WO2022038053A1 - Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement - Google Patents

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WO2022038053A1
WO2022038053A1 PCT/EP2021/072580 EP2021072580W WO2022038053A1 WO 2022038053 A1 WO2022038053 A1 WO 2022038053A1 EP 2021072580 W EP2021072580 W EP 2021072580W WO 2022038053 A1 WO2022038053 A1 WO 2022038053A1
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molded body
semiconductor chip
optoelectronic
lead frame
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PCT/EP2021/072580
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Daniel Richter
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing an optoelectronic component and an optoelectronic component.
  • optoelectronic components which emit light in a direction parallel to a mounting plane.
  • Such components can, for example, have internal reflection elements for beam deflection.
  • One object of the present invention is to specify a method for producing an optoelectronic component. Another object of the present invention is to provide an optoelectronic component. These objects are achieved by a method for producing an optoelectronic component and by an optoelectronic component having the features of the independent claims. Various developments are specified in the dependent claims.
  • a method of manufacturing an optoelectronic device includes steps of providing a leadframe having a front side and a back side, forming an inner mold body, wherein a first portion of the leadframe is embedded in the inner mold body and a second portion of the leadframe is not embedded in the inner mold body is, for arranging an optoelectronic semiconductor chip on the inner molded body at the front of the leadframe, for bending the leadframe such that the first portion of the leadframe against the second section of the leadframe is angled, and for embedding the leadframe and the inner molded body in an outer molded body, so that the optoelectronic semiconductor chip emitted electromagnetic radiation passes through the outer molded body.
  • This method makes it possible to produce an optoelectronic component that emits electromagnetic radiation in a direction that is not oriented perpendicularly to a mounting plane, for example in a direction that is oriented parallel to the mounting plane.
  • the optoelectronic component obtainable by the method can emit electromagnetic radiation mainly in a main emission direction.
  • the directed emission advantageously takes place without internal light deflection, as a result of which a high level of efficiency can be achieved.
  • a further step is carried out for arranging an electronic semiconductor chip on the rear side of the lead frame.
  • the electronic semiconductor chip is embedded in the outer molded body together with the lead frame and the inner molded body.
  • a further step is carried out for embedding the electronic semiconductor chip in an embedding material. Then the electronic semiconductor chip is embedded in the outer molded body together with the encapsulating material.
  • the encapsulation material can protect the electronic semiconductor chip from being damaged by external influences.
  • the embedding material can also protect electrical contacts of the electronic semiconductor chip, for example bonding wires, from damage.
  • the leadframe is bent in such a way that the first section of the leadframe is angled toward the back of the leadframe.
  • the front side of the lead frame can then serve as a contact surface for making electrical contact with the optoelectronic component obtainable by the method.
  • the emission of electromagnetic radiation does not take place across the lead frame, as a result of which shadowing can be reliably avoided.
  • the leadframe is bent in such a way that the first section of the leadframe is angled toward the front side of the leadframe.
  • the rear side of the leadframe can serve as a contact area for electrical contacting.
  • the optoelectronic component that can be obtained using this variant of the method can advantageously have particularly compact external dimensions.
  • the lead frame is bent in such a way that the first section of the lead frame is angled at an angle of 90° relative to the second section of the lead frame.
  • electromagnetic radiation is then advantageously emitted parallel to a mounting plane of the optoelectronic component.
  • the lead frame is severed in sections before bending.
  • the leadframe can have additional, stabilizing connections during the processing steps preceding the bending, which facilitate the processing of the leadframe.
  • the inner molded body is formed with a cavity.
  • the optoelectronic semiconductor chip is arranged in the cavity. The cavity can advantageously serve to shape the beam of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip.
  • a further step is carried out for arranging a potting material in the cavity.
  • the optoelectronic semiconductor chip is embedded in the potting material.
  • the potting material can advantageously protect the optoelectronic semiconductor chip from damage caused by external influences.
  • the potting material can also protect the electrical contacts of the optoelectronic semiconductor chip, for example bonding wires connected to the optoelectronic semiconductor chip.
  • the potting material can also have wavelength-converting particles or scattering particles.
  • a plurality of inner molds are formed.
  • the leadframe is embedded in sections in each case in the inner molded bodies.
  • Several inner shaped bodies are embedded together in the outer shaped body.
  • the method comprises a further step for dividing the outer molded body in order to obtain a plurality of parts, each of which has at least one inner molded body.
  • An optoelectronic component comprises a leadframe with a front side and a rear side, an inner molded body, an optoelectronic semiconductor chip arranged on the inner molded body on the front side of the leadframe, and an outer molded body.
  • a first section of the lead frame is embedded in the inner molding .
  • a second portion of the leadframe is not embedded in the inner mold.
  • the leadframe is bent such that the first portion of the leadframe is angled toward the second portion of the leadframe.
  • the lead frame and the inner mold are embedded in the outer mold. Electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip runs through the outer molded body.
  • This optoelectronic component has compact external dimensions.
  • the optoelectronic component is protected against external influences by the outer molded body and can be handled easily.
  • the optoelectronic component is designed to emit electromagnetic radiation in a main emission direction, which is oriented other than perpendicular to a mounting plane of the optoelectronic component.
  • the main emission direction can be oriented parallel to a mounting plane, for example. The radiation advantageously takes place without internal deflection within the optoelectronic component, so that the optoelectronic component can be highly efficient.
  • an electronic semiconductor chip is arranged on the rear side of the lead frame.
  • the electronic semiconductor chip is embedded in the outer molded body together with the lead frame and the inner molded body. Due to the integrated electronic semiconductor chip, this optoelectronic component can have a complex functionality. In this case, the optoelectronic component advantageously nevertheless has very compact external dimensions.
  • the electronic semiconductor chip is designed to drive the optoelectronic semiconductor chip.
  • the electronic semiconductor chip for example, as a driver chip be trained .
  • the optoelectronic component can advantageously have a complex functionality with small external dimensions.
  • the leadframe is bent in such a way that the first section of the leadframe is angled toward the back of the leadframe.
  • the front side of the leadframe can form electrical contact surfaces of the optoelectronic component.
  • the leadframe is bent in such a way that the first section of the leadframe is angled toward the front side of the leadframe.
  • the rear side of the leadframe can form electrical contact areas of the optoelectronic component.
  • This variant of the optoelectronic component can advantageously have particularly compact external dimensions.
  • the leadframe is bent in such a way that the first section of the leadframe is angled at an angle of 90° with respect to the second section of the leadframe.
  • electromagnetic radiation is advantageously emitted in a direction parallel to a mounting plane of the optoelectronic component.
  • the inner molded body has a cavity.
  • the optoelectronic semiconductor chip is arranged in the cavity.
  • the cavity of the inner molded body can shape a beam from the optoelectronic half cause conductor chip emitted electromagnetic radiation.
  • a potting material is arranged in the cavity.
  • the optoelectronic semiconductor chip is embedded in the potting material.
  • the potting material can serve to protect the optoelectronic semiconductor chip from damage caused by external influences.
  • the potting material can also protect bonding wires connected to the optoelectronic semiconductor chip.
  • the potting material can have embedded particles, for example scattering particles or wavelength-converting particles.
  • the optoelectronic component in addition to the optoelectronic semiconductor chip, at least one further optoelectronic semiconductor chip is arranged on the inner molded body on the front side of the leadframe.
  • the optoelectronic semiconductor chip and the at least one further optoelectronic semiconductor chip can be designed to emit electromagnetic radiation with different wavelengths.
  • the optoelectronic component can each have an optoelectronic semiconductor chip designed to emit red, green and blue light.
  • Fig. 1 shows a plan view of a front side of a leadframe
  • Fig. 2 the leadframe with inner moldings formed thereon;
  • Fig. Figure 3 is a sectional side view of the leadframe with the inner mold bodies
  • Fig. 4 shows a segment of the leadframe with an inner molded body and an optoelectronic semiconductor chip arranged thereon;
  • Fig. 5 shows a plan view of the front side of the leadframe after first sections of the leadframe have been bent against second sections of the leadframe;
  • Fig. 6 shows a sectional side view of the lead frame after the bending of the first sections
  • Fig. 7 is a plan view of the front of the leadframe after embedding in an outer molded body
  • Fig. 8 is a sectional side view of the leadframe after embedding in the outer mold
  • Fig. 9 an optoelectronic component obtained by dividing the outer molded body and the leadframe
  • Fig. 10 shows a first view of another variant of the optoelectronic component
  • Fig. 11 shows a second view of this variant of the optoelectronic component
  • Fig. 12 a further variant of the optoelectronic component
  • Fig. 13 shows a sectional side view of yet another variant of the optoelectronic component in an unfinished processing state; and Fig. 14 shows a sectional side view of this variant of the optoelectronic component.
  • Fig. 1 shows a portion of a lead frame 100 .
  • the lead frame 100 has a shown in FIG. 1 visible front side 101 and a front side 101 opposite back side 102 .
  • the lead frame 100 comprises an electrically conductive material, for example a metal.
  • the leadframe 100 can be made of a thin metal sheet by etching, for example.
