JP6814848B1 - 光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法 - Google Patents

光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6814848B1
JP6814848B1 JP2019132677A JP2019132677A JP6814848B1 JP 6814848 B1 JP6814848 B1 JP 6814848B1 JP 2019132677 A JP2019132677 A JP 2019132677A JP 2019132677 A JP2019132677 A JP 2019132677A JP 6814848 B1 JP6814848 B1 JP 6814848B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
light
pixels
detection
incident
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019132677A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021019241A (ja
Inventor
威士 渡利
威士 渡利
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to JP2019132677A priority Critical patent/JP6814848B1/ja
Priority to US17/625,894 priority patent/US11662483B2/en
Priority to CN202080051617.XA priority patent/CN114127588A/zh
Priority to PCT/JP2020/026468 priority patent/WO2021010218A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6814848B1 publication Critical patent/JP6814848B1/ja
Publication of JP2021019241A publication Critical patent/JP2021019241A/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T7/00Details of radiation-measuring instruments
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20184Detector read-out circuitry, e.g. for clearing of traps, compensating for traps or compensating for direct hits
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/161Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
    • G01T1/164Scintigraphy
    • G01T1/1641Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras
    • G01T1/1644Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras using an array of optically separate scintillation elements permitting direct location of scintillations
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20188Auxiliary details, e.g. casings or cooling
    • G01T1/2019Shielding against direct hits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00Details of television systems
    • H04N5/30Transforming light or analogous information into electric information
    • H04N5/32Transforming X-rays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

【課題】光の入射位置を特定可能な光検出素子において、複数の位置に同時に光が入射した場合でもそれらを区別して検出することが可能な信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法で、回路規模の大型化を抑制しする。【解決手段】信号読出回路11は、光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセル71を有する光検出素子74からの信号を読み出す回路であって、N個(Nは2以上の整数)の光検出ピクセル71それぞれから検出信号を入力し、光の入射を示す信号を出力するN個の光入射検出部13と、N個の光入射検出部13からの出力信号の合計値を検出する合計値検出部14とを備える。各光入射検出部13は、各光検出ピクセル71に対応して異なる重み付けがなされた信号を出力する。その重みは、個々の光検出ピクセル71および光検出ピクセル71同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように設定される。【選択図】図6

