WO2020184329A1 - 表示装置及び電子機器 - Google Patents

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electrode layer
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Sony Semiconductor Solutions Corp
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    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8794—Arrangements for heating and cooling

Definitions

  • This disclosure relates to display devices and electronic devices.
  • flat type (flat panel type) display devices are the mainstream.
  • a display device that uses a so-called current-driven electro-optical element whose emission brightness changes according to the current value flowing through the device as a light emitting unit (light emitting element) of a pixel. ..
  • a current-driven electro-optical element an organic EL that uses electroluminescence (hereinafter, sometimes referred to as "EL"), which is an organic material, and emits light when an electric field is applied to an organic thin film. Elements can be mentioned (see, for example, Patent Document 1).
  • organic EL elements have weak resistance to heat. Therefore, in the manufacturing process of the organic EL display device, sufficient attention to heat is required.
  • the panel size becomes small, so that heat applied to the pad portion is applied especially in a mounting process that requires a high temperature after the EL process. Propagates to the organic EL element in the display area (pixel area), and deterioration of the organic EL element due to heat damage may cause deterioration of display quality.
  • the present disclosure describes a display device capable of reducing heat damage to a light emitting portion such as an organic EL element and suppressing deterioration of display quality due to the heat damage, and an electronic device having the display device.
  • the purpose is to provide.
  • the display device of the present disclosure for achieving the above object is A pixel array unit in which pixels including a light emitting unit are arranged, A pad electrode layer provided outside the pixel array portion on the substrate on which the light emitting portion is formed, and A heat absorbing layer thermally coupled to the pad electrode layer. It is composed.
  • the electronic device of the present disclosure for achieving the above object has a display device having the above configuration. It is composed.
  • FIG. 1 is a system configuration diagram showing an outline of a basic configuration of a display device to which the technique of the present disclosure is applied.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a unit pixel (pixel circuit).
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a basic panel structure of the outer peripheral portion of the pixel array portion of the display panel.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a panel structure of an outer peripheral portion of the pixel array portion in the display panel according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic perspective view showing a pad electrode layer and a heat absorption layer in the panel structure according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a panel structure of an outer peripheral portion of the pixel array portion in the display panel according to the second embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic perspective view showing a pad electrode layer and a heat absorption layer in the panel structure according to the second embodiment.
  • FIG. 8A is an external view of the smartphone according to the first embodiment of the electronic device of the present disclosure as viewed from the front side, and FIG. 8B is an external view as viewed from the back side.
  • FIG. 9 is an external view showing a head-mounted display according to Specific Example 2 of the electronic device of the present disclosure.
  • FIG. 10A is a front view of the digital still camera according to the specific example 3 of the electronic device of the present disclosure, and FIG. 10B is a rear view of the digital still camera.
  • Example 1 Example of providing a heat absorption layer corresponding to a part of the pad electrode layer in the length direction of each pad
  • Example 2 Example of providing a heat absorption layer over the entire length direction of each pad of the pad electrode layer
  • Modification example 5 Electronic device of the present disclosure 5-1.
  • Specific example 1 (example of smartphone) 5-2.
  • Specific example 2 (example of head-mounted display) 5-3.
  • Specific example 3 (example of digital still camera) 6. Configuration that can be taken by this disclosure
  • the heat absorption layer may have a function of increasing the heat capacity of the pad electrode layer. Further, the heat absorption layer can be configured to be composed of a wiring layer formed as a layer below the pad electrode layer.
  • the heat absorption layer may be configured to be provided over the entire length direction of each pad of the pad electrode layer. Further, the circuit wiring layer may be provided below the heat absorption layer. Further, a wiring layer formed as the same layer as the heat absorption layer may be provided under the pixel array portion.
  • the light emitting portion may be configured to include an organic electroluminescence element (organic EL element).
  • the heat absorption layer may be made of the same material as the material of the anode electrode of the organic electroluminescence device.
  • the circuit unit for driving the light emitting unit may be configured to be formed on the semiconductor substrate.
  • the display device is configured as an organic EL display device having a light emitting unit (light emitting element) in which a plurality of sub-pixels are composed of an organic EL element. be able to. That is, in the organic EL display device, sub-pixels are formed by each of the organic EL elements.
  • the organic EL element is a so-called current-driven electro-optical element in which the emission brightness changes according to the value of the current flowing through the device.
  • the organic EL display device can be used as a monitor device constituting a personal computer, a video camera, or a digital still camera, for example, a television receiver, a mobile phone, a PDA (Personal Digital Assistant), or a game. It can be used as a monitor device built into the device. Alternatively, it can be applied to an electronic view finder (Electronic View Finder: EVF) and a head-mounted display (Head Mounted Display: HMD). Alternatively, other lighting devices including a backlight device for a liquid crystal display device and a planar light source device can be mentioned.
  • EVF Electronic View Finder
  • HMD head-mounted display
  • other lighting devices including a backlight device for a liquid crystal display device and a planar light source device can be mentioned.
  • the organic layer which is a light emitting functional layer, includes a light emitting layer (for example, a light emitting layer made of an organic light emitting material).
  • the organic layer includes, for example, a laminated structure of a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer, a laminated structure of a light emitting layer that also serves as a hole transport layer and an electron transport layer, and a hole injection layer. It can be composed of a laminated structure of a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • the organic layer may have a two-stage tandem structure in which the first tandem unit, the connecting layer, and the second tandem unit are laminated. Further, it may have a tandem structure of three or more stages in which three or more tandem units are laminated. In these cases, by changing the emission color to red, green, and blue in each tandem unit, an organic layer that emits white as a whole can be obtained.
  • a physical vapor deposition method such as a vacuum vapor deposition method
  • a printing method such as a screen printing method or an inkjet printing method
  • a lamination of a laser absorbing layer and an organic layer formed on a transfer substrate
  • PVD method physical vapor deposition method
  • a laser transfer method in which the organic layer on the laser absorbing layer is separated by irradiating the structure with a laser beam and the organic layer is transferred, and various coating methods can be exemplified.
  • an organic layer can be obtained by depositing a material that has passed through an opening provided in the metal mask using a so-called metal mask, and the organic layer can be formed. It may be formed on the entire surface without patterning.
  • the display device of the present disclosure is an active matrix type display device in which the current flowing through the electro-optical element is controlled by an active element provided in the same pixel circuit as the electro-optical element, for example, an insulated gate type field effect transistor.
  • an insulated gate type field effect transistor include a MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistor and a TFT (Thin Film Transistor).
  • an active matrix type organic EL display device using an organic EL element which is an example of a current-driven electro-optical element, as a light emitting unit (light emitting element) of a pixel circuit will be described as an example. It shall be.
  • the "pixel circuit" may be simply referred to as a "pixel”.
  • FIG. 1 is a system configuration diagram showing an outline of a basic configuration of an active matrix type organic EL display device, which is a display device to which the technique of the present disclosure is applied.
  • the active matrix type organic EL display device 10 to which the technique of the present disclosure is applied is a pixel array in which a plurality of pixels 20 including an organic EL element are two-dimensionally arranged in a matrix shape. It is configured to have a unit 30 and a peripheral circuit (peripheral drive unit) arranged in the peripheral region of the pixel array unit 30.
  • a peripheral circuit peripheral drive unit
  • the peripheral circuit of the pixel region is composed of, for example, a writing scanning unit 40, a driving scanning unit 50, a signal output unit 60, etc. mounted on the same display panel 70 as the pixel array unit 30, and each pixel of the pixel array unit 30.
  • Drive 20 It is also possible to adopt a configuration in which some or all of the writing scanning unit 40, the driving scanning unit 50, and the signal output unit 60 are provided outside the display panel 70.
  • the organic EL display device 10 may be configured to support monochrome (black and white) display, or may be configured to support color display.
