WO2022019184A1 - 電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス - Google Patents

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WO2022019184A1
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sealing resin
sealing
less
electronic device
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敦 木佐貫
光 大橋
泰明 前田
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パナソニックＩｐマネジメント株式会社
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    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
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    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector

Definitions

  • This disclosure relates to an electronic device manufacturing method and an electronic device. Specifically, a method for manufacturing an electronic device including a base material, a mounting component, and a sealing material interposed in a gap between the base material and the mounting component, and a sealing material produced from a sealing resin composition. Regarding electronic devices to be equipped.
  • Patent Document 1 discloses an underfill material containing an epoxy compound, an epoxy curing agent, and a curing accelerator.
  • the curing accelerator contains imidazole and a phosphonium salt to control the reactivity of the underfill material, and by maintaining the viscosity, the underfill material is cured to form a substrate and a mounting component in an electronic device. The space is sealed.
  • An object of the present disclosure is to provide a method for manufacturing an electronic device in which voids are less likely to occur in the encapsulant even if the distance between the electrodes of the mounting component and the distance between the base material and the mounting component are narrowed, and the electronic device. To provide.
  • the method for manufacturing an electronic device includes a mounting step, an injection step, and a sealing step.
  • the mounting step the mounted components are surface-mounted on the base material via a plurality of electrodes.
  • a thermosetting resin composition for sealing is injected between the base material and the mounting component.
  • the sealing resin composition is cured to prepare a sealing material.
  • the shortest pitch between the plurality of electrodes is 100 ⁇ m or less, and the distance between the base material and the mounting component is 25 ⁇ m or less.
  • the sealing resin composition is cured by heating under pressure.
  • the electronic device according to one aspect of the present disclosure is manufactured by the method for manufacturing the electronic device.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an electronic device according to an embodiment of the present disclosure.
  • 2A to 2E are schematic cross-sectional views showing a part of a process for manufacturing the electronic device of the present disclosure.
  • a sealing material in an electronic device for example, a mounting component having an electrode such as a semiconductor element is stacked on a base material with a flip chip, and then a sealing material is produced in a gap between the base material and the mounting component. It may be produced by a so-called underfill method in which a liquid sealing material (underfill material) is injected and filled.
  • the gap between the base material and the mounted component can be sealed with the cured product of the underfill material by filling the underfill material and then curing as described above. Therefore, it is widely used as a method for producing a sealing material in an electronic device.
  • miniaturization of electronic devices (hereinafter, also referred to as miniaturization) is required. That is, in electronic devices, the size of the board and mounting components has been reduced, and the spacing between the board and the mounting components and the spacing between the electrodes of the mounting components have been reduced to achieve fine pitch and fine gap (narrow gap / pitch). It may be said).
  • the distance between the base material and the mounting component also called the gap
  • the distance between the electrodes of the mounting component also called the pitch
  • voids remained in the encapsulant This is because when the electronic device is refined, it is difficult for the sealing material to flow sufficiently in the gap between the base material and the mounted component in the conventional manufacturing method, and even if it can flow, it is used for sealing before curing.
  • the inventors have found that some of the materials in the above are susceptible to voids.
  • the inventors have conducted diligent research to determine the conditions for manufacturing electronic devices for manufacturing miniaturized electronic devices and the encapsulants for miniaturized electronic devices.
  • the composition and physical properties of the sealing resin composition for production have been found.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an electronic device according to an embodiment of the present disclosure.
  • the method for manufacturing the electronic device 1 of the present embodiment includes a mounting step, an injection step, and a sealing step.
  • the mounting step the mounting component 3 is surface-mounted on the base material 2 via a plurality of electrodes 33.
  • a thermosetting resin composition for sealing is injected between the base material 2 and the mounting component 3.
  • the sealing resin composition is cured to prepare the sealing material 4.
  • the shortest pitch between the plurality of electrodes 33 is 100 ⁇ m or less, and the distance between the base material 2 and the mounting component 3 is 25 ⁇ m or less.
  • the sealing resin composition is cured by heating under pressure.
  • the sealing resin composition is injected into the gap between the base material 2 and the mounting component 3 and heated under pressure, so that the sealing resin composition is tentatively contained at the time of injection. Even if voids that cause voids are generated in the resin composition, the voids can be crushed or discharged to the outside before the sealing resin composition is cured. Therefore, even when the distance between the electrodes 33 of the mounting component 3 and the space between the base material 2 and the mounting component 3 in the electronic device 1 are narrowed, voids can be less likely to occur in the sealing material 4.
  • the inventors also have a sealing resin composition suitable for producing a sealing material 4 in a refined electronic device 1 by heating under pressure and thermosetting in the sealing step. I'm finding out. That is, the sealing resin composition of the present embodiment has thermosetting property for producing a sealing material 4 for sealing a gap between the base material 2 and the mounting component 3 mounted on the base material 2. It is a resin composition for sealing.
  • the sealing resin composition has a viscosity at 100 ° C. of 0.15 Pa ⁇ s or less. Therefore, in producing the sealing material 4 from the sealing resin composition, it is possible to have an appropriate fluidity when injecting the sealing resin composition, and it is possible to have an appropriate fluidity between the base material 2 and the mounting component 3. Can be sufficiently filled in the gaps between the two.
  • the encapsulating resin composition is interposed between the base material 2 and the mounting component 3 and heated under pressure to form the encapsulant 4 in the encapsulant 4. Voids can be less likely to occur.
  • the refined electronic device 1 means a device having a shortest pitch of 100 ⁇ m or less and a gap of 25 ⁇ m or less.
  • the pitch refers to the dimension between a plurality of electrodes in the mounting component 3
  • the gap refers to the distance between the base material 2 and the mounting component 3.
  • the purpose is not to limit the use of the sealing resin composition of the present embodiment only for producing the refined electronic device 1 described above, and for example, the sealing resin composition according to the present embodiment. Can be applied in any case of pitch spacing and gap spacing.
  • the sealing resin composition is interposed in the gap between the base material 2 and the mounting component 3 and heated and pressurized to be used as a sealing material from the sealing resin composition. 4 can be produced, and even if the sealing resin composition is flowed, voids are less likely to occur in the sealing resin composition, and as a result, voids in the sealing material 4 in the electronic device 1 can be reduced. Thereby, the connection reliability in the electronic device 1 can be ensured.
  • the sealing resin composition of the present embodiment has a viscosity at 100 ° C. of 0.15 Pa ⁇ s or less.
  • the sealing resin composition is more preferably when the viscosity when heated to 100 ° C. is 0.10 Pa ⁇ s or less, and further preferably 0.08 Pa ⁇ s or less.
  • the viscosity of the sealing resin composition at 100 ° C. is obtained by measuring the viscosity at 100 ° C. under the condition of a rotation speed of 1 rpm using a rheometer.
  • the sealing resin composition of the present embodiment When the sealing resin composition of the present embodiment is heated from 25 ° C. to a heating rate of 0.5 ° C./min to 50 ° C./min at least one heating condition, the viscosity at the time when the curing temperature is reached. However, it is preferably 0.150 Pa ⁇ s or less.
  • the "curing temperature" in the present embodiment means the temperature at the time when the initial viscosity reaches 100 times or more within 2 hours from the start of heating.
  • a sealing resin composition is applied to the stage of the rheometer by a rheometer, the stage is heated at a temperature in the range of 80 ° C to 150 ° C, and then sealed after 2 hours under the condition of a rotation speed of 1 rpm.
  • the "viscosity of the sealing resin composition at the time when the curing temperature is reached" is determined by using a rheometer on a stage in which the temperature has been raised to a temperature within the range of 80 ° C to 150 ° C in advance. It is obtained by allowing the composition to stand still and measuring under the condition of a rotation speed of 1 rpm.
  • the curing temperature varies depending on the components constituting the sealing resin composition, the mixing ratio of the components, the mixing method when preparing the composition, etc., but in the present embodiment, the composition components and / or the composition ratio are adjusted.
  • the viscosity at the time when the curing temperature of the sealing resin composition is reached can be controlled to be 0.150 Pa ⁇ s or less.
  • the viscosity when heated to the curing temperature is more preferably 0.10 Pa ⁇ s or less, and even more preferably 0.08 Pa ⁇ s or less.
  • the viscosity of the sealing resin composition at 25 ° C. is preferably less than 0.05 Pa ⁇ s.
  • the coating workability by, for example, jet dispensing, even at a temperature near room temperature (25 ° C.), that is, without heating the sealing resin composition in advance, And discharge stability can be improved. Further, in this case, good filling property under the mounting component 3 such as a semiconductor element can be achieved.
  • the viscosity of the sealing resin composition at 25 ° C. is more preferably 0.04 Pa ⁇ s or less, and even more preferably 0.03 Pa ⁇ s or less.
  • the lower limit of the viscosity of the sealing resin composition at 25 ° C. is not particularly limited, but may be, for example, 0.01 Pa ⁇ s or more.
  • the sealing resin composition preferably has foam breaking property.
  • the "foaming property" in the present disclosure can be confirmed as follows. First, an appropriate container having a bottom area of 450 mm 2 and a height of 55 mm or more is prepared, and the sealing resin composition is put into the container so that the height from the bottom surface of the container is 20 mm. Subsequently, the pressure inside the container is reduced at a temperature of 25 ° C. and 200 Pa / 10 min. After 10 minutes have passed from the start of depressurization, the inside of the container is checked, and the sealing resin composition is ejected (foamed) by the decompression to confirm whether or not the sealing resin composition adheres to the wall surface of the container.
  • the container has excellent foam breaking property.
  • the sealing resin composition has foam breaking property, even if the distance between the electrodes of the mounting component and the distance between the base material and the mounting component are narrowed in the electronic device 1, the sealing resin composition is formed.
  • the encapsulant is produced from an object by an underfill method, the generation of voids in the encapsulant 4 is particularly unlikely to occur.
  • the height of the deposits on the wall surface is more preferably 35 mm or less, further preferably 30 mm or less, and if the sealing resin composition is not ejected and no deposits are formed on the wall surface ( That is, it is particularly preferable (if it is substantially 0 mm).
  • the preferable characteristics of the above-mentioned sealing resin composition can be realized by appropriately adjusting the components of the composition described below.
  • the physical characteristics of the sealing resin composition are not limited to those described above.
  • the sealing resin composition according to the present embodiment can be suitably used as a sealing material 4 for sealing between the base material 2 and the mounting component 3 in the electronic device 1.
  • the sealing resin composition may be the sealing material 40, and specifically, it can be suitably used as an underfill material.
  • the sealing resin composition is used as a sealing material (underfill material) and the sealing material 4 is produced from the sealing resin composition, voids can be less likely to be generated in the sealing material 4.
  • the encapsulating resin composition of the present embodiment prepares an electronic device 1 in which the shortest pitch between a plurality of electrodes is 100 ⁇ m or less and the distance between the base material 2 and the mounting component 3 is 25 ⁇ m or less. Therefore, it can be suitably used for producing the sealing material 4 in the electronic device 1.
  • the sealing resin composition contains the epoxy resin (A).
  • the epoxy resin (A) is a thermosetting component.
  • the epoxy resin (A) contains a bisphenol type epoxy resin (A1) and an aromatic amino epoxy resin (A2). That is, the sealing resin composition preferably contains at least one or both of the bisphenol type epoxy resin (A1) and the aromatic amino epoxy resin (A2).
  • the bisphenol type epoxy resin (A1) contains, for example, at least one selected from the group consisting of bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, and derivatives of these resins.
  • the bisphenol type epoxy resin (A1) preferably contains a bisphenol F type epoxy resin. In this case, better thermosetting property can be imparted to the sealing resin composition.
  • the bisphenol F type epoxy resin is a compound in which two phenol skeletons are bonded via one methylene chain.
  • the bisphenol F type epoxy resin may have a substituent in the phenol skeleton.
  • the viscosity of the bisphenol type epoxy resin (A1) at 100 ° C. is preferably, for example, 0.01 Pa ⁇ s or more and 0.50 Pa ⁇ s or less.
  • the aromatic amino epoxy resin (A2) can impart better thermosetting property to the sealing resin composition while maintaining the storage stability of the sealing resin composition.
  • the aromatic amino epoxy resin (A2) preferably has an aromatic ring, an amino group bonded to the aromatic ring, and three or more epoxy groups in one molecule. That is, the aromatic amino epoxy resin (A2) is preferably trifunctional or higher.
  • the aromatic amino epoxy resin (A2) comprises an aromatic ring, an amino group bonded to the aromatic ring, an epoxy group bonded to the amino group, and an epoxy group bonded to a position different from the amino group bonded to the aromatic ring. Is more preferable. That is, when the aromatic amino epoxy resin (A2) has three or more epoxy groups, it is preferable that at least one is bonded to the amino group bonded to the aromatic ring.
  • aromatic aminoepoxy resin (A2) examples include N, N-diglycidyl-p-glycidyloxyaniline and the like.
  • the aromatic amino epoxy resin (A2) is not limited to the above compound.
  • the viscosity of the aromatic amino epoxy resin (A2) at 100 ° C. is preferably 0.01 Pa ⁇ s or more and 0.50 Pa ⁇ s or less.
  • the sealing resin composition contains both the above-mentioned bisphenol type epoxy resin (A1) and the aromatic amino epoxy resin (A2). In this case, it is easy to proceed with an appropriate curing reaction of the components in the sealing resin composition, and therefore, the sealing material produced from the sealing resin composition is satisfactorily between the base material 2 and the mounting component 3. It is easy to seal the gap.
  • the sealing resin composition contains the bisphenol type epoxy resin (A1) and the aromatic amino epoxy resin (A2)
  • the bisphenol type epoxy resin (A1) and the aromatic amino epoxy resin (A1) with respect to the epoxy resin (A) The mass ratio of the total amount with A2) is preferably 30% by mass or more and 70% by mass or less.
  • the sealing resin composition contains a bisphenol type epoxy resin (A1) and an aromatic amino epoxy resin (A2), the bisphenol type epoxy resin (A1) and the aromatic amino epoxy resin (A1) and the aromatic amino epoxy resin (A1) with respect to the total amount of the sealing resin composition.
  • the total content of A2) is preferably 5% by mass or more and 40% by mass or less, more preferably 10% by mass or more and 35% by mass or less, and further preferably 20% by mass or more and 30% by mass or less.
  • the fluidity of the sealing resin composition can be more easily maintained, and the gap between the base material 2 and the mounting component 3 can be satisfactorily filled. Therefore, the gap between the base material 2 and the mounting component 3 can be sufficiently sealed, and voids can be made less likely to occur in the sealing material 4 produced from the sealing resin composition.
