WO2020229908A1 - 発光デバイス、発光装置、発光モジュール、電子機器、及び照明装置 - Google Patents

Abstract

近赤外光を発する発光デバイスの信頼性を高める。 一対の電極間に、正孔注入層、発光層、及び電子輸送層をこの順で有する発光デバイスである。正 孔注入層は、第１の化合物及び第２の化合物を有する。第１の化合物は、第２の化合物に対する電 子受容性を有する。第２の化合物のＨＯＭＯ準位は、－５．７ｅＶ以上－５．４ｅ Ｖ以下である。 発光層は、発光性の有機化合物を有する。発光性の有機化合物が発する光の最大ピーク波長は、７ ６０ｎｍ以上９００ｎｍ以下である。電子輸送層は、第３の化合物と、金属を含む物質と、を有す る。第３の化合物は、電子輸送性材料である。金属を含む物質は、金属、金属塩、金属酸化物、ま たは有機金属塩である。

Description

発光デバイス、発光装置、発光モジュール、電子機器、及び照明装置

本発明の一態様は、発光デバイス、発光装置、発光モジュール、電子機器、及び照明装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサなど）、入出力装置（例えば、タッチパネルなど）、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）現象を利用した発光デバイス（有機ＥＬデバイス、有機ＥＬ素子ともいう）の研究開発が盛んに行われている。有機ＥＬデバイスの基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層（以下、発光層とも記す）を挟んだものである。この有機ＥＬデバイスに電圧を印加することにより、発光性の有機化合物からの発光を得ることができる。

発光性の有機化合物としては、例えば、三重項励起状態を発光に変換できる化合物（燐光性化合物、燐光材料ともいう）が挙げられる。特許文献１では、燐光材料として、イリジウムなどを中心金属とする有機金属錯体が開示されている。

また、個人認証、不良解析、医療診断、セキュリティ関連など、様々な用途でイメージセンサが用いられている。イメージセンサは、用途に応じて、用いる光源の波長が使い分けられている。イメージセンサでは、例えば、可視光、Ｘ線などの短波長の光、近赤外光などの長波長の光など、様々な波長の光が用いられている。

発光デバイスは、表示装置に加え、上記のようなイメージセンサの光源としての応用も検討されている。

特開２００７−１３７８７２号公報

本発明の一態様では、近赤外光を発する発光デバイスの信頼性を高めることを課題の一つとする。本発明の一態様では、近赤外光を発する発光デバイスの寿命を長くすることを課題の一つとする。本発明の一態様では、近赤外光を発する発光デバイスの発光効率を高めることを課題の一つとする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様の発光デバイスは、一対の電極間に、正孔注入層、発光層、及び電子輸送層をこの順で有する。正孔注入層は、第１の化合物及び第２の化合物を有する。第１の化合物は、第２の化合物に対する電子受容性を有する。第２の化合物の最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）は、−５．７ｅＶ以上−５．４ｅＶ以下である。発光層は、発光性の有機化合物を有する。発光性の有機化合物が発する光の最大ピーク波長は、７６０ｎｍ以上９００ｎｍ以下である。電子輸送層は、第３の化合物と、金属を含む物質と、を有する。第３の化合物は、電子輸送性材料である。金属を含む物質は、金属、金属塩、金属酸化物、または有機金属塩である。

第３の化合物は、ＨＯＭＯ準位が−６．０ｅＶ以上であることが好ましい。

電子輸送層は、第１の領域と、第２の領域と、を有することが好ましい。第１の領域は、第２の領域よりも発光層側に位置することが好ましい。第１の領域と第２の領域とは、金属を含む物質の濃度が互いに異なることが好ましい。第１の領域は、第２の領域に比べて、金属を含む物質の濃度が高いことが好ましい。このとき、第２の領域は、金属を含む物質を含まなくてもよい。または、第２の領域は、第１の領域に比べて、金属を含む物質の濃度が高いことが好ましい。このとき、第１の領域は、金属を含む物質を含まなくてもよい。

発光層は、さらに、第４の化合物及び第５の化合物を有することが好ましい。第４の化合物と第５の化合物は、励起錯体を形成する組み合わせであることが好ましい。第４の化合物は、正孔輸送性材料であることが好ましい。第５の化合物は、電子輸送性材料であることが好ましい。

本発明の一態様の発光デバイスは、さらに、正孔輸送層を有することが好ましい。正孔輸送層は、正孔注入層と発光層との間に位置することが好ましい。正孔輸送層は、第６の化合物を有することが好ましい。第６の化合物のＨＯＭＯ準位は、第２の化合物のＨＯＭＯ準位以下の値であることが好ましい。第６の化合物のＨＯＭＯ準位と第２の化合物のＨＯＭＯ準位との差は、０．２ｅＶ以内であることが好ましい。第２の化合物及び第６の化合物は、それぞれ、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、及びアントラセン骨格のうち少なくとも一つを有することが好ましい。第２の化合物と第６の化合物とは、同一の化合物であることが好ましい。

金属を含む物質は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を有する金属錯体であることが好ましい。

金属を含む物質は、窒素及び酸素を有する配位子と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属と、を有する金属錯体であることが好ましい。

金属を含む物質は、８−キノリノラト構造を含む配位子と、１価の金属イオンと、を有する金属錯体であることが好ましい。

金属を含む物質は、８−キノリノラト構造を含む配位子を有するリチウム錯体であることが好ましい。

発光性の有機化合物は、金属−炭素結合を有する有機金属錯体であることが好ましい。有機金属錯体は、２環以上５環以下の縮合複素芳香環を有することが好ましい。縮合複素芳香環は、金属に配位していることが好ましい。

発光性の有機化合物は、シクロメタル錯体であることが好ましい。発光性の有機化合物は、オルトメタル錯体であることが好ましい。発光性の有機化合物は、イリジウム錯体であることが好ましい。

発光性の有機化合物が発する光の最大ピーク波長は、７８０ｎｍ以上８８０ｎｍ以下であることが好ましい。

本発明の一態様は、上記いずれかの構成の発光デバイスと、トランジスタ及び基板の一方または双方と、を有する発光装置である。

本発明の一態様は、上記の発光装置を有し、フレキシブルプリント回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ、以下、ＦＰＣと記す）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクタが取り付けられたモジュール、またはＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式もしくはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により集積回路（ＩＣ）が実装された発光モジュール等の発光モジュールである。なお、本発明の一態様の発光モジュールは、コネクタ及びＩＣのうち一方のみを有していてもよく、双方を有していてもよい。

本発明の一態様は、上記の発光モジュールと、アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、及び操作ボタンのうち少なくとも一つと、を有する電子機器である。

本発明の一態様は、上記の発光装置と、筐体、カバー、及び支持台のうち少なくとも一つと、を有する、照明装置である。

本発明の一態様により、近赤外光を発する発光デバイスの信頼性を高めることができる。本発明の一態様により、近赤外光を発する発光デバイスの寿命を長くすることができる。本発明の一態様により、近赤外光を発する発光デバイスの発光効率を高めることができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａ~図１Ｅは、発光デバイスの一例を示す断面図である。
図２Ａ~図２Ｃは、発光デバイスの発光モデルを説明する概念図である。
図３Ａ~図３Ｄは、電子輸送層における金属を含む物質の濃度を説明する図である。
図４Ａは、発光装置の一例を示す上面図である。図４Ｂ、図４Ｃは、発光装置の一例を示す断面図である。
図５Ａは、発光装置の一例を示す上面図である。図５Ｂは、発光装置の一例を示す断面図である。
図６Ａ~図６Ｅは、電子機器の一例を示す図である。
図７は、実施例の発光デバイスを示す図である。
図８は、デバイス１の電流密度−放射発散度特性を示す図である。
図９は、デバイス１の電圧−電流密度特性を示す図である。
図１０は、デバイス１の電流密度−放射束特性を示す図である。
図１１は、デバイス１の電圧−放射発散度特性を示す図である。
図１２は、デバイス１の電流密度−外部量子効率特性を示す図である。
図１３は、デバイス１の発光スペクトルを示す図である。
図１４Ａ、図１４Ｂは、デバイス１の信頼性試験の結果を示す図である。
図１５は、電子オンリーデバイスの構造を示す図である。
図１６は、電子オンリーデバイスの電流密度−電圧特性を示す図である。
図１７は、直流電圧７．０ＶにおけるＺＡＤＮ：Ｌｉｑ（１：１）の算出されたキャパシタンスＣの周波数特性を示す図である。
図１８は、直流電圧７．０ＶにおけるＺＡＤＮ：Ｌｉｑ（１：１）の−ΔＢの周波数特性を示す図である。
図１９は、各有機化合物における電子移動度の電界強度依存特性を示す図である。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光デバイスについて図１~図３を用いて説明する。

本発明の一態様の発光デバイスは、一対の電極（陽極及び陰極）間に、正孔注入層、発光層、及び電子輸送層をこの順で有する。正孔注入層は、第１の化合物及び第２の化合物を有する。第１の化合物は、第２の化合物に対する電子受容性を有する。第２の化合物のＨＯＭＯ準位は、−５．７ｅＶ以上−５．４ｅＶ以下である。電子輸送層は、第３の化合物と、金属を含む物質と、を有する。第３の化合物は、電子輸送性の高い材料（電子輸送性材料ともいう）である。金属を含む物質は、金属、金属塩、金属酸化物、または有機金属塩である。

本発明の一態様の発光デバイスは、発光層に正孔が注入されやすく、かつ、電子が注入されにくい構成である。陽極側から正孔が容易に注入され、かつ、陰極側から発光層への電子の注入量が抑制されることで、発光層が電子過多の状態になることを抑制できる。そして、時間の経過に従って発光層に電子が注入されていくことで輝度が上昇し、当該輝度上昇により初期劣化を相殺することができる。これにより、初期劣化が抑制され、駆動寿命が非常に長い発光デバイスを提供することができる。

本発明の一態様の発光デバイスは、発光層に、発光性の有機化合物を有する。発光性の有機化合物が発する光の最大ピーク波長（ピーク強度が最も高い波長ともいえる）は、７６０ｎｍ以上９００ｎｍ以下であり、７８０ｎｍ以上であることが好ましく、また、８８０ｎｍ以下であることが好ましい。

本発明の一態様の発光デバイスは、膜状に形成することができ、大面積化が容易であるため、近赤外光を発する面光源として用いることができる。

発光性の有機化合物は、燐光を発すると、発光デバイスにおける発光効率を高めることができるため、好ましい。特に、発光性の有機化合物は、金属−炭素結合を有する有機金属錯体であることが好ましい。その中でも、発光性の有機化合物は、シクロメタル錯体であることがより好ましい。さらに、発光性の有機化合物は、オルトメタル錯体であることが好ましい。これらの有機化合物は、燐光を放出しやすいため、発光デバイスにおける発光効率を高めることができる。したがって、本発明の一態様の発光デバイスは、燐光を発する燐光デバイスであることが好ましい。

さらに、金属−炭素結合を有する有機金属錯体は、ポルフィリン系の化合物などに比べて、発光効率が高く、化学的安定性が高いため、発光性の有機化合物として好適である。

また、発光層に、ゲスト材料として発光性の有機化合物を用い、ホスト材料として他の有機化合物を用いる場合、発光性の有機化合物の吸収スペクトルに大きな谷が生じる（強度の低い部分が生じる）と、ホスト材料の励起エネルギーの値によっては、ホスト材料からゲスト材料へのエネルギー移動が円滑に行われず、エネルギー移動効率が低下してしまう。ここで、金属−炭素結合を有する有機金属錯体の吸収スペクトルでは、三重項ＭＬＣＴ（Ｍｅｔａｌ　ｔｏ　Ｌｉｇａｎｄ　Ｃｈａｒｇｅ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）遷移に由来する吸収帯、一重項ＭＬＣＴ遷移に由来する吸収帯、及び三重項π−π＊遷移に由来する吸収帯など、数多くの吸収帯が重なるため、当該吸収スペクトルに大きな谷が生じにくい。したがって、ホスト材料として用いることができる材料の励起エネルギーの値の幅を広くすることができ、ホスト材料の選択の幅を広げることができる。

また、発光性の有機化合物は、イリジウム錯体であることが好ましい。例えば、発光性の有機化合物は、中心金属にイリジウムを用いた、シクロメタル錯体であることが好ましい。イリジウム錯体は白金錯体などに比べて化学的安定性が高いため、発光性の有機化合物としてイリジウム錯体を用いることで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。このような安定性の観点で、イリジウムのシクロメタル錯体が好ましく、イリジウムのオルトメタル錯体がより好ましい。

なお、近赤外発光を得る観点から、上記有機金属錯体における配位子は、２環以上５環以下の縮合複素芳香環が金属に配位した構造を有することが好ましい。縮合複素芳香環は３環以上が好ましい。また、縮合複素芳香環は、４環以下が好ましい。縮合複素芳香環が有する環が多いほど、ＬＵＭＯ準位（最低空軌道準位）を下げることができ、有機金属錯体の発光波長を長波長化させることができる。また、縮合複素芳香環が少ないほど、昇華性を高めることができる。そのため、２環以上５環以下の縮合複素芳香環を採用することで、配位子のＬＵＭＯ準位が適切に低下し、高い昇華性を維持しつつ、（三重項）ＭＬＣＴ遷移に由来する有機金属錯体の発光波長を近赤外まで長波長化させることができる。また、縮合複素芳香環が有する窒素原子（Ｎ）の数が多いほど、ＬＵＭＯ準位を下げることができる。したがって、縮合複素芳香環が有する窒素原子（Ｎ）の数は、２つ以上が好ましく、２つが特に好ましい。

発光層は、さらに、第４の化合物及び第５の化合物を有することが好ましい。第４の化合物と第５の化合物は、励起錯体を形成する組み合わせであることが好ましい。第４の化合物及び第５の化合物のうち、一方は正孔輸送性材料であり、他方は電子輸送性材料であることが好ましい。このような構成とすることで、発光デバイスの発光効率を高めることができる。

