WO2022075362A1 - フィルムコンデンサ、フィルム、及び、金属化フィルム - Google Patents

フィルムコンデンサ、フィルム、及び、金属化フィルム Download PDF

Info

Publication number
WO2022075362A1
WO2022075362A1 PCT/JP2021/036981 JP2021036981W WO2022075362A1 WO 2022075362 A1 WO2022075362 A1 WO 2022075362A1 JP 2021036981 W JP2021036981 W JP 2021036981W WO 2022075362 A1 WO2022075362 A1 WO 2022075362A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
metal layer
less
main surface
area ratio
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/036981
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
一人 山崎
智生 稲倉
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to CN202180067964.6A priority Critical patent/CN116325040A/zh
Priority to DE112021004411.7T priority patent/DE112021004411T5/de
Priority to JP2022555533A priority patent/JPWO2022075362A1/ja
Publication of WO2022075362A1 publication Critical patent/WO2022075362A1/ja
Priority to US18/295,624 priority patent/US20230260705A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/14—Organic dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/32—Wound capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/015—Special provisions for self-healing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/14—Organic dielectrics
    • H01G4/18—Organic dielectrics of synthetic material, e.g. derivatives of cellulose
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/255—Means for correcting the capacitance value

Definitions

  • the present invention relates to a film capacitor, a film, and a metallized film.
  • a film capacitor having a structure in which a first metal layer and a second metal layer facing each other across the film are arranged while using a flexible film as a dielectric film is known.
  • Such a film capacitor is manufactured, for example, by winding or laminating a film on which a first metal layer is formed and a film on which a second metal layer is formed.
  • the winding body When manufacturing a film capacitor by winding a film to make a winding body, the winding body may be pressed in order to reduce the height of the film capacitor. At this time, if the slipperiness of the film is good, the winding body is likely to be pressed uniformly, so that the height of the film capacitor can be easily reduced.
  • the decomposition gas from the film tends to scatter from the inside of the film capacitor at the time of dielectric breakdown, and as a result, the insulating state of the film is restored. It is said that the so-called self-healing function works.
  • the slipperiness of the films is good, gaps are likely to be uniformly formed between the overlapping films, so that the self-healing function is easy to work.
  • Patent Document 1 discloses a method of blending an organic filler with a base resin. As described above, conventionally, the film is imparted with slipperiness by blending a filler with the resin and roughening the surface of the film.
  • the portion where the surface of the film is rough is easily crushed when the film is wound to manufacture a film capacitor, so that there is a gap between the overlapping films. Is less likely to be formed. As a result, when the dielectric breakdown occurs, the decomposition gas from the film is less likely to scatter from the inside of the film capacitor, which makes it difficult for the self-healing function to work.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and provides a film capacitor having a dielectric film having excellent slipperiness and withstand voltage resistance and capable of imparting excellent pressability and self-healing property.
  • the purpose is to do.
  • Another object of the present invention is to provide a film that can be used as a dielectric film of the film capacitor.
  • the film capacitor of the present invention contains a cured product of a first organic material having a hydroxyl group and a second organic material having an isocyanate group among aromatic compounds, and is opposed to the thickness direction.
  • the dielectric film is provided with a wound body obtained by winding a dielectric film having one main surface and a second main surface and a metal layer provided on at least the first main surface of the dielectric film.
  • the first main surface of the above has a plurality of protrusions having the second organic material, and the average height in the thickness direction in the area range of 100 ⁇ m ⁇ 140 ⁇ m of the first main surface of the dielectric film.
  • the area ratio of the region higher than the film surface in the range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m is 6.04% or less, 0.20 ⁇ m or more than the film surface, 2
  • the area ratio of the high region in the range of less than 50 ⁇ m is 0.0998% or more and 1.13% or less, and the area ratio of the high region in the range of 2.50 ⁇ m or more from the film surface is 0.100% or less. It is characterized by that.
  • the film capacitor of the present invention contains a cured product of a first organic material having a hydroxyl group and a second organic material having an isocyanate group among aromatic compounds, and faces each other in the thickness direction.
  • the dielectric film comprises a wound body formed by winding a dielectric film having one main surface and a second main surface and a metal layer provided on at least the first main surface of the dielectric film. On the first main surface of the above, a plurality of protrusions having the second organic material are present, and the first of the dielectric films in the metal layer provided on the first main surface of the dielectric film.
  • the area ratio of the region high in the range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m from the metal layer surface is 6.17% or less, 0.20 ⁇ m or more and 2.50 ⁇ m from the metal layer surface.
  • the area ratio of the high region is 0.118% or more and 1.24% or less in the range of less than, and the area ratio of the high region is 0.100% or less in the range of 2.50 ⁇ m or more from the metal layer surface. It is a feature.
  • the film of the present invention contains a cured product of a first organic material having a hydroxyl group and a second organic material having an isocyanate group among aromatic compounds, and has a first main surface and a second surface facing each other in the thickness direction.
  • the first main surface has a plurality of protrusions having the second organic material, and the average height in the thickness direction in the area range of 100 ⁇ m ⁇ 140 ⁇ m of the first main surface.
  • the area ratio of the region higher than the film surface in the range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m is 6.04% or less, 0.20 ⁇ m or more than the film surface, 2
  • the area ratio of the high region in the range of less than 50 ⁇ m is 0.0998% or more and 1.13% or less, and the area ratio of the high region in the range of 2.50 ⁇ m or more from the film surface is 0.100% or less. It is characterized by that.
  • the metallized film of the present invention contains a cured product of a first organic material having a hydroxyl group and a second organic material having an isocyanate group among aromatic compounds, and has a first main surface and a first main surface facing each other in the thickness direction.
  • a plurality of protrusions along the plurality of protrusions are present on the surface of the metal layer provided on the first main surface of the film and opposite to the first main surface of the film.
  • a metal layer surface When defining a metal layer surface that exists and is located at an average height in the thickness direction in an area range of 100 ⁇ m ⁇ 140 ⁇ m on the surface of the metal layer, it is 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m than the metal layer surface.
  • the area ratio of the high region in the range of 6.17% or more, 0.20 ⁇ m or more from the metal layer surface, and the area ratio of the high region in the range of less than 2.50 ⁇ m is 0.118% or more, 1.24% or less.
  • the area ratio of the region higher than the metal layer surface in the range of 2.50 ⁇ m or more is 0.100% or less.
  • a film capacitor having a dielectric film having excellent slipperiness and withstand voltage resistance and capable of imparting excellent pressability and self-healing property it is possible to provide a film that can be used as a dielectric film of the film capacitor. Further, according to the present invention, it is possible to provide a metallized film that can be used for the film capacitor.
  • FIG. 7 It is a perspective schematic diagram which shows an example of the film capacitor of this invention. It is sectional drawing which shows the part corresponding to the line segment A1-A2 in FIG. It is a perspective schematic diagram which shows an example of the winding body in FIGS. 1 and 2. It is a plane schematic diagram which shows an example of the metal layer provided with the fuse part. It is a plane schematic diagram which shows an example of the film of this invention. It is sectional drawing which shows the part corresponding to the line segment B1-B2 in FIG. It is a plane schematic diagram which shows an example of the metallized film which constitutes the film capacitor of this invention. It is sectional drawing which shows the part corresponding to the line segment C1-C2 in FIG. 7.
  • the film capacitor of the present invention the film of the present invention
  • the film of the present invention and the metallized film of the present invention will be described.
  • the present invention is not limited to the following configuration, and may be appropriately modified without departing from the gist of the present invention.
  • a combination of a plurality of individual preferred configurations described below is also the present invention.
  • the film capacitor of the present invention contains a cured product of a first organic material having a hydroxyl group and a second organic material having an isocyanate group among aromatic compounds, and is in the thickness direction.
  • a wound body is provided in which a dielectric film having a first main surface and a second main surface facing the same surface and a metal layer provided on at least the first main surface of the dielectric film are wound.
  • the film capacitor of the present invention When the first aspect and the second aspect of the film capacitor of the present invention are not particularly distinguished, it is simply referred to as "the film capacitor of the present invention".
  • a so-called winding type film is formed by winding a metallized film having a metal layer provided on at least one main surface of a dielectric film in a laminated state.
  • a capacitor will be described.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view showing an example of the film capacitor of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a portion corresponding to the line segments A1-A2 in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic perspective view showing an example of the winding body in FIGS. 1 and 2.
  • the stacking direction and the width direction of the film capacitor are the directions defined by T and W, respectively, as shown in FIGS. 1, 2, and 3. It can be said that the winding type film capacitor has a plurality of stacking directions, but in the present specification, the direction is defined by T.
  • the stacking direction T and the width direction W are orthogonal to each other.
  • the film capacitor 10 has a winding body 40, a first external electrode 41 provided on one end surface of the winding body 40, and the other end surface of the winding body 40. It has a second external electrode 42 provided in the.
  • both end faces of the winding body 40 face each other in the width direction W.
  • the winding body 40 is a winding body in which the first metallized film 11 and the second metallized film 12 are wound in a state of being laminated in the stacking direction T. .. That is, the film capacitor 10 is a winding type film capacitor having a winding body 40.
  • the cross-sectional shape of the winding body 40 is preferably a flat shape when the cross section perpendicular to the winding axis direction of the winding body 40 is viewed. .. More specifically, the cross-sectional shape of the winding body 40 is pressed into a flat shape such as an ellipse or an oval, and the cross-sectional shape of the winding body 40 is made smaller than when it is a perfect circle. Is preferable.
  • Whether or not the wound body is pressed so that the cross-sectional shape becomes a flat shape can be confirmed by, for example, whether or not there is a press mark on the wound body.
  • the film capacitor 10 may have a cylindrical winding shaft.
  • the winding shaft is arranged on the central axis of the first metallized film 11 and the second metallized film 12 in the wound state, and winds the first metallized film 11 and the second metallized film 12. It is the winding axis when doing so.
  • the first metallized film 11 has a first dielectric film 13 and a first metal layer 15.
  • the first dielectric film 13 has a first main surface 13a and a second main surface 13b facing in the thickness direction (in FIG. 2, the stacking direction T).
  • the first metal layer 15 is provided on the first main surface 13a of the first dielectric film 13. More specifically, the first metal layer 15 is provided so as to reach one side edge of the first dielectric film 13 and not reach the other side edge of the first dielectric film 13 in the width direction W. ing.
  • the second metallized film 12 has a second dielectric film 14 and a second metal layer 16.
  • the second dielectric film 14 has a first main surface 14a and a second main surface 14b facing in the thickness direction (in FIG. 2, the stacking direction T).
  • the second metal layer 16 is provided on the first main surface 14a of the second dielectric film 14. More specifically, the second metal layer 16 is provided so as not to reach one side edge of the second dielectric film 14 but to reach the other side edge of the second dielectric film 14 in the width direction W. ing.
  • the end portion of the first metal layer 15 on the side reaching the side edge of the first dielectric film 13 is exposed to one end surface of the winding body 40, and the second metal layer 16 is the second.
  • the adjacent first metallized film 11 and second metallized film 12 are in the width direction W so that the end portion on the side reaching the side edge of the dielectric film 14 is exposed to the other end surface of the winding body 40. It is out of alignment.
  • the winding body 40 is wound in a state where the first metallized film 11 and the second metallized film 12 are laminated in the stacking direction T, the first metal layer 15 and the first dielectric film 13 are wound. It can also be said that the second metal layer 16 and the second dielectric film 14 are wound in a state of being laminated in order in the stacking direction T.
  • the first metallized film 11 is inside the second metallized film 12
  • the first metal layer 15 is inside the first dielectric film 13
  • the second metal layer 16 is the second dielectric film.
  • the first metallized film 11 and the second metallized film 12 are wound in a state of being laminated in the stacking direction T so as to be inside the 14. That is, the first metal layer 15 and the second metal layer 16 face each other with the first dielectric film 13 or the second dielectric film 14 interposed therebetween.
  • the second metal layer 16 may be provided on the second main surface 13b of the first dielectric film 13 instead of on the first main surface 14a of the second dielectric film 14.
  • the first metal layer 15 is provided on the first main surface 13a of the first dielectric film 13
  • the second metal layer 16 is provided on the second main surface 13b.
  • the metallized film and the second dielectric film 14 are wound in a state of being laminated in the stacking direction T.
  • first metal layer 15 and the second metal layer 16 are each provided with a fuse portion.
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing an example of a metal layer provided with a fuse portion.
  • the first metal layer 15 is provided with a plurality of divided electrode portions 61, an electrode portion 62, and a fuse portion 63.
  • the plurality of divided electrode portions 61 are separated by an insulating slit 64, and are portions facing the second metal layer 16 in the winding body 40.
  • the electrode portion 62 is adjacent to the plurality of divided electrode portions 61 with the insulating slit 64 interposed therebetween, and is a portion of the wound body 40 that does not face the second metal layer 16.
  • the fuse portion 63 is a portion that connects each of the divided electrode portions 61 and the electrode portion 62, and is thinner than the divided electrode portion 61 and the electrode portion 62.
  • the electrode pattern of the first metal layer 15 provided with the fuse portion is, in addition to the electrode pattern shown in FIG. 4, for example, the electrodes disclosed in JP-A-2004-363431, JP-A-5-251266, and the like. It may be a pattern. The same applies to the electrode pattern of the second metal layer 16 provided with the fuse portion.
  • the first external electrode 41 is provided on one end surface of the winding body 40, and is connected to the first metal layer 15 by coming into contact with the exposed end portion of the first metal layer 15.
  • the first metallized film 11 is in the width direction W with respect to the second metallized film 12. It is preferable that it protrudes.
  • the second external electrode 42 is provided on the other end surface of the winding body 40, and is connected to the second metal layer 16 by coming into contact with the exposed end portion of the second metal layer 16.
  • the second metallized film 12 is in the width direction W with respect to the first metallized film 11. It is preferable that it protrudes.
  • Examples of the constituent materials of the first external electrode 41 and the second external electrode 42 include metals such as zinc, aluminum, tin, and zinc-aluminum alloy.
  • the first external electrode 41 and the second external electrode 42 are preferably formed by spraying the metal as described above onto one end face and the other end face of the winding body 40, respectively.
  • the configuration of the winding body 40 may be different from the configuration shown in FIG.
  • the first metal layer 15 is divided into two metal layers in the width direction W, one metal layer reaches one side edge of the first dielectric film 13, and the other metal layer. May be provided so as to reach the other side edge of the first dielectric film 13.
  • one metal layer is connected to the first external electrode 41, and the other metal layer is connected to the second external electrode 42, while the second metal layer 16 is connected to the first outer electrode.
  • a capacitor can be formed between the first metal layer 15 and the second metal layer 16.
  • the film of the present invention can be used as the dielectric film.
  • the film of the present invention contains a cured product of a first organic material having a hydroxyl group and a second organic material having an isocyanate group among aromatic compounds, and has a first main surface and a second surface facing each other in the thickness direction. Has a main surface.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing an example of the film of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a portion corresponding to the line segments B1-B2 in FIG.
  • the film (dielectric film) 110 has a first main surface 110a and a second main surface 110b facing each other in the thickness direction.
  • the film 110 contains a cured product of a first organic material having a hydroxyl group and a second organic material having an isocyanate group among aromatic compounds. More specifically, the film 110 contains a cured product having a urethane bond obtained by reacting a hydroxyl group (OH group) of the first organic material with an isocyanate group (NCO group) of the second organic material.
  • FT-IR Fourier transform infrared spectrophotometer
  • the first organic material is preferably a polyol having a plurality of hydroxyl groups in the molecule.
  • polystyrene resin examples include polyvinyl acetal such as polyvinyl acetal acetal, polyether polyol such as phenoxy resin, polyester polyol and the like.
  • Phenoxy resin is preferable as the polyol.
  • the first organic material a plurality of types of materials may be used in combination.
  • the second organic material is a so-called aromatic isocyanate having an isocyanate group among aromatic compounds.
  • the second organic material reacts with the hydroxyl group of the first organic material to form a crosslinked structure, and thus functions as a curing agent for curing the resin solution when the film 110 is produced.
  • the second organic material is preferably a so-called aromatic polyisocyanate having a plurality of isocyanate groups in the molecule among aromatic compounds.
  • aromatic polyisocyanate examples include diphenylmethane diisocyanate (MDI) and tolylene diisocyanate (TDI).
  • MDI diphenylmethane diisocyanate
  • TDI tolylene diisocyanate
  • modified products of these aromatic polyisocyanates may be used.
  • MDI is preferable as the aromatic polyisocyanate.
  • the MDI for example, a polymeric MDI or a monomeric MDI can be used.
  • the second organic material a plurality of types of materials may be used in combination.
  • the film 110 may be used for both the first dielectric film 13 and the second dielectric film 14 in the film capacitor 10 shown in FIG. 2, and the first dielectric film 13 and the second dielectric film 14 may be used. It may be used for one of them.
  • the composition of the first dielectric film 13 and the second dielectric film 14 is They may be different from each other, but are preferably the same.
  • the film 110 is manufactured by applying a resin solution containing a first organic material and a second organic material to the surface of a base material, drying the film, and then curing the film 110 by heat treatment.
  • the obtained film 110 is used in a state of being peeled off from the substrate.
  • a plurality of protrusions having the second organic material are present on the first main surface.
  • a plurality of protrusions 120 are present on the first main surface 110a. Further, on the first main surface 110a of the film 110, there is a flat portion 130 in which the protrusion 120 does not exist.
