WO2019069937A1 - 光源装置および照明装置 - Google Patents

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善則 久保
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京セラ株式会社
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Definitions

  • the present disclosure relates to a light source device and a lighting device.
  • the light source device used in this lighting device wavelength-converts the excitation light irradiated to the wavelength conversion material such as a phosphor to generate white light directly or indirectly.
  • a lighting device having a larger amount of light than that of a conventional lighting device can be obtained.
  • the conversion efficiency of this wavelength conversion material is not 100%, and a part of the energy of the irradiated excitation light is heat. Therefore, the holding plate for holding the wavelength conversion material is required to have a heat dissipation performance in addition to the light transmitting property.
  • Patent Documents 1 and 2 describe a light source device and a lighting device including a laser light source, a phosphor, and a sapphire plate holding the phosphor, and the laser light is made perpendicular to the sapphire plate. An example of irradiation is described.
  • the light source device of the present disclosure includes: a sapphire plate having a first surface and a second surface facing each other; a wavelength conversion material positioned to face the first surface of the sapphire plate; and first excitation light having directivity. And a first excitation light source for emitting the wavelength conversion material through the second surface, and an angle between the first surface and the second surface and the c axis of sapphire is more than 89 ° and less than 91 °. The angle between the c-axis and the optical axis of the first excitation light is 1 ° or more.
  • the light source device of the present disclosure includes: a sapphire plate having a first surface and a second surface facing each other; a wavelength conversion material positioned to face the first surface of the sapphire plate; and first excitation light having directivity. And a first excitation light source for emitting the wavelength conversion material through the second surface, and an angle between the first and second surfaces and the c axis of sapphire is less than 1 °, and the c The angle between the axis and the optical axis of the first excitation light is 89 ° or less.
  • the illuminating device of this indication is equipped with the said light source device and a light guide member.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the light source device 1 according to the first and second embodiments.
  • the light source device 1 of the present disclosure includes a sapphire plate 11 having a first surface 11 a and a second surface 11 b facing each other.
  • Sapphire refers to a single crystal of aluminum oxide (chemical formula Al 2 O 3 ). As shown in FIGS. 2 (a) to 2 (d), sapphire has crystal planes such as c-plane, m-plane, a-plane and r-plane as typical crystal planes. The axes perpendicular to these crystal planes are called c-axis, m-axis, a-axis and r-axis, respectively.
  • the crystal orientation of the sapphire plate 11 can be identified using an X-ray diffractometer.
  • an X-ray diffraction apparatus an automatic X-ray crystal orientation measurement apparatus (type 2991 F2) manufactured by Rigaku Corporation may be used.
  • the light source device 1 of the present disclosure includes the wavelength conversion material 13 positioned to face the first surface 11 a of the sapphire plate 11.
  • the light source device 1 of the present disclosure includes a first excitation light source 15 that emits a first excitation light 15a having directivity.
  • the first excitation light 15 a is irradiated to the wavelength conversion material 13 through the second surface of the sapphire plate 11.
  • the wavelength conversion material 13 converts the wavelength of the irradiated first excitation light 15a into, for example, white light and light for illumination.
  • the angle between the first surface 11a, the second surface 11b, and the c-axis of sapphire is more than 89 ° and less than 91 °.
  • the first surface 11 a and the second surface 11 b of the sapphire plate 11 have an inclination of less than 1 ° from the c-plane of sapphire.
  • the temperature of the wavelength conversion material 13 and the sapphire plate 11 is increased by a part of the energy of the first excitation light 15a.
  • the length in the planar direction is longer than the length in the thickness direction. Therefore, the dimensional change in the planar direction is larger than the dimensional change in the thickness direction. Then, peeling of the wavelength conversion material 13 from the sapphire board 11 and damage to the wavelength conversion material 13 resulting from the thermal expansion difference of a plane direction can be suppressed if the thermal expansion coefficient of a plane direction is made the same.
  • the thermal expansion coefficient of sapphire at 40 ° C. to 400 ° C. is 7.7 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C. in the direction parallel to the c axis of sapphire and 7.0 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C. in the direction perpendicular to the c axis It is.
  • sapphire is a material having anisotropy in thermal expansion coefficient.
  • the angle between the first surface 11 a of the sapphire plate 11 and the second surface 11 b and the c-axis of sapphire is If it is in the range of more than 89 ° and less than 91 °, the difference in thermal expansion coefficient generated in the planar direction can be reduced (the first embodiment).
  • the angle between the first surface 11 a of the sapphire plate 11 and the second surface 11 b and the c-axis of sapphire is In the range of less than 1 °, the difference in the thermal expansion coefficient generated in the planar direction can be reduced (the second embodiment).
