WO2021029006A1 - 発光素子及び発光装置 - Google Patents

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WO2021029006A1
WO2021029006A1 PCT/JP2019/031806 JP2019031806W WO2021029006A1 WO 2021029006 A1 WO2021029006 A1 WO 2021029006A1 JP 2019031806 W JP2019031806 W JP 2019031806W WO 2021029006 A1 WO2021029006 A1 WO 2021029006A1
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layer
oxide
light emitting
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PCT/JP2019/031806
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賢治 木本
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シャープ株式会社
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    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure

Definitions

  • the present disclosure relates to a light emitting element and a light emitting device such as a display device or a lighting device provided with a plurality of light emitting elements.
  • OLEDs Organic Light Emitting Diodes
  • QLEDs Quantum dot Light Emitting Diodes
  • light emitting elements such as OLEDs and QLEDs have a problem of poor luminous efficiency because carriers (holes and / or electrons) are unlikely to be injected into the light emitting layer for the reasons described below.
  • FIG. 22 is an energy band diagram for explaining the reason why the injection of carriers (holes and / or electrons) into the light emitting layer 103 is unlikely to occur in the conventional light emitting element 101 such as an OLED or QLED.
  • the light emitting element 101 includes a first electrode (Hole Injection Layer: anode (anode electrode)) and a second electrode (Electron Injection Layer: cathode (cathode electrode)). Between the first electrode and the second electrode, a hole transport layer (Hole Transport Layer) 102, a light emitting layer 103, and an electron transport layer (Electron Transport Layer) 104 are provided from the first electrode side. , Are stacked in order.
  • the height of the hole injection barrier Eh from the hole transport layer 102 to the light emitting layer 103 is the upper end of the valence band (HTL valence band) of the hole transport layer 102 and the value of the light emitting layer 103. It is the energy difference from the upper end of the electron band.
  • the height of the electron injection barrier Ee from the electron transport layer 104 to the light emitting layer 103 is the lower end of the conduction band of the light emitting layer 103 and the lower end of the conduction band (ETL conduction band) of the electron transport layer 104. It is the energy difference with.
  • the number of materials for which long-term reliability is ensured is small in the light emitting material for OLED or the light emitting material for QLED, the material of the hole transport layer 102, and the electron transport layer 104 constituting the light emitting layer 103.
  • the current situation is that the choice of materials is limited.
  • the height of the hole injection barrier Eh and the electron injection are generally obtained. Since at least one of the heights of the barrier Ee is increased, efficient hole injection or electron injection into the light emitting layer 103 becomes difficult.
  • Patent Document 1 describes that the band level of the light emitting layer can be adjusted by forming a light emitting layer in which the surface in contact with the hole transport layer and the surface in contact with the electron transport layer have different organic ligand distributions. .. Specifically, the turn-on voltage and the driving voltage are lowered by adjusting the band level of the light emitting layer so that the energy difference between the valence band level of the hole transport layer and the valence band level of the light emitting layer can be reduced. It is stated that a light emitting element having excellent brightness and luminous efficiency can be realized.
  • the difference in ionization potential between the light emitting layer without band level adjustment and the light emitting layer with band level adjusted is small. Therefore, the light emitting device of Patent Document 1 cannot reduce the height of the hole injection barrier Eh to a satisfactory level. Similarly, even if the band level adjustment described in Patent Document 1 is performed, the height of the electron injection barrier Ee cannot be sufficiently lowered. Therefore, it is still difficult to efficiently control the amount of holes injected into the light emitting layer 103 and the amount of electrons injected, so that there is a problem that the luminous efficiency is poor.
  • One aspect of the present disclosure has been made in view of the above problems, and an object of the present disclosure is to provide a light emitting element and a light emitting device capable of realizing high luminous efficiency.
  • the light emitting element includes an anode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode in this order, and the holes.
  • a first oxide layer and a second oxide layer in contact with the first oxide layer are provided between the transport layer and the light emitting layer, and between the light emitting layer and the electron transport layer. , Are provided in this order from the side closest to the anode, and the density of oxygen atoms in the second oxide layer is different from the density of oxygen atoms in the first oxide layer.
  • the light emitting device includes a light emitting element according to one aspect of the present disclosure.
  • FIG. It is sectional drawing which shows the schematic structure of the display device which includes the light emitting element of Embodiment 1.
  • FIG. It is sectional drawing which shows typically the schematic structure of the light emitting element of Embodiment 1.
  • (A) is an energy band diagram for explaining a hole injection barrier in a light emitting device which is a comparative example
  • (b) is an energy band for explaining a hole injection barrier in the light emitting device of the first embodiment. It is a figure.
  • (A) is a diagram for explaining the mechanism by which oxygen atoms move at the interface between the first oxide layer and the second oxide layer in the light emitting element of the first embodiment
  • (b) is a diagram for explaining the mechanism of movement of oxygen atoms.
  • FIG. 1 It is a figure which shows the state which the electric dipole was formed by the movement of an oxygen atom at the interface between the 1st oxide layer and the 2nd oxide layer in 1 light emitting element. It is a figure which shows the oxygen atom density of the inorganic oxide as an example of the oxide which constitutes the 1st oxide layer and the 2nd oxide layer in the light emitting device of Embodiment 1. It is a figure which shows an example of the combination of the oxide which constitutes the 1st oxide layer, and the oxide which constitutes the 2nd oxide layer in the light emitting device of Embodiment 1. It is an energy band diagram for demonstrating the hole injection barrier in the light emitting element which concerns on the modification of Embodiment 1. FIG.
  • (A) is an energy band diagram for explaining an electron injection barrier in a light emitting device which is a comparative example
  • (b) is an energy band diagram for explaining an electron injection barrier in the light emitting device of the fourth embodiment. is there.
  • (A) is a diagram for explaining the mechanism by which oxygen atoms move at the interface between the first oxide layer and the second oxide layer in the light emitting element of the fourth embodiment
  • (b) is a diagram for explaining the mechanism of movement of oxygen atoms. It is a figure which shows the state which the electric dipole was formed by the movement of an oxygen atom at the interface between the 1st oxide layer and the 2nd oxide layer in the light emitting element of No. 4.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of the light emitting element 5 of the present embodiment.
  • the light emitting element 5 includes a first electrode (hole injection layer: HIL) 22, a second electrode (electron injection layer: EIL) 25, and a first electrode 22 and a second electrode 25. It includes a light emitting layer 24d provided between them. That is, the first electrode 22 is the anode and the second electrode 25 is the cathode. Between the first electrode 22 and the light emitting layer 24d, from the first electrode 22 side (that is, the side closer to the first electrode 22), the hole transport layer (HTL) 24a and the oxide layer 24b (first oxidation). The physical layer) and the oxide layer 24c (second oxide layer) are laminated in this order, for example, in contact with each other. The oxygen atom density in the oxide layer 24b and the oxygen atom density in the oxide layer 24c are different. An electron transport layer (ETL) 24e is provided between the light emitting layer 24d and the second electrode 25.
  • HIL hole injection layer
  • EIL electron injection layer
  • the light emitting element 5 includes, for example, the first electrode 22 (anode), the hole transport layer 24a, the light emitting layer 24d, the electron transport layer 24e, and the second electrode 25 (cathode) from the lower layer side.
  • the oxide layer 24b and the oxide layer 24c in contact with the oxide layer 24b are provided between the hole transport layer 24a and the light emitting layer 24d in this order from the first electrode 22 side.
  • the stacking order of the layers in the light emitting element 5 may be reversed, and the light emitting element 5 includes, for example, the first electrode 22 (anode) and the hole transport layer 24a from the upper layer side.
  • a light emitting layer 24d, an electron transporting layer 24e, and a second electrode 25 (cathode) are provided in this order, and an oxide layer 24b and the oxide layer are provided between the hole transporting layer 24a and the light emitting layer 24d.
  • the oxide layer 24c in contact with the 24b may be provided in this order from the first electrode 22 side.
  • the "lower layer” means that the layer is formed before the layer to be compared, and the “upper layer” is formed by the process after the layer to be compared.
  • the lower layer side means, for example, the substrate side. Therefore, “the light emitting element 5 includes, for example, the first electrode 22, the hole transport layer 24a, the light emitting layer 24d, the electron transport layer 24e, and the second electrode 25 in this order from the lower layer side.” , "The light emitting element 5 is a substrate as a support (for example, in the example shown in FIG.
  • the light emitting element 5 may include the above-mentioned substrate.
  • FIG. 4A shows an oxide layer 24b on the first electrode 22 side (in other words, the hole transport layer 24a side) and the second electrode 25 side (in other words, the second electrode 25 side) adjacent to each other in the light emitting element 5 of the present embodiment.
  • the light emitting layer 24d side is a diagram for explaining the mechanism by which oxygen atoms move at the interface with the oxide layer 24c.
  • FIG. 4B is a diagram showing a state in which an electric dipole 1 is formed by the movement of oxygen atoms at the interface between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c.
  • the first of the oxide layers 24b and the oxide layer 24c adjacent to each other provided between the carrier transport layer (however, the hole transport layer 24a in the present embodiment) and the light emitting layer 24d is provided.
  • the density of oxygen atoms in the oxide layer 24c which is the oxide layer (second oxide layer) farther from the electrode 22, is the oxide layer (first oxide layer) closer to the first electrode 22. It is preferably smaller than the density of oxygen atoms in the oxide layer 24b.
  • the density of oxygen atoms in the oxide layer 24c may be referred to as "oxygen atom density of the oxide layer 24c”.
  • the density of oxygen atoms in the oxide layer 24b may be referred to as "oxygen atom density of the oxide layer 24b".
  • the oxide layer 24c when the oxide layer 24c is formed on the oxide layer 24b in contact with the oxide layer 24b, the oxide layer 24b and the oxide layer 24c are formed. At the interface of the oxide layer 24b, the movement of oxygen atoms in the direction of the oxide layer 24c is likely to occur. When the movement of oxygen atoms occurs, the oxygen vacancies are positively charged and the moved oxygen atoms are negatively charged.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a display device 2 including light emitting elements 5R, 5G, and 5B as light emitting elements 5.
  • a display device 2 provided with a plurality of light emitting elements 5 will be described as an example.
  • the present disclosure is not limited to this, and the light emitting device may be a display device, a lighting device, or the like provided with one or more light emitting elements 5.
  • a resin layer 12, a barrier layer 3, a TFT layer 4, a light emitting element 5R, 5G, 5B, and a sealing layer 6 are laminated on the substrate 10 of the display device 2. There is.
  • Examples of the material of the substrate 10 include, but are not limited to, polyethylene terephthalate (PET), a glass substrate, and the like.
  • PET polyethylene terephthalate
  • PET is used as the material of the substrate 10 in order to make the display device 2 a flexible display device, but when the display device 2 is a non-flexible display device, a glass substrate or the like may be used. ..
  • the material of the resin layer 12 examples include, but are not limited to, polyimide resin, epoxy resin, polyamide resin and the like.
  • the resin layer 12 is irradiated with laser light through the support substrate (not shown) to reduce the bonding force between the support substrate (not shown) and the resin layer 12, and the support substrate (not shown) is used.
  • LLO Laser Lift Off
  • the substrate 10 made of PET is attached to the peeled surface of the support substrate (not shown) in the resin layer 12, thereby making the display device 2 flexible. It is used as a display device.
  • the resin layer 12 is not required when the display device 2 is used as a non-flexible display device, or when the display device 2 is used as a flexible display device by a method other than the LLO process.
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents moisture and impurities from reaching the TFT layer 4 and the light emitting elements 5R, 5G, and 5B when the display device 2 is used.
  • the barrier layer 3 is formed by a CVD (chemical vapor deposition) method. It can be composed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon nitride film, or a laminated film thereof.
  • the TFT layer 4 includes a semiconductor film 15, an inorganic insulating film 16 (gate insulating film) above the semiconductor film 15, a gate electrode GE above the inorganic insulating film 16, and an inorganic insulation layer above the gate electrode GE.
  • a thin film transistor element Tr as an active element includes a semiconductor film 15, an inorganic insulating film 16 (gate insulating film), a gate electrode GE, an inorganic insulating film 18, an inorganic insulating film 20, and a source / drain wiring SH. It is composed.
  • the semiconductor film 15 is composed of, for example, low temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor. Although the TFT having the semiconductor film 15 as a channel is shown in FIG. 1 in a top gate structure, it may have a bottom gate structure.
  • LTPS low temperature polysilicon
  • the gate electrode GE, capacitance electrode CE, source / drain wiring SH, wiring TW, and terminal TM are, for example, aluminum (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), chromium (Cr), titanium. It is composed of a single-layer film or a laminated film of a metal containing at least one of (Ti) and copper (Cu).
  • the inorganic insulating films 16, 18, and 20 can be composed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, a silicon oxynitride film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • the flattening film (interlayer insulating film) 21 can be made of a coatable photosensitive organic material such as a polyimide resin or an acrylic resin.
  • the light emitting element 5R includes a light emitting layer 24Rd in the first wavelength region as the light emitting layer 24d.
  • the light emitting element 5G includes a light emitting layer 24Gd in the second wavelength region as the light emitting layer 24d.
  • the light emitting element 5B includes a light emitting layer 24Bd in a third wavelength region as the light emitting layer 24d.
  • the light emitting layer 24Rd in the first wavelength region, the light emitting layer 24Gd in the second wavelength region, and the light emitting layer 24Bd in the third wavelength region have different central wavelengths of light emitted from each other.
  • the case where the light emitting layer 24Rd in the first wavelength region emits red light, the light emitting layer 24Gd in the second wavelength region emits green light, and the light emitting layer 24Bd in the third wavelength region emits blue light is given as an example.
  • the present invention is not limited to this.
  • the display device 2 is provided with three types of light emitting elements 5R, 5G, and 5B that emit red, green, and blue light, respectively, will be described as an example, but the present invention is limited to this. It may be provided with four or more types of light emitting elements that emit light of different colors. Alternatively, the display device may have one type or two types of light emitting elements.
  • the light emitting layer 24d (specifically, the light emitting layer 24Rd, 24Gd, 24Bd) is a light emitting layer containing nano-sized quantum dots (nanoparticles).
  • the light emitting layer 24d may include, for example, a quantum dot phosphor.
  • As the material for the quantum dots for example, any one of CdSe / CdS, CdSe / ZnS, InP / ZnS, and CIGS / ZnS can be used.
  • the particle size of the quantum dots is about 3 to 10 nm.
  • the particle sizes of the quantum dots may be different in these light emitting layers 24Rd, 24Gd, and 24Bd. Different types of quantum dots may be used.
  • a case where a light emitting layer containing quantum dots (nanoparticles) is used as the light emitting layer 24d has been described as an example.
  • the present embodiment is not limited to this, and a light emitting layer for OLED may be used as the light emitting layer 24d.
  • the light emitting element 5 (specifically, the light emitting elements 5R, 5G, 5B) is a QLED, holes and electrons are recombined in the light emitting layer 24d by the driving current between the first electrode 22 and the second electrode 25. Then, light (fluorescence) is emitted in the process in which the excitons generated by this transition from the conduction band of the quantum dot to the valence band.
  • the light emitting element 5 (specifically, the light emitting element 5R, 5G, 5B) is an OLED, holes and electrons are recombined in the light emitting layer 24d by the driving current between the first electrode 22 and the second electrode 25. However, light is emitted in the process of transitioning the resulting excitons to the basal state.
  • a light emitting element inorganic light emitting diode or the like
  • OLED and QLED organic light emitting diode
  • Each of the light emitting elements 5R, 5G, and 5B has a first electrode 22, a hole transport layer 24a, an oxide layer 24b, an oxide layer 24c, and each light emitting layer 24d having a different wavelength region (light emitting layer 24Rd, light emitting).
  • the layer 24Gd and any one of the light emitting layers 24Bd), the electron transport layer 24e, and the second electrode 25 are laminated in this order.
  • the stacking order from the first electrode 22 to the second electrode 25 can be reversed.
  • the materials of the hole transport layer 24a and the electron transport layer 24e of the light emitting elements 5R / 5G / 5B will be described later, but the hole transport layer 24a and the electron transport layer 24e of these light emitting elements 5R / 5G / 5B are not necessarily the same. It may be composed of different materials rather than a common material.
  • Each of the light emitting elements 5R, 5G, and 5B is a subpixel SP of the display device 2.
  • the bank 23 covering the edge of the first electrode 22 can be made of a coatable photosensitive organic material such as a polyimide resin or an acrylic resin.
  • the electron transport layer 24e and the electron transport layer 24e are formed in an island shape for each subpixel SP.
  • the hole transport layer 24a, the oxide layer 24b, the oxide layer 24c, the electron transport layer 24e, and the second electrode 25, excluding the first electrode 22 and the light emitting layer 24d are solid. It may be formed as a common layer. In this case, the bank 23 may not be provided.
  • the first electrode 22 is made of a conductive material and has a function of a hole injection layer (HIL) for injecting holes into the hole transport layer 24a.
  • the second electrode 25 is made of a conductive material and has a function of an electron injection layer (EIL) for injecting electrons into the electron transport layer 24e.
  • HIL hole injection layer
  • EIL electron injection layer
  • At least one of the first electrode 22 and the second electrode 25 is made of a translucent material. Either one of the first electrode 22 and the second electrode 25 may be formed of a light-reflecting material.
  • the upper second electrode 25 is made of a light-transmitting material
  • the lower first electrode 22 is made of a light-reflecting material.
  • the upper second electrode 25 is made of a light-reflecting material
  • the lower first electrode 22 is made of a light-transmitting material.
  • the upper first electrode 22 is made of a translucent material
  • the lower second electrode 25 is made of a light-reflecting material.
  • the display device 2 can be a top-emission type display device by forming the display device 2. Further, the display device 2 can be a bottom emission type display device by forming the upper layer first electrode 22 with a reflective material and the lower layer second electrode 25 with a translucent material. ..
  • a transparent conductive film material can be used.
  • ITO Indium Tin Oxide
  • IZO Indium Zinc Oxide
  • ZnO Zinc Oxide
  • AZO aluminum-doped zinc oxide
  • BZO boron-doped zinc oxide
  • a material having a high reflectance of visible light is preferable, and for example, a metal material can be used. Specifically, for example, Al, Cu, Au, Ag and the like can be used. Since these materials have high visible light reflectance, the luminous efficiency is improved.
  • either one of the first electrode 22 and the second electrode 25 may be an electrode having light-reflecting property.
  • the upper second electrode 25 is made of a translucent material
  • the lower first electrode 22 is made of a light reflective material. ..
  • the hole transport layer 24a is a layer that transports holes and inhibits the movement of electrons.
  • the material of the hole transport layer 24a is not particularly limited as long as it is a hole transport material, and a known hole transport material can be used. Among them, as the hole transporting material, for example, a semiconductor is preferable, and a p-type semiconductor is more preferable. Examples of the hole transporting material include NiO (nickel oxide), CuAlO 2 (copper aluminate), PEDOT: PSS (poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -poly (4-styrene sulfonate)). ), PVK (polyvinylcarbazole) and the like. Nanoparticles may be used as the hole transporting material.
  • the hole transport layer 24a may be made of an oxide containing at least one of Ni and Cu. Further, the hole transport layer 24a may be composed of an oxide in which the most abundant element other than oxygen is either Ni or Cu. In this case, the hole transport layer 24a has good hole conductivity.
  • the hole transporting material may be an oxide or a material other than the oxide. Therefore, the hole transport layer 24a may or may not have an oxygen atom in the hole transport layer 24a.
  • the oxygen atom density of the oxide layer 24b is as shown in the second embodiment described later. It is desirable that it is lower than the oxygen atom density of the transport layer 24a (that is, the density of oxygen atoms in the hole transport layer 24a).
  • the oxygen atom density of the oxide layer 24b may be the same as the oxygen atom density of the hole transport layer 24a, or may be higher than the oxygen atom density of the hole transport layer 24a.
  • the oxide layer 24b and the oxide layer 24c are provided separately from the hole transport layer 24a, electric dipoles can be freely formed without reducing the degree of freedom in material selection of the hole transport layer 24a. can do. Therefore, the amount of holes injected into the light emitting layer 24d can be freely controlled.
  • the oxide layer 24b is preferably made of an inorganic oxide. Further, the oxide layer 24b is preferably made of an insulator (insulating material). Further, the oxide layer 24b is preferably made of an inorganic oxide insulator. In these cases, long-term reliability is improved. That is, the luminous efficiency after aging is improved.
  • the oxide layer 24c is preferably made of, for example, an inorganic oxide. Further, the oxide layer 24c is preferably made of an insulator (insulating material). Further, the oxide layer 24c is preferably made of an inorganic oxide insulator. In these cases, long-term reliability is improved. That is, the luminous efficiency after aging is improved.
  • both the oxide layer 24b and the oxide layer 24c are made of an inorganic oxide. Further, it is more preferable that both the oxide layer 24b and the oxide layer 24c are made of an insulator (inorganic insulator). In these cases, long-term reliability is further improved. That is, the luminous efficiency after aging is further improved.
  • the oxide layer 24b and the oxide layer 24c are independent of each other, for example, Al (aluminum), Ga (gallium), Ta (tantal), Zr (zirconium), Hf (hafnium), Mg (magnesium), Ge. It may be formed of an oxide containing at least one element of (germanium), Si (silicon, silicon), Y (yttrium), La (lanthanum), and Sr (strontium) as a main component. That is, the oxide layer 24b and the oxide layer 24c may be oxides containing at least one element of the same element as a main component, or may be an oxide containing elements different from each other as main components.
  • the elements other than oxygen are the most abundant elements other than oxygen among Al, Ga, Ta, Zr, Hf, Mg, Ge, Si, Y, La and Sr. It may be formed of any oxide.
  • the oxide layer 24b and the oxide layer 24c independently form a crystal structure such as aluminum oxide (for example, Al 2 O 3 ) and gallium oxide (for example, ⁇ structure or ⁇ structure).
  • tantalum oxide eg Ta 2 O 5
  • zirconium oxide eg ZrO 2
  • hafnium oxide eg HfO 2
  • magnesium oxide eg MgO
  • germanium oxide eg ZeO
  • silicon oxide eg SiO 2
  • the composite oxide may contain at least one of the composite oxides containing more than one species, and may consist of any one of the above oxides and the above composite oxides.
  • the composite oxide is not particularly limited, and examples thereof include oxides containing Si and Al.
  • the oxide layer 24b and the oxide layer 24c will be described in more detail later.
  • the electron transport layer 24e is a layer that transports electrons and inhibits the movement of holes.
  • the material of the electron transport layer 24e is not particularly limited as long as it is an electron transport material, and a known electron transport material can be used.
  • the electron transporting material may be an oxide or a material other than the oxide.
  • As the electron transporting material for example, a semiconductor is preferable, and an n-type semiconductor is more preferable.
  • As the electron transporting material for example, ZnO, TiO 2 , SrTiO 3, or the like can be used. Further, nanoparticles may be used as the electron transport material.
  • TPBi (1,3,5-tris (1-phenyl-1-H-benzimidazol-2-yl) benzene
  • Alq3 tris (8-hydroxy-quinolinate) aluminum
  • BCP Organic materials such as (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) may be used.
  • the sealing layer 6 is translucent, and has a first inorganic sealing film 26 that covers the second electrode 25, an organic sealing film 27 that is formed above the first inorganic sealing film 26, and an organic sealing. It includes a second inorganic sealing film 28 that covers the film 27.
  • the sealing layer 6 covering the light emitting elements 5R, 5G, and 5B prevents foreign substances such as water and oxygen from penetrating into the light emitting elements 5R, 5G, and 5B.
  • the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28 are each composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon nitride film, or a laminated film thereof formed by a CVD method. be able to.
  • the organic sealing film 27 is a translucent organic film thicker than the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28, and is composed of a coatable photosensitive organic material such as a polyimide resin or an acrylic resin. be able to.
  • FIG. 3A is an energy band diagram for explaining a hole injection barrier in a light emitting device as a comparative example
  • FIG. 3B is an energy band diagram for explaining a hole injection barrier in a light emitting device 5. It is an energy band diagram of.
  • the upper end of the valence band (HTL valence band) of the hole transport layer 24a As shown in FIG. 3A, in the light emitting element which is a comparative example in which the hole transport layer 24a and the light emitting layer 24d are in direct contact with each other, the upper end of the valence band (HTL valence band) of the hole transport layer 24a.
  • the energy difference ⁇ Ev between the light emitting layer 24d and the upper end of the valence band (light emitting layer valence band) is large. Since this energy difference ⁇ Ev is the height of the hole injection barrier, the light emitting element shown in FIG. 3A cannot efficiently inject holes into the light emitting layer 24d.
  • the light emitting element 5 has an oxide layer 24b between the hole transport layer 24a and the light emitting layer 24d from the hole transport layer 24a side.
  • the oxide layers 24c are in contact with each other and laminated in this order, and as described above, the oxygen atom density of the oxide layer 24c is smaller than the oxygen atom density of the oxide layer 24b. Therefore, at the interface between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c, the movement of oxygen atoms from the oxide layer 24b to the oxide layer 24c is likely to occur, and at the interface, the oxide layer 24c to the oxide layer An electric dipole 1 having a dipole moment containing a component in the direction of 24b is formed.
  • the position of the band of the hole transport layer 24a and the position of the band of the oxide layer 24b are the positions of the band of the light emitting layer 24d and the position of the band of the oxide layer 24c. Moves downward (band shift). Although not shown, it goes without saying that the position of the band on the second electrode 25 side also includes the position of the band on the second electrode 25 side of the light emitting layer 24d.
  • FIG. 3B the position of the band of the hole transport layer 24a before the shift of the vacuum level by the electric dipole 1 is shown by a dashed line, and the shift of the vacuum level by the electric dipole 1 is shown.
  • the position of the band of the oxide layer 24b before the occurrence of is indicated by a two-dot chain line. Further, the vacuum level after the shift of the vacuum level by the electric dipole 1 is shown by a dotted line.
  • the conduction band (HTL valence band) of the hole transport layer 24a becomes the HTL conduction band'
  • HTL valence band of the hole transport layer 24a becomes the HTL valence band.
  • the energy difference ⁇ Ev between the upper end of the HTL valence band and the upper end of the light emitting layer valence band becomes the energy difference ⁇ Ev'between the upper end of the HTL valence band'and the upper end of the light emitting layer valence band'.
  • the energy difference ⁇ Ev' (in other words, the height of the hole injection barrier after the formation of the electric dipole 1) after the formation of the electric dipole 1 is the energy difference ⁇ Ev (in other words, the oxide layer 24b and the oxide layer 24c). It is smaller than the hole injection barrier height) when the hole is not formed.
  • the thickness of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c when the thickness of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c is sufficiently thin, holes can be conducted through the oxide layer 24b and the oxide layer 24c by tunneling, so that the hole transport layer 24a and the light emitting layer
  • the hole injection barrier height between 24d and 24d is effectively an energy difference ⁇ Ev'between the upper end of the HTL valence band'and the upper end of the light emitting layer valence band'.
  • ⁇ Ev' energy difference
  • the energy difference ⁇ Ev' refers to "the energy difference between the upper end of the valence band of the hole transport layer 24a and the upper end of the valence band of the light emitting layer 24d after the formation of the electric dipole". Therefore, in the present embodiment, “after the formation of the electric dipole” means “after the formation of the electric dipole 1", and “the upper end of the valence band of the hole transport layer 24a and the light emitting layer after the formation of the electric dipole”.
  • the “energy difference from the upper end of the valence band of 24d” is, as described above, “the energy difference between the upper end of the HTL valence band'after the formation of the electric dipole 1 and the upper end of the light emitting layer valence band”.
  • the sign of the energy difference ⁇ Ev' is that the upper end of the valence band of the hole transport layer 24a (the upper end of the HTL valence band in this embodiment) is the value of the light emitting layer 24d after the formation of the electric dipole.
  • the case where the energy band is on the higher energy side (upper side in the band diagram) than the upper end of the electron band (the upper end of the valence band in the present embodiment) is positive ( ⁇ Ev'> 0), and the hole transport layer is formed after the formation of the electric dipole.
  • the upper end of the valence band of 24a (the upper end of the HTL valence band in this embodiment) is on the lower energy side (lower in the band diagram) than the upper end of the valence band of the light emitting layer 24d (the upper end of the light emitting layer valence band in this embodiment).
  • the case where it is on the side) is negative ( ⁇ Ev' ⁇ 0).
  • the energy difference ⁇ Ev is defined as "the upper end of the valence band of the hole transport layer 24a (that is, the HTL valence band before the formation of the electric dipole (in other words, there is no shift of the vacuum level)".
  • the energy difference between the upper end of the band) and the upper end of the valence band of the light emitting layer 24d that is, the upper end of the valence band of the light emitting layer.
  • the sign of the energy difference ⁇ Ev is such that the upper end of the valence band of the hole transport layer 24a (that is, the upper end of the HTL valence band) is the upper end of the valence band of the light emitting layer 24d (that is, the upper end of the valence band) before the formation of the electric dipole. That is, the case where it is on the higher energy side (upper side in the band diagram) than the upper end of the valence band of the light emitting layer is regarded as positive ( ⁇ Ev> 0), and before the formation of the electric dipole, the upper end of the valence band of the hole transport layer 24a (the upper end).
  • hole injection barrier height is negative, it means that there is no hole injection barrier.
  • the position of the band of the oxide layer 24b before the shift of the vacuum level by the electric dipole 1 shown by the two-point chain line (the position of the lower end of the conduction band and the upper end of the valence band).
  • the position of the band of the oxide layer 24c (the position of the lower end of the conduction band and the upper end of the valence band) are shown as an example.
  • the positions of the bands of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c are determined by the selection of the materials of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c, and are not limited to the example shown in FIG. 3 (b). In the present embodiment, as shown in FIG.
  • the upper end of the HTL valence band is located above the upper end of the light emitting layer valence band.
  • the upper end of the HTL valence band'after the band shift occurs due to the formation of the electric dipole 1 is located above the upper end of the light emitting layer valence band. It is shown in the figure.
  • the upper end of the HTL valence band'after the band shift has occurred may be located below the upper end of the light emitting layer valence band, and is more preferably located below.
  • the film thickness of the oxide layer 24b is preferably 0.2 nm or more and 5 nm or less. By setting the film thickness of the oxide layer 24b to 5 nm or less, hole tunneling can be efficiently performed. Further, by setting the film thickness of the oxide layer 24b to 0.2 nm or more, a sufficiently large dipole moment can be obtained.
  • the film thickness of the oxide layer 24b is more preferably 0.8 nm or more and less than 3 nm. In this case, more efficient hole injection becomes possible.
  • the film thickness of the oxide layer 24c is preferably 0.2 nm or more and 5 nm or less. By setting the film thickness of the oxide layer 24c to 5 nm or less, hole tunneling can be efficiently performed. Further, by setting the film thickness of the oxide layer 24c to 0.2 nm or more, a sufficiently large dipole moment can be obtained.
  • the film thickness of the oxide layer 24c is also preferably 0.8 nm or more and less than 3 nm, and in this case, more efficient hole injection becomes possible.
  • the total film thickness of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c is preferably 0.4 nm or more and 5 nm or less. By setting the total film thickness to 5 nm or less, hole tunneling can be performed efficiently. Further, by setting the total film thickness to 0.4 nm or more, a sufficiently large dipole moment can be obtained.
  • the total film thickness is more preferably 1.6 nm or more and less than 4 nm. In this case, more efficient hole injection becomes possible.
  • the oxide layer 24b may be formed of an amorphous oxide, or at least a part of the contact surface with the oxide layer 24c may be formed of a polycrystalline oxide. Further, the oxide layer 24c may also be formed of an amorphous oxide, or at least a part of the contact surface with the oxide layer 24b may be formed of a polycrystalline oxide.
  • the oxide layer 24b may be polycrystallized only on the contact surface with the oxide layer 24c, or the entire oxide layer 24b may be composed of polycrystalline oxide. Further, in the oxide layer 24c, only the contact surface with the oxide layer 24b may be polycrystalline, or the entire oxide layer 24c may be composed of polycrystalline oxide. In other words, at least on the contact surface between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c, at least one of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c may contain a polycrystalline oxide.
  • the method for polycrystallization of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c Is not particularly limited. Further, if the oxygen atom density in the oxide layer 24c is formed to be smaller than the oxygen atom density in the oxide layer 24b, the polycrystalline oxide constituting the oxide layer 24b and the oxide layer 24c, respectively.
  • the type of is not particularly limited.
  • An example of the above-mentioned polycrystallization method is heat treatment using laser light.
  • the oxide layer 24b and the oxide layer 24c are each made of an amorphous oxide.
  • the film thickness uniformity of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c can be improved, and the flatness of the respective surfaces can be improved. It can be improved (in other words, the surface roughness of the interface between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c can be reduced).
  • the electric dipole 1 is likely to be uniformly formed in the boundary surface, and the valence band (HTL valence band) of the hole transport layer 24a is easily formed on the entire contact surface between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c.
  • the in-plane distribution of the energy difference ⁇ Ev'between the upper end of') and the upper end of the valence band (valence band of the light emitting layer 24d) of the light emitting layer 24d can be made uniform. Therefore, the uniformity of hole conduction due to tunneling is improved, and the luminous efficiency is improved.
  • At least a part of the contact surface of the oxide layer 24b with the oxide layer 24c is polycrystalline, at least a part of the contact surface of the oxide layer 24b with the oxide layer 24c is grained. It may contain (grains). Further, when at least a part of the contact surface of the oxide layer 24c with the oxide layer 24b is polycrystalline, at least a part of the contact surface of the oxide layer 24c with the oxide layer 24b is grained. It may contain (grains).
  • At least on the contact surface between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c at least one of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c contains grains, so that the oxide layer 24b Since the area of the interface between the oxide layer and the oxide layer 24c becomes large, the electric dipole 1 can be formed more efficiently. Therefore, efficient hole injection in the light emitting element 5 becomes possible.
  • At least one of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c contains a polycrystalline oxide on the contact surface between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c. You may.
  • one of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c contains a polycrystalline oxide, and the other layer.
  • the layer may be composed of an amorphous oxide.
  • the upper layer may be made of amorphous oxide, and at least a part of the upper surface of the lower layer may be polycrystalline. ..
  • the upper surface of the lower layer may contain grains. The surface roughness of the upper surface of the lower layer is also reflected in the contact surface (interface) of the upper layer with the lower layer.
  • the oxide layer 24b which is the upper layer of the oxide layer 24c, may be made of an amorphous oxide. Then, of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c, the upper surface of the oxide layer 24b, which is the lower layer, may contain grains. In this case, by making the oxide layer 24c an amorphous oxide, good coverage for the oxide layer 24b containing grains can be obtained, so that the electric dipole 1 is easily formed and oxidation is performed.
  • the film thickness uniformity of the material layer 24c can be improved, the uniformity of hole conduction due to tunneling in the oxide layer 24c can be improved. Further, since the upper surface of the oxide layer 24b contains grains, the area of the interface between the upper surface of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c becomes large, so that the electric dipole 1 is formed more efficiently. be able to. As a result, in the light emitting element 5, efficient hole injection into the light emitting layer 24d becomes possible.
  • the present embodiment a case where grains are formed by polycrystallizing at least one of the contact surfaces has been described as an example.
  • the present embodiment is not limited to this, and for example, by a sputtering method, a CVD method, or the like, by utilizing spontaneous nuclear growth, grains (grains) are formed on at least a part of at least one of the contact surfaces. ) May be formed.
  • the entire oxide layer 24b may contain grains (grains)
  • the entire oxide layer 24c may contain grains (grains).
  • the grains may be discretely distributed on at least the contact surface of the oxide layer 24b with the oxide layer 24c or at least the contact surface of the oxide layer 24c with the oxide layer 24b. Further, the grain may be a crystal grain containing a crystal, or may contain an amorphous phase (amorphous phase).
  • the oxide layer 24b and the oxide layer 24c is preferably a continuous film, and at least the upper layer of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c is a continuous film.
  • the film to be formed later is a substrate as a support (for example, in the example shown in FIG. 1, an array substrate on which the first electrode 22 is formed). It may be a film formed on the entire surface of a certain laminate (a laminate including a substrate 10, a resin layer 12, a barrier layer 3, and a TFT layer 4).
  • the continuous film is a dense film having a porosity of less than 1%. That is, the continuous film is a film having substantially no voids.
  • the oxide layer 24b and Of the oxide layer 24c it is preferable that at least the oxide layer 24c located on the second electrode 25 side (that is, the upper layer side) is a continuous film. Further, when the first electrode 22 is a layer on the upper layer side of the light emitting layer 24d and the second electrode 25 is a layer on the lower layer side of the light emitting layer 24d, among the oxide layer 24b and the oxide layer 24c. At least, it is preferable that the oxide layer 24b located on the first electrode 22 side (that is, the upper layer side) is a continuous film.
  • the oxide layer 24b and the oxide layer 24c at least the upper layer is subjected to, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD method (chemical vapor deposition method), a PVD method (physical vapor deposition method), or the like. It is desirable to form a film. In this case, a continuous film is formed.
  • the oxide layer 24b and the oxide layer 24c formed by such a method have a large contact area, and the electric dipole 1 is likely to be formed at a high density.
  • the layer prepared by applying fine particles such as nanoparticles does not form a continuous film because a large number of voids are formed between the fine particles and become porous.
  • the ionization potential IP1 of the hole transport layer 24a is smaller than the ionization potential IP2 of the light emitting layer 24d, and the ionization potential IP2 of the light emitting layer 24d is the ionization potential IP3 of the oxide layer 24b.
  • the ionization potential of the oxide layer 24c is smaller than IP4. That is, the ionization potential is smaller in the order of (i) hole transport layer 24a, (ii) light emitting layer 24d, (iii) oxide layer 24b and oxide layer 24c. In the example shown in FIG.
  • the case where the ionization potential IP3 of the oxide layer 24b and the ionization potential IP4 of the oxide layer 24c are equal is illustrated, but the case is not limited to this. Since the positions of the bands of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c are determined by the selection of the materials of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c, the oxide layer 24b and the oxide layer 24c are different from each other.
  • the ionization potential of is different.
  • the ionization potential may be smaller in the order of the hole transport layer 24a, the light emitting layer 24d, the oxide layer 24b, and the oxide layer 24c, or the hole transport layer 24a, the light emitting layer 24d, the oxide layer 24c, and the oxide layer. It may be smaller in the order of 24b. In either case, the electric dipole 1 can reduce the hole injection barrier height from the energy difference ⁇ Ev to the energy difference ⁇ Ev'.
  • the energy difference between the lower end of the conduction band and the upper end of the valence band in the oxide layer 24b and the oxide layer 24c is the HTL in the hole transport layer 24a. Greater than the energy difference between the lower end of the conduction band'and the upper end of the HTL valence band'. Therefore, the carrier density (hole density) of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c is smaller than the carrier density (hole density) of the hole transport layer 24a, and the oxide layer 24b and the oxide layer 24c are It has higher insulating properties than the hole transport layer 24a.
  • the energy difference between the lower end of the conduction band and the upper end of the valence band in the oxide layer 24b and the oxide layer 24c is the lower end of the conduction band and the upper end of the valence band in the oxide layer 24b.
  • the energy difference between the upper end and the energy difference between the lower end of the conduction band and the upper end of the valence band in the oxide layer 24c are shown.
  • the energy difference between the lower end of the conduction band of the oxide layer 24b and the upper end of the valence band of the oxide layer 24b is the lower end of the conduction band of the oxide layer 24b and the oxide layer in the oxide layer 24b.
  • the energy difference between the lower end of the conduction band of the oxide layer 24c and the upper end of the valence band of the oxide layer 24c is equal to the energy difference between the upper end of the valence band of 24b and 24c.
  • the carrier density (hole density) of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c is smaller than the carrier density (hole density) of the hole transport layer 24a. Therefore, in the oxide layer 24b and the oxide layer 24c, hole conduction by tunneling is performed.
  • the carrier density (hole density) of the hole transport layer 24a is preferably, for example, 1 ⁇ 10 15 cm -3 or more. In this case, the conductivity of the hole transport layer 24a becomes good.
  • the carrier density (hole density) of the hole transport layer 24a is preferably 3 ⁇ 10 17 cm -3 or less. In this case, non-luminescent recombination is suppressed and the luminous efficiency is improved.
  • the oxygen atomic density of the oxide layer 24c is smaller than the oxygen atomic density of the oxide layer 24b.
  • the energy difference between the lower end of the conduction band of the oxide layer 24b and the upper end of the valence band of the oxide layer 24b, and the lower end of the conduction band of the oxide layer 24c and oxidation is shown, but the case is not limited to this.
  • the energy difference between the lower end of the conduction band of the oxide layer 24b and the upper end of the valence band of the oxide layer 24b is larger than the energy difference between the lower end of the conduction band of the oxide layer 24c and the upper end of the valence band of the oxide layer 24c. It may be small or small.
  • FIG. 5 is a diagram showing the oxygen atomic density of an inorganic oxide as an example of the oxides constituting the oxide layer 24b and the oxide layer 24c.
  • oxides constituting the oxide layer 24b and the oxide layer 24c for example, two are selected from the inorganic oxides shown in FIG. 5, and the oxide having the larger oxygen atom density is designated as the oxide constituting the oxide layer 24b.
  • the oxide having the smaller oxygen atom density may be the oxide constituting the oxide layer 24c.
  • the oxides constituting the oxide layer 24b and the oxide layer 24c for example, a composite oxide containing a plurality of cations of the oxides exemplified in FIG. 5 can be used.
  • an electric dipole having a dipole moment containing components in the direction from the oxide layer 24c to the oxide layer 24b. 1 can be easily formed, and the efficiency of injecting holes into the light emitting layer 24d can be improved.
  • the oxygen atomic density of the oxide layer 24c is preferably 95% or less, more preferably 90% or less, further preferably 85% or less, and even more preferably 80% of the oxygen atomic density of the oxide layer 24b. It is more preferably less than or equal to, more preferably 75% or less, still more preferably 70% or less.
  • the smaller the oxygen atom density of the oxide layer 24c with respect to the oxygen atom density of the oxide layer 24b the more easily the movement of oxygen atoms from the oxide layer 24b to the oxide layer 24c occurs, and the more the oxygen atom moves from the oxide layer 24c to the oxide layer. Since the electric dipole 1 having a dipole moment containing the component in the direction of 24b is formed more efficiently, more efficient hole injection into the light emitting layer 24d becomes possible.
  • the oxygen atomic density of the oxide layer 24c is preferably 50% or more of the oxygen atomic density of the oxide layer 24b. In this case, it is possible to suppress the formation of a recombination center due to a dangling bond or the like at the interface between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c.
  • the oxygen atom density in the present disclosure applies the oxygen atom density in bulk of the material constituting the oxide layer 24b or the oxide layer 24c as a unique value possessed by the oxide layer 24b or the oxide layer 24c. And.
  • FIG. 6 is a diagram showing an example of a combination of the oxide constituting the oxide layer 24b and the oxide constituting the oxide layer 24c.
  • the combination of oxides constituting the oxide layer 24b and the oxide layer 24c shown in FIG. 6 is merely an example. As long as the oxygen atomic density of the oxide layer 24c is smaller than the oxygen atomic density of the oxide layer 24b, the combination thereof is not limited.
  • the oxide layer 24b is composed of an oxide containing one kind of cation. It may be composed of oxides containing a plurality of types of cations. That is, the oxide layer 24b may be composed of a composition obtained by mixing a plurality of oxides, and as long as the oxygen atom density of the oxide layer 24c is smaller than the oxygen atom density of the oxide layer 24b, for example. , May be formed of a composite oxide or the like containing two or more kinds of cations of the oxide exemplified in FIG.
  • the oxide layer 24c may be composed of a composition obtained by mixing a plurality of oxides, as long as the oxygen atom density of the oxide layer 24c is smaller than the oxygen atom density of the oxide layer 24b.
  • it may be formed of a composite oxide or the like containing two or more kinds of cations of the oxide exemplified in FIG.
  • the oxide layer 24c (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 24c) contains cations contained in the oxide layer 24b (that is, cations contained in the oxide constituting the oxide layer 24b). It may be included. Further, the oxide layer 24b (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 24b) is a cation contained in the oxide layer 24c (that is, a cation contained in the oxide constituting the oxide layer 24c). It may be included. In either case, the oxide layer 24b and the oxide layer 24c may have a structure that alleviates the lattice mismatch between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c by containing a common cation. it can.
  • the oxide layer 24b (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 24b) may contain at least one of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W, and Mo. It is good, but it is preferable that the content is small.
  • the ratio of the total number density of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W, and Mo to the total number density of all cations contained in the oxide layer 24b is less than 50%.
