WO2019073941A1 - ウエハ加熱用ヒータユニット - Google Patents

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WO2019073941A1
WO2019073941A1 PCT/JP2018/037503 JP2018037503W WO2019073941A1 WO 2019073941 A1 WO2019073941 A1 WO 2019073941A1 JP 2018037503 W JP2018037503 W JP 2018037503W WO 2019073941 A1 WO2019073941 A1 WO 2019073941A1
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heating
wafer
wafer mounting
heating zones
mounting surface
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PCT/JP2018/037503
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桂児 北林
晃 三雲
成伸 先田
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住友電気工業株式会社
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Definitions

  • the present disclosure relates to a wafer heating heater unit.
  • This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2017-196683, Japanese Patent Application No. 2017-196684, and Japanese Patent Application No. 2017-196685, filed Oct. 10, 2017, to which the aforementioned Japanese patent application is applied. All the contents described are incorporated.
  • a series of film formation such as CVD or sputtering on a semiconductor wafer, coating of a resist, photolithography such as exposure and development, etching for patterning, etc.
  • a thin film process consisting of steps is performed.
  • the semiconductor wafer heated to a predetermined temperature for example, in a coater development apparatus in which photolithography is performed, the semiconductor wafer of the object to be processed is placed and heated from its lower surface.
  • a wafer heating heater unit also referred to as a susceptor is used.
  • the above-mentioned heater unit for wafer heating supports a wafer mounting table made of a ceramic disk-shaped member having a flat wafer mounting surface on the upper surface, and this from the lower surface side.
  • a heating circuit such as an electric heating coil or a patterned metal thin film is embedded in parallel to the wafer mounting surface in the interior of the wafer mounting table.
  • a pair of electrode terminals provided on the lower surface side of the wafer mounting table is electrically connected to both ends of the heating circuit, and the heating circuit is connected from an external power supply through the pair of electrode terminals and the lead wire thereof. Power is supplied.
  • the heater unit for wafer heating it is required to uniformly heat the semiconductor wafer over the entire surface by enhancing the heat uniformity on the wafer mounting surface so that the quality of the semiconductor device as a product does not vary. ing. Therefore, in order to make the circuit pattern of the heat generating circuit dense and prevent temperature unevenness from occurring or individually perform temperature control for each of a plurality of heating zones (multi-zones) defined on the wafer mounting surface, In each of the plurality of heating zones, a heating circuit extending parallel to the wafer mounting surface is disposed to feed power separately.
  • a first wafer heating heater unit includes a disk-shaped wafer mounting table having a wafer mounting surface on which a semiconductor wafer is mounted; A disk-shaped support plate for supporting the wafer mounting table; A circular thin film heat generating module held between the wafer mounting table and the support plate; The heat generating module has a plurality of heat generating circuits extending parallel to the wafer mounting surface, The wafer mounting surface is divided by the plurality of heating circuits to have a plurality of heating zones adjacent in the radial direction of the wafer mounting surface and a plurality of heating zones adjacent in the circumferential direction, In any of the plurality of heating zones adjacent in the radial direction of the wafer mounting surface, the distance between the center positions in each of the plurality of heating zones is the distance from the center position in each of the plurality of heating zones 50% or more of the longest distance to the boundary.
  • a second wafer heating heater unit includes a disk-shaped wafer mounting table having a wafer mounting surface on which a semiconductor wafer is mounted; A disk-shaped support plate for supporting the wafer mounting table; A circular thin film heat generating module held between the wafer mounting table and the support plate; The heat generating module has a plurality of heat generating circuits extending parallel to the wafer mounting surface, The wafer mounting surface is divided into a plurality of heating zones by the plurality of heating circuits, The plurality of heating zones are heating zones provided at the center of the wafer mounting surface, in which a circular central portion is equally divided in the circumferential direction, and provided at the outer peripheral side of the circular central portion and the center of the circular central portion An annular peripheral portion having the same center is equally divided in the circumferential direction with a heating zone divided equally in the circumferential direction, and an annular peripheral portion provided on the outer peripheral side of the annular portion and having the same center as the center of the circular central portion Consists of a heating zone, The area of each
  • a third wafer heating heater unit includes a disk-shaped wafer mounting table having a wafer mounting surface on which a semiconductor wafer is mounted; A disk-shaped support plate for supporting the wafer mounting table; A circular thin film heat generating module held between the wafer mounting table and the support plate; The heat generating module has a plurality of heat generating circuits extending parallel to the wafer mounting surface, The wafer mounting surface is divided into a plurality of heating zones by the plurality of heating circuits, The plurality of heating zones are provided with a heating zone provided at the center of the wafer mounting surface in which a circular central portion is equally divided in the circumferential direction, and provided at the outer peripheral side of the circular central portion with the center of the circular central portion An annular portion having the same center, including a heating zone divided equally in the circumferential direction; The plurality of bar-like support portions for placing and separating the semiconductor wafer with respect to the wafer placement surface are provided in the thickness direction of the wafer placement table so as to pass through the inside of the wafer
  • the plurality of insertion holes are disposed at radially extending boundaries of the plurality of heating zones, and the plurality of heating zones in which the plurality of insertion holes are disposed have a plurality of divisions in the circumferential direction. It is an integral multiple of the number of insertion holes.
  • FIG. 1 is a longitudinal cross-sectional view of a specific example of a wafer heating heater unit according to the first and second embodiments of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a plan view showing a division pattern of a plurality of heating zones of the wafer mounting surface according to the first embodiment and the second embodiment defined by a plurality of heating circuits included in the wafer heating heater unit of FIG.
  • FIG. 3 is a plan view showing the relationship between the distance between center positions of adjacent heating zones and the longest distance from the center position of each heating zone to the zone boundary in the division pattern of FIG. .
  • FIG. 4 is a plan view showing a division pattern of a plurality of heating zones defined on the wafer mounting surface of the wafer heating heater unit of Comparative Example 1 according to the first embodiment and the second embodiment.
  • FIG. 5 is a plan view showing the relationship between the separation distance between both center positions of adjacent heating zones and the longest distance from the center position of each heating zone to the zone boundary in the division pattern of FIG. 4 .
  • FIG. 6 is a plan view showing a sectional pattern of a plurality of heating zones defined on the wafer mounting surface of the wafer heating heater unit of Comparative Example 2 according to the first embodiment and the second embodiment.
  • FIG. 7 is a plan view showing the relationship between the distance between center positions of adjacent heating zones and the longest distance from the center position of each heating zone to the zone boundary in the division pattern of FIG.
  • FIG. 8 is a longitudinal sectional view of a specific example of a wafer heating heater unit according to a third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 9 is a plan view showing a sectional pattern of a plurality of heating zones of a wafer mounting surface according to a third embodiment defined by a plurality of heating circuits included in the wafer heating heater unit of FIG.
  • FIG. 10 is a plan view showing a sectional pattern of a plurality of heating zones defined on the wafer mounting surface of the wafer heating heater unit of Comparative Example 1 according to the third embodiment.
  • FIG. 11 is a plan view showing a sectional pattern of a plurality of heating zones defined on a wafer mounting surface of a heater unit for heating a wafer according to a second comparative example of the third embodiment.
  • one temperature sensor is generally provided as a temperature detector for each heating zone, so when the area of the heating zone becomes large, heating is performed by one temperature sensor It was difficult to detect the temperature of the zone properly, and sometimes it was not possible to control the temperature well.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and in each of the plurality of heating zones defined on the wafer mounting surface, the temperature is appropriately detected and controlled to equalize the wafer mounting surface.
  • An object of the present invention is to provide a wafer heating heater unit capable of enhancing the thermal property.
  • the wafer heating heater unit includes a disk-shaped wafer mounting table having a wafer mounting surface on which a semiconductor wafer is mounted; A disk-shaped support plate for supporting the wafer mounting table; A circular thin film heat generating module held between the wafer mounting table and the support plate; The heat generating module has a plurality of heat generating circuits extending parallel to the wafer mounting surface, The wafer mounting surface is divided by the plurality of heating circuits to have a plurality of heating zones adjacent in the radial direction of the wafer mounting surface and a plurality of heating zones adjacent in the circumferential direction, In any of the plurality of heating zones adjacent in the radial direction of the wafer mounting surface, the distance between the center positions in each of the plurality of heating zones is the distance from the center position in each of the plurality of heating zones 50% or more of the longest distance to the boundary.
  • the temperature can be appropriately detected and controlled in each of the plurality of heating zones defined on the wafer mounting surface, so that it is possible to improve the heat uniformity of
  • the plurality of heating zones in the heat generating module may be a central fan-shaped heating zone obtained by equally dividing the circular central portion into three in the circumferential direction, and equally dividing the annular peripheral portion into six in the circumferential direction. It is preferable to comprise a peripheral fan-shaped heating zone and an intermediate fan-shaped heating zone obtained by equally dividing the annular middle portion, which is an annular portion between the circular central portion and the annular peripheral portion, into six in the circumferential direction. This makes it possible to further improve the heat uniformity of the mounting surface on which the semiconductor wafer is mounted.
  • the semiconductor may be disposed between heating zones adjacent in the circumferential direction among the plurality of heating zones and / or between heating zones adjacent in the radial direction.
  • an insertion hole for the lift pin of the wafer is provided. Thereby, the bad influence to the thermal uniformity of the mounting surface by the penetration hole for lift pins can be suppressed.
  • the wafer heating heater unit 10 is substantially equivalent to the disk-shaped wafer mounting table 11 having a wafer mounting surface 11a on which the semiconductor wafer W is to be mounted on the upper surface, and the wafer mounting table 11.
  • Support plate 12 supporting the wafer mounting table 11 over the entire surface from the lower surface side thereof, and sandwiching the wafer mounting table 11 and the support plate 12 in an electrically insulated state
  • a circular thin-film heat generating module 13 having an outer diameter substantially equal to that of the wafer mounting table 11.
  • the wafer heating heater unit 10 is supported by a plurality of columnar legs 20 provided on the lower surface side of the support plate 12.
  • the wafer mounting table 11 is preferably made of a material having a high thermal conductivity so as to achieve extremely high temperature uniformity, that is, high heat uniformity over the entire surface of the wafer mounting surface 11a.
  • a material having a high thermal conductivity so as to achieve extremely high temperature uniformity, that is, high heat uniformity over the entire surface of the wafer mounting surface 11a.
  • the material of the wafer mounting table 11 may be a ceramic or ceramic composite having high rigidity (Young's modulus) such as silicon carbide, aluminum nitride, Si—SiC, or Al—SiC. This makes it possible to always maintain the flatness of the wafer mounting surface 11a. Furthermore, the heat capacity can be reduced because it is not necessary to make the wafer mounting table 11 thick in order to prevent the warpage of the wafer mounting surface 11a. Therefore, it is possible to speed up the temperature rise and fall.
  • the material of the support plate 12 is also preferably a ceramic or ceramic composite such as silicon carbide having high rigidity (Young's modulus), aluminum nitride, Si-SiC, or Al-SiC.
  • the wafer mounting surface 11 and the support plate 12 are overlaid and mechanically coupled to each other with the heat generating module 13 interposed therebetween. Since warpage can be suppressed, it is possible to realize the heater unit 10 having both high thermal uniformity and flatness on the wafer mounting surface 11a.
  • the wafer mounting table 11 and the support plate 12 be mechanically coupled to each other by screwing or the like.
  • the wafer mounting table 11 and the support plate 12 can be thermally expanded freely in the direction of the wafer mounting surface 11 a according to the respective temperatures.
  • a female screw (not shown) is provided on the lower surface side of the wafer mounting table 11 by inserting a male screw (not shown) from below into a screw hole (not shown) which penetrates through the support plate 12 in the thickness direction.
  • a bearing (not shown) is interposed between the bearing surface of the male screw and the lower surface of the support plate 12 which is the contact portion.
  • the insertion holes of the female screw portion are provided at positions corresponding to the screw holes of the support plate 12.
  • the screwing portion is preferably disposed outside the effective diameter of the heating circuit described later. By doing this, it is possible to realize a mounting table with high temperature uniformity in which local cool spots hardly occur.
  • the screwing portion is disposed within the effective diameter of the heating circuit, the plurality of heating zones are disposed between the heating zones adjacent in the circumferential direction and / or between the heating zones adjacent in the radial direction. It is preferable that the division pattern be axisymmetric with respect to a radial line segment of the wafer mounting surface passing through the arrangement position, thereby suppressing the deterioration in temperature uniformity due to the screwing portion. it can.
  • the screwing portion is located on the same radial line segment as the lift pin insertion hole described above, and the division pattern is line symmetrical with respect to the line segment.
  • the singular points such as mechanical parts and electrical parts that interfere with any or all of the mounting table, the heating unit, and the support plate, these singular points are disposed outside the effective diameter of the heating circuit.
  • the effective diameter of the heat generating circuit is the diameter of a circular area of the wafer mounting surface 11a where the heat generating circuit 13a described later is disposed immediately below.
  • the heat generating module 13 held between the wafer mounting table 11 and the support plate 12 has a plurality of heat generating circuits 13 a extending on a surface parallel to the wafer mounting surface 11 a.
  • the plurality of heating circuits 13a are covered with an insulator so as to be electrically insulated from the wafer mounting table 11 and the support plate 12 described above.
  • the heat generating module 13 having such a configuration forms a plurality of heat generating circuits 13a by performing patterning processing on a conductive metal foil such as stainless steel foil by etching or laser processing, for example, and then, for example, a polyimide sheet or the like from above and below It can be manufactured by sandwiching it with a heat resistant insulating sheet.
  • the thickness of the conductive metal foil used for the heat generating circuit 13a is thin, etc.
  • Heat-resistant insulation sheet such as conductive metal foil and polyimide sheet for electrical insulation in advance and thermo-compression bonding, and after this thermo-compression bonding, only conductive metal foil is patterned by etching etc.
  • the heat generating module 13 is integrated by integrating the film and the pattern foil (that is, the heat generating circuit 13a in the form of a foil) and further laminating a polyimide film on the integrated heat generating circuit 13a in the form of a foil. May be produced.
  • the wafer mounting surface 11a can be divided into a plurality of heating zones.
  • the division pattern of the plurality of heating zones defined by the plurality of heating circuits 13a is not particularly limited, but the disk-shaped wafer mounting table 11 generally dissipates heat from the peripheral portion having a larger surface area than the central portion. Because there are many, in the steady state, the peripheral portion is likely to be locally low in temperature.
  • the outer diameter of the mounting table is generally larger than the diameter of the wafer. Distribution occurs.
  • the temperature of the mounting table is raised to a predetermined temperature by the operation of the control system.
  • the transition temperature distribution of the semiconductor wafer also becomes concentric center cooling.
  • the division pattern of the heating zone be concentrically divided in the radial direction.
  • a load lock or the like is provided on the wall surface of the vacuum chamber on which the heater unit 10 is mounted, the environment around the wafer mounting table 11 is not uniform in the circumferential direction. Therefore, as shown in FIG. 2, it is preferable to use a division pattern in which the wafer mounting surface 11a is divided concentrically and further divided equally in the circumferential direction.
  • the wafer mounting surface 11a has a circular central portion A, an annular intermediate portion B outside the circular central portion A, and an annular peripheral portion outside the annular intermediate portion B. It is divided into C and concentric circles. Further, the circular central portion A is equally divided into three in the circumferential direction as central fan-shaped heating zones A1 to A3.
  • the annular intermediate portion B is equally divided into six in the circumferential direction as intermediate fan-shaped heating zones B1 to B6.
  • the annular peripheral portion C is equally divided into six in the circumferential direction as peripheral fan-shaped heating zones C1 to C6.
  • the heating zones consisting of the 15 zones divided as described above are both in any heating zones adjacent to each other in the radial direction of the wafer mounting surface 11a.
  • the separation distance of the central position is 50% or more of the longest distance from the central position of each heating zone to the zone boundary.
  • Each heating zone is a region of a circle centered on the center of the wafer mounting surface, or a region of an annular ring similarly divided by an outer peripheral circle centered on the center of the wafer mounting surface and an inner peripheral circle. It has a shape in which n segments (n is an integer of 0 or more) are divided in the circumferential direction of the wafer mounting surface by line segments forming the radius of the mounting surface.
  • the point which is (r1 + r2) / 2 and is ( ⁇ 1 + ⁇ 2) / 2 is defined as the center position of the heating zone, where
  • the circumferential position ( ⁇ 1 + ⁇ 2) / 2 is an arbitrary position on the circumference, and therefore adjacent centers
  • the separation distance of the position it is defined as a point which is the shortest distance.
  • the relationship between the central portion fan heating zone A1 and the intermediate portion diverging heating zone B1, the distance of the center position O B1 of the center position O A1 and the intermediate portion diverging heating zone B1 of the central fan heating zone A1 is a line It is the distance of the minute L A1 B1 .
  • the central portion fan heating zone A1 the longest linear distance from the center position O A1 to the zone boundary, the distance of the line segment L A1 connecting the P A1 corresponding to the corners of the center position O A1 and sector It is.
  • the intermediate portion diverging heating zone B1 the longest straight line distance from the center position O B1 to the zone boundary, the distance of the line segment L B1 connecting the P B1 corresponding to the corners of the center position O B1 and sector It is.
  • 3 is axisymmetrical with the boundary between the middle fan-shaped heating zones B1 and B2 as a symmetry line, so that the central fan-shaped heating zone A1 and the space fan-shaped heating zone B2 are adjacent to each other.
  • the relationship of the above is also similar to the relationship between the central fan-shaped heating zone A1 and the intermediate fan-shaped heating zone B1 described above.
  • the relationship between the central fan-shaped heating zone A2 and the intermediate fan-shaped heating zones B3 and B4 and the relationship between the central fan-shaped heating zone A3 and the intermediate fan-shaped heating zones B5 and B6 are also described above. It is similar to the relationship with the middle fan-shaped heating zone B1.
  • the heating zone adjacent to the middle fan-shaped heating zone B1 in the annular middle portion B is the peripheral fan-shaped heating zone C1.
  • Distance of the center position O C1 of the center position O B1 and periphery fan heating zone C1 of the intermediate portion diverging heating zone B1 is the distance of the line segment L B1C1.
  • the intermediate portion diverging heating zones B1, as described above, the longest straight line distance from the center position O B1 to the zone boundary, connecting the P B1 corresponding to the corners of the center position O B1 and sector line It is the distance of the minute L B1 .
  • the periphery fan heating zone C1 the longest linear distance from the center position O C1 to the zone boundary, the distance of the line segment L C1 connecting the P C1 corresponding to the corners of the fan and the center position O C1 It is.
  • the relationship between the intermediate fan-shaped heating zone B2 and the peripheral fan-shaped heating zone C2, the relationship between the intermediate fan-shaped heating zone B3 and the peripheral fan-shaped heating zone C3, the intermediate fan-shaped heating zone B4 and the peripheral fan-shaped heating zone C4 In any of the relationship between the middle fan-shaped heating zone B5 and the peripheral fan-shaped heating zone C5, and the relationship between the middle fan-shaped heating zone B6 and the peripheral fan-shaped heating zone C6, the above-described middle fan-shaped heating zone B1 And the peripheral fan-shaped heating zone C1.
  • the wafer heating heater unit 10 can control the temperature of the mounting surface 11 a more precisely by having the above-described division pattern.
  • through holes for lift pins of the semiconductor wafer may be provided between the heating zones adjacent in the circumferential direction among the plurality of heating zones.
  • FIG. 2 shows an example in which three lift pin insertion holes Q1 to Q3 are respectively provided between the central fan-shaped heating zones A1 and A2, between A2 and A3, and between A3 and A1. It is shown.
  • the lift pin insertion holes may be provided between the radially adjacent heating zones, or between the circumferentially adjacent heating zones and between the radially adjacent heating zones. It is good.
  • circuit pattern of the heating circuit (not shown) provided in each heating zone, and various circuit patterns can be provided.
  • two electrode terminals (not shown) are connected to both ends of the heat generating circuit.
  • the heating density of the plurality of heating circuits may be different for each heating zone.
  • the center of the mounting table is concentrically cooled at a center portion whose temperature is lower than that of the outer peripheral portion.
  • a mold temperature distribution results. Thereafter, the temperature of the mounting table is raised to a predetermined temperature by the operation of the control system.
  • the transition temperature distribution of the semiconductor wafer also becomes concentric center cooling.
  • the method of increasing the heat generation density can be realized by narrowing the pitch of the circuit pattern of the heat generating circuit or narrowing the width of the conductive wire constituting the heat generating circuit.
  • the effective area of the heat generating circuit with respect to the entire area parallel to the wafer mounting surface 11a (that is, the separated space between the heating zones adjacent to each other from the above total area of the heat generating module 13)
  • the ratio of the effective heat generation area i.e., the ratio of the effective heat generation area is preferably 80% or more.
  • the wafer heating heater unit 10 is provided with a temperature measuring sensor (not shown) formed of a temperature measuring element whose resistance value is adjusted, for example, in each of the plurality of heating zones at a position corresponding to the central position described above.
  • the heating circuits in the heating zone are individually controlled based on the detection value of the temperature sensor.
  • the mounting surface 11a can be locally heated, so that, for example, even in the case where the mounting surface 11a is partially cooled by opening and closing of the load lock or the like, good thermal uniformity can be maintained. Becomes possible.
  • the temperature measuring sensor described above is, for example, provided with a counterbore hole of a size that the temperature measuring sensor fits on the lower surface side of the wafer mounting table 11, and an adhesive is applied to the bottom surface to fix the temperature measuring sensor.
  • the temperature can be detected well.
  • the wafer heating heater unit 10 is provided with a cooling unit 30 below the support plate 12.
  • the cooling unit 30 is movable cooling that can reciprocate between an abutting position abutted against the lower surface side of the support plate 12 as indicated by an alternate long and short dash line and a separated position separating from the support plate 12 as indicated by a solid line. It has a plate 31 and a stationary cooling stage 32 that abuts when the movable cooling plate 31 is in the separated position.
  • the material of the movable cooling plate 31 and the fixed cooling stage 32 is selected from the group consisting of copper, aluminum, nickel, magnesium, titanium having high thermal conductivity, or an alloy or stainless steel mainly containing at least one of them. It is preferable to do.
  • the stationary cooling stage 32 has a refrigerant flow path 32a in which an antifreeze liquid such as a fluorine-based refrigerant cooled by a cooling device such as a chiller (not shown), air, or a general-purpose refrigerant such as water circulates.
  • the form of the refrigerant flow path is not particularly limited.
  • a metal pipe such as Cu is placed along the lower surface side of the metal plate member as a refrigerant flow path, and stainless steel joints are provided at both ends of the metal pipe. While being attached, in a state where the metal pipe is pressed against the plate-like member by the pressing plate, the pressing plate and the plate-like member can be mechanically coupled with each other by a screw or the like.
  • a spiral counterbore groove is provided on the lower surface side of the metal plate-like member, and a metallic pipe for circulating refrigerant formed in a spiral shape is installed in the counterbore groove.
  • a caulking material, a sealant, an adhesive or the like it is preferable to bond and fix the surface of the metal pipe and the inner surface of the counterbore with a caulking material, a sealant, an adhesive or the like.
  • the sheet members may be stacked and integrated by a bonding method such as brazing.
  • the movable cooling plate 31 is attached to an elevating mechanism 33 composed of an air cylinder or the like. As a result, by operating the elevating mechanism 33, it becomes possible to reciprocate the stationary cooling plate 31 between the contact position and the separated position described above. It should be noted that the cooling stage 32 having the refrigerant flow path itself may be reciprocated between a position contacting the lower surface side of the support plate 12 and a position separating from the lower surface side without using the movable cooling plate 31 .
  • An intervening layer may be provided on the upper surface of the movable cooling plate 31, the upper surface of the fixed cooling stage 32, and / or the lower surface of the support plate 12.
  • the intervening layer preferably has cushioning properties (flexibility) in the thickness direction, and preferably has heat resistance. Furthermore, it is preferable to have high thermal conductivity, for example, of 1 W / m ⁇ K or more. Examples of such a material include a foam metal, a metal mesh, a graphite sheet, or a resin sheet such as a fluorine resin, a polyimide resin, or a silicone resin. In addition, it becomes possible to make thermal resistance smaller by containing heat conductive fillers, such as carbon, in said resin sheet.