  • Sapphire has anisotropy in mechanical strength, and when the major surfaces 11a and 11b of the sapphire plate 11 are parallel to the c-axis, the bending strength of the sapphire plate 11 is increased. In particular, the a-plane exhibits the highest strength.
  • parallel means that the angle made is 1 degree or less (2nd Embodiment).
  • the sapphire plate 11 Since the bending strength of sapphire is maximum in the c-axis direction of the a-plane, the sapphire plate 11 has a long axis (long side) direction and a short axis (short side) direction.
  • the main surface of the sapphire plate 11 may be a plane, and the major axis direction may be c axis direction. Further, assuming that the principal surface is an m-plane, the anisotropy of the bending strength in the surface direction is small, so for example, the principal surface of the disk-shaped sapphire plate 11 may be an m-plane (second embodiment).
  • an angle between the c axis 11 c of the sapphire plate 11 and the optical axis 15 b of the first excitation light 15 a is 1 ° or more.
  • the first excitation light 15 a is obliquely incident on the second surface 11 b of the sapphire plate 11 (first embodiment).
  • the angle between the c-axis 11 c of the sapphire plate 11 and the optical axis 15 b of the first excitation light 15 a is 89 ° or less.
  • the first excitation light 15 a is obliquely incident on the second surface 11 b of the sapphire plate 11 (second embodiment).
  • Sapphire is a crystal having birefringence. Birefringence means that when a light beam passes through a substance, it can be divided into two, normal light and extraordinary light, depending on the state of polarization. When the light travels coaxially with the optical axis (c axis) 11 c of the sapphire plate 11, the refractive indices of the two types of light coincide, and the light is not split into two.
  • the refractive index of the normal light does not depend on the angle to the optical axis of the light, but the refractive index of the extraordinary light is the optical of the light It varies depending on the angle with respect to the axis 11c.
  • the cross-sectional shape of the first excitation light 15a perpendicular to the optical axis 15b is circular
  • the cross section perpendicular to the optical axis 15b In the process of passing the first excitation light 15a having a circular shape through the sapphire plate 11, as shown in FIG. 3, the first excitation light 15a is divided into normal light 16a shown by a solid line and abnormal light 16b shown by a broken line. It becomes a state where two circles overlap, and it becomes an approximate oval shape.
  • the amount of light increases in a region including both the normal light 16a and the abnormal light 16b as compared to a region including only the normal light 16a and a region including only the abnormal light 16b. Therefore, an area with a small amount of light is disposed outside the area with a large amount of light. Furthermore, the area
  • the amount of heat generation of the wavelength conversion material 13 increases as the amount of light increases, in the light source device 1 of the present disclosure, a region with a small amount of heat generation is disposed outside the region with a large amount of heat generation. Further, there is a region outside the region where the first excitation light 15a is not irradiated and the heat is not generated.
  • the area which is not irradiated with light transmits the heat generated by the irradiation of light, and a temperature difference occurs between the area where the light is irradiated and the area outside the area because it becomes an area to be emitted.
  • the steeper the temperature difference the larger the distortion generated in the wavelength conversion material 13 and the sapphire plate 11 due to the thermal expansion.
  • the first excitation light 15a is divided into the normal light 16a and the extraordinary light 16b by utilizing the property of birefringence of the sapphire plate 11, and heat generation is performed outside the region of large heat generation.
  • the temperature difference generated in the wavelength conversion material 13 and the sapphire plate 11 can be made relatively gentle, and peeling of the wavelength conversion material 13 from the sapphire plate 11 can be suppressed. .
  • the positional deviation between the normal light 16 a and the extraordinary light 16 b utilizing the birefringence changes depending on the angle between the optical axis 15 b of the first excitation light 15 a and the c-axis 11 c of the sapphire plate 11 and the incident angle.
  • the light incident on the second surface 11b of the sapphire plate 11 from the air at an incident angle ⁇ a is refracted at the interface between the air and the sapphire plate 11 (second surface 11b), and the light in the sapphire plate 11 is refracted at the refraction angle ⁇ b.
  • the refractive index of the sapphire plate 11 is N
  • sin ⁇ a / sin ⁇ b N according to Snell's law. Using this relationship, it is possible to calculate the positional deviation between the normal light 16a and the abnormal light 16b.
