WO2020220553A1 - 发光层的制备方法 - Google Patents

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WO2020220553A1
WO2020220553A1 PCT/CN2019/105234 CN2019105234W WO2020220553A1 WO 2020220553 A1 WO2020220553 A1 WO 2020220553A1 CN 2019105234 W CN2019105234 W CN 2019105234W WO 2020220553 A1 WO2020220553 A1 WO 2020220553A1
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light
substrate
preparing
area
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杜中辉
吴聪原
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深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
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    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Definitions

  • the present invention relates to the field of display technology, in particular to a method for preparing a light-emitting layer.
  • OLED Organic Light-Emitting Diode
  • Display panels such as Organic Light-Emitting Diode (OLED for short), have attracted great attention from academia and industry because of their huge development potential in solid-state lighting and flat panel displays.
  • OLED Organic Light-Emitting Diode
  • the small-size OLED light-emitting panel adopts fine metal mask (Fine metal mask, abbreviated as: FMM) technology for vapor deposition of RGB materials.
  • FMM fine metal mask
  • the fine reticle sheet is thin (10-100 ⁇ m), the minimum opening size is about 20 ⁇ m, the positioning accuracy is about 3 ⁇ m, and the processing accuracy is high.
  • the middle of the FMM is also prone to deformation, leading to the dislocation of the vapor deposition material, and ultimately to the dislocation and color mixing of the EML layer and the inability to cover the metal vias. Therefore, it is difficult for FMM to take into account the characteristics of large area, low weight, and low thermal expansion coefficient.
  • the present invention provides a method for preparing a light-emitting layer.
  • a method for preparing a light-emitting layer includes the following steps:
  • S1 providing a substrate, the substrate including a left area, a middle area, and a right area;
  • step S7 Evaporate an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode on the substrate processed in step S6, and encapsulate the light-emitting layer;
  • step S8 The light-emitting layer packaged in step S7 is subjected to voltage treatment, and the blue light-emitting layer located on the middle area of the substrate is destroyed, and the light-emitting layer located on the right area of the substrate is destroyed.
  • the red light emitting layer and the blue light emitting layer wherein:
  • the substrate in step S1 is a substrate after a hole injection layer and a hole transport layer are evaporated.
  • the wavelength of the UV light in step S3 is 254 nanometers.
  • the illuminance of the UV light in step S3 is 28 MW/cm 2.
  • the treatment time of the UV light in step S3 is 600 seconds.
  • the green light-emitting layer, the red light-emitting layer, and the blue light-emitting layer Carry out the maximum voltage withstand test.
  • vapor deposition is performed in the order of decreasing the maximum voltage that the green light-emitting layer, the red light-emitting layer, and the blue light-emitting layer can withstand.
  • the vapor deposition sequence of the light-emitting layer is first vapor-deposit the green light-emitting layer, then vapor-deposit the red light-emitting layer, and finally vapor-deposit the blue light-emitting layer.
  • the vapor deposition sequence of the light-emitting layer is first vapor-deposit the green light-emitting layer, then vapor-deposit the red light-emitting layer, and finally vapor-deposit the blue light-emitting layer.
  • the step S8 further includes adjusting the voltage value of the power-on voltage and the power-on time to process the green light-emitting layer, the red light-emitting layer and the blue light-emitting layer.
  • the step S8 further includes adjusting the voltage value of the power-on voltage and the power-on time to process the green light-emitting layer, the red light-emitting layer and the blue light-emitting layer.
  • the embodiment of the present invention also provides a method for preparing the light-emitting layer, including the following steps:
  • S1 providing a substrate, the substrate including a left area, a middle area, and a right area;
  • step S7 evaporating an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode on the substrate processed in step S6, and encapsulating the light-emitting layer;
  • step S8 The light-emitting layer packaged in step S7 is subjected to voltage treatment, and the blue light-emitting layer located on the middle area of the substrate is destroyed, and the light-emitting layer located on the right area of the substrate is destroyed.
  • the red light emitting layer and the blue light emitting layer are destroyed.
