WO2020085281A1 - 気泡噴出方法、気泡噴出用デバイス、および、気泡噴出装置 - Google Patents

気泡噴出方法、気泡噴出用デバイス、および、気泡噴出装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2020085281A1
WO2020085281A1 PCT/JP2019/041260 JP2019041260W WO2020085281A1 WO 2020085281 A1 WO2020085281 A1 WO 2020085281A1 JP 2019041260 W JP2019041260 W JP 2019041260W WO 2020085281 A1 WO2020085281 A1 WO 2020085281A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
bubble
opening
bubble ejection
electrode
chamber
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/041260
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
陽子 山西
優 山下
啓太 市川
雄大 福山
廉 増田
Original Assignee
国立大学法人九州大学
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 国立大学法人九州大学 filed Critical 国立大学法人九州大学
Priority to JP2020553380A priority Critical patent/JP7466199B2/ja
Priority to US17/288,693 priority patent/US20210395782A1/en
Priority to KR1020217014183A priority patent/KR20210084494A/ko
Priority to EP19876976.2A priority patent/EP3872160A4/en
Publication of WO2020085281A1 publication Critical patent/WO2020085281A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12M—APPARATUS FOR ENZYMOLOGY OR MICROBIOLOGY; APPARATUS FOR CULTURING MICROORGANISMS FOR PRODUCING BIOMASS, FOR GROWING CELLS OR FOR OBTAINING FERMENTATION OR METABOLIC PRODUCTS, i.e. BIOREACTORS OR FERMENTERS
    • C12M35/00—Means for application of stress for stimulating the growth of microorganisms or the generation of fermentation or metabolic products; Means for electroporation or cell fusion
    • C12M35/04—Mechanical means, e.g. sonic waves, stretching forces, pressure or shear stimuli
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12M—APPARATUS FOR ENZYMOLOGY OR MICROBIOLOGY; APPARATUS FOR CULTURING MICROORGANISMS FOR PRODUCING BIOMASS, FOR GROWING CELLS OR FOR OBTAINING FERMENTATION OR METABOLIC PRODUCTS, i.e. BIOREACTORS OR FERMENTERS
    • C12M35/00—Means for application of stress for stimulating the growth of microorganisms or the generation of fermentation or metabolic products; Means for electroporation or cell fusion
    • C12M35/02—Electrical or electromagnetic means, e.g. for electroporation or for cell fusion
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12N—MICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
    • C12N15/00—Mutation or genetic engineering; DNA or RNA concerning genetic engineering, vectors, e.g. plasmids, or their isolation, preparation or purification; Use of hosts therefor
    • C12N15/09—Recombinant DNA-technology
    • C12N15/87—Introduction of foreign genetic material using processes not otherwise provided for, e.g. co-transformation
    • C12N15/89—Introduction of foreign genetic material using processes not otherwise provided for, e.g. co-transformation using microinjection
    • C12N15/895—Introduction of foreign genetic material using processes not otherwise provided for, e.g. co-transformation using microinjection using biolistic methods
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
    • B01L5/00—Gas handling apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12M—APPARATUS FOR ENZYMOLOGY OR MICROBIOLOGY; APPARATUS FOR CULTURING MICROORGANISMS FOR PRODUCING BIOMASS, FOR GROWING CELLS OR FOR OBTAINING FERMENTATION OR METABOLIC PRODUCTS, i.e. BIOREACTORS OR FERMENTERS
    • C12M23/00—Constructional details, e.g. recesses, hinges
    • C12M23/26—Constructional details, e.g. recesses, hinges flexible
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12M—APPARATUS FOR ENZYMOLOGY OR MICROBIOLOGY; APPARATUS FOR CULTURING MICROORGANISMS FOR PRODUCING BIOMASS, FOR GROWING CELLS OR FOR OBTAINING FERMENTATION OR METABOLIC PRODUCTS, i.e. BIOREACTORS OR FERMENTERS
    • C12M47/00—Means for after-treatment of the produced biomass or of the fermentation or metabolic products, e.g. storage of biomass
    • C12M47/06—Hydrolysis; Cell lysis; Extraction of intracellular or cell wall material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12N—MICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
    • C12N15/00—Mutation or genetic engineering; DNA or RNA concerning genetic engineering, vectors, e.g. plasmids, or their isolation, preparation or purification; Use of hosts therefor
    • C12N15/09—Recombinant DNA-technology
    • C12N15/87—Introduction of foreign genetic material using processes not otherwise provided for, e.g. co-transformation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
    • B01L2400/00—Moving or stopping fluids
    • B01L2400/04—Moving fluids with specific forces or mechanical means
    • B01L2400/0403—Moving fluids with specific forces or mechanical means specific forces
    • B01L2400/0442—Moving fluids with specific forces or mechanical means specific forces thermal energy, e.g. vaporisation, bubble jet

