JP2023100063A - 放射線検出器及び放射線検出器アレイ - Google Patents

Abstract

【課題】高い時間分解能と高い検出感度とを有している放射線検出器を提供する。【解決手段】放射線検出器ＲＤ１は、第一方向Ｄ１から見て矩形状を呈し、かつ、第一方向Ｄ１で互いに対向している端面１ａ，１ｂと、第一方向Ｄ１に交差する第二方向Ｄ２で互いに対向していると共に端面１ａ，１ｂを連結している側面１ｃ，１ｄと、を有しているシンチレータ１と、側面１ｃと対向するように配置されている半導体基板１１ａを有している半導体光検出素子１０ａと、側面１ｄと対向するように配置されている半導体基板１１ｂを有している半導体光検出素子１０ｂと、半導体光検出素子１０ａと電気的に接続されている配線部材３０ａと、半導体光検出素子１０ｂと電気的に接続されている配線部材３０ｂと備えている。【選択図】図１

Description

本発明は、放射線検出器及び放射線検出器アレイに関する。

知られている放射線検出器は、六面体形状を呈しているシンチレータと、シンチレータに配置されている半導体基板を有している半導体光検出素子と、を備えている（たとえば、特許文献１参照）。シンチレータは、放射線の入射を受けてシンチレーション光を発生する。半導体光検出素子が、発生したシンチレーション光を検出する。

特開２０１５－８３９５６号公報

本発明の第一の態様は、高い時間分解能と高い検出感度とを有している放射線検出器を提供することを目的とする。本発明の第二及び第三の態様は、高い時間分解能と高い検出感度を有している放射線検出器を備える放射線検出器アレイを提供することを目的とする。

本発明者らは、高い時間分解能と高い検出感度とを有している放射線検出器について鋭意研究を行った。その結果、本発明者らは、以下の知見を新たに得て、本発明を想到するに至った。特許文献１は、高い時間分解能と高い検出感度とを有している放射線検出器を開示していない。
第一方向に長いシンチレータは、第一方向で互いに対向している一対の端面のうち、一の端面から放射線を入射させる場合、高エネルギー範囲の放射線を確実に吸収してシンチレーション光を発生させる。一対の端面のうち、他の端面に半導体光検出素子が配置されている構成では、高エネルギー範囲の放射線が確実に吸収されやすい。
半導体光検出素子は、他の端面に入射するシンチレーション光を検出する。シンチレータの第一方向での長さが、第一方向に交差する方向での長さよりも大きい構成では、高い時間分解能が得られがたい。他の端面に比べて、一対の端面を連結すると共に第一方向に延在している側面は、他の端面に比べて、シンチレーション光の発生点からの距離が短い。したがって、第一方向に延在している側面に配置された半導体光検出素子は、高い時間分解能でシンチレーション光を検出しやすい。放射線検出器では、同時に発生した各シンチレーション光を短い距離で検出し得る位置に半導体光検出素子を配置することが望ましい。この半導体光検出素子の配置によれば、入射した放射線が高い時間分解能で検出される。
半導体光検出素子が側面に配置される構成では、シンチレータが複数の側面を有する場合、複数の側面にそれぞれ半導体光検出素子を配置することが可能である。複数の側面に半導体光検出素子を配置した放射線検出器によれば、一の端面にのみ一の半導体光検出素子を配置した放射線検出器に比べて高い検出感度をも実現する。

第一の態様に係る放射線検出器は、第一方向から見て矩形状を呈し、かつ、第一方向で互いに対向している一対の端面と、第一方向に交差する第二方向で互いに対向していると共に一対の端面を連結している第一側面及び第二側面と、を有しているシンチレータと、第一側面と対向するように配置されている第一半導体基板を有している第一半導体光検出素子と、第二側面と対向するように配置されている第二半導体基板を有している第二半導体光検出素子と、第一半導体光検出素子と電気的に接続されている第一配線部材と、第二半導体光検出素子と電気的に接続されている第二配線部材と、を備えている。第一方向でのシンチレータの長さは、第二方向でのシンチレータの長さ及び第一側面に平行な第三方向でのシンチレータの長さより大きい。第一方向での第一側面の長さは、第三方向での第一側面の幅より大きい。第一方向での第二側面の長さは、第三方向での第二側面の幅より大きい。第一半導体基板は、第一側面で覆われている第一部分と、第一部分と第一方向に並んでいると共に第一側面から露出している第二部分とを有している。第二半導体基板は、第二側面で覆われている第三部分と、第三部分と第一方向に並んでいると共に、第二側面から露出している第四部分とを有している。第一部分及び第三部分のそれぞれには、ガイガーモードで動作する少なくとも一つのアバランシェフォトダイオードと、少なくとも一つのアバランシェフォトダイオードのうち対応するアバランシェフォトダイオードのアノード及びカソードの一方と電気的に直列接続されている少なくとも一つのクエンチング抵抗とを有している複数の光検出領域が配置されている。第二部分及び第四部分のそれぞれには、複数の光検出領域のうち対応する光検出領域に含まれている少なくとも一つのクエンチング抵抗と電気的に接続されている複数の第一電極と、複数の光検出領域のうち対応する光検出領域に含まれているアバランシェフォトダイオードのアノード及びカソードの他方と電気的に接続されている第二電極と、が配置されている。第一配線部材及び第二配線部材は、複数の第一電極のうち対応する第一電極と電気的に接続される複数の導体と、第二電極と接続される導体と、を有している。

上記第一の態様によれば、放射線検出器は、第一方向で長いシンチレータを備えていると共に、シンチレータの第一及び第二側面にそれぞれ配置された第一及び第二半導体光検出素子を備えている。第一及び第二半導体光検出素子は、第一及び第二半導体光検出素子が配置された第一及び第二側面に入射するシンチレーション光を検出する。第二方向でのシンチレータの長さは、第一方向でのシンチレータの長さより小さい。したがって、シンチレーション光の発生点から第一側面までの距離と、シンチレーション光の発生点から第二側面までの距離とが短い。シンチレーション光の第一及び第二半導体光検出素子への到達時間が短く、上記第一の態様は、高い時間分解能を実現する。上記第一の態様は、第一及び第二半導体光検出素子の二つの半導体光検出素子を備えているので、シンチレータの一つの側面に配置された一つの半導体光検出素子を備えている放射線検出器に比べて、高い検出感度をも実現する。
上記第一の態様によれば、放射線検出器は、第一方向に並んでいる複数の光検出領域が配置された第一及び第二半導体光検出素子を備えている。複数の光検出領域のうち、たとえば、シンチレーション光を最も多く検出した光検出領域の位置から、シンチレーション光の発生点と、シンチレータの一の端面との第一方向での距離が求められる。この結果、シンチレータの一の端面から入射した放射線のエネルギーの大きさが正確に計測される。したがって、上記第一の態様は、高いエネルギー分解能を実現する。

上記第一の態様では、第二方向から見て、第一半導体基板の複数の光検出領域の輪郭により構成される一つの領域は、第一側面の輪郭形状に対応する輪郭形状を呈していてもよい。第二方向から見て、第二半導体基板の複数の光検出領域の輪郭により構成される一つの領域は、第二側面の輪郭形状に対応する輪郭形状を呈していていてもよい。
複数の光検出領域の輪郭により構成される一つの領域が側面の輪郭形状に対応する形状を呈している構成では、第一半導体基板のうち、シンチレーション光を受光し得ない箇所に光検出領域を配置しなくてよいので、第一半導体基板の光検出領域でのダークカウント及び容量の増加が抑制される。第二半導体基板のうち、シンチレーション光を受光し得ない箇所に光検出領域を配置しなくてよいので、第二半導体基板の光検出領域でのダークカウント及び容量の増加が抑制される。シンチレーション光の検出誤差が低下する。したがって、本構成は、第一及び第二半導体光検出素子の時間分解能と検出感度とを確実に向上する。

上記第一の態様では、シンチレータは、互いに独立して第一方向に並んでいる複数の部分を有していてもよい。複数の部分のそれぞれは、第一半導体基板及び第二半導体基板のそれぞれに配置されている、複数の光検出領域のうち対応する光検出領域に対応して位置していてもよい。複数の部分のそれぞれは、第一方向で互いに対向している一対の対向面と、一対の対向面を連結していると共に、第一半導体基板と対向している第一連結面と、一対の対向面を連結していると共に、第二半導体基板と対向し、かつ、第二方向で第一連結面と対向している第二連結面と、を有していてもよい。
シンチレータが互いに独立して第一方向に並んでいる複数の部分を有している構成では、各部分で発生したシンチレーション光が当該部分内に閉じ込められる。当該部分に対応する光検出領域が、当該部分内で発生したシンチレーション光を確実に検出する。したがって、本構成は、高いエネルギー分解能を確実に実現する。

上記第一の態様では、複数の部分は、互いに接合されていてもよい。
複数の部分が互いに接合されている構成では、シンチレータの物理的強度が向上する。したがって、本構成は、高いエネルギー分解能をより確実に実現する。

上記第一の態様では、光反射部材を備えていてもよい。光反射部材は、複数の部分間に配置されていてもよい。
光反射部材が複数の部分間に配置されている構成では、各部分で発生したシンチレーション光が確実に当該部分内に閉じ込められる。当該部分に対応する光検出領域が、当該部分内で発生したシンチレーション光をより確実に検出する。したがって、本構成は、高いエネルギー分解能を更により確実に実現する。

上記第一の態様では、第二方向から見て、第一半導体基板の複数の光検出領域のそれぞれは、複数の部分のうち対応する部分の、第一半導体基板と対向する第一連結面の輪郭形状に対応する輪郭形状を呈していてもよい。第二方向から見て、第二半導体基板の複数の光検出領域のそれぞれは、複数の部分のうち対応する部分の、第二半導体基板と対向する第二連結面の輪郭形状に対応する輪郭形状を呈していてもよい。
光検出領域が連結面の輪郭形状に対応する輪郭形状を呈している構成では、半導体基板のうち、シンチレーション光を受光し得ない箇所に光検出領域を配置しなくてよいので、光検出領域でのダークカウント及び容量の増加が抑制される。したがって、本構成は、放射線検出器の時間分解能及びエネルギー分解能を確実に向上する。

上記第一の態様では、複数の光検出領域は、第一光検出領域と、第一光検出領域よりも第二部分に近い第二光検出領域と、を含んでいてもよい。第一光検出領域に対応している第一電極と、第一光検出領域とを電気的に接続している導線の幅は、第二光検出領域に対応している第一電極と、第二光検出領域とを電気的に接続している導線の幅より大きくてもよい。
第一光検出領域に対応している第一電極と、第一光検出領域とを電気的に接続している導線の幅が、第二光検出領域に対応している第一電極と、第二光検出領域とを電気的に接続している導線の幅より大きい構成では、電気抵抗差が低減される。第一光検出領域に対応している第一電極と、第一光検出領域とを電気的に接続している導線の長さは、第二光検出領域に対応している第一電極と、第二光検出領域とを電気的に接続している導線の長さより大きい。導線が長くなるほど、導線の電気抵抗が大きくなる。したがって、長い導線の幅が短い導線の幅より大きい構成では、長い導線の電気抵抗と短い導線の電気抵抗との間の電気抵抗差が低減する。したがって、本構成は、放射線検出器の時間分解能及びエネルギー分解能をより確実に向上する。

上記第一の態様は、第二部分と、第四部分との間に配置されている補強体を備えていてもよい。補強体は、第二部分と第四部分とを覆っていると共に、第二部分と第四部分とを連結していてもよい。
第二部分と第四部分との間に配置されている補強体を備えている構成では、第二部分と第四部分との間に配置された補強体によって、第二部分及び第四部分の機械的強度が向上する。

上記第一の態様では、第一半導体基板は、第二方向でシンチレータと対向している第一面と、第二方向で第一面と対向している第二面と、を有していてもよい。第二半導体基板は、第二方向でシンチレータと対向している第三面と、第二方向で第三面と対向している第四面と、を有していてもよい。第二面及び第四面は、研磨面であってもよい。
第二面及び第四面が研磨面である構成では、第一及び第二半導体基板の薄化が可能である。第一及び第二半導体基板の厚み方向で、放射線検出器が小サイズ化され得る。

上記第一の態様は、第二方向で互いに対向している第五面及び第六面を有している共に、第五面とシンチレータとの間に第一半導体基板が位置するように配置されている第一基体と、第二方向で互いに対向している第七面及び第八面を有している共に、第七面とシンチレータとの間に第二半導体基板が位置するように配置されている第二基体と、第五面上に配置されている複数の第一端子と、第五面上に配置されている第二端子と、第七面上に配置されている複数の第三端子と、第七面上に配置されている第四端子とを備えていてもよい。第一基体は、第一半導体基板で覆われている第五部分と、第五部分と第一方向に並んでいると共に第一半導体基板から露出している第六部分と、を有していてもよい。第二基体は、第二半導体基板で覆われている第七部分と、第七部分と第一方向に並んでいると共に第二半導体基板から露出している第八部分と、を有していてもよい。各第一端子は、第六部分上に位置すると共に、第一ワイヤを通して第二部分に配置されている複数の第一電極のうち、対応する第一電極と電気的に接続されていてもよい。第二端子は、第六部分上に位置すると共に、第二ワイヤを通して第二部分に配置されている第二電極と電気的に接続されていてもよい。各第三端子は、第八部分上に位置すると共に、第三ワイヤを通して第四部分に配置されている複数の第一電極のうち、対応する第一電極と電気的に接続されていてもよい。第四端子は、第八部分上に位置すると共に、第四ワイヤを通して第四部分に配置されている第二電極と電気的に接続されていてもよい。
第一及び第二基体を備えている構成では、放射線検出器の機械的強度が向上する。したがって、本構成は、機械的強度が向上した放射線検出器を確実に実現する。

上記第一の態様は、シンチレータとの間に第一半導体基板が位置するように配置されている第一被覆体と、シンチレータとの間に第二半導体基板が位置するように配置されている第二被覆体と、を備えていてもよい。第一被覆体及び第二被覆体は、光反射体及び電気絶縁体の少なくともいずれか一つを含んでいてもよい。

たとえば、第一被覆体及び第二被覆体が光反射体を含む構成では、シンチレーション光の光反射特性が向上する。たとえば、第一被覆体及び第二被覆体が電気絶縁体を含む構成では、互いに隣接する放射線検出器間の電気絶縁性が向上する。

上記第一の態様では、第一配線部材は、第一半導体基板に対して、シンチレータと同じ側に配置されていてもよい。第二配線部材は、第二半導体基板に対して、シンチレータと同じ側に配置されていてもよい。
第一配線部材が、第一半導体基板に対してシンチレータと同じ側に配置されている構成では、たとえば、第一配線部材を、第一及び第二電極とダイボンディングにて接続するための基板を新たに用意する必要がない。第二配線部材が、第二半導体基板に対してシンチレータと同じ側に配置されている構成では、たとえば、第二配線部材を、第一及び第二電極とダイボンディングにて接続するための基板を新たに用意する必要がない。したがって、本構成は、放射線検出器の構成をより確実に簡略化する。

上記第一の態様では、第一配線部材及び第二配線部材と、第一半導体基板及び第二半導体基板とは、可撓性を有していてもよい。第一配線部材の可撓性は、第一半導体基板の可撓性より大きくてもよい。第二配線部材の可撓性は、第二半導体基板の可撓性より大きくてもよい。
第一配線部材の可撓性が、第一半導体基板の可撓性より大きい構成では、第一配線部材から第一半導体基板への振動が伝わりにくい。第一半導体基板に、第一配線部材からの力が加わりにくく、第一半導体基板は、物理的なダメージを受けがたい。第二配線部材の可撓性が、第二半導体基板の可撓性より大きい構成では、第二配線部材から第二半導体基板への振動が伝わりにくい。第二半導体基板に、第二配線部材からの力が加わりにくく、第二半導体基板は、物理的なダメージを受けがたい。したがって、本構成は、放射線検出器の機械的強度を確実に維持する。

