WO2019082959A1 - Film for protective film formation use, composite sheet for protective film formation use, and method for manufacturing semiconductor chip - Google Patents

Film for protective film formation use, composite sheet for protective film formation use, and method for manufacturing semiconductor chip

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Abstract

A film for protective film formation use according to the present embodiment contains a compound that is energy-ray-curable and has a carboxy group or a group that is a salt of a carboxy group and a polymerizable group per molecule. A composite sheet for protective film formation use according to the present embodiment is provided with a support sheet, wherein the film for protective film formation use is provided on the support sheet.

Description

保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法Film for protective film formation, composite sheet for protective film formation, and method of manufacturing semiconductor chip
 本発明は、保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法に関する。
 本願は、2017年10月27日に、日本に出願された特願2017-208431号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
The present invention relates to a protective film-forming film, a protective film-forming composite sheet, and a method of manufacturing a semiconductor chip.
Priority is claimed on Japanese Patent Application No. 2017-208431, filed Oct. 27, 2017, the content of which is incorporated herein by reference.
 近年、いわゆるフェースダウン(face down)方式と呼ばれる実装法を適用した半導体装置の製造が行われている。フェースダウン方式においては、回路面上にバンプ等の電極を有する半導体チップが用いられ、前記電極が基板と接合される。このため、半導体チップの回路面とは反対側の裏面は剥き出しとなることがある。 In recent years, semiconductor devices have been manufactured to which a mounting method called a so-called face down method is applied. In the face-down method, a semiconductor chip having electrodes such as bumps on a circuit surface is used, and the electrodes are bonded to a substrate. Therefore, the back surface of the semiconductor chip opposite to the circuit surface may be exposed.
 この剥き出しとなった半導体チップの裏面には、保護膜として、有機材料を含有する樹脂膜が形成され、保護膜付き半導体チップとして半導体装置に取り込まれることがある。保護膜は、ダイシング工程やパッケージングの後に、半導体チップにおいてクラックが発生するのを防止するために利用される。 A resin film containing an organic material is formed as a protective film on the back surface of the exposed semiconductor chip, and may be taken into a semiconductor device as a semiconductor chip with a protective film. The protective film is used to prevent the occurrence of cracks in the semiconductor chip after the dicing process or packaging.
 このような保護膜を形成するためには、例えば、支持シートと、前記支持シート上に、保護膜を形成するための保護膜形成用フィルムと、を備えてなる保護膜形成用複合シートが使用される。保護膜形成用フィルムは、硬化によって保護膜を形成可能である。また、支持シートは、保護膜形成用フィルム又は保護膜を裏面に備えた半導体ウエハを、半導体チップへ分割するときに、半導体ウエハを固定するために使用できる。さらに支持シートは、ダイシングシートとしても利用可能であって、保護膜形成用複合シートは、保護膜形成用フィルムとダイシングシートとが一体化されたものとして使用することも可能である。 In order to form such a protective film, for example, a composite sheet for forming a protective film comprising a support sheet and a film for forming a protective film for forming a protective film on the support sheet is used. Be done. The film for protective film formation can form a protective film by hardening. In addition, the support sheet can be used to fix the semiconductor wafer when dividing the semiconductor wafer provided with the protective film-forming film or the protective film on the back surface into semiconductor chips. Furthermore, the support sheet can also be used as a dicing sheet, and the composite sheet for protective film formation can also be used as an integrated film of the protective film formation film and the dicing sheet.
 このような保護膜形成用複合シートとしては、例えば、加熱により硬化することで保護膜を形成する熱硬化性の保護膜形成用フィルムを備えたものが、これまでに主に利用されてきた。しかし、熱硬化性の保護膜形成用フィルムの加熱硬化には、通常数時間程度と長時間を要するため、硬化時間の短縮が望まれている。これに対して、紫外線等のエネルギー線の照射により硬化可能な(すなわち、エネルギー線硬化性の)保護膜形成用フィルムを、保護膜の形成に用いることが検討されている。 As such a composite sheet for protective film formation, for example, one provided with a thermosetting protective film-forming film that forms a protective film by curing by heating has been mainly utilized so far. However, since heat curing of a thermosetting protective film-forming film usually requires a long time of about several hours, shortening of the curing time is desired. On the other hand, using a film for protective film formation which can be cured (that is, energy beam curable) by irradiation of energy rays such as ultraviolet rays is being considered for formation of the protective film.
 一方、半導体チップを得る方法としては、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハをダイシングする方法が広く利用されている。この方法では、通常、裏面に保護膜形成用フィルム又は保護膜を備えた半導体ウエハを、これら保護膜形成用フィルム又は保護膜ごとダイシングブレードによって分割し、個片化することで、半導体チップを得る。 On the other hand, as a method of obtaining a semiconductor chip, a method of dicing a semiconductor wafer using a dicing blade is widely used. In this method, usually, a semiconductor wafer provided with a protective film-forming film or film on the back surface is divided by the dicing blade together with the protective film-forming film or protective film with a dicing blade to obtain semiconductor chips. .
 これに対して、近年は、ダイシングブレードを用いない半導体ウエハの分割方法も種々検討されている。例えば、半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するようにレーザー光を照射することにより、半導体ウエハの内部に改質層を形成し、次いで、この改質層が形成され、かつ裏面には樹脂膜が貼付された半導体ウエハを、この樹脂膜とともに、樹脂膜の表面方向にエキスパンドすることにより、樹脂膜を切断するとともに、改質層の部位において半導体ウエハを分割し、個片化して、半導体チップを得る方法が知られている。この方法は、ダイシングブレードを用いる方法とは異なり、半導体ウエハにおいて、ダイシングブレードによる切削部の形成を伴うことがなく、半導体ウエハからより多くの半導体チップが得られ、切削屑を生じさせないという利点を有する。半導体チップを基板の回路形成面にダイボンディングするためのものとして、フィルム状接着剤があるが、上記の分割方法はこれまで、前記樹脂膜として、このフィルム状接着剤を用いる場合に、主として利用されてきた(特許文献1参照)。 On the other hand, in recent years, various methods of dividing a semiconductor wafer without using a dicing blade have been studied. For example, a modified layer is formed inside the semiconductor wafer by irradiating a laser beam so as to focus on a focal point set inside the semiconductor wafer, and then this modified layer is formed and the back surface is formed. By expanding the semiconductor wafer to which the resin film is attached together with this resin film in the surface direction of the resin film, the resin film is cut, and the semiconductor wafer is divided at the portion of the modified layer and separated into pieces Methods are known for obtaining semiconductor chips. Unlike the method using a dicing blade, this method has the advantage that in a semiconductor wafer, the formation of a cut portion by a dicing blade is not involved, more semiconductor chips can be obtained from the semiconductor wafer, and no cutting waste is generated. Have. Although there is a film-like adhesive as a device for die-bonding a semiconductor chip to a circuit formation surface of a substrate, the above dividing method is mainly used when the film-like adhesive is used as the resin film. (See Patent Document 1).
 そこで、前記樹脂膜として、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルム又はその硬化物である保護膜を備えた半導体ウエハに対して、上記の様な、エキスパンドによる分割方法を適用できれば、このような方法は、保護膜を備えた半導体チップの製造方法として、極めて有用性が高い。 Therefore, if the above dividing method by expanding can be applied to a semiconductor wafer provided with a protective film that is an energy ray curable protective film or a cured product thereof as the resin film, such a method can be used. The method is extremely useful as a method of manufacturing a semiconductor chip provided with a protective film.
日本国特開2012-222002号公報Japan JP 2012-222002
 しかし、保護膜形成用フィルム又は保護膜を備えた半導体ウエハをエキスパンドした場合には、得られた半導体チップが、切断後の保護膜形成用フィルム又は保護膜から剥離して浮き上がってしまうことがあるという問題点があった。なかでも、この問題点は、半導体チップの周縁部、特に角部において顕著であった。 However, when a semiconductor wafer provided with a protective film-forming film or a protective film is expanded, the obtained semiconductor chip may be peeled off from the protective film-forming film or protective film after cutting and become floating. There was a problem of that. Above all, this problem is remarkable at the peripheral portion of the semiconductor chip, particularly at the corner portion.
 本発明は、半導体ウエハとして、その裏面に保護膜形成用フィルム又は保護膜形成用フィルムの硬化物である保護膜を備え、その内部に改質層が形成されたものをエキスパンドすることにより、保護膜形成用フィルム又は保護膜を切断するとともに、半導体ウエハを分割して半導体チップとしたときに、保護膜形成用フィルム又は保護膜からの半導体チップの浮きを抑制できる保護膜形成用フィルムと、前記保護膜形成用フィルムを備えた保護膜形成用複合シートと、前記半導体チップの製造方法と、を提供することを目的とする。 In the present invention, a semiconductor wafer is provided with a protective film which is a cured film of a protective film-forming film or a protective film-forming film on the back surface thereof, and the semiconductor wafer is protected by expanding a modified layer formed therein. When a film for film formation or a protective film is cut, and the semiconductor wafer is divided into semiconductor chips, the film for protective film formation or the film for protective film formation which can suppress the floating of the semiconductor chip from the protective film, It aims at providing a composite sheet for protective film formation provided with a film for protective film formation, and a manufacturing method of the above-mentioned semiconductor chip.
 本発明は、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルムであって、前記保護膜形成用フィルムは、一分子中にカルボキシ基又はカルボキシ基が塩を形成した基と、重合性基と、を有する化合物を含有する、保護膜形成用フィルムを提供する。 The present invention is a film for forming an energy ray-curable protective film, wherein the film for forming a protective film has a group in which a carboxy group or a carboxy group has formed a salt in one molecule, and a polymerizable group. Provided is a film for forming a protective film, which contains a compound.
 本発明は、支持シートを備え、前記支持シート上に、前記保護膜形成用フィルムを備えた、保護膜形成用複合シートを提供する。
 本発明は、前記保護膜形成用フィルム、又は前記保護膜形成用複合シート中の保護膜形成用フィルムを、半導体ウエハに貼付する工程と、前記半導体ウエハに貼付した後の前記保護膜形成用フィルムにエネルギー線を照射することにより、保護膜を形成する工程と、前記半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、前記保護膜又は保護膜形成用フィルムを介してレーザー光を照射することにより、前記半導体ウエハの内部に改質層を形成する工程と、前記改質層を形成した前記半導体ウエハを、前記保護膜又は保護膜形成用フィルムとともに、前記保護膜又は保護膜形成用フィルムの表面方向にエキスパンドすることにより、前記保護膜又は保護膜形成用フィルムを切断するとともに、前記改質層の部位において前記半導体ウエハを分割し、複数個の半導体チップを得る工程と、を有する、半導体チップの製造方法を提供する。
The present invention provides a composite sheet for protective film formation, which comprises a support sheet, and the protective film-forming film is provided on the support sheet.
In the present invention, a step of sticking the film for forming a protective film or the film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film on a semiconductor wafer, and the film for forming the protective film after being stuck to the semiconductor wafer And forming a protective film by irradiating an energy beam onto the semiconductor wafer, and irradiating a laser beam through the protective film or the protective film-forming film so as to focus on a focal point set inside the semiconductor wafer. By forming a modified layer inside the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer on which the modified layer is formed, together with the protective film or the protective film forming film, the protective film or the protective film forming film While expanding the protective film or the film for forming a protective film by expanding in the surface direction of the Dividing the, and a step of obtaining a plurality of semiconductor chips, and to provide a method of manufacturing a semiconductor chip.
 本発明の保護膜形成用フィルム又は保護膜形成用複合シートを用いて、本発明の方法により、半導体チップを製造すれば、半導体ウエハとして、その裏面に保護膜形成用フィルム又は保護膜形成用フィルムの硬化物である保護膜を備え、その内部に改質層が形成されたものをエキスパンドすることにより、保護膜形成用フィルム又は保護膜を切断するとともに、半導体ウエハを分割して半導体チップとしたときに、保護膜形成用フィルム又は保護膜からの半導体チップの浮きを抑制できる。 When a semiconductor chip is produced by the method of the present invention using the protective film-forming film or the protective film-forming composite sheet of the present invention, a protective film-forming film or a protective film-forming film is formed on the back as a semiconductor wafer. The protective film, which is a cured product of the present invention, is provided with a reformed layer formed therein to expand the protective film-forming film or the protective film and to divide the semiconductor wafer into semiconductor chips. Occasionally, it is possible to suppress the floating of the semiconductor chip from the protective film or the protective film.
本発明の一実施形態に係る保護膜形成用フィルムを模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the film for protective film formation which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る保護膜形成用複合シートを模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the composite sheet for protective film formation which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る保護膜形成用複合シートを模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the composite sheet for protective film formation which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る保護膜形成用複合シートを模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the composite sheet for protective film formation which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る保護膜形成用複合シートを模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the composite sheet for protective film formation which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る保護膜形成用複合シートを模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the composite sheet for protective film formation which concerns on one Embodiment of this invention. 保護膜形成用複合シートを構成していない保護膜形成用フィルムを用いた場合の、半導体チップの製造方法の一実施形態を、模式的に説明するための断面図である。It is sectional drawing for describing typically one Embodiment of the manufacturing method of a semiconductor chip at the time of using the film for protective film formation which is not comprising the composite sheet for protective film formation. 保護膜形成用複合シートを構成していない保護膜形成用フィルムを用いた場合の、半導体チップの製造方法の一実施形態を、模式的に説明するための断面図である。It is sectional drawing for describing typically one Embodiment of the manufacturing method of a semiconductor chip at the time of using the film for protective film formation which is not comprising the composite sheet for protective film formation. 保護膜形成用複合シートを構成していない保護膜形成用フィルムを用いた場合の、半導体チップの製造方法の一実施形態を、模式的に説明するための断面図である。It is sectional drawing for describing typically one Embodiment of the manufacturing method of a semiconductor chip at the time of using the film for protective film formation which is not comprising the composite sheet for protective film formation. 保護膜形成用フィルムを予め支持シートと一体化させて構成した保護膜形成用複合シートを用いた場合の、半導体チップの製造方法の一実施形態を、模式的に説明するための断面図である。It is sectional drawing for describing typically one Embodiment of the manufacturing method of a semiconductor chip at the time of using the composite sheet for protective film formation which integrated the protective film formation film with the support sheet previously, and was used. . 保護膜形成用フィルムを予め支持シートと一体化させて構成した保護膜形成用複合シートを用いた場合の、半導体チップの製造方法の一実施形態を、模式的に説明するための断面図である。It is sectional drawing for describing typically one Embodiment of the manufacturing method of a semiconductor chip at the time of using the composite sheet for protective film formation which integrated the protective film formation film with the support sheet previously, and was used. . 保護膜形成用フィルムを予め支持シートと一体化させて構成した保護膜形成用複合シートを用いた場合の、半導体チップの製造方法の一実施形態を、模式的に説明するための断面図である。It is sectional drawing for describing typically one Embodiment of the manufacturing method of a semiconductor chip at the time of using the composite sheet for protective film formation which integrated the protective film formation film with the support sheet previously, and was used. .
◇保護膜形成用フィルム
 本発明の一実施形態に係る保護膜形成用フィルムは、エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルムであって、前記保護膜形成用フィルムは、一分子中にカルボキシ基又はカルボキシ基が塩を形成した基と、重合性基と、を有する化合物(本明細書においては、「化合物(p)」と称することがある)を含有する。
 後述するように、前記保護膜形成用フィルムを支持シート上に設けることで、保護膜形成用複合シートを構成できる。
フ ィ ル ム Protective Film-Forming Film A protective film-forming film according to an embodiment of the present invention is an energy ray-curable protective film-forming film, and the protective film-forming film has a carboxy group or a carboxyl group in one molecule. The compound (it may be called "compound (p)" in this specification) which has the group which the carboxy group formed the salt, and the polymeric group is contained.
As described later, a composite sheet for forming a protective film can be configured by providing the film for forming a protective film on a support sheet.
 前記保護膜形成用フィルムは、エネルギー線の照射によって硬化し、保護膜となる。この保護膜は、半導体ウエハ又は半導体チップの裏面(電極形成面とは反対側の面)を保護するためのものである。保護膜形成用フィルムは、軟質であり、貼付対象物に容易に貼付できる。
 前記保護膜形成用フィルムは、エネルギー線硬化性であることにより、熱硬化性の保護膜形成用フィルムよりも、短時間での硬化によって保護膜を形成できる。
The film for protective film formation is cured by irradiation of energy rays to be a protective film. This protective film is for protecting the back surface (surface opposite to the electrode formation surface) of the semiconductor wafer or the semiconductor chip. The protective film-forming film is soft and can be easily attached to an object to be attached.
Since the film for protective film formation is energy ray curable, the protective film can be formed by curing in a shorter time than the thermosetting film for protective film formation.
 なお、本明細書において、「保護膜形成用フィルム」とは硬化前のものを意味し、「保護膜」とは、保護膜形成用フィルムを硬化させたものを意味する。 In the present specification, the “protective film-forming film” means one before curing, and the “protective film” means one obtained by curing the protective film-forming film.
 前記保護膜形成用フィルムとしては、例えば、後述するエネルギー線硬化性成分(a)及び化合物(p)を含有するものが挙げられる。化合物(p)を含有する保護膜形成用フィルムは、従来知られていない。
 エネルギー線硬化性成分(a)は、未硬化であることが好ましく、粘着性を有することが好ましく、未硬化でかつ粘着性を有することがより好ましい。
Examples of the protective film-forming film include those containing an energy ray-curable component (a) and a compound (p) described later. The film for protective film formation containing a compound (p) is not known conventionally.
The energy ray-curable component (a) is preferably uncured, preferably has tackiness, and is more preferably uncured and tacky.
 本明細書において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味し、その例として、紫外線、放射線、電子線等が挙げられる。
 紫外線は、例えば、紫外線源として高圧水銀ランプ、ヒュージョンランプ、キセノンランプ、ブラックライト又はLEDランプ等を用いることで照射できる。電子線は、電子線加速器等によって発生させたものを照射できる。
 本明細書において、「エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射することにより硬化する性質を意味し、「非エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射しても硬化しない性質を意味する。
In the present specification, the term "energy beam" means an electromagnetic wave or charged particle beam having energy quantum, and examples thereof include ultraviolet light, radiation, electron beam and the like.
The ultraviolet light can be irradiated, for example, by using a high pressure mercury lamp, a fusion lamp, a xenon lamp, a black light or an LED lamp as an ultraviolet light source. The electron beam can irradiate what was generated by the electron beam accelerator or the like.
In the present specification, "energy ray curable" means the property of curing by energy ray irradiation, and "non energy ray curable" means the property of not curing even when energy ray is irradiated. Do.
 前記保護膜形成用フィルムを用いた場合には、内部に改質層が形成された半導体ウエハをその表面(例えば裏面)方向にエキスパンドすることにより、前記改質層の部位において半導体ウエハを分割して、半導体チップを作製する。
 半導体ウエハの内部に改質層を形成するためには、半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、レーザー光を照射すればよい。半導体ウエハの改質層は、半導体ウエハの他の箇所とは異なり、レーザー光の照射によって変質しており、強度が弱くなっているため、改質層が形成された半導体ウエハを、半導体ウエハの表面方向にエキスパンドすることにより、半導体ウエハ内部の改質層に力が加えられ、この改質層の部位において半導体ウエハが割れて、複数個の半導体チップが得られる。
When the protective film-forming film is used, the semiconductor wafer having the reformed layer formed therein is expanded in the direction of the front surface (for example, the back surface) to divide the semiconductor wafer at the site of the reformed layer. The semiconductor chip is manufactured.
In order to form the modified layer inside the semiconductor wafer, laser light may be irradiated so as to focus on the focal point set inside the semiconductor wafer. Unlike the other portions of the semiconductor wafer, the modified layer of the semiconductor wafer is denatured by laser light irradiation, and the strength is weak. Therefore, the semiconductor wafer on which the modified layer is formed is used as the semiconductor wafer of the semiconductor wafer. By expanding in the surface direction, a force is applied to the modified layer inside the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is broken at the portion of this modified layer, and a plurality of semiconductor chips are obtained.
 半導体ウエハに前記改質層を形成するときに照射する前記レーザー光は、赤外域のレーザー光であることが好ましく、波長が1342nmのレーザー光であることがより好ましい。 The laser beam irradiated when forming the modified layer on the semiconductor wafer is preferably a laser beam in the infrared region, and more preferably a laser beam having a wavelength of 1342 nm.
 前記保護膜形成用フィルムが化合物(p)を含有しているため、裏面に保護膜を備えた半導体ウエハ(本明細書においては「保護膜付き半導体ウエハ」と称することがある)をエキスパンドすることにより、保護膜を切断するとともに、半導体ウエハを分割して半導体チップ(本明細書においては「保護膜付き半導体チップ」と称することがある)としたときに、保護膜からの半導体チップの浮きを抑制できる。保護膜形成用フィルムの場合も同様であり、裏面に保護膜形成用フィルムを備えた半導体ウエハ(本明細書においては「保護膜形成用フィルム付き半導体ウエハ」と称することがある)をエキスパンドすることにより、保護膜形成用フィルムを切断するとともに、半導体ウエハを分割して半導体チップ(本明細書においては「保護膜形成用フィルム付き半導体チップ」と称することがある)としたときに、保護膜形成用フィルムからの半導体チップの浮きを抑制できる。 Expanding the semiconductor wafer (sometimes referred to as "semiconductor wafer with protective film" in the present specification) provided with a protective film on the back surface because the protective film-forming film contains the compound (p) Therefore, when the protective film is cut and the semiconductor wafer is divided into semiconductor chips (sometimes referred to as “semiconductor chip with protective film” in the present specification), the semiconductor chip is lifted from the protective film. It can be suppressed. The same applies to a protective film-forming film, and expanding a semiconductor wafer (sometimes referred to as a "semiconductor wafer with a protective film-forming film" in this specification) having a protective film-forming film on its back surface By cutting the film for forming a protective film and dividing the semiconductor wafer into semiconductor chips (sometimes referred to as "semiconductor chip with film for forming a protective film" in this specification), the protective film is formed It is possible to suppress the floating of the semiconductor chip from the film.
 下記方法で測定された、保護膜形成用フィルムとシリコンウエハとの間の粘着力は、3N/25mm以上であることが好ましい。前記粘着力が前記下限値以上であることで、上述の保護膜又は保護膜形成用フィルムからの半導体チップ(シリコンチップに限定されない)の浮きを抑制する効果がより高くなる。
<保護膜形成用フィルムとシリコンウエハとの間の粘着力の測定方法>
 厚さが25μmの前記保護膜形成用フィルムを、シリコンウエハに貼付した後、前記保護膜形成用フィルム及びシリコンウエハの互いに接触していた面同士が180°の角度を為すように、剥離速度300mm/minで、シリコンウエハから前記保護膜形成用フィルムを引き剥がしたときの剥離力(N/25mm)を測定して、この測定値を保護膜形成用フィルムとシリコンウエハとの間の粘着力とする。
The adhesion between the protective film-forming film and the silicon wafer measured by the following method is preferably 3 N / 25 mm or more. When the adhesive strength is at least the lower limit value, the effect of suppressing the floating of the semiconductor chip (not limited to the silicon chip) from the above-described protective film or the film for forming a protective film is further enhanced.
<Method of measuring adhesion between film for protective film formation and silicon wafer>
After affixing the protective film-forming film having a thickness of 25 μm to a silicon wafer, the peeling speed is 300 mm so that the surfaces of the protective film-forming film and the silicon wafer in contact with each other form an angle of 180 °. The peeling force (N / 25 mm) when peeling off the film for protective film formation from a silicon wafer is measured with 1 / min, and the measured value is the adhesion between the film for protective film formation and the silicon wafer and Do.
 上述の効果がより高くなる点から、前記粘着力は、3.3N/25mm以上であることがより好ましく、3.6N/25mm以上であることが特に好ましい。 The adhesive strength is more preferably 3.3 N / 25 mm or more, and particularly preferably 3.6 N / 25 mm or more from the viewpoint that the above-described effect is further enhanced.
 一方、前記粘着力の上限値は特に限定されない。ただし、後述する半導体装置の製造方法において、保護膜付き半導体チップ又は保護膜形成用フィルム付き半導体チップのピックアップがより容易となる点では、前記粘着力は、10N/25mm以下であることが好ましく、9N/25mm以下であることがより好ましく、8N/25mm以下であることが特に好ましい。 On the other hand, the upper limit value of the adhesive strength is not particularly limited. However, in the method of manufacturing a semiconductor device to be described later, the adhesive force is preferably 10 N / 25 mm or less in that it is easier to pick up a semiconductor chip with a protective film or a semiconductor chip with a film for protective film formation. It is more preferably 9 N / 25 mm or less, and particularly preferably 8 N / 25 mm or less.
 前記粘着力は、上述の好ましい下限値及び上限値を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。例えば、前記粘着力は、好ましくは3~10N/25mm、より好ましくは3.3~9N/25mm、特に好ましくは3.6~8N/25mmである。ただし、これらは、前記粘着力の一例である。 The adhesive strength can be appropriately adjusted within a range set by arbitrarily combining the above-mentioned preferable lower limit value and upper limit value. For example, the adhesive strength is preferably 3 to 10 N / 25 mm, more preferably 3.3 to 9 N / 25 mm, and particularly preferably 3.6 to 8 N / 25 mm. However, these are examples of the said adhesive force.
 前記粘着力は、例えば、化合物(p)をはじめとする保護膜形成用フィルムの含有成分の種類、及びその含有量、並びに保護膜形成用フィルムの厚さ等を調節することにより、調節できる。 The adhesive strength can be adjusted, for example, by adjusting the type of the components of the protective film-forming film including the compound (p), and the content thereof, the thickness of the protective film-forming film, and the like.
 前記保護膜形成用フィルムに紫外線を照射して保護膜を形成したとき、下記方法で測定された、保護膜のせん断強度は、10.5N/3mm□以上であることが好ましい。前記せん断強度が前記下限値以上であることで、上述の保護膜又は保護膜形成用フィルムからの半導体チップの浮きを抑制する効果がより高くなる。
<保護膜のせん断強度>
 厚さが25μmの前記保護膜形成用フィルムを、シリコンウエハに貼付した後、照度195mW/cm、光量170mJ/cmの条件で、保護膜形成用フィルムに紫外線を照射することにより、保護膜形成用フィルムを硬化させて保護膜とし、得られた保護膜付きシリコンウエハをダイシングすることにより、大きさが3mm×3mmの保護膜付きシリコンチップとし、得られた保護膜付きシリコンチップのうち保護膜のみに、200μm/sの速度で保護膜の表面方向に力を加えて、保護膜が破壊されるまでに加えられていた力の最大値(N/3mm□)を、保護膜のせん断強度とする。
When the protective film is irradiated with ultraviolet light to form a protective film, the shear strength of the protective film measured by the following method is preferably 10.5 N / 3 mm or more. When the shear strength is at least the lower limit value, the effect of suppressing the floating of the semiconductor chip from the above-described protective film or the film for forming a protective film is further enhanced.
<Shear strength of protective film>
The protective film-forming film having a thickness of 25 μm is attached to a silicon wafer, and then the protective film-forming film is irradiated with ultraviolet light under the conditions of an illuminance of 195 mW / cm 2 and a light amount of 170 mJ / cm 2. The forming film is cured to form a protective film, and the obtained protective film-coated silicon wafer is diced to form a protective film-coated silicon chip having a size of 3 mm × 3 mm. Of the obtained protective film-coated silicon chips, protection is provided. A force is applied to the surface of the protective film at a speed of 200 μm / s only to the film, and the maximum value (N / 3 mm □) of the force applied until the protective film is destroyed is the shear strength of the protective film. I assume.
 上述の効果がより高くなる点から、前記せん断強度は、10.7N/3mm□以上であることがより好ましく、11.0N/3mm□以上であることが特に好ましい。 The shear strength is more preferably 10.7 N / 3 mm 2 or more, and particularly preferably 11.0 N / 3 mm 2 or more from the viewpoint that the above-described effects are further enhanced.
 一方、前記せん断強度の上限値は特に限定されない。例えば、前記せん断強度は、30.0N/3mm□以下であることが好ましく、27.5N/3mm□以下であることがより好ましく、25.0N/3mm□以下であることが特に好ましく、22.5N/3mm□以下、20.0N/3mm□以下、及び17.5N/3mm□以下のいずれかであってもよい。 On the other hand, the upper limit value of the shear strength is not particularly limited. For example, the shear strength is preferably 30.0 N / 3 mm 2 or less, more preferably 27.5 N / 3 mm 2 or less, and particularly preferably 25.0 N / 3 mm 2 or less. It may be 5N / 3 mm or less, 20.0 N / 3 mm or less, and 17.5 N / 3 mm or less.
 前記せん断強度は、上述の下限値及び上限値を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。例えば、前記せん断強度は、好ましくは10.5~30.0N/3mm□、より好ましくは10.7~27.5N/3mm□、特に好ましくは11.0~25.0N/3mm□であり、11.0~22.5N/3mm□、11.0~20.0N/3mm□、及び11.0~17.5N/3mm□のいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記せん断強度の一例である。 The said shear strength can be suitably adjusted within the range set combining the above-mentioned lower limit and upper limit arbitrarily. For example, the shear strength is preferably 10.5 to 30.0 N / 3 mm, more preferably 10.7 to 27.5 N / 3 mm, particularly preferably 11.0 to 25.0 N / 3 mm. It may be any of 11.0 to 22.5 N / 3 mm, 11.0 to 20.0 N / 3 mm, and 11.0 to 17.5 N / 3 mm. However, these are examples of the said shear strength.
 前記せん断強度は、例えば、化合物(p)をはじめとする保護膜形成用フィルムの含有成分の種類、及びその含有量、並びに保護膜形成用フィルムの厚さ等を調節することにより、調節できる。 The shear strength can be adjusted, for example, by adjusting the type of the components of the protective film-forming film including the compound (p), and the content thereof, the thickness of the protective film-forming film, and the like.
 前記保護膜形成用フィルムは、前記粘着力及びせん断強度の両方の条件を満たすものが好ましい。
 このような保護膜形成用フィルムの一例としては、好ましくは、前記粘着力が3~10N/25mmであり、前記せん断強度が10.5~30.0N/3mm□であるもの;より好ましくは、記粘着力が3.3~9N/25mmであり、前記せん断強度が10.7~27.5N/3mm□であるもの;特に好ましくは、前記粘着力が3.6~8N/25mmであり、前記せん断強度が11.0~25.0N/3mm□であるもの等が挙げられ、前記粘着力が3.6~8N/25mmであり、前記せん断強度が11.0~22.5N/3mm□であるもの、前記粘着力が3.6~8N/25mmであり、前記せん断強度が11.0~20.0N/3mm□であるもの、及び、前記粘着力が3.6~8N/25mmであり、前記せん断強度が11.0~17.5N/3mm□であるもの、のいずれかであってもよい。
 ただし、ここに示す前記粘着力及びせん断強度の組み合わせは、一例である。
The film for protective film formation preferably satisfies the conditions of both the adhesive strength and the shear strength.
As an example of such a protective film-forming film, preferably, the adhesive strength is 3 to 10 N / 25 mm, and the shear strength is 10.5 to 30.0 N / 3 mm □; more preferably, Having an adhesive strength of 3.3 to 9 N / 25 mm and a shear strength of 10.7 to 27.5 N / 3 mm □; particularly preferably, the adhesive strength is 3.6 to 8 N / 25 mm, The shear strength is, for example, 11.0 to 25.0 N / 3 mm □, the adhesive strength is 3.6 to 8 N / 25 mm, and the shear strength is 11.0 to 22.5 N / 3 mm □. The adhesive strength is 3.6 to 8 N / 25 mm, the shear strength is 11.0 to 20.0 N / 3 mm □, and the adhesive strength is 3.6 to 8 N / 25 mm Yes, the shear strength is 11 0 ~ 17.5N / 3mm □ a is one, may be either.
However, the combination of the adhesive strength and the shear strength shown here is an example.
 前記保護膜形成用フィルムと、その硬化物である前記保護膜は、いずれも、半導体ウエハの改質層の形成に必要な前記レーザー光(例えば、波長が1342nmであるレーザー光等の、赤外域のレーザー光)の透過率が高いものが好ましい。保護膜形成用フィルムと保護膜は、いずれも光の透過率については、通常、同様の傾向を示す。 Both the film for forming a protective film and the protective film which is a cured product thereof have an infrared range such as a laser beam (for example, a laser beam having a wavelength of 1342 nm) necessary for forming a modified layer of a semiconductor wafer. The thing with the high transmittance | permeability of (laser beam) of (1) is preferable. Both the protective film-forming film and the protective film usually show the same tendency with respect to the light transmittance.
 例えば、前記保護膜形成用フィルムの、波長が1342nmであるレーザー光の透過率(本明細書においては、「フィルム透過率(1342nm)」と略記することがある)は、45%以上であることが好ましく、50%以上であることがより好ましく、55%以上であることが特に好ましい。フィルム透過率(1342nm)が前記下限値以上であることで、後述する半導体チップの製造方法において、半導体ウエハに改質層をより容易に形成できる。
 前記フィルム透過率(1342nm)の上限値は、特に限定されず、例えば、100%であってもよい。
For example, the transmittance of a laser beam having a wavelength of 1342 nm (which may be abbreviated as "film transmittance (1342 nm)" in the present specification) of the film for forming a protective film is 45% or more. Is more preferably 50% or more, and particularly preferably 55% or more. When the film transmittance (1342 nm) is equal to or more than the lower limit value, the modified layer can be more easily formed on the semiconductor wafer in the method of manufacturing a semiconductor chip described later.
The upper limit of the film transmittance (1342 nm) is not particularly limited, and may be, for example, 100%.
 前記保護膜の、波長が1342nmであるレーザー光の透過率(本明細書においては、「保護膜透過率(1342nm)」と略記することがある)は、45%以上であることが好ましく、50%以上であることがより好ましく、55%以上であることが特に好ましい。保護膜透過率(1342nm)が前記下限値以上であることで、後述する半導体チップの製造方法において、半導体ウエハに改質層をより容易に形成できる。
 前記保護膜透過率(1342nm)の上限値は、特に限定されず、例えば、100%であってもよい。
The transmittance of a laser beam having a wavelength of 1342 nm (sometimes abbreviated as “protective film transmittance (1342 nm)” in the present specification) of the protective film is preferably 45% or more, 50 % Or more is more preferable, and 55% or more is particularly preferable. When the protective film transmittance (1342 nm) is equal to or higher than the lower limit value, the modified layer can be more easily formed on the semiconductor wafer in the method of manufacturing a semiconductor chip described later.
The upper limit of the protective film transmittance (1342 nm) is not particularly limited, and may be, for example, 100%.
 前記フィルム透過率(1342nm)は、例えば、保護膜形成用フィルムの含有成分の種類、及びその含有量、並びに保護膜形成用フィルムの厚さ等を調節することにより、調節できる。
 前記保護膜透過率(1342nm)は、例えば、保護膜の含有成分の種類、及びその含有量、並びに保護膜の厚さ等を調節することにより、調節できる。
The film transmittance (1342 nm) can be adjusted, for example, by adjusting the type of the components contained in the protective film-forming film, and the content thereof, the thickness of the protective film-forming film, and the like.
The protective film transmittance (1342 nm) can be adjusted, for example, by adjusting the type of the component contained in the protective film, the content thereof, the thickness of the protective film, and the like.
 保護膜形成用フィルムは1層(単層)のみでもよいし、2層以上の複数層でもよく、複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
 なお、本明細書においては、保護膜形成用フィルムの場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。
The film for protective film formation may be only one layer (single layer), or two or more layers, and in the case of multiple layers, these multiple layers may be the same or different from one another. The combination is not particularly limited.
In addition, in this specification, not only in the case of the film for protective film formation, "all layers may be the same, and all layers may be the same" It means that the layers may be different, and only some of the layers may be the same. Further, “a plurality of layers are different from each other” means “at least one of the constituent material and thickness of each layer is mutually different. It means "different".
 保護膜形成用フィルムの厚さは、1~100μmであることが好ましく、3~75μmであることがより好ましく、5~50μmであることが特に好ましい。保護膜形成用フィルムの厚さが前記下限値以上であることで、保護能がより高い保護膜を形成できる。また、保護膜形成用フィルムの厚さが前記上限値以下であることで、過剰な厚さとなることが抑制される。
 ここで、「保護膜形成用フィルムの厚さ」とは、保護膜形成用フィルム全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる保護膜形成用フィルムの厚さとは、保護膜形成用フィルムを構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
The thickness of the protective film-forming film is preferably 1 to 100 μm, more preferably 3 to 75 μm, and particularly preferably 5 to 50 μm. When the thickness of the film for protective film formation is more than the said lower limit, a protective film with higher protective ability can be formed. In addition, when the thickness of the protective film-forming film is equal to or less than the upper limit value, excessive thickness can be suppressed.
Here, "the thickness of the film for protective film formation" means the thickness of the whole film for protective film formation, for example, the thickness of the film for protective film formation which consists of multiple layers is a film for protective film formation. Means the total thickness of all the layers that make up.
 保護膜形成用フィルムを硬化させて保護膜を形成するときの硬化条件は、保護膜が十分にその機能を発揮する程度の硬化度となる限り特に限定されず、保護膜形成用フィルムの種類に応じて、適宜選択すればよい。
 例えば、保護膜形成用フィルムの硬化時における、エネルギー線の照度は、4~280mW/cmであることが好ましい。そして、前記硬化時における、エネルギー線の光量は、3~1000mJ/cmであることが好ましい。
The curing conditions for curing the protective film-forming film to form a protective film are not particularly limited as long as the protective film has a curing degree sufficient to exhibit its function, and the type of protective film-forming film Depending on the situation, it may be selected appropriately.
For example, the illuminance of the energy ray is preferably 4 to 280 mW / cm 2 at the time of curing of the protective film-forming film. The light quantity of the energy ray at the time of curing is preferably 3 to 1000 mJ / cm 2 .
 図1は、本発明の一実施形態に係る保護膜形成用フィルムを模式的に示す断面図である。なお、以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a protective film-forming film according to an embodiment of the present invention. Note that the drawings used in the following description may be enlarged for convenience, in order to make the features of the present invention intelligible. Not necessarily.
 ここに示す保護膜形成用フィルム13は、その一方の面(本明細書においては、「第1面」と称することがある)13a上に第1剥離フィルム151を備え、前記第1面13aとは反対側の他方の面(本明細書においては、「第2面」と称することがある)13b上に第2剥離フィルム152を備えている。
 このような保護膜形成用フィルム13は、例えば、ロール状として保管するのに好適である。
The film 13 for protective film formation shown here is provided with the 1st peeling film 151 on one surface (it may be called a "1st surface" in this specification) 13a, and the said 1st surface 13a A second release film 152 is provided on the other side (which may be referred to herein as the “second side”) 13b of the opposite side.