  • the presence of protrusions can be confirmed as a part that looks black by observing the first main surface of the film with a scanning electron microscope (SEM).
  • SEM scanning electron microscope
  • the protrusion 120 has a second organic material, that is, an aromatic isocyanate. More specifically, the aromatic isocyanate contained in the protrusion 120 is derived from the aromatic isocyanate constituting the cured product contained in the film 110.
  • the protrusion 120 Since the protrusion 120 has an aromatic isocyanate, the hardness of the protrusion 120 increases due to the aromatic ring of the aromatic isocyanate. Therefore, when manufacturing a film capacitor using the film 110, even if the film 110 is wound or pressed after winding, the protrusions 120 are less likely to be crushed, so that a gap is formed between the overlapping films 110. It becomes easy to be done. As a result, the decomposition gas from the film 110 is likely to be scattered from the inside of the film capacitor at the time of dielectric breakdown, so that the film capacitor has excellent self-healing property.
  • the protrusion 120 has an aliphatic isocyanate
  • the hardness of the protrusion 120 is lower than that when the protrusion 120 has an aromatic isocyanate. Therefore, when the film 110 is wound or pressed after winding when the film capacitor is manufactured using the film 110, the protrusions 120 are easily crushed, so that a gap is less likely to be formed between the overlapping films 110. Become. As a result, when the dielectric breakdown occurs, the decomposition gas from the film 110 is less likely to scatter from the inside of the film capacitor, so that the self-healing property of the film capacitor is lowered.
  • the protrusion 120 has an aromatic isocyanate, for example, on the first main surface 110a of the film 110, the area ratio of a region higher than the film surface described later in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m.
  • the film 110 is wound to manufacture a film capacitor, it becomes difficult for a gap to be formed between the overlapping films 110, so that the self-healing property of the film capacitor is lowered.
  • the presence of aromatic isocyanates in the protrusions can be confirmed as follows. First, using a Fourier transform infrared spectrophotometer (FT-IR) "FT / IR-4100ST" manufactured by Japan Spectroscopy (JASCO), the measured wave number range is set to 500 cm -1 or more and 4000 cm -1 or less, and the total attenuation is set. The infrared absorption spectrum of the protrusion is measured by the reflection method (ATR). Then, by confirming that the absorption peak of the aromatic ring and the absorption peak of the isocyanate group are detected in the infrared absorption spectrum of the protrusion, it can be confirmed that the protrusion has aromatic isocyanate.
  • FT-IR Fourier transform infrared spectrophotometer
  • ATR reflection method
  • the absorption peak of the aromatic ring is detected in the wave number range of 1450 cm -1 or more and 1550 cm -1 or less in the infrared absorption spectrum, and the absorption peak of the isocyanate group is 2200 cm -1 or more. It is detected in the wavenumber range of 2400 cm -1 or less.
  • the aromatic isocyanate contained in the protrusion is cured by the film. It can be confirmed that it is derived from the aromatic isocyanate that constitutes the product.
  • the film surface located at the average height in the thickness direction is defined in the area range of 100 ⁇ m ⁇ 140 ⁇ m of the first main surface, it is 0.05 ⁇ m or more from the film surface, 0.
  • the area ratio of the high region in the range of less than 20 ⁇ m is 6.04% or less, 0.20 ⁇ m or more from the film surface, and the area ratio of the high region in the range of less than 2.50 ⁇ m is 0.0998% or more, 1.13%.
  • the area ratio of the region higher than the film surface in the range of 2.50 ⁇ m or more is 0.100% or less.
  • the area ratio of the region higher than the film surface in the range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m may be 0.00% or more. Further, the area ratio of the region higher than the film surface in the range of 2.50 ⁇ m or more may be 0.000% or more.
  • the film 110 shown in FIGS. 5 and 6 when the film surface located at the average height in the thickness direction is defined in the area range of 100 ⁇ m ⁇ 140 ⁇ m of the first main surface 110a, it is 0.05 ⁇ m from the film surface.
  • the area ratio of the high region in the range of less than 0.20 ⁇ m is 6.04% or less, and the area ratio of the high region in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m from the film surface is 0.0998% or more, 1
  • the area ratio of the region higher than the film surface in the range of .13% or less and 2.50 ⁇ m or more from the film surface is 0.100% or less.
  • the film surface located at the average height in the thickness direction is defined in the above-mentioned area range, it is 0.05 ⁇ m or more than the film surface.
  • the area ratio of the high region in the range of less than 0.20 ⁇ m is 6.04% or less, and the area ratio of the high region in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m from the film surface is 0.0998% or more.
  • the film 110 is excellent in slipperiness and withstand voltage.
  • the excellent slipperiness of the film 110 enhances the pressability and self-healing property when the film 110 is wound to form a film capacitor.
  • the height distribution of the first main surface 110a of the film 110 is within the above-mentioned range, it can be said that a plurality of protrusions 120 having an appropriate height are distributed on the first main surface 110a at an appropriate ratio.
  • the high protrusion 120 in which the electric field is likely to concentrate is formed. Since there are many of them, the withstand voltage is reduced.
  • the area ratio of the high region of the first main surface 110a of the film 110 in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m of the film surface is lower than 0.0998%, when the films 110 are slid against each other. Since the contact area between the flat portions 130 tends to be large, the slipperiness is lowered.
  • the area ratio of the high region is higher than 1.13% in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m from the film surface, the high protrusion 120 in which the electric field is likely to concentrate is formed. Since there are many of them, the withstand voltage is reduced.
  • the withstand voltage resistance is lowered.
  • the film surface located at the average height in the thickness direction is defined in the above-mentioned area range, it is 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m from the film surface.
  • the area ratio of the high region in the range of 6.04% or more, 0.20 ⁇ m or more from the film surface, and the area ratio of the high region in the range of less than 2.50 ⁇ m is 0.0998% or more, 1.13% or less, the film. If the area ratio of the region higher than the surface is 2.50 ⁇ m or more is 0.100% or less, the first main surface 110a of the film 110 has a plurality of dents in addition to the plurality of protrusions 120. You may have.
  • the height distribution of the first main surface of the film is determined as follows.
  • the first main surface of the film is magnified 100 times, and an area range of 100 ⁇ m ⁇ 140 ⁇ m is observed.
  • aluminum having a thickness of 10 nm may be vapor-deposited on the first main surface of the film in advance.
  • the direction in which the length is 100 ⁇ m is referred to as the first direction
  • the direction in which the length is 140 ⁇ m is referred to as the second direction.
  • the above-mentioned area range is divided into 1024 cells in the first direction x 768 cells in the second direction, for a total of 786,432 cells. Then, for each of the 786432 divided cells, height data (height in the cell) in the thickness direction was used using the dedicated analysis software "VK-analyzer" of the laser microscope “VK-8700” manufactured by KEYENCE. The average value of the laser) is obtained. After that, the average value of the height data of 786,432 pieces is calculated, and the obtained average value is taken as the average height in the thickness direction of the film. Further, a virtual surface located at an average height in the thickness direction is defined as a film surface.
  • the number of cells J1 having high height data in the range of 0.05 ⁇ m or more from the film surface is counted, and the area ratio K1 of the cells high in the range of 0.05 ⁇ m or more from the film surface is set to “100 ⁇ J1 /”. It is calculated as "786432”.
  • the number J2 of cells having height data higher than the film surface in the range of 0.20 ⁇ m or more is counted, and the area ratio K2 of the cells higher in the range of 0.20 ⁇ m or more than the film surface is set to “100 ⁇ J2 /”. It is calculated as "786432".
  • the number of cells J3 having high height data in the range of 2.50 ⁇ m or more above the film surface is counted, and the area ratio K3 of the cells high in the range of 2.50 ⁇ m or more above the film surface is set to “100 ⁇ J3 /”. It is calculated as "786432".
  • the area ratio of the region higher than the film surface in the range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m is calculated as “K1-K2”. Further, the area ratio of the region higher than the film surface in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m is calculated as “K2-K3”. Further, the area ratio of the region higher than the film surface in the range of 2.50 ⁇ m or more is defined as “K3”. In this way, the height distribution of the first main surface of the film is determined.
  • the planar shape of the protrusion 120 may be a circular shape as shown in FIG. 5, an elliptical shape, or another shape.
  • planar shapes of the protrusions 120 may be the same or different from each other.
  • the cross-sectional shape of the protrusion 120 may be a tapered shape as shown in FIG. 6 or a shape other than the tapered shape.
  • the cross-sectional shapes of the protrusions 120 may be the same or different from each other.
  • the top surface of the protrusion 120 is preferably recessed as shown in FIG. In this case, when the films 110 are slid against each other, the contact area between the protrusions 120 tends to be small, so that the slipperiness tends to increase. The top surface of the protrusion 120 does not have to be recessed.
  • the protrusion 120 may have a shape with a sharp tip or a shape with a rounded tip.
  • the second main surface 110b of the film 110 does not have protrusions, but a plurality of protrusions may be present.
  • the film when defining the film surface located at the average height in the thickness direction in the area range of 100 ⁇ m ⁇ 140 ⁇ m of the second main surface 110b, the film The area ratio of the region higher than the surface in the range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m is 6.04% or less, and the area ratio of the region higher in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m than the film surface is 0.
  • the area ratio of the region high in the range of 0998% or more, 1.13% or less, and 2.50 ⁇ m or more from the film surface is 0.100% or less.
  • the second main surface 110b of the film 110 may have a plurality of dents in addition to the plurality of protrusions.
  • the height distribution of the second main surface of the film is determined in the same manner as the height distribution of the first main surface of the film, except that the observation target is the second main surface of the film.
  • the coefficient of static friction on the first main surface side is preferably 1.0 or less.
  • the static friction coefficient on the first main surface 110a side is preferably 1.0 or less. In this case, the slipperiness of the film 110 becomes very excellent.
  • the coefficient of static friction on the first main surface 110a side of the film 110 becomes too small, the film 110 will be unwound in the width direction when the film 110 is wound to manufacture a film capacitor. In the process, it may be difficult to form an external electrode on the end face of the obtained winding body. From such a viewpoint, the coefficient of static friction on the first main surface 110a side of the film 110 is preferably 0.1 or more.
  • the coefficient of static friction of the film is determined as follows. First, two films are prepared as a sample for measurement. Here, for both main surfaces of each measurement sample, the main surface that was on the base material side at the time of manufacture is defined as the mold release surface, and the main surface that was on the opposite side to the base material is defined as the dry surface. More specifically, for each measurement sample, the dry surface corresponds to the first main surface and the release surface corresponds to the second main surface. Further, the length direction of each measurement sample is preferably the same as the direction in which tensile stress is applied to the film in the process of manufacturing the film capacitor, for example, the winding direction of the film. Next, for one of the two measurement samples, a square plate is fixed to the release surface so that the dry surface is exposed.
  • a square weight having a weight of 200 g is attached to the dry surface so that the release surface is exposed.
  • the release surface of the other measurement sample in which a weight is attached to the dry surface is placed on the dry surface of one measurement sample in which the plate is fixed to the release surface in the length direction. Abut so that they are parallel to each other.
  • the weight attached to the dry surface of the other measurement sample is attached to a force gauge manufactured by Imada, and then pulled at a speed of 150 mm / min in the length direction. At this time, the maximum frictional force until the weight starts to move together with the other measurement sample is read, and the static friction coefficient is calculated from the value.
  • the film 110 preferably has a glass transition point of 130 ° C. or higher. In this case, the heat resistance of the film 110 becomes excellent, and the guaranteed temperature of the film capacitor composed of the film 110 can be increased to, for example, 125 ° C. or higher.
  • the glass transition point of the film is determined as follows. First, using the dynamic viscoelastic modulus measurement (DMA) device "RSA-III" manufactured by TA Instruments, the measurement frequency was increased to 10 rad / min while raising the temperature of the film from room temperature to 250 ° C at a temperature rise rate of 10 ° C / min. The storage elastic modulus and the loss elastic modulus of the film are measured under the measurement conditions where the strain is 0.1% per second. Then, the temperature at which the loss tangent (tan ⁇ ) expressed by the loss elastic modulus / storage elastic modulus shows the maximum peak value is defined as the glass transition point.
  • DMA dynamic viscoelastic modulus measurement
  • the thickness S of the film 110 is preferably 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, and more preferably 3 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the film thickness S is a thickness determined at a position where the protrusion 120 does not exist.
  • the film thickness can be measured using an optical film thickness meter.
  • the film of the present invention becomes a metallized film by providing at least a metal layer on the first main surface, and the film capacitor of the present invention can be constructed.
  • FIG. 7 is a schematic plan view showing an example of a metallized film constituting the film capacitor of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a portion corresponding to the line segments C1-C2 in FIG. 7.
  • the metallized film 210 has the film 110 shown in FIGS. 5 and 6 and the metal layer 220 provided on the first main surface 110a of the film 110. There is.
  • a plurality of protrusions having the second organic material are present on the first main surface of the dielectric film.
  • a second organic material that is, a plurality of protrusions 120 having an aromatic isocyanate are present on the first main surface 110a. ing. Further, on the first main surface 110a of the film 110, there is a flat portion 130 in which the protrusion 120 does not exist.
  • the film capacitor composed of the metallized film 210 provided with the metal layer 220 on the first main surface 110a of the film 110 is excellent in self-healing property. Can be done.
  • the film when the film surface located at the average height in the thickness direction is defined in the area range of 100 ⁇ m ⁇ 140 ⁇ m of the first main surface of the dielectric film, the film is defined.
  • the area ratio of the region higher in the range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m than the surface is 6.04% or less, and the area ratio of the region higher in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m than the film surface is 6.04% or less.
  • the area ratio of the region higher than 0.0998%, 1.13% or less, and 2.50 ⁇ m or more from the film surface is 0.100% or less.
  • the area ratio of the region higher than the film surface in the range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m may be 0.00% or more. Further, the area ratio of the region higher than the film surface in the range of 2.50 ⁇ m or more may be 0.000% or more.
  • the film surface located at the average height in the thickness direction in the area range of 100 ⁇ m ⁇ 140 ⁇ m of the first main surface 110a is formed.
  • the area ratio of the region high in the range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m above the film surface is 6.04% or less, and the area high in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m above the film surface.
  • the area ratio of the film is 0.0998% or more and 1.13% or less, and the area ratio of the region higher than the film surface in the range of 2.50 ⁇ m or more is 0.100% or less.
  • the film 110 when a film surface located at an average height in the thickness direction is defined, a region higher than the film surface in a range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m.
  • the area ratio of the region is 6.04% or less, 0.20 ⁇ m or more from the film surface, and the area ratio of the high region in the range of less than 2.50 ⁇ m is 0.0998% or more, 1.13% or less, and 2.
  • the film 110 is excellent in slipperiness and withstand voltage resistance. Further, the excellent slipperiness of the film 110 enhances the pressability and self-healing property when the film 110 is wound to form a film capacitor.
  • the measurement is performed by the above-mentioned method for the region of the metallized film located on the outermost surface of the film capacitor in which the metal layer is not provided. ..
  • the masking oil adheres to the surface of the measurement region, it is preferable to perform the measurement in a state where the masking oil is removed by using a solvent such as hexane or toluene.
  • the metallized film of the present invention can be used as the metallized film.
  • the metallized film of the present invention contains a cured product of a first organic material having a hydroxyl group and a second organic material having an isocyanate group among aromatic compounds, and has a first main surface and a first main surface facing each other in the thickness direction.
  • a film having a second main surface and a metal layer provided on at least the first main surface of the film are provided.
  • a plurality of protrusions having the second organic material are present on the first main surface of the film.
  • the surface of the film opposite to the first main surface is along the plurality of protrusions. There are multiple protrusions.
  • the dielectric film in the metal layer provided on the first main surface of the dielectric film is similar to the second aspect of the film capacitor of the present invention described later. It is preferable that a plurality of protrusions along the plurality of protrusions are present on the surface opposite to the first main surface of the above.
  • the film of the present invention when the plurality of protrusions are present on the surface of the metal layer provided on the first main surface of the dielectric film, the film of the present invention described later. Similar to the second aspect of the capacitor, when defining a metal layer surface located at an average height in the thickness direction in an area range of 100 ⁇ m ⁇ 140 ⁇ m on the surface of the metal layer, 0.05 ⁇ m from the metal layer surface.
  • the area ratio of the high region in the range of less than 0.20 ⁇ m is 6.17% or less
  • the area ratio of the high region in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m from the metal layer surface is 0.118% or more.
  • the area ratio of the region higher than 1.24% and 2.50 ⁇ m or more from the metal layer surface is preferably 0.100% or less.
  • the surface of the dielectric film opposite to the first main surface is covered with the above.
  • a plurality of protrusions 230 along the plurality of protrusions 120 are present on the surface 220a of the metal layer 220 opposite to the first main surface 110a of the film 110. ing. Further, on the surface 220a of the metal layer 220, there is a flat portion 240 in which the convex portion 230 does not exist.
  • the existence of the convex part can be confirmed as a part that looks black by observing the surface of the metal layer with a scanning electron microscope.
  • a metal layer surface located at an average height in the thickness direction when a metal layer surface located at an average height in the thickness direction is defined in an area range of 100 ⁇ m ⁇ 140 ⁇ m on the surface of the metal layer, it is 0.05 ⁇ m or more than the metal layer surface.
  • the area ratio of the high region in the range of less than 0.20 ⁇ m is 6.17% or less
  • the area ratio of the high region in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m from the metal layer surface is 0.118% or more
  • the area ratio of the region higher than the metal layer surface of .24% or more and 2.50 ⁇ m or more is 0.100% or less.
  • the area ratio of the region higher than the metal layer surface in the range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m may be 0.00% or more. Further, the area ratio of the region higher than the metal layer surface in the range of 2.50 ⁇ m or more may be 0.000% or more.