  • the component that can be contained in the epoxy resin (A) in the sealing resin composition is not limited to that described above, and may contain a resin having an epoxy group other than the above.
  • the sealing resin composition preferably further contains phosphoric acid (B) and polyester phosphate (C).
  • Phosphoric acid (B) has a structure represented by the following formula (1).
  • the sealing resin composition contains phosphoric acid (B)
  • the effect of improving the dispersibility in the sealing resin composition by the polyester phosphate (C) described later can be promoted.
  • Phosphoric acid (B) is a mixture prepared by mixing with polyester (C) phosphate, and is preferably blended in the sealing resin composition.
  • the sealing resin composition preferably contains polyester (C) phosphate.
  • polyester (C) phosphate it is easy to enhance the dispersibility of the components contained in the sealing resin composition.
  • the sealing resin composition contains polyester (C) phosphate
  • the effect of reducing CTE of the cured product produced from the sealing resin composition is less likely to be impaired. That is, the coefficient of thermal expansion of the cured product of the sealing resin composition can be kept low.
  • CTE means Cofficient of Thermal Expansion, and may be hereinafter also referred to as "coefficient of thermal expansion” or "coefficient of linear expansion”.
  • the sealing resin composition contains phosphoric acid (B) and phosphoric acid polyester (C), the dispersibility of the filler is lowered even if the ratio of the inorganic filler (filler) (D) described later is increased. It's hard to make. Therefore, the proportion of the filler (D) in the sealing resin composition can be easily increased, and it is easier to achieve lowering the CTE of the cured product produced from the sealing resin composition.
  • the polyester phosphate (C) may have a structure represented by the following formula (2).
  • R 1 , R 2 , and R 3 are substituents selected independently from the group consisting of, for example, an alkyl group, an alkenyl group, and an alkynyl group, respectively.
  • R 1 , R 2 , and R 3 may be independently long-chained or branched.
  • At least one of R 1 , R 2 , and R 3 may be a hydrogen atom. That is, the phosphoric acid polyester (C) is a compound in which at least two hydrogen atoms in the formula (1) of the phosphoric acid (B) are independently substituted with R 1 , R 2 , and R 3 , respectively.
  • R 1 , R 2 , and R 3 may be substituents having at least one polyester structure. That is, when one of R 1, R 2 and R 3 is a substituent having a polyester structure, the other is selected from a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, an aryl group, and a polyoxyalkylene group. It may be at least one kind. When two of R 1 , R 2 and R 3 are substituents having a polyester structure, the other group consists of a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, an aryl group and a polyoxyalkylene group. It may be at least one selected.
  • R 1 , R 2 and R 3 are all substituents having a polyester structure
  • the substituents having a polyester structure may all be substituents having the same polyester structure, or may be substituents having different polyester structures independently.
  • the polyester structure is obtained by ring-opening polymerization of a polymer having an ester group obtained from a dicarboxylic acid and a diol, a polymer having an ester group obtained by polycondensation of a hydroxycarboxylic acid, and a cyclic ester compound such as a lactone. Contains polymer.
  • Substituents R 1 , R 2 , and R 3 may contain a phosphorus atom, for example, polyester phosphate (C) is a compound derived from polyphosphoric acid represented by the following formula (3), for example. good. That is, the polyester phosphate (C) may have two or more phosphorus atoms in one molecule.
  • polyester phosphate (C) is a compound derived from polyphosphoric acid represented by the following formula (3), for example. good. That is, the polyester phosphate (C) may have two or more phosphorus atoms in one molecule.
  • n 2 or more.
  • the phosphate polyester (C) is derived from the formula (3), at least two hydrogen atoms in the formula (3) should be substituted with a group selected from the group consisting of an alkyl group, an alkenyl group, and an alkynyl group. Just do it. Further, the polyester phosphate (C) may have a hydroxy group at the terminal.
  • n 1, it corresponds to the phosphoric acid (B) represented by the formula (1).
  • the phosphoric acid polyester (C) is not limited to the above, and may contain, for example, a reaction product obtained by reacting an appropriate alkyl ether, polyalkylene glycol monoalkyl ether, or the like with a phosphoric acid esterifying agent.
  • polyester phosphate (C) examples may be included in, for example, BYK-W series (for example, BYK-W9010 etc.), DISPERBYK series (for example, DISPERBYK-111 etc.) manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd. Phosphate polyester can be mentioned.
  • the mass ratio of the polyester phosphate (C) to the total amount of the sealing resin composition is preferably more than 0% by mass and less than 100% by mass, more preferably 0.01% by mass or more and 90% by mass or less. It is more preferably 0.02% by mass or more and 50% by mass or less, and particularly preferably 0.05% by mass or more and less than 10% by mass.
  • the sealing resin composition contains both phosphoric acid (B) and phosphoric acid polyester (C)
  • the dispersibility of the components in the sealing resin composition can be further improved. Therefore, since the dispersibility of the sealing resin composition is further enhanced, good fluidity can be maintained. As a result, the sealing resin composition can easily flow in the gap between the base material 2 and the mounting component 3, and therefore the sealing material 4 can be sufficiently filled in the gap.
  • the total mass ratio of phosphoric acid (B) and phosphoric acid polyester (C) to silica (D1) is 0.05% by mass or more. It is preferably 1.0% by mass or less. In this case, the CTE of the cured product of the sealing resin composition can be further lowered.
  • the mass ratio of the phosphoric acid polyester (C) is more preferably 0.1% by mass or more and 0.5% by mass or less, and further preferably 0.2% by mass or more and 0.4% by mass or less. In this case, the sealing resin composition can impart good fluidity, which makes it easier to fill the gaps with the sealing resin composition.
  • the sealing resin composition preferably contains an inorganic filler (D).
  • the inorganic filler (D) can contribute to a decrease in the coefficient of linear expansion of the cured product produced from the sealing resin composition.
  • the sealing resin composition may contain the inorganic filler (D). It is difficult to reduce the dispersibility of. Therefore, the viscosity of the sealing resin composition is unlikely to be excessively increased, the fluidity can be maintained, and the thixo property is unlikely to be deteriorated. As a result, the sealing resin composition is less likely to deteriorate in fluidity even if the content of the inorganic filler (D) is increased, and the linear expansion coefficient of the sealing resin composition can be lowered. ..
  • the inorganic filler (D) preferably contains silica (D1), and it is also preferable that at least a part of the silica (D1) is surface-treated with a coupling agent.
  • a coupling agent is, for example, a silane coupling agent.
  • silane coupling agent examples include compounds having at least one functional group selected from the group consisting of an epoxy group, an amino group, a (meth) acryloyl group, and a phenyl group.
  • the silane coupling agent is preferably a silane coupling agent having a phenyl group. That is, it is preferable that at least a part of silica (D1) is surface-treated with a silane coupling agent having a phenyl group. In this case, the dispersibility of the sealing resin composition can be further improved.
  • the silica (D1) When the inorganic filler (D) contains silica (D1), the silica (D1) has a second silica filler (D11) having a different average particle size from the first silica filler (D11). It preferably contains a silica filler (D12).
  • the "average particle size" in the present disclosure is a volume average diameter. The volume average diameter is calculated from the particle size distribution obtained by measuring by the laser diffraction / scattering method. The particle size distribution can be measured by, for example, a laser diffraction type particle size distribution measuring device, and examples of the laser diffraction type particle size distribution measuring device include the LA-960 series manufactured by HORIBA, Ltd.
  • the average particle size of the first silica filler (D11) is preferably 0.1 ⁇ m or more and 1.5 ⁇ m or less, and the standard deviation in the particle size distribution of the first silica filler (D11) in this case is 0.01. It is preferably less than 1.0.
  • the average particle size of the second silica filler (D12) is 10% or more and 50% or less with respect to the average particle size of the first silica filler (D11), and the average particle size of the second silica filler (D12).
  • the standard deviation in the particle size distribution is preferably 0.01 or more and less than 1.0.
  • the "standard deviation in the particle size distribution" in the present disclosure is an index indicating the breadth and narrowness of the particle size distribution.
  • the standard deviation in the particle size distribution can be calculated as follows. Similar to the above average particle size (volume average diameter), the standard deviation can be calculated from the particle size data of each particle and the average particle size in the particle size distribution obtained by measuring by the laser diffraction / scattering method.
  • the silica (D1) in the sealing resin composition the silica particles in each of the first silica filler (D11) and the second silica filler (D12) have a standard deviation of 0.01 or more and 1.0 in the particle size distribution. If it is less than, the viscosity of the sealing resin composition can be further lowered. Thereby, the sealing resin composition can secure the fluidity. Therefore, it is possible to achieve better moldability in sealing the gap between the substrate and the semiconductor element with the sealing resin composition.
  • the average particle size of the first silica filler (D11) is more preferably 0.1 ⁇ m or more and 1.0 ⁇ m or less. Further, it is preferable that the standard deviation in the particle size distribution of the first silica filler (D11) is 0.01 or more and 0.60 or less, more preferably 0.02 or more and 0.40 or less, and 0.02 or more and 0. It is more preferably 36 or less, and particularly preferably 0.05 or more and 0.36 or less.
  • the average particle size of the second silica filler (D12) is not particularly limited as long as it satisfies the above, but the average particle size of the second silica filler (D12) is, for example, 0.01 ⁇ m or more and 0.75 ⁇ m or less. can do.
  • the standard deviation in the particle size distribution of the second silica filler (D12) is preferably 0.01 or more and less than 0.10, more preferably 0.02 or more and 0.08 or less, and 0.03 or more and 0.08. The following is more preferable, and 0.04 or more and 0.06 or less is particularly preferable.
  • each of the first silica filler (D11) and the second silica filler (D12) is wet silica.
  • the wet silica is an amorphous silica synthesized in a liquid.
  • the wet silica can be produced by at least one method selected from the group consisting of a sedimentation method and a sol-gel method.
  • Wet silica is particularly preferably produced by the sol-gel method.
  • the average particle size of the wet silica particles can be kept relatively small, such as 0.1 ⁇ m or more and 1.5 ⁇ m or less, and the particle size distribution can be less likely to vary.
  • the sol-gel method is a synthetic method for obtaining a solid substance from a sol state in which fine particles such as colloids are dispersed in a solution through a gel state in which fluidity is lost, and an appropriate method may be adopted as the synthetic method.
  • the fact that the first silica filler (D11) of the present disclosure is produced by the sol-gel method can be confirmed by cutting the particles of the appropriate first silica filler (D11) and observing the cross section thereof.
  • the sol-gel method by cutting a cured product of a sealing resin composition, observing the cut surface with an electron microscope or the like, and measuring the particle size of silica on the cut surface. It can be judged that it is a thing. It can also be confirmed that the second silica filler (D12) and the third silica filler (D13) described later are produced by the sol-gel method in the same manner as the first silica filler (D11).
  • the silica (D1) further contains a third silica filler (D13) having an average particle size different from that of the first silica filler (D11) and the second silica filler (E12). That is, it is also preferable that the sealing resin composition contains the first silica filler (D11), the second silica filler (D12), and the third silica filler (D13). Especially when the silica (D1) contains the third silica filler (D13), the average particle size of the third silica filler (D13) is smaller than the average particle size of the second silica filler (D12). Not limited.
  • the standard deviation in the particle size distribution of the third silica filler (D13) is preferably 0.01 or more and less than 0.10, more preferably 0.02 or more and 0.09 or less, and 0.03 or more and 0.08. The following is more preferable, and 0.04 or more and 0.06 or less is particularly preferable.
  • the sealing resin composition contains the third silica filler (D13)
  • the sealing resin composition can be made particularly less fluid, and the sealing resin composition can be made less fluid. However, it can have good chixing properties.
  • the mass ratio of the third silica filler (D13) is preferably 5% by mass or more and 40% by mass or less with respect to the total amount of silica (D1).
  • the mass ratio of the third silica filler (D13) to the total amount of silica (D1) is 5% by mass or more, the thixo property can be improved, and when it is 40% by mass or less, good fluidity is maintained. Can be done.
  • the third silica (D13) is also preferably wet silica.
  • the third silica filler (D13) is also preferably wet silica produced by the sol-gel method. In this case, it is easy to adjust each of the first silica filler (D11), the second silica filler (D12), and the third silica filler (D13) so that the silica particles have the same particle size.
  • the first silica filler (D11) may be surface-treated with a coupling agent.
  • the surface treatment of the silica filler can be performed by reacting wet silica prepared by, for example, a sol-gel method with a coupling agent (for example, a silane coupling agent).
  • a coupling agent for example, a silane coupling agent.
  • the second silica filler (D12) and the third silica filler (D13) may be surface-treated with a coupling agent.
  • the mass ratio of the first silica filler (D11) and the second silica filler (D12) in the silica (D1) is preferably in the range of 60:40 to 98: 2.
  • the silica (D1) further contains a third silica filler (D13)
  • the mass ratio of the first silica filler (D11) to the second silica filler (D12) to the third silica filler (D13) is 60. It is preferable that the range is from 30:10 to 90: 8: 2.
  • the content of the inorganic filler (D) with respect to the total amount of the sealing resin composition is preferably 50% by mass or more and 75% by mass or less.
  • the CTE of the sealing resin composition can be further lowered.
  • the fluidity of the sealing resin composition can be maintained particularly well even if the proportion of the inorganic filler (D) is relatively large. Therefore, it is possible to prevent unfilling of the sealing resin composition in the gaps.
  • the content of the inorganic filler (D) is more preferably 50% by mass or more and 70% by mass or less, and further preferably 55% by mass or more and 65% by mass or less.
  • the inorganic filler (D) may contain a filler other than silica as long as the effect of the present disclosure is not impaired.
  • the sealing resin composition may contain appropriate compounds, resins, additives and the like in addition to the above.
  • the preferable components of the additive that can be contained in the sealing resin composition in the present embodiment will be described more specifically.
  • the sealing resin composition preferably further contains an antifoaming agent (E).
  • the defoaming agent (E) may have a function of suppressing foaming in the sealing resin composition (foaming function) in the sealing resin composition. Bubbles can be formed by enclosing air in a liquid when prepared by mixing components that may be contained in a sealing resin composition. As a result, air bubbles are included in the sealing resin composition, which may contribute to the formation of voids in the sealing material.
  • the sealing resin composition contains the defoaming agent (E)
  • the formed bubbles are defoamed, defoamed, or degassed in preparing the sealing resin composition. It is possible to suppress foaming of the sealing resin composition. Therefore, when a sealing material is produced from the sealing resin composition, voids can be further less likely to occur in the sealing material.
  • Examples of specific products of the defoaming agent (E) include the product name BYK1799 manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd.
