WO2019239448A1 - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法及び半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2019239448A1
WO2019239448A1 PCT/JP2018/022158 JP2018022158W WO2019239448A1 WO 2019239448 A1 WO2019239448 A1 WO 2019239448A1 JP 2018022158 W JP2018022158 W JP 2018022158W WO 2019239448 A1 WO2019239448 A1 WO 2019239448A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
metal
semiconductor device
mol
semiconductor layer
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2018/022158
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
小笠原　淳
浩二 伊東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority to CN201880010959.XA priority Critical patent/CN112204716B/zh
Priority to PCT/JP2018/022158 priority patent/WO2019239448A1/ja
Priority to JP2019537417A priority patent/JP6764034B2/ja
Publication of WO2019239448A1 publication Critical patent/WO2019239448A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device using a glass material and a semiconductor device having a glass film.
  • the conventional method increases the number of processes and increases the manufacturing cost as compared with a semiconductor device that does not control the lifetime.
  • the present invention has been made in consideration of the above points, and a method of manufacturing a semiconductor device capable of controlling trr in units of ⁇ s without increasing the number of steps, and manufacturing by such a manufacturing method.
  • a semiconductor device capable of controlling trr in units of ⁇ s without increasing the number of steps, and manufacturing by such a manufacturing method.
  • a method for manufacturing a semiconductor device includes: Putting a glass material into a metal container containing a first metal and a second metal, or throwing a first metal and a glass material into a metal container containing a second metal; Generating a metal-containing glass composition containing the first metal or the second metal by melting the glass material in the metal container at a first heating temperature during a first time; and Providing the metal-containing glass composition in the semiconductor layer; May be provided.
  • the first metal and the second metal may be contained in the metal-containing glass composition by melting the glass material in the metal container at a first heating temperature.
  • the first heating temperature may be higher than the melting point of the first metal and lower than the melting point of the second metal.
  • the metal container includes the first metal and the second metal,
  • the first metal may be included in an amount of 3 wt% to 10 wt%
  • the second metal may be included in an amount of 90 wt% to 97 wt%.
  • the first metal may be gold and the second metal may be platinum.
  • the glass material has a SiO 2 content in the range of 49.5 mol% to 64.3 mol%, an Al 2 O 3 content in the range of 3.7 mol% to 14.8 mol%, and B
  • the content of 2 O 3 is in the range of 8.4 mol% to 17.9 mol%
  • the content of ZnO is in the range of 3.9 mol% to 14.2 mol%
  • the alkaline earth metal oxide The content is in the range of 7.4 mol% to 12.9 mol%
  • the first time is 1 to 3 hours
  • the first heating temperature may be 1350 ° C. or higher and 1700 ° C. or lower.
  • a semiconductor device includes: A semiconductor layer; A glass film provided on the semiconductor layer; With The semiconductor layer includes dispersed gold; The semiconductor layer may be lifetime controlled by gold diffused from the glass film.
  • the present invention it is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of controlling trr in units of ⁇ s without increasing the number of steps, and a semiconductor device manufactured by such a manufacturing method.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device that can be used in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a process of manufacturing a semiconductor device that can be used in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the process of manufacturing the semiconductor device, the process of which has advanced from FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing the process of manufacturing the semiconductor device, the process of which has advanced from FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the process of manufacturing the semiconductor device, the process of which has advanced from FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a metal container and a metal-containing glass composition that can be used in each embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a graph showing the relationship between the heating time and the heating temperature and trr.
  • a semiconductor device is a device having a PN junction such as a diode or a thyristor.
  • the semiconductor device is provided on a first conductivity type semiconductor substrate 11 having a first conductivity type, and the first conductivity type semiconductor substrate 11, and the first conductivity type semiconductor substrate 11 is more conductive than the first conductivity type semiconductor substrate 11.
  • the first conductivity type is, for example, n-type
  • the second conductivity type is, for example, p-type.
  • the present invention is not limited to this, and the first conductivity type may be p-type and the second conductivity type may be n-type.
  • the first conductivity type semiconductor substrate 11 a silicon substrate, a silicon carbide substrate, a gallium nitride substrate or the like can be used, and the impurity concentration thereof is, for example, 1 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 to 1 ⁇ 10 20 cm ⁇ 3 .
  • the first conductivity type semiconductor layer 12 is formed by, for example, epitaxial growth on the first conductivity type semiconductor substrate 11, and the impurity concentration in the first conductivity type semiconductor layer 12 is, for example, 5 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 to 1 ⁇ 10 17 cm ⁇ . 3 .
  • the thickness of the first conductivity type semiconductor substrate 11 is, for example, 180 ⁇ m, and the thickness of the first conductivity type semiconductor layer 12 is, for example, 50 ⁇ m.
  • the second conductivity type semiconductor layer 13 can be formed by implanting, for example, a p-type impurity (for example, boron) into the first conductivity type semiconductor layer 12, and the impurity concentration in the second conductivity type semiconductor layer 13 is, for example, 1 ⁇ 10. 16 cm ⁇ 3 to 1 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 and the thickness is, for example, 8 ⁇ m.
  • a p-type impurity for example, boron
  • the first electrode 20 may be provided on the front surface of the second conductivity type semiconductor layer 13, and the second electrode 30 may be provided on the back surface of the first conductivity type semiconductor substrate 11.
  • the first electrode 20 may be, for example, an anode electrode
  • the second electrode 30 may be, for example, a cathode electrode.
  • the first electrode 20 may include, for example, an aluminum / silicide film 21, a nickel / silicide film 22, and a Ni (nickel) -P film 23.
  • the second electrode 30 may have a nickel film having a silicided film.
  • a glass film 50 as a passivation film may be provided around the first electrode 20.
  • Such a semiconductor device may be manufactured as follows.
