WO2021044631A1 - 樹脂ペースト組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂ペースト組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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WO2021044631A1
WO2021044631A1 PCT/JP2019/035264 JP2019035264W WO2021044631A1 WO 2021044631 A1 WO2021044631 A1 WO 2021044631A1 JP 2019035264 W JP2019035264 W JP 2019035264W WO 2021044631 A1 WO2021044631 A1 WO 2021044631A1
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paste composition
resin paste
mass
meth
silver
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PCT/JP2019/035264
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萌 鴨野
学 石井
賢 藤田
慶子 小林
美玲 藁科
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昭和電工マテリアルズ株式会社
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    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers

Definitions

  • the present invention relates to a resin paste composition, a semiconductor device, and a method for manufacturing the semiconductor device.
  • a semiconductor device including a semiconductor element mounted on a support member such as a lead frame is generally manufactured by adhering the semiconductor element to the support member using a die bonding material.
  • a die bonding material Au—Si eutectic, solder, resin paste composition and the like are known, and the resin paste composition is widely used from the viewpoint of workability and cost.
  • a conductive type die bonding material characteristics such as electrical conductivity are imparted by adding a conductive filler.
  • a conductive filler for example, metal powders such as gold powder, silver powder, and copper powder are known, and silver powder is mainly used. Silver powder is not as rare as gold powder, is not easily oxidized like copper powder and is not inferior in storage stability, has more excellent workability and mechanical properties, and is required as a conductive filler for a resin paste composition. Excellent in various characteristics. However, since silver powder is also an expensive material, the use of a more easily available and inexpensive conductive filler is being considered in order to reduce the amount of silver powder used.
  • Patent Documents 2 to 4 below propose resin paste compositions in which silver powder and aluminum powder are used in combination.
  • Patent Document 5 below discloses a resin paste for adhering a semiconductor element, which is a mixture of an epoxy resin and a predetermined amount of silver powder and silver-coated copper powder.
  • Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-179769 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-197118 International Publication No. 2012/124527 Pamphlet Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-135805 Japanese Unexamined Patent Publication No. 11-092739
  • the resin paste composition in which silver powder and aluminum powder are used in combination has a higher volume resistance than the conventional resin paste composition containing a large amount of silver powder, and the viscosity change of the composition tends to be large. Therefore, in order to reduce the proportion of silver powder in the conductive filler while sufficiently ensuring the electrical conductivity and viscosity stability of the resin paste composition, even the techniques described in Patent Documents 2 to 4 are further improved. Need to be.
  • the resin paste composition contains an acrylic resin-based compound containing a (meth) acrylic-based compound and a polymerization initiator such as a peroxide, gelation is likely to occur, and there is a problem in viscosity stability. It has been found by the studies of the present inventors.
  • the present invention includes a resin paste composition having sufficient electrical conductivity and sufficient viscosity stability while reducing the amount of silver used, and capable of satisfactorily adhering a semiconductor element and a support member. , A method of manufacturing a semiconductor device using the same, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device.
  • the present inventors have obtained silver particles in a resin paste composition in which a specific silver-coated particles and silver particles are used in combination to reduce the content ratio of silver particles.
  • the present invention is completed by finding that the viscosity change is small and sufficient adhesive strength can be obtained even when an acrylic resin system is contained, while exhibiting electrical conductivity equivalent to that of a resin paste composition containing a large amount. It came to.
  • One aspect of the present invention relates to a resin paste composition containing non-conductive particles, silver-coated particles having silver coating the non-conductive particles, and silver particles.
  • the resin paste composition according to the present invention can obtain sufficient electrical conductivity while reducing the amount of silver used and has sufficient viscosity stability, the semiconductor element and the support member Good adhesion is possible in the bonding of.
  • the reasons for obtaining such an effect are that the silver-coated particles can secure a sufficient conductive path with a small amount of silver on the surface of the non-conductive particles, and that the reactivity with the resin composition is small. And so on.
  • the non-conductive particles are preferably metal oxides.
  • the metal oxide may be silica or alumina.
  • the mass ratio [A / B] of the content A of the silver-coated particles to the content B of the silver particles is 0.3 to 0.3, from the viewpoint of suppressing the change in viscosity and bleed-out. It is preferably 1.0.
  • the resin paste composition according to the present invention can contain a thermosetting component.
  • the thermosetting component may contain a polymerizable compound and a polymerization initiator.
  • the resin paste composition makes it easy to reduce the warp of the support member.
  • One aspect of the present invention relates to a semiconductor device including a support member and a semiconductor element, in which the support member and the semiconductor element are joined by the cured product of the resin paste composition according to the present invention described above.
  • the semiconductor device according to the present invention can have the same characteristics as the case of using a resin paste composition containing a large amount of silver particles while reducing the amount of silver used.
  • One aspect of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device including a support member and a semiconductor element bonded to the support member, wherein the support member and the semiconductor element are prepared, and at least one of them is described above.
  • a semiconductor including a coating step of applying the resin paste composition according to the present invention and a curing step of mounting a semiconductor element on a support member and curing the resin paste composition interposed between the support member and the semiconductor element. Regarding the manufacturing method of the device.
  • the resin paste composition according to the present invention by using the resin paste composition according to the present invention, there is a case where a resin paste composition containing a large amount of silver particles is used while reducing the amount of silver used. A semiconductor device having the same characteristics can be obtained.
  • a resin paste composition having sufficient electrical conductivity and sufficient viscosity stability, and capable of satisfactorily adhering a semiconductor element and a support member while reducing the amount of silver used.
  • a method for manufacturing a semiconductor device using the same, and a semiconductor device can be provided.
  • the numerical range indicated by using “-" indicates a range including the numerical values before and after "-" as the minimum value and the maximum value, respectively.
  • the upper limit value or the lower limit value of the numerical range of one step can be arbitrarily combined with the upper limit value or the lower limit value of the numerical range of another step.
  • the upper limit value or the lower limit value of the numerical range may be replaced with the value shown in the examples.
  • “A or B” may include either A or B, or both.
  • the materials exemplified in the present specification may be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of each component used in the composition is the total amount of the plurality of substances present in the composition unless otherwise specified, when a plurality of substances corresponding to each component are present in the composition.
  • the term “layer” includes not only a structure having a shape formed on the entire surface but also a structure having a shape partially formed when observed as a plan view.
  • the term “process” is included in this term not only as an independent process but also as long as the desired action of the process is achieved even if it cannot be clearly distinguished from other processes. .. "(Meta) acrylic” means at least one of acrylic and the corresponding methacrylic. The same applies to other similar expressions such as "(meth) acryloyl" and "(meth) acrylate”.
  • the resin paste composition of the present embodiment includes (A) non-conductive particles, silver-coated particles having silver coating the non-conductive particles (hereinafter, may be referred to as component (A)), and (B) silver particles. It contains (hereinafter, may be referred to as (B) component) and (C) a thermosetting component (hereinafter, may be referred to as (C) component).
  • the silver-coated particles as the component (A) can impart excellent electrical conductivity to the resin paste composition.
  • the electrical conductivity of the resin paste composition can be sufficiently ensured even if the content of silver particles is reduced.
  • the content of the silver particles can be reduced, so that the resin paste composition can be made cheaper.
  • the component (A) contains non-conductive particles coated with silver, the influence on the adhesiveness and viscosity stability of the resin paste composition is sufficiently reduced, and the electric conductivity, thermal conductivity, etc. Can be imparted to the resin paste composition.
  • non-conductive particles constituting the silver-coated particles include particles such as metal oxides, glass beads, and polymers. From the viewpoint of viscosity stability, heat resistance, and control of particle size, the non-conductive particles are preferably metal oxides.
  • metal oxides examples include silica and alumina. These can be preferably used from the viewpoint of raw material price and specific gravity.
  • the component (A) for example, silver-coated silica powder, silver-coated alumina powder, or the like can be used.
  • commercially available products such as TFM-S02P, TFM-S05P, TFM-L05P, and TFM-L10P (above, Toyo Aluminum K.K., product name) can be used.
  • the average particle size of the component (A) is preferably 1 to 10 ⁇ m, more preferably 2 to 5 ⁇ m, from the viewpoint of suppressing a decrease in the wettability of the resin paste composition. In this case, when the semiconductor element is mounted by interposing the resin paste composition on the support member, it is possible to prevent the semiconductor element from tilting. Further, from the viewpoint of suppressing warpage of the joining member, the average particle size of the component (A) is preferably 1 to 20 ⁇ m, more preferably 1 to 8 ⁇ m.
  • the average particle size of the component (A) can be determined as a median diameter by a particle size distribution measuring device (for example, Microtrack X100) using a laser light diffraction method. The median diameter indicates the value of the particle diameter (D50) at which the cumulative rate in the particle size distribution based on the number is 50%.
  • the tap density of the component (A) is preferably 1.00 ⁇ 6.00g / cm 3, more preferably 1.0 ⁇ 2.5g / cm 3.
  • the tap density of particles means a value obtained by measuring with a tap density measuring device according to JIS Z 2512. Specifically, a funnel is used to gently drop 100 g of particles into a 100 ml graduated cylinder. The cylinder is placed on a tap density measuring instrument (manufactured by Kuramochi Kagaku Kikai Seisakusho Co., Ltd., model number: KRS-406) and dropped 600 times at a drop distance of 20 mm and a speed of 60 times / minute to measure the volume of compressed particles. To do. Then, the tap value calculated by dividing the mass of the particles by the volume of the compressed particles is the tap density.
  • a tap density measuring instrument manufactured by Kuramochi Kagaku Kikai Seisakusho Co., Ltd., model number: KRS-406
  • the component (A) may have a shape such as granular, flake-shaped (flat), spherical, needle-shaped, or irregular, and is preferably spherical from the viewpoint of suppressing warpage.
  • spherical component (A) is blended, from the viewpoint of suppressing the occurrence of bleed-out (for example, the resin flows out from the applied resin paste composition or its cured product along the groove on the lead frame), B) It is preferable to use flake-shaped silver particles together as a component.
  • the content of silver contained in the component (A) is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, based on the mass of the silver-coated particles.
  • Examples of the method of coating non-conductive particles with silver include an electroless plating method.
  • one type can be used alone or two or more types can be used in combination.
  • the content of the component (A) is preferably in the following range based on the total amount of the resin paste composition. From the viewpoint of easily obtaining excellent electrical conductivity, the content of the component (A) is preferably 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, further preferably 10% by mass or more, and particularly preferably 15% by mass or more. 20% by mass or more is extremely preferable, and 25% by mass or more is very preferable. Further, from the viewpoint of easily obtaining excellent adhesive strength, the content of the component (A) is preferably 70% by mass or less, more preferably 60% by mass or less, further preferably 50% by mass or less, and particularly preferably 42% by mass or less.
  • the content of the component (A) is preferably 1 to 70% by mass, more preferably 10 to 50% by mass, and even more preferably 15 to 40% by mass.
  • silver particles As the silver particles as the component (B), silver powder or the like used as conductive particles can be used.
  • the content of silver contained in the silver particles is preferably 99.0% by mass or more, and more preferably 99.9% by mass or more.
  • a tap density of components is preferably 1.5 ⁇ 2.5g / cm 3, more preferably 1.5 ⁇ 2.0g / cm 3.
