WO2020099574A1 - Optoelektronisches halbleiterbauelement mit ersten verbindungsbereichen und optoelektronische vorrichtung - Google Patents

Optoelektronisches halbleiterbauelement mit ersten verbindungsbereichen und optoelektronische vorrichtung Download PDF

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Definitions

  • a light emitting diode is a light emitting device based on semiconductor materials.
  • an LED includes a pn junction. If electrons and holes recombine with one another in the region of the pn junction, for example because a corresponding voltage is applied, electromagnetic radiation is generated.
  • a problem with the operation of LEDs is the generation of heat.
  • concepts are sought with which the heat generated can be dissipated in an improved manner.
  • the object of the present invention is to provide an improved optoelectronic semiconductor component and an improved optoelectronic device.
  • An optoelectronic semiconductor component comprises an optoelectronic semiconductor chip which is suitable for emitting electromagnetic radiation.
  • the optoelectronic semiconductor chip has a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type, a first and a second current expansion layer, a multiplicity of electrical connecting elements and a multiplicity of first connecting regions.
  • the first semiconductor layer and the second semiconductor layer form a semiconductor layer stack.
  • the first current spreading layer is arranged on a side of the first semiconductor layer facing away from the second semiconductor layer.
  • the first current spreading layer is electrically connected to the first semiconductor layer.
  • the plurality of electrical connecting elements is suitable for electrically connecting the second semiconductor layer to the second current spreading layer.
  • the first connection regions are connected to the first current spreading layer and extend through the second current spreading layer. An area coverage of the first connection areas in an area between adjacent parts of the second current expansion layer is greater than 20% of an area coverage of the second current expansion layer.
  • an optoelectronic semiconductor component comprises an optoelectronic semiconductor chip which is suitable for emitting electromagnetic radiation.
  • the optoelectronic semiconductor chip has a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type, a first and a second current expansion layer, a large number of electrical connecting elements and a large number of first connecting areas.
  • the first semiconductor layer and the second semiconductor layer form a half conductor layer stack.
  • the first current spreading layer is arranged on a side of the first semiconductor layer facing away from the second semiconductor layer.
  • the first current expansion layer is electrically connected to the first semiconductor layer.
  • the plurality of electrical connecting elements is suitable for electrically connecting the second semiconductor layer to the second current expansion layer.
  • the first connection regions are connected to the first current spreading layer and extend through the second current spreading layer. An area coverage of the first connection areas in an area between adjacent parts of the second current expansion layer is greater than 20% of an area coverage of the first current expansion layer.
  • the second current spreading layer is suitable for connecting the plurality of electrical connecting elements to one another.
  • the second current spreading layer can, for example, be partially designed as a grid or grid.
  • the second current spreading layer can be formed in this lattice region as a non-continuous layer, but can be interrupted, for example, at constant intervals.
  • the second current spreading layer can be interrupted by the electrical connection areas.
  • the semiconductor chip comprises, for example, a multiplicity of light-generating areas which are arranged between the electrical connecting elements.
  • the first connection areas are isolated from the second current spreading layer via an insulating layer in accordance with embodiments.
  • the first current spreading layer can be arranged between the second current spreading layer and the first semiconductor layer.
  • the optoelectronic semiconductor component can furthermore have a transparent substrate over the second semiconductor layer on a side facing away from the first semiconductor layer.
  • part of the second current spreading layer can be arranged outside the light-generating areas.
  • the optoelectronic semiconductor component may further comprise a first connection column which is electrically connected to the first connection regions and a second connection column which is electrically connected to the second current expansion layer, the first and the second connection column being isolated from one another by an insulating material are.
  • the optoelectronic semiconductor component furthermore has a first contact region which is connected to the first current expansion layer and a second contact region which is connected to the second current expansion layer, the first and the second contact region in the region of a second main surface of the Optoelectronic semiconductor device are arranged.
  • the optoelectronic semiconductor component comprises a first contact region which is directly adjacent to the first connection regions and a second contact region which is directly adjacent to the second current distribution layer adjacent.
  • the first contact area and the second contact area are arranged in the area of a second main surface of the optoelectronic semiconductor component.
  • the optoelectronic semiconductor component may further comprise a first contact region which is electrically connected to the first connection regions and a second contact region which is electrically connected to the second current expansion layer.
  • the second contact area can be connectable from a first main surface of the optoelectronic semiconductor component.
  • the first contact area can be connectable from a second main surface of the optoelectronic semiconductor component.
  • the optoelectronic semiconductor component can further comprise a first contact region which is electrically connected to the first connection regions and a second contact region which is electrically connected to the second current expansion layer.
  • the second and the first contact area can be connectable from a first main surface of the optoelectronic semiconductor component.
  • the optoelectronic semiconductor component can furthermore include a second contact region which is connected to the second current processing layer and is arranged laterally spaced apart from the first contact region. At least part of the second contact area cannot overlap vertically with the first semiconductor layer.
  • an optoelectronic semiconductor component comprises an optoelectronic semiconductor chip which is suitable for emitting electromagnetic radiation emit.
  • the optoelectronic semiconductor chip comprises a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type, a first and a second current expansion layer and a large number of electrical connecting elements.
  • the first semiconductor layer and the second semiconductor layer form a semiconductor layer stack.
  • the first current spreading layer is arranged on a side of the first semiconductor layer facing away from the second semiconductor layer.
  • the first current-carrying layer is electrically connected to the first semiconductor layer.
  • the plurality of electrical connecting elements are suitable for electrically connecting the second semiconductor layer to the second current-conducting layer.
  • the optoelectronic semiconductor chip further has a first contact region which is connected to the first current expansion layer and a second contact region which is connected to the second current expansion layer.
  • the second contact area can be connected from a first main surface of the optoelectronic semiconductor component, and the first contact area can be connected from a second main surface of the optoelectronic semiconductor component.
  • an optoelectronic semiconductor component comprises an optoelectronic semiconductor chip which is suitable for emitting electromagnetic radiation.
  • the optoelectronic semiconductor chip has a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type, a first and a second current expansion layer and a large number of electrical connecting elements.
  • the first semiconductor layer and the second semiconductor layer form a semiconductor layer stack.
  • the first current spreading layer is deposited on a second semiconductor layer. facing side of the first semiconductor layer is arranged.
  • the first current spreading layer is electrically connected to the first semiconductor layer.
  • the plurality of electrical connecting elements are suitable for electrically connecting the second semiconductor layer to the second current spreading layer.
  • the optoelectronic semiconductor chip further has a first contact region which is connected to the first current expansion layer and a second contact region which is connected to the second current expansion layer.
  • the second and the first contact area can be connected from a first main surface of the optoelectronic semiconductor component.
  • An optoelectronic device comprises, according to embodiments, the above-described optoelectronic semiconductor component.
  • the optoelectronic device can be selected for example from car headlights, projectors and lighting devices.
  • an optoelectronic device can have a multiplicity of optoelectronic semiconductor components as described above.
  • the optoelectronic device can furthermore have a multiplicity of second optoelectronic semiconductor components which have a structure other than that of the optoelectronic semiconductor components.
  • the optoelectronic device can be a lighting device for plants.
  • FIG. 1 shows a vertical cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor component according to an embodiment.
  • FIG. 2 to 4 show vertical cross-sectional views of optoelectronic semiconductor components in accordance with further embodiments.
  • FIG. 5A to 5C each show horizontal cross-sectional views of the optoelectronic semiconductor component in different planes.
  • FIG. 6A to 6C each show horizontal cross-sectional views of the optoelectronic semiconductor component according to embodiments in different planes.
  • FIG. 7A and 7B each show a view of an optoelectronic device.
  • Wafer or “semiconductor substrate” used in the following description may include any semiconductor-based structure that has a semiconductor surface. Wafers and structures are to be understood to include doped and undoped semiconductors, epitaxial semiconductor layers, optionally supported by a base, and other semiconductor structures. For example, a layer of a first semiconductor material can be grown on a growth substrate made of a second semiconductor material or of an insulating material, for example on a sapphire substrate. Depending on the usage For this purpose, the semiconductor can be based on a direct or an indirect semiconductor material.
  • Examples of semiconductor materials which are particularly suitable for generating electromagnetic radiation include, in particular, nitride semiconductor compounds, by means of which, for example, ultraviolet, blue or longer-wave light can be generated, such as, for example, GaN, InGaN, A1N, AlGaN, AlGalnN, AlGalnBN, phosphide semiconductor compounds which, for example, green or long-wave light can be generated, such as GaAsP, AlGalnP, GaP, AlGaP, as well as other semiconductor materials such as AlGaAs, SiC, ZnSe, GaAs, ZnO, Ga 2Ü3 , diamond, hexagonal BN and combinations of the materials mentioned lien.
  • the stoichiometric ratio of the compound semiconductor materials can vary.
  • Further examples of semiconductor materials can include silicon, silicon germanium and germanium.
  • the term “semiconductor” also includes organic semiconductor materials.
  • substrate generally encompasses insulating, conductive or semiconductor substrates.
  • lateral and “horizontal”, as used in this description, are intended to describe an orientation or alignment that runs essentially parallel to a first surface of a substrate or semiconductor body. This may be (The) for example, the surface of a wafer or egg ⁇ nes chips.
  • the horizontal direction can lie, for example, in a plane perpendicular to a growth direction when layers are grown.
  • the term "vertical”, as used in this description, is intended to describe an orientation which is essentially perpendicular to the first surface of a substrate or semiconductor body.
  • the vertical direction can, for example, correspond to a growth direction when layers are grown.
  • electrically connected means a low-resistance electrical connection between the connected elements.
  • the electrically connected elements do not necessarily have to be connected directly to one another. Further elements can be arranged between electrically connected elements.
  • electrically connected also includes tunnel contacts between the connected elements.
  • FIG. 1 shows a vertical cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor component 10 according to embodiments.
  • the optoelectronic semiconductor component 10 comprises an optoelectronic semiconductor chip 11.
  • the optoelectronic semiconductor chip 11 is suitable for emitting electromagnetic radiation 15.
  • the optoelectronic semiconductor chip 11 comprises a first semiconductor layer 140 of a first conductivity type, for example p-type, and a second half conductor layer 150 of a second conductivity type, for example ⁇ type.
  • the optoelectronic semiconductor chip 11 also has a first and a second current spreading layer 180, 160, a multiplicity of electrical connecting elements 120 and a multiplicity of first connecting regions 125.
  • the first semiconductor layer 140 and the second semiconductor layer 150 form a semiconductor layer stack.
  • the first current spreading layer 180 is on a ten by the two ⁇ semiconductor layer conductor layer 150 side of the first half facing away arranged 140 and conductor layer with the first half of the electrically connected 140th
  • the plurality of electrical connection elements 120 shear is suitable, the second semi-conductor layer to electrically connect ⁇ 160,150 to the second current spreading layer.
  • the first connection regions are connected to the first current spreading layer and extend through the second current spreading layer.
  • An area coverage of the first connection areas 125 in a area between adjacent parts of the second current expansion layer 160 is greater than 20% of the area coverage of the current expansion layer 160.
  • the generated electromagnetic radiation 15 can be emitted via a first main surface 151 of the second semiconductor layer 150.
  • the first main surface 151 of the second semiconductor layer 150 can be roughened in order to increase a light extraction efficiency.
  • An active zone 145 can be arranged between the first semiconductor layer 140 and the second semiconductor layer 150.
  • an active zone can be arranged between the first and second semiconductor layers.
  • the active zone can have, for example, a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure (SQW, single quantum well) or a multiple quantum well structure (MQW, multi quantum well) for generating radiation.
  • the designation The "quantum well structure" has no significance with regard to the dimensionality of the quantization. It thus includes, among other things, quantum wells, quantum wires and quantum dots as well as any combination of these layers.
  • the first current spreading layer 180 is arranged adjacent to the first semiconductor layer 140.
  • the first current expansion layer 180 may comprise several layers, for example.
  • the first current spreading layer 180 can comprise a layer 181 made of silver and one or more further conductive layers 182.
  • the further conductive layer 182 can have a thin layer made of a metal such as platinum, palladium, titanium, nickel, chromium, which can prevent diffusion of other metals.
