WO2021090691A1 - センシングデバイスおよび測距装置 - Google Patents

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Abstract

［課題］環境の照度に関わらず、高い精度でフォトンを検出することが可能なセンシングデバイスを提供する。 ［解決手段］本開示によるセンシングデバイスは、光検出器と、前記光検出器と第１基準電位との間に接続された負荷素子と、前記光検出器と前記負荷素子との間のノードの電圧に応じてオンする第１導電型の第１トランジスタと、前記第１トランジスタの電流または第２信号線の電圧に応じて前記第１基準電位と前記第１トランジスタとの間をオンする第１導電型の第２トランジスタと、前記第２信号線の電圧に応じて前記第１トランジスタと第２基準電位との間をオンする第２導電型の第３トランジスタと、前記第１トランジスタと前記第３トランジスタとの間のノードと第４信号線との間に接続された第１インバータとを備える。

Description

センシングデバイスおよび測距装置
　本開示は、センシングデバイスおよび測距装置に関する。
　車載、モバイルなど複数の分野において、光源からの照射光が物体で反射し、検出器に戻ってくるまでの飛行時間（ＴｏＦ）に基づき、物体までの距離を測定するセンシングデバイスの応用が進められている。センシングデバイスで使われる受光素子として、アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）が知られている。ガイガーモードのＡＰＤでは、端子間に降伏電圧以上の電圧が印加され、単一フォトンの入射でアバランシェ現象が発生する。単一フォトンをアバランシェ現象で増倍させるＡＰＤは、シングルフォトンアバランシェダイオード（ＳＰＡＤ）とよばれる。
　ＳＰＡＤでは、端子間の電圧を降伏電圧まで下げることによって、アバランシェ現象を止めることができる。端子間の電圧を下げ、アバランシェ現象を止めることは、クエンチとよばれる。そして、ＳＰＡＤの端子間の電圧を降伏電圧以上のバイアス電圧にリチャージすると、再びフォトンの検出が行えるようになる。
　例えば、高照度の環境では、センシングデバイスのリチャージができなくなったり、リチャージ時間が長くなったりする場合がある。この場合、フォトン検出の精度が低下してしまう。高い精度で測距をするために、幅広いダイナミックレンジに対応したセンシングデバイスおよび測距装置が求められている。
　そこで、本開示は、環境の照度に関わらず、高い精度でフォトンを検出することが可能なセンシングデバイスおよび測距装置を提供する。
　本開示の一態様によるセンシングデバイスは、光検出器と、前記光検出器と第１基準電位との間に接続された負荷素子と、前記光検出器と前記負荷素子との間の第１信号線の電圧に応じてオンする第１導電型の第１トランジスタと、前記第１トランジスタの電流または第２信号線の電圧に応じて前記第１基準電位と前記第１トランジスタとの間をオンする第１導電型の第２トランジスタと、前記第２信号線の電圧に応じて前記第１トランジスタと第２基準電位との間をオンする第２導電型の第３トランジスタと、前記第１トランジスタと前記第３トランジスタとの間の第３信号線と第４信号線との間に接続された第１インバータとを備えていてもよい。
　前記第４信号線の電圧に応じて前記第２信号線にパルスを出力するように構成されたパルス生成器をさらに備えていてもよい。
　前記パルス生成器は、前記第４信号線の電圧レベルが変化すると時間遅れをもって前記第２信号線にパルスを出力するように構成されていてもよい。
　前記負荷素子と前記光検出器との間に接続された第１抵抗器と、前記第１抵抗器に直列に接続された第１導電型の第４トランジスタとをさらに備えていてもよい。
　前記第２信号線に接続された第２インバータをさらに備え、前記負荷素子は、第１導電型の第５トランジスタであり、前記第５トランジスタは、前記第２インバータの出力電圧に応じてオンするものであってもよい。
　前記第２信号線の電圧に応じて前記第２基準電位と前記第２信号線との間をオンする第２導電型の第６トランジスタとをさらに備え、前記負荷素子は、前記第２信号線の電圧に応じてオンする第１導電型の第５トランジスタであってもよい。
　前記パルス生成器は、第１遅延器と、前記第１遅延器に直列に接続された第２遅延器と、前記第２遅延器の後段に接続されたＡＮＤ回路と、前記第１遅延器と前記ＡＮＤ回路との間に接続された第３インバータとを含み、前記第１遅延器は、前記第４信号線に接続され、前記ＡＮＤ回路の後段は、前記第２信号線に接続されていてもよい。
　前記パルス生成器は、インバータチェインを含んでいてもよい。
　前記パルス生成器は、フリップフロップと、前記フリップフロップのＱ端子に接続された第４インバータをと含み、前記フリップフロップのＤ端子は、前記第４信号線に接続され、前記第４インバータの出力側は、前記第２信号線に接続されていてもよい。
　前記パルス生成器は、ソース接地の２段増幅回路と、前記２段増幅回路の初段に接続された第１電流源と、前記２段増幅回路の第２段に接続された第２電流源と、前記２段増幅回路の初段と前記２段増幅回路の第２段との間を接続するコンデンサと、前記２段増幅回路の初段に接続された第５インバータとを含み、前記２段増幅回路の入力端子は、前記第４信号線に接続され、前記第５インバータの出力端子は、前記第２信号線に接続されていてもよい。
　前記光検出器が実装されている第１基板は、その他の素子が実装されている第２基板と、Ｃｕ－Ｃｕ接続を介して電気的に接続されていてもよい。
　前記光検出器は、アバランシェフォトダイオードであってもよい。
　本開示の一態様による測距装置は、複数のセンシングデバイスを備える測距装置であって、光源と、複数の前記センシングデバイスの出力電圧の論理和を出力するように構成された論理回路と、前記光源より光が照射されたタイミングと前記論理回路から出力される信号とに基づき、物体との距離を計測するように構成された計測回路とを備えていてもよい。
　複数の前記センシングデバイスの前記第２信号線に接続されており、少なくともいずれかの前記センシングデバイスの前記第４信号線から前記計測回路に入力される信号に基づき、前記第２信号線にパルスを出力するように構成された制御回路をさらに備えていてもよい。
　本開示の一態様によるセンシングデバイスは、光検出器と、前記光検出器と第１基準電位との間に接続された負荷素子と、第５信号線の電圧に応じて前記光検出器と第６信号線との間をオンする第２導電型の第７トランジスタと、前記第５信号線の電圧に応じて前記第１基準電位と前記第７トランジスタとの間をオンする第１導電型の第８トランジスタと、前記第６信号線の電圧に応じて前記第１基準電位と第７信号線との間をオンする第１導電型の第９トランジスタと、第８信号線の電圧に応じて前記第７信号線と第２基準電位との間をオンする第２導電型の第１０トランジスタと、前記第７信号線と第９信号線の間に接続された第６インバータとを備え、前記第５信号線は、前記第９信号線に接続されていてもよい。
　前記第９信号線の電圧に応じて前記第８信号線にパルスを出力するように構成されたパルス生成器をさらに備えていてもよい。
　前記負荷素子と前記光検出器との間に接続された第１抵抗器と、前記第１抵抗器に直列に接続された第１導電型の第４トランジスタとをさらに備えていてもよい。
　第１制御電極に印加される電圧に応じて前記第１基準電位と前記第９トランジスタとの間をオンする第１１トランジスタをさらに備えていてもよい。
　第２制御電極に印加される電圧に応じて前記第７信号線と前記第１０トランジスタとの間をオンする第１２トランジスタをさらに備えていてもよい。
　本開示の一態様によるセンシングデバイスは、光検出器と、前記光検出器と第１基準電位との間に接続された負荷素子と、第５信号線の電圧に応じて前記光検出器と第６信号線との間をオンする第２導電型の第７トランジスタと、前記第５信号線の電圧に応じて前記第１基準電位と前記第７トランジスタとの間をオンする第１導電型の第８トランジスタと、前記第６信号線の電圧に応じて前記第１基準電位と第７信号線との間をオンする第１導電型の第９トランジスタと、第８信号線の電圧に応じて前記第７信号線と第２基準電位との間をオンする第２導電型の第１０トランジスタと、前記第７信号線に接続された第６インバータと、前記第６インバータと第９信号線の間に接続された第７インバータと、前記第９信号線に接続された第３遅延器と、前記第３遅延器の出力電圧および第１０信号線の電圧のＮＯＲを前記第８信号線に出力するように構成されたＮＯＲ回路と、前記第９信号線の電圧および前記第８信号線の電圧のＮＡＮＤを前記第５信号線に出力するように構成されたＮＡＮＤ回路とを備えていてもよい。
本開示によるセンシングデバイスの例を概略的に示したブロック図。 センシングデバイスを用いた測距の例を模式的に示した図。 本開示によるセンシングデバイスの例を詳細に示した回路図。 本開示によるセンシングデバイスにおける電圧信号およびフォトンカウント数の例を示したグラフ。 極性を反転したセンシングデバイスの例を示したブロック図。 一部の構成要素が省略されたセンシングデバイスの例を示したブロック図。 図３のセンシングデバイスの例を詳細に示した回路図。 図３のセンシングデバイスにおける電圧信号およびフォトンカウント数の例を示したグラフ。 図３のセンシングデバイスにおけるパルスの例を示したグラフ。 本開示によるセンシングデバイスにおけるパルスの例を示したグラフ。 変形例１によるセンシングデバイスの例を示した回路図。 変形例２によるセンシングデバイスの例を示した回路図。 変形例３によるセンシングデバイスの例を示した回路図。 変形例４によるセンシングデバイスの例を示した回路図。 変形例５によるセンシングデバイスの例を示した回路図。 遅延器を含むパルス生成器の例を示した回路図。 図１６のパルス生成器を含むセンシングデバイスにおける信号波形の例を示すグラフ。 インバータチェインを含むパルス生成器の例を示した回路図。 フリップフロップを含むパルス生成器の例を示した回路図。 図１９のパルス生成器を含むセンシングデバイスにおける信号波形の例を示すグラフ。 ソース接地の増幅器を含むパルス生成器の例を示した回路図。 変形例６によるセンシングデバイスの例を示した回路図。 変形例６によるセンシングデバイスの信号波形の例を示したグラフ。 変形例７によるセンシングデバイスの例を示した回路図。 変形例８によるセンシングデバイスの例を示した回路図。 変形例９によるセンシングデバイスの例を示した回路図。 変形例９によるセンシングデバイスの例を示した回路図。 Ｃｕ－Ｃｕ接続によってセンシングデバイスを実装した例を示す斜視図。 ｄＴｏＦによる測距に対応した回路の例を示した回路図。 カウンタおよびＴＤＣを含む回路の例を概略的に示した図。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
　以下に添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
　図１のブロック図は、本開示によるセンシングデバイスの例を概略的に示している。図１のセンシングデバイス１は、検出器５と、クエンチ部６と、検出部９とを備えている。検出部Ｄ１は、内部の構成要素として、切替部２と、初期化部３と、増幅部４とを備えている。検出器５として、例えば、フォトダイオードなどの光検出器を使うことができる。以下では、検出器５として、シングルフォトンアバランシェダイオード（ＳＰＡＤ）が使われた場合を例に説明をする。ただし、検出器５として、その他の物理的な情報を検出するセンサを使ってもよい。センシングデバイス１を計測回路７と組み組み合わせた測距装置９０を実装することが可能である。
　図２は、センシングデバイスを用いた測距の例を模式的に示している。図２には、光源９１および測距装置９０を用いて、物体８０までの距離を求める場合が示されている。光源９１は、光ｅｍを物体８０に向けて照射する。測距装置９０は、センシングデバイス１によって光ｅｍの物体８０上での反射光ｒｌを検出する。図２に示した物体８０は、自動車となっているが、物体の種類については、問わない。以下では、図１および図２を参照しながら、本開示によるセンシングデバイスを説明する。
