WO2022013215A1 - Verfahren zur herstellung eines bauelements und optoelektronisches bauelement - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines bauelements und optoelektronisches bauelement Download PDF

Info

Publication number
WO2022013215A1
WO2022013215A1 PCT/EP2021/069454 EP2021069454W WO2022013215A1 WO 2022013215 A1 WO2022013215 A1 WO 2022013215A1 EP 2021069454 W EP2021069454 W EP 2021069454W WO 2022013215 A1 WO2022013215 A1 WO 2022013215A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
housing body
semiconductor chip
component
connection carrier
producing
Prior art date
Application number
PCT/EP2021/069454
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Matthias HIEN
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority to US18/005,533 priority Critical patent/US20230275194A1/en
Priority to DE112021003806.0T priority patent/DE112021003806A5/de
Priority to CN202180049717.3A priority patent/CN115803177A/zh
Publication of WO2022013215A1 publication Critical patent/WO2022013215A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C64/00—Additive manufacturing, i.e. manufacturing of three-dimensional [3D] objects by additive deposition, additive agglomeration or additive layering, e.g. by 3D printing, stereolithography or selective laser sintering
    • B29C64/10—Processes of additive manufacturing
    • B29C64/106—Processes of additive manufacturing using only liquids or viscous materials, e.g. depositing a continuous bead of viscous material
    • B29C64/124—Processes of additive manufacturing using only liquids or viscous materials, e.g. depositing a continuous bead of viscous material using layers of liquid which are selectively solidified
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y10/00—Processes of additive manufacturing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y80/00—Products made by additive manufacturing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/041—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00
    • H01L25/042—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
    • B29L2031/3481—Housings or casings incorporating or embedding electric or electronic elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages

Definitions

  • a method for producing a component is specified.
  • an optoelectronic component is specified.
  • One problem to be solved is to specify a method for producing a component with improved, for example improved mechanical, properties.
  • an optoelectronic component with improved, for example improved mechanical, properties is to be specified.
  • the component can be an electronic component or an optoelectronic component, for example.
  • Optoelectronic components can have at least one semiconductor chip which emits and/or receives electromagnetic radiation in a specific wavelength range.
  • the optoelectronic component is a semiconductor laser component, a light-emitting diode and/or a photodiode.
  • connection carrier is provided.
  • connection carrier is in particular a carrier for electronic components and is used for mechanical attachment and stability.
  • material of the connection carrier has good electrical conductivity and good thermal conductivity.
  • the connection board serves thus for the electrical and/or thermal connection of a semiconductor chip, for example.
  • connection carrier is, for example, a lead frame or a printed circuit board.
  • the leadframe is designed in particular as a solid body.
  • the printed circuit board has an electronically insulating material with conductive connections, so-called conductor tracks, adhering therein.
  • fiber-reinforced plastic or a ceramic material can be used as the insulating material.
  • the conductor tracks are formed with a metal.
  • a housing body is produced on at least part of the connection carrier by means of a 3D printing process.
  • the housing body is designed in particular as a solid body.
  • the housing body is applied to the connection carrier, for example.
  • the housing body is applied directly to the connection carrier. This means that no further layer is arranged between the housing body and the connection carrier.
  • the housing body serves, among other things, to mechanically stabilize the component and protects the connection carrier from mechanical and/or chemical damage.
  • the housing body is applied to at least part of the connection carrier using the 3D printing process.
  • material is applied layer by layer to create the three-dimensional housing body.
  • the layered structure is computer-controlled, for example, from one or more liquid or solid materials according to specified dimensions and shapes. At the Physical or chemical hardening or melting processes take place during construction. Suitable materials for the 3D printing process to form the housing material are plastics, synthetic resins, ceramics, carbon and graphite materials and metals.
  • connection carrier is provided.
  • a housing body is then produced on at least part of the connection carrier using a 3D printing process.
  • a desired design for example a desired shape of the housing body, can be achieved in a targeted manner.
  • At least one optoelectronic semiconductor chip is applied to the connection carrier before the housing body is produced.
  • the semiconductor chip is set up to emit and/or receive electromagnetic radiation in a specific wavelength range.
  • the semiconductor chip is set up to emit primary radiation in a first wavelength range during operation.
  • the semiconductor chip preferably emits the primary radiation of the first wavelength range from a radiation exit area.
  • the semiconductor chip emits primary radiation from the ultraviolet spectral range and/or from the visible spectral range, particularly preferably from the blue spectral range.
  • the semiconductor chip is, for example, a light-emitting diode chip or a laser diode chip.
  • the semiconductor chip has an epitaxially grown semiconductor layer sequence with an active zone which is set up to generate primary radiation.
  • the active zone has, for example, a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well or particularly preferably a multiple quantum well structure.
  • the semiconductor chip can be a flip chip, for example, in which the semiconductor chip has contacts on the same side, or it can be a semiconductor chip in which the contacts are on opposite sides.
  • At least one cavity and/or one undercut is introduced into the housing body.
  • the cavity and/or the undercut are in particular free of the housing body.
  • the cavity and/or the undercut are filled with ambient atmosphere, for example air, nitrogen or with an inert gas.
  • the cavities can have different structures and shapes, in particular the shape of a sphere, a cuboid, a cube, a cone, a truncated cone, a cylinder, a pyramid, a truncated pyramid or a polyhedron.
  • the cavity has the shape of a sphere or a truncated cone or pyramid.
  • Some of the structures, in particular cuboid structures, can have support structures which can increase the mechanical stability of the cavity.
  • the cavity and/or the undercut can preferably not be formed by a molding process such as a "Foil Assisted Molding" process (FAM process).
  • FAM process Foil Assisted Molding process
  • the introduction of a cavity and/or an undercut can advantageously reduce the weight of the component and/or adjust the center of gravity of the component. Setting the center of gravity of the component means that further processing can be simplified and accelerated.
  • the cavity is designed as a closed cavity within the housing body.
  • the closed cavity is in particular free of material from the housing body and is delimited on all sides by the housing body.
  • the closed cavity is filled, for example, with ambient atmosphere, for example air, nitrogen or with an inert gas, and can have the shape of a polyhedron, for example.
  • the closed cavity preferably has a top surface which is formed parallel to the layers that make up the housing body.
  • the housing body is formed as follows:
  • a layer of liquid casting is applied.
  • the liquid potting comprises a material from the following group: initiator, epoxy, vinyl ester resin, titanium dioxide, silicone and/or acrylate.
  • initiator epoxy, vinyl ester resin, titanium dioxide, silicone and/or acrylate.
  • onium salts can be used as initiators.
  • the material is preferably easily polymerizable, for example, the material is a light-curing plastic and is also permeable to electromagnetic radiation.
  • the layer of liquid encapsulation is applied to the connection carrier and/or semiconductor chip.
  • the layer of liquid encapsulation is preferably applied directly to the connection carrier and/or semiconductor chip.
  • the layer of liquid casting is then selectively cured. That is, the liquid potting initiator is activated to start polymerization of the liquid potting. By activating the initiator, part of the liquid potting is selectively cured. Then, for example, the liquid, uncured casting is removed. For example, the liquid, uncured encapsulation is removed by pulling the housing body to be built out of the solution of the liquid encapsulation. The liquid, uncured potting is thus removed by gravity.
  • another layer of the liquid encapsulation is applied.
  • the further layer is applied to the already cured layer and/or semiconductor chip.
  • the other layer of liquid casting is also selectively cured. This process is repeated until a desired thickness is reached.
  • the procedure is repeated ten to twenty times. This means that preferably at least ten to at most twenty layers of a liquid encapsulation are applied and then cured layer by layer in succession.
  • the individual layers connect to the housing body via covalent bonds.
  • Each of the individual layers has a thickness of at least 10 microns and at most 20 microns. Residues of the liquid encapsulation are removed during the application of the layers and/or afterwards. That is, the portion of the liquid potting that is not cured can be removed. The removal takes place, for example, by washing out.
  • a final curing takes place in a chamber, for example in an oven or a UV chamber.
  • the final curing takes place in particular optically with blue and/or UV light in a UV chamber.
  • the housing body is completely solidified and is connected to the semiconductor chip and/or connection carrier.
  • the housing body is formed using one of the following methods: top-down method, bottom-up method or CLIP method (Continuous Liquid Interface Production).
  • the housing body to be built is contained in a solution of the liquid potting throughout the process.
  • the top-down method can be used to produce housing bodies very quickly.
  • the housing body to be built is pulled out of the liquid potting solution after each selective curing step.
  • the bottom-up method and the CLIP method are particularly suitable for producing the cavity and/or undercuts. With this method, cavities and/or undercuts that are free of the material can advantageously be produced in a particularly simple manner of the housing body, in particular free of the liquid, uncured encapsulation.
  • the surface is sealed in order to then inject a potting. Cavities and/or undercuts cannot be formed with the FAM process.
  • An advantage of the method described here is that the liquid casting is only cured where it is really needed. As a result, a desired design of the case body can be achieved.
  • the liquid encapsulation is cured by selective exposure to an electromagnetic radiation source.
  • the electromagnetic radiation source is in particular a light source.
  • the light source can be a laser source or a mercury vapor lamp.
  • the liquid encapsulation can be cured using an optical element such as a digital mask or digital micromirror.
  • the electromagnetic radiation source is arranged and the electromagnetic radiation is shaped, directed or selectively absorbed using the optical element in such a way that the liquid encapsulation is selectively exposed to light, so as to thereby cure the liquid encapsulation at precisely the exposed location.
  • the geometry and design of the housing body are set using a "Computer Aided Design” (CAD for short).
  • CAD Computer Aided Design
  • the CAD is converted into stereolithography files and software such as Cura creates the necessary G-code to generate the individual layers It is thus specified at which points the liquid encapsulation is exposed in order to produce the housing body with the desired geometry and the desired design.
  • the curing of the liquid encapsulation takes place by means of a laser.
  • the laser can be aimed directly at the liquid encapsulation and thus start the initiation of the polymerisation to harden the liquid encapsulation.
  • direct can mean that the laser beam is not deflected but can still pass through optical elements such as lenses or windows.
  • the laser can be deflected using a galvanometer.
  • the selected areas of the liquid casting are exposed and cured in a targeted manner.
  • the process with the exposure of the liquid encapsulation by means of the laser has a good resolution, since the laser can be focused particularly well.
  • the accuracy of the laser process is between at least 100 nanometers and at most 30 micrometers.
  • the accuracy of the laser process is preferably between at least 100 nanometers and at most 10 micrometers.
  • the liquid encapsulation is cured using a micromirror actuator.
  • the micromirror actuator digital mirror device, DMD
  • DMD digital mirror device
  • micromirror actuators a distinction is made between so-called microscanners and surface light modulators.
  • the modulation of a bundle of rays takes place on a continuously moving object single mirror.
  • Light can be grazed or scanned over the liquid encapsulation for exposure.
  • the light is modulated via a mirror matrix.
  • the individual mirrors assume discrete deflections over time. This achieves the deflection of partial beams or a phase-shifting effect.
  • micro-mirror actuators can deflect the light of a strong light source in such a way that an image is projected. In this way, larger areas of the liquid encapsulation can be exposed in a targeted manner.
  • a light source is radiated onto a micromirror actuator, which is then reflected and impinges on the liquid encapsulation via a lens, for example.
  • the electromagnetic radiation from the light source hits the liquid casting, it hardens at the specific point.