  • the further conductive layer can also contain a highly conductive layer, for example made of Au, Cu, Ag or Al.
  • the conductive layer 182 can encapsulate the silver layer.
  • a conductive oxide layer can be arranged between the silver layer 181 and the first semiconductor layer 140 in order to provide improved contact with the first semiconductor layer.
  • the second current expansion layer 160 can be isolated from the first current expansion layer 180 and the first semiconductor layer 140 via an insulating layer 105.
  • the second current spreading layer 160 is connected to the second semiconductor layer 150 via electrical connection elements 120.
  • electrical connection elements 120 For example, a plurality of electrical connecting elements 120 may be provided, and light generating areas 130, in which electromagnetic radiation is generated, are arranged, for example, between adjacent electrical connecting elements 120.
  • a conductive layer that forms the second current spreading layer 160 such as the electrical connection elements 120, Ti, WN, or have a metal stack from these layers.
  • the metal layer stack can also contain gold or platinum.
  • the first connection regions 125 are connected to the first current expansion layer 180.
  • the first connection areas 125 are isolated from the second current spreading layer 160, for example, via an insulating material 102.
  • the electrical connection elements 120 are each insulated by an insulating material 105 both from the first current spreading layer 180 and from the first semiconductor layer 140.
  • Examples of the insulating material 102, 105 include in particular silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide and combinations of these materials.
  • an area coverage of the first connection areas 125 in an area between adjacent parts of the second current expansion layer is greater than 20% of an area coverage of the second current expansion layer 160.
  • the optoelectronic semiconductor component has a multiplicity of first connection regions 125.
  • the area coverage of the first connection areas 125 therefore relates to the sum of the individual areas of all the first connection areas 125 in one plane.
  • the term “area coverage of the second current expansion layer” denotes the horizontal portion of the second current expansion layer 160 on which there is electrically conductive material that is electrically connected to the second current expansion layer.
  • the area coverage can be greater than 50% or even greater than 80% of the area coverage of the second current spreading layer 160.
  • FIG. 1 also shows a horizontal dimension d of the first connection regions 125 in a region between adjacent parts of the second current spreading layer and a horizontal dimension s of the second current spreading layer 160.
  • a horizontal dimension d of the first connection regions 125 in a region between adjacent parts of the second current spreading layer be greater than 20% of a horizontal dimension s of the second current spreading layer 160.
  • the optoelectronic semiconductor component has a multiplicity of first connection regions 125.
  • the horizontal dimension d of the first connection areas 125 therefore relates to the sum of the individual dimensions of all first connection areas 125 in one plane.
  • the term “horizontal dimension of the second current spreading layer” denotes the horizontal portion of the second current spreading layer 160 on which there is electrically conductive material that is electrically connected to the second current spreading layer.
  • the horizontal dimension d of the first Connection areas may be greater than 50% or even greater than 80% of the horizontal dimension s of the second current spreading layer 160.
  • an optoelectronic semiconductor component 10 comprises an optoelectronic semiconductor chip 11 which is suitable for emitting electromagnetic radiation 15.
  • the optoelectronic semiconductor chip 11 has a first semiconductor layer 140 of a first conductivity type, a second semiconductor layer 150 of a second conductivity type, a first and a second current expansion layer 180, 160, a multiplicity of electrical ones Connecting elements 120 and a plurality of first connec tion areas 125.
  • the first semiconductor layer 140 and the second semiconductor layer 150 form a semiconductor layer stack.
  • the first current spreading layer 180 is arranged on a side of the first semiconductor layer 140 facing away from the second semiconductor layer 150.
  • the first current expansion layer 180 is electrically connected to the first semiconductor layer 140.
  • the plurality of electrical connection elements 120 is suitable for electrically connecting the second semiconductor layer 150 to the second current expansion layer 160.
  • the first connection regions 125 are connected to the first current spreading layer 180 and extend through the second current spreading layer 160.
  • An area coverage of the first connection areas 125 in an area between adjacent parts of the second current expansion layer 160 is greater than 20% of an area coverage of the first current expansion layer 180.
  • an area coverage of the first connection areas 125 in an area between adjacent parts of the second current expansion layer 160 may be greater than 20% of an area coverage of the silver layer 181, which may be arranged in direct contact with the first semiconductor layer 140.
  • the area coverage can also be at least 40% or at least 60 or 80% of the area coverage of the silver layer 181.
  • an electrical voltage is applied to the LED via the second current expansion layer 160 and the first current expansion layer 180 connected via the first connection regions 125.
  • an electrical current path extends from the second current spreading layer 160 via the electrical connecting elements 120 to the second semiconductor layer 150 and is distributed over it along the active zone 125 or along the interface to the first semiconductor layer 140. Accordingly, the heat development essentially takes place in the area of the active zone or the interface between the first and second semiconductor layers 140, 150. Because the horizontal dimension d of the first connecting region 125 has a corresponding size, the heat in the region in which it is created can be dissipated particularly effectively. Accordingly, heating of the optoelectronic semiconductor component can be avoided or suppressed. As a result, the efficiency of the optoelectronic semiconductor component is increased.
  • the optoelectronic semiconductor component is a so-called high-performance component with a current density of several A / mm 2 .
  • the conversion efficiency can also be improved when a converter material is used to change the light wavelength output by the optoelectronic semiconductor component.
  • the overall life of the component can be increased, since, for example, polymers and other sensitive encapsulation or packaging materials age less quickly.
  • operating currents can also be increased without a maximum temperature of the component being exceeded.
  • the optoelectronic semiconductor component 10 may further comprise a first connecting column 131 and a second connecting column 132, which may be isolated from one another, for example, by an insulating carrier material 135.
  • the first connecting column 131 is electrically conductively connected to the first connecting areas 125.
  • the connecting columns may have a correspondingly thick nickel layer.
  • the thickness of the nickel layer can be more than 100 mpi, for example more than 120 gm.
  • a metal with better thermal conductivity, for example copper can of course also be used to further improve the heat dissipation.
  • the first and the second connecting column can also be dispensed with.
  • the optoelectronic semiconductor component 10 can also be mounted or soldered directly via the contact area in contact with the first connection areas 125 or in contact with the second current expansion layer 160.
  • Embodiments illustrated in FIG. 1 may contact both first and second current spreading layers 180, 160 from a rear side of the optoelectronic semiconductor chip, that is, from a side that is not the light emission surface.
  • a contact layer 115 for example made of a conductive oxide, for example zinc oxide, can be provided between the second semiconductor layer 150 and the conductive layer 114.
  • the conductive layer 114 can be, for example, a seed layer for a subsequent galvanic process for forming a conductive layer, which for example forms the electrical connection element and the second current expansion layer 160.
  • the seed layer 114 can also be provided between the first current expansion layer 180 and the first connection regions 125 in order to promote the galvanic formation of the first connection regions 125.
  • the seed layer 114 can continue between the second current expansion layer 160 and the second connecting column 132 be arranged.
  • the seed layer 114 may contain any electrically conductive material.
  • the seed layer 114 can be constructed from a metal that is not oxidized, ie is chemically inert, for example gold or nickel.
  • FIG. 2 shows a vertical cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor component in accordance with further embodiments.
  • the in FIG. 2 shown optoelectronic semiconductor device is similar to that in FIG. 1 depicted semiconductor component constructed.
  • a transparent substrate 100 is arranged adjacent to the first main surface 151 of the second semiconductor layer 150.
  • the transparent substrate can be a sapphire substrate, which serves, for example, as a growth substrate for epitaxially growing the second and first semiconductor layers.
  • the heat generated in the optoelectronic semiconductor chip can be distributed further by the sapphire substrate 100.
  • Electromagnetic radiation 15 emitted by the optoelectronic semiconductor chip 11 can be emitted, for example, via the first main surface of the transparent substrate and also via its side surfaces.
  • the optoelectronic semiconductor component further comprises a second contact region 127.
  • the second contact region 127 is connected to the second current spreading layer 160.
  • the second contact region 127 can be connected from a first main surface 110 of the optoelectronic semiconductor component.
  • a first contact region 126 which is connected to the first current spreading layer 180, is separated from a second main surface of the optoelectronic semiconductor component. connectable.
  • the first contact area 126 can comprise a flat or partially flat conductive layer that is in contact with the first connection areas 125.
  • the optoelectronic semiconductor chip 11 can be mounted on a carrier 117.
  • the carrier 117 can comprise doped silicon, as a result of which full-area contact with the first contact region 126 can be provided.
  • a conductive layer 119 can be arranged on a second main surface 121 of the carrier 117.
  • a first conductive layer 118 can be provided between the carrier material 117 and the first contact region 126.
  • the carrier 117 can be seen in order to give the optoelectronic semiconductor component 10 mechanical stability.
  • a layer thickness of the carrier 117 can be selected accordingly.
  • the optoelectronic semiconductor chip 11 can be soldered directly onto a ceramic carrier on which conductor tracks, for example made of copper, are applied. This can further improve the heat dissipation.
  • the optoelectronic semiconductor component shown in FIG. 2 thus represents a vertical optoelectronic semiconductor component in which one of the two semiconductor layers can be contacted from a first main surface or front side of the semiconductor component and the other semiconductor layer from a second main surface or rear side of the semiconductor component.
  • the contact region which is connected to the p layer is arranged in the region of the first main surface 110 of the optoelectronic semiconductor component.
  • the contact area that is connected to the n-type semiconductor layer is usually arranged in the region of the second main surface of the optoelectronic semiconductor component.
  • the polarity is reversed. That is, the p-terminal is located on the second main surface of the semiconductor component, and the n-terminal is arranged in the region of the first main surface 110 of the optoelectronic semiconductor component. Because, as shown in FIG.
  • FIG. 3 shows a vertical cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor component in accordance with further embodiments.
  • Components of the in FIG. 3 shown opto-electronic semiconductor device are similar or identical to those in FIG. 1 and 2 components shown.
  • the first contact region 126 can also be contacted from one side of the first main surface 110 of the optoelectronic semiconductor component 10. That is, the first contact region 126 and the second contact region 127 are each placed on a front of the optoelectronic semiconductor component 10.
  • the optoelectronic semiconductor chip 11 can be brought up on an insulating carrier 117.
  • Insulating carrier 117 may be a carrier with high thermal conductivity.
  • the Carrier 117 can be made from an A1N or S i3N 4 ceramic.
  • the conductive layer which represents the first connection regions 125, can be applied over a large area.
  • a first contact area 126 is electrically conductively connected to the first connection areas 125 via this conductive layer.
  • the second contact region 127 may be formed by a conductive layer over the second current expansion layer 160.
  • a first conductive layer 118 can be arranged between the insulating carrier 117 and the conductive material which establishes the electrical connection between the first connection regions 125 and the first contact region.
  • a conductive layer 119 can also be applied in the area of a rear side of the optoelectronic semiconductor chip 11.
  • FIG. 4 shows a vertical cross-sectional view of an optoelectronic semiconductor component 10 according to further embodiments.
  • a horizontal dimension d of the first connection regions 125 may even be larger than a horizontal dimension s of the second current spreading layer 160.
  • An area coverage of the first connection areas 125 according to these embodiments can also be larger than an area coverage of the second current spreading layer.
  • Other elements of the embodiment of FIG. 4 are similar to components that are related to FIG. 1 to 3 have been discussed. According to embodiments shown in FIG.
  • the second current spreading layer 160 is part of the second current spreading layer 160 in one Arranged region that does not overlap with the second semiconductor layer 150 in the vertical direction. That is, based on a vertical direction, the second semiconductor layer 150 is not arranged over the entire second current expansion layer 160. A part of the second current spreading layer 160 is arranged in a horizontal direction between adjacent parts of the second semiconductor layer 150.
  • the second connection column 132 which is connected to the second current expansion layer 160, or at least a part of the second connection column 132 is also arranged outside a region in which the first and the second semiconductor layers 140, 150 are present.
  • the first connection areas 125 are arranged such that a largest possible part of the active zone 145 or the interface between the first and second semiconductor layers 140, 150 overlap with the first connection areas 125. In this way, particularly efficient heat dissipation is achieved.