　検出器５にフォトンが入射されると、アバランシェ現象が発生し、信号線Ｖｉ１における電圧が変化する。クエンチ部６では、電流に応じた電圧降下が発生するため、検出器５の端子間電圧は、降伏電圧まで低下し、アバランシェ現象が停止する。切替部２は、フォトンの応答信号の検出を行う検出動作と、自身の内部状態をリセットするリセット動作との切り替えを行う。初期化部３は、リセット動作時に検出部９内の電圧レベルを変更し、検出部９が再度フォトンを検出できるようにする。
　検出部９は、検出動作時に検出器５でフォトンとの反応が起こると、信号線Ｖｏｕｔより対応するパルスを出力する。検出部９（センシングデバイス１）の後段には、バッファＢｕｆを介して計測回路７が接続されている。バッファＢｕｆは、サンプラ回路ともよばれ、検出部９から出力された信号をデジタル化する。図１に示したように、複数のセンシングデバイスおよびバッファＢｕｆが計測回路７に接続されていてもよい。
　計測回路７は、例えば、ＴＤＣ（Ｔｉｍｅ　ｔｏ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）およびヒストグラム生成器を備えている。ＴＤＣは、信号線ＴＩＭから入力された光の照射時刻ｔ０に関する情報に基づき、光の照射時刻ｔ０からフォトンの入射時刻ｔ１までの時間を計測する。この時間は、光源９１から照射された光ｅｍが物体８０で反射し、検出器５に戻ってくるまでの飛行時間（ＴｏＦ）に相当する。ヒストグラム生成器は、複数回にわたる飛行時間の計測結果を蓄積し、ヒストグラムを生成する。複数回にわたって飛行時間の計測を行うことにより、背景光（外乱光）と、光源から照射した光の反射光ｒｌとを識別することが可能となる。ヒストグラムの生成時には、複数回にわたる飛行時間の計測結果の平均などの演算が行われてもよい。ヒストグラムのピークを求めることにより、センシングデバイス１と、物体８０との間の距離を計算することが可能となる。例えば、光速度をｃとすると、センシングデバイス１と物体８０までの距離をＬ＝ｃ／２（ｔ１－ｔ０）の式によって計算することができる。なお、ここで述べた計測回路７の処理は一例にしかすぎない。したがって、計測回路７は、これとは異なる内容の処理を行ってもよい。
　例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ　Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｇａｔｅ　Ａｒｒａｙ）、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｓｐｅｃｉｆｉｃ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）などのハードウェア回路をよって計測回路７を実装することができる。ただし、計測回路７の機能は、ＣＰＵ（中央処理装置）と、ＣＰＵ上で実行されるプログラムによって実装されていてもよい。計測回路７は、プログラムおよびプログラムの実行に必要なデータを保存するメモリまたはストレージを含んでいてもよい。
　図３の回路図は、センシングデバイス１に相当する回路の例を示している。図３の回路１００は、フォトダイオードＰＤと、パルス生成器８と、トランジスタ１０と、トランジスタ１１と、トランジスタ１２と、トランジスタ１３と、トランジスタ１４と、インバータ３０とを備えている。トランジスタ１０、トランジスタ１１およびトランジスタ１３は、Ｐ－ＭＯＳトランジスタである。トランジスタ１２およびトランジスタ１４は、Ｎ－ＭＯＳトランジスタである。フォトダイオードＰＤは、上述の検出器５の一例である。トランジスタ１０は、上述のクエンチ部６に相当する。なお、トランジスタ１０は、フォトダイオードＰＤの負荷素子に相当する。負荷素子として、トランジスタ１０に代わり、抵抗器を配置してもよい。また、回路１００の信号線Ｖｉ１より後段の部分は、上述の検出部９に相当する。
　はじめに、回路１００の構成について説明する。
　トランジスタ１０、トランジスタ１１およびトランジスタ１３のソースは、電源電位Ｖｄｄに接続されている。一方、トランジスタ１０のドレインは、フォトダイオードＰＤのカソードに接続されている。また、フォトダイオードＰＤのカソードは、信号線Ｖｉ１を介してトランジスタ１２のソースに接続されている。フォトダイオードＰＤのアノードには、電圧Ｖａｎが印加されている。フォトダイオードＰＤのカソード／アノード間（端子間）に、降伏電圧以上の逆電圧が印加されるよう、電圧Ｖａｎの値を決めることができる。トランジスタ１２のドレインは、トランジスタ１１のドレインおよびトランジスタ１３のゲートに接続されている。信号線Ｖｉ２は、トランジスタ１１のドレインおよびトランジスタ１２のドレインの間のノードと、トランジスタ１３のゲートとを接続する。
　トランジスタ１３のドレインは、信号線Ｖｉ３を介してインバータ３０の入力端子およびトランジスタ１４のドレインに接続されている。インバータ３０の出力端子には、信号線Ｖｏｕｔが接続されている。また、インバータ３０の出力端子は、パルス生成器８の入力端子にも接続されている。さらに、インバータ３０の出力端子は、信号線ＦＢを介してトランジスタ１１のゲートおよびトランジスタ１２のゲートにも接続されている。一方、トランジスタ１４のゲートは、信号線ＩＮＩを介してパルス生成器８の出力端子に接続されている。トランジスタ１４のソースは、グラウンド電位に接続されている。グラウンド電位として、例えば、回路１００の基準電位、信号線の基準電位、接地電位を用いることができる。ただし、グラウンド電位として使われる電位の種類については、問わない。なお、回路１００には、信号線Ｖｉ３と、グラウンド電位との間の寄生容量Ｃｐが示されている。なお、トランジスタ１０、トランジスタ１１およびトランジスタ１３のソースは、いずれも共通の電源電位Ｖｄｄに接続されていてもよい。また、トランジスタ１０、トランジスタ１１およびトランジスタ１３のうち、少なくともいずれかのソースは、異なる電源電位に接続されていてもよい。
　図４は、センシングデバイス１における電圧信号およびフォトンカウント数の例を示している。図４のグラフ６１は、回路１００の信号線Ｖｉ１における電圧波形を示している。グラフ６１の線ｔｈは、インバータ３０のしきい値電圧を示している。グラフ６２は、回路１００の信号線Ｖｉ２における電圧波形を示している。グラフ６３は、回路１００の信号線Ｖｏｕｔにおける電圧波形を示している。一方、グラフ６４は、回路１００の計測回路７におけるフォトンカウント数の例を示している。図１７、図２０および図２３も、信号線Ｖｉ１、信号線Ｖｉ２および信号線Ｖｉ３における電圧波形の例を示している。
　次に、回路１００の動作を説明する。
　フォトダイオードＰＤがフォトンと反応し、フォトダイオードＰＤのカソード／アノード間の電流が増えると、トランジスタ１０のソース／ドレイン間における電圧降下に応じて、信号線Ｖｉ１の電圧が低下する（グラフ６１）。このため、信号線Ｖｉ１に、トランジスタ１２を介して接続された信号線Ｖｉ２の電圧がＨＩＧＨからＬＯＷに変化する（グラフ６２）。トランジスタ１３のゲートにＬＯＷの電圧が印加されると、トランジスタ１３のソース／ドレイン間がオンとなり、信号線Ｖｉ３の電圧が電源電位ＶｄｄによってＨＩＧＨに引き上げられる。信号線Ｖｉ３よりＨＩＧＨの信号を入力されたインバータ３０は、ＬＯＷの信号を出力する。回路１００では、フォトンの検出時に信号線ＶｏｕｔよりＬＯＷレベル（負極性）のパルスが出力される。後段の計測回路７は、当該パルスに基づき、上述の測距処理を実行することができる。
　このとき、トランジスタ１１のゲートおよびトランジスタ１２のゲートにＬＯＷの電圧が印加される。トランジスタ１１のソース／ドレイン間は、オンとなる。また、トランジスタ１２のドレイン／ソース間は、オフになる。このため、信号線Ｖｉ２は、信号線Ｖｉ１より電気的に切り離され、電源電位Ｖｄｄによって電圧がＨＩＧＨに引き上げられる。ＨＩＧＨの電圧がトランジスタ１３のゲートに印加されるため、トランジスタ１３のソース／ドレイン間は、オフになる。
　パルス生成器８は、インバータ３０の出力電圧がＬＯＷになると、所定の時間遅れをもって、信号線ＩＮＩにＨＩＧＨレベル（正極性）のパルスを出力する。これにより、トランジスタ１４のゲートにＨＩＧＨレベルの電圧が印加され、トランジスタ１４のドレイン／ソース間がオンになる。このため、信号線Ｖｉ３は、グラウンド電位の電位によって初期化され、ＬＯＷの電圧になる。信号線Ｖｉ３の電圧がＬＯＷになると、インバータ３０の出力電圧は、ＨＩＧＨになる。このため、信号線ＶｏｕｔにおけるＬＯＷレベルのパルスは、終了する。
　パルス生成器８にインバータ３０よりＬＯＷレベルのパルスが入力されてから、パルス生成器８がＨＩＧＨレベルのパルスを生成するまでの時間遅れを調整することによって、信号線Ｖｏｕｔから出力されるＬＯＷレベルのパルスの長さを変えることができる。インバータ３０の出力電圧がＨＩＧＨになると、トランジスタ１１のゲートおよびトランジスタ１２のゲートに、ＨＩＧＨの電圧が印加される。このため、トランジスタ１１のソース／ドレイン間は、オフになる。また、トランジスタ１２のドレイン／ソース間は、オンにする。信号線Ｖｉ１／Ｖｉ２間が導通するため、再びフォトンの検出を行うことが可能となる。
　回路１００では、フォトンとの反応後にパルスが出力されるたびに、回路内の電圧がリセットされる。このため、グラフ６１～６４のＬｈ１に示したような高照度の環境であっても、フォトンを検出することができる。回路１００を使うと、照度に応じて、計測回路７におけるフォトンカウント数が絶対単調増加する（グラフ６４）。
　図５のブロック図は、極性を反転したセンシングデバイスの例を示している。図５のセンシングデバイス１Ａでは、クエンチ部６Ａおよび検出器５Ａがセンシングデバイス１とは逆の順序で接続されている。すなわち、本開示によるセンシングデバイスとして、図３の回路１００の極性を反転させた回路を使ってもよい。極性を反転させる場合、回路１００におけるＮ－ＭＯＳトランジスタをＰ－ＭＯＳトランジスタに、Ｐ－ＭＯＳトランジスタをＮ－ＭＯＳトランジスタにそれぞれ置き換えればよい。検出器５Ａがアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）などのフォトダイオードである場合、フォトダイオードのカソードには、正のバイアス電圧が印加される。回路１００に限らず、以下で説明する複数の回路についても、極性を反転させた構成を採用することが可能である。
　本開示によるセンシングデバイスは、光検出器と、負荷素子と、第２導電型の第７トランジスタと、第１導電型の第８トランジスタと、第１導電型の第９トランジスタと、第２導電型の第１０トランジスタと、第６インバータとを備えていてもよい。負荷素子は、光検出器と第１基準電位との間に接続されている。第７トランジスタは、第５信号線の電圧に応じて光検出器と第６信号線との間をオンする。第８トランジスタは、第５信号線の電圧に応じて第１基準電位と第７トランジスタとの間をオンする。第９トランジスタは、第６信号線の電圧に応じて第１基準電位と第７信号線との間をオンする。第１０トランジスタは、第８信号線の電圧に応じて第７信号線と第２基準電位との間をオンする。第６インバータは、第７信号線と第９信号線の間に接続されている。また、第５信号線は、第９信号線に接続されている。
　例えば、第１導電型のトランジスタとして、Ｐ－ＭＯＳトランジスタを使い、第２導電型のトランジスタとして、Ｎ－ＭＯＳトランジスタを使うことができる。この場合、第１基準電位として、電源電位を使い、第２基準電位として、グラウンド電位を使うことができる。また、第１導電型のトランジスタとして、Ｎ－ＭＯＳトランジスタを使い、第２導電型のトランジスタとして、Ｐ－ＭＯＳトランジスタを使うことも可能である。この場合、第１基準電位として、グラウンド電位を使い、第２基準電位として、電源電位を使うことができる。