  • one pixel (unit pixel / pixel) as a unit for forming a color image is composed of a plurality of sub-pixels (sub-pixels).
  • each of the sub-pixels corresponds to the pixel 20 in FIG. More specifically, in a display device that supports color display, one pixel is, for example, a sub-pixel that emits red (R) light, a sub-pixel that emits green (Green) light, and blue (Blue).
  • R red
  • Green green
  • Blue blue
  • one pixel is not limited to the combination of the sub-pixels of the three primary colors R, G, and B, and one pixel is formed by adding the sub-pixels of one color or a plurality of colors to the sub-pixels of the three primary colors. It is also possible to configure. More specifically, for example, a sub-pixel that emits white (W) light to improve brightness is added to form one pixel, or at least complementary color light is emitted to expand the color reproduction range. It is also possible to add one sub-pixel to form one pixel.
  • W white
  • the pixel array unit 30 has a scanning line 31 (31 1 to 31 m ) and a driving line 32 (32) along a first direction (row direction / horizontal direction) with respect to an array of pixels 20 in m rows and n columns. 1 to 32 m ) are wired for each pixel row. Furthermore, to the sequence of m rows and n columns of pixels 20, a second direction (column direction / vertical direction) along the signal line 33 (33 1 ⁇ 33 n) are wired for each pixel row.
  • the scanning lines 31 1 to 31 m are connected to the output ends of the corresponding lines of the writing scanning unit 40, respectively.
  • the drive lines 32 1 to 32 m are connected to the output ends of the corresponding lines of the drive scanning unit 50, respectively.
  • the signal lines 33 1 to 33 n are connected to the output ends of the corresponding columns of the signal output unit 60, respectively.
  • the write scanning unit 40 is composed of a shift register circuit or the like.
  • the writing scanning unit 40 writes the writing scanning signal WS (WS 1 to WS m ) with respect to the scanning lines 31 (31 1 to 31 m ).
  • the so-called line sequential scanning in which each pixel 20 of the pixel array unit 30 is sequentially scanned row by row, is performed by sequentially supplying the above.
  • the drive scanning unit 50 is configured by a shift register circuit or the like, like the writing scanning unit 40.
  • the drive scanning unit 50 pixel by in synchronism with the line sequential scanning by the writing scanning unit 40, supplies the emission control signals DS (DS 1 ⁇ DS m) with respect to the drive line 32 (32 1 ⁇ 32 m) 20 light emission / non-emission (quenching) control is performed.
  • Signal output unit 60 a signal source signal voltage of a video signal corresponding to luminance information supplied from the (not shown) (hereinafter, sometimes simply described as "signal voltage") V sig and the reference voltage V ofs And are output selectively.
  • the reference voltage V ofs is a voltage corresponding to the reference voltage of the signal voltage V sig of the video signal (for example, a voltage corresponding to the black level of the video signal), or a voltage in the vicinity thereof.
  • the reference voltage V ofs is used as an initialization voltage when performing a correction operation.
  • the signal output unit 60 adopts a drive mode of line sequential writing in which the signal voltage V sig is written in pixel line units.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a circuit configuration of pixels (pixel circuits) in the active matrix type organic EL display device 10.
  • the light emitting portion of the pixel 20 is composed of an organic EL element 21.
  • the organic EL element 21 is an example of a current-driven electro-optical element whose emission brightness changes according to the value of the current flowing through the device.
  • the pixel 20 is composed of an organic EL element 21 and a drive circuit (pixel drive circuit) that drives the organic EL element 21 by passing a current through the organic EL element 21.
  • the cathode electrode is connected to the common power supply line 34 which is commonly wired to all the pixels 20.
  • Cel is the equivalent capacitance of the organic EL element 21.
  • the drive circuit that drives the organic EL element 21 has a configuration having a drive transistor 22, a sampling transistor 23, a light emission control transistor 24, a holding capacity 25, and an auxiliary capacity 26.
  • the organic EL element 21 and its drive circuit are formed not on an insulator such as glass but on a semiconductor such as silicon, and a P-channel transistor is used as the drive transistor 22. Is taken.
  • the sampling transistor 23 and the light emission control transistor 24 also adopt a configuration in which a P-channel type transistor is used as in the drive transistor 22. Therefore, the drive transistor 22, the sampling transistor 23, and the light emission control transistor 24 have four terminals of source / gate / drain / back gate instead of three terminals of source / gate / drain. A power supply voltage V dd is applied to the back gate.
  • sampling transistor 23 and the light emission control transistor 24 are not limited to the P-channel type transistor because they are switching transistors that function as switch elements. Therefore, the sampling transistor 23 and the light emission control transistor 24 may be an N-channel type transistor or a mixture of P-channel type and N-channel type.
  • the sampling transistor 23 writes to the holding capacitance 25 by sampling the signal voltage V sig of the video signal supplied from the signal output unit 60 through the signal line 33.
  • the light emission control transistor 24 is connected between the node of the power supply voltage V dd and the source electrode of the drive transistor 22, and controls the light emission / non-light emission of the organic EL element 21 under the drive of the light emission control signal DS.
  • the holding capacity 25 is connected between the gate electrode and the source electrode of the drive transistor 22.
  • the holding capacitance 25 holds the signal voltage V sig of the video signal written by sampling by the sampling transistor 23.
  • the drive transistor 22 drives the organic EL element 21 by passing a drive current corresponding to the holding voltage of the holding capacity 25 through the organic EL element 21.
  • the auxiliary capacitance 26 is connected between the source electrode of the drive transistor 22 and a node having a fixed potential, for example, a node having a power supply voltage V dd .
  • the auxiliary capacitance 26 suppresses the fluctuation of the source potential of the drive transistor 22 when the signal voltage V sig of the video signal is written, and the gate-source voltage V g s of the drive transistor 22 is set to the drive transistor 22. It acts to set the threshold voltage V th .
  • an insulating transparent substrate such as a glass substrate can be used as the substrate of the display panel 70 on which the pixel array unit 30 and its peripheral circuits are formed, or a silicon substrate or the like. It is also possible to use the semiconductor substrate of.
  • An organic EL display device that uses a semiconductor substrate such as a silicon substrate as the substrate of the display panel 70 is called a so-called micro display (small display), and is used as an electronic viewfinder of a digital still camera, a display unit of a head-mounted display, or the like. It is suitable for use.
  • FIG. 3 shows a basic panel structure of the outer peripheral portion of the pixel array portion 30 of the display panel 70.
  • the panel structure of the display panel 70 includes a so-called top emission type panel structure in which light is extracted from the side opposite to the support substrate on which the organic EL element 21 is formed, and a so-called bottom in which light is extracted from the support substrate side.
  • the technique of the present disclosure can be applied to a panel structure of either a top emission type panel structure or a bottom emission type panel structure, but in the following, the case of the top emission type will be taken as an example. explain.
  • the regions on the support substrate 71 made of a semiconductor substrate are located in the region (pixel region) of the pixel array portion 30 in which a plurality of pixels 20 are arranged in a matrix and the periphery (outer edge side / outer peripheral side) of the pixel array portion 30. It consists of a peripheral area where it is located.
  • a circuit unit including a drive transistor 22, a sampling transistor 23, a light emission control transistor 24, a holding capacity 25, and an auxiliary capacity 26, and driving the organic EL element 21 is provided.
  • a peripheral circuit unit including a writing scanning unit 40, a driving scanning unit 50, a signal output unit 60, and the like is provided.
  • a circuit layer (not shown) including these circuit portions is formed on the support substrate 71.
  • the display panel 70 has a laminated structure in which, for example, a wiring layer 72, an anode electrode 73, an organic layer 74, and a cathode electrode 75 are laminated on a circuit layer.
