WO2019156317A1 - 오염물질 배출 장치 - Google Patents

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WO2019156317A1
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contaminants
discharge device
exhaust
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김원기
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비에스티(주)
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    • H01L21/67769—Storage means

Definitions

  • the present invention relates to a discharge device for temporarily storing wafers subjected to an etching process during the semiconductor production process and discharging contaminants. More specifically, a wafer in which contaminants such as residual gas are adsorbed on a surface enters the inside thereof. To remove most of the pollutants by injecting nitrogen gas and to protect the wafer by blocking the backflow by air injection from the air nozzle inserted into the exhaust pipe when exhausting some of the remaining pollutants to the outside. will be.
  • Etching one of the processes for producing a semiconductor, is a process of selectively removing a portion of the surface of a wafer using a corrosive gas or a chemical to form a circuit pattern on the surface of the wafer, which is a silicon substrate.
  • the method using the corrosive gas is a dry method
  • the method using a chemical method is called a wet method
  • the gas such as Cl 2 , HBr mainly used in the dry method is a corrosive gas such as condensation when exposed to atmospheric conditions or Contaminants such as residual gas due to the use of gunpowder are absorbed or remain on the surface of the wafer.
  • the wafer storage is used for the purpose of storing the wafer for a certain time under a certain temperature and removing contaminants such as residual gas adsorbed or remaining on the surface of the wafer. It is a situation that it is difficult to completely remove the contaminants adsorbed or remaining on the surface of the wafer only by storing the method.
  • the invention relates to a storage for solving such a problem as "wafer cleaning boat and storage having the same" of the Republic of Korea Patent Publication No. 10-2006-0100992 and "Gas injection block” of the Republic of Korea Patent Publication No. 10-1075171 Side Storage ”,“ Side Storage Chamber with Fume Removal Function ”of Korean Patent Application Publication No. 10-2014-0088406 and“ Rotary Fume Removal Wafer Storage ”of Korean Patent Publication No. 10-1600307 have been proposed and disclosed.
  • the “wafer cleaning boat and storage having the same” of the Republic of Korea Patent Publication No. 10-2006-0100992 include a residual gas by cleaning in a boat itself while a plurality of wafers are loaded on the boat after an etching process is performed. Due to the present invention, an apparatus for improving a product yield by preventing foreign matter from adhering to a wafer surface has been proposed, and the "side storage having a gas injection block" of the Republic of Korea Patent Publication No. 10-1075171 has a number of stacked in the chamber.
  • the wafer can be cleaned more effectively by supplying an inert gas to the inter-wafer space, and the time required for cleaning the wafer can be shortened by smoothing the flow of the inert gas, and by heating the inert gas supplied to the wafer side in advance. Cracks, etc. damage to the wafer
  • This invention relates to a device has been proposed which can prevent.
  • the "side storage chamber having a fume removing function" of the Republic of Korea Patent Publication No. 10-2014-0088406 has a nozzle configured for each layer of the loading unit to separately spray the fume removal gas on each wafer surface and load the wafer and
  • the invention has been proposed a device that can confirm the removal state of the fume from the outside and the operating state of the internal device by installing a transparent window in the housing
  • the direction of the wafer storage rotation module may be changed during wafer introduction and during fume removal from the wafer, so that the wafer insertion direction and the wafer insertion direction may not be disturbed. Even if the gas for supplying fume is removed in the vertical direction which is approximately vertical The fume between the space to be able to be smoothly removed, this invention relates to an apparatus being able to be easily and fume removal deposited on a wafer also yirumyeonseo rapid pulling of the wafer is smooth been proposed accordingly.
  • Pollutant discharge device is a technique proposed to solve the problems of the prior art
  • the discharge apparatus is the upper portion Injecting nitrogen gas at 90 ° and 25 ° differently to the wafer entering the interior of the upper chamber in three directions above and at both sides of the chamber inlet to remove contaminants adsorbed or remaining on the wafer, A plurality of spray nozzles for blocking backflow of contaminants and inflow into the upper chamber; A supply pipe for supplying nitrogen gas to the injection nozzle; An exhaust port communicating the upper chamber and the lower chamber; It proposes a pollutant discharge device characterized in that it comprises a.
  • the plurality of injection nozzles inject nitrogen gas in three directions to the wafer entering the discharge device to remove contaminants adsorbed or remaining on the surface of the wafer and at the same time, the scattered contaminants enter the discharge device. By blocking it, the rate of contamination of the inside of the discharge device and the exhaust pipe is significantly lowered and the quality of the wafer is secured.
  • the air nozzle provided inside the exhaust pipe injects air in the same direction as the gas is exhausted, thereby preventing contaminants such as residual gas exhausted to the outside of the exhaust device from flowing back through the exhaust pipe, thereby improving stability of the wafer. A secured effect has occurred.
  • FIG. 1 is an external perspective view of a pollutant discharge device according to the present invention.
  • Figure 2 is an internal perspective view showing the inside of the upper chamber of the pollutant discharge apparatus according to the present invention.
  • Figure 3 (a) to Figure 3 (b) is an exemplary view showing a state of removing the contaminants adsorbed on the wafer surface entering the upper chamber of the pollutant discharge apparatus according to the present invention.
  • Figure 4 is a result table showing the experimental results of the injection angle of the side nozzles of the pollutant discharge device according to the present invention.
  • 5 (a) to 5 (b) is an exemplary view showing a state in which the suction duct is fitted to the exhaust port of the pollutant discharge device according to the present invention.
  • the pollutant discharging apparatus includes an upper chamber 101 having a wafer loading unit 110 capable of stacking a plurality of wafers in layers and an exhaust unit for exhausting contaminants in the upper chamber 101 to the outside ( Regarding the discharge device 100 is composed of a lower chamber 102 is provided inside 150,
  • the discharge device 100 injects nitrogen gas by varying the injection angle at 90 ° and 25 ° to the wafer entering the inside of the upper chamber 101 in three directions above and at both sides of the upper chamber 101 inlet.
  • a plurality of spray nozzles 120 to remove contaminants adsorbed or remaining on the wafer and to block backflow of contaminants that are separated from the wafer and inflow into the upper chamber 101;
  • a supply pipe 130 supplying nitrogen gas to the injection nozzle 120;
  • An exhaust port 140 communicating the upper chamber 101 and the lower chamber 102; Characterized in that comprises a.
  • the present invention relates to a discharge device 100 for temporarily storing a wafer subjected to an etching process during a semiconductor production process and exhausting contaminants.
  • the discharging device 100 composed of 102 the discharging device 100 is placed on a wafer that enters the interior of the upper chamber 101 in three directions above and at both sides of the upper chamber 101 inlet.
  • the pollutant discharge device includes an upper chamber 101 and an upper chamber 101 in which a wafer stack 110 capable of stacking a plurality of wafers in layers is provided therein. It relates to a discharge device 100 consisting of a lower chamber 102 having an exhaust unit 150 for exhausting pollutants to the outside.