Description

本開示は、光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法に関する。
特許文献1には、放射線検出器に関する技術が開示されている。この放射線検出器は、2次元的に結合された複数個のシンチレータを含むシンチレータ群と、シンチレータ群に光学的に結合された光学センサとを備え、シンチレータ群に入射したガンマ線の入射位置を検出する。シンチレータ群は、各シンチレータ同士を密着または近接させて構成されている。シンチレータ群には複数個の光センサが光学的に結合され、各光センサにおいて検出された検出光量に基づき、光量分布の重心を求めてガンマ線の入射位置を検出する。
特開平7−311270号公報
Andrew L. Goertzen et al., "Design and Performance of aResistor Multiplexing Readout Circuit for a SiPM Detector", IEEETransactions on Nuclear Science, Vol. 60, No. 3, June 2013 Vladimir Popov et al., "A novel readout concept for multianodephotomultiplier tubes with pad matrix anode layout", Nuclear Instrumentsand Methods in Physics Research, A 567, pp.319-322 (2006)
例えばMPPC(Multi-Pixel Photon Counter)やマルチアノードPMT(Photomultiplier Tube)といったマルチチャンネル型の光検出素子から信号を読み出す際、最も広く用いられている方式は、抵抗チェーンを用いる方式である。図14は、一例として、抵抗チェーンを用いた放射線検出器の構成を概念的に示す。この放射線検出器100は、一次元状または二次元状に配列された複数のシンチレータ102からなるシンチレータ群101と、このシンチレータ群101に貼着されたマルチチャンネル型の光検出素子103とを備える。光検出素子103の各光検出ピクセル(チャンネル)104は、隣接する光検出ピクセル104同士を接続する複数の抵抗106からなる抵抗チェーン105を介して互いに電気的に接続されている。この放射線検出器100では、抵抗チェーン105の両端から信号を読み出し、その大きさに基づいて光の入射位置(すなわち放射線の入射位置)を特定する。このような方式は、特にマルチアノードPMTからの信号の読み出しに多く用いられ、ポジトロン断層撮影(Positron Emission Tomography;PET)や放射線計測器などにおいて幅広く採用されている。
しかしながら、このような抵抗チェーン方式には次の課題が存在する。すなわち、光の入射位置を特定するための信号処理に数十〜数百マイクロ秒を要するので、検出素子自体の応答速度が比較的速い(例えば100ナノ秒以下)にもかかわらず、信号処理速度が装置全体の応答速度を遅くしてしまう。また、複数の位置において同時に光が入射した場合にはそれらを区別して検出することができず、入射位置情報が失われてしまう。
抵抗チェーン方式が有するこれらの課題に対し、光検出ピクセル104と同数の読み出し回路を設け、個々の光検出ピクセル104からの出力信号を個別に読み出す方式が考えられる(図15を参照)。しかしながら、このような方式では光検出ピクセル104の個数に応じて読み出し回路の規模が拡大し、例えば64個や256個といった光検出ピクセル数に対しては膨大な回路規模となる。
本開示は、上記課題を解決するために、回路規模の大型化を抑制しつつ、複数の位置において同時に光が入射した場合であってもそれらを区別して検出することが可能な光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法を提供することを目的とする。
本開示による光検出素子の信号読出回路は、光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセルを有する光検出素子からの信号を読み出す回路であって、複数の光検出ピクセルに含まれるN個(Nは2以上の整数)の光検出ピクセルのうち、対応する光検出ピクセルから検出信号を入力し、当該光検出ピクセルへのの入射があったことを示す予め設定された大きさのパルス信号を出力するN個の光入射検出部と、N個の光入射検出部からの出力信号の合計値を検出する合計値検出部と、を備える。予め設定された大きさのパルス信号は、各光検出ピクセルに対応して異なる重み付けがなされた信号であり、その重みは、N個の光検出ピクセルにおける個々の光検出ピクセルおよび光検出ピクセル同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように設定されており、N個の光検出ピクセルのいずれの一つ又は複数に光子が入射したかを合計値から一意に判定することができる。
本開示による光検出素子の信号読出方法は、光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセルを有する光検出素子からの信号を読み出す方法であって、複数の光検出ピクセルに含まれるN個(Nは2以上の整数)の光検出ピクセルそれぞれからの信号に基づいて、対応する光検出ピクセルへのの入射があったことを示す予め設定された大きさのパルス信号をN個の光検出ピクセルごとに生成する第1ステップと、N個の光検出ピクセルごとに生成した予め設定された大きさのパルス信号の合計値を検出する第2ステップと、を含む。予め設定された大きさのパルス信号は、各光検出ピクセルに対応して異なる重み付けがなされた信号であり、その重み、N個の光検出ピクセルにおける個々の光検出ピクセルおよび光検出ピクセル同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように設定されており、N個の光検出ピクセルのいずれの一つ又は複数に光子が入射したかを合計値から一意に判定することができる。