Such a protective film-forming film 13 is suitable, for example, for storage as a roll.
 保護膜形成用フィルム13は、後述する保護膜形成用組成物を用いて形成できる。
 保護膜形成用フィルム13は、エネルギー線硬化性であり、化合物(p)を含有する。
The film 13 for protective film formation can be formed using the composition for protective film formation mentioned later.
The protective film-forming film 13 is energy ray curable and contains the compound (p).
 第1剥離フィルム151及び第2剥離フィルム152は、いずれも公知のものでよい。
 第1剥離フィルム151及び第2剥離フィルム152は、互いに同じものであってもよいし、例えば、保護膜形成用フィルム13から剥離させるときに必要な剥離力が互いに異なるなど、互いに異なるものであってもよい。
Both the first release film 151 and the second release film 152 may be known ones.
The first release film 151 and the second release film 152 may be identical to each other, or may be different from each other, for example, the release forces necessary for releasing from the protective film-forming film 13 may be different from each other. May be
 図1に示す保護膜形成用フィルム13は、第1剥離フィルム151及び第2剥離フィルム152のいずれか一方が取り除かれ、生じた露出面に、半導体ウエハ(図示略)の裏面が貼付される。そして、第1剥離フィルム151及び第2剥離フィルム152の残りの他方が取り除かれ、生じた露出面が支持シートの貼付面となる。 In the protective film-forming film 13 shown in FIG. 1, one of the first release film 151 and the second release film 152 is removed, and the back surface of the semiconductor wafer (not shown) is attached to the resulting exposed surface. And the other of the remaining of the 1st exfoliation film 151 and the 2nd exfoliation film 152 is removed, and the generated exposed side turns into the sticking side of a support sheet.
<<保護膜形成用組成物>>
 前記保護膜形成用フィルムは、その構成材料を含有する保護膜形成用組成物を用いて形成できる。例えば、保護膜形成用フィルムの形成対象面に保護膜形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に保護膜形成用フィルムを形成できる。保護膜形成用組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、保護膜形成用フィルムの前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。なお、本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、15~25℃の温度等が挙げられる。
<< Composition for protective film formation >>
The film for protective film formation can be formed using the composition for protective film formation containing the constituent material. For example, the composition for protective film formation may be coated on the formation target surface of the film for protective film formation, and dried as needed, so that the film for protective film formation can be formed on the target site. The ratio of the content of components which do not vaporize at normal temperature in the composition for forming a protective film is usually the same as the ratio of the content of the components of the film for forming a protective film. In the present specification, “normal temperature” means a temperature which is not particularly cooled or heated, ie, a normal temperature, and includes, for example, a temperature of 15 to 25 ° C. and the like.
 保護膜形成用組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。 Coating of the composition for forming a protective film may be performed by a known method, for example, an air knife coater, a blade coater, a bar coater, a gravure coater, a roll coater, a roll knife coater, a curtain coater, a die coater, a knife coater, Examples include methods using various coaters such as a screen coater, a Mayer bar coater, and a kiss coater.
 保護膜形成用組成物の乾燥条件は、特に限定されない。保護膜形成用組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましい。溶媒を含有する保護膜形成用組成物は、例えば、70~130℃で10秒~5分の条件で乾燥させることが好ましい。 The drying conditions of the composition for forming a protective film are not particularly limited. When the composition for protective film formation contains the solvent mentioned later, it is preferable to make it heat-dry. The composition for forming a protective film containing a solvent is preferably dried, for example, at 70 to 130 ° C. for 10 seconds to 5 minutes.
<保護膜形成用組成物(IV-1)>
 保護膜形成用組成物としては、例えば、前記エネルギー線硬化性成分(a)及び化合物(p)を含有する保護膜形成用組成物(IV-1)等が挙げられる。化合物(p)を含有する保護膜形成用組成物は、従来知られていない。
<Composition for forming protective film (IV-1)>
Examples of the composition for forming a protective film include a composition for forming a protective film (IV-1) containing the energy ray curable component (a) and the compound (p). The composition for protective film formation containing a compound (p) is not known conventionally.
[化合物(p)]
 化合物(p)は、その一分子中にカルボキシ基(-C(=O)-O-H)又はカルボキシ基が塩を形成した基と、重合性基と、を有する。
 カルボキシ基が塩を形成した基としては、例えば、カルボキシ基からプロトン(H)が乖離して生じたカルボキシラートアニオン(-C(=O)-O)が、カチオンとともに塩を形成した基が挙げられる。
[Compound (p)]
The compound (p) has, in one molecule thereof, a carboxy group (—C (= O) —O—H) or a group in which the carboxy group has formed a salt, and a polymerizable group.
Examples of the group in which the carboxy group has formed a salt include, for example, a group in which a carboxylate anion (—C (-O) —O ) formed by dissociation of a proton (H + ) from the carboxy group forms a salt with a cation. Can be mentioned.
 保護膜形成用組成物(IV-1)及び前記保護膜形成用フィルム中の化合物(p)において、カルボキシ基は、プロトンが未解離(換言すると、カルボキシ基がそのままの状態)であってもよいし、プロトンが乖離して、カルボキシラートアニオンとなっていてもよい。 In the composition for forming a protective film (IV-1) and the compound (p) in the film for forming a protective film, the carboxy group may be undissociated from protons (in other words, the carboxy group may be left as it is) And protons may be released to form carboxylate anions.
 化合物(p)は、カルボキシ基又はカルボキシ基が塩を形成した基を有していることにより、保護膜形成用フィルム又は保護膜と、半導体ウエハ又は半導体チップと、の相互作用を向上させると推測される。その結果、保護膜又は保護膜形成用フィルムからの半導体チップの浮きが抑制されると推測される。 It is speculated that the compound (p) improves the interaction between the protective film-forming film or the protective film and the semiconductor wafer or the semiconductor chip by having a carboxy group or a group in which a carboxy group forms a salt. Be done. As a result, it is assumed that the floating of the semiconductor chip from the protective film or the film for protective film formation is suppressed.
 また、化合物(p)は、重合性基を有していることにより、保護膜中では、いずれかの重合体成分中に取り込まれ(換言すると共重合体を形成し)、保護膜から、この保護膜に隣接する層(膜)への移行が抑制されると推測される。保護膜形成用フィルムは、最終的には硬化によって保護膜を形成するため、このような化合物(p)由来の共重合体が保護膜中に安定して存在することにより、保護膜からの半導体チップの浮きを抑制する効果が、安定して発揮されると推測される。 In addition, the compound (p) is incorporated in any of the polymer components in the protective film (in other words, forms a copolymer) by having a polymerizable group, and thus the protective film It is presumed that the migration to the layer (film) adjacent to the protective film is suppressed. Since the protective film-forming film finally forms a protective film by curing, the semiconductor derived from the protective film is formed by the stable presence of such a copolymer derived from the compound (p) in the protective film. It is presumed that the effect of suppressing the lift of the chip is exhibited stably.
 カルボキシ基が塩を形成した基を有する化合物(p)は、1個又は2個以上のアニオン部と、1個又は2個以上のカチオンと、を含んで構成される。前記アニオン部は、その1個あたりに、1個又は2個以上のカルボキシラートアニオンを有する。 The compound (p) having a group in which a carboxy group has formed a salt comprises one or more anion moieties and one or more cations. The anion moiety has one or more carboxylate anions per one.
 すなわち、化合物(p)一分子中のカルボキシラートアニオンの数は、1個のみであってもよいし、2個以上であってもよい。
 同様に、化合物(p)一分子中の前記アニオン部の数は、1個のみであってもよいし、2個以上であってもよく、2個以上である場合、これらアニオン部は、すべて同一であってもよいし、すべて異なっていてもよいし、一部のみ同一であってもよい。すなわち、化合物(p)一分子中のアニオン部は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、特に限定されない。
 化合物(p)一分子中のカルボキシラートアニオンは、すべてカルボキシ基が塩を形成した基を構成していてもよいし、一部のみカルボキシ基が塩を形成した基を構成していてもよいが、通常は、すべてカルボキシ基が塩を形成した基を構成していることが好ましい。
That is, the number of carboxylate anions in one molecule of the compound (p) may be only one or two or more.
Similarly, the number of the anion moiety in one molecule of the compound (p) may be only one, may be two or more, and when it is two or more, all of these anion moieties are They may be the same, all different, or only some of them may be the same. That is, the anion moiety in one molecule of the compound (p) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof are not particularly limited. .
The carboxylate anion in one molecule of the compound (p) may have a group in which a carboxy group forms a salt, or only a part of a carboxy group may form a group in which a salt is formed. Usually, it is preferred that all carboxy groups constitute a salt-formed group.
 化合物(p)中のカチオンの価数は特に限定されず、1(1価)であってもよいし、2(2価)以上であってもよい。
 化合物(p)一分子中のカチオンの数は、1個のみであってもよいし、2個以上であってもよく、2個以上である場合、これらカチオンは、すべて同一であってもよいし、すべて異なっていてもよいし、一部のみ同一であってもよい。すなわち、化合物(p)一分子中のカチオンは、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、特に限定されない。
 化合物(p)一分子中のカチオンは、すべてカルボキシ基が塩を形成した基を構成していてもよいし、一部のみカルボキシ基が塩を形成した基を構成していてもよいが、通常は、すべてカルボキシ基が塩を形成した基を構成していることが好ましい。
The valence number of the cation in the compound (p) is not particularly limited, and may be 1 (monovalent) or 2 (divalent) or more.
The number of cations in one molecule of the compound (p) may be only one, or two or more, and in the case of two or more, these cations may be all identical. Or all of them may be different, or only part of them may be identical. That is, the cation in one molecule of the compound (p) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof are not particularly limited.
The cation in one molecule of the compound (p) may form a group in which a carboxy group forms a salt, or only a part of the cation may form a group in which a salt is formed. Preferably, all the carboxy groups constitute a salt-formed group.
 化合物(p)一分子中の、カルボキシ基が塩を形成した基は、1個のみであってもよいし、2個以上であってもよく、2個以上である場合、これら基は、すべて同一であってもよいし、すべて異なっていてもよいし、一部のみ同一であってもよい。すなわち、化合物(p)一分子中の、カルボキシ基が塩を形成した基は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、特に限定されない。 In one molecule of the compound (p), the group in which the carboxy group formed a salt may be only one, may be two or more, or two or more, all of these groups are They may be the same, all different, or only some of them may be the same. That is, in one molecule of the compound (p), the group in which the carboxy group formed a salt may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, a combination thereof And the ratio is not particularly limited.
 カルボキシ基が塩を形成した基を有する化合物(p)としては、カチオンの種類及び価数に応じて種々の形態が挙げられる。このような化合物(p)として、より具体的には、例えば、1個のアニオン部と1個のカチオンとから構成されたもの;2個以上のアニオン部と1個のカチオンとから構成されたもの;1個のアニオン部と2個以上のカチオンとから構成されたもの;2個以上のアニオン部と2個以上のカチオンとから構成されたもの等が挙げられる。 As a compound (p) which has the group which the carboxy group formed the salt, various forms are mentioned according to the kind and valence of a cation. As such compound (p), more specifically, for example, one composed of one anion moiety and one cation; composed of two or more anion moieties and one cation And those composed of one anion moiety and two or more cations; and those composed of two or more anion moieties and two or more cations.
 カルボキシ基が塩を形成した基を有する化合物(p)は、分子全体として電気的に中性であること、すなわち、化合物(p)一分子中のカチオンの価数の合計値とアニオンの価数の合計値とは、同じであることが好ましい。 The compound (p) having a group in which a carboxy group has formed a salt is electrically neutral as a whole molecule, that is, the total value of the valences of cations in one molecule of the compound (p) and the valences of anions It is preferable that the total value of is the same.
 前記カチオンは、特に限定されず、無機カチオン及び有機カチオンのいずれであってもよい。 The cation is not particularly limited, and may be any of an inorganic cation and an organic cation.
 前記カチオンのうち、無機カチオンとしては、例えば、リチウムイオン(Li)、ナトリウムイオン(Na)、カリウムイオン(K)等のアルカリ金属のイオン;マグネシウムイオン(Mg2+)、カルシウムイオン(Ca2+)、バリウムイオン(Ba2+)等のアルカリ土類金属のイオン;アルミニウムイオン(Al3+)、亜鉛イオン(Zn2+)、スズイオン(Sn2+、Sn4+)等の典型金属のイオン;銅イオン(Cu、Cu2+)、鉄イオン(Fe2+、Fe3+)、マンガンイオン、ニッケルイオン等の遷移金属のイオン;アンモニウムイオン(NH )等の非金属のイオン等が挙げられる。
 例えば、カチオンがナトリウムイオンである場合の、カルボキシ基が塩を形成した基は、式「-C(=O)-O Na」で表される。
Among the above cations, as inorganic cations, for example, ions of alkali metals such as lithium ion (Li + ), sodium ion (Na + ), potassium ion (K + ), etc .; magnesium ion (Mg 2+ ), calcium ion (Ca 2+ ) Ions of alkaline earth metals such as 2+ ) and barium ions (Ba 2+ ); ions of typical metals such as aluminum ions (Al 3+ ), zinc ions (Zn 2+ ) and tin ions (Sn 2+ and Sn 4+ ); copper ions Ions of transition metals such as Cu + , Cu 2+ ), iron ions (Fe 2+ , Fe 3+ ), manganese ions, nickel ions; and nonmetal ions such as ammonium ion (NH 4 + ).
For example, when the cation is a sodium ion, the group in which the carboxy group has formed a salt is represented by the formula “—C (= O) —O Na + ”.
 前記カチオンのうち、有機カチオンとしては、例えば、アミン化合物由来のカチオン、第4級アンモニウムカチオン等が挙げられる。
 前記アミン化合物由来のカチオンとしては、例えば、第1級アミン、第2級アミン又は第3級アミンが、プロトン化されたカチオンが挙げられる。
 前記第4級アンモニウムカチオンとしては、例えば、1個の窒素原子に4個の一価の炭化水素基が結合したカチオンが挙げられる。
Among the cations, examples of the organic cation include cations derived from an amine compound, quaternary ammonium cations and the like.
Examples of the cation derived from the amine compound include cations in which a primary amine, a secondary amine or a tertiary amine is protonated.
Examples of the quaternary ammonium cation include cations in which four monovalent hydrocarbon groups are bonded to one nitrogen atom.
 前記カチオンのうち、非金属のイオンである無機カチオンと、有機カチオンと、で好ましいものとしては、例えば、一般式「(Z(式中、Zは、水素原子、アルキル基又はアリール基であり、複数個のZは互いに同一でも異なっていてもよく、2個以上のZがアルキル基である場合、これらアルキル基は相互に結合して環を形成していてもよい。)」で表されるカチオンが挙げられる。
 このようなカチオンによって構成された、カルボキシ基が塩を形成した基は、一般式「-C(=O)-O N(Z(式中、Zは上記と同様である。)」で表される。
Among the above cations, preferred examples of inorganic cations which are nonmetallic ions and organic cations are, for example, the general formula “(Z 1 ) 4 N + (wherein Z 1 is a hydrogen atom, an alkyl group Or a plurality of Z 1 s may be the same or different from each other, and when two or more Z 1 s are alkyl groups, these alkyl groups may combine with each other to form a ring And the cation represented by "is good".
The group formed by such a cation, in which the carboxy group has formed a salt, has a general formula “—C (= O) —O N + (Z 1 ) 4 (wherein Z 1 is as defined above) It is represented by ".)".
 前記一般式中、複数個(すなわち4個)のZは、すべて同一であってもよいし、すべて異なっていてもよいし、一部のみ同一であってもよい。 In the general formula, a plurality (ie, four) of Z 1 may be all the same, all may be different, or only some of them may be the same.
 Zにおける前記アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれであってもよい。
 Zにおける前記アリール基は、単環状及び多環状のいずれであってもよい。
The alkyl group for Z 1 may be linear, branched or cyclic, and when it is cyclic, it may be monocyclic or polycyclic.
The aryl group in Z 1 may be monocyclic or polycyclic.
 Zにおける直鎖状又は分岐鎖状の前記アルキル基の炭素数は、1~10であることが好ましい。このような炭素数のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、n-ヘキシル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基、1,1-ジメチルブチル基、2,2-ジメチルブチル基、3,3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、3-エチルブチル基、1-エチル-1-メチルプロピル基、n-ヘプチル基、1-メチルヘキシル基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、4-メチルヘキシル基、5-メチルヘキシル基、1,1-ジメチルペンチル基、2,2-ジメチルペンチル基、2,3-ジメチルペンチル基、2,4-ジメチルペンチル基、3,3-ジメチルペンチル基、4,4-ジメチルペンチル基、1-エチルペンチル基、2-エチルペンチル基、3-エチルペンチル基、4-エチルペンチル基、2,2,3-トリメチルブチル基、1-プロピルブチル基、n-オクチル基、イソオクチル基、1-メチルヘプチル基、2-メチルヘプチル基、3-メチルヘプチル基、4-メチルヘプチル基、5-メチルヘプチル基、1-エチルヘキシル基、2-エチルヘキシル基、3-エチルヘキシル基、4-エチルヘキシル基、5-エチルヘキシル基、1,1-ジメチルヘキシル基、2,2-ジメチルヘキシル基、3,3-ジメチルヘキシル基、4,4-ジメチルヘキシル基、5,5-ジメチルヘキシル基、1-プロピルペンチル基、2-プロピルペンチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。
 Zにおける直鎖状又は分岐鎖状の前記アルキル基の炭素数は、例えば、1~8、1~5及び1~3のいずれかであってもよいが、これらは前記炭素数の一例である。
The carbon number of the linear or branched alkyl group in Z 1 is preferably 1 to 10. As such an alkyl group having a carbon number, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, Isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, n-hexyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group, 1,1-dimethylbutyl, 2,2-dimethylbutyl, 3,3-dimethylbutyl, 2,3-dimethylbutyl, 1-ethylbutyl, 2-ethylbutyl, 3-ethylbutyl, 1-ethyl -1-methylpropyl group, n-heptyl group, 1-methylhexyl group, 2-methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 4-methyl group Hexyl, 5-methylhexyl, 1,1-dimethylpentyl, 2,2-dimethylpentyl, 2,3-dimethylpentyl, 2,4-dimethylpentyl, 3,3-dimethylpentyl, 4 , 4-Dimethylpentyl, 1-ethylpentyl, 2-ethylpentyl, 3-ethylpentyl, 4-ethylpentyl, 2,2,3-trimethylbutyl, 1-propylbutyl, n-octyl Group, isooctyl group, 1-methylheptyl group, 2-methylheptyl group, 3-methylheptyl group, 4-methylheptyl group, 5-methylheptyl group, 1-ethylhexyl group, 2-ethylhexyl group, 3-ethylhexyl group, 4-ethylhexyl group, 5-ethylhexyl group, 1,1-dimethylhexyl group, 2,2-dimethylhexyl group, 3,3-dime Hexyl group, 4,4-dimethyl hexyl group, 5,5-dimethyl hexyl group, 1-propyl pentyl group, 2-propyl pentyl group, nonyl group, decyl group.
The carbon number of the linear or branched alkyl group for Z 1 may be, for example, any of 1 to 8, 1 to 5, and 1 to 3, and these are examples of the carbon number. is there.
 Zにおける環状の前記アルキル基の炭素数は、3~10であることが好ましい。このような炭素数のアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。
 Zにおける環状の前記アルキル基の炭素数は、例えば、3~8及び3~6のいずれかであってもよいが、これらは前記炭素数の一例である。
The carbon number of the cyclic alkyl group for Z 1 is preferably 3 to 10. As such an alkyl group having a carbon number, for example, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclononyl group, cyclodecyl group, cyclodecyl group, norbornyl group, isobornyl group, 1-adamantyl group And 2-adamantyl group and tricyclodecyl group.
The carbon number of the cyclic alkyl group for Z 1 may be, for example, any of 3 to 8 and 3 to 6, but these are examples of the carbon number.
 2個以上(すなわち、2個、3個又は4個)のZが前記アルキル基である場合、これら2個以上のアルキル基は相互に結合して、これらアルキル基が結合している窒素原子と共に環を形成していてもよい。この場合の2個以上のアルキル基の互いの結合位置は特に限定されず、形成される前記環は、単環状及び多環状のいずれであってもよい。 When two or more (that is, two, three or four) Z 1 s are the alkyl groups, the nitrogen atoms to which these two or more alkyl groups are bound to each other and these alkyl groups are bound And may form a ring together with The bonding position of two or more alkyl groups in this case is not particularly limited, and the ring formed may be either monocyclic or polycyclic.
 Zにおける前記アリール基の炭素数は、6~20であることが好ましい。このような炭素数のアリール基としては、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、キシリル基(別名:ジメチルフェニル基)等が挙げられ、これらアリール基の1個以上の水素原子が、さらにこれらアリール基や、Zにおける前記アルキル基で置換されたものも挙げられる。これら置換基を有するアリール基は、置換基も含めて炭素数が6~20であることが好ましい。 The carbon number of the aryl group in Z 1 is preferably 6 to 20. As the aryl group having such a carbon number, for example, phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, xylyl group (alias: dimethylphenyl group) And the like, and those in which one or more hydrogen atoms of these aryl groups are further substituted by these aryl groups or the above-mentioned alkyl group in Z 1 are also mentioned. The aryl group having such a substituent preferably has 6 to 20 carbon atoms including the substituent.
 化合物(p)は、その一分子中に、カルボキシ基のみを有していてもよいし、カルボキシ基が塩を形成した基のみを有していてもよいし、カルボキシ基及びカルボキシ基が塩を形成した基をともに有していてもよい。 The compound (p) may have only a carboxy group in one molecule, or may have only a group in which a carboxy group has formed a salt, and a carboxy group and a carboxy group have a salt. It may have both of the formed groups.
 化合物(p)一分子中の、カルボキシ基及びカルボキシ基が塩を形成した基の数は、それぞれ1個のみであってもよいし、2個以上であってもよい。
 そして、化合物(p)一分子中の、カルボキシ基及びカルボキシ基が塩を形成した基の総数は、特に限定されないが、1~3個であることが好ましく、1~2個であることがより好ましい。
The number of groups in which a carboxy group and a carboxy group have formed a salt in one molecule of the compound (p) may be only one or two or more.
The total number of carboxy groups and groups in which carboxy groups have formed a salt in one molecule of the compound (p) is not particularly limited, but is preferably 1 to 3, and more preferably 1 to 2. preferable.
 化合物(p)において、カルボキシ基及びカルボキシ基が塩を形成した基の位置は、特に限定されない。例えば、鎖状構造の化合物(p)において、これらの基は、主鎖の末端部に結合していてもよい(換言すると主鎖の末端部であってもよい)し、非末端部に結合していてもよい。なお、本明細書において、「主鎖」とは、鎖状骨格のうち、これを構成する原子数が最多となるものを意味する。 In the compound (p), the position of the carboxy group and the group in which the carboxy group formed a salt is not particularly limited. For example, in the compound (p) having a chain structure, these groups may be bonded to the end of the main chain (in other words, they may be the end of the main chain) or non-terminal It may be done. In the present specification, the “main chain” means a chain backbone having the largest number of atoms constituting it.
 化合物(p)においては、1個の原子に結合している、カルボキシ基又はカルボキシ基が塩を形成した基の数は、1個のみであってもよいし、2個以上(例えば、前記原子が炭素原子である場合には、2~4個)であってもよい。 In the compound (p), the number of carboxy groups or groups in which a carboxy group forms a salt, which is bonded to one atom, may be only one, or two or more (for example, the atoms And when it is a carbon atom, it may be 2 to 4).
 化合物(p)中の前記重合性基としては、例えば、重合性不飽和結合を有する基が挙げられ、なかでもエチレン性不飽和結合(すなわち、二重結合、C=C)を有する基が好ましい。 Examples of the polymerizable group in the compound (p) include a group having a polymerizable unsaturated bond, and a group having an ethylenically unsaturated bond (that is, a double bond, C = C) is particularly preferable. .
 化合物(p)一分子中の前記重合性基の数は、1個のみであってもよいし、2個以上であってもよいが、1~3個であることが好ましく、1~2個であることがより好ましい。 The number of the polymerizable groups in one molecule of the compound (p) may be only one, or two or more, but it is preferably one to three, and one to two. It is more preferable that
 化合物(p)において、前記重合性基の位置は、特に限定されない。例えば、鎖状構造の化合物(p)において、重合性基は、主鎖の末端部であってもよいし、非末端部であってもよい。ただし、通常、重合性基は、主鎖の末端部であることが好ましい。 In the compound (p), the position of the polymerizable group is not particularly limited. For example, in the compound (p) having a chain structure, the polymerizable group may be at the terminal or non-terminal of the main chain. However, usually, the polymerizable group is preferably at the end of the main chain.
 化合物(p)は、カルボキシ基又はカルボキシ基が塩を形成した基と、重合性基と、を有し、さらにこれら基以外に、エステル結合を有することが好ましく、前記エステル結合として、カルボン酸エステル結合(すなわち、式「-C(=O)-O-」で表される基、カルボニルオキシ基)を有することがより好ましい。このような化合物(p)を用いることで、保護膜又は保護膜形成用フィルムからの半導体チップの浮きを抑制する効果がより高くなる。 The compound (p) preferably has a carboxy group or a group in which a carboxy group has formed a salt, and a polymerizable group, and further preferably has an ester bond in addition to these groups, and as the ester bond, a carboxylic acid ester It is more preferable to have a bond (ie, a group represented by the formula “—C (= O) —O—”, a carbonyloxy group). By using such a compound (p), the effect of suppressing the floating of the semiconductor chip from the protective film or the film for protective film formation is further enhanced.
 化合物(p)一分子中の前記エステル結合の数は、1個のみであってもよいし、2個以上であってもよいが、1~4個であることが好ましく、1~3個であることがより好ましい。 The number of ester bonds in one molecule of the compound (p) may be only one, or two or more, but is preferably 1 to 4, and is preferably 1 to 3. It is more preferable that
 化合物(p)で好ましいものとしては、例えば、脂肪族ジカルボン酸モノ(メタ)アクリロイルオキシアルキルエステル(換言すると、脂肪族ジカルボン酸の1個のカルボキシ基の水素原子が、(メタ)アクリロイルオキシアルキル基で置換された化合物);芳香族ジカルボン酸モノ(メタ)アクリロイルオキシアルキルエステル(換言すると、芳香族ジカルボン酸の1個のカルボキシ基の水素原子が、(メタ)アクリロイルオキシアルキル基で置換された化合物);前記脂肪族ジカルボン酸モノ(メタ)アクリロイルオキシアルキルエステルのカルボキシ基が、上述のカルボキシ基が塩を形成した基に置換された化合物;前記芳香族ジカルボン酸モノ(メタ)アクリロイルオキシアルキルエステルのカルボキシ基が、上述のカルボキシ基が塩を形成した基に置換された化合物等が挙げられる。 Preferred examples of the compound (p) include aliphatic dicarboxylic acid mono (meth) acryloyloxyalkyl ester (in other words, a hydrogen atom of one carboxy group of aliphatic dicarboxylic acid is a (meth) acryloyloxyalkyl group) A compound substituted with a) an aromatic dicarboxylic acid mono (meth) acryloyloxyalkyl ester (in other words, a compound in which a hydrogen atom of one carboxy group of an aromatic dicarboxylic acid is substituted with a (meth) acryloyloxyalkyl group) A compound in which the carboxy group of the aliphatic dicarboxylic acid mono (meth) acryloyloxyalkyl ester is substituted by a group in which the above-mentioned carboxy group has formed a salt; and the above-mentioned aromatic dicarboxylic acid mono (meth) acryloyloxyalkyl ester The carboxy group is the above-mentioned carboxy group Compounds substituted with groups forming a salt.
 前記脂肪族ジカルボン酸は、2個のカルボキシ基を有し、これらカルボキシ基以外の部位が、直鎖状、分岐鎖状又は環状である非芳香族性の2価の炭化水素基である化合物を意味する。
 前記炭化水素基の炭素数は、1~10であることが好ましく、2~8であることがより好ましく、2~6であることが特に好ましく、例えば、2~5、及び2~4のいずれかであってもよい。
 前記炭化水素基は、アルキレン基であることが好ましい。
The aliphatic dicarboxylic acid is a compound having two carboxy groups, and the moiety other than these carboxy groups is a linear, branched or cyclic non-aromatic divalent hydrocarbon group. means.
The carbon number of the hydrocarbon group is preferably 1 to 10, more preferably 2 to 8, and particularly preferably 2 to 6, and for example, any of 2 to 5 and 2 to 4 It may be
The hydrocarbon group is preferably an alkylene group.
 前記芳香族ジカルボン酸は、2個のカルボキシ基を有し、これらカルボキシ基以外の部位が、2価の芳香族炭化水素基(すなわちアリーレン基)である化合物を意味する。
 前記芳香族炭化水素基は、単環状及び多環状のいずれであってもよい。
 前記芳香族炭化水素基としては、例えば、Zにおける前記アリール基から1個の水素原子を除いた構造の2価の基(すなわちアリーレン基)が挙げられる。
 前記芳香族炭化水素基の炭素数は、6~20であることが好ましく、6~15であることがより好ましく、6~12であることが特に好ましい。
The aromatic dicarboxylic acid means a compound having two carboxy groups, and the moiety other than these carboxy groups is a divalent aromatic hydrocarbon group (that is, an arylene group).
The aromatic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic.
As said aromatic hydrocarbon group, the bivalent group (namely, arylene group) of the structure which remove | eliminated 1 hydrogen atom from the said aryl group in Z 1 is mentioned, for example.
The carbon number of the aromatic hydrocarbon group is preferably 6 to 20, more preferably 6 to 15, and particularly preferably 6 to 12.
 脂肪族ジカルボン酸モノ(メタ)アクリロイルオキシアルキルエステルと、そのカルボキシ基が、上述のカルボキシ基が塩を形成した基に置換された化合物において、(メタ)アクリロイルオキシ基に結合しているアルキル基(換言すると、(メタ)アクリロイルオキシアルキル基中のアルキレン基)は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよく、鎖状構造と環状構造をともに有していてもよいが、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。 An aliphatic dicarboxylic acid mono (meth) acryloyloxyalkyl ester and an alkyl group in which the carboxy group is bonded to a (meth) acryloyloxy group in a compound in which the above-mentioned carboxy group is substituted by a group forming a salt ( In other words, the alkylene group in the (meth) acryloyloxyalkyl group) may be linear, branched or cyclic, and may have both a chain structure and a cyclic structure, It is preferably linear or branched.
 直鎖状又は分岐鎖状の前記アルキル基の炭素数は、特に限定されないが、1~10であることが好ましく、2~8であることがより好ましく、2~6であることが特に好ましく、例えば、2~5、及び2~4のいずれかであってもよい。
 環状の前記アルキル基の炭素数は、特に限定されないが、3~10であることが好ましく、4~8であることがより好ましく、5~6であることが特に好ましい。
The carbon number of the linear or branched alkyl group is not particularly limited, but is preferably 1 to 10, more preferably 2 to 8, and particularly preferably 2 to 6, For example, it may be any of 2 to 5 and 2 to 4.
The carbon number of the cyclic alkyl group is not particularly limited, but is preferably 3 to 10, more preferably 4 to 8, and particularly preferably 5 to 6.
 化合物(p)は、鎖状構造を有し、カルボキシ基又はカルボキシ基が塩を形成した基と、重合性基とが、いずれも主鎖の末端部であり、主鎖の非末端部にエステル結合を有するものが好ましい。 The compound (p) has a chain structure, and the carboxy group or the group in which the carboxy group formed a salt, and the polymerizable group are both terminal portions of the main chain, and an ester is added to the non-terminal portion of the main chain. Those having a bond are preferred.
 このような好ましい化合物(p)としては、脂肪族ジカルボン酸モノ(メタ)アクリロイルオキシアルキルエステル;前記脂肪族ジカルボン酸モノ(メタ)アクリロイルオキシアルキルエステルのカルボキシ基が、上述のカルボキシ基が塩を形成した基に置換された化合物が挙げられる。 As such a preferable compound (p), aliphatic dicarboxylic acid mono (meth) acryloyloxyalkyl ester; carboxy group of the aliphatic dicarboxylic acid mono (meth) acryloyloxyalkyl ester forms a salt with the above-mentioned carboxy group And compounds substituted by the substituted group.
 化合物(p)で特に好ましいものとしては、コハク酸1-[2-(アクリロイルオキシ)エチル](すなわち、コハク酸モノ(2-アクリロイルオキシエチル)、CH=CH-C(=O)-O-CHCH-O-C(=O)-CHCH-C(=O)-OH);コハク酸1-[2-(メタクリロイルオキシ)エチル](すなわち、CH=C(-CH)-C(=O)-O-CHCH-O-C(=O)-CHCH-C(=O)-OH);グルタル酸1-[2-(アクリロイルオキシ)エチル](すなわち、CH=CH-C(=O)-O-CHCH-O-C(=O)-CHCHCH-C(=O)-OH);コハク酸1-[2-(アクリロイルオキシ)エチル]のカルボキシ基が、上述のカルボキシ基が塩を形成した基に置換された化合物;コハク酸1-[2-(メタクリロイルオキシ)エチル]のカルボキシ基が、上述のカルボキシ基が塩を形成した基に置換された化合物;グルタル酸1-[2-(アクリロイルオキシ)エチル]のカルボキシ基が、上述のカルボキシ基が塩を形成した基に置換された化合物が挙げられる。 Particularly preferable compounds (p) are 1- [2- (acryloyloxy) ethyl] succinic acid (that is, mono (2-acryloyloxyethyl) succinic acid), CH 2 CHCH—C (= O) —O —CH 2 CH 2 —O—C (= O) —CH 2 CH 2 —C (= O) —OH); succinic acid 1- [2- (methacryloyloxy) ethyl] (ie, CH 2 CC (— CH 3) -C (= O) -O-CH 2 CH 2 -O-C (= O) -CH 2 CH 2 -C (= O) -OH); glutaric acid l- [2- (acryloyloxy) Ethyl] (ie, CH 2 CHCH—C (= O) —O—CH 2 CH 2 —O—C (= O) —CH 2 CH 2 CH 2 —C (= O) —OH); Succinic acid The carboxy group of-[2- (acryloyloxy) ethyl] is Compound in which a carboxy group is substituted by a salt-formed group; compound in which a carboxy group of succinic acid 1- [2- (methacryloyloxy) ethyl] is substituted by the above-mentioned carboxy group by a salt-formed group; glutaric acid The compound by which the carboxy group of 1- [2- (acryloyloxy) ethyl] was substituted by the group which the above-mentioned carboxy group formed the salt is mentioned.
 化合物(p)の分子量は、特に限定されないが、100~1000であることが好ましく、100~700であることがより好ましく、100~500であることがさらに好まし、100~300であることが特に好ましい。 The molecular weight of the compound (p) is not particularly limited, but is preferably 100 to 1000, more preferably 100 to 700, still more preferably 100 to 500, and still more preferably 100 to 300. Particularly preferred.
 保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムが含有する化合物(p)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The composition (IV-1) for forming a protective film and the compound (p) contained in the film for forming a protective film may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, a combination thereof and The ratio can be selected arbitrarily.
 保護膜形成用組成物(IV-1)において、溶媒以外の成分の総含有量に対する、化合物(p)の含有量の割合(すなわち、保護膜形成用フィルムにおける、保護膜形成用フィルムの総質量に対する、化合物(p)の含有量の割合)は、0.15質量%以上であることが好ましく、0.2質量%以上であることがより好ましく、0.25質量%以上であることが特に好ましい。前記含有量の割合が前記下限値以上であることで、保護膜又は保護膜形成用フィルムからの半導体チップの浮きを抑制する効果がより高くなる。 The ratio of the content of the compound (p) to the total content of components other than the solvent in the protective film-forming composition (IV-1) (that is, the total mass of the protective film-forming film in the protective film-forming film) The ratio of the content of the compound (p) to is preferably 0.15% by mass or more, more preferably 0.2% by mass or more, particularly preferably 0.25% by mass or more preferable. When the ratio of the content is equal to or more than the lower limit value, the effect of suppressing the floating of the semiconductor chip from the protective film or the film for protective film formation becomes higher.
 一方、前記含有量の割合(保護膜形成用フィルムにおける、保護膜形成用フィルムの総質量に対する、化合物(p)の含有量の割合)の上限値は特に限定されない。ただし、化合物(p)の過剰使用による影響が避けられ、その結果、保護膜の硬化度がより高くなり、保護膜の特性がより向上する点では、前記含有量の割合は、3質量%以下であることが好ましく、2質量%以下であることがより好ましく、1質量%以下であることが特に好ましい。 On the other hand, the upper limit of the ratio of the content (the ratio of the content of the compound (p) to the total mass of the film for protective film formation in the film for protective film formation) is not particularly limited. However, the effect of the excessive use of the compound (p) is avoided, with the result that the curing degree of the protective film becomes higher and the characteristic of the protective film is further improved, the content ratio is 3% by mass or less Is preferable, 2% by mass or less is more preferable, and 1% by mass or less is particularly preferable.
 前記含有量の割合(保護膜形成用フィルムにおける、保護膜形成用フィルムの総質量に対する、化合物(p)の含有量の割合)は、上述の好ましい下限値及び上限値を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。例えば、前記含有量の割合は、好ましくは0.15~3質量%、より好ましくは0.2~2質量%、特に好ましくは0.25~1質量%である。ただし、これらは前記含有量の割合の一例である。 The ratio of the content (the ratio of the content of the compound (p) to the total mass of the protective film-forming film in the protective film-forming film) is set by arbitrarily combining the above-described preferable lower limit value and upper limit value. It can adjust suitably within the limits. For example, the content ratio is preferably 0.15 to 3% by mass, more preferably 0.2 to 2% by mass, and particularly preferably 0.25 to 1% by mass. However, these are examples of the ratio of the said content.
[エネルギー線硬化性成分(a)]
 エネルギー線硬化性成分(a)は、エネルギー線の照射によって硬化する成分であり、保護膜形成用フィルムに造膜性や、可撓性等を付与するための成分でもある。
 エネルギー線硬化性成分(a)としては、例えば、エネルギー線硬化性基を有する、重量平均分子量が80000~2000000の重合体(a1)、及びエネルギー線硬化性基を有する、分子量が100~80000の化合物(a2)が挙げられる。前記重合体(a1)は、その少なくとも一部が、後述する架橋剤(f)によって架橋されたものであってもよいし、架橋されていないものであってもよい。
 なお、本明細書において、重量平均分子量とは、特に断りのない限り、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。
[Energy ray curable component (a)]
The energy ray curable component (a) is a component which is cured by irradiation of energy rays, and is also a component for imparting film forming property, flexibility and the like to the protective film forming film.