  • the first excitation light 15a having a wavelength of 488 nm (the refractive index of the normal light is 1.775 to the second surface 11b of the sapphire plate 11 whose main surface is a c-plane having a thickness of 3.0 mm)
  • the refractive index of the extraordinary light is 1.767 to 1.775
  • the positional deviation on the first surface 11a due to the difference in the refractive index of the normal light 16a and the abnormal light 16b is as follows: If it is 0.3 ⁇ m, if it is 40 °, it will be 2.0 ⁇ m, and if it is 60 °, it will be 5.0 ⁇ m. Therefore, the angle between the c-axis 11c and the optical axis 15b of the first excitation light 15a may be 20 ° or more, more preferably 40 ° or more.
  • the first excitation light 15a with a wavelength of 488 nm (the refractive index of the normal light is 1.775 to the second surface 11b of the sapphire plate 11 whose main surface is the a-plane with a thickness of 3.0 mm)
  • the refractive index of the extraordinary light is normal light 16a when it is incident on the incident plane parallel to the c axis (the angle formed with the c axis 11c is 0.degree.)
  • FIG. 1 the refractive index of the extraordinary light
  • the displacement of the first surface 11a due to the difference in the refractive index of the extraordinary light 16b is 0 when the incident angle ⁇ a is 0 ° and 90 ° C., and 2.3 ⁇ m or 40 ° if the incident angle ⁇ a is 20 °
  • it is 2.9 micrometers and 60 degrees, it will be 1.6 micrometers.
  • the first excitation light 15a having a wavelength of 488 nm is incident on the incident plane perpendicular to the c-axis (the angle formed with the c-axis is 90 °)
  • the first plane due to the difference in the refractive index
  • the positional deviation at 11a increases as the incident angle ⁇ a increases, and becomes 2.6 ⁇ m if the incident angle ⁇ a is 20 °, 4.9 ⁇ m if 40 °, and 6.6 ⁇ m if 60 °.
  • the angle between the c-axis 11c and the optical axis 15b of the first excitation light 15a may be 20 ° or more, more preferably 40 ° or more.
  • the angle between the c-axis 11c and the incident surface of the first excitation light 15a that is, the projection line of the first excitation light 15a onto the second major surface 11b of the optical axis 15b and the c-axis 11c
  • the larger the angle formed the larger the magnitude of birefringence, so the angle between the incident surface of the first excitation light 15a and the c-axis 11c, that is, the second major surface 11b of the optical axis 15b of the first excitation light 15a.
  • the angle between the projection line of and the c axis 11c be 20 ° or more.
  • the incident angle of the first excitation light 15a with respect to the second major surface 11b may be 75 ° or less.
  • the incident angle is 0 ° when the first excitation light 15a is incident perpendicularly to the second major surface 11b.
  • the ratio of the reflection of the first excitation light 15a on the second major surface 11b changes according to the incident angle of the first excitation light 15a on the second major surface 11b.
  • the reflected part of the first excitation light 15a does not contribute to light emission. Therefore, since the light emission efficiency decreases as the reflectance increases, it is required to reduce the reflection.
  • the graph of FIG. 4 shows the relationship between the incident angle of the first excitation light 15a having a wavelength of 488 nm and the reflectance with respect to the second major surface 11b when the surface of the sapphire plate 11 is a mirror surface.
  • the difference in refractive index between the normal light 16a and the abnormal light 16b is small. Therefore, this graph is calculated using only the refractive index of the normal light 16a, and the abnormal light 16b is ignored.
  • the graph shows the average of the reflectance of P-polarization, the reflectance of S-polarization, the reflectance of P-polarization, and the reflectance of S-polarization.
  • the first excitation light 15a is natural light which is not polarized
  • the relationship between the incident angle of the first excitation light 15a with respect to the second major surface 11b and the reflectance is the reflectance of P polarization and the reflectance of S polarization It will be shown by the average value of.
  • the reflectance is relatively small in the region where the incident angle of the first excitation light 15a with respect to the second major surface 11b is 75 ° or less. Therefore, when the incident angle of the first excitation light 15a with respect to the second major surface 11b is 75 ° or less, it is possible to suppress the reflection of the first excitation light 15a on the second major surface 11b, and to increase the light emission efficiency. When the incident angle of the first excitation light 15a to the second major surface 11b is 55 ° or less, the reflectance can be further reduced.
  • the first excitation light 15a for the second major surface 11b The incident angle of H may be in the range of 40 to 55 °.
  • the first excitation light 15a for the second major surface 11b The incident angle of H may be in the range of 20 to 55 °.
  • the optical axis 15 b of the first excitation light 15 a is obliquely irradiated to the second major surface 11 b of the sapphire plate 11. Therefore, even if the first excitation light 15a is reflected by the second major surface 11b, it is possible to prevent the reflected light from being irradiated to the first excitation light source 15. Therefore, damage to the first excitation light source 15 can be avoided. It can be suppressed.