  • the semiconductor component is made somewhat larger than the area of the semiconductor chip 11.
  • the second connection column 132 is accommodated in this additional area area, so that the first connection column 131, which is connected to the first connection areas 125, has the largest possible surface area.
  • an electrically insulating material for example made of epoxy resin, can be arranged between the first and the second connecting column 131, 132.
  • the lower part of the optoelectronic semiconductor component 10 along the dividing line 155 can also be omitted.
  • a first contact area 126 (shown in dashed lines) can be formed in contact with the first connection areas 125 will.
  • a second contact region 127 (shown in dashed lines) can be formed instead of the second connecting column 132.
  • such an optoelectronic semiconductor element can be soldered directly onto a ceramic carrier, which has solder joints, for example.
  • the first contact region 126 and the second contact region 127 can have a layer thickness of approximately 1 to 2 pm.
  • a laser liftoff can be carried out to remove the growth substrate at the package level. Furthermore, the first main surface 151 of the second semiconductor layer 150 can be roughened at the package level.
  • the optoelectronic semiconductor component 10 is larger than the area within which optoelectronic radiation is generated.
  • FIG. 5A to 5C show cross-sectional views in different planes of the optoelectronic semiconductor component according to embodiments. These figures are intended to illustrate which areas of the optoelectronic semiconductor component are available for heat dissipation and how the individual layers are designed in a horizontal plane.
  • FIG. 5A is a top view of the second semiconductor layer 150 and the second contact region 127, as shown in FIG. 2 is shown.
  • the second semiconductor layer 150 is flat. Areas in which the electrical connection elements 120 contact the second semiconductor layer 150 are also shown in FIG. 5A shown poses.
  • a light generating area 130 is arranged between adjacent electrical connection elements 120.
  • FIG. 5B shows a top view of the first current spreading layer 180 and illustrates the regions in which the first current spreading layer 180 contributes to heat dissipation. A position of this top view is shown in FIG. 2 between I and I '. As can be seen, the first current spreading layer 180 has a large area and is interrupted by electrical connecting elements 120.
  • the area occupancy of the electrical connection elements 120 is substantially smaller than the area of the first current expansion layer 180. Because, as explained above, the electrical connection elements 120 are spatially separated from the light generation regions 130, the heat dissipation is via the electrical ones Fasteners 120 are usually not very efficient. As a result, the performance of the optoelectronic semiconductor component is impaired to an insignificant extent by impairing the heat dissipation via the electrical connecting elements 120.
  • FIG. 5C illustrates the heat dissipation via the second current on line layer 160 and the first connection regions 125 in a region between III and III ', as shown in FIG. 2 is provided.
  • the second current spreading layer 160 is designed as a grid, in which the second current spreading layer 160 is interrupted by the electrical connection areas 125.
  • increasing the layer thickness of the current spreading layer 160 can ensure a uniform electrical current spreading.
  • the layer thickness of the current tung layer more than 500 nm, for example, carry more than 1 pm ⁇ be, for example, 3 to 7 pm or be pm to 10. 3
  • FIG. 5C also shows a plan view in an area in which the horizontal extent of the first connection areas 125 is minimal. That is, the one shown in FIG. 5C represents the thermal bottleneck.
  • the first connection regions 125 are formed over a large area in comparison to the size of the semiconductor chip 11. Accordingly, efficient heat dissipation is possible.
  • an area occupancy of the first connection areas 125 in an area between adjacent parts of the second current spreading layer 160 is greater than 20% of the area occupancy of the second current spreading layer 160.
  • the area occupancy can also be greater than 20%, for example greater than 40% or greater than 60% or greater than 80% of the area coverage of the second current spreading layer 160.
  • FIG. 6A to 6C are corresponding views for the case of the one shown in FIG. 3 illustrated optoelectronic semiconductor devices.
  • the first contact region 126 and the second contact region 127 are formed in the region of the first main surface 110 of the optoelectronic semiconductor component.
  • the second semiconductor layer is as in FIG. 5A shown formed over the entire surface and connected in places to the second current spreading layer 160 via electrical connecting elements 120.
  • Light generating regions 130 are each arranged between adjacent electrical connecting elements 120.
  • FIG. 6B is set is, carries the entire surface of the first Stromaufwei ⁇ processing layer 180 in the area of the entire semiconductor chip to the heat dissipation in.
  • the electrical connection elements 120 contribute to the heat dissipation in the entire region of the semiconductor chip. As shown in FIG. 6C, a part of the first contact region 126 arranged outside the chip area additionally contributes to the heat dissipation. Furthermore, the heat is removed in the entire area of the semiconductor chip via the first connection areas 125. As shown in FIG. 6C, an area coverage of the first connection areas 125 in an area between adjacent parts of the second current expansion layer 160 is greater than 20% of the area coverage of the second current expansion layer 160. For example, the area coverage may also be greater than 20%, for example greater than 40% or greater than 60% or greater than 80% of the area coverage of the second current spreading layer 160.
  • FIG. 7A shows a schematic view of an optoelectronic device 20.
  • the optoelectronic device 20 comprises the optoelectronic semiconductor component 10 as described above.
  • the optoelectronic device can be a device with high luminance, which can be operated, for example, with a high current intensity. Specific examples include car headlights, projectors and special lighting devices with high luminance.
  • optoelectronic device 20 includes a plurality of optoelectronic semiconductor devices 10.
  • the optoelectronic device 20 can further comprise second optoelectronic semiconductor components 12, which can be based, for example, on a different semiconductor material than the optoelectronic semiconductor components 10 and can have a different structure.
  • the optoelectronic device can have a multiplicity of first connections 107 and a multiplicity of second ones Include connectors 108.
  • the first connections can be, for example, positive connections
  • the second connections can, for example, be negative connections.
  • the first connections 107 can make contacting possible from a second main surface of the optoelectronic semiconductor components 10.
  • the second connections 108 can enable contacting from a first main surface of the optoelectronic semiconductor components.
  • the first contact areas 126 of the optoelectronic semiconductor components 10 can be present on the second main surface, and the second contact areas 127 of the optoelectronic semiconductor components 10 can be found on the first main surface.
  • the optoelectronic semiconductor components 10 can be contacted in a manner similar to LEDs which are based on phosphide semiconductor compounds.
  • LEDs in the optoelectronic device 20 can be exchanged in a simple manner.
  • such optoelectronic devices 20 can be used to illuminate plants. In such devices, for example, a plurality of red and blue LEDs can be connected in series.

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (11), der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (15) zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip (11) weist eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine erste und eine zweite Stromaufweitungsschicht (180, 160), eine Vielzahl elektrischer Verbindungselemente (120) sowie eine Vielzahl erster Verbindungsbereiche (125) auf. Die erste Halbleiterschicht (140) und die zweite Halbleiterschicht (150) bilden einen Halbleiterschichtstapel. Die erste Stromaufweitungsschicht (180) ist auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (150) abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht (140) angeordnet. Die erste Stromaufweitungsschicht (180) ist mit der ersten Halbleiterschicht (140) elektrisch verbunden. Die Vielzahl elektrischer Verbindungselemente (120) ist geeignet, die zweite Halbleiterschicht (150) mit der zweiten Stromaufweitungsschicht (160) elektrisch zu verbinden. Die ersten Verbindungsbereiche (125) sind mit der ersten Stromaufweitungsschicht (180) verbunden und erstrecken sich durch die zweite Stromaufweitungsschicht (160) hindurch. Eine Flächenbelegung der ersten Verbindungsbereiche (125) in einem Bereich zwischen benachbarten Teilen der zweiten Stromaufweitungsschicht (160) ist größer als 20 % der Flächenbelegung der zweiten Stromaufweitungsschicht (160).

Description

OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT ERSTEN
VERBINDUNGSBEREICHEN UND OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG
HINTERGRUND
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2018 128 692.2, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Eine lichtemittierende Diode (LED) ist eine lichtemittierende Vorrichtung, die auf Halbleitermaterialien basiert. Beispiels weise umfasst eine LED einen pn-Übergang. Wenn Elektronen und Löcher miteinander im Bereich des pn-Übergangs rekombinieren, beispielsweise weil eine entsprechende Spannung angelegt wird, wird elektromagnetische Strahlung erzeugt.
Ein Problem beim Betrieb von LEDs ist die Erzeugung von Wärme. Um eine Effizienz der LEDs zu erhöhen, werden Konzepte ge sucht, mit denen die erzeugte Wärme in verbesserter Weise ab geführt werden kann.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes optoelektronisches Halbleiterbauelement sowie ei¬ ne verbesserte optoelektronische Vorrichtung zur Verfügung zu stellen .
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Aufgabe durch den Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteil hafte Weiterentwicklungen sind in den abhängigen Patentansprü chen definiert.
ZUSAMMENFASSUNG Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip, der geeignet ist, elektro magnetische Strahlung zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip weist eine erste Halbleiterschicht von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine erste und eine zweite Stromaufweitungsschicht, eine Vielzahl elektrischer Verbin dungselemente sowie eine Vielzahl erster Verbindungsbereiche auf. Die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiter schicht bilden einen Halbleiterschichtstapel . Die erste Strom aufweitungsschicht ist auf einer von der zweiten Halbleiter schicht abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht ange ordnet. Die erste Stromaufweitungsschicht ist mit der ersten Halbleiterschicht elektrisch verbunden. Die Vielzahl elektri scher Verbindungselemente ist geeignet, die zweite Halbleiter schicht mit der zweiten Stromaufweitungsschicht elektrisch zu verbinden. Die ersten Verbindungsbereiche sind mit der ersten Stromaufweitungsschicht verbunden und erstrecken sich durch die zweite Stromaufweitungsschicht hindurch. Eine Flächenbele gung der ersten Verbindungsbereiche in einem Bereich zwischen benachbarten Teilen der zweiten Stromaufweitungsschicht ist größer als 20 % einer Flächenbelegung der zweiten Stromaufwei tungsschicht .
Gemäß weiteren Ausführungsformen umfasst ein optoelektroni sches Halbleiterbauelement einen optoelektronischen Halb leiterchip, der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip weist eine erste Halbleiterschicht von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähig keitstyp, eine erste und eine zweite Stromaufweitungsschicht, eine Vielzahl elektrischer Verbindungselemente sowie eine Vielzahl erster Verbindungsbereiche auf. Die erste Halbleiter schicht und die zweite Halbleiterschicht bilden einen Halb- leiterschichtstapel . Die erste Stromaufweitungsschicht ist auf einer von der zweiten Halbleiterschicht abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht angeordnet. Die erste Stromaufwei- tungsschicht ist mit der ersten Halbleiterschicht elektrisch verbunden. Die Vielzahl elektrischer Verbindungselemente ist geeignet, die zweite Halbleiterschicht mit der zweiten Strom aufweitungsschicht elektrisch zu verbinden. Die ersten Verbin dungsbereiche sind mit der ersten Stromaufweitungsschicht ver bunden und erstrecken sich durch die zweite Stromaufweitungs schicht hindurch. Eine Flächenbelegung der ersten Verbindungs bereiche in einem Bereich zwischen benachbarten Teilen der zweiten Stromaufweitungsschicht ist größer als 20 % einer Flä chenbelegung der ersten Stromaufweitungsschicht .
Gemäß den in dieser Anmeldung beschriebenen Ausführungsformen ist die zweite Stromaufweitungsschicht geeignet, die Vielzahl der elektrischen Verbindungselemente untereinander zu verbin den .
Die zweite Stromaufweitungsschicht kann beispielsweise teil weise als Gitter bzw. Grid ausgebildet sein. Die zweite Strom aufweitungsschicht kann in diesem Gitterbereich als nicht durchgängige Schicht ausgebildet sein, sondern beispielsweise in gleichbleibenden Abständen unterbrochen sein. Beispielswei se kann die zweite Stromaufweitungsschicht von den elektri schen Verbindungsbereichen unterbrochen sein. Als Folge kann ein Großteil der in dem optoelektronischen Halbleiterchip er zeugten thermischen Wärme über die ersten Verbindungsbereiche abgeführt werden.