  • a first conductivity type semiconductor substrate 11 composed of a first conductivity type, and a first conductivity type provided on the first conductivity type semiconductor substrate 11 and having a first conductivity type impurity concentration lower than that of the first conductivity type semiconductor substrate 11.
  • a substrate having a first conductivity type semiconductor layer 12 and a second conductivity type semiconductor layer 13 provided on the first conductivity type semiconductor layer 12 is prepared (see FIG. 2).
  • an insulating film 61 made of SiO 2 or the like is formed on the second conductivity type semiconductor layer 13 (see FIG. 2). Further, an insulating film 62 made of SiO 2 or the like is formed on the back surface of the first conductivity type semiconductor substrate 11 (see FIG. 2).
  • etching is performed using the formed insulating film 61 as a mask to form a mesa groove 65.
  • etching in this embodiment mode, dry etching, wet etching, or the like can be used.
  • a protective film (passivation film) made of the glass film 50 is formed so as to cover the formed mesa groove 65 and the insulating film 61.
  • openings 70 are formed in the formed insulating film 61 and glass film 50 by etching.
  • the first electrode 20 is formed in the opening on the front surface side, and the second electrode 30 is formed on the back surface side (see FIG. 1).
  • the glass material which is a raw material for making glass in the metal container 100 (refer FIG. 6) containing a 1st metal and a 2nd metal is thrown in (glass material). Input process).
  • the metal container 100 is, for example, a metal crucible.
  • the first metal may be gold (Au) and the second metal may be platinum (Pt).
  • the first metal may be included at 3 to 10% by weight, and the second metal may be included at 90 to 97% by weight.
  • rhodium (Rh) other than gold may be used.
  • the metal container 100 may contain a metal other than the first metal and the second metal, may be composed of a ternary alloy of the first metal, the second metal, and the third metal, or may be an alloy of four or more components. It may consist of.
  • the glass material has, for example, a content of SiO 2 in the range of 49.5 mol% to 64.3 mol%, a content of Al 2 O 3 in the range of 3.7 mol% to 14.8 mol%, B 2 O 3 content is in the range of 8.4 mol% to 17.9 mol%, ZnO content is in the range of 3.9 mol% to 14.2 mol%, and an alkaline earth metal oxide Is in the range of 7.4 mol% to 12.9 mol%.
  • the glass material is melted in the metal container 100 at the first heating temperature for the first time (melting step).
  • the metal-containing glass composition 110 containing the first metal, the second metal, or both the first metal and the second metal in the glass composition is generated.
  • the first heating temperature may be higher than the melting point of the first metal and lower than the melting point of the second metal.
  • the first time is, for example, 1 to 3 hours, and the first heating temperature may be, for example, 1350 ° C. or more and 1700 ° C. or less.
  • the melting point of gold is 1064 ° C.
  • the melting point of platinum is 1768 ° C.
  • the glass film 50 is formed by providing the metal-containing glass composition 110 prepared as described above in a semiconductor layer such as the second conductive semiconductor layer 13 described above (glass film forming step). More specifically, the molten metal-containing glass composition 110 is cooled and then pulverized to a particle size of several ⁇ m, and the pulverized metal-containing glass composition 110 is converted into the first conductive semiconductor substrate 11, the first conductive semiconductor layer 12, After providing in semiconductor layers, such as the 2nd conductivity type semiconductor layer 13, the said metal containing glass composition 110 is fuse
  • FIG. 4 FIG.
  • the mesa groove 65 is provided up to the first conductivity type semiconductor substrate 11, but is merely an example, and the mesa groove is formed in the first conductivity type semiconductor substrate 11 and the first conductivity type semiconductor layer 12.
  • the first conductive semiconductor substrate 11 may be provided with no mesa groove 65.
  • the glass film 50 of the present embodiment contains a metal such as a first metal. For this reason, by providing such a glass film 50, a very small amount of metal such as the first metal can be dispersed in the semiconductor layer such as the first conductivity type semiconductor layer 12 that affects the trr control. As a result, the inventors of the present application have confirmed that trr (reverse recovery time) in the semiconductor layer can be set to 5 ⁇ s or more and 15 ⁇ s or less, and the lifetime can be controlled. Note that trr is preferably 5 ⁇ s or more and 11 ⁇ s or less, and more preferably trr is 5 ⁇ s or more and 8 ⁇ s or less. Incidentally, in the conventional embodiment in which heavy metal is added, since a large amount of heavy metal is added as compared with the present embodiment, trr cannot be controlled in units of ⁇ s.
  • the glass composition (metal-containing glass composition 110) was provided on the semiconductor layer described above.
  • the trr in the semiconductor layer was about 14 ⁇ s. Became.
  • the glass composition (metal-containing glass composition 110) was provided on the semiconductor layer described above.
  • the trr in the semiconductor layer was about 11 ⁇ s. became.
  • the glass composition (metal-containing glass composition 110) was provided on the semiconductor layer, and the trr in the semiconductor layer was about 8 ⁇ s. Became.
  • the glass composition (metal-containing glass composition 110) was provided on the semiconductor layer, and the trr in the semiconductor layer was about 8 ⁇ s. Became.
  • trr is more preferable to use gold (Au) than rhodium (Rh) as the first metal. This is beneficial because it can be easily controlled.
  • trr can be controlled. Further, according to the present embodiment, trr can be controlled in units of ⁇ s. Thus, trr can be controlled in units of ⁇ s while preventing an increase in the manufacturing cost of a semiconductor device such as a chip.
  • trr in the semiconductor layer can be adjusted as shown in FIG. 7 by adjusting temperature and time. For this reason, it is only necessary to adjust the temperature and time according to trr required for each semiconductor device, and trr can be adjusted by an extremely simple method. As shown in FIG. 7, trr can be controlled more effectively by adjusting the temperature rather than the time. In particular, heating at 1400 ° C. or higher is preferable, heating at 1500 ° C. or higher is more preferable, and heating at 1550 ° C. or higher is even more preferable.