  • the lead frame 100 can be embodied as a QFN lead frame, for example, in particular as a QFN panel, for example.
  • Fig. 1 shows four segments 140 of the leadframe 100 of the same design.
  • the leadframe 100 may have any number of segments 140 .
  • the segments 140 are arranged in a regular, two-dimensional arrangement, for example in a rectangular matrix.
  • Stabilizing struts 160 can extend between the segments 140 of the lead frame 100, of which in FIG. 1 is shown as an example.
  • the segments 140 of the lead frame 100 are connected to one another and to the struts 160 via webs 150 .
  • each segment 140 of the leadframe 100 has a first section 110 and a second section 120 .
  • the first section 110 in this example is in each case subdivided into a first section 111 and a second section 112 .
  • the second section 120 is divided into a first section 121 and a second section 122 .
  • the first section 111 of the first section 110 is connected in one piece to the first section 121 of the second section 120 .
  • the second section 112 of the first section 110 is also integrally connected to the second section 122 of the second section 120 .
  • the first section 111 and the second section 112 of the first section 110 and the first section 121 and the second section 122 of the second section 120 are separated from each other in each segment 140 and only indirectly connected to one another via the webs 150, the struts 160 and the further segments 140 .
  • Fig. 2 shows a plan view of the front side 101 of the leadframe 100 in one of FIGS. 1 subsequent processing status.
  • Fig. 3 shows a cross-sectional side view of the lead frame 100 in the embodiment shown in FIG. 2 shown processing status.
  • An inner molding 200 has been formed on each segment 140 of the lead frame 100 .
  • the inner mold bodies 200 are separated and spaced from each other.
  • the inner molded bodies 200 have been formed by a molding process, for example by injection molding (injection molding). It is expedient to form the inner moldings 200 on all segments 140 of the lead frame 100 simultaneously in a single processing step.
  • the inner molded bodies 200 have been formed from a plastic material, for example from a thermoplastic or a duroplastic.
  • the first sections 110 of the segments 140 of the lead frame 100 have each been embedded in the inner molded bodies 200 by the first sections 110 having been reshaped during the formation of the inner molded bodies 200 through the material of the inner molded bodies 200 .
  • the second sections 120 have each not been embedded in the inner molded bodies 200 .
  • Each inner molded body 200 has an upper side 201 and an underside 202 opposite the upper side 201 .
  • the underside 202 of the inner molded body 200 is flush with the rear side 102 of the lead frame 100, while the top 201 of the inner mold body 200 is raised above the front side 101 of the lead frame 100.
  • the underside 202 of the inner molded body 200 could also protrude beyond the rear side 102 of the leadframe 100 .
  • the upper side 201 of the inner molded body 200 to end flush with the front side 101 of the lead frame 100 .
  • a cavity 210 is formed on the upper side 201 of each inner molded body 200 and has a base 230 and a peripheral wall 220 .
  • the first subsection 111 and the second subsection 112 of the first section 110 of the respective segment 140 of the leadframe 100 are exposed at the bottom 230 of the cavity 210 of each inner molded body 200 .
  • the wall 220 and thus also the cavity 210 can be omitted.
  • the upper side 201 of the inner molded body 200 can end flush with the front side 101 of the leadframe 100 and forms the base 230 with the first subsection 111 exposed on the base 230 and the second subsection 112 of the first section 110 of the respective one exposed on the base 230 Segment 140 of leadframe 100 .
  • FIG. 4 shows a plan view of a segment 140 of the leadframe 100 in a processing status subsequent to the illustrations in FIGS.
  • An optoelectronic semiconductor chip 300 has been arranged on the front side 101 of the lead frame 100 on the inner molded body 200 of this segment 140 .
  • the optoelectronic semiconductor chip 300 has been arranged in the cavity 210 of the inner molded body 200 on the bottom 230 of the cavity 210 . If the cavity 210 were not present, the optoelectronic semiconductor chip 300 would have been arranged on the top side 201 of the inner molded body 200 forming the bottom 230 .
  • Corresponding optoelectronic semiconductor chips 300 have each been arranged on the inner molded bodies 200 of the further segments 140 of the lead frame 100 .
  • the optoelectronic semiconductor chip 300 is designed to emit electromagnetic radiation, for example visible light.
  • the optoelectronic semiconductor chip 300 can be a light-emitting diode chip (LED chip), for example.
  • the optoelectronic semiconductor chip 300 is designed and arranged on the inner molded body 200 in such a way that electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 300 is radiated in a main emission direction oriented perpendicularly to the top side 201 of the inner molded body 200 and thus also perpendicularly to the front side 101 of the leadframe 100 .
  • the optoelectronic semiconductor chip 300 arranged on the inner molded body 200 has been electrically conductively connected to the subsections 111, 112 of the first section 110 of the segment 140 of the leadframe 100 that are exposed on the bottom 230 of the cavity 210 of the inner molded body 200, in the example shown in the figures by means two bonding wires 320 .
  • the electrically conductive connections can also be made in other ways, for example via soldered or adhesive connections.
  • a potting material 330 has been arranged in the cavity 200 .
  • the optoelectronic semiconductor chip 300 has been embedded in the encapsulation material 330 .
  • the potting material 330 can include a silicone, for example.
  • the potting material 330 serves to protect the optoelectronic semiconductor chip 300 and the bonding wires 320 from damage caused by external influences.
  • the potting material 330 can also have embedded particles, for example scattering particles or wavelength-converting particles. Wavelength-converting particles can be provided to at least partially convert electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 300 into electromagnetic radiation of a different wavelength.
  • FIG. 5 shows a top view of the front side 101 of the lead frame 100 in one of the illustrations in FIG. 4 subsequent processing status .
  • Fig. FIG. 6 shows a sectional side view of the lead frame 100 in the processing state of FIG. 5 .
  • those webs 150 of the leadframe 100 that connected the first sections 110 of the leadframe 100 to other sections of the leadframe 100 have been severed.
  • the webs 150 can be severed, for example, by means of a stamping process.
  • the leadframe 100 has been bent in each segment 140 in such a way that the first section 110 of the respective segment 140 of the leadframe 100 has been angled towards the second section 120 of the respective segment 140 .
  • the first sections 110 of the leadframe 100 and the inner mold bodies 200 formed on the first sections 110 have been bent out of the plane of the leadframe 100 .
  • the first sections 110 of the leadframe 100 and the inner molded bodies 200 arranged on the first sections 110 have been angled toward the rear side 102 of the leadframe 100 .
  • the first sections 110 of the leadframe 100 have each been bent by 90°, so that between the rear side 102 of the first section 110 and the rear side 102 of the second section 120 of each segment 140 of the leadframe 100 in each case an angle 130 of 90° is included.
  • the leadframe 100 it is also possible to bend the leadframe 100 in such a way that the angle 130 has a different value between 0° and 180°.
  • FIG. 7 shows the lead frame 100 and the inner molded body 200 in a plan view in a processing status subsequent to the illustration in FIGS. 5 and 6.
  • Fig. 8 shows one Sectional side view of the lead frame 100 in the in Fig. 7 shown processing status.
  • the lead frame 100 and the inner molded bodies 200 have been embedded in a common outer molded body 400 .
  • the outer molded body 400 may have been formed, for example, by a molding process, in particular, for example, by compression molding. In this case, the lead frame 100 and the inner molded bodies 200 have been deformed during the molding process by the material of the outer molded body 400 . If a potting material 330 is arranged in the cavities 210 of the inner molded body 200 , then the potting material 330 has also been covered by the material of the outer molded body 400 .
  • the material of the outer molded body 400 also extends into the cavities 210 of the inner molded body 200 , so that the optoelectronic semiconductor chips 300 have been embedded in the material of the outer molded body 400 . If there are no cavities 210, then the optoelectronic semiconductor chips 300 have also been embedded in the material of the outer molded body 400.
  • FIG. 1 the material of the outer molded body 400 also extends into the cavities 210 of the inner molded body 200 , so that the optoelectronic semiconductor chips 300 have been embedded in the material of the outer molded body 400 . If there are no cavities 210, then the optoelectronic semiconductor chips 300 have also been embedded in the material of the outer molded body 400.
  • the outer molded body 400 can, for example, have a plastic material, for example a silicone or an epoxy.
  • the material of the outer molded body 400 is essentially transparent to electromagnetic radiation emitted by the electromagnetic semiconductor chips 300 . If the potting material 330 arranged in the cavities 210 of the inner molded bodies 200 has a wavelength-converting material, then the material of the outer molded body 400 has a high transparency for electromagnetic radiation generated by the converter material.
  • the outer molded body 400 has an upper side 401 and an underside 402 opposite the upper side 401 .
  • the outer molded body 400 has been designed so that the front side 101 of the second sections 120 of the segments 140 of the lead frame 100 is flush with the underside 402 of the outer complete ren mold body 400 and are accessible on the underside 402 of the outer mold body 400. It may be necessary to flip the leadframe 100 prior to forming the outer mold 400 . It may also be necessary to remove (deflashing) an undesired covering of the front side 101 of the second sections 120 of the segments 140 of the lead frame 100 by the material of the outer molded body 400 (flash) after the outer molded body 400 has been formed.
