WO2020093622A1 - 减反阵列基板的制备方法及其制备的减反阵列基板 - Google Patents

减反阵列基板的制备方法及其制备的减反阵列基板 Download PDF

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WO2020093622A1
WO2020093622A1 PCT/CN2019/075813 CN2019075813W WO2020093622A1 WO 2020093622 A1 WO2020093622 A1 WO 2020093622A1 CN 2019075813 W CN2019075813 W CN 2019075813W WO 2020093622 A1 WO2020093622 A1 WO 2020093622A1
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array substrate
stage
acrylic resin
substrate according
manufacturing
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PCT/CN2019/075813
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French (fr)
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张霞
刘刚
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深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits

Definitions

  • the present application relates to the field of display, and in particular to a method for preparing an anti-reflective array substrate and an anti-reflective array substrate prepared therefrom.
  • the array substrate In narrow-frame or borderless products, in order to achieve ultra-fine external circuit connection, the array substrate is usually placed on the light-emitting side.
  • the traditional process of the array substrate is easy to reflect the external ambient light due to the metal signal line located on the outermost side, and a mirror image appears , So that the actual contrast perceived by the human eye is greatly reduced, thereby affecting the display effect, so it is necessary to provide a preparation method of an anti-reflection array substrate capable of reducing the phenomenon of signal line reflection and an anti-reflection array substrate prepared by the preparation method .
  • the present application provides a method for preparing an anti-reflective array substrate and an anti-reflective array substrate prepared thereby to reduce the signal line reflection phenomenon.
  • a method for preparing an anti-reflection array substrate includes:
  • a photoresist solution is configured.
  • the photoresist solution includes an acrylate metal precursor, an acrylic resin, a photoinitiator, a solvent and an auxiliary agent.
  • the structural formula of the acrylate metal precursor is
  • the photoresist layer is processed by a yellow light manufacturing process to form a patterned structure, the patterned structure includes a plurality of carbon chains, and divalent copper is cross-linked between the carbon chains;
  • the mass percentage of the acrylate metal precursor, acrylic resin, photoinitiator, solvent and auxiliary agent is: acrylate metal precursor 1% -30%, acrylic resin 1% -40%, photoinitiator 0.5% -20%, solvent 20% -90% and auxiliary agent 0% -5%.
  • the acrylic resin is an acrylate having a functional group, and the functional group includes one of an unsaturated double bond, an epoxy group, a hydroxyl group, and a carboxyl group or Several combinations.
  • the acrylic resin is an acrylate having a carboxyl group or an epoxy group, and the molecular weight of the acrylic resin is 5000-50000.
  • the acid value range of the acrylic resin is 20 mg / KOH-100 mg / KOH.
  • the temperature of the heat treatment is 200 degrees Celsius-700 degrees Celsius, and the time of the heat treatment is 10 minutes-2 hours.
  • the heat treatment process includes a first stage and a second stage, and the temperature of the first stage is greater than or equal to the temperature of the second stage.
  • the temperature in the first stage is 400 ° C-600 ° C
  • the temperature in the second stage is 200 ° C-400 ° C.
  • the time of the first stage is 10 minutes to 30 minutes
  • the time of the second stage is 10 minutes to 30 minutes.
  • a method for preparing an anti-reflection array substrate includes:
  • a photoresist solution is configured, the photoresist solution includes an acrylate metal precursor, acrylic resin, photoinitiator, solvent and auxiliary agent, the acrylate metal precursor, acrylic resin, photoinitiator, solvent
  • the mass percentages of additives and additives are: acrylate metal precursor 1% -30%, acrylic resin 1% -40%, photoinitiator 0.5% -20%, solvent 20% -90% and additives 0%- 5%
  • a yellow light process is used to process the photoresist layer to form a patterned structure
  • the structural formula of the acrylate metal precursor is
  • the acrylic resin is an acrylate having a functional group, and the functional group includes one of an unsaturated double bond, an epoxy group, a hydroxyl group, and a carboxyl group or Several combinations.
  • the acrylic resin is an acrylate having a carboxyl group or an epoxy group, and the molecular weight of the acrylic resin is 5000-50000.
  • the acid value of the acrylic resin ranges from 20 mg / KOH to 100 mg / KOH.