  • the partial switch system (simple PAM) has been a major part of the PFC (Power Factor Correction) section of air conditioners.
  • the use of the bridge diode as a partial switch in the simple PAM operation mode is increasing, and improvement of the trr characteristic of the bridge diode is demanded.
  • trr may need to be controlled in units of ⁇ s.
  • trr When conventional heavy metal diffusion is used, trr can be controlled in units of ns, but it is difficult to control in units of ⁇ s. Although it is possible to control trr in units of ⁇ s by using electron beam irradiation, it is necessary to introduce an expensive machine. In this respect, according to the present embodiment, it is also advantageous in that it can be controlled in units of ⁇ s without introducing an expensive machine.
  • the first metal, the second metal, or both the first metal and the second metal can be contained in the glass composition by setting the first heating temperature higher than the melting point of the first metal.
  • the first metal and the second metal are alloyed in the metal container 100, the first metal does not melt immediately even when heated to a temperature higher than the melting point of the first metal.
  • trr is lowered by raising the temperature in FIG. That is, as described above, the melting point of gold is 1064 ° C., but by increasing the temperature from 1350 ° C. ⁇ 1450 ° C. ⁇ 1560 ° C., trr changes and the amount of metal contained in the glass material is reduced. It is confirmed that the gold melts immediately upon heating to a temperature higher than 1064 ° C. and is not contained within the glass composition.
  • the alloy ratio is also important. For example, if the first metal that is gold is contained in an amount of 3 to 10% by weight, and the second metal that is platinum is contained in an amount of 90 to 97% by weight, for example, the trr can be adjusted effectively. Can do. If the amount of the first metal is less than 3% by weight, it may be difficult to contain the metal in the glass composition, and it may be difficult to adjust trr. On the other hand, when the amount of the first metal is more than 10% by weight, the strength as the metal container 100 may be weakened when the heating temperature is increased.
  • the metal container 100 including the first metal and the second metal is used.
  • a description will be given using a mode in which the first metal and the glass material are put into the metal container 100 containing the second metal.
  • adopted in 1st Embodiment are employable also in 2nd Embodiment.
  • First metal (typically gold) and glass material are put into a metal container 100 made of the second metal (typically platinum).
  • the glass material is melted in the metal container 100 at the first heating temperature for the first time (melting step).
  • the metal-containing glass composition 110 containing the first metal is generated by melting the glass material in the metal container 100.
  • the first heating temperature may be higher than the melting point of the first metal and lower than the melting point of the second metal.
  • the first time is, for example, 1 to 3 hours, and the first heating temperature may be, for example, 1350 ° C. or more and 1700 ° C. or less.
  • the glass film 50 is formed by providing the metal-containing glass composition 110 prepared as described above in a semiconductor layer such as the second conductive semiconductor layer 13 described above (glass film forming step).
  • the glass film 50 of the present embodiment is mixed with a metal such as the first metal.
  • the first metal can be dispersed in the semiconductor layer such as the first conductivity type semiconductor layer 12 that affects trr control.
  • the inventors of the present application have confirmed that when the first metal is put into the metal container 100 made of the second metal, the metal container 100 does not melt or has a hole. There were times when I was unhappy. Thus, if there is a hole in the metal container 100, the glass material flows out, which is not suitable for mass production. In particular, since Pt is highly reactive, it is easy to melt or have holes in this way. In addition, when the second metal is Pt, the metal container 100 is very expensive. However, it is difficult to allow a hole in the metal container 100 in terms of cost. Therefore, from this point of view, the first embodiment is more beneficial than the second embodiment.
  • First metal (typically gold) and glass material are put into a metal container 100 made of a first metal (typically gold) and a second metal (typically platinum).
  • the glass material is melted in the metal container 100 at the first heating temperature for the first time (melting step).
  • the metal-containing glass composition 110 containing the first metal, the second metal, or both the first metal and the second metal is generated.
  • the first heating temperature may be higher than the melting point of the first metal and lower than the melting point of the second metal.
  • the first time is, for example, 1 to 3 hours, and the first heating temperature may be, for example, 1350 ° C. or more and 1700 ° C. or less.
  • the glass film 50 is formed by providing the metal-containing glass composition 110 prepared as described above in a semiconductor layer such as the second conductive semiconductor layer 13 described above (glass film forming step).
  • the glass film 50 of the present embodiment is mixed with a metal such as the first metal.
  • a metal such as a first metal can be dispersed in a semiconductor layer such as the first conductivity type semiconductor layer 12 that affects trr control.
  • the fact that the first metal is contained in the glass material means that the first metal is gradually disappearing from the metal container 100. In the present embodiment, it is meaningful to replenish the first metal that has been reduced in this way.
  • the first metal may be used when the glass material is melted using the metal container 100 that has been used a predetermined number of times.
  • the metal container 100 may have a hole. The amount is very small.