  • FIG. 9 shows a perspective representation of an optoelectronic component 10 which has been formed by dividing the outer molded body 400 shown in FIGS. 7 and 8.
  • the outer molded body 400 has been divided up together with the lead frame 100 embedded in the outer molded body 400 .
  • Several parts 410 have been formed by the division, each of which has a segment 140 of the lead frame 100 and an inner molded body 200 arranged on this segment 140 .
  • Each such part 410 forms an optoelectronic component 10 .
  • the outer molded body 400 and the leadframe 100 can be divided by a sawing process, for example.
  • the underside 402 of the part 410 forming the optoelectronic component 10 forms a mounting side of the optoelectronic component 10 .
  • the front side 101 of the second section 120 of the segment 140 of the leadframe 100 that is exposed on the underside 402 of the part 410 forms electrical contact surfaces of the optoelectronic component 10 .
  • the optoelectronic component 10 can thus be suitable as an SMD component for surface mounting, for example zlöten for mounting by re-melting (Ref low soldering).
  • the main emission direction of the optoelectronic semiconductor chip 300 of the optoelectronic component 10 is around the Angle 130 is angled relative to a direction oriented perpendicularly to the mounting plane of the optoelectronic component 10 , ie by 90° in the example shown.
  • the optoelectronic component 10 thus emits electromagnetic radiation in a direction parallel to the mounting plane of the optoelectronic component 10 .
  • the optoelectronic component 10 can thus be suitable, for example, for coupling electromagnetic radiation into an optical waveguide.
  • the cavity 210 of the inner molded body 200 of the optoelectronic component 10 can bring about a bundling of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 300 .
  • Electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 300 of the optoelectronic component 10 runs through the potting material 330 , if such is present, and through the material of the outer molded body 400 .
  • FIGS. 10 and 11 show perspective representations of an optoelectronic component 11 from different viewing directions.
  • the optoelectronic component 11 shown in FIGS. 10 and 11 is very similar to that in FIG. 9 shown optoelectronic component 10 on.
  • the method used to produce the optoelectronic component 11 clearly corresponds to the method described above for producing the optoelectronic component 10 .
  • the following only describes how the optoelectronic component 11 and the method used for producing the optoelectronic component 11 differ from the optoelectronic component 10 and the method for producing the optoelectronic component 10 . Otherwise, the above description of the optoelectronic component 10 and the associated production method also applies to the optoelectronic component 11 .
  • the leadframe 100 is bent in such a way that the first section 110 of the segment 140 of the leadframe 100 is angled toward the front side 101 of the leadframe.
  • the front side 101 of the first section 110 and the front side 101 of the second section 120 of the segment 140 of the lead frame 100 enclose the angle 130 which is between 0 and 180° and in FIG. 10 and 11 is 90°.
  • the leadframe 100 and the inner molded body 200 are embedded in the outer molded body 400 in such a way that the rear side 102 of the second sections 120 of the leadframe 100 is flush with the underside 402 of the outer molded body 400 . In this case, it may be possible to dispense with turning the leadframe 100 beforehand. In the case of the optoelectronic component 11 , the rear side 102 of the partial sections 121 , 122 of the second section 120 of the segment 140 of the leadframe 100 thus forms the electrical contact surfaces of the optoelectronic component 11 .
  • the optoelectronic semiconductor chip 300 emits electromagnetic radiation from the cavity 210 of the inner molded body 200 across the front side 101 of the second section 120 of the leadframe 100 .
  • FIG. 12 shows a schematic perspective illustration of an optoelectronic component 12 according to a further variant.
  • the optoelectronic component 12 of FIG. 12 has great similarities with that in FIG. 9 shown optoelectronic component 10 and can be produced by a very similar method.
  • the text below merely describes how the optoelectronic component 12 and the method used for producing the optoelectronic component 12 differ from the optoelectronic component 10 and the associated production method.
  • the description of the opto- Electronic component 10 and the associated manufacturing method for the optoelectronic component 12 of FIG. 12 .
  • a leadframe 100 is used to produce the optoelectronic component 12 , in which the first section 110 and the second section 120 of each segment 140 each comprise more than two subsections.
  • more than one optoelectronic semiconductor chip 300 can be arranged and electrically contacted in the cavity 210 of the inner molded body 200 .
  • two further optoelectronic semiconductor chips 310 have been arranged in the cavity 210 of the inner molded body 200 on the front side 101 of the lead frame 100.
  • the further optoelectronic semiconductor chips 310 can be designed, for example, to emit electromagnetic radiation with different wavelengths than the optoelectronic semiconductor chip 300 .
  • the optoelectronic semiconductor chip 300 and the further optoelectronic semiconductor chips 310 can be designed to emit light with wavelengths from the red, green and blue spectral ranges.
  • the optoelectronic component 12 could also have only one further optoelectronic semiconductor chip 310 or more than two further optoelectronic semiconductor chips 310 .
  • FIG. 13 shows a schematic sectional side view of a segment 140 of the lead frame 100 while a further variant of the manufacturing method described above is being carried out.
  • an electronic semiconductor chip 500 on the rear side 102 of the leadframe 100 on the second section 120 of the FIG. 13 shown segment 140 of the lead frame 100 has been arranged. Then the electronic semiconductor chip 500 has been electrically conductively connected to the sections 121, 122 of the second section 120 of the lead frame 100, for example via bonding wires. Corresponding electronic semiconductor chips 500 are also arranged on the further segments 140 of the leadframe 100 and electrically contacted.
  • the electronic semiconductor chip 500 can be designed, for example, to control the optoelectronic semiconductor chip 300 of the respective segment 140 of the leadframe 100 . If further optoelectronic semiconductor chips 310 are present in addition to the optoelectronic semiconductor chip 300 , the electronic semiconductor chip 500 can be designed to control the optoelectronic semiconductor chip 300 and all further optoelectronic semiconductor chips 310 .
  • the electronic semiconductor chip 500 can be embodied as a driver chip, for example. However, the electronic semiconductor chip 500 can also have other or further functionalities.
  • the encapsulation material 510 can serve to protect the electronic semiconductor chip 500 and the bonding wires connected to the electronic semiconductor chip 500 .
  • the encapsulating material 510 can be, for example, a plastic material, for example a silicone or an epoxy. However, the embedding of the electronic semiconductor chip 500 in the encapsulation material 510 can also be omitted.
  • Fig. 14 shows a schematic, sectional side view of an optoelectronic component 13, which is further provided by Processing of the in Fig. 13 shown segment 140 of the leadframe 100 has been manufactured.
  • the lead frame 100 has been embedded in the outer molded body 400, as has been described above with reference to the production of the optoelectronic component 10.
  • the outer molded body 400 has been designed in such a way that the underside 402 of the outer molded body 400 is flush with the front side 101 of the second sections 120 of the lead frame 100 .
  • the electronic semiconductor chip 500 and the encapsulating material 510 enclosing the electronic semiconductor chip 500 have been embedded in the outer molded body 400 together with the lead frame 100 and the inner molded body 200 .
  • the outer molded body 400 and the lead frame 100 embedded in the outer molded body 400 have been divided in the manner already described in order to form the optoelectronic component 13 .

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Abstract

Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Leiterrahmens mit einer Vorderseite und einer Rückseite, zum Ausbilden eines inneren Formkörpers, wobei ein erster Abschnitt des Leiterrahmens in den inneren Formkörper eingebettet wird und ein zweiter Abschnitt des Leiterrahmens nicht in den inneren Formkörper eingebettet wird, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips an den inneren Formkörper an der Vorderseite des Leiterrahmens, zum Biegen des Leiterrahmens derart, dass der erste Abschnitt des Leiterrahmens gegen den zweiten Abschnitt des Leiterrahmens abgewinkelt wird, und zum Einbetten des Leiterrahmens und des inneren Formkörpers in einen äußeren Formkörper, so dass von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung durch den äußeren Formkörper verläuft.

Description

VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
BESCHREIBUNG
Die vorliegende Erfindung betri f ft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements sowie ein optoelektronisches Bauelement .
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2020 121 656 . 4 , deren Of fenbarungsgehalt hiermit durch Bezugnahme aufgenommen wird .
Im Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente bekannt , die Licht in eine zu einer Montageebene parallele Richtung abstrahlen . Solche Bauelemente können beispielsweise interne Reflexionselemente zur Strahlumlenkung aufweisen .
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben . Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen . Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche gelöst . In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben .
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Leiterrahmens mit einer Vorderseite und einer Rückseite , zum Ausbilden eines inneren Formkörpers , wobei ein erster Abschnitt des Leiterrahmens in den inneren Formkörper eingebettet wird und ein zweiter Abschnitt des Leiterrahmens nicht in den inneren Formkörper eingebettet wird, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips an dem inneren Formkörper an der Vorderseite des Leiterrahmens , zum Biegen des Leiterrahmens derart , dass der erste Abschnitt des Leiterrahmens gegen den zweiten Abschnitt des Leiterrahmens abgewinkelt wird, und zum Einbetten des Leiterrahmens und des inneren Formkörpers in einen äußeren Formkörper, so dass von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung durch den äußeren Formkörper verläuft .
