WO2019242210A1 - 一种有机发光二极管显示器的制作方法 - Google Patents

一种有机发光二极管显示器的制作方法 Download PDF

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WO2019242210A1
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peeled
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顾宇
徐湘伦
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武汉华星光电半导体显示技术有限公司
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Definitions

  • the present invention relates to the field of display technology, and in particular, to a method for manufacturing an organic light emitting diode display.
  • OLEDs Organic light-emitting diodes
  • OLEDs have the advantages of autonomous light emission, wide operating temperature range, fast response speed, wide viewing angle, high luminous efficiency, can be fabricated on flexible substrates, low driving voltage, and low energy consumption.
  • the existing high-resolution FMM needs to strictly control the thickness of the mask, and the thickness of the mask is only a few tens of micrometers.
  • holes are made in such a thin metal sheet, and after the mask is stretched, it is difficult to accurately align the holes and the pixel area of the substrate, resulting in the display being prone to color mixing, thereby reducing the resolution of the display.
  • An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic light emitting diode display, which can improve the resolution of the display.
  • the present invention provides a method for manufacturing an organic light emitting diode display, which includes:
  • a pixel definition layer is formed on the base substrate.
  • the pixel definition layer includes a plurality of pixel definition units arranged at intervals.
  • the pixel definition units include a first preset area, a second preset area, and a third preset area. ;
  • a light emitting unit is formed in the first preset area, the second preset area, and the third preset area, and includes:
  • the organic light-emitting layer covered by the layer is peeled to obtain a light-emitting unit, and the opening of the preset mask is larger than a preset value.
  • the substrate to be formed is formed on a substrate corresponding to two areas of the first preset area, the second preset area, and the third preset area.
  • the steps of peeling the layer include:
  • the material to be stripped is vapor-deposited on a substrate substrate corresponding to two of the first preset region, the second preset region, and the third preset region to form a layer to be stripped.
  • the light emitting unit includes a first light emitting unit, and the steps of forming the light emitting unit in the first preset area, the second preset area, and the third preset area include:
  • a first preset mask to form a first organic light emitting layer on the substrate substrate corresponding to the first preset area and the layer to be peeled off; wherein the opening of the first preset mask is larger than a preset value;
  • the light emitting unit further includes a second light emitting unit.
  • the step of forming the light emitting unit in the first preset area, the second preset area, and the third preset area includes: :
  • a second preset mask to vapor-deposit a second organic light-emitting material on the substrate substrate corresponding to the second preset area and the layer to be peeled off to form a second organic light-emitting layer; Setting the opening of the mask plate to be larger than the preset value;
  • the light emitting unit further includes a third light emitting unit, and the step of forming the light emitting unit in the first preset area, the second preset area, and the third preset area includes :
  • a third preset mask to vapor-deposit a third organic light-emitting material on the base substrate corresponding to the third preset area and the layer to be peeled off to form a third organic light-emitting layer; Setting the opening of the mask plate to be larger than the preset value;
  • the first organic light emitting material is used to form the first light emitting unit; the second organic light emitting material is used to form the second light emitting unit; Three organic light emitting materials are used to form the third light emitting unit.
  • using a first preset mask to form a first organic light emitting layer on the substrate substrate corresponding to the first preset region and the layer to be peeled off includes: :
  • a first preset mask is used to vapor-deposit a first organic light-emitting material on the base substrate corresponding to the first preset area and the layer to be peeled to form a first organic light-emitting layer.
  • the substrate-based substrate includes a base and an anode, and the method further includes: forming a cathode on the light-emitting unit.
  • the invention provides a method for manufacturing an organic light emitting diode display, which includes:
  • a pixel definition layer is formed on the base substrate.
  • the pixel definition layer includes a plurality of pixel definition units arranged at intervals.
  • the pixel definition units include a first preset area, a second preset area, and a third preset area. ;
  • a light emitting unit is formed in the first preset area, the second preset area, and the third preset area, and includes:
  • the opening of the preset mask is larger than a preset value.
  • the base substrate is heated to peel off the layer to be peeled off and the organic light emitting layer covering the layer to be peeled off, so as not to be left untouched.
  • the steps of covering the organic light-emitting layer to be peeled include:
  • the substrate to be formed is formed on a substrate corresponding to two areas of the first preset area, the second preset area, and the third preset area.
  • the steps of peeling the layer include:
  • the material to be stripped is vapor-deposited on a substrate substrate corresponding to two of the first preset region, the second preset region, and the third preset region to form a layer to be stripped.
  • the material of the layer to be peeled off includes sulfur.
  • the light emitting unit includes a first light emitting unit, and the steps of forming the light emitting unit in the first preset area, the second preset area, and the third preset area include:
  • a first preset mask to form a first organic light emitting layer on the substrate substrate corresponding to the first preset area and the layer to be peeled off; wherein the opening of the first preset mask is larger than a preset value;
  • the light emitting unit further includes a second light emitting unit.