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

半導体装置の製造方法は、第一金属及び第二金属を含む金属容器１００内にガラス材料を投入する、又は第一金属を含む金属容器１００内に第二金属及びガラス材料を投入する工程と、第一時間の間、第一加熱温度で前記ガラス材料を前記金属容器１００内で溶融することで、前記第一金属又は前記第二金属を含有する金属含有ガラス組成１００を生成する工程と、前記金属含有ガラス組成を半導体層に設ける工程と、を有する。

Description

半導体装置の製造方法及び半導体装置
　本発明は、ガラス材料を用いた半導体装置の製造方法及びガラス膜を有する半導体装置に関する。
　従来から、半導体装置に関してライフタイムキラーを導入することが試みられている。例えば特開昭６２－７３７３０号公報では、各領域（１）（２）（３）表面を露出してその表面に膜厚５００～１０００Åの重金属薄膜を蒸着し、８００～１０００℃、６０～１２０分のＮ２雰囲気での熱処理を処すことにより、ライフタイムキラー物質を基板中へ拡散させる。このライフタイムキラーの拡散によりシリコン中の格子位置あるいは格子間位置に固溶した重金属の不純物準位が再結合中心となって、動作時、領域間を移動する電子あるいは正孔を前記再結合中心でトラップさせることによりトランジスタのスイッチング時間を短縮させている。
　しかしながら、このように蒸着を用いて手法では重金属の添加量を正確にコントロールすることが難しく、さらに重金属の拡散は係数がいずれも１０－7～１０－８ｃｍ／ｓｅｃと速いため、ライフタイムの重金属添加時の温度依存性が大きく、そのコントロールが極めて困難であるというような問題があった。
　このような問題を解決するために、特開平２－５１２３５では、多結晶シリコン粒子からなるパウダーに重金属元素を混在させたパウダーをシリコン基板表面に付着し、熱処理を加えることにより重金属をシリコン基板内へ拡散させることを特徴とするライフタイムキラーの導入する方法が提案されている。
　しかしながら、従来のような方法では、ライフタイムをコントロールしない半導体装置と比較すると、工程数が増えることとなり、製造コストが高くなってしまう。
　また、ｔｒｒ（逆回復時間）をμｓの単位でコントロールするには電子線照射等を用いる必要があるが、電子線照射等を用いる場合には、高額な装置を導入する必要がある。
　本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、工程数を増やすことなく、ｔｒｒをμｓの単位でコントロールすることができる半導体装置の製造方法と、このような製造方法によって製造された半導体装置を提供する。
［概念１］
　本発明による半導体装置の製造方法は、
　第一金属及び第二金属を含む金属容器内にガラス材料を投入する、又は第二金属を含む金属容器内に第一金属及びガラス材料を投入する工程と、
　第一時間の間、第一加熱温度で前記ガラス材料を前記金属容器内で溶融することで、前記第一金属又は前記第二金属を含有する金属含有ガラス組成を生成する工程と、
　前記金属含有ガラス組成を半導体層に設ける工程と、
　を備えてもよい。
［概念２］
　本発明の概念１による半導体装置の製造方法において、
　第一時間の間、第一加熱温度で前記ガラス材料を前記金属容器内で溶融することで、前記金属含有ガラス組成内に前記第一金属及び前記第二金属を含有させてもよい。
［概念３］
　本発明の概念１又は２による半導体装置の製造方法において、
　前記第一加熱温度は、前記第一金属の融点よりも高く、かつ前記第二金属の融点よりも低くてもよい。
［概念４］
　本発明の概念１乃至３のいずれか一つによる半導体装置の製造方法において、
　前記金属容器は前記第一金属及び前記第二金属を含み、
　前記金属容器のうち、前記第一金属は３重量％～１０重量％で含まれ、前記第二金属は９０重量％～９７重量％で含まれてもよい。
［概念５］
　本発明の概念１乃至４のいずれか一つによる半導体装置の製造方法において、
　前記第一金属は金であり、前記第二金属はプラチナであってもよい。
［概念６］
　本発明の概念１乃至５のいずれか一つによる半導体装置の製造方法において、
　前記ガラス材料は、ＳｉＯ２の含有量が４９．５ｍｏｌ％～６４．３ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が３．７ｍｏｌ％～１４．８ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ｂ２Ｏ３の含有量が８．４ｍｏｌ％～１７．９ｍｏｌ％の範囲内にあり、ＺｎＯの含有量が３．９ｍｏｌ％～１４．２ｍｏｌ％の範囲内にあり、アルカリ土類金属の酸化物の含有量が７．４ｍｏｌ％～１２．９ｍｏｌ％の範囲内にあり、
　前記第一時間は１時間～３時間であり、
　前記第一加熱温度は１３５０℃以上１７００℃以下であってもよい。
［概念７］
　本発明による半導体装置は、
　半導体層と、
　前記半導体層に設けられたガラス膜と、
　を備え、
　前記半導体層が分散した金を含み、
　前記半導体層は、前記ガラス膜から拡散された金によってライフタイムコントロールされてもよい。
　本発明によれば、工程数を増やすことなく、ｔｒｒをμｓの単位でコントロールすることができる半導体装置の製造方法と、このような製造方法によって製造された半導体装置を提供できる。
図１は、本発明の第１の実施の形態で用いられうる半導体装置の断面図である。 図２は、本発明の第１の実施の形態で用いられうる半導体装置の製造工程の過程を示した断面図である。 図３は、図２から工程が進んだ半導体装置の製造工程の過程を示した断面図である。 図４は、図３から工程が進んだ半導体装置の製造工程の過程を示した断面図である。 図５は、図４から工程が進んだ半導体装置の製造工程の過程を示した断面図である。 図６は、本発明の各実施の形態で用いられうる金属容器と金属含有ガラス組成を示した断面図である。 図７は、加熱時間及び加熱温度とｔｒｒとの関係をグラフで示した図である。
第１の実施の形態
　本実施の形態の半導体装置は、ダイオード、サイリスタ等のＰＮ接合を有する装置である。半導体装置は、例えば図１に示すように、第一導電型からなる第一導電型半導体基板１１と、第一導電型半導体基板１１に設けられ、第一導電型半導体基板１１よりも第一導電型の不純物濃度が薄い第一導電型からなる第一導電型半導体層１２と、第一導電型半導体層１２に設けられる第二導電型半導体層１３と、を有してもよい。第一導電型は例えばｎ型であり、第二導電型は例えばｐ型である。但し、これに限られることはなく、第一導電型がｐ型であり、第二導電型がｎ型であってもよい。
　第一導電型半導体基板１１としてはシリコン基板、炭化珪素基板、窒化ガリウム基板等を用いることができ、その不純物濃度は例えば１×１０１９ｃｍ－３～１×１０２０ｃｍ－３である。第一導電型半導体層１２は第一導電型半導体基板１１に例えばエピタキシャル成長させることで形成され、第一導電型半導体層１２における不純物濃度は例えば５×１０１５ｃｍ－３～１×１０１７ｃｍ－３である。第一導電型半導体基板１１の厚みは例えば１８０μｍであり、第一導電型半導体層１２の厚みは例えば５０μｍである。第二導電型半導体層１３は第一導電型半導体層１２に例えばｐ型不純物（例えばボロン）を注入することにより形成することができ、第二導電型半導体層１３における不純物濃度は例えば１×１０１６ｃｍ－３～１×１０１９ｃｍ－３であり、厚みは例えば８μｍである。
