WO2019235752A1 - 면발광 마이크로 엘이디 모듈 - Google Patents

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WO2019235752A1
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micro led
led module
light
reflector
led chips
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유태경
서주옥
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주식회사 루멘스
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    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • the present invention relates to a surface emitting micro LED module, and is directed to a surface emitting micro LED module which is manufactured by arranging a small number of LED chips, which can be used for a small backlight unit, a surface emitting device, or a flexible lighting device.
  • LED is a semiconductor device capable of realizing light of various wavelengths using PN junction, and has long life, miniaturization, light weight, and low voltage driving.
  • the LED is strong against shock and vibration and does not require complicated driving, and can be mounted and packaged on a mount board or lead frame in various forms so that it can be modularized and applied to a lighting device or a back light unit of a display. have.
  • LED chips are arranged on the mount substrate in a high density so that uniform light is emitted to the entire light emitting surface, or a method of increasing the light reflection angle by using a TIR lens has been used.
  • the size of at least one surface of the LED chip is 100 micrometers or less, it is difficult to implement a lens on the upper surface of the LED chip, causing a cost increase due to an increase in the process.
  • An object of the present invention is to provide a surface emitting micro LED module, in which LED chips are arranged at a low density to significantly reduce the number of micro LED chips and output uniform light to the light emitting surface.
  • a surface light emitting micro LED module comprising: a mount substrate on which a conductive pattern is formed; A plurality of micro LED chips electrically connected to the conductive pattern; And a wavelength conversion layer for wavelength converting light emitted from the plurality of micro LED chips, wherein each of the plurality of micro LED chips comprises an insulating substrate, a first conductive semiconductor layer formed under the insulating substrate, and a second conductive layer.
  • An upper reflector is formed on the substrate, and the light emitted from the active layer is reflected by the lower reflector and wavelength-converted through the wavelength converting layer, or is reflected by the upper reflector and wavelength-converted by the wavelength converting layer.
  • the upper reflector may be electrically separated by electrode pads provided on the plurality of micro LED chips and the insulating substrate.
  • the wavelength conversion layer covers side surfaces of the plurality of micro LED chips and an upper surface of the insulating substrate.
  • the upper region of the insulating substrate includes a light reflecting region corresponding to the upper reflecting portion, and a light emitting region.
  • the light emission region is the wavelength conversion layer is formed.
  • the upper reflector reflects some light and transmits the remaining light.
  • the upper reflector has a light reflectance of 70 ⁇ 90%.
  • the upper reflector and the lower reflector may be a metal reflector, a non-conductive DBR, or a conductive DBR.
  • a diffusion member disposed on the upper layer of the plurality of micro LED chips.
  • the surface emitting micro LED module further includes a translucent underfill formed between side surfaces of the plurality of micro LED chips between the diffusion member and the mount substrate.
  • the mount substrate further includes a mount reflector having a light reflectance higher than the light reflectance of the upper reflector.
  • each of the LED chips may be a flip chip type LED chip having a first conductive electrode pad and a second conductive electrode pad only on a bottom surface thereof.
  • a light emitting micro AD module includes: a mount substrate on which a conductive pattern is formed; A plurality of micro LED chips electrically connected to the conductive pattern; And a diffusion member disposed above the plurality of micro LED chips. And a wavelength conversion layer for wavelength converting light emitted from the plurality of micro LED chips, wherein each of the plurality of micro LED chips comprises an insulating substrate, a first conductive semiconductor layer and a second conductive semiconductor formed on the insulating substrate.
  • An upper reflector is formed below, and the upper reflector reflects light generated in the active layer of each of the LED chips to the lower reflector, and is emitted through the side surface of each of the LED chips after reflection by the lower reflector.
  • the upper reflector is electrically separated from electrode pads provided in the plurality of micro LED chips.
  • the surface emitting micro LED module further includes a translucent underfill formed between side surfaces of the plurality of micro LED chips between the diffusion member and the mount substrate.
  • the wavelength conversion layer is formed under the diffusion member in the same area as the diffusion member, and an upper reflector is formed on the bottom surface of the wavelength conversion layer to correspond to each of the plurality of micro LED chips.
  • At least one of the upper surface and the bottom surface of the diffusion member is formed irregular or irregular irregularities for light scattering.
  • the upper reflector reflects some light and transmits the remaining light.
  • each of the LED chips may be a flip chip type LED chip having a first conductive electrode pad and a second conductive electrode pad only on a bottom surface thereof.
  • the upper reflector and the lower reflector may be a metal reflector, a non-conductive DBR, or a conductive DBR.
  • uniform light can be output to the light emitting surface side while significantly reducing the LED chips used in manufacturing the surface emitting LED module of the same size, thereby reducing costs. It has the effect of efficiently implementing a direct type backlight unit or a flexible surface lighting device.
  • FIG. 1 is a view for explaining a surface emitting micro LED module according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is an enlarged view of the surface emitting micro LED module shown in FIG. 1;
  • FIG. 3 is a view for explaining a surface light emitting micro LED module according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a view for explaining a surface light emitting micro LED module according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a view for explaining a surface emitting micro LED module according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a view for explaining a surface light emitting micro LED module according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a view for explaining a surface light emitting micro LED module according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a view for explaining a surface light emitting micro LED module according to a seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 and 2 are diagrams for describing a surface emitting micro LED module according to a first embodiment of the present invention.
  • the surface emitting micro LED module according to the first embodiment of the present invention may be, for example, a printed circuit board (PCB), a flexible printed circuit board (FPCB), a transparent circuit board, or the like.
