WO2020162389A1 - スイッチ駆動装置 - Google Patents

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Rohm Co Ltd
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Definitions

  • the present disclosure relates to a switch driving device.
  • Such a driving device includes, for example, an output circuit (half bridge circuit) including two semiconductor switching elements (an upper switching element and a lower switching element) connected in series, and the upper switching element serves as a driving power supply. It is connected.
  • a bootstrap circuit may be combined with a half bridge circuit in order to obtain a sufficient drive voltage when the upper switch element is turned on (see, for example, Patent Document 1).
  • the bootstrap circuit includes a boot capacitor, and the charge voltage of the boot capacitor ensures the gate-source voltage (gate voltage) of the upper switch element.
  • the charging voltage of the boot capacitor may be higher than the gate voltage allowed for the upper switch element (allowable gate voltage) (the boot capacitor may be overcharged).
  • the signal input to the gate of the switch element becomes larger than the allowable gate voltage, which may cause malfunction such as malfunction of the switch element.
  • an object of the present disclosure is to provide a switch driving device that can reliably and stably drive a switching element.
  • a switch driving device provided based on the present disclosure includes a gate driver that drives an N-type semiconductor switching element, a bootstrap circuit that includes a boot capacitor and a boot diode, and that applies a voltage to the gate driver, and a supply to the boot capacitor.
  • a current limiting unit that limits the generated current, and a current control unit that controls the operation of the current limiting unit.
  • the current limiting unit is provided in a path that electrically connects the boot capacitor and the boot diode.
  • the N-type semiconductor switch element can be appropriately driven.
  • FIG. 3 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a driver circuit of the switch driving device according to the first embodiment. 3 is a timing chart showing an output operation of the switch driving device according to the first embodiment. It is a circuit diagram of an example of the upper side driver circuit of the switch drive device concerning a 1st embodiment. It is a perspective view showing a switch drive device concerning a 1st embodiment.
  • FIG. 3 is a plan view showing the switch driving device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a bottom view showing the switch driving device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a plan view showing a substrate of the switch driving device according to the first embodiment.
  • FIG. 10 is a sectional view taken along line XII-XII in FIG. 9. It is sectional drawing which follows the XIII-XIII line of FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing a semiconductor chip of the switch driving device according to the first embodiment. It is a schematic diagram showing a schematic structure of an integrated circuit which constitutes an upper side driver circuit of a switch driver concerning a 1st embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a motor drive device using a switch drive device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • the motor drive device MMC shown in the figure drives the motor M.
  • Motor M is, for example, a three-phase AC motor.
  • the motor M includes a U-phase coil MU, a V-phase coil MV, and a W-phase coil MW described later.
  • the coils MU, MV, MW are connected by star connection, but the invention is not limited to this and may be delta connection.
  • the motor drive device MMC includes a motor control unit MCU and a power supply unit PS.
  • the motor control unit MCU includes a logic circuit (not shown).
  • the motor control unit MCU energizes each phase for performing energization control on the coils of each phase (U phase, V phase, W phase) of the motor M at appropriate timing based on the position information of the rotor from the motor M. Generate a control signal. Further, the motor control unit MCU changes the excitation phase switching timing when switching the rotation direction of the motor M, when changing the rotation speed, or the like.
  • the power supply unit PS supplies driving power (current) to the coils of each phase of the motor M at the timing based on the energization control signal of each phase received from the motor control unit MCU.
  • FIG. 2 is a block diagram of the power supply unit PS including the switch driving device according to the first embodiment.
  • the power supply unit PS includes a switch driving device A1 and a bootstrap circuit BTC.
  • the switch drive device A1 includes a driver circuit DRV and a power switch circuit PSW.
  • the diodes 49U, 49V, 49W forming the driver circuit DRV, the power switch circuit PSW, and the bootstrap circuit BTC are included in one package 7.
  • the boot diodes 49U, 49V, 49W are included in the package 7, but the present invention is not limited to this and may be provided outside the package 7.
  • the power supply unit PS is connected to the first power supply PW1 and the second power supply PW2.
  • the first power supply PW1 supplies the control voltage VCC (for example, 10V to 25V) of the driver circuit DRV.
  • the second power supply PW2 supplies a drive voltage VDC (300V, 600V, etc.) for driving the motor M.
  • the power switch circuit PSW includes six transistors 4A to 4F (switch elements).
  • power MOSFETs are adopted as the six transistors 4A to 4F.
  • silicon carbide SiC
  • the transistors 4A to 4F are SiC-MOSFETs.
  • the transistors 4A to 4F are all N-type MOSFETs.
  • the source of the transistor 4A and the drain of the transistor 4D are connected.
  • the drain of the transistor 4A is connected to the second power supply PW2.
  • the source of the transistor 4D is connected to the ground point. Note that the transistor 4D may be connected to the ground point via a resistance for current detection.
  • the U-phase coil MU of the motor M is connected to the connection point between the source of the transistor 4A and the drain of the transistor 4D.
  • the transistors 4B and 4E are connected in the same manner as the transistors 4A and 4D.
  • the V-phase coil MV of the motor M is connected to a connection point between the source of the transistor 4B and the drain of the transistor 4E.
  • the transistor 4C and the transistor 4F are connected similarly to the transistor 4A and the transistor 4D.
  • the W-phase coil MW of the motor M is connected to the connection point between the source of the transistor 4C and the drain of the transistor 4F.
  • the transistors 4A, 4B, 4C on the second power supply PW2 side of the power switch circuit PSW are referred to as upper transistors (upper switch elements), and the transistors 4D, 4E, 4F on the ground point side are lower transistors (lower switch). Element).
  • the driver circuit DRV includes an upper driver chip 4G and a lower driver chip 4H.
  • the upper driver chip 4G has a circuit which is connected to the gates of the upper transistors 4A, 4B and 4C and outputs drive signals HU, HV and HW to the respective gates.
  • the upper transistors 4A, 4B and 4C are turned on when the voltage levels of the drive signals HU, HV and HW are H level.
  • the lower driver chip 4H has a circuit that is connected to the gates of the lower transistors 4D, 4E, and 4F and that inputs drive signals LU, LV, and LW to the respective gates.
  • the lower transistors 4D, 4E, 4F are turned ON when the voltage levels of the drive signals LU, LV, LW are H level.
  • the voltage level being the H level means that the voltage level is higher than a predetermined voltage.
  • the L level indicates that the voltage state is lower than the predetermined voltage.
  • the drive voltage VDC of the second power supply PW2 is applied to the U-phase coil MU and the V-phase coil MV. That is, a current flows from the U-phase coil MU to the V-phase coil MV. In this way, the drive signal from the driver circuit DRV switches the ON/OFF timing of the transistors 4A to 4F. As a result, a current is supplied to the coils MU, MV, and MW of each phase at desired timings to excite the coils and rotationally drive the motor M.
  • the upper driver chip 4G and the lower driver chip 4H operate by being supplied with the control voltage VCC from the first power supply PW1.
  • the upper driver chip 4G and the lower driver chip 4H are connected to the motor control unit MCU, and the energization control signals huin, hvin, hwin,ucin, lvin, lwin are input from the motor control unit MCU.
  • the energization control signals huin, hvin, hwin,ucin, lvin, lwin are signals for controlling energization of the transistors 4A to 4F.
  • the energization control signals huin, hvin, hwin are input to the upper driver chip 4G, and the energization control signals van, lvin, lwin are input to the lower driver chip 4H.
  • the driver circuit DRV inputs the drive signal HU to the gate of the transistor 4A and the drive signal LU to the gate of the transistor 4D.
  • the drive signal HV is input to the gate of the transistor 4B, and the drive signal LV is input to the gate of the transistor 4E.
  • the drive signal HW is input to the gate of the transistor 4C, and the drive signal LW is input to the gate of the transistor 4F.
  • the bootstrap circuit BTC is a circuit that supplies a voltage necessary for driving the upper transistors 4A, 4B, and 4C to the upper driver chip 4G.
  • it is a circuit that connects the first power supply PW1 and the source of the upper transistor 4A, and the boot diode 49U and the boot capacitor BC1 are connected in series from the first power supply PW1 side.
  • the upper driver chip 4G acquires the voltage at the connection point between the boot diode 49U and the boot capacitor BC1 as the voltage required to drive the upper transistor 4A.
  • a resistor for generating a current having a predetermined current value may be arranged between the first power supply PW1 and the boot diode 49U.
  • the bootstrap circuit BTC includes a boot diode 49V corresponding to the upper transistor 4B and a boot capacitor BC2, and the upper driver chip 4G acquires the voltage required for driving.
  • the bootstrap circuit BTC includes a boot diode 49W corresponding to the upper transistor 4C and a boot capacitor BC3, and the upper driver chip 4G acquires a voltage required for driving.
  • the driver circuit DRV of the switch driving device A1 includes a circuit that drives the transistors 4A and 4D, a circuit that drives the transistors 4B and 4E, and a circuit that drives the transistors 4C and 4F.
  • the circuits that drive these transistors have the same configuration. Therefore, in the following description, the circuit portion that drives the transistors 4A and 4D will be described as the driver circuit DRV.
  • a circuit including the boot diode 49U and the boot capacitor BC1 corresponding to the transistor 4A will be described as a bootstrap circuit BTC.
  • the transistor 4A is an upper transistor 4A and the transistor 4D is a lower transistor 4D.
  • connection point between the source of the upper transistor 4A and the drain of the lower transistor 4D is referred to as a first point P1
  • connection point between the cathode of the boot diode 49U of the bootstrap circuit BTC and the boot capacitor BC1 is referred to as a second point P2.
  • FIG. 3 is a block diagram showing a schematic configuration of a driver circuit.
  • the driver circuit DRV shown in FIG. 3 includes an upper driver chip 4G and a lower driver chip 4H.
  • the lower driver chip 4H has the same configuration as a driver circuit used in a conventionally known switch driving device. Therefore, detailed description of the configuration and operation of the lower driver chip 4H is omitted.
  • the upper driver chip 4G includes an upper gate driver 463, an input signal control circuit 464, a current limiting unit 465, a current control unit 466, and a high breakdown voltage level shift circuit 467.
  • the input signal control circuit 464 inputs the energization control signal (here, huin) from the motor control unit MCU to the upper gate driver 463 via the high breakdown voltage level shift circuit 467.
  • the upper gate driver 463 generates a drive signal HU for driving the upper transistor 4A based on the signal input from the input signal control circuit 464, and outputs it to the gate of the upper transistor 4A.
  • the upper gate driver 463 acquires the voltage required to drive the upper transistor 4A from the bootstrap circuit BTC including the boot diode 49U and the boot capacitor BC1.
  • the bootstrap circuit BTC charges the boot capacitor BC1 with the current supplied from the first power supply PW1. Both ends of the boot capacitor BC1 are charged to, for example, a voltage equal to or higher than the gate threshold voltage. By doing so, the voltage VB at the second point P2 can be made higher than the voltage VS at the first point P1 by the charging voltage of the boot capacitor BC1 regardless of the voltage VS at the first point P1. it can.
  • the upper gate driver 463 acquires the voltage VB at the second point P2, so that the voltage required to drive the upper transistor 4A can be acquired.
  • the current limiting unit 465 is provided on the circuit connected from the first power supply PW1 to the boot capacitor BC1.
  • the current limiting unit 465 is provided between the cathode of the boot diode 49U and the boot capacitor BC1.
  • the current limiting unit 465 limits the current supplied from the first power supply PW1 to the boot capacitor BC1 according to the signal (current limiting signal) from the current control unit 466. In this way, the current limiting unit 465 adjusts (limits) the voltage (charging voltage) across the boot capacitor BC1.
  • the detailed configuration of the current limiting unit 465 will be described later.
  • FIG. 4 is a timing chart showing the output operation (behavior in mode 2 described later) of the U-phase of the switch driving device A1, and energization control signals huin and van and the voltage VS are shown in order from the top.
  • Vsd represents the source-drain voltage of the lower transistor 4D
  • Vf represents the forward voltage drop of the parasitic diode associated with the lower transistor 4D.
  • the output operation of the V-phase and the W-phase is similar to that of the U-phase, and it suffices to read the energization control signals huin and van in the figure as energization control signals hvin and lvin or energization control signals hwin and lwin, respectively. .. In this figure, the delay time is ignored for the sake of simplicity.
  • the upper transistor 4A when the upper transistor 4A is switched from ON to lower transistor 4D as shown at time t2 to t3, time t4 to t5, time t6 to t7, and time t8 to t9, the upper transistor 4A is turned on.
  • the switch driving device A1 that operates as described above, by turning on the upper transistor 4A and turning off the lower transistor 4D, a voltage is applied from the second power source PW2 to the U-phase coil MU which is a load (that is, , Supplied with current).
  • the voltage VS at the first point P1 may be substantially the same as the drive voltage VDC of the second power source PW2 (that is, about 300V).
  • the voltage VB at the second point P2 to which the upper gate driver 463 is connected is smaller than the voltage VS at the first point P1 by the voltage across the boot capacitor BC1 (hereinafter, charging voltage VBS). Only high voltage. For example, when the voltage VS at the first point P1 changes from 0V to 300V and the charging voltage of the boot capacitor BC1 is 18V, the voltage VB at the second point P2 changes from about 18V to 318V.
  • the upper gate driver 463 can always obtain a voltage capable of driving the upper transistor 4A.
  • the boot capacitor BC1 serves as a floating power supply.
  • the boot capacitor BC1 has a configuration capable of being charged to a voltage higher than the gate threshold voltage.
  • the current limiting unit 465 will not be provided.
  • the switch driving device A1 the case where the motor current flows in the forward direction of the lower transistor 4D is referred to as mode 1, and the case where the body diode of the lower transistor 4D is turned on (during lower regeneration) is referred to as mode 2.
  • the boot capacitor BC1 is charged in mode 1 and mode 2.
  • the motor current IM flows from the neutral point of the motor M to the ground terminal via the first point P1 and the lower transistor 4D in the U-phase coil MU.
  • the voltage VS at the first point P1 becomes the same or substantially the same voltage (0 V) as the ground potential.
  • IM ⁇ R since there is a resistance component R due to the ON resistance of the lower transistor 4D and the current detection resistance, only IM ⁇ R has a voltage higher than 0V. Therefore, the voltage across the boot capacitor BC1 is substantially the same as the control voltage VCC of the first power supply PW1, and in this state, the boot capacitor BC1 is charged to the voltage VCC.
  • VBS VCC- It becomes VFBOOT-Ron ⁇ IM.
  • charging is performed when the voltage VB at the second point P2 becomes equal to or lower than the charging voltage VBS described above.
  • the upper transistor 4A and the lower transistor 4D include a parasitic diode (body diode).
  • the forward voltage drop due to the parasitic diode of the lower transistor 4D is Vf.
  • the motor M is regeneratively operated in the mode 2
  • the motor current flows through the U-phase coil MU from the first point P1 toward the neutral point.
  • the upper transistor 4A is OFF
  • no current flows from the second power supply PW2.
  • the lower transistor 4D is OFF, current flows through the parasitic diode. Therefore, the voltage VS at the first point P1 becomes ⁇ Vf, which is lower than the ground voltage.
  • the charging voltage VBS of the boot capacitor BC1 is higher in the mode 2 than in the mode 1.
  • the voltage across the boot capacitor BC1 may be higher than the allowable gate-source voltage (assumed to be the allowable gate voltage) in the upper transistor 4A. If the voltage (VCC+Vf) across the boot capacitor BC1 becomes higher than the allowable gate voltage, it may cause deterioration or damage of the upper transistor 4A.
  • the overcharged state refers to, for example, a state in which the charging voltage VBS of the boot capacitor BC1 is charged to a voltage higher than the allowable gate voltage of the upper transistor 4A.
  • the SiC-based transistor since the SiC-based transistor has a high forward drop voltage Vf of the parasitic diode associated therewith, it is likely to cause an overcharged state.
  • the upper driver chip 4G includes a current limiting unit 465 in the circuit from the boot diode 49U to the boot capacitor BC1.
  • the current limiting unit 465 limits the current supplied to the boot capacitor BC1 and controls the boot capacitor BC1 so as not to be overcharged.
  • FIG. 5 is a circuit diagram of an example of the upper driver chip 4G used in the switch driving device A1.
  • the overcharged state of the boot capacitor BC1 occurs because the voltage (VCC+Vf) across the boot capacitor BC1 becomes too large.
  • the switch driver A1 has a configuration in which the upper driver chip 4G does not overcharge the boot capacitor BC1 even when different power supply voltages are connected.
  • the upper driver chip 4G includes an upper gate driver 463, an input signal control circuit 464, a current limiting unit 465, a current control unit 466, and a high breakdown voltage level shift circuit 467.
  • the current control unit 466 sends a signal to the current limiting unit 465 to drive the current limiting unit 465 and generate a voltage drop between the boot diode 49U and the boot capacitor BC1 to charge the boot capacitor BC1.
  • the current limiting unit 465 limits the current that charges the boot capacitor BC1.
  • the energization control signal huin is input to the input signal control circuit 464 from the motor control unit MCU (see FIG. 1 etc.).
  • the input signal control circuit 464 includes an inverter (Schmitt buffer) 4641 that converts the energization control signal huin into an L signal or an H signal.
  • the input signal control circuit 464 includes a level shift circuit 4642 and a pulse generator 4643.
  • the level shift circuit 4642 has a function of increasing the voltage level of the signal output from the inverter 4641. This facilitates handling of signals in the upper driver chip 4G.
  • the pulse generator 4643 has a function of outputting a set pulse signal and a reset pulse signal based on the signal output from the level shift circuit 4642.
  • the set pulse signal and the reset pulse signal output from the pulse generator 4643 are input to the high breakdown voltage level shift circuit 467.
  • the high breakdown voltage level shift circuit 467 includes a transistor 4671, a transistor 4672, a resistor 4673, and a resistor 4674.
  • the transistors 4671 and 4672 are N-type MOSFETs and are high breakdown voltage transistors.
  • the drain of the transistor 4671 is connected to the second point P2 or a point having the same potential as the second point P2 through the resistor 4673.
  • the source of the transistor 4671 is connected to the ground point via a resistor (not shown), and the pulse signal from the pulse generator 4643 is input to the gate.
  • the drain of the transistor 4672 is connected to the second point P2 or a point having the same potential as the second point P2 through the resistor 4674.
  • the source of the transistor 4672 is connected to the ground point via a resistor (not shown), and the pulse signal from the pulse generator 4643 is input to the gate.
  • connection point between the drain of the transistor 4671 and the resistor 4673 and the connection point between the drain of the transistor 4672 and the resistor 4674 respectively set the input signal level to the inverter (not shown) forming the input stage of the upper gate driver 463 to a predetermined value. It is connected to a clamp circuit 4631 (see FIG. 15) that limits the following.
  • the signal lines of the set pulse signal and the reset pulse signal are laid so as to be symmetrical to each other.
  • the length (for example, the length of the reset pulse signal wiring) is the same or substantially the same.
  • the element arrangement of the pair of the transistor 4671 and the resistor 4673 and the pair of the transistor 4672 and the resistor 4674 are symmetrical to each other. By doing so, the wiring resistance and the parasitic capacitance are the same, and the deviation of the signal from each wiring is suppressed.
  • the current limiting unit 465 includes a transistor 4651.
  • the transistor 4651 is arranged in a path connecting the boot diode 49U and the boot capacitor BC1 and is arranged in a region having the same potential as the boot capacitor BC1 which is a floating power supply.
  • the transistor 4651 is a P-type MOSFET.
  • the source of the transistor 4651 is connected to the cathode of the boot diode 49U.
  • the drain of the transistor 4651 is connected to the boot capacitor BC1.
  • a signal from the current controller 466 is input to the gate of the transistor 4651.
  • the current control unit 466 detects the voltage VB at the second point P2.
  • the current control unit 466 also compares the detected voltage VB with a preset threshold voltage. When the voltage VB is equal to or higher than the threshold voltage, the current control unit 466 outputs an H level signal to the gate of the transistor 4651. This turns off the transistor 4651. On the other hand, the current controller 466 outputs an L level signal to the gate of the transistor 4651 when the voltage VB is lower than the threshold voltage. This turns on the transistor 4651.
  • the current control unit 466 can be realized by changing the threshold voltage of a conventionally known OVLO circuit, for example, and detailed description thereof will be omitted.
  • the transistor 4651 When the voltage VB is equal to or higher than the threshold voltage, the transistor 4651 is turned off based on the signal from the current control unit 466. Therefore, the conduction path between the boot diode 49U and the boot capacitor BC1 is cut off. On the other hand, when the voltage VB is lower than the threshold voltage, the transistor 4651 is turned on based on the signal from the current control unit 466. Therefore, the conduction path between the boot diode 49U and the boot capacitor BC1 is secured. That is, when the voltage VB is equal to or higher than the threshold voltage, the boot capacitor BC1 is not charged. On the contrary, when the voltage VB is lower than the threshold voltage, current flows between the boot diode 49U and the boot capacitor BC1 and the boot capacitor BC1 is charged.
  • the illustrated switch driving device A1 includes a plurality of leads 1, a plurality of leads 2, a substrate 3, a plurality of transistors 4, a plurality of driver chips 4, a plurality of boot diodes 49, a conductive part 5, a plurality of joint parts 6, and a plurality of parts.
  • the first wire 91, the plurality of second wires 92, and the package 7 are provided.
  • the switch drive device A1 can be used, for example, in a drive circuit that drives a compressor of an outdoor unit of an air conditioner, a drive circuit that drives a compressor of a refrigerator, a drive circuit that drives a fan, and the like.
  • the drive circuit drives, for example, a three-phase AC motor.
  • FIG. 6 is a perspective view showing the switch driving device A1.
  • FIG. 7 is a plan view showing the switch driving device A1.
  • FIG. 8 is a bottom view showing the switch driving device A1.
  • FIG. 9 is a main part plan view showing the switch driving device A1.
  • FIG. 10 is an enlarged plan view of an essential part showing the switch driving device A1.
  • FIG. 11 is an enlarged plan view of an essential part showing the substrate of the switch driving device A1.
  • FIG. 12 is a sectional view taken along line XII-XII in FIG.
  • FIG. 13 is a sectional view taken along line XIII-XIII in FIG.
  • FIG. 14 is an enlarged sectional view of an essential part showing a transistor of the switch driving device A1.
  • the z direction corresponds to the thickness direction of the substrate 3.
  • the x direction (first direction) is a direction perpendicular to the z direction.
  • the y direction is a direction perpendicular to the z direction and the x direction.
  • the material forming the substrate 3 is not particularly limited.
  • a material of the substrate 3 for example, a material having a higher thermal conductivity than that of the resin 7 is preferable.
  • the material of the substrate 3 include ceramics such as alumina (Al 2 O 3 ), silicon nitride (SiN), aluminum nitride (AlN), and alumina containing zirconia.
  • the thickness of the substrate 3 is not particularly limited and is, for example, about 0.1 mm to 1.0 mm.
  • the shape of the substrate 3 is not particularly limited, and various shapes can be used.
  • the substrate 3 has a first surface 31, a second surface 32, a third surface 33, a fourth surface 34, a fifth surface 35 and a sixth surface 36.
  • the first surface 31 faces the z direction.
  • the second surface 32 faces the side opposite to the first surface 31.
  • the third surface 33 is located between the first surface 31 and the second surface 32 in the z direction, and is connected to the first surface 31 and the second surface 32.
  • the third surface 33 faces the x direction.
  • the fourth surface 34 is located between the first surface 31 and the second surface 32 in the z direction, and is connected to the first surface 31 and the second surface 32.
  • the fourth surface 34 faces the side opposite to the third surface 33.
  • the fifth surface 35 is located between the first surface 31 and the second surface 32 in the z direction, and is connected to the first surface 31 and the second surface 32.
  • the fifth surface 35 faces the y direction.
  • the sixth surface 36 is located between the first surface 31 and the second surface 32 in the z direction and is connected to the first surface 31 and the second surface 32.
  • the sixth surface 36 faces the side opposite to the fifth surface 35.
  • the substrate 3 has a rectangular shape when viewed in the z direction.
  • the substrate 3 is elongated in the x direction when viewed in the z direction.
  • the conductive portion 5 is formed on the substrate 3. In the example shown in the drawing, the conductive portion 5 is formed on the first surface 31 of the substrate 3.
  • the conductive portion 5 is made of a conductive material.
  • the conductive material forming the conductive portion 5 is not particularly limited, but examples thereof include silver (Ag), copper (Cu), and gold (Au). In the following description, the case where the conductive portion 5 contains silver will be described as an example.
  • the conductive portion 5 may include Ag—Pt or Ag—Pd.
  • the conductive portion 5 is formed, for example, by firing a paste containing these metals, but the present disclosure is not limited to this.
  • the thickness of the conductive portion 5 is not particularly limited and is, for example, about 5 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the shape (pattern) of the conductive portion 5 is not particularly limited, and includes, for example, at least one wiring portion (first wiring portion, second wiring portion, etc.), at least one base portion, and at least one connection portion. ..
  • the conductive portion 5 includes a plurality of wiring portions 50A to 50P, a plurality of wiring portions 50U to 50W, a first base portion 55, a second base portion 56, and a connection portion 57.
  • the wiring parts 50U to 50W are examples of the “first wiring part”
  • the wiring parts 50A to 50C are examples of the “second wiring part”.
  • the shape of the first base 55 is not particularly limited and is, for example, a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, or an elliptical shape.
  • the first base 55 is a rectangle elongated in the x direction.
  • the shape of the second base portion 56 is not particularly limited and is, for example, a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, or an elliptical shape.
  • the second base portion 56 is a rectangle elongated in the x direction.
  • the connecting portion 57 is interposed between the first base portion 55 and the second base portion 56, and in the illustrated example, connects the first base portion 55 and the second base portion 56 to each other.
  • the shape of the connecting portion 57 is not particularly limited, and may be, for example, linear or non-linear (bent or curved as a whole).
  • each of the first base portion 55, the second base portion 56, and the connecting portion 57 has a first side and a second side that are separated from each other in the y direction (second side). Is closer to the sixth surface 36 than the first side).
  • the second sides (three sides) of each of the first base portion 55, the second base portion 56, and the connecting portion 57 are aligned with each other along the x direction, and form one straight line segment. (The above three sides are at the same position in the y direction).
  • the wiring section 50A is composed of, for example, a first section 51A, a second section 52A, and a third section 53A.
  • the shape of the first portion 51A is not particularly limited and is, for example, a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, or an elliptical shape.
  • the first portion 51A is a rectangle elongated in the x direction.
  • the first portion 51A is arranged apart from the first base 55 on the third surface 33 side in the x direction.
  • the first portion 51A overlaps a part of the first base 55 when viewed in the x direction.
  • the second portion 52A is arranged closer to the fifth surface 35 than the first portion 51A in the y direction.
  • the shape of the second portion 52A is not particularly limited and is, for example, a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, or an elliptical shape.
  • the second portion 52A has a rectangular shape and is elongated in the y direction.
  • the third part 53A is interposed between the first part 51A and the second part 52A, and is connected to the first part 51A and the second part 52A in the illustrated example.
  • the shape of the third portion 53A is not particularly limited, and in the illustrated example, the third portion 53A has a rectangular shape (strip shape) extending in the y direction.
  • the wiring section 50B is composed of a first section 51B and a second section 52B.
  • the shape of the first portion 51B is not particularly limited and is, for example, a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, or an elliptical shape.
  • the first portion 51B has a rectangular shape extending in the y direction.
  • the first portion 51B is arranged apart from the first base 55 on the fifth surface 35 side in the y direction.
  • the first portion 51B is arranged apart from the first portion 51A on the fourth surface 34 side in the x direction.
  • the second portion 52B is arranged closer to the fifth surface 35 than the first portion 51B in the y direction.
  • the second portion 52B is arranged apart from the second portion 52A on the fourth surface 34 side in the x direction.
  • the shape of the second portion 52B is not particularly limited and is, for example, a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, or an elliptical shape.
  • the second portion 52B is a rectangle elongated in the x direction.
  • the first part 51B and the second part 52B are connected to each other.
  • the wiring section 50C is composed of a first section 51C and a second section 52C.
  • the shape of the first portion 51C is not particularly limited and is, for example, a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, or an elliptical shape.
  • the first portion 51C has a rectangular shape extending in the y direction.
  • the first portion 51C is arranged apart from the first base 55 on the fifth surface 35 side in the y direction.
  • the first portion 51C is arranged apart from the first portion 51B on the fourth surface 34 side in the x direction.
  • the first portion 51C overlaps the first portion 51B when viewed in the x direction.
  • the second portion 52C is arranged closer to the fifth surface 35 than the first portion 51C in the y direction.
  • the second portion 52C is arranged apart from the second portion 52B on the fourth surface 34 side in the x direction.
  • the shape of the second portion 52C is not particularly limited and is, for example, a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, or an elliptical shape.
