WO2020110484A1 - 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法 - Google Patents

固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2020110484A1
WO2020110484A1 PCT/JP2019/040375 JP2019040375W WO2020110484A1 WO 2020110484 A1 WO2020110484 A1 WO 2020110484A1 JP 2019040375 W JP2019040375 W JP 2019040375W WO 2020110484 A1 WO2020110484 A1 WO 2020110484A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
pixel
signal
solid
address event
exposure
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/040375
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
弘博 朱
Original Assignee
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 filed Critical ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority to US17/295,499 priority Critical patent/US11678078B2/en
Publication of WO2020110484A1 publication Critical patent/WO2020110484A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50Control of the SSIS exposure
    • H04N25/53Control of the integration time
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/702SSIS architectures characterised by non-identical, non-equidistant or non-planar pixel layout
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/772Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/79Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors

Definitions

  • a detection pixel that detects whether or not a predetermined address event has occurred depending on whether or not the amount of change in the incident light amount exceeds a predetermined threshold value
  • a solid-state image sensor comprising: a count pixel that counts the number of photons incident within a predetermined exposure period and outputs a pixel signal indicating a count value when the address event occurs.
  • the detection pixel is An address event detection circuit for detecting whether or not the address event has occurred, The solid-state imaging device according to (1), further comprising: an exposure control circuit that outputs a control signal indicating the exposure period to the counting pixels when the address event occurs.
  • the exposure control circuit starts the output of the control signal in synchronization with one of the two periodic signals having different phases when the address event occurs, and synchronizes with the other of the two periodic signals.
  • the counting pixel is An avalanche photodiode A pulse converter that generates a pulse signal each time a photocurrent flows through the avalanche photodiode,
  • the solid-state image sensor according to any one of (1) to (5), further comprising a photon counter that counts the count value in synchronization with the pulse signal.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

アドレスイベントの有無を検出する固体撮像素子において、さらに画像を撮像する。 固体撮像素子は、検出画素および計数画素を具備する。この固体撮像素子において検出画素は、入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かにより所定のアドレスイベントが生じたか否かを検出する。また、固体撮像素子において計数画素は、アドレスイベントが生じた場合には所定の露光期間内に入射された光子数を計数して計数値を示す画素信号を出力する。

Description

固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
 本技術は、固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法に関する。詳しくは、入射光量の変化量を閾値と比較する固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法に関する。
 従来より、垂直同期信号などの同期信号に同期して画像データ(フレーム)を撮像する同期型の固体撮像素子が撮像装置などにおいて用いられている。この一般的な同期型の固体撮像素子では、同期信号の周期(例えば、1/60秒)ごとにしか画像データを取得することができないため、交通やロボットなどに関する分野において、より高速な処理が要求された場合に対応することが困難になる。そこで、アドレスイベントを検出する回路を設けた非同期型の固体撮像素子が提案されている(例えば、非特許文献1参照。)。ここで、アドレスイベントは、ある画素アドレスにおいて、画素の光量が変動して、その変化量が閾値を超えた旨を意味する。このアドレスイベントは、画素の光量が変動して変化量が所定の上限を超えた旨を示すオンイベントと、その変化量が所定の下限を下回った旨を示すオフイベントとからなる。非同期型の固体撮像素子では、1ビットのオンイベントの検出結果と1ビットのオフイベントの検出結果とからなる2ビットのデータが画素毎に生成される。このように、画素毎にアドレスイベントの有無を検出する固体撮像素子は、DVS(Dynamic Vision Sensor)と呼ばれる。
Patrick Lichtsteiner, et al., A 128 128 120 dB 15  μs Latency Asynchronous Temporal Contrast Vision Sensor, IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 43, NO. 2, FEBRUARY 2008.
 上述の非同期型の固体撮像素子(DVS)では、同期型の固体撮像素子よりも遥かに高速にデータが生成される。しかしながら、画像認識などにおいては、アドレスイベントの有無の検出に加えて、画素毎に3ビット以上の高画質の画像データが要求されることがあり、画素毎に2ビットからなるデータを生成する上述のDVSでは、その要求を満たすことができない。より高画質の画像データを撮像するには、DVSと同期型の固体撮像素子との両方を設ければよいが、サイズ、部品点数やコストが増大するために望ましくない。このように、アドレスイベントの有無を検出する固体撮像素子(DVS)において、高画質の画像をさらに撮像することが困難であるという問題がある。
 本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、アドレスイベントの有無を検出する固体撮像素子において、さらに画像を撮像することを目的とする。