  • the wafer heating heater unit 10 and the cooling unit 30 according to one embodiment of the present invention are preferably housed in a container 40 made of stainless steel. [Example]
  • Example 1 A wafer heating heater unit 10 provided with a cooling unit 30 below as shown in FIG. 1 was manufactured, and the heat uniformity of the wafer mounting surface 11a was evaluated. Specifically, first, a disk-shaped copper plate having a diameter of 320 mm and a thickness of 3 mm was prepared as the wafer mounting table 11. Fifteen counterbore holes are formed at the center position of the surface opposite to the wafer mounting surface 11a of this copper plate, which will be described later, and each of the counterbore holes is made of ceramic (W2 mm ⁇ D2 mm ⁇ H1 mm) The temperature element was adhesively fixed using a silicone adhesive.
  • a disk-shaped Si—SiC plate of diameter 320 mm ⁇ thickness 3 mm was prepared as the support plate 12.
  • the Si-SiC plate was provided with lead wires for the temperature measuring element and through holes for insertion of screws and the like described later.
  • a circuit pattern of the plurality of heating circuits 13a is formed by etching on a stainless steel foil having a thickness of 20 ⁇ m as a resistance heating element to be the plurality of heating circuits 13a of the heating module 13. Then, the resistance heating element was covered from both upper and lower sides with a 50 ⁇ m thick polyimide sheet and thermocompression bonded to prepare a circular film-like heat generating module 13 having a diameter of 320 mm.
  • the plurality of heating zones in which the plurality of heating circuits 13a of the above-described heating module 13 are provided are made to have the division pattern of FIG. Specifically, three concentric circles of ⁇ 120 mm, ⁇ 247 mm, and ⁇ 302 mm with respect to the center point of the circular heat generating module 13 are divided into three parts, a circular central portion A, an annular intermediate portion B, and an annular peripheral portion C, and further ⁇ 120 mm.
  • the central portion A of the circle is equally divided into three in the circumferential direction to form central fan-shaped heating zones A1 to A3, and the annular intermediate portion B having an outer diameter of 246 mm and an inner diameter of 120 mm is circumferentially divided into six equal portions.
  • An annular peripheral portion C having an outer diameter of 302 mm and an inner diameter of 247 mm is equally divided into six in the circumferential direction to form peripheral fan-shaped heating zones C1 to C6.
  • the above-mentioned temperature measurement element was arranged at the central position of each section so that the 15 heating circuits 13a provided in each of the heating zones of these 15 sections in total were individually controlled.
  • the said feed cable of a heat generating circuit will also be pulled out for every division.
  • the heat generating module 13 manufactured in this manner is sandwiched between the wafer mounting table 11 and the support plate 12, and a screw is inserted into a through hole previously provided in the support plate 12 and screwed onto the wafer mounting table 11. did.
  • a wafer heating heater unit 10 was produced, in which the wafer mounting table 11 and the support plate 12 were mechanically coupled to each other with the heat generating module 13 interposed therebetween.
  • a fastening screw having a bearing on the bearing surface was used so that the wafer mounting table 11 and the support plate 12 would not be deformed due to the thermal expansion difference.
  • Three fastening screws were provided for PCD 120 mm, and six fastening screws were provided for PCD 310 mm.
  • the lead wires of the temperature measuring element taken out from the support plate 12 are adhered and fixed with silicone resin in a state of being in contact with the support plate 12 over a length of 30 mm. did.
  • a disk-shaped aluminum alloy plate having a thickness of 12 mm was prepared.
  • a flexible silicone sheet is disposed on the aluminum alloy plate for the movable cooling plate 31 so that the entire surface of the supporting plate 12 and the movable cooling plate 31 is in contact with the upper surface side in contact with the support plate 12. .
  • a phosphorus-deoxidized copper pipe having an outer diameter of 6 mm and a thickness of 1 mm for refrigerant channel 32a was attached using a screw. Then, joints for supplying and discharging the refrigerant were attached to both ends of the copper pipe.
  • the aluminum alloy plates as the cooling unit 30 manufactured in this manner are provided with through holes through which the feeding cable, the lead wire of the temperature measuring element, and the leg 20 erected from the bottom of the container 40 described later are inserted.
  • the aluminum alloy plate for the stationary cooling stage 32 was provided with a through hole through which the rod of the elevating mechanism 33 consisting of the air cylinder of the movable cooling plate 31 is inserted.
  • the above-mentioned cooling unit 30 was placed in a stainless steel container 40 having a side wall of 1.5 mm thick and opened at the top.
  • the elevating mechanism 33 was attached to the lower side of the fixed cooling stage 32, and the rod was inserted through the above-mentioned through hole for rod insertion, and the movable cooling plate 31 was attached to the tip thereof.
  • the wafer heating heater unit 10 of the sample 1 provided with the cooling unit 30 was manufactured.
  • the distance between the lower surface of the support plate 12 and the upper surface of the movable cooling plate 31 when the rod of the elevating mechanism 33 was retracted
  • the cooling unit is the same as the sample 1 except that the division pattern of the heat generating module held between the wafer mounting table 11 and the support plate 12 is changed to the division patterns of FIG. 4 and FIG.
  • a heater unit for wafer heating of Samples 2 and 3 provided with That is, in the heat generating module of the heater unit for wafer heating of sample 2, three concentric circles of ⁇ 95 mm, ⁇ 246 mm and ⁇ 302 mm with respect to the center point of circular central portion D, annular intermediate portion E, and annular peripheral portion F Divide the circular central part D and the annular middle part E into circular heating zones and annular heating zones as they are without dividing them in the circumferential direction.
  • annular peripheral part F Only the annular peripheral part F with an outer diameter of ⁇ 302 mm and an inner diameter of ⁇ 246 mm in the circumferential direction
  • the peripheral fan-shaped heating zones F1 to F4 are divided.
  • a temperature measuring element was provided at the center position of each of the six heating zones in total.
  • a temperature measuring element was provided at one position on the circumference of ⁇ 170.5 mm with respect to the center point of the heat generating module.
  • the four concentric circles ⁇ 95 mm, ⁇ 171.5 mm, ⁇ 246 mm and ⁇ 302 mm with respect to the center point form a circular central portion G, an inner annular intermediate portion H, and an outer side.
  • the inner intermediate portion H is divided into four into an annular intermediate portion I and an annular peripheral portion J, and an inner annular intermediate portion H having an outer diameter of 171.5 mm and an inner diameter of 95 mm is equally divided into two in the circumferential direction to form inner intermediate fan-shaped heating zones H1 to H2.
  • the outer annular intermediate portion I having an outer diameter of 246 mm and an inner diameter of 171.5 mm is equally divided into four in the circumferential direction to form outer intermediate fan-shaped heating zones I1 to I4, and an annular peripheral portion J having an outer diameter of 302 mm and an inner diameter of 246 mm in the circumferential direction. Equal parts were divided into peripheral fan-shaped heating zones J1 to J8. A temperature measuring element was provided at the center position of each of these 15 zones of heating zones.
  • Table 1 The division patterns of the plurality of heating zones in the heater units of Samples 1 to 3 are summarized in Table 1.
  • the samples marked * in the table are comparative examples.
  • the distance between the center of central fan-shaped heating zone A1 and the center of intermediate fan-shaped heating zone B1 is the length (67.5 mm) of line segment LA1B1 .
  • the maximum distance between the center and the border of the central portion fan heating zone A1 is the length of the line segment L A1 (52.0 mm).
  • the maximum distance between the center and the boundary between the intermediate portion diverging heating zone B1 is the length of the line segment L B1 (63.6 mm).
  • the distance between the centers of the periphery fan heating zone C1 of the intermediate portion diverging heating zone B1 is the length of L B1C1 (45.5mm).
  • the maximum distance between the center and the border of the periphery fan heating zone C1 is the length of the line segment L C1 (75.8mm).
  • the distance between a center of the annular intermediate portion E of the circular central portion D in Sample 2 is the length of the line segment L DE (85.3mm).
  • the longest distance between the center of the circular central portion D and the boundary is the length of the line segment L D (47.5 mm).
  • the maximum distance between the center and the boundary of the annular intermediate portion E is the length of the line segment L E (208.3mm).
  • the distance between the center of the annular intermediate portion E and the center of the peripheral fan-shaped heating zone F3 is the length (51.8 mm) of L EF3 .
  • the longest distance between the center and the boundary of the peripheral fan-shaped heating zone F3 is the length (111.0 mm) of the line segment L F3 .
  • the distance between the centers of the inner intermediate portion diverging heating zones H1 of the circular central portion G in sample 3 is the length of the line segment L GH1 (66.6mm).
  • the maximum distance between the center and the border of the circular central portion G is the length of the line segment L G (47.5 mm).
  • the longest distance between the center and the boundary of the inner middle fan-shaped heating zone H1 is the length (108.6 mm) of the line segment L H1 .
  • the distance between the centers of the outer intermediate portion diverging heating zones I1 of inner intermediate portion diverging heating zones H1 is a length of L H1I1 (37.8mm).
  • the maximum distance between the center and the border of the outer intermediate portion diverging heating zone I1 is the length of the line segment L I1 (88.7mm).
  • the distance between the center of the outer intermediate fan-shaped heating zone I1 and the center of the peripheral fan-shaped heating zone J1 is the length (32.6 mm) of the line segment LI1J1 .
  • the longest distance between the center and the boundary of the peripheral fan-shaped heating zone J1 is the length (57.8 mm) of the line segment L J1 .
  • the flatness of the wafer mounting surface 11a was measured with a commercially available three-dimensional measuring device.
  • power was supplied to the plurality of heating circuits 13a for each of the heater units of Samples 1 to 3 to raise the temperature from normal temperature to 110 ° C., and then held for 1 hour while controlling the temperature at 110 ° C.
  • a commercially available wafer thermometer in which a temperature measuring sensor is embedded was installed on the wafer mounting surface 11a, and the soaking range, which is the difference between the maximum temperature and the minimum temperature in the wafer mounting surface 11a, was measured.
  • Table 2 Table 2 below.
  • the soaking range was 0.17 ° C. in the heater unit of Sample 2 and the soaking range was 0.21 ° C. in the heater unit of Sample 3.
  • the maximum temperature and the minimum temperature exist in the heating zone of the annular intermediate portion E, and the vicinity of the bolt connecting the wafer mounting table 11 and the support plate 12 is a low temperature region It was On the other hand, in sample 3, the heating zone at one of the outer annular intermediate portions I was a high temperature region.
  • the soaking range is 0.06 ° C.
  • the distance between both central positions of adjacent heating zones is the longest from the central position of each heating zone to the zone boundary
  • the temperature around the fastening bolt for fastening the wafer mounting table 11 and the support plate 12 was not unique.
  • Example 2 The heater units of Samples 4 to 6 are manufactured in the same manner as Samples 1 to 3 of Example 1 except that the material of wafer mounting table 11 is changed to copper and is changed to Si-SiC. The evaluation of The results are shown in Table 3 below together with the flatness of the wafer mounting table 11.
  • one temperature sensor is generally provided for each heating zone as a temperature detector. If the area varies, it may be difficult to control the temperatures of the plurality of heating zones in a well-balanced manner, and temperature control may not be performed well.
  • the wafer heating heater unit includes a disk-shaped wafer mounting table having a wafer mounting surface on which a semiconductor wafer is mounted; A disk-shaped support plate for supporting the wafer mounting table; A circular thin film heat generating module held between the wafer mounting table and the support plate; The heat generating module has a plurality of heat generating circuits extending parallel to the wafer mounting surface, The wafer mounting surface is divided into a plurality of heating zones by the plurality of heating circuits, The plurality of heating zones are heating zones provided at the center of the wafer mounting surface, in which a circular central portion is equally divided in the circumferential direction, and provided at the outer peripheral side of the circular central portion and the center of the circular central portion An annular peripheral portion having the same center is equally divided in the circumferential direction with a heating zone divided equally in the circumferential direction, and an annular peripheral portion provided on the outer peripheral side of the annular portion and having the same center as the center of the circular central portion Consists of a heating zone, The area of each of
  • the circular central portion is equally divided into three in the circumferential direction
  • the annular intermediate portion which is the annular portion is equally divided into six in the circumferential direction
  • the annular peripheral portion is circumferentially
  • it is divided into six in the direction. This makes it possible to further improve the heat uniformity of the mounting surface on which the semiconductor wafer is mounted.
  • the heater unit for heating a wafer for the lift pins of the semiconductor wafer, among the plurality of heating zones, the heating zones adjacent in the circumferential direction and / or the heating zones adjacent in the radial direction. It is preferable that an insertion hole of Thereby, the bad influence to the thermal uniformity of the mounting surface by the penetration hole for lift pins can be suppressed.
  • the wafer heating heater unit 10 is substantially equivalent to the disk-shaped wafer mounting table 11 having a wafer mounting surface 11a on which the semiconductor wafer W is to be mounted on the upper surface, and the wafer mounting table 11. And a support plate 12 for supporting the wafer mounting table 11 over the entire surface from its lower surface side, and electrically insulated between the wafer mounting table 11 and the support plate 12.
  • a circular thin-film heat generating module 13 having an outer diameter substantially equal to that of the wafer mounting table 11 is held.
  • the wafer heating heater unit 10 is supported by a plurality of columnar legs 20 provided on the lower surface side of the support plate 12.
  • the wafer mounting table 11 is preferably made of a material having a high thermal conductivity so as to achieve extremely high temperature uniformity, that is, high heat uniformity over the entire surface of the wafer mounting surface 11a.
  • a material having a high thermal conductivity so as to achieve extremely high temperature uniformity, that is, high heat uniformity over the entire surface of the wafer mounting surface 11a.
  • the material of the wafer mounting table 11 may be a ceramic or ceramic complex having high rigidity (Young's modulus) such as silicon carbide, aluminum nitride, Si-SiC, Al-SiC, etc., whereby the flatness of the wafer mounting surface 11a is always obtained. It is possible to maintain the temperature, and it is not necessary to increase the thickness of the wafer mounting table 11 for the purpose of preventing warpage of the wafer mounting surface 11a, so it is possible to reduce the heat capacity and to increase the temperature rising and lowering speed.
  • the material of the support plate 12 is also preferably a ceramic or ceramic composite such as silicon carbide having high rigidity (Young's modulus), aluminum nitride, Si-SiC, or Al-SiC.
  • the wafer mounting surface 11 and the support plate 12 are overlaid and mechanically coupled to each other with the heat generating module 13 interposed therebetween. Since warpage can be suppressed, it is possible to realize the heater unit 10 having both high thermal uniformity and flatness on the wafer mounting surface 11a.
  • the wafer mounting table 11 and the support plate 12 be mechanically coupled to each other by screwing or the like.
  • the wafer mounting table 11 and the support plate 12 can be thermally expanded freely in the direction of the wafer mounting surface 11 a according to the respective temperatures.
  • a female screw (not shown) is provided on the lower surface side of the wafer mounting table 11 by inserting a male screw (not shown) from below into a screw hole (not shown) which penetrates through the support plate 12 in the thickness direction.
  • a bearing (not shown) is interposed between the bearing surface of the male screw and the lower surface of the support plate 12 which is the contact portion.
  • the insertion holes of the female screw portion are provided at positions corresponding to the screw holes of the support plate 12.
  • the screwing portion is preferably disposed outside the effective diameter of the heating circuit described later. By doing this, it is possible to realize a mounting table with high temperature uniformity in which local cool spots hardly occur.
  • the screwing portion is disposed within the effective diameter of the heating circuit, the plurality of heating zones are disposed between the heating zones adjacent in the circumferential direction and / or between the heating zones adjacent in the radial direction. It is preferable that the division pattern be axisymmetric with respect to a radial line segment of the wafer mounting surface passing through the arrangement position, thereby suppressing the deterioration in temperature uniformity due to the screwing portion. it can.
  • the screwing portion is located on the same radial line segment as the lift pin insertion hole described above, and the division pattern is line symmetrical with respect to the line segment.
  • the singular points such as mechanical parts and electrical parts that interfere with any or all of the mounting table, the heating unit, and the support plate, these singular points are disposed outside the effective diameter of the heating circuit.
  • the effective diameter of the heat generating circuit is the diameter of a circular area of the wafer mounting surface 11a where the heat generating circuit 13a described later is disposed immediately below.
  • the heat generating module 13 held between the wafer mounting table 11 and the support plate 12 has a plurality of heat generating circuits 13 a extending on a surface parallel to the wafer mounting surface 11 a.
  • the plurality of heating circuits 13a are covered with an insulator so as to be electrically isolated from the wafer mounting table 11 and the support plate 12 described above.
  • the heat generating module 13 having such a configuration forms a plurality of heat generating circuits 13a by performing patterning processing on a conductive metal foil such as stainless steel foil by etching or laser processing, for example, and then, for example, a polyimide sheet or the like from above and below It can be manufactured by sandwiching it with a heat resistant insulating sheet.
  • the thickness of the conductive metal foil used for the heat generating circuit 13a is thin, etc.
  • Heat-resistant insulation sheet such as conductive metal foil and polyimide sheet for electrical insulation in advance and thermo-compression bonding, and after this thermo-compression bonding, only conductive metal foil is patterned by etching etc.
  • the heat generating module 13 is integrated by integrating the film and the pattern foil (that is, the heat generating circuit 13a in the form of a foil) and further laminating a polyimide film on the integrated heat generating circuit 13a in the form of a foil. May be produced.
  • the wafer mounting surface 11a can be divided into a plurality of heating zones.
  • the division pattern of the plurality of heating zones defined by the plurality of heating circuits 13a is not particularly limited, but the disk-shaped wafer mounting table 11 generally dissipates heat from the peripheral portion having a larger surface area than the central portion. Because there are many, in the steady state, the peripheral portion is likely to be locally low in temperature.
  • the outer diameter of the mounting table is generally larger than the diameter of the wafer. Distribution occurs.
  • the temperature of the mounting table is raised to a predetermined temperature by the operation of the control system.
  • the transition temperature distribution of the semiconductor wafer also becomes concentric center cooling.
  • the division pattern of the heating zone be concentrically divided in the radial direction.
  • a load lock or the like is provided on the wall surface of the vacuum chamber on which the heater unit 10 is mounted, the environment around the wafer mounting table 11 is not uniform in the circumferential direction. Therefore, as shown in FIG. 2, it is preferable to use a division pattern in which the wafer mounting surface 11a is divided concentrically and further divided equally in the circumferential direction.
  • the wafer mounting surface 11a has a circular central portion A, an annular intermediate portion B outside the circular central portion A, and an annular peripheral edge outside the annular intermediate portion B.
  • Part C is divided into concentric circles.
  • the circular central portion A is equally divided into three in the circumferential direction as central fan-shaped heating zones A1 to A3.
  • the annular intermediate portion B is equally divided into six in the circumferential direction as intermediate fan-shaped heating zones B1 to B6.
  • the annular peripheral portion C is equally divided into six in the circumferential direction as peripheral fan-shaped heating zones C1 to C6.
  • through holes for lift pins of the semiconductor wafer may be provided between the heating zones adjacent in the circumferential direction among the plurality of heating zones.
  • FIG. 2 shows an example in which three lift pin insertion holes Q1 to Q3 are respectively provided between the central fan-shaped heating zones A1 and A2, between A2 and A3, and between A3 and A1. It is shown.
  • the lift pin insertion holes may be provided between the radially adjacent heating zones, or between the circumferentially adjacent heating zones and between the radially adjacent heating zones. It is good.
  • circuit pattern of the heating circuit (not shown) provided in each heating zone, and various circuit patterns can be provided.
  • two electrode terminals (not shown) are connected to both ends of the heat generating circuit.
  • the heating density of the plurality of heating circuits may be different for each heating zone.
  • the center of the mounting table is concentrically cooled at a center portion whose temperature is lower than that of the outer peripheral portion.
  • a mold temperature distribution results. Thereafter, the temperature of the mounting table is raised to a predetermined temperature by the operation of the control system.
  • the transition temperature distribution of the semiconductor wafer also becomes concentric center cooling.
  • the method of increasing the heat generation density can be realized by narrowing the pitch of the circuit pattern of the heat generating circuit or narrowing the width of the conductive wire constituting the heat generating circuit.
  • the effective area of the heat generating circuit with respect to the entire area parallel to the wafer mounting surface 11a (that is, the separated space between the heating zones adjacent to each other from the above total area of the heat generating module 13)
  • the ratio of the effective heat generation area i.e., the ratio of the effective heat generation area is preferably 80% or more.
  • the wafer heating heater unit 10 has a temperature measuring sensor (not shown) formed of a temperature measuring element whose resistance value is adjusted in each of a plurality of heating zones, for example, at the center position of the heating zone.
  • the heating circuits in the heating zone are individually controlled based on the detected value.
  • the point which is (r1 + r2) / 2 and is ( ⁇ 1 + ⁇ 2) / 2 is defined as the center position of the heating zone, where
  • the circumferential position ( ⁇ 1 + ⁇ 2) / 2 is an arbitrary position on the circumference, and therefore adjacent centers
  • the separation distance of the position it is defined as a point which is the shortest distance.
  • the wafer mounting surface 11a can be locally heated by configuring the control system as described above, for example, in a case where the mounting surface 11a is partially cooled by opening and closing of a load lock or the like. Even if there is, it becomes possible to maintain good thermal uniformity.
  • the temperature measuring sensor described above is, for example, provided with a counterbore hole of a size that the temperature measuring sensor fits on the lower surface side of the wafer mounting table 11, and an adhesive is applied to the bottom surface to fix the temperature measuring sensor. The temperature can be detected well.
  • the wafer heating heater unit 10 is provided with a cooling unit 30 below the support plate 12.
  • the cooling unit 30 is movable cooling that can reciprocate between an abutting position abutted against the lower surface side of the support plate 12 as indicated by an alternate long and short dash line and a separated position separating from the support plate 12 as indicated by a solid line. It has a plate 31 and a stationary cooling stage 32 that abuts when the movable cooling plate 31 is in the separated position.
  • the material of the movable cooling plate 31 and the fixed cooling stage 32 is selected from the group consisting of copper, aluminum, nickel, magnesium, titanium having high thermal conductivity, or an alloy or stainless steel mainly containing at least one of them. It is preferable to do.
  • the stationary cooling stage 32 has a refrigerant flow path 32a in which an antifreeze liquid such as a fluorine-based refrigerant cooled by a cooling device such as a chiller (not shown), air, and a general-purpose refrigerant such as water circulate.
  • the form of the refrigerant flow path is not particularly limited.
  • a metal pipe such as Cu is placed along the lower surface side of the metal plate member as a refrigerant flow path, and stainless steel joints are provided at both ends of the metal pipe. While being attached, in a state where the metal pipe is pressed against the plate-like member by the pressing plate, the pressing plate and the plate-like member can be mechanically coupled with each other by a screw or the like.
  • a spiral counterbore groove is provided on the lower surface side of the metal plate-like member, and a metallic pipe for circulating refrigerant formed in a spiral shape is installed in the counterbore groove.
  • a caulking material, a sealant, an adhesive or the like it is preferable to bond and fix the surface of the metal pipe and the inner surface of the counterbore with a caulking material, a sealant, an adhesive or the like.
  • the sheet members may be stacked and integrated by a bonding method such as brazing.
  • the movable cooling plate 31 is attached to an elevating mechanism 33 composed of an air cylinder or the like. As a result, by operating the elevating mechanism 33, it becomes possible to reciprocate the stationary cooling plate 31 between the contact position and the separated position described above. It should be noted that the cooling stage 32 having the refrigerant flow path itself may be reciprocated between a position contacting the lower surface side of the support plate 12 and a position separating from the lower surface side without using the movable cooling plate 31 .
  • An intervening layer may be provided on the upper surface of the movable cooling plate 31, the upper surface of the fixed cooling stage 32, and / or the lower surface of the support plate 12.
