WO2021182354A1

WO2021182354A1 - 位置検出装置

Info

Publication number: WO2021182354A1
Application number: PCT/JP2021/008807
Authority: WO
Inventors: 仁美本多; 孝範犬塚; 優介木村; 新始小松
Original assignee: 株式会社デンソー
Priority date: 2020-03-10
Filing date: 2021-03-05
Publication date: 2021-09-16
Also published as: CN115053079A; US20230003267A1; DE112021001505T5; US11746834B2; CN115053079B

Abstract

位置検出装置は、ドグクラッチ（１０）の第１クラッチ構成部（１１）および第２クラッチ構成部（１２）に対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ第１磁束経路部（７２、７４）および第２磁束経路部（７１、７３）の間に設けられ、第１磁束経路部（７２、７４）および第２磁束経路部（７１、７３）の間で通過する磁束の向きを示すセンサ信号を出力する磁気検出素子（８０）を備える。磁気検出素子は、軸線を中心とする回転方向において、第１クラッチ構成部の第１孔部（１２ｂ）、第１歯部（１２ａ）と第２クラッチ構成部の第２孔部（１１ｂ）、第２歯部（１１ａ）との位置関係によって磁束の向きが変化することにより、センサ信号として位置関係を示す信号を出力する。

Description

位置検出装置

関連出願への相互参照

　本出願は、２０２０年３月１０日に出願された日本特許出願番号２０２０－０４１２７６号と、２０２０年９月２９日に出願された日本特許出願番号２０２０－１６３９５８号とに基づくもので、ここにその記載内容が参照により組み入れられる。

　本開示は、位置検出装置に関するものである。

　従来、メインシャフトとカウンタシャフトとの間に複数の歯車対を有する変速機と、メインシャフト上に配設されるツインクラッチとを備え、ツインクラッチによってエンジンの回転駆動力を変速機との間で断接する変速装置がある（例えば、特許文献１参照）。メインシャフトは、内主軸と、内主軸を回転自在に軸支する外主軸とから構成されている。ツインクラッチは、内主軸へ伝達される回転駆動力を断接する第１クラッチと、外主軸へ伝達される回転駆動力を断接する第２クラッチとから構成されている。変速機は、各軸上の隣り合う変速ギヤ間の回転駆動力の伝達を、ドグ歯とドグ孔とからなるドグクラッチで実行するように構成されている。

　変速装置は、変速機の変速段数を検知するギヤポジションセンサと、内主軸の回転速度を検知する内主軸回転速度センサと、外主軸の回転速度を検知する外主軸回転速度センサと、変速機を変速制御する制御部とを具備する。制御部は、内主軸と外主軸との回転速度差および変速段数情報に基づいて、ドグクラッチの噛合状態を検知する。

　例えば、ドグクラッチの噛合を解除する際に、噛合の解除が正常に完了したと判定したり、ドグ歯がドグ孔から抜けないドグ先引っかかり状態であると判定したりする。一方、ドグクラッチを噛合させる際に、噛合が正常に完了したと判定したり、ドグ歯がドグ孔に入らないドグ先当たり状態であると判定したりする。

特許第４８９５９９６号明細書

　本発明者は、上記特許文献１の変速装置を参考にして、ドグクラッチを正常に噛合させることを検討した。

　一般的に、ドグクラッチは、軸線を中心として回転可能に構成されている第１クラッチ構成部と、この第１クラッチ構成部に対して軸線方向他方側に配置されて軸線を中心として回転可能に構成されている第２クラッチ構成部とを備える。

　第１クラッチ構成部は、軸線方向他方側に凸となる第１ドグ歯と軸線方向一方側に凹む第１ドグ孔とが軸線を中心とする周方向に交互に並べられている。第２クラッチ構成部は、軸線方向一方側に凸となる第２ドグ歯と軸線方向の他方側に凹む第２ドグ孔とが軸線を中心とする周方向に交互に並べられている。

　ここで、ドグクラッチを噛合させる際に、駆動源が第１クラッチ構成部を軸線を中心として回転させた状態で、アクチュエータを制御して第１クラッチ構成部を第２クラッチ構成部側に移動させる制御部が必要となる。

　ここで、制御部は、噛合を正常に完了させるには、第１ドグ歯が第２ドグ孔に対向し、かつ第２ドグ歯が第１ドグ孔に対向した状態であると判定したとき、第１クラッチ構成部を駆動して第２クラッチ構成部側に移動させることになる。

　このため、第１ドグ歯が第２ドグ孔に対向し、かつ第２ドグ歯が第１ドグ孔に対向した状態であるか否かを判定するためには、回転方向において、第１クラッチ構成部と第２クラッチ構成部との位置関係を検出することが必要となる。

　つまり、ドグクラッチの噛合を正常に完了させるには、第１クラッチ構成部における第１ドグ歯、第１ドグ孔と、第２クラッチ構成部における第２ドグ歯、第２ドグ孔との位置関係を検出する位置検出装置が必要となる。

　本開示は、回転方向において第１クラッチ構成部と第２クラッチ構成部との位置関係を検出する位置検出装置を提供することを目的とする。

　本開示の１つの観点によれば、位置検出装置は、所定方向を軸線方向としたとき、軸線方向に延びる軸線を中心として回転可能に構成され、軸線方向一方側に凹む第１孔部と軸線方向他方側に凸となる第１歯部とが軸線を中心とする周方向に交互に並べられている第１クラッチ構成部と、第１クラッチ構成部に対して軸線方向他方側に配置され、軸線を中心として回転可能に構成され、軸線方向の他方側に凹む第２孔部と軸線方向一方側に凸となる第２歯部と、が軸線を中心とする周方向に交互に並べられている第２クラッチ構成部とを備えるドグクラッチを備え、
　駆動源が第１クラッチ構成部を軸線を中心として回転させた状態で、アクチュエータが第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部のうち一方を他方側に移動させて第１歯部を第２孔部に入れ、かつ第１孔部内に第２歯部を入れて駆動源から出力される回転力を第１クラッチ構成部から第２クラッチ構成部に伝達させる動力伝達システムに適用される位置検出装置であって、
　第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、互いに異なる極性を形成する第１磁極部および第２磁極部を有する磁界発生部と、
　第１歯部或いは第１孔部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置される第１端面を有し、かつ第１端面および第１磁極部の間にて磁束を通過させる第１磁束経路部と、第２歯部或いは第２孔部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置される第２端面を有し、かつ第２磁極部および第２端面の間にて磁束を通過させる第２磁束経路部とを備えるヨークと、第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ第１磁束経路部および第２磁束経路部の間に設けられ、第１磁束経路部および第２磁束経路部の間で通過する磁束の向きを示すセンサ信号を出力する磁気検出素子と、を備え、
　磁気検出素子は、軸線を中心とする回転方向において、第１クラッチ構成部の第１孔部、第１歯部と第２クラッチ構成部の第２孔部、第２歯部との位置関係によって磁束の向きが変化することにより、センサ信号として位置関係を示す信号を出力する。

　したがって、回転方向において第１クラッチ構成部と第２クラッチ構成部との位置関係を検出する位置検出装置を提供することができる。

　本開示の他の観点によれば、位置検出装置は、所定方向を軸線方向としたとき、軸線方向に延びる軸線を中心として回転可能に構成され、軸線方向一方側に凹む第１孔部と軸線方向他方側に凸となる第１歯部とが軸線を中心とする周方向に交互に並べられている第１クラッチ構成部と、第１クラッチ構成部に対して軸線方向他方側に配置され、軸線を中心として回転可能に構成され、軸線方向の他方側に凹む第２孔部と軸線方向一方側に凸となる第２歯部とが軸線を中心とする周方向に交互に並べられている第２クラッチ構成部とを備えるドグクラッチを備え、
　駆動源が第１クラッチ構成部を軸線を中心として回転させた状態で、アクチュエータが第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部のうち一方を他方側に移動させて第１歯部を第２孔部に入れ、かつ第１孔部内に第２歯部を入れて駆動源から出力される回転力を第１クラッチ構成部から第２クラッチ構成部に伝達させる動力伝達システムに適用される位置検出装置であって、
　第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、互いに同一の極性を形成する第１磁極部および第２磁極部を有する磁界発生部と、
　第１歯部或いは第１孔部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置される第１端面を有し、かつ第１端面および第１磁極部の間で磁束を通過させる第１磁束経路部と、第２歯部或いは第２孔部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置される第２端面を有し、かつ第２端面および第２磁極部の間で磁束を通過させる第２磁束経路部とを備えるヨークと、
　第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ第１磁束経路部および第２磁束経路部の間に設けられ、第１クラッチ構成部および第１磁束経路部の間で通過する第１磁束と第２クラッチ構成部および第２磁束経路部の間で通過する第２磁束とを合成した合成磁束の向きを示すセンサ信号を出力する磁気検出素子と、を備え、
　磁気検出素子は、軸線を中心とする回転方向において、第１クラッチ構成部の第１孔部、第１歯部と第２クラッチ構成部の第２孔部、第２歯部との位置関係によって合成磁束の向きが変化することにより、センサ信号として位置関係を示す信号を出力する。

　本開示の別の観点によれば、位置検出装置は、所定方向を軸線方向としたとき、軸線方向に延びる軸線を中心として回転可能に構成され、軸線方向一方側に凹む第１孔部と軸線方向他方側に凸となる第１歯部とが軸線を中心とする周方向に交互に並べられている第１クラッチ構成部と、第１クラッチ構成部に対してクリアランスを介して軸線方向他方側に配置され、軸線を中心として回転可能に構成され、軸線方向の他方側に凹む第２孔部と軸線方向一方側に凸となる第２歯部と、が軸線を中心とする周方向に交互に並べられている第２クラッチ構成部と、を備えるドグクラッチを備え、
　駆動源が第１クラッチ構成部を軸線を中心として回転させた状態で、アクチュエータが第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部のうち一方を他方側に移動させて第１歯部を第２孔部に入れ、かつ第１孔部内に第２歯部を入れて駆動源から出力される回転力を第１クラッチ構成部から第２クラッチ構成部に伝達させる動力伝達システムに適用される位置検出装置であって、
　クリアランスに対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ磁極を形成する第１端面を形成する第１磁極形成部と、クリアランスに対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ第１磁極形成部に対して軸線を中心とする周方向にずれて配置され、磁極を形成する第２端面を形成する第２磁極形成部とを備える磁界発生部と、
　第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ第１磁束経路部および第２磁束経路部の間に設けられ、磁界発生部によって発生される磁束の向きを示すセンサ信号を出力する磁気検出素子と、を備え、
　磁気検出素子は、軸線を中心とする回転方向において、第１クラッチ構成部の第１孔部、第１歯部と第２クラッチ構成部の第２孔部、第２歯部との位置関係によってセンサ信号の振幅が変化することにより、センサ信号として位置関係を示す信号を出力する。

　本開示の他の観点によれば、位置検出装置は、所定方向を軸線方向としたとき、軸線方向に延びる軸線を中心として回転可能に構成され、軸線方向一方側に凹む第１孔部と軸線方向他方側に凸となる第１歯部とが軸線を中心とする周方向に交互に並べられている第１クラッチ構成部と、第１クラッチ構成部に対して軸線方向他方側に配置され、軸線を中心として回転可能に構成され、軸線方向の他方側に凹む第２孔部と軸線方向一方側に凸となる第２歯部とが軸線を中心とする周方向に交互に並べられている第２クラッチ構成部と、を備えるドグクラッチを備え、
　駆動源が第１クラッチ構成部を軸線を中心として回転させた状態で、アクチュエータが第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部のうち一方を他方側に移動させて第１歯部を第２孔部に入れ、かつ第１孔部内に第２歯部を入れて駆動源から出力される回転力を第１クラッチ構成部から第２クラッチ構成部に伝達させる動力伝達システムに適用される位置検出装置であって、
　第１歯部或いは第１孔部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、磁極を形成する第１端面を形成する第１磁極形成部と、第２歯部或いは第２孔部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、磁極を形成する第２端面を形成する第２磁極形成部とを有する磁界発生部と、
　第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ第１磁極形成部、および第２磁極形成部の間に配置され、磁界発生部によって発生される磁束の向きを示すセンサ信号を出力する磁気検出素子と、を備え、
　磁気検出素子は、軸線を中心とする回転方向において、第１クラッチ構成部の第１孔部、第１歯部と第２クラッチ構成部の第２孔部、第２歯部との位置関係によってセンサ信号の振幅が変化することにより、センサ信号として位置関係を示す信号を出力する。

　なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。

第１実施形態における動力伝達システムの全体構成を軸線を中心とする径方向外側から視た外観図であり、ドグクラッチにおける２つのクラッチ構成部が分離している状態を示す図である。第１実施形態における図１のドグクラッチにおける２つのクラッチ構成部のうち軸線方向一方側に配置されている一方のクラッチ構成部の複数の歯部および複数の孔部を、軸線方向他方側から視た図である。第１実施形態における図１のドグクラッチにおける２つのクラッチ構成部のち一方のクラッチ構成部以外の他のクラッチ構成部の複数の歯部および複数の孔部を、軸線方向一方側から視た図である。第１実施形態における図１の位置検出装置を拡大した図である。第１実施形態における図１の位置検出装置において、２つの端面に対してドグクラッチにおける２つのクラッチ構成部のそれぞれの孔部が対向している状態を示す図である。第１実施形態における図１の位置検出装置において、軸線方向一方側の端面に対してドグクラッチにおける一方のクラッチ構成部の歯部が対向し、軸線方向他方側の端面に対して他方のクラッチ構成部の孔部が対向している状態を示す図である。第１実施形態における図１の位置検出装置において、軸線方向一方側の端面に対してドグクラッチにおける一方のクラッチ構成部の孔部が対向し、軸線方向他方側の端面に対して他方のクラッチ構成部の歯部が対向している状態を示す図である。第１実施形態における図１の位置検出装置において、軸線方向一方側の端面に対してドグクラッチにおける一方側のクラッチ構成部の歯部が対向し、軸線方向他方側の端面に対して他方側のクラッチ構成部の歯部が対向している状態を示す図である。第１実施形態における図１の位置検出装置において、ドグクラッチにおける２つのクラッチ構成部の軸線方向の中心線と位置検出装置の軸線方向の中心線とが一致するように配置されている図である。第１実施形態における図１の位置検出装置において、ドグクラッチにおける２つのクラッチ構成部の軸線方向の中心線に対して位置検出装置の軸線方向の中心線がずれて配置されている図である。第１実施形態における図９の位置検出装置における磁気検出素子のセンサ信号のタイミングチャート図である。第１実施形態における図１０の位置検出装置における磁気検出素子のセンサ信号のタイミングチャート図である。第２実施形態における位置検出装置を拡大した図であり、図４に相当する図である。第３実施形態における位置検出装置を拡大した図であり、図４に相当する図である。第４実施形態における位置検出装置を拡大した図であり、図４に相当する図である。第５実施形態における位置検出装置を拡大した図であり、図４に相当する図である。第６実施形態における位置検出装置を拡大した図であり、図４に相当する図である。第７実施形態における位置検出装置を拡大した図であり、図４に相当する図である。第８実施形態における位置検出装置を拡大した図であり、図４に相当する図である。第９実施形態における位置検出装置を拡大した図であり、図４に相当する図である。第９実施形態における図２０の位置検出装置において、軸線方向一方側の端面に対してドグクラッチにおける一方側のクラッチ構成部の孔部が対向し、軸線方向他方側の端面に対して他方側のクラッチ構成部の孔部が対向している状態を示す図である。第９実施形態における図２０の位置検出装置において、軸線方向一方側の端面に対して一方のクラッチ構成部の歯部が対向し、軸線方向他方側の端面に対して他方のクラッチ構成部の孔部が対向している状態を示す図である。第９実施形態における図２０の位置検出装置において、軸線方向一方側の端面に対して一方のクラッチ構成部の孔部が対向し、軸線方向他方側の端面に対して他方のクラッチ構成部の歯部が対向している状態を示す図である。第９実施形態における図２０の位置検出装置において、軸線方向一方側の端面に対して一方のクラッチ構成部の歯部が対向し、軸線方向他方側の端面に対して他方のクラッチ構成部の歯部が対向している状態を示す図である。第１０実施形態における位置検出装置を拡大した図であり、図４に相当する図である。第１０実施形態における図２５の位置検出装置において、軸線方向一方側の端面に対して一方のクラッチ構成部の孔部が対向し、軸線方向他方側の端面に対して他方のクラッチ構成部の孔部が対向している状態を示す図である。第１０実施形態における図２５の位置検出装置において、軸線方向一方側の端面に対して一方のクラッチ構成部の孔部が対向し、軸線方向他方側の端面に対して他方のクラッチ構成部の歯部が対向している状態を示す図である。第１０実施形態における図２５の位置検出装置において、軸線方向一方側の端面に対して一方のクラッチ構成部の歯部が対向し、軸線方向他方側の端面に対して他方のクラッチ構成部の孔部が対向している状態を示す図である。第１０実施形態における図２５の位置検出装置において、軸線方向一方側の端面に対して一方のクラッチ構成部の歯部が対向し、軸線方向他方側の端面に対して他方のクラッチ構成部の歯部が対向している状態を示す図である。第１１実施形態における位置検出装置を拡大した図であり、図４に相当する図である。第１２実施形態における位置検出装置を拡大した図であり、図４に相当する図である。第１３実施形態における位置検出装置の磁束経路部の形状を拡大した図である。第１４実施形態における位置検出装置の磁束経路部の形状を拡大した図である。第１５実施形態における位置検出装置の磁束経路部の形状を拡大した図である。第１６実施形態における位置検出装置の磁束経路部の形状を拡大した図である。第１７実施形態における位置検出装置の磁束経路部の形状を拡大した図である。第１８実施形態における位置検出装置の磁束経路部の形状を拡大した図である。第１９実施形態における位置検出装置の磁束経路部の形状を拡大した図である。第２０実施形態における位置検出装置の磁束経路部の形状を拡大した図である。第２１実施形態における位置検出装置の磁束経路部の形状を拡大した図である。第２２実施形態における位置検出装置の磁束経路部の形状を拡大した図である。第２３実施形態における位置検出装置の磁束経路部の形状を拡大した図である。第２４実施形態における位置検出装置の磁束経路部の形状を拡大した図である。第２５実施形態における位置検出装置の磁束経路部の形状を拡大した図である。第２６実施形態における動力伝達システムの全体構成を軸線を中心とする径方向外側から視た外観図であり、ドグクラッチにおける２つのクラッチ構成部が分離している状態、および磁気検出素子を示す図である。第２６実施形態における動力伝達システムの全体構成を軸線を中心とする径方向外側から視た斜視図であり、ドグクラッチにおける２つのクラッチ構成部が分離している状態、および磁気検出素子を示す図である。第２６実施形態における動力伝達システムの全体構成を軸線方向他方側から視た斜視図であり、ドグクラッチにおける１つのクラッチ構成部、および磁気検出素子を示す図である。第２６実施形態において一方のクラッチ構成部の歯部と他方のクラッチ構成部の歯部とが対向し、かつ一方のクラッチ構成部の孔部と他方のクラッチ構成部の孔部とが対向した場合の、磁気検出素子のセンサ信号のタイミングチャートである。第２６実施形態において、磁気検出素子、および２つのクラッチ構成部の配置関係と、磁気検出素子の検出部を通過する磁束の向きとを示す図である。第２６実施形態において、磁気検出素子、および２つのクラッチ構成部の配置関係と、磁気検出素子の検出部を通過する磁束の向きとを示す図である。第２６実施形態において、磁気検出素子、および２つのクラッチ構成部の配置関係と、磁気検出素子の検出部を通過する磁束の向きとを示す図である。第２６実施形態において、磁気検出素子、および２つのクラッチ構成部の配置関係と、磁気検出素子の検出部を通過する磁束の向きとを示す図である。第２６実施形態において一方のクラッチ構成部の歯部と他方のクラッチ構成部の孔部とが対向した場合の、磁気検出素子のセンサ信号のタイミングチャートである。第２６実施形態において、磁気検出素子、および２つのクラッチ構成部の配置関係と、磁気検出素子の検出部を通過する磁束の向きとを示す図である。第２６実施形態において、磁気検出素子、および２つのクラッチ構成部の配置関係と、磁気検出素子の検出部を通過する磁束の向きとを示す図である。第２６実施形態において、磁気検出素子、および２つのクラッチ構成部の配置関係と、磁気検出素子の検出部を通過する磁束の向きとを示す図である。第２６実施形態において、磁気検出素子、および２つのクラッチ構成部の配置関係と、磁気検出素子の検出部を通過する磁束の向きとを示す図である。第２６実施形態において２つのクラッチ構成部を回転させて２つのクラッチ構成部の間の相対的な速度を変化させる際に磁気検出素子から出力されるセンサ信号のタイミングチャートである。第２６実施形態において動力伝達システムの電気的構成を示すブロック図である。図５９の制御装置におけるクラッチ制御処理の詳細を示すフローチャートである。第２７実施形態における動力伝達システムの全体構成を軸線方向他方側から視た斜視図であり、ドグクラッチにおける１つのクラッチ構成部、および磁気検出素子を示す図である。第２７実施形態において一方のクラッチ構成部の歯部と他方のクラッチ構成部の歯部とが対向し、かつ一方のクラッチ構成部の孔部と他方のクラッチ構成部の孔部とが対向した場合の、磁気検出素子のセンサ信号のタイミングチャートである。第２７実施形態において、磁気検出素子、および２つのクラッチ構成部の配置関係と、磁気検出素子の検出部を通過する磁束の向きとを示す図である。第２７実施形態において、磁気検出素子、および２つのクラッチ構成部の配置関係と、磁気検出素子の検出部を通過する磁束の向きとを示す図である。第２７実施形態において、磁気検出素子、および２つのクラッチ構成部の配置関係と、磁気検出素子の検出部を通過する磁束の向きとを示す図である。第２７実施形態において、磁気検出素子、および２つのクラッチ構成部の配置関係と、磁気検出素子の検出部を通過する磁束の向きとを示す図である。第２７実施形態において一方のクラッチ構成部の歯部と他方のクラッチ構成部の孔部とが対向した場合の、磁気検出素子のセンサ信号のタイミングチャートである。第２７実施形態において、磁気検出素子、および２つのクラッチ構成部の配置関係と、磁気検出素子の検出部を通過する磁束の向きとを示す図である。第２７実施形態において、磁気検出素子、および２つのクラッチ構成部の配置関係と、磁気検出素子の検出部を通過する磁束の向きとを示す図である。第２７実施形態において、磁気検出素子、および２つのクラッチ構成部の配置関係と、磁気検出素子の検出部を通過する磁束の向きとを示す図である。第２７実施形態において、磁気検出素子、および２つのクラッチ構成部の配置関係と、磁気検出素子の検出部を通過する磁束の向きとを示す図である。第２７実施形態において２つのクラッチ構成部を回転させて２つのクラッチ構成部の間の相対的な速度を変化させる際に磁気検出素子から出力されるセンサ信号のタイミングチャートである。第２８実施形態における動力伝達システムの全体構成を軸線を中心とする径方向外側から視た外観図であり、ドグクラッチにおける２つのクラッチ構成部が分離している状態、および磁気検出素子を示す図である。第２８実施形態における動力伝達システムの全体構成を軸線を中心とする径方向外側から視た斜視図であり、ドグクラッチにおける２つのクラッチ構成部が分離している状態、および磁気検出素子を示す図である。第２８実施形態において一方のクラッチ構成部の歯部と他方のクラッチ構成部の歯部とが対向し、かつ一方のクラッチ構成部の孔部と他方のクラッチ構成部の孔部とが対向した場合の、磁気検出素子のセンサ信号のタイミングチャートである。第２８実施形態において一方のクラッチ構成部の歯部と他方のクラッチ構成部の孔部とが対向し、一方のクラッチ構成部の孔部と他方のクラッチ構成部の歯部とが対向した場合の、磁気検出素子のセンサ信号のタイミングチャートである。第２８実施形態において２つのクラッチ構成部を回転させて２つのクラッチ構成部の間の相対的な速度を変化させる際に磁気検出素子から出力されるセンサ信号のタイミングチャートである。第２８実施形態において制御装置におけるクラッチ制御処理の詳細を示すフローチャートである。第２８実施形態において制御装置における係合判定処理の詳細を示すフローチャートである。第２９実施形態における動力伝達システムの全体構成を軸線を中心とする径方向外側から視た斜視図であり、ドグクラッチにおける２つのクラッチ構成部が分離している状態、および磁気検出素子を示す図である。第２９実施形態において一方のクラッチ構成部の歯部と他方のクラッチ構成部の歯部とが対向し、かつ一方のクラッチ構成部の孔部と他方のクラッチ構成部の孔部とが対向した場合の、磁気検出素子のセンサ信号のタイミングチャートである。第２９実施形態において一方のクラッチ構成部の歯部と他方のクラッチ構成部の孔部とが対向し、かつ一方のクラッチ構成部の孔部と他方のクラッチ構成部の歯部とが対向した場合の、磁気検出素子のセンサ信号のタイミングチャートである。第２９実施形態において２つのクラッチ構成部を回転させて２つのクラッチ構成部の間の相対的な速度を変化させる際に磁気検出素子から出力されるセンサ信号のタイミングチャートである。他の実施形態において２つのクラッチ構成部を回転させて２つのクラッチ構成部の間の相対的な速度を変化させる際に磁気検出素子から出力されるセンサ信号のタイミングチャートである。他の実施形態において２つのクラッチ構成部を回転させて２つのクラッチ構成部の間の相対的な速度を変化させる際に磁気検出素子から出力されるセンサ信号のタイミングチャートである。他の実施形態において２つのクラッチ構成部を回転させて２つのクラッチ構成部の間の相対的な速度を変化させる際に磁気検出素子から出力されるセンサ信号のタイミングチャートである。第２８実施形態において制御装置における係合判定処理の詳細を示すフローチャートである。

　以下、本開示の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

　（第１実施形態）
　本第１実施形態の動力伝達システム１について図１～図３等を参照して説明する。

　動力伝達システム１は、図１に示すように、ドグクラッチ１０、位置検出装置２０、駆動源３０、アクチュエータ４０、および制御装置５０を備える。

　ドグクラッチ１０は、クラッチ構成部１１、１２を備える。クラッチ構成部１１は、図１および図２に示すように、軸線Ｓを中心として回転可能に構成され、複数の歯部１１ａと複数の孔部１１ｂとを備える第２クラッチ構成部である。

　複数の歯部１１ａは、それぞれ、軸線方向一方側に凸となるように形成されている第２歯部である。軸線方向とは、軸線Ｓが延びる所定方向である。そして、軸線Ｓは、軸線方向に延びる仮想線である。複数の孔部１１ｂは、それぞれ、軸線方向他方側に凹むように形成されている第２孔部である。

　複数の歯部１１ａと複数の孔部１１ｂとは、１つずつ、軸線Ｓを中心とする周方向に交互に並べられている。本実施形態のクラッチ構成部１１は、軸線方向に移動可能に構成されている。

　クラッチ構成部１２は、クラッチ構成部１１に対して軸線方向一方側に配置されている。クラッチ構成部１２は、クラッチ構成部１１から伝達される回転力を図示しない被伝達部に伝える。クラッチ構成部１２は、軸線Ｓを中心として回転可能に構成され、複数の歯部１２ａと複数の孔部１２ｂとを備える第１クラッチ構成部である。

　複数の歯部１２ａは、それぞれ、図１および図３に示すように、軸線方向他方側に凸となるように形成されている第１歯部である。複数の孔部１２ｂは、それぞれ、軸線方向一方側に凹むように形成されている第１孔部である。複数の歯部１２ａと複数の孔部１２ｂとは、１つずつ、軸線Ｓを中心とする周方向に交互に並べられている。

　本実施形態において、クラッチ構成部１１、１２は、それぞれ、鉄を含む磁性材料によって構成されている。すなわち、複数の歯部１１ａと複数の歯部１２ａは、それぞれ、鉄を含む磁性材料によって構成されていることになる。複数の歯部１１ａ、複数の孔部１１ｂ、複数の歯部１２ａ、および複数の孔部１２ｂは、大気にさらされている。

　位置検出装置２０は、後述するように、軸線Ｓを中心とする回転方向において、クラッチ構成部１１の複数の歯部１１ａ、複数の孔部１１ｂとクラッチ構成部１２の複数の歯部１２ａ、複数の孔部１２ｂとの位置関係を検出する。なお、位置検出装置２０の構成の詳細について後述する。

　駆動源３０は、例えば、電動モータやエンジンによって構成されて、回転力をクラッチ構成部１１に与えてクラッチ構成部１１を軸線Ｓを中心として回転させる。アクチュエータ４０は、後述するように、クラッチ構成部１１を軸線方向一方側、或いは軸線方向他方側に移動させる。