The energy ray curable component (a) includes, for example, an energy ray curable group, a polymer (a1) having a weight average molecular weight of 80000 to 2,000,000, and an energy ray curable group having a molecular weight of 100 to 80,000. Compound (a2) is mentioned. At least a part of the polymer (a1) may or may not be crosslinked by a crosslinking agent (f) described later.
In the present specification, weight-average molecular weight means polystyrene equivalent value measured by gel permeation chromatography (GPC) unless otherwise noted.
(エネルギー線硬化性基を有する、重量平均分子量が80000~2000000の重合体(a1))
 エネルギー線硬化性基を有する、重量平均分子量が80000~2000000の重合体(a1)としては、例えば、他の化合物が有する基と反応可能な官能基を有するアクリル系重合体(a11)と、前記官能基と反応する基、及びエネルギー線硬化性二重結合等のエネルギー線硬化性基を有するエネルギー線硬化性化合物(a12)と、が重合してなるアクリル系樹脂(a1-1)が挙げられる。
(A polymer (a1) having an energy ray curable group and having a weight average molecular weight of 80,000 to 2,000,000)
Examples of the polymer (a1) having an energy ray curable group and having a weight average molecular weight of 80,000 to 2,000,000 include an acrylic polymer (a11) having a functional group capable of reacting with a group possessed by another compound, Acrylic resin (a1-1) formed by polymerizing an energy ray curable compound (a12) having a group reactive with a functional group and an energy ray curable group such as an energy ray curable double bond .
 他の化合物が有する基と反応可能な前記官能基としては、例えば、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、置換アミノ基(換言すると、アミノ基の1個又は2個の水素原子が水素原子以外の基で置換されてなる基)、エポキシ基等が挙げられる。ただし、半導体ウエハや半導体チップ等の回路の腐食を防止するという点では、前記官能基はカルボキシ基以外の基であることが好ましい。
 これらの中でも、前記官能基は、水酸基であることが好ましい。
Examples of the functional group capable of reacting with a group contained in another compound include, for example, a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, and a substituted amino group (in other words, one or two hydrogen atoms of amino group are other than hydrogen atoms) And the like, an epoxy group and the like. However, in terms of preventing corrosion of circuits such as semiconductor wafers and semiconductor chips, the functional group is preferably a group other than a carboxy group.
Among these, the functional group is preferably a hydroxyl group.
・官能基を有するアクリル系重合体(a11)
 前記官能基を有するアクリル系重合体(a11)としては、例えば、前記官能基を有するアクリル系モノマーと、前記官能基を有しないアクリル系モノマーと、が共重合してなるものが挙げられ、これらモノマー以外に、さらにアクリル系モノマー以外のモノマー(換言すると非アクリル系モノマー)が共重合したものであってもよい。
 また、前記アクリル系重合体(a11)は、ランダム共重合体であってもよいし、ブロック共重合体であってもよい。
. Acrylic polymers having functional groups (a11)
Examples of the acrylic polymer (a11) having a functional group include those obtained by copolymerizing an acrylic monomer having the functional group and an acrylic monomer having no functional group. In addition to the monomers, monomers other than acrylic monomers (in other words, non-acrylic monomers) may be copolymerized.
The acrylic polymer (a11) may be a random copolymer or a block copolymer.
 前記官能基を有するアクリル系モノマーとしては、例えば、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、置換アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。 As an acryl-type monomer which has the said functional group, a hydroxyl-containing monomer, a carboxy-group containing monomer, an amino-group containing monomer, a substituted amino-group containing monomer, an epoxy-group containing monomer etc. are mentioned, for example.
 前記水酸基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸ヒドロキシメチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル等の(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキル;ビニルアルコール、アリルアルコール等の非(メタ)アクリル系不飽和アルコール(換言すると、(メタ)アクリロイル骨格を有しない不飽和アルコール)等が挙げられる。 Examples of the hydroxyl group-containing monomer include hydroxymethyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth) Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as 2-hydroxybutyl acrylate, 3-hydroxybutyl (meth) acrylate and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate; non (meth) acrylics such as vinyl alcohol and allyl alcohol Saturated alcohol (in other words, unsaturated alcohol having no (meth) acryloyl skeleton) and the like can be mentioned.
 なお、本明細書において、「(メタ)アクリル酸」とは、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」の両方を包含する概念とする。(メタ)アクリル酸と類似の用語についても同様である。 In the present specification, “(meth) acrylic acid” is a concept including both “acrylic acid” and “methacrylic acid”. The same applies to terms similar to (meth) acrylic acid.
 前記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸(すなわち、エチレン性不飽和結合を有するモノカルボン酸);フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸(すなわち、エチレン性不飽和結合を有するジカルボン酸);前記エチレン性不飽和ジカルボン酸の無水物;2-カルボキシエチルメタクリレート等の(メタ)アクリル酸カルボキシアルキルエステル等が挙げられる。 Examples of the carboxy group-containing monomer include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth) acrylic acid and crotonic acid (that is, monocarboxylic acids having an ethylenically unsaturated bond); fumaric acid, itaconic acid and maleic acid And ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as citraconic acid (ie, dicarboxylic acids having an ethylenically unsaturated bond); anhydrides of the above ethylenically unsaturated dicarboxylic acids; carboxyalkyl (meth) acrylates such as 2-carboxyethyl methacrylate Ester etc. are mentioned.
 前記官能基を有するアクリル系モノマーは、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマーが好ましく、水酸基含有モノマーがより好ましい。 The acrylic monomer having a functional group is preferably a hydroxyl group-containing monomer or a carboxy group-containing monomer, and more preferably a hydroxyl group-containing monomer.
 前記アクリル系重合体(a11)を構成する、前記官能基を有するアクリル系モノマーは、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The acrylic monomer having the functional group constituting the acrylic polymer (a11) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof are optionally It can be selected.
 前記官能基を有しないアクリル系モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n-プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸n-ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸sec-ブチル、(メタ)アクリル酸tert-ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸n-オクチル、(メタ)アクリル酸n-ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル((メタ)アクリル酸ラウリル)、(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル((メタ)アクリル酸ミリスチル)、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル((メタ)アクリル酸パルミチル)、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシル((メタ)アクリル酸ステアリル)等の、アルキルエステルを構成するアルキル基が、炭素数が1~18の鎖状構造である(メタ)アクリル酸アルキルエステル等が挙げられる。 Examples of the acrylic monomer having no functional group include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate and n (meth) acrylate -Butyl, isobutyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate ( 2-ethylhexyl acrylate, isooctyl (meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, n-nonyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, (meth) Undecyl acrylate, dodecyl (meth) acrylate (lauryl (meth) acrylate), ( Ta) tridecyl acrylate, tetradecyl (meth) acrylate (myristyl (meth) acrylate), pentadecyl (meth) acrylate, hexadecyl (meth) acrylate (palmityl (meth) acrylate), heptadecyl (meth) acrylate, Examples include alkyl (meth) acrylates in which the alkyl group constituting the alkyl ester such as octadecyl (meth) acrylate (stearyl (meth) acrylate) is a chain structure having 1 to 18 carbon atoms.
 また、前記官能基を有しないアクリル系モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メトキシメチル、(メタ)アクリル酸メトキシエチル、(メタ)アクリル酸エトキシメチル、(メタ)アクリル酸エトキシエチル等のアルコキシアルキル基含有(メタ)アクリル酸エステル;(メタ)アクリル酸フェニル等の(メタ)アクリル酸アリールエステル等を含む、芳香族基を有する(メタ)アクリル酸エステル;非架橋性の(メタ)アクリルアミド及びその誘導体;(メタ)アクリル酸N,N-ジメチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸N,N-ジメチルアミノプロピル等の非架橋性の3級アミノ基を有する(メタ)アクリル酸エステル等も挙げられる。 Further, as the acrylic monomer having no functional group, for example, alkoxymethyl such as methoxymethyl (meth) acrylate, methoxyethyl (meth) acrylate, ethoxymethyl (meth) acrylate, ethoxyethyl (meth) acrylate and the like (Meth) acrylic acid esters having an aromatic group, including alkyl group-containing (meth) acrylic acid esters; (meth) acrylic acid aryl esters such as phenyl (meth) acrylate etc .; non-crosslinkable (meth) acrylamides and Derivatives thereof; (meth) acrylic acid esters having a non-crosslinkable tertiary amino group such as N, N-dimethylaminoethyl (meth) acrylate and N, N-dimethylaminopropyl (meth) acrylate .
 前記アクリル系重合体(a11)を構成する、前記官能基を有しないアクリル系モノマーは、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The acrylic monomer having no functional group constituting the acrylic polymer (a11) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof are arbitrary. Can be selected.
 前記非アクリル系モノマーとしては、例えば、エチレン、ノルボルネン等のオレフィン;酢酸ビニル;スチレン等が挙げられる。
 前記アクリル系重合体(a11)を構成する前記非アクリル系モノマーは、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
Examples of the non-acrylic monomers include olefins such as ethylene and norbornene; vinyl acetate; styrene and the like.
The non-acrylic monomer constituting the acrylic polymer (a11) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
 前記アクリル系重合体(a11)において、これを構成する構成単位の全量に対する、前記官能基を有するアクリル系モノマーから誘導された構成単位の量の割合(含有量)は、0.1~50質量%であることが好ましく、1~40質量%であることがより好ましく、3~30質量%であることが特に好ましい。前記割合がこのような範囲であることで、前記アクリル系重合体(a11)と前記エネルギー線硬化性化合物(a12)との共重合によって得られた前記アクリル系樹脂(a1-1)において、エネルギー線硬化性基の含有量は、保護膜の硬化の程度を好ましい範囲に容易に調節可能となる。 In the acrylic polymer (a11), the ratio (content) of the amount of the structural unit derived from the acrylic monomer having the functional group to the total amount of the structural units constituting the same is 0.1 to 50 mass % Is preferable, 1 to 40% by mass is more preferable, and 3 to 30% by mass is particularly preferable. When the ratio is in such a range, in the acrylic resin (a1-1) obtained by the copolymerization of the acrylic polymer (a11) and the energy ray curable compound (a12), energy The content of the linear curable group can be easily adjusted to the preferable range of the degree of curing of the protective film.
 前記アクリル系樹脂(a1-1)を構成する前記アクリル系重合体(a11)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The acrylic polymer (a11) constituting the acrylic resin (a1-1) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof are optionally It can be selected.
 保護膜形成用組成物(IV-1)において、保護膜形成用組成物(IV-1)の総質量に対する、アクリル系樹脂(a1-1)の含有量の割合は、1~40質量%であることが好ましく、2~30質量%であることがより好ましく、3~20質量%であることが特に好ましい。 In the composition (IV-1) for forming a protective film, the ratio of the content of the acrylic resin (a1-1) to the total mass of the composition (IV-1) for forming a protective film is 1 to 40 mass%. The content is preferably 2 to 30% by mass, and particularly preferably 3 to 20% by mass.
・エネルギー線硬化性化合物(a12)
 前記エネルギー線硬化性化合物(a12)は、前記アクリル系重合体(a11)が有する官能基と反応可能な基として、イソシアネート基、エポキシ基及びカルボキシ基からなる群より選択される1種又は2種以上を有するものが好ましく、前記基としてイソシアネート基を有するものがより好ましい。前記エネルギー線硬化性化合物(a12)は、例えば、前記基としてイソシアネート基を有する場合、このイソシアネート基が、前記官能基として水酸基を有するアクリル系重合体(a11)のこの水酸基と容易に反応する。
・ Energy ray curable compound (a12)
The energy ray curable compound (a12) is one or two selected from the group consisting of an isocyanate group, an epoxy group and a carboxy group as a group capable of reacting with the functional group possessed by the acrylic polymer (a11) What has the above is preferable, and what has an isocyanate group as said group is more preferable. When the energy beam curable compound (a12) has, for example, an isocyanate group as the group, the isocyanate group easily reacts with the hydroxyl group of the acrylic polymer (a11) having a hydroxyl group as the functional group.
 前記エネルギー線硬化性化合物(a12)は、1分子中に前記エネルギー線硬化性基を1~5個有することが好ましく、1~3個有することがより好ましい。 The energy ray curable compound (a12) preferably has 1 to 5, and more preferably 1 to 3 of the energy ray curable groups in one molecule.
 前記エネルギー線硬化性化合物(a12)としては、例えば、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ-イソプロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、1,1-(ビスアクリロイルオキシメチル)エチルイソシアネート;
 ジイソシアネート化合物又はポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートと、の反応により得られる、アクリロイルモノイソシアネート化合物;
 ジイソシアネート化合物又はポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートと、の反応により得られる、アクリロイルモノイソシアネート化合物等が挙げられる。
 これらの中でも、前記エネルギー線硬化性化合物(a12)は、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネートであることが好ましい。
Examples of the energy ray curable compound (a12) include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, allyl isocyanate, 1,1- (bisacryloyloxymethyl) Ethyl isocyanate;
An acryloyl monoisocyanate compound obtained by the reaction of a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound with hydroxyethyl (meth) acrylate;
The acryloyl monoisocyanate compound etc. which are obtained by reaction of a diisocyanate compound or polyisocyanate compound, a polyol compound, and hydroxyethyl (meth) acrylate are mentioned.
Among these, the energy ray curable compound (a12) is preferably 2-methacryloyloxyethyl isocyanate.
 前記アクリル系樹脂(a1-1)を構成する前記エネルギー線硬化性化合物(a12)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The energy beam curable compound (a12) constituting the acrylic resin (a1-1) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof are arbitrary. Can be selected.
 前記アクリル系樹脂(a1-1)において、前記アクリル系重合体(a11)に由来する前記官能基の含有量に対する、前記エネルギー線硬化性化合物(a12)に由来するエネルギー線硬化性基の含有量の割合は、20~120モル%であることが好ましく、35~100モル%であることがより好ましく、50~100モル%であることが特に好ましい。前記含有量の割合がこのような範囲であることで、硬化により形成された保護膜の接着力がより大きくなる。なお、前記エネルギー線硬化性化合物(a12)が一官能(すなわち、前記基を1分子中に1個有する)化合物である場合には、前記含有量の割合の上限値は100モル%となるが、前記エネルギー線硬化性化合物(a12)が多官能(すなわち、前記基を1分子中に2個以上有する)化合物である場合には、前記含有量の割合の上限値は100モル%を超えることがある。 In the acrylic resin (a1-1), the content of the energy ray curable group derived from the energy ray curable compound (a12) relative to the content of the functional group derived from the acrylic polymer (a11) The proportion of is preferably 20 to 120 mol%, more preferably 35 to 100 mol%, and particularly preferably 50 to 100 mol%. The adhesive force of the protective film formed by hardening becomes larger because the ratio of the said content is such a range. In the case where the energy ray curable compound (a12) is a monofunctional compound (ie, having one group in one molecule), the upper limit of the content ratio is 100 mol%. When the energy ray-curable compound (a12) is a polyfunctional compound (ie, having two or more of the groups in one molecule), the upper limit of the content ratio exceeds 100 mol%. There is.
 前記重合体(a1)の重量平均分子量(Mw)は、100000~2000000であることが好ましく、300000~1500000であることがより好ましい。 The weight average molecular weight (Mw) of the polymer (a1) is preferably 100,000 to 2,000,000, and more preferably 300,000 to 1,500,000.
 前記重合体(a1)が、その少なくとも一部が架橋剤(f)によって架橋されたものである場合、前記重合体(a1)は、前記アクリル系重合体(a11)を構成するものとして説明した、上述のモノマーのいずれにも該当せず、かつ架橋剤(f)と反応する基を有するモノマーが重合して、架橋剤(f)と反応する基において架橋されたものであってもよいし、前記エネルギー線硬化性化合物(a12)に由来する、前記官能基と反応する基において、架橋されたものであってもよい。 When the polymer (a1) is at least a part of which is crosslinked by the crosslinking agent (f), the polymer (a1) has been described as constituting the acrylic polymer (a11) And a monomer which does not correspond to any of the above-mentioned monomers and which has a group reactive with the crosslinking agent (f) may be polymerized and crosslinked in the group reactive with the crosslinking agent (f) The group which reacts with the functional group and is derived from the energy ray curable compound (a12) may be crosslinked.
 保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムが含有する前記重合体(a1)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The composition (IV-1) for forming a protective film and the polymer (a1) contained in the film for forming a protective film may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, Combinations and ratios can be selected arbitrarily.
(エネルギー線硬化性基を有する、分子量が100~80000の化合物(a2))
 エネルギー線硬化性基を有する、分子量が100~80000の化合物(a2)中の、前記エネルギー線硬化性基としては、エネルギー線硬化性二重結合を含む基が挙げられ、好ましいものとしては、(メタ)アクリロイル基、ビニル基等が挙げられる。
(Compound (a2) having a molecular weight of 100 to 80,000, having an energy ray-curable group)
Examples of the energy ray-curable group in the compound (a2) having an energy ray-curable group and having a molecular weight of 100 to 80,000 include a group containing an energy ray-curable double bond, and preferred examples thereof Meta) acryloyl group, a vinyl group etc. are mentioned.
 前記化合物(a2)は、上記の条件を満たすものであれば、特に限定されないが、エネルギー線硬化性基を有する低分子量化合物、エネルギー線硬化性基を有するエポキシ樹脂、エネルギー線硬化性基を有するフェノール樹脂等が挙げられる。 The compound (a2) is not particularly limited as long as it satisfies the above conditions, but a low molecular weight compound having an energy ray curable group, an epoxy resin having an energy ray curable group, and an energy ray curable group A phenol resin etc. are mentioned.
 前記化合物(a2)のうち、エネルギー線硬化性基を有する低分子量化合物としては、例えば、多官能のモノマー又はオリゴマー等が挙げられ、(メタ)アクリロイル基を有するアクリレート系化合物が好ましい。
 前記アクリレート系化合物としては、例えば、2-ヒドロキシ-3-(メタ)アクリロイルオキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロポキシ化エトキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、2,2-ビス[4-((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル]プロパン、エトキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、2,2-ビス[4-((メタ)アクリロキシジエトキシ)フェニル]プロパン、9,9-ビス[4-(2-(メタ)アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン、2,2-ビス[4-((メタ)アクリロキシポリプロポキシ)フェニル]プロパン、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート(トリシクロデカンジメチロールジ(メタ)アクリレート)、1,10-デカンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9-ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、2,2-ビス[4-((メタ)アクリロキシエトキシ)フェニル]プロパン、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、エトキシ化ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-1,3-ジ(メタ)アクリロキシプロパン等の2官能(メタ)アクリレート;
 トリス(2-(メタ)アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ε-カプロラクトン変性トリス-(2-(メタ)アクリロキシエチル)イソシアヌレート、エトキシ化グリセリントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールポリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート;
 ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマー等の多官能(メタ)アクリレートオリゴマー等が挙げられる。
As a low molecular weight compound which has an energy ray curable group among the said compounds (a2), a polyfunctional monomer, an oligomer, etc. are mentioned, for example, The acrylate type compound which has a (meth) acryloyl group is preferable.
Examples of the acrylate compound include 2-hydroxy-3- (meth) acryloyloxypropyl methacrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, propoxylated ethoxylated bisphenol A di (meth) acrylate, and 2,2-bis [4 -((Meth) acryloxypolyethoxy) phenyl] propane, ethoxylated bisphenol A di (meth) acrylate, 2,2-bis [4-((meth) acryloxydiethoxy) phenyl] propane, 9,9-bis [4- (2- (Meth) acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene, 2,2-bis [4-((meth) acryloxypolypropoxy) phenyl] propane, tricyclodecanedimethanol di (meth) acrylate (tri) Cyclodecane dimethylol di (meth) a 1,10-decanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, dipropylene glycol di (meth) acrylate, tripropylene Glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, polytetramethylene glycol di (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, 2 , 2-bis [4-((meth) acryloxyethoxy) phenyl] propane, neopentyl glycol di (meth) acrylate, ethoxylated polypropylene glycol di (meth) acrylate, 2-hydro Difunctional (meth) acrylates such as shea 1,3-di (meth) acryloxy propane;
Tris (2- (meth) acryloxyethyl) isocyanurate, ε-caprolactone modified tris- (2- (meth) acryloxyethyl) isocyanurate, ethoxylated glycerin tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, Trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, ethoxylated pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol poly (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa ( Multifunctional (meth) acrylates such as meta) acrylates;
Polyfunctional (meth) acrylate oligomers, such as a urethane (meth) acrylate oligomer, etc. are mentioned.
 前記化合物(a2)のうち、エネルギー線硬化性基を有するエポキシ樹脂、エネルギー線硬化性基を有するフェノール樹脂としては、例えば、「特開2013-194102号公報」の段落0043等に記載されているものを用いることができる。このような樹脂は、後述する熱硬化性成分(h)を構成する樹脂にも該当するが、本発明においては前記化合物(a2)として取り扱う。 Among the compounds (a2), an epoxy resin having an energy ray-curable group and a phenol resin having an energy ray-curable group are described, for example, in paragraph 0043 of "JP-A-2013-194102" and the like. The thing can be used. Such a resin also corresponds to a resin constituting a thermosetting component (h) described later, but in the present invention, it is handled as the compound (a2).
 前記化合物(a2)の分子量は、100~30000であることが好ましく、300~10000であることがより好ましい。 The molecular weight of the compound (a2) is preferably 100 to 30,000, and more preferably 300 to 10,000.
 保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムが含有する前記化合物(a2)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The composition for forming a protective film (IV-1) and the compound (a2) contained in the film for forming a protective film may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, a combination thereof And the ratio can be selected arbitrarily.
[エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)]
 保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムは、前記エネルギー線硬化性成分(a)として前記化合物(a2)を含有する場合、さらにエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)も含有することが好ましい。
 前記重合体(b)は、その少なくとも一部が後述する架橋剤(f)によって架橋されたものであってもよいし、架橋されていないものであってもよい。
[Polymer having no energy ray curable group (b)]
When the composition for forming a protective film (IV-1) and the film for forming a protective film contain the compound (a2) as the energy ray curable component (a), a polymer further having no energy ray curable group It is preferable to also contain (b).
The polymer (b) may be at least a part of which is crosslinked by a crosslinking agent (f) described later, or may not be crosslinked.
 エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)としては、例えば、アクリル系重合体、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル、ゴム系樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリビニルアルコール(PVA)、ブチラール樹脂、ポリエステルウレタン樹脂等が挙げられる。
 これらの中でも、前記重合体(b)は、アクリル系重合体(以下、「アクリル系重合体(b-1)」と略記することがある)であることが好ましい。
As a polymer (b) which does not have an energy ray curable group, for example, an acrylic polymer, phenoxy resin, urethane resin, polyester, rubber resin, acrylic urethane resin, polyvinyl alcohol (PVA), butyral resin, polyester urethane Resin etc. are mentioned.
Among these, the polymer (b) is preferably an acrylic polymer (hereinafter sometimes abbreviated as “acrylic polymer (b-1)”).
 アクリル系重合体(b-1)は、公知のものでよく、例えば、1種のアクリル系モノマーの単独重合体であってもよいし、2種以上のアクリル系モノマーの共重合体であってもよいし、1種又は2種以上のアクリル系モノマーと、1種又は2種以上のアクリル系モノマー以外のモノマー(すなわち非アクリル系モノマー)と、の共重合体であってもよい。 The acrylic polymer (b-1) may be a known one, for example, may be a homopolymer of one acrylic monomer, or a copolymer of two or more acrylic monomers, It may be a copolymer of one or more acrylic monomers and a monomer other than one or more acrylic monomers (that is, a non-acrylic monomer).
 アクリル系重合体(b-1)を構成する前記アクリル系モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、環状骨格を有する(メタ)アクリル酸エステル、グリシジル基含有(メタ)アクリル酸エステル、水酸基含有(メタ)アクリル酸エステル、置換アミノ基含有(メタ)アクリル酸エステル等が挙げられる。ここで、「置換アミノ基」とは、先に説明したとおりである。 Examples of the acrylic monomer constituting the acrylic polymer (b-1) include (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid ester having a cyclic skeleton, glycidyl group-containing (meth) acrylic acid ester, Examples thereof include hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid esters and substituted amino group-containing (meth) acrylic acid esters. Here, the "substituted amino group" is as described above.
 前記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n-プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸n-ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸sec-ブチル、(メタ)アクリル酸tert-ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸n-オクチル、(メタ)アクリル酸n-ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル((メタ)アクリル酸ラウリル)、(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル((メタ)アクリル酸ミリスチル)、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル((メタ)アクリル酸パルミチル)、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシル((メタ)アクリル酸ステアリル)等の、アルキルエステルを構成するアルキル基が、炭素数が1~18の鎖状構造である(メタ)アクリル酸アルキルエステル等が挙げられる。 Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n- (meth) acrylate Butyl, isobutyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, (meth) acrylate ) 2-ethylhexyl acrylate, isooctyl (meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, n-nonyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, (meth) acrylic Undecyl acid, dodecyl (meth) acrylate (lauryl (meth) acrylate), ( Ta) tridecyl acrylate, tetradecyl (meth) acrylate (myristyl (meth) acrylate), pentadecyl (meth) acrylate, hexadecyl (meth) acrylate (palmityl (meth) acrylate), heptadecyl (meth) acrylate, Examples include alkyl (meth) acrylates in which the alkyl group constituting the alkyl ester such as octadecyl (meth) acrylate (stearyl (meth) acrylate) is a chain structure having 1 to 18 carbon atoms.
 前記環状骨格を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸イソボルニル、(メタ)アクリル酸ジシクロペンタニル等の(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル;
 (メタ)アクリル酸ベンジル等の(メタ)アクリル酸アラルキルエステル;
 (メタ)アクリル酸ジシクロペンテニルエステル等の(メタ)アクリル酸シクロアルケニルエステル;
 (メタ)アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチルエステル等の(メタ)アクリル酸シクロアルケニルオキシアルキルエステル等が挙げられる。
Examples of the (meth) acrylic acid ester having a cyclic skeleton include (meth) acrylic acid cycloalkyl esters such as (meth) acrylic acid isobornyl and (meth) acrylic acid dicyclopentanyl;
(Meth) acrylic acid aralkyl esters such as benzyl (meth) acrylate;
(Meth) acrylic acid cycloalkenyl esters such as (meth) acrylic acid dicyclopentenyl ester;
Examples include (meth) acrylic acid cycloalkenyloxyalkyl esters such as (meth) acrylic acid dicyclopentenyl oxyethyl ester and the like.
 前記グリシジル基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジル等が挙げられる。
 前記水酸基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸ヒドロキシメチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル等が挙げられる。
 前記置換アミノ基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸N-メチルアミノエチル等が挙げられる。
As said glycidyl group containing (meth) acrylic acid ester, glycidyl (meth) acrylate etc. are mentioned, for example.
Examples of the hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester include hydroxymethyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxy (meth) acrylate Propyl, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 3-hydroxybutyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate and the like can be mentioned.
Examples of the substituted amino group-containing (meth) acrylic acid ester include N-methylaminoethyl (meth) acrylate and the like.
 アクリル系重合体(b-1)を構成する前記非アクリル系モノマーとしては、例えば、エチレン、ノルボルネン等のオレフィン;酢酸ビニル;スチレン等が挙げられる。 Examples of the non-acrylic monomer constituting the acrylic polymer (b-1) include olefins such as ethylene and norbornene; vinyl acetate; styrene and the like.
 少なくとも一部が架橋剤(f)によって架橋された、前記エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)としては、例えば、前記重合体(b)中の反応性官能基が架橋剤(f)と反応したものが挙げられる。
 前記反応性官能基は、架橋剤(f)の種類等に応じて適宜選択すればよく、特に限定されない。例えば、架橋剤(f)がポリイソシアネート化合物である場合には、前記反応性官能基としては、水酸基、カルボキシ基、アミノ基等が挙げられ、これらの中でも、イソシアネート基との反応性が高い水酸基が好ましい。また、架橋剤(f)がエポキシ系化合物である場合には、前記反応性官能基としては、カルボキシ基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、これらの中でもエポキシ基との反応性が高いカルボキシ基が好ましい。ただし、半導体ウエハや半導体チップの回路の腐食を防止するという点では、前記反応性官能基はカルボキシ基以外の基であることが好ましい。
As the polymer (b) having no energy ray-curable group at least partially crosslinked by the crosslinking agent (f), for example, the reactive functional group in the polymer (b) is a crosslinking agent (f What reacted with) is mentioned.
The reactive functional group may be appropriately selected depending on the type of the crosslinking agent (f) and the like, and is not particularly limited. For example, when the crosslinking agent (f) is a polyisocyanate compound, examples of the reactive functional group include a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group and the like, and among these, a hydroxyl group having high reactivity with the isocyanate group. Is preferred. When the crosslinking agent (f) is an epoxy compound, examples of the reactive functional group include a carboxy group, an amino group, an amido group and the like, among which a carboxy having a high reactivity with the epoxy group Groups are preferred. However, it is preferable that the reactive functional group is a group other than a carboxy group in terms of preventing corrosion of the circuit of the semiconductor wafer or the semiconductor chip.
 前記反応性官能基を有する、エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)としては、例えば、少なくとも前記反応性官能基を有するモノマーを重合させて得られたものが挙げられる。アクリル系重合体(b-1)の場合であれば、これを構成するモノマーとして挙げた、前記アクリル系モノマー及び非アクリル系モノマーのいずれか一方又は両方として、前記反応性官能基を有するものを用いればよい。反応性官能基として水酸基を有する前記重合体(b)としては、例えば、水酸基含有(メタ)アクリル酸エステルを重合して得られたものが挙げられ、これ以外にも、先に挙げた前記アクリル系モノマー又は非アクリル系モノマーにおいて、1個又は2個以上の水素原子が前記反応性官能基で置換されてなるモノマーを重合して得られたものが挙げられる。 As a polymer (b) which does not have an energy ray curable group which has the said reactive functional group, the thing obtained by polymerizing the monomer which has at least the said reactive functional group is mentioned, for example. In the case of the acrylic polymer (b-1), those having the reactive functional group as one or both of the acrylic monomer and the non-acrylic monomer mentioned as the monomer constituting the polymer It may be used. As said polymer (b) which has a hydroxyl group as a reactive functional group, what was obtained by polymerizing a hydroxyl-containing (meth) acrylic acid ester is mentioned, for example, In addition to this, the said acrylics mentioned above What is obtained by polymerizing a monomer in which one or more hydrogen atoms are substituted by the reactive functional group among the system monomer or the non-acrylic monomer is mentioned.
 反応性官能基を有する前記重合体(b)において、これを構成する構成単位の全量に対する、反応性官能基を有するモノマーから誘導された構成単位の量の割合(含有量)は、1~25質量%であることが好ましく、2~20質量%であることがより好ましい。前記割合がこのような範囲であることで、前記重合体(b)において、架橋の程度がより好ましい範囲となる。 In the polymer (b) having a reactive functional group, the ratio (content) of the amount of the structural unit derived from the monomer having the reactive functional group to the total amount of the constituent units constituting the polymer is 1 to 25 The content is preferably in the range of 2% by mass to 20% by mass. When the ratio is in such a range, in the polymer (b), the degree of crosslinking becomes a more preferable range.
 エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の重量平均分子量(Mw)は、保護膜形成用組成物(IV-1)の造膜性がより良好となる点から、10000~2000000であることが好ましく、100000~1500000であることがより好ましい。 The weight average molecular weight (Mw) of the polymer (b) having no energy ray curable group is from 10000 to 2,000,000 from the viewpoint that the film forming property of the composition for forming a protective film (IV-1) becomes better. Is preferable, and 100000 to 1.500000 is more preferable.
 保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムが含有する、エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The composition for forming a protective film (IV-1) and the film for forming a protective film may contain only one type of polymer (b) having no energy ray-curable group, or two or more types of polymers (2) When it is species or more, their combination and ratio can be arbitrarily selected.
 保護膜形成用組成物(IV-1)としては、化合物(p)以外に、前記重合体(a1)及び前記化合物(a2)のいずれか一方又は両方を含有するものが挙げられる。そして、保護膜形成用組成物(IV-1)は、前記化合物(a2)を含有する場合、さらにエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)も含有することが好ましく、この場合、さらに前記(a1)を含有することも好ましい。また、保護膜形成用組成物(IV-1)は、前記化合物(a2)を含有せず、前記重合体(a1)、及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)をともに含有していてもよい。 Examples of the composition for forming a protective film (IV-1) include those containing any one or both of the polymer (a1) and the compound (a2) in addition to the compound (p). And when the composition for protective film formation (IV-1) contains the said compound (a2), it is preferable to also contain the polymer (b) which does not have an energy ray curable group, and in this case, It is also preferable to contain the above (a1). The composition for forming a protective film (IV-1) contains neither the compound (a2) but the polymer (a1) and the polymer (b) having no energy ray curable group. It may be
 保護膜形成用組成物(IV-1)が、前記重合体(a1)、前記化合物(a2)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)を含有する場合、保護膜形成用組成物(IV-1)において、前記化合物(a2)の含有量は、前記重合体(a1)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の総含有量100質量部に対して、10~400質量部であることが好ましく、30~350質量部であることがより好ましい。 When composition (IV-1) for protective film formation contains the said polymer (a1), the said compound (a2), and the polymer (b) which does not have an energy beam curable group, the composition for protective film formation In (IV-1), the content of the compound (a2) is 10 to 100 parts by mass relative to the total content of the polymer (a1) and the polymer (b) having no energy ray curable group. The amount is preferably 400 parts by mass, and more preferably 30 to 350 parts by mass.
 保護膜形成用組成物(IV-1)において、溶媒以外の成分の総含有量に対する、前記エネルギー線硬化性成分(a)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の合計含有量の割合(すなわち、保護膜形成用フィルムにおける、保護膜形成用フィルムの総質量に対する、前記エネルギー線硬化性成分(a)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の合計含有量の割合)は、5~90質量%であることが好ましく、10~80質量%であることがより好ましく、15~70質量%であることが特に好ましく、例えば、20~60質量%、及び25~50質量%のいずれかであってもよい。前記合計含有量の割合がこのような範囲であることで、保護膜形成用フィルムのエネルギー線硬化性がより良好となる。 In the composition for forming a protective film (IV-1), the total content of the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) having no energy ray-curable group relative to the total content of components other than the solvent Ratio of the total content of the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) having no energy ray-curable group with respect to the total mass of the film for protection film formation in the film for formation of a protection film The proportion) is preferably 5 to 90% by mass, more preferably 10 to 80% by mass, and particularly preferably 15 to 70% by mass, for example, 20 to 60% by mass, and 25 to 50% by mass. It may be any of 50% by mass. The energy ray curability of the film for protective film formation becomes more favorable because the ratio of the said total content is such a range.
 保護膜形成用組成物(IV-1)が前記エネルギー線硬化性成分(a)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)を含有する場合、保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムにおいて、前記重合体(b)の含有量は、エネルギー線硬化性成分(a)の含有量100質量部に対して、50~400質量部であることが好ましく、100~350質量部であることがより好ましく、150~300質量部であることが特に好ましい。前記重合体(b)の前記含有量がこのような範囲であることで、保護膜形成用フィルムのエネルギー線硬化性がより良好となる。 When the composition for forming a protective film (IV-1) contains the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) having no energy ray-curable group, the composition for forming a protective film (IV-1) In the film for protective film formation, the content of the polymer (b) is preferably 50 to 400 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the energy ray curable component (a), The amount is more preferably up to 350 parts by mass, and particularly preferably 150 to 300 parts by mass. When the content of the polymer (b) is in such a range, the energy ray curability of the film for protective film formation becomes better.
 保護膜形成用組成物(IV-1)は、目的に応じて、エネルギー線硬化性成分(a)、エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)及び化合物(p)以外の、光重合開始剤(c)、充填材(d)、カップリング剤(e)、架橋剤(f)、着色剤(g)、熱硬化性成分(h)、硬化促進剤(i)、及び汎用添加剤(z)からなる群より選択される1種又は2種以上を含有していてもよい。
 例えば、前記エネルギー線硬化性成分(a)及び熱硬化性成分(h)を含有する保護膜形成用組成物(IV-1)を用いることにより、形成される保護膜形成用フィルムは、加熱によって被着体に対する接着力が向上し、この保護膜形成用フィルムから形成された保護膜の強度も向上する。
The composition (IV-1) for forming a protective film is a photopolymerization other than the energy ray curable component (a), the polymer (b) having no energy ray curable group and the compound (p) according to the purpose. Initiator (c), filler (d), coupling agent (e), crosslinking agent (f), colorant (g), thermosetting component (h), curing accelerator (i), and general purpose additives You may contain 1 type, or 2 or more types selected from the group which consists of (z).
For example, the film for protective film formation formed by using the composition (IV-1) for protective film formation containing the said energy beam curable component (a) and the thermosetting component (h) is heated by heating The adhesion to the adherend is improved, and the strength of the protective film formed from the protective film-forming film is also improved.
[光重合開始剤(c)]
 光重合開始剤(c)としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール等のベンゾイン化合物;アセトフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-プロパン-1-オン、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン等のアセトフェノン化合物;ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物;ベンジルフェニルスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド等のスルフィド化合物;1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα-ケトール化合物;アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物;チタノセン等のチタノセン化合物;チオキサントン等のチオキサントン化合物;ベンゾフェノン、2-(ジメチルアミノ)-1-(4-モルホリノフェニル)-2-ベンジル-1-ブタノン、エタノン,1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-,1-(O-アセチルオキシム)等のベンゾフェノン化合物;パーオキサイド化合物;ジアセチル等のジケトン化合物;ベンジル;ジベンジル;2,4-ジエチルチオキサントン;1,2-ジフェニルメタン;2-ヒドロキシ-2-メチル-1-[4-(1-メチルビニル)フェニル]プロパノン;2-クロロアントラキノン等が挙げられる。
 また、光重合開始剤(c)としては、例えば、1-クロロアントラキノン等のキノン化合物;アミン等の光増感剤等を用いることもできる。
[Photoinitiator (c)]
Examples of the photopolymerization initiator (c) include benzoin compounds such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, methyl benzoin benzoate, benzoin dimethyl ketal; acetophenone, 2 Acetophenone compounds such as 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one; bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenyl Acyl phosphine oxide compounds such as phosphine oxide and 2,4,6-trimethyl benzoyl diphenyl phosphine oxide; sulfides such as benzyl phenyl sulfide and tetramethylthiuram monosulfide Compounds; α-ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; azo compounds such as azobisisobutyronitrile; titanocene compounds such as titanocene; thioxanthone compounds such as thioxanthone; benzophenone, 2- (dimethylamino) -1- (4-morpholinophenyl) -2-benzyl-1-butanone, ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime Peroxide compounds; Diketone compounds such as diacetyl; benzyl; dibenzyl; 2,4-diethylthioxanthone; 1,2-diphenylmethane; 2-hydroxy-2-methyl-1- [4- (1-methyl) Vinyl) phenyl] propanone; 2-chloro anthraquino And the like.