  • the pollutant discharge apparatus is a wafer that enters the interior of the upper chamber 101 in three directions of the upper and both sides of the upper chamber 101 inlet.
  • a plurality of jets are used to spray nitrogen gas at different 90 ° and 25 ° angles to remove contaminants adsorbed or remaining on the wafer, and to prevent backflow of contaminants released from the wafer and inflow into the upper chamber 101. It characterized in that it comprises a nozzle 120.
  • the injection nozzle 120 is a component that injects high-purity nitrogen gas at a high pressure to the wafer to remove contaminants such as fine dust, polymer, and residual gas adsorbed or remaining on the surface of the wafer after the etching process.
  • nitrogen gas is directed toward the wafer entering the upper chamber 101 of the discharge device 100 to be loaded on the wafer loading unit 110. Spray.
  • the spray nozzle 120 is sprayed with nitrogen gas before the wafer enters the upper chamber 101 to remove contaminants adsorbed or remaining on the surface of the wafer.
  • nitrogen gas or the like is injected toward the wafer, an effect of remarkably reducing the amount of pollutants scattered in the discharge device 100 occurs, and the scattered pollutants are discharged inside the discharge device 100. The effect is to block the flow into.
  • the plurality of injection nozzles 120 are disposed above the inlet of the upper chamber 101 and the plurality of upper nozzles 121 and the upper chamber 101 which inject a nitrogen gas vertically downward to form an air curtain.
  • a plurality of side nozzles 122 disposed at both sides of the inlet to remove nitrogen contaminants adsorbed or remaining on the surface of the wafer by injecting nitrogen gas at an angle of 25 ° toward the outside. .
  • the plurality of upper nozzles 121 spray nitrogen at a vertical downward direction, that is, at an angle of 90 ° to remove contaminants adsorbed or remaining on the surface of the wafer, and to block inflow of scattered contaminants, dust, and the like.
  • the diameter of the injection hole in which nitrogen is injected may be formed to 1mm
  • the interval of each of the plurality of injection holes may be composed of 25mm
  • all 12 may be provided.
  • the plurality of side nozzles 122 is a component for simultaneously ejecting and removing contaminants adsorbed or remaining on the wafer by injecting nitrogen at an angle of 25 °, and the diameter of the injection hole through which nitrogen is injected may be formed to be 1 mm.
  • the spacing of each of the plurality of injection holes may be configured as 10 mm, and 60 pieces may be provided in each of 30 pieces on both sides.
  • such a configuration is a structure for effectively removing contaminants such as residual gas adsorbed or remaining on the surface of the wafer by injecting nitrogen gas from the plurality of injection nozzles 120, the plurality of injection nozzles 120 Is preferably arranged in series at the upper and both sides of the inlet side of the upper chamber 101 while maintaining a constant gap therebetween, and injects high-pressure nitrogen gas in three directions toward the wafer entering the upper chamber 101. Contaminants adsorbed or remaining on the top surface of the wafer to dislodge from the wafer.
  • the injection angle of the side nozzle 122 when the injection angle of the side nozzle 122 is 10 °, the number of contaminant particles remaining on the wafer is 50,000 or more, and when the injection angle of the side nozzle 122 is 20 °, The number of contaminant particles remaining is 1,500 or more, the number of contaminant particles remaining on the wafer is 300 or less when the injection angle of the side nozzles 122 is formed at 25 °, and the side nozzles 122 are sprayed. When the angle was formed at 30 °, the number of contaminant particles remaining on the wafer was measured to be 1,000 or more, so the most efficient injection angle was 25 °.
  • the pollutant discharge device is characterized in that it comprises a supply pipe 130 for supplying nitrogen gas to the injection nozzle (120).
  • the supply pipe 130 is a component for transferring nitrogen gas supplied from the outside of the discharge device 100 to each of the plurality of injection nozzles 120, and the plurality of injection nozzles 120 is an inlet of the upper chamber 101. It is reasonable that the straight tubes arranged in the upper and both sides of the inlet side of the upper chamber 101 can be arranged in series in the upper side and both sides.
  • the supply pipe 130 is a horizontal tube and the inlet side of the upper chamber 101 disposed above the inlet side of the upper chamber 101 and the inlet side of the lower chamber 102, respectively. It is disposed on both sides, but a portion of the body may be configured to include a vertical tube embedded in the lower chamber 102 through the bottom of the upper chamber 101, the horizontal disposed on the upper chamber 101 One end of the vertical tube is connected to both ends of the tube, respectively, and horizontally disposed at the upper end of the lower chamber 102 at the other end of the vertical tube positioned in the lower chamber 102 through the bottom of the upper chamber 101. Both ends of the tube are connected to each other, the horizontal tube disposed on the upper portion of the lower chamber 102 may be in the form of connecting the pipe to which the nitrogen gas supplied from the outside is transferred.
  • the arrangement of the supply pipe 130 in the lower chamber 102 may be variously formed.
  • the arrangement of the supply pipe 130 in the upper chamber 101 may include the upper chamber. (101) It shall be constructed in such a way that it is arranged on the upper side and both sides of the entrance side.
  • the pollutant discharge device is characterized in that it comprises an exhaust port 140 for communicating the upper chamber 101 and the lower chamber 102.
  • the exhaust port 140 is a passage through which the wafer is not removed when the wafer enters the upper chamber 101 but exhausts contaminants that have escaped from the wafer from the upper chamber 101 as time passes, and the bottom of the upper chamber 101.
  • One or more holes may be formed in the form of holes of various sizes and shapes formed through the exhaust holes, and the contaminants having passed through the exhaust port 140 may be moved to the exhaust unit 150 provided in the lower chamber 102 to discharge the device 100. The process is exhausted to the outside of the.
  • the pollutant discharge device has an exhaust plate 141 is formed in the upper chamber 101, the exhaust plate 141 is formed with a plurality of long holes 142 are formed differently in the size of one side and the other side of the wafer loading portion ( It is characterized in that it is installed between the 110 and the exhaust port 140.
  • the exhaust port 140 Since the exhaust port 140 is formed at one side of the bottom of the upper chamber 101, it takes a long time for the contaminants separated from the wafer loaded in the wafer loading unit 110 to enter the exhaust port, and the scattered contaminants Since the problem of remaining inside the upper chamber 101 occurs, the exhaust plate 141 forms a divided space having a predetermined size inside the upper chamber 101, thereby preventing the outflow of contaminants introduced into the space. And at the same time induce exhaust to the exhaust vents.
  • the exhaust plate 141 when the exhaust plate 141 is installed in the upper chamber 101, the contaminants introduced through the long hole 142 to the space where the exhaust port 140 is located again pass through the long hole 142.
  • the size of the inlet of the long hole 142 formed on one side of the exhaust plate 141 may be different from that of the outlet of the long hole 142 formed on the other side so that the wafer does not easily flow into the space where the wafer is located.
  • the exhaust plate 141 passes through the long hole 142 when it is installed in the upper chamber 101 by forming a protrusion having the same shape as the upper side of the long hole 142 above the outlet side of the long hole 142.