  • the first portion 51C and the second portion 52C are connected to each other.
  • the wiring unit 50U is separated from the wiring unit 50A and is arranged adjacent to a part of the wiring unit 50A.
  • the shape of the wiring portion 50U is not particularly limited and is, for example, a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, or an elliptical shape. In the illustrated example, the wiring portion 50U has a rectangular shape.
  • the wiring portion 50U is arranged on the fifth surface 35 side in the y direction with respect to the first portion 51A of the wiring portion 50A.
  • the wiring part 50V is separated from the wiring part 50B and is arranged adjacent to a part of the wiring part 50B.
  • the shape of the wiring portion 50V is not particularly limited and is, for example, a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, or an elliptical shape. In the illustrated example, the wiring portion 50V has a rectangular shape.
  • the wiring portion 50V is arranged on the third surface 33 side in the x direction with respect to the first portion 51B of the wiring portion 50B. Further, the wiring portion 50V is arranged apart from the wiring portion 50U on the fourth surface 34 side in the x direction.
  • the wiring portion 50W is separated from the wiring portion 50C, and is arranged adjacent to a part of the wiring portion 50C.
  • the shape of the wiring portion 50W is not particularly limited and is, for example, a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, or an elliptical shape. In the illustrated example, the wiring portion 50W has a rectangular shape.
  • the wiring portion 50W is arranged on the fourth surface 34 side in the x direction with respect to the first portion 51C of the wiring portion 50C.
  • the wiring portion 50W is arranged on the side of the fourth surface 34 so as to be spaced from the wiring portion 50V in the x direction with the first portion 51B and the first portion 51C interposed therebetween.
  • the wiring parts 50D to 50G are arranged on the fourth surface 34 side in the x direction with respect to the wiring part 50W. In FIG. 11, the wiring parts 50D to 50G are arranged in this order.
  • Each of the wiring portions 50D to 50G has two rectangular pad-shaped portions and a bent strip-shaped portion that connects these pad-shaped portions.
  • the wiring portion 50H is connected to the second base portion 56 and extends from the second base portion 56 toward the fifth surface 35 in the y direction.
  • the wiring portion 50H has a pad-shaped portion.
  • the wiring portions 50I to 50N are arranged on the fourth surface 34 side with respect to the wiring portion 50H in the x direction, and are arranged in this order.
  • Each of the wiring portions 50I to 50N has a pad-shaped portion located on the second base 56 side, a pad-shaped portion located on the fifth surface 35 side, and a strip-shaped portion connecting these pad-shaped portions.
  • the wiring portion 50O is connected to the second base portion 56 and extends from the second base portion 56 in a direction inclined with respect to the x direction.
  • the wiring portion 50O has a pad-shaped portion located on the fourth surface 34 side and a strip-shaped portion connecting the pad upper portion and the second base portion 56.
  • the wiring portion 50P is located on the sixth surface 36 side in the y direction with respect to the wiring portion 50O, and is located on the fourth surface 34 side in the x direction with respect to the second base 56.
  • the wiring portion 50P has a pad-shaped portion located on the fourth surface 34 side, a pad-shaped portion located on the second base portion 56 side, and a strip-shaped portion connecting these pad-shaped portions.
  • the substrate 3 shown in FIG. 11 has, for example, two regions adjacent to each other in the y direction, that is, a first region 30A and a second region 30B.
  • the first area 30A is near the sixth surface 36, and the second area 30B is near the fifth surface 35.
  • the wiring portions 50A to 50P and 50U to 50W described above are provided in the second region 30B.
  • the plurality of joint portions 6 are formed on the substrate 3.
  • the plurality of joint portions 6 are formed on the first surface 31 of the substrate 3.
  • the material of the joining portion 6 is not particularly limited, and is made of, for example, a material capable of joining the substrate 3 and the lead 1.
  • the joint portion 6 is made of, for example, a conductive material.
  • the conductive material forming the joint 6 is not particularly limited. Examples of the conductive material of the joint portion 6 include materials containing silver (Ag), copper (Cu), gold (Au), and the like. In the following description, the case where the bonding portion 6 contains silver will be described as an example.
  • the joint portion 6 in this example includes the same conductive material as the conductive portion 5.
  • the joint portion 6 may include copper in place of silver, or may include gold in place of silver or copper.
  • the conductive portion 5 may include Ag—Pt or Ag—Pd.
  • the method of forming the joint portion 6 is not limited, and for example, similar to the conductive portion 5, the joint portion 6 is formed by firing a paste containing these metals.
  • the thickness of the joint portion 6 is not particularly limited and is, for example, about 5 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the plurality of joints 6 includes joints 6A to 6D.
  • the joint portion 6A is arranged closer to the sixth surface 36 than the conductive portion 5 in the y direction.
  • the joint portion 6A overlaps all of the first base portion 55 when viewed in the y direction.
  • the shape of the joint 6A is not particularly limited.
  • the joint portion 6B is arranged closer to the sixth surface 36 than the conductive portion 5 in the y direction.
  • the joint portion 6B is arranged closer to the fourth surface 34 than the joint portion 6A in the x direction.
  • the joint portion 6B overlaps the connecting portion 57 and the second base portion 56 when viewed in the y direction.
  • the shape of the joint 6B is not particularly limited.
  • the joint portion 6C is arranged closer to the sixth surface 36 side than the conductive portion 5 in the y direction.
  • the joint portion 6C is arranged closer to the fourth surface 34 than the joint portion 6B in the x direction.
  • the joint portion 6C entirely overlaps the second base portion 56 when viewed in the y direction.
  • the shape of the joint 6C is not particularly limited.
  • the joint portion 6D is arranged closer to the sixth surface 36 than the conductive portion 5 in the y direction.
  • the joint portion 6D is arranged closer to the fourth surface 34 than the joint portion 6C in the x direction.
  • the joint portion 6D overlaps the second base portion 56, the wiring portion 50O, and the wiring portion 50P when viewed in the y direction.
  • the shape of the joint 6D is not particularly limited.
  • the joint portions 6A to 6D are formed in the area of the substrate 3 closer to the sixth surface 36 than the conductive portion 5 in the y direction.
  • the region on the sixth surface 36 side of the substrate 3 where the bonding portion 6 is formed is defined as the first region 30A.
  • the plurality of leads 1 are configured to include a metal, and have better heat dissipation characteristics than the substrate 3, for example.
  • the metal forming the lead 1 is not particularly limited, and includes, for example, copper (Cu), aluminum, iron (Fe), oxygen-free copper, or alloys thereof (eg, Cu—Sn alloy, Cu—Zr alloy, Cu—Fe alloy). Etc.). Further, the plurality of leads 1 may be plated with nickel (Ni).
  • the plurality of leads 1 may be formed by, for example, press work of pressing a die against a metal plate, or may be formed by patterning the metal plate by etching, but the present invention is not limited to this.
  • the thickness of the lead 1 is not particularly limited and is, for example, about 0.4 mm to 0.8 mm.
  • the plurality of leads 1 include a plurality of leads 1A to 1G and 1Z in the examples shown in FIGS. 6 to 9.
  • the plurality of leads 1A to 1G form a conduction path to the transistors 4A to 4F, for example.
  • the leads 1A to 1D are respectively arranged on the substrate 3, and in the example shown in the figure, they are arranged on the first surface 31.
  • the lead 1A is bonded to the bonding portion 6A via the bonding material 81.
  • the bonding material 81 may be any material that can bond the lead 1A to the bonding portion 6A. From the viewpoint of efficiently transmitting the heat from the lead 1A to the substrate 3, it is preferable that the bonding material 81 has a higher thermal conductivity, and for example, silver paste, copper paste, solder or the like is used. However, the bonding material 81 may be an insulating material such as an epoxy resin or a silicone resin. Further, when the bonding portion 6A is not formed on the substrate 3, the lead 1A may be bonded to the substrate 3.
  • the structure of the lead 1A is not particularly limited, and in the example shown in the figure, the lead 1A is composed of a first part 11A, a second part 12A, a third part 13A and a fourth part 14A.
  • the first portion 11A has a main surface 111A, a back surface 112A, and a plurality of recesses 1111A.
  • the main surface 111A is a surface facing the same side as the first surface 31 in the z direction.
  • the back surface 112A is a surface facing away from the main surface 111A in the z direction, and is a flat surface in the illustrated example.
  • the back surface 112A is joined to the joining portion 6A by a joining material 81, as shown in FIGS. 12 and 13.
  • the plurality of recesses 1111A are recessed in the z direction from the main surface 111A.
  • the shape of the recess 1111A as viewed in the z direction is not particularly limited, and may be, for example, a circle, an ellipse, a rectangle, or a triangle.
  • the plurality of recesses 1111A are arranged in a matrix.
  • the third part 13A and the fourth part 14A are covered by the package 7.
  • the third portion 13A is connected to the first portion 11A and the fourth portion 14A.
  • the third portion 13A is connected to the portion of the first portion 11A between the fourth surface 124Aa and the eighth surface 124Ab.
  • the third portion 13A overlaps the sixth surface 36 when viewed in the z direction.
  • the fourth portion 14A is located in the z direction with a shift from the first portion 11A toward the side toward which the main surface 111A faces.
  • the end of the fourth portion 14A is flush with the sixth surface 76 of the resin 7.
  • the second portion 12A is a portion that is connected to the end of the fourth portion 14A and projects from the package 7 of the lead 1A.
  • the second portion 12A projects to the side opposite to the first portion 11A in the y direction.
  • the second portion 12A is used to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit, for example.
  • the second portion 12A is bent in the z direction so that the main surface 111A faces the side.
  • the lead 1B is joined to the joining portion 6B via the joining material 81 described above.
  • the lead 1B may be bonded to the substrate 3 when the bonding portion 6B is not formed on the substrate 3.
  • the structure of the lead 1B is not particularly limited, and in the example shown in the figure, the lead 1B is composed of a first part 11B, a second part 12B, a third part 13B and a fourth part 14B.
  • the first portion 11B has a main surface 111B, a back surface 112B, and a plurality of recesses 1111B.
  • the main surface 111B is a surface facing the same side as the first surface 31 in the z direction.
  • the back surface 112B is a surface facing away from the main surface 111B in the z direction, and is a flat surface in the illustrated example. As shown in FIG. 13, the back surface 112B is joined to the joining portion 6B by the joining material 81.
  • the plurality of recesses 1111B are recessed from the main surface 111B in the z direction.
  • the shape of the recess 1111B viewed in the z direction is not particularly limited and may be, for example, a circle, an ellipse, a rectangle, a triangle, or the like. Further, in the illustrated example, the plurality of recesses 1111B are arranged in a matrix.
  • the third part 13B and the fourth part 14B are covered with the package 7.
  • the third portion 13B is connected to the first portion 11B and the fourth portion 14B.
  • the third portion 13B is connected to a portion of the first portion 11B adjacent to the fourth surface 124B.
  • the third portion 13B overlaps with the sixth surface 36 when viewed in the z direction.
  • the fourth portion 14B is located in the z direction with a shift from the first portion 11B toward the side toward which the main surface 111B faces.
  • the end of the fourth portion 14B is flush with the sixth surface 76 of the resin 7.
  • the second portion 12B is a portion that is connected to the end of the fourth portion 14B and projects from the package 7 of the lead 1B.
  • the second portion 12B projects to the side opposite to the first portion 11B in the y direction.
  • the second portion 12B is used, for example, to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit.
  • the second portion 12B is bent in the z direction so that the main surface 111B faces.
  • the lead 1C is bonded to the bonding portion 6C via the bonding material 81 described above. If the bonding portion 6C is not formed on the substrate 3, the lead 1C may be bonded to the substrate 3.
  • the structure of the lead 1C is not particularly limited, and in the example shown in FIG. 9, the lead 1C is composed of a first part 11C, a second part 12C, a third part 13C and a fourth part 14C.
  • the first portion 11C has a main surface 111C, a back surface 112C, and a plurality of recesses 1111C.
  • the main surface 111C is a surface facing the same side as the first surface 31 in the z direction.
  • the back surface 112C is a surface facing away from the main surface 111C in the z direction, and is a flat surface in the illustrated example. As shown in FIG. 13, the back surface 112C is joined to the joining portion 6C by the joining material 81.
  • the plurality of recesses 1111C are recessed in the z direction from the main surface 111C.
  • the shape of the recess 1111C as viewed in the z direction is not particularly limited, and may be, for example, a circle, an ellipse, a rectangle, a triangle, or the like. Further, in the illustrated example, the plurality of recesses 1111C are arranged in a matrix.
  • the third part 13C and the fourth part 14C are covered by the package 7.
  • the third portion 13C is connected to the first portion 11C and the fourth portion 14C.
  • the third portion 13C is connected to a portion of the first portion 11C that is adjacent to the fourth surface 124C.
  • the third portion 13C overlaps the sixth surface 36 when viewed in the z direction.
  • the fourth portion 14C is located in the z-direction offset from the first portion 11C toward the side on which the main surface 111C faces, and is connected to the second portion 12C.
  • the end of the fourth portion 14C is flush with the sixth surface 76 of the resin 7.
  • the second portion 12C is a portion of the lead 1C that is connected to the end portion of the fourth portion 14C and projects from the package 7.
  • the second portion 12C projects to the side opposite to the first portion 11C in the y direction.
  • the second portion 12C is used to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit, for example.
  • the second portion 12C is bent in the z direction so that the main surface 111C faces the side.
  • the lead 1D is bonded to the bonding portion 6D via the bonding material 81 described above.
  • the lead 1D may be bonded to the substrate 3 when the bonding portion 6D is not formed on the substrate 3.
  • the structure of the lead 1D is not particularly limited, and in the example shown in FIG. 9, the lead 1D is composed of a first part 11D, a second part 12D, a third part 13D and a fourth part 14D.
  • the first portion 11D has a main surface 111D, a back surface 112D, and a plurality of recesses 1111D.
  • the main surface 111D is a surface facing the same side as the first surface 31 in the z direction.
  • the back surface 112D is a surface facing the side opposite to the main surface 111D in the z direction, and is a flat surface in the illustrated example. As shown in FIG. 13, the back surface 112D is bonded to the bonding portion 6D by the bonding material 81.
  • the plurality of recesses 1111D are recessed in the z direction from the main surface 111D.
  • the shape of the recess 1111D as viewed in the z direction is not particularly limited, and may be, for example, a circle, an ellipse, a rectangle, a triangle, or the like.
  • the plurality of recesses 1111D are arranged in a matrix.
  • the third part 13D and the fourth part 14D are connected to the first part 11D and the fourth part 14D.
  • the third portion 13D is connected to a portion of the first portion 11D that is adjacent to the fourth surface 124D.
  • the third portion 13D overlaps the sixth surface 36 when viewed in the z direction. It is covered by the package 7.
  • the fourth portion 14D is located in the z-direction and is displaced from the first portion 11D toward the side on which the main surface 111D faces, and is connected to the second portion 12D.
  • the end of the fourth portion 14D is flush with the sixth surface 76 of the resin 7.
  • the second portion 12D is a portion that is connected to the end portion of the fourth portion 14D and projects from the package 7 in the lead 1D.
  • the second portion 12D projects to the side opposite to the first portion 11D in the y direction.
  • the second portion 12D is used, for example, to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit.
  • the second portion 12D is bent in the z direction so that the main surface 111D faces the side.
  • the lead 1E is separated from the substrate 3 when viewed in the z direction.
  • the lead 1E is arranged on the side facing the sixth surface 36 with respect to the substrate 3 in the y direction.
  • the structure of the lead 1E is not particularly limited, and in the example shown in FIG. 9, the lead 1E is composed of the second part 12E and the fourth part 14E.
  • the fourth part 14E is covered by the package 7. Similar to the fourth portion 14D in the lead 1D, the fourth portion 14E is located in the z direction with a shift from the first portion 11D toward the side where the main surface 111D faces. The fourth portion 14E overlaps the first portion 11D when viewed in the y direction. The end of the fourth portion 14E is flush with the sixth surface 76 of the resin 7.
  • the second portion 12E is a portion that is connected to the end portion of the fourth portion 14E and projects from the package 7 in the lead 1E.
  • the second portion 12E projects to the side opposite to the fourth portion 14E in the y direction.
  • the second portion 12E is used, for example, to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit.
  • the second portion 12E is bent in the z direction so that the first surface 31 faces.
  • the lead 1F is separated from the substrate 3 when viewed in the z direction.
  • the lead 1F is arranged on the side facing the sixth surface 36 with respect to the substrate 3 in the y direction. Further, the lead 1F is arranged on the opposite side of the lead 1E from the fourth portion 14D in the x direction.
  • the structure of the lead 1F is not particularly limited, and in the example shown in FIG. 9, the lead 1F is composed of the second part 12F and the fourth part 14F.
  • the fourth part 14F is covered by the package 7. Similarly to the fourth portion 14D in the lead 1D, the fourth portion 14F is located in the z direction with a shift from the first portion 11D toward the side toward which the main surface 111D faces. The fourth portion 14F overlaps the first portion 11D when viewed in the y direction. The end of the fourth portion 14F is flush with the sixth surface 76 of the resin 7.
  • the second portion 12F is a portion connected to the end of the fourth portion 14F and protruding from the package 7 in the lead 1F.
  • the second portion 12F projects to the side opposite to the fourth portion 14F in the y direction.
  • the second portion 12F is used, for example, to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit.
  • the second portion 12F is bent so that the first surface 31 faces in the z direction.
  • the lead 1G is separated from the substrate 3 when viewed in the z direction.
  • the lead 1G is arranged on the side facing the fourth surface 34 with respect to the substrate 3 in the x direction. Further, the lead 1G is arranged on the opposite side of the lead 1E from the fourth portion 14D in the x direction.
  • the structure of the lead 1G is not particularly limited, and in the example shown in FIG. 9, the lead 1G is composed of the second part 12G and the fourth part 14G.
  • the fourth part 14G is covered by the package 7. Similar to the fourth portion 14D in the lead 1D, the fourth portion 14G is located in the z direction with a shift from the first portion 11D toward the side toward which the main surface 111D faces. The fourth portion 14G overlaps the fourth portion 14F when viewed in the y direction. The end of the fourth portion 14G is flush with the sixth surface 76 of the resin 7.
  • the second portion 12G is a portion connected to the end of the fourth portion 14G and protruding from the package 7 in the lead 1G.
  • the second portion 12G projects to the side opposite to the fourth portion 14G in the y direction.
  • the second portion 12G is used for electrically connecting the switch driving device A1 to an external circuit, for example.
  • the second portion 12G is bent in the z direction so that the first surface 31 faces.
  • the lead 1Z is separated from the substrate 3 when viewed in the z direction.
  • the lead 1Z is arranged closer to the third surface 33 than the substrate 3 in the x direction. Further, the lead 1Z is arranged on the side opposite to the lead 1B with respect to the lead 1A in the x direction.
  • the structure of the lead 1Z is not particularly limited, and in the example shown in FIG. 9, the lead 1Z is composed of the second portion 12Z and the fourth portion 14Z. Further, the lead 1Z is insulated from the circuit of the switch driving device A1.
  • the fourth part 14Z is covered by the package 7. Similar to the fourth portion 14D in the lead 1D, the fourth portion 14Z is located shifted in the z direction from the first portion 11D so that the main surface 111D faces the side.
  • the shape of the fourth portion 14Z is not particularly limited, and in the illustrated example, it is a strip shape extending in the y direction. The end of the fourth portion 14Z is flush with the sixth surface 76 of the resin 7.
  • the second portion 12Z is a portion that is connected to the end portion of the fourth portion 14Z and projects from the package 7 in the lead 1Z.
  • the second portion 12Z projects to the side opposite to the fourth portion 14Z in the y direction.
  • the second portion 12Z is used, for example, when mounting the switch driving device A1 on an external circuit board.
  • the second portion 12Z is bent in the z direction so that the first surface 31 faces.
  • the second portion 12A, the second portion 12B, the second portion 12C, and the second portion 12D are arranged with a gap G11 in the x direction. These gaps G11 have substantially the same length.
  • the second portion 12D and the second portion 12E are arranged with a gap G12 in the x direction.
  • the gap G12 has substantially the same length as the gap G11.
  • the second portion 12E, the second portion 12F, and the second portion 12G are arranged with a gap G13 in the x direction. The length of these gaps G13 is shorter than the gap G11.
  • the second portion 12A and the second portion 12Z are arranged with a gap G14 in the x direction.
  • the gap G14 is larger than the gap G11.
  • the plurality of leads 2 are configured to include metal, and have better heat dissipation characteristics than the substrate 3, for example.
  • the metal forming the lead 2 is not particularly limited, and includes, for example, copper (Cu), aluminum, iron (Fe), oxygen-free copper, or alloys thereof (eg, Cu—Sn alloy, Cu—Zr alloy, Cu—Fe alloy). Etc.). Further, the plurality of leads 2 may be plated with nickel (Ni).
  • the plurality of leads 2 may be formed, for example, by pressing a metal plate against a metal plate, or may be formed by patterning the metal plate by etching, but the present invention is not limited to this.
  • the thickness of the lead 2 is not particularly limited and is, for example, about 0.4 mm to 0.8 mm.
  • the plurality of leads 2 are arranged so as to overlap the second region 30B of the substrate 3 when viewed in the z direction.
  • the plurality of leads 2 include a plurality of leads 2A to 2P and 2Z in the examples shown in FIGS. 6 to 9.
  • the plurality of leads 2A to 2O form a conduction path to the upper driver chip 4G and the lower driver chip 4H, for example.
  • the specific configuration of the leads 2A to 2P and 2Z is not particularly limited.
  • the configuration described later with reference to FIG. 12 can be appropriately adopted for the leads 2A to 2P.
  • the lead 2C is separated from the leads 1.
  • the lead 2C is arranged on the conductive portion 5.
  • the lead 2C is electrically connected to the conductive portion 5.
  • the lead 2C is an example of the “second lead”.
  • the lead 2C is joined to the second portion 52C of the wiring portion 50C of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive joining material 82.
  • the configuration of the lead 2C is not particularly limited, and in the example shown in FIGS. 9 and 12, the lead 2C is composed of a first portion 21C, a second portion 22C, a third portion 23C and a fourth portion 24C. This specific structure can be appropriately adopted for the leads 2A, 2B, 2D to 2P.
  • the first portion 21C is a portion joined to the wiring portion 50C.
  • the shape of the first portion 21C is not particularly limited and is, for example, a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, or an elliptical shape.
  • the first portion 21C has a rectangular shape, and has a long rectangular shape whose longitudinal direction is the y direction.
  • the first portion 21C overlaps the wiring portion 50C when viewed in the z direction.
  • the first portion 21C has a through hole 211C.
  • the through hole 211C penetrates the first portion 21C in the z direction.
  • the inside of the through hole 211C is filled with the conductive bonding material 82.
  • the conductive bonding material 82 is formed over the surface of the lead 2C. However, the conductive bonding material 82 may remain in the through hole 211C and may not reach the surface of the lead 2C.
  • the third part 23C and the fourth part 24C are covered by the package 7.
  • the third portion 23C is connected to the first portion 21C and the fourth portion 24C.
  • the fourth portion 24C is located displaced from the first portion 21C in the z direction toward the side on which the first surface 31 faces.
  • the end of the fourth portion 24C is flush with the sixth surface 75 of the resin 7.
  • the first portion 21C, the third portion 23C, and the fourth portion 24C substantially coincide with each other when viewed in the y direction.
  • the second portion 22C is a portion connected to the end of the fourth portion 24C and protruding from the package 7 to the opposite side of the leads 1C from the package 7 in the y direction.
  • the second portion 22C projects to the side opposite to the first portion 21C in the y direction.
  • the second portion 22C is used to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit, for example.
  • the second portion 22C is bent so that the first surface 31 faces in the z direction.
  • the lead 2A is separated from the leads 1.
  • the lead 2A is arranged on the conductive portion 5.
  • the lead 2A is electrically connected to the conductive portion 5.
  • the lead 2A is an example of a “second lead”.
  • the lead 2A is joined to the wiring portion 50A of the conductive portion 5 via a conductive bonding material (first conductive bonding material) 82.
  • the conductive bonding material 82 may be any material that can bond and electrically connect the lead 2A to the wiring portion 50A.
  • the conductive bonding material 82 for example, silver paste, copper paste, solder or the like is used.
  • the configuration of the lead 2A is not particularly limited, and in the example shown in the figure, it is the same configuration as the lead 2C and has the second portion 22A.
  • the second portion 22A is a portion of the lead 2A protruding from the package 7 to the side opposite to the plurality of leads 1 when viewed in the y direction.
  • the second portion 22A is used to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit, for example.
  • the second portion 22A is bent in the z direction so that the first surface 31 faces.
  • the lead 2B is separated from the leads 1.
  • the lead 2B is arranged on the conductive portion 5.
  • the lead 2B is electrically connected to the conductive portion 5.
  • the lead 2B is an example of the “second lead”.
  • the lead 2B is joined to the wiring portion 50B of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive joining material 82.
  • the configuration of the lead 2B is not particularly limited, and in the example shown in the figure, it is the same configuration as the lead 2C and has the second portion 22B.
  • the second portion 22B is a portion of the lead 2B protruding from the package 7 to the side opposite to the plurality of leads 1 when viewed in the y direction.
  • the second portion 22B is used to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit, for example.
  • the second portion 22B is bent in the z direction so that the first surface 31 faces.
  • the lead 2D is separated from the leads 1.
  • the lead 2D is arranged on the conductive portion 5.
  • the lead 2D is electrically connected to the conductive portion 5.
  • the lead 2D is an example of the “second lead”.
  • the lead 2D is joined to the wiring portion 50D of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive joining material 82.
  • the configuration of the lead 2D is not particularly limited, and in the example shown in the figure, it is the same configuration as the lead 2C and has the second portion 22D.
  • the second portion 22D is a portion of the lead 2D that protrudes from the package 7 to the side opposite to the plurality of leads 1 when viewed in the y direction.
  • the second portion 22D is used, for example, to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit.
  • the second portion 22D is bent so that the first surface 31 faces in the z direction.
  • the lead 2E is separated from the leads 1.
  • the lead 2E is arranged on the conductive portion 5.
  • the lead 2E is electrically connected to the conductive portion 5.
  • the lead 2E is an example of the “second lead”. Further, the lead 2E is joined to the wiring portion 50E of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive joining material 82.
  • the configuration of the lead 2E is not particularly limited, and in the example shown in the figure, it is the same configuration as the lead 2C and has a second portion 22E.
  • the second portion 22E is a portion of the lead 2E that protrudes from the package 7 to the side opposite to the plurality of leads 1 when viewed in the y direction.
  • the second portion 22E is used to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit, for example.
  • the second portion 22E is bent in the z direction so that the first surface 31 faces.
  • the lead 2F is separated from the leads 1.
  • the lead 2F is arranged on the conductive portion 5.
  • the lead 2F is electrically connected to the conductive portion 5.
  • the lead 2F is an example of the “second lead”. Further, the lead 2F is joined to the wiring portion 50F of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive joining material 82.
  • the configuration of the lead 2F is not particularly limited, and in the example shown in the figure, it is the same as the configuration of the lead 2C and has a second portion 22F.
  • the second portion 22F is a portion of the lead 2F protruding from the package 7 to the side opposite to the plurality of leads 1 when viewed in the y direction.
  • the second portion 22F is used, for example, to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit.
  • the second portion 22F is bent so that the first surface 31 faces in the z direction.
  • the lead 2G is separated from the leads 1.
  • the lead 2G is arranged on the conductive portion 5.
  • the lead 2G is electrically connected to the conductive portion 5.
  • the lead 2G is an example of a “second lead”. Further, the lead 2G is joined to the wiring portion 50G of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive joining material 82.
  • the configuration of the lead 2G is not particularly limited, and in the example shown in the figure, it is the same as the configuration of the lead 2C and has the second portion 22G.
  • the second portion 22G is a portion of the lead 2G protruding from the package 7 to the side opposite to the plurality of leads 1 when viewed in the y direction.
  • the second portion 22G is used for electrically connecting the switch driving device A1 to an external circuit, for example.
  • the second portion 22G is bent in the z direction so that the first surface 31 faces.
  • the lead 2H is separated from the leads 1.
  • the lead 2H is arranged on the conductive portion 5.
  • the lead 2H is electrically connected to the conductive portion 5.
  • the lead 2H is an example of the “second lead”. Further, the lead 2H is joined to the wiring portion 50H of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive joining material 82.
  • the configuration of the lead 2H is not particularly limited, and in the example shown in the figure, it is the same configuration as the lead 2C and has the second portion 22H.
  • the second portion 22H is a portion of the lead 2H that protrudes from the package 7 to the side opposite to the leads 1 when viewed in the y direction.
  • the second portion 22H is used, for example, to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit.
  • the second portion 22H is bent in the z direction so that the first surface 31 faces.
  • the lead 2I is separated from the leads 1.