  • the intervening layer preferably has cushioning properties (flexibility) in the thickness direction, and preferably has heat resistance. Furthermore, it is preferable to have high thermal conductivity, for example, of 1 W / m ⁇ K or more. Examples of such a material include a foam metal, a metal mesh, a graphite sheet, or a resin sheet such as a fluorine resin, a polyimide resin, or a silicone resin. In addition, it becomes possible to make thermal resistance smaller by containing heat conductive fillers, such as carbon, in said resin sheet.
  • the wafer heating heater unit 10 and the cooling unit 30 according to one embodiment of the present invention are preferably housed in a container 40 made of stainless steel. [Example]
  • Example 3 A wafer heating heater unit 10 provided with a cooling unit 30 below as shown in FIG. 1 was manufactured, and the heat uniformity of the wafer mounting surface 11a was evaluated. Specifically, first, a disk-shaped copper plate having a diameter of 320 mm and a thickness of 3 mm was prepared as the wafer mounting table 11. Fifteen counterbore holes are formed at the center position of the surface opposite to the wafer mounting surface 11a of this copper plate, which will be described later, and each of the counterbore holes is made of ceramic (W2 mm ⁇ D2 mm ⁇ H1 mm) The temperature element was adhesively fixed using a silicone adhesive.
  • a disk-shaped Si—SiC plate of diameter 320 mm ⁇ thickness 3 mm was prepared as the support plate 12.
  • the Si-SiC plate was provided with lead wires for the temperature measuring element and through holes for insertion of screws and the like described later.
  • a circuit pattern of the plurality of heating circuits 13a is formed by etching on a stainless steel foil having a thickness of 20 ⁇ m as a resistance heating element to be the plurality of heating circuits 13a of the heating module 13. Then, the resistance heating element was covered from both upper and lower sides with a 50 ⁇ m thick polyimide sheet and thermocompression bonded to prepare a circular film-like heat generating module 13 having a diameter of 320 mm.
  • the plurality of heating zones in which the plurality of heating circuits 13a of the above-described heating module 13 are provided are made to have the division pattern of FIG. Specifically, three concentric circles of ⁇ 120 mm, ⁇ 247 mm, and ⁇ 302 mm with respect to the center point of the circular heat generating module 13 are divided into three: a central portion A of circular shape, an intermediate portion B of annular shape, and a peripheral portion C of annular shape. Further, the circular central portion A of ⁇ 120 mm is equally divided into three in the circumferential direction to form central fan-shaped heating zones A1 to A3, and the annular intermediate portion B of outer diameter ⁇ 246 mm and inner diameter ⁇ 120 mm is equally divided into six in the circumferential direction.
  • the heating zones B1 to B6 were divided into six equal circumferential peripheral portions C having an outer diameter of 302 mm and an inner diameter of 246 mm to form peripheral fan-shaped heating zones C1 to C6.
  • the above-mentioned temperature measurement element was arranged at the central position of each section so that the 15 heating circuits 13a provided in each of the heating zones of these 15 sections in total were individually controlled.
  • the said feed cable of a heat generating circuit will also be pulled out for every division.
  • the heat generating module 13 manufactured in this manner is sandwiched between the wafer mounting table 11 and the support plate 12, and a screw is inserted into a through hole previously provided in the support plate 12 and screwed onto the wafer mounting table 11. did.
  • a wafer heating heater unit 10 was produced, in which the wafer mounting table 11 and the support plate 12 were mechanically coupled to each other with the heat generating module 13 interposed therebetween.
  • a fastening screw having a bearing on the bearing surface was used so that the wafer mounting table 11 and the support plate 12 would not be deformed due to the thermal expansion difference.
  • Three fastening screws were provided for PCD 120 mm, and six fastening screws were provided for PCD 310 mm.
  • the lead wires of the temperature measuring element taken out from the support plate 12 are adhered and fixed with silicone resin in a state of being in contact with the support plate 12 over a length of 30 mm. did.
  • a disk-shaped aluminum alloy plate having a thickness of 12 mm was prepared.
  • a flexible silicone sheet is disposed on the aluminum alloy plate for the movable cooling plate 31 so that the entire surface of the supporting plate 12 and the movable cooling plate 31 is in contact with the upper surface side in contact with the support plate 12. .
  • a phosphorus-deoxidized copper pipe having an outer diameter of 6 mm and a thickness of 1 mm for refrigerant channel 32a was attached using a screw. Then, joints for supplying and discharging the refrigerant were attached to both ends of the copper pipe.
  • the aluminum alloy plates as the cooling unit 30 manufactured in this manner are provided with through holes through which the feeding cable, the lead wire of the temperature measuring element, and the leg 20 erected from the bottom of the container 40 described later are inserted.
  • the aluminum alloy plate for the stationary cooling stage 32 was provided with a through hole through which the rod of the elevating mechanism 33 consisting of the air cylinder of the movable cooling plate 31 is inserted.
  • the above-mentioned cooling unit 30 was placed in a stainless steel container 40 having a side wall of 1.5 mm thick and opened at the top.
  • the elevating mechanism 33 was attached to the lower side of the fixed cooling stage 32, and the rod was inserted through the above-mentioned through hole for rod insertion, and the movable cooling plate 31 was attached to the tip thereof.
  • the wafer heating heater unit 10 of the sample 1 provided with the cooling unit 30 was manufactured.
  • the distance between the lower surface of the support plate 12 and the upper surface of the movable cooling plate 31 when the rod of the elevating mechanism 33 was retracted
  • the cooling unit is the same as the sample 1 except that the division pattern of the heat generating module held between the wafer mounting table 11 and the support plate 12 is changed to the division pattern of FIG. 4 and FIG.
  • a heater unit for wafer heating of Samples 2 and 3 provided with That is, in the heat generating module of the heater unit for wafer heating of sample 2, three concentric parts of ⁇ 95 mm, ⁇ 246 mm, and ⁇ 302 mm with respect to the center point have a circular central portion D, an annular intermediate portion E, and an annular peripheral portion F Divided into three, and the circular central part D and the annular middle part E are not divided in the circumferential direction, but are respectively made into the circular heating zone and the annular heating zone, and only the annular peripheral part F with the outer diameter ⁇ 302 mm and the inner diameter ⁇ 246 mm Divided into four to form peripheral fan-shaped heating zones F1 to F4.
  • a temperature measuring element was provided at the center position of each of the six heating zones in total. However, for the annular intermediate portion E, a temperature measuring element was provided at one position on the circumference of ⁇ 170.5 mm with respect to the center point of the heat generating module.
  • the heat generating module of the heater unit for wafer heating of sample 3 four concentric concentric circular central portions G of ⁇ 95 mm, ⁇ 171.5 mm, ⁇ 246 mm and ⁇ 302 mm with respect to the center point thereof, and annular middle portion H
  • the inner intermediate fan-shaped heating zone H1 is divided into four into an annular outer intermediate portion I and an annular peripheral portion J, and an inner annular intermediate portion H having an outer diameter of 171.5 mm and an inner diameter of 95 mm is equally divided into two in the circumferential direction.
  • An outer annular intermediate portion I having an outer diameter of 246 mm and an inner diameter of 171.5 mm is equally divided into four in the circumferential direction to form outer intermediate fan-shaped heating zones I1 to I4, and an annular peripheral portion J having an outer diameter of 302 mm and an inner diameter of 246 mm in the circumferential direction. Divided into eight equal parts to form peripheral fan-shaped heating zones J1 to J8. A temperature measuring element was provided at the center position of each of these 15 zones of heating zones. Table 4 summarizes the division patterns of the plurality of heating zones in the heater units of Samples 1 to 3.
  • the flatness of the wafer mounting surface 11a was measured with a commercially available three-dimensional measuring device.
  • power was supplied to the plurality of heating circuits 13a for each of the heater units of Samples 1 to 3 to raise the temperature from normal temperature to 110 ° C., and then held for 1 hour while controlling the temperature at 110 ° C.
  • a commercially available wafer thermometer in which a temperature measuring sensor is embedded was installed on the wafer mounting surface 11a, and the soaking range, which is the difference between the maximum temperature and the minimum temperature in the wafer mounting surface 11a, was measured. The results are shown in Table 5 below.
  • the soaking range was 0.17 ° C. in the heater unit of Sample 2.
  • the maximum temperature and the minimum temperature exist in the annular intermediate portion E, and the vicinity of the bolt fastening the wafer mounting table 11 and the support plate 12 is in the low temperature range.
  • the annular middle part E is composed of only one heating zone. Therefore, the ratio to the average area of all the heating zones is extremely large at 242%.
  • the temperature measurement sensor which comprises a temperature control system is installed only in one place among said wide heating zones. Therefore, it is considered that the temperature sensor can not detect the heat radiation from the fastening bolt disposed in the area of the annular intermediate portion E.
  • the soaking range is 0.21 ° C
  • temperature measuring sensors are arranged in each of peripheral fan-shaped heating zones J1 to J8 equally divided into eight in the circumferential direction.
  • the temperature at the zone boundary between adjacent heating zones in the circumferential direction is higher than that at the central position. This is because the area around one heating zone is small in the annular peripheral portion J, so the ratio of the portion where the heat generating circuit can not be disposed for the installation of the temperature measuring sensor, that is, the portion without heat generation is relatively large. It is thought that it originates in things.
  • temperature control is performed based on the temperature of the installation site of the temperature measurement sensor, for example, in the area other than the installation site of the temperature measurement sensor, although the set temperature is exceeded, The temperature may be lower than the set temperature, and as a result, it is considered that the heating circuit is excessively supplied with power to further increase the temperature.
  • the wafer mounting surface 11a is balanced compared to the heater units of samples 2 and 3.
  • the temperature could be well controlled, resulting in a soaking range of 0.06 ° C.
  • no singular point was confirmed in the temperature distribution. This is considered to be attributable to the fact that the heat radiation effect of the relevant part can be distributed to a plurality of sections by setting the arrangement position of the fastening screw to a zone boundary.
  • Example 4 The heater units of Samples 4 to 6 are manufactured in the same manner as Samples 1 to 3 of Example 3 except that the material of wafer mounting table 11 is changed to copper and is changed to Si-SiC. The evaluation of The results are shown in Table 6 below together with the flatness of the wafer mounting table 11.
  • one temperature sensor is generally provided for each heating zone as a temperature detector. If a singular point such as a cool spot exists in the heating zone, it may be difficult to control the temperatures of the plurality of heating zones in a well-balanced manner, and temperature control may not be performed well.
  • the wafer heating heater unit includes a disk-shaped wafer mounting table having a wafer mounting surface on which a semiconductor wafer is mounted; A disk-shaped support plate for supporting the wafer mounting table; A circular thin film heat generating module held between the wafer mounting table and the support plate; The heat generating module has a plurality of heat generating circuits extending parallel to the wafer mounting surface, The wafer mounting surface is divided into a plurality of heating zones by the plurality of heating circuits, The plurality of heating zones are provided with a heating zone provided at the center of the wafer mounting surface in which a circular central portion is equally divided in the circumferential direction, and provided at the outer peripheral side of the circular central portion with the center of the circular central portion An annular portion having the same center, including a heating zone divided equally in the circumferential direction; The plurality of bar-like support portions for placing and separating the semiconductor wafer with respect to the wafer placement surface are provided in the thickness direction of the wafer placement table so as to pass through the inside of the wafer placement
  • the plurality of insertion holes are disposed at radially extending boundaries of the plurality of heating zones, and the plurality of heating zones in which the plurality of insertion holes are disposed have a plurality of divisions in the circumferential direction. It is an integral multiple of the number of insertion holes.
  • the above-described wafer heating heater unit further includes a heating zone provided on the outer peripheral side of the annular portion and having an annular peripheral portion having the same center as the center of the circular central portion divided equally in the circumferential direction. It is preferable that the circular center portion is equally divided into three in the circumferential direction, the annular portion is equally divided into six in the circumferential direction, and the annular peripheral portion is equally divided into six in the circumferential direction. This makes it possible to further improve the heat uniformity of the mounting surface on which the semiconductor wafer is mounted.
  • the plurality of insertion holes are provided between the heating zones adjacent in the circumferential direction among the plurality of heating zones and / or between the heating zones adjacent in the radial direction. It is preferable that the circumferential direction be provided at equal intervals. Thereby, the bad influence to the thermal uniformity of the mounting surface by the penetration hole for lift pins can be suppressed.
  • the wafer heating heater unit 10 has substantially the same shape as the disk-shaped wafer mounting table 11 having the wafer mounting surface 11a on which the semiconductor wafer W is mounted on the upper surface, and the wafer mounting table 11.
  • a support plate 12 formed of a disk shape having an outer diameter and supporting the wafer mounting table 11 from the lower surface side over the entire surface, and held in electrical insulation between the wafer mounting table 11 and the support plate 12;
  • a heat generating module 13 in the form of a circular thin film having an outer diameter substantially equal to that of the wafer mounting table 11 is provided.
  • the wafer heating heater unit 10 is supported by a plurality of columnar legs 14 provided on the lower surface side of the support plate 12.
  • the semiconductor wafer W placed on the wafer placement surface 11a is placed on the wafer placement surface 11a or lifted from the wafer placement surface 11a by the support mechanism 20 described later. Therefore, in the wafer heating heater unit 10, a plurality of insertion holes 10 a for inserting a plurality of rod-like support portions (also referred to as lift pins) of the support mechanism 20 are provided in the thickness direction of the wafer mounting table 11.
  • the wafer mounting table 11 is preferably made of a material having a high thermal conductivity so as to achieve extremely high temperature uniformity, that is, high heat uniformity over the entire surface of the wafer mounting surface 11a.
  • a material having a high thermal conductivity so as to achieve extremely high temperature uniformity, that is, high heat uniformity over the entire surface of the wafer mounting surface 11a.
  • the material of the wafer mounting table 11 may be a ceramic or ceramic complex having high rigidity (Young's modulus) such as silicon carbide, aluminum nitride, Si-SiC, Al-SiC, etc., whereby the flatness of the wafer mounting surface 11a is always obtained. It becomes possible to maintain.
  • the heat capacity can be reduced because it is not necessary to make the wafer mounting table 11 thick in order to prevent the warpage of the wafer mounting surface 11a. Therefore, it is possible to speed up the temperature rise and fall.
  • the material of the support plate 12 is also preferably a ceramic or ceramic composite such as silicon carbide having high rigidity (Young's modulus), aluminum nitride, Si-SiC, or Al-SiC.
  • the wafer mounting surface 11 and the support plate 12 are overlaid and mechanically coupled to each other with the heat generating module 13 interposed therebetween. Since warpage can be suppressed, it is possible to realize the heater unit 10 having both high thermal uniformity and flatness on the wafer mounting surface 11a.
  • the wafer mounting table 11 and the support plate 12 be mechanically coupled to each other by screwing or the like.
  • the wafer mounting table 11 and the support plate 12 can be thermally expanded freely in the direction of the wafer mounting surface 11 a according to the respective temperatures.
  • a female screw (not shown) is provided on the lower surface side of the wafer mounting table 11 by inserting a male screw (not shown) from below into a screw hole (not shown) which penetrates through the support plate 12 in the thickness direction.
  • a bearing (not shown) is interposed between the bearing surface of the male screw and the lower surface of the support plate 12 which is the contact portion.
  • the insertion holes of the female screw portion are provided at positions corresponding to the screw holes of the support plate 12.
  • the screwing portion is preferably disposed outside the effective diameter of the heating circuit described later. By doing this, it is possible to realize a mounting table with high temperature uniformity in which local cool spots hardly occur.
  • the screwing portion is disposed within the effective diameter of the heating circuit, the plurality of heating zones are disposed between the heating zones adjacent in the circumferential direction and / or between the heating zones adjacent in the radial direction. It is preferable that the division pattern be axisymmetric with respect to a radial line segment of the wafer mounting surface passing through the arrangement position, thereby suppressing the deterioration in temperature uniformity due to the screwing portion. it can.
  • the screwing portion is located on the same radial line segment as the lift pin insertion hole described above, and the division pattern is line symmetrical with respect to the line segment.
  • the singular points such as mechanical parts and electrical parts that interfere with any or all of the mounting table, the heating unit, and the support plate, these singular points are disposed outside the effective diameter of the heating circuit.
  • the effective diameter of the heat generating circuit is the diameter of a circular area of the wafer mounting surface 11a where the heat generating circuit 13a described later is disposed immediately below.
  • the heat generating module 13 held between the wafer mounting table 11 and the support plate 12 has a plurality of heat generating circuits 13 a extending on a surface parallel to the wafer mounting surface 11 a.
  • the plurality of heating circuits 13a are covered with an insulator so as to be in an electrically insulated state from the wafer mounting table 11 and the support plate 12 described above.
  • the conductive metal foil is patterned by etching or laser processing to form a plurality of heat generating circuits 13a, which can then be fabricated by sandwiching it from above and below with a heat resistant insulating sheet such as a polyimide sheet.
  • the thickness of the conductive metal foil used for the heat generating circuit 13a is thin, etc.
  • Heat-resistant insulation sheet such as conductive metal foil and polyimide sheet for electrical insulation in advance and thermo-compression bonding, and after this thermo-compression bonding, only conductive metal foil is patterned by etching etc.
  • the heat generating module 13 is integrated by integrating the film and the pattern foil (that is, the heat generating circuit 13a in the form of a foil) and further laminating a polyimide film on the integrated heat generating circuit 13a in the form of a foil. May be produced.
  • the wafer mounting surface 11a can be divided into a plurality of heating zones.
  • the division pattern of the plurality of heating zones defined by the plurality of heating circuits 13a is not particularly limited, but the disk-shaped wafer mounting table 11 generally dissipates heat from the peripheral portion having a larger surface area than the central portion. Because there are many, in the steady state, the peripheral portion is likely to be locally low in temperature.
  • the outer diameter of the mounting table is generally larger than the diameter of the wafer. Distribution occurs.
  • the temperature of the mounting table is raised to a predetermined temperature by the operation of the control system.
  • the transition temperature distribution of the semiconductor wafer also becomes concentric center cooling.
  • the division pattern of the heating zone be concentrically divided in the radial direction.
  • a load lock or the like is provided on the wall surface of the vacuum chamber on which the heater unit 10 is mounted, the environment around the wafer mounting table 11 is not uniform in the circumferential direction. Therefore, as shown in FIG. 9, it is preferable to use a division pattern in which the wafer mounting surface 11a is divided concentrically and further divided equally in the circumferential direction.
  • the wafer mounting surface 11a is a circular central portion A, an annular intermediate portion B which is an annular portion outside the circular central portion A, and an outer side of the annular intermediate portion B. It is concentrically divided into an annular peripheral portion C which is an annular portion. Further, the circular central portion A is equally divided into three in the circumferential direction as central fan-shaped heating zones A1 to A3. The annular intermediate portion B is equally divided into six in the circumferential direction as intermediate fan-shaped heating zones B1 to B6. The annular peripheral portion C is equally divided into six in the circumferential direction as peripheral fan-shaped heating zones C1 to C6.
  • the wafer heating heater unit 10 the above-mentioned concentrically divided circular central portion A, annular intermediate portion B, and annular peripheral portion C in the concentric region including the circumferential edge portion, in the radial boundary portion,
  • the number of divisions in the circumferential direction is an integral multiple of the number of the plurality of insertion holes 10a. That is, in the divided pattern shown in FIG. 9, three lift pin insertion holes 10a are provided at the boundary between the circular central portion A and the annular middle portion B adjacent to each other in the radial direction.
  • one circular central portion A is equally divided into three in the circumferential direction, so that the number of divisions in the circumferential direction is equal to the number of the insertion holes 10a (that is, 1 time).
  • the other annular intermediate portion B is equally divided into six in the circumferential direction, so that the number of divisions in the circumferential direction is twice the number of the insertion holes 10a.
  • the plurality of insertion holes 10a be arranged at equal intervals in the circumferential direction at the boundary between the heating zones adjacent in the radial direction of the wafer mounting surface 11a. Furthermore, as shown in FIG. 9, it is preferable that the plurality of insertion holes 10a be arranged also at the boundary between the heating zones adjacent in the circumferential direction of the wafer mounting surface 11a. That is, in addition to the fact that the three insertion holes 10a are arranged at the boundary between the circular central portion A and the annular intermediate portion B, the central fan-shaped heating zones A1 and A2 are provided in the section pattern shown in FIG. , A2 and A3, and A3 and A1.
  • the circuit pattern of the heating circuit (not shown) provided in each heating zone, and various circuit patterns can be provided.
  • two electrode terminals (not shown) are connected to both ends of the heat generating circuit.
  • the heating density of the plurality of heating circuits may be different for each heating zone. For example, as described above, since the outside diameter of the mounting table is generally larger than the diameter of the wafer, when the semiconductor wafer is mounted on the mounting table, the center table of the center table is concentric cooler A mold temperature distribution results.
  • the temperature of the mounting table is raised to a predetermined temperature by the operation of the control system.
  • the transition temperature distribution of the semiconductor wafer also becomes concentric center cooling.
  • the method of increasing the heat generation density can be realized by narrowing the pitch of the circuit pattern of the heat generating circuit or narrowing the width of the conductive wire constituting the heat generating circuit.
  • the effective area of the heat generating circuit with respect to the entire area parallel to the wafer mounting surface 11a (that is, the separated space between the heating zones adjacent to each other from the above total area of the heat generating module 13)
  • the ratio of the effective heat generation area i.e., the ratio of the effective heat generation area is preferably 80% or more.
  • the wafer heating heater unit 10 has a temperature measuring sensor (not shown) formed of a temperature measuring element whose resistance value is adjusted in each of a plurality of heating zones, for example, at the center position of the heating zone.
  • the heating circuits in the heating zone are individually controlled based on the detected value.
  • the point which is (r1 + r2) / 2 and is ( ⁇ 1 + ⁇ 2) / 2 is defined as the center position of the heating zone, where
  • the circumferential position ( ⁇ 1 + ⁇ 2) / 2 is an arbitrary position on the circumference, and therefore adjacent centers
  • the separation distance of the position it is defined as a point which is the shortest distance.
  • the temperature measuring sensor described above is, for example, provided with a counterbore hole of a size that the temperature measuring sensor fits on the lower surface side of the wafer mounting table 11, and an adhesive is applied to the bottom surface to fix the temperature measuring sensor. The temperature can be detected well.
  • the support mechanism 20 includes a plurality of rod-like support portions 21 which protrude and retract from the insertion holes 10 a provided in the wafer heating heater unit 10, and a drive portion 22 which reciprocates them in the vertical direction.
  • the cooling unit 30 is movable cooling that can reciprocate between an abutting position abutted against the lower surface side of the support plate 12 as indicated by an alternate long and short dash line and a separated position separating from the support plate 12 as indicated by a solid line. It has a plate 31 and a stationary cooling stage 32 which abuts when the movable cooling plate 31 is in the separated position.
  • the material of the movable cooling plate 31 and the fixed cooling stage 32 is selected from the group consisting of copper, aluminum, nickel, magnesium, titanium having high thermal conductivity, or an alloy or stainless steel mainly containing at least one of them. Is preferred.
  • the stationary cooling stage 32 has a refrigerant flow path 32a in which an antifreeze liquid such as a fluorine-based refrigerant cooled by a cooling device such as a chiller (not shown), air, and a general-purpose refrigerant such as water circulate.
  • the form of the refrigerant flow path is not particularly limited.
  • a metal pipe such as Cu is placed along the lower surface side of the metal plate member as a refrigerant flow path, and stainless steel joints are provided at both ends of the metal pipe. While being attached, in a state where the metal pipe is pressed against the plate-like member by the pressing plate, the pressing plate and the plate-like member can be mechanically coupled with each other by a screw or the like.
  • a spiral counterbore groove is provided on the lower surface side of the metal plate-like member, and a metallic pipe for circulating refrigerant formed in a spiral shape is installed in the counterbore groove.
  • a caulking material, a sealant, an adhesive or the like it is preferable to bond and fix the surface of the metal pipe and the inner surface of the counterbore with a caulking material, a sealant, an adhesive or the like.
  • the sheet members may be stacked and integrated by a bonding method such as brazing.