  • the liquid encapsulation is cured using a micromirror actuator by simultaneously exposing a specific layer. As a result, the method has a high speed.
  • the cavity and/or the undercut are formed at unexposed locations. This means that the areas that are not exposed or are free from exposure form the cavity and/or the undercut.
  • the liquid encapsulation is cured at targeted points by exposure, the points which are not exposed are not cured and form the cavity and/or the undercut.
  • the uncured, liquid casting is removed from the device, for example by rinsing. Alternatively, the uncured, liquid potting can flow out of the cavity by gravity. This is the case, for example, with the bottom-up method and the CLIP method.
  • connection carrier at least two semiconductor chips are applied to the connection carrier before the housing body is produced.
  • a multiplicity of semiconductor chips is applied to the connection carrier.
  • connection carrier remains free of the housing body in a free area between two adjacent semiconductor chips.
  • the component can thus advantageously be separated between two adjacent semiconductor chips in a simplified manner. Since the housing body is not arranged on the connection carrier and does not have to be sawed when the semiconductor chips are separated, no cracks form in the housing body. The separation by sawing is only carried out by the connection carrier, for example by copper tie rods.
  • the free area between two directly adjacent semiconductor chips is between at least 50 micrometers and at most 250 micrometers, for example between at least 50 micrometers and at most 150 micrometers.
  • an optoelectronic component is also specified.
  • an optoelectronic component described here can be produced with the described method for producing the component.
  • all of the features required for the manufacturing process of the Component are disclosed are also disclosed for the optoelectronic component and vice versa.
  • the optoelectronic component has a connection carrier.
  • the connection carrier is, for example, a lead frame or a printed circuit board.
  • the optoelectronic component has a semiconductor chip.
  • the semiconductor chip has, for example, a
  • Radiation exit surface and is then intended to emit primary radiation of a first wavelength range during operation.
  • the optoelectronic component has a housing body which surrounds the connection carrier and the semiconductor chip in places.
  • the housing body is arranged in particular directly on the connection carrier and/or the semiconductor chip.
  • the optoelectronic component has a housing body which has at least one cavity and/or one undercut.
  • the cavity and/or the undercut are in particular free of the housing body.
  • the cavity and/or the undercut are filled with a gas.
  • the cavity and/or undercut are filled with ambient atmosphere, for example.
  • the center of gravity of the optoelectronic component can be set particularly well with the aid of the cavity and/or undercut.
  • the optoelectronic component has a connection carrier, a semiconductor chip and a housing body which surrounds the connection carrier and the semiconductor chip in places, the housing body having at least one cavity and/or an undercut.
  • the semiconductor chip is attached to the connection carrier by means of an adhesive layer.
  • the semiconductor chip can thus advantageously be fixed at the desired location.
  • the housing body laterally completely surrounds the semiconductor chip.
  • the housing body is in direct contact with the semiconductor chip in places.
  • the package body can be connected to the semiconductor chip.
  • all sides of the semiconductor chip that run perpendicularly or transversely to a main plane of extension of the component are surrounded by the housing body. As a result, moisture between the semiconductor chip and the package body can be prevented or reduced.
  • the housing body protrudes by at most 20 micrometers beyond the semiconductor chip in a vertical direction that runs perpendicular to the main plane of extension of the component.
  • the housing body preferably protrudes above the semiconductor chip by at most 10 micrometers.
  • the semiconductor chip is preferably protected from external influences by the housing body projecting beyond the semiconductor chip.
  • the semiconductor chip does not protrude beyond the housing body in the vertical direction.
  • that side of the semiconductor chip which is remote from the connection carrier is free of the housing body. That means, for example, the radiation exit area of the semiconductor chip is free of the housing body.
  • a conversion element can optionally be arranged on the radiation exit area of the semiconductor chip.
  • the thickness of the housing body is between at least 100 micrometers and at most 2000 micrometers. In particular, the thickness of the housing body is between at least 100 micrometers and at most 400 micrometers, for example between at least 150 micrometers and at most 250 micrometers.
  • the housing body comprises a material from the following group: polymerized epoxy, polymerized acrylate, vinyl ester resin, titanium dioxide, silicone, initiators and combinations thereof.
  • a housing body with titanium dioxide is produced by means of plasma coating.
  • An idea of the present method for manufacturing a device is that the device geometries can be defined in a computer-aided design.
  • the center of gravity of the component can be set in such a way that later use of the components or arrangement of the components is facilitated.
  • FIG. 1 shows a schematic sectional illustration of a method for producing a component according to an exemplary embodiment
  • FIG. 2 shows a schematic sectional illustration of a method for producing a component according to an exemplary embodiment
  • FIG. 3 shows a schematic sectional illustration of an optoelectronic component according to an exemplary embodiment
  • FIG. 4 shows a plan view of a multiplicity of optoelectronic components in accordance with an exemplary embodiment. Elements that are the same, of the same type or have the same effect are provided with the same reference symbols in the figures.
  • the figures and the relative sizes of the elements shown in the figures are not to be regarded as being to scale. Rather, individual elements, in particular layer thicknesses, can be shown in an exaggerated size for better representation and/or for better understanding.
  • connection carrier 2 is provided in a first step.
  • the connection carrier 2 is arranged on a platform 11 .
  • the platform 11 and the connection carrier 2 are located in a container 10.
  • a liquid potting agent 12 is placed in the container 10 .
  • the liquid encapsulation 12 has, for example, an epoxide, an acrylate, a vinyl ester resin, titanium dioxide, a silicone and/or a co-initiator.
  • connection carrier 2 on the platform 11 is initially on the surface of the liquid encapsulation 12.
  • the connection carrier 2 is arranged on the platform 11 and there is a layer 21 of the liquid encapsulation 12 on the connection carrier 2.
  • the layer 21 of the liquid encapsulation 12 is cured by means of a laser 13 .
  • the electromagnetic radiation of the laser 13 is directed onto an optics 14 , for example a mirror, which is then aimed at a specific point on the layer 21 via a galvanometer 15 .
  • Certain areas of the layer 21 can thus be cured in a targeted manner. Curing takes place in layers.
  • the platform 11 is moved further into the liquid encapsulation 12 and the further layer 21 is hardened in a targeted manner by means of the laser 13 . This continues until a large number of layers 21 have hardened.
  • 20 layers 21 each having a thickness of 10 micrometers are hardened in layers.
  • the hardened layers 21 form covalent bonds with one another and form the housing body 4.
  • the liquid encapsulation 12 is not cured and a cavity 19 and/or an undercut is formed.
  • the liquid potting 12 which is not cured is removed.
  • the method according to FIG. 1 has a very good resolution, since here the individual layers 21 can be irradiated in a targeted manner with the aid of the laser 13 and can therefore be cured.
  • At least one semiconductor chip 3 can optionally be applied to the connection carrier 2 .
  • the semiconductor chip 3 is applied to the connection carrier 2 before the housing body 4 is formed.
  • the method of the exemplary embodiment in FIG. 2 for producing a component has a container 10 in which a Z stage 20 and a platform 11 are arranged.
  • connection carrier 2 is arranged on the platform 11 .
  • the container 10 includes a liquid potting 12.
  • the connection carrier 2 is initially located on the platform 11 near the surface of the liquid encapsulation 12 .
  • a layer 21 of the liquid encapsulation 12 is arranged on the connection carrier 2 .
  • the layer 21 of the liquid encapsulation 12 is selectively cured by exposure to an electromagnetic radiation source. After the layer 21 has selectively hardened, the platform 11 or the Z stage 20 is moved a little further into the liquid casting 12 .
  • the further layer 21 is located on the already cured encapsulation and is in turn cured by the selective exposure to an electromagnetic radiation source.
  • the curing of the liquid encapsulation 12 takes place using a micro-mirror actuator 18.
  • the electromagnetic rays of a light source 16 are directed onto a multiplicity of mirrors 22, which then impinge on the liquid encapsulation 12 via a lens 17.
  • 20 layers 21 each having a thickness of 10 micrometers are successively cured in layers.
  • the individual layers 21 then combine to form a housing body 4.
  • the areas that are not exposed form the cavity 19 and/or the undercut of the housing body 4.
  • FIGS. 1 and 2 show the production of components using the top-down method.
  • the components according to the invention can also be produced analogously using the bottom-up method and the CLIP method (not shown here).
  • the exemplary embodiment in FIG. 3 shows an optoelectronic component 1.
  • the optoelectronic component 1 has a connection carrier 2, a semiconductor chip 3 and a housing body 4.
  • the housing body 4 surrounds the connection carrier 2 and the semiconductor chip 3 in places.
  • the housing body 4 has at least one cavity 19 .
  • the cavity 19 is designed as a closed hollow space and has a cuboid structure.
  • the cavity 19 can also have the shape of a sphere, a cube, a cone, a truncated cone, a cylinder, a pyramid, a truncated pyramid or a polyhedron (not shown here).
  • the cavity is in particular free of material from the housing body and is delimited on all sides by the housing body.
  • the semiconductor chip 3 is optionally attached to the connection carrier 2 by means of an adhesive layer 5 .
  • the semiconductor chip 3 is preferably surrounded laterally by the housing body 4 .
  • the housing body 4 is connected to the semiconductor chip 3, for example, arranged at least as close as possible to the semiconductor chip 3 in order to reduce or prevent moisture between the semiconductor chip 3 and the housing body 4.
  • FIG. 3 also shows that the side of the housing body 4 that faces away from the connection carrier 2 terminates flush with the semiconductor chip 3 .
  • the radiation exit surface 23 of the semiconductor chip 3 is thus free of the housing body 4.
  • a thickness D of the case body 4 is at 200 mpi.
  • 20 layers 21 each having a thickness of 10 gm were applied.
  • the housing body 4 has only one cohesive layer 21, since the 20 layers 21 enter into covalent bonds with one another.
  • the material of the case body 4 is a polymerized epoxy.
  • FIG. 4 shows a top view of a multiplicity of optoelectronic components 1 .
  • Each optoelectronic component 1 has a connection carrier 2, a semiconductor chip 3 and a housing body 4, which surrounds the connection carrier 2 and the semiconductor chip 3 in places.
  • a free area 6 of the connection carrier 2, which is located between the semiconductor chips 3, is free of the housing body 4.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben, umfassend die Schritte: Bereitstellen eines Anschlussträgers (2); und Erzeugen eines Gehäusekörpers (4) auf zumindest einem Teil des Anschlussträgers (2) mittels eines 3D-Druck-Verfahrens. Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Bauelement (1), welches durch das Verfahren hergestellt wird, angegeben.