　第二導電型半導体層１３のおもて面に第一電極２０が設けられ、第一導電型半導体基板１１の裏面に第二電極３０が設けられてもよい。第一電極２０は例えばアノード電極であり、第二電極３０は例えばカソード電極であってもよい。第一電極２０は、例えば、アルミニウム・シリサイド膜２１と、ニッケル・シリサイド膜２２と、Ｎｉ（ニッケル）－Ｐ膜２３とを有してもよい。第二電極３０は、シリサイド化された膜を有するニッケル膜を有してもよい。
　第一電極２０の周りにパッシベーション膜としてのガラス膜５０が設けられてもよい。このような半導体装置は以下のようにして製造されてもよい。
　第一導電型からなる第一導電型半導体基板１１と、第一導電型半導体基板１１に設けられ、第一導電型半導体基板１１よりも第一導電型の不純物濃度が薄い第一導電型からなる第一導電型半導体層１２と、第一導電型半導体層１２に設けられる第二導電型半導体層１３と、を有する基板を準備する（図２参照）。
　次に、第二導電型半導体層１３にＳｉＯ２等からなる絶縁膜６１を形成する（図２参照）。また、第一導電型半導体基板１１の裏面に、ＳｉＯ２等からなる絶縁膜６２を形成する（図２参照）。
　次に、図３に示すように、形成された絶縁膜６１をマスクとして使用して、エッチングを行い、メサ溝６５を形成する。本実施の形態のエッチングとしては、ドライエッチング又はウェットエッチング等を用いることができる。
　次に、図４に示すように、形成されたメサ溝６５および絶縁膜６１を覆うように、ガラス膜５０による保護膜（パッシベーション膜）を形成する。
　次に、図５に示すように、形成された絶縁膜６１及びガラス膜５０に、エッチングにより開口部７０を形成する。
　そして、おもて面側の開口部に第一電極２０を形成し、裏面側に第二電極３０を形成する（図１参照）。
　次に、本実施の形態で用いられ得るガラス膜５０の製造方法の一例について説明する。
　本実施の形態によるガラス膜５０を製造する際には、第一金属及び第二金属を含む金属容器１００（図６参照）内にガラスを作るための原料であるガラス材料を投入する（ガラス材料投入工程）。金属容器１００は例えば金属製るつぼである。第一金属は金（Ａｕ）であり、第二金属はプラチナ（Ｐｔ）であってもよい。金属容器１００のうち、第一金属は３重量％～１０重量％で含まれ、第二金属は９０重量％～９７重量％で含まれてもよい。第一金属としては、金以外であればロジウム（Ｒｈ）を用いてもよい。金属容器１００は、第一金属及び第二金属以外の金属を含有してもよく、第一金属、第二金属及び第三金属の三成分の合金からなってもよいし、四成分以上の合金からなってもよい。
　ガラス材料は、例えば、ＳｉＯ２の含有量が４９．５ｍｏｌ％～６４．３ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が３．７ｍｏｌ％～１４．８ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ｂ２Ｏ３の含有量が８．４ｍｏｌ％～１７．９ｍｏｌ％の範囲内にあり、ＺｎＯの含有量が３．９ｍｏｌ％～１４．２ｍｏｌ％の範囲内にあり、アルカリ土類金属の酸化物の含有量が７．４ｍｏｌ％～１２．９ｍｏｌ％の範囲内にある。
　次に、第一時間の間、第一加熱温度でガラス材料を金属容器１００内で溶融する（溶融工程）。このようにガラス材料を金属容器１００内で溶融することで、ガラス組成内に第一金属、第二金属又は第一金属及び第二金属の両方を含有する金属含有ガラス組成１１０を生成する。第一加熱温度は、第一金属の融点よりも高く、かつ第二金属の融点よりも低くてもよい。第一時間は例えば１時間～３時間であり、第一加熱温度は例えば１３５０℃以上１７００℃以下であってもよい。なお、金の融点は１０６４℃であり、プラチナの融点は１７６８℃である。
　以上のようにして準備された金属含有ガラス組成１１０を前述した第二導電型半導体層１３のような半導体層に設けることで、ガラス膜５０が形成される（ガラス膜形成工程）。より具体的には溶融した金属含有ガラス組成１１０を冷却した後で数μｍの粒径に粉砕し、粉砕した金属含有ガラス組成１１０を第一導電型半導体基板１１、第一導電型半導体層１２、第二導電型半導体層１３等の半導体層に設けた後で、当該金属含有ガラス組成１１０を溶融する（図４参照）。図４では、第一導電型半導体基板１１までメサ溝６５が設けられている態様を示しているが、あくまでも一例であり、第一導電型半導体基板１１及び第一導電型半導体層１２にメサ溝６５が設けられ、第一導電型半導体基板１１にはメサ溝６５が設けられない態様を採用してもよい。
　本実施の形態のガラス膜５０は第一金属等の金属を含有している。このため、このようなガラス膜５０を設けることで、ｔｒｒ制御に影響する第一導電型半導体層１２のような半導体層内にごく微量の第一金属等の金属を分散させることができる。この結果、本願の発明者らが確認したところによると、半導体層におけるｔｒｒ（逆回復時間）を５μｓ以上１５μｓ以下とすることができ、ライフタイムコントロールすることができる。なお、好ましくはｔｒｒが５μｓ以上１１μｓ以下であり、より好ましくはｔｒｒが５μｓ以上８μｓ以下である。ちなみに、従来のように重金属を添加する態様では、本実施の形態と比較すると大量に重金属が添加されることから、μｓ単位でｔｒｒをコントロールすることはできない。
　実験結果を図７で示す。当該実験では、比抵抗ρ=３０Ωｃｍのウェハを用いた。図７で示されるように、金属容器１００として純粋なＰｔを用いた場合にはｔｒｒは２２μｓ程であっが、プラチナに金が含まれたＰｔ－Ａｕるつぼ（Ａｕの含有量は５重量％）を用いた場合にはｔｒｒを下げることができた。具体的には、図７に示すように、Ｐｔ－Ａｕるつぼ内において１３５０℃で５時間の間ガラス材料を溶融させた後、当該ガラス組成物（金属含有ガラス組成１１０）を半導体層に設けたところ、当該半導体層におけるｔｒｒは１５μｓ程になった。Ｐｔ－Ａｕるつぼ内において１４５０℃で１時間の間ガラス材料を溶融させた後、当該ガラス組成物（金属含有ガラス組成１１０）を前述した半導体層に設けたところ、当該半導体層におけるｔｒｒは１４μｓ程になった。Ｐｔ－Ａｕるつぼ内において１４５０℃で２時間の間ガラス材料を溶融させた後、当該ガラス組成（金属含有ガラス組成１１０）を前述した半導体層に設けたところ、当該半導体層におけるｔｒｒは１１μｓ程になった。Ｐｔ－Ａｕるつぼ内において１５６０℃で１時間の間ガラス材料を溶融させた後、当該ガラス組成物（金属含有ガラス組成１１０）を前述した半導体層に設けたところ、当該半導体層におけるｔｒｒは８μｓ程になった。Ｐｔ－Ａｕるつぼ内において１５６０℃で２時間の間ガラス材料を溶融させた後、当該ガラス組成物（金属含有ガラス組成１１０）を前述した半導体層に設けたところ、当該半導体層におけるｔｒｒは８μｓ程になった。なお、発明者らが確認したところ、金はガラス組成物に溶け込みやすい性質を有していると考えられることから、第一金属としてロジウム（Ｒｈ）よりも金（Ａｕ）を用いる方がｔｒｒを容易に制御できる点で有益である。
《効果》
　次に、本実施の形態による効果の一例について説明する。なお、「効果」で説明するあらゆる態様を採用することができる。
