WO2020213625A1 - フィルム基板、回路基板、ディスプレイ装置及び電子機器 - Google Patents

フィルム基板、回路基板、ディスプレイ装置及び電子機器 Download PDF

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WO2020213625A1
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layer
circuit board
film
adhesive
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雄祐 脇坂
町田　英明
幹弘 小倉
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東レ・デュポン株式会社
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    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings

Definitions

  • the present invention relates to a film substrate, a circuit board, a display device and an electronic device, and more particularly to a film substrate, a circuit board, a display device using COF (chip on film) technology, and an electronic device such as a liquid crystal television.
  • COF chip on film
  • a conductor wiring 103 is provided on an insulating layer 101, and a solder resist layer 104 is provided on the conductor wiring 103. (See FIG. 1).
  • An integrated circuit IC is connected to this conductor wiring and is applied to electronic devices such as foldable mobile phones.
  • Solder resist is a resin used for wiring protection in metal pattern materials.
  • solder resist used in the COF technique shown in the circuit board of FIG. 1 does not have sufficient folding resistance to bending. This technique is not suitable when very large bending angles are required, for example, at the edges of flat-screen LCD television displays.
  • solder resist layer 104 of FIG. 1 is formed by a wet method, the circuit board of FIG. 1 could not sufficiently obtain insulation reliability.
  • FIGS. 2A to 2C show a film substrate on which a wiring pattern and an unpatterned solder resist are applied on a polyimide film.
  • (1) is the upper portion of the film substrate and (2) is the lower portion.
  • B) shows a view of the cross section of the film substrate of (1) observed with a microscope and an enlarged view thereof.
  • C shows a view of the cross section of the film substrate of (2) observed with a microscope and an enlarged view thereof.
  • the flattening of the surface of the solder resist layer 104 is impaired.
  • a film substrate which is a substrate on which the wiring pattern 503 and the solder resist layer 504 are formed, is formed on the base material 501.
  • a solder resist layer 504 having an uneven surface was obtained.
  • the thickness of the solder resist layer 504 was 15.3 ⁇ m.
  • the distance between the surface of the convex portion of the solder resist layer 504 and the wiring pattern 503 was 10.0 ⁇ m.
  • the thickness of the resin becomes uneven and the tolerance cannot be specified. Therefore, the control of the thickness of the film has a problem that the mounting of the IC is not stable.
  • the present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is a film substrate, a circuit board, and a display device which can easily control the thickness and maintain high reliability. And to provide electronic devices.
  • the uniform state of the film substrate of the present invention is formed on the substrate, the metal layer formed on the substrate, the adhesive formed on the metal layer, and the adhesive.
  • the coating layer contains a polyimide film, and the neutral axis passes through the metal layer.
  • the "coating layer” is also referred to as a "cover layer”.
  • the uniform state of the circuit board of the present invention is the substrate, the first metal layer and the second metal layer on the substrate, the adhesive formed on the first metal layer, and the first connection portion.
  • a circuit board having the adhesive and the second connecting portion formed on the second metal layer and the coating layer formed on the adhesive the adhesive and the opening of the coating layer.
  • the first metal layer is connected to the integrated circuit via the first connecting portion
  • the second metal layer is connected to the integrated circuit via the second connecting portion.
  • the coating layer contains a polyimide film, and is characterized in that a neutral axis passes through the first metal layer and the second metal layer.
  • the substrate may contain polyimide.
  • the metal layer, the first metal layer and the second metal layer may contain copper.
  • the circuit board can be applied to a display device.
  • the display device can be applied to an electronic device such as a liquid crystal television or an OLED (Organic Light Emitting Diode) television.
  • an electronic device such as a liquid crystal television or an OLED (Organic Light Emitting Diode) television.
  • the film substrate and the circuit board of the present invention employ a coverlay film made of a polyimide film and an adhesive as a coating layer, the insulation reliability can be improved as compared with a solder resist formed by a wet method.
  • the film substrate and the circuit board of the present invention use a coverlay film made of a polyimide film and an adhesive as a coating layer, a coating layer having a flattened surface can be formed and the total thickness tolerance as a circuit material is reduced. can do.