Definitions

  • the disclosure in the present application relates to a bubble ejection method, a bubble ejection device, and a bubble ejection device.
  • local processing As a local processing technique (hereinafter, sometimes referred to as “local ablation”), a method using a contact processing technique using a probe such as an electric knife or a non-contact ablation technique using a laser is widely used.
  • a local processing technique hereinafter, sometimes referred to as “local ablation”
  • a method using a contact processing technique using a probe such as an electric knife or a non-contact ablation technique using a laser is widely used.
  • a local physical injection technique for introducing an injection substance such as a nucleic acid substance into cells or the like (hereinafter sometimes referred to as “local injection”), electroporation or ultrasonic wave is used.
  • the conventional sonoporation technique and the particle gun method are widely known.
  • the conventional electroporation technique there is a limit in improving the permeability of the cell membrane by the electric field strength, and it is difficult to inject into a target having a rigid cell membrane or cell wall instead of a flexible lipid bilayer membrane.
  • it is difficult to locally inject into a target location due to restrictions such as the arrangement of electrodes.
  • a bubble ejecting member including a void formed between the extended portion of the outer shell and the tip of the core material immersing the bubble ejecting member in a solution, and applying a high frequency voltage in the solution.
  • an object to be processed can be cut (local ablation) by generating bubbles and continuously emitting the bubbles to the object to be processed (see Patent Document 1).
  • a bubble ejecting chip in which a plurality of electrodes formed of a conductive material and bubble ejecting portions formed so as to sandwich the electrodes are formed on a substrate (see Patent Document 2).
  • the electrode is inserted into an insulating material such as glass, and the insulating material and the electrode are heated and cut off. It is manufactured in a state in which it is covered with an insulating material and the insulating material extends from the tip of the electrode. Therefore, the tip end portion of the insulating material, that is, the bubble jetting port becomes very thin and thin, and there is a problem that it is easily damaged. Further, since the bubble jetting port is very thin and thin, there is also a problem that when the processing subject such as a cell is processed, the processing subject is easily damaged by the bubble jetting port.
  • the bubble jetting tip described in Patent Document 2 is manufactured using the technology of semiconductor lithography. Therefore, it is possible to form an arbitrary number of bubble ejecting parts having an arbitrary bubble ejecting size on the substrate. Therefore, it has advantages that it is less likely to be damaged and the size of the bubble ejection port is easier to adjust than the bubble ejection member described in Patent Document 1.
  • the bubble jetting tip described in Patent Document 2 is manufactured by the semiconductor lithography technique, there is a problem that the manufacturing process becomes complicated.
  • the present disclosure has been made in order to solve the above problems, and as a result of intensive research, (1) a base material formed of a dielectric material, a first surface of the base material, and the first surface Is a bubble ejection hole formed so as to penetrate a second surface which is the opposite side, and (2) the conductive liquid and the bubble ejection hole are in contact with each other. It has been newly found that when a voltage is applied to the electrode and the second electrode, (3) bubbles can be jetted into the conductive liquid from the bubble jet holes.
  • an object of the present disclosure is to provide a bubble ejecting method according to a new principle different from a bubble ejecting method using a conventional bubble ejecting member (bubble ejecting tip), a bubble ejecting device for use in the bubble ejecting method, and a bubble ejecting method.
  • the present invention relates to a bubble jetting device including a jetting device.
  • the present disclosure relates to a bubble jetting method, a bubble jetting device, and a bubble jetting apparatus shown below.
  • a bubble ejecting method using a device for ejecting bubble comprising:
  • the device for ejecting bubbles is A base material made of a dielectric material, A bubble ejection hole formed so as to penetrate the first surface of the base material and the second surface opposite to the first surface; A first opening formed in a portion of the first surface where the bubble ejection hole penetrates; A second opening formed in a portion of the second surface through which the bubble ejection hole penetrates,
  • the bubble ejection method is A base material and a conductive liquid contacting step of contacting a conductive liquid with a portion including at least the first opening and the second opening;
  • a conductive liquid and electrode contacting step in which a first electrode is brought into contact with the conductive liquid on the side of the first opening and a second electrode is brought into contact with the conductive liquid on the side of the second opening;
  • the bubble ejection method according to (1) above (3)
  • the size of the first opening is different from the size of the second opening, The bubble jetting method according to (1) or (2) above.
  • the dielectric strength of the dielectric is 10 MV / m or more, The bubble jetting method according to any one of (1) to (3) above.
  • the base material is formed of a flexible material, The bubble jetting method according to any one of (1) to (4) above.
  • At least two bubble ejection holes are formed, The bubble jetting device according to (6) above.
  • the size of the first opening is different from the size of the second opening, The device for ejecting bubbles according to (6) or (7) above.
  • the dielectric strength of the dielectric is 10 MV / m or more, The bubble jetting device according to any one of (6) to (8) above.
  • the base material is formed of a flexible material,
  • (11) further including a first chamber and a second chamber,
  • the first chamber is A portion including at least the first opening of the first surface of the base material;
  • a chamber first member arranged so as to contact the first surface; Including, By filling the first chamber with a conductive liquid, the first opening can contact the conductive liquid
  • the second chamber is A portion of at least the second opening of the second surface of the substrate;
  • the bubble jetting device according to any one of (6) to (10) above.
  • the bubble ejection device disclosed in the present application can be easily manufactured by forming a bubble ejection hole in a base material formed of a dielectric so as to penetrate the base material. Further, since the bubble ejection holes are formed so as to penetrate the base material, the bubbles are ejected from the surface of the base material. Therefore, unlike the conventional bubble ejection port, it is less likely to be damaged. Therefore, the convenience of handling the device for ejecting air bubbles when performing the air bubble ejection method is improved.
  • FIG. 1A is a top view of the device 1a according to the first embodiment
  • FIG. 1B is a sectional view taken along line XX ′ of FIG. 1A
  • 2A to 2D are schematic cross-sectional views for explaining the principle of ejection of bubbles B.
  • FIG. 3A is a top view of the device 1b according to the second embodiment
  • FIG. 3B is a sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 3A
  • 4A is a top view of the device 1c according to the third embodiment
  • FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line X-X ′ of FIG. 4A.
  • FIG. 5A is a top view of the device 1d according to the fourth embodiment, and FIG. 5B is a sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 5A.
  • FIG. 5C is a top view of a modified example of the device 1d, and FIG. 5D is a sectional view taken along line XX ′ of FIG. 5C.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining the outline of the bubble jetting device 10.
  • FIG. 7 is a flowchart showing the procedure of the bubble ejection method.
  • FIG. 8 is a drawing-substituting photograph, which is a photograph of the occurrence of bubbles B with a high-speed camera in the first embodiment.
  • 9 is a drawing-substituting photograph
  • FIG. 9A is a photograph of the device of Example 2 taken from above
  • FIG. 9B is a photograph after electric output, showing a bubble in which a dotted circle is grown.
  • 10 is a drawing substitute photograph
  • FIG. 10A is a photograph from the first opening side when the device of Example 3 is used
  • FIG. 10B is a photograph from the first opening side when the device of Example 4 is used.
  • the part surrounded by the white circle in the photo is the bubble that has been ejected.
  • FIG. 11 is a drawing-substituting photograph.
  • FIG. 11A is a photograph immediately after outputting electricity
  • FIG. 11B is a photograph after outputting electricity for a while
  • 12 is a drawing-substituting photograph.
  • FIG. 12A is a photograph before applying a voltage
  • FIG. 12B is a photograph after applying a voltage of 450 V
  • FIG. 12C is a photograph after applying a voltage of 650 V
  • FIG. 12D is a photograph after applying a voltage of 750V.
  • 13 is a photograph as a substitute of a drawing
  • FIG. 13A is a photograph of the device of Example 7 after applying the voltage for a while
  • FIG. 13B is a photograph of Example 8 after applying the voltage for a while.
  • FIG. 14 is a photograph as a substitute of a drawing, and in Example 9, FIG. 14A is a photograph of the first opening side before voltage application, and FIG. 14B is a photograph after voltage application.
  • FIG. 15 is a photograph as a substitute of a drawing, which is a photograph of a silicon wafer on which bubbles are made to collide in Example 10.
  • FIG. 16 is a graph showing the relationship between the diameter (hole diameter; horizontal axis) of the bubble ejection holes 3 of various devices and the applied voltage (vertical axis) when bubbles start to be ejected in Example 11.
  • FIG. 17 is a graph showing an electric field value of the bubble ejection hole 3 when a bubble is ejected, which is analyzed by the finite element method in the eleventh embodiment.
  • a bubble ejection method a bubble ejection device (hereinafter sometimes simply referred to as a “device”), and a bubble ejection device will be described in detail with reference to the drawings.
  • members having the same function are designated by the same or similar reference numerals. Further, repeated description may be omitted for members having the same or similar reference numerals.
  • the numerical values described in the present specification do not strictly mean only the numerical values, and may include an error of ⁇ as long as they are within the range in which the effect disclosed in the present application is achieved. Similarly, in the case of being described as “about”, not only the numerical value is strictly meant, but an error of ⁇ may be included as long as it is within a range where the effect disclosed in the present application is achieved.
  • FIG. 1A is a top view of the device 1a
  • FIG. 1B is a sectional view taken along line XX ′ of FIG. 1A.
  • the device 1a includes a base material 2 formed of a dielectric material and a bubble ejection hole 3.
  • the bubble ejection hole 3 is formed so as to penetrate the first surface 21 of the base material 2 and the second surface 22 that is the surface opposite to the first surface 21, and the first surface 21 has the first opening.
  • the second opening 32 is formed in the second surface 22.
  • FIGS. 2B to 2D are schematic cross-sectional views for explaining the principle of ejection of bubbles B. Since the components of the device 1a are the same, the reference numerals other than the bubble B are omitted in FIGS. 2B to 2D.
  • the conductive liquid L which is a conductive liquid
  • the first electrode 4a is brought into contact with the conductive liquid L on the first opening 31 side
  • the second electrode 4b is brought into contact with the conductive liquid L on the second opening 32 side
  • an electric output mechanism (not shown) and the first electrode 4a and the second electrode 4b are connected by an electric wire or the like.
  • a voltage is applied to the first electrode 4a and the second electrode 4b, as shown in FIG.
  • bubbles B are generated around the bubble ejection holes 3, and as shown in FIG. 2C, the generated bubbles B are generated. Grow so as to block the bubble ejection holes 3. Then, the bubble B, which has continued to grow, is ejected into the conductive liquid L as shown in FIG. 2D.
  • the base material 2 does not conduct electricity, but an electric field is generated around the bubble ejection hole 3 by accumulating electricity. It is thought to be because it is doing. Therefore, it is desirable that the base material 2 be formed of a dielectric material that is a material through which no current flows or is negligibly small and an electric field is generated. Examples of the material forming the base material 2 include known dielectric materials such as thermoplastic resins, thermosetting resins, ultraviolet curable resins, glass, ceramics, and mica.
  • the size of the first opening 31 or the second opening 32 of the bubble ejection hole 3 described later is relatively large, a relatively large voltage is applied in order to eject the bubble B from the bubble ejection hole 3. . Then, if dielectric breakdown occurs due to the applied voltage, the size of the bubble ejection hole 3 (first opening 31 and / or second opening 32) may change or the base material 2 may be damaged.
  • the material constituting the base material 2 depends on the thickness of the base material 2 and / or the size of the bubble ejection holes 3, but for example, the dielectric strength is 4 MV / m or more, 5 MV / m or more, Examples of the material include 6 MV / m or more, 7 MV / m or more, 8 MV / m or more, 9 MV / m or more, and 10 MV / m or more.
  • Examples of the material having a dielectric strength of 10 MV / m or more include polyimide (23 MV / m), polystyrene (20 to 28 MV / m), glass (20 to 40 MV / m), epoxy resin (no filler, 11.8 to 19.6 MV / m), epoxy resin (silica-filled, 11.8 to 19.6 MV / m), epoxy resin (glass fiber-filled, 11.8 to 15.7 MV / m), and the like. Materials other than the above may be used. There is no particular upper limit to the dielectric strength.
  • the thickness of the substrate 2, in other words, the length in the penetrating direction of the bubble ejection holes 3 is not particularly limited as long as it is within a range in which bubbles can be ejected, but for example, the lower limit value is 0.1 ⁇ m or more, 1 ⁇ m or more, Can be
  • the upper limit value can be 1 cm or less, 5 mm or less, 1 mm or less, 500 ⁇ m or less, 200 ⁇ m or less, 100 ⁇ m or less.
  • the thickness of the substrate 2 may or may not be uniform.
  • the above lower limit value and the upper limit value are the thickness of the base material of the portion where the bubble ejection hole 3 is formed, and the thickness of the base material 2 other than the portion where the bubble ejection hole 3 is formed. May be in a range deviating from the above upper limit and lower limit.
  • the base material 2 may be formed so as to have flexibility, although it depends on the combination of the material and the thickness of the base material 2.
  • the base material 2 has flexibility, when the processing target is ablated using the device 1a, even if the processing target is curved, such as plant or animal skin, the processing target is the device 1a. The effect of being able to come into contact with.
  • the highly flexible material include polyimide and the like.
  • the shape of the bubble ejection hole 3 is not particularly limited as long as bubbles can be ejected.
  • the shape of the first opening 31 and the second opening 32 the shape is circular, elliptical, or angular. Examples include polygons with 3 or more.
  • the line connecting the first opening 31 and the second opening 32 is as in the example shown in FIG. 1B. It may be a straight line or a non-straight line such as a curved line or a step.
  • the first opening 31 and the second opening 32 have the same shape, that is, the bubble ejection holes 3 have the same cylindrical shape, but the first opening 31 and the second opening 32 have the same diameter.
  • the shape of 32 may be different.
  • the sizes of the first opening 31 and the second opening 32 are not particularly limited as long as the conductive liquid L can enter the bubble ejection holes 3 by the capillary force and bubbles can be ejected. If the bubble ejection hole 3 has a circle in which the first opening 31 and the second opening 32 have the same size, that is, if the bubble ejection hole 3 is assumed to have a cylindrical shape, the lower limit value of the diameter of the first opening 31 and the second opening 32 is set. Can be, for example, 0.1 ⁇ m or more, 0.5 ⁇ m or more, 1 ⁇ m or more, 2 ⁇ m or more, 5 ⁇ m or more.
  • the upper limit of the diameter of the first opening 31 and the second opening 32 is 500 ⁇ m or less, 400 ⁇ m or less, 300 ⁇ m or less, It can be 200 ⁇ m or less and 100 ⁇ m or less.
  • the shapes of the first opening 31 and the second opening 32 are other than the circular shape, the diameter of the circumscribing circle having a shape other than the circular shape may be replaced with the above diameter.
  • the conductive liquid L may easily enter the bubble ejection holes 3 by subjecting the base material 2 to hydrophilic treatment as necessary. .
  • the hydrophilic treatment may be performed by a known method such as plasma treatment.
  • the method for forming the bubble ejection holes 3 is not particularly limited as long as it is formed so as to penetrate the first surface 21 and the second surface 22 of the base material 2.
  • it can be formed by a known method such as a method of forming a through hole using a drill or a method of covering with a mask and etching.
  • FIG. 3A is a top view of the device 1b
  • FIG. 3B is a sectional view taken along line XX ′ of FIG. 3A.
  • the device 1b is different from the device 1a according to the first embodiment in that at least two or more bubble ejection holes 3 are formed, and other points are similar to the device 1a.
  • FIG. 3A and FIG. 3B show an example in which three bubble ejection holes 3 are arranged in series, the number of bubble ejection holes 3 is not limited, and the arrangement of the bubble ejection holes 3 is also dependent on the purpose. It may be decided as appropriate.
  • the device 1b it is possible to simultaneously eject bubbles to different positions of the object to be processed.
  • Patent Document 2 describes that by forming a plurality of bubble jetting portions, bubbles are jetted simultaneously to different positions of a workpiece.
  • the chip described in Patent Document 2 is manufactured by using a photolithography technique. Therefore, when manufacturing chips in a manufacturing plant, the photomask of any shape can be used to adjust the arrangement of bubble outlets, etc., but it is not possible to change the number or arrangement of bubble outlets at the site of use. Have difficulty.
  • the device 1b is different from Patent Document 2 in the principle (apparatus) of bubble ejection, and the bubble ejection hole 3 can be easily formed by using a drill or the like. Therefore, the location of the bubble ejection holes 3 can be adjusted as needed at the site of use.
  • FIG. 4A is a top view of the device 1c
  • FIG. 4B is a sectional view taken along line XX ′ of FIG. 4A.
  • the device 1c differs from the device 1a according to the first embodiment in that the size of the first opening 31 and the size of the second opening 32 are different.
  • size means the diameter in the case of a circle, and the diameter of the circumscribing circle in cases other than the circle diameter.
  • the size of the first opening 31 is smaller than the size of the second opening 32, but the size of the first opening 31 may be larger than the size of the second opening 32.
  • the bubble ejection holes 3 formed such that the first opening 31 and the second opening 32 have different sizes may be described as “tapered”. Further, the cylindrical and prismatic bubble ejection holes 3 having the same shape and size of the first opening 31 and the second opening 32 may be referred to as “no taper”.
  • the device 1a in which the first opening 31 and the second opening 32 have substantially the same shape
  • bubble ejection is performed when one of the first electrode 4a and the second electrode 4b is used as an anode and the other is used as a cathode
  • the bubble B grown in the hole 3 is ejected from the anode toward the cathode.
  • bubbles are ejected from the smaller size of the first opening 31 or the second opening 32 regardless of the direction of the anode and the cathode. This is because the smaller opening portion of the first opening 31 or the second opening 32 has a higher resistance than the larger opening portion and a large voltage is applied, so that bubbles are generated in the smaller opening direction. Conceivable.
  • the formation of the bubble ejection hole 3 having a taper is not particularly limited as long as the taper can be formed.
  • it is produced using a 3D printer; a tapered mold is formed, and a curable resin such as heat, light, and ultraviolet rays, or a molten thermoplastic resin is poured into the mold, and the mold is separated after the resin is cured: laser cutting Processing; and the like.
  • the first opening 31 has a circular shape
  • the second opening 32 has a larger diameter than the first opening 31
  • p is substantially orthogonal to the virtual plane 32a of the second opening 32.
  • Z the angle between the virtual plane 32a of the second opening 32 (virtual line 32a in cross section) and the wall surface 33 of the bubble ejection hole 3 (wall surface line 33 in cross section)
  • Z The upper limit of is less than 90 °.
  • the lower limit value of Z may be larger than 0 ° in principle, but may be, for example, 1 °, 5 °, 30 °, 60 °.
  • the area of the first opening 31 is set to 1 instead of the above angle, the area of the second opening 32 is larger than 1, for example, 10,000 or less, 5,000 or less, 1,000 or less, 500 or less, 100 or less. Hereafter, it can be 50 or less.