  • the step of forming the light emitting unit in the first preset area, the second preset area, and the third preset area includes: :
  • a second preset mask to vapor-deposit a second organic light-emitting material on the substrate substrate corresponding to the second preset area and the layer to be peeled off to form a second organic light-emitting layer; Setting the opening of the mask plate to be larger than the preset value;
  • the light emitting unit further includes a third light emitting unit, and the step of forming the light emitting unit in the first preset area, the second preset area, and the third preset area includes :
  • a third preset mask to vapor-deposit a third organic light-emitting material on the base substrate corresponding to the third preset area and the layer to be peeled off to form a third organic light-emitting layer; Setting the opening of the mask plate to be larger than the preset value;
  • the first organic light emitting material is used to form the first light emitting unit; the second organic light emitting material is used to form the second light emitting unit; Three organic light emitting materials are used to form the third light emitting unit.
  • using a first preset mask to form a first organic light emitting layer on the substrate substrate corresponding to the first preset region and the layer to be peeled off includes: :
  • a first preset mask is used to vapor-deposit a first organic light-emitting material on the base substrate corresponding to the first preset area and the layer to be peeled to form a first organic light-emitting layer.
  • the substrate-based substrate includes a base and an anode, and the method further includes: forming a cathode on the light-emitting unit.
  • the manufacturing method of the organic light emitting diode display of the present invention uses a mask plate with a large opening to evaporate the organic light emitting layer, thereby preventing the opening of the mask plate from being accurately aligned with the pixel area, and improving the resolution of the display.
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of a first step of a manufacturing method of an OLED display according to the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic structural diagram of the first step in the second step of the manufacturing method of the OLED display of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic structural diagram of the second step in the second step of the manufacturing method of the OLED display of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic structural diagram of the third step in the second step of the manufacturing method of the OLED display of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic structural diagram of the third step of the OLED display manufacturing method of the present invention after the third step is completed.
  • FIG. 6 is a schematic structural diagram of a fourth step in the second step of the manufacturing method of the OLED display of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic structural diagram of a fifth step in the second step of the method for manufacturing an OLED display of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic structural diagram of a sixth step in the second step of the manufacturing method of the OLED display of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic diagram of the structure after the sixth step in the second step of the manufacturing method of the OLED display of the present invention is completed.
  • FIG. 10 is a schematic structural diagram of the seventh step in the second step of the manufacturing method of the OLED display of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic structural diagram of the eighth step in the second step of the manufacturing method of the OLED display of the present invention.
  • FIG. 12 is a schematic structural diagram of the ninth step in the second step of the manufacturing method of the OLED display of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic diagram of the structure completed in the ninth step in the second step of the OLED display manufacturing method of the present invention.
  • FIG. 14 is a schematic structural diagram of a third step of a manufacturing method of an OLED display according to the present invention.
  • the traditional OLED pixel driving circuit is usually 2T1C, that is, the structure of two thin film transistors plus a capacitor, which converts voltage into current.
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of a first step of a manufacturing method of an OLED display of the present invention.
  • the manufacturing method of the OLED display of the present invention mainly includes the following steps:
  • a pixel definition layer is formed on a base substrate, where the pixel definition layer includes a plurality of pixel definition units arranged at intervals; a first preset area and a second preset area are included between two adjacent pixel definition units. And a third preset area;
  • a pixel definition layer 12 is formed on a base substrate 11, wherein the base substrate 11 includes a base and an anode, and a material of the base is, for example, glass.
  • the pixel definition layer 12 includes four pixel definition units 121. It can be understood that the pixel definition layer 12 includes more than four pixel definition units.
  • a first preset area 101, a second preset area 102, and a third preset area 103 are included between two adjacent pixel definition units 121; the first preset area 101, the second preset area 102, and the third The preset regions 103 are respectively located between two adjacent pixel definition units 121.
  • the first preset area 101, the second preset area 102, and the third preset area 103 are staggered.
  • the first preset area 101 corresponds to the position of the green light emitting unit
  • the second preset area 102 corresponds to the position of the blue light emitting unit
  • the third preset area 103 corresponds to the position of the red light emitting unit. correspond.
  • first preset area 101 second preset area 102, and third preset area 103 are shown in FIG. 1, the present invention cannot be limited.
  • the number of the second preset areas 102 and the third preset areas 103 may be more than one.
  • a light emitting unit is formed in the first preset area, the second preset area, and the third preset area.
  • the light emitting unit includes a first light emitting unit, a second light emitting unit, and a third light emitting unit. The above steps include:
  • a mask is used to vapor-deposit the material to be stripped on the base substrate corresponding to the second preset region 102 and the third preset region 103 to form a layer 13 to be stripped.
  • Easy Sublimation Materials In one embodiment, the material to be stripped includes sulfur.
  • a first preset mask is used to vapor-deposit a first organic light-emitting material on the base substrate corresponding to the first preset area 101 and the layer to be peeled to form a first organic light-emitting layer. 14.
  • the opening of the first preset mask (not shown in the figure) is larger than a preset value.
  • the first preset mask is a common mask with a large opening, which is different from the FMM in the prior art.
  • the first organic light-emitting material is used to form the first light-emitting unit 141.
  • S203 The base substrate is heated to peel off a layer to be peeled off and a first organic light emitting layer corresponding to the second preset region and the third preset region, so as to retain the first preset region.
  • a first organic light emitting layer to obtain a first light emitting unit;
  • the above-mentioned substrate is heated to trigger sublimation of the material of the layer 13 to be peeled off, to peel off the layer 13 to be peeled off, and to peel off the first organic light emitting layer attached to the layer to be peeled off.