  • PCB printed circuit board
  • FPCB flexible printed circuit board
  • a wavelength conversion layer 510 formed to cover a portion of an upper surface of each of the LED chips 200 and a side surface of each of the LED chips 200.
  • each of the LED chips 200 emits blue light
  • the wavelength conversion layer 510 includes a phosphor for wavelength converting light emitted from the LED chip 200.
  • White light may be generated by mixing blue light generated in the LED chip 200 and light converted by the wavelength conversion layer 510.
  • the LED chip 200 is a flip chip type LED chip having a first conductivity type electrode pad 202 and a second conductivity type electrode pad 203 only on a bottom surface of a flip chip type, for example, by the first via V1.
  • the first first conductive semiconductor layer 210 connected to the first conductive electrode pad 202 and the second second conductive electrode pad 203 connected to the second conductive electrode pad 203 by a second via V2, for example.
  • An active layer 220 interposed between the conductive semiconductor layer 230 and the first conductive semiconductor layer 210 and the second conductive semiconductor layer 230 to generate light when electrons and holes are coupled to each other. Include.
  • the first via V1 is connected to the first conductive semiconductor layer 210 with one end of the active layer 220, the second conductive semiconductor layer 230, and the lower reflector 201. After penetrating sequentially, it is connected to the first conductive electrode pad 202.
  • the lower reflector 201 may be a metal reflector formed using a high reflectivity metal such as Al, Ag, Au, a non-conductive distributed bragg reflector (DBR), or a conductive bragg reflector (DBR).
  • the second via V2 is connected to the second conductive electrode pad 203 after passing through the lower reflector 201 while one end thereof is connected to the second conductive semiconductor layer 230.
  • the mesa structure exposes both the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer downward and directly directs the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer.
  • the conductive electrode pad and the second conductive electrode pad may be connected.
  • the LED chip 200 includes an insulating sapphire substrate 240 on which a growth substrate for growing the first conductive semiconductor layer, the active layer, and the second conductive semiconductor layer is formed thereon.
  • the surface emitting micro LED module reflects a portion of light generated in the active layer of the LED chip 100 to the upper side and is sent to the bottom reflector 201 of the bottom surface of each of the LED chips 100.
  • 400 further includes.
  • the upper reflector 400 is formed on the upper surface of the sapphire substrate 240 described above.
  • the upper reflector 400 may be a metal reflector formed using a high reflectivity metal such as Al, Ag, Au, a non-conductive distributed bragg reflector (DBR), or a conductive bragg reflector (DBR).
  • the upper reflector 400 is positioned in a portion of the upper portion of the insulating sapphire substrate 240, and the upper reflector 400 and the wavelength conversion layer 510 occupy an upper surface of the insulating sapphire substrate 240.
  • An area ratio of the upper reflector 400 is preferably a high area ratio.
  • the selection of the center portion or the edge portion of the insulating sapphire substrate 240 of the upper reflective portion 400 may vary depending on the light pattern.
  • the reflectance of the upper reflector 400 may be 100%, and preferably, the upper reflector 400 may be configured to reflect 70 to 90% of light and transmit 10 to 30% of light. Do.
  • the upper reflector 400 is formed on the upper surface of the insulating sapphire substrate 240 opposite to the bottom of the LED chip 200 where the first and second conductive electrode pads 202 and 203 are present.
  • the first and second conductive electrode pads 202 and 203 are electrically separated from each other.
  • the wavelength conversion layer 510 is formed to cover the side surfaces of the LED chip 100 and the top surface of the insulating substrate 240 of the LED chip 100, the top surface of the LED chip 100 It is not formed in most areas, especially the area including the center.
  • the upper reflector 400 is formed in an area without the wavelength conversion layer 510. Accordingly, the upper region of the LED chip 100 includes a light reflecting region facing the upper reflecting unit 400, and a light emitting region allowing light emission around the light reflecting region. In the emission allowance region, only the wavelength conversion layer 510 described above is present without the upper reflector 400.
  • the light reaching the upper reflecting unit 400 among the light exiting from the LED chip 100 and traveling upward is provided on the bottom surface of the LED chip 100 after being reflected by the upper reflecting unit 400.
  • the light emitting device 300 is discharged in a direction far from a direction immediately above the LED chip 100 via the diffusion member 300.
  • the light that has been conventionally concentrated and emitted to the area directly above the LED chip 100 may be spread and emitted, thereby obtaining a uniform light distribution on the diffusion member 300.
  • At least one of the top and bottom surfaces of the diffusion member 300 is preferably formed with a irregular or irregular pattern 301 for scattering light to spread more widely.
  • the surface emitting micro LED module transmits 95% or more of the light emitted from the LED chip 200, and the LED chip 200 is disposed between the diffusion member 300 and the mount substrate 100. It further comprises a translucent underfill 600 formed in contact with the sides of the).
  • the translucent underfill 600 has a function of protecting the surfaces of the LED chips 200 and the mounting substrate 100 from an external environment, and has a higher refractive index than air, and further, the light exit portion side of the LED chip 200. By having a refractive index similar to the refractive index, it is possible to greatly reduce the light loss due to total internal reflection at the light emitting portion of the LED chip 200.
  • the mount substrate 100 may include, for example, a reflective layer 101 such as white PR, and the reflective layer 101 preferably forms a mount reflector having a light reflectance of 80%.
  • the amount of light emitted through each side of each of the LED chips 200 by the interaction between the lower reflector 201 and the upper reflector 400 is determined.
  • the number of LED chips per unit area of the mount substrate 100, that is, the density may be reduced, and surface light with a uniform distribution may be obtained on the diffusion member 300 while lowering the density.
  • FIG 3 is a view for explaining a surface light emitting micro LED module according to a second embodiment of the present invention.