  • the second excitation light source 17 is further provided which irradiates the wavelength conversion material 13 with the second excitation light 17a having directivity through the second surface 11b of the sapphire plate 11 It is also good. As described above, when the plural excitation light sources 15 and 17 are provided, the light quantity of the light source device 1 can be increased. Further, even when the first and second excitation light sources 15 and 17 having relatively small light amounts are combined, a desired light amount can be obtained.
  • the second excitation light 17 a may be arranged such that at least a part of the second excitation light 17 a overlaps the wavelength conversion material 13.
  • the area of the wavelength conversion material 13 can be reduced.
  • the area in which the wavelength conversion material 13 and the sapphire plate 11 come into contact decreases.
  • the thermal expansion coefficients of the two are different, the smaller the contact area between the two, the smaller the stress caused by the thermal expansion difference, and the wavelength conversion material 13 can be prevented from peeling off from the sapphire plate 11.
  • the angle between the c axis 11c and the optical axis 15b of the first excitation light 15a, the c axis 11c and the second excitation light 17a may be the same or may be different as in the second modified example shown in FIG.
  • the first excitation light 15a and the second excitation The size of the region irradiated with only the normal light and the abnormal light can be changed by the light 17a, so that the distribution of the light amount can be designed appropriately by combining these.
  • First Embodiment As shown in FIG. 6, if the angle between the optical axis 15b of the first excitation light 15a and the c-axis 11c is 1 ° or more, the optical axis 17b of the second excitation light 17a and The angle formed with the c axis may be 0 °.
  • Second Embodiment As shown in FIG. 6, if the angle between the optical axis 15b of the first excitation light 15a and the c axis 11c is 89 ° or less, the optical axis 17b of the second excitation light 17a and the c axis The angle between them may be 90 °.
  • an angle between the optical axis 15b of the first excitation light 15a and the optical axis 17b of the second excitation light 17a is in the range of 1 ° to 179 °. It may be For example, as in the third modification shown in FIG. 7, the angle formed by the optical axis 15b of the first excitation light 15a and the optical axis 17b of the second excitation light 17a is in the range of 80.degree.
  • first excitation light 15a and the second excitation light 17a overlap each other by the wavelength conversion material 13, it is possible to arrange regions in which only the normal light and only the abnormal light are irradiated in both the left and right direction and the up and down direction. More, the temperature difference can be smoothed.
  • the light source device 1 of the present disclosure may further include a third excitation light source 19 that emits the third excitation light 19a having directivity, as in the fourth modified example shown in FIG.
  • a third excitation light source 19 that emits the third excitation light 19a having directivity
  • the light quantity of the light source device 1 can be further increased.
  • the optical axes 15b, 17b and 19b of the first excitation light 15a, the second excitation light 17a, and the third excitation light 19a are projected onto the second surface 11b.
  • the angle between them may be the same, and the angle between them may be 120 °.
  • the angles formed by the optical axes of the excitation lights 15a, 17a, 19a irradiated to the wavelength conversion material 13 can be equal intervals, and the distribution of the temperature difference is regular. be able to.
  • the plurality of excitation light sources 15 and 17 may be arranged such that one totally reflected light is not irradiated to the other.
  • the excitation light 15a, 17a is reflected by the sapphire plate 11, it is possible to suppress damage to the excitation light sources 15, 17 by being irradiated to the other excitation light sources 15, 17.
  • the excitation light sources 15, 17, 19 may be laser light sources.
  • the laser beam emitted from the laser light source has high directivity and high output, so the output of the light source device 1 can be increased.
  • the excitation light sources 15, 17, 19 may be LEDs, or a deformable optical fiber may be used to guide the excitation light. With such a configuration, the degree of freedom in design of the light source device 1 is increased. Further, the heat sources can be separated by increasing the distance between the wavelength conversion material 13 and the excitation light sources 15, 17 and 19 which are heat sources in any case, and heat radiation becomes easy.
  • the thickness of the sapphire plate 11 is 0.2 mm or more, it can have sufficient mechanical strength as a holding member for the wavelength conversion material 13. In particular, if the thickness of the sapphire plate 11 is 1 mm or more, deformation or breakage due to local heat generation by laser light irradiation is unlikely to occur. Further, when the thickness of the sapphire plate 11 is in the range of 2 mm or more and 4 mm or less, the heat dissipation can be increased. In addition, when the thickness of the sapphire plate 11 is increased, the positional deviation between the normal light 16a and the abnormal light 16b is increased. Therefore, when the thickness of the sapphire plate 11 is 2 mm or more, the positional deviation between the normal light 16 a and the abnormal light 16 b irradiated to the wavelength conversion material 13 can be made relatively large.