  • the first organic light-emitting layer not covered by the layer to be stripped to obtain the first light-emitting unit 141; even if the first organic light-emitting layer of the second preset region and the third preset region is peeled off, only the first
  • the structure diagram of the first organic light-emitting layer in a predetermined region after peeling is shown in FIG. 5.
  • a mask is used to vapor-deposit the corresponding material to be peeled on the base substrate corresponding to the first light-emitting unit 141 and the third predetermined region 103 to form a layer 13 to be peeled;
  • the material to be peeled is an easily sublimable material.
  • the material to be stripped includes sulfur. Further, the material to be stripped is sulfur.
  • a second preset mask is used to vapor-deposit a second organic light-emitting material on the base substrate corresponding to the second preset area 102 and the layer to be stripped to form a second organic light-emitting layer. 15.
  • the opening of the second preset mask is larger than a preset value.
  • the second preset mask is a common mask with a large opening, which is different from the FMM in the prior art.
  • the second organic light emitting material is used to form the second light emitting unit.
  • the base substrate is heated, so that the to-be-peeled layer and the second organic light-emitting layer corresponding to the first preset region and the third preset region are peeled off during the heating process to retain the first A second organic light emitting layer in two predetermined regions to obtain a second light emitting unit;
  • heating the base substrate triggers sublimation of the material of the layer to be peeled off, peels off the layer to be peeled off, and causes the second organic light emitting layer 15 attached to the layer 13 to be peeled off. Peeling; leaving the second organic light emitting layer 15 not covered by the layer 13 to be peeled off to obtain a second light emitting unit 151, and the structure diagram after peeling is shown in FIG.
  • a mask is used to vapor-deposit the material to be peeled on the first light-emitting unit 141 and the second light-emitting unit 151 to form a layer 13 to be peeled.
  • a third preset mask is used to vapor-deposit a third organic light-emitting material on the base substrate corresponding to the third preset area 103 and the to-be-peeled layer 13 to form a third organic light-emitting material.
  • Layer 16 The opening of the third preset mask is larger than a preset value.
  • the third preset mask is a common mask with a large opening, which is different from the FMM in the prior art.
  • the third organic light emitting material is used to form the third light emitting unit.
  • first preset mask, the second preset mask, and the third preset mask may be the same or different.
  • the base substrate is heated to peel off a layer to be peeled off and a third organic light emitting layer corresponding to the first preset area and the second preset area to retain the third preset area.
  • a third organic light-emitting layer to obtain a third light-emitting unit, wherein the openings of the first preset mask, the second preset mask, and the third preset mask are larger than a preset value.
  • the base substrate is heated to trigger sublimation of the material of the layer to be peeled off, to peel off the layer to be peeled off, and to peel off the third organic light emitting layer attached to the layer 13 to be peeled off.
  • the third organic light-emitting layer that is not covered by the layer to be stripped to obtain a third light-emitting unit 161
  • the structure diagram after peeling is shown in FIG. 13. The production of the light-emitting unit was finally completed.
  • the method of the present invention further includes:
  • a cathode is formed on the light emitting unit.
  • the substrate-based substrate includes a base and an anode. Specifically, a cathode is formed on the first light-emitting unit, the second light-emitting unit, and the third light-emitting unit.
  • a cathode 17 is formed on the first light-emitting unit 141, the second light-emitting unit 151, and the third light-emitting unit 161.
  • the organic light-emitting material is vapor-deposited by using a mask having a large opening when manufacturing the first to third light-emitting units, it is easy to accurately align the opening of the mask with the pixel area, preventing the display from mixing colors and improving The resolution of the display.
  • a mask plate with a large opening is used to make the organic light emitting layer, the use of FMM can be reduced, the production cost is reduced, and the production efficiency is improved.
  • a mask plate with a large opening is used to evaporate the organic light emitting layer, thereby preventing the opening of the mask plate from being accurately aligned with the pixel area, and improving the resolution of the display.

