WO2020003689A1 - フォノニック材料及びその製造方法 - Google Patents

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WO2020003689A1
WO2020003689A1 PCT/JP2019/015278 JP2019015278W WO2020003689A1 WO 2020003689 A1 WO2020003689 A1 WO 2020003689A1 JP 2019015278 W JP2019015278 W JP 2019015278W WO 2020003689 A1 WO2020003689 A1 WO 2020003689A1
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phononic
periodic structure
cooling
material according
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PCT/JP2019/015278
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伸幸 全
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国立研究開発法人産業技術総合研究所
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines

Definitions

  • the present invention relates to a phononic material exhibiting physical properties different from those inherent to a constituent substance and a method for producing the same.
  • Non-Patent Document 1 Research on phonon engineering for artificially manipulating phonons propagating in the constituent material by periodically arranging arbitrary structures in the material has been advanced.
  • the present inventor has succeeded in applying phonon engineering to an insulator to reduce the thermal conductivity of the insulator by about one digit (see Non-Patent Document 1).
  • the propagation of heat in the material is explained by the propagation of phonons (lattice vibrations).
  • the phonon dispersion relation is determined by the type of the substance, and the thermal conductivity is determined by the phonon dispersion relation originally possessed by the substance.
  • the phonon dispersion relation is determined. By artificially manipulating, the thermal conductivity inherently possessed by the insulator can be reduced.
  • an object of the present invention is to provide a phononic material in which at least one of the physical properties of the magnetic properties and the electrical conductivity of the constituent material is changed from a property unique to the constituent material, and a method of manufacturing the same.
  • the present inventor has found that when a periodic structure in which a structure is periodically arranged in a constituent material is cooled, the constituent material is present before cooling.
  • the material order that has been changed changes to form a new material order, and this new material order is maintained even after the temperature rises, and the physical properties differ from the intrinsic magnetic and electrical conductivity of the constituent materials.
  • This phenomenon is not confirmed even when the constituent material is simply cooled, it occurs only in the constituent material constituting the periodic structure, and phonons (lattice vibrations) in the constituent material constituting the periodic structure are not included.
  • the new material order to be formed differs depending on what kind of the material order is experienced by the periodic structure during the cooling process. This means that, through the control of phonons based on artificial setting of the structure arranged in the periodic structure, the material order that the constituent material originally cannot have can be artificially expressed. .
  • the present invention is based on the above findings, and means for solving the above problems are as follows. That is, ⁇ 1>
  • the structure has a periodic structure in which a structure is periodically arranged in a constituent material, and the physical structure of at least one of the magnetic structure and the electrical conductivity of the periodic structure is compared at room temperature.
  • a phononic material characterized by being different from a material specific to a substance.
  • ⁇ 3> The phononic material according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 2>, wherein the periodic structure is formed in a layer shape, and the structure is a through hole.
  • ⁇ 4> The phononic material according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3>, wherein the periodic structure has any one of a resistance minimum and a resistance maximum under a temperature condition of 250 K or less.
  • ⁇ 5> The phononic material according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 4>, wherein the magnetic susceptibility of the periodic structure at room temperature is ⁇ 1 ⁇ 10 ⁇ 3 or less.
  • ⁇ 6> The method for producing a phononic material according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 5>, wherein the cooling step includes cooling the periodic structure at a cooling rate of 10 K / min or less to a cooling temperature of 250 K or less; A temperature raising step of raising the temperature of the periodic structure to a temperature higher than the cooling temperature after the cooling step.
  • ⁇ 7> The method for producing a phononic material according to ⁇ 6>, wherein the cooling step and the temperature raising step are alternately and repeatedly performed.
  • ⁇ 8> The method for producing a phononic material according to any one of ⁇ 6> to ⁇ 7>, wherein the cooling step is performed at a cooling temperature within a temperature range in which physical properties required of the phononic material are exhibited.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing a cross section taken along line A-A ′ in FIG. It is a figure (1) which shows the modification of a structure.
  • FIG. 9 is a diagram (2) illustrating a modification of the structure.
  • FIG. 9 is a diagram (3) illustrating a modification of the structure.
  • It is a figure (4) which shows the modification of a structure.
  • It is explanatory drawing which shows the structural example of a one-dimensional phononic material.
  • It is explanatory drawing (1) which shows the structural example of a three-dimensional phononic material.
  • It is explanatory drawing (2) which shows the structural example of a three-dimensional phononic material.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram showing a state when the niobium layer in Example 1 is viewed from above. It is explanatory drawing which shows the rectangular block area
  • FIG. 4 is a diagram showing the state of execution of the cooling step and the temperature raising step in the phononic material according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram showing the external magnetic field dependence of magnetization at room temperature (300 K) of the phononic material according to Example 2.
  • FIG. 13 is an explanatory diagram showing a state when the niobium layer in Example 3 is viewed from above.
  • FIG. 9 is a view showing the state of execution of the cooling step and the temperature raising step in the phononic material according to Example 3.
  • the phononic material of the present invention has a periodic structure, and the physical properties of at least one of the magnetic property and the electrical conductivity of the constituent material in the periodic structure are different from those specific to the constituent material when compared at room temperature. It is characterized by.
  • the periodic structure is configured by periodically arranging structures in the constituent material.
  • the periodic structure having such a configuration is also called a phononic crystal in comparison with a normal crystal showing a state in which atoms and molecules are periodically arranged in a substance.
  • the arrangement of the structures can be set artificially, and the setting method is of interest as phonon engineering.
  • a property in which the group velocity and the energy density of phonons are smaller than that of the constituent material in a bulk state having no structure appears.
  • This property varies in degree depending on how the structures are arranged. That is, in the periodic structure, the phonon group velocity and the energy density can be changed by the applied phonon engineering.
  • the group velocity and the energy density of these phonons are such that as one becomes smaller, the other becomes smaller, and as one becomes larger, the other becomes larger.
  • the periodic structure is not particularly limited, but the smaller the group velocity and the energy density of phonons, the easier it is to control the behavior of electrons in the constituent material. It is preferable that the group velocity of phonon in the constituent material in the periodic structure is not more than ⁇ ⁇ as compared with the constituent material in the bulk state, when focusing on the group velocity.
  • the constituent material is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. That is, in the phononic material, the phonon in the constituent material acquires a property different from the physical property unique to the constituent material by utilizing a phenomenon in which the phonon interacts with an electron in the constituent material at the time of cooling. It can happen with substances. This is because phonons always exist as long as they are substances. Above all, as the constituent material, a substance containing a transition metal (element belonging to Group 3 to Group 12) is preferable, and a substance composed of a single substance of the transition metal element is particularly preferable. That is, since the transition metal has d electrons, it is easy to cause an interaction with phonon, and further, it is easy to construct a new material order utilizing these interactions.
  • a transition metal element belonging to Group 3 to Group 12
  • the structure is not particularly limited and can be selected according to the purpose.
  • Examples of the structure include known structures applied to the phononic crystal.
  • the structure when the periodic structure is formed in a layer, it is preferable that the structure be a through hole formed in the thickness direction of the layer.
  • the periodic structure can be manufactured by a known lithography process, and a group of the structures regularly arranged in the periodic structure can be easily obtained.
  • the through-hole When the structure is formed as the through-hole, the through-hole may be filled with a filling material formed of a material different from the constituent material to adjust the group velocity and energy density of phonons.
  • the structure formed of a plurality of structures having different shapes is referred to as a unit structure. This includes the case where the structure is repeatedly arranged.
  • the period at which the structure is formed on the periodic structure is a phonon wavelength scale (for example, a scale of nanometer order to millimeter order (10 nm to 10 mm)).
  • a phonon wavelength scale for example, a scale of nanometer order to millimeter order (10 nm to 10 mm)
  • the size of the structure may be a phonon wavelength scale (for example, a scale of nanometer order to millimeter order (10 nm to 10 mm)).
  • the group velocity and energy density of phonons in the constituent material are smaller than those of the constituent material in the bulk state.
  • the size of the structure corresponds to the maximum diameter of the structure, for example, in the through hole, if the opening diameter is larger than the depth, the opening diameter corresponds, When the opening diameter has a shape whose length is larger than its width, the length corresponds to the length.
  • the periodic structure is not particularly limited, and may be manufactured according to a known phononic crystal manufacturing method, or a previously manufactured known phononic crystal may be obtained and used.
  • the physical properties of the phononic material vary depending on the order experienced by the periodic structure during the cooling process, and the electrical resistance of the periodic structure has a minimum resistance and a maximum resistance under a temperature condition of 250 K or less. It is preferable to have any of the following characteristics. When such physical properties are developed, it becomes easy to localize the electrons of the constituent material in the periodic structure, and at least one of the physical properties of magnetism and electric conductivity is different from the phononic material unique to the constituent material. Can be realized.
  • the magnetic susceptibility of the periodic structure be -1 ⁇ 10 ⁇ 3 or less at room temperature and exhibit diamagnetism.
  • the diamagnetic material can be constituted by the new constituent material, and the scope of choice of the constituent material of the diamagnetic material and application examples of the diamagnetic material in the real world can be expanded.
  • FIG. 1A is an explanatory diagram showing an upper surface of a phononic material according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is an explanatory diagram showing a cross section taken along line AA ′ in FIG. It is.
  • the phononic material 1 has a periodic structure 2 ′ in which cylindrical through-holes are regularly arranged as a structural body 3 in a constituent substance 2.
  • the periodic structure 2 ′ is disposed on the substrate 4 via the spacer 5.