第二の態様に係る放射線検出器アレイは、一次元に配列された複数の放射線検出器を備えている放射線検出器アレイであって、複数の放射線検出器は、上記放射線検出器である。シンチレータは、一対の端面を連結していると共に第一側面と第二側面とを連結している一対の第三側面を有している。複数の放射線検出器のうち互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器は、一方の放射線検出器が備えるシンチレータの第三側面と、他方の放射線検出器が備えるシンチレータの第三側面とが互いに対向するように、並んでいる。

上記第二の態様によれば、高い時間分解能と高い検出感度とを有している放射線検出器を一次元配列した放射線検出器アレイが実現される。

上記第二の態様では、一次元に並んでいる各第一半導体光検出素子は、互いに一体的に形成されていてもよい。一次元に並んでいる各第二半導体光検出素子は、互いに一体的に形成されていてもよい。
一次元に並んでいる各第一及び第二半導体光検出素子が互いに一体的に形成されている構成では、複数の放射線検出器を一次元配列した放射線検出器アレイの機械的強度が向上する。

上記第二の態様では、行列状に二次元配列された複数の放射線検出器を備える放射線検出器アレイであって、複数の放射線検出器のうち行方向に並ぶ複数の放射線検出器は、上記放射線検出器アレイであってもよい。複数の放射線検出器のうち列方向で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器は、一方の放射線検出器が備える第一半導体光検出素子又は第二半導体光検出素子のいずれか一方と、他方の放射線検出器が備える第一半導体光検出素子又は第二半導体光検出素子のいずれか一方とが列方向で互いに対向するように、並んでいてもよい。
複数の放射線検出器が行列状に二次元配列されている構成では、一次元配列した放射線検出器アレイが列方向に並んでいる構成によって、高い時間分解能と高い検出感度とを有している放射線検出器を行列状に二次元配列した放射線検出器アレイが実現される。

第三の態様に係る放射線検出器アレイは、一次元に配列された複数の放射線検出器を備えている放射線検出器アレイであって、複数の放射線検出器は、上記放射線検出器である。シンチレータは、一対の端面を連結していると共に第一側面と第二側面とを連結している一対の第三側面を有している。複数の放射線検出器のうち互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器は、一方の放射線検出器が備えるシンチレータの第三側面と、他方の放射線検出器が備える第一半導体光検出素子又は第二半導体光検出素子のいずれか一方とが互いに対向するように、並んでいる。

上記第三の態様によれば、高い時間分解能と高い検出感度とを有している放射線検出器を一次元配列した放射線検出器アレイが実現される。

上記第三の態様では、行列状に二次元配列された複数の放射線検出器を備える放射線検出器アレイであって、複数の放射線検出器のうち行方向に並ぶ複数の放射線検出器は、上記放射線検出器アレイであり、複数の放射線検出器のうち列方向で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器は、一方の放射線検出器が備えるシンチレータの第三側面と、他方の放射線検出器が備える第一半導体光検出素子又は第二半導体光検出素子のいずれか一方とが列方向で互いに対向するように、並んでいてもよい。
複数の放射線検出器が行列状に二次元配列されている構成では、高い時間分解能と高い検出感度とを有している放射線検出器を行列状に二次元配列した放射線検出器アレイが実現される。第三側面と、他方の放射線検出器が備える第一半導体光検出素子又は第二半導体光検出素子のいずれか一方とが列方向で互いに対向しているので、第一及び第二半導体光検出素子が互いに対向している構成に比べて、複数の放射線検出器が、より少ないスペースで二次元配列される。

本発明の第一の態様は、高い時間分解能と高い検出感度とを有している放射線検出器を提供する。本発明の第二及び第三の態様は、高い時間分解能と高い検出感度とを有している放射線検出器を備える放射線検出器アレイを提供する。

図１は、第一実施形態に係る放射線検出器を示す斜視図である。 図２は、第一実施形態に係る放射線検出器を示す斜視図である。 図３は、第一半導体光検出素子を示す平面図である。 図４は、第二半導体光検出素子を示す平面図である。 図５は、光検出領域の等価回路を示す図である。 図６は、第一実施形態に係る放射線検出器を示す側面図である。 図７は、第一実施形態に係る放射線検出器を示す側面図である。 図８は、第一実施形態に係る放射線検出器を示す側面図である。 図９は、第一実施形態に係る放射線検出器を示す斜視図である。 図１０は、第一実施形態に係る放射線検出器を示す斜視図である。 図１１は、第一実施形態の変形例に係る放射線検出器を示す斜視図である。 図１２は、シンチレーション光の一部の経路を示す図である。 図１３は、第二実施形態に係る放射線検出器アレイを示す斜視図である。 図１４は、第二実施形態に係る放射線検出器アレイを示す斜視図である。 図１５は、第三実施形態に係る放射線検出器アレイを示す斜視図である。 図１６は、第三実施形態に係る放射線検出器アレイを示す斜視図である。 図１７は、放射線検出器の製造方法を示す流れ図である。

添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

（第一実施形態）
図１～図１０を参照しながら、第一実施形態に係る放射線検出器ＲＤ１の構成を説明する。図１及び図２は、第一実施形態に係る放射線検出器を示す斜視図である。図３は、第一半導体光検出素子を示す平面図である。図４は、第二半導体光検出素子を示す平面図である。図５は、光検出領域の等価回路を示す図である。図６～図８は、第一実施形態に係る放射線検出器を示す側面図である。図９及び図１０は、第一実施形態に係る放射線検出器を示す斜視図である。図１及び図９では、説明のため、第二半導体光検出素子の一部の図示が省略されている。図２及び図１０では、説明のため、第一半導体光検出素子の一部の図示が省略されている。図９及び図１０では、補強体が二点鎖線によって示されている。

図１及び図２に示されるように、放射線検出器ＲＤ１は、シンチレータ１と、半導体光検出素子１０ａと、半導体光検出素子１０ｂと、配線部材３０ａと、配線部材３０ｂとを備えている。シンチレータ１は、放射線の入射を受けてシンチレーション光（蛍光）を発生する。半導体光検出素子１０ａ，１０ｂは、シンチレータ１で発生したシンチレーション光を検出する。半導体光検出素子１０ａは、半導体基板１１ａを有しており、配線部材３０ａと電気的に接続されている。半導体光検出素子１０ｂは、半導体基板１１ｂを有しており、配線部材３０ｂと電気的に接続されている。たとえば、半導体光検出素子１０ａが第一半導体光検出素子を構成する場合、半導体光検出素子１０ｂは、第二半導体光検出素子を構成する。たとえば、配線部材３０ａが第一配線部材を構成する場合、配線部材３０ｂは、第二配線部材を構成する。たとえば、半導体基板１１ａが第一半導体基板を構成する場合、半導体基板１１ｂは、第二半導体基板を構成する。

シンチレータ１は、互いに対向している一対の端面１ａ，１ｂと、互いに対向している一対の側面１ｃ，１ｄと、互いに対向している一対の側面１ｅ，１ｆと、を有している。端面１ａ，１ｂ、側面１ｃ，１ｄ、及び側面１ｅ，１ｆは、シンチレータ１の外表面を構成している。端面１ａ，１ｂは、第一方向Ｄ１で互いに対向している。端面１ａ，１ｂは、シンチレータ１の第一方向Ｄ１での両端を規定している。側面１ｃ，１ｄは、第一方向Ｄ１に交差する第二方向Ｄ２で互いに対向していると共に、一対の端面１ａ，１ｂを連結している。本実施形態では、第二方向Ｄ２は、側面１ｃに直交している方向と一致している。側面１ｃ，１ｄは、シンチレータ１の第二方向Ｄ２での両端を規定している。側面１ｅ，１ｆは、端面１ａ，１ｂを連結していると共に、側面１ｃ及び側面１ｄとを連結している。側面１ｅ，１ｆは、第一方向Ｄ１及び第二方向Ｄ２に交差する第三方向Ｄ３で互いに対向している。第三方向Ｄ３は、側面１ｃに平行な方向と一致している。本実施形態では、第一方向Ｄ１、第二方向Ｄ２、及び第三方向Ｄ３は、互いに直交している。側面１ｅ，１ｆは、シンチレータ１の第三方向Ｄ３での両端を規定している。たとえば、側面１ｃが第一側面を構成する場合、側面１ｄは、第二側面を構成し、側面１ｅ，１ｆは、一対の第三側面を構成する。

端面１ａ及び端面１ｂは、側面１ｃと側面１ｄとを連結するように、第二方向Ｄ２に延在している。端面１ａ及び端面１ｂは、側面１ｅと側面１ｆとを連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。側面１ｃ及び側面１ｄは、端面１ａと端面１ｂとを連結するように、第一方向Ｄ１に延在している。側面１ｃ及び側面１ｄは、側面１ｅと側面１ｆとを連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。側面１ｅ及び側面１ｆは、端面１ａと端面１ｂとを連結するように、第一方向Ｄ１に延在している。側面１ｅ及び側面１ｆは、側面１ｃと側面１ｄとを連結するように、第二方向Ｄ２に延在している。側面１ｅ及び側面１ｆは、側面１ｃと隣り合っている。

第一方向Ｄ１でのシンチレータ１の長さは、第二方向Ｄ２でのシンチレータ１の長さより大きい。第一方向Ｄ１でのシンチレータ１の長さは、第三方向Ｄ３でのシンチレータ１の長さより大きい。第一方向Ｄ１は、シンチレータ１の長手方向である。第一方向Ｄ１での側面１ｃの長さは、第三方向Ｄ３での側面１ｃの幅より大きい。第一方向Ｄ１での側面１ｄの長さは、第三方向Ｄ３での側面１ｄの幅より大きい。

端面１ａ，１ｂ、側面１ｃ，１ｄ、及び側面１ｅ，１ｆは、これらの面に直交する方向から見て、矩形状を呈している。本実施形態では、シンチレータ１は、第一方向Ｄ１から見て、矩形状を呈しており、第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３から見ても、矩形状を呈している。シンチレータ１は、たとえば、直方体形状を呈している。第一方向Ｄ１でのシンチレータ１の長さは、たとえば、約２０ｍｍである。第二方向Ｄ２でのシンチレータ１の長さは、たとえば、約４ｍｍである。第三方向Ｄ３でのシンチレータ１の長さは、たとえば、約４ｍｍである。本明細書での「矩形状」は、たとえば、各角が面取りされている形状、及び、各角が丸められている形状を含む。本明細書での「直方体形状」は、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状を含む。

シンチレータ１は、たとえば、結晶性シンチレータ、セラミックシンチレータ、又はプラスチックシンチレータを含んでいる。結晶性シンチレータは、たとえば、ＣｓＩ、ＮａＩ、ＬａＢｒ_３、セリウム添加ルテチウムイットリウムオルトシリケート（ＬＹＳＯ（Ｃｅ））、ガドリニウムアルミニウムガリウムガーネット（ＧＡＧＧ）、オキシオルトケイ酸ルテチウム（ＬＳＯ）、ゲルマニウム酸ビスマス（ＢＧＯ）、又はルテニウムアルミニウムガーネット（ＬｕＡＧ）等を含んでいる。セラミックシンチレータは、たとえば、無機蛍光体の焼結体を含んでいる。プラスチックシンチレータは、たとえば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を含んでいる。

半導体基板１１ａは、側面１ｃと対向するように、配置されている。半導体基板１１ｂは、側面１ｄと対向するように、配置されている。半導体基板１１ａ，１１ｂは、たとえば、Ｓｉを含んでいる。半導体基板１１ｂは、側面１ｄに配置されることを除いて、たとえば、側面１ｃに配置される半導体基板１１ａと同一の形態を有し、同一の機能を示す。半導体基板１１ａは、たとえば、接着剤を介して、側面１ｃに配置される。半導体基板１１ｂは、たとえば、接着剤を介して、側面１ｄに配置される。

図３に示されるように、半導体基板１１ａは、部分２１ａと部分２２ａとを有している。本実施形態では、部分２１ａは、側面１ｃで覆われている。部分２２ａは、部分２１ａと第一方向Ｄ１に並んでいると共に、側面１ｃから露出している。図４に示されるように、半導体基板１１ｂは、部分２１ｂと部分２２ｂとを有している。本実施形態では、部分２１ｂは、側面１ｄで覆われている。部分２２ｂは、部分２１ｂと第一方向Ｄ１に並んでいると共に、側面１ｄから露出している。たとえば、部分２１ａが第一部分を構成する場合、部分２２ａは、第二部分を構成する。たとえば、部分２１ｂが第三部分を構成する場合、部分２２ｂは、第四部分を構成する。

図３及び図４に示されるように、部分２１ａ及び部分２１ｂのそれぞれには、複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄが配置されている。複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄは、第一方向Ｄ１に並んでいる。本実施形態では、四つの光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄが配置されている。複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄは、少なくとも一つのアバランシェフォトダイオード１２と、少なくとも一つのクエンチング抵抗１３とをそれぞれ有している。図３及び図４に示した例では、複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄは、複数のアバランシェフォトダイオード１２と、複数のクエンチング抵抗１３とをそれぞれ有している。シンチレーション光を受光したアバランシェフォトダイオード１２は、光電変換によって光電子を発生する。

部分２１ａ及び部分２１ｂのそれぞれには、たとえば、四つの導線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄと導線１４ｅとが配置されている。導線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄは、たとえば、第二方向Ｄ２から見て、格子状にパターニングされた信号読出用の配線パターンを構成している。導線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄの各格子は、一つの光検出部１５を囲んでいる。一つの光検出部１５は、一つのアバランシェフォトダイオード１２と、対応するアバランシェフォトダイオード１２と電気的に直列接続されている一つのクエンチング抵抗１３とで構成されている。部分２１ａ及び部分２１ｂのそれぞれには、複数の光検出部１５が配置されており、光検出部１５は、たとえば、行列状に二次元配置されている。図３及び図４に示した例では、各光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄが、互いに接している。実際には、各光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄは、互いに接していてもよく、互いに離間していてもよい。複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄは、一のアバランシェフォトダイオード１２と、一のクエンチング抵抗１３とをそれぞれ有していてもよい。

少なくとも一つのクエンチング抵抗１３は、少なくとも一つのアバランシェフォトダイオード１２のうち対応するアバランシェフォトダイオード１２のアノード及びカソードの一方と電気的に直列接続されている。アバランシェフォトダイオード１２は、アノード及びカソードの一方と電気的に接続されているコンタクト電極１６を有しており、クエンチング抵抗１３の一端は、コンタクト電極１６と電気的に直列接続されている。各クエンチング抵抗１３の他端は、それぞれ、配線パターンを構成している導線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄと電気的に直列接続されている。導線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄは、それぞれ、複数のクエンチング抵抗１３を電気的に並列接続している。導線１４ｅは、複数のアバランシェフォトダイオード１２のアノード及びカソードの他方を電気的に並列接続している。

部分２２ａ及び部分２２ｂのそれぞれには、複数の電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄと、電極１８とが配置されている。電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄは、それぞれ、導線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄを介して、複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄのうち対応する光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄに含まれている少なくとも一つのクエンチング抵抗１３を電気的に接続している。図３及び図４に示した例では、電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄは、それぞれ、導線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄを介して、複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄのうち対応する光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄに含まれている複数のクエンチング抵抗１３を電気的に並列接続している。たとえば、電極１７ａは、導線１４ａを介して、光検出領域２３ａと接続されている。電極１７ｂは、導線１４ｂを介して、光検出領域２３ｂと接続されている。電極１７ｃは、導線１４ｃを介して、光検出領域２３ｃと接続されている。電極１７ｄは、導線１４ｄを介して、光検出領域２３ｄと接続されている。光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄが、それぞれ、一のクエンチング抵抗１３を含んでいる構成では、電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄは、それぞれ、導線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄを介して、光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄに含まれている一のクエンチング抵抗１３を電気的に直列接続している。たとえば、電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄが、第一電極を構成する場合、電極１８は、第二電極を構成する。

電極１８は、導線１４ｅを介して、複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄのうち対応する光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄに含まれているアバランシェフォトダイオード１２のアノード及びカソードの他方と電気的に接続されている。図３及び図４に示した例では、電極１８は、導線１４ｅを介して、複数のアバランシェフォトダイオード１２のアノード及びカソードの他方を電気的に並列接続している。光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄが、それぞれ、一のアバランシェフォトダイオード１２を含んでいる構成では、電極１８は、導線１４ｅを介して、光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄに含まれている一のアバランシェフォトダイオード１２のアノード及びカソードの他方を電気的に並列接続している。