　図３のトランジスタ１０は、負荷素子の一例である。ただし、負荷素子は、抵抗器などの受動素子であってもよい。トランジスタ１２は、第７トランジスタの一例である。信号線ＦＢは、第５信号線の一例である。図３の信号線Ｖｉ２は、第６信号線の一例である。トランジスタ１１は、第８トランジスタの一例である。トランジスタ１３は、第９トランジスタの一例である。図３の信号線Ｖｉ３は、第７信号線の一例である。トランジスタ１４は、第１０トランジスタの一例である。図３の信号線ＩＮＩは、第８信号線の一例である。図３のインバータ３０は、第６インバータの一例である。図３の信号線Ｖｏｕｔは、第９信号線の一例である。光検出器として、例えば、アバランシェフォトダイオードを使うことができる。
　また、本開示によるセンシングデバイスは、第９信号線の電圧に応じて第８信号線にパルスを出力するように構成されたパルス生成器をさらに備えていてもよい。
　図６は、一部の構成要素が省略されたセンシングデバイスの例を示している。図３のセンシングデバイス１Ｂは、検出器５と、クエンチ部６と、検出部９Ｂとを備えている。図１と同様、センシングデバイス１Ｂの後段には、バッファＢｕｆを介して計測回路７が接続されている。
　図７の回路図は、センシングデバイス１Ｂに相当する回路を示している。図７の回路５０は、フォトダイオードＰＤと、トランジスタ１０と、トランジスタ１８と、トランジスタ１９と、インバータ３０とを備えている。トランジスタ１０およびトランジスタ１８は、Ｐ－ＭＯＳトランジスタである。トランジスタ１９は、Ｎ－ＭＯＳトランジスタである。トランジスタ１０のソースは、電源電位Ｖｄｄに接続されている。また、トランジスタ１０のドレインは、フォトダイオードＰＤのカソードに接続されている。フォトダイオードのアノードには、電圧Ｖａｎが印加されている。フォトダイオードＰＤのカソード／アノード間（端子間）に、降伏電圧以上の逆電圧が印加されるよう、電圧Ｖａｎの値を決めることができる。
　また、トランジスタ１８のゲートは、信号線Ｖｉ１を介して、トランジスタ１０のドレインとフォトダイオードＰＤのカソードとの間のノードに接続されている。トランジスタ１８のソースは、電源電位Ｖｄｄに接続されている。トランジスタ１８のドレインは、信号線Ｖｉ４を介してインバータ３０の入力端子に接続されている。また、トランジスタ１８のドレインは、トランジスタ１９のドレインにも接続されている。インバータ３０の出力端子は、信号線Ｖｏｕｔに接続されている。トランジスタ１９のソースは、グラウンド電位に接続されている。回路５０では、フォトダイオードＰＤが検出器５に、トランジスタ１０がクエンチ部６に、それぞれ対応している。また、トランジスタ１８、トランジスタ１９およびインバータ３０は、検出部９Ｂに相当している。
　フォトダイオードＰＤでフォトンとの反応が起こると、カソード／アノード間の電流が増える。このため、トランジスタ１０のソース／ドレイン間の電圧降下に応じて、フォトダイオードＰＤのカソードが低下する。このため、信号線Ｖｉ１の電圧は、ＬＯＷとなり、トランジスタ１８のゲートにＬＯＷの電圧が印加される。このため、トランジスタ１８のソース／ドレイン間がオンとなり、信号線Ｖｉ４の電圧が電源電位ＶｄｄによってＨＩＧＨに引き上げられる。ＨＩＧＨの電圧を入力されたインバータ３０は、ＬＯＷの電圧を出力する。こうして、回路５０では、フォトンの検出時にＬＯＷ（負極性）のパルスが出力される。
　カソード／アノード間の電圧が降伏電圧まで下がると、アバランシェ電流が停止する。このため、トランジスタ１０のソースドレイン間における電圧降下が抑制され、信号線Ｖｉ１の電圧は、ＨＩＧＨになる。トランジスタ１８のゲートに、ＨＩＧＨの電圧が印加されると、トランジスタ１８のソースドレイン間がオフとなる。トランジスタ１９のゲートに、外部の制御回路からＨＩＧＨの電圧Ｖｂｎが印加されると、トランジスタ１９のドレイン／ソース間は、オンとなる。このため、信号線Ｖｉ４は、電源電位Ｖｄｄから切り離され、グラウンド電位に接続される。信号線Ｖｉ４の電圧がＬＯＷになると、インバータ３０は、ＨＩＧＨの電圧を出力する。したがって、回路５０は、ＬＯＷのパルスの出力を終了する。
　図８は、センシングデバイス１Ｂにおける電圧波形およびフォトンカウント数の例を示している。図８のグラフ６５は、回路５０の信号線Ｖｉ１における電圧波形の例を示している。グラフ６６は、回路５０の信号線Ｖｏｕｔにおける電圧波形の例を示している。グラフ６７は、回路５０の計測回路７におけるフォトンカウント数の例を示している。センシングデバイス１Ｂでは、切替部２および初期化部３が省略されているため、上述のリセット動作が行われない。高照度の環境でセンシングデバイス１Ｂを使用すると、クエンチ部６によって検出器５の端子間電圧が降伏電圧まで低下する前に、検出器５でフォトンとの再反応が発生する可能性がある。この場合、信号線Ｖｉ１の電圧が下がったままとなり（グラフ６５のＬｈ２）、パルスを生成することができなくなってしまう（グラフ６６のＬｈ２）。このため、グラフ６７のＬｈ２に示したように、照度に応じて、フォトンカウント数が単調増加せず、フォトンを正しく検出することができなくなってしまう。なお、比較のため、グラフ６５～６７のＬｒに、センシングデバイス１Ｂの正常動作時に相当するグラフを示している。
　図９のグラフは、センシングデバイス１Ｂにおけるパルスの例を示している。図９のグラフ６８は、回路５０の信号線Ｖｉ１における電圧波形の例を示している。グラフ６８は、プロセス起因する特性のばらつきによって、リチャージ時間の短いセンシングデバイスと、リチャージ時間の長いセンシングデバイスが発生しうることを示している。信号線Ｖｉ１に出力されるパルスの幅は、リチャージ時間に比例している。このため、グラフ６９に示したように、信号線Ｖｉ１における電圧波形がばらつくと、信号線Ｖｏｕｔに出力されるパルス幅もばらついてしまう。フォトンの検出漏れを防ぐためには、デッドタイムを短くし、リチャージ時間を短くすることが好ましい。ただし、信号線Ｖｏｕｔに出力されるパルスの幅が小さくなりすぎると、後段の計測回路７でパルスを捕捉することが難しくなる。
　一方、図１０のグラフは、本開示によるセンシングデバイス（回路１００）におけるパルスの例を示している。図１０のグラフ７０は、回路１００の信号線Ｖｉ１における電圧波形の例を示している。グラフ７０でも、センシングデバイスによってリチャージ時間にばらつきが発生している。しかし、回路１００では、信号線Ｖｉ１における電圧信号の立ち下がりを検出し、その後、一定時間幅（Ｔｄ）のパルスを信号線Ｖｏｕｔに出力している。このため、センシングデバイスにおけるリチャージ時間のばらつきに関わらず、後段の計測回路７に一定の幅のパルスを出力することができる。パルス幅Ｔｄを調整できるように、回路１００を構成することができる。このため、計測回路７に合わせて、パルス幅と、パルスの出力タイミングを制御することができる。また、回路１００は、パルスを出力するたびに、内部の電圧をリセットしているため、短時間で次のフォトンを検出可能な状態に復帰することができる。
　図１１の回路図は、変形例１によるセンシングデバイスの例を示している。図１１の回路１０１は、回路１００に、抵抗器Ｒ１を追加した回路である。抵抗器Ｒ１は、フォトダイオードＰＤと直列に接続されている。抵抗器Ｒ１を追加することにより、フォトンとの反応時におけるフォトダイオードＰＤの端子間の電圧を小さくし、フォトダイオードＰＤに流れる電流を制限することができる。抵抗器Ｒ１の抵抗値は、フォトダイオードＰＤのカソードの寄生容量の放電時におけるクエンチが可能な値に設定されている。回路１０１では、フォトンとの反応時から、クエンチが行われるまでの電圧振幅が小さくなる。したがって、回路の消費電力を削減することができる。回路１０１のその他の部分の構成は、回路１００と同様である。また、回路１０１の基本的な動作は、回路１００と同様である。
　図１２の回路図は、変形例２によるセンシングデバイスの例を示している。図１２の回路１０２は、回路１００に、抵抗器Ｒ１とトランジスタ１５を追加した回路である。抵抗器Ｒ１およびトランジスタ１５は、フォトダイオードＰＤと直列に接続されている。トランジスタ１５は、Ｐ－ＭＯＳトランジスタである。トランジスタ１５のゲートには、トランジスタ１５のゲート／ソース間電圧Ｖｇｓがしきい値以上となる、負の電圧Ｖｃｌｐが印加されている。フォトダイオードＰＤにフォトンが入射する前、トランジスタ１５のソース／ドレイン間は、オンとなっている。しかし、フォトダイオードＰＤがフォトンに反応し、信号線Ｖｉ１の電圧が低下すると、トランジスタ１５のゲート／ソース間電圧Ｖｇｓが小さくなる。したがって、トランジスタ１５のソース／ドレイン間の抵抗値が大きくなる。このため、信号線Ｖｉにおける電圧振幅を抑え、消費電力を減らすことができる。なお、図示していないが、回路１０２の抵抗器Ｒ１を省略した構成を用いてもよい。回路１０２のその他の部分の構成は、回路１００と同様である。また、回路１０２の基本的な動作は、回路１００と同様である。
　すなわち、本開示によるセンシングデバイスは、負荷素子と光検出器との間に接続された第１抵抗器と、第１抵抗器に直列に接続された第１導電型の第４トランジスタとをさらに備えていてもよい。図１２の抵抗器Ｒ１は、第１抵抗器の一例である。また、トランジスタ１５は、第４トランジスタの一例である。
　図１３の回路図は、変形例３によるセンシングデバイスの例を示している。図１３の回路１０３は、回路１０２のパルス生成器８を省略した回路である。回路１０３の信号線ＩＮＩＴは、例えば、外部の制御回路１５０に接続されている。パルス生成器８に代わり、外部の制御回路１５０がリセット用のパルスを生成する。回路１０３の構成を採用する場合、画素（フォトダイオード）ごとにパルス生成器を用意する必要がなくなり、複数の画素で制御回路１５０を共有することができる。制御回路１５０は、必ず接続されたすべての画素にパルスを供給しなくてもよい。計測回路７に接続された少なくともいずれかの画素（センシングデバイス）でフォトンが検出された場合、制御回路１５０は、該当する画素の信号線ＩＮＩＴにパルスを出力する。複数の画素で制御回路１５０を共有すると（すなわち、複数の検出部で初期化部を共有すると）、全体の回路規模を削減することができる。例えば、回路１０３と、回路１０２を比較すると、パルス生成を行う回路ブロックの面積を約１／４に減らすことができる。回路１０３のその他の部分の構成は、回路１０２と同様である。リセット用のパルスが制御回路１５０によって生成される点を除けば、回路１０３の動作は、上述の回路１００と同様である。
　図１４の回路図は、変形例４によるセンシングデバイスの例を示している。図１４の回路１０４は、回路１０２にトランジスタ１６を追加した回路である。トランジスタ１６のソースは、電源電位Ｖｄｄに接続されている。一方、トランジスタ１６のドレインは、トランジスタ１３のソースに接続されている。トランジスタ１６は、Ｐ－ＭＯＳトランジスタである。例えば、回路１０２では、パルス生成器８または外部の制御回路より信号線ＩＮＩにリセット用のパルスが入力されるタイミングと、信号線Ｖｉ２の電圧がＬＯＷになるタイミングが重なると、電源電位Ｖｄｄと、グラウンド電位との間で貫通電流が発生する可能性がある。回路１０４では、トランジスタ１６のゲートに印加する電圧Ｖｂｐ２を制御し、貫通電流の発生を防止することができる。これにより、回路の消費電力を減らすことができる。回路１０４のその他の部分の構成は、回路１０２と同様である。また、回路１０４の基本的な動作は、上述の回路１００と同様である。
　本開示によるセンシングデバイスは、第１制御電極に印加される電圧に応じて第１基準電位と第９トランジスタとの間をオンする第１１トランジスタをさらに備えていてもよい。図１４のトランジスタ１３は、第９トランジスタの一例である。図１４のトランジスタ１６は、第１１トランジスタの一例である。トランジスタ１６のゲートは、第１制御電極の一例である。
