WO2021010218A1 - 光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法 - Google Patents

光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法 Download PDF

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photodetection
photodetector
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威士 渡利
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浜松ホトニクス株式会社
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Definitions

  • the present disclosure relates to a signal reading circuit, a signal reading device, and a signal reading method of a photodetector.
  • Patent Document 1 discloses a technique related to a radiation detector.
  • This radiation detector includes a scintillator group including a plurality of scintillators coupled two-dimensionally and an optical sensor optically coupled to the scintillator group, and detects the incident position of gamma rays incident on the scintillator group. ..
  • the scintillator group is configured so that each scintillator is in close contact with or close to each other.
  • a plurality of optical sensors are optically coupled to the scintillator group, and based on the detected light amount detected by each optical sensor, the center of gravity of the light amount distribution is obtained to detect the incident position of gamma rays.
  • FIG. 14 conceptually shows the configuration of a radiation detector using a resistance chain as an example.
  • the radiation detector 100 includes a scintillator group 101 composed of a plurality of scintillators 102 arranged one-dimensionally or two-dimensionally, and a multi-channel photodetector 103 attached to the scintillator group 101.
  • Each photodetection pixel (channel) 104 of the photodetection element 103 is electrically connected to each other via a resistance chain 105 composed of a plurality of resistors 106 connecting adjacent photodetection pixels 104 to each other.
  • signals are read from both ends of the resistance chain 105, and the incident position of light (that is, the incident position of radiation) is specified based on the magnitude thereof.
  • Such a method is often used for reading a signal from a multi-anode PMT, and is widely used in positron emission tomography (PET) and radiation measuring instruments.
  • PET positron emission tomography
  • a signal reading circuit of a photodetector, a signal reading device, and a signal reading device capable of distinguishing and detecting light incident at a plurality of positions at the same time while suppressing an increase in the circuit scale. It is an object of the present invention to provide a signal reading method.
  • the embodiment is a signal reading circuit of a photodetector.
  • the signal reading circuit of the photodetector is a circuit that reads a signal from a photodetector having a plurality of photodetector pixels that generate a detection signal according to the incident of light, and N pieces included in the plurality of photodetector pixels.
  • N 9 photodetector detectors that input detection signals from each of the photodetector pixels (N is an integer of 2 or more) and output a signal indicating the incident of light, and N output signals from the photodetector detectors.
  • Each photodetector includes a total value detector that detects the total value, and each photodetector outputs a signal with different weights corresponding to each photodetector, the weights of which are for N photodetectors.
  • the total value is set to be different from each other for each photodetected pixel and all the combination patterns of the photodetected pixels.
  • the embodiment is a method of reading a signal of a photodetector.
  • the signal reading method of the photodetector is a method of reading a signal from a photodetector having a plurality of photodetector pixels that generate a detection signal according to the incident of light, and N pieces included in the plurality of photodetector pixels.
  • signals with different weights are generated for each photodetector pixel, and the weights are applied to the individual photodetector pixels in the N photodetector pixels and between the photodetector pixels. Set the total values to be different from each other for all combination patterns.
  • the light incident detection unit when the light incident detection unit (first step) generates a signal indicating light incident, different weights are applied to each light detection pixel, and N weighted signals are given.
  • the total value of the signals is detected by the total value detection unit (second step).
  • the weights are set so that the total value is different from each other for each photodetected pixel and all the combination patterns of the photodetected pixels.
  • the embodiment is a signal reading device for a photodetector.
  • the signal reading device of the photodetector is from a photodetector having a group of M photodetectors (M is an integer of 2 or more) including each of a plurality of photodetectors that generate a detection signal according to the incident of light.
  • this signal reading device by making the M signal reading circuits into the signal reading circuits having the above-described configuration, it is possible that light is incident at a plurality of positions at the same time while suppressing an increase in the circuit scale. Can also be detected separately. Further, by dividing a large number of photodetection pixels of the photodetector into M photodetection pixel groups and providing a signal read circuit for each photodetector pixel group, as compared with the case where a single signal read circuit is used. , The number N of photodetection detection units can be reduced. Therefore, it is possible to prevent the number of all combination patterns realized by the N photodetection pixels from becoming too large.
  • the signal reading circuit, the signal reading device, and the signal reading method of the photodetector of the embodiment while suppressing the increase in the circuit scale, they are distinguished even when light is incident at a plurality of positions at the same time. Can be detected.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of the radiation detector 1A according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a perspective view showing the appearance of the scintillator array 5.
  • FIG. 3 is a perspective view showing the appearance of the photodetection element 7.
  • FIG. 4 is a plan view showing a light incident surface 7a of the photodetection element 7.
  • FIG. 5 is a perspective view showing the appearance of the signal reading device 10.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing the internal configuration of the signal reading circuit 11.
  • 7A and 7B are a diagram showing (a) one light detection pixel group 74, and (b) and (a) the weight values of the light incident detection unit 13 corresponding to each of the four light detection pixels 71. It is a figure which shows an example.
  • FIG. 8 is a chart showing the relationship between the total value of the output signals from the N light incident detection units 13 detected by the total value detection unit 14 and the combination of the channel numbers.
  • FIG. 9 is a diagram conceptually showing an example in which it is determined which of the photodetection pixels 71 of the photodetection elements 7 (a) to (e) the photon is incident.
  • FIG. 10 is a diagram conceptually showing an operation example of the signal reading circuit 11.
  • FIG. 11 is a diagram conceptually showing another operation example of the signal reading circuit 11.
  • FIG. 12 is a flowchart showing a signal reading method according to an embodiment.
  • FIG. 13 is a plan view showing a modified example of the light incident surface 7a of the photodetection element 7.
  • FIG. 14 is a diagram conceptually showing the configuration of a radiation detector using a resistance chain.
  • FIG. 15 is a diagram conceptually showing the configuration of a radiation detector having a method of providing the same number of reading circuits as the photodetector pixels and individually reading out output signals from the individual photodetector pixels.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of the radiation detector 1A according to the embodiment.
  • the radiation detector 1A includes a scintillator array 5, a photodetection element 7, and a signal reading device 10.
  • the scintillator array 5 is arranged on one end surface (light incident surface) of the photodetection element 7.
  • the signal reading device 10 is arranged on the other end surface (signal output surface) of the photodetection element 7.
  • the photodetection element 7 is arranged between the scintillator array 5 and the signal reading device 10 in the incident direction of radiation.
  • FIG. 2 is a perspective view showing the appearance of the scintillator array 5.
  • L scintillators 51 has a rectangular parallelepiped outer shape, and is arranged side by side in a one-dimensional shape or a two-dimensional shape.
  • 16 scintillators 51 are arranged in a two-dimensional manner of 4 rows ⁇ 4 columns.
  • Each scintillator 51 generates photons when radiation is incident on it.
  • a wall is provided between the scintillators 51 adjacent to each other to block light, and at least a part of the photons generated in the scintillator 51 does not move to another adjacent scintillator 51, and the surface on which the radiation is incident. Move to the opposite side.
  • Examples of the material of the scintillator 51 include plastic and the like.
  • FIG. 3 is a perspective view showing the appearance of the photodetection element 7.
  • the photodetector 7 is a multi-channel photodetector such as an MPPC or a multi-anode PMT, and in the case of MPPC, for example, it is mainly composed of a semiconductor material such as silicon.
  • the photodetection element 7 has L photodetection pixels 71 in the light incident surface 7a.
  • the L photodetector pixels 71 are arranged one-dimensionally or two-dimensionally side by side according to the arrangement of the scintillators 51 in the scintillator array 5.
  • each photodetector pixel 71 has a one-to-one correspondence with each scintillator 51 and faces each scintillator 51.
  • 16 photodetection pixels 71 are arranged in a two-dimensional manner of 4 rows ⁇ 4 columns.