電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ及び電極１８は、たとえば、アルミニウム又はアルミ複合体（ＡｌＳｉ、ＡｌＣｕ、ＡｌＳｉＣｕ等）を含んでいる。電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ及び電極１８は、たとえば、めっき法、蒸着法、又はスパッタ法によって形成される。

クエンチング抵抗１３の電気抵抗率は、電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ及び電極１８の電気抵抗率よりも大きい。クエンチング抵抗１３は、たとえば、ポリシリコンを含んでいる。クエンチング抵抗１３の材料は、たとえば、ＳｉＣｒ、ＮｉＣｒ、又はＦｅＣｒを含んでいてもよい。クエンチング抵抗１３は、たとえば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法又はスパッタ法によって形成される。

本実施形態では、少なくとも一つのクエンチング抵抗１３は、たとえば、少なくとも一つのアバランシェフォトダイオード１２のうち対応するアバランシェフォトダイオード１２のアノードと電気的に接続している。この場合、電極１８は、複数のアバランシェフォトダイオード１２のカソードと電気的に接続している。少なくとも一つのクエンチング抵抗１３は、少なくとも一つのアバランシェフォトダイオード１２のうち対応するアバランシェフォトダイオード１２のカソードと電気的に接続していてもよい。この場合、電極１８は、少なくとも一つのアバランシェフォトダイオード１２のアノードと電気的に接続している。

各アバランシェフォトダイオード１２は、ガイガーモードで動作する。ガイガーモードでは、アバランシェフォトダイオード１２のブレイクダウン電圧よりも大きな逆方向電圧（逆バイアス電圧）がアバランシェフォトダイオード１２に印加される。たとえば、アバランシェフォトダイオード１２のアノードには、電位Ｖ１が印加され、アバランシェフォトダイオード１２のカソードには、電位Ｖ１に対して正の電位Ｖ２が印加される。これらの電位の極性は相対的なものであり、たとえば、いずれか一方の電位が接地電位であってもよい。各光検出部１５は、並列に接続されている。

各アバランシェフォトダイオード１２は、いわゆるリーチスルー型のアバランシェフォトダイオードであってもよく、いわゆるリバース型のアバランシェフォトダイオードであってもよい。リーチスルー型のアバランシェフォトダイオード１２は、たとえば、シンチレーション光が長波長光の場合に用いられる。リバース型のアバランシェフォトダイオード１２は、たとえば、シンチレーション光が短波長光の場合に用いられる。これらリーチスルー型又はリバース型のアバランシェフォトダイオード１２は、ガイガーモードで動作する。放射線検出器ＲＤ１は、リニアモードで動作するアバランシェフォトダイオード１２を備えていてもよい。リニアモードで動作するアバランシェフォトダイオード１２も、いわゆるリーチスルー型のアバランシェフォトダイオードであってもよく、いわゆるリバース型のアバランシェフォトダイオードであってもよい。

半導体基板１１ａ，１１ｂには、たとえば、導線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ及び導線１４ｅと、導線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄにそれぞれ接続されている電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄと、導線１４ｅに接続されている電極１８とが配置されている。半導体基板１１ａ，１１ｂには、たとえば、導線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ、及び導線１４ｅ上に絶縁層１９が配置されている。半導体基板１１ａでは、絶縁層１９は、部分２１ａと部分２２ａとを延在している。半導体基板１１ｂでは、絶縁層１９は、部分２１ｂと部分２２ｂとを延在している。部分２２ａ，２２ｂでは、電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ及び導線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄは、絶縁層１９によって、電極１８及び導線１４ｅと絶縁されている。部分２１ａ，２１ｂでは、絶縁層１９は、複数の光検出部１５上に形成されている。絶縁層１９は、たとえば、ＳｉＯ_２又はＳｉＮを含んでいる。絶縁層１９は、たとえば、熱酸化法、スパッタ法、又はＣＶＤ法によって形成される。

図１、図２及び図６に示されるように、配線部材３０ａは、半導体基板１１ａに対して、シンチレータ１と同じ側に配置されている。配線部材３０ａ、半導体基板１１ａ、及びシンチレータ１は、面１１ｃ上に配置されている。配線部材３０ｂは、半導体基板１１ｂに対して、シンチレータ１と同じ側に配置されている。配線部材３０ｂ、半導体基板１１ｂ、及びシンチレータ１は、面１１ｄ上に配置されている。配線部材３０ｂは、半導体基板１１ｂと電気的に接続されることを除いて、たとえば、半導体基板１１ａと電気的に接続される配線部材３０ａと同一の形態を有し、同一の機能を示す。

配線部材３０ａ，３０ｂは、導体３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄと導体３２とを有している。導体３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄは、それぞれ、電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄと電気的に接続され、導体３２は、電極１８と電気的に接続されている。導体３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄは、導電性バンプ３３を介して、電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄと電気的に接続されている。導体３２は、導電性バンプ３３を介して、電極１８と接続されている。導電性バンプ３３は、たとえば、はんだ、ＡＣＦ（アニソトロピックコンダクティブフィルム）、又はＡＣＰ（アニソトロピックコンダクティブペースト）を含んでいる。はんだは、たとえば、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕはんだを含んでいる。導電性バンプ３３は、たとえば、Ａｕバンプ、Ｎｉバンプ、又はＣｕバンプを含んでいてもよい。

本実施形態では、導体３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを介して、アバランシェフォトダイオード１２のアノードに電位Ｖ１が印加され、導体３２を介して、アバランシェフォトダイオード１２のカソードに電位Ｖ２が印加される。導体３２を介して、アバランシェフォトダイオード１２のカソードに電位Ｖ１が印加され、導体３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを介して、アバランシェフォトダイオード１２のアノードに電位Ｖ２が印加されてもよい。図３では、導体３１ａのみが描かれている。導体３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ及び導体３２は、たとえば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕを含んでいる。導体３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ及び導体３２は、たとえば、スパッタ法又はメッキ法によって形成される。

配線部材３０ａ及び配線部材３０ｂと、半導体基板１１ａ及び半導体基板１１ｂとは、可撓性を有している。配線部材３０ａの可撓性は、半導体基板１１ａの可撓性より大きい。配線部材３０ｂの可撓性は、半導体基板１１ｂの可撓性より大きい。配線部材３０ａの可撓性と、配線部材３０ｂの可撓性とは、たとえば、互いに同じである。配線部材３０ａの可撓性と、配線部材３０ｂの可撓性とは、互いに異なっていてもよい。

第二方向Ｄ２から見て、半導体基板１１ａの複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄにより構成される一つの領域は、側面１ｃの輪郭に沿っている。各光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの輪郭を構成する複数の端縁は、第二方向Ｄ２から見て、側面１ｃの輪郭を構成する複数の端縁のうち対応する端縁に沿っている。第二方向Ｄ２から見て、複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの輪郭により構成される一つの領域は、側面１ｃの輪郭形状に対応する形状を呈している。半導体基板１１ａにおいて、各光検出部１５は、第二方向Ｄ２から見て、光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄにより構成される一つの領域が側面１ｃの輪郭形状に対応する輪郭形状を呈するように、並んでいる。各光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄは、側面１ｃの輪郭形状に対応して、たとえば、矩形状の輪郭形状を呈している。

第二方向Ｄ２から見て、半導体基板１１ｂの複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄにより構成される一つの領域は、側面１ｄの輪郭に沿っている。各光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの輪郭を構成する複数の端縁は、第二方向Ｄ２から見て、側面１ｄの輪郭を構成する複数の端縁のうち対応する端縁に沿っている。第二方向Ｄ２から見て、複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの輪郭により構成される一つの領域は、側面１ｄの輪郭形状に対応する形状を呈している。半導体基板１１ｂにおいて、各光検出部１５は、第二方向Ｄ２から見て、光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄにより構成される一つの領域が側面１ｄの輪郭形状に対応する輪郭形状を呈するように、並んでいる。各光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄは、側面１ｄの輪郭形状に対応して、たとえば、矩形状の輪郭形状を呈している。

図３及び図４に示した例では、複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃにおいて、光検出部１５が、第一方向Ｄ１に各列３個並んでおり、第三方向Ｄ３に各列３個並んでいる。光検出領域２３ａは、合計９個の光検出部１５を含んでいる。光検出領域２３ｄにおいては、光検出部１５が、第一方向Ｄ１に各列５個並んでおり、第三方向Ｄ３に各列３個並んでいる。光検出領域２３ｄは、合計１５個の光検出部１５を含んでいる。

光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄは、たとえば、第一方向Ｄ１に並んでいる。本実施形態では、光検出領域２３ａ、光検出領域２３ｂ、光検出領域２３ｃ、及び光検出領域２３ｄの順に並んでいる。光検出領域２３ｄは、光検出領域２３ａ、光検出領域２３ｂ、及び光検出領域２３ｃよりも、部分２２ａ，２２ｂに近い。光検出領域２３ｃは、光検出領域２３ａ、及び光検出領域２３ｂよりも、部分２２ａ，２２ｂに近い。光検出領域２３ｂは、光検出領域２３ａよりも、部分２２ａ，２２ｂに近い。本実施形態では、導線１４ａの幅は、導線１４ｂ，１４ｃ，１４ｄの幅より大きい。導線１４ｂの幅は、導線１４ｃ，１４ｄの幅より大きい。導線１４ｃの幅は、導線１４ｄの幅より大きい。第二方向Ｄ２から見て、半導体基板１１ａ，１１ｂの第三方向Ｄ３での両端と、光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄとの間に、たとえば、導線１４ａと導線１４ｂ，１４ｃとが延在している。第二方向Ｄ２から見て、導線１４ｄは、たとえば、導線１４ａと導線１４ｂ，１４ｃとの間に配置されている。導線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄは、第一方向Ｄ１に延在している。導線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄの幅は、導線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄの延在方向に垂直な方向での幅である。導線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄの幅は、第三方向Ｄ３での幅である。たとえば、光検出領域２３ａが第一光検出領域を構成する場合、光検出領域２３ｄは、第二光検出領域を構成する。

図１及び図２に示されるように、放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、補強体４５を備えている。補強体４５は、たとえば、部分２２ａと部分２２ｂとの間に配置されている。本実施形態では、補強体４５は、部分２２ａと部分２２ｂとを覆っていると共に、部分２２ａと部分２２ｂとを連結している。補強体４５は、たとえば、部分２２ａ及び部分２２ｂと、シンチレータ１とに接している。補強体４５は、たとえば、部分２２ａ及び部分２２ｂと、シンチレータ１とから露出している面４５ａ，４５ｂ，４５ｃを有している。面４５ａは、たとえば、第一方向Ｄ１で端面１ｂと対向している。面４５ｂ，４５ｃは、たとえば、第三方向Ｄ３で互いに対向している。

補強体４５は、たとえば、樹脂を含んでいる。補強体４５の樹脂は、たとえば、部分２２ａ及び部分２２ｂと、シンチレータ１とで画成される空間に充填される。補強体４５の樹脂は、たとえば、熱硬化性樹脂を含んでいる。補強体４５の樹脂は、たとえば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、又はパラキシリレン系ポリマーを含んでいる。

本実施形態では、補強体４５は、たとえば、ブロックを含んでいる。補強体４５のブロックは、たとえば、部分２２ａ及び部分２２ｂと、シンチレータ１とで画成される空間に合わせた形状を呈している。補強体４５のブロックには、たとえば、配線部材３０ａ及び配線部材３０ｂと干渉しないような窪みが形成されている。補強体４５のブロックは、たとえば、接着剤によって、部分２２ａと部分２２ｂとの間に配置される。接着剤は、たとえば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、又はフェノール樹脂を含んでいる。
補強体４５のブロックは、たとえば、金属を含んでいる。金属のブロックは、たとえば、Ａｌ、チタン合金、ニッケル合金、又はステンレス鋼を含んでいる。補強体４５のブロックは、たとえば、ガラスのブロックを含んでいる。ガラスのブロックは、たとえば、石英ガラス、又はホウケイ酸ガラスを含んでいる。補強体４５のブロックは、たとえば、セラミックのブロックを含んでいる。セラミックのブロックは、たとえば、アルミナ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、サファイア、ジルコニア、コージライト、イットリア、窒化アルミニウム、サーメット、ムライト、ステアタイト、又はフォルステライトを含んでいる。補強体４５のブロックは、たとえば、樹脂のブロックを含んでいる。樹脂のブロックは、たとえば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、又はパラキシリレン系ポリマーを含んでいる。

図６に示されるように、半導体基板１１ａは、第二方向Ｄ２で互いに対向している面１１ｃと面１１ｄとを有している。面１１ｃは、第二方向Ｄ２でシンチレータ１と対向している。面１１ｄは、第二方向Ｄ２で面１１ｃと対向している。本実施形態では、アバランシェフォトダイオード１２のアノード及びカソードの一方が、面１１ｃに配置され、アバランシェフォトダイオード１２のアノード及びカソードの他方が、面１１ｄに配置されている。たとえば、面１１ｃが第一面を構成する場合、面１１ｄは、第二面を構成する。

半導体基板１１ｂは、第二方向Ｄ２で互いに対向している面１１ｅと面１１ｆとを有している。面１１ｅは、第二方向Ｄ２でシンチレータ１と対向している。面１１ｆは、第二方向Ｄ２で面１１ｅと対向している。本実施形態では、アバランシェフォトダイオード１２のアノード及びカソードの一方が、面１１ｅに配置され、アバランシェフォトダイオード１２のアノード及びカソードの他方が、面１１ｆに配置されている。たとえば、面１１ｅが第三面を構成する場合、面１１ｆは、第四面を構成する。

面１１ｄ，１１ｆは、たとえば、研磨面である。たとえば、半導体基板１１ａ，１１ｂが、シンチレータ１に配置され、補強体４５が部分２２ａ，２２ｂ間に配置された後に、面１１ｄ，１１ｆが研磨される。図７は、面１１ｄ，１１ｆが研磨される前の放射線検出器ＲＤ１を示す側面図であり、図８は、面１１ｄ，１１ｆが研磨された後の放射線検出器ＲＤ１を示す側面図である。図７及び図８に示されるように、本実施形態では、面１１ｄが研磨されて、半導体基板１１ａが薄化され、面１１ｆが研磨されて、半導体基板１１ｂが薄化される。

面１１ｄ，１１ｆは、たとえば、機械的に研磨される。面１１ｄ，１１ｆの機械的な研磨は、たとえば、グラインディング法、ラッピング法、又はポリッシングホイルによるドライポリッシング法による。面１１ｄ，１１ｆは、機械化学的に研磨されてもよい。面１１ｄ，１１ｆの化学的な研磨は、たとえば、ＣＭＰスラリーによるウェットポリッシングによる。面１１ｄ，１１ｆが研磨面である構成では、半導体基板１１ａ，１１ｂの厚みは、たとえば、１０～２００μｍである。研磨面の表面粗さは、たとえば、０．００１～２００μｍである。本明細書では、面の表面粗さとしては、最大高さ（Ｒｚ）が用いられる。最大高さ（Ｒｚ）は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１（ＩＳＯ ４２８７：１９９７）に定義されている。面１１ｄ，１１ｆが研磨される前では、半導体基板１１ａ，１１ｂの厚みは、たとえば、２５０～１０００μｍである。

図１及び図６に示されるように、放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、被覆体４７ａを備えている。被覆体４７ａは、シンチレータ１との間に半導体基板１１ａが位置するように、配置されている。本実施形態では、被覆体４７ａは、面１１ｄに配置されている。被覆体４７ａは、面１１ｄの少なくとも一部に配置されており、面１１ｄの全部に配置されていてもよい。したがって、面１１ｄのうち、部分２１ａに対応する領域のみに配置されていてもよく、面１１ｄのうち、部分２１ａと部分２２ａとに対応する領域全体に配置されていてもよい。図１及び図６では、被覆体４７ａが、面１１ｄのうち、部分２１ａと部分２２ａとに対応する領域全体に配置されている例が示されている。放射線検出器ＲＤ１は、被覆体４７ａを備えていなくてもよい。