　従前からるつぼ等の容器内でガラスを溶融させることが行われている。本実施の形態では、従前から利用されている工程に準じてガラスを溶融させるだけであることから、重金属を添加したり電子線照射を行ったりする態様とは異なって工程数を増やすことなく、ｔｒｒをコントロールすることができる。また、本実施の形態によればｔｒｒをμｓの単位でコントロールすることができる。これらのことから、チップ等の半導体装置の製造コストが上がることを防止しつつｔｒｒをμｓの単位でコントロールすることができる。
　ｔｒｒをμｓの単位でコントロールする方法としては、より具体的には、温度及び時間を調整することで図７に示すように半導体層におけるｔｒｒを調整することができる。このため、半導体装置毎において必要とされるｔｒｒに応じて温度及び時間を調整するだけでよく、極めて簡易な手法でｔｒｒを調整できる。なお、図７に示されているように、時間よりは温度を調整することでより効果的にｔｒｒをコントロールすることができる。特に１４００℃以上で加熱することが好ましく、１５００℃以上で加熱することがより好ましく、１５５０℃以上で加熱することがさらにより好ましい。
　なお、近年、エアコンのＰＦＣ（Power Factor Correction）部においては部分スイッチ方式（簡易ＰＡＭ）が大部分を占めてきている。簡易ＰＡＭの動作モードでブリッジダイオードを部分スイッチとして使用する用途が増えており、ブリッジダイオードのｔｒｒ特性改善が求められている。また、ＩＧＢＴのように一定程度のスイッチング速度でよいが順方向ロスは大きくしたくない半導体装置では、μｓの単位でのｔｒｒのコントロールが必要となることがある。この点、本実施の形態によれば、追加工程を行うことなく、その結果としてコストを抑えつつ、μｓの単位でｔｒｒ特性を改善できる点で有益である。
　従来の重金属拡散を用いる場合には、ｔｒｒをｎｓの単位でコントロールすることができるものの、μｓの単位でコントロールすることは難しい。電子線照射を用いればｔｒｒをμｓの単位でコントロールすることができるものの、高額な機械の導入が必要になる。この点、本実施の形態によれば、高額な機械を導入することなくμｓの単位でコントロールすることができる点でも有益である。
　第一加熱温度を第一金属の融点よりも高くすることで第一金属、第二金属又は第一金属及び第二金属の両方をガラス組成内に含有させることができる。なお、金属容器１００において第一金属と第二金属とが合金となっている場合には、第一金属の融点より高い温度に加熱しても第一金属がすぐに溶融するわけではない。このことは図７において、温度を上げることでｔｒｒが下がることによっても裏付けられている。つまり、前述したように、金の融点は１０６４℃であるが、温度を１３５０℃→１４５０℃→１５６０℃と上げていることで、ｔｒｒが変化しておりガラス材料に含有される金属の量が変化しており、１０６４℃よりも高い温度に加熱することで金がすぐに溶融してガラス組成内に含有されていないことが裏付けられている。
　また、金属容器１００においては合金の比率も重要である。例えば金である第一金属が３重量％～１０重量％で含まれ、例えばプラチナである第二金属が９０重量％～９７重量％で含まれる態様であれば、効果的にｔｒｒを調整することができる。第一金属の量が３重量％よりも少ないとガラス組成内に金属を含有させることが困難となり、ｔｒｒを調整しづらいことがある。他方、第一金属の量が１０重量％よりも多いと加熱温度を高くした際に金属容器１００としての強度が弱くなることもある。
第２の実施の形態
　次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
　第１の実施の形態では、第一金属及び第二金属を含む金属容器１００を用いた態様であった。本実施の形態では、第二金属を含む金属容器１００内に第一金属及びガラス材料を投入する態様を用いて説明する。その他については、第１の実施の形態と同様であり、第１の実施の形態で採用したあらゆる構成を第２の実施の形態でも採用することができる。
　本実施の形態で用いられ得るガラス膜５０の製造方法の一例について説明する。
　第二金属（典型的にはプラチナ）からなる金属容器１００に、第一金属（典型的には金）とガラス材料とを投入する。
　次に、第一時間の間、第一加熱温度でガラス材料を金属容器１００内で溶融する（溶融工程）。このようにガラス材料を金属容器１００内で溶融することで、第一金属を含有する金属含有ガラス組成１１０を生成する。第一加熱温度は、第一金属の融点よりも高く、かつ第二金属の融点よりも低くてもよい。第一時間は例えば１時間～３時間であり、第一加熱温度は例えば１３５０℃以上１７００℃以下であってもよい。
　以上のようにして準備された金属含有ガラス組成１１０を前述した第二導電型半導体層１３のような半導体層に設けることで、ガラス膜５０が形成される（ガラス膜形成工程）。このように本実施の形態のガラス膜５０は第一金属等の金属を混入している。このため、このようなガラス膜５０を設けることで、ｔｒｒ制御に影響する第一導電型半導体層１２のような半導体層内に第一金属を分散させることができる。
　以上の次第ではあるが、本願の発明者らが確認したところ、第一金属を第二金属からなる金属容器１００の中に入れた場合には、金属容器１００が溶け出したり孔があいてしまったりすることがあった。このように金属容器１００に孔があいてしまうとガラス材料が流れ出てしまうことから量産には不向きである。特にＰｔは反応性が高いことから、このように溶け出したり孔があいてしまったりしやすい。また、第二金属がＰｔである場合には非常に高価な金属容器１００となるが、このような金属容器１００に孔があいてしまうことはコスト的にも許容され難いものである。したがって、この観点からすると第１の実施の形態の方が第２の実施の形態よりも有益である。
第３の実施の形態
　次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。
　本実施の形態では、第一金属及び第二金属を含む金属容器１００内に第一金属及びガラス材料を投入する態様を用いて説明する。その他については、第１の実施の形態と同様であり、第１の実施の形態で採用したあらゆる構成を第３の実施の形態でも採用することができる。
　本実施の形態で用いられ得るガラス膜５０の製造方法の一例について説明する。
　第一金属（典型的には金）及び第二金属（典型的にはプラチナ）からなる金属容器１００に、第一金属（典型的には金）とガラス材料とを投入する。
　次に、第一時間の間、第一加熱温度でガラス材料を金属容器１００内で溶融する（溶融工程）。このようにガラス材料を金属容器１００内で溶融することで、第一金属、第二金属又は第一金属及び第二金属の両方を含有する金属含有ガラス組成１１０を生成する。第一加熱温度は、第一金属の融点よりも高く、かつ第二金属の融点よりも低くてもよい。第一時間は例えば１時間～３時間であり、第一加熱温度は例えば１３５０℃以上１７００℃以下であってもよい。
　以上のようにして準備された金属含有ガラス組成１１０を前述した第二導電型半導体層１３のような半導体層に設けることで、ガラス膜５０が形成される（ガラス膜形成工程）。このように本実施の形態のガラス膜５０は第一金属等の金属を混入している。このため、このようなガラス膜５０を設けることで、ｔｒｒ制御に影響する第一導電型半導体層１２のような半導体層内に第一金属等の金属を分散させることができる。