Abstract

本发明提供一种有机发光二极管显示器的制作方法,该方法包括:在第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域中的两个区域对应的衬底基板上形成待剥离层;使用预设掩膜板在未覆盖该待剥离层的衬底基板以及其上形成有机发光层;对衬底基板进行加热,使所述待剥离层及其上的有机发光层剥离,以保留未被其覆盖的有机发光层。

Description

一种有机发光二极管显示器的制作方法 技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种有机发光二极管显示器的制作方法。
背景技术
有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)具有自主发光、工作温度范围宽、响应速度快、视角广、发光效率高、可制作在柔性衬底上、驱动电压以及能耗低等优点,被誉为下一代的显示技术。
随着显示技术的快速发展,人们对OLED显示提出了更高的要求,比如更广的色域、更高的亮度、更低的能耗以及更高的分辨率等。特别对屏幕分辨率的要求最为明显,为了获得更高的屏幕分辨率,需要使用高精度金属掩模板(Fine-Metal-Mask,FMM)分别蒸镀RGB对应的发光层的材料。而FMM的制作、维护、运输、清洗的成本较高,同时高解析度的FMM的产能有限。
技术问题
为了减小mask的阴影效应(shadow effect),现有的高分辨率FMM需要严格控制掩膜板的厚度,其厚度仅为几十微米的mask。而在如此薄的金属片上开孔,并且在掩膜板张网后,开孔和基板像素区域很难准确对位,导致显示器容易出现混色,从而降低了显示器的分辨率。
技术解决方案
本发明的目的在于提供一种有机发光二极管显示器的制作方法,能够提高显示器的分辨率。
为解决上述技术问题,本发明提供一种有机发光二极管显示器的制作方法,其包括:
在衬底基板上形成像素定义层,所述像素定义层包括多个间隔设置的像素定义单元;所述像素定义单元之间包括第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域;
在所述第一预设区域、所述第二预设区域以及所述第三预设区域形成发光单元,其包括:
在所述第一预设区域、所述第二预设区域以及所述第三预设区域中的两个区域对应的衬底基板上形成待剥离层;所述待剥离层的材料包括硫;
使用预设掩膜板在未覆盖所述待剥离层的衬底基板以及所述待剥离层上形成有机发光层;以及
对所述衬底基板进行加热,触发所述待剥离层的材料升华,使所述待剥离层脱落,并使附着在所述待剥离层上的有机发光层剥离,以保留未被所述待剥离层覆盖的有机发光层,得到发光单元,所述预设掩膜板的开口大于预设值。
在本发明的有机发光二极管显示器的制作方法中,所述在所述第一预设区域、第二预设区域以及所述第三预设区域中的两个区域对应的衬底基板上形成待剥离层的步骤包括:
在所述第一预设区域、所述第二预设区域以及所述第三预设区域中的两个区域对应的衬底基板上蒸镀待剥离材料,以形成待剥离层。
在本发明的有机发光二极管显示器的制作方法中,所述发光单元包括第一发光单元,在所述第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域形成发光单元的步骤包括:
在所述第二预设区域和所述第三预设区域对应的衬底基板上形成待剥离层;
使用第一预设掩膜板在所述第一预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上形成第一有机发光层;其中所述第一预设掩膜板的开口大于预设值;
对所述衬底基板进行加热,使所述第二预设区域和所述第三预设区域对应的待剥离层和第一有机发光层剥离,以保留所述第一预设区域的第一有机发光层,以得到第一发光单元。
在本发明的有机发光二极管显示器的制作方法中,所述发光单元还包括第二发光单元,在所述第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域形成发光单元的步骤包括:
在所述第一发光单元和所述第三预设区域对应的衬底基板上形成待剥离层;
使用第二预设掩膜板在所述第二预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上蒸镀第二有机发光材料,以形成第二有机发光层;其中所述第二预设掩膜板的开口大于所述预设值;
对所述衬底基板进行加热,以使所述第一预设区域和所述第三预设区域对应的待剥离层以及第二有机发光层在加热过程中剥离,以保留所述第二预设区域的第二有机发光层,得到所述第二发光单元。
在本发明的有机发光二极管显示器的制作方法中,所述发光单元还包括第三发光单元,在所述第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域形成发光单元的步骤包括:
在所述第一发光单元和所述第二发光单元形成待剥离层;
使用第三预设掩膜板在所述第三预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上蒸镀第三有机发光材料,以形成第三有机发光层;其中所述第三预设掩膜板的开口大于所述预设值;
对所述衬底基板进行加热,以使所述第一预设区域和所述第二预设区域对应的待剥离层和第三有机发光层剥离,以保留所述第三预设区域的第三有机发光层,得到所述第三发光单元。
在本发明的有机发光二极管显示器的制作方法中,所述第一有机发光材料用于形成所述第一发光单元;所述第二有机发光材料用于形成所述第二发光单元;所述第三有机发光材料用于形成所述第三发光单元。
在本发明的有机发光二极管显示器的制作方法中,使用第一预设掩膜板在所述第一预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上形成第一有机发光层的步骤包括:
使用第一预设掩膜板在所述第一预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上蒸镀第一有机发光材料,以形成第一有机发光层。
在本发明的有机发光二极管显示器的制作方法中,所述衬底基基板包括基底和阳极,所述方法还包括:在所述发光单元上形成阴极。
本发明提供一种有机发光二极管显示器的制作方法,其包括:
在衬底基板上形成像素定义层,所述像素定义层包括多个间隔设置的像素定义单元;所述像素定义单元之间包括第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域;
在所述第一预设区域、所述第二预设区域以及所述第三预设区域形成发光单元,其包括:
在所述第一预设区域、所述第二预设区域以及所述第三预设区域中的两个区域对应的衬底基板上形成待剥离层;
使用预设掩膜板在未覆盖所述待剥离层的衬底基板以及所述待剥离层上形成有机发光层;以及
对所述衬底基板进行加热,使所述待剥离层以及覆盖在所述待剥离层上的有机发光层剥离,以保留未被所述待剥离层覆盖的有机发光层,得到发光单元,所述预设掩膜板的开口大于预设值。
