WO2020235410A1 - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

半導体装置は、主面を有する基板と、基板の主面に実装される半導体素子と、駆動パッドと、複数の駆動ワイヤと、を含む。半導体素子は、基板の主面と同じ方向を向く表面と、表面に形成された駆動電極とを有し、ＳｉＣを含む。複数の駆動ワイヤは、互いに離間した状態で駆動電極と駆動パッドとを接続する。複数の駆動ワイヤは、最も離間している組み合せを構成する第１駆動ワイヤ及び第２駆動ワイヤを含む。第１駆動ワイヤ及び第２駆動ワイヤは、基板の主面に対して垂直な方向である第１方向からみて、駆動電極側よりも駆動パッド側の方が離れるように駆動電極と駆動パッドとに接続されている。

Description

半導体装置

　本開示は、半導体装置に関する。

　半導体装置は、基板と、基板に実装されたパワートランジスタ等の半導体素子と、半導体素子のソース電極と複数の駆動ワイヤを介して接続される駆動パッドを有する駆動リードと、半導体素子のゲート電極と制御ワイヤを介して接続される制御パッドを有する制御リードと、半導体素子を少なくとも封止する封止樹脂とを備える（例えば、特許文献１及び２参照）。また、特許文献２において、駆動リードは、封止樹脂から突出する駆動端子を備える。半導体素子は、半田によって基板に接続されている。

特開２０１７－１７４９５１号公報 特開２０１６－１５２２４２号公報

　例えば特許文献１の半導体装置では、３本の駆動ワイヤが僅かに離間した状態で隣り合うように配置されている。このため、３本の駆動ワイヤがソース電極と駆動パッドとに接続されることにより、１本の駆動ワイヤの構成と比較して、インダクタンスを低減できるものの、複数の駆動ワイヤの配置関係に起因するインダクタンスの低減についてはなお改善の余地がある。なお、このような問題は、スイッチング素子に限られず、スイッチング素子に代えてダイオードを備える半導体装置についても同様に生じる場合がある。

　また、例えば特許文献２の半導体装置では、基板が封止樹脂の裏面から露出することによって半導体素子の放熱性を向上させている。しかし、基板が封止樹脂の裏面から露出しているため、駆動端子と基板との間の絶縁耐力の向上について改善の余地がある。

　本開示の目的は、インダクタンスを低減できる半導体装置を提供すること、および半導体素子の放熱性の低下を抑制しつつ、絶縁耐圧を向上できる半導体装置を提供することにある。

　上記目的を達成するため、本開示の第１の態様に係る半導体装置は、主面を有する基板と、前記主面に実装され、前記主面と同じ方向を向く表面と、前記表面に形成された駆動電極とを有し、ＳｉＣを含む半導体素子と、駆動パッドと、互いに離間した状態で前記駆動電極と前記駆動パッドとを接続する複数の駆動ワイヤと、を含む。前記複数の駆動ワイヤは、最も離間している組み合せを構成する第１駆動ワイヤ及び第２駆動ワイヤを含む。該第１駆動ワイヤ及び第２駆動ワイヤは、前記主面に対して垂直な方向である第１方向からみて、前記駆動電極側よりも前記駆動パッド側の方が離れるように前記駆動電極と前記駆動パッドとに接続されている。

　複数の駆動ワイヤのうちの最も離間している組み合わせを構成する第１駆動ワイヤと第２駆動ワイヤの間の距離が大きくなると、駆動電極と駆動パッドとの間のインダクタンスが低減される。この点、本半導体装置によれば、両駆動ワイヤ間の距離を大きく取ることができるため、駆動電極と駆動パッドとの間のインダクタンスを低減できる。

　本開示の第２の態様に係る半導体装置は、主面を有する基板と、前記主面に実装され、前記主面と同じ方向を向く表面と、前記表面に形成された駆動電極とを有し、ＳｉＣを含む半導体素子と、駆動パッドと、互いに離間した状態で前記駆動電極と前記駆動パッドとを接続する複数の駆動ワイヤと、を含む。前記半導体素子は、前記駆動電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の一部に前記駆動電極を露出するように形成された開口部と、を有する。前記主面に対して垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向を第２方向とし、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向とする。前記開口部は、前記第１方向からみて、前記第２方向を短辺方向とし、前記第３方向を長辺方向とする矩形状に形成される。前記複数の駆動ワイヤは、最も離間している組み合わせを構成する第１駆動ワイヤ及び第２駆動ワイヤを含む。前記駆動電極は、前記開口部によって露出している露出領域を有する。前記露出領域は、前記第３方向の両端部である第１露出端部及び第２露出端部を有する。前記第１駆動ワイヤは、前記露出領域の前記第３方向の中央部よりも前記第１露出端部側に接続される。前記第２駆動ワイヤは、前記露出領域の前記第３方向の中央部よりも前記第２露出端部側に接続されている。

　複数の駆動ワイヤのうちの最も離間している組み合わせを構成する第１駆動ワイヤと第２駆動ワイヤの間の距離が大きくなると、駆動電極と駆動パッドとの間のインダクタンスが低減される。この点、本半導体装置によれば、両駆動ワイヤ間の距離を大きく取ることができるため、駆動電極と駆動パッドとの間のインダクタンスを低減できる。

　本開示の第３の態様に係る半導体装置は、互いに反対側を向く主面及び裏面を有する基板と、前記基板の主面に実装され、ＳｉＣを含む半導体素子と、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、前記主面と平行な方向を向く前記封止樹脂の第１側面から突出している端子と、を含む。前記基板の裏面における前記第１側面側の部分には、前記裏面から前記主面に向かう窪みが形成されている。前記封止樹脂の一部が前記窪みに入り込むことによって、前記第１側面から前記基板の裏面のうちの前記封止樹脂から露出する露出面までの距離が、前記封止樹脂の他の側面から前記露出面までの距離よりも長い。

　この構成によれば、基板には封止樹脂の裏面から露出する露出面が形成されることによって、基板による半導体素子を放熱する能力の低下を抑制できる。加えて、基板の裏面に形成された窪みによって封止樹脂の第１側面から露出面までの封止樹脂の裏面に沿った距離を長く取ることができるため、端子から露出面までの封止樹脂の表面に沿った距離である沿面距離を長く取ることができる。このため、半導体装置の絶縁耐圧を向上できる。このように、半導体素子の放熱性の低下を抑制しつつ、絶縁耐圧を向上できる。

　上記半導体装置によれば、インダクタンスを低減できる。また、上記半導体装置によれば、半導体素子の放熱性の低下を抑制しつつ、絶縁耐圧を向上できる。

第１実施形態の半導体装置の斜視図。 図１の半導体装置の内部構造を示す平面図。 図１の半導体装置の裏面図。 図１の４－４線の模式的な断面図。 図１の５－５線の模式的な断面図。 図２の半導体素子及びその周辺の拡大図。 第１実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第１実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第１実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第１実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第１実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第２実施形態の半導体装置の斜視図。 図１２の半導体装置の内部構造を示す平面図。 図１２の半導体装置の裏面図。 図１３の半導体素子及びその周辺の拡大図。 第２実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第２実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第２実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第２実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第２実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第２実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第３実施形態の半導体装置の斜視図。 図２２の半導体装置の内部構造を示す平面図。 図２２の半導体装置の裏面図。 図２３の半導体素子及びその周辺の拡大図。 第３実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第３実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第３実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第３実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第３実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第３実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第４実施形態の半導体装置について、その内部構造を示す平面図。 第４実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 各実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第５実施形態の半導体装置の斜視図。 図３５の半導体装置の内部構造を示す平面図。 図３５の半導体装置の裏面図。 図３５の３８－３８線の模式的な断面図。 図３５の３９－３９線の模式的な断面図。 図３６の半導体素子及びその周辺の拡大図。 比較例の半導体装置の平面図。 図４１の模式的な断面図。 第５実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第５実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第５実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第５実施形態の半導体装置の斜視図。 図４６の半導体装置の内部構造を示す平面図。 図４６の半導体装置の裏面図。 図４６の４９－４９線の模式的な断面図。 図４６の５０－５０線の模式的な断面図。 図４７の半導体素子及びその周辺の拡大図。 第６実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第６実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第６実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第６実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 第６実施形態の半導体装置の変更例について、半導体装置の模式的な断面図。 第６実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 図５７の５８－５８線の模式的な断面図。 各実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 各実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 図６０の半導体装置の側面図。 各実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 各実施形態の半導体装置の変更例について、半導体素子及びその周辺の拡大図。 各実施形態の半導体装置の変更例について、半導体装置の模式的な断面図。 各実施形態の半導体装置の変更例について、半導体装置の模式的な断面図。

　以下、半導体装置の実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。

　（第１実施形態）
　図１～図１１を参照して、半導体装置の第１実施形態について説明する。なお、図４及び図５の断面図について、便宜上、ハッチングを省略して示している。

　図１に示すように、半導体装置１は、基板１０と、駆動リード２０と、制御リード３０と、基板１０の主面１０ａに実装された半導体素子４０と、半導体素子４０を封止する封止樹脂５０とを備える。駆動リード２０は、封止樹脂５０から突出したアウターリード２０Ａ、及び封止樹脂５０内に設けられ、アウターリード２０Ａと電気的に接続されたインナーリード２０Ｂを有する。本実施形態では、アウターリード２０Ａ及びインナーリード２０Ｂは一体化された単一部品である。制御リード３０は、封止樹脂５０から突出したアウターリード３０Ａ、及び封止樹脂５０内に設けられ、アウターリード３０Ａと電気的に接続されたインナーリード３０Ｂを有する。本実施形態では、アウターリード３０Ａ及びインナーリード３０Ｂは一体化された単一部品である。半導体装置１の封止樹脂５０の横寸法Ｌ２は、１０ｍｍ以下が好ましい。本実施形態の半導体装置１は、パッケージ外形規格（ＪＥＩＴＡ規格）がＴＯ（Transistor Outline）－２５２のパッケージである。詳細には、半導体装置１の縦寸法Ｌ１が９．５ｍｍ～１０．５０ｍｍ、横寸法Ｌ２が６．４ｍｍ～６．８ｍｍ、厚さ寸法Ｌ３が２．１ｍｍ～２．３ｍｍである。また、半導体装置１は、封止樹脂５０の１つの面から駆動リード２０のアウターリード２０Ａ及び制御リード３０のアウターリード３０Ａがそれぞれ延びる、いわゆるＳＩＰ（Single Inline Package）タイプである。

　図１に示すとおり、封止樹脂５０の形状は、直方体である。封止樹脂５０は、電気絶縁性を有する合成樹脂である。一例では、封止樹脂５０は、エポキシ樹脂である。封止樹脂５０は、第１封止樹脂側面５１、第２封止樹脂側面５２、第３封止樹脂側面５３、第４封止樹脂側面５４、封止樹脂裏面５５、及び封止樹脂天面５６の６面を有する。第１封止樹脂側面５１及び第２封止樹脂側面５２は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。第３封止樹脂側面５３及び第４封止樹脂側面５４は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。封止樹脂裏面５５及び封止樹脂天面５６は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。以降の説明において、封止樹脂裏面５５と封止樹脂天面５６とが配列される方向を厚さ方向Ｚとし、第１封止樹脂側面５１と第２封止樹脂側面５２とが配列される方向を縦方向Ｘとし、第３封止樹脂側面５３と第４封止樹脂側面５４とが配列される方向を横方向Ｙとする。縦方向Ｘ及び横方向Ｙは、厚さ方向Ｚと直交する方向である。縦方向Ｘは、横方向Ｙと直交する方向である。ここで、厚さ方向Ｚは第１方向に相当し、縦方向Ｘは第２方向に相当し、横方向Ｙは第３方向に相当する。

　封止樹脂５０は、モールド成形によって形成されている。封止樹脂５０の各側面５１～５４は、封止樹脂５０の成形時に金型を抜き易くするような抜き勾配を設けるため、厚さ方向Ｚに対して傾斜する傾斜面が設けられている。具体的には、各側面５１～５４は、金型の上型を抜き易くするような抜き勾配を設けた第１傾斜面と、金型の下型を抜き易くするような抜き勾配を設けた第２傾斜面とを有する。金型の上型は、封止樹脂天面５６と各側面５１～５４のうちの封止樹脂天面５６側の部分を形成する。下型は、封止樹脂裏面５５と各側面５１～５４のうちの封止樹脂裏面５５側の部分を形成する。一例では、図４及び図５に示すように、第１封止樹脂側面５１は、第１傾斜面５１ａ及び第２傾斜面５１ｂを有する。第１傾斜面５１ａは、封止樹脂天面５６に向かうにつれて第２封止樹脂側面５２に向けて傾斜している。第２傾斜面５１ｂは、封止樹脂裏面５５に向かうにつれて第２封止樹脂側面５２に向けて傾斜している。第１傾斜面５１ａの長さは、第２傾斜面５１ｂの長さよりも長い。第２封止樹脂側面５２は、第１傾斜面５２ａ及び第２傾斜面５２ｂを有する。第１傾斜面５２ａは、封止樹脂天面５６に向かうにつれて第１封止樹脂側面５１に向けて傾斜している。第２傾斜面５２ｂは、封止樹脂裏面５５に向かうにつれて第１封止樹脂側面５１に向けて傾斜している。第１傾斜面５２ａの長さは、第２傾斜面５２ｂの長さよりも長い。第２傾斜面５２ｂは、基板１０よりも封止樹脂天面５６側にわたり形成されている。なお、第１傾斜面５１ａの長さ及び第２傾斜面５１ｂの長さはそれぞれ任意に変更可能である。また第１傾斜面５２ａの長さ及び第２傾斜面５２ｂの長さはそれぞれ任意に変更可能である。

　図２は、半導体装置１を厚さ方向Ｚの封止樹脂天面５６からみた図である。図２では、便宜上、封止樹脂５０を二点鎖線にて示し、封止樹脂５０内の部品を実線で示している。
　図２に示すとおり、半導体装置１を厚さ方向Ｚの封止樹脂天面５６からみて（以下、「平面視」という）、封止樹脂５０の形状は、縦方向Ｘが長辺方向となり、横方向Ｙが短辺方向となる略矩形状である。平面視において、第１封止樹脂側面５１及び第２封止樹脂側面５２は横方向Ｙに沿う側面であり、第３封止樹脂側面５３及び第４封止樹脂側面５４は縦方向Ｘに沿う側面である。

　基板１０は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く主面１０ａ及び裏面１０ｂ（図３参照）を有する。主面１０ａは、封止樹脂天面５６と同じ方向を向き、裏面１０ｂは、封止樹脂裏面５５と同じ方向を向いている。基板１０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）によって形成されている。基板１０は、平板状の基板本体部１１と、リード部１６とを有する。本実施形態では、基板本体部１１とリード部１６とが一体化した単一部品である。

　基板本体部１１は、封止樹脂５０に覆われた内側本体部１２と、封止樹脂５０から突出した突出部１３とに区分できる。内側本体部１２及び突出部１３は、縦方向Ｘに隣り合っている。突出部１３は、第１封止樹脂側面５１から縦方向Ｘに突出している。本実施形態では、突出部１３の横方向Ｙの大きさは、内側本体部１２の横方向Ｙの大きさよりも小さい。なお、突出部１３の横方向Ｙの大きさは任意に変更可能である。一例では、突出部１３の横方向Ｙの大きさは、内側本体部１２の横方向Ｙの大きさと等しくてもよい。

　平面視において、内側本体部１２は、その縦方向Ｘの中心が封止樹脂５０の縦方向Ｘの中心よりも第１封止樹脂側面５１寄りとなるように配置されている。内側本体部１２は、主面１２ａ、裏面１２ｂ（図３参照）、第１側面１２ｃ、第２側面１２ｄ、及び第３側面１２ｅを有する。主面１２ａと裏面１２ｂとは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向いている。主面１２ａは基板１０の主面１０ａの一部を構成し、裏面１２ｂは基板１０の裏面１０ｂを構成している。このため、主面１２ａは封止樹脂天面５６側に面し、裏面１２ｂは封止樹脂裏面５５側を面している。また、第１側面１２ｃは第２封止樹脂側面５２に面し、第２側面１２ｄは第３封止樹脂側面５３に面し、第３側面１２ｅは第４封止樹脂側面５４に面している。第１側面１２ｃは横方向Ｙに沿って延びている。第２側面１２ｄ及び第３側面１２ｅは、横方向Ｙにおいて間隔をあけて対向している。第２側面１２ｄ及び第３側面１２ｅは、縦方向Ｘに沿って延びている。

　内側本体部１２において突出部１３側の端部には、幅狭部１４が形成されている。幅狭部１４は、第２側面１２ｄから横方向Ｙの第４封止樹脂側面５４側に向けて凹む湾曲状の凹部１４ａと、第３側面１２ｅから横方向Ｙの第３封止樹脂側面５３側に向けて凹む湾曲状の凹部１４ｂとによって形成されている。幅狭部１４の横方向Ｙの大きさは、内側本体部１２のうちの幅狭部１４以外の部分の横方向Ｙの大きさよりも小さい。また幅狭部１４の横方向Ｙの大きさは、突出部１３の横方向Ｙの大きさよりも小さい。幅狭部１４は、封止樹脂５０の第１封止樹脂側面５１と縦方向Ｘに隣り合うように設けられている。幅狭部１４には、厚さ方向Ｚにおいて幅狭部１４を貫通している貫通孔１５が設けられている。平面視における貫通孔１５の形状は、横方向Ｙが長手方向となる長円である。

　内側本体部１２には、内側本体部１２の本体側面から突出する複数のフランジ部１９が設けられている。
　複数のフランジ部１９は、第１フランジ部１９ａ、第２フランジ部１９ｂ、第３フランジ部１９ｃ、及び第４フランジ部１９ｄを含む。第１フランジ部１９ａは、内側本体部１２の第１側面１２ｃから第２封止樹脂側面５２に向けて突出している。第２フランジ部１９ｂは、内側本体部１２の第２側面１２ｄから第３封止樹脂側面５３に向けて突出している。第３フランジ部１９ｃは、内側本体部１２の第３側面１２ｅから第４封止樹脂側面５４に向けて突出している。第４フランジ部１９ｄは、幅狭部１４の横方向Ｙの両端部と、貫通孔１５の第２封止樹脂側面５２側の部分とに設けられている。

　第１フランジ部１９ａ、第２フランジ部１９ｂ、第３フランジ部１９ｃ、及び第４フランジ部１９ｄはそれぞれ、内側本体部１２の主面１２ａと面一となるように設けられている。このため、基板１０の主面１０ａは、内側本体部１２の主面１２ａと、第１フランジ部１９ａ、第２フランジ部１９ｂ、第３フランジ部１９ｃ、及び第４フランジ部１９ｄとによって構成されている。また、第１フランジ部１９ａ、第２フランジ部１９ｂ、第３フランジ部１９ｃ、及び第４フランジ部１９ｄはそれぞれ、内側本体部１２の裏面１２ｂよりも主面１２ａ側となるように設けられている。このため、基板１０の裏面１０ｂは、内側本体部１２の裏面１２ｂによって構成されている。このような各フランジ部１９ａ～１９ｄの構成によれば、基板１０と封止樹脂５０との分離を抑制できる。

　図３に示すように、基板１０の裏面１０ｂ（内側本体部１２の裏面１２ｂ）は、封止樹脂裏面５５から露出している。これにより、基板１０の放熱性を向上できる。封止樹脂５０は、内側本体部１２の幅狭部１４の凹部１４ａ，１４ｂ及び貫通孔１５のそれぞれに入り込んでいる。これにより、基板１０と封止樹脂５０との分離を一層抑制できる。

　図２及び図４に示すように、リード部１６は、内側本体部１２の第１側面１２ｃ側の端部から第２封止樹脂側面５２に向けて延びているとともに第２封止樹脂側面５２から突出している。リード部１６は、第２封止樹脂側面５２から突出した端子部１７と、端子部１７と内側本体部１２とを連結している連結部１８とに区分できる。

　連結部１８は、横方向Ｙにおいて内側本体部１２の中央部よりも第２側面１２ｄ側の部分に位置している。連結部１８は、第１フランジ部１９ａから連続している。すなわち、連結部１８のうちの第１フランジ部１９ａに接続されている部分の厚さは、第１フランジ部１９ａの厚さと等しい。連結部１８は、傾斜部１８ａを有する。傾斜部１８ａは、第１フランジ部１９ａから第２封止樹脂側面５２に向かうにつれて封止樹脂天面５６に向けて傾斜している。連結部１８のうちの傾斜部１８ａと端子部１７との間の中間部１８ｂは、内側本体部１２の主面１２ａよりも封止樹脂天面５６側に位置している。平面視において、中間部１８ｂは、第４封止樹脂側面５４側に屈曲する屈曲部１８ｃを有する。中間部１８ｂのうちの第２封止樹脂側面５２と接触する部分は、横方向Ｙにおいて第２封止樹脂側面５２の中央部に位置している。

　端子部１７は、第２封止樹脂側面５２の横方向Ｙの中央部から突出している。厚さ方向Ｚにおいて、端子部１７の位置は、中間部１８ｂの位置と同じである。すなわち端子部１７は、内側本体部１２の主面１２ａよりも封止樹脂天面５６側に位置している。

　図２に示すように、平面視において、基板１０よりも封止樹脂５０の第２封止樹脂側面５２側には、駆動リード２０及び制御リード３０が基板１０に対して縦方向Ｘに離間した状態で配置されている。駆動リード２０及び制御リード３０は、横方向Ｙにおいて互いに離間した状態で配置されている。駆動リード２０と制御リード３０との横方向Ｙの間には、リード部１６が配置されている。

　駆動リード２０は、駆動パッド２１、駆動端子２２、及び、駆動パッド２１と駆動端子２２とを連結する連結部２３を有する。駆動パッド２１及び連結部２３はインナーリード２０Ｂを構成し、駆動端子２２はアウターリード２０Ａを構成している。駆動パッド２１及び連結部２３は、縦方向Ｘにおいて基板１０と第２封止樹脂側面５２との間に配置されている。駆動パッド２１及び連結部２３は、横方向Ｙにおいて封止樹脂５０の横方向Ｙの中央部よりも第４封止樹脂側面５４側に配置されている。

　平面視における駆動パッド２１の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる略矩形状である。駆動パッド２１は、横方向Ｙの両端部である第１端部２１ａ及び第２端部２１ｂを有する。第１端部２１ａは、駆動パッド２１のうちの第３封止樹脂側面５３側の端部である。第２端部２１ｂは、駆動パッド２１のうちの第４封止樹脂側面５４側の端部である。第１端部２１ａは、縦方向Ｘからみて、リード部１６の屈曲部１８ｃと重なるように配置されている。第２端部２１ｂは、内側本体部１２の第３側面１２ｅよりも第４封止樹脂側面５４側に位置している。本実施形態では、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさは、横方向Ｙにおける半導体素子４０の大きさよりも小さい。図５に示すように、駆動パッド２１は、厚さ方向Ｚにおいて、内側本体部１２の主面１２ａよりも封止樹脂天面５６側に位置している。また駆動パッド２１は、厚さ方向Ｚにおいて、半導体素子４０の表面４０ａよりも封止樹脂天面５６側に位置している。図４及び図５に示すように、本実施形態では、駆動パッド２１は、厚さ方向Ｚにおいてリード部１６の中間部１８ｂと同じ位置である。

　図２に示すように、連結部２３は、駆動パッド２１のうちの第２封止樹脂側面５２側の端部から連続している。連結部２３は、横方向Ｙにおいて駆動パッド２１の中央部よりも第４封止樹脂側面５４側に位置している。駆動端子２２は、ソース端子を構成している。図５に示すように、駆動端子２２は、第２封止樹脂側面５２の第１傾斜面５２ａから突出している。

　図２に示すように、制御リード３０は、制御パッド３１、制御端子３２、及び、制御パッド３１と制御端子３２とを連結する連結部３３を有する。制御パッド３１及び連結部３３はインナーリード３０Ｂを構成し、制御端子３２はアウターリード３０Ａを構成している。制御パッド３１及び連結部３３は、縦方向Ｘにおいて基板１０と第２封止樹脂側面５２との間に配置されている。制御パッド３１及び連結部３３は、横方向Ｙにおいて封止樹脂５０の中央部よりも第３封止樹脂側面５３側に配置されている。

　平面視における制御パッド３１の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる略矩形状である。横方向Ｙにおける制御パッド３１の大きさは、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさよりも小さい。このため、駆動パッド２１の横方向Ｙの大きさを大きくすることができる。制御パッド３１は、厚さ方向Ｚにおいて、内側本体部１２の主面１２ａよりも封止樹脂天面５６側に位置している。また制御パッド３１は、厚さ方向Ｚにおいて、半導体素子４０の表面４０ａよりも封止樹脂天面５６側に位置している。本実施形態では、制御パッド３１は、厚さ方向Ｚにおいてリード部１６の中間部１８ｂと同じ位置である。

　連結部３３は、制御パッド３１のうちの第２封止樹脂側面５２側の端部から連続している。連結部３３は、横方向Ｙにおいて制御パッド３１のうちの第３封止樹脂側面５３寄りに位置している。制御端子３２は、ゲート端子を構成している。制御端子３２は、第２封止樹脂側面５２の第１傾斜面５２ａから突出している。

　図４及び図５に示すように、半導体素子４０は、内側本体部１２の主面１２ａに半田ＳＤによって実装されている。図２に示すように、本実施形態では、半導体素子４０は、内側本体部１２の中央部に配置されている。具体的には、平面視において、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第１フランジ部１９ａの第２封止樹脂側面５２側の端縁との間の第１距離Ｄ１と、半導体素子４０と内側本体部１２の幅狭部１４との間の第２距離Ｄ２とが互いに等しい。また、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第２フランジ部１９ｂの第３封止樹脂側面５３側の端縁との間の第３距離Ｄ３と、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第３フランジ部１９ｃの第４封止樹脂側面５４側の端縁との間の第４距離Ｄ４とが互いに等しい。ここで、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とが互いに等しいとは、例えば第１距離Ｄ１の５％の誤差を含む。ここで、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とのずれ量が例えば第１距離Ｄ１の５％以内であれば、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とが互いに等しいと言える。また、第３距離Ｄ３と第４距離Ｄ４のずれ量が例えば第３距離Ｄ３の５％以内であれば、第３距離Ｄ３と第４距離Ｄ４とが互いに等しいと言える。また、図２に示すとおり、半導体素子４０と駆動パッド２１とは縦方向Ｘにずれている。また半導体素子４０と制御パッド３１とは縦方向Ｘにずれている。

　半導体素子４０は、炭化シリコン（ＳｉＣ）を含む。本実施形態では、半導体素子４０はＳｉＣＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）が用いられている。半導体素子４０（ＳｉＣＭＯＳＦＴ）は、１ｋＨｚ以上かつ数百ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチングが可能な素子である。好ましくは、半導体素子４０は、１ｋＨｚ以上かつ１００ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチングが可能な素子である。本実施形態では、半導体素子４０は、１００ｋＨｚの周波数の駆動信号に応じて高速スイッチングを行う。

　半導体素子４０は、平板状に形成されている。具体的には、平面視において、半導体素子４０の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。本実施形態では、横方向Ｙにおける半導体素子４０の大きさは、３ｍｍである。ここで、横方向Ｙにおける半導体素子４０の大きさは、３ｍｍの５％の誤差（±０．１５ｍｍ）を含む。

　図２及び図４に示すように、半導体素子４０は、表面４０ａ、裏面４０ｂ、第１側面４０ｃ、第２側面４０ｄ、第３側面４０ｅ、及び第４側面４０ｆを有する。表面４０ａ及び裏面４０ｂは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対方向を向いている。表面４０ａは、封止樹脂天面５６に面している。すなわち、表面４０ａは、基板１０の主面１０ａと同じ方向を向いている。裏面４０ｂは、封止樹脂裏面５５に面している。裏面４０ｂは、内側本体部１２の主面１２ａに対向している。第１側面４０ｃは第１封止樹脂側面５１に面し、第２側面４０ｄは第２封止樹脂側面５２に面し、第３側面４０ｅは第３封止樹脂側面５３に面し、第４側面４０ｆは第４封止樹脂側面５４に面している。

　表面４０ａには、主面側駆動電極４１及び制御電極４３が形成されている。裏面４０ｂには、裏面側駆動電極４２（図４参照）が形成されている。本実施形態では、主面側駆動電極４１がソース電極を構成し、裏面側駆動電極４２がドレイン電極を構成している。制御電極４３はゲート電極を構成している。裏面側駆動電極４２は、半田ＳＤによって内側本体部１２に電気的に接続されている。

　主面側駆動電極４１は、表面４０ａの大部分にわたり形成されている。平面視において、主面側駆動電極４１の形状は、縦方向Ｘを短辺方向とし、横方向Ｙを長辺方向とする略矩形状である。主面側駆動電極４１は、第３封止樹脂側面５３に向けて開口する凹部４１ａが形成されている。凹部４１ａは、主面側駆動電極４１のうちの第３封止樹脂側面５３側の端部かつ縦方向Ｘの中央部に形成されている。凹部４１ａ内には、制御電極４３が形成されている。

　半導体素子４０は、主面側駆動電極４１及び制御電極４３上に形成された絶縁膜であるパッシベーション膜４４を有する。パッシベーション膜４４には、主面側駆動電極４１の一部及び制御電極４３の一部を露出する開口部４５が形成されている。

　平面視における開口部４５の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。横方向Ｙにおける開口部４５の大きさは、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさよりも小さい。言い換えれば、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさは、横方向Ｙにおける開口部４５の大きさよりも大きい。

　開口部４５は、半導体素子４０の表面４０ａの縦方向Ｘの中央部に設けられている。具体的には、開口部４５と半導体素子４０の第１側面４０ｃとの間の第１距離ＤＣ１と、開口部４５と半導体素子４０の第２側面４０ｄとの間の第２距離ＤＣ２と、開口部４５と半導体素子４０の第３側面４０ｅとの間の第３距離ＤＣ３と、開口部４５と半導体素子４０の第４側面４０ｆとの間の第４距離ＤＣ４とは互いに等しい。ここで、第１距離ＤＣ１、第２距離ＤＣ２、第３距離ＤＣ３、及び第４距離ＤＣ４の最大のずれ量が例えば第１距離ＤＣ１の５％以内であれば、第１距離ＤＣ１、第２距離ＤＣ２、第３距離ＤＣ３、及び第４距離ＤＣ４が互いに等しいと言える。

　主面側駆動電極４１は、開口部４５によって露出している露出領域４６を有する。露出領域４６は、横方向Ｙの両端部である第１露出端部４６ａ及び第２露出端部４６ｂを有する。第１露出端部４６ａは、露出領域４６のうちの半導体素子４０の第３側面４０ｅ側の端部である。第２露出端部４６ｂは、露出領域４６のうちの半導体素子４０の第４側面４０ｆ側の端部である。

　半導体装置１は、複数の駆動ワイヤ６０と１本の制御ワイヤ７０を備える。本実施形態では、複数の駆動ワイヤ６０は、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の２本の駆動ワイヤから構成されている。すなわち、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離間している組み合わせを構成している。第１駆動ワイヤ６１は、第２駆動ワイヤ６２に対して制御ワイヤ７０側に配置されている。

　第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、同一の金属からなる。本実施形態では、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、アルミニウムを含む。第１駆動ワイヤ６１の線径は、第２駆動ワイヤ６２の線径と等しい。ここで、第１駆動ワイヤ６１の線径と第２駆動ワイヤ６２の線径とのずれ量が例えば第１駆動ワイヤ６１の線径の５％以内であれば、第１駆動ワイヤ６１の線径が第２駆動ワイヤ６２の線径と等しいと言える。本実施形態では、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径は、制御ワイヤ７０の線径と等しい。ここで、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径と制御ワイヤ７０の線径とのずれ量が例えば制御ワイヤ７０の線径の５％以内であれば、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径が制御ワイヤ７０の線径と等しいと言える。第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、及び制御ワイヤ７０のそれぞれの線径の一例は、１２５μｍ～２５０μｍである。本実施形態では、第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、及び制御ワイヤ７０のそれぞれの線径は、１２５μｍである。

　第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、互いに離間した状態で半導体素子４０の主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とを接続している。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２はそれぞれ、例えばワイヤボンディングによって主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、横方向Ｙに離間して配列されている。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの横方向Ｙの両端にある駆動ワイヤである。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１側に向かうにつれて広がっている。以下、このような第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の構成について詳細に説明する。

　図６に示すように、第１駆動ワイヤ６１は、駆動電極側端部６１ａ及び駆動パッド側端部６１ｂを有する。第２駆動ワイヤ６２は、駆動電極側端部６２ａ及び駆動パッド側端部６２ｂを有する。平面視において、駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２は、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ１よりも大きい。図６に示すとおり、平面視において、距離ＤＷ１は第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離の最小値であり、距離ＤＷ２は第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離の最大値である。

　駆動電極側端部６１ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１と、駆動パッド側端部６１ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ２との横方向Ｙの間の距離を距離ＤＹ１とし、駆動電極側端部６２ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ３と、駆動パッド側端部６２ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ４との横方向Ｙの間の距離を距離ＤＹ２とする。この場合、距離ＤＹ２は、距離ＤＹ１よりも大きい。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、主面側駆動電極４１の露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第１露出端部４６ａ側に接続されている。本実施形態では、駆動電極側端部６１ａは、第１露出端部４６ａに接続されている。具体的には、駆動電極側端部６１ａは、横方向Ｙにおいて主面側駆動電極４１のうちの制御電極４３と隣り合う部分、すなわち主面側駆動電極４１の凹部４１ａの底部を構成する部分に接続されている。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の横方向Ｙの中央部よりも第１端部２１ａ側に接続されている。本実施形態では、駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の第１端部２１ａに接続されている。一例では、駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の第１端部２１ａとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第３封止樹脂側面５３側の限界位置となるように配置されている。具体的には、ワイヤボンディング装置における第１駆動ワイヤ６１を供給するキャピラリが駆動パッド２１の第１端部２１ａの第３封止樹脂側面５３側の端縁に位置するように駆動パッド側端部６１ｂの第１端部２１ａに対する横方向Ｙの位置が設定される。駆動パッド側端部６１ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に配置されている。駆動パッド側端部６１ｂは、駆動電極側端部６１ａよりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、主面側駆動電極４１の露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第２露出端部４６ｂ側に接続されている。本実施形態では、駆動電極側端部６２ａは、第２露出端部４６ｂに接続されている。一例では、駆動電極側端部６２ａは、横方向Ｙにおいて開口部４５のうちの半導体素子４０の第４側面４０ｆ側の端部としてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４側面４０ｆ側の限界位置となるように配置されている。具体的には、ワイヤボンディング装置における第２駆動ワイヤ６２を供給するキャピラリが露出領域４６の第４側面４０ｆ側の端縁に位置するように駆動電極側端部６２ａの露出領域４６の第２露出端部４６ｂに対する横方向Ｙの位置が設定される。縦方向Ｘにおいて、駆動電極側端部６２ａは、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと揃った状態で横方向Ｙに配列されている。ここで、駆動電極側端部６２ａと駆動電極側端部６１ａとが揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動電極側端部６１ａ，６２ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、両駆動電極側端部６１ａ，６２ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、両駆動電極側端部６１ａ，６２ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の横方向Ｙの中央部よりも第２端部２１ｂ側に接続されている。本実施形態では、駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂに接続されている。一例では、駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４封止樹脂側面５４側の限界位置となるように配置されている。具体的には、ワイヤボンディング装置における第２駆動ワイヤ６２を供給するキャピラリが駆動パッド２１の第２端部２１ｂの第４封止樹脂側面５４側の端縁に位置するように駆動パッド側端部６２ｂの第２端部２１ｂに対する横方向Ｙの位置が設定される。駆動パッド側端部６２ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に配置されている。駆動パッド側端部６２ｂは、駆動電極側端部６２ａよりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。駆動パッド側端部６２ｂは、横方向Ｙにおいて半導体素子４０よりも第４封止樹脂側面５４側に配置されている。また、本実施形態では、駆動パッド側端部６２ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド側端部６１ｂと揃った状態で横方向Ｙに配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動パッド側端部６２ｂと駆動パッド側端部６１ｂとが揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動パッド側端部６１ｂ，６２ｂが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、両駆動パッド側端部６１ｂ，６２ｂにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、両駆動パッド側端部６１ｂ，６２ｂが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　制御ワイヤ７０は、半導体素子４０の制御電極４３と制御パッド３１とを接続している。制御ワイヤ７０は、例えばワイヤボンディングによって制御電極４３と制御パッド３１とに接続されている。制御ワイヤ７０は、複数の駆動ワイヤ６０と同一の材料が用いられている。制御ワイヤ７０は、制御電極側端部７１と制御パッド側端部７２とを有する。制御電極側端部７１は、制御ワイヤ７０のうちの制御電極４３に接続される端部である。制御パッド側端部７２は、制御ワイヤ７０のうちの制御パッド３１に接続される端部である。制御電極側端部７１は、制御ワイヤ７０のうちの制御電極側端部７１と第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ３は、距離ＤＷ１よりも小さい。制御電極側端部７１から縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ５と、制御パッド側端部７２から縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ６との間の距離ＤＹ３は、距離ＤＹ１よりも大きく、距離ＤＹ２よりも小さい。なお、距離ＤＹ３の大きさは任意に変更可能である。一例では、距離ＤＹ３は、距離ＤＹ１以下である。

　本実施形態の作用について説明する。
　ＳｉＣを含む半導体素子を備える半導体装置では、インダクタンスがナノヘンリー（ｎＨ）のオーダーであっても半導体装置の特性に対する影響が大きい。このため、半導体装置におけるインダクタンスを低減できる構成が望まれている。

　ところで、半導体装置においてソース電極からソース端子までに含まれるインダクタンスは、ソース電極とソース端子とを接続する導体の平面視における幅が広くなるにつれて低下する。導体が複数の駆動ワイヤから構成される場合、複数の駆動ワイヤのうちの最も離間している組み合わせを構成する２つの駆動ワイヤの間を導体の平面視における幅として規定される。

　ちなみに、複数の駆動ワイヤのうちの最も離間している組み合わせを構成する２つの駆動ワイヤとは、本実施形態のように駆動ワイヤ６０が２本であれば、当該２本の駆動ワイヤ６１，６２が複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離間している組み合わせを構成する。

　そして、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１（ソース電極）側よりも駆動パッド２１（ソース端子）側の方が離れている。詳細には、駆動パッド側端部６１ｂ及び駆動パッド端部６２ｂ間の距離ＤＷ２は、駆動電極側端部６１ａ及び駆動電極側端部６２ａ間の距離ＤＷ１よりも大きい。これにより、平面視において第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２が平行となる構成と比較して、導体の平面視における幅を広くすることができる。

　また本実施形態では、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａが主面側駆動電極４１のうちの制御電極４３と横方向Ｙに隣り合う部分に接続され、第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａが開口部４５によって露出された主面側駆動電極４１のうちの第４側面４０ｆ側の端部に接続されている。これにより、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離の最小値である距離ＤＷ１を大きく取ることができるため、導体の平面視における幅を広くすることができる。

　本実施形態の半導体装置１によれば、以下の効果が得られる。
　（１－１）平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離を大きく取ることができるため、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを低減できる。本実施形態では、平面視において第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２とが距離ＤＷ１だけ離間した状態で平行となる構成と比較して、インダクタンスが５～７（ｎＨ）減少する結果が得られた。なお、距離ＤＷ１は、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａとの間の距離である。

　（１－２）横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさは、横方向Ｙにおける開口部４５の大きさよりも大きい。この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２を大きく取ることができる。したがって、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを低減できる。

　（１－３）第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の第１端部２１ａに接続されており、第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂに接続されている。この構成によれば、駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２を大きく取ることができる。したがって、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離を大きく取ることができるため、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを低減できる。

　（１－４）第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａが主面側駆動電極４１の露出領域４６の第１露出端部４６ａに接続され、第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａが露出領域４６の第２露出端部４６ｂに接続されている。この構成によれば、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ１を大きく取ることができる。したがって、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離を大きく取ることができるため、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを低減できる。

　（１－５）第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂ及び第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂはそれぞれ、縦方向Ｘにおいて駆動パッド２１の中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２をそれぞれ短くすることができるため、主面側駆動電極４１（ソース電極）から駆動リード２０の駆動端子２２（ソース端子）までの間のインダクタンスをより低減できる。

　（１－６）第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は同一の材料が用いられている。第１駆動ワイヤ６１の線径と第２駆動ワイヤ６２の線径とは互いに等しい。この構成によれば、各駆動ワイヤ６１，６２の主面側駆動電極４１及び駆動パッド２１への接続作業を同一のワイヤにて実施できるため、その作業工程を簡素化できる。

　（１－７）複数の駆動ワイヤ６０及び制御ワイヤ７０は同一の材料が用いられている。複数の駆動ワイヤ６０の線径と制御ワイヤ７０の線径とは互いに等しい。この構成によれば、複数の駆動ワイヤ６０の主面側駆動電極４１及び駆動パッド２１への接続作業、及び制御ワイヤ７０の制御電極４３及び制御パッド３１への接続作業を同一のワイヤにて実施できるため、それらの作業工程を簡素化できる。

　（第１実施形態の変更例）
　第１実施形態の半導体装置１は例えば以下のように変更できる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができる。なお、以下の変更例において、第１実施形態と共通する部分については、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

　・駆動ワイヤ６０の数は、２本に限られず、任意に変更可能である。一例では、図７に示すように、複数の駆動ワイヤ６０として第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、及び第３駆動ワイヤ６３の３本の駆動ワイヤから構成されてもよい。第３駆動ワイヤ６３は、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間に配置されている。この場合、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離間している組み合わせを構成している。

　すなわち、駆動ワイヤの数が３本以上である場合、最も離間している組み合わせとは、最も離れた位置にある２つの駆動ワイヤである。例えば、３本以上の駆動ワイヤが横方向Ｙに配列されている場合には、最も離間している組み合わせとは、横方向Ｙの両端にある駆動ワイヤの組み合わせである。