  • the tap density of the component (B) has a certain range due to the variation of the measured value, when the range includes the value of 2.5 g / cm 3 , or the range is 2.5 g / cm 3 or less.
  • the tap density of component (B) is assumed to be 2.5 g / cm 3 or less.
  • the tap density of the component (B) has a certain range due to the variation of the measured values, the range includes a value of 2.5 g / cm 3 and a value of 1.0 g / cm 3 , or When the range is included in the range of 1.0 to 2.5 g / cm 3 , the tap density of the component (B) is assumed to be 1.0 to 2.5 g / cm 3.
  • the average particle size of the component (B) is preferably 1 ⁇ m or more, preferably 1.5 ⁇ m or more, from the viewpoint that the component (B) is difficult to settle in the resin paste composition and the contact resistance is increased and the conductivity is lowered. Is more preferable, and 2 ⁇ m or more is further preferable. Further, from the viewpoint of facilitating control of the paste film thickness or suppression of chip inclination, the average particle size of the component (B) is preferably 15 ⁇ m or less, more preferably 10 ⁇ m or less, further preferably 6 ⁇ m or less, and further preferably 5 ⁇ m or less. It is particularly preferable, 4 ⁇ m or less is extremely preferable, and 3 ⁇ m or less is very preferable.
  • the average particle size of the component (B) is preferably 1 to 15 ⁇ m, preferably 1 to 10 ⁇ m, from the viewpoint of achieving both the suppression of sedimentation of the component (B), the control of the paste film thickness, and the ease of suppressing the inclination of the chip. More preferred.
  • the average particle size of the component (B) can be determined as the median diameter (D50) by a particle size distribution measuring device (for example, Microtrack X100) using a laser light diffraction method.
  • a particle size distribution measuring device for example, Microtrack X100
  • the BET specific surface area of the component (B) is preferably 1.5 to 4.00 m 2 / g.
  • the specific surface area of the component (B) is a value measured by the BET method N 2 gas adsorption one-point method.
  • the component (B) may have a shape such as granular, flake-like (flat), spherical, needle-like, or irregular, and is preferably flake-like from the viewpoint of electrical conductivity.
  • a resin paste composition having sufficient electrical conductivity can be obtained with a small silver content.
  • such a resin paste composition can be excellent in adhesiveness and storage stability (particularly viscosity stability) while ensuring electrical conductivity.
  • the component (B) may be coated with an organic fatty acid such as stearic acid, oleic acid, or palmitic acid.
  • an organic fatty acid such as stearic acid, oleic acid, or palmitic acid.
  • one type can be used alone or two or more types can be used in combination.
  • the content of the component (B) is preferably in the following range based on the total amount of the resin paste composition.
  • the content of the component (B) is preferably 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, further preferably 10% by mass or more, and 20% by mass or more. Is particularly preferable, 30% by mass or more is extremely preferable, and 35% by mass or more is very preferable.
  • the content of the component (B) is preferably 70% by mass or less, more preferably 60% by mass or less, still more preferably 50% by mass or less.
  • the content of the component (B) is preferably 1 to 70% by mass, more preferably 20 to 50% by mass, and 30 to 40%. Mass% is more preferred.
  • the mass ratio [A / B] of the content A of the component (A) and the content B of the component (B) is 0.3 to 1.0. It is preferably present, and more preferably 0.5 to 1.0.
  • the resin paste composition of the present embodiment may further contain conductive particles other than the components (A) and (B) (hereinafter, may be referred to as "other conductive particles").
  • conductive particles conductive particles having an average particle size of less than 10 ⁇ m are preferable.
  • the conductive particles include metal powders such as gold powder, copper powder, nickel powder, iron powder and stainless steel powder, and conductive particles coated with metal (for example, silver coating) (for example, copper particles and carbon particles). , Aluminum particles, etc.).
  • thermosetting component (C) Thermosetting component
  • thermosetting component (C) examples include a polymerizable compound, a polymerization initiator, a thermosetting resin, a curing agent, and a curing accelerator.
  • the resin paste composition of the present embodiment preferably contains a polymerizable compound and a polymerization initiator as the component (C) from the viewpoint of reducing the warp of the support member. Further, such a resin paste composition has a small change in viscosity and is sufficient even when the amount of silver used is reduced and the electrical conductivity is ensured by using the components (A) and (B) in combination. Adhesive strength can be obtained.
  • the polymerizable compound is a compound having a (meth) acryloyl group from the viewpoint of easily suppressing the separation of the components (A) and (B) and the component (C) when the resin paste composition flows (hereinafter referred to as a compound).
  • (Meta) acrylic compound is preferably used.
  • the (meth) acrylic compound contains a (meth) acrylic acid ester having one or more (meth) acryloyloxy groups from the viewpoint of further suppressing the separation of the component (A) and the component (C). Is preferable.
  • the (meth) acrylic acid ester is a compound represented by the following general formula (C1), the following general, from the viewpoint of further suppressing the separation of the component (A) and the component (B) from the component (C).
  • R 1a represents a hydrogen atom or a methyl group
  • R 1b has 1 to 100 carbon atoms (preferably a divalent aliphatic group having 1 to 36 carbon atoms or a hydrocarbon group having a cyclic structure). Represents. ]
  • R 2a represents a hydrogen atom or a methyl group
  • R 2b is a divalent aliphatic group having 1 to 100 carbon atoms (preferably a divalent aliphatic group having 1 to 36 carbon atoms or a hydrocarbon group having a cyclic structure). Represents. ]
  • R 3a represents a hydrogen atom or a methyl group
  • R 3b represents a hydrogen atom, a methyl group or a phenoxymethyl group
  • R 3c is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group or a benzoyl group.
  • n3 represents an integer of 1 to 50.
  • R 4a represents a hydrogen atom or a methyl group
  • R 4b represents a phenyl group, a cyano group, -Si (OR 4c ) 3
  • R 4c represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms
  • n4 represents an integer of 0 to 3.
  • R 4d , R 4e and R 4f independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms
  • R 4g is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or phenyl. Represents a group. ⁇ ]]
  • R 5a and R 5b each independently represent a hydrogen atom or a methyl group
  • R 5c is a divalent aliphatic group having 1 to 100 carbon atoms (preferably 1 to 36 carbon atoms, or a divalent aliphatic group). Represents a hydrocarbon group having a cyclic structure).
  • R 6a and R 6b independently represent a hydrogen atom or a methyl group
  • R 6c represents a hydrogen atom, a methyl group or a phenoxymethyl group
  • n6 represents an integer of 1 to 50. However, when R 6c is a hydrogen atom or a methyl group, n6 is not 1.
  • R 7a , R 7b , R 7c and R 7d each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 8a , R 8b , R 8c , R 8d , R 8e and R 8f each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and n81 and n82 each independently represent an integer of 1 to 20.
  • R9a, R9b, R9c, R9d, R9e and R9f each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and n9 represents an integer of 1 to 20.
  • R 10a and R 10b each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and r, s, t and u are each independently a number of 0 or more indicating the average value of the number of repetitions, and r + t. Is 0.1 or more (preferably 0.3 to 5), and s + u is 1 or more (preferably 1 to 100). ]
  • Examples of the compound represented by the formula (C1) include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, and isobutyl (meth).
  • Examples of the compound represented by the formula (C2) include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and dimerdiol mono (meth) acrylate.
  • Examples of the compound represented by the formula (C3) include diethylene glycol mono (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, and 2-ethoxyethyl (meth).
  • Examples of the compound represented by the formula (C4) include benzyl (meth) acrylate, 2-cyanoethyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, tetrahydropyranyl (meth) acrylate, and dimethylamino.
  • the compound represented by the formula (C4) is dicyclopentenyloxyethyl from the viewpoint of further suppressing the separation of the component (A) and other components (for example, a resin component such as the component (C)).
  • (Meta) acrylate is preferred.
  • Examples of the compound represented by the formula (C5) include ethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, and 1,9-nonanediol. Examples thereof include di (meth) acrylate, 1,3-butanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, dimerdiol di (meth) acrylate, and dimethylol tricyclodecanedi (meth) acrylate. As the compound represented by the formula (C5), neopentyl glycol di (meth) acrylate is preferable.
  • Examples of the compound represented by the formula (C6) include diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, and tripropylene glycol di (meth). Examples thereof include meta) acrylate and polypropylene glycol di (meth) acrylate. As the compound represented by the formula (C6), polyethylene glycol di (meth) acrylate is preferable.
  • Examples of the compound represented by the formula (C7) include a di (meth) acrylate compound obtained by reacting 1 mol of bisphenol A, bisphenol F or bisphenol AD with 2 mol of glycidyl (meth) acrylate.
  • Examples of the compound represented by the formula (C8) include a di (meth) acrylate compound of a polyethylene oxide adduct of bisphenol A, bisphenol F or bisphenol AD.
  • Examples of bisphenol A include ethoxylated bisphenol A (for example, EO-modified bisphenol A diacrylate), hydrogenated bisphenol A, halogenated bisphenol A and the like.
  • Examples of the compound represented by the formula (C9) include bis ((meth) acryloxipropyl) polydimethylsiloxane, bis ((meth) acryloxipropyl) methylsiloxane-dimethylsiloxane copolymer and the like.
  • Examples of the compound represented by the formula (C10) include a reactant obtained by reacting polybutadiene to which maleic anhydride is added and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, and a hydrogenated product thereof.
  • Examples of the compound represented by the formula (C10) include MM-1000-80, MAC-1000-80 (above, JX Nippon Oil Energy Co., Ltd., trade name) and the like.
  • the (meth) acrylic compound can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the (meth) acrylic compound is preferably in the following range based on the total amount of the resin paste composition.
  • the content of the (meth) acrylic compound is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, further preferably 5% by mass or more, and particularly preferably 10% by mass or more. 15% by mass or more is extremely preferable, and 20% by mass or more is very preferable.
  • the content of the (meth) acrylic compound is preferably 50% by mass or less, more preferably 45% by mass or less, further preferably 40% by mass or less, and 35.
  • the content of the (meth) acrylic compound is preferably 1 to 50% by mass, more preferably 15 to 40% by mass, and 20 to 30% by mass. More preferred.
  • the polymerization initiator can be used to promote the polymerization of the above-mentioned polymerizable compound.
  • the polymerization initiator preferably contains a radical polymerization initiator.
  • the radical polymerization initiator preferably contains a peroxide-based radical polymerization initiator from the viewpoint of easily suppressing the formation of voids during curing of the resin paste composition.
  • a peroxide-based radical polymerization initiator examples include 1,1,3,3-tetramethylperoxy2-ethylhexanoate, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane, and 1,1-bis (1,1-bis).
  • t-Butylperoxy) cyclododecane di-t-butylperoxyisophthalate, t-butylperbenzoate, dicumyl peroxide, t-butylcumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (t) -Butyl peroxy) hexane, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butyl peroxy) hexin, cumene hydroperoxide and the like can be mentioned.
  • the polymerization initiator can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the polymerization initiator is preferably in the following range based on the total amount of the resin paste composition.
  • the content of the polymerization initiator is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, and 0.5% by mass. More preferably, it is more preferably 0.7% by mass or more, particularly preferably 0.9% by mass or more, and extremely preferably 0.9% by mass or more.