  • 20% or less is further preferable, 10% or less is further preferable, 4% or less is further preferable, 1% or less is further preferable, 0.4% or less is further preferable, and less than 0.1% is further preferable.
  • the oxide layer 24b (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 24b) does not contain any of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W, and Mo.
  • the oxide layer 24c (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 24c) may contain at least one of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W and Mo. It is good, but it is preferable that the content is small.
  • the ratio of the total number density of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W, and Mo to the total number density of all cations contained in the oxide layer 24c is less than 50%.
  • 20% or less is further preferable, 10% or less is further preferable, 4% or less is further preferable, 1% or less is further preferable, 0.4% or less is further preferable, and less than 0.1% is further preferable.
  • the oxide layer 24c (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 24c) does not contain any of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W and Mo.
  • FIG. 7 is an energy band diagram for explaining the hole injection barrier in the light emitting device 5 according to the present modification.
  • the ionization potential IP1 of the hole transport layer 24a is smaller than the ionization potential IP2 of the light emitting layer 24d, and the ionization potential IP2 of the light emitting layer 24d is the ionization potential IP3 and the oxide of the oxide layer 24b. It may be smaller than the ionization potential IP4 of the layer 24c. Since the magnitude relationship between the ionization potential IP3 of the oxide layer 24b and the ionization potential IP4 of the oxide layer 24c is determined by the selection of the material, the ionization potential IP3 of the oxide layer 24b and the ionization of the oxide layer 24c are ionized.
  • the ionization potential may be smaller in the order of the hole transport layer 24a, the light emitting layer 24d, the oxide layer 24b, and the oxide layer 24c. Further, the ionization potential may be smaller in the order of the hole transport layer 24a, the light emitting layer 24d, the oxide layer 24c, and the oxide layer 24b. In either case, the electric dipole 1 can reduce the hole injection barrier height from the energy difference ⁇ Ev to the energy difference ⁇ Ev'.
  • FIG. 8 is an energy band diagram for explaining the hole injection barrier in the light emitting device 55 according to the present embodiment.
  • the light emitting device includes the light emitting element 55 shown in FIG. 8 as a light emitting element in the light emitting device according to the first embodiment (for example, the display device 2).
  • the light emitting element 55 according to the present embodiment has the same configuration as the light emitting element 5 according to the first embodiment, except for the points described below.
  • the hole transport layer 24a is made of an oxide.
  • the oxide layer 24b and the oxide layer 24c are formed between the hole transport layer 24a and the light emitting layer 24d from the hole transport layer 24a side (in other words, the first electrode 22 side).
  • the hole transport layer 24a, the oxide layer 24b, and the oxide layer 24c are laminated in contact with each other.
  • the oxygen atom density in the oxide layer 24b and the oxygen atom density in the oxide layer 24c are different.
  • the density of oxygen atoms in the hole transport layer 24a (hereinafter, may be referred to as “oxygen atom density of the hole transport layer 24a”) and the density of oxygen atoms in the oxide layer 24b adjacent to the hole transport layer 24a. It is different from the oxygen atom density.
  • oxygen atoms move and electric dipoles are likely to be formed not only at the interface between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c but also at the interface between the hole transport layer 24a and the oxide layer 24b.
  • the oxygen atomic density of the oxide layer 24c is preferably smaller than the oxygen atomic density of the oxide layer 24b.
  • the height of the hole injection barrier between the hole transport layer 24a and the light emitting layer 24d becomes small, and efficient hole injection into the light emitting layer 24d becomes possible.
  • the oxygen atom density of the oxide layer 24b is preferably smaller than the oxygen atom density of the hole transport layer 24a. In this case, the height of the hole injection barrier between the hole transport layer 24a and the light emitting layer 24d becomes small, and efficient hole injection into the light emitting layer 24d becomes possible.
  • the oxygen atom density of the oxide layer 24b is smaller than the oxygen atom density of the hole transport layer 24a, and the oxygen atom density of the oxide layer 24c is smaller than the oxygen atom density of the oxide layer 24b.
  • the hole injection barrier height (energy difference ⁇ Ev') between the hole transport layer 24a and the light emitting layer 24d is smaller than that in the case of the first embodiment, and more efficient holes to the light emitting layer 24d are formed. Injection is possible. As a result, the luminous efficiency of the light emitting element 55 is improved.
  • the oxygen atom density of the oxide layer 24b is smaller than the oxygen atom density of the hole transport layer 24a
  • the oxygen atom density of the oxide layer 24c is smaller than the oxygen atom density of the oxide layer 24b.
  • oxygen atoms are likely to move from the oxide layer 24b to the oxide layer 24c at the interface between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c.
  • the movement of oxygen atoms from the hole transport layer 24a to the oxide layer 24b is likely to occur. Therefore, as shown in FIG.
  • Position moves downward with respect to the position of the band on the second electrode 25 side, and the band on the first electrode 22 side with the interface between the hole transport layer 24a and the oxide layer 24b as a boundary.
  • Position moves downward with respect to the position of the band on the second electrode 25 side. That is, in the case of the example shown in FIG. 8, the position of the band of the hole transport layer 24a and the position of the band of the oxide layer 24b are lower than the position of the band of the light emitting layer 24d and the position of the band of the oxide layer 24c. Move in the direction (band shift).
  • the position of the band of the hole transport layer 24a moves further downward with respect to the position of the band of the oxide layer 24b, the position of the band of the light emitting layer 24d, and the position of the band of the oxide layer 24c (band shift).
  • the position of the band on the second electrode 25 side also includes the position of the band on the second electrode 25 side of the light emitting layer 24d.
  • the position of the band of the hole transport layer 24a before the shift of the vacuum level by the electric dipole 1.31 is shown by a alternate long and short dash line, and the shift of the vacuum level by the electric dipole 1 occurs.
  • the position of the band of the previous oxide layer 24b is indicated by a two-dot chain line.
  • the vacuum level after the shift of the vacuum level by the electric dipole 1.31 is shown by a dotted line.
  • the HTL valence band of the hole transport layer 24a becomes the HTL valence band'
  • the valence band of the oxide layer 24b becomes the valence of the oxide layer 24b.
  • the electronic band' Move to the electronic band', respectively.
  • the HTL conduction band of the hole transport layer 24a moves to the HTL conduction band'
  • the conduction band of the oxide layer 24b moves to the conduction band of the oxide layer 24b'.
  • the energy difference ⁇ Ev between the upper end of the HTL valence band and the upper end of the light emitting layer valence band becomes the energy difference ⁇ Ev'between the upper end of the HTL valence band'and the upper end of the light emitting layer valence band'.
  • the energy difference ⁇ Ev'after the formation of the electric dipole 1.31 is the energy difference ⁇ Ev (in other words, the oxide layer 24b and the oxide layer 24b). It is smaller than the hole injection barrier height) when the oxide layer 24c is not formed.
  • the thickness of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c is sufficiently thin, holes can be conducted through the oxide layer 24b and the oxide layer 24c by tunneling.
  • the hole injection barrier height between the hole transport layer 24a and the light emitting layer 24d is effectively an energy difference ⁇ Ev'between the upper end of the HTL valence band'and the upper end of the light emitting layer valence band'.
  • the present embodiment by forming the hole transport layer 24a, the oxide layer 24b, and the oxide layer 24c as described above, the interface between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c and the holes At the two interfaces, the interface between the transport layer 24a and the oxide layer 24b, dipole moments 1.31 containing components in the direction from the oxide layer 24c to the hole transport layer 24a are formed, respectively. Therefore, according to the present embodiment, the position of the band of the hole transport layer 24a is higher than the position of the band of the light emitting layer 24d and the position of the band of the oxide layer 24c as compared with the first embodiment. Move down.
  • FIG. 9 is a diagram showing the oxygen atomic density of an inorganic oxide as an example of the oxide constituting the hole transport layer 24a.
  • an inorganic oxide having an oxygen atomic density higher than that of the oxide layer 24b is selected from the inorganic oxides shown in FIG. 9, and the inorganic oxide is used. , May be an oxide constituting the hole transport layer 24a. Further, after selecting the oxide constituting the hole transport layer 24a from the inorganic oxides shown in FIG. 9, the oxygen atom density of the hole transport layer 24a is determined from the inorganic oxides shown in FIG. 5 or 6 and their combinations. A combination of inorganic oxides having a small oxygen atom density may be selected to form the oxide layer 24b and the oxide layer 24c.
  • the oxide constituting the hole transport layer 24a for example, a composite oxide containing a plurality of cations of the oxide illustrated in FIG. 9 can be used. Further, the hole transport layer 24a may be made of an oxide containing at least one of Ni and Cu. Further, the hole transport layer 24a may be made of an oxide in which the most abundant element other than oxygen is either Ni or Cu.
  • the dipole moment including the component in the direction from the oxide layer 24c to the oxide layer 24b is included. It becomes easy to form the electric dipole 1 having a hole, and the hole injection efficiency can be improved.
  • the oxygen atom density of the oxide layer 24b adjacent to the hole transport layer 24a is reduced to be lower than the oxygen atom density of the hole transport layer 24a, thereby transporting holes from the oxide layer 24b. It becomes easy to form an electric dipole 31 having a dipole moment including a component in the direction of the layer 24a, and the hole injection efficiency can be further improved.
  • the oxygen atom density of the oxide layer 24b is preferably 95% or less, preferably 90% or less of the oxygen atom density of the hole transport layer 24a. It is more preferably 85% or less, further preferably 80% or less, further preferably 75% or less, still more preferably 70% or less.
  • the oxygen atomic density of the oxide layer 24c is preferably 95% or less, more preferably 90% or less, and 85% or less of the oxygen atomic density of the oxide layer 24b. More preferably, it is more preferably 80% or less, further preferably 75% or less, and further preferably 70% or less.
  • An electric dipole 31 having a dipole moment containing a component oriented toward the hole transport layer 24a is formed more efficiently.
  • the smaller the oxygen atom density of the oxide layer 24c with respect to the oxygen atom density of the oxide layer 24b the easier it is for oxygen atoms to move from the oxide layer 24b to the oxide layer 24c, and the oxide layer 24c is oxidized.
  • the electric dipole 1 having a dipole moment containing a component in the direction of the material layer 24b is formed more efficiently.
  • the oxygen atomic density of the oxide layer 24c is preferably 50% or more of the oxygen atomic density of the oxide layer 24b. In this case, it is possible to suppress the formation of a recombination center due to a dangling bond or the like at the interface between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c.
  • the oxygen atomic density of the oxide layer 24b is preferably 50% or more of the oxygen atomic density of the hole transport layer 24a. In this case, it is possible to suppress the formation of a recombination center due to a dangling bond or the like at the interface between the hole transport layer 24a and the oxide layer 24b.
  • the oxygen atom density in the present disclosure is applied as a unique value possessed by the hole transport layer 24a.
  • FIG. 10 is a diagram showing an example of a combination of an oxide constituting the hole transport layer 24a and an oxide constituting the oxide layer 24b adjacent to the hole transport layer 24a.
  • the electric dipole 31 is formed as shown in FIG. 8, and the hole transport layer is formed. Efficient hole injection from 24a to the light emitting layer 24d is possible.
  • the combination of oxides constituting the hole transport layer 24a and the oxide layer 24b shown in FIG. 10 is merely an example.
  • the combination thereof is not limited.
  • the hole transport layer 24a is made of NiO or CuAlO 2 is shown as an example, but the material is not limited to these materials.
  • the hole transport layer 24a may be composed of an oxide containing one type of cation, or may be composed of an oxide containing a plurality of types of cations. That is, in the present embodiment, as long as the oxygen atom density of the oxide layer 24b is smaller than the oxygen atom density of the hole transport layer 24a, the hole transport layer 24a contains, for example, a plurality of oxides exemplified in FIG. It may be composed of a mixed composition, and may be formed of, for example, a composite oxide containing two or more kinds of cations of the oxide illustrated in FIG.
  • the hole transport layer 24a may be composed of an oxide containing at least one of Ni and Cu. Good. Further, as long as the oxygen atom density of the oxide layer 24b is smaller than the oxygen atom density of the hole transport layer 24a, the hole transport layer 24a contains either Ni or Cu as the most abundant element other than oxygen. It may consist of some oxide.
  • the oxide layer 24b (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 24b) is a cation contained in the hole transport layer 24a (that is, a cation contained in the oxide constituting the hole transport layer 24a). ) May be contained, but it is preferable that the content is small.
  • the oxide layer 24b contains the "cation contained in the hole transport layer 24a"
  • it is contained in the "hole transport layer 24a” contained in the oxide layer 24b with respect to all the cations contained in the oxide layer 24b.
  • the ratio of the number density of "cations” is preferably less than 50%, more preferably 20% or less, further preferably 10% or less, further preferably 4% or less, further preferably 1% or less, and further preferably 0.4% or less.
  • the oxide layer 24b (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 24b) does not contain "cations contained in the hole transport layer 24a".
  • the hole transport layer 24a (more strictly, the oxide constituting the hole transport layer 24a) is a cation contained in the oxide layer 24b (that is, a cation contained in the oxide constituting the oxide layer 24b). ) May be contained, but it is preferable that the content is small.
  • the hole transport layer 24a contains the "cation contained in the oxide layer 24b", it is contained in the "oxide layer 24b" contained in the hole transport layer 24a with respect to all the cations contained in the hole transport layer 24a.
  • the ratio of the number density of the "cations” is preferably less than 50%, more preferably 20% or less, further preferably 10% or less, further preferably 4% or less, further preferably 1% or less, and 0.4% or less.
  • the hole transport layer 24a (more strictly, the oxide constituting the hole transport layer 24a) does not contain "cations contained in the oxide layer 24b".
  • the oxide layer 24b (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 24b) may contain at least one of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W, and Mo. It is good, but it is preferable that the content is small.
  • the ratio of the total number density of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W, and Mo to the total number density of all cations contained in the oxide layer 24b is less than 50%.
  • 20% or less is further preferable, 10% or less is further preferable, 4% or less is further preferable, 1% or less is further preferable, 0.4% or less is further preferable, and less than 0.1% is further preferable.
  • the oxide layer 24b (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 24b) does not contain any of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W, and Mo.
  • the oxide layer 24c (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 24c) may contain at least one of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W and Mo. It is good, but it is preferable that the content is small.
  • the ratio of the total number density of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W, and Mo to the total number density of all cations contained in the oxide layer 24c is less than 50%.
  • 20% or less is further preferable, 10% or less is further preferable, 4% or less is further preferable, 1% or less is further preferable, 0.4% or less is further preferable, and less than 0.1% is further preferable.
  • the oxide layer 24c (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 24c) does not contain any of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W and Mo.
  • the hole transport layer 24a When the hole transport layer 24a is formed of an oxide as described above, the hole transport layer 24a may be formed of an amorphous oxide, or at least a contact surface with the oxide layer 24b. A part of the above may be formed of a polycrystalline oxide. That is, in the latter case, the hole transport layer 24a may have only the contact surface with the oxide layer 24b polycrystalline, or the entire hole transport layer 24a may be composed of polycrystalline oxide. Good.
  • the oxide layer 24b may be formed of an amorphous oxide, and at least a part of the contact surface with the oxide layer 24c is formed of a polycrystalline oxide. May be. Further, the oxide layer 24c may also be formed of an amorphous oxide, or at least a part of the contact surface with the oxide layer 24b may be formed of a polycrystalline oxide.
  • the oxygen atom density of the oxide layer 24c is smaller than the oxygen atom density of the oxide layer 24b and the oxygen atom density of the oxide layer 24b is smaller than the oxygen atom density of the hole transport layer 24a.
  • the method for polycrystallization of the hole transport layer 24a, the oxide layer 24b, and the oxide layer 24c is not particularly limited. Further, the oxygen atom density of the oxide layer 24c is smaller than the oxygen atom density of the oxide layer 24b, and the oxygen atom density of the oxide layer 24b is smaller than the oxygen atom density of the hole transport layer 24a. If so, the types of polycrystalline oxides constituting the hole transport layer 24a, the oxide layer 24b, and the oxide layer 24c are not particularly limited. Also in this embodiment, as an example of the above-mentioned polycrystallization method, for example, heat treatment using laser light can be mentioned.
  • the hole transport layer 24a, the oxide layer 24b, and the oxide layer 24c are each composed of an amorphous oxide, so that the hole transport layer 24a, the oxide layer 24b, and the oxide are oxidized.
  • the uniformity of the film thickness of the material layer 24c can be improved, and the flatness of each surface can be improved.
  • the electric dipole 31 is likely to be uniformly formed at the entire interface between the hole transport layer 24a and the oxide layer 24b.
  • the electric dipole 1 is likely to be uniformly formed at the entire interface between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c. Therefore, it is possible to improve the efficiency of hole conduction by tunneling, and it is possible to efficiently inject holes into the light emitting layer 24d in the light emitting element 55.
  • the oxide layer 24b and the oxide layer 24c are each made of an amorphous oxide, and at least a part of the contact surface of the hole transport layer 24a with the oxide layer 24b is made of a polycrystalline oxide. Since the film thickness uniformity of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c can be improved, the in-plane density variation of the electric dipole 31 can be suppressed. Further, in this case, at least a part of the contact surface of the hole transport layer 24a with the oxide layer 24b contains grains. Therefore, by forming the oxide layer 24b with an amorphous oxide, good coverage for the hole transport layer 24a containing grains can be obtained, so that the contact area between the oxide layer 24b and the hole transport layer 24a can be increased.
  • the electric dipole 31 can be formed more efficiently.
  • the hole transport layer 24a and the oxide layer 24b contains grains, so that the hole transport layer is formed.
  • the area of the interface between the 24a and the oxide layer 24b becomes large. Therefore, the electric dipole 31 can be formed more efficiently, and the hole injection in the light emitting element 55 becomes possible.
  • the surface roughness of the hole transport layer 24a is reflected in the contact surface (interface) between the hole transport layer 24a and the oxide layer 24b and the contact surface (interface) between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c. Will be done. As a result, the area of the interface between the hole transport layer 24a and the oxide layer 24b and the area of the interface between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c become large.
  • the electric dipoles 1.31 can be formed more efficiently, so that the light emitting element 55 can efficiently inject holes into the light emitting layer 24d.
  • the present embodiment a case where grains (grains) are formed by polycrystallizing the contact surface of the hole transport layer 24a with the oxide layer 24b has been described as an example.
  • the present embodiment is not limited to this, and for example, by a sputtering method, a CVD method, or the like, by utilizing spontaneous nuclear growth, grains (grains) are formed on at least a part of at least one of the contact surfaces. ) May be formed.
  • the entire hole transport layer 24a may contain grains.
  • the grains may be discretely distributed at least on the contact surface of the hole transport layer 24a with the oxide layer 24b. Further, the grain may be a crystal grain containing a crystal, or may contain an amorphous phase (amorphous phase).
  • At least one of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c may be formed in an island shape.
  • 11 and 12 are cross-sectional views schematically showing a schematic configuration of the light emitting elements 155 and 255 according to the present embodiment, respectively.
  • the light emitting device includes the light emitting element 155 shown in FIG. 11 or the light emitting element 255 shown in FIG. 12 as a light emitting element in the light emitting device (for example, display device 2) according to the first embodiment.
  • the light emitting elements 155 and 255 according to the present embodiment may have the same configuration as the light emitting element according to the first embodiment or the light emitting element according to the second embodiment, respectively, except for the points described below.
  • the first electrode 22 is located above the light emitting layer 24d
  • the second electrode 25 is located below the light emitting layer 24d.
  • a plurality of oxide layers 24c in contact with the oxide layer 24b are formed in an island shape.
  • the oxide layer 24c can be formed in an island shape by utilizing spontaneous nuclear growth by using a sputtering method, a CVD method or the like. Further, after forming the thin film, it may be processed into an island shape by etching or the like.
  • the area of the interface between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c becomes large. Therefore, in this case, the electric dipole 1 can be formed more efficiently, so that the light emitting element 155 can efficiently inject holes into the light emitting layer 24d.
  • the upper layer, the first electrode 22, is formed of a light-reflecting material
  • the lower layer, the second electrode 25, is formed of a light-transmitting material.
  • a bottom emission type display device including the light emitting element 155 can be realized.
  • the first electrode 22 is formed as a solid common layer
  • the second electrode 25 electrically connected to the thin film transistor element Tr (TFT element) is formed for each subpixel. Is forming.
  • the first electrode 22 which is the upper layer may be formed of a light-transmitting material
  • the second electrode 25 which is a lower layer may be formed of a light-reflecting material.
  • the first electrode 22 is located below the light emitting layer 24d and the second electrode 25 is located above the light emitting layer 24d, as in the first embodiment.
  • a plurality of oxide layers 24b in contact with the oxide layer 24c are formed in an island shape.
  • the oxide layer 24b can be formed in an island shape by utilizing spontaneous nuclear growth by using a sputtering method, a CVD method, or the like. Further, after forming the thin film, it may be processed into an island shape by etching or the like.
  • the lower layer, the first electrode 22, is formed of a light-reflecting material
  • the upper layer, the second electrode 25, is formed of a light-transmitting material.
  • a top emission type display device including the light emitting element 255 can be realized.
  • the second electrode 25 is formed as a solid common layer, and the first electrode 22 electrically connected to the thin film transistor element Tr (TFT element) is provided for each subpixel. Is forming.
  • the lower layer first electrode 22 may be formed of a light-transmitting material
  • the upper layer second electrode 25 may be formed of a light-reflecting material.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of the light emitting element 355 of the present embodiment.
  • the light emitting device includes the light emitting element 355 shown in FIG. 13 as a light emitting element in the light emitting device according to the first embodiment (for example, the display device 2).
  • the components having the same reference numerals as the components described in any of the first to third embodiments are the same as the components described in any of the first to third embodiments unless otherwise specified. It may have a configuration.
  • the light emitting element 355 of the present embodiment includes a first electrode (hole injection layer: HIL) 22, a second electrode (electron injection layer: EIL) 25, a first electrode 22 and a second electrode. It includes a light emitting layer 24d provided between the electrode 25 and the light emitting layer 24d. Between the second electrode 25 and the light emitting layer 24d, from the light emitting layer 24d side (in other words, the first electrode 22 side), the oxide layer 224b (first oxide layer) and the oxide layer 224c (second). The oxide layer) and the electron transport layer (ETL) 24e are laminated in this order, for example, in contact with each other. The density of oxygen atoms in the oxide layer 224b is different from the density of oxygen atoms in the oxide layer 224c. A hole transport layer (HTL) 24e is provided between the light emitting layer 24d and the first electrode 22.
  • HIL hole injection layer
  • EIL electron injection layer
  • the light emitting element 355 includes, for example, the first electrode 22 (anode), the hole transport layer 24a, the light emitting layer 24d, the electron transport layer 24e, and the second electrode 25 (cathode) from the upper layer side.
  • the oxide layer 224b and the oxide layer 224c in contact with the oxide layer 224b are provided in this order between the light emitting layer 24d and the electron transport layer 24e from the first electrode 22 side.
  • the stacking order of each layer in the light emitting element may be reversed. Therefore, in the light emitting element 355 according to the present embodiment, for example, from the lower layer side, the first electrode 22 (anode), the hole transport layer 24a, the light emitting layer 24d, the electron transport layer 24e, and the second electrode 25 (cathode) ), And the oxide layer 224b and the oxide layer 224c in contact with the oxide layer 224b between the light emitting layer 24d and the electron transport layer 24e in this order from the first electrode 22 side. You may have.
  • the electron transport layer 24e is formed on the second electrode 25. Then, the oxide layer 224c, the oxide layer 224b, and the light emitting layer 24d are formed in this order on the electron transport layer 24e, and the hole transport layer 24a and the first electrode 22 are formed in this order on the light emitting layer 24d. Has been done.
  • the second electrode 25 is made of a conductive material and has a function of an electron injection layer (EIL) for injecting electrons into the electron transport layer 24e.
  • the first electrode 22 is made of a conductive material and has a function of a hole injection layer (HIL) for injecting holes into the hole transport layer 24a.
  • EIL electron injection layer
  • HIL hole injection layer
  • At least one of the first electrode 22 and the second electrode 25 is made of a translucent material (for example, a transparent conductive film). Either one of the first electrode 22 and the second electrode 25 may be formed of a light-reflecting material (for example, metal).
  • the display device 2 is a top emission type display device, the upper layer, the first electrode 22, is formed of a light-transmitting material, and the lower layer, the second electrode 25, is formed of a light-reflecting material.
  • the display device 2 is a bottom emission type display device, the upper layer, the first electrode 22, is formed of a light-reflecting material, and the lower layer, the second electrode 25, is formed of a light-transmitting material.
  • the first electrode 22 and the second electrode 25 the same materials as those of the first electrode 22 and the second electrode 25 described in the first embodiment can be used.
  • the stacking order from the first electrode 22 to the second electrode 25 can be reversed.
  • the second electrode 25 (the first electrode 22 when the stacking order is reversed) excluding the first electrode 22 (the second electrode 25 when the stacking order is reversed) formed as a solid common layer
  • the electron transport layer 24e, the oxide layer 224c, the oxide layer 224b, the light emitting layer 24d, and the hole transport layer 24a may be formed in an island shape for each subpixel SP.
  • the second electrode 25 (the first electrode 22 when the stacking order is reversed) and the light emitting layer 24d are formed in an island shape for each subpixel SP, and these layers are removed.
  • At least one of the transport layer 24e, the oxide layer 224c, the oxide layer 224b, the hole transport layer 24a, and the first electrode 22 (the second electrode 25 when the stacking order is reversed) is provided. , May be formed as a solid common layer.
  • the hole transport layer 24a and the electron transport layer 24e are as described in the first embodiment.
  • the electron transporting material may be an oxide or a material other than the oxide. Therefore, the electron transport layer 24e may or may not have an oxygen atom in the electron transport layer 24e.
  • the electron transporting material is an oxide (in other words, when the electron transport layer 24e is made of an oxide)
  • the density of oxygen atoms in the electron transport layer 24e (hereinafter, "oxygen atom density of the electron transport layer 24e"). It is desirable that it is smaller than the oxygen atom density of the oxide layer 224c as shown in the fifth embodiment described later.
  • the oxygen atomic density of the electron transport layer 24e may be the same as the oxygen atomic density of the oxide layer 224c. Further, the oxygen atomic density of the electron transport layer 24e may be higher than the oxygen atomic density of the oxide layer 224c.
  • the electric dipole can be freely formed without reducing the degree of freedom in selecting the material of the electron transport layer 24e. Can be done. Therefore, the amount of electrons injected into the light emitting layer 24d can be freely controlled.
  • the oxide layer 224b and the oxide layer 224c are formed of, for example, an inorganic oxide, like the oxide layer 24b and the oxide layer 24c of the first embodiment. Further, it is desirable that the oxide layer 224b and the oxide layer 224c are made of an inorganic insulator.
  • the oxide layer 224b the same material as the oxide layer 24b exemplified in the first embodiment can be used. Further, as the oxide layer 224c, the same material as the oxide layer 24c exemplified in the first embodiment can be used.
  • the first electrode of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c adjacent to each other provided between the carrier transport layer (however, the electron transport layer 24e in the present embodiment) and the light emitting layer 24d is provided.
  • the density of oxygen atoms in the oxide layer 224c which is the oxide layer (second oxide layer) farther from 22, is the oxidation of the oxide layer (first oxide layer) closer to the first electrode 22. It is preferably smaller than the density of oxygen atoms in the material layer 224b.
  • the density of oxygen atoms in the oxide layer 224c may be referred to as "oxygen atom density of the oxide layer 224c”.
  • the density of oxygen atoms in the oxide layer 224b may be referred to as "oxygen atom density of the oxide layer 224b".
  • FIG. 15A shows an oxide layer 224b on the first electrode 22 side (in other words, the light emitting layer 24d side) and the second electrode 25 side (in other words, electrons) adjacent to each other in the light emitting element 355 of the present embodiment. It is a figure for demonstrating the mechanism which oxygen atom moves at the interface with the oxide layer 224c of the transport layer 24e side), and FIG. 15 (b) shows the oxide layer 224b and the oxide layer 224c. It is a figure which shows the state which the electric dipole 1'was formed by the movement of an oxygen atom at the interface of.
  • the oxygen atomic density of the oxide layer 224c of the present embodiment is smaller than the oxygen atomic density of the oxide layer 224b. Therefore, as shown in FIG. 15A, when the oxide layer 224b is formed on the oxide layer 224c in contact with the oxide layer 224c, the oxide layer 224b and the oxide layer 224c are formed. At the interface of the oxide layer 224b, the movement of oxygen atoms in the direction of the oxide layer 224c is likely to occur. When the movement of oxygen atoms occurs, the oxygen vacancies are positively charged and the moved oxygen atoms are negatively charged.
  • FIG. 14A is an energy band diagram for explaining an electron injection barrier in a light emitting device as a comparative example
  • FIG. 14B is an energy band diagram for explaining an electron injection barrier in a light emitting device 355. It is a band diagram.
  • the lower end of the conduction band (light emitting layer conduction band) of the light emitting layer 24d and the electron transport layer The energy difference ⁇ Ec from the lower end of the conduction band (ETL conduction band) of 24e is large. Since this energy difference ⁇ Ec is the height of the electron injection barrier, the light emitting element shown in FIG. 14A cannot efficiently inject electrons into the light emitting layer 24d.
  • the light emitting element 355 has an oxide layer 224c and an oxide between the electron transport layer 24e and the light emitting layer 24d from the electron transport layer 24e side.
  • the layers 224b are in contact with each other and laminated in this order, and as described above, the oxygen atom density in the oxide layer 224c is smaller than the oxygen atom density in the oxide layer 224b.
  • the oxide layer 224b and the oxide layer 224c which are the interfaces on which the electric dipole 1'is formed, are formed.
  • a vacuum level shift occurs due to the electric dipole 1'at the interface.
  • FIG. 14B the positions of the bands on the second electrode 25 side (the lower end of the conduction band and the upper end of the valence band) with the interface between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c as a boundary. The position) moves upward with respect to the position of the band on the first electrode 22 side. That is, in the case of the example shown in FIG.
  • the position of the band of the electron transport layer 24e and the position of the band of the oxide layer 224c are the positions of the band of the light emitting layer 24d and the position of the band of the oxide layer 224b. On the other hand, it moves upward (band shift). Although not shown, it goes without saying that the position of the band on the first electrode 22 side also includes the position of the band on the second electrode 25 side of the light emitting layer 24d.
  • the position of the band of the oxide layer 224c before the shift occurs is shown by the alternate long and short dash line. Further, the vacuum level after the shift of the vacuum level by the electric dipole 1'is shown by a dotted line.
  • the ETL conduction band of the electron transport layer 24e becomes the ETL conduction band'
  • the valence band (ETL valence band) of the electron transport layer 24e becomes the ETL valence band.
  • the energy difference ⁇ Ec between the lower end of the light emitting layer conduction band and the lower end of the ETL conduction band becomes the energy difference ⁇ Ec'between the lower end of the light emitting layer conduction band and the lower end of the ETL conduction band'.
  • the energy difference ⁇ Ec'after the formation of the electric dipole 1' is the energy difference ⁇ Ec (in other words, the oxide layer 224b and the oxide layer). It is smaller than the electron injection barrier height) when 224c is not formed.
  • the thicknesses of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c are sufficiently thin, electrons can conduct the oxide layer 224c and the oxide layer 224b by tunneling, so that the electron transport layer 24e and the light emitting layer 24d
  • the height of the electron injection barrier between them is effectively the energy difference ⁇ Ec'between the lower end of the light emitting layer conduction band and the lower end of the ETL conduction band'.
  • efficient electron injection becomes possible.
  • the energy difference ⁇ Ec' refers to "the energy difference between the lower end of the conduction band of the light emitting layer 24d and the lower end of the conduction band of the electron transport layer 24e after the formation of the electric dipole". Therefore, in the present embodiment, “after the formation of the electric dipole” means “after the formation of the electric dipole 1'", and “after the formation of the electric dipole, the lower end of the conduction band of the light emitting layer 24d and the electron transport layer 24e". As described above, the "energy difference from the lower end of the conduction band” indicates the “energy difference between the lower end of the conduction band of the light emitting layer and the lower end of the ETL conduction band after the formation of the electric dipole 1'".
  • the reference numeral of the energy difference ⁇ Ec' is that the lower end of the conduction band of the light emitting layer 24d (the lower end of the conduction band of the light emitting layer in this embodiment) is the lower end of the conduction band of the electron transport layer 24e after the formation of the electric dipole.
  • the energy difference ⁇ Ec is defined as “the lower end of the conduction band of the light emitting layer 24d (that is, the lower end of the conduction band before the formation of the electric dipole (in other words, there is no shift of the vacuum level)). ) And the lower end of the conduction band of the electron transport layer 24e (that is, the lower end of the ETL conduction band). Further, in the present disclosure, the reference numeral of the energy difference ⁇ Ec is that of the light emitting layer 24d before the formation of the electric dipole.
  • the position of the band of the oxide layer 224c and the position of the band of the oxide layer 224b before the shift of the vacuum level by the electric dipole 1', shown by the alternate long and short dash line, are shown.
  • the position of the band of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c is determined by the selection of the materials of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c, and is not limited to the example shown in FIG. 14 (b).
  • the case where the lower end of the ETL conduction band'after the band shift occurs due to the formation of the electric dipole 1' is located below the lower end of the light emitting layer conduction band. It is illustrated by giving an example.
  • the lower end of the ETL conduction band'after the band shift has occurred may be located above the upper end of the light emitting layer conduction band, and is more preferably located above.
  • the film thickness of the oxide layer 224b is preferably 0.2 nm or more and 5 nm or less. By setting the film thickness of the oxide layer 224b to 5 nm or less, electron tunneling can be efficiently performed. Further, by setting the film thickness of the oxide layer 224b to 0.2 nm or more, a sufficiently large dipole moment can be obtained.
  • the film thickness of the oxide layer 224b is more preferably 0.8 nm or more and less than 3 nm. In this case, more efficient electron injection becomes possible.
  • the film thickness of the oxide layer 224c is preferably 0.2 nm or more and 5 nm or less. By setting the film thickness of the oxide layer 224c to 5 nm or less, electron tunneling can be efficiently performed. Further, by setting the film thickness of the oxide layer 224c to 0.2 nm or more, a sufficiently large dipole moment can be obtained.
  • the film thickness of the oxide layer 224c is also preferably 0.8 nm or more and less than 3 nm, and in this case, more efficient electron injection becomes possible.
  • the total film thickness of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c is preferably 0.4 nm or more and 5 nm or less. By setting the total film thickness to 5 nm or less, electron tunneling can be performed efficiently. Further, by setting the total film thickness to 0.4 nm or more, a sufficiently large dipole moment can be obtained.
  • the total film thickness is more preferably 1.6 nm or more and less than 4 nm. In this case, more efficient electron injection becomes possible.
  • the oxide layer 224b may be formed of an amorphous oxide, or at least a part of the contact surface with the oxide layer 224c may be formed of a polycrystalline oxide. Further, the oxide layer 224c may also be formed of an amorphous oxide, or at least a part of the contact surface with the oxide layer 224b may be formed of a polycrystalline oxide.
  • the oxide layer 224b only the contact surface with the oxide layer 224c may be polycrystalline, or the entire oxide layer 224b may be composed of polycrystalline oxide. Further, in the oxide layer 224c, only the contact surface with the oxide layer 224b may be polycrystalline, or the entire oxide layer 224c may be composed of polycrystalline oxide. In other words, at least on the contact surface between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c, at least one of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c may contain polycrystalline oxide.
  • the method of polycrystallization of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c is not particularly limited as long as the oxygen atom density in the oxide layer 224c is formed to be smaller than the oxygen atom density in the oxide layer 224b. Further, if the oxygen atom density in the oxide layer 224c is formed to be smaller than the oxygen atom density in the oxide layer 224b, the polycrystalline oxide constituting the oxide layer 224b and the oxide layer 224c, respectively.
  • the type of is not particularly limited. Also in this embodiment, as an example of the above-mentioned polycrystallization method, for example, heat treatment using laser light can be mentioned.
  • At least a part of the contact surface of the oxide layer 224b with the oxide layer 224c and at least a part of the contact surface of the oxide layer 224c with the oxide layer 224b may be polycrystalline, but oxidized. It is particularly preferable that the material layer 224b and the oxide layer 224c are each made of an amorphous oxide.
  • the film thickness uniformity of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c can be improved, and the flatness of the respective surfaces can be improved. It can be improved (in other words, the surface roughness of the interface between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c can be reduced).
  • the electric dipole 1' is likely to be uniformly formed in the boundary surface, and the conduction band (conduction band of the light emitting layer) of the light emitting layer 24d is formed on the entire contact surface between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c.
  • the in-plane distribution of the energy difference ⁇ Ec'between the lower end and the lower end of the conduction band (ETL conduction band') of the electron transport layer 24e can be made uniform. Therefore, the uniformity of electron conduction due to tunneling in the oxide layer 224b and the oxide layer 224c can be improved.
  • the contact surface of the oxide layer 224b with the oxide layer 224c is polycrystalline, at least a part of the contact surface of the oxide layer 224b with the oxide layer 224c is grained. It may contain (grains). Further, when at least a part of the contact surface of the oxide layer 224c with the oxide layer 224b is polycrystalline, at least a part of the contact surface of the oxide layer 224c with the oxide layer 224b is grained. It may contain (grains).
  • At least on the contact surface between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c at least one of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c contains grains, so that the oxide layer 224b and the oxide layer 224b are formed. Since the area of the interface with the oxide layer 224c becomes large, the electric dipole 1'can be formed more efficiently. Therefore, efficient electron injection in the light emitting element 355 becomes possible.
  • At least one of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c contains a polycrystalline oxide at the contact surface between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c. You may.
  • one of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c contains a polycrystalline oxide, and the other layer.
  • the layer may be composed of an amorphous oxide.
  • the upper layer may be made of amorphous oxide, and at least a part of the upper surface of the lower layer may be polycrystalline. .. In this case, the upper surface of the lower layer may contain grains.
  • the oxide layer 224b of the oxide layer 224c and the oxide layer 224c may be made of an amorphous oxide. Then, of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c, the upper surface of the oxide layer 224c, which is the lower layer, may contain grains.
  • the oxide layer 224b an amorphous oxide
  • the film thickness uniformity of the oxide layer 224b can be improved, so that the uniformity of electron conduction due to tunneling in the oxide layer 224b is improved. it can.
  • the upper surface of the oxide layer 224c contains grains, the area of the interface between the upper surface of the oxide layer 224c and the oxide layer 224b becomes large, so that the electric dipole 1'is formed more efficiently. can do. As a result, in the light emitting element 355, efficient electron injection into the light emitting layer 24d becomes possible.
  • grains are formed by polycrystallizing at least one of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c on at least a part of the contact surface between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c. May be formed. Further, for example, by a sputtering method, a CVD method, or the like, spontaneous nuclear growth is utilized to at least one of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c at the contact surface between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c. The oxide layer 224b and the oxide layer 224c may be formed so that one of them contains grains. Of course, the entire oxide layer 224b may contain grains (grains), and the entire oxide layer 224c may contain grains (grains).
  • the grains may be discretely distributed on at least the contact surface of the oxide layer 224b with the oxide layer 224c or at least the contact surface of the oxide layer 224c with the oxide layer 224b. Further, the grain may be a crystal grain containing a crystal, or may contain an amorphous phase (amorphous phase).
  • the oxide layer 224b and the oxide layer 224c With amorphous oxides, the in-plane density variation of the electric dipole 1'formed at the interface between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c is reduced. Therefore, in-plane variation in electron injection barrier height is suppressed. As a result, electrons can be easily tunneled uniformly to the oxide layer 224b and the oxide layer 224c, and the uniformity of light emission in the light emitting element 355 is improved.
  • the oxide layer 224b and the oxide layer 224c is preferably a continuous film, and at least the upper layer of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c is a continuous film.
  • the film to be formed later is a substrate as a support (for example, an array substrate on which the second electrode 25 is formed, as shown in FIG. 1.
  • the substrate 10, the resin layer 12, the barrier layer 3, and the TFT layer 4) may be a film formed on the entire surface.
  • the continuous film is a dense film having a porosity of less than 1%. That is, as described above, the continuous film is a film having substantially no voids.
  • the lower layer of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c contains grains and the upper layer is a continuous film, at least on the contact surface between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c. Good.
  • the oxide layer 224b and the oxide Of the layers 224c it is preferable that at least the oxide layer 224b located on the first electrode 22 side (that is, the upper layer side) is a continuous film. Further, when the second electrode 25 is a layer on the upper layer side of the light emitting layer 24d and the first electrode 22 is a layer on the lower layer side of the light emitting layer 24d, of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c. At least, it is preferable that the oxide layer 224c located on the second electrode 25 side (that is, the upper layer side) is a continuous film.
  • the oxide layer 224b and the oxide layer 224c at least the upper layer is subjected to, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD method (chemical vapor deposition method), a PVD method (physical vapor deposition method), or the like. It is desirable to form a film.
  • the oxide layer 224b and the oxide layer 224c formed by such a method have a large contact area, and the electric dipole 1'is likely to be formed at a high density.
  • the electron affinity EA1 of the electron transport layer 24e is larger than the electron affinity EA2 of the light emitting layer 24d
  • the electron affinity EA2 of the light emitting layer 24d is the electron affinity EA3 of the oxide layer 224b.
  • the electron affinity of the oxide layer 224c is larger than that of EA4. That is, in the present embodiment, the electron affinity increases in the order of (i) electron transport layer 24e, (ii) light emitting layer 24d, (iii) oxide layer 224b and oxide layer 224c. In the example shown in FIG.
  • the case where the electron affinity EA3 of the oxide layer 224b and the electron affinity EA4 of the oxide layer 224c are equal is illustrated, but the case is not limited to this. Since the relationship between the electron affinity EA3 of the oxide layer 224b and the electron affinity EA4 of the oxide layer 224c is determined by the selection of the material, the electron affinity of the oxide layer 224b EA3 and the electron affinity of the oxide layer 224c are determined. There are no particular restrictions on the relationship with EA4.
  • the electron affinity may be increased in the order of the electron transport layer 24e, the light emitting layer 24d, the oxide layer 224b, and the oxide layer 224c, or the electron transport layer 24e, the light emitting layer 24d, the oxide layer 224c, and the oxide layer 224b. It may be larger in the order of. In either case, the electric dipole 1'can reduce the height of the electron injection barrier from the energy difference ⁇ Ec to the energy difference ⁇ Ec'.
  • the energy difference between the lower end of the conduction band and the upper end of the valence band in the oxide layer 224b and the oxide layer 224c is the ETL conduction in the electron transport layer 24e. Greater than the energy difference between the lower end of the band'and the upper end of the ETL valence band'. Therefore, the oxide layer 224b and the oxide layer 224c have higher insulating properties than the electron transport layer 24e.
  • the carrier density (electron density) of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c is smaller than the carrier density (electron density) of the electron transport layer 24e. Therefore, in the oxide layer 224b and the oxide layer 224c, electron conduction by tunneling is performed.
  • the electron transport layer 24e is preferably an n-type semiconductor as described above.
  • the carrier density (electron density) of the electron transport layer 24e is preferably 1 ⁇ 10 15 cm -3 or more. In this case, the conductivity of the electron transport layer 24e becomes good.
  • the carrier density (electron density) of the electron transport layer 24e is preferably 3 ⁇ 10 17 cm -3 or less. In this case, non-luminescent recombination is suppressed and the luminous efficiency is improved.
  • the oxide layer 224b and the oxide layer 224c the same materials as those of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c of the first embodiment can be used, respectively.
  • the oxides constituting the oxide layer 224b and the oxide layer 224c for example, two are selected from the inorganic oxides shown in FIG. 5, and the oxide layer 224c is selected from the one having the smaller oxygen atom density.
  • the one having the higher oxygen atom density may be the oxide constituting the oxide layer 224b.
  • oxides constituting the oxide layer 224b and the oxide layer 224c for example, a composite oxide containing a plurality of cations of the oxides exemplified in FIG. 5 can be used.
  • the oxygen atom density in the oxide layer 224c smaller than the oxygen atom density in the oxide layer 224b, electricity having a dipole moment containing components in the direction from the oxide layer 224c to the oxide layer 224b It becomes easy to form the dipole 1', and the electron injection efficiency can be improved.
  • the oxygen atom density in the oxide layer 224c is preferably 95% or less, more preferably 90% or less, still more preferably 85% or less of the oxygen atom density in the oxide layer 224b. It is more preferably 80% or less, further preferably 75% or less, and even more preferably 70% or less.