  • the temperature of the heat treatment is 200 degrees Celsius-700 degrees Celsius, and the time of the heat treatment is 10 minutes-2 hours.
  • the heat treatment process includes a first stage and a second stage, and the temperature of the first stage is greater than or equal to the temperature of the second stage.
  • the temperature in the first stage is 400 ° C-600 ° C
  • the temperature in the second stage is 200 ° C-400 ° C.
  • the time of the first stage is 10 minutes to 30 minutes
  • the time of the second stage is 10 minutes to 30 minutes.
  • An anti-reflection array substrate including:
  • An anti-reduction conductive structure provided on the base substrate includes a first part and a second part, the first part is a porous structure, and the first part includes a plurality of pores, The second part is dispersed in the pore, and the first part and the second part are both conductive materials.
  • the first portion includes elemental carbon
  • the second portion includes elemental copper.
  • the preparation method of the anti-reflective array substrate includes: providing a base substrate; configuring a photoresist solution, the photoresist solution includes an acrylate metal precursor, an acrylic resin, a photoinitiator, Solvents and additives; apply a photoresist solution on the base substrate to form a photoresist layer; use a yellow process to process the photoresist layer to form a patterned structure; perform the patterned structure
  • Heat treatment forms an anti-reduction conductive structure, thereby obtaining the anti-reduction array substrate including the base substrate and the anti-reduction conductive structure, the anti-reduction conductive structure serves as a signal line of the anti-reduction array substrate, thereby avoiding The reflection of light by metal signal lines in the prior art forms an array substrate with reduced light reflection.
  • FIG. 1 is a schematic flowchart of a method for manufacturing an anti-reflection array substrate provided by the present application.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a base substrate in a method for manufacturing an anti-reflection array substrate provided by the present application.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a base substrate and a photoresist layer in a method for manufacturing an anti-reflection array substrate provided by the present application.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a base substrate and a patterned structure in a method for manufacturing an anti-reflection array substrate provided by the present application.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the anti-reflection array substrate prepared by the preparation method of the anti-reflection array substrate provided by the present application.
  • FIG. 1 is a schematic flowchart of a method for manufacturing an anti-reflection array substrate provided by the present application.
  • the preparation method of the anti-reflection array substrate includes:
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the base substrate in the method for manufacturing the anti-reflective array substrate provided by the present application.
  • the base substrate 10 may be glass.
  • the photoresist solution includes an acrylate metal precursor, an acrylic resin, a photo initiator, a solvent, and an auxiliary agent, the acrylate metal precursor, an acrylic resin, a photo initiator ,
  • the mass percentages of solvent and additives are: acrylate metal precursor 1% -30%, acrylic resin 1% -40%, photoinitiator 0.5% -20%, solvent 20% -90% and additives 0 % -5%.
  • the mass percentage of the acrylate metal precursor, acrylic resin, photoinitiator, solvent and auxiliary agent may be: acrylate metal precursor 3% -15%, acrylic resin 15% -20%, photoinitiator 2% -15%, solvent 20% -50%, and additives 0% -2%.
  • the structural formula of the acrylate metal precursor is
  • the acrylic resin is an acrylate having a functional group, and the functional group is one or more of unsaturated double bonds, epoxy groups, hydroxyl groups, carboxyl groups, and the like.
  • the acrylic resin may be methacrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, amyl acrylate, hexyl acrylate, hexyl ethacrylate, methyl (meth) acrylate Glyceride, etc.
  • the number of carbon atoms of the methacrylate and ethyl acrylate is greater than or equal to 1 and less than or equal to 30.
  • the acrylic resin may be an acrylate having a hydroxyl group, such as 2-hydroxy-2-ethyl-1,3 -Di (meth) acrylate of propylene glycol, di (meth) acrylate of trimethylolpropane, etc.
  • the acrylic resin may be an unsaturated acrylate having a hydroxyl group, for example, vinyl ⁇ - (hydroxymethyl) propionate.
  • the acrylic resin may be vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl butyrate, vinyl benzoate and the like.