Dieses Verfahren ermöglicht die Herstellung eines optoelektronischen Bauelements , das elektromagnetische Strahlung in eine nicht senkrecht zu einer Montageebene orientierte Richtung abstrahlt , beispielsweise in eine parallel zu der Montageebene orientierte Richtung . Das durch das Verfahren erhältliche optoelektronische Bauelement kann elektromagnetische Strahlung dabei hauptsächlich in eine Hauptemissionsrichtung abstrahlen . Vorteilhafterweise erfolgt die gerichtete Abstrahlung bei dem durch dieses Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement ohne interne Lichtumlenkung, wodurch eine hohe Ef fi zienz erreicht werden kann .
In einer Aus führungs form des Verfahrens wird nach dem Biegen des Leiterrahmens ein weiterer Schritt durchgeführt zum Anordnen eines elektronischen Halbleiterchips an der Rückseite des Leiterrahmens . Dabei wird der elektronische Halbleiterchip gemeinsam mit dem Leiterrahmen und dem inneren Formkörper in den äußeren Formkörper eingebettet . Damit ist durch dieses Verfahren ein kompaktes optoelektronisches Bauelement mit komplexer Funktionalität erhältlich .
In einer Aus führungs form des Verfahrens wird nach dem Anordnen des elektronischen Halbleiterchips ein weiterer Schritt durchgeführt zum Einbetten des elektronischen Halbleiterchips in ein Einbettungsmaterial . Dann wird der elektronische Halbleiterchip gemeinsam mit dem Einbettungsmaterial in den äußeren Formkörper eingebettet . Das Einbettungsmaterial kann den elektronischen Halbleiterchip vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen schützen . Durch das Einbettungsmaterial können auch elektrische Kontaktierungen des elektronischen Halbleiterchips , beispielsweise Bonddrähte , vor einer Beschädigung geschützt werden . In einer Aus führungs form des Verfahrens wird der Leiterrahmen derart gebogen, dass der erste Abschnitt des Leiterrahmens zur Rückseite des Leiterrahmens abgewinkelt wird . Dann kann die Vorderseite des Leiterrahmens als Kontakt fläche zur elektrischen Kontaktierung des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements dienen . Vorteilhafterweise erfolgt bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement die Emission elektromagnetischer Strahlung nicht über den Leiterrahmen hinweg, wodurch eine Abschattung zuverlässig vermieden werden kann .
In einer Aus führungs form des Verfahrens wird der Leiterrahmen derart gebogen, dass der erste Abschnitt des Leiterrahmens zur Vorderseite des Leiterrahmens abgewinkelt wird . Bei dem durch dieses Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement kann die Rückseite des Leiterrahmens als Kontaktfläche zur elektrischen Kontaktierung dienen . Das durch diese Variante des Verfahrens erhältliche optoelektronische Bauelement kann vorteilhafterweise besonders kompakte äußere Abmessungen aufweisen .
In einer Aus führungs form des Verfahrens wird der Leiterrahmen derart gebogen, dass der erste Abschnitt des Leiterrahmens um einen Winkel von 90 ° gegen den zweiten Abschnitt des Leiterrahmens abgewinkelt wird . Dann erfolgt die Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement vorteilhafterweise parallel zu einer Montageebene des optoelektronischen Bauelements .
In einer Aus führungs form des Verfahrens wird der Leiterrahmen vor dem Biegen abschnittsweise durchtrennt . Dadurch kann der Leiterrahmen während der dem Biegen vorangehenden Bearbeitungsschritte noch zusätzliche , stabilisierende Verbindungen aufweisen, die die Bearbeitung des Leiterrahmens erleichtern . In einer Aus führungs form des Verfahrens wird der innere Formkörper mit einer Kavität ausgebildet . Dabei wird der optoelektronische Halbleiterchip in der Kavität angeordnet . Die Kavität kann vorteilhafterweise zur Strahl formung der von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung dienen .
In einer Aus führungs form des Verfahrens wird nach dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips ein weiterer Schritt durchgeführt zum Anordnen eines Vergussmaterials in der Kavität . Dabei wird der optoelektronische Halbleiterchip in das Vergussmaterial eingebettet . Das Vergussmaterial kann den optoelektronischen Halbleiterchip vorteilhafterweise vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen schützen . Das Vergussmaterial kann auch die elektrischen Kontaktierungen des optoelektronischen Halbleiterchips schützen, beispielsweise mit dem optoelektronischen Halbleiterchip verbundene Bonddrähte . Das Vergussmaterial kann auch wellenlängenkonvertierende Partikel oder Streupartikel aufweisen .
In einer Aus führungs form des Verfahrens wird eine Mehrzahl von inneren Formkörpern ausgebildet . Dabei wird der Leiterrahmen j eweils abschnittsweise in die inneren Formkörper eingebettet . Mehrere innere Formkörper werden gemeinsam in den äußeren Formkörper eingebettet . Das Verfahren umfasst in diesem Fall einen weiteren Schritt zum Zerteilen des äußeren Formkörpers , um mehrere Teile zu erhalten, die j eweils mindestens einen inneren Formkörper aufweisen . Dadurch ermöglicht das Verfahren vorteilhafterweise eine parallele Herstellung einer Mehrzahl gleichartiger optoelektronischer Bauelemente . Hierdurch ist das Verfahren vorteilhafterweise besonders schnell und kostengünstig durchführbar .
Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen Leiterrahmen mit einer Vorderseite und einer Rückseite , einen inneren Formkörper, einen an dem inneren Formkörper an der Vorderseite des Leiterrahmens angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip und einen äußeren Formkörper . Ein erster Abschnitt des Leiterrahmens ist in den inneren Formkörper eingebettet . Ein zweiter Abschnitt des Leiterrahmens ist nicht in den inneren Formkörper eingebettet . Der Leiterrahmen ist derart gebogen, dass der erste Abschnitt des Leiterrahmens gegen den zweiten Abschnitt des Leiterrahmens abgewinkelt ist . Der Leiterrahmen und der innere Formkörper sind in den äußeren Formkörper eingebettet . Von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung verläuft durch den äußeren Formkörper .
Dieses optoelektronische Bauelement weist kompakte äußere Abmessungen auf . Durch den äußeren Formkörper ist das optoelektronische Bauelement gegen äußere Einwirkungen geschützt und lässt sich einfach handhaben . Das optoelektronische Bauelement ist dazu ausgebildet , elektromagnetische Strahlung in eine Hauptabstrahlrichtung zu emittieren, die anders als senkrecht zu einer Montageebene des optoelektronischen Bauelements orientiert ist . Die Hauptabstrahlrichtung kann beispielsweise parallel zu einer Montageebene orientiert sein . Vorteilhafterweise erfolgt die Abstrahlung ohne interne Umlenkung innerhalb des optoelektronischen Bauelements , sodass das optoelektronische Bauelement eine hohe Ef fi zienz aufweisen kann .
In einer Aus führungs form des optoelektronischen Bauelements ist an der Rückseite des Leiterrahmens ein elektronischer Halbleiterchip angeordnet . Dabei ist der elektronische Halbleiterchip gemeinsam mit dem Leiterrahmen und dem inneren Formkörper in den äußeren Formkörper eingebettet . Durch den integrierten elektronischen Halbleiterchip kann dieses optoelektronische Bauelement eine komplexe Funktionalität aufweisen . Dabei besitzt das optoelektronische Bauelement vorteilhafterweise trotzdem sehr kompakte äußere Abmessungen .
In einer Aus führungs form des optoelektronischen Bauelements ist der elektronische Halbleiterchip dazu ausgebildet , den optoelektronischen Halbleiterchip anzusteuern . Dabei kann der elektronische Halbleiterchip beispielsweise als Treiberchip ausgebildet sein . Vorteilhafterweise kann das optoelektronische Bauelement dadurch eine komplexe Funktionalität bei geringen äußeren Abmessungen aufweisen .
In einer Aus führungs form des optoelektronischen Bauelements ist der Leiterrahmen derart gebogen, dass der erste Abschnitt des Leiterrahmens zur Rückseite des Leiterrahmens abgewinkelt ist . Dabei kann die Vorderseite des Leiterrahmens elektrische Kontakt flächen des optoelektronischen Bauelements bilden . Vorteilhafterweise erfolgt bei diesem optoelektronischen Bauelement die Emission elektromagnetischer Strahlung nicht über den Leiterrahmen hinweg, wodurch eine Abschattung zuverlässig vermieden werden kann .
In einer Aus führungs form des optoelektronischen Bauelements ist der Leiterrahmen derart gebogen, dass der erste Abschnitt des Leiterrahmens zur Vorderseite des Leiterrahmens abgewinkelt ist . Bei dieser Variante des optoelektronischen Bauelements kann die Rückseite des Leiterrahmens elektrische Kontaktflächen des optoelektronischen Bauelements bilden . Vorteilhafterweise kann diese Variante des optoelektronischen Bauelements besonders kompakte äußere Abmessungen aufweisen .