  • the angle between the axis perpendicular to the main surface (the first surface 11a and the second surface 11b) of the sapphire plate 11 and the c-axis 11c of the sapphire plate 11 may be 0.1 ° or more.
  • the first surface 11 a and the second surface 11 b of the sapphire plate 11 may have an offset angle of 0.1 ° or more from the c-plane.
  • the first surface 11a and the second surface 11b of the sapphire plate 11 have an offset angle of 0.1 ° or more from the c-plane
  • the first surface 11a of the sapphire plate 11 and the A step structure having a height of several angstroms and a width of several tens to several hundreds of angstroms is formed on the two surfaces 11b.
  • the larger the offset angle the larger the step height and the smaller the width.
  • the offset angle may be 0.5 ° or more.
  • the first surface 11 a and the second surface 11 b of the sapphire plate 11 have an offset angle of 0.1 ° or more from the surface perpendicular to the c-plane
  • the first surface of the sapphire plate 11 can be manufactured.
  • a step structure having a height of several angstroms and a width of several tens to several hundreds angstroms is formed on the surface 11a and the second surface 11b.
  • the larger the offset angle the larger the step height and the smaller the width.
  • the offset angle may be 0.5 ° or more.
  • the first surface 11a and the second surface 11b of the sapphire plate 11 have such a step structure, these films are adsorbed to the step portion in the step of forming an antireflective film, a dichroic film, and the wavelength conversion material 13 described later.
  • the step structure is sufficiently small when the first excitation light 15a has a blue wavelength of about 460 nm, for example, so that the influence on the optical characteristics of the light source device 1 can not be perceived Suppressed.
  • the sapphire plate 11 By applying heat treatment or plasma treatment as pretreatment for forming a film on the surfaces of the first surface 11a and the second surface 11b of the sapphire plate 11, a step structure having more uniform steps on the main surfaces 11a and 11b is obtained. It is easy to occur. By such a step structure, the adhesion strength between the sapphire plate 11 and the film is high, and the variation in the adhesion strength is reduced.
  • the sapphire plate 11 may be heat-treated at a temperature of 800 ° C. or more, for example, 1000 ° C. for about 3 hours.
  • the first excitation light 15 a may be condensed to a diameter of about 0.5 mm to 3 mm and irradiated to the wavelength conversion material 13. As described above, by increasing the light density of the first excitation light 15 a incident on the wavelength conversion material 13, it is possible to obtain the compact and high-intensity light source device 1. In addition, it becomes possible to make a lighting device excellent in design.
  • the light source device 1 may include, between the sapphire plate 11 and the wavelength conversion material 13, a dichroic film (not shown) that transmits the first excitation light 15a and reflects the wavelength converted light. Moreover, you may equip the 2nd surface 11b of the sapphire board 11 with an anti-reflective film (not shown) which reduces the reflectance of the 1st excitation light 15a.
  • the dichroic film and the anti-reflection film can enhance the light emission efficiency of the light source device 1.
  • the sapphire plate 11 and the wavelength conversion material 13 may be in direct contact or may be in indirect contact with a dichroic film or the like interposed therebetween.
  • the wavelength conversion material 13 is, for example, a phosphor.
  • the wavelength conversion material 13 may be a ceramic phosphor, and with such a configuration, the light source device 1 is excellent in heat resistance.
  • the illumination device 21 of the present disclosure has a reflecting plate 23 a and a lens 23 b which are light guiding members 23 for guiding light emitted by the light source device 1 of the present disclosure in a desired direction.
  • the light source device 1 is simplified and described.
  • the illumination device 21 of the present disclosure is suitable for a spotlight, a headlight for a mobile such as a vehicle, and the like.
  • vehicle headlamps in particular, a traveling headlamp (so-called high beam) is required to have the ability to identify obstacles in traffic at a distance of 100 m ahead at night.
  • the light source device 1 and the illumination device 21 of the present disclosure can suppress the deterioration of the wavelength conversion material 13 even when the irradiation distance is a high light amount of 100 m or more, for example, 600 m.
  • the light source device 1 may be designed such that the sapphire plate 11 is cooled by the air flow.
  • the air flow may be cooled by using a blower such as a fan to cool the sapphire plate 11.
  • you may utilize the air flow which arises with the movement of mobile bodies, such as a vehicle.
  • cooling fins may be connected to the sapphire plate 11.