  • the substrate in step S1 is a substrate after a hole injection layer and a hole transport layer are vapor deposited.
  • the wavelength of the UV light in step S3 is 254 nanometers.
  • the illuminance of the UV light in step S3 is 28 MW/cm 2.
  • the treatment time of the UV light in step S3 is 600 seconds.
  • the green light-emitting layer, the red light-emitting layer, and the blue light-emitting layer Carry out the maximum voltage withstand test.
  • vapor deposition is performed in the order of decreasing the maximum voltage that the green light-emitting layer, the red light-emitting layer, and the blue light-emitting layer can withstand.
  • the vapor deposition sequence of the light-emitting layer is first vapor-deposit the green light-emitting layer, then vapor-deposit the red light-emitting layer, and finally vapor-deposit the blue light-emitting layer.
  • the vapor deposition sequence of the light-emitting layer is first vapor-deposit the green light-emitting layer, then vapor-deposit the red light-emitting layer, and finally vapor-deposit the blue light-emitting layer.
  • the step S8 further includes adjusting the voltage value of the power-on voltage and the power-on time to process the green light-emitting layer, the red light-emitting layer and the blue light-emitting layer.
  • the OLED display panel provided by the present invention the method for preparing the light-emitting layer and the display device provided by the present invention, process the RGB light-emitting layer through two UV light irradiations and voltage application, so as to realize that there is no need for color filters and metal mask evaporation OLED light emitting device of the device.
  • Fig. 1 is a schematic flowchart of step S1 in an embodiment of the present invention.
  • Fig. 2 is a schematic flowchart of step S2 and step S3 in an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic flowchart of step S4, step S5, and step S6 in an embodiment of the present invention.
  • Fig. 4 is a schematic flowchart of step S7 in an embodiment of the present invention.
  • Fig. 5 is a schematic flowchart of step S8 in an embodiment of the present invention.
  • the present invention aims at that when metal masks are used to prepare OLED devices in the prior art, large-size metal masks are not easy to prepare, and the cost is high, and the metal masks need to be cleaned regularly after being vaporized for several times, otherwise it is easy to block This embodiment can solve the problem.
  • Figures 1 to 5 show the schematic flow diagrams of this embodiment.
  • the method for preparing the light-emitting layer includes the following steps:
  • the left area, the middle area, and the right area have the same size on the substrate;
  • a hole injection layer 102 (Hole Inject Layer, HIL) is evaporated on the substrate 101.
  • the hole injection layer 102 evaporated on the substrate is also divided into a left area, a middle area, and a right area. area.
  • an electron transport layer 103 (Electron Transport Layer, HTL for short) is vapor-deposited on the hole injection layer 102, and the electron transport layer 103 is also divided into a left area, a middle area, and a right area.
  • a green light emitting layer 104 is formed by evaporation on the substrate 101;
  • the green light emitting layer 104 covers the electron transport layer 103.
  • the wavelength of the UV light is 254 nanometers
  • the illuminance of the UV light is 28 MW/cm2
  • the treatment time using the UV light is 600 seconds.
  • step S3 the substrate 101 processed in step S3 is vapor-deposited with a red light emitting layer 105, and a red light emitting layer 105 is formed on the surface of the green light emitting layer 104;
  • the wavelength of the UV light is 254 nanometers
  • the illuminance of the UV light is 28 MW/cm2
  • the treatment time using the UV light is 600 seconds.
  • step S6 the substrate 101 processed in step S5 is subjected to a blue light emitting layer evaporation 106, and a blue light emitting layer 106 is formed on the surface of the red light emitting layer 105;
  • step S7 The substrate 101 processed in step S6 is subjected to an electron transport layer 107 (Electron Transport Layer (abbreviation: ETL) is evaporated to form an electron transport layer 107 on the blue light emitting layer 106; then an electron injection layer 108 (Electron Inject Layer, abbreviation: EIL), finally evaporate a layer of cathode 109 on the electron injection layer 108, and finally encapsulate the substrate 101;
  • ETL Electrode Transport Layer
  • EIL Electrode
  • cathode 109 cathode
  • the RGB three-color vapor-deposited light-emitting layer device without color filters and metal masks can be realized by using the method for preparing the light-emitting layer.