  • the surface-emitting micro LED module according to the second embodiment of the present invention like the previous embodiment, includes a plurality of array substrates 100 and arrays arranged in a matrix arrangement on the mount substrate 100. LED chips 200 and a diffusion member 300 on a plate or sheet disposed above the LED chips 200.
  • the LED module according to the second embodiment of the present invention instead of the wavelength conversion layer of the first embodiment formed to cover a portion of the upper surface of each of the LED chip 200 and the side of each of the LED chip 200
  • the wavelength conversion sheet 520 has the same area as the diffusion member 300 and is laminated on the bottom surface of the diffusion member 300.
  • a phosphor for wavelength converting light emitted from the LED chip 200 is distributed.
  • An upper reflector 400 is formed on an upper surface of each of the LED chips 200, and the upper reflector 400 faces the wavelength conversion sheet 520 disposed above the LED chip 200.
  • one wavelength conversion sheet 520 may cover several LED chips 200.
  • the rest of the configuration is the same as or similar to the previous embodiment, so a detailed description thereof will be omitted.
  • FIG. 4 is a view for explaining a surface light emitting micro LED module according to a third embodiment of the present invention.
  • the surface-emitting micro LED module according to the third embodiment of the present invention like the previous embodiments, includes a plurality of array substrates arranged in a matrix arrangement on the mount substrate 100 and the mount substrate 100. LED chips 200 and a diffusion member 300 on a plate or sheet disposed above the LED chips 200.
  • the LED module according to the third embodiment of the present invention unlike the previous embodiments, the upper reflector 400 is integrally formed on the bottom surface of the diffusion member 300, not the top surface of the LED chip 200 It is.
  • Each of the upper reflection parts 400 formed on the bottom surface of the diffusion member 300 corresponds to the LED chip 200 positioned directly under the diffusion member 300.
  • the upper reflector 400 is configured to transmit some light and / or the area of the upper reflector 400 is smaller than the upper surface area of the LED chip 200, so that the periphery of the upper reflector 400 is increased. As a result, light emitted from the upper surface of the LED chip 200 may be emitted.
  • the wavelength conversion layer 510 is formed to cover the top and side surfaces of the LED chip 200. Accordingly, the upper reflector 400 is interposed between the wavelength conversion layers 510 and the diffusion member 300.
  • FIG. 5 is a view for explaining a surface light emitting micro LED module according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the surface-emitting micro LED module according to the fourth embodiment of the present invention like the previous embodiments, includes a plurality of array substrates 100 and arrayed in a matrix arrangement on the mount substrate 100. LED chips 200 and a diffusion member 300 on a plate or sheet disposed above the LED chips 200.
  • the wavelength conversion sheet 400 is formed on the bottom surface of the diffusion member 300, the wavelength conversion sheet 400
  • the upper reflectors 400 are formed to be in contact with each other. Each of the upper reflectors 400 is disposed to correspond to each of the LED reflectors 200 disposed below each of the LED chips 200.
  • FIG. 6 is a view for explaining a surface light emitting micro LED module according to a fifth embodiment of the present invention.
  • a plurality of array substrates 100 and a plurality of arrays arranged in a matrix arrangement on the mount substrate 100 are similar to those of the foregoing embodiments.
  • the upper reflector 400 has a larger area than the upper surface area of the LED chip 200 to cover the entire upper surface of the LED chip 200. Among the light emitted from the active layer of the LED chip 200, the light passing through the top surface of the LED chip 200 reaches the upper reflector 400 substantially.
  • the upper reflector 400 Since the upper reflector 400 reflects 70 to 90% of light and transmits 10 to 30% of light, the upper reflector 400 passes through the upper surface of the LED chip 200 and reaches the upper reflector 400. 10 to 30% of the light is emitted upward as it is, only the remaining light is directed to the lower reflector 201 of the bottom of the LED chip 200.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a surface emitting micro LED module according to a sixth embodiment of the present invention.
  • the surface-emitting micro LED module includes a plurality of array substrates arranged in a matrix arrangement on the mount substrate 100 and the mount substrate 100.
  • LED chips 200 and the diffusion member 300 on the plate or sheet disposed above the LED chip 200.
  • Each of the LED chips 200 is a lateral type LED chip including both a first conductive electrode pad 202 and a second conductive electrode pad 230 only on an upper surface thereof.
  • the first conductive electrode pad 202 and the second conductive electrode pad 203 are connected to a bonding wire for electrical connection with the mount substrate.
  • the upper reflector 400 is formed on an upper surface of the LED chip 200 adjacent to the first conductive electrode pad 202 and / or the second conductive electrode pad 203.
  • the remaining components are substantially the same as or similar to the foregoing embodiments, and thus detailed descriptions thereof will be omitted.
  • FIG. 8 is a view for explaining a surface light emitting micro LED module according to a seventh embodiment of the present invention.
  • the surface-emitting micro LED module includes a plurality of array substrates 100 and arrayed in a matrix arrangement on the mount substrate 100.
  • LED chips 200 and the diffusion member 300 on the plate or sheet disposed above the LED chip 200.
  • Each of the LED chips 200 is a vertical LED chip that includes a first conductive electrode pad 202 that functions as a lower reflector on a bottom surface and a second conductive electrode pad 203 on an upper surface thereof.
  • the upper reflector 400 is formed on an upper surface of the LED chip 200 adjacent to the second conductive electrode pad 203.
  • the remaining components are substantially the same as or similar to the foregoing embodiments, and thus detailed descriptions thereof will be omitted.