　本実施形態のアクチュエータ４０としては、電動モータや電磁ソレノイドによって構成されている。

　制御装置５０は、マイクロコンピュータやメモリ等によって構成され、駆動源３０を制御する。これに加えて、制御装置５０は、位置検出装置２０から出力されるセンサ信号に基づいて、アクチュエータ４０を制御する。メモリは、非遷移的実体的記憶媒体である。

　次に、本実施形態の動力伝達システム１の作動について説明する。

　まず、ドグクラッチ１０のクラッチ構成部１１がクラッチ構成部１２から離れた状態で、制御装置５０が駆動源３０を制御して駆動源３０から軸線Ｓを中心とする回転力をクラッチ構成部１１に与える。

　ここで、クラッチ構成部１１がクラッチ構成部１２から離れた状態では、複数の歯部１１ａがそれぞれ複数の孔部１２ｂから抜けて、かつ複数の孔部１１ｂから複数の歯部１２ａがそれぞれ抜けた状態なっている。

　このとき、クラッチ構成部１１は、駆動源３０から出力される回転力によって軸線Ｓを中心として回転する。

　一方、クラッチ構成部１２は、図示しない他の駆動源から出力される回転力によって回転している。

　位置検出装置２０は、クラッチ構成部１１、１２における軸線Ｓを中心とする回転方向の位置関係を検出して、この検出した回転方向の位置関係を示すセンサ信号を制御装置５０に出力する。

　回転方向の位置関係は、クラッチ構成部１１の複数の歯部１１ａ、複数の孔部１１ｂと、クラッチ構成部１２の複数の歯部１２ａ、複数の孔部１２ｂとにおける回転方向の位置関係である。

　制御装置５０は、位置検出装置２０から出力されるセンサ信号に基づいて、次のように繰り返し判定する。

　すなわち、制御装置５０は、複数の歯部１１ａが、それぞれ、複数の孔部１２ｂのうちいずれかの孔部１２ｂに対向し、かつ複数の歯部１２ａが、それぞれ、複数の孔部１１ｂのうちいずれかの孔部１２ｂに対向した状態であるか否かを判定する。

　制御装置５０は、複数の歯部１１ａが、それぞれ、複数の孔部１２ｂのうちいずれかの孔部１２ｂに対向し、かつ複数の歯部１２ａが、それぞれ、複数の孔部１１ｂのうちいずれかの孔部１２ｂに対向した状態であると判定する。

　すると、制御装置５０は、アクチュエータ４０を制御する。これに伴って、アクチュエータ４０は、制御装置５０によって制御されて、クラッチ構成部１１を軸線方向一方側に押し出す。このため、クラッチ構成部１１は、アクチュエータ４０からの駆動力によって、軸線方向一方側に移動する。

　このため、複数の歯部１１ａが、それぞれ、複数の孔部１２ｂのうちいずれかの孔部１２ｂに入り、かつ複数の歯部１２ａが、それぞれ、複数の孔部１１ｂのうちいずれかの孔部１２ｂに入った状態になる。

　このことにより、クラッチ構成部１１がクラッチ構成部１２に接続されることになる。このため、クラッチ構成部１１の回転力がクラッチ構成部１２に伝わる。よって、クラッチ構成部１２がクラッチ構成部１１とともに軸線Ｓを中心として回転する。このとき、駆動源３０から出力される回転力がクラッチ構成部１１およびクラッチ構成部１２を通して図示しない被駆動部に伝達される。

　次に、本実施形態の位置検出装置２０の構造の詳細について図４を参照して説明する。

　本実施形態の位置検出装置２０は、図４に示すように、磁石６０、ヨーク７０、および磁気検出素子８０を備える。

　磁石６０は、クラッチ構成部１１、１２に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されている。本実施形態の磁石６０は、面６１、６２を含む６つの面を備える立方体に形成されている永久磁石である。

　磁石６０は、その面６１が軸線方向他方側に向き、かつ面６２が軸線方向一方側に向いた状態で配置されている。本実施形態の磁石６０は、磁界発生部を構成する。

　面６１、６２には、互いに異なる磁極が着磁されている第１磁極部、第２磁極部である。本実施形態では、面６１は、Ｓ極が形成されている第２磁極部を構成する。面６２は、Ｎ極が形成されている第１磁極部である。

　ヨーク７０は、磁束経路部７１、７２を備える。磁束経路部７１は、クラッチ構成部１１に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されている。磁束経路部７１は、クラッチ構成部１１と磁石６０の面６１（すなわち、Ｓ極）との間で磁束を通過させる第２磁束経路部を構成する。

　磁束経路部７２は、クラッチ構成部１２に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されている。磁束経路部７２は、クラッチ構成部１２と磁石６０の面６２（すなわち、Ｎ極）との間で磁束を通過させる第１磁束経路部を構成する。

　磁束経路部７２は、径方向経路部７２ａ、および突出経路部７２ｂを備える。径方向経路部７２ａは、クラッチ構成部１２の歯部１２ａ、或いは孔部１２ｂに対向する第１端面としての端面７２ｃを備え、端面７２ｃから軸線Ｓを中心とする径方向外側に亘って形成されている。

　突出経路部７２ｂは、径方向経路部７２ａのうち径方向外側端部から軸線方向他方側に突出する。突出経路部７２ｂの先端側は、磁石６０の面６１に接触している。

　磁束経路部７１は、クラッチ構成部１１に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されている。磁束経路部７１は、クラッチ構成部１１と磁石６０の面６１（すなわち、Ｓ極）との間で磁束を通過させる磁束経路を構成する。

　磁束経路部７１は、径方向経路部７１ａ、および突出経路部７１ｂを備える。径方向経路部７１ａは、クラッチ構成部１２の歯部１１ａ、或いは孔部１１ｂに対向する第２端面としての端面７１ｃを備え、端面７１ｃから軸線Ｓを中心とする径方向外側に亘って形成されている。

　突出経路部７１ｂは、径方向経路部７１ａのうち径方向外側端部から軸線方向一方側に突出する。突出経路部７１ｂの先端側は、磁石６０の面６１に接触している。磁気検出素子８０は、クラッチ構成部１１、１２に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されている。磁気検出素子８０は、磁束経路部７１、７２の間に配置されている。

　このことにより、磁気検出素子８０は、クラッチ構成部１１の複数の歯部１１ａ、および複数の孔部１１ｂのうちいずれかに対向する。

　磁気検出素子８０は、磁束の向きを検出する検出部と、この検出部で検出される磁束の向きを示すセンサ信号を出力する検出回路とを備える。具体的には、検出部は、軸線方向（例えば、紙面の横方向）の磁束密度を検出するホール素子と、軸線Ｓを中心とする径方向（例えば、紙面の縦方向）の磁束密度を検出するホール素子とを備える。

　以下、説明の便宜上、軸線方向の磁束密度を検出するホール素子をＸ軸ホール素子とし、軸線Ｓを中心とする径方向の磁束密度を検出するホール素子をＹ軸ホール素子とする。

　本実施形態の磁気検出素子８０の検出部では、Ｘ軸ホール素子で検出される磁束密度をＸとし、Ｙ軸ホール素子で検出される磁束密度をＹとし、Ｙ／Ｘ＝ｔａｎθとしたときに求められる角度θを検出部を通過する磁束の向きとする。

　磁気検出素子８０の検出回路は、Ｘ軸ホール素子の検出値とＹ軸ホール素子の検出値とに基づいて、磁束の向きを示すセンサ信号を出力する。

　次に、本実施形態の位置検出装置２０の作動について図５、図６、図７、図８を参照して説明する。

　まず、駆動源３０がクラッチ構成部１１に与える回転速度を変化させてクラッチ構成部１１、１２のうち一方のクラッチ構成部に対する他方のクラッチ構成部の相対速度が変化する。すると、軸線Ｓを中心とする回転方向において、クラッチ構成部１１、１２の位置関係は、例えば、図５、図６、図７、図８の如く、変化する。

　図５は、ヨーク７０の端面７２ｃが複数の孔部１２ｂのうち１つの孔部１２ｂに対向し、かつヨーク７０の端面７１ｃが複数の孔部１１ｂのうち１つの孔部１１ｂに対向した状態である。

　図５では、磁気検出素子８０が、上記１つの孔部１１ｂと上記１つの孔部１２ｂとに対向している。

　図５の場合、磁石６０のＮ極を通過した磁束は、各矢印に示すように、磁束経路部７２、上記１つの孔部１２ｂ、上記１つの孔部１１ｂ、および磁束経路部７１を通って磁石６０のＳ極に向かう。

　このとき、磁束経路部７２から磁気検出素子８０を通過して磁束経路部７１に向かう磁束も生じる。この場合、磁気検出素子８０で検出される磁束は、矢印Ａの如く、軸線方向他方側に向く。

　図６は、ヨーク７０の端面７２ｃが複数の歯部１２ａのうち１つの歯部１２ａに対向し、かつヨーク７０の端面７１ｃが複数の孔部１１ｂのうち１つの孔部１１ｂに対向した状態である。

　図６では、磁気検出素子８０が、上記１つの歯部１１ａと上記１つの孔部１１ｂとに対向している。

　図６の場合、磁石６０のＮ極を通過した磁束は、各矢印に示すように、磁束経路部７２、上記１つの歯部１２ａ、上記１つの孔部１１ｂ、および磁束経路部７１を通過して磁石６０のＳ極に向かう。

　このとき、磁束経路部７２から磁気検出素子８０を通過して磁束経路部７１に向かう磁束も生じる。さらに、上記１つの歯部１２ａから磁気検出素子８０を通過して磁束経路部７１に向かう磁束も生じる。

　この場合、磁気検出素子８０の検出部で検出される磁束の向きは、上記１つの歯部１２ａの影響によって、矢印Ｂのようになる。矢印Ｂは、矢印Ａが反時計回りに回転して径方向外側に傾いた向きである。

　図７は、ヨーク７０の端面７２ｃが複数の孔部１２ｂのうち１つの孔部１２ｂに対向し、かつヨーク７０の端面７１ｃが複数の歯部１１ａのうち１つの歯部１１ａに対向した状態である。

　図７では、磁気検出素子８０が、上記１つの歯部１１ａと上記１つの孔部１２ｂとに対向している。

　図７の場合、磁石６０のＮ極を通過した磁束は、各矢印に示すように、磁束経路部７２、上記１つの孔部１２ｂ、上記１つの歯部１１ａ、および磁束経路部７１を通過して磁石６０のＳ極に向かう。

　このとき、磁束経路部７２から磁気検出素子８０を通過して磁束経路部７１に向かう磁束も生じる。これに加えて、磁気検出素子８０から上記１つの歯部１１ａに向かう磁束も生じる。

　この場合、磁気検出素子８０で検出される磁束の向きは、上記１つの歯部１１ａの影響によって、矢印Ｃのようになる。矢印Ｃは、矢印Ａが時計回りに回転して径方向内側に傾いた向きである。

　図８は、ヨーク７０の端面７２ｃが複数の歯部１２ａのうち１つの歯部１２ａに対向し、かつヨーク７０の端面７１ｃが複数の歯部１１ａのうち１つの歯部１１ａに対向した状態である。

　図８では、磁気検出素子８０が、上記１つの歯部１１ａと上記１つの歯部１２ａとに対向している。

　図８の場合、磁石６０のＮ極を通過した磁束は、各矢印に示すように、磁束経路部７２、上記１つの歯部１２ａ、上記１つの歯部１１ａ、および磁束経路部７１を通過して磁石６０のＳ極に向かう。

　このとき、磁束経路部７２から磁気検出素子８０を通過して磁束経路部７１に向かう磁束も生じる。この場合、磁気検出素子８０の検出部で検出される磁束の向きは、矢印Ａの如く、軸線方向他方側になる。

　本実施形態では、図５、図８に示すように、磁気検出素子８０の検出部で検出される磁束の向きが矢印Ａのようになる場合には、磁気検出素子８０は、信号レベルＳａのセンサ信号を出力する。

　図６に示すように、磁気検出素子８０の検出部を通過する磁束の向きが矢印Ｂのようになる場合には、磁気検出素子８０は、信号レベルＳｂのセンサ信号を出力する。

　図７に示すように、磁気検出素子８０を通過する磁束の向きが矢印Ｃのように場合には、磁気検出素子８０は、信号レベルＳｃのセンサ信号を出力する。

　本実施形態では、信号レベルＳａ、信号レベルＳｂ、信号レベルＳｃは、それぞれ異なる値に設定されている。

　したがって、磁気検出素子８０が信号レベルＳｂのセンサ信号を制御装置５０に出力する。或いは、磁気検出素子８０が信号レベルＳｃのセンサ信号を制御装置５０に出力する。

　すると、制御装置５０は、複数の歯部１１ａが複数の孔部１２ｂのうちいずれか１つの孔部１２ｂに対向し、かつ複数の歯部１２ａが複数の孔部１１ｂのうちいずれか１つの孔部１１ｂに対向した状態であると判定する。

　この場合、制御装置５０は、アクチュエータ４０を制御して、アクチュエータ４０からクラッチ構成部１１を軸線方向一方側に押し出す駆動力を与える。このため、クラッチ構成部１１は、アクチュエータ４０からの駆動力によって、軸線方向一方側に移動する。

　このため、複数の歯部１１ａが、それぞれ、複数の孔部１２ｂのうちいずれかの孔部１２ｂに入り、かつ複数の歯部１２ａが、それぞれ、複数の孔部１１ｂのうちいずれかの孔部１２ｂに入った状態になる。すなわち、クラッチ構成部１１がクラッチ構成部１２に接続されることになる。

　以上説明した本実施形態によれば、動力伝達システム１は、クラッチ構成部１１、１２を有するドグクラッチ１０、および位置検出装置２０を備える。

　クラッチ構成部１１は、軸線Ｓを中心として回転可能に構成され、軸線方向一方側に凸となる複数の歯部１１ａと軸線方向他方側に凹む複数の孔部１１ｂとが軸線Ｓを中心とする周方向に１つずつ交互に並べられている。

　クラッチ構成部１２は、クラッチ構成部１１に対して軸線方向一方側に配置され、軸線Ｓを中心として回転可能に構成され、軸線方向他方側に凸となる歯部１２ａと軸線方向一方側に凹む孔部１２ｂとが軸線Ｓを中心とする周方向に交互に並べられている。

　制御装置５０は、駆動源３０がクラッチ構成部１１を軸線Ｓを中心として回転させた状態で、歯部１１ａが孔部１２ｂに対向し、かつ孔部１１ｂ内に歯部１２ａが対向したとき、アクチュエータ４０がクラッチ構成部１１をクラッチ構成部１２側に移動させる。

　このことにより、歯部１１ａが孔部１２ｂに入り、かつ孔部１１ｂ内に歯部１２ａが入り、クラッチ構成部１１がクラッチ構成部１２に連結される。このため、駆動源３０から出力される回転力がクラッチ構成部１１からクラッチ構成部１２に伝達される。

　磁気検出素子８０は、歯部１１ａが孔部１２ｂに対向し、かつ孔部１１ｂ内に歯部１２ａが対向している状態であるか否かを判別するために、軸線Ｓを中心とする回転方向において、クラッチ構成部１１、１２の位置関係を検出する。

　位置検出装置２０は、クラッチ構成部１１、１２に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置され、互いに異なる極性であるＳ極、Ｎ極を形成する面６１、６２を有する磁石６０と、ヨーク７０と、磁気検出素子８０とを備える。

　ヨーク７０は、磁束経路部７１、７２を備える。磁束経路部７１は、歯部１１ａ或いは孔部１１ｂに対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置される端面７２ｃを有し、磁石６０の面６２から端面７１ｃに向かう磁束を通過させる。

　磁束経路部７２は、歯部１２ａ或いは孔部１２ｂに対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置される端面７１ｃを有し、かつ端面７１ｃから磁石６０の面６１に向かう磁束を通過させる。

　磁気検出素子８０は、クラッチ構成部１１、１２に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側にて磁束経路部７１、７２の間に設けられている。磁気検出素子８０は、磁束を検出するための検出部を構成し、検出部で検出される磁束の向きを示すセンサ信号を出力する。

　ドグクラッチ１０の複数の歯部１１ａおよび複数の歯部１２ａは、それぞれ、鉄を含む磁性材料によって構成されている。ドグクラッチ１０の複数の歯部１２ａ、複数の孔部１１ｂ、複数の歯部１２ａ、および複数の孔部１２ｂは、大気にさらされている。このため、複数の孔部１１ｂおよび複数の孔部１２ｂには、空気が収容されている。

　このことにより、複数の歯部１１ａは、複数の孔部１１ｂに比べて透磁率が大きい。複数の歯部１２ａは、複数の孔部１２ｂに比べて透磁率が大きい。

　磁気検出素子８０の検出部で検出される磁束の向きは、軸線Ｓを中心とする回転方向において、クラッチ構成部１１、１２の位置関係によって変化する。

　歯部１１ａが歯部１２ａに対向し、かつ端面７１ｃが歯部１１ａに対向し、さらに端面７２ｃが歯部１２ａに対向した状態では、磁気検出素子８０は、図５中矢印Ａの如く検出部で検出される磁束の向きを示す信号レベルＳａのセンサ信号を出力する。

　孔部１１ｂが孔部１２ｂに対向し、かつ端面７１ｃが孔部１１ｂに対向し、端面７２ｃが孔部１２ｂに対向した状態では、磁気検出素子８０は、検出部を図８中矢印Ａの如く通過する磁束の向きを示す信号レベルＳａのセンサ信号を出力する。

　孔部１１ｂが歯部１２ａに対向し、かつ端面７１ｃが孔部１１ｂに対向し、さらに端面７２ｃが歯部１２ａに対向した状態では、磁気検出素子８０は、検出部を図６中矢印Ｂの如く通過する磁束の向きを示す信号レベルＳｂのセンサ信号を出力する。

　歯部１１ａが孔部１２ｂに対向し、かつ端面７１ｃが歯部１１ａに対向し、さらに端面７２ｃが第２孔部に対向した状態では、磁気検出素子８０は、検出部を図７中矢印Ｃの如く通過する磁束の向きを示す信号レベルＳｃのセンサ信号を出力する。

　磁束の向きであるＡ矢印、Ｂ矢印、Ｃ矢印は、それぞれ、異なる向きである。信号レベルＳａ、信号レベルＳｂ、信号レベルＳｃは、それぞれ異なる値に設定されている。以上により、軸線Ｓを中心とする回転方向において、クラッチ構成部１１、１２の位置関係を検出する位置検出装置２０を提供することができる。

　これにより、制御装置５０が磁気検出素子８０から出力されるセンサ信号に基づいてアクチュエータ４０を介してクラッチ構成部１１を制御すれば、クラッチ構成部１１、１２を正常に噛み合わせることができる。よって、歯部１１ａ、１２ａが衝突することにより生じる破損や打音の発生を未然に抑えることができる。

　本実施形態では、１つの磁石６０を用いて位置検出装置２０を構成するため、複数の磁石６０を用いて位置検出装置２０を構成する場合に比べて、低コスト化が可能である。

　本実施形態では、制御装置５０は、磁気検出素子８０で検出する磁束の向きによって、クラッチ構成部１１、１２の位置関係を判定する。このため、ドグクラッチ１０に対して位置検出装置２が離れて磁気検出素子８０を通過する磁束密度が小さくなっても、クラッチ構成部１１、１２の位置関係を良好に判定することができる。

　本実施形態では、磁石６０、ヨーク７０、および磁気検出素子８０からなる１つの位置検出装置２０を用いて、クラッチ構成部１１、１２の位置関係を判定する。このため、クラッチ構成部１１、１２の間の間隔が狭い動力伝達システム１においても、位置検出装置２０を適用して磁気検出素子８０を通過する磁束の向きを良好に検出することができる。

　これに加えて、位置検出装置２０の小型化、低コスト化、ひいては動力伝達システム１の小型化、低コスト化を実現することができる。

　本実施形態では、１つの位置検出装置２０を用いるため、演算などの処理を実施することなく、クラッチ構成部１１、１２の位置関係を判定することができる。このため、制御装置５０がアクチュエータ４０を制御する際の応答性を向上することができる。

　本実施形態では、図９に示すように、位置検出装置２０の軸線方向の中心線Ｔに対して歯部１１ａ、１２ａが線対称になるように配置されている。中心線Ｔとは、位置検出装置２０のうち軸線方向の中間点を通過して軸線Ｓを中心とする径方向に延びる仮想線である。この場合、磁気検出素子８０のセンサ信号は、図１１に示すように、基準電圧Ｖｋを基準として振幅する波形になる。

　これに対して、図１０に示すように、クラッチ構成部１１、１２の間の軸線方向の中心線Ｚに対して位置検出装置２０の軸線方向の中心線Ｔが軸線方向一方側にずれた場合には、磁気検出素子８０のセンサ信号は、図１２に示すようになる。中心線Ｚは、クラッチ構成部１１、１２の間の軸線方向の中間点を通過して軸線Ｓを中心とする径方向に延びる仮想線である。

　図１２の磁気検出素子８０のセンサ信号は、基準電圧Ｖｆを基準として振幅する波形になる。基準電圧Ｖｆは、オフセット値ΔＶを基準電圧Ｖｋに足した電圧値である。

　つまり、クラッチ構成部１１、１２の間の中心線Ｚに対して位置検出装置２０の中心線Ｔが軸線方向にオフセットしても、磁気検出素子８０のセンサ信号は、磁気検出素子８０のセンサ信号の波形が電圧の大小方向にオフセットするだけである。

　ドグクラッチ１０の組み付けやクラッチ構成部１１、１２の変位が起因して、歯部１１ａ、１２ａの間の軸線方向の中心線Ｚに対して位置検出装置２０の中心線Ｔが軸線方向にずれた場合でも、センサ信号の波形の振幅は、同じである。このため、制御装置５０は、磁気検出素子８０のセンサ信号に基づいて、クラッチ構成部１１、１２の位置関係を検出することができる。

　（第２実施形態）
　上記第１実施形態では、１つの磁石６０を用いて位置検出装置２０を構成した例について説明したが、これに代えて、２つの磁石６０を用いて位置検出装置２０を構成する本第２実施形態について図１３を参照して説明する。本実施形態では、説明の便宜上、２つの磁石６０のうち一方の磁石を第１磁石としての磁石６０Ａとし、他方の磁石を第２磁石としての磁石６０Ｂとする。

　本実施形態の位置検出装置２０は、図１３に示すように、磁石６０Ａ、６０Ｂ、ヨーク７０、および磁気検出素子８０を備える。

　磁石６０Ａ、６０Ｂは、それぞれ、クラッチ構成部１１、１２に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されている。磁石６０Ａは、磁石６０Ｂに対して軸線方向一方側に配置されている。磁石６０Ａ、６０Ｂは、それぞれ、面６１、６２を含む６つの面を備える立方体に形成されている。

　磁石６０Ａの面６２が軸線Ｓを中心とする径方向内側に配置され、磁石６０Ａの面６１が軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されている。磁石６０Ｂの面６１が軸線Ｓを中心とする径方向内側に配置され、磁石６０Ｂの面６２が軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されている。

　本実施形態では、磁石６０Ａ、６０Ｂのそれぞれの面６２は、Ｎ極を形成する。つまり、磁石６０Ａ、６０Ｂのそれぞれの面６２は、互いに同一の極性を有していることになる。

　磁石６０Ａ、６０Ｂのそれぞれの面６１は、Ｓ極を形成する。

　つまり、磁石６０Ａ、６０Ｂのそれぞれの面６１は、互いに同一の極性を有していることになる。磁石６０Ａおよび軸線Ｓの間の距離と磁石６０Ｂおよび軸線Ｓの間の距離とがほぼ同じになるように磁石６０Ａ、６０Ｂが配置されている。

　本実施形態の磁石６０Ａ、６０Ｂは、ヨーク７０の磁束経路部７５とともに、磁界発生部を構成する。磁石６０Ａの面６２は、第１磁極部を構成し、磁石６０Ａの面６１は、第３磁極部を構成する。磁石６０Ｂの面６１は、第２磁極部を構成し、磁石６０Ｂの面６２は、第４磁極部を構成する。

　ヨーク７０は、磁束経路部７３、７４、７５を備える。磁束経路部７３は、クラッチ構成部１１に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されている。磁束経路部７３は、クラッチ構成部１１と磁石６０Ｂの面６１（すなわち、Ｓ極）との間で磁束を通過させる第２磁束経路部を構成する。

　磁束経路部７３は、クラッチ構成部１１の歯部１１ａ、或いは孔部１１ｂに対向する第２端面としての端面７３ａを備える。磁束経路部７３は、端面７３ａから軸線Ｓを中心とする径方向外側に亘って形成されている。

　磁束経路部７４は、クラッチ構成部１２に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されている。磁束経路部７４は、クラッチ構成部１２と磁石６０Ａの面６２（すなわち、Ｎ極）との間で磁束を通過させる第１磁束経路部を構成する。

　磁束経路部７４は、クラッチ構成部１２の歯部１２ａ、或いは孔部１２ｂに対向する端面７４ａを備える。磁束経路部７４は、端面７４ａから軸線Ｓを中心とする径方向外側に亘って形成されている。

　磁束経路部７５は、磁束経路部７４、７３、磁石６０Ａ、６０Ｂに対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されている。磁束経路部７５は、磁石６０Ａの面６１および磁石６０Ｂの面６２の間で磁束を通過させる第３磁束経路部を構成する。

　具体的には、磁束経路部７５は、軸線経路７５ａ、および突出部７５ｂ、７５ｃを備える。軸線経路７５ａは、　磁石６０Ａの面６１および磁石６０Ｂの面６２の間で軸線方向に亘って形成されている。

　突出部７５ｂは、軸線経路７５ａのうち軸線方向一方側端部から磁石６０Ａの面６１に向けて突出する。突出部７５ｃは、軸線経路７５ａのうち軸線方向他方側端部から磁石６０Ｂの面６２に向けて突出する。

　磁気検出素子８０は、磁束経路部７３、７４の間に配置されている。このことにより、磁気検出素子８０は、クラッチ構成部１１の複数の歯部１１ａ、および複数の孔部１１ｂのうちいずれかに対向する。これに加えて、磁気検出素子８０は、クラッチ構成部１２の複数の歯部１２ａ、および複数の孔部１２ｂのうちいずれかに対向する。

　本実施形態の磁気検出素子８０は、磁束経路部７３、７４の間で通過する磁束の向きを検出する検出部を構成し、検出部を通過する磁束の向きを示すセンサ信号を出力する。本実施形態の磁気検出素子８０としては、上記第１実施形態と同様に、２つのホール素子によって構成されている。

　このように構成される本実施形態と上記第１実施形態とでは、ヨーク７０の構成、および磁石の個数が相違するものの、位置検出装置２０によって構成される磁気回路は、実質的に同様となる。

　このため、磁気検出素子８０は、以下（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）の如く、軸線Ｓを中心とする回転方向におけるクラッチ構成部１１、１２の位置関係を示すセンサ信号を制御装置５０に出力する。

　（ａ）ヨーク７０の端面７４ａが複数の孔部１２ｂのうち１つの孔部１２ｂに対向し、かつヨーク７０の端面７３ａが複数の孔部１１ｂのうち１つの孔部１１ｂに対向した状態では、図５の場合と実質的に同様に、磁気回路が作動する。

　この場合、磁気検出素子８０が、上記１つの孔部１１ｂと上記１つの孔部１２ｂとに対向している。

　このとき、磁石６０ＡのＮ極を通過した磁束は、磁束経路部７４、上記１つの孔部１２ｂ、上記１つの孔部１１ｂ、および磁束経路部７３を通過して磁石６０ＢのＳ極に向かう。磁石６０ＢのＳ極を通過した磁束は、磁束経路部７５、磁石６０ＡのＳ極を通過して磁石６０ＡのＮ極に向かう。

　この際に、磁束経路部７４から磁気検出素子８０を通過して磁束経路部７３に向かう磁束も生じる。この場合、磁気検出素子８０の検出部を通過する磁束の向きは、図５の矢印Ａと同様に、軸線方向他方側に向く。このため、磁気検出素子８０は、信号レベルＳａのセンサ信号を出力する。

　（ｂ）ヨーク７０の端面７４ａが複数の歯部１２ａのうち１つの歯部１２ａに対向し、かつヨーク７０の端面７３ａが複数の孔部１１ｂのうち１つの孔部１１ｂに対向した状態では、図６の場合と実質的に同様に、磁気回路が作動する。