 本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第1の側面は、入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かにより所定のアドレスイベントが生じたか否かを検出する検出画素と、上記アドレスイベントが生じた場合には所定の露光期間内に入射された光子数を計数して計数値を示す画素信号を出力する計数画素とを具備する固体撮像素子、および、その制御方法である。これにより、アドレスイベントの有無の検出中に、画像が撮像されるという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記検出画素は、上記アドレスイベントが生じたか否かを検出するアドレスイベント検出回路と、上記アドレスイベントが生じた場合には上記露光期間を示す制御信号を上記計数画素へ出力する露光制御回路とを備えてもよい。これにより、検出画素によって露光時間が制御されるという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記露光制御回路は、上記アドレスイベントが生じた場合には上記制御信号の出力を開始する制御信号出力部と、上記制御信号の出力が開始されたときから経過した時間を計時して当該計時した時間を示すタイマ値を出力する計時部と、上記タイマ値が上記露光期間の長さに該当する場合には上記制御信号の出力を停止させる露光終了タイミング制御部とを備えてもよい。これにより、タイマ値によって露光期間が制御されるという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記露光期間を経過した場合には所定の読出し期間に亘って上記画素信号を出力させる駆動回路をさらに具備し、上記露光制御回路は、上記読出し期間に亘って上記制御信号の出力を停止してもよい。これにより、読出し期間に亘って露光が停止するという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記露光制御回路は、上記アドレスイベントが生じた場合には位相の異なる2つの周期信号の一方に同期して上記制御信号の出力を開始し、上記2つの周期信号の他方に同期して上記制御信号の出力を停止してもよい。これにより、2つの周期信号によって露光期間が制御されるという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記計数画素は、アバランシェフォトダイオードと、上記アバランシェフォトダイオードに光電流が流れるたびにパルス信号を生成するパルス変換部と、上記パルス信号に同期して上記計数値を計数するフォトンカウンタとを備えてもよい。これにより、入射された光子数が計数されるという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記パルス変換部は、上記アバランシェフォトダイオードに直列に接続された抵抗素子と、上記露光期間を示す所定の制御信号に従って所定の経路を開閉するスイッチとを備えてもよい。これにより、露光期間に亘って入射された光子数が計数されるという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記スイッチは、上記アバランシェフォトダイオードと上記抵抗素子との間の経路を開閉してもよい。。これにより、露光期間に亘って入射された光子数が計数されるという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記スイッチは、上記アバランシェフォトダイオードおよび上記抵抗素子の接続点と上記フォトンカウンタとの間の経路を開閉してもよい。これにより、露光期間に亘って入射された光子数が計数されるという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記検出画素は複数の画素ブロックのそれぞれに配置され、上記複数の画素ブロックのそれぞれには、所定数の上記計数画素が配列され、上記複数の画素ブロックのうち上記アドレスイベントが生じた画素ブロック内の上記計数画素が上記光子数を計数してもよい。これにより、アドレスイベントが生じた画素ブロックのみから画素信号が出力されるという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記計数画素は、二次元格子状に配列され、上記検出画素は、所定方向に沿って配列されてもよい。これにより、アドレスイベントが生じた行から画素信号が出力されるという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記検出画素のサイズは、上記計数画素よりも大きくてもよい。これにより、回路や素子が効率的に配置されるという作用をもたらす。
 また、本技術の第2の側面は、入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かにより所定のアドレスイベントが生じたか否かを検出する検出画素と、上記アドレスイベントが生じた場合には所定の露光期間内に入射された光子数を計数して計数値を示す画素信号を出力する計数画素と、上記画素信号を処理する信号処理部とを具備する撮像装置である。これにより、アドレスイベントの有無の検出中に、画像が撮像されて処理されるという作用をもたらす。
本技術の第1の実施の形態における撮像装置の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子の積層構造の一例を示す図である。 本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態における画素アレイ部の一構成例を示す平面図である。 本技術の第1の実施の形態における画素ブロックの一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態におけるアドレスイベント検出画素の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態におけるアドレスイベント検出回路の一構成例を示す回路図である。 本技術の第1の実施の形態における容量を削減したアドレスイベント検出回路の一構成例を示す回路図である。 本技術の第1の実施の形態における露光制御回路の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態におけるSPAD(Single-Photon Avalanche Diode)画素の一構成例を示す回路図である。 本技術の第1の実施の形態におけるイネーブル付パルス変換部の一構成例を示す回路図である。 本技術の第1の実施の形態におけるスイッチの位置を変更したSPAD画素の一構成例を示す回路図である。 本技術の第1の実施の形態における露光制御の一例を示すタイミングチャートである。 本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子の動作の一例を示すフローチャートである。 本技術の第1の実施の形態の第1の変形例における画素アレイ部の一構成例を示す平面図である。 本技術の第1の実施の形態の第2の変形例における画素アレイ部の一構成例を示す平面図である。 本技術の第1の実施の形態の第2の変形例における画素アレイ部の一構成例を示す平面図である。 本技術の第2の実施の形態における露光制御回路の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第2の実施の形態における露光および読出しの制御の一例を示すタイミングチャートである。 本技術の第3の実施の形態における露光制御回路の一構成例を示す回路図である。 本技術の第3の実施の形態における露光制御の一例を示すタイミングチャートである。 本技術の第4の実施の形態に係る撮像装置の構成の一例を示すブロック図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
 以下、本技術を実施するための形態(以下、実施の形態と称する)について説明する。説明は以下の順序により行う。
 1.第1の実施の形態(アドレスイベント検出画素およびSPAD画素を配列する例)
 2.第2の実施の形態(アドレスイベント検出画素およびSPAD画素を配列し、読出し中に露光停止する例)
 3.第3の実施の形態(アドレスイベント検出画素およびSPAD画素を配列し、2つのクロック信号を用いて露光制御する例)
 4.第4の実施の形態(スキャン方式)¥
 5.移動体への応用例
 <1.第1の実施の形態>
 [撮像装置の構成例]
 図1は、本技術の第1の実施の形態における撮像装置100の一構成例を示すブロック図である。この撮像装置100は、撮像レンズ110、固体撮像素子200、記録部120および制御部130を備える。撮像装置100としては、産業用ロボットに搭載されるカメラや、車載カメラなどが想定される。
 撮像レンズ110は、入射光を集光して固体撮像素子200に導くものである。固体撮像素子200は、アドレスイベントの有無を検出しつつ、画像データを撮像するものである。ここで、アドレスイベントは、オンイベントおよびオフイベントを含み、その検出結果は、1ビットのオンイベントの検出結果と1ビットのオフイベントの検出結果とを含む。オンイベントは、入射光の光量の変化量が所定の上限閾値を超えた旨を意味する。一方、オフイベントは、光量の変化量が所定の下限閾値を下回った旨を意味する。固体撮像素子200は、アドレスイベントの検出結果を処理し、その処理結果を示すデータを記録部120に信号線209を介して出力する。なお、固体撮像素子200は、オンイベントおよびオフイベントの一方のみを検出してもよい。
 記録部120は、固体撮像素子200からのデータを記録するものである。制御部130は、固体撮像素子200を制御してアドレスイベントの有無を検出させつつ、画像データを撮像させるものである。
 [固体撮像素子の構成例]
 図2は、本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子200の積層構造の一例を示す図である。この固体撮像素子200は、回路チップ202と、その回路チップ202に積層された受光チップ201とを備える。これらのチップは、ビアなどの接続部を介して電気的に接続される。なお、ビアの他、Cu-Cu接合やバンプにより接続することもできる。
 図3は、本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子200の一構成例を示すブロック図である。この固体撮像素子200は、駆動回路211、信号処理部212、アービタ213および画素アレイ部214を備える。
 画素アレイ部214には、複数の画素が二次元格子状に配列される。これらのうち一部の画素は、アドレスイベントの有無を検出して、その検出結果を示す検出信号を信号処理部212に供給する。一方、残りの画素は、アドレスイベントが生じた際に露光期間内の入射光子数を計数し、計数値を示す画素信号を信号処理部212へ出力する。
 駆動回路211は、アドレスイベントが生じた際に画素アレイ部214内の画素を駆動して画素信号を出力させるものである。
 信号処理部212は、画素アレイ部214からの検出信号および画素信号に対し、画像認識処理などの所定の信号処理を実行するものである。この信号処理部212は、処理結果を示すデータを信号線209を介して記録部120に供給する。
 アービタ213は、画素アレイ部214からのリクエストを調停し、調停結果に基づいて応答を画素アレイ部214に送信するものである。
 [画素アレイ部の構成例]
 図4は、本技術の第1の実施の形態における画素アレイ部214の一構成例を示す平面図である。この画素アレイ部214には、複数の画素ブロック215が二次元格子状に配列される。また、複数の画素ブロック215のそれぞれには、N(Nは、2以上の整数)個の画素が配列される。これらのN画素のうち1つは、アドレスイベント検出画素310であり、残りのN-1画素は、SPAD画素320である。例えば、画素ブロック215ごとに4行×4列の16画素が配列され、それらのうち1つは、アドレスイベント検出画素310であり、残りの15個は、SPAD画素320である。このアドレスイベント検出画素310は、画素ブロック215内の特定の位置に配置される。例えば、画素ブロック215内の相対座標を(x、y)とすると、(0、0)の座標にアドレスイベント検出画素310が配置される。ここで、xおよびyは、整数である。
 なお、画素ブロック215のそれぞれの画素数は、4行×4列の16画素に限定されない。例えば、2行×2列の4画素であってもよい。
