若しくは、光電変換素子それ自体が特定波長に感度を有するような光電変換素子にあっては、フィルタ層は不要な場合がある。フィルタ層が配置された光電変換素子とフィルタ層が配置されていない光電変換素子とが混在する場合、フィルタ層を配置しない光電変換素子にあっては、フィルタ層を配置した光電変換素子との間の平坦性を確保するために、フィルタ層の代わりに透明な樹脂層を形成してもよい。フィルタ層（カラーフィルタ層）を、顔料や染料等の有機化合物を用いた有機材料系のカラーフィルタ層から構成するだけでなく、フォトニック結晶や、プラズモンを応用した波長選択素子（導体薄膜に格子状の穴構造を設けた導体格子構造を有するカラーフィルタ層。例えば、特開２００８－１７７１９１参照）、アモルファスシリコン等の無機材料から成る薄膜から構成することもできる。

　色分離や分光を目的としない場合、若しくは、光電変換素子それ自体が特定波長に感度を有するような光電変換素子にあっては、フィルタ層は不要な場合がある。前述したとおり、光電変換素子は、赤色光に感度を有する赤色光用光電変換素子、緑色光に感度を有する緑色光用光電変換素子、青色光に感度を有する青色光用光電変換素子の組合せから構成されていてもよいし、これらに加えて、赤外線に感度を有する赤外線光電変換素子の組合せから構成されていてもよいし、本開示の受光装置等において、単色の画像を得る受光装置（固体撮像装置）としてもよいし、単色の画像と赤外線に基づく画像の組合せを得る受光装置（固体撮像装置）としてもよい。

　そして、本開示の第２の態様～第３の態様に係る受光装置において、
　第１光電変換素子ユニットを構成する第１の四分の一波長層は第１の波長範囲の光に対して位相差を与え、
　第２光電変換素子ユニットを構成する第２の四分の一波長層は第２の波長範囲の光に対して位相差を与え、
　第３光電変換素子ユニットを構成する第３の四分の一波長層は第３の波長範囲の光に対して位相差を与え、
　第４光電変換素子ユニットを構成する第４の四分の一波長層は第４の波長範囲の光に対して位相差を与える構成とすることができる。

　本開示の第２の態様～第３の態様に係る受光装置において、複数の光電変換素子ユニットから構成された１つの光電変換素子ユニット群（１画素）はベイヤ配列を有する形態とすることができる。但し、光電変換素子ユニット群の配列は、ベイヤ配列に限定されず、その他、インターライン配列、ＧストライプＲＢ市松配列、ＧストライプＲＢ完全市松配列、市松補色配列、ストライプ配列、斜めストライプ配列、原色色差配列、フィールド色差順次配列、フレーム色差順次配列、ＭＯＳ型配列、改良ＭＯＳ型配列、フレームインターリーブ配列、フィールドインターリーブ配列を挙げることができる。

　あるいは又、本開示の受光装置等においては、１光電変換素子ユニット（１画素）は複数の光電変換素子（副画素）から構成することができる。そして、例えば、各副画素は１つの光電変換素子を備えている。画素と副画素の関係については後述する。光電変換素子あるいは光電変換部、それ自体の構成、構造は、周知の構成、構造とすることができる。

　そして、本開示の第２の態様～第３の態様に係る受光装置にあっては、第１の四分の一波長層と、第２の四分の一波長層と、第３の四分の一波長層と、第４の四分の一波長層とは、異なる層に配置されている構成とすることができる。尚、このような形態の本開示の受光装置等を、便宜上、『本開示の第Ａ構成の受光装置』と呼ぶ。そして、本開示の第Ａ構成の受光装置にあっては、
　四分の一波長層は、屈折率ｎ₁を有する材料から構成された第１誘電体層、及び、屈折率ｎ₂（但し、ｎ₁＞ｎ₂）を有する材料から構成された第２誘電体層が、交互に、並置されて成り、
　第１の四分の一波長層を構成する第１誘電体層及び第２誘電体層の厚さ（ｔ₁₁，ｔ₁₂）と、第２の四分の一波長層を構成する第１誘電体層及び第２誘電体層の厚さ（ｔ₂₁，ｔ₂₂）と、第３の四分の一波長層を構成する第１誘電体層及び第２誘電体層の厚さ（ｔ₃₁，ｔ₃₂）と、第４の四分の一波長層を構成する第１誘電体層及び第２誘電体層の厚さ（ｔ₄₁，ｔ₄₂）とは、同じであり、即ち、ｔ₁₁＝ｔ₂₁＝ｔ₃₁＝ｔ₄₁，ｔ₁₂＝ｔ₂₂＝ｔ₃₂＝ｔ₄₂であり、
　第１の四分の一波長層と、第２の四分の一波長層と、第３の四分の一波長層と、第４の四分の一波長層とは、異なる層厚を有する構成とすることができる。

　あるいは又、本開示の第２の態様～第３の態様に係る受光装置にあっては、第１の四分の一波長層と、第２の四分の一波長層及び第３の四分の一波長層と、第４の四分の一波長層とは、同じ層に配置されている構成とすることができる。尚、このような形態の本開示の受光装置等を、便宜上、『本開示の第Ｂ構成の受光装置』と呼ぶ。そして、更には、本開示の第Ｂ構成の受光装置にあっては、
四分の一波長層は、屈折率ｎ₁を有する材料から構成された第１誘電体層、及び、屈折率ｎ₂（但し、ｎ₁＞ｎ₂）を有する材料から構成された第２誘電体層が、交互に、並置されて成り、
　第１の四分の一波長層を構成する第１誘電体層及び第２誘電体層の厚さ（ｔ₁₁，ｔ₁₂）と、第２の四分の一波長層を構成する第１誘電体層及び第２誘電体層の厚さ（ｔ₂₁，ｔ₂₂）と、第３の四分の一波長層を構成する第１誘電体層及び第２誘電体層の厚さ（ｔ₃₁，ｔ₃₂）と、第４の四分の一波長層を構成する第１誘電体層及び第２誘電体層の厚さ（ｔ₄₁，ｔ₄₂）とは、異なり、即ち、ｔ₁₁，ｔ₂₁，ｔ33，ｔ3は同じ値ではないし、ｔ₁₂，ｔ₂₂，ｔ₃₂，ｔ₄₂は同じ値ではないし、
　第１の四分の一波長層と、第２の四分の一波長層と、第３の四分の一波長層と、第４の四分の一波長層とは、同じ層厚を有する構成とすることができる。

　本開示の受光装置等において、四分の一波長層は、上述したとおり、屈折率ｎ₁を有する材料から構成された第１誘電体層、及び、屈折率ｎ₂を有する材料から構成された第２誘電体層が、交互に、並置されて成る形態とすることができる。そして、光電変換素子全体の法線（光入射方向）をＺ方向としたとき、第１誘電体層及び第２誘電体層はＹＺ平面に含まれている。また、第１誘電体層及び第２誘電体層はＸ方向に沿って交互に並置されており、第１誘電体層及び第２誘電体層の厚さはＸ方向に沿った厚さであり、四分の一波長層の層厚はＺ方向に沿った厚さである。尚、Ｘ方向が進相軸であり、Ｙ方向が遅相軸である。

　四分の一波長層において、第１誘電体層の厚さをｔ₁、第２誘電体層の厚さをｔ₂としたとき、（ｔ₁＋ｔ₂）の値が光の波長よりも短い構造を有する場合、第１誘電体層と第２誘電体層とが並置された方向（Ｘ方向）と、Ｘ方向及びＺ方向に直交する方向（Ｙ方向）とでは、異なる有効屈折率ｎ_TE，ｎ_TMを有し、恰も、複屈折材料であるかのように振る舞う。これらの有効屈折率ｎ_TE，ｎ_TMの差に起因して、各偏光方向の光の伝播速度に差が生じるため、四分の一波長層を通過する光に位相差が生じる。即ち、四分の一波長層を通過する光には位相差が与えられる。その結果、波長板としての機能を発現する。「ｆ」をフィリング・ファクタとしたとき、ｆ，ｎ_TE，ｎ_TMは、
ｆ＝ｔ₁／（ｔ₁＋ｔ₂）
ｎ_TE＝｛ｆ×ｎ₁2＋（１－ｆ）×ｎ₂2｝1/2
ｎ_TM＝｛ｆ／ｎ₁2＋（１－ｆ）／ｎ₂2｝1/2
で表され、位相差δは、四分の一波長層の層厚（高さであり、Ｚ方向の厚さ）をＨ、四分の一波長層を通過する光の波長をλとしたとき、即ち、四分の一波長層を通過し、位相差が与えられる光の波長をλ（後述するλ₁，λ_2-3，λ₄でもある）としたとき、
（λ／４）＝δ＝（ｎ_TE－ｎ_TM）×Ｈ
で表される。

　従って、Ｈを一定とした場合、ｆの値、即ち、ｔ₁及びｔ₂の値を変えることで、所望のλの値を得ることができる。また、ｔ₁及びｔ₂の値を一定とした場合、Ｈの値を変えることで、四分の一波長層に対して所望のλの値を得ることができる。

　第１の四分の一波長層の層厚をＨ₁、第２の四分の一波長層の層厚をＨ₂、第３の四分の一波長層の層厚をＨ₃、第４の四分の一波長層の層厚をＨ₄とする。また、第１の四分の一波長層において、第１誘電体層の厚さをｔ₁₁、第２誘電体層の厚さをｔ₁₂とし、第２の四分の一波長層において、第１誘電体層の厚さをｔ₂₁、第２誘電体層の厚さをｔ₂₂とし、第３の四分の一波長層において、第１誘電体層の厚さをｔ₃₁、第２誘電体層の厚さをｔ₃₂とし、第４の四分の一波長層において、第１誘電体層の厚さをｔ₄₁、第２誘電体層の厚さをｔ₄₂とする。

　本開示の第Ａ構成の受光装置にあっては、第１の四分の一波長層と、第２の四分の一波長層と、第３の四分の一波長層と、第４の四分の一波長層とは、異なる層に配置されているが、（ｔ₁₁，ｔ₁₂）、（ｔ₂₁，ｔ₂₂）、（ｔ₃₁，ｔ₃₂）、（ｔ₄₁，ｔ₄₂）の値を同じとするので、Ｈ₁，Ｈ₂，Ｈ₃，Ｈ₄の値を変えればよい。場合によっては、Ｈ₁＝Ｈ₂＝Ｈ₃＝Ｈ₄としてもよく、この場合、（ｔ₁₁，ｔ₁₂）、（ｔ₂₁，ｔ₂₂）、（ｔ₃₁，ｔ₃₂）、（ｔ₄₁，ｔ₄₂）の値を変えればよい。本開示の第Ｂ構成の受光装置にあっては、第１の四分の一波長層と、第２の四分の一波長層と、第３の四分の一波長層と、第４の四分の一波長層とは、同じ層に配置されており、Ｈ₁＝Ｈ₂＝Ｈ₃＝Ｈ₄であり、（ｔ₁₁，ｔ₁₂）、（ｔ₂₁，ｔ₂₂）、（ｔ₃₁，ｔ₃₂）、（ｔ₄₁，ｔ₄₂）の値を変えればよい。

　本開示の光電変換素子等において、第１誘電体層を構成する材料としてＳｉＮを例示することができるし、第２誘電体層を構成する材料としてＳｉＯ₂を例示することができるが、これらに限定するものではない。

　本開示の光電変換素子等において、ワイヤグリッド偏光素子は、少なくとも帯状の光反射層及び光吸収層の積層構造体（光吸収層が光入射側に位置する）が、複数、離間して並置されて成る形態（即ち、ライン・アンド・スペース構造を有する形態）とすることができる。あるいは又、ワイヤグリッド偏光素子は、帯状の光反射層、絶縁膜及び光吸収層の積層構造体（光吸収層が光入射側に位置する）が、複数、離間して並置されて成る形態とすることができる。尚、この場合、積層構造体における光反射層と光吸収層とは絶縁膜によって離間されている構成（即ち、光反射層の頂面全面に絶縁膜が形成されており、絶縁膜の頂面全面に光吸収層が形成されている構成）とすることもできるし、絶縁膜の一部が切り欠かれ、光反射層と光吸収層とは絶縁膜の切欠き部において接している構成とすることもできる。そして、これらの場合、光反射層は第１導電材料から成り、光吸収層は第２導電材料から成る形態とすることができる。このような構成にすることで、光吸収層及び光反射層の全領域を、受光装置における適切な電位を有する領域に電気的に接続することができる結果、ワイヤグリッド偏光素子の形成時、ワイヤグリッド偏光素子が帯電し、一種の放電が発生する結果、ワイヤグリッド偏光素子や光電変換部に損傷が発生するといった問題の発生を確実に回避することができる。あるいは又、ワイヤグリッド偏光素子は、絶縁膜が省略され、光入射側側から、光吸収層及び光反射層が積層されて成る構成とすることができる。

　ワイヤグリッド偏光素子は、例えば、
（Ａ）例えば光電変換部を形成した後、光電変換部の上方に、第１導電材料から成り、
基板又は光電変換部と電気的に接続された光反射層形成層を設け、次いで、
（Ｂ）光反射層形成層の上に絶縁膜形成層を設け、絶縁膜形成層の上に、第２導電材料から成り、少なくとも一部が光反射層形成層と接した光吸収層形成層を設け、その後、
（Ｃ）光吸収層形成層、絶縁膜形成層及び光反射層形成層をパターニングすることで、帯状の光反射層、絶縁膜及び光吸収層のライン部が、複数、離間して並置されて成るワイヤグリッド偏光素子を得る、
各工程に基づき製造することができる。尚、
工程（Ｂ）において、基板又は光電変換部を介して光反射層形成層を所定の電位とした状態で、第２導電材料から成る光吸収層形成層を設け、
工程（Ｃ）において、基板又は光電変換部を介して光反射層形成層を所定の電位とした状態で、光吸収層形成層、絶縁膜形成層及び光反射層形成層をパターニングする形態とすることができる。

　また、光反射層の下に下地膜が形成されている構成とすることができ、これによって、光反射層形成層、光反射層のラフネスを改善することができる。下地膜（バリアメタル層）を構成する材料として、ＴｉやＴｉＮ、Ｔｉ／ＴｉＮの積層構造を挙げることができる。

　本開示の光電変換素子等におけるワイヤグリッド偏光素子において、帯状の積層構造体の延びる方向は、消光させるべき偏光光の方位と一致しており、帯状の積層構造体の繰り返し方向は、透過させるべき偏光光の方位と一致している構成とすることができる。即ち、光反射層は、偏光子としての機能を有し、ワイヤグリッド偏光素子に入射した光の内、積層構造体の延びる方向と平行な方向に電界成分を有する偏光波（ＴＥ波／Ｓ波及びＴＭ波／Ｐ波のいずれか一方）を減衰させ、積層構造体の延びる方向と直交する方向（帯状の積層構造体の繰り返し方向）に電界成分を有する偏光波（ＴＥ波／Ｓ波及びＴＭ波／Ｐ波のいずれか他方）を透過させる。即ち、積層構造体の延びる方向がワイヤグリッド偏光素子の光吸収軸となり、積層構造体の延びる方向と直交する方向がワイヤグリッド偏光素子の光透過軸となる。帯状の（即ち、ライン・アンド・スペース構造のライン部を構成する）積層構造体の延びる方向を、便宜上、『Ｐ方向』と呼び、帯状の積層構造体（ライン部）の繰り返し方向（帯状の積層構造体の延びる方向と直交する方向）を、便宜上、『Ｑ方向』と呼ぶ場合がある。Ｑ方向が偏光方位に相当する。

　Ｑ方向は第１の方向あるいは第２の方向と平行である形態とすることができる。前述したαとＱ方向との成す角度は、本質的に任意の角度とすることができるが、０度あるいは９０度を挙げることができる。但し、これに限定するものではない。

　図３６に概念図を示すように、ワイヤグリッド偏光素子の形成ピッチＱ₀が入射する電磁波の波長λ₀よりも有意に小さい場合、ワイヤグリッド偏光素子の延在方向（Ｐ方向）に平行な平面で振動する電磁波は、選択的にワイヤグリッド偏光素子にて反射・吸収される。ここで、ライン部とライン部との間の距離（Ｑ方向に沿ったスペース部の距離、長さ）を、ワイヤグリッド偏光素子の形成ピッチＱ₀とする。すると、図３６に示すように、ワイヤグリッド偏光素子に到達する電磁波（光）には縦偏光成分と横偏光成分が含まれるが、ワイヤグリッド偏光素子を通過した電磁波は縦偏光成分が支配的な直線偏光となる。ここで、可視光波長帯に着目して考えた場合、ワイヤグリッド偏光素子の形成ピッチＱ₀がワイヤグリッド偏光素子へ入射する電磁波の実効波長λ_effよりも有意に小さい場合、Ｐ方向に平行な面に偏った偏光成分はワイヤグリッド偏光素子の表面で反射若しくは吸収される。一方、Ｑ方向に平行な面に偏った偏光成分を有する電磁波がワイヤグリッド偏光素子に入射すると、ワイヤグリッド偏光素子の表面を伝播した電場がワイヤグリッド偏光素子の裏面から入射波長と同じ波長、同じ偏光方位のまま透過（出射）する。ここで、スペース部、並びに、スペース部の上方及び下方に存在する物質に基づき求められた平均屈折率をｎ_aveとしたとき、実効波長λ_effは、（λ₀／ｎ_ave）で表される。平均屈折率ｎ_aveとは、スペース部に存在する物質の屈折率と体積の積、スペース部の上方に存在する物質の屈折率と体積の積、及び、スペース部の下方に存在する物質の屈折率と体積の積を加算して、スペース部の体積、スペース部の上方の体積及びスペース部の下方の体積の合計で除した値である。波長λ₀の値を一定とした場合、ｎ_aveの値が小さいほど、実効波長λ_effの値は大きくなり、従って、形成ピッチＱ₀の値を大きくすることができる。また、ｎ_aveの値が大きくなるほど、ワイヤグリッド偏光素子における透過率の低下、消光比の低下を招く。

　本開示の光電変換素子等にあっては、光吸収層から光が入射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子は、光の透過、反射、干渉、光学異方性による偏光波の選択的光吸収の４つの作用を利用することで、Ｐ方向に平行な電界成分を有する偏光波（ＴＥ波／Ｓ波及びＴＭ波／Ｐ波のいずれか一方）を減衰させると共に、Ｑ方向に平行な電界成分を有する偏光波（ＴＥ波／Ｓ波及びＴＭ波／Ｐ波のいずれか他方）を透過させる。即ち、一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）は、光吸収層の光学異方性による偏光波の選択的光吸収作用によって減衰される。帯状の光反射層は偏光子として機能し、光吸収層及び絶縁膜を透過した一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）は、光反射層で反射される。このとき、光吸収層を透過し、光反射層で反射された一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）の位相が半波長分ずれるように絶縁膜を構成すれば、光反射層で反射された一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）は、光吸収層で反射された一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）との干渉により打ち消し合って減衰される。以上のようにして、一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）を選択的に減衰させることができる。但し、上述したように、絶縁膜の厚さが最適化されていなくても、コントラストの向上を実現することができる。それ故、実用上、所望の偏光特性と実際の作製工程との兼ね合い基づき、絶縁膜の厚さを決定すればよい。