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Abstract

면발광 마이크로 엘이디 모듈이 개시된다. 이 면발광 마이크로 엘이디 모듈은 도전성 패턴이 형성된 마운트 기판; 상기 도전성 패턴에 전기적으로 연결되는 복수개의 마이크로 엘이디 칩들; 및 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들에서 발광하는 광을 파장 변환하는 파장변환층을 포함하며, 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들 각각은 절연성 기판과, 상기 절연성 기판의 하부에 형성된 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 형성되는 활성층을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층의 하부에는 상기 활성층과 대응하여 하부 반사부가 형성되고, 상기 절연성 기판상에는 상부 반사부가 형성되며, 상기 활성층에서 발광하는 광은 상기 하부 반사부에서 반사되어 상기 파장변환층을 통해 파장 변환되거나, 상기 상부 반사부에 반사되어 상기 파장변환층을 통해 파장 변환된다.

Description

면발광 마이크로 엘이디 모듈
본 발명은 면발광 마이크로 엘이디 모듈에 관한 것으로서, 적은 개수의 엘이디 칩을 배열하여 제작되어, 소형 백라이트 유닛용, 면발광장치용, 또는 플렉시블 조명장치용으로 사용될 수 있는 면발광 마이크로 엘이디 모듈에 관한 것이다.
여러 가지 발광소자들 중 엘이디(Light Emitting Diode, LED)는 PN 접합을 이용하여 다양한 파장대의 광을 구현할 수 있는 반도체 소자로서, 수명이 길고, 소형화, 경량화 및 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 엘이디는 충격과 진동에도 강하고 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 마운트 기판이나 리드 프레임에 실장되고 패키징될 수 있어 모듈화하여 조명장치용으로 또는 디스플레이의 백라이트 유닛(Back Light Unit)용으로 적용되고 있다.
복수 개의 엘이디 칩들을 마운트 기판 상에 실장하여 면조명장치나 백라이트 유닛을 구현함에 있어서, 엘이디 칩이 갖는 좁은 광 지향각 특성으로 인해, 엘이디 칩 직상 영역으로의 광량이 많고 그 주변 영역으로 광량이 적어, 면조명장치 또는 백라이트 유닛의 발광면이 불균일해지는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하여 발광면 전체로 균일한 광이 나올 수 있도록, 엘이디 칩을 마운트 기판 상에 고밀도로 배열하거나, 또는, TIR 렌즈를 활용하여 광 반사각을 높이는 방법을 사용해 왔다.
그러나, 엘이디칩의 적어도 일면의 사이즈가 100㎛이하인 마이크로 LED인 경우, 상기 엘이디칩의 상면에 렌즈를 구현하는 것이 어렵고, 공정의 증가에 의한 원가상승의 원인이 된다.
하지만, 이러한 종래의 방법들에 있어서는 상기 마이크로 LED로 면발광 엘이디 모듈 구현을 위해 과도하게 엘이디 칩들이 사용되어야 하거나, 별도의 TIR 렌즈를 엘이디 칩들에 대응되게 형성하여야 하는 문제점이 있다. 따라서, 이러한 문제점들을 해결할 수 있는 방안이 요구된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 엘이디 칩들을 저밀도로 배열하여 마이크로 엘이디 칩들의 개수를 대폭 줄이면서도 발광면 측으로 균일한 광이 출력될 수 있도록 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명의 일측면에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈은, 도전성 패턴이 형성된 마운트 기판; 상기 도전성 패턴에 전기적으로 연결되는 복수개의 마이크로 엘이디 칩들; 및 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들에서 발광하는 광을 파장 변환하는 파장변환층을 포함하고, 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들 각각은 절연성 기판과, 상기 절연성 기판의 하부에 형성된 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 형성되는 활성층을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층의 하부에는 상기 활성층과 하부 반사부가 형성되고, 상기 절연성 기판상에는 상부 반사부가 형성되며, 상기 활성층에서 발광하는 광은 상기 하부 반사부에서 반사되어 상기 파장변환층을 통해 파장 변환되거나, 상기 상부 반사부에 반사되어 상기 파장변환층을 통해 파장 변환된다.
일 실시예에 따라, 상기 상부 반사부는 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들에 구비된 전극패드들과 상기 절연성 기판에 의해 전기적으로 분리된다.
일 실시예예 따라, 상기 파장변환층은 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들의 측면 및 상기 절연성 기판의 상면을 덮는다.
일 실시예에 따라, 상기 절연성 기판의 상부 영역은 상기 상부 반사부와 대응하는 광 반사 영역과, 광 방출 영역을 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 광 방출 영역은 상기 파장변환층이 형성된다.
일 실시예예 따라, 상기 상부 반사부는 일부 광을 반사시키고, 나머지 광을 투과시킨다.
일 실시예에 따라, 상기 상부 반사부는 70~90%의 광 반사율을 갖는다.
일 실시예에 따라, 상기 상부 반사부 및 상기 하부 반사부는 금속 반사부, 비도전성 DBR 또는 도전성 DBR일 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들의 상층에 배치되는 확산부재를 더 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 면발광 마이크로 엘이디 모듈은 상기 확산부재와 상기 마운트 기판 사이에서 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들의 측면들 사이에 형성된 투광성 언더필을 더 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 마운트 기판은 상기 상부 반사부의 광 반사율보다 높은 광 반사율을 가진 마운트 반사부을 더 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 엘이디 칩들 각각은 저면에만 제1 도전형 전극패드와 제2 도전형 전극패드를 갖는 플립칩형 엘이디 칩일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 명발광 마이크로 에이디 모듈은 도전성 패턴이 형성된 마운트 기판; 상기 도전성 패턴에 전기적으로 연결되는 복수개의 마이크로 엘이디 칩들; 및 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들의 상측에 배치되는 확산부재; 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들에서 발광하는 광을 파장 변환하는 파장변환층을 포함하고, 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들 각각은 절연성 기판과, 상기 절연성 기판에 형성된 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 형성되는 활성층을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층의 하부에는 상기 활성층과 대응하여 하부 반사부가 형성되고, 상기 확산부재 하부에는 상부 반사부가 형성되며, 상기 상부 반사부는 상기 엘이디 칩들 각각의 상기 활성층에서 발생한 광을 상기 하부 반사부로 반사시켜, 상기 하부 반사부에 의한 반사 후 상기 엘이디 칩들 각각의 측면을 통해 방출된다.