　この場合、磁気検出素子８０が、上記１つの歯部１２ａと上記１つの孔部１１ｂとに対向している。

　このとき、磁石６０ＡのＮ極を通過した磁束は、磁束経路部７４、上記１つの歯部１２ａ、上記１つの孔部１１ｂ、および磁束経路部７３を通過して磁石６０ＢのＳ極に向かう。磁石６０ＢのＳ極を通過した磁束は、磁束経路部７５、磁石６０ＡのＳ極を通過して磁石６０ＡのＮ極に向かう。

　この際に、磁束経路部７４から磁気検出素子８０を通過して磁束経路部７３に向かう磁束も生じる。上記１つの歯部１２ａから磁気検出素子８０を通過して磁束経路部７３に向かう磁束も生じる。

　この場合、磁気検出素子８０の検出部を通過する磁束の向きは、上記１つの歯部１２ａの影響によって、図６の矢印Ｂと同様に、矢印Ａに対して反時計回りに回転した向きになる。このため、磁気検出素子８０は、信号レベルＳｂのセンサ信号を出力する。

　（ｃ）ヨーク７０の端面７４ａが複数の孔部１２ｂのうち１つの孔部１２ｂに対向し、かつヨーク７０の端面７３ａが複数の歯部１１ａのうち１つの歯部１１ａに対向した状態では、図７の場合と実質的に同様に、磁気回路が作動する。

　このとき、磁気検出素子８０が、上記１つの歯部１１ａと上記１つの孔部１２ｂとに対向している。

　この際に、磁石６０ＡのＮ極を通過した磁束は、磁束経路部７４、上記１つの孔部１２ｂ、上記１つの歯部１１ａ、および磁束経路部７３を通過して磁石６０ＢのＳ極に向かう。磁石６０ＢのＳ極を通過した磁束は、磁束経路部７５、磁石６０ＡのＳ極を通過して磁石６０ＡのＮ極に向かう。

　これに加えて、磁束経路部７４から磁気検出素子８０を通過して上記１つの歯部１１ａに向かう磁束も生じる。

　この場合、磁気検出素子８０の検出部を通過する磁束の向きは、図７の矢印Ｃと同様に、上記１つの歯部１１ａの影響によって、矢印Ａに対して時計回りに回転した向きになる。このため、磁気検出素子８０は、信号レベルＳｃのセンサ信号を出力する。

　（ｄ）ヨーク７０の端面７４ａが複数の歯部１２ａのうち１つの歯部１２ａに対向し、かつヨーク７０の端面７３ａが複数の歯部１１ａのうち１つの歯部１１ａに対向した状態では、図８の場合と実質的に同様に、磁気回路が作動する。

　このとき、磁気検出素子８０が、上記１つの歯部１１ａと上記１つの歯部１２ａとに対向している。

　この際に、磁石６０ＡのＮ極を通過した磁束は、磁束経路部７４、上記１つの歯部１２ａ、上記１つの歯部１１ａ、および磁束経路部７３を通過して磁石６０ＢのＳ極に向かう。磁石６０ＢのＳ極を通過した磁束は、磁束経路部７５、磁石６０ＡのＳ極を通過して磁石６０ＡのＮ極に向かう。

　これに加えて、磁束経路部７４から磁気検出素子８０を通過して磁束経路部７３に向かう磁束も生じる。この場合、磁気検出素子８０の検出部を通過する磁束の向きは、図８の矢印Ａと同様に、軸線方向他方側になる。このため、磁気検出素子８０は、信号レベルＳａのセンサ信号を出力する。

　以上説明した本実施形態では、信号レベルＳａ、信号レベルＳｂ、信号レベルＳｃは、それぞれ異なる値に設定されている。したがって、磁気検出素子８０が信号レベルＳｂのセンサ信号、或いは信号レベルＳｃのセンサ信号を制御装置５０に出力する。

　以上により、軸線Ｓを中心とする回転方向において、クラッチ構成部１１、１２の位置関係を検出する位置検出装置２０を提供することができる。

　本実施形態では、２つの磁石６０Ａ、６０Ｂを用いて位置検出装置２０を構成するため、上記第１実施形態に比べて、磁気検出素子８０で検出される磁束密度が増加する。このため、位置検出装置２０のロバスト性を高めることができる。ここで、ロバスト性とは、外乱の影響よって出力が変化することを阻止する性能のことである。

　本実施形態では、２つの磁石６０Ａ、６０Ｂを用いて位置検出装置２０を構成するため、上記第１実施形態の位置検出装置２０で用いる磁石６０に比べて、磁石６０Ａ、６０Ｂのそれぞれの体格を小さくすることができる。よって、位置検出装置２０の小型化を図ることができる。

　（第３実施形態）
　本第３実施形態では、上記第２実施形態の位置検出装置２０のヨーク７０の磁束経路部７３、７４において、磁気検出素子８０側に突出する突出部７３ｄ、７４ｄを設けた例について説明する。

　本実施形態と上記第２実施形態とは、位置検出装置２０のヨーク７０の磁束経路部７３、７４の構成は主に相違するだけで、その他の構成は、共通である。

　そこで、以下、本実施形態と上記第２実施形態との相違点である位置検出装置２０のヨーク７０の磁束経路部７３、７４について図１４を参照して主に説明する。

　位置検出装置２０のヨーク７０の磁束経路部７３には、突出部７３ｄが設けられている。

　具体的には、磁束経路部７３は、磁束径方向経路部７３ｅと突出部７３ｄとを備える。磁束径方向経路部７３ｅは、端面７３ａから軸線Ｓを中心とする径方向外側に亘って形成される第２経路構成部である。突出部７３ｄは、磁束径方向経路部７３ｅのうち軸線Ｓを中心とする径方向内側端部から磁気検出素子８０側に突出する第２突出部である。

　本実施形態の突出部７３ｄは、磁気検出素子８０を通過する磁束を磁束径方向経路部７３ｅに導く役割を果たす。

　位置検出装置２０のヨーク７０の磁束経路部７４には、突出部７４ｄが設けられている。　具体的には、磁束経路部７４は、磁束径方向経路部７４ｅと突出部７４ｄを備える。磁束径方向経路部７４ｅは、端面７４ａから軸線Ｓを中心とする径方向外側に亘って形成される第１経路構成部である。突出部７４ｄは、磁束径方向経路部７４ｅのうち軸線Ｓを中心とする径方向内側端部から磁気検出素子８０に突出する第１突出部である。

　本実施形態の突出部７４ｄは、磁束径方向経路部７４ｅを通過した磁束を磁気検出素子８０に導く役割を果たす。

　以上説明した本実施形態によれば、磁気検出素子８０は、上記第２実施形態と同様に、（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）の如く、軸線Ｓを中心とする回転方向において、クラッチ構成部１１、１２の位置関係を示すセンサ信号を制御装置５０に出力する。

　本実施形態の位置検出装置２０のヨーク７０の磁束経路部７３、７４には、上述の如く、突出部７３ｄ、７４ｄが設けられている。磁気検出素子８０は、突出部７３ｄ、７４ｄの間に挟まれている。突出部７４ｄは、磁束径方向経路部７４ｅを通過した磁束を磁気検出素子８０に導く。突出部７３ｄは、磁気検出素子８０を通過する磁束を磁束径方向経路部７３ｅに導く。

　本実施形態では、上述の如く、ヨーク７０に突出部７３ｄ、７４ｄが設けられている。このため、クラッチ構成部１１、１２の回転方向の位置関係が（ａ）（ｄ）の場合には、磁気検出素子８０の検出部を通過する磁束の向きを、軸線方向（例えば、紙面の横方向）に高精度に近づけることができる。

　このため、クラッチ構成部１１、１２の回転方向の位置関係が（ａ）（ｄ）の場合に磁気検出素子８０で検出される磁束の向きを、磁気検出素子８０のＸ軸ホール素子の磁束検出向きに、高精度に近づけることになる。

　これにより、（ａ）（ｄ）の場合に、上記第１実施形態に比べて、磁気検出素子８０をＸ軸ホール素子の磁束検出向きに通過する磁束を増大させることができる。このため、（ｂ）の場合に磁気検出素子８０で検出される磁束の向きに対して歯部１２ａから大きな影響を与えることができる。（ｃ）の場合に磁気検出素子８０で検出される磁束の向きに対して歯部１１ａから大きな影響を与えることができる。

　したがって、磁気検出素子８０で磁束の向きを検出する上でＸ軸ホール素子の磁束検出の向きを基準とすると、クラッチ構成部１１、１２の位置関係の変化に伴って磁気検出素子８０で検出される磁束の向きの変化を大きくすることができる。

　これに加えて、本実施形態では、上述の如く、ヨーク７０に突出部７３ｄ、７４ｄが設けられている。このため、磁束経路部７４、７３の間で磁気検出素子８０を通過する磁束密度を大きくすることができる。

　以上により、磁気検出素子８０、ひいては、位置検出装置２０のロバスト性を向上することができる。

　（第４実施形態）
　本第４実施形態では、上記第２実施形態の位置検出装置２０のヨーク７０の磁束経路部７３、７４において、間隔９０ａ、９０ｂを介して磁気検出素子８０に対向する対向面７３ｂ、７４ｂを設けた例について図１５を参照して説明する。

　本実施形態と上記第２実施形態とは、位置検出装置２０のヨーク７０の磁束経路部７３、７４の構成が主に相違するだけで、その他の構成は、共通である。

　そこで、以下、本実施形態と上記第２実施形態との間の相違点である位置検出装置２０のヨーク７０の磁束経路部７３、７４について図１５を参照して主に説明する。

　本実施形態の磁束経路部７４には、間隔９０ａを介して磁気検出素子８０のうち軸線方向一方側に対向する第１対向面としての対向面７４ｂが設けられている。対向面７４ｂは、軸線Ｓを中心とする径方向内側から径方向外側に近づくことほど軸線方向一方側から軸線方向他方側に向かうように形成されている。このことにより、対向面７４ｂは、軸線Ｓを中心とする径方向に対して傾斜するように形成されている。対向面７４ｂと端面７４ａとが接続されて角部を構成する。

　磁束経路部７３には、間隔９０ｂを介して磁気検出素子８０のうち軸線方向一方側に対向する第２対向面としての対向面７３ｂが設けられている。対向面７３ｂは、軸線Ｓを中心とする径方向内側から径方向外側に近づくことほど軸線方向他方側から一方側に向かうように形成されている。このことにより、対向面７３ｂは、軸線Ｓを中心とする径方向に対して傾斜するように形成されている。対向面７３ｂと端面７３ａとが接続されて角部を構成する。

　なお、本実施形態では、軸線Ｓを中心とする径方向において磁束経路部７３のうち対向面７３ｂが占める割合が磁束経路部７３のうち対向面７３ｂ以外の残りの領域７３ｃが占める割合に比べて大きくなっている。

　軸線Ｓを中心とする径方向において磁束経路部７４のうち対向面７４ｂが占める割合が磁束経路部７４のうち対向面７４ｂ以外の残りの領域７４ｃが占める割合に比べて大きくなっている。

　以上説明した本実施形態によれば、磁気検出素子８０は、上記第２実施形態と同様に、（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）の如く、クラッチ構成部１１、１２の回転方向の位置関係を示すセンサ信号を制御装置５０に出力する。以上により、クラッチ構成部１１、１２における回転方向の位置関係を検出する位置検出装置２０を提供することができる。

　本実施形態では、上述の如く、磁束経路部７４に対向面７４ｂを設け、かつ磁束経路部７３に対向面７３ｂを設けている。このため、対向面７４ｂから磁気検出素子８０を通して対向面７３ｂを通過する磁束を発生させることができる。

　これにより、（ａ）（ｄ）の場合に、上記第１実施形態に比べて、磁気検出素子８０をＸ軸ホール素子の磁束検出向きに通過する磁束を増大させることができる。このため、上記第３実施形態と同様に、（ｂ）（ｃ）の場合に磁気検出素子８０で検出される磁束の向きに対して歯部１２ａ、あるいは歯部１１ａから大きな影響を与えることができる。このため、第３実施形態と同様に、磁気検出素子８０で磁束の向きを検出する上でＸ軸ホール素子の磁束検出の向きを基準とすると、クラッチ構成部１１、１２の位置関係の変化に伴って磁気検出素子８０で検出される磁束の向きの変化を大きくすることができる。以上により、磁気検出素子８０、ひいては位置検出装置２０のロバスト性を向上することができる。
（第５実施形態）
　上記４実施形態では、軸線Ｓを中心とする径方向において磁束経路部７３、７４のうち対向面７３ｂ、７４ｂが占める割合が磁束経路部７３のうち対向面７３ｂ、７４ｂ以外の残りの領域７３ｃ、７３ｃが占める割合に比べて大きくした例について説明した。

　これに代えて、軸線Ｓを中心とする径方向において磁束経路部７３、７４のうち対向面７３ｂ、７４ｂが占める割合が磁束経路部７３のうち対向面７３ｂ、７４ｂ以外の残りの領域７３ｃ、７３ｃが占める割合に比べて小さくした本第５実施形態について説明する。

　本実施形態と上記第４実施形態とは、図１６に示すように、位置検出装置２０のヨーク７０の磁束経路部７３、７４の対向面７３ｂ、７４ｂが相違するだけで、その他の構成は、共通である。

　（第６実施形態）
　上記５実施形態では、磁石６０Ａ、磁石６０Ｂを用いて位置検出装置２０を構成する例について説明したが、これに代えて、１つの磁石６０を用いて位置検出装置２０を構成する本第６実施形態について図１７を参照して説明する。

　本実施形態と上記５実施形態とは、位置検出装置２０のヨーク７０の構成が相違するだけで、その他の構成は共通である。

　本実施形態の位置検出装置２０のヨーク７０は、上記第１実施形態と同様に、磁束経路部７１、７２を備える。

　本実施形態のヨーク７０の磁束経路部７１は、上記５実施形態の対向面７３ｂに対応する第２対向面としての対向面７１ｄが設けられている。

　対向面７１ｄは、間隔９０ｂ介して磁気検出素子８０のうち軸線方向他方側に対向する。対向面７１ｄは、軸線Ｓを中心とする径方向内側から径方向外側に近づくことほど軸線方向他方側から軸線方向一方側に向かうように形成されている。このことにより、対向面７１ｄは、軸線Ｓを中心とする径方向に対して傾斜するように形成されている。

　本実施形態のヨーク７０の磁束経路部７２は、上記５実施形態の対向面７４ｂに対応する第１対向面としての対向面７２ｄが設けられている。対向面７２ｄは、間隔９０ａを介して磁気検出素子８０のうち軸線方向一方側に対向する。

　対向面７２ｄは、軸線Ｓを中心とする径方向内側から径方向外側に近づくことほど軸線方向一方側から軸線方向他方側に向かうように形成されている。このことにより、対向面７２ｄは、軸線Ｓを中心とする径方向に対して傾斜するように形成されている。

　このため、本実施形態によれば、対向面７２ｄから磁気検出素子８０を通して対向面７１ｄを通過する磁束を発生させることができる。このため、クラッチ構成部１１、１２の回転方向の位置関係が（ａ）（ｄ）の場合に磁気検出素子８０で検出される磁束の向きを、磁気検出素子８０のＸ軸ホール素子の磁束検出向きに、高精度に近づけることになる。

　これにより、（ａ）（ｄ）の場合に、上記第１実施形態に比べて、磁気検出素子８０をＸ軸ホール素子の磁束検出向きに通過する磁束を増大させることができる。このため、上記第３実施形態と同様に、（ｂ）（ｃ）の場合に磁気検出素子８０で検出される磁束の向きに対して歯部１２ａ、あるいは歯部１１ａから大きな影響を与えることができる。

　これにより、磁気検出素子８０で磁束の向きを検出する上でＸ軸ホール素子の磁束検出の向きを基準とすると、クラッチ構成部１１、１２の位置関係の変化に伴って磁気検出素子８０で検出される磁束の向きの変化を大きくすることができる。以上により、磁気検出素子８０、ひいては位置検出装置２０のロバスト性を向上することができる。

　（第７実施形態）
　本第７実施形態では、上記第２実施形態において、位置検出装置２０のヨーク７０の磁束経路部７３、７４を湾曲状に形成した例について図１８を参照して説明する。

　本実施形態と上記第２実施形態とは、位置検出装置２０のヨーク７０および磁石６０Ａ、６０Ｂが相違するだけで、その他の構成は共通である。

　そこで、以下、本実施形態と上記第２実施形態との相違点である位置検出装置２０のヨーク７０および磁石６０Ａ、６０Ｂについて図１８を参照して説明する。

　本実施形態では、磁石６０Ａ、６０Ｂのそれぞれの軸線方向寸法が磁束経路部７５の軸線Ｓを中心とする径方向寸法よりも大きくなっている。

　磁束経路部７５において、突出部７５ｂの軸線方向寸法は、軸線経路７５ａの軸線Ｓを中心とする径方向寸法よりも大きくなっている。突出部７５ｃの軸線方向寸法は、軸線経路７５ａの軸線Ｓを中心とする径方向寸法よりも大きくなっている。

　軸線経路７５ａおよび突出部７５ｂが接続される接続部７６には、内周部７６ａ、外周部７６ｂが形成されている。内周部７６ａは、第１向きＫａに凹む湾曲状に形成されている。外周部７６ｂは、第１向きＫａに凸となる湾曲状に形成されている。第１向きＫａは、図１８において軸線方向の一方側に向く矢印を時計回りに回転させた矢印が示す向きである。

　軸線経路７５ａおよび突出部７５ｃが接続される接続部７７には、内周部７７ａ、外周部７７ｂが湾曲状に形成されている。

　内周部７７ａは、第２向きＫｂに凹む湾曲状に形成されている。外周部７７ｂは、第２向きＫｂに凸となる湾曲状に形成されている。第２向きＫｂは、図１８において軸線方向の他方側に向く矢印を反時計回りに回転させた矢印が示す向きである。

　磁束経路部７４の外周部７８ａは、第３向きＫｃに凸となる湾曲状に形成されている。第３向きＫｃは、図１８において軸線方向の一方側に向く矢印を反時計回りに回転させた矢印が示す向きである。磁束経路部７４の内周部７８ｂは、軸線Ｓを中心とする径方向に亘って形成されている。

　磁束経路部７３の外周部７９ａは、第４向きＫｄに凸となる湾曲状に形成されている。第４向きＫｄは、図１８において軸線方向の他方側に向く矢印を時計回りに回転させた矢印が示す向きである。磁束経路部７３の内周部７９ｂは、軸線Ｓを中心とする径方向に亘って形成されている。

　このように磁束経路部７５における内周部７６ａ、７７ａ、外周部７６ｂ、７７ｂ、磁束経路部７４の外周部７８ａ、および磁束経路部７３の外周部７９ａがそれぞれ湾曲状に形成されている。

　なお、第１向きＫａ、第２向きＫｂ、第３向きＫｃ、および第４向きＫｄは、それぞれ異なる方位に向く向きであって、軸線方向に対して交差し、かつ軸線Ｓを中心とする径方向に対して交差する向きである。

　このため、磁石６０Ａ、６０Ｂおよび磁気検出素子８０の間で磁束がヨーク７０内を円滑に通過することができる。これに加えて、上述の如く、磁束経路部７４の外周部７８ａは、第３向きＫｃに凸となる湾曲状に形成されている。磁束経路部７３の外周部７９ａは、第４向きＫｄに凸となる湾曲状に形成されている。

　本実施形態では、外周部７８ａは、磁束経路部７４のうち軸線方向一方側に配置されて、端面７４ａから軸線を中心とする径方向外側に亘って形成されている第１側面である。内周部７８ｂは、磁束経路部７４のうち軸線方向他方側に配置されて、端面７４ａから軸線を中心とする径方向外側に亘って形成されている第２側面である。

　ここで、軸線Ｓを中心とする径方向において磁気検出素子８０に近づくほど外周部７８ａおよび内周部７８ｂの間の距離が小さくなるように外周部７８ａが湾曲状に形成されている。

　本実施形態では、内周部７９ｂは、磁束経路部７３のうち軸線方向一方側に配置されて、端面７３ａから軸線を中心とする径方向外側に亘って形成されている第３側面である。外周部７９ａは、磁束経路部７４のうち軸線方向他方側に配置されて、端面７３ａから軸線を中心とする径方向外側に亘って形成されている第４側面である。

　ここで、軸線Ｓを中心とする径方向において磁気検出素子８０に近づくほど外周部７９ａおよび内周部７９ｂの間の距離が小さくなるように外周部７９ａが湾曲状に形成されている。

　以上本実施形態によれば、外周部７８ａ、７９ａを軸線Ｓを中心とする径方向に平行に形成する場合に比べて、磁石６０Ａ、６０Ｂの間で磁気検出素子８０を通過する磁束密度を増やすことができる。よって、磁気検出素子８０による磁束の向きの検出を良好に行うことができる。これにより、磁気検出素子８０、ひいては位置検出装置２０のロバスト性を向上することができる。

　（第８実施形態）
　本第８実施形態では、上記第２実施形態において、磁束経路部７３の端面７３ａ、磁束経路部７４の端面７４ａよりも軸線Ｓを中心とする径方向内側に突出するように形成される磁気検出素子８０を用いた例について図１９を参照して説明する。

　本実施形態と上記第２実施形態とは、位置検出装置２０のヨーク７０の磁気検出素子８０の配置が相違するだけで、その他の構成は、共通である。そこで、本実施形態の磁気検出素子８０について説明する。

　磁気検出素子８０は、磁束経路部７３、７４の端面７３ａ、７４ａよりも軸線Ｓを中心とする径方向内側に突出するように形成されている。このため、磁気検出素子８０のうち軸線Ｓを中心とする径方向内側の端面８１は、磁束経路部７３、７４の端面７３ａ、７４ａよりも軸線Ｓを中心とする径方向内側に配置されている。

　これにより、上記第２実施形態と比べて、磁気検出素子８０をクラッチ構成部１１、１２側に近づけることができるので、磁束の変化が大きい部位に磁気検出素子８０を配置することができる。よって、クラッチ構成部１１、１２における位置関係の変化に伴って生じる磁気検出素子８０を通過する磁束の向きの変化が大きくなる。これにより、磁気検出素子８０、ひいては位置検出装置２０のロバスト性を向上することができる。

　（第９実施形態）
　本第９実施形態では、上記第２実施形態において、磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２を軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置し、かつ磁石６０Ａ、６０Ｂの面６１を軸線Ｓを中心とする径方向外側に向けて配置した例について図２０を参照して説明する。

　本実施形態と上記第２実施形態とは、位置検出装置２０のヨーク７０の磁石６０Ａ、６０Ｂの面６１、６２の配置が相違するだけで、その他の構成は、共通である。そこで、本実施形態の磁石６０Ａ、６０Ｂについて説明する。

　磁石６０Ａ、６０Ｂは、それぞれの面６２が軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置されている。このため、磁石６０Ａ、６０Ｂは、それぞれのＮ極が軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置されていることになる。

　本実施形態では、磁石６０Ａの面６２が第１磁極部を構成し、磁石６０Ｂの面６２が第２磁極部を構成している。このことにより、磁石６０Ａ、６０Ｂは、それぞれの面６２が同一の極性を有している。

　磁石６０Ａ、６０Ｂは、それぞれの面６１が軸線Ｓを中心とする径方向外側に向けて配置されている。このため、磁石６０Ａ、６０Ｂは、それぞれのＳ極が軸線Ｓを中心とする径方向外側に向けて配置されていることになる。

　本実施形態では、磁石６０Ａの面６１が第３磁極部を構成し、磁石６０Ｂの面６１が第４磁極部を構成している。このことにより、磁石６０Ａ、６０Ｂは、それぞれの面６１が同一の極性を有している。

　本実施形態の磁石６０Ａ、６０Ｂは、ヨーク７０の磁束経路部７５とともに、磁界発生部を構成する。磁石６０Ａの面６２は、第１磁極部を構成し、磁石６０Ａの面６１は、第３磁極部を構成する。磁石６０Ｂの面６２は、第２磁極部を構成し、磁石６０Ｂの面６１は、第４磁極部を構成する。

　本実施形態では、磁石６０Ａおよび軸線Ｓの間の距離と磁石６０Ｂおよび軸線Ｓの間の距離とが同じになるように磁石６０Ａ、６０Ｂが配置されている。

　このように構成される本実施形態では、磁気検出素子８０は、上記第１実施形態と同様に、以下（ｅ）（ｆ）（ｇ）（ｈ）の如く、クラッチ構成部１１、１２における回転方向の位置関係を示すセンサ信号を制御装置５０に出力する。

　（ｅ）ヨーク７０の端面７４ａが複数の孔部１２ｂのうち１つの孔部１２ｂに対向し、かつヨーク７０の端面７３ａが複数の孔部１１ｂのうち１つの孔部１１ｂに対向した状態では、図２１の如く、磁気回路が作動する。

　このとき、磁石６０Ａから発生した磁束は、磁束経路部７４から上記１つの孔部１２ｂに向かう。磁石６０Ｂから発生した磁束は、磁束経路部７３から上記１つの孔部１１ｂに向かう。

　これに加えて、磁気検出素子８０には、磁束経路部７３からの磁束と磁束経路部７４からの磁束とが通過する。このため、磁束経路部７３からの磁束と磁束経路部７４からの磁束とを合成した合成磁束が磁気検出素子８０の検出部を通過することになる。磁気検出素子８０の検出部を通過する磁束は、矢印Ｄの如く、軸線Ｓを中心とする径方向内側に向く。このため、磁気検出素子８０は、信号レベルＳｄのセンサ信号を出力する。

　（ｆ）ヨーク７０の端面７４ａが複数の歯部１２ａのうち１つの歯部１２ａに対向し、かつヨーク７０の端面７３ａが複数の孔部１１ｂのうち１つの孔部１１ｂに対向した状態では、図２２の如く、磁気回路が作動する。

　このとき、磁石６０Ａから発生した磁束は、磁束経路部７４から上記１つの歯部１２ａに向かう。磁石６０Ｂから発生した磁束は、磁束経路部７３から上記１つの孔部１１ｂに向かう。

　これに加えて、磁気検出素子８０には、磁束経路部７３からの磁束と磁束経路部７４からの磁束とが通過する。このとき、磁気検出素子８０から上記１つの歯部１２ａに向かう磁束も生じる。このため、磁束経路部７３からの磁束と磁束経路部７４からの磁束とを合成した合成磁束が磁気検出素子８０を通過することになる。

　このため、磁気検出素子８０を通過する磁束の向きは、上記１つの歯部１２ａの影響によって、矢印Ｅの如くなる。矢印Ｅは、矢印Ｄから軸線方向一方側に傾いた向きになる。このため、磁気検出素子８０は、信号レベルＳｅのセンサ信号を出力する。

　（ｇ）ヨーク７０の端面７４ａが複数の孔部１２ｂのうち１つの孔部１２ｂに対向し、かつヨーク７０の端面７３ａが複数の歯部１１ａのうち１つの歯部１１ａに対向した状態では、図２３の如く、磁気回路が作動する。

　この際に、磁石６０Ａから発生した磁束は、磁束経路部７４から上記１つの孔部１２ｂに向かう。磁石６０Ｂから発生した磁束は、磁束経路部７３から上記１つの歯部１１ａに向かう。

　これに加えて、磁気検出素子８０には、磁束経路部７３からの磁束と磁束経路部７４からの磁束とが通過する。このとき、磁気検出素子８０から上記１つの歯部１１ａに向かう磁束も生じる。このため、磁束経路部７３からの磁束と磁束経路部７４からの磁束とを合成した合成磁束が磁気検出素子８０を通過することになる。

　このため、磁気検出素子８０を通過する磁束の向きは、上記１つの歯部１１ａの影響によって、矢印Ｆの如くなる。矢印Ｆは、矢印Ｄから軸線方向他方側に傾いた向きになる。このため、磁気検出素子８０は、信号レベルＳｆのセンサ信号を出力する。

　（ｈ）ヨーク７０の端面７４ａが複数の歯部１２ａのうち１つの歯部１２ａに対向し、かつヨーク７０の端面７３ａが複数の歯部１１ａのうち１つの歯部１１ａに対向した状態では、図２４の如く、磁気回路が作動する。

　この際に、磁石６０Ａから発生した磁束は、磁束経路部７４から上記１つの歯部１２ａに向かう。磁石６０Ｂから発生した磁束は、磁束経路部７３から上記１つの歯部１１ａに向かう。

　これに加えて、磁気検出素子８０には、磁束経路部７３からの磁束と磁束経路部７４からの磁束とが通過する。このため、磁束経路部７３からの磁束と磁束経路部７４からの磁束とを合成した合成磁束が磁気検出素子８０を通過することになる。

　このため、磁気検出素子８０を通過する磁束は、矢印Ｄの如く、軸線Ｓを中心とする径方向内側に向く。したがって、磁気検出素子８０は、信号レベルＳｄのセンサ信号を出力する。