  • the lead 2I is arranged on the conductive portion 5.
  • the lead 2I is electrically connected to the conductive portion 5.
  • the lead 2I is an example of the “second lead”. Further, the lead 2I is joined to the wiring portion 50I of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive joining material 82.
  • the structure of the lead 2I is not particularly limited, and in the example shown in the figure, it is the same structure as the lead 2C and has the second portion 22I.
  • the second portion 22I is a portion of the lead 2I protruding from the package 7 to the side opposite to the plurality of leads 1 when viewed in the y direction.
  • the second portion 22I is used, for example, to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit.
  • the second portion 22I is bent in the z direction so that the first surface 31 faces.
  • the lead 2J is separated from the leads 1.
  • the lead 2J is arranged on the conductive portion 5.
  • the lead 2J is electrically connected to the conductive portion 5.
  • the lead 2J is an example of the “second lead”.
  • the lead 2J is joined to the wiring portion 50J of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive joining material 82.
  • the structure of the lead 2J is not particularly limited, and in the example shown in the figure, it is the same structure as the lead 2C and has the second portion 22J.
  • the second portion 22J is a portion of the lead 2J protruding from the package 7 to the side opposite to the plurality of leads 1 when viewed in the y direction.
  • the second portion 22J is used, for example, to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit.
  • the second portion 22J is bent in the z direction so that the first surface 31 faces.
  • the lead 2K is separated from the leads 1.
  • the lead 2K is arranged on the conductive portion 5.
  • the lead 2K is electrically connected to the conductive portion 5.
  • the lead 2K is an example of “second lead”.
  • the lead 2K is joined to the wiring portion 50K of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive joining material 82.
  • the configuration of the lead 2K is not particularly limited, and in the example shown in the figure, it is the same as the configuration of the lead 2C and has the second portion 22K.
  • the second portion 22K is a portion of the lead 2K protruding from the package 7 to the side opposite to the plurality of leads 1 when viewed in the y direction.
  • the second portion 22K is used to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit, for example.
  • the second portion 22K is bent in the z direction so that the first surface 31 faces.
  • the lead 2L is separated from the leads 1.
  • the lead 2L is arranged on the conductive portion 5.
  • the lead 2L is electrically connected to the conductive portion 5.
  • the lead 2L is an example of a “second lead”.
  • the lead 2L is joined to the wiring portion 50L of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive joining material 82.
  • the configuration of the lead 2L is not particularly limited, and in the example shown in the figure, it is the same configuration as the lead 2C and has the second portion 22L.
  • the second portion 22L is a portion of the lead 2L protruding from the package 7 to the side opposite to the plurality of leads 1 when viewed in the y direction.
  • the second portion 22L is used to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit, for example.
  • the second portion 22L is bent in the z direction so that the first surface 31 faces.
  • the lead 2M is separated from the leads 1.
  • the lead 2M is arranged on the conductive portion 5.
  • the lead 2M is electrically connected to the conductive portion 5.
  • the lead 2M is an example of a “second lead”. Further, the lead 2M is joined to the wiring portion 50M of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive joining material 82.
  • the configuration of the lead 2M is not particularly limited, and in the example shown in the figure, it is the same configuration as the lead 2C and has the second portion 22M.
  • the second portion 22M is a portion of the lead 2M that protrudes from the package 7 to the side opposite to the plurality of leads 1 when viewed in the y direction.
  • the second portion 22M is used to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit, for example.
  • the second portion 22M is bent in the z direction so that the first surface 31 faces.
  • the lead 2N is separated from the leads 1.
  • the lead 2N is arranged on the conductive portion 5.
  • the lead 2N is electrically connected to the conductive portion 5.
  • the lead 2N is an example of the “second lead”. Further, the lead 2N is joined to the wiring portion 50N of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive joining material 82.
  • the configuration of the lead 2N is not particularly limited, and in the example shown in the figure, it is the same configuration as the lead 2C and has the second portion 22N.
  • the second portion 22N is a portion of the lead 2N protruding from the package 7 to the side opposite to the plurality of leads 1 when viewed in the y direction.
  • the second portion 22N is used to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit, for example.
  • the second portion 22N is bent in the z direction so that the first surface 31 faces.
  • the lead 2O is separated from the leads 1. As shown in FIGS. 9 and 10, the lead 20 is disposed on the conductive portion 5. The lead 20 is electrically connected to the conductive portion 5. The lead 2O is joined to the wiring portion 50O of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive joining material 82.
  • the configuration of the lead 2O is not particularly limited, and in the example shown in the figure, it is the same as the configuration of the lead 2C and has the second portion 22O.
  • the second portion 22O is a portion of the lead 20 that protrudes from the package 7 to the side opposite to the leads 1 when viewed in the y direction.
  • the second portion 22O is used to electrically connect the switch driving device A1 to an external circuit, for example.
  • the second portion 22O is bent in the z direction so that the first surface 31 faces.
  • the lead 2P is separated from the leads 1. As shown in FIGS. 9 and 10, the lead 2P is arranged on the conductive portion 5. The lead 2P is electrically connected to the conductive portion 5. Further, the lead 2P is joined to the wiring portion 50P of the conductive portion 5 via the above-mentioned conductive joining material 82.
  • the configuration of the lead 2P is not particularly limited, and in the example shown in the figure, it is the same configuration as the lead 2C and has the second portion 22P.
  • the second portion 22P is a portion of the lead 2P protruding from the package 7 to the side opposite to the plurality of leads 1 when viewed in the y direction.
  • the second portion 22P is bent so that the first surface 31 faces in the z direction.
  • the lead 2Z is separated from the substrate 3 when viewed in the z direction.
  • the lead 2Z is arranged closer to the third surface 33 than the substrate 3 in the x direction.
  • the lead 2Z is arranged on the side opposite to the lead 2B with respect to the lead 2A in the x direction.
  • the structure of the lead 2Z is not particularly limited, and in the example shown in FIG. 9, the lead 2Z is composed of the second portion 22Z and the fourth portion 24Z. Further, the lead 2Z is insulated from the circuit of the switch driving device A1.
  • the fourth part 24Z is connected to the second part 22Z and is covered by the package 7. Similar to the fourth portion 24C in the lead 2C, the fourth portion 24Z is located in the z direction with a shift from the first portion 21A toward the side where the first surface 31 faces.
  • the shape of the fourth portion 24Z is not particularly limited, and in the illustrated example, it is a strip shape extending in the y direction. The end of the fourth portion 24Z is flush with the sixth surface 75 of the resin 7.
  • the second portion 22Z is a portion that is connected to the end portion of the fourth portion 24Z and projects from the package 7 of the lead 2Z.
  • the second portion 22Z projects to the side opposite to the fourth portion 24Z in the y direction.
  • the second portion 22Z is used, for example, when mounting the switch driving device A1 on an external circuit board.
  • the second portion 22Z is bent in the z direction so that the first surface 31 faces.
  • the second portions 22A, 22B and the second portion 22C are arranged with a gap G21 in the x direction. These gaps G21 have substantially the same length.
  • the second portions 22C and 22D are arranged with a gap G22 in the x direction.
  • the gap G22 has substantially the same length as the gap G21.
  • the second portions 22D to 22N are arranged at intervals of G23 in the x direction. The length of these gaps G23 is shorter than the gap G21, and the lengths of the plurality of gaps G23 are substantially the same.
  • the second portion 22A and the second portion 22Z are arranged with a gap G24 in the x direction.
  • the gap G24 is substantially the same as the gap G21.
  • Transistors 4A-4F The transistors 4A to 4F are arranged on the leads 1.
  • the types and functions of the transistors 4A to 4F are not particularly limited. Further, in the illustrated example, six transistors 4A to 4F are provided, but this is an example, and the number of transistors is not limited at all.
  • the transistors 4A to 4F are MOSFETs (SiC MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors)) made of, for example, a SiC (silicon carbide) substrate.
  • Transistors 4A to 4F may be MOSFETs made of Si (silicon) substrates instead of SiC substrates, and may include, for example, IGBT elements. Further, it may be a MOSFET containing GaN. In this embodiment, N-type MOSFETs are used for the transistors 4A to 4F.
  • the transistor 4A will be described, and description of the other transistors 4B to 4F will be omitted.
  • the transistor 4A is arranged on the first portion 11A of the lead 1A.
  • the transistor 4A has a gate electrode GP, a source electrode SP, and a drain electrode DP.
  • the source electrode SP and the gate electrode GP are arranged on the surface of the transistor 4A facing the same side as the main surface 111A.
  • the drain electrode DP is formed on the surface of the transistor 4A that faces the main surface 111A.
  • the gate electrode GP and the source electrode SP are made of, for example, Al or an Al alloy (Al-Si, Al-Cu, Al-Si-Cu, etc.).
  • the drain electrode DP is made of, for example, Al or an Al alloy (Al-Si, Al-Cu, Al-Si-Cu, etc.).
  • the shape and size of the gate electrode GP, the source electrode SP, and the drain electrode DP are not particularly limited.
  • the source electrode SP is larger than the gate electrode GP when viewed in the z direction.
  • the gate electrode GP is arranged closer to the fifth surface 35 side of the substrate 3 than the center of the transistor 4A in the y direction when viewed in the z direction.
  • the source electrode SP has a portion located on one side in the y direction and on both sides in the x direction of the gate electrode GP.
  • the position of the gate electrode GP with respect to the source electrode SP is not particularly limited.
  • the gate electrode GP may be formed in a square shape.
  • the source electrode SP has a concave portion on the side facing the fifth surface 35, and the gate electrode GP is arranged in the concave portion.
  • FIG. 14 is an enlarged cross-sectional view of a main part schematically showing the transistor 4A.
  • the transistor 4A includes a substrate 400, an epitaxial layer 401, a source wiring 411, a drain wiring 415, and a gate wiring 419.
  • the substrate 400 is made of SiC (silicon carbide: silicon carbide) and is heavily doped with n-type impurities (for example, 1e18 to 1e21 cm ⁇ 3 ).
  • the substrate 400 has a front surface 400A and a back surface 400B.
  • the front surface 400A is a Si surface
  • the back surface 400B is a C surface.
  • the epitaxial layer 401 is stacked on the surface 400A of the substrate 400.
  • the epitaxial layer 401 is an n ⁇ type layer made of SiC doped with an n type impurity at a lower concentration than the substrate 400.
  • the epitaxial layer 401 is formed on the substrate 400 by epitaxial growth.
  • the epitaxial layer 401 formed on the surface 400A, which is the Si surface, is grown with the Si surface as the main growth surface. Therefore, the surface 401A of the epitaxial layer 401 formed by growth is a Si surface like the surface 400A of the substrate 400.
  • the epitaxial layer 401 has a drain region 402, a body region 403, a source region 407 and a body contact region 408.
  • the drain region 402 is a portion (base layer portion) on the C surface side opposite to the surface 401A.
  • the drain region 402 is an n ⁇ type region in which the entire region is maintained as it is after the epitaxial growth.
  • the n-type impurity concentration of the drain region 402 is, for example, 1e15 to 1e17 cm ⁇ 3 .
  • the body region 403 is formed on the front surface 401A side of the epitaxial layer 401.
  • the body region 403 is in contact with the drain region 402 from the surface 401A side (Si surface side) of the epitaxial layer 401.
  • the p-type impurity concentration of the body region 403 is, for example, 1e16 to 1e19 cm ⁇ 3 .
  • a gate trench 404 is formed in the epitaxial layer 401.
  • the gate trench 404 has a form dug down from the surface 401A and extends long in the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 14 (“direction along gate width” or “gate width direction”). Therefore, in plan view, the gate trench 404 has a strip shape extending along a predetermined direction.
  • the epitaxial layer 401 is formed with a plurality of gate trenches 404 extending parallel to each other in a plan view, forming a so-called stripe structure. ing.
  • Each gate trench 404 has two side surfaces 404a and a bottom surface 404b.
  • the two side surfaces 404a are opposed to each other with a space therebetween, and are orthogonal to the front surface 401A.
  • the bottom surface 404b is connected to the two side surfaces 404a and has a portion parallel to the front surface 401A.
  • the gate trench 404 penetrates the body region 403 in the thickness direction (vertical direction in FIG. 14), and the deepest portion (bottom surface 404b) reaches the drain region 402.
  • the gate insulating film 405 is formed in the gate trench 404 so as to cover the entire inner surface (side surface 404a and bottom surface 404b). As shown in FIG. 14, a part of the gate insulating film 405 is outside the gate trench 404 and partially covers the surface 401A of the epitaxial layer 401.
  • the gate insulating film 405 is formed of an oxide film containing nitrogen (Ni) (for example, a silicon nitride oxide film formed by thermal oxidation using a nitrogen-containing gas).
  • the nitrogen content (nitrogen concentration) in the gate insulating film 405 is, for example, 0.1 to 10%.
  • the gate insulating film 405 has an insulating film side portion 405a and an insulating film bottom portion 405b.
  • the insulating film side portion 405a is a portion that covers the side surface 404a of the gate trench 404.
  • the insulating film bottom portion 405b is a portion that covers the bottom surface 404b of the gate trench 404.
  • the thickness T2 of the insulating film bottom portion 405b is equal to or smaller than the thickness T1 of the insulating film side portion 405a (T2 ⁇ T1).
  • the ratio (T2/T1) of the thickness T2 of the insulating film bottom portion 405b to the thickness T1 of the insulating film side portion 405a is 0.3 to 1, and preferably 0.5 to 1. ..
  • the thickness T1 of the insulating film side portion 405a is, for example, 300 to 1000 ⁇
  • the thickness T2 of the insulating film bottom portion 405b is, for example, 150 to 500 ⁇ (where T2 ⁇ T1).
  • a gate electrode 406 is embedded in the gate insulating film 405.
  • the gate electrode 406 is formed by filling the inside of the gate insulating film 405 with a polysilicon material highly doped with N-type impurities.
  • the source region 407 is located on both sides of the surface region of the body region 403 with respect to the gate trench 404 in the direction orthogonal to the gate width (left-right direction in FIG. 14).
  • the source region 407 is an n + type region.
  • the source region 407 is a region in which the n-type impurity concentration is higher than that of the drain region 402 and the n-type impurity is highly doped.
  • the n-type impurity concentration of the source region 407 is, for example, 1e18 to 1e21 cm ⁇ 3 .
  • the source region 407 is adjacent to the gate trench 404 and extends in the gate width direction.
  • the body contact region 408 is a p + -type region that extends downward from the surface 401A, penetrates the source region 407, and is connected to the body region 403.
  • the body contact region 408 is located in a center line of the source region 407 (a straight line that passes through the center point of the source region 407 in a direction orthogonal to the gate width direction and is parallel to the gate width direction) in a plan view. Running along.
  • the body contact region 408 is a region heavily doped with p-type impurities and has a higher p-type impurity concentration than the body region 403.
  • the p-type impurity concentration of the body contact region 408 is, for example, 1e18 to 1e21 cm ⁇ 3 .
  • the gate trenches 404 and the source regions 407 are alternately provided in a direction orthogonal to the gate width direction, and each extends along the gate width direction.
  • a boundary between unit cells that are adjacent to each other in the direction orthogonal to the gate width direction along the source region 407 is set on the source region 407.
  • At least one body contact region 408 is provided across two unit cells adjacent to each other in the direction orthogonal to the gate width direction. The boundary between the unit cells adjacent in the direction along the gate width direction is set so that the gate electrode 406 included in each unit cell has a constant gate width.
  • An interlayer insulating film 409 made of silicon oxide (SiO 2 ) is laminated on the epitaxial layer 401.
  • Contact holes 410 exposing the surfaces of the source regions 407 and the body contact regions 408 are formed in the interlayer insulating film 409 and the gate insulating film 405.
  • the source wiring 411 is formed on the interlayer insulating film 409.
  • the source wiring 411 is in contact (electrically connected) with the source region 407 and the body contact region 408 through the contact hole 410.
  • the source wiring 411 has a polysilicon layer 412, a metal layer 413, and an intermediate layer 414.
  • the polysilicon layer 412 is a layer in contact with the source region 407 and the body contact region 408.
  • the polysilicon layer 412 is a doped layer formed using impurity-doped doped polysilicon, and is, for example, a high-concentration doped layer in which impurities are doped at a high concentration of 1e19 to 1e21 cm ⁇ 3. preferable.
  • N-type impurities such as phosphorus (P) and arsenic (As) and p-type impurities such as boron (B) are used. You can The polysilicon layer 412 fills the contact hole 410.
  • the thickness of the polysilicon layer 412 varies depending on the depth of the contact hole 410, but is, for example, 5000 to 1000 ⁇ .
  • the metal layer 413 is formed on the polysilicon layer 412.
  • the metal layer 413 is formed of, for example, aluminum (Al), gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), or an alloy thereof and a metal material containing them.
  • the metal layer 413 forms the outermost layer of the source wiring 411, and is bonded with, for example, the first wire 91A.
  • the thickness of the metal layer 413 is, for example, 1 to 5 ⁇ m.
  • the intermediate layer 414 is interposed between the polysilicon layer 412 and the metal layer 413 and contains titanium (Ti).
  • the intermediate layer 414 is composed of a single layer containing titanium or a plurality of layers including the single layer.
  • the layer containing titanium can be formed using titanium, titanium nitride (TiN), or the like.
  • the thickness of the intermediate layer 414 is, for example, 200 to 500 nm.
  • the source wiring 411 including the polysilicon layer 412, the intermediate layer 414, and the metal layer 413 is formed of polysilicon (polysilicon layer 412), titanium (intermediate layer 414), titanium nitride (intermediate layer 414), and aluminum (
  • the metal layer 413) preferably has a laminated structure (Po-Si/Ti/TiN/Al) in which the metal layers 413 are sequentially laminated.
  • the drain wiring 415 is formed on the back surface 400B of the substrate 400.
  • the drain wiring 415 is in contact with (electrically connected to) the substrate 400.
  • the drain wiring 415 has a polysilicon layer 416, a metal layer 417, and an intermediate layer 418.
  • the polysilicon layer 416 contacts the substrate 400.
  • the polysilicon layer 416 can be formed using a material similar to that of the polysilicon layer 412.
  • the thickness of the polysilicon layer 416 is, for example, 1000 to 2000 ⁇ .
  • the metal layer 417 is formed on the polysilicon layer 416.
  • the metal layer 417 can be formed using a material similar to that of the metal layer 413.
  • the metal layer 417 forms the outermost layer of the drain wiring 415, and is joined to the first portion 11A when the substrate 400 is mounted on the first portion 11A of the lead 1A, for example.
  • the metal layer 417 has a thickness of 0.5 to 1 ⁇ m, for example.
  • the intermediate layer 418 is a layer that is interposed between the polysilicon layer 416 and the metal layer 417 and contains titanium (Ti).
  • the intermediate layer 418 can be formed using a material similar to the material forming the intermediate layer 414.
  • the gate wiring 419 is contacted (electrically connected) to the gate electrode 406 through a contact hole (not shown) formed in the interlayer insulating film 409.
  • a predetermined voltage voltage equal to or higher than the gate threshold voltage
  • a channel is formed in the body region 403 near the interface with the gate insulating film 405 by the electric field from the electrode 406. Accordingly, a current flows between the source wiring 411 and the drain wiring 415, and the transistor 4A is turned on.
  • three transistors 4A, 4B and 4C are arranged on the main surface 111A of the first portion 11A of the lead 1A.
  • the three transistors 4A, 4B, 4C are separated from each other in the x direction and overlap each other when viewed in the x direction.
  • the drain electrodes DP of the transistors 4A, 4B, 4C are bonded to the main surface 111A by the conductive bonding material 83.
  • the conductive bonding material (second conductive bonding material) 83 may be any material that can bond and electrically connect the drain electrodes DP of the transistors 4A, 4B, 4C to the main surface 111A.
  • As the conductive bonding material 83 for example, silver paste, copper paste, or solder is used.
  • the transistor 4D is arranged on the main surface 111B of the first portion 11B of the lead 1B.
  • the drain electrode DP of the transistor 4D is bonded to the main surface 111B by the conductive bonding material 83.
  • the transistor 4E is arranged on the main surface 111C of the first portion 11C of the lead 1C.
  • the drain electrode DP of the transistor 4E is bonded to the main surface 111C by the conductive bonding material 83.
  • the transistor 4F is arranged on the main surface 111D of the first portion 11D of the lead 1D.
  • the drain electrode DP of the transistor 4F is bonded to the main surface 111D by the conductive bonding material 83.
  • the upper driver chip 4G and the lower driver chip 4H are for driving and controlling at least one of the transistors 4A to 4F.
  • the upper driver chip 4G and the lower driver chip 4H are electrically connected to the conductive portion 5 and at least one of the transistors 4A to 4F, and are arranged on the substrate 3. ing.
  • the upper driver chip 4G drives and controls the three transistors 4A, 4B, 4C.
  • the lower driver chip 4H drives and controls the three transistors 4D, 4E, 4F.
  • the shape and size of the upper driver chip 4G and the lower driver chip 4H are not particularly limited. In the illustrated example, the upper driver chip 4G and the lower driver chip 4H have a rectangular shape when viewed in the z direction and an elongated shape in the x direction.
  • the upper driver chip 4G is mounted on the first base 55 of the conductive part 5, and the lower driver chip 4H is arranged on the second base 56 of the conductive part 5.
  • the upper driver chip 4G is bonded to the first base 55 by the conductive bonding material 84.
  • the lower driver chip 4H is bonded to the second base portion 56 by the conductive bonding material 84.
  • the conductive bonding material 84 (third conductive bonding material) can bond the upper driver chip 4G to the first base 55 and the lower driver chip 4H to the second base 56 and can be electrically connected. If As the conductive bonding material 84, for example, silver paste, copper paste, or solder is used. The specific shape of the conductive bonding material 84 is not limited at all. The upper driver chip 4G and the lower driver chip 4H may be bonded to the first base 55 by an insulating bonding material instead of the conductive bonding material 84.
  • the upper driver chip 4G is located between the leads 2B to 2O and the leads 1A to 1G when viewed in the x direction.
  • the lower driver chip 4H is located between the leads 2B to 2O and the leads 1A to 1G when viewed in the x direction.
  • the upper driver chip 4G overlaps with the transistor 4B when viewed in the y direction.
  • the upper driver chip 4G overlaps the transistor 4A when viewed in the y direction.
  • the lower driver chip 4H overlaps the transistor 4E when viewed in the y direction.
  • the upper driver chip 4G may overlap the transistor 4C when viewed in the y direction.
  • the lower driver chip 4H may overlap one or both of the transistors 4D and 4F when viewed in the y direction.
  • the upper driver chip 4G overlaps the wiring section 50B, the wiring section 50C, the wiring section 50V, and the wiring section 50W when viewed in the y direction.
  • the upper driver chip 4G overlaps the second base portion 56 and the lower driver chip 4H when viewed in the x direction.
  • the lower driver chip 4H overlaps the wiring portion 50I, the wiring portion 50J, the wiring portion 50K, and the wiring portion 50L when viewed in the y direction.
  • the lower driver chip 4H overlaps the wiring section 50O and the wiring section 50P when viewed in the x direction.
  • the boot diodes 49U, 49V, 49W are electrically connected to the upper driver chip 4G.
  • the boot diodes 49U, 49V, 49W have a function of applying a higher voltage to the upper driver chip 4G, for example.
  • the boot diode 49U is bonded to the wiring portion 50U of the conductive portion 5 via the conductive bonding material 85.
  • the conductive bonding material 85 is, for example, the same material as the conductive bonding material 84 described above.
  • the boot diode 49V is joined to the wiring portion 50V of the conductive portion 5 via the above-described conductive joining material 85.
  • the boot diode 49W is joined to the wiring portion 50W of the conductive portion 5 via the above-described conductive joining material 85.
  • the specific arrangement of the boot diodes 49U, 49V, 49W is not particularly limited.
  • the center of the boot diode 49U in the y direction is displaced from the center of the wiring portion 50U in the y direction toward the fifth surface 35 side.
  • the center of the boot diode 49V in the x direction is displaced toward the wiring portion 50W side from the center of the wiring portion 50V in the x direction.
  • the center of the boot diode 49W in the x direction is displaced toward the wiring portion 50D side from the center of the wiring portion 50W in the x direction.
  • the first wires 91A to 91F are connected to any of the transistors 4A to 4F and any of the leads 1.
  • the material of the first wires 91A to 91F is not particularly limited, and is made of, for example, aluminum (Al) or copper (Cu).
  • the thickness of the first wires 91A to 91F is not particularly limited, and the diameter thereof is, for example, about 250 to 500 ⁇ m.
  • a lead made of Cu may be used.
  • the first wire 91A has one end connected to the source electrode SP of the transistor 4A and the other end connected to the fourth portion 14B of the lead 1B.
  • the position where the first wire 91A is joined is not particularly limited.
  • the first wire 91B has one end connected to the source electrode SP of the transistor 4B and the other end connected to the fourth portion 14C of the lead 1C.
  • the position where the first wire 91B is joined is not particularly limited.
  • the first wire 91C has one end connected to the source electrode SP of the transistor 4C and the other end connected to the fourth portion 14D of the lead 1D.
  • the position where the first wire 91C is joined is not particularly limited.
  • the first wire 91D has one end connected to the source electrode SP of the transistor 4D and the other end connected to the fourth portion 14E of the lead 1E.
  • the position where the first wire 91D is joined is not particularly limited.
  • the first wire 91E has one end connected to the source electrode SP of the transistor 4E and the other end connected to the fourth portion 14F of the lead 1F.
  • the position where the first wire 91E is joined is not particularly limited.
  • the first wire 91F has one end connected to the source electrode SP of the transistor 4F and the other end connected to the fourth portion 14G of the lead 1G.
  • the position where the first wire 91F is joined is not particularly limited.
  • the plurality of second wires (second conductive members) 92 are connected to either the upper driver chip 4G or the lower driver chip 4H.
  • the material of the second wire 92 is not particularly limited, and is made of, for example, gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), or the like.
  • the thickness of the second wire 92 is not particularly limited, and is thinner than the first wires 91A to 91F, for example.
  • the thickness of the second wire 92 is, for example, about 10 ⁇ m to 50 ⁇ m in diameter.
  • the second wire 92 connected to the upper driver chip 4G will be referred to as a second wire 92G
  • the second wire 92 connected to the lower driver chip 4H will be referred to as a second wire 92H.
  • the second wire 92G is connected to the gate electrode GP of the transistor 4A and the portion of the upper driver chip 4G closer to the first portion 11A than the center in the y direction.
  • the second wire 92G is connected to the source electrode SP of the transistor 4A and the portion of the upper driver chip 4G closer to the first portion 11A than the center in the y direction.
  • the second wire 92G is connected to the transistor 4B side of the source electrode SP of the transistor 4A in the x direction with respect to the gate electrode GP in the x direction.
  • the second wire 92G is connected to the gate electrode GP of the transistor 4B and the portion of the upper driver chip 4G closer to the first portion 11A than the center in the y direction.
  • the second wire 92G is connected to the source electrode SP of the transistor 4B and the portion of the upper driver chip 4G closer to the first portion 11A than the center in the y direction.
  • the second wire 92G is connected to the transistor 4C side of the source electrode SP of the transistor 4B in the x direction with respect to the gate electrode GP in the x direction.
  • the second wire 92G is connected to the gate electrode GP of the transistor 4C and the portion closer to the first portion 11A than the center of the upper driver chip 4G in the y direction.
  • the second wire 92G is connected to the source electrode SP of the transistor 4C and the portion of the upper driver chip 4G closer to the first portion 11A than the center in the y direction.
  • the second wire 92G is connected to the transistor 4B side of the source electrode SP of the transistor 4B in the x direction with respect to the gate electrode GP in the x direction.
  • the second wire 92H is connected to the gate electrode GP of the transistor 4D and the portion of the lower driver chip 4H closer to the first portion 11A than the center in the y direction.
  • the second wire 92H is connected to the gate electrode GP of the transistor 4E and the portion of the lower driver chip 4H on the first portion 11A side with respect to the center in the y direction.
  • the second wire 92H is connected to the gate electrode GP of the transistor 4F and the portion closer to the first portion 11A than the center of the lower driver chip 4H in the y direction.
  • one ends of the two second wires 92G are connected to the wiring section 50A, and the other ends are connected to the upper driver chip 4G.
  • one end of the second wire 92G is connected to the boot diode 49U, and the other end is connected to the upper driver chip 4G.
  • one end of the second wire 92G is connected to the wiring portion 50U, and the other end is connected to the upper driver chip 4G.
  • one ends of the two second wires 92G are connected to the wiring portion 50B, and the other ends are connected to the upper driver chip 4G.
  • one end of the second wire 92G is connected to the boot diode 49V, and the other end is connected to the upper driver chip 4G.
  • one end of the second wire 92G is connected to the wiring portion 50V, and the other end is connected to the upper driver chip 4G.