  • the acrylic resin may be epoxy acrylate, for example, (meth) acrylic acid-2,3-epoxypentyl ester, methacrylic acid-3,4-epoxyhexyl ester, (meth) acrylic acid-6 , 7-epoxyheptyl ester, (meth) acrylic acid-2,3-epoxycyclopentyl ester, methacrylic acid-3,4-epoxycyclohexyl ester, (meth) acrylic acid-6,7 -Epoxycycloheptyl ester and the like.
  • epoxy acrylate for example, (meth) acrylic acid-2,3-epoxypentyl ester, methacrylic acid-3,4-epoxyhexyl ester, (meth) acrylic acid-6 , 7-epoxyheptyl ester, (meth) acrylic acid-2,3-epoxycyclopentyl ester, methacrylic acid-3,4-epoxycyclohexyl ester, (me
  • the acrylic resin may have a carboxyl group.
  • the acrylic resin having a carboxyl group can be alkali-soluble.
  • the acrylic resin having a carboxyl group plays an important role in the development stage.
  • the acrylic resin may have an epoxy group.
  • the acrylic resin having an epoxy group can generate a carboxyl group after the chain initiates ring opening.
  • the acrylic resin is an acrylic resin having a carboxyl group or an epoxy group, and the molecular weight of the acrylic resin is 5000-50000. In one embodiment, the molecular weight of the acrylic resin is 20,000.
  • the acid value range of the acrylic resin is 20 mg / KOH-100 mg / KOH. In an embodiment, the acid value range of the acrylic resin may be 28 mg / KOH-36 mg / KOH.
  • the photoinitiator may be one or a combination of acetophenone compounds, imidazole compounds, benzophenone compounds, benzoin compounds or acylphosphine oxide derivatives.
  • the acetophenone compounds include diethoxyacetophenone, 2,2-dibutoxyacetophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl Propane-1-one, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, etc.
  • the imidazole compounds include 2-methylimidazole, 4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, benzimidazole and the like.
  • the benzophenone compounds include benzophenone, tetraphenylbenzophenone, hydroxybenzophenone, 4,4-dimethylaminobenzophenone and the like.
  • the benzoin compounds include benzophenone, 1- (2-methylphenyl) -2phenylethanone and the like.
  • the acylphosphine oxide derivatives include trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide.
  • the solvent may be tetrahydrofuran, cyclohexanone, PGMEA, ethyl acetate, butyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, ethyl 3-ethoxypropionate, propylene glycol monomethyl ethyl acetate Ester, acetone, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, 1,4-dioxane, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl One or a combination of ketone, methanol, ethanol, propanol, n-butanol, toluene, xylene, ethylbenzene, dimethyl sulfoxide, dimethylacetamide, etc.
  • the auxiliary agent may include an adhesion auxiliary agent, a leveling auxiliary agent and the like.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a base substrate and a photoresist layer in a method for manufacturing an anti-reflection array substrate provided by the present application.
  • the photoresist solution 20 may be formed by coating the photoresist solution on the base substrate 10 by spraying, spin coating, or the like.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a base substrate and a patterned structure in a method for manufacturing an anti-reflection array substrate provided by the present application.
  • the photoresist layer 20 undergoes the following reaction after being irradiated with yellow light:
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the anti-reflection array substrate prepared by the preparation method of the anti-reflection array substrate provided by the present application.
  • the temperature of the heat treatment may be 200 degrees Celsius to 700 degrees Celsius.
  • the heat treatment time may be 10 minutes to 2 hours.
  • the patterned structure 21 may be heat-treated under a nitrogen atmosphere.
  • the temperature of the heat treatment may be 450 degrees Celsius, and the time of the heat treatment may be 30 minutes.
  • the heat treatment process may include a first stage and a second stage.
  • the temperature in the first stage is greater than or equal to the temperature in the second stage.
  • the temperature of the first stage is 400 ° C-600 ° C
  • the time of the first stage is 10-30 minutes
  • the temperature of the second stage is 200 ° C-400 ° C, so The time for the second phase is 10-30 minutes.
  • the temperature of the first stage is 450 degrees Celsius
  • the time of the first stage is 20 minutes
  • the temperature of the second stage is 300 degrees Celsius
  • the time of the second stage is 20 minutes .