Der Halbleiterchip umfasst beispielsweise eine Vielzahl von Lichterzeugungsbereichen, welche zwischen den elektrischen Verbindungselementen angeordnet sind. Die ersten Verbindungs- bereiche sind gemäß Ausführungsformen über eine isolierende Schicht von der zweiten Stromaufweitungsschicht isoliert.
Die erste Stromaufweitungsschicht kann zwischen der zweiten Stromaufweitungsschicht und der ersten Halbleiterschicht ange ordnet sein.
Gemäß Ausführungsformen kann das optoelektronische Halbleiter bauelement ferner ein transparentes Substrat über der zweiten Halbleiterschicht auf einer von der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite aufweisen. Beispielsweise kann ein Teil der zweiten Stromaufweitungsschicht außerhalb der Lichterzeugungs bereiche angeordnet sein.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement kann ferner eine erste Verbindungssäule, die mit den ersten Verbindungsberei chen elektrisch verbunden ist, und eine zweite Verbindungssäu le, die mit der zweiten Stromaufweitungsschicht elektrisch verbunden ist, aufweisen, wobei die erste und die zweite Ver bindungssäule durch ein isolierendes Material voneinander iso liert sind.
Gemäß Ausführungsformen weist das optoelektronische Halblei terbauelement ferner einen ersten Kontaktbereich, der mit der ersten Stromaufweitungsschicht verbunden ist, und einen zwei ten Kontaktbereich, der mit der zweiten Stromaufweitungs schicht verbunden ist, auf, wobei der erste und der zweite Kontaktbereich im Bereich einer zweiten Hauptoberfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements angeordnet sind.
Gemäß Ausführungsformen umfasst das optoelektronische Halblei terbauelement einen ersten Kontaktbereich, der direkt an die ersten Verbindungsbereiche angrenzt, und einen zweiten Kon taktbereich, der direkt an die zweite Stromverteilungsschicht angrenzt. Dabei sind der erste Kontaktbereich und der zweite Kontaktbereich im Bereich einer zweiten Hauptoberfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements angeordnet.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement kann ferner einen ersten Kontaktbereich, der mit den ersten Verbindungsbereichen elektrisch verbunden ist, und einen zweiten Kontaktbereich, der mit der zweiten Stromaufweitungsschicht elektrisch verbun den ist, umfassen. Der zweite Kontaktbereich kann von einer ersten Hauptoberfläche des optoelektronischen Halbleiterbau elements anschließbar sein. Der erste Kontaktbereich kann von einer zweiten Hauptoberfläche des optoelektronischen Halblei terbauelements anschließbar sein.
Gemäß weiteren Ausführungsformen kann das optoelektronische Halbleiterbauelement ferner einen ersten Kontaktbereich, der mit den ersten Verbindungsbereichen elektrisch verbunden ist, und einen zweiten Kontaktbereich, der mit der zweiten Strom aufweitungsschicht elektrisch verbunden ist, umfassen. Dabei können der zweite und der erste Kontaktbereich von einer ers ten Hauptoberfläche des optoelektronischen Halbleiterbauele ments anschließbar sein.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement kann gemäß weiteren Ausführungsformen ferner einen zweiten Kontaktbereich, der mit der zweiten Stromauf eitungsschicht verbunden ist und lateral beabstandet zu dem ersten Kontaktbereich angeordnet ist, um fassen. Dabei kann mindestens ein Teil des zweiten Kontaktbe reichs vertikal nicht mit der ersten Halbleiterschicht über lappen .
Gemäß weiteren Ausführungsformen umfasst ein optoelektroni sches Halbleiterbauelement einen optoelektronischen Halb leiterchip, der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip umfasst eine erste Halbleiterschicht von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähig keitstyp, eine erste und eine zweite Stromaufweitungsschicht sowie eine Vielzahl elektrischer Verbindungselemente. Die ers te Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht bilden einen Halbleiterschichtstapel . Die erste Stromaufweitungs- schicht ist auf einer von der zweiten Halbleiterschicht abge wandten Seite der ersten Halbleiterschicht angeordnet. Die erste Stromauf eitungsschicht ist mit der ersten Halbleiter schicht elektrisch verbunden. Die Vielzahl elektrischer Ver bindungselemente ist geeignet, die zweite Halbleiterschicht mit der zweiten Stromauf eitungsschicht elektrisch zu verbin den. Der optoelektronische Halbleiterchip weist ferner einen ersten Kontaktbereich, der mit der ersten Stromaufweitungs schicht verbunden ist, und einen zweiten Kontaktbereich, der mit der zweiten Stromaufweitungsschicht verbunden ist, auf. Dabei ist der zweite Kontaktbereich von einer ersten Haupt oberfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements an schließbar, und der erste Kontaktbereich ist von einer zweiten Hauptoberfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements anschließbar .
Gemäß weiteren Ausführungsformen umfasst ein optoelektroni sches Halbleiterbauelement einen optoelektronischen Halb leiterchip, der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip weist eine erste Halbleiterschicht von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähig keitstyp, eine erste und eine zweite Stromaufweitungsschicht sowie eine Vielzahl elektrischer Verbindungselemente auf. Die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht bil den einen Halbleiterschichtstapel . Die erste Stromaufweitungs- schicht ist auf einer von der zweiten Halbleiterschicht abge- wandten Seite der ersten Halbleiterschicht angeordnet ist. Die erste Stromaufweitungsschicht ist mit der ersten Halbleiter schicht elektrisch verbunden. Die Vielzahl elektrischer Ver bindungselemente ist geeignet, die zweite Halbleiterschicht mit der zweiten Stromaufweitungsschicht elektrisch zu verbin den. Der optoelektronische Halbleiterchip weist ferner einen ersten Kontaktbereich, der mit der ersten Stromaufweitungs schicht verbunden ist, und einen zweiten Kontaktbereich auf, der mit der zweiten Stromaufweitungsschicht verbunden ist. Der zweite und der erste Kontaktbereich sind von einer ersten Hauptoberfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements anschließbar .
Eine optoelektronische Vorrichtung umfasst gemäß Ausführungs formen das vorstehend beschriebene optoelektronischen Halblei terbauelement. Die optoelektronische Vorrichtung kann bei spielsweise aus Autoscheinwerfern, Projektoren und Beleuch tungsvorrichtungen ausgewählt sein.
Gemäß weiteren Ausführungsformen kann eine optoelektronische Vorrichtung eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiter bauelementen wie vorstehend beschrieben aufweisen.
Die optoelektronische Vorrichtung kann ferner eine Vielzahl von zweiten optoelektronischen Halbleiterbauelementen, die ei nen anderen Aufbau als die optoelektronischen Halbleiterbau elemente haben, aufweisen. Beispielsweise kann die optoelekt ronische Vorrichtung eine Beleuchtungsvorrichtung für Pflanzen sein .
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die begleitenden Zeichnungen dienen dem Verständnis von Aus führungsbeispielen der Erfindung. Die Zeichnungen veranschau- liehen Ausführungsbeispiele und dienen zusammen mit der Be schreibung deren Erläuterung. Weitere Ausführungsbeispiele und zahlreiche der beabsichtigten Vorteile ergeben sich unmittel bar aus der nachfolgenden Detailbeschreibung. Die in den Zeichnungen gezeigten Elemente und Strukturen sind nicht not wendigerweise maßstabsgetreu zueinander dargestellt. Gleiche Bezugszeichen verweisen auf gleiche oder einander entsprechen de Elemente und Strukturen.
FIG. 1 zeigt eine vertikale Querschnittsansicht eines opto elektronischen Halbleiterbauelements gemäß Ausführungsform.
FIG. 2 bis 4 zeigen vertikale Querschnittsansichten von opto elektronischen Halbleiterbauelementen gemäß weiteren Ausfüh rungsformen .
FIG. 5A bis 5C zeigen jeweils horizontale Querschnittsansich ten des optoelektronischen Halbleiterbauelements in verschie denen Ebenen.
FIG. 6A bis 6C zeigen jeweils horizontale Querschnittsansich ten des optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß Ausfüh rungsformen in verschiedenen Ebenen.
FIG. 7A und 7B zeigen jeweils eine Ansicht einer optoelektro nischen Vorrichtung. DETAILBESCHREIBUNG
In der folgenden Detailbeschreibung wird auf die begleitenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil der Offenbarung bilden und in denen zu Veranschaulichungszwecken spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind. In diesem Zusammenhang wird eine Richtungsterminologie wie "Oberseite", "Boden", "Vorder seite", "Rückseite", "über", "auf", "vor", "hinter", "vorne", "hinten" usw. auf die Ausrichtung der gerade beschriebenen Fi guren bezogen. Da die Komponenten der Ausführungsbeispiele in unterschiedlichen Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie nur der Erläuterung und ist in keiner Weise einschränkend.
Die Beschreibung der Ausführungsbeispiele ist nicht einschrän kend, da auch andere Ausführungsbeispiele existieren und strukturelle oder logische Änderungen gemacht werden können, ohne dass dabei vom durch die Patentansprüche definierten Be reich abgewichen wird. Insbesondere können Elemente von im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen mit Elementen von anderen der beschriebenen Ausführungsbeispiele kombiniert werden, sofern sich aus dem Kontext nichts anderes ergibt.
Die Begriffe "Wafer" oder "Halbleitersubstrat " , die in der folgenden Beschreibung verwendet sind, können jegliche auf Halbleiter beruhende Struktur umfassen, die eine Halb leiteroberfläche hat. Wafer und Struktur sind so zu verstehen, dass sie dotierte und undotierte Halbleiter, epitaktische Halbleiterschichten, gegebenenfalls getragen durch eine Basis unterlage, und weitere Halbleiterstrukturen einschließen. Bei spielsweise kann eine Schicht aus einem ersten Halbleitermate rial auf einem Wachstumssubstrat aus einem zweiten Halbleiter material oder aus einem isolierenden Material, beispielsweise auf einem Saphirsubstrat, gewachsen sein. Je nach Verwendungs- zweck kann der Halbleiter auf einem direkten oder einem indi rekten Halbleitermaterial basieren. Beispiele für zur Erzeu gung elektromagnetischer Strahlung besonders geeignete Halb leitermaterialien umfassen insbesondere Nitrid- Halbleiterverbindungen, durch die beispielsweise ultraviolet tes, blaues oder langwelligeres Licht erzeugt werden kann, wie beispielsweise GaN, InGaN, A1N, AlGaN, AlGalnN, AlGalnBN, Phosphid-Halbleiterverbindungen, durch die beispielsweise grü nes oder langwelligeres Licht erzeugt werden kann, wie bei spielsweise GaAsP, AlGalnP, GaP, AlGaP, sowie weitere Halb leitermaterialien wie AlGaAs, SiC, ZnSe, GaAs, ZnO, Ga2Ü3, Dia mant, hexagonales BN und Kombinationen der genannten Materia lien. Das stöchiometrische Verhältnis der Verbindungshalb leitermaterialien kann variieren. Weitere Beispiele für Halb leitermaterialien können Silizium, Silizium-Germanium und Ger manium umfassen. Im Kontext der vorliegenden Beschreibung schließt der Begriff „Halbleiter" auch organische Halbleiter materialien ein.
Der Begriff „Substrat" umfasst generell isolierende, leitende oder Halbleitersubstrate .
Die Begriffe "lateral" und "horizontal", wie in dieser Be schreibung verwendet, sollen eine Orientierung oder Ausrich tung beschreiben, die im Wesentlichen parallel zu einer ersten Oberfläche eines Substrats oder Halbleiterkörpers verläuft. Dies kann beispielsweise die Oberfläche eines Wafers oder ei¬ nes Chips (Die) sein.
Die horizontale Richtung kann beispielsweise in einer Ebene senkrecht zu einer Wachstumsrichtung beim Aufwachsen von Schichten liegen. Der Begriff "vertikal", wie er in dieser Beschreibung verwen det wird, soll eine Orientierung beschreiben, die im Wesentli chen senkrecht zu der ersten Oberfläche eines Substrats oder Halbleiterkörpers verläuft. Die vertikale Richtung kann bei spielsweise einer Wachstumsrichtung beim Aufwachsen von Schichten entsprechen.