  • the metal layer surface located at an average height in the thickness direction when a metal layer surface located at an average height in the thickness direction is defined in an area range of 100 ⁇ m ⁇ 140 ⁇ m on the surface of the metal layer, it is 0 than the metal layer surface.
  • the area ratio of the high region in the range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m is 6.17% or less, and the area ratio of the high region in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m from the metal layer surface is 0.118%.
  • the area ratio of the region high in the range of 1.24% or less and 2.50 ⁇ m or more from the metal layer surface is 0.100% or less.
  • the area ratio of the region higher than the metal layer surface in the range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m may be 0.00% or more. Further, the area ratio of the region higher than the metal layer surface in the range of 2.50 ⁇ m or more may be 0.000% or more.
  • the metal layer surface located at the average height in the thickness direction is defined in the area range of 100 ⁇ m ⁇ 140 ⁇ m of the surface 220a of the metal layer 220, it is larger than the metal layer surface.
  • the area ratio of the high region in the range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m is 6.17% or less, and the area ratio of the high region in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m from the metal layer surface is 0.118%.
  • the area ratio of the region high in the range of 1.24% or less and 2.50 ⁇ m or more from the metal layer surface is 0.100% or less.
  • the area ratio of the high region in the range of 6.17% or less, 0.20 ⁇ m or more from the metal layer surface, and less than 2.50 ⁇ m is 0.118% or more, 1.24% or less, 2.50 ⁇ m or more from the metal layer surface.
  • the area ratio of the high region is 0.100% or less in the above range, the metallized film 210 has excellent slipperiness and withstand voltage resistance.
  • the metallized film 210 has excellent slipperiness, pressability and self-healing property are enhanced when the metallized film 210 is wound to form a film capacitor.
  • the height distribution of the surface 220a of the metal layer 220 is within the above-mentioned range, it can be said that a plurality of convex portions 230 having an appropriate height are distributed on the surface 220a at an appropriate ratio.
  • the area ratio of the high region on the surface 220a of the metal layer 220 in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m from the metal layer surface is lower than 0.118%, when sliding the metallized films 210 to each other, Since the contact area between the flat portions 240 tends to be large, the slipperiness is lowered.
  • the area ratio of the high region is higher than 1.24% in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m than the metal layer surface, there are many high convex portions 230 in which the electric field is likely to concentrate. Since it is present, the withstand voltage is reduced.
  • the range is 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m from the metal layer surface.
  • the area ratio of the high region is 6.17% or less, 0.20 ⁇ m or more from the metal layer surface, and the area ratio of the high region is 0.118% or more, 1.24% or less, from the metal layer surface in the range of less than 2.50 ⁇ m. If the area ratio of the high region is 0.100% or less in the range of 2.50 ⁇ m or more, the surface 220a of the metal layer 220 may have a plurality of dents in addition to the plurality of protrusions 230. good.
  • the height distribution of the surface of the metal layer is determined in the same manner as the height distribution of the first main surface of the film, except that the observation target is the surface of the metal layer.
  • the measurement is performed in a predetermined area of the metallized film located on the outermost surface of the film capacitor.
  • the second metal layer 16 is provided by the method described above in the state where the second metal layer 16 is provided in the region L of the second metallized film 12 located on the outermost surface. It is preferable to measure the height distribution of the surface.
  • the region L of the second metallized film 12 has a square shape in which both the width direction W and the length direction (winding direction) are M.
  • the region L of the second metallized film 12 has a width with respect to the center line Q. It is axisymmetric in the direction W.
  • the length M of the region L of the second metallized film 12 is 10% of the length of the end side N of the second metallized film 12.
  • the coefficient of static friction on the surface side of the metal layer provided on the first main surface of the film is preferably 1.4 or less.
  • the dielectric film when the plurality of protrusions are present on the surface of the metal layer provided on the first main surface of the dielectric film, the dielectric film is described above.
  • the coefficient of static friction on the surface side of the metal layer provided on the first main surface is preferably 1.4 or less.
  • the coefficient of static friction on the surface side of the metal layer provided on the first main surface of the dielectric film is preferably 1.4 or less.
  • the coefficient of static friction on the surface 220a side of the metal layer 220 is preferably 1.4 or less. In this case, the slipperiness of the metallized film 210 becomes very excellent.
  • the metallized film 210 if the static friction coefficient on the surface 220a side of the metal layer 220 becomes too small, the metallized film 210 is wound in the width direction when the metallized film 210 is wound to manufacture a film capacitor. Misalignment may occur, making it difficult to form an external electrode on the end face of the obtained winding body in a later step. From such a viewpoint, in the metallized film 210, the coefficient of static friction on the surface 220a side of the metal layer 220 is preferably 0.2 or more.
  • the coefficient of static friction of the metallized film is determined in the same manner as the coefficient of static friction of the film except that the metallized film is used as the measurement sample.
  • Examples of the constituent material of the metal layer 220 include metals such as aluminum, zinc, titanium, magnesium, tin, and nickel.
  • the thickness of the metal layer 220 is preferably 5 nm or more and 40 nm or less.
  • the thickness of the metal layer can be specified by observing the cut surface of the metallized film in the thickness direction using a transmission electron microscope (TEM).
  • TEM transmission electron microscope
  • the film of the present invention is produced, for example, by the following method.
  • a resin solution is prepared by mixing a first organic material having a hydroxyl group and a second organic material having an isocyanate group among aromatic compounds.
  • the above-mentioned materials are used as the first organic material and the second organic material.
  • the first organic material and the second organic material may be diluted with a solvent.
  • a solvent containing a first solvent selected from ketones and a second solvent selected from the cyclic ether compound.
  • ketones for which the first solvent is selected include methyl ethyl ketone and diethyl ketone.
  • a plurality of types of ketones may be used in combination.
  • Examples of the cyclic ether compound for which the second solvent is selected include tetrahydrofuran, tetrahydropyran and the like.
  • a plurality of types of cyclic ether compounds may be used in combination.
  • the solvent it is preferable to use a mixed solvent containing methyl ethyl ketone and tetrahydrofuran.
  • Examples of the base material include polyethylene terephthalate film and polypropylene film.
  • the coating film of the obtained resin solution is dried in a drying oven and then cured by heat treatment. This creates a film on the surface of the substrate.
  • the second organic substance is placed on the dry surface, which is the main surface of the coating film on the opposite side to the base material.
  • the material that is, the aromatic isocyanate is aggregated to generate a plurality of protrusions as the aggregate, and the height and the like of these protrusions are further controlled.
  • the film surface located at the average height in the thickness direction is defined in the area range of 100 ⁇ m ⁇ 140 ⁇ m of the first main surface corresponding to the dry surface.
  • the height of the first main surface of the film is such that the area ratio is 0.0998% or more, 1.13% or less, and the area ratio of the region higher than the film surface is 2.50 ⁇ m or more is 0.100% or less. You can control the distribution.
  • the drying temperature of the coating film is preferably adjusted in the range of 70 ° C. or higher and 150 ° C. or lower.
  • the drying time of the coating film can be adjusted by the transport speed at which the substrate with the coating film is transported in the drying oven.
  • the transport speed is preferably adjusted in the range of 100 m / min or more and 160 m / min or less.
  • the obtained film is used in a state of being peeled off from the base material.
  • the first main surface of the film corresponds to the dry surface which was the main surface on the opposite side of the base material in the coating film.
  • the second main surface of the film corresponds to the release surface which was the main surface on the substrate side in the coating film.
  • the metallized film of the present invention is produced, for example, by the following method.
  • a first metallized film is produced by depositing a metal on the first main surface of the first dielectric film to form a first metal layer.
  • the first metal has a plurality of protrusions along the plurality of protrusions of the first dielectric film on the surface of the first metal layer opposite to the first main surface of the first dielectric film. Form a layer. Further, in the width direction, the first metal layer is formed so as to reach one side edge of the first dielectric film and not reach the other side edge of the first dielectric film.
  • a second metallized film is produced by depositing a metal on the first main surface of the second dielectric film to form a second metal layer.
  • the second metal has a plurality of protrusions along the plurality of protrusions of the second dielectric film on the surface of the second metal layer opposite to the first main surface of the second dielectric film. Form a layer.
  • the second metal layer is formed so as not to reach one side edge of the second dielectric film but to reach the other side edge of the second dielectric film.
  • the film capacitor of the present invention is manufactured by, for example, the following method.
  • metallized films as shown in FIGS. 7 and 8 are produced as the first metallized film and the second metallized film.
  • the first metallized film and the second metallized film are stacked in a state of being shifted by a predetermined distance in the width direction, and then wound to produce a wound body. If necessary, the obtained winding body may be sandwiched from a direction perpendicular to the width direction and pressed into an elliptical cylindrical shape.
  • the second external electrode is formed so as to be connected to the second metal layer by spraying a metal onto the other end face of the winding body.
  • the film capacitors as shown in FIGS. 1 and 2 are manufactured.
  • the film capacitor of the present invention can be applied to known applications, it is an electric compressor / pump mounted on automobiles, industrial equipment, etc. in order to prolong the life of equipment used in an environment where temperature changes at high temperatures are large. , Chargers, DC-DC converters, drive inverters, and other power electronics devices.
  • Film samples 1 to 7 were manufactured by the following method.
  • a resin solution was prepared by diluting the phenoxy resin and MDI with a mixed solvent of methyl ethyl ketone and tetrahydrofuran and mixing them.
  • the coating film of the obtained resin solution was dried in a drying oven and then cured by heat treatment for a certain period of time.
  • film samples 1 to 7 having a thickness of 4.5 ⁇ m were prepared on the surface of the polyethylene terephthalate film.
  • the drying temperature is adjusted in the range of 70 ° C. or higher and 150 ° C. or lower with respect to the coating film of the resin solution, and the transport speed in the drying furnace is adjusted in the range of 100 m / min or more and 160 m / min or less.
  • the degree of formation of protrusions having MDI, the height of the protrusions, and the like were controlled on the first main surface of the film sample. As a result, the height distribution of the first main surface of the film sample was made different between the film samples 1 to 7.
  • the obtained film samples 1 to 7 were peeled off from the polyethylene terephthalate film.
  • HDI hexamethylene diisocyanate
  • the film sample 9 having no protrusions on the first main surface was manufactured by using the same resin solution as in the case of manufacturing the film samples 1 to 7. Further, the film samples 10 to 12 were produced by further adding a filler to the resin solution used for producing the film sample 9 and changing the mixing ratio of the filler. The mixing ratio of the filler was 1% by weight for the film sample 10, 3% by weight for the film sample 11, and 10% by weight for the film sample 12 with respect to the total weight of the phenoxy resin and MDI. As the filler, acrylic beads "MP-451" (average particle size: 0.15 ⁇ m) manufactured by Soken Chemical Co., Ltd. were used.
  • the film samples 1 to 12 were evaluated as follows. The results are shown in Table 1. In Table 1, the film sample is simply referred to as “sample”.
  • the area ratio of the region high in the range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m from the film surface and the film surface as the height distribution of the first main surface of the film sample by the above method The area ratio of the high region in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m and the area ratio of the high region in the range of 2.50 ⁇ m or more from the film surface were measured.
  • the area ratio of the region higher than the film surface in the range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m is “area ratio 1”
  • the area ratio of the region higher than the film surface in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m The area ratio of the high region is referred to as "area ratio 2”
  • the area ratio of the high region within the range of 2.50 ⁇ m or more from the film surface is referred to as “area ratio 3”.
  • a metallized film was produced by depositing aluminum on the first main surface of the film samples 1 to 12 to form a metal layer. Then, with respect to the obtained metallized film, by the above-mentioned method, the height distribution of the surface of the metal layer is such that the area ratio of the region high in the range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m from the metal layer surface and the metal layer surface. The area ratio of the high region in the range of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m and the area ratio of the high region in the range of 2.50 ⁇ m or more from the metal layer surface were measured.
  • the area ratio of the region higher than the metal layer surface in the range of 0.05 ⁇ m or more and less than 0.20 ⁇ m is “area ratio 1 ′”, and the area ratio of 0.20 ⁇ m or more and less than 2.50 ⁇ m than the metal layer surface.
  • the area ratio of the high region is referred to as "area ratio 2'”, and the area ratio of the high region within the range of 2.50 ⁇ m or more from the metal layer surface is referred to as "area ratio 3'".
  • ⁇ Stiction coefficient 2> A metallized film was produced by depositing aluminum on the first main surface of the film samples 1 to 12 to form a metal layer. Then, the static friction coefficient of the obtained metallized film was measured by the above-mentioned method. In Table 1, the static friction coefficient in the state of the metallized film is referred to as “static friction coefficient 2”.
  • a measurement sample was prepared by depositing aluminum on both main surfaces of the film samples 1 to 12 to form a metal layer. At this time, the area of the region where the metal layers deposited on both main surfaces of the film sample overlap each other was set to 3 cm 2 . 16 such measurement samples were prepared for each of the film samples 1 to 12. Next, for 16 measurement samples, each electric field strength was held for 10 minutes in increments of 25 V / ⁇ m, and the electric field strength when 8 fracture marks were generated on the film sample was defined as the failure voltage. The measurement temperature was 125 ° C. Then, the failure voltages of the 16 measurement samples were weibull plotted, and the value at which the failure frequency was 50% in the Weibull distribution was adopted as the dielectric breakdown voltage of the film sample.
  • a metallized film was produced by depositing aluminum on the first main surface of the film samples 1 to 12 to form a metal layer. At this time, in order to form a pattern on the metal layer, a fluorine-based oil was previously applied to the first main surface of the film sample. Next, after cutting out the metallized film to a predetermined width, it was wound into a cylindrical shape by a predetermined length to prepare a wound body. Then, after pressing the wound body while appropriately adjusting the pressing force in the range of 10 N or more and 100 N or less according to the size of the wound body, it was evaluated whether or not the wound body was uniformly pressed. Regarding the evaluation index, when the winding body is viewed from the width direction (see Fig.
  • a metallized film was produced by depositing aluminum on the first main surface of the film samples 1 to 12 to form a metal layer. At this time, in order to form a pattern on the metal layer, a fluorine-based oil was previously applied to the first main surface of the film sample. Next, after cutting out the metallized film to a predetermined width, it was wound into a cylindrical shape by a predetermined length to prepare a wound body. Then, a film capacitor was manufactured by spraying metal on both end faces of the obtained winding body to form an external electrode.
  • the applied voltage was gradually increased, and it was evaluated whether or not the applied voltage could be restored to the original applied voltage even if the applied voltage momentarily decreased at the time of dielectric breakdown. ..
  • the evaluation index the case where the original applied voltage was restored was evaluated as ⁇ (good), and the case where the original applied voltage was not restored was evaluated as ⁇ (impossible).
  • the area ratio 1 is 6.04% or less
  • the area ratio 2 is 0.0998% or more, 1.13. It was confirmed that% or less and the area ratio 3 was 0.100% or less.
  • the area ratio 1' is 6.17% or less and the area ratio is about the height distribution of the surface of the metal layer. It was confirmed that 2'is 0.118% or more and 1.24% or less, and the area ratio 3'is 0.100% or less.
  • the area ratio 2 was lower than 0.0998%. Further, in the state where the metal layer was vapor-deposited on the first main surface of the film sample 4 to form a metallized film, the area ratio 2'was lower than 0.118%. Therefore, according to the film sample 4, the static friction coefficient 1 and the static friction coefficient 2 are higher than those of the film samples 1 to 3, and the pressability and self-healing property of the film capacitor cannot be improved. ..
  • the area ratio 2 was higher than 1.13%. Further, in the state where the metal layer was vapor-deposited on the first main surface of the film sample 5 to form a metallized film, the area ratio 2'was higher than 1.24%. Therefore, according to the film sample 5, the dielectric breakdown voltage was lower than that of the film samples 1 to 3.
  • the area ratio 1 was higher than 6.04%. Further, in the state where the metal layer was vapor-deposited on the first main surface of the film sample 6 to form a metallized film, the area ratio 1'was higher than 6.17%. Therefore, according to the film sample 6, the dielectric breakdown voltage was lower than that of the film samples 1 to 3.
  • the area ratio 3 was higher than 0.100%. Further, in the state where the metal layer was vapor-deposited on the first main surface of the film sample 7 to form a metallized film, the area ratio 3'was higher than 0.100%. Therefore, according to the film sample 7, the dielectric breakdown voltage was lower than that of the film samples 1 to 3.
  • the surface of the metal layer was gently recessed as a whole, so that the area ratio 1'and the area ratio 2'were increased. It was not 0%.
  • the film samples 10 to 12 contained a filler, the dielectric breakdown voltage was lower than that of the film samples 1 to 3. Further, according to the film sample 10, the static friction coefficient 1 and the static friction coefficient 2 were higher than those of the film samples 1 to 3, and the pressability and self-healing property of the film capacitor could not be improved. ..
  • Film capacitor 11 First metallized film 12 Second metallized film 13 First dielectric film 13a First main surface of the first dielectric film 13b Second main surface of the first dielectric film 14 Second dielectric film 14a 1st main surface 14b of the 2nd dielectric film 15 2nd main surface of the 2nd dielectric film 15 1st metal layer 16 2nd metal layer 40 winding body 41 1st external electrode 42 2nd external electrode 61 split electrode portion 62 Electrode part 63 Fuse part 64 Insulation slit 110 Film (dielectric film) 110a First main surface of film 110b Second main surface of film 120 Projection of film 130 Flat part of film 210 Metallised film 220 Metallised film 220a Surface of metal layer 230 Convex part of metal layer 240 Flat part of metal layer L 2nd Area of the metallized film M Length of the area of the second metallized film N Edge of the second metallized film P Center point of the end of the second metallized film Q Center line S Film thickness T Laminating direction W Width direction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