  • the patterned structure 21 is heated to form an anti-reduction conductive structure 22. Since the patterned structure 21 includes a plurality of carbon chains, and divalent copper is cross-linked between the carbon chains, the carbon and copper elements in the organic matter of the patterned structure 21 are reduced to elemental carbon and elemental copper by heating.
  • the elemental carbon forms a porous structure.
  • the porous structure has several pores 221a.
  • the elemental copper is dispersed in the pores 221a of the porous structure.
  • the elemental carbon may be graphite.
  • the elemental carbon and elemental copper are both conductive materials. Therefore, on the premise that the conductivity of the signal line of the anti-reflection array substrate 30 is ensured, since the elemental carbon is black, therefore, by including elemental carbon and elemental copper
  • the conductive structure 22 greatly reduces the reflection of light by the signal line 31.
  • the present application also provides an anti-reflection array substrate 30.
  • the anti-reflection array substrate 30 is made by the preparation method of the anti-reflection array substrate.
  • the anti-reflection array substrate 30 includes a base substrate 10 and an anti-reflection conductive structure 22.
  • the anti-reduction conductive structure 22 is disposed on the base substrate 10.
  • the anti-reduction conductive structure 20 includes a first part 221 and a second part 222.
  • the first part is a porous structure.
  • the first portion 221 includes a plurality of pores 221a.
  • the second portion 222 is dispersed in the pore 221a.
  • the first part and the second part are both conductive materials.
  • the first portion 221 includes elemental carbon.
  • the second portion 222 includes elemental copper.
  • the preparation method of the anti-reflective array substrate includes: providing a base substrate; configuring a photoresist solution, the photoresist solution includes an acrylate metal precursor, an acrylic resin, a photoinitiator, Solvents and additives; apply a photoresist solution on the base substrate to form a photoresist layer; use a yellow process to process the photoresist layer to form a patterned structure; perform the patterned structure Heat treatment to form an anti-reduction conductive structure, thereby obtaining the anti-reduction array substrate including the base substrate and the anti-reduction conductive structure, the anti-reduction conductive structure serves as a signal line of the anti-reduction array substrate, thereby avoiding The reflection of light by the metal signal line in the prior art forms an array substrate with reduced light reflection.