 アドレスイベント検出画素310は、入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かによりアドレスイベントの有無を検出するものである。また、アドレスイベント検出画素310は、アドレスイベントが生じた場合にSPAD画素320の露光期間を制御する。なお、アドレスイベント検出画素310は、特許請求の範囲に記載の検出画素の一例である。
 SPAD画素320は、アドレスイベントが生じた場合において、SPADなどのアバランシェフォトダイオードを用いて、露光期間内に入射された光子数を計数するものである。なお、SPAD画素320は、特許請求の範囲に記載の計数画素の一例である。
 図5は、本技術の第1の実施の形態における画素ブロック215の一構成例を示すブロック図である。画素ブロック215内には、前述したように、1つのアドレスイベント検出画素310と、N-1個のSPAD画素320とが配置される。
 アドレスイベント検出画素310は、アドレスイベントの検出結果を示す検出信号DET+およびDET-を信号処理部212に出力する。ここで、検出信号DET+は、オンイベントの検出結果を示す信号であり、検出信号DET-は、オフイベントの検出結果を示す信号である。
 また、アドレスイベント検出画素310は、アドレスイベントを検出した際に、イネーブル信号CNT_ENを生成し、画素ブロック215内のN-1個のSPAD画素320のそれぞれに供給する。このイネーブル信号CNT_ENは、所定の露光期間を示す制御信号である。例えば、露光期間内においてイネーブル信号CNT_ENにハイレベルが設定され、露光期間外においてローレベルが設定される。
 一方、SPAD画素320は、イネーブル信号CNT_ENに係る露光期間に亘って光子数を計数し、その計数値を示すデジタルの画素信号SIGを生成して信号処理部212に出力する。
 同図に例示したように、ある画素ブロック215でアドレスイベントが生じると、その画素ブロック215内のN-1個のSPAD画素320の露光が同時に開始され、同時に露光が終了する。そして、それらのSPAD画素320のそれぞれの画素信号SIGが出力される。すなわち、アドレスイベント検出画素310によるアドレスイベントの検出をトリガとして、SPAD画素320が画素信号SIGを生成する。
 なお、アドレスイベント検出画素310は、検出信号DET+およびDET-を信号処理部212に出力しているが、これらを信号処理部212に出力しない構成とすることもできる。
 [アドレスイベント検出画素の構成例]
 図6は、本技術の第1の実施の形態におけるアドレスイベント検出画素310の一構成例を示すブロック図である。このアドレスイベント検出画素310は、アドレスイベント検出回路400、転送回路450および露光制御回路460を備える。
 アドレスイベント検出回路400は、アドレスイベントの有無を検出するものである。このアドレスイベント検出回路400は、入射光量の変化量と閾値(上限閾値や下限閾値)とを比較し、比較結果COMP+およびCOMP-を転送回路450に供給する。比較結果COMP+は、上限閾値との比較結果であり、比較結果COMP-は、下限閾値との比較結果である。
 転送回路450は、アドレスイベントが生じた場合に、検出信号DET+およびDET-を信号処理部212に転送するものである。検出信号DET+は、オンイベントの検出結果を示し、検出信号DET-は、オフイベントの検出結果を示す。転送回路450は、アドレスイベントが生じた際に、検出信号の転送を要求するリクエストをアービタ213に供給する。そして、リクエストに対する応答をアービタ213から受け取ると転送回路450は、検出信号DET+およびDET-を信号処理部212に転送し、検出信号EVを生成して露光制御回路460に供給する。この検出信号EVは、オン、オフの区別なくアドレスイベントが生じたか否かを示す信号であり、例えば、検出信号DET+およびDET-の論理和により生成される。さらに、応答を受け取った際に転送回路450は、オートゼロ信号XAZをアドレスイベント検出回路400に供給する。
 露光制御回路460は、アドレスイベントが生じた場合に、所定の露光期間を示すイネーブル信号CNT_ENを、同じ画素ブロック215内のSPAD画素320のそれぞれと駆動回路211とへ出力するものである。
 SPAD画素320は、露光期間に亘って入射された光子数を計数して画素信号を生成する。また、駆動回路211は、露光期間が終了すると、SPAD画素320を駆動して画素信号を出力させる。
 なお、露光制御回路460をアドレスイベント検出画素310内に配置しているが、この構成に限定されない。例えば、露光制御回路460を駆動回路211内に配置することもできる。また、転送回路450をアドレスイベント検出画素310内に配置しているが、比較結果COMP+およびCOMP-の論理和を検出信号EVとして出力するOR(論理和)ゲートを転送回路450の代わりに配置することもできる。この場合には、駆動回路211がオートゼロ信号XAZを出力すればよい。
 [アドレスイベント検出回路の構成例]
 図7は、本技術の第1の実施の形態におけるアドレスイベント検出回路400の一構成例を示す回路図である。
 対数応答部410は、光電変換素子411と電流電圧変換部416とを備える。光電変換素子411は、入射光に対する光電変換により光電流を生成するものである。光電変換素子411として、例えば、アバランシェ降伏しない一般的なフォトダイオードが用いられる。
 電流電圧変換部416は、光電流を画素電圧Vpに対数的に変換するものである。この電流電圧変換部416は、N型トランジスタ412および415と、容量413と、P型トランジスタ414とを備える。N型トランジスタ412、P型トランジスタ414およびN型トランジスタ415として、例えば、MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)トランジスタが用いられる。
 N型トランジスタ412のソースは光電変換素子411のカソードに接続され、ドレインは電源端子に接続される。P型トランジスタ414およびN型トランジスタ415は、電源端子と所定の基準電位(接地電位など)の基準端子との間において、直列に接続される。また、P型トランジスタ414およびN型トランジスタ415の接続点は、N型トランジスタ412のゲートとバッファ420の入力端子とに接続される。N型トランジスタ412および光電変換素子411の接続点は、N型トランジスタ415のゲートに接続される。
 また、P型トランジスタ414のゲートには、所定のバイアス電圧Vblogが印加される。容量413は、N型トランジスタ412のゲートとN型トランジスタ415のゲートとの間に挿入される。
 また、例えば、光電変換素子411が受光チップ201に配置され、その後段の回路が回路チップ202に配置される。なお、受光チップ201および回路チップ202のそれぞれに配置する回路や素子は、この構成に限定されない。例えば、光電変換素子411と、N型トランジスタ412および415と、容量413とを受光チップ201に配置し、その後段の回路を回路チップ202に配置することもできる。
 バッファ420は、P型トランジスタ421および422を備える。これらのトランジスタとして、例えば、MOSトランジスタが用いられる。
 バッファ420において、P型トランジスタ421および422は、電源端子と基準電位の端子との間において直列に接続される。また、P型トランジスタ422のゲートは、対数応答部410に接続され、P型トランジスタ421および422の接続点は、微分回路430に接続される。P型トランジスタ421のゲートには、所定のバイアス電圧Vbsfが印加される。
 微分回路430は、容量431および434と、P型トランジスタ432および433と、N型トランジスタ435とを備える。微分回路430内のトランジスタとして、例えば、MOSトランジスタが用いられる。
 P型トランジスタ433およびN型トランジスタ435は、電源端子と基準電位の端子との間において直列に接続される。N型トランジスタ435のゲートには、所定のバイアス電圧Vbdiffが入力される。これらのトランジスタは、P型トランジスタ433のゲートを入力端子491とし、P型トランジスタ433およびN型トランジスタ435の接続点を出力端子492とする反転回路として機能する。
 容量431は、バッファ420と入力端子491との間に挿入される。この容量431は、バッファ420からの画素電圧Vpの時間微分(言い換えれば、変化量)に応じた電流を入力端子491に供給する。また、容量434は、入力端子491と出力端子492との間に挿入される。
 P型トランジスタ432は、転送回路450からのオートゼロ信号XAZに従って入力端子491と出力端子492との間の経路を開閉するものである。例えば、ローレベルのオートゼロ信号XAZが入力されるとP型トランジスタ432は、オートゼロ信号XAZに従ってオン状態に移行し、微分信号Voutを初期値にする。
 コンパレータ440は、P型トランジスタ441および443とN型トランジスタ442および444とを備える。これらのトランジスタとして、例えば、MOSトランジスタが用いられる。
 コンパレータ440においてP型トランジスタ441およびN型トランジスタ442は、電源端子と基準端子との間において直列に接続され、P型トランジスタ443およびN型トランジスタ444も、電源端子と基準端子との間において直列に接続される。また、P型トランジスタ441および443のゲートは、微分回路430に接続される。N型トランジスタ442のゲートには上限閾値を示す上限電圧Vhighが印加され、N型トランジスタ444のゲートには下限閾値を示す下限電圧Vlowが印加される。
 P型トランジスタ441およびN型トランジスタ442の接続点は、転送回路450に接続され、この接続点の電圧が上限閾値との比較結果COMP+として出力される。P型トランジスタ443およびN型トランジスタ444の接続点も、転送回路450に接続され、この接続点の電圧が下限閾値との比較結果COMP-として出力される。このような接続により、微分信号Voutが上限電圧Vhighより高い場合にコンパレータ440は、ハイレベルの比較結果COMP+を出力し、微分信号Voutが下限電圧Vlowより低い場合にローレベルの比較結果COMP-を出力する。
 なお、コンパレータ440は、上限閾値および下限閾値の両方を、微分信号Voutと比較しているが、一方のみを微分信号Voutと比較してもよい。この場合には、不要なトランジスタを削減することができる。例えば、上限閾値とのみ比較する際には、P型トランジスタ441およびN型トランジスタ442のみが配置される。
 また、微分回路430に容量434を配置しているが、図8に例示するように容量434を削減することができる。
 [露光制御回路]
 図9は、本技術の第1の実施の形態における露光制御回路460の一構成例を示すブロック図である。この露光制御回路460は、イネーブル信号出力部461、シャッタカウンタ462および露光終了タイミング制御部463を備える。