  • the cooling fins may be formed on at least a part of the portion other than the range of the sapphire plate 11 to which the light is irradiated.
  • the average value of the transmittance in the wavelength region of 200 to 400 nm of the sapphire plate 11 may be smaller than the average value of the transmittance in the wavelength region of 400 to 800 nm.
  • the sapphire plate 11 may have an absorption band in a wavelength range of 205 to 260 nm. Atmosphere during heat treatment or after heat treatment of sapphire is controlled to a reducing atmosphere, and defects due to oxygen vacancies are introduced into sapphire, thereby having an absorption band in the ultraviolet light region and ultraviolet light Sapphire can be produced which is reduced. Sapphire having defects caused by oxygen vacancies has defects called F center and F + center. The F center has absorption bands at 205 nm and the F + center at 210 nm, 230 nm, and 260 nm. When the sapphire plate 11 having an absorption band in such a wavelength range of 205 nm to 260 nm is used, it is possible to attenuate the ultraviolet light entering the inside of the light source device 1.
  • the light source device 1 of the present disclosure is suitable for the illumination device 21 for a mobile body that is often exposed to external light such as sunlight.
  • the moving body is, for example, a vehicle, and also includes a ship, an airplane and the like.
  • the wavelength conversion material can be prevented from being damaged by the stress due to the temperature difference between the heat generating portion and the region outside the heat generating portion, it is possible to provide a light source device and a lighting device in which performance degradation and damage due to heat hardly occur.
  • first excitation light source 15a first excitation light 15b: optical axis 16a of first excitation light Normal light 16b: Abnormal light 17: Second excitation light source 17a: Second excitation light 17b: Optical axis 19 of second excitation light 19: Third excitation light source 19a: Third excitation light 19b: Optical axis 21 of third excitation light

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Abstract

要約書本開示の光源装置は、対向する第１面と第２面とを有するサファイア板と、該サファイア板の前記第１面に対向して位置する波長変換材と、指向性を有する第１励起光を前記第２面を通じて前記波長変換材に出射する第１励起光源とを備えた光源装置であって、前記第１面および前記第２面と、サファイアのｃ軸とのなす角は、８９°を越え、９１°未満であり、前記ｃ軸と、前記第１励起光の光軸とのなす角は、１°以上である。