  • the content of the polymerization initiator is preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less, further preferably 2% by mass or less, and particularly preferably 1.5% by mass or less.
  • the content of the polymerization initiator is preferably 0.1 to 5% by mass, more preferably 0.5 to 2% by mass, and 0.5 to 1% by mass. % Is more preferable.
  • the thermosetting resin can be used as a binder resin.
  • examples of the thermosetting resin include epoxy resin, silicone resin, urethane resin and the like.
  • the component (C) has a viewpoint that excellent adhesive strength can be easily obtained, and the components (A) and (B) are separated from other components (for example, a resin component such as the component (C)). It is preferable to contain an epoxy resin from the viewpoint of easy suppression.
  • the epoxy resin preferably contains an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule.
  • epoxy resins include bisphenol A type epoxy resins (for example, AER-X8501 (Asahi Kasei Co., Ltd., trade name), R-301 (Mitsubishi Chemical Co., Ltd., trade name), YL-980 (Mitsubishi Chemical Co., Ltd., trade name).
  • n11 represents an integer from 0 to 5.
  • the epoxy resin preferably contains at least one selected from the group consisting of bisphenol F type epoxy resin, epoxidized polybutadiene, phenol novolac type epoxy resin, and cresol novolac type epoxy resin.
  • bisphenol F type epoxy resin epoxidized polybutadiene
  • phenol novolac type epoxy resin phenol novolac type epoxy resin
  • cresol novolac type epoxy resin epoxidized polybutadiene
  • excellent electrical conductivity, adhesive strength, thermal conductivity, coating workability and mechanical properties can be easily obtained.
  • the epoxy resin may contain a monofunctional epoxy compound (reactive diluent) which is a compound having one epoxy group in one molecule.
  • monofunctional epoxy compounds include phenylglycidyl ether (for example, PGE (Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name)), alkylphenol monoglycidyl ether (for example, PP-101 (Toto Kasei Co., Ltd., trade name)), and the like.
  • Aliphatic monoglycidyl ether for example, ED-502 (ADEKA Co., Ltd., trade name)
  • alkylphenol monoglycidyl ether for example, ED-509 (ADEKA Co., Ltd., trade name)
  • alkylphenol monoglycidyl ether for example, YED- 122 (Mitsubishi Chemical Co., Ltd., product name)
  • the number average molecular weight of the thermosetting resin is preferably 160 to 3000.
  • the number average molecular weight of the thermosetting resin is 160 or more, excellent adhesive strength can be easily obtained.
  • the number average molecular weight of the thermosetting resin is 3000 or less, good workability can be easily obtained without the viscosity of the resin paste composition increasing too much.
  • the number average molecular weight can be obtained by measuring by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions and converting from a calibration curve using standard polystyrene.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 80 to 1000, more preferably 100 to 500.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin is 80 or more, excellent adhesive strength can be easily obtained.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin is 1000 or less, it is easy to prevent the unreacted cured product from remaining during curing of the resin paste composition. Therefore, the outgas of the cured product of the resin paste composition generated in the heat history after curing. It is easy to suppress the occurrence of.
  • thermosetting resin can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the thermosetting resin is preferably in the following range based on the total amount of the resin paste composition.
  • the content of the thermosetting resin is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, further preferably 0.8% by mass or more, and 1% by mass. % Or more is particularly preferable.
  • the content of the thermosetting resin is preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less. 2, 2% by mass or less is more preferable, and 1.5% by mass or less is particularly preferable.
  • the content of the thermosetting resin is preferably 0.1 to 5% by mass, more preferably 0.5 to 4.0% by mass, and 0.5 to 3. 0% by mass is more preferable.
  • the curing accelerator examples include amine compounds (excluding polymer compounds having a polyoxyalkylene group, which will be described later).
  • the component (C) preferably contains an amine compound from the viewpoint of easily ensuring sufficient curability of the resin composition.
  • the amine compound include dicyandiamide, dibasic acid dihydrazide represented by the following general formula (C12) (for example, ADH, PDH, and SDH (all of which are Nippon Finechem Co., Ltd., trade name)), polyamines, imidazole compounds, and epoxies.
  • Microcapsule type curing agent consisting of a reaction product of a resin and an amine compound (for example, Novacure (Asahi Kasei Co., Ltd., trade name)), diaminodiphenylmethane, m-phenylenediamine, m-xylenediamine, diaminodiphenyl sulfone, urea, urea derivative , Melamine and the like.
  • the imidazole compound include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole and the like. ..
  • R 12a represents a divalent aromatic group such as an m-phenylene group or a p-phenylene group, and a linear or branched alkylene group having 2 to 12 carbon atoms.
  • the curing accelerator can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the curing accelerator is preferably in the following range based on the total amount of the resin paste composition.
  • the content of the curing accelerator is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.02% by mass or more, and further preferably 0.03% by mass or more. It is preferable, and 0.05% by mass or more is particularly preferable.
  • the content of the curing accelerator is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or less, and 0.4% by mass or less. More preferably, 0.3% by mass or less is particularly preferable.
  • the content of the curing accelerator is preferably 0.01 to 1% by mass, more preferably 0.03 to 0.3% by mass, and 0.05 to 0. 3% by mass is more preferable.
  • the resin paste composition of the present embodiment can contain a coupling agent (hereinafter, may be referred to as component (D)). As a result, the adhesiveness of the resin paste composition to the support member is further improved.
  • a coupling agent hereinafter, may be referred to as component (D)
  • the coupling agent examples include a silane coupling agent, a titanate-based coupling agent, an aluminum-based coupling agent, a zirconeate-based coupling agent, a zircoaluminate-based coupling agent, and the like.
  • silane coupling agent examples include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, and vinyl-tris (2-).
  • Methoxyethoxy) silane ⁇ -methacryloxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, methyltri (methacryloxyethoxy) silane, ⁇ -acryloxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -aminopropyltrimethoxysilane, ⁇ - Aminopropyltriethoxysilane, N- ⁇ - (aminoethyl) - ⁇ -aminopropyltrimethoxysilane, N- ⁇ - (aminoethyl) - ⁇ -aminopropylmethyldimethoxysilane, N- ⁇ - (N-vinylbenzylamino) Ethyl) - ⁇ -aminopropyltrimethoxysilane, ⁇ -anilinopropyltrimethoxysilane, ⁇ -ureidopropyltrimethoxysilane, ⁇ -urei
  • ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane and ⁇ -glycidoxypropylmethyldiethoxysilane are exemplified as monofunctional epoxy compounds (reactive diluents) that can be contained in the epoxy resin. Is. These compounds have both the function of a silane coupling agent and the function of a reactive diluent.
  • titanate-based coupling agent examples include isopropyltriisostearoyl titanate, isopropyltridodecylbenzenesulfonyl titanate, isopropyltris (dioctylpyrophosphate) titanate, tetraisopropylbis (dioctylphosphite) titanate, and tetraoctylbis (ditridecylphosphite).
  • Titanate tetra (2,2-diallyloxymethyl-1-butyl) bis (di-tridecyl) phosphite titanate, bis (dioctylpyrophosphate) oxyacetate titanate, bis (dioctylpyrophosphate) ethylene titanate, isopropyltrioctanoyl Titanate, isopropyldimethacrylisostearoyl titanate, isopropyl (dioctylphosphate) titanate, isopropyltricylphenyl titanate, isopropyltri (N-aminoethyl / aminoethyl) titanate, dicumylphenyloxyacetate titanate, diisostearoylethylene titanate, etc.
  • titanate-based coupling agents such as isopropyltriisostearoyl titanate, isopropyltridodecylbenzenesulfonyl titanate, isopropyltrioctanoyl titanate, isopropyltricylphenyl titanate and isopropyltri (N-aminoethyl / aminoethyl) titanate. Titanate is preferred.
  • Examples of the aluminum-based coupling agent include acetalkoxyaluminum diisopropionate.
  • zirconate-based coupling agent examples include tetrapropyl zirconate, tetrabutyl zirconate, tetra (triethanolamine) zirconate, tetraisopropyl zirconate, zirconium acetylacetonate, acetylacetone zirconium butyrate, and zirconium stearate butyrate. Can be mentioned.
  • zircoaluminate-based coupling agent examples include monoalkoxyzircoaluminate, trialkoxyzircoaluminate, tetraalkoxyzircoaluminate and the like.
  • the coupling agent can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the coupling agent is preferably in the following range based on the total amount of the resin paste composition.
  • the content of the coupling agent is preferably 0.2% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, further preferably 0.8% by mass or more, and 1% by mass. The above is particularly preferable.
  • the content of the coupling agent is preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, still more preferably 3% by mass or less. 5% by mass or less is particularly preferable, and 2% by mass or less is extremely preferable.
  • the content of the coupling agent is preferably 0.1 to 10% by mass, more preferably 0.2 to 5% by mass, and even more preferably 1 to 3% by mass.
  • the resin paste composition of the present embodiment may contain additives in addition to the above-mentioned components.
  • additives fatty acids (oleic acid, stearic acid, lauric acid, etc.), hygroscopic agents (calcium oxide, magnesium oxide, etc.), wettability improvers (fluorine-based surfactants, nonionic surfactants, higher fatty acids, etc.) , Antifoaming agent (silicone oil, etc.), ion trapping agent (inorganic ion exchanger, etc.) and the like.
  • the resin paste composition of the present embodiment has a viscosity at 25 ° C. of preferably 30 to 100 Pa ⁇ s, more preferably 40 to 90 Pa ⁇ s, and even more preferably 40 to 70 Pa ⁇ s. ..
  • the viscosity here refers to the viscosity when measured after 3 minutes at 25 ° C. and 0.5 rpm using an EHD type rotational viscometer (3 ° cone manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.).
  • the above-mentioned components (A), (B) and (C) are mixed with, if necessary, the component (D), the coupling agent and other additives. , These can be prepared by kneading.
  • the above mixing and kneading can be performed using a rotation mixer such as a high put mixer or a planetary mixer, or a planetary kneader.
  • a rotation mixer such as a high put mixer or a planetary mixer, or a planetary kneader.
  • the resin paste composition of the present embodiment can be suitably used for bonding a semiconductor element and a support member, and can be used for manufacturing a semiconductor device including the support member and the semiconductor element bonded to the support member. ..
  • the method for manufacturing a semiconductor device of the present embodiment includes a coating step of preparing a support member and a semiconductor element and applying the above-mentioned resin paste composition according to the present embodiment to at least one of them, and a semiconductor element on the support member. It is provided with a curing step of curing the resin paste composition interposed between the support member and the semiconductor element.
  • semiconductor elements examples include silicon chips, silicon carbide, gallium nitride, and the like.
  • the support member examples include lead frames such as 42 alloy lead frames and copper lead frames; plastic films such as polyimide resin, epoxy resin and polyimide resin; polyimide resin, epoxy resin and polyimide resin on a base material such as glass non-woven fabric. Such as those impregnated and cured with plastics such as; insulating support substrates made of ceramics such as alumina, lower semiconductor chips in the case of stack packages; glass substrates in the case of displays and the like.
  • Examples of the method for applying the resin paste composition include a dispensing method, a screen printing method, and a stamping method.
  • the resin paste composition of the present embodiment is interposed between the semiconductor element and the support member, and these can be heat-cured.