일 실시예에 따라, 상기 상부 반사부는 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들에 구비된 전극패드들과 전기적으로 분리된다.
일 실시예에 따라, 상기 면발광 마이크로 엘이디 모듈은 상기 확산부재와 상기 마운트 기판 사이에서 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들의 측면들 사이에 형성된 투광성 언더필을 더 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 파장변환층은 상기 확산부재와 동일한 면적으로 상기 확산부재의 하부에 형성되며, 상부 반사부는 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들 각각에 대응되게 상기 파장변환층의 저면에 형성된다.
일 실시예에 따라, 상기 확산부재의 상면과 저면 중 적어도 한 면은 광 산란을 위한 정형적 또는 비정형적인 요철이 형성된다.
일 실시예에 따라, 상기 상부 반사부는 일부 광을 반사시키고, 나머지 광을 투과시킨다.
일 실시예에 따라, 상기 엘이디 칩들 각각은 저면에만 제1 도전형 전극패드와 제2 도전형 전극패드를 갖는 플립칩형 엘이디 칩일 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 상부 반사부 및 상기 하부 반사부는 금속 반사부, 비도전성 DBR 또는 도전성 DBR일 수 있다.
본 발명은 면발광 마이크로 엘이디 모듈을 제공함으로써, 동일한 크기의 면발광 엘이디 모듈을 제작함에 있어서 사용되는 엘이디 칩들을 대폭 줄이면서도 균일한 광이 발광면 측으로 출력될 수 있어, 비용을 줄일 수 있으며, 보다 효율적으로 직하형 백라이트 유닛이나 플렉시블 면조명 장치를 구현할 수 있는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈을 설명하기 위한 도면이고,
도 2는 도 1에 도시된 면발광 마이크로 엘이디 모듈을 확대 도시한 도면이고,
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈을 설명하기 위한 도면이고,
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈을 설명하기 위한 도면이고,
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈을 설명하기 위한 도면이고,
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈을 설명하기 위한 도면이고,
도 7은 본 발명의 제6 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈을 설명하기 위한 도면이고,
도 8은 본 발명의 제7 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 첨부된 도면들 및 실시예들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자들에게 본 발명에 관한 이해를 돕기 위한 의도로 간략화되고 예시된 것이므로, 첨부된 도면들 및 실시예들이 본 발명의 범위를 한정하는 것으로 해석되어서는 아니 될 것이다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈을 설명하기 위한 도면들이다.
도 1 및 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈은, 예컨대, PCB(Printed Circuit board), FPCB(Flexible Printed Circuit Board), 투명기판(Transparent Circuit Board) 등일 수 있는 마운트 기판(100)과, 상기 마운트 기판(100) 상에 행렬 배열로 어레이된 복수개의 엘이디 칩(200)들과, 상기 엘이디 칩(200)들의 상측에 배치되는 판상 또는 시트 상의 확산부재(300)와, 상기 엘이디 칩(200)들 각각의 상면 일부와 상기 엘이디 칩(200)들 각각의 측면을 덮도록 형성된 파장변환층(510)을 포함한다.
본 실시예에서, 상기 엘이디 칩(200)들 각각은 청색광을 발하며, 상기 파장변환층(510)은 상기 엘이디 칩(200)에서 나온 광을 파장 변환하는 형광체를 포함한다. 상기 엘이디 칩(200)에서 발생한 청색광과 상기 파장변환층(510)에 의해 파장 변환된 광의 혼합에 의해 백색광을 만들 수 있다.
상기 엘이디 칩(200)은, 플립칩형 저면에만 제1 도전형 전극패드(202)와 제2 도전형 전극패드(203)를 갖는 플립칩형 엘이디 칩으로서, 예컨대 제1 비아(V1)에 의해 상기 제1 도전형 전극패드(202)와 연결되는 상측의 제1 도전형 반도체층(210)과, 예컨대 제2 비아(V2)에 의해 상기 제2 도전형 전극패드(203)와 연결되는 하측의 제2 도전형 반도체층(230)과, 상기 제1 도전형 반도체층(210)과 상기 제2 도전형 반도체층(230) 사이에 개재되어 전자와 정공이 결합될 때 광을 발생시키는 활성층(220)을 포함한다. 본 실시예에서, 제1 비아(V1)은 일단이 제1 도전형 반도체층(210)과 연결된 채 상기 활성층(220), 상기 제2 도전형 반도체층(230) 및 하부 반사부(201)을 차례로 관통한 후 상기 제1 도전형 전극패드(202)와 연결된다. 상기 하부 반사부(201)는 Al, Ag, Au 등 고반사율 금속을 이용하여 형성된 금속 반사부, 비도전성 DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 도전성 DBR(Distributed Bragg Reflector)일 수 있다.
또한, 상기 제2 비아(V2)는 일단이 상기 제2 도전형 반도층(230)과 연결된 채 상기 하부 반사부(201)을 관통한 후 상기 제2 도전형 전극패드(203)과 연결된다. 제1 비아 및 제2 비아 없이, 메사 구조에 의해 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층을 하측으로 모두 노출시키고 그 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층에 직접 제1 도전형 전극패드와 제2 도전형 전극패드를 연결할 수도 있음에 유의한다. 또한, 상기 엘이디 칩(200)은 상부에 상기 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 성장시키는 성장 기판은 절연성 사파이어 기판(240)을 포함한다.