  • the shapes of the first opening 31 and the second opening 32 are other than circular, for example, when they are elliptical or polygonal, the area ratio of the first opening 31 and the second opening 32 is the same as the area ratio of the circle.
  • the bubble ejection holes 3 are symmetrical with respect to the imaginary line p in a sectional view, but the taper shape of the bubble ejection holes 3 is not limited to the example shown in FIG. 4C.
  • the bubble ejection holes 3 may be laterally asymmetric when viewed in cross section.
  • the size of the smaller opening may be the size of the first opening 31 and the second opening 32 exemplified in the device 1a of the first embodiment. it can.
  • the thickness of the device 1c may be the thickness illustrated in the device 1a of the first embodiment, but unlike the device 1a, the electric field is likely to concentrate in the smaller opening of the device 1c. Therefore, although it varies depending on the angle Z between the second opening 32 and the wall surface 33 (or the diameter ratio or the area ratio between the first opening 31 and the second opening 32), if it is within the range in which bubbles can be ejected, the device 1a is a base material. 2 may be thicker.
  • FIG. 5A is a top view of the device 1d
  • FIG. 5B is a sectional view taken along line XX ′ of FIG. 5A
  • FIG. 5C is a top view of a modified example of the device 1d
  • FIG. 5D is a sectional view taken along line XX ′ of FIG. 5C.
  • the device 1d and its modified example are different from the device 1a of the first embodiment in that the device 1d and its modified example further include a first chamber 5a and a second chamber 5b for filling the conductive liquid L, and other points are the first Is the same as the embodiment of.
  • the first chamber 5a of the device 1d includes a portion of the first surface 21 of the substrate 2 including at least the first opening 31 and a chamber of the first chamber 5a arranged so as to contact the first surface 21.
  • 1 member 51a is included.
  • the chamber first member 51a is not particularly limited in the position where the first chamber 5a includes the first opening 31 and can be arranged at any position on the first surface 21.
  • the second chamber 5b includes a portion including at least the second opening 32 of the second surface 22 of the base material 2 and a chamber second member 51b arranged so as to be in contact with the second surface 22.
  • the chamber second member 51b is not particularly limited in the position where the second chamber 5b includes the second opening 32, and can be arranged at any position on the second surface 22.
  • the chamber first member 51a and the chamber second member 51b can be made of an electrically and chemically inert material.
  • glass, sapphire, ceramic, resin, rubber, elastomer, SiO 2 , SiN, Al 2 O 3 or the like can be used.
  • the chamber first member 51a and the chamber second member 51b may be liquid-tightly bonded to the base material 2 by using an adhesive or the like.
  • either the first chamber 5a or the second chamber 5b may have a size such that the filled conductive liquid L does not leak due to surface tension.
  • the conductive liquid L is brought into contact with the object to be processed and the bubbles can be ejected to the object to be machined, so that it is possible to eject the bubbles to the object to be processed at any place.
  • a modified example of the device 1d shown in FIGS. 5C and 5D is different from that of the device 1d shown in FIGS. 5A and 5B except that the base material 2 is inserted in the box. 5A and same as device 1d shown in FIG. 5B. More specifically, the method of using the modified example of the device 1d is that the conductive liquid L is filled from above the first chamber 5a and the second chamber, and the workpiece is inserted from above in the direction in which bubbles are ejected. , Device 1d. As is clear from FIGS.
  • the first electrode may be arranged in the first chamber 5a and the second electrode may be arranged in the second chamber 5b.
  • the first electrode is not particularly limited as long as it is a place that can come into contact with the conductive liquid L when the conductive liquid L is filled with the chamber first member 51a or the first surface 21.
  • the second electrode may be arranged at a location where it can come into contact with the conductive liquid L when the conductive liquid L is filled in either the chamber second member 51b or the second surface 22.
  • the devices 1a to 1d (modifications) illustrated above are merely examples, and the illustrated embodiments may be combined.
  • the tapered bubble ejection hole 3 of the third embodiment may be adopted in the device 1b of the second embodiment and the device 1d of the fourth embodiment.
  • the first chamber 5a and the second chamber 5b of the fourth embodiment may be adopted as the device 1b of the second embodiment and the device 1c of the third embodiment.
  • the first electrode 4a may be arranged on the first surface 21 and the second electrode 4b may be arranged on the second surface 22 of the devices 1a to 1c of the first to third embodiments.
  • Other changes may be made as appropriate as long as the object disclosed in the present application can be achieved.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining the outline of the bubble jetting device 10.
  • the bubble jetting device 10 can be manufactured by combining the bubble jetting device 1 and the electric output mechanism 6. Note that FIG. 6 shows an example using the bubble jetting device 1a.
  • the electric output mechanism 6 may include at least the power supply device 61, the first electrode 4a, the second electrode 4b, and the electric wire 63 for forming a circuit with the power supply device 61 and the first electrode 4a and the second electrode 4b. .
  • the electric output mechanism 6 does not have to include the first electrode 4a and the second electrode 4b.
  • the bubble ejection device 10 is provided with a non-inductive resistor 64, a voltage amplification circuit (not shown), an input / output port (DIO; Digital Input Output) 65, a control device 66 such as a PC for controlling the power supply device 61, etc., as necessary. Good.
  • the electric output mechanism 6 may be prepared by preparing the above-described constituent elements, or may be prepared by incorporating the non-inductive resistor 64, the input / output port 65, and the like into a conventional electric knife electric circuit.
  • the conductive material for forming the first electrode 4a and the second electrode 4b is not particularly limited as long as it can pass electricity and can be used as an electrode, and is a metal, for example, gold, silver, copper, aluminum or the like. Examples thereof include alloys containing a small amount of tin, magnesium, chromium, nickel, zirconium, iron, silicon and the like.
  • a general commercial AC power supply device can be used as the power supply device 61.
  • the current, voltage and frequency output from the electric output mechanism 6 to the first electrode 4a and the second electrode 4b are not particularly limited as long as bubbles can be jetted from the bubble jetting holes 3 into the conductive liquid L.
  • the electric current may be set to 1 mA to 500 mA, or 50 mA to 200 mA so as to prevent the bubbles from being generated poorly and the substrate 2 from being dielectrically broken down.
  • the voltage may be set to, for example, 200 V to 4000 V or 600 V to 1800 V to prevent difficulty in bubble generation and dielectric breakdown of the base material 2.
  • the pulse width is preferably 500 ns to 1 ms, more preferably 1 ⁇ s to 100 ⁇ s.
  • the pulse width is shorter than 500 ns, the bubbles cannot be ejected, and if it is 1 ms or more, the bubbles are not properly ejected.
  • the current, voltage, pulse width, etc. may be appropriately adjusted depending on the material and thickness of the base material 2, the size of the first opening 31, the second opening 32, and the like.
  • FIG. 7 is a flowchart showing the procedure of the bubble ejection method.
  • the bubble ejection method includes a base material / conductive liquid contacting step (S100), a conductive liquid / electrode contacting step (S110), a voltage applying step (S120), and a bubble ejecting step (S130).
  • the conductive liquid L may be first dropped onto the object to be processed 7, the device 1a may be placed above the conductive liquid L, and the conductive liquid L may be further dropped onto the device 1a.
  • the conductive liquid L may be filled in the first chamber and the second chamber.
  • the conductive liquid L is not particularly limited as long as electricity can pass, and examples thereof include water and a solution in which a metal salt or the like is dissolved.
  • the first electrode 4a is brought into contact with the conductive liquid L on the first opening 31 side, and the second electrode 4b is brought into contact with the conductive liquid L on the second opening 32 side.
  • the base material / conductive liquid contacting step (S100) and the conductive liquid / electrode contacting step (S110) may be simultaneously performed.
  • the voltage applying step (S120) a voltage is applied to the first electrode 4a and the second electrode 4b. Then, in the bubble ejection step (S130), the bubbles grown in the bubble ejection holes 3 are ejected.
  • the object to be processed is cut (local ablation) or an injection substance is introduced into the object to be processed (local injection). be able to.
  • the silicon substrate could be cut by using the device according to the embodiment. Therefore, the bubble ejection device 10 can be used as, for example, a local ablation device or a local injection device. Further, when a plating solution is used as the conductive liquid, the bubble jetting device 10 can be used as a plating device.
  • the bubble jetting method can be used as, for example, a local ablation method, a local injection method, or a plating method.
  • the workpiece 7 is not particularly limited as long as it can be locally ablated, locally injected, and plated, as described above.
  • animal cells such as stem cells, skin cells, mucous cells, hepatocytes, pancreatic islet cells, nerve cells, chondrocytes, endothelial cells, epithelial cells, bone cells, muscle cells, egg cells, etc. isolated from human or non-human animal tissues.
  • Cells such as plant cells, insect cells, Escherichia coli, yeast and mold; relatively hard biological samples such as rice and plant cells; silicone, glass epoxy, polyester, polyimide, BT resin, and thermosetting polyphenylene ether resin Resin substrate using a class of materials; inorganic substrate using an inorganic material such as alumina (ceramics) substrate; silicon wafer, metal substrate such as aluminum or copper; insulating layer on the metal substrate, and copper as a conductor on the insulating layer A metal base substrate on which foils are stacked;
  • Example 1 A device and a bubble ejecting apparatus were produced by the following procedure, and the bubble ejecting method was carried out using the produced bubble ejecting apparatus.
  • the device of Example 1 including the first chamber and the second chamber was produced by disposing the substrate 2 in a box-shaped chamber member (acrylic resin manufactured by Formlabs) as shown in FIG. 5D.
  • a first electrode 4a and a second electrode 4b were produced using a copper wire (EggsSTORE, diameter 2 mm).
  • a bubble ejection device 10 is produced by electrically connecting the produced first electrode 4a and the produced second electrode 4b with an electric wire using a general-purpose electric knife power source Hyfrequator2000 (ConMed Co., Ltd.). did.
  • the first chamber 5a and the second chamber 5b of the manufactured device were filled with a conductive liquid (0.9 wt% sodium chloride aqueous solution).
  • the first electrode 4a was inserted in contact with the conductive liquid in the first chamber 5a
  • the second electrode 4b was inserted in contact with the conductive liquid in the second chamber 5b.
  • the output conditions of the power supply device were set to an applied voltage of 800 V, a voltage application frequency of 1 (times), and a pulse width of about 1 ⁇ s, and electricity was output to the first electrode 4a and the second electrode 4b.
  • the ejection of bubbles was observed using a high speed camera (VW-9000, manufactured by Keyence).
  • Fig. 8 is a photograph of the bubble B generated with a high-speed camera.
  • the broken line arrow in the photograph shows the first opening (Open) of the bubble ejection hole 3, and the solid line arrow shows the bubble.
  • the numbers below each photo represent the time after electrical output.
  • Example 2 Next, a bubble ejection experiment was conducted with a device having a plurality of bubble ejection holes 3 formed therein.
  • a device was produced by the same procedure as in Example 1 except that the bubble ejection holes 3 were formed in three places so that the diameter of the bubble ejection holes 3 was about 100 ⁇ m and the interval between the adjacent bubble ejection holes 3 was about 600 ⁇ m. did.
  • FIG. 9A is a photograph of the device of Example 2 taken from above
  • FIG. 9B is a photograph after electric output, showing a bubble in which a dotted circle is grown.
  • FIG. 10A is a photograph from the first opening side when the device of Example 3 is used
  • FIG. 10B is a photograph from the first opening side when the device of Example 4 is used. Arrows in FIG. 10A and FIG. Then, the part surrounded by the white circle in the photo is the bubble that has been ejected. As shown in the photograph, in any of the devices of Example 3 and Example 4, ejection of bubbles was confirmed. Moreover, it was confirmed that bubbles were ejected from the first opening having a small size even when the experiment was performed by exchanging the first electrode 4a and the second electrode 4b, that is, by exchanging the anode and the cathode.
  • the thicker the device the higher the voltage for ejecting bubbles. In other words, under the same electrical output conditions, the thicker the device, the more difficult it is for bubbles to eject.
  • the device of Example 3 has a larger thickness (3 mm) than the device of Example 4 under the condition that the size of the first opening and the electric output are the same. Despite being thick (5 mm), the device of Example 3 produced larger bubbles. From the above results, it was confirmed that when the taper angle of the bubble ejection hole 3 was increased (the size ratio of the second opening to the first opening was increased), the bubbles were easily ejected.
  • Example 5 Next, a bubble ejection experiment was conducted by changing the shape of the bubble ejection hole 3.
  • a device in which the first opening and the second opening were substantially square was produced in the same procedure as in Example 1 except that a cutter was used instead of the drill. One side of the first opening and the second opening was about 500 ⁇ m.
  • a bubble ejecting apparatus was produced in the same procedure as in Example 1 except that the device of Example 5 was used instead of the device of Example 1, and the bubble ejecting method was carried out.
  • FIG. 11A is a photograph from the first opening side immediately after outputting electricity
  • FIG. 11B is a photograph from the first opening side after outputting electricity for a while.
  • the bubbles are generated from the corners where the electric field is easily concentrated, grow to cover the entire first opening as shown in FIG. 11B, and then the bubbles are ejected. It was confirmed. From the above results, it was confirmed that the bubbles were ejected even if the bubble ejection holes 3 had a polygonal shape (first opening and second opening). It was also confirmed that when the bubbles were ejected, the bubbles were generated around the bubble ejection hole 3, particularly from the portion where the electric field was likely to concentrate, and the bubbles were ejected after covering the entire first opening. .
  • Example 6 Next, an experiment was conducted to examine the relationship between the size of the bubble ejection hole (first opening) and the applied voltage.
  • a device in which the first opening and the second opening were substantially circular was produced by the same procedure as in Example 1 except that the shape of the drill was changed. The diameter of the first opening and the second opening was about 200 ⁇ m.
  • [Fabrication of bubble ejection device and implementation of bubble ejection method] instead of the device of Example 5, a device of Example 6 was used, and a bubble ejecting apparatus was produced in the same procedure as in Example 1 except that the applied voltage was changed to 450 V, 650 V, and 750 V, The bubble ejection method was implemented.
  • FIG. 12A is a photograph from the first opening side before applying a voltage
  • FIG. 12B is a photograph from the first opening side after applying a voltage of 450V
  • FIG. 12C is a first opening after applying a voltage of 650V
  • 12D is a photograph from the side of the first opening after applying a voltage of 750V.
  • the part surrounded by the broken white circle in FIG. 12A corresponds to the first opening.
  • the bubble ejection hole 3 was filled with the conductive liquid.
  • FIGS. 12B to 12D as the applied voltage is increased, the conductive liquid in the bubble ejection hole 3 becomes smaller. It was confirmed that a black part around the conductive liquid) grew.
  • a voltage of 750 V was applied, as shown in FIG. 12D, the inside of the bubble ejection hole 3 was entirely covered with bubbles, and the ejection of bubbles was also confirmed.
  • 450 V in FIG. 12B and 650 V in FIG. 12C were applied, no bubbles were ejected.
  • FIG. 13A is a photograph from the first opening side of the device of Example 7 after applying the voltage for a while
  • FIG. 13B is a photograph of the device of Example 8 from the first opening side after applying the voltage for a while. It is a photograph.
  • the base material 2 is made thick (the bubble ejection holes 3 are long), the voltage required to cover the bubble ejection holes 3 with the bubbles and further eject the bubbles is increased. Therefore, it was confirmed that the thickness of the base material 2 may be appropriately adjusted according to the conditions such as the applied voltage.
  • Example 9 Next, an experiment was conducted by changing the type of the base material 2.
  • a glass MICRO COVER GLASS no. 1 manufactured by Matsunami Glass Industry Co., Ltd.
  • the bubble ejection holes 3 were formed by using a UV laser. Note that the UV laser processing was affected by heat, and the bubble ejection holes 3 had a tapered shape.
  • the diameter of the first opening was about 70 ⁇ m, and the diameter of the second opening was about 200 ⁇ m.
  • FIG. 14A is a photograph taken from the first opening side before applying a voltage.
  • the circle in the photograph is the first opening, the discolored portion around the first opening is the portion affected by heat, and the outer periphery of the discolored portion corresponds to the size of the second opening.
  • FIG. 14B is a photograph taken from the side of the first opening after applying the voltage, and the portion surrounded by the broken line is the bubble grown so as to cover the first opening. Then, the ejection of bubbles was confirmed.
  • Example 10 Next, a cutting experiment of the object to be processed was conducted.
  • a device was manufactured by the same procedure as in Example 1 except that bubble ejection holes having a diameter of about 100 ⁇ m were formed by puncturing using a tungsten wire.
  • Example 10 [Fabrication of bubble ejection device and implementation of bubble ejection method]
  • the device of Example 10 was used in place of the device of Example 1, and a bubble ejection device was produced in the same procedure as in Example 1.
  • the output was set to 2000 V
  • a silicon wafer (4 inch thickness 525 ⁇ 25 ⁇ m, single-sided mirror wafer manufactured by Matsunami Seisakusho Co., Ltd.) was placed in front of the bubble ejection hole, and the position of the silicon wafer was shifted.
  • the same procedure as in Example 1 was performed except that the voltage was applied multiple times.
  • FIG. 15 is a photograph of a silicon wafer on which bubbles are made to collide in Example 10, and the portions indicated by arrows are holes formed in the silicon wafer. From the above results, it was confirmed that the device, the bubble ejecting apparatus, and the bubble ejecting method according to the embodiment can be used for cutting a workpiece or the like.
  • Example 11 Next, devices with different thicknesses of the substrate 2 (length of the bubble ejection holes 3) and diameters of the bubble ejection holes 3 were prepared, and the electric field value of the bubble ejection holes 3 when the bubbles were ejected was examined.
  • Base materials 2 having a thickness of 25 ⁇ m, 50 ⁇ m, and 75 ⁇ m were prepared, and the bubble ejection holes 3 were formed on the respective base materials 2 to have diameters of about 100 ⁇ m, about 200 ⁇ m, about 300 ⁇ m, and about 400 ⁇ m.
  • a device was manufactured by the same procedure as in Example 1.
  • FIG. 16 is a graph showing the relationship between the diameter (pore diameter; horizontal axis) of the bubble ejection holes 3 of various devices and the applied voltage (vertical axis) when the bubbles start ejecting. As shown in FIG. 16, it was confirmed that the smaller the diameter of the bubble ejection holes 3, the lower the voltage at which the bubbles could be ejected, and the thinner the substrate 2 was, the lower the voltage at which the bubbles could be ejected.
  • FIG. 17 shows the analysis result. As shown in FIG. 17, although it depends on the thickness of the base material 2 and the size of the bubble ejection hole 3, it is confirmed that the bubbles can be ejected from the bubble ejection hole 3 when an electric field of about 4 MV / m or more is generated in the bubble ejection hole 3. did. From the results shown in FIG. 16 and FIG. 17, it was also clarified that when a material having a small dielectric strength is used as the base material 2, the base material 2 may be thickened.
  • the bubble ejection device disclosed in the present application can be easily manufactured by forming a bubble ejection hole in a base material formed of a dielectric so as to penetrate the base material. Further, since the bubble ejection holes are formed so as to penetrate the base material, the bubbles are ejected from the surface of the base material. Therefore, unlike the conventional bubble ejection port, it is less likely to be damaged. Therefore, it is useful in fields requiring local processing, such as semiconductor manufacturing fields, information processing fields, livestock farming, agriculture, forestry and fisheries fields.