  • Heating can be performed using an oven or a heat block in the atmosphere or in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen.
  • the heating temperature may be 150 to 220 ° C. or 180 to 200 ° C.
  • the heating time can be 30 seconds to 120 minutes, preferably 60 minutes to 90 minutes.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device according to the present invention.
  • the semiconductor device 100 shown in FIG. 1 includes a semiconductor element 10, a support member 20 for mounting the semiconductor element, and a bonding layer 30 for joining the semiconductor element 10. Further, in the semiconductor device 100, the connection terminal (not shown) of the semiconductor element 10 is electrically connected to the external connection terminal (not shown) via the wire 50, and is sealed by the sealing material 40. ..
  • the semiconductor device 100 can be obtained by the method for manufacturing the semiconductor device of the present embodiment described above.
  • the resin paste composition of the present embodiment is interposed between the semiconductor element and the support member, and these are heat-bonded. It is obtained by adhering the two together, and then undergoing steps such as a wire bonding step and, if necessary, a sealing step with a sealing material.
  • the insulating support substrate provided with the terminal 60 is used as the support member 20, but the above-mentioned support member can be used.
  • the bonding layer 30 may be a cured product of the resin paste composition according to the present embodiment described above.
  • Viscosity change rate [(Viscosity after 7 days-Initial viscosity) / Initial viscosity] x 100
  • FIG. 2 is a diagram for explaining a method for measuring the volume resistivity.
  • the volume resistivity of the cured product of the resin paste composition was measured by the following procedure shown in FIG.
  • three sheets of paper tape 2 manufactured by Nitto Denko CS System Co., Ltd., No.
  • an exposed portion 1a width 2 mm
  • the characteristics of the obtained resin paste composition were evaluated by the method shown above.
  • Silver-coated particles 1 TFM-S02P (manufactured by Toyo Aluminum K.K., product name, silver-coated silica powder, shape: granular, average particle size: 2.0 ⁇ m, tap density: 1.5 g / cm 3 )
  • Silver-coated particles 2 TFM-S05P (manufactured by Toyo Aluminum K.K., product name, silver-coated silica powder, shape: spherical, average particle size: 5.0 ⁇ m, tap density: 1.2 g / cm 3 )
  • Silver-coated particles 3 TFM-L05P (manufactured by Toyo Aluminum K.K., product name, silver-coated alumina powder, shape: flakes, average particle size: 5.0 ⁇ m, tap density: 1.1 g / cm 3 )
  • Silver particles 1 TC-204BT (manufactured by Tokuriki Honten Co., Ltd., product name, silver powder
  • the resin paste compositions of Examples 1 to 3 have good viscosity stability even though the amount of silver used is smaller than that of the resin paste composition of Reference Example 1, and this is a reference. It was confirmed that it had the same electrical conductivity and adhesive strength as in Example 1, and that bleed-out was also suppressed. Further, it was confirmed that the resin paste compositions of Examples 1 to 3 can achieve both viscosity stability and reduction of warpage.
  • a resin paste composition having sufficient electrical conductivity and sufficient viscosity stability, and capable of satisfactorily adhering a semiconductor element and a support member while reducing the amount of silver used.
  • a method for manufacturing a semiconductor device using the same, and a semiconductor device can be provided.

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Abstract

本発明に係る樹脂ペースト組成物は、非導電性粒子及び該非導電性粒子を被覆する銀を有する銀被覆粒子と、銀粒子とを含有する。本発明に係る半導体装置は、支持部材と、半導体素子とを備え、支持部材と半導体素子とが本発明に係る樹脂ペースト組成物の硬化物によって接合されている。

Description

樹脂ペースト組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法
　本発明は、樹脂ペースト組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
　リードフレーム等の支持部材に搭載された半導体素子を備える半導体装置は、一般に、ダイボンディング材を使用して半導体素子を支持部材に接着することにより製造されている。ダイボンディング材としては、Ａｕ－Ｓｉ共晶、半田及び樹脂ペースト組成物等が知られており、作業性及びコストの点から樹脂ペースト組成物が広く使用されている。
　ダイボンディング材には、高い接着強度が要求される一方、半導体素子を接着した支持部材の反りを低減させるために、半導体素子の熱膨張率と支持部材の熱膨張率との差から生じるストレスを吸収できる性能も要求される。このような特性を有するダイボンディング材として、エポキシ樹脂とアクリル樹脂とのハイブリッド樹脂系の樹脂ペースト組成物が提案されている（例えば、下記特許文献１を参照）。
　導電タイプのダイボンディング材の場合、導電性フィラーの添加によって電気伝導性等の特性が付与される。導電性フィラーとしては、例えば、金粉、銀粉、銅粉等の金属粉などが知られており、銀粉が主に用いられている。銀粉は、金粉ほど希少ではなく、銅粉のように酸化されやすく保存安定性に劣るということもなく、さらに優れた作業性及び機械特性を有し、樹脂ペースト組成物の導電性フィラーとして要求される諸特性に優れている。しかし、銀粉も高価な材料であることから、その使用量を少なくするために、より入手が容易で安価な導電性フィラーの使用も検討されている。例えば、下記特許文献２～４には、銀粉と、アルミニウム紛とを併用した樹脂ペースト組成物が提案されている。また、下記特許文献５には、エポキシ樹脂と、所定量の銀紛及び銀コート銅粉とを配合した半導体素子接着用樹脂ペーストが開示されている。
特開２００２－１７９７６９号公報 特開２００５－１９７１１８号公報 国際公開第２０１２／１２４５２７号パンフレット 特開２０１５－１３５８０５号公報 特開平１１－０９２７３９号公報
　銀紛とアルミニウム紛とを併用した樹脂ペースト組成物は、銀粉を多く含有する従来の樹脂ペースト組成物に比べて体積抵抗が高く、組成物の粘度変化が大きくなる傾向にある。そのため、樹脂ペースト組成物の電気伝導性及び粘度安定性を充分確保しつつ導電性フィラー中の銀粉の割合を小さくするには、上記特許文献２～４に記載の技術であっても更なる改善の必要がある。
　銀コート銅粉については、樹脂ペースト組成物が（メタ）アクリル系化合物と過酸化物等の重合開始剤とを含有するアクリル樹脂系を含む場合、ゲル化しやすくなり、粘度安定性に課題があることが本発明者らの検討により判明している。
　このように、導電性フィラー中の銀粉の割合を減らしながらも、銀粉を多く含有する従来の樹脂ペースト組成物と同等以上の特性を有する樹脂ペースト組成物は得られていない。
　本発明は、銀の使用量を少なくしながらも、充分な電気伝導性と充分な粘度安定性とを有し、半導体素子と支持部材とを良好に接着することができる樹脂ペースト組成物、並びに、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の銀被覆粒子と、銀粒子とを併用して銀粒子の含有割合を低減した樹脂ペースト組成物が、銀粒子を多く含有する樹脂ペースト組成物と同等の電気伝導性を発現しつつ、アクリル樹脂系を含む場合であっても粘度変化が小さく、充分な接着強度を得ることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
　本発明の一側面は、非導電性粒子及び該非導電性粒子を被覆する銀を有する銀被覆粒子と、銀粒子とを含有する樹脂ペースト組成物に関する。
　本発明に係る樹脂ペースト組成物は、銀の使用量を少なくしながらも充分な電気伝導性を得ることができ、なおかつ充分な粘度安定性を有していることから、半導体素子と支持部材との接合において良好な接着が可能となる。
　このような効果が得られる理由については、上記銀被覆粒子が、非導電性粒子の表面に少ない銀で充分な導電パスを確保することができること、及び、樹脂組成物に対する反応性が小さいこと、などが考えられる。
　粘度安定性の観点から、上記非導電性粒子は金属酸化物であることが好ましい。
　金属酸化物はシリカ又はアルミナであってもよい。
　本発明に係る樹脂ペースト組成物において、粘度変化とブリードアウトの抑制の観点から、銀被覆粒子の含有量Ａと銀粒子の含有量Ｂとの質量比［Ａ／Ｂ］が、０．３～１．０であることが好ましい。
　接着強度の観点から、本発明に係る樹脂ペースト組成物は、熱硬化性成分を含有することができる。
　上記熱硬化性成分は、重合性化合物と、重合開始剤とを含むものであってもよい。この場合、樹脂ペースト組成物は、支持部材の反りを低減することが容易となる。
　本発明の一側面は、支持部材と、半導体素子とを備え、支持部材と半導体素子とが上述した本発明に係る樹脂ペースト組成物の硬化物によって接合されている半導体装置に関する。