在本发明的有机发光二极管显示器的制作方法中,所述对所述衬底基板进行加热,使所述待剥离层以及覆盖在所述待剥离层上的有机发光层剥离,以保留未被所述待剥离层覆盖的有机发光层的步骤包括:
对所述衬底基板进行加热,触发所述待剥离层的材料升华,使所述待剥离层脱落,并使附着在所述待剥离层上的有机发光层剥离,以保留未被所述待剥离层覆盖的有机发光层。
在本发明的有机发光二极管显示器的制作方法中,所述在所述第一预设区域、第二预设区域以及所述第三预设区域中的两个区域对应的衬底基板上形成待剥离层的步骤包括:
在所述第一预设区域、所述第二预设区域以及所述第三预设区域中的两个区域对应的衬底基板上蒸镀待剥离材料,以形成待剥离层。
在本发明的有机发光二极管显示器的制作方法中,所述待剥离层的材料包括硫。
在本发明的有机发光二极管显示器的制作方法中,所述发光单元包括第一发光单元,在所述第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域形成发光单元的步骤包括:
在所述第二预设区域和所述第三预设区域对应的衬底基板上形成待剥离层;
使用第一预设掩膜板在所述第一预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上形成第一有机发光层;其中所述第一预设掩膜板的开口大于预设值;
对所述衬底基板进行加热,使所述第二预设区域和所述第三预设区域对应的待剥离层和第一有机发光层剥离,以保留所述第一预设区域的第一有机发光层,以得到第一发光单元。
在本发明的有机发光二极管显示器的制作方法中,所述发光单元还包括第二发光单元,在所述第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域形成发光单元的步骤包括:
在所述第一发光单元和所述第三预设区域对应的衬底基板上形成待剥离层;
使用第二预设掩膜板在所述第二预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上蒸镀第二有机发光材料,以形成第二有机发光层;其中所述第二预设掩膜板的开口大于所述预设值;
对所述衬底基板进行加热,以使所述第一预设区域和所述第三预设区域对应的待剥离层以及第二有机发光层在加热过程中剥离,以保留所述第二预设区域的第二有机发光层,得到所述第二发光单元。
在本发明的有机发光二极管显示器的制作方法中,所述发光单元还包括第三发光单元,在所述第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域形成发光单元的步骤包括:
在所述第一发光单元和所述第二发光单元形成待剥离层;
使用第三预设掩膜板在所述第三预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上蒸镀第三有机发光材料,以形成第三有机发光层;其中所述第三预设掩膜板的开口大于所述预设值;
对所述衬底基板进行加热,以使所述第一预设区域和所述第二预设区域对应的待剥离层和第三有机发光层剥离,以保留所述第三预设区域的第三有机发光层,得到所述第三发光单元。
在本发明的有机发光二极管显示器的制作方法中,所述第一有机发光材料用于形成所述第一发光单元;所述第二有机发光材料用于形成所述第二发光单元;所述第三有机发光材料用于形成所述第三发光单元。
在本发明的有机发光二极管显示器的制作方法中,使用第一预设掩膜板在所述第一预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上形成第一有机发光层的步骤包括:
使用第一预设掩膜板在所述第一预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上蒸镀第一有机发光材料,以形成第一有机发光层。
在本发明的有机发光二极管显示器的制作方法中,所述衬底基基板包括基底和阳极,所述方法还包括:在所述发光单元上形成阴极。
有益效果
本发明的有机发光二极管显示器的制作方法,采用开口较大的掩膜板蒸镀有机发光层,从而防止掩膜板的开口无法与像素区域准确对位,提高了显示器的分辨率。
附图说明
图1为本发明OLED显示器制作方法的第一步的结构示意图。
图2为本发明OLED显示器制作方法的第二步中第一分步的结构示意图。
图3为本发明OLED显示器制作方法的第二步中第二分步的结构示意图。
图4为本发明OLED显示器制作方法的第二步中第三分步的结构示意图。
图5为本发明OLED显示器制作方法的第二步中第三分步完成后的结构示意图。
图6为本发明OLED显示器制作方法的第二步中第四分步的结构示意图。
图7为本发明OLED显示器制作方法的第二步中第五分步的结构示意图。
图8为本发明OLED显示器制作方法的第二步中第六分步的结构示意图。
图9为本发明OLED显示器制作方法的第二步中第六分步完成后的结构示意图。
图10为本发明OLED显示器制作方法的第二步中第七分步的结构示意图。
图11为本发明OLED显示器制作方法的第二步中第八分步的结构示意图。
图12为本发明OLED显示器制作方法的第二步中第九分步的结构示意图。
图13为本发明OLED显示器制作方法的第二步中第九分步完成的结构示意图。
图14为本发明OLED显示器制作方法的第三步的结构示意图。
本发明的实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。
传统的OLED像素驱动电路通常为2T1C,即两个薄膜晶体管加一个电容的结构,将电压变换为电流。
请参照图1至14,图1为本发明OLED显示器制作方法的第一步的结构示意图。
本发明的OLED显示器的制作方法主要包括如下步骤:
S101、在衬底基板上形成像素定义层,所述像素定义层包括多个间隔设置的像素定义单元;相邻两个所述像素定义单元之间包括第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域;
如图1所示,在衬底基板11上形成像素定义层12,其中所述衬底基板11包括基底和阳极,所述基底的材料比如为玻璃。
该像素定义层12包括4个像素定义单元121,可以理解的该像素定义层12包括4个以上的像素定义单元。相邻两个所述像素定义单元121之间包括第一预设区域101、第二预设区域102以及第三预设区域103;第一预设区域101、第二预设区域102以及第三预设区域103分别位于相邻两个所述像素定义单元121之间。且第一预设区域101、第二预设区域102以及第三预设区域103交错设置。在一实施方式中,所述第一预设区域101与绿色发光单元的位置对应,第二预设区域102与蓝色发光单元的位置对应,以及第三预设区域103与红色发光单元的位置对应。
可以理解的,尽管图1中仅示出一个第一预设区域101、第二预设区域102以及第三预设区域103,但是并不能对本发明构成限定,该第一预设区域101、第二预设区域102以及第三预设区域103的数量可以为一个以上。
S102、在所述第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域形成发光单元,所述发光单元包括第一发光单元、第二发光单元以及第三发光单元,上述步骤包括:
S201、在所述第二预设区域和所述第三预设区域对应的衬底基板上形成待剥离层;
如图2所示,使用掩膜板在第二预设区域102和所述第三预设区域103对应的衬底基板上蒸镀待剥离材料,以形成待剥离层13,该待剥离材料为易升华材料。在一实施方式中,该待剥离材料包括硫。
S202、使用第一预设掩膜板在所述第一预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上形成第一有机发光层;
如图3所示,使用第一预设掩膜板在所述第一预设区域101对应的衬底基板以及所述待剥离层上蒸镀第一有机发光材料,以形成第一有机发光层14。其中所述第一预设掩膜板(图中未示出)的开口大于预设值,比如第一预设掩膜板为大开口的common mask,也即其区别与现有技术中的FMM。结合图5,所述第一有机发光材料用于形成所述第一发光单元141。
S203、对所述衬底基板进行加热,使所述第二预设区域和所述第三预设区域对应的待剥离层和第一有机发光层剥离,以保留所述第一预设区域的第一有机发光层,得到第一发光单元;
如图4所示,对上述衬底基板进行加热,触发所述待剥离层13的材料升华,使所述待剥离层13脱落,并使附着在该待剥离层上的第一有机发光层剥离;以保留未被所述待剥离层覆盖的第一有机发光层,得到第一发光单元141;也即使第二预设区域和第三预设区域的第一有机发光层剥离,仅保留第一预设区域的第一有机发光层,剥离后的结构图如图5所示。
S204、在所述第一发光单元和所述第三预设区域对应的衬底基板上蒸镀所对应的述待剥离材料,以形成待剥离层;
如图6所示,使用掩膜板在所述第一发光单元141和所述第三预设区域103对应的衬底基板上蒸镀所对应的述待剥离材料,以形成待剥离层13;该待剥离材料为易升华材料。在一实施方式中,该待剥离材料包括硫。进一步地,该待剥离材料为硫。
S205、使用第二预设掩膜板在所述第二预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上形成第二有机发光层;
如图7所示,使用第二预设掩膜板在所述第二预设区域102对应的衬底基板以及所述待剥离层上蒸镀第二有机发光材料,以形成第二有机发光层15。其中所述第二预设掩膜板的开口大于预设值,比如第二预设掩膜板为大开口的common mask,也即其区别与现有技术中的FMM。所述第二有机发光材料用于形成所述第二发光单元。
S206、对所述衬底基板进行加热,以使所述第一预设区域和所述第三预设区域对应的待剥离层以及第二有机发光层在加热过程中剥离,以保留所述第二预设区域的第二有机发光层,得到第二发光单元;
如图8所示,对所述衬底基板进行加热,触发所述待剥离层的材料升华,使所述待剥离层脱落,并使附着在该待剥离层13上的第二有机发光层15剥离;以保留未被所述待剥离层13覆盖的第二有机发光层15,得到第二发光单元151,剥离后的结构图如图9所示。
S207、在所述第一发光单元和所述第二发光单元蒸镀所述待剥离材料,以形成待剥离层;
如图10所示,使用掩膜板在第一发光单元141和第二发光单元151上蒸镀所述待剥离材料,以形成待剥离层13。
S208、使用第三预设掩膜板在所述第三预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上形成第三有机发光层;
如图11所示,使用第三预设掩膜板在所述第三预设区域103对应的衬底基板以及所述待剥离层13上蒸镀第三有机发光材料,以形成第三有机发光层16。其中所述第三预设掩膜板的开口大于预设值,比如第三预设掩膜板为大开口的common mask,也即其区别与现有技术中的FMM。所述第三有机发光材料用于形成所述第三发光单元。
可以理解的,第一预设掩膜板、第二预设掩膜板、第三预设掩膜板可以相同或者不同。
S209、对所述衬底基板进行加热,以使所述第一预设区域和所述第二预设区域对应的待剥离层以及第三有机发光层剥离,以保留所述第三预设区域的第三有机发光层,得到第三发光单元,其中所述第一预设掩膜板、所述第二预设掩膜板以及所述第三预设掩膜板的开口大于预设值。
如图12所示,对所述衬底基板进行加热,触发所述待剥离层的材料升华,使所述待剥离层脱落,并使附着在该待剥离层13上的第三有机发光层剥离;以保留未被所述待剥离层覆盖的第三有机发光层,得到第三发光单元161,剥离后的结构图如图13所示。最终完成了发光单元的制作。
本发明的方法还包括:
S103、在所述发光单元上形成阴极。
所述衬底基基板包括基底和阳极,具体是在所述第一发光单元、第二发光单元以及第三发光单元上形成阴极。
如图14所示,在所述第一发光单元141、第二发光单元151以及第三发光单元161上形成阴极17。
由于在制作第一发光单元至第三发光单元时,采用开口较大的掩膜板蒸镀有机发光材料,因此容易使掩膜板的开口与像素区域准确对位,防止显示器出现混色,提高了显示器的分辨率。另外由于采用了开口较大的掩膜板制作有机发光层,还可以减少FMM的使用,降低了生产成本,提高了生产效率。
本发明的有机发光二极管显示器的制作方法,由于采用开口较大的掩膜板蒸镀有机发光层,从而防止掩膜板的开口不能与像素区域准确对位,提高了显示器的分辨率。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (18)

  1. 一种有机发光二极管显示器的制作方法,其包括:
    在衬底基板上形成像素定义层,所述像素定义层包括多个间隔设置的像素定义单元;所述像素定义单元之间包括第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域;
    在所述第一预设区域、所述第二预设区域以及所述第三预设区域形成发光单元,其包括:
    在所述第一预设区域、所述第二预设区域以及所述第三预设区域中的两个区域对应的衬底基板上形成待剥离层;所述待剥离层的材料包括硫;
    使用预设掩膜板在未覆盖所述待剥离层的衬底基板以及所述待剥离层上形成有机发光层;以及
    对所述衬底基板进行加热,触发所述待剥离层的材料升华,使所述待剥离层脱落,并使附着在所述待剥离层上的有机发光层剥离,以保留未被所述待剥离层覆盖的有机发光层,得到发光单元,所述预设掩膜板的开口大于预设值。
  2. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其中所述在所述第一预设区域、第二预设区域以及所述第三预设区域中的两个区域对应的衬底基板上形成待剥离层的步骤包括:
    在所述第一预设区域、所述第二预设区域以及所述第三预设区域中的两个区域对应的衬底基板上蒸镀待剥离材料,以形成待剥离层。
  3. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其中所述发光单元包括第一发光单元,在所述第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域形成发光单元的步骤包括:
    在所述第二预设区域和所述第三预设区域对应的衬底基板上形成待剥离层;
    使用第一预设掩膜板在所述第一预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上形成第一有机发光层;其中所述第一预设掩膜板的开口大于预设值;以及
    对所述衬底基板进行加热,使所述第二预设区域和所述第三预设区域对应的待剥离层和第一有机发光层剥离,以保留所述第一预设区域的第一有机发光层,以得到第一发光单元。
  4. 根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其中所述发光单元还包括第二发光单元,在所述第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域形成发光单元的步骤包括:
    在所述第一发光单元和所述第三预设区域对应的衬底基板上形成待剥离层;
    使用第二预设掩膜板在所述第二预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上蒸镀第二有机发光材料,以形成第二有机发光层;其中所述第二预设掩膜板的开口大于所述预设值;以及
    对所述衬底基板进行加热,以使所述第一预设区域和所述第三预设区域对应的待剥离层以及第二有机发光层在加热过程中剥离,以保留所述第二预设区域的第二有机发光层,得到所述第二发光单元。
  5. 根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其中所述发光单元还包括第三发光单元,在所述第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域形成发光单元的步骤包括:
    在所述第一发光单元和所述第二发光单元形成待剥离层;
    使用第三预设掩膜板在所述第三预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上蒸镀第三有机发光材料,以形成第三有机发光层;其中所述第三预设掩膜板的开口大于所述预设值;以及
    对所述衬底基板进行加热,以使所述第一预设区域和所述第二预设区域对应的待剥离层和第三有机发光层剥离,以保留所述第三预设区域的第三有机发光层,得到所述第三发光单元。
  6. 根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其中所述第一有机发光材料用于形成所述第一发光单元;所述第二有机发光材料用于形成所述第二发光单元;所述第三有机发光材料用于形成所述第三发光单元。
  7. 根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其中使用第一预设掩膜板在所述第一预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上形成第一有机发光层的步骤包括:
    使用第一预设掩膜板在所述第一预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上蒸镀第一有机发光材料,以形成第一有机发光层。
  8. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其中所述衬底基基板包括基底和阳极,所述方法还包括:在所述发光单元上形成阴极。
  9. 一种有机发光二极管显示器的制作方法,其包括:
    在衬底基板上形成像素定义层,所述像素定义层包括多个间隔设置的像素定义单元;所述像素定义单元之间包括第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域;
    在所述第一预设区域、所述第二预设区域以及所述第三预设区域形成发光单元,其包括:
    在所述第一预设区域、所述第二预设区域以及所述第三预设区域中的两个区域对应的衬底基板上形成待剥离层;
    使用预设掩膜板在未覆盖所述待剥离层的衬底基板以及所述待剥离层上形成有机发光层;以及
    对所述衬底基板进行加热,使所述待剥离层以及覆盖在所述待剥离层上的有机发光层剥离,以保留未被所述待剥离层覆盖的有机发光层,得到发光单元,所述预设掩膜板的开口大于预设值。
  10. 根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其中所述对所述衬底基板进行加热,使所述待剥离层以及覆盖在所述待剥离层上的有机发光层剥离,以保留未被所述待剥离层覆盖的有机发光层的步骤包括:
    对所述衬底基板进行加热,触发所述待剥离层的材料升华,使所述待剥离层脱落,并使附着在所述待剥离层上的有机发光层剥离,以保留未被所述待剥离层覆盖的有机发光层。
  11. 根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其中所述在所述第一预设区域、第二预设区域以及所述第三预设区域中的两个区域对应的衬底基板上形成待剥离层的步骤包括:
    在所述第一预设区域、所述第二预设区域以及所述第三预设区域中的两个区域对应的衬底基板上蒸镀待剥离材料,以形成待剥离层。
  12. 根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其中所述待剥离层的材料包括硫。
  13. 根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其中所述发光单元包括第一发光单元,在所述第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域形成发光单元的步骤包括:
    在所述第二预设区域和所述第三预设区域对应的衬底基板上形成待剥离层;
    使用第一预设掩膜板在所述第一预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上形成第一有机发光层;其中所述第一预设掩膜板的开口大于预设值;以及
    对所述衬底基板进行加热,使所述第二预设区域和所述第三预设区域对应的待剥离层和第一有机发光层剥离,以保留所述第一预设区域的第一有机发光层,以得到第一发光单元。
  14. 根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其中所述发光单元还包括第二发光单元,在所述第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域形成发光单元的步骤包括:
    在所述第一发光单元和所述第三预设区域对应的衬底基板上形成待剥离层;
    使用第二预设掩膜板在所述第二预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上蒸镀第二有机发光材料,以形成第二有机发光层;其中所述第二预设掩膜板的开口大于所述预设值;以及
