WO2019167707A1 - 深部体温計 - Google Patents

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WO2019167707A1
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temperature sensor
processing circuit
deep
wiring board
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PCT/JP2019/005948
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French (fr)
Inventor
義規 仁木
亨 志牟田
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • G01K1/02—Means for indicating or recording specially adapted for thermometers
    • G01K1/026—Means for indicating or recording specially adapted for thermometers arrangements for monitoring a plurality of temperatures, e.g. by multiplexing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K13/00—Thermometers specially adapted for specific purposes
    • G01K13/20—Clinical contact thermometers for use with humans or animals

Definitions

  • the present invention relates to a non-heating type thermometer that measures the core temperature.
  • thermometer for measuring the deep body temperature of a subject
  • a non-heating type deep thermometer heat flow type deep thermometer
  • the first temperature sensor is arranged on one surface that contacts the body surface, and each of the second temperature sensors is disposed on the other surface facing the one surface.
  • First and second thermal resistors arranged, a uniformizing member configured to cover only the other surface of the first and second thermal resistors, and the first and second thermal resistors
  • a heat insulating member disposed so as to surround the side surface of the heat insulating member, a peripheral portion fixed to the other surface of the heat insulating member, and a protective member disposed with a predetermined space between the central portion and the equalizing member.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a deep thermometer capable of reducing the manufacturing cost without degrading the measurement accuracy.
  • the deep thermometer includes a flat plate-shaped thermal resistor having a first region and a second region having different thermal resistances, and a first temperature arranged so as to sandwich the first region from the thickness direction of the first region.
  • a processing circuit for processing output signals of the temperature sensor and the fourth temperature sensor, and the first region and the second region have different thermal resistances due to different occupation ratios and / or dispersions of the conductive members. It is characterized by being adjusted as follows.
  • the depth thermometer includes a plate-shaped thermal resistor having a first region and a second region having different thermal resistances, and the first region and the second region are occupied by the conductive member, And / or it is adjusted so that thermal resistance may differ by different dispersion
  • a flat plate-shaped thermal resistor having a first region and a second region having different thermal resistances is provided, and the first region and the second region have the occupation ratio and / or dispersion of the conductive member. Since the thermal resistance is adjusted to be different depending on the difference, the manufacturing cost can be reduced without reducing the measurement accuracy.
  • FIG. 1 is a plan view (upper stage) and a cross-sectional view (lower stage) showing the configuration of the deep thermometer 1.
  • the deep thermometer 1 is based on the difference in temperature detected by the first temperature sensor 501 and the second temperature sensor 502 and the difference in temperature detected by the third temperature sensor 503 and the fourth temperature sensor 504. It is a non-heating type depth thermometer which calculates
  • the deep thermometer 1 is a deep thermometer capable of simplifying the shape and reducing the manufacturing cost without reducing the measurement accuracy.
  • the deep thermometer 1 mainly processes the wiring board 11, the detection signals (output voltages) of the first temperature sensor 501 to the fourth temperature sensor 504 and the first temperature sensor 501 to the fourth temperature sensor 504 mounted on the wiring board 11.
  • the processing circuit 70 for obtaining the deep body temperature is provided.
  • each component will be described in detail.
  • the wiring board 11 is a rectangular and thin board (printed board) formed of an insulator such as FR-4 (Frame Recipient Type 4) or ceramics, for example.
  • the wiring board 11 is a multilayer wiring board having a plurality of inner layers.
  • the wiring board 11 has a first region 111 and a second region 112 having different thermal resistances. That is, the wiring board 11 has a function as a thermal resistor for forming two different heat fluxes.
  • the first region 111 and the second region 112 are occupied by the conductive pattern 113 (corresponding to the conductive member recited in the claims) with respect to the entire wiring substrate 11 (for example, number, width, length, thickness, etc.), and In other words, the thermal resistance value (thermal conductivity) is adjusted to be different by varying the dispersion (for example, arrangement).
  • the first region 111 is configured by alternately laminating insulating layers formed of, for example, FR-4 and conductive patterns (pattern layers) 113.
  • each conductive pattern 113 is made of, for example, copper foil and is formed in a strip shape.
  • the second region 112 does not include the conductive pattern (pattern layer) 113, and is formed by laminating only a plurality of insulating layers. Therefore, the thermal resistance value of the first region 111 is lower than the thermal resistance value of the second region 112.
  • the thermal conductivity of metal such as copper is 100 [W / m / K] or more, whereas the thermal conductivity of FR-4 is about 0.4 [W / m / K]. Therefore, the amount of the conductive pattern 113 (that is, the amount of copper foil) and the thermal resistance value are in an inversely proportional relationship. That is, as the amount of the conductive pattern 113 increases, the thermal resistance value decreases. Therefore, the thermal resistance value of the first region 111 can be varied by changing the number, width, length, thickness, arrangement, and the like of the conductive patterns 113 included in the first region 111. In the example shown in the cross-sectional view of FIG. 1, the conductive patterns 113 are arranged in a matrix of 6 rows and 3 columns.
  • the heat flow can be adjusted by changing the occupation ratio of the metal such as the copper foil used in the wiring board 11. Therefore, by adjusting the amount of the conductive pattern 113, the difference in heat flow between the first region 111 and the second region 112 while making the thickness of the wiring substrate 11, that is, the thickness of the first region 111 and the second region 112 the same. Can be generated. As a result, by forming the first region 111 and the second region 112 so as to have substantially the same thickness, the shape can be simplified.
  • the conductive pattern 113 is preferably independent of the processing circuit 70 so as not to be affected by heat generated in the processing circuit 70. That is, it is preferable that the conductive pattern 113 is not electrically connected to the electronic components constituting the processing circuit 70 and no current flows.
  • a conductive pattern that electrically connects an electronic component is referred to as a wiring pattern
  • an independent conductive pattern that is not connected to the electronic component is referred to as a heat conductive pattern.