  • the example of the defoaming agent (E) is not limited to the above.
  • the sealing resin composition preferably further contains the surface conditioner (F).
  • the surface conditioner (F) may have a function of adjusting the surface tension of the sealing resin composition.
  • the surface conditioner (F) can further reduce the viscosity of the sealing resin composition when heated to 100 ° C. Therefore, in order to produce a sealing material from the sealing resin composition, the fluidity at the time of filling between the base material 2 and the mounting component 3 can be further improved.
  • the surface adjusting agent (F) may have a defoaming function like the above-mentioned defoaming agent (E).
  • Examples of the surface conditioner (F) include polyether-modified polydimethylsiloxane and acrylic copolymer. Specific examples of commercially available products of the surface conditioner (F) include product names BYK-306 and BYK-3441 manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd.
  • the sealing resin composition preferably contains a curing aid (G). In this case, it can contribute to the storage stability of the sealing resin composition. Further, in this case, when the sealing resin composition is cured, the speed of the curing reaction can be controlled.
  • the curing aid (G) contains a curing accelerator.
  • the curing aid (G) has a function of promoting the progress of the reaction of the curable component in the sealing resin composition. In the present embodiment, the curing aid (G) can prevent the curing reaction from progressing excessively when the epoxy resin (A) in the sealing resin composition is cured. In other words, the curing aid (G) does not easily increase the curing reactivity of the sealing resin composition excessively, and can proceed with curing at a good curing rate.
  • the sealing resin composition can be cured after the sealing resin composition is sufficiently filled between the base material 2 and the mounting component 3.
  • the curing aid (G) preferably contains a chelate compound (G1).
  • a chelate compound (G1) since the metal atom in the chelate compound (G1) can coordinate the oxygen atom in the epoxy resin (A), the excessive thermal curing reaction of the epoxy resin (A) in the sealing resin composition can be suppressed. .. Thereby, the storage stability of the sealing resin composition can be further improved. Further, in this case, an excessive increase in the viscosity of the sealing resin composition can be suppressed. Therefore, the fluidity of the sealing resin composition can be maintained better.
  • the chelate compound (G1) is at least one compound selected from the group consisting of, for example, aluminum acetylacetone, titanium acetylacetonate, titaniumtetraacetylacetonate, titaniumacetate, zirconium ethylacetoacetate, and zirconiumtetraacetylacetonate. including.
  • the chelate compound (G1) preferably contains aluminum acetylacetonate.
  • the mass ratio of the curing aid (G) to the epoxy resin (A) is preferably 0.01% by mass or more and 2.0% by mass or less, preferably 0.03% by mass. It is more preferable if it is% or more and 1.5% by mass or less, and further preferably if it is 0.1% by mass or more and 1.0% by mass or less. Within this range, the curability of the epoxy resin (A) in the sealing resin composition can be improved, and the gap between the base material 2 and the mounting component 3 can be formed by the cured product of the sealing resin composition. It can be sufficiently sealed.
  • the content of the chelate compound (G1) with respect to the curing aid (G) is preferably 20% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 30% by mass or more and 90% by mass or less, and 50% by mass or more and 70% by mass or less. % Or less is more preferable.
  • the sealing resin composition preferably contains a coupling agent (H).
  • the coupling agent (H) include a silane coupling agent.
  • the sealing resin composition contains a silane coupling agent, the compatibility of the components in the sealing resin composition is improved, and the dispersibility of the sealing resin composition is more likely to be enhanced. Further, even when the sealing resin composition contains silica (D1), it is easy to further enhance the dispersibility of the sealing resin composition.
  • silane coupling agent an appropriate coupling agent can be adopted, and for example, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropyl. It may be an epoxysilane coupling agent such as trimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and 3-glycidoxypropyltriethoxysilane.
  • additives that can be contained in the sealing resin composition are not limited to the above.
  • additives other than the above include appropriate curing agents, fluxes, viscosity modifiers, leveling agents, low stress agents, pigments and the like.
  • the sealing resin composition preferably does not contain an organic solvent or has an organic solvent content of 0.5% by mass or less.
  • the sealing resin composition can be obtained, for example, by blending the above components, adding appropriate additives as necessary, and mixing them.
  • the sealing resin composition can be prepared, for example, by the following method.
  • a mixture is obtained by simultaneously or sequentially blending the components that can be contained in the sealing resin composition described above. This mixture is stirred and mixed while being heat-treated and cooled as necessary.
  • a sealing resin composition can be obtained.
  • a disper for example, a planetary mixer, a ball mill, a three-roll, a bead mill and the like can be applied in an appropriate combination as necessary.
  • the sealing resin composition can be cured, for example, by heating, whereby a cured product of the sealing resin composition can be obtained.
  • the conditions for heating for example, the heating temperature, the heating time, the maximum heating temperature, and the like may be appropriately adjusted according to the type of the epoxy resin (A), the type of the curing agent, and the like.
  • the glass transition temperature Tg of the cured product of the sealing resin composition is preferably 100 ° C. or higher. When the glass transition temperature Tg is 100 ° C. or higher, the cured product of the sealing resin composition may have heat resistance.
  • the glass transition temperature Tg is more preferably 110 ° C. or higher.
  • the glass transition temperature can be measured by, for example, TMA (Thermomechanical Analysis).
  • the coefficient of linear expansion (CTE) of the cured product of the sealing resin composition at a glass transition temperature of Tg or less is preferably 15 ppm / ° C. or higher and 50 ppm / ° C. or lower, more preferably 40 ppm / ° C. or lower, and 30 ppm / ° C. It is more preferable if it is below ° C. In this case, the sealing resin composition and the cured product of the sealing resin composition can be less likely to be warped by heating. Therefore, cracks can be less likely to occur in the cured product of the sealing resin composition.
  • the coefficient of linear expansion of the cured product of the sealing resin composition is a tangent line based on the dimensional change of the temperature below Tg and the dimensional change at an arbitrary temperature of Tg or more from the Tg of the result obtained by the measurement by TMA. It is obtained by calculating the slope of.
  • the sealing resin composition of the present embodiment can be suitably used as an underfill material as described above.
  • the encapsulating resin composition can be particularly preferably used as a post-supply type underfill material especially in flip chip mounting.
  • the electronic device 1 seals a gap between the base material 2 that supports the mounting component 3 such as a semiconductor element, the mounting component 3 that is face-down mounted on the base material 2, and the base material 2 and the mounting component 3.
  • the sealing material 4 is provided.
  • the sealing material 4 is made of a cured product of the liquid sealing resin composition described above.
  • the electronic device 1 and its manufacturing method will be specifically described.
  • FIG. 1 shows an example of the electronic device 1 of the present embodiment.
  • the electronic device 1 shown in FIG. 1 includes a base material 2 provided with a conductor wiring 21 and an electrode (bump electrode 33 in FIG. 1), and is mounted on the base material 2 by joining the bump electrode 33 to the conductor wiring 21.
  • the mounting component 3 is provided, and the sealing material 4 that covers the bump electrode 33 is provided.
  • the sealing material 4 is made of a cured product of the sealing resin composition described above.
  • the base material 2 is, for example, a mother substrate, a package substrate, or an interposer substrate.
  • the base material 2 includes an insulating substrate made of glass epoxy, polyimide, polyester, ceramic, etc., and a conductive conductor wiring 21 such as copper formed on the surface thereof.
  • the base material 2 may be provided with a plurality of conductor wirings 21.
  • the conductor wiring 21 includes, for example, an electrode pad.
  • the mounting component 3 is, for example, a semiconductor chip.
  • the semiconductor chip is a flip chip type chip such as BGA (ball grid array), LGA (land grid array), or CSP (chip size package).
  • the semiconductor chip may be a PoP (package on package) type chip.
  • the mounting component 3 includes a plurality of bump electrodes 33.
  • the bump electrode 33 includes solder.
  • the bump electrode 33 includes a pillar 31 and a solder bump 32 provided at the tip of the pillar 31.
  • the solder bump 32 is made of solder, so that the bump electrode 33 comprises solder.
  • the pillar 31 is made of copper, for example.
  • the plurality of electrodes (bump electrodes 33) in the mounting component 3 preferably have a pitch of 100 ⁇ m or less between adjacent bump electrodes 33.
  • the melting point of the solder provided in the bump electrode 33 is not particularly limited, but can be melted at a mounting temperature (for example, 220 to 260 ° C.) or lower when mounting a mounting component 3 such as a semiconductor chip. It may be the temperature.
  • the composition of the solder is not particularly limited and may be an appropriate composition, and for example, Sn-Ag-based solder and Sn-Ag-Cu-based solder can be used.
  • the structure of the bump electrode 33 provided with solder is not limited to the above, and for example, the bump electrode 33 may include only spherical solder bumps 32 (solder balls). That is, the bump electrode 33 does not have to be provided with a pillar.
  • the mounting component 3 has a plurality of electrodes (a plurality of bump electrodes 33 in FIG. 1).
  • the shortest pitch between the bump electrodes 33 in the mounting component 3 is 100 ⁇ m or less.
  • the distance (gap) between the base material 2 and the mounting component 3 is 25 ⁇ m or less. That is, the electronic device 1 of the present embodiment is a fine-tuned device.
  • the sealing material 4 fills the entire gap between the base material 2 and the mounting component 3. As a result, the sealing material 4 covers the entire bump electrode 33 and covers the joint between the bump electrode 33 and the conductor wiring 21. That is, the sealing material 4 is a so-called underfill.
  • the manufacturing method of the electronic device 1 of the present embodiment includes a mounting step, an injection step, and a sealing step.
  • the mounting step the mounting component 3 is surface-mounted on the base material 2 via a plurality of electrodes 33.
  • a thermosetting resin composition for sealing is injected between the base material 2 and the mounting component 3.
  • the sealing resin composition is cured to prepare a sealing material.
  • the shortest pitch between the plurality of electrodes 33 is 100 ⁇ m or less, and the distance between the base material 2 and the mounting component 3 is 25 ⁇ m or less.
  • the sealing step comprises curing the sealing resin composition by heating it under pressure.
  • voids can be less likely to occur in the sealing material 4.
  • the shortest pitch between the electrodes 33 is 100 ⁇ m or less and the distance between the base material 2 and the mounting component 3 is 25 ⁇ m or less as described above, voids are generated in the encapsulant 4. Hateful.
  • the manufacturing method of the electronic device 1 will be specifically described with reference to FIGS. 2A to 2E.
  • the method for manufacturing the electronic device 1 is not limited to the method described below, and the electronic device 1 is sealed with the sealing resin composition described above by covering the gap between the base material 2 and the mounting component 3. I just need to be able to stop it.
  • the base material 2 provided with the conductor wiring 21 and the mounting component 3 provided with the bump electrode 33 are prepared (see FIG. 2A), and the base material 2 is arranged on the stage 72. Further, the bump electrode 33 of the mounting component 3 is held by the bonding head 71 so as to face the base material 2 supported on the stage 72. In this state, the bonding head 71 is moved toward the stage 72 as shown in FIG. 2B. As a result, the mounting component 3 is arranged on the base material 2. At this time, the mounting component 3 and the base material 2 are aligned so that the bump electrode 33 in the mounting component 3 and the conductor wiring 21 in the base material 2 overlap each other (mounting step). Then, the bump electrode 33 and the conductor wiring 21 are electrically connected. In the mounting process, it is not necessary to pressurize, that is, when mounting the mounting component 3 on the base material 2, the mounting component 3 may be mounted under normal pressure.
  • the heating device is preferably, for example, a heating furnace capable of pressurizing with atmospheric pressure.
  • the heating furnace may be a pressure oven (pressure oven), a pressure reflow oven, or the like.
  • the sealing resin composition (hereinafter, in FIGS. 2C to 2E, the material containing the sealing resin composition is referred to as “sealing material 40”. To be described) is filled (see FIG. 2C) (injection step).
  • the sealing material 40 is preferably filled in a state of being heated to 100 ° C. In this case, the gap between the base material 2 and the mounting component 3 facilitates good flow and filling.
  • the sealing material 40 may be filled at room temperature (for example, 25 ° C.).
  • the filling method an appropriate method may be adopted, and examples thereof include a method using a dispenser, a screen printing method, an inkjet method, a dipping method, and the like.
  • the sealing resin composition may be injected into the gap between the base material 2 and the mounting component 3 under reduced pressure.
  • the sealing resin composition since the sealing resin composition has high foam breaking property, the sealing resin composition is applied to the details of the mounting component 3 even when the pressure is reduced when the sealing resin composition is injected. Contamination of the mounted component 3 due to adhesion is unlikely to occur.
  • the sealing material 40 and the bump electrode 33 are heat-treated by heating the inside of the heating furnace by raising the temperature while increasing the pressure in the heating furnace (sealing step). Therefore, even if bubbles remain in the prepared sealing material 40, the pressure in the furnace increases as the sealing material 40 is heated and gradually hardened, so that the bubbles remain. Can be made smaller and air bubbles can be degassed from within the sealing material 40. Further, the water that can be generated from the base material 2 can be dissolved in the sealing resin composition, so that voids derived from the water can be less likely to be generated. Therefore, by heating while pressurizing, voids in the sealing material 4 can be reduced.
  • the mounting component 3 such as a semiconductor element can be less likely to be contaminated.
  • the sealing material 40 can be filled while having an appropriate fluidity, the fillet shape of the sealing material 4 (the shape of the sealing material 40 protruding from the outer periphery of the mounting component 3) can be stabilized.
  • the conditions for heating and pressurizing in the heating furnace are appropriately set, but it is preferable to heat the temperature to 100 ° C. or higher and 200 ° C. or lower at a heating rate of 3 to 5 ° C./min, for example.
  • the pressure in the heating furnace can be 0.1 MPa or more and 0.8 MPa or less.
  • the time for heat treatment may be, for example, 30 minutes or more and 5 hours or less.
  • the sealing material 40 is cured to prepare the sealing material 4 (see FIG. 2D).
  • the pressurization in the heating furnace is released to lower the temperature in the heating furnace.
  • it may be allowed to cool or may be cooled.
  • the sealing material 40 may be post-cured by releasing the pressurization and then further heating.
  • heating (after-cure) is included in order to further cure the encapsulant 4 in the electronic device 1.
  • the connection strength between the base material 2 and the mounting component 3 in the electronic device 1 can be further increased.
  • the conditions for the heat treatment in the aftercure may be appropriately set according to the composition of the sealing resin composition and / or the electronic device manufacturing process.
  • the maximum heating temperature is preferably 150 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, for example.
  • the present invention is not limited to the above, and for example, the maximum heating temperature may be appropriately set according to the composition of the sealing resin composition and the like.