 イネーブル信号出力部461は、アドレスイベントが生じた場合に、ハイレベルのイネーブル信号CNT_ENをSPAD画素320および駆動回路211に出力するものである。このイネーブル信号出力部461は、転送回路450からの検出信号EVが入力されると、ハイレベルのイネーブル信号CNT_ENの出力を開始する。
 そして、露光終了タイミング制御部463からの露光終了信号EX_ENDが入力されるとイネーブル信号出力部461は、ハイレベルのイネーブル信号CNT_ENの出力を停止する。この露光終了信号EX_ENDは、露光期間の終了タイミングを示す信号である。なお、イネーブル信号出力部461は、特許請求の範囲に記載の制御信号出力部の一例である。
 シャッタカウンタ462は、ハイレベルのイネーブル信号CNT_ENの出力が開始されたときからの経過時間を計時するものである。このシャッタカウンタ462は、ハイレベルのイネーブル信号CNT_ENが出力されている期間内において、所定周波数のクロック信号CLKに同期して計数値を計数(言い換えれば、経過時間を計時)する。そして、シャッタカウンタ462は、計数値をタイマ値Qとして露光終了タイミング制御部463に供給する。また、シャッタカウンタ462は、露光終了タイミング制御部463からのリセット信号sRSTが入力された際に、タイマ値Qを初期値(例えば、「0」)にする。なお、シャッタカウンタ462は、特許請求の範囲に記載の計時部の一例である。
 露光終了タイミング制御部463は、タイマ値Qが露光期間の長さに該当する際に、露光終了信号EX_ENDの供給によりハイレベルのイネーブル信号CNT_ENの出力を停止させるものである。また、露光終了タイミング制御部463は、タイマ値Qが露光期間の長さに該当する際にリセット信号sRSTをシャッタカウンタ462に供給する。ここで、露光期間の長さは、予め設定され、レジスタなどに保持される。なお、ユーザの操作に従って露光期間を変更することができる構成としてもよい。
 [SPAD画素の構成例]
 図10は、本技術の第1の実施の形態におけるSPAD画素320の一構成例を示す回路図である。このSPAD画素320は、イネーブル付パルス変換部328、アバランシェフォトダイオード323、フォトンカウンタ326、リセット信号生成部329およびスイッチ327を備える。アバランシェフォトダイオード323として、例えば、SPADが用いられる。
 イネーブル付パルス変換部328およびアバランシェフォトダイオード323は電源端子と、基準電位(接地電位など)の基準端子との間において直列に接続される。なお、イネーブル付パルス変換部328を電源側に配置し、アバランシェフォトダイオード323を接地側に配置しているが、この構成に限定されない。イネーブル付パルス変換部328を接地側に配置し、アバランシェフォトダイオード323を電源側に配置することもできる。
 イネーブル付パルス変換部328は、アドレスイベント検出画素310からのイネーブル信号CNT_ENに従って、アバランシェフォトダイオード323に光電流が流れるたびにパルス信号を生成してフォトンカウンタ326に出力するものである。このイネーブル付パルス変換部328は、イネーブル信号CNT_ENがハイレベルである場合に、パルス信号の生成を行い、ローレベルである場合にパルス信号の生成を停止する。なお、イネーブル付パルス変換部328は、特許請求の範囲に記載のパルス変換部の一例である。
 アバランシェフォトダイオード323は、入射光を光電変換し、光電流を増幅するものである。
 フォトンカウンタ326は、反転回路からの信号に同期して計数値を計数するものである。リセット信号生成部329は、イネーブル付パルス変換部328がディセーブルの際に、リセット信号を生成してフォトンカウンタ326の計数値を初期化するものである。スイッチ327は、駆動回路211からの駆動信号RDに従って、フォトンカウンタ326からの画素信号SIGを信号処理部212に出力するものである。なお、リセット信号生成部329をSPAD画素320内に配置しているが、リセット信号生成部329をSPAD画素320内に設けない構成とすることもできる。この場合には、駆動回路211などの外部の回路がリセット信号を生成すればよい。
 上述の構成により、露光期間内において、光子が入射するたびにイネーブル付パルス変換部328がパルス信号を生成してフォトンカウンタ326に出力する。フォトンカウンタ326は、パルス信号が出力された回数を計数する。この計数値は、露光期間内に入射された光子数を示す。そして、フォトンカウンタ326は、計数値を示すデジタルの画素信号SIGを信号処理部212にスイッチ327を介して出力する。また、リセット信号生成部329は、ローレベルのイネーブル信号CNT_ENが入力された際に、計数値を初期値にする。
 図11は、本技術の第1の実施の形態におけるイネーブル付パルス変換部328の一構成例を示す回路図である。このイネーブル付パルス変換部328は、P型トランジスタ321、スイッチ322、P型トランジスタ323およびN型トランジスタ324を備える。P型トランジスタ321、P型トランジスタ324およびN型トランジスタ325として、例えば、MOSトランジスタが用いられる。
 P型トランジスタ321は、スイッチ322を介してアバランシェフォトダイオード323と直列に接続される。また、スイッチ322は、P型トランジスタ321とアバランシェフォトダイオード323との間に挿入される。また、P型トランジスタ321のゲートには、所定のバイアス電圧VBQが印加される。これにより、P型トランジスタ321は、抵抗素子として機能する。なお、P型トランジスタ321は、特許請求の範囲に記載の抵抗素子の一例である。
 P型トランジスタ324およびN型トランジスタ325は、電源端子と基準端子との間において直列に接続される。また、P型トランジスタ324およびN型トランジスタ325のそれぞれのゲートは、P型トランジスタ321およびスイッチ322の接続点に共通に接続される。P型トランジスタ324およびN型トランジスタ325の接続点は、フォトンカウンタ326の入力端子に接続される。この接続により、P型トランジスタ324およびN型トランジスタ325は、P型トランジスタ321およびスイッチ322の接続点の電位を反転する反転回路として機能する。なお、イネーブル付パルス変換部328内に反転回路を設けない構成とすることもできる。この場合には、P型トランジスタ321およびスイッチ322の接続点の電位が降下するたびに、フォトンカウンタ326が計数を行う。
 スイッチ322は、アドレスイベント検出画素310からのイネーブル信号CNT_ENに従ってP型トランジスタ321とアバランシェフォトダイオード323との間の経路を開閉するものである。このスイッチ322は、ハイレベルの場合に開状態に移行し、ローレベルの場合に閉状態に移行する。
 なお、P型トランジスタ321とアバランシェフォトダイオード323との間にスイッチ322を挿入しているが、この構成に限定されない。例えば、図12に例示するように、P型トランジスタ324およびN型トランジスタ325の接続点と、フォトンカウンタ326との間にスイッチ322を挿入することもできる。
 [固体撮像素子の動作例]
 図13は、本技術の第1の実施の形態における露光制御の一例を示すタイミングチャートである。アドレスイベントが発生し、タイミングT1から所定のパルス期間に亘って転送回路450が、ハイレベルの検出信号EVを出力したものとする。
 露光制御回路460内のイネーブル信号出力部461は、ハイレベルのイネーブル信号CNT_ENのSPAD画素320への出力を開始する。また、シャッタカウンタ462は、6ビットのタイマ値Qの計数を開始する。タイマ値Qが、露光期間の長さ(例えば、「63」)になったタイミングT2において露光終了タイミング制御部463は、露光終了信号EX_ENDを出力する。これにより、イネーブル信号出力部461は、ハイレベルのイネーブル信号CNT_ENの出力を停止する。
 このように、ある画素ブロック215でアドレスイベントが生じると、そのブロック内のSPAD画素320の露光が同時に開始される。そして、一定の露光期間が経過すると、SPAD画素320の露光が同時に終了する。その露光期間内において、SPAD画素320のそれぞれは、入射された光子数を計数して画素信号SIGを生成する。そして、露光期間が終了すると、駆動回路211は、駆動信号RDにより、SPAD画素320のそれぞれの画素信号SIGを順に出力させる。なお、露光制御回路460は、図12に例示した制御を実現することができるものであれば、図9に例示した構成に限定されない。
 ここで、浮遊拡散層に電荷を転送し、その電位をシングルスロープ型のADC(Analog to Digital Converter)によりAD(Analog to Digital)変換する回路をSPAD画素320の代わりに配置する構成も考えられる。しかし、この構成では、SPAD画素320と比較して、積分非直線性(INL:Integral Non-Linearity)の誤差が大きい。また、ノイズが生じたり、感度不均一性(PRNU:Photo Response Non-Uniformity)が悪化するおそれがあり、信号品質が低下する。このため、SPAD画素320を配置することにより、固体撮像素子200は、ノイズ等の少ない信号品質の高い画素信号を生成することができる。
 また、駆動回路211は、複数の画素ブロック215のうちアドレスイベントが生じたブロック内の画素信号のみを出力させる(言い換えれば、読み出す)。このため、全ブロック内の画素信号を読み出す場合と比較して、消費電力や、画素信号に対する信号処理の処理量を低減することができる。
 図14は、本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子200の動作の一例を示すフローチャートである。この動作は、例えば、アドレスイベントの有無を検出するためのアプリケーションが実行されたときに開始される。
 固体撮像素子200の内の各画素ブロック215内のアドレスイベント検出画素310は、アドレスイベントが生じたか否かを判断する(ステップS901)。いずれの画素ブロック215においてもアドレスイベントが生じていない場合(ステップS901:No)、アドレスイベント検出画素310は、ステップS901以降を繰り返す。
 一方、1つ以上の画素ブロック215でアドレスイベントが生じた場合に(ステップS901:Yes)、アドレスイベント検出画素310内の露光制御回路460は、その画素ブロック215の露光を開始させる(ステップS902)。
 露光制御回路460は、一定の露光時間が経過したか否かを判断する(ステップS903)。露光時間が経過していない場合に(ステップS903:No)、露光制御回路460は、ステップS903以降を繰り返す。
 一方、一定の露光時間が経過した場合に(ステップS903:Yes)、露光制御回路460は露光を終了させ、駆動回路211は、画素信号の読出しを行う(ステップS904)。ステップS904の後に固体撮像素子200は、ステップS901以降を繰り返し実行する。
 このように、本技術の第1の実施の形態によれば、アドレスイベント検出画素310によるアドレスイベントの検出をトリガとしてSPAD画素320が画素信号を生成するため、アドレスイベントを検出しつつ、画像データを撮像することができる。また、SPAD画素320が露光期間内の入射光子数を計数して画素信号を生成するため、浮遊拡散層等を用いる一般的な画素と比較して信号品質を向上させることができる。