　第３駆動ワイヤ６３は、駆動電極側端部６３ａ及び駆動パッド側端部６３ｂを有する。駆動電極側端部６３ａは、第３駆動ワイヤ６３のうちの主面側駆動電極４１に接続される端部である。駆動パッド側端部６３ｂは、第３駆動ワイヤ６３のうちの駆動パッド２１に接続される端部である。駆動電極側端部６３ａと第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ４と、駆動電極側端部６３ａと第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ５とは互いに等しい。ここで、距離ＤＷ４と距離ＤＷ５とのずれ量が例えば距離ＤＷ４の５％以内であれば、距離ＤＷ４と距離ＤＷ５とが互いに等しいと言える。図７では、距離ＤＷ４，ＤＷ５は、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと制御ワイヤ７０の制御電極側端部７１との間の距離ＤＷ３よりも大きい。

　また図７では、縦方向Ｘにおいて第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａ、第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａ、及び第３駆動ワイヤ６３の駆動電極側端部６３ａは互いに揃った状態で横方向Ｙに配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが互いに揃った状態とは、縦方向Ｘにおける駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　第３駆動ワイヤ６３の駆動パッド側端部６３ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に配置されている。第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ６は、距離ＤＷ４よりも大きい。第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ７は、距離ＤＷ５よりも大きい。図７では、距離ＤＷ６は、距離ＤＷ７と等しい。ここで、距離ＤＷ６と距離ＤＷ７とのずれ量が例えば距離ＤＷ６の５％以内であれば、距離ＤＷ６と距離ＤＷ７とが互いに等しいと言える。

　第１駆動ワイヤ６１及び第３駆動ワイヤ６３は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第３駆動ワイヤ６３との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。第３駆動ワイヤ６３及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。なお、駆動パッド側端部６３ｂの駆動パッド２１に対する位置は任意に変更可能である。一例では、距離ＤＷ６が距離ＤＷ７よりも小さくなるように駆動パッド側端部６３ｂが駆動パッド２１に接続されてもよい。

　・半導体素子４０のサイズは任意に変更可能である。一例では、図８に示すように、半導体素子４０のサイズを第１実施形態の半導体素子４０のサイズよりも大きくしてもよい。図８では、半導体素子４０の縦方向Ｘのサイズ及び横方向Ｙのサイズのそれぞれが第１実施形態の半導体素子４０のサイズよりも大きい。また、半導体素子４０のサイズが大きくなることに伴い表面４０ａに形成された主面側駆動電極４１及び開口部４５の大きさをそれぞれ縦方向Ｘ及び横方向Ｙのそれぞれに大きくすることができる。図８では、開口部４５の横方向Ｙの大きさは、駆動パッド２１の横方向Ｙの大きさよりも大きい。

　半導体素子４０は、内側本体部１２の中央部に配置されている。具体的には、平面視において、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第１フランジ部１９ａの第２封止樹脂側面５２側の端縁との間の第１距離Ｄ１と、半導体素子４０と内側本体部１２の幅狭部１４との間の第２距離Ｄ２と、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第２フランジ部１９ｂの第３封止樹脂側面５３側の端縁との間の第３距離Ｄ３と、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第３フランジ部１９ｃの第４封止樹脂側面５４側の端縁との間の第４距離Ｄ４とが互いに等しい。ここで、第１距離Ｄ１、第２距離Ｄ２、第３距離Ｄ３、及び第４距離Ｄ４の最大のずれ量が例えば第１距離Ｄ１の５％以内であれば、第１距離Ｄ１、第２距離Ｄ２、第３距離Ｄ３、及び第４距離Ｄ４が互いに等しいと言える。

　半導体装置１は、第１実施形態と同様に、複数の駆動ワイヤ６０として第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２を有する。第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、第１実施形態の駆動電極側端部６１ａと同様に、主面側駆動電極４１の露出領域４６の第１露出端部４６ａに接続されている。第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂは、第１実施形態の駆動パッド側端部６１ｂと同様に、駆動パッド２１の第１端部２１ａに接続されている。第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、第１実施形態の駆動電極側端部６２ａと同様に、主面側駆動電極４１の露出領域４６の第２露出端部４６ｂに接続されている。第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂは、第１実施形態の駆動パッド側端部６２ｂと同様に、駆動パッド２１の第２端部２１ｂに接続されている。また第１実施形態と同様に、縦方向Ｘにおいて、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとは互いに揃った状態で横方向Ｙに配列されている。駆動パッド側端部６１ｂ及び駆動パッド側端部６２ｂはそれぞれ、縦方向Ｘにおいて駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。

　平面視において、駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２は、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ１よりも小さい。図８では、駆動電極側端部６１ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１と駆動パッド側端部６１ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ２との横方向Ｙの間の距離ＤＹ１は、駆動電極側端部６２ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ３と駆動パッド側端部６２ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ４との横方向Ｙの間の距離ＤＹ２よりも大きい。また、平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が近づくように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。また、平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に狭くなっている。

　この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離を大きくすることができるため、主面側駆動電極４１（ソース電極）から駆動リード２０の駆動端子２２（ソース端子）までの間のインダクタンスを低減できる。

　なお、距離ＤＷ１と距離ＤＷ２との関係は任意に変更可能である。一例では、距離ＤＷ１は、距離ＤＷ２と等しくてもよい。この場合、平面視において、第１駆動ワイヤ６１は、第２駆動ワイヤ６２と平行となる。

　・図８の変更例において、駆動ワイヤ６０の数は、２本に限られず、任意に変更可能である。一例では、図９に示すように、複数の駆動ワイヤ６０として第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、及び第３駆動ワイヤ６３の３本の駆動ワイヤから構成されてもよい。第３駆動ワイヤ６３は、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間に配置されている。この場合、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２が、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離間している組み合わせを構成している。第３駆動ワイヤ６３は、駆動電極側端部６３ａ及び駆動パッド側端部６３ｂを有する。駆動電極側端部６３ａと第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ４と、駆動電極側端部６３ａと第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ５とは互いに等しい。ここで、距離ＤＷ４と距離ＤＷ５とのずれ量が例えば距離ＤＷ４の５％以内であれば、距離ＤＷ４と距離ＤＷ５とが互いに等しいと言える。

　また図９では、図７の半導体装置１と同様に、縦方向Ｘにおいて第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａ、第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａ、及び第３駆動ワイヤ６３の駆動電極側端部６３ａは互いに揃った状態で配列されている。

　第３駆動ワイヤ６３の駆動パッド側端部６３ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に配置されている。第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ６は、距離ＤＷ４よりも小さい。第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ７は、距離ＤＷ５と等しい。ここで、距離ＤＷ７と距離ＤＷ５とのずれ量が例えば距離ＤＷ７の５％以内であれば、距離ＤＷ７が距離ＤＷ５と等しいと言える。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第３駆動ワイヤ６３は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が近づくように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第３駆動ワイヤ６３との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に狭くなっている。第３駆動ワイヤ６３は、第２駆動ワイヤ６２と平行となる。

　・半導体素子４０の内側本体部１２に対する配置位置は任意に変更可能である。第１例では、図１０に示すように、半導体素子４０を内側本体部１２のうちの第２封止樹脂側面５２寄りの部分に配置してもよい。詳細には、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第１フランジ部１９ａの第２封止樹脂側面５２側の端縁との間の第１距離Ｄ１が半導体素子４０と内側本体部１２の幅狭部１４との間の第２距離Ｄ２よりも小さくなる。

　横方向Ｙにおいて、半導体素子４０は、内側本体部１２の中央部に配置されている。具体的には、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第２フランジ部１９ｂの第３封止樹脂側面５３側の端縁との間の第３距離Ｄ３と、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第３フランジ部１９ｃの第４封止樹脂側面５４側の端縁との間の第４距離Ｄ４とが互いに等しい。ここで、第３距離Ｄ３と第４距離Ｄ４とのずれ量が例えば第３距離Ｄ３の５％以内であれば、第３距離Ｄ３と第４距離Ｄ４とが互いに等しいと言える。

　このような構成によれば、半導体素子４０の開口部４５と駆動パッド２１との間の距離が小さくなることによって、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２をそれぞれ短くできる。したがって、主面側駆動電極４１（ソース電極）から駆動リード２０の駆動端子２２（ソース端子）までの間のインダクタンスをより低減できる。

　第２例では、図１１に示すように、半導体素子４０を内側本体部１２のうちの第２封止樹脂側面５２寄りかつ第４封止樹脂側面５４寄りの部分に配置してもよい。詳細には、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第１フランジ部１９ａの第２封止樹脂側面５２側の端縁との間の第１距離Ｄ１が半導体素子４０と内側本体部１２の幅狭部１４との間の第２距離Ｄ２よりも小さい。また、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第２フランジ部１９ｂの第３封止樹脂側面５３側の端縁との間の第３距離Ｄ３が半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第３フランジ部１９ｃの第４封止樹脂側面５４側の端縁との間の第４距離Ｄ４よりも大きい。

　このような構成によれば、半導体素子４０の開口部４５と駆動パッド２１との間の距離がさらに小さくなることによって、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２をそれぞれさらに短くできる。したがって、主面側駆動電極４１（ソース電極）から駆動リード２０の駆動端子２２（ソース端子）までの間のインダクタンスをより一層低減できる。

　・第１実施形態の半導体装置１の基板１０からリード部１６を省略してもよい。この場合、横方向Ｙにおいて、駆動パッド２１と制御パッド３１とが隣り合っている。また、リード部１６を省略した分、駆動パッド２１の横方向Ｙの大きさを大きくしてもよい。この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２を大きく取ることができるため、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを低減できる。

　（第２実施形態）
　図１２～図２１を参照して、半導体装置１の第２実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置１は、第１実施形態の半導体装置１と比較して、基板１０、駆動リード２０、制御リード３０、及び封止樹脂５０の形状がそれぞれ異なる点、並びに、センスリード８０が追加された点が異なる。本実施形態では、便宜上、第１実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。

　図１２に示すように、本実施形態の半導体装置１は、パッケージ外形規格（ＪＥＩＴＡ規格）がＴＯ－２６３のパッケージである。詳細には、半導体装置１の縦寸法Ｌ１が１４．７ｍｍ～１５．５ｍｍ、横寸法Ｌ２が１０．０６ｍｍ～１０．２６ｍｍ、厚さ寸法Ｌ３が４．４０ｍｍ～４．７０ｍｍである。また、半導体装置１は、ＳＩＰタイプである。このように、本実施形態の半導体装置１のサイズは、第１実施形態の半導体装置１のサイズよりも大きい。

　図１２に示すとおり、封止樹脂５０の形状は、直方体である。封止樹脂５０は、モールド成形によって形成されている。封止樹脂５０の各側面５１～５４は、封止樹脂５０の成形時に金型を抜き易くするような抜き勾配を設けるため、厚さ方向Ｚに対して傾斜する傾斜面が設けられている。具体的には、各側面５１～５４は、金型の上型を抜き易くするような抜き勾配を設けた第１傾斜面と、金型の下型を抜き易くするような抜き勾配を設けた第２傾斜面とを有する。金型の上型は、封止樹脂天面５６と各側面５１～５４のうちの封止樹脂天面５６側の部分を形成する。下型は、封止樹脂裏面５５と各側面５１～５４のうちの封止樹脂裏面５５側の部分を形成する。第１封止樹脂側面５１と封止樹脂天面５６との間には、抜き勾配よりも傾斜角度が大きい傾斜面５７が形成されている。

　封止樹脂５０の横方向Ｙの両端部には、凹部５８が形成されている。封止樹脂５０の第３封止樹脂側面５３側の凹部５８は、第３封止樹脂側面５３から横方向Ｙに湾曲状に凹んでいる。封止樹脂５０の第４封止樹脂側面５４側の凹部５８は、第４封止樹脂側面５４から横方向Ｙに湾曲状に凹んでいる。凹部５８は、封止樹脂天面５６から基板１０の主面１０ａまでにわたり形成されている。すなわち、凹部５８によって、基板１０の主面１０ａの一部が露出している。凹部５８は、封止樹脂５０の縦方向Ｘの中心よりも第２封止樹脂側面５２寄りに設けられている。

　図１３は、半導体装置１を厚さ方向Ｚの封止樹脂天面５６からみた図である。図１３では、便宜上、封止樹脂５０を二点鎖線で示し、封止樹脂５０内の部品を実線で示している。図１３に示すとおり、平面視において、封止樹脂５０の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。

　図１２及び図１３に示すように、基板１０は、封止樹脂５０内に配置された内側本体部１２と、封止樹脂５０から突出した突出部１３とに区分できる。内側本体部１２及び突出部１３は、縦方向Ｘに隣り合っている。基板１０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）によって形成されている。

　内側本体部１２において突出部１３側の端部には、第１幅広部１２ｆが形成されている。第１幅広部１２ｆの横方向Ｙの大きさは、内側本体部１２のうちの第１幅広部１２ｆ以外の部分の横方向Ｙの大きさよりも大きい。第１幅広部１２ｆは、封止樹脂５０の第１封止樹脂側面５１と縦方向Ｘに隣り合うように設けられている。

　内側本体部１２において第２封止樹脂側面５２側の端部には、第２幅広部１２ｇが形成されている。第２幅広部１２ｇの横方向Ｙの大きさは、内側本体部１２のうちの第１幅広部１２ｆ以外の部分の横方向Ｙの大きさよりも大きい。また第２幅広部１２ｇの横方向Ｙの大きさは、第１幅広部１２ｆの横方向Ｙの大きさよりも小さい。

　突出部１３は、第１封止樹脂側面５１から縦方向Ｘに突出している。本実施形態では、突出部１３の横方向Ｙの大きさは、内側本体部１２の第１幅広部１２ｆの横方向Ｙの大きさと等しい。なお、突出部１３の横方向Ｙの大きさは任意に変更可能である。一例では、突出部１３の横方向Ｙの大きさは、内側本体部１２の第１幅広部１２ｆの横方向Ｙの大きさよりも小さくてもよい。

　内側本体部１２には、内側本体部１２の本体側面から突出する複数のフランジ部１９が設けられている。本実施形態では、内側本体部１２及び複数のフランジ部１９は一体化された単一部品である。

　複数のフランジ部１９は、第１フランジ部１９ａ、第２フランジ部１９ｂ、及び第３フランジ部１９ｃを含む。第１フランジ部１９ａは、内側本体部１２の第１側面１２ｃから第２封止樹脂側面５２に向けて突出している。第１フランジ部１９ａは、第２幅広部１２ｇの一部を構成している。第２フランジ部１９ｂは、内側本体部１２の第２側面１２ｄから第３封止樹脂側面５３に向けて突出している。第２フランジ部１９ｂの一部は、第２幅広部１２ｇの一部を構成している。第３フランジ部１９ｃは、内側本体部１２の第３側面１２ｅから第４封止樹脂側面５４に向けて突出している。第３フランジ部１９ｃは、第２幅広部１２ｇの一部を構成している。

　第１フランジ部１９ａ、第２フランジ部１９ｂ、及び第３フランジ部１９ｃはそれぞれ、内側本体部１２の主面１２ａと面一となるように設けられている。このため、基板１０の主面１０ａは、内側本体部１２の主面１２ａと、第１フランジ部１９ａ、第２フランジ部１９ｂ、及び第３フランジ部１９ｃとによって構成されている。また、第１フランジ部１９ａ、第２フランジ部１９ｂ、及び第３フランジ部１９ｃはそれぞれ、内側本体部１２の裏面１２ｂ（図１３参照）よりも主面１２ａ側となるように設けられている。このため、基板１０の裏面１０ｂ（図１３参照）は、内側本体部１２の裏面１２ｂによって構成されている。このような各フランジ部１９ａ～１９ｃの構成によれば、基板１０と封止樹脂５０との分離を抑制できる。

　図１４に示すように、基板１０の裏面１０ｂ（内側本体部１２の裏面１２ｂ）は、封止樹脂裏面５５から露出している。具体的には、内側本体部１２のうちの第１幅広部１２ｆの一部及び第２幅広部１２ｇ以外の部分の裏面１２ｂが封止樹脂裏面５５から露出している。これにより、基板１０の放熱性を向上できる。また、基板１０の裏面１０ｂと封止樹脂５０の封止樹脂裏面５５とは面一である。

　図１３に示すように、平面視において、基板１０よりも封止樹脂５０の第２封止樹脂側面５２側には、駆動リード２０、制御リード３０、及びセンスリード８０が配置されている。本実施形態では、平面視において、駆動リード２０、制御リード３０、及びセンスリード８０のそれぞれの第１封止樹脂側面５１側の端縁は、内側本体部１２の第２封止樹脂側面５２側の端縁と重なっている。駆動リード２０、制御リード３０、及びセンスリード８０は、横方向Ｙにおいて互いに離間して配置されている。駆動リード２０と制御リード３０との横方向Ｙの間には、センスリード８０が配置されている。

　駆動リード２０は、駆動パッド２１、複数の駆動端子２２、及び駆動パッド２１と複数の駆動端子２２とを接続する複数の連結部２３を有する。
　平面視における駆動パッド２１の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる略矩形状である。駆動パッド２１の第１端部２１ａは、内側本体部１２の横方向Ｙの中央部よりも第３封止樹脂側面５３側に位置している。縦方向Ｘからみて、駆動パッド２１の第２端部２１ｂは、内側本体部１２のうちの第４封止樹脂側面５４側の端部と重なるように設けられている。このように、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさは、横方向Ｙにおける内側本体部１２の大きさの１／２よりも大きい。図１２に示すように、駆動パッド２１は、厚さ方向Ｚにおいて、基板１０の主面１０ａよりも封止樹脂天面５６側に位置している。また駆動パッド２１は、厚さ方向Ｚにおいて、半導体素子４０よりも封止樹脂天面５６側に位置している。

　図１３に示すように、本実施形態では、複数の駆動端子２２は、駆動端子２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅの５つの駆動端子を含む。複数の連結部２３は、連結部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ，２３ｅの５つの連結部を含む。駆動端子２２ａ～２２ｅは、横方向Ｙに互いに離間して配置されている。駆動端子２２ａ～２２ｅは、駆動パッド２１の第１端部２１ａから第２端部２１ｂに向けて、駆動端子２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅの順に配置されている。連結部２３ａ～２３ｅは、横方向Ｙに互いに離間して配置されている。連結部２３ａは駆動パッド２１と駆動端子２２ａとを連結し、連結部２３ｂは駆動パッド２１と駆動端子２２ｂとを連結し、連結部２３ｃは駆動パッド２１と駆動端子２２ｃとを連結し、連結部２３ｄは駆動パッド２１と駆動端子２２ｄとを連結し、連結部２３ｅは駆動パッド２１と駆動端子２２ｅとを連結している。

　図１３に示すとおり、駆動端子２２ａ～２２ｅ、制御端子３２、及び後述するセンス端子８２が等ピッチとなる。駆動端子２２ａは、駆動パッド２１の第１端部２１ａよりも第３封止樹脂側面５３側の部分を含むように配置されている。駆動端子２２ａは、内側本体部１２の横方向Ｙの中央部よりも第３封止樹脂側面５３側に配置されている。

　駆動端子２２ｂは、内側本体部１２の横方向Ｙの中央部と同じ位置となるように配置されている。具体的には、駆動端子２２ｂの横方向Ｙの中央部において縦方向Ｘに沿う仮想線ＬＶ１が内側本体部１２の横方向Ｙの中央部において縦方向Ｘに沿う仮想線ＬＶ２と一致している。駆動端子２２ｃ～２２ｅは、内側本体部１２の横方向Ｙの中央部よりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。本実施形態では、駆動端子２２ｄ，２２ｅは、半導体素子４０よりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。駆動端子２２ａ，２２ｃ～２２ｅは、互いに同一形状である。駆動端子２２ｂは、駆動端子２２ａ，２２ｃ～２２ｅよりも短い。

　制御リード３０は、縦方向Ｘからみて、内側本体部１２のうちの第３封止樹脂側面５３側の端部と重なるように配置されている。制御リード３０は、半導体素子４０よりも第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。

　図１２に示すように、制御パッド３１は、厚さ方向Ｚにおいて、基板１０の主面１０ａよりも封止樹脂天面５６側に位置している。また制御パッド３１は、厚さ方向Ｚにおいて、半導体素子４０よりも封止樹脂天面５６側に位置している。図１３に示すように、平面視における制御パッド３１の形状は、縦方向Ｘが長辺方向となり、横方向Ｙが短辺方向となる略矩形状である。横方向Ｙにおける制御パッド３１の大きさは、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさよりも小さい。このため、駆動パッド２１の横方向Ｙの大きさを大きくすることができる。制御リード３０の制御端子３２は、ゲート端子を構成している。制御端子３２は、駆動端子２２ａ，２２ｃ～２２ｅと同一形状である。

　センスリード８０は、本実施形態では制御電極４３（ゲート電極）と主面側駆動電極４１（ソース電極）とを電気的に接続するためのリードである。平面視において、センスリード８０は、半導体素子４０よりも第３封止樹脂側面５３側に配置されている。センスリード８０は、センスパッド８１、センス端子８２、及び、センスパッド８１とセンス端子８２とを連結する連結部８３を有する。

　センスパッド８１は、縦方向Ｘにおいて半導体素子４０に離間して配置されている。センスパッド８１は、縦方向Ｘにおいて基板１０と第２封止樹脂側面５２との間に配置されている。センスパッド８１は、横方向Ｙにおいて、駆動パッド２１と制御パッド３１との間に配置されている。平面視におけるセンスパッド８１の形状は、縦方向Ｘが長辺方向となり、横方向Ｙが短辺方向となる略矩形状である。横方向Ｙにおけるセンスパッド８１の大きさは、横方向Ｙにおける制御パッド３１の大きさと等しい。すなわち横方向Ｙにおけるセンスパッド８１の大きさは、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさよりも小さい。このため、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさを大きくすることができる。図１２に示すように、センスパッド８１は、厚さ方向Ｚにおいて、基板１０の主面１０ａよりも封止樹脂天面５６側に位置している。またセンスパッド８１は、厚さ方向Ｚにおいて、半導体素子４０よりも封止樹脂天面５６側に位置している。なお、横方向Ｙにおけるセンスパッド８１の大きさ、及び横方向Ｙにおける制御パッド３１の大きさはそれぞれ、任意に変更可能である。一例では、横方向Ｙにおけるセンスパッド８１の大きさが横方向Ｙにおける制御パッド３１の大きさよりも小さくてもよい。

　図１３に示すように、連結部８３は、縦方向Ｘにおいてセンスパッド８１のうちの第２封止樹脂側面５２側の端部から連続している。連結部８３は、横方向Ｙにおいてセンスパッド８１のうちの第３封止樹脂側面５３側の端部に位置している。センス端子８２は、第２封止樹脂側面５２から突出している。センス端子８２は、駆動端子２２ａ，２２ｃ～２２ｅ及び制御端子３２と同一形状である。

　半導体素子４０は、第１実施形態と同様に、ＳｉＣＭＯＳＦＥＴが用いられている。また半導体素子４０は、第１実施形態と同様に、１ｋＨｚ以上かつ数百ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチングが可能な素子である。好ましくは、半導体素子４０は、１ｋＨｚ以上かつ１００ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチングが可能な素子である。本実施形態では、半導体素子４０は、１００ｋＨｚの周波数の駆動信号に応じて高速スイッチングを行う。半導体素子４０の形状及びサイズは、第１実施形態の半導体素子４０の形状及びサイズと同様である。

　半導体素子４０は、縦方向Ｘにおいて、内側本体部１２に対して第２封止樹脂側面５２寄りに配置されている。具体的には、平面視において、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第１フランジ部１９ａの第２封止樹脂側面５２側の端縁との縦方向Ｘの間の第１距離Ｄ１が半導体素子４０と内側本体部１２の第１幅広部１２ｆとの縦方向Ｘの間の第２距離Ｄ２よりも小さい。

　半導体素子４０は、横方向Ｙにおいて、内側本体部１２の中央部に配置されている。具体的には、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第２フランジ部１９ｂの第３封止樹脂側面５３側の端縁との横方向Ｙの間の第３距離Ｄ３と、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第３フランジ部１９ｃの第４封止樹脂側面５４側の端縁との横方向Ｙの間の第４距離Ｄ４とが互いに等しい。ここで、第３距離Ｄ３と第４距離Ｄ４とのずれ量が例えば第３距離Ｄ３の５％以内であれば、第３距離Ｄ３及び第４距離Ｄ４が互いに等しいと言える。

　半導体装置１は、複数の駆動ワイヤ６０と、制御ワイヤ７０と、センスワイヤ９０とを備える。本実施形態では、複数の駆動ワイヤ６０は、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の２本の駆動ワイヤから構成されている。すなわち、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成している。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、横方向Ｙに離間して配列されている。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの横方向Ｙの両端にある駆動ワイヤである。制御ワイヤ７０と、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、横方向Ｙに離間して配列されている。第１駆動ワイヤ６１は、第２駆動ワイヤ６２に対して制御ワイヤ７０側に配置されている。

　第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、同一の金属からなる。本実施形態では、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、アルミニウムを含む。第１駆動ワイヤ６１の線径は、第２駆動ワイヤ６２の線径と等しい。ここで、第１駆動ワイヤ６１の線径と第２駆動ワイヤ６２の線径とのずれ量が例えば第１駆動ワイヤ６１の線径の５％以内であれば、第１駆動ワイヤ６１の線径が第２駆動ワイヤ６２の線径と等しいと言える。本実施形態では、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径は、制御ワイヤ７０の線径と等しい。ここで、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径と制御ワイヤ７０の線径とのずれ量が例えば制御ワイヤ７０の線径の５％以内であれば、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径が制御ワイヤ７０の線径と等しいと言える。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２はそれぞれ、例えばワイヤボンディングによって主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１側に向かうにつれて広がっている。以下、このような第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の構成について詳細に説明する。

　図１５に示すように、平面視において、第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２は、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ１よりも大きい。本実施形態では、駆動パッド側端部６１ｂは、横方向Ｙにおいて駆動電極側端部６１ａよりも第３封止樹脂側面５３側に配置されている。駆動パッド側端部６２ｂは、横方向Ｙにおいて駆動電極側端部６２ａよりも第４封止樹脂側面５４側に配置されている。このように、平面視において、第１駆動ワイヤ６１の縦方向Ｘに対する傾斜方向と、第２駆動ワイヤ６２の縦方向Ｘに対する傾斜方向とは逆になる。

　駆動電極側端部６１ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１と、駆動パッド側端部６１ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ２との横方向Ｙの間の距離を距離ＤＹ１とし、駆動電極側端部６２ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ３と、駆動パッド側端部６２ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ４との横方向Ｙの間の距離を距離ＤＹ２とする。この場合、距離ＤＹ２は、距離ＤＹ１よりも大きい。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、主面側駆動電極４１の露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第１露出端部４６ａ側に接続されている。本実施形態では、横方向Ｙにおいて主面側駆動電極４１の露出領域４６の第１露出端部４６ａよりも露出領域４６の中央部側に接続されている。換言すれば、駆動電極側端部６１ａは、露出領域４６のうちの制御電極４３から離間した部分、すなわち主面側駆動電極４１の凹部４１ａの底部から離間した部分に接続されている。また、駆動電極側端部６１ａは、縦方向Ｘからみて、駆動リード２０の連結部２３ｂと重なっている。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の横方向Ｙの中央部よりも第１端部２１ａ側に接続されている。本実施形態では、駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の第１端部２１ａに接続されている。駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１のうちの横方向Ｙにおいて連結部２３ｂよりも第３封止樹脂側面５３側の部分に接続されている。本実施形態では、駆動パッド側端部６１ｂは、縦方向Ｘからみて、駆動リード２０の連結部２３ａと重なっている。駆動パッド側端部６１ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。

　なお、駆動パッド側端部６１ｂは、横方向Ｙにおいて、駆動パッド２１の第１端部２１ａとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第３封止樹脂側面５３側の限界位置となるように第１端部２１ａに接続されてもよい。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、主面側駆動電極４１の露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第２露出端部４６ｂ側に接続されている。本実施形態では、駆動電極側端部６２ａは、露出領域４６の第２露出端部４６ｂに接続されている。本実施形態では、駆動電極側端部６２ａは、縦方向Ｘからみて、連結部２３ｂと連結部２３ｃとの横方向Ｙの間の部分と重なっている。一例では、駆動電極側端部６２ａは、横方向Ｙにおいて露出領域４６の第２露出端部４６ｂとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４側面４０ｆ側の限界位置となるように駆動電極側端部６２ａの露出領域４６に対する位置が設定されている。縦方向Ｘにおいて、駆動電極側端部６２ａは、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと揃った状態となるように配置されている。なお、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６２ａと駆動電極側端部６１ａとが揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動電極側端部６１ａ，６２ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、両駆動電極側端部６１ａ，６２ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、両駆動電極側端部６１ａ，６２ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の横方向Ｙの中央部よりも第２端部２１ｂ側に接続されている。本実施形態では、駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂに接続されている。駆動パッド側端部６２ｂは、半導体素子４０よりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。本実施形態では、駆動パッド側端部６２ｂは、縦方向Ｘからみて、連結部２３ｅと重なっている。なお、駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４封止樹脂側面５４側の限界位置となるように駆動パッド２１に対する位置が設定されてもよい。駆動パッド側端部６２ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。

　制御ワイヤ７０は、半導体素子４０の制御電極４３と制御パッド３１とを接続している。制御ワイヤ７０は、例えばワイヤボンディングによって制御電極４３と制御パッド３１とに接続されている。第１実施形態と同様に、制御ワイヤ７０は、複数の駆動ワイヤ６０と同一の材料が用いられている。制御ワイヤ７０の線径は、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径と等しい。ここで、制御ワイヤ７０の線径と第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径とのずれ量が例えば制御ワイヤ７０の線径の５％以内であれば、制御ワイヤ７０の線径と第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径とが等しいと言える。

　制御ワイヤ７０は、制御電極側端部７１と制御パッド側端部７２とを有する。制御電極側端部７１と第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ３は、距離ＤＷ１よりも小さい。制御電極側端部７１から縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ５と、制御パッド側端部７２から縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ６との間の距離ＤＹ３は、距離ＤＹ１よりも大きく、距離ＤＹ２よりも僅かに小さい。なお、距離ＤＹ３は任意に変更可能である。一例では、距離ＤＹ３は、距離ＤＹ２以上であってもよい。

　センスワイヤ９０は、半導体素子４０の主面側駆動電極４１とセンスパッド８１とを接続している。センスワイヤ９０は、例えばワイヤボンディングによって主面側駆動電極４１とセンスパッド８１とに接続されている。センスワイヤ９０は、第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、及び制御ワイヤ７０と同一の材料が用いられている。センスワイヤ９０の線径は、例えば制御ワイヤ７０の線径と等しい。ここで、センスワイヤ９０の線径と制御ワイヤ７０の線径のずれ量が例えばセンスワイヤ９０の線径の５％以内であれば、センスワイヤ９０の線径と制御ワイヤ７０の線径とが互いに等しいと言える。

　センスワイヤ９０は、駆動電極側端部９１とセンスパッド側端部９２とを有する。駆動電極側端部９１は、センスワイヤ９０のうちの主面側駆動電極４１に接続される端部である。センスパッド側端部９２は、センスワイヤ９０のうちのセンスパッド８１に接続される端部である。センスパッド側端部９２は、横方向Ｙにおいて駆動電極側端部９１よりも第３封止樹脂側面５３側に配置されている。

　駆動電極側端部９１は、主面側駆動電極４１のうちの第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと制御電極４３との横方向Ｙの間の部分に接続されている。駆動電極側端部９１と第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ８は、駆動電極側端部９１と制御ワイヤ７０の制御電極側端部７１との間の距離ＤＷ９よりも小さい。

　駆動電極側端部９１から縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ７と、センスパッド側端部９２から縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ８との間の距離ＤＹ４は、距離ＤＹ１よりも大きく、距離ＤＹ２よりも小さい。また距離ＤＹ４は、距離ＤＹ３よりも小さい。

　本実施形態の半導体装置１によれば、第１実施形態の（１－１）～（１－７）の効果と同様の効果に加え、以下の効果が得られる。
　（２－１）半導体装置１は、半導体素子４０の主面側駆動電極４１（ソース電極）と、制御電極４３（ゲート電極）とを電気的に接続するためのセンスリード８０及びセンスワイヤ９０を備える。この構成によれば、主面側駆動電極４１の電圧が変動しても、制御電極４３の電圧が追従して変動するため、半導体素子４０のソース－ゲート間の電圧の変動が抑制される。したがって、半導体素子４０のしきい値電圧の変動を抑制できる。

　（２－２）半導体素子４０が基板１０の内側本体部１２に対して第２封止樹脂側面５２寄りに位置している。この構成によれば、半導体素子４０の開口部４５と駆動パッド２１との間の距離を短くすることができるため、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の長さをそれぞれ短くすることができる。したがって、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを低減できる。

　（２－３）横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさは、横方向Ｙにおける半導体素子４０の大きさよりも大きい。この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離を一層大きく取ることができる。したがって、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを一層低減できる。

　（２－４）駆動パッド２１の横方向Ｙの大きさは、基板１０の内側本体部１２の１／２よりも大きい。この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２を大きく取ることができる。したがって、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを低減できる。

　（２－５）縦方向Ｘからみて、半導体素子４０の開口部４５の全てが駆動パッド２１と重なるように、半導体素子４０及び駆動パッド２１が配置されている。この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１の長さを短くすることができるとともに、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離を大きく取ることができる。したがって、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを低減できる。

　（２－６）複数の駆動ワイヤ６０、制御ワイヤ７０、及びセンスワイヤ９０は、同一の材料が用いられている。また複数の駆動ワイヤ６０、制御ワイヤ７０、及びセンスワイヤ９０の線径は互いに等しい。この構成によれば、複数の駆動ワイヤ６０の主面側駆動電極４１及び駆動パッド２１への接続作業、制御ワイヤ７０の制御電極４３及び制御パッド３１への接続作業、及びセンスワイヤ９０の主面側駆動電極４１及びセンスパッド８１への接続作業を同一のワイヤにて実施できるため、それらの作業工程を簡素化できる。

　（第２実施形態の変更例）
　第２実施形態の半導体装置１は例えば以下のように変更できる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、組み合せることができる。なお、以下の変更例において、第２実施形態と共通する部分については、第２実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

　・駆動ワイヤ６０の数は、２本に限られず、任意に変更可能である。一例では、図１６に示すように、複数の駆動ワイヤ６０として第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、及び第３駆動ワイヤ６３の３本の駆動ワイヤから構成されてもよい。第３駆動ワイヤ６３は、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間に配置されている。この場合、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成している。

　すなわち、駆動ワイヤの数が３本以上である場合、最も離間している組み合わせとは、最も離れた位置にある２つの駆動ワイヤである。例えば、３本以上の駆動ワイヤが横方向Ｙに配列されている場合には、最も離間している組み合わせとは、横方向Ｙの両端にある駆動ワイヤの組み合わせである。

　第３駆動ワイヤ６３は、駆動電極側端部６３ａ及び駆動パッド側端部６３ｂを有する。駆動電極側端部６３ａは、第３駆動ワイヤ６３のうちの主面側駆動電極４１に接続される端部である。駆動パッド側端部６３ｂは、第３駆動ワイヤ６３のうちの駆動パッド２１に接続される端部である。図１６では、駆動電極側端部６３ａは、縦方向Ｘからみて、駆動リード２０の連結部２３ｂと重なっている。駆動パッド側端部６３ｂは、縦方向Ｘからみて、駆動リード２０の連結部２３ｃと重なっている。すなわち、駆動パッド側端部６３ｂは、駆動電極側端部６３ａよりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。

　図１６では、駆動電極側端部６３ａと第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ４は、駆動電極側端部６３ａと第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ５よりも小さい。距離ＤＷ４及び距離ＤＷ５は、駆動電極側端部９１と第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ８よりも大きい。なお、駆動電極側端部６３ａの横方向Ｙの位置は任意に変更可能である。一例では、距離ＤＷ４及び距離ＤＷ５が互いに等しくなるように駆動電極側端部６３ａが主面側駆動電極４１に接続されてもよい。

　また図１６では、縦方向Ｘにおいて第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａ、第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａ、及び第３駆動ワイヤ６３の駆動電極側端部６３ａは互いに揃った状態で配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが互いに揃った状態とは、縦方向Ｘにおける駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　第３駆動ワイヤ６３の駆動パッド側端部６３ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ６は、距離ＤＷ４よりも大きい。第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ７は、距離ＤＷ５よりも大きい。図１６では、距離ＤＷ７は、距離ＤＷ６よりも大きい。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第３駆動ワイヤ６３は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第３駆動ワイヤ６３との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。

　・半導体素子４０のサイズは任意に変更可能である。第１例では、図１７に示すように、半導体素子４０のサイズを第２実施形態の半導体素子４０のサイズよりも大きくしてもよい。第２例では、図１９に示すように、半導体素子４０のサイズを図１７の半導体素子４０のサイズよりも大きくしてもよい。

　図１７に示す第１例では、半導体素子４０の縦方向Ｘのサイズ及び横方向Ｙのサイズのそれぞれが第２実施形態の半導体素子４０のサイズよりも大きい。また、半導体素子４０のサイズが大きくなることに伴い表面４０ａに形成された開口部４５の大きさを縦方向Ｘ及び横方向Ｙのそれぞれに大きくすることができる。図１７では、開口部４５の横方向Ｙの大きさは、駆動パッド２１の横方向Ｙの大きさよりも小さい。駆動パッド２１の横方向Ｙの大きさは、半導体素子４０の横方向Ｙの大きさよりも大きい。開口部４５は、縦方向Ｘからみて、駆動パッド２１の第１端部２１ａと重なっている。より詳細には、開口部４５のうちの第３側面４０ｅ側の端縁は、駆動パッド２１よりも第３封止樹脂側面５３側に位置している。また開口部４５は、縦方向Ｘからみて、駆動リード２０の連結部２３ｃと重なっている。

　また図１７では、半導体素子４０の第３側面４０ｅは、縦方向Ｘからみて、センスリード８０のうちの第４封止樹脂側面５４側の端部と重なっている。半導体素子４０の第４側面４０ｆは、縦方向Ｘからみて、駆動パッド２１のうちの連結部２３ｃと連結部２３ｄとの横方向Ｙの間の部分と重なっている。

　半導体装置１は、第２実施形態と同様に、複数の駆動ワイヤ６０として第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２を有する。第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、第２実施形態の駆動電極側端部６１ａと同様に、主面側駆動電極４１のうちの横方向Ｙにおいて制御電極４３と離間した部分に接続されている。第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂは、第２実施形態の駆動パッド側端部６１ｂと同様に、駆動パッド２１の第１端部２１ａに接続されている。第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、第２実施形態の駆動電極側端部６２ａと同様に、横方向Ｙにおいて開口部４５のうちの半導体素子４０の第４側面４０ｆ側の端部に接続されている。第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂは、第２実施形態の駆動パッド側端部６２ｂと同様に、駆動パッド２１の第２端部２１ｂに接続されている。縦方向Ｘにおいて、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとは互いに揃った状態で横方向Ｙに配列されている。駆動パッド側端部６１ｂ及び駆動パッド側端部６２ｂはそれぞれ、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。

　図１７では、駆動電極側端部６１ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１と駆動パッド側端部６１ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ２との横方向Ｙの間の距離ＤＹ１は、駆動電極側端部６２ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ３と駆動パッド側端部６２ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ４との横方向Ｙの間の距離ＤＹ２よりも小さい。平面視において、駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２は、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ１よりも大きい。このように、平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広くなっている。

　この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離を大きくすることができるため、主面側駆動電極４１（ソース電極）から駆動リード２０の駆動端子２２（ソース端子）までの間のインダクタンスを低減できる。

　・図１７の変更例において、駆動ワイヤ６０の数は、２本に限られず、任意に変更可能である。一例では、図１８に示すように、複数の駆動ワイヤ６０として第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、及び第３駆動ワイヤ６３の３本の駆動ワイヤから構成されてもよい。第３駆動ワイヤ６３は、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間に配置されている。この場合、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成している。第３駆動ワイヤ６３は、駆動電極側端部６３ａ及び駆動パッド側端部６３ｂを有する。駆動電極側端部６３ａと第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ４は、駆動電極側端部６３ａと第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ５よりも大きい。なお、主面側駆動電極４１に対する駆動電極側端部６３ａの配置位置は任意に変更可能である。一例では、距離ＤＷ４と距離ＤＷ５とが互いに等しくなるように、駆動電極側端部６３ａが主面側駆動電極４１に接続されてもよい。

　また図１８では、縦方向Ｘにおいて第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａ、第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａ、及び第３駆動ワイヤ６３の駆動電極側端部６３ａは互いに揃った状態で配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが互いに揃った状態とは、縦方向Ｘにおける駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　第３駆動ワイヤ６３の駆動パッド側端部６３ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に配置されている。第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ６は、距離ＤＷ４よりも大きい。第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ７は、距離ＤＷ５よりも大きい。図１８では、距離ＤＷ７は、距離ＤＷ６よりも大きい。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第３駆動ワイヤ６３は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第３駆動ワイヤ６３との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広くなっている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広くなっている。

　なお、平面視において、第３駆動ワイヤ６３の縦方向Ｘに対する傾斜角度は任意に変更可能である。一例では、平面視において、第３駆動ワイヤ６３の縦方向Ｘに対する傾斜角度は第１駆動ワイヤ６１の縦方向Ｘに対する傾斜角度又は第２駆動ワイヤ６２の縦方向Ｘに対する傾斜角度と等しくてもよい。

　図１９に示す第２例では、平面視における半導体素子４０の形状は、正方形である。半導体素子４０の表面４０ａに形成された主面側駆動電極４１（ソース電極）の平面視における形状は、略正方形である。半導体素子４０の第２側面４０ｄかつ第３側面４０ｅ側の端部に切欠部４１ｂが形成されている。制御電極４３は、切欠部４１ｂに形成されている。また、パッシベーション膜４４に形成された開口部４５の平面視における形状は、正方形である。開口部４５は、第２実施形態と同様に、主面側駆動電極４１の一部及び制御電極４３の一部を露出している。主面側駆動電極４１は、開口部４５によって露出された露出領域４６を有する。