Description

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS UND
OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben. Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements mit verbesserten, zum Beispiel verbesserten mechanischen, Eigenschaften anzugeben.
Zusätzlich soll ein optoelektronisches Bauelement mit verbesserten, zum Beispiel verbesserten mechanischen, Eigenschaften angegeben werden.
Bei dem Bauelement kann es sich beispielsweise um ein elektronisches Bauelement oder ein optoelektronisches Bauelement handeln. Optoelektronische Bauelemente können zumindest einen Halbleiterchip aufweisen, der elektromagnetische Strahlung in einem bestimmten Wellenlängenbereich aussendet und/oder empfängt. Beispielsweise handelt es sich bei dem optoelektronischen Bauelement um ein Halbleiterlaserbauelement, eine Leuchtdiode und/oder um eine Photodiode.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Bauelements wird ein Anschlussträger bereitgestellt.
Der Anschlussträger ist insbesondere ein Träger für elektronische Bauteile und dient der mechanischen Befestigung sowie Stabilität. Außerdem weist das Material des Anschlussträgers eine gute elektrische Leitfähigkeit sowie eine gute Wärmeleitfähigkeit auf. Der Anschlussträger dient damit zum elektrischen und/oder thermischen Anschluss zum Beispiel eines Halbleiterchips.
Der Anschlussträger ist zum Beispiel ein Leiterrahmen oder eine Leiterplatte. Der Leiterrahmen ist insbesondere als Vollkörper ausgebildet. Die Leiterplatte weist ein elektronisch isolierendes Material mit darin haftenden leitenden Verbindungen, sogenannten Leiterbahnen, auf. Als isolierendes Material kann zum Beispiel faserverstärkter Kunststoff oder ein keramisches Material Verwendung finden. Die Leiterbahnen sind mit einem Metall gebildet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Gehäusekörper auf zumindest einen Teil des Anschlussträgers mittels eines 3D-Druckverfahrens erzeugt.
Der Gehäusekörper ist insbesondere als Vollkörper ausgebildet. Der Gehäusekörper ist beispielsweise auf dem Anschlussträger aufgebracht. Insbesondere wird der Gehäusekörper direkt auf dem Anschlussträger aufgebracht. Das heißt zwischen dem Gehäusekörper und dem Anschlussträger ist keine weitere Schicht angeordnet. Der Gehäusekörper dient unter anderem zur mechanischen Stabilisierung des Bauelements und schützt den Anschlussträger vor mechanischer und/oder chemischer Beschädigung.
Der Gehäusekörper wird mittels des 3D-Druckverfahrens auf zumindest einen Teil des Anschlussträgers aufgebracht. Bei dem 3D-Druckverfahren wird Material Schicht für Schicht aufgetragen, um so den dreidimensionalen Gehäusekörper zu erzeugen. Der schichtweise Aufbau erfolgt dabei zum Beispiel computergesteuert aus einem oder mehreren flüssigen oder festen Werkstoffen nach vorgegebenen Maßen und Formen. Beim Aufbau finden physikalische oder chemische Härtungs- oder Schmelzprozesse statt. Geeignete Materialien für das 3D- Druckverfahren zur Bildung des Gehäusematerials sind Kunststoffe, Kunstharze, Keramiken, Carbon- und Graphitmaterialien und Metalle.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Bauelements wird ein Anschlussträger bereitgestellt. Anschließend wird ein Gehäusekörper auf zumindest einem Teil des Anschlussträgers mittels eines 3D- Druckverfahrens erzeugt.
Mittels des 3D-Druckverfahrens kann gezielt ein gewünschtes Design, zum Beispiel eine gewünschte Form des Gehäusekörpers, erzielt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird vor dem Erzeugen des Gehäusekörpers zumindest ein optoelektronischer Halbleiterchip auf dem Anschlussträger aufgebracht. Der Halbleiterchip ist dazu eingerichtet, elektromagnetische Strahlung in einem bestimmten Wellenlängenbereich auszusenden und/oder zu empfangen. Zum Beispiel ist der Halbleiterchip dazu eingerichtet, im Betrieb Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs zu emittieren. Bevorzugt emittiert der Halbleiterchip die Primärstrahlung des ersten Wellenlängenbereichs von einer Strahlungsaustrittsfläche. Insbesondere sendet der Halbleiterchip im Betrieb Primärstrahlung aus dem ultravioletten Spektralbereich und/oder aus dem sichtbaren Spektralbereich, besonders bevorzugt aus dem blauen Spektralbereich aus.
Bei dem Halbleiterchip handelt es sich zum Beispiel um einen Leuchtdiodenchip oder einen Laserdiodenchip. Bevorzugt weist der Halbleiterchip eine epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone auf, die dazu eingerichtet ist, Primärstrahlung zu erzeugen. Hierzu weist die aktive Zone beispielsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfachquantentopf- oder besonders bevorzugt eine MehrfachquantentopfStruktur auf. Bei dem Halbleiterchip kann es sich beispielsweise um einen Flip-Chip handeln, bei dem der Halbleiterchip Kontaktierungen auf der gleichen Seite aufweist oder es handelt sich um einen Halbleiterchip, bei dem sich die Kontaktierungen auf entgegengesetzten Seiten befinden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden in den Gehäusekörper zumindest eine Kavität und/oder eine Hinterschneidung eingebracht. Die Kavität und/oder die Hinterschneidung sind insbesondere frei von dem Gehäusekörper. Die Kavität und/oder die Hinterschneidung sind mit Umgebungsatmosphäre, beispielsweise Luft, Stickstoff oder mit einem Edelgas, gefüllt.
Die Kavitäten können unterschiedliche Strukturen und Formen aufweisen, insbesondere die Form einer Kugel, eines Quaders, eines Würfels, eines Kegels, eines Kegelstumpfs, eines Zylinders, einer Pyramide, eines Pyramidenstumpfs oder eines Polyeders. Beispielsweise weist die Kavität die Form einer Kugel oder eines Kegel- oder Pyramidenstumpfs auf. Einige der Strukturen, insbesondere quaderförmige Strukturen, können Unterstützungsstrukturen aufweisen, welche die mechanische Stabilität der Kavität erhöhen können.
Die Kavität und/oder die Hinterschneidung können bevorzugt nicht durch ein Formverfahren wie zum Beispiel ein „Foil Assisted Molding"-Verfahren (FAM-Verfahren) gebildet werden. Durch die Einbringung einer Kavität und/oder einer Hinterschneidung kann mit Vorteil das Gewicht des Bauelements reduziert und/oder der Schwerpunkt des Bauelements eingestellt werden. Die Einstellung des Schwerpunkts des Bauelements führt dazu, dass ein weiteres Prozessieren vereinfacht und beschleunigt werden kann.
Gemäß einer Ausführungsform ist die Kavität als abgeschlossener Hohlraum innerhalb des Gehäusekörpers ausgebildet. Der abgeschlossene Hohlraum ist dabei insbesondere frei von Material des Gehäusekörpers und auf allen Seiten durch den Gehäusekörper begrenzt. Der abgeschlossene Hohlraum ist beispielsweise mit Umgebungsatmosphäre, beispielsweise Luft, Stickstoff oder mit einem Edelgas, gefüllt und kann zum Beispiel die Form eines Polyeders aufweisen. Bevorzugt weist der abgeschlossene Hohlraum eine Deckfläche auf, die parallel zu den Schichten ausgebildet ist, aus denen der Gehäusekörper besteht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird der Gehäusekörper wie folgt gebildet:
- Aufbringen zumindest einer Schicht eines flüssigen Vergusses,
- selektives Aushärten der zumindest einen Schicht des flüssigen Vergusses,
- Entfernen von Resten des flüssigen Vergusses.
In einem ersten Schritt wird eine Schicht eines flüssigen Vergusses aufgebracht. Der flüssige Verguss umfasst ein Material aus der folgenden Gruppe: Initiator, Epoxid, Vinylesterharz, Titandioxid, Silikon und/oder Acrylat. Beispielsweise können Onium-Salze als Initiatoren verwendet werden. Das Material ist bevorzugt leicht polymerisierbar, beispielsweise ist das Material ein lichtaushärtender Kunststoff, und zusätzlich durchlässig für elektromagnetische Strahlung. Die Schicht des flüssigen Vergusses wird auf den Anschlussträger und/oder Halbleiterchip aufgebracht.
Bevorzugt wird die Schicht des flüssigen Vergusses direkt auf den Anschlussträger und/oder Halbleiterchip aufgebracht.
Anschließend wird die Schicht des flüssigen Vergusses selektiv ausgehärtet. Das heißt, der Initiator des flüssigen Vergusses wird aktiviert, um eine Polymerisation des flüssigen Vergusses zu starten. Durch die Aktivierung des Initiators wird selektiv ein Teil des flüssigen Vergusses ausgehärtet. Danach wird beispielsweise der flüssige, unausgehärtete Verguss entfernt. Beispielsweise erfolgt das Entfernen des flüssigen, unausgehärteten Vergusses durch Herausziehen des zu bauenden Gehäusekörpers aus der Lösung des flüssigen Vergusses. Der flüssige, unausgehärtete Verguss wird somit durch Gravitation entfernt.
Im Anschluss wird zum Beispiel eine weitere Schicht des flüssigen Vergusses aufgebracht. Insbesondere wird die weitere Schicht auf die bereits ausgehärtete Schicht und/oder Halbleiterchip aufgebracht. Die weitere Schicht des flüssigen Vergusses wird ebenso selektiv ausgehärtet. Dieses Verfahren wird so oft wiederholt, bis eine gewünschte Dicke erreicht wird. Zum Beispiel wird das Verfahren zehn- bis zwanzigmal wiederholt. Das heißt, es werden bevorzugt zumindest zehn bis höchstens zwanzig Schichten eines flüssigen Vergusses aufgebracht und anschließend Schicht für Schicht nacheinander ausgehärtet. Die einzelnen Schichten verbinden sich über kovalente Bindungen zu dem Gehäusekörper. Jede der einzelnen Schichten weist eine Dicke von zumindest 10 Mikrometern bis höchstens 20 Mikrometern auf. Während dem Aufbringen der Schichten und/oder anschließend werden Reste des flüssigen Vergusses entfernt. Das heißt, der Teil des flüssigen Vergusses, der nicht ausgehärtet wird, kann entfernt werden. Das Entfernen erfolgt beispielsweise durch Auswaschen.
In einem letzten Schritt findet optional eine finale Aushärtung in einer Kammer, beispielsweise in einem Ofen oder eine UV-Kammer, statt. Die finale Aushärtung findet insbesondere optisch mit blauem und/oder UV-Licht in einer UV-Kammer statt. Dadurch wird der Gehäusekörper vollständig verfestigt und verbindet sich mit dem Halbleiterchip und/oder Anschlussträger .
Insbesondere wird der Gehäusekörper mit einem der folgenden Verfahren gebildet: Top Down-Verfahren, Bottom Up-Verfahren oder CLIP-Verfahren (engl. Continuous Liquid Interface Production) .