  • a protective layer, a filler layer (adhesive layer), and a black matrix layer are laminated in this order on the cathode electrode 75.
  • a color filter is provided on the same layer as the black matrix layer on a pixel-by-pixel basis, and an opposing substrate is bonded onto the color filter, and the laminated structure is sealed by the opposing substrate.
  • the organic layer 74 has a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are laminated in this order from the side of the anode electrode 73.
  • the hole injection layer is provided to increase the hole injection efficiency and prevent leakage.
  • the hole transport layer is for increasing the hole transport efficiency to the light emitting layer.
  • the electron transport layer is for increasing the electron transport efficiency to the light emitting layer.
  • the electron injection layer is for increasing the electron injection efficiency.
  • the layers other than the light emitting layer may be provided as needed.
  • the organic EL element 21 and the organic EL element 21 are defined by a pixel definition layer (Pixel Define Layer: PDL) 76.
  • the anode electrode 73 is made of a metal material obtained by laminating aluminum, indium tin oxide (ITO), and silver, and is provided as a lower electrode (pixel electrode) of the organic EL element 21 in pixel units.
  • the cathode electrode 75 is made of a light-transmitting material such as indium tin oxide, zinc oxide (IZO), and zinc oxide (ZnO), and is commonly provided as an upper electrode (common electrode) of the organic EL element 21 for all pixels. ..
  • a cathode ring 77 for giving a cathode potential to the cathode electrode 75 is provided below the outermost peripheral portion 75A of the cathode electrode 75.
  • a recess 78 is formed on the peripheral portion of the substrate outside the region of the cathode ring 77 (cathode ring region).
  • a pad electrode layer 79 made of an anisotropic conductive film (ACF) is formed in the recess 78.
  • a flexible printed circuit board (FPC) 81 is pressure-bonded to the pad electrode layer 79 in the recess 78 via an anisotropic conductive film (ACF) 80 under high temperature and high pressure conditions. In this crimping, in addition to temperature and pressure, time is also a parameter.
  • the organic EL element 21 has weak resistance to heat. Therefore, in the manufacturing process of the organic EL display device 10, sufficient attention to heat is required.
  • the panel size becomes small. Therefore, it is added to the pad electrode layer 79 in a mounting process that requires a high temperature especially after the EL process, specifically, in a process of crimping the flexible substrate 81 to the pad electrode layer 79 in the recess 78 of the support substrate 71 at a high temperature and high pressure. Heat propagates to the organic EL element 21 in the pixel region, and deterioration of the organic EL element 21 due to heat damage may cause deterioration of display quality.
  • the pad electrode layer is formed on the outer side of the pixel array portion 30 on the support substrate 71.
  • the heat absorption layer 82 (see FIG. 4) is thermally coupled to the pad electrode layer 79.
  • the heat absorption layer 82 has a function of increasing the heat capacity of the pad electrode layer 79.
  • the heat absorbing layer 82 By thermally coupling the heat absorbing layer 82 to the pad electrode layer 79 in this way, the heat capacity of the pad electrode layer 79 can be increased, so that the flexible substrate 81 can be attached to the pad electrode layer 79 at high temperature and high pressure.
  • heat damage to the organic EL element 21 can be reduced. As a result, deterioration of display quality due to heat damage to the organic EL element 21 can be suppressed.
  • the panel structure according to a specific embodiment of the present embodiment in which the heat absorption layer 82 is thermally coupled to the pad electrode layer 79 to increase the heat capacity of the pad electrode layer 79 will be described below.
  • the first embodiment is an example in which the heat absorption layer 82 is provided corresponding to a part of the pad electrode layer 79 in the length direction of each pad.
  • FIG. 4 shows a cross-sectional view of the panel structure of the outer peripheral portion of the pixel array portion 30 in the display panel 70 according to the first embodiment, and a schematic perspective view of the pad electrode layer 79 and the heat absorption layer 82 in the panel structure according to the first embodiment. It is shown in FIG.
  • the pad electrode layer 79 is provided on the outside of the pixel array portion 30 on the support substrate 71.
  • Pad electrode layer 79 in the recess 78 of the supporting substrate 71, a plurality of pads 79 1, 79 2, 79 3, ... are, for example, has a configuration which is arranged at a constant pitch.
  • the panel structure according to the first embodiment has a heat absorbing layer 82 as a layer under the pad electrode layer 79.
  • the heat absorption layer 82 is thermally coupled to the pad electrode layer 79 by the thermal connection portion 83.
  • the heat absorbing layer 82 has a plurality of pads 79 1, 79 2, 79 3, provided corresponding to ..., 1 a plurality of heat absorbing portions 82 independent of each other, 82 2, 82 It consists of 3 , ...
  • a plurality of heat absorbing portions 82 1, 82 2, 82 3, ... are in a state of being electrically separated from each other, each pad 79 first pad electrode layer 79, 79 2, 79 3, ... of It is provided corresponding to a part in the length direction. Then, a plurality of heat absorbing portions 82 1, 82 2, 82 3, each ... are, via a thermal connecting part 83, the pad 79 1, 79 2, 79 3, thermally coupled to ... doing, the pads 79 1, 79 2, 79 3, an action to increase the heat capacity of ....
  • the heat capacity of can be increased.
  • the heat absorption layer 82 is made of the same material as the material of the anode electrode 73 of the organic EL element 21, for example, aluminum, and is wired in the same layer as one of the multi-layered wiring layers 72 in the pixel region. It is formed as a layer.
  • a wiring layer formed as the same layer as the heat absorption layer 82 under the pixel array portion 30 (in this example, the wiring layer in the middle of the three wiring layers 72). ) Is provided.
  • the thermal damage to the organic EL element 21 can be reduced, so that the deterioration of the display quality due to the thermal damage to the organic EL element 21 can be suppressed.
  • a wiring layer formed as the same layer as the heat absorption layer 82 (in this example, the wiring layer in the middle of the three wiring layers 72) is formed under the pixel array portion 30.
  • the wiring layer is provided and can be used as a reinforcement of the cathode ring 77. This point is the same in Example 2 described later.
  • the second embodiment is an example in which the heat absorption layer 82 is provided over the entire length direction of each pad of the pad electrode layer 79.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the panel structure of the outer peripheral portion of the pixel array portion 30 in the display panel 70 according to the second embodiment, and is a schematic perspective view of the pad electrode layer 79 and the heat absorption layer 82 in the panel structure according to the second embodiment. Shown in 7.
  • Panel structure according to the second embodiment a plurality of heat-absorbing portion 82 1 of the heat absorbing layer 82, 82 2, 82 3, a., Individual pads 79 first pad electrode layer 79, 79 2, 79 3, provided over the entire length direction of ..., for each pad, the pad 79 1 by a plurality of thermal connecting portions 83, 79 2, 79 3, a thermally bonded configured for ... ing.
  • the heat absorbing part 82 1 of the heat absorbing layer 82, 82 2, 82 3, ... are, for example, an organic EL element 21
  • the same material as that of the anode electrode 73 of the above, for example, aluminum, is formed as a wiring layer of the same layer as one of the multilayer wiring layers 72 of the pixel region.
  • a circuit wiring layer 84 is formed as the same layer as the lowest wiring layer among the three wiring layers 72 in the pixel region. ..
  • the heat absorbing part 82 1 of the heat absorbing layer 82, 82 2, 82 3, ... are, individual pads 79 first pad electrode layer 79, 79 2, 79 3 , ... is provided over the entire length direction. Therefore, according to the panel structure according to the second embodiment, the heat absorption effect at the compression bonding process at high temperature and high pressure, heat absorber 82 1, 82 2, 82 3, ... are, corresponding to a portion in the longitudinal direction It is larger than the case of the panel structure according to the first embodiment provided in the above. As a result, the thermal damage to the organic EL element 21 can be more reliably reduced, so that the deterioration of the display quality due to the thermal damage can be more reliably suppressed.