  • the photodetection element 7 further has L output terminals 72. Each output terminal 72 protrudes from the signal output surface 7b on the side opposite to the light incident surface 7a, and is provided in a one-to-one correspondence with each light detection pixel 71.
  • Each of the L photodetection pixels 71 generates a detection signal according to the incident of photons from the scintillator 51.
  • Each photodetector pixel 71 is configured to include, for example, an avalanche photodiode (APD) operating in Geiger mode and a quenching resistor connected in series with the APD. The quenching resistor is electrically connected to the output terminal 72.
  • the detection signal generated by each light detection pixel 71 is output from the output terminal 72 to the outside of the light detection element 7.
  • FIG. 4 is a plan view showing a light incident surface 7a of the photodetection element 7.
  • the L light detection pixels 71 are divided into M light detection pixel groups 74 (M is an integer of 2 or more) including N light detection pixels 71, respectively.
  • the 16 photodetected pixels 71 are evenly divided into the four photodetected pixel groups 74.
  • the number N of the light detection pixels 71 included in each light detection pixel group 74 is 4.
  • the number of rows N 1 and the number of columns N 2 are also arbitrary.
  • FIG. 5 is a perspective view showing the appearance of the signal reading device 10.
  • the signal reading device 10 has M signal reading circuits 11.
  • the M signal reading circuits 11 are arranged one-dimensionally or two-dimensionally side by side in correspondence with the arrangement of the photodetection pixel group 74 in the photodetection element 7.
  • each signal reading circuit 11 has a one-to-one correspondence with each photodetection pixel group 74.
  • Each signal reading circuit 11 has N input terminals 12 connected to N output terminals 72 of the corresponding photodetector pixel group 74.
  • the number M of the signal reading circuits 11 is 4, and the number N of the input terminals 12 is 4.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing the internal configuration of the signal reading circuit 11.
  • the signal reading circuit 11 includes N light incident detection units 13 and one total value detection unit 14.
  • Each of the N light incident detection units 13 is provided corresponding to each of the N light detection pixels 71, and is electrically connected to the corresponding light detection pixels 71 via the output terminal 72 and the input terminal 12. .. That is, each light incident detection unit 13 is connected to the corresponding light detection pixel 71 via a wiring having a resistance value of substantially zero.
  • Each photodetection detection unit 13 inputs a detection signal from the corresponding light detection pixel 71, and outputs a signal indicating that a photon is incident on the light detection pixel 71.
  • the signal indicating the incident of a photon is, for example, a pulse signal having a rectangular time waveform.
  • the light incident detection unit 13 includes a comparator. When the detection signal from the photodetection pixel 71 exceeds a predetermined threshold value, the comparator outputs a pulse signal having a preset size.
  • the "pulse signal having a preset size" is a signal with different weights for each light incident detection unit 13, and each light incident detection unit 13 has a different magnitude.
  • the comparator of each light incident detection unit 13 generates a pulse signal having a certain magnitude when detecting the incident of a photon. Then, the comparator of each light incident detection unit 13 converts the pulse signal into a pulse signal having a different magnitude for each light incident detection unit 13 according to the weight determined for each light incident detection unit 13. .
  • the total value detection unit 14 is electrically connected to the N light incident detection units 13 via a signal transmission system having substantially zero impedance, and the output signals from the N light incident detection units 13 Detect the total value of.
  • the line lengths between the total value detection unit 14 and the total value detection unit 14 are equal to each other in the N light incident detection units 13. Further, the signal transmission systems from the N light incident detection units 13 reach the total value detection unit 14 after being combined into one at the node Nd.
  • the output signals from the N light incident detection units 13 are analog signals
  • the total value detection unit 14 includes an analog-to-digital conversion circuit.
  • the total value detection unit 14 converts the signal obtained by superimposing the output signals from the N light incident detection units 13 into a digital signal. That is, when a certain light incident detection unit 13 outputs a V 1 (V) signal and another light incident detection unit 13 outputs a V 2 (V) signal, the total value detection unit 14 outputs V 1 + V. 2 Convert the (V) signal to a digital signal.
  • the digital signal output from the total value detection unit 14 is output to the outside of the radiation detector 1A.
  • FIG. 7A is a diagram showing one photodetection pixel group 74.
  • four photodetection pixels 71 in 2 rows x 2 columns are shown.
  • these photodetector pixels 71 are numbered with channels (CH) (1) to (4).
  • each light incident detection unit 13 outputs a signal with different weights corresponding to each light detection pixel 71.
  • FIG. 7B shows an example of the weight value of the light incident detection unit 13 corresponding to each of the four light detection pixels 71 shown in FIG. 7A.
  • the channel number (1) is given a weight 1
  • the channel number (2) is given a weight 2
  • the channel number (3) is given a weight 4
  • the channel number (4) is given a weight 8.
  • the weight of each light incident detection unit 13 can be realized, for example, by adjusting the voltage supplied to the comparator to a size corresponding to the weight by resistance division or the like.
  • FIG. 8 is a chart showing the relationship between the total value of the output signals from the N light incident detection units 13 detected by the total value detection unit 14 and the combination of the channel numbers.
  • the total value when the total value is zero, it indicates that no photon is incident on any of the photodetected pixels 71.
  • the total value 1, it indicates that the photon is incident only on the photodetected pixel 71 of the channel number (1).
  • the total value When the total value is 2, it indicates that the photon is incident only on the photodetected pixel 71 of the channel number (2).
  • the total value is 3, it indicates that photons are simultaneously incident on the two photodetection pixels 71 of the channel numbers (1) and (2).
  • the total values are different from each other for all the combination patterns of the individual light detection pixels 71 and the light detection pixels 71 in the N light detection pixels 71, and the total values do not overlap.
  • FIG. 9 is a diagram conceptually showing an example of determining which photodetection pixel 71 of the photodetection element 7 the photon is incident on.
  • FIG. 9A shows four photodetection pixel groups 74, each including 2 rows ⁇ 2 columns (4 in total) of photodetection pixels 71.
  • the four signal reading circuits 11 corresponding to the four photodetection pixel groups 74 each output the total value of 1, 1, 6, and 2, respectively.
  • the two photodetected pixel groups 74 having a total value of 1 as shown in FIG. 9 (c)
  • the light detection pixel 71 determined to have been incident is shown by hatching).
  • the photodetection pixel group 74 having a total value of 6 it is determined that photons are simultaneously incident on the two photodetection pixels 71 of the channel numbers (2) and (3).
  • the photodetection pixel group 74 having a total value of 2 it is determined that the photon is incident only on the photodetection pixel 71 of the channel number (2).
  • the four signal reading circuits 11 corresponding to the four photodetection pixel groups 74 each output the total value of 0, 14, 0, and 2, respectively. ..
  • the two photodetection pixel groups 74 having a total value of 0 as shown in FIG. 9E, it is determined that no photon is incident on any of the photodetection pixels 71.
  • the photodetection pixel group 74 having a total value of 14 it is determined that photons are simultaneously incident on the three photodetection pixels 71 of the channel numbers (2), (3) and (4).
  • the photodetection pixel group 74 having a total value of 2 it is determined that the photon is incident only on the photodetection pixel 71 of the channel number (2).
  • FIG. 10 is a diagram conceptually showing an operation example of the signal reading circuit 11.
  • the pulse signal P1 having a height (voltage value) of 1 is output from the light incident detection unit 13 corresponding to the channel number (1).
  • a pulse signal P2 having a height (voltage value) of 4 is output from the light incident detection unit 13 corresponding to the channel number (3).
  • the heights of the pulse signals P1 and P2 are relative values.