  • the spacer 5 is arranged so as to support the periodic structure 2 ′ at an outer peripheral position of a region where the structure 3 is formed.
  • the substrate 4 and the spacer 5 are provided in order to measure a change in physical properties of the periodic structure 2 ′ at the time of cooling, and a region on the bottom surface (surface on the substrate 4 side) side of the periodic structure 2 ′ on which the structure 3 is formed.
  • the substrate 4 is made of a material having a small magnetic susceptibility such as Si
  • the spacer 5 is made of a material having a small magnetic susceptibility such as SiO 2 and an electrically insulating material. Be composed. Note that the substrate 4 and the spacer 5 may be removed before and after the desired physical properties are exhibited in the periodic structure 2 ′, and the periodic structure 2 ′ itself may be made of a phononic material.
  • FIGS. 1A and 1B The periodic structure 2 ′ shown in FIGS. 1A and 1B is an example for explanation, and the structure, number of formation, arrangement, and the like of the structure 3 are appropriately set according to the purpose. You can choose. Modifications of the structure 3 are shown in FIGS. FIGS. 2A to 2D are diagrams (1) to (4) showing modified examples of the structure.
  • the structure is formed as a substantially square pillar-shaped through hole.
  • the regularity of arranging the through holes shown in FIG. 2A is changed.
  • the phononic crystal may have a property that the group velocity and the energy density of phonons are lower than those of the constituent material in the bulk state.
  • 2 (c) and 2 (d) show an example in which the structure composed of a plurality of structures having different shapes is defined as a unit structure, and the unit structure is repeatedly arranged to configure the periodic structure. Is shown. Also in the periodic structure in which the unit structure is formed as the structure, the phononic crystal may have a property that the group velocity and the energy density of phonons are smaller than those of the constituent material in the bulk state.
  • FIG. 3A is an explanatory diagram illustrating a configuration example of a one-dimensional phononic material
  • FIG. 3B is an explanatory diagram (1) illustrating a configuration example of a three-dimensional phononic material
  • FIG. 3C is an explanatory view (2) showing a configuration example of a three-dimensional phononic material.
  • the arrangement of the structures 13 is a one-dimensional arrangement having periodicity in the length direction of the periodic structure 12.
  • a layer of the constituent substance 22a on which the structure 23a is formed which is formed in the same manner as the periodic structure 2 ′ shown in FIGS. 1A and 1B.
  • the arrangement of the structures 23a and b is added to the width direction and the length direction of the periodic structure 22, The arrangement is three-dimensional with periodicity in the directions.
  • symbol 24 in FIG.3 (b) shows a board
  • symbol 25 shows a spacer.
  • the cubic block region 26 in which a circular hole as the structure 23 ′ is formed on each surface as a unit structure, and the unit structure is the periodic structure 22 ′. are configured to have a three-dimensional periodic array in which a plurality of combinations are made in the height direction, the width direction, and the length direction.
  • the periodic structure 22 ' can be manufactured by a known 3D printer or the like.
  • the constituent material in the periodic structure is given different physical properties from the constituent material in the bulk state by implementing the phononic material manufacturing method described below.
  • the method for producing a phononic material of the present invention includes a cooling step and a temperature increasing step, and further includes other steps as necessary.
  • This manufacturing method is a method for manufacturing the phononic material of the present invention, and the same items as those described for the phononic material are applied to the periodic structure used in the present manufacturing method.
  • the cooling step is a step of cooling the periodic structure at a cooling rate of 10 K / min or less to a cooling temperature of 250 K or less.
  • the reason why the cooling rate is set to 10 K / min or less is that, when the cooling rate exceeds 10 K / min, the change in the material order is caused by the temperature change rather than the change in the material order due to the progress of the interaction between phonons and electrons in the constituent material. This is because normal substance change becomes dominant, and it is difficult to obtain a new material order.
  • the reason why the cooling temperature is set to 250 K or less is that the formation of the new material order is confirmed from around 250 K.
  • As a specific method of setting the cooling temperature There is a method of setting a temperature at which a substance shows physical properties different from those of the constituent substance in the bulk state. In the phononic material, different physical properties may be exhibited depending on the cooling temperature. Therefore, it is preferable that the cooling step is performed at a cooling temperature within a temperature range in which physical properties required for the phononic material are exhibited.
  • the cooling step is not particularly limited, but is preferably performed in any of a vacuum atmosphere of 1 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa or less and a helium gas atmosphere of about 100 Pa to 100 kPa.
  • a vacuum atmosphere 1 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa or less
  • a helium gas atmosphere of about 100 Pa to 100 kPa.
  • the periodic structure can be easily cooled to a target temperature.
  • a device for performing the cooling step and a known refrigerant dewar or refrigerator can be used.
  • the temperature raising step is a step of, after the cooling step, raising the temperature of the periodic structure to a temperature higher than the cooling temperature.
  • the order experienced in the cooling step is maintained even when the temperature is raised to a temperature exceeding the cooling temperature.
  • the heating rate in the heating step is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose.
  • the apparatus for performing the temperature raising step and the apparatus used for the apparatus for performing the cooling step can be used as it is. When such an implementation device is used, when the cooling step and the temperature raising step are alternately and repeatedly performed, each step can be quickly performed.
  • the periodic structure may be heated to a heating temperature higher than the cooling temperature, taken out from an apparatus for performing the cooling step, and taken out under a natural environment (normal temperature and normal pressure). Increasing the temperature is also included.
  • the method for producing the phononic material is not particularly limited, but it is preferable that the cooling step and the heating step are alternately and repeatedly performed. Such an implementation allows the periodic structure to experience various orders and, consequently, to exhibit various physical properties.
  • the other steps are not particularly limited as long as the effects of the present invention are not hindered, and various steps can be employed depending on the purpose.
  • a measuring step of measuring at least one of physical properties of the periodic structure such as magnetic property and electric conductivity.
  • the measuring step may be performed in parallel with at least one of the cooling step and the temperature increasing step, and is a step in which at least one of the cooling step and the temperature increasing step is completed. May be implemented.
  • the method for measuring the magnetism of the periodic structure in the measurement step is not particularly limited, and a known magnetometer such as a Gauss meter can be used.
  • the method for measuring the electrical conductivity of the periodic structure in the measurement step is not particularly limited, and a known resistance measuring device such as a four-terminal resistance measuring device can be used.
  • the other steps include a magnetic field applying step that is performed in parallel with at least one of the cooling step and the temperature increasing step and applies a magnetic field to the periodic structure.
  • Example 1 A phononic material according to Example 1 was manufactured as follows. First, using a CVD apparatus (PD-270STL, manufactured by Samco Corporation), a silicon wafer substrate (manufactured by Miyoshi Co., Ltd., diameter: 76.0 mm, orientation (100) ⁇ 1 °, type P type, finished surface mirror, finished back surface) A silicon oxide layer having a thickness of 1 ⁇ m was formed on the etched and 0.3 ⁇ m or less particles. Next, a niobium layer was formed with a thickness of 150 nm on the silicon oxide layer using a sputtering apparatus (M12-0130, manufactured by Science Plus Co., Ltd.).
  • a sputtering apparatus M12-0130, manufactured by Science Plus Co., Ltd.
  • etching process is performed on the niobium layer through the resist pattern using a reactive ion etching apparatus (RIE-10NR, manufactured by Samco Corporation) using SF 6 as a reaction gas, and a periodic structure having the periodic structure is formed.
  • RIE-10NR reactive ion etching apparatus
  • the niobium layer having a structure in which regions (structures) having columnar through-holes of the same shape were regularly arranged at regular intervals was formed.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing a state when the niobium layer in Example 1 is viewed from above.
  • the niobium layer 32 has a structure in which through holes 33 (groups shown by black circles in the figure) are formed in the thickness direction.
  • the niobium layer 32 is formed in a circular shape on the silicon wafer substrate, and has a diameter D of 2.6 mm.
  • the niobium layer 32 has a structure in which 7,180 rectangular block regions 36 shown in FIG. 5 are formed.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing a rectangular block area when the niobium layer is viewed from above.
  • a through hole 33 having a diameter d of 20.35 ⁇ m is formed at the center.
  • the distance s between the outer periphery of the through hole 33 and the outer periphery of the rectangular block region 36 that is closest to the surface is set to 150 nm. That is, the niobium layer 32 as the periodic structure has a structure in which the through-holes 33 as the structure are regularly arranged at intervals of 300 nm.
  • the crystal structure is a square lattice, and the lattice constant is 20.65 ⁇ m.
  • the square lattice means a structure in which the through holes 33 are arranged in a square lattice shape with respect to the niobium layer 32 in a top view, and the lattice constant is a rectangular block region 36 as a unit lattice. Sometimes, it means the distance between the center of one unit cell and the center of another unit cell adjacent thereto.
  • the structure of the periodic structure shown in FIGS. 4 and 5 is formed based on the shape setting of the mask.
  • the silicon wafer substrate in this state was cut so as to have the niobium layer as a center.
  • a dry etching apparatus (memsstar SVR-vHF, manufactured by Canon Inc.), HF gas is brought into contact with the silicon oxide layer present below the niobium layer through the through-hole, and the silicon oxide layer is removed.
  • a dry etching process for partially removing was performed.
  • FIG. 1 In FIG. 1
  • the silicon oxide layer existing under the regions R 1 and R 2 of the niobium layer 32 in the portion where the rectangular block region 36 is not formed remains after the dry etching process, As the silicon oxide sacrificial layer, the role of supporting the niobium layer 32 at each position of the regions R 1 and R 2 is provided while the lower portion of the rectangular block region 36 is made hollow. Thus, the sample body of Example 1 was produced.