  • a hole or a slit-like gap for reducing heat conduction between the two regions may be formed.
  • FIG. 2 is sectional drawing which shows the structure of the deep thermometer 1B which concerns on a modification.
  • a first temperature sensor 501 that acquires the temperature of the lower surface (the body surface side of the user) of the first region 111 is mounted on the lower surface of the first region 111 constituting the wiring board 11.
  • a second temperature sensor 502 that acquires the temperature of the upper surface (outside air side) of the first region 111 is mounted on the upper surface of the first region 111 constituting the wiring board 11.
  • a third temperature sensor 503 that acquires the temperature of the lower surface (the user's body surface side) of the second region 112 is mounted on the lower surface of the second region 112 that constitutes the wiring board 11.
  • a fourth temperature sensor 504 for detecting the temperature of the upper surface (outside air side) of the second region 112 is mounted on the upper surface of the second region 112 constituting the wiring board 11.
  • first temperature sensor 501 and the second temperature sensor 502 are arranged so as to sandwich the first region 111 from the thickness direction of the first region 111.
  • the third temperature sensor 503 and the fourth temperature sensor 504 are arranged so as to sandwich the second region 112 from the thickness direction of the second region 112. Therefore, the paired first temperature sensor 501 and second temperature sensor 502 are arranged along the thickness direction of the first region 111.
  • a pair of third temperature sensor 503 and fourth temperature sensor 504 are arranged along the thickness direction of second region 112.
  • the first temperature sensor 501 to the fourth temperature sensor 504 (hereinafter, sometimes collectively referred to as “temperature sensor 50”), for example, a thermistor or a resistance temperature detector whose resistance value changes according to temperature is used. Preferably used.
  • the temperature sensor 50 preferably has a heat capacity as small as possible from the viewpoint of improving responsiveness.
  • a chip thermistor is preferably used as the temperature sensor 50.
  • Each of the first temperature sensor 501 to the fourth temperature sensor 504 is electrically connected to the processing circuit 70 (MCU) via each of the wiring patterns (printed wiring) 151 to 154, and a detection signal ( Output voltage) is read by the processing circuit 70.
  • the processing circuit 70 detects the thermal resistance values of the first region 111 and the second region 112, and the detection of the first temperature sensor 501, the second temperature sensor 502, the third temperature sensor 503, and the fourth temperature sensor 504, respectively.
  • the signal (output voltage) is processed to obtain the deep body temperature.
  • the processing circuit 70 is preferably mounted in a region that does not affect the heat flow of the wiring board 11 (the first region 111 and the second region 112). The arrangement of the processing circuit 70 will be described in detail in a third embodiment described later.
  • the processing circuit 70 mainly has a temperature input circuit and an arithmetic processing circuit.
  • the temperature input circuit includes, for example, an amplifier (for example, an operational amplifier) and an analog / digital converter (A / D converter) in order to read a detection signal (output voltage) of the temperature sensor 50.
  • the temperature input circuit amplifies the analog signal output from each temperature sensor 50, converts it into a digital signal, and outputs it to the arithmetic processing circuit.
  • the arithmetic processing circuit calculates the deep body temperature from the read temperature data.
  • the arithmetic processing circuit is configured by, for example, an MCU (Micro Control Unit), EEPROM, RAM, or the like, and calculates the deep body temperature based on the detected value of each temperature sensor 50 read through the temperature input circuit.
  • the arithmetic processing circuit stores the calculated deep body temperature data in a memory such as a RAM. Further, the arithmetic processing circuit may be configured to output (transmit) to the external device wirelessly by outputting the calculated deep body temperature data to the wireless communication unit.
  • the first region 111 and the second region generated by the difference between the two heat fluxes formed using the two regions having different thermal resistances (the first region 111 and the second region 112). 112. Calculate (estimate) the deep body temperature based on the temperature difference between the front and back surfaces.
  • the arithmetic processing circuit calculates the deep body temperature Tb based on the following equation (1), for example.
  • Tb ⁇ T1 (T3-T4) * Ra1-T3 (T1-T2) * Ra2 ⁇ / ⁇ (T3-T4) * Ra1- (T1-T2) * Ra2 ⁇
  • Tb is the deep body temperature
  • T1 is the temperature detected by the first temperature sensor 501
  • T2 is the temperature detected by the second temperature sensor 502
  • Ra1 is the thermal resistance of the first region (thermal resistor) 111.
  • T3 indicates the temperature detected by the third temperature sensor 503
  • T4 indicates the temperature detected by the fourth temperature sensor 504
  • Ra2 indicates the thermal resistance value of the second region (thermal resistor) 112.
  • the deep body temperature Tb can be uniquely determined by detecting four temperatures (T1, T2, T3, T4).
  • the deep thermometer 1 To manufacture the deep thermometer 1 described above, first, a plurality of insulating layers and a plurality of heat conduction patterns 113 (pattern layers) are alternately stacked. At that time, the heat conductive pattern 113 (pattern layer) is placed only in the first region 111, whereby the wiring substrate 11 having the first region 111 and the second region 112 is formed. Subsequently, the first to fourth temperature sensors 501 to 504 and the electronic components constituting the processing circuit 70 are mounted by soldering or the like. In this way, the deep thermometer 1 is manufactured.
  • the deep thermometer 1 is preferably housed in a case.
  • the deep body thermometer 1 can be attached to the body surface of a user (a person to be measured), for example, and continuously measure the deep body temperature to obtain the deep body temperature data.
  • the power switch is pressed to turn on the power, and then attached to the measurement site of the user.
  • the power is turned on, measurement of the deep body temperature, storage of the measurement data in the memory, and data output by radio are started.
  • the measurement site when measuring deep body temperature, the chest, armpit, back, waist, neck, occipital region and forehead are preferable, but when measuring body temperature fluctuation, the abdomen, flank, thigh , Ankle, arm, wrist, etc.