　図１９に示す第２例の半導体装置１は、複数の駆動ワイヤ６０として、第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、第３駆動ワイヤ６３、及び第４駆動ワイヤ６４を有する。第３駆動ワイヤ６３及び第４駆動ワイヤ６４は、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間に配置されている。この場合、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成している。第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、第３駆動ワイヤ６３、及び第４駆動ワイヤ６４は、横方向Ｙに離間して配列されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１は、横方向Ｙにおいて第２駆動ワイヤ６２、第３駆動ワイヤ６３、及び第４駆動ワイヤ６４よりも半導体素子４０の第３側面４０ｅ側に配置されている。第２駆動ワイヤ６２は、横方向Ｙにおいて第１駆動ワイヤ６１、第３駆動ワイヤ６３、及び第４駆動ワイヤ６４よりも半導体素子４０の第４側面４０ｆ側に配置されている。第３駆動ワイヤ６３は、第４駆動ワイヤ６４よりも半導体素子４０の第３側面４０ｅ側に配置されている。このように、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成する第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの横方向Ｙの両端にある駆動ワイヤである。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂよりも第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。具体的には、駆動電極側端部６１ａは、縦方向Ｘからみて、駆動リード２０の連結部２３ａと重なっている。駆動パッド側端部６１ｂは、縦方向Ｘからみて、駆動パッド２１のうちの連結部２３ａと連結部２３ｂとの間の部分と重なっている。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂよりも第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。具体的には、駆動電極側端部６２ａは、縦方向Ｘからみて、駆動パッド２１のうちの連結部２３ｃと連結部２３ｄとの間の部分と重なっている。駆動パッド側端部６２ｂは、縦方向Ｘからみて、駆動リード２０の連結部２３ｅと重なっている。

　第３駆動ワイヤ６３は、駆動電極側端部６３ａ及び駆動パッド側端部６３ｂを有する。駆動電極側端部６３ａは、第３駆動ワイヤ６３のうちの主面側駆動電極４１に接続される端部である。駆動パッド側端部６３ｂは、第３駆動ワイヤ６３のうちの駆動パッド２１に接続される端部である。駆動電極側端部６３ａは、駆動パッド側端部６３ｂよりも第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。具体的には、駆動電極側端部６３ａは、縦方向Ｘからみて、駆動リード２０の連結部２３ｂと重なっている。駆動パッド側端部６３ｂは、縦方向Ｘからみて、駆動パッド２１のうちの連結部２３ｂと連結部２３ｃとの間の部分と重なっている。

　第４駆動ワイヤ６４は、駆動電極側端部６４ａ及び駆動パッド側端部６４ｂを有する。駆動電極側端部６４ａは、第４駆動ワイヤ６４のうちの主面側駆動電極４１に接続される端部である。駆動パッド側端部６４ｂは、第４駆動ワイヤ６４のうちの駆動パッド２１に接続される端部である。駆動電極側端部６４ａは、駆動パッド側端部６４ｂよりも第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。具体的には、駆動電極側端部６４ａは、縦方向Ｘからみて、駆動パッド２１のうちの連結部２３ｂと連結部２３ｃとの間の部分と重なっている。駆動パッド側端部６４ｂは、縦方向Ｘからみて、駆動パッド２１のうちの連結部２３ｃと連結部２３ｄとの間の部分と重なっている。

　駆動電極側端部６１ａ及び駆動電極側端部６３ａは、主面側駆動電極４１の露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第１露出端部４６ａ側に接続されている。駆動電極側端部６１ａは、横方向Ｙにおいて駆動電極側端部６３ａよりも第１露出端部４６ａ側に接続されている。駆動電極側端部６４ａ及び駆動電極側端部６２ａは、露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第２露出端部４６ｂ側に接続されている。駆動電極側端部６２ａは、駆動電極側端部６４ａよりも第２露出端部４６ｂ側に接続されている。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａ及び第４駆動ワイヤ６４の駆動電極側端部６４ａは、第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａ及び第３駆動ワイヤ６３の駆動電極側端部６３ａと縦方向Ｘにずれている。具体的には、駆動電極側端部６１ａ，６４ａは、駆動電極側端部６２ａ，６３ａよりも半導体素子４０の第１側面４０ｃ側となるように配置されている。このため、第１駆動ワイヤ６１及び第４駆動ワイヤ６４の長さは、第２駆動ワイヤ６２及び第３駆動ワイヤ６３の長さよりも長い。また、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６４ａとは、縦方向Ｘにおいて互いに揃った状態で横方向Ｙに配列されている。駆動電極側端部６２ａと駆動電極側端部６３ａとは、縦方向Ｘにおいて互いに揃った状態で横方向Ｙに配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６１ａ，６４ａが揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動電極側端部６１ａ，６４ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６１ａ，６４ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６１ａ，６４ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。また、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６２ａ，６３ａが互いに揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動電極側端部６２ａ，６３ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６２ａ，６３ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６２ａ，６３ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　なお、駆動電極側端部６１ａ～６４ａの縦方向Ｘにおける配置位置は任意に変更可能である。一例では、駆動電極側端部６１ａ～６４ａが互いにずれてもよい。また、駆動電極側端部６１ａ～６４ａが互いに揃った状態で横方向Ｙに配列されてもよい。

　駆動電極側端部６１ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１と、駆動電極側端部６３ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ９との間の距離ＤＷ１０は、補助線ＬＳ９と駆動電極側端部６４ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１１との間の距離ＤＷ１１よりも小さい。駆動電極側端部６２ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ３と補助線ＬＳ１１との横方向Ｙの間の距離ＤＷ１２は、距離ＤＷ１０よりも僅かに小さい。なお、駆動電極側端部６１ａ～６４ａの横方向Ｙにおける配置位置は、駆動電極側端部６１ａ～６４ａのうちの最も第３封止樹脂側面５３側に駆動電極側端部６１ａが位置し、最も第４封止樹脂側面５４側に駆動電極側端部６２ａが位置する限定において任意に変更可能である。一例では、駆動電極側端部６１ａ～６４ａは、距離ＤＷ１２と距離ＤＷ１０とが互いに等しくなるように配置されてもよい。

　補助線ＬＳ１と駆動パッド側端部６１ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ２との横方向Ｙの間の距離ＤＹ１は、補助線ＬＳ３と駆動パッド側端部６２ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ４との横方向Ｙの間の距離ＤＹ２よりも小さい。補助線ＬＳ９と駆動パッド側端部６３ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１０との横方向Ｙの間の距離ＤＹ３は、補助線ＬＳ１１と駆動パッド側端部６４ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１２との横方向Ｙの間の距離ＤＹ４よりも小さい。図１９では、距離ＤＹ１は、距離ＤＹ３よりも小さい。距離ＤＹ２は、距離ＤＹ４よりも大きい。

　なお、駆動電極側端部６１ａは、横方向Ｙにおいて開口部４５のうちの半導体素子４０の第３側面４０ｅ側の端部としてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４側面４０ｆ側の限界位置となるように配置されてもよい。駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の第１端部２１ａとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第３封止樹脂側面５３側の限界位置となるように配置されてもよい。

　また、駆動電極側端部６２ａは、横方向Ｙにおいて開口部４５のうちの半導体素子４０の第４側面４０ｆ側の端部としてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４側面４０ｆ側の限界位置となるように配置されてもよい。駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４封止樹脂側面５４側の限界位置となるように配置されてもよい。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第３駆動ワイヤ６３は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第３駆動ワイヤ６３との横方向Ｙの間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３及び第４駆動ワイヤ６４は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３と第４駆動ワイヤ６４との横方向Ｙの間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。平面視において、第４駆動ワイヤ６４及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第４駆動ワイヤ６４と第２駆動ワイヤ６２との横方向Ｙの間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３と第２駆動ワイヤ６２との横方向Ｙの間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。

　センスワイヤ９０の駆動電極側端部９１は、主面側駆動電極４１のうちの横方向Ｙにおいて制御ワイヤ７０の制御電極側端部７１と第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の部分に接続されている。また、駆動電極側端部９１は、主面側駆動電極４１のうちの第２側面４０ｄ側の端部に接続されている。すなわち、駆動電極側端部９１は、主面側駆動電極４１のうちの制御電極４３と横方向Ｙに隣り合う部分に接続されている。この構成によれば、センスワイヤ９０の長さを短くできる。

　・半導体素子４０の内側本体部１２に対する配置位置は任意に変更可能である。第１例では、図２０に示すように、半導体素子４０を内側本体部１２のうちの第２封止樹脂側面５２寄りの部分に配置してもよい。詳細には、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第１フランジ部１９ａの第２封止樹脂側面５２側の端縁との縦方向Ｘの間の第１距離Ｄ１が半導体素子４０と内側本体部１２の第１幅広部１２ｆとの縦方向Ｘの間の第２距離Ｄ２の１／２よりも小さい。第１距離Ｄ１は、第２距離Ｄ２の１／３よりも小さい。図２０では、第１距離Ｄ１は、第２距離Ｄ２の約１／６である。

　横方向Ｙにおいて、半導体素子４０は、内側本体部１２の中央部に配置されている。具体的には、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第２フランジ部１９ｂの第３封止樹脂側面５３側の端縁との横方向Ｙの間の第３距離Ｄ３が半導体素子４０の内側本体部１２のうちの第３フランジ部１９ｃの第４封止樹脂側面５４側の端縁との横方向Ｙの間の第４距離Ｄ４と等しい。ここで、第３距離Ｄ３と第４距離Ｄ４とのずれ量が例えば第３距離Ｄ３の５％以内であれば、第３距離Ｄ３が第４距離Ｄ４と等しいと言える。

　このような構成によれば、半導体素子４０の開口部４５と駆動パッド２１との間の距離が小さくなることによって、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２をそれぞれ短くできる。したがって、主面側駆動電極４１（ソース電極）から駆動リード２０の駆動端子２２（ソース端子）までの間のインダクタンスをより低減できる。加えて、半導体素子４０の開口部４５とセンスパッド８１との間の距離が小さくなることによって、センスワイヤ９０の長さを短くできるため、主面側駆動電極４１と裏面側駆動電極４２との電気的な接続経路のインダクタンスを低減できる。

　第２例では、図２１に示すように、半導体素子４０を内側本体部１２のうちの第２封止樹脂側面５２寄りかつ第４封止樹脂側面５４寄りの部分に配置してもよい。詳細には、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第１フランジ部１９ａの第２封止樹脂側面５２側の端縁との縦方向Ｘの間の第１距離Ｄ１が半導体素子４０と内側本体部１２の第１幅広部１２ｆとの間の第２距離Ｄ２の１／２よりも小さい。第１距離Ｄ１は、第２距離Ｄ２の１／３よりも小さい。図２０では、第１距離Ｄ１は、第２距離Ｄ２の約１／６である。

　横方向Ｙにおいて、半導体素子４０は、内側本体部１２のうちの第３側面１２ｅ寄りの部分に配置されている。具体的には、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第２フランジ部１９ｂの第３封止樹脂側面５３側の端縁との横方向Ｙの間の第３距離Ｄ３が半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第３フランジ部１９ｃの第４封止樹脂側面５４側の端縁との横方向Ｙの間の第４距離Ｄ４よりも大きい。第４距離Ｄ４は、第３距離Ｄ３の１／２よりも小さい。第４距離Ｄ４は、第３距離Ｄ３の１／３よりも小さい。図２１では、第４距離Ｄ４は、第３距離Ｄ３の約１／６である。

　このような構成によれば、半導体素子４０の開口部４５と駆動パッド２１との間の距離がさらに小さくなることによって、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２をそれぞれさらに短くできる。したがって、主面側駆動電極４１（ソース電極）から駆動リード２０の駆動端子２２（ソース端子）までの間のインダクタンスをより一層低減できる。

　・駆動ワイヤ６０、制御ワイヤ７０、及びセンスワイヤ９０の材料及び線径は任意に変更可能である。一例では、駆動ワイヤ６０、制御ワイヤ７０、及びセンスワイヤ９０の少なくとも１つの線径が他の線径と異なってもよい。また、駆動ワイヤ６０、制御ワイヤ７０、及びセンスワイヤ９０の少なくとも１つの材料が他の材料と異なってもよい。

　・厚さ方向Ｚにおけるセンスパッド８１の配置位置は任意に変更可能である。センスパッド８１は、厚さ方向Ｚにおいて駆動パッド２１及び制御パッド３１の少なくとも一方に対してずれていてもよい。一例では、センスパッド８１は、厚さ方向Ｚにおいて半導体素子４０と揃った状態で配置されている。

　・基板１０の内側本体部１２から第１幅広部１２ｆを省略してもよい。この場合、縦方向Ｘにおいて、突出部１３と封止樹脂５０の第１封止樹脂側面５１とが当接してもよい。
　・基板１０の内側本体部１２から第２幅広部１２ｇを省略してもよい。

　（第３実施形態）
　図２２～図３１を参照して、半導体装置１の第３実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置１は、第１実施形態の半導体装置１と比較して、基板１０、駆動リード２０、制御リード３０、及び封止樹脂５０の形状がそれぞれ異なる。本実施形態では、便宜上、第１実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。

　図２２に示すように、本実施形態の半導体装置１は、パッケージ外形規格（ＪＥＩＴＡ規格）がＴＯ－２４７のパッケージである。詳細には、半導体装置１の縦寸法Ｌ１が１９．１８ｍｍ～２０．５７ｍｍ、横寸法Ｌ２が１５．７５ｍｍ～１６．１３ｍｍ、厚さ寸法Ｌ３が４．８３ｍｍ～５．２１ｍｍである。また、半導体装置１は、ＳＩＰタイプである。このように、本実施形態の半導体装置１のサイズは、第１実施形態の半導体装置１のサイズよりも大きい。

　図２２に示すように、封止樹脂５０の形状は、平板状である。封止樹脂５０は、モールド成形によって形成されている。封止樹脂５０の各側面５１～５４は、封止樹脂５０の成形時に金型を抜き易くするような抜き勾配を設けるため、厚さ方向Ｚに対して傾斜する傾斜面が設けられている。具体的には、各側面５１～５４は、金型の上型を抜き易くするような抜き勾配を設けた第１傾斜面と、金型の下型を抜き易くするような抜き勾配を設けた第２傾斜面とを有する。金型の上型は、封止樹脂天面５６と各側面５１～５４のうちの封止樹脂天面５６側の部分を形成する。下型は、封止樹脂裏面５５と各側面５１～５４のうちの封止樹脂裏面５５側の部分を形成する。

　封止樹脂５０の横方向Ｙの両端部には、凹部５８が形成されている。封止樹脂５０の第３封止樹脂側面５３側の凹部５８は、第３封止樹脂側面５３から横方向Ｙに湾曲状に凹んでいる。封止樹脂５０の第４封止樹脂側面５４側の凹部５８は、第４封止樹脂側面５４から横方向Ｙに湾曲状に凹んでいる。凹部５８は、厚さ方向Ｚにおいて、封止樹脂天面５６から基板１０の主面１０ａまでにわたり形成されている。すなわち、凹部５８によって、基板１０の主面１０ａが露出している。凹部５８は、封止樹脂５０の縦方向Ｘの中心よりも第１封止樹脂側面５１寄りに設けられている。

　封止樹脂５０の横方向Ｙの中央部には、貫通孔５９が形成されている。貫通孔５９は、厚さ方向Ｚにおいて封止樹脂５０を貫通している。貫通孔５９は、封止樹脂５０の縦方向Ｘの中心よりも第１封止樹脂側面５１寄りに設けられている。平面視における貫通孔５９の形状は円形である。本実施形態では、貫通孔５９は、凹部５８と縦方向Ｘに同じ位置となるように設けられている。貫通孔５９にボルトやねじを挿通することによって、半導体装置１を回路基板又はヒートシンク（ともに図示略）に取り付けることができる。

　図２３は、半導体装置１を厚さ方向Ｚの封止樹脂天面５６からみた図である。図２３では、便宜上、封止樹脂５０を二点鎖線で示し、封止樹脂５０内の部品を実線で示している。図２３に示すとおり、平面視において、封止樹脂５０の形状は、縦方向Ｘが長辺方向となり、横方向Ｙが短辺方向となる略矩形状である。

　図２２及び図２３に示すように、基板１０は、封止樹脂５０内に配置された基板本体部１１と、リード部１６とを有する。基板１０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）によって形成されている。

　基板本体部１１には、貫通孔１０ｃが設けられている。貫通孔１０ｃは、基板１０の縦方向Ｘの中心よりも第１封止樹脂側面５１寄りに設けられている。平面視における貫通孔１０ｃの形状は円形である。貫通孔１０ｃは、封止樹脂５０の貫通孔５９と同心円となるように設けられている。貫通孔１０ｃの直径は、貫通孔５９の直径よりも大きい。また基板本体部１１には、平面視において半円状に凹む一対の第１凹部１０ｄと、平面視において矩形状に凹む第２凹部１０ｅとが設けられている。一対の第１凹部１０ｄは、基板１０の縦方向Ｘの中心よりも第１封止樹脂側面５１寄りに設けられている。一対の第１凹部１０ｄは、封止樹脂５０の凹部５８によって外部に露出されている。第２凹部１０ｅは、基板本体部１１のうちの第１封止樹脂側面５１側の端部に設けられている。

　基板本体部１１には、複数のフランジ部１９が設けられている。複数のフランジ部１９は、第１フランジ部１９ａ、第２フランジ部１９ｂ、及び第３フランジ部１９ｃを含む。第１フランジ部１９ａは、基板本体部１１の第１側面１１ａから第２封止樹脂側面５２に向けて突出している。第２フランジ部１９ｂは、基板本体部１１のうちの縦方向Ｘにおける貫通孔１０ｃよりも第２封止樹脂側面５２側の領域において、基板本体部１１の第２側面１１ｂから第３封止樹脂側面５３に向けて突出している。第３フランジ部１９ｃは、基板本体部１１のうちの縦方向Ｘにおける貫通孔１０ｃよりも第２封止樹脂側面５２側の領域において、基板本体部１１の第３側面１１ｃから第４封止樹脂側面５４に向けて突出している。

　図２４に示すように、基板１０の裏面１０ｂ（基板本体部１１の裏面）は、封止樹脂裏面５５から露出している。これにより、基板１０の放熱性を向上できる。基板１０の貫通孔１０ｃの外周側には、封止樹脂５０によって覆われている。

　図２３に示すように、リード部１６は、基板本体部１１の第１側面１２ｃ側の端部から第２封止樹脂側面５２に向けて延びているとともに第２封止樹脂側面５２から突出している。リード部１６は、第２封止樹脂側面５２から突出した端子部１７と、端子部１７と基板本体部１１とを連結している連結部１８とに区分できる。

　連結部１８は、横方向Ｙにおいて基板本体部１１の中央部に位置している。連結部１８は、傾斜部１８ａを有する。傾斜部１８ａは、基板本体部１１から第２封止樹脂側面５２に向かうにつれて封止樹脂天面５６に向けて傾斜している。連結部１８のうちの傾斜部１８ａと端子部１７との間の中間部１８ｂは、基板本体部１１よりも封止樹脂天面５６側に位置している。平面視において、中間部１８ｂは、縦方向Ｘに沿って延びている。中間部１８ｂのうちの第２封止樹脂側面５２と接触する部分は、横方向Ｙにおいて第２封止樹脂側面５２の中央部に位置している。

　端子部１７は、第２封止樹脂側面５２の横方向Ｙの中央部から突出している。端子部１７は、厚さ方向Ｚにおいて中間部１８ｂと同じ位置である。すなわち端子部１７は、基板本体部１１よりも封止樹脂天面５６側に位置している。

　図２３に示すように、平面視において、基板１０よりも封止樹脂５０の第２封止樹脂側面５２側には、駆動リード２０及び制御リード３０が基板１０に対して縦方向Ｘに離間した状態で配置されている。駆動リード２０及び制御リード３０は、横方向Ｙにおいて互いに離間して配置されている。駆動リード２０と制御リード３０との横方向Ｙの間には、リード部１６が配置されている。本実施形態では、平面視において、駆動リード２０及び制御リード３０は、半導体装置１の縦方向Ｘの中央部から縦方向Ｘに沿う中心線Ｃに対して対称となる形状である。なお、平面視における駆動リード２０及び制御リード３０の形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における駆動リード２０の形状と平面視における制御リード３０の形状とが互いに異なってもよい。

　駆動リード２０の駆動パッド２１及び連結部２３は、縦方向Ｘにおいて基板１０と第２封止樹脂側面５２との間に配置されている。駆動パッド２１及び連結部２３は、横方向Ｙにおいて封止樹脂５０の中央部よりも第４封止樹脂側面５４側に配置されている。駆動パッド２１は、半導体素子４０よりも第４封止樹脂側面５４側に配置されている。平面視における駆動パッド２１の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる略矩形状である。本実施形態では、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさは、横方向Ｙにおける開口部４５の大きさよりも大きい。また横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさは、横方向Ｙにおける半導体素子４０の大きさよりも大きい。厚さ方向Ｚにおいて、駆動パッド２１は、基板本体部１１よりも封止樹脂天面５６側に位置している。また、厚さ方向Ｚにおいて、駆動パッド２１は、半導体素子４０よりも封止樹脂天面５６側に位置している。本実施形態では、駆動パッド２１は、厚さ方向Ｚにおいてリード部１６の中間部１８ｂと同じ位置である。

　連結部２３は、駆動パッド２１のうちの第２封止樹脂側面５２側の端部から連続している。連結部２３は、横方向Ｙにおいて駆動パッド２１の中央部よりも第４封止樹脂側面５４側に位置している。駆動端子２２は、ソース端子を構成している。駆動端子２２は、第２封止樹脂側面５２から突出している。

　制御パッド３１及び連結部３３は、縦方向Ｘにおいて基板１０と第２封止樹脂側面５２との間に配置されている。制御パッド３１及び連結部３３は、横方向Ｙにおいて封止樹脂５０の中央部よりも第３封止樹脂側面５３側に配置されている。厚さ方向Ｚにおいて、制御パッド３１は、基板本体部１１よりも封止樹脂天面５６側に位置している。また、厚さ方向Ｚにおいて、制御パッド３１は、半導体素子４０よりも封止樹脂天面５６側に位置している。本実施形態では、制御パッド３１は、厚さ方向Ｚにおいてリード部１６の中間部１８ｂと同じ位置である。

　連結部３３は、制御パッド３１のうちの第２封止樹脂側面５２側の端部から連続している。連結部３３は、横方向Ｙにおいて制御パッド３１のうちの第３封止樹脂側面５３寄りに位置している。制御端子３２は、ゲート端子を構成している。制御端子３２は、第２封止樹脂側面５２から突出している。

　半導体素子４０は、第１実施形態と同様に、ＳｉＣＭＯＳＦＥＴが用いられている。また半導体素子４０は、第１実施形態と同様に、１ｋＨｚ以上かつ数百ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチングが可能な素子である。好ましくは、半導体素子４０は、１ｋＨｚ以上かつ１００ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチングが可能な素子である。本実施形態では、半導体素子４０は、１００ｋＨｚの周波数の駆動信号に応じて高速スイッチングを行う。半導体素子４０の形状及びサイズは、第１実施形態の半導体素子４０の形状及びサイズと同様である。

　半導体素子４０は、基板本体部１１（基板１０の主面１０ａ）に半田ＳＤによって実装されている。図２３に示すように、本実施形態では、半導体素子４０は、基板本体部１１の縦方向Ｘの中央部よりもリード部１６側となるように配置されている。具体的には、半導体素子４０と基板本体部１１のうちの第１フランジ部１９ａの第２封止樹脂側面５２側の端縁との間の第１距離Ｄ１が半導体素子４０と基板本体部１１の貫通孔１０ｃにおける第２封止樹脂側面５２側の端縁との間の第２距離Ｄ２よりも小さくなる。

　半導体素子４０は、横方向Ｙにおいて、基板本体部１１の中央部に配置されている。具体的には、半導体素子４０と基板本体部１１の第２側面１１ｂとの間の第３距離Ｄ３と、半導体素子４０と基板本体部１１の第３側面１１ｃとの間の第４距離Ｄ４とが互いに等しい。ここで、第３距離Ｄ３と第４距離Ｄ４とのずれ量が例えば第３距離Ｄ３の５％以内であれば、第３距離Ｄ３及び第４距離Ｄ４が互いに等しいと言える。

　半導体装置１は、複数の駆動ワイヤ６０と１本の制御ワイヤ７０を備える。本実施形態では、複数の駆動ワイヤ６０は、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の２本の駆動ワイヤから構成されている。すなわち、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成している。第１駆動ワイヤ６１は、第２駆動ワイヤ６２に対して制御ワイヤ７０側に配置されている。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、互いに離間した状態で半導体素子４０の主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とを接続している。平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、横方向Ｙに離間して配列されている。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの横方向Ｙの両端にある駆動ワイヤである。

　第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、同一の金属からなる。本実施形態では、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、アルミニウムを含む。第１駆動ワイヤ６１の線径は、第２駆動ワイヤ６２の線径と等しい。ここで、第１駆動ワイヤ６１の線径と第２駆動ワイヤ６２の線径とのずれ量が例えば第１駆動ワイヤ６１の線径の５％以内であれば、第１駆動ワイヤ６１の線径が第２駆動ワイヤ６２の線径と等しいと言える。本実施形態では、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径は、制御ワイヤ７０の線径と等しい。ここで、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径と制御ワイヤ７０の線径とのずれ量が例えば制御ワイヤ７０の線径の５％以内であれば、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径が制御ワイヤ７０の線径と等しいと言える。

　第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２はそれぞれ、半導体素子４０の主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とを接続している。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２はそれぞれ、例えばワイヤボンディングによって主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１側に向かうにつれて広がっている。以下、このような第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の構成について詳細に説明する。

　図２５に示すように、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂよりも第３封止樹脂側面５３側に配置されている。第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂよりも第３封止樹脂側面５３側に配置されている。平面視において、駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２は、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ１よりも大きい。

　駆動電極側端部６１ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１と、駆動パッド側端部６１ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ２との横方向Ｙの間の距離を距離ＤＹ１とし、駆動電極側端部６２ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ３と、駆動パッド側端部６２ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ４との横方向Ｙの間の距離を距離ＤＹ２とする。この場合、距離ＤＹ２は、距離ＤＹ１よりも大きい。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、主面側駆動電極４１の露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第１露出端部４６ａ側に接続されている。本実施形態では、駆動電極側端部６１ａは、第１露出端部４６ａに接続されている。具体的には、駆動電極側端部６１ａは、横方向Ｙにおいて主面側駆動電極４１のうちの制御電極４３と隣り合う部分、すなわち主面側駆動電極４１の凹部４１ａ（図２参照）の底部を構成する部分に接続されている。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の横方向Ｙの中央部よりも第１端部２１ａ側に接続されている。本実施形態では、駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の第１端部２１ａに接続されている。一例では、駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の第１端部２１ａとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第３封止樹脂側面５３側の限界位置となるように配置されている。駆動パッド側端部６１ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、主面側駆動電極４１の露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第２露出端部４６ｂ側に接続されている。本実施形態では、駆動電極側端部６２ａは、第２露出端部４６ｂに接続されている。一例では、駆動電極側端部６２ａは、横方向Ｙにおいて開口部４５のうちの半導体素子４０の第４側面４０ｆ側の端部としてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４側面４０ｆ側の限界位置となるように配置されている。縦方向Ｘにおいて、駆動電極側端部６２ａは、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと揃った状態で配列されている。なお、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６２ａと駆動電極側端部６１ａとが揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動電極側端部６１ａ，６２ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の横方向Ｙの中央部よりも第２端部２１ｂ側に接続されている。本実施形態では、駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂに接続されている。一例では、駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４封止樹脂側面５４側の限界位置となるように配置されている。駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に配置されている。

　制御ワイヤ７０は、半導体素子４０の制御電極４３と制御パッド３１とを接続している。制御ワイヤ７０は、例えばワイヤボンディングによって制御電極４３と制御パッド３１とに接続されている。第１実施形態と同様に、制御ワイヤ７０は、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２と同一の材料が用いられている。制御ワイヤ７０の線径は、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径と等しい。ここで、制御ワイヤ７０の線径と第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径とのずれ量が例えば制御ワイヤ７０の線径の５％以内であれば、制御ワイヤ７０の線径が第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径と等しいと言える。制御ワイヤ７０は、制御電極側端部７１と制御パッド側端部７２とを有する。制御電極側端部７１は、制御パッド側端部７２よりも第４封止樹脂側面５４側に配置されている。

　制御電極側端部７１と第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ３は、距離ＤＷ１よりも小さい。制御電極側端部７１から縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ５と、制御パッド側端部７２から縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ６との間の距離ＤＹ３は、距離ＤＹ１よりも大きく、距離ＤＹ２よりも小さい。なお、本実施形態の半導体装置１によれば、第１実施形態の（１－１）～（１－７）の効果と同様の効果が得られる。

　（第３実施形態の変更例）
　第３実施形態の半導体装置１は例えば以下のように変更できる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、組み合せることができる。なお、以下の変更例において、第３実施形態と共通する部分については、第３実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

　・駆動ワイヤ６０の数は、２本に限られず、任意に変更可能である。一例では、図２６に示すように、複数の駆動ワイヤ６０として第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、及び第３駆動ワイヤ６３の３本の駆動ワイヤから構成されてもよい。第３駆動ワイヤ６３は、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間に配置されている。この場合、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成している。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、互いに離間した状態で半導体素子４０の主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とを接続している。平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、横方向Ｙに離間して配列されている。このように、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成する第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの横方向Ｙの両端にある駆動ワイヤである。

　第３駆動ワイヤ６３は、駆動電極側端部６３ａ及び駆動パッド側端部６３ｂを有する。駆動電極側端部６３ａは、第３駆動ワイヤ６３のうちの主面側駆動電極４１に接続される端部である。駆動パッド側端部６３ｂは、第３駆動ワイヤ６３のうちの駆動パッド２１に接続される端部である。駆動パッド側端部６３ｂは、駆動電極側端部６３ａよりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。

　図２６では、駆動電極側端部６３ａと第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ４は、駆動電極側端部６３ａと第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ５と等しい。ここで、距離ＤＷ４と距離ＤＷ５とのずれ量が例えば距離ＤＷ４の５％以内であれば、距離ＤＷ４と距離ＤＷ５とが等しいと言える。距離ＤＷ４及び距離ＤＷ５は、制御ワイヤ７０の制御電極側端部７１と第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ３よりも大きい。

　なお、駆動電極側端部６３ａの横方向Ｙの位置は任意に変更可能である。一例では、距離ＤＷ４及び距離ＤＷ５が互いに異なるように駆動電極側端部６３ａが主面側駆動電極４１に接続されてもよい。

　また図２６では、縦方向Ｘにおいて第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａ、第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａ、及び第３駆動ワイヤ６３の駆動電極側端部６３ａは互いに揃った状態で配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが互いに揃った状態とは、縦方向Ｘにおける駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　第３駆動ワイヤ６３の駆動パッド側端部６３ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に配置されている。第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ６は、距離ＤＷ４よりも大きい。第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ７は、距離ＤＷ５よりも大きい。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第３駆動ワイヤ６３は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第３駆動ワイヤ６３との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。

　・半導体素子４０のサイズは任意に変更可能である。第１例では、図２７に示すように、半導体素子４０のサイズを第３実施形態の半導体素子４０のサイズよりも大きくしてもよい。第２例では、図２９に示すように、半導体素子４０のサイズを図２７の半導体素子４０のサイズよりも大きくしてもよい。

　図２７に示す第１例では、半導体素子４０の縦方向Ｘのサイズ及び横方向Ｙのサイズのそれぞれが第３実施形態の半導体素子４０のサイズよりも大きい。また、半導体素子４０のサイズが大きくなることに伴い表面４０ａに形成された開口部４５の大きさを縦方向Ｘ及び横方向Ｙのそれぞれに大きくすることができる。図２７では、開口部４５の横方向Ｙの大きさは、駆動パッド２１の横方向Ｙの大きさよりも小さい。駆動パッド２１の横方向Ｙの大きさは、半導体素子４０の横方向Ｙの大きさよりも大きい。

　半導体装置１は、第３実施形態と同様に、複数の駆動ワイヤ６０として第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２を有する。第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、第３実施形態の駆動電極側端部６１ａと同様に、露出領域４６の第１露出端部４６ａに接続されている。第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂは、第３実施形態の駆動パッド側端部６１ｂと同様に、駆動パッド２１の第１端部２１ａに接続されている。第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、第３実施形態の駆動電極側端部６２ａと同様に、横方向Ｙにおいて開口部４５のうちの半導体素子４０の第４側面４０ｆ側の端部に接続されている。第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂは、第３実施形態の駆動パッド側端部６２ｂと同様に、駆動パッド２１の第２端部２１ｂに接続されている。第３実施形態と同様に、縦方向Ｘにおいて、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとは互いに揃った状態で横方向Ｙに配列されている。駆動パッド側端部６１ｂ及び駆動パッド側端部６２ｂはそれぞれ、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。

　平面視において、駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２は、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとの横方向Ｙの間の距離ＤＷ１よりも大きい。図２７では、駆動電極側端部６１ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１と駆動パッド側端部６１ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ２との横方向Ｙの間の距離ＤＹ１は、駆動電極側端部６２ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ３と駆動パッド側端部６２ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ４との横方向Ｙの間の距離ＤＹ２よりも小さい。このように、平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広くなっている。

　この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離を大きくすることができるため、主面側駆動電極４１（ソース電極）から駆動リード２０の駆動端子２２（ソース端子）までの間のインダクタンスを低減できる。

　・図２７の変更例において、駆動ワイヤ６０の数は、２本に限られず、任意に変更可能である。一例では、図２８に示すように、複数の駆動ワイヤ６０として第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、及び第３駆動ワイヤ６３の３本の駆動ワイヤから構成されてもよい。第３駆動ワイヤ６３は、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間に配置されている。この場合、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成している。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、互いに離間した状態で半導体素子４０の主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とを接続している。平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、横方向Ｙに離間して配列されている。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの横方向Ｙの両端にある駆動ワイヤである。

　第３駆動ワイヤ６３は、駆動電極側端部６３ａ及び駆動パッド側端部６３ｂを有する。駆動電極側端部６３ａと第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ４は、駆動電極側端部６３ａと第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ５と等しい。ここで、距離ＤＷ４と距離ＤＷ５とのずれ量が例えば距離ＤＷ４の５％以内であれば、距離ＤＷ４と距離ＤＷ５とが等しいと言える。

　なお、主面側駆動電極４１に対する駆動電極側端部６３ａの配置位置は任意に変更可能である。一例では、距離ＤＷ４と距離ＤＷ５とが互いに異なるように、駆動電極側端部６３ａが主面側駆動電極４１に接続されてもよい。

　また図２８では、縦方向Ｘにおいて第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａ、第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａ、及び第３駆動ワイヤ６３の駆動電極側端部６３ａは互いに揃った状態で配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが互いに揃った状態とは、縦方向Ｘにおける駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　第３駆動ワイヤ６３の駆動パッド側端部６３ｂは、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に配置されている。第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ６は、距離ＤＷ４よりも大きい。第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ７は、距離ＤＷ５よりも大きい。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第３駆動ワイヤ６３は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第３駆動ワイヤ６３との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。

　なお、平面視において、第３駆動ワイヤ６３の縦方向Ｘに対する傾斜角度は任意に変更可能である。一例では、第３駆動ワイヤ６３の縦方向Ｘに対する傾斜角度は第１駆動ワイヤ６１の縦方向Ｘに対する傾斜角度又は第２駆動ワイヤ６２の縦方向Ｘに対する傾斜角度と等しくてもよい。

　図２９に示す第２例では、平面視における半導体素子４０の形状は、正方形である。半導体素子４０の表面４０ａに形成された主面側駆動電極４１（ソース電極）は、半導体素子４０の第２側面４０ｄかつ第３側面４０ｅ側の端部に切欠部４１ｂが形成されている。制御電極４３は、切欠部４１ｂに形成されている。

　図２９に示す第２例の半導体装置１は、複数の駆動ワイヤ６０として、第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、第３駆動ワイヤ６３、及び第４駆動ワイヤ６４を有する。第３駆動ワイヤ６３及び第４駆動ワイヤ６４は、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間に配置されている。この場合、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成している。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの横方向Ｙの両端にある駆動ワイヤである。縦方向Ｘからみて、各駆動ワイヤ６１～６４は、互いに重なるように配置されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第３駆動ワイヤ６３とが交差している。第４駆動ワイヤ６４と第２駆動ワイヤ６２とが交差している。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂよりも第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂよりも第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。

　第３駆動ワイヤ６３は、駆動電極側端部６３ａ及び駆動パッド側端部６３ｂを有する。駆動電極側端部６３ａは、第３駆動ワイヤ６３のうちの主面側駆動電極４１に接続される端部である。駆動パッド側端部６３ｂは、第３駆動ワイヤ６３のうちの駆動パッド２１に接続される端部である。第４駆動ワイヤ６４は、駆動電極側端部６４ａ及び駆動パッド側端部６３ｂを有する。駆動電極側端部６４ａは、第４駆動ワイヤ６４のうちの主面側駆動電極４１に接続される端部である。駆動パッド側端部６４ｂは、第４駆動ワイヤ６４のうちの駆動パッド２１に接続される端部である。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、各駆動ワイヤ６２～６４の駆動電極側端部６１ｂ～６１ｄよりも第３側面４０ｅ側となるように配置されている。第３駆動ワイヤ６３の駆動電極側端部６３ａは、第４駆動ワイヤ６４の駆動電極側端部６４ａ及び第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａよりも第３側面４０ｅ側となるように配置されている。駆動電極側端部６４ａは、駆動電極側端部６２ａよりも第３側面４０ｅ側となるように配置されている。駆動電極側端部６１ａ及び駆動電極側端部６３ａは、主面側駆動電極４１の露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第１露出端部４６ａ側に接続されている。駆動電極側端部６１ａは、横方向Ｙにおいて駆動電極側端部６３ａよりも第１露出端部４６ａ側に接続されている。駆動電極側端部６４ａ及び駆動電極側端部６２ａは、露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第２露出端部４６ｂ側に接続されている。駆動電極側端部６２ａは、駆動電極側端部６４ａよりも第２露出端部４６ｂ側に接続されている。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａ及び第４駆動ワイヤ６４の駆動電極側端部６４ａは、第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａ及び第３駆動ワイヤ６３の駆動電極側端部６３ａと縦方向Ｘにおいてずれている。また、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６４ａとは、縦方向Ｘにおいて互いに揃った状態で配列されている。駆動電極側端部６２ａと駆動電極側端部６３ａとは、縦方向Ｘにおいて互いに揃った状態で配列されている。具体的には、駆動電極側端部６１ａ，６４ａは、駆動電極側端部６２ａ，６３ａよりも半導体素子４０の第１側面４０ｃ側となるように配置されている。このため、第１駆動ワイヤ６１及び第４駆動ワイヤ６４の長さは、第２駆動ワイヤ６２及び第３駆動ワイヤ６３の長さよりも長い。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６１ａ，６４ａが揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動電極側端部６１ａ，６４ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６１ａ，６４ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６１ａ，６４ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。また、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６２ａ，６３ａが互いに揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動電極側端部６２ａ，６３ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６２ａ，６３ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６２ａ，６３ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　なお、駆動電極側端部６１ａ～６４ａの縦方向Ｘにおける配置位置は任意に変更可能である。一例では、駆動電極側端部６１ａ～６４ａが互いにずれてもよい。また、駆動電極側端部６１ａ～６４ａが互いに揃った状態で横方向Ｙに配列されてもよい。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂは、各駆動ワイヤ６２～６４の駆動パッド側端部６２ｂ～６４ｂよりも第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。第３駆動ワイヤ６３の駆動パッド側端部６３ｂは、第４駆動ワイヤ６４の駆動パッド側端部６４ｂ及び第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂよりも第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。駆動パッド側端部６４ｂは、駆動パッド側端部６２ｂよりも第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。駆動パッド側端部６１ｂ及び駆動パッド側端部６３ｂは、駆動パッド２１の横方向Ｙの中央部よりも第１端部２１ａ側に接続されている。駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド側端部６３ｂよりも第１端部２１ａ側に接続されている。駆動パッド側端部６４ｂ及び駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の横方向Ｙの中央部よりも第２端部２１ｂ側に接続されている。駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド側端部６２ｂよりも第２端部２１ｂ側に接続されている。

　駆動電極側端部６１ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１と、駆動電極側端部６３ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ９との横方向Ｙの間の距離ＤＷ１０は、補助線ＬＳ９と駆動電極側端部６４ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１１との横方向Ｙの間の距離ＤＷ１１よりも小さい。駆動電極側端部６２ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ３と補助線ＬＳ１１との横方向Ｙの間の距離ＤＷ１２は、距離ＤＷ１０よりも僅かに小さい。なお、駆動電極側端部６１ａ～６４ａの横方向Ｙにおける配置位置は、駆動電極側端部６１ａ～６４ａのうちの最も第３封止樹脂側面５３側に駆動電極側端部６１ａが位置し、最も第４封止樹脂側面５４側に駆動電極側端部６２ａが位置する限定において任意に変更可能である。一例では、駆動電極側端部６１ａ～６４ａは、距離ＤＷ１２と距離ＤＷ１０とが互いに等しくなるように配置されてもよい。

　補助線ＬＳ１と駆動パッド側端部６１ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ２との横方向Ｙの間の距離ＤＹ１は、補助線ＬＳ３と駆動パッド側端部６２ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ４との横方向Ｙの間の距離ＤＹ２よりも小さい。補助線ＬＳ９と駆動パッド側端部６３ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１０との横方向Ｙの間の距離ＤＹ３は、補助線ＬＳ１１と駆動パッド側端部６４ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１２との横方向Ｙの間の距離ＤＹ４よりも小さい。図２９では、距離ＤＹ１は、距離ＤＹ３よりも小さい。距離ＤＹ２は、距離ＤＹ４よりも大きい。

　なお、駆動電極側端部６１ａは、横方向Ｙの主面側駆動電極４１の露出領域４６の第１露出端部４６ａのうちのワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４側面４０ｆ側の限界位置となるように配置されてもよい。駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の第１端部２１ａとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第３封止樹脂側面５３側の限界位置となるように配置されてもよい。

　また、駆動電極側端部６２ａは、横方向Ｙにおいて主面側駆動電極４１の露出領域４６の第２露出端部４６ｂのうちのワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４側面４０ｆ側の限界位置となるように配置されてもよい。駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４封止樹脂側面５４側の限界位置となるように配置されてもよい。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との横方向Ｙの間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。

