WO2020248901A1 - 发光二极管显示基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种发光二极管显示基板及其制备方法和一种显示面板。所述发光二极管显示基板具有多个像素区，且所述发光二极管显示基板包括基底、设置在基底上的像素限定层，像素限定层的对应像素区的区域中具有容纳部，容纳部在垂直于基底的方向上贯穿像素限定层，像素限定层还具有与容纳部对应设置的导流部，导流部位于其对应的容纳部的周边区域，且由形成在像素限定层的背离基底的一侧的部分位置的凹陷区域形成，所述凹陷区域在垂直于所述基底的方向上不贯穿所述像素限定层，导流部在基底上的正投影与其对应的容纳部在基底上的正投影直接连接。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年6月13日提交的中国专利申请No.201910512473.2的优先权，该中国专利申请的内容通过引用的方式整体合并于此。
本公开属于显示技术领域，具体涉及发光二极管显示基板及其制备方法和显示面板。
发光二极管(例如有机发光二极管，OLED)显示面板因具有轻薄、节能、宽视角、色域广、对比度高等特性而备受人们的青睐。
公开内容
本公开的实施例提供一种发光二极管显示基板，具有多个像素区，所述发光二极管显示基板包括基底、设置在所述基底上的像素限定层，所述像素限定层的对应所述像素区的区域中具有容纳部，所述容纳部在垂直于所述基底的方向上贯穿所述像素限定层，所述像素限定层还具有与所述容纳部对应设置的导流部；
所述导流部位于其所述对应的所述容纳部的周边区域，且由形成在所述像素限定层的背离所述基底的一侧的部分位置的凹陷区域形成，所述凹陷区域在垂直于所述基底的方向上不贯穿所述像素限定层，
所述导流部在所述基底上的正投影与其对应的所述容纳部在所述基底上的正投影直接连接。
在一些实施方式中，所述发光二极管显示基板还包括：
位于所述像素限定层的靠近所述基底一侧的第一电极，所述第一电极的部分通过所述容纳部暴露；
薄膜晶体管，其设置于所述第一电极所在层的靠近所述基底一侧；
绝缘层，其设置于所述薄膜晶体管与所述第一电极所在层之间，所述绝缘层中设置有过孔，所述第一电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。
在一些实施方式中，所述导流部在所述基底上的正投影与所述过孔在所述基底上的正投影至少部分重叠。
在一些实施方式中，所述导流部在所述基底上的正投影覆盖所述过孔在所述基底上的正投影。
在一些实施方式中，形成所述导流部的凹陷区域的深度范围为200nm至300nm。
在一些实施方式中，所述发光二极管显示基板还包括：发光层，其至少位于所述容纳部中。
本公开的实施例还提供一种发光二极管显示基板的制备方法，所述发光二极管显示基板具有多个像素区，所述制备方法包括：
通过构图工艺在基底上形成像素限定层，并在像素限定层的对应各像素区的区域中形成容纳部和导流部，所述容纳部在垂直于所述基底的方向上贯穿所述像素限定层，所述导流部位于其所述对应的所述容纳部的周边区域，且由形成在所述像素限定层的背离所述基底的一侧的部分位置的凹陷区域形成，所述凹陷区域在垂直于所述基底的方向上不贯穿所述像素限定层，
所述导流部在所述基底上的正投影与其对应的所述容纳部在所述基底上的正投影直接连接。
在一些实施方式中，所述容纳部与所述导流部通过一次构图工艺形成。
在一些实施方式中，所述发光二极管显示基板的制备方法还包括：
在所述容纳部中形成发光二极管的发光层。
本公开的实施例还提供一种显示面板，包括上述发光二极管显示基板。
图1为本公开的实施例的发光二极管显示基板的平面结构示意图；
图2为图1所示的发光二极管显示基板沿AA’线切割的截面结构示意图；以及
图3为本公开的实施例的发光二极管显示基板的制备方法的流程图。
为使本领域技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开的技术方案作进一步详细描述。
相关技术中，为了满足发光二极管显示面板的发光亮度需求，在发光二极管(例如OLED)的制备过程中，通常会在像素限定层的容纳部中使用厚墨水填充，以形成较厚的发光层。但是对于高分辨率的发光二极管显示面板，相邻子像素之间(特别是同一像素单元中的相邻子像素之间)的间距较小，容纳部中墨水量较多容易出现溢流而导致影响发光二极管显示面板的显示效果。
本公开的实施例提供一种发光二极管显示基板，该发光二极管显示基板具有多个像素区，每个像素区包括显示区和位于显示区周边的非显示区，显示区中设置有发光二极管，非显示区中设置有信号走线等器件。
本实施例中的发光二极管例如可以为有机发光二极管。
以下参照图1和图2描述本实施例的发光二极管显示基板的具体结构。