［発光デバイスの構成例］
≪発光デバイスの基本的な構造≫
図１Ａ~図１Ｅに、一対の電極間にＥＬ層を有する発光デバイスの一例を示す。

図１Ａに示す発光デバイスは、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間にＥＬ層１０３が挟まれた構造（シングル構造）を有する。ＥＬ層１０３は、少なくとも発光層を有する。

発光デバイスは、一対の電極間に複数のＥＬ層を有していてもよい。図１Ｂに、一対の電極間に２層のＥＬ層（ＥＬ層１０３ａ及びＥＬ層１０３ｂ）を有し、２層のＥＬ層の間に電荷発生層１０４を有する、タンデム構造の発光デバイスを示す。タンデム構造の発光デバイスは、低電圧駆動が可能で消費電力を低くすることができる。

電荷発生層１０４は、第１の電極１０１と第２の電極１０２に電圧を印加したときに、ＥＬ層１０３ａ及びＥＬ層１０３ｂのうち、一方に電子を注入し、他方に正孔（ホール）を注入する機能を有する。従って、図１Ｂにおいて、第１の電極１０１に第２の電極１０２よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層１０４からＥＬ層１０３ａに電子が注入され、ＥＬ層１０３ｂに正孔が注入される。

なお、電荷発生層１０４は、光の取り出し効率の点から、近赤外光を透過する（具体的には、電荷発生層１０４の近赤外光の透過率が、４０％以上である）ことが好ましい。また、電荷発生層１０４は、第１の電極１０１や第２の電極１０２よりも低い導電率であっても機能する。

図１Ｃ~図１Ｅには、それぞれ、ＥＬ層１０３の積層構造の一例を示す。本実施の形態では、第１の電極１０１が陽極として機能し、第２の電極１０２が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する。

図１Ｃ~図１Ｅに示す発光デバイスは、ＥＬ層１０３として、第１の電極１０１側から、正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２、発光層１２３、電子輸送層１２４、及び電子注入層１２５を有する。なお、図１Ｃ~図１Ｅには示さないが、発光デバイスは光学調整層を有していてもよい。

第１の電極１０１、第２の電極１０２、正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２、発光層１２３、電子輸送層１２４、及び電子注入層１２５は、それぞれ、単層構造であっても、積層構造であってもよい。なお、図１Ｂに示すタンデム構造のように複数のＥＬ層を有する場合であっても、各ＥＬ層に、図１Ｃ~図１Ｅに示すＥＬ層１０３と同様の積層構造を適用することができる。また、第１の電極１０１が陰極で、第２の電極１０２が陽極の場合、積層順は逆になる。

図１Ｄ及び図１Ｅに示す発光デバイスが有する正孔輸送層１２２は、正孔注入層１２１側の正孔輸送層１２２ａと、発光層１２３側の正孔輸送層１２２ｂと、の、２層構造である。

図１Ｅに示す発光デバイスが有する電子輸送層１２４は、発光層１２３側の電子輸送層１２４ａと、電子注入層１２５側の電子輸送層１２４ｂと、の、２層構造である。

発光層１２３は、発光物質や複数の物質を適宜組み合わせて有しており、所望の波長の蛍光発光や燐光発光が得られる構成とすることができる。また、発光層１２３を発光波長の異なる積層構造としてもよい。なお、この場合、積層された各発光層に用いる発光物質やその他の物質は、それぞれ異なる材料を用いればよい。また、図１Ｂに示すＥＬ層１０３ａ及びＥＬ層１０３ｂは、互いに異なる波長を発する構成であってもよい。この場合も各発光層に用いる発光物質やその他の物質を異なる材料とすればよい。

本発明の一態様の発光デバイスにおいて、ＥＬ層で得られた発光を一対の電極間で共振させることにより、得られる発光を強める構成としてもよい。例えば、図１Ｃにおいて、第１の電極１０１を反射電極（近赤外光に対して反射性を有する電極）とし、第２の電極１０２を半透過・半反射電極（近赤外光に対して透過性及び反射性を有する電極）とすることにより、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造を形成することで、ＥＬ層１０３から得られる発光を強めることができる。

なお、発光デバイスの第１の電極１０１が、近赤外光に対して反射性を有する導電膜と近赤外光に対して透光性を有する導電膜との積層構造からなる反射電極である場合、当該透光性を有する導電膜の膜厚を制御することにより光学調整を行うことができる。具体的には、発光層１２３から得られる光の波長λに対して、第１の電極１０１と、第２の電極１０２との電極間距離がｍλ／２（ただし、ｍは自然数）近傍となるように調整するのが好ましい。

また、発光層１２３から得られる所望の光（波長：λ）を増幅させるために、第１の電極１０１から発光層１２３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、第２の電極１０２から発光層１２３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、をそれぞれ（２ｍ’＋１）λ／４（ただし、ｍ’は自然数）近傍となるように調節するのが好ましい。なお、ここでいう発光領域とは、発光層１２３における正孔と電子との再結合領域を示す。

このような光学調整を行うことにより、発光層１２３から得られる光のスペクトルを狭線化させ、所望の波長の発光を得ることができる。

但し、上記の場合、第１の電極１０１と第２の電極１０２との光学距離は、厳密には第１の電極１０１における反射領域から第２の電極１０２における反射領域までの総厚ということができる。しかし、第１の電極１０１や第２の電極１０２における反射領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０１と第２の電極１０２の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。また、第１の電極１０１と、所望の光が得られる発光層との光学距離は、厳密には第１の電極１０１における反射領域と、所望の光が得られる発光層における発光領域との光学距離であるということができる。しかし、第１の電極１０１における反射領域や、所望の光が得られる発光層における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０１の任意の位置を反射領域、所望の光が得られる発光層の任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。

第１の電極１０１と第２の電極１０２の少なくとも一方は、近赤外光に対して透光性を有する電極とする。近赤外光に対して透光性を有する電極の近赤外光の透過率は、４０％以上とする。なお、近赤外光に対して透光性を有する電極が、上記半透過・半反射電極の場合、当該電極の近赤外光の反射率は、２０％以上、好ましくは４０％以上であり、また、１００％未満、好ましくは９５％以下であり、８０％以下または７０％以下であってもよい。例えば、当該電極の近赤外光の反射率は、２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上、また好ましくは７０％以下とする。また、当該電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

第１の電極１０１または第２の電極１０２が、反射電極である場合、反射電極の近赤外光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、この電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

≪発光デバイスの材料及び作製方法≫
次に、発光デバイスに用いることができる材料及び作製方法について説明する。ここでは、図１Ｅに示すシングル構造を有する発光デバイスを用いて説明する。

＜電極＞
発光デバイスの一対の電極を形成する材料としては、上述した両電極の機能が満たせるのであれば、以下に示す材料を適宜組み合わせて用いることができる。例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等を用いることができる。

なお、マイクロキャビティ構造を有する発光デバイスを作製する場合は、第１の電極１０１及び第２の電極１０２のうち、一方を反射電極として形成し、他方を半透過・半反射電極として形成する。したがって、所望の導電性材料を単数または複数用い、単層または積層して形成することができる。なお、第２の電極１０２は、ＥＬ層１０３を形成した後、上記と同様に材料を選択して形成する。また、これらの電極の作製には、スパッタリング法や真空蒸着法を用いることができる。

＜正孔注入層＞
正孔注入層１２１は、ＥＬ層１０３に正孔を注入しやすくする機能を有する。例えば、正孔注入層１２１は、陽極から注入された正孔を、正孔輸送層１２２（または発光層１２３など）に注入する機能を有することができる。例えば、正孔注入層１２１は、正孔を発生させ、当該正孔を正孔輸送層１２２（または発光層１２３など）に注入する機能を有することができる。

第１の化合物は、電子受容性材料（アクセプター性材料）であり、第２の化合物に対する電子受容性を有する。

第２の化合物は、正孔輸送性材料である。正孔輸送性材料は、電子よりも正孔の輸送性が高い。

第２の化合物のＨＯＭＯ準位は比較的低い（深い）ことが好ましい。具体的には、第２の化合物のＨＯＭＯ準位は、−５．７ｅＶ以上−５．４ｅＶ以下であることが好ましい。第２の化合物のＨＯＭＯ準位が比較的低いことで、正孔輸送層１２２への正孔の注入が容易となり、好ましい。

第１の化合物としては、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基やシアノ基）を有する有機化合物を用いることができる。

第１の化合物としては、例えば、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプターを用いることができる。具体的には、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロテトラシアノ−ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６−ＴＣＮＮＱ）、２−（７−ジシアノメチレン−１，３，４，５，６，８，９，１０−オクタフルオロ−７Ｈ−ピレン−２−イリデン）マロノニトリル等を挙げることができる。特に、ＨＡＴ−ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。また、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基やシアノ基）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましい。電子吸引基を有する［３］ラジアレン誘導体としては、例えば、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［４−シアノ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，６−ジクロロ−３，５−ジフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などが挙げられる。

第２の化合物は、正孔輸送性骨格を有することが好ましい。当該正孔輸送性骨格としては、正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位が高く（浅く）なりすぎない、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、及びアントラセン骨格が好ましい。

第２の化合物は、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、及びアントラセン骨格のうち少なくとも一つを有することが好ましい。正孔輸送性材料は、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９−フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンであってもよい。

第２の化合物が、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）アミノ基を有すると、長寿命な発光デバイスを作製することができるため好ましい。

第２の化合物としては、例えば、Ｎ−（４−ビフェニル）−６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）−６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’−ビス（６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−６−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（８））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３−ｄ］フラン−４−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、Ｎ−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−Ｎ−フェニル−４−ビフェニルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４−（２−ナフチル）−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（６；１’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；１’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７−フェニル）ナフチル−２−イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（６；２’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；２’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（４；２’−ビナフチル−１−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（５；２’−ビナフチル−１−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ−０２）、４−（４−ビフェニリル）−４’（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢ）、４−（３−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−（４−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−フェニル−４’−（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ビス（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−［４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ）、４’−［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］トリス（１，１’−ビフェニル−４−イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ−０２）、４−ジフェニル−４’−（２−ナフチル）−４’’−｛９−（４−ビフェニリル）カルバゾール）｝トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９，９’−スピロビ（９Ｈ−フルオレン）−２−アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニリル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ（４））、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ（９Ｈ−フルオレン）−４−アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）ジベンゾフラン−４−アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−Ｎ−［３−（６−フェニルジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−１−ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−［４−（９−フェニルフルオレン−９−イル）フェニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９，９−ジメチル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、３，３’−（ナフタレン−１，４−ジイル）ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣｚＮ２）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＦＬＰＡＰＡ）等が挙げられる。

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層１２２は、正孔注入層１２１によって注入された正孔を発光層１２３に輸送する層である。

正孔輸送層１２２は、第６の化合物を有することが好ましい。

第６の化合物は、正孔輸送性材料である。正孔輸送性材料としては、第２の化合物に用いることができる正孔輸送性材料を用いることができる。

第６の化合物のＨＯＭＯ準位は、第２の化合物のＨＯＭＯ準位以下の値であることが好ましい。第６の化合物のＨＯＭＯ準位と第２の化合物のＨＯＭＯ準位との差は、０．２ｅＶ以内であることが好ましい。

第２の化合物及び第６の化合物は、それぞれ、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、及びアントラセン骨格のうち少なくとも一つを有することが好ましい。

第２の化合物と第６の化合物が同一の正孔輸送性骨格（特にジベンゾフラン骨格）を有すると、正孔の注入がスムーズになるため好ましい。

第２の化合物と第６の化合物が同じであると、正孔の注入がスムーズとなるため、より好ましい。

正孔輸送層１２２が積層構造である場合、正孔輸送層１２２を構成する各層は、正孔を発光層１２３に輸送する層である。

図１Ｄ、図１Ｅにおける正孔輸送層１２２ａは、図１Ｃにおける正孔輸送層１２２と同様の構成とすることができる。

図１Ｄ、図１Ｅにおける正孔輸送層１２２ｂ（つまり、正孔輸送層１２２のうち、最も発光層１２３側に位置する層）は、電子ブロック層としての機能を有することが好ましい。

正孔輸送層１２２ｂは、第７の化合物を有することが好ましい。

第７の化合物は、正孔輸送性材料である。正孔輸送性材料としては、第２の化合物に用いることができる正孔輸送性材料を用いることができる。

第７の化合物のＨＯＭＯ準位と第６の化合物のＨＯＭＯ準位との差は、０．２ｅＶ以内であることが好ましい。

第２の化合物、第６の化合物、及び第７の化合物は、それぞれ、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、及びアントラセン骨格のうち少なくとも一つを有することが好ましい。

第２の化合物、第６の化合物、及び第７の化合物が同一の正孔輸送性骨格（特にジベンゾフラン骨格）を有すると、正孔の注入がスムーズになるため好ましい。

正孔注入層１２１、正孔輸送層１２２ａ、正孔輸送層１２２ｂに用いる正孔輸送性材料が、上記の関係を有することで、各層への正孔注入がスムーズに行われ、駆動電圧の上昇や発光層１２３における正孔の過少状態を防ぐことができる。

＜発光層＞
発光層１２３は、発光物質を含む層である。

本発明の一態様の発光デバイスは、発光物質として、発光性の有機化合物を有する。当該発光性の有機化合物は、近赤外光を発する。具体的には、発光性の有機化合物が発する光の最大ピーク波長は、７６０ｎｍ以上９００ｎｍ以下であり、７８０ｎｍ以上であることが好ましく、また、８８０ｎｍ以下であることが好ましい。