  • the contaminants introduced into the space where the exhaust port 140 is located may fall and be easily blocked to pass through the long hole 142 again.
  • the protruding portion may have the same shape as that of the upper side of the long hole 142 so as to induce the direction of the contaminant passing through the long hole 142 downward, and may be configured as a cover shape in which only the lower side is opened. Passing through the long hole 142 located in has the effect of further scattering the direction of the pollutant to both sides.
  • the pollutant discharge device includes a gas regulator 131 for adjusting the amount of nitrogen gas supplied to the injection nozzle 120 through the supply pipe 130 It is characterized in that the configuration.
  • the gas regulator 131 is an upper chamber 101 that controls the injection amount and injection pressure of nitrogen gas injected toward the wafer sequentially loaded from the lowest slot among the plurality of slots formed in the wafer loading unit 110.
  • the amount of injection and injection pressure of nitrogen gas are adjusted according to the degree of adsorption of the contaminants adsorbed on each wafer surface to enter), so that contaminants such as residual gas adsorbed or remaining on the wafer surface can be effectively removed.
  • each of the wafers that are preferably sequentially loaded from the lowermost slot among the plurality of slots formed in the wafer loading unit 110 may include respective injection nozzles arranged in series on the inlet side and the both side portions of the upper chamber 101.
  • the distance from 120 is kept constant, but the distance from each injection nozzle 120 arranged in series on the upper side of the inlet side of the upper chamber 101 is always varied, so the injection amount and injection of nitrogen gas injected from the injection nozzle 120 is varied.
  • the necessity of the pressure to be adjusted may arise, and the gas regulator 131 adjusts the amount of nitrogen gas supplied to the injection nozzle 120 by this necessity.
  • the manager using the present invention may have different amounts of adsorption or residual amount of contaminants adsorbed or remaining on the wafer depending on the type of corrosive gas used in the dry method or the type of chemical used in the wet method. Therefore, the set pressure of the gas regulator 131 may be adjusted in advance according to the method used and the type of the corrosive gas or the chemical so that the contaminants may be effectively removed from the wafer.
  • the exhaust unit 150 provided in the lower chamber 102 of the pollutant discharge device according to the present invention is the lower chamber 102 of the It is provided in the upper portion is characterized in that it comprises a suction duct 151 is introduced into the pollutant passing through the exhaust port 140.
  • the suction duct 151 is made of a transparent material so that the contaminants introduced into the interior through the exhaust port 140 can be identified from the outside, and the manager can determine the amount or the degree of contamination of the contaminants passing through the exhaust port 140. It is possible to grasp, to determine whether the backflow of contaminants, and to determine the maintenance and replacement of the exhaust unit 150 by reducing the transparency by continuous use.
  • the suction duct 151 has the same number of inlets as the number of the exhaust ports 140 formed through the bottom of the upper chamber 101 so that all the contaminants passing through the exhaust ports 140 can be introduced into the interior.
  • the upper portion of the inlet is formed so as to project vertically so that the exhaust port 140 and the inlet is coupled in close contact, but is not necessarily limited thereto, the exhaust port 140 in place of the inlet
  • the lower portion of the may be formed to protrude vertically.
  • the exhaust unit 150 is connected to the lower portion of the suction duct 151, characterized in that it comprises a exhaust pipe 152 for exhausting the pollutants to the outside.
  • the exhaust pipe 152 is a passage through which contaminants introduced into the suction duct 151 are exhausted to the outside of the discharge device 100, and a lower portion of the suction duct 151 or an upper portion of the exhaust pipe 152 is a suction duct. 151 and the exhaust pipe 152 is preferably combined so that all the contaminants inside the suction duct 151 may be introduced into the exhaust pipe 152.
  • the material of the exhaust unit 150 is preferably composed of HT-PVC (High Temperature Polyvinyl Chloride, heat resistant hard vinyl chloride) to improve chemical resistance and heat resistance.
  • HT-PVC High Temperature Polyvinyl Chloride, heat resistant hard vinyl chloride
  • the inside of the exhaust pipe 152 is characterized in that the air nozzle for injecting air in the same direction as the direction in which the pollutant is exhausted.
  • the air nozzle is discharged when the pressure inside the discharge device 100 becomes lower than the external pressure, or when the pressure inside the upper chamber 101 inside the discharge device 100 becomes lower than the pressure inside the exhaust pipe 152.
  • the injection port through which the air is injected is arranged to face the outlet side of the exhaust pipe 152.
  • the exhaust unit 150 is characterized in that the air regulator 153 for adjusting the amount of air supplied to the air nozzle.
  • the air regulator 153 is a component for adjusting the injection amount and the injection pressure of the air injected from the air nozzle, it may not be driven in the state that the contaminants exhausted through the exhaust pipe 152 to the outside does not flow back. However, the pollutant may be driven to smooth the flow of the exhaust gas through the exhaust pipe 152 to the outside, and the pollutant flows back when the pollutant exhausted to the outside through the exhaust pipe 152 flows back. It is preferably driven to inject air at a speed faster than the speed.
  • the pollutant discharge device measures the pressure in any one or more of the inside of the upper chamber 101, the inside of the exhaust pipe 152 or the outside of the discharge device 100.
  • a pressure gauge is configured to be provided, and a control device for automatically driving the air regulator 153 is configured to be further provided based on the pressure measured by the at least one pressure gauge.
  • the pressure inside the discharge device 100 is an external pressure. When it is lowered, or when the pressure in the upper chamber 101 in the discharge device 100 is lower than the pressure in the exhaust pipe 152 may be configured to inject air from the air nozzle.
  • the pollutant discharge device removes pollutants adsorbed or remaining on the surface of the wafer entering the device, and at the same time blocks most of the scattered pollutants from entering the device, such as inside the exhaust device and the exhaust pipe. This contamination rate is considerably lowered and the quality of the wafer is ensured, so the industrial availability is sufficient.

Abstract

본 발명은 표면에 잔류 가스 등의 오염물질이 흡착된 웨이퍼가 내부로 진입할 때 질소 가스를 분사하여 대부분의 오염물질을 제거하고, 남아있는 일부 오염물질을 외부로 배기할 때 배기관에 삽입된 에어 노즐에서의 에어 분사로 역류를 차단하여 웨이퍼를 보호하는 배출 장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 오염물질 배출 장치는 복수 개의 웨이퍼를 층별로 적재 가능한 웨이퍼 적재부가 내부에 구비되는 상부 챔버 및 상부 챔버 내의 오염물질을 외부로 배기시키는 배기부가 내부에 구비되는 하부 챔버로 구성되는 배출 장치에 있어서, 배출 장치는 상부 챔버 입구의 상방 및 양 측방의 3방향에서 상부 챔버의 내부로 진입하는 웨이퍼에 90° 및 25°로 분사 각도를 다르게 질소 가스를 분사하여 웨이퍼에 흡착 또는 잔류하는 오염물질을 제거하고 웨이퍼로부터 이탈된 오염물질의 역류 현상 및 상부 챔버로의 유입을 차단하는 복수 개의 분사 노즐과, 분사 노즐에 질소 가스를 공급하는 공급관과, 상부 챔버와 하부 챔버를 연통시키는 배기구를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

오염물질 배출 장치
본 발명은 반도체 생산공정 과정 중 에칭 공정을 거친 웨이퍼를 일시적으로 보관하며 오염물질을 배출시키는 배출 장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 표면에 잔류 가스 등의 오염물질이 흡착된 웨이퍼가 내부로 진입할 때 질소 가스를 분사하여 대부분의 오염물질을 제거하고 남아있는 일부 오염물질을 외부로 배기할 때 배기관에 삽입된 에어 노즐에서의 에어 분사로 역류를 차단하여 웨이퍼를 보호하는 오염물질 배출 장치에 관한 것이다.