具体的，本实施例中的发光二极管显示基板包括基底1、以及设置在基底1上的像素限定层2，像素限定层2的对应像素区的区域中 具有容纳部21，容纳部21在像素限定层2的厚度方向(即垂直于基底1的方向)上贯穿像素限定层2。
发光二极管显示基板中的发光二极管包括：在基底1上依次设置的第一电极31、发光层32和第二电极。第一电极31位于像素限定层2下方(靠近基底1的一侧)，第一电极31的部分通过容纳部21暴露，发光层32位于容纳部21中，第二电极位于发光层32上方，即发光层32夹设于第一电极31和第二电极之间。第一电极31和第二电极分别为发光二极管的阴极和阳极。本实施例中以第一电极31为阳极，第二电极为阴极为例进行具体说明。
特别的是，本实施例中的像素限定层2还具有与容纳部21对应设置的导流部22；导流部22形成在像素限定层2的背离基底1的一侧，且位于其对应的容纳部21的周边区域；导流部22在基底1上的正投影与其对应的容纳部21在基底1上的正投影直接连接，如图1所示。
本实施例中，每个容纳部21对应至少一个导流部22。导流部22位于其所对应的容纳部21的周边区域，相较于贯穿像素限定层2的容纳部21，本实施例中的导流部22由形成在像素限定层2的背离基底1的一侧的部分位置的凹陷区域形成，该凹陷区域在像素限定层2的厚度方向上不贯穿像素限定层2，同时，导流部22与其所对应的容纳部21连通，导流部22和容纳部21在基底1上的正投影直接连接，形成一体图形。即，在位于同一像素区的像素限定层2中，容纳部21与导流部22共同构成一个可以容纳发光层32的空间，容纳部21的侧壁的部分区域(与导流部22相连接的部分)的高度相对像素限定层2的其它区域的高度较低，如图2所示。
可以理解的是，相关技术中，通常采用喷墨打印等方式将发光材料墨水(例如有机发光材料墨水)打印至容纳部21中，以形成发光层32。本实施例中，通过在像素限定层2中设置导流部22，以使在容纳部21中形成发光层32的过程中，当发光材料墨水过量时，可以使多余的发光材料墨水自然泄放至与该容纳部21对应的导流部22中，从而避免多余的发光材料墨水溢流到相邻像素中的容纳部21中 而造成混色，提高发光二极管显示基板的生产良率。
在此需要说明的是，本实施例的发光二极管显示基板中，相邻像素区中的导流部22是不连通的，以避免多余的发光材料墨水经由导流部22流入相邻像素区中。
本实施例中，形成导流部22的凹陷区域的深度范围可以为200nm至300nm。也就是说，容纳部21的与导流部22相连接的侧壁区域的高度比像素限定层2的其它区域的高度低200nm至300nm。
本实施例中，发光二极管显示基板还可包括：薄膜晶体管3，其可设置于第一电极31所在层的靠近基底1的一侧；绝缘层4，其设置于薄膜晶体管3与第一电极31所在层之间；绝缘层4中可设置有过孔5，过孔5位于非显示区，第一电极31可通过过孔5与薄膜晶体管3的漏极连接，如图2所示。可以理解的是，非显示区还设置有信号走线。通过信号走线向薄膜晶体管输入控制信号，从而控制发光二极管发光。
薄膜晶体管3可以包括栅极、源极、漏极、有源层等结构。有源层的材料可以包括各种氧化物、硅材料以及有机物，例如a-IGZO，ZnON，IZTO，a-Si，p-Si，六噻吩，聚噻吩等各种材料。薄膜晶体管的结构可为顶栅型、传统刻蚀阻挡结构、背沟道刻蚀型等各种类型的薄膜晶体管，本实施例中对此不作限制。
在一些实施方式中，导流部22在基底1上的投影与过孔5在基底1上的投影至少部分重叠。例如，导流部22可设置在过孔5的上方(即远离基底1的一侧)。可以理解的是，由于导流部22由位于像素限定层2的背离基底1的一侧的部分位置的凹陷区域形成，该凹陷区域在像素限定层2的厚度方向上不贯穿像素限定层2，因此导流部22所在区域无法实现显示功能，而过孔5也位于非显示区，由于导流部22与过孔5并不同层，故本实施中，通过上述设置方式，可以相对减少二者对发光二极管显示基板的面积的占用，即可减小非显示区，从而尽量使发光二极管显示基板能够具有较高的分辨率，提高发光二极管显示基板的显示效果。
在一些实施方式中，导流部22在基底1上的投影覆盖过孔5在 基底1上的投影。即，在导流部22与过孔5二者对应基底1的位置尽量保持一致的基础上，使导流部22的面积尽可能地大，从而能够在避免相邻像素区发生串色的同时，最大限度地提高发光二极管显示基板的分辨率。
在此需要说明的是，本实施例中，各电极和信号走线等导电结构可以采用常用的金属材料，如Ag，Cu，Al，Mo等，或采用多层金属材料，如MoNb/Cu/MoNb等，或采用上述金属的合金材料，如AlNd、MoNb等，也可以采用金属和透明导电氧化物(如ITO、AZO等)形成堆栈结构，如ITO/Ag/ITO等。同时，本实施例中，绝缘层4可包括无机绝缘层和/或有机绝缘层。无机绝缘层的材料包括但不限于常规的如SiOx、SiNx、SiON等介质材料，或各种高介电常数(High k)材料，如AlOx，HfOx，TaOx等；有机绝缘层的材料包含但不限于聚硅氧烷系材料、亚克力系材料、或聚酰亚胺系材料等具有平坦化效果的材料。