Further, as the photopolymerization initiator (c), for example, quinone compounds such as 1-chloroanthraquinone and the like; photosensitizers such as amine and the like can also be used.
 保護膜形成用組成物(IV-1)が含有する光重合開始剤(c)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The composition (IV-1) for forming a protective film may contain only one type of photoinitiator, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof are arbitrary. Can be selected.
 光重合開始剤(c)を用いる場合、保護膜形成用組成物(IV-1)において、光重合開始剤(c)の含有量は、エネルギー線硬化性化合物(a)の含有量100質量部に対して、0.01~20質量部であることが好ましく、0.03~15質量部であることがより好ましく、0.05~10質量部であることが特に好ましい。 When a photopolymerization initiator (c) is used, the content of the photopolymerization initiator (c) in the composition for forming a protective film (IV-1) is 100 parts by mass of the energy ray curable compound (a) The amount is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 0.03 to 15 parts by mass, and particularly preferably 0.05 to 10 parts by mass.
[充填材(d)]
 保護膜形成用フィルムが充填材(d)を含有することにより、保護膜形成用フィルムを硬化して得られた保護膜は、熱膨張係数の調整が容易となる。そして、この熱膨張係数を保護膜の形成対象物に対して最適化することで、保護膜形成用複合シートを用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。また、保護膜形成用フィルムが充填材(d)を含有することにより、保護膜の吸湿率を低減したり、放熱性を向上させたりすることもできる。
 充填材(d)としては、例えば、熱伝導性材料からなるものが挙げられる。
[Filler (d)]
When the film for protective film formation contains a filler (d), adjustment of a thermal expansion coefficient of the protective film obtained by hardening the film for protective film formation becomes easy. And the reliability of the package obtained using the composite sheet for protective film formation improves more by optimizing this thermal expansion coefficient with respect to the formation object of a protective film. Moreover, when the film for protective film formation contains a filler (d), the moisture absorption rate of a protective film can be reduced and heat dissipation can also be improved.
As a filler (d), what consists of heat conductive materials is mentioned, for example.
 充填材(d)は、有機充填材及び無機充填材のいずれでもよいが、無機充填材であることが好ましい。
 好ましい無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化ケイ素、窒化ホウ素等の粉末;これら無機充填材を球形化したビーズ;これら無機充填材の表面改質品;これら無機充填材の単結晶繊維;ガラス繊維等が挙げられる。
 これらの中でも、無機充填材は、シリカ又はアルミナであることが好ましい。
The filler (d) may be either an organic filler or an inorganic filler, but is preferably an inorganic filler.
Preferred inorganic fillers include, for example, powders of silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, bengala, silicon carbide, boron nitride, etc .; spherical beads of these inorganic fillers; surface modification of these inorganic fillers Articles: single crystal fibers of these inorganic fillers; glass fibers and the like.
Among these, the inorganic filler is preferably silica or alumina.
 充填材(d)の平均粒子径は、特に限定されないが、0.01~20μmであることが好ましく、0.1~15μmであることがより好ましく、0.3~10μmであることが特に好ましい。充填材(d)の平均粒子径がこのような範囲であることで、保護膜の形成対象物に対する接着性を維持しつつ、保護膜の光の透過率の低下を抑制できる。
 なお、本明細書において「平均粒子径」とは、特に断りのない限り、レーザー回折散乱法によって求められた粒度分布曲線における、積算値50%での粒子径(D50)の値を意味する。
The average particle size of the filler (d) is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 20 μm, more preferably 0.1 to 15 μm, and particularly preferably 0.3 to 10 μm. . When the average particle diameter of the filler (d) is in such a range, it is possible to suppress the decrease in the light transmittance of the protective film while maintaining the adhesiveness to the object on which the protective film is to be formed.
In the present specification, “average particle size” means the value of particle size (D 50 ) at an integrated value of 50% in the particle size distribution curve determined by the laser diffraction scattering method, unless otherwise specified. .
 保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムが含有する充填材(d)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The composition (IV-1) for forming a protective film and the filler (d) contained in the film for forming a protective film may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, a combination thereof And the ratio can be selected arbitrarily.
 充填材(d)を用いる場合、保護膜形成用組成物(IV-1)において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する充填材(d)の含有量の割合(すなわち、保護膜形成用フィルムにおける、保護膜形成用フィルムの総質量に対する、充填材(d)の含有量の割合)は、10~85質量%であることが好ましく、20~80質量%であることがより好ましく、30~75質量%であることが特に好ましく、例えば、40~70質量%、及び45~65質量%のいずれかであってもよい。充填材(d)の含有量がこのような範囲であることで、上記の熱膨張係数の調整がより容易となる。 When the filler (d) is used, in the composition (IV-1) for forming a protective film, the ratio of the content of the filler (d) to the total content of all the components other than the solvent The ratio of the content of the filler (d) to the total mass of the protective film-forming film in the film is preferably 10 to 85 mass%, more preferably 20 to 80 mass%, It is particularly preferable that it is ̃75 mass%, and it may be, for example, 40 ̃70 mass%, and any of 45 ̃65 mass%. When the content of the filler (d) is in such a range, the adjustment of the thermal expansion coefficient becomes easier.
[カップリング剤(e)]
 カップリング剤(e)として、無機化合物又は有機化合物と反応可能な官能基を有するものを用いることにより、保護膜形成用フィルムの被着体に対する接着性及び密着性を向上させることができる。また、カップリング剤(e)を用いることで、保護膜形成用フィルムを硬化して得られた保護膜は、耐熱性を損なうことなく、耐水性が向上する。
[Coupling agent (e)]
By using a coupling agent (e) having a functional group capable of reacting with an inorganic compound or an organic compound, the adhesion and adhesiveness of the protective film-forming film to the adherend can be improved. Further, by using the coupling agent (e), the protective film obtained by curing the protective film-forming film is improved in water resistance without impairing the heat resistance.
 カップリング剤(e)は、エネルギー線硬化性成分(a)、エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)等が有する官能基と反応可能な官能基を有する化合物であることが好ましく、シランカップリング剤であることがより好ましい。
 好ましい前記シランカップリング剤としては、例えば、3-グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、3-グリシジルオキシメチルジエトキシシラン、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3-メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-(2-アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3-(2-アミノエチルアミノ)プロピルメチルジエトキシシラン、3-(フェニルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3-アニリノプロピルトリメトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス(3-トリエトキシシリルプロピル)テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシラン等が挙げられる。
The coupling agent (e) is preferably a compound having a functional group capable of reacting with the functional group of the energy ray curable component (a), the polymer (b) having no energy ray curable group, etc. It is more preferable that it is a silane coupling agent.
Preferred examples of the silane coupling agent include 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, 3-glycidyloxymethyldiethoxysilane, 2- (3,4-Epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, 3- (2-amino) Ethylamino) propylmethyldiethoxysilane, 3- (phenylamino) propyltrimethoxysilane, 3-anilinopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyl Trimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis (3-triethoxysilylpropyl) tetrasulfane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, imidazolesilane, etc. Be
 保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムが含有するカップリング剤(e)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The composition (IV-1) for forming a protective film and the coupling agent (e) contained in the film for forming a protective film may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, Combinations and ratios can be selected arbitrarily.
 カップリング剤(e)を用いる場合、保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムにおいて、カップリング剤(e)の含有量は、エネルギー線硬化性成分(a)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の総含有量100質量部に対して、0.03~20質量部であることが好ましく、0.05~10質量部であることがより好ましく、0.1~5質量部であることが特に好ましい。カップリング剤(e)の前記含有量が前記下限値以上であることで、充填材(d)の樹脂への分散性の向上や、保護膜形成用フィルムの被着体との接着性の向上など、カップリング剤(e)を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、カップリング剤(e)の前記含有量が前記上限値以下であることで、アウトガスの発生がより抑制される。 When the coupling agent (e) is used, the content of the coupling agent (e) in the protective film-forming composition (IV-1) and the film for protective film formation is the energy ray-curable component (a) and the energy The amount is preferably 0.03 to 20 parts by mass, more preferably 0.05 to 10 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the total content of the polymer (b) having no linear curable group. 0.1 to 5 parts by mass is particularly preferred. When the content of the coupling agent (e) is at least the lower limit value, the dispersibility of the filler (d) in the resin is improved, and the adhesion of the film for protective film formation to the adherend is improved. The effect of using the coupling agent (e) can be obtained more remarkably. Moreover, generation | occurrence | production of an outgas is suppressed more because the said content of a coupling agent (e) is below the said upper limit.
[架橋剤(f)]
 架橋剤(f)を用いて、上述のエネルギー線硬化性成分(a)やエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)を架橋することにより、保護膜形成用フィルムの初期接着力及び凝集力を調節できる。
[Crosslinking agent (f)]
By crosslinking the energy beam curable component (a) described above and the polymer (b) having no energy beam curable group using the crosslinking agent (f), the initial adhesion and cohesion of the film for protective film formation You can adjust the power.
 架橋剤(f)としては、例えば、有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物、金属キレート系架橋剤(すなわち、金属キレート構造を有する架橋剤)、アジリジン系架橋剤(すなわち、アジリジニル基を有する架橋剤)等が挙げられる。 Examples of the crosslinking agent (f) include organic polyvalent isocyanate compounds, organic polyvalent imine compounds, metal chelate type crosslinking agents (that is, crosslinking agents having a metal chelate structure), and aziridine type crosslinking agents (that is, aziridinyl groups). Crosslinking agents) and the like.
 前記有機多価イソシアネート化合物としては、例えば、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物及び脂環族多価イソシアネート化合物(以下、これら化合物をまとめて「芳香族多価イソシアネート化合物等」と略記することがある);前記芳香族多価イソシアネート化合物等の三量体、イソシアヌレート体及びアダクト体;前記芳香族多価イソシアネート化合物等とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等が挙げられる。前記「アダクト体」は、前記芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物又は脂環族多価イソシアネート化合物と、エチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン又はヒマシ油等の低分子活性水素含有化合物との反応物を意味する。前記アダクト体の例としては、後述するようなトリメチロールプロパンのキシリレンジイソシアネート付加物等が挙げられる。また、「末端イソシアネートウレタンプレポリマー」とは、ウレタン結合を有するとともに、分子の末端部にイソシアネート基を有するプレポリマーを意味する。 As the organic polyvalent isocyanate compound, for example, an aromatic polyvalent isocyanate compound, an aliphatic polyvalent isocyanate compound and an alicyclic polyvalent isocyanate compound (hereinafter, these compounds are collectively referred to as “aromatic polyvalent isocyanate compound etc.” Abbreviated in some cases); trimers such as the above-mentioned aromatic polyvalent isocyanate compounds, isocyanurates and adducts; terminal isocyanate urethane prepolymers obtained by reacting the above-mentioned aromatic polyvalent isocyanate compounds and the like with a polyol compound Etc. The “adduct” includes the above-mentioned aromatic polyvalent isocyanate compound, aliphatic polyvalent isocyanate compound or alicyclic polyvalent isocyanate compound, and low contents such as ethylene glycol, propylene glycol, neopentyl glycol, trimethylolpropane or castor oil It means a reactant with a molecule active hydrogen-containing compound. Examples of the adduct include xylylene diisocyanate adduct of trimethylolpropane as described later, and the like. Also, "terminated isocyanate urethane prepolymer" means a prepolymer having a urethane bond and having an isocyanate group at the terminal of the molecule.
 前記有機多価イソシアネート化合物として、より具体的には、例えば、2,4-トリレンジイソシアネート;2,6-トリレンジイソシアネート;1,3-キシリレンジイソシアネート;1,4-キシリレンジイソシアネート;ジフェニルメタン-4,4’-ジイソシアネート;ジフェニルメタン-2,4’-ジイソシアネート;3-メチルジフェニルメタンジイソシアネート;ヘキサメチレンジイソシアネート;イソホロンジイソシアネート;ジシクロヘキシルメタン-4,4’-ジイソシアネート;ジシクロヘキシルメタン-2,4’-ジイソシアネート;トリメチロールプロパン等のポリオールのすべて又は一部の水酸基に、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート及びキシリレンジイソシアネートのいずれか1種又は2種以上が付加した化合物;リジンジイソシアネート等が挙げられる。 More specifically, examples of the organic polyvalent isocyanate compound include 2,4-tolylene diisocyanate; 2,6-tolylene diisocyanate; 1,3-xylylene diisocyanate; 1,4-xylylene diisocyanate; diphenylmethane- 4,4'-diisocyanate; diphenylmethane-2,4'-diisocyanate; 3-methyldiphenylmethane diisocyanate; hexamethylene diisocyanate; isophorone diisocyanate; dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate; dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate; Any of tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate and xylylene diisocyanate in the hydroxyl groups of all or part of a polyol such as methylolpropane Compounds or species or two or are added; lysine diisocyanate.
 前記有機多価イミン化合物としては、例えば、N,N’-ジフェニルメタン-4,4’-ビス(1-アジリジンカルボキシアミド)、トリメチロールプロパン-トリ-β-アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン-トリ-β-アジリジニルプロピオネート、N,N’-トルエン-2,4-ビス(1-アジリジンカルボキシアミド)トリエチレンメラミン等が挙げられる。 Examples of the organic polyhydric imine compound include N, N′-diphenylmethane-4,4′-bis (1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri-β-aziridinyl propionate, and tetramethylolmethane. -Tri-β-aziridinyl propionate, N, N'-toluene-2,4-bis (1-aziridine carboxamide) triethylene melamine and the like.
 架橋剤(f)として有機多価イソシアネート化合物を用いる場合、エネルギー線硬化性成分(a)又はエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)としては、水酸基含有重合体を用いることが好ましい。架橋剤(f)がイソシアネート基を有し、エネルギー線硬化性成分(a)又はエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)が水酸基を有する場合、架橋剤(f)とエネルギー線硬化性成分(a)又はエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)との反応によって、保護膜形成用フィルムに架橋構造を簡便に導入できる。 When using an organic polyvalent isocyanate compound as the crosslinking agent (f), it is preferable to use a hydroxyl group-containing polymer as the energy ray curable component (a) or the polymer (b) having no energy ray curable group. When the crosslinking agent (f) has an isocyanate group and the energy ray-curable component (a) or the energy ray-curable group-free polymer (b) has a hydroxyl group, the crosslinking agent (f) and energy ray-curable A crosslinked structure can be simply introduced into the protective film-forming film by the reaction with the component (a) or the polymer (b) having no energy ray-curable group.
 保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムが含有する架橋剤(f)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The composition for forming a protective film (IV-1) and the crosslinking agent (f) contained in the film for forming a protective film may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, a combination thereof And the ratio can be selected arbitrarily.
 架橋剤(f)を用いる場合、保護膜形成用組成物(IV-1)において、架橋剤(f)の含有量は、エネルギー線硬化性成分(a)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の総含有量100質量部に対して、0.01~20質量部であることが好ましく、0.1~10質量部であることがより好ましく、0.5~5質量部であることが特に好ましい。架橋剤(f)の前記含有量が前記下限値以上であることで、架橋剤(f)を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、架橋剤(f)の前記含有量が前記上限値以下であることで、架橋剤(f)の過剰使用が抑制される。 When the crosslinking agent (f) is used, the content of the crosslinking agent (f) in the composition for forming a protective film (IV-1) is a weight having no energy ray curable component (a) and no energy ray curable group The amount is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass, and further preferably 0.5 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total content of the combined (b). Being particularly preferred. When the content of the crosslinking agent (f) is equal to or more than the lower limit value, the effect of using the crosslinking agent (f) can be more remarkably obtained. Moreover, the excess use of a crosslinking agent (f) is suppressed because the said content of a crosslinking agent (f) is below the said upper limit.
[着色剤(g)]
 着色剤(g)としては、例えば、無機系顔料、有機系顔料、有機系染料等、公知のものが挙げられる。
[Colorant (g)]
Examples of the colorant (g) include known pigments such as inorganic pigments, organic pigments, and organic dyes.
 前記有機系顔料及び有機系染料としては、例えば、アミニウム系色素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、アズレニウム系色素、ポリメチン系色素、ナフトキノン系色素、ピリリウム系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、ナフトラクタム系色素、アゾ系色素、縮合アゾ系色素、インジゴ系色素、ペリノン系色素、ペリレン系色素、ジオキサジン系色素、キナクリドン系色素、イソインドリノン系色素、キノフタロン系色素、ピロール系色素、チオインジゴ系色素、金属錯体系色素(金属錯塩染料)、ジチオール金属錯体系色素、インドールフェノール系色素、トリアリルメタン系色素、アントラキノン系色素、ナフトール系色素、アゾメチン系色素、ベンズイミダゾロン系色素、ピランスロン系色素及びスレン系色素等が挙げられる。 Examples of the organic pigments and organic dyes include aminium dyes, cyanine dyes, merocyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, azulenium dyes, polymethine dyes, naphthoquinone dyes, pyrilium dyes, and phthalocyanines. Dyes, naphthalocyanine dyes, naphtholactam dyes, azo dyes, condensed azo dyes, indigo dyes, perinone dyes, perylene dyes, dioxazine dyes, quinacridone dyes, isoindolinone dyes, quinophthalone dyes , Pyrrole dyes, thioindigo dyes, metal complex dyes (metal complex dyes), dithiol metal complex dyes, indolephenol dyes, triallylmethane dyes, anthraquinone dyes, naphthol dyes, azomethine dyes, benzimidazo The Systems dyes, pyranthrone pigments and threne dyes.
 前記無機系顔料としては、例えば、カーボンブラック、コバルト系色素、鉄系色素、クロム系色素、チタン系色素、バナジウム系色素、ジルコニウム系色素、モリブデン系色素、ルテニウム系色素、白金系色素、ITO(インジウムスズオキサイド)系色素、ATO(アンチモンスズオキサイド)系色素等が挙げられる。 Examples of the inorganic pigment include carbon black, cobalt dyes, iron dyes, chromium dyes, titanium dyes, vanadium dyes, zirconium dyes, molybdenum dyes, ruthenium dyes, platinum dyes, ITO ( Indium tin oxide) dyes, ATO (antimony tin oxide) dyes and the like can be mentioned.
 保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムが含有する着色剤(g)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The composition (IV-1) for forming a protective film and the colorant (g) contained in the film for forming a protective film may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, a combination thereof And the ratio can be selected arbitrarily.
 着色剤(g)を用いる場合、保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムの着色剤(g)の含有量は、目的に応じて適宜調節すればよい。例えば、着色剤(g)の含有量を調節し、保護膜の光透過性を調節することにより、印字視認性を調節する場合、保護膜形成用組成物(IV-1)において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する着色剤(g)の含有量の割合(すなわち、保護膜形成用フィルムにおける、保護膜形成用フィルムの総質量に対する、着色剤(g)の含有量の割合)は、0.1~10質量%であることが好ましく、0.4~7.5質量%であることがより好ましく、0.8~5質量%であることが特に好ましい。着色剤(g)の前記含有量が前記下限値以上であることで、着色剤(g)を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、着色剤(g)の前記含有量が前記上限値以下であることで、着色剤(g)の過剰使用が抑制される。 When the colorant (g) is used, the content of the colorant (g) in the composition for forming a protective film (IV-1) and the film for forming a protective film may be appropriately adjusted according to the purpose. For example, in the case of adjusting the printing visibility by adjusting the content of the coloring agent (g) and adjusting the light transmittance of the protective film, the composition (IV-1) for forming a protective film may be other than the solvent. The ratio of the content of the colorant (g) to the total content of all the components (that is, the ratio of the content of the colorant (g) to the total mass of the film for protective film formation in the film for protective film formation) is The content is preferably 0.1 to 10% by mass, more preferably 0.4 to 7.5% by mass, and particularly preferably 0.8 to 5% by mass. The effect by using a coloring agent (g) is acquired more notably by the said content of a coloring agent (g) being more than the said lower limit. Moreover, the excess use of a coloring agent (g) is suppressed because the said content of a coloring agent (g) is below the said upper limit.
[熱硬化性成分(h)]
 保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムが含有する熱硬化性成分(h)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
[Thermosetting component (h)]
The composition (IV-1) for forming a protective film and the thermosetting component (h) contained in the film for forming a protective film may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, The combination and ratio of can be selected arbitrarily.
 熱硬化性成分(h)としては、例えば、エポキシ系熱硬化性樹脂、熱硬化性ポリイミド、ポリウレタン、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂等が挙げられ、エポキシ系熱硬化性樹脂が好ましい。 As a thermosetting component (h), an epoxy-type thermosetting resin, a thermosetting polyimide, polyurethane, unsaturated polyester, a silicone resin etc. are mentioned, for example, An epoxy-type thermosetting resin is preferable.
(エポキシ系熱硬化性樹脂)
 エポキシ系熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂(h1)及び熱硬化剤(h2)からなる。
 保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムが含有するエポキシ系熱硬化性樹脂は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
(Epoxy-based thermosetting resin)
The epoxy-based thermosetting resin comprises an epoxy resin (h1) and a thermosetting agent (h2).
The composition for forming a protective film (IV-1) and the epoxy thermosetting resin contained in the film for forming a protective film may be only one type, or two or more types, in the case of two or more types, Combinations and ratios can be selected arbitrarily.
・エポキシ樹脂(h1)
 エポキシ樹脂(h1)としては、公知のものが挙げられ、例えば、多官能系エポキシ樹脂、ビフェニル化合物、ビスフェノールAジグリシジルエーテル及びその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂等、2官能以上のエポキシ化合物が挙げられる。
・ Epoxy resin (h1)
As an epoxy resin (h1), a well-known thing is mentioned, For example, a polyfunctional epoxy resin, a biphenyl compound, bisphenol A diglycidyl ether and its hydrogenated substance, an ortho cresol novolak epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin, The bifunctional or more epoxy compound such as biphenyl type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenylene skeleton type epoxy resin, etc. may be mentioned.
 エポキシ樹脂(h1)としては、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂を用いてもよい。不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂は、不飽和炭化水素基を有しないエポキシ樹脂よりもアクリル系樹脂との相溶性が高い。そのため、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂を用いることで、保護膜形成用複合シートを用いて得られたパッケージの信頼性が向上する。 As the epoxy resin (h1), an epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group may be used. An epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group has higher compatibility with an acrylic resin than an epoxy resin having no unsaturated hydrocarbon group. Therefore, the reliability of the package obtained using the composite sheet for protective film formation improves by using the epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group.
 不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、多官能系エポキシ樹脂のエポキシ基の一部が不飽和炭化水素基を有する基に変換されてなる化合物が挙げられる。このような化合物は、例えば、エポキシ基へ(メタ)アクリル酸又はその誘導体を付加反応させることにより得られる。
 また、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を構成する芳香環等に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合した化合物等が挙げられる。
 不飽和炭化水素基は、重合性を有する不飽和基であり、その具体的な例としては、エテニル基(ビニル基)、2-プロペニル基(アリル基)、(メタ)アクリロイル基、(メタ)アクリルアミド基等が挙げられ、アクリロイル基が好ましい。
As an epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group, the compound formed by converting a part of epoxy group of polyfunctional epoxy resin into the group which has an unsaturated hydrocarbon group is mentioned, for example. Such a compound can be obtained, for example, by addition reaction of (meth) acrylic acid or a derivative thereof to an epoxy group.
Moreover, as an epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group, the compound etc. which the group which has an unsaturated hydrocarbon group directly couple | bonded with the aromatic ring which comprises an epoxy resin, etc. are mentioned, for example.
The unsaturated hydrocarbon group is a polymerizable unsaturated group, and specific examples thereof include ethenyl group (vinyl group), 2-propenyl group (allyl group), (meth) acryloyl group, (meth) An acrylamide group etc. are mentioned and an acryloyl group is preferable.
 エポキシ樹脂(h1)の数平均分子量は、特に限定されないが、保護膜形成用フィルムの硬化性、並びに保護膜の強度及び耐熱性の点から、300~30000であることが好ましく、400~10000であることがより好ましく、500~3000であることが特に好ましい。
 エポキシ樹脂(h1)のエポキシ当量は、100~1000g/eqであることが好ましく、150~800g/eqであることがより好ましい。
The number average molecular weight of the epoxy resin (h1) is not particularly limited, but is preferably 300 to 30000, and is 400 to 10000, from the viewpoint of the curability of the film for protective film formation and the strength and heat resistance of the protective film. And more preferably 500 to 3,000.
The epoxy equivalent of the epoxy resin (h1) is preferably 100 to 1000 g / eq, and more preferably 150 to 800 g / eq.
 エポキシ樹脂(h1)は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよく、2種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 As the epoxy resin (h1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination, and when two or more types are used in combination, the combination and ratio thereof can be optionally selected.
・熱硬化剤(h2)
 熱硬化剤(h2)は、エポキシ樹脂(h1)に対する硬化剤として機能する。
 熱硬化剤(h2)としては、例えば、1分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を2個以上有する化合物が挙げられる。前記官能基としては、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシ基、酸基が無水物化された基等が挙げられ、フェノール性水酸基、アミノ基、又は酸基が無水物化された基であることが好ましく、フェノール性水酸基又はアミノ基であることがより好ましい。
・ Heat curing agent (h2)
The heat curing agent (h2) functions as a curing agent for the epoxy resin (h1).
As a thermosetting agent (h2), the compound which has 2 or more of functional groups which can react with an epoxy group in 1 molecule is mentioned, for example. Examples of the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxy group, and a group in which an acid group is anhydrated, and the phenolic hydroxyl group, an amino group, or an acid group is anhydrated. It is preferably a group, more preferably a phenolic hydroxyl group or an amino group.
 熱硬化剤(h2)のうち、フェノール性水酸基を有するフェノール系硬化剤としては、例えば、多官能フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、アラルキルフェノール樹脂等が挙げられる。
 熱硬化剤(h2)のうち、アミノ基を有するアミン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド等が挙げられる。
Among the thermosetting agents (h2), as a phenol-based curing agent having a phenolic hydroxyl group, for example, polyfunctional phenol resin, biphenol, novolak-type phenol resin, dicyclopentadiene-based phenol resin, aralkyl phenol resin and the like can be mentioned.
Among the thermosetting agents (h2), examples of amine-based curing agents having an amino group include dicyandiamide.
 熱硬化剤(h2)は、不飽和炭化水素基を有するものでもよい。
 不飽和炭化水素基を有する熱硬化剤(h2)としては、例えば、フェノール樹脂の水酸基の一部が、不飽和炭化水素基を有する基で置換されてなる化合物、フェノール樹脂の芳香環に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合してなる化合物等が挙げられる。
 熱硬化剤(h2)における前記不飽和炭化水素基は、上述の不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂における不飽和炭化水素基と同様のものである。
The thermosetting agent (h2) may have an unsaturated hydrocarbon group.
As the thermosetting agent (h2) having an unsaturated hydrocarbon group, for example, a compound obtained by substituting a part of hydroxyl groups of a phenol resin with a group having an unsaturated hydrocarbon group, an aromatic ring of a phenol resin, The compound etc. which a group which has a saturated hydrocarbon group directly couple | bonds are mentioned.
The unsaturated hydrocarbon group in the thermosetting agent (h2) is the same as the unsaturated hydrocarbon group in the above-mentioned epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group.
 熱硬化剤(h2)としてフェノール系硬化剤を用いる場合には、保護膜の支持シートからの剥離性が向上する点から、熱硬化剤(h2)は軟化点又はガラス転移温度が高いものが好ましい。 When a phenol-based curing agent is used as the heat-curing agent (h2), the heat-curing agent (h2) preferably has a high softening point or glass transition temperature, from the viewpoint that the removability of the protective film from the support sheet is improved. .
 熱硬化剤(h2)のうち、例えば、多官能フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、アラルキルフェノール樹脂等の樹脂成分の数平均分子量は、300~30000であることが好ましく、400~10000であることがより好ましく、500~3000であることが特に好ましい。
 熱硬化剤(h2)のうち、例えば、ビフェノール、ジシアンジアミド等の非樹脂成分の分子量は、特に限定されないが、例えば、60~500であることが好ましい。
Among thermosetting agents (h2), for example, the number average molecular weight of resin components such as polyfunctional phenol resin, novolak type phenol resin, dicyclopentadiene type phenol resin, aralkyl phenol resin and the like is preferably 300 to 30,000, It is more preferably 400 to 10,000, and particularly preferably 500 to 3,000.
Among the thermosetting agents (h2), for example, the molecular weight of the non-resin component such as biphenol and dicyandiamide is not particularly limited, but is preferably 60 to 500, for example.
 熱硬化剤(h2)は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよく、2種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 A thermosetting agent (h2) may be used individually by 1 type, may use 2 or more types together, and when using 2 or more types together, those combination and ratio can be selected arbitrarily.
 熱硬化性成分(h)を用いる場合、保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムにおいて、熱硬化剤(h2)の含有量は、エポキシ樹脂(h1)の含有量100質量部に対して、0.01~20質量部であることが好ましい。 When the thermosetting component (h) is used, the content of the thermosetting agent (h2) in the composition for forming a protective film (IV-1) and the film for forming a protective film is the content of the epoxy resin (h1) 100 The amount is preferably 0.01 to 20 parts by mass with respect to the parts by mass.
 熱硬化性成分(h)を用いる場合、保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムにおいて、熱硬化性成分(h)の含有量(例えば、エポキシ樹脂(h1)及び熱硬化剤(h2)の総含有量)は、エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の含有量100質量部に対して、1~500質量部であることが好ましい。 When the thermosetting component (h) is used, the content of the thermosetting component (h) (for example, epoxy resin (h1) and heat) in the composition for forming a protective film (IV-1) and the film for forming a protective film The total content of the curing agent (h2) is preferably 1 to 500 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer (b) having no energy ray curable group.
[硬化促進剤(i)]
 硬化促進剤(i)は、保護膜形成用フィルムの硬化速度を調整するための成分である。
 好ましい硬化促進剤(i)としては、例えば、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の3級アミン類;2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール類;トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類;テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が挙げられる。
[Hardening accelerator (i)]
A hardening accelerator (i) is a component for adjusting the hardening speed of the film for protective film formation.
Preferred curing accelerators (i) include, for example, tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol and tris (dimethylaminomethyl) phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole Imidazoles such as 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole; tributylphosphine, diphenylphosphine, triphenylphosphine and the like Organic phosphines; tetraphenylboronium salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and triphenylphosphine tetraphenylborate.
 硬化促進剤(i)は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよく、2種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 硬化促進剤(i)を用いる場合、保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムの硬化促進剤(i)の含有量は、特に限定されず、併用する成分に応じて適宜選択すればよい。
As the curing accelerator (i), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination, and when two or more types are used in combination, the combination and ratio thereof can be optionally selected.
When the curing accelerator (i) is used, the content of the protective film-forming composition (IV-1) and the content of the curing accelerator (i) of the protective film-forming film are not particularly limited, and it depends on the components used in combination. It may be selected as appropriate.
[汎用添加剤(z)]
 汎用添加剤(z)は、公知のものでよく、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。好ましいも汎用添加剤(z)としては、例えば、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、ゲッタリング剤等が挙げられる。
[General purpose additive (z)]
The general purpose additive (z) may be a known one and can be optionally selected according to the purpose, and is not particularly limited. Preferred examples of the general-purpose additive (z) include plasticizers, antistatic agents, antioxidants, gettering agents and the like.
 保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムが含有する汎用添加剤(z)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 汎用添加剤(z)を用いる場合、保護膜形成用組成物(IV-1)及び保護膜形成用フィルムの汎用添加剤(z)の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
The composition (IV-1) for forming a protective film and the general-purpose additive (z) contained in the film for forming a protective film may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, Combinations and ratios can be selected arbitrarily.
When the general-purpose additive (z) is used, the content of the protective film-forming composition (IV-1) and the content of the general-purpose additive (z) of the protective film-forming film are not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the purpose. do it.
[溶媒]
 保護膜形成用組成物(IV-1)は、さらに溶媒を含有することが好ましい。溶媒を含有する保護膜形成用組成物(IV-1)は、取り扱い性が良好となる。
 前記溶媒は特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素;メタノール、エタノール、2-プロパノール、イソブチルアルコール(別名:2-メチルプロパン-1-オール)、1-ブタノール等のアルコール;酢酸エチル等のエステル;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン;テトラヒドロフラン等のエーテル;ジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドン等のアミド(すなわち、アミド結合を有する化合物)等が挙げられる。
 保護膜形成用組成物(IV-1)が含有する溶媒は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
[solvent]
The composition for forming a protective film (IV-1) preferably further contains a solvent. The composition for forming a protective film (IV-1) containing a solvent has good handleability.
The solvent is not particularly limited, but preferred examples thereof include hydrocarbons such as toluene and xylene; methanol, ethanol, 2-propanol, isobutyl alcohol (alias: 2-methylpropan-1-ol), 1-butanol and the like Alcohols such as ethyl acetate; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; ethers such as tetrahydrofuran; and amides such as dimethylformamide and N-methyl pyrrolidone (ie, compounds having an amide bond).
The solvent contained in the composition for forming a protective film (IV-1) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
 保護膜形成用組成物(IV-1)が含有する溶媒は、保護膜形成用組成物(IV-1)中の含有成分をより均一に混合できる点から、メチルエチルケトン、トルエン又は酢酸エチル等であることが好ましい。 The solvent contained in composition (IV-1) for forming a protective film is methyl ethyl ketone, toluene, ethyl acetate or the like in that the components contained in composition (IV-1) for forming a protective film can be mixed more uniformly. Is preferred.
<<保護膜形成用組成物の製造方法>>
 保護膜形成用組成物(IV-1)等の保護膜形成用組成物は、これを構成するための各成分を配合することで得られる。
 各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、2種以上の成分を同時に添加してもよい。
 溶媒を用いる場合には、溶媒を溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。
 配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法;ミキサーを用いて混合する方法;超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
 各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は15~30℃であることが好ましい。
<< Method of producing composition for forming protective film >>
The composition for forming a protective film such as the composition for forming a protective film (IV-1) can be obtained by blending the respective components for constituting the composition.
There is no particular limitation on the order of addition of each component at the time of blending, and two or more components may be added simultaneously.
When a solvent is used, it may be used by mixing the solvent with any compounding component other than the solvent and diluting this compounding component in advance, or by previously diluting any compounding component other than the solvent A solvent may be used by mixing with these compounding ingredients without storage.
The method of mixing each component at the time of compounding is not particularly limited, and a method of mixing by rotating a stirrer or a stirring blade, etc .; a method of mixing using a mixer; a method of adding ultrasonic waves and mixing, etc. It may be selected as appropriate.
The temperature and time of addition and mixing of the respective components are not particularly limited as long as the respective blended components do not deteriorate, and may be appropriately adjusted, but the temperature is preferably 15 to 30 ° C.
◇保護膜形成用フィルムの製造方法
 前記保護膜形成用フィルムは、剥離フィルム(好ましくはその剥離処理面)上に保護膜形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで製造できる。このときの製造方法は、先に説明したとおりである。
 なお、保護膜形成用フィルムは、例えば、図1に示すように、通常、その両面に剥離フィルムが貼り合わされた状態で保管される。そのためには、上記のように剥離フィルム上に形成した保護膜形成用フィルムの露出面(剥離フィルムを備えている側とは反対側の面)に、さらに剥離フィルム(好ましくはその剥離処理面)を貼り合わせればよい。
製造 Method of Producing Protective Film-Forming Film The protective film-forming film can be produced by coating the protective film-forming composition on a release film (preferably the release-treated surface thereof) and drying it as required. . The manufacturing method at this time is as described above.
In addition, for example, as shown in FIG. 1, the film for protective film formation is normally stored in the state in which the peeling film was bonded together by the both surfaces. To that end, a release film (preferably a release-treated surface) is preferably formed on the exposed surface (surface opposite to the side provided with the release film) of the protective film-forming film formed on the release film as described above. You just need to paste
◇保護膜形成用フィルムの使用方法
 前記保護膜形成用フィルムは、上述のように、支持シート上に設けることで、保護膜形成用複合シートを構成できる。保護膜形成用複合シートは、その保護膜形成用フィルムにより、半導体ウエハの裏面(電極形成面とは反対側の面)に貼付される。以降、この状態から、後述する製造方法により、目的とする半導体チップ及び半導体装置を製造できる。
使用 Method of Use of Protective Film-Forming Film As described above, the protective film-forming film can be formed on a support sheet to form a protective film-forming composite sheet. The composite sheet for protective film formation is stuck on the back surface (surface on the opposite side to the electrode formation surface) of the semiconductor wafer by the protective film formation film. Thereafter, from this state, the target semiconductor chip and semiconductor device can be manufactured by the manufacturing method described later.
 一方、前記保護膜形成用フィルムは、支持シートではなく、半導体ウエハの裏面に先に設けてもよい。例えば、まず、保護膜形成用フィルムを半導体ウエハの裏面に貼付し、この保護膜形成用フィルムの露出面(半導体ウエハに貼付されている側とは反対側の面)に支持シートを貼り合わせるか、又はこの貼付した状態の保護膜形成用フィルムにエネルギー線を照射して、硬化させて保護膜としてから、この保護膜の露出面(半導体ウエハに貼付されている側とは反対側の面)に支持シートを貼り合わせて、保護膜形成用複合シートとする。以降、この状態から、後述する製造方法により、目的とする半導体チップ及び半導体装置を製造できる。 On the other hand, the protective film-forming film may be provided first on the back surface of the semiconductor wafer, not on the support sheet. For example, first, a protective film-forming film is attached to the back surface of the semiconductor wafer, and a supporting sheet is attached to the exposed surface of the protective film-forming film (the surface opposite to the side attached to the semiconductor wafer) Or, the film for forming a protective film in the attached state is irradiated with energy rays to be cured to form a protective film, and then the exposed surface of this protective film (the surface on the opposite side to the side attached to the semiconductor wafer) The support sheet is pasted together to make a composite sheet for forming a protective film. Thereafter, from this state, the target semiconductor chip and semiconductor device can be manufactured by the manufacturing method described later.
◇保護膜形成用複合シート
 本発明の一実施形態に係る保護膜形成用複合シートは、支持シートを備え、前記支持シート上に、前記保護膜形成用フィルムを備えたものである。
複合 Composite Sheet for Forming Protective Film The composite sheet for forming a protective film according to an embodiment of the present invention includes a support sheet, and the film for forming a protective film is provided on the support sheet.
 本発明においては、保護膜形成用フィルムが硬化した後であっても、支持シート及び保護膜形成用フィルムの硬化物(換言すると、支持シート及び保護膜)の積層構造が維持されている限り、この積層構造体を「保護膜形成用複合シート」と称する。 In the present invention, even after the protective film-forming film is cured, as long as the laminated structure of the support sheet and the cured product of the protective film-forming film (in other words, the support sheet and the protective film) is maintained, This laminated structure is referred to as a "protective film-forming composite sheet".