In einer Aus führungs form des optoelektronischen Bauelements ist der Leiterrahmen derart gebogen, dass der erste Abschnitt des Leiterrahmens um einen Winkel von 90 ° gegen den zweiten Abschnitt des Leiterrahmens abgewinkelt ist . Vorteilhafterweise erfolgt eine Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung bei diesem optoelektronischen Bauelement in eine zu einer Montageebene des optoelektronischen Bauelements parallele Richtung .
In einer Aus führungs form des optoelektronischen Bauelements weist der innere Formkörper eine Kavität auf . Dabei ist der optoelektronische Halbleiterchip in der Kavität angeordnet . Vorteilhafterweise kann die Kavität des inneren Formkörpers eine Strahl formung einer von dem optoelektronischen Halb- leiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung bewirken .
In einer Aus führungs form des optoelektronischen Bauelements ist in der Kavität ein Vergussmaterial angeordnet . Dabei ist der optoelektronische Halbleiterchip in das Vergussmaterial eingebettet . Das Vergussmaterial kann einem Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen dienen . Das Vergussmaterial kann auch mit dem optoelektronischen Halbleiterchip verbundene Bonddrähte schützen . Zusätzlich kann das Vergussmaterial eingebettete Partikel aufweisen, beispielsweise Streupartikel oder wellenlängenkonvertierende Partikel .
In einer Aus führungs form des optoelektronischen Bauelements ist neben dem optoelektronischen Halbleiterchip mindestens ein weiterer optoelektronischer Halbleiterchip an dem inneren Formkörper an der Vorderseite des Leiterrahmens angeordnet . Der optoelektronische Halbleiterchip und der mindestens eine weitere optoelektronische Halbleiterchip können dazu ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung mit unterschiedlichen Wellenlängen zu emittieren . Beispielsweise kann das optoelektronische Bauelement j eweils einen zur Emission roten, grünen und blauen Lichts ausgebildeten optoelektronischen Halbleiterchip aufweisen .
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise , wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Aus führungsbeispiele , die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden . Dabei zeigen in j eweils schematisierter Darstellung :
Fig . 1 eine Aufsicht auf eine Vorderseite eines Leiterrahmens ; Fig . 2 den Leiterrahmen mit daran ausgebildeten inneren Formkörpern;
Fig . 3 eine geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens mit den inneren Formkörpern;
Fig . 4 ein Segment des Leiterrahmens mit einem inneren Formkörper und einem daran angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip ;
Fig . 5 eine Aufsicht auf die Vorderseite des Leiterrahmens nach einem Abwinkeln erster Abschnitte des Leiterrahmens gegen zweite Abschnitte des Leiterrahmens ;
Fig . 6 eine geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens nach dem Abwinkeln der ersten Abschnitte ;
Fig . 7 eine Aufsicht auf die Vorderseite des Leiterrahmens nach einem Einbetten in einen äußeren Formkörper ;
Fig . 8 eine geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens nach dem Einbetten in den äußeren Formkörper ;
Fig . 9 ein durch Zerteilen des äußeren Formkörpers und des Leiterrahmens erhaltenes optoelektronisches Bauelement ;
Fig . 10 eine erste Ansicht einer anderen Variante des optoelektronischen Bauelements ;
Fig . 11 eine zweite Ansicht dieser Variante des optoelektronischen Bauelements ;
Fig . 12 eine weitere Variante des optoelektronischen Bauelements ;
Fig . 13 eine geschnittene Seitenansicht noch einer weiteren Variante des optoelektronischen Bauelements in einem unfertigen Bearbeitungsstand; und Fig . 14 eine geschnittene Seitenansicht dieser Variante des optoelektronischen Bauelements .
Fig . 1 zeigt einen Teil eines Leiterrahmens 100 . Der Leiterrahmen 100 weist eine in Fig . 1 sichtbare Vorderseite 101 und eine der Vorderseite 101 gegenüberliegende Rückseite 102 auf . Der Leiterrahmen 100 weist ein elektrisch leitendes Material auf , beispielsweise ein Metall . Der Leiterrahmen 100 kann beispielsweise durch Ätzen aus einem dünnen Metallblech gefertigt sein . Der Leiterrahmen 100 kann beispielsweise als QFN-Leiterrahmen ausgebildet sein, insbesondere beispielsweise als QFN-Panel .
In Fig . 1 sind vier gleichartig ausgebildete Segmente 140 des Leiterrahmens 100 dargestellt . Der Leiterrahmen 100 kann j edoch eine beliebige Anzahl an Segmenten 140 aufweisen . Die Segmente 140 sind in einer regelmäßigen, zweidimensionalen Anordnung angeordnet , beispielsweise in einer Rechteckmatrix . Zwischen den Segmenten 140 des Leiterrahmens 100 können sich stabilisierende Verstrebungen 160 erstrecken, von denen in Fig . 1 eine beispielhaft dargestellt ist . Die Segmente 140 des Leiterrahmens 100 sind über Stege 150 miteinander und mit den Verstrebungen 160 verbunden .
Im in Fig . 1 gezeigten Beispiel weist j edes Segment 140 des Leiterrahmens 100 einen ersten Abschnitt 110 und einen zweiten Abschnitt 120 auf . Dabei ist der erste Abschnitt 110 in diesem Beispiel j eweils in einen ersten Teilabschnitt 111 und einen zweiten Teilabschnitt 112 unterteilt . Der zweite Abschnitt 120 ist j eweils in einen ersten Teilabschnitt 121 und einen zweiten Teilabschnitt 122 unterteilt . Bei j edem Segment 140 ist der erste Teilabschnitt 111 des ersten Abschnitts 110 einstückig zusammenhängend mit dem ersten Teilabschnitt 121 des zweiten Abschnitts 120 verbunden . Entsprechend ist auch der zweite Teilabschnitt 112 des ersten Abschnitts 110 einstückig zusammenhängend mit dem zweiten Teilabschnitt 122 des zweiten Abschnitts 120 verbunden . Der erste Teilabschnitt 111 und der zweite Teilabschnitt 112 des ersten Abschnitts 110 sowie der erste Teilabschnitt 121 und der zweite Teilabschnitt 122 des zweiten Abschnitts 120 sind dagegen bei j edem Segment 140 voneinander getrennt und lediglich indirekt über die Stege 150 , die Verstrebungen 160 und die weiteren Segmente 140 miteinander verbunden .
Fig . 2 zeigt eine Aufsicht auf die Vorderseite 101 des Leiterrahmens 100 in einem der Fig . 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand . Fig . 3 zeigt eine geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens 100 in dem in Fig . 2 gezeigten Bearbeitungsstand .
An j edem Segment 140 des Leiterrahmens 100 ist j eweils ein innerer Formkörper 200 ausgebildet worden . Die inneren Formkörper 200 sind voneinander getrennt und beabstandet .
Die inneren Formkörper 200 sind durch ein Formverfahren ausgebildet worden, beispielsweise durch Spritzgießen ( Inj ection Molding) . Es ist zweckmäßig, die inneren Formkörper 200 an allen Segmenten 140 des Leiterrahmens 100 gleichzeitig in einem einzigen Bearbeitungsschritt aus zubilden . Die inneren Formkörper 200 sind aus einem Kunststof fmaterial ausgebildet worden, beispielsweise aus einem Thermo- oder einem Duroplast .
Die ersten Abschnitte 110 der Segmente 140 des Leiterrahmens 100 sind j eweils in die inneren Formkörper 200 eingebettet worden, indem die ersten Abschnitte 110 während des Ausbildens der inneren Formkörper 200 durch das Material der inneren Formkörper 200 umformt worden sind . Die zweiten Abschnitte 120 sind j eweils nicht in die inneren Formkörper 200 eingebettet worden .
Jeder innere Formkörper 200 weist eine Oberseite 201 und eine der Oberseite 201 gegenüberliegende Unterseite 202 auf . Im in Figuren 2 und 3 gezeigten Beispiel schließt die Unterseite 202 des inneren Formkörpers 200 bündig mit der Rückseite 102 des Leiterrahmens 100 ab, während die Oberseite 201 des inneren Formkörpers 200 über die Vorderseite 101 des Leiterrahmens 100 erhaben ist . Es könnte aber beispielsweise auch die Unterseite 202 des inneren Formkörpers 200 über die Rückseite 102 des Leiterrahmens 100 hinausragen . Ebenfalls möglich ist , dass auch die Oberseite 201 des inneren Formkörpers 200 bündig mit der Vorderseite 101 des Leiterrahmens 100 abschließt .