　・半導体素子４０の基板本体部１１に対する配置位置は任意に変更可能である。第１例では、図３０に示すように、半導体素子４０を基板本体部１１のうちの第２封止樹脂側面５２寄りの部分に配置してもよい。詳細には、半導体素子４０と基板本体部１１のうちの第１フランジ部１９ａの第２封止樹脂側面５２側の端縁との縦方向Ｘの間の第１距離Ｄ１が半導体素子４０と基板本体部１１の貫通孔１０ｃのうちの第２封止樹脂側面５２側の端部との縦方向Ｘの間の第２距離Ｄ２の１／２よりも小さい。第１距離Ｄ１は、第２距離Ｄ２の１／３よりも小さい。図３０では、第１距離Ｄ１は、第２距離Ｄ２の約１／７である。

　横方向Ｙにおいて、半導体素子４０は、基板本体部１１の中央部に配置されている。具体的には、半導体素子４０と基板本体部１１のうちの第２フランジ部１９ｂの第３封止樹脂側面５３側の端縁との横方向Ｙの間の第３距離Ｄ３が半導体素子４０と基板本体部１１のうちの第３フランジ部１９ｃの第４封止樹脂側面５４側の端縁との横方向Ｙの間の第４距離Ｄ４と等しい。

　このような構成によれば、半導体素子４０の開口部４５と駆動パッド２１との間の距離が小さくなることによって、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２をそれぞれ短くできる。したがって、主面側駆動電極４１（ソース電極）から駆動リード２０の駆動端子２２（ソース端子）までの間のインダクタンスをより低減できる。

　第２例では、図３１に示すように、半導体素子４０を基板本体部１１のうちの第２封止樹脂側面５２寄りかつ第４封止樹脂側面５４寄りの部分に配置してもよい。詳細には、半導体素子４０と基板本体部１１のうちの第１フランジ部１９ａの第２封止樹脂側面５２側の端縁との縦方向Ｘの間の第１距離Ｄ１が半導体素子４０と基板本体部１１の貫通孔１０ｃのうちの第２封止樹脂側面５２側の端部との縦方向Ｘの間の第２距離Ｄ２の１／２よりも小さい。第１距離Ｄ１は、第２距離Ｄ２の１／３よりも小さい。図３１では、第１距離Ｄ１は、第２距離Ｄ２の約１／７である。また、半導体素子４０と基板本体部１１のうちの第２フランジ部１９ｂの第３封止樹脂側面５３側の端縁との横方向Ｙの間の第３距離Ｄ３が半導体素子４０と基板本体部１１のうちの第３フランジ部１９ｃの第４封止樹脂側面５４側の端縁との横方向Ｙの間の第４距離Ｄ４よりも大きい。第４距離Ｄ４は、第３距離Ｄ３の１／２よりも小さい。第４距離Ｄ４は、第３距離Ｄ３の１／３よりも小さい。図３１では、第４距離Ｄ４は、第３距離Ｄ３の約１／１０である。

　このような構成によれば、半導体素子４０と駆動パッド２１との間の距離がさらに小さくなることによって、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２をそれぞれさらに短くできる。したがって、主面側駆動電極４１（ソース電極）から駆動リード２０の駆動端子２２（ソース端子）までの間のインダクタンスをより一層低減できる。

　・第３実施形態の半導体装置１の基板１０からリード部１６を省略してもよい。この場合、横方向Ｙにおいて、駆動パッド２１と制御パッド３１とが隣り合っている。また、リード部１６を省略した分、駆動パッド２１の横方向Ｙの大きさを大きくしてもよい。この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２を大きく取ることができるため、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを低減できる。

　（第４実施形態）
　図３２を参照して、半導体装置１の第４実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置１は、第１実施形態の半導体装置１と比較して、半導体素子４０としてＭＯＳＦＥＴに代えてショットキーバリアダイオードを搭載した点と、駆動リード２０及び制御リード３０に代えて第１駆動リード２０Ｃ及び第２駆動リード２０Ｄが設けられた点とが主に異なる。本実施形態では、便宜上、第１実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。

　図３２に示すように、平面視において、基板１０よりも封止樹脂５０の第２封止樹脂側面５２側には、第１駆動リード２０Ｃ及び第２駆動リード２０Ｄが基板１０に対して縦方向Ｘに離間した状態で配置されている。第１駆動リード２０Ｃ及び第２駆動リード２０Ｄは、横方向Ｙにおいて互いに離間して配置されている。第１駆動リード２０Ｃと第２駆動リード２０Ｄとの横方向Ｙの間には、リード部１６が配置されている。平面視において、第１駆動リード２０Ｃ及び第２駆動リード２０Ｄは、半導体装置１の縦方向Ｘの中央部から縦方向Ｘに沿う中心線Ｃに対して対称となる形状である。以降の説明において、第１駆動リード２０Ｃ及び第２駆動リード２０Ｄの各構成要素には符号の後にアルファベットＣ，Ｄを付して説明する。

　第１駆動リード２０Ｃは、リード部１６に対して第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。第１駆動リード２０Ｃは、第１駆動パッド２１Ｃ、第１駆動端子２２Ｃ、及び第１駆動パッド２１Ｃと第１駆動端子２２Ｃとを連結する第１連結部２３Ｃを有する。第１駆動パッド２１Ｃ及び第１連結部２３Ｃは、縦方向Ｘにおいて基板１０と第２封止樹脂側面５２との間に配置されている。第１駆動パッド２１Ｃ及び第１連結部２３Ｃは、横方向Ｙにおいて封止樹脂５０の中央部よりも第３封止樹脂側面５３側に配置されている。第１駆動端子２２Ｃは、アノード端子を構成している。

　平面視における第１駆動パッド２１Ｃの形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる略矩形状である。第１駆動パッド２１Ｃは、横方向Ｙの両端部である第１端部２１ｃ及び第２端部２１ｄを有する。第１端部２１ｃは、第１駆動パッド２１Ｃの第３封止樹脂側面５３側の端部である。第２端部２１ｄは、第１駆動パッド２１Ｃの第４封止樹脂側面５４側の端部である。

　第２駆動リード２０Ｄは、リード部１６に対して第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。第２駆動リード２０Ｄは、第２駆動パッド２１Ｄ、第２駆動端子２２Ｄ、及び第２駆動パッド２１Ｄと第２駆動端子２２Ｄとを連結する第２連結部２３Ｄを有する。第２駆動パッド２１Ｄ及び第２連結部２３Ｄは、縦方向Ｘにおいて基板１０と第２封止樹脂側面５２との間に配置されている。第２駆動パッド２１Ｄ及び第２連結部２３Ｄは、横方向Ｙにおいて封止樹脂５０の中央部よりも第４封止樹脂側面５４側に配置されている。第２駆動端子２２Ｄは、アノード端子を構成している。

　第２駆動パッド２１Ｄは、横方向Ｙの両端部である第１端部２１ｅ及び第２端部２１ｆを有する。第１端部２１ｅは、第２駆動パッド２１Ｄの第３封止樹脂側面５３側の端部である。第２端部２１ｆは、第２駆動パッド２１Ｄの第４封止樹脂側面５４側の端部である。

　第１駆動パッド２１Ｃ及び第２駆動パッド２１Ｄはそれぞれ、厚さ方向Ｚにおいて基板１０の主面１０ａよりも封止樹脂天面５６側に配置されている。第１駆動パッド２１Ｃ及び第２駆動パッド２１Ｄはそれぞれ、厚さ方向Ｚにおいて半導体素子４０の表面４０ａよりも封止樹脂天面５６側に配置されている。

　半導体素子４０は、ＳｉＣを含む。本実施形態では、半導体素子４０は、ショットキーバリアダイオードが用いられている。半導体素子４０は、平板状に形成されている。具体的には、平面視において、半導体素子４０の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。本実施形態では、半導体素子４０は、内側本体部１２の中央部に配置されている。具体的には、平面視において、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第１フランジ部１９ａの第２封止樹脂側面５２側の端縁との間の第１距離Ｄ１と、半導体素子４０と内側本体部１２の幅狭部１４との間の第２距離Ｄ２とが互いに等しい。また、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第２フランジ部１９ｂの第３封止樹脂側面５３側の端縁との間の第３距離Ｄ３と、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第３フランジ部１９ｃの第４封止樹脂側面５４側の端縁との間の第４距離Ｄ４とが互いに等しい。ここで、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とのずれ量が例えば第１距離Ｄ１の５％以内であれば、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とが互いに等しいと言える。また、第３距離Ｄ３と第４距離Ｄ４とのずれ量が例えば第３距離Ｄ３の５％以内であれば、第３距離Ｄ３及び第４距離Ｄ４が互いに等しいと言える。

　半導体素子４０の表面４０ａには主面側駆動電極４１が形成され、厚さ方向Ｚにおいて表面４０ａとは反対側を向く裏面には裏面側駆動電極（図示略）が形成されている。主面側駆動電極４１はアノード電極を構成し、裏面側駆動電極はカソード電極を構成している。

　半導体素子４０の主面側駆動電極４１上には絶縁膜としてのパッシベーション膜４４が形成されている。パッシベーション膜４４には開口部４５が形成されている。開口部４５は、主面側駆動電極４１を露出している。

　平面視における開口部４５の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。開口部４５の横方向Ｙの大きさは、第１駆動パッド２１Ｃの横方向Ｙの大きさ及び第２駆動パッド２１Ｄの横方向Ｙの大きさよりも小さい。言い換えれば、第１駆動パッド２１Ｃの横方向Ｙの大きさ及び第２駆動パッド２１Ｄの横方向Ｙの大きさは、開口部４５の横方向Ｙの大きさよりも大きい。

　開口部４５は、半導体素子４０の表面４０ａの縦方向Ｘの中央部に設けられている。具体的には、開口部４５と半導体素子４０の第１側面４０ｃとの間の第１距離ＤＣ１と、開口部４５と半導体素子４０の第２側面４０ｄとの間の第２距離ＤＣ２と、開口部４５と半導体素子４０の第３側面４０ｅとの間の第３距離ＤＣ３と、開口部４５と半導体素子４０の第４側面４０ｆとの間の第４距離ＤＣ４とは互いに等しい。ここで、第１距離ＤＣ１、第２距離ＤＣ２、第３距離ＤＣ３、及び第４距離ＤＣ４の最大のずれ量が例えば第１距離ＤＣ１の５％以内であれば、第１距離ＤＣ１、第２距離ＤＣ２、第３距離ＤＣ３、及び第４距離ＤＣ４が互いに等しいと言える。

　主面側駆動電極４１は、開口部４５によって露出している露出領域４６を有する。露出領域４６は、横方向Ｙの両端部である第１露出端部４６ａ及び第２露出端部４６ｂを有する。第１露出端部４６ａは、露出領域４６のうちの半導体素子４０の第３側面４０ｅ側の端部である。第２露出端部４６ｂは、露出領域４６のうちの半導体素子４０の第４側面４０ｆ側の端部である。

　半導体装置１は、複数の駆動ワイヤ６０を備える。本実施形態では、複数の駆動ワイヤ６０は、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の２本の駆動ワイヤから構成されている。すなわち、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成している。第１駆動ワイヤ６１は、第２駆動ワイヤ６２に対して制御ワイヤ７０側に配置されている。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、互いに離間した状態で半導体素子４０の主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とを接続している。平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、横方向Ｙに離間して配列されている。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの横方向Ｙの両端にある駆動ワイヤである。

　第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、同一の金属からなる。本実施形態では、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、アルミニウムを含む。第１駆動ワイヤ６１の線径は、第２駆動ワイヤ６２の線径と等しい。ここで、第１駆動ワイヤ６１の線径と第２駆動ワイヤ６２の線径とのずれ量が例えば第１駆動ワイヤ６１の線径の５％以内であれば、第１駆動ワイヤ６１の線径が第２駆動ワイヤ６２の線径と等しいと言える。

　第１駆動ワイヤ６１は、半導体素子４０の主面側駆動電極４１と第１駆動パッド２１Ｃとを接続している。第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１と第２駆動パッド２１Ｄとを接続している。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２はそれぞれ、例えばワイヤボンディングによって主面側駆動電極４１と各駆動パッド２１Ｃ，２１Ｄとに接続されている。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１側に向かうにつれて広がっている。以下、このような第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の構成について詳細に説明する。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂよりも第４封止樹脂側面５４側に配置されている。第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂよりも第３封止樹脂側面５３側に配置されている。平面視において、駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２は、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ１よりも大きい。

　駆動電極側端部６１ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１と、駆動パッド側端部６１ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ２との横方向Ｙの間の距離を距離ＤＹ１と、駆動電極側端部６２ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ３と、駆動パッド側端部６２ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ４との横方向Ｙの間の距離を距離ＤＹ２とは互いに等しい。ここで、距離ＤＹ１と距離ＤＹ２とのずれ量が例えば距離ＤＹ１の５％以内であれば、距離ＤＹ１と距離ＤＹ２とが互いに等しいと言える。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、主面側駆動電極４１の露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第１露出端部４６ａ側に接続されている。本実施形態では、駆動電極側端部６１ａは、第１露出端部４６ａに接続されている。一例では、駆動電極側端部６１ａは、主面側駆動電極４１の露出領域４６の第１露出端部４６ａとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第３側面４０ｅ側の限界位置となるように配置されている。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂは、第１駆動パッド２１Ｃの横方向Ｙの中央部よりも第１端部２１ｃ側に接続されている。本実施形態では、駆動パッド側端部６１ｂは、第１駆動パッド２１Ｃの第１端部２１ｃに接続されている。一例では、駆動パッド側端部６１ｂは、第１駆動パッド２１Ｃの第１端部２１ｃとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第３封止樹脂側面５３側の限界位置となるように配置されている。駆動パッド側端部６１ｂは、縦方向Ｘにおいて、第１駆動パッド２１Ｃの縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、主面側駆動電極４１の露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第２露出端部４６ｂ側に接続されている。本実施形態では、駆動電極側端部６２ａは、第２露出端部４６ｂに接続されている。一例では、駆動電極側端部６２ａは、横方向Ｙにおいて開口部４５のうちの半導体素子４０の第４側面４０ｆ側の端部としてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４側面４０ｆ側の限界位置となるように配置されている。縦方向Ｘにおいて、駆動電極側端部６２ａは、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと揃った状態で横方向Ｙに配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６２ａと駆動電極側端部６１ａとが揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動電極側端部６１ａ，６２ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂは、第２駆動パッド２１Ｄの横方向Ｙの中央部よりも第２端部２１ｆ側に接続されている。本実施形態では、駆動パッド側端部６２ｂは、第２駆動パッド２１Ｄの第２端部２１ｆに接続されている。一例では、駆動パッド側端部６２ｂは、第２駆動パッド２１Ｄの第２端部２１ｆとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４封止樹脂側面５４側の限界位置となるように配置されている。駆動パッド側端部６２ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。

　本実施形態の半導体装置１によれば、第１実施形態の（１－１）、（１－５）、及び（１－７）の効果に加え、以下の効果が得られる。
　（４－１）第１駆動リード２０Ｃの第１駆動パッド２１Ｃと第２駆動リード２０Ｄの第２駆動パッド２１Ｄとが横方向Ｙにおいて離間した状態で配置されている。この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２を大きく取ることができる。したがって、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを低減できる。

　（４－２）駆動パッド側端部６１ｂは、第１駆動パッド２１Ｃのうちの第１端部２１ｅに接続され、駆動パッド側端部６２ｂは、第２駆動パッド２１Ｄのうちの第２端部２１ｆに接続されている。この構成によれば、駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２をより大きく取ることができる。したがって、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを一層低減できる。

　（第４実施形態の変更例）
　第４実施形態の半導体装置１は例えば以下のように変更できる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、組み合せることができる。なお、以下の変更例において、第３実施形態と共通する部分については、第４実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

　・駆動ワイヤ６０の数は、２本に限られず、任意に変更可能である。一例では、図３３に示すように、複数の駆動ワイヤ６０として第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、第３駆動ワイヤ６３、及び第４駆動ワイヤ６４の４本の駆動ワイヤから構成されてもよい。第３駆動ワイヤ６３及び第４駆動ワイヤ６４は、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間に配置されている。この場合、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成している。第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、第３駆動ワイヤ６３、及び第４駆動ワイヤ６４は、横方向Ｙにおいて離間して配列されている。このように、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成する第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの横方向Ｙの両端の駆動ワイヤである。

　第３駆動ワイヤ６３は、駆動電極側端部６３ａ及び駆動パッド側端部６３ｂを有する。駆動電極側端部６３ａは、第３駆動ワイヤ６３のうちの主面側駆動電極４１に接続される端部である。駆動パッド側端部６３ｂは、第３駆動ワイヤ６３のうちの第１駆動パッド２１Ｃに接続される端部である。駆動パッド側端部６３ｂは、駆動電極側端部６３ａよりも第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。第４駆動ワイヤ６４は、駆動電極側端部６４ａ及び駆動パッド側端部６４ｂを有する。駆動電極側端部６４ａは、第４駆動ワイヤ６４のうちの主面側駆動電極４１に接続される端部である。駆動パッド側端部６４ｂは、第４駆動ワイヤ６４のうちの第２駆動パッド２１Ｄに接続される端部である。駆動パッド側端部６４ｂは、駆動電極側端部６４ａよりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。図３３では、駆動パッド側端部６３ｂは、第１駆動パッド２１Ｃの第２端部２１ｄに接続されている。駆動パッド側端部６４ｂは、第２駆動パッド２１Ｄの第１端部２１ｅに接続されている。

　また図３３では、縦方向Ｘにおいて第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａ、第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａ、第３駆動ワイヤ６３の駆動電極側端部６３ａ、及び第４駆動ワイヤ６４の駆動電極側端部６４ａは互いに揃った状態で横方向Ｙに配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６１ａ、駆動電極側端部６２ａ、駆動電極側端部６３ａ、及び駆動電極側端部６４ａが互いに揃った状態とは、縦方向Ｘにおける駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａ，６４ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａ，６４ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａ，６４ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第３駆動ワイヤ６３は、主面側駆動電極４１側よりも第１駆動パッド２１Ｃ側の方が離れるように主面側駆動電極４１と第１駆動パッド２１Ｃとに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第３駆動ワイヤ６３との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。平面視において、第４駆動ワイヤ６４及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも第２駆動パッド２１Ｄ側の方が離れるように主面側駆動電極４１と第２駆動パッド２１Ｄとに接続されている。平面視において、第４駆動ワイヤ６４と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。第３駆動ワイヤ６３及び第４駆動ワイヤ６４は、主面側駆動電極４１側よりも第１駆動パッド２１Ｃ及び第２駆動パッド２１Ｄ側の方が離れるように主面側駆動電極４１と第１駆動パッド２１Ｃ及び第２駆動パッド２１Ｄとに接続されている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３と第４駆動ワイヤ６４との間隔は、主面側駆動電極４１から第１駆動パッド２１Ｃ及び第２駆動パッド２１Ｄに向かうにつれて徐々に広がっている。

　・半導体素子４０のサイズは任意に変更可能である。半導体素子４０のサイズを第４実施形態の半導体素子４０のサイズよりも縦方向Ｘ及び横方向Ｙの少なくとも一方において大きくしてもよい。

　・半導体素子４０の基板１０に対する配置位置は任意に変更可能である。
　第１例では、半導体素子４０を内側本体部１２のうちの第２封止樹脂側面５２寄りの部分に配置してもよい。詳細には、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第１フランジ部１９ａの第２封止樹脂側面５２側の端縁との縦方向Ｘの間の第１距離Ｄ１が半導体素子４０と内側本体部１２の幅狭部１４との縦方向Ｘの間の第２距離Ｄ２よりも小さい。

　この構成によれば、半導体素子４０の開口部４５と駆動パッド２１との間の距離が小さくなることによって、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２をそれぞれ短くできる。したがって、主面側駆動電極４１（ソース電極）から駆動リード２０の駆動端子２２（ソース端子）までの間のインダクタンスをより低減できる。

　第２例では、半導体素子４０を内側本体部１２のうちの第２封止樹脂側面５２寄りかつ第４封止樹脂側面５４寄りの部分に配置してもよい。詳細には、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第１フランジ部１９ａの第２封止樹脂側面５２側の端縁との縦方向Ｘの間の第１距離Ｄ１が半導体素子４０と内側本体部１２の幅狭部１４との縦方向Ｘの間の第２距離Ｄ２よりも小さい。また、半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第２フランジ部１９ｂの第３封止樹脂側面５３側の端縁との横方向Ｙの間の第３距離Ｄ３が半導体素子４０と内側本体部１２のうちの第３フランジ部１９ｃの第４封止樹脂側面５４側の端縁との横方向Ｙの間の第４距離Ｄ４よりも大きい。

　このような構成によれば、半導体素子４０と駆動パッド２１との間の距離がさらに小さくなることによって、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２をそれぞれさらに短くできる。したがって、主面側駆動電極４１（ソース電極）から駆動リード２０の駆動端子２２（ソース端子）までの間のインダクタンスをより一層低減できる。

　（各実施形態に共通した変更例）
　上記各実施形態の半導体装置１は例えば以下のように変更できる。
　・上記各実施形態において、厚さ方向Ｚにおける駆動パッド２１及び制御パッド３１の位置はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、駆動パッド２１及び制御パッド３１の少なくとも一方は、厚さ方向Ｚにおいて半導体素子４０に揃った状態であってもよい。また一例では、駆動パッド２１及び制御パッド３１の少なくとも一方は、厚さ方向Ｚにおいて基板１０に揃った状態であってもよい。

　・上記各実施形態において、平面視における駆動パッド２１及び制御パッド３１の配置位置はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、駆動パッド２１及び制御パッド３１の少なくとも一方は、基板１０に対して横方向Ｙにずれていてもよい。すなわち、駆動パッド２１及び制御パッド３１の少なくとも一方は、基板１０よりも封止樹脂５０の第３封止樹脂側面５３側又は第４封止樹脂側面５４側に配置されてもよい。これにより、駆動パッド２１及び制御パッド３１の少なくとも一方は、半導体素子４０に対して横方向Ｙにずれることになる。

　・上記各実施形態において、基板１０から複数のフランジ部１９を省略してもよい。
　・上記各実施形態において、複数の駆動ワイヤ６０と制御ワイヤ７０とは異なる金属によって形成されてもよい。一例では、複数の駆動ワイヤ６０は、アルミニウムからなり、制御ワイヤ７０は金（Ａｕ）からなる。

　・上記各実施形態において、複数の駆動ワイヤ６０の線径と制御ワイヤ７０の線径とは互いに異なってもよい。一例では、複数の駆動ワイヤ６０の線径は、制御ワイヤ７０の線径よりも大きい。

　・上記各実施形態において、複数の駆動ワイヤ６０の線径は、１２５μｍ～２５０μｍに限られず、任意に変更可能である。一例では、複数の駆動ワイヤ６０の線径は、２５０μｍ～４００μｍである。

　・上記各実施形態において、半導体素子４０は、平面視において矩形状の１つの開口部４５によって主面側駆動電極４１及び制御電極４３を露出するように構成されたが、開口部４５の数はこれに限られない。例えば、図３４に示すように、半導体素子４０の表面４０ａには、主面側駆動電極４１を露出する第１開口部４５Ａと、制御電極４３を露出する第２開口部４５Ｂとが形成されてもよい。平面視における第１開口部４５Ａの形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。平面視における第２開口部４５Ｂの形状は、縦方向Ｘが長辺方向となり、横方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第１開口部４５Ａは、縦方向Ｘにおいて半導体素子４０の第１側面４０ｃ寄りとなるように設けられている。第１開口部４５Ａは、横方向Ｙにおいて半導体素子４０の表面４０ａの大部分を開口している。第２開口部４５Ｂは、半導体素子４０の第２側面４０ｄ側の端部かつ第３側面４０ｅ側の端部に設けられている。

　主面側駆動電極４１は、第１開口部４５Ａによって露出している露出領域４６を有する。露出領域４６は、横方向Ｙの両端部である第１露出端部４６ａ及び第２露出端部４６ｂを有する。第１露出端部４６ａは、露出領域４６のうちの半導体素子４０の第３側面４０ｅ側の端部である。第２露出端部４６ｂは、露出領域４６のうちの半導体素子４０の第４側面４０ｆ側の端部である。

　第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１の露出領域４６と駆動リード２０の駆動パッド２１とに接続されている。図３４では、平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２とは平行となる。なお、平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっていてもよいし、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に狭くなってもよい。

　平面視において、駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２は、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ１と等しい。ここで、距離ＤＷ１と距離ＤＷ２とのずれ量が例えば距離ＤＷ２の５％以内であれば、距離ＤＷ２と距離ＤＷ１とが互いに等しいと言える。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第１露出端部４６ａ側に配置されている。図３４では、駆動電極側端部６１ａは、露出領域４６の第１露出端部４６ａに接続されている。一例では、駆動電極側端部６１ａは、露出領域４６の第１露出端部４６ａとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第３側面４０ｅ側の限界位置となるように配置されている。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の横方向Ｙの中央部よりも第１端部２１ａ側に接続されている。図３４では、駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の第１端部２１ａに接続されている。一例では、駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の第１端部２１ａとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第３封止樹脂側面５３側の限界位置となるように配置されている。駆動パッド側端部６１ｂは、縦方向Ｘにおいて駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。駆動パッド側端部６１ｂは、駆動電極側端部６１ａよりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第２露出端部４６ｂ側に配置されている。図３４では、駆動電極側端部６２ａは、露出領域４６の第２露出端部４６ｂに接続されている。一例では、駆動電極側端部６２ａは、露出領域４６の第２露出端部４６ｂとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４側面４０ｆ側の限界位置となるように配置されている。縦方向Ｘにおいて、駆動電極側端部６２ａは、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと揃った状態で横方向Ｙに配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６２ａと駆動電極側端部６１ａとが揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動電極側端部６１ａ，６２ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の横方向Ｙの中央部よりも第２端部２１ｂ側に接続されている。図３４では、駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂに接続されている。一例では、駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４封止樹脂側面５４側の限界位置となるように配置されている。駆動パッド側端部６２ｂは、縦方向Ｘにおいて駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。駆動パッド側端部６２ｂは、駆動電極側端部６２ａよりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。また、図３４では、駆動パッド側端部６２ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド側端部６１ｂと揃った状態で横方向Ｙに配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動パッド側端部６２ｂと駆動パッド側端部６１ｂとが揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動パッド側端部６１ｂ，６２ｂが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動パッド側端部６１ｂ，６２ｂにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動パッド側端部６１ｂ，６２ｂが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ１を大きく取ることができるため、主面側駆動電極４１と駆動パッド２１との間のインダクタンスを低減できる。

　・図３４の変更例の半導体装置１において、縦方向Ｘにおける第１開口部４５Ａ及び第２開口部４５Ｂの位置関係を逆にしてもよい。すなわち、第１開口部４５Ａが第２開口部４５Ｂよりも半導体素子４０の第２側面４０ｄ側に形成されてもよい。この構成によれば、第１開口部４５Ａと駆動パッド２１との間の距離が小さくなることにより、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２をそれぞれ短くすることができる。したがって、主面側駆動電極４１（ソース電極）から駆動リード２０の駆動端子２２（ソース端子）までの間のインダクタンスをより低減できる。

　（付記）
　次に、上記各実施形態及び各変更例に基づく技術的思想を以下に記載する。
　（付記１）主面を有する基板と、前記主面に実装され、前記主面と同じ方向を向く表面と、前記表面に形成された駆動電極とを有し、ＳｉＣを含む半導体素子と、駆動パッドと、互いに離間した状態で前記駆動電極と前記駆動パッドとを接続する複数の駆動ワイヤと、を備え、前記複数の駆動ワイヤのうちの最も離間している組み合せを構成する第１駆動ワイヤ及び第２駆動ワイヤは、前記主面に対して垂直な方向である第１方向からみて、前記駆動電極側よりも前記駆動パッド側の方が近づくように前記駆動電極と前記駆動パッドとに接続されている、半導体装置。

　（付記２）前記第１方向と直交する方向を第２方向とし、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向とすると、前記半導体素子と前記駆動パッドとは少なくとも前記第２方向にずれており、前記複数の駆動ワイヤは、前記第３方向に離間して配列されており、前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤは、前記複数の駆動ワイヤのうちの前記第３方向の両端にある駆動ワイヤである、付記１に記載の半導体装置。

　（付記３）前記半導体装置は、前記駆動電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の一部に前記駆動電極を露出するように形成された開口部と、を有し、前記開口部は、前記第１方向からみて、前記第２方向を短辺方向とし、前記第３方向を長辺方向とする矩形状に形成され、前記第３方向における前記開口部の大きさは、前記第３方向における前記駆動パッドの大きさよりも大きい、付記１又は２に記載の半導体装置。

　（付記４）前記半導体装置は、前記駆動電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の一部に前記駆動電極を露出するように形成された開口部と、を有し、前記開口部は、前記第１方向からみて、前記第２方向を短辺方向とし、前記第３方向を長辺方向とする矩形状に形成され、前記駆動電極は、前記開口部によって露出している露出領域を有し、前記露出領域は、前記第３方向の両端部である第１露出端部及び第２露出端部を有し、前記第１駆動ワイヤは、前記露出領域の前記第３方向の中央部よりも前記第１露出端部側に接続され、前記第２駆動ワイヤは、前記露出領域の前記第３方向の中央部よりも前記第２露出端部側に接続されている、付記１～４のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（付記５）前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤはそれぞれ、前記駆動電極に接続されている駆動電極側端部と、前記駆動パッドに接続されている駆動パッド側端部とを有し、前記駆動パッドは、前記第３方向の両端部である第１端部及び第２端部を有し、前記第１駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記駆動パッドの前記第３方向の中央部よりも第１端部側に接続されており、前記第２駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記駆動パッドの前記第３方向の中央部よりも第２端部側に接続されている、付記２～４のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（付記６）前記第１駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記第１端部に接続されており、前記第２駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記第２端部に接続されている、付記５に記載の半導体装置。

　（付記７）主面を有する基板と、前記主面に実装され、前記主面と同じ方向を向く表面と、前記表面に形成された駆動電極とを有し、ＳｉＣを含む半導体素子と、駆動パッドと、互いに離間した状態で前記駆動電極と前記駆動パッドとを接続する複数の駆動ワイヤと、を備え、前記複数の駆動ワイヤは、前記複数の駆動ワイヤのうちの最も離間している組み合わせを構成する第１駆動ワイヤ及び第２駆動ワイヤを含み、前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤはそれぞれ、前記駆動電極に接続されている駆動電極側端部と、前記駆動パッドに接続されている駆動パッド側端部とを有し、前記主面に対して垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向を第２方向とし、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向とすると、前記半導体素子と前記駆動パッドとは少なくとも前記第２方向にずれており、前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤは、前記第３方向に離間して配置されており、前記駆動パッドは、前記第３方向の両端部である第１端部及び第２端部を有し、前記第１駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記駆動パッドの前記第３方向の中央部よりも前記第１端部側に接続されており、前記第２駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記駆動パッドの前記第３方向の中央部よりも前記第２端部側に接続されている、半導体装置。

　（付記８）前記第１駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記第１端部に接続されており、前記第２駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記第２端部に接続されている、付記７に記載の半導体装置。

　（付記９）前記半導体装置は、前記駆動電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の一部に前記駆動電極を露出するように形成された開口部と、を有し、前記開口部は、前記第１方向からみて、前記第２方向を短辺方向とし、前記第３方向を長辺方向とする矩形状に形成され、前記第３方向における前記駆動パッドの大きさは、前記第３方向における前記開口部の大きさよりも大きい、付記７又は８に記載の半導体装置。

　（付記１０）前記第３方向における前記駆動パッドの大きさは、前記第３方向における前記半導体素子の大きさよりも大きい、付記９に記載の半導体装置。
　（付記１１）前記第３方向における前記駆動パッドの大きさは、前記第３方向における前記基板の大きさの１／２よりも大きい、付記７又は８に記載の半導体装置。

　（付記１２）前記駆動パッドは、第１駆動パッド及び第２駆動パッドを含み、前記第１駆動パッドには前記第１駆動ワイヤの駆動パッド側端部が接続され、前記第２駆動パッドには前記第２駆動ワイヤの駆動パッド側端部が接続され、前記第３方向において、前記第１駆動パッド及び前記第２駆動パッドは、離間して配置されている、付記７又は８に記載の半導体装置。

　（第５実施形態）
　図３５～図４５を参照して、半導体装置の第５実施形態について説明する。
　図３５に示すように、半導体装置１は、基板１０と、駆動リード２０と、制御リード３０と、基板１０の主面１０ａに実装された半導体素子４０と、半導体素子４０を封止する封止樹脂５０とを備える。本実施形態では、基板１０、駆動リード２０、及び制御リード３０は、同一の金属製の母材をプレス加工することによって形成されている。駆動リード２０は、封止樹脂５０の第１側面から突出したアウターリード２０Ａ、及び封止樹脂５０内に設けられ、アウターリード２０Ａと電気的に接続されたインナーリード２０Ｂを有する。本実施形態では、アウターリード２０Ａ及びインナーリード２０Ｂは一体化された単一部品である。制御リード３０は、封止樹脂５０の第１側面から突出したアウターリード３０Ａ、及び封止樹脂５０内に設けられ、アウターリード３０Ａと電気的に接続されたインナーリード３０Ｂを有する。本実施形態では、アウターリード３０Ａ及びインナーリード３０Ｂは一体化された単一部品である。半導体装置１の横寸法ＬＹは、１０ｍｍ以下が好ましい。本実施形態の半導体装置１は、パッケージ外形規格（ＪＥＩＴＡ規格）がＴＯ（Transistor Outline）－２５２のパッケージである。詳細には、半導体装置１の縦寸法ＬＸが９．５ｍｍ～１０．５０ｍｍ、横寸法ＬＹが６．４ｍｍ～６．８ｍｍ、厚さ寸法ＬＺが２．１ｍｍ～２．３ｍｍである。横寸法ＬＹ及び厚さ寸法ＬＺは、封止樹脂５０の横寸法ＬＲＹ及び厚さ寸法ＬＲＺに相当する。また封止樹脂５０の縦寸法ＬＲＸは、６．０ｍｍ～６．４ｍｍである。また、半導体装置１は、封止樹脂５０の１つの面から駆動リード２０のアウターリード２０Ａ及び制御リード３０のアウターリード３０Ａがそれぞれ延びる、いわゆるＳＩＰ（Single Inline Package）タイプである。

　図３５に示すとおり、封止樹脂５０の形状は、略直方体である。封止樹脂５０は、電気絶縁性を有する合成樹脂である。一例では、封止樹脂５０は、エポキシ樹脂である。封止樹脂５０は、第１封止樹脂側面５１、第２封止樹脂側面５２、第３封止樹脂側面５３、第４封止樹脂側面５４、封止樹脂裏面５５、及び封止樹脂天面５６の６面を有する。駆動リード２０の後述する駆動端子２２及び制御リード３０の後述する制御端子３２はそれぞれ、第２封止樹脂側面５２から突出している。本実施形態では、第２封止樹脂側面５２は、封止樹脂の第１側面の一例である。第１封止樹脂側面５１及び第２封止樹脂側面５２は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。本実施形態では、第１封止樹脂側面５１は、封止樹脂の第２側面の一例である。第３封止樹脂側面５３及び第４封止樹脂側面５４は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。封止樹脂裏面５５及び封止樹脂天面５６は、間隔をあけて互いに反対側を向いている。封止樹脂天面５６は、基板１０の主面１０ａと同じ方向を向いている。封止樹脂裏面５５は、基板１０の裏面１０ｂ（図３７参照）と同じ方向を向いている。以降の説明において、封止樹脂裏面５５と封止樹脂天面５６とが配列される方向を厚さ方向Ｚとし、第１封止樹脂側面５１と第２封止樹脂側面５２とが配列される方向を縦方向Ｘとし、第３封止樹脂側面５３と第４封止樹脂側面５４とが配列される方向を横方向Ｙとする。縦方向Ｘ及び横方向Ｙは、厚さ方向Ｚと直交する方向である。縦方向Ｘは、横方向Ｙと直交する方向である。ここで、厚さ方向Ｚは第１方向に相当し、縦方向Ｘは第２方向に相当し、横方向Ｙは第３方向に相当する。

　封止樹脂５０は、モールド成形によって形成されている。封止樹脂５０の各側面５１～５４は、封止樹脂５０の成形時に金型を抜き易くするような抜き勾配を設けるため、厚さ方向Ｚに対して傾斜する傾斜面が設けられている。具体的には、各側面５１～５４は、金型の上型を抜き易くするような抜き勾配を設けた第１傾斜面と、金型の下型を抜き易くするような抜き勾配を設けた第２傾斜面とを有する。金型の上型は、封止樹脂天面５６と各側面５１～５４のうちの封止樹脂天面５６側の部分を形成する。下型は、封止樹脂裏面５５と各側面５１～５４のうちの封止樹脂裏面５５側の部分を形成する。一例では、図３８及び図３９に示すように、第１封止樹脂側面５１は、第１傾斜面５１ａ及び第２傾斜面５１ｂを有する。第１傾斜面５１ａは、封止樹脂天面５６に向かうにつれて第２封止樹脂側面５２に向けて傾斜している。第２傾斜面５１ｂは、封止樹脂裏面５５に向かうにつれて第２封止樹脂側面５２に向けて傾斜している。第１傾斜面５１ａの長さは、第２傾斜面５１ｂの長さよりも長い。第２封止樹脂側面５２は、第１傾斜面５２ａ及び第２傾斜面５２ｂを有する。第１傾斜面５２ａは、封止樹脂天面５６に向かうにつれて第１封止樹脂側面５１に向けて傾斜している。第２傾斜面５２ｂは、封止樹脂裏面５５に向かうにつれて第１封止樹脂側面５１に向けて傾斜している。第１傾斜面５２ａの長さは、第２傾斜面５２ｂの長さよりも長い。第２傾斜面５２ｂは、基板１０よりも封止樹脂天面５６側にわたり形成されている。第３封止樹脂側面５３は、第１傾斜面５３ａ及び第２傾斜面５３ｂを有する。第１傾斜面５３ａは、封止樹脂天面５６に向かうにつれて第４封止樹脂側面５４に向けて傾斜している。第２傾斜面５３ｂは、封止樹脂裏面５５に向かうにつれて第４封止樹脂側面５４に向けて傾斜している。第１傾斜面５３ａの長さは、第２傾斜面５３ｂの長さよりも長い。第４封止樹脂側面５４は、第１傾斜面５４ａ及び第２傾斜面５４ｂを有する。第１傾斜面５４ａは、封止樹脂天面５６に向かうにつれて第３封止樹脂側面５３に向けて傾斜している。第２傾斜面５４ｂは、封止樹脂裏面５５に向かうにつれて第３封止樹脂側面５３に向けて傾斜している。

　なお、第１傾斜面５１ａの長さ及び第２傾斜面５１ｂの長さはそれぞれ任意に変更可能である。また第１傾斜面５２ａの長さ及び第２傾斜面５２ｂの長さはそれぞれ任意に変更可能である。また第１傾斜面５３ａの長さ及び第２傾斜面５３ｂの長さはそれぞれ任意に変更可能である。また第１傾斜面５４ａの長さ及び第２傾斜面５４ｂの長さはそれぞれ任意に変更可能である。

　図３６は、半導体装置１を厚さ方向Ｚの封止樹脂天面５６からみた図である。図３６では、便宜上、封止樹脂５０を二点鎖線にて示し、封止樹脂５０内の部品を実線で示している。

　図３６に示すとおり、半導体装置１を厚さ方向Ｚの封止樹脂天面５６からみて（以下、「平面視」という）、封止樹脂５０の形状は、縦方向Ｘが長辺方向となり、横方向Ｙが短辺方向となる略矩形状である。第１封止樹脂側面５１及び第２封止樹脂側面５２は横方向Ｙに沿う側面であり、第３封止樹脂側面５３及び第４封止樹脂側面５４は縦方向Ｘに沿う側面である。

　基板１０は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く主面１０ａ及び裏面１０ｂ（図３７参照）を有する。主面１０ａは、封止樹脂天面５６と同じ方向を向き、裏面１０ｂは、封止樹脂裏面５５（図３７参照）と同じ方向を向いている。基板１０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）によって形成されている。

　基板１０は、封止樹脂５０に覆われた内側本体部１１１と、封止樹脂５０から突出した突出部１１２とに区分できる。内側本体部１１１及び突出部１１２は、縦方向Ｘに隣り合っている。突出部１１２は、第１封止樹脂側面５１から縦方向Ｘに突出している。本実施形態では、突出部１１２の横方向Ｙの大きさは、内側本体部１１１の横方向Ｙの大きさよりも小さい。なお、突出部１１２の横方向Ｙの大きさは任意に変更可能である。一例では、突出部１１２の横方向Ｙの大きさは、内側本体部１１１の横方向Ｙの大きさと等しくてもよい。

　平面視において、内側本体部１１１は、その縦方向Ｘの中心が封止樹脂５０の縦方向Ｘの中心よりも第１封止樹脂側面５１寄りとなるように配置されている。内側本体部１１１は、主面１１１ａ、裏面１１１ｂ（図３７参照）、第１側面１１１ｃ、第２側面１１１ｄ、及び第３側面１１１ｅを有する。主面１１１ａと裏面１１１ｂとは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向いている。主面１１１ａは基板１０の主面１０ａを構成し、裏面１１１ｂは基板１０の裏面１０ｂを構成している。このため、主面１１１ａは封止樹脂天面５６側に面し、裏面１１１ｂは封止樹脂裏面５５側を面している。第１側面１１１ｃは第２封止樹脂側面５２に面し、第２側面１１１ｄは第３封止樹脂側面５３に面し、第３側面１１１ｅは第４封止樹脂側面５４に面している。第１側面１１１ｃは横方向Ｙに沿って延びている。第２側面１１１ｄ及び第３側面１１１ｅは、横方向Ｙにおいて間隔をあけて対向している。第２側面１１１ｄ及び第３側面１１１ｅは、縦方向Ｘに沿って延びている。