 本発明の保護膜形成用複合シートの使用対象である半導体ウエハの厚さは、特に限定されないが、後述する半導体チップへの分割がより容易となる点では、30~1000μmであることが好ましく、100~400μmであることがより好ましい。
 以下、保護膜形成用複合シートの構成について、詳細に説明する。
The thickness of the semiconductor wafer to be used for the composite sheet for protective film formation of the present invention is not particularly limited, but is preferably 30 to 1000 μm from the viewpoint of easier division into semiconductor chips described later. More preferably, it is 100 to 400 μm.
Hereinafter, the configuration of the protective film-forming composite sheet will be described in detail.
◎支持シート
 前記支持シートは、1層(単層)からなるものでもよいし、2層以上の複数層からなるものでもよい。支持シートが複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。
Support Sheet The support sheet may be formed of a single layer (single layer), or may be formed of two or more layers. When the support sheet comprises a plurality of layers, the plurality of layers may be identical to or different from each other, and the combination of the plurality of layers is not particularly limited as long as the effects of the present invention are not impaired.
 好ましい支持シートとしては、例えば、基材を備え、前記基材上に粘着剤層が直接接触して積層されてなるもの(換言すると、基材及び粘着剤層がこの順に直接接触して積層されてなるもの);基材、中間層及び粘着剤層がこの順に、これらの厚さ方向において直接接触して積層されてなるもの;基材のみからなるもの等が挙げられる。
 本発明の保護膜形成用複合シートの例を、このような支持シートの種類ごとに、以下、図面を参照しながら説明する。
As a preferable support sheet, for example, a substrate is provided, and a pressure-sensitive adhesive layer is laminated in direct contact on the substrate (in other words, the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer are laminated in direct contact in this order) A substrate, an intermediate layer and a pressure-sensitive adhesive layer laminated in this order in direct contact with each other in the thickness direction; and those consisting only of a substrate.
Examples of the composite sheet for protective film formation of the present invention will be described below for each type of such a support sheet, with reference to the drawings.
 図2は、本発明の一実施形態に係る保護膜形成用複合シートを模式的に示す断面図である。
 なお、図2以降の図において、既に説明済みの図に示すものと同じ構成要素には、その説明済みの図の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
FIG. 2: is sectional drawing which shows typically the composite sheet for protective film formation which concerns on one Embodiment of this invention.
In the drawings after FIG. 2, the same components as those shown in the already described drawings are denoted by the same reference numerals as in the already explained drawings, and the detailed description thereof will be omitted.
 ここに示す保護膜形成用複合シート1Aは、基材11を備え、基材11上に粘着剤層12を備え、粘着剤層12上に保護膜形成用フィルム13を備えている。支持シート10は、基材11及び粘着剤層12の積層体であり、保護膜形成用複合シート1Aは、換言すると、支持シート10の一方の面(本明細書においては、「第1面」と称することがある)10a上に保護膜形成用フィルム13が積層された構成を有する。また、保護膜形成用複合シート1Aは、さらに保護膜形成用フィルム13上に剥離フィルム15を備えている。 The composite sheet 1A for protective film formation shown here is provided with the base material 11, the adhesive layer 12 is provided on the base material 11, and the protective film formation film 13 is provided on the adhesive layer 12. The support sheet 10 is a laminate of the base 11 and the pressure-sensitive adhesive layer 12, and in other words, the protective film-forming composite sheet 1A is one side of the support sheet 10 (herein, "first side" And a protective film-forming film 13 is laminated on the substrate 10a). In addition, the protective film-forming composite sheet 1A further includes a peeling film 15 on the protective film-forming film 13.
 保護膜形成用複合シート1Aにおいては、基材11の一方の面(本明細書においては、「第1面」と称することがある)11aに粘着剤層12が積層され、粘着剤層12の一方の面(すなわち基材11側とは反対側の面、本明細書においては、「第1面」と称することがある)12aの全面に保護膜形成用フィルム13が積層され、保護膜形成用フィルム13の第1面13aの一部、すなわち、周縁部近傍の領域に治具用接着剤層16が積層され、保護膜形成用フィルム13の第1面13aのうち、治具用接着剤層16が積層されていない面と、治具用接着剤層16の、保護膜形成用フィルム13と接触していない面16a(上面及び側面)に、剥離フィルム15が積層されている。 In the composite sheet 1A for protective film formation, the pressure-sensitive adhesive layer 12 is laminated on one surface (sometimes referred to as “first surface” in the present specification) 11 a of the substrate 11. A protective film-forming film 13 is laminated on the entire surface 12a of one surface (that is, the surface on the side opposite to the substrate 11, which may be referred to as "first surface" in this specification). The jig adhesive layer 16 is laminated on a part of the first surface 13 a of the film 13, that is, the area near the peripheral portion, and the jig adhesive of the first surface 13 a of the protective film formation film 13. A release film 15 is laminated on the side on which the layer 16 is not laminated and the side 16 a (upper surface and side surface) of the jig adhesive layer 16 not in contact with the protective film-forming film 13.
 保護膜形成用複合シート1Aにおいて、保護膜形成用フィルム13は、エネルギー線硬化性であり、化合物(p)を含有する。 In the protective film-forming composite sheet 1A, the protective film-forming film 13 is energy beam curable and contains the compound (p).
 治具用接着剤層16は、例えば、接着剤成分を含有する単層構造のものであってもよいし、芯材となるシートの両面に接着剤成分を含有する層が積層された複数層構造のものであってもよい。 The jig adhesive layer 16 may have, for example, a single layer structure containing an adhesive component, or a plurality of layers in which layers containing the adhesive component are laminated on both sides of a sheet to be a core material. It may be of a structure.
 図2に示す保護膜形成用複合シート1Aは、剥離フィルム15が取り除かれた状態で、保護膜形成用フィルム13の第1面13aに半導体ウエハ(図示略)の裏面が貼付され、さらに、治具用接着剤層16の面16aのうち上面が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。 The composite sheet 1A for protective film formation shown in FIG. 2 has the back surface of a semiconductor wafer (not shown) attached to the first surface 13a of the protective film formation film 13 with the release film 15 removed. The upper surface of the surface 16 a of the tool adhesive layer 16 is used by being attached to a jig such as a ring frame.
 図3は、本発明の他の実施形態に係る保護膜形成用複合シートを模式的に示す断面図である。
 ここに示す保護膜形成用複合シート1Bは、治具用接着剤層16を備えていない点以外は、図2に示す保護膜形成用複合シート1Aと同じである。すなわち、保護膜形成用複合シート1Bにおいては、基材11の第1面11aに粘着剤層12が積層され、粘着剤層12の第1面12aの全面に保護膜形成用フィルム13が積層され、保護膜形成用フィルム13の第1面13aの全面に剥離フィルム15が積層されている。
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for protective film formation according to another embodiment of the present invention.
The composite sheet 1B for protective film formation shown here is the same as the composite sheet 1A for protective film formation shown in FIG. 2 except that the jig adhesive layer 16 is not provided. That is, in the protective film-forming composite sheet 1B, the pressure-sensitive adhesive layer 12 is laminated on the first surface 11a of the substrate 11, and the protective film-forming film 13 is laminated on the entire first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 The release film 15 is laminated on the entire surface of the first surface 13 a of the protective film-forming film 13.
 保護膜形成用複合シート1Bにおいて、保護膜形成用フィルム13は、エネルギー線硬化性であり、化合物(p)を含有する。 In the protective film-forming composite sheet 1B, the protective film-forming film 13 is energy beam curable and contains the compound (p).
 図3に示す保護膜形成用複合シート1Bは、剥離フィルム15が取り除かれた状態で、保護膜形成用フィルム13の第1面13aのうち、中央側の一部の領域に半導体ウエハ(図示略)の裏面が貼付され、さらに、周縁部近傍の領域が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。 The composite sheet 1B for protective film formation shown in FIG. 3 is a semiconductor wafer (not shown) on the central region of the first surface 13a of the protective film formation film 13 with the release film 15 removed. And the area in the vicinity of the peripheral portion is used by being attached to a jig such as a ring frame.
 図4は、本発明のさらに他の実施形態に係る保護膜形成用複合シートを模式的に示す断面図である。
 ここに示す保護膜形成用複合シート1Cは、粘着剤層12を備えていない点以外は、図2に示す保護膜形成用複合シート1Aと同じである。すなわち、保護膜形成用複合シート1Cにおいては、支持シート10が基材11のみからなる。そして、基材11の第1面11a(支持シート10の第1面10a)に保護膜形成用フィルム13が積層され、保護膜形成用フィルム13の第1面13aの一部、すなわち、周縁部近傍の領域に治具用接着剤層16が積層され、保護膜形成用フィルム13の第1面13aのうち、治具用接着剤層16が積層されていない領域と、治具用接着剤層16の面16a(上面及び側面)に、剥離フィルム15が積層されている。
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for protective film formation according to still another embodiment of the present invention.
The composite sheet 1C for protective film formation shown here is the same as the composite sheet 1A for protective film formation shown in FIG. 2 except that the adhesive layer 12 is not provided. That is, in the composite sheet 1C for protective film formation, the support sheet 10 consists only of the base material 11. Then, the protective film-forming film 13 is laminated on the first surface 11 a of the substrate 11 (the first surface 10 a of the support sheet 10), and a part of the first surface 13 a of the protective film-forming film 13, that is, the peripheral portion The jig adhesive layer 16 is laminated in the vicinity area, and the area where the jig adhesive layer 16 is not laminated in the first surface 13a of the protective film forming film 13, and the jig adhesive layer A release film 15 is laminated on the 16 surfaces 16a (upper surface and side surface).
 保護膜形成用複合シート1Cにおいて、保護膜形成用フィルム13は、エネルギー線硬化性であり、化合物(p)を含有する。 In the protective film-forming composite sheet 1C, the protective film-forming film 13 is energy beam curable and contains the compound (p).
 図4に示す保護膜形成用複合シート1Cは、図2に示す保護膜形成用複合シート1Aと同様に、剥離フィルム15が取り除かれた状態で、保護膜形成用フィルム13の第1面13aに半導体ウエハ(図示略)の裏面が貼付され、さらに、治具用接着剤層16の面16aのうち上面が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。 Similar to the composite sheet 1A for protective film formation shown in FIG. 2, the composite sheet 1C for protective film formation shown in FIG. 4 is on the first surface 13a of the film 13 for protective film formation with the release film 15 removed. The back surface of a semiconductor wafer (not shown) is attached, and the upper surface of the surface 16a of the adhesive layer 16 for a jig is used by being attached to a jig such as a ring frame.
 図5は、本発明のさらに他の実施形態に係る保護膜形成用複合シートを模式的に示す断面図である。
 ここに示す保護膜形成用複合シート1Dは、治具用接着剤層16を備えていない点以外は、図4に示す保護膜形成用複合シート1Cと同じである。すなわち、保護膜形成用複合シート1Dにおいては、基材11の第1面11aに保護膜形成用フィルム13が積層され、保護膜形成用フィルム13の第1面13aの全面に剥離フィルム15が積層されている。
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for protective film formation according to still another embodiment of the present invention.
The composite sheet for protective film formation 1D shown here is the same as the composite sheet for protective film formation 1C shown in FIG. 4 except that the jig adhesive layer 16 is not provided. That is, in the protective film-forming composite sheet 1D, the protective film-forming film 13 is laminated on the first surface 11a of the substrate 11, and the release film 15 is laminated on the entire first surface 13a of the protective film-forming film 13. It is done.
 保護膜形成用複合シート1Dにおいて、保護膜形成用フィルム13は、エネルギー線硬化性であり、化合物(p)を含有する。 In the protective film-forming composite sheet 1D, the protective film-forming film 13 is energy beam curable and contains the compound (p).
 図5に示す保護膜形成用複合シート1Dは、図3に示す保護膜形成用複合シート1Bと同様に、剥離フィルム15が取り除かれた状態で、保護膜形成用フィルム13の第1面13aのうち、中央側の一部の領域に半導体ウエハ(図示略)の裏面が貼付され、さらに、周縁部近傍の領域が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。 The composite sheet 1D for protective film formation shown in FIG. 5 is the same as the composite sheet 1B for protective film formation shown in FIG. 3 with the release film 15 removed, on the first surface 13a of the film 13 for protective film formation. Among them, the back surface of a semiconductor wafer (not shown) is attached to a partial region on the center side, and the region in the vicinity of the peripheral portion is attached to a jig such as a ring frame and used.
 図6は、本発明のさらに他の実施形態に係る保護膜形成用複合シートを模式的に示す断面図である。
 ここに示す保護膜形成用複合シート1Eは、保護膜形成用フィルムの形状が異なる点以外は、図3に示す保護膜形成用複合シート1Bと同じである。すなわち、保護膜形成用複合シート1Eは、基材11を備え、基材11上に粘着剤層12を備え、粘着剤層12上に保護膜形成用フィルム23を備えている。支持シート10は、基材11及び粘着剤層12の積層体であり、保護膜形成用複合シート1Eは、換言すると、支持シート10の第1面10a上に保護膜形成用フィルム23が積層された構成を有する。また、保護膜形成用複合シート1Eは、さらに保護膜形成用フィルム23上に剥離フィルム15を備えている。
FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for protective film formation according to still another embodiment of the present invention.
The composite sheet 1E for protective film formation shown here is the same as the composite sheet 1B for protective film formation shown in FIG. 3 except that the shape of the film for protective film formation is different. That is, the composite sheet 1E for protective film formation is provided with the base material 11, the adhesive layer 12 is provided on the base material 11, and the protective film formation film 23 is provided on the adhesive layer 12. The support sheet 10 is a laminate of the base 11 and the pressure-sensitive adhesive layer 12, and in other words, the protective film-forming film 23 is laminated on the first surface 10 a of the support sheet 10. Have the following configuration. Further, the protective film-forming composite sheet 1E further includes a peeling film 15 on the protective film-forming film 23.
 保護膜形成用複合シート1Eにおいては、基材11の第1面11aに粘着剤層12が積層され、粘着剤層12の第1面12aの一部、すなわち、中央側の領域に保護膜形成用フィルム23が積層されている。そして、粘着剤層12の第1面12aのうち、保護膜形成用フィルム23が積層されていない領域と、保護膜形成用フィルム23の、粘着剤層12と接触していない面23a(上面及び側面)の上に、剥離フィルム15が積層されている。 In the protective film-forming composite sheet 1E, the pressure-sensitive adhesive layer 12 is laminated on the first surface 11a of the substrate 11, and a protective film is formed on a part of the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12, ie, the central region. Film 23 is laminated. Then, in the first surface 12 a of the pressure-sensitive adhesive layer 12, the area 23 a of the protective film formation film 23 that is not in contact with the pressure-sensitive adhesive layer 12 (the upper surface The release film 15 is laminated on the side surface).
 保護膜形成用複合シート1Eを上方から見下ろして平面視したときに、保護膜形成用フィルム23は粘着剤層12よりも表面積が小さく、例えば、円形状等の形状を有する。 When the protective film-forming composite sheet 1E is viewed from above from above and planarly viewed, the protective film-forming film 23 has a smaller surface area than the pressure-sensitive adhesive layer 12, and has, for example, a circular shape.
 保護膜形成用複合シート1Eにおいて、保護膜形成用フィルム23は、エネルギー線硬化性であり、化合物(p)を含有する。 In the protective film-forming composite sheet 1E, the protective film-forming film 23 is energy beam curable and contains the compound (p).
 図6に示す保護膜形成用複合シート1Eは、剥離フィルム15が取り除かれた状態で、保護膜形成用フィルム23の表面23aに半導体ウエハ(図示略)の裏面が貼付され、さらに、粘着剤層12の第1面12aのうち、保護膜形成用フィルム23が積層されていない領域が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。 The composite sheet 1E for protective film formation shown in FIG. 6 has the back surface of a semiconductor wafer (not shown) attached to the surface 23a of the protective film formation film 23 in a state where the release film 15 is removed. The area | region where the film 23 for protective film formation is not laminated | stacked among 12 1st surface 12a is stuck on jigs, such as a ring frame, and is used.
 なお、図6に示す保護膜形成用複合シート1Eにおいては、粘着剤層12の第1面12aのうち、保護膜形成用フィルム23が積層されていない領域に、図2及び図4に示すものと同様に治具用接着剤層が積層されていてもよい(図示略)。このような治具用接着剤層を備えた保護膜形成用複合シート1Eは、図2及び図4に示す保護膜形成用複合シートと同様に、治具用接着剤層の表面が、リングフレーム等の治具に貼付されて、使用される。 In addition, in the composite sheet 1E for protective film formation shown in FIG. 6, in the area | region where the film 23 for protective film formation is not laminated | stacked among the 1st surfaces 12a of the adhesive layer 12, what is shown in FIG. The adhesive layer for jig | tool may be laminated | stacked similarly to (not shown). Similar to the composite sheet for protective film formation shown in FIGS. 2 and 4, the composite sheet 1E for protective film formation provided with such an adhesive layer for jigs has a ring frame for the surface of the adhesive layer for jigs. It is stuck on a jig etc. and used.
 このように、保護膜形成用複合シートは、支持シート及び保護膜形成用フィルムがどのような形態であっても、治具用接着剤層を備えたものであってもよい。ただし、通常は、図2及び図4に示すように、治具用接着剤層を備えた保護膜形成用複合シートとしては、保護膜形成用フィルム上に治具用接着剤層を備えたものが好ましい。 Thus, the composite sheet for protective film formation may be provided with the adhesive layer for jigs, regardless of the form of the support sheet and the film for protective film formation. However, generally, as shown in FIGS. 2 and 4, as a composite sheet for protective film formation provided with a jig adhesive layer, one provided with a jig adhesive layer on a protective film formation film Is preferred.
 本発明の一実施形態に係る保護膜形成用複合シートは、図2~図6に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図2~図6に示すものの一部の構成が変更又は削除されたものや、これまでに説明したものにさらに他の構成が追加されたものであってもよい。 The composite sheet for protective film formation which concerns on one Embodiment of this invention is not limited to what is shown in FIGS. 2-6, A part of what is shown in FIGS. 2-6 in the range which does not impair the effect of this invention The configuration of the above may be changed or deleted, or another configuration may be added to those described above.
 例えば、図4及び図5に示す保護膜形成用複合シートにおいては、基材11と保護膜形成用フィルム13との間に、中間層が設けられていてもよい。すなわち、本発明の保護膜形成用複合シートにおいて、支持シートは、基材及び中間層がこの順に、これらの厚さ方向において積層されて、構成されていてもよい。中間層としては、目的に応じて任意のものを選択できる。
 また、図2、図3及び図6に示す保護膜形成用複合シートにおいては、基材11と粘着剤層12との間に中間層が設けられていてもよい。すなわち、本発明の保護膜形成用複合シートにおいて、支持シートは、基材、中間層及び粘着剤層がこの順に、これらの厚さ方向において積層されて、構成されていてもよい。ここで中間層とは、図4及び図5に示す保護膜形成用複合シートにおいて設けられていてもよい中間層と同じである。
 また、図2~図6に示す保護膜形成用複合シートは、前記中間層以外の層が、任意の箇所に設けられていてもよい。
 また、保護膜形成用複合シートにおいては、剥離フィルムと、この剥離フィルムと直接接触している層との間に、一部隙間が生じていてもよい。
 また、保護膜形成用複合シートにおいては、各層の大きさや形状は、目的に応じて任意に調節できる。
For example, in the composite sheet for protective film formation shown in FIGS. 4 and 5, an intermediate layer may be provided between the substrate 11 and the protective film formation film 13. That is, in the composite sheet for protective film formation of the present invention, the support sheet may be configured such that the base material and the intermediate layer are laminated in this thickness direction in this order. The intermediate layer can be selected arbitrarily according to the purpose.
Moreover, in the composite sheet for protective film formation shown in FIG.2, FIG3 and FIG.6, the intermediate | middle layer may be provided between the base material 11 and the adhesive layer 12. As shown in FIG. That is, in the composite sheet for protective film formation of the present invention, the support sheet may be formed by laminating the base material, the intermediate layer and the pressure-sensitive adhesive layer in this order in the thickness direction. Here, the intermediate layer is the same as the intermediate layer which may be provided in the composite sheet for protective film formation shown in FIGS. 4 and 5.
In the composite sheet for protective film formation shown in FIGS. 2 to 6, the layer other than the intermediate layer may be provided at an arbitrary place.
Moreover, in the composite sheet for protective film formation, a clearance may be partially generated between the release film and the layer in direct contact with the release film.
Moreover, in the composite sheet for protective film formation, the size and shape of each layer can be arbitrarily adjusted according to the purpose.
 本発明の保護膜形成用複合シートにおいては、後述するように、粘着剤層等の、支持シートの保護膜形成用フィルムと直接接触している層が、非エネルギー線硬化性であることが好ましい。このような保護膜形成用複合シートは、保護膜付き半導体チップの、より容易なピックアップを可能とする。 In the protective film-forming composite sheet of the present invention, as described later, it is preferable that the layer such as the pressure-sensitive adhesive layer which is in direct contact with the protective film-forming film of the support sheet be non-energy ray curable. . Such a composite sheet for protective film formation enables easier pickup of the semiconductor chip with a protective film.
 支持シートは、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよい。
 なかでも、保護膜形成用フィルムがエネルギー線硬化性を有する本発明においては、支持シートはエネルギー線を透過させるものが好ましい。
The support sheet may be transparent or opaque, and may be colored according to the purpose.
Among them, in the present invention in which the protective film-forming film has energy ray curability, it is preferable that the support sheet transmits energy rays.
 例えば、支持シートにおいて、波長375nmの光の透過率は30%以上であることが好ましく、50%以上であることがより好ましく、70%以上であることが特に好ましい。前記光の透過率がこのような範囲であることで、支持シートを介して保護膜形成用フィルムにエネルギー線(紫外線)を照射したときに、保護膜形成用フィルムの硬化度がより向上する。
 一方、支持シートにおいて、波長375nmの光の透過率の上限値は特に限定されない。例えば、前記光の透過率は95%以下であってもよい。
For example, in the support sheet, the transmittance of light having a wavelength of 375 nm is preferably 30% or more, more preferably 50% or more, and particularly preferably 70% or more. When the light transmittance is in such a range, when the protective film-forming film is irradiated with energy rays (ultraviolet light) through the support sheet, the degree of curing of the protective film-forming film is further improved.
On the other hand, in the support sheet, the upper limit of the transmittance of light with a wavelength of 375 nm is not particularly limited. For example, the light transmittance may be 95% or less.
 また、支持シートにおいて、波長532nmの光の透過率は30%以上であることが好ましく、50%以上であることがより好ましく、70%以上であることが特に好ましい。前記光の透過率がこのような範囲であることで、支持シートを介して保護膜形成用フィルム又は保護膜にレーザー光を照射して、これらに印字したときに、より明りょうに印字できる。
 一方、支持シートにおいて、波長532nmの光の透過率の上限値は特に限定されない。例えば、前記光の透過率は95%以下であってもよい。
In the support sheet, the transmittance of light having a wavelength of 532 nm is preferably 30% or more, more preferably 50% or more, and particularly preferably 70% or more. When the light transmittance is in such a range, the protective film-forming film or protective film is irradiated with a laser beam through the support sheet, and printing can be performed more clearly.
On the other hand, in the support sheet, the upper limit of the transmittance of light of wavelength 532 nm is not particularly limited. For example, the light transmittance may be 95% or less.
 また、支持シートにおいて、波長1064nmの光の透過率は30%以上であることが好ましく、50%以上であることがより好ましく、70%以上であることが特に好ましい。前記光の透過率がこのような範囲であることで、支持シートを介して保護膜形成用フィルム又は保護膜にレーザー光を照射して、これらに印字したときに、より明りょうに印字できる。
 一方、支持シートにおいて、波長1064nmの光の透過率の上限値は特に限定されない。例えば、前記光の透過率は95%以下であってもよい。
In the support sheet, the transmittance of light having a wavelength of 1064 nm is preferably 30% or more, more preferably 50% or more, and particularly preferably 70% or more. When the light transmittance is in such a range, the protective film-forming film or protective film is irradiated with a laser beam through the support sheet, and printing can be performed more clearly.
On the other hand, in the support sheet, the upper limit value of the transmittance of light with a wavelength of 1064 nm is not particularly limited. For example, the light transmittance may be 95% or less.
 また、支持シートにおいて、波長1342nmの光の透過率は30%以上であることが好ましく、50%以上であることがより好ましく、70%以上であることが特に好ましい。前記光の透過率がこのような範囲であることで、支持シートと、保護膜形成用フィルム又は保護膜と、を介して、半導体ウエハにレーザー光を照射して、半導体ウエハに改質層をより容易に形成できる。
 一方、支持シートにおいて、波長1342nmの光の透過率の上限値は特に限定されない。例えば、前記光の透過率は95%以下であってもよい。
 次に、支持シートを構成する各層について、さらに詳細に説明する。
In the support sheet, the transmittance of light with a wavelength of 1342 nm is preferably 30% or more, more preferably 50% or more, and particularly preferably 70% or more. When the light transmittance is in such a range, the semiconductor wafer is irradiated with laser light through the support sheet and the protective film-forming film or protective film, and the modified layer is formed on the semiconductor wafer. It can be formed more easily.
On the other hand, in the support sheet, the upper limit of the transmittance of light with a wavelength of 1342 nm is not particularly limited. For example, the light transmittance may be 95% or less.
Next, each layer constituting the support sheet will be described in more detail.
○基材
 前記基材は、シート状又はフィルム状であり、その構成材料としては、例えば、各種樹脂が挙げられる。
 前記樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン(LDPE)、直鎖低密度ポリエチレン(LLDPE)、高密度ポリエチレン(HDPE)等のポリエチレン;ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ノルボルネン樹脂等のポリエチレン以外のポリオレフィン;エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エチレン-ノルボルネン共重合体等のエチレン系共重合体(すなわち、モノマーとしてエチレンを用いて得られた共重合体);ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂(すなわち、モノマーとして塩化ビニルを用いて得られた樹脂);ポリスチレン;ポリシクロオレフィン;ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリエチレン-2,6-ナフタレンジカルボキシレート、すべての構成単位が芳香族環式基を有する全芳香族ポリエステル等のポリエステル;2種以上の前記ポリエステルの共重合体;ポリ(メタ)アクリル酸エステル;ポリウレタン;ポリウレタンアクリレート;ポリイミド;ポリアミド;ポリカーボネート;フッ素樹脂;ポリアセタール;変性ポリフェニレンオキシド;ポリフェニレンスルフィド;ポリスルホン;ポリエーテルケトン等が挙げられる。
 また、前記樹脂としては、例えば、前記ポリエステルとそれ以外の樹脂との混合物等のポリマーアロイも挙げられる。前記ポリエステルとそれ以外の樹脂とのポリマーアロイは、ポリエステル以外の樹脂の量が比較的少量であるものが好ましい。
 また、前記樹脂としては、例えば、ここまでに例示した前記樹脂の1種又は2種以上が架橋した架橋樹脂;ここまでに例示した前記樹脂の1種又は2種以上を用いたアイオノマー等の変性樹脂も挙げられる。
○ Base Material The base material is in the form of a sheet or a film, and examples of the constituent material thereof include various resins.
Examples of the resin include polyethylenes such as low density polyethylene (LDPE), linear low density polyethylene (LLDPE), high density polyethylene (HDPE); polyethylene other than polyethylene such as polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene and norbornene resin Polyolefins; ethylene-based copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer, ethylene-norbornene copolymer (ie, monomers Copolymers obtained using ethylene as a), vinyl chloride resins such as polyvinyl chloride, vinyl chloride copolymers (ie, resins obtained using vinyl chloride as a monomer); polystyrene; polycycloolefins; polyethylene terephthalate Polyesters such as polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene isophthalate, polyethylene-2,6-naphthalene dicarboxylate, wholly aromatic polyesters in which all constituent units have an aromatic cyclic group; Two or more of the above polyesters Copolymers: poly (meth) acrylic acid esters; polyurethanes; polyurethane acrylates; polyimides; polyamides; polycarbonates; fluorocarbons; polyacetals; modified polyphenylene oxides; polyphenylene sulfides; polysulfones;
Moreover, as said resin, polymer alloys, such as a mixture of the said polyester and other resin, are also mentioned, for example. The polymer alloy of the polyester and the other resin is preferably one in which the amount of the resin other than the polyester is relatively small.
Further, as the resin, for example, a crosslinked resin obtained by crosslinking one or more of the above-described resins exemplified so far; modification of an ionomer using one or more of the above-described resins exemplified so far Resin is also mentioned.
 基材を構成する樹脂は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The resin constituting the substrate may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
 基材は1層(単層)からなるものでもよいし、2層以上の複数層からなるものでもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。 The base material may consist of one layer (a single layer), or may consist of a plurality of layers of two or more layers, and in the case of a plurality of layers, these plural layers may be the same or different from each other, and these plural The combination of layers is not particularly limited.
 基材の厚さは、50~300μmであることが好ましく、60~100μmであることがより好ましい。基材の厚さがこのような範囲であることで、前記保護膜形成用複合シートの可撓性と、半導体ウエハ又は半導体チップへの貼付性がより向上する。
 ここで、「基材の厚さ」とは、基材全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる基材の厚さとは、基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
The thickness of the substrate is preferably 50 to 300 μm, and more preferably 60 to 100 μm. When the thickness of the substrate is in such a range, the flexibility of the composite sheet for protective film formation and the adhesion to a semiconductor wafer or a semiconductor chip are further improved.
Here, "the thickness of the substrate" means the thickness of the entire substrate, for example, the thickness of the substrate comprising a plurality of layers means the total thickness of all the layers constituting the substrate means.
 基材は、厚さの精度が高いもの、すなわち、部位によらず厚さのばらつきが抑制されたものが好ましい。上述の構成材料のうち、このような厚さの精度が高い基材を構成するのに使用可能な材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリエチレン以外のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、エチレン-酢酸ビニル共重合体等が挙げられる。 The substrate is preferably a substrate having high thickness accuracy, that is, a substrate in which the thickness variation is suppressed regardless of the part. Among the above-mentioned constituent materials, as materials which can be used to construct a substrate having such a high thickness accuracy, for example, polyethylene, polyolefins other than polyethylene, polyethylene terephthalate, ethylene-vinyl acetate copolymer, etc. Can be mentioned.
 基材は、前記樹脂等の主たる構成材料以外に、充填材、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、有機滑剤、触媒、軟化剤(可塑剤)等の公知の各種添加剤を含有していてもよい。 The base contains, in addition to the main constituent materials such as the resin, known additives such as a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, an organic lubricant, a catalyst, and a softener (plasticizer). May be
 基材の光学特性は、先に説明した支持シートの光学特性を満たすようになっていることが好ましい。例えば、基材は、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよいし、他の層が蒸着されていてもよい。
 そして、保護膜形成用フィルムがエネルギー線硬化性を有する本発明においては、基材はエネルギー線を透過させるものが好ましい。
The optical properties of the substrate are preferably such as to satisfy the optical properties of the support sheet described above. For example, the substrate may be transparent or opaque, or may be colored according to the purpose, or other layers may be deposited.
And in the present invention in which the film for protective film formation has energy ray curability, the base material is preferably one which transmits energy rays.
 基材は、その上に設けられる粘着剤層等の他の層との密着性を向上させるために、サンドブラスト処理、溶剤処理等による凹凸化処理や、コロナ放電処理、電子線照射処理、プラズマ処理、オゾン・紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理等の酸化処理等が表面に施されたものであってもよい。
 また、基材は、表面がプライマー処理を施されたものであってもよい。
 また、基材は、帯電防止コート層;保護膜形成用複合シートを重ね合わせて保存する際に、基材が他のシートに接着することや、基材が吸着テーブルに接着することを防止する層等を有するものであってもよい。
The substrate is roughened by sand blasting, solvent treatment, etc., corona discharge treatment, electron beam irradiation treatment, plasma treatment, etc., in order to improve the adhesion to other layers such as the pressure-sensitive adhesive layer provided thereon. The surface may be subjected to oxidation treatment such as ozone / ultraviolet radiation treatment, flame treatment, chromic acid treatment, hot air treatment or the like.
Moreover, the surface of the substrate may be subjected to primer treatment.
In addition, the base material prevents adhesion of the base material to another sheet and adhesion of the base material to the suction table when the antistatic coating layer and the composite sheet for protective film formation are stacked and stored. It may have a layer or the like.
 基材は、公知の方法で製造できる。例えば、樹脂を含有する基材は、前記樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。 The substrate can be produced by a known method. For example, the base material containing resin can be manufactured by shape | molding the resin composition containing the said resin.
○粘着剤層
 前記粘着剤層は、シート状又はフィルム状であり、粘着剤を含有する。
 前記粘着剤としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート、エステル系樹脂等の粘着性樹脂が挙げられ、アクリル系樹脂が好ましい。
○ Pressure-sensitive adhesive layer The pressure-sensitive adhesive layer is in the form of a sheet or a film, and contains a pressure-sensitive adhesive.
Examples of the pressure-sensitive adhesive include pressure-sensitive resins such as acrylic resins, urethane resins, rubber resins, silicone resins, epoxy resins, polyvinyl ethers, polycarbonates, and ester resins. Acrylic resins are preferable. .
 なお、本発明において、「粘着性樹脂」とは、粘着性を有する樹脂と、接着性を有する樹脂と、の両方を含む概念であり、例えば、樹脂自体が粘着性を有するものだけでなく、添加剤等の他の成分との併用により粘着性を示す樹脂や、熱又は水等のトリガーの存在によって接着性を示す樹脂等も含む。 In the present invention, the term "adhesive resin" is a concept including both an adhesive resin and an adhesive resin, and for example, the resin itself is not limited to one having adhesiveness. It also includes a resin that exhibits tackiness when used in combination with other components such as additives, and a resin that exhibits adhesion due to the presence of a trigger such as heat or water.
 粘着剤層は1層(単層)からなるものでもよいし、2層以上の複数層からなるものでもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。 The pressure-sensitive adhesive layer may be formed of one layer (single layer) or may be formed of two or more layers, and in the case of two or more layers, these layers may be the same or different from one another. The combination of multiple layers is not particularly limited.
 粘着剤層の厚さは1~100μmであることが好ましく、1~60μmであることがより好ましく、1~30μmであることが特に好ましい。
 ここで、「粘着剤層の厚さ」とは、粘着剤層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる粘着剤層の厚さとは、粘着剤層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 1 to 100 μm, more preferably 1 to 60 μm, and particularly preferably 1 to 30 μm.
Here, "the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer" means the thickness of the entire pressure-sensitive adhesive layer, and for example, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer composed of a plurality of layers means the total of all layers constituting the pressure-sensitive adhesive layer. Means the thickness of.
 粘着剤層の光学特性は、先に説明した支持シートの光学特性を満たすようになっていることが好ましい。例えば、粘着剤層は、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよい。
 そして、保護膜形成用フィルムがエネルギー線硬化性を有する本発明においては、粘着剤層はエネルギー線を透過させるものが好ましい。
The optical properties of the pressure-sensitive adhesive layer preferably satisfy the optical properties of the support sheet described above. For example, the pressure-sensitive adhesive layer may be transparent or opaque, or may be colored according to the purpose.
And in the present invention in which the protective film-forming film has energy ray curability, the pressure-sensitive adhesive layer preferably transmits energy rays.
 粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤を用いて形成されたものであってもよいし、非エネルギー線硬化性粘着剤を用いて形成されたものであってもよい。エネルギー線硬化性の粘着剤を用いて形成された粘着剤層は、硬化前及び硬化後での物性を、容易に調節できる。 The pressure-sensitive adhesive layer may be formed using an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, or may be formed using a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive. The pressure-sensitive adhesive layer formed using the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive can easily adjust physical properties before and after curing.
<<粘着剤組成物>>
 粘着剤層は、粘着剤を含有する粘着剤組成物を用いて形成できる。例えば、粘着剤層の形成対象面に粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に粘着剤層を形成できる。粘着剤層のより具体的な形成方法は、他の層の形成方法とともに、後ほど詳細に説明する。粘着剤組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、粘着剤層の前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。
<< Adhesive composition >>
The pressure-sensitive adhesive layer can be formed using a pressure-sensitive adhesive composition containing a pressure-sensitive adhesive. For example, the pressure-sensitive adhesive layer can be formed on a target site by coating the pressure-sensitive adhesive composition on the surface to be formed of the pressure-sensitive adhesive layer and drying it as necessary. The more specific formation method of an adhesive layer is demonstrated in detail later with the formation method of another layer. The ratio of the contents of the components which do not vaporize at normal temperature in the pressure-sensitive adhesive composition is usually the same as the ratio of the contents of the components of the pressure-sensitive adhesive layer.
 粘着剤組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。 The application of the pressure-sensitive adhesive composition may be performed by a known method, for example, an air knife coater, a blade coater, a bar coater, a gravure coater, a roll coater, a roll knife coater, a curtain coater, a die coater, a knife coater, a screen coater And methods using various coaters such as a Mayer bar coater and a kiss coater.
 粘着剤組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、粘着剤組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましい。溶媒を含有する粘着剤組成物は、例えば、70~130℃で10秒~5分の条件で乾燥させることが好ましい。 The drying conditions of the pressure-sensitive adhesive composition are not particularly limited, but when the pressure-sensitive adhesive composition contains a solvent described later, it is preferable to heat and dry. The solvent-containing pressure-sensitive adhesive composition is preferably dried, for example, at 70 to 130 ° C. for 10 seconds to 5 minutes.
 粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合、エネルギー線硬化性粘着剤を含有する粘着剤組成物、すなわち、エネルギー線硬化性の粘着剤組成物としては、例えば、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I-1a)(以下、「粘着性樹脂(I-1a)」と略記することがある)と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する粘着剤組成物(I-1);非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I-1a)の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I-2a)(以下、「粘着性樹脂(I-2a)」と略記することがある)を含有する粘着剤組成物(I-2);前記粘着性樹脂(I-2a)と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する粘着剤組成物(I-3)等が挙げられる。 When the pressure-sensitive adhesive layer is energy ray-curable, a pressure-sensitive adhesive composition containing an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, that is, an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition, for example, non-energy ray-curable tackiness Pressure-sensitive adhesive composition (I-1) containing resin (I-1a) (hereinafter sometimes abbreviated as “adhesive resin (I-1a)”) and an energy ray-curable compound; non-energy Energy ray curable adhesive resin (I-2a) (hereinafter referred to as “adhesive resin (I-2a)”) wherein an unsaturated group is introduced into the side chain of the linear curable adhesive resin (I-1a) Pressure-sensitive adhesive composition (I-2) containing the abbreviation); pressure-sensitive adhesive composition (I-3) containing the adhesive resin (I-2a) and an energy ray-curable compound, etc. Can be mentioned.