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Genetics & Genomics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
  • Zoology (AREA)
  • Biotechnology (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Microbiology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Cell Biology (AREA)
  • Plant Pathology (AREA)
  • Clinical Laboratory Science (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
  • Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

従来の気泡噴出部材（気泡噴出チップ）を用いた気泡噴出方法と異なる新たな原理による気泡噴出方法、該気泡噴出方法に用いるための気泡噴出用デバイス、および、気泡噴出用デバイスを含む気泡噴出装置を提供することを課題とする。　気泡噴出用デバイスを用いた気泡噴出方法であって、　前記気泡噴出用デバイスは、　誘電体で形成された基材と、　前記基材の第１面と該第１面とは反対側の面である第２面とを貫通するように形成された気泡噴出孔と、　前記第１面の前記気泡噴出孔が貫通した箇所に形成された第１開口と、　前記第２面の前記気泡噴出孔が貫通した箇所に形成された第２開口と を含み、　前記気泡噴出方法は、　少なくとも前記第１開口と前記第２開口を含む部分を導電液に接触させる、基材および導電液接触工程と、　第１電極を前記第１開口側の前記導電液に接触し、第２電極を前記第２開口側の前記導電液に接触させる、導電液および電極接触工程と、　前記第１電極および前記第２電極に電圧を印加する電圧印加工程と、　前記気泡噴出孔から前記導電液中に気泡を噴出する気泡噴出工程と、 を含む、　気泡噴出方法により、課題を解決できる。