 [第1の変形例]
 上述の第1の実施の形態では、4行×4列の画素ブロック215ごとに、アドレスイベント検出画素310を配置していたが、この構成では、列方向においてアドレスイベント検出画素310の画素密度が不足するおそれがある。この第1の実施の形態の第1の変形例は、アドレスイベント検出画素310を列方向に沿って配列した点において第1の実施の形態と異なる。
 図15は、本技術の第1の実施の形態の第1の変形例における画素アレイ部214の一構成例を示す平面図である。この第1の実施の形態の第1の変形例の画素アレイ部214には、列方向に沿って一列にアドレスイベント検出画素310が配列され、SPAD画素320は、二次元格子状に配列される。同図において、「D」は、DVSとしての機能を実現するためのアドレスイベント検出画素310を示し、「S」は、SPAD画素320を示す。なお、アドレスイベント検出画素310の列数は、1列に限定されず、2列以上であってもよい。また、アドレスイベント検出画素310を行方向に配列することもできる。
 ある行でアドレスイベントが検出されると、その行内の全てのSPAD画素320の露光が開始されて、それらの1行分の画素信号が読み出される。列方向に沿ってアドレスイベント検出画素310を配列することにより、列方向のアドレスイベント検出画素310の画素数を第1の実施の形態と比較して多くすることができる。
 このように本技術の第1の実施の形態の第1の変形例によれば、列方向に沿って1列にアドレスイベント検出画素310を配列したため、列方向のアドレスイベント検出画素310の画素数を多くすることができる。
 [第2の変形例]
 上述の第1の実施の形態では、アドレスイベント検出画素310の画素サイズをSPAD画素320と同一としていた。しかし、アドレスイベント検出画素310とSPAD画素320とのそれぞれの回路規模が異なるため、それらの画素サイズを同一にすると、回路や素子を効率的に配置することが困難である。この第1の実施の形態の第2の変形例の固体撮像素子200は、アドレスイベント検出画素310の画素サイズをSPAD画素320より大きくした点において第1の実施の形態と異なる。
 図16は、本技術の第1の実施の形態の第2の変形例における画素アレイ部214の一構成例を示す平面図である。第1の実施の形態の第2の変形例では、水平方向および垂直方向において、アドレスイベント検出画素310の画素サイズは、SPAD画素320より大きい。なお、図17に例示するように、列方向のみにおいて、アドレスイベント検出画素310の画素サイズをSPAD画素320より大きくすることができる。
 このように本技術の第1の実施の形態の第2の変形例によれば、アドレスイベント検出画素310の画素サイズをSPAD画素320より大きくしたため、それらの画素サイズを同一とする場合と比較して、回路や素子を効率的に配置することができる。
 <2.第2の実施の形態>
 上述の第1の実施の形態では、固体撮像素子200は、一定の露光期間が経過した際に画素信号の読出しを開始していた。しかし、読出し中にアドレスイベントが検出されると、次の露光が開始されて、前の露光による画素信号の出力完了前に、その画素信号が初期化されるおそれがある。この第2の実施の形態の固体撮像素子200は、読出し中に露光を開始しない点において第1の実施の形態と異なる。
 図18は、本技術の第2の実施の形態における露光制御回路460の一構成例を示すブロック図である。この第2の実施の形態のイネーブル信号出力部461には、駆動回路211からの読出し終了信号RD_FINがさらに入力される。この読出し終了信号RD_FINは、画素信号の読出しが終了したタイミングを示す信号である。
 第2の実施の形態の駆動回路211は、露光期間が経過した際に、一定の読出し期間に亘って、N-1個の画素信号を順に読み出す。そして、読出しが終了した際に、読出し終了信号RD_FINを露光制御回路460に供給する。
 一方、露光制御回路460は、検出信号EVの有無に関わらず、露光終了信号EX_ENDの入力時から、読出し終了信号RD_FINの入力時までの期間に亘って、イネーブル信号CNT_ENをローレベルにして露光を開始させない。
 図19は、本技術の第2の実施の形態における露光および読出しの制御の一例を示すタイミングチャートである。アドレスイベントが発生し、タイミングT1において検出信号EVが露光制御回路460に入力されたものとする。
 露光制御回路460内のイネーブル信号出力部461は、ハイレベルのイネーブル信号CNT_ENのSPAD画素320への出力を開始する。また、シャッタカウンタ462は、タイマ値Qの計数を開始する。露光期間が終了するタイミングT2において露光終了タイミング制御部463は、露光終了信号EX_ENDを出力する。これにより、イネーブル信号出力部461は、ハイレベルのイネーブル信号CNT_ENの出力を停止する。
 露光の終了するタイミングT2からタイミングT4までの読出し期間において、駆動回路211は、駆動信号RD1乃至RD15によりアドレスイベントの生じた画素ブロック215内の15個のSPAD画素320のそれぞれの画素信号を順に出力させる。そして、タイミングT4の直前からパルス期間に亘ってハイレベルの読出し終了信号RD_FINをイネーブル信号出力部461に供給する。
 一方、イネーブル信号出力部461は、露光の終了するタイミングT2から、読出しの終了するタイミングT4までの期間において、イネーブル信号CNT_ENをローレベルにする。この期間内のタイミングT3などに検出信号EVが入力されても、イネーブル信号出力部461は、ハイレベルのイネーブル信号CNT_ENを出力せず、露光を開始しない。これにより、読出し中に次の露光が開始されることを抑止し、画素ブロック215内の画素信号の全てを確実に読み出すことができる。
 なお、第2の実施の形態の固体撮像素子200に、第1の実施の形態の第1および第2の変形例のそれぞれを適用することができる。
 このように、本技術の第2の実施の形態によれば、イネーブル信号出力部461は、画素信号の読出し期間においてハイレベルのイネーブル信号CNT_ENの出力を停止するため、読出し中に次の露光が開始されることを抑止することができる。これにより、画素ブロック215内の画素信号の全てを確実に読み出すことができる。
 <3.第3の実施の形態>
 上述の第1の実施の形態では、露光制御回路460は、シャッタカウンタ462を用いて露光開始時からの経過時間を計時していた。しかし、この構成では、シャッタカウンタ462のビット数が多いほど、露光制御回路460の回路規模が増大するおそれがある。この第3の実施の形態の露光制御回路460は、位相の異なる2つのクロック信号を用いることにより、回路規模を削減した点において第1の実施の形態と異なる。
 図20は、本技術の第3の実施の形態における露光制御回路460の一構成例を示す回路図である。この第3の実施の形態の露光制御回路460は、フリップフロップ471、472および473と、XOR(排他的論理和)ゲート474および遅延回路475とを備える。
 フリップフロップ471は、検出信号EVに同期して入力信号を保持するものである。このフリップフロップ471の入力端子Dには、電源端子からのハイレベルの入力信号が入力される。また、フリップフロップ471の出力端子Qからの保持値Q1は、フリップフロップ472の入力端子Dに入力される。
 フリップフロップ472は、クロック信号CLK1に同期して前段からの保持値Q1を保持するものである。このフリップフロップ472の出力端子Qからの保持値Q2は、フリップフロップ473の入力端子DとXORゲート474とに入力される。
 フリップフロップ473は、クロック信号CLK2に同期して前段からの保持値Q2を保持するものである。このフリップフロップ473の出力端子Qからの保持値Q3は、XORゲート474と遅延回路475とに入力される。また、クロック信号CLK2は、クロック信号CLK1と周波数が同一で位相の異なる周期信号であるものとする。
 遅延回路475は、前段からの保持値Q2を遅延させて、フリップフロップ471、472および473のそれぞれのクリア端子Cに入力するものである。クリア端子Cに遅延したQ2が入力されると、フリップフロップ471、472および473は、保持値を初期値(例えば、ローレベル)にする。
 XORゲート474は、保持値Q2およびQ3の排他的論理和をイネーブル信号CNT_ENとしてSPAD画素320等に出力するものである。
 図21は、本技術の第3の実施の形態における露光制御の一例を示すタイミングチャートである。タイミングT1において検出信号EVが入力されたものとする。1段目のフリップフロップ471は、検出信号EVに同期してハイレベルの保持値Q1を保持する。
 そして、タイミングT2においてクロック信号CLK1が入力されると、2段目のフリップフロップ472は、そのクロック信号CLK1に同期して、前段からのハイレベルの信号を保持値Q2として保持する。これにより、XORゲート474は、ハイレベルのイネーブル信号CNT_ENの出力を開始する。
 続いて、タイミングT3においてクロック信号CLK2が入力されると、3段目のフリップフロップ473は、そのクロック信号CLK2に同期して、前段からのハイレベルの信号を保持値Q3として保持する。これにより、XORゲート474は、イネーブル信号CNT_ENをローレベルにする。
 そして、タイミングT3から遅延時間の経過したタイミングT4において、遅延した信号により、保持値Q1乃至Q3が初期化される。
 上述したように、露光制御回路460は、クロック信号CLK1に同期して露光を開始し、クロック信号CLK2に同期して露光を終了する。シャッタカウンタ462を用いる第1の実施の形態では、露光期間が長いほどビット数を多くする必要があり、シャッタカウンタ462の回路規模が増大するおそれがある。これに対して、クロック信号CLK1およびCLK2を用いる第3の実施の形態では、シャッタカウンタ462を用いないため、回路規模の増大を抑制することができる。
 なお、第3の実施の形態の固体撮像素子200に、第1の実施の形態の第1および第2の変形例のそれぞれを適用することができる。また、露光制御回路460は、図20に例示した制御を実現することができるものであれば、図19に例示した回路に限定されない。
 このように、本技術の第3の実施の形態では、露光制御回路460は、クロック信号CLK1に同期して露光を開始し、クロック信号CLK2に同期して露光を終了するため、露光制御にシャッタカウンタ462が不要となる。これにより、露光期間が長いほど、シャッタカウンタ462のビット数を多くする必要が無くなり、回路規模の増大を抑制することができる。
 <4.第4の実施の形態に係る撮像装置(スキャン方式)>
 上述した第1構成例に係る撮像装置20は、非同期型の読出し方式にてイベントを読み出す非同期型の撮像装置である。但し、イベントの読出し方式としては、非同期型の読出し方式に限られるものではなく、同期型の読出し方式であってもよい。同期型の読出し方式が適用される撮像装置は、所定のフレームレートで撮像を行う通常の撮像装置と同じ、スキャン方式の撮像装置である。