近赤外光を発する、発光性の有機化合物として、例えば、実施の形態２に示す有機金属錯体を用いることができる。

発光層１２３は、１種または複数種の発光物質を有することができる。

また、本発明の一態様の発光デバイスは、近赤外光を発する発光物質以外の発光物質を有していてもよい。本発明の一態様の発光デバイスは、例えば、近赤外光を発する発光物質に加えて、可視光（赤色、青色、緑色など）を発する発光物質を有していてもよい。

発光層１２３は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、本実施の形態で説明する正孔輸送性材料及び電子輸送性材料の一方または双方を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料を用いてもよい。

発光層１２３に用いることができる発光物質として、特に限定は無く、一重項励起エネルギーを近赤外光領域の発光に変える発光物質、または三重項励起エネルギーを近赤外光領域の発光に変える発光物質を用いることができる。

一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）が挙げられ、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。特にピレン誘導体は発光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾフラン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾチオフェン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＴｈＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（Ｎ−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−６−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（Ｎ−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０２）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３）などが挙げられる。特に、これら１，６ＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３のようなピレンジアミン化合物に代表される縮合芳香族ジアミン化合物は、ホールトラップ性が高く、発光効率や信頼性に優れているため、好ましい。

その他にも、５，６−ビス［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６−ビス［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）、３，１０−ビス［Ｎ−（ジベンゾフラン−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）等を用いることができる。

三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、例えば、燐光を発する物質（燐光材料）や熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　Ａｃｔｉｖａｔｅｄ　Ｄｅｌａｙｅｄ　Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料が挙げられる。

燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、希土類金属錯体等が挙げられる。

青色または緑色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。

例えば、トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３］）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）_３］）、トリス［４−（３−ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）_３］）、トリス［３−（５−ビフェニル）−５−イソプロピル−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）_３］）、のような４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）_３］）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）_３］）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、ｆａｃ−トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）_３］）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）_３］）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属錯体、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ）］）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のように電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体等が挙げられる。

緑色または黄色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ以下である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。

例えば、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３］）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６−ジメチル−２−［６−（２，６−ジメチルフェニル）−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ−ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_３］）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_３］）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、［２−（４−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（４ｄｐｐｙ）］）、ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］［２−（４−メチル−５−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ）］）などの有機金属錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。

黄色または赤色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が５７０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。

例えば、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス｛４，６−ジメチル−２−［３−（３，５−ジメチルフェニル）−５−フェニル−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−Ｐ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス｛４，６−ジメチル−２−［５−（４−シアノ−２，６−ジメチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍＣＰ）_２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２−メチル−３−フェニルキノキサリナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（２，３−ジフェニルキノキサリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス｛４，６−ジメチル−２−［５−（５−シアノ−２−メチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｍ５ＣＰ）_２（ｄｐｍ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属錯体や、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_３］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス［４，６−ジメチル−２−（２−キノリニル−κＮ）フェニル−κＣ］（２，４−ペンタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）のようなピリジン骨格を有する有機金属錯体、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：［ＰｔＯＥＰ］）のような白金錯体、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。

発光層１２３に用いる有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）としては、発光物質のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いることができる。

発光層１２３に用いる発光物質が蛍光材料である場合、発光物質と組み合わせて用いる有機化合物としては、一重項励起状態のエネルギー準位が大きく、三重項励起状態のエネルギー準位が小さい有機化合物を用いるのが好ましい。

一部上記の具体例と重複するが、発光物質（蛍光材料、燐光材料）との好ましい組み合わせという観点から、以下に有機化合物の具体例を示す。

蛍光材料と組み合わせて用いることができる有機化合物としては、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられる。

蛍光材料と組み合わせて用いる有機化合物（ホスト材料）の具体例としては、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、ＰＣＰＮ、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、ＣｚＰＡ、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−フェニル−１０−｛４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ビフェニル−４’−イル｝アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、１，３，５−トリ（１−ピレニル）ベンゼン（略称：ＴＰＢ３）、５，１２−ジフェニルテトラセン、５，１２−ビス（ビフェニル−２−イル）テトラセン、９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）などが挙げられる。

燐光材料と組み合わせて用いる有機化合物としては、発光物質の三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）よりも三重項励起エネルギーの大きい有機化合物を選択すればよい。

励起錯体を形成させるべく複数の有機化合物（例えば、第１のホスト材料、及び第２のホスト材料（またはアシスト材料）等）を発光物質と組み合わせて用いる場合は、これらの複数の有機化合物を燐光材料（特に有機金属錯体）と混合して用いることが好ましい。

このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。なお、複数の有機化合物の組み合わせとしては、励起錯体が形成されやすいものがよく、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。なお、正孔輸送性材料及び電子輸送性材料の具体例については、本実施の形態で示す材料を用いることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

励起錯体を形成する材料の組み合わせとしては、正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位が電子輸送性材料のＨＯＭＯ準位以上の値であると好ましい。正孔輸送性材料のＬＵＭＯ準位が電子輸送性材料のＬＵＭＯ準位以上の値であると好ましい。材料のＬＵＭＯ準位及びＨＯＭＯ準位は、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって測定される材料の電気化学特性（還元電位及び酸化電位）から導出することができる。

励起錯体の形成は、例えば正孔輸送性材料の発光スペクトル、電子輸送性材料の発光スペクトル、及びこれら材料を混合した混合膜の発光スペクトルを比較し、混合膜の発光スペクトルが、各材料の発光スペクトルよりも長波長側にシフトする（または長波長側に新たなピークを持つ）現象を観測することにより確認することができる。または、正孔輸送性材料の過渡フォトルミネッセンス（ＰＬ）、電子輸送性材料の過渡ＰＬ、及びこれら材料を混合した混合膜の過渡ＰＬを比較し、混合膜の過渡ＰＬ寿命が、各材料の過渡ＰＬ寿命よりも長寿命成分を有する、または遅延成分の割合が大きくなるなどの過渡応答の違いを観測することにより、確認することができる。また、上述の過渡ＰＬは過渡エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）と読み替えても構わない。すなわち、正孔輸送性材料の過渡ＥＬ、電子輸送性を有する材料の過渡ＥＬ、及びこれらの混合膜の過渡ＥＬを比較し、過渡応答の違いを観測することによっても、励起錯体の形成を確認することができる。

燐光材料と組み合わせて用いることができる有機化合物としては、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）、カルバゾール誘導体（カルバゾール骨格を有する化合物）、ジベンゾチオフェン誘導体（チオフェン誘導体）、ジベンゾフラン誘導体（フラン誘導体）、亜鉛やアルミニウム系の金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体等が挙げられる。

正孔輸送性の高い有機化合物である芳香族アミン、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体の具体例としては、以下の物質が挙げられる。

ビカルバゾール誘導体（例えば、３，３’−ビカルバゾール誘導体）としては、具体的には、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、９，９’−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール、９，９’−ビス（１，１’−ビフェニル−３−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール、９−（１，１’−ビフェニル−３−イル）−９’−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：ｍＢＰＣＣＢＰ）、９−（２−ナフチル）−９’−フェニル−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：βＮＣＣＰ）などが挙げられる。

カルバゾリル基を有する芳香族アミンとしては、具体的には、ＰＣＢＡ１ＢＰ、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、ＰＣＢＢｉＦ、ＰＣＢＢｉ１ＢＰ、ＰＣＢＡＮＢ、ＰＣＢＮＢＢ、４−フェニルジフェニル−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミン（略称：ＰＣＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、ＰＣＢＡＳＦ、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−（４−フェニル）フェニルアニリン（略称：ＹＧＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）などが挙げられる。

カルバゾール誘導体としては、上記に加えて、３−［４−（９−フェナントリル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）、ＰＣＰＮ、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、ＣｚＰＡ等が挙げられる。

チオフェン誘導体（チオフェン骨格を有する化合物）及びフラン誘導体（フラン骨格を有する化合物）としては、具体的には、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）等が挙げられる。

芳香族アミンとしては、具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、ＢＰＡＦＬＰ、ｍＢＰＡＦＬＰ、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、ＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等が挙げられる。

正孔輸送性の高い有機化合物としては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。

電子輸送性の高い有機化合物である、亜鉛やアルミニウム系の金属錯体の具体例としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。

この他、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。

電子輸送性の高い有機化合物である、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体の具体例としては、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、２−｛４−［９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）−２−アントリル］フェニル｝−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ＺＡＤＮ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）などが挙げられる。

電子輸送性の高い有機化合物である、ジアジン骨格を有する複素環化合物、トリアジン骨格を有する複素環化合物、ピリジン骨格を有する複素環化合物の具体例としては、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、４，６−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）、２−［３’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、２−［（１，１’−ビフェニル）−４−イル］−４−フェニル−６−［９，９’−スピロビ（９Ｈ−フルオレン）−２−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＢＰ−ＳＦＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−６−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ−０２）、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などが挙げられる。

電子輸送性の高い有機化合物としては、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。

ＴＡＤＦ材料とは、Ｓ_１準位（一重項励起状態のエネルギー準位）とＴ_１準位（三重項励起状態のエネルギー準位）との差が小さく、逆項間交差によって三重項励起エネルギーから一重項励起エネルギーへエネルギーを変換することができる機能を有する材料である。そのため、三重項励起エネルギーをわずかな熱エネルギーによって一重項励起エネルギーにアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態を効率よく生成することができる。また、三重項励起エネルギーを発光に変換することができる。熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、Ｓ_１準位とＴ_１準位のエネルギー差が０ｅＶ以上０．２ｅＶ以下、好ましくは０ｅＶ以上０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。また、ＴＡＤＦ材料における遅延蛍光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。その寿命は、１０^−６秒以上、好ましくは１０^−３秒以上である。

２種類の物質で励起状態を形成する励起錯体は、Ｓ_１準位とＴ_１準位との差が極めて小さく、三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なＴＡＤＦ材料としての機能を有する。

Ｔ_１準位の指標としては、低温（例えば７７Ｋから１０Ｋ）で観測される燐光スペクトルを用いればよい。ＴＡＤＦ材料としては、その蛍光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳ_１準位とし、燐光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＴ_１準位とした際に、そのＳ_１とＴ_１の差が０．３ｅＶ以下であることが好ましく、０．２ｅＶ以下であることがさらに好ましい。

ＴＡＤＦ材料は、ゲスト材料として用いてもよく、ホスト材料として用いてもよい。

ＴＡＤＦ材料としては、例えば、フラーレンやその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｐｒｏｔｏ　ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｍｅｓｏ　ＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｈｅｍａｔｏ　ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｃｏｐｒｏ　ＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ_２（Ｅｔｉｏ　Ｉ））、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体（略称：ＰｔＣｌ_２ＯＥＰ）等が挙げられる。

その他にも、２−（ビフェニル−４−イル）−４，６−ビス（１２−フェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＩＣ−ＴＲＺ）、ＰＣＣｚＰＴｚｎ、２−［４−（１０Ｈ−フェノキサジン−１０−イル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＸＺ−ＴＲＺ）、３−［４−（５−フェニル−５，１０−ジヒドロフェナジン−１０−イル）フェニル］−４，５−ジフェニル−１，２，４−トリアゾール（略称：ＰＰＺ−３ＴＰＴ）、３−（９，９−ジメチル−９Ｈ−アクリジン−１０−イル）−９Ｈ−キサンテン−９−オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４−（９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ−ＤＰＳ）、１０−フェニル−１０Ｈ，１０’Ｈ−スピロ［アクリジン−９，９’−アントラセン］−１０’−オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、４−（９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４ＰＣＣｚＢｆｐｍ）、４−［４−（９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４ＰＣＣｚＰＢｆｐｍ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物を用いることができる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が共に高く、好ましい。なお、π電子不足型複素芳香環の代わりに、シアノ基のような電子吸引基が結合した芳香環を用いてもよい。また、π電子不足型複素芳香環の代わりに、π電子不足型骨格を用いることができる。同様に、π電子過剰型複素芳香環の代わりに、π電子過剰型骨格を用いることができる。

π電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）、及びトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため好ましい。特に、ベンゾフロピリミジン骨格、ベンゾチエノピリミジン骨格、ベンゾフロピラジン骨格、ベンゾチエノピラジン骨格は電子受容性が高く、信頼性が良好なため好ましい。

π電子過剰型複素芳香環を有する骨格のうち、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格は、安定で信頼性が良好なため、当該骨格の少なくとも一つを有することが好ましい。特に、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、インドール骨格、カルバゾール骨格、インドロカルバゾール骨格、ビカルバゾール骨格、３−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール骨格が好ましい。

なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強くなり、一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。

π電子過剰型骨格として、芳香族アミン骨格、フェナジン骨格等を用いることができる。π電子不足型骨格として、キサンテン骨格、チオキサンテンジオキサイド骨格、オキサジアゾール骨格、トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、アントラキノン骨格、フェニルボランやボラントレン等の含ホウ素骨格、ベンゾニトリルまたはシアノベンゼン等のニトリル基またはシアノ基を有する芳香環や複素芳香環、ベンゾフェノン等のカルボニル骨格、ホスフィンオキシド骨格、スルホン骨格等を用いることができる。

なお、発光物質としてＴＡＤＦ材料を用いる場合、他の有機化合物と組み合わせて用いることもできる。特に、上述したホスト材料（正孔輸送性材料、電子輸送性材料）と組み合わせることができる。ＴＡＤＦ材料を用いる場合、ホスト材料のＳ_１準位はＴＡＤＦ材料のＳ_１準位より高い方が好ましい。また、ホスト材料のＴ_１準位はＴＡＤＦ材料のＴ_１準位より高いことが好ましい。