Bei dem Top Down- Verfahren ist der zu bauende Gehäusekörper während des gesamten Verfahrens in einer Lösung des flüssigen Vergusses enthalten. Mit dem Top Down-Verfahren können vorteilhafterweise Gehäusekörper sehr schnell erzeugt werden.
Bei dem Bottom Up-Verfahren und dem CLIP-Verfahren wird der zu bauende Gehäusekörper nach jedem selektiven Aushärte- Schritt aus der Lösung des flüssigen Vergusses herausgezogen. Insbesondere eignen sich das Bottom Up-verfahren und das CLIP-Verfahren zur Erzeugung der Kavität und/oder Hinterschneidungen. Mit diesen Verfahren können vorteilhafterweise besonders einfach Kavitäten und/oder Hinterschneidungen erzeugt werden, die frei von dem Material des Gehäusekörpers, insbesondere frei von dem flüssigen, unausgehärteten Verguss, sind.
Bei dem oben genannten FAM-Verfahren wird hingegen die Oberfläche versiegelt, um dann einen Verguss einzuspritzen. Kavitäten und/oder Hinterschneidungen können bei dem FAM- Verfahren nicht gebildet werden.
Ein Vorteil des hier beschriebenen Verfahrens besteht darin, dass der flüssige Verguss nur dort ausgehärtet wird, wo es wirklich benötigt wird. Dadurch kann ein gewünschtes Design des Gehäusekörpers erzielt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt das Aushärten des flüssigen Vergusses durch selektive Belichtung mit einer elektromagnetischen Strahlungsquelle. Die elektromagnetische Strahlungsquelle ist insbesondere eine Lichtquelle. Die Lichtquelle kann eine Laserquelle oder eine Quecksilberdampflampe sein. Außerdem kann der flüssige Verguss unter Verwendung eines optischen Elements wie einer digitalen Maske oder eines digitalen Mikrospiegels ausgehärtet werden. Die elektromagnetische Strahlungsquelle wird so angeordnet und die elektromagnetische Strahlung wird unter Verwendung des optischen Elements so geformt, gelenkt oder selektiv absorbiert, dass selektiv der flüssige Verguss belichtet wird, um somit den flüssigen Verguss an genau der belichteten Stelle auszuhärten.
Die Geometrie und das Design des Gehäusekörpers werden insbesondere unter Verwendung eines „Computer Aided Designs" (kurz: CAD) eingestellt. Das CAD wird in Stereolithographie- Dateien umgewandelt und eine Software wie Cura erstellt den notwendigen G-Code, um die einzelnen Schichten zu generieren Somit wird vorgegeben, an welchen Stellen der flüssige Verguss belichtet wird, um den Gehäusekörper mit der gewünschten Geometrie und dem gewünschten Design zu erzeugen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt das Aushärten des flüssigen Vergusses mittels eines Lasers. Der Laser kann direkt auf den flüssigen Verguss gerichtet werden und somit die Initiierung der Polymerisation, zum Aushärten des flüssigen Vergusses, starten. Direkt kann in diesem Zusammenhang bedeuten, dass der Laserstrahl nicht abgelenkt wird, aber dennoch optische Elemente wie Linsen oder Fenster durchlaufen kann. Alternativ kann der Laser über ein Galvanometer abgelenkt werden. Hierbei werden gezielt die ausgewählten Stellen des flüssigen Vergusses belichtet und ausgehärtet. Das Verfahren mit der Belichtung des flüssigen Vergusses mittels des Lasers weist eine gute Auflösung auf, da der Laser besonders gut fokussiert werden kann. Insbesondere liegt die Genauigkeit des Laserverfahrens zwischen zumindest 100 Nanometer und höchstens 30 Mikrometer. Bevorzugt liegt die Genauigkeit des Laserverfahrens zwischen zumindest 100 Nanometer und höchstens 10 Mikrometer.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt das Aushärten des flüssigen Vergusses unter Verwendung eines Mikrospiegelaktors. Der Mikrospiegelaktor (engl, digital mirror device, DMD) ist ein mikroelektromechanisches Bauelement zur dynamischen Modulation von Licht. Bei Mikrospiegelaktoren wird zwischen sogenannten Mikroscannern und Flächenlichtmodulatoren unterschieden.
Bei Mikroscannern erfolgt die Modulation eines Strahlenbündels an einem kontinuierlich bewegten Einzelspiegel. Licht kann zur Belichtung streifend über den flüssigen Verguss geführt beziehungsweise gescannt werden.
Bei Flächenlichtmodulatoren erfolgt die Modulation des Lichtes über eine Spiegelmatrix. Die einzelnen Spiegel nehmen im Zeitverlauf diskrete Auslenkungen an. Hierdurch wird die Ablenkung von Teilstrahlen beziehungsweise eine phasenschiebende Wirkung erzielt. Mit Hilfe einer matrixförmigen Anordnung können Mikrospiegelaktoren das Licht einer starken Lichtquelle so ablenken, dass ein Bild projiziert wird. Auf diese Weise können größere Flächen des flüssigen Vergusses gezielt belichtet werden.
Das heißt eine Lichtquelle wird auf einen Mikrospiegelaktor gestrahlt, welche dann gespiegelt wird und über beispielsweise eine Linse auf den flüssigen Verguss trifft. Sobald die elektromagnetische Strahlung der Lichtquelle auf den flüssigen Verguss trifft, härtet dieser an der bestimmten Stelle aus. Im Vergleich zu dem Aushärten des flüssigen Vergusses mittels eines Lasers erfolgt das Aushärten des flüssigen Vergusses unter Verwendung eines Mikrospiegelaktors durch eine gleichzeitige Belichtung einer bestimmten Schicht. Das Verfahren weist dadurch eine hohe Geschwindigkeit auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die Kavität und/oder die Hinterschneidung an unbelichteten Stellen gebildet. Das heißt, die Stellen, die nicht belichtet werden beziehungsweise frei von der Belichtung sind, bilden die Kavität und/oder die Hinterschneidung. Der flüssige Verguss wird an gezielten Stellen durch Belichtung ausgehärtet, die Stellen, welche nicht belichtet werden, werden nicht ausgehärtet und bilden die Kavität und/oder die Hinterschneidung. Der unausgehärtete, flüssige Verguss wird aus dem Bauelement, durch beispielsweise Ausspülen, entfernt. Alternativ kann der unausgehärtete, flüssige Verguss durch Gravitation aus der Kavität herauslaufen. Die ist zum Beispiel beim Bottom Up-Verfahren und dem CLIP-Verfahren der Fall.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden vor dem Erzeugen des Gehäusekörpers zumindest zwei Halbleiterchips auf dem Anschlussträger aufgebracht. Insbesondere wird eine Vielzahl an Halbleiterchips auf dem Anschlussträger aufgebracht.
Gemäß zumindest einer weiteren Ausführungsform bleibt zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips der Anschlussträger in einem freien Bereich frei von dem Gehäusekörper. Somit kann mit Vorteil das Bauelement zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips vereinfacht vereinzelt werden. Da der Gehäusekörper nicht auf dem Anschlussträger angeordnet ist und bei einem Vereinzeln der Halbleiterchips nicht gesägt werden muss, entstehen keine Risse in dem Gehäusekörper. Das Vereinzeln mittels Sägen erfolgt lediglich durch den Anschlussträger, beispielsweise durch Spurstangen aus Kupfer. Der freie Bereich zwischen zwei direkt benachbarten Halbleiterchips beträgt zwischen zumindest 50 Mikrometer und höchstens 250 Mikrometer, beispielsweise zwischen zumindest 50 Mikrometer und höchstens 150 Mikrometer .
Es wird weiter ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Insbesondere kann mit dem beschriebenen Verfahren zur Herstellung des Bauelements ein hier beschriebenes optoelektronisches Bauelement hergestellt werden. Das heißt, sämtliche Merkmale, die für das Verfahren zur Herstellung des Bauelements offenbart sind, sind auch für das optoelektronische Bauelement offenbart und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement einen Anschlussträger auf. Der Anschlussträger ist beispielsweise ein Leiterrahmen oder eine Leiterplatte .
Gemäß zumindest einer weiteren Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement einen Halbleiterchip auf. Der Halbleiterchip weist zum Beispiel eine
Strahlungsaustrittsfläche auf und ist dann dazu vorgesehen, im Betrieb Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs zu emittieren.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement einen Gehäusekörper, der den Anschlussträger und den Halbleiterchip stellenweise umgibt, auf. Der Gehäusekörper ist insbesondere direkt auf dem Anschlussträger und/oder dem Halbleiterchip angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement einen Gehäusekörper auf, der zumindest eine Kavität und/oder eine Hinterschneidung aufweist. Die Kavität und/oder die Hinterschneidung sind insbesondere frei von dem Gehäusekörper. Insbesondere sind die Kavität und/oder die Hinterschneidung mit einem Gas gefüllt. Die Kavität und/oder Hinterschneidung sind beispielsweise mit Umgebungsatmosphäre befüllt. Mit Hilfe der Kavität und/oder Hinterschneidung kann der Schwerpunkt des optoelektronischen Bauelements besonders gut eingestellt werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement einen Anschlussträger, einen Halbleiterchip und einen Gehäusekörper auf, der den Anschlussträger und den Halbleiterchip stellenweise umgibt, wobei der Gehäusekörper zumindest eine Kavität und/oder eine Hinterschneidung aufweist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip auf dem Anschlussträger mittels einer Klebeschicht befestigt. Somit kann mit Vorteil der Halbleiterchip an gewünschter Stelle fixiert werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umgibt der Gehäusekörper den Halbleiterchip lateral vollständig. Insbesondere ist der Gehäusekörper mit dem Halbleiterchip stellenweise in direktem Kontakt. Der Gehäusekörper kann mit dem Halbleiterchip verbunden sein. Insbesondere sind alle Seiten des Halbleiterchips, welche senkrecht oder quer zu einer Haupterstreckungsebene des Bauteils verlaufen, von dem Gehäusekörper umgeben. Dadurch kann Feuchtigkeit zwischen dem Halbleiterchip und dem Gehäusekörper verhindert beziehungsweise verringert werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform übersteht der Gehäusekörper um höchstens 20 Mikrometer über den Halbleiterchip in einer vertikalen Richtung, die senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Bauelements verläuft.