　以下の説明において、光電変換部の上方に設けられたワイヤグリッド偏光素子を構成する積層構造体を、便宜上、『第１積層構造体』と呼び、第１積層構造体を取り囲む積層構造体を、便宜上、『第２積層構造体』と呼ぶ場合がある。第２積層構造体は、或る光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子（第１積層構造体）と、この或る光電変換素子に隣接した光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子（第１積層構造体）とを結んでいる。第２積層構造体は、ワイヤグリッド偏光素子を構成する積層構造体と同じ構成の積層構造体（即ち、少なくとも光反射層及び光吸収層から成り、例えば、光反射層、絶縁膜及び光吸収層から成る第２積層構造体であり、ライン・アンド・スペース構造が設けられていない、所謂ベタ膜の構造）から構成することができる。第２積層構造体は、ワイヤグリッド偏光素子として機能しないのであれば、ワイヤグリッド偏光素子のようにライン・アンド・スペース構造が設けられていてもよい。即ち、ワイヤグリッドの形成ピッチＱ₀が入射する電磁波の実効波長よりも充分に大きい構造を有していてもよい。後述するフレーム部も、第２積層構造体から構成すればよい。場合によっては、フレーム部は第１積層構造体から構成してもよい。フレーム部は、ワイヤグリッド偏光素子のライン部と連結されていることが好ましい。フレーム部を遮光部として機能させることもできる。

　光反射層（光反射層形成層）は、金属材料、合金材料若しくは半導体材料から成る構成とすることができるし、光吸収層は、金属材料、合金材料若しくは半導体材料から成る構成とすることができる。具体的には、光反射層（光反射層形成層）を構成する無機材料として、具体的には、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、テルル（Ｔｅ）等の金属材料や、これらの金属を含む合金材料、半導体材料を挙げることができる。

　光吸収層（あるいは光吸収層形成層）を構成する材料として、消衰係数ｋが零でない、即ち、光吸収作用を有する金属材料や合金材料、半導体材料、具体的には、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、テルル（Ｔｅ）、錫（Ｓｎ）等の金属材料や、これらの金属を含む合金材料、半導体材料を挙げることができる。また、ＦｅＳｉ₂（特にβ－ＦｅＳｉ₂）、ＭｇＳｉ₂、ＮｉＳｉ₂、ＢａＳｉ₂、ＣｒＳｉ₂、ＣｏＳｉ₂等のシリサイド系材料を挙げることもできる。特に、光吸収層（光吸収層形成層）を構成する材料として、アルミニウム又はその合金、あるいは、β－ＦｅＳｉ₂や、ゲルマニウム、テルルを含む半導体材料を用いることで、可視光域で高コントラスト（高消光比）を得ることができる。尚、可視光以外の波長帯域、例えば赤外域に偏光特性を持たせるためには、光吸収層（光吸収層形成層）を構成する材料として、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等を用いることが好ましい。これらの金属の共鳴波長が赤外域近辺にあるからである。

　光反射層形成層、光吸収層形成層は、各種化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、ゾル－ゲル法、メッキ法、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法等の公知の方法に基づき形成することができる。また、光反射層形成層、光吸収層形成層のパターニング法として、リソグラフィ技術とエッチング技術との組合せ（例えば、四フッ化炭素ガス、六フッ化硫黄ガス、トリフルオロメタンガス、二フッ化キセノンガス等を用いた異方性ドライエッチング技術や、物理的エッチング技術）や、所謂リフトオフ技術、サイドウォールをマスクとして用いる所謂セルフアラインダブルパターニング技術を挙げることができる。リソグラフィ技術として、フォトリソグラフィ技術（高圧水銀灯のｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、ＥＵＶ等を光源として用いたリソグラフィ技術、及び、これらの液浸リソグラフィ技術、電子線リソグラフィ技術、Ｘ線リソグラフィ）を挙げることができる。あるいは又、フェムト秒レーザ等の極短時間パルスレーザによる微細加工技術や、ナノインプリント法に基づき、光反射層や光吸収層を形成することもできる。

　絶縁膜（あるいは絶縁膜形成層）や層間絶縁層、下地絶縁層、平坦化膜を構成する材料として、入射光に対して透明であり、光吸収特性を有していない絶縁材料、具体的には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、ＮＳＧ（ノンドープ・シリケート・ガラス）、ＢＰＳＧ（ホウ素・リン・シリケート・ガラス）、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＰｂＳＧ、ＡｓＳＧ、ＳｂＳＧ、ＳＯＧ（スピンオングラス）等のＳｉＯ_X系材料（シリコン系酸化膜を構成する材料）、ＳｉＮ、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＦ、ＳｉＣＮ、低誘電率絶縁材料（例えば、フルオロカーボン、シクロパーフルオロカーボンポリマー、ベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アモルファステトラフルオロエチレン、ポリアリールエーテル、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、有機ＳＯＧ、パリレン、フッ化フラーレン、アモルファスカーボン）、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、Ｓｉｌｋ（The Dow Chemical Co. の商標であり、塗布型低誘電率層間絶縁膜材料）、Ｆｌａｒｅ（Honeywell Electronic Materials Co. の商標であり、ポリアリルエーテル（ＰＡＥ)系材料）を挙げることができ、単独、あるいは、適宜、組み合わせて使用することができる。あるいは又、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）；ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）；ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）；ポリイミド；ポリカーボネート（ＰＣ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）；ポリスチレン；Ｎ－２（アミノエチル）３－アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＥＡＰＴＭＳ）、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＭＰＴＭＳ）、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）等のシラノール誘導体（シランカップリング剤）；ノボラック型フェノール樹脂；フッ素系樹脂；オクタデカンチオール、ドデシルイソシアネイト等の一端に制御電極と結合可能な官能基を有する直鎖炭化水素類にて例示される有機系絶縁材料（有機ポリマー）を挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。絶縁膜形成層は、各種ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、ゾル－ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。絶縁膜は、光吸収層の下地層として機能すると共に、光吸収層で反射された偏光光と、光吸収層を透過し、光反射層で反射された偏光光の位相を調整し、干渉効果により消光比と透過率を向上させ、反射率を低減する目的で形成される。従って、絶縁膜は、１往復での位相が半波長分ずれるような厚さとすることが望ましい。但し、光吸収層は、光吸収効果を有するが故に、反射された光が吸収される。従って、絶縁膜の厚さが、上述のように最適化されていなくても、消光比の向上を実現することができる。それ故、実用上、所望の偏光特性と実際の作製工程との兼ね合い基づき絶縁膜の厚さを決定すればよく、例えば、１×１０^-9ｍ乃至１×１０^-7ｍ、より好ましくは、１×１０^-8ｍ乃至８×１０^-8ｍを例示することができる。また、絶縁膜の屈折率は、１．０より大きく、限定するものではないが、２．５以下とすることが好ましい。

　本開示の光電変換素子等において、ワイヤグリッド偏光素子のスペース部は空隙である形態（即ち、スペース部は少なくとも空気で満たされている形態）とすることもできる。このように、ワイヤグリッド偏光素子のスペース部を空隙とすることで、平均屈折率ｎ_aveの値を小さくすることができる結果、ワイヤグリッド偏光素子における透過率の向上、消光比の向上を図ることができる。また、形成ピッチＱ₀の値を大きくすることができるので、ワイヤグリッド偏光素子の製造歩留りの向上を図ることができる。ワイヤグリッド偏光素子の上に保護膜が形成された形態とすることもでき、これによって、高い信頼性を有する光電変換素子、受光装置を提供することができるし、保護膜を設けることで、ワイヤグリッド偏光素子の耐湿性の向上等、信頼性を向上させることができる。保護膜の厚さは、偏光特性に影響を与えない範囲の厚さとすればよい。入射光に対する反射率は保護膜の光学厚さ（屈折率×保護膜の膜厚）によっても変化するので、保護膜の材料と厚さは、これらを考慮して決定すればよく、厚さとして、１５ｎｍ以下を例示することができ、あるいは又は、積層構造体と積層構造体との間の距離の１／４以下を例示することができる。保護膜を構成する材料として、屈折率が２以下、消衰係数が零に近い材料が望ましく、ＴＥＯＳ－ＳｉＯ₂を含むＳｉＯ₂、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、ＳｉＣＮ等の絶縁材料や、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_X）、酸化ハフニウム（ＨｆＯx）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯx）、酸化タンタル（ＴａＯx）等の金属酸化物を挙げることができる。あるいは又、パーフルオロデシルトリクロロシランやオクタデシルトリクロロシランを挙げることができる。保護膜は、各種ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、ゾル－ゲル法等の公知のプロセスによって形成することができるが、所謂単原子成長法（ＡＬＤ法、Atomic Layer Doposition 法）や、ＨＤＰ－ＣＶＤ法（高密度プラズマ化学的気相成長法）を採用することが、より好ましい。ＡＬＤ法やＨＤＰ－ＣＶＤ法を採用することで、薄い保護膜をコンフォーマルにワイヤグリッド偏光素子上に形成することができる。保護膜は、ワイヤグリッド偏光素子の全面に形成してもよいが、ワイヤグリッド偏光素子の側面にのみ形成し、ワイヤグリッド偏光素子とワイヤグリッド偏光素子との間に位置する下地絶縁層の上には形成しない形態とすることができる。そして、このように、ワイヤグリッド偏光素子を構成する金属材料等の露出した部分である側面を覆うように保護膜を形成することで、大気中の水分や有機物を遮断することができ、ワイヤグリッド偏光素子を構成する金属材料等の腐食や異常析出といった問題の発生を確実に抑制することができる。更には、光電変換素子の長期信頼性の向上を図ることが可能となり、より高い信頼性を有するワイヤグリッド偏光素子をオンチップで備える光電変換素子の提供が可能となる。

　そして、ワイヤグリッド偏光素子の上に保護膜を形成する場合、更には、ワイヤグリッド偏光素子と保護膜との間には第２保護膜が形成されており、保護膜を構成する材料の屈折率をｎ₁’、第２保護膜を構成する材料の屈折率をｎ₂’としたとき、ｎ₁’＞ｎ₂’ を満足する形態とすることができる。ｎ₁’＞ｎ₂’ を満足することで、平均屈折率ｎ_aveの値を確実に小さくすることができる。ここで、保護膜はＳｉＮから成り、第２保護膜はＳｉＯ₂又はＳｉＯＮから成ることが好ましい。

　更には、少なくとも、ワイヤグリッド偏光素子のスペース部に面したライン部の側面には第３保護膜が形成されている形態とすることができる。即ち、スペース部は空気で満たされ、加えて、スペース部には第３保護膜が存在する。ここで、第３保護膜を構成する材料として、屈折率が２以下、消衰係数が零に近い材料が望ましく、ＴＥＯＳ－ＳｉＯ₂を含むＳｉＯ₂、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、ＳｉＣＮ等の絶縁材料や、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_X）、酸化ハフニウム（ＨｆＯx）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯx）、酸化タンタル（ＴａＯx）等の金属酸化物を挙げることができる。あるいは又、パーフルオロデシルトリクロロシランやオクタデシルトリクロロシランを挙げることができる。第３保護膜は、各種ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、ゾル－ゲル法等の公知のプロセスによって形成することができるが、所謂単原子成長法（ＡＬＤ法、Atomic Layer Deposition 法）や、ＨＤＰ－ＣＶＤ法（高密度プラズマ化学的気相成長法）を採用することが、より好ましい。ＡＬＤ法を採用することで、薄い第３保護膜をコンフォーマルにワイヤグリッド偏光素子上に形成することができるが、より一層薄い第３保護膜をライン部の側面に形成するといった観点から、ＨＤＰ－ＣＶＤ法を採用することが更に一層好ましい。あるいは又、スペース部を、第３保護膜を構成する材料で充填し、しかも、第３保護膜に、隙間、空孔、ボイド等を設ければ、第３保護膜全体の屈折率を低下させることができる。

　ワイヤグリッド偏光素子を構成する金属材料や合金材料（以下、便宜上、『金属材料等』と呼ぶ場合がある）が外気と接触すると、外気からの水分や有機物の付着によって金属材料等の腐食耐性が劣化し、光電変換部の長期信頼性が劣化する虞がある。特に、金属材料等－絶縁材料－金属材料等のライン部（積層構造体）に水分が付着すると、水分中にはＣＯ₂やＯ₂が溶解しているために電解液として作用し、２種類のメタル間の間で局部電池が形成される虞がある。そして、このような現象が生じると、カソード（正極）側では水素発生等の還元反応が進み、アノード（負極側）では酸化反応が進むことにより、金属材料等の異常析出やワイヤグリッド偏光素子の形状変化が発生する。その結果、本来期待されたワイヤグリッド偏光素子や光電変換部の性能が損なわれる虞がある。例えば、光反射層としてアルミニウム（Ａｌ）を用いる場合、以下の反応式で示すようなアルミニウムの異常析出が発生する虞がある。しかしながら、保護膜を形成すれば、また、第３保護膜を形成すれば、このような問題の発生を確実に回避することができる。
Ａｌ → Ａｌ³⁺ ＋３ｅ^-
Ａｌ³⁺ ＋３ＯＨ^- → Ａｌ（ＯＨ）₃

　本開示の受光装置等において、Ｐ方向に沿った光反射層の長さは、光電変換素子の実質的に光電変換を行う領域である光電変換領域のＰ方向に沿った長さと同じとすることができるし、光電変換素子の長さと同じとすることもできるし、Ｐ方向に沿った光電変換素子の長さの整数倍とすることもできるが、これら限定するものではない。

　本開示の光電変換素子等において、四分の一波長層よりも光入射側に、オンチップ・マイクロレンズが配置されている形態とすることができる。あるいは又、オンチップ・マイクロレンズ（ＯＣＬ）は、四分の一波長層あるいはワイヤグリッド偏光素子の上方に配設された主オンチップ・マイクロレンズから構成することができるし、四分の一波長層あるいはワイヤグリッド偏光素子の上方に配設された副オンチップ・マイクロレンズ（インナーレンズ、ＯＰＡ）、及び、副オンチップ・マイクロレンズ（ＯＰＡ）の上方に配設された主オンチップ・マイクロレンズから構成することもできる。

　そして、本開示の第２の態様～第３の態様に係る受光装置におけるこのような構成にあっては、ワイヤグリッド偏光素子とオンチップ・マイクロレンズとの間に、波長選択手段（具体的には、例えば、周知のフィルタ層）が配置されている構成とすることができる。このような構成を採用することで、各ワイヤグリッド偏光素子における透過光の波長帯域において独立してワイヤグリッド偏光素子の最適化を図ることができ、可視光域全域において一層の低反射率を実現することができる。ワイヤグリッド偏光素子あるいは四分の一波長層と波長選択手段との間には平坦化膜が形成され、ワイヤグリッド偏光素子の下には、ワイヤグリッド偏光素子製造工程においてプロセスの下地として機能するシリコン酸化膜等の無機材料から成る下地絶縁層が形成されている構成とすることができる。副オンチップ・マイクロレンズ（ＯＰＡ）の上方に主オンチップ・マイクロレンズが配設されている場合には、副オンチップ・マイクロレンズと主オンチップ・マイクロレンズとの間に、波長選択手段（周知のフィルタ層）が配置されている構成とすることができる。

　ワイヤグリッド偏光素子の下方には光電変換素子を駆動するために、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等から構成された各種配線（配線層）が、例えば、複数層、形成されている。そして、ワイヤグリッド偏光素子は、各種配線（配線層）やコンタクトホール部を介して基板（具体的には、半導体基板）に接続されており、これによって、ワイヤグリッド偏光素子に所定の電位を印加することができる。具体的には、ワイヤグリッド偏光素子は、例えば、接地されている。半導体基板としてシリコン半導体基板、ＩｎＧａＡｓ基板等の化合物半導体基板を挙げることができる。

　光電変換素子の駆動を制御する制御部を構成する、例えば、浮遊拡散層、増幅トランジスタ、リセット・トランジスタ及び選択トランジスタの構成、構造は、従来の制御部における浮遊拡散層、増幅トランジスタ、リセット・トランジスタ及び選択トランジスタの構成、構造と同様とすることができる。制御部は、このように周知の構成、構造とすることができ、上述した基板に設けることができる。

　光電変換素子ユニットにおける光電変換素子と光電変換素子との間に導波路構造を設けてもよいし、集光管構造を設けてもよく、これによって、光学的クロストークの低減を図ることができる。ここで、導波路構造は、光電変換部を覆う層間絶縁層の光電変換部と光電変換部との間に位置する領域（例えば、筒状の領域）に形成された、層間絶縁層を構成する材料の屈折率の値よりも大きな値の屈折率を有する薄膜から構成されており、光電変換部の上方から入射した光は、この薄膜で全反射され、光電変換部に到達する。即ち、基板に対する光電変換部の正射影像は、導波路構造を構成する薄膜の基板に対する正射影像の内側に位置し、基板に対する光電変換部の正射影像は、導波路構造を構成する薄膜の基板に対する正射影像によって囲まれている。また、集光管構造は、光電変換部を覆う層間絶縁層の光電変換部と光電変換部との間に位置する領域（例えば、筒状の領域）に形成された、金属材料あるいは合金材料から成る遮光性の薄膜から構成されており、光電変換部の上方から入射した光が、この薄膜で反射され、光電変換部に到達する。即ち、基板に対する光電変換部の正射影像は、集光管構造を構成する薄膜の基板に対する正射影像の内側に位置し、基板に対する光電変換部の正射影像は、集光管構造を構成する薄膜の基板に対する正射影像によって囲まれている。

　本開示の受光装置等を固体撮像装置に適用する場合、光電変換素子として、ＣＣＤ素子、ＣＭＯＳイメージセンサー、ＣＩＳ（Contact Image Sensor）、ＣＭＤ（Charge Modulation Device）型の信号増幅型イメージセンサーを挙げることができる。光電変換素子は、表面照射型あるいは裏面照射型の光電変換素子である。固体撮像装置から、例えば、デジタルスチルカメラやビデオカメラ、カムコーダ、監視カメラ、車両搭載用カメラ、スマートホン用カメラ、ゲーム用のユーザーインターフェースカメラ、生体認証用カメラを構成することができる。そして、通常の撮像に加えて、偏光情報が同時に取得可能な固体撮像装置とすることができる。また、立体画像を撮像する固体撮像装置とすることもできる。本開示の受光装置等から固体撮像装置を構成する場合、固体撮像装置によって、単板式カラー固体撮像装置を構成することができる。

　実施例１は、本開示の第１の態様に係る受光装置及び本開示の物体の偏光状態測定方法に関する。実施例１の受光装置における光電変換素子ユニットを構成するＮ個の四分の一波長層の並び順の概念図を図１Ａに示し、Ｍ個のワイヤグリッド偏光素子の並び順の概念図を図１Ｂに示す。また、実施例１の受光装置における光電変換素子ユニットを構成する８×８個の光電変換素子の並び順の概念図を図２に示し、実施例１の受光装置における光電変換素子ユニットの一部の模式的な一部断面図を図３に示し、ワイヤグリッド偏光素子の模式的な平面図を図４及び図５に示す。更には、ワイヤグリッド偏光素子の模式的な斜視図を図２７及び図２８に示し、ワイヤグリッド偏光素子の模式的な一部断面図を図２９Ａ、図２９Ｂ、図３０Ａ及び図３０Ｂに示し、四分の一波長層の模式的な斜視図を図３２に示す。