また、ＴＡＤＦ材料をホスト材料に用い、蛍光材料をゲスト材料に用いてもよい。ＴＡＤＦ材料をホスト材料として用いると、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが、逆項間交差によって一重項励起エネルギーに変換され、さらに発光物質へエネルギー移動することで、発光デバイスの発光効率を高めることができる。このとき、ＴＡＤＦ材料がエネルギードナーとして機能し、発光物質がエネルギーアクセプターとして機能する。従って、ホスト材料としてＴＡＤＦ材料を用いることは、ゲスト材料として蛍光材料を用いる場合に非常に有効である。また、このとき、高い発光効率を得るためには、ＴＡＤＦ材料のＳ_１準位は、蛍光材料のＳ_１準位より高いことが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料のＴ_１準位は、蛍光材料のＳ_１準位より高いことが好ましい。従って、ＴＡＤＦ材料のＴ_１準位は、蛍光材料のＴ_１準位より高いことが好ましい。

また、蛍光材料の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈するＴＡＤＦ材料を用いることが好ましい。そうすることで、ＴＡＤＦ材料から蛍光材料への励起エネルギーの移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるため、好ましい。

また、効率よく三重項励起エネルギーから逆項間交差によって一重項励起エネルギーが生成されるためには、ＴＡＤＦ材料でキャリア再結合が生じることが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが蛍光材料の三重項励起エネルギーに移動しないことが好ましい。そのためには、蛍光材料は、蛍光材料が有する発光団（発光の原因となる骨格）の周囲に保護基を有すると好ましい。該保護基としては、π結合を有さない置換基が好ましく、飽和炭化水素が好ましく、具体的には炭素数３以上１０以下のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素数３以上１０以下のトリアルキルシリル基が挙げられ、保護基が複数あるとさらに好ましい。π結合を有さない置換基は、キャリアを輸送する機能に乏しいため、キャリア輸送やキャリア再結合に影響をほとんど与えずに、ＴＡＤＦ材料と蛍光材料の発光団との距離を遠ざけることができる。ここで、発光団とは、蛍光材料において発光の原因となる原子団（骨格）を指す。発光団は、π結合を有する骨格が好ましく、芳香環を含むことが好ましく、縮合芳香環または縮合複素芳香環を有すると好ましい。縮合芳香環または縮合複素芳香環としては、フェナントレン骨格、スチルベン骨格、アクリドン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格等が挙げられる。特にナフタレン骨格、アントラセン骨格、フルオレン骨格、クリセン骨格、トリフェニレン骨格、テトラセン骨格、ピレン骨格、ペリレン骨格、クマリン骨格、キナクリドン骨格、ナフトビスベンゾフラン骨格を有する蛍光材料は蛍光量子収率が高いため好ましい。

＜電子輸送層＞
電子輸送層１２４は、第２の電極１０２から注入された電子を発光層１２３に輸送する層である。

電子輸送層１２４は、第３の化合物と、金属を含む物質と、を有する。

第３の化合物は、電子輸送性材料である。電子輸送性材料は、正孔よりも電子の輸送性が高い。

第３の化合物は、ＨＯＭＯ準位が−６．０ｅＶ以上であることが好ましい。

第３の化合物は、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が、１×１０^−７ｃｍ^２／Ｖｓ以上１×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以下であることが好ましく、１×１０^−７ｃｍ^２／Ｖｓ以上５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以下であることがさらに好ましい。

第３の化合物の電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が発光層１２３のホスト材料の電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度よりも小さいことが好ましい。電子輸送層１２４における電子輸送性を低くすることにより発光層１２３への電子の注入量を制御することができ、発光層１２３が電子過多の状態になることを防ぐことができる。

第３の化合物は、アントラセン骨格を有することが好ましく、アントラセン骨格と複素環骨格とを有することがさらに好ましい。当該複素環骨格としては、含窒素５員環骨格が好ましい。当該含窒素５員環骨格としては、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環のように２つの複素原子を環に含む含窒素５員環骨格を有することが特に好ましい。

その他、上記ホスト材料に用いることが可能な電子輸送性材料の一部、及び、上記蛍光材料に組み合わせてホスト材料として用いることが可能な材料として挙げた物質を電子輸送層１２４に用いることができる。

第３の化合物としては、例えば、２−｛４−［９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）−２−アントリル］フェニル｝−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ＺＡＤＮ）、９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）などが挙げられる。

金属を含む物質は、金属、金属塩、金属酸化物、または有機金属塩である。

金属としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類金属が挙げられる。具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどが挙げられる。

金属塩としては、例えば、上記金属のハロゲン化物、及び上記金属の炭酸塩が挙げられる。具体的には、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＢａＦ_２、ＬｉＣｌ、ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＲｂＣｌ、ＣｓＣｌ、ＭｇＣｌ_２、ＣａＣｌ_２、ＳｒＣｌ_２、ＢａＣｌ_２、Ｌｉ_２ＣＯ_３、Ｃｓ_２ＣＯ_３などが挙げられる。

金属酸化物としては、例えば、上記金属の酸化物が挙げられる。具体的には、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｃｓ_２Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯなどが挙げられる。

有機金属塩としては、例えば、有機金属錯体が挙げられる。

金属を含む物質は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を有する金属錯体であることが好ましい。

金属を含む物質は、窒素及び酸素を有する配位子と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属と、を有する金属錯体であることが好ましい。

金属を含む物質は、８−キノリノラト構造を含む配位子と、１価の金属イオンと、を有する金属錯体であることが好ましい。８−キノリノラト構造とは、置換もしくは無置換の８−キノリノールにおける水酸基（−ＯＨ基、ヒドロキシ基）のプロトンが脱離した構造である。８−キノリノラト構造を含む配位子としては、８−キノリノラト、及び、８−キノリノラトのメチル置換体（例えば２−メチル置換体、５−メチル置換体）などが挙げられる。

金属を含む物質は、８−キノリノラト構造を含む配位子を有するリチウム錯体であることが好ましい。

上記金属錯体としては、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、８−（キノリノラト）ナトリウム（略称：Ｎａｑ）、８−（キノリノラト）カリウム（略称：Ｋｑ）、（８−キノリノラト）マグネシウム（略称：Ｍｇｑ_２）、（８−キノリノラト）亜鉛（略称：Ｚｎｑ_２）などが挙げられる。

金属を含む物質としては、特に、Ｌｉｑが好ましい。

図１Ｅに示すように、電子輸送層１２４は、発光層１２３側の電子輸送層１２４ａと、第２の電極１０２側の電子輸送層１２４ｂを有していてもよい。電子輸送層１２４ａと電子輸送層１２４ｂとは、第３の化合物と金属を含む物質との濃度比が異なることが好ましい。例えば、電子輸送層１２４ａは、電子輸送層１２４ｂよりも、金属を含む物質の濃度が高いことが好ましい。または、電子輸送層１２４ｂは、電子輸送層１２４ａよりも、金属を含む物質の濃度が高くてもよい。なお、電子輸送層１２４ａ及び電子輸送層１２４ｂの一方は、金属を含む物質を含んでいなくてもよい。

＜電子注入層＞
電子注入層１２５は、第２の電極１０２からの電子の注入効率を高める層である。第２の電極１０２の材料の仕事関数の値と、電子注入層１２５に用いる材料のＬＵＭＯ準位の値と、の差は、小さい（０．５ｅＶ以内）ことが好ましい。

電子注入層１２５には、リチウム、セシウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ_３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１２５にエレクトライドを用いてもよい。エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層１２４を構成する物質を用いることもできる。

また、電子注入層１２５に、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性及び電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送性材料（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

＜電荷発生層＞
図１Ｂに示す発光デバイスにおいて、電荷発生層１０４は、第１の電極１０１（陽極）と第２の電極１０２（陰極）との間に電圧を印加したときに、ＥＬ層１０３ａに電子を注入し、ＥＬ層１０３ｂに正孔を注入する機能を有する。

電荷発生層１０４は、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む構成であっても、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む構成であってもよい。このような構成の電荷発生層１０４を形成することにより、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。

正孔輸送性材料、アクセプター性材料、電子輸送性材料、及びドナー性材料は、それぞれ上述の材料を用いることができる。

なお、本発明の一態様の発光デバイスの作製には、蒸着法などの真空プロセスや、スピンコート法やインクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法を用いる場合には、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）や、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等を用いることができる。特に発光デバイスに用いる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。

発光デバイスを構成する機能層の材料は、それぞれ、上述の材料に限定されない。例えば、機能層の材料として、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、中分子化合物（低分子と高分子の中間領域の化合物：分子量４００乃至４０００）、無機化合物（量子ドット材料等）等を用いてもよい。なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。

［発光デバイスにおける発光モデル］
本実施の形態の表示装置に用いることができる発光デバイスにおける発光モデルについて説明する。

ここでは、図１Ｃに示す正孔輸送層１２２、発光層１２３、及び電子輸送層１２４を用いて、発光デバイスの発光モデルを説明する。発光デバイスは図１Ｃの構成に限定されず、他の構成においても当該発光モデルを適用することができる。

発光層１２３が電子過多の状態になると、図２Ａに示すように、発光層１２３内の局所的な領域に発光領域１２３−１が形成される。別言すると、発光層１２３内における発光領域１２３−１の幅が狭い。そのため、発光層１２３の局所的な領域において、集中的に電子（ｅ⁻）とホール（ｈ^＋）との再結合が行われ、劣化が促進されてしまう。また、発光層１２３において再結合できなかった電子が、発光層１２３を通過することで、寿命、または発光効率が低下する場合がある。

一方で、本発明の一態様の発光デバイスでは、電子輸送層１２４における電子輸送性を低くすることにより、発光層１２３における発光領域１２３−１の幅を広げることができる（図２Ｂ、図２Ｃ）。発光領域１２３−１の幅を広げることによって、発光層１２３における電子とホールとの再結合領域を分散させることができる。従って、寿命が長く発光効率の良好な発光デバイスを提供することができる。

図２Ｂに示すように、本発明の一態様の発光デバイスは、駆動初期において、再結合領域が電子輸送層１２４側まで広がる場合がある。図２Ｂでは、電子輸送層１２４中の再結合領域を、領域１２４−１として示す。具体的には、本発明の一態様の発光デバイスでは、駆動初期では正孔の注入障壁が小さいこと、及び電子輸送層１２４の電子輸送性が比較的低いことにより、発光領域１２３−１（すなわら再結合領域）が発光層１２３全体に形成され、かつ、電子輸送層１２４にも再結合領域が形成されることがある。

また、本発明の一態様の発光デバイスでは、電子輸送層１２４に含まれる第３の化合物のＨＯＭＯ準位が−６．０ｅＶ以上と比較的高いことから、正孔の一部が電子輸送層１２４まで達し、電子輸送層１２４でも再結合が起こる場合がある。なお、この現象は、発光層１２３に含まれるホスト材料（またはアシスト材料）と、第３の化合物と、のＨＯＭＯ準位の差が０．２ｅＶ以内である場合にも起こることがある。

図２Ｃに示すように、本発明の一態様の発光デバイスは、駆動時間が経過することによって、キャリアバランスが変化し、電子輸送層１２４での再結合が生じにくくなる。発光層１２３全体に発光領域１２３−１が形成されたまま、電子輸送層１２４での再結合が抑制されることによって、再結合したキャリアのエネルギーを有効に発光に寄与させることができる。そのため、駆動初期と比較して輝度が上昇しうる。この輝度上昇が発光デバイスの駆動初期に現れる急激な輝度低下、いわゆる初期劣化を相殺することで、初期劣化が小さく、また駆動寿命の長い発光デバイスを提供できる。なお、本明細書等において、上記の発光デバイスをＲｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ−Ｓｉｔｅ　Ｔａｉｌｏｒｉｎｇ　Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ構造（ＲｅＳＴＩ構造）と呼称する場合がある。

本発明の一態様の発光デバイスは、電流密度一定の条件における駆動試験によって得られる輝度の劣化曲線において、極大値を有する場合がある。すなわち、本発明の一態様の発光デバイスは、時間の経過に伴って輝度が上昇する挙動を示すことがある。当該挙動は、駆動初期の急激な劣化（いわゆる初期劣化）を相殺することができる。ただし、本発明の一態様の発光デバイスは、上記に限定されず、例えば、輝度の極大値を有さない、別言すると、輝度上昇を発生させずに劣化曲線の傾きを小さくすることができる。従って、発光デバイスを、当該挙動を示す構成とすることで、発光デバイスの初期劣化を小さくし、かつ駆動寿命を非常に長くすることができる。

なお、極大値を有する劣化曲線の微分を取ると、その値が０となる部分が存在する。従って、劣化曲線の微分に０となる部分が存在する発光デバイスを、本発明の一態様の発光デバイスと言い換えることができる。

本発明の一態様の発光デバイスにおいて、電子輸送層１２４は、厚さ方向において、第３の化合物と金属を含む物質との混合比（濃度）が異なる部分を有することが好ましい。具体的には、電子輸送性材料と、金属、金属塩、金属酸化物、または有機金属塩と、の混合比（濃度）が異なる部分を有することが好ましい。

電子輸送層１２４における、金属を含む物質の濃度は、飛行時間型二次イオン質量分析（ＴｏＦ−ＳＩＭＳ：Ｔｉｍｅ−ｏｆ−ｆｌｉｇｈｔ　ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　ｉｏｎ　ｍａｓｓ　ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で得られる原子や分子の検出量により推察できる。同じ二種類の材料で構成され、混合比が互いに異なる部分において、ＴｏＦ−ＳＩＭＳ分析によってそれぞれ検出された値の大小は、注目する原子や分子の存在量の大小に相当する。そのため、電子輸送性材料及び有機金属錯体の検出量を比較することによって、混合比の大小の見当をつけることができる。

本発明の一態様の発光デバイスにおいて、電子輸送層１２４における金属を含む物質の含有量は、第１の電極１０１側に比べて、第２の電極１０２側の方が少ないことが好ましい。つまり、金属を含む物質の濃度が、第２の電極１０２側から第１の電極１０１側に向かって上昇するように、電子輸送層１２４が形成されることが好ましい。すなわち、電子輸送層１２４は、第３の化合物の濃度が高い部分よりも発光層１２３側に第３の化合物の濃度が低い部分を有する。換言すると、電子輸送層１２４は、金属を含む物質の濃度が低い部分よりも発光層１２３側に金属を含む物質の濃度が高い部分を有する。