한편, 상기 면발광 마이크로 엘이디 모듈은 상기 엘이디 칩(100)의 활성층에서 발생하여 상측으로 향하는 광 일부를 반사하여 상기 엘이디 칩(100)들 각각의 저면 측 하부 반사부(201)로 보내는 상부 반사부(400)를 더 포함한다. 본 실시예에서 상기 상부 반사부(400)는 전술한 사파이어 기판(240)의 상면에 형성된다. 상기 상부 반사부(400)는 Al, Ag, Au 등 고반사율 금속을 이용하여 형성된 금속 반사부, 비도전성 DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 도전성 DBR(Distributed Bragg Reflector)일 수 있다. 상기 상부 반사부(400)는 상기 절연성 사파이어 기판(240)의 상부 일부 영역에 위치하며, 상기 절연성 사파이어 기판(240)의 상부면에 차지하는 상기 상부반사부(400)와 상기 파장변환층(510)의 면적비는 상기 상부반사부(400)의 면적비가 높은 것이 바람직 하다. 이러한 상기 상부반사부(400)의 상기 절연성 사파이어 기판(240)의 중심부분이나 엣지부분 등의 위치의 선택은 광 패턴에 따라 달라 질 수 있다. 상기 상부 반사부(400)의 반사율이 100%가 될 수 있으며, 바람직하게는, 70~90%의 광을 반사하고 10~30%의 광을 투과하도록 상부 반사부(400)를 구성하는 것이 바람직하다.
상기 상부 반사부(400)는, 제1 및 제2 도전형 전극패드(202, 203)가 존재하는 엘이디 칩(200) 저면이 아닌 반대편의 절연성 사파이어 기판(240)의 상면에 형성되어 있으므로, 상기 제1 및 제2 도전형 전극패드(202, 203)와는 전기적으로 분리되어 있는 것이다.
또한, 상기 파장변환층(510)은, 상기 엘이디 칩(100)들의 측면들과 상기 엘이디 칩(100)의 상기 절연성 기판(240)의 상면을 덮도록 형성되되, 상기 엘이디 칩(100)의 상면 대부분의 영역, 특히 중앙을 포함하는 영역에는 형성되지 않는다. 이 파장변환층(510)이 없는 영역에 상기 상부 반사부(400)가 형성된다. 이에 따라, 상기 엘이디 칩(100)의 상면 영역은 상기 상부 반사부(400)와 마주하는 광 반사 영역과, 상기 광 반사 영역 주변에서 광 방출을 허용하는 하는 광 방출 영역을 포함하게 되며, 상기 광 방출 허용 영역에는 상기 상부 반사부(400) 없이 전술한 파장변환층(510)만이 존재한다.
상기 엘이디 칩(100)에서 나와서 상측을 향해 진행하는 광 중 상기 상부 반사부(400)에 도달하지 않는 광은, 상기 엘이디 칩(100)의 상면에 형성된 파장변환층(510)을 바로 통과하여 파장 변환된 후, 상기 확산부재(300)를 거쳐, 거의 수직에 가깝게 상측 방향으로 방출된다. 그리고, 상기 엘이디 칩(100)에서 나와서 상측을 향해 진행하는 광 중 상기 상부 반사부(400)에 도달한 광은, 상기 상부 반사부(400)에 반사되어 상기 엘이디 칩(100)의 저면에 구비된 하부 반사부(201)로 향하고, 상기 하부 반사부(201)에 반사된 광 대부분이 측방향으로 넓게 퍼지면서 상기 엘이디 칩(100)의 측면과 접해 있는 파장변환층(510)을 통과하고, 그 다음, 상기 확산부재(300)를 거쳐 상기 엘이디 칩(100)의 직상 방향과 먼 방향으로 방출된다. 이에 따라, 종래에는 상기 엘이디 칩(100) 직상 영역으로 집중되어 방출되었던 광을 넓게 퍼트려 방출시킬 수 있으며, 이에 의해, 확산부재(300) 상측에서 균일한 광 분포를 얻을 수 있다. 상기 확산부재(300)의 상면과 저면 중 적어도 한 면에는 광을 산란시켜 더 넓게 퍼트리기 위한 정형적 또는 비정형적인 요철 패턴(301)이 형성되는 것이 바람직하다.
덧붙여, 본 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈은 상기 엘이디 칩(200)에서 나온 광을 95% 이상 투과시키며, 상기 상기 확산부재(300)와 상기 마운트 기판(100) 사이에서 상기 엘이디 칩(200)들의 측면들과 접하여 형성된 투광성 언더필(600)을 더 포함한다. 상기 투광성 언더필(600)은, 엘이디 칩(200)들과 마운트 기판(100)의 표면을 외부 환경으로부터 보호하는 기능과 더불어, 공기보다 굴절율이 높고, 더 나아가, 엘이디 칩(200)의 출광부 측 굴절율과 비슷한 굴절율을 가짐으로써, 엘이디 칩(200) 출광부에서의 내부 전반사에 의한 광 손실을 크게 줄여줄 수 있다. 또한, 상기 마운트 기판(100)은 예컨대 백색 PR과 같은 반사층(101)을 포함할 수 있으며, 이 반사층(101)은 광 반사율 80%의 마운트 반사부를 형성하는 것이 바람직하다.