　図１５の回路図は、変形例５によるセンシングデバイスの例を示している。図１５の回路１０５は、回路１０２にトランジスタ１７を追加した回路である。トランジスタ１７のドレインは、信号線Ｖｉ３に接続されている。一方、トランジスタ１７のソースは、トランジスタ１４のドレインに接続されている。トランジスタ１７は、Ｎ－ＭＯＳトランジスタである。回路１０５では、トランジスタ１７のゲートに印加する電圧Ｖｂｎ２を制御することによって、貫通電流の発生を防止し、回路の消費電力を減らすことができる。回路１０５のその他の部分の構成は、回路１０２と同様である。また、回路１０５の基本的な動作は、上述の回路１００と同様である。
　本開示によるセンシングデバイスは、第２制御電極に印加される電圧に応じて第７信号線と第１０トランジスタとの間をオンする第１２トランジスタをさらに備えていてもよい。図１５の信号線Ｖｉ３は、第７信号線の一例である。図１５のトランジスタ１４は、第１０トランジスタの一例である。また、図１５のトランジスタ１７は、第１２トランジスタの一例である。トランジスタ１７のゲートは、第２制御電極の一例である。
　次に、パルス生成器８の具体的な構成について説明する。
　図１６の回路図は、パルス生成器の第１の例を示している。図１６のパルス生成器８Ａは、遅延器Ｄ１と、遅延器Ｄ２と、インバータ３１と、ＡＮＤ回路Ｐ１とを備えている。信号線Ｖｏｕｔと、信号線ＩＮＩとの間には、遅延器Ｄ１、遅延器Ｄ２およびＡＮＤ回路Ｐ１が直列に接続されている。信号線Ｖｄ１は、遅延器Ｄ１と、遅延器Ｄ２とを接続している。また、信号線Ｖｄ２は、遅延器Ｄ２と、ＡＮＤ回路Ｐ１の一方の入力端子とを接続している。インバータ３１は、信号線Ｖｄ１と、ＡＮＤ回路Ｐ１の他方の入力端子とを接続している。
　図１７は、パルス生成器８Ａが使われた場合における、回路の電圧波形の例を示している。ＡＮＤ回路Ｐ１の一方の入力端子には、遅延器Ｄ１および遅延器Ｄ２によって遅延させられた信号が信号線Ｖｄ２より入力される。一方、ＡＮＤ回路Ｐ１の他方の入力端子には、遅延器Ｄ１によって遅延させられた後、インバータ３１によって反転された信号が入力される。ＡＮＤ回路Ｐ１は、両方の入力端子から入力された信号の論理積（ＡＮＤ）に相当する信号を信号線ＩＮＩに出力する。図１７の電圧波形を参照すると、信号線ＶｏｕｔにおけるＬＯＷレベルのパルスに対して、時間遅れをもって信号線ＩＮＩより所定の幅をもつＨＩＧＨレベルのパルスが出力されている。
　図１８の回路図は、パルス生成器の第２の例を示している。図１８のパルス生成器８Ｂは、インバータチェイン３００を含んでいる。インバータチェイン３００では、信号線Ｖｏｕｔと信号線ＩＮＩとの間に５つのインバータが直列に接続されている。ただし、インバータチェインに含まれるインバータの数は、これとは異なっていてもよい。回路で使われるリセット用のパルスの極性に応じてインバータの数を偶数にしてもよい。また、インバータの数を奇数にしてもよい。
　図１９の回路図は、パルス生成器の第３の例を示している。図１９のパルス生成器８Ｃは、フリップフロップＦ１と、インバータ３１とを備えている。フリップフロップＦ１は、Ｄフリップフロップである。信号線Ｖｏｕｔは、フリップフロップＦ１のＤ端子に接続されている。信号線ＣＫは、フリップフロップＦ１のクロック端子に接続されている。フリップフロップＦ１のＱ端子と、信号線ＩＮＩとの間には、インバータ３２が接続されている。
　図２０は、パルス生成器８Ｃが使われた場合における、回路の電圧波形の例を示している。図２０を参照すると、信号線ＣＫに供給されるクロック信号を制御することによって、信号線ＶｏｕｔよりＬＯＷレベルのパルスが入力されてから、信号線ＩＮＩにＨＩＧＨレベルが出力されるまでの時間遅れを調整することができる。例えば、クロック信号におけるパルスの間隔を大きくすると、時間遅れを大きくすることができる。また、クロック信号におけるパルスの間隔を小さくすると、時間遅れを小さくすることができる。すなわち、パルス生成器８Ｃを使うと、外部から供給されるクロック信号によって、時間遅れを制御することが容易となる。
　図２１の回路図は、パルス生成器の第４の例を示している。図２１のパルス生成器８Ｄは、トランジスタ４０と、トランジスタ４１と、トランジスタ４２と、トランジスタ４３と、インバータ３３と、コンデンサＣ１とを備えている。トランジスタ４０およびトランジスタ４１は、Ｐ－ＭＯＳトランジスタである。トランジスタ４２およびトランジスタ４３は、Ｎ－ＭＯＳトランジスタである。
　はじめに、パルス生成器８Ｄにおける各素子間の接続について説明する。トランジスタ４０のソースと、トランジスタ４１のソースは、いずれも電源電位Ｖｄｄに接続されている。トランジスタ４０のゲートと、トランジスタ４１のゲートは、いずれも端子Ｖｂｐに接続されている。また、トランジスタ４０のドレインは、信号線ｓ１を介してトランジスタ４２のドレインに接続されている。トランジスタ４１のドレインは、信号線ｓ２を介してトランジスタ４３のドレインに接続されている。信号線ｓ１と、信号線ＩＮＩとの間には、インバータ３３が接続されている。すなわち、パルス生成器８Ｄの出力端子は、信号線ＩＮＩに接続されている。信号線ｓ１と、信号線ｓ２との間には、コンデンサＣ１が接続されている。さらに、トランジスタ４３のゲートは、信号線ｓ１に接続されている。トランジスタ４２のゲートには、信号線Ｐｏｕｔが接続されている。すなわち、パルス生成器８Ｄの入力端子は、信号線Ｐｏｕｔに接続されている。例えば、信号線Ｐｏｕｔは、インバータ３０の出力端子に接続される。トランジスタ４２のソースと、トランジスタ４３のソースは、いずれもグラウンド電位に接続されている。
　次に、パルス生成器８Ｄの動作について説明する。トランジスタ４０およびトランジスタ４１は、端子Ｖｂｐに印加される電圧によって制御される電流源として動作する。これにより、信号線ｓ１および信号線ｓ２に電流が流れ、帰還容量に相当するコンデンサＣ１に電荷が蓄えられる。トランジスタ４２およびトランジスタ４３は、ソース接地の２段増幅回路を形成している。２段増幅回路の増幅率がＡであるとすると、ミラー効果によりコンデンサＣ１の静電容量が（１＋Ａ）倍になるのと等価になる。したがって、コンデンサＣ１として、静電容量が小さいコンデンサを使ったとしても、大きな時間遅れを得ることができる。パルス生成器８Ｄを使うと、コンデンサＣ１の実装面積を抑えることができる。また、端子Ｖｂｑに印加する電圧を制御することによって、信号線ＶｏｕｔよりＬＯＷレベルのパルスが入力されてから、信号線ＩＮＩにＨＩＧＨの信号が出力されるまでの時間遅れを調整することができる。例えば、上述の制御回路１５０は、端子Ｖｂｐに印加される電圧を制御することができる。
　本開示によるセンシングデバイスでは、パルス生成器をセンシングデバイスの出力段に統合してもよい。以下で説明する図２２の回路では、パルス生成器がセンシングデバイスの出力段と一体化している。
　図２２は、変形例６によるセンシングデバイスの例を示している。図１２の回路１０２と比較すると、図２２の回路１０６は、信号線Ｖｉ３と信号線Ｖｏｕｔとの間の部分の構成が異なっている。ここでは、上述の回路１０２との相違点を中心に、回路１０６について説明する。
　回路１０６では、信号線Ｖｉ３と信号線Ｖｏｕｔとの間に、パルス生成器８Ｅが接続されている。パルス生成器８Ｅは、インバータ３４と、インバータ３５と、遅延器Ｄ３と、ＮＡＮＤ回路ＮＰと、ＮＯＲ回路ＮＳとを含む。インバータ３４と、インバータ３５は、信号線Ｖｉ３と信号線Ｖｏｕｔとの間に、直列に接続されている。また、遅延器Ｄ３は、信号線Ｖｏｕｔと、ＮＡＮＤ回路ＮＰの一方の入力端子との間に接続されている。ＮＡＮＤ回路ＮＰの他方の入力端子には、端子ＤＥＴ＿ＥＮが接続されている。ＮＡＮＤ回路ＮＰの出力端子は、トランジスタ１４のゲートおよびＮＯＲ回路ＮＳの一方の入力端子に接続されている。なお、ＮＯＲ回路ＮＳの他方の入力端子は、信号線Ｖｏｕｔに接続されている。ＮＯＲ回路ＮＳの出力端子は、信号線ＦＢを介して、トランジスタ１１のゲートおよびトランジスタ１２のゲートに接続される。
　次に、回路１０６の動作について説明する。なお、図２３のグラフは、回路１０６における電圧波形の例を示している。図２３のグラフは、信号線Ｖｉ１、信号線Ｖｉ２、信号線Ｖｉ３、信号線Ｖｏｕｔ、端子ＤＥＴ＿ＥＮおよび信号線ＩＮＩにおける電圧波形の例を示している。
　フォトダイオードＰＤがフォトンと反応すると、カソード／アノード間の電流増加に伴う電圧降下によって、信号線Ｖｉ１の電圧が低下する。これにより、信号線Ｖｉ１とトランジスタ１２を介して接続された信号線Ｖｉ２の電圧がＨＩＧＨからＬＯＷに変化する。トランジスタ１３のゲートにＬＯＷの電圧が印加されると、トランジスタ１３のソース／ドレイン間がオンとなる。したがって、信号線Ｖｉ３の電圧は、電源電位ＶｄｄによってＨＩＧＨに引き上げられる。そして、インバータ３５は、信号線ＶｏｕｔにＨＩＧＨの信号を出力する。このため、回路１０６は、図２３に示されているように、フォトンの検出時に信号線Ｖｏｕｔから後段の計測回路７へＨＩＧＨレベル（正極性）のパルスを出力する。なお、本開示によるセンシングデバイスが後段の計測回路に出力するパルスの極性については、限定しない。
　ＮＯＲ回路ＮＳの一方の入力端子には、信号線ＶｏｕｔよりＨＩＧＨの信号が入力される。このため、ＮＯＲ回路ＮＳは、ＬＯＷの電圧を出力し、信号線ＦＢの電圧は、ＬＯＷとなる。よって、トランジスタ１１のゲートおよびトランジスタ１２のゲートには、いずれもＬＯＷの電圧が印加される。トランジスタ１１のソース／ドレイン間は、オンとなる。一方、トランジスタ１２のドレイン／ソース間は、オフになる。信号線Ｖｉ２は、信号線Ｖｉ１と電気的に切り離され、電源電位Ｖｄｄによって電圧がＨＩＧＨに引き上げられる。
　信号線Ｖｏｕｔの電圧がＨＩＧＨになると、遅れて、ＮＡＮＤ回路ＮＰの一方の入力端子の電圧もＨＩＧＨになる。このため、端子ＤＥＴ＿ＥＮにＨＩＧＨの電圧が印加されていない限り、ＮＡＮＤ回路ＮＰは、ＨＩＧＨの電圧を出力する。トランジスタ１４のゲートには、ＨＩＧＨの電圧が印加され、ドレイン／ソース間がオンになる。したがって、信号線Ｖｉ３は、グラウンド電位の電位によってリセットされ、ＬＯＷの電圧になる。このとき、インバータ３５は、信号線ＶｏｕｔにＬＯＷの電圧を出力する。
　よって、ＮＯＲ回路ＮＳの一方の入力端子の電圧は、ＬＯＷになる。また、端子ＤＥＴ＿ＥＮにＬＯＷの電圧が印加されていると、遅れてＮＯＲ回路ＮＳの他方の入力端子の電圧もＬＯＷになる。ＮＯＲ回路ＮＳの両方の入力端子の電圧がＬＯＷになっているため、ＮＯＲ回路ＮＳは、ＨＩＧＨの電圧を出力する。信号線ＦＢの電圧がＨＩＧＨになるため、トランジスタ１１のゲートおよびトランジスタ１２のゲートには、いずれもＨＩＧＨの電圧が印加される。したがって、トランジスタ１１のソース／ドレイン間は、オフに変化する。また、トランジスタ１２のドレイン／ソース間は、オンに変化する。信号線Ｖｉ１と信号線Ｖｉ２との間が電気的に導通するため、フォトンの検出を行うことができるようになる。
　回路１０６では、信号がインバータ３４、インバータ３５、遅延器Ｄ３、ＮＡＮＤ回路ＮＰおよびトランジスタ１４によって形成されているループ部分を２回通過すると、フォトン検出後における回路のリセット動作が完了する。すなわち、遅延器Ｄ３は、ひとつの遅延器で２つの遅延器に相当する時間遅れを実現している。回路１０６のパルス生成器８Ｅを実装すると、図１６のパルス生成器８Ａのように、複数の遅延器を使う必要がなくなる。このため、回路の実装面積を削減することができる。
　本開示によるセンシングデバイスは、光検出器と、第２導電型の第７トランジスタと、第１導電型の第８トランジスタと、第１導電型の第９トランジスタと、第２導電型の第１０トランジスタと、第６インバータと、第７インバータと、第３遅延器と、ＮＯＲ回路と、ＮＡＮＤ回路とを備えていてもよい。光検出器は、光検出器と第１基準電位との間に接続されている。第７トランジスタは、第５信号線の電圧に応じて光検出器と第６信号線との間をオンする。第８トランジスタは、第５信号線の電圧に応じて第１基準電位と第７トランジスタとの間をオンする。第９トランジスタは、第６信号線の電圧に応じて第１基準電位と第７信号線との間をオンする。第１０トランジスタは、第８信号線の電圧に応じて第７信号線と第２基準電位との間をオンする。第６インバータは、第７信号線に接続されている。第７インバータは、第６インバータと第９信号線の間に接続されている。第３遅延器は、第９信号線に接続されている。ＮＯＲ回路は、第３遅延器の出力電圧および第１０信号線の電圧のＮＯＲを第８信号線に出力するように構成されている。ＮＡＮＤ回路は、第９信号線の電圧および第８信号線の電圧のＮＡＮＤを第５信号線に出力するように構成されている。