Soweit hier die Begriffe "haben", "enthalten", "umfassen", "aufweisen" und dergleichen verwendet werden, handelt es sich um offene Begriffe, die auf das Vorhandensein der besagten Elemente oder Merkmale hinweisen, das Vorhandensein von weite ren Elementen oder Merkmalen aber nicht ausschließen. Die un bestimmten Artikel und die bestimmten Artikel umfassen sowohl den Plural als auch den Singular, sofern sich aus dem Zusam menhang nicht eindeutig etwas anderes ergibt.
Im Kontext dieser Beschreibung bedeutet der Begriff „elektrisch verbunden" eine niederohmige elektrische Verbin dung zwischen den verbundenen Elementen. Die elektrisch ver bundenen Elemente müssen nicht notwendigerweise direkt mitei nander verbunden sein. Weitere Elemente können zwischen elektrisch verbundenen Elementen angeordnet sein.
Der Begriff „elektrisch verbunden" umfasst auch Tunnelkontakte zwischen den verbundenen Elementen.
FIG. 1 zeigt eine vertikale Querschnittsansicht eines opto elektronischen Halbleiterbauelements 10 gemäß Ausführungsfor men. Das optoelektronische Halbleiterbauelement 10 umfasst ei nen optoelektronischen Halbleiterchip 11. Der optoelektroni sche Halbleiterchip 11 ist geeignet, elektromagnetische Strah lung 15 zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip 11 umfasst eine erste Halbleiterschicht 140 von einem ersten Leitfähigkeitstyp, beispielsweise p-Typ und eine zweite Halb- leiterschicht 150 von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, bei¬ spielsweise n-Typ. Der optoelektronische Halbleiterchip 11 weist ferner eine erste und eine zweite Stromaufweitungs- schicht 180, 160, eine Vielzahl elektrischer Verbindungsele mente 120 sowie eine Vielzahl erster Verbindungsbereiche 125 auf. Die erste Halbleiterschicht 140 und die zweite Halb leiterschicht 150 bilden einen Halbleiterschichtstapel . Die erste Stromaufweitungsschicht 180 ist auf einer von der zwei¬ ten Halbleiterschicht 150 abgewandten Seite der ersten Halb leiterschicht 140 angeordnet und ist mit der ersten Halb leiterschicht 140 elektrisch verbunden. Die Vielzahl elektri scher Verbindungselemente 120 ist geeignet, die zweite Halb¬ leiterschicht 150 mit der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 elektrisch zu verbinden. Die ersten Verbindungsbereiche sind mit der ersten Stromaufweitungsschicht verbunden und erstre cken sich durch die zweite Stromaufweitungsschicht hindurch. Eine Flächenbelegung der ersten Verbindungsbereiche 125 in ei nem Bereich zwischen benachbarten Teilen der zweiten Stromauf weitungsschicht 160 ist größer als 20 % der Flächenbelegung der Stromaufweitungsschicht 160.
Gemäß Ausführungsformen kann die erzeugte elektromagnetische Strahlung 15 über eine erste Hauptoberfläche 151 der zweiten Halbleiterschicht 150 emittiert werden. Beispielsweise kann die erste Hauptoberfläche 151 der zweiten Halbleiterschicht 150 aufgeraut sein, um eine Lichtauskoppeleffizienz zu erhö hen. Eine aktive Zone 145 kann zwischen der ersten Halbleiter schicht 140 und der zweiten Halbleiterschicht 150 angeordnet sein. Beispielsweise kann eine aktive Zone zwischen erster und zweiter Halbleiterschicht angeordnet sein. Die aktive Zone kann beispielsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruk tur, eine Einfach-Quantentopf-Struktur (SQW, single quantum well) oder eine Mehrfach-Quantentopf-Struktur (MQW, multi quantum well) zur Strahlungserzeugung aufweisen. Die Bezeich- nung „Quantentopf-Struktur" entfaltet hierbei keine Bedeutung hinsichtlich der Dimensionalität der Quantisierung. Sie um fasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte sowie jede Kombination dieser Schichten.
Die erste Stromaufweitungsschicht 180 ist angrenzend an die erste Halbleiterschicht 140 angeordnet. Die erste Stromaufwei tungsschicht 180 kann beispielsweise mehrere Schichten umfas sen. Beispielsweise kann die erste Stromaufweitungsschicht 180 eine Schicht 181 aus Silber sowie eine oder mehrere weitere leitfähige Schichten 182 umfassen. Beispielsweise kann die weitere leitfähige Schicht 182 eine dünne Schicht aus einem Metall wie beispielsweise Platin, Palladium, Titan, Nickel, Chrom, welches Diffusion von anderen Metallen verhindern kann, aufweisen. Die weitere leitfähige Schicht kann ferner eine hochleitfähige Schicht, beispielsweise aus Au, Cu, Ag oder Al enthalten. Beispielsweise kann die leitfähige Schicht 182 die Silberschicht einkapseln. Zusätzlich kann beispielsweise eine leitfähige Oxidschicht zwischen der Silberschicht 181 und der ersten Halbleiterschicht 140 angeordnet sein, um einen verbes serten Kontakt zur ersten Halbleiterschicht bereitzustellen.
Die zweite Stromaufweitungsschicht 160 kann über eine isolie rende Schicht 105 von der ersten Stromaufweitungsschicht 180 und der ersten Halbleiterschicht 140 isoliert sein. Die zweite Stromaufweitungsschicht 160 ist über elektrische Verbindungs elemente 120 mit der zweiten Halbleiterschicht 150 verbunden. Beispielsweise kann eine Vielzahl von elektrischen Verbin dungselementen 120 vorgesehen sein, und Lichterzeugungsberei che 130, in denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, sind beispielsweise zwischen benachbarten elektrischen Verbin dungselementen 120 angeordnet. Beispielsweise kann eine leit fähige Schicht, die die zweite Stromaufweitungsschicht 160 so wie die elektrischen Verbindungselemente 120 ausbildet, Ti, WN, oder einen Metallstapel aus diesen Schichten aufweisen. Der Metallschichtstapel kann weiterhin Gold oder Platin ent halten .
Die ersten Verbindungsbereiche 125 sind mit der ersten Strom aufweitungsschicht 180 verbunden. Die ersten Verbindungsberei che 125 sind beispielsweise über ein isolierendes Material 102 von der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 isoliert. Weiter hin sind die elektrischen Verbindungselemente 120 jeweils durch ein isolierendes Material 105 sowohl von der ersten Stromaufweitungsschicht 180 als auch von der ersten Halb leiterschicht 140 isoliert. Beispiele für das isolierende Ma terial 102,105 umfassen insbesondere Siliziumoxid, Silizium nitrid, Aluminiumoxid und Kombinationen dieser Materialien.
Erfindungsgemäß ist nun vorgesehen, dass eine Flächenbelegung der ersten Verbindungsbereiche 125 in einem Bereich zwischen benachbarten Teilen der zweiten Stromaufweitungsschicht größer als 20 % einer Flächenbelegung der zweiten Stromaufweitungs schicht 160 ist. Das optoelektronische Halbleiterbauelement weist eine Vielzahl von ersten Verbindungsbereichen 125 auf. Die Flächenbelegung der ersten Verbindungsbereiche 125 be trifft daher die Summe der einzelnen Flächen aller ersten Ver bindungsbereiche 125 in einer Ebene. Weiterhin bezeichnet der Begriff „Flächenbelegung der zweiten Stromaufweitungsschicht" den horizontalen Anteil der zweiten Stromaufweitungsschicht 160, an dem elektrisch leitendes Material, das mit der zweiten Stromaufweitungsschicht elektrisch verbunden ist, vorliegt. Gemäß Ausführungsformen kann die Flächenbelegung größer als 50 % oder sogar größer als 80 % der Flächenbelegung der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 sein. Als Folge kann ein Großteil der in dem optoelektronischen Halbleiterchip 11 erzeugten thermischen Wärme über die ersten Verbindungsbereiche 125 ab geführt werden. Das Merkmal der Verhältnisse der Flächenbele- gung wird unter Bezugnahme auf die Figuren 5C und 6C, die je weils horizontale Querschnittsansichten zeigen, nochmals er läutert werden.
FIG. 1 zeigt weiterhin eine horizontale Abmessung d der ersten Verbindungsbereiche 125 in einem Bereich zwischen benachbarten Teilen der zweiten Stromaufweitungsschicht sowie eine horizon tale Abmessung s der zweiten Stromaufweitungsschicht 160. Bei spielsweise kann eine horizontale Abmessung d der ersten Ver bindungsbereiche 125 in einem Bereich zwischen benachbarten Teilen der zweiten Stromaufweitungsschicht größer als 20 % ei ner horizontalen Abmessung s der zweiten Stromaufweitungs schicht 160 sein. Das optoelektronische Halbleiterbauelement weist eine Vielzahl von ersten Verbindungsbereichen 125 auf. Die horizontale Abmessung d der ersten Verbindungsbereiche 125 betrifft daher die Summe der einzelnen Abmessungen aller ers ten Verbindungsbereiche 125 in einer Ebene. Weiterhin bezeich net der Begriff „horizontale Abmessung der zweiten Stromauf weitungsschicht" den horizontalen Anteil der zweiten Stromauf weitungsschicht 160, an dem elektrisch leitendes Material, das mit der zweiten Stromaufweitungsschicht elektrisch verbunden ist, vorliegt. Gemäß Ausführungsformen kann die die horizonta le Abmessung d der ersten Verbindungsbereiche größer als 50 % oder sogar größer als 80 % der horizontalen Abmessung s der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 sein.
Gemäß einer alternativen Betrachtungsweise umfasst ein opto elektronisches Halbleiterbauelement 10 einen optoelektroni schen Halbleiterchip 11, der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung 15 zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiter chip 11 weist eine erste Halbleiterschicht 140 von einem ers ten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht 150 von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine erste und eine zweite Stromaufweitungsschicht 180, 160, eine Vielzahl elektrischer Verbindungselemente 120 sowie eine Vielzahl erster Verbin dungsbereiche 125 auf. Die erste Halbleiterschicht 140 und die zweite Halbleiterschicht 150 bilden einen Halbleiter schichtstapel. Die erste Stromaufweitungsschicht 180 ist auf einer von der zweiten Halbleiterschicht 150 abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht 140 angeordnet. Die erste Strom aufweitungsschicht 180 ist mit der ersten Halbleiterschicht 140 elektrisch verbunden. Die Vielzahl elektrischer Verbin dungselemente 120 ist geeignet, die zweite Halbleiterschicht 150 mit der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 elektrisch zu verbinden. Die ersten Verbindungsbereiche 125 sind mit der ersten Stromaufweitungsschicht 180 verbunden und erstrecken sich durch die zweite Stromauf eitungsschicht 160 hindurch. Eine Flächenbelegung der ersten Verbindungsbereiche 125 in ei nem Bereich zwischen benachbarten Teilen der zweiten Stromauf weitungsschicht 160 ist größer als 20 % einer Flächenbelegung der ersten Stromaufweitungsschicht 180.
Gemäß weiteren Ausführungsformen kann auch eine Flächenbele gung der ersten Verbindungsbereiche 125 in einem Bereich zwi schen benachbarten Teilen der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 größer als 20% einer Flächenbelegung der Silberschicht 181 sein, welche in direktem Kontakt mit der ersten Halbleiter schicht 140 angeordnet sein kann. Die Flächenbelegung kann auch mindestens 40 % oder mindestens 60 oder 80 % der Flächen belegung der Silberschicht 181 sein.