  • the heat absorbing part 82 1 of the heat absorbing layer 82, 82 2, 82 3, ... are individual pads of the pad electrode layer 79 79 1, 79 2, 79 3, is provided over the entire length direction of ..., for the lower pad electrode layer 79, thereby improving the mechanical strength when the bonding at high temperature and high pressure.
  • the circuit wiring layer 84, the wiring layer below the pad electrode layer 79, and the circuit elements such as transistors are placed below the pad electrode layer 79, which does not have the heat absorption layer 82 and has weak mechanical strength. It becomes possible to arrange.
  • the technique of the present disclosure has been described above based on the preferred embodiment, but the technique of the present disclosure is not limited to the embodiment.
  • the configuration and structure of the display device described in the above embodiment are examples, and can be changed as appropriate.
  • the technique of the present disclosure has been described by taking an organic EL device (display panel) as an example, but a display device other than the organic EL device, specifically, a pad electrode on the outside of the pixel array portion.
  • the technique of the present disclosure can be applied to all display devices having a panel structure in which layers are provided.
  • a display device using a semiconductor substrate such as a silicon substrate as an example of the display panel substrate has been described as an example, but the present invention is not limited to this, and an insulating transparent substrate such as a glass substrate may be used.
  • the technique of the present disclosure can be applied to the display device used.
  • the display device of the present disclosure described above is a display unit (display device) of an electronic device in all fields that displays a video signal input to the electronic device or a video signal generated in the electronic device as an image or a video. Can be used as. Examples of electronic devices include television sets, notebook personal computers, digital still cameras, mobile terminal devices such as mobile phones, head-mounted displays, and the like. However, it is not limited to these.
  • the technique of the present disclosure in the crimping process at high temperature and high pressure, it is possible to reduce the thermal damage to the light emitting portion (light emitting element) and suppress the deterioration of the display quality due to the thermal damage. It is possible to provide a display image of image quality. Then, by using the display device of the present disclosure as a display unit (display device) of an electronic device in all fields, a high-quality display image can be provided.
  • smartphones head-mounted displays, and digital still cameras will be illustrated as specific examples of electronic devices using the display device of the present disclosure.
  • the specific examples illustrated here are only examples, and are not limited to these specific examples.
  • FIG. 8A shows an external view of the smartphone according to the specific example 1 of the electronic device of the present disclosure as seen from the front side
  • FIG. 8B shows an external view as seen from the back side.
  • the smartphone 100 according to this specific example includes a display unit 120 on the front side of the housing 110. Further, the smartphone 100 includes, for example, an image pickup unit 130 on the upper side of the back surface side of the housing 110.
  • the display device of the present disclosure can be used as the display unit 110. That is, the smartphone 100 according to the first embodiment is manufactured by using the display device of the present disclosure as the display unit 120 thereof.
  • FIG. 9 shows an external view of a head-mounted display according to Specific Example 2 of the electronic device of the present disclosure.
  • the head-mounted display 200 has a transmissive head-mounted display configuration having a main body 201, an arm 202, and a lens barrel 203.
  • the main body 201 is connected to the arm 202 and the glasses 210. Specifically, the end portion of the main body portion 201 in the long side direction is attached to the arm portion 202. Further, one side of the side surface of the main body 201 is connected to the glasses 210 via a connecting member (not shown).
  • the main body 201 may be directly attached to the head of the human body.
  • the main body 201 has a built-in control board and display for controlling the operation of the head-mounted display 200.
  • the arm portion 202 supports the lens barrel 203 with respect to the main body 201 by connecting the main body 201 and the lens barrel 203. Specifically, the arm portion 202 is coupled to the end portion of the main body portion 201 and the end portion of the lens barrel 203 to fix the lens barrel 203 to the main body 201. Further, the arm unit 202 has a built-in signal line for communicating data related to an image provided from the main body unit 201 to the lens barrel 203.
  • the lens barrel 203 projects the image light provided from the main body 201 via the arm 202 through the lens 211 of the spectacles 210 toward the eyes of the user who wears the head-mounted display 200.
  • the display device of the present disclosure can be used as a display unit built in the main body unit 201. That is, the head-mounted display 200 according to the second embodiment is manufactured by using the display device of the present disclosure as its display unit.
  • FIG. 10 shows an external view of an interchangeable lens type single-lens reflex type digital still camera according to a specific example 3 of the electronic device of the present disclosure.
  • 10A is a front view of the digital still camera
  • FIG. 10B is a rear view of the digital still camera.
  • the interchangeable lens single-lens reflex type digital still camera 300 has, for example, an interchangeable photographing lens unit (interchangeable lens) 312 on the front right side of the camera body (camera body) 311 and is held by the photographer on the front left side. It has a grip portion 313 for doing so.
  • a monitor 314 is provided at substantially the center of the back surface of the camera body 311.
  • a viewfinder (eyepiece window) 315 is provided above the monitor 314. By looking into the viewfinder 315, the photographer can visually recognize the optical image of the subject guided by the photographing lens unit 312 and determine the composition.
  • the display device of the present disclosure can be used as the viewfinder 315 of the interchangeable lens single-lens reflex type digital still camera 300 having the above configuration. That is, the interchangeable lens type single-lens reflex type digital still camera 300 according to the third embodiment is manufactured by using the display device of the present disclosure as its viewfinder 315.
  • the present disclosure may also have the following configuration.
  • A. Display device ⁇ [A-1] A pixel array unit in which pixels including a light emitting unit are arranged, A pad electrode layer provided outside the pixel array portion on the substrate on which the light emitting portion is formed, and A heat absorbing layer thermally coupled to the pad electrode layer. Display device. [A-2] The heat absorption layer has a function of increasing the heat capacity of the pad electrode layer. The display device according to the above [A-1]. [A-3] The heat absorption layer is composed of a wiring layer formed as a layer below the pad electrode layer. The display device according to the above [A-2]. [A-4] The heat absorption layer is provided over the entire length direction of each pad of the pad electrode layer. The display device according to the above [A-3].
  • a circuit wiring layer is provided below the heat absorption layer.
  • a wiring layer formed as the same layer as the heat absorption layer is provided under the pixel array portion.
  • the light emitting unit is composed of an organic electroluminescence element.
  • the heat absorption layer is made of the same material as the material of the anode electrode of the organic electroluminescence device.
  • A-9] The circuit unit that drives the light emitting unit is formed on the semiconductor substrate.
  • the heat absorption layer has a function of increasing the heat capacity of the pad electrode layer.
  • the heat absorption layer is composed of a wiring layer formed as a layer below the pad electrode layer.
  • the heat absorption layer is provided over the entire length direction of each pad of the pad electrode layer.
  • a circuit wiring layer is provided below the heat absorption layer.
  • [B-6] A wiring layer formed as the same layer as the heat absorption layer is provided under the pixel array portion.
  • [B-7] The light emitting unit is composed of an organic electroluminescence element.
  • the heat absorption layer is made of the same material as the material of the anode electrode of the organic electroluminescence device.
  • [B-9] The circuit unit that drives the light emitting unit is formed on the semiconductor substrate.