　以上説明した本実施形態では、信号レベルＳｄ、信号レベルＳｅ、信号レベルＳｆは、それぞれ異なる値に設定されている。したがって、磁気検出素子８０が信号レベルＳｅのセンサ信号、或いは、信号レベルＳｆのセンサ信号を制御装置５０に出力する。

　以上により、クラッチ構成部１１、１２における回転方向の位置関係を検出する位置検出装置２０を提供することができる。

　本実施形態では、２つの磁石６０Ａ、６０Ｂを用いて位置検出装置２０を構成するため、上記第２実施形態と同様に、磁気検出素子８０で検出される磁束が増加する。このため、位置検出装置２０のロバスト性を高めることができる。

　本実施形態では、２つの磁石６０Ａ、６０Ｂを用いて位置検出装置２０を構成するため、上記第２実施形態と同様に、上記第１実施形態の位置検出装置２０で用いる磁石６０に比べて、磁石６０Ａ、６０Ｂのそれぞれの体格を小さくすることができる。よって、位置検出装置２０の小型化を図ることができる。

　本実施形態では、磁石６０Ａ、６０Ｂから発生される磁束がクラッチ構成部１１、１２側に向かうように磁石６０Ａ、６０Ｂが配置されている。このため、クラッチ構成部１１、１２における回転方向の位置関係が変化する際に、磁気検出素子８０で検出される磁束の向きの変化を大きくすることができる。

　本実施形態の磁束経路部７３、７４の間には、回転方向においてクラッチ構成部１１に対するクラッチ構成部１２の位置関係が変化しても磁束の向きが変化しない不感帯が形成される。そこで、本実施形態では、磁気検出素子８０の検出部が不感帯よりもクラッチ構成部１１、１２側に配置されている。

　（第１０実施形態）
　上記第９実施形態では、磁石６０Ａ、６０ＢのＮ極を、軸線Ｓを中心とする径方向内側に向け、かつ磁石６０Ａ、６０ＢのＳ極を、軸線Ｓを中心とする径方向外側に向けて配置した例について説明した。

　しかし、これに代えて、磁石６０Ａ、６０ＢのＳ極を、軸線Ｓを中心とする径方向内側に向け、かつ磁石６０Ａ、６０ＢのＮ極を軸線Ｓを中心とする径方向外側に向けて配置した本第１０実施形態について図２５を参照して説明する。

　本実施形態と上記第９実施形態とは、位置検出装置２０のヨーク７０の磁石６０Ａ、６０Ｂの磁極の配置が相違するだけで、その他の構成は、共通である。そこで、本実施形態の磁石６０Ａ、６０Ｂについて説明する。

　磁石６０Ａ、６０Ｂは、それぞれの面６１が軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置されている。このため、磁石６０Ａ、６０Ｂは、それぞれのＳ極が軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置されていることになる。

　磁石６０Ａ、６０Ｂは、それぞれの面６２が軸線Ｓを中心とする径方向外側に向けて配置されている。このため、磁石６０Ａ、６０Ｂは、それぞれのＮ極が軸線Ｓを中心とする径方向外側に向けて配置されていることになる。

　本実施形態の磁石６０Ａ、６０Ｂは、ヨーク７０の磁束経路部７５とともに、磁界発生部を構成する。磁石６０Ａの面６１は、第１磁極部を構成し、磁石６０Ａの面６２は、第３磁極部を構成する。磁石６０Ｂの面６１は、第２磁極部を構成し、磁石６０Ｂの面６２は、第４磁極部を構成する。

　磁石６０Ａ、６０Ｂのそれぞれの面６１は、同一の極性を有している。磁石６０Ａ、６０Ｂのそれぞれの面６２は、同一の極性を有している。

　このように構成される本実施形態では、磁気検出素子８０は、以下の（ｉ）（ｊ）（ｋ）（ｌ）の如く、クラッチ構成部１１、１２における回転方向の位置関係を示すセンサ信号を制御装置５０に出力する。

　（ｉ）ヨーク７０の端面７４ａが複数の孔部１２ｂのうち１つの孔部１２ｂに対向し、かつヨーク７０の端面７３ａが複数の孔部１１ｂのうち１つの孔部１１ｂに対向した状態では、図２６の如く、磁気回路が作動する。

　このとき、磁石６０ＡのＮ極から発生した磁束が、磁束経路部７５からその外部に放出される。この放出される磁束が磁束経路部７４の外部、上記１つの孔部１２ｂ、端面７４ａ、磁束経路部７４、および、磁石６０ＡのＳ極を通して磁石６０ＡのＮ極へ向かう。

　一方、磁石６０ＢのＮ極から発生した磁束が、磁束経路部７５からその外部に放出される。この放出される磁束が磁束経路部７３の外部、上記１つの孔部１１ｂ、端面７３ａ、磁束経路部７３、および、磁石６０ＢのＳ極を通して磁石６０ＢのＮ極へ向かう。

　これに加えて、磁気検出素子８０には、上記１つの孔部１１ｂからの磁束と上記１つの孔部１２ｂからの磁束とが通過する。このため、上記１つの孔部１１ｂからの磁束と上記１つの孔部１２ｂからの磁束とが合成した合成磁束が磁気検出素子８０の検出部を通過することになる。磁気検出素子８０の検出部を通過する磁束は、図２６の矢印Ｇの如く、軸線Ｓを中心とする径方向外側に向くことになる。このため、磁気検出素子８０は、検出部で検出される磁束の向きを示す信号レベルＳｇのセンサ信号を出力する。

　（ｊ）ヨーク７０の端面７４ａが複数の孔部１２ｂのうち１つの孔部１２ｂに対向し、かつヨーク７０の端面７３ａが複数の歯部１１ａのうち１つの歯部１１ａに対向した状態では、図２７の如く、磁気回路が作動する。

　この場合、磁気検出素子８０が、上記１つの歯部１１ａと上記１つの孔部１２ｂとに対向している。

　一方、磁石６０ＢのＮ極から発生した磁束が、磁束経路部７５からその外部に放出される。この放出される磁束が磁束経路部７３の外部、上記１つの歯部１１ａ、端面７３ａ、磁束経路部７３、および、磁石６０ＢのＳ極を通して磁石６０ＢのＮ極へ向かう。

　これに加えて、磁気検出素子８０には、上記１つの歯部１１ａからの磁束と上記１つの孔部１２ｂからの磁束とが通過する。このため、上記１つの歯部１１ａからの磁束と上記１つの孔部１２ｂからの磁束とが合成した合成磁束が磁気検出素子８０の検出部を通過することになる。

　よって、磁気検出素子８０の検出部を通過する磁束の向きは、上記１つの歯部１１ａの影響によって、図２７の矢印Ｈの如く、矢印Ｇから軸線方向他方側に傾いた向きとなる。このため、磁気検出素子８０は、検出部で検出される磁束の向きを示す信号レベルＳｈのセンサ信号を出力する。

　（ｋ）ヨーク７０の端面７４ａが複数の歯部１２ａのうち１つの歯部１２ａに対向し、かつヨーク７０の端面７３ａが複数の孔部１１ｂのうち１つの孔部１１ｂに対向した状態では、図２８の如く、磁気回路が作動する。

　このとき、磁気検出素子８０が、上記１つの孔部１１ｂと上記１つの歯部１２ａとに対向している。

　このとき、磁石６０ＡのＮ極から発生した磁束が、磁束経路部７５からその外部に放出される。この放出される磁束が磁束経路部７４の外部、上記１つの歯部１２ａ、端面７４ａ、磁束経路部７４、および、磁石６０ＡのＳ極を通して磁石６０ＡのＮ極へ向かう。

　これに加えて、磁気検出素子８０には、上記１つの歯部１２ａからの磁束と上記１つの孔部１１ｂからの磁束とが通過する。このため、上記１つの歯部１２ａからの磁束と上記１つの孔部１１ｂからの磁束とが合成した合成磁束が磁気検出素子８０を通過することになる。磁気検出素子８０を通過する磁束の向きは、上記１つの歯部１２ａの影響によって、図２８の矢印Ｉの如く、矢印Ｇから軸線方向一方側に傾いた向きとなる。このため、磁気検出素子８０は、検出部で検出される磁束の向きを示す信号レベルＳｉのセンサ信号を出力する。

　（ｌ）ヨーク７０の端面７４ａが複数の歯部１２ａのうち１つの歯部１２ａに対向し、かつヨーク７０の端面７３ａが複数の歯部１１ａのうち１つの歯部１１ａに対向した状態では、図２９の如く、磁気回路が作動する。

　このとき、磁石６０ＡのＮ極から発生した磁束が、磁束経路部７５からその外部に放出される。この放出される磁束が磁束経路部７４の外部、上記１つの歯部１２ａ、端面７４ａ、磁束経路部７４、および、磁石６０ＡのＳ極を通して磁石６０ＡのＮ極へ向かう。一方、磁石６０ＢのＮ極から発生した磁束が、磁束経路部７５からその外部に放出される。この放出される磁束が磁束経路部７３の外部、上記１つの歯部１１ａ、端面７３ａ、磁束経路部７３、および、磁石６０ＢのＳ極を通して磁石６０ＢのＮ極へ向かう。

　これに加えて、磁気検出素子８０には、上記１つの歯部１１ａからの磁束と上記１つの歯部１２ａからの磁束とが通過する。このため、上記１つの歯部１１ａからの磁束と上記１つの歯部１２ａからの磁束が合成した合成磁束が磁気検出素子８０の検出部を通過することになる。

　磁気検出素子８０の検出部を通過する磁束の向きは、矢印Ｇの如く、軸線Ｓを中心とする径方向外側となる。したがって、磁気検出素子８０は、検出部で検出される磁束の向きを示す信号レベルＳｇのセンサ信号を出力する。

　以上説明した本実施形態では、信号レベルＳｇ、信号レベルＳｈ、信号レベルＳｉは、それぞれ異なる値に設定されている。したがって、磁気検出素子８０が信号レベルのセンサ信号或いは、信号レベルＳｉのセンサ信号を制御装置５０に出力する。

　本実施形態でも、上記第９実施形態と同様に、磁束経路部７３、７４の間には、回転方向においてクラッチ構成部１１、１２における回転方向の位置関係が変化しても磁束の向きが変化しない不感帯が形成される。そこで、本実施形態では、磁気検出素子８０の検出部が不感帯よりもクラッチ構成部１１、１２側に配置されている。

　（第１１実施形態）
　本第１１実施形態では、上記第９実施形態の位置検出装置２０のヨーク７０において、磁束経路部７５に隙間７５ｄを設けた例について図３０を参照して説明する。

　本実施形態と上記第９実施形態とでは、磁束経路部７５が相違するだけで、その他の構成は共通である。

　本実施形態の磁束経路部７５は、軸線経路７５ｅ、７５ｆ、および突出部７５ｂ、７５ｃによって構成されている。軸線経路７５ｅ、７５ｆは、隙間７５ｄを介して軸線方向に並べられている。軸線経路７５ｅは、磁石６０Ａ、６０Ｂの間の中心線ｈと磁石６０Ａの面６１の間で軸線方向に亘って形成されている。軸線経路７５ｆは、磁石６０Ａ、６０Ｂの間の中心線ｈと磁石６０Ｂの面６１の間で軸線方向に亘って形成されている。

　突出部７５ｂは、軸線経路７５ｅのうち軸線方向一方側端部から磁石６０Ａの面６２に向けて突出する。突出部７５ｃは、軸線経路７５ｆのうち軸線方向他方側端部から磁石６０Ｂの面６２に向けて突出する。

　軸線経路７５ｅおよび突出部７５ｂは、中心線ｈ側から磁石６０Ａの面６１に向かう磁束を通過させる磁束経路を構成する。軸線経路７５ｆおよび突出部７５ｃは、中心線ｈ側から磁石６０Ｂの面６１に向かう磁束を通過させる磁束経路を構成する。

　以上説明した本実施形態によれば、磁気検出素子８０は、上記第９実施形態と同様に、（ｅ）（ｆ）（ｇ）（ｈ）の如く、クラッチ構成部１１、１２における回転方向の位置関係を示すセンサ信号を制御装置５０に出力する。これにより、クラッチ構成部１１、１２における位置関係を検出する位置検出装置２０を提供することができる。

　本実施形態では、磁束経路部７５に隙間７５ｄが設けられているものの、磁束経路部７５のうち中心線ｈを磁束が通過しないため、磁気検出素子８０において磁束の向きの検出に影響を与えることは少ない。

　（第１２実施形態）
　本第１２実施形態では、上記第１０実施形態の位置検出装置２０のヨーク７０において、磁束経路部７５に隙間７５ｄを設け例について図３１を参照して説明する。

　本実施形態と上記第１０実施形態とでは、磁束経路部７５が相違するだけで、その他の構成は共通である。

　本実施形態の磁束経路部７５は、上記第１１実施形態と同様に、軸線経路７５ｅ、７５ｆ、および突出部７５ｂ、７５ｃによって構成されている。

　軸線経路７５ｅ、７５ｆは、隙間７５ｄを介して軸線方向に並べられている。軸線経路７５ｅは、磁石６０Ａ、６０Ｂの間の中心線ｈと磁石６０Ａの面６２の間で軸線方向に亘って形成されている。軸線経路７５ｆは、磁石６０Ａ、６０Ｂの間の中心線ｈと磁石６０Ｂの面６１の間で軸線方向に亘って形成されている。

　軸線経路７５ｅおよび突出部７５ｂは、磁石６０Ａの面６２から中心線ｈに向かう磁束を通過させる磁束経路を構成する。軸線経路７５ｆおよび突出部７５ｃは、磁石６０Ｂの面６１から中心線ｈに向かう磁束を通過させる磁束経路を構成する。

　以上説明した本実施形態によれば、磁気検出素子８０は、上記第１０実施形態と同様に、（ｉ）（ｊ）（ｋ）（ｌ）の如く、クラッチ構成部１１、１２における回転方向の位置関係を示すセンサ信号を制御装置５０に出力する。これにより、クラッチ構成部１１の歯部１１ａ、孔部１１ｂと、クラッチ構成部１２の歯部１２ａ、孔部１２ｂとの間の位置関係を検出する位置検出装置２０を提供することができる。

　本実施形態では、磁束経路部７５に隙間７５ｄが設けられているものの、磁束経路部７５のうち中心線ｈを磁束が通過しないため、磁気検出素子８０において磁束の向きの検出に影響を与えることは少ない。
（第１３実施形態）
　上記第４実施形態では、磁束経路部７３、７４において対向面７３ｂ、７４ｂを設け、かつ、磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６１とをそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した例について説明した。

　これに代えて、磁束経路部７３、７４において対向面７３ｂ、７４ｂを設け、かつ、磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６２とがそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した本第１３実施形態について図３２を参照して説明する。

　本実施形態と上記第４実施形態では、磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きが相違するだけで、その他の構成は共通である。そこで、以下、本実施形態における磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きについて説明する。

　本実施形態では、上記第９実施形態と同様に、磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６２とがそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置されている。磁石６０Ａの面６１と磁石６０Ｂの面６１とがそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向外側に向けて配置されている。

　このことにより、磁石６０Ａ、６０ＢのそれぞれのＮ極がそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置され、磁石６０Ａ、６０ＢのそれぞれのＳ極が軸線Ｓを中心とする径方向外側に向けて配置されていることになる。

　このように構成される本実施形態によれば、磁気検出素子８０は、上記第９実施形態と同様に、（ｅ）（ｆ）（ｇ）（ｈ）の如く、クラッチ構成部１１、１２における回転方向の位置関係を示すセンサ信号を制御装置５０に出力する。このことにより、クラッチ構成部１１、１２における位置関係を検出する位置検出装置２０を提供することができる。

　本実施形態では、磁束経路部７４に対向面７４ｂが設けられている。これにより、磁石６０ＡのＮ極からの磁束を磁気検出素子８０に向かうように案内することができる。これに加えて、磁束経路部７３に対向面７３ｂを設けている。これにより、磁石６０ＢのＮ極からの磁束を磁気検出素子８０に向かうように案内する。

　以上により、クラッチ構成部１１、１２の回転方向の位置関係が（ｅ）（ｈ）の場合に、磁気検出素子８０で検出される磁束の向きを、軸線Ｓを中心とする径方向（例えば、紙面の縦方向）に高精度に近づけることができる。磁気検出素子８０で検出される磁束は、磁束経路部７３からの磁束と磁束経路部７４からの磁束とを合成した合成磁束である。

　このため、クラッチ構成部１１、１２の回転方向の位置関係が（ｅ）（ｈ）の場合に磁気検出素子８０で検出される磁束の向きを、磁気検出素子８０のＹ軸ホール素子の磁束検出向きに、高精度に近づけることになる。

　したがって、（ｅ）（ｈ）の場合に、上記第９実施形態に比べて、磁気検出素子８０をＹ軸ホール素子の磁束検出向きに通過する磁束を増大させることができる。このため、（ｆ）の場合に磁気検出素子８０で検出される磁束の向きに対して歯部１２ａから大きな影響を与えることができる。（ｇ）の場合に磁気検出素子８０で検出される磁束の向きに対して歯部１１ａから大きな影響を与えることができる。これにより、磁気検出素子８０で磁束の向きを検出する上でＹ軸ホール素子の磁束検出の向きを基準とすると、上記第９実施形態に比べて、クラッチ構成部１１、１２の位置関係の変化に伴って磁気検出素子８０で検出される磁束の向きの変化を大きくできる。

　以上により、磁気検出素子８０、ひいては、位置検出装置２０のロバスト性を向上することができる。
（第１４実施形態）
　上記第５実施形態では、磁束経路部７３、７４において対向面７３ｂ、７４ｂを設け、かつ、磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６１とをそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した例について説明した。

　これに代えて、磁束経路部７３、７４において対向面７３ｂ、７４ｂを設け、かつ、磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６２とがそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した本第１４実施形態について図３３を参照して説明する。

　本実施形態では、磁石６０Ａの面６１と磁石６０Ｂの面６１とがそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向外側に向けて配置されている。

　このことにより、磁石６０Ａ、６０ＢのそれぞれのＮ極が軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置されていることになる。磁石６０Ａ、６０ＢのそれぞれのＳ極が軸線Ｓを中心とする径方向外側に向けて配置されていることになる。

　本実施形態と上記第５実施形態とは、図３３に示すように、磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きが相違するだけで、その他の構成は、共通である。
（第１５実施形態）
　上記第７実施形態では、磁束経路部７３、７４を湾曲状に形成し、かつ磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６１とをそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した例について説明した。

　これに代えて、磁束経路部７３、７４を湾曲状に形成し、かつ磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６２とをそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した本第１５実施形態について図３４を参照して説明する。

　本実施形態と上記第７実施形態では、磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きが相違するだけで、その他の構成は共通である。そこで、以下、本実施形態における磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きについて説明する。

　ここで、軸線Ｓを中心とする径方向において磁気検出素子８０に近づくほど外周部７８ａおよび内周部７８ｂの間の距離が小さくなるように外周部７８ａが湾曲状に形成されている。このため、磁石６０ＡのＮ極からの磁束を磁気検出素子８０、端面７４ａに導くことができる。

　ここで、軸線Ｓを中心とする径方向において磁気検出素子８０に近づくほど外周部７９ａおよび内周部７９ｂの間の距離が小さくなるように外周部７９ａが湾曲状に形成されている。このため、磁石６０ＢのＮ極からの磁束を磁気検出素子８０、端面７３ａに導くことができる。

　以上本実施形態によれば、外周部７８ａ、７９ａを軸線Ｓを中心とする径方向に平行に形成する場合に比べて、磁石６０Ａと磁気検出素子８０との間を通過する磁束密度と磁石６０Ｂと磁気検出素子８０との間を通過する磁束密度とを増やすことができる。よって、磁気検出素子８０による磁束の向きの検出を良好に行うことができる。これにより、磁気検出素子８０、ひいては位置検出装置２０のロバスト性を向上することができる。
（第１６実施形態）
　上記第８実施形態では、端面７３ａ、端面７４ａよりも軸線Ｓを中心とする径方向内側に磁気検出素子８０が突出し、かつ磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６１とをそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した例について説明した。

　これに代えて、端面７３ａ、端面７４ａよりも軸線Ｓを中心とする径方向内側に磁気検出素子８０が突出し、かつ磁石６０Ａ、６０Ｂのそれぞれの面６２を径方向内側に向けて配置した本第１６実施形態について図３５を参照して説明する。

　本実施形態と上記第８実施形態では、磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きが相違するだけで、その他の構成は共通である。そこで、以下、本実施形態における磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きについて説明する。

　本実施形態では、上記第９実施形態と比べて、磁気検出素子８０をクラッチ構成部１１、１２側に近づけることができるので、磁束の変化が大きい部位に磁気検出素子８０を配置することができる。よって、クラッチ構成部１１、１２における位置関係の変化に伴って生じる磁気検出素子８０を通過する磁束の向きの変化が大きくなる。これにより、磁気検出素子８０、ひいては位置検出装置２０のロバスト性を向上することができる。
（第１７実施形態）
　上記第１３実施形態では、磁束経路部７３、７４において対向面７３ｂ、７４ｂを設け、かつ、磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６２とをそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した例について説明した。

　これに代えて、磁束経路部７３、７４において対向面７３ｂ、７４ｂを設け、かつ、磁石６０Ａの面６１と磁石６０Ｂの面６１とがそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した本第１７実施形態について図３６を参照して説明する。

　本実施形態と上記第１３実施形態では、磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きが相違するだけで、その他の構成は共通である。そこで、以下、本実施形態における磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きについて説明する。

　本実施形態では、上記第１０実施形態と同様に、磁石６０Ａの面６１と磁石６０Ｂの面６１とがそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置されている。磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６２とがそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向外側に向けて配置されている。

　このことにより、磁石６０Ａ、６０ＢのそれぞれのＳ極がそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置され、磁石６０Ａ、６０ＢのそれぞれのＮ極が軸線Ｓを中心とする径方向外側に向けて配置されていることになる。

　このように構成される本実施形態によれば、磁気検出素子８０は、上記第１０実施形態と同様に、（ｉ）（ｊ）（ｋ）（ｌ）の如く、クラッチ構成部１１、１２における回転方向の位置関係を示すセンサ信号を制御装置５０に出力する。このことにより、クラッチ構成部１１、１２における位置関係を検出する位置検出装置２０を提供することができる。

　本実施形態では、上述の如く、磁束経路部７４に対向面７４ｂを設けている。これにより、磁気検出素子８０からの磁束を磁石６０Ａの面６１に向かうように案内することができる。これに加えて、磁束経路部７３に対向面７３ｂを設けている。これにより、磁気検出素子８０からの磁束を磁石６０Ｂの面６１に向かうように案内することができる。

　以上により、クラッチ構成部１１、１２の回転方向の位置関係が（ｉ）（ｌ）の場合に、磁気検出素子８０で検出される磁束の向きを、軸線Ｓを中心とする径方向（例えば、紙面の縦方向）に高精度に近づけることができる。

　このため、クラッチ構成部１１、１２の回転方向の位置関係が（ｉ）（ｌ）の場合に磁気検出素子８０で検出される磁束の向きを、磁気検出素子８０のＹ軸ホール素子の磁束検出向きに、高精度に近づけることになる。

　したがって、（ｉ）（ｌ）の場合に、上記第１０実施形態に比べて、磁気検出素子８０をＹ軸ホール素子の磁束検出向きに通過する磁束を増大させることができる。このため、（ｊ）の場合に磁気検出素子８０で検出される磁束の向きに対して歯部１１ａから大きな影響を与えることができる。（ｋ）の場合に磁気検出素子８０で検出される磁束の向きに対して歯部１２ａから大きな影響を与えることができる。

　これにより、磁気検出素子８０で磁束の向きを検出する上でＹ軸ホール素子の磁束検出の向きを基準とすると、上記第１０実施形態に比べて、クラッチ構成部１１、１２の位置関係の変化に伴って磁気検出素子８０で検出される磁束の向きの変化を大きくできる。

　（第１８実施形態）
　上記第１４実施形態では、磁束経路部７３、７４において対向面７３ｂ、７４ｂを設け、かつ、磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６２とをそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した例について説明した。

　これに代えて、磁束経路部７３、７４において対向面７３ｂ、７４ｂを設け、かつ、磁石６０Ａの面６１と磁石６０Ｂの面６１とがそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した本第１８実施形態について図３７を参照して説明する。

　本実施形態では、磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６２とがそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向外側に向けて配置されている。

　本実施形態と上記第５実施形態とは、図３７に示すように、磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きが相違するだけで、その他の構成は、共通である。

　（第１９実施形態）
　上記第１５実施形態では、磁束経路部７３、７４を湾曲状に形成し、かつ磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６２とをそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した例について説明した。

　これに代えて、磁束経路部７３、７４を湾曲状に形成し、かつ磁石６０Ａの面６１と磁石６０Ｂの面６１とをそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した本第１９実施形態について図３８を参照して説明する。

　本実施形態と上記第１５実施形態では、磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きが相違するだけで、その他の構成は共通である。そこで、以下、本実施形態における磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きについて説明する。

　本実施形態では、上記第１５実施形態と同様に、軸線Ｓを中心とする径方向において磁気検出素子８０に近づくほど外周部７８ａおよび内周部７８ｂの間の距離が小さくなるように外周部７８ａが湾曲状に形成されている。このため、磁気検出素子８０、端面７４ａからの磁束を磁石６０ＡのＳ極に導くことができる。

　本実施形態では、上記第１５実施形態と同様に、軸線Ｓを中心とする径方向において磁気検出素子８０に近づくほど外周部７９ａおよび内周部７９ｂの間の距離が小さくなるように外周部７９ａが湾曲状に形成されている。このため、磁気検出素子８０、端面７４ａからの磁束を磁石６０ＢのＳ極に導くことができる。

　以上本実施形態によれば、外周部７８ａ、７９ａを軸線Ｓを中心とする径方向に平行に形成する場合に比べて、磁石６０Ａと磁気検出素子８０との間を通過する磁束密度と磁石６０Ｂと磁気検出素子８０との間を通過する磁束密度とを増やすことができる。よって、磁気検出素子８０による磁束の向きの検出を良好に行うことができる。これにより、磁気検出素子８０、ひいては位置検出装置２０のロバスト性を向上することができる。

　（第２０実施形態）
　上記第１６実施形態では、端面７３ａ、端面７４ａよりも軸線Ｓを中心とする径方向内側に磁気検出素子８０が突出し、かつ磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６２とをそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した例について説明した。

　これに代えて、端面７３ａ、端面７４ａよりも軸線Ｓを中心とする径方向内側に磁気検出素子８０が突出し、かつ磁石６０Ａ、６０Ｂのそれぞれの面６１を径方向内側に向けて配置した本第２０実施形態について図３９を参照して説明する。

　本実施形態と上記第１６実施形態では、磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きが相違するだけで、その他の構成は共通である。そこで、以下、本実施形態における磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きについて説明する。

　本実施形態では、上記第２実施形態と比べて、磁気検出素子８０をクラッチ構成部１１、１２側に近づけることができるので、磁束の変化が大きい部位に磁気検出素子８０を配置することができる。よって、クラッチ構成部１１、１２における位置関係の変化に伴って生じる磁気検出素子８０を通過する磁束の向きの変化が大きくなる。これにより、磁気検出素子８０、ひいては位置検出装置２０のロバスト性を向上することができる。
（第２１実施形態）
　上記第４実施形態では、磁束経路部７３の対向面７３ｂを軸線Ｓを中心とする径方向外側から内側に近づくことほど軸線方向一方側から他方側に向かうように形成した例について説明した。

　これに代えて、本第２１実施形態では、磁束経路部７３の対向面７３ｂが、軸線Ｓを中心とする径方向内側から径方向外側に近づくことほど軸線方向一方側から軸線方向他方側に向かうように形成されている例について図４０を参照して説明する。

　磁束経路部７４の対向面７４ｂが、軸線Ｓを中心とする径方向内側から径方向外側に近づくことほど軸線方向他方側から軸線方向一方側に向かうように形成されている。

　本実施形態と上記第４実施形態では、対向面７３ｂ、７４ｂの傾斜の向きが相違するたけで、その他の構成は同一である。

　以上説明した本実施形態によれば、磁気検出素子８０は、上記第４実施形態と同様に、クラッチ構成部１１、１２における回転方向の位置関係を示すセンサ信号を制御装置５０に出力する。以上により、クラッチ構成部１１、１２の回転方向の位置関係を検出する位置検出装置２０を提供することができる。

　本実施形態では、上記第４実施形態と同様に、対向面７４ｂから磁気検出素子８０を通して対向面７３ｂを通過する磁束を発生させることができる。このため、上記第４実施形態と同様に、磁気検出素子８０の検出部を通過する磁束の向きを、磁気検出素子８０のＸ軸ホール素子の磁束検出向きに、高精度に近づけることになる。