　内側本体部１１１において突出部１１２側の端部には、幅狭部１１３が形成されている。幅狭部１１３は、第２側面１１１ｄから横方向Ｙの第４封止樹脂側面５４側に向けて凹む湾曲状の凹部１１３ａと、第３側面１１１ｅから横方向Ｙの第３封止樹脂側面５３側に向けて凹む湾曲状の凹部１１３ｂとによって形成されている。幅狭部１１３の横方向Ｙの大きさは、内側本体部１１１のうちの幅狭部１１３以外の部分の横方向Ｙの大きさよりも小さい。また幅狭部１１３の横方向Ｙの大きさは、突出部１１２の横方向Ｙの大きさよりも小さい。幅狭部１１３は、封止樹脂５０の第１封止樹脂側面５１と縦方向Ｘに隣り合うように設けられている。幅狭部１１３には、厚さ方向Ｚにおいて幅狭部１１３を貫通している貫通孔１１４が設けられている。平面視における貫通孔１１４の形状は、横方向Ｙが長手方向となる略長円である。

　図３７に示すように、内側本体部１１１の裏面１１１ｂの一部は、封止樹脂裏面５５から露出している。内側本体部１１１の裏面１１１ｂのうちの封止樹脂裏面５５から露出している面である露出面１１１ｘは、内側本体部１１１の裏面１１１ｂのうちの第１封止樹脂側面５１側の部分である。露出面１１１ｘのうちの第２封止樹脂側面５２側の端縁１１１ｘｅは、封止樹脂５０の縦方向Ｘの中央部よりも第１封止樹脂側面５１側となるように形成されている。本実施形態では、露出面１１１ｘの端縁１１１ｘｅは、横方向Ｙに沿って延びている。露出面１１１ｘは、封止樹脂裏面５５と面一となる。内側本体部１１１の裏面１１１ｂのうちの露出面１１１ｘ以外の部分は、封止樹脂裏面５５から露出しない非露出面１１１ｙを構成している。

　図３６に示すように、平面視において、基板１０よりも封止樹脂５０の第２封止樹脂側面５２側には、駆動リード２０及び制御リード３０が基板１０に対して縦方向Ｘに離間した状態で配置されている。駆動リード２０及び制御リード３０は、横方向Ｙにおいて互いに離間した状態で配置されている。

　駆動リード２０は、駆動パッド２１、駆動端子２２、及び、駆動パッド２１と駆動端子２２とを連結する連結部２３を有する。駆動パッド２１及び連結部２３はインナーリード２０Ｂを構成し、駆動端子２２はアウターリード２０Ａを構成している。駆動パッド２１及び連結部２３は、縦方向Ｘにおいて基板１０と第２封止樹脂側面５２との間に配置されている。より詳細には、駆動パッド２１及び連結部２３は、縦方向Ｘにおいて封止樹脂５０の縦方向Ｘの中央部よりも第２封止樹脂側面５２側となるように配置されている。駆動パッド２１は、その横方向Ｙの中央部が封止樹脂５０の横方向Ｙの中央部よりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。連結部２３は、横方向Ｙにおいて封止樹脂５０の横方向Ｙの中央部よりも第４封止樹脂側面５４側に配置されている。

　平面視における駆動パッド２１の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる略矩形状である。横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさは、横方向Ｙにおける半導体素子４０の大きさよりも大きい。本実施形態では、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさは、横方向Ｙにおける内側本体部１１１の大きさの１／２よりも大きい。

　駆動パッド２１は、横方向Ｙの端部として第１端部２１ａ及び第２端部２１ｂを有する。第１端部２１ａは、駆動パッド２１のうちの第３封止樹脂側面５３側の端部である。本実施形態では、第１端部２１ａは、内側本体部１１１の横方向Ｙの中央部よりも第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。第２端部２１ｂは、駆動パッド２１のうちの第４封止樹脂側面５４側の端部である。第２端部２１ｂは、内側本体部１１１の第３側面１１１ｅよりも第４封止樹脂側面５４側に位置している。図３８に示すように、駆動パッド２１は、厚さ方向Ｚにおいて、内側本体部１１１の主面１１１ａよりも封止樹脂天面５６側に位置している。また駆動パッド２１は、厚さ方向Ｚにおいて、半導体素子４０の表面４０ａよりも封止樹脂天面５６側に位置している。

　図３６に示すように、連結部２３は、駆動パッド２１のうちの第２封止樹脂側面５２側の端部から連続している。連結部２３は、横方向Ｙにおいて駆動パッド２１の中央部よりも第４封止樹脂側面５４側に位置している。駆動端子２２は、ソース端子を構成している。図３８に示すように、駆動端子２２は、第２封止樹脂側面５２の第１傾斜面５２ａから突出している。すなわち、駆動端子２２は、駆動端子２２のうちの第２封止樹脂側面５２側の端部である端子基端部２２ｘを有する。端子基端部２２ｘは、第１傾斜面５２ａから突出している。厚さ方向Ｚにおいて、端子基端部２２ｘは、駆動パッド２１及び連結部２３と揃った状態となるように設けられている。

　図３６に示すように、制御リード３０は、制御パッド３１、制御端子３２、及び、制御パッド３１と制御端子３２とを連結する連結部３３を有する。制御パッド３１及び連結部３３はインナーリード３０Ｂを構成し、制御端子３２はアウターリード３０Ａを構成している。制御パッド３１及び連結部３３は、縦方向Ｘにおいて基板１０と第２封止樹脂側面５２との間に配置されている。制御パッド３１及び連結部３３は、横方向Ｙにおいて封止樹脂５０の中央よりも第３封止樹脂側面５３側に配置されている。

　平面視における制御パッド３１の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる略矩形状である。横方向Ｙにおける制御パッド３１の大きさは、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさよりも小さい。このため、駆動パッド２１の横方向Ｙの大きさを大きくすることができる。図３５に示すように、制御パッド３１は、厚さ方向Ｚにおいて、内側本体部１１１の主面１１１ａよりも封止樹脂天面５６側に位置している。また制御パッド３１は、厚さ方向Ｚにおいて、半導体素子４０の表面４０ａよりも封止樹脂天面５６側に位置している。

　図３６に示すように、連結部３３は、制御パッド３１のうちの第２封止樹脂側面５２側の端部から連続している。連結部３３は、横方向Ｙにおいて制御パッド３１のうちの第３封止樹脂側面５３寄りに位置している。制御端子３２は、ゲート端子を構成している。図３５に示すように、制御端子３２は、第２封止樹脂側面５２の第１傾斜面５２ａから突出している。

　図３８及び図３９に示すように、半導体素子４０は、内側本体部１１１の主面１１１ａに半田ＳＤによって実装されている。図３６に示すとおり、半導体素子４０は、内側本体部１１１のうちの第１封止樹脂側面５１寄りの部分に配置されている。具体的には、平面視において、半導体素子４０と内側本体部１１１の第１側面１１１ｃとの間の第１距離Ｄ１が半導体素子４０と内側本体部１１１の幅狭部１１３との間の第２距離Ｄ２よりも大きい。一例では、半導体素子４０は、内側本体部１１１において幅狭部１１３と縦方向Ｘに隣り合う部分に配置されている。本実施形態では、半導体素子４０は、内側本体部１１１のうちの幅狭部１１３と縦方向Ｘに隣り合う部分に配置されている。

　半導体素子４０は、内側本体部１１１の横方向Ｙの中央部に配置されている。具体的には、半導体素子４０と内側本体部１１１の第２側面１１１ｄとの間の第３距離Ｄ３と、半導体素子４０と内側本体部１１１の第３側面１１１ｅとの間の第４距離Ｄ４とが互いに等しい。ここで、第３距離Ｄ３と第４距離Ｄ４のずれ量が例えば第３距離Ｄ３の５％以内であれば、第３距離Ｄ３と第４距離Ｄ４とが互いに等しいと言える。本実施形態では、第１距離Ｄ１は、第３距離Ｄ３及び第４距離Ｄ４よりも大きい。第２距離Ｄ２は、第３距離Ｄ３及び第４距離Ｄ４よりも小さい。

　半導体素子４０は、炭化シリコン（ＳｉＣ）を含む。本実施形態では、半導体素子４０はＳｉＣＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）が用いられている。半導体素子４０（ＳｉＣＭＯＳＦＴ）は、１ｋＨｚ以上かつ数百ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチングが可能な素子である。好ましくは、半導体素子４０は、１ｋＨｚ以上かつ１００ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチングが可能な素子である。本実施形態では、半導体素子４０は、１００ｋＨｚの周波数の駆動信号に応じて高速スイッチングを行う。

　半導体素子４０は、平板状に形成されている。具体的には、平面視において、半導体素子４０の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。本実施形態では、横方向Ｙにおける半導体素子４０の大きさは、３ｍｍである。ここで、横方向Ｙにおける半導体素子４０の大きさは、３ｍｍの５％の誤差（±０．１５ｍｍ）を含む。

　図３６、図３８、及び図３９に示すように、半導体素子４０は、表面４０ａ、裏面４０ｂ、第１側面４０ｃ、第２側面４０ｄ、第３側面４０ｅ、及び第４側面４０ｆを有する。表面４０ａ及び裏面４０ｂは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対方向を向いている。表面４０ａは、封止樹脂天面５６に面している。すなわち、表面４０ａは、基板１０の主面１０ａと同じ方向を向いている。裏面４０ｂは、封止樹脂裏面５５に面している。裏面４０ｂは、内側本体部１１１の主面１１１ａに対向している。第１側面４０ｃは第１封止樹脂側面５１に面し、第２側面４０ｄは第２封止樹脂側面５２に面し、第３側面４０ｅは第３封止樹脂側面５３に面し、第４側面４０ｆは第４封止樹脂側面５４に面している。

　表面４０ａには、主面側駆動電極４１及び制御電極４３が形成されている。裏面４０ｂには、裏面側駆動電極４２が形成されている。本実施形態では、主面側駆動電極４１がソース電極を構成し、裏面側駆動電極４２がドレイン電極を構成している。制御電極４３はゲート電極を構成している。裏面側駆動電極４２は、半田ＳＤによって内側本体部１１１に電気的に接続されている。

　主面側駆動電極４１は、表面４０ａの大部分にわたり形成されている。平面視において、主面側駆動電極４１の形状は、縦方向Ｘを短辺方向とし、横方向Ｙを長辺方向とする略矩形状である。主面側駆動電極４１は、第３封止樹脂側面５３に向けて開口する凹部４１ａが形成されている。凹部４１ａは、主面側駆動電極４１のうちの第３封止樹脂側面５３側の端部かつ縦方向Ｘの中央部に形成されている。凹部４１ａ内には、制御電極４３が形成されている。

　半導体素子４０は、主面側駆動電極４１及び制御電極４３上に形成された絶縁膜であるパッシベーション膜４４を有する。パッシベーション膜４４には、主面側駆動電極４１の一部及び制御電極４３の一部を露出する開口部４５が形成されている。

　平面視における開口部４５の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。横方向Ｙにおける開口部４５の大きさは、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさよりも小さい。言い換えれば、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさは、横方向Ｙにおける開口部４５の大きさよりも大きい。

　開口部４５は、半導体素子４０の表面４０ａの縦方向Ｘの中央部に設けられている。具体的には、開口部４５と半導体素子４０の第１側面４０ｃとの間の第１距離ＤＣ１と、開口部４５と半導体素子４０の第２側面４０ｄとの間の第２距離ＤＣ２と、開口部４５と半導体素子４０の第３側面４０ｅとの間の第３距離ＤＣ３と、開口部４５と半導体素子４０の第４側面４０ｆとの間の第４距離ＤＣ４とは互いに等しい。ここで、第１距離ＤＣ１、第２距離ＤＣ２、第３距離ＤＣ３、及び第４距離ＤＣ４の最大のずれ量が例えば第１距離ＤＣ１の５％以内であれば、第１距離ＤＣ１、第２距離ＤＣ２、第３距離ＤＣ３、及び第４距離ＤＣ４が互いに等しいと言える。

　主面側駆動電極４１は、開口部４５によって露出している露出領域４６を有する。露出領域４６は、横方向Ｙの両端部である第１露出端部４６ａ及び第２露出端部４６ｂを有する。第１露出端部４６ａは、露出領域４６のうちの半導体素子４０の第３側面４０ｅ側の端部である。第２露出端部４６ｂは、露出領域４６のうちの半導体素子４０の第４側面４０ｆ側の端部である。

　半導体装置１は、複数の駆動ワイヤ６０と１本の制御ワイヤ７０を備える。本実施形態では、複数の駆動ワイヤ６０は、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の２本の駆動ワイヤから構成されている。すなわち、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離間している組み合わせを構成している。第１駆動ワイヤ６１は、第２駆動ワイヤ６２に対して制御ワイヤ７０側に配置されている。

　第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、同一の金属からなる。本実施形態では、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、アルミニウムを含む。第１駆動ワイヤ６１の線径は、第２駆動ワイヤ６２の線径と等しい。ここで、第１駆動ワイヤ６１の線径と第２駆動ワイヤ６２の線径とのずれ量が例えば第１駆動ワイヤ６１の線径の５％以内であれば、第１駆動ワイヤ６１の線径が第２駆動ワイヤ６２の線径と等しいと言える。本実施形態では、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径は、制御ワイヤ７０の線径と等しい。ここで、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径と制御ワイヤ７０の線径とのずれ量が例えば制御ワイヤ７０の線径の５％以内であれば、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径が制御ワイヤ７０の線径と等しいと言える。第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、及び制御ワイヤ７０のそれぞれの線径の一例は、１２５μｍ～２５０μｍである。本実施形態では、第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、及び制御ワイヤ７０のそれぞれの線径は、１２５μｍである。

　第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２はそれぞれ、半導体素子４０の主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とを接続している。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２はそれぞれ、例えばワイヤボンディングによって主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、横方向Ｙに離間して配列されている。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの横方向Ｙの両端にある駆動ワイヤである。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１側に向かうにつれて広がっている。以下、このような第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の構成について詳細に説明する。

　図４０に示すように、第１駆動ワイヤ６１は、駆動電極側端部６１ａ及び駆動パッド側端部６１ｂを有する。第２駆動ワイヤ６２は、駆動電極側端部６２ａ及び駆動パッド側端部６２ｂを有する。平面視において、駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２は、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ１よりも大きい。平面視において、距離ＤＷ１は第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離の最小値であり、距離ＤＷ２は第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離の最大値である。

　駆動電極側端部６１ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１と、駆動パッド側端部６１ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ２との横方向Ｙの間の距離を距離ＤＹ１とし、駆動電極側端部６２ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ３と、駆動パッド側端部６２ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ４との横方向Ｙの間の距離を距離ＤＹ２とする。この場合、距離ＤＹ２は、距離ＤＹ１よりも大きい。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、主面側駆動電極４１の露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第１露出端部４６ａ側に接続されている。本実施形態では、駆動電極側端部６１ａは、第１露出端部４６ａに接続されている。具体的には、駆動電極側端部６１ａは、横方向Ｙにおいて主面側駆動電極４１のうちの制御電極４３と隣り合う部分、すなわち主面側駆動電極４１の凹部４１ａの底部を構成する部分に接続されている。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の横方向Ｙの中央部よりも第１端部２１ａ側に接続されている。本実施形態では、駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の第１端部２１ａに接続されている。一例では、駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の第１端部２１ａとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第３封止樹脂側面５３側の限界位置となるように配置されている。具体的には、ワイヤボンディング装置における第１駆動ワイヤ６１を供給するキャピラリが駆動パッド２１の第１端部２１ａの第３封止樹脂側面５３側の端縁に位置するように駆動パッド側端部６１ｂの第１端部２１ａに対する横方向Ｙの位置が設定される。駆動パッド側端部６１ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に配置されている。駆動パッド側端部６１ｂは、駆動電極側端部６１ａよりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、主面側駆動電極４１の露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第２露出端部４６ｂ側に接続されている。本実施形態では、駆動電極側端部６２ａは、第２露出端部４６ｂに接続されている。一例では、駆動電極側端部６２ａは、横方向Ｙにおいて開口部４５のうちの半導体素子４０の第４側面４０ｆ側の端部としてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４側面４０ｆ側の限界位置となるように配置されている。具体的には、ワイヤボンディング装置における第２駆動ワイヤ６２を供給するキャピラリが露出領域４６の第４側面４０ｆ側の端縁に位置するように駆動電極側端部６２ａの露出領域４６の第２露出端部４６ｂに対する横方向Ｙの位置が設定される。縦方向Ｘにおいて、駆動電極側端部６２ａは、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと揃った状態で横方向Ｙに配列されている。ここで、駆動電極側端部６２ａと駆動電極側端部６１ａとが揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動電極側端部６１ａ，６２ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、両駆動電極側端部６１ａ，６２ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、両駆動電極側端部６１ａ，６２ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の横方向Ｙの中央部よりも第２端部２１ｂ側に接続されている。本実施形態では、駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂに接続されている。一例では、駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４封止樹脂側面５４側の限界位置となるように配置されている。具体的には、ワイヤボンディング装置における第２駆動ワイヤ６２を供給するキャピラリが駆動パッド２１の第２端部２１ｂの第４封止樹脂側面５４側の端縁に位置するように駆動パッド側端部６２ｂの第２端部２１ｂに対する横方向Ｙの位置が設定される。駆動パッド側端部６２ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に配置されている。駆動パッド側端部６２ｂは、駆動電極側端部６２ａよりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。駆動パッド側端部６２ｂは、横方向Ｙにおいて半導体素子４０よりも第４封止樹脂側面５４側に配置されている。また、本実施形態では、駆動パッド側端部６２ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド側端部６１ｂと揃った状態で横方向Ｙに配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動パッド側端部６２ｂと駆動パッド側端部６１ｂとが揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動パッド側端部６１ｂ，６２ｂが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、両駆動パッド側端部６１ｂ，６２ｂにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、両駆動パッド側端部６１ｂ，６２ｂが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　制御ワイヤ７０は、半導体素子４０の制御電極４３と制御パッド３１とを接続している。制御ワイヤ７０は、例えばワイヤボンディングによって制御電極４３と制御パッド３１とに接続されている。制御ワイヤ７０は、複数の駆動ワイヤ６０と同一の材料が用いられている。制御ワイヤ７０は、制御電極側端部７１と制御パッド側端部７２とを有する。制御電極側端部７１は、制御ワイヤ７０のうちの制御電極４３に接続される端部である。制御パッド側端部７２は、制御ワイヤ７０のうちの制御パッド３１に接続される端部である。制御電極側端部７１は、制御ワイヤ７０のうちの制御電極側端部７１と第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ３は、距離ＤＷ１よりも小さい。制御電極側端部７１から縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ５と、制御パッド側端部７２から縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ６との間の距離ＤＹ３は、距離ＤＹ１よりも大きく、距離ＤＹ２よりも小さい。なお、距離ＤＹ３の大きさは任意に変更可能である。一例では、距離ＤＹ３は、距離ＤＹ１以下である。

　次に、半導体装置１におけるドレイン端子（基板１０の裏面１０ｂ）とソース端子（駆動端子２２）との間の沿面距離の延長構造について説明する。
　図３６及び図３８に示すように、基板１０の裏面１０ｂ（内側本体部１１１の裏面１１１ｂ）における第２封止樹脂側面５２側の部分には、窪み１１５ａが設けられている。窪み１１５ａは、内側本体部１１１の裏面１１１ｂから主面１１１ａに向けて段差状に凹むことによって形成されている。窪み１１５ａは、縦方向Ｘにおいて内側本体部１１１の第１側面１１１ｃから内側本体部１１１の縦方向Ｘの中央部よりも第２封止樹脂側面５２側の部分までにわたり形成されている。本実施形態では、窪み１１５ａは、その第１封止樹脂側面５１側の端縁が半導体素子４０の第２側面４０ｄと縦方向Ｘにおいて揃った状態となるように形成されている。換言すると、半導体素子４０は、窪み１１５ａの第１封止樹脂側面５１側の端縁と半導体素子４０の第２側面４０ｄとが縦方向Ｘに揃うように内側本体部１１１の主面１１１ａに実装されている。本実施形態では、窪み１１５ａの第１封止樹脂側面５１側の端縁は、露出面１１１ｘの端縁１１１ｘｅと一致している。また、本実施形態では、窪み１１５ａは、内側本体部１１１の裏面１１１ｂにおける第２封止樹脂側面５２側の部分の横方向Ｙの全体にわたり形成されている。

　窪み１１５ａの深さＨ１は、基板１０の厚さ（内側本体部１１１の厚さＴ）の１／２以下である。本実施形態では、深さＨ１は、内側本体部１１１の厚さＴの１／３である。ここで、深さＨ１と厚さＴの１／３とのずれ量が例えば深さＨ１の５％以内であれば、深さＨ１が厚さＴの１／３であると言える。本実施形態では、深さＨ１は、０．９ｍｍである。窪み１１５ａには、封止樹脂５０の一部が入り込んでいる。

　図３９に示すように、内側本体部１１１の裏面１１１ｂのうちの窪み１１５ａよりも第１封止樹脂側面５１側の部分における第３封止樹脂側面５３側の端部には、窪み１１５ｂが設けられている。内側本体部１１１の裏面１１１ｂのうちの窪み１１５ａよりも第１封止樹脂側面５１側の部分における第４封止樹脂側面５４側の端部には、窪み１１５ｃが設けられている。窪み１１５ｂ，１１５ｃはそれぞれ、内側本体部１１１の裏面１１１ｂから主面１１１ａに向けて段差状に凹むことによって形成されている。図３６に示すように、窪み１１５ｂは、横方向Ｙにおいて内側本体部１１１の第２側面１１１ｄから第３距離Ｄ３の１／２よりも第３封止樹脂側面５３側の部分までにわたり形成されている。窪み１１５ｃは、横方向Ｙにおいて内側本体部１１１の第３側面１１１ｅから第４距離Ｄ４の１／２よりも第４封止樹脂側面５４側の部分までにわたり形成されている。ここで、上述のとおり、第３距離Ｄ３は半導体素子４０と内側本体部１１１の第２側面１１１ｄとの間の距離であり、第４距離Ｄ４は半導体素子４０と内側本体部１１１の第３側面１１１ｅとの間の距離である。また、窪み１１５ｂは、窪み１１５ａの横方向Ｙの第２側面１１１ｄ側の端部と繋がっている。窪み１１５ｃは、窪み１１５ａの横方向Ｙの第３側面１１１ｅ側の端部と繋がっている。

　窪み１１５ｂの深さＨ２は窪み１１５ｃの深さＨ３と等しい。ここで、深さＨ２と深さＨ３とのずれ量が例えば深さＨ２の５％以内であれば、深さＨ２が深さＨ３と等しいと言える。深さＨ２，Ｈ３は、内側本体部１１１の厚さＴの１／２以下である。本実施形態では、深さＨ２，Ｈ３は、厚さＴの１／３である。すなわち、深さＨ２，Ｈ３は、深さＨ１と等しい。本実施形態では、深さＨ２，Ｈ３はそれぞれ、０．９ｍｍである。窪み１１５ｂ，１１５ｃには、封止樹脂５０の一部が入り込んでいる。

　図３６及び図３８に示すように、内側本体部１１１の凹部１１３ａ，１１３ｂ及び貫通孔１１４の一部にはそれぞれ、窪み１１５ｄが設けられている。凹１１３ａ，１１３ｂに設けられた窪み１１５ｄは、凹部１１３ａ，１１３ｂに沿って形成されている。貫通孔１１４に設けられた窪み１１５ｄは、貫通孔１１４を構成する内側面のうちの第２封止樹脂側面５２かつ横方向Ｙの中央部に設けられている。これら窪み１１５ｄの深さＨ４は窪み１１５ｂ，１１５ｃの深さＨ２，Ｈ３と等しい。ここで、深さＨ４と深さＨ２とのずれ量及び深さＨ４と深さＨ３とのずれ量が例えば深さＨ４の５％以内であれば、深さＨ４が深さＨ２，Ｈ３と等しいと言える。これら窪み１１５ｄにはそれぞれ、封止樹脂５０の一部が入り込んでいる。

　これら窪み１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃ，１１５ｄは、基板１０をプレス加工（パンチング）することによって形成されている。このため、窪み１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃ，１１５ｄは、一工程において同時に形成される。

　図３６に示すように、内側本体部１１１は、厚さ方向Ｚにおける窪み１１５ａと主面１１１ａとの間の部分である第１薄肉部１１６ａと、厚さ方向Ｚにおける窪み１１５ｂと主面１１１ａとの間の部分である第２薄肉部１１６ｂと、厚さ方向Ｚにおける窪み１１５ｃと主面１１１ａとの間の部分である第３薄肉部１１６ｃと、厚さ方向Ｚにおける窪み１１５ｄと主面１１１ａとの間の部分である第４薄肉部１１６ｄとを有する。図３８及び図３９に示すように、窪み１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃ，１１５ｄの深さＨ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４が互いに等しいため、第１薄肉部１１６ａの厚さＴ１、第２薄肉部１１６ｂの厚さＴ２、第３薄肉部１１６ｃの厚さＴ３、及び第４薄肉部１１６ｄの厚さＴ４は互いに等しい。ここで、厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４のうちの最大のずれ量が例えば厚さＴ１の５％以内であれば、厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４が互いに等しいと言える。

　縦方向Ｘにおける第１薄肉部１１６ａの長さＬ１は、横方向Ｙにおける第２薄肉部１１６ｂの長さＬ２及び横方向Ｙにおける第３薄肉部１１６ｃの長さＬ３よりも長い。また、長さＬ１は、第４薄肉部１１６ｄの長さＬ４よりも長い。長さＬ１は、長さＬ２，Ｌ３，Ｌ４の２倍以上である。好ましくは、長さＬ１は、長さＬ２，Ｌ３，Ｌ４の３倍以上である。本実施形態では、長さＬ１は、長さＬ２，Ｌ３，Ｌ４の約１０倍である。また本実施形態では、長さＬ２，Ｌ３，Ｌ４は互いに等しい。ここで、長さＬ２，Ｌ３，Ｌ４のうちの最大のずれ量が例えば長さＬ２の５％以内であれば、長さＬ２，Ｌ３，Ｌ４は互いに等しいと言える。

　図３８及び図３９に示すように、内側本体部１１１の裏面１１１ｂの非露出面１１１ｙは、第１薄肉部１１６ａにおいて露出面１１１ｘと同じ側を向く第１非露出面１１１ｙａ、第２薄肉部１１６ｂにおいて露出面１１１ｘと同じ側を向く第２非露出面１１１ｙｂ、第３薄肉部１１６ｃにおいて露出面１１１ｘと同じ側を向く第３非露出面１１１ｙｃ、及び第４薄肉部１１６ｄにおいて露出面１１１ｘと同じ側を向く第４非露出面１１１ｙｄを含む。

　図３７に示すように、縦方向Ｘにおける第２封止樹脂側面５２から基板１０の裏面１０ｂ（内側本体部１１１の露出面１１１ｘ）までの最短距離を距離ＤＰ１とし、横方向Ｙにおける第３封止樹脂側面５３から基板１０の裏面１０ｂ（内側本体部１１１の露出面１１１ｘ）までの最短距離を距離ＤＰ２とし、横方向Ｙにおける第４封止樹脂側面５４から基板１０の裏面１０ｂ（内側本体部１１１の露出面１１１ｘ）までの最短距離を距離ＤＰ３とする。この場合、距離ＤＰ１は、距離ＤＰ２及び距離ＤＰ３よりも長い。好ましくは、距離ＤＰ１は、距離ＤＰ２及び距離ＤＰ３の２倍以上である。さらに好ましくは、距離ＤＰ１は、距離ＤＰ２及び距離ＤＰ３の３倍以上である。より好ましくは、距離ＤＰ１は、距離ＤＰ２及び距離ＤＰ３の４倍以上である。より一層好ましくは、距離ＤＰ１は、距離ＤＰ２及び距離ＤＰ３の５倍以上である。本実施形態では、距離ＤＰ１は、距離ＤＰ２及び距離ＤＰ３の約６倍である。

　図３８に示すように、駆動端子２２において第２封止樹脂側面５２と接触している端子基端部２２ｘは、駆動リード２０の駆動パッド２１及び連結部２３と厚さ方向Ｚにおいて揃った状態となるように配置されている。すなわち、端子基端部２２ｘは、厚さ方向Ｚにおいて基板１０の主面１０ａよりも封止樹脂天面５６側となるように配置されている。また端子基端部２２ｘは、厚さ方向Ｚにおいて半導体素子４０の表面４０ａよりも封止樹脂天面５６側となるように配置されている。本実施形態では、端子基端部２２ｘは、厚さ方向Ｚにおいて、封止樹脂５０の厚さ方向Ｚの中央部よりも封止樹脂天面５６側となるように配置されている。

　ここで、半導体装置１におけるドレイン端子（基板１０の裏面１０ｂ）とソース端子（駆動端子２２）との間の沿面距離ＤＰは、駆動端子２２から封止樹脂裏面５５までの第２封止樹脂側面５２に沿う距離ＤＰ４と、上述の距離ＤＰ１との合計によって規定される。なお、距離ＤＰ４は、端子基端部２２ｘから第２傾斜面５２ｂのうちの第１傾斜面５２ａ側の端縁までの第２傾斜面５２ｂに沿う距離ＤＰＡと、第１傾斜面５２ａのうちの第２傾斜面５２ｂ側の端縁から封止樹脂裏面５５のうちの第２傾斜面５２ｂ側の端縁までの第１傾斜面５２ａに沿う距離ＤＰＢとの合計の距離（ＤＰ４＝ＤＰＡ＋ＤＰＢ）である。

　本実施形態では、駆動端子２２は、半導体素子４０の表面４０ａよりも封止樹脂天面５６側となるように配置されているため、厚さ方向Ｚにおいて駆動端子２２と基板１０とが揃った状態となるように駆動端子２２が配置される構成と比較して、距離ＤＰ４が長くなる。また第１薄肉部１１６ａの長さが第２薄肉部１１６ｂ及び第３薄肉部１１６ｃの長さよりも長くなるため、第１薄肉部１１６ａの長さが第２薄肉部１１６ｂ及び第３薄肉部１１６ｃの長さ以下の構成と比較して、距離ＤＰ１が長くなる。

　本実施形態の作用について説明する。
　図４１及び図４２は、比較例の半導体装置２００の構成を示している。比較例の半導体装置２００は、本実施形態の半導体装置１と比較して、基板２１０の形状が主に異なる。このため、比較例の半導体装置２００では、基板２１０以外の構成要素について、半導体装置１の構成要素の形状と多少異なった形状であったとしても、便宜上、本実施形態の半導体装置１と共通の符号を付し、その説明を省略する。

　基板２１０には、本実施形態の基板１０と同様に窪み２１１ａ，２１１ｂ，２１１ｃ，２１１ｄが形成されている。すなわち基板２１０は、窪み２１１ａによって形成された第１薄肉部２１２ａ、窪み２１１ｂによって形成された第２薄肉部２１２ｂ、窪み２１１ｃによって形成された第３薄肉部２１２ｃ、及び窪み２１１ｄによって形成された第４薄肉部２１２ｄを有する。ここで、本実施形態の基板１０とは異なり、第１薄肉部２１２ａの長さＬＲ１と、第２薄肉部２１２ｂの長さＬＲ２と、第３薄肉部２１２ｃの長さＬＲ３と、第４薄肉部２１２ｄの長さＬＲ４とは、互いに等しい。

　このため、比較例の半導体装置２００において縦方向Ｘにおける第２封止樹脂側面５２から基板２１０の裏面２１０ｂまでの距離ＤＲが、距離ＤＰ１（図３７参照）よりも小さくなる。すなわち、本実施形態の半導体装置１の沿面距離ＤＰは、比較例の半導体装置２００の沿面距離ＤＰＲよりも長くなる。その結果、本実施形態の半導体装置１は、比較例の半導体装置２００よりも高耐圧となる。ここで、耐圧は、駆動端子と基板の裏面とが短絡するまでの電圧を示している。なお、沿面距離ＤＰＲは、距離ＤＰ４と距離ＤＲとの合計によって規定される。

　本実施形態の半導体装置１によれば、以下の効果が得られる。
　（１－１）内側本体部１１１の裏面１１１ｂは、封止樹脂裏面５５から露出している。また、内側本体部１１１の裏面１１１ｂにおける第２封止樹脂側面５２側の部分には窪み１１５ａが形成されており、窪み１１５ａには、封止樹脂５０の一部が入り込んでいる。これにより、封止樹脂５０の第２封止樹脂側面５２から内側本体部１１１の裏面１１１ｂまでの最短距離である距離ＤＰ１は、第３封止樹脂側面５３から内側本体部１１１の裏面１１１ｂまでの最短距離である距離ＤＰ２及び第４封止樹脂側面５４から内側本体部１１１の裏面１１１ｂまでの最短距離である距離ＤＰ３よりも大きくなる。このため、封止樹脂５０における駆動端子２２が突出した部分から基板１０の裏面１０ｂまでの沿面距離ＤＰを長くすることができる。したがって、半導体装置１の絶縁耐力を向上できる。

　ところで、距離ＤＰ１を距離ＤＰ２及び距離ＤＰ３よりも大きく取るため、内側本体部１１１の第１側面１１１ｃから第１封止樹脂側面５１までの縦方向Ｘの長さを短くする構成が考えられる。しかし、内側本体部１１１の体積が小さくなるため、基板１０による半導体素子４０の放熱能力が低下してしまう。

　この点に鑑み、本実施形態では、内側本体部１１１の裏面１１１ｂにおける第２封止樹脂側面５２側の部分に窪み１１５ａが形成されることによって第１薄肉部１１６ａが形成されている。これにより、内側本体部１１１の体積の減少を抑制できるため、基板１０による半導体素子４０の放熱能力の低下を抑制できる。

　（１－２）封止樹脂５０の封止樹脂裏面５５から露出した内側本体部１１１の裏面１１１ｂ（露出面１１１ｘ）のうちの第２封止樹脂側面５２側の端縁（端縁１１１ｘｅ）は、縦方向Ｘにおいて封止樹脂５０の縦方向Ｘの中心よりも第１封止樹脂側面５１側に配置されている。この構成によれば、距離ＤＰ１を大きく取ることができるため、半導体装置１の絶縁耐力を向上できる。

　（１－３）半導体素子４０は、基板１０の主面１０ａにおいて窪み１１５ａよりも第１封止樹脂側面５１側の部分に配置されている。この構成によれば、基板１０における半導体素子４０直下の部分の厚さが窪み１１５ａによって薄くなっていないため、半導体素子４０を効果的に放熱できる。

　（１－４）半導体素子４０の第１側面４０ｃは、基板１０の主面１０ａにおいて封止樹脂５０の縦方向Ｘの中央よりも第１封止樹脂側面５１側に位置している。この構成によれば、縦方向Ｘにおいて窪み１１５ａをより第１封止樹脂側面５１側に形成できるため、封止樹脂５０の封止樹脂裏面５５から露出した内側本体部１１１の裏面１１１ｂ（露出面１１１ｘ）のうちの第２封止樹脂側面５２側の端縁（端縁１１１ｘｅ）をより第１封止樹脂側面５１側に形成できる。したがって、距離ＤＰ１を大きく取ることができ、半導体装置１の絶縁耐力を向上できる。

　（１－５）窪み１１５ａの深さＨ１は、基板１０の厚さ（内側本体部１１１の厚さＴ）の１／２以下である。この構成によれば、内側本体部１１１の体積の減少を抑制できるため、基板１０による半導体素子４０の放熱能力の低下を抑制できる。

　（１－６）窪み１１５ａの深さＨ１は、基板１０の厚さ（内側本体部１１１の厚さＴ）の１／３以下である。この構成によれば、内側本体部１１１の体積の減少を一層抑制できるため、基板１０による半導体素子４０の放熱能力の低下を一層抑制できる。

　（１－７）基板１０は、窪み１１５ａによって形成された第１薄肉部１１６ａ、窪み１１５ｂによって形成された第２薄肉部１１６ｂ、及び窪み１１５ｃによって形成された第３薄肉部１１６ｃを有する。この構成によれば、窪み１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃのそれぞれに封止樹脂５０の一部が入り込むことによって、基板１０と封止樹脂５０との分離を抑制できる。

　（１－８）駆動端子２２のうちの第２封止樹脂側面５２と接触している端子基端部２２ｘは、厚さ方向Ｚにおいて基板１０の主面１０ａよりも封止樹脂天面５６側となるように設けられている。この構成によれば、端子基端部２２ｘから封止樹脂裏面５５までの距離ＤＰ４を大きく取ることができるため、半導体装置１の絶縁耐力を向上できる。

　（１－９）駆動端子２２のうちの第２封止樹脂側面５２と接触している端子基端部２２ｘは、厚さ方向Ｚにおいて半導体素子４０の表面４０ａよりも封止樹脂天面５６側となるように設けられている。この構成によれば、端子基端部２２ｘから封止樹脂裏面５５までの距離ＤＰ４をより大きく取ることができるため、半導体装置１の絶縁耐力を一層向上できる。

　（１－１０）駆動端子２２のうちの第２封止樹脂側面５２と接触している端子基端部２２ｘは、厚さ方向Ｚにおいて封止樹脂５０の厚さ方向Ｚの中央部よりも封止樹脂天面５６側となるように設けられている。この構成によれば、端子基端部２２ｘから封止樹脂裏面５５までの距離ＤＰ４を大きく取ることができるため、半導体装置１の絶縁耐力を向上できる。

　（１－１１）ＳｉＣを含む半導体素子を備える半導体装置では、インダクタンスがナノヘンリー（ｎＨ）のオーダーであっても半導体装置の特性に対する影響が大きい。このため、半導体装置におけるインダクタンスを低減できる構成が望まれている。

　ところで、半導体装置においてソース電極からソース端子までに含まれるインダクタンスは、ソース電極とソース端子とを接続する導体の平面視における幅が広くなるにつれて低下する。導体が複数の駆動ワイヤから構成される場合、複数の駆動ワイヤのうちの最も離間している組み合わせを構成する２つの駆動ワイヤの間を導体の平面視における幅として規定される。

　ちなみに、複数の駆動ワイヤのうちの最も離間している組み合わせを構成する２つの駆動ワイヤとは、本実施形態のように駆動ワイヤ６０が２本であれば、当該２本の駆動ワイヤ６１，６２が複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離間している組み合わせを構成する。

　そして本実施形態では、平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。詳細には、駆動パッド側端部６１ｂ及び駆動パッド端部６２ｂ間の距離ＤＷ２は、駆動電極側端部６１ａ及び駆動電極側端部６２ａ間の距離ＤＷ１よりも大きい。この構成によれば、平面視において第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２が平行となる構成と比較して、導体の平面視における幅を広くすることができる。これにより、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離を大きく取ることができるため、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを低減できる。本実施形態では、平面視において第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２とが距離ＤＷ１だけ離間した状態で平行となる構成と比較して、インダクタンスが５～７（ｎＨ）減少する結果が得られた。なお、距離ＤＷ１は、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａとの間の距離である。

　（１－１２）横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさは、横方向Ｙにおける開口部４５の大きさよりも大きい。この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２を大きく取ることができる。したがって、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを低減できる。

　（１－１３）第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の第１端部２１ａに接続されており、第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂに接続されている。この構成によれば、駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２を大きく取ることができる。したがって、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離を大きく取ることができるため、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを低減できる。

　（１－１４）第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａが主面側駆動電極４１の露出領域４６の第１露出端部４６ａに接続され、第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａが露出領域４６の第２露出端部４６ｂに接続されている。この構成によれば、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ１を大きく取ることができる。したがって、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離を大きく取ることができるため、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを低減できる。

　（１－１５）第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂ及び第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂはそれぞれ、縦方向Ｘにおいて駆動パッド２１の中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２をそれぞれ短くすることができるため、主面側駆動電極４１（ソース電極）から駆動リード２０の駆動端子２２（ソース端子）までの間のインダクタンスをより低減できる。

　（１－１６）第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は同一の材料が用いられている。第１駆動ワイヤ６１の線径と第２駆動ワイヤ６２の線径とは互いに等しい。この構成によれば、各駆動ワイヤ６１，６２の主面側駆動電極４１及び駆動パッド２１への接続作業を同一のワイヤにて実施できるため、その作業工程を簡素化できる。

　（１－１７）複数の駆動ワイヤ６０及び制御ワイヤ７０は同一の材料が用いられている。複数の駆動ワイヤ６０の線径と制御ワイヤ７０の線径とは互いに等しい。この構成によれば、複数の駆動ワイヤ６０の主面側駆動電極４１及び駆動パッド２１への接続作業、及び制御ワイヤ７０の制御電極４３及び制御パッド３１への接続作業を同一のワイヤにて実施できるため、それらの作業工程を簡素化できる。

　（１－１８）駆動リード２０及び基板１０は、同一の金属板を例えばプレス加工することによって形成されている。この構成によれば、駆動リード２０及び基板１０を個別の金属板によって形成する場合と比較して、駆動リード２０及び基板１０の加工工程を簡素化できる。

　（１－１９）駆動リード２０、制御リード３０、及び基板１０は、同一の金属板を例えばプレス加工することによって形成されている。この構成によれば、駆動リード２０、制御リード３０、及び基板１０を個別の金属板によって形成する場合と比較して、駆動リード２０、制御リード３０、及び基板１０の加工工程を簡素化できる。

　（第５実施形態の変更例）
　第５実施形態の半導体装置１は例えば以下のように変更できる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができる。なお、以下の変更例において、第５実施形態と共通する部分については、第５実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

　・駆動ワイヤ６０の数は、２本に限られず、任意に変更可能である。一例では、図４３に示すように、複数の駆動ワイヤ６０として第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、及び第３駆動ワイヤ６３の３本の駆動ワイヤから構成されてもよい。第３駆動ワイヤ６３は、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間に配置されている。この場合、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離間している組み合わせを構成している。

　すなわち、駆動ワイヤの数が３本以上である場合、最も離間している組み合わせとは、最も離れた位置にある２つの駆動ワイヤである。例えば、３本以上の駆動ワイヤが横方向Ｙに配列されている場合には、最も離間している組み合わせとは、横方向Ｙの両端にある駆動ワイヤの組み合わせである。

　第３駆動ワイヤ６３は、駆動電極側端部６３ａ及び駆動パッド側端部６３ｂを有する。駆動電極側端部６３ａは、第３駆動ワイヤ６３のうちの主面側駆動電極４１に接続される端部である。駆動パッド側端部６３ｂは、第３駆動ワイヤ６３のうちの駆動パッド２１に接続される端部である。駆動電極側端部６３ａと第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ４と、駆動電極側端部６３ａと第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ５とは互いに等しい。ここで、距離ＤＷ４と距離ＤＷ５とのずれ量が例えば距離ＤＷ４の５％以内であれば、距離ＤＷ４と距離ＤＷ５とが互いに等しいと言える。図４３では、距離ＤＷ４，ＤＷ５は、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと制御ワイヤ７０の制御電極側端部７１との間の距離ＤＷ３よりも大きい。