Beim Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauelements wird eine elektrische Spannung über die zweite Stromaufweitungs schicht 160 und die über die ersten Verbindungsbereiche 125 angeschlossene erste Stromaufweitungsschicht 180 an die LED angelegt. Dabei erstreckt sich ein elektrischer Strompfad von der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 über die elektrischen Verbindungselemente 120 zu der zweiten Halbleiterschicht 150 und wird über diese entlang der aktiven Zone 125 oder entlang der Grenzfläche zur ersten Halbie terschicht 140 verteilt. Entsprechend findet die Wärmeentwicklung im Wesentlichen im Bereich der aktiven Zone oder der Grenzfläche zwischen erster und zweiter Halbleiterschicht 140, 150 statt. Dadurch, dass die horizontale Abmessung d des ersten Verbindungsbereichs 125 eine entsprechende Größe aufweist, kann die Wärme in dem Be reich, in dem sie entsteht, besonders wirkungsvoll abgeführt werden. Entsprechend kann eine Aufheizung des optoelektroni schen Halbleiterbauelements vermieden bzw. unterdrückt werden. Als Folge wird die Effizienz des optoelektronischen Halblei terbauelements vergrößert.
Dies ist beispielsweise in Fällen günstig, in denen das opto elektronische Halbleiterbauelement ein sogenanntes Hochleis tungsbauelement mit einer Stromdichte von mehreren A/mm2 ist. Als weitere Folge kann auch die Konversionseffizienz bei Ver wendung eines Konvertermaterials zum Verändern der von dem optoelektronischen Halbleiterbauelement ausgegebenen Lichtwel lenlänge verbessert werden. Weiterhin kann die Gesamtlebens dauer des Bauelements vergrößert werden, da beispielsweise auch Polymere und andere empfindliche Einkapselungs- oder Ver packungsmaterialien weniger schnell altern. Als weitere Konse quenz können auch Betriebsströme erhöht werden, ohne dass eine Maximaltemperatur des Bauelements überschritten wird.
Wie in FIG. 1 weiterhin veranschaulicht ist, kann gemäß Aus führungsform das optoelektronische Halbleiterbauelement 10 ferner eine erste Verbindungssäule 131 sowie eine zweite Ver bindungssäule 132 umfassen, die beispielsweise durch ein iso lierendes Trägermaterial 135 voneinander isoliert sein können. Die erste Verbindungssäule 131 ist mit den ersten Verbindungs bereichen 125 elektrisch leitend verbunden. Weiterhin ist die zweite Verbindungssäule 132 mit der zweiten Stromaufweitungs- Schicht 160 elektrisch leitend verbunden. Beispielsweise kön nen die Verbindungssäulen eine entsprechend dicke Nickel schicht aufweisen. Beispielsweise kann die Dicke der Nickel schicht mehr als 100 mpi, beispielsweise mehr als 120 gm betra gen. Anstelle von Nickel kann selbstverständlich auch ein Me tall mit einer besseren thermischen Leitfähigkeit, beispiels weise Kupfer, verwendet werden, um die Wärmeabfuhr weiter zu verbessern. Gemäß weiteren Ausführungsformen kann auch auf die erste und die zweite Verbindungssäule verzichtet werden. Bei spielsweise kann, wie nachstehend unter Bezugnahme auf FIG. 4 erläutert werden wird, das optoelektronische Halbleiterbauele ment 10 auch direkt über Kontaktbereich in Kontakt mit den ersten Verbindungsbereiche 125 oder in Kontakt mit der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 montiert bzw. aufgelötet werden.
Gemäß den in FIG. 1 veranschaulichten Ausführungsformen können sowohl erste als auch zweite Stromaufweitungsschichten 180, 160 jeweils von einer Rückseite des optoelektronischen Halb leiterchips kontaktiert werden, das heißt von einer Seite, die nicht die Lichtemissionsoberfläche ist.
Weiterhin kann beispielsweise eine Kontaktschicht 115, bei spielsweise aus einem leitfähigen Oxid, beispielsweise Zin koxid, zwischen der zweiten Halbleiterschicht 150 und der leitfähigen Schicht 114 vorgesehen sein. Die leitfähige Schicht 114 kann beispielsweise eine Keimschicht sein für ein nachfolgend durchzuführendes galvanisches Verfahren zur Aus bildung einer leitfähigen Schicht, die beispielsweise das elektrische Verbindungselement und die zweite Stromaufwei tungsschicht 160 bildet. Die Keimschicht 114 kann auch zwi schen der ersten Stromaufweitungsschicht 180 und den ersten Verbindungsbereichen 125 vorgesehen sein, um die galvanische Ausbildung der ersten Verbindungsbereiche 125 zu fördern. Die Keimschicht 114 kann weiterhin zwischen der zweiten Stromauf- weitungsschicht 160 und der zweiten Verbindungssäule 132 ange ordnet sein. Beispielsweise kann die Keimschicht 114 ein be liebiges elektrisch leitendes Material enthalten. Die Keim schicht 114 kann aus einem Metall aufgebaut sein, das nicht oxidiert, also chemisch inert ist, beispielsweise Gold oder Nickel .
FIG. 2 zeigt eine vertikale Querschnittsansicht eines opto elektronischen Halbleiterbauelements gemäß weiteren Ausfüh rungsformen. Das in FIG. 2 dargestellte optoelektronische Halbleiterbauelement ist ähnlich wie das in FIG. 1 dargestell te Halbleiterbauelement aufgebaut. Zusätzlich ist ein transpa rentes Substrat 100 angrenzend an die erste Hauptoberfläche 151 der zweiten Halbleiterschicht 150 angeordnet. Beispiels weise kann das transparente Substrat ein Saphirsubstrat sein, das beispielsweise als Wachstumssubstrat zum epitaktischen Aufwachsen der zweiten und ersten Halbleiterschicht dient. Beispielsweise kann in diesem Fall durch das Saphirsubstrat 100 die in dem optoelektronischen Halbleiterchip erzeugte Wär me weiter verteilt werden. Von dem optoelektronischen Halb leiterchip 11 emittierte elektromagnetische Strahlung 15 kann beispielsweise über die erste Hauptoberfläche des transparen ten Substrats und auch über seine Seitenflächen emittiert wer den .
Gemäß in FIG. 2 veranschaulichten Ausführungsformen weist das optoelektronische Halbleiterbauelement ferner einen zweiten Kontaktbereich 127 auf. Der zweite Kontaktbereich 127 ist mit der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 verbunden. Der zweite Kontaktbereich 127 ist von einer ersten Hauptoberfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterbauelements anschließbar. Weiterhin ist ein erster Kontaktbereich 126, der mit der ers ten Stromaufweitungsschicht 180 verbunden ist, von einer zwei ten Hauptoberfläche des optoelektronischen Halbleiterbauele- ments anschließbar. Beispielsweise kann der erste Kontaktbe reich 126 eine flächige oder teilweise flächig ausgebildete leitfähige Schicht umfassen, die mit den ersten Verbindungsbe reichen 125 in Kontakt steht.
Wie in FIG. 2 gezeigt ist, kann der optoelektronische Halb leiterchip 11 auf einen Träger 117 montiert sein. Beispiels weise kann der Träger 117 dotiertes Silizium umfassen, wodurch ein ganzflächiger Kontakt zum ersten Kontaktbereich 126 be reitgestellt werden kann. Beispielsweise kann eine leitfähige Schicht 119 auf einer zweiten Hauptoberfläche 121 des Trägers 117 angeordnet sein. Eine erste leitfähige Schicht 118 kann zwischen dem Trägermaterial 117 und dem ersten Kontaktbereich 126 vorgesehen sein. Beispielsweise kann der Träger 117 vorge sehen sein, um dem optoelektronischen Halbleiterbauelement 10 mechanische Stabilität zu verleihen. Eine Schichtdicke des Trägers 117 kann entsprechend ausgewählt sein. Gemäß weiteren Ausführungsformen kann der optoelektronische Halbleiterchip 11 direkt auf einen Keramikträger, auf dem Leiterbahnen, bei spielsweise aus Kupfer aufgebracht sind, aufgelötet werden. Dadurch kann die Wärmeabfuhr weiter verbessert werden.
Das in FIG. 2 dargestellte optoelektronische Halbleiterbauele ment stellt somit ein vertikales optoelektronisches Halblei terbauelement dar, bei dem eine der beiden Halbleiterschichten von einer ersten Hauptoberfläche oder Vorderseite des Halblei terbauelements und die andere Halbleiterschicht von einer zweiten Hauptoberfläche oder Rückseite des Halbleiterbauele ments kontaktierbar ist. Üblicherweise ist bei optoelektroni schen Halbleiterbauelementen, die Galliumnitrid als Halb leiterschichten enthalten, der Kontaktbereich, der mit der p- Schicht verbunden ist, im Bereich der ersten Hauptoberfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterbauelements angeordnet. Der Kontaktbereich, der mit der n-Halbleiterschicht verbunden ist, ist üblicherweise im Bereich der zweiten Hauptoberfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements angeordnet. Bei optoelektronischen Halbleiterbauelementen, die ein anderes Halbleitermaterial als GaN enthalten, beispielsweise Phosphid- Verbindungshalbleitern, hingegen ist die Polarität umgekehrt. Das heißt, der p-Anschluss befindet sich an der zweiten Haupt oberfläche des Halbleiterbauelements, und der n-Anschluss ist im Bereich der ersten Hauptoberfläche 110 des optoelektroni schen Halbleiterbauelements angeordnet. Dadurch, dass, wie in FIG. 2 veranschaulicht, die Anordnung und Polarität der Kon taktbereiche nun an die Polarität der Kontaktbereiche in opto elektronischen Halbleiterbauelementen mit anderen Halbleiter materialien angepasst ist, ist es auf einfache Weise möglich, in optoelektronischen Halbleiterbauelementen mit unterschied lichen Halbleiterchips (d.h. die beispielsweise auf unter schiedlichen Halbleitermaterialien basieren) die entsprechen den optoelektronischen Halbleiterchips jeweils vorzusehen oder auszutauschen .
FIG. 3 zeigt eine vertikale Querschnittsansicht eines opto elektronischen Halbleiterbauelements gemäß weiteren Ausfüh rungsformen. Komponenten des in FIG. 3 dargestellten opto elektronischen Halbleiterbauelements sind ähnlich oder iden tisch zu den in FIG. 1 und 2 dargestellten Komponenten. Abwei chend von der in FIG. 2 gezeigten Ausführungsform kann hier auch der erste Kontaktbereich 126 von einer Seite der ersten Hauptoberfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterbauele ments 10 kontaktiert werden. Das heißt, erster Kontaktbereich 126 und zweiter Kontaktbereich 127 sind jeweils an einer Vor derseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements 10 plat ziert. Gemäß Ausführungsformen kann der optoelektronische Halbleiterchip 11 auf einen isolierenden Träger 117 aufge bracht sein. Der isolierende Träger 117 kann ein Träger mit hoher thermischer Leitfähigkeit sein. Beispielsweise kann der Träger 117 aus einer A1N- oder S i3N4-Keramik hergestellt sein. Beispielsweise kann die leitfähige Schicht, die die ersten Verbindungsbereiche 125 darstellt, großflächig aufgebracht sein. Ein erster Kontaktbereich 126 ist über diese leitfähige Schicht mit den ersten Verbindungsbereichen 125 elektrisch leitend verbunden. Beispielsweise kann der zweite Kontaktbe reich 127 durch eine leitfähige Schicht über der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 ausgebildet sein.
Zusätzlich kann eine erste leitfähige Schicht 118 zwischen dem isolierenden Träger 117 und dem leitfähigen Material, das die elektrische Verbindung zwischen den ersten Verbindungsberei chen 125 und dem ersten Kontaktbereich herstellt, angeordnet sein. Gemäß Ausführungsformen, die in FIG. 3 dargestellt sind, kann weiterhin eine leitfähige Schicht 119 im Bereich einer Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips 11 aufge bracht sein.