  • the folding resistance can be improved.
  • FIG. 1 Is a cross-sectional view of a part (2) of the film substrate of the invention according to the present embodiment and an enlarged view thereof. It is sectional drawing which shows the film substrate of the invention which concerns on embodiment of this invention.
  • (A) is a diagram showing a sample for a MIT test
  • (b) is a top enlarged view (1) showing a film substrate of the invention of the present embodiment after a fold resistance test, and a conventional film after the fold resistance test.
  • the top enlarged views (2) and (c) showing the substrate are views showing the folding resistance test results of the MIT test.
  • (A) is a diagram showing a neutral axis when the laminated structure is bent
  • (b) is a diagram showing a relational expression expressed by the height and Young's modulus of each layer for calculating the neutral axis.
  • FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a circuit board according to an embodiment of the present invention.
  • the configuration includes a substrate 201, a metal layer 202 on the substrate 201, and It has an adhesive 203 and a connecting portion 205 formed on the metal layer 202, and a coating layer 204 formed on the adhesive 203.
  • the metal layer 202 is connected to the integrated circuit 206 via the connecting portion 205, and the coating layer 204 contains a polyimide film.
  • a substrate in which a wiring pattern, an adhesive, and a coating layer (cover layer) are formed on the substrate is referred to as a film substrate.
  • a substrate in which an integrated circuit IC is formed so as to be connected to a wiring pattern via a connection portion is referred to as a circuit board in this specification.
  • the substrate 201 is prepared.
  • the polyimide materials of 150EN-A and 150EN-C manufactured by Toray DuPont Co., Ltd. may be used.
  • a metal film is formed on the substrate 201.
  • Copper (Cu) can be used as the material of the metal film.
  • a method for forming the metal film for example, a sputtering method or a CVD method may be used.
  • the metal film is then processed using photolithography techniques to form a patterned metal layer 202.
  • photolithography technique a known method may be used.
  • Adhesive 203 is applied on the cover layer 204.
  • a film made of polyimide such as Kapton (R) 20EN manufactured by Toray DuPont can be used.
  • the cover layer 204 is attached to the metal layer 202 via the adhesive 203.
  • the cover layer 204 can be formed with a thickness of 5 ⁇ m.
  • a cover layer having a thickness of 5 ⁇ m is used, but if the thickness is 5 to 125 ⁇ m, it can be used as a cover layer.
  • a connecting portion 205 is formed on the metal layer 202 using, for example, a material in which gold and tin are eutectic bonded.
  • the terminal of the integrated circuit IC206 is connected to the connection portion 205.
  • the integrated circuit IC 206 is connected to the metal layer 202 via the connecting portion 205.
  • FIG. 5A is a diagram showing a film substrate of this embodiment.
  • FIG. 5B is a cross-sectional view of a part (1) of the film substrate of the present invention and an enlarged view thereof.
  • FIG. 5C is a cross-sectional view of a part (2) of the film substrate of the present invention and an enlarged view thereof. Also in this enlarged view, a cover layer with a flat surface was confirmed.
  • the circuit board described in the first embodiment can be applied to electronic devices such as liquid crystal televisions and OLED televisions in addition to display devices.
  • Example 1 A cross-sectional photograph of the circuit board produced as described above is shown in FIG.
  • a metal layer 602 is formed on a substrate 601 made of polyimide.
  • the adhesive 603 is applied on the cover layer 604 made of polyimide.
  • a cover layer 604 was attached to the upper surface of the metal layer 602 via an adhesive 603 to form a film substrate.
  • a cover layer 604 having a flat surface was obtained.
  • the thickness of the cover layer 604 was 5 ⁇ m.
  • the thickness of the adhesive 603 was 11.6 ⁇ m.
  • the distance between the upper surface of the metal layer 602 and the lower surface of the cover layer 604 was 4.9 ⁇ m.
  • the thickness of the resin could be made constant. Further, in the production method of the embodiment, the insulation reliability could be improved as compared with the solder resist formed by the wet method.
  • circuit board of the present embodiment can form a circuit on a flattened surface, reliability can be improved.