Description

気泡噴出方法、気泡噴出用デバイス、および、気泡噴出装置
　本出願における開示は、気泡噴出方法、気泡噴出用デバイス、および、気泡噴出装置に関する。
　近年のバイオテクノロジーの発展に伴い、細胞の膜や壁に孔をあけ、細胞から核を除去又はＤＮＡ等の核酸物質の細胞への導入等、細胞等の局所加工の要求が高まっている。局所加工技術（以下、「局所アブレーション」と記載することがある。）としては、電気メス等のプローブを用いた接触加工技術や、レーザー等を用いた非接触アブレーション技術などを用いた方法が広く知られている。
　しかしながら、従来の電気メス等のプローブを用いた接触加工技術においては、（１）連続高周波によって発生させたジュール熱により対象物を焼き切る性質があるため、切断面の粗さと熱による周辺組織への熱侵襲の影響が大きく、特に液相中の生体材料加工においては熱による切断面のダメージが大きい、（２）タンパク質の変性やアミド結合の寸断により、再結合や再生が困難である、（３）また持続的な加工においてはプローブへの熱変性タンパク質等の吸着や熱により発生する気泡の吸着によって、切開面の観察環境は著しく悪化し、高分解性加工は困難である、という問題があった。
　また、フェムト秒レーザー等のレーザーによる非接触加工技術においても、高密度エネルギーが局所的に当たることで切断面周囲組織の熱の影響が存在し、特に液相中の対象物の加工においては加工時に発生する熱による気泡等の発生により持続的加工が困難である等の問題があった。
　一方、細胞等への核酸物質等のインジェクション物質を導入するための局所的な物理的インジェクション技術（以下、「局所インジェクション」と記載することがある。）としては、電気穿孔法、超音波を用いたソノポレーション技術及びパーティクルガン法等が広く知られている。しかしながら、従来の電気穿孔法技術においては、電界強度により細胞膜の透過性を向上させるのに限界があり、柔軟な脂質２重膜ではなくて硬い細胞膜や細胞壁を有する対象物へインジェクションが困難であり、電極の配置などの制限により局所的な狙った場所へのインジェクションが困難である等の問題があった。また、超音波を利用したソノポレーション技術においては超音波の集束が困難であり、局所的な気泡のキャビテーションを発生させ解像度を上げることが困難である等の問題があった。更に、パーティクルガン法によるインジェクション方法においても、粒子表面に付着させた物質が粒子を打ち込む際に表面から離脱してしまい導入効率が低い等の問題があった。
　上記問題点を解決する方法（デバイス）として、導電材料で形成された芯材と、絶縁材料で形成され、前記芯材を覆い、かつ前記芯材の先端から延伸した部分を含む外郭部、及び前記外郭部の延伸した部分及び前記芯材の先端との間に形成された空隙を含む気泡噴出部材を作製し、該気泡噴出部材を溶液に浸漬させ、溶液中で高周波電圧を印加することで気泡を発生し、該気泡を加工対象物に連続的に放出することで加工対象物を切削（局所アブレーション）できることも知られている（特許文献１参照）。また、導電性材料で形成された電極と該電極を挟むように形成した気泡噴出部を、基板上に複数形成した気泡噴出チップも知られている（特許文献２参照）。
国際公開第２０１３／１２９６５７号公報 国際公開第２０１６／０５２５１１号公報
　特許文献１に記載された気泡噴出部材は、ガラス等の絶縁材料に電極を挿入し、絶縁材料と電極を加熱して引き切ることで、絶縁材料と電極の粘弾性の差により電極の周囲が絶縁材料で覆われ、且つ絶縁材料が電極の先端より延伸した状態で作製される。そのため、絶縁材料が延伸した先端部分、つまり、気泡噴出口は非常に細く且つ薄くなることから、破損し易いという問題がある。また、気泡噴出口が非常に細く且つ薄いことから、細胞等の加工対象物を加工する際に、気泡噴出口で加工対象物を傷付け易いという問題もある。
　また、特許文献２に記載された気泡噴出チップは、半導体リソグラフィの技術を用いて作製されている。そのため、任意の気泡噴出口のサイズの気泡噴出部を、任意の数だけ基板上に形成できる。そのため、特許文献１に記載されている気泡噴出部材より、破損し難く、且つ、気泡噴出口のサイズを調整し易いというメリットがある。しかしながら、特許文献２に記載されている気泡噴出チップは、半導体リソグラフィ技術により作製することから、作製工程が複雑になるという問題がある。
　本開示は、上記問題点を解決するためになされたものであり、鋭意研究を行ったところ、（１）誘電体で形成された基材と、基材の第１面と該第１面とは反対側の面である第２面とを貫通するように形成された気泡噴出孔と、を含む気泡噴出用デバイスを用い、（２）導電液と気泡噴出孔が接触した状態で、第１電極および第２電極に電圧を印加すると、（３）気泡噴出孔から導電液中に気泡を噴出できること、を新たに見出した。
　すなわち、本開示の目的は、従来の気泡噴出部材（気泡噴出チップ）を用いた気泡噴出方法と異なる新たな原理による気泡噴出方法、該気泡噴出方法に用いるための気泡噴出用デバイス、および、気泡噴出用デバイスを含む気泡噴出装置に関する。
　本開示は、以下に示す、気泡噴出方法、気泡噴出用デバイス、および、気泡噴出装置に関する。
（１）気泡噴出用デバイスを用いた気泡噴出方法であって、
　前記気泡噴出用デバイスは、
　　誘電体で形成された基材と、
　　前記基材の第１面と該第１面とは反対側の面である第２面とを貫通するように形成された気泡噴出孔と、
　　前記第１面の前記気泡噴出孔が貫通した箇所に形成された第１開口と、
　　前記第２面の前記気泡噴出孔が貫通した箇所に形成された第２開口と
を含み、
　前記気泡噴出方法は、
　　少なくとも前記第１開口と前記第２開口を含む部分を導電液に接触させる、基材および導電液接触工程と、
　　第１電極を前記第１開口側の前記導電液に接触し、第２電極を前記第２開口側の前記導電液に接触させる、導電液および電極接触工程と、
　　前記第１電極および前記第２電極に電圧を印加する電圧印加工程と、
　　前記気泡噴出孔から前記導電液中に気泡を噴出する気泡噴出工程と、
を含む、
　気泡噴出方法。
（２）前記気泡噴出孔が、少なくとも２個以上形成されている、
　上記（１）に記載の気泡噴出方法。
（３）前記第１開口のサイズと、前記第２開口のサイズが異なる、
　上記（１）または（２）に記載の気泡噴出方法。
（４）前記誘電体の絶縁耐力が、１０ＭＶ／ｍ以上である、
　上記（１）～（３）の何れか一つに記載の気泡噴出方法。
（５）前記基材が、可撓性の材料で形成されている、
　上記（１）～（４）の何れか一つに記載の気泡噴出方法。
（６）誘電体で形成された基材と、
　前記基材の第１面と該第１面とは反対側の面である第２面とを貫通するように形成された気泡噴出孔と、
　前記第１面の前記気泡噴出孔が貫通した箇所に形成された第１開口と、
　前記第２面の前記気泡噴出孔が貫通した箇所に形成された第２開口と、
を含む、
　気泡噴出用デバイス。
（７）前記気泡噴出孔が、少なくとも２個以上形成されている、
　上記（６）に記載の気泡噴出用デバイス。
（８）前記第１開口のサイズと、前記第２開口のサイズが異なる、
　上記（６）または（７）に記載の気泡噴出用デバイス。
（９）前記誘電体の絶縁耐力が、１０ＭＶ／ｍ以上である、
　上記（６）～（８）の何れか一つに記載の気泡噴出用デバイス。
（１０）前記基材が、可撓性の材料で形成されている、
　上記（６）～（９）の何れか一つに記載の気泡噴出用デバイス。
（１１）第１チャンバーおよび第２チャンバーを更に含み、
　　前記第１チャンバーは、
　　　前記基材の前記第１面の少なくとも前記第１開口を含む部分と、
　　　前記第１面に接するように配置したチャンバー第１部材と、
を含み、
　　　前記第１チャンバーに導電液を充填することで、前記第１開口が前記導電液に接触することができ、
　　第２チャンバーは、
　　　前記基材の前記第２面の少なくとも前記第２開口を含む部分と、
　　　前記第２面に接するように配置したチャンバー第２部材と、
を含み、
　　　前記第２チャンバーに前記導電液を充填することで、前記第２開口が前記導電液に接触することができる、
　上記（６）～（１０）の何れか一つに記載の気泡噴出用デバイス。
（１２）前記第１チャンバーに配置された第１電極と、
　前記第２チャンバーに配置された第２電極と、
を含む、
　上記（６）～（１１）の何れか一つに記載の気泡噴出用デバイス。
（１３）上記（７）～（１２）の何れか一つに記載の気泡噴出用デバイスと、
　前記気泡噴出用デバイスから気泡を噴出させるための電気出力機構と、
を含む、
　気泡噴出装置。
　本出願で開示する気泡噴出用デバイスは、誘電体で形成された基材に、基材を貫通するように気泡噴出孔を形成することで簡単に作製できる。また、気泡噴出孔は基材を貫通するように形成されるため、気泡は基材の表面から噴出する。そのため、従来の気泡噴出口と異なり破損し難い。したがって、気泡噴出方法を実施する際の気泡噴出用デバイスの取り扱いの利便性が向上する。
図１Ａは第１の実施形態に係るデバイス１ａの上面図、図１Ｂは図１ＡのＸ－Ｘ’断面図である。 図２Ａ乃至図２Ｄは、気泡Ｂが噴出する原理を説明するための概略断面図である。 図３Ａは第２の実施形態に係るデバイス１ｂの上面図、図３Ｂは図３ＡのＸ－Ｘ’断面図である。 図４Ａは第３の実施形態に係るデバイス１ｃの上面図、図４Ｂは図４ＡのＸ－Ｘ’断面図である。図４Ｃおよび図４Ｄは、テーパーを形成する場合の第１開口３１と第２開口３２のサイズの差について説明するための図である。 図５Ａは第４の実施形態に係るデバイス１ｄの上面図、図５Ｂは図５ＡのＸ－Ｘ’断面図である。図５Ｃはデバイス１ｄの変形例の上面図、図５Ｄは図５ＣのＸ－Ｘ’断面図である。 図６は、気泡噴出装置１０の概略を説明するための図である。 図７は、気泡噴出方法の手順を示すフローチャートである。 図８は図面代用写真で、実施例１において、ハイスピードカメラで気泡Ｂの発生を撮影した写真である。 図９は図面代用写真で、図９Ａは実施例２のデバイスを上方から撮影した写真、図９Ｂは電気出力後の写真で、点線の丸が成長した気泡を示す。 図１０は図面代用写真で、図１０Ａは実施例３のデバイスを用いた際の第１開口側からの写真、図１０Ｂは実施例４のデバイスを用いた際の第１開口側からの写真で、写真の白丸で囲ってある部分が噴出した気泡である。 図１１は図面代用写真で、実施例５において、図１１Ａは電気を出力した直後の写真、図１１Ｂは電気を出力してしばらくした後の写真である。 図１２は図面代用写真で、実施例６において、図１２Ａは電圧を印加する前の写真、図１２Ｂは４５０Ｖの電圧を印加した後の写真、図１２Ｃは６５０Ｖの電圧を印加した後の写真、図１２Ｄは７５０Ｖの電圧を印加した後の写真である。 図１３は図面代用写真で、図１３Ａは電圧を印加してしばらくした後の実施例７のデバイスの写真、図１３Ｂは電圧を印加してしばらくした後の実施例８の写真である。 図１４は図面代用写真で、実施例９において、図１４Ａは、電圧を印加する前の第１開口側の写真で、図１４Ｂは電圧を印加した後の写真である。 図１５は図面代用写真で、実施例１０で気泡を衝突させたシリコンウェハの写真である。 図１６は、実施例１１において、各種デバイスの気泡噴出孔３の直径（孔径；横軸）と、気泡が噴出し始めた時の印加電圧（縦軸）との関係を示すグラフである。 図１７は、実施例１１において、有限要素法により解析した、気泡を噴出した時の気泡噴出孔３の電界値を示すグラフである。
　以下、図面を参照しつつ、気泡噴出方法、気泡噴出用デバイス（以下、単に「デバイス」と記載することがある。）、および、気泡噴出装置について、詳しく説明する。なお、本明細書において、同種の機能を有する部材には、同一または類似の符号が付されている。そして、同一または類似の符号の付された部材について、繰り返しとなる説明が省略される場合がある。また、本明細書に記載した数値は、当該数値のみを厳密に意味するのではなく、本出願で開示する効果を奏する範囲内であれば、±の誤差を含んでもよい。「約」と記載された場合も同様に、当該数値のみを厳密に意味するのではなく、本出願で開示する効果を奏する範囲内であれば、±の誤差を含んでもよい。
（デバイスの第１の実施形態）
　図１を参照して、第１の実施形態に係るデバイス１ａについて説明する。図１Ａはデバイス１ａの上面図、図１Ｂは図１ＡのＸ－Ｘ’断面図である。デバイス１ａは、誘電体で形成された基材２と、気泡噴出孔３とを含む。気泡噴出孔３は、基材２の第１面２１と該第１面２１とは反対側の面である第２面２２とを貫通するように形成され、第１面２１には第１開口３１、第２面２２には第２開口３２が形成されている。
　デバイス１ａの構成について詳細に説明する前に、デバイス１ａを用いて気泡が噴出する原理について先ず説明する。図２Ａ乃至図２Ｄは、気泡Ｂが噴出する原理を説明するための概略断面図である。なお、デバイス１ａの構成要素は同じであるので、図２Ｂ乃至図２Ｄにおいては、気泡Ｂ以外の符号の記載は省略する。
　図２Ａに示すように、気泡を噴出する前に、先ず、少なくとも第１開口３１および第２開口３２の周囲を導電性の液体である導電液Ｌに接触させる。導電液Ｌは、毛管力により気泡噴出孔３の中に浸透する。次に、第１電極４ａを第１開口３１側の導電液Ｌに接触し、第２電極４ｂを第２開口３２側の導電液Ｌに接触し、電気出力機構（図示省略）と第１電極４ａおよび第２電極４ｂとを電線等で接続する。次に、第１電極４ａおよび第２電極４ｂに電圧を印加すると、図２Ｂに示すように、気泡噴出孔３の周辺部に気泡Ｂが発生し、図２Ｃに示すように、発生した気泡Ｂが気泡噴出孔３を塞ぐように成長する。そして、更に成長を続けた気泡Ｂは、図２Ｄに示すように、導電液Ｌ中に噴出する。
　デバイス１ａを用いて、図２Ａ乃至図２Ｄに示すように気泡Ｂが噴出する理由としては、基材２は電気を通さないが、電気を蓄積することで気泡噴出孔３の周囲に電界が発生しているためと考えられる。そのため、基材２は、電流は流れない、或いは、無視できるほど小さく、且つ、電界が発生する材料である誘電体で形成することが望ましい。基材２を構成する材料としては、公知の誘電体材料、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂、ガラス、セラミック、マイカ（雲母）等が挙げられる。なお、後述する気泡噴出孔３の第１開口３１または第２開口３２のサイズが比較的大きいと、気泡噴出孔３から気泡Ｂを噴出するためには、比較的大きな電圧を印加することになる。そして、印加される電圧によって、絶縁破壊が生じると、気泡噴出孔３（第１開口３１及び／又は第２開口３２）の大きさが変化したり、基材２が損傷する恐れがある。したがって、基材２を構成する材料としては、基材２の厚さ、及び／又は、気泡噴出孔３の大きさにもよるが、例えば、絶縁耐力が４ＭＶ／ｍ以上、５ＭＶ／ｍ以上、６ＭＶ／ｍ以上、７ＭＶ／ｍ以上、８ＭＶ／ｍ以上、９ＭＶ／ｍ以上、１０ＭＶ／ｍ以上の材料が挙げられる。
　絶縁耐力が１０ＭＶ／ｍ以上の材料としては、例えば、ポリイミド（２３ＭＶ／ｍ）、ポリスチレン（２０～２８ＭＶ／ｍ）、ガラス（２０～４０ＭＶ／ｍ）、エポキシ樹脂（充填剤無し、１１．８～１９．６ＭＶ／ｍ）、エポキシ樹脂（シリカ充填、１１．８～１９．６ＭＶ／ｍ）、エポキシ樹脂（グラスファイバー充填、１１．８～１５．７ＭＶ／ｍ）等が挙げられるが、勿論、例示した以外の材料であってもよい。なお、絶縁耐力に関しては、特に上限はない。
　基材２の厚さ、換言すると、気泡噴出孔３の貫通方向の長さは、気泡を噴出できる範囲内であれば特に制限はないが、例えば、下限値として０．１μｍ以上、１μｍ以上、とすることができる。また、上限値としては、１ｃｍ以下、５ｍｍ以下、１ｍｍ以下、５００μｍ以下、２００μｍ以下、１００μｍ以下、とすることができる。なお、基板２の厚さは均一であっても、均一でなくてもよい。基板２の厚さが均一でない場合は、上記の下限値と上限値は気泡噴出孔３を形成する部分の基材の厚さとし、気泡噴出孔３を形成する部分以外の基材２の厚さは、上記の上限値と下限値から外れた範囲であってもよい。
　また、基材２の材料および厚さの組み合わせにより変わるものの、基材２が可撓性を有するように形成してもよい。基材２が可撓性を有すると、デバイス１ａを用いて加工対象物をアブレーションする際に、加工対象物が、例えば、植物や動物皮膚等、湾曲していても、デバイス１ａを加工対象物に接触できるという効果を奏する。可撓性が高い材料としては、例えば、ポリイミド等が挙げられる。