반도체를 생산하기 위한 공정 중의 하나인 에칭(Etching) 공정은 실리콘 기판인 웨이퍼의 표면에 회로 패턴을 형성시키기 위해, 부식성 가스 또는 화학 약품을 사용하여 웨이퍼의 표면 일부를 선택적으로 제거하는 공정이다.
이때, 부식성 가스를 이용하는 방식을 건식 방식, 화학 약품을 이용하는 방식을 습식 방식이라고 하는데, 건식 방식에서 주로 사용되는 Cl2, HBr 등의 가스는 대기 상태에 노출되면 응축되는 성질이 있는 등 부식성 가스 또는 화약 약품의 사용으로 인한 잔류 가스 등의 오염물질이 웨이퍼의 표면에 흡착 또는 잔류하는 문제가 발생한다.
따라서, 에칭 공정 후에는 일정 온도하에서 일정시간 동안 웨이퍼를 보관하며 웨이퍼의 표면에 흡착 또는 잔류하는 잔류 가스 등의 오염물질을 제거하기 위한 용도로 웨이퍼 스토리지가 사용되고 있으나, 이러한 웨이퍼 스토리지에 일정시간 동안 웨이퍼를 보관하는 방식만으로는 웨이퍼의 표면에 흡착 또는 잔류하는 오염물질을 완벽히 제거하기 어려운 문제가 있는 실정이다.
이러한 문제를 해결하기 위한 스토리지에 관한 발명으로는 대한민국 공개특허공보 제10-2006-0100992호의 “웨이퍼 세정용 보트 및 이를 갖는 스토리지” 및 대한민국 등록특허공보 제10-1075171호의 “가스분사블록을 구비하는 사이드 스토리지”, 대한민국 공개특허공보 제10-2014-0088406호의 “퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버” 및 대한민국 등록특허공보 제10-1600307호의 “회전식 퓸 제거 웨이퍼 스토리지”가 제안되어 공개된 바 있다.
상기 대한민국 공개특허공보 제10-2006-0100992호의 “웨이퍼 세정용 보트 및 이를 갖는 스토리지”에는 에칭(Etching) 공정 진행 후 복수 개의 웨이퍼를 보트에 적재시킨 상태에서 보트 자체 내에서 세정시킴으로써, 잔류가스로 인해 이물질이 웨이퍼 표면에 응착되는 것을 방지하여 제품 수율을 향상시키는 장치에 관한 발명이 제안되었고, 상기 대한민국 등록특허공보 제10-1075171호의 “가스분사블록을 구비하는 사이드 스토리지”에는 챔버 내에 적층된 다수의 웨이퍼 사이 공간으로 불활성 가스를 공급함으로써 웨이퍼를 보다 효과적으로 세정할 수 있고, 불활성 가스의 유동을 원활하게 함으로써 웨이퍼 세정에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있으며, 웨이퍼 측으로 공급되는 불활성 가스를 사전에 가열함으로써 웨이퍼에 크랙 등의 손상이 발생되는 현상을 방지할 수 있는 장치에 관한 발명이 제안되었다.
또한, 상기 대한민국 공개특허공보 제10-2014-0088406호의 “퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버”에는 적재 유닛의 각 층별로 노즐을 구성하여 각각의 웨이퍼 표면에 퓸 제거 가스를 개별 분사하고 웨이퍼와 적재 유닛의 접촉 부분에도 퓸 제거 기체를 분사함으로써 퓸 제거 효율성을 향상시킬 수 있고, 하우징에 투명창을 설치하여 외부에서 퓸의 제거 상태 및 내부 장치의 동작 상태를 확인할 수 있는 장치에 관한 발명이 제안되었고, 상기 대한민국 등록특허공보 제10-1600307호의 “회전식 퓸 제거 웨이퍼 스토리지”에는 웨이퍼 인입시와 웨이퍼에서 퓸 제거 시 웨이퍼 수납 회전 모듈의 방향이 가변될 수 있으므로, 웨이퍼 인입에 방해되지 않도록 웨이퍼 인입 방향과 대략 수직인 상하 방향으로 퓸 제거를 위한 가스를 공급해주더라도 적층된 웨이퍼 사이 공간의 퓸이 원활하게 제거될 수 있게 되고, 그에 따라 웨이퍼의 간편하고 신속한 인입을 이루면서도 웨이퍼에 묻은 퓸 제거도 원활하게 이루어질 수 있게 되는 장치에 관한 발명이 제안되었다.
그러나 상기와 같은 종래 기술들은 스토리지 내부에 안착된 웨이퍼에 흡착 또는 잔류하는 잔류 가스 등의 오염물질을 제거할 때 오염물질이 비산하게 되어 외부로의 배기가 원활하지 않고, 스토리지 내부와 배기관 등을 오염시키게 되어 장비의 유지보수 및 교체 주기가 짧아지는 문제가 발생하였고, 스토리지 내부의 압력이 외부의 압력보다 낮아지게 되면, 스토리지의 외부로 배기된 오염물질이 배기관을 통해 역류하여 웨이퍼에 손상을 입히는 문제가 발생하였다.
따라서, 스토리지 내부에서 비산되는 잔류 가스 등의 양을 감소시킬 수 있고, 스토리지 외부로 배기된 잔류 가스 등의 오염물질이 배기관을 통해 역류하는 현상을 방지할 수 있는 장치에 관한 발명이 요구되는 실정이다.