  • the material of the green light-emitting layer 104, the red light-emitting layer 105 and the blue light-emitting layer 106 needs to be subjected to the maximum Investigation of voltage. And according to the voltage that each layer of light-emitting layer can withstand, the highest voltage that the material of the green light-emitting layer 104, the red light-emitting layer 105, and the blue light-emitting layer 106 can withstand is successively decreased. The vapor deposition is performed sequentially.
  • the vapor deposition sequence of the light-emitting layer is first vapor-deposit the green light-emitting layer 104, then vapor-deposit the red light-emitting layer 105, and finally vapor-deposit the blue light-emitting layer 106.
  • the wavelength of the UV light is 254 nanometers
  • the illuminance of the UV light is 28 MW/cm2
  • the processing time of using the UV light is 600 seconds as an example, but it is not limited to the above Wavelength, illuminance and irradiation time.
  • the processing of the green light emitting layer 104, the red light emitting layer 105 and the blue light emitting layer 106 can be controlled by adjusting the voltage value of the energization voltage and the energization time. effect.

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种发光层的制备方法，包括S1、提供基板（101），S2、在基板（101）上蒸镀绿光发光层（104），S3、用UV光照破坏左侧以及中间区域的所述绿光发光层（104），S4、将基板（101）进行红光发光层（105）蒸镀，S5、用UV光破坏最左侧区域的所述红光发光层（105），S6、将基板（101）进行蓝光发光层（106）蒸镀，S7、将基板（101）进行电子传输层（107）、电子注入层（108）以及阴极（109）蒸镀，并进行封装。

Description

发光层的制备方法 技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光层的制备方法。
 背景技术
近年来，有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，简称：OLED）显示技术发展突飞猛进，OLED产品由于具有轻薄、响应快、广视角、高对比度、柔性等优点，受到了越来越多的关注和应用，主要应用在手机、平板、电视等显示领域。
显示面板，如有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，简称：OLED）因其在固态照明和平板显示的方向拥有巨大的发展潜力而得到了学术界和产业界的极大关注。
目前商业化的OLED发光面板，大尺寸来说，通常为多叠发光层结构通过滤光片(Color filter，简称：CF)实现全彩化。而小尺寸OLED发光面板采用精细金属掩模版(Fine metal mask，简称：FMM)技术进行RGB材料的蒸镀。精细掩模版片材薄(10 - 100μm)，最小开口尺寸约20μm，定位精度约3μm，加工精度要求高。另外，随FMM尺寸的增大，FMM中部亦容易产生形变，导致蒸镀材料的错位，并最终导致EML层错位混色和金属过孔无法覆盖等现象。因此FMM很难兼顾大面积、低重量、低热膨胀系数等特性。