Bevorzugt übersteht der Gehäusekörper um höchstens 10 Mikrometer über dem Halbleiterchip. Durch den Überstand des Gehäusekörpers über den Halbleiterchip wird der Halbleiterchip bevorzugt vor äußeren Einflüssen geschützt. Beispielsweise überragt der Halbleiterchip den Gehäusekörper in vertikaler Richtung nicht. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die dem Anschlussträger abgewandte Seite des Halbleiterchips frei von dem Gehäusekörper. Das heißt, zum Beispiel ist die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips frei von dem Gehäusekörper. Optional kann auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips ein Konversionselement angeordnet sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt eine Dicke des Gehäusekörpers zwischen zumindest 100 Mikrometer und höchstens 2000 Mikrometer. Insbesondere liegt eine Dicke des Gehäusekörpers zwischen zumindest 100 Mikrometer und höchstens 400 Mikrometer, beispielsweise zwischen zumindest 150 Mikrometer und höchstens 250 Mikrometer.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Gehäusekörper ein Material aus der folgenden Gruppe: polymerisiertes Epoxid, polymerisiertes Acrylat, Vinylesterharz, Titandioxid, Silikon, Initiatoren und Kombinationen daraus. Insbesondere wird ein Gehäusekörper mit Titandioxid mittels Plasmacoating erzeugt.
Eine Idee des vorliegenden Verfahrens zur Herstellung eines Bauelements ist es, dass die Bauelementgeometrien in einem computergestützten Entwurf definiert werden können.
Zusätzlich ist keine Beschränkung der Werkzeugbestückung notwendig, welche zum Beispiel bei einem FAM-Verfahren für jeden einzelnen Entwurf erstellt werden müssen. Die Bauelementgeometrien müssen außerdem nicht flach sein, wie bei dem FAM-Verfahren. Durch die Bildung von Kavitäten und/oder Hinterschneidungen in dem Bauelement wird mit Vorteil weniger Material benötigt, da es nur an den Stellen eingesetzt wird, an denen es benötigt wird.
Zusätzlich kann der Schwerpunkt des Bauelements so eingestellt werden, dass eine spätere Verwendung der Bauelemente beziehungsweise Anordnung der Bauelemente erleichtert wird.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Verfahrens zur Herstellung eines Bauelements und des optoelektronischen Bauelements ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen .
Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Schnittdarstellung eines Verfahrens zur Herstellung eines Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel,
Figur 2 eine schematische Schnittdarstellung eines Verfahrens zur Herstellung eines Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel,
Figur 3 eine schematische Schnittdarstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel, und
Figur 4 eine Draufsicht einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen gemäß einem Ausführungsbeispiel . Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Bauelements gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 wird in einem ersten Schritt ein Anschlussträger 2 bereitgestellt. Der Anschlussträger 2 ist auf einer Plattform 11 angeordnet. Die Plattform 11 und der Anschlussträger 2 befinden sich in einem Behälter 10.
In dem Behälter 10 wird ein flüssiger Verguss 12 hineingegeben. Der flüssige Verguss 12 weist beispielsweise ein Epoxid, ein Acrylat, ein Vinylesterharz, Titandioxid, ein Silikon und/oder einen Koinitiator auf.
Der Anschlussträger 2 auf der Plattform 11 befindet sich zunächst an der Oberfläche des flüssigen Vergusses 12. Auf der Plattform 11 ist der Anschlussträger 2 angeordnet und auf dem Anschlussträger 2 befindet sich eine Schicht 21 des flüssigen Vergusses 12.
Die Schicht 21 des flüssigen Vergusses 12 wird mittels eines Lasers 13 ausgehärtet. Die elektromagnetische Strahlung des Lasers 13 wird auf eine Optik 14, zum Beispiel einen Spiegel, gestrahlt, welche dann über ein Galvanometer 15 gezielt auf eine bestimmte Stelle der Schicht 21 gerichtet wird. Somit können gezielt bestimmte Bereiche der Schicht 21 ausgehärtet werden. Das Aushärten erfolgt schichtweise. Ist die Schicht 21 wie gewünscht ausgehärtet, wird die Plattform 11 weiter in den flüssigen Verguss 12 gefahren und die weitere Schicht 21 wird mittels des Lasers 13 gezielt ausgehärtet. Das erfolgt solange, bis eine Vielzahl von Schichten 21 ausgehärtet ist. Im Ausführungsbeispiel der Figur 1 werden zum Beispiel 20 Schichten 21 mit jeweils einer Dicke von 10 Mikrometer schichtweise ausgehärtet. Die ausgehärteten Schichten 21 gehen untereinander kovalente Bindungen ein und bilden den Gehäusekörper 4.
An den Stellen, welche nicht von dem Laser 13 belichtet werden, wird der flüssige Verguss 12 nicht ausgehärtet und es bildet sich eine Kavität 19 und/oder eine Hinterschneidung. Der flüssige Verguss 12, welcher nicht ausgehärtet wird, wird entfernt. Das Verfahren gemäß der Figur 1 weist eine sehr gute Auflösung auf, da hier gezielt die einzelnen Schichten 21 mit Hilfe des Lasers 13 bestrahlt werden können und somit ausgehärtet werden können.
Optional kann auf dem Anschlussträger 2 zumindest ein Halbleiterchip 3 aufgebracht werden. Der Halbleiterchip 3 wird auf dem Anschlussträger 2 aufgebracht, bevor der Gehäusekörper 4 gebildet wird.
Das Verfahren des Ausführungsbeispiels der Figur 2 zur Herstellung eines Bauelements weist einen Behälter 10 auf, in dem eine Z-Stufe 20 und eine Plattform 11 angeordnet sind.
Auf der Plattform 11 ist der Anschlussträger 2 angeordnet.
Der Behälter 10 umfasst einen flüssigen Verguss 12. Auch gemäß diesem Ausführungsbeispiel befindet sich zunächst der Anschlussträger 2 auf der Plattform 11 nahe der Oberfläche des flüssigen Vergusses 12. Eine Schicht 21 des flüssigen Vergusses 12 ist auf dem Anschlussträger 2 angeordnet. Die Schicht 21 des flüssigen Vergusses 12 wird selektiv durch Belichtung mit einer elektromagnetischen Strahlungsquelle ausgehärtet. Nachdem die Schicht 21 selektiv ausgehärtet ist, wird die Plattform 11 beziehungsweise die Z- Stufe 20 ein Stück weiter in den flüssigen Verguss 12 gefahren. Die weitere Schicht 21 befindet sich auf dem bereits ausgehärteten Verguss und wird wiederum durch die selektive Belichtung mit einer elektromagnetischen Strahlungsquelle ausgehärtet.
Die Aushärtung des flüssigen Vergusses 12 erfolgt unter Verwendung eines Mikrospiegelaktors 18. Hierbei werden die elektromagnetischen Strahlen einer Lichtquelle 16 auf eine Vielzahl von Spiegeln 22 gelenkt, welche dann über eine Linse 17 auf den flüssigen Verguss 12 treffen. Gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 2 werden zum Beispiel 20 Schichten 21 mit jeweils einer Dicke von 10 Mikrometer nacheinander schichtweise ausgehärtet. Die einzelnen Schichten 21 verbinden sich dann zu einem Gehäusekörper 4.
Die Stellen, welche unbelichtet sind, bilden die Kavität 19 und/oder die Hinterschneidung des Gehäusekörpers 4.
Die Verfahren der Figuren 1 und 2 zeigen die Herstellung von Bauelementen nach dem Top Down-Verfahren. Die erfindungsgemäßen Bauelemente können analog auch nach dem Bottom Up-Verfahren und dem CLIP-Verfahren hergestellt werden (hier nicht gezeigt). Das Ausführungsbeispiel der Figur 3 zeigt ein optoelektronisches Bauelement 1. Das optoelektronische Bauelement 1 weist einen Anschlussträger 2, einen Halbleiterchip 3 und einen Gehäusekörper 4 auf. Der Gehäusekörper 4 umgibt den Anschlussträger 2 und den Halbleiterchip 3 stellenweise. Weiterhin weist der Gehäusekörper 4 zumindest eine Kavität 19 auf. Im Ausführungsbeispiel der Figur 3 ist die Kavität 19 als ein abgeschlossener Hohlraum ausgeführt und weist eine quaderförmige Struktur auf. Alternativ kann die Kavität 19 auch die Form einer Kugel, eines Würfels, eines Kegels, eines Kegelstumpfs, eines Zylinders, einer Pyramide, eines Pyramidenstumpfs oder eines Polyeders aufweisen (hier nicht gezeigt) . Die Kavität ist insbesondere frei von Material des Gehäusekörpers und auf allen Seiten durch den Gehäusekörper begrenzt .
Der Halbleiterchip 3 ist optional auf dem Anschlussträger 2 mittels einer Klebeschicht 5 befestigt. Bevorzugt ist der Halbleiterchip 3 lateral von dem Gehäusekörper 4 umgeben. Der Gehäusekörper 4 ist beispielsweise mit dem Halbleiterchip 3 verbunden, zumindest möglichst dicht an dem Halbleiterchip 3 angeordnet, um Feuchtigkeit zwischen dem Halbleiterchip 3 und dem Gehäusekörper 4 zu verringern beziehungsweise zu verhindern .
In der Figur 3 ist zusätzlich gezeigt, dass die Seite des Gehäusekörpers 4, die von dem Anschlussträger 2 abgewandt ist, bündig mit dem Halbleiterchip 3 abschließt. Die Strahlungsaustrittsfläche 23 des Halbleiterchips 3 ist somit frei von dem Gehäusekörper 4. Optional ist es möglich, dass der Gehäusekörper 4 um höchstens 20 pm über den Halbleiterchip 3 übersteht. Eine Dicke D des Gehäusekörpers 4 liegt bei 200 mpi. Hierbei wurden 20 Schichten 21 mit jeweils einer Dicke von 10 gm aufgetragen. Im fertigen optoelektronischen Bauelement 1 weist der Gehäusekörper 4 lediglich eine zusammenhängende Schicht 21 auf, da die 20 Schichten 21 kovalente Bindungen untereinander eingehen. Das Material des Gehäusekörpers 4 ist ein polymerisiertes Epoxid.
In dem Ausführungsbeispiel der Figur 4 ist eine Draufsicht auf eine Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen 1 gezeigt. Jedes optoelektronische Bauelement 1 weist einen Anschlussträger 2, einen Halbleiterchip 3 und einen Gehäusekörper 4, der den Anschlussträger 2 und den Halbleiterchip 3 stellenweise umgibt, auf. Ein freier Bereich 6 des Anschlussträgers 2, der sich zwischen den Halbleiterchips 3 befindet, ist hierbei frei von dem Gehäusekörper 4. Das hat den Vorteil, dass das Vereinzeln der Vielzahl von Halbleiterchips 3 vereinfacht wird, da nur durch den Anschlussträger 2 gesägt werden muss. Somit entstehen keine Risse in dem Gehäusekörper 4.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 102020118671.1, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Merkmale und Ausführungsbeispiele können gemäß weiteren
Ausführungsbeispielen miteinander kombiniert werden, auch wenn nicht alle Kombinationen explizit beschrieben sind. Weiterhin können die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiele alternativ oder zusätzlich weitere Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen . Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugszeichenliste
I optoelektronisches Bauelement 2 Anschlussträger
3 Halbleiterchip
4 Gehäusekörper
5 Klebeschicht
6 freier Bereich 10 Behälter
II Plattform
12 flüssiger Verguss
13 Laser
14 Optik 15 Galvanometer
16 Lichtquelle
17 Linse
18 Mikrospiegelaktor
19 Kavität 20 Z-Stufe
21 Schicht
22 Spiegel
23 Strahlungsaustrittsfläche
D Dicke