　本発明に係る半導体装置は、銀の使用量を少なくしながらも、銀粒子を多く含有する樹脂ペースト組成物を用いる場合と同等の特性を有することができる。
　本発明の一側面は、支持部材と、該支持部材に接合された半導体素子と、を備える半導体装置の製造方法であって、支持部材及び半導体素子を用意し、これらのうちの少なくとも一方に上述した本発明に係る樹脂ペースト組成物を塗布する塗布工程と、支持部材に半導体素子を搭載し、支持部材と半導体素子との間に介在させた樹脂ペースト組成物を硬化する硬化工程とを備える半導体装置の製造方法に関する。
　本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、本発明に係る樹脂ペースト組成物を用いることにより、銀の使用量を少なくしながらも、銀粒子を多く含有する樹脂ペースト組成物を用いる場合と同等の特性を有する半導体装置を得ることができる。
　本発明によれば、銀の使用量を少なくしながらも、充分な電気伝導性と充分な粘度安定性とを有し、半導体素子と支持部材とを良好に接着することができる樹脂ペースト組成物、並びに、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。
本発明に係る半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。 体積抵抗率の測定方法を説明するための図である。
　本明細書において、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値と任意に組み合わせることができる。本明細書に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。「Ａ又はＢ」とは、Ａ及びＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。本明細書において、組成物中の各成分の使用量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。本明細書において「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。「（メタ）アクリル」とは、アクリル、及び、それに対応するメタクリルの少なくとも一方を意味する。「（メタ）アクリロイル」、「（メタ）アクリレート」等の他の類似の表現においても同様である。
　以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
　本実施形態の樹脂ペースト組成物は、（Ａ）非導電性粒子及び該非導電性粒子を被覆する銀を有する銀被覆粒子（以下、（Ａ）成分という場合もある）と、（Ｂ）銀粒子（以下、（Ｂ）成分という場合もある）と、（Ｃ）熱硬化性成分（以下、（Ｃ）成分という場合もある）とを含有する。
［（Ａ）成分：銀被覆粒子］
　（Ａ）成分である銀被覆粒子は、優れた電気伝導性を樹脂ペースト組成物に付与することができる。これにより、銀粒子の含有量を少なくしても樹脂ペースト組成物の電気伝導性を充分確保することができる。そして、銀被覆粒子を配合することにより、銀粒子の含有量を少なくできるので、樹脂ペースト組成物をより安価にできる。また、（Ａ）成分は、銀で被覆された非導電性粒子を含むものであることにより、樹脂ペースト組成物の接着性及び粘度安定性に対する影響を充分小さくしながら、電気伝導性及び熱伝導性等の特性を樹脂ペースト組成物に付与することができる。
　銀被覆粒子を構成する非導電性粒子としては、金属酸化物、ガラスビーズ、ポリマー等の粒子が挙げられる。粘度安定性、耐熱性、及び粒径の制御の観点から、非導電性粒子は金属酸化物であることが好ましい。
　金属酸化物としては、シリカ、アルミナ等が挙げられる。これらは、原料価格及び比重の観点から好適に用いることができる。
　（Ａ）成分としては、例えば、銀コートシリカ粉、銀コートアルミナ紛などを用いることができる。これらは、ＴＦＭ－Ｓ０２Ｐ、ＴＦＭ－Ｓ０５Ｐ、ＴＦＭ－Ｌ０５Ｐ、ＴＦＭ－Ｌ１０Ｐ（以上、東洋アルミニウム株式会社、製品名）などの市販品を用いることができる。
　（Ａ）成分の平均粒径は、樹脂ペースト組成物の濡れ拡がり性の低下を抑制する観点から、１～１０μｍが好ましく、２～５μｍがより好ましい。この場合、支持部材の上に樹脂ペースト組成物を介在させて半導体素子を実装するときに、半導体素子が傾くことを抑制できる。また、接合部材の反りを抑制する観点から、（Ａ）成分の平均粒径は、１～２０μｍが好ましく、１～８μｍがより好ましい。なお、（Ａ）成分の平均粒径は、レーザー光回折法を利用した粒度分布測定装置（例えば、マイクロトラックＸ１００）でメジアン径として求めることができる。なお、メジアン径とは個数基準の粒度分布における累積率が５０％となる粒子径（Ｄ５０）の値を示す。
　（Ａ）成分のタップ密度は、１.００～６.００ｇ／ｃｍ３が好ましく、１．０～２．５ｇ／ｃｍ３がより好ましい。
　本明細書において、粒子のタップ密度はＪＩＳ　Ｚ　２５１２に準じて、タップ密度測定器により測定を行い得られた値を意味する。具体的には、ロートを使用して１００ｇの粒子を１００ｍｌメスシリンダーに静かに落下させる。シリンダーをタップ密度測定器（（株）蔵持科学器械製作所製、型番：ＫＲＳ－４０６）に乗せて２０ｍｍの落下距離及び６０回／分の速さで６００回落下させ、圧縮した粒子の容積を測定する。そして、粒子の質量を圧縮した粒子の容積で割って算出したタップ値がタップ密度である。
　（Ａ）成分は、粒状、フレーク状（扁平状）、球状、針状及び不規則状等の形状を有していてもよく、反りの抑制の観点から、球状であることが好ましい。球状の（Ａ）成分を配合する場合、ブリードアウト（例えば、塗布した樹脂ペースト組成物又はその硬化物から樹脂がリードフレーム上の溝に沿って流れ出ることなど）の発生を抑制する観点から、（Ｂ）成分としてフレーク状の銀粒子を併用することが好ましい。
　（Ａ）成分に含まれる銀の含有量は、導電性の観点から、銀被覆粒子の質量を基準として、１０質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましい。
　非導電性粒子を銀で被覆する方法としては、例えば、無電解メッキ法が挙げられる。
　（Ａ）成分は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　（Ａ）成分の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量を基準として下記の範囲が好ましい。優れた電気伝導性を得やすい観点から、（Ａ）成分の含有量は１質量％以上が好ましく、５質量％以上がより好ましく、１０質量％以上が更に好ましく、１５質量％以上が特に好ましく、２０質量％以上が極めて好ましく、２５質量％以上が非常に好ましい。また、優れた接着強度を得やすい観点から、（Ａ）成分の含有量は７０質量％以下が好ましく、６０質量％以下がより好ましく、５０質量％以下が更に好ましく、４２質量％以下が特に好ましく、４０質量％以下が極めて好ましく、３５質量％以下が非常に好ましく、３０質量％以下がより一層好ましい。電気伝導性と接着強度とを両立する観点から、（Ａ）成分の含有量は、１～７０質量％が好ましく、１０～５０質量％がより好ましく、１５～４０質量％が更に好ましい。
［（Ｂ）成分：銀粒子］
　（Ｂ）成分である銀粒子は、導電性粒子として用いられる銀紛などを用いることができる。銀粒子に含まれる銀の含有量は、９９．０質量％以上であることが好ましく、９９．９質量％以上であることがより好ましい。
　（Ｂ）成分のタップ密度は、１．５～２．５ｇ／ｃｍ３が好ましく、１．５～２．０ｇ／ｃｍ３がより好ましい。なお、（Ｂ）成分のタップ密度が測定値のばらつきによって一定の範囲を有する場合、その範囲が２．５ｇ／ｃｍ３の値を含むとき、又は、その範囲が２．５ｇ／ｃｍ３以下の範囲に含まれるとき、その（Ｂ）成分のタップ密度は、２．５ｇ／ｃｍ３以下であるとする。また、（Ｂ）成分のタップ密度が測定値のばらつきによって一定の範囲を有する場合、その範囲が２．５ｇ／ｃｍ３の値を含み、かつ１．０ｇ／ｃｍ３の値を含むとき、又は、その範囲が１．０～２．５ｇ／ｃｍ３の範囲に含まれるとき、その（Ｂ）成分のタップ密度は、１．０～２．５ｇ／ｃｍ３であるとする。
　（Ｂ）成分の平均粒径は、樹脂ペースト組成物中で（Ｂ）成分が沈降しづらくなる点、及び接触抵抗が増加し導電性が低くなる点から、１μｍ以上が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましく、２μｍ以上が更に好ましい。また、ペースト膜厚の制御又はチップの傾きの抑制が容易となる観点から、（Ｂ）成分の平均粒径は、１５μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がより好ましく、６μｍ以下が更に好ましく、５μｍ以下が特に好ましく、４μｍ以下が極めて好ましく、３μｍ以下が非常に好ましい。（Ｂ）成分の沈降抑制と、ペースト膜厚の制御及びチップの傾きの抑制の容易性とを両立する観点から、（Ｂ）成分の平均粒径は、１～１５μｍが好ましく、１～１０μｍがより好ましい。
　なお、（Ｂ）成分の平均粒径は、レーザー光回折法を利用した粒度分布測定装置（例えば、マイクロトラックＸ１００）でメジアン径（Ｄ５０）として求めることができる。
　（Ｂ）成分のＢＥＴ比表面積は、好ましくは１．５～４．００ｍ２／ｇである。ここで、（Ｂ）成分の比表面積はＢＥＴ法Ｎ２ガス吸着一点法により測定した値である。（Ｂ）成分のＢＥＴ比表面積が上記の範囲であると、樹脂ペースト組成物の粘度が上昇しすぎることなく、優れた電気伝導性を有する樹脂ペースト組成物の硬化物を得ることが容易となる。
　（Ｂ）成分は、粒状、フレーク状（扁平状）、球状、針状及び不規則状等の形状を有していてもよく、電気伝導性の観点から、フレーク状であることが好ましい。フレーク状の銀粒子を配合することにより、個々の銀粒子同士の接触が起こりやすくなり、樹脂ペースト組成物の電気伝導性及び熱伝導性をより高くすることができる。また、上述した（Ａ）成分と組み合わせて用いることで、少ない銀の含有量で充分な電気伝導性を有する樹脂ペースト組成物を得ることができる。また、このような樹脂ペースト組成物は、電気伝導性を確保しつつ、接着性及び保存安定性（特には粘度安定性）にも優れたものになり得る。
　（Ｂ）成分は、ステアリン酸、オレイン酸、パルミチン酸等の有機脂肪酸によってコーティングされていてもよい。銀粒子を有機脂肪酸でコーティングすることにより、樹脂ペースト組成物の粘度を長時間安定させることができる。また、樹脂ペースト組成物において、熱硬化性成分と（Ｂ）成分とが分離することを抑制することができる。
　（Ｂ）成分は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　（Ｂ）成分の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量を基準として、下記の範囲が好ましい。優れた電気伝導性及び熱伝導性を得やすい観点から、（Ｂ）成分の含有量は１質量％以上が好ましく、５質量％以上がより好ましく、１０質量％以上が更に好ましく、２０質量％以上が特に好ましく、３０質量％以上が極めて好ましく、３５質量％以上が非常に好ましい。優れた接着強度を得やすい観点、及び、粘度を低減させやすい観点から、（Ｂ）成分の含有量は７０質量％以下が好ましく、６０質量％以下がより好ましく、５０質量％以下が更に好ましく、４５質量％以下が特に好ましく、４０質量％以下が極めて好ましく、３５質量％以下が非常に好ましい。電気伝導性及び熱伝導性と、接着強度及び低粘度化とを両立する観点から、（Ｂ）成分の含有量は１～７０質量％が好ましく、２０～５０質量％がより好ましく、３０～４０質量％が更に好ましい。
　ブリードアウトの抑制、及び粘度変化の抑制の観点から、（Ａ）成分の含有量Ａと（Ｂ）成分の含有量Ｂとの質量比［Ａ／Ｂ］は、０．３～１．０であることが好ましく、０．５～１．０であることがより好ましい。
　本実施形態の樹脂ペースト組成物は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分以外の導電性粒子（以下、「その他の導電性粒子」という場合もある）をさらに含有してもよい。その他の導電性粒子としては、平均粒径が１０μｍ未満である導電性粒子が好ましい。また、導電性粒子には、金粉、銅粉、ニッケル粉、鉄粉及びステンレス粉などの金属紛、並びに、金属被覆（例えば、銀被膜など）された導電性粒子（例えば、銅粒子、カーボン粒子、アルミ粒子など）が挙げられる。
［（Ｃ）成分：熱硬化性成分］
　（Ｃ）成分である熱硬化性成分としては、重合性化合物、重合開始剤、熱硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進等が挙げられる。
　本実施形態の樹脂ペースト組成物は、支持部材の反りを低減する観点から、（Ｃ）成分として、重合性化合物及び重合開始剤を含有することが好ましい。また、このような樹脂ペースト組成物は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の併用によって銀の使用量を少なくしながら電気伝導性を確保する場合であっても、粘度変化が小さく、充分な接着強度を得ることができる。
　重合性化合物としては、樹脂ペースト組成物の流動時に（Ａ）成分及び（Ｂ）成分と、（Ｃ）成分とが分離することを抑制しやすい観点から、（メタ）アクリロイル基を有する化合物（以下、「（メタ）アクリル化合物」という場合もある）を用いることが好ましい。
　（メタ）アクリル化合物は、（Ａ）成分と（Ｃ）成分とが分離することを更に抑制しやすい観点から、１個以上の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルを含むことが好ましい。