  • a MIT test (MIT Folding Folding Tester) for investigating the folding resistance of the film substrate of the present embodiment and the result thereof are shown.
  • a film substrate (1) having a cover layer of the present embodiment which is a sample for MIT test
  • a film having a conventional solder resist layer (solder layer) as a comparative example.
  • a substrate (2) and a bare film substrate (3) without a cover layer were prepared.
  • the width of these samples was 10 mm
  • the length was 120 mm
  • the thickness was 50 ⁇ m.
  • FIG. 7B (1) is an enlarged top view showing the film substrate of the present embodiment after the folding resistance test.
  • (2) is an enlarged top view showing a conventional film substrate after the folding resistance test.
  • FIG. 7C shows the folding resistance test results of the film substrates (1) to (3) MIT test.
  • the film substrate (1) having a cover layer of the present embodiment showed high resistance to cracks. It was found that the film substrate (1) having the cover layer of the present embodiment improved the resistance to cracks by 60% or more as compared with the film substrate (2) having the solder layer.
  • FIG. 8A shows the shape of the laminated structure composed of the layer 801 composed of the material 1, the layer 802 composed of the material 2, the layer 803 composed of the material 3, and the layer 804 composed of the material 4 when bent. It shows a neutral axis 805 with less stress.
  • the layer 801 made of material 1, the layer 802 made of material 2, the layer 803 made of material 3, and the layer 804 made of material 4 are, for example, a substrate (polyimide film), a metal layer (for example, Cu), and an adhesive, respectively. And a cover layer (polyimide) may be used.
  • the neutral shaft 805 is located in the center of the layer 802 made of the material 2, but if the neutral shaft 805 passes through the layer 802 made of the material 2, the folding resistance can be maintained.
  • the Young ratio of the layer 803 composed of the material 3 and the layer 804 composed of the material 4 is Ei
  • the relational expression expressed by the height and the Young ratio of each layer for calculating the neutral axis 805 is shown in FIG. 8 (b). ) Is shown in Equation 1.