上記の信号読出回路および信号読出方法では、光入射検出部(第1ステップ)において光入射を示す信号を生成する際、各光検出ピクセルに対応して異なる重み付けがなされ、重み付けされたN個の信号の合計値が合計値検出部(第2ステップ)において検出される。その重みは、個々の光検出ピクセルおよび光検出ピクセル同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように設定される。従って、何れの光検出ピクセル(1つ若しくは複数)に光が入射したかを合計値から一意に判定することができる。故に、この信号読出回路および信号読出方法によれば、複数の位置において同時に光が入射した場合であってもそれらを区別して検出することが可能となる。また、N個の光検出ピクセルそれぞれに対応するN個の信号読出回路を設ける場合と比較して、回路規模の大型化を抑制することができる。
上記の信号読出回路において、各光入射検出部がコンパレータを含んでもよい。この場合、光検出ピクセルからの検出信号に対して閾値を設定し、光が入射したか否かを精度良く判定することができる。また、コンパレータの信号出力条件(電圧値等)をコンパレータ毎に異ならせることにより、個々の光検出ピクセルおよび光検出ピクセル同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように重みを設定することも容易にできる。
上記の信号読出回路において、N個の光入射検出部からの出力信号がアナログ信号であり、合計値検出部は、N個の光入射検出部からの出力信号を重ね合わせた信号をディジタル信号に変換するアナログ−ディジタル変換回路を含んでもよい。例えばこのような構成により、N個の光入射検出部からの出力信号の合計値を検出することができる。
上記の信号読出回路において、第n番目(n=1,2,・・・,N)の光入射検出部の重みが2(n-1)であってもよい。例えばこのように重みを設定することにより、個々の光検出ピクセルおよび光検出ピクセル同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値を互いに異ならせることができる。
本開示による光検出素子の信号読出装置は、光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセルをそれぞれ含むM個(Mは2以上の整数)の光検出ピクセル群を有する光検出素子からの信号を読み出す装置であって、上記いずれかの光検出素子の信号読出回路であるM個の信号読出回路を備え、M個の信号読出回路それぞれは、M個の光検出ピクセル群それぞれからの信号を読み出す。
この信号読出装置によれば、M個の信号読出回路を上記いずれかの信号読出回路とすることにより、回路規模の大型化を抑制しつつ、複数の位置において同時に光が入射した場合であってもそれらを区別して検出することができる。また、光検出素子の多数の光検出ピクセルをM個の光検出ピクセル群に区分けし、光検出ピクセル群毎に信号読出回路を設けることにより、単一の信号読出回路を用いる場合と比較して、光入射検出部の個数Nを小さくすることができる。故に、N個の光検出ピクセルにより実現される全ての組み合わせパターンの個数が大きくなり過ぎることを抑制できる。
本開示に係る光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法によれば、回路規模の大型化を抑制しつつ、複数の位置において同時に光が入射した場合であってもそれらを区別して検出することができる。
一実施形態に係る放射線検出器1Aの外観を示す斜視図である。 シンチレータアレイ5の外観を示す斜視図である。 光検出素子7の外観を示す斜視図である。 光検出素子7の光入射面7aを示す平面図である。 信号読出装置10の外観を示す斜視図である。 信号読出回路11の内部構成を概略的に示す図である。 (a)一つの光検出ピクセル群74を示す図である。(b)(a)に示された4個の光検出ピクセル71のそれぞれに対応する光入射検出部13の重み値の例を示す。 合計値検出部14において検出されるN個の光入射検出部13からの出力信号の合計値と、チャンネル番号の組み合わせとの関係を示す図表である。 (a)〜(e)光検出素子7の何れの光検出ピクセル71に光子が入射したかを判定した例を概念的に示す図である。 信号読出回路11の動作例を概念的に示す図である。 信号読出回路11の別の動作例を概念的に示す図である。 一実施形態に係る信号読出方法を示すフローチャートである。 光検出素子7の光入射面7aの変形例を示す平面図である。 抵抗チェーンを用いた放射線検出器の構成を概念的に示す図である。 光検出ピクセルと同数の読み出し回路を設け、個々の光検出ピクセルからの出力信号を個別に読み出す方式を備える放射線検出器の構成を概念的に示す図である。
以下、添付図面を参照しながら本開示による光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、一実施形態に係る放射線検出器1Aの外観を示す斜視図である。この放射線検出器1Aは、シンチレータアレイ5、光検出素子7、及び信号読出装置10を備える。シンチレータアレイ5は、光検出素子7の一端面(光入射面)上に配置されている。信号読出装置10は、光検出素子7の他端面(信号出力面)上に配置されている。言い換えると、放射線の入射方向において、光検出素子7はシンチレータアレイ5と信号読出装置10との間に配置されている。
図2は、シンチレータアレイ5の外観を示す斜視図である。シンチレータアレイ5は、L個(Lは2以上の整数、図ではL=16の場合を示す)のシンチレータ51を有する。L個のシンチレータ51は、それぞれ直方体状の外形を有しており、一次元状又は二次元状に並んで配列されている。図示例では、16個のシンチレータ51が4行×4列の二次元状に配列されている。各シンチレータ51は、放射線が入射すると光子(フォトン)を発生する。互いに隣接するシンチレータ51の間には光を遮蔽する壁が設けられており、シンチレータ51内で発生した光子の少なくとも一部は、隣接する他のシンチレータ51に移動することなく、放射線が入射した面とは反対側の面に移動する。なお、シンチレータ51の材料としては、プラスチック等が挙げられる。