  • cathode ring cathode ring, 78 ... recess, 79 ... -Pad electrode layer, 80 ... Idiosyncratic conductive film (ACF), 81 ... Flexible substrate (FPC), 82 ... Heat absorption layer, 83 ... Thermal connection part, 84 ... Circuit Wiring layer

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Abstract

本開示の表示装置（７０）は、発光部（２１）を含む画素が配置されて成る画素アレイ部、発光部（２１）が形成された基板（７１）上における画素アレイ部の外側に設けられたパッド電極層（７９）、及び、パッド電極層（７９）に対して熱的に結合された熱吸収層（８２）を備える。また、本開示の電子機器は、上記の構成の表示装置（７０）を有する。

Description

表示装置及び電子機器
　本開示は、表示装置及び電子機器に関する。
　近年の表示装置は、平面型（フラットパネル型）の表示装置が主流である。平面型の表示装置の一つとして、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子を、画素の発光部（発光素子）として用いた表示装置がある。電流駆動型の電気光学素子としては、有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：以下、「ＥＬ」と記述する場合がある）を利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機ＥＬ素子を挙げることができる（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１２－２０９０１８号公報
　ところで、有機ＥＬ素子は、熱に対する耐性が弱い。従って、有機ＥＬ表示装置の製造工程において、熱に対して十分な注意が必要になってくる。特に、有機ＥＬ素子及びその駆動回路部を形成する基板として半導体基板を使うようなマイクロディスプレイでは、パネルサイズが小さくなるため、特にＥＬ工程後に高温が必要な実装工程においては、パッド部に加わる熱が表示領域（画素領域）の有機ＥＬ素子まで伝搬し、熱ダメージによる有機ＥＬ素子の劣化によって表示品質の低下を招くことがある。
　そこで、本開示は、有機ＥＬ素子等の発光部への熱ダメージを低減し、当該熱ダメージに起因する表示品質の低下を抑制することができる表示装置、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
　上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
　発光部を含む画素が配置されて成る画素アレイ部、
　発光部が形成された基板上における画素アレイ部の外側に設けられたパッド電極層、及び、
　パッド電極層に対して熱的に結合された熱吸収層を備える、
　構成となっている。
　また、上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、上記の構成の表示装置を有する、
　構成となっている。
図１は、本開示の技術が適用される表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。 図２は、単位画素（画素回路）の回路構成を示す回路図である。 図３は、表示パネルにおける画素アレイ部の外周部の基本的なパネル構造を示す断面図である。 図４は、実施例１に係る表示パネルにおける画素アレイ部の外周部のパネル構造を示す断面図である。 図５は、実施例１に係るパネル構造におけるパッド電極層及び熱吸収層を示す概略斜視図である。 図６は、実施例２に係る表示パネルにおける画素アレイ部の外周部のパネル構造を示す断面図である。 図７は、実施例２に係るパネル構造におけるパッド電極層及び熱吸収層を示す概略斜視図である。 図８Ａは、本開示の電子機器の具体例１に係るスマートフォンの正面側から見た外観図であり、図８Ｂは、裏面側から見た外観図である。 図９は、本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイを示す外観図である。 図１０Ａは、本開示の電子機器の具体例３に係るデジタルスチルカメラの正面図であり、図１０Ｂは、デジタルスチルカメラの背面図である。
　以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料などは例示である。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
　１．本開示の表示装置及び電子機器、全般に関する説明
　２．本開示の技術が適用されるアクティブマトリクス型表示装置
　　２－１．システム構成
　　２－２．画素回路
　　２－３．基本的なパネル構造
　３．本開示の実施形態
　　３－１．実施例１（パッド電極層のパッド個々の長さ方向の一部分に対応して熱吸収層を設ける例）
　　３－２．実施例２（パッド電極層のパッド個々の長さ方向の全体に亘って熱吸収層を設ける例）
　４．変形例
　５．本開示の電子機器
　　５－１．具体例１（スマートフォンの例）
　　５－２．具体例２（ヘッドマウントディスプレイの例）
　　５－３．具体例３（デジタルスチルカメラの例）
　６．本開示がとることができる構成
＜本開示の表示装置及び電子機器、全般に関する説明＞
　本開示の表示装置及び電子機器にあっては、熱吸収層について、パッド電極層の熱容量を上げる機能を有する構成とすることができる。また、熱吸収層について、パッド電極層の下の層として形成された配線層から成る構成とすることができる。
　上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、熱吸収層について、パッド電極層のパッド個々の長さ方向の全体に亘って設けられている構成とすることができる。また、熱吸収層の下に、回路配線層が設けられている構成とすることができる。また、画素アレイ部の下に、熱吸収層と同じ層として形成された配線層が設けられている構成とすることができる。
　また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、発光部について、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）から成る構成とすることができる。熱吸収層について、有機エレクトロルミネッセンス素子のアノード電極の材料と同じ材料から成る構成とすることができる。
　また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、発光部を駆動する回路部について、半導体基板上に形成されている構成とすることができる。
　上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、表示装置を、複数の副画素が、有機ＥＬ素子から成る発光部（発光素子）を有する有機ＥＬ表示装置の構成とすることができる。すなわち、有機ＥＬ表示装置にあっては、有機ＥＬ素子のそれぞれによって副画素が構成される。有機ＥＬ素子は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子である。
　有機ＥＬ表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータやビデオカメラ、デジタルスチルカメラを構成するモニター装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant，携帯情報端末）、ゲーム機器に組み込まれたモニター装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダー（Electronic View Finder：ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display：ＨＭＤ）に適用することができる。あるいは又、その他、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む照明装置を挙げることができる。
　有機ＥＬ素子において、発光機能層である有機層は、発光層（例えば、有機発光材料から成る発光層）を備えている。この有機層は、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。また、これらの積層構造等をタンデムユニットとする場合、有機層は、第１のタンデムユニット、接続層、及び、第２のタンデムユニットが積層された２段のタンデム構造を有していてもよく、更には、３つ以上のタンデムユニットが積層された３段以上のタンデム構造を有していてもよい。これらの場合、発光色を赤色、緑色、青色と各タンデムユニットで変えることで、全体として白色を発光する有機層を得ることができる。
　有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザ光を照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、当該メタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることによって有機層を得ることができるし、有機層を、パターニングすること無く、全面に形成してもよい。
＜本開示の技術が適用される表示装置＞
　本開示の表示装置は、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって制御するアクティブマトリクス型表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、典型的には、ＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタやＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）を例示することができる。
　ここでは、本開示の表示装置として、電流駆動型の電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子を、画素回路の発光部（発光素子）として用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明するものとする。以下では、「画素回路」を単に「画素」と記述する場合がある。
［システム構成］
　図１は、本開示の技術が適用される表示装置であるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。
　図１に示すように、本開示の技術が適用されるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０が行列状（マトリクス状）に２次元配置されて成る画素アレイ部３０、及び、当該画素アレイ部３０の周辺領域に配置される周辺回路（周辺駆動部）を有する構成となっている。