フィルムコンデンサ１０は、水酸基を有する第１有機材料と、芳香族化合物のうちでイソシアネート基を有する第２有機材料との硬化物を含み、かつ、厚み方向に対向する第１主面１１０ａ及び第２主面１１０ｂを有する誘電体フィルム１１０と、誘電体フィルム１１０の少なくとも第１主面１１０ａ上に設けられた金属層２２０とが巻回されてなる巻回体４０を備え、誘電体フィルム１１０の第１主面１１０ａには、第２有機材料を有する複数の突起１２０が存在し、誘電体フィルム１１０の第１主面１１０ａの１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、厚み方向での平均高さに位置するフィルム面を定義するとき、フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．０４％以下、フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．０９９８％以上、１．１３％以下、フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下である。

Description

フィルムコンデンサ、フィルム、及び、金属化フィルム
　本発明は、フィルムコンデンサ、フィルム、及び、金属化フィルムに関する。
　コンデンサの一種として、可撓性を有するフィルムを誘電体フィルムとして用いながら、フィルムを挟んで互いに対向する第１金属層及び第２金属層を配置した構造のフィルムコンデンサが知られている。このようなフィルムコンデンサは、例えば、第１金属層が形成されたフィルムと第２金属層が形成されたフィルムとを巻回又は積層することによって製造される。
　フィルムを巻回して巻回体を作製することによりフィルムコンデンサを製造する際、フィルムコンデンサを低背化するために巻回体をプレスすることがある。この際、フィルムの滑り性が良好であると、巻回体が均一にプレスされやすくなることでフィルムコンデンサの低背化が容易になる。
　一方、巻回体において、重なり合うフィルム同士の間に隙間が形成されると、絶縁破壊時に、フィルムからの分解ガスがフィルムコンデンサの内部から飛散しやすくなり、結果的に、フィルムの絶縁状態が回復する、いわゆるセルフヒーリング機能が働くとされている。巻回体を作製する際、フィルムの滑り性が良好であると、重なり合うフィルム同士の間に隙間が均一に形成されやすくなるため、セルフヒーリング機能が働きやすくなる。
　以上のことから、フィルムコンデンサのプレス性及びセルフヒーリング性を高めるために、フィルムに滑り性を付与することがある。フィルムに滑り性を付与する方法として、特許文献１には、ベース樹脂に有機フィラーを配合する方法が開示されている。このように、従来では、樹脂にフィラーを配合してフィルムの表面を荒らすことにより、フィルムに滑り性を付与している。
特開２０１１－２５１４９３号公報
　しかしながら、樹脂にフィラーが配合された従来のフィルムでは、樹脂及びフィラーの誘電率が異なることにより、フィラーの近傍に電界が集中しやすくなり、結果的に、絶縁破壊電圧が低下してしまう。そのため、従来のフィルムでは、滑り性及び耐電圧性を両立させる点で、改善の余地があると言える。
　一方、フィルムの表面を荒らすことにより、フィルムを巻回してフィルムコンデンサを製造したときに、重なり合うフィルム同士の間に隙間が形成されやすくなる。そのため、絶縁破壊時に、セルフヒーリング機能が働きやすくなると考えられる。
　しかしながら、フィルムの表面が荒れている部分の硬度が低いと、フィルムを巻回してフィルムコンデンサを製造する際に、フィルムの表面が荒れている部分が潰れやすくなるため、重なり合うフィルム同士の間に隙間が形成されにくくなる。その結果、絶縁破壊時に、フィルムからの分解ガスがフィルムコンデンサの内部から飛散しにくくなるため、セルフヒーリング機能が働きにくくなってしまう。
　本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、滑り性及び耐電圧性に優れ、かつ、優れたプレス性及びセルフヒーリング性を付与可能な誘電体フィルムを有するフィルムコンデンサを提供することを目的とするものである。また、本発明は、上記フィルムコンデンサの誘電体フィルムとして使用可能なフィルムを提供することを目的とするものである。更に、本発明は、上記フィルムコンデンサに使用可能な金属化フィルムを提供することを目的とするものである。
　本発明のフィルムコンデンサは、第１態様において、水酸基を有する第１有機材料と、芳香族化合物のうちでイソシアネート基を有する第２有機材料との硬化物を含み、かつ、厚み方向に対向する第１主面及び第２主面を有する誘電体フィルムと、上記誘電体フィルムの少なくとも上記第１主面上に設けられた金属層とが巻回されてなる巻回体を備え、上記誘電体フィルムの上記第１主面には、上記第２有機材料を有する複数の突起が存在し、上記誘電体フィルムの上記第１主面の１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、上記厚み方向での平均高さに位置するフィルム面を定義するとき、上記フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．０４％以下、上記フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．０９９８％以上、１．１３％以下、上記フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下である、ことを特徴とする。
　本発明のフィルムコンデンサは、第２態様において、水酸基を有する第１有機材料と、芳香族化合物のうちでイソシアネート基を有する第２有機材料との硬化物を含み、かつ、厚み方向に対向する第１主面及び第２主面を有する誘電体フィルムと、上記誘電体フィルムの少なくとも上記第１主面上に設けられた金属層とが巻回されてなる巻回体を備え、上記誘電体フィルムの上記第１主面には、上記第２有機材料を有する複数の突起が存在し、上記誘電体フィルムの上記第１主面上に設けられた上記金属層における、上記誘電体フィルムの上記第１主面と反対側の表面には、上記複数の突起に沿う複数の凸部が存在し、上記金属層の上記表面の１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、上記厚み方向での平均高さに位置する金属層面を定義するとき、上記金属層面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．１７％以下、上記金属層面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．１１８％以上、１．２４％以下、上記金属層面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下である、ことを特徴とする。
　本発明のフィルムは、水酸基を有する第１有機材料と、芳香族化合物のうちでイソシアネート基を有する第２有機材料との硬化物を含み、かつ、厚み方向に対向する第１主面及び第２主面を有し、上記第１主面には、上記第２有機材料を有する複数の突起が存在し、上記第１主面の１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、上記厚み方向での平均高さに位置するフィルム面を定義するとき、上記フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．０４％以下、上記フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．０９９８％以上、１．１３％以下、上記フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下である、ことを特徴とする。
　本発明の金属化フィルムは、水酸基を有する第１有機材料と、芳香族化合物のうちでイソシアネート基を有する第２有機材料との硬化物を含み、かつ、厚み方向に対向する第１主面及び第２主面を有するフィルムと、上記フィルムの少なくとも上記第１主面上に設けられた金属層と、を備え、上記フィルムの上記第１主面には、上記第２有機材料を有する複数の突起が存在し、上記フィルムの上記第１主面上に設けられた上記金属層における、上記フィルムの上記第１主面と反対側の表面には、上記複数の突起に沿う複数の凸部が存在し、上記金属層の上記表面の１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、上記厚み方向での平均高さに位置する金属層面を定義するとき、上記金属層面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．１７％以下、上記金属層面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．１１８％以上、１．２４％以下、上記金属層面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下である、ことを特徴とする。
　本発明によれば、滑り性及び耐電圧性に優れ、かつ、優れたプレス性及びセルフヒーリング性を付与可能な誘電体フィルムを有するフィルムコンデンサを提供できる。また、本発明によれば、上記フィルムコンデンサの誘電体フィルムとして使用可能なフィルムを提供できる。更に、本発明によれば、上記フィルムコンデンサに使用可能な金属化フィルムを提供できる。
本発明のフィルムコンデンサの一例を示す斜視模式図である。 図１中の線分Ａ１－Ａ２に対応する部分を示す断面模式図である。 図１及び図２中の巻回体の一例を示す斜視模式図である。 ヒューズ部が設けられた金属層の一例を示す平面模式図である。 本発明のフィルムの一例を示す平面模式図である。 図５中の線分Ｂ１－Ｂ２に対応する部分を示す断面模式図である。 本発明のフィルムコンデンサを構成する金属化フィルムの一例を示す平面模式図である。 図７中の線分Ｃ１－Ｃ２に対応する部分を示す断面模式図である。
　以下、本発明のフィルムコンデンサと、本発明のフィルムと、本発明の金属化フィルムとについて説明する。なお、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更されてもよい。また、以下において記載する個々の好ましい構成を複数組み合わせたものもまた本発明である。
　本発明のフィルムコンデンサは、第１態様及び第２態様において、水酸基を有する第１有機材料と、芳香族化合物のうちでイソシアネート基を有する第２有機材料との硬化物を含み、かつ、厚み方向に対向する第１主面及び第２主面を有する誘電体フィルムと、上記誘電体フィルムの少なくとも上記第１主面上に設けられた金属層とが巻回されてなる巻回体を備える。
　本発明のフィルムコンデンサの第１態様及び第２態様を特に区別しない場合、単に「本発明のフィルムコンデンサ」と言う。
　以下では、本発明のフィルムコンデンサの一例として、誘電体フィルムの少なくとも一方の主面上に金属層が設けられた金属化フィルムが積層された状態で巻回されてなる、いわゆる巻回型のフィルムコンデンサについて説明する。
　図１は、本発明のフィルムコンデンサの一例を示す斜視模式図である。図２は、図１中の線分Ａ１－Ａ２に対応する部分を示す断面模式図である。図３は、図１及び図２中の巻回体の一例を示す斜視模式図である。
　本明細書中、フィルムコンデンサにおける積層方向及び幅方向を、図１、図２、及び、図３に示すように、各々、Ｔ及びＷで定められる方向とする。なお、巻回型のフィルムコンデンサでは、積層方向が複数存在するとも言えるが、本明細書中ではＴで定められる方向とする。ここで、積層方向Ｔと幅方向Ｗとは、互いに直交している。
　図１及び図２に示すように、フィルムコンデンサ１０は、巻回体４０と、巻回体４０の一方の端面上に設けられた第１外部電極４１と、巻回体４０の他方の端面上に設けられた第２外部電極４２と、を有している。ここで、巻回体４０の両端面は、幅方向Ｗにおいて互いに対向している。
　図２及び図３に示すように、巻回体４０は、第１金属化フィルム１１と第２金属化フィルム１２とが積層方向Ｔに積層された状態で巻回されてなる巻回体である。つまり、フィルムコンデンサ１０は、巻回体４０を有する巻回型のフィルムコンデンサである。
　フィルムコンデンサ１０では、フィルムコンデンサ１０の低背化の観点から、巻回体４０の巻軸方向に垂直な断面を見たときに、巻回体４０の断面形状は、扁平形状であることが好ましい。より具体的には、巻回体４０の断面形状が楕円又は長円のような扁平形状にプレスされ、巻回体４０の断面形状が真円であるときよりも厚みが小さい形状とされることが好ましい。
　巻回体の断面形状が扁平形状となるようにプレスされたかどうかについては、例えば、巻回体にプレス痕が存在するかどうかで確認できる。
　フィルムコンデンサ１０は、円柱状の巻回軸を有していてもよい。巻回軸は、巻回状態の第１金属化フィルム１１及び第２金属化フィルム１２の中心軸上に配置されるものであり、第１金属化フィルム１１及び第２金属化フィルム１２を巻回する際の巻軸となるものである。
　第１金属化フィルム１１は、第１誘電体フィルム１３と、第１金属層１５と、を有している。
　第１誘電体フィルム１３は、厚み方向（図２中では、積層方向Ｔ）に対向する第１主面１３ａ及び第２主面１３ｂを有している。
　第１金属層１５は、第１誘電体フィルム１３の第１主面１３ａ上に設けられている。より具体的には、第１金属層１５は、幅方向Ｗにおいて、第１誘電体フィルム１３の一方の側縁に届き、第１誘電体フィルム１３の他方の側縁に届かないように設けられている。
　第２金属化フィルム１２は、第２誘電体フィルム１４と、第２金属層１６と、を有している。
　第２誘電体フィルム１４は、厚み方向（図２中では、積層方向Ｔ）に対向する第１主面１４ａ及び第２主面１４ｂを有している。
　第２金属層１６は、第２誘電体フィルム１４の第１主面１４ａ上に設けられている。より具体的には、第２金属層１６は、幅方向Ｗにおいて、第２誘電体フィルム１４の一方の側縁に届かず、第２誘電体フィルム１４の他方の側縁に届くように設けられている。
　巻回体４０では、第１金属層１５における第１誘電体フィルム１３の側縁に届いている側の端部が巻回体４０の一方の端面に露出し、第２金属層１６における第２誘電体フィルム１４の側縁に届いている側の端部が巻回体４０の他方の端面に露出するように、隣り合う第１金属化フィルム１１及び第２金属化フィルム１２が幅方向Ｗにずれている。
　巻回体４０は、第１金属化フィルム１１と第２金属化フィルム１２とが積層方向Ｔに積層された状態で巻回されてなることから、第１金属層１５、第１誘電体フィルム１３、第２金属層１６、及び、第２誘電体フィルム１４が積層方向Ｔに順に積層された状態で巻回されてなる巻回体である、とも言える。
　巻回体４０では、第１金属化フィルム１１が第２金属化フィルム１２の内側となり、第１金属層１５が第１誘電体フィルム１３の内側となり、第２金属層１６が第２誘電体フィルム１４の内側となるように、第１金属化フィルム１１と第２金属化フィルム１２とが積層方向Ｔに積層された状態で巻回されている。つまり、第１金属層１５と第２金属層１６とは、第１誘電体フィルム１３又は第２誘電体フィルム１４を挟んで互いに対向している。
　第２金属層１６は、第２誘電体フィルム１４の第１主面１４ａ上ではなく、第１誘電体フィルム１３の第２主面１３ｂ上に設けられていてもよい。この場合、巻回体４０では、第１誘電体フィルム１３の第１主面１３ａ上に第１金属層１５が設けられ、かつ、第２主面１３ｂ上に第２金属層１６が設けられた金属化フィルムと、第２誘電体フィルム１４とが積層方向Ｔに積層された状態で巻回されていることになる。
　第１金属層１５及び第２金属層１６には、各々、ヒューズ部が設けられていることが好ましい。
　図４は、ヒューズ部が設けられた金属層の一例を示す平面模式図である。
　図４に示すように、第１金属層１５には、複数の分割電極部６１と、電極部６２と、ヒューズ部６３と、が設けられている。
　複数の分割電極部６１は、絶縁スリット６４により区分されており、巻回体４０において第２金属層１６と対向することになる部分である。
　電極部６２は、絶縁スリット６４を挟んで複数の分割電極部６１に隣り合っており、巻回体４０において第２金属層１６と対向しない部分である。
　ヒューズ部６３は、各々の分割電極部６１と電極部６２とを接続する部分であり、分割電極部６１及び電極部６２よりも細くなっている。
　ヒューズ部が設けられた第１金属層１５の電極パターンは、図４に示した電極パターンの他に、例えば、特開２００４－３６３４３１号公報、特開平５－２５１２６６号公報等に開示された電極パターンであってもよい。ヒューズ部が設けられた第２金属層１６の電極パターンについても同様である。
　第１外部電極４１は、巻回体４０の一方の端面上に設けられ、第１金属層１５の露出端部に接触することで第１金属層１５に接続されている。
　第１金属層１５と第１外部電極４１との接続性の観点から、巻回体４０の一方の端面において、第１金属化フィルム１１は、第２金属化フィルム１２に対して幅方向Ｗに突出していることが好ましい。
　第２外部電極４２は、巻回体４０の他方の端面上に設けられ、第２金属層１６の露出端部に接触することで第２金属層１６に接続されている。
　第２金属層１６と第２外部電極４２との接続性の観点から、巻回体４０の他方の端面において、第２金属化フィルム１２は、第１金属化フィルム１１に対して幅方向Ｗに突出していることが好ましい。
　第１外部電極４１及び第２外部電極４２の構成材料としては、各々、例えば、亜鉛、アルミニウム、スズ、亜鉛－アルミニウム合金等の金属が挙げられる。
　第１外部電極４１及び第２外部電極４２は、各々、好ましくは、巻回体４０の一方の端面及び他方の端面に、上述したような金属を溶射することにより形成される。
　巻回体４０の構成は、図２に示した構成と異なっていてもよい。例えば、第１金属化フィルム１１において第１金属層１５が幅方向Ｗで２つの金属層に分断され、一方の金属層が第１誘電体フィルム１３の一方の側縁に届き、他方の金属層が第１誘電体フィルム１３の他方の側縁に届くように設けられていてもよい。この場合、第１金属層１５において、一方の金属層が第１外部電極４１に接続され、かつ、他方の金属層が第２外部電極４２に接続されつつ、第２金属層１６が第１外部電極４１及び第２外部電極４２の両方に接続されないように設けられると、第１金属層１５と第２金属層１６との間でコンデンサを構成できる。