図3は、光検出素子7の外観を示す斜視図である。光検出素子7は、例えばMPPCやマルチアノードPMTといったマルチチャンネル型の光検出素子であって、例えばMPPCの場合、シリコン等の半導体材料により主に構成されている。光検出素子7は、光入射面7a内にL個の光検出ピクセル71を有する。L個の光検出ピクセル71は、シンチレータアレイ5におけるシンチレータ51の配列に対応して、一次元状又は二次元状に並んで配列されている。すなわち、各光検出ピクセル71は、各シンチレータ51に対して一対一で対応し、各シンチレータ51と対向している。図示例では、16個の光検出ピクセル71が4行×4列の二次元状に配列されている。また、光検出素子7は、L個の出力端子72を更に有する。各出力端子72は、光入射面7aとは反対側の信号出力面7bから突出しており、各光検出ピクセル71と一対一で対応して設けられている。
L個の光検出ピクセル71のそれぞれは、シンチレータ51からの光子の入射に応じて検出信号を生成する。各光検出ピクセル71は、例えば、ガイガーモードで動作するアバランシェフォトダイオード(APD:Avalanche Photo Diode)と、APDに対して直列に接続されたクエンチング抵抗とを含んで構成されている。クエンチング抵抗は、出力端子72と電気的に接続されている。各光検出ピクセル71にて生成された検出信号は、出力端子72から光検出素子7の外部へと出力される。
図4は、光検出素子7の光入射面7aを示す平面図である。本実施形態では、L個の光検出ピクセル71を、それぞれN個の光検出ピクセル71を含むM個(Mは2以上の整数)の光検出ピクセル群74に区分けする。図示例では、16個の光検出ピクセル71を4個の光検出ピクセル群74に均等に区分けしている。この場合、各光検出ピクセル群74に含まれる光検出ピクセル71の個数Nは4となる。また、図示例では、互いに隣接するN1行×N2列(N1,N2は1以上の整数、且つN1×N2=N)の光検出ピクセル71を1つの光検出ピクセル群74に区分けし、且つ、行数N1及び列数N2が互いに等しい場合(具体的には、N1=N2=2)を示している。なお、光検出ピクセル群74の個数Mは4に限定されず、例えばM=2やM=6といった様々な数とすることができる。同様に、光検出ピクセル群74に含まれる光検出ピクセル71の個数Nは4に限定されず、例えばN=2やN=6といった様々な数とすることができる。行数N1及び列数N2も任意である。
図5は、信号読出装置10の外観を示す斜視図である。信号読出装置10は、M個の信号読出回路11を有する。M個の信号読出回路11は、光検出素子7における光検出ピクセル群74の配列に対応して、一次元状又は二次元状に並んで配列されている。すなわち、各信号読出回路11は、各光検出ピクセル群74に対して一対一で対応している。各信号読出回路11は、対応する光検出ピクセル群74のN個の出力端子72と接続されるN個の入力端子12を有する。図示例では、信号読出回路11の個数Mは4であり、入力端子12の個数Nは4である。
図6は、信号読出回路11の内部構成を概略的に示す図である。信号読出回路11は、N個の光入射検出部13と、一つの合計値検出部14とを備える。N個の光入射検出部13それぞれは、N個の光検出ピクセル71それぞれに対応して設けられ、出力端子72及び入力端子12を介して対応する光検出ピクセル71と電気的に接続されている。すなわち、各光入射検出部13は、対応する光検出ピクセル71と、抵抗値が実質的にゼロである配線を介して接続されている。各光入射検出部13は、対応する光検出ピクセル71から検出信号を入力し、該光検出ピクセル71への光子の入射を示す信号を出力する。光子の入射を示す信号とは、例えば矩形状の時間波形を有するパルス信号である。一実施例では、光入射検出部13はコンパレータを含む。光検出ピクセル71から検出信号が所定の閾値を超えた場合に、コンパレータは予め設定された大きさのパルス信号を出力する。
上記の「予め設定された大きさのパルス信号」は、各光入射検出部13毎に異なる重み付けがなされた信号であり、各光入射検出部13毎に異なる大きさを有する。一例では、各光入射検出部13のコンパレータは、光子の入射を検出した際に、或る一定の大きさのパルス信号を生成する。そして、各光入射検出部13のコンパレータは、該パルス信号を、各光入射検出部13毎に決められた重みに応じて、各光入射検出部13毎に異なる大きさのパルス信号に変換する。
合計値検出部14は、インピーダンスが実質的にゼロである信号伝送系を介してN個の光入射検出部13と電気的に接続されており、N個の光入射検出部13からの出力信号の合計値を検出する。各光入射検出部13から合計値検出部14への信号伝送時間を等しくするため、合計値検出部14との間の線長は、N個の光入射検出部13において互いに等しい。また、N個の光入射検出部13からの信号伝送系は、ノードNdにおいて一つに結合されたのち、合計値検出部14に達する。一実施例では、N個の光入射検出部13からの出力信号がアナログ信号であり、合計値検出部14はアナログ−ディジタル変換回路を含む。この場合、合計値検出部14は、N個の光入射検出部13からの出力信号を重ね合わせた信号をディジタル信号に変換する。すなわち、或る光入射検出部13がV1(V)の信号を出力し、別の光入射検出部13がV2(V)の信号を出力した場合、合計値検出部14はV1+V2(V)の信号をディジタル信号に変換する。合計値検出部14から出力されたディジタル信号は、放射線検出器1Aの外部へ出力される。
ここで、N個の光入射検出部13について更に詳細に説明する。図7(a)は、一つの光検出ピクセル群74を示す図である。この例では、2行×2列の4個の光検出ピクセル71が示されている。これらの光検出ピクセル71には、便宜的に(1)〜(4)のチャンネル(CH)番号が付されている。そして、各光入射検出部13は、各光検出ピクセル71に対応して異なる重み付けがなされた信号を出力する。図7(b)は、図7(a)に示された4個の光検出ピクセル71のそれぞれに対応する光入射検出部13の重み値の例を示す。この例では、チャンネル番号(1)に重み1を与え、チャンネル番号(2)に重み2を与え、チャンネル番号(3)に重み4を与え、チャンネル番号(4)に重み8を与えている。言い換えると、チャンネル番号が第n番目(n=1,2,・・・,N)である光入射検出部13の重み値が2(n-1)となっている。各光入射検出部13の重みは、例えばコンパレータに供給する電圧を抵抗分割等により当該重みに応じた大きさに調整することによって実現できる。合計値検出部14に要求される最小の分解能は、当該合計値検出部14に接続される光入射検出部13の個数Nによって規定される。例えばN=4である場合、合計値検出部14に要求される最小の分解能は4ビットである。