　実施例１の受光装置は、複数の光電変換素子ユニット１０Ａを備えており、各光電変換素子ユニット１０Ａは、複数の光電変換素子１１Ａ（図３には、４つの光電変換素子１１Ａ1，１１Ａ2，１１Ａ3，１１Ａ4を図示している）が、第１の方向にＭ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＮ個の、合計Ｍ×Ｎ個、配列されて成る。そして、各光電変換素子は、光入射側から、四分の一波長層６０、ワイヤグリッド偏光素子５０、及び、光電変換部２１がこの順に配置されており、
　第１の方向に沿って並んだＭ個の光電変換素子は、同じ進相軸方位を有する四分の一波長層６０を備えており、
　第２の方向に沿って並んだＮ個の光電変換素子は、異なる進相軸方位を有する四分の一波長層６０を備えており、
　第２の方向に沿って並んだＮ個の光電変換素子は、同じ偏光方位（ワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光の方位）を有するワイヤグリッド偏光素子５０を備えており、
　第１の方向に沿って並んだＭ個の光電変換素子は、異なる偏光方位を有するワイヤグリッド偏光素子５０を備えている。

　具体的には、各光電変換素子ユニットは、Ｍ種類のワイヤグリッド偏光素子５０、及び、Ｎ種類の四分の一波長層６０を有する。ここで、実施例１の受光装置にあっては、Ｍ＝Ｎ＝２a（但し、ａは２以上の整数、好ましくは、ａ＝３，４，５）である。そして、この場合、Ｍ種類のワイヤグリッド偏光素子５０の偏光方位は、（１８０／２a）×ｍ［度］（但し、ｍ＝０，１，２，３・・・，［２a－１］）であり、Ｎ種類の四分の一波長層６０の進相軸方位は、（１８０／２a）×ｎ［度］（但し、ｎ＝０，１，２，３・・・，［２a－１］）である。尚、図３及び図１１におけるワイヤグリッド偏光素子５０の断面は、図面の簡素化のため、図１Ｂに示す状態と異なっているし、図１３及び図２１におけるワイヤグリッド偏光素子５０の断面は、図面の簡素化のため、図１５Ｂに示す状態と異なっているし、図２２におけるワイヤグリッド偏光素子５０の断面は、図面の簡素化のため、図２３Ｃ、図２４Ｃ、図２５Ｃ及び図２６Ｃに示す状態と異なっている。

　図示した例では、ａ＝３であり、Ｍ＝Ｎ＝８とした。Ｍ種類のワイヤグリッド偏光素子５０の偏光方位は、０度、２２．５度、４５．０度、６７．５度、９０．０度、１１２．５度、１３５．０度、１５７．５度に設定されている。偏光方位が０度のワイヤグリッド偏光素子のＰ方向を第１の方向と平行とし、Ｑ方向を第２の方向と平行としたが、これらに限定するものではない。また、Ｎ種類の四分の一波長層６０は、図１Ａに示すように、第１の方向に偏光した直線偏光の光が、図１Ａの紙面垂直方向の上方からＮ種類の四分の一波長層６０に入射し、出射したとき、
第１番目の四分の一波長層を通過した光：右楕円偏光
第２番目の四分の一波長層を通過した光：右円偏光
第３番目の四分の一波長層を通過した光：右楕円偏光
第４番目の四分の一波長層を通過した光：直線偏光
第５番目の四分の一波長層を通過した光：左楕円偏光
第６番目の四分の一波長層を通過した光：左円偏光
第７番目の四分の一波長層を通過した光：左楕円偏光
第８番目の四分の一波長層を通過した光：直線偏光
となるように、各四分の一波長層における進相軸方位が規定されている。尚、第１番目の四分の一波長層を通過した右楕円偏光の光と、第３番目の四分の一波長層を通過した右楕円偏光の光の楕円偏光状態は異なる。また、第５番目の四分の一波長層を通過した左楕円偏光の光と、第７番目の四分の一波長層を通過した左楕円偏光の光の楕円偏光状態は異なる。第４番目の四分の一波長層におけるＸ方向（進相軸方位）を第１の方向と平行とし、第８番目の四分の一波長層におけるＸ方向を第２の方向と平行としたが、これに限定するものではない。また、第ｎ番目の光電変換素子がどうような偏光状態の光を出射するかは、どのような偏光状態の光が第ｎ番目の光電変換素子に入射するかに依存する。

　図１Ａ及び図１Ｂに示した四分の一波長層６０及びワイヤグリッド偏光素子５０を備えた光電変換素子１１Ａmn（但し、ｍ＝１，２，・・・、８、ｎ＝１，２，・・・、８）の配置状態を、図２に示す。１つの光電変換素子ユニットは１つの画素（ピクセル）を構成する。

　異なる偏光方位を有するＭ種類のワイヤグリッド偏光素子５０の第１の方向における並び順は、本質的に任意であり、図１Ｂに示した状態に限定するものではないし、異なる進相軸方位を有するＮ種類の四分の一波長層６０の第２の方向における並び順も、本質的に任意であり、図１Ａに示した状態に限定するものではない。但し、Ｍ種類のワイヤグリッド偏光素子５０の第１の方向における並び順、及び、Ｎ種類の四分の一波長層６０の第２の方向における並び順に依存して、得られる画像データが異なるので、予め、標準物体における偏光状態を求め、標準偏光状態データを作成しておく必要がある。Ｍ種類のワイヤグリッド偏光素子５０のそれぞれは第２の方向に沿って実質的に連続して設けられているし、Ｎ種類の四分の一波長層６０のそれぞれは第１の方向に沿って実質的に連続して設けられている。

　そして、各光電変換素子１１において、四分の一波長層６０よりも光入射側に、オンチップ・マイクロレンズ８１が配置されている。実施例２～実施例３においても同様である。

　実施例１の受光装置にあっては、複数の光電変換素子ユニット１０Ａによって全ての光電変換素子ユニットが構成されている。実施例１の受光装置は、例えば、色分離や分光を目的としない受光装置（例えば、センサ）へ適用することができ、光電変換素子それ自体が特定波長（単色光）に感度を有しており、フィルタ層は不要である。

　模式的な斜視図を図３２に示すように、四分の一波長層６０は、屈折率ｎ₁、厚さｔ₁を有する材料から構成された第１誘電体層６１、及び、屈折率ｎ₂（但し、ｎ₁＞ｎ₂）、厚さｔ₂を有する材料から構成された第２誘電体層６２が、交互に、並置されて成る。ここで、第１誘電体層６１を、具体的には、ＳｉＮ（ｎ₁＝２．０）から構成し、第２誘電体層６２を、具体的には、ＳｉＯ₂（ｎ₂＝１．５）から構成した。以下の実施例においても同様とすることができる。

　実施例１にあっては、
ｔ₁ ＝１５０ｎｍ
ｔ₂ ＝１５０ｎｍ
とすれば、
ｆ＝１５０／（１５０＋１５０）＝０．５
ｎ_TE＝１．７７
ｎ_TM＝０．５９
であり、
Ｈ＝１２５ｎｍ
とすれば、四分の一波長層６０を通過し、位相差が与えられる光の波長λは、
λ＝６００ｎｍ
である。

　図３３に、本開示の受光装置に入射する各種の偏光状態の光の挙動を示す。右円偏光状態で四分の一波長層に入射した光は、進相軸方向において位相が（π／４）進み、遅相軸方向において位相が（π／４）遅れる結果、１３５度直線偏光状態へと偏光状態が変化する。左円偏光状態で四分の一波長層に入射した光は、４５度直線偏光状態へと偏光状態が変化する。また、左楕円偏光状態で四分の一波長層に入射した光は、右楕円偏光へと偏光状態が変化するし、右楕円偏光状態で四分の一波長層に入射した光は、左楕円偏光状態へと偏光状態が変化する。４５度直線偏光状態で四分の一波長層に入射した光は、右円偏光状態へと偏光状態が変化する。

　図６Ａ、図６Ｂ、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ及び図８Ｂの模式図に、光電変換素子ユニットを構成する８×８個の光電変換素子（四分の一波長層６０及びワイヤグリッド偏光素子５０の配置状態は、図１Ａ及び図１Ｂを参照）が受光する光電変換部における光量（光強度）を定性的に示す。尚、これらの図面において、数字は相対的な光量（光強度）を示し、小さな数字を有する光電変換素子ほど、多くの光を受光する。

　ここで、図６Ａに示す例においては、第１の方向に偏光した直線偏光の光が図１Ａの紙面垂直方向の上方から、Ｎ種類の四分の一波長層６０に入射する。また、図６Ｂに示す例においては、第２の方向に偏光した直線偏光の光が図１Ａの紙面垂直方向の上方から、Ｎ種類の四分の一波長層６０に入射する。更には、図７Ａに示す例においては、第１の方向に対して＋４５度の方向に偏光した直線偏光の光が図１Ａの紙面垂直方向の上方から、Ｎ種類の四分の一波長層６０に入射する。また、図７Ｂに示す例においては、第１の方向に対して＋１３５度の方向に偏光した直線偏光の光が図１Ａの紙面垂直方向の上方から、Ｎ種類の四分の一波長層６０に入射する。更には、図８Ａに示す例においては、右円偏光の光が図１Ａの紙面垂直方向の上方から、Ｎ種類の四分の一波長層６０に入射する。また、図８Ｂに示す例においては、左円偏光の光が図１Ａの紙面垂直方向の上方から、Ｎ種類の四分の一波長層６０に入射する。

　図６Ａに類似した状態によって得られる画像を図９Ａに示し、図８Ａに類似した状態によって得られる画像を図９Ｂに示し、図８Ｂに類似した状態によって得られる画像を図９Ｃに示す。尚、図９Ａ、図９Ｂ及び図９Ｃは、図１Ａ及び図１Ｂに類似した光電変換素子ユニット（但し、１６×１６の光電変換素子から構成されている）を備えた受光装置によって得られた画像である。グレースケールの斜めに延びるストライプパターンの第２の方向に沿った変化は、入射光が円偏光である場合、光電変換素子ユニットを一周期とした変化であるし（図９Ｂ及び図９Ｃ参照）、入射光が直線偏光である場合、光電変換素子ユニットの（１／２）周期とした変化である（図９Ａ参照）。また、グレースケールの斜めに延びるストライプパターンの第２の方向に沿った変化のピッチは、光電変換素子ユニットを構成する光電変換素子の数が多くなるほど、長くなる。即ち、８×８の光電変換素子から構成された光電変換素子ユニットにおけるよりも、１６×１６の光電変換素子から構成された光電変換素子ユニットにおいては、グレースケールの斜めに延びるストライプパターンの第２の方向に沿った変化のピッチは２倍になる。そして、このように、ストライプパターンの延びる方向、ストライプパターンのピッチ等を検出することで、入射光の偏光状態を容易に知ることができる。

　実施例１の受光装置において、異常を発見したときの、光電変換素子ユニットを構成する光電変換素子における光電変換部が受光する光量（光強度）を定性的に示す模式図の一例を図１０に示すが、二重に囲った光電変換素子は、異常の状態を検出した光電変換素子を示す。尚、図１０に示す状態は、図８Ａに示した状態において異常を発見したときの状態の一例である。

　実施例１の受光装置、あるいは又、後述する実施例２～実施例３の受光装置において、周知の構成、構造を有する光電変換部２１が、シリコン半導体基板３１内に、周知の方法で形成されている。光電変換部２１は下層・層間絶縁層３３で覆われており、下層・層間絶縁層３３の上に下地絶縁層３４が形成されており、下地絶縁層３４の上に、ワイヤグリッド偏光素子５０が形成されている。ワイヤグリッド偏光素子５０及び下地絶縁層３４は平坦化膜３５によって覆われており、平坦化膜３５上に四分の一波長層６０が形成されている。四分の一波長層６０及び平坦化膜３５上に上層・層間絶縁層３６が形成されており、上層・層間絶縁層３６の上にオンチップ・マイクロレンズ８１が配置されている。図示した例では５層の下層・層間絶縁層３３及び４層の配線層３２を示したが、これに限定するものではなく、下層・層間絶縁層３３、配線層３２の層数は任意である。図３、あるいは又、後述する図１１、図１３、図２１及び図２２において、下層・層間絶縁層３３にハッチング線を付すことは省略した。

　図２７に模式的な斜視図を示すように、ワイヤグリッド偏光素子５０は、ライン・アンド・スペース構造を有する。図２９Ａに模式的な一部端面図を示すように、ワイヤグリッド偏光素子５０のライン部５４は、光入射側とは反対側（実施例１にあっては光電変換部側）から、第１導電材料（具体的には、アルミニウム（Ａｌ））から成る光反射層５１、ＳｉＯ₂から成る絶縁膜５２、及び、第２導電材料（具体的には、タングステン（Ｗ））から成る光吸収層５３が積層された積層構造体（第１積層構造体）から構成されている。光反射層５１の頂面全面に絶縁膜５２が形成されており、絶縁膜５２の頂面全面に光吸収層５３が形成されている。具体的には、光反射層５１は、厚さ１５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）から構成され、絶縁膜５２は、厚さ２５ｎｍあるいは５０ｎｍのＳｉＯ₂から構成され、光吸収層５３は、厚さ２５ｎｍのタングステン（Ｗ）から構成されている。光反射層５１は、偏光子としての機能を有し、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した光の内、光反射層５１の延びる方向（Ｐ方向）と平行な方向に電界成分を有する偏光波を減衰させ、光反射層５１の延びる方向と直交する方向（Ｑ方向）に電界成分を有する偏光波を透過させる。Ｐ方向はワイヤグリッド偏光素子５０の光吸収軸であり、Ｑ方向はワイヤグリッド偏光素子５０の光透過軸（偏光方位）である。下地絶縁層３４と光反射層５１との間には、ＴｉやＴｉＮ、Ｔｉ／ＴｉＮの積層構造から成る下地膜が形成されているが、下地膜の図示は省略した。

　光反射層５１、絶縁膜５２及び光吸収層５３は、光電変換素子１１において共通である。図４及び図５に示すように、フレーム部５９は、スペース部５５が設けられていない点を除き、光反射層５１、絶縁膜５２及び光吸収層５３から成る積層構造体（第２積層構造体）から構成されている。即ち、ワイヤグリッド偏光素子５０を取り囲むフレーム部５９を備えており、フレーム部５９とワイヤグリッド偏光素子５０のライン部５４とは連結されている。フレーム部５９は、このように、ワイヤグリッド偏光素子５０のライン部５４と同じ構造を有し、遮光部としても機能する。図４と図５では、Ｐ方向及びＱ方向が異なっている。

　ワイヤグリッド偏光素子５０は、以下の方法で作製することができる。即ち、下地絶縁層３４上に、ＴｉあるいはＴｉＮ、Ｔｉ／ＴｉＮの積層構造から成る下地膜（図示せず）、第１導電材料（具体的には、アルミニウム）から成る光反射層形成層５１Ａを真空蒸着法に基づき設ける（図３１Ａ及び図３１Ｂ参照）。次いで、光反射層形成層５１Ａの上に絶縁膜形成層５２Ａを設け、絶縁膜形成層５２Ａの上に、第２導電材料から成る光吸収層形成層５３Ａを設ける。具体的には、ＳｉＯ₂から成る絶縁膜形成層５２Ａを、光反射層形成層５１Ａ上にＣＶＤ法に基づき形成する（図３１Ｃ参照）。そして、絶縁膜形成層５２Ａ上に、スパッタリング法によって、タングステン（Ｗ）から成る光吸収層形成層５３Ａを形成する。こうして、図３１Ｄに示す構造を得ることができる。

　その後、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づき、光吸収層形成層５３Ａ、絶縁膜形成層５２Ａ及び光反射層形成層５１Ａ、更には、下地膜をパターニングすることで、帯状の光反射層５１、絶縁膜５２及び光吸収層５３のライン部（積層構造体）５４が、複数、離間して並置されて成るライン・アンド・スペース構造を有するワイヤグリッド偏光素子５０を得ることができる。その後、ＣＶＤ法に基づき平坦化膜３５を、ワイヤグリッド偏光素子５０を覆うように形成すればよい。光反射層５１、絶縁膜５２及び光吸収層５３から成るフレーム部５９によってワイヤグリッド偏光素子５０は囲まれている。

　ワイヤグリッド偏光素子５０の変形例として、図２９Ｂの模式的な一部端面図に示すように、ワイヤグリッド偏光素子５０の上に形成された保護膜５６を備えており、ワイヤグリッド偏光素子５０のスペース部５５は空隙である構成を挙げることができる。即ち、スペース部５５の一部若しくは全部が空気で満たされている。

　また、図３０Ａの模式的な一部端面図に示すように、ワイヤグリッド偏光素子５０と保護膜５６との間に第２保護膜５７が形成されている構成とすることもできる。保護膜５６を構成する材料の屈折率をｎ₁’、第２保護膜５７を構成する材料の屈折率をｎ₂’としたとき、ｎ₁’＞ｎ₂’ を満足する。ここで、例えば、保護膜５６は、ＳｉＮ（ｎ₁’＝２．０）から成り、第２保護膜５７は、ＳｉＯ₂（ｎ₂’＝１．５）から成る。図面においては、第２保護膜５７の底面（下地絶縁層３４と対向する面）を平坦な状態で示したが、スペース部５５に向かって第２保護膜５７の底面が凸状となっている場合もあるし、保護膜５６に向かって第２保護膜５７の底面が凹状となっている場合、あるいは、楔状に凹んでいる場合もある。

　このような構造は、ライン・アンド・スペース構造を有するワイヤグリッド偏光素子５０を得た後、ＣＶＤ法に基づき、ＳｉＯ₂から成り、平均厚さ０．０１μｍ乃至１０μｍの第２保護膜５７を全面に形成する。ライン部５４とライン部５４との間に位置するスペース部５５の上方は、第２保護膜５７によって塞がれる。次いで、ＣＶＤ法に基づき、ＳｉＮから成り、平均厚さ０．１μｍ乃至１０μｍの保護膜５６を第２保護膜５７の上に形成する。保護膜５６をＳｉＮから構成することで、高い信頼性を有するワイヤグリッド偏光素子５０を得ることができる。但し、ＳｉＮは比較的高い比誘電率を有するので、ＳｉＯ₂から成る第２保護膜５７を形成することで、平均屈折率ｎ_aveの低下を図っている。