  • a measurement test of the electrical resistance and the magnetic flux density of the phononic material according to Example 1 obtained by these steps was performed on the sample body of Example 1 while performing the cooling step and the heating step described below.
  • a four-terminal resistance measuring device P102 DC resistance sample pack, manufactured by Quantum Design Japan, Inc.
  • the terminals of the four-terminal resistance measuring device are connected to each of the regions R 1 and R 2 in FIG. 4 by two terminals, and a current of 10 ⁇ A is applied between the region R 1 and the region R 2 .
  • the electric resistance of the arranged periodic structure can be measured.
  • the magnetic flux density is measured by using a Gauss meter (Lake Shore, Gauss meter 425 type) at a distance of about 1 cm from the sample or phononic material in an environment of normal temperature and normal pressure where no external magnetic field exists. I went in.
  • Gauss meter Lake Shore, Gauss meter 425 type
  • FIG. 6 is a diagram illustrating the state of execution of the cooling step and the heating step in the phononic material according to the first embodiment.
  • a first cooling step was performed under the condition that the sample body of Example 1 was cooled from room temperature (300K) to 2K at a cooling rate of 1K / min.
  • the first heating step was performed under the condition that the temperature of the sample body of Example 1 was raised from 2K to room temperature at a heating rate of 1 K / min.
  • a second cooling step was performed again under the condition that the sample body of Example 1 was cooled from room temperature to 2K at a cooling rate of 1K / min.
  • a second heating step was performed again under the condition that the temperature of the sample body of Example 1 was raised from 2K to room temperature at a heating rate of 1 K / min.
  • Example 1 a phononic material according to Example 1 was manufactured.
  • the characteristics of the phononic material according to the first embodiment will be described with reference to FIG.
  • the first cooling step at the beginning of cooling, it is confirmed that the electric resistance value tends to decrease as the temperature decreases. However, after the electric resistance value becomes the lowest around 40K, the electric resistance turns to increase. The phenomenon of minimum resistance was confirmed. Such behavior of the electric resistance value is not observed in ordinary niobium. It is considered that a localized moment of electrons similar to the so-called Kondo effect was generated via the periodic structure.
  • the curve of the electric resistance-temperature characteristic is bent around 250 K, and it can be said that a new order that does not exist in ordinary niobium is formed from around 250 K.
  • a phenomenon in which the electrical resistance value decreases around 30K, and then turns into a minimum value, which turns into an increase, is confirmed.
  • the electric resistance-temperature characteristic curve was the first time. It shows a locus different from the curve of the electric resistance-temperature characteristic in the cooling step.
  • the electric resistance value sharply increases from around 50 K, and the behavior of the electric resistance value that cannot be observed from ordinary niobium is confirmed.
  • the temperature dependence of the electric resistance value is almost lost from 2K to around 50K, and no metallic behavior of the electric resistance value is observed in a high-temperature environment after 50K.
  • the third cooling step it is confirmed that the electric resistance value tends to increase gradually as the temperature decreases.
  • a behavior that relatively follows the electric resistance-temperature characteristic curve similar to the electric resistance-temperature characteristic curve in the third cooling step is confirmed.
  • the electric resistance values measured in the second cooling step and the heating step were the first time. It has reached a value several hundred times higher than the electric resistance value before the cooling step, and it should be considered that a new material order different from that of ordinary niobium or metal has occurred.
  • a magnetic flux density of minus 240 milligauss was measured, and the paramagnetic substance (plus 30 milligauss) before the first cooling step was changed to a diamagnetic substance. The material order is changing.
  • Example 2 In order to more accurately investigate the magnetic properties of the sample of Example 1, another sample having the same material and the same structure as the sample of Example 1 (hereinafter, referred to as “sample of Example 2”) is used.
  • the sample was placed in a magnetic property measuring apparatus (MPMS, manufactured by Quantum Design Japan, Inc.), and a cooling step and a temperature increasing step were performed under a helium gas atmosphere of about 10 kPa.
  • MPMS magnetic property measuring apparatus
  • a cooling step and a temperature increasing step were performed under a helium gas atmosphere of about 10 kPa.
  • a first cooling step was performed under the condition that the sample body of Example 2 was cooled from room temperature (300 K) to 2 K at a cooling rate of 10 K / min.
  • the first heating step was performed under the condition that the temperature of the sample body of Example 2 was raised from 2K to room temperature at a heating rate of 10 K / min. Note that 100 Oe of the external magnetic field remains applied.
  • a second cooling step was performed again under the condition that the sample body of Example 2 was cooled from room temperature to 2 K at a cooling rate of 1 K / min. Note that 100 Oe of the external magnetic field remains applied.
  • a second heating step was performed again under the condition that the temperature of the sample body of Example 2 was raised from 2K to room temperature at a heating rate of 1 K / min. Note that 100 Oe of the external magnetic field remains applied.
  • a third cooling step was performed again under the condition that the sample body of Example 2 was cooled from room temperature to 2 K at a cooling rate of 1 K / min. Note that 100 Oe of the external magnetic field remains applied.
  • a third heating step was performed again under the condition that the temperature of the sample body of Example 2 was increased from 2K to room temperature at a heating rate of 1 K / min. Note that 100 Oe of the external magnetic field remains applied.
  • the fourth cooling step was performed again under the condition that the sample body of Example 2 was cooled from room temperature to 2 K at a cooling rate of 1 K / min. Note that 100 Oe of the external magnetic field remains applied.
  • a fourth heating step was performed again under the condition that the temperature of the sample body of Example 2 was raised from 2K to room temperature at a heating rate of 1 K / min. Note that 100 Oe of the external magnetic field remains applied.
  • a fifth cooling step was performed again under the condition that the sample body of Example 2 was cooled from room temperature to 2 K at a cooling rate of 1 K / min. Note that 100 Oe of the external magnetic field remains applied.
  • Example 2 Next, a fifth heating step was performed again under the condition that the temperature of the sample body of Example 2 was raised from 2K to room temperature at a heating rate of 1 K / min. Note that 100 Oe of the external magnetic field remains applied. Thus, a phononic material according to Example 2 was manufactured.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating the dependence of the magnetization of the phononic material according to Example 2 at room temperature (300 K) on the external magnetic field.
  • the magnetic properties are such that an external magnetic field in a direction parallel to the plane direction of the niobium layer is applied to the phononic material according to Example 2 at room temperature from 100 Oe to 50,000 Oe. And applied from 50,000 Oe to -50,000 Oe, then from -50,000 Oe to zero Oe, changing every 500 Oe, and measuring the magnetization of the phononic material according to Example 2 at each stage. .
  • the magnetic susceptibility of the phononic material according to Example 2 which is calculated from the magnetization and the gradient of the applied external magnetic field, is ⁇ 0.17, as shown in FIG.
  • the negative susceptibility confirms that the phononic material according to Example 2 is a diamagnetic material.
  • the phononic material according to Example 2 has a considerably strong diamagnetic susceptibility. You will have.
  • the diamagnetic susceptibility of the Meissner effect which is manifested by cooling the superconductor to a low temperature showing superconducting order, is minus one (permanent diamagnetism).
  • the phononic material according to Example 2 is completely diamagnetic. A strong diamagnetic susceptibility corresponding to 1/6 is shown at room temperature.
  • Example 3 A sample body was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a sample body was manufactured by performing i-line lithography processing with a changed mask so as to have the structure shown in FIG. 8 instead of the structure shown in FIG.
  • the sample body in Example 3 was produced by the method.
  • FIG. 8 is an explanatory view showing a state when the niobium layer in Example 3 is viewed from above, and reference numeral 42 in FIG. 8 indicates a niobium layer, and reference numeral 43 indicates a through hole.
  • Symbols J 1 to J 6 indicate terminals for measuring electric resistance.
  • the crystal structure is a square lattice
  • the lattice constant is 20.65 ⁇ m
  • the rectangular block area having the same size as that of the rectangular block area shown in FIG. 5 is formed in common with the sample body in the first embodiment, the number of the rectangular block areas is 350.
  • the configuration is different from the sample body (7,180 pieces, circular shape) in the first embodiment in that the entire group of the rectangular block areas is arranged in a rectangular shape.
  • Example 3 a measurement test of the electrical resistance of the phononic material according to Example 3 obtained by these steps was performed on the sample body of Example 3 while performing the cooling step and the temperature raising step described below.
  • a four-terminal resistance measuring device P106, manufactured by Quantum Design Japan, Inc.
  • the terminals J 1 , J 5 , J 2 , and J 3 in FIG. 8 are connected to the terminals I +, I ⁇ , V +, and V ⁇ of the four-terminal resistance measurement device, respectively, and the terminals J 2 -J
  • the electrical resistance of the periodic structure disposed between the three could be measured.
  • FIG. 9 is a diagram showing the state of execution of the cooling step and the heating step in the phononic material according to Example 3.
  • the electric resistance-temperature characteristics at 5K to 100K are shown. It is enlarged and displayed.
  • a first cooling step was performed under the condition that the sample body of Example 3 was cooled from room temperature (300 K) to 2 K at a cooling rate of 0.1 K / min.
  • the first heating step was performed under the condition that the temperature of the sample body of Example 3 was raised from 2K to room temperature at a heating rate of 0.1 K / min.
  • a second cooling step was performed again under the condition that the sample body of Example 3 was cooled from room temperature to 2K at a cooling rate of 0.1 K / min.