　気泡噴出孔３の形状は、気泡を噴出できれば特に制限はない。気泡噴出孔３の第１面２１或いは第２面２２と平行となる断面視、例えば、第１開口３１と第２開口３２の形状で見た場合、形状としては、円形、楕円形、角数が３以上の多角形等が挙げられる。また、第１面２１或いは第２面２２と垂直となる断面視、例えば、図１Ｂに示す断面視では、第１開口３１と第２開口３２を結ぶ線は、図１Ｂに示す例のように直線でもよいし、曲線または階段状等の非直線であってもよい。なお、図１Ａ及び図１Ｂに示す例では、第１開口３１と第２開口３２の形状は同じ、つまり、気泡噴出孔３は直径が同じ円筒形状であるが、第１開口３１と第２開口３２の形状は異なっていてもよい。
　第１開口３１および第２開口３２のサイズは、毛管力により導電液Ｌが気泡噴出孔３内に入り込むことができ、気泡を噴出できれば特に制限はない。気泡噴出孔３が、第１開口３１および第２開口３２が同じ大きさの円、つまり、気泡噴出孔３が円筒形と仮定した場合、第１開口３１および第２開口３２の直径の下限値は、例えば、０．１μｍ以上、０．５μｍ以上、１μｍ以上、２μｍ以上、５μｍ以上とすることができる。また、第１開口３１または第２開口３２が大きすぎると、印加する電圧が大きくなることから、第１開口３１および第２開口３２の直径の上限値は、５００μｍ以下、４００μｍ以下、３００μｍ以下、２００μｍ以下、１００μｍ以下とすることができる。なお、第１開口３１および第２開口３２の形状が円形以外の場合は、当該円形以外の形状の外接円の直径を、上記の直径に置き換えればよい。なお、第１開口３１および第２開口３２のサイズを小さくする場合は、基材２を必要に応じて親水化処理をすることで、導電液Ｌが気泡噴出孔３に入りやすくしてもよい。親水化処理は、プラズマ処理等、公知の方法で処理をすればよい。
　気泡噴出孔３は、基材２の第１面２１と第２面２２とを貫通するように形成されていれば形成方法に特に制限はない。例えば、ドリルを用いて貫通孔を形成する方法、マスクを被せてエッチングする方法等、公知の方法により形成できる。
（デバイスの第２の実施形態）
　次に、図３を参照して、第２の実施形態に係るデバイス１ｂについて説明する。図３Ａはデバイス１ｂの上面図、図３Ｂは図３ＡのＸ－Ｘ’断面図である。デバイス１ｂは、気泡噴出孔３が少なくとも２以上形成されている点で第１の実施形態に係るデバイス１ａと異なり、その他の点は、デバイス１ａと同様である。なお、図３Ａおよび図３Ｂでは、気泡噴出孔３を直列に３個配置した例を示しているが、気泡噴出孔３の数に制限はなく、また、気泡噴出孔３の配置も目的に応じて適宜決めればよい。デバイス１ｂを用いると、加工対象物の異なる位置に同時に気泡を噴出できる。
　なお、気泡噴出部を複数形成することで、加工対象物の異なる位置に同時に気泡を噴出することは、特許文献２に記載されている。しかしながら、特許文献２に記載されているチップは、フォトリソグラフィ技術を用いて作製している。そのため、製造工場でチップを製造する際には、任意の形状のフォトマスクを用いることで、気泡噴出口の配置等を調整できるが、使用現場で気泡噴出部の数や配置を変更することは困難である。一方、デバイス１ｂは、特許文献２と気泡噴出の原理（装置）が異なることに加え、気泡噴出孔３はドリル等を用いて簡単に形成できる。したがって、使用現場において、必要に応じて気泡噴出孔３の配置を調整できる。
（デバイスの第３の実施形態）
　次に、図４を参照して、第３の実施形態に係るデバイス１ｃについて説明する。図４Ａはデバイス１ｃの上面図、図４Ｂは図４ＡのＸ－Ｘ’断面図である。デバイス１ｃは、第１開口３１と第２開口３２のサイズを異なるように作製した点で、第１の実施形態に係るデバイス１ａと異なる。なお、本明細書において、「サイズ」とは、円形の場合は直径、円径以外の場合は外接円の直径を意味する。図４Ｂに示す例では、第１開口３１のサイズが第２開口３２のサイズより小さいが、第１開口３１のサイズが第２開口３２のサイズより大きくてもよい。なお、本明細書において、第１開口３１と第２開口３２のサイズが異なるように形成した気泡噴出孔３を「テーパーあり」と記載することがある。また、第１開口３１と第２開口３２の形状およびサイズが同じ円筒状、角柱状の気泡噴出孔３のことを「テーパー無し」と記載することもある。
　後述する実施例に示すとおり、第１開口３１と第２開口３２の形状がほぼ同じデバイス１ａの場合、第１電極４ａおよび第２電極４ｂの一方を陽極、他方を陰極とした場合、気泡噴出孔３で成長した気泡Ｂは、陽極から陰極方向に射出される。一方、第３の実施形態に係るデバイス１ｃは、陽極と陰極方向には関係なく、第１開口３１または第２開口３２のサイズが小さい方から気泡が噴出する。これは、第１開口３１または第２開口３２のサイズの小さい方の開口部分は、サイズの大きい開口部分より抵抗が大きく、大きな電圧がかかるため、サイズの小さい開口方向に気泡が生成するためと考えられる。
　テーパーありの気泡噴出孔３の形成は、テーパーが形成できれば特に制限はない。例えば、３Ｄプリンターを用いて作製；テーパー形状の鋳型を形成し、熱・光・紫外線等の硬化性樹脂、または、溶融した熱可塑性樹脂を鋳型に流し込み、樹脂が硬化後に鋳型を分離：レーザー切削加工；等が挙げられる。
　図４Ｃを参照して、テーパーを形成する場合の第１開口３１と第２開口３２のサイズの差について説明する。図４Ｃは、第１開口３１が円形、第２開口３２が第１開口３１より直径が大きな円形で、第１開口３１の円の中心と第２開口３２の円の中心とを結んだ仮想線ｐが、第２開口３２の仮想平面３２ａと略直交する場合の例を示している。図４Ｃに示す例において、第２開口３２の仮想平面３２ａ（断面視で仮想線３２ａ）と気泡噴出孔３の壁面３３（断面視で壁面線３３）との角度をＺと規定した場合、Ｚの上限値は９０°より小さければよい。また、Ｚの下限値は、原理上は０°より大きければよいが、例えば、１°、５°、３０°、６０°とすることができる。
　上記の角度に代え、第１開口３１の面積を１とした場合、第２開口３２の面積は１より大きく、例えば、１０，０００以下、５，０００以下、１，０００以下、５００以下、１００以下、５０以下とすることができる。第１開口３１と第２開口３２の形状が円形以外の場合、例えば、楕円形、多角形等の場合は、第１開口３１と第２開口３２の面積比は、円形の面積比と同じ比とすることができる。
　図４Ｃに示す例では、気泡噴出孔３は、仮想線ｐを中心に断面視で対称であるが、気泡噴出孔３のテーパーの形状は、図４Ｃに示す例に限定されない。例えば、図４Ｄに示すように、気泡噴出孔３は、断面視で左右非対称であってもよい。
　デバイス１ｃの第１開口３１と第２開口３２のサイズは、小さい方の開口のサイズを、第１の実施形態のデバイス１ａにおいて例示した第１開口３１および第２開口３２のサイズとすることができる。また、デバイス１ｃの厚さも、第１の実施形態のデバイス１ａにおいて例示した厚さとしてもよいが、デバイス１ａと異なり、デバイス１ｃはサイズの小さい方の開口に電界が集中し易くなる。したがって、第２開口３２と壁面３３の角度Ｚ（或いは、第１開口３１と第２開口３２の直径比又は面積比）により異なるものの、気泡が噴出できる範囲内であれば、デバイス１ａより基材２を厚くしてもよい。
（デバイスの第４の実施形態およびその変形例）
　次に、図５Ａ乃至図５Ｄを参照して、第４の実施形態に係るデバイス１ｄおよびその変形例について説明する。図５Ａはデバイス１ｄの上面図、図５Ｂは図５ＡのＸ－Ｘ’断面図である。また、図５Ｃはデバイス１ｄの変形例の上面図、図５Ｄは図５ＣのＸ－Ｘ’断面図である。デバイス１ｄおよびその変形例は、導電液Ｌを充填するための第１チャンバー５ａおよび第２チャンバー５ｂを更に具備する点で、第１の実施形態のデバイス１ａと異なり、その他の点は、第１の実施形態と同じである。
　図５Ａ及び図５Ｂに示す例では、デバイス１ｄの第１チャンバー５ａは、基材２の第１面２１の少なくとも第１開口３１を含む部分と、第１面２１に接するように配置したチャンバー第１部材５１ａとを含む。チャンバー第１部材５１ａは、第１チャンバー５ａが第１開口３１を含めば、配置する位置に特に制限はなく、第１面２１の任意の箇所に配置できる。第２チャンバー５ｂは、基材２の第２面２２の少なくとも第２開口３２を含む部分と、第２面２２に接するように配置したチャンバー第２部材５１ｂとを含む。チャンバー第２部材５１ｂは、第２チャンバー５ｂが第２開口３２を含めば、配置する位置に特に制限はなく、第２面２２の任意の箇所に配置できる。第１チャンバー５ａおよび第２チャンバー５ｂに導電液Ｌを充填することで、第１開口３１および第２開口３２が導電液Ｌに接触することができる。
　チャンバー第１部材５１ａおよびチャンバー第２部材５１ｂは、電気的および化学的に不活性な材料が挙げることができる。例えば、ガラス、サファイア、セラミック、樹脂、ゴム、エラストマー、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3などを用いることができる。チャンバー第１部材５１ａおよびチャンバー第２部材５１ｂは接着剤等を用いて、基材２に液密となるように接着すればよい。
　なお、図５Ａおよび図５Ｂに示す例では、第１チャンバー５ａまたは第２チャンバー５ｂの何れかを、表面張力により充填した導電液Ｌが漏れ出さない程度の大きさにしてもよい。その場合、導電液Ｌを充填した状態で加工対象物に当接させ、加工対象物に気泡を噴出できるので、任意の場所で任意の加工対象物に気泡を噴出できるという効果を奏する。
　次に、図５Ｃおよび図５Ｄに示すデバイス１ｄの変形例は、箱体に基材２を挿入している点、および、図５Ａおよび図５Ｂに示すデバイス１ｄと使用方法が異なる以外は、図５Ａおよび図５Ｂに示すデバイス１ｄと同じである。より具体的には、デバイス１ｄの変形例の使用方法は、第１チャンバー５ａおよび第２チャンバーの上方から導電液Ｌを充填し、気泡が噴出する方向に加工対象物を上方から挿入する点で、デバイス１ｄと異なる。なお、図５Ａ乃至図５Ｄから明らかなように、本明細書において、「チャンバー第１部材５１ａ」および「チャンバー第２部材５１ｂ」と記載した場合、「チャンバー第１部材５１ａ」と「チャンバー第２部材５１ｂ」は別部材、および、単一部材を区分した部分の両方を意味する。
　なお、図５Ａ乃至図５Ｄでは、図示は省略するが、第１チャンバー５ａに第１電極、第２チャンバー５ｂに第２電極が配置されてもよい。その場合、第１電極はチャンバー第１部材５１ａまたは第１面２１の何れかで、導電液Ｌを充填した際に導電液Ｌと接触できる場所であれば特に制限はない。同様に、チャンバー第２部材５１ｂまたは第２面２２の何れかで、導電液Ｌを充填した際に導電液Ｌと接触できる場所に、第２電極を配置してもよい。
　上記に例示したデバイス１ａ乃至デバイス１ｄ（変形例）は、単なる例示であって、例示した実施形態を組み合わせてもよい。例えば、第３の実施形態のテーパーあり気泡噴出孔３を、第２の実施形態のデバイス１ｂおよび第４の実施形態のデバイス１ｄに採用してもよい。また、第４の実施形態の第１チャンバー５ａおよび第２チャンバー５ｂを、第２の実施形態のデバイス１ｂおよび第３の実施形態のデバイス１ｃに採用してもよい。また、第１乃至第３の実施形態のデバイス１ａ～ｃの第１面２１に第１電極４ａを配置し、第２面２２に第２電極４ｂを配置してもよい。その他、本出願で開示する目的が達成できる範囲であれば、適宜変更してもよい。
（気泡噴出装置の実施形態）
　図６を参照して、気泡噴出装置１０の実施形態について説明する。図６は、気泡噴出装置１０の概略を説明するための図である。気泡噴出装置１０は、気泡噴出用デバイス１と電気出力機構６を組み合せることで作製できる。なお、図６では、気泡噴出用デバイス１ａを用いた例を示している。電気出力機構６は、電源装置６１、第１電極４ａ、第２電極４ｂ、電源装置６１と第１電極４ａおよび第２電極４ｂとで回路を形成するための電線６３を少なくとも含んでいればよい。なお、第１電極４ａおよび第２電極４ｂを、デバイス１の構成要素として配置した場合は、電気出力機構６として、第１電極４ａおよび第２電極４ｂを含まなくてもよい。
　気泡噴出装置１０は、必要に応じて、無誘導抵抗６４、図示しない電圧増幅回路、入出力ポート（ＤＩＯ；Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｉｎｐｕｔ　Ｏｕｔｐｕｔ）６５、電源装置６１を制御するＰＣ等の制御装置６６等を設けてもよい。電気出力機構６は、上記の構成要素を準備し作製してもよいし、従来の電気メス用電気回路に無誘導抵抗６４や入出力ポート６５等を組み込むことで、作製してもよい。
　第１電極４ａおよび第２電極４ｂを形成する導電材料としては、電気を通し電極として使用できるものであれば特に制限はないが、金属で、例えば、金、銀、銅、アルミニウム等、これらにスズ、マグネシウム、クロム、ニッケル、ジルコニウム、鉄、ケイ素などを少量加えた合金等が挙げられる。
　電源装置６１としては、一般商用交流電源装置を用いることができる。電気出力機構６から、第１電極４ａおよび第２電極４ｂに出力する電流、電圧及び周波数は、気泡噴出孔３から導電液Ｌ中に気泡を噴出できれば特に制限はない。例えば、電流は、１ｍＡ～５００ｍＡ、または５０ｍＡ～２００ｍＡとして、気泡をうまく生成できないことや基材２が絶縁破壊することを防止するようにしてよい。電圧は、例えば、２００Ｖ～４０００Ｖ、または、６００Ｖ～１８００Ｖとして、気泡生成が困難となることや基材２が絶縁破壊することを防止するようにしてよい。パルス幅は、５００ｎｓ～１ｍｓが好ましく、１μｓ～１００μｓがより好ましい。パルス幅が５００ｎｓより短いと気泡を噴出することができず、１ｍｓ以上だと気泡が適切に噴出されない。なお、電流、電圧、パルス幅等は、基材２の材料および厚さ、第１開口３１、第２開口３２の大きさ等により、適宜調整すればよい。
（気泡噴出方法の実施形態）
　図６および図７を参照して、気泡噴出方法の実施形態について説明する。図７は、気泡噴出方法の手順を示すフローチャートである。気泡噴出方法は、基材および導電液接触工程（Ｓ１００）、導電液および電極接触工程（Ｓ１１０）、電圧印加工程（Ｓ１２０）、気泡噴出工程（Ｓ１３０）、を含んでいる。
　基材および導電液接触工程（Ｓ１００）では、デバイス１ａの少なくとも第１開口３１と第２開口３２を含む部分を導電性の導電液Ｌに接触させる。図６に示す例では、加工対象物７に導電液Ｌを先ず滴下し、デバイス１ａを導電液Ｌの上方に配置し、更に、導電液Ｌをデバイス１ａに滴下すればよい。なお、デバイス１として、第１および第２チャンバー付きのデバイスを用いた場合は、第１チャンバーおよび第２チャンバーに導電液Ｌを充填すればよい。導電液Ｌは、電気が通れば特に制限はなく、例えば、水、水に金属塩等を溶解した溶液等が挙げられる。
　導電液および電極接触工程（Ｓ１１０）では、第１電極４ａを第１開口３１側の導電液Ｌに接触し、第２電極４ｂを第２開口３２側の導電液Ｌに接触させる。なお、第１電極４ａおよび第２電極４ｂを予め具備しているデバイスを用いた場合、或いは、第１チャンバーに第１電極４ａを予め配置し第２チャンバーに第２電極４ｂを予め配置した場合には、基材および導電液接触工程（Ｓ１００）、および、導電液および電極接触工程（Ｓ１１０）が、同時に実施される場合もある。したがって、本明細書において、『「基材および導電液接触工程（Ｓ１００）」と「導電液および電極接触工程（Ｓ１１０）」とを含む』と記載した場合は、「基材および導電液接触工程（Ｓ１００）」と「導電液および電極接触工程（Ｓ１１０）」とを別々に実施する場合と同時に実施する場合を含む。
　電圧印加工程（Ｓ１２０）では、第１電極４ａと第２電極４ｂに電圧を印加する。そして、気泡噴出工程（Ｓ１３０）では、気泡噴出孔３で成長した気泡が噴出する。