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Abstract

一种减反阵列基板的制备方法，包括：提供一衬底基板（10）；配置一光阻溶液，光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂；将光阻溶液涂布于衬底基板（10）上形成一光阻层（20）；采用黄光制程对光阻层（20）进行处理，形成一图案化结构（21）；对图案化结构（21）进行热处理以形成一减反导电结构（22），从而得到减反阵列基板。

Description

减反阵列基板的制备方法及其制备的减反阵列基板 技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种减反阵列基板的制备方法及其制备的减反阵列基板。
背景技术
在窄边框或无边框产品中，为实现超精细的外电路连接，通常使阵列基板位于出光侧，然而，传统制程的阵列基板由于位于最外侧的金属信号线容易反射外界环境光，出现镜面影像，使得人眼感知到的实际对比度大大降低，从而影响了显示效果，因此有必要提供一种能够降低信号线反射现象的减反阵列基板的制备方法和由所述制备方法制备的减反阵列基板。
技术问题
本申请提供一种减反阵列基板的制备方法及其制备的减反阵列基板，以降低信号线反射现象。
技术解决方案
一种减反阵列基板的制备方法，包括：
提供一衬底基板；
配置一光阻溶液，所述光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂，所述丙烯酸酯金属前驱体的结构 式为
Figure PCTCN2019075813-appb-000001
将光阻溶液涂布于所述衬底基板上形成一光阻层；
采用黄光制程对所述光阻层进行处理，形成一图案化结构，所述图案化结构包括多个碳链，二价的铜交联于碳链之间；
对所述图案化结构进行热处理形成一减反导电结构，从而得到所述减反阵列基板。
在本申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂的质量百分比为：丙烯酸酯金属前驱体1％-30％，丙烯酸类树脂1％-40％、光起始剂0.5％-20％、溶剂20％-90％和助剂0％-5％。
在本申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述丙烯酸类树脂为具有官能团的丙烯酸酯，所述官能团包括不饱和双键、环氧基、羟基、羧基中的一种或几种的组合。
在本申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述丙烯酸类树脂为具有羧基或环氧基的丙烯酸酯，所述丙烯酸类树脂的分子量为5000-50000。
在本申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述丙烯酸类树脂的酸价范围为20mg/KOH-100mg/KOH。
在本申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述热处理的温度为200摄氏度-700摄氏度，所述热处理的时间为10分钟-2 小时。
在本申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述热处理过程包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段的温度大于等于第二阶段的温度。
在本申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述第一阶段的温度为400摄氏度-600摄氏度，所述第二阶段的温度为200摄氏度-400摄氏度。
在本申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述第一阶段的时间为10分钟-30分钟，所述第二阶段的时间为10分钟-30分钟。
一种减反阵列基板的制备方法，包括：
提供一衬底基板；
配置一光阻溶液，所述光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂，所述丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂的质量百分比为：丙烯酸酯金属前驱体1％-30％，丙烯酸类树脂1％-40％、光起始剂0.5％-20％、溶剂20％-90％和助剂0％-5％；
将光阻溶液涂布于所述衬底基板上形成一光阻层；
采用黄光制程对所述光阻层进行处理，形成一图案化结构；
对所述图案化结构进行热处理形成一减反导电结构，从而得到所述减反阵列基板。
在本申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述丙烯 酸酯金属前驱体的结构式为
Figure PCTCN2019075813-appb-000002
在本申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述丙烯酸类树脂为具有官能团的丙烯酸酯，所述官能团包括不饱和双键、环氧基、羟基、羧基中的一种或几种的组合。