  • a second heating step was performed again under the condition that the sample body of Example 3 was heated from 2K to room temperature at a heating rate of 0.1 K / min.
  • a phononic material according to Example 3 was manufactured.
  • the characteristics of the phononic material according to the third embodiment will be described with reference to FIG.
  • the first cooling step at the beginning of cooling, a tendency is observed that the electric resistance value decreases as the temperature decreases. However, at around 30 K, a minimum resistance phenomenon that is not observed with ordinary niobium is observed. Further, after the electric resistance value increases at around 10K, the phenomenon of the resistance maxima that changes to one turn and then decreases is confirmed, and then the superconductivity is confirmed from around 8.5K. Next, in the first heating process, an increase in electric resistance was confirmed at around 10K, and thereafter, a decrease in electric resistance was confirmed at around 30K. An increase in the resistance value is confirmed.
  • the behavior in which the electric resistance value rises and falls with the temperature rise is not confirmed with ordinary niobium.
  • the second cooling step it is confirmed that the electric resistance value sharply increases from around 35K, and the electric resistance value sharply decreases from around 8.5K. Further, the superconductivity confirmed in the first cooling step is not confirmed in a low-temperature environment from around 8.5K.
  • the second heating process a behavior similar to the electric resistance-temperature characteristic curve in the second cooling process is confirmed up to around 35K, but the electrical resistance decreases from around 35K in a high-temperature environment. This phenomenon is not confirmed, and it is confirmed that the electric resistance value is higher than the electric resistance value in the second cooling step.
  • the electric resistance unique to niobium before the first cooling step is different in each state after the first and second temperature raising steps. It can be said that a new material order having electric resistance and different from ordinary niobium has occurred.
  • the phonon in the constituent material constituting the periodic structure interacts with the electrons in the constituent material during cooling, and the behavior of the electrons is restricted. Has become. That is, as shown in FIGS. 6 and 9, in each of the phononic materials according to Examples 1 and 3, since the electrical resistance approaches a constant value on the low temperature side, the mean free path of electrons approaches the minimum value. It shows the region of Joffer-Regel explaining the situation, and it is considered that the so-called minimum metal conductivity is realized.
  • the phenomenon in which the mean free path of electrons approaches a minimum value in a material in which magnetic impurities and the like are not mixed in the periodic structure is based on the fact that electrons in the constituent material interact with phonons and are localized. . Further, as shown in FIG. 7, since the phononic material according to Example 2 exhibited a strong diamagnetic susceptibility at room temperature (300 K), unpaired electrons such as conduction electrons were localized and observed with ordinary niobium. It is considered that due to the complete loss of the paramagnetic order, the diamagnetic order obscured by other magnetic orders is manifested in the normal state.
  • the number of electrons localized in the niobium atom increases, and in each of the phononic materials according to Examples 1 to 3, the electric resistance finally becomes semiconductor-like behavior.
  • the phononic material according to Example 2 will eventually show diamagnetism.
  • Such behavior is based on various phenomena such as Mott metal-insulation transition and Anderson localization where electron waves are localized due to the disturbance of the atomic level periodic structure inherent in the constituent material due to formation of through holes. it is conceivable that. If the phenomena occurring in the periodic structure become qualitatively clarified by the progress of future research, the phononic material having the desired physical properties will be developed by predicting the physical properties that will be exhibited by cooling from various physical properties. can do.

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Abstract