電子輸送層１２４において、第３の化合物の濃度が高い部分（金属を含む物質の濃度が低い部分）の電子移動度は、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００において１×１０^−７ｃｍ^２／Ｖｓ以上５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以下であることが好ましい。

例えば、電子輸送層１２４における金属を含む物質の含有量（濃度）は、図３Ａ~図３Ｄに示す構成とすることができる。なお、図３Ａ、図３Ｂは、電子輸送層１２４内に金属を含む物質の含有量（濃度）の明確な境界がない場合を表し、図３Ｃ、図３Ｄは、電子輸送層１２４内に明確な境界がある場合を表している。

電子輸送層１２４内に明確な境界が無い場合、第３の化合物と金属を含む物質との濃度は、それぞれ、連続的に変化する。図３Ａ、図３Ｂに、金属を含む物質の濃度が連続的に変化する例を示す。また、電子輸送層１２４内に明確な境界がある場合、第３の化合物と金属を含む物質との濃度は、それぞれ、階段状に変化する。図３Ｃ、図３Ｄに、金属を含む物質の濃度が階段状に変化する例を示す。なお、第３の化合物と金属を含む物質との濃度が階段状に変化する場合、電子輸送層１２４は、複数の層により構成されていると示唆される。例えば、図３Ｃは、電子輸送層１２４が２層の積層構造である場合を表し、図３Ｄは、電子輸送層１２４が３層の積層構造である場合を表す。なお、図３Ｃ、図３Ｄにおいて、破線は、複数の層の境界の領域を表す。

本発明の一態様の発光デバイスにおけるキャリアバランスの変化は、電子輸送層１２４の電子移動度の変化によってもたらされると考えられる。

本発明の一態様の発光デバイスは、電子輸送層１２４内部に、金属を含む物質の濃度差が存在する。電子輸送層１２４は、当該金属を含む物質の濃度が低い領域と発光層１２３との間に、当該金属を含む物質の濃度が高い領域を有する。すなわち、金属を含む物質の濃度が低い領域が高い領域よりも第２の電極１０２側に位置する構成を有する。

以上のような構成を有する本発明の一態様の発光デバイスは、寿命が非常に長い。特に、初期輝度を１００％とした場合、輝度が９５％になるまでの時間（ＬＴ９５ともいう）を極めて長くすることができる。

電子輸送層１２４の電子移動度は、金属を含む物質の濃度によって変化する。例えば、金属を含む物質の濃度が高いほど、電子輸送層１２４の電子移動度が高くなる。電子輸送層１２４に、金属を含む物質の濃度が互いに異なる２つ以上の領域が存在する場合、金属を含む物質の濃度が薄い領域の電子移動度は、他の領域の電子移動度より低くなる。そして、電子輸送層１２４の電子移動度は、金属を含む物質の濃度が薄い領域によって律速される。

発光デバイスに電圧を印加し駆動すると、金属を含む物質が、陽極側から陰極側に拡散することがある。例えば、金属を含む物質の濃度が高い領域から、当該濃度が低い領域に、金属を含む物質が拡散することで、電子輸送層の電子移動度を向上させることができる。つまり、本発明の一態様の発光デバイスは、駆動に伴って、電子輸送層の電子移動度が向上する。これにより、発光デバイス内のキャリアバランスが変化し、再結合領域が移動する。電子輸送層１２４での再結合が生じにくくなることで、再結合したキャリアのエネルギーを有効に発光に寄与させることができる。そのため、駆動初期と比較して輝度が上昇しうる。この輝度上昇が発光デバイスの駆動初期に現れる急激な輝度低下、いわゆる初期劣化を相殺することで、初期劣化が小さく、また駆動寿命の長い発光デバイスを提供できる。

以上のように、本実施の形態の発光デバイスは、発光層に正孔が注入されやすく、かつ、電子が注入されにくい構成である。したがって、初期劣化が抑制され、駆動寿命が非常に長い、近赤外光を発する発光デバイスを提供することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光デバイスに用いることができる有機金属錯体について説明する。

［有機金属錯体の構造］
本実施の形態の有機金属錯体は、中心金属であるイリジウムに、ベンゾキノキサリン骨格またはナフトキノキサリン骨格を有する配位子が配位した構造を有する。具体的には、一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体である。特に、一般式（Ｇ２）で表される有機金属錯体が好ましい。

一般式（Ｇ１）中、Ｒ^１~Ｒ^１１は、それぞれ独立に、水素または炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｒ^１~Ｒ^４のうち少なくとも２つは、炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｒ^５~Ｒ^９のうち少なくとも２つは、炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｘは、置換または無置換のベンゼン環またはナフタレン環を表し、ｎは２または３であり、Ｌはモノアニオン性の配位子を表す。

一般式（Ｇ２）中、Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^６、及びＲ^８は、それぞれ独立に、炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｒ^１０及びＲ^１１は、それぞれ独立に、水素または炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｘは、置換または無置換のベンゼン環またはナフタレン環を表し、ｎは２または３であり、Ｌはモノアニオン性の配位子を表す。

一般式（Ｇ１）及び一般式（Ｇ２）において、Ｘが置換または無置換のベンゼン環またはナフタレン環である、つまり、キノキサリンにベンゼン環またはナフタレン環を縮環させることで、π共役系を伸長させ、ＬＵＭＯ準位を深くし、エネルギー的に安定にさせることができるため、発光波長を長波長化させることができる。したがって、近赤外光を発する有機金属錯体を得ることができる。

Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^６、及びＲ^８が、炭素数１以上６以下のアルキル基であることで、Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^６、及びＲ^８が水素である場合に比べて、有機金属錯体の昇華性が高まり、昇華温度を低くできるため、好ましい。特に、Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^６、及びＲ^８は、それぞれ、メチル基であることが好ましい。したがって、Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^６、及びＲ^８のいずれもがメチル基であることが好ましい。

本実施の形態の有機金属錯体は、Ｘが置換または無置換のベンゼン環またはナフタレン環であり、Ｘが縮合環でない場合に比べて、有機金属錯体の昇華性が低くなりやすい。しかし、Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^６、及びＲ^８が、炭素数１以上６以下のアルキル基であるため、有機金属錯体の昇華性を高めることができる。したがって、昇華性が良好であり、近赤外光を発する有機金属錯体を得ることができる。

Ｒ^１及びＲ^３が、炭素数１以上６以下のアルキル基であることで、イリジウムと結合しているベンゼン環の二面角を大きくすることができる。これにより、有機金属錯体の発光スペクトルの第２ピークの減少が理論的に可能となり、半値幅を狭くすることができる。これにより、所望の波長の光を効率よく得ることができる。

一般式（Ｇ１）及び一般式（Ｇ２）において、炭素数１以上６以下のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、２−エチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基等が挙げられる。

一般式（Ｇ１）及び一般式（Ｇ２）において、ベンゼン環またはナフタレン環が置換基を有する場合、当該置換基としては、炭素数１以上６以下のアルキル基が挙げられる。炭素数１以上６以下のアルキル基としては、上述の記載を援用できる。

モノアニオン性の配位子としては、β−ジケトン構造を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、カルボキシル基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、フェノール性水酸基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、二つの配位元素がいずれも窒素であるモノアニオン性の二座キレート配位子、シクロメタル化によりイリジウムと金属−炭素結合を形成する二座配位子等が挙げられる。

モノアニオン性の配位子は、一般式（Ｌ１）~（Ｌ７）のいずれか一であることが好ましい。特に、一般式（Ｌ１）に示す配位子を用いると、昇華性が高くなり、好ましい。また、一般式（Ｌｌ）に示す配位子の一例である構造式（Ｌ８）に示す配位子（ジピバロイルメタン）とベンゾキノキサリン骨格またはナフトキノキサリン骨格を有する配位子とは好適な組み合わせであり、本実施の形態の有機金属錯体の昇華性が高まり、昇華温度を低くできるため、好ましい。

一般式（Ｌ１）~（Ｌ７）中、Ｒ^５１~Ｒ^８９は、それぞれ独立に、水素または置換もしくは無置換の炭素数１~６のアルキル基、ハロゲノ基、ビニル基、置換もしくは無置換の炭素数１~６のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１~６のアルコキシ基、または置換もしくは無置換の炭素数１~６のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数６~１３のアリール基を表し、Ａ^１~Ａ^１３は、それぞれ独立に、窒素、水素と結合するｓｐ^２混成炭素、または置換基を有するｓｐ^２混成炭素を表し、当該置換基は、炭素数１~６のアルキル基、ハロゲノ基、炭素数１~６のハロアルキル基、またはフェニル基のいずれかを表す。

本実施の形態の有機金属錯体が発する光の最大ピーク波長（つまり、ピーク強度が最も高い波長）は、７６０ｎｍ以上９００ｎｍ以下であることが好ましい。当該波長は、特に、７８０ｎｍ以上であることが好ましい。また、当該波長は、８８０ｎｍ以下であることが好ましい。

本実施の形態の有機金属錯体の具体例としては、構造式（１００）~構造式（１１１）に示される有機金属錯体を挙げることができる。ただし、本発明はこれらに限定されない。

［有機金属錯体の合成方法］
本実施の形態の有機金属錯体の合成方法としては種々の反応を適用することができる。一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体の合成方法を以下に例示する。

まず、一般式（Ｇ０）で表される有機化合物の合成方法例について説明し、その後、当該一般式（Ｇ０）で表される有機化合物を用いて、一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体を合成する方法について説明する。なお、以下では、一般式（Ｇ１）におけるｎが２である場合（一般式（Ｇ１−１）で表される有機金属錯体）と、一般式（Ｇ１）におけるｎが３である場合（一般式（Ｇ１−２）で表される有機金属錯体）と、に分けて説明する。なお、本実施の形態の有機金属錯体の合成方法は、以下の合成方法に限定されない。

≪一般式（Ｇ０）で表される有機化合物の合成方法例≫
一般式（Ｇ０）で表される有機化合物は、キノキサリン誘導体の一種である。一般式（Ｇ０）で表される有機化合物は、例えば、以下に示す３種類の合成スキーム（Ａ−１）、（Ａ−１’）、（Ａ−１’’）のいずれか一を用いて合成することができる。

一般式（Ｇ０）、及び、後述する合成スキーム（Ａ−１）、（Ａ−１’）、（Ａ−１’’）において、Ｒ^１~Ｒ^１１は、それぞれ独立に、水素または炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｒ^１~Ｒ^４のうち少なくとも２つは、炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｒ^５~Ｒ^９のうち少なくとも２つは、炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｘは、置換または無置換のベンゼン環またはナフタレン環を表す。

例えば、一般式（Ｇ０）で表される有機化合物は、合成スキーム（Ａ−１）に示すように、ハロゲン化ベンゼン誘導体（Ａ１）をアルキルリチウム等でリチオ化し、キノキサリン誘導体（Ａ２）と反応させることにより得ることができる。なお、合成スキーム（Ａ−１）において、Ｚ^１はハロゲンを表す。

また、一般式（Ｇ０）で表される有機化合物は、合成スキーム（Ａ−１’）に示すように、ベンゼン誘導体のボロン酸（Ａ１’）とキノキサリンのハロゲン化物（Ａ２’）とをカップリングすることにより得ることができる。なお、合成スキーム（Ａ−１’）において、Ｚ^２はハロゲンを表す。

また、一般式（Ｇ０）で表される有機化合物は、合成スキーム（Ａ−１’’）に示すように、ベンゼン誘導体置換のジケトン（Ａ１’’）とジアミン（Ａ２’’）を反応させることにより得ることができる。

一般式（Ｇ０）で表される有機化合物の合成法は、上述した３種類の合成法に限られず、他の合成法を用いてもよい。

上述の化合物（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ１’）、（Ａ２’）、（Ａ１’’）、（Ａ２’’）は、それぞれ、様々な種類が市販されているか、あるいは合成可能であるため、一般式（Ｇ０）で表される有機化合物は数多くの種類を合成することができる。したがって、本実施の形態の有機金属錯体は、その配位子のバリエーションが豊富であるという特徴がある。

≪一般式（Ｇ１−１）で表される有機金属錯体の合成方法≫
次に、一般式（Ｇ１−１）で表される有機金属錯体の合成方法例について、説明する。一般式（Ｇ１−１）で表される有機金属錯体は、一般式（Ｇ１）におけるｎが２である場合に相当する。

一般式（Ｇ１−１）及び、後述する合成スキーム（Ａ−２）、（Ａ−３）において、Ｒ^１~Ｒ^１１は、それぞれ独立に、水素または炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｒ^１~Ｒ^４のうち少なくとも２つは、炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｒ^５~Ｒ^９のうち少なくとも２つは、炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｘは、置換または無置換のベンゼン環またはナフタレン環を表し、Ｌはモノアニオン性の配位子を表す。

まず、合成スキーム（Ａ−２）に示すように、一般式（Ｇ０）で表される有機化合物と、ハロゲンを含むイリジウム化合物（塩化イリジウム、臭化イリジウム、ヨウ化イリジウムなど）と、を、無溶媒で、またはアルコール系溶媒（グリセロール、エチレングリコール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノールなど）単独、または、１種類以上のアルコール系溶媒と水との混合溶媒を用いて、不活性ガス雰囲気にて加熱することにより、一般式（Ｂ）で表される複核錯体を得ることができる。加熱手段として特に限定はなく、オイルバス、サンドバス、またはアルミブロックを用いてもよい。また、マイクロ波を加熱手段として用いることも可能である。