  • the sealing material 4 is heated while pressurizing the sealing resin composition (sealing material 40) to obtain the sealing resin composition. Includes thermosetting. Therefore, the space between the electrodes 33 of the mounting component 3 and the space between the base material 2 and the mounting component 3 in the electronic device 1 are narrowed, and a resin composition for sealing is provided between the base material 2 and the mounting component 3. Even if it is sealed by injecting and curing it, it is possible to prevent voids from being generated in the sealing material 4.
  • the connection is reinforced by filling the sealing material 4 between the base material 2 and the mounting component 3, and the base material 2 and the mounting component 3 are connected to each other. Continuity is also ensured. Further, according to the present embodiment, since pressurization and heating can be performed in the heating device, the electronic device 1 is removed from the heating device after mounting in order to remove (baking) moisture and the like in the electronic device 1. It is possible to omit the work of transferring to the device and performing heat treatment. Therefore, the tact (manufacturing efficiency) at the time of manufacturing can be improved.
  • the order of the manufacturing method of the electronic device 1 does not have to be as described above.
  • the sealing resin composition may be arranged so as to cover the bump electrode 33.
  • the mounting component 3 may be arranged on the base material 2 and the bump electrode 33 may be arranged on the conductor wiring 21.
  • the sealing resin composition may be placed on the mounting component 3 and the base at any time. It may be arranged at any position on the material 2.
  • -Surface conditioner 2 Acrylic copolymer (product name BYK-3441 manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd.).
  • -Defoaming agent manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd.
  • Product name BYK1799 mixture of hydrophobic particles and polysiloxane).
  • -Coupling agent Epoxysilane (silane coupling agent.
  • Product name KBM403 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
  • -Curing aid 1 Imidazole-based curing catalyst (product name 2E4MZ manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., imidazole-based compound).
  • -Curing aid 2 Metal chelate curing aid (Aluminum chelate A (W) manufactured by Kawaken Fine Chemical Co., Ltd. Aluminum tris acetylacetonate).
  • -Colorant Carbon black (product name MA100 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).
  • -Phosphorus derivative triphenylphosphine.
  • Silica 1 Silica produced by the sol-gel method and surface-treated with a silane coupling agent having a phenyl group (average particle size 1.0 ⁇ m. Standard deviation in particle size distribution is 0.04 or more and 0.5 or less). ..
  • -Silica 2 Silica produced by the sol-gel method and surface-treated with a silane coupling agent having a phenyl group (average particle size 0.3 ⁇ m. Standard deviation in particle size distribution is 0.04 or more and 0.5 or less).
  • Silica 3 Silica produced by the sol-gel method and surface-treated with a silane coupling agent having a phenyl group (average particle size 0.1 ⁇ m. Standard deviation in particle size distribution is 0.04 or more and 0.5 or less).
  • .. -Silica 4 Silica produced by the sol-gel method and not surface-treated (average particle size 1.0 ⁇ m, standard deviation in particle size distribution is 0.04 or more and 0.5 or less).
  • -Silica 5 Silica produced by the sol-gel method and not surface-treated (average particle size 0.3 ⁇ m, standard deviation in particle size distribution is 0.04 or more and 0.5 or less).
  • -Silica 6 Silica produced by the sol-gel method and not surface-treated (average particle size 0.1 ⁇ m, standard deviation in particle size distribution is 0.04 or more and 0.5 or less).
  • Viscosity (viscosity at 25 ° C) Above 1. Using a BM type viscometer (model number TVB-10 manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.), the viscosity of the resin composition prepared in 1. 6 Measured under the condition of rotation speed of 20 rpm. Based on the obtained measurement results, evaluation was made according to the following criteria. A: The viscosity is less than 15 Pa ⁇ s. B: The viscosity is 15 Pa ⁇ s or more and 50 Pa ⁇ s or less. C: Viscosity is over 50 Pa.
  • Viscosity at heat (viscosity at 100 ° C) Above 1.
  • the viscosity of the resin composition prepared in 1 was measured using a rheometer (model number MCR-10 manufactured by Anton Pearl Co., Ltd.) under the conditions of a temperature of 100 ° C. and a rotation speed of 1 rpm. Based on the obtained measurement results, evaluation was made according to the following criteria.
  • B The viscosity is 0.10 Pa ⁇ s or more and 0.15 Pa ⁇ s or less.
  • C Viscosity is over 0.15 Pa.
  • the above 1.
  • the viscosity at the time when the curing temperature was reached was 0.15 Pa ⁇ s or less in each of Examples 1 to 7.
  • Comparative Examples 1 to 3 it was more than 0.15 Pa ⁇ s.
  • the resin composition for sealing was applied to the stage of the rheometer by a rheometer, the stage was heated to 80 ° C. to 150 ° C., and then heated at 100 ° C. for 2 hours under the condition of a rotation speed of 1 rpm. It was obtained by measuring the viscosity of the resin composition for sealing later.
  • the viscosity of the sealing resin composition at the time when the curing temperature is reached is measured on a stage in which the temperature is raised in advance to a temperature within the range of 80 ° C. to 150 ° C. using a rheometer. Was allowed to stand, heated at 150 ° C. for 2 hours, and then measured under the condition of a rotation speed of 1 rpm.
  • Defoaming property 10 g of the sealing resin composition was weighed in an appropriate container having a height of 55 mm or more, sealed, and defoamed by reducing the pressure at 200 Pa / 10 min at a temperature of 25 ° C. After 10 minutes had passed, the sealing resin composition was ejected from the liquid surface by reduced pressure and adhered to the wall surface of the container, and the height of the deposit was measured from the wall surface of the container. The obtained measurement results (mm) are shown in Table 1.
  • Examples 1 to 7 all were 45 mm or less, and in Examples 1 to 6, they were 40 mm or less. In particular, in Examples 3 to 6, the thickness was 30 mm or less, and the degree of foaming was very low. On the other hand, in Comparative Examples 1 to 3, all of them foamed with a force exceeding the upper limit of the height of the container of 55 mm and adhered to the upper surface of the container. As a result, it was suggested that Examples 1 to 7 had high foam breaking property, few voids in the resin composition, and were less likely to generate voids in the encapsulant when cured, whereas Comparative Examples 1 to 1 to 7. In No. 3, it was suggested that the foam breaking property was low, voids remained in the resin composition, and voids tended to remain in the encapsulant when cured.
  • Example 1 the foam breaking property at room temperature (25 ° C.) was confirmed, but even at a temperature of 100 ° C. or higher, in Examples 1 to 7, the sealing resin was compared with the case of 25 ° C. Since the viscosity of the composition is low and the surface tension is high, it is presumed that the composition has excellent foam breaking property as in the case of 25 ° C.