  • the movable cooling plate 31 is attached to an elevating mechanism 33 composed of an air cylinder or the like. As a result, by operating the elevating mechanism 33, it becomes possible to reciprocate the stationary cooling plate 31 between the contact position and the separated position described above. It should be noted that the cooling stage 32 having the refrigerant flow path itself may be reciprocated between a position contacting the lower surface side of the support plate 12 and a position separating from the lower surface side without using the movable cooling plate 31 .
  • An intervening layer may be provided on the upper surface of the movable cooling plate 31, the upper surface of the fixed cooling stage 32, and / or the lower surface of the support plate 12.
  • the intervening layer preferably has cushioning properties (flexibility) in the thickness direction, and preferably has heat resistance. Furthermore, it is preferable to have high thermal conductivity, for example, of 1 W / m ⁇ K or more. Examples of such a material include a foam metal, a metal mesh, a graphite sheet, or a resin sheet such as a fluorine resin, a polyimide resin, or a silicone resin. In addition, it becomes possible to make thermal resistance smaller by containing heat conductive fillers, such as carbon, in said resin sheet.
  • the wafer heating heater unit 10 and the cooling unit 30 according to one embodiment of the present invention are preferably housed in a container 40 made of stainless steel. [Example]
  • Example 5 The wafer heating heater unit 10 provided with the support mechanism 20 and the cooling unit 30 below as shown in FIG. 8 was manufactured, and the heat uniformity of the wafer mounting surface 11 a was evaluated. Specifically, first, a disk-shaped copper plate having a diameter of 320 mm and a thickness of 3 mm was prepared as the wafer mounting table 11. Three insertion holes for lift pins were evenly drilled in the circumferential direction of the wafer mounting surface 11 a at a position of PCD 120 mm of this copper plate.
  • each of these counterbore holes is made of ceramics (W2 mm ⁇ D2 mm ⁇ H1 mm)
  • the temperature measuring element of the above was adhesively fixed using a silicone adhesive.
  • a disk-shaped Si—SiC plate of diameter 320 mm ⁇ thickness 3 mm was prepared as the support plate 12. Also in this Si-SiC plate, three insertion holes for lift pins were equally drilled in the circumferential direction of the wafer mounting surface 11a at a position of PCD 120 mm. Further, the Si-SiC plate was provided with lead wires of the temperature measuring element and through holes for insertion of screws and the like described later.
  • a circuit pattern of the plurality of heating circuits 13a is formed by etching on a stainless steel foil having a thickness of 20 ⁇ m as a resistance heating element to be the plurality of heating circuits 13a of the heating module 13. Then, the resistance heating element was covered from both upper and lower sides with a 50 ⁇ m thick polyimide sheet and thermocompression bonded to prepare a circular film-like heat generating module 13 having a diameter of 320 mm.
  • the plurality of heating zones in which the plurality of heating circuits 13a of the above-described heating module 13 are provided are made to have the division pattern of FIG. Specifically, three concentric circles of ⁇ 120 mm, ⁇ 246 mm, and ⁇ 302 mm are divided into three parts, ie, circular central portion A, annular intermediate portion B, and annular peripheral portion C with respect to the center point of circular heat generating module 13, and further ⁇ 120 mm.
  • the central portion A of the circle is equally divided into three in the circumferential direction to form central fan-shaped heating zones A1 to A3, and the annular intermediate portion B having an outer diameter of 246 mm and an inner diameter of 120 mm is circumferentially divided into six equal portions.
  • An annular peripheral portion C having an outer diameter of 302 mm and an inner diameter of 246 mm is equally divided into six in the circumferential direction to form peripheral fan-shaped heating zones C1 to C6. Further, in the heat generating module 13, three insertion holes for lift pins were equally drilled in the circumferential direction of the wafer mounting surface 11a at a position of PCD 120 mm. The above-mentioned temperature measurement element was arranged at the center position of each section so that the 15 heating circuits 13a provided in each of the heating zones of these 15 sections in total were individually controlled. The feed cable of the heating circuit is also drawn out for each section.
  • the heat generating module 13 manufactured in this manner is sandwiched between the wafer mounting table 11 and the support plate 12, and a screw is inserted into a through hole previously provided in the support plate 12 and screwed onto the wafer mounting table 11. did.
  • a wafer heating heater unit 10 was produced, in which the wafer mounting table 11 and the support plate 12 were mechanically coupled to each other with the heat generating module 13 interposed therebetween.
  • a fastening screw having a bearing on the bearing surface was used so that the wafer mounting table 11 and the support plate 12 would not be deformed due to the thermal expansion difference.
  • Three fastening screws were provided for PCD 120 mm, and six fastening screws were provided for PCD 310 mm.
  • the lead wires of the temperature measuring element taken out from the support plate 12 are adhered and fixed with silicone resin in a state of being in contact with the support plate 12 over a length of 30 mm. did.
  • a support mechanism 20 is provided for mounting the semiconductor wafer W on the wafer mounting surface 11 a or separating the semiconductor wafer W from the wafer mounting surface 11 a.
  • the support mechanism 20 includes three rod-like support portions 21 which protrude and retract from the insertion holes 10a provided in the wafer heating heater unit 10, and a drive portion 22 which reciprocates them in the vertical direction.
  • a disk-shaped aluminum alloy plate of 320 mm in diameter ⁇ 12 mm in thickness for the movable cooling plate 31 and a disk-shaped aluminum alloy plate of 320 mm in diameter ⁇ 12 mm in thickness for the stationary cooling stage 32. Prepared.
  • a flexible silicone sheet is disposed on the aluminum alloy plate for the movable cooling plate 31 so that the entire surface of the supporting plate 12 and the movable cooling plate 31 is in contact with the upper surface side in contact with the support plate 12. .
  • a phosphorus-deoxidized copper pipe having an outer diameter of 6 mm and a thickness of 1 mm for refrigerant channel 32a was attached using a screw. Then, joints for supplying and discharging the refrigerant were attached to both ends of the copper pipe.
  • the supporting portion 21, the feeding cable, the lead wire of the temperature measuring element, and the leg portion 14 erected from the bottom of the container 40 described later are inserted into both aluminum alloy plates as the cooling unit 30 manufactured in this manner.
  • a through hole was provided.
  • the aluminum alloy plate for the stationary cooling stage 32 was provided with a through hole through which the rod of the elevating mechanism 33 consisting of the air cylinder of the movable cooling plate 31 is inserted.
  • the above-mentioned cooling unit 30 was placed in a stainless steel container 40 having a side wall of 1.5 mm thick and opened at the top.
  • the elevating mechanism 33 was attached to the lower side of the fixed cooling stage 32, and the rod was inserted through the above-mentioned through hole for rod insertion, and the movable cooling plate 31 was attached to the tip thereof.
  • the wafer heating heater unit 10 of the sample 1 provided with the support mechanism 20 and the cooling unit 30 was manufactured.
  • the distance between the lower surface of the support plate 12 and the upper surface of the movable cooling plate 31 when the rod of the elevating mechanism 33 was retracted was 10 mm.
  • the cooling unit is the same as the sample 1 except that the division pattern of the heat generating module held between the wafer mounting table 11 and the support plate 12 is changed to the division pattern of FIG. 10 and FIG.
  • a heater unit for wafer heating of Samples 2 and 3 provided with That is, in the heat generating module of the heater unit for wafer heating of sample 2, three concentric circles of ⁇ 95 mm, ⁇ 246 mm and ⁇ 302 mm with respect to the center point of circular central portion D, annular intermediate portion E, and annular peripheral portion F Divide the circular central part D and the annular middle part E into circular heating zones and annular heating zones as they are without dividing them in the circumferential direction.
  • annular peripheral part F Only the annular peripheral part F with an outer diameter of ⁇ 302 mm and an inner diameter of ⁇ 246 mm in the circumferential direction
  • the peripheral fan-shaped heating zones F1 to F4 are divided.
  • a temperature measuring element was provided at the center position of each of the six heating zones in total.
  • a temperature measuring element was provided at one position on the circumference of ⁇ 170.5 mm with respect to the center point of the heat generating module.
  • the four concentric circles ⁇ 95 mm, ⁇ 171.5 mm, ⁇ 246 mm and ⁇ 302 mm with respect to the center point form a circular central portion G, an inner annular intermediate portion H, and an outer side.
  • the inner intermediate portion H is divided into four into an annular intermediate portion I and an annular peripheral portion J, and an inner annular intermediate portion H having an outer diameter of 171.5 mm and an inner diameter of 95 mm is equally divided into two in the circumferential direction to form inner intermediate fan-shaped heating zones H1 to H2.
  • outer annular intermediate portion I having an outer diameter of 246 mm and an inner diameter of 171.5 mm is equally divided into four in the circumferential direction to form outer intermediate fan-shaped heating zones I1 to I4, and an annular peripheral portion J having an outer diameter of 302 mm and an inner diameter of 246 mm in the circumferential direction. Equal parts were divided into peripheral fan-shaped heating zones J1 to J8. A temperature measuring element was provided at the center position of each of these 15 zones of heating zones.
  • the flatness of the wafer mounting surface 11a was measured with a commercially available three-dimensional measuring device.
  • power was supplied to the plurality of heating circuits 13a for each of the heater units of Samples 1 to 3 to raise the temperature from normal temperature to 110 ° C., and then held for 1 hour while controlling the temperature at 110 ° C.
  • a commercially available wafer thermometer in which a temperature measuring sensor is embedded was installed on the wafer mounting surface 11a, and the soaking range, which is the difference between the maximum temperature and the minimum temperature in the wafer mounting surface 11a, was measured. The results are shown in Table 7 below.
  • the soaking range was 0.17 ° C. in the heater unit of Sample 2.
  • the maximum temperature and the minimum temperature exist in the annular intermediate portion E, and the vicinity of the bolt fastening the wafer mounting table 11 and the support plate 12 and the insertion hole for the support portion 21
  • the area around 10a was a low temperature area (cool spot). This is because the annular intermediate portion E is constituted by only one heating zone, and therefore, the influence is caused by the fact that the heat generating circuit can not be disposed in the fastening bolt or the insertion hole 10a disposed in the one heating zone. And, it is considered that the temperature sensor can not detect the heat radiation from the part of the fastening bolt and the insertion hole 10a.