　本発明のフィルムコンデンサでは、誘電体フィルムとして、本発明のフィルムが使用可能である。
　本発明のフィルムは、水酸基を有する第１有機材料と、芳香族化合物のうちでイソシアネート基を有する第２有機材料との硬化物を含み、かつ、厚み方向に対向する第１主面及び第２主面を有する。
　図５は、本発明のフィルムの一例を示す平面模式図である。図６は、図５中の線分Ｂ１－Ｂ２に対応する部分を示す断面模式図である。
　図５及び図６に示すように、フィルム（誘電体フィルム）１１０は、厚み方向に対向する第１主面１１０ａ及び第２主面１１０ｂを有している。
　フィルム１１０は、水酸基を有する第１有機材料と、芳香族化合物のうちでイソシアネート基を有する第２有機材料との硬化物を含んでいる。より具体的には、フィルム１１０は、第１有機材料の水酸基（ＯＨ基）と第２有機材料のイソシアネート基（ＮＣＯ基）とが反応して得られるウレタン結合を有する硬化物を含んでいる。
　フィルムにおけるウレタン結合の存在については、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ－ＩＲ）で分析することにより確認できる。
　第１有機材料は、分子内に複数の水酸基を有するポリオールであることが好ましい。
　ポリオールとしては、例えば、ポリビニルアセトアセタール等のポリビニルアセタール、フェノキシ樹脂等のポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール等が挙げられる。
　ポリオールとしては、フェノキシ樹脂が好ましい。
　第１有機材料としては、複数種類の材料が併用されてもよい。
　第２有機材料は、芳香族化合物のうちでイソシアネート基を有する、いわゆる芳香族イソシアネートである、とも言える。
　第２有機材料は、第１有機材料の水酸基と反応して架橋構造を形成することにより、フィルム１１０を製造する際に、樹脂溶液を硬化させる硬化剤として機能する。
　第２有機材料は、芳香族化合物のうちで分子内に複数のイソシアネート基を有する、いわゆる芳香族ポリイソシアネートであることが好ましい。
　芳香族ポリイソシアネートとしては、例えば、ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）等が挙げられる。芳香族ポリイソシアネートとしては、これらの芳香族ポリイソシアネートの変性体が用いられてもよい。
　芳香族ポリイソシアネートとしては、ＭＤＩが好ましい。ＭＤＩとしては、例えば、ポリメリックＭＤＩ又はモノメリックＭＤＩを用いることができる。
　第２有機材料としては、複数種類の材料が併用されてもよい。
　フィルム１１０は、図２に示したフィルムコンデンサ１０において、第１誘電体フィルム１３及び第２誘電体フィルム１４の両方に用いられてもよいし、第１誘電体フィルム１３及び第２誘電体フィルム１４の一方に用いられてもよい。フィルム１１０が、図２に示したフィルムコンデンサ１０の第１誘電体フィルム１３及び第２誘電体フィルム１４の両方に用いられる場合、第１誘電体フィルム１３及び第２誘電体フィルム１４の組成は、互いに異なっていてもよいが、互いに同じであることが好ましい。
　フィルム１１０は、第１有機材料及び第２有機材料を含む樹脂溶液を、基材の表面に塗工して乾燥させた後、加熱処理で硬化させることによって製造される。得られたフィルム１１０は、基材から剥離された状態で使用される。
　本発明のフィルムでは、上記第１主面には、上記第２有機材料を有する複数の突起が存在する。
　図５及び図６に示したフィルム１１０では、第１主面１１０ａには、複数の突起１２０が存在している。また、フィルム１１０の第１主面１１０ａには、突起１２０が存在していない平坦部１３０が存在している。
　突起の存在については、フィルムの第１主面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察することにより、黒く見える部分として確認できる。
　突起１２０は、第２有機材料、すなわち、芳香族イソシアネートを有している。より具体的には、突起１２０が有する芳香族イソシアネートは、フィルム１１０が含む硬化物を構成する芳香族イソシアネートに由来している。
　突起１２０が芳香族イソシアネートを有することにより、芳香族イソシアネートの芳香環に起因して突起１２０の硬度が高くなる。よって、フィルム１１０を用いてフィルムコンデンサを製造する際に、フィルム１１０を巻回したり、巻回後にプレスしたりしても、突起１２０が潰れにくくなるため、重なり合うフィルム１１０同士の間に隙間が形成されやすくなる。その結果、絶縁破壊時に、フィルム１１０からの分解ガスがフィルムコンデンサの内部から飛散しやすくなるため、フィルムコンデンサはセルフヒーリング性に優れたものとなる。
　これに対して、突起１２０が脂肪族イソシアネートを有する場合には、突起１２０が芳香族イソシアネートを有する場合と比較して、突起１２０の硬度が低くなる。よって、フィルム１１０を用いてフィルムコンデンサを製造する際に、フィルム１１０を巻回したり、巻回後にプレスしたりすると、突起１２０が潰れやすくなるため、重なり合うフィルム１１０同士の間に隙間が形成されにくくなる。その結果、絶縁破壊時に、フィルム１１０からの分解ガスがフィルムコンデンサの内部から飛散しにくくなるため、フィルムコンデンサのセルフヒーリング性が低下する。
　なお、突起１２０が芳香族イソシアネートを有していても、例えば、フィルム１１０の第１主面１１０ａにおいて、後述するフィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が０．０９９８％よりも低いと、フィルム１１０を巻回してフィルムコンデンサを製造したときに、重なり合うフィルム１１０同士の間に隙間が形成されにくくなるため、フィルムコンデンサのセルフヒーリング性が低下する。
　突起における芳香族イソシアネートの存在については、以下のようにして確認できる。まず、日本分光（ＪＡＳＣＯ）社製のフーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ－ＩＲ）「ＦＴ／ＩＲ－４１００ＳＴ」を用いて、測定波数範囲を５００ｃｍ－１以上、４０００ｃｍ－１以下として、減衰全反射法（ＡＴＲ）で突起の赤外線吸収スペクトルを測定する。そして、突起の赤外線吸収スペクトルにおいて、芳香環の吸収ピークとイソシアネート基の吸収ピークとが検出されることを確認することにより、突起が芳香族イソシアネートを有することを確認できる。例えば、芳香族イソシアネートとしてＭＤＩを用いた場合、赤外線吸収スペクトルでは、芳香環の吸収ピークが１４５０ｃｍ－１以上、１５５０ｃｍ－１以下の波数範囲で検出され、イソシアネート基の吸収ピークが２２００ｃｍ－１以上、２４００ｃｍ－１以下の波数範囲で検出される。
　更に、同様の方法により、平坦部の赤外線吸収スペクトルにおいて、芳香環の吸収ピークとイソシアネート基の吸収ピークとが検出されることを確認することにより、突起が有する芳香族イソシアネートが、フィルムが含む硬化物を構成する芳香族イソシアネートに由来していることを確認できる。
　本発明のフィルムでは、上記第１主面の１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、上記厚み方向での平均高さに位置するフィルム面を定義するとき、上記フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．０４％以下、上記フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．０９９８％以上、１．１３％以下、上記フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下である。
　本発明のフィルムでは、上記フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．００％以上であればよい。また、上記フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．０００％以上であればよい。
　図５及び図６に示したフィルム１１０では、第１主面１１０ａの１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、厚み方向での平均高さに位置するフィルム面を定義するとき、フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．０４％以下、フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．０９９８％以上、１．１３％以下、フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下である。
　フィルム１１０同士を滑らせる際の滑り性を高めるためには、フィルム１１０同士の接触面積を小さくすることが重要である。このような観点から、フィルム１１０では、上述したように、第１主面１１０ａに複数の突起１２０が存在しており、これにより、フィルム１１０同士を滑らせる際に、フィルム１１０同士の接触面積を小さくしようとしている。しかしながら、複数の突起１２０が存在するフィルム１１０の第１主面１１０ａの高さ分布によっては、滑り性及び耐電圧性を両立できないことがある。これに対して、フィルム１１０の第１主面１１０ａの高さ分布について、上述した面積範囲において、厚み方向での平均高さに位置するフィルム面を定義するとき、フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が６．０４％以下、フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が０．０９９８％以上、１．１３％以下、フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合が０．１００％以下であることにより、フィルム１１０は、滑り性及び耐電圧性に優れたものとなる。更に、フィルム１１０の滑り性が優れたものとなることにより、フィルム１１０が巻回されてフィルムコンデンサを構成するときに、プレス性及びセルフヒーリング性が高まる。フィルム１１０の第１主面１１０ａの高さ分布が上述した範囲であるとき、適度な高さを有する複数の突起１２０が第１主面１１０ａに適度な割合で分布していると言える。
　フィルム１１０の第１主面１１０ａにおいて、フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が６．０４％よりも高い場合、電界が集中しやすい高い突起１２０が多く存在することになるため、耐電圧性が低下する。
　フィルム１１０の第１主面１１０ａにおいて、フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が０．０９９８％よりも低い場合、フィルム１１０同士を滑らせる際に、平坦部１３０同士の接触面積が大きくなりやすいため、滑り性が低下する。フィルム１１０の第１主面１１０ａにおいて、フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が１．１３％よりも高い場合、電界が集中しやすい高い突起１２０が多く存在することになるため、耐電圧性が低下する。
　フィルム１１０の第１主面１１０ａにおいて、フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合が０．１００％よりも高い場合、電界が集中しやすい高い突起１２０が多く存在することになるため、耐電圧性が低下する。
　フィルム１１０の第１主面１１０ａの高さ分布について、上述した面積範囲において、厚み方向での平均高さに位置するフィルム面を定義するとき、フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が６．０４％以下、フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が０．０９９８％以上、１．１３％以下、フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合が０．１００％以下であれば、フィルム１１０の第１主面１１０ａには、複数の突起１２０に加えて、複数の凹みが存在していてもよい。
　フィルムの第１主面の高さ分布は、以下のようにして定められる。
　まず、キーエンス社製のレーザー顕微鏡「ＶＫ－８７００」を用いて、フィルムの第１主面を１００倍に拡大し、１００μｍ×１４０μｍの面積範囲を観察する。この際、フィルムの第１主面に、厚みが１０ｎｍであるアルミニウムを予め蒸着しておいてもよい。なお、以下では、上述した面積範囲において、長さが１００μｍである方向を第１方向、長さが１４０μｍである方向を第２方向とする。
　次に、上述した面積範囲を、第１方向１０２４個×第２方向７６８個の合計７８６４３２個のセルに分割する。そして、分割された７８６４３２個のセルの各々について、キーエンス社製のレーザー顕微鏡「ＶＫ－８７００」の専用解析ソフト「ＶＫ－ａｎａｌｙｚｅｒ」を用いて、厚み方向での高さデータ（セル内での高さの平均値）を取得する。その後、７８６４３２個の高さデータの平均値を算出し、得られた平均値を、フィルムにおける厚み方向での平均高さとする。また、厚み方向での平均高さに位置する仮想的な面を、フィルム面と定義する。
　そして、フィルム面よりも０．０５μｍ以上の範囲で高い高さデータを有するセルの個数Ｊ１を数え、フィルム面よりも０．０５μｍ以上の範囲で高いセルの面積割合Ｋ１を、「１００×Ｊ１／７８６４３２」として算出する。また、フィルム面よりも０．２０μｍ以上の範囲で高い高さデータを有するセルの個数Ｊ２を数え、フィルム面よりも０．２０μｍ以上の範囲で高いセルの面積割合Ｋ２を、「１００×Ｊ２／７８６４３２」として算出する。更に、フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い高さデータを有するセルの個数Ｊ３を数え、フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高いセルの面積割合Ｋ３を、「１００×Ｊ３／７８６４３２」として算出する。
　その後、得られた各面積割合を基に、フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合を、「Ｋ１－Ｋ２」として算出する。また、フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合を、「Ｋ２－Ｋ３」として算出する。更に、フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合を、「Ｋ３」とする。このようにして、フィルムの第１主面の高さ分布を定める。
　突起１２０の平面形状は、図５に示すような円形状であってもよいし、楕円形状であってもよいし、他の形状であってもよい。
　突起１２０の平面形状は、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
　突起１２０の断面形状は、図６に示すようなテーパー形状であってもよいし、テーパー形状以外の形状であってもよい。
　突起１２０の断面形状は、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
　突起１２０の頂面は、図６に示すように窪んでいることが好ましい。この場合、フィルム１１０同士を滑らせる際に、突起１２０同士の接触面積が小さくなりやすいため、滑り性が高まりやすくなる。なお、突起１２０の頂面は、窪んでいなくてもよい。
　なお、突起１２０は、先端が尖っている形状であってもよいし、先端が丸みを帯びている形状であってもよい。
　フィルム１１０の第２主面１１０ｂには、突起が存在していないが、複数の突起が存在していてもよい。この場合、フィルム１１０の第２主面１１０ｂの高さ分布については、第２主面１１０ｂの１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、厚み方向での平均高さに位置するフィルム面を定義するとき、フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．０４％以下、フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．０９９８％以上、１．１３％以下、フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下であることが好ましい。このとき、フィルム１１０の第２主面１１０ｂには、複数の突起に加えて、複数の凹みが存在していてもよい。
　フィルムの第２主面の高さ分布は、観察対象をフィルムの第２主面とすること以外、フィルムの第１主面の高さ分布と同様に定められる。
　本発明のフィルムでは、上記第１主面側での静摩擦係数が１．０以下であることが好ましい。
　図５及び図６に示したフィルム１１０では、第１主面１１０ａ側での静摩擦係数が１．０以下であることが好ましい。この場合、フィルム１１０の滑り性が非常に優れたものとなる。
　一方、フィルム１１０の第１主面１１０ａ側での静摩擦係数が小さくなり過ぎると、フィルム１１０を巻回してフィルムコンデンサを製造する際に、幅方向にフィルム１１０の巻きずれが生じてしまい、後の工程で、得られた巻回体の端面上に外部電極を形成しにくくなることがある。このような観点から、フィルム１１０の第１主面１１０ａ側での静摩擦係数は、好ましくは０．１以上である。