  • R-G535E manufactured by Panasonic Corporation was prepared so that the above chip could be mounted (52.5 mm ⁇ 52.5 mm ⁇ 1.2 ⁇ m).
  • the base material was placed on the stage of the pressure oven, and the semiconductor chips were stacked with flip chips and aligned.
  • the resin composition prepared in 1 above was filled in the gap between the base material and the semiconductor chip in a state of being heated to 100 ° C. Then, in a heating device having a heating furnace, the heating temperature is 100 with the resin composition interposed in the gap between the base material and the semiconductor chip while repeating pressurization and depressurization at a maximum pressurizing pressure of 0.7 MPa. The resin composition was cured by heating at ° C. for 2 hours.

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Abstract

電子デバイスにおける実装部品の電極間の間隔及び基材と実装部品との間の間隔を狭めても、封止材にボイドが生じにくい電子デバイスの製造方法を提供する。電子デバイス（１）の製造方法は、実装工程と、注入工程と、封止工程とを含む。実装工程では、基材（２）に実装部品（３）を、複数の電極（３３）を介して表面実装する。注入工程では、基材（２）と実装部品（３）との間に熱硬化性の封止用樹脂組成物を注入する。封止工程では、封止用樹脂組成物を硬化させて封止材（４）を作製する。封止工程において、封止用樹脂組成物を、加圧下で加熱することで硬化させる。複数の電極（３３）間の最短のピッチが１００μｍ以下、かつ基材（２）と実装部品（３）との間の間隔が２５μｍ以下である。

Description

電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
　本開示は、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスに関する。詳しくは、基材と、実装部品と、基材と実装部品との間の隙間に介在する封止材を備える電子デバイスの製造方法、及び封止用樹脂組成物から作製される封止材を備える電子デバイスに関する。
　特許文献１では、エポキシ化合物と、エポキシ硬化剤と、硬化促進剤とを含有するアンダーフィル材が開示されている。硬化促進剤は、イミダゾールとホスホニウム塩とを含むことで、アンダーフィル材の反応性をコントロールしつつ、粘度を保持することで、アンダーフィル材を硬化させて電子デバイスにおける基材と実装部品との間を封止している。
特開２０１９－１５６９９７号公報
　本開示の目的は、電子デバイスにおいて、実装部品の電極間の間隔及び基材と実装部品との間の間隔を狭めても封止材にボイドが生じにくい電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスを提供することにある。
　本開示の一態様に係る電子デバイスの製造方法は、実装工程と、注入工程と、封止工程と、を含む。前記実装工程では、基材に実装部品を、複数の電極を介して表面実装する。前記注入工程では、前記基材と前記実装部品との間に熱硬化性の封止用樹脂組成物を注入する。前記封止工程では、前記封止用樹脂組成物を硬化させて封止材を作製する。前記複数の電極間の最短のピッチが１００μｍ以下、かつ前記基材と前記実装部品との間の間隔が２５μｍ以下である。前記封止工程において、前記封止用樹脂組成物を、加圧下で加熱することで硬化させる。
　本開示の一態様に係る電子デバイスは、前記電子デバイスの製造方法で製造される。
図１は、本開示の一実施形態に係る電子デバイスを示す概略の断面図である。 図２Ａから図２Ｅは、本開示の電子デバイスを作製するための工程の一部を示す概略の断面図である。
　１．概要
　まず、本開示に係る発明に至った経緯について説明する。
　従来、電子デバイスにおける封止材は、例えば基材上に半導体素子等の電極を備える実装部品を、フリップチップで重ねてから、基材と実装部品との間の隙間に、封止材を作製するための液状の封止用の材料（アンダーフィル材）を注入して充填する、いわゆるアンダーフィルによる方法で作製されることがある。
　アンダーフィルによる方法では、上記のようにアンダーフィル材を充填してから硬化させることにより、基材と実装部品との間の隙間をアンダーフィル材の硬化物で封止できる。そのため、電子デバイスにおける封止材を作製する方法として広く行われている。
　また、近年では、電子デバイスの高性能化に伴い、電子デバイスの微細化（以下、ファイン化ともいう）が求められている。すなわち、電子デバイスにおいて基板及び実装部品の小型化がなされ、基板と実装部品との間の間隔、及び実装部品の電極同士の間隔の縮小化といったファインピッチ化及びファインギャップ化（狭ギャップ／ピッチといわれることもある）が行われている。
　ところで、電子デバイスにおいて、基材と実装部品と間の隙間にアンダーフィル材を注入し、隙間を封止する際、電子デバイスのファイン化に伴い、アンダーフィル材中にボイドが生じやすくなるといった問題がある。そのため、ファイン化された電子デバイスを作製するにあたり、電子デバイスの接続信頼性を確保するためには、基材と実装部品との間の隙間を封止する封止材を作製する際の封止材中のボイドの発生を抑制することが要求される。
　しかし、電子デバイスにおける、基材と実装部品との間の間隔（ギャップともいう）、また実装部品の電極間の間隔（ピッチともいう）を微細化（ファイン化）することで高性能化させることを目的とした電子デバイスを作製するには、封止用の材料を充填してから加熱して硬化させるだけでは、隙間を十分に埋めることが難しかった。また、この場合、封止材にボイドが残存することがわかった。これは、電子デバイスをファイン化すると、従来の製法では、基材と実装部品との間の隙間で封止用の材料が十分に流動しにくく、仮に流動できたとしても硬化前の封止用の材料中には、空隙を生じやすいことに一因があることを発明者らは突き止めた。
　そこで、発明者らは、上記問題を解決すべく、鋭意研究を行い、微細化された電子デバイスを作製するための電子デバイスの製造のための条件、微細化された電子デバイスにおける封止材を作製するための封止用樹脂組成物の組成、及び物性を見出した。
　図１は、本開示の一実施形態に係る電子デバイスを示す概略の断面図である。本実施形態の電子デバイス１の製造方法は、実装工程と、注入工程と、封止工程と、を含む。実装工程では、基材２に実装部品３を、複数の電極３３を介して表面実装する。注入工程では、基材２と実装部品３との間に熱硬化性の封止用樹脂組成物を注入する。封止工程では、封止用樹脂組成物を硬化させて封止材４を作製する。複数の電極３３間の最短のピッチが１００μｍ以下、かつ基材２と実装部品３との間の間隔が２５μｍ以下である。封止工程において、封止用樹脂組成物を、加圧下で加熱することで硬化させる。本実施形態によれば、基材２と実装部品３との間の隙間に封止用樹脂組成物を注入し、加圧下で加熱することで、仮に注入の際に封止用樹脂組成物中にボイドの原因となる空隙が生じていたとしても、封止用樹脂組成物が硬化するまでに空隙を潰したり、外部へ排出したりすることができる。このため、電子デバイス１における実装部品３の電極３３間の間隔及び基材２と実装部品３との間の間隔を狭めた場合であっても、封止材４にボイドが生じにくくできる。
　また、発明者らは、上記封止工程において、加圧下で加熱し熱硬化させることで、ファイン化された電子デバイス１における封止材４を作製するために好適な封止用樹脂組成物も見出している。すなわち、本実施形態の封止用樹脂組成物は、基材２と基材２に実装されている実装部品３との間の隙間を封止する封止材４を作製するための熱硬化性の封止用樹脂組成物である。封止用樹脂組成物は、１００℃での粘度が、０．１５Ｐａ・ｓ以下である。このため、封止用樹脂組成物から封止材４を作製するにあたり、封止用樹脂組成物を注入する際に適度な流動性を有することができ、基材２と実装部品３との間の隙間に充分に充填させることができる。これにより、ファイン化された電子デバイス１を作製するにあたり、封止用樹脂組成物を基材２と実装部品３との間に介在させて、加圧下で加熱することで、封止材４中にはボイドを生じにくくできる。なお、本実施形態では、ファイン化された電子デバイス１とは、最短のピッチ１００μｍ以下であり、かつギャップ２５μｍ以下であるものをいう。ピッチとは、実装部品３における複数の電極間の寸法をいい、ギャップとは、基材２と実装部品３との間の間隔をいう。ただし、本実施形態の封止用樹脂組成物が、上記のファイン化された電子デバイス１を作製するためのみに用いることを制限する主旨ではなく、例えば本実施形態にかかる封止用樹脂組成物は、ピッチ間隔及びギャップ間隔がいかなる場合であっても適用されうる。
　このように、本実施形態では、封止用樹脂組成物を基材２と実装部品３との間の隙間に介在させ、加熱及び加圧をすることで封止用樹脂組成物から封止材４を作製でき、封止用樹脂組成物を流動させても、封止用樹脂組成物中に空隙が生じにくく、その結果、電子デバイス１における封止材４のボイドを低減できる。これにより、電子デバイス１における接続信頼性を確保することができる。
　２．詳細
　以下、本実施形態の封止用樹脂組成物、及び電子デバイス１の詳細について説明する。なお、本明細書において「Ａ及び／又はＢ」という表現は、「Ａ」、「Ｂ」、又は「Ａ及びＢ」のいずれかを意味する。
　＜封止用樹脂組成物＞
　まず、封止用樹脂組成物の備える好ましい特性（物性）について説明する。
　本実施形態の封止用樹脂組成物は、１００℃での粘度が、０．１５Ｐａ・ｓ以下である。この場合、例えば封止用樹脂組成物を塗布する場合の実装部品３下へのより均一な充填性及び良好な充填速度を達成しうる。これにより、加圧下で加熱することにより封止用樹脂組成物から封止材４を作製するにあたり、封止材４中に、よりボイドを生じにくくできる。封止用樹脂組成物は、１００℃に加熱した場合の粘度が、０．１０Ｐａ・ｓ以下であればより好ましく、０．０８Ｐａ・ｓ以下であれば更に好ましい。なお、封止用樹脂組成物は、１００℃での粘度は、レオメータを用いて、回転速度１ｒｐｍの条件で測定することにより得られる。
　本実施形態の封止用樹脂組成物を、２５℃から昇温速度０．５℃／ｍｉｎ～５０℃／ｍｉｎの少なくとも一の昇温条件で加熱した場合の、硬化温度に達した時点の粘度が、０．１５０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。本実施形態における「硬化温度」とは、加熱開始から２時間以内に初期粘度の１００倍以上に達した時点での温度をいう。硬化温度は、レオメータにより、レオメータのステージに封止用樹脂組成物を塗布し、ステージを８０℃～１５０℃の範囲内の温度で加熱してから、回転数１ｒｐｍの条件で２時間後の封止用樹脂組成物の粘度を測定することにより得られる。また、封止用樹脂組成物の、「硬化温度に達した時点の粘度」は、レオメータを用いて、予め８０℃～１５０℃の範囲内の温度に昇温させたステージ上に封止用樹脂組成物を静置させ、回転速度１ｒｐｍの条件で測定することにより得られる。硬化温度は、封止用樹脂組成物を組成する成分、成分の配合割合、組成物を調製する際の混合方法等によって異なるが、本実施形態では、組成成分、及び／又は組成割合を調整することにより、封止用樹脂組成物の硬化温度に達した時点の粘度が０．１５０Ｐａ・ｓ以下となるようにコントロール可能である。硬化温度まで加熱した場合の粘度は、０．１０Ｐａ・ｓ以下であればより好ましく、０．０８Ｐａ・ｓ以下であれば更に好ましい。
　封止用樹脂組成物の２５℃における粘度は、０．０５Ｐａ・ｓ未満であることが好ましい。この場合、封止用樹脂組成物を成形するにあたって、常温（２５℃）付近の温度であっても、すなわち封止用樹脂組成物を予め加熱しなくても、例えばジェットディスペンスによる塗布作業性、及び吐出安定性が向上しうる。また、この場合、半導体素子等の実装部品３の下への良好な充填性を達成しうる。封止用樹脂組成物の２５℃における粘度は、０．０４Ｐａ・ｓ以下であればより好ましく、０．０３Ｐａ・ｓ以下であれば更に好ましい。封止用樹脂組成物の２５℃における粘度の下限は特に制限されないが、例えば０．０１Ｐａ・ｓ以上であってよい。
　封止用樹脂組成物は、破泡性を有することが好ましい。ここで、本開示における「破泡性」は、以下のようにして確認可能である。まず、底面積４５０ｍｍ２、高さ５５ｍｍ以上を有する適宜の容器を用意し、容器に封止用樹脂組成物を容器の底面からの高さが２０ｍｍとなるように入れる。続いて、温度２５℃、２００Ｐａ／１０ｍｉｎで容器内を減圧する。減圧開始から１０分経過後、容器内部を確認し、封止用樹脂組成物が減圧により噴き出す（発泡する）ことで、封止用樹脂組成物が容器の壁面に付着の有無を確認する。そして、容器内の壁面において、容器底面から付着物の高さが４０ｍｍ以下であれば、優れた破泡性を有するといえる。封止用樹脂組成物が破泡性を有していると、電子デバイス１において、実装部品の電極間の間隔及び基材と実装部品との間の間隔を狭めても、封止用樹脂組成物からアンダーフィルによる方法で封止材を作製すると、封止材４のボイドの発生を特に生じにくい。上記において壁面への付着物の高さは、３５ｍｍ以下であればより好ましく、３０ｍｍ以下であれば更に好ましく、また封止用樹脂組成物の噴き出しが生じず壁面に付着物が生じていなければ（すなわち実質的に０ｍｍであれば）特に好ましい。
　上述の封止用樹脂組成物の好ましい特性は、より具体的には、以下で説明する組成の成分を適宜調整することにより、実現可能である。ただし、封止用樹脂組成物の有する物性は、上記で説明した物性のみには限定されない。
　本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、図１に示すように、電子デバイス１において、基材２と実装部品３との間を封止する封止材４に好適に用いることができる。例えば、封止用樹脂組成物は、封止用材料４０であってよく、具体的にはアンダーフィル材として好適に用いることができる。封止用樹脂組成物が封止用材料（アンダーフィル材）として用いて、封止用樹脂組成物から封止材４を作製すると、封止材４にボイドを発生しにくくできる。特に、本実施形態の封止用樹脂組成物は、複数の電極間の最短のピッチが１００μｍ以下、かつ基材２と実装部品３との間の間隔が２５μｍ以下である電子デバイス１を作製するにあたり、電子デバイス１における封止材４を作製するために好適に用いることができる。
　次に、封止用樹脂組成物に含まれうる成分について、詳細に説明する。
　［エポキシ樹脂］
　本実施形態では、封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）を含有する。本実施形態において、エポキシ樹脂（Ａ）は、熱硬化性の成分である。
　エポキシ樹脂（Ａ）は、ビスフェノール型エポキシ樹脂（Ａ１）と芳香族アミノエポキシ樹脂（Ａ２）とを含む。すなわち、封止用樹脂組成物は、ビスフェノール型エポキシ樹脂（Ａ１）と芳香族アミノエポキシ樹脂（Ａ２）とのうち少なくとも一方又は両方を含有することが好ましい。
　ビスフェノール型エポキシ樹脂（Ａ１）は、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、並びにこれらの樹脂の誘導体からなる群から選択される少なくとも一種を含有する。ビスフェノール型エポキシ樹脂（Ａ１）は、特にビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含有することが好ましい。この場合、封止用樹脂組成物に、より良好な熱硬化性を付与できる。ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂は、２つのフェノール骨格が１つのメチレン鎖を介して結合した化合物である。ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂は、フェノール骨格中に置換基を有していてもよい。