　画素領域の周辺回路は、例えば、画素アレイ部３０と同じ表示パネル７０上に搭載された書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。尚、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を、表示パネル７０外に設ける構成を採ることも可能である。
　有機ＥＬ表示装置１０については、モノクロ（白黒）表示対応の構成とすることもできるし、カラー表示対応の構成とすることもできる。有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の副画素（サブピクセル）から構成される。このとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ；Ｇ）光を発光する副画素、青色（Ｂｌｕｅ；Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
　但し、１つの画素としては、Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
　画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、第１の方向（行方向／水平方向）に沿って走査線３１（３１1～３１m）と駆動線３２（３２1～３２m）とが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、第２の方向（列方向／垂直方向）に沿って信号線３３（３３1～３３n）が画素列毎に配線されている。
　走査線３１1～３１mは、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。駆動線３２1～３２mは、駆動走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３1～３３nは、信号出力部６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
　書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際して、走査線３１（３１1～３１m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ1～ＷＳm）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。
　駆動走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この駆動走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、駆動線３２（３２1～３２m）に対して発光制御信号ＤＳ（ＤＳ1～ＤＳm）を供給することによって画素２０の発光／非発光（消光）の制御を行う。
　信号出力部６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖsigと基準電圧Ｖofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖofsは、映像信号の信号電圧Ｖsigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）に相当する電圧、あるいは、その近傍の電圧である。基準電圧Ｖofsは、補正動作を行う際に、初期化電圧として用いられる。
　信号出力部６０から択一的に出力される信号電圧Ｖsig／基準電圧Ｖofsは、信号線３３（３３1～３３n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査部４０による線順次走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部６０は、信号電圧Ｖsigを画素行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
［画素回路］
　図２は、アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０における画素（画素回路）の回路構成の一例を示す回路図である。画素２０の発光部は、有機ＥＬ素子２１から成る。有機ＥＬ素子２１は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である。
　図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路（画素駆動回路）とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３４にカソード電極が接続されている。図中、Ｃelは、有機ＥＬ素子２１の等価容量である。
　有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、保持容量２５、及び、補助容量２６を有する構成となっている。ここでは、有機ＥＬ素子２１及びその駆動回路を、ガラスのような絶縁体上ではなく、シリコンのような半導体上に形成することを想定し、駆動トランジスタ２２として、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。
　また、本例では、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４についても、駆動トランジスタ２２と同様に、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。従って、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、及び、発光制御トランジスタ２４は、ソース／ゲート／ドレインの３端子ではなく、ソース／ゲート／ドレイン／バックゲートの４端子となっている。バックゲートには電源電圧Ｖddが印加される。
　但し、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４については、スイッチ素子として機能するスイッチングトランジスタであることから、Ｐチャネル型のトランジスタに限られるものではない。従って、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４は、Ｎチャネル型のトランジスタでも、Ｐチャネル型とＮチャネル型が混在した構成のものでもよい。
　上記の構成の画素２０において、サンプリングトランジスタ２３は、信号出力部６０から信号線３３を通して供給される映像信号の信号電圧Ｖsigをサンプリングすることによって保持容量２５に書き込む。発光制御トランジスタ２４は、電源電圧Ｖddのノードと駆動トランジスタ２２のソース電極との間に接続され、発光制御信号ＤＳによる駆動の下に、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御する。
　保持容量２５は、駆動トランジスタ２２のゲート電極とソース電極との間に接続されている。この保持容量２５は、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって書き込まれた映像信号の信号電圧Ｖsigを保持する。駆動トランジスタ２２は、保持容量２５の保持電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子２１に流すことによって有機ＥＬ素子２１を駆動する。
　補助容量２６は、駆動トランジスタ２２のソース電極と、固定電位のノード、例えば、電源電圧Ｖddのノードとの間に接続されている。この補助容量２６は、映像信号の信号電圧Ｖsigを書き込んだときに駆動トランジスタ２２のソース電位が変動するのを抑制するとともに、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖgsを、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthにする作用を為す。
［基本的なパネル構造］
　上記の構成の有機ＥＬ表示装置１０において、画素アレイ部３０及びその周辺回路等が形成される表示パネル７０の基板としては、ガラス基板等の絶縁性透明基板を用いることもできるし、シリコン基板等の半導体基板を用いることもできる。
　表示パネル７０の基板として、シリコン基板等の半導体基板を用いる有機ＥＬ表示装置は、所謂、マイクロディスプレイ（小型ディスプレイ）と呼称され、デジタルスチルカメラの電子ビューファインダや、ヘッドマウントディスプレイの表示部等として用いて好適なものである。
　以下では、表示パネル７０の基板としてシリコン基板等の半導体基板を用いる場合を例に挙げて、表示パネル７０の構造（パネル構造）について説明する。表示パネル７０における画素アレイ部３０の外周部の基本的なパネル構造を図３に示す。
　表示パネル７０のパネル構造には、有機ＥＬ素子２１が形成される支持基板とは反対側から光を取り出す、所謂、トップエミッション方式のパネル構造、及び、支持基板側から光を取り出す、所謂、ボトムエミッション方式のパネル構造がある。本開示の技術は、トップエミッション方式のパネル構造、及び、ボトムエミッション方式のパネル構造のいずれの方式のパネル構造にも適用することができるが、以下では、トップエミッション方式の場合を例に挙げて説明する。
　半導体基板から成る支持基板７１上の領域は、複数の画素２０がマトリクス状に配置されて成る画素アレイ部３０の領域（画素領域）と、画素アレイ部３０の周辺（外縁側／外周側）に位置する周辺領域とから成る。画素アレイ部３０の領域内には、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、保持容量２５、及び、補助容量２６から成り、有機ＥＬ素子２１を駆動する回路部が設けられる。周辺領域内には、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成る周辺回路部が設けられる。そして、これらの回路部を含む回路層（図示せず）が支持基板７１上に形成される。
　表示パネル７０は、回路層の上に、例えば、配線層７２、アノード電極７３、有機層７４、及び、カソード電極７５が積層された積層構造を有している。ここでは図示を省略するが、カソード電極７５の上には、保護層、充填剤層（接着層）、及び、ブラックマトリクス層がこの順に積層されることになる。尚、ブラックマトリクス層と同じ層には、カラーフィルタが画素単位で設けられ、その上に、対向基板が貼り合わされ、当該対向基板によって積層構造が封止されるようになっている。