  • Equation 3 corresponds to Equation 1 in the case of four layers.
  • the heights of the layer 801 composed of the material 1, the layer 802 composed of the material 2, the layer 803 composed of the material 3, and the layer 804 composed of the material 4 h i (i 1 to 4) and the material 1 If the Young Ratio Ei of the layer 801 composed of the material 2, the layer 802 composed of the material 2, the layer 803 composed of the material 3, and the layer 804 composed of the material 4 is controlled so that the neutral shaft 805 passes through the layer 802 composed of the material 2. Good.
  • the folding resistance could be improved.
  • the state of the film substrate after the fold resistance test was examined by visual observation with a microscope. It is also possible to examine the continuity.
  • the present invention can be applied to a liquid crystal display and an electronic device using COF (chip on film) technology, for example, a liquid crystal television.
  • COF chip on film

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Abstract

本発明は、ＣＯＦ（chip on film）技術を利用した電子機器、例えば、液晶テレビに関する。本発明の回路基板は、基板と、前記基板上の、第一の金属層及び第二の金属層と、前記第一の金属層上に形成された接着剤及び第一の接続部と、前記第二の金属層上に形成された前記接着剤及び第二の接続部と、前記接着剤上に形成された被覆層とを有する回路基板において、前記接着剤及び前記被覆層の開口部において、前記第一の金属層が、前記第一の接続部を介して集積回路と接続し、前記第二の金属層が、前記第二の接続部を介して前記集積回路と接続し、前記被覆層は、ポリイミドのフィルムを含み、前記第一の金属層及び第二の金属層は、中性軸が通ることを特徴とする。

Description

フィルム基板、回路基板、ディスプレイ装置及び電子機器
　本発明は、フィルム基板、回路基板、ディスプレイ装置及び電子機器に関し、特に、ＣＯＦ（chip on film）技術を利用したフィルム基板、回路基板、ディスプレイ装置、及び、例えば液晶テレビ等の電子機器に関する。
　利用者のニーズに伴って、チップオンフィルムの折り曲げに対するニーズが高まっている。
　携帯電話などの電子機器に適用されるＣＯＦ（chip on film）技術として、例えば、特許文献１には、絶縁層１０１上に導体配線１０３を設け、導体配線１０３上にソルダーレジスト層１０４が設けられている例が開示されている（図１参照）。この導体配線に、集積回路ＩＣが接続され、電子機器、例えば、折り曲げ可能な携帯電話に適用される。ソルダーレジストは、金属パターン材料における配線保護のために用いられる樹脂である。
特開２０１７-１０３４４４号公報
　しかしながら、図１の回路基板に示すＣＯＦ技術に用いられるソルダーレジストは、折り曲げに対する耐折性は十分に得られない。例えば、薄型の液晶テレビのディスプレイ装置の縁部のように、非常に大きな曲げ角度を必要とする場合、この技術は適さない。
　また、図１のソルダーレジスト層１０４は、湿式の方法により形成するため、図１の回路基板では、絶縁信頼性を十分に得ることができなかった。
　さらに、従来技術では基板表面が平坦ではないという問題があった。図２（ａ）～（ｃ）に、ポリイミドフィルム上に、配線パターン及びパターニングされていないソルダーレジストを塗布したフィルム基板を示す。フィルム基板の上面から見て、（１）がフィルム基板の上側の部分であり、（２）が下側の部分である。（ｂ）は（１）のフィルム基板の断面の顕微鏡で観察した図及びその拡大図を示している。（ｃ）は、（２）のフィルム基板の断面の顕微鏡で観察した図及びその拡大図を示している。（２）の拡大図では、ソルダーレジスト層１０４の表面の平坦化が損なわれている。