　ビスフェノール型エポキシ樹脂（Ａ１）の１００℃での粘度は、例えば０．０１Ｐａ・ｓ以上０．５０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。
　芳香族アミノエポキシ樹脂（Ａ２）は、封止用樹脂組成物の保存安定性を維持しながら、封止用樹脂組成物に、より良好な熱硬化性を付与できる。
　芳香族アミノエポキシ樹脂（Ａ２）は、芳香環と、芳香環に結合するアミノ基と、１分子中に３つ以上のエポキシ基とを有することが好ましい。すなわち、芳香族アミノエポキシ樹脂（Ａ２）は、３官能以上であることが好ましい。
　芳香族アミノエポキシ樹脂（Ａ２）は、芳香環、芳香環に結合するアミノ基、アミノ基に結合するエポキシ基、及び芳香環に結合するアミノ基とは別の位置に結合するエポキシ基を備えることがより好ましい。すなわち、芳香族アミノエポキシ樹脂（Ａ２）は、３つ以上のエポキシ基を有する場合、少なくとも１つが、芳香環に結合するアミノ基に結合していることが好ましい。
　芳香族アミノエポキシ樹脂（Ａ２）の具体的な例としては、例えばＮ，Ｎ－ジグリシジル－ｐ－グリシジルオキシアニリン等を挙げることができる。なお、芳香族アミノエポキシ樹脂（Ａ２）は、前記の化合物に限らない。
　芳香族アミノエポキシ樹脂（Ａ２）の１００℃における粘度は、０．０１Ｐａ・ｓ以上０．５０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。
　封止用樹脂組成物は、上記のビスフェノール型エポキシ樹脂（Ａ１）と、芳香族アミノエポキシ樹脂（Ａ２）との両方を含有することがより好ましい。この場合、封止用樹脂組成物における成分の適度な硬化反応を進行させやすく、このため、封止用樹脂組成物から作製される封止材で良好に基材２と実装部品３との間の隙間を封止しやすい。
　封止用樹脂組成物が、ビスフェノール型エポキシ樹脂（Ａ１）と芳香族アミノエポキシ樹脂（Ａ２）とを含有する場合、エポキシ樹脂（Ａ）に対するビスフェノール型エポキシ樹脂（Ａ１）と芳香族アミノエポキシ樹脂（Ａ２）との合計量の質量割合は、３０質量％以上７０質量％以下であれば好ましい。
　封止用樹脂組成物がビスフェノール型エポキシ樹脂（Ａ１）及び芳香族アミノエポキシ樹脂（Ａ２）を含有する場合、封止用樹脂組成物全量に対するビスフェノール型エポキシ樹脂（Ａ１）及び芳香族アミノエポキシ樹脂（Ａ２）の合計含有量は、５質量％以上４０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上３５質量％以下であればより好ましく、２０質量％以上３０質量％以下であれば更に好ましい。この範囲内であれば、封止用樹脂組成物の流動性をより良好に維持しやすく、基材２と実装部品３との間の隙間に良好に充填できる。このため、基材２と実装部品３との間の隙間を十分に封止し、かつ封止用樹脂組成物から作製される封止材４にボイドをより生じにくくすることができる。
　封止用樹脂組成物においてエポキシ樹脂（Ａ）に含まれうる成分は、上記で説明したものに限らず、上記以外の、エポキシ基を有する樹脂を含有してもよい。
　封止用樹脂組成物は、リン酸（Ｂ）とリン酸ポリエステル（Ｃ）とを更に含有することが好ましい。
　［リン酸（Ｂ）］
　リン酸（Ｂ）は、下記式（１）で示す構造を有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　封止用樹脂組成物がリン酸（Ｂ）を含有すると、後述のリン酸ポリエステル（Ｃ）による封止用樹脂組成物中の分散性の向上の効果を促進しうる。リン酸（Ｂ）は、リン酸ポリエステル（Ｃ）と混合することで調製された混合物で封止用樹脂組成物に配合されていることが好ましい。
　［リン酸ポリエステル（Ｃ）］
　封止用樹脂組成物は、リン酸ポリエステル（Ｃ）を含有することが好ましい。封止用樹脂組成物がリン酸ポリエステル（Ｃ）を含有すると、封止用樹脂組成物中に含まれる成分の分散性を高めやすい。
　さらに、封止用樹脂組成物がリン酸ポリエステル（Ｃ）を含有すると、封止用樹脂組成物から作製される硬化物のＣＴＥ低減の効果を阻害しにくい。すなわち、封止用樹脂組成物の硬化物の熱膨張率を低く維持することができる。なお、ＣＴＥとは、Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　ｏｆ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｅｘｐａｎｓｉｏｎを意味し、以下「熱膨張係数」又は「線膨張係数」ということもある。
　封止用樹脂組成物は、リン酸（Ｂ）とリン酸ポリエステル（Ｃ）とを含有する場合、後述の無機充填材（フィラー）（Ｄ）の割合を高めても、フィラーの分散性を低下させにくい。このため、封止用樹脂組成物のフィラー（Ｄ）の割合を容易に高めることができ、封止用樹脂組成物から作製される硬化物のＣＴＥを低めることをより容易に達成しやすい。
　リン酸ポリエステル（Ｃ）は、下記式（２）で示す構造を有しうる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　式（２）中、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3は、例えば各々独立にアルキル基、アルケニル基、及びアルキニル基からなる群から選択される置換基である。Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3は、各々独立に長鎖状であってもよく、分枝状であってもよい。なお、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3のうち少なくとも一つは水素原子であってもよい。すなわち、リン酸ポリエステル（Ｃ）は、リン酸（Ｂ）の式（１）中における、少なくとも２つの水素原子が各々独立にＲ１、Ｒ２、及びＲ３で置換された化合物である。
　式（２）中、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3は、少なくとも１つがポリエステル構造を有する置換基であってもよい。すなわち、Ｒ1，Ｒ2及びＲ3のうちの１つがポリエステル構造を有する置換基である場合、その他が水素原子、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、及びポリオキシアルキレン基から選択される少なくとも一種であってよい。また、Ｒ1，Ｒ2及びＲ3のうちの２つがポリエステル構造を有する置換基である場合、その他が水素原子、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、ポリオキシアルキレン基からなる群から選択される少なくとも一種であってよい。Ｒ1，Ｒ2及びＲ3がすべてポリエステル構造を有する置換基である場合、ポリエステル構造を有する置換基はすべて同じポリエステル構造を有する置換基でもよく、それぞれ独立に異なるポリエステル構造を有する置換基でもよい。なお、ポリエステル構造は、ジカルボン酸とジオールとから得られるエステル基を有する重合体、ヒドロキシカルボン酸の重縮合によって得られるエステル基を有する重合体、ラクトン等の環状エステル化合物の開環重合によって得られる重合体を含む。
　置換基Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3は、リン原子を含んでいてもよく、例えばリン酸ポリエステル（Ｃ）は、例えば下記式（３）で示されるポリリン酸から誘導される化合物であってよい。すなわち、リン酸ポリエステル（Ｃ）は、１分子内にリン原子を２つ以上有していてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　式（３）において、ｎは２以上である。リン酸ポリエステル（Ｃ）が式（３）から誘導される場合、式（３）における水素原子の少なくとも２つがアルキル基、アルケニル基、及びアルキニル基からなる群から選択される基で置換されていればよい。また、リン酸ポリエステル（Ｃ）は、末端にヒドロキシ基を有していてもよい。なお、ｎ＝１の場合、式（１）で示されるリン酸（Ｂ）に相当する。
　リン酸ポリエステル（Ｃ）は、前記に限られず、例えば適宜のアルキルエーテル、ポリアルキレングリコールモノアルキルエーテル等をリン酸エステル化剤で反応させた反応物を含んでもよい。
　リン酸ポリエステル（Ｃ）の具体的な製品の例は、例えばビッグケミー・ジャパン株式会社製のＢＹＫ－Ｗシリーズ（例えば、ＢＹＫ－Ｗ９０１０等）、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫシリーズ（例えばＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１１１等）等に含まれうるリン酸ポリエステルを挙げることができる。
　封止用樹脂組成物全量に対するリン酸ポリエステル（Ｃ）の質量割合は、０質量％超１００質量％未満であることが好ましく、０．０１質量％以上９０質量％以下であることがより好ましく、０．０２質量％以上５０質量％以下であることが更に好ましく、０．０５質量％以上１０質量％未満であることが特に好ましい。
　また、封止用樹脂組成物は、リン酸（Ｂ）とリン酸ポリエステル（Ｃ）との両方を含有すると、封止用樹脂組成物中における成分の分散性を更に向上できる。そのため、封止用樹脂組成物の分散性がより高められているため、良好な流動性を維持可能である。これにより、封止用樹脂組成物で基材２と実装部品３との間の隙間で流動させやすく、そのため封止材４を隙間に充分に充填させやすい。
　封止用樹脂組成物が後述のシリカ（Ｄ１）を含有する場合、シリカ（Ｄ１）に対する、リン酸（Ｂ）とリン酸ポリエステル（Ｃ）との合計の質量割合は、０．０５質量％以上１．０質量％以下であることが好ましい。この場合、封止用樹脂組成物の硬化物のＣＴＥをより低めることができうる。リン酸ポリエステル（Ｃ）の質量割合は、０．１質量％以上０．５質量％以下であることがより好ましく、０．２質量％以上０．４質量％以下であれば更に好ましい。この場合、封止用樹脂組成物により良好な流動性を付与することができ、これにより封止用樹脂組成物を隙間に更に充填しやすい。
　［無機充填材（Ｄ）］
　封止用樹脂組成物は、無機充填材（Ｄ）を含有することが好ましい。無機充填材（Ｄ）は、封止用樹脂組成物から作製される硬化物の線膨張係数の低下に寄与することができる。また、封止用樹脂組成物が上述のリン酸（Ｂ）とリン酸ポリエステル（Ｃ）とを含有する場合には、無機充填材（Ｄ）を含有していても、封止用樹脂組成物の分散性を低下させにくい。このため、封止用樹脂組成物の粘度の過度な上昇は生じにくく、流動性を維持でき、かつチクソ性を悪化させにくい。これにより、封止用樹脂組成物は、無機充填材（Ｄ）の含有量を増加させても、流動性が悪化しにくく、かつ封止用樹脂組成物の線膨張係数を低くすることができる。
　無機充填材（Ｄ）は、シリカ（Ｄ１）を含有することが好ましく、シリカ（Ｄ１）の少なくとも一部がカップリング剤により表面処理されていることも好ましい。この場合、封止用樹脂組成物におけるエポキシ樹脂（Ａ）とシリカ（Ｄ１）との相溶性を向上でき、封止用樹脂組成物の分散性の向上に更に寄与することができる。また、この場合、封止用樹脂組成物の１００℃に加熱した場合の粘度を低めやすい。カップリング剤は、例えばシランカップリング剤である。シランカップリング剤としては、例えばエポキシ基、アミノ基、（メタ）アクリロイル基、及びフェニル基からなる群から選択される少なくとも一種の官能基を有する化合物が挙げられる。シランカップリング剤は、フェニル基を有するシランカップリング剤であることが好ましい。すなわち、シリカ（Ｄ１）の少なくとも一部が、フェニル基を有するシランカップリング剤により表面処理されていることが好ましい。この場合、封止用樹脂組成物の分散性を更に向上させることができる。
　無機充填材（Ｄ）がシリカ（Ｄ１）を含有する場合、シリカ（Ｄ１）は、第一のシリカフィラー（Ｄ１１）と、第一のシリカフィラー（Ｄ１１）とは平均粒径の異なる第二のシリカフィラー（Ｄ１２）とを含むことが好ましい。本開示における「平均粒径」は、体積平均径である。体積平均径は、レーザー回折・散乱法で測定して得られる粒度分布から算出される。粒度分布は、例えばレーザー回折式粒度分布測定装置により測定でき、レーザー回折式粒度分布測定装置としては、例えば株式会社堀場製作所製のＬＡ－９６０シリーズを挙げることができる。
　第一のシリカフィラー（Ｄ１１）の平均粒径は、０．１μｍ以上１．５μｍ以下であることが好ましく、この場合の第一のシリカフィラー（Ｄ１１）の粒度分布における標準偏差は、０．０１以上１．０未満であることが好ましい。また、第二のシリカフィラー（Ｄ１２）の平均粒径は、第一のシリカフィラー（Ｄ１１）の平均粒径に対して１０％以上５０％以下であり、かつ第二のシリカフィラー（Ｄ１２）の粒度分布における標準偏差が０．０１以上１．０未満であることが好ましい。ここで、本開示における「粒度分布における標準偏差」とは、粒度分布の広狭を示す指標である。粒度分布における標準偏差により、粒子の粒径が揃っているか否かを判断できる。粒度分布における標準偏差は、次のようにして算出することができる。上記の平均粒径（体積平均径）と同様に、レーザー回折・散乱法で測定して得られる粒度分布において、各々の粒子の粒径のデータと、平均粒径とから標準偏差が算出できる。封止用樹脂組成物におけるシリカ（Ｄ１）のうち第一のシリカフィラー（Ｄ１１）及び第二のシリカフィラー（Ｄ１２）の各々におけるシリカ粒子は、粒度分布における標準偏差が０．０１以上１．０未満であると、封止用樹脂組成物の粘度をより低めることができる。これにより、封止用樹脂組成物は、流動性を確保できる。このため、封止用樹脂組成物で、基板と半導体素子との間の隙間を封止するにあたって、より優れた成形性を達成可能である。
　第一のシリカフィラー（Ｄ１１）の平均粒径は、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であればより好ましい。また、第一のシリカフィラー（Ｄ１１）の粒度分布における標準偏差が０．０１以上０．６０以下であれば好ましく、０．０２以上０．４０以下であればより好ましく、０．０２以上０．３６以下であれば更に好ましく、０．０５以上０．３６以下であれば特に好ましい。第二のシリカフィラー（Ｄ１２）の平均粒径は、上記を満たすものであれば特に制限されないが、第二のシリカフィラー（Ｄ１２）の平均粒径は、例えば０．０１μｍ以上０．７５μｍ以下とすることができる。第二のシリカフィラー（Ｄ１２）の粒度分布における標準偏差が、０．０１以上０．１０未満であれば好ましく、０．０２以上０．０８以下であればより好ましく、０．０３以上０．０８以下であれば更に好ましく、０．０４以上０．０６以下であれば特に好ましい。
　第一のシリカフィラー（Ｄ１１）、及び第二のシリカフィラー（Ｄ１２）の各々は、いずれも湿式シリカであることが好ましい。湿式シリカとは、液体中で合成される非晶質のシリカであり、例えば湿式シリカは、沈降法、及びゾルゲル法からなる群から選択される少なくとも一種の方法で作製可能である。湿式シリカは、特に、ゾルゲル法で作製されることが好ましい。この場合、湿式シリカの粒子の平均粒径を０．１μｍ以上１．５μｍ以下といったように比較的小さく抑えることができ、かつ粒度分布のバラつきを生じにくくすることができる。すなわち、この場合、第一のシリカフィラー（Ｄ１１）及び第二のシリカフィラー（Ｄ１２）の粒子の粒径を揃えることが容易にできる。なお、ゾルゲル法とは、コロイド等の微粒子が溶液中に分散したゾル状態から、流動性のなくなるゲル状態を経て固体物質を得る合成方法であり、合成方法は適宜の方法を採用すればよい。なお、本開示の第一のシリカフィラー（Ｄ１１）がゾルゲル法で作製されていることは、適宜の第一のシリカフィラー（Ｄ１１）の粒子を切断し、その断面を観察することで確認できる。具体的には、例えば、封止用樹脂組成物の硬化物を切断し、その切断面を電子顕微鏡等で観察し、切断面におけるシリカの粒径を測定することで、ゾルゲル法で作製されたものであると判断できる。第二のシリカフィラー（Ｄ１２）、及び後述の第三のシリカフィラー（Ｄ１３）がゾルゲル法で作製されていることも、第一のシリカフィラー（Ｄ１１）と同様にして確認できる。