앞에서 자세히 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 상기 하부 반사부(201)와 상기 상부 반사부(400)의 상호 작용에 의해, 상기 엘이디 칩(200)들 각각의 측면을 통해 방출되는 광의 양을 크게 증가시킬 수 있으며, 마운트 기판(100)의 단위 면적 당 엘이디 칩 개수, 즉, 밀도를 낮추면서도, 상기 확산부재(300) 상측에서 균일한 분포의 면광을 얻을 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈은, 앞선 실시예와 마찬가지로, 마운트 기판(100)과, 상기 마운트 기판(100) 상에 행렬 배열로 어레이된 복수개의 엘이디 칩(200)들과, 상기 엘이디 칩(200)들의 상측에 배치되는 판상 또는 시트 상의 확산부재(300)를 포함한다.
반면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 엘이디 모듈은, 상기 엘이디 칩(200)들 각각의 상면 일부와 상기 엘이디 칩(200)들 각각의 측면을 덮도록 형성된 앞선 제1 실시예의 파장변환층 대신에, 상기 확산부재(300)와 동일한 면적을 갖고서, 상기 확산부재(300)의 저면에 적층된 파장변환 시트(520)을 포함한다. 상기 파장변환 시트(520) 내에는 상기 엘이디 칩(200)에서 나온 광을 파장 변환하는 형광체가 분포된다. 상기 엘이디 칩(200)들 각각의 상면에는 상부 반사부(400)가 형성되며, 이 상부 반사부(400)는 자신의 상측에 배치된 파장변환 시트(520)와 마주한다. 다시 말해, 본 실시예에 따르면, 하나의 파장변환 시트(520)가 여러개의 엘이디 칩(200)들을 커버할 수 있다. 나머지 구성은 앞선 실시예와 같거나 유사하므로 자세한 설명을 생략한다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈은, 앞선 실시예들과 마찬가지로, 마운트 기판(100)과, 상기 마운트 기판(100) 상에 행렬 배열로 어레이된 복수개의 엘이디 칩(200)들과, 상기 엘이디 칩(200)들의 상측에 배치되는 판상 또는 시트 상의 확산부재(300)를 포함한다. 반면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 엘이디 모듈은, 앞선 실시예들과 달리, 상부 반사부(400)가 상기 엘이디 칩(200)들 상면이 아닌 확산부재(300)의 저면에 일체로 형성되어 있다. 확산부재(300)의 저면에 형성된 상부 반사부(400)들 각각은 그 직하에 위치한 엘이디 칩(200)에 대응된다. 상기 상부 반사부(400)가 일부 광을 투과하도록 구성되거나 및/또는 상기 상부 반사부(400)의 면적이 상기 엘이디 칩(200)의 상면 면적보다 작게 하여, 상기 상부 반사부(400)의 주변으로 상기 엘이디 칩(200) 상면에서 나온 광이 방출되게 할 수 있다. 상기 엘이디 칩(200)의 상면 및 측면을 덮도록 파장변환층(510)이 형성된다. 이에 따라, 파장변환층(510)들과 확산부재(300) 사이에 상부 반사부(400)들이 개재된다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈은, 앞선 실시예들과 마찬가지로, 마운트 기판(100)과, 상기 마운트 기판(100) 상에 행렬 배열로 어레이된 복수개의 엘이디 칩(200)들과, 상기 엘이디 칩(200)들의 상측에 배치되는 판상 또는 시트 상의 확산부재(300)를 포함한다. 반면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈은, 앞선 실시예들과 달리, 상기 확산부재(300)의 저면에 파장변환 시트(400)가 형성되고, 상기 파장변환 시트(400)에 접하도록, 상기 상부 반사부(400)들이 형성된다. 그리고, 상기 상부 반사부(400)들 각각은 그 아래에 위치한 상기 엘이디 칩(200)들 각각의 직상에서 그들 각각에 대응되게 배치된다.
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제5 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈은, 앞선 실시예들과 마찬가지로, 마운트 기판(100)과, 상기 마운트 기판(100) 상에 행렬 배열로 어레이된 복수개의 엘이디 칩(200)과, 상기 엘이디 칩(200)의 상측에 배치되는 판상 또는 시트 상의 확산부재(300)를 포함한다. 앞선 실시예들과 달리, 상기 상부 반사부(400)가 상기 엘이디 칩(200)의 상면 면적보다 큰 면적으로 가져 상기 엘이디 칩(200)의 상면을 전체적으로 덮는다. 상기 엘이디 칩(200)의 활성층에서 나온 광 중 상기 엘이디 칩(200)의 상면을 통과한 광은 실질적으로 모두 상기 상부 반사부(400)에 도달한다. 상기 상면 반사부(400)은 70~90%의 광을 반사하고 10~30%의 광을 투과하므로, 상기 엘이디 칩(200)의 상면을 통과하여 상기 상면 반사부(400)에 도달한 광 중 10~30%의 광은 그대로 상측으로 방출되고 나머지 광만이 상기 엘이디 칩(200) 저면의 하부 반사부(201)로 향한다.
도 7은 본 발명의 제6 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제6 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈은, 앞선 실시예들과 마찬가지로, 마운트 기판(100)과, 상기 마운트 기판(100) 상에 행렬 배열로 어레이된 복수개의 엘이디 칩(200)과, 상기 엘이디 칩(200)의 상측에 배치되는 판상 또는 시트 상의 확산부재(300)를 포함한다. 상기 엘이디 칩(200)들 각각은 상면에만 제1 도전형 전극패드(202) 및 제2 도전형 전극패드(230)을 모두 포함하는 래터럴형 엘이디 칩이다. 상기 제1 도전형 전극패드(202)와 상기 제2 도전형 전극패드(203)는 마운트 기판과의 전기적 연결을 위해 본딩 와이어와 연결된다. 이때, 상기 상부 반사부(400)는 상기 제1 도전형 전극패드(202) 및/또는 상기 제2 도전형 전극패드(203)과 인접하게 상기 엘이디 칩(200) 상면에 형성된다. 나머지 구성들은 앞선 실시예들과 실질적으로 같거나 유사하므로 구체적인 설명을 생략한다.