　例えば、第１導電型のトランジスタとして、Ｐ－ＭＯＳトランジスタを使い、第２導電型のトランジスタとして、Ｎ－ＭＯＳトランジスタを使うことができる。この場合、第１基準電位として、電源電位を使い、第２基準電位として、グラウンド電位を使うことができる。また、第１導電型のトランジスタとして、Ｎ－ＭＯＳトランジスタを使い、第２導電型のトランジスタとして、Ｐ－ＭＯＳトランジスタを使うことも可能である。この場合、第１基準電位として、グラウンド電位を使い、第２基準電位として、電源電位を使うことができる。
　図２２のトランジスタ１２は、第７トランジスタの一例である。図２２の信号線ＦＢは、第５信号線の一例である。図２２の信号線Ｖｉ２は、第６信号線の一例である。トランジスタ１１は、第８トランジスタの一例である。トランジスタ１３は、第９トランジスタの一例である。図２２の信号線Ｖｉ３は、第７信号線の一例である。トランジスタ１４は、第１０トランジスタの一例である。図２２の信号線ＩＮＩは、第８信号線の一例である。インバータ３４は、第６インバータの一例である。インバータ３５は、第７インバータの一例である。図２２の信号線Ｖｏｕｔは、第９信号線の一例である。
　図２４の回路図は、変形例７によるセンシングデバイスの例を示している。図２４の回路１０７では、トランジスタの数が削減されている。回路１０７は、フォトダイオードＰＤと、抵抗器Ｒ１と、トランジスタ１０と、トランジスタ１５と、トランジスタ２１と、トランジスタ２３と、トランジスタ２４と、インバータ３６と、パルス生成器８Ｆとを備えている。パルス生成器Ｄ３は、内部の構成要素として、遅延器Ｄ３と、ＮＡＮＤ回路ＮＰとを備えている。トランジスタ１０、トランジスタ１５、トランジスタ２１およびトランジスタ２３は、Ｐ－ＭＯＳトランジスタである。一方、トランジスタ２４は、Ｎ－ＭＯＳトランジスタである。トランジスタ１０は、フォトダイオードＰＤの負荷素子に相当する。負荷素子として、トランジスタ１０に代わり、抵抗器を配置してもよい。
　はじめに、回路１０７の構成について説明する。トランジスタ１０およびトランジスタ２１のソースは、電源電位Ｖｄｄに接続されている。トランジスタ１０のドレインは、信号線Ｖｉ１を介してトランジスタ２３のゲートに接続されている。また、トランジスタ１０のドレインは、トランジスタ１５のソースにも接続されている。トランジスタ１５のドレインと、フォトダイオードＰＤのカソードとの間には、抵抗器Ｒ１が接続されている。フォトダイオードＰＤのアノードには、電圧Ｖａｎが印加されている。フォトダイオードＰＤのカソード／アノード間（端子間）に、降伏電圧以上の逆電圧が印加されるよう、電圧Ｖａｎの値を決定することができる。
　トランジスタ２３のソースは、トランジスタ２１のドレインに接続されている。一方、トランジスタ２３のドレインは、信号線Ｖｉ３を介してインバータ３６に接続されている。また、トランジスタ２３のドレインは、トランジスタ２４のドレインにも接続されている。トランジスタ２４のソースは、グラウンド電位に接続されている。トランジスタ２４のゲートは、ＮＡＮＤ回路ＮＰの出力端子およびトランジスタ２１のゲートに接続されている。インバータ３６の出力端子は、信号線Ｖｏｕｔに接続されている。遅延器Ｄ３は、信号線Ｖｏｕｔと、ＮＡＮＤ回路ＮＰの一方の入力端子との間に接続されている。ＮＡＮＤ回路ＮＰの他方の入力端子は、端子ｘＲＳＴに接続されている。
　次に、回路１０７の動作について説明する。フォトダイオードＰＤがフォトンと反応すると、カソード／アノード間の電流が増加し、トランジスタ１０のソース／ドレイン間の電圧降下により、信号線Ｖｉ１（フォトダイオードＰＤとトランジスタ１０との間の信号線）の電圧がＬＯＷになる。このため、トランジスタ２３のゲートにＬＯＷの電圧が印加され、トランジスタ２３のソース／ドレイン間は、オンとなる。これに伴い、トランジスタ２１のソース／ドレイン間に電流が流れる電流が増える。このため、Ｉｄ－Ｖｇｓ特性によってトランジスタ２１のゲート／ソース間電圧が大きくなる。
　すなわち、トランジスタ２３のソース／ドレイン間がオンになるのとほぼ同時に、トランジスタ２１のゲート／ソース間もオンとなる。トランジスタ２１と、トランジスタ２３の両方がオンになるため、信号線Ｖｉ３の電圧が電源電位ＶｄｄによってＨＩＧＨに引き上げられる。インバータ３６は、ＨＩＧＨの電圧を入力されると、信号線ＶｏｕｔにＬＯＷの電圧を出力する。このように、回路１０７では、フォトンの検出時に、信号線Ｖｏｕｔから後段の計測回路７にＬＯＷレベル（負極性）のパルスを出力する。ただし、本開示によるセンシングデバイスが出力するパルスの極性については、問わない。
　信号線Ｖｏｕｔの電圧がＬＯＷになると、遅れてＮＡＮＤ回路ＮＰの一方の入力端子の電圧もＬＯＷになる。このため、ＮＡＮＤ回路ＮＰは、信号線ＩＮＩにＨＩＧＨの電圧を出力する。トランジスタ２４のゲートにＨＩＧＨの電圧が印加され、トランジスタ２４のドレイン／ソース間がオンになる。また、トランジスタ２１もドレイン／ソース間がオフとなり、電源からグランドへの貫通電流が抑制される。したがって、信号線Ｖｉ３（トランジスタ２３とトランジスタ２４との間の信号線）の電圧は、グラウンド電位の電位によって、初期化され、ＬＯＷになる。信号線Ｖｉ３の電圧がＬＯＷになると、インバータ３６は、信号線ＶｏｕｔにＨＩＧＨの電圧を出力する。このため、回路１０８は、ＬＯＷレベルのパルスの出力を終了する。
　なお、図２４のパルス生成器８Ｆの構成は、一例にしかすぎない。したがって、これとは異なる構成のパルス生成器を使ってもよい。例えば、パルス生成器８Ｆの代わりに、上述の各回路図（図１６、図１８、図１９、図２１、図２２）に示したパルス生成器を使ってもよい。また、パルス生成器８Ｆを省略し、信号線ＩＮＩに、外部の制御回路１５０を接続してもよい。この場合、外部の制御回路は、ひとつまたは複数のセンシングデバイスからの出力信号に応じ、ＨＩＧＨレベルのパルスを生成することができる。なお、回路１０７においてトランジスタ１５または抵抗器Ｒ１の少なくともいずれかを省略することが可能である。
　図２５の回路図は、変形例８によるセンシングデバイスの例を示している。図２５の回路１０８は、回路１０７のトランジスタ１５、抵抗器Ｒ１およびパルス生成器８Ｆを省略した回路に相当する。回路１０８の信号線ＩＮＩＴは、例えば、外部の制御回路１５０に接続されている。パルス生成器８に代わり、外部の制御回路１５０がリセット用のパルスを生成する。回路１０８の構成を採用する場合、画素（フォトダイオード）ごとにパルス生成器を用意する必要がなくなり、複数の画素で制御回路１５０を共有することができる。制御回路１５０は、必ず接続されたすべての画素にパルスを供給しなくてもよい。例えば、計測回路７に接続された少なくともいずれかの画素（センシングデバイス）でフォトンが検出された場合、制御回路１５０は、該当する画素の信号線ＩＮＩＴにパルスを出力する。複数の画素で制御回路１５０を共有すると（すなわち、複数の検出部で初期化部を共有すると）、全体の回路規模を削減することができる。回路１０８のその他の部分の構成は、回路１０７と同様である。リセット用のパルスが制御回路１５０によって生成される点を除けば、回路１０８の基本的な動作は、上述の回路１０７と同様である。
　本開示によるセンシングデバイスは、光検出器と、負荷素子と、第１導電型の第１トランジスタと、第１導電型の第２トランジスタと、第２導電型の第３トランジスタと、第１インバータとを備えていてもよい。負荷素子は、光検出器と第１基準電位との間に接続されている。第１トランジスタは、光検出器と負荷素子との間の第１信号線の電圧に応じてオンする。第２トランジスタは、第１トランジスタの電流または第２信号線の電圧に応じて第１基準電位と第１トランジスタとの間をオンする。第３トランジスタは、第２信号線の電圧に応じて第１トランジスタと第２基準電位との間をオンする。第１インバータは、第１トランジスタと第３トランジスタとの間の第３信号線と第４信号線との間に接続されている。
　例えば、第１導電型のトランジスタとして、Ｐ－ＭＯＳトランジスタを使い、第２導電型のトランジスタとして、Ｎ－ＭＯＳトランジスタを使うことができる。この場合、第１基準電位として、電源電位を使い、第２基準電位として、グラウンド電位を使うことができる。また、第１導電型のトランジスタとして、Ｎ－ＭＯＳトランジスタを使い、第２導電型のトランジスタとして、Ｐ－ＭＯＳトランジスタを使うことも可能である。この場合、第１基準電位として、グラウンド電位を使い、第２基準電位として、電源電位を使うことができる。
　図２４および図２５のトランジスタ１０は、負荷素子の一例である。ただし、負荷素子は、抵抗器などの受動素子であってもよい。トランジスタ２３は、第１トランジスタの一例である。トランジスタ２１は、第２トランジスタの一例である。トランジスタ２４は、第３トランジスタの一例である。図２４および図２５の信号線ＩＮＩは、第２信号線の一例である。また、信号線Ｖｉ３は、第３信号線の一例である。信号線Ｖｏｕｔは、第４信号線の一例である。光検出器として、例えば、アバランシェフォトダイオードを使うことができる。
　また、本開示によるセンシングデバイスは、第４信号線の電圧に応じて第２信号線にパルスを出力するように構成されたパルス生成器をさらに備えていてもよい。また、パルス生成器は、第４信号線の電圧レベルが変化すると時間遅れをもって第２信号線にパルスを出力するように構成されていてもよい。センシングデバイスは、負荷素子と光検出器との間に接続された第１抵抗器と、第１抵抗器に直列に接続された第１導電型の第４トランジスタとをさらに備えていてもよい。図２４のトランジスタ１５は、第４トランジスタの一例である。また、抵抗器Ｒ１は、第１抵抗器の一例である。
　また、図１６の例のように、パルス生成器は、第１遅延器と、第１遅延器に直列に接続された第２遅延器と、第２遅延器の後段に接続されたＡＮＤ回路と、第１遅延器とＡＮＤ回路との間に接続された第３インバータとを含むことができる。図１６の遅延器Ｄ１は、第１遅延器の一例である、遅延器Ｄ２は、第２遅延器の一例である。インバータ３１は、第３インバータの一例である。この場合、第１遅延器を第４信号線に接続し、ＡＮＤ回路の後段を第２信号線に接続することができる。ここで、図２４および図２５の信号線Ｖｏｕｔは、第４信号線の一例である。また、信号線ＩＮＩは、第２信号線の一例である。さらに、図１８の例のように、パルス生成器は、インバータチェインを含んでいてもよい。
　また、図１９の例のように、パルス生成器は、フリップフロップと、フリップフロップのＱ端子に接続された第４インバータをと含んでいてもよい。この場合、フリップフロップのＤ端子を第４信号線に接続し、第４インバータの出力側を第２信号線に接続することができる。
　また、図２１の例のように、パルス生成器は、ソース接地の２段増幅回路と、第１電流源と、第２電流源と、コンデンサと、第５インバータとを含んでいてもよい。ここで、第１電流源は、２段増幅回路の初段に接続される。第２電流源は、２段増幅回路の第２段に接続される。コンデンサは、２段増幅回路の初段と２段増幅回路の第２段との間を接続する。第５インバータは、２段増幅回路の初段に接続されている。図２１のトランジスタ４２およびトランジスタ４３は、ソース接地の２段増幅回路の一例である。トランジスタ４０は、第１電流源の一例である。トランジスタ４１は、第２電流源の一例である。この場合、２段増幅回路の入力端子を第４信号線に接続し、第５インバータの出力端子を、第２信号線に接続することができる。