 技术问题
现有技术的OLED显示面板中，存在采用金属掩膜版制备OLED器件时，大尺寸金属掩膜版不易制备，且造价很高以及金属掩膜版在蒸镀数次后需要定期清洗，否则容易堵塞的问题。
 技术解决方案
为解决上述技术问题，本发明提供一种发光层的制备方法。
一种发光层的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供基板，所述基板包括左侧区域、中间区域以及右侧区域；
S2、在所述基板上蒸镀绿光发光层；
S3、用UV光照射并破坏位于所述基板的所述左侧区域以及所述中间区域上的所述绿光发光层，保留位于所述基板的所述右侧区域上的所述绿光发光层；
S4、在经过步骤S3处理后的所述基板上蒸镀红光发光层；
S5、用所述UV光照射并破坏位于所述基板的所述左侧区域上的所述红光发光层，保留位于所述基板的所述中间区域以及所述右侧区域上的所述红光发光层；
S6、在经过步骤S5处理后的所述基板上蒸镀蓝光发光层；
S7、在经过步骤S6处理后的所述基板上蒸镀电子传输层、电子注入层以及阴极，并封装所述发光层；
S8、将步骤S7封装后的所述发光层进行通电压处理，并破坏位于所述基板的所述中间区域上的所述蓝光发光层，以及破坏位于所述基板的所述右侧区域上的所述红光发光层以及所述蓝光发光层；其中：
在步骤S1中的所述基板为进行空穴注入层以及空穴传输层蒸镀处理后的基板；以及
在步骤S3中的所述UV光的波长为254纳米。
根据本发明实施例所提供的发光层的制备方法，在步骤S3中的所述UV光的照度为28兆瓦/平方厘米。
根据本发明实施例所提供的发光层的制备方法，在步骤S3中的所述UV光的处理时间为600秒。
根据本发明实施例所提供的发光层的制备方法，在步骤S8中的将所述发光层进行通电压处理前，对所述绿光发光层、所述红光发光层以及所述蓝光发光层进行最大电压的承受测试。
根据本发明实施例所提供的发光层的制备方法，按照所述绿光发光层、所述红光发光层以及所述蓝光发光层能承受的所述最大电压依次递减的顺序进行蒸镀。
根据本发明实施例所提供的发光层的制备方法，所述发光层的蒸镀顺序为首先蒸镀所述绿光发光层，随后蒸镀所述红光发光层，最后蒸镀所述蓝光发光层。
根据本发明实施例所提供的发光层的制备方法，所述步骤S8还包括调整通电压的电压值大小以及通电时间来处理所述绿光发光层、所述红光发光层以及所述蓝光发光层。
本发明实施例还提供了一种发光层的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供基板，所述基板包括左侧区域、中间区域以及右侧区域；
S2、在所述基板上蒸镀绿光发光层；
S3、用UV光照射并破坏位于所述基板的所述左侧区域以及所述中间区域上的所述绿光发光层，保留位于所述基板的所述右侧区域上的所述绿光发光层；
S4、在经过步骤S3处理后的所述基板上蒸镀红光发光层；
S5、用所述UV光照射并破坏位于所述基板的所述左侧区域上的所述红光发光层，保留位于所述基板的所述中间区域以及所述右侧区域上的所述红光发光层；
S6、在经过步骤S5处理后的所述基板上蒸镀蓝光发光层；
S7、在经过步骤S6处理后的所述基板上蒸镀电子传输层、电子注入层以及阴极，并封装所述发光层；以及
S8、将步骤S7封装后的所述发光层进行通电压处理，并破坏位于所述基板的所述中间区域上的所述蓝光发光层，以及破坏位于所述基板的所述右侧区域上的所述红光发光层以及所述蓝光发光层。
根据本发明实施例所提供的发光层的制备方法，在步骤S1中的所述基板为进行空穴注入层以及空穴传输层蒸镀处理后的基板。
根据本发明实施例所提供的发光层的制备方法，在步骤S3中的所述UV光的波长为254纳米。
根据本发明实施例所提供的发光层的制备方法，在步骤S3中的所述UV光的照度为28兆瓦/平方厘米。
根据本发明实施例所提供的发光层的制备方法，在步骤S3中的所述UV光的处理时间为600秒。
根据本发明实施例所提供的发光层的制备方法，在步骤S8中的将所述发光层进行通电压处理前，对所述绿光发光层、所述红光发光层以及所述蓝光发光层进行最大电压的承受测试。
根据本发明实施例所提供的发光层的制备方法，按照所述绿光发光层、所述红光发光层以及所述蓝光发光层能承受的所述最大电压依次递减的顺序进行蒸镀。
根据本发明实施例所提供的发光层的制备方法，所述发光层的蒸镀顺序为首先蒸镀所述绿光发光层，随后蒸镀所述红光发光层，最后蒸镀所述蓝光发光层。
根据本发明实施例所提供的发光层的制备方法，所述步骤S8还包括调整通电压的电压值大小以及通电时间来处理所述绿光发光层、所述红光发光层以及所述蓝光发光层
 有益效果
本发明提供的OLED显示面板，本发明提供的发光层的制备方法及显示装置，通过两次UV光照射及施加电压，处理RGB发光层，实现不需要彩色滤光片和金属掩膜版蒸镀器件的OLED发光器件。
 附图说明
图1为本发明实施例中步骤S1的流程示意图。
图2为本发明实施例中步骤S2和步骤S3的流程示意图。