  • pulse signals P1 and P2 overlap each other at the node Nd to become a pulse signal P3 having a peak height (maximum voltage value) of 5, and are input to the A / D conversion circuit which is the total value detection unit 14. ..
  • the total value detection unit 14 generates a digital signal according to the peak height of the pulse signal P3, and outputs the digital signal to the outside of the signal reading device 10. As shown in FIG. 10, even if the generation timings of the pulse signals P1 and P2 are slightly deviated, it is permissible if the deviation is equal to or less than the time width of the pulse signals P1 and P2.
  • the time width of the pulse signal output from the light incident detection unit 13 affects the response speed of the radiation detector 1A. Therefore, it is desirable that the time width can be arbitrarily set according to the usage environment and required specifications. Further, if the time width of the pulse signals output from the light incident detection unit 13 is too short with respect to the processing cycle (processing speed) of the total value detection unit 14, when a plurality of pulse signals are separated in time, the total The signal input to the value detection unit 14 does not become the total value thereof, which may lead to erroneous detection. Therefore, it is preferable to set the time width of the pulse signal according to the processing cycle of the total value detection unit 14.
  • FIG. 11 is a diagram conceptually showing another operation example of the signal reading circuit 11. Also in this example, it is assumed that photons are incident on the two photodetection pixels 71 of channel numbers (1) and (3) at almost the same time.
  • the pulse signal from the light incident detection unit 13 corresponding to the channel number (1) has a pulse area (that is, a time integral value of the pulse height, typically pulse time width ⁇ pulse height) of 1.
  • P4 is output.
  • the light incident detection unit 13 corresponding to the channel number (3) outputs a pulse signal P5 having a pulse area of 4.
  • the areas of the pulse signals P4 and P5 are relative values.
  • pulse signals P4 and P5 are input to the A / D conversion circuit which is the total value detection unit 14.
  • the total value detection unit 14 generates a digital signal corresponding to the total area of the pulse signals P4 and P5, and outputs the digital signal to the outside of the signal reading device 10.
  • the total value detection unit 14 generates digital signals according to the total area of the pulse signals existing in the predetermined processing cycle, and when the two pulse signals are generated in different processing cycles, those are generated.
  • the area of the pulse signal is not totaled, and A / D conversion is performed at individual timings. That is, as shown in FIG. 11, even if the generation timings of the pulse signals P4 and P5 are slightly deviated, if the deviation is equal to or less than the processing cycle of the total value detection unit 14, they are treated as simultaneous incidents.
  • FIG. 12 is a flowchart showing a signal reading method according to the present embodiment.
  • This signal reading method is a method of reading a signal from a photodetection element 7 having a plurality of photodetection pixels 71 that generate a detection signal according to the incident of light.
  • the signal reading circuit 11 of the present embodiment is used. Can be realized.
  • N signals indicating the incident of light are generated based on the signals from each of the N photodetection pixels 71 included in the photodetection pixel group 74.
  • This first step S1 is performed by, for example, N light incident detection units 13.
  • the second step S2 the total value of N signals is detected.
  • This second step S2 is performed, for example, in the total value detection unit 14.
  • the first step S1 signals having different weights corresponding to each photodetected pixel 71 are generated, and the weights are applied to the individual photodetected pixels 71 and the photodetected pixels 71 in the photodetected pixel group 74.
  • the total values are set so as to be different from each other for all the combination patterns of (see FIG. 8).
  • the weights are set so that the total value is different from each other for all the combination patterns of the individual light detection pixels 71 and the light detection pixels 71.
  • the radiation detector disclosed in Patent Document 1 also weights the output signal from each photodetector pixel.
  • the method of determining the weight value is different from that of the present embodiment, when light is incident at a plurality of positions at the same time, it is not possible to distinguish and detect them.
  • the signal reading circuit 11 and the signal reading method of the present embodiment do not have in the technique described in Patent Document 1 that even when light is incident at a plurality of positions at the same time, they can be distinguished and detected. It has a special effect.
  • a large number of photodetector pixels 71 of the photodetector 7 are divided into M photodetector pixel groups 74, and a signal reading circuit 11 is provided for each photodetector pixel group 74.
  • the number N of the light incident detection units 13 can be reduced as compared with the case where a single signal reading circuit 11 is used. Therefore, it is possible to prevent the number of all combination patterns realized by the N photodetection pixels 71 from becoming too large.
  • the circuit scale can be reduced to 1/N as compared with the case where one signal reading circuit is provided for one light detection pixel 71.
  • each light incident detection unit 13 may include a comparator.
  • a threshold value can be set for the detection signal from the light detection pixel 71, and it can be accurately determined whether or not light is incident. Further, by making the signal output condition (voltage value, etc.) of the comparator different for each comparator, weights are given so that the total value is different from each other for all the combination patterns of the individual photodetected pixels 71 and the photodetected pixels 71. It can be easily set.
  • the output signals from the N light incident detection units 13 are analog signals, and the total value detection unit 14 superimposes the output signals from the N light incident detection units 13. It may include an A / D conversion circuit that converts it into a digital signal. For example, with such a configuration, the total value of the output signals from the N light incident detection units 13 can be suitably detected.
  • the weight value of the light incident detection unit 13 is not limited to this, and various other weights as long as the total value is different from each other for all the combination patterns of the individual light detection pixels 71 and the light detection pixels 71. You may use the value.
  • FIG. 13 is a plan view showing a modified example of the light incident surface 7a of the photodetection element 7.
  • the number of rows N 1 of each light detection pixel group 74 is 8 and the number of columns is N. 2 is set to 1.
  • At least one of the N light detection pixels 71 included in one light detection pixel group 74 may be separated without being adjacent to the other light detection pixels 71.
  • the division pattern of the photodetection pixel group 74 is arbitrary, and the effect of the above embodiment can be suitably exhibited in any division.
  • the signal reading circuit, signal reading device, and signal reading method of the photodetector are not limited to the above-described embodiments and configuration examples, and various other modifications are possible.
  • the pulse height (voltage value) or pulse area of the signal output from the light incident detection unit 13 is weighted, but other signals output from the light incident detection unit 13 are weighted. Weighting may be applied to various feature values.
  • a comparator is adopted as the light incident detection unit 13 and a weighted signal is output from the comparator.
  • the configuration of the light incident detection unit 13 is not limited to this, and for example, it is constant from each comparator.
  • a signal of a magnitude may be output, and the output signal from each comparator may be weighted by using various weighting circuits connected to the subsequent stage of the comparator.
  • the light incident detection unit 13 may be configured by using a logic circuit and a decoder.
  • the signal reading circuit of the photodetector is a circuit that reads a signal from a photodetector having a plurality of photodetector pixels that generate a detection signal according to the incident of light, and has a plurality of photodetector pixels. From N photodetector detectors that input detection signals from each of the included N photodetectors (N is an integer of 2 or more) and output a signal indicating the incident of light, and from N photodetector detectors. Each photodetector detects a total value detector that detects the total value of the output signals of the above, and each photodetector outputs signals with different weights corresponding to each photodetector, and the weights are N. The total value is set to be different from each other for each photodetected pixel in the photodetected pixel and all the combination patterns of the photodetected pixels.
  • the method of reading a signal from a photodetector is a method of reading a signal from a photodetector having a plurality of photodetector pixels that generate a detection signal according to the incident of light, and the photodetector has a plurality of photodetectors.
  • N is an integer of 2 or more
  • the first step of generating N signals indicating the incident of light and the total value of the N signals are detected.
  • a differently weighted signal is generated for each photodetector pixel, and the weight is applied to the individual photodetector pixels and the photodetection pixels in the N photodetector pixels.
  • the total value is set to be different from each other for all the combination patterns of the detected pixels.
  • each light incident detection unit may include a comparator.
  • a threshold value can be set for the detection signal from the light detection pixel, and it can be accurately determined whether or not the light is incident.