　また図４３では、縦方向Ｘにおいて第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａ、第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａ、及び第３駆動ワイヤ６３の駆動電極側端部６３ａは互いに揃った状態で横方向Ｙに配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが互いに揃った状態とは、縦方向Ｘにおける駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　第３駆動ワイヤ６３の駆動パッド側端部６３ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に配置されている。第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ６は、距離ＤＷ４よりも大きい。第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ７は、距離ＤＷ５よりも大きい。図４３では、距離ＤＷ６は、距離ＤＷ７よりも大きい。

　第１駆動ワイヤ６１及び第３駆動ワイヤ６３は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第３駆動ワイヤ６３との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。第３駆動ワイヤ６３及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。なお、駆動パッド側端部６３ｂの駆動パッド２１に対する配置位置は任意に変更可能である。一例では、距離ＤＷ６が距離ＤＷ７以下となるように駆動パッド側端部６３ｂが駆動パッド２１に接続されてもよい。

　・半導体素子４０のサイズは任意に変更可能である。一例では、図４４に示すように、半導体素子４０のサイズを第５実施形態の半導体素子４０のサイズよりも大きくしてもよい。図４４では、半導体素子４０の縦方向Ｘのサイズ及び横方向Ｙのサイズのそれぞれが第５実施形態の半導体素子４０のサイズよりも大きい。また、半導体素子４０のサイズが大きくなることに伴い表面４０ａに形成された主面側駆動電極４１及び開口部４５の大きさをそれぞれ縦方向Ｘ及び横方向Ｙのそれぞれに大きくすることができる。図４４では、開口部４５の横方向Ｙの大きさは、駆動パッド２１の横方向Ｙの大きさよりも大きい。

　半導体素子４０は、内側本体部１１１のうちの第１封止樹脂側面５１寄りの部分に配置されている。具体的には、平面視において、半導体素子４０と内側本体部１１１の第１側面１１１ｃとの間の第１距離Ｄ１が半導体素子４０と内側本体部１１１の幅狭部１１３との間の第２距離Ｄ２よりも大きい。一例では、半導体素子４０は、内側本体部１１１において幅狭部１１３と縦方向Ｘに隣り合う部分に配置されている。本実施形態では、半導体素子４０は、内側本体部１１１のうちの幅狭部１１３と縦方向Ｘに隣り合う部分に配置されている。

　半導体素子４０は、内側本体部１１１の横方向Ｙの中央部に配置されている。具体的には、半導体素子４０と内側本体部１１１の第２側面１１１ｄとの間の第３距離Ｄ３と、半導体素子４０と内側本体部１１１の第３側面１１１ｅとの間の第４距離Ｄ４とが互いに等しい。ここで、第３距離Ｄ３と第４距離Ｄ４のずれ量が例えば第３距離Ｄ３の５％以内であれば、第３距離Ｄ３と第４距離Ｄ４とが互いに等しいと言える。本実施形態では、第１距離Ｄ１は、第３距離Ｄ３及び第４距離Ｄ４よりも大きい。第２距離Ｄ２は、第３距離Ｄ３及び第４距離Ｄ４よりも小さい。

　半導体装置１は、第５実施形態と同様に、複数の駆動ワイヤ６０として第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２を有する。第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、第５実施形態の駆動電極側端部６１ａと同様に、主面側駆動電極４１の露出領域４６の第１露出端部４６ａに接続されている。第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂは、第５実施形態の駆動パッド側端部６１ｂと同様に、駆動パッド２１の第１端部２１ａに接続されている。第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、第５実施形態の駆動電極側端部６２ａと同様に、主面側駆動電極４１の露出領域４６の第２露出端部４６ｂに接続されている。第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂは、第５実施形態の駆動パッド側端部６２ｂと同様に、駆動パッド２１の第２端部２１ｂに接続されている。また第５実施形態と同様に、縦方向Ｘにおいて、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとは互いに揃った状態で横方向Ｙに配列されている。駆動パッド側端部６１ｂ及び駆動パッド側端部６２ｂはそれぞれ、縦方向Ｘにおいて駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。

　平面視において、駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２は、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ１よりも大きい。図４４では、駆動電極側端部６１ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１と駆動パッド側端部６１ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ２との横方向Ｙの間の距離ＤＹ１は、駆動電極側端部６２ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ３と駆動パッド側端部６２ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ４との横方向Ｙの間の距離ＤＹ２よりも小さい。また、平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。また、平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広くなっている。

　この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離を大きくすることができるため、主面側駆動電極４１（ソース電極）から駆動リード２０の駆動端子２２（ソース端子）までの間のインダクタンスを低減できる。

　なお、距離ＤＷ１と距離ＤＷ２との関係は任意に変更可能である。一例では、距離ＤＷ１は、距離ＤＷ２と等しくてもよい。この場合、平面視において、第１駆動ワイヤ６１は、第２駆動ワイヤ６２と平行となる。また、距離ＤＷ１は、距離ＤＷ２よりも大きくてもよい。この場合、第１駆動ワイヤ６１及び第３駆動ワイヤ６３は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が近づくように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第３駆動ワイヤ６３との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に狭くなっている。

　・図４４の変更例において、駆動ワイヤ６０の数は、２本に限られず、任意に変更可能である。一例では、図４５に示すように、複数の駆動ワイヤ６０として第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、及び第３駆動ワイヤ６３の３本の駆動ワイヤから構成されてもよい。第３駆動ワイヤ６３は、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間に配置されている。この場合、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２が、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離間している組み合わせを構成している。第３駆動ワイヤ６３は、駆動電極側端部６３ａ及び駆動パッド側端部６３ｂを有する。駆動電極側端部６３ａと第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ４と、駆動電極側端部６３ａと第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ５とは互いに等しい。ここで、距離ＤＷ４と距離ＤＷ５とのずれ量が例えば距離ＤＷ４の５％以内であれば、距離ＤＷ４と距離ＤＷ５とが互いに等しいと言える。

　また図４５では、図４３の半導体装置１と同様に、縦方向Ｘにおいて第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａ、第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａ、及び第３駆動ワイヤ６３の駆動電極側端部６３ａは互いに揃った状態で配列されている。

　第３駆動ワイヤ６３の駆動パッド側端部６３ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に配置されている。第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ６は、距離ＤＷ４よりも大きい。第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ７は、距離ＤＷ５と等しい。ここで、距離ＤＷ７と距離ＤＷ５とのずれ量が例えば距離ＤＷ７の５％以内であれば、距離ＤＷ７が距離ＤＷ５と等しいと言える。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第３駆動ワイヤ６３は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第３駆動ワイヤ６３との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広くなっている。第３駆動ワイヤ６３は、第２駆動ワイヤ６２と平行となる。

　・窪み１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃ，１１５ｄの深さＨ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４は任意に変更可能である。一例では、窪み１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃ，１１５ｄの深さＨ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４の少なくとも１つは、基板１０の厚さＴの１／３以上であり、かつ厚さＴよりも薄くてもよい。この構成によれば、封止樹脂５０の一部が窪み１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃ，１１５ｄの少なくとも１つに入り込み易くなる。したがって、封止樹脂５０の成形性が向上するため、半導体装置１の歩留まり率を向上できる。また一例では、窪み１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃ，１１５ｄの深さＨ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４の少なくとも１つは、基板１０の厚さＴの１／３以上かつ１／２以下であってもよい。この構成によれば、半導体装置１の歩留まり率の向上及び内側本体部１１１の放熱性能の向上を両立できる。

　・窪み１１５ａの深さＨ１は、窪み１１５ｂ，１１５ｃ，１１５ｄの深さＨ２，Ｈ３，Ｈ４と異なってもよい。一例では、深さＨ１は、深さＨ２，Ｈ３，Ｈ４よりも浅い。この構成によれば、第１薄肉部１１６ａの厚さＴ１が第２薄肉部１１６ｂの厚さＴ２、第３薄肉部１１６ｃの厚さＴ３、及び第４薄肉部１１６ｄの厚さＴ４のそれぞれよりも厚くなるため、厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４が互いに等しい構成と比較して、内側本体部１１１の体積を増加させることができる。したがって、内側本体部１１１の放熱性能を向上できる。また一例では、深さＨ１は、深さＨ２，Ｈ３，Ｈ４よりも深い。この構成によれば、封止樹脂５０の一部が窪み１１５ａに入り込み易くなる。したがって、封止樹脂５０の成形性が向上するため、半導体装置１の歩留まり率を向上できる。

　・窪み１１５ｂ，１１５ｃの少なくとも一方を省略してもよい。また、凹部１１３ａに形成された窪み１１５ｄ、凹部１１３ｂに形成された窪み１１５ｄ、及び貫通孔１１４に形成された窪み１１５ｄの少なくとも１つを省略してもよい。

　・基板１０、駆動パッド２１、及び制御パッド３１の少なくとも１つは、別の金属板から形成されてもよい。また例えば、基板１０及び駆動パッド２１が同一の金属板から形成され、制御パッド３１が別の金属板から形成されてもよい。

　（第６実施形態）
　図４６～図５８を参照して、半導体装置１の第６実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置１は、第５実施形態の半導体装置１と比較して、基板１０、駆動リード２０、制御リード３０、及び封止樹脂５０の形状がそれぞれ異なる点、並びに、センスリード８０が追加された点が異なる。本実施形態では、便宜上、第５実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。

　図４６に示すように、本実施形態の半導体装置１は、パッケージ外形規格（ＪＥＩＴＡ規格）がＴＯ－２６３のパッケージである。詳細には、半導体装置１の縦寸法ＬＸが１４．７ｍｍ～１５．５ｍｍ、横寸法ＬＹが１０．０６ｍｍ～１０．２６ｍｍ、厚さ寸法ＬＺが４．４０ｍｍ～４．７０ｍｍである。また、半導体装置１は、ＳＩＰタイプである。このように、本実施形態の半導体装置１のサイズは、第５実施形態の半導体装置１のサイズよりも大きい。

　図４６に示すとおり、封止樹脂５０の形状は、直方体である。封止樹脂５０は、モールド成形によって形成されている。封止樹脂５０の各封止樹脂側面５１～５４は、封止樹脂５０の成形時に金型を抜き易くするような抜き勾配を設けるため、厚さ方向Ｚに対して傾斜する傾斜面が設けられている。具体的には、第１封止樹脂側面５１は、金型の上型を抜き易くするような抜き勾配を設けた第１傾斜面を有し、各封止樹脂側面５２～５４は、金型の上型を抜き易くするような抜き勾配を設けた第１傾斜面と、金型の下型を抜き易くするような抜き勾配を設けた第２傾斜面とを有する。金型の上型は、封止樹脂天面５６と各側面５１～５４のうちの封止樹脂天面５６側の部分を形成する。下型は、封止樹脂裏面５５と各側面５１～５４のうちの封止樹脂裏面５５側の部分を形成する。一例では、図４９及び図５０に示すように、第１封止樹脂側面５１は、第１傾斜面５１ａを有する。第１傾斜面５１ａは、封止樹脂天面５６に向かうにつれて第２封止樹脂側面５２に向けて傾斜している。第１傾斜面５１ａは、封止樹脂天面５６から基板１０の主面１０ａまでにわたり形成されている。第２封止樹脂側面５２は、第１傾斜面５２ａ及び第２傾斜面５２ｂを有する。第１傾斜面５２ａは、封止樹脂天面５６に向かうにつれて第１封止樹脂側面５１に向けて傾斜している。第２傾斜面５２ｂは、封止樹脂裏面５５に向かうにつれて第１封止樹脂側面５１に向けて傾斜している。第１傾斜面５２ａの長さは、第２傾斜面５２ｂの長さよりも短い。第２傾斜面５２ｂは、基板１０よりも封止樹脂天面５６側にわたり形成されている。第２傾斜面５２ｂは、半導体素子４０の表面４０ａよりも封止樹脂天面５６側にわたり形成されている。換言すれば、第１傾斜面５２ａは、半導体素子４０の表面４０ａよりも封止樹脂天面５６側となるように設けられている。第３封止樹脂側面５３は、第１傾斜面５３ａ及び第２傾斜面５３ｂを有する。第１傾斜面５３ａは、封止樹脂天面５６に向かうにつれて第４封止樹脂側面５４に向けて傾斜している。第２傾斜面５３ｂは、封止樹脂裏面５５に向かうにつれて第４封止樹脂側面５４に向けて傾斜している。第１傾斜面５３ａの長さは、第２傾斜面５３ｂの長さよりも長い。第４封止樹脂側面５４は、第１傾斜面５４ａ及び第２傾斜面５４ｂを有する。第１傾斜面５４ａは、封止樹脂天面５６に向かうにつれて第３封止樹脂側面５３に向けて傾斜している。第２傾斜面５４ｂは、封止樹脂裏面５５に向かうにつれて第３封止樹脂側面５３に向けて傾斜している。第１傾斜面５４ａの長さは、第２傾斜面５３ｂの長さよりも長い。

　なお、第１傾斜面５１ａの長さは任意に変更可能である。また第１傾斜面５２ａの長さ及び第２傾斜面５２ｂの長さはそれぞれ任意に変更可能である。また第１傾斜面５３ａの長さ及び第２傾斜面５３ｂの長さはそれぞれ任意に変更可能である。また第１傾斜面５４ａの長さ及び第２傾斜面５４ｂの長さはそれぞれ任意に変更可能である。

　第１封止樹脂側面５１と封止樹脂天面５６との間には、抜き勾配よりも傾斜角度が大きい傾斜面５７が形成されている。
　図４６及び図５０に示すように、封止樹脂５０の横方向Ｙの両端部には、凹部５８が形成されている。封止樹脂５０の第３封止樹脂側面５３側の凹部５８は、第３封止樹脂側面５３から横方向Ｙに湾曲状に凹んでいる。封止樹脂５０の第４封止樹脂側面５４側の凹部５８は、第４封止樹脂側面５４から横方向Ｙに湾曲状に凹んでいる。凹部５８は、封止樹脂天面５６から基板１０の主面１０ａまでにわたり形成されている。すなわち、凹部５８によって、基板１０の主面１０ａの一部が露出している。凹部５８は、封止樹脂５０の縦方向Ｘの中心よりも第２封止樹脂側面５２寄りに設けられている。

　図４７は、半導体装置１を厚さ方向Ｚの封止樹脂天面５６からみた図である。図４７では、便宜上、封止樹脂５０を二点鎖線で示し、封止樹脂５０内の部品を実線で示している。図４７に示すとおり、平面視において、封止樹脂５０の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる略矩形状である。

　図４６及び図４７に示すように、基板１０は、封止樹脂５０内に配置された内側本体部１１１と、封止樹脂５０から突出した突出部１１２とに区分できる。内側本体部１１１及び突出部１１２は、縦方向Ｘに隣り合っている。基板１０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）によって形成されている。

　内側本体部１１１において突出部１１２側の端部には、第１幅広部１１１ｆが形成されている。第１幅広部１１１ｆの横方向Ｙの大きさは、内側本体部１１１のうちの第１幅広部１１１ｆ以外の部分の横方向Ｙの大きさよりも大きい。第１幅広部１１１ｆは、封止樹脂５０の第１封止樹脂側面５１と縦方向Ｘに隣り合うように設けられている。

　内側本体部１１１において第２封止樹脂側面５２側の端部には、第２幅広部１１１ｇが形成されている。第２幅広部１１１ｇの横方向Ｙの大きさは、内側本体部１１１のうちの第１幅広部１１１ｆ以外の部分の横方向Ｙの大きさよりも大きい。また第２幅広部１１１ｇの横方向Ｙの大きさは、第１幅広部１１１ｆの横方向Ｙの大きさよりも小さい。

　突出部１１２は、第１封止樹脂側面５１から縦方向Ｘに突出している。本実施形態では、突出部１１２の横方向Ｙの大きさは、内側本体部１１１の第１幅広部１１１ｆの横方向Ｙの大きさと等しい。なお、突出部１１２の横方向Ｙの大きさは任意に変更可能である。一例では、突出部１１２の横方向Ｙの大きさは、内側本体部１１１の第１幅広部１１１ｆの横方向Ｙの大きさよりも小さくてもよい。

　図４８に示すように、内側本体部１１１の裏面１１１ｂの一部は、封止樹脂裏面５５から露出している。内側本体部１１１の裏面１１１ｂのうちの封止樹脂裏面５５から露出している面である露出面１１１ｘは、内側本体部１１１の裏面１１１ｂのうちの第１封止樹脂側面５１側の部分である。露出面１１１ｘのうちの第２封止樹脂側面５２側の端縁１１１ｘｅは、封止樹脂５０の縦方向Ｘの中央部よりも第２封止樹脂側面５２側となるように形成されている。本実施形態では、露出面１１１ｘの端縁１１１ｘｅは、横方向Ｙに沿って延びている。露出面１１１ｘは、封止樹脂裏面５５と面一となる。内側本体部１１１の裏面１１１ｂのうちの露出面１１１ｘ以外の部分は、封止樹脂裏面５５から露出しない非露出面１１１ｙを構成している。

　図４７に示すように、平面視において、基板１０よりも封止樹脂５０の第２封止樹脂側面５２側には、駆動リード２０、制御リード３０、及びセンスリード８０が配置されている。本実施形態では、平面視において、駆動リード２０、制御リード３０、及びセンスリード８０のそれぞれの第１封止樹脂側面５１側の端縁は、内側本体部１１１の第２封止樹脂側面５２側の端縁と重なっている。駆動リード２０、制御リード３０、及びセンスリード８０は、横方向Ｙにおいて互いに離間して配置されている。駆動リード２０と制御リード３０との横方向Ｙの間には、センスリード８０が配置されている。本実施形態では、基板１０、駆動リード２０、制御リード３０、及びセンスリード８０は、同一の金属製の母材をプレス加工することによって形成されている。

　駆動リード２０は、駆動パッド２１、複数の駆動端子２２、及び駆動パッド２１と複数の駆動端子２２とを接続する複数の連結部２３を有する。
　平面視における駆動パッド２１の形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる略矩形状である。駆動パッド２１の第１端部２１ａは、内側本体部１１１の横方向Ｙの中央部よりも第３封止樹脂側面５３側に位置している。縦方向Ｘからみて、駆動パッド２１の第２端部２１ｂは、内側本体部１１１のうちの第４封止樹脂側面５４側の端部と重なるように設けられている。このように、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさは、横方向Ｙにおける内側本体部１１１の大きさの１／２よりも大きい。図４９に示すように、駆動パッド２１は、厚さ方向Ｚにおいて、基板１０の主面１０ａよりも封止樹脂天面５６側に位置している。また駆動パッド２１は、厚さ方向Ｚにおいて、半導体素子４０よりも封止樹脂天面５６側に位置している。

　図４７に示すように、本実施形態では、複数の駆動端子２２は、駆動端子２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅの５つの駆動端子を含む。複数の連結部２３は、連結部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ，２３ｅの５つの連結部を含む。駆動端子２２ａ～２２ｅは、横方向Ｙに互いに離間して配置されている。駆動端子２２ａ～２２ｅは、駆動パッド２１の第１端部２１ａから第２端部２１ｂに向けて、駆動端子２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅの順に配置されている。連結部２３ａ～２３ｅは、横方向Ｙに互いに離間して配置されている。連結部２３ａは駆動パッド２１と駆動端子２２ａとを連結し、連結部２３ｂは駆動パッド２１と駆動端子２２ｂとを連結し、連結部２３ｃは駆動パッド２１と駆動端子２２ｃとを連結し、連結部２３ｄは駆動パッド２１と駆動端子２２ｄとを連結し、連結部２３ｅは駆動パッド２１と駆動端子２２ｅとを連結している。

　駆動端子２２ａ～２２ｅ、制御端子３２、及び後述するセンス端子８２は、等ピッチとなるように配置されている。駆動端子２２ａは、駆動パッド２１の第１端部２１ａよりも第３封止樹脂側面５３側の部分を含むように配置されている。駆動端子２２ａは、内側本体部１１１の横方向Ｙの中央部よりも第３封止樹脂側面５３側に配置されている。

　駆動端子２２ｂは、内側本体部１１１の横方向Ｙの中央部と同じ位置となるように配置されている。具体的には、駆動端子２２ｂの横方向Ｙの中央部において縦方向Ｘに沿う仮想線ＬＶ１が内側本体部１１１の横方向Ｙの中央部において縦方向Ｘに沿う仮想線ＬＶ２と一致している。駆動端子２２ｃ～２２ｅは、内側本体部１１１の横方向Ｙの中央部よりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。本実施形態では、駆動端子２２ｄ，２２ｅは、半導体素子４０よりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。駆動端子２２ａ，２２ｃ～２２ｅは、互いに同一形状である。駆動端子２２ｂは、駆動端子２２ａ，２２ｃ～２２ｅよりも短い。

　図４８に示すように、駆動端子２２ａは第２封止樹脂側面５２と接触する部分である端子基端部２２ｘａを有し、駆動端子２２ｂは第２封止樹脂側面５２と接触する部分である端子基端部２２ｘｂを有し、駆動端子２２ｃは第２封止樹脂側面５２と接触する部分である端子基端部２２ｘｃを有し、駆動端子２２ｄは第２封止樹脂側面５２と接触する部分である端子基端部２２ｘｄを有し、駆動端子２２ｅは第２封止樹脂側面５２と接触する部分である端子基端部２２ｘｅを有する。厚さ方向Ｚにおいて、端子基端部２２ｘａ～２２ｘｅは互いに揃った状態で横方向Ｙに離間して配置されている。一例では、図４９に示すように、端子基端部２２ｘｃは、第２封止樹脂側面５２の第１傾斜面５２ａに接触している。端子基端部２２ｘａ，２２ｘｂ，２２ｘｄ，２２ｘｅも端子基端部２２ｘｃと同様に、第１傾斜面５２ａに接触している。

　図４７に示すように、制御リード３０は、縦方向Ｘからみて、内側本体部１１１のうちの第３封止樹脂側面５３側の端部と重なるように配置されている。制御リード３０は、半導体素子４０よりも第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。

　図４６に示すように、制御パッド３１は、厚さ方向Ｚにおいて、基板１０の主面１０ａよりも封止樹脂天面５６側に位置している。また制御パッド３１は、厚さ方向Ｚにおいて、半導体素子４０よりも封止樹脂天面５６側に位置している。図４７に示すように、平面視における制御パッド３１の形状は、縦方向Ｘが長辺方向となり、横方向Ｙが短辺方向となる略矩形状である。横方向Ｙにおける制御パッド３１の大きさは、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさよりも小さい。このため、駆動パッド２１の横方向Ｙの大きさを大きくすることができる。制御リード３０の制御端子３２は、ゲート端子を構成している。制御端子３２は、駆動端子２２ａ，２２ｃ～２２ｅと同一形状である。

　センスリード８０は、本実施形態では制御電極４３（ゲート電極）と主面側駆動電極４１（ソース電極）とを電気的に接続するためのリードである。平面視において、センスリード８０は、半導体素子４０よりも第３封止樹脂側面５３側に配置されている。センスリード８０は、センスパッド８１、センス端子８２、及び、センスパッド８１とセンス端子８２とを連結する連結部８３を有する。

　センスパッド８１は、縦方向Ｘにおいて半導体素子４０に離間して配置されている。センスパッド８１は、縦方向Ｘにおいて基板１０と第２封止樹脂側面５２との間に配置されている。センスパッド８１は、横方向Ｙにおいて、駆動パッド２１と制御パッド３１との間に配置されている。平面視におけるセンスパッド８１の形状は、縦方向Ｘが長辺方向となり、横方向Ｙが短辺方向となる略矩形状である。横方向Ｙにおけるセンスパッド８１の大きさは、横方向Ｙにおける制御パッド３１の大きさと等しい。すなわち横方向Ｙにおけるセンスパッド８１の大きさは、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさよりも小さい。このため、横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさを大きくすることができる。図４６に示すように、センスパッド８１は、厚さ方向Ｚにおいて、基板１０の主面１０ａよりも封止樹脂天面５６側に位置している。またセンスパッド８１は、厚さ方向Ｚにおいて、半導体素子４０よりも封止樹脂天面５６側に位置している。なお、横方向Ｙにおけるセンスパッド８１の大きさ、及び横方向Ｙにおける制御パッド３１の大きさはそれぞれ、任意に変更可能である。一例では、横方向Ｙにおけるセンスパッド８１の大きさが横方向Ｙにおける制御パッド３１の大きさよりも小さくてもよい。

　図４７に示すように、連結部８３は、縦方向Ｘにおいてセンスパッド８１のうちの第２封止樹脂側面５２側の端部から連続している。連結部８３は、横方向Ｙにおいてセンスパッド８１のうちの第３封止樹脂側面５３側の端部に位置している。センス端子８２は、第２封止樹脂側面５２から突出している。センス端子８２は、駆動端子２２ａ，２２ｃ～２２ｅ及び制御端子３２と同一形状である。

　半導体素子４０は、第５実施形態と同様に、ＳｉＣＭＯＳＦＥＴが用いられている。また半導体素子４０は、第５実施形態と同様に、１ｋＨｚ以上かつ数百ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチングが可能な素子である。好ましくは、半導体素子４０は、１ｋＨｚ以上かつ１００ｋＨｚ以下の周波数の駆動信号に応答した高速スイッチングが可能な素子である。本実施形態では、半導体素子４０は、１００ｋＨｚの周波数の駆動信号に応じて高速スイッチングを行う。半導体素子４０の形状及びサイズは、第５実施形態の半導体素子４０の形状及びサイズと同様である。

　図４７に示すように、半導体素子４０は、縦方向Ｘにおいて、内側本体部１１１に対して第２封止樹脂側面５２寄りに配置されている。具体的には、平面視において、半導体素子４０と内側本体部１１１の第１側面１１１ｃとの縦方向Ｘの間の第１距離Ｄ１が半導体素子４０と内側本体部１１１の第１幅広部１１１ｆとの縦方向Ｘの間の第２距離Ｄ２よりも小さい。

　半導体素子４０は、横方向Ｙにおいて、内側本体部１１１の中央部に配置されている。具体的には、半導体素子４０と内側本体部１１１の第２側面１１１ｄとの横方向Ｙの間の第３距離Ｄ３と、半導体素子４０と内側本体部１１１の第３側面１１１ｅとの横方向Ｙの間の第４距離Ｄ４とが互いに等しい。ここで、第３距離Ｄ３と第４距離Ｄ４とのずれ量が例えば第３距離Ｄ３の５％以内であれば、第３距離Ｄ３及び第４距離Ｄ４が互いに等しいと言える。

　半導体装置１は、複数の駆動ワイヤ６０と、制御ワイヤ７０と、センスワイヤ９０とを備える。本実施形態では、複数の駆動ワイヤ６０は、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の２本の駆動ワイヤから構成されている。すなわち、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成している。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、横方向Ｙに離間して配列されている。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの横方向Ｙの両端にある駆動ワイヤである。制御ワイヤ７０と、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、横方向Ｙに離間して配列されている。第１駆動ワイヤ６１は、第２駆動ワイヤ６２に対して制御ワイヤ７０側に配置されている。

　第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、同一の金属からなる。本実施形態では、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、アルミニウムを含む。第１駆動ワイヤ６１の線径は、第２駆動ワイヤ６２の線径と等しい。ここで、第１駆動ワイヤ６１の線径と第２駆動ワイヤ６２の線径とのずれ量が例えば第１駆動ワイヤ６１の線径の５％以内であれば、第１駆動ワイヤ６１の線径が第２駆動ワイヤ６２の線径と等しいと言える。本実施形態では、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径は、制御ワイヤ７０の線径と等しい。ここで、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径と制御ワイヤ７０の線径とのずれ量が例えば制御ワイヤ７０の線径の５％以内であれば、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径が制御ワイヤ７０の線径と等しいと言える。第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２はそれぞれ、例えばワイヤボンディングによって主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１側に向かうにつれて徐々に広がっている。以下、このような第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の構成について詳細に説明する。

　図５１に示すように、平面視において、第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２は、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ１よりも大きい。本実施形態では、駆動パッド側端部６１ｂは、横方向Ｙにおいて駆動電極側端部６１ａよりも第３封止樹脂側面５３側に配置されている。駆動パッド側端部６２ｂは、横方向Ｙにおいて駆動電極側端部６２ａよりも第４封止樹脂側面５４側に配置されている。このように、平面視において、第１駆動ワイヤ６１の縦方向Ｘに対する傾斜方向と、第２駆動ワイヤ６２の縦方向Ｘに対する傾斜方向とは逆になる。

　駆動電極側端部６１ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１と、駆動パッド側端部６１ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ２との横方向Ｙの間の距離を距離ＤＹ１とし、駆動電極側端部６２ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ３と、駆動パッド側端部６２ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ４との横方向Ｙの間の距離を距離ＤＹ２とする。この場合、距離ＤＹ２は、距離ＤＹ１よりも大きい。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、主面側駆動電極４１の露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第１露出端部４６ａ側に接続されている。本実施形態では、横方向Ｙにおいて主面側駆動電極４１の露出領域４６の第１露出端部４６ａよりも露出領域４６の中央部側に接続されている。換言すれば、駆動電極側端部６１ａは、露出領域４６のうちの制御電極４３から離間した部分、すなわち主面側駆動電極４１の凹部４１ａの底部から離間した部分に接続されている。また、駆動電極側端部６１ａは、縦方向Ｘからみて、駆動リード２０の連結部２３ｂと重なっている。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の横方向Ｙの中央部よりも第１端部２１ａ側に接続されている。本実施形態では、駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の第１端部２１ａに接続されている。駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１のうちの横方向Ｙにおいて連結部２３ｂよりも第３封止樹脂側面５３側の部分に接続されている。本実施形態では、駆動パッド側端部６１ｂは、縦方向Ｘからみて、駆動リード２０の連結部２３ａと重なっている。駆動パッド側端部６１ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。

　なお、駆動パッド側端部６１ｂは、横方向Ｙにおいて、駆動パッド２１の第１端部２１ａとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第３封止樹脂側面５３側の限界位置となるように第１端部２１ａに接続されてもよい。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、主面側駆動電極４１の露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第２露出端部４６ｂ側に接続されている。本実施形態では、駆動電極側端部６２ａは、露出領域４６の第２露出端部４６ｂに接続されている。本実施形態では、駆動電極側端部６２ａは、縦方向Ｘからみて、連結部２３ｂと連結部２３ｃとの横方向Ｙの間の部分と重なっている。一例では、駆動電極側端部６２ａは、横方向Ｙにおいて露出領域４６の第２露出端部４６ｂとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４側面４０ｆ側の限界位置となるように駆動電極側端部６２ａの露出領域４６に対する位置が設定されている。縦方向Ｘにおいて、駆動電極側端部６２ａは、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと揃った状態となるように配置されている。なお、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６２ａと駆動電極側端部６１ａとが揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動電極側端部６１ａ，６２ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、両駆動電極側端部６１ａ，６２ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、両駆動電極側端部６１ａ，６２ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の横方向Ｙの中央部よりも第２端部２１ｂ側に接続されている。駆動パッド側端部６２ｂは、半導体素子４０よりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。本実施形態では、駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂに接続されている。本実施形態では、駆動パッド側端部６２ｂは、縦方向Ｘからみて、連結部２３ｅと重なっている。なお、駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４封止樹脂側面５４側の限界位置となるように駆動パッド２１に対する位置が設定されてもよい。駆動パッド側端部６２ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。

　制御ワイヤ７０は、半導体素子４０の制御電極４３と制御パッド３１とを接続している。制御ワイヤ７０は、例えばワイヤボンディングによって制御電極４３と制御パッド３１とに接続されている。第５実施形態と同様に、制御ワイヤ７０は、複数の駆動ワイヤ６０と同一の材料が用いられている。制御ワイヤ７０の線径は、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径と等しい。ここで、制御ワイヤ７０の線径と第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径とのずれ量が例えば制御ワイヤ７０の線径の５％以内であれば、制御ワイヤ７０の線径と第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の線径とが等しいと言える。

　制御ワイヤ７０は、制御電極側端部７１と制御パッド側端部７２とを有する。制御電極側端部７１と第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ３は、距離ＤＷ１よりも小さい。制御電極側端部７１から縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ５と、制御パッド側端部７２から縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ６との間の距離ＤＹ３は、距離ＤＹ１よりも大きく、距離ＤＹ２よりも僅かに小さい。なお、距離ＤＹ３は任意に変更可能である。一例では、距離ＤＹ３は、距離ＤＹ２以上であってもよい。

　センスワイヤ９０は、半導体素子４０の主面側駆動電極４１とセンスパッド８１とを接続している。センスワイヤ９０は、例えばワイヤボンディングによって主面側駆動電極４１とセンスパッド８１とに接続されている。センスワイヤ９０は、第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、及び制御ワイヤ７０と同一の材料が用いられている。センスワイヤ９０の線径は、例えば制御ワイヤ７０の線径と等しい。ここで、センスワイヤ９０の線径と制御ワイヤ７０の線径のずれ量が例えばセンスワイヤ９０の線径の５％以内であれば、センスワイヤ９０の線径と制御ワイヤ７０の線径とが互いに等しいと言える。

　センスワイヤ９０は、駆動電極側端部９１とセンスパッド側端部９２とを有する。駆動電極側端部９１は、センスワイヤ９０のうちの主面側駆動電極４１に接続される端部である。センスパッド側端部９２は、センスワイヤ９０のうちのセンスパッド８１に接続される端部である。センスパッド側端部９２は、横方向Ｙにおいて駆動電極側端部９１よりも第３封止樹脂側面５３側に配置されている。

　駆動電極側端部９１は、主面側駆動電極４１のうちの第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと制御電極４３との横方向Ｙの間の部分に接続されている。駆動電極側端部９１と第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ８は、駆動電極側端部９１と制御ワイヤ７０の制御電極側端部７１との間の距離ＤＷ９よりも小さい。

　駆動電極側端部９１から縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ７と、センスパッド側端部９２から縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ８との間の距離ＤＹ４は、距離ＤＹ１よりも大きく、距離ＤＹ２よりも小さい。また距離ＤＹ４は、距離ＤＹ３よりも小さい。

　次に、半導体装置１におけるドレイン端子（基板１０の裏面１０ｂ）とソース端子（駆動端子２２）との間の沿面距離の延長構造について説明する。
　図４７～図４９に示すように、基板１０の裏面１０ｂ（内側本体部１１１の裏面１１１ｂ）における第２封止樹脂側面５２側の部分には、窪み１１５ａが設けられている。窪み１１５ａは、内側本体部１１１の裏面１１１ｂから主面１１１ａに向けて段差状に凹むことによって形成されている。窪み１１５ａは、縦方向Ｘにおいて内側本体部１１１の第１側面１１１ｃから内側本体部１１１の縦方向Ｘの中央部よりも第２封止樹脂側面５２側の部分までにわたり形成されている。窪み１１５ａのうちの第１封止樹脂側面５１側の端縁は、露出面１１１ｘの端縁１１１ｘｅと一致する。本実施形態では、窪み１１５ａは、その第１封止樹脂側面５１側の端縁（露出面１１１ｘの端縁１１１ｘｅ）が半導体素子４０の第２側面４０ｄと縦方向Ｘにおいて揃った状態となるように形成されている。換言すると、半導体素子４０は、窪み１１５ａの第１封止樹脂側面５１側の端縁（露出面１１１ｘの端縁１１１ｘｅ）と半導体素子４０の第２側面４０ｄとが縦方向Ｘに揃うように内側本体部１１１の主面１１１ａに実装されている。また、本実施形態では、窪み１１５ａは、内側本体部１１１の裏面１１１ｂにおける第２封止樹脂側面５２側の部分の横方向Ｙの全体にわたり形成されている。

　窪み１１５ａの深さＨ１は、基板１０の厚さ（内側本体部１１１の厚さＴ）の１／２以下である。好ましくは、深さＨ１は、内側本体部１１１の厚さＴの１／３以下である。本実施形態では、深さＨ１は、内側本体部１１１の厚さＴの１／４以下である。窪み１１５ａには、封止樹脂５０の一部が入り込んでいる。

　図４７及び図５０に示すように、内側本体部１１１の裏面１１１ｂのうちの窪み１１５ａよりも第１封止樹脂側面５１側の部分における第３封止樹脂側面５３側の端部には窪み１１５ｂが設けられている。内側本体部１１１の裏面１１１ｂのうちの窪み１１５ａよりも第１封止樹脂側面５１側の部分における第４封止樹脂側面５４側の端部には窪み１１５ｃが設けられている。窪み１１５ｂ，１１５ｃはそれぞれ、内側本体部１１１の裏面１１１ｂから主面１１１ａに向けて段差状に凹むことによって形成されている。窪み１１５ｂは、横方向Ｙにおいて内側本体部１１１の第２側面１１１ｄから第３距離Ｄ３の１／２よりも第３封止樹脂側面５３側の部分までにわたり形成されている。窪み１１５ｃは、横方向Ｙにおいて内側本体部１１１の第３側面１１１ｅから第４距離Ｄ４の１／２よりも第４封止樹脂側面５４側の部分までにわたり形成されている。ここで、上述のとおり、第３距離Ｄ３は半導体素子４０と内側本体部１１１の第２側面１１１ｄとの間の距離であり、第４距離Ｄ４は半導体素子４０と内側本体部１１１の第３側面１１１ｅとの間の距離である。また、窪み１１５ｂは、窪み１１５ａの横方向Ｙの第２側面１１１ｄ側の端部と繋がっている。窪み１１５ｃは、窪み１１５ａの横方向Ｙの第３側面１１１ｅ側の端部と繋がっている。

　窪み１１５ｂの深さＨ２は窪み１１５ｃの深さＨ３と等しい。ここで、深さＨ２と深さＨ３とのずれ量が例えば深さＨ２の５％以内であれば、深さＨ２が深さＨ３と等しいと言える。深さＨ２，Ｈ３は、内側本体部１１１の厚さＴの１／２以下である。好ましくは、深さＨ２，Ｈ３は、内側本体部１１１の厚さＴの１／３以下である。本実施形態では、深さＨ２，Ｈ３は、内側本体部１１１の厚さＴの１／４以下である。深さＨ２，Ｈ３は、深さＨ１と等しい。窪み１１５ｂ，１１５ｃには、封止樹脂５０の一部が入り込んでいる。

　図４７に示すように、内側本体部１１１は、厚さ方向Ｚにおける窪み１１５ａと主面１１１ａとの間の部分である第１薄肉部１１６ａと、厚さ方向Ｚにおける窪み１１５ｂと主面１１１ａとの間の部分である第２薄肉部１１６ｂと、厚さ方向Ｚにおける窪み１１５ｃと主面１１１ａとの間の部分である第３薄肉部１１６ｃとを有する。図４９及び図５０に示すように、窪み１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃの深さＨ１，Ｈ２，Ｈ３が互いに等しいため、第１薄肉部１１６ａの厚さＴ１、第２薄肉部１１６ｂの厚さＴ２、及び第３薄肉部１１６ｃの厚さＴ３は互いに等しい。ここで、厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３のうちの最大のずれ量が例えば厚さＴ１の５％以内であれば、厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３が互いに等しいと言える。

　縦方向Ｘにおける第１薄肉部１１６ａの長さＬ１は、横方向Ｙにおける第２薄肉部１１６ｂの長さＬ２及び横方向Ｙにおける第３薄肉部１１６ｃの長さＬ３よりも長い。長さＬ１は、長さＬ２，Ｌ３の２倍以上である。好ましくは、長さＬ１は、長さＬ２，Ｌ３の３倍以上である。本実施形態では、長さＬ１は、長さＬ２，Ｌ３の約１０倍である。

　内側本体部１１１の裏面１１１ｂの非露出面１１１ｙは、第１薄肉部１１６ａにおいて露出面１１１ｘと同じ側を向く第１非露出面１１１ｙａ、第２薄肉部１１６ｂにおいて露出面１１１ｘと同じ側を向く第２非露出面１１１ｙｂ、及び第３薄肉部１１６ｃにおいて露出面１１１ｘと同じ側を向く第３非露出面１１１ｙｃを含む。

　図４９に示すように、第１薄肉部１１６ａのうちの第２封止樹脂側面５２側の端部には、窪み１１５ｅが形成されている。窪み１１５ｅは、内側本体部１１１の横方向Ｙの全体にわたり形成されている。図４９に示す断面視において、窪み１１５ｅは、厚さ方向Ｚに沿って延びる第１面１１５ｆと、第１面１１５ｆよりも第１側面１１１ｃ側に形成され、縦方向Ｘに沿って延びる第２面１１５ｇとを有する。第１面１１５ｆと第２面１１５ｇとの連結部分には、曲面部１１５ｈが形成されている。

　窪み１１５ｅの深さＨ５は、例えば窪み１１５ａの深さＨ１よりも深い。第１薄肉部１１６ａには、窪み１１５ｄによって第５薄肉部１１６ｅが形成されている。第５薄肉部１１６ｅは、厚さ方向Ｚにおける窪み１１５ｅの第２面１１５ｇと主面１１１ａとの間の部分である。本実施形態では、第５薄肉部１１６ｅの厚さＴ５は、第１薄肉部１１６ａの厚さＴ１の１／２以上である。

　なお、深さＨ５は任意に変更可能である。一例では、深さＨ５は、深さＨ１と等しくてもよい。ここで、深さＨ５と深さＨ１とのずれ量が例えば深さＨ１の５％以内であれば、深さＨ５が深さＨ１と等しいと言える。

　これら窪み１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃ，１１５ｅは、基板１０をプレス加工（パンチング）することによって形成されている。このため、窪み１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃ，１１５ｅは、一工程において同時に形成される。

　図４８に示すように、縦方向Ｘにおける第２封止樹脂側面５２から基板１０の裏面１０ｂ（内側本体部１１１の裏面１１１ｂ）までの最短距離を距離ＤＰ１とし、横方向Ｙにおける第３封止樹脂側面５３から基板１０の裏面１０ｂ（内側本体部１１１の裏面１１１ｂ）までの最短距離を距離ＤＰ２とし、横方向Ｙにおける第４封止樹脂側面５４から基板１０の裏面１０ｂ（内側本体部１１１の裏面１１１ｂ）までの最短距離を距離ＤＰ３とする。この場合、距離ＤＰ１は、距離ＤＰ２及び距離ＤＰ３よりも長い。好ましくは、距離ＤＰ１は、距離ＤＰ２及び距離ＤＰ３の２倍以上である。さらに好ましくは、距離ＤＰ１は、距離ＤＰ２及び距離ＤＰ３の３倍以上である。本実施形態では、距離ＤＰ１は、距離ＤＰ２及び距離ＤＰ３の約４倍である。