【課題】本発明は、構成物質の磁性及び電気伝導性の少なくともいずれかの物性を前記構成物質固有のものから変化させたフォノニック材料及びその製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】本発明のフォノニック材料１は、構成物質２中に構造体３が周期的に規則配列された周期構造体を有し、前記周期構造体における構成物質２の磁性及び電気伝導性の少なくともいずれかの物性が常温下で比較したときに前記構成物質固有のものと異なることを特徴とし、構成物質２の前記物性が冷却前後で変化することを利用する。

Description

フォノニック材料及びその製造方法
　本発明は、構成物質固有のものと異なる物性を示すフォノニック材料及びその製造方法に関する。
　物質中に任意の構造体を周期的に規則配列させることで、前記構成物質中を伝搬するフォノンを人為的に操作するフォノン工学の研究が進められている。
　例えば、本発明者は、絶縁体にフォノン工学を適用し、前記絶縁体の熱伝導率を一桁程度低下させることに成功している（非特許文献１参照）。
　前記物質中の熱の伝搬は、フォノン（格子振動）の伝搬により説明される。一般に、フォノンの分散関係は、前記物質の種類により定まり、前記熱伝導率は、前記物質が本来的に有するフォノンの分散関係によって定まるが、前記絶縁体にフォノン工学を適用し、フォノンの分散関係を人為的に操作すると、前記絶縁体が本来的に持つ前記熱伝導率を低下させることができる。
　このようにフォノン工学は、将来の前記熱伝導率の人為的制御に向けて注目が集まるところであるが、前記物質中にフォノン工学を適用することで、前記物質の磁性及び電気伝導性を変化させる事例は、報告されていない。
　例えば、カゴ型構造体の構造変化を利用して、超伝導転移温度の向上を試みる研究が行われているが、前記カゴ型構造体としては、構造体のサイズが原子スケール（ピコメートルオーダーから数ナノメートルオーダー）程度のものを対象としており、フォノンの分散関係に影響を与えるものではない。
　加えて、前記カゴ型構造体の超伝導転移温度は、向上しておらず、むしろ、前記カゴ型構造体の構成物質が本来的に有する超伝導特性が損なわれていることが判明している（非特許文献２，３参照）。
N. Zen et al., Nature Commun. 5:3435 (2014) J. Tang et al., Phys. Rev. Lett. 105, 176402 (2010) R. Ang et al., Nature Commun. 6:6091 (2015）
　本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、構成物質の磁性及び電気伝導性の少なくともいずれかの物性を前記構成物質固有のものから変化させたフォノニック材料及びその製造方法を提供することを課題とする。
　前記課題を解決するため、本発明者が鋭意検討を行った結果、次の知見が得られた。
　即ち、後掲の実施例の欄で検証されるように、本発明者は、構成物質中に構造体が周期的に規則配列された周期構造体を冷却すると、冷却前に前記構成物質が有していた物質秩序が変化して新たな物質秩序が形成されるとともに、この新たな物質秩序は、昇温後も維持され、前記構成物質が本来有していた磁性及び電気伝導性と異なる物性を与える現象を確認した。
　この現象は、単に前記構成物質を冷却させても確認されないことから、前記周期構造体を構成する前記構成物質においてのみ生じ、また、前記周期構造体を構成する前記構成物質中のフォノン（格子振動）が冷却時に前記構成物質中の電子と相互作用することに基づく。また、形成される前記新たな物質秩序は、冷却の過程でどのような前記物質秩序を前記周期構造体に体験させたかで異なる。
　このことは、前記周期構造体に配する前記構造体の人為的な設定に基づくフォノンの制御を通じて、前記構成物質が本来的に持ち得ない前記物質秩序を人為的に発現させ得ることを意味する。
　本発明は、前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
　＜１＞　構成物質中に構造体が周期的に規則配列された周期構造体を有し、前記周期構造体の磁性及び電気伝導性の少なくともいずれかの物性が常温下で比較したときに前記構成物質固有のものと異なることを特徴とするフォノニック材料。
　＜２＞　構成物質が、遷移金属を含む前記＜１＞に記載のフォノニック材料。
　＜３＞　周期構造体が層状に形成され、構造体が貫通孔とされる前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載のフォノニック材料。
　＜４＞　周期構造体の電気抵抗値が、２５０Ｋ以下の温度条件下で抵抗極小及び抵抗極大のいずれかの特性を持つ前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のフォノニック材料。
　＜５＞　周期構造体の磁化率が、常温で－１×１０－３以下である前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のフォノニック材料。
　＜６＞　前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載のフォノニック材料の製造方法であり、周期構造体を１０Ｋ／ｍｉｎ以下の冷却速度で２５０Ｋ以下の冷却温度まで冷却する冷却工程と、前記冷却工程後、前記周期構造体を前記冷却温度を超える昇温温度まで昇温する昇温工程と、を含むことを特徴とするフォノニック材料の製造方法。
　＜７＞　冷却工程と昇温工程とを交互に繰返し実施する前記＜６＞に記載のフォノニック材料の製造方法。
　＜８＞　冷却工程をフォノニック材料に求める物性が発現する温度範囲内の冷却温度で実施する前記＜６＞から＜７＞のいずれかに記載のフォノニック材料の製造方法。
　本発明によれば、従来技術における前記諸問題を解決することができ、構成物質固有のものと異なる物性を示すフォノニック材料及びその製造方法を提供することができる。
本発明の一実施形態に係るフォノニック材料の上面を示す説明図である。 図１（ａ）中のＡ－Ａ’線断面を示す説明図である。 構造体の変形例を示す図（１）である。 構造体の変形例を示す図（２）である。 構造体の変形例を示す図（３）である。 構造体の変形例を示す図（４）である。 １次元状のフォノニック材料の構成例を示す説明図である。 ３次元状のフォノニック材料の構成例を示す説明図（１）である。 ３次元状のフォノニック材料の構成例を示す説明図（２）である。 実施例１におけるニオブ層を上面から視たときの様子を示す説明図である。 ニオブ層を上面から視たときの矩形状ブロック領域を示す説明図である。 実施例１に係るフォノニック材料における前記冷却工程及び前記昇温工程の実施状況を示す図である。 実施例２に係るフォノニック材料の室温（３００Ｋ）における磁化の外部磁場依存性を示す図である。 実施例３におけるニオブ層を上面から視たときの様子を示す説明図である。 実施例３に係るフォノニック材料における前記冷却工程及び前記昇温工程の実施状況を示す図である。
（フォノニック材料）
　本発明のフォノニック材料は、周期構造体を有し、前記周期構造体における構成物質の磁性及び電気伝導性の少なくともいずれかの物性が常温下で比較したときに前記構成物質固有のものと異なることを特徴とする。
＜周期構造体＞
　前記周期構造体は、前記構成物質中に構造体が周期的に規則配列されて構成される。
　こうした構成の前記周期構造体は、物質中に原子及び分子が周期的に規則配列された状態を示す通常の結晶との対比で、フォノニック結晶とも呼ばれる。
　前記フォノニック結晶では、前記構造体の配列を人為的に設定でき、その設定手法は、フォノン工学として関心を集めている。
　こうした周期構造体（フォノニック結晶）では、前記構造体を持たないバルク状態の前記構成物質に比べてフォノンの群速度及びエネルギー密度が小さくなる性質が現れる。
　この性質は、前記構造体をどのように配列するかで程度が変わる。つまり、前記周期構造体では、適用されるフォノン工学によって、フォノンの群速度及びエネルギー密度を変更することができる。これらフォノンの群速度及びエネルギー密度は、一方が小さくなると他方も小さくなり、一方が大きくなると他方も大きくなる関係にある。
　前記周期構造体としては、特に制限はないが、フォノンの群速度及びエネルギー密度が小さい程、前記構成物質中の電子の挙動を律し易いことから、前記周期構造体中の前記構成物質におけるフォノンの群速度に注目したときに、前記周期構造体中の前記構成物質におけるフォノンの群速度が前記バルク状態の前記構成物質に比べて１／２以下であることが好ましい。
　前記構成物質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。即ち、前記フォノニック材料では、前記構成物質中のフォノンが冷却時に前記構成物質中の電子と相互作用する現象を利用して前記構成物質固有の物性と異なる物性を取得するが、前記現象は、あらゆる物質で起こり得る。なぜなら、物質である限り、フォノンが必ず存在するからである。
　中でも、前記構成物質としては、遷移金属（第３族～第１２族に属する元素）を含む物質が好ましく、前記遷移金属元素の単一物質で構成されるものが特に好ましい。即ち、前記遷移金属は、ｄ電子を持つため、フォノンとの相互作用を生じさせ易く、延いては、これらの相互作用を利用して新たな物質秩序を構築させ易い。
　前記構造体としては、特に制限はなく、目的に応じて選択することができ、公知の前記フォノニック結晶に適用される構造体を挙げることができる。
　中でも、前記周期構造体が層状に形成される場合には、前記構造体を前記層の厚み方向に穿設された貫通孔とすることが好ましい。前記構造体を前記貫通孔で形成する場合、前記周期構造体を公知のリソグラフィー加工により製造でき、前記周期構造体に規則配列される前記構造体の群を安定して得られ易い。また、前記構造体を前記貫通孔として形成する場合、前記貫通孔に前記構成物質と異なる物質で形成される充填物質を充填し、フォノンの群速度及びエネルギー密度を調整してもよい。
　なお、前記周期構造体には、同一形状の構造を前記構造体として繰返し配して構成される場合のほか、形状の異なる複数の構造で構成される前記構造体を単位構造体として、この単位構造体を繰返し配して構成される場合を含む。
　前記周期構造体に前記構造体を形成する周期、つまり、隣接する２つの前記構造体間の間隔としては、フォノンの波長スケール（例えば、ナノメートルオーダーからミリメートルオーダーのスケール（１０ｎｍ～１０ｍｍ））であればよく、このような周期であれば、前記周期構造体中の前記構成物質におけるフォノンの群速度及びエネルギー密度が、前記バルク状態の前記構成物質と比べて小さくなる。