  • the soaking range is 0.21 ° C., and according to the detailed temperature distribution, in the inner annular intermediate portion H divided into two equal parts, like the heater unit of sample 2, the fastening bolt, support portion 21
  • the low temperature region (cool spot) was around the insertion hole 10a for the purpose.
  • the reason is also considered to be the same as the heater unit of sample 2 described above, and the number of heating zones divided in the circumferential direction is not an integral multiple of the number of fastening bolts and insertion holes 10a. It is considered that the thermal uniformity was adversely affected.
  • the number of fastening bolts is three
  • the number of insertion holes 10a for the support portion 21 is three
  • the fastening bolts and the insertion holes 10a are at the boundary between adjacent heating zones in the circumferential direction. Since the arrangement is performed, the negative effects due to the fastening bolts and the insertion holes 10a are distributed by both radially adjacent heating zones and both circumferentially adjacent heating zones, that is, a total of four heating zones. Singular point as a band was not confirmed.
  • Example 6 The heater units of Samples 4 to 6 are manufactured in the same manner as Samples 1 to 3 of Example 5 except that the material of wafer mounting table 11 is changed to copper and is changed to Si-SiC. The evaluation of The results are shown in Table 8 below together with the flatness of the wafer mounting table 11.

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Abstract

ウエハ加熱用ヒータユニットは、半導体ウエハが載置されるウエハ載置面を備えた円板状のウエハ載置台と、ウエハ載置台を支持する円板状の支持板と、ウエハ載置台と支持板との間に挟持された円形薄膜状の発熱モジュールとを有する。発熱モジュールはウエハ載置面に平行に延在する複数の発熱回路を有する。ウエハ載置面は、複数の発熱回路によってウエハ載置面の半径方向において隣接する複数の加熱ゾーンおよび周方向において隣接する複数の加熱ゾーンを有するように区分されている。ウエハ載置面の半径方向において隣接する複数の加熱ゾーンのいずれにおいても、複数の加熱ゾーンそれぞれにおける中心位置間の距離が複数の加熱ゾーンそれぞれにおける中心位置から複数の加熱ゾーンそれぞれの境界までの最長距離の50%以上である。

Description

ウエハ加熱用ヒータユニット
 本開示は、ウエハ加熱用ヒータユニットに関する。本出願は2017年10月10日出願の日本特許出願第2017-196683号、日本特許出願第2017-196684号および日本特許出願第2017-196685号に基づく優先権を主張し、前記日本特許出願に記載された全ての内容を援用するものである。
 LSIやメモリなどの半導体デバイスを製造する半導体製造装置では、半導体ウエハに対してCVDやスパッタリング等による成膜、レジストの塗布、露光及び現像等のフォトリソグラフィ―、パターニングのためのエッチング等の一連の工程からなる薄膜処理が施される。これらの薄膜処理では、一般に半導体ウエハを所定の温度に加熱した状態で処理を行うため、例えばフォトリソグラフィ―が行われるコータデベロッパ装置では、被処理物の半導体ウエハを載置してその下面から加熱するサセプタとも称するウエハ加熱用ヒータユニットが用いられている。
 上記ウエハ加熱用ヒータユニットは、例えば特許文献1に示されるように、上面に平坦なウエハ載置面を備えたセラミックス製の円板状部材からなるウエハ載置台と、これを下面側から支持する筒状支持体とから構成されており、該ウエハ載置台の内部には電熱コイルやパターニングされた金属薄膜等の発熱回路がウエハ載置面に平行に埋設されている。
該発熱回路の両端部にはウエハ載置台の下面側に設けた1対の電極端子が電気的に接続しており、この1対の電極端子及びその引出線を介して外部電源から該発熱回路に給電が行われる。
 上記したウエハ加熱用ヒータユニットでは、製品となる半導体デバイスの品質にばらつきが生じないように、ウエハ載置面での均熱性を高めて半導体ウエハを全面に亘って均一に加熱することが求められている。そのため、該発熱回路の回路パターンを緻密にして温度ムラが生じないようにしたり、ウエハ載置面に画定した複数の加熱ゾーン(マルチゾーン)の各々に対して個別に温度制御を行うべく、当該複数の加熱ゾーンの各々にウエハ載置面に平行に延在する発熱回路を配して個別に給電したりすることが行われている。
特開2003-17224号公報
 本開示に係る第1のウエハ加熱用ヒータユニットは、半導体ウエハが載置されるウエハ載置面を備えた円板状のウエハ載置台と、
前記ウエハ載置台を支持する円板状の支持板と、
前記ウエハ載置台と前記支持板との間に挟持された円形薄膜状の発熱モジュールとを有し、
 前記発熱モジュールは前記ウエハ載置面に平行に延在する複数の発熱回路を有し、
前記ウエハ載置面は、前記複数の発熱回路によって前記ウエハ載置面の半径方向において隣接する複数の加熱ゾーンおよび周方向において隣接する複数の加熱ゾーンを有するように区分されており、
前記ウエハ載置面の半径方向において隣接する複数の加熱ゾーンのいずれにおいても、前記複数の加熱ゾーンそれぞれにおける中心位置間の距離が前記複数の加熱ゾーンそれぞれにおける中心位置から前記複数の加熱ゾーンそれぞれの境界までの最長距離の50%以上である。
 本開示に係る第2のウエハ加熱用ヒータユニットは、半導体ウエハが載置されるウエハ載置面を備えた円板状のウエハ載置台と、
前記ウエハ載置台を支持する円板状の支持板と、
前記ウエハ載置台と前記支持板との間に挟持された円形薄膜状の発熱モジュールとを有し、
 前記発熱モジュールは前記ウエハ載置面に平行に延在する複数の発熱回路を有し、
前記ウエハ載置面は、前記複数の発熱回路によって複数の加熱ゾーンに区分されており、
前記複数の加熱ゾーンは、前記ウエハ載置面の中央に設けられた円形中央部が周方向に均等に分割された加熱ゾーン、前記円形中央部の外周側に設けられ前記円形中央部の中心と同じ中心を有する環状部が周方向に均等に分割された加熱ゾーン、及び前記環状部の外周側に設けられ前記円形中央部の中心と同じ中心を有する環状周縁部が周方向に均等に分割された加熱ゾーンから構成され、
前記複数の加熱ゾーン各々の面積は、前記複数の加熱ゾーンの平均面積の±30%以内である。
 本開示に係る第3のウエハ加熱用ヒータユニットは、半導体ウエハが載置されるウエハ載置面を備えた円板状のウエハ載置台と、
前記ウエハ載置台を支持する円板状の支持板と、
前記ウエハ載置台と前記支持板との間に挟持された円形薄膜状の発熱モジュールとを有し、
 前記発熱モジュールは前記ウエハ載置面に平行に延在する複数の発熱回路を有し、
前記ウエハ載置面は、前記複数の発熱回路によって複数の加熱ゾーンに区分されており、
前記複数の加熱ゾーンは、前記ウエハ載置面の中央に設けられた円形中央部が周方向に均等に分割された加熱ゾーンおよび前記円形中央部の外周側に設けられ前記円形中央部の中心と同じ中心を有する環状部が周方向に均等に分割された加熱ゾーン、を含み、
 前記ウエハ載置台は、前記ウエハ載置面に対して前記半導体ウエハを載置及び離間させる棒状の支持部が前記ウエハ載置台の内部を通るように前記ウエハ載置台の厚み方向に設けられた複数の挿通孔を有し、
前記複数の挿通孔は、前記複数の加熱ゾーンの半径方向に延在する境界部に配置され、前記複数の挿通孔が配置された前記複数の加熱ゾーンは、周方向の分割数が前記複数の挿通孔の数の整数倍である。
図1は、本開示の第1の実施形態および第2の実施形態に係るウエハ加熱用ヒータユニットの一具体例の縦断面図である。 図2は、図1のウエハ加熱用ヒータユニットが有する複数の発熱回路によって画定される第1の実施形態および第2の実施形態に係るウエハ載置面の複数の加熱ゾーンの区分パターンを示す平面図である。 図3は、図2の区分パターンにおいて、互いに隣接する加熱ゾーン同士の両中心位置の離間距離と、其々の加熱ゾーンの中心位置からゾーン境界までの最長距離との関係を示す平面図である。 図4は、第1の実施形態および第2の実施形態に係る比較例1のウエハ加熱用ヒータユニットのウエハ載置面上に画定される複数の加熱ゾーンの区分パターンを示す平面図である。 図5は、図4の区分パターンにおいて、互いに隣接する加熱ゾーン同士の両中心位置の離間距離と、其々の加熱ゾーンの中心位置からゾーン境界までの最長距離との関係を示す平面図である。 図6は、第1の実施形態および第2の実施形態に係る比較例2のウエハ加熱用ヒータユニットのウエハ載置面上に画定される複数の加熱ゾーンの区分パターンを示す平面図である。 図7は、図6の区分パターンにおいて、互いに隣接する加熱ゾーン同士の両中心位置の離間距離と、其々の加熱ゾーンの中心位置からゾーン境界までの最長距離との関係を示す平面図である。 図8は、本開示の第3の実施形態に係るウエハ加熱用ヒータユニットの一具体例の縦断面図である。 図9は、図8のウエハ加熱用ヒータユニットが有する複数の発熱回路によって画定される第3の実施形態に係るウエハ載置面の複数の加熱ゾーンの区分パターンを示す平面図である。 図10は、第3の実施形態に係る比較例1のウエハ加熱用ヒータユニットのウエハ載置面上に画定される複数の加熱ゾーンの区分パターンを示す平面図である。 図11は、第3の実施形態に係る比較例2のウエハ加熱用ヒータユニットのウエハ載置面上に画定される複数の加熱ゾーンの区分パターンを示す平面図である。
[第1の実施形態]
[本開示に係る第1の実施形態が解決しようとする課題]
 上記のようにウエハ載置面に画定した複数の加熱ゾーンに其々複数の発熱回路を配することで複数の加熱ゾーンを個別に温度制御することが可能になるものの、各加熱ゾーンに配した発熱回路の発熱量を電圧や電流で制御する制御系では、一般に温度検出器として各加熱ゾーンごとに1個の温度センサーが設けられるため、加熱ゾーンの面積が広くなると1個の温度センサーで加熱ゾーンの温度を適切に検出するのが困難になり、良好に温度制御できないことがあった。
 従来は上記の温度検出上の問題に起因するウエハ載置面の均熱性への悪影響は無視できる程度に小さかったため問題視されることはほとんどなかったが、近年の半導体デバイスの微細化に伴い、半導体ウエハが載置されるウエハ載置面の温度はより精密な制御が求められるようになってきている。そのため、これまで問題視されていなかった上記の問題が顕在化しつつある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、ウエハ載置面に画定される複数の加熱ゾーンの各々において、温度を適切に検出して制御することでウエハ載置面の均熱性を高めることが可能なウエハ加熱用ヒータユニットを提供することを目的とする。
[本開示に係る第1の実施形態の効果]
 ウエハ載置面上に画定される複数の加熱ゾーンの各々において温度を適切に検出して制御することができるので、該ウエハ載置面の均熱性を高めることが可能になる。
[第1の実施形態の詳細な説明]
 第1の実施形態に係るウエハ加熱用ヒータユニットは、半導体ウエハが載置されるウエハ載置面を備えた円板状のウエハ載置台と、
前記ウエハ載置台を支持する円板状の支持板と、
前記ウエハ載置台と前記支持板との間に挟持された円形薄膜状の発熱モジュールとを有し、
 前記発熱モジュールは前記ウエハ載置面に平行に延在する複数の発熱回路を有し、
前記ウエハ載置面は、前記複数の発熱回路によって前記ウエハ載置面の半径方向において隣接する複数の加熱ゾーンおよび周方向において隣接する複数の加熱ゾーンを有するように区分されており、
前記ウエハ載置面の半径方向において隣接する複数の加熱ゾーンのいずれにおいても、前記複数の加熱ゾーンそれぞれにおける中心位置間の距離が前記複数の加熱ゾーンそれぞれにおける中心位置から前記複数の加熱ゾーンそれぞれの境界までの最長距離の50%以上である。これにより、ウエハ載置面上に画定される複数の加熱ゾーンの各々において温度を適切に検出して制御することができるので、該ウエハ載置面の均熱性を高めることが可能になる。
 上記のウエハ加熱用ヒータユニットにおいては、前記複数の加熱ゾーンは、前記発熱モジュールにおいて、円形中央部を周方向に3等分した中央部扇状加熱ゾーンと、環状周縁部を周方向に6等分した周縁部扇状加熱ゾーンと、前記円形中央部と前記環状周縁部との間の環状部である環状中間部を周方向に6等分した中間部扇状加熱ゾーンとからなるのが好ましい。これにより半導体ウエハが載置される載置面の均熱性をより一層高めることができる。また、上記本発明のウエハ加熱用ヒータユニットの実施形態においては、前記複数の加熱ゾーンのうち周方向に隣接する加熱ゾーン同士の間及び/又は半径方向に隣接する加熱ゾーン同士の間に前記半導体ウエハのリフトピン用の挿通孔が設けられているのが好ましい。これにより、リフトピン用の挿通孔による載置面の均熱性への悪影響を抑えることができる。
 次に、第1の実施形態に係るウエハ加熱用ヒータユニットの一具体例について説明する。図1に示すように、ウエハ加熱用ヒータユニット10は、半導体ウエハWを載置するウエハ載置面11aを上面に備えた円板形状のウエハ載置台11と、このウエハ載置台11とほぼ同等の外径を有する円板形状からなり、ウエハ載置台11をその下面側から全面に亘って支持する支持板12と、これらウエハ載置台11と支持板12との間に電気的絶縁状態で挟持され、このウエハ載置台11とほぼ同等の外径を有する円形薄膜状の発熱モジュール13とを有している。このウエハ加熱用ヒータユニット10は、支持板12の下面側に設けられた複数の柱状の脚部20によって支持されている。
 上記のウエハ載置台11は、ウエハ載置面11aの全面に亘って極めて高い温度均一性、すなわち高い均熱性を実現すべく熱伝導率の高い材質からなるのが好ましく、例えば銅やアルミニウムなどの金属がより好ましい。ウエハ載置台11の材質は、炭化珪素、窒化アルミニウム、Si-SiC、Al-SiCなどの剛性(ヤング率)の高いセラミックスやセラミックス複合体でもよい。これによりウエハ載置面11aの平坦性を常時維持することが可能になる。さらに、ウエハ載置面11aの反り防止を目的としてウエハ載置台11を分厚くする必要がなくなるので熱容量を小さくできる。よって昇降温速度を速めることが可能になる。
 支持板12の材質も、剛性(ヤング率)の高い炭化珪素、窒化アルミニウム、Si-SiC、Al-SiCなどのセラミックスやセラミックス複合体を用いることが好ましい。特に、ウエハ載置台11の材質が金属の場合、後述するように発熱モジュール13を挟んでウエハ載置台11と支持板12とを重ね合わせて機械的に結合することで、ウエハ載置面11aの反りを抑えることができるので、ウエハ載置面11aにおいて高い均熱性と平坦性を兼ね備えたヒータユニット10を実現することができる。
 ウエハ載置台11と支持板12とはネジ止めになどによって互いに機械的に結合することが好ましい。特に、ウエハ載置台11と支持板12とが互いに異なる材質からなる場合は、ウエハ載置台11及び支持板12が其々の温度に応じてウエハ載置面11aの方向に自由に熱膨張できるように、例えば支持板12に厚み方向に貫通したネジ孔(図示せず)に下側から雄ネジ(図示せず)を挿通し、ウエハ載置台11の下面側に設けた雌ネジ部(図示せず)に螺合させると共に、該雄ネジの座面とその当接部となる支持板12の下面との間に例えばベアリング(図示せず)を介在させることが好ましい。なお、この場合は発熱モジュール13においても、上記支持板12のネジ孔に対応する位置に上記雌ネジ部の挿通孔が設けられることになる。
 ここで、上記ネジ止め部は後述の発熱回路の有効径外に配置することが好ましい。このようにすることで、局所的なクールスポットがほとんど生じない温度均一性の高い載置台を実現することができる。また、上記ネジ止め部を発熱回路の有効径内に配置する場合は、複数の加熱ゾーンのうち周方向に隣接する加熱ゾーン同士の間及び/又は半径方向に隣接する加熱ゾーン同士の間に配置し、且つこの配置位置を通るウエハ載置面の半径方向の線分に関して上記区分パターンが線対称となるようにすることが好ましく、これにより上記ネジ止め部による温度均一性の悪化を抑えることができる。上記のネジ止め部は、前述のリフトピン挿通孔と同一の該半径方向の線分上に位置し且つ該線分に関して上記区分パターンが線対称であるのが更に好ましい。上記のように、載置台、発熱ユニット、支持板のいずれか又は全てに干渉する機械部品や電装部品などの特異点が存在する場合は、これら特異点を、発熱回路の有効径外に配置するか、あるいは有効径内の場合は隣接する加熱ゾーンの間であって且つ区分パターンの対称線となる位置に配することで、温度均一性を損なうことなく所望の機能を発揮させることができる。なお、発熱回路の有効径とは、ウエハ載置面11aのうち、後述する発熱回路13aが真下に配されている円形領域の直径である。
 上記のウエハ載置台11と支持板12との間に挟持される発熱モジュール13は、上記のウエハ載置面11aに平行な面上に延在する複数の発熱回路13aを有している。複数の発熱回路13aは、上記のウエハ載置台11及び支持板12から電気的に絶縁状態となるように絶縁体で覆われている。このような形態の発熱モジュール13は、例えばステンレス箔等の導電性金属箔にエッチングやレーザー加工でパターニング加工を施すことで複数の発熱回路13aを形成した後、これを上下から例えばポリイミドシート等の耐熱性絶縁シートで挟み込むことで作製することができる。
 あるいは、発熱回路13aの回路パターンのライン幅が細かったり、発熱回路13aに用いる導電性金属箔の厚みが薄かったり等の理由により発熱回路13aを取り扱うのが困難な場合は、パターニング加工前の導電性金属箔と電気絶縁のためのポリイミドシート等の耐熱絶縁シートとを予め重ね合わせて熱圧着し、この熱圧着後に導電性金属箔のみをエッチングなどでパターニング加工することで、ベースとなる全面ポリイミドフィルムとパターン箔(すなわち箔状の発熱回路13a)とを一体化させ、この一体化された箔状の発熱回路13aの上から更にポリイミドフィルムを重ね合わせて熱圧着することで上記の発熱モジュール13を作製してもよい。
 このように、ウエハ載置面11aに平行に延在する複数の発熱回路13aを発熱モジュール13内に設けることによって、ウエハ載置面11aを複数の加熱ゾーンに区分することができる。これら複数の発熱回路13aによって画定される複数の加熱ゾーンの区分パターンには特に限定はないが、円板形状のウエハ載置台11は一般的に中央部よりも表面積の広い周縁部からの放熱が多いため、定常状態では当該周縁部が局所的に低温になりやすい。一方で、半導体ウエハが載置台に載置されると、一般にウエハ径よりも載置台の外径が大きいため、載置台には中央部が外周部よりも低温の同心円状のセンタークール型の温度分布が生じる。その後、載置台の温度は制御系の働きにより所定の温度まで昇温するが、上記の温度分布の影響を受けるので半導体ウエハの過渡的な温度分布も同心円状のセンタークールとなる。このようなセンタークール型の温度分布を補正するため、加熱ゾーンの区分パターンは半径方向に同心円状に分割することが好ましい。また、ヒータユニット10が搭載される真空チャンバーの壁面にはロードロック等が設けられているためウエハ載置台11の周囲の環境は周方向に均等ではない。そこで図2に示すように、ウエハ載置面11aを同心円状に分割したうえで更に周方向に均等に分割した区分パターンが好ましい。
 すなわち、図2に示す複数の加熱ゾーンの区分パターンでは、ウエハ載置面11aが円形中央部Aと、円形中央部Aの外側の環状中間部Bと、環状中間部Bの外側の環状周縁部Cとに同心円状に区分されている。更に、円形中央部Aは中央部扇状加熱ゾーンA1~A3として周方向に3等分されている。環状中間部Bは中間部扇状加熱ゾーンB1~B6として周方向に6等分されている。環状周縁部Cは周縁部扇状加熱ゾーンC1~C6として周方向に6等分されている。
 更に、ウエハ加熱用ヒータユニット10においては、上記のようにして区分された15ゾーンからなる加熱ゾーンは、ウエハ載置面11aの半径方向において互いに隣接するいずれの加熱ゾーン同士においても、それらの両中心位置の離間距離が、其々の加熱ゾーンの中心位置からゾーン境界までの最長距離の50%以上になっている。それぞれの加熱ゾーンは、ウエハ載置面の中心を中心とする円の領域、あるいは同じくウエハ載置面の中心を中心とする外周円と内周円で区画された円環の領域を、ウエハ載置面の半径をなす線分でウエハ載置面の周方向にn分割(nは0以上の整数)した形状である。加熱ゾーンの中心位置とは、加熱ゾーンの半径方向の中点であり、かつ周方向の中点となる点をいう。すなわち、加熱ゾーンの外周をなす円弧の半径をr1、内周をなす円弧の半径をr2(円の場合はr2=0)とし、周方向の境界の位置を任意の半径位置からの角度によってθ1とθ2とした場合に、(r1+r2)/2であってかつ(θ1+θ2)/2となる点を当該加熱ゾーンの中心位置と定義する。ここで、周方向の分割数n=0の場合、すなわち領域が円または円環の場合には、周方向の位置(θ1+θ2)/2は円周上の任意の位置となるため、隣接する中心位置の離間距離を求める場合には最短の距離となる点で定義する。
 上記の隣接する加熱ゾーン同士における両中心位置の離間距離と、各加熱ゾーンの中心位置からゾーン境界までの最長距離との関係について、図3を参照しながらより詳細に説明する。先ずウエハ載置面11aの半径方向において互いに隣接する円形中央部Aと環状中間部Bとの関係について検討する。円形中央部Aのうち中央部扇状加熱ゾーンA1が半径方向に隣接する加熱ゾーンは、中間部扇状加熱ゾーンB1及びB2の2つである。
 これらのうち、中央部扇状加熱ゾーンA1と中間部扇状加熱ゾーンB1との関係では、中央部扇状加熱ゾーンA1の中心位置OA1及び中間部扇状加熱ゾーンB1の中心位置OB1の離間距離は線分LA1B1の距離である。そして、中央部扇状加熱ゾーンA1では、その中心位置OA1からそのゾーン境界までの最長の直線距離は、中心位置OA1と扇形の角部に該当するPA1とを結ぶ線分LA1の距離である。一方、中間部扇状加熱ゾーンB1では、その中心位置OB1からそのゾーン境界までの最長の直線距離は、中心位置OB1と扇形の角部に該当するPB1とを結ぶ線分LB1の距離である。
 図3から分かるように、線分LA1の距離と両中心位置の離間距離である線分LA1B1の距離とを比べると、上記の線分LA1の距離の50%の長さは、上記の線分LA1B1の距離よりも短くなっている。また、線分LB1の距離と両中心位置の離間距離である線分LA1B1の距離とを比べると、上記の線分LB1の距離の50%の長さは、上記の線分LA1B1の距離よりも短くなっている。なお、図3に示す区分パターンは中間部扇状加熱ゾーンB1とB2との境界線を対称線として線対称になっており、よって互いに隣接する中央部扇状加熱ゾーンA1と間部扇状加熱ゾーンB2との関係も、上記した中央部扇状加熱ゾーンA1と中間部扇状加熱ゾーンB1との関係と同様である。また、中央部扇状加熱ゾーンA2と間部扇状加熱ゾーンB3及びB4との関係、及び中央部扇状加熱ゾーンA3と間部扇状加熱ゾーンB5及びB6との関係も上記した中央部扇状加熱ゾーンA1と中間部扇状加熱ゾーンB1との関係と同様である。
 上記の関係は、ウエハ載置面11aの半径方向において互いに隣接する環状中間部Bと環状周縁部Cとの関係においても同様のことがいえる。すなわち、環状中間部Bのうちの中間部扇状加熱ゾーンB1が隣接する加熱ゾーンは周縁部扇状加熱ゾーンC1である。中間部扇状加熱ゾーンB1の中心位置OB1及び周縁部扇状加熱ゾーンC1の中心位置OC1の離間距離は線分LB1C1の距離である。そして、中間部扇状加熱ゾーンB1では、前述したように、その中心位置OB1からそのゾーン境界までの最長の直線距離は、中心位置OB1と扇形の角部に該当するPB1とを結ぶ線分LB1の距離である。一方、周縁部扇状加熱ゾーンC1では、その中心位置OC1からそのゾーン境界までの最長の直線距離は、中心位置OC1と扇形の角部に該当するPC1とを結ぶ線分LC1の距離である。
 図3から分かるように、線分LB1の距離と両中心位置の離間距離である線分LB1C1の距離とを比べると、上記の線分LB1の距離の50%の長さは、上記の線分LB71C1の距離よりも短くなっている。また、線分LC1の距離と両中心位置の離間距離である線分LB1C1の距離とを比べると、上記の線分LC1の距離の50%の長さは、上記の線分LB1C1の距離よりも短くなっている。なお、中間部扇状加熱ゾーンB2と周縁部扇状加熱ゾーンC2との関係、中間部扇状加熱ゾーンB3と周縁部扇状加熱ゾーンC3との関係、中間部扇状加熱ゾーンB4と周縁部扇状加熱ゾーンC4との関係、中間部扇状加熱ゾーンB5と周縁部扇状加熱ゾーンC5との関係、及び中間部扇状加熱ゾーンB6と周縁部扇状加熱ゾーンC6との関係のいずれにおいても、上記した中間部扇状加熱ゾーンB1と周縁部扇状加熱ゾーンC1との関係と同様である。
 ウエハ加熱用ヒータユニット10は、上記の区分パターンを有することにより、載置面11aをより精密に温度制御することが可能になる。なお、ウエハ加熱用ヒータユニット10は、上記の複数の加熱ゾーンのうち周方向に隣接する加熱ゾーン同士の間に半導体ウエハのリフトピン用の挿通孔が設けられていてもよい。例えば図2には、中央部扇状加熱ゾーンA1とA2との間、A2とA3との間、及びA3とA1との間に3個のリフトピン用挿通孔Q1~Q3が其々設けられた例が示されている。このように周方向に隣接する加熱ゾーン同士の間にリフトピン用挿通孔を設けることで、当該挿通孔による載置面11aへの均熱性の悪影響を抑えることができる。あるいは、リフトピン用挿通孔は半径方向に隣接する加熱ゾーン同士の間に設けても良いし、周方向に隣接する加熱ゾーン同士の間であって且つ半径方向に隣接する加熱ゾーン同士の間に設けても良い。