図２及び図６に示されるように、放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、被覆体４７ｂを備えている。被覆体４７ｂは、シンチレータ１との間に半導体基板１１ｂが位置するように、配置されている。本実施形態では、被覆体４７ｂは、面１１ｆに配置されている。被覆体４７ｂは、面１１ｆの少なくとも一部に配置されており、面１１ｆの全部に配置されていてもよい。したがって、面１１ｆのうち、部分２１ｂに対応する領域のみに配置されていてもよく、面１１ｆのうち、部分２１ｂと部分２２ｂとに対応する領域全体に配置されていてもよい。図２及び図６では、被覆体４７ｂが、面１１ｆのうち、部分２１ｂと部分２２ｂとに対応する領域全体に配置されている例が示されている。放射線検出器ＲＤ１は、被覆体４７ｂを備えていなくてもよい。たとえば、被覆体４７ａが第一被覆体を構成する場合、被覆体４７ｂは、第二被覆体を構成する。

被覆体４７ａ，４７ｂは、たとえば、光反射体４８を含んでいる。光反射体４８は、たとえば、膜を含んでいる。膜は、たとえば、金属からなる。金属は、たとえば、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｎｉ、又はＡｕを含んでいる。光反射体４８は、たとえば、金属薄膜からなる。光反射体４８は、多層光学膜又はテフロン（登録商標）膜を含んでいてもよい。光反射体４８は、たとえば、めっき法、蒸着法、又はスパッタ法によって形成される。光反射体４８の厚みは、たとえば、０．０５～１００μｍである。

被覆体４７ａ，４７ｂは、たとえば、電気絶縁体４９を含んでいる。電気絶縁体４９は、たとえば、膜を含んでいる。膜は、たとえば、電気絶縁材料からなる。電気絶縁材料は、たとえば、ケイ素化合物、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、又はパラキシリレン系ポリマーを含んでいる。電気絶縁体４９は、たとえば、電気絶縁薄膜からなる。ケイ素化合物は、たとえば、ＳｉＯ_２、又はＳｉＮを含んでいる。ポリマーは、たとえば、パラキシリレン系ポリマーを含んでいる。電気絶縁体４９は、たとえば、化学蒸着法（ＣＶＤ）、熱酸化法、スパッタ法、蒸着法、又はポッティング法によって形成される。電気絶縁体４９は、シンチレータ１に配置された後の半導体基板１１ａ，１１ｂに、たとえば、電気絶縁性フィルムが巻かれることによって形成されてもよい。電気絶縁体４９の厚みは、たとえば、０．０５～１００μｍである。

被覆体４７ａ，４７ｂは、たとえば、光反射体４８と電気絶縁体４９とを含んでいる。被覆体４７ａ，４７ｂは、たとえば、光反射体４８と電気絶縁体４９との二層構造体である。この場合、光反射体４８が、半導体基板１１ａと電気絶縁体４９との間に配置されていてもよく、電気絶縁体４９が、半導体基板１１ａと光反射体４８との間に配置されていてもよい。光反射体４８が、半導体基板１１ｂと電気絶縁体４９との間に配置されていてもよく、電気絶縁体４９が、半導体基板１１ｂと光反射体４８との間に配置されていてもよい。本実施形態では、被覆体４７ａ，４７ｂは、光反射体４８及び電気絶縁体４９の少なくともいずれか一つを含んでいる。被覆体４７ａ，４７ｂは、たとえば、光反射体４８又は電気絶縁体４９を含む単層構造体である。被覆体４７ａ，４７ｂは、たとえば、光反射体及び電気絶縁体の特性を同時に備えていてもよい。図６では、電気絶縁体４９が、半導体基板１１ａと光反射体４８との間、及び、半導体基板１１ｂと光反射体４８との間に配置された例が示されている。

被覆体４７ａは、たとえば、面１１ｄに配置されている。被覆体４７ａは、たとえば、面１１ｄの全体の上に配置され、側面１１ｇにも配置されてよい。側面１１ｇは、第二方向Ｄ２で面１１ｃと面１１ｄとを互いに連結し、たとえば、第二方向Ｄ２から見て、被覆体４７ａの外周縁を構成している。光反射体４８が、面１１ｄの全部に配置され、電気絶縁体４９が、面１１ｄに配置された光反射体４８上と、側面１１ｇ上とに配置されていてもよい。被覆体４７ｂは、たとえば、面１１ｆに配置されている。被覆体４７ｂは、たとえば、面１１ｆの全体の上に配置され、側面１１ｈにも配置されてよい。側面１１ｈは、第二方向Ｄ２で面１１ｅと面１１ｆとを互いに連結し、たとえば、第二方向Ｄ２から見て、被覆体４７ｂの外周縁を構成している。光反射体４８が、面１１ｆの全部に配置され、電気絶縁体４９が、面１１ｆに配置された光反射体４８上と、側面１１ｈ上とに配置されていてもよい。

本実施形態では、面１１ｄでの、アバランシェフォトダイオード１２のアノード又はカソードの電位が接地電位である構成では、面１１ｄには、電気絶縁体４９が配置されていなくてもよい。面１１ｄでの、アバランシェフォトダイオード１２のアノード又はカソードの電位が接地電位でない構成では、面１１ｄには、電気絶縁体４９が配置されていてもよい。面１１ｆでの、アバランシェフォトダイオード１２のアノード又はカソードの電位が接地電位である構成では、面１１ｆには、電気絶縁体４９が配置されていなくてもよい。面１１ｆでの、アバランシェフォトダイオード１２のアノード又はカソードの電位が接地電位でない構成では、面１１ｆには、電気絶縁体４９が配置されていてもよい。

図９及び図１０に示されるように、放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、基体４０ａ及び基体４０ｂを備えている。基体４０ａは、第二方向Ｄ２で互いに対向している面４０ｃ及び面４０ｄを有しており、面４０ｃとシンチレータ１との間に半導体基板１１ａが位置するように、配置されている。基体４０ｂは、第二方向Ｄ２で互いに対向している面４０ｅ及び面４０ｆを有しており、面４０ｅとシンチレータ１との間に半導体基板１１ｂが位置するように、配置されている。基体４０ｂは、たとえば、基体４０ａと同一の形態を有し、同一の機能を示す。たとえば、基体４０ａが第一基体を構成する場合、基体４０ｂは、第二基体を構成する。たとえば、面４０ｃが第五面を構成する場合、面４０ｄは、第六面を構成する。たとえば、面４０ｅが第七面を構成する場合、面４０ｆは、第八面を構成する。

基体４０ａは、部分５１ａと部分５２ａとを有している。部分５１ａは、半導体基板１１ａで覆われている。部分５２ａは、部分５１ａと第一方向Ｄ１に並んでいると共に、半導体基板１１ａから露出している。基体４０ｂは、部分５１ｂと部分５２ｂとを有している。部分５１ｂは、半導体基板１１ｂで覆われている。部分５２ｂは、部分５１ｂと第一方向Ｄ１に並んでいると共に、半導体基板１１ｂから露出している。基体４０ｂは、たとえば、基体４０ａと同一の構成と機能とを有する。たとえば、部分５１ａが第五部分を構成する場合、部分５２ａは、第六部分を構成する。たとえば、部分５１ｂが第七部分を構成する場合、部分５２ｂは、第八部分を構成する。

放射線検出器ＲＤ１は、面４０ｃ上に配置されている複数の端子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄと、面４０ｃ上に配置されている端子４２と、を含んでいる。端子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ及び端子４２は、半導体基板１１ａに対して、たとえば、シンチレータ１と同じ側に配置されている。各端子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄは、部分５２ａ上に位置すると共に、ワイヤ４３を通して部分２２ａに配置されている複数の電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄのうち、対応する電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄと電気的に接続されている。端子４２は部分５２ａ上に位置すると共に、ワイヤ４４を通して部分２２ａに配置されている電極１８と電気的に接続されている。ワイヤ４３，４４は、たとえば、補強体４５の樹脂によって覆われ、保護される。配線部材３０ａは、導電性バンプ４６を介して、電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ及び電極１８と電気的に接続されている。基体４０ａにおいて、たとえば、端子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄが第一端子を構成する場合、端子４２は、第二端子を構成する。基体４０ａにおいて、たとえば、ワイヤ４３が第一ワイヤを構成する場合、ワイヤ４４は、第二ワイヤを構成する。ワイヤ４３，４４は、たとえば、補強体４５のブロックによって保護されてもよい。

放射線検出器ＲＤ１は、面４０ｅ上に配置されている複数の端子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄと、面４０ｅ上に配置されている端子４２と、を含んでいる。端子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ及び端子４２は、半導体基板１１ｂに対して、たとえば、シンチレータ１と同じ側に配置されている。各端子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄは、部分５２ｂ上に位置すると共に、ワイヤ４３を通して部分２２ｂに配置されている複数の電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄのうち、対応する電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄと電気的に接続されている。端子４２は部分５２ｂ上に位置すると共に、ワイヤ４４を通して部分２２ｂに配置されている電極１８と電気的に接続されている。ワイヤ４３，４４は、たとえば、補強体４５の樹脂によって覆われ、保護される。配線部材３０ｂは、導電性バンプ４６を介して、電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ及び電極１８と電気的に接続されている。基体４０ｂにおいて、たとえば、端子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄが第三端子を構成する場合、端子４２は、第四端子を構成する。基体４０ｂにおいて、たとえば、ワイヤ４３が第三ワイヤを構成する場合、ワイヤ４４は、第四ワイヤを構成する。本実施形態では、基体４０ｂの端子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄは、基体４０ａの端子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄと同一の構成と機能とを有し、基体４０ｂの端子４２は、基体４０ａの端子４２と同一の構成と機能とを有する。放射線検出器ＲＤ１は、基体４０ａ及び基体４０ｂのいずれか一つを備えていなくてもよく、基体４０ａ及び基体４０ｂの双方を備えていなくてもよい。ワイヤ４３，４４は、たとえば、補強体４５のブロックによって保護されてもよい。

放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、樹脂５５を備えている。樹脂５５は、たとえば、ワイヤ４３及びワイヤ４４を個別に覆い、又は、ワイヤ４３及びワイヤ４４の双方を覆っている。樹脂５５がワイヤ４３及びワイヤ４４を個別に覆っている場合、樹脂５５は、互いに離間してもよく、互いに繋がっていてもよい。本明細書において、「樹脂５５が、ワイヤ４３を覆う」とは、端子４１とワイヤ４３との接続箇所と、電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄとワイヤ４３との接続箇所とを覆うことも含んでいる。また、「樹脂５５が、ワイヤ４４を覆う」とは、端子４２とワイヤ４４との接続箇所と、電極１８とワイヤ４４との接続箇所とを覆うことも含んでいる。本実施形態では、補強体４５の樹脂が、たとえば、樹脂５５を覆うように、部分２２ａと部分２２ｂとの間に配置されている。放射線検出器ＲＤ１は、樹脂５５を備えていなくてもよい。図９及び図１０では、放射線検出器ＲＤ１が樹脂５５を備えている例が示されている。補強体４５のブロックが、樹脂５５を覆うように、部分２２ａと部分２２ｂとの間に配置されていてもよい。

放射線検出器ＲＤ１が基体４０ａを備えている構成においても、たとえば、被覆体４７ａが配置されている。被覆体４７ａは、面４０ｄ上に配置されている。この構成では、シンチレータ１、半導体基板１１ａ、基体４０ａ、及び被覆体４７ａが、この順に並んでいる。放射線検出器ＲＤ１が基体４０ｂを備えている構成においても、たとえば、被覆体４７ｂが配置されている。被覆体４７ｂは、面４０ｆ上に配置されている。この構成では、シンチレータ１、半導体基板１１ｂ、基体４０ｂ、及び被覆体４７ｂが、この順に並んでいる。放射線検出器ＲＤ１は、被覆体４７ａ及び被覆体４７ｂの少なくともいずれか一方を備えていなくてもよい。

図１、図２、及び図６に示されるように、放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、光反射体５６を備えている。光反射体５６は、たとえば、シンチレータ１の端面１ａ，１ｂ及び側面１ｅ、１ｆの少なくとも一つに配置される。本実施形態では、光反射体５６は、端面１ａ，１ｂ及び側面１ｅ、１ｆの全てに配置されている。光反射体５６は、端面１ａ，１ｂ及び側面１ｅ、１ｆに入射するシンチレーション光がシンチレータ１の外部に出射しないように、シンチレーション光を反射する。光反射体５６の材料及び厚みは、たとえば、光反射体４８の材料と厚みと同じである。光反射体５６は、たとえば、光反射体４８と同じ方法で形成される。放射線検出器ＲＤ１は、光反射体５６を備えていなくてもよい。

図１１及び図１２を参照しながら、第一実施形態の変形例に係る放射線検出器ＲＤ１について説明する。図１１は、第一実施形態の変形例に係る放射線検出器ＲＤ１を示す斜視図である。図１２は、シンチレーション光の一部の経路を示す図である。図１２では、シンチレータ１を第三方向Ｄ３から見た状態で、シンチレーション光の一部の経路が示されている。本変形例に係る放射線検出器ＲＤ１は、シンチレータ１の構成を除いて、第一実施形態に係る放射線検出器ＲＤ１と同一の構成を有している。

図１１に示されるように、変形例に係るシンチレータ１は、複数の部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓを有している。複数の部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓのそれぞれは、半導体基板１１ａ及び半導体基板１１ｂのそれぞれに配置されている、複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄのうち対応する光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄに対応して位置している。複数の部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓは、複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄにそれぞれ対応している。部分１ｐは、光検出領域２３ａに対応している。部分１ｑは、光検出領域２３ｂに対応している。部分１ｒは、光検出領域２３ｃに対応している。部分１ｓは、光検出領域２３ｄに対応している。複数の部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓは、互いに独立して並んでいる。

部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓは、互いに対向している一対の対向面３ａ，３ｂと、互いに対向している一対の連結面３ｃ，３ｄと、互いに対向している一対の連結面３ｅ，３ｆと、を有している。対向面３ａ，３ｂ、連結面３ｃ，３ｄ、及び連結面３ｅ，３ｆは、部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの外表面を構成している。対向面３ａ，３ｂは、第一方向Ｄ１で互いに対向している。第一方向Ｄ１は、シンチレータ１の長手方向である。連結面３ｃ，３ｄは、第二方向Ｄ２で互いに対向している。連結面３ｄは、第二方向Ｄ２で連結面３ｃと対向している。第二方向Ｄ２は、連結面３ｃに直交している方向と一致している。連結面３ｅ，３ｆは、第三方向Ｄ３で互いに対向している。本変形例では、部分１ｐの対向面３ａは、シンチレータ１の端面１ａと一致しており、部分１ｓの対向面３ｂは、シンチレータ１の端面１ｂと一致している。部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの各連結面３ｃが、シンチレータ１の側面１ｃを構成している。部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの各連結面３ｄが、シンチレータ１の側面１ｄを構成している。部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの各連結面３ｅが、シンチレータ１の側面１ｅを構成している。部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの各連結面３ｆが、シンチレータ１の側面１ｆを構成している。たとえば、連結面３ｃが第一連結面を構成する場合、連結面３ｄは、第二連結面を構成する。

対向面３ａ及び対向面３ｂは、連結面３ｃと連結面３ｄとを連結するように、第二方向Ｄ２に延在している。対向面３ａ及び対向面３ｂは、連結面３ｅと連結面３ｆとを連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。連結面３ｃ及び連結面３ｄは、対向面３ａと対向面３ｂとを連結するように、第一方向Ｄ１に延在している。連結面３ｃ及び連結面３ｄは、連結面３ｅと連結面３ｆとを連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。連結面３ｅ及び連結面３ｆは、対向面３ａと対向面３ｂとを連結するように、第一方向Ｄ１に延在している。連結面３ｅ及び連結面３ｆは、連結面３ｃと連結面３ｄとを連結するように、第二方向Ｄ２に延在している。連結面３ｅ及び連結面３ｆは、連結面３ｃと隣り合っている。

本変形例では、対向面３ａ，３ｂ、連結面３ｃ，３ｄ、及び連結面３ｅ，３ｆは、これらの面に直交する方向から見て、矩形状を呈している。部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓは、第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３から見て、矩形状を呈している。部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓは、第一方向Ｄ１から見ても、矩形状を呈している。