　フィルムの静摩擦係数は、以下のようにして定められる。まず、測定用試料として、フィルムを２枚準備する。ここで、各測定用試料の両主面について、製造時に、基材側であった主面を離型面、基材と反対側であった主面を乾燥面と定義する。より具体的には、各測定試料について、乾燥面は第１主面に該当し、離型面は第２主面に該当する。また、各測定用試料の長さ方向は、フィルムコンデンサの製造過程においてフィルムに引っ張り応力が加わる方向、例えば、フィルムの巻回方向と同じであることが好ましい。次に、２枚の測定用試料のうち、一方の測定用試料について、離型面に角形状の板を固定し、乾燥面が露出するようにする。また、他方の測定用試料について、乾燥面に重さ２００ｇの角形状の重りを貼り付け、離型面が露出するようにする。その後、乾燥面に重りが貼り付けられた状態である他方の測定用試料の離型面を、離型面に板が固定された状態である一方の測定用試料の乾燥面に、長さ方向が互いに平行となるように当接させる。そして、他方の測定用試料の乾燥面に貼り付けられた重りを、イマダ社製のフォースゲージに取り付けた後、長さ方向に１５０ｍｍ／分の速度で引っ張る。この際、重りが他方の測定用試料とともに移動し始めるまでの最大摩擦力を読み取り、その値から静摩擦係数を算出する。
　フィルム１１０では、ガラス転移点が１３０℃以上であることが好ましい。この場合、フィルム１１０の耐熱性が優れたものとなり、フィルム１１０で構成されるフィルムコンデンサの保証温度を、例えば、１２５℃以上と高くすることができる。
　フィルムのガラス転移点は、以下のようにして定められる。まず、ＴＡ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製の動的粘弾性測定（ＤＭＡ）装置「ＲＳＡ－ＩＩＩ」を用いて、フィルムを昇温速度１０℃／分で室温から２５０℃まで昇温させながら、測定周波数を１０ｒａｄ／秒、ｓｔｒａｉｎを０．１％とする測定条件下で、フィルムの貯蔵弾性率及び損失弾性率を測定する。そして、損失弾性率／貯蔵弾性率で表される損失正接（ｔａｎδ）が最大ピーク値を示す温度を、ガラス転移点と定める。
　フィルム１１０の厚みＳは、好ましくは１μｍ以上、１０μｍ以下であり、より好ましくは３μｍ以上、５μｍ以下である。
　フィルムの厚みＳは、図６に示すように、突起１２０が存在していない位置で定められる厚みである。
　フィルムの厚みについては、光学式膜厚計を用いて測定できる。
　本発明のフィルムは、少なくとも第１主面上に金属層が設けられることで金属化フィルムとなり、本発明のフィルムコンデンサを構成可能となる。
　図７は、本発明のフィルムコンデンサを構成する金属化フィルムの一例を示す平面模式図である。図８は、図７中の線分Ｃ１－Ｃ２に対応する部分を示す断面模式図である。
　図７及び図８に示すように、金属化フィルム２１０は、図５及び図６に示したフィルム１１０と、フィルム１１０の第１主面１１０ａ上に設けられた金属層２２０と、を有している。
　本発明のフィルムコンデンサでは、上記誘電体フィルムの上記第１主面には、上記第２有機材料を有する複数の突起が存在する。
　図８に示したフィルム１１０では、図５及び図６に示したフィルム１１０と同様に、第１主面１１０ａには、第２有機材料、すなわち、芳香族イソシアネートを有する複数の突起１２０が存在している。また、フィルム１１０の第１主面１１０ａには、突起１２０が存在していない平坦部１３０が存在している。
　突起１２０が芳香族イソシアネートを有することにより、フィルム１１０の第１主面１１０ａ上に金属層２２０が設けられた金属化フィルム２１０で構成されるフィルムコンデンサを、セルフヒーリング性に優れたものとすることができる。
　本発明のフィルムコンデンサの第１態様では、上記誘電体フィルムの上記第１主面の１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、上記厚み方向での平均高さに位置するフィルム面を定義するとき、上記フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．０４％以下、上記フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．０９９８％以上、１．１３％以下、上記フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下である。このように、本発明のフィルムコンデンサの第１態様では、上記複数の突起が存在する上記誘電体フィルムの上記第１主面の高さ分布に着目している。
　本発明のフィルムコンデンサの第１態様では、上記フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．００％以上であればよい。また、上記フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．０００％以上であればよい。
　図８に示したフィルム１１０では、図５及び図６に示したフィルム１１０と同様に、第１主面１１０ａの１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、厚み方向での平均高さに位置するフィルム面を定義するとき、フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．０４％以下、フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．０９９８％以上、１．１３％以下、フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下である。
　フィルム１１０の第１主面１１０ａの上述した面積範囲において、厚み方向での平均高さに位置するフィルム面を定義するとき、フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が６．０４％以下、フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が０．０９９８％以上、１．１３％以下、フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合が０．１００％以下であることにより、フィルム１１０は、滑り性及び耐電圧性に優れたものとなる。更に、フィルム１１０の滑り性が優れたものとなることにより、フィルム１１０が巻回されてフィルムコンデンサを構成するときに、プレス性及びセルフヒーリング性が高まる。
　フィルムコンデンサにおいて、フィルムの第１主面の高さ分布を測定する際、フィルムコンデンサの最表面に位置する金属化フィルムで金属層が設けられていない領域に対して、上述した方法により測定を行う。この際、測定領域の表面にマスキングオイルが付着している場合は、ヘキサン、トルエン等の溶剤を用いてマスキングオイルを除去した状態で測定を行うことが好ましい。
　本発明のフィルムコンデンサでは、金属化フィルムとして、本発明の金属化フィルムが使用可能である。
　本発明の金属化フィルムは、水酸基を有する第１有機材料と、芳香族化合物のうちでイソシアネート基を有する第２有機材料との硬化物を含み、かつ、厚み方向に対向する第１主面及び第２主面を有するフィルムと、上記フィルムの少なくとも上記第１主面上に設けられた金属層と、を備える。また、本発明の金属化フィルムでは、上記フィルムの上記第１主面には、上記第２有機材料を有する複数の突起が存在する。更に、本発明の金属化フィルムでは、上記フィルムの上記第１主面上に設けられた上記金属層における、上記フィルムの上記第１主面と反対側の表面には、上記複数の突起に沿う複数の凸部が存在する。
　本発明のフィルムコンデンサの第１態様では、後述する本発明のフィルムコンデンサの第２態様と同様に、上記誘電体フィルムの上記第１主面上に設けられた上記金属層における、上記誘電体フィルムの上記第１主面と反対側の表面には、上記複数の突起に沿う複数の凸部が存在することが好ましい。
　本発明のフィルムコンデンサの第１態様では、上記誘電体フィルムの上記第１主面上に設けられた上記金属層の上記表面に、上記複数の凸部が存在する場合、後述する本発明のフィルムコンデンサの第２態様と同様に、上記金属層の上記表面の１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、上記厚み方向での平均高さに位置する金属層面を定義するとき、上記金属層面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．１７％以下、上記金属層面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．１１８％以上、１．２４％以下、上記金属層面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下であることが好ましい。
　本発明のフィルムコンデンサの第２態様では、上記誘電体フィルムの上記第１主面上に設けられた上記金属層における、上記誘電体フィルムの上記第１主面と反対側の表面には、上記複数の突起に沿う複数の凸部が存在する。
　図７及び図８に示した金属化フィルム２１０では、金属層２２０における、フィルム１１０の第１主面１１０ａと反対側の表面２２０ａには、複数の突起１２０に沿う複数の凸部２３０が存在している。また、金属層２２０の表面２２０ａには、凸部２３０が存在していない平坦部２４０が存在している。
　凸部の存在については、金属層の表面を走査型電子顕微鏡で観察することにより、黒く見える部分として確認できる。
　本発明の金属化フィルムでは、上記金属層の上記表面の１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、上記厚み方向での平均高さに位置する金属層面を定義するとき、上記金属層面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．１７％以下、上記金属層面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．１１８％以上、１．２４％以下、上記金属層面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下である。
　本発明の金属化フィルムでは、上記金属層面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．００％以上であればよい。また、上記金属層面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．０００％以上であればよい。
　本発明のフィルムコンデンサの第２態様では、上記金属層の上記表面の１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、上記厚み方向での平均高さに位置する金属層面を定義するとき、上記金属層面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．１７％以下、上記金属層面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．１１８％以上、１．２４％以下、上記金属層面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下である。このように、本発明のフィルムコンデンサの第２態様では、上記複数の凸部が存在する上記金属層の上記表面の高さ分布に着目している。
　本発明のフィルムコンデンサの第２態様では、上記金属層面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．００％以上であればよい。また、上記金属層面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．０００％以上であればよい。
　図７及び図８に示した金属化フィルム２１０では、金属層２２０の表面２２０ａの１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、厚み方向での平均高さに位置する金属層面を定義するとき、金属層面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．１７％以下、金属層面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．１１８％以上、１．２４％以下、金属層面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下である。
　金属層２２０の表面２２０ａの上述した面積範囲において、厚み方向での平均高さに位置する金属層面を定義するとき、金属層面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が６．１７％以下、金属層面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が０．１１８％以上、１．２４％以下、金属層面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合が０．１００％以下であることにより、金属化フィルム２１０は、滑り性及び耐電圧性に優れたものとなる。更に、金属化フィルム２１０の滑り性が優れたものとなることにより、金属化フィルム２１０が巻回されてフィルムコンデンサを構成するときに、プレス性及びセルフヒーリング性が高まる。金属層２２０の表面２２０ａの高さ分布が上述した範囲であるとき、適度な高さを有する複数の凸部２３０が表面２２０ａに適度な割合で分布していると言える。
　金属層２２０の表面２２０ａにおいて、金属層面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が６．１７％よりも高い場合、電界が集中しやすい高い凸部２３０が多く存在することになるため、耐電圧性が低下する。
　金属層２２０の表面２２０ａにおいて、金属層面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が０．１１８％よりも低い場合、金属化フィルム２１０同士を滑らせる際に、平坦部２４０同士の接触面積が大きくなりやすいため、滑り性が低下する。金属層２２０の表面２２０ａにおいて、金属層面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が１．２４％よりも高い場合、電界が集中しやすい高い凸部２３０が多く存在することになるため、耐電圧性が低下する。
　金属層２２０の表面２２０ａにおいて、金属層面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合が０．１００％よりも高い場合、電界が集中しやすい高い凸部２３０が多く存在することになるため、耐電圧性が低下する。
　金属層２２０の表面２２０ａの高さ分布について、上述した面積範囲において、厚み方向での平均高さに位置する金属層面を定義するとき、金属層面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が６．１７％以下、金属層面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が０．１１８％以上、１．２４％以下、金属層面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合が０．１００％以下であれば、金属層２２０の表面２２０ａには、複数の凸部２３０に加えて、複数の凹みが存在していてもよい。
　金属層の表面の高さ分布は、観察対象を金属層の表面とすること以外、フィルムの第１主面の高さ分布と同様に定められる。
　フィルムコンデンサにおいて、金属層の表面の高さ分布を測定する際、フィルムコンデンサの最表面に位置する金属化フィルムの所定の領域で測定を行う。
　図３に示した巻回体４０では、最表面に位置する第２金属化フィルム１２の領域Ｌにおいて、第２金属層１６が設けられた状態で、上述した方法により、第２金属層１６の表面の高さ分布を測定することが好ましい。ここで、第２金属化フィルム１２の領域Ｌは、幅方向Ｗ及び長さ方向（巻回方向）における長さがともにＭである正方形状である。また、第２金属化フィルム１２の端辺Ｎの中心点Ｐを通り、長さ方向に延びる中心線Ｑを定義するとき、第２金属化フィルム１２の領域Ｌは、中心線Ｑに対して幅方向Ｗに線対称である。第２金属化フィルム１２の領域Ｌの長さＭは、第２金属化フィルム１２の端辺Ｎの長さの１０％である。
　本発明の金属化フィルムでは、上記フィルムの上記第１主面上に設けられた上記金属層の上記表面側での静摩擦係数は、１．４以下であることが好ましい。
　本発明のフィルムコンデンサの第１態様では、上記誘電体フィルムの上記第１主面上に設けられた上記金属層の上記表面に、上記複数の凸部が存在する場合、上記誘電体フィルムの上記第１主面上に設けられた上記金属層の上記表面側での静摩擦係数は、１．４以下であることが好ましい。
　本発明のフィルムコンデンサの第２態様では、上記誘電体フィルムの上記第１主面上に設けられた上記金属層の上記表面側での静摩擦係数は、１．４以下であることが好ましい。
　図７及び図８に示した金属化フィルム２１０では、金属層２２０の表面２２０ａ側での静摩擦係数は、１．４以下であることが好ましい。この場合、金属化フィルム２１０の滑り性が非常に優れたものとなる。
　一方、金属化フィルム２１０において、金属層２２０の表面２２０ａ側での静摩擦係数が小さくなり過ぎると、金属化フィルム２１０を巻回してフィルムコンデンサを製造する際に、幅方向に金属化フィルム２１０の巻きずれが生じてしまい、後の工程で、得られた巻回体の端面上に外部電極を形成しにくくなることがある。このような観点から、金属化フィルム２１０において、金属層２２０の表面２２０ａ側での静摩擦係数は、好ましくは０．２以上である。
　金属化フィルムの静摩擦係数は、測定用試料として金属化フィルムを用いること以外、フィルムの静摩擦係数と同様に定められる。
　金属層２２０の構成材料としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、チタン、マグネシウム、スズ、ニッケル等の金属が挙げられる。
　金属層２２０の厚みは、好ましくは５ｎｍ以上、４０ｎｍ以下である。
　金属層の厚みについては、金属化フィルムの厚み方向における切断面を、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて観察することにより特定できる。
　本発明のフィルムは、例えば、以下の方法で製造される。
＜樹脂溶液の作製工程＞
　水酸基を有する第１有機材料と、芳香族化合物のうちでイソシアネート基を有する第２有機材料とを混合することにより、樹脂溶液を作製する。
　第１有機材料及び第２有機材料としては、上述したものが用いられる。