 各加熱ゾーン内に設けられている図示しない発熱回路の回路パターンについては特に限定はなく、様々な回路パターンを有することができる。例えば、同心円状の複数の湾曲導電部と、これら湾曲導電部の隣接するもの同士を接続する直線導電部とで一筆書き状に形成された回路パターンにすることができる。この場合、発熱回路の両端部に其々2つの電極端子(図示せず)が接続されることになる。
 なお、複数の発熱回路は、加熱ゾーンごとに発熱密度が異なるようにしてもよい。例えば前述したように、一般にウエハ径よりも載置台の外径が大きいため、半導体ウエハが載置台に載置されると当該載置台には中央部が外周部よりも低温の同心円状のセンタークール型の温度分布が生じる。その後、載置台の温度は制御系の働きにより所定の温度まで昇温するが、上記の温度分布の影響を受けるので半導体ウエハの過渡的な温度分布も同心円状のセンタークールとなる。このようなセンタークール型の温度分布を補正するため、中央部扇状加熱ゾーンA1~A3の発熱密度を高く設計することで、ウエハ載置時の過渡的な温度均一性を一層向上することができる。発熱密度を高くする方法としては、発熱回路の回路パターンのピッチを狭くしたり発熱体回路を構成する導電線の幅を細くしたりすることで実現できる。
 なお、発熱モジュール13においては、ウエハ載置面11aに平行な全面積に対して発熱回路の有効面積(すなわち、発熱モジュール13の上記全面積から、互いに隣接する加熱ゾーン同士の離間スペース、ネジ孔やリフトピンの挿通孔、測温センサー設置部位等の発熱がないスペースを引いたもの)の比率、すなわち有効発熱領域の比率が80%以上であるのが好ましい。
 ウエハ加熱用ヒータユニット10は、複数の加熱ゾーンの各々において例えば抵抗値が調整された測温素子からなる測温センサー(図示せず)を前述した中心位置に該当する位置に設けると共に、各測温センサーの検出値に基づいて当該加熱ゾーン内の発熱回路を個別に制御するのが好ましい。これにより載置面11aを局所的に加熱することができるので、例えばロードロックの開閉等により載置面11aが部分的に冷却されるような場合であっても均熱性を良好に維持することが可能になる。上記の測温センサーは例えばウエハ載置台11の下面側に測温センサーが収まる大きさのザグリ穴を設け、その底面に接着剤を塗布して測温センサーを接着固定することで各加熱ゾーンの温度を良好に検知することができる。
 再度図1に戻ると、ウエハ加熱用ヒータユニット10は、支持板12の下方に冷却ユニット30が設けられている。この冷却ユニット30は、一点鎖線で示すように支持板12の下面側に当接する当接位置と、実線で示すように支持板12から離間する離間位置との間で往復動可能な可動式冷却板31と、この可動式冷却板31が上記離間位置にある時に当接する固定式冷却ステージ32とを有している。これら可動式冷却板31及び固定式冷却ステージ32の材質は、熱伝導性が高い銅、アルミニウム、ニッケル、マグネシウム、チタン、若しくはこれらの少なくともいずれかを主成分とする合金又はステンレスからなる群から選択することが好ましい。
 この固定式冷却ステージ32は、図示しないチラーなどの冷却装置で冷却されたフッ素系冷媒等の不凍液、空気、汎用的な水等の冷媒が循環する冷媒流路32aを有している。
この冷媒流路の形態は特に限定はなく、例えば金属製の板状部材の下面側に冷媒流路としてCuなどの金属製のパイプを沿わせ、この金属製パイプの両端にステンレス製の継ぎ手を取り付けると共に、金属製パイプを押さえ板で板状部材に押さえつけた状態で該押さえ板と板状部材とをネジなどにより機械的に結合する構造にすることができる。
 あるいは、より高い熱効率を得るため、金属製の板状部材の下面側に例えば渦巻き状のザグリ溝を設け、このザグリ溝中に渦巻き状に成形した冷媒流通用の金属製パイプを設置した構造でもよい。この場合、金属製パイプと冷却板との良好な熱伝達を保つため、コーキング材、シーラント、接着剤などにより金属製パイプの表面とザグリ溝の内面とを接着固定するのが好ましい。あるいは、同じ材質の略同形状の2枚の板状部材を用意し、それらの一方又は両方の片面に機械加工で流路となる溝を形成し、この流路側の面が対向するように2枚の板状部材を重ね合わせて例えばロウ付けなどの結合法で一体化した構造でもよい。
 可動式冷却板31は、エアシリンダなどからなる昇降機構33に取り付けられている。
これにより、昇降機構33を作動させることで固定式冷却板31を前述した当接位置と、離間位置との間で往復動させることが可能になる。なお、可動式冷却板31を使用せずに冷媒流路を有する冷却ステージ32自体を支持板12の下面側に当接する位置と該下面側から離間する位置との間で往復動させてもよい。
 上記の可動式冷却板31の上面や固定式冷却ステージ32の上面、及び/又は支持板12の下面には介在層(図示せず)を設けてもよい。この介在層は、厚み方向にクッション性(柔軟性)を有しているのが好ましく、また耐熱性を有しているのが好ましい。更に、例えば1W/m・K以上の高い熱伝導率を有していることが好ましい。このような材質としては、発泡金属、金属メッシュ、グラファイトシート、又はフッ素樹脂、ポリイミド樹脂、若しくはシリコーン樹脂等の樹脂シートを挙げることができる。なお、上記の樹脂シートにカーボンなどの熱伝導性フィラーを含有することで、熱抵抗をより小さくすることが可能になる。なお、本発明の一具体例のウエハ加熱用ヒータユニット10及び冷却ユニット30は好適にはステンレスからなる容器40内に収められているのが好ましい。
[実施例]
 [実施例1]
 図1に示すような下方に冷却ユニット30が設けられたウエハ加熱用ヒータユニット10を作製してそのウエハ載置面11aの均熱性を評価した。具体的には、先ずウエハ載置台11として直径320mm×厚み3mmの円板状の銅板を準備した。この銅板のウエハ載置面11aとなる面とは反対側の面の後述する中心位置に15個のザグリ穴を形成し、これらザグリ穴の各々に、セラミックス製(W2mm×D2mm×H1mm)の測温素子を、シリコーン接着剤を用いて接着固定した。
 次に支持板12として直径320mm×厚み3mmの円板状のSi-SiC板を準備した。このSi-SiC板には、上記測温素子のリード線や、後述するネジなどの挿通用の貫通孔を設けた。次に発熱モジュール13の複数の発熱回路13aとなる抵抗発熱体として、厚さ20μmのステンレス箔に該複数の発熱回路13aの回路パターンをエッチングで形成し、それらの各々の両終端部に給電ケーブルを取り付けた後、この抵抗発熱体を上下両面から厚み50μmのポリイミドシートで覆って熱圧着し、直径320mmの円形フィルム状の発熱モジュール13を準備した。
 ここで、上記の発熱モジュール13の複数の発熱回路13aが其々設けられる複数の加熱ゾーンは、図2の区分パターンとなるようにした。具体的には、円形の発熱モジュール13の中心点に対してφ120mm、φ247mm、φ302mmの3つの同心円で円形中央部Aと、環状中間部Bと、環状周縁部Cとに3区分し、更にφ120mmの円形中央部Aを周方向に3等分して中央部扇状加熱ゾーンA1~A3とし、外径φ246mm、内径φ120mmの環状中間部Bを周方向に6等分して中間部扇状加熱ゾーンB1~B6とし、外径φ302mm、内径φ247mmの環状周縁部Cを周方向に6等分して周縁部扇状加熱ゾーンC1~C6とした。これら合計15区画の加熱ゾーンの其々に設けた15個の発熱回路13aが個別に制御されるように、上記測温素子は各区画の中心位置に配置した。なお、発熱回路の上記給電ケーブルも各区画ごとに引き出されることになる。
 このようにして作製した発熱モジュール13を上記のウエハ載置台11と支持板12との間に挟み込み、支持板12に予め設けておいた貫通孔にネジを挿通してウエハ載置台11に螺合した。これにより、発熱モジュール13を挟んでウエハ載置台11と支持板12とが互いに機械的に結合されたウエハ加熱用ヒータユニット10を作製した。なお、上記のネジには、熱膨張量差でウエハ載置台11や支持板12が変形しないように、座面にベアリングを備えた締結ネジを用いた。この締結ねじを、PCD120mmに3本、PCD310mmに6本設けた。また、測温素子のリード線からの熱逃げを抑制するため、支持板12から取り出した測温素子のリード線を支持板12に30mmの長さに渡り接触させた状態でシリコーン樹脂で接着固定した。
 次に、このウエハ加熱用ヒータユニット10の下方に設ける冷却ユニット30として、可動式冷却板31用の直径320mm×厚み12mmの円板状のアルミニウム合金板と、固定式冷却ステージ32用の直径320mm×厚み12mm の円板状のアルミニウム合金板とを準備した。可動式冷却板31用のアルミニウム合金板には、上記支持板12に当接する上面側に、支持板12と可動式冷却板31の全面が接触するように柔軟性を有したシリコーンシートを配置した。一方、固定式冷却ステージ32用のアルミニウム合金板の下面に、ねじを用いて冷媒流路32a用の外径6mm×肉厚1mmのリン脱酸銅パイプを取り付けた。そして、この銅パイプの両端に、冷媒を供給・排出するための継ぎ手を取り付けた。
 このようにして作製した冷却ユニット30としての両アルミニウム合金板に、上記給電ケーブル、測温素子のリード線、及び後述する容器40の底部から立設する脚部20が挿通する貫通孔を設けた。更に固定式冷却ステージ32用のアルミニウム合金板には、可動式冷却板31のエアシリンダからなる昇降機構33のロッドが挿通する貫通孔を設けた。
上記の冷却ユニット30を肉厚1.5mmの側壁を有し且つ上部が開放されたステンレス製の容器40内に設置した。固定式冷却ステージ32の下側に昇降機構33を取り付け、そのロッドを上記したロッド挿通用の貫通孔に挿通させてその先端に可動式冷却板31を取り付けた。このようにして、冷却ユニット30を備えた試料1のウエハ加熱用ヒータユニット10を作製した。なお、昇降機構33のロッドが退避している時の支持板12の下面と可動式冷却板31の上面との離間距離は10mmであった。
 比較のため、ウエハ載置台11と支持板12との間に挟持させる発熱モジュールの区分パターンを図2に代えて図4及び図6の区分パターンにした以外は上記試料1と同様にして冷却ユニットを備えた試料2及び3のウエハ加熱用ヒータユニット作製した。
すなわち、試料2のウエハ加熱用ヒータユニットの発熱モジュールにおいてはその中心点に対してφ95mm、φ246mm、φ302mmの3つの同心円で円形中央部Dと、環状中間部Eと、環状周縁部Fとに3分割し、円形中央部D及び環状中間部Eについては周方向に分割せずに其々そのまま円形加熱ゾーン及び環状加熱ゾーンとし、外径φ302mm、内径φ246mmの環状周縁部Fのみ周方向に4等分して周縁部扇状加熱ゾーンF1~F4とした。これら合計6区画の加熱ゾーンの各々の中心位置に測温素子を設けた。但し、環状中間部Eについては、発熱モジュールの中心点に対してφ170.5mmの周上の1か所に測温素子を設けた。
 一方、試料3のウエハ加熱用ヒータユニットの発熱モジュールにおいては、その中心点に対してφ95mm、φ171.5mm、φ246mm、φ302mmの4つの同心円で円形中央部Gと、内側環状中間部Hと、外側環状中間部Iと、環状周縁部Jとに4分割し、更に外径φ171.5mm、内径φ95mmの内側環状中間部Hを周方向に2等分して内側中間部扇状加熱ゾーンH1~H2とし、外形φ246mm、内径φ171.5mmの外側環状中間部Iを周方向に4等分して外側中間部扇状加熱ゾーンI1~I4とし、外径φ302mm、内径φ246mmの環状周縁部Jを周方向に8等分して周縁部扇状加熱ゾーンJ1~J8とした。これら合計15区画の加熱ゾーンの各々の中心位置に測温素子を設けた。上記試料1~3のヒータユニットにおける複数の加熱ゾーンの区分パターンをまとめたものを表1に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
表中の*を付した試料は比較例である。
 図3を参照して、試料1において中央部扇状加熱ゾーンA1の中心と中間部扇状加熱ゾーンB1の中心との距離は線分LA1B1の長さ(67.5mm)である。中央部扇状加熱ゾーンA1の中心と境界間の最長距離は、線分LA1の長さ(52.0mm)である。中間部扇状加熱ゾーンB1の中心と境界間の最長距離は、線分LB1の長さ(63.6mm)である。中間部扇状加熱ゾーンB1の中心と周縁部扇状加熱ゾーンC1の中心との距離はLB1C1の長さ(45.5mm)である。周縁部扇状加熱ゾーンC1の中心と境界間の最長距離は、線分LC1の長さ(75.8mm)である。
 図5を参照して、試料2において円形中央部Dの中心と環状中間部Eの中心との距離は線分LDEの長さ(85.3mm)である。円形中央部Dの中心と境界間の最長距離は、線分Lの長さ(47.5mm)である。環状中間部Eの中心と境界間の最長距離は、線分Lの長さ(208.3mm)である。環状中間部Eの中心と周縁部扇状加熱ゾーンF3の中心との距離はLEF3の長さ(51.8mm)である。周縁部扇状加熱ゾーンF3の中心と境界間の最長距離は、線分LF3の長さ(111.0mm)である。
 図7を参照して、試料3において円形中央部Gの中心と内側中間部扇状加熱ゾーンH1の中心との距離は線分LGH1の長さ(66.6mm)である。円形中央部Gの中心と境界間の最長距離は、線分Lの長さ(47.5mm)である。内側中間部扇状加熱ゾーンH1の中心と境界間の最長距離は、線分LH1の長さ(108.6mm)である。内側中間部扇状加熱ゾーンH1の中心と外側中間部扇状加熱ゾーンI1の中心との距離はLH1I1の長さ(37.8mm)である。外側中間部扇状加熱ゾーンI1の中心と境界間の最長距離は、線分LI1の長さ(88.7mm)である。外側中間部扇状加熱ゾーンI1の中心と周縁部扇状加熱ゾーンJ1の中心との距離は線分LI1J1の長さ(32.6mm)である。周縁部扇状加熱ゾーンJ1の中心と境界間の最長距離は、線分LJ1の長さ(57.8mm)である。
 上記にて作製した試料1~3のヒータユニットに対して、先ずウエハ載置面11aの平面度を市販の三次元測定器にて測定した。次に、これら試料1~3のヒータユニットの各々に対して複数の発熱回路13aに給電して常温から110℃まで昇温させた後、設定温度110℃で温度制御しながら1時間保持した。その後、測温センサーが埋設された市販のウエハ温度計をウエハ載置面11aに設置し、ウエハ載置面11a内の最大温度と最小温度の差である均熱レンジを計測した。その結果を下記表2に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 上記表2の結果から分かるように、試料2のヒータユニットでは均熱レンジが0.17℃となり、試料3のヒータユニットでは均熱レンジが0.21℃となった。詳細な温度分布によると、試料2では環状中間部Eの加熱ゾーンにおいて最大温度と最小温度が存在しており、ウエハ載置台11と支持板12とを締結しているボルト近傍が低温域となっていた。一方、試料3では外側環状中間部Iのうちの1か所の加熱ゾーンが高温域となっていた。
 試料3のヒータユニットの発熱回路への出力を確認すると、高温域となっていた上記外側環状中間部Iの1か所の加熱ゾーンでは出力がなく、これに隣接する内側環状中間部Hの加熱ゾーンへの出力が相対的に大きかった。これは、互いに隣接する加熱ゾーン同士の両中心位置が其々の加熱ゾーンの大きさに比べて近づきすぎており、具体的には、これら両中心位置の離間距離が其々の加熱ゾーンの中心位置からゾーン境界までの最長距離の50%未満となっているため、隣接する内側環状中間部Hの発熱回路の影響を大きく受けて外側環状中間部Iでは出力しなくても設定温度以上に到達していたことによるものと考えられる。すなわち、隣接する加熱ゾーン間で温度制御に干渉が生じたことが原因と推察される。
 一方、試料1のヒータユニットでは均熱レンジが0.06℃であり、これは、互いに隣接する加熱ゾーン同士の両中心位置の離間距離が其々の加熱ゾーンの中心位置からゾーン境界までの最長距離の50%以上であるため、上記の試料2や3で確認された局所的な温度低下や隣接する加熱ゾーン同士の温度制御の干渉による特異的な温度分布は確認されなかった。更に、ウエハ載置台11と支持板12とを締結する締結ボルト周辺の温度も特異的でなかった。これは、締結ボルトの位置を、円形中央部Aの加熱ゾーンとその外周側の環状中間部Bの加熱ゾーンとの境界上に配置したことにより、当該締結ボルトの影響を複数の加熱ゾーンで分散できたことによるものと推察される。
 [実施例2]
 ウエハ載置台11の材質を銅に代えてSi-SiCにした以外は上記の実施例1の試料1~3と同様にして其々試料4~6のヒータユニットを製作し、実施例1と同様の評価を行った。その結果をウエハ載置台11の平面度と併せて下記表3に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 上記表3から実施例1と同様の傾向があることが分かる。また、実施例1に比べて試料4~6のヒータユニットはいずれも若干の均熱性の向上が認められた。これは、ウエハ載置台11の材質を剛性の高いSi-SiCに代えたことで、ウエハ載置台11の平面度が安定し、よってウエハ載置面11aとウエハとの距離が全面に亘って均等になったことによるものと推察される。
[第2の実施形態]
[本開示の第2の実施形態が解決しようとする課題]
 上記のようにウエハ載置面に平行な面に複数の発熱回路を延在させることで該ウエハ載置面上に画定される複数の加熱ゾーンを個別に温度制御することが可能になるものの、各加熱ゾーンに配した発熱回路の発熱量を電圧や電流で制御する制御系では、一般に温度検出器として各加熱ゾーンごとに1個の温度センサーが設けられるため、複数の加熱ゾーンの其々の面積にばらつきがあるとこれら複数の加熱ゾーンの温度をバランスよく制御するのが困難になり、良好に温度制御できないことがあった。
 従来は上記の温度制御上の問題に起因するウエハ載置面の均熱性への悪影響は無視できる程度に小さかったため問題視されることはほとんどなかったが、近年の半導体デバイスの微細化に伴い、半導体ウエハが載置されるウエハ載置面の温度はより精密な制御が求められるようになってきている。そのため、これまで問題視されていなかった上記の問題が顕在化しつつある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、ウエハ載置面上に画定される複数の加熱ゾーンをバランスよく温度制御することでウエハ載置面の均熱性を高めることが可能なウエハ加熱用ヒータユニットを提供することを目的とする。
[本開示の第2の実施形態の効果]
 ウエハ載置面に画定される複数の加熱ゾーンをバランスよく温度制御することができるので、該ウエハ載置面の均熱性を高めることが可能になる。
[第2の実施形態の詳細な説明]
 第2の実施形態に係るウエハ加熱用ヒータユニットは、半導体ウエハが載置されるウエハ載置面を備えた円板状のウエハ載置台と、
前記ウエハ載置台を支持する円板状の支持板と、
前記ウエハ載置台と前記支持板との間に挟持された円形薄膜状の発熱モジュールとを有し、
 前記発熱モジュールは前記ウエハ載置面に平行に延在する複数の発熱回路を有し、
前記ウエハ載置面は、前記複数の発熱回路によって複数の加熱ゾーンに区分されており、
前記複数の加熱ゾーンは、前記ウエハ載置面の中央に設けられた円形中央部が周方向に均等に分割された加熱ゾーン、前記円形中央部の外周側に設けられ前記円形中央部の中心と同じ中心を有する環状部が周方向に均等に分割された加熱ゾーン、及び前記環状部の外周側に設けられ前記円形中央部の中心と同じ中心を有する環状周縁部が周方向に均等に分割された加熱ゾーンから構成され、
前記複数の加熱ゾーン各々の面積は、前記複数の加熱ゾーンの平均面積の±30%以内である。これにより、ウエハ載置面上に画定される複数の加熱ゾーンをバランスよく温度制御することができるので、該ウエハ載置面の均熱性を高めることが可能になる。
 上記のウエハ加熱用ヒータユニットにおいては、前記円形中央部は周方向に3等分されており、前記環状部である環状中間部は周方向に6等分されており、前記環状周縁部は周方向に6等分されているのが好ましい。これにより半導体ウエハが載置される載置面の均熱性をより一層高めることができる。また、上記のウエハ加熱用ヒータユニット態においては、前記複数の加熱ゾーンのうち周方向に隣接する加熱ゾーン同士の間及び/又は半径方向に隣接する加熱ゾーン同士の間に前記半導体ウエハのリフトピン用の挿通孔が設けられているのが好ましい。これにより、リフトピン用の挿通孔による載置面の均熱性への悪影響を抑えることができる。
 次に、第2の実施形態に係るウエハ加熱用ヒータユニットの一具体例について説明する。図1に示すように、ウエハ加熱用ヒータユニット10は、半導体ウエハWを載置するウエハ載置面11aを上面に備えた円板形状のウエハ載置台11と、このウエハ載置台11とほぼ同等の外径を有する円板形状からなり、該ウエハ載置台11をその下面側から全面に亘って支持する支持板12と、これらウエハ載置台11と支持板12との間に電気的絶縁状態で挟持され、このウエハ載置台11とほぼ同等の外径を有する円形薄膜状の発熱モジュール13とを有している。このウエハ加熱用ヒータユニット10は、支持板12の下面側に設けられた複数の柱状の脚部20によって支持されている。
 上記のウエハ載置台11は、ウエハ載置面11aの全面に亘って極めて高い温度均一性、すなわち高い均熱性を実現すべく熱伝導率の高い材質からなるのが好ましく、例えば銅やアルミニウムなどの金属がより好ましい。ウエハ載置台11の材質は、炭化珪素、窒化アルミニウム、Si-SiC、Al-SiCなどの剛性(ヤング率)の高いセラミックスやセラミックス複合体でもよく、これによりウエハ載置面11aの平坦性を常時維持することが可能になるうえ、ウエハ載置面11aの反り防止を目的としてウエハ載置台11を分厚くする必要がなくなるので熱容量を小さくでき、よって昇降温速度を速めることが可能になる。
 支持板12の材質も、剛性(ヤング率)の高い炭化珪素、窒化アルミニウム、Si-SiC、Al-SiCなどのセラミックスやセラミックス複合体を用いることが好ましい。特に、ウエハ載置台11の材質が金属の場合、後述するように発熱モジュール13を挟んでウエハ載置台11と支持板12とを重ね合わせて機械的に結合することで、ウエハ載置面11aの反りを抑えることができるので、ウエハ載置面11aにおいて高い均熱性と平坦性を兼ね備えたヒータユニット10を実現することができる。
 これらウエハ載置台11と支持板12とはネジ止めになどによって互いに機械的に結合することが好ましい。特に、ウエハ載置台11と支持板12とが互いに異なる材質からなる場合は、ウエハ載置台11及び支持板12が其々の温度に応じてウエハ載置面11aの方向に自由に熱膨張できるように、例えば支持板12に厚み方向に貫通したネジ孔(図示せず)に下側から雄ネジ(図示せず)を挿通し、ウエハ載置台11の下面側に設けた雌ネジ部(図示せず)に螺合させると共に、該雄ネジの座面とその当接部となる支持板12の下面との間に例えばベアリング(図示せず)を介在させることが好ましい。なお、この場合は発熱モジュール13においても、上記支持板12のネジ孔に対応する位置に上記雌ネジ部の挿通孔が設けられることになる。
 ここで、上記ネジ止め部は後述の発熱回路の有効径外に配置することが好ましい。このようにすることで、局所的なクールスポットがほとんど生じない温度均一性の高い載置台を実現することができる。また、上記ネジ止め部を発熱回路の有効径内に配置する場合は、複数の加熱ゾーンのうち周方向に隣接する加熱ゾーン同士の間及び/又は半径方向に隣接する加熱ゾーン同士の間に配置し、且つこの配置位置を通るウエハ載置面の半径方向の線分に関して上記区分パターンが線対称となるようにすることが好ましく、これにより上記ネジ止め部による温度均一性の悪化を抑えることができる。上記のネジ止め部は、前述のリフトピン挿通孔と同一の該半径方向の線分上に位置し且つ該線分に関して上記区分パターンが線対称であるのが更に好ましい。上記のように、載置台、発熱ユニット、支持板のいずれか又は全てに干渉する機械部品や電装部品などの特異点が存在する場合は、これら特異点を、発熱回路の有効径外に配置するか、あるいは有効径内の場合は隣接する加熱ゾーンの間であって且つ区分パターンの対称線となる位置に配することで、温度均一性を損なうことなく所望の機能を発揮させることができる。なお、発熱回路の有効径とは、ウエハ載置面11aのうち、後述する発熱回路13aが真下に配されている円形領域の直径である。
 上記のウエハ載置台11と支持板12との間に挟持される発熱モジュール13は、上記のウエハ載置面11aに平行な面上に延在する複数の発熱回路13aを有している。これら複数の発熱回路13aは、上記のウエハ載置台11及び支持板12から電気的に絶縁状態となるように絶縁体で覆われている。このような形態の発熱モジュール13は、例えばステンレス箔等の導電性金属箔にエッチングやレーザー加工でパターニング加工を施すことで複数の発熱回路13aを形成した後、これを上下から例えばポリイミドシート等の耐熱性絶縁シートで挟み込むことで作製することができる。
 あるいは、発熱回路13aの回路パターンのライン幅が細かったり、発熱回路13aに用いる導電性金属箔の厚みが薄かったり等の理由により発熱回路13aを取り扱うのが困難な場合は、パターニング加工前の導電性金属箔と電気絶縁のためのポリイミドシート等の耐熱絶縁シートとを予め重ね合わせて熱圧着し、この熱圧着後に導電性金属箔のみをエッチングなどでパターニング加工することで、ベースとなる全面ポリイミドフィルムとパターン箔(すなわち箔状の発熱回路13a)とを一体化させ、この一体化された箔状の発熱回路13aの上から更にポリイミドフィルムを重ね合わせて熱圧着することで上記の発熱モジュール13を作製してもよい。
 このように、ウエハ載置面11aに平行に延在する複数の発熱回路13aを発熱モジュール13内に設けることによって、ウエハ載置面11aを複数の加熱ゾーンに区分することができる。これら複数の発熱回路13aによって画定される複数の加熱ゾーンの区分パターンには特に限定はないが、円板形状のウエハ載置台11は一般的に中央部よりも表面積の広い周縁部からの放熱が多いため、定常状態では当該周縁部が局所的に低温になりやすい。一方で、半導体ウエハが載置台に載置されると、一般にウエハ径よりも載置台の外径が大きいため、載置台には中央部が外周部よりも低温の同心円状のセンタークール型の温度分布が生じる。その後、載置台の温度は制御系の働きにより所定の温度まで昇温するが、上記の温度分布の影響を受けるので半導体ウエハの過渡的な温度分布も同心円状のセンタークールとなる。このようなセンタークール型の温度分布を補正するため、加熱ゾーンの区分パターンは半径方向に同心円状に分割することが好ましい。また、ヒータユニット10が搭載される真空チャンバーの壁面にはロードロック等が設けられているためウエハ載置台11の周囲の環境は周方向に均等ではない。そこで図2に示すように、ウエハ載置面11aを同心円状に分割したうえで更に周方向に均等に分割した区分パターンが好ましい。