Description

光源装置および照明装置
　本開示は、光源装置および照明装置に関する。
　近年、ＬＥＤや半導体レーザ（ＬＤ）を光源とする照明装置が、車両用前照灯などの用途で利用され始めている。この照明装置で使用される光源装置は、蛍光体などの波長変換材に照射された励起光を波長変換して、直接または間接的に白色光を生成するものである。
　この白色光を反射板やレンズを用いて所望の方向に照射することで、従来の照明装置に比べて光量の大きな照明装置となる。
　この波長変換材の変換効率は１００％ではなく、照射された励起光のエネルギーの一部は、熱となる。そのため、波長変換材を保持する保持板には、透光性に加え、放熱性能が求められる。
　サファイアは、光の透過率と熱伝導率が高く、保持板の材質として優れている。例えば、特許文献１および２には、レーザ光源と、蛍光体と、蛍光体を保持するサファイア板とを備える光源装置および照明装置が記載されており、サファイア板に対して、レーザ光を垂直に照射した例が記載されている。
特開２０１３－２５４６９０号公報 ＷＯ２０１７／０３８１６４号公報
　本開示の光源装置は、対向する第１面と第２面とを有するサファイア板と、該サファイア板の前記第１面に対向して位置する波長変換材と、指向性を有する第１励起光を前記第２面を通じて前記波長変換材に出射する第１励起光源とを備え、前記第１面および前記第２面と、サファイアのｃ軸とのなす角は、８９°を越え、９１°未満であり、前記ｃ軸と、前記第１励起光の光軸とのなす角は、１°以上である。
　本開示の光源装置は、対向する第１面と第２面とを有するサファイア板と、該サファイア板の前記第１面に対向して位置する波長変換材と、指向性を有する第１励起光を前記第２面を通じて前記波長変換材に出射する第１励起光源とを備え、前記第１面および前記第２面と、サファイアのｃ軸とのなす角は、１°未満であり、前記ｃ軸と、前記第１励起光の光軸とのなす角は、８９°以下である。
　また、本開示の照明装置は、前記光源装置と導光部材とを備える。
第１および第２の実施形態に係る光源装置の断面概略図である。 サファイアの結晶構造を示す模式図である。 正常光と異常光の位置ずれを示す模式図である。 サファイア板の主面に対する励起光の入射角と反射率の関係を示すグラフである。 図１の第１変形例に係る光源装置の断面概略図である。 図１の第２変形例に係る光源装置の断面概略図である。 図１の第３変形例に係る光源装置の上面視における概略図である。 図１の第４変形例に係る光源装置の上面視における概略図である。 本開示の照明装置の断面概略図である。
　本開示の光源装置、およびそれを用いた照明装置について、図を参照しながら説明する。図１は、第１および第２の実施形態に係る光源装置１の断面概略図である。
　本開示の光源装置１は、対向する第１面１１ａと第２面１１ｂとを有するサファイア板１１を備えている。
　サファイアとは、酸化アルミニウム（化学式Ａｌ2Ｏ3）の単結晶をいう。図２（ａ）～（ｄ）にそれぞれ示すように、サファイアは代表的な結晶面として、ｃ面、ｍ面、ａ面、ｒ面等の結晶面を有している。これらの結晶面に垂直な軸を、それぞれｃ軸、ｍ軸、ａ軸、ｒ軸という。
　サファイア板１１の結晶方位は、Ｘ線回折装置を用いて特定することができる。例えば、Ｘ線回折装置として、株式会社リガク製の自動Ｘ線結晶方位測定装置（型式２９９１Ｆ２）等を用いればよい。
　本開示の光源装置１は、サファイア板１１の第１面１１ａに対向して位置する波長変換材１３とを備えている。本開示の光源装置１は、指向性を有する第１励起光１５ａを出射する第１励起光源１５を備えている。第１励起光１５ａは、サファイア板１１の第２面を通じて波長変換材１３に照射される。
　波長変換材１３は、照射された第１励起光１５ａの波長を変換し、例えば、白色光とし、照明のための光とする。
　本開示の光源装置１におけるサファイア板１１は、第１面１１ａと第２面１１ｂとサファイアのｃ軸とのなす角が、８９°を越え、９１°未満である。言い換えると、サファイア板１１の第１面１１ａと第２面１１ｂは、サファイアのｃ面からの傾きが１°よりも小さい。
　第１励起光１５ａがサファイア板１１を通過し、波長変換材１３に照射されると、第１励起光１５ａのエネルギーの一部により、波長変換材１３およびサファイア板１１の温度が高くなる。
　サファイア板１１は、板状であるため、厚み方向の長さよりも、平面方向の長さが長い。従って、平面方向の寸法変化の方が厚み方向の寸法変化よりも大きくなる。そこで、平面方向の熱膨張係数を同じとすると、平面方向の熱膨張差に起因するサファイア板１１からの波長変換材１３の剥離や波長変換材１３の損傷を抑制することができる。
　サファイアの４０℃から４００℃における熱膨張係数は、サファイアのｃ軸に平行な方向が７．７×１０-6／℃であり、ｃ軸に垂直な方向が７．０×１０-6／℃である。このように、サファイアは、熱膨張係数に異方性を有する材料である。
　サファイアは、ｃ軸と垂直な方向では、いずれの方向であっても同じ熱膨張係数を有するため、サファイア板１１の第１面１１ａと第２面１１ｂと、サファイアのｃ軸とのなす角を８９°を越え、９１°未満の範囲とすると、平面方向において発生する熱膨張係数の差を小さくすることができる（第１の実施形態）。