一般式（Ｂ）で表される複核錯体は、ハロゲンで架橋された構造を有する有機金属錯体の一種である。

さらに、合成スキーム（Ａ−３）に示すように、一般式（Ｂ）で表される複核錯体と、モノアニオン性の配位子の原料ＨＬとを、不活性ガス雰囲気にて反応させることにより、ＨＬのプロトンが脱離してＬが中心金属（Ｉｒ）に配位し、一般式（Ｇ１−１）で表される有機金属錯体を得ることができる。加熱手段として特に限定はなく、オイルバス、サンドバス、またはアルミブロックを用いてもよい。また、マイクロ波を加熱手段として用いることも可能である。

なお、合成スキーム（Ａ−２）、（Ａ−３）において、Ｚはハロゲンを表す。

≪一般式（Ｇ１−２）で表される有機金属錯体の合成方法≫
次に、一般式（Ｇ１−２）で表される有機金属錯体の合成方法例について、説明する。一般式（Ｇ１−２）で表される有機金属錯体は、一般式（Ｇ１）におけるｎが３である場合に相当する。

一般式（Ｇ１−２）及び後述する合成スキーム（Ａ−４）において、Ｒ^１~Ｒ^１１は、それぞれ独立に、水素または炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｒ^１~Ｒ^４のうち少なくとも２つは、炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｒ^５~Ｒ^９のうち少なくとも２つは、炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｘは、置換または無置換のベンゼン環またはナフタレン環を表す。

一般式（Ｇ１−２）で表される有機金属錯体は、合成スキーム（Ａ−４）に示すように、ハロゲンを含むイリジウム化合物（塩化イリジウム水和物、臭化イリジウム、ヨウ化イリジウム、酢酸イリジウム、ヘキサクロロイリジウム酸アンモニウム等）または有機イリジウム錯体（アセチルアセトナト錯体、ジエチルスルフィド錯体、ジ−μ−クロロ架橋二核錯体、ジ−μ−ヒドロキソ架橋二核錯体等）と、一般式（Ｇ０）で表される有機化合物と、を混合し、無溶媒で、またはアルコール系溶媒（グリセロール、エチレングリコール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール等）に溶解させた後、加熱することにより得ることができる。

以上、本実施の形態の有機金属錯体の合成方法について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、他の合成方法によって合成してもよい。

以上のように、本実施の形態の有機金属錯体は、近赤外光を発し、昇華性が高いため、近赤外光を発する発光材料や発光デバイス用材料として好適である。本実施の形態の有機金属錯体を用いることで、近赤外光を発する発光デバイスの発光効率を高めることができる。また、本実施の形態の有機金属錯体を用いることで、近赤外光を発する発光デバイスの信頼性を高めることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図４及び図５を用いて説明する。

本実施の形態の発光装置は、実施の形態１に示す発光デバイスを有する。したがって、発光装置の信頼性を高めることができる。

［発光装置の構成例１］
図４Ａに発光装置の上面図を示し、図４Ｂ、図４Ｃに、図４Ａの一点鎖線Ｘ１−Ｙ１間及びＸ２−Ｙ２間の断面図を示す。図４Ａ~図４Ｃに示す発光装置は、例えば、照明装置に用いることができる。発光装置は、ボトムエミッション、トップエミッション、デュアルエミッションのいずれであってもよい。

図４Ｂに示す発光装置は、基板４９０ａ、基板４９０ｂ、導電層４０６、導電層４１６、絶縁層４０５、有機ＥＬデバイス４５０（第１の電極４０１、ＥＬ層４０２、及び第２の電極４０３）、及び接着層４０７を有する。有機ＥＬデバイス４５０には、実施の形態１に示す発光デバイスを用いることができる。

有機ＥＬデバイス４５０は、基板４９０ａ上の第１の電極４０１と、第１の電極４０１上のＥＬ層４０２と、ＥＬ層４０２上の第２の電極４０３とを有する。基板４９０ａ、接着層４０７、及び基板４９０ｂによって、有機ＥＬデバイス４５０は封止されている。

第１の電極４０１、導電層４０６、導電層４１６の端部は絶縁層４０５で覆われている。導電層４０６は第１の電極４０１と電気的に接続し、導電層４１６は第２の電極４０３と電気的に接続する。第１の電極４０１を介して絶縁層４０５に覆われた導電層４０６は、補助配線として機能し、第１の電極４０１と電気的に接続する。有機ＥＬデバイス４５０の電極と電気的に接続する補助配線を有すると、電極の抵抗に起因する電圧降下を抑制できるため、好ましい。導電層４０６は、第１の電極４０１上に設けられていてもよい。また、絶縁層４０５上等に、第２の電極４０３と電気的に接続する補助配線を有していてもよい。

基板４９０ａ及び基板４９０ｂには、それぞれ、ガラス、石英、セラミック、サファイア、有機樹脂などを用いることができる。基板４９０ａ及び基板４９０ｂに可撓性を有する材料を用いると、発光装置の可撓性を高めることができる。

発光装置の発光面には、光取り出し効率を高めるための光取り出し構造、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等を配置してもよい。

絶縁層４０５に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。

接着層４０７としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

図４Ｃに示す発光装置は、バリア層４９０ｃ、導電層４０６、導電層４１６、絶縁層４０５、有機ＥＬデバイス４５０、接着層４０７、バリア層４２３、及び基板４９０ｂを有する。

図４Ｃに示すバリア層４９０ｃは、基板４２０、接着層４２２、及びバリア性の高い絶縁層４２４を有する。

図４Ｃに示す発光装置では、バリア性の高い絶縁層４２４とバリア層４２３との間に、有機ＥＬデバイス４５０が配置されている。したがって、基板４２０及び基板４９０ｂに比較的防水性の低い樹脂フィルムなどを用いても、有機ＥＬデバイスに水などの不純物が入り込み寿命が低減することを、抑制することができる。

基板４２０及び基板４９０ｂには、それぞれ、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板４２０及び基板４９０ｂには、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

バリア性の高い絶縁層４２４としては、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

バリア層４２３には、少なくとも１層の無機膜を有することが好ましい。例えば、バリア層４２３には、無機膜の単層構造や、無機膜と有機膜との積層構造を適用することができる。無機膜としては、上記無機絶縁膜が好適である。当該積層構造としては、例えば、酸化窒化シリコン膜と、酸化シリコン膜と、有機膜と、酸化シリコン膜と、窒化シリコン膜と、を順に形成する構成などが挙げられる。バリア層を無機膜と有機膜との積層構造とすることで、有機ＥＬデバイス４５０に入り込みうる不純物（代表的には、水素、水など）を好適に抑制することができる。

バリア性の高い絶縁層４２４及び有機ＥＬデバイス４５０は、可撓性を有する基板４２０上に直接形成することができる。この場合、接着層４２２は不要である。また、絶縁層４２４及び有機ＥＬデバイス４５０は、硬質基板上に剥離層を介して形成した後、基板４２０に転置することができる。例えば、剥離層に、熱、力、レーザ光などを与えることにより、硬質基板から絶縁層４２４及び有機ＥＬデバイス４５０を剥離した後、接着層４２２を用いて基板４２０を貼り合わせることで、基板４２０に転置してもよい。剥離層としては、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜とを含む無機膜の積層構造や、ポリイミド等の有機樹脂膜等を用いることができる。硬質基板を用いる場合、樹脂基板などに比べて、高温をかけて絶縁層４２４を形成することができるため、絶縁層４２４を緻密で極めてバリア性の高い絶縁膜とすることができる。

［発光装置の構成例２］
本発明の一態様の発光装置は、パッシブマトリクス型またはアクティブマトリクス型とすることができる。アクティブマトリクス型の発光装置について図５を用いて説明する。

図５Ａに発光装置の上面図を示す。図５Ｂは、図５Ａに示す一点鎖線Ａ−Ａ’間の断面図である。

図５Ａ、図５Ｂに示すアクティブマトリクス型の発光装置は、画素部３０２、回路部３０３、回路部３０４ａ、及び回路部３０４ｂを有する。

回路部３０３、回路部３０４ａ、及び回路部３０４ｂは、それぞれ、走査線駆動回路（ゲートドライバ）または信号線駆動回路（ソースドライバ）として機能することができる。または、外付けのゲートドライバまたはソースドライバと、画素部３０２と、を電気的に接続する回路であってもよい。

第１の基板３０１上には、引き回し配線３０７が設けられる。引き回し配線３０７は、外部入力端子であるＦＰＣ３０８と電気的に接続される。ＦＰＣ３０８は、回路部３０３、回路部３０４ａ、及び回路部３０４ｂに外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等）や電位を伝達する。また、ＦＰＣ３０８にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていてもよい。図５Ａ、図５Ｂに示す構成は、発光デバイス（または発光装置）及びＦＰＣを有する発光モジュールということもできる。

画素部３０２は、有機ＥＬデバイス３１７、トランジスタ３１１、及びトランジスタ３１２を有する画素を、複数有する。有機ＥＬデバイス３１７には、実施の形態１に示す発光デバイスを用いることができる。トランジスタ３１２は、有機ＥＬデバイス３１７が有する第１の電極３１３と電気的に接続されている。トランジスタ３１１は、スイッチング用トランジスタとして機能する。トランジスタ３１２は、電流制御用トランジスタとして機能する。なお、各画素が有するトランジスタの数は、特に限定されることはなく、必要に応じて適宜設けることができる。

回路部３０３は、トランジスタ３０９、トランジスタ３１０等を含む、複数のトランジスタを有する。回路部３０３は、単極性（Ｎ型またはＰ型のいずれか一方のみ）のトランジスタを含む回路で形成されてもよいし、Ｎ型のトランジスタとＰ型のトランジスタを含むＣＭＯＳ回路で形成されてもよい。また、外部に駆動回路を有する構成としてもよい。

本実施の形態の発光装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。または、トランジスタの半導体層は、シリコンを有していてもよい。シリコンとしては、アモルファスシリコン、結晶性のシリコン（低温ポリシリコン、単結晶シリコンなど）などが挙げられる。

半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットは、Ｉｎの原子数比がＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５等が挙げられる。

回路部３０３、回路部３０４ａ、回路部３０４ｂが有するトランジスタと、画素部３０２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路部３０３、回路部３０４ａ、回路部３０４ｂが有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、画素部３０２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

第１の電極３１３の端部は、絶縁層３１４により覆われている。なお、絶縁層３１４には、ネガ型の感光性樹脂、ポジ型の感光性樹脂（アクリル樹脂）などの有機化合物や、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。絶縁層３１４の上端部または下端部には、曲率を有する曲面を有するのが好ましい。これにより、絶縁層３１４の上層に形成される膜の被覆性を良好なものとすることができる。

第１の電極３１３上にはＥＬ層３１５が設けられ、ＥＬ層３１５上には第２の電極３１６が設けられる。ＥＬ層３１５は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層等を有する。

複数のトランジスタ及び複数の有機ＥＬデバイス３１７は、第１の基板３０１、第２の基板３０６、及びシール材３０５によって、封止されている。第１の基板３０１、第２の基板３０６、及びシール材３０５で囲まれた空間３１８は、不活性気体（窒素やアルゴン等）や有機物（シール材３０５を含む）で充填されていてもよい。

シール材３０５には、エポキシ樹脂やガラスフリットを用いることができる。なお、シール材３０５には、できるだけ水分や酸素を透過しない材料を用いることが好ましい。シール材としてガラスフリットを用いる場合には、接着性の観点から第１の基板３０１及び第２の基板３０６はガラス基板であることが好ましい。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光デバイスを用いることができる電子機器について図６を用いて説明する。

本実施の形態の電子機器は、実施の形態１に示す発光デバイスを有する。したがって、電子機器の信頼性を高めることができる。

図６Ａは指の静脈を対象とした生体認証機器であり、筐体９１１、光源９１２、検知ステージ９１３等を有する。検知ステージ９１３に指を載せることにより静脈の形状を撮像することができる。検知ステージ９１３の上部には近赤外光を発する光源９１２が設置され、下部には撮像装置９１４が設置される。検知ステージ９１３は近赤外光を透過する材料で構成されており、光源９１２から照射され、指を透過した近赤外光を撮像装置９１４で撮像することができる。なお、検知ステージ９１３と撮像装置９１４の間に光学系が設けられていてもよい。上記機器の構成は、手のひらの静脈を対象とした生体認証機器に利用することもできる。

本発明の一態様の発光デバイスを、光源９１２に用いることができる。本発明の一態様の発光デバイスは、湾曲した形状に設置することができ、対象物に対して均一性よく光を照射することができる。特に波長７６０ｎｍ以上９００ｎｍ以下に最も強いピーク強度を有する近赤外光を発する発光デバイスであることが好ましい。指や手のひらなどを透過した光を受光して画像化することで静脈の位置を検出することができる。当該作用は生体認証として利用することができる。また、グローバルシャッタ方式と組み合わせることで、被写体に動きがあっても精度の高いセンシングが可能となる。

また、光源９１２は、図６Ｂに示す発光部９１５、９１６、９１７のように、複数の発光部を有することができる。発光部９１５、９１６、９１７のそれぞれは、発光する波長が異なっていてもよい、また、それぞれは、別のタイミングで光を照射することもできる。したがって、照射する光の波長や角度を変えることにより異なる画像を連続して撮像することができるため、複数の画像を認証に利用し、高いセキュリティを実現することができる。

図６Ｃは手のひらの静脈を対象とした生体認証機器であり、筐体９２１、操作ボタン９２２、検知部９２３、近赤外光を発する光源９２４等を有する。検知部９２３上に手をかざすことにより手のひらの静脈の形状を認識することができる。また、操作ボタンにより暗証番号などを入力することもできる。検知部９２３の周囲には光源９２４が配置され対象物（手）を照射する。そして、対象物からの反射光が検知部９２３に入射される。本発明の一態様の発光デバイスを、光源９２４に用いることができる。検知部９２３直下には撮像装置９２５が配置され、対象物の像（手の全体像）を取り込むことができる。なお、検知部９２３と撮像装置９２５の間に光学系が設けられていてもよい。上記機器の構成は、指の静脈を対象とした生体認証機器に利用することもできる。