  • the oxygen atom density in the oxide layer 224c is preferably 50% or more of the oxygen atom density in the oxide layer 224b. In this case, it is possible to suppress the formation of a recombination center due to a dangling bond or the like at the interface between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c.
  • the oxygen atom density in the present disclosure applies the oxygen atom density in bulk of the material constituting the oxide layer 224b or the oxide layer 224c as a unique value possessed by the oxide layer 224b or the oxide layer 224c. And.
  • FIG. 16 is a diagram showing an example of a combination of an oxide constituting the oxide layer 224b and an oxide constituting the oxide layer 224c.
  • the combination of oxides constituting the oxide layer 224b and the oxide layer 224c shown in FIG. 16 is merely an example. As long as the oxygen atom density in the oxide layer 224c is smaller than the oxygen atom density in the oxide layer 224b, the combination thereof is not limited.
  • the oxide layer 224c is composed of an oxide containing one kind of cation is shown as an example, but the oxide layer 224b and the oxide layer 224c each have cations. It may be composed of one kind of oxide, or may be composed of an oxide containing a plurality of kinds of cations. That is, the oxide layer 224b may be composed of a composition obtained by mixing a plurality of oxides, and as described above, the oxygen atom density in the oxide layer 224c is the oxygen atom in the oxide layer 224b. As long as it is smaller than the density, it may be formed of, for example, a composite oxide containing two or more kinds of cations of the oxide illustrated in FIG.
  • the oxide layer 224c may be composed of a composition obtained by mixing a plurality of oxides, and as described above, the oxygen atom density in the oxide layer 224c is the oxygen in the oxide layer 224b. As long as it is smaller than the atomic density, it may be formed of, for example, a composite oxide containing two or more kinds of cations of the oxide illustrated in FIG.
  • the oxide layer 224c (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 224c) contains cations contained in the oxide layer 224b (that is, cations contained in the oxide constituting the oxide layer 224b). It may be included. Further, the oxide layer 224b (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 224b) contains cations contained in the oxide layer 224c (that is, cations contained in the oxide constituting the oxide layer 224c). It may be included. In either case, the oxide layer 224b and the oxide layer 224c may have a structure that alleviates the lattice mismatch between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c by containing a common cation. it can.
  • the oxide layer 224b (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 224b) may contain at least one of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W, and Mo. It is good, but it is preferable that the content is small.
  • the ratio of the total number density of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W, and Mo to the total number density of all cations contained in the oxide layer 224b is less than 50%.
  • 20% or less is further preferable, 10% or less is further preferable, 4% or less is further preferable, 1% or less is further preferable, 0.4% or less is further preferable, and less than 0.1% is further preferable.
  • the oxide layer 224b (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 224b) does not contain any of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W and Mo.
  • the oxide layer 224c (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 224c) may contain at least one of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W, and Mo. It is good, but it is preferable that the content is small.
  • the ratio of the total number density of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W, and Mo to the total number density of all cations contained in the oxide layer 224c is less than 50%.
  • 20% or less is further preferable, 10% or less is further preferable, 4% or less is further preferable, 1% or less is further preferable, 0.4% or less is further preferable, and less than 0.1% is further preferable.
  • the oxide layer 224c (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 224c) does not contain any of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W and Mo.
  • FIG. 17 is an energy band diagram for explaining an electron injection barrier in the light emitting device 455 according to the present embodiment.
  • the light emitting device includes the light emitting element 455 shown in FIG. 17 as a light emitting element in the light emitting device according to the first embodiment (for example, the display device 2).
  • the light emitting device 455 according to the present embodiment has the same configuration as the light emitting device 355 (see FIG. 13) according to the fourth embodiment, except that the electron transport layer 24e is made of an oxide.
  • the light emitting element 455 has an oxide layer 224b, an oxide layer 224c, and an electron transporting layer 24e between the second electrode 25 and the light emitting layer 24d. From the 24d side (in other words, the first electrode 22 side), they are laminated in this order, for example, in contact with each other, and a hole transport layer 24a is provided between the light emitting layer 24d and the first electrode 22. ..
  • the oxygen atom density in the oxide layer 224b and the oxygen atom density in the oxide layer 224c are different.
  • the oxygen atom density in the electron transport layer 24e is different from the oxygen atom density in the oxide layer 224c adjacent to the electron transport layer 24e. In this case, oxygen atoms move and electric dipoles are likely to be formed not only at the interface between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c but also at the interface between the electron transport layer 24e and the oxide layer 224c.
  • the oxygen atom density in the oxide layer 224c is preferably smaller than the oxygen atom density in the oxide layer 224b. In this case, the height of the electron injection barrier between the electron transport layer 24e and the light emitting layer 24d becomes small, and efficient electron injection into the light emitting layer 24d becomes possible.
  • the oxygen atom density in the electron transport layer 24e is preferably smaller than the oxygen atom density in the oxide layer 224c. In this case, the height of the electron injection barrier between the electron transport layer 24e and the light emitting layer 24d becomes small, and more efficient electron injection into the light emitting layer 24d becomes possible.
  • the oxygen atom density in the electron transport layer 24e is smaller than the oxygen atom density in the oxide layer 224c, and the oxygen atom density in the oxide layer 224c is smaller than the oxygen atom density in the oxide layer 224b. preferable.
  • the electron injection barrier height (energy difference ⁇ Ec') between the electron transport layer 24e and the light emitting layer 24d becomes smaller than that in the case of the fourth embodiment, and more efficient electron injection into the light emitting layer 24d can be performed. It will be possible. As a result, the luminous efficiency of the light emitting element 455 is improved.
  • the oxygen atom density in the electron transport layer 24e is smaller than the oxygen atom density in the oxide layer 224c, and the oxygen atom density in the oxide layer 224c is higher than the oxygen atom density in the oxide layer 224b.
  • oxygen atoms are likely to move from the oxide layer 224b to the oxide layer 224c at the interface between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c. Further, at the interface between the electron transport layer 24e and the oxide layer 224c, the movement of oxygen atoms from the oxide layer 224c toward the electron transport layer 24e is likely to occur. Therefore, as shown in FIG.
  • a dipole containing a component in the direction from the oxide layer 224c to the oxide layer 224b at the interface between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c as in the fourth embodiment.
  • An electric dipole 1'with a moment is formed.
  • an electric dipole 41 having a dipole moment including a component in the direction from the electron transport layer 24e to the oxide layer 224c is formed.
  • the mechanism by which oxygen atoms move at the interface between the oxide layer 224c and the electron transport layer 24e adjacent to each other is that the oxide layer 224b and the oxide layer 224b are oxidized in FIG.
  • the position of the band of the electron transport layer 24e moves further upward with respect to the position of the band of the oxide layer 224c, the position of the band of the oxide layer 224b, and the position of the band of the light emitting layer 24d (band shift).
  • band shift the position of the band of the electron transport layer 24e before the shift of the vacuum level by the electric dipole 1'.41 is shown by a alternate long and short dash line, and the shift of the vacuum level by the electric dipole 1 occurs.
  • the position of the band of the previous oxide layer 224c is indicated by a two-dot chain line.
  • the vacuum level after the shift of the vacuum level by the electric dipole 1'.41 is shown by a dotted line.
  • the ETL valence band of the electron transport layer 24e becomes the ETL valence band'
  • the valence band of the oxide layer 224c becomes the valence of the oxide layer 224c.
  • the electronic band' respectively.
  • the ETL conduction band of the electron transport layer 24e moves to the ETL conduction band'
  • the conduction band of the oxide layer 224c moves to the conduction band of the oxide layer 224c'.
  • the energy difference ⁇ Ec between the lower end of the light emitting layer conduction band and the lower end of the ETL conduction band becomes the energy difference ⁇ Ec'between the lower end of the light emitting layer conduction band and the lower end of the ETL conduction band'.
  • the energy difference ⁇ Ec'after the formation of the electric dipole 1'/ 41 is the energy difference ⁇ Ec (in other words, the oxide layer 224b).
  • the thickness of the oxide layer 224b and the oxide layer 224c is sufficiently thin in the light emitting element 455, electrons can conduct the oxide layer 224b and the oxide layer 224c by tunneling.
  • the height of the electron injection barrier between the electron transport layer 24e and the light emitting layer 24d is effectively an energy difference ⁇ Ec'between the lower end of the light emitting layer conduction band and the lower end of the ETL conduction band'.
  • the present embodiment by forming the electron transport layer 24e, the oxide layer 224c, and the oxide layer 224b as described above, the interface between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c and the electron transport layer At the two interfaces, the interface between the 24e and the oxide layer 224c, dipole moments containing components in the direction from the electron transport layer 24e to the light emitting layer 24d are formed. Therefore, according to the present embodiment, the position of the band of the electron transport layer 24e is higher than the position of the band of the light emitting layer 24d and the position of the band of the oxide layer 224b as compared with the fourth embodiment. Move in the direction.
  • the energy difference ⁇ Ec ′ between the lower end of the light emitting layer conduction band and the lower end of the ETL conduction band ′ becomes smaller than that of the fourth embodiment. Therefore, according to the present embodiment, more efficient electron injection than in the fourth embodiment becomes possible.
  • FIG. 18 is a diagram showing the oxygen atomic density of an inorganic oxide as an example of the oxide constituting the electron transport layer 24e.
  • an inorganic oxide having an oxygen atomic density lower than that of the oxide layer 224c is selected from the inorganic oxides shown in FIG. 18, and the inorganic oxide is used. It may be an oxide constituting the electron transport layer 24e. Further, after selecting the oxide constituting the electron transport layer 24e from the inorganic oxide shown in FIG. 18, from the inorganic oxide shown in FIG. 5 or FIG. 16 and a combination thereof, oxygen is higher than the oxygen atomic density of the electron transport layer 24e. A combination of inorganic oxides having a high atomic density may be selected to form the oxide layer 224b and the oxide layer 224c.
  • the electron transport layer 24e is configured so that the oxygen atom density in the electron transport layer 24e is smaller than that of the oxide layer 224c and the oxygen atom density in the oxide layer 224c is smaller than the oxygen atom density of the oxide layer 224b.
  • the oxide is selected from the oxides exemplified in FIG. 18, and the oxides constituting the oxide layer 224c and the oxide layer 224b are the oxides exemplified in FIG. 5 or the oxides exemplified in FIG. You can select from the combinations.
  • the oxide constituting the electron transport layer 24e for example, a composite oxide containing a plurality of cations of the oxide illustrated in FIG. 18 can be used.
  • the electron transport layer 24e may be made of an oxide containing at least one of Ti, Zn, Sn and In.
  • the electron transport layer 24e may be composed of an oxide in which the most abundant element other than oxygen is any one of Ti, Zn, Sn and In.
  • the oxygen atomic density of the oxide layer 224c is made smaller than the oxygen atomic density of the oxide layer 224b, so that the electron transport layer 24e to the oxide layer It becomes easy to form an electric dipole 41 having a dipole moment including a component in the direction of 224c, and the electron injection efficiency can be further improved.
  • the oxygen atom density in the electron transport layer 24e is preferably 95% or less, preferably 90% or less, of the oxygen atom density in the oxide layer 224c. It is more preferably 85% or less, further preferably 80% or less, further preferably 75% or less, still more preferably 70% or less. Further, as in the fourth embodiment, the oxygen atomic density in the oxide layer 224c is preferably 95% or less, more preferably 90% or less, and 85% or less of the oxygen atomic density in the oxide layer 224b. It is more preferably 80% or less, further preferably 75% or less, and further preferably 70% or less.
  • An electric dipole 41 having a dipole moment containing a component oriented in the direction of the material layer 224c is formed more efficiently.
  • the oxygen atomic density of the oxide layer 224c is preferably 50% or more of the oxygen atomic density of the oxide layer 224b. In this case, it is possible to suppress the formation of a recombination center due to a dangling bond or the like at the interface between the oxide layer 224c and the oxide layer 224b.
  • the oxygen atom density in the electron transport layer 24e is preferably 50% or more of the oxygen atom density in the oxide layer 224c. In this case, it is possible to suppress the formation of a recombination center due to a dangling bond or the like at the interface between the electron transport layer 24e and the oxide layer 224c.
  • the oxygen atom density in the present disclosure is applied as a unique value possessed by the electron transport layer 24e.
  • FIG. 19 is a diagram showing an example of a combination of an oxide constituting the electron transport layer 24e and an oxide constituting the oxide layer 224c adjacent to the electron transport layer 24e.
  • the combination of oxides constituting the electron transport layer 24e and the oxide layer 224c shown in FIG. 19 is merely an example. As long as the oxygen atomic density of the electron transport layer 24e is smaller than the oxygen atomic density of the oxide layer 224c, the combination thereof is not limited.
  • FIG. 19 shows, as an example, a case where the electron transport layer 24e is made of an oxide containing one kind of cation, but the present invention is not limited to this.
  • the electron transport layer 24e may be composed of an oxide containing one kind of cation, or may be composed of an oxide containing a plurality of cations. That is, the electron transport layer 24e may be composed of a composition obtained by mixing a plurality of oxides as in the oxide layer 224b and the oxide layer 224c.
  • the electron transport layer 24e contains, for example, two or more kinds of cations of the oxide illustrated in FIG. It may be formed of a composite oxide or the like.
  • the oxide layer 224c (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 224c) contains cations contained in the electron transport layer 24e (that is, cations contained in the oxide constituting the electron transport layer 24e). Although it may be contained, it is preferable that the content is small.
  • the oxide layer 224c contains "cations contained in the electron transport layer 24e"
  • the ratio of the number density of is preferably less than 50%, more preferably 20% or less, further preferably 10% or less, further preferably 4% or less, further preferably 1% or less, still more preferably 0.4% or less. More preferably less than 0.1%.
  • the oxide layer 224c (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 224c) does not contain "cations contained in the electron transport layer 24e".
  • the electron transport layer 24e (more strictly, the oxide constituting the electron transport layer 24e) contains cations contained in the oxide layer 224c (that is, cations contained in the oxide constituting the oxide layer 224c). Although it may be contained, it is preferable that the content is small.
  • the electron transport layer 24e contains the "cation contained in the oxide layer 224c"
  • the ratio of the number density of is preferably less than 50%, more preferably 20% or less, further preferably 10% or less, further preferably 4% or less, further preferably 1% or less, still more preferably 0.4% or less. More preferably less than 0.1%.
  • the electron transport layer 24e (more strictly, the oxide constituting the electron transport layer 24e) does not contain "cations contained in the oxide layer 224c".
  • the oxide layer 224b (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 224b) may contain at least one of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W, and Mo. It is good, but it is preferable that the content is small.
  • the ratio of the total number density of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W, and Mo to the total number density of all cations contained in the oxide layer 224b is less than 50%.
  • 20% or less is further preferable, 10% or less is further preferable, 4% or less is further preferable, 1% or less is further preferable, 0.4% or less is further preferable, and less than 0.1% is further preferable.
  • the oxide layer 224b (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 224b) does not contain any of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W and Mo.
  • the oxide layer 224c (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 224c) may contain at least one of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W, and Mo. It is good, but it is preferable that the content is small.
  • the ratio of the total number density of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W, and Mo to the total number density of all cations contained in the oxide layer 224c is less than 50%.
  • 20% or less is further preferable, 10% or less is further preferable, 4% or less is further preferable, 1% or less is further preferable, 0.4% or less is further preferable, and less than 0.1% is further preferable.
  • the oxide layer 224c (more strictly, the oxide constituting the oxide layer 224c) does not contain any of Ni, Cu, Ti, Zn, Sn, In, W and Mo.
  • the electron transport layer 24e When the electron transport layer 24e is formed of an oxide as described above, the electron transport layer 24e may be formed of an amorphous oxide, or at least one of the contact surfaces with the oxide layer 224c.
  • the part may be formed of a polycrystalline oxide. That is, in the latter case, in the electron transport layer 24e, only the contact surface with the oxide layer 224c may be polycrystalline, or the entire electron transport layer 24e may be composed of polycrystalline oxide. In other words, at least at the contact surface between the electron transport layer 24e and the oxide layer 224c, at least one of the electron transport layer 24e and the oxide layer 224c may contain a polycrystalline oxide.
  • the oxide layer 224b may be formed of an amorphous oxide, and at least a part of the contact surface with the oxide layer 224c is formed of a polycrystalline oxide. May be. Further, the oxide layer 224c may be formed of an amorphous oxide, or at least a part of the contact surface with the oxide layer 224b may be formed of a polycrystalline oxide. Even in the present embodiment, at least one of the oxide layer 24b and the oxide layer 24c contains a polycrystalline oxide on the contact surface between the oxide layer 24b and the oxide layer 24c. Needless to say, it's good.
  • the oxygen atom density in the oxide layer 224c is smaller than the oxygen atom density in the oxide layer 224b and the oxygen atom density in the electron transport layer 24e is smaller than the oxygen atom density in the oxide layer 224b. If so, the method of polycrystallization of the electron transport layer 24e, the oxide layer 224b, and the oxide layer 224c is not particularly limited. Further, the oxygen atom density in the oxide layer 224c is smaller than the oxygen atom density in the oxide layer 224b, and the oxygen atom density in the electron transport layer 24e is smaller than the oxygen atom density in the oxide layer 224c.
  • the type of polycrystalline oxide constituting the electron transport layer 24e, the oxide layer 224b, and the oxide layer 224c is not particularly limited. Also in this embodiment, as an example of the above-mentioned polycrystallization method, for example, heat treatment using laser light can be mentioned.
  • the electron transport layer 24e, the oxide layer 224c, and the oxide layer 224b are each composed of an amorphous oxide, so that the electron transport layer 24e, the oxide layer 224c, and the oxide are formed.
  • the film thickness uniformity of the layer 224b can be improved, and the flatness of the respective surfaces can be improved.
  • the electric dipole 41 is likely to be uniformly formed at the entire interface between the electron transport layer 24e and the oxide layer 224c.
  • the electric dipole 1' is likely to be uniformly formed at the entire interface between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c. Therefore, the uniformity of electron conduction due to tunneling is improved, and the uniformity of light emission in the light emitting element 455 is improved.
  • the oxide layer 224b and the oxide layer 224c are each made of an amorphous oxide and the contact surface of the electron transport layer 24e with the oxide layer 224c contains a polycrystalline oxide, the oxide layer 224b And the film thickness uniformity of the oxide layer 224c can be improved. Further, in this case, at least a part of the contact surface of the electron transport layer 24e with the oxide layer 224c contains grains.
  • the oxide layer 24b and the oxide layer 24c contains grains, so that the electron transport layer 24e and the oxide layer 24c are oxidized.
  • the area of the interface with the material layer 224c becomes large. Therefore, the electric dipole 41 can be formed more efficiently, and efficient electron injection in the light emitting element 455 becomes possible.
  • the surface roughness of the electron transport layer 24e is also reflected in the contact surface (interface) between the electron transport layer 24e and the oxide layer 224c and the contact surface (interface) between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c. ..
  • the area of the interface between the electron transport layer 24e and the oxide layer 224c and the area of the interface between the oxide layer 224b and the oxide layer 224c become large.
  • the electric dipoles 1'and 41 can be formed more efficiently, so that the light emitting element 455 can efficiently inject electrons into the light emitting layer 24d.
  • grains (grains) are formed by polycrystallizing the contact surface of the electron transport layer 24e with the oxide layer 224c has been described as an example.
  • the present embodiment is not limited to this, and for example, by a sputtering method, a CVD method, or the like, by utilizing spontaneous nuclear growth, grains (grains) are formed on at least a part of at least one of the contact surfaces. ) May be formed.
  • the entire electron transport layer 24e may contain grains.
  • the grains may be discretely distributed at least on the contact surface of the electron transport layer 24e with the oxide layer 224c. Further, the grain may be a crystal grain containing a crystal, or may contain an amorphous phase (amorphous phase).
  • the light emitting element transports holes between the first electrode (hole injection layer: HIL) 22 and the second electrode (electron injection layer: EIL) 25 from the first electrode 22 side.
  • the light emitting element is positive from the first electrode 22 side between the first electrode (hole injection layer: HIL) 22 and the second electrode (electron injection layer: EIL) 25.
  • the configuration of the light emitting device according to the present disclosure is not limited to the above configuration.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view schematically showing an example of the schematic configuration of the light emitting element of the present embodiment.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view schematically showing another example of the schematic configuration of the light emitting element of the present embodiment.
  • the light emitting device of the present embodiment has a light emitting layer 24d between the light emitting layer 24d and the electron transport layer 24e. From the side, the oxide layer 224b and the oxide layer 224c are further provided in this order.
  • the light emitting element has the first electrode 22 (hole injection layer: HIL) as an anode, the hole transport layer 24a, the light emitting layer 24d, and the electron transport layer from the lower layer side or the upper layer side.
  • the 24e and the second electrode 25 which is a cathode are provided in this order, and the oxide layer 24b and the oxide layer 24b are provided between the hole transport layer 24a and the light emitting layer 24d.
  • the oxide layer 24c in contact with the first electrode 22 is provided in this order from the first electrode 22 side, and the oxide layer 224b and the oxide layer 224c in contact with the oxide layer 224b are provided between the light emitting layer 24d and the electron transport layer 24e. , May be provided in this order from the first electrode 22 side.
  • the light emitting element according to the present embodiment is, for example, the first electrode 22, the hole transport layer 24a, the oxide layer 24b (first oxide layer), and the oxide layer, as in the light emitting element 555 shown in FIG. 24c (second oxide layer), light emitting layer 24d, oxide layer 224b (third oxide layer), oxide layer 224c (fourth oxide layer), electron transport layer 24e, and second electrode 25 are the same. It may have a structure in which they are laminated in order. Further, as in the light emitting element 655 shown in FIG. 21, the layers shown in FIG. 20 may be laminated in the direction opposite to that in FIG. 20. Further, the light emitting device according to the present embodiment may include the above-mentioned light emitting element as the light emitting element in the light emitting device according to the first embodiment (for example, the display device 2).
  • the first oxide layer, the second oxide layer, and the hole transport layer in the light emitting device 555 are as described in the first to third embodiments. Further, the oxide layer 224b (third oxide layer), the oxide layer 224c (fourth oxide layer), and the electron transport layer 24e in the light emitting device 555 are the oxides in the above embodiments 4 and 5. It corresponds to the layer 224b (first oxide layer), the oxide layer 224c (second oxide layer), and the electron transport layer 24e, respectively.
  • the light emitting element 555 has an oxide layer 24b (third oxide layer) and an oxide layer 24c (third oxide layer) between the hole transport layer 24a and the light emitting layer 24d. It can also be said that the fourth oxide layer) is further provided in this order from the side closer to the first electrode 22 (that is, from the hole transport layer 24a side).
  • the oxide layer 224b (first oxide layer), the oxide layer 224c (second oxide layer), and the electron transport layer 24e are as described in the above-described embodiment 4 or 5, and also.
  • the oxide layer 24b (third oxide layer), the oxide layer 24c (fourth oxide layer), and the hole transport layer 24a are the oxide layer 24b and the oxide layer in any one of the first to third embodiments. It can be said that it corresponds to 24c and the hole transport layer 24a, respectively.
  • the effect described in any one of the first to third embodiments and the effect described in any one of the fourth and fifth embodiments are combined, and hole injection into the light emitting layer 24d is performed. It is possible to provide a light emitting element and a display device 2 in which both electron injection is likely to occur and higher luminous efficiency can be realized.
  • the oxide in the light emitting element is formed so that an electric dipole having a dipole moment in a direction for reducing the height of at least one of the hole injection barrier and the electron injection barrier is formed.
  • Hole injection by determining the oxygen atom density (oxygen atom density) of each layer (oxide layers 24b / 24c and / or oxide layers 224b / 224c, hole transport layer 24a, electron transport layer 24e). The case where at least one of the efficiency and the electron injection efficiency is improved to improve the light emission efficiency has been mainly described.
  • each of the above-described embodiments is not limited to this, and at least one of the electric dipoles 1.1'/ 31.41 includes a dipole moment of a component opposite to that of each of the above-described embodiments.
  • the oxygen atom density of each of the above-mentioned layers that is, the oxide layers 24b / 24c and / or the oxide layers 224b / 224c, the hole transport layer 24a, and the electron transport layer 24e
  • at least one of the electric dipoles 1, 1', 31 and 41 may have a dipole moment of a component having the same orientation as that of each of the above-described embodiments.
  • the energy difference ⁇ Ec> the energy difference ⁇ Ev hole injection tends to be excessive with respect to electron injection.
  • the magnitude relationship between the oxygen atom density in the oxide layer 24b and the oxygen atom density in the oxide layer 24c is reversed to obtain electricity.
  • the direction of the dipole moment of the dipole 1 may be reversed.
  • the energy difference ⁇ Ev ′> the energy difference ⁇ Ev and excessive hole injection is suppressed.
  • the imbalance between hole injection and electron injection is suppressed, and long-term reliability is improved. That is, the luminous efficiency after aging is improved.
  • the magnitude relationship between the oxygen atom density in the oxide layer 24b and the oxygen atom density in the oxide layer 24c is reversed, and the oxygen atom density in the oxide layer 24b and the hole transport are reversed.
  • the magnitude relationship with the oxygen atom density in the layer 24a may be reversed.
  • the electric dipole is obtained by reversing the magnitude relationship between the oxygen atom density in the oxide layer 224b and the oxygen atom density in the oxide layer 224c.
  • the direction of the dipole moment of child 1' may be reversed.
  • the imbalance between hole injection and electron injection is suppressed, and long-term reliability is improved. That is, the luminous efficiency after aging is improved.
  • the magnitude relationship between the oxygen atom density in the oxide layer 224b and the oxygen atom density in the oxide layer 224c is reversed, and the oxygen atom density in the oxide layer 224c and the hole transport layer 24a are reversed.
  • the magnitude relationship with the oxygen atom density inside may be reversed.
  • the magnitude relationship between the oxygen atom density in the oxide layer 24b and the oxygen atom density in the oxide layer 24c, and the oxygen atom density in the oxide layer 24b and the hole transport layer 24a Either one of the magnitude relations with the oxygen atom density in the medium may be reversed.
  • the directions of the dipole moments of the electric dipole 1 and the electric dipole 31 are opposite to each other, the direction of the shift of the vacuum level by the electric dipole 1 and the vacuum level by the electric dipole 31 The direction of the shift is opposite to that of the shift, and the shift amount of the vacuum level as a whole can be finely controlled.
  • the controllability of the energy difference ⁇ Ev' is improved, and the hole injection amount can be easily controlled. Therefore, it becomes easy to balance the hole injection and the electron injection, and the long-term reliability is improved. .. That is, the luminous efficiency after aging is improved.
  • the directions of the electric dipole moments of the electric dipole 1'and the electric dipole 41 are opposite to each other, the direction of the vacuum level shift by the electric dipole 1 and the vacuum level by the electric dipole 41
  • the shift direction of is opposite to that of, and the shift amount of the vacuum level as a whole can be finely controlled.
  • the oxygen atom density may be set. In this case, it becomes easy to balance the hole injection and the electron injection, and the long-term reliability is improved. That is, the luminous efficiency after aging is improved.
  • the magnitude relationship between the oxygen atom density in the oxide layer 24b and the oxygen atom density in the oxide layer 24c, and the oxygen atom density in the oxide layer 224b and the oxygen in the oxide layer 224c is of the magnitude relations with the atomic density, one magnitude relation may be left as it is, and the other magnitude relation may be reversed. Further, in the sixth embodiment, the magnitude relationship between the oxygen atom density in the oxide layer 24b and the oxygen atom density in the oxide layer 24c, and the oxygen atom density in the oxide layer 224b and the oxygen in the oxide layer 224c.
  • the magnitude relationship between the oxygen atom density in the oxide layer 24b and the oxygen atom density of the hole transport layer 24a, and the oxygen atom density in the oxide layer 224c and the electron transport layer While maintaining the magnitude relationship with the atomic density, the magnitude relationship between the oxygen atom density in the oxide layer 24b and the oxygen atom density of the hole transport layer 24a, and the oxygen atom density in the oxide layer 224c and the electron transport layer. Of the magnitude relations with the oxygen atom density of 24e, at least one magnitude relation may be reversed. Further, in the sixth embodiment, the magnitude relationship between the oxygen atom density in the oxide layer 24b and the oxygen atom density in the oxide layer 24c, and the oxygen atom density in the oxide layer 224b and the oxygen in the oxide layer 224c.
  • one magnitude relation remains the same, the other magnitude relation is reversed, and the magnitude relation between the oxygen atom density in the oxide layer 24b and the oxygen atom density of the hole transport layer 24a,
  • at least one magnitude relationship between the oxygen atom density in the oxide layer 224c and the oxygen atom density in the electron transport layer 24e may be reversed.
  • the best measure in this disclosure is to combine embodiments 1 to 6 as appropriate. By doing so, high hole injection efficiency and high electron injection efficiency into the light emitting layer 24d can be realized, and as a result, high luminous efficiency can be realized. Further, by appropriately combining the first to sixth embodiments, both high hole injection efficiency and high electron injection efficiency into the light emitting layer 24d are realized, and then the hole injection and the electron injection are well-balanced. Can be realized. In this case, long-term reliability is also improved. That is, the luminous efficiency after aging is improved.
  • the electron injection amount or the hole injection amount may be controlled by reversing the orientation of the electric dipole, and the hole injection amount and the electron injection amount may be balanced.
  • carrier injection can be finely controlled. Further, if the directions of the dipole moments of the electric dipoles are opposite to those of the first to sixth embodiments, carrier injection can be suppressed. In this case, long-term reliability is improved. That is, the luminous efficiency after aging is improved.
  • the holes are mainly controlled to increase the hole inflow amount or the electron injection amount into the light emitting layer 24d (improve the hole injection efficiency or the electron injection efficiency into the light emitting layer 24d).
  • the seventh embodiment mainly by finely controlling (including increasing and suppressing) the amount of holes injected or the amount of electrons injected into the light emitting layer 24d. The case of improving the luminous efficiency after aging (improving long-term reliability) has been described.
  • the light emitting element according to the present disclosure may have any of the following configurations (1) or (2), for example, as in the first to third embodiments.
  • the hole injection barrier which is a carrier, can be reduced, and the hole injection efficiency can be improved, so that high luminous efficiency can be realized.
  • First electrode 22, hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer), light emitting layer 24d, electron transport layer 24e, second electrode 25 is provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, and ⁇ oxygen atomic density of the oxide layer 24b (first oxide layer) ⁇ > ⁇ oxygen atomic density of the oxide layer 24c (second oxide layer) ⁇ . ..
  • hole transport layer 24a is an oxide
  • the light emitting element according to the present disclosure may have any of the following configurations (3) or (4), for example, as in the fourth and fifth embodiments.
  • the electron injection barrier which is a carrier, can be reduced, and the electron injection efficiency can be improved, so that high luminous efficiency can be realized.
  • First electrode 22, hole transport layer 24a, light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25 is provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, and ⁇ oxygen atom density of the oxide layer 224b (first oxide layer) ⁇ > ⁇ oxygen atom density of the oxide layer 224c (second oxide layer) ⁇ . ..
  • First electrode 22, hole transport layer 24a, light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25 is provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, the electron transport layer 24e is an oxide, and ⁇ oxygen atomic density of the oxide layer 224b (first oxide layer) ⁇ > ⁇ oxide layer 224c (second oxidation). Oxygen atomic density of the physical layer) ⁇ > ⁇ Oxygen atomic density of the electron transport layer 24e ⁇ .
  • the light emitting element according to the present disclosure may have any of the following configurations (5) to (8), for example, as in the sixth embodiment.
  • the hole and electron injection barriers which are carriers, can be reduced, and the hole and electron injection efficiencies can be improved, so that higher luminous efficiency can be realized.
  • the first oxide layer is adjacent to the second oxide layer, and the third oxide layer is adjacent to the fourth oxide layer. Further, the first oxide layer is provided on the first electrode side of the second oxide layer, and the third oxide layer is provided on the first electrode side of the fourth oxide layer. Therefore, in the following description, for example, when the oxide layer 24b is used as the first oxide layer, the oxide layer 24b is the second oxide layer and the oxide layer 224b is the third oxide layer. The layer 224c becomes the fourth oxide layer. When the oxide layer 224b is used as the first oxide layer, the oxide layer 224b is the second oxide layer, the oxide layer 24b is the third oxide layer, and the oxide layer 24c is the fourth oxide layer. It becomes.
  • First electrode 22 hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer), Light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25.
  • oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer) ⁇ > ⁇ oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide) Oxygen atomic density of the physical layer) ⁇ and ⁇ Oxygen atomic density of the oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer) ⁇ > ⁇ Oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide) Oxygen atom density of the physical layer) ⁇ .
  • First electrode 22 hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer), Light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25.
  • the hole transport layer 24a is an oxide, and ⁇ oxygen atom density of the hole transport layer 24a ⁇ > ⁇ oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide) Oxygen atomic density of layer) ⁇ > ⁇ Oxygen atomic density of oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer) ⁇ and ⁇ oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide) Oxygen atomic density of layer) ⁇ > ⁇ Oxygen atomic density of oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer) ⁇ .
  • First electrode 22 hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer), Light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25.
  • the electron transport layer 24e is an oxide, and ⁇ oxygen atomic density of the oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer) ⁇ > ⁇ oxide layer 24c (Oxygen atomic density of (second oxide layer or fourth oxide layer) ⁇ and ⁇ oxygen atomic density of oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer) ⁇ > ⁇ oxide layer 224c (Oxygen atom density of the second oxide layer or the fourth oxide layer) ⁇ > ⁇ Oxygen atom density of the electron transport layer 24e ⁇ .
  • First electrode 22 hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer), Light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25.
  • the hole transport layer 24a and the electron transport layer 24e are oxides, respectively, and ⁇ oxygen atom density of the hole transport layer 24a ⁇ > ⁇ oxide layer 24b (first oxide).
  • the light emitting element according to the present disclosure is, for example, any of the following (11), (12), (15), (17), (23), (26), and (27) as in the seventh embodiment. It may have the structure of. In this case, by suppressing one of the hole injection and the electron injection and increasing the other, the imbalance between the hole injection and the electron injection is suppressed, and the long-term reliability is improved. That is, the luminous efficiency after aging is improved.
  • the light emitting element according to the present disclosure is, for example, as in the seventh embodiment, for example, (9), (10), (13), (14), (16), (18) to (22), ( It may have any of the configurations 24), (25), (28) to (35).
  • the hole injection amount or the electron injection amount into the light emitting layer 24d can be controlled more freely. ..
  • First electrode 22, hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer), light emitting layer 24d, electron transport layer 24e, second electrode 25 is provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, the hole transport layer 24a is an oxide, and ⁇ oxygen atomic density of the hole transport layer 24a ⁇ ⁇ ⁇ oxygen of the oxide layer 24b (first oxide layer). Atomic density ⁇ and ⁇ oxygen atom density of oxide layer 24b (first oxide layer) ⁇ > ⁇ oxygen atom density of oxide layer 24c (second oxide layer) ⁇ .
  • First electrode 22, hole transport layer 24a, light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25 is provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, the electron transport layer 24e is an oxide, and ⁇ oxygen atomic density of the oxide layer 224b (first oxide layer) ⁇ > ⁇ oxide layer 224c (second oxidation). Oxygen atom density of the physical layer) ⁇ and ⁇ oxygen atom density of the oxide layer 224c (second oxide layer) ⁇ ⁇ oxygen atom density of the electron transport layer 24e ⁇ .
  • First electrode 22 hole transport layer 24a, oxide layer 24b (third oxide layer), oxide layer 24c (fourth oxide layer), light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxidation). Material layer), oxide layer 224c (second oxide layer), electron transport layer 24e, and second electrode 25 are provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, and ⁇ oxide layer 24b (third oxide layer). Oxygen atom density ⁇ ⁇ ⁇ oxygen atom density of oxide layer 24c (fourth) ⁇ and ⁇ oxygen atom density of oxide layer 224b (first oxide layer) ⁇ > ⁇ oxide layer 224c (second oxide) Layer) oxygen atom density ⁇ .
  • First electrode 22 hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer), Light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25.
  • the hole transport layer 24a is an oxide, and ⁇ oxygen atom density of the hole transport layer 24a ⁇ ⁇ ⁇ oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide) Oxygen atomic density of layer) ⁇ , ⁇ Oxygen atomic density of oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer) ⁇ > ⁇ Oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer) Oxygen atomic density ⁇ and ⁇ oxygen atomic density of oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer) ⁇ > ⁇ oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer) ⁇ Is the oxygen atom density.
  • First electrode 22 hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer), Light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25.
  • the electron transport layer 24e is an oxide, and ⁇ oxygen atomic density of the oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer) ⁇ > ⁇ oxide layer 24c (Oxygen atomic density of (second oxide layer or fourth oxide layer) ⁇ , ⁇ Oxygen atomic density of oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer) ⁇ > ⁇ Oxide layer 224c (third oxide layer) Oxygen atomic density of 2 oxide layer or 4th oxide layer ⁇ and ⁇ Oxygen atomic density of oxide layer 224c (2nd oxide layer or 4th oxide layer) ⁇ ⁇ ⁇ Oxygen of electron transport layer 24e Atomic density ⁇ .
  • First electrode 22 hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer), light emitting layer 24d, oxide layer 224b (third oxidation). Material layer), oxide layer 224c (fourth oxide layer), electron transport layer 24e, and second electrode 25 are provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, and the hole transport layer 24a is an oxide, ⁇ positive.
  • First electrode 22 hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer), light emitting layer 24d, oxide layer 224b (third oxidation). Material layer), oxide layer 224c (fourth oxide layer), electron transport layer 24e, and second electrode 25 are provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, and the hole transport layer 24a is an oxide, ⁇ positive.
  • First electrode 22 hole transport layer 24a, oxide layer 24b (third oxide layer), oxide layer 24c (fourth oxide layer), light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxidation). Material layer), oxide layer 224c (second oxide layer), electron transport layer 24e, and second electrode 25 are provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, and the electron transport layer 24e is an oxide, ⁇ oxide.
  • First electrode 22 hole transport layer 24a, oxide layer 24b (third oxide layer), oxide layer 24c (fourth oxide layer), light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxidation). Material layer), oxide layer 224c (second oxide layer), electron transport layer 24e, and second electrode 25 are provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, and the electron transport layer 24e is an oxide, ⁇ oxide.
  • First electrode 22 hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer), Light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25.
  • the hole transport layer 24a and the electron transport layer 24e are oxides, respectively, and ⁇ oxygen atomic density of the hole transport layer 24a ⁇ > ⁇ oxide layer 24b (first oxide).
  • First electrode 22 First electrode 22, hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer), Light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25.
  • the upper layer side or the lower layer side is provided in this order, and the hole transport layer 24a and the electron transport layer 24e are oxides, respectively, and ⁇ oxygen atomic density of the hole transport layer 24a ⁇ ⁇ ⁇ oxide layer 24b (first oxide).
  • Second electrode 25 First electrode 22, hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer), Light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25.
  • the upper layer side or the lower layer side is provided in this order, and the hole transport layer 24a and the electron transport layer 24e are oxides, respectively, and ⁇ oxygen atomic density of the hole transport layer 24a ⁇ ⁇ ⁇ oxide layer 24b (first oxide).
  • Second electrode 22 First electrode 22, hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer), light emitting layer 24d, oxide layer 224b (third oxidation). Material layer), oxide layer 224c (fourth oxide layer), electron transport layer 24e, and second electrode 25 are provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, and the hole transport layer 24a and the electron transport layer 24e are oxidized, respectively.
  • Second electrode 22 First electrode 22, hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer), light emitting layer 24d, oxide layer 224b (third oxidation). Material layer), oxide layer 224c (fourth oxide layer), electron transport layer 24e, and second electrode 25 are provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, and the hole transport layer 24a and the electron transport layer 24e are oxidized, respectively.
  • ⁇ oxygen atom density of hole transport layer 24a ⁇ oxygen atom density of oxide layer 24b (first oxide layer) ⁇ , ⁇ oxygen atom density of oxide layer 24b (first oxide layer) ⁇ > ⁇ Oxygen atomic density of oxide layer 24c (second oxide layer) ⁇ , ⁇ Oxygen atomic density of oxide layer 224b (third oxide layer) ⁇ ⁇ ⁇ Oxygen layer 224c (fourth oxide layer) Oxygen atom density ⁇ and ⁇ oxygen atom density of the oxide layer 224c (fourth oxide layer) ⁇ > ⁇ oxygen atom density of the electron transport layer 24e ⁇ .
  • First electrode 22 hole transport layer 24a, oxide layer 24b (third oxide layer), oxide layer 24c (fourth oxide layer), light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxidation). Material layer), oxide layer 224c (second oxide layer), electron transport layer 24e, and second electrode 25 are provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, and the hole transport layer 24a and the electron transport layer 24e are oxidized, respectively.
  • Second electrode 25 First electrode 22, hole transport layer 24a, oxide layer 24b (third oxide layer), oxide layer 24c (fourth oxide layer), light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxidation). Material layer), oxide layer 224c (second oxide layer), electron transport layer 24e, and second electrode 25 are provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, and the hole transport layer 24a and the electron transport layer 24e are oxidized, respectively.
  • First electrode 22 hole transport layer 24a, oxide layer 24b (third oxide layer), oxide layer 24c (fourth oxide layer), light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxidation). Material layer), oxide layer 224c (second oxide layer), electron transport layer 24e, and second electrode 25 are provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, and the hole transport layer 24a and the electron transport layer 24e are oxidized, respectively.
  • Second electrode 22 First electrode 22, hole transport layer 24a, oxide layer 24b (third oxide layer), oxide layer 24c (fourth oxide layer), light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxidation). Material layer), oxide layer 224c (fourth oxide layer), electron transport layer 24e, and second electrode 25 are provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, and the hole transport layer 24a and the electron transport layer 24e are oxidized, respectively.
  • the light emitting element according to the present disclosure may have any of the following configurations (29) to (34), for example, as in the seventh embodiment.
  • at least one of the electric dipoles 1, 1', 31 and 41 has a dipole moment of a component having the same orientation as that of the first to sixth embodiments. Therefore, the imbalance between hole injection and electron injection can be suppressed, and reliability can be improved.
  • First electrode 22, hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer), light emitting layer 24d, electron transport layer 24e, second electrode 25 is provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, the hole transport layer 24a is an oxide, and ⁇ oxygen atomic density of the hole transport layer 24a ⁇ ⁇ ⁇ oxygen of the oxide layer 24b (first oxide layer). Atomic density ⁇ and ⁇ oxygen atom density of oxide layer 24b (first oxide layer) ⁇ > ⁇ oxygen atom density of oxide layer 24c (second oxide layer) ⁇ .
  • First electrode 22, hole transport layer 24a, light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25 is provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, the electron transport layer 24e is an oxide, and ⁇ oxygen atomic density of the oxide layer 224b (first oxide layer) ⁇ ⁇ ⁇ oxide layer 224c (second oxidation). Oxygen atomic density of the physical layer) ⁇ and ⁇ oxygen atomic density of the oxide layer 224c (second oxide layer) ⁇ > ⁇ oxygen atomic density of the electron transport layer 24e ⁇ .
  • Second electrode 25 First electrode 22, hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer), Light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25.
  • the hole transport layer 24a is an oxide, and ⁇ oxygen atom density of the hole transport layer 24a ⁇ > ⁇ oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide) Oxygen atomic density of layer) ⁇ , ⁇ Oxygen atomic density of oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer) ⁇ ⁇ ⁇ Oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer) Oxygen atomic density ⁇ and ⁇ oxygen atomic density of the oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer) ⁇ ⁇ ⁇ oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer) Oxygen atom density ⁇ .
  • Second electrode 25 First electrode 22, hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer), Light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25.
  • the electron transport layer 24e is an oxide, and ⁇ oxygen atomic density of the oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer) ⁇ ⁇ ⁇ oxide layer 24c (Oxygen atomic density of (second oxide layer or fourth oxide layer) ⁇ , ⁇ Oxygen atomic density of oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer) ⁇ ⁇ ⁇ Oxide layer 224c (third oxide layer) Oxygen atomic density of 2 oxide layer or 4th oxide layer ⁇ and ⁇ Oxygen atomic density of oxide layer 224c (2nd oxide layer or 4th oxide layer) ⁇ > ⁇ Oxygen of electron transport layer 24e Atomic density ⁇ .
  • Second electrode 25 First electrode 22, hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer), Light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25.
  • the hole transport layer 24a and the electron transport layer 24e are oxides, respectively, and ⁇ oxygen atomic density of the hole transport layer 24a ⁇ > ⁇ oxide layer 24b (first oxide).
  • Second electrode 25 First electrode 22, hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer), Light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25.