　半導体装置１におけるドレイン端子（基板１０の裏面１０ｂ）とソース端子（駆動端子２２ａ～２２ｅ）との間の沿面距離ＤＰは、駆動端子２２ａ～２２ｅから露出面１１１ｘの端縁１１１ｘｅまでの封止樹脂５０の第２封止樹脂側面５２及び封止樹脂裏面５５に沿う距離のうちの最短距離である。

　本実施形態では、駆動端子２２ａ～２２ｅにおいて第２封止樹脂側面５２と接触している端子基端部２２ｘａ～２２ｘｅはそれぞれ、駆動リード２０の駆動パッド２１及び連結部２３ａ～２３ｅと厚さ方向Ｚにおいて揃った状態となるように配置されている。すなわち、端子基端部２２ｘａ～２２ｘｅはそれぞれ、厚さ方向Ｚにおいて基板１０の主面１０ａよりも封止樹脂天面５６側となるように配置されている。また端子基端部２２ｘａ～２２ｘｅはそれぞれ、厚さ方向Ｚにおいて半導体素子４０の表面４０ａよりも封止樹脂天面５６側となるように配置されている。本実施形態では、端子基端部２２ｘａ～２２ｘｅは、厚さ方向Ｚにおいて、封止樹脂５０の厚さ方向Ｚの中央部よりも封止樹脂天面５６側となるように配置されている。加えて、露出面１１１ｘの端縁１１１ｘｅは、横方向Ｙに沿って延びている。このように、駆動端子２２ａ～２２ｅについて、駆動端子から露出面１１１ｘの端縁１１１ｘｅまでの沿面距離ＤＰは互いに等しく、例えば駆動端子２２ａから封止樹脂裏面５５までの第２封止樹脂側面５２に沿う距離ＤＰ４と、上述の距離ＤＰ１との合計によって規定される。

　本実施形態では、駆動端子２２ａ～２２ｅの端子基端部２２ｘａ～２２ｘｅは、半導体素子４０の表面４０ａよりも封止樹脂天面５６側となるように配置されているため、厚さ方向Ｚにおいて端子基端部２２ｘａ～２２ｘｅと基板１０とが揃った状態となるように駆動端子２２ａ～２２ｅが配置される構成と比較して、距離ＤＰ４が長くなる。また第１薄肉部１１６ａの長さＬ１が第２薄肉部１１６ｂの長さＬ２及び第３薄肉部１１６ｃの長さＬ３よりも長くなるため、第１薄肉部１１６ａの長さＬ１が第２薄肉部１１６ｂの長さＬ２及び第３薄肉部１１６ｃの長さＬ３以下の構成と比較して、距離ＤＰ１が長くなる。

　本実施形態の半導体装置１によれば、第５実施形態の（１－１）及び（１－５）～（１－１９）の効果と同様の効果に加え、以下の効果が得られる。
　（２－１）半導体装置１は、半導体素子４０の主面側駆動電極４１（ソース電極）と、制御電極４３（ゲート電極）とを電気的に接続するためのセンスリード８０及びセンスワイヤ９０を備える。この構成によれば、主面側駆動電極４１の電圧が変動しても、制御電極４３の電圧が追従して変動するため、半導体素子４０のソース－ゲート間の電圧の変動が抑制される。したがって、半導体素子４０のしきい値電圧の変動を抑制できる。

　（２－２）半導体素子４０が基板１０の内側本体部１１１に対して第２封止樹脂側面５２寄りに位置している。この構成によれば、半導体素子４０の開口部４５と駆動パッド２１との間の距離を短くすることができるため、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２の長さをそれぞれ短くすることができる。したがって、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを低減できる。

　（２－３）横方向Ｙにおける駆動パッド２１の大きさは、横方向Ｙにおける半導体素子４０の大きさよりも大きい。この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離を一層大きく取ることができる。したがって、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを一層低減できる。

　（２－４）縦方向Ｘからみて、半導体素子４０の開口部４５の全てが駆動パッド２１と重なるように、半導体素子４０及び駆動パッド２１が配置されている。この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１の長さを短くすることができるとともに、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離を大きく取ることができる。したがって、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１までのインダクタンスを低減できる。

　（２－５）複数の駆動ワイヤ６０、制御ワイヤ７０、及びセンスワイヤ９０は、同一の材料が用いられている。また複数の駆動ワイヤ６０、制御ワイヤ７０、及びセンスワイヤ９０の線径は互いに等しい。この構成によれば、複数の駆動ワイヤ６０の主面側駆動電極４１及び駆動パッド２１への接続作業、制御ワイヤ７０の制御電極４３及び制御パッド３１への接続作業、及びセンスワイヤ９０の主面側駆動電極４１及びセンスパッド８１への接続作業を同一のワイヤにて実施できるため、それらの作業工程を簡素化できる。

　（２－６）駆動リード２０、制御リード３０、センスパッド８１、及び基板１０は、同一の金属板を例えばプレス加工することによって形成されている。この構成によれば、駆動リード２０、制御リード３０、センスパッド８１、及び基板１０を個別の金属板によって形成する場合と比較して、駆動リード２０、制御リード３０、センスパッド８１、及び基板１０の加工工程を簡素化できる。

　（第６実施形態の変更例）
　第６実施形態の半導体装置１は例えば以下のように変更できる。以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、組み合せることができる。なお、以下の変更例において、第６実施形態と共通する部分については、第６実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

　・駆動ワイヤ６０の数は、２本に限られず、任意に変更可能である。一例では、図５２に示すように、複数の駆動ワイヤ６０として第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、及び第３駆動ワイヤ６３の３本の駆動ワイヤから構成されてもよい。第３駆動ワイヤ６３は、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間に配置されている。この場合、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成している。

　すなわち、駆動ワイヤの数が３本以上である場合、最も離間している組み合わせとは、最も離れた位置にある２つの駆動ワイヤである。例えば、３本以上の駆動ワイヤが横方向Ｙに配列されている場合には、最も離間している組み合わせとは、横方向Ｙの両端にある駆動ワイヤの組み合わせである。

　第３駆動ワイヤ６３は、駆動電極側端部６３ａ及び駆動パッド側端部６３ｂを有する。駆動電極側端部６３ａは、第３駆動ワイヤ６３のうちの主面側駆動電極４１に接続される端部である。駆動パッド側端部６３ｂは、第３駆動ワイヤ６３のうちの駆動パッド２１に接続される端部である。図５２では、駆動電極側端部６３ａは、縦方向Ｘからみて、駆動リード２０の連結部２３ｂと重なっている。駆動パッド側端部６３ｂは、縦方向Ｘからみて、駆動リード２０の連結部２３ｃと重なっている。すなわち、駆動パッド側端部６３ｂは、駆動電極側端部６３ａよりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。

　図５２では、駆動電極側端部６３ａと第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ４は、駆動電極側端部６３ａと第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ５よりも小さい。距離ＤＷ４及び距離ＤＷ５は、駆動電極側端部９１と第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ８よりも大きい。なお、駆動電極側端部６３ａの横方向Ｙの位置は任意に変更可能である。一例では、距離ＤＷ４及び距離ＤＷ５が互いに等しくなるように駆動電極側端部６３ａが主面側駆動電極４１に接続されてもよい。

　また図５２では、縦方向Ｘにおいて第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａ、第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａ、及び第３駆動ワイヤ６３の駆動電極側端部６３ａは互いに揃った状態で配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが互いに揃った状態とは、縦方向Ｘにおける駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　第３駆動ワイヤ６３の駆動パッド側端部６３ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ６は、距離ＤＷ４よりも大きい。第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ７は、距離ＤＷ５よりも大きい。図５２では、距離ＤＷ７は、距離ＤＷ６よりも大きい。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第３駆動ワイヤ６３は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第３駆動ワイヤ６３との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。

　・半導体素子４０のサイズは任意に変更可能である。第１例では、図５３に示すように、半導体素子４０のサイズを第６実施形態の半導体素子４０のサイズよりも大きくしてもよい。第２例では、図５５に示すように、半導体素子４０のサイズを図５３の半導体素子４０のサイズよりも大きくしてもよい。

　図５３に示す第１例では、半導体素子４０の縦方向Ｘのサイズ及び横方向Ｙのサイズのそれぞれが第６実施形態の半導体素子４０のサイズよりも大きい。また、半導体素子４０のサイズが大きくなることに伴い表面４０ａに形成された開口部４５の大きさを縦方向Ｘ及び横方向Ｙのそれぞれに大きくすることができる。図５３では、開口部４５の横方向Ｙの大きさは、駆動パッド２１の横方向Ｙの大きさよりも小さい。駆動パッド２１の横方向Ｙの大きさは、半導体素子４０の横方向Ｙの大きさよりも大きい。開口部４５は、縦方向Ｘからみて、駆動パッド２１の第１端部２１ａと重なっている。より詳細には、開口部４５のうちの第３側面４０ｅ側の端縁は、駆動パッド２１よりも第３封止樹脂側面５３側に位置している。また開口部４５は、縦方向Ｘからみて、駆動リード２０の連結部２３ｃと重なっている。

　また図５３では、半導体素子４０の第３側面４０ｅは、縦方向Ｘからみて、センスリード８０のうちの第４封止樹脂側面５４側の端部と重なっている。半導体素子４０の第４側面４０ｆは、縦方向Ｘからみて、駆動パッド２１のうちの連結部２３ｃと連結部２３ｄとの横方向Ｙの間の部分と重なっている。

　半導体装置１は、第６実施形態と同様に、複数の駆動ワイヤ６０として第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２を有する。第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、第６実施形態の駆動電極側端部６１ａと同様に、主面側駆動電極４１のうちの横方向Ｙにおいて制御電極４３と離間した部分に接続されている。第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂは、第６実施形態の駆動パッド側端部６１ｂと同様に、駆動パッド２１の第１端部２１ａに接続されている。第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、第６実施形態の駆動電極側端部６２ａと同様に、横方向Ｙにおいて開口部４５のうちの半導体素子４０の第４側面４０ｆ側の端部に接続されている。第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂは、第６実施形態の駆動パッド側端部６２ｂと同様に、駆動パッド２１の第２端部２１ｂに接続されている。縦方向Ｘにおいて、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとは互いに揃った状態で横方向Ｙに配列されている。駆動パッド側端部６１ｂ及び駆動パッド側端部６２ｂはそれぞれ、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。

　平面視において、駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２は、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ１よりも大きい。図５３では、駆動電極側端部６１ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１と駆動パッド側端部６１ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ２との横方向Ｙの間の距離ＤＹ１は、駆動電極側端部６２ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ３と駆動パッド側端部６２ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ４との横方向Ｙの間の距離ＤＹ２よりも小さい。このように、平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広くなっている。

　この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間の距離を大きくすることができるため、主面側駆動電極４１（ソース電極）から駆動リード２０の駆動端子２２（ソース端子）までの間のインダクタンスを低減できる。

　・図５３の変更例において、駆動ワイヤ６０の数は、２本に限られず、任意に変更可能である。一例では、図５４に示すように、複数の駆動ワイヤ６０として第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、及び第３駆動ワイヤ６３の３本の駆動ワイヤから構成されてもよい。第３駆動ワイヤ６３は、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間に配置されている。この場合、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成している。第３駆動ワイヤ６３は、駆動電極側端部６３ａ及び駆動パッド側端部６３ｂを有する。駆動電極側端部６３ａと第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の距離ＤＷ４は、駆動電極側端部６３ａと第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ５よりも大きい。なお、主面側駆動電極４１に対する駆動電極側端部６３ａの配置位置は任意に変更可能である。一例では、距離ＤＷ４と距離ＤＷ５とが互いに等しくなるように、駆動電極側端部６３ａが主面側駆動電極４１に接続されてもよい。

　また図５４では、縦方向Ｘにおいて第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａ、第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａ、及び第３駆動ワイヤ６３の駆動電極側端部６３ａは互いに揃った状態で配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが互いに揃った状態とは、縦方向Ｘにおける駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａ，６３ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　第３駆動ワイヤ６３の駆動パッド側端部６３ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央部よりも半導体素子４０側の部分に配置されている。第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ６は、距離ＤＷ４よりも大きい。第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂと駆動パッド側端部６３ｂとの間の距離ＤＷ７は、距離ＤＷ５よりも大きい。図５４では、距離ＤＷ７は、距離ＤＷ６よりも大きい。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第３駆動ワイヤ６３は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第３駆動ワイヤ６３との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広くなっている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広くなっている。

　なお、平面視において、第３駆動ワイヤ６３の縦方向Ｘに対する傾斜角度は任意に変更可能である。一例では、平面視において、第３駆動ワイヤ６３の縦方向Ｘに対する傾斜角度は第１駆動ワイヤ６１の縦方向Ｘに対する傾斜角度又は第２駆動ワイヤ６２の縦方向Ｘに対する傾斜角度と等しくてもよい。

　図５５に示す第２例では、平面視における半導体素子４０の形状は、正方形である。半導体素子４０の表面４０ａに形成された主面側駆動電極４１（ソース電極）の平面視における形状は、略正方形である。半導体素子４０の第２側面４０ｄかつ第３側面４０ｅ側の端部に切欠部４１ｂが形成されている。制御電極４３は、切欠部４１ｂに形成されている。また、パッシベーション膜４４に形成された開口部４５の平面視における形状は、正方形である。開口部４５は、第６実施形態と同様に、主面側駆動電極４１の一部及び制御電極４３の一部を露出している。主面側駆動電極４１は、開口部４５によって露出された露出領域４６を有する。

　図５５に示す第２例の半導体装置１は、複数の駆動ワイヤ６０として、第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、第３駆動ワイヤ６３、及び第４駆動ワイヤ６４を有する。第３駆動ワイヤ６３及び第４駆動ワイヤ６４は、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間に配置されている。この場合、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成している。第１駆動ワイヤ６１、第２駆動ワイヤ６２、第３駆動ワイヤ６３、及び第４駆動ワイヤ６４は、横方向Ｙに離間して配列されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１は、横方向Ｙにおいて第２駆動ワイヤ６２、第３駆動ワイヤ６３、及び第４駆動ワイヤ６４よりも半導体素子４０の第３側面４０ｅ側に配置されている。第２駆動ワイヤ６２は、横方向Ｙにおいて第１駆動ワイヤ６１、第３駆動ワイヤ６３、及び第４駆動ワイヤ６４よりも半導体素子４０の第４側面４０ｆ側に配置されている。第３駆動ワイヤ６３は、第４駆動ワイヤ６４よりも半導体素子４０の第３側面４０ｅ側に配置されている。このように、複数の駆動ワイヤ６０のうちの最も離れた組み合わせを構成する第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、複数の駆動ワイヤ６０のうちの横方向Ｙの両端にある駆動ワイヤである。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂよりも第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。具体的には、駆動電極側端部６１ａは、縦方向Ｘからみて、駆動リード２０の連結部２３ａと重なっている。駆動パッド側端部６１ｂは、縦方向Ｘからみて、駆動パッド２１のうちの連結部２３ａと連結部２３ｂとの間の部分と重なっている。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂよりも第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。具体的には、駆動電極側端部６２ａは、縦方向Ｘからみて、駆動パッド２１のうちの連結部２３ｃと連結部２３ｄとの間の部分と重なっている。駆動パッド側端部６２ｂは、縦方向Ｘからみて、駆動リード２０の連結部２３ｅと重なっている。

　第３駆動ワイヤ６３は、駆動電極側端部６３ａ及び駆動パッド側端部６３ｂを有する。駆動電極側端部６３ａは、第３駆動ワイヤ６３のうちの主面側駆動電極４１に接続される端部である。駆動パッド側端部６３ｂは、第３駆動ワイヤ６３のうちの駆動パッド２１に接続される端部である。駆動電極側端部６３ａは、駆動パッド側端部６３ｂよりも第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。具体的には、駆動電極側端部６３ａは、縦方向Ｘからみて、駆動リード２０の連結部２３ｂと重なっている。駆動パッド側端部６３ｂは、縦方向Ｘからみて、駆動パッド２１のうちの連結部２３ｂと連結部２３ｃとの間の部分と重なっている。

　第４駆動ワイヤ６４は、駆動電極側端部６４ａ及び駆動パッド側端部６４ｂを有する。駆動電極側端部６４ａは、第４駆動ワイヤ６４のうちの主面側駆動電極４１に接続される端部である。駆動パッド側端部６４ｂは、第４駆動ワイヤ６４のうちの駆動パッド２１に接続される端部である。駆動電極側端部６４ａは、駆動パッド側端部６４ｂよりも第３封止樹脂側面５３側となるように配置されている。具体的には、駆動電極側端部６４ａは、縦方向Ｘからみて、駆動パッド２１のうちの連結部２３ｂと連結部２３ｃとの間の部分と重なっている。駆動パッド側端部６４ｂは、縦方向Ｘからみて、駆動パッド２１のうちの連結部２３ｃと連結部２３ｄとの間の部分と重なっている。

　駆動電極側端部６１ａ及び駆動電極側端部６３ａは、主面側駆動電極４１の露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第１露出端部４６ａ側に接続されている。駆動電極側端部６１ａは、横方向Ｙにおいて駆動電極側端部６３ａよりも第１露出端部４６ａ側に接続されている。駆動電極側端部６４ａ及び駆動電極側端部６２ａは、露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第２露出端部４６ｂ側に接続されている。駆動電極側端部６２ａは、駆動電極側端部６４ａよりも第２露出端部４６ｂ側に接続されている。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａ及び第４駆動ワイヤ６４の駆動電極側端部６４ａは、第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａ及び第３駆動ワイヤ６３の駆動電極側端部６３ａと縦方向Ｘにずれている。具体的には、駆動電極側端部６１ａ，６４ａは、駆動電極側端部６２ａ，６３ａよりも半導体素子４０の第１側面４０ｃ側となるように配置されている。このため、第１駆動ワイヤ６１及び第４駆動ワイヤ６４の長さは、第２駆動ワイヤ６２及び第３駆動ワイヤ６３の長さよりも長い。また、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６４ａとは、縦方向Ｘにおいて互いに揃った状態で横方向Ｙに配列されている。駆動電極側端部６２ａと駆動電極側端部６３ａとは、縦方向Ｘにおいて互いに揃った状態で横方向Ｙに配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６１ａ，６４ａが揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動電極側端部６１ａ，６４ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６１ａ，６４ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６１ａ，６４ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。また、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６２ａ，６３ａが互いに揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動電極側端部６２ａ，６３ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６２ａ，６３ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６２ａ，６３ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　なお、駆動電極側端部６１ａ～６４ａの縦方向Ｘにおける配置位置は任意に変更可能である。一例では、駆動電極側端部６１ａ～６４ａが互いにずれてもよい。また、駆動電極側端部６１ａ～６４ａが互いに揃った状態で横方向Ｙに配列されてもよい。

　駆動電極側端部６１ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１と、駆動電極側端部６３ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ９との間の距離ＤＷ１０は、補助線ＬＳ９と駆動電極側端部６４ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１１との間の距離ＤＷ１１よりも小さい。駆動電極側端部６２ａから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ３と補助線ＬＳ１１との横方向Ｙの間の距離ＤＷ１２は、距離ＤＷ１０よりも僅かに小さい。なお、駆動電極側端部６１ａ～６４ａの横方向Ｙにおける配置位置は、駆動電極側端部６１ａ～６４ａのうちの最も第３封止樹脂側面５３側に駆動電極側端部６１ａが位置し、最も第４封止樹脂側面５４側に駆動電極側端部６２ａが位置する限定において任意に変更可能である。一例では、駆動電極側端部６１ａ～６４ａは、距離ＤＷ１２と距離ＤＷ１０とが互いに等しくなるように配置されてもよい。

　補助線ＬＳ１と駆動パッド側端部６１ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ２との横方向Ｙの間の距離ＤＹ１は、補助線ＬＳ３と駆動パッド側端部６２ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ４との横方向Ｙの間の距離ＤＹ２よりも小さい。補助線ＬＳ９と駆動パッド側端部６３ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１０との横方向Ｙの間の距離ＤＹ３は、補助線ＬＳ１１と駆動パッド側端部６４ｂから縦方向Ｘに沿う補助線ＬＳ１２との横方向Ｙの間の距離ＤＹ４よりも小さい。図５５では、距離ＤＹ１は、距離ＤＹ３よりも小さい。距離ＤＹ２は、距離ＤＹ４よりも大きい。

　なお、駆動電極側端部６１ａは、横方向Ｙにおいて開口部４５のうちの半導体素子４０の第３側面４０ｅ側の端部としてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第３側面４０ｅ側の限界位置となるように配置されてもよい。駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の第１端部２１ａとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第３封止樹脂側面５３側の限界位置となるように配置されてもよい。

　また、駆動電極側端部６２ａは、横方向Ｙにおいて開口部４５のうちの半導体素子４０の第４側面４０ｆ側の端部としてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４側面４０ｆ側の限界位置となるように配置されてもよい。駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４封止樹脂側面５４側の限界位置となるように配置されてもよい。

　平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第３駆動ワイヤ６３は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第３駆動ワイヤ６３との横方向Ｙの間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３及び第４駆動ワイヤ６４は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３と第４駆動ワイヤ６４との横方向Ｙの間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。平面視において、第４駆動ワイヤ６４及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第４駆動ワイヤ６４と第２駆動ワイヤ６２との横方向Ｙの間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第３駆動ワイヤ６３と第２駆動ワイヤ６２との横方向Ｙの間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広がっている。

　センスワイヤ９０の駆動電極側端部９１は、主面側駆動電極４１のうちの横方向Ｙにおいて制御ワイヤ７０の制御電極側端部７１と第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａとの間の部分に接続されている。また、駆動電極側端部９１は、主面側駆動電極４１のうちの第２側面４０ｄ側の端部に接続されている。すなわち、駆動電極側端部９１は、主面側駆動電極４１のうちの制御電極４３と横方向Ｙに隣り合う部分に接続されている。この構成によれば、センスワイヤ９０の長さを短くできる。

　・駆動ワイヤ６０、制御ワイヤ７０、及びセンスワイヤ９０の材料及び線径は任意に変更可能である。一例では、駆動ワイヤ６０、制御ワイヤ７０、及びセンスワイヤ９０の少なくとも１つの線径が他の線径と異なってもよい。また、駆動ワイヤ６０、制御ワイヤ７０、及びセンスワイヤ９０の少なくとも１つの材料が他の材料と異なってもよい。

　・厚さ方向Ｚにおけるセンスパッド８１の配置位置は任意に変更可能である。センスパッド８１は、厚さ方向Ｚにおいて駆動パッド２１及び制御パッド３１の少なくとも一方に対してずれていてもよい。一例では、センスパッド８１は、厚さ方向Ｚにおいて半導体素子４０と揃った状態で配置されている。

　・基板１０の内側本体部１１１から第１幅広部１１１ｆを省略してもよい。この場合、縦方向Ｘにおいて、突出部１１２と封止樹脂５０の第１封止樹脂側面５１とが当接してもよい。

　・基板１０の内側本体部１１１から第２幅広部１１１ｇを省略してもよい。
　・図５６に示すように、封止樹脂５０のうちの内側本体部１１１の第１側面１１１ｃよりも第２封止樹脂側面５２側、かつ、駆動パッド２１、制御パッド３１、及びセンスパッド８１よりも封止樹脂裏面５５側の部分である封止部５９には、凹部５９ａが設けられてもよい。凹部５９ａは、縦方向Ｘにおいて内側本体部１１１の第１側面１１１ｃから離間して設けられている。

　凹部５９ａは、厚さ方向Ｚにおいて封止樹脂裏面５５から封止樹脂天面５６に向けて凹んでいる。凹部５９ａは、横方向Ｙにおいて第３封止樹脂側面５３から第４封止樹脂側面５４までにわたり形成されている。厚さ方向Ｚからみて、凹部５９ａは、駆動パッド２１、制御パッド３１、及びセンスパッド８１と重なっている。一例では、図５６に示すとおり、縦方向Ｘ及び厚さ方向Ｚに沿う平面で切った断面視における凹部５９ａの形状は、矩形状である。凹部５９ａの深さＨｒ１は、例えば窪み１１５ａの深さＨ１よりも深い。また、深さＨｒ１は、窪み１１５ｂ，１１５ｃの深さＨ２，Ｈ３（図５０参照）よりも深い。

　凹部５９ａは、底面５９ｂを有する。底面５９ｂは、窪み１１５ｅの第２面１１５ｇよりも封止樹脂天面５６側となるように設けられている。底面５９ｂは、内側本体部１１１の主面１１１ａよりも封止樹脂裏面５５側となるように設けられている。なお、厚さ方向Ｚにおける底面５９ｂの位置、すなわち凹部５９ａの深さＨｒ１は、任意に変更可能である。一例では、底面５９ｂは、厚さ方向Ｚにおいて内側本体部１１１の主面１１１ａと揃った状態としてもよいし、主面１１１ａよりも封止樹脂天面５６側となるように設けられてもよい。

　・縦方向Ｘ及び厚さ方向Ｚに沿う平面で切った断面視における凹部５９ａの形状は任意に変更可能である。一例では、縦方向Ｘ及び厚さ方向Ｚに沿う平面で切った断面視における凹部５９ａの形状は湾曲状であってもよいし、Ｖ字状であってもよい。

　・上記第６実施形態及び上記第６実施形態の変更例において、縦方向Ｘにおける半導体素子４０の配置位置は任意に変更可能である。一例では、図５７に示すように、半導体素子４０は、縦方向Ｘにおいて内側本体部１１１の主面１１１ａのうちの第１封止樹脂側面５１側の部分に配置されている。具体的には、平面視において、半導体素子４０と内側本体部１１１の第１側面１１１ｃとの間の第１距離Ｄ１が半導体素子４０と第１幅広部１１１ｆとの間の第２距離Ｄ２よりも大きい。

　半導体素子４０は、内側本体部１１１の横方向Ｙの中央部に配置されている。具体的には、半導体素子４０と内側本体部１１１の第２側面１１１ｄとの間の第３距離Ｄ３と、半導体素子４０と内側本体部１１１の第３側面１１１ｅとの間の第４距離Ｄ４とが互いに等しい。ここで、第３距離Ｄ３と第４距離Ｄ４のずれ量が例えば第３距離Ｄ３の５％以内であれば、第３距離Ｄ３と第４距離Ｄ４とが互いに等しいと言える。本実施形態では、第１距離Ｄ１は、第３距離Ｄ３及び第４距離Ｄ４よりも大きい。第２距離Ｄ２は、第３距離Ｄ３及び第４距離Ｄ４よりも小さい。

　図５７に示すように、内側本体部１１１の主面１１１ａのうちの半導体素子４０よりも第１封止樹脂側面５１側の部分には、溝１１７Ａが設けられている。内側本体部１１１の主面１１１ａのうちの半導体素子４０よりも第２封止樹脂側面５２側の部分には、溝１１７Ｂが設けられている。溝１１７Ａ，１１７Ｂは、縦方向Ｘにおいて半田ＳＤと隣接している。溝１１７Ａ，１１７Ｂは、横方向Ｙにおいて内側本体部１１１の第２側面１１１ｄから第３側面１１１ｅまでにわたり形成されている。半田ＳＤが溝１１７Ａに入り込むことによって、半田ＳＤが溝１１７Ａよりも第１封止樹脂側面５１側に進入することを抑制できる。また半田ＳＤが溝１１７Ｂに入り込むことによって半田ＳＤが溝１１７Ｂよりも第２封止樹脂側面５２側に進入することを抑制できる。

　図５７及び図５８に示すように、溝１１７Ａ，１１７Ｂは互いに同一形状である。以下、溝１１７Ａの一例について説明し、溝１１７Ｂについては溝１１７Ａと同一の符号を付し、その説明を省略する。

　図５８に示すように、溝１１７Ａは、第１溝部１１７ａ及び第２溝部１１７ｂを有する。第１溝部１１７ａは、内側本体部１１１の主面１１１ａから裏面１１１ｂに向けて凹んでいる。半導体装置１を縦方向Ｘ及び厚さ方向Ｚに沿う平面で切った断面視における第１溝部１１７ａの形状は、矩形状である。第２溝部１１７ｂは、第１溝部１１７ａの底面１１７ｃから裏面１１１ｂに向けて凹んでいる。半導体装置１を縦方向Ｘ及び厚さ方向Ｚに沿う平面で切った断面視における第２溝部１１７ｂの形状は、裏面１１１ｂから主面１１１ａに向かうにつれて先細るテーパ状である。

　溝１１７Ａ，１１７Ｂには、封止樹脂５０の一部が入り込んでいる。この構成によれば、溝１１７Ａ，１１７Ｂに入り込んだ封止樹脂５０によって、基板１０と封止樹脂５０との分離を一層抑制できる。加えて、裏面１１１ｂから主面１１１ａに向かうにつれて先細るテーパ状の第２溝部１１７ｂに封止樹脂５０が入り込むことによって、基板１０と封止樹脂５０とが厚さ方向Ｚにおいてより一層分離し難くなる。

　なお、溝１１７Ａ，１１７Ｂの形状はそれぞれ、任意に変更可能である。一例では、溝１１７Ａ，１１７Ｂの少なくとも一方について、半導体装置１を縦方向Ｘ及び厚さ方向Ｚに沿う平面で切った断面視における第１溝部１１７ａの形状は、湾曲状であってもよいし、主面１１１ａから裏面１１１ｂに向かうにつれて先細るテーパ状であってもよい。溝１１７Ａ，１１７Ｂの少なくとも一方について、半導体装置１を縦方向Ｘ及び厚さ方向Ｚに沿う平面で切った断面視における第２溝部１１７ｂの形状は、矩形状であってもよいし、湾曲状であってもよいし、主面１１１ａから裏面１１１ｂに向かうにつれて先細るＶ字状であってもよい。溝１１７Ａ，１１７Ｂの少なくとも一方から第２溝部１１７ｂを省略してもよい。

　・窪み１１５ｂ，１１５ｃの少なくとも一方を省略してもよい。
　・窪み１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃの深さＨ１，Ｈ２，Ｈ３は任意に変更可能である。一例では、窪み１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃの深さＨ１，Ｈ２，Ｈ３の少なくとも１つは、基板１０の厚さＴの１／３以上であり、かつ厚さＴよりも薄くてもよい。この構成によれば、封止樹脂５０の一部が窪み１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃの少なくとも１つに入り込み易くなる。したがって、封止樹脂５０の成形性が向上するため、半導体装置１の歩留まり率を向上できる。また一例では、窪み１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃの深さＨ１，Ｈ２，Ｈ３の少なくとも１つは、基板１０の厚さＴの１／３以上かつ１／２以下であってもよい。この構成によれば、半導体装置１の歩留まり率の向上及び内側本体部１１１の放熱性能の向上を両立できる。

　・窪み１１５ａの深さＨ１は、窪み１１５ｂ，１１５ｃの深さＨ２，Ｈ３と異なってもよい。一例では、深さＨ１は、深さＨ２，Ｈ３よりも浅い。この構成によれば、第１薄肉部１１６ａの厚さＴ１が第２薄肉部１１６ｂの厚さＴ２、及び第３薄肉部１１６ｃの厚さＴ３のそれぞれよりも厚くなるため、厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３が互いに等しい構成と比較して、内側本体部１１１の体積を増加させることができる。したがって、内側本体部１１１の放熱性能を向上できる。また一例では、深さＨ１は、深さＨ２，Ｈ３よりも深い。この構成によれば、封止樹脂５０の一部が窪み１１５ａに入り込み易くなる。したがって、封止樹脂５０の成形性が向上するため、半導体装置１の歩留まり率を向上できる。

　・基板１０、駆動パッド２１、制御パッド３１、及びセンスパッド８１の少なくとも１つは、別の金属板から形成されてもよい。また例えば、基板１０及び駆動パッド２１が同一の金属板から形成され、制御パッド３１及びセンスパッド８１が別の金属板から形成されてもよい。

　（各実施形態に共通した変更例）
　上記各実施形態の半導体装置１は例えば以下のように変更できる。なお、以下の変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができるし、第５実施形態の変更例又は第６実施形態の変更例と組み合せることができる。

　・上記各実施形態において、厚さ方向Ｚにおける駆動パッド２１及び制御パッド３１の位置はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、駆動パッド２１及び制御パッド３１の少なくとも一方は、厚さ方向Ｚにおいて半導体素子４０に揃った状態であってもよい。

　・上記各実施形態及び変更例において、平面視における駆動パッド２１及び制御パッド３１の配置位置はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、駆動パッド２１及び制御パッド３１の少なくとも一方は、基板１０に対して横方向Ｙにずれていてもよい。すなわち、駆動パッド２１及び制御パッド３１の少なくとも一方は、基板１０よりも封止樹脂５０の第３封止樹脂側面５３側又は第４封止樹脂側面５４側に配置されてもよい。これにより、駆動パッド２１及び制御パッド３１の少なくとも一方は、半導体素子４０に対して横方向Ｙにずれることになる。

　・上記各実施形態及び変更例において、複数の駆動ワイヤ６０と制御ワイヤ７０とは異なる金属によって形成されてもよい。一例では、複数の駆動ワイヤ６０は、アルミニウムからなり、制御ワイヤ７０は金（Ａｕ）からなる。

　・上記各実施形態及び変更例において、複数の駆動ワイヤ６０の線径と制御ワイヤ７０の線径とは互いに異なってもよい。一例では、複数の駆動ワイヤ６０の線径は、制御ワイヤ７０の線径よりも大きい。

　・上記各実施形態及び変更例において、複数の駆動ワイヤ６０の線径は、１２５μｍ～２５０μｍに限られず、任意に変更可能である。一例では、複数の駆動ワイヤ６０の線径は、２５０μｍ～４００μｍである。

　・上記各実施形態及び変更例において、半導体素子４０は、平面視において矩形状の１つの開口部４５によって主面側駆動電極４１及び制御電極４３を露出するように構成されたが、開口部４５の数はこれに限られない。例えば、図５９に示すように、半導体素子４０の表面４０ａには、主面側駆動電極４１を露出する第１開口部４５Ａと、制御電極４３を露出する第２開口部４５Ｂとが形成されてもよい。平面視における第１開口部４５Ａの形状は、横方向Ｙが長辺方向となり、縦方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。平面視における第２開口部４５Ｂの形状は、縦方向Ｘが長辺方向となり、横方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第１開口部４５Ａは、縦方向Ｘにおいて半導体素子４０の第１側面４０ｃ寄りとなるように設けられている。第１開口部４５Ａは、横方向Ｙにおいて半導体素子４０の表面４０ａの大部分を開口している。第２開口部４５Ｂは、半導体素子４０の第２側面４０ｄ側の端部かつ第３側面４０ｅ側の端部に設けられている。

　主面側駆動電極４１は、第１開口部４５Ａによって露出している露出領域４６を有する。露出領域４６は、横方向Ｙの両端部である第１露出端部４６ａ及び第２露出端部４６ｂを有する。第１露出端部４６ａは、露出領域４６のうちの半導体素子４０の第３側面４０ｅ側の端部である。第２露出端部４６ｂは、露出領域４６のうちの半導体素子４０の第４側面４０ｆ側の端部である。

　第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１の露出領域４６と駆動リード２０の駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、駆動パッド側端部６１ｂと駆動パッド側端部６２ｂとの間の距離ＤＷ２は、駆動電極側端部６１ａと駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ１よりも大きい。図５９では、平面視において、第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２は、主面側駆動電極４１側よりも駆動パッド２１側の方が離れるように主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されている。平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間隔は、主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に広くなる。なお、平面視において、第１駆動ワイヤ６１と第２駆動ワイヤ６２との間隔が主面側駆動電極４１から駆動パッド２１に向かうにつれて徐々に狭くなるように第１駆動ワイヤ６１及び第２駆動ワイヤ６２がそれぞれ主面側駆動電極４１と駆動パッド２１とに接続されてもよい。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａは、露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第１露出端部４６ａ側に配置されている。図５９では、駆動電極側端部６１ａは、露出領域４６の第１露出端部４６ａに接続されている。一例では、駆動電極側端部６１ａは、露出領域４６の第１露出端部４６ａとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第３側面４０ｅ側の限界位置となるように配置されている。

　第１駆動ワイヤ６１の駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の横方向Ｙの中央部よりも第１端部２１ａ側に接続されている。図５９では、駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の第１端部２１ａに接続されている。一例では、駆動パッド側端部６１ｂは、駆動パッド２１の第１端部２１ａとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第３封止樹脂側面５３側の限界位置となるように配置されている。駆動パッド側端部６１ｂは、縦方向Ｘにおいて駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。駆動パッド側端部６１ｂは、駆動電極側端部６１ａよりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａは、露出領域４６の横方向Ｙの中央部よりも第２露出端部４６ｂ側に配置されている。図５９では、駆動電極側端部６２ａは、露出領域４６の第２露出端部４６ｂに接続されている。一例では、駆動電極側端部６２ａは、露出領域４６の第２露出端部４６ｂとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４側面４０ｆ側の限界位置となるように配置されている。縦方向Ｘにおいて、駆動電極側端部６２ａは、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと揃った状態で横方向Ｙに配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動電極側端部６２ａと駆動電極側端部６１ａとが揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動電極側端部６１ａ，６２ａが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動電極側端部６１ａ，６２ａが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　第２駆動ワイヤ６２の駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の横方向Ｙの中央部よりも第２端部２１ｂ側に接続されている。図５９では、駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂに接続されている。一例では、駆動パッド側端部６２ｂは、駆動パッド２１の第２端部２１ｂとしてワイヤボンディングが実行可能な領域のうちの第４封止樹脂側面５４側の限界位置となるように配置されている。駆動パッド側端部６２ｂは、縦方向Ｘにおいて駆動パッド２１の縦方向Ｘの中央よりも半導体素子４０側の部分に接続されている。駆動パッド側端部６２ｂは、駆動電極側端部６２ａよりも第４封止樹脂側面５４側となるように配置されている。また、図５９では、駆動パッド側端部６２ｂは、縦方向Ｘにおいて、駆動パッド側端部６１ｂと揃った状態で横方向Ｙに配列されている。ここで、縦方向Ｘにおいて駆動パッド側端部６２ｂと駆動パッド側端部６１ｂとが揃った状態とは、縦方向Ｘにおける両駆動パッド側端部６１ｂ，６２ｂが互いに重なり合うこと、ワイヤボンディングに起因する製造誤差に応じて一部分が重なり合うことを含む。換言すれば、駆動パッド側端部６１ｂ，６２ｂにおける縦方向Ｘのずれ量が、ワイヤボンディングを行う上でのばらつき程度であれば、駆動パッド側端部６１ｂ，６２ｂが縦方向Ｘに揃っていると言える。

　この構成によれば、第１駆動ワイヤ６１の駆動電極側端部６１ａと第２駆動ワイヤ６２の駆動電極側端部６２ａとの間の距離ＤＷ１を大きく取ることができるため、主面側駆動電極４１と駆動パッド２１との間のインダクタンスを低減できる。

　・上記各実施形態及び変更例において、内側本体部１１１の形状は任意に変更可能である。一例では、図６０に示すように、内側本体部１１１は、延長部１１８Ａ，１１８Ｂをさらに有してもよい。縦方向Ｘにおいて、延長部１１８Ａ，１１８Ｂはそれぞれ、内側本体部１１１のうちの窪み１１５ａよりも第１幅広部１１１ｆ側の部分に設けられている。延長部１１８Ａは、内側本体部１１１の第２側面１１１ｄから第３封止樹脂側面５３に向けて横方向Ｙに沿って延びている。延長部１１８Ｂは、内側本体部１１１の第３側面１１１ｅから第４封止樹脂側面５４に向けて横方向Ｙに沿って延びている。平面視における延長部１１８Ａ，１１８Ｂの形状は矩形状である。

　図６１に示すように、延長部１１８Ｂは、第４封止樹脂側面５４から露出している。詳細には、延長部１１８Ｂは、第４封止樹脂側面５４の第２傾斜面５４ｂのうちの厚さ方向Ｚの第１傾斜面５４ａ側の端部から露出している。延長部１１８Ｂは、第４封止樹脂側面５４と面一となってもよい。なお、図示していないが、延長部１１８Ａも同様に、第３封止樹脂側面５３から露出している。詳細には、延長部１１８Ａは、第３封止樹脂側面５３の第２傾斜面５３ｂのうちの厚さ方向Ｚの第１傾斜面５３ａ側の端部から露出している。延長部１１８Ａは、第３封止樹脂側面５３と面一となってもよい。

　なお、縦方向Ｘにおける延長部１１８Ａ，１１８Ｂの位置はそれぞれ、任意に変更可能である。延長部１１８Ａ，１１８Ｂの少なくとも一方は、横方向Ｙからみて、内側本体部１１１のうちの窪み１１５ａと重なる位置に設けられてもよい。

　・上記各実施形態及び変更例において、第１薄肉部１１６ａには、厚さ方向Ｚにおいて第１薄肉部１１６ａを貫通する１又は複数の貫通孔１１９が設けられてもよい。一例では、図６２に示すように、第１薄肉部１１６ａには、３個の貫通孔１１９が設けられている。３個の貫通孔１１９は、横方向Ｙにおいて離間して設けられている。平面視における各貫通孔１１９の形状は、円形である。各貫通孔１１９には、封止樹脂５０の一部が入り込んでいる。この構成によれば、各貫通孔１１９に入り込んだ封止樹脂５０により、基板１０と封止樹脂５０との分離を一層抑制できる。なお、平面視における貫通孔１１９の形状は任意に変更可能である。また第１薄肉部１１６ａに対する貫通孔１１９の位置は任意に変更可能である。