An der Oberseite 201 j edes inneren Formkörpers 200 ist eine Kavität 210 ausgebildet , die einen Boden 230 und eine umlaufende Wandung 220 aufweist . Am Boden 230 der Kavität 210 j edes inneren Formkörpers 200 liegen der erste Teilabschnitt 111 und der zweite Teilabschnitt 112 des ersten Abschnitts 110 des j eweiligen Segments 140 des Leiterrahmens 100 frei . Die Wandung 220 und damit auch die Kavität 210 können entfallen . In diesem Fall kann die Oberseite 201 des inneren Formkörpers 200 bündig mit der Vorderseite 101 des Leiterrahmens 100 abschließen und bildet den Boden 230 mit dem am Boden 230 freiliegenden ersten Teilabschnitt 111 und dem am Boden 230 freiliegenden zweiten Teilabschnitt 112 des ersten Abschnitts 110 des j eweiligen Segments 140 des Leiterrahmens 100 .
Fig . 4 zeigt eine Aufsicht auf ein Segment 140 des Leiterrahmens 100 in einem den Darstellungen der Figuren 2 und 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand .
An dem inneren Formkörper 200 dieses Segments 140 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 300 an der Vorderseite 101 des Leiterrahmens 100 angeordnet worden . Der optoelektronische Halbleiterchip 300 ist in der Kavität 210 des inneren Formkörpers 200 am Boden 230 der Kavität 210 angeordnet worden . Wäre die Kavität 210 nicht vorhanden, so wäre der optoelektronische Halbleiterchip 300 an der den Boden 230 bildenden Oberseite 201 des inneren Formkörpers 200 angeordnet worden . An den inneren Formkörpern 200 der weiteren Segmente 140 des Leiterrahmens 100 sind j eweils entsprechende optoelektronische Halbleiterchips 300 angeordnet worden . Der optoelektronische Halbleiterchip 300 ist dazu ausgebildet , elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht , zu emittieren . Der optoelektronische Halbleiterchip 300 kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip ( LED-Chip ) sein . Der optoelektronische Halbleiterchip 300 ist so ausgebildet und an dem inneren Formkörper 200 angeordnet worden, dass von dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 emittierte elektromagnetische Strahlung in eine senkrecht zur Oberseite 201 des inneren Formkörpers 200 und damit auch senkrecht zur Vorderseite 101 des Leiterrahmens 100 orientierte Hauptabstrahlrichtung abgestrahlt wird .
Der an dem inneren Formkörper 200 angeordnete optoelektronische Halbleiterchip 300 ist elektrisch leitend mit den am Boden 230 der Kavität 210 des inneren Formkörpers 200 freiliegenden Teilabschnitten 111 , 112 des ersten Abschnitts 110 des Segments 140 des Leiterrahmens 100 verbunden worden, im in den Figuren gezeigten Beispiel mittels zweier Bonddrähte 320 . Die elektrisch leitenden Verbindungen können aber auch auf andere Weise hergestellt werden, beispielsweise über Lötoder Klebeverbindungen .
Nach dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips 300 in der Kavität 210 des inneren Formkörpers 200 ist ein Ver- gussmaterial 330 in der Kavität 200 angeordnet worden . Dabei ist der optoelektronische Halbleiterchip 300 in das Verguss- material 330 eingebettet worden . Das Vergussmaterial 330 kann beispielsweise ein Silikon aufweisen . Das Vergussmaterial 330 dient einem Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips 300 und der Bonddrähte 320 vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen . Das Vergussmaterial 330 kann außerdem eingebettete Partikel aufweisen, beispielsweise Streupartikel oder wellenlängenkonvertierende Partikel . Wellenlängenkonvertierende Partikel können dazu vorgesehen sein, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren . Das Vergussmaterial 330 kann entfallen . Fig . 5 zeigt eine Aufsicht auf die Vorderseite 101 des Leiterrahmens 100 in einem der Darstellung der Fig . 4 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand . Fig . 6 zeigt eine geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens 100 in dem Bearbeitungsstand der Fig . 5 .
Ausgehend von dem in Fig . 4 gezeigten Bearbeitungsstand sind diej enigen Stege 150 des Leiterrahmens 100 durchtrennt worden, die die ersten Abschnitte 110 des Leiterrahmens 100 mit anderen Abschnitten des Leiterrahmens 100 verbunden haben . Das Durchtrennen der Stege 150 kann beispielsweise mittels eines Stanzprozesses erfolgt sein .
Anschließend ist der Leiterrahmen 100 in j edem Segment 140 derart gebogen worden, dass der erste Abschnitt 110 des j eweiligen Segments 140 des Leiterrahmens 100 gegen den zweiten Abschnitt 120 des j eweiligen Segments 140 abgewinkelt worden ist . Die ersten Abschnitte 110 des Leiterrahmens 100 und die an den ersten Abschnitten 110 ausgebildeten inneren Formkörper 200 sind aus der Ebene des Leiterrahmens 100 herausgebogen worden . Dabei sind die ersten Abschnitte 110 des Leiterrahmens 100 und die an den ersten Abschnitten 110 angeordneten inneren Formkörper 200 zur Rückseite 102 des Leiterrahmens 100 hin abgewinkelt worden .
Im in Figuren 5 und 6 gezeigten Beispiel sind die ersten Abschnitte 110 des Leiterrahmens 100 j eweils um 90 ° gebogen worden, sodass zwischen der Rückseite 102 des ersten Abschnitts 110 und der Rückseite 102 des zweiten Abschnitts 120 j edes Segments 140 des Leiterrahmens 100 j eweils ein Winkel 130 von 90 ° eingeschlossen ist . Es ist j edoch auch möglich, den Leiterrahmen 100 derart zu biegen, dass der Winkel 130 einen anderen Wert zwischen 0 ° und 180 ° aufweist .
Fig . 7 zeigt den Leiterrahmen 100 und den inneren Formkörper 200 in Aufsicht in einem der Darstellung der Figuren 5 und 6 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand . Fig . 8 zeigt eine geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens 100 in dem in Fig . 7 gezeigten Bearbeitungsstand .
Der Leiterrahmen 100 und die inneren Formkörper 200 sind in einen gemeinsamen äußeren Formkörper 400 eingebettet worden . Der äußere Formkörper 400 kann beispielsweise durch ein Formverfahren ausgebildet worden sein, insbesondere beispielsweise durch Formpressen ( Compression Molding) . Dabei sind der Leiterrahmen 100 und die inneren Formkörper 200 während des Formverfahrens durch das Material des äußeren Formkörpers 400 umformt worden . Falls in den Kavitäten 210 der inneren Formkörper 200 ein Vergussmaterial 330 angeordnet ist , so ist auch das Vergussmaterial 330 durch das Material des äußeren Formkörpers 400 bedeckt worden . Andernfalls erstreckt sich das Material des äußeren Formkörpers 400 auch in die Kavitäten 210 der inneren Formkörper 200 , so dass die optoelektronischen Halbleiterchips 300 in das Material des äußeren Formkörpers 400 eingebettet worden sind . Falls keine Kavitäten 210 vorhanden sind, so sind die optoelektronischen Halbleiterchips 300 ebenfalls in das Material des äußeren Formkörpers 400 eingebettet worden .
Der äußere Formkörper 400 kann beispielsweise ein Kunststof fmaterial aufweisen, beispielsweise ein Silikon oder ein Epoxid . Das Material des äußeren Formkörpers 400 ist für durch die elektromagnetischen Halbleiterchips 300 emittierte elektromagnetische Strahlung im Wesentlichen transparent . Weist das in den Kavitäten 210 der inneren Formkörper 200 angeordnete Vergussmaterial 330 ein wellenlängenkonvertierendes Material auf , so weist das Material des äußeren Formkörpers 400 für durch das Konvertermaterial erzeugte elektromagnetische Strahlung eine hohe Transparenz auf .
Der äußere Formkörper 400 weist eine Oberseite 401 und eine der Oberseite 401 gegenüberliegende Unterseite 402 auf . Der äußere Formkörper 400 ist so ausgebildet worden, dass die Vorderseite 101 der zweiten Abschnitte 120 der Segmente 140 des Leiterrahmens 100 bündig mit der Unterseite 402 des äuße- ren Formkörpers 400 abschließen und an der Unterseite 402 des äußeren Formkörpers 400 zugänglich sind . Es kann erforderlich sein, den Leiterrahmen 100 vor dem Ausbilden des äußeren Formkörpers 400 zu wenden . Auch kann es erforderlich sein, nach dem Ausbilden des äußeren Formkörpers 400 eine unerwünschte Bedeckung der Vorderseite 101 der zweiten Abschnitte 120 der Segmente 140 des Leiterrahmens 100 durch das Material des äußeren Formkörpers 400 ( Flash) zu entfernen ( deflashing) .
Fig . 9 zeigt eine perspektivische Darstellung eines optoelektronischen Bauelements 10 , das durch Zerteilen des in Figuren 7 und 8 gezeigten äußeren Formkörpers 400 gebildet worden ist .
Ausgehend von dem in Figuren 7 und 8 gezeigten Bearbeitungsstand ist der äußere Formkörper 400 gemeinsam mit dem in den äußeren Formkörper 400 eingebetteten Leiterrahmen 100 zerteilt worden . Durch das Zerteilen sind mehrere Teile 410 gebildet worden, die j eweils ein Segment 140 des Leiterrahmens 100 und einen an diesem Segment 140 angeordneten inneren Formkörper 200 aufweisen . Jeder solche Teil 410 bildet ein optoelektronisches Bauelement 10 . Das Zerteilen des äußeren Formkörpers 400 und des Leiterrahmens 100 kann beispielsweise durch einen Sägeprozess erfolgt sein .