 図22は、本開示に係る技術が適用される撮像システム10における撮像装置20として用いられる、第4の実施の形態に係る撮像装置、即ち、スキャン方式の撮像装置の構成の一例を示すブロック図である。
 図22に示すように、本開示の撮像装置としての第2構成例に係る撮像装置20は、画素アレイ部21、駆動部22、信号処理部25、読出し領域選択部27、及び、信号生成部28を備える構成となっている。
 画素アレイ部21は、複数の画素30を含む。複数の画素30は、読出し領域選択部27の選択信号に応答して出力信号を出力する。複数の画素30のそれぞれの構成は、図4に記載の画素(アドレスイベント検出画素やSPAD画素)と同様である。複数の画素30は、光の強度の変化量に対応する出力信号を出力する。複数の画素30は、図22に示すように、行列状に2次元配置されていてもよい。
 駆動部22は、複数の画素30のそれぞれを駆動して、各画素30で生成された画素信号を信号処理部25に出力させる。尚、駆動部22及び信号処理部25については、階調情報を取得するための回路部である。従って、イベント情報のみを取得する場合は、駆動部22及び信号処理部25は無くてもよい。
 読出し領域選択部27は、画素アレイ部21に含まれる複数の画素30のうちの一部を選択する。具体的には、読出し領域選択部27は、画素アレイ部21の各画素30からのリクエストに応じて選択領域を決定する。例えば、読出し領域選択部27は、画素アレイ部21に対応する2次元行列の構造に含まれる行のうちのいずれか1つもしくは複数の行を選択する。読出し領域選択部27は、予め設定された周期に応じて1つもしくは複数の行を順次選択する。また、読出し領域選択部27は、画素アレイ部21の各画素30からのリクエストに応じて選択領域を決定してもよい。
 信号生成部28は、読出し領域選択部27によって選択された画素の出力信号に基づいて、選択された画素のうちのイベントを検出した活性画素に対応するイベント信号を生成する。イベントは、光の強度が変化するイベントである。活性画素は、出力信号に対応する光の強度の変化量が予め設定された閾値を超える、又は、下回る画素である。例えば、信号生成部28は、画素の出力信号を基準信号と比較し、基準信号よりも大きい又は小さい場合に出力信号を出力する活性画素を検出し、当該活性画素に対応するイベント信号を生成する。
 信号生成部28については、例えば、信号生成部28に入ってくる信号を調停するような列選択回路を含む構成とすることができる。また、信号生成部28については、イベントを検出した活性画素の情報の出力のみならず、イベントを検出しない非活性画素の情報もを出力する構成とすることができる。
 信号生成部28からは、出力線15を通して、イベントを検出した活性画素のアドレス情報及びタイムスタンプ情報(例えば、(X,Y,T))が出力される。但し、信号生成部28から出力されるデータについては、アドレス情報及びタイムスタンプ情報だけでなく、フレーム形式の情報(例えば、(0,0,1,0,・・・))であってもよい。
 <5.移動体への応用例>
 本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
 図23は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
 車両制御システム12000は、通信ネットワーク12001を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図23に示した例では、車両制御システム12000は、駆動系制御ユニット12010、ボディ系制御ユニット12020、車外情報検出ユニット12030、車内情報検出ユニット12040、及び統合制御ユニット12050を備える。また、統合制御ユニット12050の機能構成として、マイクロコンピュータ12051、音声画像出力部12052、及び車載ネットワークI/F(interface)12053が図示されている。
 駆動系制御ユニット12010は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット12010は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
 ボディ系制御ユニット12020は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット12020は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット12020には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット12020は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
 車外情報検出ユニット12030は、車両制御システム12000を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット12030には、撮像部12031が接続される。車外情報検出ユニット12030は、撮像部12031に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット12030は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
 撮像部12031は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部12031は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部12031が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
 車内情報検出ユニット12040は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット12040には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部12041が接続される。運転者状態検出部12041は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット12040は、運転者状態検出部12041から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
 マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット12010に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むADAS(Advanced Driver Assistance System)の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
 また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
 また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット12020に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
 音声画像出力部12052は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図23の例では、出力装置として、オーディオスピーカ12061、表示部12062及びインストルメントパネル12063が例示されている。表示部12062は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
 図24は、撮像部12031の設置位置の例を示す図である。
 図24では、撮像部12031として、撮像部12101,12102,12103,12104,12105を有する。
 撮像部12101,12102,12103,12104,12105は、例えば、車両12100のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部12101及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部12105は、主として車両12100の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部12102,12103は、主として車両12100の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部12104は、主として車両12100の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部12105は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
 なお、図24には、撮像部12101ないし12104の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲12111は、フロントノーズに設けられた撮像部12101の撮像範囲を示し、撮像範囲12112,12113は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部12102,12103の撮像範囲を示し、撮像範囲12114は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部12104の撮像範囲を示す。例えば、撮像部12101ないし12104で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両12100を上方から見た俯瞰画像が得られる。
 撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
 例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を基に、撮像範囲12111ないし12114内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化(車両12100に対する相対速度)を求めることにより、特に車両12100の進行路上にある最も近い立体物で、車両12100と略同じ方向に所定の速度(例えば、0km/h以上)で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ12051は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御(追従停止制御も含む)や自動加速制御(追従発進制御も含む)等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