　・上記各実施形態及び変更例において、窪み１１５ａの形状は任意に変更可能である。一例では、図６３に示すように、窪み１１５ａは、駆動リード側窪み１１５ｉ及び制御リード側窪み１１５ｊを含む。平面視において、駆動リード側窪み１１５ｉは、駆動リード２０の駆動端子２２の端子基端部２２ｘにおける横方向Ｙの中央部を中心Ｃ１とした円弧状に形成されている。平面視において、制御リード側窪み１１５ｊは、制御リード３０の制御端子３２の端子基端部３２ｘにおける横方向Ｙの中央部を中心Ｃ２とした円弧状に形成されている。図６３では、駆動リード側窪み１１５ｉの半径Ｒ１と制御リード側窪み１１５ｊの半径Ｒ２とは互いに等しい。ここで、半径Ｒ１と半径Ｒ２とのずれ量が５％以内であれば、半径Ｒ１と半径Ｒ２とは互いに等しいと言える。

　この構成によれば、縦方向Ｘにおける第２封止樹脂側面５２から基板１０の裏面１０ｂ（内側本体部１１１の露出面１１１ｘ）までの最短距離である距離ＤＰ１は、駆動リード側窪み１１５ｉの半径Ｒ１と概ね等しく、上記各実施形態と概ね同じ長さとすることができる。このため、上記各実施形態と同様に、沿面距離ＤＰを延長した状態で内側本体部１１１の体積を上記各実施形態よりも増加させることができる。したがって、基板１０の放熱性を向上できる。

　なお、駆動リード側窪み１１５ｉの半径Ｒ１及び制御リード側窪み１１５ｊの半径Ｒ２はそれぞれ任意に変更可能である。一例では、半径Ｒ１は、縦方向Ｘにおける中心Ｃ１から半導体素子４０の第２側面４０ｄまでの距離に設定してもよい。また半径Ｒ２は、縦方向Ｘにおける中心Ｃ１から第２側面４０ｄまでの距離に設定してもよい。この場合、駆動リード側窪み１１５ｉと制御リード側窪み１１５ｊとの接触部（平面視における駆動リード側窪み１１５ｉと制御リード側窪み１１５ｊとの交点）は、縦方向Ｘにおいて、内側本体部１１１の第１側面１１１ｃよりも半導体素子４０側に位置する。この構成によれば、沿面距離ＤＰを長くすることができるため、半導体装置１の絶縁耐力を向上できる。

　・上記各実施形態及び変更例において、第２薄肉部１１６ｂの長さＬ２及び第３薄肉部１１６ｃの長さＬ３はそれぞれ、第１薄肉部１１６ａの長さＬ１未満の範囲において任意に変更可能である。例えば、長さＬ２を第２距離Ｄ２の１／２よりも長くしてもよい。長さＬ３を第３距離Ｄ３の１／２よりも長くしてもよい。ここで、第２薄肉部１１６ｂを構成する窪み１１５ｂは、厚さ方向Ｚからみて、半導体素子４０の第３側面４０ｅと揃った状態、もしくは半導体素子４０の第３側面４０ｅよりも第３封止樹脂側面５３側に位置することが好ましい。また第３薄肉部１１６ｃを構成する窪み１１５ｃは、厚さ方向Ｚからみて、半導体素子４０の第４側面４０ｆと揃った状態、もしくは半導体素子４０の第４側面４０ｆよりも第４封止樹脂側面５４側に位置することが好ましい。

　・上記各実施形態及び変更例において、駆動ワイヤ６０は複数本に限られず、１本であってもよい。この場合、例えば、駆動ワイヤ６０として第１駆動ワイヤ６１を含む場合、駆動電極側端部６１ａは半導体素子４０の露出領域４６の横方向Ｙの中央部に接続され、駆動パッド側端部６１ｂは駆動パッド２１の横方向Ｙの中央部に接続されている。また、駆動ワイヤ６０に代えて、リボン状の接続部材を用いてもよい。

　・上記各実施形態において、基板１０に対するＸ方向における半導体素子４０の配置位置は任意に変更可能である。一例では、図６４に示すように、半導体素子４０は、その一部が第１薄肉部１１６ａと重なる位置に配置されてもよい。つまり、半導体発光素子４０の第２側面４０ｄは基板１０の主面１０ａにおいて基板１０の窪み１１５ａよりも第２封止樹脂側面５２の近くに位置し、第１側面４０ｃは主面１０ａにおいて窪み１１５ａよりも第１封止樹脂側面５１の近くに位置していてもよい。図６４に示すとおり、半導体素子４０は、Ｘ方向において窪み１１５ａよりも第１封止樹脂側面５１寄りの部分と、窪み１１５ａよりも第２封止樹脂側面５２寄りの部分と、を有している。

　また一例では、図６５に示すように、半導体素子４０の全体が第１薄肉部１１６ａと重なる位置に配置されてもよい。つまり、半導体発光素子４０の第１側面４０ｃは、基板１０の主面１０ａにおいて基板１０の窪み１１５ａよりも第２封止樹脂側面５２の近くに位置していてもよい。

　このような構成によれば、半導体素子４０と駆動パッド２１との間の距離が短くなるため、第１駆動ワイヤ６１および第２駆動ワイヤ６２のそれぞれを短くすることができる。したがって、各駆動ワイヤ６１，６２の長さに起因するインダクタンスを低減できる。

　（付記）
　上記各実施形態及び上記各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。
　（付記１３）互いに反対側を向く主面及び裏面を有する基板と、前記基板の主面に実装され、前記主面と同じ方向を向く表面と、前記表面に形成された駆動電極とを有し、ＳｉＣを含む半導体素子と、駆動パッドと、互いに離間した状態で前記駆動電極と前記駆動パッドとを接続する複数の駆動ワイヤと、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、前記主面と平行な方向を向く前記封止樹脂の第１側面から突出している端子と、を備え、前記複数の駆動ワイヤのうちの最も離間している組み合せを構成する第１駆動ワイヤ及び第２駆動ワイヤは、前記主面に対して垂直な方向である第１方向からみて、前記駆動電極側よりも前記駆動パッド側の方が近づくように前記駆動電極と前記駆動パッドとに接続されており、前記基板の裏面における前記第１側面側の部分には、前記裏面から前記主面に向かう窪みが形成されており、前記封止樹脂の一部が前記窪みに入り込むことによって、前記第１側面から前記基板の裏面のうちの前記封止樹脂から露出する露出面までの距離が、前記封止樹脂の他の側面から前記露出面までの距離よりも長い、半導体装置。

　（付記１４）前記第１方向と直交する方向を第２方向とし、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向とすると、前記半導体素子と前記駆動パッドとは少なくとも前記第２方向にずれており、前記複数の駆動ワイヤは、前記第３方向に離間して配列されており、前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤは、前記複数の駆動ワイヤのうちの前記第３方向の両端にある駆動ワイヤである、付記１３に記載の半導体装置。

　（付記１５）前記半導体装置は、前記駆動電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の一部に前記駆動電極を露出するように形成された開口部と、を有し、前記開口部は、前記第１方向からみて、前記第２方向を短辺方向とし、前記第３方向を長辺方向とする矩形状に形成され、前記第３方向における前記開口部の大きさは、前記第３方向における前記駆動パッドの大きさよりも大きい、付記１３又は１４に記載の半導体装置。

　（付記１６）前記半導体装置は、前記駆動電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の一部に前記駆動電極を露出するように形成された開口部と、を有し、前記開口部は、前記第１方向からみて、前記第２方向を短辺方向とし、前記第３方向を長辺方向とする矩形状に形成され、前記駆動電極は、前記開口部によって露出している露出領域を有し、前記露出領域は、前記第３方向の両端部である第１露出端部及び第２露出端部を有し、前記第１駆動ワイヤは、前記露出領域の前記第３方向の中央部よりも前記第１露出端部側に接続され、前記第２駆動ワイヤは、前記露出領域の前記第３方向の中央部よりも前記第２露出端部側に接続されている、付記１３～１５のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（付記１７）前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤはそれぞれ、前記駆動電極に接続されている駆動電極側端部と、前記駆動パッドに接続されている駆動パッド側端部とを有し、前記駆動パッドは、前記第３方向の両端部である第１端部及び第２端部を有し、前記第１駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記駆動パッドの前記第３方向の中央部よりも第１端部側に接続されており、前記第２駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記駆動パッドの前記第３方向の中央部よりも第２端部側に接続されている、付記１４～１６のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（付記１８）前記第１駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記第１端部に接続されており、前記第２駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記第２端部に接続されている、付記１７に記載の半導体装置。

　（付記１９）前記封止樹脂は、前記第１側面と反対側を向く第２側面を有し、前記半導体素子は、前記基板の主面のうちの前記窪みよりも前記第２側面側の部分に実装されている、付記１３～１８のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（付記２０）前記窪みの深さは、前記基板の厚さの１／２以下である、付記１３～１９のいずれか１つに記載の半導体装置。
　（付記２１）前記窪みの深さは、前記基板の厚さの１／３以下である、付記２０に記載の半導体装置。

　（付記２２）前記基板の主面に対して垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向において前記第１側面及び前記第２側面の配列方向を第２方向とし、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向として、前記基板は、前記窪みによって形成された第１薄肉部と、前記基板における前記窪みよりも前記第２側面側の部分において前記基板の前記第３方向の両端部に形成された窪みによって形成された第２薄肉部及び第３薄肉部とを有する、付記１３～２１のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（付記２３）前記第２方向における前記第１薄肉部の長さは、前記第３方向における前記第２薄肉部の長さ及び前記第３方向における前記第３薄肉部の長さよりも長い、付記２２に記載の半導体装置。

　（付記２４）前記封止樹脂は、前記主面と同じ方向を向く封止樹脂天面、及び前記裏面と同じ方向を向く封止樹脂裏面を有し、前記端子のうちの前記第１側面側の基端部である端子基端部は、前記主面よりも前記封止樹脂天面側に配置されている、付記１３～２３のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（付記２５）前記端子基端部は、前記半導体素子の前記表面よりも前記封止樹脂天面側に配置されている、付記２４に記載の半導体装置。
　（付記２６）互いに反対側を向く主面及び裏面を有する基板と、前記基板の主面に実装され、前記主面と同じ方向を向く表面と、前記表面に形成された駆動電極とを有し、ＳｉＣを含む半導体素子と、駆動パッドと、互いに離間した状態で前記駆動電極と前記駆動パッドとを接続する複数の駆動ワイヤと、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、前記主面と平行な方向を向く前記封止樹脂の第１側面から突出している端子と、を備え、前記複数の駆動ワイヤは、前記複数の駆動ワイヤのうちの最も離間している組み合わせを構成する第１駆動ワイヤ及び第２駆動ワイヤを含み、前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤはそれぞれ、前記駆動電極に接続されている駆動電極側端部と、前記駆動パッドに接続されている駆動パッド側端部とを有し、前記主面に対して垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向を第２方向とし、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向とすると、前記半導体素子と前記駆動パッドとは少なくとも前記第２方向にずれており、前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤは、前記第３方向に離間して配置されており、前記駆動パッドは、前記第３方向の両端部である第１端部及び第２端部を有し、前記第１駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記駆動パッドの前記第３方向の中央部よりも前記第１端部側に接続されており、前記第２駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記駆動パッドの前記第３方向の中央部よりも前記第２端部側に接続されており、前記基板の裏面における前記第１側面側の部分には、前記裏面から前記主面に向かう窪みが形成されており、前記封止樹脂の一部が前記窪みに入り込むことによって、前記第１側面から前記基板の裏面のうちの前記封止樹脂から露出する露出面までの距離が、前記封止樹脂の他の側面から前記露出面までの距離よりも長い、半導体装置。

　（付記２７）前記第１駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記第１端部に接続されており、前記第２駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記第２端部に接続されている、付記２６に記載の半導体装置。

　（付記２８）前記半導体装置は、前記駆動電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の一部に前記駆動電極を露出するように形成された開口部と、を有し、前記開口部は、前記第１方向からみて、前記第２方向を短辺方向とし、前記第３方向を長辺方向とする矩形状に形成され、前記第３方向における前記駆動パッドの大きさは、前記第３方向における前記開口部の大きさよりも大きい、付記２６又は２７に記載の半導体装置。

　（付記２９）前記第３方向における前記駆動パッドの大きさは、前記第３方向における前記半導体素子の大きさよりも大きい、付記２８に記載の半導体装置。
　（付記３０）前記第３方向における前記駆動パッドの大きさは、前記第３方向における前記基板の大きさの１／２よりも大きい、付記２８又は２９に記載の半導体装置。

　（付記３１）前記駆動パッドは、第１駆動パッド及び第２駆動パッドを含み、前記第１駆動パッドには前記第１駆動ワイヤの駆動パッド側端部が接続され、前記第２駆動パッドには前記第２駆動ワイヤの駆動パッド側端部が接続され、前記第３方向において、前記第１駆動パッド及び前記第２駆動パッドは、離間して配置されている、付記２６に記載の半導体装置。

　（付記３２）前記封止樹脂は、前記第１側面と反対側を向く第２側面を有し、前記半導体素子は、前記基板の主面のうちの前記窪みよりも前記第２側面側の部分に実装されている、付記２６～３１のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（付記３３）前記窪みの深さは、前記基板の厚さの１／２以下である、付記２６～３２のいずれか１つに記載の半導体装置。
　（付記３４）前記窪みの深さは、前記基板の厚さの１／３以下である、付記３３に記載の半導体装置。

　（付記３５）前記基板の主面に対して垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向において前記第１側面及び前記封止樹脂の側面のうちの前記第１側面と対向する第２側面の配列方向を第２方向とし、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向として、前記基板は、前記窪みによって形成された第１薄肉部と、前記基板における前記窪みよりも前記第２側面側の部分において前記基板の前記第３方向の両端部に形成された窪みによって形成された第２薄肉部及び第３薄肉部とを有する、付記２６～３４のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（付記３６）前記第２方向における前記第１薄肉部の長さは、前記第３方向における前記第２薄肉部の長さ及び前記第３方向における前記第３薄肉部の長さよりも長い、付記３５に記載の半導体装置。

　（付記３７）前記封止樹脂は、前記主面と同じ方向を向く封止樹脂天面、及び前記裏面と同じ方向を向く封止樹脂裏面を有し、前記端子のうちの前記第１側面側の基端部である端子基端部は、前記主面よりも前記封止樹脂天面側に配置されている、付記２６～３６のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（付記３８）前記端子基端部は、前記半導体素子の前記表面よりも前記封止樹脂天面側に配置されている、付記３７に記載の半導体装置。

１…半導体装置１０…基板１０ａ…主面１０ｂ…裏面２１…駆動パッド２１Ｃ…第１駆動パッド（駆動パッド）２１Ｄ…第２駆動パッド（駆動パッド）２１ａ…第１端部２１ｂ…第２端部２１ｃ…第１端部２１ｄ…第２端部２１ｅ…第１端部２１ｆ…第２端部３１…制御パッド４０…半導体素子４０ａ…表面４１…主面側駆動電極（駆動電極）４３…制御電極４４…パッシベーション膜（絶縁膜）４５…開口部４５Ａ…第１開口部（開口部）４６…露出領域４６ａ…第１露出端部４６ｂ…第２露出端部５０…封止樹脂５５…封止樹脂裏面５６…封止樹脂天面６０…複数の駆動ワイヤ６１…第１駆動ワイヤ（駆動ワイヤ）６１ａ…駆動電極側端部６１ｂ…駆動パッド側端部６２…第２駆動ワイヤ（駆動ワイヤ）６２ａ…駆動電極側端部６２ｂ…駆動パッド側端部６３…第３駆動ワイヤ（駆動ワイヤ）６３ａ…駆動電極側端部６３ｂ…駆動パッド側端部６４…第４駆動ワイヤ（駆動ワイヤ）６４ａ…駆動電極側端部６４ｂ…駆動パッド側端部７０…制御ワイヤ８１…センスパッド９０…センスワイヤＸ…縦方向（第２方向）Ｙ…横方向（第３方向）Ｚ…厚さ方向（第１方向）１１１ｘ…露出面１１３…幅狭部１１５ａ…窪み１１５ｂ…窪み１１５ｃ…窪み１１６ａ…第１薄肉部１１６ｂ…第２薄肉部１１６ｃ…第３薄肉部１１８Ａ，１１８Ｂ…延長部１１９…貫通孔２２…駆動端子（端子）２２ｘ…端子基端部２２ｘａ～２２ｘｅ…端子基端部５１…第１封止樹脂側面（第２側面）５２…第２封止樹脂側面（第１側面）５９ａ…凹部

Claims (86)

1. 　主面を有する基板と、
   　前記主面に実装され、前記主面と同じ方向を向く表面と、前記表面に形成された駆動電極とを有し、ＳｉＣを含む半導体素子と、
   　駆動パッドと、
   　互いに離間した状態で前記駆動電極と前記駆動パッドとを接続する複数の駆動ワイヤと、
   を備え、
   　前記複数の駆動ワイヤは、最も離間している組み合せを構成する第１駆動ワイヤ及び第２駆動ワイヤを含み、
   　該第１駆動ワイヤ及び第２駆動ワイヤは、前記主面に対して垂直な方向である第１方向からみて、前記駆動電極側よりも前記駆動パッド側の方が離れるように前記駆動電極と前記駆動パッドとに接続されている
   　半導体装置。
2. 　前記第１方向と直交する方向を第２方向とし、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向とすると、
   　前記半導体素子と前記駆動パッドとは少なくとも前記第２方向にずれており、
   　前記複数の駆動ワイヤは、前記第３方向に離間して配列されており、
   　前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤは、前記複数の駆動ワイヤのうちの前記第３方向の両端にある駆動ワイヤである
   　請求項１に記載の半導体装置。
3. 　前記半導体装置は、
   　前記駆動電極上に形成された絶縁膜と、
   　前記絶縁膜の一部に前記駆動電極を露出するように形成された開口部と、
   を有し、
   　前記開口部は、前記第１方向からみて、前記第２方向を短辺方向とし、前記第３方向を長辺方向とする矩形状に形成され、
   　前記第３方向における前記駆動パッドの大きさは、前記第３方向における前記開口部の大きさよりも大きい
   　請求項２に記載の半導体装置。
4. 　前記第３方向における前記駆動パッドの大きさは、前記第３方向における前記半導体素子の大きさよりも大きい
   　請求項３に記載の半導体装置。
5. 　前記第１駆動ワイヤは、前記第３方向における前記開口部の端部に露出した前記駆動電極に接続されている
   　請求項３又は４に記載の半導体装置。
6. 　前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤはそれぞれ、前記駆動電極に接続されている駆動電極側端部と、前記駆動パッドに接続されている駆動パッド側端部とを有し、
   　前記第１方向からみて、前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤのそれぞれの前記駆動電極側端部は、前記第２方向において揃った状態で前記第３方向に配列されている
   　請求項２～５のいずれか一項に記載の半導体装置。
7. 　前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤはそれぞれ、前記駆動電極に接続されている駆動電極側端部と、前記駆動パッドに接続されている駆動パッド側端部とを有し、
   　前記第１方向からみて、前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤのそれぞれの前記駆動電極側端部は、前記第２方向にずれている
   　請求項２～５のいずれか一項に記載の半導体装置。
8. 　前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤはそれぞれ、前記駆動電極に接続されている駆動電極側端部と、前記駆動パッドに接続されている駆動パッド側端部とを有し、
   　前記駆動パッドは、前記第３方向の両端部である第１端部及び第２端部を有し、
   　前記第１駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記駆動パッドの前記第３方向の中央部よりも前記第１端部側に接続されており、
   　前記第２駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記駆動パッドの前記第３方向の中央部よりも前記第２端部側に接続されている
   　請求項２～７のいずれか一項に記載の半導体装置。
9. 　前記第１駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記第１端部に接続されており、
   　前記第２駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記第２端部に接続されている
   　請求項８に記載の半導体装置。
10. 　前記駆動電極は、前記第１方向からみて、前記第２方向を短辺方向とし、前記第３方向を長辺方向とする矩形状である
    　請求項２～９のいずれか一項に記載の半導体装置。
11. 　前記半導体装置は、前記半導体素子を封止する封止樹脂を備え、
    　前記封止樹脂は、前記基板の裏面が露出する封止樹脂裏面と、前記第１方向において前記封止樹脂裏面と反対側を向く封止樹脂天面とを有し、
    　前記第１方向において、前記駆動パッドは、前記半導体素子よりも前記封止樹脂天面側に配置されている
    　請求項１～１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
12. 　主面を有する基板と、
    　前記主面に実装され、前記主面と同じ方向を向く表面と、前記表面に形成された駆動電極とを有し、ＳｉＣを含む半導体素子と、
    　駆動パッドと、
    　互いに離間した状態で前記駆動電極と前記駆動パッドとを接続する複数の駆動ワイヤと、
    を備え、
    　前記半導体素子は、
    　前記駆動電極上に形成された絶縁膜と、
    　前記絶縁膜の一部に前記駆動電極を露出するように形成された開口部と、
    を有し、
    　前記主面に対して垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向を第２方向とし、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向とすると、
    　前記開口部は、前記第１方向からみて、前記第２方向を短辺方向とし、前記第３方向を長辺方向とする矩形状に形成され、
    　前記複数の駆動ワイヤは、最も離間している組み合わせを構成する第１駆動ワイヤ及び第２駆動ワイヤを含み、
    　前記駆動電極は、前記開口部によって露出している露出領域を有し、
    　前記露出領域は、前記第３方向の両端部である第１露出端部及び第２露出端部を有し、
    　前記第１駆動ワイヤは、前記露出領域の前記第３方向の中央部よりも前記第１露出端部側に接続され、
    　前記第２駆動ワイヤは、前記露出領域の前記第３方向の中央部よりも前記第２露出端部側に接続されている
    　半導体装置。
13. 　前記半導体素子と前記駆動パッドとは少なくとも前記第２方向にずれており、
    　前記複数の駆動ワイヤは、前記第３方向に離間して配列されており、
    　前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤは、前記複数の駆動ワイヤのうちの前記第３方向の両端にある駆動ワイヤである
    　請求項１２に記載の半導体装置。
14. 　前記第３方向における前記駆動パッドの大きさは、前記第３方向における前記開口部の大きさよりも大きい
    　請求項１２又は１３に記載の半導体装置。
15. 　前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤはそれぞれ、前記駆動電極に接続されている駆動電極側端部と、前記駆動パッドに接続されている駆動パッド側端部とを有し、
    　前記第１方向からみて、前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤのそれぞれの前記駆動電極側端部は、前記第２方向において揃った状態で前記第３方向に配列されている
    　請求項１２～１４のいずれか一項に記載の半導体装置。
16. 　前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤはそれぞれ、前記駆動電極に接続されている駆動電極側端部と、前記駆動パッドに接続されている駆動パッド側端部とを有し、
    　前記駆動パッドは、前記第３方向の両端部である第１端部及び第２端部を有し、
    　前記第１駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記駆動パッドの前記第３方向の中央部よりも前記第１端部側に接続されており、
    　前記第２駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記駆動パッドの前記第３方向の中央部よりも前記第２端部側に接続されている
    　請求項１２～１５のいずれか一項に記載の半導体装置。
17. 　前記第１駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記第１端部に接続されており、
    　前記第２駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記第２端部に接続されている
    　請求項１６に記載の半導体装置。
18. 　前記第１方向からみて、前記駆動電極は、前記第２方向を短辺方向とし、前記第３方向を長辺方向とする矩形状である
    　請求項１２～１７のいずれか一項に記載の半導体装置。
19. 　前記半導体素子は、前記表面に形成された制御電極を有し、
    　前記半導体装置は、
    　制御パッドと、
    　前記制御電極と前記制御パッドとを接続する制御ワイヤと、
    　を備える
    　請求項１～１８のいずれか一項に記載の半導体装置。
20. 　前記複数の駆動ワイヤの線径はそれぞれ、前記制御ワイヤの線径と等しい
    　請求項１９に記載の半導体装置。
21. 　前記制御ワイヤは、前記制御電極に接続される制御電極側端部と、前記制御パッドに接続される制御パッド側端部とを有し、
    　前記制御電極側端部と前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤのうちの前記制御ワイヤに近い側の駆動ワイヤの前記駆動電極側端部との間の距離は、前記第１駆動ワイヤの駆動電極側端部と前記第２駆動ワイヤの駆動電極側端部との間の距離よりも小さい
    　請求項１９又は２０に記載の半導体装置。
22. 　前記第１方向と直交する方向を第２方向とし、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向とすると、
    　前記駆動パッド及び前記制御パッドと前記半導体素子とは、少なくとも前記第２方向にずれており、
    　前記駆動パッドは、前記第３方向において前記制御パッドと隣り合っている
    　請求項１９～２１のいずれか一項に記載の半導体装置。
23. 　前記半導体装置は、
    　センスパッドと、
    　前記駆動電極と前記センスパッドとを接続するセンスワイヤと、
    を有する
    　請求項１９～２２のいずれか一項に記載の半導体装置。
24. 　前記第１方向と直交する方向を第２方向とし、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向とすると、
    　前記駆動パッド、前記制御パッド、及び前記センスパッドと前記半導体素子とは、少なくとも前記第２方向にずれており、
    　前記センスパッドは、前記第３方向において前記駆動パッドと前記制御パッドとの間に配置されている
    　請求項２３に記載の半導体装置。
25. 　前記複数の駆動ワイヤの線径は、前記センスワイヤの線径と等しい
    　請求項２３又は２４に記載の半導体装置。
26. 　前記複数の駆動ワイヤはそれぞれ、同一の金属からなる
    　請求項１～２５のいずれか一項に記載の半導体装置。
27. 　前記複数の駆動ワイヤ及び前記制御ワイヤはそれぞれ、同一の金属からなる
    　請求項１９～２５のいずれか一項に記載の半導体装置。
28. 　前記複数の駆動ワイヤ、前記制御ワイヤ、及び前記センスワイヤはそれぞれ、同一の金属からなる
    　請求項２３～２５のいずれか一項に記載の半導体装置。
29. 　前記複数の駆動ワイヤ、前記制御ワイヤ、及び前記センスワイヤの線径は互いに等しい
    　請求項２３～２５及び２８のいずれか一項に記載の半導体装置。
30. 　前記複数の駆動ワイヤは、アルミニウムを含む
    　請求項１～２９のいずれか一項に記載の半導体装置。
31. 　前記半導体素子は、ＳｉＣＭＯＳＦＥＴである
    　請求項１～３０のいずれか一項に記載の半導体装置。
32. 　前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴは、１ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下の信号にてスイッチングする
    　請求項３１に記載の半導体装置。
33. 　前記半導体素子は、ショットキーバリアダイオードである
    　請求項１～１９のいずれか一項に記載の半導体装置。
34. 　前記第１方向と直交する方向を第２方向とし、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向とすると、
    　前記第３方向における前記半導体装置の大きさは、１０ｍｍ以下である
    　請求項１～３３のいずれか一項に記載の半導体装置。
35. 　互いに反対側を向く主面及び裏面を有する基板と、
    　前記基板の主面に実装され、ＳｉＣを含む半導体素子と、
    　前記半導体素子を封止する封止樹脂と、
    　前記主面と平行な方向を向く前記封止樹脂の第１側面から突出している端子と、
    を備え、
    　前記基板の裏面における前記第１側面側の部分には、前記裏面から前記主面に向かう窪みが形成されており、
    　前記封止樹脂の一部が前記窪みに入り込むことによって、前記第１側面から前記基板の裏面のうちの前記封止樹脂から露出する露出面までの距離が、前記封止樹脂の他の側面から前記露出面までの距離よりも長い
    　半導体装置。
36. 　前記封止樹脂は、前記第１側面と反対側を向く第２側面を有し、
    　前記基板の主面に対して垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向において前記第１側面及び前記第２側面の配列方向を第２方向とすると、
    　前記第１方向からみて、前記露出面の前記第１側面側の端縁は、前記第２方向において、前記封止樹脂の前記第２方向の中央部よりも前記第２側面側に配置されている
    　請求項３５に記載の半導体装置。
37. 　前記封止樹脂は、前記第１側面と反対側を向く第２側面を有し、
    　前記半導体素子は、前記基板の主面のうちの前記窪みよりも前記第２側面側の部分に実装されている
    　請求項３５又は３６に記載の半導体装置。
38. 　前記基板の主面に対して垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向において前記第１側面及び前記第２側面の配列方向を第２方向とすると、
    　前記第１方向からみて、前記半導体素子のうちの前記第１側面側の端部は、前記第２方向において、前記基板の主面のうちの前記封止樹脂の前記第２方向の中央部よりも前記第２側面側の部分に位置している
    　請求項３７に記載の半導体装置。
39. 　前記基板の主面に対して垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向において前記第１側面及び前記第２側面の配列方向を第２方向とすると、
    　前記第１方向からみて、前記基板は、前記第２方向において前記第２側面と隣り合う幅狭部を有し、
    　前記第１方向からみて、前記半導体素子は、前記第２方向において前記幅狭部と隣り合うように配置されている
    　請求項３７又は３８に記載の半導体装置。
40. 　前記窪みの深さは、前記基板の厚さの１／２以下である
    　請求項３５～３９のいずれか一項に記載の半導体装置。
41. 　前記窪みの深さは、前記基板の厚さの１／３以下である
    　請求項４０に記載の半導体装置。
42. 　前記窪みの深さは、前記基板の厚さの１／３以上であり、かつ前記基板の厚さよりも薄い
    　請求項３５～３９のいずれか一項に記載の半導体装置。
43. 　前記基板の主面に対して垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向において前記第１側面及び前記封止樹脂の側面のうちの前記第１側面と反対側を向く第２側面の配列方向を第２方向とすると、
    　前記基板は、前記窪みによって形成された第１薄肉部と、前記第２方向において前記基板のうちの前記窪みよりも前記第２側面側の部分における前記基板の前記第３方向の両端部に形成された窪みによって形成された第２薄肉部及び第３薄肉部とを有する
    　請求項３５～４２のいずれか一項に記載の半導体装置。
44. 　前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向とすると、
    　前記第２方向における前記第１薄肉部の長さは、前記第３方向における前記第２薄肉部の長さ及び前記第３方向における前記第３薄肉部の長さよりも長い
    　請求項４３に記載の半導体装置。
45. 　前記第１薄肉部には、前記第１方向に前記第１薄肉部を貫通する貫通孔が設けられ、
    　前記貫通孔には、前記封止樹脂の一部が入り込んでいる
    　請求項４３又は４４に記載の半導体装置。
46. 　前記封止樹脂は、前記主面と同じ方向を向く封止樹脂天面を有し、
    　前記基板の主面に対して垂直な方向を第１方向とすると、
    　前記端子のうちの前記第１側面側の基端部である端子基端部は、前記第１方向において、前記主面よりも前記封止樹脂天面側に配置されている
    　請求項３５～４５のいずれか一項に記載の半導体装置。
47. 　前記半導体素子は、前記主面と同じ方向を向く表面を有し、
    　前記端子基端部は、前記第１方向において、前記半導体素子の前記表面よりも前記封止樹脂天面側に配置されている
    　請求項４６に記載の半導体装置。
48. 　前記基板の主面に対して垂直な方向を第１方向とすると、
    　前記第１方向において、前記端子基端部は、前記封止樹脂の前記第１方向の中央部よりも前記封止樹脂天面側に配置されている
    　請求項４６に記載の半導体装置。
49. 　前記封止樹脂は、前記基板の裏面と同じ方向を向く封止樹脂裏面を有し、
    　前記封止樹脂のうちの前記第１側面と前記露出面との間の部分には、前記封止樹脂裏面から凹む凹部が設けられている
    　請求項３５～４８のいずれか一項に記載の半導体装置。
50. 　前記封止樹脂は、前記第１側面と反対側を向く第２側面を有し、
    　前記基板は、前記封止樹脂の側面のうちの前記第１側面及び前記第２側面とは異なる側面に露出している延長部を有する
    　請求項３５～４９のいずれか一項に記載の半導体装置。
51. 　前記延長部は、前記基板において前記窪みよりも前記第２側面側の部分に設けられている
    　請求項５０に記載の半導体装置。
52. 　前記半導体素子は、前記主面と同じ方向を向く表面と、前記表面に形成された駆動電極とを有し、
    　前記半導体装置は、駆動パッドと、互いに離間した状態で前記駆動電極と前記駆動パッドとを接続する複数の駆動ワイヤを備え、
    　前記複数の駆動ワイヤのうちの最も離間している組み合せを構成する第１駆動ワイヤ及び第２駆動ワイヤは、前記主面に対して垂直な方向である第１方向からみて、前記駆動電極側よりも前記駆動パッド側の方が離れるように前記駆動電極と前記駆動パッドとに接続されている
    　請求項３５～５１のいずれか一項に記載の半導体装置。
53. 　前記第１方向と直交する方向を第２方向とし、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向とすると、
    　前記半導体素子と前記駆動パッドとは少なくとも前記第２方向にずれており、
    　前記複数の駆動ワイヤは、前記第３方向に離間して配列されており、
    　前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤは、前記複数の駆動ワイヤのうちの前記第３方向の両端にある駆動ワイヤである
    　請求項５２に記載の半導体装置。
54. 　前記基板及び前記駆動パッドは、同一の金属からなる
    　請求項５２又は５３に記載の半導体装置。
55. 　前記半導体素子は、
    　前記駆動電極上に形成された絶縁膜と、
    　前記絶縁膜の一部に前記駆動電極を露出するように形成された開口部と、
    を有し、
    　前記開口部は、前記第１方向からみて、前記第２方向を短辺方向とし、前記第３方向を長辺方向とする矩形状に形成され、
    　前記第３方向における前記駆動パッドの大きさは、前記第３方向における前記開口部の大きさよりも大きい
    　請求項５２～５４のいずれか一項に記載の半導体装置。
56. 　前記第３方向における前記駆動パッドの大きさは、前記第３方向における前記半導体素子の大きさよりも大きい
    　請求項５５に記載の半導体装置。
57. 　前記第１駆動ワイヤは、前記第３方向における前記開口部の端部に露出した前記駆動電極に接続されている
    　請求項５５又は５６に記載の半導体装置。
58. 　前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤはそれぞれ、前記駆動電極に接続されている駆動電極側端部と、前記駆動パッドに接続されている駆動パッド側端部とを有し、
    　前記第１方向からみて、前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤのそれぞれの前記駆動電極側端部は、前記第２方向において揃った状態で前記第３方向に配列されている
    　請求項５５～５７のいずれか一項に記載の半導体装置。
59. 　前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤはそれぞれ、前記駆動電極に接続されている駆動電極側端部と、前記駆動パッドに接続されている駆動パッド側端部とを有し、
    　前記第１方向からみて、前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤのそれぞれの前記駆動電極側端部は、前記第２方向にずれている
    　請求項５５～５７のいずれか一項に記載の半導体装置。
60. 　前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤはそれぞれ、前記駆動電極に接続されている駆動電極側端部と、前記駆動パッドに接続されている駆動パッド側端部とを有し、
    　前記駆動パッドは、前記第３方向の両端部である第１端部及び第２端部を有し、
    　前記第１駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記駆動パッドの前記第３方向の中央部よりも前記第１端部側に接続されており、
    　前記第２駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記駆動パッドの前記第３方向の中央部よりも前記第２端部側に接続されている
    　請求項５５～５９のいずれか一項に記載の半導体装置。
61. 　前記第１駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記第１端部に接続されており、
    　前記第２駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記第２端部に接続されている
    　請求項６０に記載の半導体装置。
62. 　前記駆動電極は、前記第１方向からみて、前記第２方向を短辺方向とし、前記第３方向を長辺方向とする矩形状である
    　請求項５５～６１のいずれか一項に記載の半導体装置。
63. 　前記半導体素子は、
    　前記主面と同じ方向を向く表面と、
    　前記表面に形成された駆動電極と、
    　前記駆動電極上に形成された絶縁膜と、
    　前記絶縁膜の一部に前記駆動電極を露出するように形成された開口部と、
    を有し、
    　前記半導体装置は、駆動パッドと、互いに離間した状態で前記駆動電極と前記駆動パッドとを接続する複数の駆動ワイヤを備え、
    　前記主面に対して垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向を第２方向とし、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向とすると、
    　前記開口部は、前記第１方向からみて、前記第２方向を短辺方向とし、前記第３方向を長辺方向とする矩形状に形成され、
    　前記複数の駆動ワイヤは、前記複数の駆動ワイヤのうちの最も離間している組み合わせを構成する第１駆動ワイヤ及び第２駆動ワイヤを含み、
    　前記駆動電極は、前記開口部によって露出している露出領域を有し、
    　前記露出領域は、前記第３方向の両端部である第１露出端部及び第２露出端部を有し、
    　前記第１駆動ワイヤは、前記露出領域の前記第３方向の中央部よりも前記第１露出端部側に接続され、
    　前記第２駆動ワイヤは、前記露出領域の前記第３方向の中央部よりも前記第２露出端部側に接続されている
    　請求項３５～５１のいずれか一項に記載の半導体装置。
64. 　前記半導体素子と前記駆動パッドとは少なくとも前記第２方向にずれており、
    　前記複数の駆動ワイヤは、前記第３方向に離間して配列されており、
    　前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤは、前記複数の駆動ワイヤのうちの前記第３方向の両端にある駆動ワイヤである
    　請求項６３に記載の半導体装置。
65. 　前記第３方向における前記駆動パッドの大きさは、前記第３方向における前記開口部の大きさよりも大きい
    　請求項６３又は６４に記載の半導体装置。
66. 　前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤはそれぞれ、前記駆動電極に接続されている駆動電極側端部と、前記駆動パッドに接続されている駆動パッド側端部とを有し、
    　前記第１方向からみて、前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤのそれぞれの前記駆動電極側端部は、前記第２方向において揃った状態で前記第３方向に配列されている
    　請求項６３～６５のいずれか一項に記載の半導体装置。
67. 　前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤはそれぞれ、前記駆動電極に接続されている駆動電極側端部と、前記駆動パッドに接続されている駆動パッド側端部とを有し、
    　前記駆動パッドは、前記第３方向の両端部である第１端部及び第２端部を有し、
    　前記第１駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記駆動パッドの前記第３方向の中央部よりも前記第１端部側に接続されており、
    　前記第２駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記駆動パッドの前記第３方向の中央部よりも前記第２端部側に接続されている
    　請求項６３～６６のいずれか一項に記載の半導体装置。
68. 　前記第１駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記第１端部に接続されており、
    　前記第２駆動ワイヤの前記駆動パッド側端部は、前記第２端部に接続されている
    　請求項６７に記載の半導体装置。
69. 　前記第１方向からみて、前記駆動電極は、前記第２方向を短辺方向とし、前記第３方向を長辺方向とする矩形状である
    　請求項６３～６８のいずれか一項に記載の半導体装置。
70. 　前記半導体素子は、前記表面に形成された制御電極を有し、
    　前記半導体装置は、
    　制御パッドと、
    　前記制御電極と前記制御パッドとを接続する制御ワイヤと、
    　を備える
    　請求項５２～６９のいずれか一項に記載の半導体装置。
71. 　前記複数の駆動ワイヤの線径はそれぞれ、前記制御ワイヤの線径と等しい
    　請求項７０に記載の半導体装置。
72. 　前記制御ワイヤは、前記制御電極に接続される制御電極側端部と、前記制御パッドに接続される制御パッド側端部とを有し、
    　前記制御電極側端部と前記第１駆動ワイヤ及び前記第２駆動ワイヤのうちの前記制御ワイヤに近い側の駆動ワイヤの前記駆動電極側端部との間の距離は、前記第１駆動ワイヤの駆動電極側端部と前記第２駆動ワイヤの駆動電極側端部との間の距離よりも小さい
    　請求項７０又は７１に記載の半導体装置。
73. 　前記第１方向と直交する方向を第２方向とし、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向とすると、
    　前記駆動パッド及び前記制御パッドと前記半導体素子とは、少なくとも前記第２方向にずれており、
    　前記駆動パッドは、前記第３方向において前記制御パッドと隣り合っている
    　請求項７０～７２のいずれか一項に記載の半導体装置。
74. 　前記基板、前記駆動パッド、及び前記制御パッドは、同一の金属からなる
    　請求項７０～７３のいずれか一項に記載の半導体装置。
75. 　前記半導体装置は、
    　センスパッドと、
    　前記駆動電極と前記センスパッドとを接続するセンスワイヤと、
    を有する
    　請求項７０～７４のいずれか一項に記載の半導体装置。
76. 　前記第１方向と直交する方向を第２方向とし、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向とすると、
    　前記駆動パッド、前記制御パッド、及び前記センスパッドと前記半導体素子とは、少なくとも前記第２方向にずれており、
    　前記センスパッドは、前記第３方向において前記駆動パッドと前記制御パッドとの間に配置されている
    　請求項７５に記載の半導体装置。
77. 　前記基板、前記駆動パッド、前記制御パッド、及び前記センスパッドは、同一の金属からなる
    　請求項７５又は７６に記載の半導体装置。
78. 　前記複数の駆動ワイヤの線径は、前記センスワイヤの線径と等しい
    　請求項７５～７７のいずれか一項に記載の半導体装置。
79. 　前記複数の駆動ワイヤはそれぞれ、同一の金属からなる
    　請求項５２～７８のいずれか一項に記載の半導体装置。
80. 　前記複数の駆動ワイヤ及び前記制御ワイヤはそれぞれ、同一の金属からなる
    　請求項７０～７８のいずれか一項に記載の半導体装置。
81. 　前記複数の駆動ワイヤ、前記制御ワイヤ、及び前記センスワイヤはそれぞれ、同一の金属からなる
    　請求項７６～７８のいずれか一項に記載の半導体装置。
82. 　前記複数の駆動ワイヤ、前記制御ワイヤ、及び前記センスワイヤの線径は互いに等しい
    　請求項７６～７８及び８１のいずれか一項に記載の半導体装置。
83. 　前記複数の駆動ワイヤは、アルミニウムを含む
    　請求項５２～８２のいずれか一項に記載の半導体装置。
84. 　　前記半導体素子は、ＳｉＣＭＯＳＦＥＴである
    　請求項３５～８３のいずれか一項に記載の半導体装置。
85. 　前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴは、１ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下の信号にてスイッチングする
    　請求項８４に記載の半導体装置。
86. 　前記基板の主面に対して垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向と直交する方向を第２方向とし、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向を第３方向とすると、
    　前記第３方向における前記半導体装置の大きさは、１０ｍｍ以下である
    　請求項３５～８５のいずれか一項に記載の半導体装置。

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