　図３に示す例では、基材５０１上に、配線パターン５０３、ソルダーレジスト層５０４を形成した基板であるフィルム基板を形成した。凹凸の表面を有するソルダーレジスト層５０４が得られた。なお、ソルダーレジスト層５０４の厚さは、１５.３μｍであった。ソルダーレジスト層５０４の凸部の表面と配線パターン５０３との距離は、１０．０μｍであった。
　このように、集積回路（ＩＣ）を、ソルダーレジスト層１０４、５０４の表面上に形成する場合、樹脂の厚みにムラが生じ、公差が特定できない。このため、フィルムの厚みの管理が、ＩＣの実装が安定しないという課題を有していた。
　本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、厚みの管理が容易であり、信頼性を高く保つことができるフィルム基板、回路基板、ディスプレイ装置及び電子機器を提供することにある。
　このような目的を達成するため、本発明のフィルム基板の一様態は、基板と、前記基板上に形成された金属層と、前記金属層上に形成された接着剤と、前記接着剤上に形成された被覆層とを有するフィルム基板において、前記被覆層は、ポリイミドのフィルムを含み、前記金属層に、中性軸が通ることを特徴とする。
　本明細書において、「被覆層」を「カバー層」ともいう。
　本発明の回路基板の一様態は、基板と、前記基板上の、第一の金属層及び第二の金属層と、前記第一の金属層上に形成された接着剤及び第一の接続部と、前記第二の金属層上に形成された前記接着剤及び第二の接続部と、前記接着剤上に形成された被覆層とを有する回路基板において、前記接着剤及び前記被覆層の開口部において、前記第一の金属層が、前記第一の接続部を介して集積回路と接続し、前記第二の金属層が、前記第二の接続部を介して前記集積回路と接続し、前記被覆層は、ポリイミドのフィルムを含み、前記第一の金属層及び前記第二の金属層に、中性軸が通ることを特徴とする。
　前記基板は、ポリイミドを含んでいてもよい。
　前記金属層、前記第一の金属層と前記第二の金属層は、銅を含んでいてもよい。
　前記回路基板は、ディスプレイ装置に適用することができる。
　前記回路基板は、前記ディスプレイ装置は、液晶テレビやＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）テレビ等の電子機器に適用することができる。
　本発明のフィルム基板及び回路基板は、被覆層としてポリイミドフィルムと接着剤からなるカバーレイフィルムを採用したので、湿式の方法により形成するソルダーレジストと比べ、絶縁信頼性を向上させることができる。
　本発明のフィルム基板及び回路基板は、被覆層としてポリイミドフィルムと接着剤からなるカバーレイフィルムを採用したので、平坦化された表面を有する被覆層を形成でき、回路材料としての全厚み公差を低減することができる。
　本発明のフィルム基板及び回路基板は、被覆層としてポリイミドを採用したので、耐折性を向上させることができる。
従来のＣＯＦで得られた基板を示す図である。 （ａ）従来のフィルム基板を示す図である。（ｂ）従来のフィルム基板の一部（１）とその拡大図を示す図である。（ｃ）従来のフィルム基板の一部（２）とその拡大図を示す図である。 従来のフィルム基板を示す断面図である。 本発明の実施形態に係るＣＯＦで得られた回路基板の構成を示す図である。 （ａ）は本実施形態に係る発明のフィルム基板を示す図、（ｂ）は本実施形態に係る発明のフィルム基板の一部（１）の断面図とその拡大図を示す図、（ｃ）は本実施形態に係る発明のフィルム基板の一部（２）の断面図とその拡大図を示す図である。 本発明の実施形態に係る発明のフィルム基板を示す断面図である。 (ａ)は、ＭＩＴ試験用のサンプルを示す図、(ｂ)は耐折性試験後の本実施形態の発明のフィルム基板を示す上面拡大図（１）及び耐折性試験後の従来のフィルム基板を示す上面拡大図（２）、(ｃ)はＭＩＴ試験の耐折性試験結果を示す図である。 (ａ)は、積層構造を曲げたときの中性軸を示す図、(ｂ)は中性軸を算出するための各層の高さとヤング率で表したときの関係式を示す図である。
　以下、本発明のフィルム基板及び回路基板の形態について、図を用いて詳細に説明がされる。但し、本発明は以下に示す実施形態の記載内容に限定されず、本明細書等において開示する発明の趣旨から逸脱することなく形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。また、異なる実施形態に係る構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。本明細書において、「～からなる…」とは、「実質的に～からなる…」ことを意味する。
（実施形態１）
　以下に本発明の実施形態の一例が示される。図４は、本発明の実施形態に係る回路基板の構成を示す図である。その構成は、基板２０１と、基板２０１上の金属層２０２と、