  • weights are set so that the total value is different from each other for each photodetected pixel and all combination patterns of the photodetected pixels. You can do that easily.
  • the output signals from the N light incident detection units are analog signals
  • the total value detection unit converts the signal obtained by superimposing the output signals from the N light incident detection units into a digital signal.
  • the configuration may include an analog-digital conversion circuit for conversion. For example, with such a configuration, the total value of the output signals from the N light incident detection units can be detected.
  • the total value can be made different from each other for each light detection pixel and all the combination patterns of the light detection pixels.
  • the signal reading device of the photodetector is a light having a group of M photodetectors (M is an integer of 2 or more) including each of a plurality of photodetectors that generate a detection signal according to the incident light.
  • a signal reading circuit of a photodetection element, a signal reading device, and a signal reading device capable of distinguishing and detecting even when light is incident at a plurality of positions at the same time while suppressing an increase in the circuit scale. It can be used as a signal reading method.
  • 1A ... radiation detector, 5 ... scintillator array, 7 ... light detection element, 7a ... light incident surface, 7b ... signal output surface, 10 ... signal reading device, 11 ... signal reading circuit, 12 ... input terminal, 13 ... light incident surface Detection unit, 14 ... Total value detection unit, 51 ... Scintillator, 71 ... Light detection pixel, 72 ... Output terminal, 74 ... Light detection pixel group, 100 ... Radiation detector, 101 ... Scintillator group, 102 ... Scintillator, 103 ... Light Detection element, 104 ... light detection pixel, 105 ... resistance chain, 106 ... resistance, Nd ... node, P1 to P5 ... pulse signal.

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Abstract

信号読出回路１１は、光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセル７１を有する光検出素子７からの信号を読み出す回路であって、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）の光検出ピクセル７１それぞれから検出信号を入力し、光の入射を示す信号を出力するＮ個の光入射検出部１３と、Ｎ個の光入射検出部１３からの出力信号の合計値を検出する合計値検出部１４とを備える。各光入射検出部１３は、各光検出ピクセル７１に対応して異なる重み付けがなされた信号を出力する。その重みは、個々の光検出ピクセル７１および光検出ピクセル７１同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように設定される。これにより、回路規模の大型化を抑制しつつ、複数の位置において同時に光が入射した場合であってもそれらを区別して検出することが可能な光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法が実現される。

Description

光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法
　本開示は、光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法に関するものである。
　特許文献１には、放射線検出器に関する技術が開示されている。この放射線検出器は、２次元的に結合された複数個のシンチレータを含むシンチレータ群と、シンチレータ群に光学的に結合された光学センサとを備え、シンチレータ群に入射したガンマ線の入射位置を検出する。シンチレータ群は、各シンチレータ同士を密着または近接させて構成されている。シンチレータ群には複数個の光センサが光学的に結合され、各光センサにおいて検出された検出光量に基づき、光量分布の重心を求めてガンマ線の入射位置を検出する。
特開平７－３１１２７０号公報
Andrew L. Goertzen et al., "Design and Performance of a Resistor Multiplexing Readout Circuit for a SiPM Detector", IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol.60 No.3, pp.1541-1549 (2013) Vladimir Popov et al., "A novel readout concept for multianode photomultiplier tubes with pad matrix anode layout", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, A 567, pp.319-322 (2006)
　例えばＭＰＰＣ（Multi-Pixel Photon Counter）やマルチアノードＰＭＴ（Photomultiplier Tube）といったマルチチャンネル型の光検出素子から信号を読み出す際、最も広く用いられている方式は、抵抗チェーンを用いる方式である。図１４は、一例として、抵抗チェーンを用いた放射線検出器の構成を概念的に示す。この放射線検出器１００は、一次元状または二次元状に配列された複数のシンチレータ１０２からなるシンチレータ群１０１と、このシンチレータ群１０１に貼着されたマルチチャンネル型の光検出素子１０３とを備える。
　光検出素子１０３の各光検出ピクセル（チャンネル）１０４は、隣接する光検出ピクセル１０４同士を接続する複数の抵抗１０６からなる抵抗チェーン１０５を介して互いに電気的に接続されている。この放射線検出器１００では、抵抗チェーン１０５の両端から信号を読み出し、その大きさに基づいて光の入射位置（すなわち放射線の入射位置）を特定する。このような方式は、特にマルチアノードＰＭＴからの信号の読み出しに多く用いられ、ポジトロン断層撮影（Positron Emission Tomography：ＰＥＴ）や放射線計測器などにおいて幅広く採用されている。
　しかしながら、このような抵抗チェーン方式には次の課題が存在する。すなわち、光の入射位置を特定するための信号処理に数十～数百マイクロ秒を要するので、検出素子自体の応答速度が比較的速い（例えば１００ナノ秒以下）にもかかわらず、信号処理速度が装置全体の応答速度を遅くしてしまう。また、複数の位置において同時に光が入射した場合にはそれらを区別して検出することができず、入射位置情報が失われてしまう。