在本申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述丙烯酸类树脂为具有羧基或环氧基的丙烯酸酯，所述丙烯酸类树脂的分子量为5000-50000。
在本申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述丙烯酸类树脂的酸价范围20mg/KOH-100mg/KOH。
在本申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述热处理的温度为200摄氏度-700摄氏度，所述热处理的时间为10分钟-2小时。
在本申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述热处理过程包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段的温度大于等于第二阶段的温度。
在本申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述第一阶段的温度为400摄氏度-600摄氏度，所述第二阶段的温度为200摄氏度-400摄氏度。
在本申请实施例所提供的减反阵列基板的制备方法中，所述第一阶段的时间为10分钟-30分钟，所述第二阶段的时间为10分钟-30 分钟。
一种减反阵列基板，包括：
衬底基板；
减反导电结构，所述减反导电结构设置于所述衬底基板上，所述减反导电结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分为多孔结构，所述第一部分包括若干孔隙，所述第二部分分散于所述孔隙中，所述第一部分和第二部分均为导电材料。
在本申请实施例所提供的减反阵列基板中，所述第一部分包括单质碳，所述第二部分包括单质铜。。
有益效果
本申请实施方式所提供的减反阵列基板的制备方法，包括：提供一衬底基板；配置一光阻溶液，所述光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂；将光阻溶液涂布于所述衬底基板上形成一光阻层；采用黄光制程对所述光阻层进行处理，形成一图案化结构；对所述图案化结构进行热处理形成一减反导电结构，从而得到包括所述衬底基板和所述减反导电结构的所述减反阵列基板，所述减反导电结构作为减反阵列基板的信号线，从而避免了现有技术中的金属信号线对光线的反射，进而形成了具有减少光线反射的阵列基板。
附图说明
为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图 仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请提供的减反阵列基板的制备方法的流程示意图。
图2为本申请提供的减反阵列基板的制备方法中的衬底基板的剖面图。
图3为本申请提供的减反阵列基板的制备方法中的衬底基板和光阻层的剖面图。
图4为本申请提供的减反阵列基板的制备方法中的衬底基板和图案化结构的剖面图。
图5为本申请提供的减反阵列基板的制备方法所制备的减反阵列基板的剖面图。
本发明的实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请提供的减反阵列基板的制备方法的流程示意图。
所述减反阵列基板的制备方法包括：
101：提供一衬底基板10。
请一并参阅图2，图2为本申请提供的减反阵列基板的制备方法 中的衬底基板的剖面图。在一种实施例中，所述衬底基板10可以为玻璃。
102：配置一光阻溶液，所述光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂，所述丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂的质量百分比为：丙烯酸酯金属前驱体1％-30％，丙烯酸类树脂1％-40％、光起始剂0.5％-20％、溶剂20％-90％和助剂0％-5％。
在一种实施例中，所述丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂的质量百分比可以为：丙烯酸酯金属前驱体3％-15％，丙烯酸类树脂15％-20％、光起始剂2％-15％、溶剂20％-50％和助剂0％-2％。
在一种实施例中，所述丙烯酸酯金属前驱体的结构式为
Figure PCTCN2019075813-appb-000003
在一种实施例中，所述丙烯酸类树脂为具有官能团的丙烯酸酯，所述官能团是不饱和双键、环氧基、羟基、羧基等中的一种或几种。所述丙烯酸类树脂可以为甲基丙烯酸酯、乙基丙烯酸酯、丙基丙烯酸酯、丁基丙烯酸酯、戊基丙烯酸酯、己基丙烯酸酯、乙基丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯等。所述甲基丙烯酸酯、乙基丙烯酸酯的碳原子数大于等于1，小于等于30、所述丙烯酸类树脂可以为具有羟基的丙烯酸酯，例如，2-羟基-2-乙基-1，3-丙二醇的二(甲基)丙 烯酸酯、三羟甲基丙烷的二(甲基)丙烯酸酯等。所述丙烯酸类树脂可以为具有羟基的不饱和丙烯酸酯，例如，α-(羟甲基)丙酸乙烯酯。所述丙烯酸类树脂可以为乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯等。所丙烯酸类树脂可以为环氧丙烯酸酯，例如，(甲基)丙烯酸-2,3-环氧基戊酯、甲基丙烯酸-3,4-环氧基己酯、(甲基)丙烯酸-6,7-环氧基庚酯、(甲基)丙烯酸-2,3-环氧基环戊酯、甲基丙烯酸-3,4-环氧基环己酯、(甲基)丙烯酸-6,7-环氧基环庚酯等。