  • one ends of the two second wires 92G are connected to the wiring section 50C, and the other ends are connected to the upper driver chip 4G. Also, one end of the second wire 92G is connected to the boot diode 49W, and the other end is connected to the upper driver chip 4G. Also, one end of the second wire 92G is connected to the wiring portion 50W, and the other end is connected to the upper driver chip 4G.
  • one end of the second wire 92G is connected to the wiring section 50D and the other end is connected to the upper driver chip 4G.
  • one end of the second wire 92G is connected to the wiring portion 50E, and the other end is connected to the upper driver chip 4G.
  • one end of the second wire 92G is connected to the wiring portion 50F, and the other end is connected to the upper driver chip 4G.
  • one ends of the three second wires 92G are connected to the wiring portion 50G, and the other ends are connected to the upper driver chip 4G.
  • one ends of the two second wires 92G are connected to the connecting portion 57, and the other ends are connected to the upper driver chip 4G.
  • one end of the second wire 92H is connected to the wiring portion 50I and the other end is connected to the lower driver chip 4H.
  • one end of the second wire 92H is connected to the wiring portion 50J, and the other end is connected to the lower driver chip 4H.
  • one end of the second wire 92H is connected to the wiring portion 50K, and the other end is connected to the lower driver chip 4H.
  • one ends of the two second wires 92H are connected to the wiring portion 50L, and the other ends are connected to the lower driver chip 4H.
  • one end of the second wire 92H is connected to the wiring portion 50M, and the other end is connected to the lower driver chip 4H.
  • one end of the second wire 92H is connected to the wiring portion 50N, and the other end is connected to the lower driver chip 4H. Further, one ends of the two second wires 92H are connected to the wiring section 50O, and the other ends are connected to the lower driver chip 4H.
  • the resin 7 covers at least the transistors 4A to 4F, the upper driver chip 4G, the lower driver chip 4H, a part of each of the leads 1 and a part of each of the leads 2. Further, in the example shown in the drawing, the resin 7 covers the boot diodes 49U, 49V, 49W, the plurality of first wires 91A to 91F and the plurality of second wires 92.
  • the material of the resin 7 is not particularly limited, and an insulating material such as epoxy resin or silicone gel is appropriately used.
  • the dimension DX (see FIG. 7) of the resin 7 in the x direction is preferably 60 mm or less.
  • the dimension DY of the resin 7 in the y direction is preferably 35 mm or less.
  • the dimension DZ (see FIG. 6) of the resin 7 in the z direction is preferably 6 mm or less.
  • the resin 7 has a dimension DX of about 57 mm, a dimension DY of about 30 mm, and a dimension DZ of about 5 mm.
  • the resin 7 includes a first surface 71, a second surface 72, a third surface 73, a fourth surface 74, a sixth surface 75, a sixth surface 76, a recess 710, a recess 720, a recess 731, a recess 732, a recess 733 and a recess. 734.
  • the first surface 71 is a surface that intersects the z direction, and in the illustrated example, is a plane that is perpendicular to the z direction.
  • the first surface 71 faces the same side as the first surface 31 of the substrate 3.
  • the second surface 72 is a surface that intersects the z direction, and in the illustrated example, a second surface 72 is a plane that is perpendicular to the z direction.
  • the second surface 72 faces the side opposite to the first surface 71, and faces the same side as the second surface 32 of the substrate 3.
  • the third surface 73 is located between the first surface 71 and the second surface 72 in the z direction, and is connected to the first surface 71 and the second surface 72 in the illustrated example.
  • the third surface 73 is a surface that intersects the x direction and faces the same side as the third surface 33 of the substrate 3.
  • the fourth surface 74 is located between the first surface 71 and the second surface 72 in the z direction, and is connected to the first surface 71 and the second surface 72 in the illustrated example.
  • the fourth surface 74 is a surface intersecting the x direction, faces the side opposite to the third surface 73, and faces the same side as the fourth surface 34 of the substrate 3.
  • the sixth surface 75 is located between the first surface 71 and the second surface 72 in the z direction, and is connected to the first surface 71 and the second surface 72 in the illustrated example.
  • the sixth surface 75 is a surface intersecting the y direction and faces the same side as the fifth surface 35 of the substrate 3.
  • the sixth surface 76 is located between the first surface 71 and the second surface 72 in the z direction, and is connected to the first surface 71 and the second surface 72 in the illustrated example.
  • the sixth surface 76 is a surface intersecting the x direction, faces the side opposite to the sixth surface 75, and faces the same side as the sixth surface 36.
  • the recess 710 is a portion recessed from the third surface 73 in the x direction.
  • the recess 710 reaches the first surface 71 and the second surface 72.
  • the recess 720 is a portion recessed from the fourth surface 74 in the x direction.
  • the recess 720 reaches the first surface 71 and the second surface 72.
  • the recessed portion 731, the recessed portion 732, the recessed portion 733, and the recessed portion 734 are portions recessed from the sixth surface 75 in the y direction.
  • the recess 731 is located between the second portion 22Z of the lead 2Z and the second portion 22A of the lead 2A when viewed in the y direction.
  • the recess 732 is located between the second portion 22A of the lead 2A and the second portion 22B of the lead 2B when viewed in the y direction.
  • the recess 733 is located between the second portion 22B of the lead 2B and the second portion 22C of the lead 2C when viewed in the y direction.
  • the recess 734 is located between the second portion 22C of the lead 2C and the second portion 22D of the lead 2D when viewed in the y direction.
  • the drains of the transistors 4A to 4C are connected to each other and to the P terminal (lead 1A).
  • the source of the transistor 4A is connected to the drain of the transistor 4D
  • the source of the transistor 4B is connected to the drain of the transistor 4E
  • the source of the transistor 4C is connected to the drain of the transistor 4F.
  • the node N1 between the source of the transistor 4A and the drain of the transistor 4D is connected to the U terminal (lead 1B).
  • the node N2 between the source of the transistor 4B and the drain of the transistor 4E is connected to the V terminal (lead 1C).
  • the node N3 between the source of the transistor 4C and the drain of the transistor 4F is connected to the W terminal (lead 1D).
  • the source of the transistor 4D is connected to the NU terminal (lead 1E)
  • the source of the transistor 4E is connected to the NV terminal (lead 1F)
  • the source of the transistor 4F is connected to the NW terminal (lead 1G).
  • the voltage level applied to the U terminal (lead 1B), V terminal (lead 1C) and W terminal (lead 1D) is, for example, about 0V to 650V.
  • the voltage level applied to the NU terminal (lead 1E), the NV terminal (lead 1F) and the NW terminal (lead 1G) is, for example, about 0V
  • the transistors 4A to 4C form transistors on the high potential side of the three-phase inverter circuit
  • the transistors 4D to 4F form transistors on the low potential side of the three-phase inverter circuit.
  • the gates of the transistors 4A to 4C are connected to the upper driver chip 4G, and the sources of the transistors 4A to 43 are connected to the upper driver chip 4G.
  • the gates of the transistors 4D to 46 are respectively connected to the lower driver chip 4H.
  • the upper driver chip 4G includes a VBU terminal (lead 2A), VBV terminal (lead 2B), VBW terminal (lead 2C), first VCC terminal (lead 2D), HINU terminal (lead 2E), HINV terminal (lead 2F), HINW. It is electrically connected to the terminal (lead 2G) and the first GND terminal (lead 2H).
  • the first VCC terminal is a terminal that supplies the power supply voltage VCC to the upper driver chip 4G.
  • a gate signal voltage is applied to the HINU terminal, the HINV terminal, and the HINW terminal from an external gate drive circuit (not shown).
  • the upper driver chip 4G is a circuit for applying these gate signal voltages to the gates of the transistors 4A to 4C.
  • the first GND terminal (lead 2H) and the second GND terminal (lead 2O) are connected to each other inside the switch driving device A1, more specifically, by the conductive portion 5 on the substrate 3.
  • the lower driver chip 4H includes a LINU terminal (lead 2I), a LINV terminal (lead 2J), a LINW terminal (lead 2K), a second VCC terminal (lead 2L), an FO terminal (lead 2M), a CIN terminal (lead 2N), And is electrically connected to the second GND terminal (lead 20).
  • the second VCC terminal is a terminal that supplies the power supply voltage VCC to the lower driver chip 4H.
  • a gate signal voltage is applied to the LINU terminal, the LINV terminal, and the LINW terminal from an external gate drive circuit.
  • the lower driver chip 4H is a circuit for applying these gate signal voltages to the gates of the transistors 4D to 4F.
  • the first voltage of the electric signal applied to the HINU terminal (lead 2E), the HINV terminal (lead 2F), and the HINW terminal (lead 2G) is applied from the first VCC terminal (lead 2D) to drive the upper driver chip 4G.
  • the first voltage of the electric signal applied to the LINU terminal (lead 2I), the LINV terminal (lead 2J) and the LINW terminal (lead 2K) is the second VCC terminal (lead 2L) for driving the lower driver chip 4H. Is lower than the second voltage (power supply voltage VCC) applied from.
  • the current limiting unit 465 is provided in a path that electrically connects the boot capacitor BC1 and the boot diode 49U. Therefore, the current limiting unit 465 is provided in a region having the same potential (voltage VB) as the boot capacitor BC1 which is a floating power supply, and is isolated from a region having the same potential as the control voltage VCC supplied from the first power supply PW1. To be done. As a result, the current limiting section 465 can be operated in a more stable potential region.
  • the boot diodes 49U, 49V, 49W are conductively joined to the wiring parts 50U, 50V, 50W.
  • the wiring parts 50U, 50V, 50W are separated from any other part of the conductive part 5 including the wiring parts 50A, 50B, 50C. If the wiring portions 50U, 50V, 50W are configured by metal leads, it is assumed that it is difficult to support the wiring portions 50U, 50V, 50W in the manufacturing process of the switch driving device A1. In the present embodiment, the wiring parts 50U, 50V, 50W are supported by the substrate 3. Therefore, the wiring portions 50U, 50V, 50W which are separated from any other portion of the conductive portion 5 can be appropriately realized.
  • FIG. 16 shows a first modification of the switch driving device A1.
  • the illustrated switch driving device A11 is different from the above-described switch driving device A1 in the configuration of the substrate 3.
  • the first area 30A and the second area 30B are configured as separate bodies.
  • the first region 30A is made of the same material as that of the substrate 3 of the switch driving device A1 described above, and is made of, for example, a ceramic such as alumina (Al 2 O 3 ) silicon nitride (SiN), aluminum nitride (AlN), or alumina containing zirconia. Become. A plurality of joints 6 are formed in the first region 30A.
  • the second area 30B is made of, for example, a printed wiring board.
  • the second region 30B has a base material made of an insulating material such as glass epoxy resin and a wiring pattern formed on the base material.
  • the conductive portion 5 of this modification is formed by the wiring pattern of the printed wiring board.
  • the first region 30A and the second region 30B are connected to each other by the connecting member 39.
  • the connecting member 39 is, for example, for fixing the relative position between the first region 30A and the second region 30B in the manufacturing process of the switch driving device A11.
  • the fixing form of the connecting member 39 and the first region 30A and the second region 30B is not particularly limited.
  • the connecting member 39 may be made of an insulating material or a conductive material. In the latter case, the predetermined portions of the conductive portion 5 and the plurality of joint portions 6 may be electrically connected to each other.
  • the specific configuration of the substrate 3 is not particularly limited, and various types can be used as long as they can configure a circuit or the like that can realize the switch drive control by the transistors 4A to 4F described above. Can be changed to.
  • FIG. 17 shows a second modification of the switch driving device A1.
  • the illustrated switch driving device A12 is different from the above-described switch driving device A1 in the configuration of the current limiting unit 465 substrate 3 included in the upper driver circuit.
  • the current limiting unit 465 includes a transistor 4651 and a resistor 4652.
  • the resistor 4652 is arranged in a path connecting the boot diode 49U and the boot capacitor BC1 and is arranged in a region having the same potential as the boot capacitor BC1 which is a floating power supply.
  • the resistor 4652 determines the current value supplied to the boot capacitor BC1.
  • the transistor 4651 is connected in parallel with the resistor 4652.
  • the transistor 4651 is a P-type MOSFET.
  • the source of the transistor 4651 is connected to the connection point between the cathode of the boot diode 49U and the resistor 4652.
  • the drain of the transistor 4651 is connected to the connection point between the resistor 4652 and the boot capacitor BC1.
  • a signal from the current controller 466 is input to the gate of the transistor 4651.
  • the resistance value of the resistor 4652 is R1, and the resistance value of the transistor 4651 is R2. At this time, the resistance value R1>>the resistance value R2.
  • the transistor 4651 is turned off based on the signal from the current controller 466. Therefore, the resistance value of the current limiting unit 465 becomes R1.
  • the transistor 4651 is turned on based on the signal from the current control unit 466. Therefore, the resistance value of the current limiting unit 465 is a combined resistance of the transistor 4651 and the resistor 4652 connected in parallel, that is, R1 ⁇ R2/(R1+R2).
  • the resistance value of the current limiting unit 465 increases and the voltage drop by the current limiting unit 465 increases. As a result, the current that charges the boot capacitor BC1 becomes smaller.
  • the resistance value of the current limiting unit 465 becomes small and the voltage drop in the current limiting unit 465 becomes small. As a result, the current that charges the boot capacitor BC1 increases.
  • the advantages of adopting the above configuration are as follows. That is, when the user sets the control voltage VCC to a high voltage, the resistance value can be increased because the margin for overcharging is small. On the other hand, when the user sets the control voltage VCC to a low voltage, the resistance value can be reduced because there is a large margin for overcharging.
  • the specific configuration of the current limiting unit 465 is not particularly limited, and may be a configuration in which conduction between the boot diode 49U and the boot capacitor BC1 is turned ON/OFF, or the boot diode 49U.
  • the resistance value of the conduction path between the boot capacitor BC1 and the boot capacitor BC1 may be appropriately switched.
  • ⁇ Second Embodiment> 18 to 20 show a switch driving device according to the second embodiment.
  • the illustrated switch driving device A2 differs from the above-described switch driving devices A1 and A11 in the specific configuration of charge suppression control for the boot capacitors BC1, BC2, and BC3.
  • FIG. 18 is a block diagram of a power supply unit including the switch driving device A2.
  • FIG. 19 is a circuit diagram showing an example of the upper driver circuit of the switch driving device A2.
  • FIG. 20 is a plan view showing the switch driving device A2.
  • the energization control signals kon, lvin, and lwin input to the LINU terminal (lead 2I), the LINV terminal (lead 2J), and the LINW terminal (lead 2K) are the upper driver chips. It is input to 4G.