本変形例では、部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓは、第一方向Ｄ１に並んでいる。第一方向Ｄ１での部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの長さは、たとえば、約０．０５～１００ｍｍである。第二方向Ｄ２での部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの長さは、たとえば、約０．０５～２０ｍｍである。第三方向Ｄ３での部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの長さは、たとえば、約０．０５～２０ｍｍである。部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓは、互いに異なる大きさを有していてもよい。たとえば、複数の部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓのうち、一部の部分１ｐ，１ｑ，１ｒが、互いに略同一の大きさを有し、他部の部分１ｓが、部分１ｐ，１ｑ，１ｒと異なる大きさを有していてもよい。一部の部分１ｐ，１ｑが、互いに略同一の大きさを有し、他部の部分１ｒ、１ｓが、部分１ｐ，１ｑと異なると共に、互いに略同一の大きさを有していてもよい。部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓは、互いに略同一の大きさを有していてもよい。

第一方向Ｄ１での部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの長さを合計した長さは、第二方向Ｄ２での各部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの長さより大きい。第一方向Ｄ１での各部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの長さを合計した長さは、部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓのうち、第二方向Ｄ２で最大の長さを有している部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの長さより大きい。第一方向Ｄ１での各部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの長さを合計した長さは、部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓのうち、第三方向Ｄ３で最大の長さを有している部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの長さより大きい。

部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓは、たとえば、第一実施形態に係るシンチレータ１と同じ材料を含んでいる。部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓは、たとえば、互いに同一の材料を含んでいる。部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓは、第一実施形態に係るシンチレータ１に含まれる材料の中から、互いに異なる材料を含んでいてもよい。したがって、第一実施形態に係るシンチレータ１の材料の中から、たとえば、部分１ｐ，１ｒが、互いに同じ材料を含み、部分１ｑ，１ｓが、互いに同じ材料を含んでいてもよい。この場合、部分１ｐ，１ｒに含まれている材料は、部分１ｑ，１ｓに含まれている材料と異なる。

部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓは、たとえば、互いに接合されている。部分１ｐの対向面３ｂは、たとえば、部分１ｑの対向面３ａと接合している。部分１ｑの対向面３ｂは、たとえば、部分１ｒの対向面３ａと接合している。部分１ｒの対向面３ｂは、たとえば、部分１ｓの対向面３ａと接合している。部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓ同士の接合は、たとえば、接着剤による。

本変形例に係る放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、光反射部材２４を備えている。光反射部材２４は、たとえば、複数の部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓ間に配置されている。部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓは、たとえば、互いに光反射部材２４を介して接合されている。光反射部材２４は、たとえば、部分１ｐ，１ｑ間、部分１ｑ，１ｒ間，及び部分１ｒ，１ｓ間の少なくとも一つの部分間に配置される。光反射部材２４を介した部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓ同士の接合は、たとえば、接着剤による。

本変形例では、部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓは、互いに分離して、第一方向Ｄ１に並んでいてもよい。部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓが互いに分離している場合、部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓ同士の間には、たとえば、大気が存在する。部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓが互いに分離している場合、部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの対向面３ａ，３ｂの少なくともいずれか一つに、光反射部材２４が配置されていてもよい。各部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓにおいて、対向面３ａ，３ｂの双方に、光反射部材２４が配置されていてもよい。各部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの対向面３ａ，３ｂのいずれか一方に、光反射部材２４が配置されていてもよい。部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓのうち、たとえば、一部の部分１ｐ，１ｑが、互いに接合し、接合した部分１ｐ，１ｑ、及び他部の部分１ｒ，１ｓが、互いに分離していてもよい。

光反射部材２４は、たとえば、金属、多層光学膜、又はテフロン（登録商標）等を含んでいる。光反射部材２４に含まれる金属は、たとえば、Ａｌ、Ａｇ、及びＡｕを含んでいる。光反射部材２４は、たとえば、めっき法、蒸着法、又はスパッタ法によって形成される。光反射部材２４の厚みは、たとえば、０．０５～１００μｍである。光反射部材２４は、シンチレータ１に入射する放射線を透過させ得る。光反射部材２４の材料及び厚みは、たとえば、光反射体４８の材料と厚みと同じである。光反射部材２４は、たとえば、光反射体４８と同じ方法で形成される。変形例に係る放射線検出器ＲＤ１は、光反射部材２４を備えていなくてもよい。変形例に係る放射線検出器ＲＤ１は、光反射部材２４を備えていない場合も、複数の部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓは、互いに接合されている。

本変形例では、第二方向Ｄ２から見て、半導体基板１１ａの複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄのそれぞれは、複数の部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓのうち対応する部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの、半導体基板１１ａと対向する連結面３ｃの輪郭形状に対応する輪郭形状を呈している。第二方向Ｄ２から見て、半導体基板１１ｂの複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄのそれぞれは、複数の部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓのうち対応する部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの、半導体基板１１ｂと対向する連結面３ｄの輪郭形状に対応する輪郭形状を呈している。本変形例では、第二方向Ｄ２から見て、部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの連結面３ｃ，３ｄは、矩形状であり、対応する光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄは、矩形状の輪郭形状を呈している。

図１２は、部分１ｐ内で発生し、連結面３ｃに入射するシンチレーション光の経路を示している。部分１ｐ内で発生したシンチレーション光は、たとえば、部分１ｐ内に閉じ込められる。本変形例では、たとえば、光反射部材２４が、対向面３ｂに配置されている。放射線は、たとえば、部分１ｐの対向面３ａから入射する。シンチレーション光は、たとえば、シンチレーション光の発生点ＧＰ１から連結面３ｃに入射する光Ｌ１と光Ｌ２とを含んでいる。光Ｌ１は、略垂直に連結面３ｃに入射する。光Ｌ１の略垂直である入射角は、連結面３ｃでの臨界角より小さい。光Ｌ１は、連結面３ｃに入射し、連結面３ｃを透過する。光Ｌ１は、半導体光検出素子１０ａの光検出領域２３ａで検出される。光Ｌ２は、入射角ＥＡ１で連結面３ｃに入射する。光Ｌ２の入射角ＥＡ１が連結面３ｃでの臨界角より小さい場合、光Ｌ２は、連結面３ｃに入射し、連結面３ｃを透過する。光Ｌ２は、半導体光検出素子１０ａの光検出領域２３ａで検出される。光Ｌ２の入射角ＥＡ１が連結面３ｃでの臨界角以上である場合、光Ｌ２は、連結面３ｃで、たとえば、全反射される。本変形例では、光反射部材２４が配置されているので、連結面３ｃで全反射された光Ｌ２は、シンチレータ１の他部分、たとえば、部分１ｑには入射しがたい。部分１ｐで発生したシンチレーション光は、光検出領域２３ａ以外の光検出領域２３ｂ，２３ｃ，２３ｄでは検出されがたい。

シンチレーション光は、たとえば、シンチレーション光の発生点ＧＰ１から連結面３ｄに入射する光Ｌ３と光Ｌ４とを含んでいる。光Ｌ１は、略垂直に連結面３ｄに入射する。光Ｌ３の略垂直である入射角は、連結面３ｄでの臨界角より小さい。光Ｌ３は、連結面３ｄに入射し、連結面３ｄを透過する。光Ｌ３は、半導体光検出素子１０ｂの光検出領域２３ａで検出される。光Ｌ４は、入射角ＥＡ２で連結面３ｄに入射する。光Ｌ４の入射角ＥＡ２が連結面３ｄでの臨界角より小さい場合、光Ｌ４は、連結面３ｄに入射し、連結面３ｄを透過する。光Ｌ４は、半導体光検出素子１０ｂの光検出領域２３ａで検出される。光Ｌ４の入射角ＥＡ２が連結面３ｄでの臨界角以上である場合、光Ｌ４は、連結面３ｄで、たとえば、全反射される。本変形例では、光反射部材２４が配置されているので、連結面３ｄで全反射された光Ｌ４は、シンチレータ１の他部分、たとえば、部分１ｑには入射しがたい。部分１ｐで発生したシンチレーション光は、光検出領域２３ａ以外の光検出領域２３ｂ，２３ｃ，２３ｄでは検出されがたい。光検出領域２３ａは、部分１ｐで発生し、光反射部材２４によって反射されたシンチレーション光をも検出する。

本変形例では、半導体光検出素子１０ａ，１０ｂは、互いに同一の屈折率を有する接着剤によってシンチレータ１に接着されており、連結面３ｃ，３ｄでの臨界角は、互いに等しい。シンチレータ１の屈折率は、たとえば、１．８であり、接着剤の屈折率は、たとえば、１．５である。シンチレーション光の連結面３ｃ，３ｄでの臨界角は、たとえば、約５６．４度である。図１２では、シンチレータ１を第二方向Ｄ２から見た状態で、シンチレーション光の一部の経路が示されている。半導体光検出素子１０ａは、光Ｌ２の側面１ｃでの入射角ＥＡ１が、連結面３ｃでの臨界角より小さい領域Ｒ１において、光Ｌ２を検出可能である。領域Ｒ１は、連結面３ｃの全ての領域にまで拡がり得る。半導体光検出素子１０ｂは、光Ｌ４の連結面３ｄでの入射角ＥＡ２が、連結面３ｄでの臨界角より小さい領域Ｒ２において、光Ｌ４を検出可能である。領域Ｒ２は、連結面３ｄの全ての領域にまで拡がり得る。

本変形例では、部分１ｑ，１ｒ，１ｓ内で発生したシンチレーション光も、それぞれ、光検出領域２３ｂ，２３ｃ，２３ｄに入射し、連結面３ｃに配置された半導体光検出素子１０ａ，１０ｂによって検出される。部分１ｑ，１ｒ，１ｓ内で発生したシンチレーション光は、たとえば、それぞれ、部分１ｑ，１ｒ，１ｓ内に閉じ込められる。本変形例では、たとえば、配線部材３０ａ，３０ｂに接続される信号処理回路によって、各光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄへのシンチレーション光の入射に伴って出力された電気信号が加算される。

図１１及び図１２に示されるように、放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、各部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓに、光反射体５６を備えている。部分１ｐでは、たとえば、光反射体５６は、たとえば、対向面３ａ，３ｂ及び連結面３ｅ，３ｆの少なくとも一つに配置される。本変形例では、光反射体５６は、対向面３ａ及び連結面３ｅ，３ｆに配置されている。部分１ｑ，１ｒでは、たとえば、光反射体５６は、たとえば、連結面３ｅ，３ｆの少なくとも一つに配置される。本変形例では、光反射体５６は、連結面３ｅ，３ｆに配置されている。部分１ｓでは、たとえば、光反射体５６は、たとえば、対向面３ａ，３ｂ及び連結面３ｅ，３ｆの少なくとも一つに配置される。本変形例では、光反射体５６は、対向面３ｂ及び連結面３ｅ，３ｆに配置されている。光反射体５６は、対向面３ａ及び連結面３ｅ，３ｆに入射するシンチレーション光がシンチレータ１の外部に出射しないように、シンチレーション光を反射する。

本変形例に係る光反射体５６の材料及び厚みは、たとえば、光反射体４８の材料と厚みと同じである。本変形例に係る光反射体５６は、たとえば、光反射体４８と同じ方法で形成される。本変形例に係る光反射体５６、光反射部材２４、実施形態に係る光反射体５６、及び光反射体４８は、たとえば、互いに同一の材料及び厚みを有している。実施形態に係る光反射体５６、本変形例に係る光反射体５６、光反射部材２４、及び光反射体４８は、たとえば、同じ方法で形成される。本変形例に係る光反射体５６、光反射部材２４、実施形態に係る光反射体５６、及び光反射体４８は、たとえば、互いに異なる材料及び厚みを有している。実施形態に係る光反射体５６、本変形例に係る光反射体５６、光反射部材２４、及び光反射体４８は、たとえば、異なる方法で形成される。各部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓに配置されている各光反射体５６は、隣り合う光反射体５６と一体的に形成されていてもよい。本変形例に係る放射線検出器ＲＤ１は、光反射体５６を備えていなくてもよい。

以上説明したように、放射線検出器ＲＤ１は、第一方向Ｄ１から見て矩形状を呈し、かつ、第一方向Ｄ１で互いに対向している一対の端面１ａ，１ｂと、第一方向Ｄ１に交差する第二方向Ｄ２で互いに対向していると共に一対の端面１ａ，１ｂを連結している側面１ｃ及び側面１ｄと、を有しているシンチレータ１と、側面１ｃと対向するように配置されている半導体基板１１ａを有している半導体光検出素子１０ａと、側面１ｄと対向するように配置されている半導体基板１１ｂを有している半導体光検出素子１０ｂと、半導体光検出素子１０ａと電気的に接続されている配線部材３０ａと、半導体光検出素子１０ｂと電気的に接続されている配線部材３０ｂと、を備えている。第一方向Ｄ１でのシンチレータ１の長さは、第二方向Ｄ２でのシンチレータ１の長さ及び側面１ｃに平行な第三方向Ｄ３でのシンチレータ１の長さより大きい。第一方向Ｄ１での側面１ｃの長さは、第三方向Ｄ３での側面１ｃの幅より大きい。第一方向Ｄ１での側面１ｄの長さは、第三方向Ｄ３での側面１ｄの幅より大きい。半導体基板１１ａは、側面１ｃで覆われている部分２１ａと、部分２１ａと第一方向Ｄ１に並んでいると共に側面１ｃから露出している部分２２ａとを有している。半導体基板１１ｂは、側面１ｄで覆われている部分２１ｂと、部分２１ｂと第一方向Ｄ１に並んでいると共に、側面１ｄから露出している部分２２ｂとを有している。部分２１ａ及び部分２１ｂのそれぞれには、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオード１２と、少なくとも一つのアバランシェフォトダイオード１２のうち対応するアバランシェフォトダイオード１２のアノード及びカソードの一方と電気的に直列接続されている少なくとも一つのクエンチング抵抗１３とを有している光検出領域２３が配置されている。部分２２ａ及び部分２２ｂのそれぞれには、複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄのうち対応する光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄに含まれている少なくとも一つのクエンチング抵抗１３と電気的に接続されている複数の電極１７ａ，１７ｂ，１７，１７ｄと、複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄのうち対応する光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄに含まれているアバランシェフォトダイオード１２のアノード及びカソードの他方と電気的に接続されている電極１８と、が配置されている。配線部材３０ａ及び配線部材３０ｂは、複数の電極１７ａ，１７ｂ，１７，１７ｄのうち対応する電極１７ａ，１７ｂ，１７，１７ｄと電気的に接続される複数の導体３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄと、電極１８と接続される導体３２と、を有している。

放射線検出器ＲＤ１は、第一方向Ｄ１で長いシンチレータ１を備えていると共に、シンチレータ１の側面１ｃ，１ｄにそれぞれ配置された半導体光検出素子１０ａ，１０ｂを備えている。半導体光検出素子１０ａ，１０ｂは、半導体光検出素子１０ａ，１０ｂが配置された側面１ｃ，１ｄに入射するシンチレーション光を検出する。第二方向Ｄ２でのシンチレータ１の長さは、第一方向Ｄ１でのシンチレータ１の長さより小さい。したがって、シンチレーション光の発生点ＧＰ１から側面１ｃまでの距離と、シンチレーション光の発生点ＧＰ１から側面１ｄまでの距離とが短い。シンチレーション光の半導体光検出素子１０ａ，１０ｂへの到達時間が短く、放射線検出器ＲＤ１は、高い時間分解能を実現する。放射線検出器ＲＤ１は、半導体光検出素子１０ａ，１０ｂの二つの半導体光検出素子を備えているので、シンチレータ１の一つの側面に配置された一つの半導体光検出素子を備えている放射線検出器に比べて、高い検出感度をも実現する。

放射線検出器ＲＤ１は、第一方向Ｄ１に並んでいる複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄが配置された半導体光検出素子１０ａ，１０ｂを備えている。複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄのうち、たとえば、シンチレーション光を最も多く検出した光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの位置から、シンチレーション光の発生点ＧＰ１と、シンチレータ１の端面１ａとの第一方向Ｄ１での距離が求められる。
この結果、シンチレータ１の端面１ａから入射した放射線のエネルギーの大きさが正確に計測される。したがって、放射線検出器ＲＤ１は、高いエネルギー分解能を実現する。