図8は、合計値検出部14において検出されるN個の光入射検出部13からの出力信号の合計値と、チャンネル番号の組み合わせとの関係を示す図表である。例えば、合計値がゼロである場合、いずれの光検出ピクセル71にも光子が入射していないことを示す。合計値が1である場合、チャンネル番号(1)の光検出ピクセル71のみに光子が入射したことを示す。合計値が2である場合、チャンネル番号(2)の光検出ピクセル71のみに光子が入射したことを示す。合計値が3である場合、チャンネル番号(1)及び(2)の2つの光検出ピクセル71に光子が同時に入射したことを示す。このように、N個の光検出ピクセル71における個々の光検出ピクセル71および光検出ピクセル71同士の全ての組み合わせパターンに対して、合計値が互いに異なる(重複しない)。
図9は、光検出素子7の何れの光検出ピクセル71に光子が入射したかを判定した例を概念的に示す図である。図9(a)には、2行×2列(計4個)の光検出ピクセル71をそれぞれ含む4つの光検出ピクセル群74が示されている。例えば、図9(b)に示すように、4つの光検出ピクセル群74にそれぞれ対応する4つの信号読出回路11が、それぞれ1,1,6,2の合計値を出力したとする。このとき、合計値が1である2つの光検出ピクセル群74では、図9(c)に示すように、チャンネル番号(1)の光検出ピクセル71のみに光子が入射したと判定される(光子が入射したと判定された光検出ピクセル71をハッチングにて示す)。合計値が6である光検出ピクセル群74では、チャンネル番号(2)及び(3)の2つの光検出ピクセル71に光子が同時に入射したと判定される。合計値が2である光検出ピクセル群74では、チャンネル番号(2)の光検出ピクセル71のみに光子が入射したと判定される。
別の例では、図9(d)に示すように、4つの光検出ピクセル群74にそれぞれ対応する4つの信号読出回路11が、それぞれ0,14,0,2の合計値を出力したとする。このとき、合計値が0である2つの光検出ピクセル群74では、図9(e)に示すように、いずれの光検出ピクセル71にも光子は入射していないと判定される。合計値が14である光検出ピクセル群74では、チャンネル番号(2)、(3)及び(4)の3つの光検出ピクセル71に光子が同時に入射したと判定される。合計値が2である光検出ピクセル群74では、チャンネル番号(2)の光検出ピクセル71のみに光子が入射したと判定される。
図10は、信号読出回路11の動作例を概念的に示す図である。例えば、チャンネル番号(1)及び(3)の2つの光検出ピクセル71に光子がほぼ同時に入射したとする。このとき、チャンネル番号(1)に対応する光入射検出部13からは、高さ(電圧値)が1であるパルス信号P1が出力される。また、チャンネル番号(3)に対応する光入射検出部13からは、高さ(電圧値)が4であるパルス信号P2が出力される。なお、パルス信号P1,P2の高さは相対値である。
これらのパルス信号P1,P2は、ノードNdにおいて互いに重なり合い、ピーク高さ(最大電圧値)が5であるパルス信号P3となって、合計値検出部14であるA/D変換回路へ入力される。合計値検出部14は、パルス信号P3のピーク高さに応じたディジタル信号を生成し、該ディジタル信号を信号読出装置10の外部へ出力する。なお、図10に示すように、パルス信号P1,P2の発生タイミングが僅かにずれても、そのずれがパルス信号P1,P2の時間幅以下であれば許容される。
光入射検出部13から出力されるパルス信号の時間幅は、放射線検出器1Aの応答速度に影響する。従って、使用環境及び要求仕様に応じて時間幅を任意に設定できることが望ましい。また、光入射検出部13から出力されるパルス信号の時間幅が合計値検出部14の処理周期(処理速度)に対して短過ぎると、複数のパルス信号が時間的に分離した場合に、合計値検出部14に入力される信号がそれらの合計値とはならず、誤検出につながるおそれがある。従って、合計値検出部14の処理周期に応じて、パルス信号の時間幅を設定するとよい。
図11は、信号読出回路11の別の動作例を概念的に示す図である。この例においても、チャンネル番号(1)及び(3)の2つの光検出ピクセル71に光子がほぼ同時に入射したとする。このとき、チャンネル番号(1)に対応する光入射検出部13からは、パルス面積(すなわちパルス高さの時間積分値。典型的には、パルス時間幅×パルス高さ)が1であるパルス信号P4が出力される。また、チャンネル番号(3)に対応する光入射検出部13からは、パルス面積が4であるパルス信号P5が出力される。なお、パルス信号P4,P5の面積は相対値である。
これらのパルス信号P4,P5は、合計値検出部14であるA/D変換回路へ入力される。合計値検出部14は、パルス信号P4,P5の合計面積に応じたディジタル信号を生成し、該ディジタル信号を信号読出装置10の外部へ出力する。なお、合計値検出部14は、所定の処理周期内に存在するパルス信号の合計面積に応じたディジタル信号を生成し、2つのパルス信号がそれぞれ異なる処理周期内で生じた場合には、それらのパルス信号の面積は合計せず、個別のタイミングでA/D変換を行う。つまり、図11に示すように、パルス信号P4,P5の発生タイミングが僅かにずれても、そのずれが合計値検出部14の処理周期以下であれば同時入射として扱われる。
図12は、本実施形態に係る信号読出方法を示すフローチャートである。この信号読出方法は、光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセル71を有する光検出素子7からの信号を読み出す方法であって、例えば本実施形態の信号読出回路11を使用して実現され得る。
まず、第1ステップS1において、光検出ピクセル群74に含まれるN個の光検出ピクセル71それぞれからの信号に基づいて、光の入射を示すN個の信号を生成する。この第1ステップS1は、例えばN個の光入射検出部13において行われる。次に、第2ステップS2において、N個の信号の合計値を検出する。この第2ステップS2は、例えば合計値検出部14において行われる。そして、第1ステップS1では、各光検出ピクセル71に対応して異なる重み付けがなされた信号を生成し、その重みを、当該光検出ピクセル群74における個々の光検出ピクセル71および光検出ピクセル71同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように設定する(図8を参照)。