  • the charge suppression control for the boot capacitor BC1 using the energization control signal van will be described with reference to FIG.
  • the charge suppression control for the boot capacitor BC2 using the energization control signal lvin and the charge suppression control for the boot capacitor BC3 using the energization control signal lwin are similar controls, and therefore description thereof is omitted.
  • the transistor 4651 of the current limiting unit 465 is arranged in the circuit that connects the first power supply PW1 and the boot diode 49U.
  • the transistor 4651 turns ON/OFF the current supplied to the boot capacitor BC1.
  • the transistor 4651 is a P-type MOSFET, and its source is connected to the first power supply PW1.
  • the drain of the transistor 4651 is connected to the boot diode 49U.
  • a signal from the current controller 466 is input to the gate.
  • the configuration of the current limiting unit 465 is not limited to the configuration shown in the figure, and may be the configuration of the current limiting unit 465 of the switch driving device A12 described with reference to FIG. 17, for example.
  • An energization control signal kgn is input to the current control unit 466.
  • FIG. 20 shows a configuration example of the switch driving device A2.
  • the wiring portion 50I, the wiring portion 50J, and the wiring portion 50K of the conductive portion 5 extend in the vicinity of the upper driver chip 4G via the vicinity of the second base portion 56. is there.
  • the second wire 92H is individually connected to each of the lower driver chip 4H and the wiring portion 50I, the wiring portion 50J, and the wiring portion 50K.
  • the second wire 92G is individually connected to each of the upper driver chip 4G and the wiring portion 50I, the wiring portion 50J, and the wiring portion 50K.
  • the boot diode 49U is conductively joined to the wiring portion 50A.
  • the boot diode 49V is conductively joined to the wiring portion 50B.
  • the boot diode 49W is conductively joined to the wiring portion 50C.
  • the second wire 92G is individually connected to each of the upper driver chip 4G, the wiring section 50A, the wiring section 50B, and the wiring section 50C.
  • the switch drive device according to the present disclosure is not limited to the above-described embodiments and the like.
  • the specific configuration of each part of the switch drive device according to the present disclosure can be changed in design in various ways.
  • Appendix 1 A gate driver for driving the N-type semiconductor switch element; A bootstrap circuit that includes a boot capacitor and a boot diode and applies a voltage to the gate driver; A current limiting unit that limits the current supplied to the boot capacitor, A current control unit for controlling the operation of the current limiting unit, The switch driving device, wherein the current limiting unit is provided in a path that electrically connects the boot capacitor and the boot diode.
  • Appendix 2. The switch drive device according to appendix 1, wherein the current control unit drives the current limiting unit to limit the current supplied to the boot capacitor when the charging voltage of the boot capacitor exceeds a threshold value.
  • the switch drive device according to appendix 2, wherein the current limiting unit includes a switch element that is turned on or off based on a signal from the current control unit. Appendix 4. 4. The switch drive device according to appendix 3, wherein the current control unit detects the charging voltage of the boot capacitor based on at least one of a voltage across the boot capacitor and a divided voltage thereof. Appendix 5. 5. The switch drive device according to any one of appendices 1 to 4, wherein the N-type semiconductor switch element includes a semiconductor substrate made of SiC as a raw material. Appendix 6.
  • the switch drive device according to any one of appendices 1 to 5, wherein the boot diode and the driver chip are arranged in the conductive portion.
  • Appendix 7 The switch drive device according to appendix 6, wherein the substrate has a first surface, and the conductive portion is formed on the first surface.
  • Appendix 8. The substrate has a second surface opposite to the first surface, The switch drive device according to appendix 7, wherein the second surface is exposed from the resin. Appendix 9. 9.
  • the switch drive device according to appendix 7 or 8, wherein the first lead is arranged on the first surface of the substrate.
  • Appendix 10. The switch drive device according to appendix 9, further comprising a first bonding material that bonds the first lead to the substrate.
  • Appendix 11. Further comprising a second lead spaced apart from the first lead, The switch drive device according to any one of appendices 7 to 10, wherein the second lead is electrically connected to the conductive portion.
  • the switch drive device according to appendix 11, further comprising a first conductive bonding material that bonds the second lead to the conductive portion.
  • the conductive portion includes a first wiring portion and a second wiring portion that are separated from each other, 13.
  • the switch drive device according to appendix 12, wherein the boot capacitor is conductively joined to the first wiring portion and the second lead is conductively joined to the second wiring portion.
  • Appendix 14. 14 The switch drive device according to appendix 13, further comprising a plurality of wires, the plurality of wires connecting the driver chip to the boot diode, the first wiring portion, and the second wiring portion, respectively.
  • Appendix 15. The switch drive device according to appendix 14, wherein the first wiring portion is arranged between the driver chip and the second lead.
  • Appendix 16. 16 The switch drive device according to appendix 15, wherein the second wiring portion has a portion located side by side with the first wiring portion. Appendix 17. 17. 17. The switch drive device according to any one of appendices 13 to 16, wherein the first wiring portion is separated from any part of the conductive portion other than the first wiring portion.
  • A1, A11, A2 Switch driving device 1: (First) lead 2: (Second) lead 3: Substrates 4A, 4B, 4C: Upper transistors 4D, 4E, 4F: Lower transistor 4G: Upper driver chip 4H: Lower driver chip 5: Conductive part 6: Junction part 7: Package 49U, 49V, 49W: Boot diode 91: First wire 92: Second wire 463: Upper gate driver 464: Input signal control circuit 465: Current limiting part 466 : Current control unit 467: high withstand voltage level shift circuit 4631: clamp circuit 4641: inverter 4642: level shift circuit 4643: pulse generator 4651: transistor 4652: resistors 4671, 4672: transistors 4673, 4674: resistors BC1, BC2, BC3: boot Capacitor BTC: Bootstrap circuit M: Motor MCU: Motor control unit MMC: Motor drive device

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Abstract

スイッチ駆動装置は、ゲートドライバと、ブートストラップ回路と、電流制限部と、電流制御部とを備える。前記ゲートドライバは、Ｎ型半導体スイッチ素子を駆動する。前記ブートストラップ回路は、ブートキャパシタおよびブートダイオードを含み、前記ゲートドライバに電圧を印加する。前記電流制限部は、前記ブートキャパシタに供給される電流を制限する。前記電流制御部は、前記電流制限部の動作を制御する。前記電流制限部は、前記ブートキャパシタと前記ブートダイオードとを導通させる経路に設けられている。

Description

スイッチ駆動装置
　本開示は、スイッチ駆動装置に関する。
　従来、スイッチングレギュレータやモータドライバとして用いられるスイッチ駆動装置が知られている。このような駆動装置は、たとえば、直列に接続された２つの半導体スイッチ素子（上側スイッチ素子および下側スイッチ素子）を含む出力回路（ハーフブリッジ回路）を備えており、上側スイッチ素子が駆動電源に接続されている。また従来、このような上側スイッチ素子のオン時における十分な駆動電圧を得るために、ハーフブリッジ回路にブートストラップ回路を組み合わせる場合がある（例えば特許文献１参照）。ブートストラップ回路は、ブートキャパシタを備えており、このブートキャパシタの充電電圧により、上側スイッチ素子のゲート・ソース間電圧（ゲート電圧）が確保される。
特開２０１６－８２２８１号公報
　従来のスイッチ駆動装置は、構成によっては、ブートキャパシタの充電電圧が、上側スイッチ素子に許容されるゲート電圧（許容ゲート電圧）よりも高くなる（ブートキャパシタが過充電になる）場合がある。しかしながらこのような場合、スイッチ素子のゲートに入力される信号が、許容ゲート電圧よりも大きくなり、スイッチ素子の動作不良等、不具合の発生の原因になる可能性がある。
　上記した事情に鑑み、本開示は、スイッチ素子を確実かつ安定して駆動可能とするスイッチ駆動装置を提供することをその課題とする。
　本開示に基づき提供されるスイッチ駆動装置は、Ｎ型半導体スイッチ素子を駆動するゲートドライバと、ブートキャパシタおよびブートダイオードを含み且つ前記ゲートドライバに電圧を印加するブートストラップ回路と、前記ブートキャパシタに供給される電流を制限する電流制限部と、前記電流制限部の動作を制御する電流制御部と、を備える。前記電流制限部は、前記ブートキャパシタと前記ブートダイオードとを導通させる経路に設けられている。
　上記構成によれば、Ｎ型半導体スイッチ素子を適切に駆動することができる。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
第１実施形態に係るスイッチ駆動装置が用いられたモータ駆動装置を示す概略図である。 第１実施形態に係るスイッチ駆動装置を備えた電力供給部のブロック図である。 第１実施形態に係るスイッチ駆動装置のドライバ回路の概略構成を示すブロック図である。 第１実施形態に係るスイッチ駆動装置の出力動作を示すタイミングチャートである。 第１実施形態に係るスイッチ駆動装置の上側ドライバ回路の一例の回路図である。 第１実施形態に係るスイッチ駆動装置を示す斜視図である。 第１実施形態に係るスイッチ駆動装置を示す平面図である。 第１実施形態に係るスイッチ駆動装置を示す底面図である。 第１実施形態に係るスイッチ駆動装置を示す要部平面図である。 第１実施形態に係るスイッチ駆動装置を示す要部拡大平面図である。 第１実施形態に係るスイッチ駆動装置の基板を示す平面図である。 図９のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。 図９のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 第１実施形態に係るスイッチ駆動装置の半導体チップを示す要部拡大断面図である。 第１実施形態に係るスイッチ駆動装置の上側ドライバ回路を構成する集積回路の概略構成を示す概略図である。 第１実施形態に係るスイッチ駆動装置の第１変形例を示す平面図である。 第１実施形態に係るスイッチ駆動装置の第２変形例の上側ドライバ回路の回路図である。 第２実施形態に係るスイッチ駆動装置を備えた電力供給部のブロック図である。 第２実施形態に係るスイッチ駆動装置の上側ドライバ回路の一例の回路図である。 第２実施形態に係るスイッチ駆動装置を示す平面図である。
　以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
　本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
＜第１実施形態＞
　図１は、本開示の第１実施形態に係るスイッチ駆動装置が用いられたモータ駆動装置を示す概略図である。同図に示されたモータ駆動装置ＭＭＣは、モータＭを駆動する。モータＭは、たとえば、３相交流モータである。モータＭは、後述のＵ相コイルＭＵ、Ｖ相コイルＭＶ及びＷ相コイルＭＷを備える。本実施形態においては、各コイルＭＵ、ＭＶ、ＭＷは、スター結線で結線されているが、これに限定されず、デルタ結線であってもよい。モータ駆動装置ＭＭＣは、モータコントロールユニットＭＣＵと、電力供給部ＰＳとを備える。
　モータコントロールユニットＭＣＵは、論理回路（図示略）を含む。モータコントロールユニットＭＣＵは、モータＭからのロータの位置情報に基づいて、モータＭの各相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）のコイルに適切なタイミングで通電制御を行うための各相の通電制御信号を生成する。また、モータコントロールユニットＭＣＵは、モータＭの回転方向の切り替え時及び回転速度の変更時等のときに、励磁相切替タイミングを変更する。
　電力供給部ＰＳは、モータコントロールユニットＭＣＵから受け取った、各相の通電制御信号に基づくタイミングでモータＭ各相のコイルに駆動用の電力（電流）を供給する。
　図２は、第１実施形態に係るスイッチ駆動装置を備えた電力供給部ＰＳのブロック図である。図１、図２に示すように、電力供給部ＰＳは、スイッチ駆動装置Ａ１と、ブートストラップ回路ＢＴＣとを備える。スイッチ駆動装置Ａ１は、ドライバ回路ＤＲＶと、パワースイッチ回路ＰＳＷとを含む。
　図２に示すように、スイッチ駆動装置Ａ１では、ドライバ回路ＤＲＶ、パワースイッチ回路ＰＳＷおよびブートストラップ回路ＢＴＣを構成するダイオード４９Ｕ、４９Ｖ、４９Ｗが、一つのパッケージ７内に含まれている。本実施形態においては、ブートダイオード４９Ｕ、４９Ｖ、４９Ｗは、パッケージ７内に含まれているが、これに限定されず、パッケージ７の外部に設けられてもよい。
　図２に示すように、電力供給部ＰＳは、第１電源ＰＷ１と第２電源ＰＷ２とに接続される。第１電源ＰＷ１は、ドライバ回路ＤＲＶの制御電圧ＶＣＣ（例えば１０Ｖ～２５Ｖ）を供給する。第２電源ＰＷ２は、モータＭを駆動するための駆動電圧ＶＤＣ（３００Ｖ、６００Ｖ等）を供給する。
　パワースイッチ回路ＰＳＷは、６個のトランジスタ４Ａ～４Ｆ（スイッチ素子）を備える。６個のトランジスタ４Ａ～４Ｆとして、例えば、パワーＭＯＳＦＥＴが採用される。パワーＭＯＳＦＥＴが作りこまれる半導体基板は、例えば、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）を用いることができる。本実施形態においては、トランジスタ４Ａ～４Ｆは、ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴである。なお、トランジスタ４Ａ～４Ｆは、いずれも、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴである。
　パワースイッチ回路ＰＳＷでは、トランジスタ４Ａのソースとトランジスタ４Ｄのドレインとが接続されている。トランジスタ４Ａのドレインは、第２電源ＰＷ２と接続される。トランジスタ４Ｄのソースは、接地点に接続されている。なお、トランジスタ４Ｄは、電流検出用の抵抗を介して接地点に接続されていてもよい。トランジスタ４Ａのソースとトランジスタ４Ｄのドレインとの接続点には、モータＭのＵ相コイルＭＵが接続されている。
　トランジスタ４Ｂおよびトランジスタ４Ｅは、トランジスタ４Ａおよびトランジスタ４Ｄと同様に結線されている。トランジスタ４Ｂのソースとトランジスタ４Ｅのドレインとの接続点には、モータＭのＶ相コイルＭＶが接続されている。トランジスタ４Ｃおよびトランジスタ４Ｆは、トランジスタ４Ａおよびトランジスタ４Ｄと同様に結線されている。トランジスタ４Ｃのソースとトランジスタ４Ｆのドレインとの接続点には、モータＭのＷ相コイルＭＷが接続されている。
　本開示では、パワースイッチ回路ＰＳＷの第２電源ＰＷ２側のトランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃを上側トランジスタ（上側スイッチ素子）と称し、接地点側のトランジスタ４Ｄ，４Ｅ，４Ｆを下側トランジスタ（下側スイッチ素子）と称する。
　ドライバ回路ＤＲＶは、上側ドライバチップ４Ｇと、下側ドライバチップ４Ｈとを備える。上側ドライバチップ４Ｇは、上側トランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃの各ゲートと接続し、各ゲートに対してそれぞれ、駆動信号ＨＵ，ＨＶ，ＨＷを出力する回路を有する。上側トランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、駆動信号ＨＵ，ＨＶ，ＨＷの電圧レベルがＨレベルのときに、ＯＮになる。下側ドライバチップ４Ｈは、下側トランジスタ４Ｄ，４Ｅ，４Ｆの各ゲートと接続し、各ゲートにそれぞれ、駆動信号ＬＵ，ＬＶ，ＬＷを入力する回路を有する。下側トランジスタ４Ｄ，４Ｅ，４Ｆは、駆動信号ＬＵ、ＬＶ、ＬＷの電圧レベルがＨレベルのときに、ＯＮになる。電圧レベルがＨレベルであるとは、予め決められた電圧よりも高い電圧状態であることを示す。Ｌレベルは、予め決められた電圧よりも低い電圧状態であることを示す。
　例えば、トランジスタ４Ａおよびトランジスタ４ＥをＯＮ、他のトランジスタをＯＦＦにすることで、第２電源ＰＷ２の駆動電圧ＶＤＣは、Ｕ相コイルＭＵおよびＶ相コイルＭＶに印加される。すなわち、Ｕ相コイルＭＵからＶ相コイルＭＶに向かう電流が流れる。このように、ドライバ回路ＤＲＶからの駆動信号により、トランジスタ４Ａ～４ＦのＯＮとＯＦＦのタイミングを切り替える。これにより、各相のコイルＭＵ、ＭＶ、ＭＷに所望のタイミングで電流を通電し、コイルを励磁し、モータＭを回転駆動する。
　図２に示すように、上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈは、第１電源ＰＷ１からの制御電圧ＶＣＣの供給を受けて動作する。上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈは、モータコントロールユニットＭＣＵと接続されており、モータコントロールユニットＭＣＵから、通電制御信号ｈｕｉｎ，ｈｖｉｎ，ｈｗｉｎ，ｌｕｉｎ，ｌｖｉｎ，ｌｗｉｎが入力される。通電制御信号ｈｕｉｎ，ｈｖｉｎ，ｈｗｉｎ，ｌｕｉｎ，ｌｖｉｎ，ｌｗｉｎは、トランジスタ４Ａ～４Ｆの通電制御を行うための信号である。通電制御信号ｈｕｉｎ，ｈｖｉｎ，ｈｗｉｎは、上側ドライバチップ４Ｇに入力し、通電制御信号ｌｕｉｎ，ｌｖｉｎ，ｌｗｉｎは下側ドライバチップ４Ｈに入力する。
　ドライバ回路ＤＲＶは、トランジスタ４Ａのゲートに駆動信号ＨＵ、トランジスタ４Ｄのゲートに駆動信号ＬＵを入力する。同様に、トランジスタ４Ｂのゲートに駆動信号ＨＶ、トランジスタ４Ｅのゲートに駆動信号ＬＶを入力する。トランジスタ４Ｃのゲートに駆動信号ＨＷ、トランジスタ４Ｆのゲートに駆動信号ＬＷを入力する。
　ブートストラップ回路ＢＴＣは、上側ドライバチップ４Ｇに対して、上側トランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃの駆動に必要な電圧を供給する回路である。例えば、第１電源ＰＷ１と上側トランジスタ４Ａのソースとの間をつなぐ回路であり、第１電源ＰＷ１側から、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１とが直列に接続されている。上側ドライバチップ４Ｇは、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１の接続点の電圧を上側トランジスタ４Ａの駆動に必要な電圧として、取得している。ブートストラップ回路ＢＴＣには、第１電源ＰＷ１とブートダイオード４９Ｕとの間に、所定の電流値の電流を発生させるための抵抗が配置されてもよい。
　ブートストラップ回路ＢＴＣは、上側トランジスタ４Ｂに対応するブートダイオード４９ＶとブートキャパシタＢＣ２を備え、上側ドライバチップ４Ｇは、駆動に必要な電圧を取得する。ブートストラップ回路ＢＴＣは、上側トランジスタ４Ｃに対応するブートダイオード４９ＷとブートキャパシタＢＣ３を備え、上側ドライバチップ４Ｇは、駆動に必要な電圧を取得する。
　次に、ドライバ回路の詳細についてさらに説明する。スイッチ駆動装置Ａ１のドライバ回路ＤＲＶには、トランジスタ４Ａおよびトランジスタ４Ｄを駆動する回路、トランジスタ４Ｂおよびトランジスタ４Ｅを駆動する回路、トランジスタ４Ｃおよびトランジスタ４Ｆを駆動する回路をそれぞれ備える。これらのトランジスタを駆動する回路は、それぞれ同じ構成を有する。そのため、以下の説明では、トランジスタ４Ａおよびトランジスタ４Ｄを駆動する回路部分をドライバ回路ＤＲＶとして説明する。トランジスタ４Ａに対応するブートダイオード４９ＵおよびブートキャパシタＢＣ１を含む回路を、ブートストラップ回路ＢＴＣとして説明する。トランジスタ４Ａを上側トランジスタ４Ａ、トランジスタ４Ｄを下側トランジスタ４Ｄとする。上側トランジスタ４Ａのソースと下側トランジスタ４Ｄのドレインとの接続点を第１点Ｐ１とし、ブートストラップ回路ＢＴＣのブートダイオード４９ＵのカソードとブートキャパシタＢＣ１との接続点を第２点Ｐ２とする。
　図３は、ドライバ回路の概略構成を示すブロック図である。図３に示すドライバ回路ＤＲＶは、上側ドライバチップ４Ｇと、下側ドライバチップ４Ｈとを含む。スイッチ駆動装置Ａ１において、下側ドライバチップ４Ｈは、従来公知のスイッチ駆動装置に用いられているドライバ回路と同じ構成である。そのため、下側ドライバチップ４Ｈの構成および動作についての詳細な説明は省略する。
　図３に示すように、上側ドライバチップ４Ｇには、上側ゲートドライバ４６３と、入力信号制御回路４６４と、電流制限部４６５と、電流制御部４６６と、高耐圧レベルシフト回路４６７とを備える。
　入力信号制御回路４６４は、モータコントロールユニットＭＣＵからの通電制御信号（ここでは、ｈｕｉｎ）を、高耐圧レベルシフト回路４６７を介して、上側ゲートドライバ４６３に入力させる。
　上側ゲートドライバ４６３は、入力信号制御回路４６４から入力される信号に基づいて、上側トランジスタ４Ａを駆動する駆動信号ＨＵを生成し、上側トランジスタ４Ａのゲートに対して出力する。
　上側ゲートドライバ４６３は、上側トランジスタ４Ａの駆動に必要な電圧を、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１から成るブートストラップ回路ＢＴＣから取得する。ブートストラップ回路ＢＴＣは、第１電源ＰＷ１から供給される電流で、ブートキャパシタＢＣ１を充電する。ブートキャパシタＢＣ１の両端を、例えば、ゲート閾値電圧と同じかそれよりも大きい電圧に充電する。このようにすることで、第１点Ｐ１の電圧ＶＳにかかわらず、第２点Ｐ２の電圧ＶＢを、第１点Ｐ１の電圧ＶＳよりもブートキャパシタＢＣ１の充電電圧分だけ高い電圧とすることができる。上側ゲートドライバ４６３が第２点Ｐ２の電圧ＶＢを取得することで、上側トランジスタ４Ａの駆動に必要な電圧を取得できる。
　電流制限部４６５は、第１電源ＰＷ１からブートキャパシタＢＣ１に繋がる回路上に設けられる。本実施形態においては、電流制限部４６５は、ブートダイオード４９ＵのカソードとブートキャパシタＢＣ１との間に設けられる。電流制限部４６５は、電流制御部４６６からの信号（電流制限信号）に従って、第１電源ＰＷ１からブートキャパシタＢＣ１に供給される電流を制限する。このように、電流制限部４６５によって、ブートキャパシタＢＣ１の両端間電圧（充電電圧）を調整（制限）する。電流制限部４６５の詳細な構成については後述する。
　スイッチ駆動装置Ａ１の動作について、図４を参照しながら説明する。図４は、スイッチ駆動装置Ａ１のＵ相における出力動作（後述のモード２における挙動）を示すタイミングチャートであり、上から順に、通電制御信号ｈｕｉｎおよびｌｕｉｎと電圧ＶＳが示されている。本図中において、Ｖｓｄは下側トランジスタ４Ｄのソース・ドレイン間電圧を示しており、Ｖｆは下側トランジスタ４Ｄに付随する寄生ダイオードの順方向降下電圧を示している。Ｖ相およびＷ相の出力動作もＵ相と同様であり、本図中の通電制御信号ｈｕｉｎおよびｌｕｉｎを、それぞれ、通電制御信号ｈｖｉｎおよびｌｖｉｎ、または、通電制御信号ｈｗｉｎおよびｌｗｉｎと読み替えれば足りる。なお、本図では、説明を簡単とするために遅延時間が無視されている。
　スイッチ駆動装置Ａ１において、上側トランジスタ４Ａと下側トランジスタ４Ｄは相補的に動作するように制御される。時刻ｔ３～ｔ４や時刻ｔ７～ｔ８で示したように、上側トランジスタ４ＡがＯＮ（ｈｕｉｎ＝Ｈ）のときには下側トランジスタ４ＤがＯＦＦ（ｌｕｉｎ＝Ｌ）となり、時刻ｔ１～ｔ２、時刻ｔ５～ｔ６、および、時刻ｔ９～ｔ１０で示したように、下側トランジスタ４ＤがＯＮ（ｌｕｉｎ＝Ｈ）のときには上側トランジスタ４ＡがＯＦＦ（ｈｕｉｎ＝Ｌ）となるように制御される。なお、上側トランジスタ４Ａと下側トランジスタ４Ｄとの間に貫通電流が流れると、両トランジスタの劣化や破損の原因となる。そのため、例えば、時刻ｔ２～ｔ３、時刻ｔ４～ｔ５、時刻ｔ６～ｔ７、および、時刻ｔ８～ｔ９で示したように、上側トランジスタ４ＡがＯＮから下側トランジスタ４ＤがＯＮに切り替わるときには、上側トランジスタ４Ａと下側トランジスタ４Ｄの両方がＯＦＦ（ｈｕｉｎ＝ｌｕｉｎ＝Ｌ）となるデッドタイムが設定される。
　以上のように動作するスイッチ駆動装置Ａ１において、上側トランジスタ４ＡをＯＮにし、下側トランジスタ４ＤをＯＦＦにすることで、第２電源ＰＷ２から負荷であるＵ相コイルＭＵに電圧が印加される（すなわち、電流が供給される）。このとき、第１点Ｐ１の電圧ＶＳは、第２電源ＰＷ２の駆動電圧ＶＤＣとほぼ同じ電圧（すなわち、約３００Ｖ）となる場合がある。
　ブートストラップ回路ＢＴＣによって、上側ゲートドライバ４６３が接続される第２点Ｐ２の電圧ＶＢは、第１点Ｐ１の電圧ＶＳよりも、ブートキャパシタＢＣ１の充電による両端間電圧（以下、充電電圧ＶＢＳ）分だけ高い電圧になる。例えば、第１点Ｐ１の電圧ＶＳが、０Ｖ－３００Ｖで推移する場合、ブートキャパシタＢＣ１の充電電圧を１８Ｖとすると、第２点Ｐ２の電圧ＶＢは、およそ１８Ｖ－３１８Ｖで推移する。
　上側ゲートドライバ４６３は、第２点Ｐ２から電圧ＶＢの供給を受けることで、上側トランジスタ４Ａを駆動可能な電圧を常に取得可能である。この場合、ブートキャパシタＢＣ１は、フローティング電源としての役割を果たす。ブートキャパシタＢＣ１は、ゲート閾値電圧よりも高い電圧まで充電可能な構成を有している。
　以下、ブートキャパシタＢＣ１の充電について説明する。まず、本開示のスイッチ駆動装置Ａ１とは異なり、電流制限部４６５を備えないものとして説明する。スイッチ駆動装置Ａ１において、下側トランジスタ４Ｄの順方向にモータ電流が流れる場合をモード１、下側トランジスタ４Ｄのボディダイオードがオンの場合（下回生時の場合）をモード２とする。ブートキャパシタＢＣ１は、モード１およびモード２のときに充電される。
　モード１のとき、Ｕ相コイルＭＵには、モータＭの中性点から第１点Ｐ１および下側トランジスタ４Ｄを介して接地端に向かうモータ電流ＩＭが流れる。このとき、第１点Ｐ１の電圧ＶＳは、接地点電位と同じ又は略同じ電圧（０Ｖ）となる。実際には、下側トランジスタ４Ｄのオン抵抗や電流検出抵抗による抵抗成分Ｒがあるので、ＩＭ×Ｒだけ０Ｖよりも高い電圧となる。このため、ブートキャパシタＢＣ１の両端間電圧は、第１電源ＰＷ１の制御電圧ＶＣＣと略同じであり、この状態で、ブートキャパシタＢＣ１は、電圧ＶＣＣまで充電される。より正確には、ブートキャパシタＢＣ１の充電電圧をＶＢＳとし、ブートダイオード４９Ｕの順方向降下電圧をＶＦＢＯＯＴとし、下側トランジスタ４Ｄのオン抵抗値をＲｏｎとし、モータ電流をＩＭとすると、ＶＢＳ＝ＶＣＣ－ＶＦＢＯＯＴ－Ｒｏｎ×ＩＭとなる。モード１では、第２点Ｐ２の電圧ＶＢが上述の充電電圧ＶＢＳ以下になった場合に充電される。
　次に、モード２について説明する。図３に示したように、上側トランジスタ４Ａ、下側トランジスタ４Ｄは、寄生ダイオード（ボディダイオード）を含む。下側トランジスタ４Ｄの寄生ダイオードによる順方向降下電圧をＶｆとする。モード２でモータＭが回生運転されると、Ｕ相コイルＭＵには、第１点Ｐ１から中性点に向かってモータ電流が流れる。このとき、上側トランジスタ４Ａは、ＯＦＦであるため、第２電源ＰＷ２から電流は流れない。下側トランジスタ４ＤはＯＦＦであるが寄生ダイオードを介して電流が流れる。このため、第１点Ｐ１の電圧ＶＳは、接地電圧よりも低い－Ｖｆとなる。これにより、ブートキャパシタＢＣ１の両端間電圧は、ほぼ（ＶＣＣ＋Ｖｆ）となる。正確には、ＶＢＳ＝ＶＣＣ－ＶＦＢＯＯＴ＋Ｖｆまで充電される。このように、ブートキャパシタＢＣ１の充電電圧ＶＢＳは、モード１のときよりもモード２のときの方が大きい。
　ブートキャパシタＢＣ１の両端間電圧（ＶＣＣ＋Ｖｆ）が、上側トランジスタ４Ａにおいて、許容されるゲート・ソース間電圧（許容ゲート電圧とする）よりも高くなる場合がある。ブートキャパシタＢＣ１の両端間電圧（ＶＣＣ＋Ｖｆ）が許容ゲート電圧よりも高くなると、上側トランジスタ４Ａの劣化や破損の原因になりうる。本開示において、過充電状態とは、たとえば、ブートキャパシタＢＣ１の充電電圧ＶＢＳが、上側トランジスタ４Ａの許容ゲート電圧よりも高い電圧になるまで充電された状態をいう。特に、ＳｉＣベースのトランジスタは、これに付随する寄生ダイオードの順方向降下電圧Ｖｆが高いので、過充電状態を生じやすい。
　本実施形態のスイッチ駆動装置Ａ１においては、上側ドライバチップ４Ｇは、ブートダイオード４９ＵからブートキャパシタＢＣ１に到る回路に電流制限部４６５を備えている。電流制限部４６５は、ブートキャパシタＢＣ１に供給される電流を制限して、ブートキャパシタＢＣ１が過充電状態にならないように制御する。