　図示を省略するが、有機層７４は、アノード電極７３の側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、電子注入層が順に積層された構造となっている。ここで、正孔注入層は、正孔注入効率を高めるとともに、リークを防止するために設けられる。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることによって電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、電子注入効率を高めるためのものである。これらの各層のうち、発光層以外の層については必要に応じて設けらればよい。
　有機ＥＬ素子２１と有機ＥＬ素子２１との間は、画素定義層（Pixel Define Layer：ＰＤＬ）７６によって画定されている。そして、アノード電極７３は、アルミニウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）と銀との積層による金属材料から成り、有機ＥＬ素子２１の下部電極（画素電極）として画素単位で設けられている。カソード電極７５は、酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の光透過性材料から成り、有機ＥＬ素子２１の上部電極（共通電極）として全画素共通に設けられている。カソード電極７５の最外周部７５Ａの下には、カソード電極７５にカソード電位を与えるためのカソードリング７７が設けられている。
　支持基板７１上において、カソードリング７７の領域（カソードリング領域）の外側の基板周縁部には、凹部７８が形成されている。そして、凹部７８内には、異方導電性フィルム（Anisotropic Conductive Film：ＡＣＦ）から成るパッド電極層７９が形成されている。凹部７８内のパッド電極層７９には、異方導電性フィルム（ＡＣＦ）８０を介してフレキシブル基板（Flexible Printed Circiuits：ＦＰＣ）８１が、高温・高圧の条件の下に圧着される。この圧着では、温度及び圧力の他に、時間もパラメータとなる。
　上記の構成の有機ＥＬ表示装置１０において、有機ＥＬ素子２１は、熱に対する耐性が弱い。従って、有機ＥＬ表示装置１０の製造工程において、熱に対して十分な注意が必要になってくる。特に、有機ＥＬ素子２１及びその駆動回路部を形成する支持基板７１として半導体基板を使う場合には、パネルサイズが小さくなる。そのため、特にＥＬ工程後に高温が必要な実装工程、具体的には、支持基板７１の凹部７８内のパッド電極層７９にフレキシブル基板８１を高温・高圧で圧着する工程において、パッド電極層７９に加わる熱が画素領域の有機ＥＬ素子２１まで伝搬し、熱ダメージによる有機ＥＬ素子２１の劣化によって表示品質の低下を招くことがある。
＜本開示の実施形態＞
　本開示の実施形態では、有機ＥＬ素子２１への熱ダメージを低減し、当該熱ダメージに起因する表示品質の低下を抑制するために、支持基板７１上における画素アレイ部３０の外側にパッド電極層７９が設けられた有機ＥＬ表示装置１０において、パッド電極層７９に対して熱吸収層８２（図４参照）を熱的に結合した構成をとる。熱吸収層８２は、パッド電極層７９の熱容量を上げる機能を有する。
　このように、パッド電極層７９に対して熱吸収層８２を熱的に結合することで、パッド電極層７９の熱容量を上げることができるため、パッド電極層７９にフレキシブル基板８１を高温・高圧で圧着する際に、有機ＥＬ素子２１への熱ダメージを低減することができる。これにより、有機ＥＬ素子２１への熱ダメージに起因する表示品質の低下を抑制することができる。
　以下に、パッド電極層７９に対して熱吸収層８２を熱的に結合し、パッド電極層７９の熱容量を上げる本実施形態の具体的な実施例に係るパネル構造について説明する。
［実施例１］
　実施例１は、パッド電極層７９のパッド個々の長さ方向の一部分に対応して熱吸収層８２を設ける例である。実施例１に係る表示パネル７０における画素アレイ部３０の外周部のパネル構造の断面図を図４に示し、実施例１に係るパネル構造におけるパッド電極層７９及び熱吸収層８２の概略斜視図を図５に示す。
　実施例１に係るパネル構造を有する有機ＥＬ表示装置１０において、支持基板７１上における画素アレイ部３０の外側にパッド電極層７９が設けられている。パッド電極層７９は、支持基板７１の凹部７８内に、複数のパッド７９1，７９2，７９3，・・・が、例えば一定のピッチで配列された構成となっている。
　実施例１に係るパネル構造は、パッド電極層７９の下の層として熱吸収層８２を有する構成となっている。そして、熱吸収層８２は、熱的連結部８３によってパッド電極層７９に対して熱的に結合されている。図５に示すように、熱吸収層８２は、複数のパッド７９1，７９2，７９3，・・・に対応して設けられ、互いに独立した複数の熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・から成る。
　複数の熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・は、互いに電気的に分離された状態で、パッド電極層７９の個々のパッド７９1，７９2，７９3，・・・の長さ方向の一部分に対応して設けらている。そして、複数の熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・のそれぞれが、熱的連結部８３を介して、パッド７９1，７９2，７９3，・・・に熱的に結合することで、パッド７９1，７９2，７９3，・・・の熱容量を上げる作用をなす。
　一般的に、熱容量は、物質の種類と質量による。従って、熱吸収層８２の各熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・の質量を大きくすることで、パッド電極層７９の各パッド７９1，７９2，７９3，・・・の熱容量を上げることができる。実施例１に係るパネル構造において、熱吸収層８２は、例えば、有機ＥＬ素子２１のアノード電極７３の材料と同じ材料、例えばアルミニウムによって、画素領域の多層の配線層７２の一つと同じ層の配線層として形成されている。換言すれば、実施例１に係るパネル構造は、画素アレイ部３０の下に、熱吸収層８２と同じ層として形成された配線層（本例では、３層の配線層７２の真ん中の配線層）が設けられた構成となっている。
　上述した実施例１に係るパネル構造によれば、パッド電極層７９に対してフレキシブル基板８１を高温・高圧で圧着する工程において、パッド電極層７９の各パッド７９1，７９2，７９3，・・・に熱的に結合された熱吸収層８２の各熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・によって熱を吸収することができる。これにより、有機ＥＬ素子２１への熱ダメージを低減することができるため、有機ＥＬ素子２１への熱ダメージに起因する表示品質の低下を抑制することができる。
　また、実施例１に係るパネル構造では、画素アレイ部３０の下に、熱吸収層８２と同じ層として形成された配線層（本例では、３層の配線層７２の真ん中の配線層）が設けられており、当該配線層をカソードリング７７の補強として使うことができる。この点については、後述する実施例２においても同様である。
［実施例２］
　実施例２は、パッド電極層７９のパッド個々の長さ方向の全体に亘って熱吸収層８２を設ける例である。実施２に係る表示パネル７０における画素アレイ部３０の外周部のパネル構造の断面図を図６に示し、実施例２に係るパネル構造におけるパッド電極層７９及び熱吸収層８２の概略斜視図を図７に示す。
　実施例２に係るパネル構造は、熱吸収層８２の複数の熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・を、パッド電極層７９の個々のパッド７９1，７９2，７９3，・・・の長さ方向の全体に亘って設け、パッド毎に、複数の熱的連結部８３によってパッド７９1，７９2，７９3，・・・に対して熱的に結合した構成となっている。
　実施例２に係るパネル構造においても、実施例１に係るパネル構造と同様に、熱吸収層８２の各熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・は、例えば、有機ＥＬ素子２１のアノード電極７３の材料と同じ材料、例えばアルミニウムによって、画素領域の多層の配線層７２の一つと同じ層の配線層として形成されている。また、パッド電極層７９の下方で熱吸収層８２の下方には、例えば、画素領域の３層の配線層７２のうち、最下層の配線層と同じ層として回路配線層８４が形成されている。
　上述した実施例２に係るパネル構造では、熱吸収層８２の各熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・が、パッド電極層７９の個々のパッド７９1，７９2，７９3，・・・の長さ方向の全体に亘って設けている。従って、実施例２に係るパネル構造によれば、高温・高圧での圧着工程における熱吸収効果が、熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・が、長さ方向の一部分に対応して設けられている実施例１に係るパネル構造の場合よりも大きい。その結果、有機ＥＬ素子２１への熱ダメージをより確実に低減することができるため、当該熱ダメージに起因する表示品質の低下をより確実に抑制することができる。
　また、実施例２に係るパネル構造によれば、熱吸収層８２の各熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・が、パッド電極層７９の個々のパッド７９1，７９2，７９3，・・・の長さ方向の全体に亘って設けられているため、パッド電極層７９の下方に対する、高温・高圧での圧着の際の機械的な強度を向上させることができる。これにより、熱吸収層８２が存在せず、機械的な強度が弱かったパッド電極層７９の下方にも、回路配線層８４、更にはその下の配線層であったり、トランジスタ等の回路素子を配置することが可能になる。
＜変形例＞
　以上、本開示の技術について、好ましい実施形態に基づき説明したが、本開示の技術は当該実施形態に限定されるものではない。上記の実施形態において説明した表示装置の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。例えば、上記の実施形態では、有機ＥＬ装置（表示パネル）を例に挙げて本開示の技術について説明したが、有機ＥＬ装置以外の表示装置、具体的には、画素アレイ部の外側にパッド電極層が設けられるパネル構造の表示装置全般に対して本開示の技術を適用することができる。
　また、上記の実施形態では、表示パネルの基板として、シリコン基板等の半導体基板を用いる表示装置を例に挙げて説明したが、これに限られるものではなく、ガラス基板等の絶縁性透明基板を用いる表示装置に対して、本開示の技術を適用することができる。
＜本開示の電子機器＞
　以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示する、あらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。電子機器としては、テレビジョンセット、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、携帯電話機等の携帯端末装置、ヘッドマウントディスプレイ等を例示することができる。但し、これらに限られるものではない。