  • the flat wiring board 11 having the first region 111 and the second region 112 having different thermal resistances is provided, and the first region 111 and the second region are provided. 112 is adjusted so that the thermal resistance differs depending on the occupation ratio and / or dispersion of the heat conduction pattern 113. Therefore, it is possible to form a flat plate-like thermal resistor having the first region 111 and the second region 112 having different thermal resistances without changing the thickness. That is, the wiring board 11 can be used as a thermal resistor, and the thickness of the thermal resistor having two regions having different thermal resistance values can be made uniform, thereby simplifying the shape. As a result, the manufacturing cost can be reduced without reducing the measurement accuracy.
  • the wiring board 11 can be manufactured by the same manufacturing method as that of a general wiring board (printed board), so that it can be manufactured at low cost. Further, when the processing circuit 70 is mounted on the wiring board 11 used as a thermal resistor, it is not necessary to provide a dedicated wiring board for mounting the processing circuit 70, and the size of the deep thermometer 1 can be reduced. It becomes possible.
  • the wiring board 11 since a multilayer wiring board is used as the wiring board 11, it is easy to locally adjust the thermal resistance in the thickness direction, and the region and processing for adjusting the thermal resistance. By stacking the circuit 70, the area can be reduced.
  • FIG. 3 is a plan view (upper stage) and a cross-sectional view (lower stage) showing the configuration of the deep thermometer 2.
  • the same or equivalent components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.
  • the deep thermometer 2 includes a first temperature sensor 501 and a back surface side of the second temperature sensor 502, that is, a back surface side (outside air side) of the first region 111, and a back surface side of the third temperature sensor 503 and the fourth temperature sensor 504. That is, it differs from the above-mentioned deep thermometer 1 in that it further includes a heat uniformizing layer 115 formed on the back side (outside air side) of the second region 112.
  • a metal foil, a metal thin plate, or the like may be used as the heat uniformizing layer 115, but it is preferably formed as a heat conduction pattern of the inner layer of the wiring board 12a.
  • the heat conduction pattern used as the heat uniformization layer 115 is preferably a solid pattern.
  • the heat conduction pattern used as the heat uniformizing layer 115 may be a ground pattern, but is preferably an independent pattern that is not connected to the processing circuit 70 and does not flow current. Since other configurations are the same as or similar to those of the first embodiment described above, detailed description thereof is omitted here.
  • the solid pattern that functions as the heat uniformization layer 115 is provided, it is possible to reduce the influence of fluctuations in the outside air temperature and heat generation of the electronic components that constitute the processing circuit 70 on the heat flow. It is possible to stabilize the heat flow system of the first region 121 and the second region 122 and improve the measurement accuracy.
  • the heat homogenization layer 115 can be formed integrally with the first region 121 and the second region 122 (thermal resistor) as a solid pattern of the wiring board 12a. Is not required to be manufactured separately, cost can be reduced, and the size of the apparatus can be reduced.
  • thermo resistor having the same thickness (or substantially the same) and different thermal resistance values may be used.
  • FIG. 4 is a plan view (upper stage) and a sectional view (lower stage) showing the configuration of the deep thermometer 3.
  • FIG. 5 is a plan view (upper stage) and a cross-sectional view (lower stage) showing a region where the processing circuit 70 can be arranged in the deep thermometer 3. 4 and 5, the same or equivalent components as those in the second embodiment are denoted by the same reference numerals.
  • the deep thermometer 3 has two thermal resistors having different thermal resistance values, that is, a first thermal resistor 131 and a second thermal resistor 132, instead of the first region 121 and the second region 122 described above. This is different from the above-described deep thermometer 2.
  • the first thermal resistor 131 is preferably made of a material having a higher thermal conductivity (lower thermal resistance) than the second thermal resistor 132, for example, plastics such as polypropylene, polyethylene, acrylic, polycarbonate, and epoxy resin. Used.
  • a material having lower thermal conductivity (higher thermal resistance value) than that of the first thermal resistor 131 for example, foamed plastic (foam material) such as polyurethane, polystyrene, or polyolefin is preferably used. It is done. However, non-foamed plastic or rubber can also be used.
  • the thermal conductivity of plastics such as polypropylene, polyethylene, acrylic, polycarbonate, and epoxy resin is about 0.1 to 0.5 [W / m / K].
  • the thermal conductivity of the foamed plastic is an order of magnitude smaller.
  • the first thermal resistor 131 and the second thermal resistor 132 are formed to have substantially the same thickness in order to reduce the cost by allowing the wiring board 13a including the thermal uniform layer 115 to be stacked. .
  • a wiring board 13a including a heat uniformizing layer 115 is formed on the back side (outside air side) of the first thermal resistor 131 and the second thermal resistor 132.
  • the first temperature sensor 501 is connected to the processing circuit 70 via the flexible substrate 151B.
  • the third temperature sensor 503 is connected to the processing circuit 70 via the flexible substrate 153B.
  • electric wires or cables may be used.
  • Each of the second temperature sensor 502 and the fourth temperature sensor 504 is connected to the processing circuit 70 via the wiring patterns 152 and 154 as described above.
  • the processing circuit 70 is disposed at a location (region) that does not affect the heat flow passing through the first thermal resistor 131 and the second thermal resistor 132. That is, as shown in FIG. 5, the processing circuit 70 includes a region on the back side (outside air side) of the heat homogenization layer 115 and / or the heat homogenization layer 115, the first thermal resistor 131, and the second heat. It is preferably disposed in a region between the resistor 132 and a predetermined distance (for example, 10 mm or more) away from the first temperature sensor 501 to the fourth temperature sensor 504. Since other configurations are the same as or similar to those of the second embodiment described above, detailed description thereof is omitted here.
  • the two thermal resistors (first thermal resistor 131 and second thermal resistor 132) having different thermal resistance values and substantially the same thickness are provided, and the two thermal resistors 131, A pair of temperature sensors 50 is disposed in each of the 132. Therefore, the temperature distribution (temperature of two sets of heat flow systems having different thermal resistance values) generated by the two thermal resistors 131 and 132 having different thermal resistance values can be measured. Further, since the two thermal resistors 131 and 132 having different thermal resistance values are formed so as to have substantially the same thickness, the structure can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.