　このようにワイヤグリッド偏光素子のスペース部を空隙とすることで（具体的には、空気で充填されているので）、平均屈折率ｎ_aveの値を小さくすることができ、その結果、ワイヤグリッド偏光素子における透過率の向上、消光比の向上を図ることができる。また、形成ピッチＱ₀の値を大きくすることができるので、ワイヤグリッド偏光素子の製造歩留りの向上を図ることができる。しかも、ワイヤグリッド偏光素子の上に保護膜を形成すれば、高い信頼性を有する光電変換部、受光装置を提供することができる。また、フレーム部とワイヤグリッド偏光素子のライン部とを連結することで、また、フレーム部をワイヤグリッド偏光素子のライン部と同じ構造とすることで、安定して、しかも、均質・均一なワイヤグリッド偏光素子を形成することができる。それ故、光電変換部の四隅に対応するワイヤグリッド偏光素子の外周部の部分に剥離が発生するといった問題、ワイヤグリッド偏光素子の外周部の構造とワイヤグリッド偏光素子の中央部の構造に差異が生じ、ワイヤグリッド偏光素子自体の性能が低下するといった問題、ワイヤグリッド偏光素子の外周部に入射した光が偏光方向の異なる隣接する光電変換部に漏れ込み易いといった問題を解消することができ、高い信頼性を有する光電変換部、受光装置を提供することができる。　

ワイヤグリッド偏光素子は、絶縁膜が省略された構造、即ち、光入射側とは反対側から、光反射層（例えば、アルミニウムから成る）及び光吸収層（例えば、タングステンから成る）が積層された構成とすることができる。あるいは又、１層の導電遮光材料層から構成することもできる。導電遮光材料層を構成する材料として、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、あるいは、これらの金属を含む合金といった、光電変換部が感度を有する波長域において複素屈折率の小さい導体材料を挙げることができる。

　場合によっては、図３０Ｂにワイヤグリッド偏光素子の模式的な一部端面図を示すように、スペース部５５に面したライン部５４の側面に、例えば、ＳｉＯ₂から成る第３保護膜５８が形成されていてもよい。即ち、スペース部５５は空気で満たされ、加えて、スペース部には第３保護膜５８が存在する。第３保護膜５８は、例えば、ＨＤＰ－ＣＶＤ法に基づき成膜されており、これによって、より一層薄い第３保護膜５８をコンフォーマルにライン部５４の側面に形成することができる。

　場合によっては、ワイヤグリッド偏光素子の変形例の模式的な斜視図を図２８に模式的な斜視図を示すように、絶縁膜５２の一部が切り欠かれ、光反射層５１と光吸収層５３とは絶縁膜５２の切欠き部５２ａにおいて接している構成とすることもできる。

　模式的な斜視図を図３２に示す四分の一波長層６０は、以下の方法で作製することができる。即ち、平坦化膜３５上に、第１誘電体層６１をＣＶＤ法に基づき設ける。その後、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づき、第１誘電体層６１をパターニングすることで、帯状の第１誘電体層６１が、複数、離間して並置されて成るライン・アンド・スペース構造を得ることができる。その後、ＡＬＤ法に基づき、全面に第２誘電体層６２を形成した後、第２誘電体層６２に平坦化処理を施すことで、四分の一波長層６０を得ることができる。

　周知の構成、構造を有する光電変換部２１が、シリコン半導体基板３１内に、周知の方法で形成されているが、実施例１の受光装置における光電変換素子ユニットの変形例の一部の模式的な一部断面図を図１１に示し、光電変換部の等価回路図を図１２に示すように、半導体基板３１には、光電変換部２１と接続され、光電変換部２１において生成した電荷を一時的に保存するメモリ部ＴＲ_memが形成されていてもよい。尚、以下の説明は、実施例２～実施例３に対しても適用することができる。

　メモリ部ＴＲ_memは、光電変換部２１、ゲート部２２、チャネル形成領域、及び、高濃度不純物領域２３から構成されている。ゲート部２２は、メモリ選択線ＭＥＭに接続されている。また、高濃度不純物領域２３は、光電変換部２１と離間して、シリコン半導体基板３１内に、周知の方法で形成されている。高濃度不純物領域２３の上方には遮光膜２４が形成されている。即ち、高濃度不純物領域２３は遮光膜２４で覆われている。これによって、高濃度不純物領域２３に光が入射することを阻止している。電荷を一時的に保存するメモリ部ＴＲ_memを備えることで、所謂グローバルシャッター機能を容易に実現することができる。遮光膜２４を構成する材料として、クロム（Ｃｒ）や銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、光を通さない樹脂（例えば、ポリイミド樹脂）を例示することができる。

　図１２にのみ図示する転送トランジスタＴＲ_trsは、転送ゲート線ＴＧに接続されたゲート部、チャネル形成領域、高濃度不純物領域２３に接続された（あるいは又、高濃度不純物領域２３と領域を共有した）一方のソース／ドレイン領域、及び、浮遊拡散層ＦＤを構成する他方のソース／ドレイン領域から構成されている。

　図１２にのみ図示するリセット・トランジスタＴＲ_rstは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。リセット・トランジスタＴＲ_rstのゲート部はリセット線ＲＳＴに接続され、リセット・トランジスタＴＲ_rstの一方のソース／ドレイン領域は電源Ｖ_DDに接続され、他方のソース／ドレイン領域は、浮遊拡散層ＦＤを兼ねている。

　図１２にのみ図示する増幅トランジスタＴＲ_ampは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。ゲート部は配線層を介して、リセット・トランジスタＴＲ_rstの他方のソース／ドレイン領域（浮遊拡散層ＦＤ）に接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域は、電源Ｖ_DDに接続されている。

　図１２にのみ図示する選択トランジスタＴＲ_selは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。ゲート部は、選択線ＳＥＬに接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域は、増幅トランジスタＴＲ_ampを構成する他方のソース／ドレイン領域と領域を共有しており、他方のソース／ドレイン領域は、信号線（データ出力線）ＶＳＬ（１１７）（図３４参照）に接続されている。

　光電変換部２１は、また、電荷排出制御トランジスタＴＲ_ABGの一方のソース／ドレイン領域に接続されている。電荷排出制御トランジスタＴＲ_ABGのゲート部は、電荷排出制御トランジスタ制御線ＡＢＧに接続されており、他方のソース／ドレイン領域は電源Ｖ_DDに接続されている。

　光電変換部２１の電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作は、従来の光電変換部における電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作と同様であるので、詳細な説明は省略する。

　光電変換部２１、メモリ部ＴＲ_mem、転送トランジスタＴＲ_trs、リセット・トランジスタＴＲ_rst、増幅トランジスタＴＲ_amp、選択トランジスタＴＲ_sel及び電荷排出制御トランジスタＴＲ_ABGは下層・層間絶縁層３３で覆われている。

　図３４に、実施例１～実施例３の受光装置を固体撮像装置に適用した場合の固体撮像装置の概念図を示す。この固体撮像装置１００は、光電変換素子１０１が２次元アレイ状に配列された撮像領域（有効画素領域）１１１、並びに、周辺領域に配設され、その駆動回路（周辺回路）としての垂直駆動回路１１２、カラム信号処理回路１１３、水平駆動回路１１４、出力回路１１５及び駆動制御回路１１６等から構成されている。これらの回路は周知の回路から構成することができるし、また、他の回路構成（例えば、従来のＣＣＤ撮像装置やＣＭＯＳ撮像装置にて用いられる各種の回路）を用いて構成することができることは云うまでもない。図３４において、光電変換素子１０１における参照番号「１０１」の表示は、１行のみとした。

　駆動制御回路１１６は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスター・クロックに基づいて、垂直駆動回路１１２、カラム信号処理回路１１３及び水平駆動回路１１４の動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、生成されたクロック信号や制御信号は、垂直駆動回路１１２、カラム信号処理回路１１３及び水平駆動回路１１４に入力される。

　垂直駆動回路１１２は、例えば、シフトレジスタによって構成され、撮像領域１１１の各光電変換素子１０１を行単位で順次垂直方向に選択走査する。そして、各光電変換素子１０１における受光光量に応じて生成した電流（信号）に基づく画素信号（画像信号）は、信号線（データ出力線）１１７，ＶＳＬを介してカラム信号処理回路１１３に送られる。

　カラム信号処理回路１１３は、例えば、光電変換素子１０１の列毎に配置されており、１行分の光電変換素子１０１から出力される画像信号を光電変換部毎に黒基準画素（図示しないが、有効画素領域の周囲に形成される）からの信号によって、ノイズ除去や信号増幅の信号処理を行う。カラム信号処理回路１１３の出力段には、水平選択スイッチ（図示せず）が水平信号線１１８との間に接続されて設けられる。

　水平駆動回路１１４は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路１１３の各々を順次選択し、カラム信号処理回路１１３の各々から信号を水平信号線１１８に出力する。

　出力回路１１５は、カラム信号処理回路１１３の各々から水平信号線１１８を介して順次供給される信号に対して、信号処理を行って出力する。

　実施例１の受光装置における光電変換素子ユニットにあっては、光入射側から、所望の進相軸方位を有する四分の一波長層、所望の偏光方位を有するワイヤグリッド偏光素子、及び、光電変換部が、この順に配置された光電変換素子の組合せを備えているので、光電変換素子に入射する光の偏光状態を容易に認識することが可能となるし、また、光がどの偏光成分を多く有しているかを容易に知り得ることが可能となる。それ故、偏光の状態を調べるための受光装置（例えば、小型センサ）を提供することができる。所望の偏光方位を有するワイヤグリッド偏光素子及び光電変換部のみがこの順に配置された従来の受光装置にあっては、画像全体が或る方向に偏光しているかを知ることが困難であるし、画像の狭い領域における偏光状態を知ることも困難である。一方、実施例１の受光装置にあっては、画像全体が或る方向に偏光しているかを容易に知ることができるし、画像の狭い領域における偏光状態を正確に知ることが可能である。また、作業者が画像を見て、瞬時、被写体（物体）に異常が発生していることを知ることができるし、画像処理を行うことで、異常発生を自動的に検出することができる。

　実施例１の物体（被写体）の偏光状態測定方法は、
複数の光電変換素子ユニット１０Ａを備えており、
各光電変換素子ユニット１０Ａは、以上に説明した実施例１の光電変換素子ユニットから構成されており、
受光装置によって物体（被写体）を撮像して、画像データを取得し、
受光装置において、取得された偏光状態を示す画像データを標準物体の標準偏光状態データと比較し、比較結果を得る。

　実施例１の物体の偏光状態測定方法にあっては、所定の偏光状態（例えば、図６Ａ、図６Ｂ、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明した、いずれかの偏光状態）及び波長（例えば、６００ｎｍ）を有する光を物体（被写体）に照射して、受光装置によって物体（被写体）を撮像すればよい（例えば、図９Ａ、図９Ｂ及び図９Ｃ参照）。

　そして、実施例１の物体の偏光状態測定方法にあっては、比較結果を得ることで、物体（被写体）の表面状態を評価することができる。具体的には、物体（被写体）の福屈折性を測定することができ、一例として、物体（被写体）であるレンズの成形状態を把握することができる。あるいは又、薄膜状の物体において、比較結果を得ることで、物体（被写体）の膜厚の状態を評価することができる。具体的には、エリプソメーターにおいて、実施例１の受光装置を用いることで、膜厚の測定を行うことができる。あるいは又、比較結果を得ることで、物体（被写体）における異物の存在を評価する構成とすることができる。

　実施例２は、本開示の第２の態様に係る受光装置に関する。実施例２の受光装置における光電変換素子ユニットの模式的な一部断面図を図１３に示し、実施例２の受光装置における光電変換素子ユニットを構成する３×２個の光電変換素子の並び順の概念図を図１４に示し、実施例２の受光装置における光電変換素子ユニットを構成する四分の一波長層を通過する光の偏光状態を図１５Ａに示し、ワイヤグリッド偏光素子を通過する光の状態を模式的に図１５Ｂに示す。また、実施例２の受光装置において、第５光電変換素子を構成する四分の一波長層の進相軸方位、ワイヤグリッド偏光素子の偏光方位、四分の一波長層を通過した光の偏光状態、ワイヤグリッド偏光素子を通過した光の状態を、模式的に図１６Ａ及び図１６Ｂ並びに図１７Ａ及び図１７Ｂに示し、第６光電変換素子を構成する四分の一波長層の進相軸方位、ワイヤグリッド偏光素子の偏光方位、四分の一波長層を通過した光の偏光状態、ワイヤグリッド偏光素子を通過した光の状態を、模式的に図１６Ｃ及び図１６Ｄ並びに図１７Ｃ及び図１７Ｄに示す。更には、実施例２の受光装置における光電変換素子ユニットを構成する３×２個の光電変換素子の光電変換部が受光する光量（光強度）を模式的に図１８に示し、実施例２の受光装置の撮像状態を図１９Ａ及び図１９Ｂに示し、所謂偏光度を説明するための図を図２０Ａ及び図２０Ｂに示す。

　実施例２の受光装置は、複数の光電変換素子ユニット１０Ｂを備えており、
各光電変換素子ユニット１０Ｂは、第１光電変換素子１１Ｂ₁、第２光電変換素子１１Ｂ₂、第３光電変換素子１１Ｂ₃、第４光電変換素子１１Ｂ₄、第５光電変換素子１１Ｂ₅及び第６光電変換素子１１Ｂ₆から構成されており、
　第１光電変換素子１１Ｂ₁、第２光電変換素子１１Ｂ₂、第３光電変換素子１１Ｂ₃及び第４光電変換素子１１Ｂ₄は、光入射側から、ワイヤグリッド偏光素子５０、及び、光電変換部２１がこの順に配置されており、
　第５光電変換素子１１Ｂ₅及び第６光電変換素子１１Ｂ₆は、光入射側から、四分の一波長層６０、ワイヤグリッド偏光素子５０、及び、光電変換部２１がこの順に配置されている。

　そして、
　第１光電変換素子１１Ｂ₁を構成するワイヤグリッド偏光素子５０が透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第２光電変換素子１１Ｂ₂を構成するワイヤグリッド偏光素子５０が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第３光電変換素子１１Ｂ₃を構成するワイヤグリッド偏光素子５０が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４光電変換素子１１Ｂ₄を構成するワイヤグリッド偏光素子５０が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度であり、
　第５光電変換素子１１Ｂ₅を構成するワイヤグリッド偏光素子５０が透過させるべき偏光方位はα’度であり、
　第６光電変換素子１１Ｂ₆を構成するワイヤグリッド偏光素子５０が透過させるべき偏光方位はα’度であり、
　第５光電変換素子１１Ｂ₅を構成する四分の一波長層６０における進相軸方位をβ度としたとき、第６光電変換素子１１Ｂ₆を構成する四分の一波長層６０における進相軸方位は（β±９０）度である。

　ここで、αと第２の方向との成す角度は、本質的に任意の角度とすることができるが、０度あるいは９０度を挙げることができ、実施例２においてはα＝０度とした。また、βと第２の方向との成す角度は、本質的に任意の角度とすることができるが、４５度あるいは１３５度を挙げることができ、実施例２においてはβ＝４５度とした。即ち、βと第２の方向との成す角度を４５度とした。従って、β＝（α±４５）度を満たす関係にある。更には、βとα’との成す角度は、α’＝（β±４５）度を満足する。実施例２においては、α’＝（β－４５）度とした。即ち、第２の方向に対して、
α ＝０度
β ＝４５度
α’＝０度
とした。

　尚、図１５Ｂ、図１６Ａ、図１６Ｂ、図１６Ｃ、図１６Ｄ、図１７Ａ、図１７Ｂ、図１７Ｃ及び図１７Ｄ、並びに、後述する図２３Ｃ、図２４Ｃ、図２５Ｃ及び図２６Ｃにおいて、細い実線はＰ方向を示す。細い実線に直交する方向がＱ方向である。また、図１６Ａ、図１６Ｂ、図１６Ｃ、図１６Ｄ、図１７Ａ、図１７Ｂ、図１７Ｃ及び図１７Ｄ、並びに、後述する図２３Ａ、図２３Ｂ、図２４Ａ、図２４Ｂ、図２５Ａ、図２５Ｂ、図２６Ａ及び図２６Ｂにおいて、細い点線は進相軸方位を示す。更には、図１５Ｂにおいて、矢印は、Ｑ方向を示し、また、ワイヤグリッド偏光素子を通過することができる直線偏光成分を有する光を示す。

　そして、実施例２の受光装置において、
　各光電変換素子ユニット１０Ｂは、第１の方向に３個、第１の方向とは異なる第２の方向に２個の、合計３×２個の光電変換素子から構成されており、
　第１の方向に沿った第１列目に、第１光電変換素子１１Ｂ₁、第２光電変換素子１１Ｂ₂及び第５光電変換素子１１Ｂ₅が順不同で配置されており、第１の方向に沿った第２列目に、第３光電変換素子１１Ｂ₃、第４光電変換素子１１Ｂ₄及び第６光電変換素子１１Ｂ₆が順不同で配置されている。図示した例では、第１の方向に沿った第１列目に、第１光電変換素子１１Ｂ₁、第５光電変換素子１１Ｂ₅、及び、第２光電変換素子１１Ｂ₂がこの順に配置されており、第１の方向に沿った第２列目に、第４光電変換素子１１Ｂ₄、第６光電変換素子１１Ｂ₆、及び、第３光電変換素子１１Ｂ₃がこの順に配置されている。

　更には、実施例２の受光装置において、光電変換素子ユニット１０Ｂには、少なくとも、直線偏光成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光が、混在した状態で入射する。図１６に図示した例では、左円偏光成分を有する光が入射するし、図１７に図示した例では、右円偏光成分を有する光が入射する。

　偏光方位α’度と進相軸方位β度との関係は、広くは、
（ａ）進相軸方位β度を有する第５光電変換素子１１Ｂ₅に、右円偏光成分を有する光及び左円偏光成分を有する光のいずれか一方が入射し、直線偏光の光として出射され、ワイヤグリッド偏光素子に入射したとき、この入射光がワイヤグリッド偏光素子に遮られることなく、出射される場合、
　進相軸方位（β±９０）度を有する第６光電変換素子１１Ｂ₆に、右円偏光成分を有する光及び左円偏光成分を有する光のいずれか一方が入射し、直線偏光の光として出射され、ワイヤグリッド偏光素子に入射したとき、この入射光がワイヤグリッド偏光素子に遮られる関係、あるいは又、
（ｂ）進相軸方位β度を有する第５光電変換素子１１Ｂ₅に、右円偏光成分を有する光及び左円偏光成分を有する光のいずれか一方が入射し、直線偏光の光として出射され、ワイヤグリッド偏光素子に入射したとき、この入射光がワイヤグリッド偏光素子に遮られる場合、
　進相軸方位（β±９０）度を有する第６光電変換素子１１Ｂ₆に、右円偏光成分を有する光及び左円偏光成分を有する光のいずれか一方が入射し、直線偏光の光として出射され、ワイヤグリッド偏光素子に入射したとき、この入射光がワイヤグリッド偏光素子に遮られることなく、出射される関係とすることが好ましい。