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung eines Bauelements umfassend die Schritte
- Bereitstellen eines Anschlussträgers (2),
- Erzeugen eines Gehäusekörpers (4) auf zumindest einem Teil des Anschlussträgers (2) mittels eines 3D-Druckverfahrens, wobei der Gehäusekörper (4) wie folgt gebildet wird:
- Aufbringen zumindest einer Schicht (21) eines flüssigen Vergusses (12),
- selektives Aushärten der zumindest einen Schicht (21) des flüssigen Vergusses (12),
- Entfernen von Resten des flüssigen Vergusses (12).
2. Verfahren zur Herstellung eines Bauelements gemäß dem vorhergehenden Anspruch, wobei vor dem Erzeugen des Gehäusekörpers (4) zumindest ein optoelektronischer Halbleiterchip (3) auf dem Anschlussträger (2) aufgebracht wird.
3. Verfahren zur Herstellung eines Bauelements gemäß den vorhergehenden Ansprüchen, wobei in den Gehäusekörper (4) zumindest eine Kavität (19) und/oder eine Hinterschneidung eingebracht werden.
4. Verfahren zur Herstellung eines Bauelements gemäß dem vorhergehenden Anspruch, wobei das Aushärten des flüssigen Vergusses (12) durch selektive Belichtung mit einer elektromagnetischen Strahlungsquelle erfolgt.
5. Verfahren zur Herstellung eines Bauelements gemäß den vorherigen Ansprüchen, wobei das Aushärten des flüssigen Vergusses (12) mittels eines Lasers (13) erfolgt.
6. Verfahren zur Herstellung eines Bauelements gemäß den vorherigen Ansprüchen, wobei das Aushärten des flüssigen Vergusses (12) unter Verwendung eines Mikrospiegelaktors (18) erfolgt.
7. Verfahren zur Herstellung eines Bauelements gemäß den vorhergehenden Ansprüchen, wobei die Kavität (19) und/oder die Hinterschneidung an unbelichteten Stellen gebildet werden.
8. Verfahren zur Herstellung eines Bauelements gemäß den vorhergehenden Ansprüchen, wobei vor dem Erzeugen des Gehäusekörpers (4) zumindest zwei Halbleiterchips (3) auf dem Anschlussträger (2) aufgebracht werden und zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips (3) der Anschlussträger (2) in einem freien Bereich (6) frei von dem Gehäusekörper (4) bleibt.
9. Optoelektronisches Bauelement (1) mit
- einem Anschlussträger (2),
- einem Halbleiterchip (3), und
- einem Gehäusekörper (4), der den Anschlussträger (2) und den Halbleiterchip (3) stellenweise umgibt, wobei
- der Gehäusekörper (4) zumindest eine abgeschlossene Kavität (19) innerhalb des Gehäusekörpers und/oder Hinterschneidung aufweist .
10. Optoelektronisches Bauelement gemäß dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der Halbleiterchip (3) auf dem Anschlussträger (2) mittels einer Klebeschicht (5) befestigt ist.
11. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß den vorherigen Ansprüchen, bei dem der Gehäusekörper (4) den Halbleiterchip (3) lateral vollständig umgibt.
12. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß den vorherigen Ansprüchen, bei dem der Gehäusekörper (4) um höchstens 20 Mikrometer über den Halbleiterchip (3) in einer vertikalen Richtung, die senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Bauelements verläuft, übersteht.
13. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß den vorherigen Ansprüchen, bei dem die dem Anschlussträger (2) abgewandte Seite des Halbleiterchips (3) frei von dem Gehäusekörper (4) ist.
14. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß den vorherigen Ansprüchen, bei dem eine Dicke (D) des Gehäusekörpers (4) zwischen zumindest 100 Mikrometer und höchstens 2000 Mikrometer liegt.
15. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß den vorhergehenden Ansprüchen, bei dem der Gehäusekörper (4) ein Material aus der folgenden Gruppe umfasst: polymerisiertes Epoxid, polymerisiertes Acrylat, Vinylesterharz, Titandioxid, Silikon, Initiatoren und Kombinationen daraus.
PCT/EP2021/069454 2020-07-15 2021-07-13 Verfahren zur herstellung eines bauelements und optoelektronisches bauelement WO2022013215A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18/005,533 US20230275194A1 (en) 2020-07-15 2021-07-13 Method for producing a component, and optoelectronic component
DE112021003806.0T DE112021003806A5 (de) 2020-07-15 2021-07-13 Verfahren zur herstellung eines bauelements und optoelektronisches bauelement
CN202180049717.3A CN115803177A (zh) 2020-07-15 2021-07-13 用于制造结构元件的方法和光电的结构元件