　次に、上側ドライバチップ４Ｇについて説明する。図５は、スイッチ駆動装置Ａ１に用いられる上側ドライバチップ４Ｇの一例の回路図である。上述したように、ブートキャパシタＢＣ１の過充電状態は、ブートキャパシタＢＣ１の両端間電圧（ＶＣＣ＋Ｖｆ）が大きくなりすぎるために発生する。接続される第１電源ＰＷ１の制御電圧ＶＣＣが大きくなると、小さい場合に比べてブートキャパシタＢＣ１は過充電になりやすい。そこで、スイッチ駆動装置Ａ１では、上側ドライバチップ４Ｇが、異なる電源電圧の接続された場合でも、ブートキャパシタＢＣ１が過充電にならないような構成を備えている。
　次に、上側ドライバチップ４Ｇの詳細について説明する。図５に示すように、上側ドライバチップ４Ｇは、上側ゲートドライバ４６３と、入力信号制御回路４６４と、電流制限部４６５と、電流制御部４６６と、高耐圧レベルシフト回路４６７とを備える。電流制御部４６６は、電流制限部４６５に信号を送り、電流制限部４６５を駆動して、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１との間に電圧降下を発生させてブートキャパシタＢＣ１を充電するときの電圧を下げる。換言すると、電流制限部４６５は、ブートキャパシタＢＣ１を充電する電流を制限する。
　入力信号制御回路４６４には、モータコントロールユニットＭＣＵ（図１等参照）から、通電制御信号ｈｕｉｎが入力される。図５に示すように、入力信号制御回路４６４は、通電制御信号ｈｕｉｎをＬ信号又はＨ信号に変換するインバータ（シュミットバッファ）４６４１を備える。また、入力信号制御回路４６４は、レベルシフト回路４６４２およびパルスジェネレータ４６４３を備える。レベルシフト回路４６４２は、インバータ４６４１から出力される信号の電圧レベルを上げる機能を有する。これにより、上側ドライバチップ４Ｇでの信号の取り扱いが容易になる。パルスジェネレータ４６４３は、レベルシフト回路４６４２から出力された信号に基づいて、セットパルス信号とリセットパルス信号を出力する機能を有する。
　パルスジェネレータ４６４３から出力されるセットパルス信号とリセットパルス信号は、高耐圧レベルシフト回路４６７に入力する。高耐圧レベルシフト回路４６７は、トランジスタ４６７１、トランジスタ４６７２、抵抗４６７３および抵抗４６７４を備える。トランジスタ４６７１およびトランジスタ４６７２は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴであり、高耐圧トランジスタである。トランジスタ４６７１のドレインは、抵抗４６７３を介して第２点Ｐ２又は第２点Ｐ２と同電位の点に接続される。トランジスタ４６７１のソースは、図示しない抵抗を介して接地点に接続され、ゲートには、パルスジェネレータ４６４３からのパルス信号が入力される。トランジスタ４６７２のドレインは、抵抗４６７４を介して第２点Ｐ２又は第２点Ｐ２と同電位の点に接続される。トランジスタ４６７２のソースは、図示しない抵抗を介して接地点に接続され、ゲートには、パルスジェネレータ４６４３からのパルス信号が入力される。トランジスタ４６７１と抵抗４６７３を含む回路（＝セットパルス信号を出力する回路）と、トランジスタ４６７２と抵抗４６７４を含む回路（＝リセットパルス信号を出力する回路）は、それぞれの信号線が互いに対称になるように配置されている。トランジスタ４６７１のドレインと抵抗４６７３との接続点およびトランジスタ４６７２のドレインと抵抗４６７４との接続点は、それぞれ、上側ゲートドライバ４６３の入力段を形成するインバータ（図示略）への入力信号レベルを所定値以下に制限するクランプ回路４６３１（図１５参照）に接続される。
　高耐圧レベルシフト回路４６７においては、セットパルス信号とリセットパルス信号それぞれの信号線は、互いに対称になるように敷設されている。例えば、トランジスタ４６７１のドレインと抵抗４６７３との接続点からクランプ回路４６３１までの長さ（例えばセットパルス信号配線の長さ）と、トランジスタ４６７２のドレインと抵抗４６７４との接続点からクランプ回路４６３１までの長さ（例えばリセットパルス信号配線の長さ）は同じ長さ又は略同じ長さである。トランジスタ４６７１および抵抗４６７３のペアと、トランジスタ４６７２および抵抗４６７４のペアは、互いに素子配置も対称とされている。このようにすることで、配線抵抗および寄生容量を同じとして、各配線からの信号のずれを抑制している。
　電流制限部４６５は、トランジスタ４６５１を備える。トランジスタ４６５１は、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１とを接続する経路に配置されており、フローティング電源であるブートキャパシタＢＣ１と同電位である領域に配置されている。トランジスタ４６５１は、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴである。トランジスタ４６５１のソースは、ブートダイオード４９Ｕのカソードに接続される。トランジスタ４６５１のドレインは、ブートキャパシタＢＣ１に接続される。トランジスタ４６５１のゲートには、電流制御部４６６からの信号が入力する。
　電流制御部４６６は、第２点Ｐ２の電圧ＶＢを検出する。また、電流制御部４６６は、検出した電圧ＶＢとあらかじめ設定した閾値電圧とを比較する。電圧ＶＢが、閾値電圧以上である場合、電流制御部４６６は、Ｈレベル信号をトランジスタ４６５１のゲートに出力する。これにより、トランジスタ４６５１はＯＦＦになる。一方、電流制御部４６６は、電圧ＶＢが閾値電圧よりも低い場合、Ｌレベル信号をトランジスタ４６５１のゲートに出力する。これにより、トランジスタ４６５１はＯＮになる。電流制御部４６６は、たとえば、従来公知のＯＶＬＯ回路の閾値電圧を変えることで実現可能であり、詳細な説明は省略する。
　電圧ＶＢが、閾値電圧以上である場合、電流制御部４６６からの信号に基づいてトランジスタ４６５１はＯＦＦになる。このため、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１との導通経路は遮断される。一方、電圧ＶＢが、閾値電圧よりも低い場合、電流制御部４６６からの信号に基づいてトランジスタ４６５１はＯＮになる。このため、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１との導通経路が確保される。すなわち、電圧ＶＢが閾値電圧以上である場合、ブートキャパシタＢＣ１には充電されない。逆に、電圧ＶＢが閾値電圧よりも低い場合、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１との間に電流が流れ、ブートキャパシタＢＣ１が充電される。
　上記構成を採用することにより、ブードダイオードＢＣ１に必要以上に充電することを回避することが可能であり、ブートダイオードＢＣ１の過充電に起因する不具合を抑制することができる。
　図６～図１３は、第１実施形態に係るスイッチ駆動装置Ａ１の構成例を示している。図示されたスイッチ駆動装置Ａ１は、複数のリード１、複数のリード２、基板３、複数のトランジスタ４、複数のドライバチップ４、複数のブートダイオード４９、導電部５、複数の接合部６、複数の第１ワイヤ９１、複数の第２ワイヤ９２およびパッケージ７を備えている。スイッチ駆動装置Ａ１は、例えば空気調和機の室外機の圧縮機を駆動する駆動回路、冷蔵庫のコンプレッサを駆動する駆動回路、ファンを駆動する駆動回路等に用いることができる。駆動回路は、例えば３相交流モータを駆動する。
　図６は、スイッチ駆動装置Ａ１を示す斜視図である。図７は、スイッチ駆動装置Ａ１を示す平面図である。図８は、スイッチ駆動装置Ａ１を示す底面図である。図９は、スイッチ駆動装置Ａ１を示す要部平面図である。図１０は、スイッチ駆動装置Ａ１を示す要部拡大平面図である。図１１は、スイッチ駆動装置Ａ１の基板を示す要部拡大平面図である。図１２は、図９のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。図１３は、図９のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。図１４は、スイッチ駆動装置Ａ１のトランジスタを示す要部拡大断面図である。
　これらの図において、ｚ方向は、基板３の厚さ方向に相当する。ｘ方向（第１方向）は、ｚ方向と直角な方向である。ｙ方向は、ｚ方向およびｘ方向と直角な方向である。
＜基板３＞
　基板３を構成する材料は、特に限定されない。基板３の材質としては、たとえば、樹脂７の材質よりも熱伝導率が高い材質が好ましい。基板３の材質としては、たとえばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、窒化珪素（ＳｉＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、ジルコニア入りアルミナ等のセラミックが挙げられる。基板３の厚さは、特に限定されず、たとえば０．１ｍｍ～１．０ｍｍ程度である。
　基板３の形状は、特に限定されず、種々の形状とすることが可能である。図９～図１３に示す例では、基板３は、第１面３１、第２面３２、第３面３３、第４面３４、第５面３５および第６面３６を有する。第１面３１は、ｚ方向を向いている。第２面３２は、第１面３１とは反対側を向いている。第３面３３は、ｚ方向において第１面３１と第２面３２との間に位置しており、第１面３１および第２面３２に繋がっている。第３面３３は、ｘ方向を向いている。第４面３４は、ｚ方向において第１面３１と第２面３２との間に位置しており、第１面３１および第２面３２に繋がっている。第４面３４は、第３面３３とは反対側を向いている。第５面３５は、ｚ方向において第１面３１と第２面３２との間に位置しており、第１面３１および第２面３２に繋がっている。第５面３５は、ｙ方向を向いている。第６面３６は、ｚ方向において第１面３１と第２面３２との間に位置しており、第１面３１および第２面３２に繋がっている。第６面３６は、第５面３５とは反対側を向いている。図示された例においては、基板３は、ｚ方向視において矩形状である。また、基板３は、ｚ方向視においてｘ方向に長状である。
＜導電部５＞
　導電部５は、基板３上に形成されている。図に示す例では、導電部５は、基板３の第１面３１上に形成されている。導電部５は、導電性材料からなる。導電部５を構成する導電性材料は特に限定されないが、たとえば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等が挙げられる。以降の説明においては、導電部５が銀を含む場合を例に説明する。あるいは、導電部５は、Ａｇ－ＰｔやＡｇ－Ｐｄを含んでいてもよい。導電部５は、たとえばこれらの金属を含むペーストを焼成することによって形成されるが、本開示がこれに限定されるわけではない。導電部５の厚さは、特に限定されず、たとえば５μｍ～３０μｍ程度である。
　導電部５の形状（パターン）は、特に限定されず、たとえば、少なくとも１つの配線部（第１配線部、第２配線部等）、少なくとも１つの基部、および少なくとも１つの接続部を含んでいる。図１１に示す例では、導電部５は、複数の配線部５０Ａ～５０Ｐ、複数の配線部５０Ｕ～５０Ｗ、第１基部５５、第２基部５６および接続部５７を含んでいる。図に示す例では、配線部５０Ｕ～５０Ｗが「第１配線部」の一例であり、配線部５０Ａ～５０Ｃが「第２配線部」の一例である。
　第１基部５５の形状は、特に限定されず、たとえば、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、第１基部５５は、ｘ方向に長状の矩形である。
　第２基部５６の形状は、特に限定されず、たとえば、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、第２基部５６は、ｘ方向に長状の矩形である。
　接続部５７は、第１基部５５と第２基部５６との間に介在し、図示された例においては、第１基部５５と第２基部５６とを相互に繋いでいる。接続部５７の形状は、特に限定されず、たとえば、直線状あるいは非直線状（全体として屈曲している、または曲線状である等）のいずれであってもよい。
　図１１に示された例においては、第１基部５５、第２基部５６および接続部５７の各々は、ｙ方向に互いに離間した第１の辺および第２の辺を有している（第２の辺は、第１の辺よりも第６面３６により近い位置にある）。また、第１基部５５、第２基部５６および接続部５７それぞれの第２の辺（３つの辺）は、ｘ方向に沿って互いに位置合わせされており、１つの直線的な線分を構成している（上記３つの辺は、ｙ方向において同じ位置にある）。
　図１１に示すように、配線部５０Ａは、たとえば、第１部５１Ａ、第２部５２Ａおよび第３部５３Ａから構成されている。
　第１部５１Ａの形状は、特に限定されず、たとえば、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、第１部５１Ａは、ｘ方向に長状の矩形である。第１部５１Ａは、ｘ方向において、第１基部５５から第３面３３側に離間して配置されている。第１部５１Ａは、ｘ方向視において、第１基部５５の一部に重なっている。
　第２部５２Ａは、ｙ方向において第１部５１Ａよりも第５面３５側に配置されている。第２部５２Ａの形状は、特に限定されず、たとえば、矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、第２部５２Ａは、矩形状であり、ｙ方向に長状である。
　第３部５３Ａは、第１部５１Ａと第２部５２Ａとの間に介在しており、図示された例においては、第１部５１Ａと第２部５２Ａとに繋がっている。第３部５３Ａの形状は、特に限定されず、図示された例においては、ｙ方向に長く延びる矩形状（帯状）である。
　図１１に示すように、配線部５０Ｂは、第１部５１Ｂおよび第２部５２Ｂから構成されている。
　第１部５１Ｂの形状は、特に限定されず、たとえば矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、第１部５１Ｂは、ｙ方向に長く延びる矩形状である。第１部５１Ｂは、ｙ方向において第１基部５５から第５面３５側に離間して配置されている。第１部５１Ｂは、ｘ方向において第１部５１Ａから第４面３４側に離間して配置されている。
　第２部５２Ｂは、ｙ方向において第１部５１Ｂよりも第５面３５側に配置されている。第２部５２Ｂは、ｘ方向において第２部５２Ａから第４面３４側に離間して配置されている。第２部５２Ｂの形状は、特に限定されず、たとえば矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、第２部５２Ｂは、ｘ方向に長状の矩形である。第１部５１Ｂと第２部５２Ｂとは、互いに繋がっている。
　図１１に示すように、配線部５０Ｃは、第１部５１Ｃおよび第２部５２Ｃから構成されている。
　第１部５１Ｃの形状は、特に限定されず、たとえば矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、第１部５１Ｃは、y方向に長く延びる矩形状である。第１部５１Ｃは、ｙ方向において第１基部５５から第５面３５側に離間して配置されている。第１部５１Ｃは、ｘ方向において第１部５１Ｂから第４面３４側に離間して配置されている。第１部５１Ｃは、ｘ方向視において第１部５１Ｂと重なる。
　第２部５２Ｃは、ｙ方向において第１部５１Ｃよりも第５面３５側に配置されている。第２部５２Ｃは、ｘ方向において第２部５２Ｂから第４面３４側に離間して配置されている。第２部５２Ｃの形状は、特に限定されず、たとえば矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。第１部５１Ｃと第２部５２Ｃとは、互いに繋がっている。
　配線部５０Ｕは、配線部５０Ａと離間しており、かつ配線部５０Ａの一部に隣り合って配置されている。配線部５０Ｕの形状は、特に限定されず、たとえば矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、配線部５０Ｕは、矩形状である。配線部５０Ｕは、配線部５０Ａの第１部５１Ａに対して、ｙ方向において第５面３５側に配置されている。
　配線部５０Ｖは、配線部５０Ｂと離間しており、かつ配線部５０Ｂの一部に隣り合って配置されている。配線部５０Ｖの形状は、特に限定されず、たとえば矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、配線部５０Ｖは、矩形状である。また、配線部５０Ｖは、配線部５０Ｂの第１部５１Ｂに対してｘ方向において第３面３３側に配置されている。また、配線部５０Ｖは、配線部５０Ｕに対してｘ方向における第４面３４側に離間して配置されている。
　配線部５０Ｗは、配線部５０Ｃと離間しており、かつ配線部５０Ｃの一部に隣り合って配置されている。配線部５０Ｗの形状は、特に限定されず、たとえば矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、配線部５０Ｗは、矩形状である。配線部５０Ｗは、配線部５０Ｃの第１部５１Ｃに対してｘ方向において第４面３４側に配置されている。配線部５０Ｗは、配線部５０Ｖに対してｘ方向において第１部５１Ｂおよび第１部５１Ｃを挟んで第４面３４側に離間して配置されている。
　配線部５０Ｄ～５０Ｇは、配線部５０Ｗに対してｘ方向において第４面３４側に配置されている。図１１において、配線部５０Ｄ～５０Ｇは、この順に並んでいる。配線部５０Ｄ～５０Ｇは、各々、２つの矩形状のパッド状部分と、これらのパッド状部分を繋ぐ屈曲形状の帯状部分とを有する。
　配線部５０Ｈは、第２基部５６に繋がっており、第２基部５６からｙ方向において第５面３５に向かって延びている。配線部５０Ｈは、パッド状部分を有する。
　配線部５０Ｉ～配線部５０Ｎは、ｘ方向において配線部５０Ｈに対して第４面３４側に配置されており、この順で並んでいる。配線部５０Ｉ～配線部５０Ｎは、各々、第２基部５６側に位置するパッド状部分と、第５面３５側に位置するパッド状部分と、これらのパッド状部分を繋ぐ帯状部分とを有する。
　配線部５０Ｏは、第２基部５６に繋がっており、第２基部５６からｘ方向に対して傾斜した方向に延びている。配線部５０Ｏは、第４面３４側に位置するパッド状部分と、このパッド上部分と第２基部５６とを繋ぐ帯状部分とを有する。
　配線部５０Ｐは、配線部５０Ｏに対してｙ方向において第６面３６側に位置しており、第２基部５６に対してｘ方向において第４面３４側に位置している。配線部５０Ｐは、第４面３４側に位置するパッド状部分と、第２基部５６側に位置するパッド状部分と、これらのパッド状部分を繋ぐ帯状部分と、を有する。
　図１１に示す基板３は、たとえばｙ方向において互いに隣接する２つの領域、すなわち第１領域３０Ａおよび第２領域３０Ｂを有している。第１領域３０Ａは、第６面３６に近く、第２領域３０Ｂは、第５面３５に近い。上述の配線部５０Ａ～５０Ｐ，５０Ｕ～５０Ｗは、第２領域３０Ｂに設けられている。
＜接合部６＞
　図１１～図１３に示すように、複数の接合部６は、基板３上に形成されている。図に示す例においては、複数の接合部６は、基板３の第１面３１上に形成されている。接合部６の材質は特に限定されず、たとえば、基板３とリード１とを接合可能な材料で構成されている。接合部６は、たとえば導電性材料からなる。接合部６を構成する導電性材料は特に限定されない。接合部６の導電性材料としては、たとえば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等を含むものが挙げられる。以降の説明においては、接合部６が銀を含む場合を例に説明する。この例における接合部６は、導電部５を構成する導電性材料と同じものを含む。なお、接合部６は、銀に代えて銅を含んでいてもよいし、銀または銅に代えて金を含んでいてもよい。あるいは、導電部５は、Ａｇ－ＰｔやＡｇ－Ｐｄを含んでいてもよい。また接合部６の形成手法は限定されず、たとえば導電部５と同様に、これらの金属を含むペーストを焼成することによって形成される。接合部６の厚さは特に限定されず、たとえば５μｍ～３０μｍ程度である。
　図に示す例においては、複数の接合部６は、接合部６Ａ～接合部６Ｄを含む。
　接合部６Ａは、ｙ方向において導電部５よりも第６面３６側に配置されている。接合部６Ａは、ｙ方向視において第１基部５５のすべてと重なる。接合部６Ａの形状は特に限定されない。
　接合部６Ｂは、ｙ方向において導電部５よりも第６面３６側に配置されている。接合部６Ｂは、ｘ方向において接合部６Ａよりも第４面３４側に配置されている。図示された例においては、接合部６Ｂは、ｙ方向視において接続部５７および第２基部５６と重なる。接合部６Ｂの形状は特に限定されない。
　接合部６Ｃは、ｙ方向において導電部５よりも第６面３６側に配置されている。接合部６Ｃは、ｘ方向において接合部６Ｂよりも第４面３４側に配置されている。図示された例においては、接合部６Ｃは、そのすべてがｙ方向視において第２基部５６と重なる。接合部６Ｃの形状は特に限定されない。
　接合部６Ｄは、ｙ方向において導電部５よりも第６面３６側に配置されている。接合部６Ｄは、ｘ方向において接合部６Ｃよりも第４面３４側に配置されている。図示された例においては、接合部６Ｄは、ｙ方向視において第２基部５６、配線部５０Ｏおよび配線部５０Ｐと重なる。接合部６Ｄの形状は特に限定されない。
　接合部６Ａ～接合部６Ｄは、基板３のうちｙ方向において導電部５よりも第６面３６側の領域に形成されている。平面視において、基板３内の接合部６が形成された第６面３６側の領域を、第１領域３０Ａと定義する。
＜リード１＞
　複数のリード１は、金属を含んで構成されており、たとえば基板３よりも放熱特性に優れている。リード１を構成する金属は特に限定されず、たとえば銅（Ｃｕ）、アルミニウム、鉄（Ｆｅ）、無酸素銅、またはこれらの合金（たとえば、Ｃｕ－Ｓｎ合金、Ｃｕ－Ｚｒ合金、Ｃｕ－Ｆｅ合金等）である。また、複数のリード１には、ニッケル（Ｎｉ）めっきが施されていてもよい。複数のリード１は、たとえば、金型を金属板に押し付けるプレス加工により形成されていてもよいし、金属板をエッチングでパターニングすることにより形成されていても良いし、これに限られない。リード１の厚さは特に限定されず、たとえば０．４ｍｍ～０．８ｍｍ程度である。
　複数のリード１は、図６～図９に示す例では、複数のリード１Ａ～１Ｇ，１Ｚを含む。複数のリード１Ａ～１Ｇは、たとえばトランジスタ４Ａ～４Ｆへの導通経路を構成している。
　リード１Ａ～１Ｄ（第１リード）は、各々、基板３上に配置されており、図に示す例においては、第１面３１上に配置されている。リード１Ａは、接合材８１を介して接合部６Ａに接合されている。接合材８１は、リード１Ａを接合部６Ａに接合しうるものであればよい。リード１Ａからの熱を基板３により効率よく伝達する観点から、接合材８１は、熱伝導率がより高いものがこのましく、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだ等が用いられる。ただし、接合材８１は、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂等の絶縁性材料であってもよい。また、基板３に接合部６Ａが形成されていない場合、リード１Ａは、基板３に接合されていてもよい。
　リード１Ａの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード１Ａは、第１部１１Ａ、第２部１２Ａ、第３部１３Ａおよび第４部１４Ａから構成されている。
　図１２および図１３に示すように、第１部１１Ａは、主面１１１Ａおよび裏面１１２Ａと、複数の凹部１１１１Ａとを有する。
　主面１１１Ａは、ｚ方向において第１面３１と同じ側を向く面である。
　裏面１１２Ａは、ｚ方向において主面１１１Ａとは反対側を向く面であり、図示された例においては、平坦な面である。裏面１１２Ａは、図１２および図１３に示すように、接合材８１によって接合部６Ａに接合されている。
　複数の凹部１１１１Ａは、主面１１１Ａからｚ方向に凹んでいる。凹部１１１１Ａのｚ方向視形状は特に限定されず、たとえば円形、楕円形、矩形、三角形状等であってもよい。また、図示された例においては、複数の凹部１１１１Ａは、マトリクス状に配置されている。
　第３部１３Ａおよび第４部１４Ａは、パッケージ７によって覆われている。第３部１３Ａは、第１部１１Ａと第４部１４Ａとに繋がっている。図示された例においては、第３部１３Ａは、第１部１１Ａのうち第４面１２４Ａａおよび第８面１２４Ａｂの間の部分に繋がっている。また、ｚ方向視において第３部１３Ａは、第６面３６と重なっている。図１２に示すように、第４部１４Ａは、ｚ方向において第１部１１Ａよりも主面１１１Ａが向く側にずれて位置している。第４部１４Ａの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。
　第２部１２Ａは、第４部１４Ａの端部に繋がり、リード１Ａのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部１２Ａは、ｙ方向において第１部１１Ａとは反対側に突出している。第２部１２Ａは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ａは、ｚ方向において主面１１１Ａが向く側に折り曲げられている。
　リード１Ｂは、上述の接合材８１を介して接合部６Ｂに接合されている。基板３に接合部６Ｂが形成されていない場合には、リード１Ｂは、基板３に接合されていてもよい。
　リード１Ｂの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード１Ｂは、第１部１１Ｂ、第２部１２Ｂ、第３部１３Ｂおよび第４部１４Ｂから構成されている。
　図に示すように、第１部１１Ｂは、主面１１１Ｂおよび裏面１１２Ｂと、複数の凹部１１１１Ｂとを有する。
　主面１１１Ｂは、ｚ方向において第１面３１と同じ側を向く面である。
　裏面１１２Ｂは、ｚ方向において主面１１１Ｂとは反対側を向く面であり、図示された例においては、平坦な面である。裏面１１２Ｂは、図１３に示すように、接合材８１によって接合部６Ｂに接合されている。
　複数の凹部１１１１Ｂは、主面１１１Ｂからｚ方向に凹んでいる。凹部１１１１Ｂのｚ方向視形状は特に限定されなず、たとえば円形、楕円形、矩形、三角形状等であってもよい。また、図示された例においては、複数の凹部１１１１Ｂは、マトリクス状に配置されている。
　第３部１３Ｂおよび第４部１４Ｂは、パッケージ７によって覆われている。第３部１３Ｂは、第１部１１Ｂと第４部１４Ｂとに繋がっている。図示された例においては、第３部１３Ｂは、第１部１１Ｂのうち第４面１２４Ｂに隣接する部分に繋がっている。また、ｚ方向視において第３部１３Ｂは、第６面３６と重なっている。リード１Ａにおける第４部１４Ａと同様に、第４部１４Ｂは、ｚ方向において第１部１１Ｂよりも主面１１１Ｂが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｂの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。
　第２部１２Ｂは、第４部１４Ｂの端部に繋がり、リード１Ｂのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部１２Ｂは、ｙ方向において第１部１１Ｂとは反対側に突出している。第２部１２Ｂは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｂは、ｚ方向において主面１１１Ｂが向く側に折り曲げられている。
　リード１Ｃは、上述の接合材８１を介して接合部６Ｃに接合されている。基板３に接合部６Ｃが形成されていない場合には、リード１Ｃは、基板３に接合されていてもよい。
　リード１Ｃの構成は特に限定されず、図９に示す例では、リード１Ｃは、第１部１１Ｃ、第２部１２Ｃ、第３部１３Ｃおよび第４部１４Ｃから構成されている。
　図１３に示すように、第１部１１Ｃは、主面１１１Ｃおよび裏面１１２Ｃと、複数の凹部１１１１Ｃとを有する。
　主面１１１Ｃは、ｚ方向において第１面３１と同じ側を向く面である。
　裏面１１２Ｃは、ｚ方向において主面１１１Ｃとは反対側を向く面であり、図示された例においては、平坦な面である。裏面１１２Ｃは、図１３に示すように、接合材８１によって接合部６Ｃに接合されている。
　複数の凹部１１１１Ｃは、主面１１１Ｃからｚ方向に凹んでいる。凹部１１１１Ｃのｚ方向視形状は特に限定されず、たとえば円形、楕円形、矩形、三角形状等であってもよい。また、図示された例においては、複数の凹部１１１１Ｃは、マトリクス状に配置されている。
　第３部１３Ｃおよび第４部１４Ｃは、パッケージ７によって覆われている。第３部１３Ｃは、第１部１１Ｃと第４部１４Ｃとに繋がっている。図示された例においては、第３部１３Ｃは、第１部１１Ｃのうち第４面１２４Ｃに隣接する部分に繋がっている。また、ｚ方向視において第３部１３Ｃは、第６面３６と重なっている。リード１Ａにおける第４部１４Ａと同様に、第４部１４Ｃは、ｚ方向において第１部１１Ｃよりも主面１１１Ｃが向く側にずれて位置しており、第２部１２Ｃに繋がっている。第４部１４Ｃの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。
　第２部１２Ｃは、第４部１４Ｃの端部の繋がり、リード１Ｃのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部１２Ｃは、ｙ方向において第１部１１Ｃとは反対側に突出している。第２部１２Ｃは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｃは、ｚ方向において主面１１１Ｃが向く側に折り曲げられている。
　リード１Ｄは、上述の接合材８１を介して接合部６Ｄに接合されている。基板３に接合部６Ｄが形成されていない場合には、リード１Ｄは、基板３に接合されていてもよい。
　リード１Ｄの構成は特に限定されず、図９に示す例では、リード１Ｄは、第１部１１Ｄ、第２部１２Ｄ、第３部１３Ｄおよび第４部１４Ｄから構成されている。
　図１３に示すように、第１部１１Ｄは、主面１１１Ｄおよび裏面１１２Ｄと、複数の凹部１１１１Ｄとを有する。
　主面１１１Ｄは、ｚ方向において第１面３１と同じ側を向く面である。
　裏面１１２Ｄは、ｚ方向において主面１１１Ｄとは反対側を向く面であり、図示された例においては、平坦な面である。裏面１１２Ｄは、図１３に示すように、接合材８１によって接合部６Ｄに接合されている。
　複数の凹部１１１１Ｄは、主面１１１Ｄからｚ方向に凹んでいる。凹部１１１１Ｄのｚ方向視形状は特に限定されず、たとえば円形、楕円形、矩形、三角形状等であってもよい。また、図示された例においては、複数の凹部１１１１Ｄは、マトリクス状に配置されている。
　第３部１３Ｄおよび第４部１４Ｄは、第３部１３Ｄは、第１部１１Ｄと第４部１４Ｄとに繋がっている。図示された例においては、第３部１３Ｄは、第１部１１Ｄのうち第４面１２４Ｄに隣接する部分に繋がっている。また、ｚ方向視において第３部１３Ｄは、第６面３６と重なっている。パッケージ７によって覆われている。リード１Ａにおける第４部１４Ａと同様に、第４部１４Ｄは、ｚ方向において第１部１１Ｄよりも主面１１１Ｄが向く側にずれて位置しており、第２部１２Ｄに繋がっている。第４部１４Ｄの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。
　第２部１２Ｄは、第４部１４Ｄの端部に繋がり、リード１Ｄのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部１２Ｄは、ｙ方向において第１部１１Ｄとは反対側に突出している。第２部１２Ｄは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｄは、ｚ方向において主面１１１Ｄが向く側に折り曲げられている。
　リード１Ｅは、ｚ方向視において基板３から離間している。図に示す例においては、リード１Ｅは、ｙ方向において基板３よりも第６面３６が向く側に配置されている。
　リード１Ｅの構成は特に限定されず、図９に示す例では、リード１Ｅは、第２部１２Ｅおよび第４部１４Ｅから構成されている。
　第４部１４Ｅは、パッケージ７によって覆われている。リード１Ｄにおける第４部１４Ｄと同様に、第４部１４Ｅは、ｚ方向において第１部１１Ｄよりも主面１１１Ｄが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｅは、ｙ方向視において第１部１１Ｄと重なっている。第４部１４Ｅの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。
　第２部１２Ｅは、第４部１４Ｅの端部に繋がり、リード１Ｅのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部１２Ｅは、ｙ方向において第４部１４Ｅとは反対側に突出している。第２部１２Ｅは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｅは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード１Ｆは、ｚ方向視において基板３から離間している。図に示す例においては、リード１Ｆは、ｙ方向において基板３よりも第６面３６が向く側に配置されている。また、リード１Ｆは、ｘ方向においてリード１Ｅよりも第４部１４Ｄとは反対側に配置されている。
　リード１Ｆの構成は特に限定されず、図９に示す例では、リード１Ｆは、第２部１２Ｆおよび第４部１４Ｆから構成されている。
　第４部１４Ｆは、パッケージ７によって覆われている。リード１Ｄにおける第４部１４Ｄと同様に、第４部１４Ｆは、ｚ方向において第１部１１Ｄよりも主面１１１Ｄが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｆは、ｙ方向視において第１部１１Ｄと重なっている。第４部１４Ｆの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。
　第２部１２Ｆは、第４部１４Ｆの端部に繋がり、リード１Ｆのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部１２Ｆは、ｙ方向において第４部１４Ｆとは反対側に突出している。第２部１２Ｆは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｆは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード１Ｇは、ｚ方向視において基板３から離間している。図に示す例においては、リード１Ｇは、ｘ方向において基板３よりも第４面３４が向く側に配置されている。また、リード１Ｇは、ｘ方向においてリード１Ｅよりも第４部１４Ｄとは反対側に配置されている。
　リード１Ｇの構成は特に限定されず、図９に示す例では、リード１Ｇは、第２部１２Ｇおよび第４部１４Ｇから構成されている。
　第４部１４Ｇは、パッケージ７によって覆われている。リード１Ｄにおける第４部１４Ｄと同様に、第４部１４Ｇは、ｚ方向において第１部１１Ｄよりも主面１１１Ｄが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｇは、ｙ方向視において第４部１４Ｆと重なっている。第４部１４Ｇの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。
　第２部１２Ｇは、第４部１４Ｇの端部に繋がり、リード１Ｇのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部１２Ｇは、ｙ方向において第４部１４Ｇとは反対側に突出している。第２部１２Ｇは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｇは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード１Ｚは、ｚ方向視において基板３から離間している。図に示す例においては、リード１Ｚは、ｘ方向において基板３よりも第３面３３が向く側に配置されている。また、リード１Ｚは、ｘ方向においてリード１Ａよりもリード１Ｂとは反対側に配置されている。
　リード１Ｚの構成は特に限定されず、図９に示す例では、リード１Ｚは、第２部１２Ｚおよび第４部１４Ｚから構成されている。また、リード１Ｚは、スイッチ駆動装置Ａ１の回路から絶縁されている。
　第４部１４Ｚは、パッケージ７によって覆われている。リード１Ｄにおける第４部１４Ｄと同様に、第４部１４Ｚは、ｚ方向において第１部１１Ｄよりも主面１１１Ｄが向く側にずれて位置している。第４部１４Ｚの形状は特に限定されず、図示された例においては、ｙ方向に延びる帯状である。第４部１４Ｚの端部が、樹脂７の第６面７６と面一である。
　第２部１２Ｚは、第４部１４Ｚの端部に繋がり、リード１Ｚのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部１２Ｚは、ｙ方向において第４部１４Ｚとは反対側に突出している。第２部１２Ｚは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路基板に実装する際に用いられる。図示された例においては、第２部１２Ｚは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　図９に示すように、第２部１２Ａ、第２部１２Ｂ、第２部１２Ｃおよび第２部１２Ｄは、ｘ方向において間隔Ｇ１１を隔てて配置されている。これらの間隔Ｇ１１は、互いに略同じ長さである。第２部１２Ｄと第２部１２Ｅとは、ｘ方向において間隔Ｇ１２を隔てて配置されている。間隔Ｇ１２は、間隔Ｇ１１と略同じ長さである。第２部１２Ｅ、第２部１２Ｆおよび第２部１２Ｇは、ｘ方向において間隔Ｇ１３を隔てて配置されている。これらの間隔Ｇ１３の長さは、間隔Ｇ１１よりも短い。第２部１２Ａと第２部１２Ｚとは、ｘ方向において間隔Ｇ１４を隔てて配置されている。間隔Ｇ１４は、間隔Ｇ１１よりも大きい。
＜リード２＞