　抵抗チェーン方式が有するこれらの課題に対し、光検出ピクセル１０４と同数の読み出し回路を設け、個々の光検出ピクセル１０４からの出力信号を個別に読み出す方式が考えられる（図１５を参照）。しかしながら、このような方式では光検出ピクセル１０４の個数に応じて読み出し回路の規模が拡大し、例えば６４個や２５６個といった光検出ピクセル数に対しては膨大な回路規模となる。
　実施形態は、回路規模の大型化を抑制しつつ、複数の位置において同時に光が入射した場合であってもそれらを区別して検出することが可能な光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法を提供することを目的とする。
　実施形態は、光検出素子の信号読出回路である。光検出素子の信号読出回路は、光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセルを有する光検出素子からの信号を読み出す回路であって、複数の光検出ピクセルに含まれるＮ個（Ｎは２以上の整数）の光検出ピクセルそれぞれから検出信号を入力し、光の入射を示す信号を出力するＮ個の光入射検出部と、Ｎ個の光入射検出部からの出力信号の合計値を検出する合計値検出部と、を備え、各光入射検出部は、各光検出ピクセルに対応して異なる重み付けがなされた信号を出力し、その重みは、Ｎ個の光検出ピクセルにおける個々の光検出ピクセルおよび光検出ピクセル同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように設定されている。
　実施形態は、光検出素子の信号読出方法である。光検出素子の信号読出方法は、光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセルを有する光検出素子からの信号を読み出す方法であって、複数の光検出ピクセルに含まれるＮ個（Ｎは２以上の整数）の光検出ピクセルそれぞれからの信号に基づいて、光の入射を示すＮ個の信号を生成する第１ステップと、Ｎ個の信号の合計値を検出する第２ステップと、を含み、第１ステップでは、各光検出ピクセルに対応して異なる重み付けがなされた信号を生成し、その重みを、Ｎ個の光検出ピクセルにおける個々の光検出ピクセルおよび光検出ピクセル同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように設定する。
　上記の信号読出回路および信号読出方法では、光入射検出部（第１ステップ）において光入射を示す信号を生成する際、各光検出ピクセルに対応して異なる重み付けがなされ、重み付けされたＮ個の信号の合計値が合計値検出部（第２ステップ）において検出される。その重みは、個々の光検出ピクセルおよび光検出ピクセル同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように設定される。
　このような構成では、何れの光検出ピクセル（１つ若しくは複数）に光が入射したかを合計値から一意に判定することができる。したがって、この信号読出回路および信号読出方法によれば、複数の位置において同時に光が入射した場合であってもそれらを区別して検出することが可能となる。また、Ｎ個の光検出ピクセルそれぞれに対応するＮ個の信号読出回路を設ける場合と比較して、回路規模の大型化を抑制することができる。
　実施形態は、光検出素子の信号読出装置である。光検出素子の信号読出装置は、光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセルをそれぞれ含むＭ個（Ｍは２以上の整数）の光検出ピクセル群を有する光検出素子からの信号を読み出す装置であって、上記構成の光検出素子の信号読出回路であるＭ個の信号読出回路を備え、Ｍ個の信号読出回路それぞれは、Ｍ個の光検出ピクセル群それぞれからの信号を読み出す。
　この信号読出装置によれば、Ｍ個の信号読出回路を上記した構成の信号読出回路とすることにより、回路規模の大型化を抑制しつつ、複数の位置において同時に光が入射した場合であってもそれらを区別して検出することができる。また、光検出素子の多数の光検出ピクセルをＭ個の光検出ピクセル群に区分けし、光検出ピクセル群毎に信号読出回路を設けることにより、単一の信号読出回路を用いる場合と比較して、光入射検出部の個数Ｎを小さくすることができる。したがって、Ｎ個の光検出ピクセルにより実現される全ての組み合わせパターンの個数が大きくなり過ぎることを抑制できる。
　実施形態の光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法によれば、回路規模の大型化を抑制しつつ、複数の位置において同時に光が入射した場合であってもそれらを区別して検出することができる。
図１は、一実施形態に係る放射線検出器１Ａの外観を示す斜視図である。 図２は、シンチレータアレイ５の外観を示す斜視図である。 図３は、光検出素子７の外観を示す斜視図である。 図４は、光検出素子７の光入射面７ａを示す平面図である。 図５は、信号読出装置１０の外観を示す斜視図である。 図６は、信号読出回路１１の内部構成を概略的に示す図である。 図７は、（ａ）一つの光検出ピクセル群７４を示す図、及び（ｂ）（ａ）に示された４個の光検出ピクセル７１のそれぞれに対応する光入射検出部１３の重み値の例を示す図である。 図８は、合計値検出部１４において検出されるＮ個の光入射検出部１３からの出力信号の合計値と、チャンネル番号の組み合わせとの関係を示す図表である。 図９は、（ａ）～（ｅ）光検出素子７の何れの光検出ピクセル７１に光子が入射したかを判定した例を概念的に示す図である。 図１０は、信号読出回路１１の動作例を概念的に示す図である。 図１１は、信号読出回路１１の別の動作例を概念的に示す図である。 図１２は、一実施形態に係る信号読出方法を示すフローチャートである。 図１３は、光検出素子７の光入射面７ａの変形例を示す平面図である。 図１４は、抵抗チェーンを用いた放射線検出器の構成を概念的に示す図である。 図１５は、光検出ピクセルと同数の読み出し回路を設け、個々の光検出ピクセルからの出力信号を個別に読み出す方式を備える放射線検出器の構成を概念的に示す図である。
　以下、添付図面を参照しながら、光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
　図１は、一実施形態に係る放射線検出器１Ａの外観を示す斜視図である。この放射線検出器１Ａは、シンチレータアレイ５、光検出素子７、及び信号読出装置１０を備える。シンチレータアレイ５は、光検出素子７の一端面（光入射面）上に配置されている。信号読出装置１０は、光検出素子７の他端面（信号出力面）上に配置されている。言い換えると、放射線の入射方向において、光検出素子７はシンチレータアレイ５と信号読出装置１０との間に配置されている。
　図２は、シンチレータアレイ５の外観を示す斜視図である。シンチレータアレイ５は、Ｌ個（Ｌは２以上の整数、図ではＬ＝１６の場合を示す）のシンチレータ５１を有する。Ｌ個のシンチレータ５１は、それぞれ直方体状の外形を有しており、一次元状又は二次元状に並んで配列されている。図示例では、１６個のシンチレータ５１が４行×４列の二次元状に配列されている。
　各シンチレータ５１は、放射線が入射すると光子（フォトン）を発生する。互いに隣接するシンチレータ５１の間には光を遮蔽する壁が設けられており、シンチレータ５１内で発生した光子の少なくとも一部は、隣接する他のシンチレータ５１に移動することなく、放射線が入射した面とは反対側の面に移動する。なお、シンチレータ５１の材料としては、プラスチック等が挙げられる。
　図３は、光検出素子７の外観を示す斜視図である。光検出素子７は、例えばＭＰＰＣやマルチアノードＰＭＴといったマルチチャンネル型の光検出素子であって、例えばＭＰＰＣの場合、シリコン等の半導体材料により主に構成されている。光検出素子７は、光入射面７ａ内にＬ個の光検出ピクセル７１を有する。Ｌ個の光検出ピクセル７１は、シンチレータアレイ５におけるシンチレータ５１の配列に対応して、一次元状又は二次元状に並んで配列されている。
　すなわち、各光検出ピクセル７１は、各シンチレータ５１に対して一対一で対応し、各シンチレータ５１と対向している。図示例では、１６個の光検出ピクセル７１が４行×４列の二次元状に配列されている。また、光検出素子７は、Ｌ個の出力端子７２を更に有する。各出力端子７２は、光入射面７ａとは反対側の信号出力面７ｂから突出しており、各光検出ピクセル７１と一対一で対応して設けられている。
　Ｌ個の光検出ピクセル７１のそれぞれは、シンチレータ５１からの光子の入射に応じて検出信号を生成する。各光検出ピクセル７１は、例えば、ガイガーモードで動作するアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ：Avalanche Photo Diode）と、ＡＰＤに対して直列に接続されたクエンチング抵抗とを含んで構成されている。クエンチング抵抗は、出力端子７２と電気的に接続されている。各光検出ピクセル７１にて生成された検出信号は、出力端子７２から光検出素子７の外部へと出力される。