所述丙烯酸类树脂可以具有羧基。具有羧基的所述丙烯酸类树脂可以碱溶。具有羧基的所述丙烯酸类树脂在显影阶段具有重要作用。所述丙烯酸类树脂还可以具有环氧基。具有环氧基的所述丙烯酸类树脂可以在链引发开环后，产生羧基。所述丙烯酸类树脂为具有羧基或环氧基的丙烯酸类树脂，所述丙烯酸类树脂的分子量为5000-50000。在一种实施例中，所述丙烯酸类树脂的分子量为20000。所述丙烯酸类树脂的酸价范围为20mg/KOH-100mg/KOH。在一种实施例中，所述丙烯酸类树脂的酸价范围可以为28mg/KOH-36mg/KOH。
所述光起始剂可以为苯乙酮类化合物、咪唑类化合物、二苯酮类化合物、苯偶姻类化合物或酰基氧化膦衍生物中的一种或几种的组合。所述苯乙酮类化合物包括二乙氧基苯乙酮、2,2-二丁氧基苯乙酮、1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮等。所述咪唑类化合物包括2-甲基咪唑、4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、苯并咪唑等。所述二苯酮类化合物包括二苯酮、四苯基二苯酮、羟基二苯酮、4,4-二甲基氨基二苯酮等。所述苯偶姻类化合 物包括二苯乙醇酮、1-(2-甲基苯基)-2苯基乙酮等。所述酰基氧化膦衍生物包括三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦。
所述溶剂可以为四氢呋喃、环己酮、PGMEA、乙酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇单甲基乙基乙酸酯、丙酮、乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、1,4-二氧六环、甲基乙基酮、甲基异丁酮、甲醇、乙醇、丙醇、正丁醇、甲苯、二甲苯、乙苯、二甲亚砜、二甲基乙酰胺等中的一种或几种的组合。
所述助剂可以包括附着助剂和流平助剂等。
103：将光阻溶液涂布于所述衬底基板10上形成一光阻层20。
请一并参阅图3，图3为本申请提供的减反阵列基板的制备方法中的衬底基板和光阻层的剖面图。在一些实施例中，可以采用喷涂、旋涂等方法将所述光阻溶液涂布于所述衬底基板10上形成所述光阻层20。
104：采用黄光制程对所述光阻层20进行处理，形成一图案化结构21。请一并参阅图4，图4为本申请提供的减反阵列基板的制备方法中的衬底基板和图案化结构的剖面图。
在一种实施例中，所述光阻层20经过黄光照射后发生如下反应：
Figure PCTCN2019075813-appb-000004
Figure PCTCN2019075813-appb-000005
所述丙烯酸类树脂
Figure PCTCN2019075813-appb-000006
和所述丙烯酸酯金属前驱体
Figure PCTCN2019075813-appb-000007
在所述光起始剂
Figure PCTCN2019075813-appb-000008
的作用下，受到光照，反应生成中间产物
Figure PCTCN2019075813-appb-000009
随后继续生成产物
Figure PCTCN2019075813-appb-000010
105：对所述图案化结构21进行热处理形成一减反导电结构22， 从而得到所述减反阵列基板30。请一并参阅图5，图5为本申请提供的减反阵列基板的制备方法所制备的减反阵列基板的剖面图。
在一种实施例中，所述热处理的温度可以为200摄氏度-700摄氏度。所述热处理的时间可以为10分钟-2小时。在一种实施例中，可以在氮气气氛下对所述图案化结构21进行热处理。所述热处理的温度可以为450摄氏度，所述热处理的时间可以为30分钟。
在一种实施例中，所述热处理过程可以包括第一阶段和第二阶段。所述第一阶段的温度大于等于第二阶段的温度。在一种实施例中，所述第一阶段的温度为400摄氏度-600摄氏度，所述第一阶段的时间为10分钟-30分钟，所述第二阶段的温度为200摄氏度-400摄氏度，所述第二阶段的时间为10分钟-30分钟。在一种实施例中，所述第一阶段的温度为450摄氏度，所述第一阶段的时间为20分钟，所述第二阶段的温度为300摄氏度，所述第二阶段的时间为20分钟。
在所述热处理的过程中，所述图案化结构21经过加热形成减反导电结构22。由于图案化结构21包括多个碳链，二价的铜交联于碳链之间，因此，所述图案化结构21的有机物中的碳元素和铜元素经过加热还原为单质碳和单质铜。所述单质碳形成多孔结构。所述多孔结构具有若干孔隙221a。所述单质铜分散于所述多孔结构的孔隙221a中。所述单质碳可以为石墨。
所述单质碳和单质铜均为导电材料，因此，在保证了减反阵列基板30的信号线的导电性的前提下，由于单质碳为黑色，因此，通过包括单质碳和单质铜的减反导电结构22大大地降低了信号线31对光 线的反射。
本申请还提供一种减反阵列基板30。所述减反阵列基板30由所述减反阵列基板的制备方法制成。所述减反阵列基板30包括衬底基板10和减反导电结构22。所述减反导电结构22设置于所述衬底基板10上。所述减反导电结构20包括第一部分221和第二部分222。所述第一部分为多孔结构。所述第一部分221包括若干孔隙221a。所述第二部分222分散于所述孔隙221a中。所述第一部分和第二部分均为导电材料。在一种实施例中，所述第一部分221包括单质碳。所述第二部分222包括单质铜。