  • the processing circuit 70 can be disposed on the back side (outside air side) of the heat uniformization layer 115, the area where the processing circuit 70 can be disposed can be expanded, and the depth thermometer 3 can be downsized. be able to.
  • the processing circuit 70 (electronic component), the first thermal resistor 131, and the second thermal resistor 132 are separated by the heat uniformizing layer 115. It can suppress and can improve the estimation accuracy of deep body temperature. Moreover, since the space
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made.
  • the shapes and sizes of the first region 111 and the second region 112 described above, the arrangement of the first temperature sensor 501 to the fourth temperature sensor 504, and the like are not limited to the above-described embodiments. It can be arbitrarily set according to the requirements.
  • the number, width, length, thickness, arrangement, and the like of the heat conduction pattern 113 constituting the first region 111 are not limited to the above embodiment. Furthermore, in the said embodiment, although the 2nd area

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Abstract

深部体温計（１）は、熱抵抗が異なる第１領域（１１１）及び第２領域（１１２）を有する平板状の配線基板（１３）と、第１領域（１１１）の厚さ方向から第１領域（１１１）を挟むように配置された第１温度センサ（５０１）、第２温度センサ（５０２）、及び、第２領域（１１２）の厚さ方向から第２領域（１１２）を挟むように配置された第３温度センサ（５０３）、第４温度センサ（５０４）と、第１温度センサ（５０１）、第２温度センサ（５０２）、第３温度センサ（５０３）、及び第４温度センサ（５０４）それぞれの出力信号を処理する処理回路（７０）とを備えている。第１領域（１１１）と第２領域（１１２）とは、導電パターン（１１３）の占有率、及び／又は、分散が異なることによって熱抵抗が異なるように調節されている。

Description

深部体温計
　本発明は、深部体温を測定する非加熱型の深部体温計に関する。
　従来から、被検体の深部体温を測定する深部体温計として、非加熱型の深部体温計（熱流式深部体温計）が知られている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１に記載の深部体温計は、体表面と接触する一方側の面に第１の温度センサが配されるとともに、一方側の面と対向する他方側の面に第２の温度センサそれぞれが配された第１及び第２の熱抵抗体と、第１及び第２の熱抵抗体の他方側の面のみを覆うように構成される均一化部材と、第１及び第２の熱抵抗体の側面を取り囲むように配された断熱部材と、周縁部分が断熱部材の他方側の面に固定され、中央部分が均一化部材との間に所定の空間をもって配された保護部材とを備えている。また、この深部体温計の体表面側全体は、貼り付けテープにより覆われている。
特開２０１２－１５４８５９号公報
　特許文献１に記載の深部体温計では、被検体の体表面に貼り付けた際に、体表面に接触する第１の温度センサと、該第１の温度センサに断熱材を介して対向して配される第２の温度センサとから構成される温度センサのペアが２組備えられている。そして、各温度センサのペアが配されたそれぞれの断熱材の厚さが互いに異なっており、各温度センサのペアにおける第１の温度センサと第２の温度センサとの温度差をそれぞれ検出することにより、深部からの熱流量を求めることで、深部の体温を算出する構成となっている。
　しかしながら、この構成では、熱抵抗体の厚みを変えて熱抵抗値を異ならせているため、均一化部材の形状も階段状にする必要があり、形状が複雑になるため、製造コストが上昇する要因となる。
　本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、測定精度を低下させることなく、製造コスト低減することが可能な深部体温計を提供することを目的とする。
　本発明に係る深部体温計は、熱抵抗が異なる第１領域及び第２領域を有する平板状の熱抵抗体と、第１領域の厚さ方向から第１領域を挟むように配置された第１温度センサ、第２温度センサ、及び、第２領域の厚さ方向から第２領域を挟むように配置された第３温度センサ、第４温度センサと、第１温度センサ、第２温度センサ、第３温度センサ、及び第４温度センサそれぞれの出力信号を処理する処理回路とを備え、第１領域と第２領域とが、導電部材の占有率、及び／又は、分散が異なることによって熱抵抗が異なるように調節されていることを特徴とする。
　本発明に係る深部体温計によれば、熱抵抗が異なる第１領域及び第２領域を有する平板状の熱抵抗体を備えており、第１領域と第２領域とが、導電部材の占有率、及び／又は、分散が異なることによって熱抵抗が異なるように調節されている。そのため、厚みを変えることなく、熱抵抗が異なる第１領域、第２領域を有する平板状の熱抵抗体を形成することができる。すなわち、熱抵抗値が異なる２つの領域を有する熱抵抗体の厚みを均一化でき、形状をシンプルにできる。その結果、測定精度を低下させることなく、製造コスト低減することが可能となる。