　また、前記構造体の大きさとしても、フォノンの波長スケール（例えば、ナノメートルオーダーからミリメートルオーダーのスケール（１０ｎｍ～１０ｍｍ））であればよく、このような周期であれば、前記周期構造体中の前記構成物質におけるフォノンの群速度及びエネルギー密度が、前記バルク状態の前記構成物質と比べて小さくなる。
　なお、前記構造体の大きさは、前記構造体の最大径が該当し、例えば、前記貫通孔において、その深さよりも開口径の方が大きい場合には、前記開口径が該当し、また、前記開口径において、幅よりも長さの方が大きい形状を持つ場合には、前記長さが該当する。
　なお、前記周期構造体としては、特に制限はなく、公知のフォノニック結晶の製造方法にしたがって製造してもよく、予め製造された公知のフォノニック結晶を入手して用いてもよい。
＜物性＞
　前記フォノニック材料が有する物性としては、冷却する過程で前記周期構造体に体験させた秩序によって様々であるが、前記周期構造体の電気抵抗値が、２５０Ｋ以下の温度条件下で抵抗極小及び抵抗極大のいずれかの特性を持つことが好ましい。
　このような物性を発現させると、前記周期構造体における前記構成物質の電子を局在化させ易くなり、磁性及び電気伝導性の少なくともいずれかの物性が前記構成物質固有のものと異なるフォノニック材料を実現することができる。
　また、前記物性として、前記周期構造体の磁化率が、常温で－１×１０－３以下であり、反磁性を示すことが好ましい。
　このような物性を発現させると、新たな前記構成物質で反磁性体を構成でき、反磁性体の構成材料選択の余地及び実社会における反磁性体の応用例を拡充させることができる。
［実施形態］
　本発明の実施形態に係るフォノニック材料を図面を参照しつつ説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係るフォノニック材料の上面を示す説明図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＡ－Ａ’線断面を示す説明図である。
　図１（ａ），（ｂ）に示すように、フォノニック材料１は、構成物質２中に構造体３として円柱状の貫通孔が周期的に規則配列された周期構造体２’を有する。
　周期構造体２’は、基板４上にスペーサ５を介して配される。スペーサ５は、構造体３が形成される領域の外周位置で周期構造体２’を支持するように配される。基板４及びスペーサ５は、冷却時の周期構造体２’の物性変化を測定するために設けられ、構造体３が形成される周期構造体２’の底面（基板４側の面）側の領域を中空状態とすることで、この領域に存するフォノンの影響を受けずに周期構造体２’の物性変化を測定することが可能となる。
　また、このような測定を行う観点から、基板４は、Ｓｉ等の磁化率が小さい材料で構成され、また、スペーサ５は、ＳｉＯ２等の磁化率が小さく、かつ、電気絶縁性の材料で構成される。
　なお、周期構造体２’に目的とする物性を発現させる前後で、基板４及びスペーサ５を除去し、周期構造体２’自身をフォノニック材料とすることもできる。
　図１（ａ），（ｂ）に示す周期構造体２’は、説明のための一例を示したものであり、構造体３の構造、形成数、配置等の設定は、目的に応じて適宜選択することができる。
　構造体３の変形例を図２（ａ）～（ｄ）に示す。なお、図２（ａ）～（ｄ）は、構造体の変形例を示す図（１）～（４）である。
　図２（ａ）に示す例では、前記構造体が略四角柱状の貫通孔として形成される。また、図２（ｂ）に示す例では、図２（ａ）に示す貫通孔を配する規則性を変更している。
　これら構造体を有する前記周期構造体においても、前記フォノニック結晶として前記バルク状態の前記構成物質に比べてフォノンの群速度及びエネルギー密度が小さくなる性質を持ち得る。
　図２（ｃ）、図２（ｄ）では、形状の異なる複数の構造で構成される前記構造体を単位構造体とし、この単位構造体を繰返し配して前記周期構造体を構成する例を示している。
　前記単位構造体が前記構造体として形成される前記周期構造体においても、前記フォノニック結晶として前記バルク状態の前記構成物質に比べてフォノンの群速度及びエネルギー密度が小さくなる性質を持ち得る。
　また、図１（ａ），（ｂ）に示す周期構造体２’は、特に図１（ａ）の上面図に示されるように、構造体３の配置が周期構造体２’の幅方向及び長さ方向で周期性を持つ２次元状の配置とされているが、１次元状の配置や３次元状の配置であってもよい（図３（ａ）～（ｃ）参照）。なお、図３（ａ）は、１次元状のフォノニック材料の構成例を示す説明図であり、図３（ｂ）は、３次元状のフォノニック材料の構成例を示す説明図（１）であり、図３（ｃ）は、３次元状のフォノニック材料の構成例を示す説明図（２）である。
　即ち、図３（ａ）に示す周期構造体１２では、構造体１３の配置が周期構造体１２の長さ方向で周期性を持つ１次元状の配置とされる。
　また、図３（ｂ）に示す周期構造体２２では、図１（ａ），（ｂ）に示す周期構造体２’と同様に形成された、構造体２３ａが形成された構成物質２２ａの層及び構造体２３ｂが形成された構成物質２２ｂの層を周期構造体２２の厚み方向で積層することで、構造体２３ａ，ｂの配置を周期構造体２２の幅方向及び長さ方向に加え、厚み方向で周期性を持つ３次元状の配置としている。なお、図３（ｂ）中の符号２４は、基板を示し、符号２５は、スペーサを示す。
　また、図３（ｃ）に示す周期構造体２２’では、各面に構造体２３’としての円孔が形成された立方体状ブロック領域２６を単位構造として、前記単位構造が周期構造体２２’の高さ方向、幅方向及び長さ方向に向けて複数組み合わされた３次元状の周期配列を持つように構成される。なお、周期構造体２２’としては、公知の３Ｄプリンタ等により作製することができる。
　これら周期構造体を有するフォノニック材料では、以下に述べるフォノニック材料の製造方法の実施により、前記周期構造体中の前記構成物質が前記バルク状態の前記構成物質と異なる物性を与えられる。
（フォノニック材料の製造方法）
　本発明のフォノニック材料の製造方法は、冷却工程、昇温工程を含み、必要に応じてその他の工程を含む。
　この製造方法は、本発明の前記フォノニック材料を製造する方法であり、本製造方法に用いられる周期構造体としては、前記フォノニック材料について説明した事項と同じ事項が適用される。
＜冷却工程＞
　前記冷却工程は、前記周期構造体を１０Ｋ／ｍｉｎ以下の冷却速度で２５０Ｋ以下の冷却温度まで冷却する工程である。
　前記冷却速度を１０Ｋ／ｍｉｎ以下とする理由は、前記冷却速度が１０Ｋ／ｍｉｎを超えると、前記構成物質中のフォノンと電子との相互作用の進行による物質秩序の変化よりも、温度変化に伴う通常の物質変化が支配的となり、新たな物質秩序が得られにくいためである。
　また、前記冷却温度を２５０Ｋ以下とする理由は、２５０Ｋ付近から前記新たな物質秩序の形成が確認されるためであり、前記冷却温度の具体的な設定方法としては、前記周期構造体の前記構成物質が前記バルク状態の前記構成物質と異なる物性を示す温度に設定する方法が挙げられる。
　前記フォノニック材料では、前記冷却温度に応じて異なる物性が発現することがある。
　したがって、前記冷却工程としては、前記フォノニック材料に求める物性が発現する温度範囲内の冷却温度で実施することが好ましい。
　前記冷却工程としては、特に制限はないが、１×１０－３Ｐａ以下の真空雰囲気下及び１００Ｐａ～１００ｋＰａ程度のヘリウムガス雰囲気下のいずれかの雰囲気下で実施することが好ましい。前記各雰囲気下で実施すると、目的とする温度に前記周期構造体を冷却させ易い。
　また、前記冷却工程の実施装置としては、特に制限はなく、公知の冷媒デュワーや冷凍機等を用いることができる。
＜昇温工程＞
　前記昇温工程は、前記冷却工程後、前記周期構造体を前記冷却温度を超える昇温温度まで昇温する工程である。
　前記フォノニック材料では、前記冷却工程で体験させた秩序が前記冷却温度を超える温度に昇温させても維持される。
　また、前記昇温工程における昇温速度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
　前記昇温工程の実施装置としては、特に制限はなく、前記冷却工程の実施装置に用いる装置をそのまま用いることができる。このような実施装置を用いると、前記冷却工程及び前記昇温工程を交互に繰り返し行う場合に、迅速に各工程を実施することができる。
　また、前記昇温工程としては、前記周期構造体を前記冷却温度を超える昇温温度まで昇温させればよく、前記冷却工程の実施装置から外部に取出し、自然環境下（常温常圧下）で昇温させることも含まれる。
　前記フォノニック材料の製造方法としては、特に制限はないが、前記冷却工程と前記昇温工程とを交互に繰返し実施することが好ましい。こうした実施により、前記周期構造体に様々な秩序を体験させることができ、延いては、様々な物性を発現させることができる。
＜その他の工程＞
　前記その他の工程としては、本発明の効果を妨げない限り、特に制限はなく、目的に応じて種々の工程を採用することができる。
　例えば、前記周期構造体の磁性及び電気伝導性の少なくともいずれかの物性を測定する測定工程が挙げられる。このような測定工程を採用すると、前記周期構造体に発現した新たな物質秩序を確認しつつ、前記フォノニック材料の製造を行うことができる。
　なお、前記測定工程としては、前記冷却工程及び前記昇温工程の少なくともいずれかの工程と並行して実施してもよく、前記冷却工程及び前記昇温工程の少なくともいずれかの工程が完了した段階で実施してもよい。
　前記測定工程における、前記周期構造体の磁性の測定方法としては、特に制限はなく、ガウスメータ等の公知の磁気測定装置を用いることができる。
　また、前記測定工程における、前記周期構造体の電気伝導性の測定方法としては、特に制限はなく、四端子抵抗測定装置等の公知の抵抗測定装置を用いることができる。
　また、前記その他の工程としては、前記冷却工程及び前記昇温工程の少なくともいずれかの工程と並行して実施され、前記周期構造体に磁場を印加する磁場印加工程が挙げられる。このような磁場印加工程を実施すると、前記周期構造体に対するより多様な物質秩序の形成に寄与することができる。
（実施例１）
　次のように、実施例１に係るフォノニック材料を製造した。