 例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、2輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両12100の周辺の障害物を、車両12100のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ12051は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ12061や表示部12062を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット12010を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
 撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部12101ないし12104の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ12051が、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部12052は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部12062を制御する。また、音声画像出力部12052は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部12062を制御してもよい。
 以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部12031に適用され得る。具体的には、図1の撮像装置100は、撮像部12031に適用することができる。撮像部12031に本開示に係る技術を適用することにより、アドレスイベントを検出しつつ、より見やすい撮影画像を得ることができる。
 なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
 また、上述の実施の形態において説明した処理手順は、これら一連の手順を有する方法として捉えてもよく、また、これら一連の手順をコンピュータに実行させるためのプログラム乃至そのプログラムを記憶する記録媒体として捉えてもよい。この記録媒体として、例えば、CD(Compact Disc)、MD(MiniDisc)、DVD(Digital Versatile Disc)、メモリカード、ブルーレイディスク(Blu-ray(登録商標)Disc)等を用いることができる。
 なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
 なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
(1)入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かにより所定のアドレスイベントが生じたか否かを検出する検出画素と、
 前記アドレスイベントが生じた場合には所定の露光期間内に入射された光子数を計数して計数値を示す画素信号を出力する計数画素と
を具備する固体撮像素子。
(2)前記検出画素は、
 前記アドレスイベントが生じたか否かを検出するアドレスイベント検出回路と、
 前記アドレスイベントが生じた場合には前記露光期間を示す制御信号を前記計数画素へ出力する露光制御回路と
を備える前記(1)記載の固体撮像素子。
(3)前記露光制御回路は、
 前記アドレスイベントが生じた場合には前記制御信号の出力を開始する制御信号出力部と、
 前記制御信号の出力が開始されたときから経過した時間を計時して当該計時した時間を示すタイマ値を出力する計時部と、
 前記タイマ値が前記露光期間の長さに該当する場合には前記制御信号の出力を停止させる露光終了タイミング制御部と
を備える前記(2)記載の固体撮像素子。
(4)前記露光期間を経過した場合には所定の読出し期間に亘って前記画素信号を出力させる駆動回路をさらに具備し、
 前記露光制御回路は、前記読出し期間に亘って前記制御信号の出力を停止する
前記(2)に記載の固体撮像素子。
(5)前記露光制御回路は、前記アドレスイベントが生じた場合には位相の異なる2つの周期信号の一方に同期して前記制御信号の出力を開始し、前記2つの周期信号の他方に同期して前記制御信号の出力を停止する
前記(2)に記載の固体撮像素子。
(6)前記計数画素は、
 アバランシェフォトダイオードと、
 前記アバランシェフォトダイオードに光電流が流れるたびにパルス信号を生成するパルス変換部と、
 前記パルス信号に同期して前記計数値を計数するフォトンカウンタと
を備える前記(1)から(5)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(7)前記パルス変換部は、
 前記アバランシェフォトダイオードに直列に接続された抵抗素子と、
 前記露光期間を示す所定の制御信号に従って所定の経路を開閉するスイッチと
を備える
前記(6)記載の固体撮像素子。(8)前記スイッチは、前記アバランシェフォトダイオードと前記抵抗素子との間の経路を開閉する前記(7)記載の固体撮像素子。
(9)前記スイッチは、前記アバランシェフォトダイオードおよび前記抵抗素子の接続点と前記フォトンカウンタとの間の経路を開閉する請求項7記載の固体撮像素子。(10)前記検出画素は複数の画素ブロックのそれぞれに配置され、
 前記複数の画素ブロックのそれぞれには、所定数の前記計数画素が配列され、
 前記複数の画素ブロックのうち前記アドレスイベントが生じた画素ブロック内の前記計数画素が前記光子数を計数する
前記(1)から(9)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(11)前記計数画素は、二次元格子状に配列され、
 前記検出画素は、所定方向に沿って配列される
前記(1)から(9)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(12)前記検出画素のサイズは、前記計数画素よりも大きい
前記(1)から(9)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(13)入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かにより所定のアドレスイベントが生じたか否かを検出する検出画素と、
 前記アドレスイベントが生じた場合には所定の露光期間内に入射された光子数を計数して計数値を示す画素信号を出力する計数画素と、
 前記画素信号を処理する信号処理部と
を具備する撮像装置。
(14)検出画素が、入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かにより所定のアドレスイベントが生じたか否かを検出する検出手順と、
 計数画素が、前記アドレスイベントが生じた場合には所定の露光期間内に入射された光子数を計数して計数値を示す画素信号を出力する計数手順と
を具備する固体撮像素子の制御方法。
 100 撮像装置
 110 撮像レンズ
 120 記録部
 130 制御部
 200 固体撮像素子
 201 受光チップ
 202 回路チップ
 211 駆動回路
 212 信号処理部
 213 アービタ
 214 画素アレイ部
 310 アドレスイベント検出画素
 320 SPAD画素
 321、324、414、421、422、432、433、441、443 P型トランジスタ
 322、327 スイッチ
 323 アバランシェフォトダイオード
 325、412、415、435、442、444 N型トランジスタ
 326 フォトンカウンタ
 328 イネーブル付パルス変換部
 329 リセット信号生成部
 400 アドレスイベント検出回路
 410 対数応答部
 411 光電変換素子
 413、431、434 容量
 416 電流電圧変換部
 420 バッファ
 430 微分回路
 440 コンパレータ
 450 転送回路
 460 露光制御回路
 461 イネーブル信号出力部
 462 シャッタカウンタ
 463 露光終了タイミング制御部
 471、472、473 フリップフロップ
 474 XOR(排他的論理和)ゲート
 475 遅延回路
 12031 撮像部

Claims (14)

  1.  入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かにより所定のアドレスイベントが生じたか否かを検出する検出画素と、
     前記アドレスイベントが生じた場合には所定の露光期間内に入射された光子数を計数して計数値を示す画素信号を出力する計数画素と
    を具備する固体撮像素子。
  2.  前記検出画素は、
     前記アドレスイベントが生じたか否かを検出するアドレスイベント検出回路と、
     前記アドレスイベントが生じた場合には前記露光期間を示す制御信号を前記計数画素へ出力する露光制御回路と
    を備える請求項1記載の固体撮像素子。
  3.  前記露光制御回路は、
     前記アドレスイベントが生じた場合には前記制御信号の出力を開始する制御信号出力部と、
     前記制御信号の出力が開始されたときから経過した時間を計時して当該計時した時間を示すタイマ値を出力する計時部と、
     前記タイマ値が前記露光期間の長さに該当する場合には前記制御信号の出力を停止させる露光終了タイミング制御部と
    を備える請求項2記載の固体撮像素子。
  4.  前記露光期間を経過した場合には所定の読出し期間に亘って前記画素信号を出力させる駆動回路をさらに具備し、
     前記露光制御回路は、前記読出し期間に亘って前記制御信号の出力を停止する
    請求項2記載の固体撮像素子。
  5.  前記露光制御回路は、前記アドレスイベントが生じた場合には位相の異なる2つの周期信号の一方に同期して前記制御信号の出力を開始し、前記2つの周期信号の他方に同期して前記制御信号の出力を停止する
    請求項2記載の固体撮像素子。
  6.  前記計数画素は、
     アバランシェフォトダイオードと、
     前記アバランシェフォトダイオードに光電流が流れるたびにパルス信号を生成するパルス変換部と、 前記パルス信号に同期して前記計数値を計数するフォトンカウンタと
    を備える請求項1記載の固体撮像素子。
  7.  前記パルス変換部は、
     前記アバランシェフォトダイオードに直列に接続された抵抗素子と、
     前記露光期間を示す所定の制御信号に従って所定の経路を開閉するスイッチと
    を備える
    請求項6記載の固体撮像素子。
  8.  前記スイッチは、前記アバランシェフォトダイオードと前記抵抗素子との間の経路を開閉する請求項7記載の固体撮像素子。
  9.  前記スイッチは、前記アバランシェフォトダイオードおよび前記抵抗素子の接続点と前記フォトンカウンタとの間の経路を開閉する請求項7記載の固体撮像素子。
  10.  前記検出画素は複数の画素ブロックのそれぞれに配置され、
     前記複数の画素ブロックのそれぞれには、所定数の前記計数画素が配列され、