　（メタ）アクリル酸エステルは、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分と、（Ｃ）成分とが分離することを更に抑制しやすい観点から、下記一般式（Ｃ１）で表される化合物、下記一般式（Ｃ２）で表される化合物、下記一般式（Ｃ３）で表される化合物、下記一般式（Ｃ４）で表される化合物、下記一般式（Ｃ５）で表される化合物、下記一般式（Ｃ６）で表される化合物、下記一般式（Ｃ７）で表される化合物、下記一般式（Ｃ８）で表される化合物、下記一般式（Ｃ９）で表される化合物、及び、下記一般式（Ｃ１０）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 ［式中、Ｒ１ａは水素原子又はメチル基を表し、Ｒ１ｂは炭素数１～１００（好ましくは、炭素数１～３６の２価の脂肪族基、又は、環状構造を有する炭化水素基）を表す。］
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 ［式中、Ｒ２ａは水素原子又はメチル基を表し、Ｒ２ｂは炭素数１～１００（好ましくは、炭素数１～３６の２価の脂肪族基、又は、環状構造を有する炭化水素基）を表す。］
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 ［式中、Ｒ３ａは水素原子又はメチル基を表し、Ｒ３ｂは水素原子、メチル基又はフェノキシメチル基を表し、Ｒ３ｃは水素原子、炭素数１～６のアルキル基、フェニル基又はベンゾイル基を表し、ｎ３は１～５０の整数を表す。］
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 ［式中、Ｒ４ａは、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ４ｂは、フェニル基、シアノ基、－Ｓｉ（ＯＲ４ｃ）３（Ｒ４ｃは炭素数１～６のアルキル基を表す）、又は、下記式で表される１価の基を表し、ｎ４は０～３の整数を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 ｛式中、Ｒ４ｄ、Ｒ４ｅ及びＲ４ｆは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表し、Ｒ４ｇは、水素原子、炭素数１～６のアルキル基、又は、フェニル基を表す。｝］
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 ［式中、Ｒ５ａ及びＲ５ｂは、それぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、Ｒ５ｃは、炭素数１～１００（好ましくは、炭素数１～３６の２価の脂肪族基、又は、環状構造を有する炭化水素基）を表す。］
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 ［式中、Ｒ６ａ及びＲ６ｂは、それぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、Ｒ６ｃは、水素原子、メチル基又はフェノキシメチル基を表し、ｎ６は１～５０の整数を表す。但し、Ｒ６ｃが水素原子又はメチル基であるとき、ｎ６は１ではない。］
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 ［式中、Ｒ７ａ、Ｒ７ｂ、Ｒ７ｃ及びＲ７ｄは、それぞれ独立に水素原子又はメチル基を表す。］
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 ［式中、Ｒ８ａ、Ｒ８ｂ、Ｒ８ｃ、Ｒ８ｄ、Ｒ８ｅ及びＲ８ｆは、それぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、ｎ８１及びｎ８２は、それぞれ独立に１～２０の整数を表す。］
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 ［式中、Ｒ９ａ、Ｒ９ｂ、Ｒ９ｃ、Ｒ９ｄ、Ｒ９ｅ及びＲ９ｆは、それぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、ｎ９は１～２０の整数を表す。］
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 ［式中、Ｒ１０ａ及びＲ１０ｂは、それぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、ｒ、ｓ、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、繰り返し数の平均値を示す０以上の数であり、ｒ＋ｔは０．１以上（好ましくは０．３～５）であり、ｓ＋ｕは１以上（好ましくは１～１００）である。］
　式（Ｃ１）で表される化合物としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ－ブチル（メタ）アクリレート、アミル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デシル（メタ）アクリレート、２－（トリシクロ）［５．２．１．０２，６］デカ－３－エン－８又は９－イルオキシエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。式（Ｃ１）で表される化合物としては、エチル（メタ）アクリレートが好ましい。
　式（Ｃ２）で表される化合物としては、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ダイマージオールモノ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　式（Ｃ３）で表される化合物としては、ジエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、２－メトキシエチル（メタ）アクリレート、２－エトキシエチル（メタ）アクリレート、２－ブトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、２－フェノキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、２－ベンゾイルオキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピル（メタ）アクリレート等が挙げられる。式（Ｃ３）で表される化合物としては、２－フェノキシエチル（メタ）アクリレートが好ましい。
　式（Ｃ４）で表される化合物としては、ベンジル（メタ）アクリレート、２－シアノエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、テトラヒドロピラニル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、１，２，２，６，６－ペンタメチルピペリジニル（メタ）アクリレート、２，２，６，６－テトラメチルピペリジニル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロキシエチルホスフェート、（メタ）アクリロキシエチルフェニルアシッドホスフェート、β－（メタ）アクリロイルオキシエチルハイドロジェンフタレート、β－（メタ）アクリロイルオキシエチルハイドロジェンサクシネート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。式（Ｃ４）で表される化合物としては、（Ａ）成分と他の成分（例えば（Ｃ）成分等の樹脂成分など）とが分離することを更に抑制しやすい観点から、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレートが好ましい。
　式（Ｃ５）で表される化合物としては、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９－ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ダイマージオールジ（メタ）アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。式（Ｃ５）で表される化合物としては、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレートが好ましい。
　式（Ｃ６）で表される化合物としては、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。式（Ｃ６）で表される化合物としては、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートが好ましい。
　式（Ｃ７）で表される化合物としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤ１モルと、グリシジル（メタ）アクリレート２モルと、を反応させたジ（メタ）アクリレート化合物等が挙げられる。
　式（Ｃ８）で表される化合物としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤのポリエチレンオキサイド付加物のジ（メタ）アクリレート化合物等が挙げられる。ビスフェノールＡとしては、エトキシ化ビスフェノールＡ（例えばＥＯ変性ビスフェノールＡジアクリレート）、水素化ビスフェノールＡ、ハロゲン化ビスフェノールＡ等が挙げられる。
　式（Ｃ９）で表される化合物としては、ビス（（メタ）アクリロキシプロピル）ポリジメチルシロキサン、ビス（（メタ）アクリロキシプロピル）メチルシロキサン－ジメチルシロキサンコポリマー等が挙げられる。
　式（Ｃ１０）で表される化合物としては、無水マレイン酸を付加させたポリブタジエンと、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートと、を反応させて得られる反応物及びその水素添加物等が挙げられる。式（Ｃ１０）で表される化合物としては、ＭＭ－１０００－８０、ＭＡＣ－１０００－８０（以上、ＪＸ日鉱日石エネルギー株式会社、商品名）等が挙げられる。
　（メタ）アクリル化合物は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　（メタ）アクリル化合物の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量を基準として下記の範囲が好ましい。優れた接着強度を得やすい観点から、（メタ）アクリル化合物の含有量は１質量％以上が好ましく、３質量％以上がより好ましく、５質量％以上が更に好ましく、１０質量％以上が特に好ましく、１５質量％以上が極めて好ましく、２０質量％以上が非常に好ましい。また、優れた電気伝導性及び熱伝導性を得やすい観点から、（メタ）アクリル化合物の含有量は５０質量％以下が好ましく、４５質量％以下がより好ましく、４０質量％以下が更に好ましく、３５質量％以下が特に好ましく、３０質量％以下が極めて好ましく、２５質量％以下が非常に好ましい。接着強度と電気伝導性及び熱伝導性とを両立する観点から、（メタ）アクリル化合物の含有量は、１～５０質量％が好ましく、１５～４０質量％がより好ましく、２０～３０質量％が更に好ましい。
　重合開始剤は、上述した重合性化合物の重合を促進するために用いることができる。重合開始剤は、ラジカル重合開始剤を含むことが好ましい。
　ラジカル重合開始剤は、樹脂ペースト組成物の硬化時のボイドの生成を抑えやすい観点から、過酸化物系ラジカル重合開始剤を含むことが好ましい。過酸化物系ラジカル重合開始剤としては、１，１，３，３－テトラメチルパーオキシ２－エチルヘキサノエート、１，１－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）シクロドデカン、ジ－ｔ－ブチルパーオキシイソフタレート、ｔ－ブチルパーベンゾエート、ジクミルパーオキサイド、ｔ－ブチルクミルパーオキサイド、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキシン、クメンハイドロパーオキサイド等が挙げられる。
　重合開始剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　重合開始剤の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量を基準として下記の範囲が好ましい。重合性化合物を含む樹脂ペースト組成物の硬化性を充分に確保しやすい観点から、重合開始剤の含有量は０．１質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．５質量％以上が更に好ましく、０．７質量％以上が特に好ましく、０．９質量％以上が極めて好ましい。また、優れた接着強度を得やすい観点から、重合開始剤の含有量は５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましく、１．５質量％以下が特に好ましく、１質量％以下が極めて好ましい。硬化性を確保しつつ接着強度を得やすくする観点から、重合開始剤の含有量は、０．１～５質量％が好ましく、０．５～２質量％がより好ましく、０．５～１質量％が更に好ましい。
　熱硬化性樹脂は、バインダー樹脂として用いることができる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。（Ｃ）成分は、優れた接着強度が得られやすい観点、及び、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分と、他の成分（例えば（Ｃ）成分等の樹脂成分など）とが分離することを抑制しやすい観点から、エポキシ樹脂を含むことが好ましい。
　エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（例えば、ＡＥＲ－Ｘ８５０１（旭化成株式会社、商品名）、Ｒ－３０１（三菱化学株式会社、商品名）、ＹＬ－９８０（三菱化学株式会社、商品名））、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（例えば、ＹＤＦ－１７０（東都化成株式会社、商品名））、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂（例えば、Ｒ－１７１０（三井化学株式会社、商品名））、フェノールノボラック型エポキシ樹脂（例えば、Ｎ－７３０Ｓ（ＤＩＣ株式会社、商品名）、Ｑｕａｔｒｅｘ－２０１０（ダウ・ケミカル社、商品名））、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（例えば、Ｎ－６６５－ＥＸＰ（ＤＩＣ株式会社、商品名）、ＹＤＣＮ－７０２Ｓ（東都化成株式会社、商品名）、ＥＯＣＮ－１００（日本化薬株式会社、商品名））、多官能エポキシ樹脂（例えば、ＥＰＰＮ－５０１（日本化薬株式会社、商品名）、ＴＡＣＴＩＸ－７４２（ダウ・ケミカル社、商品名）、ＶＧ－３０１０（三井化学株式会社、商品名）、１０３２Ｓ（三菱化学株式会社、商品名））、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（例えば、ＨＰ－４０３２（ＤＩＣ株式会社、商品名））、脂環式エポキシ樹脂（例えば、ＣＥＬー３０００（株式会社ダイセル、商品名））、エポキシ化ポリブタジエン（例えば、ＰＢ－３６００（株式会社ダイセル、商品名）、Ｅ－１０００－６．５（ＪＸ日鉱日石エネルギー株式会社、商品名））、アミン型エポキシ樹脂（例えば、ＥＬＭ－１００（住友化学株式会社、商品名）、ＹＨ－４３４Ｌ（東都化成株式会社、商品名））、レゾルシン型エポキシ樹脂（例えば、デナコールＥＸ－２０１（ナガセケムテックス株式会社、商品名））、ネオペンチルグリコール型エポキシ樹脂（例えば、デナコールＥＸ－２１１（ナガセケムテックス株式会社、商品名））、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂（例えば、デナコールＥＸ－２１２（ナガセケムテックス株式会社、商品名））、エチレン・プロピレングリコール型エポキシ樹脂（例えば、デナコールＥＸ－８１０、８１１、８５０、８５１、８２１、８３０、８３２、８４１、８６１（ナガセケムテックス株式会社、商品名））、下記一般式（Ｃ１１）で表されるエポキシ樹脂（例えば、Ｅ－ＸＬ－２４、Ｅ－ＸＬ－３Ｌ（三井化学株式会社、商品名））等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 ［式中、ｎ１１は０～５の整数を表す。］
　エポキシ樹脂は、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ化ポリブタジエン、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、及び、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましい。この場合、優れた電気伝導性、接着強度、熱伝導性、塗布作業性及び機械特性が得られやすい。
　エポキシ樹脂は、１分子中に１個のエポキシ基を有する化合物である単官能エポキシ化合物（反応性希釈剤）を含んでもよい。このような単官能エポキシ化合物としては、フェニルグリシジルエーテル（例えば、ＰＧＥ（日本化薬株式会社、商品名））、アルキルフェノールモノグリシジルエーテル（例えば、ＰＰ－１０１（東都化成株式会社、商品名））、脂肪族モノグリシジルエーテル（例えば、ＥＤ－５０２（株式会社ＡＤＥＫＡ、商品名））、アルキルフェノールモノグリシジルエーテル（例えば、ＥＤ－５０９（株式会社ＡＤＥＫＡ、商品名））、アルキルフェノールモノグリシジルエーテル（例えば、ＹＥＤ－１２２（三菱化学株式会社、商品名））等が挙げられる。
　熱硬化性樹脂の数平均分子量は、１６０～３０００が好ましい。熱硬化性樹脂の数平均分子量が１６０以上であると、優れた接着強度が得られやすい。熱硬化性樹脂の数平均分子量が３０００以下であると、樹脂ペースト組成物の粘度が上昇しすぎることなく良好な作業性が得られやすい。数平均分子量は、下記条件のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定し、標準ポリスチレンを用いた検量線から換算して得ることができる。
［ＧＰＣ条件］
　ポンプ：日立　Ｌ－６０００型（株式会社日立製作所製）
　検出器：日立　Ｌ－３３００　ＲＩ（株式会社日立製作所製）
　カラム：Ｇｅｌｐａｃｋ　ＧＬ－Ｒ４２０＋Ｇｅｌｐａｃｋ　ＧＬ－Ｒ４３０＋Ｇｅｌｐａｃｋ　ＧＬ－Ｒ４３０（計３本）（日立化成株式会社製、商品名）
　溶離液：ＴＨＦ
　試料濃度：２５０ｍｇ／５ｍＬ
　注入量：５０μＬ
　圧力：４４１Ｐａ（４５ｋｇｆ／ｃｍ２）
　流量：１．７５ｍＬ／分
　エポキシ樹脂のエポキシ当量は、８０～１０００が好ましく、１００～５００がより好ましい。エポキシ樹脂のエポキシ当量が８０以上であると、優れた接着強度が得られやすい。エポキシ樹脂のエポキシ当量が１０００以下であると、樹脂ペースト組成物の硬化時に未反応硬化物が残留することを抑制しやすいことから、硬化後の熱履歴で生じる樹脂ペースト組成物の硬化物のアウトガスの発生を抑制しやすい。
　熱硬化性樹脂は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　熱硬化性樹脂の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量を基準として下記の範囲が好ましい。優れた接着強度が得られやすい観点から、熱硬化性樹脂の含有量は０．１質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましく、０．８質量％以上が更に好ましく、１質量％以上が特に好ましい。また、樹脂ペースト組成物の粘度が上昇しすぎることが抑制されて良好な作業性が得られやすい観点から、熱硬化性樹脂の含有量は５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましく、１．５質量％以下が特に好ましい。接着強度と作業性とを両立する観点から、熱硬化性樹脂の含有量は、０．１～５質量％が好ましく、０．５～４．０質量％がより好ましく、０．５～３．０質量％が更に好ましい。
　硬化促進剤としては、アミン化合物（後述する、ポリオキシアルキレン基を有する高分子化合物を除く）等が挙げられる。（Ｃ）成分は、樹脂組成物の硬化性を充分に確保しやすい観点から、アミン化合物を含むことが好ましい。アミン化合物としては、ジシアンジアミド、下記一般式（Ｃ１２）で表される二塩基酸ジヒドラジド（例えば、ＡＤＨ、ＰＤＨ、及び、ＳＤＨ（いずれも株式会社日本ファインケム、商品名））、ポリアミン、イミダゾール化合物、エポキシ樹脂とアミン化合物との反応物からなるマイクロカプセル型硬化剤（例えば、ノバキュア（旭化成株式会社、商品名））、ジアミノジフェニルメタン、ｍ－フェニレンジアミン、ｍ－キシレンジアミン、ジアミノジフェニルスルフォン、尿素、尿素誘導体、メラミン等が挙げられる。イミダゾール化合物としては、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 ［式中、Ｒ１２ａは、ｍ－フェニレン基、ｐ－フェニレン基等の２価の芳香族基、炭素数２～１２の直鎖又は分岐鎖のアルキレン基を表す。］
　硬化促進剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　硬化促進剤の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量を基準として下記の範囲が好ましい。樹脂ペースト組成物の硬化性を充分に確保しやすい観点から、硬化促進剤の含有量は０．０１質量％以上が好ましく、０．０２質量％以上がより好ましく、０．０３質量％以上が更に好ましく、０．０５質量％以上が特に好ましい。また、樹脂ペースト組成物の保存安定性を充分に確保しやすい観点から、硬化促進剤の含有量は１質量％以下が好ましく、０．５質量％以下がより好ましく、０．４質量％以下が更に好ましく、０．３質量％以下が特に好ましい。硬化性と保存安定性とを両立する観点から、硬化促進剤の含有量は、０．０１～１質量％が好ましく、０．０３～０．３質量％がより好ましく、０．０５～０．３質量％が更に好ましい。
　本実施形態の樹脂ぺースト組成物は、カップリング剤（以下、（Ｄ）成分という場合もある）を含有することができる。これにより、支持部材に対する樹脂ペースト組成物の接着性がさらに向上する。
　カップリング剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコネート系カップリング剤及びジルコアルミネート系カップリング剤等が挙げられる。
　シランカップリング剤としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、メチルトリ（メタクリロキシエトキシ）シラン、γ－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－β－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－β－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－β－（Ｎ－ビニルベンジルアミノエチル）－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ－ウレイドプロピルトリメトキシシラン、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３－（４，５－ジヒドロイミダゾリル）プロピルトリエトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジイソプロペノキシシラン、メチルトリグリシドキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、及びエトキシシラントリイソシアネート等が挙げられる。上記シランカップリング剤の中でも、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。
　上記シランカップリング剤のうち、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン及びγ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランは、エポキシ樹脂に含有し得る単官能エポキシ化合物（反応性希釈剤）として例示したものである。これらの化合物はシランカップリング剤の機能及び反応性希釈剤の機能の両方を有する。
　チタネート系カップリング剤としては、例えば、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２－ジアリルオキシメチル－１－ブチル）ビス（ジ－トリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピル（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリ（Ｎ－アミノエチル・アミノエチル）チタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、及びジイソステアロイルエチレンチタネート等が挙げられる。上記チタネート系カップリング剤の中でも、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート及びイソプロピルトリ（Ｎ－アミノエチル・アミノエチル）チタネート等のイソプロピルトリチタネートが好ましい。
　アルミニウム系カップリング剤としては、例えば、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピオネートが挙げられる。
　ジルコネート系カップリング剤としては、例えば、テトラプロピルジルコネート、テトラブチルジルコネート、テトラ（トリエタノールアミン）ジルコネート、テトライソプロピルジルコネート、ジルコニウムアセチルアセトネート、アセチルアセトンジルコニウムブチレート、及びステアリン酸ジルコニウムブチレート等が挙げられる。
　ジルコアルミネート系カップリング剤としては、例えば、モノアルコキシジルコアルミネート、トリアルコキシジルコアルミネート、及びテトラアルコキシジルコアルミネート等が挙げられる。
　カップリング剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　カップリング剤の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量を基準として下記の範囲が好ましい。優れた接着強度が得やすいという観点から、カップリング剤の含有量は０.２質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましく、０．８質量％以上が更に好ましく、１質量％以上が特に好ましい。また、樹脂ペースト組成物の硬化性を充分に確保しやすい観点から、カップリング剤の含有量は１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、３質量％以下が更に好ましく、２．５質量％以下が特に好ましく、２質量％以下が極めて好ましい。接着強度と硬化性とを両立する観点から、カップリング剤の含有量は、０．１～１０質量％が好ましく、０．２～５質量％がより好ましく、１～３質量％が更に好ましい。