　これにより、上記第４実施形態と同様に、磁気検出素子８０で検出される磁束の向きの変化を大きくすることができる。以上により、磁気検出素子８０、ひいては位置検出装置２０のロバスト性を向上することができる。

　（第２２実施形態）
　上記第２１実施形態では、磁束経路部７３、７４に対向面７３ｂ、７４ｂを設け、かつ磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６１とをそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した例について説明した。

　これに代えて、磁束経路部７３、７４に対向面７３ｂ、７４ｂを設け、かつ磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６２とをそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した本第２２実施形態について図４１を参照して説明する。

　本実施形態では、磁束経路部７３の対向面７３ｂは、上記第２1実施形態と同様に、軸線Ｓを中心とする径方向内側から径方向外側に近づくことほど軸線方向一方側から軸線方向他方側に向かうように形成されている。

　磁束経路部７４の対向面７４ｂは、上記第２１実施形態と同様に、軸線Ｓを中心とする径方向内側から径方向外側に近づくことほど軸線方向他方側から軸線方向一方側に向かうように形成されている。

　本実施形態と上記第２１実施形態では、磁石６０Ａ、６０Ｂの面６１、面６２の向きが相違するたけで、その他の構成は同一である。

　以上説明した本実施形態によれば、磁気検出素子８０は、上記第９実施形態と同様に、クラッチ構成部１１、１２における回転方向の位置関係を示すセンサ信号を制御装置５０に出力する。以上により、クラッチ構成部１１、１２の回転方向の位置関係を検出する位置検出装置２０を提供することができる。

　本実施形態では、対向面７４ｂが磁石６０ＡのＮ極からの磁束を磁気検出素子８０に向かうように案内することができる。対向面７３ｂが磁石６０ＢのＮ極からの磁束を磁気検出素子８０に向かうように案内することができる。このため、上記第１３実施形態と同様に、磁気検出素子８０の検出部を通過する磁束の向きを、磁気検出素子８０のＹ軸ホール素子の磁束検出向きに、高精度に近づけることになる。

　これにより、上記第１３実施形態と同様に、磁気検出素子８０で検出される磁束の向きの変化を大きくすることができる。以上により、磁気検出素子８０、ひいては位置検出装置２０のロバスト性を向上することができる。

　（第２３実施形態）
　上記第２２実施形態では、磁束経路部７３、７４に対向面７３ｂ、７４ｂを設け、かつ磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６２とをそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した例について説明した。

　これに代えて、磁束経路部７３、７４に対向面７３ｂ、７４ｂを設け、かつ磁石６０Ａの面６１と磁石６０Ｂの面６１とをそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した本第２３実施形態について図４２を参照して説明する。

　本実施形態では、磁束経路部７３の対向面７３ｂは、上記第２２実施形態と同様に、軸線Ｓを中心とする径方向内側から径方向外側に近づくことほど軸線方向一方側から軸線方向他方側に向かうように形成されている。

　磁束経路部７４の対向面７４ｂは、上記第２２実施形態と同様に、軸線Ｓを中心とする径方向内側から径方向外側に近づくことほど軸線方向他方側から軸線方向一方側に向かうように形成されている。

　本実施形態と上記第２２実施形態では、磁石６０Ａ、６０Ｂの面６１、面６２の向きが相違するたけで、その他の構成は同一である。

　以上説明した本実施形態によれば、磁気検出素子８０は、上記第１０実施形態と同様に、クラッチ構成部１１、１２における回転方向の位置関係を示すセンサ信号を制御装置５０に出力する。以上により、クラッチ構成部１１、１２の回転方向の位置関係を検出する位置検出装置２０を提供することができる。

　本実施形態では、対向面７４ｂが磁気検出素子８０からの磁束を磁石６０ＡのＳ極に向かうように案内することができる。対向面７３ｂが磁気検出素子８０からの磁束を磁石６０ＢのＳ極に向かうように案内することができる。このため、上記第２２実施形態と同様に、磁気検出素子８０の検出部を通過する磁束の向きを、磁気検出素子８０のＹ軸ホール素子の磁束検出向きに、高精度に近づけることになる。

　これにより、上記第２２実施形態と同様に、磁気検出素子８０で検出される磁束の向きの変化を大きくすることができる。以上により、磁気検出素子８０、ひいては位置検出装置２０のロバスト性を向上することができる。

　（第２４実施形態）
　上記第３実施形態では、磁束経路部７３、７４において突出部７３ｄ、７４ｄを設け、かつ磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６１とを軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した例について説明した。

　これに代えて、磁束経路部７３、７４において突出部７３ｄ、７４ｄを設け、かつ磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６２とがそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した本第２４実施形態について図４３を参照して説明する。

　本実施形態と上記第３実施形態では、磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きが相違するだけで、その他の構成は共通である。そこで、以下、本実施形態における磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きについて説明する。

　本実施形態の位置検出装置２０のヨーク７０の磁束経路部７３、７４には、上述の如く、突出部７３ｄ、７４ｄが設けられている。突出部７４ｄは、磁束径方向経路部７４ｅのうち軸線Ｓを中心とする径方向内側端部から磁気検出素子８０に突出する第１突出部である。突出部７３ｄは、磁束径方向経路部７３ｅのうち軸線Ｓを中心とする径方向内側端部から磁気検出素子８０側に突出する第２突出部である。

　磁気検出素子８０は、突出部７３ｄ、７４ｄの間に挟まれている。突出部７４ｄは、磁束径方向経路部７４ｅを通過した磁束を磁気検出素子８０に導く。突出部７３ｄは、磁束径方向経路部７３ｅを通過した磁束を磁気検出素子８０に導く。

　本実施形態では、上述の如く、ヨーク７０に突出部７３ｄ、７４ｄが設けられている。このため、クラッチ構成部１１、１２の回転方向の位置関係が（ｅ）（ｈ）の場合には、磁気検出素子８０の検出部を通過する磁束の向きを、径方向（例えば、紙面の縦方向）に高精度に近づけることができる。

　これにより、磁気検出素子８０で磁束の向きを検出する上でＹ軸ホール素子の磁束検出の向きを基準とすると、上記第１３実施形態と同様に、クラッチ構成部１１、１２の位置関係の変化に伴って磁気検出素子８０で検出される磁束の向きの変化を大きくできる。

　（第２５実施形態）
　上記第２４実施形態では、磁束経路部７３、７４において突出部７３ｄ、７４ｄを設け、かつ磁石６０Ａの面６２と磁石６０Ｂの面６２とを軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した例について説明した。

　これに代えて、磁束経路部７３、７４において突出部７３ｄ、７４ｄを設け、かつ磁石６０Ａの面６１と磁石６０Ｂの面６１とがそれぞれ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向けて配置した本第２５実施形態について図４４を参照して説明する。

　本実施形態と上記第２４実施形態では、磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きが相違するだけで、その他の構成は共通である。そこで、以下、本実施形態における磁石６０Ａ、６０Ｂの面６２、６１の向きについて説明する。

　以上説明した本実施形態によれば、磁気検出素子８０は、上記第１０実施形態と同様に、（ｉ）（ｊ）（ｋ）（ｌ）の如く、クラッチ構成部１１、１２における回転方向の位置関係を示すセンサ信号を制御装置５０に出力する。以上により、クラッチ構成部１１、１２の回転方向の位置関係を検出する位置検出装置２０を提供することができる。

　このことにより、クラッチ構成部１１、１２における位置関係を検出する位置検出装置２０を提供することができる。

　本実施形態では、突出部７４ｄは、磁気検出素子８０を通過した磁束を磁石６０ＡのＳ極に導く。突出部７３ｄは、磁気検出素子８０を通過する磁束を磁石６０ＢのＳ極に導く。

　これにより、磁気検出素子８０で磁束の向きを検出する上でＹ軸ホール素子の磁束検出の向きを基準とすると、クラッチ構成部１１、１２の位置関係の変化に伴って磁気検出素子８０で検出される磁束の向きの変化を大きくすることができる。
（第２６実施形態）
　上記第９実施形態では、位置検出装置２０の端面７４ａ、端面７３ａを軸線方向に並べた例について説明した。しかし、これに代えて、位置検出装置２０の端面７４ａ、端面７３ａを軸線Ｓを中心とする円周方向に並べた本第２６実施形態について図４５、図４６、図４７等を参照して説明する。

　本実施形態の動力伝達システム１と上記第９実施形態の動力伝達システム１とでは、ドグクラッチ１０に対する位置検出装置２０の配置関係が相違するだけで、ドグクラッチ１０、および位置検出装置２０の構成はそれぞれ同一である。そこで、以下、以下、本実施形態では、主に、ドグクラッチ１０に対する位置検出装置２０の配置関係について説明する。

　位置検出装置２０の磁束経路部７３は、図４５、図４６および図４７に示すように、クラッチ構成部１１、１２の間のクリアランス１３に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されて磁極を形成する端面７３ａを備える。磁束経路部７３は、端面７３ａおよびクリアランス１３の間を通過させる磁束（すなわち、磁界）を発生させる第１磁極形成部を構成する。

　位置検出装置２０の磁束経路部７４は、クラッチ構成部１１、１２の間のクリアランス１３に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されて磁極を形成する端面７４ａを備える。磁束経路部７４は、端面７４ａおよびクリアランス１３の間を通過させる磁束（すなわち、磁界）を発生させる第２磁極形成部を構成する。

　本実施形態では、端面７４ａは、端面７３ａに対して軸線Ｓを中心とする円周方向の一方側に配置されている。具体的には、端面７４ａ、端面７３ａは、互いに、同じ極性の磁極を形成する。端面７４ａ、端面７３ａは、それぞれ、Ｎ極の磁極を形成する。すなわち、端面７４ａ、端面７３ａは、それぞれ、同一極性の磁極を形成する。

　磁気検出素子８０は、位置検出装置２０の磁束経路部７３および磁束経路部７４の間に配置されている。磁気検出素子８０は、クラッチ構成部１１、１２の間のクリアランス１３に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されている。

　磁気検出素子８０は、検出部８２と検出回路とを備える。検出部８２は、図４７に示すように、端面７３ａおよびクリアランス１３の間を通過する第１磁束と、端面７４ａおよびクリアランス１３の間を通過する第２磁束とを合成した合成磁束の角度θを検出する。

　具体的には、検出部８２は、軸線Ｓを中心とする径方向（例えば、図４７の紙面の縦方向）の磁束密度を検出するＹ軸ホール素子と、磁束経路部７４、７３を結ぶ方向（例えば、図４７の紙面の横方向）の磁束密度を検出するＸ軸ホール素子とを備える。

　本実施形態では、Ｘ軸ホール素子で検出される磁束密度をＸとし、Ｙ軸ホール素子で検出される磁束密度をＹとし、Ｙ／Ｘ＝ｔａｎθとしたときに求める角度θを検出部８２を通過する磁束の向きとする。

　磁気検出素子８０の検出回路は、Ｘ軸ホール素子の検出値とＹ軸ホール素子の検出値とに基づいて、磁束の向きを示すセンサ信号を出力する。以下、検出部８２によって検出された合成磁束の角度θを磁束角度θとする。

　本実施形態では、検出部８２は、軸線Ｓを中心とする円周方向において磁束経路部７３および磁束経路部７４の間の中間部に配置されている。

　ここで、図４７では、検出部８２を通過し、かつ軸線Ｓを中心とする径方向内側に向く矢印を矢印Ｙｅとし、検出部８２を通過し、かつ軸線Ｓを中心とする円周方向の一方側に向く矢印を矢印Ｙｂとする。検出部８２で検出される磁束の向きを矢印Ｆで表す。

　図４７、図４９～図５２中の中心線Ｔは、軸線Ｓを中心とする円周方向において磁束経路部７３および磁束経路部７４の間の中間部を通り、かつ軸線Ｓを中心とする径方向に延びる仮想線である。

　図４７において、検出部８２から軸線Ｓを中心とする径方向内側を示す矢印を矢印Ｙｅとする。矢印Ｙｅが磁束角度θの零度を示す基準向きを示している。磁束角度θは、矢印Ｙｅと矢印Ｆとの間に形成される角度となる。磁束の向きを示す矢印Ｆが反時計回りに回転するほど、磁束角度θが大きくなり、磁束の向きを示す矢印Ｆが時計回りに回転するほど、磁束角度θが小さくなる。図４７において矢印Ｆと矢印Ｙｅとの間に形成される磁束角度θは、負値である磁束角度を示している。

　本実施形態では、磁気検出素子８０は、検出部８２で検出される磁束角度θ（すなわち、合成磁束の向き）を示すセンサ信号を出力する。磁束角度θが大きくなるほどセンサ信号が大きくなり、磁束角度θが大きくなるほどセンサ信号が小さくなる。

　次に、本実施形態のクラッチ構成部１１の歯部１１ａ、孔部１１ｂとクラッチ構成部１２の歯部１２ａ、孔部１２ｂとの配置関係と磁気検出素子８０のセンサ信号との関係について図４８～図５２を参照して説明する。

　本実施形態において、駆動源３０は、歯部１１ａ、１２ａがクリアランス１３を介して対向し、かつ孔部１１ｂ、１２ｂがクリアランス１３を介して対向した状態で、クラッチ構成部１１、１２を軸線Ｓを中心として一定の回転数で回転させる。

　この場合、磁気検出素子８０のセンサ信号は、図４８の如く、正弦波になる。図４８中の複数のドットは、タイミングＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４における磁気検出素子８０のセンサ信号Ｇａのサンプル値を示す。

　まず、タイミングＴ１において、磁気検出素子８０が一対の歯部１１ａ、１２ａに対向したとき、図４９に示すように、磁気検出素子８０の検出部８２で検出される合成磁束は、矢印Ｄの如く、径方向内側に向く。このため、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｇａは零になる。なお、以下、磁気検出素子８０の検出部８２で検出される合成磁束を、磁気検出素子８０の検出磁束ともいう。

　その後、クラッチ構成部１１、１２が軸線Ｓを中心とする円周方向の一方側に回転して、一対の歯部１１ａ、１２ａが円周方向の一方側に回転する。すると、磁気検出素子８０の検出磁束は、図５０の矢印Ｅの如く、一対の歯部１１ａ、１２ａに対して追尾するように、時計回りに回転する。これに伴って、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｇａは小さくなる。

　図５０の矢印Ｅは、タイミングＴ２において、磁気検出素子８０が歯部１１ａ、１２ａのうち円周方向の他方側端部に対向している際の磁気検出素子８０の検出磁束の向きを示している。

　次に、クラッチ構成部１１、１２が軸線Ｓを中心とする円周方向の一方側に回転することに伴って、磁気検出素子８０が一対の孔部１１ｂ、１２ｂに対向する。この際に、磁気検出素子８０の検出磁束は、一対の孔部１１ｂ、１２ｂによって影響されて、反時計回りに回転して、図５１の矢印Ｄの如く、径方向内側に向く。これに伴って、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｇａは大きくなる。

　図５１の矢印Ｄは、タイミングＴ３において、磁気検出素子８０が孔部１１ｂ、１２ｂに対向している際の磁気検出素子８０の検出磁束の向きを示している。

　次に、クラッチ構成部１１、１２が軸線Ｓを中心とする円周方向の一方側に回転することに伴って、磁気検出素子８０に、次の一対の歯部１１ａ、１２ａが近づく。

　この際に、磁気検出素子８０の検出磁束は、次の一対の歯部１１ａ、１２ａによって影響されて、図５２の矢印Ｒの如く、反時計回りに回転する。これに伴って、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｇａは大きくなる。

　図５２の矢印Ｒは、タイミングＴ４において、磁気検出素子８０が歯部１１ａ、１２ａのうち円周方向の一方側端部に対向している際の磁気検出素子８０の検出磁束の向きを示している。

　次に、クラッチ構成部１１、１２が軸線Ｓを中心とする円周方向の一方側に回転することに伴って磁気検出素子８０に一対の歯部１１ａ、１２ａが近づく。これに伴って、図４９に示すように、磁気検出素子８０の検出磁束は、一対の歯部１１ａ、１２ａによって影響されて、時計回りに回転して、矢印Ｄの如く、径方向内側に向く。このため、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｇａは小さくなる。

　その後、クラッチ構成部１１、１２が軸線Ｓを中心とする円周方向の一方側に回転することに伴って検出部８２の検出磁束の向きが、図４９、図５０、図５１、図５２の順に変化する。

　このように、歯部１１ａ、１２ａが対向し、かつ孔部１１ｂ、１２ｂが対向した状態で、クラッチ構成部１１、１２が軸線Ｓを中心として回転すると、磁気検出素子８０の検出磁束の磁束角度θを示すセンサ信号は、図４８の如く、大きな振幅値の正弦波になる。

　次に、駆動源３０は、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向した状態で、クラッチ構成部１１、１２を軸線Ｓを中心として回転させる。この場合、磁気検出素子８０の検出磁束の磁束角度θは零に維持される。このため、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｇｂは、図５３の如く、零になる。

　これは、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向した場合には、クラッチ構成部１１、１２が回転した際に、磁気検出素子８０に対してクラッチ構成部１１、１２側の透磁率の変化が抑えられるためである。

　図５３では、クラッチ構成部１１、１２の寸法誤差等が生じていない磁気検出素子８０のセンサ信号の理論値を示す。図５３中の複数のドットは、タイミングＴ５、Ｔ６、Ｔ７、Ｔ８における磁気検出素子８０のセンサ信号のサンプル値を示す。

　図５４～図５７の如く、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向した状態で、クラッチ構成部１１、１２が軸線Ｓを中心として回転する際には、磁気検出素子８０の検出磁束は、矢印Ｄの如く、径方向内側に向いた状態を維持する。

　すなわち、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向した状態で、クラッチ構成部１１、１２が軸線Ｓを中心として回転する際には、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｇｂは、その振幅が零に維持される。

　図５４のタイミングＴ５は、磁気検出素子８０が一対の歯部１１ａ、孔部１２ｂに対向したときの磁気検出素子８０の検出磁束の向きを示す。

　図５５のタイミングＴ６は、一対の歯部１１ａ、孔部１２ｂと一対の孔部１１ｂ、歯部１２ａとの間の境界部に磁気検出素子８０が対向したときの磁気検出素子８０の検出磁束の向きを示す。

　図５６のタイミングＴ７は、磁気検出素子８０が一対の孔部１１ｂ、歯部１２ａに対向したときの磁気検出素子８０の検出磁束の向きを示す。

　図５７のタイミングＴ８は、一対の孔部１１ｂ、歯部１２ａと一対の歯部１１ａ、孔部１２ｂとの間の境界部に磁気検出素子８０が対向したときの磁気検出素子８０の検出磁束の向きを示す。

　次に、本実施形態において、駆動源３０がクラッチ構成部１２に対するクラッチ構成部１１の相対的な回転速度を変化させる場合について図５８を参照して説明する。

　図５８のタイミングＫＮａは、駆動源３０がクラッチ構成部１１、１２を軸線Ｓを中心として回転させた状態で、歯部１１ａ、１２ａが対向し、かつ孔部１１ｂ、１２ｂが対向したタイミングである。

　図５８のタイミングＫＴａは、駆動源３０がクラッチ構成部１１、１２を軸線Ｓを中心として回転させた状態で、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向したタイミングである。

　歯部１１ａ、１２ａが対向し、かつ孔部１１ｂ、１２ｂが対向したタイミングＫＮａでは、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘａの振幅値が最大値となる。一方、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向したタイミングＫＴａでは、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘａは、振幅が最小値になる。

　すなわち、歯部１１ａ、１２ａが対向し、かつ孔部１１ｂ、１２ｂが対向したタイミングＫＮａに比べて、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向したタイミングＫＴａでは、センサ信号Ｘａの振幅が小さくなる。

　次に、本実施形態の動力伝達システム１の電気的構成について図５９を参照して説明する。

　本実施形態の動力伝達システム１は、駆動源３０、アクチュエータ４０、制御装置５０、および磁気検出素子８０を備える。制御装置５０は、マイクロコンピュータやメモリ等から構成されている。メモリは、非遷移的実体的記憶媒体である。

　制御装置５０は、メモリに予め記憶されたコンピュータプログラムにしたがって、ドグクラッチ１０を制御するためのクラッチ制御処理を実行する。制御装置５０は、クラッチ制御処理を実行することに伴って、磁気検出素子８０から出力されるセンサ信号に基づいてアクチュエータ４０をそれぞれ制御する。

　次に、制御装置５０におけるクラッチ制御処理の詳細について図６０を参照して説明する。制御装置５０は、図６０のフローチャートにしたがって、クラッチ制御処理を実行する。クラッチ制御処理は、クラッチ構成部１１、１２が回転した状態で、駆動源３０がクラッチ構成部１１を回転させてクラッチ構成部１２に対するクラッチ構成部１１の相対的な回転速度を変化させる場合に実行される。

　まず、ステップＳ１００において、制御装置５０は、磁気検出素子８０のセンサ信号に基づいて、磁気検出素子８０のセンサ信号の振幅が閾値未満であるか否かを判定する。

　このとき、制御装置５０は、センサ信号の振幅が閾値以上であるときには、ステップＳ１００においてＮＯと判定する。

　この場合、制御装置５０は、ステップＳ１２０において、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向した状態ではなく、クラッチ構成部１１、１２は互いに係合が不可能であるタイミングであると判定する。

　その後、ステップＳ１００に戻り、制御装置５０は、磁気検出素子８０のセンサ信号に基づいて、センサ信号の振幅が閾値未満であるか否かを判定する。

　このため、センサ信号の振幅が閾値以上である限り、制御装置５０は、ステップＳ１００におけるＮＯ判定と、ステップＳ１２０における係合不可能タイミング判定とを繰り返す。

　その後、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向した状態になる。すると、磁気検出素子８０の検出磁束の磁束角度θの変動は、最小値になり、磁気検出素子８０のセンサ信号の振幅が零になる。

　このとき、制御装置５０は、センサ信号の振幅が閾値未満であるときには、センサ信号の振幅が最小であるとして、ステップＳ１００においてＹＥＳと判定する。

　この場合、制御装置５０は、ステップＳ１１０において、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向した状態で、クラッチ構成部１１、１２が互いに係合が可能であるタイミングであると判定する。

　これに伴って、制御装置５０は、ステップＳ１３０において、アクチュエータ４０を制御する。これに伴って、アクチュエータ４０は、制御装置５０によって制御されて、クラッチ構成部１１を軸線方向一方側に移動する。

　このことにより、クラッチ構成部１１がクラッチ構成部１２に係合される。このため、クラッチ構成部１１がクラッチ構成部１２と連動して回転することになる。

　以上説明した本実施形態によれば、位置検出装置２０は、磁石６０Ａ、６０Ｂ、磁気検出素子８０、およびヨーク７０を備える。

　ヨーク７０は、磁界発生部を構成するものであって、クリアランス１３に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置され、かつＮ極を形成する端面７３ａを形成する磁束経路部７３を備える。

　ヨーク７０は、クリアランス１３に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置され、磁束経路部７３に対して軸線Ｓを中心とする円周方向の一方側にずれて配置され、さらにＮ極を形成する端面７４ａを形成する磁束経路部７４を備える。

　磁気検出素子８０は、クラッチ構成部１１およびクラッチ構成部１２に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置され、かつ磁束経路部７３および磁束経路部７４の間に設けられている。

　磁気検出素子８０は、端面７３ａとクリアランス１３との間を通過する第１磁束と端面７４ａとクリアランス１３との間を通過する第２磁束とが合成された合成磁束の磁束角度θを示すセンサ信号を出力する。すなわち、磁気検出素子８０は、合成磁束の向きを示すセンサ信号を出力する。

　磁気検出素子８０は、軸線Ｓを中心とする回転方向において、孔部１１ｂ、歯部１１ａと孔部１２ｂ、歯部１２ａとの位置関係によってセンサ信号の振幅が変化することにより、センサ信号として位置関係を示す信号を出力する。

　以上により、回転方向においてクラッチ構成部１１とクラッチ構成部１２との位置関係を検出する位置検出装置２０を提供することができる。

　本実施形態では、制御装置５０は、磁気検出素子８０のセンサ信号に基づいて、センサ信号の振幅が閾値未満であるか否かを判定する。このことにより、制御装置５０は、クラッチ構成部１１、１２が互いに係合が可能である係合可能タイミングであるか否かを正確に判定することができる。
（第２７実施形態）
　上記第２６実施形態では、ヨーク７０の端面７３ａ、７４ａがそれぞれ同一磁極のＮ極を形成した例について説明した。しかし、これに代えて、ヨーク７０の端面７３ａがＳ極を形成し、かつヨーク７０の端面７４ａがＮ極を形成した本第２７実施形態について図６１を参照して説明する。

　本実施形態と上記第２６実施形態では、主に位置検出装置２０の端面７４ａ、７３ａの磁極の極性が相違するだけで、その他の構成は、実質的に同一である。図６１において、図４７と同一の符号は、同一のものを示す。そこで、位置検出装置２０のうち主に端面７４ａ、７３ａの磁極の極性について説明する。

　まず、磁束経路部７４のうち軸線Ｓを中心とする径方向内側に配置されている端面７４ａがＮ極を形成する。本実施形態では、磁束経路部７４に対して径方向外側に磁石６０Ａが配置されている。磁石６０Ａのうち軸線Ｓを中心とする径方向内側の端面がＮ極を形成する。磁石６０Ａのうち軸線Ｓを中心とする径方向外側の端面がＳ極を形成する。

　磁束経路部７３のうち軸線Ｓを中心とする径方向内側に配置されている端面７３ａがＳ極を形成する。本実施形態では、磁束経路部７３に対して径方向外側に磁石６０Ｂが配置されている。磁石６０Ｂのうち軸線Ｓを中心とする径方向内側の端面がＳ極を形成する。磁石６０Ｂのうち軸線Ｓを中心とする径方向外側の端面がＮ極を形成する。磁束経路部７４の端面７４ａ、磁束経路部７３の端面７３ａは、互いに異なる極性の磁極を形成する。磁束経路部７３は、クリアランス１３に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されて、端面７３ａおよびクリアランス１３の間を通過させる磁束を発生させる第１磁界発生部を構成する。

　磁束経路部７４は、クリアランス１３に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されて、端面７４ａおよびクリアランス１３の間を通過させる磁束を発生させる第２磁界発生部を構成する。

　本実施形態では、端面７４ａは、端面７３ａに対して軸線Ｓを中心とする円周方向の一方側に配置されている。

　磁気検出素子８０は、磁束経路部７４、および磁束経路部７３の間に配置されている。磁気検出素子８０は、クラッチ構成部１１、１２の間のクリアランス１３に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されている。磁気検出素子８０は、磁束経路部７４、および磁束経路部７３の間を通過する磁束角度θを検出する検出部８２を備える。

　ここで、検出部８２は、上記第２６実施形態と同様に、Ｙ軸ホール素子とＸ軸ホール素子とを備える。磁束角度θが大きくなるほどセンサ信号の信号値が大きくなり、磁束角度θが大きくなるほどセンサ信号の信号値が小さくなる。

　図６１では、検出部８２で検出される磁束の向きを矢印Ｆで表す。磁束経路部７４から検出部８２を通過して磁束経路部７３に向かう矢印を矢印Ｙｃとする。矢印Ｙｃが磁束角度θの零度を示す基準向きを示している。磁束角度θは、矢印Ｙｃと矢印Ｆとの間に形成される角度となる。磁束の向きを示す矢印Ｆが反時計回りに回転するほど、磁束角度θが小さくなり、磁束の向きを示す矢印Ｆが時計回りに回転するほど、磁束角度θが大きくなる。

　図６１では、矢印Ｆと矢印Ｙｃとが軸線Ｓを中心とする円周方向他方側を指して磁束角度θが零となる場合を示している。すなわち、矢印Ｆと矢印Ｙｃとが図中左側を指している場合を示している。

　次に、本実施形態のクラッチ構成部１１の歯部１１ａ、孔部１１ｂとクラッチ構成部１２の歯部１２ａ、孔部１２ｂとの配置関係と磁気検出素子８０のセンサ信号との関係について図６２～図６６を参照して説明する。

　本実施形態において、歯部１１ａ、１２ａがクリアランス１３を介して対向し、かつ孔部１１ｂ、１２ｂがクリアランス１３を介して対向した状態で、クラッチ構成部１１、１２が軸線Ｓを中心として回転する。

　この場合、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｇｃは、図６２の如く、正弦波になる。図６２中の複数のドットは、タイミングＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４における磁気検出素子８０のセンサ信号のサンプル値を示す。