     前記複数の画素ブロックのうち前記アドレスイベントが生じた画素ブロック内の前記計数画素が前記光子数を計数する
    請求項1記載の固体撮像素子。
  11.  前記計数画素は、二次元格子状に配列され、
     前記検出画素は、所定方向に沿って配列される
    請求項1記載の固体撮像素子。
  12.  前記検出画素のサイズは、前記計数画素よりも大きい
    請求項1記載の固体撮像素子。
  13.  入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かにより所定のアドレスイベントが生じたか否かを検出する検出画素と、
     前記アドレスイベントが生じた場合には所定の露光期間内に入射された光子数を計数して計数値を示す画素信号を出力する計数画素と、
     前記画素信号を処理する信号処理部と
    を具備する撮像装置。
  14.  検出画素が、入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かにより所定のアドレスイベントが生じたか否かを検出する検出手順と、
     計数画素が、前記アドレスイベントが生じた場合には所定の露光期間内に入射された光子数を計数して計数値を示す画素信号を出力する計数手順と
    を具備する固体撮像素子の制御方法。
PCT/JP2019/040375 2018-11-29 2019-10-15 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法 WO2020110484A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/295,499 US11678078B2 (en) 2018-11-29 2019-10-15 Solid-state imaging device, imaging apparatus, and method for controlling solid-state imaging device for detecting occurrence of an address event of pixels

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-223477 2018-11-29
JP2018223477 2018-11-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020110484A1 true WO2020110484A1 (ja) 2020-06-04

Family

ID=70852067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/040375 WO2020110484A1 (ja) 2018-11-29 2019-10-15 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11678078B2 (ja)
JP (1) JP2020096347A (ja)
WO (1) WO2020110484A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023093986A1 (en) * 2021-11-25 2023-06-01 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) A monolithic image sensor, a camera module, an electronic device and a method for operating a camera module
WO2024008305A1 (en) * 2022-07-08 2024-01-11 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) An image sensor system, a camera module, an electronic device and a method for operating a camera module for detecting events using infrared
WO2024070523A1 (ja) * 2022-09-30 2024-04-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出素子及び電子機器

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115668972A (zh) * 2020-06-19 2023-01-31 索尼半导体解决方案公司 摄像装置
JP2023162462A (ja) * 2020-09-28 2023-11-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置及び撮像方法
JP2022137595A (ja) * 2021-03-09 2022-09-22 ソニーグループ株式会社 センサ装置
WO2024084792A1 (ja) * 2022-10-17 2024-04-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置、測距装置、および、光検出装置の制御方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017013806A1 (ja) * 2015-07-23 2017-01-26 オリンパス株式会社 固体撮像装置
WO2017098710A1 (ja) * 2015-12-07 2017-06-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法
JP2018148362A (ja) * 2017-03-03 2018-09-20 富士ゼロックス株式会社 画像処理装置および画像形成装置
JP2018157387A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018218298A1 (en) * 2017-05-31 2018-12-06 Monash University An imaging method and apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017013806A1 (ja) * 2015-07-23 2017-01-26 オリンパス株式会社 固体撮像装置
WO2017098710A1 (ja) * 2015-12-07 2017-06-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法
JP2018148362A (ja) * 2017-03-03 2018-09-20 富士ゼロックス株式会社 画像処理装置および画像形成装置
JP2018157387A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023093986A1 (en) * 2021-11-25 2023-06-01 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) A monolithic image sensor, a camera module, an electronic device and a method for operating a camera module
WO2024008305A1 (en) * 2022-07-08 2024-01-11 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) An image sensor system, a camera module, an electronic device and a method for operating a camera module for detecting events using infrared
WO2024070523A1 (ja) * 2022-09-30 2024-04-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出素子及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020096347A (ja) 2020-06-18
US20220006965A1 (en) 2022-01-06
US11678078B2 (en) 2023-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7284714B2 (ja) 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
WO2020110484A1 (ja) 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
US11832013B2 (en) Solid-state image sensor, imaging device, and method of controlling solid-state image sensor
US11950009B2 (en) Solid-state image sensor
US11523079B2 (en) Solid-state imaging element and imaging device
WO2020110537A1 (ja) 固体撮像素子、および、撮像装置
KR102657111B1 (ko) 고체 촬상 소자, 촬상 장치 및 고체 촬상 소자의 제어 방법
WO2020218236A1 (ja) イベント検出装置、イベント検出装置を備えるシステムおよびイベント検出方法
WO2020105313A1 (ja) 固体撮像素子、および、撮像装置
WO2020129657A1 (ja) センサ及び制御方法
CN111758251B (zh) 传感器元件和电子器件
JP2021170691A (ja) 撮像素子、制御方法、および電子機器
WO2020105301A1 (ja) 固体撮像素子、および、撮像装置
WO2020090311A1 (ja) 固体撮像素子
KR20240024796A (ko) 촬상 장치, 전자 기기 및 광 검출 방법
WO2023276199A1 (ja) 固体撮像素子、電子機器、および、固体撮像素子の制御方法
CN113170064B (zh) 固态成像元件、成像装置和用于控制固态成像元件的方法
WO2020090272A1 (ja) 電子回路、固体撮像素子、および、電子回路の制御方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19889556

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19889556

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1