　シリカ（Ｄ１）は、第一のシリカフィラー（Ｄ１１）及び第二のシリカフィラー（Ｅ１２）のいずれとも平均粒径が異なる第三のシリカフィラー（Ｄ１３）を更に含むことも好ましい。すなわち、封止用樹脂組成物は、第一のシリカフィラー（Ｄ１１）と、第二のシリカフィラー（Ｄ１２）と、第三のシリカフィラー（Ｄ１３）とを含有することも好ましい。シリカ（Ｄ１）が第三のシリカフィラー（Ｄ１３）を含有する場合、第三のシリカフィラー（Ｄ１３）の平均粒径は、第二のシリカフィラー（Ｄ１２）の平均粒径よりも小さければ、特に制限されない。第三のシリカフィラー（Ｄ１３）の粒度分布における標準偏差は、０．０１以上０．１０未満であれば好ましく、０．０２以上０．０９以下であればより好ましく、０．０３以上０．０８以下であれば更に好ましく、０．０４以上０．０６以下であれば特に好ましい。封止用樹脂組成物が、第三のシリカフィラー（Ｄ１３）を含有すると、封止用樹脂組成物は、特に流動性をより低めることができ、また封止用樹脂組成物の流動性を低めても、良好なチクソ性を有しうる。第三のシリカフィラー（Ｄ１３）の質量割合は、シリカ（Ｄ１）全量に対して、５質量％以上４０質量％以下であることが好ましい。シリカ（Ｄ１）全量に対する第三のシリカフィラー（Ｄ１３）の質量割合が５質量％以上であれば、チクソ性をより良好にでき、４０質量％以下であれば、良好な流動性を維持することができる。
　シリカ（Ｄ１）が第三のシリカフィラー（Ｄ１３）を含む場合にあっては、第三のシリカ（Ｄ１３）も、湿式シリカであることが好ましい。この場合、第三のシリカフィラー（Ｄ１３）もゾルゲル法で作製された湿式シリカであることが好ましい。この場合、第一のシリカフィラー（Ｄ１１）、第二のシリカフィラー（Ｄ１２）、及び第三のシリカフィラー（Ｄ１３）の各々が、粒径の揃ったシリカ粒子となるように調整しやすい。
　第一のシリカフィラー（Ｄ１１）は、カップリング剤により表面処理されていてもよい。シリカフィラーの表面処理は、例えばゾルゲル法で作製された湿式シリカに、カップリング剤（例えばシランカップリング剤）を反応させることで可能である。第二のシリカフィラー（Ｄ１２）及び第三のシリカフィラー（Ｄ１３）も同様に、カップリング剤により表面処理されていてもよい。
　シリカ（Ｄ１）における第一のシリカフィラー（Ｄ１１）と第二のシリカフィラー（Ｄ１２）の質量比は、６０：４０～９８：２の範囲内であれば好ましい。シリカ（Ｄ１）が第三のシリカフィラー（Ｄ１３）を更に含む場合、第一のシリカフィラー（Ｄ１１）と第二のシリカフィラー（Ｄ１２）と第三のシリカフィラー（Ｄ１３）の質量比は、６０：３０：１０～９０：８：２の範囲であれば好ましい。
　無機充填材（Ｄ）を含有する場合、封止用樹脂組成物全量に対する無機充填材（Ｄ）の含有量は、５０質量％以上７５質量％以下であることが好ましい。この場合、封止用樹脂組成物のＣＴＥをより低めることが可能となる。本実施形態では、比較的無機充填材（Ｄ）の割合を多くしても、封止用樹脂組成物の流動性を特に良好に維持できる。そのため、封止用樹脂組成物の隙間への未充填を生じにくくできる。無機充填材（Ｄ）の含有量は、５０質量％以上７０質量％以下であればより好ましく、５５質量％以上６５質量％以下であれば更に好ましい。
　無機充填材（Ｄ）は、本開示の効果を阻害しない限りにおいて、シリカ以外の充填材を含有してもよい。
　封止用樹脂組成物は、上記以外にも適宜の化合物、樹脂、及び添加物等を含有してもよい。本実施形態において封止用樹脂組成物が含有しうる添加剤の好ましい成分について、更に具体的に説明する。
　［消泡剤（Ｅ）］
　封止用樹脂組成物は、消泡剤（Ｅ）を更に含有することが好ましい。消泡剤（Ｅ）は、封止用樹脂組成物において、封止用樹脂組成物中の発泡を抑える機能（消泡機能）を有しうる。泡（気泡）は、封止用樹脂組成物に含まれうる成分を混合して調製する際に、液体が空気を包むことで形成されうる。それにより、封止用樹脂組成物中に気泡が内包され、封止材にボイドを生じる一因となりうる。封止用樹脂組成物が消泡剤（Ｅ）を含有すると、封止用樹脂組成物を調製するにあたり、形成された気泡を破泡したり、抑泡したり、又は脱気したりすることで封止用樹脂組成物の発泡を抑制することができる。そのため、封止用樹脂組成物から封止材を作製すると、封止材に更にボイドを生じにくくできる。
　消泡剤（Ｅ）の具体的な製品の例は、ビッグケミー・ジャパン株式会社製の品名ＢＹＫ１７９９等を挙げることができる。なお、消泡剤（Ｅ）の例は前記に限られない。
　［表面調整剤（Ｆ）］
　封止用樹脂組成物は、表面調整剤（Ｆ）を更に含有することが好ましい。表面調整剤（Ｆ）は、封止用樹脂組成物の表面張力を調整する機能を有しうる。封止用樹脂組成物が、表面調整剤（Ｆ）を含有すると、封止用樹脂組成物の加熱時の粘度を調整しやすい。特に、本実施形態では、表面調整剤（Ｆ）は、封止用樹脂組成物の１００℃に加熱した場合の粘度をより低めることができる。このため、封止用樹脂組成物から封止材を作製するために基材２と実装部品３との間に充填する際の流動性を更に良好にできる。また、表面調整剤（Ｆ）は、上記の消泡剤（Ｅ）と同様に消泡機能を有していてもよい。
　表面調整剤（Ｆ）としては、例えばポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン、アクリル系共重合体などを挙げることができる。表面調整剤（Ｆ）の具体的な市販品の例は、ビックケミー・ジャパン株式会社製の品名ＢＹＫ－３０６、ＢＹＫ－３４４１等を挙げることができる。
　［硬化助剤（Ｇ）］
　封止用樹脂組成物は、硬化助剤（Ｇ）を含有することが好ましい。この場合、封止用樹脂組成物の保存安定性に寄与しうる。また、この場合、封止用樹脂組成物を硬化させるにあたって、硬化反応の速度をコントロールできうる。なお、硬化助剤（Ｇ）は、硬化促進剤を含む。硬化助剤（Ｇ）は、封止用樹脂組成物において、硬化性の成分の反応の進行を促す機能を有する。本実施形態では、硬化助剤（Ｇ）は、封止用樹脂組成物におけるエポキシ樹脂（Ａ）を硬化させるにあたって過剰に硬化反応が進行しすぎるのを抑制しうる。言い換えれば、硬化助剤（Ｇ）は、封止用樹脂組成物の硬化の反応性を過剰に高めにくく、かつ良好な硬化速度で硬化を進行させることができる。このため、封止用樹脂組成物の成形時の温度上昇等によって、封止用樹脂組成物が硬化し始めても、急激な硬化の進行をしにくくできることで、成形途中で流動性を損ないにくい。これにより、封止用樹脂組成物が基材２と実装部品３との間に充分に充填されてから、封止用樹脂組成物を硬化させることができる。
　硬化助剤（Ｇ）は、キレート化合物（Ｇ１）を含有することが好ましい。この場合、キレート化合物（Ｇ１）中の金属原子がエポキシ樹脂（Ａ）における酸素原子を配位しうるため、封止用樹脂組成物におけるエポキシ樹脂（Ａ）の過度な熱硬化反応を抑制しうる。これにより、封止用樹脂組成物の保存安定性をより向上させうる。また、この場合、封止用樹脂組成物の粘度の過度な上昇も抑制されうる。このため、封止用樹脂組成物の流動性もより良好に維持可能である。
　キレート化合物（Ｇ１）は、例えばアルミニウムアセチルアセトネート、チタンアセチルアセトネート、チタンテトラアセチルアセトネート、チタンアセトアセテート、ジルコニウムエチルアセトアセテート、及びジルコニウムテトラアセチルアセトネートからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含む。キレート化合物（Ｇ１）は、アルミニウムアセチルアセトネートを含有することが好ましい。
　硬化助剤（Ｇ）を含有する場合、エポキシ樹脂（Ａ）に対する硬化助剤（Ｇ）の質量割合は、０．０１質量％以上２．０質量％以下であることが好ましく、０．０３質量％以上１．５質量％以下であればより好ましく、０．１質量％以上１．０質量％以下であれば更に好ましい。この範囲内であれば、封止用樹脂組成物におけるエポキシ樹脂（Ａ）の硬化性を良好にでき、基材２と実装部品３との間の隙間を封止用樹脂組成物の硬化物で十分に封止することができる。
　硬化助剤（Ｇ）に対するキレート化合物（Ｇ１）の含有量は、２０質量％以上１００質量％以下であれば好ましく、３０質量％以上９０質量％以下であればより好ましく、５０質量％以上７０質量％以下であれば更に好ましい。
　［カップリング剤（Ｈ）］
　封止用樹脂組成物は、カップリング剤（Ｈ）を含有することが好ましい。カップリング剤（Ｈ）としては、例えばシランカップリング剤が挙げられる。封止用樹脂組成物がシランカップリング剤を含有すると、封止用樹脂組成物中の成分の相溶性が向上し、封止用樹脂組成物の分散性をより高めやすい。また、封止用樹脂組成物がシリカ（Ｄ１）を含有する場合にも、封止用樹脂組成物の分散性をより高めやすい。シランカップリング剤は、適宜のカップリング剤を採用可能であるが、例えば２－(３，４－エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、及び３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等のエポキシシランカップリング剤であってもよい。
　なお、封止用樹脂組成物に含まれうる添加剤は、上記に限られない。上記以外の添加剤の例としては、例えば適宜の硬化剤、フラックス、粘度調整剤、レベリング剤、低応力剤、及び顔料等が挙げられる。
　封止用樹脂組成物は、有機溶剤を含まず、又は有機溶剤の含有割合が０．５質量％以下であることが好ましい。
　封止用樹脂組成物は、例えば上記成分を配合し、必要に応じて適宜の添加剤を加えて混合することで得られる。具体的には、封止用樹脂組成物は、例えば次の方法により調製できる。
　まず、上記で説明した封止用樹脂組成物に含まれうる成分を、同時に又は順次配合することで、混合物を得る。この混合物を、必要に応じて加熱処理や冷却処理を行いながら撹拌して混合する。
　次に、必要に応じて、この混合物に添加剤を加え、必要に応じて加熱処理や冷却処理を行いながら、再度撹拌して均一に分散されるまで混合する。これにより、封止用樹脂組成物を得ることができる。混合物の攪拌のためには、例えばディスパー、プラネタリーミキサー、ボールミル、３本ロール、及びビーズミルなどを、必要により適宜組み合わせて適用することができる。
　封止用樹脂組成物は、例えば加熱することにより、硬化させることができ、これにより封止用樹脂組成物の硬化物が得られる。加熱する際の条件、例えば加熱温度、加熱時間、及び最高加熱温度等は、エポキシ樹脂（Ａ）の種類、及び硬化剤等の種類に応じて適宜調整すればよい。
　封止用樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度Ｔｇは、１００℃以上であることが好ましい。ガラス転移温度Ｔｇが１００℃以上であれば、封止用樹脂組成物の硬化物の耐熱性を有しうる。ガラス転移温度Ｔｇは、１１０℃以上であればより好ましい。ガラス転移温度は、例えばＴＭＡ（Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｉｓ）により測定可能である。
　封止用樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度Ｔｇ以下における線膨張係数（ＣＴＥ）は、１５ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、４０ｐｐｍ／℃以下であればより好ましく、３０ｐｐｍ／℃以下であれば更に好ましい。この場合、封止用樹脂組成物及び封止用樹脂組成物の硬化物において、加熱による反りを生じにくくできる。このため、封止用樹脂組成物の硬化物にクラックをより生じにくくできる。封止用樹脂組成物の硬化物の線膨張係数は、ＴＭＡにより測定で得られた結果のＴｇから、Ｔｇ以下の温度の寸法変化と、Ｔｇ以上の任意の温度での寸法変化とに基づく接線の傾きを算出することで得られる。
　本実施形態の封止用樹脂組成物は、既に述べたとおりアンダーフィル材として好適に用いることができる。封止用樹脂組成物は、特にフリップチップ実装における後供給型のアンダーフィル材として特に好適に用いることができる。
　＜電子デバイス＞
　電子デバイス１は、半導体素子等の実装部品３を支持する基材２と、基材２にフェイスダウンで実装される実装部品３と、基材２と実装部品３との間の隙間を封止する封止材４とを備える。封止材４は、上記で説明した液状の封止用樹脂組成物の硬化物からなる。
　電子デバイス１及びその製造方法について、具体的に説明する。
　図１に、本実施形態の電子デバイス１の例を示す。図１に示す電子デバイス１は、導体配線２１を備える基材２と、電極（図１では、バンプ電極３３）を備え、バンプ電極３３が導体配線２１に接合されることで基材２に実装されている実装部品３と、バンプ電極３３を覆う封止材４とを備える。封止材４が、上記で説明した封止用樹脂組成物の硬化物からなる。
　基材２は、例えばマザー基板、パッケージ基板又はインターポーザー基板である。例えば基材２は、ガラスエポキシ製、ポリイミド製、ポリエステル製、及びセラミック製などの絶縁基板と、その表面上に形成された銅などの導電性の導体配線２１とを備える。基材２には、複数の導体配線２１が備えられていてもよい。導体配線２１は例えば電極パッドを備える。
　実装部品３は、例えば半導体チップである。半導体チップは、例えばＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）、ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）、又はＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）などの、フリップチップ型のチップである。半導体チップは、ＰｏＰ（パッケージ・オン・パッケージ）型のチップであってもよい。
　実装部品３は、複数のバンプ電極３３を備えている。バンプ電極３３は、はんだを備える。例えばバンプ電極３３は、図１に示すように、ピラー３１と、ピラー３１の先端に設けられた、はんだバンプ３２とを備える。はんだバンプ３２は、はんだから作製され、このため、バンプ電極３３ははんだを備える。ピラー３１は例えば銅製である。実装部品３における複数の電極（バンプ電極３３）は、隣り合うバンプ電極３３間のピッチが１００μｍ以下であること好ましい。
　バンプ電極３３の備えるはんだ（例えばはんだバンプ３２におけるはんだ）の融点は、特に制限されないが、例えば半導体チップ等の実装部品３を実装する際の実装温度（例えば２２０～２６０℃）以下で溶融可能な温度であればよい。また、はんだの組成は、特に制限されず、適宜の組成であってよいが、例えばＳｎ－Ａｇ系はんだ、及びＳｎ－Ａｇ－Ｃｕ系はんだとすることができる。なお、はんだを備えるバンプ電極３３の構造は上記に限られず、例えばバンプ電極３３は、球状のはんだバンプ３２（はんだボール）のみを備えてもよい。すなわち、バンプ電極３３はピラーを備えなくてもよい。
　本実施形態では、実装部品３は、複数の電極（図１では、複数のバンプ電極３３）を有している。実装部品３におけるバンプ電極３３間の最短のピッチは１００μｍ以下である。また、電子デバイス１において、基材２と実装部品３との間の間隔（ギャップ）は、２５μｍ以下である。すなわち、本実施形態の電子デバイス１は、ファイン化されたファインデバイスである。
　図１に示す電子デバイス１では、封止材４は、基材２と実装部品３との間の隙間の全体を埋めている。これにより、封止材４はバンプ電極３３の全体を覆い、かつバンプ電極３３と導体配線２１との継ぎ目を覆っている。すなわち、この封止材４は、いわゆるアンダーフィルである。
　本実施形態の電子デバイス１の製造方法は、実装工程と、注入工程と、封止工程とを含む。実装工程では、基材２に実装部品３を、複数の電極３３を介して表面実装する。注入工程では、基材２と実装部品３との間に熱硬化性の封止用樹脂組成物を注入する。封止工程では、封止用樹脂組成物を硬化させて封止材を作製する。複数の電極３３間の最短のピッチは、１００μｍ以下であり、かつ基材２と実装部品３との間の間隔は、２５μｍ以下である。封止工程において、封止用樹脂組成物を、加圧下で加熱することで硬化させることを含む。これにより、電子デバイス１における実装部品３の電極間３３の間隔及び基材２と実装部品３との間の間隔を狭めても、封止材４にボイドが生じにくくできる。特に、上記のように電極３３間の最短のピッチが１００μｍ以下、かつ基材２と実装部品３との間の間隔が２５μｍ以下である場合であっても、封止材４中にボイドが生じにくい。
　電子デバイス１の製造方法について、図２Ａ～図２Ｅを参照しながら、具体的に説明する。ただし、電子デバイス１の製造方法は、以下に説明する方法に限られず、電子デバイス１において、上記で説明した封止用樹脂組成物で、基材２と実装部品３との隙間を覆って封止することができればよい。