　まず、タイミングＴ１において、磁気検出素子８０の端面８１が一対の歯部１１ａ、１２ａに対向したとき、図６３に示すように、磁気検出素子８０の検出磁束は、矢印Ｇの如く、軸線Ｓを中心とする円周方向の他方側に向く。このため、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｇｃは、零になる。

　その後、クラッチ構成部１１、１２が軸線Ｓを中心とする円周方向の一方側に回転して、一対の歯部１１ａ、１２ａが円周方向の一方側に回転する。すると、磁気検出素子８０の検出磁束は、図６４に示すように、一対の歯部１１ａ、１２ａに影響されて、矢印Ｈの如く、反時計回りに回転する。このため、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｇｃは、小さくなる。

　図６４の矢印Ｈは、タイミングＴ２において、磁気検出素子８０が歯部１１ａ、１２ａのうち円周方向の他方側端部に対向している際の磁気検出素子８０の検出磁束の向きを示している。

　次に、クラッチ構成部１１、１２が軸線Ｓを中心とする円周方向の一方側に回転することに伴って、磁気検出素子８０が一対の孔部１１ｂ、１２ｂに対向する。この際に、磁気検出素子８０の検出磁束は、一対の孔部１１ｂ、１２ｂによって影響されて、図６５において時計回りに回転して、矢印Ｇの如く、軸線Ｓを中心とする円周方向の他方側に向く。このため、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｇｃは、大きくなる。

　図６５の矢印Ｇは、タイミングＴ３において、磁気検出素子８０が孔部１１ｂ、１２ｂに対向している際の磁気検出素子８０の検出磁束の向きを示している。

　この際に、磁気検出素子８０の検出磁束は、次の一対の歯部１１ａ、１２ａによって影響されて、図６６の矢印Ｉの如く、時計回りに回転する。このため、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｇｃは、大きくなる。

　図６６の矢印Ｉは、タイミングＴ４において、磁気検出素子８０が歯部１１ａ、１２ａのうち円周方向の一方側端部に対向している際の磁気検出素子８０の検出磁束の向きを示している。

　次に、クラッチ構成部１１、１２が軸線Ｓを中心とする円周方向の一方側に回転することに伴って磁気検出素子８０に一対の歯部１１ａ、１２ａが対向する。

　これに伴って、図６３に示すように、磁気検出素子８０の検出磁束は、一対の歯部１１ａ、１２ａによって影響されて、反時計回りに回転して、矢印Ｇの如く、軸線Ｓを中心とする円周方向の他方側に向く。このため、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｇｃは、小さくなる。

　その後、クラッチ構成部１１、１２が軸線Ｓを中心とする円周方向の一方側に回転することに伴って検出部８２の検出磁束の向きが、図６３、図６４、図６５、図６６の順に変化する。

　このように、歯部１１ａ、１２ａが対向し、かつ孔部１１ｂ、１２ｂが対向した状態で、クラッチ構成部１１、１２が軸線Ｓを中心として回転すると、磁界の磁束角度θを示すセンサ信号は、図６２の如く、大きな振幅値の正弦波になる。

　また、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向した状態で、クラッチ構成部１１、１２が軸線Ｓを中心として回転する。この場合、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｇｃは、図６７の如く、その振幅が零になる。

　図６７では、クラッチ構成部１１、１２の寸法誤差等が生じていない磁気検出素子８０のセンサ信号の理論値を示す。図６７中の複数のドットは、タイミングＴ５、Ｔ６、Ｔ７、Ｔ８における磁気検出素子８０のセンサ信号を示す。

　図６８～図７１の如く、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向した状態で、クラッチ構成部１１、１２が回転する際には、磁気検出素子８０の検出磁束は、矢印Ｇの如く、円周方向の他方側に向いた状態になる。

　すなわち、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向した状態で、クラッチ構成部１１、１２が軸線Ｓを中心として回転する際には、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｇｄは、零になる。

　図６８は、タイミングＴ５において、磁気検出素子８０が一対の歯部１１ａ、孔部１２ｂに対向したときの磁気検出素子８０の検出磁束の向きを示している。

　図６９は、タイミングＴ６において、一対の歯部１１ａ、孔部１２ｂと一対の孔部１１ｂ、歯部１２ａとの間の境界部１４に磁気検出素子８０が対向したときの磁気検出素子８０の検出磁束の向きを示している。

　図７０は、タイミングＴ７において、磁気検出素子８０が一対の孔部１１ｂ、歯部１２ａに対向したときの磁気検出素子８０の検出磁束の向きを示している。

　図７１は、タイミングＴ８において、一対の孔部１１ｂ、歯部１２ａと一対の歯部１１ａ、孔部１２ｂとの間の境界部１４に磁気検出素子８０が対向したときの磁気検出素子８０の検出磁束の向きを示している。

　次に、本実施形態において、クラッチ構成部１１、１２が回転した状態で、駆動源３０がクラッチ構成部１２に対するクラッチ構成部１１の相対的な回転数を変化させる場合について図７２を参照して説明する。

　図７２のタイミングＫＮｂは、駆動源３０がクラッチ構成部１１、１２を軸線Ｓを中心として回転させた状態で、歯部１１ａ、１２ａが対向し、かつ孔部１１ｂ、１２ｂが対向したタイミングである。

　図７２のタイミングＫＴｂは、駆動源３０がクラッチ構成部１１、１２を軸線Ｓを中心として回転させた状態で、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向したタイミングである。

　歯部１１ａ、１２ａが対向し、かつ孔部１１ｂ、１２ｂが対向したタイミングＫＮｂでは、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘｂの振幅値が最大値となる。一方、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向したタイミングＫＴｂでは、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘｂの振幅値が最小値になる。

　次に、制御装置５０におけるクラッチ制御処理の詳細について図６０を参照して説明する。

　制御装置５０は、上記第２６実施形態と同様に、図６０のフローチャートにしたがって、クラッチ制御処理を実行する。

　まず、ステップＳ１００において、制御装置５０は、磁気検出素子８０のセンサ信号に基づいて、センサ信号の振幅が閾値未満であるか否かを判定する。このとき、制御装置５０は、センサ信号の振幅が閾値以上であるときには、ステップＳ１００においてＮＯと判定する。この場合、制御装置５０は、ステップＳ１２０において、クラッチ構成部１１、１２が互いに係合が不可能であるタイミングであると判定する。

　また、制御装置５０は、ステップＳ１００において、センサ信号の振幅が閾値未満であるときには、センサ信号の振幅が最小であるとして、ＹＥＳと判定する。この場合、制御装置５０は、ステップＳ１１０において、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向した状態で、クラッチ構成部１１、１２が互いに係合が可能であるタイミングであると判定する。

　この場合、制御装置５０は、ステップＳ１３０において、アクチュエータ４０を制御して、クラッチ構成部１１を軸線方向一方側に移動させる。このことにより、クラッチ構成部１１がクラッチ構成部１２に係合されたことになる。

　以上説明した本実施形態によれば、位置検出装置２０において、ヨーク７０は、クリアランス１３に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置され、かつＳ極を形成する端面７３ａを形成する磁束経路部７３を備える。

　ヨーク７０は、クリアランス１３に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置され、磁束経路部７３に対して軸線Ｓを中心とする周方向の一方側にずれて配置され、さらにＮ極を形成する端面７４ａを形成する磁束経路部７４を備える。

　磁気検出素子８０は、クラッチ構成部１１およびクラッチ構成部１２に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置され、かつ磁束経路部７３および磁束経路部７４の間に設けられている。磁気検出素子８０は、磁束経路部７３および磁束経路部７４の間を通過する磁束の向きを示すセンサ信号を出力する。

　以上により、上記第２６実施形態と同様に、回転方向においてクラッチ構成部１１とクラッチ構成部１２との位置関係を検出する位置検出装置２０を提供することができる。

　本実施形態では、制御装置５０は、磁気検出素子８０のセンサ信号に基づいて、センサ信号の振幅が閾値未満であるか否かを判定する。このことにより、制御装置５０は、クラッチ構成部１１、１２が互いに係合が可能である係合可能タイミングであるか否かを正確に判定することができる。

　（第２８実施形態）
　上記第９実施形態において、位置検出装置２０の軸線方向の中心線Ｔと磁気検出素子８０の検出部８２とがクラッチ構成部１１、１２の間の中心線Ｚに一致した例について説明した。

　本第２８実施形態では、位置検出装置２０の中心線Ｔと磁気検出素子８０の検出部８２とがクラッチ構成部１１、１２の間の中心線Ｚに対して軸線方向の他方側にオフセットして配置されている例について図７３、図７４等を参照して説明する。

　本実施形態において、中心線Ｚは、軸線方向におけるクラッチ構成部１１、１２の間の中間部を通り軸線Ｓに直交する仮想線である。中心線Ｔは、軸線方向における磁束経路部７３および磁束経路部７４の間の中間部を通り、かつ軸線Ｓを中心とする径方向に延びる仮想線である。

　本実施形態と上記第９実施形態とでは、ドグクラッチ１０に対する位置検出装置２０の位置関係が相違するだけで、ドグクラッチ１０、および位置検出装置２０の構成は同一である。図７３、図７４において、図２０と同一符号は、同一のものを示している。そこで、本実施形態において、主に、ドグクラッチ１０に対する位置検出装置２０の位置関係について説明する。

　本実施形態では、磁束経路部７４、および磁束経路部７３は、軸線方向にオフセットして配置されている。磁束経路部７４の端面７４ａは、クラッチ構成部１２に対して軸線Ｓに対して径方向外側に配置されている。端面７４ａは、歯部１２ａ、孔部１２ｂ、基部１２ｃに対向する。

　ここで、基部１２ｃは、クラッチ構成部１２のうち歯部１２ａ、孔部１２ｂに対して軸線方向一方側に配置されて、複数の歯部１２ａを保持する。基部１２ｃは、複数の歯部１２ａとともに、複数の孔部１２ｂを形成する。基部１２ｃは、クラッチ構成部１２のうち歯部１２ａ、基部１２ｃは、鉄を含む磁性材料によって構成されている。

　また、磁束経路部７３の端面７３ａは、クラッチ構成部１１に対して軸線Ｓに対して径方向外側に配置されている。端面７３ａは、歯部１１ａ、孔部１１ｂ、基部１１ｃに対向する。

　さらに、基部１１ｃは、クラッチ構成部１１のうち歯部１１ａ、孔部１１ｂに対して軸線方向他方側に配置されて、複数の歯部１１ａを保持する。基部１１ｃは、複数の歯部１１ａとともに、複数の孔部１１ｂを形成する。クラッチ構成部１１のうち歯部１１ａ、基部１１ｃは、鉄を含む磁性材料によって構成されている。

　磁束経路部７４の端面７４ａと磁束経路部７３の端面７３ａとは、それぞれ同一のＮ極の磁極を形成する。すなわち、端面７４ａと端面７３ａとは、それぞれ同一の極性の磁極を形成する。

　磁気検出素子８０は、位置検出装置２０の磁束経路部７３および磁束経路部７４の間に配置されている。磁気検出素子８０は、クラッチ構成部１１、１２に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されている。

　磁気検出素子８０は、検出部８２と検出回路とを備える。検出部８２は、図７４に示すように、端面７３ａおよびクラッチ構成部１１の間を通過する第１磁束と端面７４ａおよびクラッチ構成部１２の間を通過する第２磁束とを合成した合成磁束の角度θを検出する。

　具体的には、検出部８２は、軸線Ｓを中心とする径方向（例えば、図７４の紙面の縦方向）の磁束密度を検出するＹ軸ホール素子と、磁束経路部７４、７３を結ぶ方向（例えば、図７４の紙面の横方向）の磁束密度を検出するＸ軸ホール素子とを備える。

　磁気検出素子８０の検出回路は、Ｘ軸ホール素子の検出値とＹ軸ホール素子の検出値とに基づいて磁束の向きを示すセンサ信号を出力する。以下、検出部８２によって検出された合成磁束の角度θを磁束角度θとする。

　次に、本実施形態において、歯部１１ａが歯部１２ａに対向し、かつ孔部１１ｂが孔部１２ｂに対向した状態で、クラッチ構成部１１、およびクラッチ構成部１２が回転した場合の磁気検出素子８０のセンサ信号Ｄａについて説明する。

　ここで、図７５、図７６において、センサ信号Ｄａのうちクラッチ構成部１１から影響を受けて変化する信号成分を信号成分Ｄ１ａとする。センサ信号Ｄａのうちクラッチ構成部１２から影響を受けて変化する信号成分を信号成分Ｄ２ａとする。ここで、信号成分Ｄ１ａおよび信号成分Ｄ２ａを加算した信号がセンサ信号Ｄａとなる。

　図７４において、検出部８２から軸線Ｓを中心とする径方向内側を示す矢印を矢印Ｙｅとする。検出部８２を通過し、かつ軸線Ｓを中心とする円周方向の他方側に向く矢印を矢印Ｙｃとする。矢印Ｙｅが磁束角度θの零度を示す基準向きを示している。

　磁束角度θは、矢印Ｙｅと矢印Ｆとの間に形成される角度となる。磁束の向きを示す矢印Ｆが反時計回りに回転するほど、磁束角度θが大きくなり、磁束の向きを示す矢印Ｆが時計回りに回転するほど、磁束角度θが小さくなる。図７４において矢印Ｆと矢印Ｙｅとの間に形成される磁束角度θは、正値である磁束角度を示している。以下、信号成分Ｄ１ａと信号成分Ｄ２ａについて別々に図７５を参照して説明する。

　（信号成分Ｄ１ａ）
　まず、タイミングＴ１において、歯部１１ａが磁気検出素子８０に対向した際に、信号成分Ｄ１ａは、最大値になる。

　その後、歯部１１ａが磁気検出素子８０から離れて、磁気検出素子８０に孔部１１ｂが近づく。これに伴って、磁気検出素子８０の検出磁束は、図７４において時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ１ａは、小さくなる。

　次に、タイミングＴ２において、磁気検出素子８０に孔部１１ｂが対向する。このとき、信号成分Ｄ１ａは、最小値になる。

　その後、孔部１１ｂが磁気検出素子８０から離れて、歯部１１ａが磁気検出素子８０に近づく。これに伴って、磁気検出素子８０の検出磁束は、図７４において反時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ１ａは、大きくなる。

　次に、タイミングＴ３において、歯部１１ａが磁気検出素子８０に対向した際に、磁気検出素子８０の検出磁束は、歯部１１ａ側に向く。このため、信号成分Ｄ１ａは、最大値になる。

　次に、タイミングＴ４において、磁気検出素子８０に孔部１１ｂが対向する。このとき、信号成分Ｄ１ａは、最小値になる。

　このようにクラッチ構成部１１が回転することに伴って、信号成分Ｄ１ａが正弦波状に変化する。

　（信号成分Ｄ２ａ）
　まず、タイミングＴ１において、歯部１２ａが磁気検出素子８０に対向した際に、信号成分Ｄ２ａは、最小値になる。

　その後、歯部１２ａが磁気検出素子８０から離れて、磁気検出素子８０に孔部１２ｂが近づく。これに伴って、磁気検出素子８０の検出磁束は、図７４において反時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ２ａは、大きくなる。

　次に、タイミングＴ２において、磁気検出素子８０に孔部１２ｂが対向する。このとき、信号成分Ｄ２ａは、最大値になる。

　その後、孔部１２ｂが磁気検出素子８０から離れて、歯部１２ａが磁気検出素子８０に近づく。これに伴って、磁気検出素子８０の検出磁束は、図７４において時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ２ａは、小さくなる。

　次に、タイミングＴ３において、歯部１２ａが磁気検出素子８０に対向した際に、磁気検出素子８０の検出磁束は、歯部１２ａ側に向く。このため、信号成分Ｄ２ａは、最小値になる。

　次に、タイミングＴ４において、磁気検出素子８０に孔部１２ｂが対向する。このとき、信号成分Ｄ２ａは、最大値になる。

　このようにクラッチ構成部１２が回転することに伴って、信号成分Ｄ２ａが正弦波状に変化する。

　ここで、クラッチ構成部１１、１２の間の中心線Ｚに対して位置検出装置２０の中心線Ｔおよび検出部８２が軸線方向他方側に配置されている。よって、信号成分Ｄ１ｂは、クラッチ構成部１１の基部１１ｃの影響を受ける。このため、信号成分Ｄ１ａは、信号成分Ｄ２ａに対して磁束角度θのプラス側にオフセットされている。

　これに加えて、信号成分Ｄ１ａおよび信号成分Ｄ２ａは、互いに逆位相になる波形である。このため、信号成分Ｄ１ａおよび信号成分Ｄ２ａを加算したセンサ信号Ｄａは、振幅値が小さい正弦波となる。

　次に、本実施形態において、歯部１１ａが孔部１２ｂに対向し、かつ孔部１１ｂが歯部１２ａに対向した状態で、クラッチ構成部１１、およびクラッチ構成部１２が回転した場合の磁気検出素子８０のセンサ信号Ｄａについて説明する。

　以下、当該センサ信号Ｄａに含まれる信号成分Ｄ１ａと信号成分Ｄ２ａとについて別々に図７６を参照して説明する。

　（信号成分Ｄ１ａ）
　まず、タイミングＴ５において、歯部１１ａが磁気検出素子８０に対向した際に、信号成分Ｄ１ａは、最大値になる。

　次に、タイミングＴ６において、磁気検出素子８０に孔部１１ｂが対向する。このとき、信号成分Ｄ１ａは、最小値になる。

　次に、タイミングＴ７において、歯部１１ａが磁気検出素子８０に対向した際に、磁気検出素子８０の検出磁束は、クラッチ構成部１２側に向く。このため、信号成分Ｄ１ａは、最大値になる。

　次に、タイミングＴ８において、磁気検出素子８０に孔部１１ｂが対向する。このとき、磁気検出素子８０の検出磁束は、時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ１は、最小値になる。

　このようにクラッチ構成部１１が回転することに伴って、信号成分Ｄ１が正弦波状に変化する。

　（信号成分Ｄ２ａ）
　まず、タイミングＴ５において、孔部１２ｂが磁気検出素子８０に対向した際に、信号成分Ｄ２ａは、最大値になる。

　その後、孔部１２ｂが磁気検出素子８０から離れて、磁気検出素子８０に歯部１２ａが近づく。これに伴って、磁気検出素子８０の検出磁束は、図７４において時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ２ａは、小さくなる。

　次に、タイミングＴ６において、磁気検出素子８０に歯部１２ａが対向する。このとき、信号成分Ｄ２ａは、最小値になる。

　その後、歯部１２ａが磁気検出素子８０から離れて、孔部１２ｂが磁気検出素子８０に近づく。これに伴って、磁気検出素子８０の検出磁束は、図７４において反時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ２ａは、大きくなる。

　次に、タイミングＴ７において、孔部１２ｂが磁気検出素子８０に対向した際に、信号成分Ｄ２ａは、最大値になる。

　次に、タイミングＴ８において、磁気検出素子８０に歯部１２ａが対向する。このとき、信号成分Ｄ２ａは、最小値になる。

　ここで、クラッチ構成部１１、１２の間の中心線Ｚに対して位置検出装置２０の中心線Ｔおよび検出部８２が軸線方向他方側に配置されている。よって、信号成分Ｄ１ｂは、クラッチ構成部１１の基部１１ｃの影響を受ける。このため、信号成分Ｄ１は、信号成分Ｄ２に対して磁束角度θのプラス側にオフセットされている。

　これに加えて、信号成分Ｄ１および信号成分Ｄ２は、互いに同位相になる波形である。このため、信号成分Ｄ１ａおよび信号成分Ｄ２ａを加算したセンサ信号Ｄａは、振幅値が大きな正弦波となる。本実施形態では、センサ信号Ｄａは、その最小値が零よりも大きな値になる。

　次に、本実施形態では、クラッチ構成部１２が回転した状態で、駆動源３０がクラッチ構成部１１を回転させてクラッチ構成部１２に対してクラッチ構成部１１の相対的な回転速度を変化させる場合について図７７を参照して説明する。

　図７７のタイミングＫＮｃは、クラッチ構成部１１、１２を軸線Ｓを中心として回転させた状態で、歯部１１ａ、１２ａが対向し、かつ孔部１１ｂ、１２ｂが対向したタイミングである。

　図７７のタイミングＫＴｃは、クラッチ構成部１１、１２を軸線Ｓを中心として回転させた状態で、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向したタイミングである。

　歯部１１ａ、１２ａが対向し、かつ孔部１１ｂ、１２ｂが対向したタイミングＫＮｃでは、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘｃの振幅値が最小値となる。一方、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向したタイミングＫＴｃでは、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘｃの振幅が最大値になる。

　ここで、クラッチ構成部１１、１２が係合していない状態でクラッチ構成部１１、１２が回転しているときに、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘｃの最小値が零よりも大きくなっている。

　図７７において、歯部１１ａが孔部１１ｂに嵌まり、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに嵌まってクラッチ構成部１１、１２が互いに係合がされてクラッチ構成部１１、１２が回転しているときに、センサ信号Ｘｃが時間の経過に伴って零に収束される。

　次に、制御装置５０における制御処理の詳細について図７８、図７９を参照して説明する。図７８は、制御装置５０におけるクラッチ制御処理の詳細を示すフローチャートである。図７９は、制御装置５０における係合判定処理の詳細を示すフローチャートである。
　以下、クラッチ制御処理、および係合判定処理を独立して説明する。

　（クラッチ制御処理係合判定処理）
　制御装置５０は、図７８のフローチャートにしたがって、クラッチ制御処理を実行する。

　まず、ステップＳ１００Ａにおいて、制御装置５０は、係合判定部として、磁気検出素子８０のセンサ信号に基づいて、センサ信号が閾値Ｈａ以上であるか否かを判定する。

　このとき、制御装置５０は、センサ信号が閾値Ｈａ未満であるときには、ステップＳ１００ＡにおいてＮＯと判定する。この場合、制御装置５０は、ステップＳ１２０において、クラッチ構成部１１、１２は互いに係合が不可能であるタイミングであると判定する。

　また、制御装置５０は、ステップＳ１００Ａにおいて、センサ信号が閾値Ｈａ以上であるときには、センサ信号の振幅が最大であるとして、ＹＥＳと判定する。この場合、制御装置５０は、ステップＳ１１０において、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向した状態で、クラッチ構成部１１、１２が互いに係合が可能であるタイミングであると判定する。

　この場合、制御装置５０は、ステップＳ１３０において、係合制御部として、アクチュエータ４０を制御して、クラッチ構成部１１を軸線方向一方側に移動させる。このことにより、クラッチ構成部１１がクラッチ構成部１２に係合されたことになる。

　（係合判定処理）
　制御装置５０は、図７９のフローチャートにしたがって、係合判定処理を実行する。係合判定処理は、制御装置５０によってステップＳ１３０の係合制御処理が実行される毎に、実行される。

　まず、ステップＳ１４０において、制御装置５０は、係合完了判定部として、磁気検出素子８０のセンサ信号が第１所定値（例えば、零）に収束したか否かを判定する。具体的には、制御装置５０は、センサ信号の絶対値が閾値Ｈｂ未満であるか否かを判定する。

　本実施形態の第１所定値としては、制御装置５０がステップＳ１００Ａにおいてセンサ信号が閾値Ｈａ以上であるとしてＹＥＳと判定した際の磁気検出素子８０のセンサ信号の最小値よりも小さい値である。

　このとき、制御装置５０は、センサ信号の絶対値が閾値Ｈｂ未満であるときには、磁気検出素子８０のセンサ信号が第１所定値に収束しているとして、ステップＳ１４０において、ＹＥＳと判定する。これに伴い、制御装置５０は、ステップＳ１４２において、クラッチ構成部１１、１２の係合が完了したと判定する。

　一方、制御装置５０は、センサ信号が閾値Ｈｂ以上であるときには、磁気検出素子８０のセンサ信号が第１所定値に収束していないとして、ステップＳ１４０において、ＮＯと判定する。これに伴い、制御装置５０は、ステップＳ１４３において、クラッチ構成部１１、１２の係合が未完了であると判定する。

　以上説明した本実施形態によれば、位置検出装置２０は、磁石６０Ａ、６０Ｂ、磁気検出素子８０、およびヨーク７０を備える。ヨーク７０は、クラッチ構成部１１に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置され、かつＮ極を形成する端面７３ａを形成する磁界発生部としての磁束経路部７３を備える。

　ヨーク７０は、クラッチ構成部１１、１２に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置され、かつＮ極を形成する端面７４ａを形成する磁界発生部としての磁束経路部７４を備える。磁気検出素子８０は、クラッチ構成部１１、１２に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置され、かつ磁束経路部７３、７４の間に設けられている。

　磁気検出素子８０は、端面７３ａとクラッチ構成部１１との間を通過する第１磁束と端面７４ａとクラッチ構成部１２との間を通過する第２磁束とが合成された合成磁束の磁束角度θを示すセンサ信号を出力する。

　本実施形態では、制御装置５０は、磁気検出素子８０のセンサ信号に基づいて、センサ信号の振幅が閾値以上であるか否かを判定する。このことにより、制御装置５０は、クラッチ構成部１１、１２が互いに係合が可能である係合可能タイミングであるか否かを正確に判定することができる。

　本実施形態では、制御装置５０は、磁気検出素子８０のセンサ信号が第１所定値（例えば、零）に収束したか否かを判定することにより、クラッチ構成部１１、１２の係合が完了したか否かを判定する。このことにより、クラッチ構成部１１、１２の係合が完了したか否かを正確に判定することができる。

　（第２９実施形態）
　上記第２８実施形態において、ヨーク７０の端面７３ａ、７４ａがそれぞれＮ極を形成した例について説明した。しかし、これに代えて、ヨーク７０の端面７３ａがＳ極を形成し、かつ端面７４ａがＮ極を形成した本第２９実施形態について図８０等を参照して説明する。

　本実施形態と上記第２８実施形態とでは、主にヨーク７０の端面７３ａ、７４ａの磁極の極性が異なるだけで、その他の構成が実質的に同一である。図８０において、図７３、図７４と同一符号は、同一のものを示す。

　ここで、磁束経路部７４のうち軸線Ｓを中心とする径方向内側に配置されている端面７４ａがＮ極を形成する。磁束経路部７４に対して径方向外側に磁石６０Ａが配置されている。磁石６０Ａのうち軸線Ｓを中心とする径方向内側の端面がＮ極を形成する。磁石６０Ａのうち軸線Ｓを中心とする径方向外側の端面がＳ極を形成する。

　磁束経路部７３のうち軸線Ｓを中心とする径方向内側に配置されている端面７３ａがＳ極を形成する。本実施形態では、磁束経路部７３に対して径方向外側に磁石６０Ｂが配置されている。磁石６０Ｂのうち軸線Ｓを中心とする径方向内側の端面がＳ極を形成する。磁石６０Ａのうち軸線Ｓを中心とする径方向外側の端面がＮ極を形成する。

　磁束経路部７４の端面７４ａおよび磁束経路部７３の端面７３ａは、互いに異なる極性の磁極を形成する。本実施形態では、位置検出装置２０の中心線Ｔと磁気検出素子８０の検出部８２とが、クラッチ構成部１１、１２の間の中心線Ｚに対して軸線方向の他方側にオフセットして配置されている。

　磁束経路部７４の端面７４ａは、クラッチ構成部１２に対して軸線Ｓに対して径方向外側に配置されている。端面７４ａは、歯部１２ａ、孔部１２ｂ、および基部１２ｃに対向する。

　磁束経路部７３の端面７３ａは、クラッチ構成部１１に対して軸線Ｓに対して径方向外側に配置されている。端面７３ａは、歯部１１ａ、孔部１１ｂ、および基部１１ｃに対向する。

　磁気検出素子８０は、クラッチ構成部１１、１２に対して軸線Ｓを中心とする径方向外側に配置されている。磁気検出素子８０は、磁束経路部７３、７４の間に設けられている。磁気検出素子８０は、磁束経路部７３と磁束経路部７４の間を通過する磁束の角度θを示すセンサ信号を出力する。

　次に、本実施形態では、歯部１１ａが歯部１２ａに対向し、かつ孔部１１ｂが孔部１２ｂに対向した状態で、クラッチ構成部１１、１２が回転した場合の磁気検出素子８０のセンサ信号Ｄｂについて、図８０、図８１、図８２を参照して説明する。

　ここで、図８１、図８２において、センサ信号Ｄｂのうちクラッチ構成部１１から影響を受けて変化する信号成分を信号成分Ｄ１ｂとする。センサ信号Ｄｂのうちクラッチ構成部１２から影響を受けて変化する信号成分を信号成分Ｄ２ｂとする。ここで、信号成分Ｄ１ｂおよび信号成分Ｄ２ｂを加算した信号がセンサ信号Ｄｂとなる。