图3为本发明实施例中步骤S4、步骤S5以及步骤S6的流程示意图。
图4为本发明实施例中步骤S7的流程示意图。
图5为本发明实施例中步骤S8的流程示意图。
 本发明的最佳实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。
为了让本揭示的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文将特举本揭示优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。再者，本揭示所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧层、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
本发明针对目前现有技术中存在采用金属掩膜版制备OLED器件时，大尺寸金属掩膜版不易制备，且造价很高以及金属掩膜版在蒸镀数次后需要定期清洗，否则容易堵塞的问题，本实施例能够解决所述问题。
如图1到图5所示为本实施例的流程示意图。在本实施例中，发光层的制备方法包括以下步骤：
S1、首先提供一基板101，并且将所述基板分为左侧区域、中间区域以及右侧区域，所述左侧区域、所述中间区域以及所述右侧区域在基板上的面积大小一致；
然后在所述基板101上进行空穴注入层102（Hole Inject Layer，简称：HIL）蒸镀，所述空穴注入层102蒸镀在基板上也被分为左侧区域、中间区域以及右侧区域。
随后在所述空穴注入层102之上蒸镀电子传输层103（Electron Transport Layer，简称：HTL），所述电子传输层103也被分为左侧区域、中间区域以及右侧区域。
S2、在所述基板101上蒸镀形成一层绿光发光层104；
所述绿光发光层104覆盖在所述电子传输层103之上。
S3、遮挡住所述基板104的右侧区域，然后用UV光照射所述基板101，破坏掉所述基板101的所述左侧区域以及所述中间区域的所述绿光发光层104，保留最右侧的所述绿光发光层104；
其中，所述UV光的波长为254纳米，所述UV光的照度为28兆瓦/平方厘米，使用所述UV光的处理时间为600秒。
S4、然后将经过步骤S3处理后的所述基板101进行红光发光层105蒸镀，在所述绿光发光层104的表面形成一层红光发光层105；
S5、遮挡住所述基板101的中间区域以及右侧区域，然后用UV光照射所述基板，破坏掉所述基板101的所述左侧区域的红光发光层105，保留中间区域以及右侧区域的红光发光层105；
其中，所述UV光的波长为254纳米，所述UV光的照度为28兆瓦/平方厘米，使用所述UV光的处理时间为600秒。
S6、然后将经过步骤S5处理后的所述基板101进行蓝光发光层蒸镀106，在所述红光发光层105的表面形成一层蓝光发光层106；
S7、将经过步骤S6处理后的所述基板101进行电子传输层107（Electron Transport Layer，简称：ETL）蒸镀，在所述蓝光发光层106上形成一层电子传输层107；随后在所述电子传输层107上蒸镀一层电子注入层108（Electron Inject Layer，简称：EIL），最后在所述电子注入层108上蒸镀一层阴极109，最后将所述基板101进行封装；
S8、待封装完成后，对封装后的器件进行通电压处理，并破坏掉所述中间区域的所述蓝光发光层106，以及所述右侧区域的的所述红光发光层105以及所述蓝光发光层106。
使用上述发光层的制备方法即可实现无需彩色滤光片以及金属掩膜版的RGB三色的蒸镀发光层器件。
在使用上述制备方法制备发光层时，在通电压处理发光层材料前，需要对所述绿光发光层104、所述红光发光层105以及所述蓝光发光层106的材料进行能承受的最大电压的考察。并且要根据每层发光层材料所能承受电压的不同，按照所述绿光发光层104、所述红光发光层105以及所述蓝光发光层106的材料能承受的所述最高电压依次递减的顺序进行蒸镀。
因此在本实施例中，所述发光层的蒸镀顺序为首先蒸镀所述绿光发光层104，随后蒸镀所述红光发光层105，最后蒸镀所述蓝光发光层106。其中也需要调整所述UV光的波长、照度以及照射时间来调整各层的处理效果。在本实施例中以所述UV光的波长为254纳米，所述UV光的照度为28兆瓦/平方厘米，使用所述UV光的处理时间为600秒为例，但不仅仅局限于上述波长、照度以及照射时间。
在本实施例中，在所述步骤S8中可以通过调整通电电压的电压值大小以及通电时间来控制所述绿光发光层104、所述红光发光层105以及所述蓝光发光层106的处理效果。
尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本揭示，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本揭示包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能（例如其在功能上是等价的）的任意组件（除非另外指示），即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。此外，尽管本说明书的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开，但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且，就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在具体实施方式或权利要求中而言，这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。
以上仅是本揭示的优选实施方式，应当指出，对于本领域普通技术人员，在不脱离本揭示原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本揭示的保护范围。

Claims (16)

  1. 一种发光层的制备方法，包括以下步骤：
    S1、提供基板，所述基板包括左侧区域、中间区域以及右侧区域；
    S2、在所述基板上蒸镀绿光发光层；
    S3、用UV光照射并破坏位于所述基板的所述左侧区域以及所述中间区域上的所述绿光发光层，保留位于所述基板的所述右侧区域上的所述绿光发光层；
    S4、在经过步骤S3处理后的所述基板上蒸镀红光发光层；
    S5、用所述UV光照射并破坏位于所述基板的所述左侧区域上的所述红光发光层，保留位于所述基板的所述中间区域以及所述右侧区域上的所述红光发光层；
    S6、在经过步骤S5处理后的所述基板上蒸镀蓝光发光层；
    S7、在经过步骤S6处理后的所述基板上蒸镀电子传输层、电子注入层以及阴极，并封装所述发光层；
    S8、将步骤S7封装后的所述发光层进行通电压处理，并破坏位于所述基板的所述中间区域上的所述蓝光发光层，以及破坏位于所述基板的所述右侧区域上的所述红光发光层以及所述蓝光发光层；其中：
    在步骤S1中的所述基板为进行空穴注入层以及空穴传输层蒸镀处理后的基板；以及
    在步骤S3中的所述UV光的波长为254纳米。
  2. 根据权利要求1所述的发光层的制备方法，其中在步骤S3中的所述UV光的照度为28兆瓦/平方厘米。
  3. 根据权利要求2所述的发光层的制备方法，其中在步骤S3中的所述UV光的处理时间为600秒。
  4. 根据权利要求1所述的发光层的制备方法，其中在步骤S8中的将所述发光层进行通电压处理前，对所述绿光发光层、所述红光发光层以及所述蓝光发光层进行最大电压的承受测试。
  5. 根据权利要求4所述的发光层的制备方法，其中按照所述绿光发光层、所述红光发光层以及所述蓝光发光层能承受的所述最大电压依次递减的顺序进行蒸镀。
  6. 根据权利要求5所述的发光层的制备方法，其中所述发光层的蒸镀顺序为首先蒸镀所述绿光发光层，随后蒸镀所述红光发光层，最后蒸镀所述蓝光发光层。
  7. 根据权利要求1所述的发光层的制备方法，其中所述步骤S8还包括调整通电压的电压值大小以及通电时间来处理所述绿光发光层、所述红光发光层以及所述蓝光发光层。
  8. 一种发光层的制备方法，其特征在于，所述发光层的制备方法包括以下步骤：
    S1、提供基板，所述基板包括左侧区域、中间区域以及右侧区域；
    S2、在所述基板上蒸镀绿光发光层；
    S3、用UV光照射并破坏位于所述基板的所述左侧区域以及所述中间区域上的所述绿光发光层，保留位于所述基板的所述右侧区域上的所述绿光发光层；
    S4、在经过步骤S3处理后的所述基板上蒸镀红光发光层；
    S5、用所述UV光照射并破坏位于所述基板的所述左侧区域上的所述红光发光层，保留位于所述基板的所述中间区域以及所述右侧区域上的所述红光发光层；
    S6、在经过步骤S5处理后的所述基板上蒸镀蓝光发光层；
    S7、在经过步骤S6处理后的所述基板上蒸镀电子传输层、电子注入层以及阴极，并封装所述发光层；以及
    S8、将步骤S7封装后的所述发光层进行通电压处理，并破坏位于所述基板的所述中间区域上的所述蓝光发光层，以及破坏位于所述基板的所述右侧区域上的所述红光发光层以及所述蓝光发光层。
  9. 根据权利要求8所述的发光层的制备方法，其中在步骤S1中的所述基板为进行空穴注入层以及空穴传输层蒸镀处理后的基板。
  10. 根据权利要求8所述的发光层的制备方法，其中在步骤S3中的所述UV光的波长为254纳米。
  11. 根据权利要求10所述的发光层的制备方法，其中在步骤S3中的所述UV光的照度为28兆瓦/平方厘米。
  12. 根据权利要求11所述的发光层的制备方法，其中在步骤S3中的所述UV光的处理时间为600秒。