放射線検出器ＲＤ１では、第二方向Ｄ２から見て、半導体基板１１ａの複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの輪郭により構成される一つの領域は、側面１ｃの輪郭形状に対応する輪郭形状を呈している。第二方向Ｄ２から見て、半導体基板１１ｂの複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの輪郭により構成される一つの領域は、側面１ｄの輪郭形状に対応する輪郭形状を呈している。
この場合、半導体基板１１ａのうち、シンチレーション光を受光し得ない箇所に光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを配置しなくてよいので、半導体基板１１ａの光検出領域でのダークカウント及び容量の増加が抑制される。半導体基板１１ｂのうち、シンチレーション光を受光し得ない箇所に光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを配置しなくてよいので、半導体基板１１ｂの光検出領域でのダークカウント及び容量の増加が抑制される。シンチレーション光の検出誤差が低下する。したがって、本構成は、放射線検出器ＲＤ１の時間分解能と検出感度とを確実に向上する。

放射線検出器ＲＤ１では、シンチレータ１は、互いに独立して第一方向Ｄ１に並んでいる複数の部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓを有している。複数の部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓのそれぞれは、半導体基板１１ａ及び半導体基板１１ｂのそれぞれに配置されている、複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄのうち対応する光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄに対応して位置している。複数の部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓのそれぞれは、第一方向Ｄ１で互いに対向している一対の対向面３ａ，３ｂと、一対の対向面３ａ，３ｂを連結していると共に、半導体基板１１ａと対向している連結面３ｃと、一対の対向面３ａ，３ｂを連結していると共に、半導体基板１１ｂと対向し、かつ、第二方向Ｄ２で連結面３ｃと対向している連結面３ｄと、を有している。
この場合、各部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓで発生したシンチレーション光が当該部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓ内に閉じ込められる。当該部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓに対応する光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄが、当該部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓ内で発生したシンチレーション光を確実に検出する。したがって、放射線検出器ＲＤ１は、高いエネルギー分解能を確実に実現する。

放射線検出器ＲＤ１では、複数の部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓは、互いに接合されている。
この場合、シンチレータ１の物理的強度が向上する。したがって、放射線検出器ＲＤ１は、高いエネルギー分解能をより確実に実現する。

放射線検出器ＲＤ１では、光反射部材２４を備えている。光反射部材２４は、複数の部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓ間に配置されている。
この場合、各部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓで発生したシンチレーション光が確実に当該部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓ内に閉じ込められる。当該部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓに対応する光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄが、当該部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓ内で発生したシンチレーション光をより確実に検出する。
したがって、配線部材３０ａ，３０ｂに接続される信号処理回路によって、各光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ毎にシンチレーション光入射に伴って出力された電気信号が処理される。部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓが互いに分離して第一方向Ｄ１に並んでいる場合であっても、部分１ｐ内で発生したシンチレーション光は、たとえば、部分１ｑに入射しない。この場合には、光検出領域２３ａに対応する部分１ｐ内で発生したシンチレーション光は、光検出領域２３ａで個別に検出される。部分１ｑ，１ｒ，１ｓ内で発生したシンチレーション光が、それぞれ、部分１ｑ，１ｒ，１ｓに閉じ込められる場合は、部分１ｑ，１ｒ，１ｓ内で発生したシンチレーション光は、各光検出領域２３ｂ，２３ｃ，２３ｄに個別に検出される。この結果、放射線検出器ＲＤ１は、高いエネルギー分解能を更により確実に実現する。

放射線検出器ＲＤ１では、第二方向Ｄ２から見て、半導体基板１１ａの複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄのそれぞれは、複数の部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓのうち対応する部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの、半導体基板１１ａと対向する連結面３ｃの輪郭形状に対応する輪郭形状を呈している。第二方向Ｄ２から見て、半導体基板１１ｂの複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄのそれぞれは、複数の部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓのうち対応する部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓの、半導体基板１１ｂと対向する連結面３ｄの輪郭形状に対応する輪郭形状を呈している。
この場合、半導体基板１１ａ，１１ｂのうち、シンチレーション光を受光し得ない箇所に光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄのそれぞれを配置しなくてよいので、光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄそれぞれでのダークカウント及び容量の増加が抑制される。したがって、本構成は、放射線検出器ＲＤ１の時間分解能及びエネルギー分解能を確実に向上する。

放射線検出器ＲＤ１では、複数の光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄは、光検出領域と、光検出領域２３ａよりも部分２２ａ，２２ｄに近い光検出領域２３ｄと、を含んでいる。光検出領域２３ａに対応している電極１７ａと、光検出領域２３ａとを電気的に接続している導線１４ａの幅は、光検出領域２３ｄに対応している電極１７ｄと、光検出領域２３ｄとを電気的に接続している導線１４ｄの幅より大きい。
この場合、光検出領域２３ａに対応している電極１７ａと、光検出領域２３ａとを電気的に接続している導線１４ａと、光検出領域２３ｄに対応している電極１７ｄと、光検出領域２３ｄとを電気的に接続している導線１４ｄとの電気抵抗差が低減される。光検出領域２３ａに対応している電極１７ａと、光検出領域２３ａとを電気的に接続している導線１４ａの長さは、光検出領域２３ｄに対応している電極１７ｄと、光検出領域２３ｄとを電気的に接続している導線１４ｄの長さより大きい。導線１４ａ，１４ｄが長くなるほど、導線１４ａ，１４ｄの電気抵抗が大きくなる。したがって、長い導線１４ａの幅が短い導線１４ｄの幅より大きい構成では、長い導線１４ａの電気抵抗と短い導線１４ｄの電気抵抗との間の電気抵抗差が低減する。したがって、本構成は、放射線検出器ＲＤ１の時間分解能をより確実に向上する。

放射線検出器ＲＤ１は、部分２２ａと、部分２２ｂとの間に配置されている補強体４５を備えている。補強体４５は、部分２２ａと部分２２ｂとを覆っていると共に、部分２２ａと部分２２ｂとを連結している。
この場合、部分２２ａと部分２２ｂとの間に配置された補強体４５によって、部分２２ａ及び部分２２ｂの機械的強度が向上する。部分２２ａと部分２２ｂのそれぞれに位置する配線部材３０ａ，３０ｂは、補強体４５によって保護される。部分２２ａ及び部分２２ｂの機械的強度が向上するので、たとえば、面１１ｄ，１１ｆが研磨され得る。

放射線検出器ＲＤ１では、半導体基板１１ａは、第二方向Ｄ２でシンチレータ１と対向している面１１ｃと、第二方向Ｄ２で面１１ｃと対向している面１１ｄと、を有している。半導体基板１１ｂは、第二方向Ｄ２でシンチレータ１と対向している面１１ｅと、第二方向Ｄ２で面１１ｅと対向している面１１ｆと、を有している。面１１ｄ及び面１１ｆは、研磨面である。
この場合、半導体基板１１ａ、１１ｂの薄化が可能である。半導体基板１１ａ、１１ｂの厚み方向で、放射線検出器ＲＤ１が小サイズ化され得る。

放射線検出器ＲＤ１は、第二方向Ｄ２で互いに対向している面４０ｃ及び面４０ｄを有している共に、面４０ｄとシンチレータ１との間に半導体基板１１ａが位置するように配置されている基体４０ａと、第二方向Ｄ２で互いに対向している面４０ｅ及び面４０ｆを有している共に、面４０ｅとシンチレータ１との間に半導体基板１１ｂが位置するように配置されている基体４０ｂと、面４０ｃ上に配置されている複数の端子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄと、面４０ｃ上に配置されている端子４２と、面４０ｅ上に配置されている複数の端子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄと、面４０ｅ上に配置されている端子４２と、を備えている。基体４０ａは、半導体基板１１ａで覆われている部分５１ａと、部分５１ａと第一方向Ｄ１に並んでいると共に半導体基板１１ａから露出している部分５２ａと、を有している。基体４０ｂは、半導体基板１１ｂで覆われている部分５１ｂと、部分５１ｂと第一方向Ｄ１に並んでいると共に半導体基板１１ｂから露出している部分５２ｂと、を有している。各端子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄは、部分５２ａ上に位置すると共に、ワイヤ４３を通して部分２２ａに配置されている複数の電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄのうち、対応する電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄと電気的に接続されている。端子４２は、部分５２ａ上に位置すると共に、ワイヤ４４を通して部分２２ａに配置されている電極１８と電気的に接続されている。各端子４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄは、部分５２ｂ上に位置すると共に、ワイヤ４３を通して部分２２ｂに配置されている複数の電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄのうち、対応する電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄと電気的に接続されている。端子４２は、部分５２ｂ上に位置すると共に、ワイヤ４４を通して部分２２ｂに配置されている電極１８と電気的に接続されている。
この場合、放射線検出器ＲＤ１の機械的強度が向上する。したがって、本構成は、機械的強度が向上した放射線検出器ＲＤ１を確実に実現する。

放射線検出器ＲＤ１は、シンチレータ１との間に半導体基板１１ａが位置するように配置されている被覆体４７ａと、シンチレータ１との間に半導体基板１１ｂが位置するように配置されている被覆体４７ｂと、を備えている。被覆体４７ａ及び被覆体４７ｂは、光反射体４８及び電気絶縁体４９の少なくともいずれか一つを含んでいる。
この場合、シンチレーション光の光反射特性が向上する。たとえば、被覆体４７ａ及び被覆体４７ｂが電気絶縁体４９を含む構成では、互いに隣接する放射線検出器ＲＤ１間の電気絶縁性が向上する。

放射線検出器ＲＤ１では、配線部材３０ａは、半導体基板１１ａに対して、シンチレータ１と同じ側に配置されている。配線部材３０ｂは、半導体基板１１ｂに対して、シンチレータ１と同じ側に配置されている。
この場合、たとえば、配線部材３０ａを、電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ及び電極１８とダイボンディングにて接続するための基板を新たに用意する必要がない。たとえば、配線部材３０ｂを、電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ及び電極１８とダイボンディングにて接続するための基板を新たに用意する必要がない。したがって、本構成は、放射線検出器ＲＤ１の構成をより確実に簡略化する。

放射線検出器ＲＤ１では、配線部材３０ａ及び配線部材３０ｂと、半導体基板１１ａ及び半導体基板１１ｂとは、可撓性を有している。配線部材３０ａの可撓性は、半導体基板１１ａの可撓性より大きい。配線部材３０ｂの可撓性は、半導体基板１１ｂの可撓性より大きい。
この場合、配線部材３０ａから半導体基板１１ａへの振動が伝わりにくい。半導体基板１１ａに、配線部材３０ａからの力が加わりにくく、半導体基板１１ａは、物理的なダメージを受けがたい。配線部材３０ｂから半導体基板１１ｂへの振動が伝わりにくい。半導体基板１１ｂに、配線部材３０ｂからの力が加わりにくく、半導体基板１１ｂは、物理的なダメージを受けがたい。したがって、本構成は、放射線検出器ＲＤ１の機械的強度を確実に維持する。

（第二実施形態）
図１３及び図１４を参照しながら、第二実施形態に係る放射線検出器アレイＲＡ１，ＲＡ２の構成を説明する。図１３は、第二実施形態に係る放射線検出器アレイＲＡ１を示す斜視図であり、図１４は、第二実施形態に係る放射線検出器アレイＲＡ２を示す斜視図である。

図１３に示されるように、放射線検出器アレイＲＡ１は、たとえば、第一実施形態又は変形例に係る複数の放射線検出器ＲＤ１が一次元に配列して構成されている。複数の放射線検出器ＲＤ１の各々は、たとえば、第三方向Ｄ３に並んでいる。図１３に示した例では、三つの放射線検出器ＲＤ１が、第三方向Ｄ３に並んでいる。複数の放射線検出器ＲＤ１のうち互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅ，１ｆと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅ，１ｆとが互いに対向するように、並んでいる。したがって、第三方向Ｄ３で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｆとが互いに対向するように、並んでいる。第三方向Ｄ３で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｆと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅとが互いに対向するように、並んでいる。

一方の放射線検出器ＲＤ１の半導体光検出素子１０ａと、他方の放射線検出器ＲＤ１の半導体光検出素子１０ａとは、たとえば、互いに一次元に並んでいる。本実施形態では、一方の放射線検出器ＲＤ１の半導体光検出素子１０ａと、他方の放射線検出器ＲＤ１の半導体光検出素子１０ａとは、たとえば、互いに第三方向Ｄ３に並んでいる。一方の放射線検出器ＲＤ１の半導体光検出素子１０ｂと、他方の放射線検出器ＲＤ１の半導体光検出素子１０ｂとは、たとえば、互いに一次元に並んでいる。本実施形態では、一方の放射線検出器ＲＤ１の半導体光検出素子１０ｂと、他方の放射線検出器ＲＤ１の半導体光検出素子１０ｂとは、たとえば、互いに第三方向Ｄ３に並んでいる。

一次元に並んでいる各半導体光検出素子１０ａは、たとえば、互いに一体的に形成されている。一次元に並んでいる各半導体光検出素子１０ｂは、たとえば、互いに一体的に形成されている。各半導体光検出素子１０ａ，１０ｂは、たとえば、第三方向Ｄ３に並んでいる。一次元に並んでいる各半導体光検出素子１０ａは、たとえば、互いに一体的に形成されていなくてもよい。一次元に並んでいる各半導体光検出素子１０ｂは、たとえば、互いに一体的に形成されていなくてもよい。

各放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、被覆体４７ａ，４７ｂ及び光反射体５６を備えている。各放射線検出器ＲＤ１が光反射体５６を備えている場合、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｆとは、光反射体５６が当該側面１ｅと当該側面１ｆとの間に位置している状態で、第三方向Ｄ３で互いに対向している。一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｆとに間には、たとえば、一方の側面１ｅに配置された光反射体５６と、他方の側面１ｆに配置された光反射体５６とが配置されている。一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｆとに間には、たとえば、一つの光反射体５６が配置されていてもよい。この場合、たとえば、一方の側面１ｅに光反射体５６が配置され、他方の側面１ｆには光反射体５６が配置されない。各放射線検出器ＲＤ１は、被覆体４７ａ，４７ｂ及び光反射体５６の少なくとも一つを備えていなくてもよい。

図１４に示されるように、放射線検出器アレイＲＡ２は、たとえば、第一実施形態又は変形例に係る複数の放射線検出器ＲＤ１が行列状に二次元配列して構成されている。複数の放射線検出器ＲＤ１のうち行方向に並ぶ複数の放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、図１３に示される放射線検出器アレイＲＡ１を構成する。放射線検出器アレイＲＡ２は、放射線検出器アレイＲＡ１が、列方向に並んでいる。本実施形態では、列方向は、第二方向Ｄ２であり、行方向は、第三方向Ｄ３である。複数の放射線検出器ＲＤ１のうち列方向で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、一方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ａ又は半導体光検出素子１０ｂのいずれか一方と、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ａ又は半導体光検出素子１０ｂのいずれか一方とが列方向で互いに対向するように、並んでいる。したがって、複数の放射線検出器ＲＤ１のうち列方向で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、一方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ａと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ｂとが列方向で互いに対向するように、並んでいる。互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、一方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ｂと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ａとが、列方向で互いに対向するように、並んでいる。

各放射線検出器ＲＤ１が被覆体４７ａ，４７ｂを備えている場合、列方向で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１では、たとえば、一方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ａと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ｂとは、被覆体４７ａ，４７ｂが当該半導体光検出素子１０ａ，１０ｂの間に位置している状態で、列方向で互いに対向している。列方向で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１では、たとえば、一方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ｂと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ａとは、被覆体４７ｂ，４７ａが当該半導体光検出素子１０ｂ，１０ａの間に位置している状態で、列方向で互いに対向している。図１４に示した例では、三つの放射線検出器ＲＤ１が、第三方向Ｄ３に並んでおり、三つの放射線検出器ＲＤ１が、第二方向Ｄ２にも並んでいる。放射線検出器アレイＲＡ２は、たとえば、合計９個の放射線検出器ＲＤ１で構成されている。一方の放射線検出器ＲＤ１の端面１ａは、たとえば、行方向又は列方向で隣り合っている他方の放射線検出器ＲＤ１の端面１ａと面一である。