　本発明によれば、熱抵抗が異なる第１領域及び第２領域を有する平板状の熱抵抗体を備え、当該第１領域と第２領域とが、導電部材の占有率、及び／又は、分散が異なることによって熱抵抗が異なるように調節されているため、測定精度を低下させることなく、製造コスト低減することが可能となる。
第１実施形態に係る深部体温計の構成を示す平面図、及び、断面図である。 変形例に係る深部体温計の構成を示す断面図である。 第２実施形態に係る深部体温計の構成を示す平面図、及び、断面図である。 第３実施形態に係る深部体温計の構成を示す平面図、及び、断面図である。 第３実施形態に係る深部体温計における処理回路の配置可能領域を示す平面図、及び、断面図である。
　以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図中、同一又は相当部分には同一符号を用いることとする。また、各図において、同一要素には同一符号を付して重複する説明を省略する。
　（第１実施形態）
　まず、図１を用いて、第１実施形態に係る深部体温計１の構成について説明する。図１は、深部体温計１の構成を示す平面図（上段）、及び、断面図（下段）である。
　深部体温計１は、第１温度センサ５０１と第２温度センサ５０２により検出された温度の差、及び、第３温度センサ５０３と第４温度センサ５０４により検出された温度の差に基づいて、使用者（被検者）の深部からの熱流量を求め、深部体温を取得する非加熱型の深部体温計である。特に、深部体温計１は、測定精度を低下させることなく、形状をよりシンプルにでき、製造コスト低減することができる深部体温計である。
　深部体温計１は、主として、配線基板１１、配線基板１１に実装された第１温度センサ５０１～第４温度センサ５０４、第１温度センサ５０１～第４温度センサ５０４の検出信号（出力電圧）を処理して深部体温を求める処理回路７０を備えて構成されている。以下、各構成要素について詳細に説明する。
　配線基板１１は、例えば、ＦＲ－４（Ｆｌａｍｅ　Ｒｅｔａｒｄａｎｔ　Ｔｙｐｅ　４）やセラミックスなどの絶縁体から形成された矩形で薄板形状の基板（プリント基板）である。また、配線基板１１は、複数の内層を有する多層配線基板である。
　配線基板１１は、熱抵抗が異なる第１領域１１１及び第２領域１１２を有している。すなわち、配線基板１１は、２つの異なる熱流束を形成するための熱抵抗体としての機能を有している。
　第１領域１１１と第２領域１１２とは、配線基板１１全体に対する導電パターン１１３（請求の範囲に記載の導電部材に相当）の占有率（例えば、数、幅、長さ、厚み等）、及び／又は、分散（例えば配置等）を異ならせることによって熱抵抗値（熱伝導率）が異なるように調節されている。
　より詳細には、第１領域１１１は、例えばＦＲ－４などから形成される絶縁層と、導電パターン（パターン層）１１３とが交互に積層されて構成されている。ここで、各導電パターン１１３は、例えば、銅箔などからなり、帯状に形成されている。一方、第２領域１１２は、導電パターン（パターン層）１１３を含んでおらず、複数の絶縁層のみが積層されて形成されている。そのため、第１領域１１１の熱抵抗値は、第２領域１１２の熱抵抗値よりも低くなる。
　ここで、銅などの金属の熱伝導率が１００［Ｗ／ｍ／Ｋ］以上であるのに対し、ＦＲ－４の熱伝導率は、０．４［Ｗ／ｍ／Ｋ］程度である。そのため、導電パターン１１３の量（すなわち銅箔の量）と熱抵抗値とは反比例の関係となる。すなわち、導電パターン１１３の量が増大すると熱抵抗値は低下する。よって、第１領域１１１に含まれる導電パターン１１３の数、幅、長さ、厚み、配置等を変更することにより、第１領域１１１の熱抵抗値が可変される。なお、図１の断面図に示された例では、導電パターン１１３は、６行３列のマトリックス状に並べて配置されている。
　以上のようにすれば、配線基板１１で使用される銅箔などの金属の占有率等を可変することにより熱流を調整することができる。そのため、導電パターン１１３の量を調節することにより、配線基板１１の厚み、すなわち、第１領域１１１と第２領域１１２の厚みを同じにしつつ、第１領域１１１と第２領域１１２の熱流の差を生じさせることができる。その結果、第１領域１１１と第２領域１１２との厚みが略同一となるように形成することにより、形状をシンプルにすることができる。
　導電パターン１１３は、処理回路７０における発熱の影響を受けないようにするため、処理回路７０から独立していることが好ましい。すなわち、導電パターン１１３は、処理回路７０を構成する電子部品と電気的に接続されておらず、電流が流れないことが好ましい。
　以下、本明細書では、電子部品を電気的に接続する導電パターンを配線パターンと呼び、電子部品と接続されていない独立した導電パターンを熱伝導パターンと呼んで区別する。なお、第１領域１１１と第２領域１１２との境界領域には、双方間の熱伝導を低減するための孔やスリット状の隙間などを形成してもよい。
　また、図２の断面図に示されているように、熱伝導パターン１１３に代えて、配線基板１１（絶縁層）を厚み方向に貫通する層間ビア（又はスルーホール）１１３Ｂを用いて熱抵抗値を調整する構成としてもよい。さらに、熱伝導パターン１１３と層間ビア（又はスルーホール）１１３Ｂとを組み合わせて用いて熱抵抗値を調整する構成としてもよい。なお、図２は、変形例に係る深部体温計１Ｂの構成を示す断面図である。
　図１に戻り、配線基板１１を構成する第１領域１１１の下面には、第１領域１１１の下面（使用者の体表面側）の温度を取得する第１温度センサ５０１が実装されている。一方、配線基板１１を構成する第１領域１１１の上面には、第１領域１１１の上面（外気側）の温度を取得する第２温度センサ５０２が実装されている。同様に、配線基板１１を構成する第２領域１１２の下面には、第２領域１１２の下面（使用者の体表面側）の温度を取得する第３温度センサ５０３が実装されている。一方、配線基板１１を構成する第２領域１１２の上面には、第２領域１１２の上面（外気側）の温度を検出する第４温度センサ５０４が実装されている。