　特許文献１および特許文献２に記載のとおり、微細な気泡を加工対象物に噴出することで、加工対象物を切削（局所アブレーション）したり、インジェクション物質を加工対象物に導入（局所インジェクション）することができる。また、後述する実施例に示す通り、実施形態に係るデバイスを用いることで、シリコン基板を切削できた。したがって、気泡噴出装置１０は、例えば、局所アブレーション装置、局所インジェクション装置として用いることができる。また、導電液としてめっき液を用いた場合、気泡噴出装置１０はめっき装置として用いることができる。また、気泡噴出方法は、例えば、局所アブレーション方法、局所インジェクション方法、めっき方法として用いることができる。
　加工対象物７としては、上記のとおり、例えば、局所アブレーション、局所インジェクション、めっきすることができるものであれば特に制限はない。例えば、ヒトまたは非ヒト動物の組織から単離した幹細胞、皮膚細胞、粘膜細胞、肝細胞、膵島細胞、神経細胞、軟骨細胞、内皮細胞、上皮細胞、骨細胞、筋細胞、卵細胞等の動物細胞、植物細胞、昆虫細胞、大腸菌、酵母、カビなどの細胞類；米や植物細胞等の比較的固い生体試料；シリコン、ガラスエポキシ、ポリエステル、ポリイミド、ＢＴレジン、及び熱硬化型ポリフェニレンエーテル等の樹脂類を用いた樹脂基板；アルミナ（セラミックス）基板等の無機材料を用いた無機基板；シリコンウェハ、アルミや銅等の金属基板；前記金属基板の上に絶縁層、さらにその上に導体である銅箔を重ねたメタルベース基板；等が挙げられる。
　以下に実施例を掲げ、各実施形態を具体的に説明するが、この実施例は単にその具体的な態様の参考のために提供されているものである。これらの例示は、発明の範囲を限定したり、あるいは制限するものではない。
＜実施例１＞
　以下の手順により、デバイスおよび気泡噴出装置を作製し、作製した気泡噴出装置を用いて気泡噴出方法を実施した。
［デバイスの作製］
　基材２には、ポリイミド（アズワン株式会社製ポリイミドテープ）フィルム（厚さ３０μｍ）を用い、ＵＶレーザー（株式会社キーエンス製ＭＤ－Ｕ）で直径約２５μｍの略円筒状の気泡噴出孔３を形成した。次に、箱型のチャンバー部材（Ｆｏｒｍｌａｂｓ社製アクリル樹脂）に、基材２を図５Ｄに示すように配置することで、第１チャンバーおよび第２チャンバーを含む実施例１のデバイスを作製した。
［気泡噴出装置の作製］
　銅線（ＥｇｇｓＳＴＯＲＥ，直径２ｍｍ）を用いて第１電極４ａ、第２電極４ｂを作製した。電源装置には汎用電気メス用電源Ｈｙｆｒｅｃａｔｏｒ２０００（ＣｏｎＭｅｄ（株））を用い、作製した第１電極４ａと第２電極４ｂとを電線を用いて電気的に接続することで、気泡噴出装置１０を作製した。
［気泡噴出方法の実施］
　作製したデバイスの第１チャンバー５ａおよび第２チャンバー５ｂに、導電液（０．９ｗｔ％塩化ナトリウム水溶液）を充填した。また、第１電極４ａを第１チャンバー５ａの導電液と接触するように挿入し、第２電極４ｂを第２チャンバー５ｂの導電液と接触するように挿入した。次に、電源装置の出力条件を、印加電圧８００Ｖ、電圧印加回数１（回）、パルス幅約１μｓに設定し、第１電極４ａと第２電極４ｂに電気を出力した。気泡の噴出は、ハイスピードカメラ（ＶＷ－９０００，Ｋｅｙｅｎｃｅ社製）を用いて観察した。
　図８は、ハイスピードカメラで気泡Ｂの発生を撮影した写真である。写真中の破線矢印が気泡噴出孔３の第１開口（Ｏｐｅｎ）を示し、実線矢印が気泡を示す。各写真の下側の数値は、電気出力後の時間を表す。０～４の写真から明らかなように、実施例１で作製したデバイスを用いることで、気泡噴出孔３の第１開口（Ｏｐｅｎ）から気泡が噴出することを確認した。なお、第１開口と第２開口のサイズが同じ場合は、写真に写っている開口を第１開口とした。以下の実施例も同様である。また、以下の実施例では記載は省略するが、各実施例の目的に応じてカメラの撮影確度は適宜調整した。
＜実施例２＞
　次に、気泡噴出孔３を複数形成したデバイスで気泡噴出実験を行った。
［デバイスの作製］
　気泡噴出孔３の直径が約１００μｍ、隣り合う気泡噴出孔３同士の間隔が約６００μｍとなるように気泡噴出孔３を３カ所に作製した以外は、実施例１と同様の手順でデバイスを作製した。
［気泡噴出装置の作製および気泡噴出方法の実施］
　次に、実施例１のデバイスに代え、実施例２で作製したデバイスを用いた以外は、実施例１と同様の手順で、気泡噴出装置を作製し、気泡噴出方法を実施した。図９Ａは実施例２のデバイスを上方から撮影した写真、図９Ｂは電気出力後の写真で、点線の丸が成長した気泡を示す。
　図９Ｂに示すように、生成した気泡が３つの開口部分を覆うように成長し、その後、気泡が噴出したことを確認した。以上の結果より、気泡噴出孔３を複数形成したデバイスを用いて気泡を噴出できることを確認した。
＜実施例３および４＞
　次に、気泡噴出孔３のテーパーが、気泡噴出に与える影響について確認する実験を行った。
［デバイスの作製］
　先ず、３Ｄプリンターを用いて、図４Ｃに示す角度Ｚが５５°（実施例３）、７０°（実施例４）となる円錐状の鋳型を作製した。次に、作製した鋳型にＰＤＭＳ（東レ・ダウコーニング社製Ｓｙｌｇａｒｄ　１８４）を流し込み硬化し、鋳型を剥離することで、実施例３および実施例４のデバイスを作製した。作製したデバイスのサイズは以下の通りであった。
［実施例３］
・テーパーの角度Ｚ：５５°
・厚さ：５ｍｍ
・第１開口の直径：１００μｍ
・第２開口の直径：６ｍｍ
［実施例４］
・テーパーの角度Ｚ：７０°
・厚さ：３ｍｍ
・第１開口の直径：１００μｍ
・第２開口の直径：２ｍｍ
［気泡噴出装置の作製および気泡噴出方法の実施］
　次に、実施例１のデバイスに代え、実施例３および実施例４で作製したデバイスを用いた以外は、実施例１と同様の手順で、気泡噴出装置を作製し、気泡噴出方法を実施した。図１０Ａは実施例３のデバイスを用いた際の第１開口側からの写真、図１０Ｂは実施例４のデバイスを用いた際の第１開口側からの写真で、図１０Ａでは矢印、図１０Ｂでは写真の白丸で囲ってある部分が噴出した気泡である。写真に示すように、実施例３および実施例４の何れのデバイスにおいても、気泡の噴出を確認した。また、第１電極４ａと第２電極４ｂを入れ替え、つまり、陽極と陰極を入れ替えて実験を行っても、サイズが小さい第１開口から気泡が噴出することを確認した。
　後述する実施例に示すとおり、デバイスを厚くするほど、気泡を噴出するための電圧は大きくなる。換言すると、同じ電気出力条件では、デバイスが厚くなるほど、気泡が噴出し難くなる。一方、実施例３および実施例４のデバイスは、第１開口のサイズ及び電気出力が同じ条件で、実施例４のデバイスの厚さ（３ｍｍ）と比較して、実施例３のデバイスの方が厚い（５ｍｍ）にもかかわらず、実施例３のデバイスの方が、より大きめの気泡を生成した。以上の結果より、気泡噴出孔３のテーパーの角度を大きく（第１開口に対する第２開口のサイズ比を大きく）すると、気泡を噴出し易くなることを確認した。
＜実施例５＞
　次に、気泡噴出孔３の形状を変えて気泡噴出実験を行った。
［デバイスの作製］
　ドリルに代え、カッターを用いて加工した以外は、実施例１と同様の手順で、第１開口および第２開口が略正方形のデバイスを作製した。第１開口および第２開口の１辺は、約５００μｍだった。
［気泡噴出装置の作製および気泡噴出方法の実施］
　次に、実施例１のデバイスに代え、実施例５のデバイスを用いた以外は、実施例１と同様の手順で気泡噴出装置を作製し、気泡噴出方法を実施した。図１１Ａは電気を出力した直後の第１開口側からの写真、図１１Ｂは電気を出力してしばらくした後の第１開口側からの写真である。
　図１１Ａの〇で囲ってある部分に示すように、気泡は電界が集中し易い角部から発生し、図１１Ｂに示すように第１開口全体を覆うように成長し、その後、気泡を噴出したことを確認した。以上の結果より、気泡噴出孔３の形状（第１開口および第２開口）が多角形でも気泡が噴出することを確認した。また、気泡が噴出する際には、気泡噴出孔３の周囲、特に電界が集中し易い部分から発生した気泡が成長し、第１開口全体を覆った後に、気泡が噴出されることを確認した。
＜実施例６＞
　次に、気泡噴出孔（第１開口）の大きさと印加する電圧の関係を調べる実験を行った。
［デバイスの作製］
　ドリルの形状を変えた以外は、実施例１と同様の手順で、第１開口および第２開口が略円形のデバイスを作製した。第１開口および第２開口の直径は、約２００μｍだった。
［気泡噴出装置の作製および気泡噴出方法の実施］
　次に、実施例５のデバイスに代え、実施例６のデバイスを用い、印加する電圧を４５０Ｖ、６５０Ｖ、７５０Ｖに変化させた以外は、実施例１と同様の手順で気泡噴出装置を作製し、気泡噴出方法を実施した。図１２Ａは電圧を印加する前の第１開口側からの写真、図１２Ｂは４５０Ｖの電圧を印加した後の第１開口側からの写真、図１２Ｃは６５０Ｖの電圧を印加した後の第１開口側からの写真、図１２Ｄは７５０Ｖの電圧を印加した後の第１開口側からの写真である。
　図１２Ａの破線の白丸で囲ってある部分が、第１開口に相当する。図１２Ａから明らかなように、電気を出力する前は、気泡噴出孔３内には導電液が充填されていた。そして、図１２Ｂ乃至図１２Ｄに示すように、印加する電圧を大きくするにしたがって、気泡噴出孔３内の導電性液が小さくなったことから、気泡噴出孔３の周辺部から気泡（写真中の導電液の周囲の黒い部分）が成長したことを確認した。そして、７５０Ｖの電圧を印加した場合には、図１２Ｄに示すように気泡噴出孔３内は全て気泡で覆われ、気泡の噴出も確認した。一方、図１２Ｂの４５０Ｖ、図１２Ｃの６５０Ｖを印加した場合には、気泡は噴出されなかった。
　以上の結果より、第１開口のサイズが大きいと、気泡噴出孔３を気泡で覆い、更に気泡を噴出するために必要な電圧も大きくなることを確認した。したがって、加工対象物を加工する際に必要な気泡噴出孔３（第１開口）のサイズに応じて、適宜電圧を調整すればよいことを確認した。
＜実施例７および８＞
　次に、基材２の厚さ（気泡噴出孔３の長さ）と印加する電圧の関係を調べる実験を行った。
［デバイスの作製］
　基材２の材料としてスチロール樹脂（株式会社タミヤ製透明プラバン）を用い、基材２の厚さが２００μｍ（実施例７）と、３００μｍ（実施例８）の２種類を準備した。ドリルを用い、直径２００μｍの略円筒状の気泡噴出孔３を形成した。
［気泡噴出装置の作製および気泡噴出方法の実施］
　次に、実施例１のデバイスに代え、実施例７および８のデバイスを用い、印加する電圧を１２００Ｖとした以外は、実施例１と同様の手順で気泡噴出装置を作製し、気泡噴出方法を実施した。図１３Ａは電圧を印加してしばらくした後の実施例７のデバイスの第１開口側からの写真、図１３Ｂは電圧を印加してしばらくした後の実施例８のデバイスの第１開口側からの写真である。
　図１３Ａおよび図１３Ｂに示すように、基材２が厚い図１３Ｂの方が、気泡噴出孔３の内部に残留している導電液が多い、換言すると、気泡噴出孔３の周囲から成長した気泡（写真の黒部分）が少なかった。なお、印加する電圧を１５００Ｖまで上げた場合は、実施例７および８とも、気泡の噴出を確認した。
　以上の結果より、基材２を厚く（気泡噴出孔３が長い）すると、気泡噴出孔３を気泡で覆い、更に気泡を噴出するために必要な電圧も大きくなることを確認した。したがって、基材２の厚さは、印加する電圧等の条件に応じて、適宜調整すればよいことを確認した。
＜実施例９＞
　次に、基材２の種類を変えて実験を行った。
［デバイスの作製］
　基材２の材料としてガラス（松浪硝子工業株式会社製ＭＩＣＲＯ　ＣＯＶＥＲ　ＧＬＡＳＳ　ｎｏ．１）、を用い、ＵＶレーザーを用いて気泡噴出孔３を形成した。なお、ＵＶレーザー加工は熱の影響で、気泡噴出孔３はテーパーを付けた形状となった。第１開口の直径は約７０μｍ、第２開口の直径は約２００μｍであった。
［気泡噴出装置の作製および気泡噴出方法の実施］
　次に、実施例１のデバイスに代え、実施例９のデバイスを用い、実施例１と同様の手順で気泡噴出装置を作製し、気泡噴出方法を実施した。図１４Ａは、電圧を印加する前の第１開口側から撮影した写真ある。なお、写真中の丸が第１開口で、第１開口の周囲の変色した箇所は熱の影響を受けた部分で、変色した箇所の外周が第２開口の大きさに相当する。図１４Ｂは電圧を印加した後の第１開口側から撮影した写真で、破線で囲った部分が第１開口を覆うように成長した気泡である。その後、気泡の噴出を確認した。
　以上の結果より、基材２として、樹脂以外の誘電体材料を用いて、気泡を噴出できることを確認した。
＜実施例１０＞
　次に、加工対象物の切削実験を行った。
［デバイスの作製］
　タングステン線を用いた刺突により、直径約１００μｍの気泡噴出孔を形成した以外は、実施例１と同様の手順によりデバイスを作製した。
［気泡噴出装置の作製および気泡噴出方法の実施］
　次に、実施例１のデバイスに代え、実施例１０のデバイスを用い、実施例１と同様の手順で気泡噴出装置を作製した。次に、気泡噴出方法は、出力を２０００Ｖとし、気泡噴出孔の前にシリコンウェハ（（株）松浪製作所製４　ｉｎｃｈ　厚さ５２５±２５μｍ、片面ミラーウェーハ）を配置し、シリコンウェハの位置をずらしながら、複数回電圧を印加した以外は、実施例１と同様の手順で実施した。
　図１５は、実施例１０で気泡を衝突させたシリコンウェハの写真で、矢印で示す箇所がシリコンウェハに形成された孔である。以上の結果より、実施形態に係るデバイス、気泡噴出装置、および、気泡噴出方法は、加工対象物の切削等に使用できることを確認した。
＜実施例１１＞
　次に、基材２の厚さ（気泡噴出孔３の長さ）および気泡噴出孔３の直径を変えたデバイスを準備し、気泡が噴出した時の気泡噴出孔３の電界値を調べた。
［デバイスの作製］
　厚さが２５μｍ、５０μｍ、７５μｍの基材２を準備し、それぞれの基材２に、直径が約１００μｍ、約２００μｍ、約３００μｍ、約４００μｍとなるように気泡噴出孔３を形成した以外は、実施例１と同様の手順によりデバイスを作製した。
［気泡噴出装置の作製および気泡噴出方法の実施］
　次に、実施例１のデバイスに代え、実施例１１で作製した厚さおよび気泡噴出孔の直径が異なる各種デバイスを用いた以外は、実施例１と同様の手順で、気泡噴出装置を作製し、気泡噴出方法を実施した。なお、気泡噴出方法は、作製したデバイス毎に印加電圧を変え、気泡が噴出し始めた時の印加電圧を調べた。
　図１６は、各種デバイスの気泡噴出孔３の直径（孔径；横軸）と、気泡が噴出し始めた時の印加電圧（縦軸）との関係を示すグラフである。図１６に示すとおり、気泡噴出孔３の直径が小さいほど低電圧で気泡を噴出できること、および、基材２の厚さが薄いほど、低電圧で気泡を噴出できることを確認した。
　次に、各種デバイスについて、デバイスの厚さ、気泡噴出孔３の孔径、および、気泡が噴出し始めた時の印加電圧に基づき、有限要素法により気泡を噴出した時の気泡噴出孔３の電界値を解析した。なお、有限要素法の解析ソフトウェアは、ＣＯＭＳＯＬ　Ｍｕｌｔｉｐｈｙｓｉｃｓ（登録商標）を使用した。図１７は、解析した結果を示す。図１７に示すとおり、基材２の厚さと気泡噴出孔３の大きさにより異なるものの、約４ＭＶ／ｍ以上の電界を気泡噴出孔３に発生すると、気泡噴出孔３から気泡を噴出できることを確認した。また、図１６および図１７に示す結果から、基材２として絶縁耐力が小さい材料を使用する場合は、基材２を厚くすればよいことも明らかとなった。
　本出願で開示する気泡噴出用デバイスは、誘電体で形成された基材に、基材を貫通するように気泡噴出孔を形成することで簡単に作製できる。また、気泡噴出孔は基材を貫通するように形成されるため、気泡は基材の表面から噴出する。そのため、従来の気泡噴出口と異なり破損し難い。したがって、半導体製造分野、情報処理分野、畜産・農林水産分野等、局所加工が必要な分野において有用である。
１、１ａ、１ｂ…気泡噴出用デバイス、２…基材、３…気泡噴出孔、４ａ…第１電極、４ｂ…第２電極、５ａ…第１チャンバー、５ｂ…第２チャンバー、６…電気出力機構、７…加工対象物、１０…気泡噴出装置、２１…第１面、２２…第２面、３１…第１開口、３２…第２開口、３３…壁面（壁面線）、５１ａ…チャンバー第１部材、５１ｂ…チャンバー第２部材、６１…電源装置、６３…電線、６４…無誘導抵抗、６５…入出力ポート（ＤＩＯ；Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｉｎｐｕｔ　Ｏｕｔｐｕｔ）、６６…制御装置、Ｂ…気泡、Ｌ…導電液、Ｚ…角度
 