以上説明したように、本実施形態に係る放射線検出器アレイＲＡ１は、一次元に配列された複数の放射線検出器ＲＤ１を備えている放射線検出器アレイＲＡ１であって、複数の放射線検出器ＲＤ１は、第一実施形態又は変形例に係る放射線検出器ＲＤ１である。シンチレータ１は、一対の端面１ａ，１ｂを連結していると共に側面１ｃと側面１ｄとを連結している一対の側面１ｅ，１ｆを有している。複数の放射線検出器ＲＤ１のうち互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅ，１ｆと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅ，１ｆとが互いに対向するように、並んでいる。

本実施形態に係る放射線検出器アレイＲＡ１によれば、高い時間分解能と高い検出感度とを有している放射線検出器ＲＤ１を一次元配列した放射線検出器アレイが実現される。

上記第二の態様では、一次元に並んでいる各第一半導体光検出素子は、互いに一体的に形成されている。一次元に並んでいる各第二半導体光検出素子は、互いに一体的に形成されている。
この場合、複数の放射線検出器ＲＤ１を一次元配列した放射線検出器アレイＲＡ１の機械的強度が向上する。

本実施形態に係る放射線検出器アレイＲＡ２は、行列状に二次元配列された複数の放射線検出器ＲＤ１を備える放射線検出器アレイＲＡ２であって、複数の放射線検出器ＲＤ１のうち行方向に並ぶ複数の放射線検出器ＲＤ１は、本実施形態又は変形例に係る放射線検出器アレイＲＡ１である。複数の放射線検出器ＲＤ１のうち列方向で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、一方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ａ又は半導体光検出素子１０ｂのいずれか一方と、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ａ又は半導体光検出素子１０ｂのいずれか一方とが列方向で互いに対向するように、並んでいる。
この場合、一次元配列した放射線検出器アレイＲＡ１が列方向に並んでいる構成によって、高い時間分解能と高い検出感度とを有している放射線検出器ＲＤ１を行列状に二次元配列した放射線検出器アレイＲＡ２が実現される。本実施形態において、放射線検出器ＲＤ１が光反射体５６を備えている場合、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅに入射したシンチレーション光は、たとえば、他方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｆに入射しがたい。

（第三実施形態）
図１５及び図１６を参照しながら、第三実施形態に係る放射線検出器アレイＲＡ１，ＲＡ２の構成を説明する。図１５は、第三実施形態に係る放射線検出器アレイＲＡ１を示す斜視図であり、図１６は、第三実施形態に係る放射線検出器アレイＲＡ２を示す斜視図である。

図１５に示されるように、放射線検出器アレイＲＡ１は、たとえば、第一実施形態又は変形例に係る複数の放射線検出器ＲＤ１が一次元に配列して構成されている。複数の放射線検出器ＲＤ１の各々は、たとえば、第三方向Ｄ３に並んでいる。図１５に示した例では、三つの、第一実施形態の放射線検出器ＲＤ１が、第三方向Ｄ３に並んでいる。複数の放射線検出器ＲＤ１のうち互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅ，１ｆと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ａ又は半導体光検出素子１０ｂのいずれか一方とが互いに対向するように、並んでいる。したがって、第三方向Ｄ３で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ｂとが第三方向Ｄ３で互いに対向するように、並んでいる。第三方向Ｄ３で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｆと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ａとが第三方向Ｄ３で互いに対向に対向するように、並んでいる。

各放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、被覆体４７ａ，４７ｂ及び光反射体５６を備えている。この場合、たとえば、第三方向Ｄ３で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１では、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ｂとは、被覆体４７ｂ及び光反射体５６が当該側面１ｅと当該半導体光検出素子１０ｂの間に位置している状態で、第三方向Ｄ３で互いに対向している。たとえば、第三方向Ｄ３で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｆと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ａとは、被覆体４７ａ及び光反射体５６が当該側面１ｆと当該半導体光検出素子１０ａの間に位置している状態で、第三方向Ｄ３で互いに対向している。各放射線検出器ＲＤ１は、被覆体４７ａ，４７ｂ及び光反射体５６の少なくともいずれか一つを備えていなくてもよい。

図１６に示されるように、放射線検出器アレイＲＡ２は、たとえば、第一実施形態又は変形例に係る複数の放射線検出器ＲＤ１が行列状に二次元配列して構成されている。複数の放射線検出器ＲＤ１のうち行方向に並ぶ複数の放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、図１５に示した放射線検出器アレイＲＡ１である。したがって、放射線検出器アレイＲＡ２は、放射線検出器アレイＲＡ１が、列方向に並んでいる。本実施形態では、列方向は、第二方向Ｄ２であり、行方向は、第三方向Ｄ３である。複数の放射線検出器ＲＤ１のうち列方向で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅ，１ｆと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ａ又は半導体光検出素子１０ｂのいずれか一方とが列方向で互いに対向するように、並んでいる。一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅ，１ｆの対向方向と、他方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅ，１ｆの対向方向とは、たとえば、互いに交差している。したがって、列方向で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ａとが列方向で互いに対向するように、並んでいる。列方向で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｆと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ｂとが列方向で互いに対向するように、並んでいる。

図１６に示した例では、三つの放射線検出器ＲＤ１が、第三方向Ｄ３に並んでおり、三つの放射線検出器ＲＤ１が、第二方向Ｄ２にも並んでいる。放射線検出器アレイＲＡ２は、たとえば、合計９個の放射線検出器ＲＤ１で構成されている。一つの放射線検出器ＲＤ１の端面１ａは、たとえば、行方向又は列方向で隣り合っている別の放射線検出器ＲＤ１の端面１ａと面一である。

各放射線検出器ＲＤ１が被覆体４７ａ，４７ｂ及び光反射体５６を備えている場合、列方向で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ａとは、被覆体４７ａ及び光反射体５６が当該側面１ｅと当該半導体光検出素子１０ａの間に位置している状態で、列方向で互いに対向している。列方向で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、たとえば、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｆと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ｂとは、被覆体４７ｂ及び光反射体５６が当該側面１ｆと当該半導体光検出素子１０ｂの間に位置している状態で、列方向で互いに対向している。

以上説明したように、本実施形態に係る放射線検出器アレイＲＡ１は、一次元に配列された複数の放射線検出器ＲＤ１を備えている放射線検出器アレイＲＡ１であって、複数の放射線検出器ＲＤ１は、第一実施形態又は変形例に係る放射線検出器ＲＤ１である。シンチレータ１は、一対の端面１ａ，１ｂを連結していると共に側面１ｃと側面１ｄとを連結している一対の側面１ｅ，１ｆを有している。複数の放射線検出器ＲＤ１のうち互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅ，１ｆと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ａ又は半導体光検出素子１０ｂのいずれか一方とが互いに対向するように、並んでいる。

本実施形態に係る放射線検出器アレイＲＡ１によれば、高い時間分解能と高い検出感度とを有している放射線検出器ＲＤ１を一次元配列した放射線検出器アレイが実現される。

本実施形態に係る放射線検出器アレイＲＡ２は、行列状に二次元配列された複数の放射線検出器ＲＤ１を備える放射線検出器アレイＲＡ２であって、複数の放射線検出器ＲＤ１のうち行方向に並ぶ複数の放射線検出器ＲＤ１は、本実施形態に係る放射線検出器アレイＲＡ１であり、複数の放射線検出器ＲＤ１のうち列方向で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器ＲＤ１は、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅ，１ｆと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ａ又は半導体光検出素子１０ｂのいずれか一方とが列方向で互いに対向するように、並んでいる。
この場合、複数の放射線検出器ＲＤ１が行列状に二次元配列されている構成では、高い時間分解能と高い検出感度とを有している放射線検出器ＲＤ１を行列状に二次元配列した放射線検出器アレイＲＡ２が実現される。側面１ｅ，１ｆと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備える半導体光検出素子１０ａ又は半導体光検出素子１０ｂのいずれか一方とが列方向で互いに対向しているので、半導体光検出素子１０ａ，１０ｂが互いに対向している構成に比べて、複数の放射線検出器ＲＤ１が、より少ないスペースで二次元配列される。
本実施形態では、たとえば、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｆとが互いに対向している構成に比べて、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅに入射したシンチレーション光は、他方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１に入射しがたい。一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｆと、他方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｅとが互いに対向している構成に比べて、一方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１の側面１ｆに入射したシンチレーション光は、他方の放射線検出器ＲＤ１が備えるシンチレータ１に入射しがたい。

図１７を参照しながら、放射線検出器ＲＤ１の製造方法の一例について説明する。製造方法の各工程の順番は、互いに入れ替わってもよい。製造方法の一例では、初めに、シンチレータ１及び半導体光検出素子１０ａ，１０ｂを用意する（Ｓ１０１）。

続いて、配線部材３０ａ，３０ｂを用意し、半導体光検出素子１０ａ，１０ｂに接続する（Ｓ１０２）。たとえば、配線部材３０ａは、半導体光検出素子１０ａに接続され、配線部材３０ｂは、半導体光検出素子１０ｂに接続される。配線部材３０ａ，３０ｂは、導体３１と導体３２とを有しており、導体３１は、半導体光検出素子１０ａ，１０ｂの電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄと電気的に接続される。導体３２は、半導体光検出素子１０ａ，１０ｂの電極１８と電気的に接続される。導体３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄは、たとえば、導電性バンプ３３を介して、電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄと電気的に接続される。

続いて、シンチレータ１と半導体光検出素子１０ａ，１０ｂとを一体化する（Ｓ１０３）。この一体化は、たとえば、接着剤によって行われる。半導体光検出素子１０ａは、たとえば、シンチレータ１の側面１ｃに配置され、半導体光検出素子１０ｂは、たとえば、シンチレータ１の側面１ｄに配置される。続いて、補強体４５が、部分２２ａと、部分２２ｂとの間に配置される。

続いて、補強体４５を配置した後に、面１１ｄ，１１ｆが、たとえば、研磨されて、半導体光検出素子１０ａ，１０ｂを薄化する（Ｓ１０４）。素子の薄化は、たとえば、機械的な研磨又は化学的な研磨による。素子の薄化は、たとえば、複数の放射線検出器ＲＤ１が一次元に配列して構成された放射線検出器アレイＲＡ１に対して行われる。すなわち、放射線検出器アレイＲＡ１の半導体光検出素子１０ａ，１０ｂが薄化される。薄化された複数の放射線検出器アレイＲＡ１は、たとえば、個片化されて個々の放射線検出器ＲＤ１が作製される。個片化は、たとえば、ダイシングによる。薄化された複数の放射線検出器アレイＲＡ１は、個片化されないで、たとえば、列方向に並ぶように、配列されてもよい。複数の放射線検出器アレイＲＡ１が行列状に二次元配列された放射線検出器アレイＲＡ２が作製されてもよい。

本実施形態は、放射線検出器の製造方法を含む。放射線検出器の製造方法は、以下の通りである。
（製法１）
シンチレータを用意すること、
半導体光検出素子を用意すること、
前記シンチレータと前記半導体光検出素子とを一体化すること、及び、
前記シンチレータと一体化された前記半導体光検出素子を薄化すること、を含み、
用意される前記シンチレータは、第一方向で互いに対向している一対の端面と、前記一対の端面を連結している側面とを有すると共に、前記側面と直交する第二方向での長さより大きい前記第一方向での長さを有し、前記第一方向での前記側面の長さは、前記第一方向及び前記第二方向と直交する第三方向での前記側面の幅より大きく、
用意される前記半導体光検出素子は、互いに対向している第一主面と第二主面とを有する半導体基板を有し、前記半導体基板は、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードと、前記複数のアバランシェフォトダイオードのうち対応するアバランシェフォトダイオードのアノード及びカソードの一方と電気的に直列接続されている複数のクエンチング抵抗とを有している光検出領域が配置されている第一部分と、前記第一主面と前記第二主面とが互いに対向している方向に直交する方向で前記第一部分と並んでいる第二部分と、を有し、
前記シンチレータと前記半導体光検出素子とを一体化することは、前記シンチレータと前記半導体光検出素子とを、前記側面と前記第一主面とが対向し、かつ、前記第一部分が前記側面で覆われると共に前記第二部分が前記シンチレータから露出するように、一体化すること、及び、前記シンチレータと前記第二部分とに接するように、樹脂を付与すること、を含み、
前記半導体光検出素子を薄化することは、前記半導体基板を前記第二主面側から薄化することを含む、放射線検出器の製造方法。
（製法２）
配線部材を用意すること、及び、
前記半導体光検出素子に前記配線部材を電気的に接続すること、を更に含み、
用意される前記半導体光検出素子は、前記第二部分に配置されている第一電極と第二電極とを更に有し、前記第一電極は、前記複数のクエンチング抵抗に並列接続されていると共に、前記第二電極は、前記複数のアバランシェフォトダイオードのアノード及びカソードの他方に並列接続されており、
用意される前記配線部材は、第一導体と第二導体とを有し、
前記配線部材を電気的に接続することは、前記第一電極に前記第一導体を接続すること、及び、前記第二電極に前記第二導体を接続すること、を含み、
前記樹脂を付与することは、前記半導体光検出素子に電気的に接続された前記配線部材が含む、前記第二部分上に位置する部分にも接するように、前記樹脂を付与することを含む、製法１に記載の放射線検出器の製造方法。
（製法３）
用意される前記シンチレータは、前記側面と対向している別の側面を更に有し、
用意される前記半導体光検出素子は、前記第一部分と前記第二部分とを有する前記半導体基板を有する第一半導体光検出素子及び第二半導体光検出素子を含み、
前記シンチレータと前記半導体光検出素子とを一体化することは、
前記シンチレータと前記第一半導体光検出素子とを、前記側面と前記第一主面とが対向し、かつ、前記第一部分が前記側面で覆われると共に前記第二部分が前記シンチレータから露出するように、一体化すること、
前記シンチレータと前記第二半導体光検出素子とを、前記別の側面と前記第一主面とが対向し、かつ、前記第一部分が前記別の側面で覆われると共に前記第二部分が前記シンチレータから露出するように、一体化すること、及び、
前記シンチレータと、前記第一半導体光検出素子及び前記第二半導体光検出素子それぞれが有する前記半導体基板の前記第二部分とに接するように、樹脂を付与すること、を含み、
前記半導体光検出素子を薄化することは、前記第一半導体光検出素子及び前記第二半導体光検出素子それぞれが有する前記半導体基板を前記第二主面側から薄化することを含む、製法１に記載の放射線検出器の製造方法。
（製法４）
配線部材を用意すること、及び、
前記半導体光検出素子に前記配線部材を電気的に接続すること、を更に含み、
前記第一半導体光検出素子及び前記第二半導体光検出素子それぞれは、前記第二部分に配置されている第一電極と第二電極とを更に有し、前記第一電極は、前記複数のクエンチング抵抗に並列接続されていると共に、前記第二電極は、前記複数のアバランシェフォトダイオードのアノード及びカソードの他方に並列接続されており、
用意される前記配線部材は、第一導体と第二導体とを有する第一配線部材及び第二配線部材を含み、
前記配線部材を電気的に接続することは、前記第一半導体光検出素子の前記第一電極に前記第一配線部材の前記第一導体を接続すること、前記第一半導体光検出素子の前記第二電極に前記第一配線部材の前記第二導体を接続すること、前記第二半導体光検出素子の前記第一電極に前記第二配線部材の前記第一導体を接続すること、及び、前記第二半導体光検出素子の前記第二電極に前記第二配線部材の前記第二導体を接続すること、を含み、
前記樹脂を付与することは、前記第一半導体光検出素子に電気的に接続された前記第一配線部材が含む、前記第二部分上に位置する部分と、前記第二半導体光検出素子に電気的に接続された前記第二配線部材が含む、前記第二部分上に位置する部分とにも接するように、前記樹脂を付与することを含む、製法３に記載の放射線検出器の製造方法。