　図２６の回路図は、変形例９によるセンシングデバイスの例を示している。図２６の回路１０９は、回路１０７のトランジスタ１５および抵抗器Ｒ１を省略し、インバータ３７を追加した回路である。インバータ３７の入力端子は、信号線ＩＮＩを介してＮＡＮＤ回路ＮＰの出力端子に接続されている。また、トランジスタ１０のゲートは、端子Ｖｂｑに代わり、インバータ３７の出力端子に接続されている。回路１０９のその他の部分の構成は、回路１０７と同様である。
　回路１０９は、回路１０７と同様、フォトダイオードＰＤがフォトンと反応し、信号線Ｖｉ１の電圧がＬＯＷ、信号線Ｖｉ３の電圧がＨＩＧＨ、信号線Ｖｏｕｔの電圧がＬＯＷとなったとき（信号線ＶｏｕｔにＬＯＷレベルのパルスが出力されているとき）、ＮＡＮＤ回路ＮＰは、信号線ＩＮＩにＨＩＧＨの電圧を出力する。この場合、インバータ３７は、ＬＯＷの電圧を出力するため、トランジスタ１０のゲートにＬＯＷの電圧が印加される。これにより、トランジスタ１０のソース／ドレイン間は、オンとなる。したがって、信号線Ｖｉ１およびフォトダイオードＰＤのカソードの電位は、電源電位ＶｄｄによってＨＩＧＨに引き上げられる。これにより、フォトダイオードＰＤの端子間電圧を降伏電圧まで下げ、アバランシェ現象を停止させる（フォトダイオードＰＤのクエンチが行われる）。
　また、信号線ＩＮＩの電圧がＨＩＧＨであると、トランジスタ２１とトランジスタ２４のゲートにＨＩＧＨの電圧が印加される。よって、トランジスタ２１のドレイン／ソース間は、オフとなり、トランジスタ２４のドレイン／ソース間は、オンとなる。このため、信号線Ｖｉ３の電圧は、グラウンド電位によって初期化され、ＬＯＷになる。信号線Ｖｉ３の電圧がＬＯＷになると、インバータ３６は、信号線ＶｏｕｔにＨＩＧＨの電圧を出力する。これにより、遅延器Ｄ３による遅れをもってＮＡＮＤ回路ＮＰの一方の入力端子の電圧は、ＨＩＧＨになる。さらに、端子ｘＲＳＴにＨＩＧＨの電圧が印加されていると、ＮＡＮＤ回路ＮＰは、信号線ＩＮＩにＬＯＷの電圧を出力する。このとき、トランジスタ１０のゲートには、インバータ３７より反転されたＨＩＧＨの電圧が印加される。トランジスタ１０のソース／ドレイン間は、オフとなるため、信号線Ｖｉ１は、電源電位Ｖｄｄと電気的に切り離される。フォトダイオードＰＤの端子間電圧は、降伏電圧以上となるため、回路１００は、再びフォトンを検出できるようになる。
　回路１０９のように、トランジスタ１０を使って、パルス駆動のアクティブクエンチを行ってもよい。回路１０９では、短期間で高速なクエンチを行うことが可能である。また、回路１０９では、フォトダイオードＰＤと直列に、抵抗器や電流源トランジスタが接続されていないため、フォトダイオードＰＤは、高速に応答することが可能である。なお、上述の回路１０７のように、トランジスタ１０を電流源として使い、パッシブクエンチを行ってもよい。また、出力クエンチ回路、Ｈｉｇｈ－Ｚクエンチ回路などを組み合わせて使ってもよい。本開示によるセンシングデバイスでは、どのような種類のクエンチ方法を採用してもよい。なお、インバータ３７が出力するＨＩＧＨの電圧レベルおよびＬＯＷの電圧レベルをフォトダイオードＰＤの特性に合わせて調整できるように、回路を実装してもよい。例えば、ＨＩＧＨの電圧レベルをＶｂｑ、ＬＯＷの電圧レベルを０Ｖに設定することができる。
　本開示によるセンシングデバイスは、第２信号線に接続された第２インバータをさらに備えていてもよい。この場合、負荷素子は、第１導電型の第５トランジスタであり、第５トランジスタは、第２インバータの出力電圧に応じてオンする。図２６の信号線ＩＮＩは、第２信号線の一例である。インバータ３７は、第２インバータの一例である。トランジスタ１０は、第５トランジスタの一例である。
　図２７の回路図は、変形例１０によるセンシングデバイスの例を示している。図２７の回路１１０は、回路１０９にトランジスタ２５を追加した回路である。なお、図２７では、説明の簡略化のため、インバータ３７が省略されている。トランジスタ２５は、Ｎ－ＭＯＳトランジスタである。トランジスタ１０のゲートは、信号線ＩＮＩを介して、ＮＡＮＤ回路ＮＰの出力端子に接続されている。トランジスタ２５のゲートも、信号線ＩＮＩを介して、ＮＡＮＤ回路ＮＰの出力端子に接続されている。また、トランジスタ２５のドレインは、信号線Ｖｉ１に接続されている。トランジスタ２５のソースは、グラウンド電位に接続されている。回路１１０のその他の部分の構成は、回路１０９と同様である。
　回路１１０では、回路１０７および回路１０９と同様、フォトダイオードＰＤがフォトンと反応し、信号線Ｖｉ１の電圧がＬＯＷ、信号線Ｖｉ３の電圧がＨＩＧＨ、信号線Ｖｏｕｔの電圧がＬＯＷになったとき（信号線ＶｏｕｔにＬＯＷレベルのパルスが出力されているとき）、ＮＡＮＤ回路ＮＰは、信号線ＩＮＩにＨＩＧＨの電圧を出力する。よって、トランジスタ２５のゲートには、ＨＩＧＨの電圧が印加され、トランジスタ２５のドレイン／ソース間がオンになる。したがって、フォトダイオードＰＤのカソードは、グラウンド電位に接続され、アバランシェ現象が停止する。このように、回路１１０は、アクティブクエンチを行う回路である。
　また、回路１１０では、トランジスタ２４のドレイン／ソース間が導通し、信号線Ｖｉ３の電圧がＬＯＷ、信号線Ｖｏｕｔの電圧がＨＩＧＨになる。端子ｘＲＳＴにＨＩＧＨの電圧が印加されている場合、遅延器Ｄ３による遅れをもってＮＡＮＤ回路ＮＰの一方の入力端子の電圧がＨＩＧＨに変化すると、ＮＡＮＤ回路ＮＰは、信号線ＩＮＩにＬＯＷの電圧を出力する。トランジスタ１０のゲートにＬＯＷの電圧が印加されるため、トランジスタ１０のソース／ドレイン間は、オンになる。これにより、フォトダイオードＰＤのカソードの電位が、電源電位Ｖｄｄによって引き上げられる。フォトダイオードＰＤの端子間電圧は、降伏電圧以上となるため、回路１１０は、再びフォトンを検出できる。
　回路１１０では、フォトンに対応する信号がＶｏｕｔより出力されると、フォトダイオードＰＤのカソードがグラウンド電位に接続されるため、高速なクエンチを行うことができる。また、トランジスタ１０もパルスによって駆動されるため、フォトダイオードＰＤのカソード電圧も、電流源トランジスタが使われる場合と比べて短時間で引き上げられる。
　本開示によるセンシングデバイスは、第２信号線の電圧に応じて第２基準電位と第２信号線との間をオンする第２導電型の第６トランジスタとをさらに備えていてもよい。この場合、負荷素子は、第２信号線の電圧に応じてオンする第１導電型の第５トランジスタである。図２７の信号線ＩＮＩは、第２信号線の一例である。グラウンド電位は、第２基準電位の一例である。トランジスタ２５は、第６トランジスタの一例である。また、トランジスタ１０は、第５トランジスタの一例である。
　図２８の斜視図は、Ｃｕ－Ｃｕ接続によってセンシングデバイスを実装した例を示している。図２８には、基板５１と、基板５２が示されている。基板５１および基板５２は、例えば、シリコン基板である。ただし、基板５１および基板５２の材質については、問わない。基板５１には、複数の画素５１０が形成されている。それぞれの画素５１０内には、フォトダイオードＰＤ（例えば、ＳＰＡＤ）が形成されている。画素５１０内のフォトダイオードＰＤの表面の少なくとも一部は、開放されているため、フォトダイオードＰＤは、入射するフォトンに反応することができる。基板５２には、それぞれの画素５１０に対応する回路ブロック５２０が形成されている。回路ブロック５２０は、例えば、図１の検出部９または検出部９Ａ（例えば、上述の回路１００～１１０）に相当する回路を含んでいる。そして、基板５１の画素５１０と、基板５２の回路ブロック５２０は、Ｃｕ－Ｃｕ接続（カッパー・カッパー接続）によって、電気的に接合されている。Ｃｕ－Ｃｕ接続を採用することによって、センシングデバイスの小型化と、生産コストの削減を実現することができる。
　画素５１０には、フォトダイオードＰＤのみが形成されていてもよい。これにより、フォトダイオードＰＤの面積を最大化することができる。また、画素５１０には、フォトダイオードＰＤに加えてその他の素子が形成されていてもよい。例えば、画素５１０に抵抗器Ｒ１を形成してもよいし、トランジスタ１５を形成してもよい。この場合、回路ブロック５２０の面積を削減したり、回路ブロック５２０に実装できる機能を増やしたりすることができる。また、Ｃｕ－Ｃｕ配線における信号の振幅が抑制されるため、消費電力を抑えることができる。要求される使用に応じて、画素５１０に配置される素子と、回路ブロック５２０される素子に割り当てを調整することが可能である。なお、図２８では、Ｃｕ－Ｃｕ接続を使ってセンシングデバイスが実装されているが、この実装方法は、一例にしかすぎない。例えば、Ｓｉ貫通電極（ＴＳＶ）などによってセンシングデバイスを実装してもよい。すなわち、センシングデバイスの実装方式については、問わない。また、図２８の例では、基板が２層積層であった。ただし、基板の層数を限定するものではない。
　本開示によるセンシングデバイスでは、光検出器が実装されている第１基板は、その他の素子が実装されている第２基板と、Ｃｕ－Ｃｕ接続を介して電気的に接続されていてもよい。
　図２９の回路図は、ｄＴｏＦによる測距に対応した回路の例を示している。図２９では、複数の回路１０９が、回路ＴＲ１を介して後段の計測回路７に接続されている。回路ＴＲ１は、複数の回路１０９の出力信号（信号線Ｖｏｕｔの電圧信号）についてＯＲ演算を行う。これにより、計測回路７は、出力されたパルス数をカウントすることができる。計測回路７は、パルスの時間相関に基づき、光源９１が照射した光ｅｍの反射光ｒｌが検出されたか否かを判定することができる。反射光ｒｌが検出されていると判定された場合、上述のように、飛行時間に基づいてセンシングデバイスから物体８０までの距離を計算することが可能である。
　図３０は、カウンタおよびＴＤＣを含む回路の例を概略的に示している。図３０は、上述の計測回路７の一例を示している。図３０の回路２００は、回路ブロック５４と、複数のバッファ５５と、回路ＴＲ２と、ＡＮＤ回路Ｐ２と、トリガ回路５６と、論理回路Ｐ３と、フリップフロップＦ２と、複数のフリップフロップ５７とを含んでいる。回路ブロック５４は、複数のセンシングデバイス（例えば、上述の回路１００～１１０）に相当する。複数のバッファ５５は、それぞれのセンシングデバイスから出力された信号をデジタル化する。回路ＴＲ２は、ＯＲ回路をツリー状に接続した回路であり、複数のバッファ５５から出力された信号のＯＲ演算を行う。ＡＮＤ回路Ｐ２は、信号線ＣＴＲ１から入力される信号と、回路ＴＲ２の出力信号のＡＮＤをトリガ回路５６に入力する。なお、回路ＴＲ２は、ＯＲ演算ではなく、ＥＸＯＲ演算を行う回路であってもよい。これにより、同時検出のフォトンを信号波形の立下りおよび信号波形の立ち上がりの両方のタイミングでカウントすることができる。
　トリガ回路５６は、所定の期間内にしきい値以上の数の時間相関を有するパルスを検出したら、ＴＤＣ５８にトリガ信号を出力するように構成されている。なお、信号線ＣＴＲ１、信号線ＣＴＲ２および信号線ＣＴＲ３には、デジタルの制御信号が供給される。ＴＤＣ５８は、計測した時間差ＴＤＣ＿ｃｎｔの情報を後段の回路に供給する。複数のフリップフロップ５７は、互いに接続されている。複数のフリップフロップ５７は、所定の期間内に検出されたフォトンの数ｃｏｕｎｔを後段の回路に供給する。なお、回路２００は、計測回路の一例にしかすぎない。したがって、これとは異なる構成の計測回路をセンシングデバイスに接続してもよい。
　図１、図２、図１３、図２５、図２９および図３０に例示したように、本開示による測距装置は、光源と、複数のセンシングデバイスと、論理回路と、計測回路を備えていてもよい。論理回路は、複数のセンシングデバイスの出力電圧の論理和を出力するように構成されている。計測回路は、光源より光が照射されたタイミングと論理回路から出力される信号とに基づき、物体との距離を計測するように構成されている。ここで、図２９の回路ＴＲ１および図３０の回路ＴＲ２は、論理回路の一例である。計測回路７および図２０の回路２００のうち、回路ＴＲ２より後段の部分は、計測回路の一例である。