Claims (13)

  1. 　気泡噴出用デバイスを用いた気泡噴出方法であって、
    　前記気泡噴出用デバイスは、
    　　誘電体で形成された基材と、
    　　前記基材の第１面と該第１面とは反対側の面である第２面とを貫通するように形成された気泡噴出孔と、
    　　前記第１面の前記気泡噴出孔が貫通した箇所に形成された第１開口と、
    　　前記第２面の前記気泡噴出孔が貫通した箇所に形成された第２開口と
    を含み、
    　前記気泡噴出方法は、
    　　少なくとも前記第１開口と前記第２開口を含む部分を導電液に接触させる、基材および導電液接触工程と、
    　　第１電極を前記第１開口側の前記導電液に接触し、第２電極を前記第２開口側の前記導電液に接触させる、導電液および電極接触工程と、
    　　前記第１電極および前記第２電極に電圧を印加する電圧印加工程と、
    　　前記気泡噴出孔から前記導電液中に気泡を噴出する気泡噴出工程と、
    を含む、
    　気泡噴出方法。
  2. 　前記気泡噴出孔が、少なくとも２個以上形成されている、
    　請求項１に記載の気泡噴出方法。
  3. 　前記第１開口のサイズと、前記第２開口のサイズが異なる、
    　請求項１または２に記載の気泡噴出方法。
  4. 　前記誘電体の絶縁耐力が、１０ＭＶ／ｍ以上である、
    　請求項１～３の何れか一項に記載の気泡噴出方法。
  5. 　前記基材が、可撓性の材料で形成されている、
    　請求項１～４の何れか一項に記載の気泡噴出方法。
  6. 　誘電体で形成された基材と、
    　前記基材の第１面と該第１面とは反対側の面である第２面とを貫通するように形成された気泡噴出孔と、
    　前記第１面の前記気泡噴出孔が貫通した箇所に形成された第１開口と、
    　前記第２面の前記気泡噴出孔が貫通した箇所に形成された第２開口と、
    を含む、
    　気泡噴出用デバイス。
  7. 　前記気泡噴出孔が、少なくとも２個以上形成されている、
    　請求項６に記載の気泡噴出用デバイス。
  8. 　前記第１開口のサイズと、前記第２開口のサイズが異なる、
    　請求項６または７に記載の気泡噴出用デバイス。
  9. 　前記誘電体の絶縁耐力が、１０ＭＶ／ｍ以上である、
    　請求項６～８の何れか一項に記載の気泡噴出用デバイス。
  10. 　前記基材が、可撓性の材料で形成されている、
    　請求項６～９の何れか一項に記載の気泡噴出用デバイス。
  11. 　第１チャンバーおよび第２チャンバーを更に含み、
    　　前記第１チャンバーは、
    　　　前記基材の前記第１面の少なくとも前記第１開口を含む部分と、
    　　　前記第１面に接するように配置したチャンバー第１部材と、
    を含み、
    　　　前記第１チャンバーに導電液を充填することで、前記第１開口が前記導電液に接触することができ、
    　　第２チャンバーは、
    　　　前記基材の前記第２面の少なくとも前記第２開口を含む部分と、
    　　　前記第２面に接するように配置したチャンバー第２部材と、
    を含み、
    　　　前記第２チャンバーに前記導電液を充填することで、前記第２開口が前記導電液に接触することができる、
    　請求項６～１０の何れか一項に記載の気泡噴出用デバイス。
  12. 　前記第１チャンバーに配置された第１電極と、
    　前記第２チャンバーに配置された第２電極と、
    を含む、
    　請求項６～１１の何れか一項に記載の気泡噴出用デバイス。
  13. 　請求項７～１２の何れか一項に記載の気泡噴出用デバイスと、
    　前記気泡噴出用デバイスから気泡を噴出させるための電気出力機構と、
    を含む、
    　気泡噴出装置。
PCT/JP2019/041260 2018-10-26 2019-10-21 気泡噴出方法、気泡噴出用デバイス、および、気泡噴出装置 WO2020085281A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020553380A JP7466199B2 (ja) 2018-10-26 2019-10-21 気泡噴出方法、気泡噴出用デバイス、および、気泡噴出装置
US17/288,693 US20210395782A1 (en) 2018-10-26 2019-10-21 Bubble ejection method, bubble ejecting device, and bubble ejection apparatus
KR1020217014183A KR20210084494A (ko) 2018-10-26 2019-10-21 기포 분출 방법, 기포 분출용 디바이스 및 기포 분출 장치
EP19876976.2A EP3872160A4 (en) 2018-10-26 2019-10-21 BUBBLE EJECTOR, BUBBLE EJECTOR AND BUBBLE EJECTOR

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018202368 2018-10-26
JP2018-202368 2018-10-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020085281A1 true WO2020085281A1 (ja) 2020-04-30

Family

ID=70331436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/041260 WO2020085281A1 (ja) 2018-10-26 2019-10-21 気泡噴出方法、気泡噴出用デバイス、および、気泡噴出装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210395782A1 (ja)
EP (1) EP3872160A4 (ja)
JP (1) JP7466199B2 (ja)
KR (1) KR20210084494A (ja)
WO (1) WO2020085281A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009527321A (ja) * 2006-02-22 2009-07-30 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ 薬剤の細胞中へのアバランシェ媒介導入のための方法および装置
WO2013129657A1 (ja) 2012-03-02 2013-09-06 独立行政法人科学技術振興機構 気泡噴出部材及びその製造方法、気液噴出部材及びその製造方法、局所アブレーション装置及び局所アブレーション方法、インジェクション装置及びインジェクション方法、プラズマ気泡噴出部材、並びに治癒装置及び治癒方法
WO2016052511A1 (ja) 2014-09-30 2016-04-07 国立研究開発法人科学技術振興機構 気泡噴出チップ、局所アブレーション装置及び局所アブレーション方法、並びにインジェクション装置及びインジェクション方法
WO2017069085A1 (ja) * 2015-10-19 2017-04-27 株式会社ベックス 気泡噴出チップ、局所アブレーション装置及び局所アブレーション方法、並びにインジェクション装置及びインジェクション方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19834612A1 (de) * 1998-07-31 2000-02-24 Dornier Medtech Holding Int Gmbh Verfahren zum intrazellulären Transfer von Oligonukleotiden und Vorrichtung zur Durchführung desselben
US7704743B2 (en) * 2005-03-30 2010-04-27 Georgia Tech Research Corporation Electrosonic cell manipulation device and method of use thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009527321A (ja) * 2006-02-22 2009-07-30 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ 薬剤の細胞中へのアバランシェ媒介導入のための方法および装置
WO2013129657A1 (ja) 2012-03-02 2013-09-06 独立行政法人科学技術振興機構 気泡噴出部材及びその製造方法、気液噴出部材及びその製造方法、局所アブレーション装置及び局所アブレーション方法、インジェクション装置及びインジェクション方法、プラズマ気泡噴出部材、並びに治癒装置及び治癒方法
WO2016052511A1 (ja) 2014-09-30 2016-04-07 国立研究開発法人科学技術振興機構 気泡噴出チップ、局所アブレーション装置及び局所アブレーション方法、並びにインジェクション装置及びインジェクション方法
WO2017069085A1 (ja) * 2015-10-19 2017-04-27 株式会社ベックス 気泡噴出チップ、局所アブレーション装置及び局所アブレーション方法、並びにインジェクション装置及びインジェクション方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3872160A4
YOKO YAMANISHI, KEITA ICHIKAWA: "Emerging functions of electrically-induced bubbles", JOURNAL OF THE VISUALIZATION SOCIETY OF JAPAN, vol. 39, no. 154, 1 January 2019 (2019-01-01), pages 8 - 13, XP055810410, ISSN: 0916-4731, DOI: 10.3154/jvs.39.154_8 *
YUDAI FUKUYAMA , KEITA ICHIKAWA , MASARU YAMASHITA , YOKO YAMANISHI: "Study of electric field-induced bubbles using a dielectric plate with an electric field concentration structure", MICRO / NANO ENGINEERING SYMPOSIUM, vol. 2018.9, 30 October 2018 (2018-10-30), pages 1 - 2, XP009528042, ISSN: 2432-9495, DOI: 10.1299/jsmemnm.2018.9.30am3PN65 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP3872160A1 (en) 2021-09-01
EP3872160A4 (en) 2021-12-22
JPWO2020085281A1 (ja) 2021-09-24
US20210395782A1 (en) 2021-12-23
KR20210084494A (ko) 2021-07-07
JP7466199B2 (ja) 2024-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11730531B2 (en) Bubble jetting member and method for producing same, gas/liquid jetting member and method for producing same, localized ablation device and localized ablation method, injection device and injection method, plasma-bubble jetting member, and therapeutic device and therapeutic method
JP6385450B2 (ja) 気泡噴出チップ、局所アブレーション装置及び局所アブレーション方法、並びにインジェクション装置及びインジェクション方法
US10538728B2 (en) Bubble-jetting member, gas-liquid jetting member, localized ablation device, and localized injection device
WO2017069085A1 (ja) 気泡噴出チップ、局所アブレーション装置及び局所アブレーション方法、並びにインジェクション装置及びインジェクション方法
JP6233919B2 (ja) タンパク質吸着気泡噴出部材、タンパク質結晶装置及びタンパク質結晶化方法、並びにタンパク質結晶切削装置及びタンパク質結晶切削方法
WO2020085281A1 (ja) 気泡噴出方法、気泡噴出用デバイス、および、気泡噴出装置
JP7397489B2 (ja) 気泡噴出方法、電源装置、および、気泡噴出用装置
JP7121419B2 (ja) 気泡噴出方法、気泡噴出用電源装置、および、気泡噴出装置
JPWO2019078229A1 (ja) めっき方法、気泡噴出部材、めっき装置、および、デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19876976

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020553380

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20217014183

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019876976

Country of ref document: EP

Effective date: 20210526