도 8은 본 발명의 제7 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 제7 실시예에 따른 면발광 마이크로 엘이디 모듈은, 앞선 실시예들과 마찬가지로, 마운트 기판(100)과, 상기 마운트 기판(100) 상에 행렬 배열로 어레이된 복수개의 엘이디 칩(200)과, 상기 엘이디 칩(200)의 상측에 배치되는 판상 또는 시트 상의 확산부재(300)를 포함한다. 상기 엘이디 칩(200)들 각각은 저면에 하부 반사부의 기능을 하는 제1 도전형 전극패드(202)를 포함하고 상면에 제2 도전형 전극패드(203)를 포함하는 수직형 엘이디 칩이고, 상기 상부 반사부(400)은 상기 제2 도전형 전극패드(203)와 인접하게 상기 엘이디 칩(200) 상면에 형성된다. 나머지 구성들은 앞선 실시예들과 실질적으로 같거나 유사하므로 구체적인 설명을 생략한다.

Claims (20)

  1. 도전성 패턴이 형성된 마운트 기판;
    상기 도전성 패턴에 전기적으로 연결되는 복수개의 마이크로 엘이디 칩들; 및
    상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들에서 발광하는 광을 파장 변환하는 파장변환층을 포함하며,
    상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들 각각은 절연성 기판과, 상기 절연성 기판의 하부에 형성된 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 형성되는 활성층을 포함하고,
    상기 제1 도전형 반도체층의 하부에는 상기 활성층과 대응하여 하부 반사부가 형성되고, 상기 절연성 기판상에는 상부 반사부가 형성되며,
    상기 활성층에서 발광하는 광은 상기 하부 반사부에서 반사되어 상기 파장변환층을 통해 파장 변환되거나, 상기 상부 반사부에 반사되어 상기 파장변환층을 통해 파장 변환되는 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 상부 반사부는 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들에 구비된 전극패드들과 상기 절연성 기판에 의해 전기적으로 분리된 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 파장변환층은 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들의 측면 및 상기 절연성 기판의 상면을 덮는 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 절연성 기판의 상부 영역은 상기 상부 반사부와 대응하는 광 반사 영역과, 광 방출 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 광 방출 영역은 상기 파장변환층이 형성된 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 상부 반사부는 일부 광을 반사시키고, 나머지 광을 투과시키는 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 상부 반사부는 70~90%의 광 반사율을 갖는 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 상부 반사부 및 상기 하부 반사부는 금속 반사부, 비도전성 DBR 및 도전성 DBR 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들의 상층에 배치되는 확산부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 확산부재와 상기 마운트 기판 사이에서 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들의 측면들 사이에 형성된 투광성 언더필을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 마운트 기판은 상기 상부 반사부의 광 반사율보다 높은 광 반사율을 가진 마운트 반사부을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 엘이디 칩들 각각은 저면에만 제1 도전형 전극패드와 제2 도전형 전극패드를 갖는 플립칩형 엘이디 칩인 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  13. 도전성 패턴이 형성된 마운트 기판;
    상기 도전성 패턴에 전기적으로 연결되는 복수개의 마이크로 엘이디 칩들;
    상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들의 상측에 배치되는 확산부재; 및
    상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들에서 발광하는 광을 파장 변환하는 파장변환층을 포함하고,
    상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들 각각은 절연성 기판과, 상기 절연성 기판에 형성된 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 형성되는 활성층을 포함하고,
    상기 제1 도전형 반도체층의 하부에는 상기 활성층과 대응하여 하부 반사부가 형성되고, 상기 확산부재의 하부에는 상부 반사부가 형성되며,
    상기 상부 반사부는 상기 엘이디 칩들 각각의 상기 활성층에서 발생한 광을 상기 하부 반사부로 반사시켜, 상기 하부 반사부에 의한 반사 후 상기 엘이디 칩들 각각의 측면을 통해 방출되는 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  14. 청구항 13에 있어서, 상기 상부 반사부는 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들에 구비된 전극패드들과 전기적으로 분리된 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  15. 청구항 13에 있어서, 상기 확산부재와 상기 마운트 기판 사이에서 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들의 측면들 사이에 형성된 투광성 언더필을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  16. 청구항 13에 있어서, 상기 파장변환층은 상기 확산부재와 동일한 면적으로 상기 확산부재의 하부에 형성되며, 상부 반사부는 상기 복수개의 마이크로 엘이디 칩들 각각에 대응되게 상기 파장변환층의 저면에 형성된 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  17. 청구항 13에 있어서, 상기 확산부재의 상면과 저면 중 적어도 한 면은 광 산란을 위한 정형적 또는 비정형적인 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 면발광 엘이디 모듈.
  18. 청구항 13에 있어서, 상기 상부 반사부는 일부 광을 반사시키고, 나머지 광을 투과시키는 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  19. 청구항 13에 있어서, 상기 엘이디 칩들 각각은 저면에만 제1 도전형 전극패드와 제2 도전형 전극패드를 갖는 플립칩형 엘이디 칩인 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
  20. 청구항 13에 있어서, 상기 상부 반사부 및 상기 하부 반사부는 금속 반사부, 비도전성 DBR 및 도전성 DBR 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 면발광 마이크로 엘이디 모듈.
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