　すなわち、第１領域１１１の厚さ方向から第１領域１１１を挟むように第１温度センサ５０１と第２温度センサ５０２とが配置されている。同様に、第２領域１１２の厚さ方向から第２領域１１２を挟むように第３温度センサ５０３と第４温度センサ５０４とが配置されている。そのため、対となる第１温度センサ５０１と第２温度センサ５０２とが第１領域１１１の厚さ方向に沿って配置される。同様に、対となる第３温度センサ５０３と第４温度センサ５０４とが第２領域１１２の厚さ方向に沿って配置される。
　ここで、第１温度センサ５０１～第４温度センサ５０４（以下、総括的に「温度センサ５０」ということもある）としては、例えば、温度によって抵抗値が変化するサーミスタや測温抵抗体などが好適に用いられる。なお、温度センサ５０は、応答性を高める観点から、できるだけ熱容量が小さいことが好ましい。よって、温度センサ５０としては例えばチップサーミスタが好適に用いられる。第１温度センサ５０１～第４温度センサ５０４それぞれは、配線パターン（プリント配線）１５１～１５４それぞれを介して、処理回路７０（ＭＣＵ）と電気的に接続されており、温度に応じた検出信号（出力電圧）が処理回路７０で読み込まれる。
　処理回路７０は、第１領域１１１、第２領域１１２それぞれの熱抵抗値、及び、第１温度センサ５０１、第２温度センサ５０２、第３温度センサ５０３、並びに、第４温度センサ５０４それぞれの検出信号（出力電圧）を処理して深部体温を取得する。処理回路７０は、配線基板１１（第１領域１１１、第２領域１１２）の熱流に影響を与えない領域に実装することが好ましい。なお、処理回路７０の配置に関しては、後述する第３実施形態において詳細に説明する。
　処理回路７０は、主として、温度入力回路と、演算処理回路とを有している。温度入力回路は、温度センサ５０の検出信号（出力電圧）を読み込むため、例えば、増幅器（例えばオペアンプ）やアナログ／デジタル・コンバータ（Ａ／Ｄコンバータ）などを含んで構成されている。温度入力回路は、各温度センサ５０から出力されたアナログ信号を増幅して、デジタル信号に変換し、演算処理回路に出力する。
　演算処理回路は、読み込まれた温度データから深部体温を算出する。演算処理回路は、例えば、ＭＣＵ（Ｍｉｃｒｏ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　Ｕｎｉｔ）や、ＥＥＰＲＯＭ、ＲＡＭ等により構成され、温度入力回路を介して読み込まれた各温度センサ５０の検出値に基づいて深部体温を算出する。また、演算処理回路は、算出した深部体温データをＲＡＭなどのメモリに記憶させる。さらに、演算処理回路は、算出した深部体温データを無線通信部に出力することにより、外部機器に無線で出力（送信）する構成としてもよい。
　なお、ここで、演算処理回路では、２つの熱抵抗の異なる領域（第１領域１１１、第２領域１１２）を用いて形成される２つの熱流束の差によって生じる第１領域１１１、第２領域１１２それぞれの表裏の温度差に基づいて深部体温を演算（推定）する。
　より具体的には、演算処理回路では、例えば、次式（１）に基づいて、深部体温Ｔｂを算出する。
　　Ｔｂ＝｛Ｔ１（Ｔ３－Ｔ４）＊Ｒａ１－Ｔ３（Ｔ１－Ｔ２）＊Ｒａ２｝／｛（Ｔ３－Ｔ４）＊Ｒａ１－（Ｔ１－Ｔ２）＊Ｒａ２｝　・・・（１）
　　なお、Ｔｂは深部体温を、Ｔ１は第１温度センサ５０１により検出された温度を、Ｔ２は第２温度センサ５０２により検出された温度を、Ｒａ１は第１領域（熱抵抗体）１１１の熱抵抗値をそれぞれ示している。また、Ｔ３は第３温度センサ５０３により検出された温度を、Ｔ４は第４温度センサ５０４により検出された温度を、Ｒａ２は第２領域（熱抵抗体）１１２の熱抵抗値をそれぞれ示している。
　ここで、Ｒａ１及びＲａ２は既知であるため、４つの温度（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）を検出することによって、一義的に深部体温Ｔｂを求めることができる。
　上述した深部体温計１を製造するには、まず、複数の絶縁層と複数の熱伝導パターン１１３（パターン層）とが交互に積層される。その際に、第１領域１１１にのみ熱伝導パターン１１３（パターン層）が入れられることにより、第１領域１１１及び第２領域１１２を有する配線基板１１が形成される。続いて、第１温度センサ５０１～第４温度センサ５０４、及び、処理回路７０を構成する電子部品がはんだ付けなどによって実装される。このようにして、深部体温計１が製造される。なお、深部体温計１はケースに収納されることが好ましい。
　深部体温計１は、例えば、使用者（被測定者）の体表面に貼り付けて、連続的に深部体温を測定して深部体温データを取得することができる。上述したように組み立てられた深部体温計１を使用する際には、まず、電源スイッチを押して電源をオンにした後、使用者の測定部位に貼り付ける。電源がオンになると深部体温測定と測定データのメモリへの保存、及び、無線によるデータ出力が開始される。なお、測定部位としては、深部体温を測定する場合には、胸部、腋下、背中、腰部、頸部、後頭部、額が好ましいが、体温変動を測定する場合であれば、腹部、脇腹、大腿、足首、腕、手首等でもよい。
　以上、詳細に説明したように、本実施形態によれば、熱抵抗が異なる第１領域１１１及び第２領域１１２を有する平板状の配線基板１１を備えており、第１領域１１１と第２領域１１２とが、熱伝導パターン１１３の占有率、及び／又は、分散が異なることによって熱抵抗が異なるように調節されている。そのため、厚みを変えることなく、熱抵抗が異なる第１領域１１１、第２領域１１２を有する平板状の熱抵抗体を形成することができる。すなわち、配線基板１１を熱抵抗体として用いることができ、また、熱抵抗値が異なる２つの領域を有する熱抵抗体の厚みを均一化でき、形状をシンプルにできる。その結果、測定精度を低下させることなく、製造コスト低減することが可能となる。
　また、本実施形態によれば、一般的な配線基板（プリント基板）と同様の製造方法で配線基板１１を製造することができるため、低コストで製造することが可能である。さらに、熱抵抗体として用いる配線基板１１に処理回路７０を実装した場合には、処理回路７０を実装するための配線基板を専用に備える必要がなく、深部体温計１のサイズを小型化することが可能となる。
　また、本実施形態によれば、配線基板１１として多層配線基板を用いているため、厚み方向に対しても熱抵抗を局所的に調整することが容易であり、熱抵抗を調整する領域と処理回路７０とを積層することにより小面積化を図ることができる。
　（第２実施形態）