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020118671.1A DE102020118671A1 (de) 2020-07-15 2020-07-15 Verfahren zur herstellung eines bauelements und optoelektronisches bauelement
DE102020118671.1 2020-07-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022013215A1 true WO2022013215A1 (de) 2022-01-20

Family

ID=77021334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2021/069454 WO2022013215A1 (de) 2020-07-15 2021-07-13 Verfahren zur herstellung eines bauelements und optoelektronisches bauelement

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230275194A1 (de)
CN (1) CN115803177A (de)
DE (2) DE102020118671A1 (de)
WO (1) WO2022013215A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022202204A1 (de) 2022-03-03 2023-09-07 Ams-Osram International Gmbh Verfahren Zur Herstellung Eines Halbleiterbauteils Und Halbleiterbauteil

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150021628A1 (en) * 2013-07-16 2015-01-22 Cree, Inc. Solid state lighting devices and fabrication methods including deposited light-affecting elements
WO2015200173A1 (en) * 2014-06-23 2015-12-30 Carbon3D, Inc. Methods of producing three-dimensional objects from materials having multiple mechanisms of hardening
DE102015115796A1 (de) * 2015-09-18 2017-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Ausbilden eines oder mehrerer dreidimensionaler Objekte
CN109262797A (zh) * 2018-09-19 2019-01-25 北京大学东莞光电研究院 一种集成封装发光器件的3d打印方法
EP3454370A1 (de) * 2017-09-11 2019-03-13 Nokia Technologies Oy Verpackung und verfahren zur herstellung einer verpackung mit einem gehäuse und einer integrierten schaltung

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018009916A1 (de) 2018-12-17 2020-07-02 Karlsruher Institut für Technologie Parallelisierte 3D-Lithographie mittels mehrstraliger, mehrfarbiger lichtinduzierter Polymerisation

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150021628A1 (en) * 2013-07-16 2015-01-22 Cree, Inc. Solid state lighting devices and fabrication methods including deposited light-affecting elements
WO2015200173A1 (en) * 2014-06-23 2015-12-30 Carbon3D, Inc. Methods of producing three-dimensional objects from materials having multiple mechanisms of hardening
DE102015115796A1 (de) * 2015-09-18 2017-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Ausbilden eines oder mehrerer dreidimensionaler Objekte
EP3454370A1 (de) * 2017-09-11 2019-03-13 Nokia Technologies Oy Verpackung und verfahren zur herstellung einer verpackung mit einem gehäuse und einer integrierten schaltung
CN109262797A (zh) * 2018-09-19 2019-01-25 北京大学东莞光电研究院 一种集成封装发光器件的3d打印方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022202204A1 (de) 2022-03-03 2023-09-07 Ams-Osram International Gmbh Verfahren Zur Herstellung Eines Halbleiterbauteils Und Halbleiterbauteil

Also Published As

Publication number Publication date
US20230275194A1 (en) 2023-08-31
DE112021003806A5 (de) 2023-05-04
CN115803177A (zh) 2023-03-14
DE102020118671A1 (de) 2022-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102004063569B4 (de) Verfahren für VCSEL mit integrierter Linse
EP3350847B1 (de) Verfahren zum ausbilden eines oder mehrerer dreidimensionaler objekte und optoelektronische leuchtvorrichting
EP3287262A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur lasergestützten bearbeitung von körpern oder oberflächen
CN113906834B (zh) 用以使用3d印刷电连接芯片与顶部连接器的方法
DE102014221480B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer dreidimensionalen Struktur
DE3882981T2 (de) Vorrichtung und verfahren zur herstellung dreidimensionaler gegenstände durch photoverfestigung.
EP3174689B1 (de) Mikromechanische komponente und verfahren zu ihrer herstellung
WO2017046257A1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE102014116778A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements, Konversionselement sowie optoelektronisches Bauelement mit einem solchen Konversionselement
WO2022013215A1 (de) Verfahren zur herstellung eines bauelements und optoelektronisches bauelement
EP3287263A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur lasergestützten bearbeitung von körpern oder oberflächen
EP2308105B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement
DE102018104381A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
EP3426425A1 (de) Vorrichtung zur additiven herstellung eines dreidimensionalen objekts
WO2020127480A1 (de) Laservorrichtung und verfahren zur herstellung einer laservorrichtung
DE102010047156A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
WO2022074044A1 (de) Verfahren zur herstellung eines bauelements und bauelement
DE102006008332A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer funktionellen Baueinheit und funktionelle Baueinheit
WO2023165883A1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauteils und halbleiterbauteil
DE102017128824A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauteils und strahlungsemittierendes Bauteil
WO2018146130A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum einbetten mindestens eines elektronischen bauelements in einem träger
KR101965261B1 (ko) 이광자 스테레오리소그라피에 의한 3차원 메쉬형 미세구조체 제조방법
JPH0224124A (ja) 光学的造形法
Wasley Digitally driven microfabrication of 3D multilayer embedded electronic systems
DE102021130288A1 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21745296

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R225

Ref document number: 112021003806

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21745296

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1