　また、図２５に示したように、本開示による測距装置は、複数のセンシングデバイスの第２信号線に接続されている制御回路を備えていてもよい。制御回路は、少なくともいずれかのセンシングデバイスの第４信号線から計測回路に入力される信号に基づき、第２信号線にパルスを出力するように構成されている。
　本開示によるセンシングデバイスおよび測距装置では、フォトダイオードＰＤのフォトンとの反応後にパルスが生成されるたびに、回路内の電圧がリセットされる。このため、短期間で次のフォトンを検出することが可能となる。このため、本開示によるセンシングデバイスおよび測距装置を使うと、高照度の環境においても、フォトンを単調増加特性で検出することができる。本開示によるセンシングデバイスおよび測距装置は、幅広い明るさダイナミックレンジに対応している。このため、照度の環境に関わらず、高い精度で物体との距離の測定を行うことが可能である。また、本開示によるセンシングデバイスおよび測距装置は、リチャージ時間の長さに関わらず、後段の回路に一定幅のパルスを出力することが可能である。また、リセット用のパルスが生成される時間遅れと、後段の回路に出力されるパルスのパルス幅を調整可能な構成を採用することも可能である。この場合、使用する計測回路に応じて、パルスの出力タイミングと、パルス幅を調整することができる。
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
　図３１は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図３１に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。
　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
　撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｄｒｉｖｅｒ　Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ　Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図３１の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
　図３２は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
　図３２では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。
　撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１及び１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
　なお、図３２には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
　以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部１２０３１に適用され得る。具体的には、撮像部１２０３１に、上述のセンシングデバイス（例えば、上述の回路１００～１０９）を含む測距装置９０と、光源９１を実装することができる。撮像部１２０３１に、本開示に係る技術を適用することにより、幅広い明るさダイナミックレンジの環境において、正確な距離情報を得ることができ、車両１２１００の機能性および安全性を高めることができる。
　なお、本技術は、以下のような構成をとることができる。
（１）
　光検出器と、
　前記光検出器と第１基準電位との間に接続された負荷素子と、
　前記光検出器と前記負荷素子との間の第１信号線の電圧に応じてオンする第１導電型の第１トランジスタと、
　前記第１トランジスタの電流または第２信号線の電圧に応じて前記第１基準電位と前記第１トランジスタとの間をオンする第１導電型の第２トランジスタと、
　前記第２信号線の電圧に応じて前記第１トランジスタと第２基準電位との間をオンする第２導電型の第３トランジスタと、
　前記第１トランジスタと前記第３トランジスタとの間の第３信号線と第４信号線との間に接続された第１インバータとを備える、
　センシングデバイス。
（２）
　前記第４信号線の電圧に応じて前記第２信号線にパルスを出力するように構成されたパルス生成器をさらに備える、
　（１）に記載のセンシングデバイス。
（３）
　前記パルス生成器は、前記第４信号線の電圧レベルが変化すると時間遅れをもって前記第２信号線にパルスを出力するように構成されている、
　（２）に記載のセンシングデバイス。
（４）
　前記負荷素子と前記光検出器との間に接続された第１抵抗器と、
　前記第１抵抗器に直列に接続された第１導電型の第４トランジスタとをさらに備える、　（１）ないし（３）のいずれか一項に記載のセンシングデバイス。
（５）
　前記第２信号線に接続された第２インバータをさらに備え、
　前記負荷素子は、第１導電型の第５トランジスタであり、
　前記第５トランジスタは、前記第２インバータの出力電圧に応じてオンする、
　（１）ないし（４）のいずれか一項に記載のセンシングデバイス。
（６）
　前記第２信号線の電圧に応じて前記第２基準電位と前記第２信号線との間をオンする第２導電型の第６トランジスタとをさらに備え、
　前記負荷素子は、前記第２信号線の電圧に応じてオンする第１導電型の第５トランジスタである、
　（１）ないし（４）のいずれか一項に記載のセンシングデバイス。
（７）
　前記パルス生成器は、第１遅延器と、前記第１遅延器に直列に接続された第２遅延器と、前記第２遅延器の後段に接続されたＡＮＤ回路と、前記第１遅延器と前記ＡＮＤ回路との間に接続された第３インバータとを含み、前記第１遅延器は、前記第４信号線に接続され、前記ＡＮＤ回路の後段は、前記第２信号線に接続されている、
　（２）または（３）に記載のセンシングデバイス。
（８）
　前記パルス生成器は、インバータチェインを含む、
　（２）または（３）に記載のセンシングデバイス。
（９）
　前記パルス生成器は、フリップフロップと、前記フリップフロップのＱ端子に接続された第４インバータをと含み、前記フリップフロップのＤ端子は、前記第４信号線に接続され、前記第４インバータの出力側は、前記第２信号線に接続されている、
　（２）または（３）に記載のセンシングデバイス。
（１０）
　前記パルス生成器は、ソース接地の２段増幅回路と、前記２段増幅回路の初段に接続された第１電流源と、前記２段増幅回路の第２段に接続された第２電流源と、前記２段増幅回路の初段と前記２段増幅回路の第２段との間を接続するコンデンサと、前記２段増幅回路の初段に接続された第５インバータとを含み、前記２段増幅回路の入力端子は、前記第４信号線に接続され、前記第５インバータの出力端子は、前記第２信号線に接続される、　（２）または（３）に記載のセンシングデバイス。
（１１）
　前記光検出器が実装されている第１基板は、その他の素子が実装されている第２基板と、Ｃｕ－Ｃｕ接続を介して電気的に接続されている、
　（１）ないし（１０）のいずれか一項に記載のセンシングデバイス。
（１２）
　前記光検出器は、アバランシェフォトダイオードである、
　（１）ないし（１０）のいずれか一項に記載のセンシングデバイス。
（１３）
　（１）ないし（１２）のいずれか一項に記載のセンシングデバイスを複数備える測距装置であって、
　光源と、
　複数の前記センシングデバイスの出力電圧の論理和を出力するように構成された論理回路と、
　前記光源より光が照射されたタイミングと前記論理回路から出力される信号とに基づき、物体との距離を計測するように構成された計測回路とを備える、
　測距装置。
（１４）
　複数の前記センシングデバイスの前記第２信号線に接続されており、
　少なくともいずれかの前記センシングデバイスの前記第４信号線から前記計測回路に入力される信号に基づき、前記第２信号線にパルスを出力するように構成された制御回路をさらに備える、
　（１３）に記載の測距装置。
（１５）
　光検出器と、
　前記光検出器と第１基準電位との間に接続された負荷素子と、
　第５信号線の電圧に応じて前記光検出器と第６信号線との間をオンする第２導電型の第７トランジスタと、
　前記第５信号線の電圧に応じて前記第１基準電位と前記第７トランジスタとの間をオンする第１導電型の第８トランジスタと、
　前記第６信号線の電圧に応じて前記第１基準電位と第７信号線との間をオンする第１導電型の第９トランジスタと、
　第８信号線の電圧に応じて前記第７信号線と第２基準電位との間をオンする第２導電型の第１０トランジスタと、
　前記第７信号線と第９信号線の間に接続された第６インバータとを備え、
　前記第５信号線は、前記第９信号線に接続されている、
　センシングデバイス。
（１６）
　前記第９信号線の電圧に応じて前記第８信号線にパルスを出力するように構成されたパルス生成器をさらに備える、
　（１５）に記載のセンシングデバイス。
（１７）
　前記負荷素子と前記光検出器との間に接続された第１抵抗器と、
　前記第１抵抗器に直列に接続された第１導電型の第４トランジスタとをさらに備える、　（１５）または（１６）に記載のセンシングデバイス。
（１８）
　第１制御電極に印加される電圧に応じて前記第１基準電位と前記第９トランジスタとの間をオンする第１１トランジスタをさらに備える、
　（１５）ないし（１７）のいずれか一項に記載のセンシングデバイス。
（１９）
　第２制御電極に印加される電圧に応じて前記第７信号線と前記第１０トランジスタとの間をオンする第１２トランジスタをさらに備える、
　（１５）ないし（１８）のいずれか一項に記載のセンシングデバイス。
（２０）
　光検出器と、
　前記光検出器と第１基準電位との間に接続された負荷素子と、
　第５信号線の電圧に応じて前記光検出器と第６信号線との間をオンする第２導電型の第７トランジスタと、
　前記第５信号線の電圧に応じて前記第１基準電位と前記第７トランジスタとの間をオンする第１導電型の第８トランジスタと、
　前記第６信号線の電圧に応じて前記第１基準電位と第７信号線との間をオンする第１導電型の第９トランジスタと、
　第８信号線の電圧に応じて前記第７信号線と第２基準電位との間をオンする第２導電型の第１０トランジスタと、
　前記第７信号線に接続された第６インバータと、
　前記第６インバータと第９信号線の間に接続された第７インバータと、
　前記第９信号線に接続された第３遅延器と、
　前記第３遅延器の出力電圧および第１０信号線の電圧のＮＯＲを前記第８信号線に出力するように構成されたＮＯＲ回路と、
　前記第９信号線の電圧および前記第８信号線の電圧のＮＡＮＤを前記第５信号線に出力するように構成されたＮＡＮＤ回路とを備える、
　センシングデバイス。
　本開示の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形も含むものであり、本開示の効果も上述した内容に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本開示の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。
Ｃ１　コンデンサ
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３　遅延器
Ｆ１、Ｆ２　フリップフロップ
ＮＰ　ＮＡＮＤ回路
ＮＳ　ＮＯＲ回路
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３　ＡＮＤ回路
ＰＤ　フォトダイオード
Ｒ１　抵抗器
１、１Ａ，１Ｂ　センシングデバイス
２、２Ａ　切替部
３、３Ａ　初期化部
４、４Ａ　増幅部
５，５Ａ　検出器
６　クエンチ部
７　計測回路
８、８Ａ、８Ｂ、８Ｃ、８Ｄ、８Ｅ、８Ｆ　パルス生成器
９、９Ａ，９Ｂ　検出部
１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２１、２３、２４、２５４０、４１、４２、４３　トランジスタ