  • the upper layer side or the lower layer side is provided in this order, and the hole transport layer 24a and the electron transport layer 24e are oxides, respectively, and ⁇ oxygen atomic density of the hole transport layer 24a ⁇ ⁇ ⁇ oxide layer 24b (first oxide).
  • the pore transport layer 24a and the electron transport layer 24e are oxides, respectively, and ⁇ oxygen atom density of the hole transport layer 24a ⁇ > ⁇ oxygen atom density of the oxide layer 24b (third oxide layer) ⁇ , ⁇ oxide layer 24b (third oxide layer) oxygen atom density ⁇ ⁇ ⁇ oxide layer 24c (fourth oxide layer) oxygen atom density ⁇ , ⁇ oxide layer 224b (first oxide layer) oxygen atom density ⁇ ⁇ ⁇ Oxygen atom density of oxide layer 224c (second oxide layer) ⁇ and ⁇ oxygen atom density of oxide layer 224c (second oxide layer) ⁇ > ⁇ oxygen atom density of electron transport layer 24e ⁇ . ..
  • the light emitting element according to the present disclosure is not limited to the above-described configuration, and may have any of the following configurations (36) to (41), for example.
  • Excessive hole injection or electron injection into the light emitting layer 24d can be suppressed by forming an electric dipole in the direction in which the carrier injection barrier becomes higher at any of the interfaces with the layer 24e.
  • the imbalance between the amount of holes injected into the light emitting layer 24d and the amount of electrons injected can be suppressed.
  • the element life of the light emitting element is improved. That is, the decrease in luminous efficiency due to aging is suppressed. Further, by suppressing the injection of holes or electrons into the light emitting layer 24d, the light emitting voltage becomes large, so that the light emitting voltage can be controlled.
  • First electrode 22, hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer), light emitting layer 24d, electron transport layer 24e, second electrode 25 is provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, and ⁇ oxygen atomic density of the oxide layer 24b (first oxide layer) ⁇ ⁇ oxygen atomic density of the oxide layer 24c (second oxide layer) ⁇ . ..
  • First electrode 22, hole transport layer 24a, light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25 is provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, and is ⁇ oxygen atomic density of the oxide layer 224b (first oxide layer) ⁇ ⁇ oxygen atomic density of the oxide layer 224c (second oxide layer) ⁇ . ..
  • First electrode 22 hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer), Light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25.
  • First electrode 22, hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer), light emitting layer 24d, electron transport layer 24e, second electrode 25 is provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, the hole transport layer 24a is an oxide, and ⁇ oxygen atomic density of the hole transport layer 24a ⁇ ⁇ ⁇ oxygen of the oxide layer 24b (first oxide layer). Atomic density ⁇ and ⁇ oxygen atom density of the oxide layer 24b (first oxide layer) ⁇ ⁇ oxygen atom density of the oxide layer 24c (second oxide layer) ⁇ .
  • (40) First electrode 22, hole transport layer 24a, light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer), electron transport layer 24e,
  • the second electrode 25 is provided in this order from the upper layer side or the lower layer side, the electron transport layer 24e is an oxide, and ⁇ oxygen atom density of the oxide layer 224b (first oxide layer) ⁇ ⁇ ⁇ oxide layer 224c ( Oxygen atom density of the second oxide layer) ⁇ and ⁇ oxygen atom density of the oxide layer 224c (second oxide layer) ⁇ ⁇ oxygen atom density of the electron transport layer 24e ⁇ .
  • First electrode 22 hole transport layer 24a, oxide layer 24b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 24c (second oxide layer or fourth oxide layer), Light emitting layer 24d, oxide layer 224b (first oxide layer or third oxide layer), oxide layer 224c (second oxide layer or fourth oxide layer), electron transport layer 24e, second electrode 25.
  • the upper layer side or the lower layer side is provided in this order, and the hole transport layer 24a and the electron transport layer 24e are oxides, respectively, and ⁇ oxygen atomic density of the hole transport layer 24a ⁇ ⁇ ⁇ oxide layer 24b (first oxide).
  • the oxygen atom density of the oxide layer in the present disclosure shall be applied as a unique value possessed by the oxide layer.
  • the oxygen atom densities shown in FIGS. 5, 10 and 18, respectively are applied.
  • the oxygen atomic density of the composite oxide is the oxygen atomic density of the oxide of each cation alone for all the cations contained in the composite oxide, and the composition of each cation with respect to all the cations contained in the composite oxide. It can be calculated by multiplying each rate and taking the sum, and taking the weighted average.
  • the oxygen atomic density of the oxide containing only cations Ai as cations (that is, oxidation of cations Ai alone).
  • the oxygen atomic density of the substance) is Di, and the ratio of the number density of cations Ai to the total number density of all cations (that is, the composition ratio of cations Ai to all cations contained in the composite oxide) is Xi.
  • the display element includes an anode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode in this order, and between the hole transport layer and the light emitting layer. , And, on either one of the light emitting layer and the electron transporting layer, a first oxide layer and a second oxide layer in contact with the first oxide layer are provided from the side closer to the anode. The oxygen atom density in the second oxide layer is different from the oxygen atom density in the first oxide layer.
  • the oxygen atom density in the second oxide layer may be smaller than the oxygen atom density in the first oxide layer.
  • the display element according to the second aspect of the present disclosure includes an anode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode in this order, and the hole transport layer and the light emitting layer.
  • the first oxide layer and the second oxide layer in contact with the first oxide layer, whichever is closer to the anode, are placed between the light emitting layer and between the light emitting layer and the electron transporting layer.
  • the oxygen atom density in the second oxide layer may be smaller than the oxygen atom density in the first oxide layer.
  • the density of oxygen atoms in the second oxide layer is 50% or more and 95% or less of the density of oxygen atoms in the first oxide layer. It may be.
  • the density of oxygen atoms in the second oxide layer is 50% or more and 90% or less of the density of oxygen atoms in the first oxide layer. It may be.
  • the oxygen atom density in the first oxide layer may be smaller than the oxygen atom density in the second oxide layer.
  • the display element includes an anode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode in this order, and the hole transport layer and the light emitting layer.
  • the oxygen atom density in the first oxide layer may be smaller than the oxygen atom density in the second oxide layer.
  • the density of oxygen atoms in the first oxide layer is 50% or more and 95% or less of the density of oxygen atoms in the second oxide layer. It may be.
  • the density of oxygen atoms in the first oxide layer is 50% or more and 90% or less of the density of oxygen atoms in the second oxide layer. It may be.
  • an electric dipole may be formed at the interface between the first oxide layer and the second oxide layer in any one of the first to seventh aspects.
  • an electric dipole is formed at the interface between the first oxide layer and the second oxide layer, and the electric dipole is formed. , It may have a dipole moment containing a component in the direction from the second oxide layer to the first oxide layer.
  • an electric dipole is formed at the interface between the first oxide layer and the second oxide layer, and the electric dipole is formed. , It may have a dipole moment containing a component in the direction from the first oxide layer to the second oxide layer.
  • the display element according to the eleventh aspect of the present disclosure may have the first oxide layer made of an inorganic oxide.
  • the second oxide layer may be made of an inorganic oxide.
  • the first oxide layer may be made of an insulator.
  • the second oxide layer may be made of an insulator.
  • the first oxide layer and the second oxide layer may each be made of an amorphous oxide.
  • the first oxide layer may be made of an amorphous oxide.
  • the second oxide layer may be made of an amorphous oxide.
  • the display element according to the 18th aspect of the present disclosure is the first oxide layer and the first oxide layer at least on the contact surface between the first oxide layer and the second oxide layer in any one of the first to the fourth aspects. At least one of the two oxide layers may contain grains.
  • the display element according to the 19th aspect of the present disclosure is the first oxide layer and the first oxide layer at least on the contact surface between the first oxide layer and the second oxide layer in any one of the first to the fourth aspects. At least one of the two oxide layers may contain a polycrystalline oxide.
  • the anode is provided on the lower layer side of the cathode, and the first oxide layer and the second oxide layer are lower layers. It may be laminated in this order from the side.
  • the light emitting device according to the 20th aspect of the present disclosure further includes a substrate in the 18th or 19th aspect, and the anode is provided on the substrate side with respect to the cathode, and the first oxide layer and the said.
  • the second oxide layer may be laminated in this order from the substrate side.
  • the upper layer of the first oxide layer and the second oxide layer is made of an amorphous oxide. May be.
  • the upper layer of the first oxide layer and the second oxide layer may be a continuous film. ..
  • the light emitting device according to the second aspect of the present disclosure has a porosity of less than 1% in the upper layer of the first oxide layer and the second oxide layer. You may.
  • the display element according to the aspect 24 of the present disclosure may include grains in at least the contact surface of the second oxide layer with the first oxide layer.
  • At least the contact surface of the second oxide layer with the first oxide layer contains a polycrystalline oxide. May be good.
  • the cathode is provided on the lower layer side of the anode, and the second oxide layer and the first oxide layer are lower layers. It may be laminated in this order from the side.
  • the display element according to the 26th aspect of the present disclosure further includes a substrate in the 24th or 25th aspect, and the cathode is provided on the substrate side with respect to the anode, and the second oxide layer and the said. The first oxide layer may be laminated in this order from the substrate side.
  • the first oxide layer may be made of an amorphous oxide.
  • the first oxide layer may be a continuous film.
  • the porosity of the first oxide layer may be less than 1% in the aspect 26 or 27.
  • the first oxide layer is Al, Ga, Ta, Zr, Hf, Mg, Ge, Si, Y, La, Sr. It may consist of an oxide containing at least one element as a main component.
  • the first oxide layer or the second oxide layer contains the most elements other than oxygen in Al, Ga, Ta, and the like. It may be composed of an oxide that is any one of Zr, Hf, Mg, Ge, Si, Y, La, and Sr.
  • the first oxide layer contains the most elements other than oxygen, such as Al, Ga, Ta, Zr, Hf, Mg, and Ge. , Si, Y, La, Sr, and may be composed of an oxide.
  • the first oxide layer is aluminum oxide, gallium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, magnesium oxide, germanium oxide. It may contain at least one of silicon oxide, yttrium oxide, lanthanum oxide, strontium oxide, and oxides containing two or more cations of these oxides.
  • the first oxide layer is aluminum oxide, gallium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, magnesium oxide, germanium oxide. It may consist of silicon oxide, yttrium oxide, lanthanum oxide, strontium oxide, and any one of oxides containing two or more kinds of cations of these oxides.
  • the second oxide layer is Al, Ga, Ta, Zr, Hf, Mg, Ge, Si, Y, La, Sr. It may consist of an oxide containing at least one element as a main component.
  • the second oxide layer contains the most elements other than oxygen, such as Al, Ga, Ta, Zr, Hf, Mg, and Ge. , Si, Y, La, Sr, and may be composed of an oxide.
  • the second oxide layer is aluminum oxide, gallium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, magnesium oxide, germanium oxide. It may contain at least one of silicon oxide, yttrium oxide, lanthanum oxide, strontium oxide, and oxides containing two or more cations of these oxides.
  • the second oxide layer is aluminum oxide, gallium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, magnesium oxide, germanium oxide. It may consist of silicon oxide, yttrium oxide, lanthanum oxide, strontium oxide, and any one of oxides containing two or more kinds of cations of these oxides.
  • the display element according to the aspect 39 of the present disclosure may contain a common cation between the first oxide layer and the second oxide layer.
  • the display element according to the 40th aspect of the present disclosure may have a film thickness of the first oxide layer of 0.2 nm or more and 5 nm or less.
  • the film thickness of the first oxide layer in the aspect 40 may be 0.8 nm or more and less than 3 nm.
  • the display element according to the aspect 42 of the present disclosure may have a film thickness of the second oxide layer of 0.2 nm or more and 5 nm or less.
  • the film thickness of the second oxide layer in the aspect 42 may be 0.8 nm or more and less than 3 nm.
  • the total film thickness of the first oxide layer and the second oxide layer is 0.4 nm or more and less than 5 nm in the above aspects 1 to 38. Good.
  • the total film thickness of the first oxide layer and the second oxide layer may be 1.6 nm or more and less than 4 nm.
  • the display element according to the fourth aspect of the present disclosure includes the hole transport layer, the first oxide layer, and the second oxide layer in this order from the anode side. It may be provided between the anode and the light emitting layer.
  • the hole density in the first oxide layer and the hole density in the second oxide layer are positive in the hole transport layer, respectively. It may be smaller than the hole density.
  • the ionization potential of the hole transport layer is smaller than the ionization potential of the light emitting layer, and the ionization potential of the light emitting layer is the first oxide layer. And it may be smaller than the ionization potential of the second oxide layer.
  • the ionization potential of the first oxide layer and the ionization potential of the second oxide layer may be equal in the aspect 48.
  • the display element according to the 50 aspect of the present disclosure has a smaller ionization potential in the order of the hole transport layer, the light emitting layer, the second oxide layer, and the first oxide layer. You may.
  • the display element according to the 51st aspect of the present disclosure has a smaller ionization potential in the order of the hole transport layer, the light emitting layer, the first oxide layer, and the second oxide layer. You may.
  • the hole transport layer may be made of an oxide in any of the above aspects 46 to 51.
  • the hole transport layer is in contact with the first oxide layer, and at least on the contact surface between the hole transport layer and the first oxide layer. At least one of the hole transport layer and the first oxide layer may contain grains.
  • the hole transport layer is in contact with the first oxide layer, and at least on the contact surface between the hole transport layer and the first oxide layer. At least one of the hole transport layer and the first oxide layer may contain a polycrystalline oxide.
  • the hole transport layer is in contact with the first oxide layer, and at least the contact surface of the first oxide layer with the hole transport layer. May contain grains.
  • the hole transport layer is in contact with the first oxide layer, and at least the contact surface of the first oxide layer with the hole transport layer. May contain polycrystalline oxides.
  • the hole transport layer is in contact with the first oxide layer, and the density of oxygen atoms in the first oxide layer is high. , The density of oxygen atoms in the hole transport layer may be different.
  • the hole transport layer is in contact with the first oxide layer, and the density of oxygen atoms in the first oxide layer is high. , It may be smaller than the density of oxygen atoms in the hole transport layer.
  • the density of oxygen atoms in the first oxide layer is 50% or more and 95% or less of the oxygen atom density in the hole transport layer. You may.
  • the density of oxygen atoms in the first oxide layer is 50% or more and 90% or less of the oxygen atom density in the hole transport layer. You may.
  • the first oxide layer and the second oxide layer are provided between the hole transport layer and the light emitting layer. If so, the hole transport layer and the first oxide layer are in contact with each other, and the first oxide layer and the second oxide layer are provided between the light emitting layer and the electron transport layer. If so, the second oxide layer and the electron transport layer are in contact with each other, and if the hole transport layer and the first oxide layer are in contact with each other, at least the hole transport layer and the first oxide are in contact with each other.
  • at least one of the hole transport layer and the first oxide layer contains grains on the contact surface with the layer, and the electron transport layer and the second oxide layer are in contact with each other, at least the above. At the contact surface between the electron transport layer and the second oxide layer, at least one of the electron transport layer and the second oxide layer may contain grains.
  • the first oxide layer and the second oxide layer are provided between the hole transport layer and the light emitting layer. If so, the hole transport layer and the first oxide layer are in contact with each other, and the first oxide layer and the second oxide layer are provided between the light emitting layer and the electron transport layer. If so, the second oxide layer and the electron transport layer are in contact with each other, and if the hole transport layer and the first oxide layer are in contact with each other, at least the hole transport layer and the first oxide are in contact with each other.
  • at least one of the hole transport layer and the first oxide layer contains a polycrystalline oxide on the contact surface with the layer, and the electron transport layer and the second oxide layer are in contact with each other. At least on the contact surface between the electron transport layer and the second oxide layer, at least one of the electron transport layer and the second oxide layer may contain a polycrystalline oxide.
  • the hole transport layer is in contact with the first oxide layer, and the density of oxygen atoms in the hole transport layer is determined. It may be lower than the density of oxygen atoms in the first oxide layer.
  • the hole transport layer is in contact with the first oxide layer, and the density of oxygen atoms in the first oxide layer is high. , It may be higher than the density of oxygen atoms in the hole transport layer.
  • the density of oxygen atoms in the hole transport layer is 50% or more and 95% or less of the density of oxygen atoms in the first oxide layer. There may be.
  • the density of oxygen atoms in the hole transport layer is 50% or more and 90% or less of the density of oxygen atoms in the first oxide layer. There may be.
  • the first oxide layer, the second oxide layer, and the electron transport layer are described in this order from the anode side. It may be provided between the light emitting layer and the cathode.
  • the electron density of the first oxide layer and the electron density of the second oxide layer are smaller than the electron density of the electron transport layer, respectively. May be good.
  • the electron affinity of the electron transport layer is larger than the electron affinity of the light emitting layer, and the electron affinity of the light emitting layer is the first oxide layer and It may be larger than the electron affinity of the second oxide layer.
  • the electron affinity of the first oxide layer and the electron affinity of the second oxide layer may be equal in the aspect 69.
  • the display element according to the 71st aspect of the present disclosure may have a higher electron affinity in the order of the electron transport layer, the light emitting layer, the second oxide layer, and the first oxide layer in the aspects 67 to 69.
  • the display element according to the aspect 72 of the present disclosure may have a higher electron affinity in the order of the electron transport layer, the light emitting layer, the first oxide layer, and the second oxide layer in the aspects 67 to 69.
  • the electron transport layer may be made of an oxide.
  • the electron transport layer is in contact with the second oxide layer, and at least on the contact surface between the electron transport layer and the second oxide layer, the said. At least one of the electron transport layer and the second oxide layer may contain grains.
  • the electron transport layer is in contact with the second oxide layer, and at least on the contact surface between the electron transport layer and the second oxide layer, the said. At least one of the electron transport layer and the second oxide layer may contain a polycrystalline oxide.
  • the electron transport layer is in contact with the second oxide layer, and at least the contact surface of the second oxide layer with the electron transport layer is It may contain grains.
  • the electron transport layer is in contact with the second oxide layer, and at least the contact surface of the second oxide layer with the electron transport layer is It may contain polycrystalline oxides.
  • the electron transport layer is in contact with the second oxide layer, and the density of oxygen atoms in the second oxide layer is determined. It may be different from the density of oxygen atoms in the electron transport layer.
  • the electron transport layer is in contact with the second oxide layer, and the density of oxygen atoms in the second oxide layer is determined. It may be lower than the density of oxygen atoms in the electron transport layer.
  • the density of oxygen atoms in the second oxide layer is 50% or more and 95% or less of the density of oxygen atoms in the electron transport layer. You may.
  • the density of oxygen atoms in the second oxide layer is 50% or more and 90% or less of the density of oxygen atoms in the electron transport layer. You may.
  • the density of oxygen atoms in the electron transport layer is 50% or more and 95% or less of the density of oxygen atoms in the second oxide layer. You may.
  • the density of oxygen atoms in the electron transport layer is 50% or more and 90% or less of the density of oxygen atoms in the second oxide layer. You may.
  • the display element according to the 85th aspect of the present disclosure has the first oxide layer and the second oxide layer between the hole transport layer and the light emitting layer.
  • a third oxide layer and a fourth oxide layer in contact with the third oxide layer are further provided between the light emitting layer and the electron transporting layer in this order from the side closest to the anode.
  • the oxygen atom density in the third oxide layer may be different from the oxygen atom density in the fourth oxide layer.
  • the third oxide layer, the fourth oxide layer, and the electron transport layer in the aspect 85 of the present disclosure are the first oxide layer and the second oxide in the aspects 67 to 84. It corresponds to the layer and the electron transport layer, respectively. Therefore, the third oxide layer, the fourth oxide layer, and the electron transport layer in the aspect 85 of the present disclosure are the first oxide layer and the second oxide according to the aspects 67 to 84, respectively. It may have a structure of a material layer and the electron transport layer.
  • these configurations can be appropriately modified within the range described in the above-described embodiment and its combination regardless of the above-described embodiment.
  • the oxygen atom density in the fourth oxide layer may be smaller than the oxygen atom density in the third oxide layer in the aspect 85.
  • the oxygen atomic density in the third oxide layer may be smaller than the oxygen atomic density in the fourth oxide layer in the aspect 85.
  • the electron transport layer may be made of an oxide in any of the above aspects 85 to 87.
  • the electron transport layer is in contact with the fourth oxide layer, and the oxygen atomic density in the electron transport layer is the oxygen in the fourth oxide layer. It may be less than the atomic density.
  • the oxygen atom density in the electron transport layer is 50% or more and 95% or less of the oxygen atom density in the fourth oxide layer in the aspect 89. Good.
  • the oxygen atom density in the electron transport layer is 50% or more and 90% or less of the oxygen atom density in the fourth oxide layer in the aspect 90. Good.
  • the electron transport layer is in contact with the fourth oxide layer, and the oxygen atomic density in the fourth oxide layer is the oxygen in the electron transport layer. It may be less than the atomic density.
  • the oxygen atom density in the fourth oxide layer is 50% or more and 95% or less of the oxygen atom density in the electron transport layer in the above aspect 92. Good.
  • the oxygen atom density in the fourth oxide layer is 50% or more and 90% or less of the oxygen atom density in the electron transport layer in the above aspect 93. Good.
  • the first oxide layer and the second oxide layer are provided between the hole transport layer and the light emitting layer, and the light emitting layer is provided.
  • a third oxide layer and a fourth oxide layer in contact with the third oxide layer are further provided between the electron transport layer and the electron transport layer in this order from the side closest to the anode, and the fourth oxide layer is provided.
  • the oxygen atom density inside may be smaller than the oxygen atom density in the third oxide layer.
  • the display element according to the aspect 95 of the present disclosure includes an anode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode in this order, and the hole transport layer and the light emitting layer.
  • a first oxide layer and a second oxide layer in contact with the first oxide layer are provided in this order from the side closest to the anode, and between the light emitting layer and the electron transport layer,
  • the third oxide layer and the fourth oxide layer in contact with the third oxide layer are provided in this order from the side closest to the anode, and the oxygen atom density in the second oxide layer is the first oxidation. It may be smaller than the oxygen atom density in the physical layer, and the oxygen atom density in the fourth oxide layer may be smaller than the oxygen atom density in the third oxide layer.
  • the first oxide layer, the second oxide layer, and the hole transport layer have the configuration of an aspect that directly or indirectly cites both the first oxide layer and the fourth aspect 46. You may have.
  • the third oxide layer, the fourth oxide layer, and the electron transport layer in the aspect 95 of the present disclosure are the first oxide layer, the first oxide layer, in the aspect 67 of the aspect 67 which cites the aspect 2. It corresponds to the second oxide layer and the electron transport layer, respectively. Therefore, the third oxide layer, the fourth oxide layer, and the electron transport layer in the aspect 95 of the present disclosure are the first aspect in the aspect of directly or indirectly quoting both the second and 67th aspects. It may have a structure of one oxide layer, the second oxide layer, and the electron transport layer, respectively.
  • these configurations can be appropriately modified within the range described in the above-described embodiment and its combination regardless of the above-described embodiment.
  • the first oxide layer and the second oxide layer are provided between the hole transport layer and the light emitting layer, and the light emitting layer is provided.