　上述した第１実施形態に係る深部体温計１の構成に加えて、外気温などの影響によって配線基板１１の一部の温度のみが変化してしまうことを防止するため、第２温度センサ５０２、第４温度センサ５０４が実装されている実装面の背面側（外気側）、すなわち、第１領域１１１、第２領域１１２の背面側（外気側）に、外気温の温度分布の影響を熱的に均一化する熱伝導率の高い熱均一化層を設けることが好ましい。
　そこで、次に、図３を用いて、第２実施形態に係る深部体温計２について説明する。ここでは、上述した第１実施形態と同一・同様な構成については説明を簡略化又は省略し、異なる点を主に説明する。図３は、深部体温計２の構成を示す平面図（上段）、及び、断面図（下段）である。なお、図３において第１実施形態と同一又は同等の構成要素については同一の符号が付されている。
　深部体温計２は、第１温度センサ５０１、第２温度センサ５０２の背面側、すなわち第１領域１１１の背面側（外気側）、及び、第３温度センサ５０３、第４温度センサ５０４の背面側、すなわち第２領域１１２の背面側（外気側）に形成された熱均一化層１１５をさらに備えている点で上述した深部体温計１と異なっている。
　ここで、熱均一化層１１５としては、金属箔や金属薄板などを使用してもよいが、配線基板１２ａの内層の熱伝導パターンとして形成することが好ましい。なお、その場合、熱均一化層１１５として使用する熱伝導パターンは、ベタパターンであることが好ましい。また、熱均一化層１１５として使用する熱伝導パターンは、グランドパターンでもよいが、処理回路７０とは接続されておらず電流が流れない独立パターンであることが好ましい。その他の構成は、上述した第１実施形態と同一又は同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。
　本実施形態によれば、熱均一化層１１５として機能するベタパターンを備えているため、外気温の変動や処理回路７０を構成する電子部品の発熱の熱流に対する影響を低減することができ、第１領域１２１及び第２領域１２２の熱流系を安定させて、測定精度を向上させることが可能となる。
　また、本実施形態によれば、熱均一化層１１５を、配線基板１２ａのベタパターンとして第１領域１２１、第２領域１２２（熱抵抗体）と一体化して形成できるため、熱均一化層１１５を別体で製造する必要がなく、コストを低減でき、また、装置の小型化を図ることもできる。
　（第３実施形態）
　上述した第１領域１２１、第２領域１２２に代えて、厚みが同一（又は略同一）で熱抵抗値が異なる熱抵抗体を用いる構成としてもよい。
　そこで、次に、図４及び図５を併せて用いて、第３実施形態に係る深部体温計３について説明する。ここでは、上述した第２実施形態と同一・同様な構成については説明を簡略化又は省略し、異なる点を主に説明する。図４は、深部体温計３の構成を示す平面図（上段）、及び、断面図（下段）である。図５は、深部体温計３における処理回路７０の配置可能領域を示す平面図（上段）、及び、断面図（下段）である。なお、図４、図５において第２実施形態と同一又は同等の構成要素については同一の符号が付されている。
　深部体温計３は、上述した第１領域１２１、第２領域１２２に代えて、熱抵抗値が異なる２つの熱抵抗体、すなわち、第１熱抵抗体１３１、及び、第２熱抵抗体１３２を有している点で上述した深部体温計２と異なっている。
　第１熱抵抗体１３１には、第２熱抵抗体１３２よりも熱伝導率が高い（熱抵抗値が低い）素材、例えば、ポリプロピレンやポリエチレン、アクリルやポリカーボネート、エポキシ樹脂等のプラスチック類が好適に用いられる。第２熱抵抗体１３２には、第１熱抵抗体１３１よりも熱伝導率が低い（熱抵抗値が高い）素材、例えば、ポリウレタンやポリスチレン、ポリオレフィン等の発泡プラスチック（フォーム材）が好適に用いられる。ただし、発泡状でないプラスチックやゴムなども用いることができる。
　なお、ここで、ポリプロピレンやポリエチレン、アクリルやポリカーボネート、エポキシ樹脂等のプラスチック類の熱伝導率は、約０．１～０．５［Ｗ／ｍ／Ｋ］程度である。発泡プラスチックの熱伝導率はさらに１桁近く小さい。
　第１熱抵抗体１３１と、第２熱抵抗体１３２とは、熱均一化層１１５を含む配線基板１３ａを積層可能として低コスト化を図るため、厚みが略同一となるように形成されている。第１熱抵抗体１３１と、第２熱抵抗体１３２の背面側（外気側）には、熱均一化層１１５を含む配線基板１３ａが形成されている。なお、第１温度センサ５０１はフレキシブル基板１５１Ｂを介して処理回路７０に接続されている。同様に、第３温度センサ５０３はフレキシブル基板１５３Ｂを介して処理回路７０に接続されている。なお、フレキシブル基板１５１Ｂ，１５３Ｂに代えて、例えば電線やケーブル等を用いてもよい。第２温度センサ５０２、及び第４温度センサ５０４それぞれは、上述したように配線パターン１５２，１５４を介して処理回路７０に接続されている。
　ところで、処理回路７０は、第１熱抵抗体１３１、第２熱抵抗体１３２を通過する熱流に影響しない箇所（領域）に配置される。すなわち、図５に示されるように、処理回路７０は、熱均一化層１１５の背面側（外気側）の領域、及び／又は、熱均一化層１１５と第１熱抵抗体１３１、第２熱抵抗体１３２との間であって、第１温度センサ５０１乃至第４温度センサ５０４から所定以上（例えば１０ｍｍ以上）離れた領域に配置されることが好ましい。なお、その他の構成は、上述した第２実施形態と同一又は同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。
　本実施形態によれば、熱抵抗値が異なり、厚みが略同一の２つの熱抵抗体（第１熱抵抗体１３１及び第２熱抵抗体１３２）を有し、当該２つの熱抵抗体１３１，１３２それぞれに、一対の温度センサ５０が配置されている。そのため、熱抵抗値が異なる２つの熱抵抗体１３１，１３２によって生じる温度分布（熱抵抗値が異なる２組の熱流系の温度）を測定することができる。また、熱抵抗値が異なる２つの熱抵抗体１３１，１３２の厚みが略同一となるように形成されているため、構造を簡素化でき、製造コストを低減することが可能となる。
　本実施形態によれば、熱均一化層１１５の背面側（外気側）に処理回路７０を配置できるため、処理回路７０の配置可能領域を拡張することができ、深部体温計３の小型化を図ることができる。