본 발명에 의한 오염물질 배출 장치는 상기와 같은 종래기술의 문제점들을 해결하기 위해 제안된 기술로써,
배출 장치 내부에 안착된 웨이퍼에 흡착 또는 잔류하는 잔류 가스 등의 오염물질을 제거할 때 오염물질이 비산하게 되어 외부로의 배기가 원활하지 않고, 내부와 배기관 등을 오염시키게 되어 웨이퍼의 품질이 떨어지고 장비의 유지보수 및 교체 주기가 짧아지는 문제가 발생하였고,
배출 장치 내부의 압력이 외부의 압력보다 낮아지게 되면, 배출 장치의 외부로 배기된 잔류 가스 등의 오염물질이 배기관을 통해 역류하여 웨이퍼에 손상을 입히는 문제가 발생하였기 때문에, 이에 대한 해결책을 제시하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에 의한 오염물질 배출 장치는 상기와 같은 목적을 실현하고자,
복수 개의 웨이퍼를 층별로 적재 가능한 웨이퍼 적재부가 내부에 구비되는 상부 챔버 및 상부 챔버 내의 오염물질을 외부로 배기시키는 배기부가 내부에 구비되는 하부 챔버로 구성되는 배출 장치에 있어서, 상기 배출 장치는 상기 상부 챔버 입구의 상방 및 양 측방의 3방향에서 상부 챔버의 내부로 진입하는 웨이퍼에 90° 및 25°로 분사 각도를 다르게 질소 가스를 분사하여 웨이퍼에 흡착 또는 잔류하는 오염물질을 제거하고 웨이퍼로부터 이탈된 오염물질의 역류 현상 및 상부 챔버로의 유입을 차단하는 복수 개의 분사 노즐; 상기 분사 노즐에 질소 가스를 공급하는 공급관; 상기 상부 챔버와 상기 하부 챔버를 연통시키는 배기구; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 오염물질 배출 장치를 제시한다.
본 발명에 의한 오염물질 배출 장치는,
배출 장치의 내부로 진입하는 웨이퍼에 복수 개의 분사 노즐이 3방향에서 질소 가스를 분사함으로써 웨이퍼의 표면에 흡착 또는 잔류하는 오염물질을 제거함과 동시에 비산된 오염물질이 배출 장치의 내부로 진입하는 것을 대부분 차단하여 배출 장치 내부와 배기관 등이 오염되는 속도가 현저하게 낮아지고 웨이퍼의 품질이 확보되는 효과가 발생하였고,
배기관의 내부에 구비되는 에어 노즐이 가스가 배기되는 방향과 동일한 방향으로 에어를 분사함으로써, 배출 장치의 외부로 배기된 잔류 가스 등의 오염물질이 배기관을 통해 역류하는 현상을 방지하여 웨이퍼의 안정성이 확보되는 효과가 발생하였다.
도 1은 본 발명에 의한 오염물질 배출 장치의 외부 사시도.
도 2는 본 발명에 의한 오염물질 배출 장치의 상부 챔버의 내부 모습을 나타낸 내부 사시도.
도 3(a) 내지 도 3(b)는 본 발명에 의한 오염물질 배출 장치의 상부 챔버에 진입하는 웨이퍼 표면에 흡착된 오염물질을 제거하는 모습을 나타낸 예시도.
도 4는 본 발명에 의한 오염물질 배출 장치의 측방 노즐의 분사 각도에 관한 실험 결과를 나타낸 결과표.
도 5(a) 내지 도 5(b)는 본 발명에 의한 오염물질 배출 장치의 배기구에 흡입 덕트가 끼워지는 모습을 나타낸 예시도.
본 발명에 의한 오염물질 배출 장치는 복수 개의 웨이퍼를 층별로 적재 가능한 웨이퍼 적재부(110)가 내부에 구비되는 상부 챔버(101) 및 상부 챔버(101) 내의 오염물질을 외부로 배기시키는 배기부(150)가 내부에 구비되는 하부 챔버(102)로 구성되는 배출 장치(100)에 관한 것으로써,
상기 배출 장치(100)는 상기 상부 챔버(101) 입구의 상방 및 양 측방의 3방향에서 상부 챔버(101)의 내부로 진입하는 웨이퍼에 90° 및 25°로 분사 각도를 달리하여 질소 가스를 분사하여 웨이퍼에 흡착 또는 잔류하는 오염물질을 제거하고 웨이퍼로부터 이탈된 오염물질의 역류 현상 및 상부 챔버(101)로의 유입을 차단하는 복수 개의 분사 노즐(120); 상기 분사 노즐(120)에 질소 가스를 공급하는 공급관(130); 상기 상부 챔버(101)와 상기 하부 챔버(102)를 연통시키는 배기구(140); 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 반도체 생산공정 과정 중 에칭 공정을 거친 웨이퍼를 일시적으로 보관하며 오염물질을 배기시키는 배출 장치(100)에 관한 것으로써,
복수 개의 웨이퍼를 층별로 적재 가능한 웨이퍼 적재부(110)가 내부에 구비되는 상부 챔버(101) 및 상부 챔버(101) 내의 오염물질을 외부로 배기시키는 배기부(150)가 내부에 구비되는 하부 챔버(102)로 구성되는 배출 장치(100)에 있어서, 상기 배출 장치(100)는 상기 상부 챔버(101) 입구의 상방 및 양 측방의 3방향에서 상부 챔버(101)의 내부로 진입하는 웨이퍼에 90° 및 25°로 분사 각도를 다르게 질소 가스를 분사하여 웨이퍼에 흡착 또는 잔류하는 오염물질을 제거하고 웨이퍼로부터 이탈된 오염물질의 역류 현상 및 상부 챔버(101)로의 유입을 차단하는 복수 개의 분사 노즐(120); 상기 분사 노즐(120)에 질소 가스를 공급하는 공급관(130); 상기 상부 챔버(101)와 상기 하부 챔버(102)를 연통시키는 배기구(140); 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 오염물질 배출 장치에 관한 것이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하고자 한다.
우선, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 오염물질 배출 장치는 복수 개의 웨이퍼를 층별로 적재 가능한 웨이퍼 적재부(110)가 내부에 구비되는 상부 챔버(101) 및 상부 챔버(101) 내의 오염물질을 외부로 배기시키는 배기부(150)가 내부에 구비되는 하부 챔버(102)로 구성되는 배출 장치(100)에 관한 것이다.
구체적으로, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 오염물질 배출 장치는 상기 상부 챔버(101) 입구의 상방 및 양 측방의 3방향에서 상부 챔버(101)의 내부로 진입하는 웨이퍼에 90° 및 25°로 분사 각도를 다르게 질소 가스를 분사하여 웨이퍼에 흡착 또는 잔류하는 오염물질을 제거하고 웨이퍼로부터 이탈된 오염물질의 역류 현상 및 상부 챔버(101)로의 유입을 차단하는 복수 개의 분사 노즐(120)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 분사 노즐(120)은 에칭 공정 후 웨이퍼의 표면에 흡착 또는 잔류하는 미세먼지, 폴리머(Polymer), 잔류 가스 등의 오염물질을 제거하기 위하여 웨이퍼에 고순도의 질소 가스를 고압으로 분사하는 구성요소로써, 도 3(a) 및 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼 적재부(110)에 적재되기 위하여 배출 장치(100)의 상부 챔버(101) 내부로 진입하는 웨이퍼를 향해 질소 가스를 분사한다.