以上、本発明の実施形態及び変形例について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

放射線検出器ＲＤ１では、第二方向Ｄ２から見て、光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄは、側面１ｃ，１ｄの輪郭形状に対応する輪郭形状を呈していなくてもよい。光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄが側面１ｃ，１ｄの輪郭形状に対応する輪郭形状を呈している構成では、上述したように、半導体基板１１ａ，１１ｂのうち、シンチレーション光を受光し得ない箇所に光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを配置しなくてよいので、光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄでのダークカウント及び容量の増加が抑制される。したがって、本構成は、放射線検出器ＲＤ１の時間分解能を確実に向上する。
放射線検出器ＲＤ１は、光反射部材２４を備えていなくてもよい。放射線検出器ＲＤ１が光反射部材２４を備えている構成では、上述したように、各部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓで発生したシンチレーション光が確実に当該部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓ内に閉じ込められる。当該部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓに対応する光検出領域２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄが、当該部分１ｐ，１ｑ，１ｒ，１ｓ内で発生したシンチレーション光をより確実に検出する。したがって、放射線検出器ＲＤ１は、高い時間分解能を更により確実に実現する。
光検出領域２３ａに対応している電極１７ａと、光検出領域２３ａとを電気的に接続している導線１４ａの幅は、光検出領域２３ｄに対応している電極１７ｄと、光検出領域２３ｄとを電気的に接続している導線１４ｄの幅より大きくてもよい。光検出領域２３ａに対応している電極１７ａと、光検出領域２３ａとを電気的に接続している導線１４ａの幅は、光検出領域２３ｄに対応している電極１７ｄと、光検出領域２３ｄとを電気的に接続している導線１４ｄの幅より大きい構成では、上述したように、光検出領域２３ａに対応している電極１７ａと、光検出領域２３ａとを電気的に接続している導線１４ａと、光検出領域２３ｄに対応している電極１７ｄと、光検出領域２３ｄとを電気的に接続している導線１４ｄとの電気抵抗差が低減される。
放射線検出器ＲＤ１は、基体４０ａ、４０ｂを備えていなくてもよい。放射線検出器ＲＤ１が基体４０ａ、４０ｂを備えている構成では、上述したように、半導体基板１１ａ、１１ｂの機械的強度が補強される。したがって、放射線検出器ＲＤ１は、機械的強度が補強された半導体光検出素子１０ａ、１０ｂを確実に実現する。
放射線検出器ＲＤ１は、補強体４５を備えていなくてもよい。放射線検出器ＲＤ１が補強体４５を備えている構成では、上述したように、部分２２ａと部分２２ｂとの間に配置された補強体４５によって、部分２２ａ及び部分２２ｂの機械的強度が向上する。
放射線検出器ＲＤ１は、被覆体４７ａ，４７ｂを備えていなくてもよい。放射線検出器ＲＤ１が被覆体４７ａ，４７ｂを備えている構成では、たとえば、被覆体４７ａ及び被覆体４７ｂが光反射体４８を含む構成で、シンチレーション光の光反射特性が向上する。たとえば、被覆体４７ａ及び被覆体４７ｂが電気絶縁体４９を含む構成で、放射線検出器ＲＤ１の電気絶縁性が向上する。
配線部材３０ａ，３０ｂは、半導体基板１１ａ，１１ｂに対して、シンチレータ１と同じ側に配置されていなくてもよい。配線部材３０ａ，３０ｂが、半導体基板１１ａ，１１ｂに対して、シンチレータ１と同じ側に配置されている構成では、たとえば、配線部材３０ａ，３０ｂを、それぞれ、電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ，１８とダイボンディングにて接続するための基板を新たに用意する必要がない。したがって、本構成は、放射線検出器ＲＤ１の構成をより確実に簡略化する。
配線部材３０ａ，３０ｂの可撓性は、半導体基板１１ａ，１１ｂの可撓性より大きくなくてもよい。配線部材３０ａ，３０ｂの可撓性が半導体基板１１ａ，１１ｂの可撓性より大きい構成では、上述したように、配線部材３０ａ，３０ｂから半導体基板１１ａ，１１ｂへの振動が伝わりにくい。したがって、本構成は、放射線検出器ＲＤ１の機械的強度を確実に維持する。
実施形態及び変形例では、シンチレータ１の２つの側面１ｃ，１ｄに、それぞれ半導体光検出素子を配置した例を説明したが、シンチレータ１の４つの側面１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆに、それぞれ半導体光検出素子を配置してもよい。

１…シンチレータ、１ａ…端面、１ｂ…端面、１ｃ…側面、１ｄ…側面、１ｅ…側面、１ｆ…側面、１ｐ…部分、１ｑ…部分、１ｒ…部分、１ｓ…部分、３ａ…対向面、３ｂ…対向面、３ｃ…連結面、３ｅ…連結面、３ａ…対向面、３ｂ…対向面、１０ａ…半導体光検出素子、１０ｂ…半導体光検出素子、１１ａ…半導体基板、１１ｂ…半導体基板、１２…アバランシェフォトダイオード、１３…クエンチング抵抗、１４ａ…導線、１４ｂ…導線、１７ａ…電極、１７ｂ…電極、１７ｃ…電極、１７ｄ…電極、１８…電極、２１ａ…部分、２１ｂ…部分、２２ａ…部分、２２ｂ…部分、２３…光検出領域、２４…光反射部材、３０ａ…配線部材、３０ｂ…配線部材、３１ａ…導体、３１ｂ…導体、３１ｃ…導体、３１ｄ…導体、３２…導体、４１ａ…端子、４１ｂ…端子、４１ｃ…端子、４１ｄ…端子、４２…端子、４５…補強体、４７ａ…被覆体、４７ｂ…被覆体、４８…光反射体、４９…電気絶縁体、５１ａ…部分、５１ｂ…部分、５２ａ…部分、５２ｂ…部分、Ｄ１…第一方向、Ｄ２…第二方向、Ｄ３…第三方向、ＲＡ１…放射線検出器アレイ、ＲＡ２…放射線検出器アレイ、ＲＤ１…放射線検出器。

Claims (18)

1. 第一方向から見て矩形状を呈し、かつ、前記第一方向で互いに対向している一対の端面と、前記第一方向に交差する第二方向で互いに対向していると共に前記一対の端面を連結している第一側面及び第二側面と、を有しているシンチレータと、
   前記第一側面と対向するように配置されている第一半導体基板を有している第一半導体光検出素子と、
   前記第二側面と対向するように配置されている第二半導体基板を有している第二半導体光検出素子と、
   前記第一半導体光検出素子と電気的に接続されている第一配線部材と、
   前記第二半導体光検出素子と電気的に接続されている第二配線部材と、
   を備え、
   前記第一方向での前記シンチレータの長さは、前記第二方向での前記シンチレータの長さ及び前記第一側面に平行な第三方向での前記シンチレータの長さより大きく、
   前記第一方向での前記第一側面の長さは、前記第三方向での前記第一側面の幅より大きく、
   前記第一方向での前記第二側面の長さは、前記第三方向での前記第二側面の幅より大きく、
   前記第一半導体基板は、前記第一側面で覆われている第一部分と、前記第一部分と前記第一方向に並んでいると共に前記第一側面から露出している第二部分とを有し、
   前記第二半導体基板は、前記第二側面で覆われている第三部分と、前記第三部分と前記第一方向に並んでいると共に、前記第二側面から露出している第四部分とを有し、
   前記第一部分及び前記第三部分のそれぞれには、ガイガーモードで動作する少なくとも一つのアバランシェフォトダイオードと、前記少なくとも一つのアバランシェフォトダイオードのうち対応するアバランシェフォトダイオードのアノード及びカソードの一方と電気的に直列接続されている少なくとも一つのクエンチング抵抗とを有している複数の光検出領域が配置され、
   前記第二部分及び前記第四部分のそれぞれには、前記複数の光検出領域のうち対応する前記光検出領域に含まれている前記少なくとも一つのクエンチング抵抗と電気的に接続されている複数の第一電極と、前記複数の光検出領域のうち対応する前記光検出領域に含まれている前記アバランシェフォトダイオードのアノード及びカソードの他方と電気的に接続されている第二電極と、が配置され、
   前記第一配線部材及び前記第二配線部材は、前記複数の第一電極のうち対応する第一電極と電気的に接続される複数の導体と、前記第二電極と接続される導体と、を有している放射線検出器。
2. 前記第二方向から見て、前記第一半導体基板の前記複数の光検出領域の輪郭により構成される一つの領域は、前記第一側面の輪郭形状に対応する輪郭形状を呈し、
   前記第二方向から見て、前記第二半導体基板の前記複数の光検出領域の輪郭により構成される一つの領域は、前記第二側面の輪郭形状に対応する輪郭形状を呈している、請求項１に記載の放射線検出器。
3. 前記シンチレータは、互いに独立して前記第一方向に並んでいる複数の部分を有し、
   複数の部分のそれぞれは、前記第一半導体基板及び前記第二半導体基板のそれぞれに配置されている、前記複数の光検出領域のうち対応する光検出領域に対応して位置しており、
   前記複数の部分のそれぞれは、前記第一方向で互いに対向している一対の対向面と、前記一対の対向面を連結していると共に、前記第一半導体基板と対向している第一連結面と、前記一対の対向面を連結していると共に、前記第二半導体基板と対向し、かつ、前記第二方向で前記第一連結面と対向している第二連結面と、を有している、請求項１又は２に記載の放射線検出器。
4. 前記複数の部分は、互いに接合されている、請求項３に記載の放射線検出器。
5. 光反射部材を更に備え、
   前記光反射部材は、前記複数の部分間に配置されている、請求項４に記載の放射線検出器。
6. 前記第二方向から見て、前記第一半導体基板の前記複数の光検出領域のそれぞれは、前記複数の部分のうち対応する部分の、前記第一半導体基板と対向する前記第一連結面の輪郭形状に対応する輪郭形状を呈し、
   前記第二方向から見て、前記第二半導体基板の前記複数の光検出領域のそれぞれは、前記複数の部分のうち対応する部分の、前記第二半導体基板と対向する前記第二連結面の輪郭形状に対応する輪郭形状を呈している、請求項３～５のいずれか一項に記載の放射線検出器。
7. 前記複数の光検出領域は、第一光検出領域と、前記第一光検出領域よりも前記第二部分に近い第二光検出領域と、を含み、
   前記第一光検出領域に対応している前記第一電極と、前記第一光検出領域とを電気的に接続している導線の幅は、前記第二光検出領域に対応している前記第一電極と、前記第二光検出領域とを電気的に接続している導線の幅より大きい、請求項１～６のいずれか一項に記載の放射線検出器。
8. 前記第二部分と、前記第四部分との間に配置されている補強体を更に備え、
   前記補強体は、前記第二部分と前記第四部分とを覆っていると共に、前記第二部分と前記第四部分とを連結している、請求項１～７のいずれか一項に記載の放射線検出器。
9. 前記第一半導体基板は、前記第二方向で前記シンチレータと対向している第一面と、前記第二方向で前記第一面と対向している第二面と、を有し、
   前記第二半導体基板は、前記第二方向で前記シンチレータと対向している第三面と、前記第二方向で前記第三面と対向している第四面と、を有し、
   前記第二面及び前記第四面は、研磨面である、請求項１～８のいずれか一項に記載の放射線検出器。
10. 前記第二方向で互いに対向している第五面及び第六面を有している共に、前記第五面と前記シンチレータとの間に前記第一半導体基板が位置するように配置されている第一基体と、
    前記第二方向で互いに対向している第七面及び第八面を有している共に、前記第七面と前記シンチレータとの間に前記第二半導体基板が位置するように配置されている第二基体と、
    前記第五面上に配置されている複数の第一端子と、
    前記第五面上に配置されている第二端子と、
    前記第七面上に配置されている複数の第三端子と、
    前記第七面上に配置されている第四端子と、
    を更に備え、
    前記第一基体は、前記第一半導体基板で覆われている第五部分と、前記第五部分と前記第一方向に並んでいると共に前記第一半導体基板から露出している第六部分と、を有し、
    前記第二基体は、前記第二半導体基板で覆われている第七部分と、前記第七部分と前記第一方向に並んでいると共に前記第二半導体基板から露出している第八部分と、を有し、
    各前記第一端子は、前記第六部分上に位置すると共に、第一ワイヤを通して前記第二部分に配置されている前記複数の第一電極のうち、対応する第一電極と電気的に接続され、
    前記第二端子は、前記第六部分上に位置すると共に、第二ワイヤを通して前記第二部分に配置されている前記第二電極と電気的に接続され、
    各前記第三端子は、前記第八部分上に位置すると共に、第三ワイヤを通して前記第四部分に配置されている前記複数の第一電極のうち、対応する第一電極と電気的に接続され、
    前記第四端子は、前記第八部分上に位置すると共に、第四ワイヤを通して前記第四部分に配置されている前記第二電極と電気的に接続されている、請求項１～９のいずれか一項に記載の放射線検出器。
11. 前記シンチレータとの間に前記第一半導体基板が位置するように配置されている第一被覆体と、
    前記シンチレータとの間に前記第二半導体基板が位置するように配置されている第二被覆体と、を更に備え、
    前記第一被覆体及び前記第二被覆体は、光反射体及び電気絶縁体の少なくともいずれか一つを含んでいる、請求項１～１０のいずれか一項に記載の放射線検出器。
12. 前記第一配線部材は、前記第一半導体基板に対して、前記シンチレータと同じ側に配置され、
    前記第二配線部材は、前記第二半導体基板に対して、前記シンチレータと同じ側に配置されている、請求項１～１１のいずれか一項に記載の放射線検出器。
13. 前記第一配線部材及び前記第二配線部材と、前記第一半導体基板及び前記第二半導体基板とは、可撓性を有し、
    前記第一配線部材の可撓性は、前記第一半導体基板の可撓性より大きく、
    前記第二配線部材の可撓性は、前記第二半導体基板の可撓性より大きい、請求項１～１２のいずれか一項に記載の放射線検出器。
14. 一次元に配列された複数の放射線検出器を備えている放射線検出器アレイであって、
    前記複数の放射線検出器は、請求項１～１３のいずれか一項に記載の前記放射線検出器であり、
    前記シンチレータは、前記一対の端面を連結していると共に前記第一側面と前記第二側面とを連結している一対の第三側面を更に有し、
    前記複数の放射線検出器のうち互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器は、一方の前記放射線検出器が備える前記シンチレータの前記第三側面と、他方の前記放射線検出器が備える前記シンチレータの前記第三側面とが互いに対向するように、並んでいる、放射線検出器アレイ。
15. 一次元に並んでいる各前記第一半導体光検出素子は、互いに一体的に形成されており、
    一次元に並んでいる各前記第二半導体光検出素子は、互いに一体的に形成されている、請求項１４に記載の放射線検出器アレイ。
16. 行列状に二次元配列された複数の放射線検出器を備える放射線検出器アレイであって、
    前記複数の放射線検出器のうち行方向に並ぶ複数の放射線検出器は、請求項１４又は１５に記載の放射線検出器アレイであり、
    前記複数の放射線検出器のうち列方向で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器は、一方の前記放射線検出器が備える前記第一半導体光検出素子又は前記第二半導体光検出素子のいずれか一方と、他方の前記放射線検出器が備える前記第一半導体光検出素子又は前記第二半導体光検出素子のいずれか一方とが前記列方向で互いに対向するように、並んでいる、放射線検出器アレイ。
17. 一次元に配列された複数の放射線検出器を備えている放射線検出器アレイであって、
    前記複数の放射線検出器は、請求項１～１３のいずれか一項に記載の前記放射線検出器であり、
    前記シンチレータは、前記一対の端面を連結していると共に前記第一側面と前記第二側面とを連結している一対の第三側面を更に有し、
    前記複数の放射線検出器のうち互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器は、一方の前記放射線検出器が備える前記シンチレータの前記第三側面と、他方の前記放射線検出器が備える前記第一半導体光検出素子又は前記第二半導体光検出素子のいずれか一方とが互いに対向するように、並んでいる、放射線検出器アレイ。
18. 行列状に二次元配列された複数の放射線検出器を備える放射線検出器アレイであって、
    前記複数の放射線検出器のうち行方向に並ぶ複数の放射線検出器は、請求項１７に記載の放射線検出器アレイであり、
    前記複数の放射線検出器のうち列方向で互いに隣り合う任意の二つの放射線検出器は、一方の前記放射線検出器が備える前記シンチレータの前記第三側面と、他方の前記放射線検出器が備える前記第一半導体光検出素子又は前記第二半導体光検出素子のいずれか一方とが前記列方向で互いに対向するように、並んでいる、放射線検出器アレイ。

Images