　図８０では、磁気検出素子８０の検出部８２で検出される磁束の向きを示す矢印Ｆで表す。磁束経路部７４から検出部８２を通過して磁束経路部７３に向かう矢印を矢印Ｙｃとする。矢印Ｙｃが磁束角度θの零度を示す基準向きを示している。磁束角度θは、矢印Ｙｃと矢印Ｆとの間に形成される角度となる。磁束の向きを示す矢印Ｆが反時計回りに回転するほど、磁束角度θが小さくなり、磁束の向きを示す矢印Ｆが時計回りに回転するほど、磁束角度θが大きくなる。

　図８０では、矢印Ｆと矢印Ｙｃとが軸線Ｓを中心とする円周方向他方側を指して磁束角度θが零となる場合を示している。図８０では、矢印Ｆと矢印Ｙｃとが図中左側を指している場合を示している。

　以下、センサ信号Ｄｂに含まれる信号成分Ｄ１ｂと信号成分Ｄ２ｂとについて別々に図８０、図８１を参照して説明する。

　（信号成分Ｄ１ｂ）
　まず、タイミングＴ１において、歯部１１ａが磁気検出素子８０に対向した際に、信号成分Ｄ１ｂは、最大値になる。

　その後、歯部１１ａが磁気検出素子８０から離れて、磁気検出素子８０に孔部１１ｂが近づく。これに伴って、磁気検出素子８０の検出磁束は、図８０において、反時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ１bは、小さくなる。

　次に、タイミングＴ２において、磁気検出素子８０に孔部１１ｂが対向する。このとき、信号成分Ｄ１は、最小値になる。

　その後、孔部１１ｂが磁気検出素子８０から離れて、歯部１１ａが磁気検出素子８０に近づく。これに伴って、磁気検出素子８０の検出磁束は、図８０において、時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ１bは、大きくなる。

　次に、タイミングＴ３において、歯部１１ａが磁気検出素子８０に対向した際に、信号成分Ｄ１bは、最大値になる。

　その後、歯部１１ａが磁気検出素子８０から離れて、磁気検出素子８０に孔部１１ｂが近づく。これに伴って、磁気検出素子８０の検出磁束は、図８０において、反時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ１は、小さくなる。

　次に、タイミングＴ４において、磁気検出素子８０に孔部１１ｂが対向する。このとき、信号成分Ｄ１は、最小値になる。

　（信号成分Ｄ２ｂ）
　まず、タイミングＴ１において、歯部１２ａが磁気検出素子８０に対向した際に、信号成分Ｄ２ｂは、最小値になる。

　その後、歯部１２ａが磁気検出素子８０から離れて、磁気検出素子８０に孔部１２ｂが近づく。これに伴って、磁気検出素子８０の検出磁束は、図８０において、時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ２は、大きくなる。

　次に、タイミングＴ２において、磁気検出素子８０に孔部１２ｂが対向する。このとき、信号成分Ｄ２ｂは、最大値になる。

　その後、孔部１２ｂが磁気検出素子８０から離れて、歯部１２ａが磁気検出素子８０に近づく。これに伴って、磁気検出素子８０の検出磁束は、図８０において、反時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ２ｂは、小さくなる。

　次に、タイミングＴ３において、歯部１２ａが磁気検出素子８０に対向した際に、信号成分Ｄ２ｂは、最小値になる。

　その後、歯部１２ａが磁気検出素子８０から離れて、磁気検出素子８０に孔部１２ｂが近づく。これに伴って、磁気検出素子８０の検出磁束は、図８０において、時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ２ｂは、大きくなる。

　次に、タイミングＴ４において、磁気検出素子８０に孔部１２ｂが対向する。このとき、信号成分Ｄ２ｂは、最大値になる。

　このようにクラッチ構成部１２が回転することに伴って、信号成分Ｄ２ｂが正弦波状に変化する。

　ここで、クラッチ構成部１１、１２の間の中心線Ｚに対して位置検出装置２０の中心線Ｔおよび検出部８２が軸線方向他方側に配置されている。よって、信号成分Ｄ１ｂは、クラッチ構成部１１の基部１１ｃの影響を受ける。このため、信号成分Ｄ１ｂは、信号成分Ｄ２ｂに対して磁束角度θのプラス側にオフセットされている。

　これに加えて、信号成分Ｄ１および信号成分Ｄ２は、互いに逆位相になる波形である。このため、信号成分Ｄ１ｂおよび信号成分Ｄ２ｂを加算したセンサ信号Ｄｂは、振幅値が小さい正弦波となる。

　次に、本実施形態において、歯部１１ａが孔部１２ｂに対向し、かつ孔部１１ｂが歯部１２ａに対向した状態で、クラッチ構成部１１、およびクラッチ構成部１２が回転した場合の磁気検出素子８０のセンサ信号Ｄｂについて説明する。

　以下、センサ信号Ｄｂに含まれる信号成分Ｄ１ｂと信号成分Ｄ２ｂについて別々に図８０、図８２を参照して説明する。

　（信号成分Ｄ１ｂ）
　まず、タイミングＴ５において、歯部１１ａが磁気検出素子８０に対向した際に、信号成分Ｄ１ｂは、最大値になる。

　その後、歯部１１ａが磁気検出素子８０から離れて、磁気検出素子８０に孔部１１ｂが近づく。これに伴って、磁気検出素子８０の検出磁束は、図８０において、反時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ１ｂは、小さくなる。

　次に、タイミングＴ６において、磁気検出素子８０に孔部１１ｂが対向する。このとき、信号成分Ｄ１ｂは、最小値になる。

　その後、孔部１１ｂが磁気検出素子８０から離れて、歯部１１ａが磁気検出素子８０に近づく。これに伴って、磁気検出素子８０の検出磁束は、図８０において、時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ１ｂは、大きくなる。

　次に、タイミングＴ７において、歯部１１ａが磁気検出素子８０に対向した際に、信号成分Ｄ１ｂは、最大値になる。

　その後、歯部１１ａが磁気検出素子８０から離れて、磁気検出素子８０に孔部１１ｂが近づく。これに伴って、磁気検出素子８０の検出磁束は、図８０において、時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ１ｂは、小さくなる。

　次に、タイミングＴ８において、磁気検出素子８０に孔部１１ｂが対向した際に、信号成分Ｄ１ｂは、最小値になる。

　このようにクラッチ構成部１１が回転することに伴って、信号成分Ｄ１ｂが正弦波状に変化する。

　（信号成分Ｄ２ｂ）
　まず、タイミングＴ５において、孔部１２ｂが磁気検出素子８０に対向した際に、信号成分Ｄ２ｂは、最大値になる。

　その後、孔部１２ｂが磁気検出素子８０から離れて、磁気検出素子８０に歯部１２ａが近づく。これに伴って、磁気検出素子８０の検出磁束は、図８０において、反時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ２ｂは、小さくなる。

　次に、タイミングＴ６において、磁気検出素子８０に歯部１２ａが対向する。このとき、信号成分Ｄ２ｂは、最小値になる。

　その後、歯部１２ａが磁気検出素子８０から離れて、孔部１２ｂが磁気検出素子８０に近づく。これに伴って、磁気検出素子８０の検出磁束は、図８０において、時計回りに回転する。このため、信号成分Ｄ２ｂは、大きくなる。

　次に、タイミングＴ７において、孔部１２ｂが磁気検出素子８０に対向した際に、信号成分Ｄ２ｂは、最大値になる。

　次に、タイミングＴ８において、磁気検出素子８０に歯部１２ａが対向する。このとき、信号成分Ｄ２ｂは、最小値になる。

　ここで、クラッチ構成部１１、１２の間の中心線Ｚに対して位置検出装置２０の中心線Ｔおよび検出部８２が軸線方向一方側に配置されている。よって、信号成分Ｄ１ｂは、クラッチ構成部１１の基部１１ｃの影響を受ける。このため、信号成分Ｄ１ｂは、信号成分Ｄ２ｂに対して磁束角度θのプラス側にオフセットされている。

　これに加えて、信号成分Ｄ１ｂおよび信号成分Ｄ２ｂは、互いに同位相になる波形である。このため、信号成分Ｄ１ｂおよび信号成分Ｄ２bを加算したセンサ信号Ｄｂは、振幅値が大きな正弦波となる。

　本実施形態では、クラッチ構成部１１、１２が係合していない状態でクラッチ構成部１１、１２が回転しているときに、センサ信号Ｄｂは、その最小値が零よりも大きくなっている。

　次に、本実施形態において、クラッチ構成部１１、１２が回転した状態で、駆動源３０がクラッチ構成部１１を回転させてクラッチ構成部１２に対してクラッチ構成部１１の相対的な回転速度を変化させる場合について図８３を参照して説明する。

　図８３のタイミングＫＮｄは、クラッチ構成部１１、１２を軸線Ｓを中心として回転させた状態で、歯部１１ａ、１２ａが対向し、かつ孔部１１ｂ、１２ｂが対向したタイミングである。

　図８３のタイミングＫＴｄは、クラッチ構成部１１、１２を軸線Ｓを中心として回転させた状態で、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向したタイミングである。

　歯部１１ａ、１２ａが対向し、かつ孔部１１ｂ、１２ｂが対向したタイミングＫＮｄでは、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘｄの振幅値が最小値となる。一方、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向したタイミングＫＴｄでは、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘｄの振幅は、最大値になる。

　ここで、クラッチ構成部１１、１２が係合していない状態でクラッチ構成部１１、１２が回転しているときに、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘｄの最小値が零よりも大きくなっている。

　図８３において、歯部１１ａが孔部１１ｂに嵌まり、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに嵌まってクラッチ構成部１１、１２が互いに係合がされた状態には、センサ信号Ｘｃが時間の経過に伴って零に収束される。

　図８３において、符号Ｄｔは、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘｄの直流成分を示している。クラッチ構成部１１、１２が互いに係合がされていない場合には、センサ信号Ｘｄの直流成分は正値になっている。クラッチ構成部１１、１２が互いに係合がされた状態には、時間の経過に伴ってセンサ信号Ｘｄの直流成分は零に収束される。

　次に、制御装置５０における制御処理の詳細について図７８、図７９を参照して説明する。

　制御装置５０は、上記第２８実施形態と同様に、図７８のフローチャートにしたがって、クラッチ制御処理を実行する。

　このため、ステップＳ１００Ａにおいて、制御装置５０は、センサ信号の振幅が閾値未満であるときには、ステップＳ１００においてＮＯと判定する。この場合、制御装置５０は、ステップＳ１２０において、クラッチ構成部１１、１２は互いに係合が不可能であるタイミングであると判定する。

　制御装置５０は、ステップＳ１００Ａにおいて、センサ信号の振幅が閾値以上であるときには、センサ信号の振幅が最大であるとして、ＹＥＳと判定する。この場合、制御装置５０は、ステップＳ１１０において、歯部１１ａが孔部１１ｂに対向し、かつ歯部１２ａが孔部１２ｂに対向した状態で、クラッチ構成部１１、１２が互いに係合が可能であるタイミングであると判定する。

　制御装置５０は、上記第２８実施形態と同様に、図７９のフローチャートにしたがって、係合判定処理を実行する。

　このため、制御装置５０は、磁気検出素子８０のセンサ信号が第１所定値（例えば、零）に収束したか否かを判定する。具体的には、制御装置５０は、センサ信号が閾値Ｈｂ未満であるときには、磁気検出素子８０のセンサ信号が第１所定値に収束しているとして、ステップＳ１４０において、ＹＥＳと判定する。これに伴い、制御装置５０は、ステップＳ１４２において、クラッチ構成部１１、１２の係合が完了したと判定する。

　以上説明した本実施形態によれば、上記第２８実施形態と同様に、回転方向において、クラッチ構成部１１とクラッチ構成部１２との位置関係を検出する位置検出装置２０を提供することができる。

　（他の実施形態）
　（１）上記第１、第７実施形態では、位置検出装置２０の磁石６０として永久磁石を用いた例について説明したが、これに代えて、位置検出装置２０の磁石６０として電気磁石を用いてもよい。

　（２）上記第２～第６、第８～第２９実施形態では、位置検出装置２０の磁石６０Ａ、６０Ｂとして永久磁石を用いた例について説明したが、これに代えて、位置検出装置２０の磁石６０Ａ、６０Ｂとして電気磁石を用いてもよい。

　（３）上記第１、第７の実施形態では、位置検出装置２０において、１つの磁石を用いた例について説明し、上記第２～第６、第８～第２９実施形態では、位置検出装置２０において、２つの磁石を用いた例について説明した。

　しかし、これに代えて、上記第２～第６、第８～第２５実施形態では、位置検出装置２０において、３つ以上の磁石を用いてもよい。

　さらに、上記第２６～第２９実施形態では、位置検出装置２０において、２つの磁石を用いた例について説明したが、これに代えて、上記第１、第７の実施形態と同様に、１つの磁石を用いて位置検出装置２０を構成してもよい。

　（４）上記第１１、第１２実施形態では、位置検出装置２０において、ヨーク７０の磁束経路部７５に隙間７５ｄを設けた例について説明した。これに代えて、ヨーク７０の磁束経路部７４、７３に隙間を設けてもよい。

　（５）上記第１１、第１２実施形態では、位置検出装置２０において、ヨーク７０を磁束の通過方向に分割するための隙間７５ｄをヨーク７０に設けた例について説明した。

　しかし、これと同様に、上記第１～第１０、第１３～第２９実施形態においても、位置検出装置２０において、ヨーク７０に隙間を設けてもよい。

　（６）上記第１～第２９実施形態では、ホール素子で磁気検出素子８０を構成した例について説明したが、これに限らず、ＴＭＲ素子、ＧＭＲ素子、ＡＭＲ素子等の磁気抵抗素子で磁気検出素子８０を構成してもよい。

　（７）上記第１～第２９実施形態では、アクチュエータ４０がクラッチ構成部１１を軸線方向一方側に移動させてクラッチ構成部１１をクラッチ構成部１２に接続する例について説明したが、これに代えて、次のようにしてもよい。

　例えば、アクチュエータ４０がクラッチ構成部１２を軸線方向他方側に移動させてクラッチ構成部１２をクラッチ構成部１１に接続させる。

　或いは、アクチュエータ４０がクラッチ構成部１２を軸線方向他方側に移動させ、かつクラッチ構成部１１を軸線方向一方側に移動させることにより、クラッチ構成部１２、１１を接続させる。

　（８）上記第１、第６実施形態では、磁石６０の面６２を径方向内側に向け、磁石６０の面６１を径方向外側に向けて配置されている例について説明した。しかし、これに代えて、磁石６０の面６１を径方向内側に向け、磁石６０の面６２を径方向外側に向けて配置してもよい。

　（９）上記第２６、第２８実施形態では、磁石６０Ａのうち径方向内側をＮ極とし、磁石６０Ａのうち径方向外側をＳ極とし、磁石６０Ｂのうち径方向内側をＮ極とし、磁石６０Ｂのうち径方向外側をＳ極とした例について説明した。

　これに代えて、磁石６０Ａのうち径方向内側をＳ極とし、磁石６０Ａのうち径方向外側をＮ極とし、磁石６０Ｂのうち径方向内側をＳ極とし、磁石６０Ｂのうち径方向外側をＮ極としてもよい。この場合、ヨーク７０の端面７３ａがＳ極を形成し、かつヨーク７０の端面７４ａがＳ極を形成する。

　（１０）上記第２７、第２９実施形態において、磁石６０Ａのうち径方向内側をＮ極とし、磁石６０Ａのうち径方向外側をＳ極とし、磁石６０Ｂのうち径方向内側をＳ極とし、磁石６０Ｂのうち径方向外側をＮ極とした例について説明した。

　しかし、これに代えて、磁石６０Ａのうち径方向内側をＳ極とし、磁石６０Ａのうち径方向外側をＮ極とし、磁石６０Ｂのうち径方向内側をＮ極とし、磁石６０Ｂのうち径方向外側をＳ極としてもよい。

　この場合、ヨーク７０の端面７３ａがＮ極を形成し、かつヨーク７０の端面７４ａがＳ極を形成する。

　（１１）上記第２８、第２９実施形態において、位置検出装置２０の中心線Ｔと検出部８２とがクラッチ構成部１１、１２の間の中心線Ｚに対して軸線方向の他方側にオフセットして配置されている例について説明した。

　しかし、これに代えて、位置検出装置２０の中心線Ｔと検出部８２とをクラッチ構成部１１、１２の間の中心線Ｚに対して軸線方向の一方側にオフセットして配置してもよい。

　この場合、クラッチ構成部１２が回転した状態で、駆動源３０がクラッチ構成部１１を回転させてクラッチ構成部１２に対してクラッチ構成部１１の相対的な回転速度を変化させる場合に磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘは、図８４に示すようになる。

　ここで、クラッチ構成部１１、１２が係合していない状態でクラッチ構成部１１、１２が回転しているときに、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘの最大値が零よりも小さくなっている。

　制御装置５０は、上記第２８、第２９実施形態と同様に、図７９のフローチャートにしたがって、係合判定処理を実行する。

　このため、制御装置５０は、磁気検出素子８０のセンサ信号が第１所定値（例えば、零）に収束したか否かを判定する。具体的には、制御装置５０は、センサ信号が閾値Ｈｃ以上であるときには、磁気検出素子８０のセンサ信号が第１所定値に収束しているとして、ステップＳ１４０において、ＹＥＳと判定する。これに伴い、制御装置５０は、ステップＳ１４２において、クラッチ構成部１１、１２の係合が完了したと判定する。

　一方、制御装置５０は、センサ信号が閾値Ｈｃ未満であるときには、磁気検出素子８０のセンサ信号が第１所定値に収束していないとして、ステップＳ１４０において、ＮＯと判定する。これに伴い、制御装置５０は、ステップＳ１４３において、クラッチ構成部１１、１２の係合が未完了であると判定する。

　（１２）上記第２８、第２９実施形態において、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘはその最小値が零より大きい場合について説明した。

　しかし、位置検出装置２０の中心線Ｔ、検出部８２、および中心線Ｚの配置関係と、クラッチ構成部１１、１２の形状とによっては、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘは、図８５、或いは図８６に示すようになる場合がある。

　図８５、図８６は、クラッチ構成部１２が回転した状態で、駆動源３０がクラッチ構成部１１を回転させてクラッチ構成部１２に対してクラッチ構成部１１の相対的な回転速度を変化させる場合における磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘを示す。

　図８５は、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘは、その最大値が零よりも大きく、かつ最小値が零よりも小さくなっている。図８５において、信号Ｄｔは、センサ信号Ｘｃの直流成分を示している。クラッチ構成部１１、１２が互いに係合がされていない場合には、センサ信号Ｘの直流成分は正値になっている。クラッチ構成部１１、１２が互いに係合がされた状態には、センサ信号Ｘの直流成分は第２所定値（例えば、零）に収束される。

　図８６は、磁気検出素子８０のセンサ信号Ｘは、その最大値が零よりも大きく、かつ最小値が零よりも小さくなっている。図８６において、信号Ｄｔは、センサ信号Ｘｃの直流成分を示している。クラッチ構成部１１、１２が互いに係合がされていない場合には、センサ信号Ｘの直流成分は負値になっている。クラッチ構成部１１、１２が互いに係合がされた状態には、センサ信号Ｘの直流成分は第２所定値（例えば、零）に収束される。

　このような場合に、制御装置５０は、図８７のフローチャートにしたがって、係合判定処理を実行する。係合判定処理は、制御装置５０によってステップＳ１３０の係合制御処理が実行される毎に、実行される。

　まず、ステップＳ１４０Ａにおいて、制御装置５０は、係合完了判定部として、磁気検出素子８０のセンサ信号のうち直流成分を抽出し、この抽出した直流成分の絶対値が第２所定値（例えば、零）に収束したか否かを判定する。

　本実施形態では、第２所定値は、クラッチ構成部１１、１２が係合していない状態で、クラッチ構成部１１、１２が回転した場合の磁気検出素子８０のセンサ信号のうち直流成分の絶対値よりも小さい値である。

　具体的には、制御装置５０は、センサ信号のうち直流成分の絶対値が閾値Ｈｄ未満であるか否かを判定する。

　このとき、制御装置５０は、センサ信号のうち直流成分の絶対値が閾値Ｈｄ未満であるときには、磁気検出素子８０のセンサ信号のうち直流成分が第２所定値に収束しているとして、ステップＳ１４０において、ＹＥＳと判定する。これに伴い、制御装置５０は、ステップＳ１４２において、クラッチ構成部１１、１２の係合が完了したと判定する。

　一方、制御装置５０は、センサ信号のうち直流成分の絶対値が閾値Ｈｄ以上であるときには、磁気検出素子８０のセンサ信号のうち直流成分が第２所定値に収束していないとして、ステップＳ１４０において、ＮＯと判定する。これに伴い、制御装置５０は、ステップＳ１４３において、クラッチ構成部１１、１２の係合が未完了であると判定する。

　（１３）上記第１～第２９実施形態において、制御装置５０がマイクロコンピュータから構成されている例について説明した。これに代えて、マイクロコンピュータ以外の例えばゲートアレイ等の各種のハードウエア構成からなる電子回路によって制御装置５０を構成してもよい。

　（１４）上記第１～第２９実施形態において、複数の歯部１２ａ、複数の孔部１１ｂ、複数の歯部１２ａ、および複数の孔部１２ｂが大気にさらされている例について説明した。

　しかし、これに代えて、大気以外の気体、或いは液体に対して複数の歯部１２ａ、複数の孔部１１ｂ、複数の歯部１２ａ、および複数の孔部１２ｂがさらされるようにしてもよい。

　（１５）上記第２８、第２９実施形態において、制御装置５０が、磁気検出素子８０のセンサ信号が第１所定値に収束したか否かを判定することにより、クラッチ構成部１１、１２の係合が完了したか否かを判定した例について説明した。

　これに代えて、上記（１２）と同様に、制御装置５０が、センサ信号のうち直流成分の絶対値が第２所定値に収束したか否かを判定することにより、制御装置５０は、クラッチ構成部１１、１２の係合が完了したと判定してもよい。

　（１６）なお、本開示は上記した実施形態に限定されるものではなく、適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。

　（まとめ）
　上記第１～第２９の実施形態、および他の実施形態の一部または全部に記載された第１の観点によれば、動力伝達システムは、ドグクラッチを備え、ドグクラッチは、第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部を備える。

　第１クラッチ構成部は、所定方向を軸線方向としたとき、軸線方向に延びる軸線を中心として回転可能に構成され、軸線方向一方側に凹む第１孔部と軸線方向他方側に凸となる第１歯部とが軸線を中心とする周方向に交互に並べられている。

　第２クラッチ構成部は、第１クラッチ構成部に対して軸線方向他方側に配置され、軸線を中心として回転可能に構成され、軸線方向の他方側に凹む第２孔部と軸線方向一方側に凸となる第２歯部とが軸線を中心とする周方向に交互に並べられている。

　駆動源が第１クラッチ構成部を軸線を中心として回転させた状態で、アクチュエータが第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部のうち一方を他方側に移動させて第１歯部を第２孔部に入れ、かつ第１孔部内に第２歯部を入れる。

　このことにより、駆動源から出力される回転力を第１クラッチ構成部から第２クラッチ構成部に伝達させる。

　位置検出装置は、第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、互いに異なる極性を形成する第１磁極部および第２磁極部を有する磁界発生部を備える。

　位置検出装置は、ヨークおよび磁気検出素子を備える。ヨークは、第１歯部或いは第１孔部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置される第１端面を有し、かつ第１端面および第１磁極部の間にて磁束を通過させる第１磁束経路部を備える。

　ヨークは、第２歯部或いは第２孔部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置される第２端面を有し、かつ第２磁極部および第２端面の間にて磁束を通過させる第２磁束経路部とを備える。

　磁気検出素子は、第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置されている。磁気検出素子は、第１磁束経路部および第２磁束経路部の間に設けられ、第１磁束経路部および第２磁束経路部の間で通過する磁束の向きを示すセンサ信号を出力する。

　磁気検出素子は、軸線を中心とする回転方向において、第１クラッチ構成部の第１孔部、第１歯部と第２クラッチ構成部の第２孔部、第２歯部との位置関係によって磁束の向きが変化することにより、センサ信号として位置関係を示す信号を出力する。

　第２の観点によれば、磁界発生部は、第１磁極部および第２磁極部を有する１つの磁石を備える。

　したがって、低コストで位置検出装置を構成することができる。

　第３の観点によれば、磁界発生部は、第１磁極部、および第１磁極部と異なる極性を有する第３磁極部を備える第１磁石と、第２磁極部、および第２磁極部と異なる極性を有する第４磁極部を備える第２磁石とを備える。

　第１磁石の第３磁極部および第２磁石の第４磁極部の間で磁束を通過させる第３磁束経路部を備える。第１磁極部と第４磁極部とは、同一の極性を有している。第３磁極部と第２磁極部とは、同一の極性を有する。

　これにより、２つの磁石を用いて磁界発生部を構成しているため、磁界発生部から発生される磁束を増やすことができる。このため、位置検出装置のロバスト性を高めることができる。したがって、上記位置関係の変化に伴って磁束の変化も大きくすることができる。

　これに加えて、１つの磁石を用いて磁界発生部を構成する場合に比べて、磁石自体の体格を小さくすることができるため、位置検出装置の小型化を図ることができる。

　具体的には、第４の観点によれば、磁気検出素子は、第１歯部が第２孔部に対向し、かつ第１端面が第１歯部に対向し、さらに第２端面が第２孔部に対向した状態で、磁束の向きとしての第１向きを示すセンサ信号を出力する。

　磁気検出素子は、第１歯部が第２歯部に対向し、かつ第１端面が第１歯部に対向し、さらに第２端面が第２歯部に対向した状態で、磁束の向きとしての第２向きを示すセンサ信号を出力する。

　磁気検出素子は、第１孔部が第２孔部に対向し、かつ第１端面が第１孔部に対向し、さらに第２端面が第２孔部に対向した状態で、第２向きを示すセンサ信号を出力する。

　磁気検出素子は、第１孔部が第２歯部に対向し、かつ第１端面が第１孔部に対向し、さらに第２端面が第２歯部に対向した状態で、磁束の向きとしての第３向きを示すセンサ信号を出力する。

　第１向き、第２向き、および第３向きは、それぞれ、異なる向きである。

　第５の観点によれば、動力伝達システムは、ドグクラッチを備え、ドグクラッチは、第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部を備える。

　位置検出装置は、第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、互いに同一の極性を形成する第１磁極部および第２磁極部を有する磁界発生部を備える。

　位置検出装置は、ヨークおよび磁気検出素子を備える。ヨークは、第１歯部或いは第１孔部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置される第１端面を有し、かつ第１端面および第１磁極部の間で磁束を通過させる第１磁束経路部を備える。

　ヨークは、第２歯部或いは第２孔部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置される第２端面を有し、かつ第２端面および第２磁極部の間で磁束を通過させる第２磁束経路部を備える。

　磁気検出素子は、第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ第１磁束経路部および第２磁束経路部の間に設けられている。

　磁気検出素子は、第１クラッチ構成部および第１磁束経路部の間で通過する第１磁束と第２クラッチ構成部および第２磁束経路部の間で通過する第２磁束とを合成した合成磁束の向きを示すセンサ信号を出力する。

　磁気検出素子は、軸線を中心とする回転方向において、第１クラッチ構成部の第１孔部、第１歯部と第２クラッチ構成部の第２孔部、第２歯部との位置関係によって合成磁束の向きが変化することにより、センサ信号として位置関係を示す信号を出力する。

　第６の観点によれば、磁界発生部は、第１磁極部、および第１磁極部と異なる極性を有する第３磁極部を備える第１磁石と、第２磁極部、および第２磁極部と異なる極性を有する第４磁極部を備える第２磁石とを備える。第３磁極部と第４磁極部とは、同一の極性を有する。

　具体的には、第７の観点によれば、磁気検出素子は、第１歯部が第２孔部に対向し、かつ第１端面が第１歯部に対向し、さらに第２端面が第２孔部に対向した状態で、合成磁束の向きとしての第１向きを示すセンサ信号を出力する。

　磁気検出素子は、第１歯部が第２歯部に対向し、かつ第１端面が第１歯部に対向し、さらに第２端面が第２歯部に対向した状態で、合成磁束の向きとしての第２向きを示すセンサ信号を出力する。

　磁気検出素子は、第１孔部が第２歯部に対向し、かつ第１端面が第１孔部に対向し、さらに第２端面が第２歯部に対向した状態で、合成磁束の向きとしての第３向きを示すセンサ信号を出力する。

　第８の観点によれば、第１磁束経路部は、軸線を中心とする径方向内側から径方向外側に向かうほど軸線方向一方側から軸線方向他方側に向かうように形成されている第１対向面を有している。