이는, 웨이퍼 스토리지에 관한 종래의 발명들이 웨이퍼 적재부에 적재된 상태의 웨이퍼를 향해 질소 가스 등을 분사하여 웨이퍼에 흡착 또는 잔류하는 잔류 가스 등의 오염물질을 웨이퍼 스토리지 내부에서만 처리하는 것과 대비되는 본 발명의 특징으로써, 상기 배출 장치(100)의 내부로 진입하는 웨이퍼에 흡착 또는 잔류하는 오염물질을 미리 상당량 제거하여 배출 장치(100) 내부가 빠르게 오염되어 장비의 유지보수 및 교체 주기가 빨라지는 것을 방지한다.
즉, 상기 분사 노즐(120)은 웨이퍼가 상부 챔버(101) 내부로 진입하기 전부터 질소 가스를 분사하여 웨이퍼의 표면에 흡착 또는 잔류하는 오염물질을 제거함으로써 웨이퍼 적재부(110)에 적재된 상태의 웨이퍼를 향해 질소 가스 등을 분사하는 종래의 발명들에 비하여 배출 장치(100) 내부에서 비산되는 오염물질의 양을 현저하게 줄일 수 있는 효과가 발생하고, 비산된 오염물질이 배출 장치(100) 내부로 유입되는 것을 차단할 수 있는 효과가 발생한다.
구체적으로, 상기 복수 개의 분사 노즐(120)은 상기 상부 챔버(101) 입구의 상방에 배치되어 수직 하방으로 질소 가스를 분사하여 에어 커튼을 형성하는 복수 개의 상방 노즐(121) 및 상기 상부 챔버(101) 입구의 양 측방에 배치되어 외부를 향하여 25°의 각도로 질소 가스를 분사하여 웨이퍼의 표면에 흡착 또는 잔류하는 오염물질을 제거하는 복수 개의 측방 노즐(122)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 복수 개의 상방 노즐(121)은 수직 하방, 즉, 90°의 각도로 질소를 분사하여 웨이퍼의 표면에 흡착 또는 잔류하는 오염물질을 제거하고, 비산된 오염 물질, 먼지 등의 유입을 차단하는 에어 커튼을 형성하는 구성요소로써, 질소가 분사되는 분사 홀의 직경이 1mm로 형성될 수 있고, 복수 개의 분사 홀 각각의 간격은 25mm로 구성될 수 있으며, 모두 12개가 구비될 수 있다.
상기 복수 개의 측방 노즐(122)은 25°의 각도로 질소를 분사하여 웨이퍼에 흡착 또는 잔류하는 오염물질을 동시에 밀어내어 제거하는 구성요소로써, 질소가 분사되는 분사 홀의 직경이 1mm로 형성될 수 있고, 복수 개의 분사 홀 각각의 간격은 10mm로 구성될 수 있으며, 양 측방에 각각 30개씩 모두 60개가 구비될 수 있다.
즉, 이와 같은 구성은 상기 복수 개의 분사 노즐(120)에서 질소 가스를 분사하여 웨이퍼의 표면에 흡착 또는 잔류하는 잔류 가스 등의 오염물질을 효과적으로 제거하기 위한 구성으로써, 상기 복수 개의 분사 노즐(120)은 상호 간에 일정한 간격을 유지하며 상기 상부 챔버(101) 입구 측 상부 및 양 측부에 직렬로 배열됨이 바람직하고, 상부 챔버(101) 내부로 진입하는 웨이퍼를 향하여 3방향에서 고압의 질소 가스를 분사하여 웨이퍼의 상단 표면에 흡착 또는 잔류하는 오염물질을 웨이퍼로부터 이탈시킨다.
이때, 상기 복수 개의 측방 노즐(122)이 외부를 향하여 25°의 각도로 질소 가스를 분사하는 것은 양측에서 분사되는 질소가 마주치게 되어 오염물질의 제거 효과가 감소하는 것을 방지함과 동시에 분사 각도를 90°가 아닌 다른 각도로 형성하였을 때 오염물질 제거 효과가 가장 우수한 각도를 실험을 통해 얻어낸 결과이며, 측방 노즐(122)의 분사 각도에 관한 실험 결과는 도 4에 도시되어 있다.
즉, 상기 측방 노즐(122)의 분사 각도를 10°로 형성하였을 때 웨이퍼에 잔류하는 오염물질 파티클의 개수는 50,000개 이상이고, 측방 노즐(122)의 분사 각도를 20°로 형성하였을 때 웨이퍼에 잔류하는 오염물질 파티클의 개수는 1,500개 이상이며, 측방 노즐(122)의 분사 각도를 25°로 형성하였을 때 웨이퍼에 잔류하는 오염물질 파티클의 개수는 300개 이하이고, 측방 노즐(122)의 분사 각도를 30°로 형성하였을 때 웨이퍼에 잔류하는 오염물질 파티클의 개수는 1,000개 이상으로 측정되었으므로, 가장 효율적인 분사 각도는 25°이다.
이러한 결과는 상기 측방 노즐(122)의 분사 각도에 따라 상부 챔버(101) 주변의 기류 밸런스가 흐트러짐으로 인한 역류 현상으로 웨이퍼로부터 이탈된 오염물질이 다시 되돌아와 웨이퍼를 오염시키기 때문이며, 분사 각도가 25°인 경우 이러한 역류 현상이 가장 감소하여, 웨이퍼에 잔류하는 오염물질 파티클의 개수가 가장 감소한다.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 오염물질 배출 장치는 상기 분사 노즐(120)에 질소 가스를 공급하는 공급관(130)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 공급관(130)은 상기 배출 장치(100)의 외부로부터 공급되는 질소 가스를 복수 개의 분사 노즐(120) 각각에 이송시키는 구성요소로써, 복수 개의 분사 노즐(120)이 상부 챔버(101)의 입구 측 상부 및 양 측부에 직렬로 배열될 수 있도록 상부 챔버(101)의 입구 측 상부 및 양 측부에 배치된 직선의 관들이 이어진 형태로 구성됨이 타당하다.
본 발명의 일 실시예로써, 상기 공급관(130)은 상기 상부 챔버(101)의 입구 측 상부 및 상기 하부 챔버(102)의 입구 측 상부에 각각 배치되는 수평관과 상부 챔버(101)의 입구 측, 양 측부에 각각 배치되되 몸체의 일부가 상부 챔버(101)의 바닥을 관통하여 하부 챔버(102)에 내재된 수직관을 포함하여 구성될 수 있고, 상부 챔버(101)의 상부에 배치되는 수평관의 양 말단에는 수직관의 일측 말단이 각각 연결되고, 상부 챔버(101)의 바닥을 관통하여 하부 챔버(102)에 위치된 수직관의 타측 말단에는 하부 챔버(102)의 상부에 배치되는 수평관의 양 말단이 각각 연결되며, 하부 챔버(102)의 상부에 배치되는 수평관의 중단에는 외부로부터 공급되는 질소 가스가 이송되는 관이 연결되는 형태일 수 있다.