　複数のリード２は、金属を含んで構成されており、たとえば基板３よりも放熱特性に優れている。リード２を構成する金属は特に限定されず、たとえば銅（Ｃｕ）、アルミニウム、鉄（Ｆｅ）、無酸素銅、またはこれらの合金（たとえば、Ｃｕ－Ｓｎ合金、Ｃｕ－Ｚｒ合金、Ｃｕ－Ｆｅ合金等）である。また、複数のリード２には、ニッケル（Ｎｉ）めっきが施されていてもよい。複数のリード２は、たとえば、金型を金属板に押し付けるプレス加工により形成されていてもよいし、金属板をエッチングでパターニングすることにより形成されていても良いし、これに限られない。リード２の厚さは特に限定されず、たとえば０．４ｍｍ～０．８ｍｍ程度である。複数のリード２は、ｚ方向視において基板３の第２領域３０Ｂと重なるように配置されている。
　複数のリード２は、図６～図９に示す例では、複数のリード２Ａ～２Ｐ，２Ｚを含む。複数のリード２Ａ～２Ｏは、たとえば上側ドライバチップ４Ｇ、下側ドライバチップ４Ｈへの導通経路を構成している。
　リード２Ａ～２Ｐ，２Ｚの具体的構成は特に限定されない。リード２Ｃについて、図１２を参照して後述する構成は、適宜リード２Ａ～２Ｐに採用可能である。
　リード２Ｃは、複数のリード１と離間している。リード２Ｃは、導電部５上に配置されている。リード２Ｃは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｃは、「第２リード」の一例である。リード２Ｃは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｃの第２部５２Ｃに接合されている。
　リード２Ｃの構成は特に限定されず、図９および図１２に示す例では、リード２Ｃは、第１部２１Ｃ、第２部２２Ｃ、第３部２３Ｃおよび第４部２４Ｃから構成されている。この具体的構成は、リード２Ａ，２Ｂ，２Ｄ～２Ｐに適宜採用可能である。
　第１部２１Ｃは、配線部５０Ｃに接合された部位である。第１部２１Ｃの形状は、特に限定されず、たとえば矩形状、多角形状、円形状、楕円形状である。図示された例においては、第１部２１Ｃは、矩形状であり、ｙ方向を長手方向とする長矩形状である。図示された例においては、第１部２１Ｃは、配線部５０Ｃとｚ方向視において重なっている。また、第１部２１Ｃは、貫通孔２１１Ｃを有する。貫通孔２１１Ｃは、第１部２１Ｃをｚ方向に貫通している。図１２に示すように、貫通孔２１１Ｃ内は、導電性接合材８２によって充填されている。また、導電性接合材８２は、リード２Ｃの表面に亘って形成されている。ただし、導電性接合材８２は、貫通孔２１１Ｃ内に留まり、リード２Ｃの表面に至らない構成であってもよい。
　第３部２３Ｃおよび第４部２４Ｃは、パッケージ７によって覆われている。第３部２３Ｃは、第１部２１Ｃと第４部２４Ｃとに繋がっている。図１２に示すように、第４部２４Ｃは、ｚ方向において第１部２１Ｃよりも第１面３１が向く側にずれて位置している。第４部２４Ｃの端部が、樹脂７の第６面７５と面一である。図示された例においては、第１部２１Ｃ、第３部２３Ｃおよび第４部２４Ｃは、ｙ方向視において略一致している。
　第２部２２Ｃは、第４部２４Ｃの端部に繋がり、リード２Ｃのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｃは、ｙ方向において第１部２１Ｃとは反対側に突出している。第２部２２Ｃは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｃは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード２Ａは、複数のリード１と離間している。リード２Ａは、導電部５上に配置されている。リード２Ａは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ａは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ａは、導電性接合材（第１導電性接合材）８２を介して導電部５の配線部５０Ａに接合されている。導電性接合材８２は、リード２Ａを配線部５０Ａに接合し且つ電気的に接続しうるものであればよい。導電性接合材８２は、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだ等が用いられる。
　リード２Ａの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ａを有する。
　第２部２２Ａは、リード２Ａのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ａは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ａは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｂは、複数のリード１と離間している。リード２Ｂは、導電部５上に配置されている。リード２Ｂは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｂは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｂは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｂに接合されている。
　リード２Ｂの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｂを有する。
　第２部２２Ｂは、リード２Ｂのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｂは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｂは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｄは、複数のリード１と離間している。リード２Ｄは、導電部５上に配置されている。リード２Ｄは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｄは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｄは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｄに接合されている。
　リード２Ｄの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｄを有する。
　第２部２２Ｄは、リード２Ｄのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｄは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｄは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｅは、複数のリード１と離間している。リード２Ｅは、導電部５上に配置されている。リード２Ｅは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｅは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｅは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｅに接合されている。
　リード２Ｅの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｅを有する。
　第２部２２Ｅは、リード２Ｅのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｅは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｅは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｆは、複数のリード１と離間している。リード２Ｆは、導電部５上に配置されている。リード２Ｆは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｆは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｆは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｆに接合されている。
　リード２Ｆの構成は特に限定されず、図に示す例においてはリード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｆを有する。
　第２部２２Ｆは、リード２Ｆのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｆは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｆは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｇは、複数のリード１と離間している。リード２Ｇは、導電部５上に配置されている。リード２Ｇは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｇは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｇは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｇに接合されている。
　リード２Ｇの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｇを有する。
　第２部２２Ｇは、リード２Ｇのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｇは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｇは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｈは、複数のリード１と離間している。リード２Ｈは、導電部５上に配置されている。リード２Ｈは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｈは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｈは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｈに接合されている。
　リード２Ｈの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｈを有する。
　第２部２２Ｈは、リード２Ｈのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｈは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｈは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｉは、複数のリード１と離間している。リード２Ｉは、導電部５上に配置されている。リード２Ｉは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｉは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｉは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｉに接合されている。
　リード２Ｉの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｉを有する。
　第２部２２Ｉは、リード２Ｉのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｉは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｉは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｊは、複数のリード１と離間している。リード２Ｊは、導電部５上に配置されている。リード２Ｊは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｊは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｊは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｊに接合されている。
　リード２Ｊの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｊを有する。
　第２部２２Ｊは、リード２Ｊのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｊは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｊは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｋは、複数のリード１と離間している。リード２Ｋは、導電部５上に配置されている。リード２Ｋは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｋは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｋは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｋに接合されている。
　リード２Ｋの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｋを有する。
　第２部２２Ｋは、リード２Ｋのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｋは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｋは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｌは、複数のリード１と離間している。リード２Ｌは、導電部５上に配置されている。リード２Ｌは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｌは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｌは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｌに接合されている。
　リード２Ｌの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｌを有する。
　第２部２２Ｌは、リード２Ｌのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｌは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｌは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｍは、複数のリード１と離間している。リード２Ｍは、導電部５上に配置されている。リード２Ｍは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｍは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｍは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｍに接合されている。
　リード２Ｍの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｍを有する。
　第２部２２Ｍは、リード２Ｍのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｍは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｍは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｎは、複数のリード１と離間している。リード２Ｎは、導電部５上に配置されている。リード２Ｎは、導電部５と電気的に接続されている。リード２Ｎは、「第２リード」の一例である。また、リード２Ｎは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｎに接合されている。
　リード２Ｎの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｎを有する。
　第２部２２Ｎは、リード２Ｎのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｎは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｎは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｏは、複数のリード１と離間している。図９および図１０に示すように、リード２Ｏは、導電部５上に配置されている。リード２Ｏは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｏは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｏに接合されている。
　リード２Ｏの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｏを有する。
　第２部２２Ｏは、リード２Ｏのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。第２部２２Ｏは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｏは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｐは、複数のリード１と離間している。図９および図１０に示すように、リード２Ｐは、導電部５上に配置されている。リード２Ｐは、導電部５と電気的に接続されている。また、リード２Ｐは、上述の導電性接合材８２を介して導電部５の配線部５０Ｐに接合されている。
　リード２Ｐの構成は特に限定されず、図に示す例においては、リード２Ｃと同様の構成であり、第２部２２Ｐを有する。
　第２部２２Ｐは、リード２Ｐのうちパッケージ７からｙ方向視において複数のリード１とは反対側に突出する部分である。図示された例においては、第２部２２Ｐは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　リード２Ｚは、ｚ方向視において基板３から離間している。図に示す例においては、リード２Ｚは、ｘ方向において基板３よりも第３面３３が向く側に配置されている。また、リード２Ｚは、ｘ方向においてリード２Ａよりもリード２Ｂとは反対側に配置されている。
　リード２Ｚの構成は特に限定されず、図９に示す例では、リード２Ｚは、第２部２２Ｚおよび第４部２４Ｚから構成されている。また、リード２Ｚは、スイッチ駆動装置Ａ１の回路から絶縁されている。
　第４部２４Ｚは、第２部２２Ｚに繋がっており、パッケージ７によって覆われている。リード２Ｃにおける第４部２４Ｃと同様に、第４部２４Ｚは、ｚ方向において第１部２１Ａよりも第１面３１が向く側にずれて位置している。第４部２４Ｚの形状は特に限定されず、図示された例においては、ｙ方向に延びる帯状である。第４部２４Ｚの端部が、樹脂７の第６面７５と面一である。
　第２部２２Ｚは、第４部２４Ｚの端部に繋がり、リード２Ｚのうちパッケージ７から突出する部分である。第２部２２Ｚは、ｙ方向において第４部２４Ｚとは反対側に突出している。第２部２２Ｚは、たとえばスイッチ駆動装置Ａ１を外部の回路基板に実装する際に用いられる。図示された例においては、第２部２２Ｚは、ｚ方向において第１面３１が向く側に折り曲げられている。
　図９に示すように、第２部２２Ａ、２２Ｂ、および第２部２２Ｃは、ｘ方向において間隔Ｇ２１を隔てて配置されている。これらの間隔Ｇ２１は、互いに略同じ長さである。第２部２２Ｃと２２Ｄとは、ｘ方向において間隔Ｇ２２を隔てて配置されている。間隔Ｇ２２は、間隔Ｇ２１と略同じ長さである。第２部２２Ｄ～２２Ｎは、ｘ方向においてそれぞれ間隔Ｇ２３を隔てて配置されている。これらの間隔Ｇ２３の長さは、間隔Ｇ２１よりも短く、複数の間隔Ｇ２３間の互いの長さが略同じである。第２部２２Ａと第２部２２Ｚとは、ｘ方向において間隔Ｇ２４を隔てて配置されている。間隔Ｇ２４は、間隔Ｇ２１と略同じである。
＜トランジスタ４Ａ～４Ｆ＞
　トランジスタ４Ａ～４Ｆは、複数のリード１上に配置されている。トランジスタ４Ａ～４Ｆの種類や機能は、特に限定されない。また、図示された例においては、６つのトランジスタ４Ａ～４Ｆを備えているが、これは一例であり、トランジスタの個数は何ら限定されない。
　トランジスタ４Ａ～４Ｆは、図示された例においては、たとえばＳｉＣ（炭化シリコン）基板からなるＭＯＳＦＥＴ（ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor））である。トランジスタ４Ａ～４Ｆは、ＳｉＣ基板に変えてＳｉ（シリコン）基板によるＭＯＳＦＥＴであってもよく、たとえばＩＧＢＴ素子を含んでいてもよい。また、ＧａＮを含むＭＯＳＦＥＴであってもよい。本実施形態では、トランジスタ４Ａ～４Ｆはそれぞれ、Ｎ型のＭＯＳＦＥＴが用いられている。以下では、トランジスタ４Ａについて説明し、他のトランジスタ４Ｂ～４Ｆの説明を省略する。
　図９、図１２および図１３に示すように、トランジスタ４Ａは、リード１Ａの第１部１１Ａ上に配置されている。トランジスタ４Ａは、ゲート電極ＧＰ、ソース電極ＳＰおよびドレイン電極ＤＰを有する。図示された例においては、ソース電極ＳＰおよびゲート電極ＧＰは、トランジスタ４Ａのうち主面１１１Ａと同じ側を向く面に配置されている。ドレイン電極ＤＰは、トランジスタ４Ａのうち主面１１１Ａと対向する面に形成されている。ゲート電極ＧＰおよびソース電極ＳＰは、たとえばＡｌやＡｌ合金（Ａｌ－Ｓｉ、Ａｌ－Ｃｕ、Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ等）からなる。ドレイン電極ＤＰは、たとえばＡｌやＡｌ合金（Ａｌ－Ｓｉ、Ａｌ－Ｃｕ、Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ等）からなる。ゲート電極ＧＰ、ソース電極ＳＰおよびドレイン電極ＤＰの形状や大きさは特に限定されない。図示された例においては、ｚ方向視において、ゲート電極ＧＰよりもソース電極ＳＰが大きい。ゲート電極ＧＰは、ｚ方向視においてトランジスタ４Ａのｙ方向中心よりも基板３の第５面３５側に配置されている。ソース電極ＳＰは、ゲート電極ＧＰのｙ方向の片側およびｘ方向両側に位置する部分を有する。ゲート電極ＧＰのソース電極ＳＰに対する位置は、特に限定されない。ゲート電極ＧＰは、正方形に形成されてもよい。ソース電極ＳＰは、第５面３５と対向する辺に凹部を有し、当該凹部内にゲート電極ＧＰが配置されている。
　図１４は、トランジスタ４Ａを模式的に示す要部拡大断面図である。トランジスタ４Ａは、基板４００、エピタキシャル層４０１、ソース配線４１１、ドレイン配線４１５およびゲート配線４１９を有する。
　基板４００は、ＳｉＣ（シリコンカーバイト：炭化ケイ素）からなり、ｎ型不純物が高濃度（例えば、１ｅ１８～１ｅ２１ｃｍ-3）にドーピングされている。基板４００は、表面４００Ａおよび裏面４００Ｂを有する。表面４００Ａは、Ｓｉ面であり、裏面４００Ｂは、Ｃ面である。
　エピタキシャル層４０１は、基板４００の表面４００Ａ上に積層されている。エピタキシャル層４０１は、基板４００よりもｎ型不純物が低濃度にドーピングされたＳｉＣからなる、ｎ-型の層である。エピタキシャル層４０１は、基板４００上に、エピタキシャル成長によって形成されている。Ｓｉ面である表面４００Ａ上に形成されるエピタキシャル層４０１は、Ｓｉ面を成長主面として成長させられる。したがって、成長により形成されるエピタキシャル層４０１の表面４０１Ａは、基板４００の表面４００Ａと同様にＳｉ面である。
　エピタキシャル層４０１は、ドレイン領域４０２、ボディ領域４０３、ソース領域４０７およびボディコンタクト領域４０８を有する。
　ドレイン領域４０２は、表面４０１Ａとは反対側のＣ面側の部分（基層部）である。ドレイン領域４０２は、その全域がエピタキシャル成長後のままの状態が維持された、ｎ-型領域である。ドレイン領域４０２のｎ型不純物濃度は、例えば１ｅ１５～１ｅ１７ｃｍ-3である。
　ボディ領域４０３は、エピタキシャル層４０１の表面４０１Ａ側に形成されている。ボディ領域４０３は、エピタキシャル層４０１の表面４０１Ａ側（Ｓｉ面側）からドレイン領域４０２に接している。ボディ領域４０３のｐ型不純物濃度は、例えば１ｅ１６～１ｅ１９ｃｍ-3である。
　図１４に示すように、エピタキシャル層４０１には、ゲートトレンチ４０４が形成されている。ゲートトレンチ４０４は、表面４０１Ａから掘り下げられた形態を有するとともに、図１４の紙面に垂直な方向（「ゲート幅に沿う方向」または「ゲート幅方向」）に長く延びている。したがって、平面視では、ゲートトレンチ４０４は、所定の方向に沿って延びる帯状である。図１４では、１つのゲートトレンチ４０４のみが示されているが、実際には、エピタキシャル層４０１には、平面視において互いに平行に延びる複数のゲートトレンチ４０４が形成されており、いわゆるストライプ構造をなしている。
　各ゲートトレンチ４０４は、２つの側面４０４ａおよび底面４０４ｂを有する。２つの側面４０４ａは、互いに間隔を空けて対向し、それぞれが表面４０１Ａに対して直交する。底面４０４ｂは、２つの側面４０４ａに繋がっており、表面４０１Ａに対して平行な部分を有している。ゲートトレンチ４０４は、ボディ領域４０３を厚さ方向（図１４における上下方向）に貫通し、その最深部（底面４０４ｂ）がドレイン領域４０２に達している。
　ゲートトレンチ４０４には、その内面（側面４０４ａおよび底面４０４ｂ）全域を覆うようにゲート絶縁膜４０５が形成されている。図１４に示すように、ゲート絶縁膜４０５の一部は、ゲートトレンチ４０４の外部にあって、エピタキシャル層４０１の表面４０１Ａを部分的に覆っている。ゲート絶縁膜４０５は、窒素（Ｎｉ）を含有する酸化膜（例えば窒素含有ガスを用いた熱酸化により形成される窒化酸化シリコン膜）からなる。ゲート絶縁膜４０５における窒素含有量（窒素濃度）は、例えば０．１～１０％である。
　ゲート絶縁膜４０５は、絶縁膜側部４０５ａおよび絶縁膜底部４０５ｂを有する。絶縁膜側部４０５ａは、ゲートトレンチ４０４の側面４０４ａを覆う部分である。絶縁膜底部４０５ｂは、ゲートトレンチ４０４の底面４０４ｂを覆う部分である。図示された例においては、絶縁膜底部４０５ｂの厚さＴ２は、絶縁膜側部４０５ａの厚さＴ１と同じか、厚さＴ１よりも小さい（Ｔ２≦Ｔ１）。具体的には、絶縁膜側部４０５ａの厚さＴ１に対する絶縁膜底部４０５ｂの厚さＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が、０．３～１であり、好ましくは、０．５～１である。絶縁膜側部４０５ａの厚さＴ１は、例えば３００～１０００Åであり、絶縁膜底部４０５ｂの厚さＴ２は、例えば１５０～５００Å（ただしＴ２≦Ｔ１）である。
　ゲート絶縁膜４０５内には、ゲート電極４０６が埋設されている。ゲート電極４０６は、ゲート絶縁膜４０５の内側を、Ｎ型不純物が高濃度にドーピングされたポリシリコン材料で埋め尽くすことにより形成されている。
　ソース領域４０７は、ボディ領域４０３の表層部において、ゲートトレンチ４０４に対してゲート幅と直交する方向（図１４における左右方向）の両側に位置している。ソース領域４０７は、ｎ+型の領域である。ソース領域４０７は、ドレイン領域４０２のｎ型不純物濃度よりも高く、ｎ型不純物が高濃度にドーピングされた領域である。ソース領域４０７のｎ型不純物濃度は、例えば１ｅ１８～１ｅ２１ｃｍ-3である。平面視において、ソース領域４０７は、ゲートトレンチ４０４に隣接し、かつゲート幅方向に延びている。
　図１４に示すように、ボディコンタクト領域４０８は、表面４０１Ａから下方に延びてソース領域４０７を貫通し、ボディ領域４０３に接続されるｐ+型の領域である。また、ボディコンタクト領域４０８は、平面視において、ソース領域４０７の中央線（ゲート幅方向と直交する方向における、ソース領域４０７の中央点を通り直線であって、ゲート幅方向に平行な直線）に沿って延びている。ボディコンタクト領域４０８は、ｐ型不純物が高濃度にドーピングされた領域であり、ｐ型不純物濃度がボディ領域４０３よりも高い。ボディコンタクト領域４０８のｐ型不純物濃度は、例えば１ｅ１８～１ｅ２１ｃｍ-3である。
　ゲートトレンチ４０４およびソース領域４０７は、ゲート幅方向と直交する方向に交互に設けられ、それぞれゲート幅方向に沿って延びている。ソース領域４０７上には、当該ソース領域４０７に沿ってゲート幅方向と直交する方向に隣接する単位セル間の境界が設定されている。ボディコンタクト領域４０８は、ゲート幅方向と直交する方向に隣接する２つの単位セル間に跨って少なくとも１つ設けられている。またゲート幅方向に沿う方向に隣接する単位セル間の境界は、各単位セルに含まれるゲート電極４０６が一定のゲート幅を有するように設定されている。
　エピタキシャル層４０１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる層間絶縁膜４０９が積層されている。層間絶縁膜４０９およびゲート絶縁膜４０５には、ソース領域４０７およびボディコンタクト領域４０８の表面を露出させるコンタクトホール４１０が形成されている。
　ソース配線４１１は、層間絶縁膜４０９上に形成されている。ソース配線４１１は、コンタクトホール４１０を介して、ソース領域４０７およびボディコンタクト領域４０８にコンタクト（電気的に接続）されている。ソース配線４１１は、ポリシリコン層４１２、メタル層４１３および中間層４１４を有する。
　ポリシリコン層４１２は、ソース領域４０７およびボディコンタクト領域４０８と接する層である。ポリシリコン層４１２は、不純物がドーピングされたドープトポリシリコンを用いて形成されたドープ層であり、例えば、１ｅ１９～１ｅ２１ｃｍ-3の高濃度で不純物がドーピングされた高濃度ドープ層であることが好ましい。ポリシリコン層４１２をドープ層（または高濃度ドープ層）として形成するときの不純物としては、リン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）などのＮ型不純物、ホウ素（Ｂ）などのｐ型不純物を用いることができる。ポリシリコン層４１２は、コンタクトホール４１０を埋め尽くしている。このようなポリシリコン層４１２の厚さは、コンタクトホール４１０の深さにより異なるが、例えば５０００～１０００Åである。
　メタル層４１３は、ポリシリコン層４１２上に形成されている。メタル層４１３は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、またはそれらの合金およびそれらを含有するメタル材料から形成されている。メタル層４１３は、ソース配線４１１の最表層をなし、例えば第１ワイヤ９１Ａなどがボンディングされる。メタル層４１３の厚さは、例えば１～５μｍである。
　中間層４１４は、ポリシリコン層４１２とメタル層４１３との間に介在しており、チタン（Ｔｉ）を含有する。中間層４１４は、チタンを含有する層の単層もしくはその層を有する複数の層からなる。チタンを含有する層は、チタン、窒化チタン（ＴｉＮ）などを用いて形成することができる。中間層４１４の厚さは、例えば２００～５００ｎｍである。
　このようなポリシリコン層４１２、中間層４１４、およびメタル層４１３を有するソース配線４１１は、ポリシリコン（ポリシリコン層４１２）、チタン（中間層４１４）、窒化チタン（中間層４１４）、およびアルミニウム（メタル層４１３）が順に積層される積層構造（Ｐｏ－Ｓｉ／Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ）であることが好ましい。
　ドレイン配線４１５は、基板４００の裏面４００Ｂに形成されている。ドレイン配線４１５は、基板４００にコンタクト（電気的に接続）されている。ドレイン配線４１５は、ポリシリコン層４１６、メタル層４１７および中間層４１８を有する。
　ポリシリコン層４１６は、基板４００と接する。ポリシリコン層４１６は、ポリシリコン層４１２を構成する材料と同様のものを用いて形成することができる。ポリシリコン層４１６の厚さは、例えば１０００～２０００Åである。
　メタル層４１７は、ポリシリコン層４１６上に形成されている。メタル層４１７は、メタル層４１３を構成する材料と同様のものを用いて形成することができる。メタル層４１７は、ドレイン配線４１５の最表層をなし、例えば基板４００がリード１Ａの第１部１１Ａに実装されるとき、第１部１１Ａに接合される。メタル層４１７の厚さは、例えば０．５～１μｍである。
　中間層４１８は、ポリシリコン層４１６とメタル層４１７との間に介在しており、チタン（Ｔｉ）を含有する層である。中間層４１８は、中間層４１４を構成する材料と同様のものを用いて形成することができる。
　ゲート配線４１９は、層間絶縁膜４０９に形成されたコンタクトホール（図示略）を介してゲート電極４０６にコンタクト（電気的に接続）されている。ソース配線４１１とドレイン配線４１５との間（ソース－ドレイン間）に所定の電位差を発生させた状態で、ゲート配線４１９に所定の電圧（ゲート閾値電圧以上の電圧）が印加されることにより、ゲート電極４０６からの電界によりボディ領域４０３におけるゲート絶縁膜４０５との界面近傍にチャネルが形成される。これにより、ソース配線４１１とドレイン配線４１５との間に電流が流れ、トランジスタ４Ａがオン状態となる。
　図９、図１２および図１３に示すように、３つのトランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃが、リード１Ａの第１部１１Ａの主面１１１Ａ上に配置されている。３つのトランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、ｘ方向において互いに離間し、且つｘ方向視において互いに重なっている。図示された例においては、トランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃのドレイン電極ＤＰが、導電性接合材８３によって主面１１１Ａに接合されている。
　導電性接合材（第２導電性接合材）８３は、トランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃのドレイン電極ＤＰを主面１１１Ａに接合し且つ電気的に接続しうるものであればよい。導電性接合材８３は、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだが用いられる。
　図９、図１２および図１３に示すように、トランジスタ４Ｄが、リード１Ｂの第１部１１Ｂの主面１１１Ｂ上に配置されている。図示された例においては、トランジスタ４Ｄのドレイン電極ＤＰが、導電性接合材８３によって主面１１１Ｂに接合されている。
　図９、図１２および図１３に示すように、トランジスタ４Ｅが、リード１Ｃの第１部１１Ｃの主面１１１Ｃ上に配置されている。図示された例においては、トランジスタ４Ｅのドレイン電極ＤＰが、導電性接合材８３によって主面１１１Ｃに接合されている。
　図９、図１２および図１３に示すように、トランジスタ４Ｆが、リード１Ｄの第１部１１Ｄの主面１１１Ｄ上に配置されている。図示された例においては、トランジスタ４Ｆのドレイン電極ＤＰが、導電性接合材８３によって主面１１１Ｄに接合されている。
＜上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈ＞
　上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈは、トランジスタ４Ａ～４Ｆのうち少なくとも１つを駆動および制御するためのものである。図９および図１０に示すように、上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈは、導電部５とトランジスタ４Ａ～４Ｆのうち少なくとも１つとに電気的に接続されており、基板３上に配置されている。図に示す例では、上側ドライバチップ４Ｇは、３つのトランジスタ４Ａ，４Ｂ，４Ｃを駆動および制御する。下側ドライバチップ４Ｈは、３つのトランジスタ４Ｄ，４Ｅ，４Ｆを駆動および制御する。上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈの形状やサイズは特に限定されない。図示された例においては、上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈは、ｚ方向視において矩形状であり、ｘ方向に長状である。
　上側ドライバチップ４Ｇは、導電部５の第１基部５５に搭載されており、下側ドライバチップ４Ｈは、導電部５の第２基部５６上に配置されている。上側ドライバチップ４Ｇは、導電性接合材８４によって第１基部５５に接合されている。下側ドライバチップ４Ｈは、導電性接合材８４によって第２基部５６に接合されている。
　導電性接合材８４（第３導電性接合材）は、上側ドライバチップ４Ｇを第１基部５５に接合するとともに、下側ドライバチップ４Ｈを第２基部５６に接合し且つ電気的に接続しうるものであればよい。導電性接合材８４は、たとえば、銀ペースト、銅ペーストやはんだが用いられる。導電性接合材８４の具体的形状は、何ら限定されない。上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈは、導電性接合材８４に代えて、絶縁性接合材によって第１基部５５に接合されてもよい。