FIG. 4 zeigt eine vertikale Querschnittsansicht eines opto elektronischen Halbleiterbauelements 10 gemäß weiteren Ausfüh rungsformen. Gemäß den in FIG. 4 veranschaulichten Ausfüh rungsformen wird versucht, die Verbindung zwischen der ersten Stromaufweitungsschicht 180 und den ersten Verbindungsberei chen 125 so groß wie möglich zu machen. Entsprechend kann eine horizontale Abmessung d der ersten Verbindungsbereiche 125 ge mäß diesen Ausführungsformen sogar größer als eine horizontale Abmessung s der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 sein. Eine Flächenbelegung der ersten Verbindungsbereiche 125 gemäß die sen Ausführungsformen kann ebenfalls größer als eine Flächen belegung der zweiten Stromaufweitungsschicht sein. Weitere Elemente der Ausführungsform von FIG. 4 sind ähnlich wie Kom ponenten, die in Bezug auf die FIG. 1 bis 3 diskutiert worden sind. Gemäß Ausführungsformen, die in FIG. 4 dargestellt sind, ist ein Teil der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 in einem Bereich angeordnet, der in vertikaler Richtung nicht mit der zweiten Halbleiterschicht 150 überlappt. Das heißt, bezogen auf eine vertikale Richtung, ist die zweite Halbleiterschicht 150 nicht über der gesamten zweiten Stromaufweitungsschicht 160 angeordnet. Ein Teil der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 ist in horizontaler Richtung zwischen benachbarten Teilen der zweiten Halbleiterschicht 150 angeordnet. In entsprechen der Weise ist auch die zweite Verbindungssäule 132, die mit der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 verbunden ist, oder zumindest ein Teil der zweiten Verbindungssäule 132 außerhalb eines Bereichs angeordnet, in dem die erste und die zweite Halbleiterschicht 140, 150 vorliegen. Weiterhin sind die ers ten Verbindungsbereiche 125 derart angeordnet, dass ein größt möglicher Teil der aktiven Zone 145 bzw. der Grenzfläche zwi schen erster und zweiter Halbleiterschicht 140, 150 mit den ersten Verbindungsbereichen 125 überlappen. Auf diese Weise wird eine besonders effiziente Wärmeabfuhr erzielt.
Anders ausgedrückt, wird das Halbleiterbauelement etwas größer gemacht als die Fläche des Halbleiterchips 11. In diesem zu sätzlichen Flächenbereich wird die zweite Verbindungssäule 132 untergebracht, so dass die erste Verbindungssäule 131, die mit den ersten Verbindungsbereichen 125 verbunden ist, eine größt mögliche Flächenausdehnung hat.
Beispielsweise kann ein elektrisch isolierendes Material, bei spielsweise aus Epoxidharz, zwischen der ersten und der zwei ten Verbindungssäule 131, 132 angeordnet sein.
Gemäß weiteren Ausführungsformen kann der untere Teil des optoelektronischen Halbleiterbauelements 10 entlang der Trenn linie 155 auch entfallen. In diesem Fall kann beispielsweise ein erster Kontaktbereich 126 (gestrichelt dargestellt) in Kontakt mit den ersten Verbindungsbereichen 125 ausgebildet werden. Weiterhin kann ein zweiter Kontaktbereich 127 (gestri chelt dargestellt) anstelle der zweiten Verbindungssäule 132 ausgebildet werden. Beispielsweise kann ein derartiges opto elektronisches Halbleiterelement direkt auf einen Keramikträ ger, der beispielsweise Lötstellen aufweist, aufgelötet wer den. Beispielsweise kann der erste Kontaktbereich 126 und der zweite Kontaktbereich 127 eine Schichtdicke von etwa 1 bis 2 pm haben.
Bei Entfernung des unteren Teils des optoelektronischen Bau elements kann beispielsweise ein Laser-Liftoff zum Entfernen des Wachstumssubstrats auf Package-Ebene durchgeführt werden. Weiterhin kann eine Aufrauung der ersten Hauptoberfläche 151 der zweiten Halbleiterschicht 150 auf Package-Ebene erfolgen.
Wie in FIG. 4 gezeigt, ist das optoelektronische Halbleiter bauelement 10 größer als die Fläche innerhalb derer optoelekt ronische Strahlung erzeugt wird.
Die FIG. 5A bis 5C zeigen Querschnittsansichten in unter schiedlichen Ebenen des optoelektronischen Halbleiterbauele ments gemäß Ausführungsformen. Durch diese Figuren soll veran schaulicht werden, welche Bereiche des optoelektronischen Halbleiterbauelements jeweils zur Wärmeabfuhr zur Verfügung stehen und wie die einzelnen Schichten in einer horizontalen Ebene ausgestaltet sind.
FIG. 5A ist eine Draufsicht auf die zweite Halbleiterschicht 150 sowie den zweiten Kontaktbereich 127, wie beispielsweise in FIG. 2 dargestellt ist. Die zweite Halbleiterschicht 150 ist flächig ausgebildet. Bereiche, in denen jeweils die elektrischen Verbindungselemente 120 die zweite Halbleiter schicht 150 kontaktieren, sind ebenfalls in FIG. 5A darge- stellt. Zwischen benachbarten elektrischen Verbindungselemen ten 120 ist jeweils ein Lichterzeugungsbereich 130 angeordnet.
FIG. 5B zeigt eine Draufsicht auf die erste Stromaufweitungs- schicht 180 und veranschaulicht die Bereiche, in denen die erste Stromaufweitungsschicht 180 zur Wärmeabfuhr beiträgt. Eine Position dieser Draufsicht ist beispielsweise in FIG. 2 zwischen I und I' angegeben. Wie zu sehen ist, ist die erste Stromaufweitungsschicht 180 großflächig ausgebildet und von elektrischen Verbindungselementen 120 unterbrochen.
Wie weiterhin zu sehen ist, ist die Flächenbelegung der elektrischen Verbindungselemente 120 wesentlich kleiner als die Fläche der ersten Stromaufweitungsschicht 180. Dadurch dass, wie vorstehend erläutert wurde, die elektrischen Verbin dungselemente 120 räumlich von den Lichterzeugungsbereichen 130 getrennt sind, ist die Wärmeabfuhr über die elektrischen Verbindungselemente 120 in der Regel nicht sehr effizient. Als Folge wird durch eine Beeinträchtigung der Wärmeabfuhr über die elektrischen Verbindungselemente 120 die Leistungsfähig keit des optoelektronischen Halbleiterbauelements in unwesent lichem Ausmaß beeinträchtigt.
FIG. 5C veranschaulicht die Wärmeabfuhr über die zweite Strom auf eitungsschicht 160 sowie die ersten Verbindungsbereiche 125 in einem Bereich zwischen III und III', wie in FIG. 2 dar gestellt ist. In diesem Bereich ist die zweite Stromaufwei tungsschicht 160 als ein Gitter („grid") ausgebildet, in dem die zweite Stromauf eitungsschicht 160 von den elektrischen Verbindungsbereichen 125 unterbrochen ist. Beispielsweise kann durch Erhöhen der Schichtdicke der Stromaufweitungsschicht 160 eine gleichmäßige elektrische Stromaufweitung sichergestellt werden. Beispielsweise kann die Schichtdicke der Stromaufwei- tungsschicht mehr als 500 nm, beispielsweise mehr als 1 pm be¬ tragen, beispielsweise 3 bis 7 pm oder 3 bis 10 pm betragen.
FIG. 5C zeigt weiterhin eine Draufsicht in einem Bereich, in dem die horizontale Ausdehnung der ersten Verbindungsbereiche 125 minimal ist. Das heißt, der in FIG. 5C gezeigte Bereich stellt quasi den thermischen Engpass dar. Wie insbesondere in FIG. 5C dargestellt ist, sind die ersten Verbindungsbereiche 125 im Vergleich zur Größe des Halbleiterchips 11 großflächig ausgebildet. Entsprechend ist eine effiziente Wärmeabfuhr mög lich. Wie in FIG. 5C gezeigt ist, ist eine Flächenbelegung der ersten Verbindungsbereiche 125 in einem Bereich zwischen be nachbarten Teilen der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 grö ßer als 20 % der Flächenbelegung der zweiten Stromauf eitungs schicht 160. Beispielsweise kann die Flächenbelegung auch grö ßer als 20 %, beispielsweise größer als 40 % oder größer als 60 % oder größer als 80 % der Flächenbelegung der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 sein.
Die FIG. 6A bis 6C sind entsprechende Ansichten für den Fall des in FIG. 3 dargestellten optoelektronischen Halbleiterbau elements. Wie in FIG. 6A dargestellt ist, sind der erste Kon taktbereich 126 und der zweite Kontaktbereich 127 im Bereich der ersten Hauptoberfläche 110 des optoelektronischen Halblei terbauelements ausgebildet. Die zweite Halbleiterschicht ist wie in FIG. 5A dargestellt ganzflächig ausgebildet und stel lenweise über elektrische Verbindungselemente 120 mit der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 verbunden. Lichterzeu gungsbereiche 130 sind jeweils zwischen benachbarten elektri schen Verbindungselementen 120 angeordnet. Wie in FIG. 6B dar gestellt ist, trägt die gesamte Fläche der ersten Stromaufwei¬ tungsschicht 180 im Bereich des gesamten Halbleiterchips zur Wärmeabfuhr bei. Ebenso tragen die elektrischen Verbindungselemente 120 im ge samten Bereich des Halbleiterchips zum Wärmeabtransport bei. Wie in FIG. 6C dargestellt ist, trägt zusätzlich ein außerhalb der Chipfläche angeordneter Teil des ersten Kontaktbereichs 126 zum Wärmeabtransport bei. Weiterhin erfolgt der Wärmeab transport im gesamten Bereich des Halbleiterchips über die ersten Verbindungsbereiche 125. Wie in FIG. 6C gezeigt ist, ist eine Flächenbelegung der ersten Verbindungsbereiche 125 in einem Bereich zwischen benachbarten Teilen der zweiten Strom aufweitungsschicht 160 größer als 20 % der Flächenbelegung der zweiten Stromaufweitungsschicht 160. Beispielsweise kann die Flächenbelegung auch größer als 20 %, beispielsweise größer als 40 % oder größer als 60 % oder größer als 80 % der Flä chenbelegung der zweiten Stromaufweitungsschicht 160 sein.
FIG. 7A zeigt eine schematische Ansicht einer optoelektroni schen Vorrichtung 20. Die optoelektronische Vorrichtung 20 um fasst das optoelektronische Halbleiterbauelement 10 wie vor stehend beschrieben. Beispielsweise kann die optoelektronische Vorrichtung eine Vorrichtung mit hoher Leuchtdichte sein, die beispielsweise mit einer hohen Stromstärke betrieben werden kann. Spezifische Beispiele umfassen Autoscheinwerfer, Projek toren und spezielle Beleuchtungsvorrichtungen mit hoher Leuchtdichte .
Weiterhin kann, wie in FIG. 7B veranschaulicht, die optoelekt ronische Vorrichtung 20 eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen 10 umfassen. Die optoelektronische Vor richtung 20 kann ferner zweite optoelektronische Halbleiter bauelemente 12 umfassen, die beispielsweise auf einem anderen Halbleitermaterial als die optoelektronischen Halbleiterbau elemente 10 basieren können und einen anderen Aufbau haben können. Beispielsweise kann die optoelektronische Vorrichtung eine Vielzahl erster Anschlüsse 107 und eine Vielzahl zweiter Anschlüsse 108 umfassen. Die ersten Anschlüsse können bei spielsweise positive Anschlüsse sein, die zweiten Anschlüsse können beispielsweise negative Anschlüsse sein. Beispielsweise können die ersten Anschlüsse 107 eine Kontaktierung von einer zweiten Hauptoberfläche der optoelektronischen Halbleiterbau elemente 10 ermöglichen. Die zweiten Anschlüsse 108 können ei ne Kontaktierung von einer ersten Hauptoberfläche der opto elektronischen Halbleiterbauelemente ermöglichen. Gemäß Aus führungsformen können die ersten Kontaktbereiche 126 der opto elektronischen Halbleiterbauelemente 10 an der zweiten Haupt oberfläche vorliegen, und die zweiten Kontaktbereiche 127 der optoelektronischen Halbleiterbauelemente 10 liegen an der ers ten Hauptoberfläche vor. Auf diese Weise können die optoelekt ronischen Halbleiterbauelemente 10 in ähnlicher Weise wie LEDs, die auf Phosphid-Halbleiterverbindungen basieren, kon taktiert werden. Als Folge können LEDs in der optoelektroni schen Vorrichtung 20 in einfacher Weise ausgetauscht werden. Beispielsweise können derartige optoelektronischen Vorrichtun gen 20 zum Beleuchten von Pflanzen verwendet werden. In derar tigen Vorrichtungen können beispielsweise eine Vielzahl von roten und blauen LEDs in Reihe geschaltet sein.