３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７　インバータ
５１、５２　基板
５３　Ｃｕ－Ｃｕ接続
５４、５２０　回路ブロック
５５　バッファ
５６　トリガ回路
５７　複数のフリップフロップ
５８　ＴＤＣ
６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８、６９、７０、７１　グラフ
８０　物体
９０　測距装置
９１　光源
ＴＲ１、ＴＲ２、５０、１００、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、１０７、１０８、１０９、２００　回路
１５０　制御回路
３００　インバータチェイン
５１０　画素

Claims (20)

  1. 　光検出器と、
    　前記光検出器と第１基準電位との間に接続された負荷素子と、
    　前記光検出器と前記負荷素子との間の第１信号線の電圧に応じてオンする第１導電型の第１トランジスタと、
    　前記第１トランジスタの電流または第２信号線の電圧に応じて前記第１基準電位と前記第１トランジスタとの間をオンする第１導電型の第２トランジスタと、
    　前記第２信号線の電圧に応じて前記第１トランジスタと第２基準電位との間をオンする第２導電型の第３トランジスタと、
    　前記第１トランジスタと前記第３トランジスタとの間の第３信号線と第４信号線との間に接続された第１インバータとを備える、
    　センシングデバイス。
  2. 　前記第４信号線の電圧に応じて前記第２信号線にパルスを出力するように構成されたパルス生成器をさらに備える、
    　請求項１に記載のセンシングデバイス。
  3. 　前記パルス生成器は、前記第４信号線の電圧レベルが変化すると時間遅れをもって前記第２信号線にパルスを出力するように構成されている、
    　請求項２に記載のセンシングデバイス。
  4. 　前記負荷素子と前記光検出器との間に接続された第１抵抗器と、
    　前記第１抵抗器に直列に接続された第１導電型の第４トランジスタとをさらに備える、　請求項１に記載のセンシングデバイス。
  5. 　前記第２信号線に接続された第２インバータをさらに備え、
    　前記負荷素子は、第１導電型の第５トランジスタであり、
    　前記第５トランジスタは、前記第２インバータの出力電圧に応じてオンする、
    　請求項１に記載のセンシングデバイス。
  6. 　前記第２信号線の電圧に応じて前記第２基準電位と前記第２信号線との間をオンする第２導電型の第６トランジスタとをさらに備え、
    　前記負荷素子は、前記第２信号線の電圧に応じてオンする第１導電型の第５トランジスタである、
    　請求項１に記載のセンシングデバイス。
  7. 　前記パルス生成器は、第１遅延器と、前記第１遅延器に直列に接続された第２遅延器と、前記第２遅延器の後段に接続されたＡＮＤ回路と、前記第１遅延器と前記ＡＮＤ回路との間に接続された第３インバータとを含み、前記第１遅延器は、前記第４信号線に接続され、前記ＡＮＤ回路の後段は、前記第２信号線に接続されている、
    　請求項２に記載のセンシングデバイス。
  8. 　前記パルス生成器は、インバータチェインを含む、
    　請求項２に記載のセンシングデバイス。
  9. 　前記パルス生成器は、フリップフロップと、前記フリップフロップのＱ端子に接続された第４インバータをと含み、前記フリップフロップのＤ端子は、前記第４信号線に接続され、前記第４インバータの出力側は、前記第２信号線に接続されている、
    　請求項２に記載のセンシングデバイス。
  10. 　前記パルス生成器は、ソース接地の２段増幅回路と、前記２段増幅回路の初段に接続された第１電流源と、前記２段増幅回路の第２段に接続された第２電流源と、前記２段増幅回路の初段と前記２段増幅回路の第２段との間を接続するコンデンサと、前記２段増幅回路の初段に接続された第５インバータとを含み、前記２段増幅回路の入力端子は、前記第４信号線に接続され、前記第５インバータの出力端子は、前記第２信号線に接続される、　請求項２に記載のセンシングデバイス。
  11. 　前記光検出器が実装されている第１基板は、その他の素子が実装されている第２基板と、Ｃｕ－Ｃｕ接続を介して電気的に接続されている、
    　請求項１に記載のセンシングデバイス。
  12. 　前記光検出器は、アバランシェフォトダイオードである、
    　請求項１に記載のセンシングデバイス。
  13. 　請求項１に記載のセンシングデバイスを複数備える測距装置であって、
    　光源と、
    　複数の前記センシングデバイスの出力電圧の論理和を出力するように構成された論理回路と、
    　前記光源より光が照射されたタイミングと前記論理回路から出力される信号とに基づき、物体との距離を計測するように構成された計測回路とを備える、
    　測距装置。
  14. 　複数の前記センシングデバイスの前記第２信号線に接続されており、
    　少なくともいずれかの前記センシングデバイスの前記第４信号線から前記計測回路に入力される信号に基づき、前記第２信号線にパルスを出力するように構成された制御回路をさらに備える、
    　請求項１３に記載の測距装置。
  15. 　光検出器と、
    　前記光検出器と第１基準電位との間に接続された負荷素子と、
    　第５信号線の電圧に応じて前記光検出器と第６信号線との間をオンする第２導電型の第７トランジスタと、
    　前記第５信号線の電圧に応じて前記第１基準電位と前記第７トランジスタとの間をオンする第１導電型の第８トランジスタと、
    　前記第６信号線の電圧に応じて前記第１基準電位と第７信号線との間をオンする第１導電型の第９トランジスタと、
    　第８信号線の電圧に応じて前記第７信号線と第２基準電位との間をオンする第２導電型の第１０トランジスタと、
    　前記第７信号線と第９信号線の間に接続された第６インバータとを備え、
    　前記第５信号線は、前記第９信号線に接続されている、
    　センシングデバイス。
  16. 　前記第９信号線の電圧に応じて前記第８信号線にパルスを出力するように構成されたパルス生成器をさらに備える、
    　請求項１５に記載のセンシングデバイス。
  17. 　前記負荷素子と前記光検出器との間に接続された第１抵抗器と、
    　前記第１抵抗器に直列に接続された第１導電型の第４トランジスタとをさらに備える、　請求項１５に記載のセンシングデバイス。
  18. 　第１制御電極に印加される電圧に応じて前記第１基準電位と前記第９トランジスタとの間をオンする第１１トランジスタをさらに備える、
    　請求項１５に記載のセンシングデバイス。
  19. 　第２制御電極に印加される電圧に応じて前記第７信号線と前記第１０トランジスタとの間をオンする第１２トランジスタをさらに備える、
    　請求項１５に記載のセンシングデバイス。
  20. 　光検出器と、
    　前記光検出器と第１基準電位との間に接続された負荷素子と、
    　第５信号線の電圧に応じて前記光検出器と第６信号線との間をオンする第２導電型の第７トランジスタと、
    　前記第５信号線の電圧に応じて前記第１基準電位と前記第７トランジスタとの間をオンする第１導電型の第８トランジスタと、
    　前記第６信号線の電圧に応じて前記第１基準電位と第７信号線との間をオンする第１導電型の第９トランジスタと、
    　第８信号線の電圧に応じて前記第７信号線と第２基準電位との間をオンする第２導電型の第１０トランジスタと、
    　前記第７信号線に接続された第６インバータと、
    　前記第６インバータと第９信号線の間に接続された第７インバータと、
    　前記第９信号線に接続された第３遅延器と、
    　前記第３遅延器の出力電圧および第１０信号線の電圧のＮＯＲを前記第８信号線に出力するように構成されたＮＯＲ回路と、
    　前記第９信号線の電圧および前記第８信号線の電圧のＮＡＮＤを前記第５信号線に出力するように構成されたＮＡＮＤ回路とを備える、
    　センシングデバイス。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022190788A1 (ja) * 2021-03-09 2022-09-15 ソニーグループ株式会社 センサ装置
WO2023195262A1 (ja) * 2022-04-07 2023-10-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置、測距装置、および電子機器

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7401211B2 (ja) * 2019-06-25 2023-12-19 ファナック株式会社 外光照度測定機能を備えた測距装置及び外光照度測定方法
CN115902835B (zh) * 2021-09-30 2024-02-27 深圳市速腾聚创科技有限公司 一种雷达数据收发装置、测距方法及激光雷达

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140124652A1 (en) * 2012-11-02 2014-05-08 The University Court Of The University Of Edinburgh Pixel circuit with controlled capacitor discharge time of flight measurement
JP2016161438A (ja) * 2015-03-03 2016-09-05 株式会社デンソー 演算装置
CN106338339A (zh) * 2016-10-17 2017-01-18 东南大学 应用于阵列型单光子雪崩二极管的紧凑型检测淬灭电路
JP2019007877A (ja) * 2017-06-27 2019-01-17 キヤノン株式会社 光検出装置及び撮像システム

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6695364B2 (ja) * 2018-01-17 2020-05-20 シャープ株式会社 シングルフォトンアバランシェダイオード制御回路

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140124652A1 (en) * 2012-11-02 2014-05-08 The University Court Of The University Of Edinburgh Pixel circuit with controlled capacitor discharge time of flight measurement
JP2016161438A (ja) * 2015-03-03 2016-09-05 株式会社デンソー 演算装置
CN106338339A (zh) * 2016-10-17 2017-01-18 东南大学 应用于阵列型单光子雪崩二极管的紧凑型检测淬灭电路
JP2019007877A (ja) * 2017-06-27 2019-01-17 キヤノン株式会社 光検出装置及び撮像システム

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP4057621A4 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022190788A1 (ja) * 2021-03-09 2022-09-15 ソニーグループ株式会社 センサ装置
WO2023195262A1 (ja) * 2022-04-07 2023-10-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置、測距装置、および電子機器

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