　また、本実施形態によれば、処理回路７０（電子部品）と第１熱抵抗体１３１及び第２熱抵抗体１３２とが熱均一化層１１５で分離されるため、電子部品の発熱の影響を抑えて深部体温の推定精度を向上することができる。また、処理回路７０（電子部品）と温度センサ５０との間隔が離されるため、電子部品の発熱の影響を抑えて深部体温の推定精度を向上することできる。
　以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、上述した第１領域１１１、第２領域１１２それぞれの形状や大きさ、及び、第１温度センサ５０１～第４温度センサ５０４の配置等は、上記実施形態に限られることなく、例えば精度等の要件にしたがって任意に設定することができる。
　また、第１領域１１１を構成する熱伝導パターン１１３の数、幅、長さ、厚み、配置等は上記実施形態には限られない。さらに、上記実施形態では、第２領域１１２は熱伝導パターン１１３を有していなかったが、第２領域１１２は熱伝導パターン１１３を有していてもよい。
　１，１Ｂ，２，３　深部体温計
　１１，１１Ｂ，１２，１２ａ，１３　配線基板
　１１１，１１１Ｂ，１２１　第１領域
　１１２，１２２　第２領域
　１３１　第１熱抵抗体
　１３２　第２熱抵抗体
　１１３　導電パターン（熱伝導パターン）
　１１３Ｂ　層間ビア
　１１５　熱均一化層
　５０１，５０２，５０３，５０４　第１温度センサ，第２温度センサ，第３温度センサ，第４温度センサ
　１５１，１５２，１５３，１５４　配線パターン
　１５１Ｂ，１５３Ｂ　フレキシブル基板
　７０　処理回路
 

Claims (7)

  1. 　熱抵抗が異なる第１領域及び第２領域を有する平板状の熱抵抗体と、
    　前記第１領域の厚さ方向から前記第１領域を挟むように配置された第１温度センサ、第２温度センサ、及び、前記第２領域の厚さ方向から前記第２領域を挟むように配置された第３温度センサ、第４温度センサと、
    　前記第１温度センサ、第２温度センサ、第３温度センサ、及び第４温度センサそれぞれの出力信号を処理する処理回路と、を備え、
    　前記第１領域と前記第２領域とは、導電部材の占有率、及び／又は、分散が異なることによって熱抵抗が異なるように調節されていることを特徴とする深部体温計。
  2. 　前記熱抵抗体は、配線基板であり、
    　前記処理回路は、前記配線基板に実装されており、
    　前記導電部材は、前記配線基板に形成された導電パターン、及び／又は、スルーホールであることを特徴とする請求項１に記載の深部体温計。
  3. 　前記配線基板は、複数の内層を有する多層配線基板であり、
    　前記処理回路は、前記配線基板に実装されており、
    　前記導電部材は、前記内層に形成された導電パターン、及び／又は、層間ビアであることを特徴とする請求項１に記載の深部体温計。
  4. 　前記導電パターンは、前記処理回路から独立していることを特徴とする請求項２又は３に記載の深部体温計。
  5. 　前記第１領域の背面側、及び、前記第２領域の背面側に形成された熱均一化層をさらに備えることを特徴とする請求項２～４のいずれか１項に記載の深部体温計。
  6. 　前記熱均一化層は、ベタパターンであり、前記処理回路から独立していることを特徴とする請求項５に記載の深部体温計。
  7. 　前記処理回路は、前記熱均一化層の背面側の領域、及び／又は、前記熱均一化層と前記第１領域、前記第２領域との間において前記第１温度センサ乃至第４温度センサから所定以上離れた領域に配置されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の深部体温計。
     
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6358223A (ja) * 1986-08-29 1988-03-14 Tatsuo Togawa 体温計測装置
US20100121217A1 (en) * 2006-12-06 2010-05-13 Koninklijke Philips Electronics N. V. Device for measuring core temperature
JP2012207943A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Murata Mfg Co Ltd 体温計および体温測定システム
JP2017131541A (ja) * 2016-01-29 2017-08-03 セイコーエプソン株式会社 熱流センサー及び検出単位体

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6875124B2 (en) 2003-06-02 2005-04-05 Acushnet Company Golf club iron
KR101562969B1 (ko) * 2009-03-03 2015-10-26 삼성전자주식회사 반도체 장치
JP2012073127A (ja) 2010-09-29 2012-04-12 Terumo Corp 体温計
JP5647022B2 (ja) * 2011-01-27 2014-12-24 テルモ株式会社 体温計
JP2013200152A (ja) 2012-03-23 2013-10-03 Terumo Corp 体温計
JP2016114467A (ja) * 2014-12-15 2016-06-23 ジオマテック株式会社 深部体温測定システム及び深部体温測定方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6358223A (ja) * 1986-08-29 1988-03-14 Tatsuo Togawa 体温計測装置
US20100121217A1 (en) * 2006-12-06 2010-05-13 Koninklijke Philips Electronics N. V. Device for measuring core temperature
JP2012207943A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Murata Mfg Co Ltd 体温計および体温測定システム
JP2017131541A (ja) * 2016-01-29 2017-08-03 セイコーエプソン株式会社 熱流センサー及び検出単位体

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