즉, 상기 하부 챔버(102) 내부에서의 상기 공급관(130)의 배치 형태는 다양하게 형성되어도 무방하다 할 것이나, 상기 상부 챔버(101) 내부에서의 배치 형태는 상기 공급관(130)이 반드시 상부 챔버(101) 입구 측 상부 및 양 측부에 배치되는 형태로 구성되어야 한다.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 오염물질 배출 장치는 상기 상부 챔버(101)와 상기 하부 챔버(102)를 연통시키는 배기구(140)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 배기구(140)는 웨이퍼가 상부 챔버(101)의 내부로 진입시 제거되지 않았으나 시간이 흐름에 따라 웨이퍼로부터 이탈된 오염물질을 상부 챔버(101)로부터 배기시키는 통로로써, 상부 챔버(101)의 바닥을 관통하여 형성되는 다양한 크기 및 모양의 홀의 형태로 하나 이상 형성 가능하며, 배기구(140)를 통과한 오염물질은 하부 챔버(102)에 구비되는 배기부(150)로 이동하여 배출 장치(100)의 외부로 배기되는 과정을 거친다.
또한, 본 발명에 의한 오염물질 배출 장치는 상기 상부 챔버(101)에 일측의 크기와 타측의 크기가 다르게 형성되는 복수 개의 장공(142)이 형성되는 배기판(141)이 구비되어 상기 웨이퍼 적재부(110)와 상기 배기구(140) 사이에 설치되는 것을 특징으로 한다.
상기 배기구(140)는 상기 상부 챔버(101)의 바닥 일측에 형성되므로 상기 웨이퍼 적재부(110)에 적재된 웨이퍼로부터 이탈된 오염물질이 배기구 유입되기까지는 시간이 오래 걸리게 되며, 비산된 오염 물질이 상부 챔버(101) 내부에 잔류하게 되는 문제가 발생하게 되므로, 상기 배기판(141)은 상부 챔버(101)의 내부에 일정 크기의 분할된 공간을 형성함으로써, 상기 공간으로 유입된 오염물질의 유출을 방지함과 동시에 배기구로의 배출을 유도한다.
이때, 상기 배기판(141)은 상기 상부 챔버(101)에 설치되었을 때, 상기 장공(142)을 통과하여 상기 배기구(140)가 위치된 공간으로 유입된 오염물질이 다시 장공(142)을 통과하여 웨이퍼가 위치된 공간으로 쉽게 유출되지 아니하도록, 배기판(141)의 일측에 형성된 장공(142) 입구의 크기와 타측에 형성된 장공(142) 출구의 크기가 다르게 형성되도록 구성될 수 있다.
또한, 상기 배기판(141)은 상기 장공(142) 출구 측의 상측에 장공(142) 상측의 형태와 동일한 형태의 돌출부가 형성됨으로써 상기 상부 챔버(101)에 설치되었을 때, 장공(142)을 통과하여 상기 배기구(140)가 위치된 공간으로 유입된 오염물질이 하강하며 쉽게 다시 장공(142)을 통과하지 못하도록 차단할 수 있다.
즉, 상기 돌출부는 상기 장공(142)을 통과한 오염물질의 방향을 하방으로 유도할 수 있도록 장공(142) 상측의 형태와 동일한 형태를 가지며 하방만이 개방된 덮개 형태로 구성될 수 있고, 상방에 위치한 장공(142)을 통과하여 하강하는 오염물질의 방향을 양측으로 흩어주는 효과를 추가로 가진다.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 오염물질 배출 장치는 상기 공급관(130)을 통해 상기 분사 노즐(120)로 공급되는 질소 가스의 양을 조절하는 가스 레귤레이터(131)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 가스 레귤레이터(131)는 상기 웨이퍼 적재부(110)에 형성된 복수 개의 슬롯 중 최하단의 슬롯부터 순차적으로 적재되는 웨이퍼를 향해 분사되는 질소 가스의 분사량 및 분사 압력을 조절하는 구성요소로써 상부 챔버(101)로 진입하는 각각의 웨이퍼 표면에 흡착된 오염물질의 흡착 정도에 따라 질소 가스의 분사량 및 분사 압력을 조절하여 웨이퍼 표면에 흡착 또는 잔류하는 잔류 가스 등의 오염물질이 효과적으로 제거될 수 있도록 한다.
또한, 상기 웨이퍼 적재부(110)에 형성된 복수 개의 슬롯 중 최하단의 슬롯부터 순차적으로 적재되는 것이 바람직한 웨이퍼 각각은 상기 상부 챔버(101)의 입구 측, 양 측부에 직렬로 배열된 각각의 분사 노즐(120)로부터의 거리는 일정하게 유지되나 상부 챔버(101)의 입구 측 상부에 직렬로 배열된 각각의 분사 노즐(120)로부터의 거리는 항상 변동되므로 분사 노즐(120)로부터 분사되는 질소 가스의 분사량 및 분사 압력이 조절되어야 할 필요성이 발생할 수 있고, 상기 가스 레귤레이터(131)는 이러한 필요성에 의해 분사 노즐(120)로 공급되는 질소 가스의 양을 조절한다.
따라서, 본 발명을 이용하는 관리자는 에칭 공정 중 건식 방식에서 이용되는 부식성 가스의 종류 또는 습식 방식에서 이용되는 화학 약품의 종류에 따라 웨이퍼에 흡착 또는 잔류하게 되는 오염물질의 흡착량 또는 잔류량이 다르게 형성될 수 있으므로, 이용되는 방식 및 부식성 가스 또는 화학 약품의 종류에 따라 상기 가스 레귤레이터(131)의 설정압을 미리 조절하여 오염물질이 웨이퍼로부터 효과적으로 제거될 수 있도록 할 수 있다.
또한, 도 5(a) 및 도 5(b)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 오염물질 배출 장치의 하부 챔버(102) 내부에 구비되는 배기부(150)는 상기 하부 챔버(102)의 상부에 구비되어 상기 배기구(140)를 통과하는 오염물질이 유입되는 흡입 덕트(151)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 흡입 덕트(151)는 상기 배기구(140)를 통과하여 내부로 유입되는 오염물질을 외부에서 확인 가능하도록 투명한 재질로 구성되어, 배기구(140)를 통과하는 오염물질의 양이나 오염 정도를 관리자가 파악 가능하도록 하고, 오염물질의 역류 여부를 파악 가능하도록 하며, 지속적인 사용에 의한 투명도의 감소에 의해 배기부(150)의 유지보수 및 교체 시기를 판단 가능하도록 하는 구성요소이다.
따라서, 상기 흡입 덕트(151)는 상기 배기구(140)를 통과하는 모든 오염물질이 내부로 유입될 수 있도록 상부 챔버(101)의 바닥을 관통하여 형성되는 배기구(140)의 개수와 동일한 개수의 유입구가 상단에 형성되는 것이 바람직하며, 배기구(140)와 유입구가 밀착하여 결합될 수 있도록 유입구의 상부가 수직으로 돌출되도록 형성됨이 바람직하나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 유입구를 대신하여 배기구(140)의 하부가 수직으로 돌출되도록 형성되어도 무방하다 할 것이다.