　第一金属がガラス材料内に含有されるということは金属容器１００から第一金属が徐々に無くなっていっていることを意味している。本実施の形態では、このように少なくなった第一金属を補充する意味があり、例えば、所定回数以上使った金属容器１００を用いてガラス材料を溶融させる場合に採用してもよい。他方、第２の実施の形態で説明したように第一金属を金属容器１００内に入れると金属容器１００に孔があいてしまうことがあることから、金属容器１００内に加えられる第一金属の量は極めて少量である。
　上述した各実施の形態の記載及び図面の開示は、請求の範囲に記載された発明を説明するための一例に過ぎず、上述した実施の形態の記載又は図面の開示によって請求の範囲に記載された発明が限定されることはない。また、出願当初の請求項の記載はあくまでも一例であり、明細書、図面等の記載に基づき、請求項の記載を適宜変更することもできる。
１００　　　　金属容器
１１０　　　　金属含有ガラス組成

Claims (7)

  1. 　第一金属及び第二金属を含む金属容器内にガラス材料を投入する、又は第二金属を含む金属容器内に第一金属及びガラス材料を投入する工程と、
    　第一時間の間、第一加熱温度で前記ガラス材料を前記金属容器内で溶融することで、前記第一金属又は前記第二金属を含有する金属含有ガラス組成を生成する工程と、
    　前記金属含有ガラス組成を半導体層に設ける工程と、
    　を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 　第一時間の間、第一加熱温度で前記ガラス材料を前記金属容器内で溶融することで、前記金属含有ガラス組成内に前記第一金属及び前記第二金属を含有させることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 　前記第一加熱温度は、前記第一金属の融点よりも高く、かつ前記第二金属の融点よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 　前記金属容器は前記第一金属及び前記第二金属を含み、
    　前記金属容器のうち、前記第一金属は３重量％～１０重量％で含まれ、前記第二金属は９０重量％～９７重量％で含まれることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 　前記第一金属は金であり、前記第二金属はプラチナであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  6. 　前記ガラス材料は、ＳｉＯ２の含有量が４９．５ｍｏｌ％～６４．３ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が３．７ｍｏｌ％～１４．８ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ｂ２Ｏ３の含有量が８．４ｍｏｌ％～１７．９ｍｏｌ％の範囲内にあり、ＺｎＯの含有量が３．９ｍｏｌ％～１４．２ｍｏｌ％の範囲内にあり、アルカリ土類金属の酸化物の含有量が７．４ｍｏｌ％～１２．９ｍｏｌ％の範囲内にあり、
    　前記第一時間は１時間～３時間であり、
    　前記第一加熱温度は１３５０℃以上１７００℃以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  7. 　半導体層と、
    　前記半導体層に設けられたガラス膜と、
    　を備え、
    　前記半導体層は分散した金を含み、
    　前記半導体層は、前記ガラス膜から拡散された金によってライフタイムコントロールされることを特徴とする半導体装置。
     
PCT/JP2018/022158 2018-06-11 2018-06-11 半導体装置の製造方法及び半導体装置 Ceased WO2019239448A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201880010959.XA CN112204716B (zh) 2018-06-11 2018-06-11 半导体装置的制造方法以及半导体装置
PCT/JP2018/022158 WO2019239448A1 (ja) 2018-06-11 2018-06-11 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2019537417A JP6764034B2 (ja) 2018-06-11 2018-06-11 半導体装置の製造方法及び半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/022158 WO2019239448A1 (ja) 2018-06-11 2018-06-11 半導体装置の製造方法及び半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019239448A1 true WO2019239448A1 (ja) 2019-12-19

Family

ID=68842526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/022158 Ceased WO2019239448A1 (ja) 2018-06-11 2018-06-11 半導体装置の製造方法及び半導体装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6764034B2 (ja)
CN (1) CN112204716B (ja)
WO (1) WO2019239448A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4965181A (ja) * 1972-10-25 1974-06-24
JPS53148986A (en) * 1977-05-31 1978-12-26 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of semiconductor device
JPS5526669A (en) * 1978-08-15 1980-02-26 Nec Corp Manufacturing semiconductor device
JP2002047095A (ja) * 2000-07-31 2002-02-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd Ｇａドープシリコン単結晶の製造方法およびＧａドープシリコン単結晶、並びにこれから作製されたシリコン単結晶太陽電池
JP2014187143A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体素子形成用基板、その製造方法、メサ型半導体素子及びその製造方法
WO2018096642A1 (ja) * 2016-11-25 2018-05-31 新電元工業株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53121464A (en) * 1977-03-31 1978-10-23 Hitachi Ltd Glass constituent for semiconductor element surface stabilization