　あるいは又、偏光方位α’度と進相軸方位β度との関係は、例えば、
α’＝（β＋４５）度
を満足する。それ故、
（ｃ－１）進相軸方位β度を有する第５光電変換素子１１Ｂ₅に、右円偏光成分を有する光が入射したとき、進相軸方位βに対して１３５度の直線偏光の光が第５光電変換素子１１Ｂ₅から出射される。そして、この直線偏光した光は、偏光方位（β＋４５）度を有する第５光電変換素子１１Ｂ₅のワイヤグリッド偏光素子に入射するが、この直線偏光した光とＱ方向の成す角度は９０度であるが故に、ワイヤグリッド偏光素子によって遮られる。
（ｃ－２）一方、進相軸方位（β＋９０）度を有する第６電変換素子１１Ｂ₆に、右円偏光成分を有する光が入射したとき、進相軸方位（β＋９０）に対して１３５度の直線偏光の光（進相軸方位βに対して４５度の直線偏光の光）が第６光電変換素子１１Ｂ₆から出射される。そして、この直線偏光した光は、偏光方位（β＋４５）度を有する第６光電変換素子１１Ｂ₆のワイヤグリッド偏光素子に入射するが、この直線偏光した光とＱ方向の成す角度は０度であるが故に、ワイヤグリッド偏光素子を通過する。
（ｄ－１）進相軸方位β度を有する第５光電変換素子１１Ｂ₅に、左円偏光成分を有する光が入射したとき、進相軸方位βに対して４５度の直線偏光の光が第５光電変換素子１１Ｂ₅から出射される。そして、この直線偏光した光は、偏光方位（β＋４５）度を有する第５光電変換素子１１Ｂ₅のワイヤグリッド偏光素子に入射するが、この直線偏光した光とＱ方向の成す角度は０度であるが故に、ワイヤグリッド偏光素子を通過する。
（ｄ－２）一方、進相軸方位（β＋９０）度を有する第６電変換素子１１Ｂ₆に、左円偏光成分を有する光が入射したとき、進相軸方位（β＋９０）に対して４５度の直線偏光の光（進相軸方位βに対して１３５度の直線偏光の光）が第６電変換素子１１Ｂ₆から出射される。そして、この直線偏光した光は、偏光方位（β＋４５）度を有する第６光電変換素子１１Ｂ₆のワイヤグリッド偏光素子に入射するが、この直線偏光した光とＱ方向の成す角度は９０度であるが故に、ワイヤグリッド偏光素子によって遮られる。

　更には、実施例２の受光装置にあっては、
　第１光電変換素子１１Ｂ₁を構成するワイヤグリッド偏光素子５０は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位α度の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位α度の成分を有する光を通過させ、
　第２光電変換素子１１Ｂ₂を構成するワイヤグリッド偏光素子５０は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋４５）度の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋４５）度の成分を有する光を通過させ、
　第３光電変換素子１１Ｂ₃を構成するワイヤグリッド偏光素子５０は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋９０）度の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋９０）度の成分を有する光を通過させ、
　第４光電変換素子１１Ｂ₄を構成するワイヤグリッド偏光素子５０は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋１３５）度の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋１３５）度の成分を有する光を通過させる。

　一例として、第２の方向に対して１５度の角度（第１の方向に対して７５度の角度）を成す直線偏光の光（以下、便宜上、『１５度程度の直線偏光の光』と呼ぶ）、及び、左円偏光の光が混在した光が、実施例２の受光装置における各光電変換素子ユニット１０Ｂに入射したとする。実施例２の受光装置において、各光電変換素子は、特定波長（単色光）に感度を有しており、フィルタ層は不要である。１つの光電変換素子ユニット１０Ｂによって、１つの画素（ピクセル）が構成される。実施例２の受光装置にあっては、単色の画像を表示する。

　そして、この場合、第１光電変換素子１１Ｂ₁を構成するワイヤグリッド偏光素子５０は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位α度（第２の方向に対して０度）の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位α度の成分を有する光を通過させる。具体的には、第１光電変換素子１１Ｂ₁を構成するワイヤグリッド偏光素子５０は、１５度程度の直線偏光の光の内、偏光方位α度の成分を有する光（光量：ＡＬ_1-1）、及び、左円偏光の光の内の約（１／４）の光（光量：ＡＬ_CP）を通過させる。即ち、第１光電変換素子１１Ｂ₁、あるいは又、以下に述べる第２光電変換素子１１Ｂ₂、第３光電変換素子１１Ｂ₃及び第４光電変換素子１１Ｂ₄は、左円偏光成分を有する光の約（１／４）を取り出すことができる。
１５度程度の直線偏光に基づく光量：ＡＬ_1-1
左円偏光の光に基づく光量：ＡＬ_CP

　また、第２光電変換素子１１Ｂ₂を構成するワイヤグリッド偏光素子５０は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋４５）度（第２の方向に対して４５度）度の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋４５）度の成分を有する光を通過させる。具体的には、第２光電変換素子１１Ｂ₂を構成するワイヤグリッド偏光素子５０は、１５度程度の直線偏光の光の内、偏光方位（α＋４５）度の成分を有する光（光量：ＡＬ_1-2）、及び、左円偏光の光の内の約（１／４）の光（光量：ＡＬ_CP）を通過させる。
１５度程度の直線偏光に基づく光量：ＡＬ_1-2
左円偏光の光に基づく光量：ＡＬ_CP

　更には、第３光電変換素子１１Ｂ₃を構成するワイヤグリッド偏光素子５０は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋９０）度（第２の方向に対して９０度）の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋９０）度の成分を有する光を通過させる。具体的には、第３光電変換素子１１Ｂ₃を構成するワイヤグリッド偏光素子５０は、１５度程度の直線偏光の光の内、偏光方位（α＋９０）度の成分を有する光、及び、左円偏光の光の内の約（１／４）の光（光量：ＡＬ_CP）を通過させる。尚、１５度程度の直線偏光の光の内、偏光方位（α＋９０）度の成分を有する光は、実質的に、第３光電変換素子１１Ｂ₃を構成するワイヤグリッド偏光素子５０によって遮られる。
１５度程度の直線偏光に基づく光量：０
左円偏光の光に基づく光量：ＡＬ_CP

　また、第４光電変換素子１１Ｂ₄を構成するワイヤグリッド偏光素子５０は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋１３５）度（第２の方向に対して１３５度）の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋１３５）度の成分を有する光を通過させる。具体的には、第４光電変換素子１１Ｂ₄を構成するワイヤグリッド偏光素子５０は、１５度程度の直線偏光の光の内、偏光方位（α＋１３５）度の成分を有する光、及び、左円偏光の光の内の約（１／４）の光（光量：ＡＬ_CP）を通過させる。尚、１５度程度の直線偏光の光の内、偏光方位（α＋１３５）度の成分を有する光は、実質的に、第４光電変換素子１１Ｂ₄を構成するワイヤグリッド偏光素子５０によって遮られる。
１５度程度の直線偏光に基づく光量：０
左円偏光の光に基づく光量：ＡＬ_CP

　第５光電変換素子１１Ｂ₅を構成する四分の一波長層６０において、第２の方向に対する進相軸方位βは４５度である。また、１５度程度の直線偏光の光と進相軸方位βとの成す角度は約１２０度である。従って、四分の一波長層６０は、１５度程度の直線偏光の光の入射に基づき、左円偏光の光を出射する（図１６Ａの左側の図参照）。そして、第５光電変換素子１１Ｂ₅を構成するワイヤグリッド偏光素子５０の偏光方位α’は０度であるので、ワイヤグリッド偏光素子５０は、出射された左円偏光の光の内の約（１／４）の光（光量：ＡＬ_LP'）を通過させる（図１６Ａの右側の図参照）。

　また、第５光電変換素子１１Ｂ₅を構成する四分の一波長層６０は、左円偏光の光の入射に基づき、進相軸方位に対して４５度傾いた直線偏光の光（第１の方向に平行な直線偏光の光）を出射する（図１６Ｂの左側の図参照）。そして、第５光電変換素子１１Ｂ₅を構成するワイヤグリッド偏光素子５０の偏光方位α’は０度であるので、ワイヤグリッド偏光素子５０は、出射された直線偏光の光を遮る（図１６Ｂの右側の図参照）。

　第５光電変換素子１１Ｂ₅の光電変換部が得られる光量は、以下のとおりである。
１５度程度の直線偏光に基づく光量：ＡＬ_LP'
左円偏光の光に基づく光量：０

　第６光電変換素子１１Ｂ₆を構成する四分の一波長層６０において、第２の方向に対する進相軸方位（β＋９０）は１３５度である。また、１５度程度の直線偏光の光と進相軸方位βとの成す角度は約３０度である。従って、四分の一波長層６０は、１５度程度の直線偏光の光の入射に基づき、右円偏光の光を出射する（図１６Ｃの左側の図参照）。そして、第６光電変換素子１１Ｂ₆を構成するワイヤグリッド偏光素子５０の偏光方位α’は０度であるので、ワイヤグリッド偏光素子５０は、出射された右円偏光の光の内の約（１／４）の光（光量：ＡＬ_LP'）を通過させる（図１６Ｃの右側の図参照）。

　また、第６光電変換素子１１Ｂ₆を構成する四分の一波長層６０は、左円偏光の光の入射に基づき、進相軸方位に対して４５度傾いた直線偏光の光（第２の方向に平行な直線偏光の光）を出射する（図１６Ｄの左側の図参照）。そして、第６光電変換素子１１Ｂ₆を構成するワイヤグリッド偏光素子５０の偏光方位α’は０度であるので、ワイヤグリッド偏光素子５０は、出射された直線偏光の光（光量：ＡＬ_CP'）を通過させる（図１６Ｄの右側の図参照）。

　第６光電変換素子１１Ｂ₆の光電変換部が得られる光量は、以下のとおりである。
１５度程度の直線偏光に基づく光量：ＡＬ_LP'
左円偏光の光に基づく光量：ＡＬ_CP'

　第５光電変換素子１１Ｂ₅及び第６光電変換素子１１Ｂ₆を構成する四分の一波長層に右円偏光の光が入射した場合も、同様の議論に基づき、以下の結果が得られる（図１７Ａ、図１７Ｂ、図１７Ｃ及び図１７Ｄ参照）。即ち、第５光電変換素子１１Ｂ₅の光電変換部が得られる光量は、以下のとおりである。
１５度程度の直線偏光に基づく光量：ＡＬ_LP'
右円偏光の光に基づく光量：ＡＬ_CP'
また、第６光電変換素子１１Ｂ₆の光電変換部が得られる光量は、以下のとおりである。
１５度程度の直線偏光に基づく光量：ＡＬ_LP'
右円偏光の光に基づく光量：０

　このように、第５光電変換素子１１Ｂ₅及び第６光電変換素子１１Ｂ₆によって円偏光成分の多い、少ないが判るし、右円偏光成分が多いか、左円偏光成分が多いかが判る。

　以上の状態を、模式的に図１８に図示する。

　更には、実施例２の受光装置は、データ処理部を更に有しており、
　第１光電変換素子１１Ｂ₁を構成する光電変換部２１によって得られる光量をＡＬ₁、
　第２光電変換素子１１Ｂ₂を構成する光電変換部２１によって得られる光量をＡＬ₂、
　第３光電変換素子１１Ｂ₃を構成する光電変換部２１によって得られる光量をＡＬ₃、
　第４光電変換素子１１Ｂ₄を構成する光電変換部２１によって得られる光量をＡＬ₄、
　第５光電変換素子１１Ｂ₅を構成する光電変換部２１によって得られる光量をＡＬ₅、
　第６光電変換素子１１Ｂ₆を構成する光電変換部２１によって得られる光量をＡＬ₆、
としたとき、
　データ処理部は、
ＡＬ₅≧ＡＬ₆の場合、ΔＡＬ’＝ＡＬ₅－ＡＬ₆を求め、
ＡＬ₅＜ＡＬ₆の場合、ΔＡＬ’＝ＡＬ₆－ＡＬ₅を求め、
　データ処理部は、更に、光量ＡＬ₁，ＡＬ₂，ＡＬ₃及びＡＬ₄に基づき得られるフィッテイング・カーブの最大値と最小値との差ΔＡＬ及びΔＡＬ’から偏光度を求める。具体的には、偏光度は、
　偏光度＝ΔＡＬ／（ΔＡＬ＋ΔＡＬ’）
で求められる。更には、得られた画像データの内、データ処理部は、偏光度が高い領域と偏光度が低い領域とを、異なる色で表示する。

　或る方向の直線偏光成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光が混在した状態で、第１光電変換素子Ｑ１、第２光電変換素子Ｑ２、第３光電変換素子Ｑ３及び第４光電変換素子Ｑ４の４つの従来の光電変換素子から構成された従来の光電変換素子ユニットに入射したときの各光電変換素子における光電変換部にて得られる光量（光強度）を、模式的に図２０Ａ及び図２０Ｂに示す。図２０Ａ及び図２０Ｂから、約３０度の偏光方位に直線偏光している光が多く存在していることが判る。図２０Ａに示す例では、ΔＡＬの値が大きく、ΔＡＬ”の値が小さく、
偏光度＝ΔＡＬ／（ΔＡＬ＋ΔＡＬ”）
の値が「１」に近い大きな値であり、偏光度が高いと云える。一方、図２０Ｂに示す例では、ΔＡＬの値が小さく、ΔＡＬ”の値が大きく、
偏光度＝ΔＡＬ／（ΔＡＬ＋ΔＡＬ”）
の値が小さな値であり、偏光度が低いと云える。ΔＡＬ”は、フィッテイング・カーブにおける最小値から基準の光量（光強度）を減じた値である。図２０Ａ及び図２０Ｂにおいて、第１光電変換素子Ｑ１は、ワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位が０度の従来の光電変換素子であり、第２光電変換素子Ｑ２は、ワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位が４５度の従来の光電変換素子であり、第３光電変換素子Ｑ３は、ワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位が９０度の従来の光電変換素子であり、第４光電変換素子Ｑ４は、ワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位が１３５度の従来の光電変換素子である。

　以上に説明した実施例２の受光装置における光電変換素子１１Ｂ₁，１１Ｂ₂，１１Ｂ₃，１１Ｂ₄，１１Ｂ₅，１１Ｂ₆の受光光量（光強度）を纏めると以下のとおりとなる。
第１光電変換素子１１Ｂ₁
　１５度程度の直線偏光に基づく光量：ＡＬ_1-1
　左円偏光の光に基づく光量：ＡＬ_CP
第２光電変換素子１１Ｂ₂
　１５度程度の直線偏光に基づく光量：ＡＬ_1-2
　左円偏光の光に基づく光量：ＡＬ_CP
第３光電変換素子１１Ｂ₃
　１５度程度の直線偏光に基づく光量：０
　左円偏光の光に基づく光量：ＡＬ_CP
第４光電変換素子１１Ｂ₄
　１５度程度の直線偏光に基づく光量：０
　左円偏光の光に基づく光量：ＡＬ_CP
第５光電変換素子１１Ｂ₅
　１５度程度の直線偏光に基づく光量：ＡＬ_LP'
　左円偏光の光に基づく光量：０
第６光電変換素子１１Ｂ₆
　１５度程度の直線偏光に基づく光量：ＡＬ_LP'
　左円偏光の光に基づく光量：ＡＬ_CP'

　ここで、ＡＬ₅＜ＡＬ₆であるので、
ΔＡＬ’＝ＡＬ₆－ＡＬ₅
＝ＡＬ_CP'
となる。また、
ＡＬ_CP≒ＡＬ_CP'／４
である。従って、各第１光電変換素子１１Ｂ₁，１１Ｂ₂，１１Ｂ₃，１１Ｂ₄が受光した光の光量から（ΔＡＬ’／４）を減じることで、各第１光電変換素子１１Ｂ₁，１１Ｂ₂，１１Ｂ₃，１１Ｂ₄が受光した直線偏光の光の光量ＡＬ_LP-1，ＡＬ_LP-2，ＡＬ_LP-3，ＡＬ_LP-4を求めることができる。即ち、実施例２の受光装置にあっては、直線偏光成分と円偏光成分の分離を図ることができる。

　そして、こうして求められた各第１光電変換素子１１Ｂ₁，１１Ｂ₂，１１Ｂ₃，１１Ｂ₄が受光した光量ＡＬ₁，ＡＬ₂，ＡＬ₃，ＡＬ₄（具体的には、直線偏光の光の光量ＡＬ_LP-1，ＡＬ_LP-2，ＡＬ_LP-3，ＡＬ_LP-4）に基づき、上述したとおり、
偏光度＝ΔＡＬ／（ΔＡＬ＋ΔＡＬ’）
を求めることができるし、更には、これらの光量に基づき画像を表示すればよい。各光電変換素子ユニットにおける第１光電変換素子１１Ｂ₁に基づき得られた画像を図１９Ａの「０°」に示し、第２光電変換素子１１Ｂ₂に基づき得られた画像を図１９Ａの「４５°」に示し、第３光電変換素子１１Ｂ₃に基づき得られた画像を図１９Ａの「９０°」に示し、第４光電変換素子１１Ｂ₄に基づき得られた画像を図１９Ａの「１３５°」に示す。

　これらの画像において、光量ＡＬ_LP-1，ＡＬ_LP-2，ＡＬ_LP-3，ＡＬ_LP-4の多い領域を「白っぽく」示すが、この領域は偏光度が高い。一方、光量ＡＬ_LP-1，ＡＬ_LP-2，ＡＬ_LP-3，ＡＬ_LP-4の少ない領域を「黒っぽく」示すが、この領域は偏光度が低い。また、図１９Ａの４つの画像を合成した画像を図１９Ｂに示す。偏光度が高い領域は、所謂「白飛び」のため、偏光情報が取得されていない領域（偏光情報不足している領域）と容易に判断することができる。尚、このような偏光情報が取得されていない領域は、光電変換素子からの出力が高すぎる領域、即ち、光電変換素子を構成する光電変換部が入力光に対して飽和している領域である。

　実施例２の受光装置にあっては、このような偏光情報が取得されていない領域に色付けを行って表示することができる。それ故、このような偏光情報が取得されていない領域（偏光情報不足している領域）を外して、他の領域から偏光情報を適切に得ることができる。即ち、実施例２の受光装置にあっては、所謂偏光度を容易に知ることができるし、画像の観察者は、画像のどの領域において、偏光情報が取得されていないかを、容易に識別することができる。また、円偏光成分を偏光度算出に用いることで、画像全体の実質的な解像度の向上を図ることができる。更には、例えば、空や窓ガラスを撮像した画像の部分、水面を撮像した画像の部分等に対して所望の処理を加えることで、偏光成分を強調あるいは低減させることができ、あるいは又、各種偏光成分を分離することができ、画像のコントラストの改善、不要な情報を削除を行うことができる。

　実施例２の受光装置は、前述したケース（２－１）の光電変換素子ユニット－２Ａによって、全ての光電変換素子ユニットが構成されている。尚、この場合、光電変換素子ユニット－２Ａにおける光電変換素子は、同じ構成、構造を有していてもよい。あるいは又、実施例２の受光装置は、前述したケース（２－２）乃至（２－１０）の形態を有していてもよい。