 すなわち、この図2に示す複数の加熱ゾーンの区分パターンでは、ウエハ載置面11aが円形中央部Aと、円形中央部Aの外側の環状中間部Bと、環状中間部Bの外側の環状周縁部Cとに同心円状に区分されている。更に、円形中央部Aは中央部扇状加熱ゾーンA1~A3として周方向に3等分されている。環状中間部Bは中間部扇状加熱ゾーンB1~B6として周方向に6等分されている。環状周縁部Cは周縁部扇状加熱ゾーンC1~C6として周方向に6等分されている。
 更に、ウエハ加熱用ヒータユニット10において、上記のようにして区分された15個の加熱ゾーンの各々の面積は、これら15個の加熱ゾーンの平均面積の±30%以内である。すなわち、ウエハ載置面11aに画定された複数の加熱ゾーンの数をn、これら複数の加熱ゾーンの面積を其々S1、S2、S3、・・・、及びSnとしたとき、いずれのSx(但し、x=1、2、3、・・・、n)においても下記式1が成立する。
  [式1]
 -30≦{Sx-(S1+S2+・・・+Sn)/n}×100≦30
 これにより、ウエハ載置面11aに画定された複数の加熱ゾーンの其々の面積が大きくばらつくのを抑えることができるので、これら複数の加熱ゾーンをバランスよく温度制御することができる。その結果、ウエハ載置面11aの均熱性を高めることが可能になる。
 なお、ウエハ加熱用ヒータユニット10は、上記の複数の加熱ゾーンのうち周方向に隣接する加熱ゾーン同士の間に半導体ウエハのリフトピン用の挿通孔が設けられていてもよい。例えば図2には、中央部扇状加熱ゾーンA1とA2との間、A2とA3との間、及びA3とA1との間に3個のリフトピン用挿通孔Q1~Q3が其々設けられた例が示されている。このように周方向に隣接する加熱ゾーン同士の間にリフトピン用挿通孔を設けることで、当該挿通孔による載置面11aへの均熱性の悪影響を抑えることができる。あるいは、リフトピン用挿通孔は半径方向に隣接する加熱ゾーン同士の間に設けても良いし、周方向に隣接する加熱ゾーン同士の間であって且つ半径方向に隣接する加熱ゾーン同士の間に設けても良い。
 各加熱ゾーン内に設けられている図示しない発熱回路の回路パターンについては特に限定はなく、様々な回路パターンを有することができる。例えば、同心円状の複数の湾曲導電部と、これら湾曲導電部の隣接するもの同士を接続する直線導電部とで一筆書き状に形成された回路パターンにすることができる。この場合、発熱回路の両端部に其々2つの電極端子(図示せず)が接続されることになる。
 なお、複数の発熱回路は、加熱ゾーンごとに発熱密度が異なるようにしてもよい。例えば前述したように、一般にウエハ径よりも載置台の外径が大きいため、半導体ウエハが載置台に載置されると当該載置台には中央部が外周部よりも低温の同心円状のセンタークール型の温度分布が生じる。その後、載置台の温度は制御系の働きにより所定の温度まで昇温するが、上記の温度分布の影響を受けるので半導体ウエハの過渡的な温度分布も同心円状のセンタークールとなる。このようなセンタークール型の温度分布を補正するため、中央部扇状加熱ゾーンA1~A3の発熱密度を高く設計することで、ウエハ載置時の過渡的な温度均一性を一層向上することができる。発熱密度を高くする方法としては、発熱回路の回路パターンのピッチを狭くしたり発熱体回路を構成する導電線の幅を細くしたりすることで実現できる。
 なお、発熱モジュール13においては、ウエハ載置面11aに平行な全面積に対して発熱回路の有効面積(すなわち、発熱モジュール13の上記全面積から、互いに隣接する加熱ゾーン同士の離間スペース、ネジ孔やリフトピンの挿通孔、測温センサー設置部位等の発熱がないスペースを引いたもの)の比率、すなわち有効発熱領域の比率が80%以上であるのが好ましい。
 ウエハ加熱用ヒータユニット10は、複数の加熱ゾーンの各々において例えば抵抗値が調整された測温素子からなる測温センサー(図示せず)を加熱ゾーンの中心位置に設けると共に、各測温センサーの検出値に基づいて当該加熱ゾーン内の発熱回路を個別に制御するのが好ましい。加熱ゾーンの中心位置とは、加熱ゾーンの半径方向の中点であり、かつ周方向の中点となる点をいう。すなわち、加熱ゾーンの外周をなす円弧の半径をr1、内周をなす円弧の半径をr2(円の場合はr2=0)とし、周方向の境界の位置を任意の半径位置からの角度によってθ1とθ2とした場合に、(r1+r2)/2であってかつ(θ1+θ2)/2となる点を当該加熱ゾーンの中心位置と定義する。ここで、周方向の分割数n=0の場合、すなわち領域が円または円環の場合には、周方向の位置(θ1+θ2)/2は円周上の任意の位置となるため、隣接する中心位置の離間距離を求める場合には最短の距離となる点で定義する。
 上記のように制御系を構成することによって、ウエハ載置面11aを局所的に加熱することができるので、例えばロードロックの開閉等により載置面11aが部分的に冷却されるような場合であっても均熱性を良好に維持することが可能になる。上記の測温センサーは例えばウエハ載置台11の下面側に測温センサーが収まる大きさのザグリ穴を設け、その底面に接着剤を塗布して測温センサーを接着固定することで各加熱ゾーンの温度を良好に検知することができる。
 再度図1に戻ると、ウエハ加熱用ヒータユニット10は、支持板12の下方に冷却ユニット30が設けられている。この冷却ユニット30は、一点鎖線で示すように支持板12の下面側に当接する当接位置と、実線で示すように支持板12から離間する離間位置との間で往復動可能な可動式冷却板31と、この可動式冷却板31が上記離間位置にある時に当接する固定式冷却ステージ32とを有している。これら可動式冷却板31及び固定式冷却ステージ32の材質は、熱伝導性が高い銅、アルミニウム、ニッケル、マグネシウム、チタン、若しくはこれらの少なくともいずれかを主成分とする合金又はステンレスからなる群から選択することが好ましい。
 固定式冷却ステージ32は、図示しないチラーなどの冷却装置で冷却されたフッ素系冷媒等の不凍液、空気、汎用的な水等の冷媒が循環する冷媒流路32aを有している。
この冷媒流路の形態は特に限定はなく、例えば金属製の板状部材の下面側に冷媒流路としてCuなどの金属製のパイプを沿わせ、この金属製パイプの両端にステンレス製の継ぎ手を取り付けると共に、金属製パイプを押さえ板で板状部材に押さえつけた状態で該押さえ板と板状部材とをネジなどにより機械的に結合する構造にすることができる。
 あるいは、より高い熱効率を得るため、金属製の板状部材の下面側に例えば渦巻き状のザグリ溝を設け、このザグリ溝中に渦巻き状に成形した冷媒流通用の金属製パイプを設置した構造でもよい。この場合、金属製パイプと冷却板との良好な熱伝達を保つため、コーキング材、シーラント、接着剤などにより金属製パイプの表面とザグリ溝の内面とを接着固定するのが好ましい。あるいは、同じ材質の略同形状の2枚の板状部材を用意し、それらの一方又は両方の片面に機械加工で流路となる溝を形成し、この流路側の面が対向するように2枚の板状部材を重ね合わせて例えばロウ付けなどの結合法で一体化した構造でもよい。
 可動式冷却板31は、エアシリンダなどからなる昇降機構33に取り付けられている。
これにより、昇降機構33を作動させることで固定式冷却板31を前述した当接位置と、離間位置との間で往復動させることが可能になる。なお、可動式冷却板31を使用せずに冷媒流路を有する冷却ステージ32自体を支持板12の下面側に当接する位置と該下面側から離間する位置との間で往復動させてもよい。
 上記の可動式冷却板31の上面や固定式冷却ステージ32の上面、及び/又は支持板12の下面には介在層(図示せず)を設けてもよい。この介在層は、厚み方向にクッション性(柔軟性)を有しているのが好ましく、また耐熱性を有しているのが好ましい。更に、例えば1W/m・K以上の高い熱伝導率を有していることが好ましい。このような材質としては、発泡金属、金属メッシュ、グラファイトシート、又はフッ素樹脂、ポリイミド樹脂、若しくはシリコーン樹脂等の樹脂シートを挙げることができる。なお、上記の樹脂シートにカーボンなどの熱伝導性フィラーを含有することで、熱抵抗をより小さくすることが可能になる。なお、本発明の一具体例のウエハ加熱用ヒータユニット10及び冷却ユニット30は好適にはステンレスからなる容器40内に収められているのが好ましい。
[実施例]
 [実施例3]
 図1に示すような下方に冷却ユニット30が設けられたウエハ加熱用ヒータユニット10を作製してそのウエハ載置面11aの均熱性を評価した。具体的には、先ずウエハ載置台11として直径320mm×厚み3mmの円板状の銅板を準備した。この銅板のウエハ載置面11aとなる面とは反対側の面の後述する中心位置に15個のザグリ穴を形成し、これらザグリ穴の各々に、セラミックス製(W2mm×D2mm×H1mm)の測温素子を、シリコーン接着剤を用いて接着固定した。
 次に支持板12として直径320mm×厚み3mmの円板状のSi-SiC板を準備した。このSi-SiC板には、上記測温素子のリード線や、後述するネジなどの挿通用の貫通孔を設けた。次に発熱モジュール13の複数の発熱回路13aとなる抵抗発熱体として、厚さ20μmのステンレス箔に該複数の発熱回路13aの回路パターンをエッチングで形成し、それらの各々の両終端部に給電ケーブルを取り付けた後、この抵抗発熱体を上下両面から厚み50μmのポリイミドシートで覆って熱圧着し、直径320mmの円形フィルム状の発熱モジュール13を準備した。
 ここで、上記の発熱モジュール13の複数の発熱回路13aが其々設けられる複数の加熱ゾーンは、図2の区分パターンとなるようにした。具体的には、円形の発熱モジュール13の中心点に対してφ120mm、φ247mm、φ302mmの3つの同心円で円形の中央部Aと、環状の中間部Bと、環状の周縁部Cとに3区分し、更にφ120mmの円形中央部Aを周方向に3等分して中央部扇状加熱ゾーンA1~A3とし、外径φ246mm、内径φ120mmの環状中間部Bを周方向に6等分して中間部扇状加熱ゾーンB1~B6とし、外径φ302mm、内径φ246mmの環状周縁部Cを周方向に6等分して周縁部扇状加熱ゾーンC1~C6とした。これら合計15区画の加熱ゾーンの其々に設けた15個の発熱回路13aが個別に制御されるように、上記測温素子は各区画の中心位置に配置した。なお、発熱回路の上記給電ケーブルも各区画ごとに引き出されることになる。
 このようにして作製した発熱モジュール13を上記のウエハ載置台11と支持板12との間に挟み込み、支持板12に予め設けておいた貫通孔にネジを挿通してウエハ載置台11に螺合した。これにより、発熱モジュール13を挟んでウエハ載置台11と支持板12とが互いに機械的に結合されたウエハ加熱用ヒータユニット10を作製した。なお、上記のネジには、熱膨張量差でウエハ載置台11や支持板12が変形しないように、座面にベアリングを備えた締結ネジを用いた。この締結ねじを、PCD120mmに3本、PCD310mmに6本設けた。また、測温素子のリード線からの熱逃げを抑制するため、支持板12から取り出した測温素子のリード線を支持板12に30mmの長さに渡り接触させた状態でシリコーン樹脂で接着固定した。
 次に、このウエハ加熱用ヒータユニット10の下方に設ける冷却ユニット30として、可動式冷却板31用の直径320mm×厚み12mmの円板状のアルミニウム合金板と、固定式冷却ステージ32用の直径320mm×厚み12mm の円板状のアルミニウム合金板とを準備した。可動式冷却板31用のアルミニウム合金板には、上記支持板12に当接する上面側に、支持板12と可動式冷却板31の全面が接触するように柔軟性を有したシリコーンシートを配置した。一方、固定式冷却ステージ32用のアルミニウム合金板の下面に、ねじを用いて冷媒流路32a用の外径6mm×肉厚1mmのリン脱酸銅パイプを取り付けた。そして、この銅パイプの両端に、冷媒を供給・排出するための継ぎ手を取り付けた。
 このようにして作製した冷却ユニット30としての両アルミニウム合金板に、上記給電ケーブル、測温素子のリード線、及び後述する容器40の底部から立設する脚部20が挿通する貫通孔を設けた。更に固定式冷却ステージ32用のアルミニウム合金板には、可動式冷却板31のエアシリンダからなる昇降機構33のロッドが挿通する貫通孔を設けた。
上記の冷却ユニット30を肉厚1.5mmの側壁を有し且つ上部が開放されたステンレス製の容器40内に設置した。固定式冷却ステージ32の下側に昇降機構33を取り付け、そのロッドを上記したロッド挿通用の貫通孔に挿通させてその先端に可動式冷却板31を取り付けた。このようにして、冷却ユニット30を備えた試料1のウエハ加熱用ヒータユニット10を作製した。なお、昇降機構33のロッドが退避している時の支持板12の下面と可動式冷却板31の上面との離間距離は10mmであった。
 比較のため、ウエハ載置台11と支持板12との間に挟持させる発熱モジュールの区分パターンを図2に代えて図4及び図5の区分パターンにした以外は上記試料1と同様にして冷却ユニットを備えた試料2及び3のウエハ加熱用ヒータユニット作製した。
すなわち、試料2のウエハ加熱用ヒータユニットの発熱モジュールにおいてはその中心点に対してφ95mm、φ246mm、φ302mmの3つの同心円で円形の中央部Dと、環状の中間部Eと、環状の周縁部Fとに3分割し、円形中央部D及び環状中間部Eについては周方向に分割せずに其々そのまま円形加熱ゾーン及び環状加熱ゾーンとし、外径φ302mm、内径φ246mmの環状周縁部Fのみ周方向に4等分して周縁部扇状加熱ゾーンF1~F4とした。これら合計6区画の加熱ゾーンの各々の中心位置に測温素子を設けた。但し、環状中間部Eについては、発熱モジュールの中心点に対してφ170.5mmの周上の1か所に測温素子を設けた。
 一方、試料3のウエハ加熱用ヒータユニットの発熱モジュールにおいては、その中心点に対してφ95mm、φ171.5mm、φ246mm、φ302mmの4つの同心円で円形の中央部Gと、環状の中間部Hと、環状の外側中間部Iと、環状周縁部Jとに4分割し、更に外径φ171.5mm、内径φ95mmの内側環状中間部Hを周方向に2等分して内側中間部扇状加熱ゾーンH1~H2とし、外形φ246mm、内径φ171.5mmの外側環状中間部Iを周方向に4等分して外側中間部扇状加熱ゾーンI1~I4とし、外径φ302mm、内径φ246mmの環状周縁部Jを周方向に8等分して周縁部扇状加熱ゾーンJ1~J8とした。これら合計15区画の加熱ゾーンの各々の中心位置に測温素子を設けた。上記試料1~3のヒータユニットにおける複数の加熱ゾーンの区分パターンをまとめたものを表4に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 上記にて作製した試料1~3のヒータユニットに対して、先ずウエハ載置面11aの平面度を市販の三次元測定器にて測定した。次に、これら試料1~3のヒータユニットの各々に対して複数の発熱回路13aに給電して常温から110℃まで昇温させた後、設定温度110℃で温度制御しながら1時間保持した。その後、測温センサーが埋設された市販のウエハ温度計をウエハ載置面11aに設置し、ウエハ載置面11a内の最大温度と最小温度の差である均熱レンジを計測した。その結果を下記表5に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
 上記表5の結果から分かるように、試料2のヒータユニットでは均熱レンジが0.17℃であった。詳細な温度分布によると、環状中間部Eの中で最大温度と最小温度が存在しており、ウエハ載置台11と支持板12とを締結しているボルト近傍が低温域となっていた。環状中間部Eは1個の加熱ゾーンのみで構成されている。よって、全加熱ゾーンの平均面積との比率が242%と極めて大きい。また、温度制御系を構成する測温センサーは、上記の広い加熱ゾーンの中で1か所だけに設置されている。したがって、環状中間部Eの領域内に配置された締結ボルトからの放熱を測温センサーが検知しきれなかったことが原因と考えられる。
 試料3のヒータユニットではでは均熱レンジが0.21℃であり、詳細な温度分布によると、周方向に8等分した周縁部扇状加熱ゾーンJ1~J8の各々において、測温センサーを配置している中心位置に比較して、周方向に隣接する加熱ゾーン同士のゾーン境界部の温度が高くなっていた。これは、環状周縁部Jは1個の加熱ゾーンあたりの面積が小さいため、測温センサーの設置のために発熱回路を配置できない部位、すなわち発熱のない部位の占める比率が相対的に大きくなったことに起因するもの考えられる。更に、測温センサーの設置部位の温度に基づいて温度制御が行われるため、例えばこの測温センサーの設置部位以外の領域では設定温度を超えているにもかかわらず、測温センサーの設置部位では温度が設定温度未満になることがあり、その結果、発熱回路に過度に給電がなされて更に高温になったことが原因と考えられる。
 一方、試料1のヒータユニットでは、各加熱ゾーンの面積の全加熱ゾーンの平均面積との比率が±30%以内であったため、試料2や3のヒータユニットに比べてウエハ載置面11aをバランスよく温度制御することができ、その結果、均熱レンジは0.06℃となった。また、温度分布においても、特異点は確認されなかった。これは締結ねじの配置位置をゾーン境界としたことで、当該部の放熱の影響を複数の区画で分配できたことによるものと考えられる。
 [実施例4]
 ウエハ載置台11の材質を銅に代えてSi-SiCにした以外は上記の実施例3の試料1~3と同様にして其々試料4~6のヒータユニットを製作し、実施例3と同様の評価を行った。その結果をウエハ載置台11の平面度と併せて下記表6に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
 上記表6から実施例3と同様の傾向があることが分かる。また、実施例3に比べて試料4~6のヒータユニットはいずれも若干の均熱性の向上が認められた。これは、ウエハ載置台11の材質を剛性の高いSi-SiCに代えたことで、ウエハ載置台11の平面度が安定し、よってウエハ載置面11aとウエハとの距離が全面に亘って均等になったことによるものと推察される。
[第3の実施形態]
[本開示の第3の実施形態が解決しようとする課題]
 上記のようにウエハ載置面に平行な面に複数の発熱回路を延在させることで該ウエハ載置面上に画定される複数の加熱ゾーンを個別に温度制御することが可能になるものの、各加熱ゾーンに配した発熱回路の発熱量を電圧や電流で制御する制御系では、一般に温度検出器として各加熱ゾーンごとに1個の温度センサーが設けられるため、複数の加熱ゾーンの其々の加熱ゾーン内にクールスポットのような特異点が存在していると、これら複数の加熱ゾーンの温度をバランスよく制御するのが困難になり、良好に温度制御できないことがあった。
 従来は上記の温度制御上の問題に起因するウエハ載置面の均熱性への悪影響は無視できる程度に小さかったため問題視されることはほとんどなかったが、近年の半導体デバイスの微細化に伴い、半導体ウエハが載置されるウエハ載置面の温度はより精密な制御が求められるようになってきている。そのため、これまで問題視されていなかった上記の問題が顕在化しつつある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、ウエハ載置面上に画定される複数の加熱ゾーンをバランスよく温度制御することでウエハ載置面の均熱性を高めることが可能なウエハ加熱用ヒータユニットを提供することを目的とする。
[本開示の第3の実施形態の効果]
 ウエハ載置面上に画定される複数の加熱ゾーンをバランスよく温度制御することができるので、該ウエハ載置面の均熱性を高めることが可能になる。
[第3の実施形態の詳細な説明]
 第3の実施形態に係るウエハ加熱用ヒータユニットは、半導体ウエハが載置されるウエハ載置面を備えた円板状のウエハ載置台と、
前記ウエハ載置台を支持する円板状の支持板と、
前記ウエハ載置台と前記支持板との間に挟持された円形薄膜状の発熱モジュールとを有し、
 前記発熱モジュールは前記ウエハ載置面に平行に延在する複数の発熱回路を有し、
前記ウエハ載置面は、前記複数の発熱回路によって複数の加熱ゾーンに区分されており、
前記複数の加熱ゾーンは、前記ウエハ載置面の中央に設けられた円形中央部が周方向に均等に分割された加熱ゾーンおよび前記円形中央部の外周側に設けられ前記円形中央部の中心と同じ中心を有する環状部が周方向に均等に分割された加熱ゾーン、を含み、
 前記ウエハ載置台は、前記ウエハ載置面に対して前記半導体ウエハを載置及び離間させる棒状の支持部が前記ウエハ載置台の内部を通るように前記ウエハ載置台の厚み方向に設けられた複数の挿通孔を有し、
前記複数の挿通孔は、前記複数の加熱ゾーンの半径方向に延在する境界部に配置され、前記複数の挿通孔が配置された前記複数の加熱ゾーンは、周方向の分割数が前記複数の挿通孔の数の整数倍である。これにより、ウエハ載置面上に画定される複数の加熱ゾーンをバランスよく温度制御することができるので、該ウエハ載置面の均熱性を高めることが可能になる。
 上記のウエハ加熱用ヒータユニットにおいては、さらに前記環状部の外周側に設けられ前記円形中央部の中心と同じ中心を有する環状周縁部が周方向に均等に分割された加熱ゾーンを有し、前記円形中央部は周方向に3等分されており、前記環状部は周方向に6等分されており、前記環状周縁部は周方向に6等分されているのが好ましい。これにより半導体ウエハが載置される載置面の均熱性をより一層高めることができる。また、上記のウエハ加熱用ヒータユニットにおいては、前記複数の加熱ゾーンのうち周方向に隣接する加熱ゾーン同士の間及び/又は半径方向に隣接する加熱ゾーン同士の間に、前記複数の挿通孔が前記周方向に均等な間隔をあけて設けられているのが好ましい。これにより、リフトピン用の挿通孔による載置面の均熱性への悪影響を抑えることができる。
 次に、第3の実施形態に係るウエハ加熱用ヒータユニットの一具体例について説明する。図8に示すように、ウエハ加熱用ヒータユニット10は、半導体ウエハWを載置するウエハ載置面11aを上面に備えた円板形状のウエハ載置台11と、ウエハ載置台11とほぼ同等の外径を有する円板形状からなり、ウエハ載置台11をその下面側から全面に亘って支持する支持板12と、ウエハ載置台11と支持板12との間に電気的絶縁状態で挟持され、ウエハ載置台11とほぼ同等の外径を有する円形薄膜状の発熱モジュール13とを有している。
 ウエハ加熱用ヒータユニット10は、支持板12の下面側に設けられた複数の柱状の脚部14によって支持されている。また、ウエハ載置面11aに載置される半導体ウエハWは、後述する支持機構20によってウエハ載置面11a上に載置されたり、ウエハ載置面11aから持ち上げられたりする。そのため、ウエハ加熱用ヒータユニット10には、支持機構20が有する複数の棒状の支持部(リフトピンとも称する)の挿通用の複数の挿通孔10aがウエハ載置台11の厚み方向に設けられている。
 上記のウエハ載置台11は、ウエハ載置面11aの全面に亘って極めて高い温度均一性、すなわち高い均熱性を実現すべく熱伝導率の高い材質からなるのが好ましく、例えば銅やアルミニウムなどの金属がより好ましい。ウエハ載置台11の材質は、炭化珪素、窒化アルミニウム、Si-SiC、Al-SiCなどの剛性(ヤング率)の高いセラミックスやセラミックス複合体でもよく、これによりウエハ載置面11aの平坦性を常時維持することが可能になる。さらに、ウエハ載置面11aの反り防止を目的としてウエハ載置台11を分厚くする必要がなくなるので熱容量を小さくできる。よって昇降温速度を速めることが可能になる。
 支持板12の材質も、剛性(ヤング率)の高い炭化珪素、窒化アルミニウム、Si-SiC、Al-SiCなどのセラミックスやセラミックス複合体を用いることが好ましい。特に、ウエハ載置台11の材質が金属の場合、後述するように発熱モジュール13を挟んでウエハ載置台11と支持板12とを重ね合わせて機械的に結合することで、ウエハ載置面11aの反りを抑えることができるので、ウエハ載置面11aにおいて高い均熱性と平坦性を兼ね備えたヒータユニット10を実現することができる。
 ウエハ載置台11と支持板12とはネジ止めになどによって互いに機械的に結合することが好ましい。特に、ウエハ載置台11と支持板12とが互いに異なる材質からなる場合は、ウエハ載置台11及び支持板12が其々の温度に応じてウエハ載置面11aの方向に自由に熱膨張できるように、例えば支持板12に厚み方向に貫通したネジ孔(図示せず)に下側から雄ネジ(図示せず)を挿通し、ウエハ載置台11の下面側に設けた雌ネジ部(図示せず)に螺合させると共に、該雄ネジの座面とその当接部となる支持板12の下面との間に例えばベアリング(図示せず)を介在させることが好ましい。なお、この場合は発熱モジュール13においても、上記支持板12のネジ孔に対応する位置に上記雌ネジ部の挿通孔が設けられることになる。
 ここで、上記ネジ止め部は後述の発熱回路の有効径外に配置することが好ましい。このようにすることで、局所的なクールスポットがほとんど生じない温度均一性の高い載置台を実現することができる。また、上記ネジ止め部を発熱回路の有効径内に配置する場合は、複数の加熱ゾーンのうち周方向に隣接する加熱ゾーン同士の間及び/又は半径方向に隣接する加熱ゾーン同士の間に配置し、且つこの配置位置を通るウエハ載置面の半径方向の線分に関して上記区分パターンが線対称となるようにすることが好ましく、これにより上記ネジ止め部による温度均一性の悪化を抑えることができる。上記のネジ止め部は、前述のリフトピン挿通孔と同一の該半径方向の線分上に位置し且つ該線分に関して上記区分パターンが線対称であるのが更に好ましい。上記のように、載置台、発熱ユニット、支持板のいずれか又は全てに干渉する機械部品や電装部品などの特異点が存在する場合は、これら特異点を、発熱回路の有効径外に配置するか、あるいは有効径内の場合は隣接する加熱ゾーンの間であって且つ区分パターンの対称線となる位置に配することで、温度均一性を損なうことなく所望の機能を発揮させることができる。なお、発熱回路の有効径とは、ウエハ載置面11aのうち、後述する発熱回路13aが真下に配されている円形領域の直径である。
 上記のウエハ載置台11と支持板12との間に挟持される発熱モジュール13は、上記のウエハ載置面11aに平行な面上に延在する複数の発熱回路13aを有している。これら複数の発熱回路13aは、上記のウエハ載置台11及び支持板12から電気的に絶縁状態となるように絶縁体で覆われており、このような形態の発熱モジュール13は、例えばステンレス箔等の導電性金属箔にエッチングやレーザー加工でパターニング加工を施すことで複数の発熱回路13aを形成した後、これを上下から例えばポリイミドシート等の耐熱性絶縁シートで挟み込むことで作製することができる。
 あるいは、発熱回路13aの回路パターンのライン幅が細かったり、発熱回路13aに用いる導電性金属箔の厚みが薄かったり等の理由により発熱回路13aを取り扱うのが困難な場合は、パターニング加工前の導電性金属箔と電気絶縁のためのポリイミドシート等の耐熱絶縁シートとを予め重ね合わせて熱圧着し、この熱圧着後に導電性金属箔のみをエッチングなどでパターニング加工することで、ベースとなる全面ポリイミドフィルムとパターン箔(すなわち箔状の発熱回路13a)とを一体化させ、この一体化された箔状の発熱回路13aの上から更にポリイミドフィルムを重ね合わせて熱圧着することで上記の発熱モジュール13を作製してもよい。