　図４は、光検出素子７の光入射面７ａを示す平面図である。本実施形態では、Ｌ個の光検出ピクセル７１を、それぞれＮ個の光検出ピクセル７１を含むＭ個（Ｍは２以上の整数）の光検出ピクセル群７４に区分けする。図示例では、１６個の光検出ピクセル７１を４個の光検出ピクセル群７４に均等に区分けしている。この場合、各光検出ピクセル群７４に含まれる光検出ピクセル７１の個数Ｎは４となる。また、図示例では、互いに隣接するＮ1行×Ｎ2列（Ｎ1，Ｎ2は１以上の整数、且つＮ1×Ｎ2＝Ｎ）の光検出ピクセル７１を１つの光検出ピクセル群７４に区分けし、且つ、行数Ｎ1及び列数Ｎ2が互いに等しい場合（具体的には、Ｎ1＝Ｎ2＝２）を示している。
　なお、光検出ピクセル群７４の個数Ｍは４に限定されず、例えば、Ｍ＝２やＭ＝６といった様々な数とすることができる。同様に、光検出ピクセル群７４に含まれる光検出ピクセル７１の個数Ｎは４に限定されず、例えば、Ｎ＝２やＮ＝６といった様々な数とすることができる。行数Ｎ1及び列数Ｎ2も任意である。
　図５は、信号読出装置１０の外観を示す斜視図である。信号読出装置１０は、Ｍ個の信号読出回路１１を有する。Ｍ個の信号読出回路１１は、光検出素子７における光検出ピクセル群７４の配列に対応して、一次元状又は二次元状に並んで配列されている。
　すなわち、各信号読出回路１１は、各光検出ピクセル群７４に対して一対一で対応している。各信号読出回路１１は、対応する光検出ピクセル群７４のＮ個の出力端子７２と接続されるＮ個の入力端子１２を有する。図示例では、信号読出回路１１の個数Ｍは４であり、入力端子１２の個数Ｎは４である。
　図６は、信号読出回路１１の内部構成を概略的に示す図である。信号読出回路１１は、Ｎ個の光入射検出部１３と、一つの合計値検出部１４とを備える。Ｎ個の光入射検出部１３それぞれは、Ｎ個の光検出ピクセル７１それぞれに対応して設けられ、出力端子７２及び入力端子１２を介して対応する光検出ピクセル７１と電気的に接続されている。すなわち、各光入射検出部１３は、対応する光検出ピクセル７１と、抵抗値が実質的にゼロである配線を介して接続されている。
　各光入射検出部１３は、対応する光検出ピクセル７１から検出信号を入力し、該光検出ピクセル７１への光子の入射を示す信号を出力する。光子の入射を示す信号とは、例えば矩形状の時間波形を有するパルス信号である。一実施例では、光入射検出部１３はコンパレータを含む。光検出ピクセル７１から検出信号が所定の閾値を超えた場合に、コンパレータは予め設定された大きさのパルス信号を出力する。
　上記構成において、「予め設定された大きさのパルス信号」は、各光入射検出部１３毎に異なる重み付けがなされた信号であり、各光入射検出部１３毎に異なる大きさを有する。一例では、各光入射検出部１３のコンパレータは、光子の入射を検出した際に、或る一定の大きさのパルス信号を生成する。そして、各光入射検出部１３のコンパレータは、該パルス信号を、各光入射検出部１３毎に決められた重みに応じて、各光入射検出部１３毎に異なる大きさのパルス信号に変換する。
　合計値検出部１４は、インピーダンスが実質的にゼロである信号伝送系を介してＮ個の光入射検出部１３と電気的に接続されており、Ｎ個の光入射検出部１３からの出力信号の合計値を検出する。各光入射検出部１３から合計値検出部１４への信号伝送時間を等しくするため、合計値検出部１４との間の線長は、Ｎ個の光入射検出部１３において互いに等しい。また、Ｎ個の光入射検出部１３からの信号伝送系は、ノードＮｄにおいて一つに結合されたのち、合計値検出部１４に達する。
　一実施例では、Ｎ個の光入射検出部１３からの出力信号がアナログ信号であり、合計値検出部１４はアナログ－ディジタル変換回路を含む。この場合、合計値検出部１４は、Ｎ個の光入射検出部１３からの出力信号を重ね合わせた信号をディジタル信号に変換する。すなわち、或る光入射検出部１３がＶ1（Ｖ）の信号を出力し、別の光入射検出部１３がＶ2（Ｖ）の信号を出力した場合、合計値検出部１４はＶ1＋Ｖ2（Ｖ）の信号をディジタル信号に変換する。合計値検出部１４から出力されたディジタル信号は、放射線検出器１Ａの外部へ出力される。
　Ｎ個の光入射検出部１３について、更に詳細に説明する。図７（ａ）は、一つの光検出ピクセル群７４を示す図である。この例では、２行×２列の４個の光検出ピクセル７１が示されている。これらの光検出ピクセル７１には、便宜的に（１）～（４）のチャンネル（ＣＨ）番号が付されている。そして、各光入射検出部１３は、各光検出ピクセル７１に対応して異なる重み付けがなされた信号を出力する。
　図７（ｂ）は、図７（ａ）に示された４個の光検出ピクセル７１のそれぞれに対応する光入射検出部１３の重み値の例を示す。この例では、チャンネル番号（１）に重み１を与え、チャンネル番号（２）に重み２を与え、チャンネル番号（３）に重み４を与え、チャンネル番号（４）に重み８を与えている。言い換えると、チャンネル番号が第ｎ番目（ｎ＝１，２，・・・，Ｎ）である光入射検出部１３の重み値が２(n-1)となっている。
　各光入射検出部１３の重みは、例えばコンパレータに供給する電圧を抵抗分割等により当該重みに応じた大きさに調整することによって実現できる。合計値検出部１４に要求される最小の分解能は、当該合計値検出部１４に接続される光入射検出部１３の個数Ｎによって規定される。例えばＮ＝４である場合、合計値検出部１４に要求される最小の分解能は４ビットである。
　図８は、合計値検出部１４において検出されるＮ個の光入射検出部１３からの出力信号の合計値と、チャンネル番号の組み合わせとの関係を示す図表である。例えば、合計値がゼロである場合、いずれの光検出ピクセル７１にも光子が入射していないことを示す。合計値が１である場合、チャンネル番号（１）の光検出ピクセル７１のみに光子が入射したことを示す。合計値が２である場合、チャンネル番号（２）の光検出ピクセル７１のみに光子が入射したことを示す。合計値が３である場合、チャンネル番号（１）及び（２）の２つの光検出ピクセル７１に光子が同時に入射したことを示す。
　このように、Ｎ個の光検出ピクセル７１における個々の光検出ピクセル７１および光検出ピクセル７１同士の全ての組み合わせパターンに対して、合計値が互いに異なり、合計値は重複しない。
　図９は、光検出素子７の何れの光検出ピクセル７１に光子が入射したかを判定した例を概念的に示す図である。図９（ａ）には、２行×２列（計４個）の光検出ピクセル７１をそれぞれ含む４つの光検出ピクセル群７４が示されている。
　例えば、図９（ｂ）に示すように、４つの光検出ピクセル群７４にそれぞれ対応する４つの信号読出回路１１が、それぞれ１，１，６，２の合計値を出力したとする。このとき、合計値が１である２つの光検出ピクセル群７４では、図９（ｃ）に示すように、チャンネル番号（１）の光検出ピクセル７１のみに光子が入射したと判定される（光子が入射したと判定された光検出ピクセル７１をハッチングにて示す）。合計値が６である光検出ピクセル群７４では、チャンネル番号（２）及び（３）の２つの光検出ピクセル７１に光子が同時に入射したと判定される。合計値が２である光検出ピクセル群７４では、チャンネル番号（２）の光検出ピクセル７１のみに光子が入射したと判定される。
　別の例では、図９（ｄ）に示すように、４つの光検出ピクセル群７４にそれぞれ対応する４つの信号読出回路１１が、それぞれ０，１４，０，２の合計値を出力したとする。このとき、合計値が０である２つの光検出ピクセル群７４では、図９（ｅ）に示すように、いずれの光検出ピクセル７１にも光子は入射していないと判定される。合計値が１４である光検出ピクセル群７４では、チャンネル番号（２）、（３）及び（４）の３つの光検出ピクセル７１に光子が同時に入射したと判定される。合計値が２である光検出ピクセル群７４では、チャンネル番号（２）の光検出ピクセル７１のみに光子が入射したと判定される。
　図１０は、信号読出回路１１の動作例を概念的に示す図である。例えば、チャンネル番号（１）及び（３）の２つの光検出ピクセル７１に光子がほぼ同時に入射したとする。このとき、チャンネル番号（１）に対応する光入射検出部１３からは、高さ（電圧値）が１であるパルス信号Ｐ１が出力される。また、チャンネル番号（３）に対応する光入射検出部１３からは、高さ（電圧値）が４であるパルス信号Ｐ２が出力される。なお、パルス信号Ｐ１，Ｐ２の高さは相対値である。
　これらのパルス信号Ｐ１，Ｐ２は、ノードＮｄにおいて互いに重なり合い、ピーク高さ（最大電圧値）が５であるパルス信号Ｐ３となって、合計値検出部１４であるＡ／Ｄ変換回路へ入力される。合計値検出部１４は、パルス信号Ｐ３のピーク高さに応じたディジタル信号を生成し、該ディジタル信号を信号読出装置１０の外部へ出力する。なお、図１０に示すように、パルス信号Ｐ１，Ｐ２の発生タイミングが僅かにずれても、そのずれがパルス信号Ｐ１，Ｐ２の時間幅以下であれば許容される。
　光入射検出部１３から出力されるパルス信号の時間幅は、放射線検出器１Ａの応答速度に影響する。従って、使用環境及び要求仕様に応じて時間幅を任意に設定できることが望ましい。また、光入射検出部１３から出力されるパルス信号の時間幅が合計値検出部１４の処理周期（処理速度）に対して短過ぎると、複数のパルス信号が時間的に分離した場合に、合計値検出部１４に入力される信号がそれらの合計値とはならず、誤検出につながるおそれがある。従って、合計値検出部１４の処理周期に応じて、パルス信号の時間幅を設定するとよい。