　また、実施例２の受光装置の変形例は、２次元状に配列された複数の光電変換素子ユニット群から構成されており、
　１つの光電変換素子ユニット群は、２×２に配置された４つの光電変換素子ユニットから構成されており、
　第１光電変換素子ユニットは、第１の波長範囲の光を通過させる第１フィルタ層を備えており、
　第２光電変換素子ユニットは、第２の波長範囲の光を通過させる第２フィルタ層を備えており、
　第３光電変換素子ユニットは、第３の波長範囲の光を通過させる第３フィルタ層を備えており、
　第４光電変換素子ユニットは、第４の波長範囲の光を通過させる第４フィルタ層を備えている構成とすることができる。また、この場合、第１光電変換素子ユニット、第２光電変換素子ユニット、第３光電変換素子ユニット及び第４光電変換素子ユニットを構成する光電変換素子における四分の一波長層及びワイヤグリッド偏光素子の仕様を、前述したとおり、入力光の波長に合わせて最適化すればよい。このような実施例２の受光装置の変形例の一例の模式的な一部断面図を図２１に示すが、フィルタ層７１は、四分の一波長層６０の上方に配設されている。１つの光電変換素子ユニット群から１画素（ピクセル）が構成され、２×２に配置された４つの光電変換素子ユニットから１副画素（サブピクセル）が構成される。そして、このような構成によってカラー画像を表示することができる。

　具体的には、１つの光電変換素子ユニット群は、例えば、ベイヤ配置に配置された４つの光電変換素子ユニットから構成されており、第１の波長範囲の光として赤色光、第２の波長範囲の光及び第３の波長範囲の光として緑色光、第４の波長範囲の光として青色光を挙げることができる。あるいは又、第１の波長範囲の光として赤色光、第２の波長範囲の光として緑色光、第３の波長範囲の光として青色光、第４の波長範囲の光として赤外光を挙げることができ、この場合には、第４光電変換素子ユニットは、第１の波長範囲、第２の波長範囲及び第３の波長範囲の光を通過させない第４フィルタ層を備えている構成とすることができる。あるいは又、光電変換素子ユニットの配列は、前述した各種の配列を有していてもよい。そして、
　第１光電変換素子ユニットを構成する第１の四分の一波長層は第１の波長範囲の光に対して位相差を与え、
　第２光電変換素子ユニットを構成する第２の四分の一波長層は第２の波長範囲の光に対して位相差を与え、
　第３光電変換素子ユニットを構成する第３の四分の一波長層は第３の波長範囲の光に対して位相差を与え、
　第４光電変換素子ユニットを構成する第４の四分の一波長層は第４の波長範囲の光に対して位相差を与える構成とすることができる。

　そして、実施例２の受光装置の変形例にあっては、第１の四分の一波長層と、第２の四分の一波長層及び第３の四分の一波長層と、第４の四分の一波長層とは、同じ層に配置されている。更には、
　四分の一波長層６０は、屈折率ｎ₁を有する材料から構成された第１誘電体層６１、及び、屈折率ｎ₂（但し、ｎ₁＞ｎ₂）を有する材料から構成された第２誘電体層６２が、交互に、並置されて成り、
　第１の四分の一波長層を構成する第１誘電体層６１及び第２誘電体層６２の厚さ（ｔ₁₁，ｔ₁₂）と、第２の四分の一波長層を構成する第１誘電体層６１及び第２誘電体層６２の厚さ（ｔ₂₁，ｔ₂₂）と、第３の四分の一波長層を構成する第１誘電体層６１及び第２誘電体層６２の厚さ（ｔ₃₁，ｔ₃₂）と、第４の四分の一波長層を構成する第１誘電体層６１及び第２誘電体層６２の厚さ（ｔ₄₁，ｔ₄₂）とは、異なり、即ち、ｔ₁₁，ｔ₂₁，ｔ₃₁，ｔ₄₁は同じ値ではないし、ｔ₁₂，ｔ₂₂，ｔ₃₂，ｔ₄₂は同じ値ではないし、
　第１の四分の一波長層と、第２の四分の一波長層と、第３の四分の一波長層と、第４の四分の一波長層とは、同じ層厚（Ｈ₁＝Ｈ₂＝Ｈ₃＝Ｈ₄）を有する。

　実施例２においては、上述したとおり、１つの光電変換素子ユニット群は、例えば、ベイヤ配置に配置された４つの光電変換素子ユニットから構成されているので、ｔ₂₁＝ｔ₃₁，ｔ₂₂＝ｔ₃₂とした。また、Ｈ₁＝Ｈ₂＝Ｈ₃＝Ｈ₄＝１１５ｎｍとした。

　第１の四分の一波長層に関して、
ｔ₁₁＝２１０ｎｍ
ｔ₁₂＝９０ｎｍ
ｆ＝２１０／（２１０＋９０）＝０．７
ｎ_TE＝１．８６
ｎ_TM＝０．５６
であり、第１の四分の一波長層を通過し、位相差が与えられる光の波長λ₁は、
λ₁＝６００ｎｍ
である。

　また、第２の四分の一波長層及び第３の四分の一波長層に関して、
ｔ₂₁＝ｔ₃₁＝１５０ｎｍ
ｔ₂₂＝ｔ₃₂＝１５０ｎｍ
ｆ＝１５０／（１５０＋１５０）＝０．５
ｎ_TE＝１．７７
ｎ_TM＝０．５９
であり、第２の四分の一波長層及び第３の四分の一波長層を通過し、位相差が与えられる光の波長λ_2-3は、
λ_2-3＝５５０ｎｍ
である。

　更には、第４の四分の一波長層に関して、
ｔ₄₁＝６０ｎｍ
ｔ₄₂＝２４０ｎｍ
ｆ＝６０／（６０＋２４０）＝０．２
ｎ_TE＝１．６１
ｎ_TM＝０．６４
であり、第４の四分の一波長層を通過し、位相差が与えられる光の波長λ₄は、
λ₄＝４５０ｎｍ
である。

　あるいは又、実施例２の受光装置の変形例にあっては、第１の四分の一波長層と、第２の四分の一波長層と、第３の四分の一波長層と、第４の四分の一波長層とは、異なる層に配置されている。そして、
四分の一波長層６０は、屈折率ｎ₁を有する材料から構成された第１誘電体層６１、及び、屈折率ｎ₂（但し、ｎ₁＞ｎ₂）を有する材料から構成された第２誘電体層６２が、交互に、並置されて成り、
　第１の四分の一波長層を構成する第１誘電体層６１及び第２誘電体層６２の厚さ（ｔ₁₁，ｔ₁₂）と、第２の四分の一波長層を構成する第１誘電体層６１及び第２誘電体層６２の厚さ（ｔ₂₁，ｔ₂₂）と、第３の四分の一波長層を構成する第１誘電体層６１及び第２誘電体層６２の厚さ（ｔ₃₁，ｔ₃₂）と、第４の四分の一波長層を構成する第１誘電体層６１及び第２誘電体層６２の厚さ（ｔ₄₁，ｔ₄₂）とは、同じであり、即ち、ｔ₁₁＝ｔ₂₁＝ｔ₃₁＝ｔ₄₁，ｔ₁₂＝ｔ₂₂＝ｔ₃₂＝ｔ₄₂であり、
　第１の四分の一波長層と、第２の四分の一波長層と、第３の四分の一波長層と、第４の四分の一波長層とは、異なる層厚を有する構成とすることができる。

　但し、１つの光電変換素子ユニット群は、例えば、ベイヤ配置に配置された４つの光電変換素子ユニットから構成されているので、Ｈ₂＝Ｈ₃とした。第１の四分の一波長層は、例えば、第１層目を占め、第２の四分の一波長層及び第３の四分の一波長層は、例えば、第２層目を占め、第４の四分の一波長層は、例えば、第３層目を占めているが、このような状態に限定するものではなく、第１の四分の一波長層が占める層、第２の四分の一波長層及び第３の四分の一波長層が占める層、第４の四分の一波長層が占める層の順序は、本質的に任意である。

　ここで、
ｔ₁₁＝ｔ₂₁＝ｔ₃₁＝ｔ₄₁＝１５０ｎｍ
ｔ₁₂＝ｔ₂₂＝ｔ₃₂＝ｔ₄₂＝１５０ｎｍ
である。

　そして、第１の四分の一波長層に関して、
ｆ＝１５０／（１５０＋１５０）＝０．５
ｎ_TE＝１．７７
ｎ_TM＝０．５９
であり、
Ｈ＝１２５ｎｍ
とすれば、第１の四分の一波長層を通過し、位相差が与えられる光の波長λ₁は、
λ₁＝６００ｎｍ
である。

　また、第２の四分の一波長層及び第３の四分の一波長層に関して、
ｆ＝１５０／（１５０＋１５０）＝０．５
ｎ_TE＝１．７７
ｎ_TM＝０．５９
であり、
Ｈ＝１１５ｎｍ
とすれば、第２の四分の一波長層及び第３の四分の一波長層を通過し、位相差が与えられる光の波長λ_23-3は、
λ_2-3＝５５０ｎｍ
である。

　更には、第４の四分の一波長層に関して、
ｆ＝１５０／（１５０＋１５０）＝０．５
ｎ_TE＝１．７７
ｎ_TM＝０．５９
であり、
Ｈ＝９５ｎｍ
とすれば、第４の四分の一波長層を通過し、位相差が与えられる光の波長λ₄は、
λ₄＝４５０ｎｍ
である。

　以上の実施例２の受光装置の変形例の説明は、実施例３の受光装置に対しても適用することができる。

　実施例３は、本開示の第３の態様に係る受光装置に関する。実施例３の受光装置における光電変換素子ユニットの一部の模式的な一部断面図を図２２に示す。また、実施例３の受光装置における光電変換素子ユニットを構成する第１層目の四分の一波長層（『第１層目のλ／４位相板』と称し、以下においても同様）を通過する光の偏光状態を図２３Ａ、図２４Ａ、図２５Ａ及び図２６Ａに示し、第２層目の四分の一波長層（『第２層目のλ／４位相板』と称し、以下においても同様）を通過する光の偏光状態を図２３Ｂ、図２４Ｂ、図２５Ｂ及び図２６Ｂに示し、ワイヤグリッド偏光素子（『ＷＧＰ』と称し、以下においても同様）を通過する光の状態を模式的に図２３Ｃ、図２４Ｃ、図２５Ｃ及び図２６Ｃに示す。

　実施例３の受光装置は、
複数の光電変換素子ユニット１０Ｃを備えており、
　各光電変換素子ユニット１０Ｃは、第１光電変換素子１１Ｃ₁、第２光電変換素子１１Ｃ₂、第３光電変換素子１１Ｃ₃及び第４光電変換素子１１Ｃ₄を備えており、
　第１光電変換素子１１Ｃ₁、第２光電変換素子１１Ｃ₂、第３光電変換素子１１Ｃ₃及び第４光電変換素子１１Ｃ₄は、光入射側から、第１層目の四分の一波長層６０Ａ、第２層目の四分の一波長層６０Ｂ、ワイヤグリッド偏光素子５０、及び、光電変換部２１がこの順に配置されており、
　第１光電変換素子１１Ｃ₁を構成するワイヤグリッド偏光素子５０が透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第２光電変換素子１１Ｃ₂を構成するワイヤグリッド偏光素子５０が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第３光電変換素子１１Ｃ₃を構成するワイヤグリッド偏光素子５０が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４光電変換素子１１Ｃ₄を構成するワイヤグリッド偏光素子５０が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度であり、
　第１光電変換素子１１Ｃ₁を構成する第１層目の四分の一波長層６０Ａの進相軸方位はβ度であり、
　第２光電変換素子１１Ｃ₂を構成する第１層目の四分の一波長層６０Ａの進相軸方位は（β＋４５）度であり、
　第３光電変換素子１１Ｃ₃を構成する第１層目の四分の一波長層６０Ａの進相軸方位は（β＋９０）度であり、
　第４光電変換素子１１Ｃ₄を構成する第１層目の四分の一波長層６０Ａの進相軸方位は（β度＋１３５）であり、
各光電変換素子において、第２層目の四分の一波長層６０Ｂの進相軸方位と、第１層目の四分の一波長層６０Ａの進相軸方位との成す角度は、±４５度である。

　そして、１つの光電変換素子ユニット１０Ｃによって、１つの画素（ピクセル）が構成される。実施例３の受光装置にあっては、単色の画像を表示する。尚、実施例２の受光装置の変形例で説明したとおり、実施例２の受光装置の変形例を実施例３の受光装置に対しても適用することができ、この場合、１つの光電変換素子ユニット群から１画素（ピクセル）が構成され、２×２に配置された４つの光電変換素子ユニットから１副画素（サブピクセル）が構成され、このような構成によってカラー画像を表示することができる。

　ここで、限定するものではないが、α＝βとすることができる。αと第２の方向との成す角度は、本質的に任意の角度とすることができるが、０度あるいは９０度を挙げることができ、実施例３においてはα＝０度とした。即ち、αとＱ方向との成す角度を０度とし、Ｐ方向との成す角度を９０度とした。また、βと第２の方向との成す角度は、本質的に任意の角度とすることができるが、０度あるいは９０度を挙げることができ、実施例３においてはβ＝０度とした。即ち、βと第２の方向との成す角度を０度とした。

　以下、先ず、実施例３の受光装置における光電変換素子ユニットにおいて、第２の方向に偏光した直線偏光の光が図２３Ａの紙面垂直方向の上方から第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射し、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過したときの状態を説明する。ここで、第１層目の四分の一波長層６０Ａを通過する光の偏光状態を図２３Ａに示し、第２層目の四分の一波長層６０Ｂを通過する光の偏光状態を図２３Ｂに示し、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過した光の状態を模式的に図２３Ｃに示す。

　図２３Ａ、図２３Ｂ及び図２３Ｃの第２象限に位置する第１の光電変換素子１１Ｃ₁において、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射した直線偏光の光は、第１層目の四分の一波長層６０Ａにおける進相軸との成す角度が０度であるが故に、第２の方向に偏光した直線偏光の状態で、第１層目の四分の一波長層６０Ａから出射する。そして、第２層目の四分の一波長層６０Ｂに入射した直線偏光の光は、第２層目の四分の一波長層６０Ｂにおける進相軸との成す角度が１３５度であるが故に、左円偏光の状態で、第２層目の四分の一波長層６０Ｂから出射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した左円偏光の光の一部は、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過する。尚、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した左円偏光の光の残部は、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過することができない。このような光の通過状態を、「黒三角」印（▲）で示す。

　図２３Ａ、図２３Ｂ及び図２３Ｃの第１象限に位置する第２の光電変換素子１１Ｃ₂において、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射した直線偏光の光は、第１層目の四分の一波長層６０Ａにおける進相軸との成す角度が１３５度であるが故に、左円偏光の状態で、第１層目の四分の一波長層６０Ａから出射する。そして、第２層目の四分の一波長層６０Ｂに入射した左円偏光の光は、進相軸と成す角度が４５度（第２の方向との成す角度が１３５度）の直線偏光の状態で、第２層目の四分の一波長層６０Ｂから出射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した直線偏光の光は、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過することができない。尚、このような光の通過状態を「バツ」印（×）で示す。

　図２３Ａ、図２３Ｂ及び図２３Ｃの第４象限に位置する第３の光電変換素子１１Ｃ₃において、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射した直線偏光の光は、第１層目の四分の一波長層６０Ａにおける進相軸との成す角度が９０度であるが故に、第２の方向に偏光した直線偏光の状態で、第１層目の四分の一波長層６０Ａから出射する。そして、第２層目の四分の一波長層６０Ｂに入射した直線偏光の光は、第２層目の四分の一波長層６０Ｂにおける進相軸との成す角度が４５度であるが故に、右円偏光の状態で、第２層目の四分の一波長層６０Ｂから出射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した右円偏光の光の一部は、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過する。

　図２３Ａ、図２３Ｂ及び図２３Ｃの第３象限に位置する第４の光電変換素子１１Ｃ₄において、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射した直線偏光の光は、第１層目の四分の一波長層６０Ａにおける進相軸との成す角度が４５度であるが故に、右円偏光の状態で、第１層目の四分の一波長層６０Ａから出射する。そして、第２層目の四分の一波長層６０Ｂに入射した右円偏光の光は、進相軸と成す角度が１３５度（第２の方向との成す角度が１３５度）の直線偏光の状態で、第２層目の四分の一波長層６０Ｂから出射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した直線偏光の光は、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過する。尚、このような光の通過状態を「白丸」印（○）で示す。

　以上のとおり、第２の方向に偏光した直線偏光の光が、図２３Ａの紙面垂直方向の上方から第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射したときのワイヤグリッド偏光素子通過状態は、以下のとおりである。
第２象限に位置する第１の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子：▲
第１象限に位置する第２の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子：×
第４象限に位置する第３の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子：▲
第３象限に位置する第４の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子：○

　次に、実施例３の受光装置における光電変換素子ユニットにおいて、第１の方向に偏光した直線偏光の光が図２４Ａの紙面垂直方向の上方から第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射し、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過したときの状態を説明する。ここで、第１層目の四分の一波長層６０Ａを通過する光の偏光状態を図２４Ａに示し、第２層目の四分の一波長層６０Ｂを通過する光の偏光状態を図２４Ｂに示し、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過した光の状態を模式的に図２４Ｃに示す。

　図２４Ａ、図２４Ｂ及び図２４Ｃの第２象限に位置する第１の光電変換素子１１Ｃ₁において、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射した直線偏光の光は、第１層目の四分の一波長層６０Ａにおける進相軸との成す角度が９０度であるが故に、第１の方向に偏光した直線偏光の状態で、第１層目の四分の一波長層６０Ａから出射する。そして、第２層目の四分の一波長層６０Ｂに入射した直線偏光の光は、第２層目の四分の一波長層６０Ｂにおける進相軸との成す角度が４５度であるが故に、右円偏光の状態で、第２層目の四分の一波長層６０Ｂから出射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した右円偏光の光の一部は、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過する。

　図２４Ａ、図２４Ｂ及び図２４Ｃの第１象限に位置する第２の光電変換素子１１Ｃ₂において、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射した直線偏光の光は、第１層目の四分の一波長層６０Ａにおける進相軸との成す角度が４５度であるが故に、右円偏光の状態で、第１層目の四分の一波長層６０Ａから出射する。そして、第２層目の四分の一波長層６０Ｂに入射した右円偏光の光は、進相軸と成す角度が１３５度（第２の方向との成す角度が４５度）の直線偏光の状態で、第２層目の四分の一波長層６０Ｂから出射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した直線偏光の光は、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過する。

　図２４Ａ、図２４Ｂ及び図２４Ｃの第４象限に位置する第３の光電変換素子１１Ｃ₃において、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射した直線偏光の光は、第１層目の四分の一波長層６０Ａにおける進相軸との成す角度が０度であるが故に、第１の方向に偏光した直線偏光の状態で、第１層目の四分の一波長層６０Ａから出射する。そして、第２層目の四分の一波長層６０Ｂに入射した直線偏光の光は、第２層目の四分の一波長層６０Ｂにおける進相軸との成す角度が１３５度であるが故に、左円偏光の状態で、第２層目の四分の一波長層６０Ｂから出射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した左円偏光の光の一部は、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過する。