図６Ｄは非破壊検査機器であり、筐体９３１、操作パネル９３２、搬送機構９３３、モニタ９３４、検知ユニット９３５、近赤外光を発する光源９３８等を有する。本発明の一態様の発光デバイスを、光源９３８に用いることができる。被検査部材９３６は搬送機構９３３で検知ユニット９３５の直下に運搬される。被検査部材９３６には光源９３８から近赤外光が照射され、その透過光を検知ユニット９３５内に設けられた撮像装置９３７で撮像する。撮像された画像は、モニタ９３４に映し出される。その後、筐体９３１の出口まで運搬され、不良品が分別されて回収される。近赤外光を用いた撮像により、非検査部材内部の欠陥や異物などの不良要素を非破壊で高速に検出することができる。

図６Ｅは携帯電話機であり、筐体９８１、表示部９８２、操作ボタン９８３、外部接続ポート９８４、スピーカ９８５、マイク９８６、第１のカメラ９８７、第２のカメラ９８８等を有する。当該携帯電話機は、表示部９８２にタッチセンサを備える。筐体９８１及び表示部９８２は可撓性を有する。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部９８２に触れることで行うことができる。第１のカメラ９８７では可視光画像を取得することができ、第２のカメラ９８８では赤外光画像（近赤外光画像）を取得することができる。図６Ｅに示す携帯電話機または表示部９８２は、本発明の一態様の発光デバイスを有していてもよい。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

本実施例では、本発明の一態様の発光デバイスを作製し、評価した結果について説明する。

本実施例で用いるデバイス１の構造を図７に示し、具体的な構成について表１に示す。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。

≪デバイス１の作製≫
本実施例で示すデバイス１は、図７に示すように基板８００上に第１の電極８０１が形成され、第１の電極８０１上に正孔注入層８１１、正孔輸送層８１２ａ、正孔輸送層８１２ｂ、発光層８１３、電子輸送層８１４ａ、電子輸送層８１４ｂ、及び電子注入層８１５が順次積層され、電子注入層８１５上に第２の電極８０３が積層された構造を有する。

まず、基板８００上に第１の電極８０１を形成した。電極面積は、４ｍｍ^２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。基板８００には、ガラス基板を用いた。第１の電極８０１は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により、１１０ｎｍの膜厚で成膜して形成した。なお、本実施例において、第１の電極８０１は、陽極として機能する。

ここで、前処理として、基板の表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度放冷した。

次に、第１の電極８０１上に正孔注入層８１１を形成した。正孔注入層８１１は、真空蒸着装置内を１０^−４Ｐａに減圧した後、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）−６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）とＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑ（分析工房株式会社、シリアル番号：１Ｓ２０１８０３１４）とを、重量比が１：０．１（＝ＢＢＡＢｎｆ：ＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑ）、膜厚が１０ｎｍとなるように共蒸着して形成した。ＡＬＤ−ＭＰ００１Ｑは、ＢＢＡＢｎｆに対して電子受容性を有する。

次に、正孔注入層８１１上に正孔輸送層８１２ａを形成した。正孔輸送層８１２ａは、ＢＢＡＢｎｆを用い、膜厚が１１５ｎｍになるように蒸着して形成した。

次に、正孔輸送層８１２ａ上に正孔輸送層８１２ｂを形成した。正孔輸送層８１２ｂは、３，３’−（ナフタレン−１，４−ジイル）ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣｚＮ２）を用い、膜厚が２０ｎｍになるように蒸着して形成した。

次に、正孔輸送層８１２ｂ上に発光層８１３を形成した。発光層８１３は、９−［（３’−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、及び、発光物質（燐光材料）である、ビス｛４，６−ジメチル−２−［３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ベンゾ［ｇ］キノキサリニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｂｑ）_２（ｄｐｍ）］）を用い、重量比が９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ：ＰＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｂｑ）_２（ｄｐｍ）］＝０．４：０．６：０．１となるように共蒸着した。なお、膜厚は４０ｎｍとした。

次に、発光層８１３上に電子輸送層８１４ａを形成した。電子輸送層８１４ａは、２−｛４−［９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）−２−アントリル］フェニル｝−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ＺＡＤＮ）と８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）（ケミプロ化成、シリアル番号：１８１２０１）とを、重量比が０．８：１．２（＝ＺＡＤＮ：Ｌｉｑ）、膜厚が１７．５ｎｍとなるように蒸着して形成した。

次に、電子輸送層８１４ａ上に電子輸送層８１４ｂを形成した。電子輸送層８１４ｂは、ＺＡＤＮとＬｉｑとを、重量比が１．２：０．８（＝ＺＡＤＮ：Ｌｉｑ）、膜厚が１７．５ｎｍとなるように蒸着して形成した。

次に、電子輸送層８１４ｂ上に電子注入層８１５を形成した。電子注入層８１５は、Ｌｉｑを用い、膜厚が１ｎｍになるように蒸着して形成した。

次に、電子注入層８１５上に第２の電極８０３を形成した。第２の電極８０３は、アルミニウムを蒸着法により、膜厚が２００ｎｍとなるように形成した。なお、本実施例において、第２の電極８０３は、陰極として機能する。

以上の工程により、基板８００上に一対の電極間にＥＬ層８０２を挟んでなる発光デバイスを形成した。なお、上記工程で説明した正孔注入層８１１、正孔輸送層８１２ａ、正孔輸送層８１２ｂ、発光層８１３、電子輸送層８１４ａ、電子輸送層８１４ｂ、電子注入層８１５は、本発明の一態様におけるＥＬ層を構成する機能層である。また、上述した作製方法における蒸着工程では、全て抵抗加熱法による蒸着法を用いた。

また、上記に示すように作製した発光デバイスは、別の基板（図示せず）により封止される。なお、別の基板（図示せず）を用いた封止の際は、窒素雰囲気のグローブボックス内において、紫外光により固化する接着剤を塗布した別の基板（図示せず）を基板８００上に固定し、基板８００上に形成された発光デバイスの周囲に接着剤が付着するよう基板同士を接着させた。封止時には３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ^２照射し接着剤を固化し、８０℃にて１時間熱処理することにより接着剤を安定化させた。

≪デバイス１の動作特性≫
デバイス１の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で、近赤外分光放射計（ＳＲ−ＮＩＲ、トプコン社製）を用いて行った。

図８に、デバイス１の電流密度−放射発散度特性を示す。図９に、デバイス１の電圧−電流密度特性を示す。図１０に、デバイス１の電流密度−放射束特性を示す。図１１に、デバイス１の電圧−放射発散度特性を示す。図１２に、デバイス１の電流密度−外部量子効率特性を示す。なお、放射発散度、放射束、及び外部量子効率は、デバイスの配光特性がランバーシアン型と仮定して、放射輝度を用いて算出した。

表２に電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２付近におけるデバイス１の主な初期特性値を示す。

図８~図１２及び表２に示すように、デバイス１は、良好な特性を示すことがわかった。

また、デバイス１に１０ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを、図１３に示す。図１３に示すように、デバイス１は、発光層８１３に含まれる［Ｉｒ（ｄｍｄｐｂｑ）_２（ｄｐｍ）］の発光に由来して、７９８ｎｍ付近に最大ピークを有する発光スペクトルを示した。

≪デバイス１の信頼性試験≫
次に、デバイス１に対する信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図１４Ａ、図１４Ｂに示す。図１４Ａにおいて、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸は駆動時間（ｈ）を示す。図１４Ｂにおいて、縦軸は初期電圧を０とした時の規格化電圧（Ｖ）を示し、横軸は駆動時間（ｈ）を示す。なお、信頼性試験は、電流密度を７５ｍＡ／ｃｍ^２に設定し、デバイス１を駆動させた。

図１４Ａに示すように、デバイス１は、輝度の初期劣化が小さく、また輝度の長期的な変化が小さく、高い信頼性を示すことがわかった。

なお、デバイス１の劣化曲線は、その初期において輝度の上昇が起こっており、極大値を有していることがわかる。このような劣化の挙動をしていることにより、デバイス１は初期劣化が抑制された、非常に寿命の長い発光デバイスとなっている。

図１４Ｂに示すように、デバイス１は、電圧の長期的な変化が小さく、電圧上昇しにくいことがわかった。

＜参考例１＞
本参考例では、本発明の一態様の発光デバイスにおける、有機化合物のＨＯＭＯ準位、ＬＵＭＯ準位、及び電子移動度の算出方法について説明する。

ＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位はサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定を元に算出することができる。

本参考例では、測定装置として、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａまたは６００Ｃ）を用いた。ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（（株）アルドリッチ製、９９．８％、カタログ番号；２２７０５−６）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ_４ＮＣｌＯ_４）（（株）東京化成製、カタログ番号；Ｔ０８３６）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を２ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、参照電極としてはＡｇ／Ａｇ＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ７非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。測定は、室温（２０~２５℃）で行った。ＣＶ測定時のスキャン速度は、０．１Ｖ／ｓｅｃに統一し、参照電極に対する酸化電位Ｅａ［Ｖ］及び還元電位Ｅｃ［Ｖ］を測定した。Ｅａは酸化−還元波の中間電位とし、Ｅｃは還元−酸化波の中間電位とした。ここで、本参考例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、−４．９４ｅＶであることが分かっているため、ＨＯＭＯ準位［ｅＶ］＝−４．９４−Ｅａ、ＬＵＭＯ準位［ｅＶ］＝−４．９４−Ｅｃという式から、ＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位をそれぞれ求めることができる。

電子移動度はインピーダンス分光法（Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＩＳ法）により測定することが可能である。

ＥＬ材料のキャリア移動度の測定は、過渡光電流法（Ｔｉｍｅ−ｏｆ−ｆｌｉｇｈｔ：ＴＯＦ法）や空間電荷制限電流（Ｓｐａｃｅ−ｃｈａｒｇｅ−ｌｉｍｉｔｅｄ　ｃｕｒｒｅｎｔ：ＳＣＬＣ）のＩ−Ｖ特性から求める方法（ＳＣＬＣ法）などが古くから知られている。ＴＯＦ法は実際の有機ＥＬデバイスと比較してかなり厚い膜厚の試料が必要となる。ＳＣＬＣ法ではキャリア移動度の電界強度依存性が得られないなどの欠点がある。ＩＳ法では、測定に必要とする有機膜の膜厚が数百ｎｍ程度と薄いため、比較的少量のＥＬ材料でも成膜することが可能であり、実際の有機ＥＬデバイスに近い膜厚で移動度を測定できることが特徴であり、キャリア移動度の電界強度依存性も得ることができる。

ＩＳ法では、ＥＬデバイスに微小正弦波電圧信号（Ｖ＝Ｖ_０［ｅｘｐ（ｊωｔ）］）を与え、その応答電流信号（Ｉ＝Ｉ_０ｅｘｐ［ｊ（ωｔ＋φ）］）の電流振幅と入力信号との位相差より、ＥＬデバイスのインピーダンス（Ｚ＝Ｖ／Ｉ）を求める。高周波電圧から低周波電圧まで変化させてＥＬデバイスに印加させれば、インピーダンスに寄与する様々な緩和時間を有する成分を分離、測定することができる。

ここで、インピーダンスの逆数であるアドミタンスＹ（＝１／Ｚ）は、下記式（１）のようにコンダクタンスＧとサセプタンスＢで表すことができる。

さらに、単一電荷注入（ｓｉｎｇｌｅ　ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ）モデルにより、それぞれ下記式（２）及び（３）を算出することができる。ここで、ｇ（式（４））は微分コンダクタンスである。なお、式中Ｃは静電容量（キャパシタンス）、θはωＴであり走行角、ωは角周波数を表す。Ｔは走行時間である。解析には電流の式、ポアソンの式、電流連続の式を用い、拡散電流及びトラップ準位の存在を無視している。

静電容量の周波数特性から移動度を算出する方法が−ΔＢ法である。また、コンダクタンスの周波数特性から移動度を算出する方法がωΔＧ法である。

実際には、まず、電子移動度を求めたい材料の電子オンリーデバイスを作製する。電子オンリーデバイスとは、キャリアとして電子のみが流れるように設計されたデバイスである。本明細書では、静電容量の周波数特性から移動度を算出する方法（−ΔＢ法）を説明する。

測定用に作製した電子オンリーデバイスの構造を図１５に示し、具体的な構成を表３に示す。本参考例で作製した電子オンリーデバイスは、第１の電極８５１（陽極）と第２の電極８５２（陰極）との間に、第１の層８６０、第２の層８６１、及び第３の層８６２を有する。電子移動度を求めたい材料は第２の層８６１の材料として用いればよい。本参考例では、２−｛４−［９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）−２−アントリル］フェニル｝−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ＺＡＤＮ）と８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）の１：１（重量比）の共蒸着膜について、その電子移動度を測定した。また、本参考例では、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、及び、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）についても電子移動度を測定した。

ＺＡＤＮとＬｉｑの共蒸着膜を第２の層８６１として作製した電子オンリーデバイスの電流密度−電圧特性を図１６に示す。

インピーダンス測定は、５．０Ｖ~９．０Ｖの範囲で直流電圧を印加しながら、交流電圧が７０ｍＶ、周波数が１Ｈｚ~３ＭＨｚの条件で測定を行った。ここで得られたインピーダンスの逆数であるアドミタンス（前述の（１）式）からキャパシタンスを算出する。印加電圧７．０Ｖにおける算出されたキャパシタンスＣの周波数特性を図１７に示す。

キャパシタンスＣの周波数特性は、微小電圧信号により注入されたキャリアによる空間電荷が微小交流電圧に完全には追従できず、電流に位相差が生じることにより得られる。ここで、膜中のキャリアの走行時間は、注入されたキャリアが対向電極に到達する時間Ｔで定義され、以下の式（５）で表される。