　図９に示すように、上側ドライバチップ４Ｇは、ｘ方向視において、リード２Ｂ～２Ｏとリード１Ａ～１Ｇとの間に位置している。下側ドライバチップ４Ｈは、ｘ方向視において、リード２Ｂ～２Ｏとリード１Ａ～１Ｇとの間に位置している。上側ドライバチップ４Ｇは、ｙ方向視においてトランジスタ４Ｂと重なる。図示された例においては、上側ドライバチップ４Ｇは、ｙ方向視において、トランジスタ４Ａと重なる。下側ドライバチップ４Ｈは、ｙ方向視において、トランジスタ４Ｅと重なる。上側ドライバチップ４Ｇは、ｙ方向視においてトランジスタ４Ｃと重なっていてもよい。下側ドライバチップ４Ｈは、ｙ方向視においてトランジスタ４Ｄ，４Ｆのいずれか一方または両方と重なっていてもよい。
　図１０および図１１に示す例では、上側ドライバチップ４Ｇは、ｙ方向視において配線部５０Ｂ、配線部５０Ｃ、配線部５０Ｖおよび配線部５０Ｗと重なる。上側ドライバチップ４Ｇは、ｘ方向視において、第２基部５６および下側ドライバチップ４Ｈと重なる。下側ドライバチップ４Ｈは、ｙ方向視において、配線部５０Ｉ、配線部５０Ｊ、配線部５０Ｋおよび配線部５０Ｌと重なる。下側ドライバチップ４Ｈは、ｘ方向視において、配線部５０Ｏおよび配線部５０Ｐと重なる。
＜ブートブートダイオード４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗ＞
　ブートダイオード４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗは、上側ドライバチップ４Ｇと電気的に接続されている。ブートダイオード４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗは、たとえば、上側ドライバチップ４Ｇにより高い電圧を印加する機能を有する。図９および図１０に示すように、ブートダイオード４９Ｕは、導電部５の配線部５０Ｕに導電性接合材８５を介して接合されている。導電性接合材８５は、たとえば上述した導電性接合材８４と同様の材質である。
　図９および図１０に示すように、ブートダイオード４９Ｖは、導電部５の配線部５０Ｖに上述した導電性接合材８５を介して接合されている。ブートダイオード４９Ｗは、導電部５の配線部５０Ｗに上述した導電性接合材８５を介して接合されている。
　ブートダイオード４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗの具体的な配置形態は特に限定されない。図１０および図１１に示す例では、ブートダイオード４９Ｕのｙ方向における中心は配線部５０Ｕのｙ方向における中心よりも第５面３５側にずれている。ブートダイオード４９Ｖのｘ方向における中心は、配線部５０Ｖのｘ方向における中心よりも配線部５０Ｗ側にずれている。ブートダイオード４９Ｗのｘ方向における中心は、配線部５０Ｗのｘ方向における中心よりも配線部５０Ｄ側にずれている。
＜第１ワイヤ９１Ａ～９１Ｆ＞
　第１ワイヤ９１Ａ～９１Ｆ（第１導電部材）は、トランジスタ４Ａ～４Ｆのいずれかと、複数のリード１のいずれかとに接続されている。第１ワイヤ９１Ａ～９１Ｆの材質は特に限定されず、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）からなる。第１ワイヤ９１Ａ～９１Ｆの太さは特に限定されず、たとえば直径が２５０～５００μｍ程度である。第１ワイヤ９１Ａ～９１Ｆに代えて、たとえば、Ｃｕからなるリードを用いてもよい。
　図９に示すように、第１ワイヤ９１Ａは、一端がトランジスタ４Ａのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｂの第４部１４Ｂに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｂにおいて、第１ワイヤ９１Ａが接合される位置は特に限定されない。
　図９に示すように、第１ワイヤ９１Ｂは、一端がトランジスタ４Ｂのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｃの第４部１４Ｃに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｃにおいて、第１ワイヤ９１Ｂが接合される位置は特に限定されない。
　図９に示すように、第１ワイヤ９１Ｃは、一端がトランジスタ４Ｃのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｄの第４部１４Ｄに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｄにおいて、第１ワイヤ９１Ｃが接合される位置は特に限定されない。
　図９に示すように、第１ワイヤ９１Ｄは、一端がトランジスタ４Ｄのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｅの第４部１４Ｅに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｅにおいて、第１ワイヤ９１Ｄが接合される位置は特に限定されない。
　図９に示すように、第１ワイヤ９１Ｅは、一端がトランジスタ４Ｅのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｆの第４部１４Ｆに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｆにおいて、第１ワイヤ９１Ｅが接合される位置は特に限定されない。
　図９に示すように、第１ワイヤ９１Ｆは、一端がトランジスタ４Ｆのソース電極ＳＰに接続され、他端がリード１Ｇの第４部１４Ｇに接続されている。ソース電極ＳＰおよび第４部１４Ｇにおいて、第１ワイヤ９１Ｆが接合される位置は特に限定されない。
＜第２ワイヤ９２＞
　複数の第２ワイヤ（第２導電部材）９２は、図９に示すように、上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈのいずれかに接続されている。第２ワイヤ９２の材質は特に限定されず、たとえば金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミ（Ａｌ）等からなる。第２ワイヤ９２の太さは特に限定されず、たとえば、第１ワイヤ９１Ａ～９１Ｆよりも細い。第２ワイヤ９２の太さは、たとえば直径が１０μｍ～５０μｍ程度である。以降においては、上側ドライバチップ４Ｇに接続された第２ワイヤ９２を第２ワイヤ９２Ｇとし、下側ドライバチップ４Ｈに接続された第２ワイヤ９２を第２ワイヤ９２Ｈとして説明する。
　図９に示すように、トランジスタ４Ａのゲート電極ＧＰと上側ドライバチップ４Ｇのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｇが接続されている。また、トランジスタ４Ａのソース電極ＳＰと上側ドライバチップ４Ｇのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｇが接続されている。この第２ワイヤ９２Ｇは、ｘ方向においてトランジスタ４Ａのソース電極ＳＰのうち、ｘ方向においてゲート電極ＧＰよりもトランジスタ４Ｂ側に接続されている。
　図９に示すように、トランジスタ４Ｂのゲート電極ＧＰと上側ドライバチップ４Ｇのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｇが接続されている。また、トランジスタ４Ｂのソース電極ＳＰと上側ドライバチップ４Ｇのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｇが接続されている。この第２ワイヤ９２Ｇは、ｘ方向においてトランジスタ４Ｂのソース電極ＳＰのうち、ｘ方向においてゲート電極ＧＰよりもトランジスタ４Ｃ側に接続されている。
　図９に示すように、トランジスタ４Ｃのゲート電極ＧＰと上側ドライバチップ４Ｇのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｇが接続されている。また、トランジスタ４Ｃのソース電極ＳＰと上側ドライバチップ４Ｇのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｇが接続されている。この第２ワイヤ９２Ｇは、ｘ方向においてトランジスタ４Ｂのソース電極ＳＰのうち、ｘ方向においてゲート電極ＧＰよりもトランジスタ４Ｂ側に接続されている。
　図９に示すように、トランジスタ４Ｄのゲート電極ＧＰと下側ドライバチップ４Ｈのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｈが接続されている。トランジスタ４Ｅのゲート電極ＧＰと下側ドライバチップ４Ｈのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｈが接続されている。トランジスタ４Ｆのゲート電極ＧＰと下側ドライバチップ４Ｈのｙ方向の中心よりも第１部１１Ａ側の部分とに、第２ワイヤ９２Ｈが接続されている。
　図１０および図１１に示すように、２つの第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ａに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｇの一端がブートダイオード４９Ｕに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｕに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。
　図１０および図１１に示すように、２つの第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｂに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｇの一端がブートダイオード４９Ｖに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｖに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。
　図１０および図１１に示すように、２つの第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｃに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｇの一端がブートダイオード４９Ｗに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｗに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。
　図１０および図１１に示すように、第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｄに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｅに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｆに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、３本の第２ワイヤ９２Ｇの一端が配線部５０Ｇに接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。また、２本の第２ワイヤ９２Ｇの一端が接続部５７に接続されており、他端が上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。
　図１０および図１１に示すように、第２ワイヤ９２Ｈの一端が配線部５０Ｉに接続されており、他端が下側ドライバチップ４Ｈに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｈの一端が配線部５０Ｊに接続されており、他端が下側ドライバチップ４Ｈに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｈの一端が配線部５０Ｋに接続されており、他端が下側ドライバチップ４Ｈに接続されている。また、２つの第２ワイヤ９２Ｈの一端が配線部５０Ｌに接続されており、他端が下側ドライバチップ４Ｈに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｈの一端が配線部５０Ｍに接続されており、他端が下側ドライバチップ４Ｈに接続されている。また、第２ワイヤ９２Ｈの一端が配線部５０Ｎに接続されており、他端が下側ドライバチップ４Ｈに接続されている。また、２つの第２ワイヤ９２Ｈの一端が配線部５０Ｏに接続されており、他端が下側ドライバチップ４Ｈに接続されている。
＜樹脂７＞
　樹脂７は、トランジスタ４Ａ～４Ｆおよび上側ドライバチップ４Ｇおよび下側ドライバチップ４Ｈと、複数のリード１各々の一部および複数のリード２各々の一部と、を少なくとも覆っている。また、図に示す例では、樹脂７は、ブートダイオード４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗ、複数の第１ワイヤ９１Ａ～９１Ｆおよび複数の第２ワイヤ９２を覆っている。樹脂７の材質は、特に限定されず、たとえばエポキシ樹脂、シリコーンゲル等の絶縁材料が適宜用いられる。
　樹脂７のｘ方向における寸法ＤＸ（図７参照）は、６０ｍｍ以下であることが好ましい。樹脂７のｙ方向における寸法ＤＹは、３５ｍｍ以下であることが好ましい。樹脂７のｚ方向における寸法ＤＺ（図６参照）は、６ｍｍ以下であることが好ましい。図に示す例では、樹脂７は、寸法ＤＸが約５７ｍｍであり、寸法ＤＹが約３０ｍｍであり、寸法ＤＺが約５ｍｍである。
　樹脂７は、第１面７１、第２面７２、第３面７３、第４面７４、第６面７５、第６面７６、凹部７１０、凹部７２０、凹部７３１、凹部７３２、凹部７３３および凹部７３４を有する。
　第１面７１は、ｚ方向と交差する面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角な平面である。第１面７１は、基板３の第１面３１と同じ側を向いている。第２面７２は、ｚ方向と交差する面であり、図示された例においては、ｚ方向に対して直角な平面である。第２面７２は、第１面７１とは反対側を向いており、基板３の第２面３２と同じ側を向いている。
　第３面７３は、ｚ方向において第１面７１と第２面７２との間に位置しており、図示された例においては、第１面７１および第２面７２に繋がっている。第３面７３は、ｘ方向と交差する面であり、基板３の第３面３３と同じ側を向いている。第４面７４は、ｚ方向において第１面７１と第２面７２との間に位置しており、図示された例においては、第１面７１および第２面７２に繋がっている。第４面７４は、ｘ方向と交差する面であり、第３面７３とは反対側を向いており、基板３の第４面３４と同じ側を向いている。
　第６面７５は、ｚ方向において第１面７１と第２面７２との間に位置しており、図示された例においては、第１面７１および第２面７２に繋がっている。第６面７５は、ｙ方向と交差する面であり、基板３の第５面３５と同じ側を向いている。第６面７６は、ｚ方向において第１面７１と第２面７２との間に位置しており、図示された例においては、第１面７１および第２面７２に繋がっている。第６面７６は、ｘ方向と交差する面であり、第６面７５とは反対側を向いており、第６面３６と同じ側を向いている。
　凹部７１０は、第３面７３からｘ方向に凹んだ部位である。凹部７１０は、第１面７１および第２面７２に到達している。凹部７２０は、第４面７４からｘ方向に凹んだ部位である。凹部７２０は、第１面７１および第２面７２に到達している。
　図９に示すように、凹部７３１、凹部７３２、凹部７３３および凹部７３４は、第６面７５からｙ方向に凹んだ部位である。凹部７３１は、ｙ方向視においてリード２Ｚの第２部２２Ｚとリード２Ａの第２部２２Ａとの間に位置している。凹部７３２は、ｙ方向視においてリード２Ａの第２部２２Ａとリード２Ｂの第２部２２Ｂとの間に位置している。凹部７３３は、ｙ方向視においてリード２Ｂの第２部２２Ｂとリード２Ｃの第２部２２Ｃとの間に位置している。凹部７３４は、ｙ方向視においてリード２Ｃの第２部２２Ｃとリード２Ｄの第２部２２Ｄとの間に位置している。
　図２および図９に示すように、各トランジスタ４Ａ～４Ｃのドレインは互いに接続され、Ｐ端子（リード１Ａ）に接続されている。トランジスタ４Ａのソースはトランジスタ４Ｄのドレインに接続され、トランジスタ４Ｂのソースはトランジスタ４Ｅのドレインに接続され、トランジスタ４Ｃのソースはトランジスタ４Ｆのドレインに接続されている。トランジスタ４Ａのソースとトランジスタ４ＤのドレインとのノードＮ１は、Ｕ端子（リード１Ｂ）に接続されている。トランジスタ４Ｂのソースとトランジスタ４ＥのドレインとのノードＮ２は、Ｖ端子（リード１Ｃ）に接続されている。トランジスタ４Ｃのソースとトランジスタ４ＦのドレインとのノードＮ３は、Ｗ端子（リード１Ｄ）に接続されている。トランジスタ４Ｄのソースは、ＮＵ端子（リード１Ｅ）に接続され、トランジスタ４Ｅのソースは、ＮＶ端子（リード１Ｆ）に接続され、トランジスタ４Ｆのソースは、ＮＷ端子（リード１Ｇ）に接続されている。
　Ｕ端子（リード１Ｂ）、Ｖ端子（リード１Ｃ）およびＷ端子（リード１Ｄ）に印加される電圧レベルは、たとえば０Ｖ～６５０Ｖ程度である。一方、ＮＵ端子（リード１Ｅ）、ＮＶ端子（リード１Ｆ）およびＮＷ端子（リード１Ｇ）に印加される電圧レベルは、たとえば、０Ｖ程度であり、端子（リード１Ｂ）、Ｖ端子（リード１Ｃ）およびＷ端子（リード１Ｄ）に印加される電圧レベルよりも低い。トランジスタ４Ａ～４Ｃは、３相のインバータ回路の高電位側のトランジスタを構成し、トランジスタ４Ｄ～４Ｆは、３相のインバータ回路の低電位側のトランジスタを構成している。
　トランジスタ４Ａ～４Ｃのゲートはそれぞれ、上側ドライバチップ４Ｇに接続され、トランジスタ４Ａ～４３のソースはそれぞれ、上側ドライバチップ４Ｇに接続されている。トランジスタ４Ｄ～４６のゲートはそれぞれ、下側ドライバチップ４Ｈに接続されている。
　上側ドライバチップ４Ｇは、ＶＢＵ端子（リード２Ａ）、ＶＢＶ端子（リード２Ｂ）、ＶＢＷ端子（リード２Ｃ）、第１ＶＣＣ端子（リード２Ｄ）、ＨＩＮＵ端子（リード２Ｅ）、ＨＩＮＶ端子（リード２Ｆ）、ＨＩＮＷ端子（リード２Ｇ）、および第１ＧＮＤ端子（リード２Ｈ）と電気的に接続されている。第１ＶＣＣ端子は、上側ドライバチップ４Ｇに電源電圧ＶＣＣを供給する端子である。ＨＩＮＵ端子、ＨＩＮＶ端子、およびＨＩＮＷ端子には、外部のゲート駆動回路（図示略）からゲート信号電圧が印加される。上側ドライバチップ４Ｇは、これらゲート信号電圧をトランジスタ４Ａ～４Ｃのゲートに印加するための回路である。第１ＧＮＤ端子（リード２Ｈ）と第２ＧＮＤ端子（リード２Ｏ）は、スイッチ駆動装置Ａ１の内部、より詳細には基板３上の導電部５で互いに接続されている。
　下側ドライバチップ４Ｈは、ＬＩＮＵ端子（リード２Ｉ）、ＬＩＮＶ端子（リード２Ｊ）、ＬＩＮＷ端子（リード２Ｋ）、第２ＶＣＣ端子（リード２Ｌ）、ＦＯ端子（リード２Ｍ）、ＣＩＮ端子（リード２Ｎ）、および第２ＧＮＤ端子（リード２Ｏ）と電気的に接続されている。第２ＶＣＣ端子は、下側ドライバチップ４Ｈに電源電圧ＶＣＣを供給する端子である。ＬＩＮＵ端子、ＬＩＮＶ端子、およびＬＩＮＷ端子には、外部のゲート駆動回路からゲート信号電圧が印加される。下側ドライバチップ４Ｈは、これらゲート信号電圧をトランジスタ４Ｄ～４Ｆのゲートに印加するための回路である。
　ＨＩＮＵ端子（リード２Ｅ）、ＨＩＮＶ端子（リード２Ｆ）およびＨＩＮＷ端子（リード２Ｇ）に与えられる電気信号の第１電圧は、上側ドライバチップ４Ｇを駆動するために第１ＶＣＣ端子（リード２Ｄ）から印加される第２電圧（電源電圧ＶＣＣ）よりも低い。また、ＬＩＮＵ端子（リード２Ｉ）、ＬＩＮＶ端子（リード２Ｊ）およびＬＩＮＷ端子（リード２Ｋ）に与えられる電気信号の第１電圧は、下側ドライバチップ４Ｈを駆動するために第２ＶＣＣ端子（リード２Ｌ）から印加される第２電圧（電源電圧ＶＣＣ）よりも低い。
　次に、スイッチ駆動装置Ａ１の作用について説明する。
　図４および図５に示すように、電流制限部４６５は、ブートキャパシタＢＣ１とブートダイオード４９Ｕとを導通させる経路に設けられている。このため電流制限部４６５は、フローティング電源であるブートキャパシタＢＣ１と同電位（電圧ＶＢ）である領域に設けられており、第１電源ＰＷ１から供給される制御電圧ＶＣＣと同電位である領域から隔離される。これにより、電流制限部４６５をより安定した電位の領域において動作させることができる。
　図９および図１０に示すように、ブートダイオード４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗは、配線部５０Ｕ，５０Ｖ，５０Ｗに導通接合されている。配線部５０Ｕ，５０Ｖ，５０Ｗは、配線部５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃをはじめとする、導電部５の他のいずれの部位に対しても離間している。仮に、配線部５０Ｕ，５０Ｖ，５０Ｗを、金属製のリードによって構成する場合、スイッチ駆動装置Ａ１の製造工程において、配線部５０Ｕ，５０Ｖ，５０Ｗの支持が困難となる事態が想定される。本実施形態においては、配線部５０Ｕ，５０Ｖ，５０Ｗは、基板３によって支持されている。このため、導電部５の他のいずれの部位に対しても離間した配線部５０Ｕ，５０Ｖ，５０Ｗを適切に実現することができる。
　図１６～図２０は、本開示の変形例および他の実施形態を示している。これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
＜第１実施形態　第１変形例＞
　図１６は、スイッチ駆動装置Ａ１の第１変形例を示している。図示されたスイッチ駆動装置Ａ１１は、基板３の構成が、上述したスイッチ駆動装置Ａ１と異なっている。
　本変形例の基板３は、第１領域３０Ａと第２領域３０Ｂとが、互いに別体として構成されている。
　第１領域３０Ａは、上述したスイッチ駆動装置Ａ１の基板３と同様の材質からなり、たとえば、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）窒化珪素（ＳｉＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、ジルコニア入りアルミナ等のセラミックからなる。第１領域３０Ａには、複数の接合部６が形成されている。
　第２領域３０Ｂは、たとえばプリント配線基板からなる。具体的には、第２領域３０Ｂは、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料からなる基材と、当該基材に形成された配線パターンと、を有する。本変形例の導電部５は、プリント配線基板の配線パターンによって構成されている。
　図示された例においては、第１領域３０Ａと第２領域３０Ｂとは、連結部材３９によって互いに連結されている。連結部材３９は、たとえば、スイッチ駆動装置Ａ１１の製造工程において、第１領域３０Ａと第２領域３０Ｂとの相対位置を固定するためのものである。連結部材３９と第１領域３０Ａおよび第２領域３０Ｂとの固定形態は特に限定されない。たとえば、連結部材３９は、絶縁材料によって構成されていてもよいし、導電性材料から構成されていてもよい。後者の場合、導電部５と複数の接合部６との所定箇所同士を互いに導通させるものであってもよい。
　上記変形例によっても、スイッチ駆動装置Ａ１と同様の作用効果を奏する。また、本変形例から理解されるように、基板３の具体的構成は特に限定されず、上述したトランジスタ４Ａ～４Ｆによるスイッチ駆動制御を実現しうる回路等を構成可能なものであれば、種々に変更可能である。
＜第１実施形態　第２変形例＞
　図１７は、スイッチ駆動装置Ａ１の第２変形例を示している。図示されたスイッチ駆動装置Ａ１２は、上側ドライバ回路に含まれる電流制限部４６５基板３の構成が、上述したスイッチ駆動装置Ａ１と異なっている。
　本変形例においては、電流制限部４６５は、トランジスタ４６５１と抵抗４６５２とを備える。抵抗４６５２は、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１とを接続する経路に配置されており、フローティング電源であるブートキャパシタＢＣ１と同電位である領域に配置されている。抵抗４６５２は、ブートキャパシタＢＣ１に供給される電流値を決定する。トランジスタ４６５１は、抵抗４６５２と並列に接続される。トランジスタ４６５１は、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴである。トランジスタ４６５１ソースは、ブートダイオード４９Ｕのカソードと抵抗４６５２との接続点に接続される。トランジスタ４６５１のドレインは、抵抗４６５２とブートキャパシタＢＣ１との接続点に接続される。トランジスタ４６５１のゲートには、電流制御部４６６からの信号が入力する。
　例えば、抵抗４６５２の抵抗値をＲ１とし、トランジスタ４６５１の抵抗値をＲ２とする。このとき抵抗値Ｒ１＞＞抵抗値Ｒ２である。電圧ＶＢが、閾値電圧以上である場合、電流制御部４６６からの信号に基づいてトランジスタ４６５１はＯＦＦになる。そのため、電流制限部４６５の抵抗値はＲ１となる。一方、電圧ＶＢが、閾値電圧よりも低い場合、電流制御部４６６からの信号に基づいてトランジスタ４６５１はＯＮになる。そのため、電流制限部４６５の抵抗値は、並列接続されたトランジスタ４６５１と抵抗４６５２の合成抵抗、すなわち、Ｒ１×Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）となる。すなわち、電圧ＶＢが、閾値電圧以上である場合、電流制限部４６５の抵抗値が大きくなり、電流制限部４６５による電圧降下は大きくなる。この結果、ブートキャパシタＢＣ１を充電する電流が小さくなる。逆に、電圧ＶＢが、閾値電圧よりも低い場合、電流制限部４６５の抵抗値が小さくなり、電流制限部４６５における電圧降下は小さくなる。この結果、ブートキャパシタＢＣ１を充電する電流が大きくなる。
　上記構成を採用することによる利点は、次のとおりである。すなわち、ユーザが制御電圧ＶＣＣを高い電圧に設定する場合には、過充電に対するマージンが少ないために抵抗値を大きくすることができる。一方、ユーザが制御電圧ＶＣＣを低い電圧に設定する場合には、過充電に対するマージンが多いために抵抗値を小さくすることが可能となる。
　本変形例から理解されるように、電流制限部４６５の具体的構成は特に限定されず、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１との導通をＯＮ／ＯＦＦする構成であってもよいし、ブートダイオード４９ＵとブートキャパシタＢＣ１との導通経路の抵抗値を適宜切り替える構成であってもよい。
＜第２実施形態＞
　図１８～図２０は、第２実施形態に係るスイッチ駆動装置を示している。図示されたスイッチ駆動装置Ａ２は、ブートキャパシタＢＣ１，ＢＣ２，ＢＣ３への充電抑制制御の具体的構成が、上述したスイッチ駆動装置Ａ１，Ａ１１と異なる。
　図１８は、スイッチ駆動装置Ａ２を備えた電力供給部のブロック図である。図１９は、スイッチ駆動装置Ａ２の上側ドライバ回路の一例を示す回路図である。図２０は、スイッチ駆動装置Ａ２を示す平面図である。
　図１８に示すように、本実施形態においては、ＬＩＮＵ端子（リード２Ｉ）、ＬＩＮＶ端子（リード２Ｊ）およびＬＩＮＷ端子（リード２Ｋ）に入力された通電制御信号ｌｕｉｎ、ｌｖｉｎ，ｌｗｉｎが、上側ドライバチップ４Ｇに入力されている。
　図１９を参照して、通電制御信号ｌｕｉｎを用いたブートキャパシタＢＣ１への充電抑制制御について説明する。通電制御信号ｌｖｉｎを用いたブートキャパシタＢＣ２への充電抑制制御および通電制御信号ｌｗｉｎを用いたブートキャパシタＢＣ３への充電抑制制御は、同様の制御であるため説明を省略する。
　図に示す例では、電流制限部４６５のトランジスタ４６５１は、第１電源ＰＷ１とブートダイオード４９Ｕとを接続する回路に配置される。トランジスタ４６５１は、ブートキャパシタＢＣ１に供給される電流をＯＮ／ＯＦＦする。トランジスタ４６５１は、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴであり、ソースは第１電源ＰＷ１に接続される。トランジスタ４６５１のドレインは、ブートダイオード４９Ｕに接続される。ゲートには、電流制御部４６６からの信号が入力する。電流制限部４６５の構成は、図示された構成に限定されず、たとえば、図１７を参照して説明したスイッチ駆動装置Ａ１２の電流制限部４６５の構成であってもよい。
　電流制御部４６６には、通電制御信号ｌｕｉｎが入力される。たとえば、電流制御部４６６は、通電制御信号ｌｕｉｎ＝Ｈでトランジスタ４ＤをＯＮさせる場合に、トランジスタ４６５１をＯＦＦ状態とし、ブートキャパシタＢＣ１への充電を抑制する。
　図２０は、スイッチ駆動装置Ａ２の構成例を示している。図示されたように、スイッチ駆動装置Ａ２においては、導電部５の配線部５０Ｉ、配線部５０Ｊおよび配線部５０Ｋが、第２基部５６付近を経由して、上側ドライバチップ４Ｇ付近に延びた形状である。下側ドライバチップ４Ｈと配線部５０Ｉ、配線部５０Ｊおよび配線部５０Ｋとのそれぞれには、第２ワイヤ９２Ｈが個別に接続されている。上側ドライバチップ４Ｇと配線部５０Ｉ、配線部５０Ｊおよび配線部５０Ｋとのそれぞれには、第２ワイヤ９２Ｇが個別に接続されている。
　ブートダイオード４９Ｕは、配線部５０Ａに導通接合されている。ブートダイオード４９Ｖは、配線部５０Ｂに導通接合されている。ブートダイオード４９Ｗは、配線部５０Ｃに導通接合されている。上側ドライバチップ４Ｇと、配線部５０Ａ、配線部５０Ｂおよび配線部５０Ｃとのそれぞれには、第２ワイヤ９２Ｇが個別に接続されている。
　上記構成によっても、上述したモード１，２におけるブートキャパシタＢＣ１，ＢＣ２，ＢＣ３の過充電（下側トランジスタ４Ｄ，４Ｅ，４ＦがＯＮである際に生じる）を抑制することができる。
　本開示に係るスイッチ駆動装置は、上述した実施形態等に限定されるものではない。本開示に係るスイッチ駆動装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である
　付記１．
　Ｎ型半導体スイッチ素子を駆動するゲートドライバと、
　ブートキャパシタおよびブートダイオードを含み、且つ前記ゲートドライバに電圧を印加するブートストラップ回路と、
　前記ブートキャパシタに供給される電流を制限する電流制限部と、
　前記電流制限部の動作を制御する電流制御部と、を備え、
　前記電流制限部は、前記ブートキャパシタと前記ブートダイオードとを導通させる経路に設けられている、スイッチ駆動装置。
　付記２．
　前記電流制御部は、前記ブートキャパシタの充電電圧が閾値を超えるとき、前記電流制限部を駆動して前記ブートキャパシタに供給される電流を制限する、付記１に記載のスイッチ駆動装置。
　付記３．
　前記電流制限部は、前記電流制御部からの信号に基づいてＯＮ又はＯＦＦとなるスイッチ素子を含む、付記２に記載のスイッチ駆動装置。
　付記４．
　前記電流制御部は、前記ブートキャパシタの両端間電圧およびその分圧電圧の少なくともいずれかに基づいて、前記ブートキャパシタの充電電圧を検出する、付記３に記載のスイッチ駆動装置。
　付記５．
　前記Ｎ型半導体スイッチ素子は、ＳｉＣを原料とする半導体基板を含む、付記１ないし付記４のいずれか１つに記載のスイッチ駆動装置。
　付記６．
　基板と、
　前記基板に形成された導電部と、
　前記基板に配置された第１リードと、
　前記ゲートドライバを有するドライバチップと、
　前記ドライバチップと、前記基板の少なくとも一部と、前記第１リードの一部と、を覆う樹脂と、をさらに備えており、
　前記第１リードは、前記Ｎ型半導体スイッチ素子を支持し、
　前記ブートダイオードおよび前記ドライバチップは、前記導電部に配置されている、付記１ないし５のいずれか１つに記載のスイッチ駆動装置。
　付記７．
　前記基板は、第１面を有しており、前記導電部は、前記第１面に形成されている、付記６に記載のスイッチ駆動装置。
　付記８．
　前記基板は、前記第１面とは反対側の第２面を有しており、
　前記第２面は、前記樹脂から露出している、付記７に記載のスイッチ駆動装置。
　付記９．
　前記第１リードは、前記基板の前記第１面に配置されている、付記７または８に記載のスイッチ駆動装置。
　付記１０．
　前記第１リードを前記基板に接合する第１接合材をさらに備える、付記９に記載のスイッチ駆動装置。
　付記１１．
　前記第１リードから離間する第２リードをさらに備えており、
　前記第２リードは、前記導電部に電気的に接続されている、付記７ないし１０のいずれか１つに記載のスイッチ駆動装置。
　付記１２．
　前記第２リードを前記導電部に接合する第１導電性接合材をさらに備える、付記１１に記載のスイッチ駆動装置。
　付記１３．
　前記導電部は、互いに離間する第１配線部および第２配線部を含み、
　前記ブートキャパシタは前記第１配線部に導通接合され、前記第２リードは前記第２配線部に導通接合される、付記１２に記載のスイッチ駆動装置。
　付記１４．
　複数のワイヤをさらに備えており、前記複数のワイヤは、前記ドライバチップを、前記ブートダイオード、前記第１配線部および前記第２配線部にそれぞれ接続する、付記１３に記載のスイッチ駆動装置。
　付記１５．
　前記第１配線部は、前記ドライバチップと前記第２リードとの間に配置されている、付記１４に記載のスイッチ駆動装置。
　付記１６．
　前記第２配線部は、前記第１配線部と並んで位置された部位を有する、付記１５に記載のスイッチ駆動装置。
　付記１７．
　前記第１配線部は、当該第１配線部以外の前記導電部のいずれの部位からも離間している、付記１３ないし１６のいずれか１つに記載のスイッチ駆動装置。
Ａ１，Ａ１１，Ａ２：スイッチ駆動装置
１　　　　　：（第１）リード
２　　　　　：（第２）リード
３　　　　　：基板
４Ａ，４Ｂ，４Ｃ：上側トランジスタ
４Ｄ，４Ｅ，４Ｆ：下側トランジスタ
４Ｇ　　　　：上側ドライバチップ
４Ｈ　　　　：下側ドライバチップ
５　　　　　：導電部
６　　　　　：接合部
７　　　　　：パッケージ
４９Ｕ，４９Ｖ，４９Ｗ：ブートダイオード
９１　　　　：第１ワイヤ
９２　　　　：第２ワイヤ
４６３　　　：上側ゲートドライバ
４６４　　　：入力信号制御回路
４６５　　　：電流制限部
４６６　　　：電流制御部
４６７　　　：高耐圧レベルシフト回路
４６３１　　：クランプ回路
４６４１　　：インバータ
４６４２　　：レベルシフト回路
４６４３　　：パルスジェネレータ
４６５１　　：トランジスタ
４６５２　　：抵抗
４６７１，４６７２：トランジスタ
４６７３，４６７４：抵抗
ＢＣ１，ＢＣ２，ＢＣ３：ブートキャパシタ
ＢＴＣ　　　：ブートストラップ回路
Ｍ　　　　　：モータ
ＭＣＵ　　　：モータコントロールユニット
ＭＭＣ　　　：モータ駆動装置

Claims (17)

  1. 　Ｎ型半導体スイッチ素子を駆動するゲートドライバと、
    　ブートキャパシタおよびブートダイオードを含み、且つ前記ゲートドライバに電圧を印加するブートストラップ回路と、
    　前記ブートキャパシタに供給される電流を制限する電流制限部と、
    　前記電流制限部の動作を制御する電流制御部と、を備え、
    　前記電流制限部は、前記ブートキャパシタと前記ブートダイオードとを導通させる経路に設けられている、スイッチ駆動装置。
  2. 　前記電流制御部は、前記ブートキャパシタの充電電圧が閾値を超えるとき、前記電流制限部を駆動して前記ブートキャパシタに供給される電流を制限する、請求項１に記載のスイッチ駆動装置。
  3. 　前記電流制限部は、前記電流制御部からの信号に基づいてＯＮ又はＯＦＦとなるスイッチ素子を含む、請求項２に記載のスイッチ駆動装置。
  4. 　前記電流制御部は、前記ブートキャパシタの両端間電圧およびその分圧電圧の少なくともいずれかに基づいて、前記ブートキャパシタの充電電圧を検出する、請求項３に記載のスイッチ駆動装置。
  5. 　前記Ｎ型半導体スイッチ素子は、ＳｉＣを原料とする半導体基板を含む、請求項１ないし請求項４のいずれか１つに記載のスイッチ駆動装置。
  6. 　基板と、
    　前記基板に形成された導電部と、
    　前記基板に配置された第１リードと、
    　前記ゲートドライバを有するドライバチップと、
    　前記ドライバチップと、前記基板の少なくとも一部と、前記第１リードの一部と、を覆う樹脂と、をさらに備えており、
    　前記第１リードは、前記Ｎ型半導体スイッチ素子を支持し、
    　前記ブートダイオードおよび前記ドライバチップは、前記導電部に配置されている、請求項１ないし５のいずれか１つに記載のスイッチ駆動装置。
  7. 　前記基板は、第１面を有しており、前記導電部は、前記第１面に形成されている、請求項６に記載のスイッチ駆動装置。
  8. 　前記基板は、前記基板とは反対側の第２面を有しており、
    　前記第２面は、前記樹脂から露出している、請求項７に記載のスイッチ駆動装置。
  9. 　前記第１リードは、前記基板の前記第１面に配置されている、請求項７または８に記載のスイッチ駆動装置。
  10. 　前記第１リードを前記基板に接合する第１接合材をさらに備える、請求項９に記載のスイッチ駆動装置。
  11. 　前記第１リードから離間する第２リードをさらに備えており、
    　　前記第２リードは、前記導電部に電気的に接続されている、請求項７ないし１０のいずれか１つに記載のスイッチ駆動装置。
  12. 　前記第２リードを前記導電部に接合する第１導電性接合材をさらに備える、請求項１１に記載のスイッチ駆動装置。
  13. 　前記導電部は、互いに離間する第１配線部および第２配線部を含み、
    　前記ブートキャパシタは前記第１配線部に導通接合され、前記第２リードは前記第２配線部に導通接合される、請求項１２に記載のスイッチ駆動装置。
  14. 　複数のワイヤをさらに備えており、前記複数のワイヤは、前記ドライバチップを、前記ブートダイオード、前記第１配線部および前記第２配線部にそれぞれ接続する、請求項１３に記載のスイッチ駆動装置。
  15. 　前記第１配線部は、前記ドライバチップと前記第２リードとの間に配置されている、請求項１４に記載のスイッチ駆動装置。
  16. 　前記第２配線部は、前記第１配線部と並んで位置する部位を有する、請求項１５に記載のスイッチ駆動装置。
  17. 　前記第１配線部は、当該第１配線部以外の前記導電部のいずれの部位からも離間している、請求項１３ないし１６のいずれか１つに記載のスイッチ駆動装置。
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