　樹脂溶液を作製する際には、第１有機材料及び第２有機材料を溶剤で希釈させてもよい。特に、ケトン類から選択される第１溶剤と環状エーテル化合物から選択される第２溶剤とを含む混合溶剤で、第１有機材料及び第２有機材料を希釈させることが好ましい。
　第１溶剤が選択されるケトン類としては、例えば、メチルエチルケトン、ジエチルケトン等が挙げられる。
　第１溶剤としては、複数種類のケトン類が併用されてもよい。
　第２溶剤が選択される環状エーテル化合物としては、例えば、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等が挙げられる。
　第２溶剤としては、複数種類の環状エーテル化合物が併用されてもよい。
　溶剤としては、メチルエチルケトン及びテトラヒドロフランを含む混合溶剤を用いることが好ましい。
＜樹脂溶液の乾燥・硬化工程＞
　まず、樹脂溶液を、基材の表面に塗工する。
　基材としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム等が挙げられる。
　次に、得られた樹脂溶液の塗膜を乾燥炉で乾燥させた後、加熱処理で硬化させる。これにより、フィルムを基材の表面上に作製する。
　この際、樹脂溶液の塗膜に対して、乾燥炉での乾燥温度、乾燥時間、風量等を調整することにより、塗膜における基材と反対側の主面である乾燥面に、第２有機材料、すなわち、芳香族イソシアネートを凝集させ、その凝集物として複数の突起を生じさせて、更に、これらの突起の高さ等を制御する。その結果、塗膜を硬化させることにより得られたフィルムの状態で、乾燥面に該当する第１主面の１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、厚み方向での平均高さに位置するフィルム面を定義するとき、フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が６．０４％以下、フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合が０．０９９８％以上、１．１３％以下、フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合が０．１００％以下となるように、フィルムの第１主面の高さ分布を制御できる。
　塗膜の乾燥温度は、７０℃以上、１５０℃以下の範囲で調整されることが好ましい。
　塗膜の乾燥時間は、塗膜付きの基材を乾燥炉内で搬送する搬送速度により調整可能である。搬送速度は、１００ｍ／分以上、１６０ｍ／分以下の範囲で調整されることが好ましい。
　なお、得られたフィルムは、基材から剥離された状態で使用される。上述したように、フィルムの第１主面は、塗膜における基材と反対側の主面であった乾燥面に該当する。また、フィルムの第２主面は、塗膜における基材側の主面であった離型面に該当する。
　以上により、図５及び図６に示したようなフィルムを作製する。
　本発明の金属化フィルムは、例えば、以下の方法で製造される。
＜金属化フィルムの作製工程＞
　まず、上述した本発明のフィルムの製造方法により、第１誘電体フィルム及び第２誘電体フィルムとして、図５及び図６に示したようなフィルムを作製する。
　次に、第１誘電体フィルムの第１主面に金属を蒸着して第１金属層を形成することにより、第１金属化フィルムを作製する。この際、第１金属層における、第１誘電体フィルムの第１主面と反対側の表面に、第１誘電体フィルムの複数の突起に沿う複数の凸部が存在するように、第１金属層を形成する。更に、幅方向において、第１誘電体フィルムの一方の側縁に届き、第１誘電体フィルムの他方の側縁に届かないように、第１金属層を形成する。
　また、第２誘電体フィルムの第１主面に金属を蒸着して第２金属層を形成することにより、第２金属化フィルムを作製する。この際、第２金属層における、第２誘電体フィルムの第１主面と反対側の表面に、第２誘電体フィルムの複数の突起に沿う複数の凸部が存在するように、第２金属層を形成する。更に、幅方向において、第２誘電体フィルムの一方の側縁に届かず、第２誘電体フィルムの他方の側縁に届くように、第２金属層を形成する。
　本工程により、第１金属化フィルム及び第２金属化フィルムとして、図７及び図８に示したような金属化フィルムを作製する。
　本発明のフィルムコンデンサは、例えば、以下の方法で製造される。
＜巻回体の作製工程＞
　まず、上述した本発明の金属化フィルムの製造方法により、第１金属化フィルム及び第２金属化フィルムとして、図７及び図８に示したような金属化フィルムを作製する。
　次に、第１金属化フィルム及び第２金属化フィルムを、幅方向に所定の距離だけずらした状態で重ねた後、巻回することにより巻回体を作製する。なお、必要に応じて、得られた巻回体を幅方向に垂直な方向から挟んで楕円円筒形状にプレスしてもよい。
＜外部電極の形成工程＞
　巻回体の一方の端面に金属を溶射することにより、第１外部電極を、第１金属層に接続されるように形成する。
　また、巻回体の他方の端面に金属を溶射することにより、第２外部電極を、第２金属層に接続されるように形成する。
　以上により、図１及び図２に示したようなフィルムコンデンサを製造する。
　本発明のフィルムコンデンサは、公知の用途に適用できるが、高温での温度変化が大きい環境下で用いられる機器の長寿命化を図れるため、自動車、産業機器等に搭載される、電動コンプレッサー／ポンプ、チャージャー、ＤＣ－ＤＣコンバータ、駆動用インバータ等のパワー用エレクトロニクス機器に好適に用いられる。
　以下、本発明のフィルムコンデンサと、本発明のフィルムと、本発明の金属化フィルムとをより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
　フィルム試料１～７を、以下の方法で製造した。
＜樹脂溶液の作製工程＞
　フェノキシ樹脂とＭＤＩとを、メチルエチルケトン及びテトラヒドロフランの混合溶剤で希釈して混合することにより、樹脂溶液を作製した。
＜樹脂溶液の乾燥・硬化工程＞
　まず、樹脂溶液を、グラビアコーターを用いてポリエチレンテレフタレートフィルムの表面に塗工した。
　次に、得られた樹脂溶液の塗膜を乾燥炉で乾燥させた後、一定時間の加熱処理で硬化させた。これにより、厚みが４．５μｍであるフィルム試料１～７を、ポリエチレンテレフタレートフィルムの表面上に作製した。
　この際、樹脂溶液の塗膜に対して、乾燥温度を７０℃以上、１５０℃以下の範囲で調整し、また、乾燥炉内での搬送速度を１００ｍ／分以上、１６０ｍ／分以下の範囲で調整することにより、フィルム試料の第１主面において、ＭＤＩを有する突起の生成具合、更には、突起の高さ等を制御した。これにより、フィルム試料の第１主面の高さ分布を、フィルム試料１～７で異ならせた。
　その後、得られたフィルム試料１～７を、ポリエチレンテレフタレートフィルムから剥離した。
　また、フィルム試料１～７を製造する際に用いた樹脂溶液において、ＭＤＩの代わりに脂肪族ポリイソシアネートであるヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）を配合し、フィルム試料１～７と同様の方法でフィルム試料８を製造した。
　また、フィルム試料１～７を製造する際と同様の樹脂溶液を用いて、第１主面に突起が存在しないフィルム試料９を製造した。更に、フィルム試料９を製造する際に用いた樹脂溶液にフィラーを更に配合し、フィラーの配合割合を変化させることにより、フィルム試料１０～１２を製造した。フィラーの配合割合については、フェノキシ樹脂及びＭＤＩの合計重量に対して、フィルム試料１０では１重量％、フィルム試料１１では３重量％、フィルム試料１２では１０重量％とした。フィラーとしては、綜研化学社製のアクリルビーズ「ＭＰ－１４５１」（平均粒径：０．１５μｍ）を用いた。
［評価］
　フィルム試料１～７については、上述した方法により、突起がＭＤＩを有することを確認した。フィルム試料８については、突起がＨＤＩを有することを確認した。フィルム試料９については、第１主面に突起が存在していないことを確認した。フィルム試料１０～１２については、フィラーに起因して第１主面が荒れていることを確認した。
　更に、フィルム試料１～１２について、以下の評価を行った。結果を、表１に示す。なお、表１では、フィルム試料を単に「試料」と表記する。
＜高さ分布＞
　フィルム試料１～１２について、上述した方法により、フィルム試料の第１主面の高さ分布として、フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合と、フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合と、フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合とを測定した。なお、表１では、フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合を「面積割合１」、フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合を「面積割合２」、フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合を「面積割合３」と表記する。
　また、フィルム試料１～１２の第１主面にアルミニウムを蒸着して金属層を形成することにより、金属化フィルムを作製した。そして、得られた金属化フィルムについて、上述した方法により、金属層の表面の高さ分布として、金属層面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合と、金属層面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合と、金属層面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合とを測定した。なお、表１では、金属層面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合を「面積割合１’」、金属層面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合を「面積割合２’」、金属層面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合を「面積割合３’」と表記する。
＜ガラス転移点＞
　フィルム試料１～８について、上述した方法により、ガラス転移点を測定した。
＜静摩擦係数１＞
　フィルム試料１～１２について、上述した方法により、静摩擦係数を測定した。なお、表１では、フィルムの状態での静摩擦係数を「静摩擦係数１」と表記する。
＜静摩擦係数２＞
　フィルム試料１～１２の第１主面にアルミニウムを蒸着して金属層を形成することにより、金属化フィルムを作製した。そして、得られた金属化フィルムについて、上述した方法により、静摩擦係数を測定した。なお、表１では、金属化フィルムの状態での静摩擦係数を「静摩擦係数２」と表記する。
＜絶縁破壊電圧＞
　まず、フィルム試料１～１２の両主面にアルミニウムを蒸着して金属層を形成することにより、測定用試料を作製した。この際、フィルム試料の両主面に蒸着された金属層が互いに重なる領域の面積を、３ｃｍ２とした。このような測定用試料を、フィルム試料１～１２の各々に対して、１６個ずつ作製した。次に、１６個の測定用試料に対して、電界強度２５Ｖ／μｍ刻みで各電界強度を１０分間保持し、フィルム試料に破壊痕が８個生じたときの電界強度を故障電圧とした。測定温度については、１２５℃とした。そして、１６個の測定用試料の故障電圧をワイブルプロットし、そのワイブル分布で故障頻度が５０％となる値を、フィルム試料の絶縁破壊電圧として採用した。
＜プレス性＞
　まず、フィルム試料１～１２の第１主面にアルミニウムを蒸着して金属層を形成することにより、金属化フィルムを作製した。この際、金属層にパターンを付けるため、フィルム試料の第１主面にフッ素系オイルを予め塗布した。次に、金属化フィルムを所定の幅に切り出した後、所定の長さ分だけ円筒状に巻回して巻回体を作製した。そして、巻回体の大きさに応じて、１０Ｎ以上、１００Ｎ以下の範囲で加圧力を適宜調整しながら巻回体をプレスした後、巻回体が均一にプレスされたかどうかを評価した。評価指標については、巻回体を幅方向から見た際に（図３参照）、巻きの中心にある空隙部の内側に沿ったフィルムにシワ・折れが無かった場合を○（良）、巻きの中心にある空隙部の内側に沿ったフィルムにシワ・折れがあった場合を×（不可）とした。
＜セルフヒーリング性＞
　まず、フィルム試料１～１２の第１主面にアルミニウムを蒸着して金属層を形成することにより、金属化フィルムを作製した。この際、金属層にパターンを付けるため、フィルム試料の第１主面にフッ素系オイルを予め塗布した。次に、金属化フィルムを所定の幅に切り出した後、所定の長さ分だけ円筒状に巻回して巻回体を作製した。そして、得られた巻回体の両端面に金属を溶射して外部電極を形成することにより、フィルムコンデンサを作製した。その後、得られたフィルムコンデンサに電圧を印加しつつ、その印加電圧を徐々に上げていき、絶縁破壊時に印加電圧が瞬間的に低下しても、元の印加電圧に復帰するかどうかを評価した。評価指標については、元の印加電圧に復帰した場合を○（良）、元の印加電圧に復帰しなかった場合を×（不可）とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１において、試料名に＊を付したものは、本発明の範囲外の比較例である。
　以上により、フィルム試料１～３では、芳香族イソシアネートを有する突起が第１主面に存在し、更に、面積割合１が６．０４％以下、面積割合２が０．０９９８％以上、１．１３％以下、面積割合３が０．１００％以下であることが確認された。また、フィルム試料１～３の第１主面に金属層を蒸着して金属化フィルムとした状態では、金属層の表面の高さ分布について、面積割合１’が６．１７％以下、面積割合２’が０．１１８％以上、１．２４％以下、面積割合３’が０．１００％以下であることが確認された。このようなフィルム試料１～３によれば、優れた滑り性及び耐電圧性が得られ、更に、フィルムコンデンサのプレス性及びセルフヒーリング性を優れたものとすることができた。より具体的には、フィルム試料１～３によれば、静摩擦係数１及び静摩擦係数２が低いことによる非常に優れた滑り性と、絶縁破壊電圧が３００Ｖ／μｍ以上という非常に優れた耐電圧性とが得られ、更に、フィルムコンデンサのプレス性及びセルフヒーリング性を優れたものとすることができた。また、フィルム試料１～３では、ガラス転移点が１３０℃以上であり、耐熱性も優れていた。
　フィルム試料４では、面積割合２が０．０９９８％よりも低かった。また、フィルム試料４の第１主面に金属層を蒸着して金属化フィルムとした状態では、面積割合２’が０．１１８％よりも低かった。そのため、フィルム試料４によれば、フィルム試料１～３と比較して、静摩擦係数１及び静摩擦係数２が高くなり、フィルムコンデンサのプレス性及びセルフヒーリング性を優れたものとすることができなかった。
　フィルム試料５では、面積割合２が１．１３％よりも高かった。また、フィルム試料５の第１主面に金属層を蒸着して金属化フィルムとした状態では、面積割合２’が１．２４％よりも高かった。そのため、フィルム試料５によれば、フィルム試料１～３と比較して、絶縁破壊電圧が低くなった。
　フィルム試料６では、面積割合１が６．０４％よりも高かった。また、フィルム試料６の第１主面に金属層を蒸着して金属化フィルムとした状態では、面積割合１’が６．１７％よりも高かった。そのため、フィルム試料６によれば、フィルム試料１～３と比較して、絶縁破壊電圧が低くなった。
　フィルム試料７では、面積割合３が０．１００％よりも高かった。また、フィルム試料７の第１主面に金属層を蒸着して金属化フィルムとした状態では、面積割合３’が０．１００％よりも高かった。そのため、フィルム試料７によれば、フィルム試料１～３と比較して、絶縁破壊電圧が低くなった。
　フィルム試料８では、突起が脂肪族イソシアネートを有していたため、フィルムコンデンサのセルフヒーリング性を優れたものとすることができなかった。
　フィルム試料９では、突起が存在しなかった。また、フィルム試料９の第１主面に金属層を蒸着して金属化フィルムとした状態では、凸部が存在しなかった。そのため、フィルム試料９によれば、フィルム試料１～３と比較して、静摩擦係数１及び静摩擦係数２が高くなり、フィルムコンデンサのプレス性及びセルフヒーリング性を優れたものとすることができなかった。なお、フィルム試料９では、第１主面が全体的になだらかに凹んでいたため、面積割合１及び面積割合２が０％ではなかった。また、フィルム試料９の第１主面に金属層を蒸着して金属化フィルムとした状態では、金属層の表面が全体的になだらかに凹んでいたため、面積割合１’及び面積割合２’が０％ではなかった。
　フィルム試料１０～１２では、フィラーが配合されていたため、フィルム試料１～３と比較して、絶縁破壊電圧が低かった。また、フィルム試料１０によれば、フィルム試料１～３と比較して、静摩擦係数１及び静摩擦係数２が高くなり、フィルムコンデンサのプレス性及びセルフヒーリング性を優れたものとすることができなかった。
１０　フィルムコンデンサ
１１　第１金属化フィルム
１２　第２金属化フィルム
１３　第１誘電体フィルム
１３ａ　第１誘電体フィルムの第１主面
１３ｂ　第１誘電体フィルムの第２主面
１４　第２誘電体フィルム
１４ａ　第２誘電体フィルムの第１主面
１４ｂ　第２誘電体フィルムの第２主面
１５　第１金属層
１６　第２金属層
４０　巻回体
４１　第１外部電極
４２　第２外部電極
６１　分割電極部
６２　電極部
６３　ヒューズ部
６４　絶縁スリット
１１０　フィルム（誘電体フィルム）
１１０ａ　フィルムの第１主面
１１０ｂ　フィルムの第２主面
１２０　フィルムの突起
１３０　フィルムの平坦部
２１０　金属化フィルム
２２０　金属層
２２０ａ　金属層の表面
２３０　金属層の凸部
２４０　金属層の平坦部
Ｌ　第２金属化フィルムの領域
Ｍ　第２金属化フィルムの領域の長さ
Ｎ　第２金属化フィルムの端辺
Ｐ　第２金属化フィルムの端辺の中心点
Ｑ　中心線
Ｓ　フィルムの厚み
Ｔ　積層方向
Ｗ　幅方向