　本実施形態の樹脂ペースト組成物は、上述した成分以外に、添加剤を含有することができる。添加剤としては、脂肪酸（オレイン酸、ステアリン酸、ラウリン酸等）、吸湿剤（酸化カルシウム、酸化マグネシウム等）、濡れ性向上剤（フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、高級脂肪酸等）、消泡剤（シリコーン油等）、イオントラップ剤（無機イオン交換体等）などが挙げられる。
　本実施形態の樹脂ペースト組成物は、２５℃における粘度が、３０～１００Ｐａ・ｓであることが好ましく、４０～９０Ｐａ・ｓであることがより好ましく、４０～７０Ｐａ・ｓであることが更に好ましい。ここでの粘度は、ＥＨＤ型回転粘度計（東京計器（株）製、３°コーン）を用いて、２５℃、０．５ｒｐｍの条件で３分後に測定したときの粘度をいう。
　本実施形態の樹脂ペースト組成物は、上述した（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分と、必要に応じて、（Ｄ）成分、カップリング剤及びその他の添加剤とを混合し、これらを混練することより調製することができる。
　上記の混合及び混練は、ハイプットミキサ、プラネタリミキサ等の自公転ミキサー、遊星式混練機を用いて行うことができる。
　本実施形態の樹脂ペースト組成物は、半導体素子と支持部材との接合に好適に用いることができ、支持部材と該支持部材に接合された半導体素子とを備える半導体装置の製造に用いることができる。
　本実施形態の半導体装置の製造方法は、支持部材及び半導体素子を用意し、これらのうちの少なくとも一方に上述した本実施形態に係る樹脂ペースト組成物を塗布する塗布工程と、支持部材に半導体素子を搭載し、支持部材と半導体素子との間に介在させた樹脂ペースト組成物を硬化する硬化工程とを備える。
　半導体素子としては、例えば、シリコンチップ、シリコンカーバイド、ガリウムナイトライド等が挙げられる。
　支持部材としては、例えば、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム；ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂等のプラスチックフィルム；ガラス不織布等の基材にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂等のプラスチックを含浸・硬化させたもの；アルミナ等のセラミックス製等の絶縁性支持基板、スタックパッケージの場合の下部半導体チップ；ディスプレイ等の場合のガラス基板などが挙げられる。
　樹脂ペースト組成物を塗布する方法としては、例えば、ディスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法が挙げられる。
　硬化工程においては、半導体素子と支持部材との間に本実施形態の樹脂ペースト組成物を介在させ、これらを加熱硬化することができる。加熱は、大気下又は窒素等の不活性ガス雰囲気下で、オーブン又はヒートブロックを用いて行うことができる。加熱温度は、１５０～２２０℃であってもよく、１８０～２００℃であってもよい。加熱時間は、３０秒～１２０分とすることができ、６０分～９０分が好ましい。
　上記の工程を経て、支持部材と半導体素子とが本実施形態に係る樹脂ペースト組成物の硬化物によって接合されている半導体装置を得ることができる。
　図１は、本発明に係る半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図１に示される半導体装置１００は、半導体素子１０と、半導体素子搭載用の支持部材２０と、これらを接合する接合層３０とを備える。また、半導体装置１００においては、半導体素子１０の接続端子（図示せず）がワイヤ５０を介して外部接続端子（図示せず）と電気的に接続され、封止材４０によって封止されている。
　半導体装置１００は、上述した本実施形態の半導体装置の製造方法によって得ることができ、例えば、半導体素子と支持部材との間に本実施形態の樹脂ペースト組成物を介在させ、これらを加熱圧着して両者を接着させ、その後ワイヤボンディング工程、必要に応じて封止材による封止工程などの工程を経ることにより得られる。
　本実施形態においては、支持部材２０として端子６０が設けられた絶縁性支持基板を用いているが、上述した支持部材を用いることができる。
　接合層３０は、上述した本実施形態に係る樹脂ペースト組成物の硬化物であってもよい。
　以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
［評価方法］
　実施例、比較例及び参考例の樹脂ペースト組成物の特定について、以下の方法にしたがって評価した。
（１）粘度の評価
（ａ）初期粘度の測定
　各樹脂ペースト組成物について、ＥＨＤ型回転粘度計（東京計器（株）製、３°コーン）を用いて、２５℃、０．５ｒｐｍ及び５ｒｐｍの条件で粘度測定を行った。なお、測定開始から３分後の値を粘度（Ｐａ・ｓ）とした。また、揺変度として、（０．５ｒｐｍでの粘度）／（５ｒｐｍでの粘度）を算出した。
（ｂ）７日後の粘度の測定
　各樹脂ペースト組成物を、２３℃で７日間保管した。保管後の樹脂ペースト組成物について、ＥＨＤ型回転粘度計（東京計器（株）製、３°コーン）を用いて、２５℃、０．５ｒｐｍの条件で粘度測定を行った。なお、測定開始から３分後の値を粘度（Ｐａ・ｓ）とした。
（ｃ）粘度変化率
　下記式から粘度変化率を算出した。
粘度変化率（％）＝［（７日後の粘度－初期粘度）／初期粘度］×１００
（２）接着強度の測定
　各樹脂ペースト組成物を、Ａｇリングめっき付き銅リードフレーム上に約０．６ｍｇ塗布し、この上に５ｍｍ×５ｍｍのＳｉチップ（厚さ約０．４ｍｍ）を圧着し、さらにオーブンで１８０℃まで３０分で昇温し、１８０℃で１時間加熱することにより、樹脂ペースト組成物を硬化させた。こうして得られた接合体を試験片とし、自動接着力試験装置（ＢＴ４０００、Ｄａｇｅ社製）を用い、２６５℃／２０秒保持時の剪断接着強度（ＭＰａ）を測定した。なお、１０個の試験片について剪断接着強度の測定を行い、その平均値を各接合体の剪断接着強度（ＭＰａ）とした。
（３）体積抵抗率の測定
　図２は、体積抵抗率の測定方法を説明するための図である。図２に示す下記の手順で、樹脂ペースト組成物の硬化物の体積抵抗率を測定した。スライドグラス１（東京硝子器機（株）製、寸法＝７６×２６ｍｍ、厚さ＝０．９～１．２ｍｍ）の表面に、３枚の紙テープ２（日東電工ＣＳシステム（株）製、Ｎｏ．７２１０Ｆ、寸法幅＝１８ｍｍ、厚さ＝０．１０ｍｍ）を互いに間隔をおいて平行に貼り付けることにより、これら３枚の紙テープ２同士の間にスライドグラス１表面の露出部１ａ（幅２ｍｍ）を２条形成した（図２（ａ））。これら露出部１ａに樹脂ペースト組成物３を置き（図２（ｂ））、他のスライドグラス等で平らに伸ばした（図２（ｃ））。次いで、紙テープ２を剥がし、オーブンで２００℃で１時間加熱して樹脂ペースト組成物を硬化させることにより、スライドグラス１の表面に互いに平行な２条の線状の硬化物４を得た（図２（ｄ））。デジタルマルチメーター（ＴＲ６８４６、ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製）を用い、温度２３℃にて、これら硬化物４の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を測定した。
（４）反りの測定
　各樹脂ペースト組成物を、Ａｇリングめっき付き銅リードフレーム上に約０．５ｍｇ塗布し、この上に５ｍｍ×５ｍｍのＳｉチップ（厚さ約０．４ｍｍ）を圧着し、さらにオーブンで１８０℃まで３０分で昇温し、１８０℃で１時間加熱することにより、樹脂ペースト組成物を硬化させた。こうして得られた接合体を試験片として、比接触膜厚計（ＫＳ－１１００、（株）キーエンス製）を用い、走査距離６．５ｍｍでチップ表面の反りを測定した。なお、５個の試験片について反りの測定を行い、その平均値を各接合体の反りとした。
(５）ブリードアウトの評価
　各実施例及び比較例の樹脂ペースト組成物を、Ａｇスポットめっき付き銅リードフレーム上に約０．５ｍｇ塗布し、オーブンで１８０℃まで３０分で昇温し１８０℃で１時間加熱し、樹脂ペースト組成物を硬化させた。このときのブリードアウトの有無を目視で確認した。樹脂流れが見られる場合を「有」、樹脂流れが見られない場合を「無」とした。
（６）比重の測定
　各実施例及び比較例の樹脂ペースト組成物をシリンジ（（株）トップ製、トップシリンジ２．５ｍＬ）で吸い取り、１ｍＬあたりの重量を３回秤量し、その平均をペースト比重とした。
［樹脂ぺースト組成物の調製］
（実施例１～３、比較例１～６及び参考例１）
　表１～３に示す配合割合（単位は質量部）で、各材料を混合し、ハイブリットミキサ又はプラネタリミキサを用いて混練した後、７３０Ｐａ（５トル（Ｔｏｒｒ））以下で３分間脱泡処理を行い、樹脂ペースト組成物をそれぞれ得た。
　得られた樹脂ペースト組成物の特性を上記に示す方法で評価した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000016
　表１～３中における各成分の詳細は次のとおりである。
銀被覆粒子１：ＴＦＭ－Ｓ０２Ｐ（東洋アルミニウム（株）製、製品名、銀コートシリカ紛、形状：粒状、平均粒径：２．０μｍ、タップ密度：１．５ｇ／ｃｍ３）
銀被覆粒子２：ＴＦＭ－Ｓ０５Ｐ（東洋アルミニウム（株）製、製品名、銀コートシリカ紛、形状：球状、平均粒径：５．０μｍ、タップ密度：１．２ｇ／ｃｍ３）
銀被覆粒子３：ＴＦＭ－Ｌ０５Ｐ（東洋アルミニウム（株）製、製品名、銀コートアルミナ紛、形状：フレーク状、平均粒径：５．０μｍ、タップ密度：１．１ｇ／ｃｍ３）
銀粒子１：ＴＣ－２０４ＢＴ（（株）徳力本店製、製品名、銀紛、形状：フレーク状、平均粒径：２．２μｍ、タップ密度：２．０ｇ／ｃｍ３、表面被覆材：ステアリン酸）
重合性化合物１：Ｒ－７１２（日本化薬株式会社製、製品名、ビスフェノールＦポリエチレングリコールジアクリレート）
重合性化合物２：ＳＲ－３３９Ａ（Ｓａｒｔｏｍｅｒ社製、製品名、２-フェノキシエチルアクリレート）
重合性化合物３：ＳＲ－３４９（Ｓａｒｔｏｍｅｒ社製、製品名、エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート）
熱硬化性樹脂１：Ｎ－６６５－ＥＸＰ（ＤＩＣ（株）製、製品名、クレゾールノボラック型エポキシ、エポキシ当量：１９８～２０８）
重合開始剤１：パークミルＤ（日本油脂（株）製、製品名、ジクミルパーオキサイド）
硬化剤１：Ｄｉｃｙ７（三菱化学（株）製、製品名、ジシアンジアミド）
可とう化剤１：エポリードＰＢ－４７００（（株）ダイセル製、製品名、エポキシ化ポリブタジエン、エポキシ当量：１５２．４～１７７．８、数平均分子量＝３５００）
可とう化剤２：ＣＴＢＮＸ１００９ＳＰ－Ｓ（ピイ・ティ・アイ・ジャパン株式会社製、製品名、カルボキシ末端アクリロニトリルブタジエン共重合体）
カップリング剤１：ＫＢＭ－４０３（信越化学工業（株）製、製品名、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
導電性粒子１：１２－００８６（東洋アルミニウム株式会社製、製品名、アルミ紛、形状：球状、平均粒径：３．８μｍ）
金属被覆粒子Ｃ１：ＡＣＢＹ－２（三井金属鉱業（株）、製品名、銀コート銅粉、形状：針状、平均粒径：６．１μｍ、タップ密度：１．２ｇ／ｃｍ３）
フィラー１：ＡＥＲＯＳＩＬ　Ｒ９７２（日本アエロジル株式会社製、製品名、疎水性の表面処理を行ったシリカフィラー）
　表１に示されるように、実施例１～３の樹脂ペースト組成物は、参考例１の樹脂ペースト組成物よりも銀の使用量が少ないにもかかわらず、粘度安定性が良好であり、参考例１と同等の電気伝導性及び接着強度を有しており、ブリードアウトも抑制されていることが確認された。また、実施例１～３の樹脂ペースト組成物は、粘度安定性と反りの低減とを両立することができることが確認された。
　本発明によれば、銀の使用量を少なくしながらも、充分な電気伝導性と充分な粘度安定性とを有し、半導体素子と支持部材とを良好に接着することができる樹脂ペースト組成物、並びに、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。
　１０…半導体素子、２０…支持部材、３０…接合層、４０…封止材、５０…ワイヤ、６０…端子、１００…半導体装置。

Claims (8)

  1. 　非導電性粒子及び該非導電性粒子を被覆する銀を有する銀被覆粒子と、銀粒子と、を含有する、樹脂ペースト組成物。
  2. 　前記非導電性粒子が金属酸化物である、請求項１に記載の樹脂ペースト組成物。
  3. 　前記金属酸化物がシリカ又はアルミナである、請求項２に記載の樹脂ペースト組成物。
  4. 　前記銀被覆粒子の含有量Ａと前記銀粒子の含有量Ｂとの質量比［Ａ／Ｂ］が、０．３～１．０である、請求項１～３のいずれか一項に記載の樹脂ペースト組成物。
  5. 　熱硬化性成分を含有する、請求項１～４のいずれか一項に記載の樹脂ペースト組成物。
  6. 　前記熱硬化性成分が、重合性化合物と、重合開始剤とを含む、請求項５に記載の樹脂ペースト組成物。
  7. 　支持部材と、半導体素子と、を備え、
    　前記支持部材と前記半導体素子とが請求項１～６のいずれか一項に記載の樹脂ペースト組成物の硬化物によって接合されている、半導体装置。
  8. 　支持部材と、該支持部材に接合された半導体素子と、を備える半導体装置の製造方法であって、
    　支持部材及び半導体素子を用意し、これらのうちの少なくとも一方に請求項１～６のいずれか一項に記載の樹脂ペースト組成物を塗布する塗布工程と、
    　前記支持部材に前記半導体素子を搭載し、前記支持部材と前記半導体素子との間に介在させた前記樹脂ペースト組成物を硬化する硬化工程と、を備える、半導体装置の製造方法。
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