　第２磁束経路部は、軸線を中心とする径方向内側から径方向外側に向かうほど軸線方向他方側から軸線方向一方側に向かうように形成されている第２対向面を有する
　第９の観点によれば、第１磁束経路部は、軸線を中心とする径方向内側から径方向外側に向かうほど軸線方向他方側から軸線方向一方側に向かうように形成されている第１対向面を有している。

　第２磁束経路部は、軸線を中心とする径方向内側から径方向外側に向かうほど軸線方向一方側から前記軸線方向他方側に向かうように形成されている第２対向面を有している。

　第１０の観点によれば、第１磁束経路部は、第１端面から軸線を中心とする径方向外側に亘って形成されている第１経路構成部と、第１経路構成部から磁気検出素子に向けて凸となる第１突出部とを備える。

　第２磁束経路部は、第２端面から軸線を中心とする径方向外側に亘って形成されている第２経路構成部と、第２経路構成部から磁気検出素子に向けて凸となる第２突出部とを備える。

　したがって、第１磁束経路部および第２磁束経路部の間で磁気検出素子を通過する磁束を増やすことができる。

　第１１の観点によれば、第１磁束経路部は、軸線方向一方側に形成されている第１側面と、軸線方向他方側に形成されている第２側面とを有している。軸線を中心とする径方向において磁気検出素子に近づくほど第１側面および第２側面の間の距離が小さくなるように第１側面が形成されている。

　第２磁束経路部は、軸線方向一方側に形成されている第３側面と、軸線方向他方側に形成されている第４側面とを有している。軸線を中心とする径方向において磁気検出素子に近づくほど第３側面および第４側面の間の距離が小さくなるように第４側面が形成されている。

　第１２の観点によれば、磁気検出素子は、第１端面および第２端面から軸線を中心とする径方向内側に突出するように形成されている。

　このため、上記位置関係の変化に伴って磁束の向きが大きく変化する部位に磁気検出素子を配置することができる。したがって、上記位置関係の変化を磁気検出素子によって良好に検出することができる。これにより、位置検出装置のロバスト性を高めることができる。

　第１３の観点によれば、位置検出装置は、第１磁極形成部と第２磁極形成部とを備える磁界発生部を備える。第１磁極形成部は、クリアランスに対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ磁極を形成する第１端面を形成する。

　第２磁極形成部は、クリアランスに対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ第１磁極形成部に対して軸線を中心とする周方向にずれて配置され、磁極を形成する第２端面を形成する。

　磁気検出素子は、第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ第１磁極形成部および第２磁極形成部の間に設けられ、磁界発生部によって発生される磁束の向きを示すセンサ信号を出力する。

　磁気検出素子は、軸線を中心とする回転方向において、第１クラッチ構成部の第１孔部、第１歯部と第２クラッチ構成部の第２孔部、第２歯部との位置関係によってセンサ信号の振幅が変化することにより、センサ信号として位置関係を示す信号を出力する。

　第１４の観点によれば、第１磁極形成部の第１端面と第２磁極形成部の第２端面とは、互いに同じ極性の磁極を形成する。

　磁界発生部によって発生される磁束は、第１端面とクリアランスとの間を通過する第１磁束と第２端面とクリアランスとの間を通過する第２磁束とが合成された合成磁束である。

　第１５の観点によれば、第１磁極形成部の第１端面と第２磁極形成部の第２端面とは、互いに異なる極性の磁極を形成する。磁界発生部によって発生される磁束は、第１磁極形成部および第２磁極形成部の間を通過する磁束である。

　第１６の観点によれば、　位置検出装置は、センサ信号の振幅に基づいて、第２歯部が第１孔部に対向し、かつ第１歯部が第２孔部に対向している状態であるか否かを判定する係合判定部を備える。

　位置検出装置は、第２歯部が第１孔部に対向し、かつ第１歯部が第２孔部に対向している状態であると係合判定部が判定したとき、アクチュエータを制御する係合制御部を備える。

　係合制御部は、アクチュエータを制御して第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部のうち一方を他方側に移動させて第１歯部を第２孔部に入れ、かつ第１孔部内に第２歯部を入れる。

　第１７の観点によれば、係合判定部は、センサ信号の振幅が閾値以下であるか否かを判定することにより、第２歯部が第１孔部に対向し、かつ第１歯部が第２孔部に対向している状態であるか否かを判定する。

　これにより、第２歯部が第１孔部に対向し、かつ第１歯部が第２孔部に対向している状態であるか否かを正確に判定することができる。

　第１８の観点によれば、位置検出装置は、第１磁極形成部と第２磁極形成部とを有する磁界発生部を備える。第１磁極形成部は、第１歯部或いは第１孔部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、磁極を形成する第１端面を形成する。第２磁極形成部と、第２歯部或いは第２孔部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、磁極を形成する第２端面を形成する。

　磁気検出素子は、第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部に対して軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ第１磁極形成部、および第２磁極形成部の間に配置され、磁界発生部によって発生される磁束の向きを示すセンサ信号を出力する。

　磁気検出素子は、軸線を中心とする回転方向において、第１クラッチ構成部の第１孔部、第１歯部と第２クラッチ構成部の第２孔部、第２歯部との位置関係によってセンサ信号の振幅が変化する。このことにより、磁気検出素子は、センサ信号として位置関係を示す信号を出力する。

　第１９の観点によれば、第１磁極形成部の第１端面と第２磁極形成部の第２端面とは、互いに同じ極性の磁極を形成する。磁界発生部によって発生される磁束は、第１クラッチ構成部および第１磁極形成部の間で通過する第１磁束と第２クラッチ構成部および第２磁極形成部の間で通過する第２磁束とを合成した合成磁束である。

　第２０の観点によれば、第１磁極形成部の第１端面と第２磁極形成部の第２端面とは、互いに異なる極性の磁極を形成する。

　磁界発生部によって発生される磁束は、第１磁極形成部および第２磁極形成部の間を通過する磁束である。

　第２１の観点によれば、磁気検出素子は、磁界発生部によって発生される磁束の向きを検出してセンサ信号を出力する検出部を備える。

　第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部の間の中間部を通過して軸線方向に直交する方向に延びる仮想線を、第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部の中心線とする。

　第１磁極形成部および第２磁極形成部の間の中間部を通過して軸線方向に直交する方向に延びる仮想線を、第１磁極形成部および第２磁極形成部の中心線とする。

　第１磁極形成部および第２磁極形成部の中心線と、検出部とは、第１クラッチ構成部および第２クラッチ構成部の中心線に対して軸線方向の一方側、或いは他方側にずれて配置されている。

　第２２の観点によれば、位置検出装置は、センサ信号の振幅に基づいて、第２歯部が第１孔部に対向し、かつ第１歯部が第２孔部に対向している状態であるか否かを判定する係合判定部を備える。

　第２３の観点によれば、位置検出装置は、センサ信号が所定値に収束したか否かを判定することにより、第１歯部が第２孔部に入り、かつ第１孔部内に第２歯部が入る係合が完了したか否かを判定する係合完了判定部を備える。

　これにより、センサ信号の直流成分を用いて、第１歯部が第２孔部に入り、かつ第１孔部内に第２歯部が入る係合が完了したか否かを正確に判定することができる。

　第２４の観点によれば、位置検出装置は、センサ信号の直流成分が所定値に収束したか否かを判定することにより、第１歯部が第２孔部に入り、かつ第１孔部内に第２歯部が入る係合が完了したか否かを判定する係合完了判定部を備える。

　第２５の観点によれば、第１歯部および第２歯部は、鉄を含む材料によって構成されており、第１孔部および第２孔部は、大気に曝されている。

Claims

　所定方向を軸線方向としたとき、前記軸線方向に延びる軸線を中心として回転可能に構成され、軸線方向一方側に凹む第１孔部（１２ｂ）と軸線方向他方側に凸となる第１歯部（１２ａ）とが前記軸線を中心とする周方向に交互に並べられている第１クラッチ構成部（１２）と、前記第１クラッチ構成部に対して軸線方向他方側に配置され、前記軸線を中心として回転可能に構成され、前記軸線方向の他方側に凹む第２孔部（１１ｂ）と前記軸線方向一方側に凸となる第２歯部（１１ａ）とが前記軸線を中心とする周方向に交互に並べられている第２クラッチ構成部（１１）と、を備えるドグクラッチ（１０）を備え、
　駆動源（３０）が前記第１クラッチ構成部を前記軸線を中心として回転させた状態で、アクチュエータ（４０）が前記第１クラッチ構成部および前記第２クラッチ構成部のうち一方を他方側に移動させて前記第１歯部を前記第２孔部に入れ、かつ前記第１孔部内に前記第２歯部を入れて前記駆動源から出力される回転力を前記第１クラッチ構成部から前記第２クラッチ構成部に伝達させる動力伝達システム（１）に適用される位置検出装置であって、
　前記第１クラッチ構成部および前記第２クラッチ構成部に対して前記軸線を中心とする径方向外側に配置され、互いに異なる極性を形成する第１磁極部（６２）および第２磁極部（６１）を有する磁界発生部（６０、６０Ａ、６０Ｂ、７５）と、
　前記第１歯部或いは前記第１孔部に対して前記軸線を中心とする径方向外側に配置される第１端面（７２ｃ、７４ａ）を有し、かつ前記第１端面および前記第１磁極部の間にて磁束を通過させる第１磁束経路部（７２、７４）と、前記第２歯部或いは前記第２孔部に対して前記軸線を中心とする径方向外側に配置される第２端面（７１ｃ、７３ａ）を有し、かつ前記第２磁極部および前記第２端面の間にて前記磁束を通過させる第２磁束経路部（７１、７３）とを備えるヨーク（７０）と、
　前記第１クラッチ構成部および前記第２クラッチ構成部に対して前記軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ前記第１磁束経路部および前記第２磁束経路部の間に設けられ、前記第１磁束経路部および前記第２磁束経路部の間で通過する前記磁束の向きを示すセンサ信号を出力する磁気検出素子（８０）と、を備え、
　前記磁気検出素子は、前記軸線を中心とする回転方向において、前記第１クラッチ構成部の前記第１孔部、前記第１歯部と前記第２クラッチ構成部の前記第２孔部、前記第２歯部との位置関係によって前記磁束の向きが変化することにより、前記センサ信号として前記位置関係を示す信号を出力する位置検出装置。
　前記磁界発生部は、前記第１磁極部および前記第２磁極部を有する１つの磁石（６０）を備える請求項１に記載の位置検出装置。
　前記磁界発生部は、
　前記第１磁極部（６２）、および前記第１磁極部と異なる極性を有する第３磁極部（６１）を備える第１磁石（６０Ａ）と、
　前記第２磁極部（６１）、および前記第２磁極部と異なる極性を有する第４磁極部（６２）を備える第２磁石（６０Ｂ）と、
　前記第１磁石の前記第３磁極部および前記第２磁石の前記第４磁極部の間で磁束を通過させる第３磁束経路部（７５）と、を備え、
　前記第１磁極部（６２）と前記第４磁極部（６２）とは、同一の極性を有し、
　前記第３磁極部（６１）と前記第２磁極部（６１）とは、同一の極性を有する請求項１に記載の位置検出装置。
　前記磁気検出素子は、前記第１歯部が前記第２孔部に対向し、かつ前記第１端面が前記第１歯部に対向し、さらに前記第２端面が前記第２孔部に対向した状態で、前記磁束の向きとしての第１向き（Ｂ）を示す前記センサ信号を出力し、
　前記磁気検出素子は、前記第１歯部が前記第２歯部に対向し、かつ前記第１端面が前記第１歯部に対向し、さらに前記第２端面が前記第２歯部に対向した状態で、前記磁束の向きとしての第２向き（Ａ）を示す前記センサ信号を出力し、
　前記磁気検出素子は、前記第１孔部が前記第２孔部に対向し、かつ前記第１端面が前記第１孔部に対向し、さらに前記第２端面が前記第２孔部に対向した状態で、前記第２向きを示す前記センサ信号を出力し、
　前記磁気検出素子は、前記第１孔部が前記第２歯部に対向し、かつ前記第１端面が前記第１孔部に対向し、さらに前記第２端面が前記第２歯部に対向した状態で、前記磁束の向きとしての第３向き（Ｃ）を示す前記センサ信号を出力し、
　前記第１向き、前記第２向き、および前記第３向きは、それぞれ、異なる向きである請求項１ないし３のいずれかに記載の位置検出装置。
　所定方向を軸線方向としたとき、前記軸線方向に延びる軸線を中心として回転可能に構成され、軸線方向一方側に凹む第１孔部（１２ｂ）と軸線方向他方側に凸となる第１歯部（１２ａ）とが前記軸線を中心とする周方向に交互に並べられている第１クラッチ構成部（１２）と、前記第１クラッチ構成部に対して軸線方向他方側に配置され、前記軸線を中心として回転可能に構成され、前記軸線方向の他方側に凹む第２孔部（１１ｂ）と前記軸線方向一方側に凸となる第２歯部（１１ａ）とが前記軸線を中心とする周方向に交互に並べられている第２クラッチ構成部（１１）と、を備えるドグクラッチ（１０）を備え、
　駆動源（３０）が前記第１クラッチ構成部を前記軸線を中心として回転させた状態で、アクチュエータ（４０）が前記第１クラッチ構成部および前記第２クラッチ構成部のうち一方を他方側に移動させて前記第１歯部を前記第２孔部に入れ、かつ前記第１孔部内に前記第２歯部を入れて前記駆動源から出力される回転力を前記第１クラッチ構成部から前記第２クラッチ構成部に伝達させる動力伝達システム（１）に適用される位置検出装置であって、
　前記第１クラッチ構成部および前記第２クラッチ構成部に対して前記軸線を中心とする径方向外側に配置され、互いに同一の極性を形成する第１磁極部（６１、６２）および第２磁極部（６１、６２）を有する磁界発生部（６０Ａ、６０Ｂ、７５）と、
　前記第１歯部或いは前記第１孔部に対して前記軸線を中心とする径方向外側に配置される第１端面（７４ａ）を有し、かつ前記第１端面および前記第１磁極部の間で磁束を通過させる第１磁束経路部（７４）と、前記第２歯部或いは前記第２孔部に対して前記軸線を中心とする径方向外側に配置される第２端面（７３ａ）を有し、かつ前記第２端面および前記第２磁極部の間で磁束を通過させる第２磁束経路部（７３）とを備えるヨーク（７０）と、
　前記第１クラッチ構成部および前記第２クラッチ構成部に対して前記軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ前記第１磁束経路部および前記第２磁束経路部の間に設けられ、前記第１クラッチ構成部および前記第１磁束経路部の間で通過する第１磁束と前記第２クラッチ構成部および前記第２磁束経路部の間で通過する第２磁束とを合成した合成磁束の向きを示すセンサ信号を出力する磁気検出素子（８０）と、を備え、
　前記磁気検出素子は、前記軸線を中心とする回転方向において、前記第１クラッチ構成部の前記第１孔部、前記第１歯部と前記第２クラッチ構成部の前記第２孔部、前記第２歯部との位置関係によって前記合成磁束の向きが変化することにより、前記センサ信号として前記位置関係を示す信号を出力する位置検出装置。
　前記磁界発生部は、
　前記第１磁極部、および前記第１磁極部と異なる極性を有する第３磁極部（６１、６２）を備える第１磁石（６０Ａ）と、
　前記第２磁極部、および前記第２磁極部と異なる極性を有する第４磁極部（６１、６２）を備える第２磁石（６０Ｂ）と、を備え、
　前記第３磁極部（６１、６２）と前記第４磁極部（６１、６２）とは、同一の極性を有する請求項５に記載の位置検出装置。
　前記磁気検出素子は、前記第１歯部が前記第２孔部に対向し、かつ前記第１端面が前記第１歯部に対向し、さらに前記第２端面が前記第２孔部に対向した状態で、前記合成磁束の向きとしての第１向き（Ｅ、Ｈ）を示す前記センサ信号を出力し、
　前記磁気検出素子は、前記第１歯部が前記第２歯部に対向し、かつ前記第１端面が前記第１歯部に対向し、さらに前記第２端面が前記第２歯部に対向した状態で、前記合成磁束の向きとしての第２向き（Ｄ、Ｇ）を示す前記センサ信号を出力し、
　前記磁気検出素子は、前記第１孔部が前記第２孔部に対向し、かつ前記第１端面が前記第１孔部に対向し、さらに前記第２端面が前記第２孔部に対向した状態で、前記第２向きを示す前記センサ信号を出力し、
　前記磁気検出素子は、前記第１孔部が前記第２歯部に対向し、かつ前記第１端面が前記第１孔部に対向し、さらに前記第２端面が前記第２歯部に対向した状態で、前記合成磁束の向きとしての第３向き（Ｆ、Ｉ）を示す前記センサ信号を出力し、
　前記第１向き、前記第２向き、および前記第３向きは、それぞれ、異なる向きである請求項５または６に記載の位置検出装置。
　前記第１磁束経路部は、前記軸線を中心とする径方向内側から径方向外側に向かうほど前記軸線方向一方側から前記軸線方向他方側に向かうように形成されている第１対向面（７４ｂ、７２ｄ）を有し、
　前記第２磁束経路部は、前記軸線を中心とする径方向内側から径方向外側に向かうほど前記軸線方向他方側から前記軸線方向一方側に向かうように形成されている第２対向面（７３ｂ、７１ｄ）を有する請求項１ないし７のいずれかに記載の位置検出装置。
　前記第１磁束経路部は、前記軸線を中心とする径方向内側から径方向外側に向かうほど前記軸線方向他方側から前記軸線方向一方側に向かうように形成されている第１対向面（７４ｂ）を有し、
　前記第２磁束経路部は、前記軸線を中心とする径方向内側から径方向外側に向かうほど前記軸線方向一方側から前記軸線方向他方側に向かうように形成されている第２対向面（７３ｂ）を有している請求項１ないし７のいずれかに記載の位置検出装置。
　前記第１磁束経路部は、前記第１端面から前記軸線を中心とする径方向外側に亘って形成されている第１経路構成部（７４ｅ）と、前記第１経路構成部から前記磁気検出素子に向けて凸となる第１突出部（７４ｄ）とを備え、
　前記第２磁束経路部は、前記第２端面から前記軸線を中心とする径方向外側に亘って形成されている第２経路構成部（７３ｅ）と、前記第２経路構成部から前記磁気検出素子に向けて凸となる第２突出部（７３ｄ）とを備える請求項１ないし７のいずれかに記載の位置検出装置。
　前記第１磁束経路部は、前記軸線方向一方側に形成されている第１側面（７８ａ）と、前記軸線方向他方側に形成されている第２側面（７８ｂ）と、を有し、
　前記軸線を中心とする径方向において前記磁気検出素子に近づくほど前記第１側面および前記第２側面の間の距離が小さくなるように前記第１側面が形成されており、
　前記第２磁束経路部は、前記軸線方向一方側に形成されている第３側面（７９ｂ）と、前記軸線方向他方側に形成されている第４側面（７９ａ）と、を有し、
　前記軸線を中心とする径方向において前記磁気検出素子に近づくほど前記第３側面および前記第４側面の間の距離が小さくなるように前記第４側面が形成されている請求項１ないし７のいずれかに記載の位置検出装置。
　前記磁気検出素子は、前記第１端面および前記第２端面から前記軸線を中心とする径方向内側に突出するように形成されている請求項１ないし１１のいずれかに記載の位置検出装置。
　所定方向を軸線方向としたとき、前記軸線方向に延びる軸線を中心として回転可能に構成され、軸線方向一方側に凹む第１孔部（１２ｂ）と軸線方向他方側に凸となる第１歯部（１２ａ）とが前記軸線を中心とする周方向に交互に並べられている第１クラッチ構成部（１２）と、前記第１クラッチ構成部に対してクリアランス（１３）を介して軸線方向他方側に配置され、前記軸線を中心として回転可能に構成され、前記軸線方向の他方側に凹む第２孔部（１１ｂ）と前記軸線方向一方側に凸となる第２歯部（１１ａ）と、が前記軸線を中心とする周方向に交互に並べられている第２クラッチ構成部（１１）と、を備えるドグクラッチ（１０）を備え、
　駆動源（３０）が前記第１クラッチ構成部を前記軸線を中心として回転させた状態で、アクチュエータ（４０）が前記第１クラッチ構成部および前記第２クラッチ構成部のうち一方を他方側に移動させて前記第１歯部を前記第２孔部に入れ、かつ前記第１孔部内に前記第２歯部を入れて前記駆動源から出力される回転力を前記第１クラッチ構成部から前記第２クラッチ構成部に伝達させる動力伝達システム（１）に適用される位置検出装置であって、
　前記クリアランスに対して前記軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ磁極を形成する第１端面（７３ａ）を形成する第１磁極形成部（７３）と、前記クリアランスに対して前記軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ前記第１磁極形成部に対して前記軸線を中心とする周方向にずれて配置され、磁極を形成する第２端面（７４ａ）を形成する第２磁極形成部（７４）とを備える磁界発生部（７０）と、
　前記第１クラッチ構成部および前記第２クラッチ構成部に対して前記軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ前記第１磁極形成部および前記第２磁極形成部の間に設けられ、前記磁界発生部によって発生される磁束の向きを示すセンサ信号を出力する磁気検出素子（８０）と、を備え、
　前記磁気検出素子は、前記軸線を中心とする回転方向において、前記第１クラッチ構成部の前記第１孔部、前記第１歯部と前記第２クラッチ構成部の前記第２孔部、前記第２歯部との位置関係によって前記センサ信号の振幅が変化することにより、前記センサ信号として前記位置関係を示す信号を出力する位置検出装置。
　前記第１磁極形成部の前記第１端面と前記第２磁極形成部の前記第２端面とは、互いに同じ極性の磁極を形成し、
　前記磁界発生部によって発生される磁束は、前記第１端面と前記クリアランスとの間を通過する第１磁束と前記第２端面と前記クリアランスとの間を通過する第２磁束とが合成された合成磁束である請求項１３に記載の位置検出装置。
　前記第１磁極形成部の前記第１端面と前記第２磁極形成部の前記第２端面とは、互いに異なる極性の磁極を形成し、
　前記磁界発生部によって発生される磁束は、前記第１磁極形成部および前記第２磁極形成部の間を通過する磁束である請求項１３に記載の位置検出装置。
　前記センサ信号の振幅に基づいて、前記第２歯部が前記第１孔部に対向し、かつ前記第１歯部が前記第２孔部に対向している状態であるか否かを判定する係合判定部（Ｓ１００）を備え、
　前記第２歯部が前記第１孔部に対向し、かつ前記第１歯部が前記第２孔部に対向している状態であると前記係合判定部が判定したとき、前記アクチュエータを制御して前記第１クラッチ構成部および前記第２クラッチ構成部のうち一方を他方側に移動させて前記第１歯部を前記第２孔部に入れ、かつ前記第１孔部内に前記第２歯部を入れる係合制御部（Ｓ１３０）と、
　を備える請求項１３、１４、１５のいずれかに記載の位置検出装置。
　前記係合判定部は、前記センサ信号の振幅が閾値以下であるか否かを判定することにより、前記第２歯部が前記第１孔部に対向し、かつ前記第１歯部が第２孔部に対向している状態であるか否かを判定する請求項１６に記載の位置検出装置。
　所定方向を軸線方向としたとき、前記軸線方向に延びる軸線を中心として回転可能に構成され、軸線方向一方側に凹む第１孔部（１２ｂ）と軸線方向他方側に凸となる第１歯部（１２ａ）とが前記軸線を中心とする周方向に交互に並べられている第１クラッチ構成部（１２）と、前記第１クラッチ構成部に対して軸線方向他方側に配置され、前記軸線を中心として回転可能に構成され、前記軸線方向の他方側に凹む第２孔部（１１ｂ）と前記軸線方向一方側に凸となる第２歯部（１１ａ）とが前記軸線を中心とする周方向に交互に並べられている第２クラッチ構成部（１１）と、を備えるドグクラッチ（１０）を備え、
　駆動源（３０）が前記第１クラッチ構成部を前記軸線を中心として回転させた状態で、アクチュエータ（４０）が前記第１クラッチ構成部および前記第２クラッチ構成部のうち一方を他方側に移動させて前記第１歯部を前記第２孔部に入れ、かつ前記第１孔部内に前記第２歯部を入れて前記駆動源から出力される回転力を前記第１クラッチ構成部から前記第２クラッチ構成部に伝達させる動力伝達システム（１）に適用される位置検出装置であって、
　前記第１歯部或いは前記第１孔部に対して前記軸線を中心とする径方向外側に配置され、磁極を形成する第１端面（７３ａ）を形成する第１磁極形成部（７３）と、前記第２歯部或いは前記第２孔部に対して前記軸線を中心とする径方向外側に配置され、磁極を形成する第２端面（７４ａ）を形成する第２磁極形成部（７４）とを有する磁界発生部（７０）と、
　前記第１クラッチ構成部および前記第２クラッチ構成部に対して前記軸線を中心とする径方向外側に配置され、かつ前記第１磁極形成部、および前記第２磁極形成部の間に配置され、前記磁界発生部によって発生される磁束の向きを示すセンサ信号を出力する磁気検出素子（８０）と、を備え、
　前記磁気検出素子は、前記軸線を中心とする回転方向において、前記第１クラッチ構成部の前記第１孔部、前記第１歯部と前記第２クラッチ構成部の前記第２孔部、前記第２歯部との位置関係によって前記センサ信号の振幅が変化することにより、前記センサ信号として前記位置関係を示す信号を出力する位置検出装置。
　前記第１磁極形成部の前記第１端面と前記第２磁極形成部の前記第２端面とは、互いに同じ極性の磁極を形成し、
　前記磁界発生部によって発生される磁束は、前記第１クラッチ構成部および前記第１磁極形成部の間で通過する第１磁束と前記第２クラッチ構成部および前記第２磁極形成部の間で通過する第２磁束とを合成した合成磁束である請求項１８に記載の位置検出装置。
　前記第１磁極形成部の前記第１端面と前記第２磁極形成部の前記第２端面とは、互いに異なる極性の磁極を形成し、
　前記磁界発生部によって発生される磁束は、前記第１磁極形成部および前記第２磁極形成部の間を通過する磁束である請求項１８に記載の位置検出装置。
　前記磁気検出素子は、前記磁界発生部によって発生される磁束の向きを検出して前記センサ信号を出力する検出部（８２）を備え、
　前記第１クラッチ構成部および前記第２クラッチ構成部の間の中間部を通過して前記軸線方向に直交する方向に延びる仮想線を、前記第１クラッチ構成部および前記第２クラッチ構成部の中心線（Ｚ）とし、
　前記第１磁極形成部および前記第２磁極形成部の間の中間部を通過して前記軸線方向に直交する方向に延びる仮想線を、前記第１磁極形成部および前記第２磁極形成部の中心線（Ｔ）としたとき、
　前記第１磁極形成部および前記第２磁極形成部の前記中心線と、前記検出部とは、前記第１クラッチ構成部および前記第２クラッチ構成部の前記中心線に対して前記軸線方向の一方側、或いは他方側にずれて配置されている請求項１８、１９、２０のいずれかに記載の位置検出装置。
　前記センサ信号の振幅に基づいて、前記第２歯部が前記第１孔部に対向し、かつ前記第１歯部が前記第２孔部に対向している状態であるか否かを判定する係合判定部（Ｓ１００Ａ）を備え、
　前記第２歯部が前記第１孔部に対向し、かつ前記第１歯部が前記第２孔部に対向している状態であると前記係合判定部が判定したとき、前記アクチュエータを制御して前記第１クラッチ構成部および前記第２クラッチ構成部のうち一方を他方側に移動させて前記第１歯部を前記第２孔部に入れ、かつ前記第１孔部内に前記第２歯部を入れる係合制御部（Ｓ１３０）と、
　を備える請求項１８ないし２１のいずれかに記載の位置検出装置。
　前記センサ信号が所定値に収束したか否かを判定することにより、前記第１歯部が前記第２孔部に入り、かつ前記第１孔部内に前記第２歯部が入る係合が完了したか否かを判定する係合完了判定部（Ｓ１４０Ａ）を備える請求項２２に記載の位置検出装置。
　前記センサ信号の直流成分が所定値に収束したか否かを判定することにより、前記第１歯部が前記第２孔部に入り、かつ前記第１孔部内に前記第２歯部が入る係合が完了したか否かを判定する係合完了判定部（Ｓ１４０Ａ）を備える請求項２２に記載の位置検出装置。
　前記第１歯部および前記第２歯部は、鉄を含む材料によって構成されており、
　前記第１孔部および前記第２孔部は、大気に曝されている請求項１ないし２４のいずれかに記載の位置検出装置。