<粘着剤組成物(I-1)>
 前記粘着剤組成物(I-1)は、上述の様に、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I-1a)と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する。
<Pressure-sensitive adhesive composition (I-1)>
As described above, the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) contains a non-energy ray-curable adhesive resin (I-1a) and an energy ray-curable compound.
[粘着性樹脂(I-1a)]
 前記粘着性樹脂(I-1a)は、アクリル系樹脂であることが好ましい。
 前記アクリル系樹脂としては、例えば、少なくとも(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有するアクリル系重合体が挙げられる。
 前記アクリル系樹脂が有する構成単位は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
[Adhesive resin (I-1a)]
The adhesive resin (I-1a) is preferably an acrylic resin.
As said acrylic resin, the acrylic polymer which has a structural unit derived from the (meth) acrylic-acid alkylester at least is mentioned, for example.
The structural unit which the said acrylic resin has may be only 1 type, may be 2 or more types, and when it is 2 or more types, those combination and ratio can be selected arbitrarily.
 前記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、アルキルエステルを構成するアルキル基の炭素数が1~20であるのものが挙げられ、前記アルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。
 (メタ)アクリル酸アルキルエステルとして、より具体的には、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n-プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸n-ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸sec-ブチル、(メタ)アクリル酸tert-ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸n-オクチル、(メタ)アクリル酸n-ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル((メタ)アクリル酸ラウリル)、(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル((メタ)アクリル酸ミリスチル)、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル((メタ)アクリル酸パルミチル)、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシル((メタ)アクリル酸ステアリル)、(メタ)アクリル酸ノナデシル、(メタ)アクリル酸イコシル等が挙げられる。
Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include ones in which the alkyl group constituting the alkyl ester has 1 to 20 carbon atoms, and the alkyl group is linear or branched. Is preferred.
More specifically, as (meth) acrylic acid alkyl ester, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid n-Butyl, isobutyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, n-nonyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, (meth) acrylate ) Undecyl acrylate, dodecyl (meth) acrylate (lauryl (meth) acrylate), ( Ta) tridecyl acrylate, tetradecyl (meth) acrylate (myristyl (meth) acrylate), pentadecyl (meth) acrylate, hexadecyl (meth) acrylate (palmityl (meth) acrylate), heptadecyl (meth) acrylate, Examples include octadecyl (meth) acrylate (stearyl (meth) acrylate), nonadecyl (meth) acrylate, and icosyl (meth) acrylate.
 粘着剤層の粘着力が向上する点から、前記アクリル系重合体は、前記アルキル基の炭素数が4以上である(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有することが好ましい。そして、粘着剤層の粘着力がより向上する点から、前記アルキル基の炭素数は、4~12であることが好ましく、4~8であることがより好ましい。また、前記アルキル基の炭素数が4以上である(メタ)アクリル酸アルキルエステルは、メタクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。 It is preferable that the said acryl-type polymer has a structural unit derived from the (meth) acrylic-acid alkylester whose carbon number of the said alkyl group is 4 or more from the point which the adhesive force of an adhesive layer improves. The carbon number of the alkyl group is preferably 4 to 12, and more preferably 4 to 8, in order to further improve the adhesion of the pressure-sensitive adhesive layer. Moreover, it is preferable that the (meth) acrylic-acid alkyl ester whose carbon number of the said alkyl group is 4 or more is methacrylic acid alkyl ester.
 前記アクリル系重合体は、(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位以外に、さらに、官能基含有モノマー由来の構成単位を有することが好ましい。
 前記官能基含有モノマーとしては、例えば、前記官能基が後述する架橋剤と反応することで架橋の起点となったり、前記官能基が後述する不飽和基含有化合物中の不飽和基と反応することで、アクリル系重合体の側鎖に不飽和基の導入を可能とするものが挙げられる。
The acrylic polymer preferably further has a structural unit derived from a functional group-containing monomer, in addition to the structural unit derived from the (meth) acrylic acid alkyl ester.
As the functional group-containing monomer, for example, reaction of the functional group with a crosslinking agent described later becomes a crosslinking origin, or the functional group reacts with an unsaturated group in an unsaturated group-containing compound described later And those which make it possible to introduce an unsaturated group into the side chain of the acrylic polymer.
 官能基含有モノマー中の前記官能基としては、例えば、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。
 すなわち、官能基含有モノマーとしては、例えば、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。
As said functional group in a functional group containing monomer, a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, an epoxy group etc. are mentioned, for example.
That is, as a functional group containing monomer, a hydroxyl group containing monomer, a carboxy group containing monomer, an amino group containing monomer, an epoxy group containing monomer etc. are mentioned, for example.
 前記水酸基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸ヒドロキシメチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル等の(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキル;ビニルアルコール、アリルアルコール等の非(メタ)アクリル系不飽和アルコール(すなわち、(メタ)アクリロイル骨格を有しない不飽和アルコール)等が挙げられる。 Examples of the hydroxyl group-containing monomer include hydroxymethyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth) Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as 2-hydroxybutyl acrylate, 3-hydroxybutyl (meth) acrylate and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate; non (meth) acrylics such as vinyl alcohol and allyl alcohol Saturated alcohol (that is, unsaturated alcohol having no (meth) acryloyl skeleton) and the like can be mentioned.
 前記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸(すなわち、エチレン性不飽和結合を有するモノカルボン酸);フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸(すなわち、エチレン性不飽和結合を有するジカルボン酸);前記エチレン性不飽和ジカルボン酸の無水物;2-カルボキシエチルメタクリレート等の(メタ)アクリル酸カルボキシアルキルエステル等が挙げられる。 Examples of the carboxy group-containing monomer include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth) acrylic acid and crotonic acid (that is, monocarboxylic acids having an ethylenically unsaturated bond); fumaric acid, itaconic acid and maleic acid And ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as citraconic acid (ie, dicarboxylic acids having an ethylenically unsaturated bond); anhydrides of the above ethylenically unsaturated dicarboxylic acids; carboxyalkyl (meth) acrylates such as 2-carboxyethyl methacrylate Ester etc. are mentioned.
 官能基含有モノマーは、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマーが好ましく、水酸基含有モノマーがより好ましい。 The functional group-containing monomer is preferably a hydroxyl group-containing monomer or a carboxy group-containing monomer, and more preferably a hydroxyl group-containing monomer.
 前記アクリル系重合体を構成する官能基含有モノマーは、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The functional group-containing monomer constituting the acrylic polymer may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
 前記アクリル系重合体において、官能基含有モノマー由来の構成単位の含有量は、構成単位の全量に対して、1~35質量%であることが好ましく、2~32質量%であることがより好ましく、3~30質量%であることが特に好ましい。 In the acrylic polymer, the content of the structural unit derived from the functional group-containing monomer is preferably 1 to 35% by mass, and more preferably 2 to 32% by mass, with respect to the total amount of the structural units. And 3 to 30% by mass is particularly preferable.
 前記アクリル系重合体は、(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位、及び官能基含有モノマー由来の構成単位以外に、さらに、他のモノマー由来の構成単位を有していてもよい。
 前記他のモノマーは、(メタ)アクリル酸アルキルエステル等と共重合可能なものであれば特に限定されない。
 前記他のモノマーとしては、例えば、スチレン、α-メチルスチレン、ビニルトルエン、ギ酸ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリルアミド等が挙げられる。
The acrylic polymer may further have a structural unit derived from another monomer in addition to the structural unit derived from the (meth) acrylic acid alkyl ester and the structural unit derived from the functional group-containing monomer.
The other monomer is not particularly limited as long as it is copolymerizable with (meth) acrylic acid alkyl ester and the like.
Examples of the other monomers include styrene, α-methylstyrene, vinyl toluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, acrylamide and the like.
 前記アクリル系重合体を構成する前記他のモノマーは、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The other monomer constituting the acrylic polymer may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
 前記アクリル系重合体は、上述の非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I-1a)として使用できる。
 一方、前記アクリル系重合体中の官能基に、エネルギー線重合性不飽和基(エネルギー線重合性基)を有する不飽和基含有化合物を反応させたものは、上述のエネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I-2a)として使用できる。
The acrylic polymer can be used as the above-mentioned non-energy ray curable tackifying resin (I-1a).
On the other hand, those in which the unsaturated group-containing compound having an energy ray polymerizable unsaturated group (energy ray polymerizable group) is reacted with the functional group in the acrylic polymer have the above-mentioned energy ray curable tackiness It can be used as a resin (I-2a).
 粘着剤組成物(I-1)が含有する粘着性樹脂(I-1a)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The adhesive resin (I-1a) contained in the adhesive composition (I-1) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof are optionally It can be selected.
 粘着剤組成物(I-1)において、粘着剤組成物(I-1)の総質量に対する、粘着性樹脂(I-1a)の含有量の割合は、5~99質量%であることが好ましく、10~95質量%であることがより好ましく、15~90質量%であることが特に好ましい。 In the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the ratio of the content of the adhesive resin (I-1a) to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) is preferably 5 to 99% by mass 10 to 95% by mass is more preferable, and 15 to 90% by mass is particularly preferable.
[エネルギー線硬化性化合物]
 粘着剤組成物(I-1)が含有する前記エネルギー線硬化性化合物としては、エネルギー線重合性不飽和基を有し、エネルギー線の照射により硬化可能なモノマー又はオリゴマーが挙げられる。
 エネルギー線硬化性化合物のうち、モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトール(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4-ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6-へキサンジオール(メタ)アクリレート等の多価(メタ)アクリレート;ウレタン(メタ)アクリレート;ポリエステル(メタ)アクリレート;ポリエーテル(メタ)アクリレート;エポキシ(メタ)アクリレート等が挙げられる。
 エネルギー線硬化性化合物のうち、オリゴマーとしては、例えば、上記で例示したモノマーが重合してなるオリゴマー等が挙げられる。
 エネルギー線硬化性化合物は、分子量が比較的大きく、粘着剤層の貯蔵弾性率を低下させにくいという点では、ウレタン(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーが好ましい。
[Energy ray curable compound]
Examples of the energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) include monomers or oligomers which have an energy ray-polymerizable unsaturated group and can be cured by irradiation of energy rays.
Among the energy ray-curable compounds, as a monomer, for example, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4 -Multivalent (meth) acrylates such as -butylene glycol di (meth) acrylate and 1,6-hexanediol (meth) acrylate; urethane (meth) acrylate; polyester (meth) acrylate; polyether (meth) acrylate; epoxy ( Meta) acrylate etc. are mentioned.
Among the energy ray-curable compounds, examples of the oligomers include oligomers formed by polymerization of the monomers exemplified above.
The energy ray-curable compound is preferably a urethane (meth) acrylate or a urethane (meth) acrylate oligomer in that the molecular weight is relatively large and the storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer is hardly reduced.
 粘着剤組成物(I-1)が含有する前記エネルギー線硬化性化合物は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. .
 前記粘着剤組成物(I-1)において、粘着剤組成物(I-1)の総質量に対する、前記エネルギー線硬化性化合物の含有量の割合は、1~95質量%であることが好ましく、5~90質量%であることがより好ましく、10~85質量%であることが特に好ましい。 In the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the ratio of the content of the energy ray-curable compound to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) is preferably 1 to 95% by mass. The content is more preferably 5 to 90% by mass, and particularly preferably 10 to 85% by mass.
[架橋剤]
 粘着性樹脂(I-1a)として、(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位以外に、さらに、官能基含有モノマー由来の構成単位を有する前記アクリル系重合体を用いる場合、粘着剤組成物(I-1)は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。
[Crosslinking agent]
When the acrylic polymer having a structural unit derived from a functional group-containing monomer in addition to a structural unit derived from a (meth) acrylic acid alkyl ester is used as the adhesive resin (I-1a), a pressure-sensitive adhesive composition ( It is preferable that I-1) further contains a crosslinking agent.
 前記架橋剤は、例えば、前記官能基と反応して、粘着性樹脂(I-1a)同士を架橋するものである。
 架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、これらジイソシアネートのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤(すなわち、イソシアネート基を有する架橋剤);エチレングリコールグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤(すなわち、グリシジル基を有する架橋剤);ヘキサ[1-(2-メチル)-アジリジニル]トリフオスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤(すなわち、アジリジニル基を有する架橋剤);アルミニウムキレート等の金属キレート系架橋剤(すなわち、金属キレート構造を有する架橋剤);イソシアヌレート系架橋剤(すなわち、イソシアヌル酸骨格を有する架橋剤)等が挙げられる。
 粘着剤の凝集力を向上させて粘着剤層の粘着力を向上させる点、及び入手が容易である等の点から、架橋剤はイソシアネート系架橋剤であることが好ましい。
The crosslinking agent, for example, reacts with the functional group to crosslink the adhesive resin (I-1a).
Examples of the crosslinking agent include isocyanate crosslinking agents such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, adducts of these diisocyanates (that is, crosslinking agents having an isocyanate group); epoxy crosslinking such as ethylene glycol glycidyl ether Agents (ie, crosslinkers having glycidyl groups); aziridine crosslinkers such as hexa [1- (2-methyl) -aziridinyl] triphosphatriazine (ie, crosslinkers having aziridinyl groups); metals such as aluminum chelates Chelate-based crosslinking agents (i.e., crosslinking agents having a metal chelate structure); isocyanurate-based crosslinking agents (i.e., crosslinking agents having an isocyanuric acid skeleton) and the like.
The cross-linking agent is preferably an isocyanate-based cross-linking agent from the viewpoint of improving the cohesion of the pressure-sensitive adhesive to improve the adhesion of the pressure-sensitive adhesive layer and being easy to obtain.
 粘着剤組成物(I-1)が含有する架橋剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The crosslinking agent contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be optionally selected.
 架橋剤を用いる場合、前記粘着剤組成物(I-1)において、架橋剤の含有量は、粘着性樹脂(I-1a)の含有量100質量部に対して、0.01~50質量部であることが好ましく、0.1~20質量部であることがより好ましく、0.3~15質量部であることが特に好ましい。 When a crosslinking agent is used, the content of the crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) is 0.01 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (I-1a) Is preferably 0.1 to 20 parts by mass, and particularly preferably 0.3 to 15 parts by mass.
[光重合開始剤]
 粘着剤組成物(I-1)は、さらに光重合開始剤を含有していてもよい。光重合開始剤を含有する粘着剤組成物(I-1)は、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線を照射しても、十分に硬化反応が進行する。
[Photoinitiator]
The pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may further contain a photopolymerization initiator. The pressure-sensitive adhesive composition (I-1) containing a photopolymerization initiator sufficiently proceeds curing reaction even when irradiated with energy rays of relatively low energy such as ultraviolet rays.
 前記光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール等のベンゾイン化合物;アセトフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-プロパン-1-オン、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン等のアセトフェノン化合物;ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物;ベンジルフェニルスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド等のスルフィド化合物;1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα-ケトール化合物;アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物;チタノセン等のチタノセン化合物;チオキサントン等のチオキサントン化合物;パーオキサイド化合物;ジアセチル等のジケトン化合物;ベンジル;ジベンジル;ベンゾフェノン;2,4-ジエチルチオキサントン;1,2-ジフェニルメタン;2-ヒドロキシ-2-メチル-1-[4-(1-メチルビニル)フェニル]プロパノン;2-クロロアントラキノン等が挙げられる。
 また、前記光重合開始剤としては、例えば、1-クロロアントラキノン等のキノン化合物;アミン等の光増感剤等を用いることもできる。
Examples of the photopolymerization initiator include benzoin compounds such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, methyl benzoin benzoate and benzoin dimethyl ketal; acetophenone, 2-hydroxy Acetophenone compounds such as -2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one; bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenyl phosphine Oxides, acyl phosphine oxide compounds such as 2,4,6-trimethyl benzoyl diphenyl phosphine oxide; sulfides such as benzyl phenyl sulfide and tetramethylthiuram monosulfide Substances; α-ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; azo compounds such as azobisisobutyronitrile; titanocene compounds such as titanocene; thioxanthone compounds such as thioxanthone; peroxide compounds; diketone compounds such as diacetyl; Benzophenone; 2,4-diethylthioxanthone; 1,2-diphenylmethane; 2-hydroxy-2-methyl-1- [4- (1-methylvinyl) phenyl] propanone; 2-chloroanthraquinone and the like.
Further, as the photopolymerization initiator, for example, quinone compounds such as 1-chloroanthraquinone and the like; photosensitizers such as amine and the like can also be used.
 粘着剤組成物(I-1)が含有する光重合開始剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The photopolymerization initiator contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
 光重合開始剤を用いる場合、粘着剤組成物(I-1)において、光重合開始剤の含有量は、前記エネルギー線硬化性化合物の含有量100質量部に対して、0.01~20質量部であることが好ましく、0.03~10質量部であることがより好ましく、0.05~5質量部であることが特に好ましい。 When a photopolymerization initiator is used, the content of the photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) is 0.01 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the energy ray curable compound. Part is preferable, 0.03 to 10 parts by mass is more preferable, and 0.05 to 5 parts by mass is particularly preferable.
[その他の添加剤]
 粘着剤組成物(I-1)は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
 前記その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤(可塑剤)、充填材(フィラー)、防錆剤、着色剤(顔料、染料)、増感剤、粘着付与剤、反応遅延剤、架橋促進剤(触媒)等の公知の添加剤が挙げられる。
 なお、反応遅延剤とは、例えば、粘着剤組成物(I-1)中に混入している触媒の作用によって、保存中の粘着剤組成物(I-1)において、目的としない架橋反応が進行するのを抑制するものである。反応遅延剤としては、例えば、触媒に対するキレートによってキレート錯体を形成するものが挙げられ、より具体的には、1分子中にカルボニル基(-C(=O)-)を2個以上有するものが挙げられる。
[Other additives]
The pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may contain other additives which do not correspond to any of the components described above, as long as the effects of the present invention are not impaired.
Examples of the other additives include antistatic agent, antioxidant, softener (plasticizer), filler (filler), rust inhibitor, coloring agent (pigment, dye), sensitizer, tackifier Well-known additives, such as a reaction retarder, a crosslinking accelerator (catalyst), etc. are mentioned.
The reaction retarder means, for example, an unintended cross-linking reaction in the adhesive composition (I-1) during storage by the action of a catalyst mixed in the adhesive composition (I-1). It is to control progress. The reaction retarder includes, for example, those which form a chelate complex by chelating to a catalyst, and more specifically, those having two or more carbonyl groups (-C (= O)-) in one molecule It can be mentioned.
 粘着剤組成物(I-1)が含有するその他の添加剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The other additives contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
 その他の添加剤を用いる場合、粘着剤組成物(I-1)のその他の添加剤の含有量は、特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。 When other additives are used, the content of the other additives in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the type.
[溶媒]
 粘着剤組成物(I-1)は、溶媒を含有していてもよい。粘着剤組成物(I-1)は、溶媒を含有していることで、塗工対象面への塗工適性が向上する。
[solvent]
The pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may contain a solvent. The pressure-sensitive adhesive composition (I-1) contains a solvent, whereby the coating suitability to the surface to be coated is improved.
 前記溶媒は有機溶媒であることが好ましく、前記有機溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン等のケトン;酢酸エチル等のエステル(例えば、カルボン酸エステル);テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル;シクロヘキサン、n-ヘキサン等の脂肪族炭化水素;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素;1-プロパノール、2-プロパノール等のアルコール等が挙げられる。 The solvent is preferably an organic solvent, and examples of the organic solvent include ketones such as methyl ethyl ketone and acetone; esters such as ethyl acetate (for example, carboxylic acid esters); ethers such as tetrahydrofuran and dioxane; Aliphatic hydrocarbons such as hexane; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; alcohols such as 1-propanol and 2-propanol.
 前記溶媒としては、例えば、粘着性樹脂(I-1a)の製造時に用いたものを粘着性樹脂(I-1a)から取り除かずに、そのまま粘着剤組成物(I-1)において用いてもよいし、粘着性樹脂(I-1a)の製造時に用いたものと同一又は異なる種類の溶媒を、粘着剤組成物(I-1)の製造時に別途添加してもよい。 As the solvent, for example, one used in the production of the adhesive resin (I-1a) may be used as it is in the adhesive composition (I-1) without removing it from the adhesive resin (I-1a) Alternatively, the same or a different type of solvent as that used in the production of the adhesive resin (I-1a) may be separately added in the production of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
 粘着剤組成物(I-1)が含有する溶媒は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The solvent contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
 溶媒を用いる場合、粘着剤組成物(I-1)の溶媒の含有量は、特に限定されず、適宜調節すればよい。 When a solvent is used, the content of the solvent of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) is not particularly limited, and may be appropriately adjusted.
<粘着剤組成物(I-2)>
 前記粘着剤組成物(I-2)は、上述の様に、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I-1a)の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I-2a)を含有する。
<Pressure-sensitive adhesive composition (I-2)>
The pressure-sensitive adhesive composition (I-2) is, as described above, an energy ray-curable adhesive resin in which an unsaturated group is introduced into the side chain of the non-energy ray-curable adhesive resin (I-1a). (I-2a) is contained.
[粘着性樹脂(I-2a)]
 前記粘着性樹脂(I-2a)は、例えば、粘着性樹脂(I-1a)中の官能基に、エネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物を反応させることで得られる。
[Adhesive resin (I-2a)]
The adhesive resin (I-2a) can be obtained, for example, by reacting a functional group in the adhesive resin (I-1a) with an unsaturated group-containing compound having an energy beam polymerizable unsaturated group.
 前記不飽和基含有化合物は、前記エネルギー線重合性不飽和基以外に、さらに粘着性樹脂(I-1a)中の官能基と反応することで、粘着性樹脂(I-1a)と結合可能な基を有する化合物である。
 前記エネルギー線重合性不飽和基としては、例えば、(メタ)アクリロイル基、ビニル基(別名:エテニル基)、アリル基(別名:2-プロペニル基)等が挙げられ、(メタ)アクリロイル基が好ましい。
 粘着性樹脂(I-1a)中の官能基と結合可能な基としては、例えば、水酸基又はアミノ基と結合可能なイソシアネート基及びグリシジル基、並びにカルボキシ基又はエポキシ基と結合可能な水酸基及びアミノ基等が挙げられる。
The unsaturated group-containing compound can be bonded to the adhesive resin (I-1a) by further reacting with the functional group in the adhesive resin (I-1a) in addition to the energy beam polymerizable unsaturated group It is a compound having a group.
Examples of the energy ray polymerizable unsaturated group include (meth) acryloyl group, vinyl group (alias: ethenyl group), allyl group (alias: 2-propenyl group) and the like, and (meth) acryloyl group is preferable. .
Examples of the group capable of binding to a functional group in the adhesive resin (I-1a) include, for example, an isocyanate group and a glycidyl group capable of binding to a hydroxyl group or an amino group, and a hydroxy group and amino group capable of binding to a carboxy group or an epoxy group. Etc.
 前記不飽和基含有化合物としては、例えば、(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、(メタ)アクリロイルイソシアネート、グリシジル(メタ)アクリレート等が挙げられる。 Examples of the unsaturated group-containing compound include (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, (meth) acryloyl isocyanate, glycidyl (meth) acrylate and the like.
 粘着剤組成物(I-2)が含有する粘着性樹脂(I-2a)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The adhesive resin (I-2a) contained in the adhesive composition (I-2) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof are optionally It can be selected.
 粘着剤組成物(I-2)において、粘着剤組成物(I-2)の総質量に対する、粘着性樹脂(I-2a)の含有量の割合は、5~99質量%であることが好ましく、10~95質量%であることがより好ましく、10~90質量%であることが特に好ましい。 In the pressure-sensitive adhesive composition (I-2), the ratio of the content of the adhesive resin (I-2a) to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) is preferably 5 to 99% by mass It is more preferably 10 to 95% by mass, and particularly preferably 10 to 90% by mass.
[架橋剤]
 粘着性樹脂(I-2a)として、例えば、粘着性樹脂(I-1a)におけるものと同様の、官能基含有モノマー由来の構成単位を有する前記アクリル系重合体を用いる場合、粘着剤組成物(I-2)は、さらに架橋剤を含有していてもよい。
[Crosslinking agent]
When the above-mentioned acrylic polymer having a structural unit derived from a functional group-containing monomer similar to that in the adhesive resin (I-1a) is used as the adhesive resin (I-2a), for example, I-2) may further contain a crosslinking agent.
 粘着剤組成物(I-2)における前記架橋剤としては、粘着剤組成物(I-1)における架橋剤と同じものが挙げられる。
 粘着剤組成物(I-2)が含有する架橋剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
Examples of the crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) include the same as the crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
The crosslinking agent contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be optionally selected.
 架橋剤を用いる場合、前記粘着剤組成物(I-2)において、架橋剤の含有量は、粘着性樹脂(I-2a)の含有量100質量部に対して、0.01~50質量部であることが好ましく、0.1~20質量部であることがより好ましく、0.3~15質量部であることが特に好ましい。 When a crosslinking agent is used, the content of the crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) is 0.01 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (I-2a) Is preferably 0.1 to 20 parts by mass, and particularly preferably 0.3 to 15 parts by mass.
[光重合開始剤]
 粘着剤組成物(I-2)は、さらに光重合開始剤を含有していてもよい。光重合開始剤を含有する粘着剤組成物(I-2)は、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線を照射しても、十分に硬化反応が進行する。
[Photoinitiator]
The pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may further contain a photopolymerization initiator. The pressure-sensitive adhesive composition (I-2) containing a photopolymerization initiator sufficiently proceeds a curing reaction even when irradiated with energy rays of relatively low energy such as ultraviolet rays.
 粘着剤組成物(I-2)における前記光重合開始剤としては、粘着剤組成物(I-1)における光重合開始剤と同じものが挙げられる。
 粘着剤組成物(I-2)が含有する光重合開始剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
The photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be the same as the photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
The photopolymerization initiator contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
 光重合開始剤を用いる場合、粘着剤組成物(I-2)において、光重合開始剤の含有量は、粘着性樹脂(I-2a)の含有量100質量部に対して、0.01~20質量部であることが好ましく、0.03~10質量部であることがより好ましく、0.05~5質量部であることが特に好ましい。 When a photopolymerization initiator is used, the content of the photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) is 0.01 to 100 parts by mass with respect to the content of the adhesive resin (I-2a). The amount is preferably 20 parts by mass, more preferably 0.03 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.05 to 5 parts by mass.
[その他の添加剤]
 粘着剤組成物(I-2)は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
 粘着剤組成物(I-2)における前記その他の添加剤としては、粘着剤組成物(I-1)におけるその他の添加剤と同じものが挙げられる。
 粘着剤組成物(I-2)が含有するその他の添加剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
[Other additives]
The pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may contain other additives which do not correspond to any of the components described above, as long as the effects of the present invention are not impaired.
Examples of the other additives in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) include the same as the other additives in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
The other additives contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be optionally selected.
 その他の添加剤を用いる場合、粘着剤組成物(I-2)のその他の添加剤の含有量は、特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。 When other additives are used, the content of the other additives in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the type.
[溶媒]
 粘着剤組成物(I-2)は、粘着剤組成物(I-1)の場合と同様の目的で、溶媒を含有していてもよい。
 粘着剤組成物(I-2)における前記溶媒としては、粘着剤組成物(I-1)における溶媒と同じものが挙げられる。
 粘着剤組成物(I-2)が含有する溶媒は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 溶媒を用いる場合、粘着剤組成物(I-2)の溶媒の含有量は、特に限定されず、適宜調節すればよい。
[solvent]
The pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may contain a solvent for the same purpose as the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
The solvent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be the same as the solvent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
The solvent contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
When a solvent is used, the content of the solvent of the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) is not particularly limited, and may be appropriately adjusted.
<粘着剤組成物(I-3)>
 前記粘着剤組成物(I-3)は、上述の様に、前記粘着性樹脂(I-2a)と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する。
<Pressure-sensitive adhesive composition (I-3)>
The pressure-sensitive adhesive composition (I-3) contains, as described above, the pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) and an energy ray-curable compound.
 粘着剤組成物(I-3)において、粘着剤組成物(I-3)の総質量に対する、粘着性樹脂(I-2a)の含有量の割合は、5~99質量%であることが好ましく、10~95質量%であることがより好ましく、15~90質量%であることが特に好ましい。 In the pressure-sensitive adhesive composition (I-3), the ratio of the content of the adhesive resin (I-2a) to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) is preferably 5 to 99% by mass 10 to 95% by mass is more preferable, and 15 to 90% by mass is particularly preferable.
[エネルギー線硬化性化合物]
 粘着剤組成物(I-3)が含有する前記エネルギー線硬化性化合物としては、エネルギー線重合性不飽和基を有し、エネルギー線の照射により硬化可能なモノマー及びオリゴマーが挙げられ、粘着剤組成物(I-1)が含有するエネルギー線硬化性化合物と同じものが挙げられる。
 粘着剤組成物(I-3)が含有する前記エネルギー線硬化性化合物は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
[Energy ray curable compound]
Examples of the energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) include monomers and oligomers which have an energy ray-polymerizable unsaturated group and can be cured by irradiation of energy rays, and the pressure-sensitive adhesive composition The same as the energy ray-curable compound contained in the compound (I-1) can be mentioned.
The energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. .
 前記粘着剤組成物(I-3)において、前記エネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂(I-2a)の含有量100質量部に対して、0.01~300質量部であることが好ましく、0.03~200質量部であることがより好ましく、0.05~100質量部であることが特に好ましい。 In the pressure-sensitive adhesive composition (I-3), the content of the energy ray-curable compound is 0.01 to 300 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (I-2a) Is more preferably 0.03 to 200 parts by mass, and particularly preferably 0.05 to 100 parts by mass.
[光重合開始剤]
 粘着剤組成物(I-3)は、さらに光重合開始剤を含有していてもよい。光重合開始剤を含有する粘着剤組成物(I-3)は、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線を照射しても、十分に硬化反応が進行する。
[Photoinitiator]
The pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may further contain a photopolymerization initiator. The pressure-sensitive adhesive composition (I-3) containing a photopolymerization initiator sufficiently proceeds curing reaction even when irradiated with energy rays of relatively low energy such as ultraviolet rays.
 粘着剤組成物(I-3)における前記光重合開始剤としては、粘着剤組成物(I-1)における光重合開始剤と同じものが挙げられる。
 粘着剤組成物(I-3)が含有する光重合開始剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
The photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be the same as the photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
The photopolymerization initiator contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
 光重合開始剤を用いる場合、粘着剤組成物(I-3)において、光重合開始剤の含有量は、粘着性樹脂(I-2a)及び前記エネルギー線硬化性化合物の総含有量100質量部に対して、0.01~20質量部であることが好ましく、0.03~10質量部であることがより好ましく、0.05~5質量部であることが特に好ましい。 When a photopolymerization initiator is used, the content of the photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) is 100 parts by mass of the total content of the adhesive resin (I-2a) and the energy ray-curable compound. The amount is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 0.03 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.05 to 5 parts by mass.
[その他の添加剤]
 粘着剤組成物(I-3)は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
 前記その他の添加剤としては、粘着剤組成物(I-1)におけるその他の添加剤と同じものが挙げられる。
 粘着剤組成物(I-3)が含有するその他の添加剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
[Other additives]
The pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may contain other additives which do not correspond to any of the components described above, as long as the effects of the present invention are not impaired.
Examples of the other additives include the same as the other additives in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
The other additives contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be optionally selected.
 その他の添加剤を用いる場合、粘着剤組成物(I-3)のその他の添加剤の含有量は、特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。 When other additives are used, the content of the other additives in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the type.
[溶媒]
 粘着剤組成物(I-3)は、粘着剤組成物(I-1)の場合と同様の目的で、溶媒を含有していてもよい。
 粘着剤組成物(I-3)における前記溶媒としては、粘着剤組成物(I-1)における溶媒と同じものが挙げられる。
 粘着剤組成物(I-3)が含有する溶媒は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 溶媒を用いる場合、粘着剤組成物(I-3)の溶媒の含有量は、特に限定されず、適宜調節すればよい。
[solvent]
The pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may contain a solvent for the same purpose as the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
The solvent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be the same as the solvent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
The solvent contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
When a solvent is used, the content of the solvent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) is not particularly limited, and may be appropriately adjusted.
<粘着剤組成物(I-1)~(I-3)以外の粘着剤組成物>
 ここまでは、粘着剤組成物(I-1)、粘着剤組成物(I-2)及び粘着剤組成物(I-3)について主に説明したが、これらの含有成分として説明したものは、これら3種の粘着剤組成物以外の全般的な粘着剤組成物(本明細書においては、「粘着剤組成物(I-1)~(I-3)以外の粘着剤組成物」と称する)でも、同様に用いることができる。
<Adhesive Composition Other than Adhesive Composition (I-1) to (I-3)>
Up to this point, the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) and the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) have been mainly described, but those described as the components thereof are General pressure-sensitive adhesive compositions other than these three pressure-sensitive adhesive compositions (herein referred to as "pressure-sensitive adhesive compositions other than pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3)") But it can be used as well.
 粘着剤組成物(I-1)~(I-3)以外の粘着剤組成物としては、エネルギー線硬化性の粘着剤組成物以外に、非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物も挙げられる。
 非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート、エステル系樹脂等の、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(I-1a)を含有する粘着剤組成物(I-4)が挙げられ、アクリル系樹脂を含有するものが好ましい。
As the pressure-sensitive adhesive composition other than the pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3), in addition to the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition, non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive compositions can also be mentioned.
As a non-energy ray curable pressure-sensitive adhesive composition, for example, non-energy ray curing such as acrylic resin, urethane resin, rubber resin, silicone resin, epoxy resin, polyvinyl ether, polycarbonate, ester resin, etc. And the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) containing the adhesive resin (I-1a), and those containing an acrylic resin are preferable.
 粘着剤組成物(I-1)~(I-3)以外の粘着剤組成物は、1種又は2種以上の架橋剤を含有することが好ましく、その含有量は、上述の粘着剤組成物(I-1)等の場合と同様とすることができる。 The pressure-sensitive adhesive composition other than the pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3) preferably contains one or more crosslinking agents, and the content thereof is the pressure-sensitive adhesive composition described above The same can be applied to the case of (I-1) and the like.
<粘着剤組成物(I-4)>
 粘着剤組成物(I-4)で好ましいものとしては、例えば、前記粘着性樹脂(I-1a)と、架橋剤と、を含有するものが挙げられる。
<Pressure-sensitive adhesive composition (I-4)>
Preferred examples of the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) include those containing the above-mentioned adhesive resin (I-1a) and a crosslinking agent.
[粘着性樹脂(I-1a)]
 粘着剤組成物(I-4)における粘着性樹脂(I-1a)としては、粘着剤組成物(I-1)における粘着性樹脂(I-1a)と同じものが挙げられる。
 粘着剤組成物(I-4)が含有する粘着性樹脂(I-1a)は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
[Adhesive resin (I-1a)]
Examples of the adhesive resin (I-1a) in the adhesive composition (I-4) include the same ones as the adhesive resin (I-1a) in the adhesive composition (I-1).
The adhesive resin (I-1a) contained in the adhesive composition (I-4) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof are optionally It can be selected.
 粘着剤組成物(I-4)において、粘着剤組成物(I-4)の総質量に対する、粘着性樹脂(I-1a)の含有量の割合は、5~99質量%であることが好ましく、10~95質量%であることがより好ましく、15~90質量%であることが特に好ましい。 In the pressure-sensitive adhesive composition (I-4), the ratio of the content of the adhesive resin (I-1a) to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) is preferably 5 to 99% by mass 10 to 95% by mass is more preferable, and 15 to 90% by mass is particularly preferable.
 粘着剤組成物(I-4)において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する粘着性樹脂(I-1a)の含有量の割合(すなわち、粘着剤層における、粘着剤層の総質量に対する、粘着性樹脂(I-1a)の含有量の割合)は、50~98質量%であることが好ましく、例えば、65~98質量%、及び80~98質量%のいずれかであってもよい。 In the pressure-sensitive adhesive composition (I-4), the ratio of the content of the adhesive resin (I-1a) to the total content of all components other than the solvent (that is, based on the total weight of the pressure-sensitive adhesive layer in the pressure-sensitive adhesive layer) The content of the adhesive resin (I-1a) is preferably 50 to 98% by mass, and may be, for example, 65 to 98% by mass and 80 to 98% by mass. .
[架橋剤]
 粘着性樹脂(I-1a)として、(メタ)アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位以外に、さらに、官能基含有モノマー由来の構成単位を有する前記アクリル系重合体を用いる場合、粘着剤組成物(I-4)は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。
[Crosslinking agent]
When the acrylic polymer having a structural unit derived from a functional group-containing monomer in addition to a structural unit derived from a (meth) acrylic acid alkyl ester is used as the adhesive resin (I-1a), a pressure-sensitive adhesive composition ( It is preferable that I-4) further contains a crosslinking agent.
 粘着剤組成物(I-4)における架橋剤としては、粘着剤組成物(I-1)における架橋剤と同じものが挙げられる。
 粘着剤組成物(I-4)が含有する架橋剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
Examples of the crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) include the same as the crosslinking agents in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
The crosslinking agent contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be optionally selected.
 前記粘着剤組成物(I-4)において、架橋剤の含有量は、粘着性樹脂(I-1a)の含有量100質量部に対して、0.01~50質量部であることが好ましく、0.1~20質量部であることがより好ましく、0.3~15質量部であることが特に好ましい。 In the pressure-sensitive adhesive composition (I-4), the content of the crosslinking agent is preferably 0.01 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (I-1a), The amount is more preferably 0.1 to 20 parts by mass, and particularly preferably 0.3 to 15 parts by mass.
[その他の添加剤]
 粘着剤組成物(I-4)は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
 前記その他の添加剤としては、粘着剤組成物(I-1)におけるその他の添加剤と同じものが挙げられる。
 粘着剤組成物(I-4)が含有するその他の添加剤は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
[Other additives]
The pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may contain other additives which do not correspond to any of the components described above, as long as the effects of the present invention are not impaired.
Examples of the other additives include the same as the other additives in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
The other additives contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be optionally selected.
 その他の添加剤を用いる場合、粘着剤組成物(I-4)のその他の添加剤の含有量は、特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。 When other additives are used, the content of the other additives in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the type.
[溶媒]
 粘着剤組成物(I-4)は、粘着剤組成物(I-1)の場合と同様の目的で、溶媒を含有していてもよい。
 粘着剤組成物(I-4)における前記溶媒としては、粘着剤組成物(I-1)における溶媒と同じものが挙げられる。
 粘着剤組成物(I-4)が含有する溶媒は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
 溶媒を用いる場合、粘着剤組成物(I-4)の溶媒の含有量は、特に限定されず、適宜調節すればよい。
[solvent]
The pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may contain a solvent for the same purpose as the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
The solvent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may be the same as the solvent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
The solvent contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
When a solvent is used, the content of the solvent of the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) is not particularly limited, and may be appropriately adjusted.