　図１１は、信号読出回路１１の別の動作例を概念的に示す図である。この例においても、チャンネル番号（１）及び（３）の２つの光検出ピクセル７１に光子がほぼ同時に入射したとする。このとき、チャンネル番号（１）に対応する光入射検出部１３からは、パルス面積（すなわちパルス高さの時間積分値、典型的には、パルス時間幅×パルス高さ）が１であるパルス信号Ｐ４が出力される。また、チャンネル番号（３）に対応する光入射検出部１３からは、パルス面積が４であるパルス信号Ｐ５が出力される。なお、パルス信号Ｐ４，Ｐ５の面積は相対値である。
　これらのパルス信号Ｐ４，Ｐ５は、合計値検出部１４であるＡ／Ｄ変換回路へ入力される。合計値検出部１４は、パルス信号Ｐ４，Ｐ５の合計面積に応じたディジタル信号を生成し、該ディジタル信号を信号読出装置１０の外部へ出力する。なお、合計値検出部１４は、所定の処理周期内に存在するパルス信号の合計面積に応じたディジタル信号を生成し、２つのパルス信号がそれぞれ異なる処理周期内で生じた場合には、それらのパルス信号の面積は合計せず、個別のタイミングでＡ／Ｄ変換を行う。つまり、図１１に示すように、パルス信号Ｐ４，Ｐ５の発生タイミングが僅かにずれても、そのずれが合計値検出部１４の処理周期以下であれば同時入射として扱われる。
　図１２は、本実施形態に係る信号読出方法を示すフローチャートである。この信号読出方法は、光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセル７１を有する光検出素子７からの信号を読み出す方法であって、例えば本実施形態の信号読出回路１１を使用して実現され得る。
　まず、第１ステップＳ１において、光検出ピクセル群７４に含まれるＮ個の光検出ピクセル７１それぞれからの信号に基づいて、光の入射を示すＮ個の信号を生成する。この第１ステップＳ１は、例えばＮ個の光入射検出部１３において行われる。次に、第２ステップＳ２において、Ｎ個の信号の合計値を検出する。この第２ステップＳ２は、例えば合計値検出部１４において行われる。
　そして、第１ステップＳ１では、各光検出ピクセル７１に対応して異なる重み付けがなされた信号を生成し、その重みを、当該光検出ピクセル群７４における個々の光検出ピクセル７１および光検出ピクセル７１同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように設定する（図８を参照）。
　以上に説明した、本実施形態による信号読出装置１０および信号読出回路１１、並びに信号読出方法によって得られる効果について説明する。
　本実施形態の信号読出回路１１および信号読出方法では、光入射検出部１３（第１ステップＳ１）において光の入射を示す信号を生成する際、各光検出ピクセル７１に対応して異なる重み付けがなされ、重み付けされたＮ個の信号の合計値が合計値検出部１４（第２ステップＳ２）において検出される。図８に示すように、その重みは、個々の光検出ピクセル７１および光検出ピクセル７１同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように設定される。
　このような構成では、何れの光検出ピクセル７１（１つ若しくは複数）に光が入射したかを合計値から一意に判定することができる。したがって、この信号読出回路１１および信号読出方法によれば、複数の位置において同時に光が入射した場合であってもそれらを区別して検出することが可能となる。また、Ｎ個の光検出ピクセル７１それぞれに対応するＮ個の信号読出回路を設ける場合と比較して、回路規模の大型化を抑制することができる。
　なお、特許文献１に開示された放射線検出器においても、各光検出ピクセルからの出力信号に対して重み付けを行っている。しかし、重み値の決定方法が本実施形態とは異なるので、複数の位置において同時に光が入射した場合、それらを区別して検出することができない。本実施形態の信号読出回路１１および信号読出方法は、複数の位置において同時に光が入射した場合であってもそれらを区別して検出することができるという、特許文献１に記載された技術には無い格別な効果を奏するものである。
　また、本実施形態の信号読出装置１０では、光検出素子７の多数の光検出ピクセル７１をＭ個の光検出ピクセル群７４に区分けし、光検出ピクセル群７４毎に信号読出回路１１を設ける。これにより、単一の信号読出回路１１を用いる場合と比較して、光入射検出部１３の個数Ｎを小さくすることができる。故に、Ｎ個の光検出ピクセル７１により実現される全ての組み合わせパターンの個数が大きくなり過ぎることを抑制できる。また、一つの光検出ピクセル７１に対して一つの信号読出回路を設ける場合と比較して、回路規模をＮ分の１とすることができる。
　本実施形態のように、各光入射検出部１３はコンパレータを含んでもよい。この場合、光検出ピクセル７１からの検出信号に対して閾値を設定し、光が入射したか否かを精度良く判定することができる。また、コンパレータの信号出力条件（電圧値等）をコンパレータ毎に異ならせることにより、個々の光検出ピクセル７１および光検出ピクセル７１同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように重みを設定することも容易にできる。
　本実施形態のように、Ｎ個の光入射検出部１３からの出力信号がアナログ信号であり、合計値検出部１４は、Ｎ個の光入射検出部１３からの出力信号を重ね合わせた信号をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換回路を含んでもよい。例えばこのような構成により、Ｎ個の光入射検出部１３からの出力信号の合計値を好適に検出することができる。
　本実施形態のように、第ｎ番目（ｎ＝１，２，・・・，Ｎ）の光入射検出部１３の重みは２(n-1)であってもよい。例えばこのように重みを設定することにより、個々の光検出ピクセル７１および光検出ピクセル７１同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値を互いに異ならせることができる。但し、光入射検出部１３の重み値はこれに限られず、個々の光検出ピクセル７１および光検出ピクセル７１同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なりさえすれば、他の様々な重み値を用いてもよい。
　（変形例）
　図１３は、光検出素子７の光入射面７ａの変形例を示す平面図である。上記実施形態の図４では、互いに隣接するＮ1行×Ｎ2列の光検出ピクセル７１を１つの光検出ピクセル群７４に区分けし、且つ、行数Ｎ1及び列数Ｎ2が互いに等しい場合（具体的には、Ｎ1＝Ｎ2＝２）を示したが、図１３に示すように、行数Ｎ1及び列数Ｎ2は互いに異なってもよい。図１３の例では、６４個の光検出ピクセル７１が８行×８列の二次元状に配列された光入射面７ａにおいて、各光検出ピクセル群７４の行数Ｎ1を８、列数Ｎ2を１としている。
　また、例えば、１つの光検出ピクセル群７４に含まれるＮ個の光検出ピクセル７１のうち少なくとも１つが、他の光検出ピクセル７１と隣接せずに分離していてもよい。このように、光検出ピクセル群７４の区分けパターンは任意であり、どのような区分けであっても上記実施形態の効果を好適に奏することができる。
　光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法は、上述した実施形態及び構成例に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。
　例えば、上記実施形態では、光入射検出部１３から出力される信号のパルス高さ（電圧値）またはパルス面積に対して重み付けを行ったが、光入射検出部１３から出力される信号の他の様々な特徴値に対して重み付けを行ってもよい。
　また、上記実施形態では、光入射検出部１３としてコンパレータを採用し、重み付けされた信号をコンパレータから出力させているが、光入射検出部１３の構成はこれに限られず、例えば各コンパレータから一定の大きさの信号を出力させ、コンパレータの後段に接続された種々の重み付け回路を使って各コンパレータからの出力信号に重み付けを行ってもよい。或いは、光入射検出部１３は、論理回路及びデコーダを用いて構成されてもよい。
　上記実施形態による光検出素子の信号読出回路は、光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセルを有する光検出素子からの信号を読み出す回路であって、複数の光検出ピクセルに含まれるＮ個（Ｎは２以上の整数）の光検出ピクセルそれぞれから検出信号を入力し、光の入射を示す信号を出力するＮ個の光入射検出部と、Ｎ個の光入射検出部からの出力信号の合計値を検出する合計値検出部と、を備え、各光入射検出部は、各光検出ピクセルに対応して異なる重み付けがなされた信号を出力し、その重みは、Ｎ個の光検出ピクセルにおける個々の光検出ピクセルおよび光検出ピクセル同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように設定されている構成としている。