　本開示の技術によれば、高温・高圧での圧着工程において、発光部（発光素子）への熱ダメージを低減し、当該熱ダメージに起因する表示品質の低下を抑制することができるため、高画質の表示画像を提供することができる。そして、あらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として、本開示の表示装置を用いることで、高画質の表示画像を提供することができる。
　以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、スマートフォン、ヘッドマウントディスプレイ、デジタルスチルカメラを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これらの具体例に限られるものではない。
［具体例１：スマートフォンの例］
　本開示の電子機器の具体例１に係るスマートフォンについて、正面側から見た外観図を図８Ａに示し、裏面側から見た外観図を図８Ｂに示す。本具体例に係るスマートフォン１００は、筐体１１０の正面側に表示部１２０を備えている。また、スマートフォン１００は、例えば、筐体１１０の裏面側の上方部に撮像部１３０を備えている。
　上記の構成のモバイル機器の一例であるスマートフォン１００において、その表示部１１０として、本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例１に係るスマートフォン１００は、その表示部１２０として、本開示の表示装置を用いることによって作製される。
［具体例２：ヘッドマウントディスプレイの例］
　本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイの外観図を図９に示す。
　具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ２００は、本体部２０１、アーム部２０２及び鏡筒２０３を有する透過式ヘッドマウントディスプレイ構成となっている。本体部２０１は、アーム部２０２及び眼鏡２１０と接続されている。具体的には、本体部２０１の長辺方向の端部はアーム部２０２に取り付けられている。また、本体部２０１の側面の一方側は、接続部材（図示せず）を介して眼鏡２１０に連結されている。尚、本体部２０１は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。
　本体部２０１は、ヘッドマウントディスプレイ２００の動作を制御するための制御基板や表示部を内蔵している。アーム部２０２は、本体部２０１と鏡筒２０３とを連結させることで、本体部２０１に対して鏡筒２０３を支える。具体的には、アーム部２０２は、本体部２０１の端部及び鏡筒２０３の端部と結合されることで、本体部２０１に対して鏡筒２０３を固定する。また、アーム部２０２は、本体部２０１から鏡筒２０３に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵している。
　鏡筒２０３は、本体部２０１からアーム部２０２を経由して提供される画像光を、眼鏡２１０のレンズ２１１を透して、ヘッドマウントディスプレイ２００を装着するユーザの目に向かって投射する。このヘッドマウントディスプレイ２００において、本体部２０１に内蔵される表示部として、本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ２００は、その表示部として、本開示の表示装置を用いることによって作製される。
［具体例３：デジタルスチルカメラの例］
　本開示の電子機器の具体例３に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図を図１０に示す。図１０Ａは、デジタルスチルカメラの正面図であり、図１０Ｂは、デジタルスチルカメラの背面図である。
　レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラ３００は、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。そして、カメラ本体部３１１の背面略中央にはモニター３１４が設けられている。モニター３１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２によって導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
　上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラ３００において、そのビューファインダ３１５として、本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例３に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラ３００は、そのビューファインダ３１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
＜本開示がとることができる構成＞
　尚、本開示は、以下のような構成をとることもできる。
≪Ａ．表示装置≫
［Ａ－１］発光部を含む画素が配置されて成る画素アレイ部、
　発光部が形成された基板上における画素アレイ部の外側に設けられたパッド電極層、及び、
　パッド電極層に対して熱的に結合された熱吸収層を備える、
　表示装置。
［Ａ－２］熱吸収層は、パッド電極層の熱容量を上げる機能を有する、
　上記［Ａ－１］に記載の表示装置。
［Ａ－３］熱吸収層は、パッド電極層の下の層として形成された配線層から成る、
　上記［Ａ－２］に記載の表示装置。
［Ａ－４］熱吸収層は、パッド電極層のパッド個々の長さ方向の全体に亘って設けられている、
　上記［Ａ－３］に記載の表示装置。
［Ａ－５］熱吸収層の下に、回路配線層が設けられている、
　上記［Ａ－４］に記載の表示装置。
［Ａ－６］画素アレイ部の下に、熱吸収層と同じ層として形成された配線層が設けられている、
　上記［Ａ－３］又は上記［Ａ－４］に記載の表示装置。
［Ａ－７］発光部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
　上記［Ａ－１］乃至上記［Ａ－６］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ－８］熱吸収層は、有機エレクトロルミネッセンス素子のアノード電極の材料と同じ材料から成る、
　上記［Ａ－７］に記載の表示装置。
［Ａ－９］発光部を駆動する回路部は、半導体基板上に形成されている、
　上記［Ａ－１］乃至上記［Ａ－８］のいずれかに記載の表示装置。
≪Ｂ．電子機器≫
［Ｂ－１］発光部を含む画素が配置されて成る画素アレイ部、
　発光部が形成された基板上における画素アレイ部の外側に設けられたパッド電極層、及び、
　パッド電極層に対して熱的に結合された熱吸収層を備える、
　表示装置を有する電子機器。
［Ｂ－２］熱吸収層は、パッド電極層の熱容量を上げる機能を有する、
　上記［Ｂ－１］に記載の電子機器。
［Ｂ－３］熱吸収層は、パッド電極層の下の層として形成された配線層から成る、
　上記［Ｂ－２］に記載の電子機器。
［Ｂ－４］熱吸収層は、パッド電極層のパッド個々の長さ方向の全体に亘って設けられている、
　上記［Ｂ－３］に記載の電子機器。
［Ｂ－５］熱吸収層の下に、回路配線層が設けられている、
　上記［Ｂ－４］に記載の電子機器。
［Ｂ－６］画素アレイ部の下に、熱吸収層と同じ層として形成された配線層が設けられている、
　上記［Ｂ－３］又は上記［Ｂ－４］に記載の電子機器。
［Ｂ－７］発光部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
　上記［Ｂ－１］乃至上記［Ｂ－６］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ－８］熱吸収層は、有機エレクトロルミネッセンス素子のアノード電極の材料と同じ材料から成る、
　上記［Ｂ－７］に記載の電子機器。
［Ｂ－９］発光部を駆動する回路部は、半導体基板上に形成されている、
　上記［Ｂ－１］乃至上記［Ｂ－８］のいずれかに記載の電子機器。
　１０・・・有機ＥＬ表示装置、２０・・・画素、２１・・・有機ＥＬ素子、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・サンプリングトランジスタ、２４・・・発光制御トランジスタ、２５・・・保持容量、２６・・・補助容量、３０・・・画素アレイ部、３１1～３１m・・・走査線、３２1～３２m・・・駆動線、３３1～３３n・・・信号線、４０・・・書込み走査部、５０・・・駆動走査部、６０・・・信号出力部、７０・・・表示パネル、７１・・・支持基板（半導体基板）、７２・・・配線層、７３・・・・・・アノード電極、７４・・・有機層、７５・・・カソード電極、７６・・・画素定義層（ＰＤＬ）、７７・・・カソードリング、７８・・・凹部、７９・・・パッド電極層、８０・・・異方導電性フィルム（ＡＣＦ）、８１・・・フレキシブル基板（ＦＰＣ）、８２・・・熱吸収層、８３・・・熱的連結部、８４・・・回路配線層

Claims (10)

  1. 　発光部を含む画素が配置されて成る画素アレイ部、
    　発光部が形成された基板上における画素アレイ部の外側に設けられたパッド電極層、及び、
    　パッド電極層に対して熱的に結合された熱吸収層を備える、
    　表示装置。
  2. 　熱吸収層は、パッド電極層の熱容量を上げる機能を有する、
    　請求項１に記載の表示装置。
  3. 　熱吸収層は、パッド電極層の下の層として形成された配線層から成る、
    　請求項２に記載の表示装置。
  4. 　熱吸収層は、パッド電極層のパッド個々の長さ方向の全体に亘って設けられている、
    　請求項３に記載の表示装置。
  5. 　熱吸収層の下に、回路配線層が設けられている、
    　請求項４に記載の表示装置。
  6. 　画素アレイ部の下に、熱吸収層と同じ層として形成された配線層が設けられている、
    　請求項３に記載の表示装置。
  7. 　発光部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
    　請求項１に記載の表示装置。
  8. 　熱吸収層は、有機エレクトロルミネッセンス素子のアノード電極の材料と同じ材料から成る、
    　請求項７に記載の表示装置。
  9. 　発光部を駆動する回路部は、半導体基板上に形成されている、
    　請求項１に記載の表示装置。
  10. 　発光部を含む画素が配置されて成る画素アレイ部、
    　発光部が形成された基板上における画素アレイ部の外側に設けられたパッド電極層、及び、
    　パッド電極層に対して熱的に結合された熱吸収層を備える、
    　表示装置を有する電子機器。
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