Obwohl hierin spezifische Ausführungsformen veranschaulicht und beschrieben worden sind, werden Fachleute erkennen, dass die gezeigten und beschriebenen spezifischen Ausführungsformen durch eine Vielzahl von alternativen und/oder äquivalenten Ausgestaltungen ersetzt werden können, ohne vom Schutzbereich der Erfindung abzuweichen. Die Anmeldung soll jegliche Anpas sungen oder Variationen der hierin diskutierten spezifischen Ausführungsformen abdecken. Daher wird die Erfindung nur durch die Ansprüche und deren Äquivalente beschränkt. BEZUGSZEICHENLISTE
10 optoelektronisches Halbleiterbauelement
11 optoelektronischer Halbleiterchip
12 zweites optoelektronisches Halbleiterbauelement
15 emittierte elektromagnetische Strahlung
20 optoelektronische Vorrichtung
100 transparentes Substrat
102 isolierende Schicht
105 isolierende Schicht
107 erster Anschluss
108 zweiter Anschluss
110 erste Hauptoberfläche des Halbleiterbauelements
114 leitende Schicht (seed layer)
115 KontaktSchicht
117 Träger
118 erste leitfähige Schicht
119 zweite leitfähige Schicht
120 elektrisches Verbindungselement
121 zweite Hauptoberfläche
125 erster Verbindungsbereich
126 erster Kontaktbereich
127 zweiter Kontaktbereich
130 Lichterzeugungsbereiche
131 erste Verbindungssäule
132 zweite Verbindungssäule
135 isolierendes Trägermaterial
137 Öffnung in isolierender Schicht
140 erste Halbleiterschicht
145 aktive Zone
150 zweite Halbleiterschicht
151 erste Hauptoberfläche der zweiten Halbleiterschicht
155 Trennlinie
160 zweite Stromverteilungsschicht erste Stromverteilungsschicht Silberschicht
leitfähige Schicht

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (11), der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (15) zu emittieren und
eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp ;
eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp ;
eine erste und eine zweite Stromaufweitungsschicht (180, 160),
eine Vielzahl elektrischer Verbindungselemente (120) sowie eine Vielzahl erster Verbindungsbereiche (125) umfasst, wobei
die erste Halbleiterschicht (140) und die zweite Halb leiterschicht (150) einen Halbleiterschichtstapel bilden,
die erste Stromaufweitungsschicht (180) auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (150) abgewandten Seite der ers ten Halbleiterschicht (140) angeordnet ist,
die erste Stromaufweitungsschicht (180) mit der ersten Halbleiterschicht (140) elektrisch verbunden ist,
die Vielzahl elektrischer Verbindungselemente (120) ge eignet ist, die zweite Halbleiterschicht (150) mit der zweiten Stromaufweitungsschicht (160) elektrisch zu verbinden,
die ersten Verbindungsbereiche (125) mit der ersten Stromaufweitungsschicht (180) verbunden sind und sich durch die zweite Stromaufweitungsschicht (160) hindurch erstrecken, und
eine Flächenbelegung der ersten Verbindungsbereiche (125) in einem Bereich zwischen benachbarten Teilen der zwei ten Stromaufweitungsschicht (160) größer als 20 % einer Flä¬ chenbelegung der zweiten Stromauf eitungsschicht (160) ist. 2. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (11), der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (15) zu emittieren und
eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp ;
eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp ;
eine erste und eine zweite Stromaufweitungsschicht (180, 160),
eine Vielzahl elektrischer Verbindungselemente (120) sowie eine Vielzahl erster Verbindungsbereiche (125) umfasst, wobei
die erste Halbleiterschicht (140) und die zweite Halb leiterschicht (150) einen Halbleiterschichtstapel bilden,
die erste Stromaufweitungsschicht (180) auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (150) abgewandten Seite der ers¬ ten Halbleiterschicht (140) angeordnet ist,
die erste Stromaufweitungsschicht (180) mit der ersten Halbleiterschicht (140) elektrisch verbunden ist,
die Vielzahl elektrischer Verbindungselemente (120) ge eignet ist, die zweite Halbleiterschicht (150) mit der zweiten Stromaufweitungsschicht (160) elektrisch zu verbinden,
die ersten Verbindungsbereiche (125) mit der ersten Stromaufweitungsschicht (180) verbunden sind und sich durch die zweite Stromaufweitungsschicht (160) hindurch erstrecken, und
eine Flächenbelegung der ersten Verbindungsbereiche (125) in einem Bereich zwischen benachbarten Teilen der zwei ten Stromaufweitungsschicht (160) größer als 20 % einer Flä chenbelegung der ersten Stromaufweitungsschicht (180) ist.
3. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die zweite Stromaufweitungsschicht (160) ge- eignet ist, die Vielzahl der elektrischen Verbindungselemente (120) untereinander zu verbinden.
4. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die zweite Stromaufweitungs schicht (160) teilweise als Gitter ausgebildet ist.
5. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Halbleiterchip (11) eine Vielzahl von Lichterzeugungsbereichen (130) umfasst, wel che zwischen den elektrischen Verbindungselementen (120) ange ordnet sind.
6. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die ersten Verbindungs bereiche (125) über eine isolierende Schicht (102) von der zweiten Stromauf eitungsschicht (160) isoliert sind.
7. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die erste Stromaufwei tungsschicht (180) zwischen zweiter Stromaufweitungsschicht (160) und erster Halbie terschicht (150) angeordnet ist.
8. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner mit einem transparenten Substrat (100) über der zweiten Halbleiterschicht auf einer von der ersten Halbie terschicht (140) abgewandten Seite.
9. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der ein Teil der zweiten Stromaufweitungsschicht (160) außerhalb der Lichterzeugungsbe¬ reiche (130) angeordnet ist. 10. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner mit einer ersten Verbin dungssäule (131), die mit den ersten Verbindungsbereichen
(125) elektrisch verbunden ist, und einer zweiten Verbindungs säule (132), die mit der zweiten Stromaufweitungsschicht (160) elektrisch verbunden ist, wobei die erste und die zweite Ver bindungssäule (131, 132) durch ein isolierendes Trägermaterial (135) voneinander isoliert sind.
11. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner mit einem ersten Kontakt bereich (126), der mit der ersten Stromaufweitungsschicht (180) verbunden ist, und einem zweiten Kontaktbereich (127), der mit der zweiten Stromaufweitungsschicht (160) verbunden ist, wobei der erste und der zweite Kontaktbereich (126, 127) im Bereich einer zweiten Hauptoberfläche des optoelektroni schen Halbleiterbauelements (10) angeordnet sind.
12. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, ferner mit einem ersten Kontaktbereich
(126), der direkt an die ersten Verbindungsbereiche (125) an grenzt, und einem zweiten Kontaktbereich (127), der direkt an die zweite Stromverteilungsschicht (160) angrenzt, wobei der erste Kontaktbereich (126) und der zweite Kontaktbereich (127) im Bereich einer zweiten Hauptoberfläche des optoelektroni schen Halbleiterbauelements (10) angeordnet sind.
13. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, ferner mit einem ersten Kontaktbereich
(126), der mit den ersten Verbindungsbereichen (125) elektrisch verbunden ist, und einem zweiten Kontaktbereich
(127), der mit der zweiten Stromaufweitungsschicht (160) elektrisch verbunden ist, wobei der zweite Kontaktbereich (127) von einer ersten Hauptoberfläche (110) des optoelektro- nischen Halbleiterbauelements (10) anschließbar ist und der erste Kontaktbereich (126) von einer zweiten Hauptoberfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements anschließbar ist.
14. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, ferner mit einem ersten Kontaktbereich
(126), der mit den ersten Verbindungsbereichen (120) elektrisch verbunden ist, und einem zweiten Kontaktbereich
(127), der mit der zweiten Stromauf eitungsschicht (160) elektrisch verbunden ist, wobei der zweite und der erste Kon taktbereich (126, 127) von einer ersten Hauptoberfläche (110) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (10) anschließbar sind .
15. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, ferner mit einem zweiten Kontaktbe¬ reich (127), der mit der zweiten Stromaufweitungsschicht ver bunden ist und lateral beabstandet zu dem ersten Kontaktbe reich (126) angeordnet ist, wobei mindestens ein Teil des zweiten Kontaktbereichs (127) vertikal nicht mit der ersten Halbleiterschicht (140) überlappt.
16. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (11), der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (15) über eine erste Hauptober fläche (110) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (10) zu emittieren, und
eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp ;
eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp ;
eine erste und eine zweite Stromaufweitungsschicht
(180, 160) sowie eine Vielzahl elektrischer Verbindungselemente (120) umfasst,
wobei die erste Halbleiterschicht (140) und die zweite Halbleiterschicht (150) einen Halbleiterschichtstapel bilden, die erste Stromaufweitungsschicht (180) auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (150) abgewandten Seite der ers ten Halbleiterschicht (140) angeordnet ist,
die erste Stromaufweitungsschicht (180) mit der ersten Halbleiterschicht (140) elektrisch verbunden ist,
die Vielzahl elektrischer Verbindungselemente (120) ge eignet ist, die zweite Halbleiterschicht (150) mit der zweiten Stromaufweitungsschicht (160) elektrisch zu verbinden,
ferner mit einem ersten Kontaktbereich (126), der mit der ersten Stromauf eitungsschicht (180) verbunden ist, und einem zweiten Kontaktbereich (127), der mit der zweiten Strom aufweitungsschicht (160) verbunden ist, wobei der zweite Kon¬ taktbereich (127) von der ersten Hauptoberfläche (110) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (10) anschließbar ist und der erste Kontaktbereich (126) von einer zweiten Haupt oberfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements (10) anschließbar ist.
17. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (11), der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (15) über eine erste Hauptober fläche (110) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (10) zu emittieren, und
eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp ;
eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp ;
eine erste und eine zweite Stromaufweitungsschicht
(180, 160) sowie eine Vielzahl elektrischer Verbindungselemente (20, 21, 22) umfasst,
wobei die erste Halbleiterschicht (140) und die zweite Halbleiterschicht (150) einen Halbleiterschichtstapel bilden, die erste Stromaufweitungsschicht (180) auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (150) abgewandten Seite der ers ten Halbleiterschicht (140) angeordnet ist,
die erste Stromaufweitungsschicht (180) mit der ersten Halbleiterschicht (140) elektrisch verbunden ist,
die Vielzahl elektrischer Verbindungselemente (120) ge eignet ist, die zweite Halbleiterschicht (150) mit der zweiten Stromaufweitungsschicht (160) elektrisch zu verbinden,
ferner mit einem ersten Kontaktbereich (126), der mit der ersten Stromauf eitungsschicht (180) verbunden ist, und einem zweiten Kontaktbereich (127), der mit der zweiten Strom aufweitungsschicht (160) verbunden ist, wobei der zweite und der erste Kontaktbereich (126, 127) von der ersten Hauptober fläche (110) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (10) anschließbar sind.
18. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 16 oder 17, bei dem die zweite Stromauf eitungsschicht (160) geeignet ist, die Vielzahl der elektrischen Verbindungselemen te (120) untereinander und mit dem zweiten Kontaktbereich (127) zu verbinden.
19. Optoelektronische Vorrichtung (20) mit dem optoelektro¬ nischen Halbleiterbauelement (20) nach einem der vorhergehen den Ansprüche.
20. Optoelektronische Vorrichtung (20) nach Anspruch 19, die ausgewählt ist aus Autoscheinwerfern, Projektoren und Be leuchtungsvorrichtungen . 21. Optoelektronische Vorrichtung (20) mit einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 18. 22. Optoelektronische Vorrichtung (20) nach Anspruch 21, ferner mit einer Vielzahl von zweiten optoelektronischen Halb leiterbauelementen (12), die einen anderen Aufbau als die optoelektronischen Halbleiterbauelemente (10) haben. 23. Optoelektronische Vorrichtung (20) nach Anspruch 22, wobei die optoelektronische Vorrichtung eine Beleuchtungsvor- richtung für Pflanzen ist.
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