  • a third oxide layer and a fourth oxide layer in contact with the third oxide layer are further provided between the electron transport layer and the electron transport layer in this order from the side closest to the anode, and the third oxide layer is provided.
  • the oxygen atom density inside may be smaller than the oxygen atom density in the fourth oxide layer.
  • the display element according to the aspect 96 of the present disclosure includes an anode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode in this order, and the hole transport layer and the light emitting layer.
  • a first oxide layer and a second oxide layer in contact with the first oxide layer are provided in this order from the side closest to the anode, and between the light emitting layer and the electron transport layer,
  • the third oxide layer and the fourth oxide layer in contact with the third oxide layer are provided in this order from the side closest to the anode, and the oxygen atom density in the second oxide layer is the first oxidation. It may be smaller than the oxygen atomic density in the physical layer, and the oxygen atomic density in the third oxide layer may be smaller than the oxygen atomic density in the fourth oxide layer.
  • the first oxide layer, the second oxide layer, and the hole transport layer in the aspect 96 of the present disclosure have a configuration of an aspect that directly or indirectly cites both the first oxide layer and the fourth aspect 46. You may be doing it.
  • the third oxide layer, the fourth oxide layer, and the electron transport layer in the aspect 97 of the present disclosure are the first oxide layer and the second oxide layer in the aspect 67 which cites the aspect 5. It corresponds to the oxide layer and the electron transport layer, respectively. Therefore, in the aspect 96 of the present disclosure, the third oxide layer, the fourth oxide layer, and the electron transport layer refer to both the fifth and the 67th aspects directly or indirectly. It may have the structure of the first oxide layer, the second oxide layer, and the electron transport layer, respectively. Of course, it goes without saying that these configurations can be appropriately modified within the range described in the above-described embodiment and its combination regardless of the above-described embodiment.
  • the first oxide layer and the second oxide layer are provided between the hole transport layer and the light emitting layer, and the light emitting layer is provided.
  • a third oxide layer and a fourth oxide layer in contact with the third oxide layer are further provided between the electron transport layer and the electron transport layer in this order from the side closest to the anode, and the fourth oxide layer is provided.
  • the oxygen atom density inside may be smaller than the oxygen atom density in the third oxide layer.
  • the display element according to the aspect 98 of the present disclosure includes an anode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode in this order, and the hole transport layer and the light emitting layer.
  • a first oxide layer and a second oxide layer in contact with the first oxide layer are provided in this order from the side closest to the anode, and between the light emitting layer and the electron transport layer,
  • the third oxide layer and the fourth oxide layer in contact with the third oxide layer are provided in this order from the one closest to the anode, and the oxygen atom density in the first oxide layer is the second oxidation. It may be smaller than the oxygen atom density in the physical layer, and the oxygen atom density in the fourth oxide layer may be smaller than the oxygen atom density in the third oxide layer.
  • the first oxide layer, the second oxide layer, and the hole transport layer in the aspect 98 of the present disclosure have a configuration of an aspect that directly or indirectly cites both the fifth and the 46th aspects. You may be doing it.
  • the third oxide layer and the fourth oxide layer in the aspect 98 of the present disclosure, and the electron transport layer are the first oxide layer and the second oxide layer in the aspect 67 in which the aspect 5 is cited. It corresponds to the oxide layer and the electron transport layer, respectively. Therefore, the third oxide layer, the fourth oxide layer, and the electron transport layer in the aspect 98 of the present disclosure are the first aspect in the embodiment in which both the fifth and 67th aspects are directly or indirectly cited. It may have a structure of an oxide layer, a second oxide layer, and the electron transport layer, respectively.
  • these configurations can be appropriately modified within the range described in the above-described embodiment and its combination regardless of the above-described embodiment.
  • the first oxide layer and the second oxide layer are provided between the hole transport layer and the light emitting layer, and the light emitting layer and the light emitting layer are provided.
  • a third oxide layer and a fourth oxide layer in contact with the third oxide layer are further provided between the electron transport layer in this order from the side closest to the anode, and the third oxide layer is provided.
  • the oxygen atom density may be smaller than the oxygen atom density in the fourth oxide layer.
  • the display element according to the aspect 99 of the present disclosure includes an anode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode in this order, and the hole transport layer and the light emitting layer.
  • a first oxide layer and a second oxide layer in contact with the first oxide layer are provided in this order from the side closest to the anode, and between the light emitting layer and the electron transport layer,
  • the third oxide layer and the fourth oxide layer in contact with the third oxide layer are provided in this order from the one closest to the anode, and the oxygen atom density in the first oxide layer is the second oxidation. It may be smaller than the oxygen atomic density in the physical layer, and the oxygen atomic density in the third oxide layer may be smaller than the oxygen atomic density in the fourth oxide layer.
  • the hole transport layer, the first oxide layer, and the second oxide layer directly or indirectly refer to the aspect 46 that cites the aspect 5. It may have the structure described in each aspect.
  • the third oxide layer, the fourth oxide layer, and the electron transport layer are the first oxide layer and the first oxide layer in the aspect 67 which cites the aspect 5. It corresponds to the two oxide layer and the electron transport layer, respectively. Therefore, the first oxide described in each of the embodiments in which the third oxide layer, the fourth oxide layer, and the electron transport layer directly or indirectly cite both the fifth and 67th aspects. It may have a structure of a material layer, the second oxide layer, and the electron transport layer, respectively. Of course, it goes without saying that these configurations can be appropriately modified within the range described in the above-described embodiment and its combination regardless of the above-described embodiment.
  • the display element according to the aspect 100 of the present disclosure may include a quantum dot phosphor in the light emitting layer.
  • the light emitting device includes the light emitting element according to any one of the above aspects 1 to 100.
  • the light emitting element may be provided on the substrate.
  • the light emitting device may be a display device in the mode 101 or 102.
  • the light emitting device may be a lighting device in the mode 101 or 102.

Landscapes

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Abstract

発光素子は、アノードである第１電極と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、カソードである第２電極と、をこの順に備えるとともに、正孔輸送層と発光層との間、及び、発光層と電子輸送層との間の何れか一方に、第１酸化物層としての酸化物層（２４ｂ）と、第２酸化物層としての酸化物層（２４ｃ）と、を第１電極側からこの順に備え、第２酸化物層中の酸素原子の密度は、第１酸化物層中の酸素原子の密度とは異なる。

Description

発光素子及び発光装置
　本開示は、発光素子と、複数の発光素子を備えた、表示装置あるいは照明装置等の発光装置とに関する。
　近年、さまざまな表示デバイスが開発されており、特に、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた表示デバイスや、無機発光ダイオードまたはＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えた表示デバイスは、低消費電力化、薄型化及び高画質化等を実現できる点から、高い注目を浴びている。
　しかしながら、ＯＬＥＤやＱＬＥＤ等の発光素子においては、下記で説明する理由から、発光層へのキャリア（正孔及び／または電子）の注入が起こりにくいため、発光効率が悪いという問題がある。
　図２２は、ＯＬＥＤやＱＬＥＤ等の従来の発光素子１０１において、発光層１０３へのキャリア（正孔及び／または電子）の注入が起こりにくい理由を説明するためのエネルギーバンド図である。
　図２２に示すように、発光素子１０１は、第１電極（Hole Injection Layer：陽極（アノード電極））と第２電極（Electron Injection Layer：陰極（カソード電極））とを備えている。前記第１電極と前記第２電極との間には、前記第１電極側から、正孔輸送層（Hole Transport Layer）１０２と、発光層１０３と、電子輸送層（Electron Transport Layer）１０４とが、順に積層されている。
　発光素子１０１において、正孔輸送層１０２から発光層１０３への正孔注入障壁Ｅｈの高さは、正孔輸送層１０２の価電子帯（ＨＴＬ価電子帯）の上端と、発光層１０３の価電子帯の上端とのエネルギー差である。
　また、発光素子１０１において、電子輸送層１０４から発光層１０３への電子注入障壁Ｅｅの高さは、発光層１０３の伝導帯の下端と、電子輸送層１０４の伝導帯（ＥＴＬ伝導帯）の下端とのエネルギー差である。
　しかし、発光層１０３を構成するＯＬＥＤ用発光材料またはＱＬＥＤ用発光材料と、正孔輸送層１０２の材料と、電子輸送層１０４とにおいては、長期信頼性が確保された材料の数が少なく、その材料の選択肢が限られるのが現状である。
　このように数少ない材料の中から、正孔輸送層１０２の材料と、電子輸送層１０４と、発光層１０３の材料とを選択した場合、一般的に、正孔注入障壁Ｅｈの高さ及び電子注入障壁Ｅｅの高さの少なくとも一方が大きくなるため、発光層１０３への効率的な正孔注入または電子注入が困難となる。
　特許文献１には、正孔輸送層に接する面と電子輸送層に接する面とが互いに異なる有機リガンド分布を有する発光層を形成することで、発光層のバンドレベルを調節できることが記載されている。具体的には、正孔輸送層の価電子帯レベルと発光層の価電子帯レベルとのエネルギー差を小さくできるように、発光層のバンドレベルを調節することで、ターンオン電圧及び駆動電圧が低く、輝度及び発光効率に優れた発光素子を実現できると記載されている。
日本国公開特許公報「特開２０１０‐１１４０７９号公報（２０１０年０５月２０日公開）」
　しかしながら、特許文献１の発光素子は、バンドレベル調節していない発光層とバンドレベル調節した発光層とのイオン化ポテンシャルの差が小さい。このため、特許文献１の発光素子は、正孔注入障壁Ｅｈの高さを満足できる程に下げることはできない。また、同様に、特許文献１に記載されているバンドレベル調節を行っても、電子注入障壁Ｅｅの高さを十分に下げることはできない。したがって、依然として、発光層１０３への正孔注入量や電子注入量の効率的な制御が困難であるため、発光効率が悪いという問題がある。
　本開示の一態様は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、高い発光効率を実現することができる、発光素子及び発光装置を提供することを目的とする。
　上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る発光素子は、アノードと、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、カソードと、をこの順に備えるとともに、前記正孔輸送層と前記発光層との間、及び、前記発光層と前記電子輸送層との間の何れか一方に、第１酸化物層と、該第１酸化物層に接する第２酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順に備え、前記第２酸化物層中の酸素原子の密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子の密度とは異なる。
　上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る発光装置は、本開示の一態様に係る発光素子を備えている。
　本開示の一態様によれば、高い発光効率を実現することができる、発光素子及び発光装置を提供することができる。
実施形態１の発光素子を含む表示装置の概略構成を示す断面図である。 実施形態１の発光素子の概略構成を模式的に示す断面図である。 （ａ）は、比較例である発光素子における正孔注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図であり、（ｂ）は、実施形態１の発光素子における正孔注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。 （ａ）は、実施形態１の発光素子における第１酸化物層と第２酸化物層との界面において、酸素原子が移動する機構を説明するための図であり、（ｂ）は、実施形態１の発光素子における第１酸化物層と第２酸化物層との界面において、酸素原子の移動により電気双極子が形成された状態を示す図である。 実施形態１の発光素子における第１酸化物層及び第２酸化物層を構成する酸化物の一例としての無機酸化物の酸素原子密度を示す図である。 実施形態１の発光素子における第１酸化物層を構成する酸化物と第２酸化物層を構成する酸化物との組み合わせの一例を示す図である。 実施形態１の変形例に係る発光素子における正孔注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。 実施形態２の発光素子における正孔注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。 実施形態２の発光素子における正孔輸送層を構成する酸化物の一例としての無機酸化物の酸素原子密度を示す図である。 実施形態２の発光素子における正孔輸送層を構成する酸化物と第１酸化物層を構成する酸化物との組み合わせの一例を示す図である。 実施形態３の発光素子の概略構成を模式的に示す断面図である。 実施形態３の他の発光素子の概略構成を模式的に示す断面図である。 実施形態４の発光素子の概略構成を模式的に示す断面図である。 （ａ）は、比較例である発光素子における電子注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図であり、（ｂ）は、実施形態４の発光素子における電子注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。 （ａ）は、実施形態４の発光素子における第１酸化物層と第２酸化物層との界面において、酸素原子が移動する機構を説明するための図であり、（ｂ）は、実施形態４の発光素子における第１酸化物層と第２酸化物層との界面において、酸素原子の移動により電気双極子が形成された状態を示す図である。 実施形態４の発光素子における第１酸化物層を構成する酸化物と第２酸化物層を構成する酸化物との組み合わせの一例を示す図である。 実施形態５の発光素子における電子注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。 実施形態５の発光素子における電子輸送層を構成する酸化物の一例としての無機酸化物の酸素原子密度を示す図である。 実施形態５の発光素子における電子輸送層を構成する酸化物と第２酸化物層を構成する酸化物との組み合わせの一例を示す図である。 実施形態６の発光素子の概略構成の一例を模式的に示す断面図である。 実施形態６の発光素子の概略構成の他の例を模式的に示す断面図である。 従来の発光素子において、発光層へのキャリア（正孔及び／または電子）の注入が起こりにくい理由を説明するためのエネルギーバンド図である。
　以下に、本開示の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の各実施形態では、先に説明した部材と同じ機能を有する部材については同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。また、実施形態２以降の実施形態では、先に説明した実施形態との相異点について説明する。なお、特に説明がない場合でも、実施形態２以降の実施形態において、先に説明した実施形態と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
　〔実施形態１〕
　図２は、本実施形態の発光素子５の概略構成を模式的に示す断面図である。
　図２に示すように、発光素子５は、第１電極（正孔注入層：ＨＩＬ）２２と、第２電極（電子注入層：ＥＩＬ）２５と、第１電極２２と第２電極２５との間に備えられた発光層２４ｄとを含む。つまり、第１電極２２はアノードであり、第２電極２５はカソードである。第１電極２２と発光層２４ｄとの間には、第１電極２２側（つまり、第１電極２２に近い方）から、正孔輸送層（ＨＴＬ）２４ａと、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）と、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）とが、この順に、例えば互いに接して積層されている。なお、酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度と酸化物層２４ｃ中の酸素原子密度とは異なる。発光層２４ｄと第２電極２５との間には、電子輸送層（ＥＴＬ）２４ｅが備えられている。
　したがって、発光素子５は、例えば下層側から、第１電極２２（アノード）と、正孔輸送層２４ａと、発光層２４ｄと、電子輸送層２４ｅと、第２電極２５（カソード）と、をこの順に備えるとともに、正孔輸送層２４ａと発光層２４ｄとの間に、酸化物層２４ｂと、該酸化物層２４ｂに接する酸化物層２４ｃと、を第１電極２２側からこの順に備えている。
　なお、後述するように、発光素子５における上記各層の積層順は逆であってもよく、発光素子５は、例えば上層側から、第１電極２２（アノード）と、正孔輸送層２４ａと、発光層２４ｄと、電子輸送層２４ｅと、第２電極２５（カソード）と、をこの順に備えるとともに、正孔輸送層２４ａと発光層２４ｄとの間に、酸化物層２４ｂと、該酸化物層２４ｂに接する酸化物層２４ｃと、を第１電極２２側からこの順に備えていてもよい。
　なお、本実施形態において、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。より具体的には、下層側とは、例えば、基板側を意味する。したがって、「発光素子５が、例えば下層側から、第１電極２２と、正孔輸送層２４ａと、発光層２４ｄと、電子輸送層２４ｅと、第２電極２５と、をこの順に備える」とは、「発光素子５が、支持体としての基板（例えば後掲の図１に示す例では、第１電極２２が形成されるアレイ基板である、基板１０、樹脂層１２、バリア層３、及びＴＦＴ層４を含む積層体）上に、該基板側から、上記各層をこの順に備える」ことを意味する。なお、発光素子５は、上記基板を含んでいてもよい。
　図４の（ａ）は、本実施形態の発光素子５において互いに隣り合う、第１電極２２側（言い換えれば、正孔輸送層２４ａ側）の酸化物層２４ｂと第２電極２５側（言い換えれば、発光層２４ｄ側）の酸化物層２４ｃとの界面において、酸素原子が移動する機構を説明するための図である。図４の（ｂ）は、上記酸化物層２４ｂと上記酸化物層２４ｃとの界面において、酸素原子の移動により電気双極子１が形成された状態を示す図である。
　本実施形態において、キャリア輸送層（但し、本実施形態では正孔輸送層２４ａ）と発光層２４ｄとの間に設けられた、互いに隣り合う酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのうち、第１電極２２から遠い方の酸化物層（第２酸化物層）である酸化物層２４ｃ中の酸素原子の密度は、第１電極２２から近い方の酸化物層（第１酸化物層）である酸化物層２４ｂ中の酸素原子の密度よりも小さいことが好ましい。なお、以下、酸化物層２４ｃ中の酸素原子の密度を、「酸化物層２４ｃの酸素原子密度」と称する場合がある。また、酸化物層２４ｂ中の酸素原子の密度を、「酸化物層２４ｂの酸素原子密度」と称する場合がある。
　このため、図４の（ａ）に示すように、酸化物層２４ｂ上に、該酸化物層２４ｂに接して酸化物層２４ｃが形成されると、これら酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面において、酸化物層２４ｂから酸化物層２４ｃの方向への酸素原子の移動が起こりやすくなる。酸素原子の移動が起こると、酸素空孔がプラスに、移動した酸素原子がマイナスに帯電する。
　これにより、図４の（ｂ）に図示するように、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面においては、酸化物層２４ｃから酸化物層２４ｂの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子１が生じる。
　図１は、発光素子５として発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂを含む表示装置２の概略構成を示す断面図である。
　なお、以下では、本実施形態に係る発光装置として、複数の発光素子５を備えた表示装置２を例に挙げて説明する。しかしながら、本開示は、これに限定されることはなく、上記発光装置は、１つ以上の発光素子５を備えた表示装置及び照明装置等であってもよい。
　図１に示すように、表示装置２における基板１０上には、樹脂層１２と、バリア層３と、ＴＦＴ層４と、発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂと、封止層６とが積層されている。
　基板１０の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やガラス基板等を挙げることができるが、これに限定されることはない。本実施形態においては、表示装置２をフレキシブル表示装置とするため、基板１０の材料として、ＰＥＴを用いたが、表示装置２を非フレキシブル表示装置とする場合には、ガラス基板等を用いればよい。
　樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂等を挙げることができるが、これに限定されることはない。本実施形態においては、支持基板（図示せず）越しに樹脂層１２にレーザ光を照射して支持基板（図示せず）及び樹脂層１２間の結合力を低下させ、支持基板（図示せず）を樹脂層１２から剥離し（ＬＬＯ（Laser Lift Off）工程）、樹脂層１２における支持基板（図示せず）を剥離した面にＰＥＴからなる基板１０を貼り合せることで、表示装置２をフレキシブル表示装置としている。しかしながら、表示装置２を非フレキシブル表示装置とする場合、または、ＬＬＯ工程以外の方法で表示装置２をフレキシブル表示装置とする場合等には、樹脂層１２は必要ではない。
　バリア層３は、表示装置２の使用時に、水分や不純物が、ＴＦＴ層４や発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂに到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、無機絶縁膜１６よりも上層のゲート電極ＧＥと、ゲート電極ＧＥよりも上層の無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の容量配線ＣＥと、容量配線ＣＥよりも上層の無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層の、ソース・ドレイン電極を含むソース・ドレイン配線ＳＨと、ソース・ドレイン配線ＳＨよりも上層の平坦化膜２１とを含む。
　半導体膜１５、無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）、ゲート電極ＧＥ、無機絶縁膜１８、無機絶縁膜２０及びソース・ドレイン配線ＳＨを含むように、アクティブ素子としての薄膜トランジスタ素子Ｔｒ（ＴＦＴ素子）が構成される。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。なお、図１では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい。
　ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、ソース・ドレイン配線ＳＨ、配線ＴＷ、及び端子ＴＭは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。
　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜あるいは酸窒化シリコン膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。
　平坦化膜（層間絶縁膜）２１は、例えば、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　発光素子５Ｒは、発光層２４ｄとして、第１波長領域の発光層２４Ｒｄを備えている。発光素子５Ｇは、発光層２４ｄとして、第２波長領域の発光層２４Ｇｄを備えている。発光素子５Ｂは、発光層２４ｄとして、第３波長領域の発光層２４Ｂｄを備えている。
　第１波長領域の発光層２４Ｒｄと、第２波長領域の発光層２４Ｇｄと、第３波長領域の発光層２４Ｂｄとは、互いに発光する光の中心波長が異なる。本実施形態においては、第１波長領域の発光層２４Ｒｄは赤色を、第２波長領域の発光層２４Ｇｄは緑色を、第３波長領域の発光層２４Ｂｄは青色を、それぞれ発光する場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはない。
　また、本実施形態においては、表示装置２が、赤色、緑色及び青色の光をそれぞれ発光する３種類の発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂを備えた場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、それぞれ異なる色の光を発光する４種類以上の発光素子を備えていてもよい。あるいは、表示装置が備える発光素子が１種類であっても２種類であってもよい。
　発光層２４ｄ（具体的には、発光層２４Ｒｄ・２４Ｇｄ・２４Ｂｄ）は、ナノサイズの量子ドット（ナノ粒子）を含む発光層である。発光層２４ｄは、例えば、量子ドット蛍光体を含んでいてもよい。量子ドットの材料としては、例えば、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、及びＣＩＧＳ／ＺｎＳのうち何れかの材料を用いることができる。また、量子ドットの粒径は３～１０ｎｍ程度である。なお、各発光層２４Ｒｄ・２４Ｇｄ・２４Ｂｄで、互いに発光する光の中心波長を異なるようにするため、これら発光層２４Ｒｄ・２４Ｇｄ・２４Ｂｄにおいて、量子ドットの粒径を異なるようにしてもよく、互いに異なる種類の量子ドットを用いてもよい。
　本実施形態では、発光層２４ｄとして、量子ドット（ナノ粒子）を含む発光層を用いた場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されることはなく、発光層２４ｄとして、ＯＬＥＤ用の発光層を用いてもよい。
　発光素子５（具体的には、発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂ）がＱＬＥＤである場合、第１電極２２及び第２電極２５間の駆動電流によって正孔と電子とが発光層２４ｄ内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位（conduction band）から価電子帯準位（valence band）に遷移する過程で光（蛍光）が放出される。
　発光素子５（具体的には、発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂ）がＯＬＥＤである場合、第１電極２２及び第２電極２５間の駆動電流によって正孔と電子とが発光層２４ｄ内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。
　なお、発光素子５としては、前記のＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ以外の発光素子（無機発光ダイオード等）を形成してもよい。
　発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂの各々は、第１電極２２と、正孔輸送層２４ａと、酸化物層２４ｂと、酸化物層２４ｃと、波長領域が異なる各発光層２４ｄ（発光層２４Ｒｄ、発光層２４Ｇｄ、及び発光層２４Ｂｄの何れか１層）と、電子輸送層２４ｅと、第２電極２５とが、この順に、積層された構成となっている。なお、第１電極２２から第２電極２５までの積層順は、逆にすることもできる。また、発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂの正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅの材料については後述するが、これら発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂの正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅは、必ずしも共通の材料ではなく、異なる材料で構成される場合もある。
　なお、発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂの各々は、表示装置２のサブピクセルＳＰである。
　第１電極２２のエッジを覆うバンク２３は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　本実施形態では、ベタ状の共通層として形成した第２電極２５を除いた、第１電極２２と、正孔輸送層２４ａと、酸化物層２４ｂと、酸化物層２４ｃと、発光層２４ｄと、電子輸送層２４ｅとを、サブピクセルＳＰごとに島状に形成した場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはない。例えば、第１電極２２と発光層２４ｄとを除いた、正孔輸送層２４ａと、酸化物層２４ｂと、酸化物層２４ｃと、電子輸送層２４ｅと、第２電極２５とは、ベタ状の共通層として形成してもよい。なお、この場合には、バンク２３を設けなくてもよい。
　第１電極２２は導電性材料からなり、正孔輸送層２４ａに正孔を注入する正孔注入層（ＨＩＬ）の機能を有する。第２電極２５は導電性材料からなり、電子輸送層２４ｅに電子を注入する電子注入層（ＥＩＬ）の機能を有する。
　第１電極２２及び第２電極２５の少なくとも一方は、透光性材料からなる。なお、第１電極２２及び第２電極２５の何れか一方は、光反射性材料で形成してもよい。表示装置２をトップエミッション型の表示装置とする場合、上層である第２電極２５を透光性材料で形成し、下層である第１電極２２を光反射性材料で形成する。表示装置２をボトムエミッション型の表示装置とする場合、上層である第２電極２５を光反射性材料で形成し、下層である第１電極２２を透光性材料で形成する。なお、第１電極２２から第２電極２５までの積層順を逆にする場合は、上層である第１電極２２を透光性材料で形成し、下層である第２電極２５を光反射性材料で形成することにより、表示装置２をトップエミッション型の表示装置とすることができる。また、上層である第１電極２２を反射性材料で形成し、下層である第２電極２５を透光性材料で形成することにより、表示装置２をボトムエミッション型の表示装置とすることができる。
　透光性材料としては、例えば、透明導電膜材料を用いることができる。具体的には、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＺｎＯ、ＡＺＯ（aluminum-doped zinc oxide）、ＢＺＯ（boron-doped zinc oxide)等を用いることができる。これらの材料は可視光の透過率が高いため、発光効率が向上する。
　光反射性材料としては、可視光の反射率の高い材料が好ましく、例えば、金属材料を用いることができる。具体的には、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等を用いることができる。これらの材料は、可視光の反射率が高いため、発光効率が向上する。
　また、第１電極２２及び第２電極２５の何れか一方を、透光性材料と光反射性材料との積層体とすることで、光反射性を有する電極としてもよい。
　なお、本実施形態においては、表示装置２をトップエミッション型とするため、上層である第２電極２５は透光性材料で形成し、下層である第１電極２２は光反射性材料で形成した。
　正孔輸送層２４ａは、正孔を輸送し、電子の移動を阻害する層である。正孔輸送層２４ａの材料としては、正孔輸送性材料であれば、特に限定されるものではなく、公知の正孔輸送性材料を用いることができる。そのなかでも、上記正孔輸送性材料としては、例えば半導体が好ましく、ｐ型半導体がさらに好ましい。上記正孔輸送性材料の一例としては、例えば、ＮｉＯ（酸化ニッケル）、ＣｕＡｌＯ２（アルミン酸銅）、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）－ポリ（４－スチレンスルホネート））、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）等が挙げられる。上記正孔輸送性材料には、ナノ粒子を用いてもよい。
　また、正孔輸送層２４ａは、 Ｎｉ及びＣｕのうち少なくとも１つを含む酸化物からなっていてもよい。また、正孔輸送層２４ａは、酸素以外の最も多く含まれる元素が、Ｎｉ及びＣｕのうちの何れかである酸化物からなっていてもよい。この場合、正孔輸送層２４ａは良好な正孔伝導性を有する。
　上記正孔輸送性材料は、酸化物であってもよく、酸化物以外の材料であってもよい。したがって、正孔輸送層２４ａは、該正孔輸送層２４ａ中に酸素原子を有していてもよいし、酸素原子を有していなくてもよい。上記正孔輸送性材料が酸化物である場合（言い換えれば、正孔輸送層２４ａが酸化物からなる場合）、酸化物層２４ｂの酸素原子密度は、後述する実施形態２に示すように正孔輸送層２４ａの酸素原子密度（つまり、正孔輸送層２４ａ中の酸素原子の密度）よりも小さいことが望ましい。しかしながら、酸化物層２４ｂの酸素原子密度は、正孔輸送層２４ａの酸素原子密度と同じである場合、及び、正孔輸送層２４ａの酸素原子密度よりも大きい場合もあり得る。
　酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃは、正孔輸送層２４ａとは別に設けられていることから、正孔輸送層２４ａの材料選択の自由度を低下させることなく、自由に電気双極子を形成することができる。したがって発光層２４ｄへの正孔注入量を自在に制御することができる。
　酸化物層２４ｂは、無機酸化物からなることが好ましい。また、酸化物層２４ｂは、絶縁体（絶縁材料）からなることが好ましい。また、酸化物層２４ｂは、無機酸化物絶縁体からなることが好ましい。これらの場合、長期信頼性が改善される。すなわち、エイジング後の発光効率が改善される。
　酸化物層２４ｃは、例えば無機酸化物からなることが好ましい。また、酸化物層２４ｃは、絶縁体（絶縁材料）からなることが好ましい。また、酸化物層２４ｃは、無機酸化物絶縁体からなることが好ましい。これらの場合、長期信頼性が改善される。すなわち、エイジング後の発光効率が改善される。
　また、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃの両方が無機酸化物からなることがさらに好ましい。また、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃの両方が絶縁体（無機絶縁体）からなることがさらに好ましい。これらの場合、長期信頼性がさらに改善される。すなわち、エイジング後の発光効率がさらに改善される。
　これら酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃは、互いに独立して、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｓｉ（ケイ素、シリコン）、Ｙ（イットリウム）、Ｌａ（ランタン）、Ｓｒ（ストロンチウム）のうち少なくとも１つの元素を主成分として含む酸化物で形成されていてもよい。つまり、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとは、互いに同じ元素を少なくとも１つ主成分として含む酸化物であってもよく、互いに異なる元素を主成分として含む酸化物であってもよい。また、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃは、互いに独立して、酸素以外の最も多い元素が、Ａｌ、Ｇａ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｒのうちの何れかである酸化物で形成されていてもよい。
　より具体的には、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃは、互いに独立して、例えば、酸化アルミニウム（例えば、Ａｌ２Ｏ３）、酸化ガリウム（例えば、α構造あるいはβ構造等の結晶構造を有するＧａ２Ｏ３）、酸化タンタル（例えば、Ｔａ２Ｏ５）、酸化ジルコニウム（例えば、ＺｒＯ２）、酸化ハフニウム（例えば、ＨｆＯ２）、酸化マグネシウム（例えば、ＭｇＯ）、酸化ゲルマニウム（例えば、ＺｅＯ２）、酸化シリコン（例えば、ＳｉＯ２）、酸化イットリウム（例えば、Ｙ２Ｏ３）、酸化ランタン（例えば、Ｌａ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（例えば、ＳｒＯ）、およびこれら酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物のうち少なくとも１つを含んでいてもよく、上記酸化物および上記複合酸化物の何れか一つからなっていてもよい。そのような複合酸化物としては、特に限定されるものではないが、例えば、ＳｉとＡｌとを含む酸化物等が挙げられる。なお、これら酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃについては、後で、より詳しく説明する。
　電子輸送層２４ｅは、電子を輸送し、正孔の移動を阻害する層である。電子輸送層２４ｅの材料としては、電子輸送性材料であれば、特に限定されるものではなく、公知の電子輸送性材料を用いることができる。上記電子輸送性材料は、酸化物であってもよく、酸化物以外の材料であってもよい。上記電子輸送性材料としては、例えば半導体が好ましく、ｎ型半導体がさらに好ましい。上記電子輸送性材料としては、例えば、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３等を用いることができる。また、上記電子輸送材料には、ナノ粒子を用いてもよい。また、電子輸送性材料として、ＴＰＢｉ（１，３，５－トリス（１－フェニル－１－Ｈ－ベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン）、Ａｌｑ３（トリス（８－ヒドロキシ－キノリネート）アルミニウム）、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）等の有機材料を用いてもよい。
　封止層６は透光性であり、第２電極２５を覆う第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６よりも上側に形成される有機封止膜２７と、有機封止膜２７を覆う第２無機封止膜２８とを含む。発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂを覆う封止層６は、水、酸素等の異物の発光素子５Ｒ・５Ｇ・５Ｂへの浸透を防いでいる。
　第１無機封止膜２６及び第２無機封止膜２８は、それぞれ、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、第１無機封止膜２６及び第２無機封止膜２８よりも厚い透光性有機膜であり、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　図３の（ａ）は、比較例である発光素子における正孔注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図であり、図３の（ｂ）は、発光素子５における正孔注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。
　図３の（ａ）に示すように、正孔輸送層２４ａと発光層２４ｄとが直接接する比較例である発光素子においては、正孔輸送層２４ａの価電子帯（ＨＴＬ価電子帯）の上端と発光層２４ｄの価電子帯（発光層価電子帯）の上端とのエネルギー差ΔＥｖが大きい。このエネルギー差ΔＥｖは、正孔注入障壁の高さとなるため、図３の（ａ）に示す発光素子では、発光層２４ｄに対して効率的な正孔注入ができない。
　一方、本実施形態に係る発光素子５は、図３の（ｂ）に示すように、正孔輸送層２４ａと発光層２４ｄとの間に、正孔輸送層２４ａ側から、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとが互いに接してこの順に積層されており、かつ、前述したように、酸化物層２４ｃの酸素原子密度は、酸化物層２４ｂの酸素原子密度よりも小さい。このため、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面において、酸化物層２４ｂから酸化物層２４ｃの方向への酸素原子の移動が起こりやすく、該界面において、酸化物層２４ｃから酸化物層２４ｂの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子１が形成される。
　このように、電気双極子１が形成されると、図３の（ｂ）に示すように、電気双極子１が形成される界面である、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面を境にして、電気双極子１による真空準位のシフトが起こる。この結果、図３の（ｂ）に示すように、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面を境にして、第１電極２２側のバンドの位置（伝導帯下端及び価電子帯上端の位置）は、第２電極２５側のバンドの位置に対して下方向に移動する。つまり、図３の（ｂ）に示す例の場合、正孔輸送層２４ａのバンドの位置及び酸化物層２４ｂのバンドの位置が、発光層２４ｄのバンドの位置及び酸化物層２４ｃのバンドの位置に対して下方向に移動（バンドシフト）する。図示はしないが、このとき、第２電極２５側のバンドの位置には、発光層２４ｄよりも第２電極２５側の層のバンドの位置も含まれることは、言うまでもない。なお、図３の（ｂ）では、電気双極子１による真空準位のシフトが起こる前の正孔輸送層２４ａのバンドの位置を一点鎖線で示すとともに、電気双極子１による真空準位のシフトが起こる前の酸化物層２４ｂのバンドの位置を二点鎖線で示している。また、電気双極子１による真空準位のシフト後の真空準位を点線で示している。
　具体的には、電気双極子１が形成されると、正孔輸送層２４ａの伝導帯（ＨＴＬ伝導帯）はＨＴＬ伝導帯’に、正孔輸送層２４ａのＨＴＬ価電子帯はＨＴＬ価電子帯’に、それぞれ移動する。この移動によって、ＨＴＬ価電子帯の上端と発光層価電子帯の上端とのエネルギー差ΔＥｖは、ＨＴＬ価電子帯’の上端と発光層価電子帯の上端とのエネルギー差ΔＥｖ’となる。この結果、電気双極子１形成後のエネルギー差ΔＥｖ’（言い換えれば、電気双極子１形成後の正孔注入障壁高さ）は、エネルギー差ΔＥｖ（言い換えれば、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃを形成しない場合の正孔注入障壁高さ）よりも小さくなる。
　発光素子５において、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃの膜厚が十分に薄い場合、正孔は酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃをトンネリングにより伝導できるため、正孔輸送層２４ａと発光層２４ｄとの間の正孔注入障壁高さは、実効的にＨＴＬ価電子帯’の上端と発光層価電子帯の上端とのエネルギー差ΔＥｖ’となる。本実施形態によれば、このように酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃを形成することにより、効率的な正孔注入が可能となる。
　なお、本開示において、エネルギー差ΔＥｖ’とは、「電気双極子形成後における、正孔輸送層２４ａの価電子帯上端と、発光層２４ｄの価電子帯上端とのエネルギー差」を示す。したがって、本実施形態において、「電気双極子形成後」とは、「電気双極子１形成後」を示し、「電気双極子形成後における、正孔輸送層２４ａの価電子帯上端と、発光層２４ｄの価電子帯上端とのエネルギー差」とは、上述したように、「電気双極子１形成後における、ＨＴＬ価電子帯’の上端と、発光層価電子帯の上端とのエネルギー差」を示す。また、本開示において、エネルギー差ΔＥｖ’の符号は、電気双極子形成後において、正孔輸送層２４ａの価電子帯上端（本実施形態ではＨＴＬ価電子帯’の上端）が発光層２４ｄの価電子帯上端（本実施形態では発光層価電子帯の上端）より高エネルギー側（バンド図における上側）にある場合を正（ΔＥｖ’＞０）とし、電気双極子形成後において、正孔輸送層２４ａの価電子帯上端（本実施形態ではＨＴＬ価電子帯’の上端）が発光層２４ｄの価電子帯上端（本実施形態では発光層価電子帯の上端）より低エネルギー側（バンド図における下側）にある場合を負（ΔＥｖ’＜０）とする。
　同様に、本開示において、エネルギー差ΔＥｖとは、「電気双極子形成前（言い換えれば、真空準位のシフトがない状態）における、正孔輸送層２４ａの価電子帯上端（つまり、ＨＴＬ価電子帯の上端）と、発光層２４ｄの価電子帯上端（つまり、発光層価電子帯の上端）とのエネルギー差」である。また、本開示において、エネルギー差ΔＥｖの符号は、電気双極子形成前において、正孔輸送層２４ａの価電子帯上端（つまり、ＨＴＬ価電子帯の上端）が発光層２４ｄの価電子帯上端（つまり、発光層価電子帯の上端）より高エネルギー側（バンド図における上側）にある場合を正（ΔＥｖ＞０）とし、電気双極子形成前において、正孔輸送層２４ａの価電子帯上端（つまり、ＨＴＬ価電子帯の上端）が発光層２４ｄの価電子帯上端（つまり、発光層価電子帯の上端）より低エネルギー側（バンド図における下側）にある場合を負（ΔＥｖ＜０）とする。
　正孔注入障壁高さが負の場合、正孔注入障壁が存在しないことを意味する。
　なお、図３の（ｂ）では、二点鎖線で示す、電気双極子１による真空準位のシフトが起こる前の酸化物層２４ｂのバンドの位置（伝導帯下端及び価電子帯上端の位置）と、酸化物層２４ｃのバンドの位置（伝導帯下端及び価電子帯上端の位置）とが、同じである場合を例に挙げて図示している。しかしながら、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのバンドの位置は、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃの材料の選択によって決定されるため、図３の（ｂ）に示す例に限定されない。本実施形態においては、図３の（ａ）に示すように、ＨＴＬ価電子帯の上端は発光層価電子帯の上端よりも上に位置する。図３の（ｂ）に示す例では、電気双極子１の形成によりバンドシフトが起こった後のＨＴＬ価電子帯’の上端が、発光層価電子帯の上端よりも上に位置する場合を例に挙げて図示している。しかしながら、バンドシフトが起こった後のＨＴＬ価電子帯’の上端は、発光層価電子帯の上端よりも下に位置してもよく、下に位置する方がより好ましい。
　酸化物層２４ｂの膜厚は、０．２ｎｍ以上、５ｎｍ以下であることが好ましい。酸化物層２４ｂの膜厚を５ｎｍ以下とすることにより、正孔のトンネリングを効率的に行うことができる。また、酸化物層２４ｂの膜厚を０．２ｎｍ以上とすることにより、十分に大きな双極子モーメントを得ることができる。酸化物層２４ｂの膜厚は、０．８ｎｍ以上、３ｎｍ未満であることがさらに好ましい。この場合、さらに効率的な正孔注入が可能となる。
　同様に、酸化物層２４ｃの膜厚は、０．２ｎｍ以上、５ｎｍ以下であることが好ましい。酸化物層２４ｃの膜厚を５ｎｍ以下とすることにより、正孔のトンネリングを効率的に行うことができる。また、酸化物層２４ｃの膜厚を０．２ｎｍ以上とすることにより、十分に大きな双極子モーメントを得ることができる。酸化物層２４ｃの膜厚も０．８ｎｍ以上、３ｎｍ未満であることが好ましく、この場合、さらに効率的な正孔注入が可能となる。
　酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの合計の膜厚は、０．４ｎｍ以上、５ｎｍ以下であることが好ましい。上記合計の膜厚を５ｎｍ以下とすることにより、正孔のトンネリングを効率的に行うことができる。また、上記合計の膜厚を０．４ｎｍ以上とすることにより、十分に大きな双極子モーメントを得ることができる。上記合計の膜厚は、１．６ｎｍ以上、４ｎｍ未満であることがさらに好ましい。この場合、さらに効率的な正孔注入が可能となる。
　酸化物層２４ｂは、アモルファス（非晶質）の酸化物で形成されていてもよく、少なくとも酸化物層２４ｃとの接触面の一部が多結晶の酸化物で形成されていてもよい。また、酸化物層２４ｃも、アモルファスの酸化物で形成されていてもよく、少なくとも酸化物層２４ｂとの接触面の一部が多結晶の酸化物で形成されていてもよい。
　なお、酸化物層２４ｂは、酸化物層２４ｃとの接触面のみが多結晶化されていてもよく、酸化物層２４ｂ全体が多結晶の酸化物で構成されていてもよい。また、酸化物層２４ｃは、酸化物層２４ｂとの接触面のみが多結晶化されていてもよく、酸化物層２４ｃ全体が多結晶の酸化物で構成されていてもよい。言い換えれば、少なくとも酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの接触面において、これら酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのうち少なくとも一方の層が多結晶の酸化物を含んでいてもよい。
　本実施形態においては、酸化物層２４ｃ中の酸素原子密度が酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度より小さくなるように形成されれば、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃの多結晶化の方法は、特に限定されない。また、酸化物層２４ｃ中の酸素原子密度が酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度より小さくなるように形成されていれば、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃをそれぞれ構成する多結晶の酸化物の種類は、特に限定されない。なお、上記多結晶化の方法の一例としては、例えば、レーザ光を用いた熱処理が挙げられる。
　上述したように酸化物層２４ｂにおける少なくとも酸化物層２４ｃとの接触面の一部、及び、酸化物層２４ｃにおける少なくとも酸化物層２４ｂとの接触面の一部は、多結晶化されていてもよいが、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃは、それぞれアモルファス（非晶質）の酸化物からなることが、特に好ましい。酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃをそれぞれアモルファスの酸化物で形成することで、これら酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃの膜厚均一性を向上することができ、それぞれの表面の平坦性を向上させることができる（言い換えれば、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃにおける、互いの境界面（界面）の表面粗度を小さくすることができる）。この場合、電気双極子１が、上記境界面内で均一に形成されやすく、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの接触面全体において、正孔輸送層２４ａの価電子帯（ＨＴＬ価電子帯’）の上端と発光層２４ｄの価電子帯（発光層価電子帯）の上端とのエネルギー差ΔＥｖ’の面内分布を均一にすることができる。このため、トンネリングによる正孔伝導の均一性が改善され、発光効率が向上する。
　一方、酸化物層２４ｂにおける少なくとも酸化物層２４ｃとの接触面の一部が多結晶化されている場合、酸化物層２４ｂにおける、少なくとも、酸化物層２４ｃとの接触面の一部が、グレイン（粒）を含んでいてもよい。また、酸化物層２４ｃにおける少なくとも酸化物層２４ｂとの接触面の一部が多結晶化されている場合、酸化物層２４ｃにおける、少なくとも、酸化物層２４ｂとの接触面の一部が、グレイン（粒）を含んでいてもよい。
　このように少なくとも酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの接触面において、これら酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのうち、少なくとも一方の層がグレイン（粒）を含むことで、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面の面積が大きくなるため、より効率的に電気双極子１を形成することができる。このため、発光素子５における効率的な正孔注入が可能となる。
　上述したように、発光素子５は、少なくとも酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの接触面において、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのうち少なくとも一方の層が多結晶の酸化物を含んでいてもよい。
　また、発光素子５は、少なくとも酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの接触面において、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのうち何れか一方の層が多結晶の酸化物を含み、他方の層がアモルファス（非晶質）の酸化物で構成されていてもよい。例えば、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのうち、上層側の層がアモルファス（非晶質）の酸化物からなり、下層側の層の少なくとも上面の一部が多結晶化されていてもよい。この場合、下層側の層の上面がグレイン（粒）を含んでいてもよい。下層側の層の上面の表面粗度は、上層側の層における下層側の層との接触面（界面）にも反映される。