Die Unterseite 402 des das optoelektronische Bauelement 10 bildenden Teils 410 bildet eine Montageseite des optoelektronischen Bauelements 10 . Die an der Unterseite 402 des Teils 410 freiliegende Vorderseite 101 des zweiten Abschnitts 120 des Segments 140 des Leiterrahmens 100 bildet elektrische Kontakt flächen des optoelektronischen Bauelements 10 . Das optoelektronische Bauelement 10 kann sich damit als SMD- Bauelement für eine Oberflächenmontage eignen, beispielsweise für eine Montage durch Wiederauf Schmel zlöten (Ref low-Löten) .
Die Hauptabstrahlrichtung des optoelektronischen Halbleiterchips 300 des optoelektronischen Bauelements 10 ist um den Winkel 130 gegenüber einer senkrecht zur Montageebene des optoelektronischen Bauelements 10 orientierten Richtung abgewinkelt , im dargestellten Beispiel also um 90 ° . Das optoelektronische Bauelement 10 emittiert elektromagnetische Strahlung damit in eine zu der Montageebene des optoelektronischen Bauelements 10 parallele Richtung . Damit kann sich das optoelektronische Bauelement 10 beispielsweise für eine Einkopplung von elektromagnetischer Strahlung in einen Lichtwellenleiter eignen . Die Kavität 210 des inneren Formkörpers 200 des optoelektronischen Bauelements 10 kann eine Bündelung der von dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 emittierten elektromagnetischen Strahlung bewirken .
Von dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 des optoelektronischen Bauelements 10 emittierte elektromagnetische Strahlung verläuft durch das Vergussmaterial 330 , falls ein solches vorhanden ist , sowie durch das Material des äußeren Formkörpers 400 .
Figuren 10 und 11 zeigen perspektivische Darstellungen eines optoelektronischen Bauelements 11 aus unterschiedlichen Blickrichtungen . Das in Figuren 10 und 11 gezeigte optoelektronische Bauelement 11 weist große Übereinstimmungen mit dem in Fig . 9 gezeigten optoelektronischen Bauelement 10 auf . Das zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements 11 genutzte Verfahren weist deutliche Übereinstimmungen mit dem vorstehend beschriebenen Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements 10 auf . Nachfolgend wird lediglich beschrieben, wodurch sich das optoelektronische Bauelement 11 und das zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements 11 dienende Verfahren von dem optoelektronischen Bauelement 10 und dem Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements 10 unterscheiden . Ansonsten gilt die vorstehende Beschreibung des optoelektronischen Bauelements 10 und des zugehörigen Herstellungsverfahrens auch für das optoelektronische Bauelement 11 . Bei dem optoelektronischen Bauelement 11 ist der Leiterrahmen 100 derart gebogen, dass der erste Abschnitt 110 des Segments 140 des Leiterrahmens 100 zur Vorderseite 101 des Leiterrahmens abgewinkelt ist . Damit schließen die Vorderseite 101 des ersten Abschnitts 110 und die Vorderseite 101 des zweiten Abschnitts 120 des Segments 140 des Leiterrahmens 100 den Winkel 130 ein, der zwischen 0 und 180 ° liegt und im in Fig . 10 und 11 gezeigten Beispiel 90 ° beträgt .
Bei der Herstellung des optoelektronischen Bauelements 11 werden der Leiterrahmen 100 und die inneren Formkörper 200 derart in den äußeren Formkörper 400 eingebettet , dass die Rückseite 102 der zweiten Abschnitte 120 des Leiterrahmens 100 bündig mit der Unterseite 402 des äußeren Formkörpers 400 abschließt . Es kann dabei möglich sein, auf ein vorheriges Wenden des Leiterrahmens 100 zu verzichten . Bei dem optoelektronischen Bauelement 11 bildet damit die Rückseite 102 der Teilabschnitte 121 , 122 des zweiten Abschnitts 120 des Segments 140 des Leiterrahmens 100 die elektrischen Kontaktflächen des optoelektronischen Bauelements 11 .
Bei dem optoelektronischen Bauelement 11 erfolgt die Emission elektromagnetischer Strahlung von dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 aus der Kavität 210 des inneren Formkörpers 200 über die Vorderseite 101 des zweiten Abschnitts 120 des Leiterrahmens 100 hinweg .
Fig . 12 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines optoelektronischen Bauelements 12 gemäß einer weiteren Variante . Das optoelektronische Bauelement 12 der Fig . 12 weist große Übereinstimmungen mit dem in Fig . 9 gezeigten optoelektronischen Bauelement 10 und kann durch ein sehr ähnliches Verfahren hergestellt werden . Nachfolgend wird lediglich beschrieben, wodurch sich das optoelektronische Bauelement 12 und das zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements 12 genutzte Verfahren von dem optoelektronischen Bauelement 10 und dem zugehörigen Herstellungsverfahren unterscheiden . Im Übrigen gelten die Beschreibung des opto- elektronischen Bauelements 10 und des zugehörigen Herstellungsverfahrens auch für das optoelektronische Bauelement 12 der Fig . 12 .
Zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements 12 wird ein Leiterrahmen 100 genutzt , bei dem der erste Abschnitt 110 und der zweite Abschnitt 120 j edes Segments 140 j eweils mehr als zwei Teilabschnitte umfasst . Dadurch kann in der Kavität 210 des inneren Formkörpers 200 mehr als ein optoelektronischer Halbleiterchip 300 angeordnet und elektrisch kontaktiert werden . Im in Fig . 12 gezeigten Beispiel sind neben dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 noch zwei weitere optoelektronische Halbleiterchips 310 in der Kavität 210 des inneren Formkörpers 200 an der Vorderseite 101 des Leiterrahmens 100 angeordnet worden . Die weiteren optoelektronischen Halbleiterchips 310 können beispielsweise dazu ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung mit anderen Wellenlängen zu emittieren als der optoelektronische Halbleiterchip 300 . Beispielsweise können der optoelektronische Halbleiterchip 300 und die weiteren optoelektronischen Halbleiterchips 310 ausgebildet sein, Licht mit Wellenlängen aus den roten, grünen und blauen Spektralbereichen zu emittieren . Selbstverständlich könnte das optoelektronische Bauelement 12 auch nur einen weiteren optoelektronischen Halbleiterchip 310 oder mehr als zwei weitere optoelektronische Halbleiterchips 310 aufweisen .
Ebenfalls möglich ist , den Leiterrahmen 100 bei dem optoelektronischen Bauelement 12 so zu biegen wie bei dem optoelektronischen Bauelement 11 der Figuren 10 und 11 .
Fig . 13 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Segments 140 des Leiterrahmens 100 während der Durchführung einer weiteren Variante des vorstehend beschriebenen Herstellungsverfahrens .
Bei dieser Variante des Herstellungsverfahrens ist nach dem Biegen des Leiterrahmens 100 in einem zusätzlichen Bearbei- tungsschritt ein elektronischer Halbleiterchip 500 an der Rückseite 102 des Leiterrahmens 100 auf dem zweiten Abschnitt 120 des in Fig . 13 gezeigten Segments 140 des Leiterrahmens 100 angeordnet worden . Dann ist der elektronische Halbleiterchip 500 elektrisch leitend mit den Teilabschnitten 121 , 122 des zweiten Abschnitts 120 des Leiterrahmens 100 verbunden worden, beispielsweise über Bonddrähte . Entsprechende elektronische Halbleiterchips 500 sind auch an den weiteren Segmenten 140 des Leiterrahmens 100 angeordnet und elektrisch kontaktiert worden .
Der elektronische Halbleiterchip 500 kann beispielsweise dazu ausgebildet sein, den optoelektronischen Halbleiterchip 300 des j eweiligen Segments 140 des Leiterrahmens 100 anzusteuern . Falls neben dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 weitere optoelektronische Halbleiterchips 310 vorhanden sind, kann der elektronische Halbleiterchip 500 ausgebildet sein, den optoelektronischen Halbleiterchip 300 und alle weiteren optoelektronischen Halbleiterchips 310 anzusteuern . Hierzu kann der elektronische Halbleiterchip 500 beispielsweise als Treiberchip ausgebildet sein . Der elektronische Halbleiterchip 500 kann aber auch andere oder weitere Funktionalitäten aufweisen .
Nach dem Anordnen des elektronischen Halbleiterchips 500 ist der elektronische Halbleiterchip 500 in ein Einbettungsmaterial 510 eingebettet worden . Das Einbettungsmaterial 510 kann einem Schutz des elektronischen Halbleiterchips 500 und der mit dem elektronischen Halbleiterchip 500 verbundenen Bonddrähte dienen . Das Einbettungsmaterial 510 kann beispielsweise ein Kunststof fmaterial sein, beispielsweise ein Silikon oder ein Epoxid . Das Einbetten des elektronischen Halbleiterchips 500 in das Einbettungsmaterial 510 kann allerdings auch entfallen .