以上に説明した、本実施形態による信号読出装置10および信号読出回路11、並びに信号読出方法によって得られる効果について説明する。
本実施形態の信号読出回路11および信号読出方法では、光入射検出部13(第1ステップS1)において光の入射を示す信号を生成する際、各光検出ピクセル71に対応して異なる重み付けがなされ、重み付けされたN個の信号の合計値が合計値検出部14(第2ステップS2)において検出される。図8に示すように、その重みは、個々の光検出ピクセル71および光検出ピクセル71同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように設定される。従って、何れの光検出ピクセル71(1つ若しくは複数)に光が入射したかを合計値から一意に判定することができる。故に、この信号読出回路11および信号読出方法によれば、複数の位置において同時に光が入射した場合であってもそれらを区別して検出することが可能となる。また、N個の光検出ピクセル71それぞれに対応するN個の信号読出回路を設ける場合と比較して、回路規模の大型化を抑制することができる。
なお、特許文献1に開示された放射線検出器においても、各光検出ピクセルからの出力信号に対して重み付けを行っている。しかし、重み値の決定方法が本実施形態とは異なるので、複数の位置において同時に光が入射した場合、それらを区別して検出することができない。本実施形態の信号読出回路11および信号読出方法は、複数の位置において同時に光が入射した場合であってもそれらを区別して検出することができるという、特許文献1に記載された技術には無い格別な効果を奏するものである。
また、本実施形態の信号読出装置10では、光検出素子7の多数の光検出ピクセル71をM個の光検出ピクセル群74に区分けし、光検出ピクセル群74毎に信号読出回路11を設ける。これにより、単一の信号読出回路11を用いる場合と比較して、光入射検出部13の個数Nを小さくすることができる。故に、N個の光検出ピクセル71により実現される全ての組み合わせパターンの個数が大きくなり過ぎることを抑制できる。また、一つの光検出ピクセル71に対して一つの信号読出回路を設ける場合と比較して、回路規模をN分の1とすることができる。
本実施形態のように、各光入射検出部13はコンパレータを含んでもよい。この場合、光検出ピクセル71からの検出信号に対して閾値を設定し、光が入射したか否かを精度良く判定することができる。また、コンパレータの信号出力条件(電圧値等)をコンパレータ毎に異ならせることにより、個々の光検出ピクセル71および光検出ピクセル71同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なるように重みを設定することも容易にできる。
本実施形態のように、N個の光入射検出部13からの出力信号がアナログ信号であり、合計値検出部14は、N個の光入射検出部13からの出力信号を重ね合わせた信号をディジタル信号に変換するA/D変換回路を含んでもよい。例えばこのような構成により、N個の光入射検出部13からの出力信号の合計値を好適に検出することができる。
本実施形態のように、第n番目(n=1,2,・・・,N)の光入射検出部13の重みは2(n-1)であってもよい。例えばこのように重みを設定することにより、個々の光検出ピクセル71および光検出ピクセル71同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値を互いに異ならせることができる。但し、光入射検出部13の重み値はこれに限られず、個々の光検出ピクセル71および光検出ピクセル71同士の全ての組み合わせパターンに対して合計値が互いに異なりさえすれば、他の様々な重み値を用いてもよい。
(変形例)
図13は、光検出素子7の光入射面7aの変形例を示す平面図である。上記実施形態の図4では、互いに隣接するN1行×N2列の光検出ピクセル71を1つの光検出ピクセル群74に区分けし、且つ、行数N1及び列数N2が互いに等しい場合(具体的には、N1=N2=2)を示したが、図13に示すように、行数N1及び列数N2は互いに異なってもよい。図13の例では、64個の光検出ピクセル71が8行×8列の二次元状に配列された光入射面7aにおいて、各光検出ピクセル群74の行数N1を8、列数N2を1としている。或いは、1つの光検出ピクセル群74に含まれるN個の光検出ピクセル71のうち少なくとも1つが、他の光検出ピクセル71と隣接せずに分離していてもよい。このように、光検出ピクセル群74の区分けパターンは任意であり、どのような区分けであっても上記実施形態の効果を好適に奏することができる。
本開示による光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態では、光入射検出部13から出力される信号のパルス高さ(電圧値)またはパルス面積に対して重み付けを行ったが、光入射検出部13から出力される信号の他の様々な特徴値に対して重み付けを行ってもよい。また、上記実施形態では、光入射検出部13としてコンパレータを採用し、重み付けされた信号をコンパレータから出力させているが、光入射検出部13の構成はこれに限られず、例えば各コンパレータから一定の大きさの信号を出力させ、コンパレータの後段に接続された種々の重み付け回路を使って各コンパレータからの出力信号に重み付けを行ってもよい。或いは、光入射検出部13は、論理回路及びデコーダを用いて構成されてもよい。
1A…放射線検出器、5…シンチレータアレイ、7…光検出素子、7a…光入射面、7b…信号出力面、10…信号読出装置、11…信号読出回路、12…入力端子、13…光入射検出部、14…合計値検出部、51…シンチレータ、71…光検出ピクセル、72…出力端子、74…光検出ピクセル群、100…放射線検出器、101…シンチレータ群、102…シンチレータ、103…光検出素子、104…光検出ピクセル、105…抵抗チェーン、106…抵抗、Nd…ノード、P1〜P5…パルス信号。