　したがって、例えば図２に示すように第１電極２２が発光層２４ｄよりも下層側の層であり、第２電極２５が発光層２４ｄよりも上層側の層である場合には、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのうち、上層側の層である酸化物層２４ｃがアモルファス（非晶質）の酸化物からなっていてもよい。そして、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのうち、下層側の層である酸化物層２４ｂの上面がグレイン（粒）を含んでいてもよい。この場合、酸化物層２４ｃを非晶質（アモルファス）の酸化物とすることで、グレインを含む酸化物層２４ｂに対する良好なカバレッジが得られるため、電気双極子１が形成されやすく、また、酸化物層２４ｃの膜厚均一性を向上できるため、酸化物層２４ｃにおけるトンネリングによる正孔伝導の均一性を向上できる。また、酸化物層２４ｂの上面がグレイン（粒）を含むことで、酸化物層２４ｂの上面と酸化物層２４ｃとの界面の面積が大きくなるため、より効率的に電気双極子１を形成することができる。この結果、発光素子５において、発光層２４ｄへの効率的な正孔注入が可能となる。
　なお、本実施形態では、上記接触面の少なくとも一方を多結晶化することによってグレイン（粒）を形成する場合を一例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、自発的な核成長を利用して、上記接触面の少なくとも一方における少なくとも一部にグレイン（粒）を形成してもよい。なお、勿論、酸化物層２４ｂ全体がグレイン（粒）を含んでいてもよく、酸化物層２４ｃ全体がグレイン（粒）を含んでいてもよい。
　また、酸化物層２４ｂにおける少なくとも酸化物層２４ｃとの接触面、あるいは、酸化物層２４ｃにおける少なくとも酸化物層２４ｂとの接触面において、グレイン（粒）は離散的に分布していてもよい。また、グレイン（粒）は、結晶を含む結晶粒（crystal grain）であってもよいし、非晶質相（アモルファス相）を含んでいてもよい。
　正孔注入は、正孔注入障壁が大きいところでは起こり難く、正孔注入障壁が小さいところでは起こりやすい。酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃをそれぞれアモルファスの酸化物で形成することで、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの二層間に形成される電気双極子１の面内密度ばらつきを小さくすることができるため、正孔注入障壁高さの面内ばらつきが抑制され、正孔注入効率の面内ばらつきを抑えることができる。この結果、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃを正孔が均一にトンネリングしやすくなり、発光素子５における、発光効率が向上する。
　また、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのうち、少なくとも一方の層は連続膜であることが好ましく、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのうち、少なくとも上層側の層が連続膜であることがより好ましい。すなわち、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのうち、後から成膜される方の膜は、支持体としての基板（例えば図１に示す例では、第１電極２２が形成されるアレイ基板である、基板１０、樹脂層１２、バリア層３、及びＴＦＴ層４を含む積層体）全体に対して全面形成される膜であってもよい。なお、ここで、連続膜とは、空隙率が１％未満の緻密な膜である。すなわち、連続膜とは、実質的に空隙を有しない膜である。
　つまり、図２に示すように第１電極２２が発光層２４ｄよりも下層側の層であり、第２電極２５が発光層２４ｄよりも上層側の層である場合には、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのうち、少なくとも、第２電極２５側（つまり、上層側）に位置する酸化物層２４ｃが連続膜であることが好ましい。また、第１電極２２が発光層２４ｄよりも上層側の層であり、第２電極２５が発光層２４ｄよりも下層側の層である場合には、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのうち、少なくとも、第１電極２２側（つまり、上層側）に位置する酸化物層２４ｂが連続膜であることが好ましい。
　この場合、これら酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのうち、少なくとも上層側の層は、例えば、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学気相成長法）、ＰＶＤ法（物理蒸着法）等で成膜することが望ましい。この場合、連続膜が形成される。このような方法で形成された酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとは、接触面積が大きくなり、電気双極子１が高密度に形成されやすい。なお、ナノ粒子等の微粒子を塗布して作製された層は、微粒子間に多数の空隙が形成されて多孔質状となるため、連続膜にはならない。
　図３の（ｂ）に示すように、正孔輸送層２４ａのイオン化ポテンシャルＩＰ１は、発光層２４ｄのイオン化ポテンシャルＩＰ２よりも小さく、発光層２４ｄのイオン化ポテンシャルＩＰ２は、酸化物層２４ｂのイオン化ポテンシャルＩＰ３及び酸化物層２４ｃのイオン化ポテンシャルＩＰ４より小さい。すなわち、（ｉ）正孔輸送層２４ａ、（ii）発光層２４ｄ、（iii）酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃ、の順にイオン化ポテンシャルが小さい。なお、図３の（ｂ）に示す例では、酸化物層２４ｂのイオン化ポテンシャルＩＰ３と酸化物層２４ｃのイオン化ポテンシャルＩＰ４とが等しい場合を例示しているが、これに限定されない。酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのバンドの位置は、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃの材料の選択によって決定されるものであるため、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとは、それぞれのイオン化ポテンシャルが異なっていてもよい。イオン化ポテンシャルは、正孔輸送層２４ａ、発光層２４ｄ、酸化物層２４ｂ、酸化物層２４ｃ、の順に小さくてもよいし、正孔輸送層２４ａ、発光層２４ｄ、酸化物層２４ｃ、酸化物層２４ｂ、の順に小さくてもよい。何れの場合にも、電気双極子１によって、正孔注入障壁高さを、エネルギー差ΔＥｖからエネルギー差ΔＥｖ’へと小さくすることができる。
　また、図３の（ｂ）に示すように、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃにおける、伝導帯の下端と価電子帯の上端との間のエネルギー差は、正孔輸送層２４ａにおける、ＨＴＬ伝導帯’の下端とＨＴＬ価電子帯’の上端との間のエネルギー差より大きい。このため、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのキャリア密度（正孔密度）は、正孔輸送層２４ａのキャリア密度（正孔密度）よりも小さく、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃは、正孔輸送層２４ａよりも絶縁性が高い。なお、ここで、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃにおける、伝導帯の下端と価電子帯の上端との間のエネルギー差とは、酸化物層２４ｂにおける、伝導帯の下端と価電子帯の上端との間のエネルギー差、及び、酸化物層２４ｃにおける、伝導帯の下端と価電子帯の上端との間のエネルギー差を示す。また、酸化物層２４ｂの伝導帯の下端と酸化物層２４ｂの価電子帯の上端との間のエネルギー差は、酸化物層２４ｂにおける、酸化物層２４ｂの伝導帯’の下端と酸化物層２４ｂの価電子帯’の上端との間のエネルギー差に等しく、酸化物層２４ｃの伝導帯の下端と酸化物層２４ｃの価電子帯の上端との間のエネルギー差は、酸化物層２４ｃにおける、酸化物層２４ｃの伝導帯’の下端と酸化物層２４ｃの価電子帯’の上端との間のエネルギー差に等しい。また、上述したように酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのキャリア密度（正孔密度）は、正孔輸送層２４ａのキャリア密度（正孔密度）よりも小さい。したがって、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃにおいては、トンネリングによる正孔伝導が行われる。なお、正孔輸送層２４ａのキャリア密度（正孔密度）は、例えば１×１０１５ｃｍ－３以上であることが好ましい。この場合、正孔輸送層２４ａの導電性が良好となる。また、正孔輸送層２４ａのキャリア密度（正孔密度）は、３×１０１７ｃｍ－３以下であることが好ましい。この場合、非発光再結合が抑制され、発光効率が向上する。
　前述したように、本実施形態においては、酸化物層２４ｃの酸素原子密度は、酸化物層２４ｂの酸素原子密度よりも小さい。
　なお、図３の（ｂ）に示す例においては、酸化物層２４ｂの伝導帯の下端と酸化物層２４ｂの価電子帯上端とのエネルギー差と、酸化物層２４ｃの伝導帯の下端と酸化物層２４ｃの価電子帯上端とのエネルギー差とが、等しい場合を示しているが、これに限定されない。酸化物層２４ｂの伝導帯の下端と酸化物層２４ｂの価電子帯上端とのエネルギー差は、酸化物層２４ｃの伝導帯の下端と酸化物層２４ｃの価電子帯上端とのエネルギー差より大きくてもよいし、小さくてもよい。
　図５は、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃを構成する酸化物の一例としての無機酸化物の酸素原子密度を示す図である。
　酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃを構成する酸化物は、例えば、図５に示す無機酸化物から２つを選択し、酸素原子密度の大きい方を、酸化物層２４ｂを構成する酸化物とし、酸素原子密度の小さい方を、酸化物層２４ｃを構成する酸化物とすればよい。
　前述したように、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃをそれぞれ構成する酸化物としては、例えば、図５に例示した酸化物のカチオンを複数含む複合酸化物を用いることもできる。
　酸化物層２４ｃの酸素原子密度を酸化物層２４ｂの酸素原子密度よりも低減することで、酸化物層２４ｃから酸化物層２４ｂの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子１を形成しやすくなり、発光層２４ｄへの正孔の注入効率を向上することができる。
　酸化物層２４ｃの酸素原子密度は、酸化物層２４ｂの酸素原子密度の９５％以下であることが好ましく、９０％以下であることがさらに好ましく、８５％以下であることがさらに好ましく、８０％以下であることがさらに好ましく、７５％以下であることがさらに好ましく、７０％以下であることがさらに好ましい。酸化物層２４ｂの酸素原子密度に対する酸化物層２４ｃの酸素原子密度が小さいほど、酸化物層２４ｂから酸化物層２４ｃの方向への酸素原子の移動が起こりやすく、酸化物層２４ｃから酸化物層２４ｂの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子１がより効率的に形成されるので、発光層２４ｄへのより効率的な正孔注入が可能となる。
　また、酸化物層２４ｃの酸素原子密度は、酸化物層２４ｂの酸素原子密度の５０％以上であることが好ましい。この場合、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面において、ダングリングボンド等による再結合中心が形成されるのを抑制することができる。
　なお、本開示における酸素原子密度は、酸化物層２４ｂまたは酸化物層２４ｃが有する固有の値として、酸化物層２４ｂまたは酸化物層２４ｃを構成する材料のバルクでの酸素原子密度を適用するものとする。
　図６は、酸化物層２４ｂを構成する酸化物と酸化物層２４ｃを構成する酸化物との組み合わせの一例を示す図である。
　図６に示す組み合わせは、酸化物層２４ｃ中の酸素原子密度が酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度よりも小さいため、図３の（ｂ）に示すように電気双極子１が形成され、正孔輸送層２４ａから発光層２４ｄへの効率的な正孔注入が可能となる。
　なお、図６に示す、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃをそれぞれ構成する酸化物の組み合わせは、あくまでも一例である。酸化物層２４ｃの酸素原子密度が酸化物層２４ｂの酸素原子密度よりも小さい限り、これらの組み合わせに限定されることはない。
　なお、図６では、一例として、酸化物層２４ｂが１種類のカチオンを含む酸化物からなる場合を例に挙げて示しているが、酸化物層２４ｂは、１種類のカチオンを含む酸化物で構成されていてもよく、複数種類のカチオンを含む酸化物で構成されていてもよい。つまり、酸化物層２４ｂは、複数の酸化物を混合してなる組成物で構成されていてもよく、酸化物層２４ｃの酸素原子密度が酸化物層２４ｂの酸素原子密度よりも小さい限り、例えば、図５に例示の酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物等で形成されていてもよい。同様に、酸化物層２４ｃは、複数の酸化物を混合してなる組成物で構成されていてもよく、酸化物層２４ｃの酸素原子密度が酸化物層２４ｂの酸素原子密度よりも小さい限り、例えば、図５に例示の酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物等で形成されていてもよい。
　また、酸化物層２４ｃ（より厳密には、酸化物層２４ｃを構成する酸化物）は、酸化物層２４ｂに含まれるカチオン（つまり、酸化物層２４ｂを構成する酸化物に含まれるカチオン）を含んでいてもよい。また、酸化物層２４ｂ（より厳密には、酸化物層２４ｂを構成する酸化物）は、酸化物層２４ｃに含まれるカチオン（つまり、酸化物層２４ｃを構成する酸化物に含まれるカチオン）を含んでいてもよい。何れの場合にも、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとが、共通のカチオンを含んでいることで、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの格子不整合を緩和する構造とすることができる。この結果、格子不整合による欠陥の発生を抑制し、酸化物層２４ｃから酸化物層２４ｂの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子１をより効率的に形成することができるので、正孔輸送層２４ａから発光層２４ｄへのより効率的な正孔注入が可能となる。
　なお、酸化物層２４ｂ（より厳密には、酸化物層２４ｂを構成する酸化物）は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含んでいてもよいが、その含有率は小さい方が好ましい。酸化物層２４ｂにおいて、酸化物層２４ｂに含まれる全カチオンの合計の数密度に対する、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏの合計の数密度の割合は、５０％未満が好ましく、２０％以下がさらに好ましく、１０％以下が好ましく、４％以下がさらに好ましく、１％以下がさらに好ましく、０．４％以下がさらに好ましく、０．１％未満がさらに好ましい。この場合、酸化物層２４ｂ中におけるキャリア密度が大きくなるのを防ぐことができるため、発光効率が向上する。また、酸化物層２４ｂ（より厳密には、酸化物層２４ｂを構成する酸化物）は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏの何れも含まないことがさらに好ましい。
　また、酸化物層２４ｃ（より厳密には、酸化物層２４ｃを構成する酸化物）は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含んでいてもよいが、その含有率は小さい方が好ましい。酸化物層２４ｃにおいて、酸化物層２４ｃに含まれる全カチオンの合計の数密度に対する、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏの合計の数密度の割合は、５０％未満が好ましく、２０％以下がさらに好ましく、１０％以下が好ましく、４％以下がさらに好ましく、１％以下がさらに好ましく、０．４％以下がさらに好ましく、０．１％未満がさらに好ましい。この場合、酸化物層２４ｃ中におけるキャリア密度が大きくなるのを防ぐことができるため、発光効率が向上する。また、酸化物層２４ｃ（より厳密には、酸化物層２４ｃを構成する酸化物）は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏの何れも含まないことがさらに好ましい。
　＜変形例＞
　図７は、本変形例に係る発光素子５における正孔注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。
　図３の（ｂ）では、前述したように、イオン化ポテンシャルが、（ｉ）正孔輸送層２４ａ、（ii）発光層２４ｄ、（iii）酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃ、の順に小さい場合を例に挙げて図示した。
　発光素子５におけるイオン化ポテンシャルについては、正孔輸送層２４ａのイオン化ポテンシャルＩＰ１が発光層２４ｄのイオン化ポテンシャルＩＰ２よりも小さく、発光層２４ｄのイオン化ポテンシャルＩＰ２が、酸化物層２４ｂのイオン化ポテンシャルＩＰ３及び酸化物層２４ｃのイオン化ポテンシャルＩＰ４より小さければよい。酸化物層２４ｂのイオン化ポテンシャルＩＰ３と酸化物層２４ｃのイオン化ポテンシャルＩＰ４との大小関係は、材料の選択によって決定されるものであるため、酸化物層２４ｂのイオン化ポテンシャルＩＰ３と酸化物層２４ｃのイオン化ポテンシャルＩＰ４との大小関係については、特に制約はない。イオン化ポテンシャルは、図７に示すように、正孔輸送層２４ａ、発光層２４ｄ、酸化物層２４ｂ、酸化物層２４ｃ、の順に小さくてもよい。また、イオン化ポテンシャルは、正孔輸送層２４ａ、発光層２４ｄ、酸化物層２４ｃ、酸化物層２４ｂ、の順に小さくてもよい。何れの場合にも、電気双極子１によって、正孔注入障壁高さを、エネルギー差ΔＥｖからエネルギー差ΔＥｖ’へと、小さくすることができる。
　〔実施形態２〕
　図８は、本実施形態に係る発光素子５５における正孔注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。
　本実施形態に係る発光装置は、実施形態１に係る発光装置（例えば表示装置２）において、発光素子として、図８に示す発光素子５５を備えている。本実施形態に係る発光素子５５は、以下に説明する点を除けば、実施形態１に係る発光素子５と同じ構成を有している。具体的には、本実施形態に係る発光素子５５は、正孔輸送層２４ａが酸化物からなる。図８に示すように、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとは、正孔輸送層２４ａと発光層２４ｄとの間に、正孔輸送層２４ａ側（言い換えれば、第１電極２２側）から、この順に積層されているとともに、正孔輸送層２４ａと酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとは、互いに接して積層されている。なお、前述したように、酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度と酸化物層２４ｃ中の酸素原子密度とは異なる。また、正孔輸送層２４ａ中の酸素原子の密度（以下、「正孔輸送層２４ａの酸素原子密度」と称する場合がある）と、該正孔輸送層２４ａに隣接する酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度とは異なる。この場合、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面のみならず、正孔輸送層２４ａと酸化物層２４ｂとの界面においても、酸素原子の移動が起こり、電気双極子が形成されやすい。
　実施形態１で説明した通り、酸化物層２４ｃの酸素原子密度は、酸化物層２４ｂの酸素原子密度よりも小さいことが好ましい。この場合、正孔輸送層２４ａと発光層２４ｄとの間の正孔注入障壁高さが小さくなり、発光層２４ｄへの効率的な正孔注入が可能となる。
　本実施形態においては、酸化物層２４ｂの酸素原子密度は、正孔輸送層２４ａの酸素原子密度よりも小さいことが好ましい。この場合、正孔輸送層２４ａと発光層２４ｄの間における正孔注入障壁高さが小さくなり、発光層２４ｄへの効率的な正孔注入が可能となる。
　また、本実施形態においては、酸化物層２４ｂの酸素原子密度が正孔輸送層２４ａの酸素原子密度よりも小さく、酸化物層２４ｃの酸素原子密度が酸化物層２４ｂの酸素原子密度よりも小さいことがさらに好ましい。この場合、正孔輸送層２４ａと発光層２４ｄの間における正孔注入障壁高さ（エネルギー差ΔＥｖ’）が、実施形態１の場合よりも小さくなり、発光層２４ｄへのさらに効率的な正孔注入が可能となる。この結果、発光素子５５における発光効率が向上する。
　以下、本実施形態では、酸化物層２４ｂの酸素原子密度が正孔輸送層２４ａの酸素原子密度よりも小さく、酸化物層２４ｃの酸素原子密度が酸化物層２４ｂの酸素原子密度よりも小さい場合を例に挙げて説明する。この場合、実施形態１と同じく酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面において、酸化物層２４ｂから酸化物層２４ｃの方向への酸素原子の移動が起こりやすい。また、正孔輸送層２４ａと酸化物層２４ｂとの界面において、正孔輸送層２４ａから酸化物層２４ｂの方向への酸素原子の移動が起こりやすい。このため、図８に示すように、実施形態１と同じく、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面において、酸化物層２４ｃから酸化物層２４ｂの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子１が形成される。また、正孔輸送層２４ａと酸化物層２４ｂとの界面において、酸化物層２４ｂから正孔輸送層２４ａの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子３１が形成される。なお、本実施形態の発光素子５５において、互いに隣り合う正孔輸送層２４ａと酸化物層２４ｂとの界面において、酸素原子が移動する機構は、図４の（ａ）において、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面において、酸素原子が移動する機構と同じである。したがって、図４の（ａ）・（ｂ）において、「２４ｂ」、「２４ｃ」、「１」は、順に、「２４ａ」、「２４ｂ」、「３１」と読み替えることができる。
　このように、電気双極子１・３１が形成されると、図８に示すように、電気双極子１が形成される界面である、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面、及び、電気双極子３１が形成される界面である、正孔輸送層２４ａと酸化物層２４ｂとの界面を境にして、それぞれ、電気双極子１、及び、電気双極子３１による、真空準位のシフトが起こる。この結果、図８に示すように、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面を境にして、第１電極２２側のバンドの位置（フェルミ準位、伝導帯下端、及び価電子帯上端の位置等）が、第２電極２５側のバンドの位置に対して下方向に移動するとともに、正孔輸送層２４ａと酸化物層２４ｂとの界面を境にして、第１電極２２側のバンドの位置が、第２電極２５側のバンドの位置に対して下方向に移動する。つまり、図８に示す例の場合、正孔輸送層２４ａのバンドの位置及び酸化物層２４ｂのバンドの位置が、発光層２４ｄのバンドの位置及び酸化物層２４ｃのバンドの位置に対して下方向に移動（バンドシフト）する。また、正孔輸送層２４ａのバンドの位置が、酸化物層２４ｂのバンドの位置、発光層２４ｄのバンドの位置及び酸化物層２４ｃのバンドの位置に対してさらに下方向に移動（バンドシフト）する。図示はしないが、このとき、第２電極２５側のバンドの位置には、発光層２４ｄよりも第２電極２５側の層のバンドの位置も含まれることは、言うまでもない。なお、図８でも、電気双極子１・３１による真空準位のシフトが起こる前の正孔輸送層２４ａのバンドの位置を一点鎖線で示すとともに、電気双極子１による真空準位のシフトが起こる前の酸化物層２４ｂのバンドの位置を二点鎖線で示している。また、電気双極子１・３１による真空準位のシフト後の真空準位を点線で示している。
　具体的には、電気双極子１・３１が形成されると、正孔輸送層２４ａのＨＴＬ価電子帯はＨＴＬ価電子帯’に、酸化物層２４ｂの価電子帯は酸化物層２４ｂの価電子帯’に、それぞれ移動する。また、正孔輸送層２４ａのＨＴＬ伝導帯はＨＴＬ伝導帯’に、酸化物層２４ｂの伝導帯は酸化物層２４ｂの伝導帯’に、それぞれ移動する。この移動によって、ＨＴＬ価電子帯の上端と発光層価電子帯の上端とのエネルギー差ΔＥｖは、ＨＴＬ価電子帯’の上端と発光層価電子帯の上端とのエネルギー差ΔＥｖ’となる。この結果、電気双極子１・３１形成後のエネルギー差ΔＥｖ’（言い換えれば、電気双極子１・３１形成後の正孔注入障壁高さ）は、エネルギー差ΔＥｖ（言い換えれば、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃを形成しない場合の正孔注入障壁高さ）よりも小さくなる。
　実施形態１の発光素子５同様、発光素子５５において、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃの膜厚が十分に薄い場合、正孔は酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃをトンネリングにより伝導できるため、正孔輸送層２４ａと発光層２４ｄとの間の正孔注入障壁高さは、実効的にＨＴＬ価電子帯’の上端と発光層価電子帯の上端とのエネルギー差ΔＥｖ’となる。
　本実施形態によれば、上述したように正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ、及び酸化物層２４ｃを形成することにより、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面、及び、正孔輸送層２４ａと酸化物層２４ｂとの界面、の２つの界面において、酸化物層２４ｃから正孔輸送層２４ａの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメント１・３１がそれぞれ形成される。このため、本実施形態によれば、実施形態１と比較して、正孔輸送層２４ａのバンドの位置が、発光層２４ｄのバンドの位置及び酸化物層２４ｃのバンドの位置に対して、より下方向に移動する。この移動によって、ＨＴＬ価電子帯’の上端と発光層価電子帯の上端とのエネルギー差ΔＥｖ’が、実施形態１よりもさらに小さくなる。このため、本実施形態によれば、実施形態１よりもさらに効率的な正孔注入が可能となる。
　図９は、正孔輸送層２４ａを構成する酸化物の一例としての無機酸化物の酸素原子密度を示す図である。
　正孔輸送層２４ａを構成する酸化物は、例えば、図９に示す無機酸化物から、酸化物層２４ｂの酸素原子密度よりも酸素原子密度の大きい無機酸化物を選択し、該無機酸化物を、正孔輸送層２４ａを構成する酸化物としてもよい。また、図９に示す無機酸化物から正孔輸送層２４ａを構成する酸化物を選択した後、図５または図６に示す無機酸化物及びその組み合わせから、正孔輸送層２４ａの酸素原子密度よりも酸素原子密度の小さい無機酸化物の組み合わせを選択して、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃとしてもよい。
　正孔輸送層２４ａを構成する酸化物としては、例えば、図９に例示した酸化物のカチオンを複数含む複合酸化物を用いることもできる。また、正孔輸送層２４ａは、Ｎｉ及びＣｕのうち、少なくとも１つを含む酸化物からなっていてもよい。また、正孔輸送層２４ａは、酸素以外の最も多く含まれる元素がＮｉ及びＣｕのうちの何れかである酸化物からなっていてもよい。
　本実施形態でも、酸化物層２４ｃの酸素原子密度を酸化物層２４ｂの酸素原子密度よりも低減することで、酸化物層２４ｃから酸化物層２４ｂの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子１を形成しやすくなり、正孔の注入効率を向上することができる。また、本実施形態によれば、正孔輸送層２４ａに隣り合う酸化物層２４ｂの酸素原子密度を正孔輸送層２４ａの酸素原子密度よりも低減することで、酸化物層２４ｂから正孔輸送層２４ａの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子３１を形成しやすくなり、正孔の注入効率をより向上することができる。
　なお、上述したように正孔輸送層２４ａが酸化物からなる場合、酸化物層２４ｂの酸素原子密度は、正孔輸送層２４ａの酸素原子密度の９５％以下であることが好ましく、９０％以下であることがさらに好ましく、８５％以下であることがさらに好ましく、８０％以下であることがさらに好ましく、７５％以下であることがさらに好ましく、７０％以下であることがさらに好ましい。また、実施形態１同様、酸化物層２４ｃの酸素原子密度は、酸化物層２４ｂの酸素原子密度の９５％以下であることが好ましく、９０％以下であることがさらに好ましく、８５％以下であることがさらに好ましく、８０％以下であることがさらに好ましく、７５％以下であることがさらに好ましく、７０％以下であることがさらに好ましい。正孔輸送層２４ａの酸素原子密度に対する酸化物層２４ｂの酸素原子密度が小さいほど、正孔輸送層２４ａから酸化物層２４ｂの方向への酸素原子の移動が起こりやすく、酸化物層２４ｂから正孔輸送層２４ａの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子３１がより効率的に形成される。また、酸化物層２４ｂの酸素原子密度に対する酸化物層２４ｃの酸素原子密度が小さいほど、酸化物層２４ｂから酸化物層２４ｃの方向への酸素原子の移動が起こりやすく、酸化物層２４ｃから酸化物層２４ｂの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子１がより効率的に形成される。
　また、酸化物層２４ｃの酸素原子密度は、酸化物層２４ｂの酸素原子密度の５０％以上であることが好ましい。この場合、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面において、ダングリングボンド等による再結合中心が形成されるのを抑制することができる。
　また、酸化物層２４ｂの酸素原子密度は、正孔輸送層２４ａの酸素原子密度の５０％以上であることが好ましい。この場合、正孔輸送層２４ａと酸化物層２４ｂとの界面において、ダングリングボンド等による再結合中心が形成されるのを抑制することができる。
　この結果、正孔輸送層２４ａから発光層２４ｄへのより効率的な正孔注入が可能となる。なお、本開示における酸素原子密度は、正孔輸送層２４ａが有する固有の値として、正孔輸送層２４ａを構成する材料のバルクでの酸素原子密度を適用するものとする。
　図１０は、正孔輸送層２４ａを構成する酸化物と、該正孔輸送層２４ａに隣り合う酸化物層２４ｂを構成する酸化物との組み合わせの一例を示す図である。
　図１０に示す組み合わせは、酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度が正孔輸送層２４ａ中の酸素原子密度よりも小さいため、図８に示すように電気双極子３１が形成され、正孔輸送層２４ａから発光層２４ｄへの効率的な正孔注入が可能となる。
　なお、図１０に示す、正孔輸送層２４ａ及び酸化物層２４ｂをそれぞれ構成する酸化物の組み合わせは、あくまでも一例である。本実施形態においては、酸化物層２４ｂの酸素原子密度が正孔輸送層２４ａの酸素原子密度よりも小さい限り、これらの組み合わせに限定されることはない。
　なお、図１０では、一例として、正孔輸送層２４ａが、ＮｉＯまたはＣｕＡｌＯ２からなる場合を例に挙げて示しているが、これらの材料に限定されない。正孔輸送層２４ａは、１種類のカチオンを含む酸化物で構成されていてもよく、複数種類のカチオンを含む酸化物で構成されていてもよい。つまり、本実施形態においては、酸化物層２４ｂの酸素原子密度が正孔輸送層２４ａの酸素原子密度よりも小さい限り、正孔輸送層２４ａは、例えば、図９に例示の複数の酸化物を混合してなる組成物で構成されていてもよく、例えば、図９に例示の酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物等で形成されていてもよい。また、酸化物層２４ｂの酸素原子密度が正孔輸送層２４ａの酸素原子密度よりも小さい限り、正孔輸送層２４ａは、Ｎｉ及びＣｕのうち、少なくとも１つを含む酸化物からなっていてもよい。また、酸化物層２４ｂの酸素原子密度が正孔輸送層２４ａの酸素原子密度よりも小さい限り、正孔輸送層２４ａは、酸素以外の最も多く含まれる元素がＮｉ及びＣｕのうちの何れかである酸化物からなっていてもよい。
　また、酸化物層２４ｂ（より厳密には、酸化物層２４ｂを構成する酸化物）は、正孔輸送層２４ａに含まれるカチオン（つまり、正孔輸送層２４ａを構成する酸化物に含まれるカチオン）を含んでいてもよいが、その含有率は小さい方が好ましい。酸化物層２４ｂに、「正孔輸送層２４ａに含まれるカチオン」が含まれる場合、酸化物層２４ｂに含まれる全カチオンに対する、酸化物層２４ｂに含まれる当該「正孔輸送層２４ａに含まれるカチオン」の数密度の割合は、５０％未満が好ましく、２０％以下がさらに好ましく、１０％以下がさらに好ましく、４％以下がさらに好ましく、１％以下がさらに好ましく、０．４％以下がさらに好ましく、０．１％未満がさらに好ましい。この場合、当該「正孔輸送層２４ａに含まれるカチオン」が酸化物層２４ｂに含まれることによって酸化物層２４ｂ中における正孔密度が大きくなるのを抑制することができる。また、酸化物層２４ｂ（より厳密には、酸化物層２４ｂを構成する酸化物）は、「正孔輸送層２４ａに含まれるカチオン」を含まないことがさらに好ましい。
　また、正孔輸送層２４ａ（より厳密には、正孔輸送層２４ａを構成する酸化物）は、酸化物層２４ｂに含まれるカチオン（つまり、酸化物層２４ｂを構成する酸化物に含まれるカチオン）を含んでいてもよいが、その含有率は小さい方が好ましい。正孔輸送層２４ａに、「酸化物層２４ｂに含まれるカチオン」が含まれる場合、正孔輸送層２４ａに含まれる全カチオンに対する、正孔輸送層２４ａに含まれる当該「酸化物層２４ｂに含まれるカチオン」の数密度の割合は、５０％未満が好ましく、２０％以下がさらに好ましく、１０％以下がさらに好ましく、４％以下がさらに好ましく、１％以下がさらに好ましく、０．４％以下がさらに好ましく、０．１％未満がさらに好ましい。この場合、当該「酸化物層２４ｂに含まれるカチオン」が正孔輸送層２４ａに含まれることによって正孔輸送層２４ａにおける正孔移動度が低下するのを抑制することができる。また、正孔輸送層２４ａ（より厳密には、正孔輸送層２４ａを構成する酸化物）は、「酸化物層２４ｂに含まれるカチオン」を含まないことがさらに好ましい。
　なお、酸化物層２４ｂ（より厳密には、酸化物層２４ｂを構成する酸化物）は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含んでいてもよいが、その含有率は小さい方が好ましい。酸化物層２４ｂにおいて、酸化物層２４ｂに含まれる全カチオンの合計の数密度に対する、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏの合計の数密度の割合は、５０％未満が好ましく、２０％以下がさらに好ましく、１０％以下がさらに好ましく、４％以下がさらに好ましく、１％以下がさらに好ましく、０．４％以下がさらに好ましく、０．１％未満がさらに好ましい。この場合、酸化物層２４ｂ中におけるキャリア密度が大きくなるのを防ぐことができるため、発光効率が向上する。また、酸化物層２４ｂ（より厳密には、酸化物層２４ｂを構成する酸化物）は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏの何れも含まないことがさらに好ましい。
　また、酸化物層２４ｃ（より厳密には、酸化物層２４ｃを構成する酸化物）は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含んでいてもよいが、その含有率は小さい方が好ましい。酸化物層２４ｃにおいて、酸化物層２４ｃに含まれる全カチオンの合計の数密度に対する、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏの合計の数密度の割合は、５０％未満が好ましく、２０％以下がさらに好ましく、１０％以下がさらに好ましく、４％以下がさらに好ましく、１％以下がさらに好ましく、０．４％以下がさらに好ましく、０．１％未満がさらに好ましい。この場合、酸化物層２４ｃ中におけるキャリア密度が大きくなるのを防ぐことができるため、発光効率が向上する。また、酸化物層２４ｃ（より厳密には、酸化物層２４ｃを構成する酸化物）は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏの何れも含まないことがさらに好ましい。
　なお、上述したように正孔輸送層２４ａが酸化物で形成されている場合、正孔輸送層２４ａは、アモルファスの酸化物で形成されていてもよいし、少なくとも酸化物層２４ｂとの接触面の一部が多結晶の酸化物で形成されていてもよい。つまり、後者の場合、正孔輸送層２４ａは、酸化物層２４ｂとの接触面のみが多結晶化されていてもよく、正孔輸送層２４ａ全体が多結晶の酸化物で構成されていてもよい。
　また、実施形態１で説明したように、酸化物層２４ｂは、アモルファスの酸化物で形成されていてもよく、少なくとも酸化物層２４ｃとの接触面の一部が多結晶の酸化物で形成されていてもよい。また、酸化物層２４ｃも、アモルファスの酸化物で形成されていてもよく、少なくとも酸化物層２４ｂとの接触面の一部が多結晶の酸化物で形成されていてもよい。
　酸化物層２４ｃの酸素原子密度が酸化物層２４ｂの酸素原子密度よりも小さく、かつ、酸化物層２４ｂの酸素原子密度が正孔輸送層２４ａの酸素原子密度より小さくなるように形成されれば、これら正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ、及び酸化物層２４ｃの多結晶化の方法は、特に限定されない。また、酸化物層２４ｃの酸素原子密度が酸化物層２４ｂの酸素原子密度よりも小さく、かつ、酸化物層２４ｂの酸素原子密度が正孔輸送層２４ａの酸素原子密度より小さくなるように形成されていれば、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ、及び酸化物層２４ｃをそれぞれ構成する多結晶の酸化物の種類は、特に限定されない。なお、本実施形態でも、上記多結晶化の方法の一例としては、例えば、レーザ光を用いた熱処理が挙げられる。
　本実施形態によれば、例えば、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ、及び酸化物層２４ｃがそれぞれアモルファスの酸化物からなることで、これら正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ、及び酸化物層２４ｃの膜厚均一性を向上することができ、それぞれの表面の平坦性を向上させることができる。この場合、正孔輸送層２４ａと酸化物層２４ｂとの界面全体で、電気双極子３１が均一に形成されやすい。また、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面全体で、電気双極子１が均一に形成されやすい。このため、トンネリングによる正孔伝導の効率向上を実現でき、発光素子５５における、発光層２４ｄへの効率的な正孔注入が可能となる。
　また、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃがそれぞれアモルファスの酸化物からなり、正孔輸送層２４ａにおける、少なくとも、酸化物層２４ｂとの接触面の一部が多結晶の酸化物からなる場合、酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃの膜厚均一性を向上することができるため、電気双極子３１の面内密度ばらつきを抑制することができる。また、この場合、正孔輸送層２４ａにおける、少なくとも、酸化物層２４ｂとの接触面の一部が、グレイン（粒）を含む。このため、酸化物層２４ｂをアモルファスの酸化物によって形成することにより、グレインを含む正孔輸送層２４ａに対する良好なカバレッジが得られるため、酸化物層２４ｂと正孔輸送層２４ａとの接触面積が大きくなり、より効率的に電気双極子３１を形成することができる。このように正孔輸送層２４ａと酸化物層２４ｂとの接触面において、これら正孔輸送層２４ａ及び酸化物層２４ｂのうち少なくとも一方の層がグレイン（粒）を含むことで、正孔輸送層２４ａと酸化物層２４ｂとの界面の面積が大きくなる。このため、より効率的に電気双極子３１を形成することができ、発光素子５５における効率的な正孔注入が可能となる。しかも、正孔輸送層２４ａの表面粗度は、正孔輸送層２４ａと酸化物層２４ｂとの接触面（界面）並びに酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの接触面（界面）にも反映される。この結果、正孔輸送層２４ａと酸化物層２４ｂとの界面の面積及び酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面の面積が大きくなる。
　このため、この場合には、電気双極子１・３１をより効率的に形成することができるので、発光素子５５における、発光層２４ｄへの効率的な正孔注入が可能となる。
　なお、本実施形態では、正孔輸送層２４ａにおける、酸化物層２４ｂとの接触面を多結晶化することによってグレイン（粒）を形成する場合を一例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、自発的な核成長を利用して、上記接触面の少なくとも一方における少なくとも一部にグレイン（粒）を形成してもよい。なお、勿論、正孔輸送層２４ａ全体がグレイン（粒）を含んでいてもよい。
　また、正孔輸送層２４ａにおける少なくとも酸化物層２４ｂとの接触面において、グレイン（粒）は離散的に分布していてもよい。また、グレイン（粒）は、結晶を含む結晶粒（crystal grain）であってもよいし、非晶質相（アモルファス相）を含んでいてもよい。
　〔実施形態３〕
　酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃの少なくとも一方は、島状に形成されていてもよい。図１１及び図１２は、それぞれ、本実施形態に係る発光素子１５５・２５５の概略構成を模式的に示す断面図である。
　本実施形態に係る発光装置は、実施形態１に係る発光装置（例えば表示装置２）において、発光素子として、図１１に示す発光素子１５５または図１２に示す発光素子２５５を備えている。本実施形態に係る発光素子１５５・２５５は、それぞれ、以下に説明する点を除けば、実施形態１に係る発光素子あるいは実施形態２に係る発光素子と同じ構成を有していてもよい。具体的には、図１１に示す発光素子１５５では、第１電極２２が発光層２４ｄよりも上層に位置し、第２電極２５が発光層２４ｄよりも下層に位置する。酸化物層２４ｂと接する酸化物層２４ｃは、島状に複数個形成されている。酸化物層２４ｃは、スパッタ法、ＣＶＤ法等を用いて自発的な核成長を利用して島状に形成することができる。また、薄膜を形成後、エッチング等により島状に加工してもよい。
　図１１に示す例では、酸化物層２４ｃが島状に複数個形成されているので、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面の面積が大きくなる。このため、この場合、電気双極子１をより効率的に形成することができるので、発光素子１５５における、発光層２４ｄへの効率的な正孔注入が可能となる。
　なお、図１１に示す例では、上層である第１電極２２を光反射性材料で形成し、下層である第２電極２５を透光性材料で形成する。これにより、上記発光素子１５５を含むボトムエミッション型の表示装置を実現できる。なお、上記発光素子１５５を含む表示装置においては、第１電極２２をベタ状の共通層として形成し、薄膜トランジスタ素子Ｔｒ（ＴＦＴ素子）に電気的に接続された第２電極２５をサブピクセルごとに形成している。
　また、図１１に示す例において、上層である第１電極２２を透光性材料で形成し、下層である第２電極２５を光反射性材料で形成してもよい。これにより、上記発光素子１５５を含むトップエミッション型の表示装置を実現できる。
　図１２に示す発光素子２５５では、実施形態１と同じく、第１電極２２が発光層２４ｄよりも下層に位置し、第２電極２５が発光層２４ｄよりも上層に位置する。酸化物層２４ｃと接する酸化物層２４ｂは、島状に複数個形成されている。酸化物層２４ｂは、スパッタ法、ＣＶＤ法等を用いて自発的な核成長を利用して島状に形成することができる。また、薄膜を形成後、エッチング等により島状に加工してもよい。
　図１２に示す例では、酸化物層２４ｂが島状に複数個形成されているので、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面の面積が大きくなる。このため、この場合にも、電気双極子１をより効率的に形成することができるので、発光素子２５５における、発光層２４ｄへの効率的な正孔注入が可能となる。
　なお、図１２に示す例では、下層である第１電極２２を光反射性材料で形成し、上層である第２電極２５を透光性材料で形成する。これにより、上記発光素子２５５を含むトップエミッション型の表示装置を実現できる。なお、上記発光素子２５５を含む表示装置においては、第２電極２５をベタ状の共通層として形成し、薄膜トランジスタ素子Ｔｒ（ＴＦＴ素子）に電気的に接続された第１電極２２をサブピクセルごとに形成している。
　また、図１２に示す例において、下層である第１電極２２を透光性材料で形成し、上層である第２電極２５を光反射性材料で形成してもよい。これにより、上記発光素子２５５を含むボトムエミッション型の表示装置を実現できる。
　〔実施形態４〕
　図１３は、本実施形態の発光素子３５５の概略構成を模式的に示す断面図である。
　本実施形態に係る発光装置は、実施形態１に係る発光装置（例えば表示装置２）において、発光素子として、図１３に示す発光素子３５５を備えている。なお、以下の説明において、実施形態１～３の何れかに記載の構成要素と同じ符号を付した構成要素は、特に言及しない限りは、実施形態１～３の何れに記載の構成要素と同じ構成を有していてもよい。
　図１３に示すように、本実施形態の発光素子３５５は、第１電極（正孔注入層：ＨＩＬ）２２と、第２電極（電子注入層：ＥＩＬ）２５と、第１電極２２と第２電極２５との間に備えられた発光層２４ｄとを含む。第２電極２５と発光層２４ｄとの間には、発光層２４ｄ側（言い換えれば、第１電極２２側）から、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）と、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）と、電子輸送層（ＥＴＬ）２４ｅとが、この順に、例えば、互いに接して積層されている。なお、酸化物層２２４ｂ中の酸素原子の密度と酸化物層２２４ｃ中の酸素原子の密度とは異なる。発光層２４ｄと第１電極２２との間には、正孔輸送層（ＨＴＬ）２４ｅが備えられている。
　したがって、発光素子３５５は、例えば上層側から、第１電極２２（アノード）と、正孔輸送層２４ａと、発光層２４ｄと、電子輸送層２４ｅと、第２電極２５（カソード）と、をこの順に備えるとともに、発光層２４ｄと電子輸送層２４ｅとの間に、酸化物層２２４ｂと、該酸化物層２２４ｂに接する酸化物層２２４ｃと、を第１電極２２側からこの順に備えている。
　なお、後述するように、本実施形態でも、発光素子における各層の積層順は逆であってもよい。したがって、本実施形態に係る発光素子３５５は、例えば下層側から、第１電極２２（アノード）と、正孔輸送層２４ａと、発光層２４ｄと、電子輸送層２４ｅと、第２電極２５（カソード）と、をこの順に備えるとともに、発光層２４ｄと電子輸送層２４ｅとの間に、酸化物層２２４ｂと、該酸化物層２２４ｂに接する酸化物層２２４ｃと、を第１電極２２側からこの順に備えていてもよい。
　つまり、本実施形態では、第２電極２５上に電子輸送層２４ｅが形成されている。そして、電子輸送層２４ｅ上に、酸化物層２２４ｃ、酸化物層２２４ｂ、発光層２４ｄが、この順に形成され、発光層２４ｄ上に、正孔輸送層２４ａ、第１電極２２が、この順に形成されている。
　第２電極２５は導電性材料からなり、電子輸送層２４ｅに電子を注入する電子注入層（ＥＩＬ）の機能を有する。第１電極２２は導電性材料からなり、正孔輸送層２４ａに正孔を注入する正孔注入層（ＨＩＬ）の機能を有する。
　第１電極２２及び第２電極２５の少なくとも一方は、透光性材料（例えば透明導電膜）からなる。なお、第１電極２２及び第２電極２５の何れか一方は、光反射性材料（例えば金属）で形成してもよい。表示装置２をトップエミッション型の表示装置とする場合、上層である第１電極２２を透光性材料で形成し、下層である第２電極２５を光反射性材料で形成する。表示装置２をボトムエミッション型の表示装置とする場合、上層である第１電極２２を光反射性材料で形成し、下層である第２電極２５を透光性材料で形成する。第１電極２２及び第２電極２５としては、実施形態１で説明した、第１電極２２及び第２電極２５の材料と同様の材料を用いることができる。
　なお、第１電極２２から第２電極２５までの積層順は、逆にすることもできる。また、ベタ状の共通層として形成する第１電極２２（積層順が逆の場合は第２電極２５）を除いた、第２電極２５（積層順が逆の場合は第１電極２２）と、電子輸送層２４ｅと、酸化物層２２４ｃと、酸化物層２２４ｂと、発光層２４ｄと、正孔輸送層２４ａとは、サブピクセルＳＰごとに島状に形成してもよい。また、上記構成に代えて、第２電極２５（積層順が逆の場合は第１電極２２）と発光層２４ｄとをサブピクセルＳＰごとに島状に形成し、これらの層を除いた、電子輸送層２４ｅと、酸化物層２２４ｃと、酸化物層２２４ｂと、正孔輸送層２４ａと、第１電極２２（積層順が逆の場合は第２電極２５）と、のうち、少なくとも１層を、ベタ状の共通層として形成してもよい。
　正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅは、実施形態１で説明した通りである。前述したように、電子輸送性材料は、酸化物であってもよく、酸化物以外の材料であってもよい。したがって、電子輸送層２４ｅは、該電子輸送層２４ｅ中に酸素原子を有していてもよいし、酸素原子を有していなくてもよい。上記電子輸送性材料が酸化物である場合（言い換えれば、電子輸送層２４ｅが酸化物からなる場合）、該電子輸送層２４ｅ中の酸素原子の密度（以下、「電子輸送層２４ｅの酸素原子密度」と称する場合がある）は、後述する実施形態５に示すように酸化物層２２４ｃの酸素原子密度よりも小さいことが望ましい。しかしながら、電子輸送層２４ｅの酸素原子密度は、酸化物層２２４ｃの酸素原子密度と同じであっても構わない。また、電子輸送層２４ｅの酸素原子密度は、酸化物層２２４ｃの酸素原子密度よりも大きい場合もあり得る。
　酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃは、電子輸送層２４ｅとは別に設けられていることから、電子輸送層２４ｅの材料選択の自由度を低下させることなく、自由に電気双極子を形成することができる。したがって、発光層２４ｄへの電子注入量を自在に制御することができる。
　酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃは、実施形態１の酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃ同様、例えば無機酸化物で形成されている。また、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃは、無機絶縁体からなることが望ましい。酸化物層２２４ｂとしては、実施形態１で例示した、酸化物層２４ｂと同様の材料を用いることができる。また、酸化物層２２４ｃとしては、実施形態１で例示した、酸化物層２４ｃと同様の材料を用いることができる。
　本実施形態でも、キャリア輸送層（但し、本実施形態では電子輸送層２４ｅ）と発光層２４ｄとの間に設けられた、互いに隣り合う酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのうち、第１電極２２から遠い方の酸化物層（第２酸化物層）である酸化物層２２４ｃ中の酸素原子の密度は、第１電極２２に近い方の酸化物層（第１酸化物層）である酸化物層２２４ｂ中の酸素原子の密度よりも小さいことが好ましい。なお、以下、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子の密度を、「酸化物層２２４ｃの酸素原子密度」と称する場合がある。また、酸化物層２２４ｂ中の酸素原子の密度を、「酸化物層２２４ｂの酸素原子密度」と称する場合がある。
　図１５の（ａ）は、本実施形態の発光素子３５５において互いに隣り合う、第１電極２２側（言い換えれば、発光層２４ｄ側）の酸化物層２２４ｂと第２電極２５側（言い換えれば、電子輸送層２４ｅ側）の酸化物層２２４ｃとの界面において、酸素原子が移動する機構を説明するための図であり、図１５の（ｂ）は、上記酸化物層２２４ｂと上記酸化物層２２４ｃとの界面において、酸素原子の移動により電気双極子１’が形成された状態を示す図である。
　上述したように、本実施形態の酸化物層２２４ｃの酸素原子密度は、酸化物層２２４ｂの酸素原子密度よりも小さい。このため、図１５の（ａ）に示すように、酸化物層２２４ｃ上に、該酸化物層２２４ｃに接して酸化物層２２４ｂが形成されると、これら酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの界面において、酸化物層２２４ｂから酸化物層２２４ｃの方向への酸素原子の移動が起こりやすくなる。酸素原子の移動が起こると、酸素空孔がプラスに、移動した酸素原子がマイナスに帯電する。
　これにより、図１５の（ｂ）に図示するように、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの界面においては、酸化物層２２４ｃから酸化物層２２４ｂの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子１’が生じる。
　図１４の（ａ）は、比較例である発光素子における電子注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図であり、図１４の（ｂ）は、発光素子３５５における電子注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。
　図１４の（ａ）に示すように、電子輸送層２４ｅと発光層２４ｄとが直接接する比較例である発光素子においては、発光層２４ｄの伝導帯（発光層伝導帯）の下端と電子輸送層２４ｅの伝導帯（ＥＴＬ伝導帯）の下端とのエネルギー差ΔＥｃが大きい。このエネルギー差ΔＥｃは、電子注入障壁の高さとなるため、図１４の（ａ）に示す発光素子では、発光層２４ｄに対して効率的な電子注入ができない。
　一方、本実施形態に係る発光素子３５５は、図１４の（ｂ）に示すように、電子輸送層２４ｅと発光層２４ｄとの間に、電子輸送層２４ｅ側から、酸化物層２２４ｃと酸化物層２２４ｂとが互いに接してこの順に積層されており、かつ、前述したように、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度は、酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度よりも小さい。このため、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの界面において、酸化物層２２４ｂから酸化物層２２４ｃの方向への酸素原子の移動が起こりやすく、該界面において、酸化物層２２４ｃから酸化物層２２４ｂの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子１’が形成される。
　このように、電気双極子１’が形成されると、図１４の（ｂ）に示すように、電気双極子１’が形成される界面である、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの界面を境にして、電気双極子１’による真空準位のシフトが起こる。この結果、図１４の（ｂ）に示すように、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの界面を境にして、第２電極２５側のバンドの位置（伝導帯下端及び価電子帯上端の位置）は、第１電極２２側のバンドの位置に対して上方向に移動する。つまり、図１４の（ｂ）に示す例の場合、電子輸送層２４ｅのバンドの位置及び酸化物層２２４ｃのバンドの位置が、発光層２４ｄのバンドの位置及び酸化物層２２４ｂのバンドの位置に対して上方向に移動（バンドシフト）する。図示はしないが、このとき、第１電極２２側のバンドの位置には、発光層２４ｄよりも第２電極２５側の層のバンドの位置も含まれることは、言うまでもない。なお、図１４の（ｂ）では、電気双極子１’による真空準位のシフトが起こる前の電子輸送層２４ｅのバンドの位置を一点鎖線で示すとともに、電気双極子１’による真空準位のシフトが起こる前の酸化物層２２４ｃのバンドの位置を二点鎖線で示している。また、電気双極子１’による真空準位のシフト後の真空準位を点線で示している。
　具体的には、電気双極子１’が形成されると、電子輸送層２４ｅのＥＴＬ伝導帯はＥＴＬ伝導帯’に、電子輸送層２４ｅの価電子帯（ＥＴＬ価電子帯）はＥＴＬ価電子帯’に、それぞれ移動する。この移動によって、発光層伝導帯の下端とＥＴＬ伝導帯の下端とのエネルギー差ΔＥｃは、発光層伝導帯の下端とＥＴＬ伝導帯’の下端とのエネルギー差ΔＥｃ’となる。この結果、電気双極子１’形成後のエネルギー差ΔＥｃ’（言い換えれば、電気双極子１’形成後の電子注入障壁高さ）は、エネルギー差ΔＥｃ（言い換えれば、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃを形成しない場合の電子注入障壁高さ）よりも小さくなる。
　発光素子３５５において、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃの膜厚が十分に薄い場合、電子は酸化物層２２４ｃ及び酸化物層２２４ｂをトンネリングにより伝導できるため、電子輸送層２４ｅと発光層２４ｄとの間の電子注入障壁高さは、実効的に発光層伝導帯の下端とＥＴＬ伝導帯’の下端とのエネルギー差ΔＥｃ’となる。本実施形態によれば、このように酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃを形成することにより、効率的な電子注入が可能となる。
　なお、本開示において、エネルギー差ΔＥｃ’とは、「電気双極子形成後における、発光層２４ｄの伝導帯下端と電子輸送層２４ｅの伝導帯下端とのエネルギー差」を示す。したがって、本実施形態において、「電気双極子形成後」とは、「電気双極子１’形成後」を示し、「電気双極子形成後における、発光層２４ｄの伝導帯下端と電子輸送層２４ｅの伝導帯下端とのエネルギー差」とは、上述したように、「電気双極子１’形成後における、発光層伝導帯の下端とＥＴＬ伝導帯’の下端とのエネルギー差」を示す。また、本開示において、エネルギー差ΔＥｃ’の符号は、電気双極子形成後において、発光層２４ｄの伝導帯下端（本実施形態では発光層伝導帯の下端）が、電子輸送層２４ｅの伝導帯下端（本実施形態ではＥＴＬ伝導帯’の下端）より高エネルギー側（バンド図における上側）にある場合を正（ΔＥｃ’＞０）とし、電気双極子形成後において、発光層２４ｄの伝導帯下端（本実施形態では発光層伝導帯の下端）が、電子輸送層２４ｅの伝導帯下端（本実施形態ではＥＴＬ伝導帯’の下端）より低エネルギー側（バンド図における下側）にある場合を負（ΔＥｃ’＜０）とする。
　同様に、本開示において、エネルギー差ΔＥｃとは、「電気双極子形成前（言い換えれば、真空準位のシフトがない状態）における、発光層２４ｄの伝導帯下端（つまり、発光層伝導帯の下端）と電子輸送層２４ｅの伝導帯下端（つまり、ＥＴＬ伝導帯の下端）とのエネルギー差である。また、本開示において、エネルギー差ΔＥｃの符号は、電気双極子形成前において、発光層２４ｄの伝導帯下端（つまり、発光層伝導帯の下端）が、電子輸送層２４ｅの伝導帯下端（つまり、ＥＴＬ伝導帯の下端）より高エネルギー側（バンド図における上側）にある場合を正（ΔＥｃ＞０）とし、電気双極子形成後において、発光層２４ｄの伝導帯下端（つまり、発光層伝導帯の下端）が、電子輸送層２４ｅの伝導帯下端（つまり、ＥＴＬ伝導帯の下端）より低エネルギー側（バンド図における下側）にある場合を負（ΔＥｃ＜０）とする。
　電子注入障壁高さが負の場合、電子注入障壁が存在しないことを意味する。
　なお、図１４の（ｂ）では、二点鎖線で示す、電気双極子１’による真空準位のシフトが起こる前の酸化物層２２４ｃのバンドの位置と、酸化物層２２４ｂのバンドの位置と、が同じである場合を例に挙げて図示している。しかしながら、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのバンドの位置は、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃの材料の選択によって決定されるため、図１４の（ｂ）に示す例に限定されない。また、図１４の（ｂ）に示す例では、電気双極子１’の形成によりバンドシフトが起こった後のＥＴＬ伝導帯’の下端が、発光層伝導帯の下端よりも下に位置する場合を例に挙げて図示している。しかしながら、バンドシフトが起こった後のＥＴＬ伝導帯’の下端は、発光層伝導帯の上端よりも上に位置してもよく、上に位置する方がより好ましい。
　酸化物層２２４ｂの膜厚は、０．２ｎｍ以上、５ｎｍ以下であることが好ましい。酸化物層２２４ｂの膜厚を５ｎｍ以下とすることにより、電子のトンネリングを効率的に行うことができる。また、酸化物層２２４ｂの膜厚を０．２ｎｍ以上とすることにより、十分に大きな双極子モーメントを得ることができる。酸化物層２２４ｂの膜厚は、０．８ｎｍ以上、３ｎｍ未満であることがさらに好ましい。この場合、さらに効率的な電子注入が可能となる。
　同様に、酸化物層２２４ｃの膜厚は、０．２ｎｍ以上、５ｎｍ以下であることが好ましい。酸化物層２２４ｃの膜厚を５ｎｍ以下とすることにより、電子のトンネリングを効率的に行うことができる。また、酸化物層２２４ｃの膜厚を０．２ｎｍ以上とすることにより、十分に大きな双極子モーメントを得ることができる。酸化物層２２４ｃの膜厚も０．８ｎｍ以上、３ｎｍ未満であることが好ましく、この場合、さらに効率的な電子注入が可能となる。
　酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの合計の膜厚は、０．４ｎｍ以上、５ｎｍ以下であることが好ましい。上記合計の膜厚を５ｎｍ以下とすることにより、電子のトンネリングを効率的に行うことができる。また、上記合計の膜厚を０．４ｎｍ以上とすることにより、十分に大きな双極子モーメントを得ることができる。上記合計の膜厚は、１．６ｎｍ以上、４ｎｍ未満であることがさらに好ましい。この場合、さらに効率的な電子注入が可能となる。
　酸化物層２２４ｂは、アモルファス（非晶質）の酸化物で形成されていてもよく、少なくとも酸化物層２２４ｃとの接触面の一部が多結晶の酸化物で形成されていてもよい。また、酸化物層２２４ｃも、アモルファスの酸化物で形成されていてもよく、少なくとも酸化物層２２４ｂとの接触面の一部が多結晶の酸化物で形成されていてもよい。
　なお、酸化物層２２４ｂは、酸化物層２２４ｃとの接触面のみが多結晶化されていてもよく、酸化物層２２４ｂ全体が多結晶の酸化物で構成されていてもよい。また、酸化物層２２４ｃは、酸化物層２２４ｂとの接触面のみが多結晶化されていてもよく、酸化物層２２４ｃ全体が多結晶の酸化物で構成されていてもよい。言い換えれば、少なくとも酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの接触面において、これら酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのうち少なくとも一方の層が多結晶の酸化物を含んでいてもよい。
　酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度が酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度より小さくなるように形成されれば、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃの多結晶化の方法は、特に限定されない。また、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度が酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度より小さくなるように形成されていれば、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃをそれぞれ構成する多結晶の酸化物の種類は、特に限定されない。なお、本実施形態でも、上記多結晶化の方法の一例としては、例えば、レーザ光を用いた熱処理が挙げられる。