  13. 根据权利要求8所述的发光层的制备方法，其中在步骤S8中的将所述发光层进行通电压处理前，对所述绿光发光层、所述红光发光层以及所述蓝光发光层进行最大电压的承受测试。
  14. 根据权利要求13所述的发光层的制备方法，其中按照所述绿光发光层、所述红光发光层以及所述蓝光发光层能承受的所述最大电压依次递减的顺序进行蒸镀。
  15. 根据权利要求14所述的发光层的制备方法，其中所述发光层的蒸镀顺序为首先蒸镀所述绿光发光层，随后蒸镀所述红光发光层，最后蒸镀所述蓝光发光层。
  16. 根据权利要求8所述的发光层的制备方法，其中所述步骤S8还包括调整通电压的电压值大小以及通电时间来处理所述绿光发光层、所述红光发光层以及所述蓝光发光层。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN110112304B (zh) * 2019-04-30 2020-10-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光层的制备方法及显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040152223A1 (en) * 2003-01-24 2004-08-05 Tomoyuki Tachikawa Method for manufacturing electroluminescent element
JP2009094031A (ja) * 2007-10-12 2009-04-30 Sony Corp 転写シート、転写シートの作製方法、および表示装置の製造方法
CN101764090A (zh) * 2008-12-24 2010-06-30 乐金显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法
CN101919308A (zh) * 2008-01-11 2010-12-15 索尼公司 显示装置及其制造方法以及用于制造显示装置的组合物
CN106549109A (zh) * 2016-10-25 2017-03-29 Tcl集团股份有限公司 一种基于p‑i‑n结构的QLED器件及其制备方法
CN110112304A (zh) * 2019-04-30 2019-08-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光层的制备方法及显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101438430A (zh) * 2004-12-30 2009-05-20 E.I.内穆尔杜邦公司 利用照射的器件图案化
US20110014739A1 (en) * 2009-07-16 2011-01-20 Kondakov Denis Y Making an emissive layer for multicolored oleds
CN105097879A (zh) * 2015-07-22 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板
CN106207015B (zh) * 2016-09-20 2018-05-25 昆山国显光电有限公司 一种阻断oled发光器件共通层横向串扰的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040152223A1 (en) * 2003-01-24 2004-08-05 Tomoyuki Tachikawa Method for manufacturing electroluminescent element
JP2009094031A (ja) * 2007-10-12 2009-04-30 Sony Corp 転写シート、転写シートの作製方法、および表示装置の製造方法
CN101919308A (zh) * 2008-01-11 2010-12-15 索尼公司 显示装置及其制造方法以及用于制造显示装置的组合物
CN101764090A (zh) * 2008-12-24 2010-06-30 乐金显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法
CN106549109A (zh) * 2016-10-25 2017-03-29 Tcl集团股份有限公司 一种基于p‑i‑n结构的QLED器件及其制备方法
CN110112304A (zh) * 2019-04-30 2019-08-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光层的制备方法及显示装置

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