前記金属層２０２上に形成された接着剤２０３及び接続部２０５と、接着剤２０３上に形成された被覆層２０４とを有する。上記接着剤２０３及び上記被覆層２０４の開口部において、上記金属層２０２は、上記接続部２０５を介して集積回路２０６と接続されており、上記被覆層２０４は、ポリイミドのフィルムを含む。
　本明細書では、図４のように、基板上に、配線パターン、接着剤及び被覆層（カバー層）を形成した基板をフィルム基板という。さらに、接続部を介して配線パターンに接続するように集積回路ＩＣを形成した基板を、本明細書では、回路基板という。
　次に、本発明の実施形態に係るフィルム基板の製造方法について説明がされる。
　まず基板２０１が準備される。例えば、基板２０１の材料として、東レ・デュポン社製の１５０ＥＮ-Ａ，１５０ＥＮ-Ｃのポリイミド材料が用いられればよい。
　次いで、基板２０１上に金属膜が形成される。金属膜の材料としては、銅（Ｃｕ）を用いることができる。金属膜の形成方法として、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法が用いられればよい。その後、フォトリソグラフィ技術を用いて金属膜が処理され、パターニングされた金属層２０２が形成される。フォトリソグラフィ技術は公知の方法を用いればよい。
　接着剤２０３がカバー層２０４上に塗布される。例えば、カバー層２０４の材料として、東レ・デュポン社製のＫａｐｔｏｎ（Ｒ）２０ＥＮ等のポリイミドからなるフィルムを用いることができる。
　次いで、金属層２０２に、接着剤２０３を介してカバー層２０４が貼り付けられる。Ｋａｐｔｏｎ（Ｒ）２０ＥＮの場合、５μｍの厚さでカバー層２０４を形成することができる。本実施形態では、５μｍの厚さのカバー層を用いたが、５～１２５μｍの厚さであれば、カバー層として用いることができる。
　次いで、接着剤２０３及びカバー層２０４の開口部において、金属層２０２上に、例えば、金と錫が共晶結合した材料を用いて接続部２０５を形成する。
　次いで、集積回路ＩＣ２０６の端子が接続部２０５に接続される。これにより、集積回路ＩＣ２０６は、接続部２０５を介して金属層２０２に接続される。
　図５（ａ）は、本実施形態のフィルム基板を示す図である。図５（ｂ）は、本実施形態の発明のフィルム基板の一部（１）の断面図とその拡大図を示す図である。図５（ｃ）は、本実施形態の発明のフィルム基板の一部（２）の断面図とその拡大図を示す図である。この拡大図においても、表面が平坦なカバー層が確認された。
（実施形態２）
　実施形態１に記載された回路基板はディスプレイ装置の他、液晶テレビやＯＬＥＤテレビ等の電子機器へ適用することが可能である。
（実施例１）
　上述のように作製された回路基板の断面写真が図６に示される。図６のように、ポリイミドからなる基板６０１上に、金属層６０２が形成される。また、接着剤６０３がポリイミドからなるカバー層６０４上に塗布される。金属層６０２の上面に、接着剤６０３を介してカバー層６０４が貼り付けられ、フィルム基板が形成された。そうして、表面が平坦なカバー層６０４が得られた。なお、カバー層６０４の厚さは、５μｍであった。接着剤６０３の厚さは、１１．６μｍであった。金属層６０２の上面とカバー層６０４の下面との距離は、４．９μｍであった。
　本実施形態のフィルム基板及び回路基板は、被覆層としてポリイミドのフィルムを採用したので樹脂の厚みを一定にすることができた。また、実施形態の作製方法では、湿式の方法により形成するソルダーレジストと比べ、絶縁信頼性を向上させることができた。
　本実施形態の回路基板は、平坦化された表面上に回路を形成できるので、信頼性を向上させることができた。
（実施例２）
　次に、図７を参照し、本実施形態では、本実施形態のフィルム基板の耐折性を調査するためのＭＩＴ試験（ＭＩＴ Ｆｏｌｄｉｎｇ Ｆｏｌｄｉｎｇ Ｔｅｓｔｅｒ）とその結果を示す。フィルム基板の耐折性を調査するために、ＭＩＴ試験用のサンプルである本実施形態のカバー層を有するフィルム基板（１）、比較例として、従来のソルダーレジストの層（ソルダー層）を有するフィルム基板（２）、カバー層なしのむき出しのフィルム基板（３）が準備された。図７(ａ)に示すように、これらのサンプルの幅は1０ｍｍであり、長さは１２０ｍｍであり、厚さは５０μｍであった。この耐折性試験を用いて、クラックが発生するまでの往復折り曲げ回数を測定した。ＭＩＴ試験の測定条件は以下の通りである。折り曲げクランプのＲ＝０．３８ｍｍ、荷重Ｌｏａｄ＝ ９．８Ｎ, 折り曲げ角度±１３５°, 試験速度１７５ｒｐｍ。なお、フィルム基板のクラックの発生は目視で確認した。図７(ｂ) の（１）は、耐折性試験後の本実施形態のフィルム基板を示す上面拡大図である。（２）は、耐折性試験後の従来のフィルム基板を示す上面拡大図である。同回数目で、目視による顕微鏡観察でフィルム基板を確認したところ、フィルム基板（２）ではクラックが発生したが、フィルム基板（１）ではクラックが発生しなかった。図７(ｃ)に、フィルム基板（１）～（３）ＭＩＴ試験の耐折性試験結果を示す。ソルダー層を有するフィルム基板（２）及びむき出しのフィルム基板（３）と比較し、本実施形態のカバー層を有するフィルム基板（１）は、クラックに対して、高い抵抗性を示した。ソルダー層を有するフィルム基板（２）と比較し、本実施形態のカバー層を有するフィルム基板（１）は、クラックに対する抵抗性に関して６０％以上改善していたことがわかった。