　酸化物層２２４ｂにおける少なくとも酸化物層２２４ｃとの接触面の一部、及び、酸化物層２２４ｃにおける少なくとも酸化物層２２４ｂとの接触面の一部は、多結晶化されていてもよいが、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃは、それぞれアモルファス（非晶質）の酸化物からなることが、特に好ましい。酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃをそれぞれアモルファスの酸化物で形成することで、これら酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃの膜厚均一性を向上することができ、それぞれの表面の平坦性を向上させることができる（言い換えれば、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃにおける、互いの境界面（界面）の表面粗度を小さくすることができる）。この場合、電気双極子１’が、上記境界面内で均一に形成されやすく、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの接触面全体において、発光層２４ｄの伝導帯（発光層伝導帯）の下端と電子輸送層２４ｅの伝導帯（ＥＴＬ伝導帯’）の下端とのエネルギー差ΔＥｃ’の面内分布を均一にすることができる。このため、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとにおける、トンネリングによる電子伝導の均一性を向上できる。
　一方、酸化物層２２４ｂにおける少なくとも酸化物層２２４ｃとの接触面の一部が多結晶化されている場合、酸化物層２２４ｂにおける、少なくとも、酸化物層２２４ｃとの接触面の一部が、グレイン（粒）を含んでいてもよい。また、酸化物層２２４ｃにおける少なくとも酸化物層２２４ｂとの接触面の一部が多結晶化されている場合、酸化物層２２４ｃにおける、少なくとも、酸化物層２２４ｂとの接触面の一部が、グレイン（粒）を含んでいてもよい。
　このように少なくとも酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの接触面において、これら酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのうち少なくとも一方の層がグレイン（粒）を含むことで、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの界面の面積が大きくなるため、より効率的に電気双極子１’を形成することができる。このため、発光素子３５５における効率的な電子注入が可能となる。
　上述したように、発光素子３５５は、少なくとも酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの接触面において、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのうち少なくとも一方の層が多結晶の酸化物を含んでいてもよい。
　また、発光素子３５５は、少なくとも酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの接触面において、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのうち何れか一方の層が多結晶の酸化物を含み、他方の層がアモルファス（非晶質）の酸化物で構成されていてもよい。例えば、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのうち、上層側の層がアモルファス（非晶質）の酸化物からなり、下層側の層の少なくとも上面の一部が多結晶化されていてもよい。この場合、下層側の層の上面がグレイン（粒）を含んでいてもよい。
　したがって、例えば図１３に示すように第２電極２５が発光層２４ｄよりも下層側の層であり、第１電極２２が発光層２４ｄよりも上層側の層である場合には、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのうち、上層側の層である酸化物層２２４ｂがアモルファス（非晶質）の酸化物からなっていてもよい。そして、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのうち、下層側の層である酸化物層２２４ｃの上面がグレイン（粒）を含んでいてもよい。この場合、酸化物層２２４ｂを非晶質（アモルファス）の酸化物とすることで、酸化物層２２４ｂの膜厚均一性を向上できるため、酸化物層２２４ｂにおけるトンネリングによる電子伝導の均一性を向上できる。また、酸化物層２２４ｃの上面がグレイン（粒）を含むことで、酸化物層２２４ｃの上面と酸化物層２２４ｂとの界面の面積が大きくなるため、より効率的に電気双極子１’を形成することができる。この結果、発光素子３５５において、発光層２４ｄへの効率的な電子注入が可能となる。
　なお、本実施形態でも、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの接触面の少なくとも一部において、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのうち少なくとも一方を多結晶化することによってグレイン（粒）を形成してもよい。また、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、自発的な核成長を利用して、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの接触面において、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのうちの少なくとも一方がグレイン（粒）を含むように、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃを形成してもよい。なお、勿論、酸化物層２２４ｂ全体がグレイン（粒）を含んでいてもよく、酸化物層２２４ｃ全体がグレイン（粒）を含んでいてもよい。
　また、酸化物層２２４ｂにおける少なくとも酸化物層２２４ｃとの接触面、あるいは、酸化物層２２４ｃにおける少なくとも酸化物層２２４ｂとの接触面において、グレイン（粒）は離散的に分布していてもよい。また、グレイン（粒）は、結晶を含む結晶粒（crystal grain）であってもよいし、非晶質相（アモルファス相）を含んでいてもよい。
　正孔同様、電子注入も電子注入障壁が大きいところでは起こり難く、電子注入障壁が小さいところでは起こりやすい。酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃをそれぞれアモルファスの酸化物で形成することで、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの界面に形成される電気双極子１’の面内密度ばらつきを小さくすることができるため、電子注入障壁高さの面内ばらつきが抑制される。この結果、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃを電子が均一にトンネリングしやすくなり、発光素子３５５における、発光の均一性が向上する。
　また、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのうち、少なくとも一方の層は連続膜であることが好ましく、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのうち、少なくとも上層側の層が連続膜であることがより好ましい。すなわち、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのうち、後から成膜される方の膜は、支持体としての基板（例えば、第２電極２５が形成されるアレイ基板である、図１に示す、基板１０、樹脂層１２、バリア層３、及びＴＦＴ層４を含む積層体）全体に対して全面形成される膜であってもよい。なお、前述したように、連続膜とは、空隙率が１％未満の緻密な膜である。つまり、連続膜とは、前述したように、実質的に空隙を有しない膜である。
　なお、少なくとも酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの接触面において、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのうち、下層側の層がグレインを含み、上層側の層が連続膜であってもよい。
　図１３に示すように第２電極２５が発光層２４ｄよりも下層側の層であり、第１電極２２が発光層２４ｄよりも上層側の層である場合には、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのうち、少なくとも、第１電極２２側（つまり、上層側）に位置する酸化物層２２４ｂが連続膜であることが好ましい。また、第２電極２５が発光層２４ｄよりも上層側の層であり、第１電極２２が発光層２４ｄよりも下層側の層である場合には、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのうち、少なくとも、第２電極２５側（つまり、上層側）に位置する酸化物層２２４ｃが連続膜であることが好ましい。
　この場合、これら酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのうち、少なくとも上層側の層は、例えば、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学気相成長法）、ＰＶＤ法（物理蒸着法）等で成膜することが望ましい。このような方法で形成された酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとは、接触面積が大きくなり、電気双極子１’が高密度に形成されやすい。
　図１４の（ｂ）に示すように、電子輸送層２４ｅの電子親和力ＥＡ１は、発光層２４ｄの電子親和力ＥＡ２よりも大きく、発光層２４ｄの電子親和力ＥＡ２は、酸化物層２２４ｂの電子親和力ＥＡ３及び酸化物層２２４ｃの電子親和力ＥＡ４より大きい。つまり、本実施形態においては、（ｉ）電子輸送層２４ｅ、（ii）発光層２４ｄ、（iii）酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃ、の順に電子親和力が大きい。なお、図１４の（ｂ）に示す例では、酸化物層２２４ｂの電子親和力ＥＡ３と酸化物層２２４ｃの電子親和力ＥＡ４とが等しい場合を例示しているが、これに限定されない。酸化物層２２４ｂの電子親和力ＥＡ３と酸化物層２２４ｃの電子親和力ＥＡ４との関係は、材料の選択によって決定されるものであるため、酸化物層２２４ｂの電子親和力ＥＡ３と酸化物層２２４ｃの電子親和力ＥＡ４との関係については、特に制約はない。電子親和力は、電子輸送層２４ｅ、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ、酸化物層２２４ｃ、の順に大きくてもよいし、電子輸送層２４ｅ、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｃ、酸化物層２２４ｂ、の順に大きくてもよい。何れの場合にも、電気双極子１’によって、電子注入障壁高さを、エネルギー差ΔＥｃからエネルギー差ΔＥｃ’へと小さくすることができる。
　また、図１４の（ｂ）に示すように、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃにおける、伝導帯の下端と価電子帯の上端との間のエネルギー差は、電子輸送層２４ｅにおける、ＥＴＬ伝導帯’の下端とＥＴＬ価電子帯’の上端との間のエネルギー差より大きい。したがって、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃは、電子輸送層２４ｅよりも絶縁性が高い。
　また、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃのキャリア密度（電子密度）は、電子輸送層２４ｅのキャリア密度（電子密度）よりも小さい。したがって、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃにおいては、トンネリングによる電子伝導が行われる。なお、電子輸送層２４ｅは、前述したようにｎ型半導体であることが好ましい。また、電子輸送層２４ｅのキャリア密度（電子密度）は、１×１０１５ｃｍ－３以上であることが好ましい。この場合、電子輸送層２４ｅの導電性が良好となる。また、電子輸送層２４ｅのキャリア密度（電子密度）は、３×１０１７ｃｍ－３以下であることが好ましい。この場合、非発光再結合が抑制され、発光効率が向上する。
　上述したように、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃとしては、それぞれ、実施形態１の酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃと同様の材料を用いることができる。本実施形態では、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃを構成する酸化物として、例えば、図５に示す無機酸化物から２つを選択し、酸素原子密度の小さい方を、酸化物層２２４ｃを構成する酸化物とし、酸素原子密度の大きい方を、酸化物層２２４ｂを構成する酸化物とすればよい。
　酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃをそれぞれ構成する酸化物としては、例えば、図５に例示した酸化物のカチオンを複数含む複合酸化物を用いることもできる。
　酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度を酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度よりも小さくすることで、酸化物層２２４ｃから酸化物層２２４ｂの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子１’を形成しやすくなり、電子の注入効率を向上することができる。
　酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度は、酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度の９５％以下であることが好ましく、９０％以下であることがさらに好ましく、８５％以下であることがさらに好ましく、８０％以下であることがさらに好ましく、７５％以下であることがさらに好ましく、７０％以下であることがさらに好ましい。酸化物層２２４ｂの酸素原子密度に対する酸化物層２２４ｃの酸素原子密度が小さいほど、酸化物層２２４ｂから酸化物層２２４ｃの方向への酸素原子の移動が起こりやすく、酸化物層２２４ｃから酸化物層２２４ｂの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子１’がより効率的に形成されるので、電子輸送層２４ｅから発光層２４ｄへのより効率的な電子注入が可能となる。
　また、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度は、酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度の５０％以上であることが好ましい。この場合、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの界面において、ダングリングボンド等による再結合中心が形成されるのを抑制することができる。
　なお、本開示における酸素原子密度は、酸化物層２２４ｂまたは酸化物層２２４ｃが有する固有の値として、酸化物層２２４ｂまたは酸化物層２２４ｃを構成する材料のバルクでの酸素原子密度を適用するものとする。
　図１６は、酸化物層２２４ｂを構成する酸化物と酸化物層２２４ｃを構成する酸化物との組み合わせの一例を示す図である。
　図１６に示す組み合わせは、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度が酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度よりも小さいため、図１５の（ｂ）に示すように電気双極子１’が形成され、電子輸送層２４ｅから発光層２４ｄへの効率的な電子注入が可能となる。
　なお、図１６に示す、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃをそれぞれ構成する酸化物の組み合わせは、あくまでも一例である。酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度が酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度よりも小さい限り、これらの組み合わせに限定されることはない。
　なお、図１６では、一例として、酸化物層２２４ｃが１種類のカチオンを含む酸化物からなる場合を例に挙げて示しているが、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃは、それぞれ、カチオンが１種類の酸化物で構成されていてもよく、複数種類のカチオンを含む酸化物で構成されていてもよい。つまり、酸化物層２２４ｂは、複数の酸化物を混合してなる組成物で構成されていてもよく、前述したように、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度が酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度よりも小さい限り、例えば、図９に例示の酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物等で形成されていてもよい。同様に、酸化物層２２４ｃは、複数の酸化物を混合してなる組成物で構成されていてもよく、前述したように、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度が酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度よりも小さい限り、例えば、図９に例示の酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物等で形成されていてもよい。
　また、酸化物層２２４ｃ（より厳密には、酸化物層２２４ｃを構成する酸化物）は、酸化物層２２４ｂに含まれるカチオン（つまり、酸化物層２２４ｂを構成する酸化物に含まれるカチオン）を含んでいてもよい。また、酸化物層２２４ｂ（より厳密には、酸化物層２２４ｂを構成する酸化物）は、酸化物層２２４ｃに含まれるカチオン（つまり、酸化物層２２４ｃを構成する酸化物に含まれるカチオン）を含んでいてもよい。何れの場合にも、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとが、共通のカチオンを含んでいることで、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの格子不整合を緩和する構造とすることができる。この結果、格子不整合による欠陥の発生を抑制し、酸化物層２２４ｃから酸化物層２２４ｂの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子１’をより効率的に形成することができるので、電子輸送層２４ｅから発光層２４ｄへのより効率的な電子注入が可能となる。
　なお、酸化物層２２４ｂ（より厳密には、酸化物層２２４ｂを構成する酸化物）は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含んでいてもよいが、その含有率は小さい方が好ましい。酸化物層２２４ｂにおいて、酸化物層２２４ｂに含まれる全カチオンの合計の数密度に対する、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏの合計の数密度の割合は、５０％未満が好ましく、２０％以下がさらに好ましく、１０％以下がさらに好ましく、４％以下がさらに好ましく、１％以下がさらに好ましく、０．４％以下がさらに好ましく、０．１％未満がさらに好ましい。この場合、酸化物層２２４ｂ中におけるキャリア密度が大きくなるのを防ぐことができるため、発光効率が向上する。また、酸化物層２２４ｂ（より厳密には、酸化物層２２４ｂを構成する酸化物）は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏの何れも含まないことがさらに好ましい。
　また、酸化物層２２４ｃ（より厳密には、酸化物層２２４ｃを構成する酸化物）は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含んでいてもよいが、その含有率は小さい方が好ましい。酸化物層２２４ｃにおいて、酸化物層２２４ｃに含まれる全カチオンの合計の数密度に対する、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏの合計の数密度の割合は、５０％未満が好ましく、２０％以下がさらに好ましく、１０％以下がさらに好ましく、４％以下がさらに好ましく、１％以下がさらに好ましく、０．４％以下がさらに好ましく、０．１％未満がさらに好ましい。この場合、酸化物層２２４ｃ中におけるキャリア密度が大きくなるのを防ぐことができるため、発光効率が向上する。また、酸化物層２２４ｃ（より厳密には、酸化物層２２４ｃを構成する酸化物）は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏの何れも含まないことがさらに好ましい。
　〔実施形態５〕
　図１７は、本実施形態に係る発光素子４５５における電子注入障壁を説明するためのエネルギーバンド図である。
　本実施形態に係る発光装置は、実施形態１に係る発光装置（例えば表示装置２）において、発光素子として、図１７に示す発光素子４５５を備えている。本実施形態に係る発光素子４５５は、電子輸送層２４ｅが酸化物からなる点を除き、実施形態４に係る発光素子３５５（図１３参照）と同じ構成を有している。
　発光素子４５５は、図１３に示す発光素子３５５と同様に、酸化物層２２４ｂと、酸化物層２２４ｃと、電子輸送層２４ｅとが、第２電極２５と発光層２４ｄとの間に、発光層２４ｄ側（言い換えれば、第１電極２２側）から、この順に、例えば互いに接して積層されているとともに、発光層２４ｄと第１電極２２との間に、正孔輸送層２４ａが備えられている。なお、前述したように、酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度と酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度とは異なる。また、電子輸送層２４ｅ中の酸素原子密度と、該電子輸送層２４ｅに隣接する酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度とは異なる。この場合、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面のみならず、電子輸送層２４ｅと酸化物層２２４ｃとの界面においても、酸素原子の移動が起こり、電気双極子が形成されやすい。
　実施形態４で説明した通り、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度は、酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度より小さいことが好ましい。この場合、電子輸送層２４ｅと発光層２４ｄとの間における電子注入障壁高さが小さくなり、発光層２４ｄへの効率的な電子注入が可能となる。
　電子輸送層２４ｅ中の酸素原子密度は、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度よりも小さいことが好ましい。この場合、電子輸送層２４ｅと発光層２４ｄとの間における電子注入障壁高さが小さくなり、発光層２４ｄへのさらに効率的な電子注入が可能となる。
　また、電子輸送層２４ｅ中の酸素原子密度が酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度よりも小さく、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度が酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度よりも小さいことがさらに好ましい。この場合、電子輸送層２４ｅと発光層２４ｄとの間における電子注入障壁高さ（エネルギー差ΔＥｃ’）が、実施形態４の場合よりも小さくなり、発光層２４ｄへのさらに効率的な電子注入が可能となる。この結果、発光素子４５５における発光効率が向上する。
　以下、本実施形態では、電子輸送層２４ｅ中の酸素原子密度が酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度よりも小さく、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度が酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度よりも小さい場合を例に挙げて説明する。この場合、実施形態４と同じく酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの界面において、酸化物層２２４ｂから酸化物層２２４ｃの方向への酸素原子の移動が起こりやすい。また、電子輸送層２４ｅと酸化物層２２４ｃとの界面において、酸化物層２２４ｃから電子輸送層２４ｅの方向への酸素原子の移動が起こりやすい。このため、図１７に示すように、実施形態４と同じく、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの界面において、酸化物層２２４ｃから酸化物層２２４ｂの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子１’が形成される。また、電子輸送層２４ｅと酸化物層２２４ｃとの界面において、電子輸送層２４ｅから酸化物層２２４ｃの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子４１が形成される。なお、本実施形態の発光素子４５５において、互いに隣り合う酸化物層２２４ｃと電子輸送層２４ｅとの界面において、酸素原子が移動する機構は、図１５の（ａ）において、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの界面において、酸素原子が移動する機構と同じである。したがって、図１５の（ａ）・（ｂ）において、「２２４ｂ」、「２２４ｃ」、「１’」は、順に、「２２４ｃ」、「２４ｅ」、「４１」と読み替えることができる。
　このように、電気双極子１’・４１が形成されると、図１７に示すように、電気双極子１’が形成される界面である、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの界面、及び、電気双極子４１が形成される界面である、電子輸送層２４ｅと酸化物層２２４ｃとの界面において、それぞれ、電気双極子１’・４１による真空準位のシフトが起こる。この結果、図１７に示すように、電子輸送層２４ｅのバンドの位置及び酸化物層２２４ｃのバンドの位置が、発光層２４ｄのバンドの位置及び酸化物層２２４ｂのバンドの位置に対して上方向に移動（バンドシフト）する。また、電子輸送層２４ｅのバンドの位置が、酸化物層２２４ｃのバンドの位置、酸化物層２２４ｂのバンドの位置、及び発光層２４ｄのバンドの位置に対してさらに上方向に移動（バンドシフト）する。なお、図１７でも、電気双極子１’・４１による真空準位のシフトが起こる前の電子輸送層２４ｅのバンドの位置を一点鎖線で示すとともに、電気双極子１による真空準位のシフトが起こる前の酸化物層２２４ｃのバンドの位置を二点鎖線で示している。また、電気双極子１’・４１による真空準位のシフト後の真空準位を点線で示している。
　具体的には、電気双極子１’・４１が形成されると、電子輸送層２４ｅのＥＴＬ価電子帯はＥＴＬ価電子帯’に、酸化物層２２４ｃの価電子帯は酸化物層２２４ｃの価電子帯’に、それぞれ移動する。また、電子輸送層２４ｅのＥＴＬ伝導帯はＥＴＬ伝導帯’に、酸化物層２２４ｃの伝導帯は酸化物層２２４ｃの伝導帯’に、それぞれ移動する。この移動によって、発光層伝導帯の下端とＥＴＬ伝導帯の下端とのエネルギー差ΔＥｃは、発光層伝導帯の下端とＥＴＬ伝導帯’の下端とのエネルギー差ΔＥｃ’となる。この結果、電気双極子１’・４１形成後のエネルギー差ΔＥｃ’（言い換えれば、電気双極子１’・４１形成後の電子注入障壁高さ）は、エネルギー差ΔＥｃ（言い換えれば、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃを形成しない場合の電子注入障壁高さ）よりも小さくなる。
　実施形態４に係る発光素子３５５同様、発光素子４５５において、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃの膜厚が十分に薄い場合、電子は酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃをトンネリングにより伝導できるため、電子輸送層２４ｅと発光層２４ｄとの間の電子注入障壁高さは、実効的に発光層伝導帯の下端とＥＴＬ伝導帯’の下端とのエネルギー差ΔＥｃ’となる。
　本実施形態によれば、上述したように電子輸送層２４ｅ、酸化物層２２４ｃ、及び酸化物層２２４ｂを形成することにより、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの界面、及び、電子輸送層２４ｅと酸化物層２２４ｃとの界面、の２つの界面において、電子輸送層２４ｅから発光層２４ｄの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントがそれぞれ形成される。このため、本実施形態によれば、実施形態４と比較して、電子輸送層２４ｅのバンドの位置が、発光層２４ｄのバンドの位置及び酸化物層２２４ｂのバンドの位置に対して、より上方向に移動する。この移動によって、発光層伝導帯の下端とＥＴＬ伝導帯’の下端とのエネルギー差ΔＥｃ’が、実施形態４よりもさらに小さくなる。このため、本実施形態によれば、実施形態４よりもさらに効率的な電子注入が可能となる。
　図１８は、電子輸送層２４ｅを構成する酸化物の一例としての無機酸化物の酸素原子密度を示す図である。
　電子輸送層２４ｅを構成する酸化物は、例えば、図１８に示す無機酸化物から、酸化物層２２４ｃの酸素原子密度よりも酸素原子密度の小さい無機酸化物を選択し、該無機酸化物を、電子輸送層２４ｅを構成する酸化物としてもよい。また、図１８に示す無機酸化物から電子輸送層２４ｅを構成する酸化物を選択した後、図５または図１６に示す無機酸化物及びその組み合わせから、電子輸送層２４ｅの酸素原子密度よりも酸素原子密度の大きい無機酸化物の組み合わせを選択して、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃとしてもよい。また、電子輸送層２４ｅ中の酸素原子密度が酸化物層２２４ｃより小さく、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度が酸化物層２２４ｂの酸素原子密度より小さくなるように、電子輸送層２４ｅを構成する酸化物を、図１８に例示した酸化物より選択し、酸化物層２２４ｃ、および酸化物層２２４ｂを構成する酸化物を、図５に例示した酸化物、または、図１６に例示した酸化物の組み合わせから選択すればよい。
　電子輸送層２４ｅを構成する酸化物としては、例えば、図１８に例示した酸化物のカチオンを複数含む複合酸化物を用いることもできる。また、電子輸送層２４ｅは、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎのうち、少なくとも１つを含む酸化物からなっていてもよい。また、電子輸送層２４ｅは、酸素以外の最も多く含まれる元素が、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎのうちの何れかである酸化物からなっていてもよい。
　本実施形態でも、酸化物層２２４ｃの酸素原子密度を酸化物層２２４ｂの酸素原子密度よりも小さくすることで、酸化物層２２４ｃから酸化物層２２４ｂの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子１’を形成しやすくなり、電子の注入効率を向上することができる。また、本実施形態によれば、電子輸送層２４ｅの酸素原子密度を、該電子輸送層２４ｅに隣り合う酸化物層２２４ｃの酸素原子密度よりも小さくすることで、電子輸送層２４ｅから酸化物層２２４ｃの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子４１を形成しやすくなり、電子の注入効率をより向上することができる。
　なお、上述したように電子輸送層２４ｅが酸化物からなる場合、電子輸送層２４ｅ中の酸素原子密度は、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度の９５％以下であることが好ましく、９０％以下であることがさらに好ましく、８５％以下であることがさらに好ましく、８０％以下であることがさらに好ましく、７５％以下であることがさらに好ましく、７０％以下であることがさらに好ましい。また、実施形態４同様、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度は、酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度の９５％以下であることが好ましく、９０％以下であることがさらに好ましく、８５％以下であることがさらに好ましく、８０％以下であることがさらに好ましく、７５％以下であることがさらに好ましく、７０％以下であることがさらに好ましい。酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度に対する電子輸送層２４ｅ中の酸素原子密度が小さいほど、酸化物層２２４ｃから電子輸送層２４ｅの方向への酸素原子の移動が起こりやすく、電子輸送層２４ｅから酸化物層２２４ｃの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子４１がより効率的に形成される。また、酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度に対する酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度が小さいほど、酸化物層２２４ｂから酸化物層２２４ｃの方向への酸素原子の移動が起こりやすく、酸化物層２２４ｃから酸化物層２２４ｂの方向に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有する電気双極子１’がより効率的に形成される。
　また、酸化物層２２４ｃの酸素原子密度は、酸化物層２２４ｂの酸素原子密度の５０％以上であることが好ましい。この場合、酸化物層２２４ｃと酸化物層２２４ｂとの界面において、ダングリングボンド等による再結合中心が形成されるのを抑制することができる。
　また、電子輸送層２４ｅ中の酸素原子密度は、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度の５０％以上であることが好ましい。この場合、電子輸送層２４ｅと酸化物層２２４ｃとの界面において、ダングリングボンド等による再結合中心が形成されるのを抑制することができる。
　この結果、電子輸送層２４ｅから発光層２４ｄへのより効率的な電子注入が可能となる。なお、本開示における酸素原子密度は、電子輸送層２４ｅが有する固有の値として、電子輸送層２４ｅを構成する材料のバルクでの酸素原子密度を適用するものとする。
　図１９は、電子輸送層２４ｅを構成する酸化物と、該電子輸送層２４ｅに隣り合う酸化物層２２４ｃを構成する酸化物との組み合わせの一例を示す図である。
　図１９に示す組み合わせは、電子輸送層２４ｅ中の酸素原子密度が酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度よりも小さいため、図１７に示すように電気双極子４１が形成され、電子輸送層２４ｅから発光層２４ｄへの効率的な電子注入が可能となる。
　なお、図１９に示す、電子輸送層２４ｅ及び酸化物層２２４ｃをそれぞれ構成する酸化物の組み合わせは、あくまでも一例である。電子輸送層２４ｅの酸素原子密度が酸化物層２２４ｃの酸素原子密度よりも小さい限り、これらの組み合わせに限定されることはない。
　なお、図１９では、一例として、電子輸送層２４ｅが１種類のカチオンを含む酸化物からなる場合を例に挙げて示しているが、これに限定されない。電子輸送層２４ｅは、１種類のカチオンを含む酸化物で構成されていてもよく、複数のカチオンを含む酸化物で構成されていてもよい。つまり、電子輸送層２４ｅは、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃ同様、複数の酸化物を混合してなる組成物で構成されていてもよい。本実施形態においては、電子輸送層２４ｅの酸素原子密度が酸化物層２２４ｃの酸素原子密度よりも小さい限り、電子輸送層２４ｅは、例えば、図１８に例示の酸化物のカチオンを２種以上含む複合酸化物等で形成されていてもよい。
　また、酸化物層２２４ｃ（より厳密には、酸化物層２２４ｃを構成する酸化物）は、電子輸送層２４ｅに含まれるカチオン（つまり、電子輸送層２４ｅを構成する酸化物に含まれるカチオン）を含んでいてもよいが、その含有率は小さい方が好ましい。酸化物層２２４ｃに、「電子輸送層２４ｅに含まれるカチオン」が含まれる場合、酸化物層２２４ｃに含まれる全カチオンに対する、酸化物層２２４ｃに含まれる当該「電子輸送層２４ｅに含まれるカチオン」の数密度の割合は、５０％未満が好ましく、２０％以下がさらに好ましく、１０％以下がさらに好ましく、４％以下がさらに好ましく、１％以下がさらに好ましく、０．４％以下がさらに好ましく、０．１％未満がさらに好ましい。この場合、当該「電子輸送層２４ｅに含まれるカチオン」が酸化物層２２４ｃに含まれることによって酸化物層２２４ｃ中における電子密度が大きくなるのを抑制することができる。また、酸化物層２２４ｃ（より厳密には、酸化物層２２４ｃを構成する酸化物）は、「電子輸送層２４ｅに含まれるカチオン」を含まないことがさらに好ましい。
　また、電子輸送層２４ｅ（より厳密には、電子輸送層２４ｅを構成する酸化物）は、酸化物層２２４ｃに含まれるカチオン（つまり、酸化物層２２４ｃを構成する酸化物に含まれるカチオン）を含んでいてもよいが、その含有率は小さい方が好ましい。電子輸送層２４ｅに、「酸化物層２２４ｃに含まれるカチオン」が含まれる場合、電子輸送層２４ｅに含まれる全カチオンに対する、電子輸送層２４ｅに含まれる当該「酸化物層２２４ｃに含まれるカチオン」の数密度の割合は、５０％未満が好ましく、２０％以下がさらに好ましく、１０％以下がさらに好ましく、４％以下がさらに好ましく、１％以下がさらに好ましく、０．４％以下がさらに好ましく、０．１％未満がさらに好ましい。この場合、当該「酸化物層２２４ｃに含まれるカチオン」が電子輸送層２４ｅに含まれることによって電子輸送層２４ｅにおける電子移動度が低下するのを抑制することができる。また、電子輸送層２４ｅ（より厳密には、電子輸送層２４ｅを構成する酸化物）は、「酸化物層２２４ｃに含まれるカチオン」を含まないことがさらに好ましい。
　なお、酸化物層２２４ｂ（より厳密には、酸化物層２２４ｂを構成する酸化物）は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含んでいてもよいが、その含有率は小さい方が好ましい。酸化物層２２４ｂにおいて、酸化物層２２４ｂに含まれる全カチオンの合計の数密度に対する、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏの合計の数密度の割合は、５０％未満が好ましく、２０％以下がさらに好ましく、１０％以下がさらに好ましく、４％以下がさらに好ましく、１％以下がさらに好ましく、０．４％以下がさらに好ましく、０．１％未満がさらに好ましい。この場合、酸化物層２２４ｂ中におけるキャリア密度が大きくなるのを防ぐことができるため、発光効率が向上する。また、酸化物層２２４ｂ（より厳密には、酸化物層２２４ｂを構成する酸化物）は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏの何れも含まないことがさらに好ましい。
　また、酸化物層２２４ｃ（より厳密には、酸化物層２２４ｃを構成する酸化物）は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含んでいてもよいが、その含有率は小さい方が好ましい。酸化物層２２４ｃにおいて、酸化物層２２４ｃに含まれる全カチオンの合計の数密度に対する、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏの合計の数密度の割合は、５０％未満が好ましく、２０％以下がさらに好ましく、１０％以下がさらに好ましく、４％以下がさらに好ましく、１％以下がさらに好ましく、０．４％以下がさらに好ましく、０．１％未満がさらに好ましい。この場合、酸化物層２２４ｃ中におけるキャリア密度が大きくなるのを防ぐことができるため、発光効率が向上する。また、酸化物層２２４ｃ（より厳密には、酸化物層２２４ｃを構成する酸化物）は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｗ、Ｍｏの何れも含まないことがさらに好ましい。
　なお、上述したように電子輸送層２４ｅが酸化物で形成されている場合、電子輸送層２４ｅは、アモルファスの酸化物で形成されていてもよいし、少なくとも酸化物層２２４ｃとの接触面の一部が多結晶の酸化物で形成されていてもよい。つまり、後者の場合、電子輸送層２４ｅは、酸化物層２２４ｃとの接触面のみが多結晶化されていてもよく、電子輸送層２４ｅ全体が多結晶の酸化物で構成されていてもよい。言い換えれば、少なくとも電子輸送層２４ｅと酸化物層２２４ｃとの接触面において、これら電子輸送層２４ｅ及び酸化物層２２４ｃのうち少なくとも一方の層が多結晶の酸化物を含んでいてもよい。
　また、実施形態４で説明したように、酸化物層２２４ｂは、アモルファスの酸化物で形成されていてもよく、少なくとも酸化物層２２４ｃとの接触面の一部が多結晶の酸化物で形成されていてもよい。また、酸化物層２２４ｃは、アモルファスの酸化物で形成されていてもよく、少なくとも酸化物層２２４ｂとの接触面の一部が多結晶の酸化物で形成されていてもよい。なお、本実施形態でも、少なくとも酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの接触面において、これら酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのうち少なくとも一方の層が多結晶の酸化物を含んでいてもよいことは言うまでもない。
　酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度が酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度よりも小さく、かつ、電子輸送層２４ｅ中の酸素原子密度が酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度より小さくなるように形成されれば、これら電子輸送層２４ｅ、酸化物層２２４ｂ、及び酸化物層２２４ｃの多結晶化の方法は、特に限定されない。また、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度が酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度よりも小さく、かつ、電子輸送層２４ｅの酸素原子密度が酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度より小さくなるように形成されていれば、電子輸送層２４ｅ、酸化物層２２４ｂ、及び酸化物層２２４ｃをそれぞれ構成する多結晶の酸化物の種類は、特に限定されない。なお、本実施形態でも、上記多結晶化の方法の一例としては、例えば、レーザ光を用いた熱処理が挙げられる。
　本実施形態によれば、例えば、電子輸送層２４ｅ、酸化物層２２４ｃ、及び酸化物層２２４ｂ、がそれぞれアモルファスの酸化物からなることで、これら電子輸送層２４ｅ、酸化物層２２４ｃ、及び酸化物層２２４ｂの膜厚均一性を向上することができ、それぞれの表面の平坦性を向上させることができる。この場合、電子輸送層２４ｅと酸化物層２２４ｃとの界面全体で、電気双極子４１が均一に形成されやすい。また、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの界面全体で、電気双極子１’が均一に形成されやすい。このため、トンネリングによる電子伝導の均一性が向上し、発光素子４５５における、発光の均一性が向上する。
　また、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃがそれぞれアモルファスの酸化物からなり、電子輸送層２４ｅにおける、少なくとも、酸化物層２２４ｃとの接触面が多結晶の酸化物を含む場合、酸化物層２２４ｂ及び酸化物層２２４ｃの膜厚均一性を向上することができる。また、この場合、電子輸送層２４ｅにおける、少なくとも、酸化物層２２４ｃとの接触面の一部が、グレイン（粒）を含む。
　このように電子輸送層２４ｅと酸化物層２４ｃとの接触面において、これら酸化物層２４ｂ及び酸化物層２４ｃのうち少なくとも一方の層がグレイン（粒）を含むことで、電子輸送層２４ｅと酸化物層２２４ｃとの界面の面積が大きくなる。このため、より効率的に電気双極子４１を形成することができ、発光素子４５５における効率的な電子注入が可能となる。しかも、電子輸送層２４ｅの表面粗度は、電子輸送層２４ｅと酸化物層２２４ｃとの接触面（界面）並びに酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの接触面（界面）にも反映される。この結果、電子輸送層２４ｅと酸化物層２２４ｃとの界面の面積及び酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの界面の面積が大きくなる。
　このため、この場合には、電気双極子１’・４１をより効率的に形成することができるので、発光素子４５５における、発光層２４ｄへの効率的な電子注入が可能となる。
　なお、本実施形態では、電子輸送層２４ｅにおける、酸化物層２２４ｃとの接触面を多結晶化することによってグレイン（粒）を形成する場合を一例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、自発的な核成長を利用して、上記接触面の少なくとも一方における少なくとも一部にグレイン（粒）を形成してもよい。なお、勿論、電子輸送層２４ｅ全体がグレイン（粒）を含んでいてもよい。
　また、電子輸送層２４ｅにおける少なくとも酸化物層２２４ｃとの接触面において、グレイン（粒）は離散的に分布していてもよい。また、グレイン（粒）は、結晶を含む結晶粒（crystal grain）であってもよいし、非晶質相（アモルファス相）を含んでいてもよい。
　〔実施形態６〕
　実施形態１～３では、発光素子が、第１電極（正孔注入層：ＨＩＬ）２２と第２電極（電子注入層：ＥＩＬ）２５との間に、第１電極２２側から、正孔輸送層２４ａと、酸化物層２４ｂと、酸化物層２４ｃと、発光層２４ｄと、電子輸送層２４ｅと、が、この順に設けられた構成を有している場合を例に挙げて説明した。また、実施形態４・５では、発光素子が、第１電極（正孔注入層：ＨＩＬ）２２と第２電極（電子注入層：ＥＩＬ）２５との間に、第１電極２２側から、正孔輸送層２４ａと、発光層２４ｄと、酸化物層２２４ｂと、酸化物層２２４ｃと、電子輸送層２４ｅと、がこの順に設けられた構成を有している場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本開示に係る発光素子の構成は、上記構成に限定されるものではない。
　図２０は、本実施形態の発光素子の概略構成の一例を模式的に示す断面図である。また、図２１は、本実施形態の発光素子の概略構成の他の例を模式的に示す断面図である。
　本実施形態の発光素子は、例えば図２０及び図２１に示すように、実施形態１～３の何れかに記載の発光素子において、発光層２４ｄと電子輸送層２４ｅとの間に、発光層２４ｄ側から、酸化物層２２４ｂ、及び酸化物層２２４ｃが、この順に、さらに設けられている構成を有している。
　つまり、本実施形態に係る発光素子は、下層側もしくは上層側から、アノードである第１電極２２（正孔注入層：ＨＩＬ）と、正孔輸送層２４ａと、発光層２４ｄと、電子輸送層２４ｅと、カソードである第２電極２５（電子注入層：ＥＩＬ）と、をこの順に備えるとともに、正孔輸送層２４ａと発光層２４ｄとの間に、酸化物層２４ｂと、該酸化物層２４ｂに接する酸化物層２４ｃと、を第１電極２２側からこの順に備え、発光層２４ｄと電子輸送層２４ｅとの間に、酸化物層２２４ｂと、該酸化物層２２４ｂに接する酸化物層２２４ｃと、を第１電極２２側からこの順に備えていてもよい。
　したがって、本実施形態に係る発光素子は、例えば、図２０に示す発光素子５５５のように、第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、及び第２電極２５が、この順に積層された構成を有していてもよい。また、図２１に示す発光素子６５５のように、図２０に示す各層が、図２０とは逆向きに積層されていてもよい。また、本実施形態に係る発光装置は、実施形態１に係る発光装置（例えば表示装置２）において、発光素子として、上述した発光素子を備えていてもよい。
　なお、上記発光素子５５５における、第１酸化物層、第２酸化物層、及び、正孔輸送層は、前記実施形態１～３で説明した通りである。また、上記発光素子５５５における、酸化物層２２４ｂ（第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）、及び、電子輸送層２４ｅは、前記実施形態４、５における、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）、及び、電子輸送層２４ｅに、それぞれ対応する。
　なお、上記発光素子５５５は、実施形態４、５における発光素子３５５において、正孔輸送層２４ａと発光層２４ｄとの間に、酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）と酸化物層２４ｃ（第４酸化物層）とを、第１電極２２に近い方から（つまり、正孔輸送層２４ａ側から）この順に、さらに備えているということもできる。この場合、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）、及び、電子輸送層２４ｅは、前記実施形態４または５で説明した通りであり、また、酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第４酸化物層）、および正孔輸送層２４ａは、実施形態１～３のいずれかにおける、酸化物層２４ｂ、酸化物層２４ｃ、および正孔輸送層２４ａに、それぞれ対応する、といえる。
　本実施形態によれば、組み合わせに応じて、実施形態１～３の何れかに記載の効果と、実施形態４・５の何れかに記載の効果とを併せ持ち、発光層２４ｄへの正孔注入及び電子注入がともに起こりやすく、より高い発光効率を実現することができる、発光素子及び表示装置２を提供することができる。
　〔実施形態７〕
　上述した各実施形態では、正孔注入障壁及び電子注入障壁のうち、少なくとも一方の障壁の高さを低減する方向の双極子モーメントを有する電気双極子が形成されるように、発光素子における酸化物からなる各層（酸化物層２４ｂ・２４ｃ及び／または酸化物層２２４ｂ・２２４ｃ、正孔輸送層２４ａ、電子輸送層２４ｅ）の酸素原子の密度（酸素原子密度）を決定することにより、正孔注入効率及び電子注入効率のうち少なくとも一方を向上し、発光効率を改善する場合を中心に説明した。
　しかしながら、上述した各実施形態は、これに限定されず、電気双極子１・１’・３１・４１のうち、少なくとも１つが、上述した各実施形態とは逆向きの成分の双極子モーメントを含むように、上述した各層（つまり、酸化物層２４ｂ・２４ｃ及び／または酸化物層２２４ｂ・２２４ｃ、正孔輸送層２４ａ、電子輸送層２４ｅ）の酸素原子密度を設定してもよい。また、電気双極子１・１’・３１・４１のうち、少なくとも１つは、上述した各実施形態と同じ向きの成分の双極子モーメントを有していてもよい。
　発光素子において、例えば、前記エネルギー差ΔＥｃ＞前記エネルギー差ΔＥｖの場合、電子注入に対して正孔注入が過剰となりやすい。このような正孔注入過剰の場合、例えば、実施形態１～３において、酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度と酸化物層２４ｃ中の酸素原子密度との大小関係を逆にすることによって、電気双極子１の双極子モーメントの向きを逆にしてもよい。この場合、前記エネルギー差ΔＥｖ’＞前記エネルギー差ΔＥｖとなり、過剰な正孔注入が抑制される。この結果、正孔注入と電子注入とのアンバランスが抑制され、長期信頼性が改善される。すなわち、エイジング後の発光効率が改善される。同様に、実施形態２・３において、酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度と酸化物層２４ｃ中の酸素原子密度との大小関係を逆にし、酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度と正孔輸送層２４ａ中の酸素原子密度との大小関係を逆にしてもよい。
　また、発光素子において、例えば、前記エネルギー差ΔＥｃ＜前記エネルギー差ΔＥｖの場合、正孔注入に対して電子注入が過剰となりやすい。このような電子注入過剰の場合、例えば、実施形態４・５において、酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度と酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度との大小関係を逆にすることによって、電気双極子１’の双極子モーメントの向きを逆にしてもよい。この場合、前記エネルギー差ΔＥｃ’＞前記エネルギー差ΔＥｃとなり、過剰な電子注入が抑制される。この結果、正孔注入と電子注入とのアンバランスが抑制され、長期信頼性が改善される。すなわち、エイジング後の発光効率が改善される。同様に、実施形態５において、酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度と酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度との大小関係を逆にし、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度と正孔輸送層２４ａ中の酸素原子密度との大小関係を逆にしてもよい。
　また、実施形態２・３において、酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度と酸化物層２４ｃ中の酸素原子密度との大小関係、及び、酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度と正孔輸送層２４ａ中の酸素原子密度との大小関係の、何れか一方を逆にしてもよい。この場合、電気双極子１と電気双極子３１とで双極子モーメントの向きが互いに逆向きになるため、電気双極子１による真空準位のシフトの方向と、電気双極子３１による真空準位のシフトの方向とが逆向きとなり、全体としての真空準位のシフト量を細かく制御することができる。この結果、前記エネルギー差ΔＥｖ’の制御性が向上し、正孔注入量の制御が容易となるので、正孔注入と電子注入とのバランスをとるのが容易となり、長期信頼性が改善される。すなわち、エイジング後の発光効率が改善される。
　また、実施形態５において、酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度と酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度との大小関係、及び、酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度と電子輸送層２４ｅ中の酸素原子密度との大小関係の、いずれか一方を逆にしてもよい。この場合、電気双極子１’と電気双極子４１とで双極子モーメントの向きが互いに逆向きになるため、電気双極子１による真空準位のシフトの方向と、電気双極子４１による真空準位のシフトの方向とが逆向きとなり、全体としての真空準位のシフト量を細かく制御することができる。この結果、前記エネルギー差ΔＥｃ’の制御性が向上し、電子注入量の制御が容易となるので、正孔注入と電子注入とのバランスをとるのが容易となり、長期信頼性が改善される。すなわち、エイジング後の発光効率が改善される。
　また、実施形態６において、上述した理由と同様の理由で、電気双極子１・１’・３１・４１のうち、少なくとも１つ以上の双極子モーメントが逆向きになるように、上述した各層の酸素原子密度を設定してもよい。この場合、正孔注入と電子注入とのバランスをとるのが容易となり、長期信頼性が改善される。すなわち、エイジング後の発光効率が改善される。
　また、実施形態６において、酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度と酸化物層２４ｃ中の酸素原子密度との大小関係、及び、酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度と酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度との大小関係のうち、一方の大小関係はそのままで、他方の大小関係を逆転させてもよい。また、実施形態６において、酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度と酸化物層２４ｃ中の酸素原子密度との大小関係、及び、酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度と酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度との大小関係は維持したまま、酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度と正孔輸送層２４ａの酸素原子密度との大小関係、及び、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度と電子輸送層２４ｅの酸素原子密度との大小関係のうち、少なくとも１つの大小関係を逆転させてもよい。また、実施形態６において、酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度と酸化物層２４ｃ中の酸素原子密度との大小関係、及び、酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度と酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度との大小関係のうち、一方の大小関係はそのままで、他方の大小関係を逆転させるとともに、酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度と正孔輸送層２４ａの酸素原子密度との大小関係、及び、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度と電子輸送層２４ｅの酸素原子密度との大小関係のうち、少なくとも１つの大小関係を逆転させてもよい。また、酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度と酸化物層２４ｃ中の酸素原子密度との大小関係、及び、酸化物層２２４ｂ中の酸素原子密度と酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度との大小関係の両方が逆で、酸化物層２４ｂ中の酸素原子密度と正孔輸送層２４ａの酸素原子密度との大小関係、及び、酸化物層２２４ｃ中の酸素原子密度と電子輸送層２４ｅの酸素原子密度との大小関係のうち、少なくとも１つの大小関係を逆転させてもよい。これらの場合にも、正孔注入と電子注入とのバランスをとるのが容易となり、長期信頼性が改善される。すなわち、エイジング後の発光効率が改善される。
　本開示において最善の策は、実施形態１～６を適宜組み合わせることである。このようにすることによって、発光層２４ｄへの高い正孔注入効率及び高い電子注入効率を実現することができ、その結果、高い発光効率を実現することができる。さらに、実施形態１～６を適宜組み合わせることにより、発光層２４ｄへの高い正孔注入効率及び高い電子注入効率の両方を実現した上で、正孔注入と電子注入とのバランスがとれている状態を実現することができる。この場合、長期信頼性も改善される。すなわち、エイジング後の発光効率が改善される。一方、本実施形態のように、電気双極子の向きを逆にすることによって、電子注入量または正孔注入量を制御し、正孔注入量と電子注入量とのバランスをとってもよい。２つの電気双極子の双極子モーメントの向きが互いに逆であれば、キャリア注入を細かく制御することができる。また、電気双極子の双極子モーメントの向きが何れも実施形態１～６とは逆であれば、キャリア注入を抑制することができる。この場合、長期信頼性が改善される。すなわち、エイジング後の発光効率が改善される。
　このように、本開示によれば、発光層２４ｄへの正孔注入量または電子注入量を効果的に制御（増加、抑制を含む）することができるため、高い発光効率を実現することができる。なお、実施形態１～６においては、主に、発光層２４ｄへの正孔流入量または電子注入量を増加させる（発光層２４ｄへの正孔注入効率または電子注入効率を改善する）ように制御することによって高い発光効率を実現する場合について説明し、実施形態７においては、主に、発光層２４ｄへの正孔注入量または電子注入量を細かく制御（増加、抑制を含む）することによって、エイジング後の発光効率を改善する（長期信頼性を改善する）場合について説明した。
　以上のように、本開示に係る発光素子は、例えば、実施形態１～３のように、下記（１）または（２）の何れの構成を有していてもよい。これにより、キャリアである正孔の注入障壁を小さくすることができ、正孔の注入効率を向上させることができるので、高い発光効率を実現することができる。
　（１）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）、発光層２４ｄ、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝である。
　（２）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）、発光層２４ｄ、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａが酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝である。
　また、本開示に係る発光素子は、例えば、実施形態４・５のように、下記（３）または（４）の何れの構成を有していてもよい。これにより、キャリアである電子の注入障壁を小さくすることができ、電子の注入効率を向上させることができるので、高い発光効率を実現することができる。
　（３）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝である。
　（４）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、電子輸送層２４ｅが酸化物であり、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　また、本開示に係る発光素子は、例えば、実施形態６のように、下記（５）～（８）の何れの構成を有していてもよい。これにより、キャリアである、正孔及び電子の注入障壁をそれぞれ小さくすることができ、正孔及び電子の注入効率をそれぞれ向上させることができるので、より高い発光効率を実現することができる。
　なお、第１酸化物層は第２酸化物層と隣り合い、第３酸化物層は第４酸化物層と隣り合う。また、第１酸化物層は第２酸化物層よりも第１電極側に設けられ、第３酸化物層は第４酸化物層よりも第１電極側に設けられる。したがって、以下の説明において、例えば酸化物層２４ｂを第１酸化物層とした場合、酸化物層２４ｂが第２酸化物層であり、酸化物層２２４ｂが第３酸化物層であり、酸化物層２２４ｃが第４酸化物層となる。酸化物層２２４ｂを第１酸化物層とした場合、酸化物層２２４ｂが第２酸化物層であり、酸化物層２４ｂが第３酸化物層であり、酸化物層２４ｃが第４酸化物層となる。
　（５）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝である。
　（６）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａが酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝である。