負サセプタンス変化（−ΔＢ）は、静電容量変化−ΔＣに角周波数ωを乗じた値（−ωΔＣ）に対応する。その最も低周波側のピーク周波数ｆ’_ｍａｘ（＝ω_ｍａｘ／２π）と走行時間Ｔとの間には、式（３）より、以下の式（６）の関係があることが導出される。

上記測定から算出した（すなわち直流電圧が７．０Ｖの時の）−ΔＢの周波数特性を図１８に示す。図１８より求まる最も低周波側のピーク周波数ｆ’_ｍａｘは、図中の矢印で示した。

以上の測定及び解析から得られるｆ’_ｍａｘから、走行時間Ｔが求まるため（式（６））、上記式（５）より、今回で言えば電圧７．０Ｖにおける電子移動度を求めることができる。同様の測定を、直流電圧５．０Ｖ~９．０Ｖの範囲で行うことで、各電圧（電界強度）での電子移動度が算出できるため、移動度の電界強度依存性も測定できる。

以上のような算出法により最終的に得られた、各有機化合物の電子移動度の電界強度依存性を図１９に示し、図から読み取った、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００［Ｖ／ｃｍ］^１／２の時の電子移動度の値を表４に示す。図１９において、正方形はｃｇＤＢＣｚＰＡの結果、三角は２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩの結果、菱形はＺＡＤＮとＬｉｑの共蒸着膜の結果を示す。

以上のように電子移動度を算出することが可能である。なお、詳しい測定方法に関しては、Ｔａｋａｙｕｋｉ　Ｏｋａｃｈｉ　他　”Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ”　Ｖｏｌ．４７，Ｎｏ．１２，２００８，ｐｐ．８９６５−８９７２を参照することができる。

＜参考例２＞
上記実施例１で用いたビス｛４，６−ジメチル−２−［３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ベンゾ［ｇ］キノキサリニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｂｑ）_２（ｄｐｍ）］）の合成方法について、具体的に説明する。［Ｉｒ（ｄｍｄｐｂｑ）_２（ｄｐｍ）］の構造を以下に示す。

＜ステップ１；２，３−ビス−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ベンゾ［ｇ］キノキサリン（略称：Ｈｄｍｄｐｂｑ）の合成＞
まず、ステップ１では、Ｈｄｍｄｐｂｑを合成した。３，３’，５，５’−テトラメチルベンジル３．２０ｇ、２，３−ジアミノナフタレン１．９７ｇ、エタノール６０ｍＬを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した後、９０℃で７時間半撹拌した。所定時間経過後、溶媒を留去した。その後、トルエンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物を得た（黄色固体、収量３．７３ｇ、収率７９％）。ステップ１の合成スキームを（ａ−１）に示す。

ステップ１で得られた黄色固体の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。分析結果から、Ｈｄｍｄｐｂｑが得られたことがわかった。

得られた物質の^１Ｈ　ＮＭＲデータを以下に示す。
　^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤ_２Ｃｌ_２）：２．２８（ｓ，１２Ｈ），７．０１（ｓ，２Ｈ），７．１６（ｓ，４Ｈ），７．５６−７．５８（ｍ，２Ｈ），８．１１−８．１３（ｍ，２Ｈ），８．７４（ｓ，２Ｈ）．

＜ステップ２；ジ−μ−クロロ−テトラキス｛４，６−ジメチル−２−［３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ベンゾ［ｇ］キノキサリニル−κＮ］フェニル−κＣ｝ジイリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｂｑ）_２Ｃｌ］_２）の合成＞
次に、ステップ２では、［Ｉｒ（ｄｍｄｐｂｑ）_２Ｃｌ］_２を合成した。２−エトキシエタノール１５ｍＬ、水５ｍＬ、ステップ１で得たＨｄｍｄｐｂｑ１．８１ｇ、及び、塩化イリジウム水和物（ＩｒＣｌ_３・Ｈ_２Ｏ）（フルヤ金属社製）０．６６ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ　１００Ｗ）を２時間照射し、反応させた。所定時間経過後、得られた残渣をメタノールで吸引ろ過、洗浄し、目的物を得た（黒色固体、収量１．７６ｇ、収率８１％）。ステップ２の合成スキームを（ａ−２）に示す。

＜ステップ３；［Ｉｒ（ｄｍｄｐｂｑ）_２（ｄｐｍ）］の合成＞
そして、ステップ３では、［Ｉｒ（ｄｍｄｐｂｑ）_２（ｄｐｍ）］を合成した。２−エトキシエタノール２０ｍＬ、ステップ２で得た［Ｉｒ（ｄｍｄｐｂｑ）_２Ｃｌ］_２１．７５ｇ、ジピバロイルメタン（略称：Ｈｄｐｍ）０．５０ｇ、及び、炭酸ナトリウム０．９５ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ　１００Ｗ）を３時間照射した。得られた残渣を、メタノールで吸引ろ過した後、水、メタノールで洗浄した。得られた固体を、ジクロロメタンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、ジクロロメタンとメタノールの混合溶媒にて再結晶することにより、目的物を得た（暗緑色固体、収量０．４２ｇ、収率２１％）。得られた暗緑色固体０．４１ｇを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力２．７Ｐａ、アルゴンガスを流量１０．５ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、３００℃で暗緑色固体を加熱した。昇華精製後、暗緑色固体を収率７８％で得た。ステップ３の合成スキームを（ａ−３）に示す。

ステップ３で得られた暗緑色固体の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。分析結果から、［Ｉｒ（ｄｍｄｐｂｑ）_２（ｄｐｍ）］が得られたことがわかった。

　^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤ_２Ｃｌ_２）：０．７５（ｓ，１８Ｈ），０．９７（ｓ，６Ｈ），２．０１（ｓ，６Ｈ），２．５２（ｓ，１２Ｈ），４．８６（ｓ，１Ｈ），６．３９（ｓ，２Ｈ），７．１５（ｓ，２Ｈ），７．３１（ｓ，２Ｈ），７．４４−７．５１（ｍ，４Ｈ），７．８０（ｄ，２Ｈ），７．８６（ｓ，４Ｈ），８．０４（ｄ，２Ｈ），８．４２（ｓ，２Ｈ），８．５８（ｓ，２Ｈ）．

１０１：第１の電極、１０２：第２の電極、１０３：ＥＬ層、１０３ａ：ＥＬ層、１０３ｂ：ＥＬ層、１０４：電荷発生層、１２１：正孔注入層、１２２：正孔輸送層、１２２ａ：正孔輸送層、１２２ｂ：正孔輸送層、１２３：発光層、１２３−１：発光領域、１２４：電子輸送層、１２４−１：領域、１２４ａ：電子輸送層、１２４ｂ：電子輸送層、１２５：電子注入層、３０１：基板、３０２：画素部、３０３：回路部、３０４ａ：回路部、３０４ｂ：回路部、３０５：シール材、３０６：基板、３０７：配線、３０８：ＦＰＣ、３０９：トランジスタ、３１０：トランジスタ、３１１：トランジスタ、３１２：トランジスタ、３１３：第１の電極、３１４：絶縁層、３１５：ＥＬ層、３１６：第２の電極、３１７：有機ＥＬデバイス、３１８：空間、４０１：第１の電極、４０２：ＥＬ層、４０３：第２の電極、４０５：絶縁層、４０６：導電層、４０７：接着層、４１６：導電層、４２０：基板、４２２：接着層、４２３：バリア層、４２４：絶縁層、４５０：有機ＥＬデバイス、４９０ａ：基板、４９０ｂ：基板、４９０ｃ：バリア層、８００：基板、８０１：第１の電極、８０２：ＥＬ層、８０３：第２の電極、８１１：正孔注入層、８１２ａ：正孔輸送層、８１２ｂ：正孔輸送層、８１３：発光層、８１４ａ：電子輸送層、８１４ｂ：電子輸送層、８１５：電子注入層、８５１：第１の電極、８５２：第２の電極、８６０：第１の層、８６１：第２の層、８６２：第３の層、９１１：筐体、９１２：光源、９１３：検知ステージ、９１４：撮像装置、９１５：発光部、９１６：発光部、９１７：発光部、９２１：筐体、９２２：操作ボタン、９２３：検知部、９２４：光源、９２５：撮像装置、９３１：筐体、９３２：操作パネル、９３３：搬送機構、９３４：モニタ、９３５：検知ユニット、９３６：被検査部材、９３７：撮像装置、９３８：光源、９８１：筐体、９８２：表示部、９８３：操作ボタン、９８４：外部接続ポート、９８５：スピーカ、９８６：マイク、９８７：カメラ、９８８：カメラ

Claims (26)

1. 　一対の電極間に、正孔注入層、発光層、及び電子輸送層をこの順で有し、
   　前記正孔注入層は、第１の化合物及び第２の化合物を有し、
   　前記第１の化合物は、前記第２の化合物に対する電子受容性を有し、
   　前記第２の化合物のＨＯＭＯ準位は、−５．７ｅＶ以上−５．４ｅＶ以下であり、
   　前記発光層は、発光性の有機化合物を有し、
   　前記発光性の有機化合物が発する光の最大ピーク波長は、７６０ｎｍ以上９００ｎｍ以下であり、
   　前記電子輸送層は、第３の化合物と、金属を含む物質と、を有し、
   　前記第３の化合物は、電子輸送性材料であり、
   　前記金属を含む物質は、金属、金属塩、金属酸化物、または有機金属塩である、発光デバイス。
2. 　請求項１において、
   　前記第３の化合物は、ＨＯＭＯ準位が−６．０ｅＶ以上である、発光デバイス。
3. 　請求項１または２において、
   　前記電子輸送層は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
   　前記第１の領域は、前記第２の領域よりも前記発光層側に位置し、
   　前記第１の領域と前記第２の領域とは、前記金属を含む物質の濃度が互いに異なる、発光デバイス。
4. 　請求項３において、
   　前記第１の領域は、前記第２の領域に比べて、前記金属を含む物質の濃度が高い、発光デバイス。
5. 　請求項３または４において、
   　前記第２の領域は、前記金属を含む物質を含まない、発光デバイス。
6. 　請求項５において、
   　前記第２の領域は、前記第１の領域に比べて、前記金属を含む物質の濃度が高い、発光デバイス。
7. 　請求項６において、
   　前記第１の領域は、前記金属を含む物質を含まない、発光デバイス。
8. 　請求項１乃至７のいずれか一において、
   　前記発光層は、さらに、第４の化合物及び第５の化合物を有し、
   　前記第４の化合物と前記第５の化合物は、励起錯体を形成する組み合わせである、発光デバイス。
9. 　請求項８において、
   　前記第４の化合物は、正孔輸送性材料であり、
   　前記第５の化合物は、電子輸送性材料である、発光デバイス。
10. 　請求項１乃至９のいずれか一において、
    　さらに、正孔輸送層を有し、
    　前記正孔輸送層は、前記正孔注入層と前記発光層との間に位置し、
    　前記正孔輸送層は、第６の化合物を有し、
    　前記第６の化合物のＨＯＭＯ準位は、前記第２の化合物のＨＯＭＯ準位以下の値であり、
    　前記第６の化合物のＨＯＭＯ準位と前記第２の化合物のＨＯＭＯ準位との差は、０．２ｅＶ以内である、発光デバイス。
11. 　請求項１０において、
    　前記第２の化合物及び前記第６の化合物は、それぞれ、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、及びアントラセン骨格のうち少なくとも一つを有する、発光デバイス。
12. 　請求項１０または１１において、
    　前記第２の化合物と前記第６の化合物とは、同一の化合物である、発光デバイス。
13. 　請求項１乃至１２のいずれか一において、
    　前記金属を含む物質は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を有する金属錯体である、発光デバイス。
14. 　請求項１乃至１３のいずれか一において、
    　前記金属を含む物質は、窒素及び酸素を有する配位子と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属と、を有する金属錯体である、発光デバイス。
15. 　請求項１乃至１３のいずれか一において、
    　前記金属を含む物質は、８−キノリノラト構造を含む配位子と、１価の金属イオンと、を有する金属錯体である、発光デバイス。
16. 　請求項１乃至１５のいずれか一において、
    　前記金属を含む物質は、８−キノリノラト構造を含む配位子を有するリチウム錯体である、発光デバイス。
17. 　請求項１乃至１６のいずれか一において、
    　前記発光性の有機化合物は、金属−炭素結合を有する有機金属錯体である、発光デバイス。
18. 　請求項１７において、
    　前記有機金属錯体は、２環以上５環以下の縮合複素芳香環を有し、
    　前記縮合複素芳香環は、前記金属に配位している、発光デバイス。
19. 　請求項１乃至１８のいずれか一項において、
    　前記発光性の有機化合物は、シクロメタル錯体である、発光デバイス。
20. 　請求項１乃至１９のいずれか一項において、
    　前記発光性の有機化合物は、オルトメタル錯体である、発光デバイス。
21. 　請求項１乃至２０のいずれか一項において、
    　前記発光性の有機化合物は、イリジウム錯体である、発光デバイス。
22. 　請求項１乃至２１のいずれか一項において、
    　前記発光性の有機化合物が発する光の最大ピーク波長は、７８０ｎｍ以上８８０ｎｍ以下である、発光デバイス。
23. 　請求項１乃至２２のいずれか一に記載の発光デバイスと、
    　トランジスタ及び基板の一方または双方と、を有する、発光装置。
24. 　請求項２３に記載の発光装置と、
    　コネクタ及び集積回路の一方または双方と、を有する、発光モジュール。
25. 　請求項２４に記載の発光モジュールと、
    　アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、及び操作ボタンのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器。
26. 　請求項２３に記載の発光装置と、
    　筐体、カバー、及び支持台のうち少なくとも一つと、を有する、照明装置。

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