Claims (6)

  1. 光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセルを有する光検出素子からの信号を読み出す回路であって、
    前記複数の光検出ピクセルに含まれるN個(Nは2以上の整数)の光検出ピクセルのうち、対応する光検出ピクセルから前記検出信号を入力し、当該光検出ピクセルへのの入射があったことを示す予め設定された大きさのパルス信号を出力するN個の光入射検出部と、
    前記N個の光入射検出部からの出力信号の合計値を検出する合計値検出部と、
    を備え、
    前記予め設定された大きさのパルス信号は、各光検出ピクセルに対応して異なる重み付けがなされた信号であり、その重みは、前記N個の光検出ピクセルにおける個々の光検出ピクセルおよび光検出ピクセル同士の全ての組み合わせパターンに対して前記合計値が互いに異なるように設定されており、前記N個の光検出ピクセルのいずれの一つ又は複数に光子が入射したかを前記合計値から一意に判定することができる、光検出素子の信号読出回路。
  2. 各光入射検出部がコンパレータを含む、請求項1に記載の光検出素子の信号読出回路。
  3. 前記N個の光入射検出部からの出力信号がアナログ信号であり、
    前記合計値検出部は、前記N個の光入射検出部からの出力信号を重ね合わせた信号をディジタル信号に変換するアナログ−ディジタル変換回路を含む、請求項1または2に記載の光検出素子の信号読出回路。
  4. 第n番目(n=1,2,・・・,N)の前記光入射検出部の重みが2(n−1)である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の光検出素子の信号読出回路。
  5. 光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセルをそれぞれ含むM個(Mは2以上の整数)の光検出ピクセル群を有する光検出素子からの信号を読み出す装置であって、
    請求項1〜4のいずれか1項に記載の光検出素子の信号読出回路であるM個の信号読出回路を備え、
    前記M個の信号読出回路それぞれは、前記M個の光検出ピクセル群それぞれからの信号を読み出す、光検出素子の信号読出装置。
  6. 光の入射に応じて検出信号を生成する複数の光検出ピクセルを有する光検出素子からの信号を読み出す方法であって、
    前記複数の光検出ピクセルに含まれるN個(Nは2以上の整数)の光検出ピクセルそれぞれからの信号に基づいて、対応する光検出ピクセルへのの入射があったことを示す予め設定された大きさのパルス信号を前記N個の光検出ピクセルごとに生成する第1ステップと、
    前記N個の光検出ピクセルごとに生成した前記予め設定された大きさのパルス信号の合計値を検出する第2ステップと、
    を含み、
    前記予め設定された大きさのパルス信号は、各光検出ピクセルに対応して異なる重み付けがなされた信号であり、その重み、前記N個の光検出ピクセルにおける個々の光検出ピクセルおよび光検出ピクセル同士の全ての組み合わせパターンに対して前記合計値が互いに異なるように設定されており、前記N個の光検出ピクセルのいずれの一つ又は複数に光子が入射したかを前記合計値から一意に判定することができる、光検出素子の信号読出方法。
JP2019132677A 2019-07-18 2019-07-18 光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法 Active JP6814848B1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019132677A JP6814848B1 (ja) 2019-07-18 2019-07-18 光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法
US17/625,894 US11662483B2 (en) 2019-07-18 2020-07-06 Signal readout circuit, signal readout device, and signal readout method for photodetection element
CN202080051617.XA CN114127588A (zh) 2019-07-18 2020-07-06 光检测元件的信号读出电路、信号读出装置和信号读出方法
PCT/JP2020/026468 WO2021010218A1 (ja) 2019-07-18 2020-07-06 光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019132677A JP6814848B1 (ja) 2019-07-18 2019-07-18 光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6814848B1 true JP6814848B1 (ja) 2021-01-20
JP2021019241A JP2021019241A (ja) 2021-02-15