　図２４Ａ、図２４Ｂ及び図２４Ｃの第３象限に位置する第４の光電変換素子１１Ｃ₄において、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射した直線偏光の光は、第１層目の四分の一波長層６０Ａにおける進相軸との成す角度が１３５度であるが故に、左円偏光の状態で、第１層目の四分の一波長層６０Ａから出射する。そして、第２層目の四分の一波長層６０Ｂに入射した左円偏光の光は、進相軸と成す角度が４５度（第２の方向との成す角度が４５度）の直線偏光の状態で、第２層目の四分の一波長層６０Ｂから出射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した直線偏光の光は、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過することができない。

　以上のとおり、第１の方向に偏光した直線偏光の光が、図２４Ａの紙面垂直方向の上方から第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射したときのワイヤグリッド偏光素子通過状態は、以下のとおりである。
第２象限に位置する第１の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子：▲
第１象限に位置する第２の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子：○
第４象限に位置する第３の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子：▲
第３象限に位置する第４の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子：×

　次に、実施例３の受光装置における光電変換素子ユニットにおいて、第１の方向に対して－４５度、偏光した直線偏光の光が図２５Ａの紙面垂直方向の上方から第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射し、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過したときの状態を説明する。ここで、第１層目の四分の一波長層６０Ａを通過する光の偏光状態を図２５Ａに示し、第２層目の四分の一波長層６０Ｂを通過する光の偏光状態を図２５Ｂに示し、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過した光の状態を模式的に図２５Ｃに示す。

　図２５Ａ、図２５Ｂ及び図２５Ｃの第２象限に位置する第１の光電変換素子１１Ｃ₁において、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射した直線偏光の光は、第１層目の四分の一波長層６０Ａにおける進相軸との成す角度が４５度であるが故に、右円偏光の状態で、第１層目の四分の一波長層６０Ａから出射する。そして、第２層目の四分の一波長層６０Ｂに入射した右円偏光の光は、進相軸と成す角度が１３５度（第２の方向との成す角度が０度）の直線偏光の状態で、第２層目の四分の一波長層６０Ｂから出射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した直線偏光の光は、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過する。

　図２５Ａ、図２５Ｂ及び図２５Ｃの第１象限に位置する第２の光電変換素子１１Ｃ₂において、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射した直線偏光の光は、第１層目の四分の一波長層６０Ａにおける進相軸との成す角度が０度であるが故に、直線偏光の状態で、第１層目の四分の一波長層６０Ａから出射する。そして、第２層目の四分の一波長層６０Ｂに入射した直線偏光の光は、第２層目の四分の一波長層６０Ｂにおける進相軸との成す角度が１３５度であるが故に、左円偏光の状態で、第２層目の四分の一波長層６０Ｂから出射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した左円偏光の光の一部は、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過する。

　図２５Ａ、図２５Ｂ及び図２５Ｃの第４象限に位置する第３の光電変換素子１１Ｃ₃において、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射した直線偏光の光は、第１層目の四分の一波長層６０Ａにおける進相軸との成す角度が１３５度であるが故に、左円偏光の状態で、第１層目の四分の一波長層６０Ａから出射する。そして、第２層目の四分の一波長層６０Ｂに入射した左円偏光の光は、進相軸と成す角度が４５度（第２の方向との成す角度が０度）の直線偏光の状態で、第２層目の四分の一波長層６０Ｂから出射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した直線偏光の光は、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過することができない。

　図２５Ａ、図２５Ｂ及び図２５Ｃの第３象限に位置する第４の光電変換素子１１Ｃ₄において、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射した直線偏光の光は、第１層目の四分の一波長層６０Ａにおける進相軸との成す角度が９０度であるが故に、直線偏光の状態で、第１層目の四分の一波長層６０Ａから出射する。そして、第２層目の四分の一波長層６０Ｂに入射した直線偏光の光は、第２層目の四分の一波長層６０Ｂにおける進相軸との成す角度が４５度であるが故に、右円偏光の状態で、第２層目の四分の一波長層６０Ｂから出射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した右円偏光の光の一部は、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過する。

　以上のとおり、第１の方向に－４５度、偏光した直線偏光の光が、図２５Ａの紙面垂直方向の上方から第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射したときのワイヤグリッド偏光素子通過状態は、以下のとおりである。
第２象限に位置する第１の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子：○
第１象限に位置する第２の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子：▲
第４象限に位置する第３の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子：×
第３象限に位置する第４の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子：▲

　次に、実施例３の受光装置における光電変換素子ユニットにおいて、第１の方向に対して＋４５度、偏光した直線偏光の光が図２６Ａの紙面垂直方向の上方から第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射し、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過したときの状態を説明する。ここで、第１層目の四分の一波長層６０Ａを通過する光の偏光状態を図２６Ａに示し、第２層目の四分の一波長層６０Ｂを通過する光の偏光状態を図２６Ｂに示し、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過した光の状態を模式的に図２６Ｃに示す。

　図２６Ａ、図２６Ｂ及び図２６Ｃの第２象限に位置する第１の光電変換素子１１Ｃ₁において、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射した直線偏光の光は、第１層目の四分の一波長層６０Ａにおける進相軸との成す角度が１３５度であるが故に、左円偏光の状態で、第１層目の四分の一波長層６０Ａから出射する。そして、第２層目の四分の一波長層６０Ｂに入射した左円偏光の光は、進相軸と成す角度が４５度（第２の方向との成す角度が９０度）の直線偏光の状態で、第２層目の四分の一波長層６０Ｂから出射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した直線偏光の光は、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過することができない。

　図２６Ａ、図２６Ｂ及び図２６Ｃの第１象限に位置する第２の光電変換素子１１Ｃ₂において、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射した直線偏光の光は、第１層目の四分の一波長層６０Ａにおける進相軸との成す角度が９０度であるが故に、直線偏光の状態で、第１層目の四分の一波長層６０Ａから出射する。そして、第２層目の四分の一波長層６０Ｂに入射した直線偏光の光は、第２層目の四分の一波長層６０Ｂにおける進相軸との成す角度が４５度であるが故に、右円偏光の状態で、第２層目の四分の一波長層６０Ｂから出射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した右円偏光の光の一部は、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過する。

　図２６Ａ、図２６Ｂ及び図２６Ｃの第４象限に位置する第３の光電変換素子１１Ｃ₃において、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射した直線偏光の光は、第１層目の四分の一波長層６０Ａにおける進相軸との成す角度が４５度であるが故に、右円偏光の状態で、第１層目の四分の一波長層６０Ａから出射する。そして、第２層目の四分の一波長層６０Ｂに入射した右円偏光の光は、進相軸と成す角度が１３５度（第２の方向との成す角度が９０度）の直線偏光の状態で、第２層目の四分の一波長層６０Ｂから出射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した直線偏光の光は、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過する。

　図２６Ａ、図２６Ｂ及び図２６Ｃの第３象限に位置する第４の光電変換素子１１Ｃ₄において、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射した直線偏光の光は、第１層目の四分の一波長層６０Ａにおける進相軸との成す角度が０度であるが故に、直線偏光の状態で、第１層目の四分の一波長層６０Ａから出射する。そして、第２層目の四分の一波長層６０Ｂに入射した直線偏光の光は、第２層目の四分の一波長層６０Ｂにおける進相軸との成す角度が１３５度であるが故に、左円偏光の状態で、第２層目の四分の一波長層６０Ｂから出射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子５０に入射した左円偏光の光の一部は、ワイヤグリッド偏光素子５０を通過する。

　以上のとおり、第１の方向に＋４５度、偏光した直線偏光の光が、図２６Ａの紙面垂直方向の上方から第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射したときのワイヤグリッド偏光素子通過状態は、以下のとおりである。
第２象限に位置する第１の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子：×
第１象限に位置する第２の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子：▲
第４象限に位置する第３の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子：○
第３象限に位置する第４の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子：▲

　以上の説明においては、第１の方向に－４５度、０度、＋４５度、＋９０度、偏光した直線偏光の光が、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射したときのワイヤグリッド偏光素子通過状態を説明したが、第１の方向に対して「或る角度」に偏光した直線偏光の光が、第１層目の四分の一波長層６０Ａに入射したときの、この或る角度は、第１の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子、第２の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子、第３の光電変換素子におけるワイヤグリッド偏光素子及び第４の光電変換素子が受光する光量（光強度）を分析することで、求めることができる。

　以上に説明したとおり、実施例３の受光装置においては、第１の光電変換素子、第２の光電変換素子、第３の光電変換素子及び第４の光電変換素子のそれぞれにおける受光光量（光強度）を求めることで、受光装置における光電変換素子ユニットに入射する光の偏光状態を容易に知ることができるし、第１の光電変換素子、第２の光電変換素子、第３の光電変換素子及び第４の光電変換素子のそれぞれに基づき、特定の直線偏光を有する光を容易に取り出すことができるし、ＰＬフィルターやＣＰＬフィルターとしての機能を付与することができる。

　また、実施例１～実施例３において説明した受光装置にあっては、各光電変換素子（撮像素子）において光強度、偏光成分強度、偏光方向を得ることができるので、例えば、撮像後に、偏光情報に基づき画像データを加工することができる。例えば、空や窓ガラスを撮像した画像の部分、水面を撮像した画像の部分等に対して所望の処理を加えることで、偏光成分を強調あるいは低減させることができ、あるいは又、各種偏光成分を分離することができ、画像のコントラストの改善、不要な情報を削除を行うことができる。尚、具体的には、例えば、固体撮像装置を用いて撮像を行うときに撮像モードを規定することで、このような処理を行うことができる。更には、固体撮像装置によって、窓ガラスへの映り込みの除去を行うことができるし、偏光情報を画像情報に加えることで複数の物体の境界（輪郭）の鮮明化を図ることができる。あるいは又、路面の状態の検出や、路面上の障害物の検出を行うこともできる。更には、物体の複屈折性を反映した模様の撮像、リターデーション分布の測定、偏光顕微鏡画像の取得、物体の表面形状の取得や物体の表面性状の測定、移動体（車両等）の検出、雲の分布等の測定といった気象観測、各種の分野への適用、応用が可能である。また、立体画像を撮像する固体撮像装置とすることもできる。

　以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した光電変換素子（受光素子、撮像素子）、受光装置や固体撮像装置の構造や構成、製造方法、使用した材料は例示であり、適宜変更することができる。本開示の受光装置に基づく固体撮像装置を使用して動画を撮影し、センシングすることが可能である。

　また、以上に説明した実施例において、ワイヤグリッド偏光素子は、専ら、可視光波長帯に感度を有する光電変換部における偏光情報の取得のために用いられたが、光電変換部が赤外線や紫外線に感度を有する場合、それに応じて、ライン部の形成ピッチＱ₀を拡大・縮小することで、任意の波長帯域で機能するワイヤグリッド偏光素子としての実装が可能である。

　場合によっては、光電変換部の縁部には、基板からワイヤグリッド偏光素子の下方まで延びる、絶縁材料又は遮光材料が埋め込まれた溝部（一種の素子分離領域）が形成されている形態とすることができる。絶縁材料として、絶縁膜（絶縁膜形成層）や層間絶縁層を構成する材料を挙げることができるし、遮光材料として、前述した遮光膜２４を構成する材料を挙げることができる。このような溝部を形成することで、感度低下、偏光クロストークの発生、消光比の低下を防止することができる。

　光電変換部２１と光電変換部２１との間に導波路構造を設けてもよい。導波路構造は、光電変換部２１を覆う下層・層間絶縁層３３（具体的には、下層・層間絶縁層３３の一部）の光電変換部２１と光電変換部２１との間に位置する領域（例えば、筒状の領域）に形成された、下層・層間絶縁層３３を構成する材料の屈折率の値よりも大きな値の屈折率を有する薄膜から構成されている。光電変換部２１の上方から入射した光は、この薄膜で全反射され、光電変換部２１に到達する。半導体基板３１に対する光電変換部２１の正射影像は、導波路構造を構成する薄膜の半導体基板３１に対する正射影像の内側に位置する。半導体基板３１に対する光電変換部２１の正射影像は、導波路構造を構成する薄膜の基板に対する正射影像によって囲まれている。

　あるいは又、光電変換部２１と光電変換部２１との間に集光管構造を設けてもよい。集光管構造は、光電変換部２１を覆う下層・層間絶縁層３３の光電変換部２１と光電変換部２１との間に位置する領域（例えば、筒状の領域）に形成された、金属材料あるいは合金材料から成る遮光性の薄膜から構成されており、光電変換部２１の上方から入射した光が、この薄膜で反射され、光電変換部２１に到達する。即ち、半導体基板３１に対する光電変換部２１の正射影像は、集光管構造を構成する薄膜の半導体基板３１に対する正射影像の内側に位置する。そして、半導体基板３１に対する光電変換部２１の正射影像は、集光管構造を構成する薄膜の半導体基板３１に対する正射影像によって囲まれている。薄膜は、例えば、下層・層間絶縁層３３の全てを形成した後、下層・層間絶縁層３３に環状の溝部を形成し、この溝部を金属材料あるいは合金材料で埋め込むことで得ることができる。

　２×２の光電変換部で選択トランジスタ、リセット・トランジスタ、増幅トランジスタを共有する２×２画素共有法式を採用することができ、画素加算を行わない撮像モードでは偏光情報を含む撮像を行い、２×２の副画素領域の蓄積電荷をＦＤ加算するモードでは、全偏光成分を積分した通常の撮像画像を提供することができる。

　また、実施例にあっては、入射光量に応じた信号電荷を物理量として検知する単位画素が行列状に配置されて成るＣＭＯＳ型固体撮像装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、ＣＭＯＳ型固体撮像装置への適用に限られるものではなく、ＣＣＤ型固体撮像装置に適用することもできる。後者の場合、信号電荷は、ＣＣＤ型構造の垂直転送レジスタによって垂直方向に転送され、水平転送レジスタによって水平方向に転送され、増幅されることにより画素信号（画像信号）が出力される。また、画素が２次元マトリックス状に形成され、画素列毎にカラム信号処理回路を配置して成るカラム方式の固体撮像装置全般に限定するものでもない。更には、場合によっては、選択トランジスタを省略することもできる。

　更には、本開示の光電変換素子（撮像素子）は、可視光の入射光量の分布を検知して画像として撮像する固体撮像装置への適用に限らず、赤外線やＸ線、あるいは、粒子等の入射量の分布を画像として撮像する固体撮像装置にも適用可能である。また、広義には、圧力や静電容量等、他の物理量の分布を検知して画像として撮像する指紋検出センサ等の固体撮像装置（物理量分布検知装置）全般に対して適用可能である。

　更には、撮像領域の各単位画素を行単位で順に走査して各単位画素から画素信号を読み出す固体撮像装置に限られるものではない。画素単位で任意の画素を選択して、選択画素から画素単位で画素信号を読み出すＸ－Ｙアドレス型の固体撮像装置に対しても適用可能である。固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像領域と、駆動回路又は光学系とを纏めてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。

　また、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、撮像装置にも適用可能である。ここで、撮像装置とは、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、携帯電話機等の撮像機能を有する電子機器を指す。電子機器に搭載されるモジュール状の形態、即ち、カメラモジュールを撮像装置とする場合もある。

　本開示の固体撮像装置２０１を電子機器（カメラ）２００に用いた例を、図３５に概念図として示す。電子機器２００は、固体撮像装置２０１、光学レンズ２１０、シャッタ装置２１１、駆動回路２１２、及び、信号処理回路２１３を有する。光学レンズ２１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置２０１の撮像面上に結像させる。これにより固体撮像装置２０１内に、一定期間、信号電荷が蓄積される。シャッタ装置２１１は、固体撮像装置２０１への光照射期間及び遮光期間を制御する。駆動回路２１２は、固体撮像装置２０１の転送動作等及びシャッタ装置２１１のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路２１２から供給される駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像装置２０１の信号転送を行う。信号処理回路２１３は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリ等の記憶媒体に記憶され、あるいは、モニタに出力される。このような電子機器２００では、固体撮像装置２０１における画素サイズの微細化及び転送効率の向上を達成することができるので、画素特性の向上が図られた電子機器２００を得ることができる。固体撮像装置２０１を適用できる電子機器２００としては、カメラに限られるものではなく、デジタルスチルカメラ、携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュール等の撮像装置に適用可能である。

　尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《受光装置・・・第１の態様》
　複数の光電変換素子ユニットを備えており、
　各光電変換素子ユニットは、複数の光電変換素子が、第１の方向にＭ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＮ個の、合計Ｍ×Ｎ個、配列されて成り、
各光電変換素子は、光入射側から、四分の一波長層、ワイヤグリッド偏光素子、及び、光電変換部がこの順に配置されており、
　第１の方向に沿って並んだＭ個の光電変換素子は、同じ進相軸方位を有する四分の一波長層を備えており、
　第２の方向に沿って並んだＮ個の光電変換素子は、異なる進相軸方位を有する四分の一波長層を備えており、
　第２の方向に沿って並んだＮ個の光電変換素子は、同じ偏光方位を有するワイヤグリッド偏光素子を備えており、
　第１の方向に沿って並んだＭ個の光電変換素子は、異なる偏光方位を有するワイヤグリッド偏光素子を備えている受光装置。
［Ａ０２］各光電変換素子ユニットは、Ｍ種類のワイヤグリッド偏光素子、及び、Ｎ種類の四分の一波長層を有する［Ａ０１］に記載の受光装置。
［Ａ０３］Ｍ＝Ｎ＝２a（但し、ａは２以上の整数）である［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の受光装置。
［Ａ０４］Ｍ種類のワイヤグリッド偏光素子の偏光方位は、（１８０／２a）×ｍ［度］（但し、ｍ＝０，１，２，３・・・，［２a－１］）であり、
Ｎ種類の四分の一波長層の進相軸方位は、（１８０／２a）×ｎ［度］（但し、ｎ＝０，１，２，３・・・，［２a－１］）である［Ａ０３］に記載の受光装置。
［Ｂ０１］《受光装置・・・第２の態様物体の偏光状態測定方法》
　複数の光電変換素子ユニットを備えており、
　各光電変換素子ユニットは、複数の光電変換素子が、第１の方向にＭ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＮ個の、合計Ｍ×Ｎ個、配列されて成り、
　各光電変換素子は、光入射側から、四分の一波長層、ワイヤグリッド偏光素子、及び、光電変換部がこの順に配置されており、
　第１の方向に沿って並んだＭ個の光電変換素子は、同じ進相軸方位を有する四分の一波長層を備えており、
　第２の方向に沿って並んだＮ個の光電変換素子は、異なる進相軸方位を有する四分の一波長層を備えており、
　第２の方向に沿って並んだＮ個の光電変換素子は、同じ偏光方位を有するワイヤグリッド偏光素子を備えており、
　第１の方向に沿って並んだＭ個の光電変換素子は、異なる偏光方位を有するワイヤグリッド偏光素子を備えている受光装置を用いた物体の偏光状態測定方法であって、
受光装置によって物体を撮像して、画像データを取得し、
受光装置において、取得された偏光状態を示す画像データを標準物体の標準偏光状態データと比較し、比較結果を得る、物体の偏光状態測定方法。
［Ｂ０２］所定の偏光状態及び波長を有する光を物体に照射して、受光装置によって物体を撮像する［Ｂ０１］に記載の物体の偏光状態測定方法。
［Ｂ０３］比較結果を得ることで、物体の表面状態を評価する［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の物体の偏光状態測定方法。
［Ｂ０４］薄膜状の物体において、比較結果を得ることで、物体の膜厚の状態を評価する［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の物体の偏光状態測定方法。
［Ｂ０５］比較結果を得ることで、物体における異物の存在を評価する［Ｂ０１］又は［Ｂ０２］に記載の物体の偏光状態測定方法。
［Ｃ０１］《受光装置・・・第２の態様》
　複数の光電変換素子ユニットを備えており、
　各光電変換素子ユニットは、第１光電変換素子、第２光電変換素子、第３光電変換素子、第４光電変換素子、第５光電変換素子及び第６光電変換素子から構成されており、
　第１光電変換素子、第２光電変換素子、第３光電変換素子及び第４光電変換素子は、光入射側から、ワイヤグリッド偏光素子、及び、光電変換部がこの順に配置されており、
　第５光電変換素子及び第６光電変換素子は、光入射側から、四分の一波長層、ワイヤグリッド偏光素子、及び、光電変換部がこの順に配置されており、
　第１光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第２光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第３光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度であり、
　第５光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位はα’度であり、
　第６光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位はα’度であり、
　第５光電変換素子を構成する四分の一波長層における進相軸方位をβ度としたとき、第６光電変換素子を構成する四分の一波長層における進相軸方位は（β±９０）度である受光装置。
［Ｃ０２］α’＝（β±４５）度を満足する［Ｃ０１］に記載の受光装置。
［Ｃ０３］各光電変換素子ユニットは、第１の方向に３個、第１の方向とは異なる第２の方向に２個の、合計３×２個の光電変換素子から構成されており、
第１の方向に沿った第１列目に、第１光電変換素子、第２光電変換素子及び第５光電変換素子が順不同で配置されており、第１の方向に沿った第２列目に、第３光電変換素子、第４光電変換素子及び第６光電変換素子が順不同で配置されている［Ｃ０１］又は［Ｃ０２］に記載の受光装置。
［Ｃ０４］光電変換素子ユニットには、少なくとも、直線偏光成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光が混在した状態で入射する［Ｃ０１］乃至［Ｃ０３］のいずれか１項に記載の受光装置。
［Ｃ０５］第１光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位α度の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位α度の成分を有する光を通過させ、
　第２光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋４５）度の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋４５）度の成分を有する光を通過させ、
　第３光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋９０）度の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋９０）度の成分を有する光を通過させ、
　第４光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋１３５）度の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋１３５）度の成分を有する光を通過させる［Ｃ０４］に記載の受光装置。
［Ｃ０６］データ処理部を更に有し、
　第１光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量をＡＬ₁、第２光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量をＡＬ₂、第３光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量をＡＬ₃、第４光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量をＡＬ₄、第５光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量をＡＬ₅、第６光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量をＡＬ₆としたとき、
　データ処理部は、
ＡＬ₅≧ＡＬ₆の場合、ΔＡＬ’＝ＡＬ₅－ＡＬ₆を求め、
ＡＬ₅＜ＡＬ₆の場合、ΔＡＬ’＝ＡＬ₆－ＡＬ₅を求め、
　データ処理部は、更に、光量ＡＬ₁，ＡＬ₂，ＡＬ₃及びＡＬ₄に基づき得られるフィッテイング・カーブの最大値と最小値との差ΔＡＬ及びΔＡＬ’から偏光度を求める［Ｃ０５］に記載の受光装置。
［Ｃ０７］偏光度は、
偏光度＝ΔＡＬ／（ΔＡＬ＋ΔＡＬ’）
で求められる［Ｃ０６］に記載の受光装置。
［Ｃ０８］得られた画像データの内、データ処理部は、偏光度が高い領域と偏光度が低い領域とを、異なる色で表示する［Ｃ０７］に記載の受光装置。
［Ｄ０１］《受光装置・・・第３の態様》
　複数の光電変換素子ユニットを備えており、
　各光電変換素子ユニットは、第１光電変換素子、第２光電変換素子、第３光電変換素子及び第４光電変換素子を備えており、
　第１光電変換素子、第２光電変換素子、第３光電変換素子及び第４光電変換素子は、光入射側から、第１層目の四分の一波長層、第２層目の四分の一波長層、ワイヤグリッド偏光素子、及び、光電変換部がこの順に配置されており、
　第１光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第２光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第３光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度であり、
　第１光電変換素子を構成する第１層目の四分の一波長層の進相軸方位はβ度であり、
　第２光電変換素子を構成する第１層目の四分の一波長層の進相軸方位は（β＋４５）度であり、
　第３光電変換素子を構成する第１層目の四分の一波長層の進相軸方位は（β＋９０）度であり、
　第４光電変換素子を構成する第１層目の四分の一波長層の進相軸方位は（β度＋１３５）であり、
　各光電変換素子において、第２層目の四分の一波長層の進相軸方位と、第１層目の四分の一波長層の進相軸方位との成す角度は、±４５度である受光装置。
［Ｄ０２］α＝βである［Ｄ０１］に記載の受光装置。
［Ｅ０１］２次元状に配列された複数の光電変換素子ユニット群から構成されており、
　１つの光電変換素子ユニット群は、２×２に配置された４つの光電変換素子ユニットから構成されており、
　第１光電変換素子ユニットは、第１の波長範囲の光を通過させる第１フィルタ層を備えており、
　第２光電変換素子ユニットは、第２の波長範囲の光を通過させる第２フィルタ層を備えており、
　第３光電変換素子ユニットは、第３の波長範囲の光を通過させる第３フィルタ層を備えており、
　第４光電変換素子ユニットは、第４の波長範囲の光を通過させる第４フィルタ層を備えている［Ｃ０１］乃至［Ｄ０２］のいずれか１項に記載の受光装置。
［Ｅ０２］第１光電変換素子ユニットを構成する第１の四分の一波長層は第１の波長範囲の光に対して位相差を与え、
　第２光電変換素子ユニットを構成する第２の四分の一波長層は第２の波長範囲の光に対して位相差を与え、
　第３光電変換素子ユニットを構成する第３の四分の一波長層は第３の波長範囲の光に対して位相差を与え、
　第４光電変換素子ユニットを構成する第４の四分の一波長層は第４の波長範囲の光に対して位相差を与える［Ｅ０１］に記載の受光装置。
［Ｅ０３］第１の四分の一波長層と、第２の四分の一波長層と、第３の四分の一波長層と、第４の四分の一波長層とは、異なる層に配置されている［Ｅ０２］に記載の受光装置。
［Ｅ０４］四分の一波長層は、屈折率ｎ₁を有する材料から構成された第１誘電体層、及び、屈折率ｎ₂（但し、ｎ₁＞ｎ₂）を有する材料から構成された第２誘電体層が、交互に、並置されて成り、
第１の四分の一波長層を構成する第１誘電体層及び第２誘電体層の厚さと、第２の四分の一波長層を構成する第１誘電体層及び第２誘電体層の厚さと、第３の四分の一波長層を構成する第１誘電体層及び第２誘電体層の厚さと、第４の四分の一波長層を構成する第１誘電体層及び第２誘電体層の厚さとは、同じであり、
第１の四分の一波長層と、第２の四分の一波長層と、第３の四分の一波長層と、第４の四分の一波長層とは、異なる層厚を有する［Ｅ０３］に記載の受光装置。
［Ｅ０５］第１の四分の一波長層と、第２の四分の一波長層及び第３の四分の一波長層と、第４の四分の一波長層とは、同じ層に配置されている［Ｅ０２］に記載の受光装置。
［Ｅ０６］四分の一波長層は、屈折率ｎ₁を有する材料から構成された第１誘電体層、及び、屈折率ｎ₂（但し、ｎ₁＞ｎ₂）を有する材料から構成された第２誘電体層が、交互に、並置されて成り、
　第１の四分の一波長層を構成する第１誘電体層及び第２誘電体層の厚さと、第２の四分の一波長層を構成する第１誘電体層及び第２誘電体層の厚さと、第３の四分の一波長層を構成する第１誘電体層及び第２誘電体層の厚さと、第４の四分の一波長層を構成する第１誘電体層及び第２誘電体層の厚さとは、異なり、
　第１の四分の一波長層と、第２の四分の一波長層と、第３の四分の一波長層と、第４の四分の一波長層とは、同じ層厚を有する［Ｅ０５］に記載の受光装置。
［Ｅ０７］四分の一波長層は、屈折率ｎ₁を有する材料から構成された第１誘電体層、及び、屈折率ｎ₂を有する材料から構成された第２誘電体層が、交互に、並置されて成る［Ａ０１］乃至［Ｅ０６］のいずれか１項に記載の受光装置。
［Ｆ０１］ワイヤグリッド偏光素子の上には、保護膜が形成されており、
　ワイヤグリッド偏光素子は、ライン・アンド・スペース構造を有し、
　ワイヤグリッド偏光素子のスペース部は空隙である［Ａ０１］乃至［Ｅ０７］のいずれか１項に記載の受光装置。
［Ｆ０２］ワイヤグリッド偏光素子と保護膜との間には第２保護膜が形成されており、
保護膜を構成する材料の屈折率をｎ₁’、第２保護膜を構成する材料の屈折率をｎ₂’としたとき、ｎ₁’＞ｎ₂’ を満足する［Ｆ０１］に記載の受光装置。
［Ｆ０３］保護膜は、ＳｉＮから成り、第２保護膜は、ＳｉＯ₂又はＳｉＯＮから成る［Ｆ０２］に記載の受光装置。
［Ｆ０４］少なくとも、ワイヤグリッド偏光素子のスペース部に面したライン部の側面には第３保護膜が形成されている［Ｆ０１］乃至［Ｆ０３］のいずれか１項に記載の受光装置。
［Ｆ０５］ワイヤグリッド偏光素子を取り囲むフレーム部を更に備えており、
フレーム部と、ワイヤグリッド偏光素子のライン部とは連結されており、
フレーム部は、ワイヤグリッド偏光素子のライン部と同じ構造を有する［Ｆ０１］乃至［Ｆ０４］のいずれか１項に記載の受光装置。
［Ｆ０６］ワイヤグリッド偏光素子のライン部は、光電変換部側から、第１導電材料から成る光反射層、絶縁膜、及び、第２導電材料から成る光吸収層が積層された積層構造体から構成されている［Ｆ０１］乃至［Ｆ０５］のいずれか１項に記載の受光装置。
［Ｆ０７］光反射層及び光吸収層は光電変換素子において共通である［Ｆ０６］に記載の受光装置。
［Ｆ０８］光反射層の頂面全面に絶縁膜が形成されており、絶縁膜の頂面全面に光吸収層が形成されている［Ｆ０６］又は［Ｆ０７］に記載の受光装置。
［Ｆ０９］光反射層の下に下地絶縁層が形成されている［Ｆ０６］乃至［Ｆ０８］のいずれか１項に記載の受光装置。
［Ｆ１０］光反射層の頂面全面に絶縁膜が形成されており、絶縁膜の頂面全面に光吸収層が形成されている［Ｆ０６］乃至［Ｆ０９］のいずれか１項に記載の受光装置。
［Ｇ０１］半導体基板には、光電変換部と接続され、光電変換部において生成した電荷を一時的に保存するメモリ部が形成されている［Ａ０１］乃至［Ｆ１０］のいずれか１項に記載の受光装置。

　本出願は、日本国特許庁において２０２０年１０月３０日に出願された日本特許出願番号２０２０－１８２６９２号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。

　当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims

　複数の光電変換素子ユニットを備えており、
　各光電変換素子ユニットは、複数の光電変換素子が、第１の方向にＭ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＮ個の、合計Ｍ×Ｎ個、配列されて成り、
　各光電変換素子は、光入射側から、四分の一波長層、ワイヤグリッド偏光素子、及び、光電変換部がこの順に配置されており、
　第１の方向に沿って並んだＭ個の光電変換素子は、同じ進相軸方位を有する四分の一波長層を備えており、
　第２の方向に沿って並んだＮ個の光電変換素子は、異なる進相軸方位を有する四分の一波長層を備えており、
　第２の方向に沿って並んだＮ個の光電変換素子は、同じ偏光方位を有するワイヤグリッド偏光素子を備えており、
　第１の方向に沿って並んだＭ個の光電変換素子は、異なる偏光方位を有するワイヤグリッド偏光素子を備えている
　受光装置。
　各光電変換素子ユニットは、Ｍ種類のワイヤグリッド偏光素子、及び、Ｎ種類の四分の一波長層を有する請求項１に記載の受光装置。
　Ｍ＝Ｎ＝２a（但し、ａは２以上の整数）である請求項１に記載の受光装置。
　Ｍ種類のワイヤグリッド偏光素子の偏光方位は、（１８０／２a）×ｍ［度］（但し、ｍ＝０，１，２，３・・・，［２a－１］）であり、
　Ｎ種類の四分の一波長層の進相軸方位は、（１８０／２a）×ｎ［度］（但し、ｎ＝０，１，２，３・・・，［２a－１］）である請求項３に記載の受光装置。
　複数の光電変換素子ユニットを備えており、
　各光電変換素子ユニットは、複数の光電変換素子が、第１の方向にＭ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＮ個の、合計Ｍ×Ｎ個、配列されて成り、
　各光電変換素子は、光入射側から、四分の一波長層、ワイヤグリッド偏光素子、及び、光電変換部がこの順に配置されており、
　第１の方向に沿って並んだＭ個の光電変換素子は、同じ進相軸方位を有する四分の一波長層を備えており、
　第２の方向に沿って並んだＮ個の光電変換素子は、異なる進相軸方位を有する四分の一波長層を備えており、
　第２の方向に沿って並んだＮ個の光電変換素子は、同じ偏光方位を有するワイヤグリッド偏光素子を備えており、
　第１の方向に沿って並んだＭ個の光電変換素子は、異なる偏光方位を有するワイヤグリッド偏光素子を備えている受光装置を用いた物体の偏光状態測定方法であって、
　受光装置によって物体を撮像して、画像データを取得し、
　受光装置において、取得された偏光状態を示す画像データを標準物体の標準偏光状態データと比較し、比較結果を得る、
　物体の偏光状態測定方法。
　所定の偏光状態及び波長を有する光を物体に照射して、受光装置によって物体を撮像する請求項５に記載の物体の偏光状態測定方法。
　比較結果を得ることで、物体の表面状態を評価する請求項５に記載の物体の偏光状態測定方法。
　薄膜状の物体において、比較結果を得ることで、物体の膜厚の状態を評価する請求項５に記載の物体の偏光状態測定方法。
　比較結果を得ることで、物体における異物の存在を評価する請求項５に記載の物体の偏光状態測定方法。
　複数の光電変換素子ユニットを備えており、
　各光電変換素子ユニットは、第１光電変換素子、第２光電変換素子、第３光電変換素子、第４光電変換素子、第５光電変換素子及び第６光電変換素子から構成されており、
　第１光電変換素子、第２光電変換素子、第３光電変換素子及び第４光電変換素子は、光入射側から、ワイヤグリッド偏光素子、及び、光電変換部がこの順に配置されており、
　第５光電変換素子及び第６光電変換素子は、光入射側から、四分の一波長層、ワイヤグリッド偏光素子、及び、光電変換部がこの順に配置されており、
　第１光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第２光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第３光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度であり、
　第５光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位はα’度であり、
　第６光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位はα’度であり、
　第５光電変換素子を構成する四分の一波長層における進相軸方位をβ度としたとき、第６光電変換素子を構成する四分の一波長層における進相軸方位は（β±９０）度である
　受光装置。
　α’＝（β±４５）度を満足する請求項１０に記載の受光装置。
　各光電変換素子ユニットは、第１の方向に３個、第１の方向とは異なる第２の方向に２個の、合計３×２個の光電変換素子から構成されており、
　第１の方向に沿った第１列目に、第１光電変換素子、第２光電変換素子及び第５光電変換素子が順不同で配置されており、第１の方向に沿った第２列目に、第３光電変換素子、第４光電変換素子及び第６光電変換素子が順不同で配置されている請求項１０に記載の受光装置。
　光電変換素子ユニットには、少なくとも、直線偏光成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光が混在した状態で入射する請求項１０に記載の受光装置。
　第１光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位α度の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位α度の成分を有する光を通過させ、
　第２光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋４５）度の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋４５）度の成分を有する光を通過させ、
　第３光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋９０）度の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋９０）度の成分を有する光を通過させ、
　第４光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子は、直線偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋１３５）度の成分を有する光、及び、円偏光成分を有する光の内、偏光方位（α＋１３５）度の成分を有する光を通過させる請求項１３に記載の受光装置。
　データ処理部を更に有し、
　第１光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量をＡＬ1、第２光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量をＡＬ2、第３光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量をＡＬ3、第４光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量をＡＬ4、第５光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量をＡＬ5、第６光電変換素子を構成する光電変換部によって得られる光量をＡＬ6としたとき、
　データ処理部は、
　ＡＬ5≧ＡＬ6の場合、ΔＡＬ’＝ＡＬ5－ＡＬ6を求め、
　ＡＬ5＜ＡＬ6の場合、ΔＡＬ’＝ＡＬ6－ＡＬ5を求め、
　データ処理部は、更に、光量ＡＬ1，ＡＬ2，ＡＬ3及びＡＬ4に基づき得られるフィッテイング・カーブの最大値と最小値との差ΔＡＬ及びΔＡＬ’から偏光度を求める請求項１４に記載の受光装置。
　偏光度は、
　偏光度＝ΔＡＬ／（ΔＡＬ＋ΔＡＬ’）
　で求められる請求項１５に記載の受光装置。
　得られた画像データの内、データ処理部は、偏光度が高い領域と偏光度が低い領域とを、異なる色で表示する請求項１６に記載の受光装置。
　複数の光電変換素子ユニットを備えており、
　各光電変換素子ユニットは、第１光電変換素子、第２光電変換素子、第３光電変換素子及び第４光電変換素子を備えており、
　第１光電変換素子、第２光電変換素子、第３光電変換素子及び第４光電変換素子は、光入射側から、第１層目の四分の一波長層、第２層目の四分の一波長層、ワイヤグリッド偏光素子、及び、光電変換部がこの順に配置されており、
　第１光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第２光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第３光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４光電変換素子を構成するワイヤグリッド偏光素子が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度であり、
　第１光電変換素子を構成する第１層目の四分の一波長層の進相軸方位はβ度であり、
　第２光電変換素子を構成する第１層目の四分の一波長層の進相軸方位は（β＋４５）度であり、
　第３光電変換素子を構成する第１層目の四分の一波長層の進相軸方位は（β＋９０）度であり、
　第４光電変換素子を構成する第１層目の四分の一波長層の進相軸方位は（β度＋１３５）であり、
　各光電変換素子において、第２層目の四分の一波長層の進相軸方位と、第１層目の四分の一波長層の進相軸方位との成す角度は、±４５度である受光装置。
　α＝βである請求項１８に記載の受光装置。