또한, 상기 배기부(150)는 상기 흡입 덕트(151)의 하부에 연결되어 오염물질을 외부로 배기하는 배기관(152)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 배기관(152)은 흡입 덕트(151)의 내부로 유입된 오염물질이 배출 장치(100)의 외부로 배기되기 위한 통로이며, 흡입 덕트(151)의 하부 또는 배기관(152)의 상부는 흡입 덕트(151)와 배기관(152)이 결합되어 흡입 덕트(151) 내부의 모든 오염물질이 배기관(152)의 내부로 유입될 수 있도록 그 형태가 형성됨이 바람직하다.
이때, 상기 배기부(150)의 재질은 내화학성, 내열성을 개선하기 위하여 HT-PVC(High Temperature Polyvinyl Chloride, 내열성 경질 염화비닐)로 구성됨이 바람직하다.
또한, 상기 배기관(152)의 내부에는 오염물질이 배기되는 방향과 동일한 방향으로 에어를 분사하는 에어 노즐이 구비되는 것을 특징으로 한다.
상기 에어 노즐은 상기 배출 장치(100) 내부의 압력이 외부의 압력보다 낮아지게 되거나, 배출 장치(100) 내부에서 상부 챔버(101) 내부의 압력이 배기관(152) 내부의 압력보다 낮아지게 되면 배출 장치(100)의 외부로 배기된 오염물질 또는 배출 장치(100)의 외부로 배기되기 위하여 배기관(152)을 통과 중인 오염물질이 배기관(152)을 통해 역류하여 웨이퍼에 손상을 입히는 문제를 방지하기 위한 구성요소로써, 에어가 분사되는 분사구가 배기관(152)의 출구 측을 향하도록 배치된다.
또한, 상기 배기부(150)에는 상기 에어 노즐로 공급되는 에어의 양을 조절하는 에어 레귤레이터(153)가 구비되는 것을 특징으로 한다.
상기 에어 레귤레이터(153)는 상기 에어 노즐에서 분사되는 에어의 분사량 및 분사 압력을 조절하는 구성요소로써, 상기 배기관(152)을 통과하여 외부로 배기된 오염물질이 역류하지 않는 상태에서는 구동되지 아니할 수 있으나, 오염물질이 배기관(152)을 통과하여 외부로 배기되는 흐름을 원활하게 하기 위하여 구동될 수도 있고, 배기관(152)을 통과하여 외부로 배기되는 오염물질이 역류하는 상태에서는 오염물질이 역류하는 속도보다 더 빠른 속도로 에어를 분사하도록 구동됨이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예로써, 본 발명에 의한 오염물질 배출 장치는 상기 상부 챔버(101)의 내부, 상기 배기관(152)의 내부 또는 상기 배출 장치(100) 외부 중 어느 하나 이상에 압력을 측정하는 압력계가 구비되도록 구성되고, 하나 이상 구비되는 압력계에서 측정되는 압력을 기반으로 하여 에어 레귤레이터(153)를 자동으로 구동시키는 제어장치가 더 구비되도록 구성되어 배출 장치(100) 내부의 압력이 외부의 압력보다 낮아지게 되거나, 배출 장치(100) 내부에서 상부 챔버(101) 내부의 압력이 배기관(152) 내부의 압력보다 낮아지게 되면 에어 노즐에서 에어가 분사되도록 구성될 수 있다.
위에서 소개된 실시예들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해, 예로써 제공되는 것이며, 본 발명은 위에서 설명된 실시예들에 한정되지 않고, 다른 형태로 구체화 될 수도 있다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위하여 설명과 관계없는 부분은 도면에서 생략하였으며 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장 또는 축소되어 표현될 수 있다.
또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본 발명에 의한 오염물질 배출 장치는 장치의 내부로 진입하는 웨이퍼의 표면에 흡착 또는 잔류하는 오염물질을 제거함과 동시에 비산된 오염물질이 장치의 내부로 진입하는 것을 대부분 차단하여 배출 장치 내부와 배기관 등이 오염되는 속도가 현저하게 낮아지고 웨이퍼의 품질이 확보되는 효과가 발생하므로 산업상 이용가능성이 충분하다.

Claims (6)

  1. 복수 개의 웨이퍼를 층별로 적재 가능한 웨이퍼 적재부(110)가 내부에 구비되는 상부 챔버(101) 및 상부 챔버(101) 내의 오염물질을 외부로 배기시키는 배기부(150)가 내부에 구비되는 하부 챔버(102)로 구성되는 배출 장치(100)에 있어서,
    상기 배출 장치(100)는,
    상기 상부 챔버(101) 입구의 상방 및 양 측방의 3방향에서 상부 챔버(101)의 내부로 진입하는 웨이퍼에 90° 및 25°로 분사 각도를 달리하여 질소 가스를 분사하여 웨이퍼에 흡착 또는 잔류하는 오염물질을 제거하고 웨이퍼로부터 이탈된 오염물질의 역류 현상 및 상부 챔버(101)로의 유입을 차단하는 복수 개의 분사 노즐(120);
    상기 분사 노즐(120)에 질소 가스를 공급하는 공급관(130);
    상기 상부 챔버(101)와 상기 하부 챔버(102)를 연통시키는 배기구(140); 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 오염물질 배출 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 복수 개의 분사 노즐(120)은,
    상기 상부 챔버(101) 입구의 상방에 배치되어 수직 하방으로 질소 가스를 분사하여 에어 커튼을 형성하는 복수 개의 상방 노즐(121);
    상기 상부 챔버(101) 입구의 양 측방에 배치되어 외부를 향하여 25°의 각도로 질소 가스를 분사하여 웨이퍼의 표면에 흡착 또는 잔류하는 오염물질을 제거하는 복수 개의 측방 노즐(122)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 오염물질 배출 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 상부 챔버(101)에는,
    복수 개의 장공(142)이 형성되는 배기판(141)이 구비되어 상기 웨이퍼 적재부(110)와 상기 배기구(140) 사이에 설치되되,
    상기 장공(142)의 출구 측에는 장공(142) 상측의 형태와 동일한 형태를 가지며 하방만이 개방된 덮개 형태의 돌출부(미도시)가 형성되는 것을 특징으로 하는 오염물질 배출장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 배출 장치(100)는,
    상기 공급관(130)을 통해 상기 분사 노즐(120)로 공급되는 질소 가스의 양을 조절하는 가스 레귤레이터(131)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 오염물질 배출 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 배기부(150)는,
    상기 하부 챔버(102)의 상부에 구비되어 상기 배기구(140)를 통과하는 오염물질이 유입되는 흡입 덕트(151);
    상기 흡입 덕트(151)의 하부에 연결되어 오염물질을 외부로 배기하는 배기관(152); 을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 오염물질 배출 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 배기관(152)의 내부에는,
    오염물질이 배기되는 방향과 동일한 방향으로 에어를 분사하는 에어 노즐이 구비되고,
    상기 배출 장치(100)는,
    상기 에어 노즐로 공급되는 에어의 양을 조절하는 에어 레귤레이터(153)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 오염물질 배출 장치.
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