　まず、導体配線２１を備える基材２と、バンプ電極３３を備える実装部品３とを用意し（図２Ａ参照）、基材２をステージ７２上に配置する。また、実装部品３のバンプ電極３３がステージ７２上に支持されている基材２に対向するようにボンディングヘッド７１に保持させる。この状態で、図２Ｂに示すようにボンディングヘッド７１をステージ７２へ向けて移動させる。これにより、基材２上に、実装部品３を配置する。このとき、実装部品３におけるバンプ電極３３と基材２における導体配線２１とが重なるように、実装部品３と基材２とを位置合わせする（実装工程）。そして、バンプ電極３３と導体配線２１とを電気的に接続する。なお、実装工程においては、加圧しなくてもよく、すなわち基材２上に、実装部品３を実装するにあたっては、常圧下で実装してもよい。
　続いて、上記のように基材２と実装部品３との位置合わせをし、基材２上に実装部品３を配置したものを、加熱装置内に配置する。加熱装置は、例えば気圧による加圧が可能な加熱炉であることが好ましい。具体的には、加熱炉は、加圧オーブン（プレッシャーオーブン）、加圧リフロー炉等であってよい。
　次に、基材２と実装部品３との間の隙間に封止用樹脂組成物（以下図２Ｃ～図２Ｅでは、封止用樹脂組成物を含有する材料を「封止用材料４０」として説明する）を、充填する（図２Ｃ参照）（注入工程）。封止用材料４０は、１００℃に加熱させた状態で充填することが好ましい。この場合、基材２と実装部品３との間の隙間により良好に流動させて充填させやすい。なお、封止用材料４０は、常温（例えば２５℃）で充填させてもよい。充填の方法は適宜の方法を採用すればよく、例えばディスペンサーを用いる方法、スクリーン印刷法、インクジェット法又はディッピング法等を挙げることができる。封止用樹脂組成物は、減圧下で基材２と実装部品３との間の隙間に注入されてもよい。本実施形態では、封止用樹脂組成物は、高い破泡性を有するため、封止用樹脂組成物を注入するにあたり、減圧しても、封止用樹脂組成物が実装部品３の細部に付着することによる実装部品３の汚染を生じにくい。
　続いて、加熱炉内を加熱炉内の圧力を上昇させながら、昇温させ加熱することで、封止用材料４０及びバンプ電極３３に加熱処理を施す（封止工程）。このため、調製した封止用材料４０中に、仮に気泡が残存していたとしても、封止用材料４０が加熱されて徐々に硬化する際に、炉内の圧力が上昇することにより、気泡を小さくすることができ、気泡が封止用材料４０内から脱気されうる。また、基材２から発生しうる水分は、封止用樹脂組成物中に溶解させることができ、そのため水分に由来するボイドも生じにくくできる。このため、加圧しながら加熱することにより、封止材４中のボイドが低減されうる。さらに、封止用樹脂組成物を減圧する場合に比べて、封止用樹脂組成物の発泡が生じにくいため、半導体素子などの実装部品３を汚染しにくくできる。また、封止用材料４０は適度な流動性を有しながら充填できるため、封止材４のフィレット形状（実装部品３の外周にはみ出す封止用材料４０の形状）を安定させることができる。
　加熱炉内の加熱及び加圧の条件は適宜設定されるが、例えば昇温速度３～５℃／ｍｉｎで温度１００℃以上２００℃以下まで加熱させることが好ましい。また加熱炉内の圧力は、０．１ＭＰａ以上０．８ＭＰａ以下とすることができる。加熱処理をする時間は、例えば３０分以上５時間以下であってよい。
　これにより、封止用材料４０を硬化させて封止材４を作製する（図２Ｄ参照）。加熱処理後、加熱炉内の加圧を解除し、加熱炉内を降温させる。なお、加熱炉内を降温させるには、放冷してもよいし、冷却してもよい。
　これにより、電子デバイス１が得られる（図２Ｅ参照）。必要により、加圧を解除した後、更に加熱することで、封止用材料４０を後硬化させてもよい。なお、本実施形態では、電子デバイス１における封止材４を更に硬化させるために加熱（アフターキュア）することを含む。これにより、電子デバイス１における基材２と実装部品３との接続強度をより高めることができる。アフターキュアにおける加熱処理の条件は、封止用樹脂組成物の組成及び／又は電子デバイス製造プロセスに応じて、適宜設定すればよい。加熱処理において、最高加熱温度は、例えば１５０℃以上２００℃以下であることが好ましい。なお、上記では、加熱処理の一例を説明したが、前記に限られず、例えば最高加熱温度も、封止用樹脂組成物の組成等に応じて適宜設定すればよい。
　以上のように、基材２に実装部品３が実装されることで、図１に示す電子デバイス１が得られる。本実施形態の電子デバイス１の製造方法では、上記のとおり、封止材４を、封止用樹脂組成物（封止用材料４０）を加圧しながら加熱することで封止用樹脂組成物を熱硬化させることを含む。このため、電子デバイス１における実装部品３の電極３３間の間隔及び基材２と実装部品３との間の間隔を狭め、基材２と実装部品３との間を封止用樹脂組成物を注入し硬化させることによって封止しても、封止材４中にボイドを生じにくくすることが可能である。このようにして作製された電子デバイス１は、基材２と実装部品３との間に封止材４が充填されることで接続が補強されており、かつ基材２と実装部品３との導通も確保されている。また、本実施形態によれば、加熱装置内で、加圧及び加熱することができるため、電子デバイス１における水分等の除去（ベーキング）のために、実装後に電子デバイス１を加熱装置から他の装置に移して加熱処理を施すといった作業を省くことができる。このため、製造時のタクト（製造効率）を向上することができる。
　なお、電子デバイス１の製造方法の順序は、上記のとおりでなくてもよい。例えば基材２上に実装部品３を配置し、かつ導体配線２１上にバンプ電極３３を配置した後に、封止用樹脂組成物を、バンプ電極３３を覆うように配置してもよい。逆に、封止用樹脂組成物を、バンプ電極３３を覆うように配置した後に、基材２上に実装部品３を配置し、かつ導体配線２１上にバンプ電極３３を配置してもよい。また、上記製造の各工程中において、結果的に封止用樹脂組成物を、バンプ電極３３を覆うように配置できるのであれば、封止用樹脂組成物をいかなる時期に、実装部品３及び基材２におけるいかなる位置に配置してもよい。
　以下、本開示の具体的な実施例を提示する。ただし、本開示は実施例のみに制限されない。
　１．樹脂組成物の調製
　［実施例１～７及び比較例１～３］
　後掲の表１中に示す成分を、表１に示す配合割合（質量部）で、ミキサーに投入し、撹拌混合し、３本ロールを用いて、均一に分散させ、樹脂組成物を得た。表１に示す、成分の詳細は、以下のとおりである。
（エポキシ樹脂）
・ビスフェノール型エポキシ樹脂：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製　品名ＹＤＦ８１７０。エポキシ当量１７５ｅｑ．／ｇ）。
・芳香族アミノエポキシ樹脂：ｊＲＲ株式会社製　品名６３６。
（リン酸とリン酸ポリエステルとの混合物）
・リン酸とリン酸ポリエステルとの混合物：ビックケミー・ジャパン株式会社製　品名ＢＹＫ－Ｗ　９０１０（組成：リン酸ポリエステル含有量９０重量％以上１００重量％未満、リン酸含有量１重量％以上１０重量％未満）。
（添加剤）
・硬化剤：アミン硬化剤（日本化薬株式会社製　品名　カヤバードＡ－Ａ。アミン当量６５ｅｑ．／ｇ）。
・表面調整剤１：ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン（ビックケミー・ジャパン株式会社製　品名ＢＹＫ－３０６）。
・表面調整剤２：アクリル系共重合体（ビックケミー・ジャパン株式会社製　品名ＢＹＫ－３４４１）。
・消泡剤：ビックケミー・ジャパン株式会社製　品名ＢＹＫ１７９９（疎水性粒子とポリシロキサンとの混合物）。
・カップリング剤：エポキシシラン（シランカップリング剤。信越化学工業株式会社製　品名　ＫＢＭ４０３）。
・硬化助剤１：イミダゾール系硬化触媒（四国化成株式会社製　品名　２Ｅ４ＭＺ。イミダゾール系化合物）。
・硬化助剤２：金属キレート硬化助剤（川研ファインケミカル株式会社製　品名アルミキレートＡ（Ｗ）。アルミニウムトリスアセチルアセトネート）。
・着色剤：カーボンブラック（三菱ケミカル株式会社製　品名　ＭＡ１００）。
・リン誘導体：トリフェニルホスフィン。
（無機充填材）
・シリカ１：ゾルゲル法により作製され、フェニル基を有するシランカップリング剤により表面処理されたシリカ（平均粒径１．０μｍ。粒度分布における標準偏差は０．０４以上０．５以下である。）。
・シリカ２：ゾルゲル法により作製され、フェニル基を有するシランカップリング剤により表面処理されたシリカ（平均粒径０．３μｍ。粒度分布における標準偏差は０．０４以上０．５以下である。）。
・シリカ３：ゾルゲル法により作製され、フェニル基を有するシランカップリング剤により表面処理されたシリカ（平均粒径０．１μｍ。粒度分布における標準偏差は０．０４以上０．５以下である。）。
・シリカ４：ゾルゲル法により作製され、表面処理されていないシリカ（平均粒径１．０μｍ、粒度分布における標準偏差は０．０４以上０．５以下である。）。
・シリカ５：ゾルゲル法により作製され、表面処理されていないシリカ（平均粒径０．３μｍ、粒度分布における標準偏差は０．０４以上０．５以下である。）。
・シリカ６：ゾルゲル法により作製され、表面処理されていないシリカ（平均粒径０．１μｍ、粒度分布における標準偏差は０．０４以上０．５以下である。）。
　２．評価
　２．１．粘度（２５℃における粘度）
　上記１．で調製した樹脂組成物の粘度を、ＢＭ型粘度計（東機産業株式会社製　型番　ＴＶＢ－１０）を使用して、温度２５℃、ロータＮｏ．６　回転速度２０ｒｐｍの条件で、測定した。得られた測定結果に基づき、以下の基準で評価した。
Ａ：粘度が１５Ｐａ・ｓ未満である。
Ｂ：粘度が１５Ｐａ・ｓ以上５０Ｐａ・ｓ以下である。
Ｃ：粘度が５０Ｐａ・超である。
　２．２．熱時粘度（１００℃における粘度）
　上記１．で調製した樹脂組成物の粘度を、レオメータ（アントンパール社製　型番　ＭＣＲ－１０）を使用して、温度１００℃、回転速度１ｒｐｍの条件で、測定した。得られた測定結果に基づき、以下の基準で評価した。
Ａ：粘度が０．１０Ｐａ・ｓ未満である。
Ｂ：粘度が０．１０Ｐａ・ｓ以上０．１５Ｐａ・ｓ以下である。
Ｃ：粘度が０．１５Ｐａ・超である。
　また、上記１．で調製した樹脂組成物を、２５℃から昇温速度３０℃／ｍｉｎで加熱した場合の、硬化温度に達した時点の粘度は、実施例１～７では、いずれも０．１５Ｐａ・ｓ以下であったのに対し、比較例１～３では、０．１５Ｐａ・ｓ超であった。なお、硬化温度は、レオメータにより、レオメータのステージに封止用樹脂組成物を塗布し、ステージを８０℃～１５０℃に加熱してから、回転数１ｒｐｍの条件で、１００℃で２時間加熱した後の封止用樹脂組成物の粘度を測定することにより得た。また、封止用樹脂組成物の、硬化温度に達した時点の粘度は、レオメータを用いて、予め８０℃～１５０℃の範囲内の温度に昇温させたステージ上に封止用樹脂組成物を静置させてから、１５０℃で２時間加熱した後、回転速度１ｒｐｍの条件で測定することにより得た。
　２．３．破泡性
　高さ５５ｍｍ以上を有する適宜の容器に、封止用樹脂組成物１０ｇを計り取り、密閉し、温度２５℃において、２００Ｐａ／１０ｍｉｎで減圧することで、脱泡した。１０分経過後、封止用樹脂組成物が減圧により、液面から噴き出して容器の壁面に付着した、容器壁面から付着物の高さを測定した。得られた測定結果（ｍｍ）を、表１に示した。
　実施例１～７では、いずれも４５ｍｍ以下であり、実施例１～６は、４０ｍｍ以下であった。特に、実施例３～６では、３０ｍｍ以下であり、発泡の程度は非常に低かった。これに対し、比較例１～３は、いずれも容器の高さの上限５５ｍｍを超える勢いで発泡し、容器の上面に付着した。この結果、実施例１～７は、破泡性が高く、樹脂組成物中に空隙が少なく、硬化させると封止材中にボイドを生じにくいことが示唆されたのに対し、比較例１～３では、破泡性が低く、樹脂組成物中に空隙が残存し、硬化させると封止材中にボイドが残存しやすいことが示唆された。
　なお、各実施例及び比較例において、常温（２５℃）での破泡性を確認したが、１００℃以上の温度においても、実施例１～７では、２５℃の場合に比べ封止用樹脂組成物の粘度は低くなり、表面張力が大きくなるため、２５℃の場合と同様に、優れた破泡性を有すると推察される。
　２．４．流動性
　２枚の平板状のガラス板を幅２５μｍの間隔（隙間）を空けて、加熱可能な台座（ステージ）上に配置し、ステージの温度を１００℃に設定することで、２枚のガラス板を加熱した。ガラス板の温度が１００℃に到達してから、２５μｍの隙間に、上記１．で調製した樹脂組成物を注入し、毛細管現象を利用して隙間を流動させた。樹脂組成物が、注入開始時点から３０ｍｍの距離を進むまでの時間を測定した。測定により得られた結果に基づき、以下の基準で評価した。
Ａ：３０ｍｍ進むまでの時間は、４００秒未満である。
Ｂ：３０ｍｍ進むまでの時間は、４００秒以上５００秒未満である。
Ｃ：３０ｍｍ進むまでの時間は、５００秒以上である。
　２．５．ボイド
　上記１．で調製した樹脂組成物を用いて、次のようにして電子デバイスを作製した。
　半導体チップとして（ＦＣ－ＢＧＡ：Ｆｌｉｐ　Ｃｈｉｐ　Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）としてＷＡＬＴＳ社製のＷａｌｔｓ　ＴＥＧ　ＦＣ２００ＪＹ（１０ｍｍ×１０ｍｍ×３００μｍ）を用意した。
　基材として、パナソニック株式会社製のＲ－Ｇ５３５Ｅを上記チップが搭載できるよう加工（５２．５ｍｍ×５２．５ｍｍ×１．２μｍ）したものを用意した。
　プレッシャーオーブンのステージ上に基材を配置し、フリップチップで半導体チップを重ね、位置合わせをした。
　続いて、上記１．で調製した樹脂組成物を１００℃に加熱した状態で、基材と半導体チップとの間の隙間に充填した。そして、加熱炉を有する加熱装置内で、最大加圧圧力０．７ＭＰａで加圧・減圧を繰り返しながら、基材と半導体チップとの間の隙間に樹脂組成物を介在させた状態で加熱温度１００℃で２時間加熱し、樹脂組成物を硬化させた。
　加圧を継続、もしくは解除したのち、基材と半導体チップとの間にある樹脂組成物を温度１５０℃で２時間加熱することで完全に硬化させた。これにより、試験用の電子デバイスを得た。この電子デバイスにおける封止材中のボイドを、超音波探傷装置（ＳＡＴ）を用いて調査した。その結果、ボイドが認められなかった場合を「Ａ」、２００μｍ以下の微小なボイドが１０個以下認められた場合を「Ｂ」、それ以上のボイドが認められた場合を「Ｃ」と、評価した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　１　　電子デバイス
　２　　基材
　３　　実装部品
　４　　封止材

Claims (7)

  1. 基材に実装部品を、複数の電極を介して表面実装する実装工程と、
    前記基材と前記実装部品との間に熱硬化性の封止用樹脂組成物を注入する注入工程と、
    前記封止用樹脂組成物を硬化させて封止材を作製する封止工程と、を含み、
    前記複数の電極間の最短のピッチが１００μｍ以下、かつ前記基材と前記実装部品との間の間隔が２５μｍ以下であり、
    前記封止工程において、前記封止用樹脂組成物を、加圧下で加熱することで硬化させる、電子デバイスの製造方法。
  2. 前記封止用樹脂組成物は、１００℃での粘度が０．１５Ｐａ・ｓ以下である、
    請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
  3. 前記封止用樹脂組成物は、２５℃から昇温速度０．５℃／ｍｉｎ～５０℃／ｍｉｎのいずれか一の昇温条件で加熱した場合の、硬化温度に達した時点の粘度が０．１５Ｐａ・ｓ以下であるという特性を有する、
    請求項１又は２に記載の電子デバイスの製造方法。
  4. 前記封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）、リン酸（Ｂ）、及びリン酸ポリエステル（Ｃ）を含有する、
    請求項１から３のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  5. 前記封止用樹脂組成物は、消泡剤（Ｅ）と表面調整剤（Ｆ）とのうちの少なくとも一方を含有する、
    請求項１から４のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  6. 底面積４５０ｍｍ2、高さ５５ｍｍの容器に、前記封止用樹脂組成物を、前記容器の底面から液面高さ２０ｍｍとなるように入れた場合において、温度２５℃で、前記容器の内部を２００Ｐａ／１０ｍｉｎで減圧することで、前記封止用樹脂組成物が前記容器の壁面に噴き出して付着する高さが、前記容器の前記底面から４０ｍｍ以下である、
    請求項１から５のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  7. 請求項１から６のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法で製造される、
    電子デバイス。
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