Fig . 14 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines optoelektronischen Bauelements 13 , das durch weitere Bearbeitung des in Fig . 13 gezeigten Segments 140 des Leiterrahmens 100 hergestellt worden ist .
Ausgehend von dem in Fig . 13 gezeigten Bearbeitungsstand ist der Leiterrahmen 100 in den äußeren Formkörper 400 eingebettet worden, wie dies oben mit Bezug auf die Herstellung des optoelektronischen Bauelements 10 beschrieben worden ist . Der äußere Formkörper 400 ist so ausgebildet worden, dass die Unterseite 402 des äußeren Formkörpers 400 bündig mit der Vorderseite 101 der zweiten Abschnitte 120 des Leiterrahmens 100 abschließt . Der elektronische Halbleiterchip 500 und das den elektronischen Halbleiterchip 500 umschließende Einbettungsmaterial 510 sind gemeinsam mit dem Leiterrahmen 100 und dem inneren Formkörper 200 in den äußeren Formkörper 400 eingebettet worden .
Anschließend sind der äußere Formkörper 400 und der in den äußeren Formkörper 400 eingebettete Leiterrahmen 100 auf die bereits beschriebene Weise zerteilt worden, um das optoelektronische Bauelement 13 zu bilden .
Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Aus führungsbeispiele näher illustriert und beschrieben . Dennoch ist die Erfindung nicht auf die of fenbarten Beispiele eingeschränkt . Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlas- sen .
BEZUGSZEICHENLISTE optoelektronisches Bauelement optoelektronisches Bauelement optoelektronisches Bauelement optoelektronisches Bauelement
Leiterrahmen
Vorderseite
Rückseite erster Abschnitt erster Teilabschnitt zweiter Teilabschnitt zweiter Abschnitt erster Teilabschnitt zweiter Teilabschnitt
Winkel
Segment
Steg
Verstrebung innerer Formkörper
Oberseite
Unterseite
Kavität
Wandung
Boden optoelektronischer Halbleiterchip weiterer optoelektronischer Halbleiterchip
Bonddraht
Ver gussmaterial äußerer Formkörper
Oberseite
Unterseite
Teil 500 elektronischer Halbleiterchip
510 Einbettungsmaterial

Claims

23
PATENTANSPRÜCHE Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10, 11, 12, 13) mit den folgenden Schritten:
- Bereitstellen eines Leiterrahmens (100) mit einer Vorderseite (101) und einer Rückseite (102) ;
- Ausbilden eines inneren Formkörpers (200) , wobei ein erster Abschnitt (110) des Leiterrahmens (100) in den inneren Formkörper (200) eingebettet wird und ein zweiter Abschnitt (120) des Leiterrahmens (100) nicht in den inneren Formkörper (200) eingebettet wird;
- Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (300) an dem inneren Formkörper (200) an der Vorderseite (101) des Leiterrahmens (100) ;
- Biegen des Leiterrahmens (100) derart, dass der erste Abschnitt (110) des Leiterrahmens (100) gegen den zweiten Abschnitt (120) des Leiterrahmens (100) abgewinkelt wird;
- Einbetten des Leiterrahmens (100) und des inneren Formkörpers (200) in einen äußeren Formkörper (400) , so dass von dem optoelektronischen Halbleiterchip (300) emittierte elektromagnetische Strahlung durch den äußeren Formkörper (400) verläuft. Verfahren nach Anspruch 1, wobei nach dem Biegen des Leiterrahmens (100) der folgende weitere Schritt durchgeführt wird:
- Anordnen eines elektronischen Halbleiterchips (500) an der Rückseite (102) des Leiterrahmens (100) , wobei der elektronische Halbleiterchip (500) gemeinsam mit dem Leiterrahmen (100) und dem inneren Formkörper
(200) in den äußeren Formkörper (400) eingebettet wird. Verfahren nach Anspruch 2, wobei nach dem Anordnen des elektronischen Halbleiterchips (500) der folgende weitere Schritt durchgeführt wird :
- Einbetten des elektronischen Halbleiterchips (500) in ein Einbettungsmaterial (510) , wobei der elektronische Halbleiterchip (500) gemeinsam mit dem Einbettungsmaterial (510) in den äußeren Formkörper (400) eingebettet wird. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Leiterrahmen (100) derart gebogen wird, dass der erste Abschnitt (110) des Leiterrahmens (100) zur Rückseite (102) des Leiterrahmens (100) abgewinkelt wird. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Leiterrahmen (100) derart gebogen wird, dass der erste Abschnitt (110) des Leiterrahmens (100) zur Vorderseite (101) des Leiterrahmens (100) abgewinkelt wird . Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Leiterrahmen (100) derart gebogen wird, dass der erste Abschnitt (110) des Leiterrahmens (100) um einen Winkel (130) von 90° gegen den zweiten Abschnitt (120) des Leiterrahmens (100) abgewinkelt wird. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Leiterrahmen (100) vor dem Biegen abschnittsweise durchtrennt wird. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der innere Formkörper (200) mit einer Kavität (210) ausgebildet wird, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (300) in der Kavität (210) angeordnet wird. Verfahren nach Anspruch 8, wobei nach dem Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips (300) der folgende weitere Schritt durchgeführt wird:
- Anordnen eines Vergussmaterials (330) in der Kavität (210) , wobei der optoelektronische Halbleiterchip (300) in das Vergussmaterial (330) eingebettet wird. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Mehrzahl von inneren Formkörpern (200) ausgebildet wird, wobei der Leiterrahmen (100) jeweils abschnittsweise in die inneren Formkörper (200) eingebettet wird, wobei mehrere innere Formkörper (200) gemeinsam in den äußeren Formkörper (400) eingebettet werden, wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt umfasst:
- Zerteilen des äußeren Formkörpers (400) , um mehrere Teile zu erhalten, die jeweils mindestens einen inneren Formkörper (200) aufweisen. Optoelektronisches Bauelement (10, 11, 12, 13) mit einem Leiterrahmen (100) mit einer Vorderseite (101) und einer Rückseite (102) , einem inneren Formkörper (200) , einem an dem inneren Formkörper (200) an der Vorderseite (101) des Leiterrahmens (100) angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip (300) , und einem äußeren Formkörper (400) , wobei ein erster Abschnitt (110) des Leiterrahmens (100) in den inneren Formkörper (200) eingebettet ist und ein zweiter Abschnitt (120) des Leiterrahmens (100) nicht in den inneren Formkörper (200) eingebettet ist, wobei der Leiterrahmens (100) derart gebogen ist, dass der erste Abschnitt (110) des Leiterrahmens (100) gegen den zweiten Abschnitt (120) des Leiterrahmens (100) abgewinkelt ist, wobei der Leiterrahmen (100) und der innere Formkörper
(200) in den äußeren Formkörper (400) eingebettet sind, wobei von dem optoelektronischen Halbleiterchip (300) emittierte elektromagnetische Strahlung durch den äußeren Formkörper (400) verläuft. 26 Optoelektronisches Bauelement (13) nach Anspruch 11, wobei an der Rückseite (102) des Leiterrahmens (100) ein elektronischer Halbleiterchip (500) angeordnet ist, wobei der elektronische Halbleiterchip (500) gemeinsam mit dem Leiterrahmen (100) und dem inneren Formkörper (200) in den äußeren Formkörper (400) eingebettet ist. Optoelektronisches Bauelement (13) nach Anspruch 12, wobei der elektronische Halbleiterchip (500) dazu ausgebildet ist, den optoelektronischen Halbleiterchip (300) anzusteuern . Optoelektronisches Bauelement (10, 12, 13) nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei der Leiterrahmen (100) derart gebogen ist, dass der erste Abschnitt (110) des Leiterrahmens (100) zur Rückseite (102) des Leiterrahmens (100) abgewinkelt ist. Optoelektronisches (11) Bauelement nach Anspruch 11, wobei der Leiterrahmen (100) derart gebogen ist, dass der erste Abschnitt (110) des Leiterrahmens (100) zur Vorderseite (101) des Leiterrahmens (100) abgewinkelt ist. Optoelektronisches Bauelement (10, 11, 12, 13) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Leiterrahmen (100) derart gebogen ist, dass der erste Abschnitt (110) des Leiterrahmens (100) um einen Winkel (130) von 90° gegen den zweiten Abschnitt (120) des Leiterrahmens (100) abgewinkelt ist. Optoelektronisches Bauelement (10, 11, 12, 13) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der innere Formkörper (200) eine Kavität (210) aufweist, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (300) in der Kavität (210) angeordnet ist. 27 Optoelektronisches Bauelement (10, 11, 12, 13) nach Anspruch 17, wobei in der Kavität (210) ein Vergussmaterial (330) angeordnet ist, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (300) in das Vergussmaterial (330) eingebettet ist. Optoelektronisches Bauelement (12) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei neben dem optoelektronischen Halbleiterchip (300) mindestens ein weiterer optoelektronischer Halbleiterchip (310) an dem inneren Formkörper (200) an der Vorderseite (101) des Leiterrahmens (100) angeordnet ist.
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