 前記保護膜形成用複合シートにおいて、粘着剤層は非エネルギー線硬化性であることが好ましい。これは、粘着剤層がエネルギー線硬化性であると、エネルギー線の照射によって保護膜形成用フィルムを硬化させるときに、粘着剤層も同時に硬化するのを抑制できないことがあるためである。粘着剤層が保護膜形成用フィルムと同時に硬化してしまうと、保護膜形成用フィルムの硬化物及び粘着剤層の硬化物が、これらの界面において剥離不能な程度に貼り付いてしまうことがある。その場合、保護膜形成用フィルムの硬化物、すなわち保護膜を裏面に備えた半導体チップ(すなわち保護膜付き半導体チップ)を、粘着剤層の硬化物を備えた支持シートから剥離させることが困難となり、保護膜付き半導体チップを正常にピックアップできなくなってしまう。前記支持シートにおいて、粘着剤層を非エネルギー線硬化性のものとすることで、このような不具合を確実に回避でき、保護膜付き半導体チップをより容易にピックアップできる。 In the composite sheet for protective film formation, the pressure-sensitive adhesive layer is preferably non-energy ray curable. This is because when the pressure-sensitive adhesive layer is energy beam curable, when the film for forming a protective film is cured by irradiation with energy rays, it may not be possible to simultaneously cure the pressure-sensitive adhesive layer. If the pressure-sensitive adhesive layer is cured simultaneously with the protective film-forming film, the cured product of the protective film-forming film and the cured product of the pressure-sensitive adhesive layer may stick to such an extent that they can not be peeled off at these interfaces. . In that case, it becomes difficult to peel off the cured product of the protective film-forming film, that is, the semiconductor chip having the protective film on the back surface (that is, the semiconductor chip with a protective film) from the support sheet provided with the cured product of the pressure sensitive adhesive layer. The semiconductor chip with the protective film can not be picked up properly. By making the pressure-sensitive adhesive layer non-energy ray curable in the support sheet, such a defect can be reliably avoided, and the semiconductor chip with a protective film can be picked up more easily.
 ここでは、粘着剤層が非エネルギー線硬化性である場合の効果について説明したが、支持シートの保護膜形成用フィルムと直接接触している層が粘着剤層以外の層であっても、この層が非エネルギー線硬化性であれば、同様の効果を奏する。 Here, the effect when the pressure-sensitive adhesive layer is non-energy ray curable has been described, but even if the layer in direct contact with the protective film-forming film of the support sheet is a layer other than the pressure-sensitive adhesive layer, If the layer is non-energy radiation curable, the same effect can be obtained.
<<粘着剤組成物の製造方法>>
 粘着剤組成物(I-1)~(I-3)や、粘着剤組成物(I-4)等の粘着剤組成物(I-1)~(I-3)以外の粘着剤組成物は、前記粘着剤と、必要に応じて前記粘着剤以外の成分等の、粘着剤組成物を構成するための各成分を配合することで得られる。
 各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、2種以上の成分を同時に添加してもよい。
 溶媒を用いる場合には、溶媒を溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。
 配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法;ミキサーを用いて混合する方法;超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
 各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は15~30℃であることが好ましい。
<< Method of producing pressure-sensitive adhesive composition >>
Pressure-sensitive adhesive compositions other than pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3) and pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3) such as pressure-sensitive adhesive composition (I-4) It is obtained by blending the pressure-sensitive adhesive and, if necessary, each component for constituting the pressure-sensitive adhesive composition, such as components other than the pressure-sensitive adhesive.
There is no particular limitation on the order of addition of each component at the time of blending, and two or more components may be added simultaneously.
When a solvent is used, it may be used by mixing the solvent with any compounding component other than the solvent and diluting this compounding component in advance, or by previously diluting any compounding component other than the solvent A solvent may be used by mixing with these compounding ingredients without storage.
The method of mixing each component at the time of compounding is not particularly limited, and a method of mixing by rotating a stirrer or a stirring blade, etc .; a method of mixing using a mixer; a method of adding ultrasonic waves and mixing, etc. It may be selected as appropriate.
The temperature and time of addition and mixing of the respective components are not particularly limited as long as the respective blended components do not deteriorate, and may be appropriately adjusted, but the temperature is preferably 15 to 30 ° C.
◇保護膜形成用複合シートの製造方法
 前記保護膜形成用複合シートは、上述の各層を対応する位置関係となるように積層することで製造できる。各層の形成方法は、先に説明したとおりである。
 例えば、支持シートを製造するときに、基材上に粘着剤層を積層する場合には、基材上に上述の粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させればよい。
製造 Method of Producing Protective Film-Forming Composite Sheet The protective film-forming composite sheet can be produced by laminating the above-described respective layers so as to have a corresponding positional relationship. The method of forming each layer is as described above.
For example, in the case of laminating a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate when manufacturing a support sheet, the above-mentioned pressure-sensitive adhesive composition may be coated on the substrate and dried as necessary.
 一方、例えば、基材上に積層済みの粘着剤層の上に、さらに保護膜形成用フィルムを積層する場合には、粘着剤層上に保護膜形成用組成物を塗工して、保護膜形成用フィルムを直接形成することが可能である。保護膜形成用フィルム以外の層も、この層を形成するための組成物を用いて、同様の方法で、粘着剤層の上にこの層を積層できる。このように、いずれかの組成物を用いて、連続する2層の積層構造を形成する場合には、前記組成物から形成された層の上に、さらに組成物を塗工して新たに層を形成することが可能である。ただし、これら2層のうちの後から積層する層は、別の剥離フィルム上に前記組成物を用いてあらかじめ形成しておき、この形成済みの層の前記剥離フィルムと接触している側とは反対側の露出面を、既に形成済みの残りの層の露出面と貼り合わせることで、連続する2層の積層構造を形成することが好ましい。このとき、前記組成物は、剥離フィルムの剥離処理面に塗工することが好ましい。剥離フィルムは、積層構造の形成後、必要に応じて取り除けばよい。 On the other hand, for example, when a film for protective film formation is further laminated on the pressure-sensitive adhesive layer laminated on the substrate, the composition for protective film formation is coated on the pressure-sensitive adhesive layer to form a protective film. It is possible to form the forming film directly. Layers other than the protective film-forming film can be laminated on the pressure-sensitive adhesive layer in the same manner using the composition for forming this layer. As described above, in the case of forming a continuous two-layer laminated structure using any of the compositions, the composition is further coated on the layer formed of the composition to form a new layer. It is possible to form However, of these two layers, the layer to be laminated later is formed in advance using the composition on another release film, and the side of the formed layer in contact with the release film is It is preferable to form a continuous two-layered laminated structure by bonding the opposite exposed surface to the exposed surface of the remaining layer that has already been formed. At this time, the composition is preferably applied to the release-treated surface of the release film. The release film may be removed as necessary after the formation of the laminated structure.
 例えば、基材上に粘着剤層が積層され、前記粘着剤層上に保護膜形成用フィルムが積層されてなる保護膜形成用複合シート(換言すると、支持シートが基材及び粘着剤層の積層物である保護膜形成用複合シート)を製造する場合には、基材上に粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、基材上に粘着剤層を積層しておき、別途、剥離フィルム上に保護膜形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、剥離フィルム上に保護膜形成用フィルムを形成しておく。そして、この保護膜形成用フィルムの露出面を、基材上に積層済みの粘着剤層の露出面と貼り合わせて、保護膜形成用フィルムを粘着剤層上に積層することで、保護膜形成用複合シートが得られる。 For example, a composite sheet for protective film formation, in which an adhesive layer is laminated on a substrate and a protective film-forming film is laminated on the adhesive layer (in other words, a support sheet is a laminate of a substrate and an adhesive layer) In the case of producing a composite sheet for forming a protective film, which is a product, the pressure-sensitive adhesive composition is coated on a base material, and dried as needed to laminate the pressure-sensitive adhesive layer on the base material. The film for protective film formation is separately formed on the peelable film by coating the composition for protective film formation separately on the peelable film and drying it as needed. Then, the exposed surface of the protective film-forming film is attached to the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer laminated on the substrate, and the protective film-forming film is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer to form a protective film. Composite sheet is obtained.
 なお、基材上に粘着剤層を積層する場合には、上述の様に、基材上に粘着剤組成物を塗工する方法に代えて、剥離フィルム上に粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、剥離フィルム上に粘着剤層を形成しておき、この層の露出面を、基材の一方の表面と貼り合わせることで、粘着剤層を基材上に積層してもよい。
 いずれの方法においても、剥離フィルムは目的とする積層構造を形成後の任意のタイミングで取り除けばよい。
In addition, when laminating an adhesive layer on a base material, it replaces with the method of coating an adhesive composition on a base material as mentioned above, and applies an adhesive composition on a peeling film. If necessary, the pressure-sensitive adhesive layer is formed on the release film, and the exposed surface of this layer is bonded to one surface of the substrate to form the pressure-sensitive adhesive layer on the substrate. It may be stacked.
In any of the methods, the release film may be removed at any timing after formation of the intended laminated structure.
 このように、保護膜形成用複合シートを構成する基材以外の層はいずれも、剥離フィルム上にあらかじめ形成しておき、目的とする層の表面に貼り合わせる方法で積層できるため、必要に応じてこのような工程を採用する層を適宜選択して、保護膜形成用複合シートを製造すればよい。 As described above, any layers other than the base material constituting the composite sheet for forming a protective film can be formed in advance on the peelable film and laminated on the surface of the intended layer, as required. A layer adopting such a process may be appropriately selected to manufacture a composite sheet for forming a protective film.
 なお、保護膜形成用複合シートは、通常、その支持シートとは反対側の最表層(例えば、保護膜形成用フィルム)の表面に剥離フィルムが貼り合わされた状態で保管される。したがって、この剥離フィルム(好ましくはその剥離処理面)上に、保護膜形成用組成物等の、最表層を構成する層を形成するための組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、剥離フィルム上に最表層を構成する層を形成しておき、この層の剥離フィルムと接触している側とは反対側の露出面上に残りの各層を上述のいずれかの方法で積層し、剥離フィルムを取り除かずに貼り合わせた状態のままとすることでも、保護膜形成用複合シートが得られる。 In addition, the composite sheet for protective film formation is normally stored in the state in which the peeling film was bonded together on the surface of the outermost layer (for example, film for protective film formation) on the opposite side to the support sheet. Therefore, a composition for forming a layer constituting the outermost layer, such as a composition for forming a protective film, is coated on the release film (preferably, the release-treated surface thereof), and dried as necessary. Then, the layer constituting the outermost layer is formed on the release film, and the remaining layers are laminated by any of the methods described above on the exposed surface of the layer opposite to the side in contact with the release film. The composite film for forming a protective film can also be obtained by leaving the release film in place without removing it.
◇半導体チップの製造方法
 前記保護膜形成用フィルム及び保護膜形成用複合シートは、半導体チップの製造に用いることができる。
 このときの半導体チップの製造方法としては、例えば、前記保護膜形成用複合シートを構成していない保護膜形成用フィルム、又は前記保護膜形成用複合シート中の保護膜形成用フィルムを、半導体ウエハに貼付する工程(以下、「貼付工程」と略記することがある)と、前記半導体ウエハに貼付した後の前記保護膜形成用フィルムにエネルギー線を照射することにより、保護膜を形成する工程(以下、「保護膜形成工程」と略記することがある)と、前記半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、前記保護膜又は保護膜形成用フィルムを介してレーザー光を照射することにより、前記半導体ウエハの内部に改質層を形成する工程(以下、「改質層形成工程」と略記することがある)と、前記改質層を形成した前記半導体ウエハを、前記保護膜又は保護膜形成用フィルムとともに、前記保護膜又は保護膜形成用フィルムの表面方向(表面に対して平行な方向)にエキスパンドすることにより、前記保護膜又は保護膜形成用フィルムを切断するとともに、前記改質層の部位において前記半導体ウエハを分割し、複数個の半導体チップを得る工程(以下、「分割工程」と略記することがある)と、を有するものが挙げられる。
Method of Manufacturing Semiconductor Chip The film for forming a protective film and the composite sheet for forming a protective film can be used for manufacturing a semiconductor chip.
As a method for manufacturing a semiconductor chip at this time, for example, a film for forming a protective film which does not constitute the composite sheet for forming a protective film, or a film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film is used as a semiconductor wafer. Of forming a protective film by applying an energy ray to the step of attaching to a semiconductor (hereinafter sometimes abbreviated as “adhering step”) and the film for forming a protective film after being attached to the semiconductor wafer ( Hereinafter, it may be abbreviated as “protective film formation process” and laser light is irradiated through the protective film or the protective film formation film so as to focus on the focal point set inside the semiconductor wafer. Of forming a modified layer inside the semiconductor wafer (hereinafter sometimes abbreviated as “modified layer forming step”), and the semiconductor wafer having the modified layer formed thereon. Together with the protective film or the protective film-forming film by expanding the protective film or the protective film-forming film in the surface direction (direction parallel to the surface) of the protective film or the protective film-forming film. What has the process (It may abbreviate as a "division | segmentation process" hereafter) of dividing | segmenting the said semiconductor wafer in the site | part of the said modification layer while cutting | disconnecting, and obtaining several semiconductor chips.
 ここでは、半導体ウエハのエキスパンドの方向を、保護膜又は保護膜形成用フィルムの表面方向と特定しているが、通常、この表面方向は、半導体ウエハの表面方向(例えば、前記裏面の方向)と同じである。 Here, although the direction of expansion of the semiconductor wafer is specified as the surface direction of the protective film or the film for forming a protective film, generally, this surface direction is the surface direction of the semiconductor wafer (for example, the direction of the back surface). It is the same.
 以下、図面を参照しながら、上述の製造方法について説明する。図7~図9は、保護膜形成用複合シートを構成していない保護膜形成用フィルムを用いた場合の、半導体チップの製造方法の一実施形態を、模式的に説明するための断面図である。また、図10~図12は、保護膜形成用フィルムを予め支持シートと一体化させて構成した保護膜形成用複合シートを用いた場合の、半導体チップの製造方法の一実施形態を、模式的に説明するための断面図である。 Hereinafter, the above-mentioned manufacturing method will be described with reference to the drawings. FIGS. 7 to 9 are cross-sectional views for schematically describing one embodiment of a method of manufacturing a semiconductor chip in the case of using a film for forming a protective film which does not constitute a composite sheet for forming a protective film. is there. 10 to 12 schematically show an embodiment of a method of manufacturing a semiconductor chip in the case of using a composite sheet for protective film formation in which a protective film-forming film is integrated with a support sheet in advance. It is sectional drawing for demonstrating to FIG.
<<保護膜形成用複合シートを構成していない保護膜形成用フィルムを用いる場合の半導体チップの製造方法>>
 まず、保護膜形成用複合シートを構成していない保護膜形成用フィルムを用いた場合の、半導体チップの製造方法の一実施形態について、保護膜形成用フィルムが図1に示すものである場合を例に挙げて、説明する(本実施形態を「製造方法(1)-1」と称することがある)。
<< Method of manufacturing semiconductor chip when using a film for forming a protective film which does not constitute a composite sheet for forming a protective film >>
First, in one embodiment of a method of manufacturing a semiconductor chip in the case of using a film for forming a protective film which does not constitute the composite sheet for forming a protective film, the case where the film for forming a protective film is as shown in FIG. This will be described by way of example (this embodiment may be referred to as “manufacturing method (1) -1”).
 製造方法(1)-1の前記貼付工程においては、図7(a)に示すように、半導体ウエハ9の裏面(換言すると、電極形成面とは反対側の面)9bに保護膜形成用フィルム13を貼付する。ここでは、保護膜形成用フィルム13から第1剥離フィルム151を取り除き、保護膜形成用フィルム13の第1面13aを半導体ウエハ9の裏面9bに貼り合わせた場合を示している。また、ここでは、半導体ウエハ9において、回路面上のバンプ等の図示を省略している。 In the attaching step of the manufacturing method (1) -1, as shown in FIG. 7A, a film for forming a protective film is formed on the back surface (in other words, the surface opposite to the electrode formation surface) 9b of the semiconductor wafer 9. Stick 13 Here, the case where the first release film 151 is removed from the protective film formation film 13 and the first surface 13a of the protective film formation film 13 is bonded to the back surface 9b of the semiconductor wafer 9 is shown. Further, in the semiconductor wafer 9, illustration of bumps and the like on the circuit surface is omitted here.
 製造方法(1)-1の貼付工程後は、前記保護膜形成工程において、半導体ウエハ9に貼付した後の保護膜形成用フィルム13にエネルギー線を照射することにより、図7(b)に示すように、半導体ウエハ9に保護膜13’を形成する。エネルギー線の照射は、保護膜形成用フィルム13から第2剥離フィルム152を取り除いてから行ってもよい。 As shown in FIG. 7 (b), after applying the manufacturing method (1) -1, in the protective film forming step, the protective film forming film 13 after being attached to the semiconductor wafer 9 is irradiated with an energy beam. As described above, the protective film 13 ′ is formed on the semiconductor wafer 9. The irradiation of the energy rays may be performed after removing the second release film 152 from the protective film-forming film 13.
 また、製造方法(1)-1の貼付工程後は、前記改質層形成工程において、半導体ウエハ9の内部に設定された焦点に集束するように、保護膜13’を介して、レーザー光を照射することにより、図7(c)に示すように、半導体ウエハ9の内部に改質層91を形成する。レーザー光の照射は、保護膜13’から第2剥離フィルム152を取り除いてから行う。 In addition, after the attaching process of the manufacturing method (1) -1, the laser beam is passed through the protective film 13 ′ so as to focus on the focal point set inside the semiconductor wafer 9 in the modified layer forming process. By irradiation, as shown in FIG. 7C, the modified layer 91 is formed inside the semiconductor wafer 9. The irradiation of the laser beam is performed after removing the second peeling film 152 from the protective film 13 ′.
 製造方法(1)-1の改質層形成工程後は、前記分割工程に先立って、図7(d)に示すように、保護膜13’の半導体ウエハ9が貼付されている側の面(本明細書においては、「第1面」と称することがある)13a’とは反対側の面(本明細書においては、「第2面」と称することがある)13b’に、支持シート10を貼付する。支持シート10は、図2等で示したものであり、その粘着剤層12によって、保護膜13’に貼付される。 After the modified layer forming step of the manufacturing method (1) -1, prior to the dividing step, as shown in FIG. 7D, the surface of the protective film 13 ′ on the side to which the semiconductor wafer 9 is attached In the present specification, the support sheet 10 is provided on a surface (sometimes referred to as “second surface” herein) 13 b ′ opposite to the “first surface” 13 a ′. Stick the The support sheet 10 is shown in FIG. 2 and the like, and is attached to the protective film 13 ′ by the pressure-sensitive adhesive layer 12.
 次いで、製造方法(1)-1の前記分割工程において、改質層91を形成した半導体ウエハ9を、保護膜13’とともに、保護膜13’の表面(すなわち、第1面13a’又は第2面13b’)方向にエキスパンドすることにより、保護膜13’を切断するとともに、改質層91の部位において半導体ウエハ9を分割し、図7(e)に示すように、複数個の半導体チップ9’を得る。このとき、保護膜13’は、半導体ウエハ9の分割箇所、換言すると、半導体チップ9’の周縁部、に沿った位置で切断(分割)される。この切断後の保護膜13’を符号130’で示している。
 分割工程では、図7(d)中の矢印Iで示す方向に、半導体ウエハ9及び保護膜13’をエキスパンド(拡張)することにより、この方向に力(すなわち引張力)が加えられた半導体ウエハ9及び保護膜13’が分割される。
 以上により、目的とする半導体チップ9’が、保護膜付き半導体チップとして得られる。
Next, in the dividing step of the manufacturing method (1) -1, the semiconductor wafer 9 on which the modified layer 91 is formed is, together with the protective film 13 ′, the surface of the protective film 13 ′ (that is, the first surface 13a ′ or the second By expanding in the direction of the surface 13b '), the protective film 13' is cut, and the semiconductor wafer 9 is divided at the portion of the modified layer 91, and a plurality of semiconductor chips 9 is obtained as shown in FIG. Get '. At this time, the protective film 13 'is cut (divided) at a position along the dividing portion of the semiconductor wafer 9, in other words, the peripheral portion of the semiconductor chip 9'. The protective film 13 'after this cutting is indicated by reference numeral 130'.
In the dividing step, the semiconductor wafer 9 and the protective film 13 ′ are expanded (expanded) in the direction indicated by the arrow I in FIG. 9 and the protective film 13 'are divided.
Thus, the target semiconductor chip 9 'is obtained as a semiconductor chip with a protective film.
 なお、図7では、保護膜形成工程及び改質層形成工程を行ってから、保護膜13’へ支持シート10を貼付する場合について示している。ただし、製造方法(1)-1においては、保護膜形成用フィルム13へ支持シート10を貼付してから、保護膜形成工程及び改質層形成工程を行ってもよいし、保護膜形成工程後、保護膜13’へ支持シート10を貼付してから、改質層形成工程を行ってもよい。 In addition, in FIG. 7, after performing a protective film formation process and a modification layer formation process, it shows about the case where the support sheet 10 is stuck on protective film 13 '. However, in the production method (1) -1, after the support sheet 10 is attached to the film 13 for forming a protective film, the process of forming a protective film and the process of forming a modified layer may be performed. After the support sheet 10 is attached to the protective film 13 ′, the modified layer forming step may be performed.
 製造方法(1)-1においては、保護膜形成用フィルム13を用いていることにより、前記分割工程において、半導体ウエハ9を分割して半導体チップ9’としたときに、保護膜13’又は切断後の保護膜130’からの、半導体チップ9’の浮きを抑制できる。 In the manufacturing method (1) -1, when the semiconductor wafer 9 is divided into semiconductor chips 9 ′ in the dividing step by using the protective film-forming film 13, the protective film 13 ′ or the cutting is performed. It is possible to suppress floating of the semiconductor chip 9 'from the later protective film 130'.
 製造方法(1)-1においては、保護膜形成工程後に改質層形成工程を行うが、本実施形態に係る半導体チップの製造方法においては、改質層形成工程後に保護膜形成工程を行ってもよい(本実施形態を「製造方法(1)-2」と称することがある)。
 図8は、このような半導体チップの製造方法の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。
In the manufacturing method (1) -1, the modified layer forming step is performed after the protective film forming step, but in the semiconductor chip manufacturing method according to the present embodiment, the protective film forming step is performed after the modified layer forming step. (This embodiment may be referred to as “production method (1) -2”).
FIG. 8 is a cross-sectional view for schematically describing one embodiment of a method of manufacturing such a semiconductor chip.
 製造方法(1)-2の前記貼付工程では、製造方法(1)-1の場合と同様に、図8(a)に示すように、半導体ウエハ9の裏面9bに保護膜形成用フィルム13を貼付する。 In the attaching step of the manufacturing method (1) -2, as in the case of the manufacturing method (1) -1, as shown in FIG. 8A, the film 13 for forming a protective film is formed on the back surface 9b of the semiconductor wafer 9. Stick it.
 製造方法(1)-2の貼付工程後は、前記改質層形成工程において、半導体ウエハ9の内部に設定された焦点に集束するように、保護膜形成用フィルム13を介して、レーザー光を照射することにより、図8(b)に示すように、半導体ウエハ9の内部に改質層91を形成する。レーザー光の照射は、保護膜形成用フィルム13から第2剥離フィルム152を取り除いてから行う。 After the attaching step of the manufacturing method (1) -2, in the modified layer forming step, the laser beam is applied via the protective film formation film 13 so as to focus on the focal point set inside the semiconductor wafer 9 By irradiation, as shown in FIG. 8B, the modified layer 91 is formed inside the semiconductor wafer 9. The irradiation of the laser beam is performed after removing the second peeling film 152 from the film 13 for forming a protective film.
 また、製造方法(1)-2の貼付工程後は、前記保護膜形成工程において、半導体ウエハ9に貼付した後の保護膜形成用フィルム13にエネルギー線を照射することにより、図8(c)に示すように、半導体ウエハ9に保護膜13’を形成する。本工程を行うことにより、製造方法(1)-1の改質層形成工程終了後、すなわち、図7(c)と同じ状態の保護膜付き半導体ウエハが得られる。 Moreover, after the sticking process of manufacturing method (1) -2, in the said protective film formation process, the energy beam is irradiated to the film 13 for protective film formation after sticking to the semiconductor wafer 9, and FIG. 8 (c) As shown in FIG. 2, a protective film 13 ′ is formed on the semiconductor wafer 9. By performing this step, after completion of the modified layer forming step of the manufacturing method (1) -1, a semiconductor wafer with a protective film in the same state as that of FIG. 7C can be obtained.
 以降は、図8(d)~図8(e)に示すように、製造方法(1)-1の場合と同様に(より具体的には、図7(d)~図7(e)に示すように)、保護膜13’の第2面13b’に、支持シート10を貼付し、次いで、前記分割工程を行うことにより、保護膜13’を切断するとともに、改質層91の部位において半導体ウエハ9を分割し、複数個の半導体チップ9’を得る。
 以上により、目的とする半導体チップ9’が、保護膜付き半導体チップとして得られる。
Thereafter, as shown in FIGS. 8 (d) to 8 (e), as in the case of the manufacturing method (1) -1, (more specifically, in FIGS. 7 (d) to 7 (e)) As shown), by attaching the support sheet 10 to the second surface 13b ′ of the protective film 13 ′ and then performing the dividing step, the protective film 13 ′ is cut and at the site of the modified layer 91 The semiconductor wafer 9 is divided to obtain a plurality of semiconductor chips 9 '.
Thus, the target semiconductor chip 9 'is obtained as a semiconductor chip with a protective film.
 なお、図8では、改質層形成工程及び保護膜形成工程を行ってから、保護膜13’へ支持シート10を貼付する場合について示している。ただし、製造方法(1)-2においては、保護膜形成用フィルム13へ支持シート10を貼付してから、改質層形成工程及び保護膜形成工程を行ってもよいし、改質層形成工程後、保護膜形成用フィルム13へ支持シート10を貼付してから、保護膜形成工程を行ってもよい。 In addition, in FIG. 8, after performing a modification layer formation process and a protective film formation process, it shows about the case where the support sheet 10 is stuck on protective film 13 '. However, in the production method (1) -2, after the support sheet 10 is attached to the film 13 for forming a protective film, the step of forming a modified layer and the step of forming a protective film may be performed. Thereafter, after the support sheet 10 is attached to the protective film-forming film 13, the protective film-forming step may be performed.
 製造方法(1)-2においても、保護膜形成用フィルム13を用いていることにより、前記分割工程において、半導体ウエハ9を分割して半導体チップ9’としたときに、保護膜13’又は切断後の保護膜130’からの、半導体チップ9’の浮きを抑制できる。 Also in the manufacturing method (1) -2, when the semiconductor wafer 9 is divided into semiconductor chips 9 ′ in the dividing step by using the protective film-forming film 13, the protective film 13 ′ or the cutting is performed. It is possible to suppress floating of the semiconductor chip 9 'from the later protective film 130'.
 製造方法(1)-1及び(1)-2においては、保護膜形成工程後に分割工程を行うが、本実施形態に係る半導体チップの製造方法においては、保護膜形成工程を行わずに分割工程を行い、分割工程後に保護膜形成工程を行ってもよい(本実施形態を「製造方法(1)-3」と称することがある)。
 図9は、このような半導体チップの製造方法の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。
In the manufacturing methods (1) -1 and (1) -2, the dividing step is performed after the protective film forming step, but in the semiconductor chip manufacturing method according to the present embodiment, the dividing step is not performed. And the protective film forming step may be performed after the dividing step (this embodiment may be referred to as “manufacturing method (1) -3”).
FIG. 9 is a cross-sectional view for schematically describing one embodiment of a method of manufacturing such a semiconductor chip.
 製造方法(1)-3の前記貼付工程及び改質層形成工程は、図9(a)~図9(b)に示すように、製造方法(1)-2の貼付工程及び改質層形成工程と同様の方法で(より具体的には、図8(a)~図8(b)に示すように)行うことができる。 As shown in FIGS. 9 (a) to 9 (b), the attaching process and the modified layer forming process of the manufacturing method (1) -3 are the attaching process and the modified layer formation of the manufacturing method (1) -2. It can be carried out by the same method as the process (more specifically, as shown in FIG. 8A to FIG. 8B).
 製造方法(1)-3の改質層形成工程後は、前記分割工程に先立って、図9(c)に示すように、保護膜形成用フィルム13の第2面13bに、支持シート10を貼付する。 After the modifying layer forming step of production method (1) -3, prior to the dividing step, as shown in FIG. 9C, the supporting sheet 10 is formed on the second surface 13b of the protective film-forming film 13. Stick it.
 次いで、製造方法(1)-3の前記分割工程において、改質層91を形成した半導体ウエハ9を、保護膜形成用フィルム13とともに、保護膜形成用フィルム13の表面(すなわち、第1面13a又は第2面13b)方向にエキスパンドすることにより、保護膜形成用フィルム13を切断するとともに、改質層91の部位において半導体ウエハ9を分割し、図9(d)に示すように、複数個の半導体チップ9’を得る。このとき、保護膜形成用フィルム13は、半導体ウエハ9の分割箇所、換言すると、半導体チップ9’の周縁部、に沿った位置で切断(分割)される。この切断後の保護膜形成用フィルム13を符号130で示している。 分割工程では、図9(c)中の矢印Iで示す方向に、半導体ウエハ9及び保護膜形成用フィルム13をエキスパンド(拡張)することにより、この方向に力(すなわち引張力)が加えられた半導体ウエハ9及び保護膜形成用フィルム13が分割される。
 以上により、目的とする半導体チップ9’が、保護膜形成用フィルム付き半導体チップとして得られる。
Next, in the dividing step of the manufacturing method (1) -3, the semiconductor wafer 9 on which the modified layer 91 is formed is, together with the protective film forming film 13, the surface of the protective film forming film 13 (that is, the first surface 13 a Alternatively, the protective film-forming film 13 is cut by expanding in the direction of the second surface 13b), and the semiconductor wafer 9 is divided at the portion of the modified layer 91, as shown in FIG. The semiconductor chip 9 'is obtained. At this time, the protective film-forming film 13 is cut (divided) at a position along the dividing portion of the semiconductor wafer 9, in other words, the peripheral portion of the semiconductor chip 9 ′. The film 13 for protective film formation after this cutting | disconnection is shown by code | symbol 130. FIG. In the dividing step, a force (that is, a tensile force) is applied in this direction by expanding (expanding) the semiconductor wafer 9 and the film 13 for forming a protective film in the direction indicated by the arrow I in FIG. 9C. The semiconductor wafer 9 and the protective film forming film 13 are divided.
Thus, the target semiconductor chip 9 'is obtained as a semiconductor chip with a film for protective film formation.
 なお、図9では、改質層形成工程を行ってから、保護膜形成用フィルム13へ支持シート10を貼付する場合について示している。ただし、製造方法(1)-3においては、保護膜形成用フィルム13へ支持シート10を貼付してから、改質層形成工程を行ってもよい。 In addition, in FIG. 9, after performing a modification layer formation process, it shows about the case where the support sheet 10 is stuck on the film 13 for protective film formation. However, in the production method (1) -3, after the support sheet 10 is attached to the protective film-forming film 13, the modified layer forming step may be performed.
 製造方法(1)-3においては、保護膜形成用フィルム13を用いていることにより、前記分割工程において、半導体ウエハ9を分割して半導体チップ9’としたときに、保護膜形成用フィルム13又は切断後の保護膜形成用フィルム130からの、半導体チップ9’の浮きを抑制できる。 In the manufacturing method (1) -3, when the semiconductor wafer 9 is divided into semiconductor chips 9 ′ in the dividing step by using the film 13 for forming a protective film, the film 13 for forming a protective film is used. Or floating of semiconductor chip 9 'from film 130 for protective film formation after a cut can be controlled.
 製造方法(1)-3においては、前記分割工程後、支持シート10を介して保護膜形成用フィルム130にエネルギー線を照射することにより、図9(e)に示すように、半導体チップ9’に保護膜130’を形成すればよい。
 図9(e)では、半導体チップ9’のピックアップ前に保護膜130’を形成する場合について示しているが、保護膜130’の形成は、半導体チップ9’のピックアップ後等の、分割工程後の任意のタイミングで行うことができる。
In the manufacturing method (1) -3, after the dividing step, the protective film-forming film 130 is irradiated with an energy beam through the support sheet 10, as shown in FIG. The protective film 130 'may be formed on the
Although FIG. 9E shows the case where the protective film 130 'is formed before picking up the semiconductor chip 9', the protective film 130 'is formed after the division process such as after picking up the semiconductor chip 9'. It can be done at any time.
<<保護膜形成用フィルムを予め支持シートと一体化させた保護膜形成用複合シートを用いる場合の半導体チップの製造方法>>
 次に、保護膜形成用フィルムを予め支持シートと一体化させて構成した保護膜形成用複合シートを用いた場合の、半導体チップの製造方法の一実施形態について、保護膜形成用複合シートが図2に示すものである場合を例に挙げて、説明する(本実施形態を「製造方法(2)-1」と称することがある)。
<< Method of manufacturing semiconductor chip in the case of using a composite sheet for protective film formation in which a film for protective film formation is previously integrated with a support sheet >>
Next, the composite sheet for protective film formation is a figure about one embodiment of the manufacturing method of a semiconductor chip at the time of using the composite sheet for protective film formation which integrated the film for protective film formation beforehand with the support sheet, and was constituted. A case shown in FIG. 2 will be described as an example (this embodiment may be referred to as “manufacturing method (2) -1”).
 製造方法(2)-1の前記貼付工程においては、図10(a)に示すように、半導体ウエハ9の裏面9bに、保護膜形成用複合シート1A中の保護膜形成用フィルム13を貼付する。保護膜形成用複合シート1Aは、剥離フィルム15を取り除いて用いる。 In the attaching process of the manufacturing method (2) -1, as shown in FIG. 10A, the film 13 for forming a protective film in the composite sheet 1A for forming a protective film is attached to the back surface 9b of the semiconductor wafer 9 . The protective film-forming composite sheet 1A is used after removing the release film 15.
 製造方法(2)-1の貼付工程後は、前記保護膜形成工程において、半導体ウエハ9に貼付した後の保護膜形成用フィルム13にエネルギー線を照射することにより、図10(b)に示すように、半導体ウエハ9に保護膜13’を形成する。このとき、エネルギー線は、支持シート10を介して保護膜形成用フィルム13に照射する。
 なお、ここでは、保護膜形成用フィルム13が保護膜13’となった後の保護膜形成用複合シートを、符号1A’で示している。これは、以降の図においても同様である。
As shown in FIG. 10B, after applying the manufacturing method (2) -1, in the protective film forming step, the protective film forming film 13 after being attached to the semiconductor wafer 9 is irradiated with an energy beam. As described above, the protective film 13 ′ is formed on the semiconductor wafer 9. At this time, the energy ray is irradiated to the film 13 for protective film formation through the support sheet 10.
In addition, the composite sheet for protective film formation after the film 13 for protective film formation becomes protective film 13 'is shown with code | symbol 1 A' here. This is the same in the following figures.
 製造方法(2)-1の貼付工程後は、前記改質層形成工程において、半導体ウエハ9の内部に設定された焦点に集束するように、保護膜13’ (換言すると保護膜形成用複合シート1A’)を介して、レーザー光を照射することにより、図10(c)に示すように、半導体ウエハ9の内部に改質層91を形成する。 After the attaching process of the manufacturing method (2) -1, the protective film 13 '(in other words, a composite sheet for forming a protective film) is focused so as to focus on the focal point set inside the semiconductor wafer 9 in the modified layer forming process. By irradiating a laser beam through 1A ′), as shown in FIG. 10C, a modified layer 91 is formed inside the semiconductor wafer 9.
 次いで、製造方法(2)-1の前記分割工程において、改質層91を形成した半導体ウエハ9を、保護膜13’とともに、保護膜13’の表面(すなわち、第1面13a’又は第2面13b’)方向にエキスパンドすることにより、保護膜13’を切断するとともに、改質層91の部位において半導体ウエハ9を分割し、図10(d)に示すように、複数個の半導体チップ9’を得る。このとき、保護膜13’は、半導体ウエハ9の分割箇所、換言すると、半導体チップ9’の周縁部、に沿った位置で切断(分割)され、保護膜130’となる。 分割工程では、図10(c)中の矢印Iで示す方向に、半導体ウエハ9及び保護膜13’をエキスパンド(拡張)することにより、この方向に力(すなわち引張力)が加えられた半導体ウエハ9及び保護膜13’が分割される。
 以上により、目的とする半導体チップ9’が、保護膜付き半導体チップとして得られる。
Next, in the dividing step of the manufacturing method (2) -1, the semiconductor wafer 9 on which the modified layer 91 is formed is, together with the protective film 13 ′, the surface of the protective film 13 ′ (that is, the first surface 13a ′ or the second By expanding in the direction of the surface 13b '), the protective film 13' is cut, and the semiconductor wafer 9 is divided at the portion of the modified layer 91, and a plurality of semiconductor chips 9 is obtained as shown in FIG. Get '. At this time, the protective film 13 'is cut (divided) at a position along the dividing portion of the semiconductor wafer 9, in other words, the peripheral portion of the semiconductor chip 9', to form a protective film 130 '. In the dividing step, the semiconductor wafer 9 and the protective film 13 ′ are expanded (expanded) in the direction indicated by the arrow I in FIG. 9 and the protective film 13 'are divided.
Thus, the target semiconductor chip 9 'is obtained as a semiconductor chip with a protective film.
 製造方法(2)-1においては、保護膜形成用フィルム13を用いていることにより、前記分割工程において、半導体ウエハ9を分割して半導体チップ9’としたときに、保護膜13’又は切断後の保護膜130’からの半導体チップ9’の浮きを抑制できる。 In the production method (2) -1, when the semiconductor wafer 9 is divided into semiconductor chips 9 ′ in the dividing step by using the protective film-forming film 13, the protective film 13 ′ or the cutting is performed. It is possible to suppress the floating of the semiconductor chip 9 ′ from the later protective film 130 ′.
 製造方法(2)-1においては、保護膜形成工程後に改質層形成工程を行うが、本実施形態に係る半導体チップの製造方法においては、改質層形成工程後に保護膜形成工程を行ってもよい(本実施形態を「製造方法(2)-2」と称することがある)。
 図11は、このような半導体チップの製造方法の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。
In the manufacturing method (2) -1, the modified layer forming step is performed after the protective film forming step, but in the method of manufacturing the semiconductor chip according to the present embodiment, the protective film forming step is performed after the modified layer forming step. (This embodiment may be referred to as “production method (2) -2”).