本公开的实施例还提供一种发光二极管显示基板的制备方法，可用于制备上述实施例提供的发光二极管显示基板。该制备方法可以包括以下步骤S1至S3。
S1、通过构图工艺在基底上形成第一电极。
具体的，本实施例中可通过成膜、曝光、显影、刻蚀等步骤在基底上形成第一电极。
S2、通过构图工艺在基底上形成像素限定层，并在像素限定层对应各像素区的区域中形成容纳部和导流部。
容纳部在像素限定层的厚度方向上贯穿像素限定层；导流部形成在像素限定层的背离基底的一侧，且位于其对应的容纳部的周边区域；导流部在基底上的正投影与其对应的容纳部在基底上的正投影直接连接。
本实施例中，导流部可以通过对像素限定层进行刻蚀形成，也可以通过在像素限定层下方的其它层结构中形成凹陷，从而使像素限定层在该凹陷区域自然下陷形成导流部。
在一些实施方式中，容纳部与导流部可通过一次构图工艺形成。具体的，本步骤中，可在形成像素限定层时，利用半色调掩模(Half Tone Mask，简称HTM)或灰色调掩模(Gray Tone Mask，简称GTM)，通过一次构图工艺(成膜、曝光、显影、湿法刻蚀或干法刻蚀)去除对应容纳部区域的全部材料，去除对应导流部区域的部分材料，从而形成容纳部和与容纳部直接连通的导流部。
S3、在容纳部中形成发光二极管的发光层。
具体的，本步骤中可通过喷墨打印工艺在容纳部中形成发光材料墨水(例如有机发光材料墨水)，之后通过干燥工艺形成发光层。
可以理解的是，由于本实施例中的发光二极管显示基板中，容纳部与导流部直接连通，故在打印发光材料墨水的过程中，当发光材料墨水过量时，可以将多余的发光材料墨水泄放至与该容纳部对应的导流部中，从而避免多余的发光材料墨水溢流到相邻像素中的容纳部中而造成混色，提高发光二极管显示基板的生产良率。
本公开的实施例还提供一种显示面板，包括上述实施例中提供的发光二极管显示基板。
该显示面板可以用于电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等具有显示功能的任何产品或部件中。本实施例中的显示面板具有较好的显示效果。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为落入本公开的保护范围。
Claims (10)
- 一种发光二极管显示基板，具有多个像素区，所述发光二极管显示基板包括基底、设置在所述基底上的像素限定层，所述像素限定层的对应所述像素区的区域中具有容纳部，所述容纳部在垂直于所述基底的方向上贯穿所述像素限定层，所述像素限定层还具有与所述容纳部对应设置的导流部，所述导流部位于其对应的所述容纳部的周边区域，且由形成在所述像素限定层的背离所述基底的一侧的部分位置的凹陷区域形成，所述凹陷区域在垂直于所述基底的方向上不贯穿所述像素限定层，所述导流部在所述基底上的正投影与其对应的所述容纳部在所述基底上的正投影直接连接。
- 根据权利要求1所述的发光二极管显示基板，还包括：位于所述像素限定层的靠近所述基底一侧的第一电极，所述第一电极的部分通过所述容纳部暴露；薄膜晶体管，其设置于所述第一电极所在层的靠近所述基底一侧；绝缘层，其设置于所述薄膜晶体管与所述第一电极所在层之间，所述绝缘层中设置有过孔，所述第一电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。
- 根据权利要求2所述的发光二极管显示基板，其中，所述导流部在所述基底上的正投影与所述过孔在所述基底上的正投影至少部分重叠。
- 根据权利要求3所述的发光二极管显示基板，其中，所述导流部在所述基底上的正投影覆盖所述过孔在所述基底上的正投影。
- 根据权利要求1所述的发光二极管显示基板，其中，形成所 述导流部的凹陷区域的深度范围为200nm至300nm。
- 根据权利要求1所述的发光二极管显示基板，还包括：发光层，其至少位于所述容纳部中。
- 一种发光二极管显示基板的制备方法，所述发光二极管显示基板具有多个像素区，所述制备方法包括：通过构图工艺在基底上形成像素限定层，并在像素限定层的对应各像素区的区域中形成容纳部和导流部，所述容纳部贯穿所述像素限定层，所述导流部位于其所述对应的所述容纳部的周边区域，且由形成在所述像素限定层的背离所述基底的一侧的部分位置的凹陷区域形成，所述凹陷区域在垂直于所述基底的方向上不贯穿所述像素限定层，所述导流部在所述基底上的正投影与其对应的所述容纳部在所述基底上的正投影直接连接。
- 根据权利要求7所述的发光二极管显示基板的制备方法，其中，所述容纳部与所述导流部通过一次构图工艺形成。
- 根据权利要求8所述的发光二极管显示基板的制备方法，还包括：在所述容纳部中形成发光二极管的发光层。
- 一种显示面板，包括权利要求1至6中任意一项所述的发光二极管显示基板。
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