本申请实施方式所提供的减反阵列基板的制备方法，包括：提供一衬底基板；配置一光阻溶液，所述光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂；将光阻溶液涂布于所述衬底基板上形成一光阻层；采用黄光制程对所述光阻层进行处理，形成一图案化结构；对所述图案化结构进行热处理以形成一减反导电结构，从而得到包括所述衬底基板和所述减反导电结构的所述减反阵列基板，所述减反导电结构作为减反阵列基板的信号线，从而避免了现有技术中的金属信号线对光线的反射，进而形成了具有减少光线反射的阵列基板。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说 明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (20)

  1. 一种减反阵列基板的制备方法，其中，包括：
    提供一衬底基板；
    配置一光阻溶液，所述光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂，所述丙烯酸酯金属前驱体的结构式为
    Figure PCTCN2019075813-appb-100001
    将光阻溶液涂布于所述衬底基板上形成一光阻层；
    采用黄光制程对所述光阻层进行处理，形成一图案化结构，所述图案化结构包括多个碳链，二价的铜交联于碳链之间；
    对所述图案化结构进行热处理形成一减反导电结构，从而得到所述减反阵列基板。
  2. 如权利要求1所述的减反阵列基板的制备方法，其中，所述丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂的质量百分比为：丙烯酸酯金属前驱体1％-30％，丙烯酸类树脂1％-40％、光起始剂0.5％-20％、溶剂20％-90％和助剂0％-5％。
  3. 如权利要求1所述的减反阵列基板的制备方法，其中，所述丙烯酸类树脂为具有官能团的丙烯酸酯，所述官能团包括不饱和双键、环氧基、羟基、羧基中的一种或几种的组合。
  4. 如权利要求3所述的减反阵列基板的制备方法，其中，所述丙烯酸类树脂为具有羧基或环氧基的丙烯酸酯，所述丙烯酸类树脂的 分子量为5000-50000。
  5. 如权利要求4所述的减反阵列基板的制备方法，其中，所述丙烯酸类树脂的酸价范围为20mg/KOH-100mg/KOH。
  6. 如权利要求1所述的减反阵列基板的制备方法，其中，所述热处理的温度为200摄氏度-700摄氏度，所述热处理的时间为10分钟-2小时。
  7. 如权利要求6所述的减反阵列基板的制备方法，其中，所述热处理过程包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段的温度大于等于第二阶段的温度。
  8. 如权利要求7所述的减反阵列基板的制备方法，其中，所述第一阶段的温度为400摄氏度-600摄氏度，所述第二阶段的温度为200摄氏度-400摄氏度。
  9. 如权利要求8所述的减反阵列基板的制备方法，其中，所述第一阶段的时间为10分钟-30分钟，所述第二阶段的时间为10分钟-30分钟。
  10. 一种减反阵列基板的制备方法，其中，包括：
    提供一衬底基板；
    配置一光阻溶液，所述光阻溶液包括丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂，所述丙烯酸酯金属前驱体、丙烯酸类树脂、光起始剂、溶剂和助剂的质量百分比为：丙烯酸酯金属前驱体1％-30％，丙烯酸类树脂1％-40％、光起始剂0.5％-20％、溶剂20％-90％和助剂0％-5％；
    将光阻溶液涂布于所述衬底基板上形成一光阻层；
    采用黄光制程对所述光阻层进行处理，形成一图案化结构；
    对所述图案化结构进行热处理形成一减反导电结构，从而得到所述减反阵列基板。
  11. 如权利要求10所述的减反阵列基板的制备方法，其中，所述丙烯酸酯金属前驱体的结构式为
    Figure PCTCN2019075813-appb-100002
  12. 如权利要求10所述的减反阵列基板的制备方法，其中，所述丙烯酸类树脂为具有官能团的丙烯酸酯，所述官能团包括不饱和双键、环氧基、羟基、羧基中的一种或几种的组合。
  13. 如权利要求12所述的减反阵列基板的制备方法，其中，所述丙烯酸类树脂为具有羧基或环氧基的丙烯酸酯，所述丙烯酸类树脂的分子量为5000-50000。
  14. 如权利要求13所述的减反阵列基板的制备方法，其中，所述丙烯酸类树脂的酸价范围为20mg/KOH-100mg/KOH。
  15. 如权利要求10所述的减反阵列基板的制备方法，其中，所述热处理的温度为200摄氏度-700摄氏度，所述热处理的时间为10分钟-2小时。
  16. 如权利要求15所述的减反阵列基板的制备方法，其中，所述热处理过程包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段的温度大于等于第二阶段的温度。
  17. 如权利要求16所述的减反阵列基板的制备方法，其中，所述第一阶段的温度为400摄氏度-600摄氏度，所述第二阶段的温度为200摄氏度-400摄氏度。
  18. 如权利要求17所述的减反阵列基板的制备方法，其中，所述第一阶段的时间为10分钟-30分钟，所述第二阶段的时间为10分钟-30分钟。
  19. 一种减反阵列基板，其中，包括：
    衬底基板；
    减反导电结构，所述减反导电结构设置于所述衬底基板上，所述减反导电结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分为多孔结构，所述第一部分包括若干孔隙，所述第二部分分散于所述孔隙中，所述第一部分和第二部分均为导电材料。
  20. 如权利要求19所述的减反阵列基板，其中，所述第一部分包括单质碳，所述第二部分包括单质铜。
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