　先ず、ＣＶＤ装置（サムコ株式会社製、ＰＤ－２７０ＳＴＬ）を用いて、シリコンウエハ基板（ミヨシ有限会社製、直径７６．０ｍｍ、方位（１００）±１°、タイプＰ型、仕上げ表面ミラー、仕上げ裏面エッチング、パーティクル０．３μｍ以上１０個以下）上に酸化シリコン層を厚み１μｍで形成した。
　次に、スパッタリング装置（サイエンスプラス株式会社製、Ｍ１２－０１３０）を用いて、前記酸化シリコン層上にニオブ層を厚み１５０ｎｍで形成した。
　次に、レジストコーター装置（大日本スクリーン製造株式会社製、ＳＫ－６０ＢＷ－ＡＶＰ）を用いて、ニオブ層上にｉ線リソグラフィ用のレジスト層を形成した後、ｉ線リソグラフィ装置（株式会社ニコンテック社製、ＮＳＲ－２２０５ｉ１２Ｄ）により、目的とする周期構造と同一構造の孔が穿設されたマスクパターンを持つマスクを用いたｉ線リソグラフィ加工を行い、前記レジスト層を前記マスクパターンが転写されたレジストパターンに加工した。
　次に、反応ガスとしてＳＦ６を用いた反応性イオンエッチング装置（サムコ株式会社製、ＲＩＥ－１０ＮＲ）により、前記レジストパターンを通じた前記ニオブ層に対するエッチング加工を行い、前記周期構造を持つ周期構造体として、同一形状の円柱状の貫通孔を持つ領域（構造体）が一定周期で規則的に配列された構造を持つ前記ニオブ層を形成した。
　ここで、前記シリコンウエハ基板上の前記ニオブ層の様子を図４に示す。なお、図４は、実施例１におけるニオブ層を上面から視たときの様子を示す説明図である。
　この図４に示すように、ニオブ層３２は、厚み方向に貫通孔３３（図中、黒丸で示す群）が穿設された構造を持つ。
　また、ニオブ層３２は、前記シリコンウエハ基板上に円形状で形成され、その直径Ｄは、２．６ｍｍである。
　また、より詳細に説明すると、ニオブ層３２は、図５に示す矩形状ブロック領域３６が７，１８０個形成された構造を持つ。なお、図５は、ニオブ層を上面から視たときの矩形状ブロック領域を示す説明図である。
　矩形状ブロック領域３６では、中心に直径ｄが２０．３５μｍである貫通孔３３が穿設される。
　また、貫通孔３３の外周と最接する矩形状ブロック領域３６の外周との間の距離ｓが１５０ｎｍとされる。つまり、前記周期構造体としてのニオブ層３２は、構造体としての貫通孔３３が３００ｎｍの間隔で規則的に周期配列された構造を持つ。
　また、ニオブ層３２の貫通孔３３が形成された部分をフォノニック結晶としてみたときの結晶構造は、正方格子であり、その格子定数は、２０．６５μｍである。なお、前記正方格子とは、貫通孔３３がニオブ層３２に対し、上面視で正方格子状に配置されている構造を意味し、前記格子定数とは、矩形状ブロック領域３６を単位格子としたとき、一の前記単位格子の中心と、これに隣接する他の前記単位格子の中心との間の距離を意味する。
　これら図４，図５に示す前記周期構造体の構造は、前記マスクの形状設定に基づき、形成される。
　次に、この状態の前記シリコンウエハ基板を前記ニオブ層を中心に持つように裁断した。
　次に、ドライエッチング装置（キャノン株式会社製、ｍｅｍｓｓｔａｒ　ＳＶＲ－ｖＨＦ）を用い、前記貫通孔を介して前記ニオブ層の下に存在する前記酸化シリコン層にＨＦガスを接触させ、前記酸化シリコン層を部分的に除去するドライエッチング加工を行った。
　ここで、図４中における、矩形状ブロック領域３６が形成されていない部分のニオブ層３２の領域Ｒ１，Ｒ２の下側に存在する前記酸化シリコン層は、前記ドライエッチング加工後に残留し、酸化シリコン犠牲層として、矩形状ブロック領域３６の下側の部分を中空状態とさせつつ、領域Ｒ１，Ｒ２の各位置でニオブ層３２を支持する役割が与えられる。
　以上により、実施例１のサンプル体を作製した。
　次に、実施例１のサンプル体に対し、以下に述べる冷却工程及び昇温工程を実施しつつ、これらの工程により得られる実施例１に係るフォノニック材料の電気抵抗及び磁束密度の測定試験を行った。
　先ず、実施例１に係るフォノニック材料の電気抵抗を測定するため、実施例１のサンプル体に対し、四端子抵抗測定装置（日本カンタム・デザイン株式会社製、Ｐ１０２　ＤＣ抵抗サンプルパック）を接続した。
　具体的には、図４における領域Ｒ１，Ｒ２の各領域に対し、二端子ずつ前記四端子抵抗測定装置の端子を接続し、１０μＡの印加電流により、領域Ｒ１－領域Ｒ２間に配される前記周期構造体の電気抵抗を測定可能とした。
　また、磁束密度の測定は、外部磁場が存在しない常温常圧の環境下でサンプル体乃至フォノニック材料から１ｃｍ程度離れた場所の磁束密度をガウスメータ（レイクショア社製、ガウスメータ４２５型）で測定することで行った。
　次に、実施例１のサンプル体を物理特性測定装置（日本カンタム・デザイン株式会社製、ＰＰＭＳ）に入れ、約２００Ｐａのヘリウムガス雰囲気の下、前記冷却工程及び前記昇温工程を実施した。
　具体的な前記冷却工程及び前記昇温工程の実施状況を図６を参照しつつ説明する。なお、図６は、実施例１に係るフォノニック材料における前記冷却工程及び前記昇温工程の実施状況を示す図である。
　先ず、図６に示すように、実施例１のサンプル体を室温（３００Ｋ）から１Ｋ／ｍｉｎの冷却速度により２Ｋまで冷却させる条件で１回目の冷却工程を実施した。
　次に、実施例１のサンプル体を２Ｋから１Ｋ／ｍｉｎの昇温速度により室温まで昇温させる条件で１回目の昇温工程を実施した。
　次に、再び実施例１のサンプル体を室温から１Ｋ／ｍｉｎの冷却速度により２Ｋまで冷却させる条件で２回目の冷却工程を実施した。
　次に、再び実施例１のサンプル体を２Ｋから１Ｋ／ｍｉｎの昇温速度により室温まで昇温させる条件で２回目の昇温工程を実施した。
　次に、再び実施例１のサンプル体を室温から１Ｋ／ｍｉｎの冷却速度により２Ｋまで冷却させる条件で３回目の冷却工程を実施した。
　最後に、再び実施例１のサンプル体を２Ｋから１Ｋ／ｍｉｎの昇温速度により室温まで昇温させる条件で３回目の昇温工程を実施した。
　以上により、実施例１に係るフォノニック材料を製造した。
　実施例１に係るフォノニック材料の特性について、引き続き、図６を参照しつつ説明する。
　先ず、１回目の冷却工程実施前の実施例１のサンプル体では、通常のニオブと同様、常磁性体、常伝導体としての物性が確認される。
　次に、１回目の冷却工程では、冷却開始当初、温度が低下するにつれて電気抵抗値が低下する傾向が確認されるが、４０Ｋ付近で電気抵抗値が最も低くなった後、一転、上昇に転じる抵抗極小の現象が確認された。このような電気抵抗値の挙動は、通常のニオブでは観測されない。いわゆる近藤効果に似た電子の局在モーメントが前記周期構造体を媒介として発生したものと考えられる。また、２５０Ｋ付近で電気抵抗－温度特性のカーブが屈曲しており、２５０Ｋ付近から通常のニオブに存在しない新たな秩序の形成が生じているといえる。
　次に、１回目の昇温工程では、３０Ｋ付近で電気抵抗値が下降した後、一転、上昇に転じる抵抗極小の現象が確認される。また、４０Ｋ以降の高温側環境下で温度の上昇に伴う電気抵抗値の上昇が確認され、金属的な電気抵抗値の挙動を示したが、その電気抵抗－温度特性のカーブは、１回目の冷却工程における電気抵抗－温度特性のカーブと異なった軌跡を示している。
　次に、２回目の冷却工程では、５０Ｋ付近から電気抵抗値が急激に上昇し、通常のニオブからは観測し得ない電気抵抗値の挙動が確認される。
　次に、２回目の昇温工程では、２Ｋから５０Ｋ付近まで電気抵抗値の温度依存性をほぼ失った状態となり、５０Ｋ以降の高温側環境下では金属的な電気抵抗値の挙動が確認されない。
　次に、３回目の冷却工程では、温度が低下するにつれて、なだらかに電気抵抗値が上昇する傾向が確認される。
　次に、３回目の昇温工程では、比較的、３回目の冷却工程における電気抵抗－温度特性のカーブと似通った電気抵抗－温度特性のカーブを辿る挙動が確認される。
　２回目の昇温工程以降の実施例１に係るフォノニック材料では、金属的な挙動さえ失っており、加えて、２回目の冷却工程、昇温工程で測定された電気抵抗値は、１回目の冷却工程実施前における電気抵抗値の数百倍の値に達しており、もはや通常のニオブや金属が持つ物質秩序と異なる新たな物質秩序が生じているとみるべきである。
　実際、３回目の昇温工程を経た実施例１に係るフォノニック材料からは、マイナス２４０ミリガウスの磁束密度が測定され、１回目の冷却工程実施前の常磁性体（プラス３０ミリガウス）から反磁性体に物質秩序が変化している。
（実施例２）
　また、実施例１のサンプル体の磁気特性をより精確に調査するため、実施例１のサンプル体と同じ材質と同じ構造を持つ別サンプル体（以降、「実施例２のサンプル」と称す）を磁気特性測定装置（日本カンタム・デザイン株式会社製、ＭＰＭＳ）に入れ、約１０ｋＰａのヘリウムガス雰囲気の下、冷却工程及び昇温工程を実施した。
　先ず、実施例２のサンプル体を室温（３００Ｋ）から１０Ｋ／ｍｉｎの冷却速度により２Ｋまで冷却させる条件で１回目の冷却工程を実施した。
　次に、２Ｋにおいて実施例２のサンプル体の面方向に平行な外部磁場を１００Ｏｅ（エルステッド；１Ｏｅ＝約７９．５７７Ａ／ｍ）印加するとともに、実施例２のサンプル体の磁化測定を行う位置を正確に調整した。
　次に、実施例２のサンプル体を２Ｋから１０Ｋ／ｍｉｎの昇温速度により室温まで昇温させる条件で１回目の昇温工程を実施した。なお、外部磁場の１００Ｏｅは、印加したままである。
　次に、再び実施例２のサンプル体を室温から１Ｋ／ｍｉｎの冷却速度により２Ｋまで冷却させる条件で２回目の冷却工程を実施した。なお、外部磁場の１００Ｏｅは、印加したままである。
　次に、再び実施例２のサンプル体を２Ｋから１Ｋ／ｍｉｎの昇温速度により室温まで昇温させる条件で２回目の昇温工程を実施した。なお、外部磁場の１００Ｏｅは、印加したままである。
　次に、再び実施例２のサンプル体を室温から１Ｋ／ｍｉｎの冷却速度により２Ｋまで冷却させる条件で３回目の冷却工程を実施した。なお、外部磁場の１００Ｏｅは、印加したままである。
　次に、再び実施例２のサンプル体を２Ｋから１Ｋ／ｍｉｎの昇温速度により室温まで昇温させる条件で３回目の昇温工程を実施した。なお、外部磁場の１００Ｏｅは、印加したままである。
　次に、再び実施例２のサンプル体を室温から１Ｋ／ｍｉｎの冷却速度により２Ｋまで冷却させる条件で４回目の冷却工程を実施した。なお、外部磁場の１００Ｏｅは、印加したままである。
　次に、再び実施例２のサンプル体を２Ｋから１Ｋ／ｍｉｎの昇温速度により室温まで昇温させる条件で４回目の昇温工程を実施した。なお、外部磁場の１００Ｏｅは、印加したままである。