　上記の耐折性の改善の原理について、図８を参照して説明がされる。
　図８(ａ) に、材料１からなる層８０１、材料２からなる層８０２、材料３からなる層８０３、及び材料４からなる層８０４からなる積層構造を曲げたときの形状と、曲げたときのストレスが少ない中性軸８０５を示している。材料１からなる層８０１、材料２からなる層８０２、材料３からなる層８０３、及び材料４からなる層８０４は、それぞれ、例えば、基板（ポリイミドのフィルム）、金属層（例えばＣｕ）、接着剤及びカバー層（ポリイミド）であってもよい。中性軸８０５は、材料２からなる層８０２の中央にあれば理想的であるが、材料２からなる層８０２中に中性軸８０５が通れば耐折性を保つことができる。よって、材料１からなる層８０１、材料２からなる層８０２、材料３からなる層８０３、及び材料４からなる層８０４の高さをｈi、材料１からなる層８０１、材料２からなる層８０２、材料３からなる層８０３、及び材料４からなる層８０４のヤング率をＥiとすると、中性軸８０５を算出するための各層の高さとヤング率で表したときの関係式は図８(ｂ)の式１で示すようになる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　材料２からなる層８０２中に中性軸８０５が通ればよいので、式２を満たせばよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
　なお、式３は、４層の場合の式１に対応する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
　式１及び式２より、材料１からなる層８０１、材料２からなる層８０２、材料３からなる層８０３、及び材料４からなる層８０４の高さｈi（i =１～４）及び材料１からなる層８０１、材料２からなる層８０２、材料３からなる層８０３、及び材料４からなる層８０４のヤング率Ｅiを、中性軸８０５が材料２からなる層８０２を通るように制御すればよい。
　本実施形態のフィルム基板及び回路基板は、被覆層（カバー層）としてポリイミドを採用したので、耐折性を向上させることができた。
　本実施形態では、フィルム基板の耐折性試験後の状態を目視による顕微鏡観察で検討したが、通電状態で試験を行なって断線するまでの往復折り曲げ回数を測定することにより、回路の導通／非導通の検討を行うこともできる。
　本発明は、液晶ディスプレイ、及びＣＯＦ（chip on film）技術を利用した電子機器、例えば、液晶テレビに適用することができる。

Claims (9)

  1. 　基板と、
    　前記基板上に形成された金属層と、
    　前記金属層上に形成された接着剤と、
    　前記接着剤上に形成された被覆層とを有するフィルム基板において、
    　前記被覆層は、ポリイミドのフィルムを含み、
    　前記金属層は、中性軸が通ることを特徴とするフィルム基板。
  2. 　請求項１に記載のフィルム基板において、
    　前記基板は、ポリイミドを含むことを特徴とするフィルム基板。
  3. 　請求項１又は請求項２に記載のフィルム基板において、
    　前記金属層は、銅を含むことを特徴とするフィルム基板。
  4. 　基板と、
    　前記基板上の、第一の金属層及び第二の金属層と、
    　前記第一の金属層上に形成された接着剤及び第一の接続部と、
    　前記第二の金属層上に形成された前記接着剤及び第二の接続部と、
    　前記接着剤上に形成された被覆層とを有する回路基板において、
    　前記接着剤及び前記被覆層の開口部において、
    　　前記第一の金属層が、前記第一の接続部を介して集積回路と接続され、
    　　前記第二の金属層が、前記第二の接続部を介して前記集積回路と接続され、
    　前記被覆層は、ポリイミドのフィルムを含み、
    　前記第一の金属層及び第二の金属層に、中性軸が通ることを特徴とする回路基板。
  5. 　請求項４に記載の回路基板において、
    　前記基板は、ポリイミドを含む
    ことを特徴とする回路基板。
  6. 　請求項４又は請求項５に記載の回路基板において、
    　前記第一の金属層と前記第二の金属層は、銅を含むことを特徴とする回路基板。
  7. 　請求項４乃至６いずれか一項に記載の回路基板を含むディスプレイ装置。
  8. 　請求項４乃至６いずれか一項に記載の回路基板を含む電子機器。
  9. 　前記電子機器は液晶テレビまたはＯＬＥＤテレビである請求項８に記載の電子機器。
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