 このように、ウエハ載置面11aに平行に延在する複数の発熱回路13aを発熱モジュール13内に設けることによって、ウエハ載置面11aを複数の加熱ゾーンに区分することができる。これら複数の発熱回路13aによって画定される複数の加熱ゾーンの区分パターンには特に限定はないが、円板形状のウエハ載置台11は一般的に中央部よりも表面積の広い周縁部からの放熱が多いため、定常状態では当該周縁部が局所的に低温になりやすい。一方で、半導体ウエハが載置台に載置されると、一般にウエハ径よりも載置台の外径が大きいため、載置台には中央部が外周部よりも低温の同心円状のセンタークール型の温度分布が生じる。その後、載置台の温度は制御系の働きにより所定の温度まで昇温するが、上記の温度分布の影響を受けるので半導体ウエハの過渡的な温度分布も同心円状のセンタークールとなる。このようなセンタークール型の温度分布を補正するため、加熱ゾーンの区分パターンは半径方向に同心円状に分割することが好ましい。また、ヒータユニット10が搭載される真空チャンバーの壁面にはロードロック等が設けられているためウエハ載置台11の周囲の環境は周方向に均等ではない。そこで図9に示すように、ウエハ載置面11aを同心円状に分割したうえで更に周方向に均等に分割した区分パターンが好ましい。
 すなわち、図9に示す複数の加熱ゾーンの区分パターンでは、ウエハ載置面11aが円形中央部Aと、円形中央部Aの外側の環状部である環状中間部Bと、環状中間部Bの外側の環状部である環状周縁部Cとに同心円状に区分されている。更に、円形中央部Aは中央部扇状加熱ゾーンA1~A3として周方向に3等分されている。環状中間部Bは中間部扇状加熱ゾーンB1~B6として周方向に6等分されている。環状周縁部Cは周縁部扇状加熱ゾーンC1~C6として周方向に6等分されている。
 更に、ウエハ加熱用ヒータユニット10においては、上記の同心円状に区画されている円形中央部A、環状中間部B、及び環状周縁部Cからなる同心円状領域のうち、半径方向の境界部に上記の複数の挿通孔10aが配置されているものは、その周方向の分割数が複数の挿通孔10aの数の整数倍になっている。すなわち、図9に示す区分パターンでは、半径方向に互いに隣接する円形中央部Aと環状中間部Bとの境界部に3個のリフトピン用の挿通孔10aが設けられている。そして、一方の円形中央部Aは周方向に3等分されおり、よって周方向の分割数が挿通孔10aの数と同等(すなわち1倍)になっている。また、もう一方の環状中間部Bは周方向に6等分されおり、よって周方向の分割数が挿通孔10aの数の2倍になっている。
 上記のように、複数の挿通孔10aはウエハ載置面11aの半径方向に隣接する加熱ゾーン同士の境界部に周方向に均等な間隔をあけて配されるのが好ましい。更に、図9に示すように、複数の挿通孔10aはウエハ載置面11aの周方向に隣接する加熱ゾーン同士の境界部にも配されているのが好ましい。すなわち、図9に示す区分パターンでは、3個の挿通孔10aは、円形中央部Aと環状中間部Bとの境界部に配されていることに加えて、中央部扇状加熱ゾーンA1とA2との間、A2とA3との間、及びA3とA1との間に配されている。このように半径方向に隣接する加熱ゾーン同士の間及び/又は周方向に隣接する加熱ゾーン同士の間にリフトピン用挿通孔を設けることで、当該挿通孔による載置面11aへの均熱性の悪影響を抑えることができる。
 各加熱ゾーン内に設けられている図示しない発熱回路の回路パターンについては特に限定はなく、様々な回路パターンを有することができる。例えば、同心円状の複数の湾曲導電部と、これら湾曲導電部の隣接するもの同士を接続する直線導電部とで一筆書き状に形成された回路パターンにすることができる。この場合、発熱回路の両端部に其々2つの電極端子(図示せず)が接続されることになる。なお、複数の発熱回路は、加熱ゾーンごとに発熱密度が異なるようにしてもよい。例えば前述したように、一般にウエハ径よりも載置台の外径が大きいため、半導体ウエハが載置台に載置されると当該載置台には中央部が外周部よりも低温の同心円状のセンタークール型の温度分布が生じる。その後、載置台の温度は制御系の働きにより所定の温度まで昇温するが、上記の温度分布の影響を受けるので半導体ウエハの過渡的な温度分布も同心円状のセンタークールとなる。このようなセンタークール型の温度分布を補正するため、中央部扇状加熱ゾーンA1~A3の発熱密度を高く設計することで、ウエハ載置時の過渡的な温度均一性を一層向上することができる。
発熱密度を高くする方法としては、発熱回路の回路パターンのピッチを狭くしたり発熱体回路を構成する導電線の幅を細くしたりすることで実現できる。
 なお、発熱モジュール13においては、ウエハ載置面11aに平行な全面積に対して発熱回路の有効面積(すなわち、発熱モジュール13の上記全面積から、互いに隣接する加熱ゾーン同士の離間スペース、ネジ孔やリフトピンの挿通孔、測温センサー設置部位等の発熱がないスペースを引いたもの)の比率、すなわち有効発熱領域の比率が80%以上であるのが好ましい。
 ウエハ加熱用ヒータユニット10は、複数の加熱ゾーンの各々において例えば抵抗値が調整された測温素子からなる測温センサー(図示せず)を加熱ゾーンの中心位置に設けると共に、各測温センサーの検出値に基づいて当該加熱ゾーン内の発熱回路を個別に制御するのが好ましい。加熱ゾーンの中心位置とは、加熱ゾーンの半径方向の中点であり、かつ周方向の中点となる点をいう。すなわち、加熱ゾーンの外周をなす円弧の半径をr1、内周をなす円弧の半径をr2(円の場合はr2=0)とし、周方向の境界の位置を任意の半径位置からの角度によってθ1とθ2とした場合に、(r1+r2)/2であってかつ(θ1+θ2)/2となる点を当該加熱ゾーンの中心位置と定義する。ここで、周方向の分割数n=0の場合、すなわち領域が円または円環の場合には、周方向の位置(θ1+θ2)/2は円周上の任意の位置となるため、隣接する中心位置の離間距離を求める場合には最短の距離となる点で定義する。
 上記のように制御系を構成することによって、ウエハ載置面11aを局所的に加熱することができるので、例えばロードロックの開閉等によりウエハ載置面11aが部分的に冷却されるような場合であっても均熱性を良好に維持することが可能になる。上記の測温センサーは例えばウエハ載置台11の下面側に測温センサーが収まる大きさのザグリ穴を設け、その底面に接着剤を塗布して測温センサーを接着固定することで各加熱ゾーンの温度を良好に検知することができる。
 再度図8に戻ると、ウエハ加熱用ヒータユニット10の下方には、半導体ウエハWをウエハ載置面11a上に載置したり、半導体ウエハWを該ウエハ載置面11aから離間させたりする支持機構20が設けられている。この支持機構20は、ウエハ加熱用ヒータユニット10に設けられた挿通孔10aから出没する複数の棒状の支持部21と、それらを上下方向に往復動される駆動部22とからなる。
 更にウエハ加熱用ヒータユニット10の下方には、ヒータユニット10を急速冷却されるための冷却ユニット30が設けられている。この冷却ユニット30は、一点鎖線で示すように支持板12の下面側に当接する当接位置と、実線で示すように支持板12から離間する離間位置との間で往復動可能な可動式冷却板31と、可動式冷却板31が上記離間位置にある時に当接する固定式冷却ステージ32とを有している。可動式冷却板31及び固定式冷却ステージ32の材質は、熱伝導性が高い銅、アルミニウム、ニッケル、マグネシウム、チタン、若しくはこれらの少なくともいずれかを主成分とする合金又はステンレスからなる群から選択することが好ましい。
 固定式冷却ステージ32は、図示しないチラーなどの冷却装置で冷却されたフッ素系冷媒等の不凍液、空気、汎用的な水等の冷媒が循環する冷媒流路32aを有している。
この冷媒流路の形態は特に限定はなく、例えば金属製の板状部材の下面側に冷媒流路としてCuなどの金属製のパイプを沿わせ、この金属製パイプの両端にステンレス製の継ぎ手を取り付けると共に、金属製パイプを押さえ板で板状部材に押さえつけた状態で該押さえ板と板状部材とをネジなどにより機械的に結合する構造にすることができる。
 あるいは、より高い熱効率を得るため、金属製の板状部材の下面側に例えば渦巻き状のザグリ溝を設け、このザグリ溝中に渦巻き状に成形した冷媒流通用の金属製パイプを設置した構造でもよい。この場合、金属製パイプと冷却板との良好な熱伝達を保つため、コーキング材、シーラント、接着剤などにより金属製パイプの表面とザグリ溝の内面とを接着固定するのが好ましい。あるいは、同じ材質の略同形状の2枚の板状部材を用意し、それらの一方又は両方の片面に機械加工で流路となる溝を形成し、この流路側の面が対向するように2枚の板状部材を重ね合わせて例えばロウ付けなどの結合法で一体化した構造でもよい。
 可動式冷却板31は、エアシリンダなどからなる昇降機構33に取り付けられている。
これにより、昇降機構33を作動させることで固定式冷却板31を前述した当接位置と、離間位置との間で往復動させることが可能になる。なお、可動式冷却板31を使用せずに冷媒流路を有する冷却ステージ32自体を支持板12の下面側に当接する位置と該下面側から離間する位置との間で往復動させてもよい。
 上記の可動式冷却板31の上面や固定式冷却ステージ32の上面、及び/又は支持板12の下面には介在層(図示せず)を設けてもよい。この介在層は、厚み方向にクッション性(柔軟性)を有しているのが好ましく、また耐熱性を有しているのが好ましい。更に、例えば1W/m・K以上の高い熱伝導率を有していることが好ましい。このような材質としては、発泡金属、金属メッシュ、グラファイトシート、又はフッ素樹脂、ポリイミド樹脂、若しくはシリコーン樹脂等の樹脂シートを挙げることができる。なお、上記の樹脂シートにカーボンなどの熱伝導性フィラーを含有することで、熱抵抗をより小さくすることが可能になる。なお、本発明の一具体例のウエハ加熱用ヒータユニット10及び冷却ユニット30は好適にはステンレスからなる容器40内に収められているのが好ましい。
[実施例]
 [実施例5]
 図8に示すような下方に支持機構20及び冷却ユニット30が設けられたウエハ加熱用ヒータユニット10を作製してそのウエハ載置面11aの均熱性を評価した。具体的には、先ずウエハ載置台11として直径320mm×厚み3mmの円板状の銅板を準備した。
この銅版のPCD120mmの位置にリフトピン用の3個の挿通孔をウエハ載置面11aの周方向に均等に穿孔した。また、この銅板のウエハ載置面11aとなる面とは反対側の面の後述する中心位置に15個のザグリ穴を形成し、これらザグリ穴の各々に、セラミックス製(W2mm×D2mm×H1mm)の測温素子をシリコーン接着剤を用いて接着固定した。
 次に支持板12として直径320mm×厚み3mmの円板状のSi-SiC板を準備した。このSi-SiC板にも、PCD120mmの位置にリフトピン用の3個の挿通孔をウエハ載置面11aの周方向に均等に穿孔した。更にこのSi-SiC板には、上記測温素子のリード線や、後述するネジなどの挿通用の貫通孔を設けた。次に発熱モジュール13の複数の発熱回路13aとなる抵抗発熱体として、厚さ20μmのステンレス箔に該複数の発熱回路13aの回路パターンをエッチングで形成し、それらの各々の両終端部に給電ケーブルを取り付けた後、この抵抗発熱体を上下両面から厚み50μmのポリイミドシートで覆って熱圧着し、直径320mmの円形フィルム状の発熱モジュール13を準備した。
 ここで、上記の発熱モジュール13の複数の発熱回路13aが其々設けられる複数の加熱ゾーンは、図9の区分パターンとなるようにした。具体的には、円形の発熱モジュール13の中心点に対してφ120mm、φ246mm、φ302mmの3つの同心円で円形中央部Aと、環状中間部Bと、環状周縁部Cとに3区分し、更にφ120mmの円形中央部Aを周方向に3等分して中央部扇状加熱ゾーンA1~A3とし、外径φ246mm、内径φ120mmの環状中間部Bを周方向に6等分して中間部扇状加熱ゾーンB1~B6とし、外径φ302mm、内径φ246mmの環状周縁部Cを周方向に6等分して周縁部扇状加熱ゾーンC1~C6とした。また、この発熱モジュール13において、PCD120mmの位置にリフトピン用の3個の挿通孔をウエハ載置面11aの周方向に均等に穿孔した。なお、これら合計15区画の加熱ゾーンの其々に設けた15個の発熱回路13aが個別に制御されるように、上記測温素子は各区画の中心位置に配置した。発熱回路の上記給電ケーブルも各区画ごとに引き出されることになる。
 このようにして作製した発熱モジュール13を上記のウエハ載置台11と支持板12との間に挟み込み、支持板12に予め設けておいた貫通孔にネジを挿通してウエハ載置台11に螺合した。これにより、発熱モジュール13を挟んでウエハ載置台11と支持板12とが互いに機械的に結合されたウエハ加熱用ヒータユニット10を作製した。なお、上記のネジには、熱膨張量差でウエハ載置台11や支持板12が変形しないように、座面にベアリングを備えた締結ネジを用いた。この締結ねじを、PCD120mmに3本、PCD310mmに6本設けた。また、測温素子のリード線からの熱逃げを抑制するため、支持板12から取り出した測温素子のリード線を支持板12に30mmの長さに渡り接触させた状態でシリコーン樹脂で接着固定した。
 次に、このウエハ加熱用ヒータユニット10の下方に、半導体ウエハWをウエハ載置面11a上に載置したり、ウエハ載置面11aから離間させたりする支持機構20を設けた。この支持機構20は、ウエハ加熱用ヒータユニット10に設けた挿通孔10aから出没する3本の棒状の支持部21と、それらを上下方向に往復動される駆動部22とからなる。また、冷却ユニット30として、可動式冷却板31用の直径320mm×厚み12mmの円板状のアルミニウム合金板と、固定式冷却ステージ32用の直径320mm×厚み12mm の円板状のアルミニウム合金板とを準備した。可動式冷却板31用のアルミニウム合金板には、上記支持板12に当接する上面側に、支持板12と可動式冷却板31の全面が接触するように柔軟性を有したシリコーンシートを配置した。一方、固定式冷却ステージ32用のアルミニウム合金板の下面に、ねじを用いて冷媒流路32a用の外径6mm×肉厚1mmのリン脱酸銅パイプを取り付けた。そして、この銅パイプの両端に、冷媒を供給・排出するための継ぎ手を取り付けた。
 このようにして作製した冷却ユニット30としての両アルミニウム合金板に、上記の支持部21、給電ケーブル、測温素子のリード線、及び後述する容器40の底部から立設する脚部14が挿通する貫通孔を設けた。更に固定式冷却ステージ32用のアルミニウム合金板には、可動式冷却板31のエアシリンダからなる昇降機構33のロッドが挿通する貫通孔を設けた。上記の冷却ユニット30を肉厚1.5mmの側壁を有し且つ上部が開放されたステンレス製の容器40内に設置した。固定式冷却ステージ32の下側に昇降機構33を取り付け、そのロッドを上記したロッド挿通用の貫通孔に挿通させてその先端に可動式冷却板31を取り付けた。このようにして、支持機構20及び冷却ユニット30を備えた試料1のウエハ加熱用ヒータユニット10を作製した。なお、昇降機構33のロッドが退避している時の支持板12の下面と可動式冷却板31の上面との離間距離は10mmであった。
 比較のため、ウエハ載置台11と支持板12との間に挟持させる発熱モジュールの区分パターンを図9に代えて図10及び図11の区分パターンにした以外は上記試料1と同様にして冷却ユニットを備えた試料2及び3のウエハ加熱用ヒータユニット作製した。
すなわち、試料2のウエハ加熱用ヒータユニットの発熱モジュールにおいてはその中心点に対してφ95mm、φ246mm、φ302mmの3つの同心円で円形中央部Dと、環状中間部Eと、環状周縁部Fとに3分割し、円形中央部D及び環状中間部Eについては周方向に分割せずに其々そのまま円形加熱ゾーン及び環状加熱ゾーンとし、外径φ302mm、内径φ246mmの環状周縁部Fのみ周方向に4等分して周縁部扇状加熱ゾーンF1~F4とした。これら合計6区画の加熱ゾーンの各々の中心位置に測温素子を設けた。但し、環状中間部Eについては、発熱モジュールの中心点に対してφ170.5mmの周上の1か所に測温素子を設けた。
 一方、試料3のウエハ加熱用ヒータユニットの発熱モジュールにおいては、その中心点に対してφ95mm、φ171.5mm、φ246mm、φ302mmの4つの同心円で円形中央部Gと、内側環状中間部Hと、外側環状中間部Iと、環状周縁部Jとに4分割し、更に外径φ171.5mm、内径φ95mmの内側環状中間部Hを周方向に2等分して内側中間部扇状加熱ゾーンH1~H2とし、外形φ246mm、内径φ171.5mmの外側環状中間部Iを周方向に4等分して外側中間部扇状加熱ゾーンI1~I4とし、外径φ302mm、内径φ246mmの環状周縁部Jを周方向に8等分して周縁部扇状加熱ゾーンJ1~J8とした。これら合計15区画の加熱ゾーンの各々の中心位置に測温素子を設けた。
 上記にて作製した試料1~3のヒータユニットに対して、先ずウエハ載置面11aの平面度を市販の三次元測定器にて測定した。次に、これら試料1~3のヒータユニットの各々に対して複数の発熱回路13aに給電して常温から110℃まで昇温させた後、設定温度110℃で温度制御しながら1時間保持した。その後、測温センサーが埋設された市販のウエハ温度計をウエハ載置面11aに設置し、ウエハ載置面11a内の最大温度と最小温度の差である均熱レンジを計測した。その結果を下記表7に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
 上記表7の結果から、試料2のヒータユニットでは均熱レンジが0.17℃であった。
詳細な温度分布によると、環状中間部Eの中で最大温度と最小温度が存在しており、ウエハ載置台11と支持板12とを締結しているボルト近傍と、支持部21用の挿通孔10aの周辺が低温域(クールスポット)となっていた。これは、環状中間部Eは1個の加熱ゾーンのみで構成されているため、この1個の加熱ゾーンの中に配置された締結ボルトや挿通孔10aに発熱回路が配置できていないことによる影響と、これら締結ボルトや挿通孔10aの部位からの放熱を測温センサーが検知しきれなかったことが原因と考えられる。
 試料3のヒータユニットでは均熱レンジが0.21℃であり、詳細な温度分布によると、2等分した内側環状中間部Hにおいて、試料2のヒータユニットと同様に締結ボルトや、支持部21用の挿通孔10aの周辺が低温域(クールスポット)となっていた。その理由も上記した試料2のヒータユニットと同様と考えられ、周方向に分割した加熱ゾーン数が、締結ボルトや挿通孔10aの個数の整数倍になっていないことで、ウエハ載置面11aの均熱性に悪影響を及ぼしたと考えられる。
 一方、試料1のヒータユニットでは、内周側の締結ボルト及び支持部21用の挿通孔10aの位置を半径方向に互いに隣接する円形中央部A及び環状中間部Bの境界部に配置したので、其々の放熱などの影響が分散されたうえ、更に円形中央部A及び環状中間部Bの周方向の分割数が締結ボルトの数及び支持部21用の挿通孔10aの数の整数倍となるように、締結ボルトの数を3箇所にすると共に支持部21用の挿通孔10aの数を3か所にし、且つ周方向に隣接する加熱ゾーン同士の境界部にこれら締結ボルトや挿通孔10aを配置したので、半径方向に互いに隣接する両加熱ゾーンと周方向に互いに隣接する両加熱ゾーン、即ち合計4個の加熱ゾーンによって、これら締結ボルトや挿通孔10aによる悪影響が分配されたことで、低温域としての特異点は確認されなかった。
 [実施例6]
 ウエハ載置台11の材質を銅に代えてSi-SiCにした以外は上記の実施例5の試料1~3と同様にして其々試料4~6のヒータユニットを製作し、実施例5と同様の評価を行った。その結果をウエハ載置台11の平面度と併せて下記表8に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
 上記表8から実施例5と同様の傾向があることが分かる。また、実施例5に比べて試料4~6のヒータユニットはいずれも若干の均熱性の向上が認められた。これは、ウエハ載置台11の材質を剛性の高いSi-SiCに代えたことで、ウエハ載置台11の平面度が安定し、よってウエハ載置面11aとウエハとの距離が全面に亘って均等になったことによるものと推察される。
今回開示された第1の実施形態、第2の実施形態、第3の実施形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施形態ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
 10   ウエハ加熱用ヒータユニット
 10a  リフトピン用挿通孔
 11   ウエハ載置台
 11a  ウエハ載置面
 12   支持板
 13   発熱モジュール
 13a  発熱回路
 20   脚部
 30   冷却ユニット
 31   可動式冷却板
 32   固定式冷却ステージ
 32a  冷媒流路
 33   昇降機構
 40   容器
 A    円形中央部
 A1~A3   中央部扇状加熱ゾーン
 B    環状中間部
 B1~B6   中間部扇状加熱ゾーン
 C    環状周縁部
 C1~C6   周縁部扇状加熱ゾーン
 LA1、LB1、LC1、LA1B1、LB1C1   線分
 OA1、OB1、OC1   中心位置
 PA1、PB1、PC1   角部
 Q1~Q3   リフトピン用挿通孔
 D    円形中央部
 E    環状中間部
 F    環状周縁部
 F1~F4   周縁部扇状加熱ゾーン
 G    円形中央部
 H    内側環状中間部
 H1~H2   内側中間部扇状加熱ゾーン
 I    外側環状中間部
 I1~I4   外側中間部扇状加熱ゾーン
 J    環状周縁部
 J1~J8   周縁部扇状加熱ゾーン
 W    半導体ウエハ

Claims (12)

  1.  半導体ウエハが載置されるウエハ載置面を備えた円板状のウエハ載置台と、
    前記ウエハ載置台を支持する円板状の支持板と、
    前記ウエハ載置台と前記支持板との間に挟持された円形薄膜状の発熱モジュールとを有し、
     前記発熱モジュールは前記ウエハ載置面に平行に延在する複数の発熱回路を有し、
    前記ウエハ載置面は、前記複数の発熱回路によって前記ウエハ載置面の半径方向において隣接する複数の加熱ゾーンおよび周方向において隣接する複数の加熱ゾーンを有するように区分されており、
    前記ウエハ載置面の半径方向において隣接する複数の加熱ゾーンのいずれにおいても、前記複数の加熱ゾーンそれぞれにおける中心位置間の距離が前記複数の加熱ゾーンそれぞれにおける中心位置から前記複数の加熱ゾーンそれぞれの境界までの最長距離の50%以上である、
    ウエハ加熱用ヒータユニット。
  2.  前記複数の加熱ゾーンは、前記ウエハ載置面の中央に設けられた円形中央部が周方向に3等分された加熱ゾーン、前記円形中央部の外周側に設けられ前記円形中央部の中心と同じ中心を有する環状部が周方向に6等分された加熱ゾーン、及び前記環状部の外周側に設けられ前記円形中央部の中心と同じ中心を有する環状周縁部が周方向に6等分された加熱ゾーンから構成されている、請求項1に記載のウエハ加熱用ヒータユニット。
  3.  前記複数の加熱ゾーンのうち周方向に隣接する複数の加熱ゾーンの間及び半径方向に隣接する複数の加熱ゾーンの間に前記半導体ウエハのリフトピン用の挿通孔を有する、請求項1又は請求項2に記載のウエハ加熱用ヒータユニット。
  4.  前記複数の加熱ゾーンのうち周方向に隣接する複数の加熱ゾーンの間又は半径方向に隣接する複数の加熱ゾーンの間に前記半導体ウエハのリフトピン用の挿通孔を有する、請求項1又は請求項2に記載のウエハ加熱用ヒータユニット。
  5. 半導体ウエハが載置されるウエハ載置面を備えた円板状のウエハ載置台と、
    前記ウエハ載置台を支持する円板状の支持板と、
    前記ウエハ載置台と前記支持板との間に挟持された円形薄膜状の発熱モジュールとを有し、
     前記発熱モジュールは前記ウエハ載置面に平行に延在する複数の発熱回路を有し、
    前記ウエハ載置面は、前記複数の発熱回路によって複数の加熱ゾーンに区分されており、
    前記複数の加熱ゾーンは、前記ウエハ載置面の中央に設けられた円形中央部が周方向に均等に分割された加熱ゾーン、前記円形中央部の外周側に設けられ前記円形中央部の中心と同じ中心を有する環状部が周方向に均等に分割された加熱ゾーン、及び前記環状部の外周側に設けられ前記円形中央部の中心と同じ中心を有する環状周縁部が周方向に均等に分割された加熱ゾーンから構成され、
    前記複数の加熱ゾーン各々の面積は、前記複数の加熱ゾーンの平均面積の±30%以内である、
    ウエハ加熱用ヒータユニット。
  6.  前記円形中央部は周方向に3等分されており、前記環状部は周方向に6等分されており、前記環状周縁部は周方向に6等分されている、請求項5に記載のウエハ加熱用ヒータユニット。
  7.  前記複数の加熱ゾーンのうち周方向に隣接する複数の加熱ゾーンの間及び半径方向に隣接する複数の加熱ゾーンの間に前記半導体ウエハのリフトピン用の挿通孔を有する、請求項5又は請求項6に記載のウエハ加熱用ヒータユニット。
  8.  前記複数の加熱ゾーンのうち周方向に隣接する複数の加熱ゾーンの間又は半径方向に隣接する複数の加熱ゾーンの間に前記半導体ウエハのリフトピン用の挿通孔を有する、請求項5又は請求項6に記載のウエハ加熱用ヒータユニット。
  9.  半導体ウエハが載置されるウエハ載置面を備えた円板状のウエハ載置台と、
    前記ウエハ載置台を支持する円板状の支持板と、
    前記ウエハ載置台と前記支持板との間に挟持された円形薄膜状の発熱モジュールとを有し、
     前記発熱モジュールは前記ウエハ載置面に平行に延在する複数の発熱回路を有し、
    前記ウエハ載置面は、前記複数の発熱回路によって複数の加熱ゾーンに区分されており、
    前記複数の加熱ゾーンは、前記ウエハ載置面の中央に設けられた円形中央部が周方向に均等に分割された加熱ゾーンおよび前記円形中央部の外周側に設けられ前記円形中央部の中心と同じ中心を有する環状部が周方向に均等に分割された加熱ゾーン、を含み、
     前記ウエハ載置台は、前記ウエハ載置面に対して前記半導体ウエハを載置及び離間させる棒状の支持部が前記ウエハ載置台の内部を通るように前記ウエハ載置台の厚み方向に設けられた複数の挿通孔を有し、
    前記複数の挿通孔は、前記複数の加熱ゾーンの半径方向に延在する境界部に配置され、前記複数の挿通孔が配置された前記複数の加熱ゾーンは、周方向の分割数が前記複数の挿通孔の数の整数倍である、
    ウエハ加熱用ヒータユニット。
  10.  前記複数の加熱ゾーンは、さらに前記環状部の外周側に設けられ前記円形中央部の中心と同じ中心を有する環状周縁部が周方向に均等に分割された加熱ゾーンを有し、前記円形中央部は周方向に3等分されており、前記環状部は周方向に6等分されており、前記環状周縁部は周方向に6等分されている、請求項9に記載のウエハ加熱用ヒータユニット。
  11.  前記複数の加熱ゾーンのうち周方向に隣接する加熱ゾーン同士の間及び半径方向に隣接する加熱ゾーン同士の間に、前記複数の挿通孔が前記周方向に均等な間隔をあけて設けられている、請求項9又は請求項10に記載のウエハ加熱用ヒータユニット。
  12.  前記複数の加熱ゾーンのうち周方向に隣接する加熱ゾーン同士の間又は半径方向に隣接する加熱ゾーン同士の間に、前記複数の挿通孔が前記周方向に均等な間隔をあけて設けられている、請求項9又は請求項10に記載のウエハ加熱用ヒータユニット。
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