Claims (11)

  1. 　水酸基を有する第１有機材料と、芳香族化合物のうちでイソシアネート基を有する第２有機材料との硬化物を含み、かつ、厚み方向に対向する第１主面及び第２主面を有する誘電体フィルムと、前記誘電体フィルムの少なくとも前記第１主面上に設けられた金属層とが巻回されてなる巻回体を備え、
    　前記誘電体フィルムの前記第１主面には、前記第２有機材料を有する複数の突起が存在し、
    　前記誘電体フィルムの前記第１主面の１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、前記厚み方向での平均高さに位置するフィルム面を定義するとき、前記フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．０４％以下、前記フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．０９９８％以上、１．１３％以下、前記フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下である、ことを特徴とするフィルムコンデンサ。
  2. 　前記誘電体フィルムの前記第１主面上に設けられた前記金属層における、前記誘電体フィルムの前記第１主面と反対側の表面には、前記複数の突起に沿う複数の凸部が存在する、請求項１に記載のフィルムコンデンサ。
  3. 　前記誘電体フィルムの前記第１主面上に設けられた前記金属層の前記表面側での静摩擦係数は、１．４以下である、請求項２に記載のフィルムコンデンサ。
  4. 　前記巻回体の巻軸方向に垂直な断面を見たときに、前記巻回体の断面形状は、扁平形状である、請求項１～３のいずれかに記載のフィルムコンデンサ。
  5. 　水酸基を有する第１有機材料と、芳香族化合物のうちでイソシアネート基を有する第２有機材料との硬化物を含み、かつ、厚み方向に対向する第１主面及び第２主面を有する誘電体フィルムと、前記誘電体フィルムの少なくとも前記第１主面上に設けられた金属層とが巻回されてなる巻回体を備え、
    　前記誘電体フィルムの前記第１主面には、前記第２有機材料を有する複数の突起が存在し、
    　前記誘電体フィルムの前記第１主面上に設けられた前記金属層における、前記誘電体フィルムの前記第１主面と反対側の表面には、前記複数の突起に沿う複数の凸部が存在し、
    　前記金属層の前記表面の１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、前記厚み方向での平均高さに位置する金属層面を定義するとき、前記金属層面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．１７％以下、前記金属層面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．１１８％以上、１．２４％以下、前記金属層面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下である、ことを特徴とするフィルムコンデンサ。
  6. 　前記誘電体フィルムの前記第１主面上に設けられた前記金属層の前記表面側での静摩擦係数は、１．４以下である、請求項５に記載のフィルムコンデンサ。
  7. 　前記巻回体の巻軸方向に垂直な断面を見たときに、前記巻回体の断面形状は、扁平形状である、請求項５又は６に記載のフィルムコンデンサ。
  8. 　水酸基を有する第１有機材料と、芳香族化合物のうちでイソシアネート基を有する第２有機材料との硬化物を含み、かつ、厚み方向に対向する第１主面及び第２主面を有し、
    　前記第１主面には、前記第２有機材料を有する複数の突起が存在し、
    　前記第１主面の１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、前記厚み方向での平均高さに位置するフィルム面を定義するとき、前記フィルム面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．０４％以下、前記フィルム面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．０９９８％以上、１．１３％以下、前記フィルム面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下である、ことを特徴とするフィルム。
  9. 　前記第１主面側での静摩擦係数が１．０以下である、請求項８に記載のフィルム。
  10. 　水酸基を有する第１有機材料と、芳香族化合物のうちでイソシアネート基を有する第２有機材料との硬化物を含み、かつ、厚み方向に対向する第１主面及び第２主面を有するフィルムと、
    　前記フィルムの少なくとも前記第１主面上に設けられた金属層と、を備え、
    　前記フィルムの前記第１主面には、前記第２有機材料を有する複数の突起が存在し、
    　前記フィルムの前記第１主面上に設けられた前記金属層における、前記フィルムの前記第１主面と反対側の表面には、前記複数の突起に沿う複数の凸部が存在し、
    　前記金属層の前記表面の１００μｍ×１４０μｍの面積範囲において、前記厚み方向での平均高さに位置する金属層面を定義するとき、前記金属層面よりも０．０５μｍ以上、０．２０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は６．１７％以下、前記金属層面よりも０．２０μｍ以上、２．５０μｍ未満の範囲で高い領域の面積割合は０．１１８％以上、１．２４％以下、前記金属層面よりも２．５０μｍ以上の範囲で高い領域の面積割合は０．１００％以下である、ことを特徴とする金属化フィルム。
  11. 　前記フィルムの前記第１主面上に設けられた前記金属層の前記表面側での静摩擦係数は、１．４以下である、請求項１０に記載の金属化フィルム。
PCT/JP2021/036981 2020-10-09 2021-10-06 フィルムコンデンサ、フィルム、及び、金属化フィルム WO2022075362A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202180067964.6A CN116325040A (zh) 2020-10-09 2021-10-06 薄膜电容器、薄膜以及金属化薄膜
DE112021004411.7T DE112021004411T5 (de) 2020-10-09 2021-10-06 Folienkondensator, folie und metallisierte folie
JP2022555533A JPWO2022075362A1 (ja) 2020-10-09 2021-10-06
US18/295,624 US20230260705A1 (en) 2020-10-09 2023-04-04 Film capacitor, film, and metallized film

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020171218 2020-10-09
JP2020-171218 2020-10-09

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US18/295,624 Continuation US20230260705A1 (en) 2020-10-09 2023-04-04 Film capacitor, film, and metallized film

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022075362A1 true WO2022075362A1 (ja) 2022-04-14

Family

ID=81126066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/036981 WO2022075362A1 (ja) 2020-10-09 2021-10-06 フィルムコンデンサ、フィルム、及び、金属化フィルム

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230260705A1 (ja)
JP (1) JPWO2022075362A1 (ja)
CN (1) CN116325040A (ja)
DE (1) DE112021004411T5 (ja)
WO (1) WO2022075362A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001002805A (ja) * 1999-06-17 2001-01-09 Toray Ind Inc コンデンサ用ポリプロピレンフィルム及びそれからなるコンデンサ
WO2013128726A1 (ja) * 2012-02-29 2013-09-06 株式会社村田製作所 フィルムコンデンサ用誘電体樹脂組成物およびフィルムコンデンサ
WO2017175511A1 (ja) * 2016-04-06 2017-10-12 株式会社村田製作所 フィルムコンデンサ、コンデンサ用フィルム、及び、フィルムコンデンサの製造方法
WO2019097751A1 (ja) * 2017-11-15 2019-05-23 株式会社村田製作所 フィルムコンデンサ、及び、フィルムコンデンサ用フィルム
WO2020161984A1 (ja) * 2019-02-07 2020-08-13 株式会社指月電機製作所 フィルムコンデンサ

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3155323B2 (ja) 1992-03-04 2001-04-09 三菱伸銅株式会社 フィルムコンデンサの製造方法およびコンデンサ用メタライズドフィルムの製造方法
JP2004363431A (ja) 2003-06-06 2004-12-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金属化フィルムコンデンサ
JP5540905B2 (ja) 2010-06-03 2014-07-02 住友ベークライト株式会社 電子部品包装用カバーテープ

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001002805A (ja) * 1999-06-17 2001-01-09 Toray Ind Inc コンデンサ用ポリプロピレンフィルム及びそれからなるコンデンサ
WO2013128726A1 (ja) * 2012-02-29 2013-09-06 株式会社村田製作所 フィルムコンデンサ用誘電体樹脂組成物およびフィルムコンデンサ
WO2017175511A1 (ja) * 2016-04-06 2017-10-12 株式会社村田製作所 フィルムコンデンサ、コンデンサ用フィルム、及び、フィルムコンデンサの製造方法
WO2019097751A1 (ja) * 2017-11-15 2019-05-23 株式会社村田製作所 フィルムコンデンサ、及び、フィルムコンデンサ用フィルム
WO2020161984A1 (ja) * 2019-02-07 2020-08-13 株式会社指月電機製作所 フィルムコンデンサ

Also Published As

Publication number Publication date
US20230260705A1 (en) 2023-08-17
CN116325040A (zh) 2023-06-23
JPWO2022075362A1 (ja) 2022-04-14
DE112021004411T5 (de) 2023-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2021005823A1 (ja) フィルムコンデンサ、及び、フィルムコンデンサ用フィルム
TWI608934B (zh) Gas barrier film and its manufacturing method, and electronic device
WO2022075359A1 (ja) フィルムコンデンサ、フィルム、及び、金属化フィルム
JP6677358B2 (ja) フィルムコンデンサ、及び、フィルムコンデンサ用フィルム
CN101714456A (zh) 剥离薄膜、陶瓷部件薄片及其制造方法、以及陶瓷部件的制造方法
WO2022075357A1 (ja) フィルムコンデンサ、フィルム、及び、金属化フィルム
WO2010101170A1 (ja) フィルムコンデンサ用誘電体樹脂組成物およびその製造方法、ならびにフィルムコンデンサ
WO2022075362A1 (ja) フィルムコンデンサ、フィルム、及び、金属化フィルム
US20220122774A1 (en) Film capacitor and film for film capacitor
JP2021009924A (ja) フィルムコンデンサ用フィルム、フィルムコンデンサ用フィルムの製造方法、フィルムコンデンサ、及び、フィルムコンデンサの製造方法
JP7345021B2 (ja) セラミックグリーンシート製造工程用剥離フィルム
WO2021241151A1 (ja) フィルムコンデンサおよびフィルムコンデンサ用フィルム
CN112534527B (zh) 薄膜电容器用薄膜的制造方法
US20230230769A1 (en) Film capacitor
JP2021077747A (ja) フィルムコンデンサ用フィルム及びフィルムコンデンサ
WO2023105990A1 (ja) フィルムコンデンサおよび樹脂フィルム
US11948748B2 (en) Film capacitor, and film for film capacitors
WO2023105931A1 (ja) フィルムコンデンサ
CN114051648B (zh) 薄膜电容器以及薄膜电容器用薄膜
JP2022045538A (ja) フィルムコンデンサおよび樹脂フィルム
KR0151813B1 (ko) 콘덴서용 금속증착 이축배향 폴리에스테르 필름

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21877661

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2022555533

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21877661

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1