    对所述衬底基板进行加热,以使所述第一预设区域和所述第三预设区域对应的待剥离层以及第二有机发光层在加热过程中剥离,以保留所述第二预设区域的第二有机发光层,得到所述第二发光单元。
  15. 根据权利要求14所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其中所述发光单元还包括第三发光单元,在所述第一预设区域、第二预设区域以及第三预设区域形成发光单元的步骤包括:
    在所述第一发光单元和所述第二发光单元形成待剥离层;
    使用第三预设掩膜板在所述第三预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上蒸镀第三有机发光材料,以形成第三有机发光层;其中所述第三预设掩膜板的开口大于所述预设值;以及
    对所述衬底基板进行加热,以使所述第一预设区域和所述第二预设区域对应的待剥离层和第三有机发光层剥离,以保留所述第三预设区域的第三有机发光层,得到所述第三发光单元。
  16. 根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其中所述第一有机发光材料用于形成所述第一发光单元;所述第二有机发光材料用于形成所述第二发光单元;所述第三有机发光材料用于形成所述第三发光单元。
  17. 根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其中使用第一预设掩膜板在所述第一预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上形成第一有机发光层的步骤包括:
    使用第一预设掩膜板在所述第一预设区域对应的衬底基板以及所述待剥离层上蒸镀第一有机发光材料,以形成第一有机发光层。
  18. 根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器的制作方法,其中所述衬底基基板包括基底和阳极,所述方法还包括:在所述发光单元上形成阴极。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109599507A (zh) * 2018-12-13 2019-04-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示器的制备方法
US11145844B2 (en) * 2019-02-27 2021-10-12 Int Tech Co., Ltd. Method for manufacturing electroluminescent device
WO2022061505A1 (zh) * 2020-09-22 2022-03-31 苏州晶湛半导体有限公司 半导体结构的制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002358051A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置の駆動方法および液晶表示装置
JP2003045652A (ja) * 2001-07-30 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Oledディスプレイ
JP2003043995A (ja) * 2001-07-31 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリックス型oled表示装置およびその駆動方法
CN1964063A (zh) * 2005-11-10 2007-05-16 香港科技大学 适用于有机发光二极管显示器的多晶硅薄膜象素电极

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09204984A (ja) * 1996-01-26 1997-08-05 Pioneer Electron Corp 有機elディスプレイの製造方法
KR101976829B1 (ko) * 2012-12-21 2019-05-13 엘지디스플레이 주식회사 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
TW201431155A (zh) * 2013-01-23 2014-08-01 Au Optronics Corp 形成圖案化結構層之方法
CN103943652B (zh) * 2013-08-29 2017-02-08 上海天马微电子有限公司 一种oled像素及其显示装置的制作方法
CN103700692A (zh) * 2013-12-27 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制作方法
KR102480950B1 (ko) * 2014-12-24 2022-12-23 올싸거널 인코포레이티드 전자 장치의 포토리소그래피 패터닝
KR102491880B1 (ko) * 2016-06-16 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10461139B2 (en) * 2016-11-10 2019-10-29 Int Tech Co., Ltd. Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof
CN107093678A (zh) * 2017-04-27 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种膜层制备方法
KR102458680B1 (ko) * 2017-04-28 2022-10-26 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102606282B1 (ko) * 2017-06-19 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002358051A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置の駆動方法および液晶表示装置
JP2003045652A (ja) * 2001-07-30 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Oledディスプレイ
JP2003043995A (ja) * 2001-07-31 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリックス型oled表示装置およびその駆動方法
CN1964063A (zh) * 2005-11-10 2007-05-16 香港科技大学 适用于有机发光二极管显示器的多晶硅薄膜象素电极

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