　次に、再び実施例２のサンプル体を室温から１Ｋ／ｍｉｎの冷却速度により２Ｋまで冷却させる条件で５回目の冷却工程を実施した。なお、外部磁場の１００Ｏｅは、印加したままである。
　次に、再び実施例２のサンプル体を２Ｋから１Ｋ／ｍｉｎの昇温速度により室温まで昇温させる条件で５回目の昇温工程を実施した。なお、外部磁場の１００Ｏｅは、印加したままである。
　以上により、実施例２に係るフォノニック材料を製造した。
　実施例２に係るフォノニック材料の磁気特性について、図７を参照しつつ説明する。
なお、図７は、実施例２に係るフォノニック材料の室温（３００Ｋ）における磁化の外部磁場依存性を示す図である。
　前記磁気特性は、５回目の昇温工程終了後、室温下で、実施例２に係るフォノニック材料に対し、ニオブ層の面方向と平行な方向の外部磁場を、１００Ｏｅから５０，０００Ｏｅまで、続いて５０，０００Ｏｅから－５０，０００Ｏｅまで、続いて－５０，０００ＯｅからゼロＯｅまで、５００Ｏｅ毎に変化させて印加し、各段階の実施例２に係るフォノニック材料の磁化を測定することで実施した。
　磁化と、印加した外部磁場の傾きとから算出される実施例２に係るフォノニック材料の磁化率は、図７に示すように、マイナス０．１７である。負の磁化率であることから、実施例２に係るフォノニック材料は、反磁性体であることが確認される。
　最も強い反磁性を示すビスマスや熱分解グラファイトであっても、それらの磁化率は、マイナス１０－４のオーダーであることから、実施例２に係るフォノニック材料は、相当に強い反磁性磁化率を持っていることになる。超伝導体を超伝導秩序を示す低温に冷却することで発現するマイスナー効果の反磁性磁化率は、マイナス１（完全反磁性）であるが、実施例２に係るフォノニック材料は、完全反磁性の１／６に相当する強い反磁性磁化率を室温で示している。すべての物質は、電子を持つため、その磁性には多少なりとも反磁性の寄与があるが、通常は、不対電子スピンによる常磁性や強磁性等に隠れて目立たない。実施例２に係るフォノニック材料が強い反磁性磁化率を示したのは、前記冷却工程及び前記昇温工程により、電子がニオブ原子に強く局在化し、通常のニオブが室温（３００Ｋ）で示す磁性秩序である常磁性に寄与する不対電子スピンが完全に失われたことによるものと考えられる。　　
（実施例３）
　図４に示す構造に代えて図８に示す構造を持つように、マスクを変更したｉ線リソグラフィ加工を行ってサンプル体を作製したこと以外は、実施例１におけるサンプル体の作製方法に準じた方法により、実施例３におけるサンプル体を作製した。なお、図８は、実施例３におけるニオブ層を上面から視たときの様子を示す説明図であり、また、同図中の符号４２は、ニオブ層を示し、符号４３は、貫通孔を示し、符号Ｊ１～Ｊ６は、電気抵抗測定用の端子部を示している。
　この実施例３におけるサンプル体では、ニオブ層４２の貫通孔４３が形成された部分をフォノニック結晶としてみたときの結晶構造が正方格子であり、また、その格子定数が２０．６５μｍであり、かつ、図５に示す前記矩形状ブロック領域と同じ大きさの前記矩形状ブロック領域が形成される点で、実施例１におけるサンプル体と共通するが、前記矩形状ブロック領域の形成数が３５０個であり、前記矩形状ブロック領域の群全体が矩形状に配される点で、実施例１におけるサンプル体（７，１８０個、円形状）と異なる構成とされる。
　次に、実施例３のサンプル体に対し、以下に述べる冷却工程及び昇温工程を実施しつつ、これらの工程により得られる実施例３に係るフォノニック材料の電気抵抗の測定試験を行った。
　先ず、実施例３に係るフォノニック材料の電気抵抗を測定するため、実施例３のサンプル体に対し、四端子抵抗測定装置（日本カンタム・デザイン株式会社製、Ｐ１０６）を接続した。
　具体的には、図８における端子Ｊ１、Ｊ５、Ｊ２、Ｊ３のそれぞれに対し、四端子抵抗測定装置の端子Ｉ＋、Ｉ－、Ｖ＋、Ｖ－を接続し、端子Ｊ２－Ｊ３間に配される前記周期構造体の電気抵抗を測定可能とした。
　次に、実施例３のサンプル体を前記物理特性測定装置に入れ、約２００Ｐａのヘリウムガス雰囲気の下、前記冷却工程及び前記昇温工程を実施した。
　具体的な前記冷却工程及び前記昇温工程の実施状況を図９を参照しつつ説明する。なお、図９は、実施例３に係るフォノニック材料における前記冷却工程及び前記昇温工程の実施状況を示す図であり、図９中の左上欄では、５Ｋ～１００Ｋにおける電気電気抵抗－温度特性を拡大して表示している。
　先ず、図９に示すように、実施例３のサンプル体を室温（３００Ｋ）から０．１Ｋ／ｍｉｎの冷却速度により２Ｋまで冷却させる条件で１回目の冷却工程を実施した。
　次に、実施例３のサンプル体を２Ｋから０．１Ｋ／ｍｉｎの昇温速度により室温まで昇温させる条件で１回目の昇温工程を実施した。
　次に、再び実施例３のサンプル体を室温から０．１Ｋ／ｍｉｎの冷却速度により２Ｋまで冷却させる条件で２回目の冷却工程を実施した。
　次に、再び実施例３のサンプル体を２Ｋから０．１Ｋ／ｍｉｎの昇温速度により室温まで昇温させる条件で２回目の昇温工程を実施した。
　以上により、実施例３に係るフォノニック材料を製造した。
　実施例３に係るフォノニック材料の特性について、引き続き、図９を参照しつつ説明する。
　先ず、１回目の冷却工程では、冷却開始当初、温度が低下するにつれて電気抵抗値が低下する傾向が確認されるが、３０Ｋ付近において、通常のニオブでは観測されない抵抗極小現象が確認される。更に、１０Ｋ付近で電気抵抗値が上昇した後、一転、下降に転じる抵抗極大の現象が確認された後、８．５Ｋ付近から超伝導性を示すことが確認される。
　次に、１回目の昇温工程では、１０Ｋ付近で電気抵抗値の上昇が確認され、その後、３０Ｋ付近で電気抵抗値の低下が確認され、以降の高温側環境下で温度の上昇に伴う電気抵抗値の上昇が確認される。温度上昇に伴い電気抵抗値が上下する挙動は、通常のニオブで確認されない。
　次に、２回目の冷却工程では、３５Ｋ付近から電気抵抗値が急激に上昇し、８．５Ｋ付近から電気抵抗値が急激に低下する現象が確認される。また、８．５Ｋ付近から低温側環境下で、１回目の冷却工程で確認された超伝導性が確認されない。
　次に、２回目の昇温工程では、３５Ｋ付近までは２回目の冷却工程における電気抵抗－温度特性のカーブと同様の挙動が確認されるものの、３５Ｋ付近から高温側環境下で電気抵抗が低下する現象が確認されず、２回目の冷却工程における電気抵抗値よりも高い電気抵抗値を示すことが確認される。
　このように、実施例３に係るフォノニック材料では、１回目の昇温工程及び２回目の昇温工程を実施後のそれぞれの状態で、１回目の冷却工程実施前のニオブ固有の電気抵抗と異なる電気抵抗を持ち、通常のニオブと異なる新たな物質秩序が生じているといえる。
　また、実施例１～３に係る各フォノニック材料では、前記周期構造体を構成する前記構成物質中のフォノンが冷却時に前記構成物質中の電子と相互作用し、電子の挙動が制限を受ける結果となっている。
　即ち、図６，９に示すように、実施例１及び３に係る各フォノニック材料では、いずれも低温側で電気抵抗が一定値に近づいていることから、電子の平均自由行程が最小値に近づく状況を説明するヨッフェ－レーゲルの領域を示しており、いわゆる最小金属伝導度が実現していると考えられる。前記周期構造体に磁性不純物等を混在させていない材料において、電子の平均自由行程が最小値に近づく現象は、前記構成物質中の電子がフォノンと相互作用し、局在化されたことに基づく。
　また、図７に示すように、実施例２に係るフォノニック材料が室温（３００Ｋ）で強い反磁性磁化率を示したことから、伝導電子等の不対電子が局在化し、通常のニオブで観測されるような常磁性秩序が完全に喪失したことで、通常の状態では、その他の磁性秩序によって覆い隠されている反磁性秩序が顕に発現していると考えられる。
　したがって、冷却工程及び昇温工程を交互に繰返し実施することで、ニオブ原子に局在する電子が増えていき、実施例１～３に係る各フォノニック材料では、最終的に電気抵抗が半導体的挙動及び絶縁体的挙動のいずれかの挙動を示し、また、実施例２に係るフォノニック材料では、最終的に反磁性を示すことになる。
　こうした挙動は、モット金属－絶縁転移や、貫通孔の形成により前記構成物質が本来的に有する原子レベルの周期構造が乱されたことで電子波が局在するアンダーソン局在といった諸現象に基づくものと考えられる。今後の研究の進展により、前記周期構造体に生じる諸現象が定性的に明らかとなれば、様々な物性の中から冷却により発現する物性を予測して、狙った物性を持つ前記フォノニック材料を開発することができる。
　　１，２０　　フォノニック材料
　　２，２２ａ，２２ｂ　　構成物質
　　２’，１２，２２，２２’　　周期構造体
　　３，１３，２３ａ，２３ｂ，２３’　　構造体
　　４，２４　　基板
　　５，２５　　スペーサ
　　２６　　立方体状ブロック領域
　　３２，４２　　ニオブ層
　　３３，４３　　貫通孔
　　３６　　矩形状ブロック領域

 

Claims (8)

  1. 　構成物質中に構造体が周期的に規則配列された周期構造体を有し、
    　前記周期構造体の磁性及び電気伝導性の少なくともいずれかの物性が常温下で比較したときに前記構成物質固有のものと異なることを特徴とするフォノニック材料。
  2. 　構成物質が、遷移金属を含む請求項１に記載のフォノニック材料。
  3. 　周期構造体が層状に形成され、構造体が貫通孔とされる請求項１から２のいずれかに記載のフォノニック材料。
  4. 　周期構造体の電気抵抗値が、２５０Ｋ以下の温度条件下で抵抗極小及び抵抗極大のいずれかの特性を持つ請求項１から３のいずれかに記載のフォノニック材料。
  5. 　周期構造体の磁化率が、常温で－１×１０－３以下である請求項１から４のいずれかに記載のフォノニック材料。
  6. 　請求項１から５のいずれかに記載のフォノニック材料の製造方法であり、
    　周期構造体を１０Ｋ／ｍｉｎ以下の冷却速度で２５０Ｋ以下の冷却温度まで冷却する冷却工程と、
    　前記冷却工程後、前記周期構造体を前記冷却温度を超える昇温温度まで昇温する昇温工程と、
    　を含むことを特徴とするフォノニック材料の製造方法。
  7. 　冷却工程と昇温工程とを交互に繰返し実施する請求項６に記載のフォノニック材料の製造方法。
  8. 　冷却工程をフォノニック材料に求める物性が発現する温度範囲内の冷却温度で実施する請求項６から７のいずれかに記載のフォノニック材料の製造方法。
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