FIG. 11 is a cross-sectional view for schematically describing one embodiment of a method of manufacturing such a semiconductor chip.
 製造方法(2)-2では、製造方法(2)-1の場合と同様に、図11(a)に示すように、半導体ウエハ9の裏面9bに、保護膜形成用複合シート1A中の保護膜形成用フィルム13を貼付する。 In the production method (2) -2, as in the production method (2) -1, as shown in FIG. 11 (a), protection on the back surface 9b of the semiconductor wafer 9 in the composite sheet 1A for protective film formation The film forming film 13 is attached.
 製造方法(2)-2の貼付工程後は、前記改質層形成工程において、半導体ウエハ9の内部に設定された焦点に集束するように、保護膜形成用フィルム13(保護膜形成用複合シート1A)を介して、レーザー光を照射することにより、図11(b)に示すように、半導体ウエハ9の内部に改質層91を形成する。 After the attaching process of the manufacturing method (2) -2, the protective film-forming film 13 (a composite sheet for forming a protective film is formed so as to focus on the focal point set inside the semiconductor wafer 9 in the modified layer forming process. By irradiating a laser beam through 1A), as shown in FIG. 11B, the modified layer 91 is formed inside the semiconductor wafer 9.
 また、製造方法(2)-2の貼付工程後は、前記保護膜形成工程において、半導体ウエハ9に貼付した後の保護膜形成用フィルム13にエネルギー線を照射することにより、図11(c)に示すように、半導体ウエハ9に保護膜13’を形成する。本工程を行うことにより、製造方法(2)-1の改質層形成工程終了後、すなわち、図10(c)と同じ状態の保護膜付き半導体ウエハが得られる。 Moreover, after the sticking process of manufacturing method (2) -2, in the said protective film formation process, the energy beam is irradiated to the film 13 for protective film formation after sticking to the semiconductor wafer 9, FIG.11 (c) As shown in FIG. 2, a protective film 13 ′ is formed on the semiconductor wafer 9. By performing this step, after completion of the modified layer forming step of production method (2) -1, that is, a semiconductor wafer with a protective film in the same state as FIG. 10 (c) can be obtained.
 以降は、図11(d)に示すように、製造方法(2)-1の場合と同様に(より具体的には、図10(d)に示すように)、前記分割工程を行うことにより、保護膜13’を切断するとともに、改質層91の部位において半導体ウエハ9を分割し、複数個の半導体チップ9’を得る。
 以上により、目的とする半導体チップ9’が、保護膜付き半導体チップとして得られる。
Thereafter, as shown in FIG. 11 (d), the division step is performed as in the case of the manufacturing method (2) -1 (more specifically, as shown in FIG. 10 (d)). The protective film 13 'is cut, and the semiconductor wafer 9 is divided at the portion of the modified layer 91 to obtain a plurality of semiconductor chips 9'.
Thus, the target semiconductor chip 9 'is obtained as a semiconductor chip with a protective film.
 製造方法(2)-2においても、保護膜形成用フィルム13を用いていることにより、前記分割工程において、半導体ウエハ9を分割して半導体チップ9’としたときに、保護膜13’又は切断後の保護膜130’からの半導体チップ9’の浮きを抑制できる。 Also in the manufacturing method (2) -2, when the semiconductor wafer 9 is divided into semiconductor chips 9 ′ in the dividing step by using the protective film-forming film 13, the protective film 13 ′ or the cutting is performed. It is possible to suppress the floating of the semiconductor chip 9 ′ from the later protective film 130 ′.
 製造方法(2)-1及び(2)-2においては、保護膜形成工程後に分割工程を行うが、本実施形態に係る半導体チップの製造方法においては、保護膜形成工程を行わずに分割工程を行い、分割工程後に保護膜形成工程を行ってもよい(本実施形態を「製造方法(2)-3」と称することがある)。
 図12は、このような半導体チップの製造方法の一実施形態を模式的に説明するための断面図である。
In the manufacturing methods (2) -1 and (2) -2, the dividing step is performed after the protective film forming step, but in the semiconductor chip manufacturing method according to the present embodiment, the dividing step is not performed. And the protective film forming step may be performed after the dividing step (this embodiment may be referred to as “manufacturing method (2) -3”).
FIG. 12 is a cross-sectional view for schematically describing one embodiment of a method of manufacturing such a semiconductor chip.
 製造方法(2)-3の前記貼付工程及び改質層形成工程は、図12(a)~図12(b)に示すように、製造方法(2)-2の貼付工程及び改質層形成工程と同様の方法で(より具体的には、図11(a)~図11(b)に示すように)行うことができる。 As shown in FIGS. 12 (a) to 12 (b), the attaching process and the modifying layer forming process of the producing method (2) -3 are the attaching process and the modifying layer formation of the producing method (2) -2. It can be carried out by the same method as the process (more specifically, as shown in FIGS. 11 (a) to 11 (b)).
 次いで、製造方法(2)-3の前記分割工程において、改質層91を形成した半導体ウエハ9を、保護膜形成用フィルム13とともに、保護膜形成用フィルム13の表面(すなわち、第1面13a又は第2面13b)方向にエキスパンドすることにより、保護膜形成用フィルム13を切断するとともに、改質層91の部位において半導体ウエハ9を分割し、図12(c)に示すように、複数個の半導体チップ9’を得る。このとき、保護膜形成用フィルム13は、半導体ウエハ9の分割箇所、換言すると、半導体チップ9’の周縁部、に沿った位置で切断(分割)される。 分割工程では、図12(b)中の矢印Iで示す方向に、半導体ウエハ9及び保護膜形成用フィルム13をエキスパンド(拡張)することにより、この方向に力(すなわち引張力)が加えられた半導体ウエハ9及び保護膜形成用フィルム13が分割される。
 以上により、目的とする半導体チップ9’が、保護膜形成用フィルム付き半導体チップとして得られる。
Next, in the dividing step of the manufacturing method (2) -3, the semiconductor wafer 9 on which the modified layer 91 is formed is, together with the protective film forming film 13, the surface of the protective film forming film 13 (that is, the first surface 13a Alternatively, the protective film-forming film 13 is cut by expanding in the direction of the second surface 13b), and the semiconductor wafer 9 is divided at the portion of the modified layer 91, as shown in FIG. 12C. The semiconductor chip 9 'is obtained. At this time, the protective film-forming film 13 is cut (divided) at a position along the dividing portion of the semiconductor wafer 9, in other words, the peripheral portion of the semiconductor chip 9 ′. In the dividing step, a force (that is, a tensile force) is applied in this direction by expanding (expanding) the semiconductor wafer 9 and the film 13 for forming a protective film in the direction indicated by the arrow I in FIG. The semiconductor wafer 9 and the protective film forming film 13 are divided.
Thus, the target semiconductor chip 9 'is obtained as a semiconductor chip with a film for protective film formation.
 製造方法(2)-3においては、保護膜形成用フィルム13を用いていることにより、前記分割工程において、半導体ウエハ9を分割して半導体チップ9’としたときに、保護膜形成用フィルム13又は切断後の保護膜形成用フィルム130からの半導体チップ9’の浮きを抑制できる。 In the manufacturing method (2) -3, when the semiconductor wafer 9 is divided into semiconductor chips 9 ′ in the dividing step by using the film 13 for forming a protective film, the film 13 for forming a protective film is used. Or floating of semiconductor chip 9 'from film 130 for protective film formation after cutting can be controlled.
 製造方法(2)-3においては、前記分割工程後、保護膜形成用フィルム130にエネルギー線を照射することにより、図12(d)に示すように、半導体ウエハ9に保護膜130’を形成すればよい。
 図12(d)では、半導体チップ9’のピックアップ前に保護膜130’を形成する場合について示しているが、保護膜130’の形成は、半導体チップ9’のピックアップ後等の、分割工程後の任意のタイミングで行うことができる。
In the manufacturing method (2) -3, after the dividing step, the protective film 130 is irradiated with an energy beam to form a protective film 130 'on the semiconductor wafer 9 as shown in FIG. 12 (d). do it.
Although FIG. 12D shows the case where the protective film 130 'is formed before picking up the semiconductor chip 9', the protective film 130 'is formed after the division process such as after picking up the semiconductor chip 9'. It can be done at any time.
 ここまでは、図1に示す保護膜形成用フィルム13、図2に示す支持シート10、及び図2に示す保護膜形成用複合シート1Aを用いた場合の、半導体チップの製造方法について説明したが、本発明の半導体チップの製造方法は、これらに限定されない。
 例えば、保護膜形成用複合シートを用いる場合には、図3~図6に示す保護膜形成用複合シート1B~1Eや、さらに前記中間層を備えた保護膜形成用複合シート等の、図2に示す保護膜形成用複合シート1A以外のものを用いても、同様に半導体チップを製造できる。
 また、支持シートは、先に説明したような、基材のみからなるものや、中間層が積層されてなるもの等の、図2に示す支持シート10以外のものを用いても、同様に半導体チップを製造できる。
 このように、他の実施形態の保護膜形成用複合シートや支持シートを用いる場合には、これらシートの構造の相違に基づいて、上述の製造方法において、適宜、工程の追加、変更、削除等を行って、半導体チップを製造すればよい。
So far, the method of manufacturing a semiconductor chip has been described using the film 13 for forming a protective film shown in FIG. 1, the support sheet 10 shown in FIG. 2, and the composite sheet 1A for forming a protective film shown in FIG. The manufacturing method of the semiconductor chip of the present invention is not limited to these.
For example, in the case of using a composite sheet for forming a protective film, as shown in FIGS. 3 to 6, composite sheets 1B to 1E for forming a protective film and a composite sheet for forming a protective film further comprising the intermediate layer A semiconductor chip can be manufactured similarly even if using other than composite sheet 1A for protective film formation shown to these.
In addition, as the support sheet, even if the support sheet shown in FIG. 2 is used other than the support sheet 10 shown in FIG. Can produce chips.
Thus, when using the composite sheet for protective film formation of other embodiment and support sheet of other embodiments, based on the difference in the structure of these sheets, in the above-mentioned manufacturing method, addition, change, deletion of a process, etc. are carried out suitably. To manufacture a semiconductor chip.
◇半導体装置の製造方法
 上述の製造方法により、半導体チップを得た後は、この半導体チップを、分割後の保護膜が貼付された状態のまま(すなわち、保護膜付き半導体チップとして)、支持シートから引き離してピックアップする(図示略)。
 以降は従来法と同様の方法で、得られた保護膜付き半導体チップの半導体チップを、基板の回路面にフリップチップ接続した後、半導体パッケージとする。そして、この半導体パッケージを用いて、目的とする半導体装置を作製すればよい(図示略)。
Method of Manufacturing Semiconductor Device After a semiconductor chip is obtained by the above-described manufacturing method, the semiconductor chip is supported as it is with the protective film after division (ie, as a semiconductor chip with a protective film). Pull away from and pick up (not shown).
Thereafter, the obtained semiconductor chip of the semiconductor chip with a protective film is flip-chip connected to the circuit surface of the substrate by a method similar to that of the conventional method to form a semiconductor package. Then, the target semiconductor device may be manufactured using this semiconductor package (not shown).
 以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of specific examples. However, the present invention is not limited at all to the examples shown below.
<保護膜形成用組成物の製造原料>
 保護膜形成用組成物の製造に用いた原料を以下に示す。
[エネルギー線硬化性成分(a2)]
 (a2)-1:ε-カプロラクトン変性トリス-(2-アクリロキシエチル)イソシアヌレート(新中村化学工業社製「A-9300-1CL」、3官能紫外線硬化性化合物)
[エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)]
 (b)-1:アクリル酸メチル(85質量部)及びアクリル酸2-ヒドロキシエチル(以下、「HEA」と略記する)(15質量部)を共重合してなるアクリル系重合体(重量平均分子量300000、ガラス転移温度6℃)。
[光重合開始剤(c)]
 (c)-1:2-(ジメチルアミノ)-1-(4-モルホリノフェニル)-2-ベンジル-1-ブタノン(BASF社製「Irgacure(登録商標)369」)
[充填材(d)]
 (d)-1:シリカフィラー(溶融石英フィラー、平均粒子径8μm)
[カップリング剤]
 (e)-1:3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製「KBM-503」、シランカップリング剤)
[着色剤(g)]
 (g)-1:フタロシアニン系青色色素(Pigment Blue 15:3)32質量部と、イソインドリノン系黄色色素(Pigment Yellow 139)18質量部と、アントラキノン系赤色色素(Pigment Red 177)50質量部とを混合し、前記3種の色素の合計量/スチレンアクリル樹脂量=1/3(質量比)となるように顔料化して得られた顔料。
[化合物(p)]
 (p)-1:コハク酸モノ(2-アクリロイルオキシエチル)
<Manufacturing raw material of composition for protective film formation>
The raw materials used for the production of the composition for forming a protective film are shown below.
[Energy ray curable component (a2)]
(A2) -1: ε-caprolactone modified tris- (2-acryloxyethyl) isocyanurate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., “A-9300-1CL”, trifunctional UV-curable compound)
[Polymer having no energy ray curable group (b)]
(B) -1: an acrylic polymer (weight average molecular weight copolymerized with methyl acrylate (85 parts by mass) and 2-hydroxyethyl acrylate (hereinafter abbreviated as “HEA”) (15 parts by mass) 300000, glass transition temperature 6 ° C.).
[Photoinitiator (c)]
(C) -1: 2- (dimethylamino) -1- (4-morpholinophenyl) -2-benzyl-1-butanone ("Irgacure (registered trademark) 369" manufactured by BASF)
[Filler (d)]
(D) -1: silica filler (fused silica filler, average particle size 8 μm)
[Coupling agent]
(E) -1: 3-methacryloxypropyl trimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical "KBM-503", silane coupling agent)
[Colorant (g)]
(G) -1: 32 parts by mass of phthalocyanine-based blue pigment (Pigment Blue 15: 3), 18 parts by mass of isoindolinone-based yellow pigment (Pigment Yellow 139), and 50 parts by mass of anthraquinone-based red pigment (Pigment Red 177) And the pigment obtained by pigmenting so that the total amount of the three dyes / the styrene acrylic resin amount = 1/3 (mass ratio).
[Compound (p)]
(P) -1: succinic acid mono (2-acryloyloxyethyl)
[実施例1]
<保護膜形成用複合シートの製造>
(保護膜形成用組成物(IV-1)の製造)
 エネルギー線硬化性成分(a2)-1、重合体(b)-1、光重合開始剤(c)-1、充填材(d)-1、カップリング剤(e)-1、着色剤(g)-1及び化合物(p)-1を、これらの含有量(固形分量、質量部)が表1に示す値となるようにメチルエチルケトンに溶解又は分散させて、23℃で撹拌することで、固形分濃度が50質量%である保護膜形成用組成物(IV-1)を調製した。なお、表1中の含有成分の欄の「-」との記載は、保護膜形成用組成物(IV-1)がその成分を含有していないことを意味する。
Example 1
<Manufacture of composite sheet for protective film formation>
(Production of composition for forming a protective film (IV-1))
Energy ray curable component (a2) -1, polymer (b) -1, photopolymerization initiator (c) -1, filler (d) -1, coupling agent (e) -1, colorant (g) ) And compound (p) -1 are dissolved or dispersed in methyl ethyl ketone such that their contents (solid content, parts by mass) become the values shown in Table 1, and the mixture is stirred at 23 ° C. A composition (IV-1) for forming a protective film having a concentration of 50% by mass was prepared. In addition, the description of "-" in the column of the component in Table 1 means that the composition for forming a protective film (IV-1) does not contain the component.
(粘着剤組成物(I-4)の製造)
 アクリル系重合体(100質量部、固形分)、及びイソシアネート系架橋剤(日本ポリウレタン社製「コロネートL」、トリメチロールプロパンのトリレンジイソシアネート三量体付加物)(5質量部、固形分)を含有し、さらに溶媒としてメチルエチルケトンを含有する、固形分濃度が30質量%の非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物(I-4)を調製した。前記アクリル系重合体は、メタクリル酸-2-エチルヘキシル(80質量部)、及びHEA(20質量部)を共重合してなる、重量平均分子量が600000のものである。
(Production of Pressure-Sensitive Adhesive Composition (I-4))
Acrylic polymer (100 parts by mass, solid content) and isocyanate crosslinking agent ("Coronato L" manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., tolylene diisocyanate trimer adduct of trimethylolpropane) (5 parts by mass, solid content) A non-energy ray curable pressure-sensitive adhesive composition (I-4) having a solid content concentration of 30% by mass was prepared, which further contains methyl ethyl ketone as a solvent. The acrylic polymer is a copolymer having a weight average molecular weight of 600,000, which is obtained by copolymerizing 2-ethylhexyl methacrylate (80 parts by mass) and HEA (20 parts by mass).
(支持シートの製造)
 ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム(リンテック社製「SP-PET381031」、厚さ38μm)を用い、その前記剥離処理面に、上記で得られた粘着剤組成物(I-4)を塗工し、120℃で2分加熱乾燥させることにより、厚さ10μmの非エネルギー線硬化性の粘着剤層を形成した。
 次いで、この粘着剤層の露出面に、基材としてポリプロピレン系フィルム(厚さ80μm)を貼り合せることにより、基材、粘着剤層及び剥離フィルムがこの順に、これらの厚さ方向において積層されてなる支持シートを得た。
(Manufacture of support sheet)
The pressure-sensitive adhesive composition obtained above was used on the release-treated surface of a release film (“SP-PET 381031” manufactured by Lintec Corporation, 38 μm thick) whose release treatment was performed on one side of a polyethylene terephthalate film by silicone treatment I-4) was coated and dried by heating at 120 ° C. for 2 minutes to form a non-energy ray curable pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm.
Then, a base material, an adhesive layer and a release film are laminated in this order in the thickness direction by laminating a polypropylene film (80 μm in thickness) as a substrate on the exposed surface of the adhesive layer. Support sheet was obtained.
(保護膜形成用複合シートの製造)
 ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム(第2剥離フィルム、リンテック社製「SP-PET382150」、厚さ38μm)を用い、その前記剥離処理面に、上記で得られた保護膜形成用組成物(IV-1)を塗工し、100℃で2分乾燥させることにより、厚さ25μmのエネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルムを製造した。
 さらに、得られた保護膜形成用フィルムの、第2剥離フィルムを備えていない側の露出面に、剥離フィルム(第1剥離フィルム、リンテック社製「SP-PET381031」、厚さ38μm)の剥離処理面を貼り合わせることにより、保護膜形成用フィルムの一方の面に第1剥離フィルムを備え、他方の面に第2剥離フィルムを備えた積層フィルムを得た。
(Manufacture of composite sheet for protective film formation)
A release film (second release film, "SP-PET 382150" manufactured by Lintec Corporation, 38 μm thick), one surface of which is a polyethylene terephthalate film, was treated by silicone treatment, and the above-mentioned release-treated surface was obtained above The composition for forming a protective film (IV-1) was applied and dried at 100 ° C. for 2 minutes to produce a 25 μm-thick film for forming a protective film for energy ray curing.
Furthermore, the exfoliation process of the exfoliation film (the 1st exfoliation film, the lintec "SP-PET 38 1031", 38 micrometers in thickness) is carried out to the exposure side of the side which is not equipped with the 2nd exfoliation film of the film for protective film formation obtained. By laminating the surfaces, a laminated film including the first release film on one surface of the protective film-forming film and the second release film on the other surface was obtained.
 次いで、上記で得られた支持シートの粘着剤層から剥離フィルムを取り除いた。また、上記で得られた積層フィルムから第1剥離フィルムを取り除いた。そして、上記の剥離フィルムを取り除いて生じた粘着剤層の露出面と、上記の第1剥離フィルムを取り除いて生じた保護膜形成用フィルムの露出面と、を貼り合わせることにより、基材、粘着剤層、保護膜形成用フィルム及び第2剥離フィルムがこの順に、これらの厚さ方向において積層されてなる保護膜形成用複合シートを作製した。 Next, the release film was removed from the pressure-sensitive adhesive layer of the support sheet obtained above. Moreover, the 1st peeling film was removed from the laminated film obtained above. And a base material and adhesion are obtained by sticking together the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer produced by removing the above-mentioned release film and the exposed surface of the film for protective film formation produced by removing the above-mentioned first release film. The composite sheet for protective film formation in which an agent layer, the film for protective film formation, and the 2nd exfoliation film are laminated in this thickness direction in this order was produced.
<保護膜形成用フィルムの評価>
(保護膜形成用フィルムとシリコンウエハとの間の粘着力)
 上記で得られた積層フィルムから第1剥離フィルムを取り除き、これにより生じた保護膜形成用フィルムの露出面に、粘着テープ(リンテック社製「D-841」)を貼付した。そして、得られたものを25mm×140mmの大きさに裁断することにより、試験片を作製した。
 次いで、得られた試験片の保護膜形成用フィルムから、第2剥離フィルムを取り除き、これにより生じた保護膜形成用フィルムの露出面を、6インチシリコンウエハ(厚さ300μm)の#2000研磨面に貼付して、30分静置した。
<Evaluation of film for protective film formation>
(Adhesive force between film for protective film formation and silicon wafer)
The first release film was removed from the laminated film obtained above, and an adhesive tape ("D-841" manufactured by Lintec Corporation) was attached to the exposed surface of the protective film-forming film produced thereby. And the test piece was produced by cutting | judged what was obtained to the magnitude | size of 25 mm x 140 mm.
Next, the second peelable film is removed from the protective film-forming film of the obtained test piece, and the exposed surface of the protective film-forming film thus formed is a # 2000 polished surface of a 6-inch silicon wafer (300 μm thick) It was stuck on the plate and left to stand for 30 minutes.
 次いで、23℃の条件下で、精密万能試験機(島津製作所製「オートグラフAG-IS」)を用いて、前記シリコンウエハから保護膜形成用フィルム及び粘着テープの積層物を、保護膜形成用フィルム及びシリコンウエハの互いに接触していた面同士が180°の角度を為すように、剥離速度300mm/minで引き剥がす、いわゆる180°剥離を行った。そして、このときの剥離力(荷重、N/25mm)を測定して、この測定値を保護膜形成用フィルムとシリコンウエハとの間の粘着力として採用した。結果を表1に示す。 Then, using the precision universal tester ("Autograph AG-IS" manufactured by Shimadzu Corporation) under the condition of 23 ° C, the laminate of the film for protective film formation and the adhesive tape from the silicon wafer is for protective film formation. So-called 180 ° peeling was performed such that peeling was performed at a peeling speed of 300 mm / min so that the surfaces of the film and the silicon wafer in contact with each other had an angle of 180 °. And the peeling force (load, N / 25 mm) at this time was measured, and this measured value was employ | adopted as an adhesive force between the film for protective film formation, and a silicon wafer. The results are shown in Table 1.
<保護膜の評価>
(半導体チップの浮きの抑制)
 上記で得られた積層フィルムから第1剥離フィルムを取り除き、これにより生じた保護膜形成用フィルムの露出面を、8インチシリコンウエハ(厚さ300μm)の#2000研磨面に貼付した。
 次いで、この保護膜形成用フィルムから第2剥離フィルムを取り除き、保護膜形成用フィルムを露出させた。また、上記で得られた支持シートの粘着剤層から剥離フィルムを取り除き、粘着剤層を露出させた。そして、粘着剤層の露出面を、保護膜形成用フィルムの露出面と貼り合わせるとともに、リングフレームに貼付することにより、基材、粘着剤層、保護膜形成用フィルム及びシリコンウエハがこの順に、これらの厚さ方向において積層されてなる積層体を、リングフレームに固定して、30分静置した。
<Evaluation of protective film>
(Suppressing of semiconductor chips)
The first release film was removed from the laminated film obtained above, and the exposed surface of the protective film-forming film thus formed was attached to the # 2000 polished surface of an 8-inch silicon wafer (300 μm in thickness).
Then, the second release film was removed from the protective film-forming film to expose the protective film-forming film. Moreover, the peeling film was removed from the adhesive layer of the support sheet obtained above, and the adhesive layer was exposed. Then, the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer is attached to the exposed surface of the protective film-forming film and attached to the ring frame, whereby the substrate, the adhesive layer, the protective film-forming film, and the silicon wafer are in this order. The laminated body laminated | stacked in these thickness direction was fixed to the ring frame, and was left still for 30 minutes.
 次いで、紫外線照射装置(リンテック社製「RAD2000m/8」)を用いて、照度195mW/cm、光量170mJ/cmの条件で、前記基材及び粘着剤層を介して保護膜形成用フィルムに紫外線を照射することで、保護膜形成用フィルムを硬化させ、保護膜とした。以降、これにより得られたもの、すなわち、前記積層体中の保護膜形成用フィルムが保護膜となったものを、「硬化後積層体」と称する。
 次いで、保護膜を介してシリコンウエハにレーザー光を照射できるように、前記硬化後積層体及びリングフレームを、これらの位置を調節しながらレーザーソー(ディスコ社製「DFL7361」)に設置した。
Then, using a UV irradiation device ("RAD 2000 m / 8" manufactured by LINTEC Corporation), under the conditions of an illuminance of 195 mW / cm 2 and a light amount of 170 mJ / cm 2, a film for protective film formation By irradiating ultraviolet rays, the film for protective film formation is cured to form a protective film. Hereinafter, the product obtained by this, that is, the product in which the protective film-forming film in the laminate becomes a protective film is referred to as a “cured after curing laminate”.
Next, the laminate after curing and the ring frame were placed on a laser saw (“DFL7361” manufactured by Disco Corporation) while adjusting their positions so that the silicon wafer could be irradiated with a laser beam through the protective film.
 次いで、 シリコンウエハの内部に設定された焦点に集束するように、支持シート及び保護膜を介して、波長が1342nmであるレーザー光を照射することにより、シリコンウエハの内部に改質層を形成した。
 次いで、前記硬化後積層体及びリングフレームを、ダイセパレーター(ディスコ社製「DDS2300」)に設置して、0℃の条件下で、前記硬化後積層体を、前記保護膜の表面方向(表面に沿った方向)にエキスパンドすることにより、保護膜を切断するとともに、前記改質層の部位においてシリコンウエハを分割して、大きさが3mm×3mmの複数個のシリコンチップを得た。
Then, a modified layer was formed inside the silicon wafer by irradiating a laser beam having a wavelength of 1342 nm through the support sheet and the protective film so as to focus on the focal point set inside the silicon wafer. .
Next, the post-curing laminate and ring frame are placed in a die separator ("DDS 2300" manufactured by Disco Corporation), and the post-curing laminate is applied to the surface direction (on the surface) of the protective film under conditions of 0 ° C. The protective film was cut by expanding in the direction along the above, and the silicon wafer was divided at the site of the modified layer to obtain a plurality of silicon chips having a size of 3 mm × 3 mm.
 次いで、得られたシリコンチップの保護膜上での分割状態を目視観察して、保護膜からの浮きが発生しているシリコンチップが全く存在しない場合には「A」と判定し、保護膜からの浮きが発生しているシリコンチップが1個以上存在している場合には「B」と判定した。結果を表1に示す。 Next, the division state of the obtained silicon chip on the protective film is visually observed, and when there is no silicon chip in which the floating from the protective film is generated, it is determined as “A”, and from the protective film When one or more silicon chips in which a float of the silicon wafer occurred were present, it was determined as "B". The results are shown in Table 1.
(保護膜のせん断強度)
 8インチシリコンウエハ(厚さ300μm)に代えて、6インチシリコンウエハ(厚さ300μm)を用いた点以外は、上記の「半導体チップの浮きの抑制」の評価時と同じ方法で、基材、粘着剤層、保護膜形成用フィルム及びシリコンウエハがこの順に、これらの厚さ方向において積層されてなる積層体を、リングフレームに固定して、30分静置した。なお、保護膜形成用フィルムは、6インチシリコンウエハの#2000研磨面に貼付した。
(Shear strength of protective film)
In the same manner as in the above-mentioned "suppression of semiconductor chip floating", except that a 6 inch silicon wafer (300 μm thick) was used instead of the 8 inch silicon wafer (300 μm thick), a substrate, A laminate comprising an adhesive layer, a protective film-forming film and a silicon wafer laminated in this order in the thickness direction was fixed to a ring frame and allowed to stand for 30 minutes. The protective film-forming film was attached to the # 2000 polished surface of a 6-inch silicon wafer.
 次いで、紫外線照射装置(リンテック社製「RAD2000m/8」)を用いて、照度195mW/cm、光量170mJ/cmの条件で、前記基材及び粘着剤層を介して保護膜形成用フィルムに紫外線を照射することで、保護膜形成用フィルムを硬化させ、保護膜とし、保護膜付きシリコンウエハを得た。
 次いで、ダイシングブレードを用いて、シリコンウエハを保護膜ごとダイシング(すなわち、保護膜付きシリコンウエハをダイシング)することにより個片化し、大きさが3mm×3mmの、保護膜を備えたシリコンチップ(すなわち保護膜付きシリコンチップ)を複数個得た。
Then, using a UV irradiation apparatus ("RAD 2000 m / 8" manufactured by LINTEC Corporation), under the conditions of an illuminance of 195 mW / cm 2 and a light quantity of 170 mJ / cm 2, a film for protective film formation is provided via the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer. The film for protective film formation was hardened by irradiating an ultraviolet ray, it was made into a protective film, and the silicon wafer with a protective film was obtained.
Then, using a dicing blade, the silicon wafer is diced together with the protective film (that is, the silicon wafer with protective film is diced), and a silicon chip with a protective film having a size of 3 mm × 3 mm (that is, A plurality of silicon chips with a protective film were obtained.
 次いで、万能型ボンドテスター(ノードソン・アドバンスト・テクノロジー社製「DAGE4000」)を用い、23℃の条件下で、シェアツールによって、200μm/sの速度で、保護膜付きシリコンチップのうちの保護膜のみに、保護膜の表面方向に力を加えた。そして、保護膜が破壊されるまでに加えられていた力の最大値を確認し、これをせん断強度(N/3mm□)として採用した。結果を表1に示す。 Next, using a universal bond tester ("DAGE 4000" manufactured by Nordson Advanced Technology), only the protective film of the protected silicon chip at a speed of 200 μm / s with a shear tool under conditions of 23 ° C. Force was applied to the surface of the protective film. Then, the maximum value of the force applied until the protective film was broken was confirmed, and this was adopted as the shear strength (N / 3 mm □). The results are shown in Table 1.
<保護膜形成用複合シートの製造、並びに保護膜形成用フィルム及び保護膜の評価>
[実施例2、比較例1]
 保護膜形成用組成物(IV-1)の製造時における配合成分の量を表1に示すとおりとした点以外は、実施例1と同じ方法で、保護膜形成用フィルム及び保護膜形成用複合シートを製造し、保護膜形成用フィルム及び保護膜を評価した。結果を表1に示す。
<Production of Composite Sheet for Forming Protective Film, and Evaluation of Film and Protective Film for Forming Protective Film>
[Example 2, Comparative Example 1]
A protective film-forming film and a protective film-forming composite were prepared in the same manner as in Example 1 except that the amounts of the compounding components at the time of production of the protective film-forming composition (IV-1) were as shown in Table 1. The sheet was manufactured, and the film for protective film formation and the protective film were evaluated. The results are shown in Table 1.
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 上記結果から明らかなように、実施例1~2では、保護膜付きシリコンウエハをエキスパンドすることにより、保護膜を切断するとともに、シリコンウエハを分割してシリコンチップとしたときに、保護膜からのシリコンチップの浮きが抑制されていた。実施例1~2では、保護膜形成用組成物(IV-1)において、溶媒以外の成分の総含有量に対する、化合物(p)の含有量の割合(すなわち、保護膜形成用フィルムにおける、保護膜形成用フィルムの総質量に対する、化合物(p)の含有量の割合)が、0.3~0.5質量%であった。また、実施例1~2では、保護膜形成用フィルムとシリコンウエハとの間の粘着力が3.8N/25mm以上(3.8~4.5N/25mm)と高かった。さらに、実施例1~2では、保護膜のせん断強度が11.3N/3mm□以上(11.3~11.4N/3mm□)と大きかった。このように、実施例1~2の保護膜形成用フィルム及び保護膜は、好ましい特性を有していた。 As is clear from the above results, in Examples 1 and 2, when the protective film is cut by expanding the silicon wafer with the protective film, and the silicon wafer is divided into silicon chips, The lift of the silicon chip has been suppressed. In Examples 1 to 2, in the composition for forming a protective film (IV-1), the ratio of the content of the compound (p) to the total content of the components other than the solvent (that is, the protection in the film for forming a protective film) The ratio of the content of the compound (p) to the total mass of the film for film formation was 0.3 to 0.5 mass%. In Examples 1 and 2, the adhesion between the protective film-forming film and the silicon wafer was as high as 3.8 N / 25 mm or more (3.8 to 4.5 N / 25 mm). Furthermore, in Examples 1 and 2, the shear strength of the protective film was as large as 11.3 N / 3 mm □ or more (11.3 to 11.4 N / 3 mm □). Thus, the protective film-forming film and the protective film of Examples 1 and 2 had favorable characteristics.
 これに対して、比較例1では、保護膜からのシリコンチップの浮きが抑制されていなかった。比較例1では、保護膜形成用組成物において、化合物(p)が不使用であった(すなわち、保護膜形成用フィルムが化合物(p)を含有していなかった)。また、比較例1では、保護膜形成用フィルムとシリコンウエハとの間の粘着力が2.6N/25mmと、実施例1~2よりも低かった。さらに、比較例1では、保護膜のせん断強度が10.1N/3mm□と、実施例1~2よりも小さかった。このように、比較例1の保護膜形成用フィルム及び保護膜は、好ましい特性を有していなかった。 On the other hand, in Comparative Example 1, the floating of the silicon chip from the protective film was not suppressed. In Comparative Example 1, the compound (p) was not used in the composition for forming a protective film (that is, the film for forming a protective film did not contain the compound (p)). In Comparative Example 1, the adhesion between the protective film-forming film and the silicon wafer was 2.6 N / 25 mm, which is lower than in Examples 1 and 2. Furthermore, in Comparative Example 1, the shear strength of the protective film was smaller than that of Examples 1 and 2 at 10.1 N / 3 mm □. Thus, the film for protective film formation of Comparative Example 1 and the protective film did not have favorable characteristics.
 これら実施例及び比較例の結果から、シリコンチップの浮きの有無は、化合物(p)の使用の有無の影響を受けることが、明確に確認された。 From the results of these Examples and Comparative Examples, it was clearly confirmed that the presence or absence of floating of the silicon chip is affected by the presence or absence of the use of the compound (p).
 本発明は、半導体装置の製造に利用可能である。 The present invention is applicable to the manufacture of semiconductor devices.
 1A,1A’,1B,1C,1D,1E・・・保護膜形成用複合シート、10・・・支持シート、10a・・・支持シートの表面(第1面)、11・・・基材、11a・・・基材の表面(第1面)、12・・・粘着剤層、12a・・・粘着剤層の表面(第1面)、13,23・・・保護膜形成用フィルム、130・・・切断後の保護膜形成用フィルム、13a,23a・・・保護膜形成用フィルムの表面(第1面)、13b・・・保護膜形成用フィルムの表面(第2面)、13’・・・保護膜、130’・・・切断後の保護膜、15・・・剥離フィルム、151・・・第1剥離フィルム、152・・・第2剥離フィルム、16・・・治具用接着剤層、16a・・・治具用接着剤層の表面、9・・・半導体ウエハ、9b・・・半導体ウエハの裏面、91・・・半導体ウエハの改質層、9’・・・半導体チップ 1A, 1A ', 1B, 1C, 1D, 1E ... composite sheet for protective film formation, 10 ... support sheet, 10a ... surface of support sheet (first surface), 11 ... base material, 11a: surface of substrate (first surface) 12: adhesive layer 12a: surface of adhesive layer (first surface) 13, 23: protective film-forming film 130 ... Film for protective film formation after cutting, 13a, 23a ... surface (first surface) of film for protective film formation, 13b ... surface (second surface) for film for protective film formation, 13 ′ ... Protective film, 130 '... Protective film after cutting, 15 ... Peeling film, 151 ... First peeling film, 152 ... Second peeling film, 16 ... Bonding for jig Agent layer, 16a: surface of adhesive layer for jig, 9: semiconductor wafer, 9b: semiconductor wafer Surface modified layer of 91 ... semiconductor wafer, 9 '... semiconductor chip

Claims (3)

  1.  エネルギー線硬化性の保護膜形成用フィルムであって、
     前記保護膜形成用フィルムは、一分子中にカルボキシ基又はカルボキシ基が塩を形成した基と、重合性基と、を有する化合物を含有する、保護膜形成用フィルム。
    An energy ray curable protective film-forming film,
    The film for protective film formation is a film for protective film formation, which contains a compound having a carboxyl group or a group in which a carboxy group has formed a salt in one molecule, and a polymerizable group.
  2.  支持シートを備え、前記支持シート上に、請求項1に記載の保護膜形成用フィルムを備えた、保護膜形成用複合シート。 A composite sheet for forming a protective film, comprising a support sheet, and the film for forming a protective film according to claim 1 on the support sheet.
  3.  請求項1に記載の保護膜形成用フィルム、又は請求項2に記載の保護膜形成用複合シート中の保護膜形成用フィルムを、半導体ウエハに貼付する工程と、
     前記半導体ウエハに貼付した後の前記保護膜形成用フィルムにエネルギー線を照射することにより、保護膜を形成する工程と、
     前記半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、前記保護膜又は保護膜形成用フィルムを介してレーザー光を照射することにより、前記半導体ウエハの内部に改質層を形成する工程と、
     前記改質層を形成した前記半導体ウエハを、前記保護膜又は保護膜形成用フィルムとともに、前記保護膜又は保護膜形成用フィルムの表面方向にエキスパンドすることにより、前記保護膜又は保護膜形成用フィルムを切断するとともに、前記改質層の部位において前記半導体ウエハを分割し、複数個の半導体チップを得る工程と、を有する、半導体チップの製造方法。
    Attaching the film for protective film formation according to claim 1 or the film for protective film formation in the composite sheet for protective film formation according to claim 2 to a semiconductor wafer;
    Forming a protective film by irradiating the film for forming a protective film after being attached to the semiconductor wafer with an energy ray;
    Forming a modified layer inside the semiconductor wafer by irradiating a laser beam through the protective film or the protective film-forming film so as to focus on a focal point set inside the semiconductor wafer; ,
    The protective film or film for forming a protective film is expanded by expanding the semiconductor wafer having the modified layer formed thereon, along with the protective film or a film for forming a protective film, in the surface direction of the protective film or the film for forming a protective film And dividing the semiconductor wafer at a portion of the modified layer to obtain a plurality of semiconductor chips.
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