Family

ID=74164494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019132677A Active JP6814848B1 (ja) 2019-07-18 2019-07-18 光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11662483B2 (ja)
JP (1) JP6814848B1 (ja)
CN (1) CN114127588A (ja)
WO (1) WO2021010218A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023100063A (ja) * 2022-01-05 2023-07-18 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及び放射線検出器アレイ
JP2023100061A (ja) * 2022-01-05 2023-07-18 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及び放射線検出器アレイ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2670405B2 (ja) * 1991-07-24 1997-10-29 浜松ホトニクス株式会社 微弱光計測装置
JP2686034B2 (ja) * 1993-06-08 1997-12-08 浜松ホトニクス株式会社 放射線位置検出装置
JPH07311270A (ja) 1994-05-19 1995-11-28 Shimadzu Corp 放射線検出器
JP3908973B2 (ja) * 2002-03-27 2007-04-25 浜松ホトニクス株式会社 位置検出装置
DE102004016585B4 (de) * 2004-03-31 2006-02-09 Siemens Ag Verfahren zur Rauschkorrektur bei einem Flachbilddetektor
JP2010169516A (ja) * 2009-01-22 2010-08-05 Tohoku Univ 放射線検出装置および飛来放射線の消滅位置特定方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11662483B2 (en) 2023-05-30
WO2021010218A1 (ja) 2021-01-21
JP2021019241A (ja) 2021-02-15
US20220268948A1 (en) 2022-08-25
CN114127588A (zh) 2022-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI638180B (zh) 成像器件及電子裝置
US9335421B2 (en) Digital silicon photomultiplier for TOF-PET
KR101857290B1 (ko) 촬상 소자 및 카메라 시스템
US20090179154A1 (en) Nuclear medicine diagnosis equipment
CN103975580A (zh) 成像设备、电子装置、光激励发光检测扫描器和成像方法
CN108370424A (zh) 成像元件、驱动方法和电子设备
WO2021010218A1 (ja) 光検出素子の信号読出回路、信号読出装置および信号読出方法
US9568360B2 (en) Silicon photomultiplier with improved detection accuracy
CN111953350B (zh) 基于重心法的SiPM阵列读出装置及读出方法
US9720109B2 (en) Systems and methods for minimizing silicon photomultiplier signal propagation delay dispersion and improve timing
Huber et al. Characterization of a 64 channel PET detector using photodiodes for crystal identification
US20140203178A1 (en) Position-sensitive detector for detecting photon or particle distributions
JP2004193675A (ja) イメージセンサ
JP6911872B2 (ja) 光検出器
Llosa et al. Energy, timing and position resolution studies with 16-pixel silicon photomultiplier matrices for small animal PET
KR101330117B1 (ko) 다채널 광전소자를 이용하는 양전자방출 단층촬영장치
CN109613586B (zh) 一种带有补偿电阻的电阻网络位置读出电路及方法
González et al. Simulation study of resistor networks applied to an array of 256 SiPMs
Shih et al. An 8× 8 row-column summing readout electronics for preclinical positron emission tomography scanners
JP2019510384A (ja) Sipmセンサチップ
Stapels et al. Solid-state photomultiplier in CMOS technology for gamma-ray detection and imaging applications
Massari et al. Low power readout circuits for large area silicon photomultiplier array
KR101905690B1 (ko) 지연소자를 이용한 멀티플렉싱 신호처리 장치
JP7057630B2 (ja) 放射線検出装置
US11621282B2 (en) Multiplexing signal processing device based on semiconductor passive element

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200916

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20200916

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20200918

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201006

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201203

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201215

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201221

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6814848

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250