　（７）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、電子輸送層２４ｅが酸化物であり、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（８）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅがそれぞれ酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　また、本開示に係る発光素子は、例えば、実施形態７のように、例えば下記（１１）、（１２）、（１５）、（１７）、（２３）、（２６）、（２７）の何れの構成を有していてもよい。この場合、正孔注入及び電子注入のうち、何れか一方を抑制するとともに、他方を増加させることにより、正孔注入と電子注入とのアンバランスを抑制し、長期信頼性が改善される。すなわち、エイジング後の発光効率が改善される。
　また、本開示に係る発光素子は、例えば、実施形態７のように、例えば下記（９）、（１０）、（１３）、（１４）、（１６）、（１８）～（２２）、（２４）、（２５）、（２８）～（３５）の何れの構成を有していてもよい。この場合、正孔輸送層２４ａと酸化物層２４ｂとの界面、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの界面、酸化物層２２４ｃと電子輸送層２４ｅとの界面、の何れかの界面において、キャリアの注入障壁が高くなる方向の電気双極子を形成することにより、発光層２４ｄへの正孔注入量または電子注入量をより自在に制御できる。この結果、正孔注入と電子注入とのアンバランスを抑制し易くなり、長期信頼性が改善される。すなわち、エイジング後の発光効率が改善される。
　（９）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）、発光層２４ｄ、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａが酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝である。
　（１０）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、電子輸送層２４ｅが酸化物であり、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（１１）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）の酸素原子密度｝である。
　（１２）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、｛酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｃ（第４）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｂの酸素原子密度（第１酸化物層）｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝である。
　（１３）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａが酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）｝の酸素原子密度である。
　（１４）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、電子輸送層２４ｅが酸化物であり、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（１５）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａが酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）｝である。
　（１６）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａが酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）の酸素原子密度｝である。
　（１７）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、電子輸送層２４ｅが酸化物であり、｛酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｃ（第４酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（１８）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、電子輸送層２４ｅが酸化物であり、｛酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｃ（第４酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（１９）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅがそれぞれ酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝｝である。
　（２０）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅがそれぞれ酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（２１）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅがそれぞれ酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（２２）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅがそれぞれ酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（２３）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅがそれぞれ酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（２４）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅがそれぞれ酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（２５）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅがそれぞれ酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｃ（第４酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（２６）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅがそれぞれ酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｃ（第４酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（２７）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅがそれぞれ酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｃ（第４酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（２８）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅがそれぞれ酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｃ（第４酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　また、本開示に係る発光素子は、例えば、実施形態７のように、例えば下記（２９）～（３４）の何れの構成を有していてもよい。この場合、電気双極子１・１’・３１・４１のうち、少なくとも１つは、実施形態１～６と同じ向きの成分の双極子モーメントを有する。このため、正孔注入と電子注入とのアンバランスを抑制し、信頼性を向上することができる。
　（２９）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）、発光層２４ｄ、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａが酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝である。
　（３０）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、電子輸送層２４ｅが酸化物であり、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（３１）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａが酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝である。
　（３２）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、電子輸送層２４ｅが酸化物であり、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（３３）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅがそれぞれ酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（３４）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅがそれぞれ酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（３５）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅがそれぞれ酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＞｛酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｃ（第４酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝＞｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　なお、本開示に係る発光素子は、上述した構成に限定されるものではなく、例えば下記（３６）～（４１）の何れの構成を有していてもよい。この場合、正孔輸送層２４ａと酸化物層２４ｂとの界面、酸化物層２４ｂと酸化物層２４ｃとの界面、酸化物層２２４ｂと酸化物層２２４ｃとの界面、酸化物層２２４ｃと電子輸送層２４ｅとの界面、の何れかの界面において、キャリアの注入障壁が高くなる方向の電気双極子を形成することにより、発光層２４ｄへの過剰な正孔注入または電子注入を抑制することができ、発光層２４ｄへの正孔注入量と電子注入量とのアンバランスを抑制することができる。この結果、発光素子の素子寿命が改善される。すなわち、エイジングによる発光効率の低下が抑制される。また、発光層２４ｄへの正孔注入または電子注入を抑制することにより、発光電圧が大きくなるため、発光電圧の制御が可能となる。
　（３６）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）、発光層２４ｄ、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝である。
　（３７）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝である。
　（３８）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝である。
　（３９）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）、発光層２４ｄ、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａが酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝である。
　（４０）（４）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、電子輸送層２４ｅが酸化物であり、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　（４１）第１電極２２、正孔輸送層２４ａ、酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、発光層２４ｄ、酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）、酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）、電子輸送層２４ｅ、第２電極２５を、上層側または下層側からこの順に備え、正孔輸送層２４ａ及び電子輸送層２４ｅがそれぞれ酸化物であり、｛正孔輸送層２４ａの酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、｛酸化物層２２４ｂ（第１酸化物層または第３酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝、かつ、｛酸化物層２２４ｃ（第２酸化物層または第４酸化物層）の酸素原子密度｝＜｛電子輸送層２４ｅの酸素原子密度｝である。
　なお、本開示における酸化物層の酸素原子密度は、当該酸化物層が有する固有の値として、当該酸化物層を構成する材料のバルクでの酸素原子密度を適用するものとする。例えば、図５、図１０及び図１８に記載の酸化物については、それぞれ、図５、図１０及び図１８に記載の酸素原子密度を適用する。なお、複合酸化物の酸素原子密度は、当該複合酸化物に含有される全カチオンについて、各カチオン単独の酸化物の酸素原子密度に、上記複合酸化物中に含まれる全カチオンに対する各カチオンの組成率をそれぞれ乗じて、和をとることによる、加重平均をとることによって求めることができる。
　すなわち、Ｎ種類のカチオンＡｉ（ｉ＝１，２，３，・・・，Ｎ）を含む複合酸化物において、カチオンとしてカチオンＡｉのみを含む酸化物の酸素原子密度（つまり、カチオンＡｉ単独の酸化物の酸素原子密度）がＤｉであり、全カチオンの数密度の合計に対するカチオンＡｉの数密度の割合（つまり、上記複合酸化物中に含まれる全カチオンに対するカチオンＡｉの組成率）がＸｉであるとき、当該複合酸化物の酸素原子密度ＭＤｉは、下記（式Ａ）で表される。但し、前記Ｘｉ（ｉ＝１，２，３，・・・，Ｎ）の和は下記（式Ｂ）に示すように１である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
 　〔まとめ〕
　本開示の態様１に係る表示素子は、アノードと、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、カソードと、をこの順に備えるとともに、前記正孔輸送層と前記発光層との間、及び、前記発光層と前記電子輸送層との間の何れか一方に、第１酸化物層と、該第１酸化物層に接する第２酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順に備え、前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度とは異なる。
　本開示の態様２に係る表示素子は、前記態様１において、前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度より小さくてもよい。
　すなわち、本開示の態様２に係る表示素子は、アノードと、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、カソードと、をこの順に備えるとともに、前記正孔輸送層と前記発光層との間、及び、前記発光層と前記電子輸送層との間の何れか一方に、第１酸化物層と、該第１酸化物層に接する第２酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順に備え、前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度より小さくてもよい。
　本開示の態様３に係る表示素子は、前記態様２において、前記第２酸化物層中の酸素原子の密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子の密度の５０％以上、９５％以下であってもよい。
　本開示の態様４に係る表示素子は、前記態様３において、前記第２酸化物層中の酸素原子の密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子の密度の５０％以上、９０％以下であってもよい。
　本開示の態様５に係る表示素子は、前記態様１において、前記第１酸化物層中の酸素原子密度は、前記第２酸化物層中の酸素原子密度より小さくてもよい。
　すなわち、本開示の態様５に係る表示素子は、アノードと、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、カソードと、をこの順に備えるとともに、前記正孔輸送層と前記発光層との間、及び、前記発光層と前記電子輸送層との間の何れか一方に、第１酸化物層と、該第１酸化物層に接する第２酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順に備え、前記第１酸化物層中の酸素原子密度は、前記第２酸化物層中の酸素原子密度より小さくてもよい。
　本開示の態様６に係る表示素子は、前記態様５において、前記第１酸化物層中の酸素原子の密度は、前記第２酸化物層中の酸素原子の密度の５０％以上、９５％以下であってもよい。
　本開示の態様７に係る表示素子は、前記態様６において、前記第１酸化物層中の酸素原子の密度は、前記第２酸化物層中の酸素原子の密度の５０％以上、９０％以下であってもよい。
　本開示の態様８に係る表示素子は、前記態様１～７の何れかにおいて、前記第１酸化物層と前記第２酸化物層との界面において電気双極子が形成されてもよい。
　本開示の態様９に係る表示素子は、前記態様２～４の何れかにおいて、前記第１酸化物層と前記第２酸化物層との界面において電気双極子が形成され、前記電気双極子は、前記第２酸化物層から前記第１酸化物層に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有していてもよい。
　本開示の態様１０に係る表示素子は、前記態様５～７の何れかにおいて、前記第１酸化物層と前記第２酸化物層との界面において電気双極子が形成され、前記電気双極子は、前記第１酸化物層から前記第２酸化物層に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有していてもよい。
　本開示の態様１１に係る表示素子は、前記態様１～１０の何れかにおいて、前記第１酸化物層は、無機酸化物からなっていてもよい。
　本開示の態様１２に係る表示素子は、前記態様１～１１の何れかにおいて、前記第２酸化物層は、無機酸化物からなっていてもよい。
　本開示の態様１３に係る表示素子は、前記態様１～１２の何れかにおいて、前記第１酸化物層は、絶縁体からなっていてもよい。
　本開示の態様１４に係る表示素子は、前記態様１～１３の何れかにおいて、前記第２酸化物層は、絶縁体からなっていてもよい。
　本開示の態様１５に係る表示素子は、前記態様１～１４の何れかにおいて、前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層は、それぞれ非晶質の酸化物からなっていてもよい。
　本開示の態様１６に係る表示素子は、前記態様１～１４の何れかにおいて、前記第１酸化物層は、非晶質の酸化物からなっていてもよい。
　本開示の態様１７に係る表示素子は、前記態様１～１４の何れかにおいて、前記第２酸化物層は、非晶質の酸化物からなっていてもよい。
　本開示の態様１８に係る表示素子は、前記態様１～１４の何れかにおいて、少なくとも前記第１酸化物層と前記第２酸化物層との接触面において、前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層のうち少なくとも一方の層がグレインを含んでいてもよい。
　本開示の態様１９に係る表示素子は、前記態様１～１４の何れかにおいて、少なくとも前記第１酸化物層と前記第２酸化物層との接触面において、前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層のうち少なくとも一方の層が多結晶の酸化物を含んでいてもよい。
　本開示の態様２０に係る発光素子は、前記態様１８または１９において、前記アノードは、前記カソードよりも下層側に設けられており、前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層は、下層側からこの順に積層されてもよい。例えば、本開示の態様２０に係る発光素子は、前記態様１８または１９において、基板をさらに備え、前記アノードは、前記カソードよりも前記基板側に設けられており、前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層は、前記基板側からこの順に積層されてもよい。
　本開示の態様２１に係る発光素子は、前記態様１８～２０の何れかにおいて、前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層のうち上層側の層は、非晶質の酸化物からなっていてもよい。
　本開示の態様２２に係る発光素子は、前記態様１８～２１の何れかにおいて、前記第１酸化物層と前記第２酸化物層のうち、上層側の層は、連続膜であってもよい。
　本開示の態様２３に係る発光素子は、前記態様１８～２１の何れかにおいて、前記第１酸化物層と前記第２酸化物層のうち、上層側の層の空隙率は１％未満であってもよい。
　本開示の態様２４に係る表示素子は、前記態様１～１４の何れかにおいて、前記第２酸化物層における、少なくとも第１酸化物層との接触面は、グレインを含んでいてもよい。
　本開示の態様２５に係る表示素子は、前記態様１～１４の何れかにおいて、前記第２酸化物層における、少なくとも第１酸化物層との接触面は、多結晶の酸化物を含んでいてもよい。
　本開示の態様２６に係る表示素子は、前記態様２４または２５において、前記カソードは、前記アノードよりも下層側に設けられており、前記第２酸化物層及び前記第１酸化物層は、下層側からこの順に積層されてもよい。例えば、本開示の態様２６に係る表示素子は、前記態様２４または２５において、基板をさらに備え、前記カソードは、前記アノードよりも前記基板側に設けられており、前記第２酸化物層及び前記第１酸化物層は、基板側からこの順に積層されてもよい。
　本開示の態様２７に係る表示素子は、前記態様２６において、前記第１酸化物層は、非晶質の酸化物からなっていてもよい。
　本開示の態様２８に係る表示素子は、前記態様２６または２７において、前記第１酸化物層は、連続膜であってもよい。
　本開示の態様２９に係る発光素子は、前記態様２６または２７において、前記第１酸化物層の空隙率は１％未満であってもよい。
　本開示の態様３０に係る表示素子は、前記態様１～２９の何れかにおいて、前記第１酸化物層は、Ａｌ、Ｇａ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｒのうち少なくとも１つの元素を主成分として含む酸化物からなっていてもよい。
　本開示の態様３１に係る表示素子は、前記態様１～２９の何れかにおいて、前記第１酸化物層または前記第２酸化物層は、酸素以外の最も多い元素が、Ａｌ、Ｇａ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｒのうちの何れかである酸化物からなっていてもよい。
　本開示の態様３２に係る表示素子は、前記態様１～２９の何れかにおいて、前記第１酸化物層は、酸素以外の最も多い元素が、Ａｌ、Ｇａ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｒのうちの何れかである酸化物からなっていてもよい。
　本開示の態様３３に係る表示素子は、前記態様１～２９の何れかにおいて、前記第１酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、酸化シリコン、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化ストロンチウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種類以上含む酸化物のうち少なくとも一つを含んでいてもよい。
　本開示の態様３４に係る表示素子は、前記態様１～２９の何れかにおいて、前記第１酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、酸化シリコン、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化ストロンチウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種類以上含む酸化物の何れか一つからなっていてもよい。
　本開示の態様３５に係る表示素子は、前記態様１～３４の何れかにおいて、前記第２酸化物層は、Ａｌ、Ｇａ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｒのうち少なくとも１つの元素を主成分として含む酸化物からなっていてもよい。
　本開示の態様３６に係る表示素子は、前記態様１～３４の何れかにおいて、前記第２酸化物層は、酸素以外の最も多い元素が、Ａｌ、Ｇａ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｒのうちの何れかである酸化物からなっていてもよい。
　本開示の態様３７に係る表示素子は、前記態様１～３４の何れかにおいて、前記第２酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、酸化シリコン、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化ストロンチウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種類以上含む酸化物のうち少なくとも一つを含んでいてもよい。
　本開示の態様３８に係る表示素子は、前記態様１～３４の何れかにおいて、前記第２酸化物層は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化ゲルマニウム、酸化シリコン、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化ストロンチウム、及びこれら酸化物のカチオンを２種類以上含む酸化物の何れか一つからなっていてもよい。
　本開示の態様３９に係る表示素子は、前記態様１～３８の何れかにおいて、前記第１酸化物層と前記第２酸化物層とは、共通のカチオンを含んでいてもよい。
　本開示の態様４０に係る表示素子は、前記態様１～３９の何れかにおいて、前記第１酸化物層の膜厚は、０．２ｎｍ以上、５ｎｍ以下であってもよい。
　本開示の態様４１に係る表示素子は、前記態様４０において、前記第１酸化物層の膜厚は、０．８ｎｍ以上、３ｎｍ未満であってもよい。
　本開示の態様４２に係る表示素子は、前記態様１～４１の何れかにおいて、前記第２酸化物層の膜厚は、０．２ｎｍ以上、５ｎｍ以下であってもよい。
　本開示の態様４３に係る表示素子は、前記態様４２において、前記第２酸化物層の膜厚は、０．８ｎｍ以上、３ｎｍ未満であってもよい。
　本開示の態様４４に係る表示素子は、前記態様１～３８において、前記第１酸化物層と前記第２酸化物層との合計の膜厚は、０．４ｎｍ以上、５ｎｍ未満であってもよい。
　本開示の態様４５に係る表示素子は、前記態様４４において、前記第１酸化物層と前記第２酸化物層との合計の膜厚は、１．６ｎｍ以上、４ｎｍ未満であってもよい。
　本開示の態様４６に係る表示素子は、前記態様１～４５の何れかにおいて、前記正孔輸送層、前記第１酸化物層、及び前記第２酸化物層は、前記アノード側からこの順に、前記アノードと前記発光層との間に設けられていてもよい。
　本開示の態様４７に係る表示素子は、前記態様４６において、前記第１酸化物層中の正孔密度及び前記第２酸化物層中の正孔密度は、それぞれ、前記正孔輸送層の正孔密度よりも小さくてもよい。
　本開示の態様４８に係る表示素子は、前記態様４６または４７において、前記正孔輸送層のイオン化ポテンシャルが前記発光層のイオン化ポテンシャルよりも小さく、前記発光層のイオン化ポテンシャルが前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層のイオン化ポテンシャルよりも小さくてもよい。
　本開示の態様４９に係る表示素子は、前記態様４８において、前記第１酸化物層のイオン化ポテンシャルと前記第２酸化物層のイオン化ポテンシャルとが等しくてもよい。
　本開示の態様５０に係る表示素子は、前記態様４６～４８の何れかにおいて、前記正孔輸送層、前記発光層、前記第２酸化物層、前記第１酸化物層の順にイオン化ポテンシャルが小さくてもよい。
　本開示の態様５１に係る表示素子は、前記態様４６～４８の何れかにおいて、前記正孔輸送層、前記発光層、前記第１酸化物層、前記第２酸化物層の順にイオン化ポテンシャルが小さくてもよい。
　本開示の態様５２に係る表示素子は、前記態様４６～５１の何れかにおいて、前記正孔輸送層は酸化物からなっていてもよい。
　本開示の態様５３に係る発光素子は、前記態様５２において、前記正孔輸送層は前記第１酸化物層に接し、少なくとも前記正孔輸送層と前記第１酸化物層との接触面において、前記正孔輸送層及び前記第１酸化物層のうち少なくとも一方の層がグレインを含んでいてもよい。
　本開示の態様５４に係る発光素子は、前記態様５２において、前記正孔輸送層は前記第１酸化物層に接し、少なくとも前記正孔輸送層と前記第１酸化物層との接触面において、前記正孔輸送層及び前記第１酸化物層のうち少なくとも一方の層が多結晶の酸化物を含んでいてもよい。
　本開示の態様５５に係る発光素子は、前記態様５２において、前記正孔輸送層は、前記第１酸化物層に接し、前記第１酸化物層における、少なくとも前記正孔輸送層との接触面は、グレインを含んでいてもよい。
　本開示の態様５６に係る発光素子は、前記態様５２において、前記正孔輸送層は、前記第１酸化物層に接し、前記第１酸化物層における、少なくとも前記正孔輸送層との接触面は、多結晶の酸化物を含んでいてもよい。
　本開示の態様５７に係る表示素子は、前記態様５２～５６の何れかにおいて、前記正孔輸送層は、前記第１酸化物層に接し、前記第１酸化物層中の酸素原子の密度は、前記正孔輸送層中の酸素原子の密度とは異なっていてもよい。
　本開示の態様５８に係る発光素子は、前記態様５２～５７の何れかにおいて、前記正孔輸送層は、前記第１酸化物層に接し、前記第１酸化物層中の酸素原子の密度は、前記正孔輸送層中の酸素原子の密度よりも小さくてもよい。
　本開示の態様５９に係る表示素子は、前記態様５８において、前記第１酸化物層中の酸素原子の密度は、前記正孔輸送層中の酸素原子密度の５０％以上、９５％以下であってもよい。
　本開示の態様６０に係る表示素子は、前記態様５９において、前記第１酸化物層中の酸素原子の密度は、前記正孔輸送層中の酸素原子密度の５０％以上、９０％以下であってもよい。
　本開示の態様６１に係る表示素子は、前記態様１～４５の何れかにおいて、前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層が前記正孔輸送層と前記発光層との間に設けられている場合には前記正孔輸送層と前記第１酸化物層とが接し、前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層が前記発光層と前記電子輸送層との間に設けられている場合には前記第２酸化物層と前記電子輸送層とが接し、前記正孔輸送層と前記第１酸化物層とが接する場合には、少なくとも前記正孔輸送層と前記第１酸化物層との接触面において、前記正孔輸送層及び前記第１酸化物層のうち少なくとも一方の層がグレインを含み、前記電子輸送層と前記第２酸化物層とが接する場合には、少なくとも前記電子輸送層と前記第２酸化物層との接触面において、前記電子輸送層及び前記第２酸化物層のうち少なくとも一方の層がグレインを含んでいてもよい。
　本開示の態様６２に係る表示素子は、前記態様１～４５の何れかにおいて、前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層が前記正孔輸送層と前記発光層との間に設けられている場合には前記正孔輸送層と前記第１酸化物層とが接し、前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層が前記発光層と前記電子輸送層との間に設けられている場合には前記第２酸化物層と前記電子輸送層とが接し、前記正孔輸送層と前記第１酸化物層とが接する場合には、少なくとも前記正孔輸送層と前記第１酸化物層との接触面において、前記正孔輸送層及び前記第１酸化物層のうち少なくとも一方の層が多結晶の酸化物を含み、前記電子輸送層と前記第２酸化物層とが接する場合には、少なくとも前記電子輸送層と前記第２酸化物層との接触面において、前記電子輸送層及び前記第２酸化物層のうち少なくとも一方の層が多結晶の酸化物を含んでいてもよい。
　本開示の態様６３に係る表示素子は、前記態様５２～５７の何れかにおいて、前記正孔輸送層は、前記第１酸化物層に接し、前記正孔輸送層中の酸素原子の密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子の密度よりも小さくてもよい。
　本開示の態様６４に係る発光素子は、前記態様５２～５７の何れかにおいて、前記正孔輸送層は、前記第１酸化物層に接し、前記第１酸化物層中の酸素原子の密度は、前記正孔輸送層中の酸素原子の密度よりも大きくてもよい。
　本開示の態様６５に係る表示素子は、前記態様６４において、前記正孔輸送層中の酸素原子の密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子の密度の５０％以上、９５％以下であってもよい。
　本開示の態様６６に係る表示素子は、前記態様６５において、前記正孔輸送層中の酸素原子の密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子の密度の５０％以上、９０％以下であってもよい。
　本開示の態様６７に係る表示素子は、前記態様１～４５の何れかにおいて、前記第１酸化物層、前記第２酸化物層、及び前記電子輸送層は、前記アノード側からこの順に、前記発光層と前記カソードとの間に設けられていてもよい。
　本開示の態様６８に係る表示素子は、前記態様６７において、前記第１酸化物層の電子密度及び前記第２酸化物層の電子密度は、それぞれ、前記電子輸送層の電子密度よりも小さくてもよい。
　本開示の態様６９に係る表示素子は、前記態様６７または６８において、前記電子輸送層の電子親和力が前記発光層の電子親和力よりも大きく、前記発光層の電子親和力が前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層の電子親和力よりも大きくてもよい。
　本開示の態様７０に係る表示素子は、前記態様６９において、前記第１酸化物層の電子親和力と前記第２酸化物層の電子親和力とが等しくてもよい。
　本開示の態様７１に係る表示素子は、前記態様６７～６９において、前記電子輸送層、前記発光層、前記第２酸化物層、前記第１酸化物層の順に電子親和力が大きくてもよい。
　本開示の態様７２に係る表示素子は、前記態様６７～６９において、前記電子輸送層、前記発光層、前記第１酸化物層、前記第２酸化物層の順に電子親和力が大きくてもよい。
　本開示の態様７３に係る表示素子は、前記態様６７～７２の何れかにおいて、前記電子輸送層は酸化物からなっていてもよい。
　本開示の態様７４に係る発光素子は、前記態様７３において、前記電子輸送層は、前記第２酸化物層に接し、少なくとも前記電子輸送層と前記第２酸化物層との接触面において、前記電子輸送層及び前記第２酸化物層のうち少なくとも一方の層がグレインを含んでいてもよい。
　本開示の態様７５に係る発光素子は、前記態様７３において、前記電子輸送層は、前記第２酸化物層に接し、少なくとも前記電子輸送層と前記第２酸化物層との接触面において、前記電子輸送層及び前記第２酸化物層のうち少なくとも一方の層が多結晶の酸化物を含んでいてもよい。
　本開示の態様７６に係る発光素子は、前記態様７３において、前記電子輸送層は、前記第２酸化物層に接し、前記第２酸化物層における、少なくとも前記電子輸送層との接触面は、グレインを含んでいてもよい。
　本開示の態様７７に係る発光素子は、前記態様７３において、前記電子輸送層は、前記第２酸化物層に接し、前記第２酸化物層における、少なくとも前記電子輸送層との接触面は、多結晶の酸化物を含んでいてもよい。
　本開示の態様７８に係る表示素子は、前記態様７３～７７の何れかにおいて、前記電子輸送層は、前記第２酸化物層に接し、前記第２酸化物層中の酸素原子の密度は、前記電子輸送層中の酸素原子の密度とは異なっていてもよい。
　本開示の態様７９に係る発光素子は、前記態様７３～７８の何れかにおいて、前記電子輸送層は、前記第２酸化物層に接し、前記第２酸化物層中の酸素原子の密度は、前記電子輸送層中の酸素原子の密度よりも小さくてもよい。
　本開示の態様８０に係る発光素子は、前記態様７９において、前記第２酸化物層中の酸素原子の密度は、前記電子輸送層中の酸素原子の密度の５０％以上、９５％以下であってもよい。
　本開示の態様８１に係る表示素子は、前記態様８０において、前記第２酸化物層中の酸素原子の密度は、前記電子輸送層中の酸素原子の密度の５０％以上、９０％以下であってもよい。
　本開示の態様８２に係る表示素子は、前記態様７３～７８の何れかにおいて、前記電子輸送層中の酸素原子の密度は、前記第２酸化物層中の酸素原子の密度よりも小さくてもよい。
　本開示の態様８３に係る表示素子は、前記態様８２において、前記電子輸送層中の酸素原子の密度は、前記第２酸化物層中の酸素原子の密度の５０％以上、９５％以下であってもよい。
　本開示の態様８４に係る表示素子は、前記態様８３において、前記電子輸送層中の酸素原子の密度は、前記第２酸化物層中の酸素原子の密度の５０％以上、９０％以下であってもよい。
　本開示の態様８５に係る表示素子は、前記態様１～８４の何れかにおいて、前記第１酸化物層と前記第２酸化物層とは、前記正孔輸送層と前記発光層との間に設けられ、前記発光層と前記電子輸送層との間に、第３酸化物層と、該第３酸化物層に接する第４酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順に更に備え、前記第３酸化物層中の酸素原子密度は、前記第４酸化物層中の酸素原子密度とは異なっていてもよい。
　なお、本開示の態様８５における、前記第３酸化物層、前記第４酸化物層、及び、前記電子輸送層は、前記態様６７～８４における、前記第１酸化物層、前記第２酸化物層、及び、前記電子輸送層に、それぞれ対応する。したがって、本開示の態様８５における前記第３酸化物層、前記第４酸化物層、及び、前記電子輸送層は、それぞれ、前記態様６７～８４に記載の前記第１酸化物層、第２酸化物層、及び、前記電子輸送層の構成を有していてもよい。勿論、これら構成が、前記態様に拘らず、前記実施形態及びその組み合わせに記載の範囲内において適宜変形が可能であることは、言うまでもない。
　本開示の態様８６に係る表示素子は、前記態様８５において、前記第４酸化物層中の酸素原子密度は、前記第３酸化物層中の酸素原子密度より小さくてもよい。
　本開示の態様８７に係る表示素子は、前記態様８５において、前記第３酸化物層中の酸素原子密度は、前記第４酸化物層中の酸素原子密度より小さくてもよい。
　本開示の態様８８に係る表示素子は、前記態様８５～８７の何れかにおいて、前記電子輸送層は酸化物からなっていてもよい。
　本開示の態様８９に係る表示素子は、前記態様８８において、前記電子輸送層は前記第４酸化物層と接し、前記電子輸送層中の酸素原子密度は、前記第４酸化物層中の酸素原子密度より小さくてもよい。
　本開示の態様９０に係る表示素子は、前記態様８９において、前記電子輸送層中の酸素原子密度は、前記第４酸化物層中の酸素原子密度の５０％以上、９５％以下であってもよい。
　本開示の態様９１に係る表示素子は、前記態様９０において、前記電子輸送層中の酸素原子密度は、前記第４酸化物層中の酸素原子密度の５０％以上、９０％以下であってもよい。
　本開示の態様９２に係る表示素子は、前記態様８８において、前記電子輸送層は前記第４酸化物層と接し、前記第４酸化物層中の酸素原子密度は、前記電子輸送層中の酸素原子密度より小さくてもよい。
　本開示の態様９３に係る表示素子は、前記態様９２において、記第４酸化物層中の酸素原子密度は、前記電子輸送層中の酸素原子密度の５０％以上、９５％以下であってもよい。
　本開示の態様９４に係る表示素子は、前記態様９３において、記第４酸化物層中の酸素原子密度は、前記電子輸送層中の酸素原子密度の５０％以上、９０％以下であってもよい。
　本開示の態様９５に係る表示素子は、前記態様２において、前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層は、前記正孔輸送層と前記発光層との間に設けられ、前記発光層と前記電子輸送層との間に、第３酸化物層と、該第３酸化物層に接する第４酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順にさらに備え、前記第４酸化物層中の酸素原子密度は、前記第３酸化物層中の酸素原子密度より小さくてもよい。
　すなわち、本開示の態様９５に係る表示素子は、アノードと、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、カソードと、をこの順に備えるとともに、前記正孔輸送層と前記発光層との間に、第１酸化物層と、該第１酸化物層に接する第２酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順に備え、前記発光層と前記電子輸送層との間に、第３酸化物層と、該第３酸化物層に接する第４酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順に備え、前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度より小さく、前記第４酸化物層中の酸素原子密度は、前記第３酸化物層中の酸素原子密度より小さくてもよい。
　本開示の態様９５における、前記第１酸化物層、前記第２酸化物層、及び、前記正孔輸送層は、前記態様２及び態様４６の両方を直接または間接的に引用する態様の構成を有していてもよい。
　また、本開示の態様９５における、前記第３酸化物層、前記第４酸化物層、及び、前記電子輸送層は、前記態様２を引用する前記態様６７における、前記第１酸化物層、前記第２酸化物層、及び、前記電子輸送層にそれぞれ対応する。したがって、本開示の態様９５における前記第３酸化物層、前記第４酸化物層、及び、前記電子輸送層は、前記態様２及び６７の両方を直接または間接的に引用する態様における、前記第１酸化物層、前記第２酸化物層、及び、前記電子輸送層の構成を、それぞれ有していてもよい。勿論、これら構成が、前記態様に拘らず、前記実施形態及びその組み合わせに記載の範囲内において適宜変形が可能であることは、言うまでもない。
　本開示の態様９６に係る表示素子は、前記態様２において、前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層は、前記正孔輸送層と前記発光層との間に設けられ、前記発光層と前記電子輸送層との間に、第３酸化物層と、該第３酸化物層に接する第４酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順にさらに備え、前記第３酸化物層中の酸素原子密度は、前記第４酸化物層中の酸素原子密度より小さくてもよい。
　すなわち、本開示の態様９６に係る表示素子は、アノードと、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、カソードと、をこの順に備えるとともに、前記正孔輸送層と前記発光層との間に、第１酸化物層と、該第１酸化物層に接する第２酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順に備え、前記発光層と前記電子輸送層との間に、第３酸化物層と、該第３酸化物層に接する第４酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順に備え、前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度より小さく、前記第３酸化物層中の酸素原子密度は、前記第４酸化物層中の酸素原子密度より小さくてもよい。
　本開示の態様９６における前記第１酸化物層、前記第２酸化物層、及び、前記正孔輸送層は、前記態様２及び態様４６の両方を直接または間接的に引用する態様の構成を有していてもよい。
　また、本開示の態様９７における前記第３酸化物層、前記第４酸化物層、及び、前記電子輸送層は、前記態様５を引用する前記態様６７における前記第１酸化物層、前記第２酸化物層、及び、前記電子輸送層に、それぞれ対応する。したがって、本開示の態様９６における、前記第３酸化物層、前記第４酸化物層、及び、前記電子輸送層は、前記態様５及び態様６７の両方を直接または間接的に引用する態様における、前記第１酸化物層、前記第２酸化物層、及び、前記電子輸送層の構成を、それぞれ有していてもよい。勿論、これら構成が、前記態様に拘らず、前記実施形態及びその組み合わせに記載の範囲内において適宜変形が可能であることは、言うまでもない。
　本開示の態様９８に係る表示素子は、前記態様５において、前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層は、前記正孔輸送層と前記発光層との間に設けられ、前記発光層と前記電子輸送層との間に、第３酸化物層と、該第３酸化物層に接する第４酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順にさらに備え、前記第４酸化物層中の酸素原子密度は、前記第３酸化物層中の酸素原子密度より小さくてもよい。
　すなわち、本開示の態様９８に係る表示素子は、アノードと、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、カソードと、をこの順に備えるとともに、前記正孔輸送層と前記発光層との間に、第１酸化物層と、該第１酸化物層に接する第２酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順に備え、前記発光層と前記電子輸送層との間に、第３酸化物層と、該第３酸化物層に接する第４酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順に備え、前記第１酸化物層中の酸素原子密度は、前記第２酸化物層中の酸素原子密度より小さく、前記第４酸化物層中の酸素原子密度は、前記第３酸化物層中の酸素原子密度より小さくてもよい。
　本開示の態様９８における前記第１酸化物層、前記第２酸化物層、及び、前記正孔輸送層は、前記態様５及び態様４６の両方を直接または間接的に引用する態様の構成を有していてもよい。
　また、本開示の態様９８における前記第３酸化物層及び前記第４酸化物層、及び、前記電子輸送層は、前記態様５を引用する前記態様６７における前記第１酸化物層、前記第２酸化物層、及び、前記電子輸送層に、それぞれ対応する。従って、本開示の態様９８における前記第３酸化物層、前記第４酸化物層、及び、前記電子輸送層は、前記態様５及び６７の両方を直接または間接的に引用する態様における前記第１酸化物層、第２酸化物層、及び、前記電子輸送層の構成をそれぞれ有していてもよい。勿論、これら構成が、前記態様に拘らず、前記実施形態及びその組み合わせに記載の範囲内において適宜変形が可能であることは、言うまでもない。
　本開示の態様９９に係る表示素子は、前記態様５において、第１酸化物層及び第２酸化物層は、前記正孔輸送層と前記発光層との間に設けられ、前記発光層と前記電子輸送層との間に、第３酸化物層と、該第３酸化物層に接する第４酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順にさらに備え、前記第３酸化物層中の酸素原子密度は、前記第４酸化物層中の酸素原子密度より小さくてもよい。
　すなわち、本開示の態様９９に係る表示素子は、アノードと、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、カソードと、をこの順に備えるとともに、前記正孔輸送層と前記発光層との間に、第１酸化物層と、該第１酸化物層に接する第２酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順に備え、前記発光層と前記電子輸送層との間に、第３酸化物層と、該第３酸化物層に接する第４酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順に備え、前記第１酸化物層中の酸素原子密度は、前記第２酸化物層中の酸素原子密度より小さく、前記第３酸化物層中の酸素原子密度は、前記第４酸化物層中の酸素原子密度より小さくてもよい。
　なお、本開示の態様９９に係る表示素子において、前記正孔輸送層、前記第１酸化物層、前記第２酸化物層は、前記態様５を引用する前記態様４６を直接または間接的に引用する各態様に記載の構成を有していてもよい。
　また、本開示の態様９９において、前記第３酸化物層、前記第４酸化物層、及び、前記電子輸送層は、前記態様５を引用する前記態様６７における前記第１酸化物層、前記第２酸化物層、及び、前記電子輸送層に、それぞれ対応する。従って、前記第３酸化物層、前記第４酸化物層、及び、前記電子輸送層は、前記態様５及び態様６７の両方を直接または間接的に引用する各態様に記載の、前記第１酸化物層、前記第２酸化物層、及び、前記電子輸送層の構成を、それぞれ有していてもよい。勿論、これら構成が、前記態様に拘らず、前記実施形態及びその組み合わせに記載の範囲内において適宜変形が可能であることは、言うまでもない。
　本開示の態様１００に係る表示素子は、前記態様１～９９の何れかにおいて、前記発光層は、量子ドット蛍光体を含んでいてもよい。
　本開示の態様１０１に係る発光装置は、前記態様１～１００の何れかの発光素子を備えている。
　本開示の態様１０２に係る発光装置は、前記発光素子が、基板に備えられていてもよい。
　本開示の態様１０３に係る発光装置は、態様１０１または１０２において、当該発光装置は、表示装置であってもよい。
　本開示の態様７９に係る発光装置は、態様１０１または１０２において、当該発光装置は、照明装置であってもよい。
　なお、上記態様の組み合わせは本開示の一例であり、本開示は、上記組み合わせに限定されるものではない。また、本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項並びに上述したまとめの項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　１、１’３１、４１　　　　　　　　　　　電気双極子
　２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　表示装置（発光装置）
　５、５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ、５５、１５５、２５５、３５５、４５５、５５５、６５５　　　　　　　　　　　　　　発光素子
　２２　　　　　　　　　　　　　　　　　　第１電極（アノード）
　２４ａ　　　　　　　　　　　　　　　　　正孔輸送層
　２４ｂ、２４ｃ、２４４ｂ、２４４ｃ　　　酸化物層
　２４ｄ、２４Ｒｄ、２４Ｇｄ、２４Ｂｄ　　発光層
　２４ｅ　　　　　　　　　　　　　　　　　電子輸送層
　２５　　　　　　　　　　　　　　　　　　第２電極（カソード）
　ＩＰ１　　　　　　　　イオン化ポテンシャル（正孔輸送層のイオン化ポテンシャル）
　ＩＰ２　　　　　　　　イオン化ポテンシャル（発光層のイオン化ポテンシャル）
　ＩＰ３　　　　　　　　イオン化ポテンシャル（第１酸化物層のイオン化ポテンシャル）
　ＩＰ４　　　　　　　　イオン化ポテンシャル（第２酸化物層のイオン化ポテンシャル）
　ＥＡ１　　　　　　　　電子親和力（電子輸送層の電子親和力）
　ＥＡ２　　　　　　　　電子親和力（発光層のイオン電子親和力）
　ＥＡ３　　　　　　　　電子親和力（第１酸化物層の電子親和力）
　ＥＡ４　　　　　　　　電子親和力（第２酸化物層の電子親和力）

 

Claims (48)

  1. 　アノードと、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、カソードと、をこの順に備えるとともに、
    　前記正孔輸送層と前記発光層との間、及び、前記発光層と前記電子輸送層との間の何れか一方に、第１酸化物層と、該第１酸化物層に接する第２酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順に備え、
    　前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度とは異なることを特徴とする発光素子。
  2. 　前記第２酸化物層中の酸素原子密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子密度より小さいことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  3. 　前記第１酸化物層は、無機酸化物からなることを特徴とする請求項２に記載の発光素子。
  4. 　前記第２酸化物層は、無機酸化物からなることを特徴とする請求項２または３に記載の発光素子。
  5. 　前記第１酸化物層は、絶縁体からなることを特徴とする請求項２～４の何れか１項に記載の発光素子。
  6. 　前記第２酸化物層は、絶縁体からなることを特徴とする請求項２～５の何れか１項に記載の発光素子。
  7. 　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層との界面において電気双極子が形成されることを特徴とする請求項２～６の何れか１項に記載の発光素子。
  8. 　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層との界面において電気双極子が形成され、
    　前記電気双極子は、前記第２酸化物層から前記第１酸化物層に向かう向きの成分を含む双極子モーメントを有することを特徴とする請求項２～６の何れか１項に記載の発光素子。
  9. 　前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層は、それぞれ非晶質の酸化物からなることを特徴とする請求項２～８の何れか１項に記載の発光素子。
  10. 　少なくとも前記第１酸化物層と前記第２酸化物層との接触面において、前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層のうち少なくとも一方の層がグレインを含むことを特徴とする請求項２～８の何れか１項に記載の発光素子。
  11. 　少なくとも前記第１酸化物層と前記第２酸化物層との接触面において、前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層のうち少なくとも一方の層が多結晶の酸化物を含むことを特徴とする請求項２～８、１０の何れか１項に記載の発光素子。
  12. 　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層のうち、上層側の層は、非晶質の酸化物からなることを特徴とする請求項１０または１１に記載の発光素子。
  13. 　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層のうち、上層側の層は、連続膜であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の発光素子。
  14. 　前記第１酸化物層または前記第２酸化物層は、酸素以外の最も多い元素が、Ａｌ、Ｇａ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｒのうちの何れかである酸化物からなることを特徴とする請求項２～１３の何れか１項に記載の発光素子。
  15. 　前記第１酸化物層と前記第２酸化物層とは、共通のカチオンを含むことを特徴とする請求項２～１４の何れか１項に記載の発光素子。
  16. 　前記第１酸化物層の膜厚は、０．２ｎｍ以上、５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２～１５の何れか１項に記載の発光素子。
  17. 　前記第１酸化物層の膜厚は、０．８ｎｍ以上、３ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１６に記載の発光素子。
  18. 　前記第２酸化物層の膜厚は、０．２ｎｍ以上、５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２～１７の何れか１項に記載の発光素子。
  19. 　前記第２酸化物層の膜厚は、０．８ｎｍ以上、３ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１８に記載の発光素子。
  20. 　前記正孔輸送層、前記第１酸化物層、及び前記第２酸化物層は、前記アノード側からこの順に、前記アノードと前記発光層との間に設けられていることを特徴とする請求項２～１９の何れか１項に記載の発光素子。
  21. 　前記第１酸化物層中の正孔密度及び前記第２酸化物層中の正孔密度は、それぞれ、前記正孔輸送層の正孔密度よりも小さいことを特徴とする請求項２０に記載の発光素子。
  22. 　前記正孔輸送層のイオン化ポテンシャルが前記発光層のイオン化ポテンシャルよりも小さく、前記発光層のイオン化ポテンシャルが前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層のイオン化ポテンシャルよりも小さいことを特徴とする請求項２０または２１に記載の発光素子。
  23. 　前記正孔輸送層、前記発光層、前記第２酸化物層、前記第１酸化物層の順にイオン化ポテンシャルが小さいことを特徴とする請求項２０～２２の何れか１項に記載の発光素子。
  24. 　前記正孔輸送層、前記発光層、前記第１酸化物層、前記第２酸化物層の順にイオン化ポテンシャルが小さいことを特徴とする請求項２０～２２の何れか１項に記載の発光素子。
  25. 　前記正孔輸送層は酸化物からなることを特徴とする請求項２０～２４の何れか１項に記載の発光素子。
  26. 　前記正孔輸送層は、前記第１酸化物層に接し、
    　前記第１酸化物層中の酸素原子の密度は、前記正孔輸送層中の酸素原子の密度よりも小さいことを特徴とする請求項２５に記載の発光素子。
  27. 　前記第１酸化物層中の酸素原子の密度は、前記正孔輸送層中の酸素原子密度の５０％以上、９５％以下であることを特徴とする請求項２６に記載の発光素子。
  28. 　前記第１酸化物層中の酸素原子の密度は、前記正孔輸送層中の酸素原子密度の５０％以上、９０％以下であることを特徴とする請求項２７に記載の発光素子。
  29. 　前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層が前記正孔輸送層と前記発光層との間に設けられている場合には前記正孔輸送層と前記第１酸化物層とが接し、前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層が前記発光層と前記電子輸送層との間に設けられている場合には前記第２酸化物層と前記電子輸送層とが接し、
    　前記正孔輸送層と前記第１酸化物層とが接する場合には、少なくとも前記正孔輸送層と前記第１酸化物層との接触面において、前記正孔輸送層及び前記第１酸化物層のうち少なくとも一方の層がグレインを含み、前記電子輸送層と前記第２酸化物層とが接する場合には、少なくとも前記電子輸送層と前記第２酸化物層との接触面において、前記電子輸送層及び前記第２酸化物層のうち少なくとも一方の層がグレインを含んでいることを特徴とする請求項２～１９の何れか１項に記載の発光素子。
  30. 　前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層が前記正孔輸送層と前記発光層との間に設けられている場合には前記正孔輸送層と前記第１酸化物層とが接し、前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層が前記発光層と前記電子輸送層との間に設けられている場合には前記第２酸化物層と前記電子輸送層とが接し、
    　前記正孔輸送層と前記第１酸化物層とが接する場合には、少なくとも前記正孔輸送層と前記第１酸化物層との接触面において、前記正孔輸送層及び前記第１酸化物層のうち少なくとも一方の層が多結晶の酸化物を含み、前記電子輸送層と前記第２酸化物層とが接する場合には、少なくとも前記電子輸送層と前記第２酸化物層との接触面において、前記電子輸送層及び前記第２酸化物層のうち少なくとも一方の層が多結晶の酸化物を含んでいることを特徴とする請求項２～１９の何れか１項に記載の発光素子。
  31. 　前記正孔輸送層は、前記第１酸化物層に接し、
    　前記第１酸化物層中の酸素原子の密度は、前記正孔輸送層中の酸素原子の密度よりも大きいことを特徴とする請求項２５に記載の発光素子。
  32. 　前記第１酸化物層、前記第２酸化物層、及び前記電子輸送層は、前記アノード側からこの順に、前記発光層と前記カソードとの間に設けられていることを特徴とする請求項２～１９の何れか１項に記載の発光素子。
  33. 　前記第１酸化物層の電子密度及び前記第２酸化物層の電子密度は、それぞれ、前記電子輸送層の電子密度よりも小さいことを特徴とする請求項３２に記載の発光素子。
  34. 　前記電子輸送層の電子親和力が前記発光層の電子親和力よりも大きく、前記発光層の電子親和力が前記第１酸化物層及び前記第２酸化物層の電子親和力よりも大きいことを特徴とする請求項３２または３３に記載の発光素子。
  35. 　前記電子輸送層、前記発光層、前記第２酸化物層、前記第１酸化物層の順に電子親和力が大きいことを特徴とする請求項３２～３４の何れか１項に記載の発光素子。
  36. 　前記電子輸送層、前記発光層、前記第１酸化物層、前記第２酸化物層の順に電子親和力が大きいことを特徴とする請求項３２～３４の何れか１項に記載の発光素子。
  37. 　前記電子輸送層は酸化物からなることを特徴とする請求項３２～３６の何れか１項に記載の発光素子。
  38. 　前記電子輸送層は、前記第２酸化物層に接し、
    　前記第２酸化物層中の酸素原子の密度は、前記電子輸送層中の酸素原子の密度よりも小さいことを特徴とする請求項３７に記載の発光素子。
  39. 　前記第２酸化物層中の酸素原子の密度は、前記電子輸送層中の酸素原子の密度の５０％以上、９５％以下であることを特徴とする請求項３８に記載の発光素子。
  40. 　前記第２酸化物層中の酸素原子の密度は、前記電子輸送層中の酸素原子の密度の５０％以上、９０％以下であることを特徴とする請求項３９に記載の発光素子。
  41. 　前記電子輸送層は、前記第２酸化物層に接し、
    　前記第２酸化物層中の酸素原子の密度は、前記電子輸送層中の酸素原子の密度よりも小さいことを特徴とする請求項３７に記載の発光素子。
  42. 　前記第２酸化物層中の酸素原子の密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子の密度の５０％以上、９５％以下であることを特徴とする請求項２～４１の何れか１項に記載の発光素子。
  43. 　前記第２酸化物層中の酸素原子の密度は、前記第１酸化物層中の酸素原子の密度の５０％以上、９０％以下であることを特徴とする請求項４２に記載の発光素子。
  44. 　前記正孔輸送層と前記発光層との間、及び、前記発光層と前記電子輸送層との間の他方に、第３酸化物層と、該第３酸化物層に接する第４酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順に備え、
    　前記第４酸化物層中の酸素原子密度は、前記第３酸化物層中の酸素原子密度より小さいことを特徴とする請求項２～４３の何れか１項に記載の発光素子。
  45. 　前記正孔輸送層と前記発光層との間、及び、前記発光層と前記電子輸送層との間の他方に、第３酸化物層と、該第３酸化物層に接する第４酸化物層と、を前記アノードに近い方からこの順に備え、
    　前記第３酸化物層中の酸素原子密度は、前記第４酸化物層中の酸素原子密度より小さいことを特徴とする請求項２～４３の何れか１項に記載の発光素子。
  46. 　前記第１酸化物層中の酸素原子密度は、前記第２酸化物層中の酸素原子密度より小さいことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  47. 　前記発光層は、量子ドット蛍光体を含むことを特徴とする請求項１～４６の何れか１項に記載の発光素子。
  48. 　請求項１～４７の何れか１項に記載の発光素子を備えていることを特徴とする発光装置。
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