　上記実施形態による光検出素子の信号読出方法は、光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセルを有する光検出素子からの信号を読み出す方法であって、複数の光検出ピクセルに含まれるＮ個（Ｎは２以上の整数）の光検出ピクセルそれぞれからの信号に基づいて、光の入射を示すＮ個の信号を生成する第１ステップと、Ｎ個の信号の合計値を検出する第２ステップと、を含み、第１ステップでは、各光検出ピクセルに対応して異なる重み付けがなされた信号を生成し、その重みを、Ｎ個の光検出ピクセルにおける個々の光検出ピクセルおよび光検出ピクセル同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように設定する構成としている。
　上記の信号読出回路において、各光入射検出部がコンパレータを含む構成としても良い。この場合、光検出ピクセルからの検出信号に対して閾値を設定し、光が入射したか否かを精度良く判定することができる。また、コンパレータの信号出力条件（電圧値等）をコンパレータ毎に異ならせることにより、個々の光検出ピクセルおよび光検出ピクセル同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように重みを設定することも容易にできる。
　上記の信号読出回路において、Ｎ個の光入射検出部からの出力信号がアナログ信号であり、合計値検出部は、Ｎ個の光入射検出部からの出力信号を重ね合わせた信号をディジタル信号に変換するアナログ－ディジタル変換回路を含む構成としても良い。例えばこのような構成により、Ｎ個の光入射検出部からの出力信号の合計値を検出することができる。
　上記の信号読出回路において、第ｎ番目（ｎ＝１，２，・・・，Ｎ）の光入射検出部の重みが２(n-1)である構成としても良い。例えばこのように重みを設定することにより、個々の光検出ピクセルおよび光検出ピクセル同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値を互いに異ならせることができる。
　上記実施形態による光検出素子の信号読出装置は、光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセルをそれぞれ含むＭ個（Ｍは２以上の整数）の光検出ピクセル群を有する光検出素子からの信号を読み出す装置であって、上記構成の光検出素子の信号読出回路であるＭ個の信号読出回路を備え、Ｍ個の信号読出回路それぞれは、Ｍ個の光検出ピクセル群それぞれからの信号を読み出す構成としている。
　実施形態は、回路規模の大型化を抑制しつつ、複数の位置において同時に光が入射した場合であってもそれらを区別して検出することが可能な光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法として利用可能である。
　１Ａ…放射線検出器、５…シンチレータアレイ、７…光検出素子、７ａ…光入射面、７ｂ…信号出力面、１０…信号読出装置、１１…信号読出回路、１２…入力端子、１３…光入射検出部、１４…合計値検出部、５１…シンチレータ、７１…光検出ピクセル、７２…出力端子、７４…光検出ピクセル群、１００…放射線検出器、１０１…シンチレータ群、１０２…シンチレータ、１０３…光検出素子、１０４…光検出ピクセル、１０５…抵抗チェーン、１０６…抵抗、Ｎｄ…ノード、Ｐ１～Ｐ５…パルス信号。

Claims (6)

  1. 　光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセルを有する光検出素子からの信号を読み出す回路であって、
    　前記複数の光検出ピクセルに含まれるＮ個（Ｎは２以上の整数）の光検出ピクセルそれぞれから前記検出信号を入力し、光の入射を示す信号を出力するＮ個の光入射検出部と、
    　前記Ｎ個の光入射検出部からの出力信号の合計値を検出する合計値検出部と、
    を備え、
    　各光入射検出部は、各光検出ピクセルに対応して異なる重み付けがなされた信号を出力し、その重みは、前記Ｎ個の光検出ピクセルにおける個々の光検出ピクセルおよび光検出ピクセル同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように設定されている、光検出素子の信号読出回路。
  2. 　各光入射検出部がコンパレータを含む、請求項１に記載の光検出素子の信号読出回路。
  3. 　前記Ｎ個の光入射検出部からの出力信号がアナログ信号であり、
    　前記合計値検出部は、前記Ｎ個の光入射検出部からの出力信号を重ね合わせた信号をディジタル信号に変換するアナログ－ディジタル変換回路を含む、請求項１または２に記載の光検出素子の信号読出回路。
  4. 　第ｎ番目（ｎ＝１，２，・・・，Ｎ）の前記光入射検出部の重みが２(n-1)である、請求項１～３のいずれか１項に記載の光検出素子の信号読出回路。
  5. 　光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセルをそれぞれ含むＭ個（Ｍは２以上の整数）の光検出ピクセル群を有する光検出素子からの信号を読み出す装置であって、
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の光検出素子の信号読出回路であるＭ個の信号読出回路を備え、
    　前記Ｍ個の信号読出回路それぞれは、前記Ｍ個の光検出ピクセル群それぞれからの信号を読み出す、光検出素子の信号読出装置。
  6. 　光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセルを有する光検出素子からの信号を読み出す方法であって、
    　前記複数の光検出ピクセルに含まれるＮ個（Ｎは２以上の整数）の光検出ピクセルそれぞれからの信号に基づいて、光の入射を示すＮ個の信号を生成する第１ステップと、
    　前記Ｎ個の信号の合計値を検出する第２ステップと、
    を含み、
    　前記第１ステップでは、各光検出ピクセルに対応して異なる重み付けがなされた信号を生成し、その重みを、前記Ｎ個の光検出ピクセルにおける個々の光検出ピクセルおよび光検出ピクセル同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように設定する、光検出素子の信号読出方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023100061A (ja) * 2022-01-05 2023-07-18 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及び放射線検出器アレイ
JP2023100063A (ja) * 2022-01-05 2023-07-18 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及び放射線検出器アレイ

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05187914A (ja) * 1991-07-24 1993-07-27 Hamamatsu Photonics Kk 微弱光計測装置
JPH06347557A (ja) * 1993-06-08 1994-12-22 Hamamatsu Photonics Kk 放射線位置検出装置
JP2003287404A (ja) * 2002-03-27 2003-10-10 Hamamatsu Photonics Kk 位置検出装置
JP2010169516A (ja) * 2009-01-22 2010-08-05 Tohoku Univ 放射線検出装置および飛来放射線の消滅位置特定方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07311270A (ja) 1994-05-19 1995-11-28 Shimadzu Corp 放射線検出器
DE102004016585B4 (de) * 2004-03-31 2006-02-09 Siemens Ag Verfahren zur Rauschkorrektur bei einem Flachbilddetektor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05187914A (ja) * 1991-07-24 1993-07-27 Hamamatsu Photonics Kk 微弱光計測装置
JPH06347557A (ja) * 1993-06-08 1994-12-22 Hamamatsu Photonics Kk 放射線位置検出装置
JP2003287404A (ja) * 2002-03-27 2003-10-10 Hamamatsu Photonics Kk 位置検出装置
JP2010169516A (ja) * 2009-01-22 2010-08-05 Tohoku Univ 放射線検出装置および飛来放射線の消滅位置特定方法

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