JPS5473815A (en) * 1977-11-24 1979-06-13 Hitachi Ltd Glass composition for stabilizing semiconductor element surface
JPS56114364A (en) * 1980-02-13 1981-09-08 Nippon Electric Glass Co Ltd Composite for covering semiconductor device
JPS59123238A (ja) * 1982-12-28 1984-07-17 Fuji Electric Co Ltd ガラスパシベ−シヨン膜形成法
JPS61150222A (ja) * 1984-12-24 1986-07-08 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体被覆用ガラス
CN102789970A (zh) * 2012-08-28 2012-11-21 南通明芯微电子有限公司 一种快恢复二极管芯片的制备方法
EP2983197B1 (en) * 2013-03-29 2018-01-31 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Glass composition for protecting semiconductor junction, method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4965181A (ja) * 1972-10-25 1974-06-24
JPS53148986A (en) * 1977-05-31 1978-12-26 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of semiconductor device
JPS5526669A (en) * 1978-08-15 1980-02-26 Nec Corp Manufacturing semiconductor device
JP2002047095A (ja) * 2000-07-31 2002-02-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd Ｇａドープシリコン単結晶の製造方法およびＧａドープシリコン単結晶、並びにこれから作製されたシリコン単結晶太陽電池
JP2014187143A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体素子形成用基板、その製造方法、メサ型半導体素子及びその製造方法
WO2018096642A1 (ja) * 2016-11-25 2018-05-31 新電元工業株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112204716B (zh) 2025-03-11
JP6764034B2 (ja) 2020-09-30
CN112204716A (zh) 2021-01-08
JPWO2019239448A1 (ja) 2020-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5631497B1 (ja) 半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置
CN104025303B (zh) 使用硅纳米颗粒制造太阳能电池的激光接触工艺、激光系统和太阳能电池结构
CN115602355B (zh) 导电浆料及其制备的太阳能电池
US9941112B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device
JP3820424B2 (ja) 不純物イオン注入層の活性化法
JP5340511B1 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
TW201210052A (en) Back junction solar cell with selective front surface field
WO2013168521A1 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
KR101851884B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 유리 피막 형성 장치
TW201643943A (zh) 鑽石型半導體系統及方法
WO2013168623A1 (ja) 半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置
CN106611797A (zh) 一种具有局域金属寿命控制的功率器件及其制作方法
JP6764034B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
CN103943495A (zh) 金属与n型硅肖特基接触势垒高度的调节方法
TWI720544B (zh) 半導體裝置的製造方法
CN104637803B (zh) 改善igbt背面金属化的工艺方法
CN110061052A (zh) 高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片和制造方法
JP5848821B2 (ja) 半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法、半導体装置及び半導体接合保護用ガラス組成物の製造方法
JP2020102547A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2725790B2 (ja) 半導体装置の製造方法
WO2025115789A1 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP5655139B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP5303008B2 (ja) 半導体素子及び半導体素子の製造方法
JPWO2013168521A1 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPS5994415A (ja) 半導体装置の製法

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019537417

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18922205

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18922205

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 201880010959.X

Country of ref document: CN