　サファイアは、ｃ軸と平行な方向では、いずれの方向であっても同じ熱膨張係数を有するため、サファイア板１１の第１面１１ａと第２面１１ｂと、サファイアのｃ軸とのなす角を１°未満の範囲とすると、平面方向において発生する熱膨張係数の差を小さくすることができる（第２の実施形態）。
　サファイアは、機械的強度に異方性があり、サファイア板１１の主面１１ａ、１１ｂがｃ軸と平行となるとき、サファイア板１１の抗折強度が大きくなる。特に、ａ面が最も高い強度を示す。サファイア板１１の破損を抑制し、破損しにくい光源装置１とするためには、サファイア板１１の主面１１ａ、１１ｂをｃ軸と平行とするとよい。ここで、平行とは、なす角が１°以下であることとする（第２の実施形態）。
　サファイアの抗折強度は、ａ面のｃ軸方向で最大となるため、サファイア板１１が長軸（長辺）方向と短軸（短辺）方向を有する、例えば矩形板状などの形状の場合、サファイア板１１の主面をａ面とし、長軸方向をｃ軸方向とするとよい。また、主面をｍ面とすると、面方向の抗折強度の異方性が小さいため、例えば円板状のサファイア板１１の主面をｍ面とするとよい（第２の実施形態）。
　本開示の光源装置１においては、サファイア板１１のｃ軸１１ｃと、第１励起光１５ａの光軸１５ｂとのなす角は、１°以上である。言い換えると、図１に示すように、サファイア板１１の第２面１１ｂに対して、第１励起光１５ａが、斜めに入射している（第１の実施形態）。
　また、本開示の光源装置１においては、サファイア板１１のｃ軸１１ｃと、第１励起光１５ａの光軸１５ｂとのなす角は、８９°以下である。言い換えると、図１に示すように、サファイア板１１の第２面１１ｂに対して、第１励起光１５ａが、斜めに入射している（第２の実施形態）。
　サファイアは複屈折性を有する結晶である。複屈折とは、光線が物質を透過したときに、その偏光の状態によって、正常光と異常光の２つに分けられることをいう。２種類の光の屈折率は、光がサファイア板１１の光学軸（ｃ軸）１１ｃと同軸で進行するときは一致し、光が２つに分かれることはない。一方、光の進行方向がサファイア板１１の光学軸１１ｃと同軸でない場合には、正常光の屈折率は、光の光学軸に対する角度には依存しないが、異常光の屈折率は、光の光学軸１１ｃに対する角度に依存して変化する。
　例えば、光軸１５ｂに対して垂直な第１励起光１５ａの断面形状が円形である場合、第１励起光１５ａが、サファイア板１１の光学軸１１ｃと同軸でない場合、光軸１５ｂに垂直な断面形状が円形の第１励起光１５ａがサファイア板１１を通過する過程で、図３に示すように、第１励起光１５ａは実線で示す正常光１６ａと破線で示す異常光１６ｂとに分かれ、２つの円が重なった状態となり、おおよそ楕円の形となる。
　このとき、正常光１６ａのみを含む領域および異常光１６ｂのみを含む領域に比べ、正常光１６ａと異常光１６ｂの両方を含む領域では、光量が多くなる。従って、光量の多い領域の外側に光量の少ない領域が配置されることになる。さらに、光量の少ない領域の外側には、第１励起光１５ａが照射されない領域が存在している。
　光量が多いほど、波長変換材１３の発熱量が大きくなるため、本開示の光源装置１では、発熱量の大きい領域の外側に発熱量の小さい領域が配置されることになる。また、その外側に第１励起光１５ａが照射されず発熱しない領域が存在する。
　光が照射されない領域は、光の照射により発生した熱を伝達し、放射する領域となるために光が当たる領域と、その外側の領域とで温度差が生じる。この温度差が急峻であるほど、波長変換材１３やサファイア板１１には、熱膨張にともない発生したひずみが大きくなる。
　本開示の光源装置１では、サファイア板１１が有する複屈折性という性質を利用して、第１励起光１５ａを正常光１６ａと異常光１６ｂとに分けて、発熱量の大きい領域の外側に発熱量の小さい領域を配置することで、波長変換材１３やサファイア板１１に生じる温度差を比較的なだらかにすることができ、波長変換材１３がサファイア板１１から剥離することを抑制することができる。
　この複屈折性を利用した正常光１６ａと異常光１６ｂの位置のずれは、第１励起光１５ａの光軸１５ｂとサファイア板１１のｃ軸１１ｃとのなす角および入射角によって変化する。空気中からサファイア板１１の第２面１１ｂに入射角θａで入射した光は、空気とサファイア板１１との界面（第２面１１ｂ）で屈折して、サファイア板１１の中を屈折角θｂで伝搬する。サファイア板１１の屈折率をＮとした時、スネルの法則より、ｓｉｎθａ／ｓｉｎθｂ＝Ｎである。この関係を用いて、正常光１６ａと異常光１６ｂの位置のずれを計算することができる。
　（第１の実施形態）例えば、厚みが３．０ｍｍのｃ面を主面とするサファイア板１１の第２面１１ｂに波長４８８ｎｍの第１励起光１５ａ（正常光の屈折率は、１．７７５、異常光の屈折率は、１．７６７～１．７７５）が入射したとき、正常光１６ａと異常光１６ｂの屈折率の違いによる第１面１１ａにおける位置ずれは、入射角θａが２０°であれば０．３μｍ、４０°であれば２．０μｍ、６０°であれば５．０μｍになる。そこで、ｃ軸１１ｃと、第１励起光１５ａの光軸１５ｂとのなす角は、２０°以上、さらに好ましくは４０°以上としてもよい。
　（第２の実施形態）例えば、厚みが３．０ｍｍのａ面を主面とするサファイア板１１の第２面１１ｂに波長４８８ｎｍの第１励起光１５ａ（正常光の屈折率は、１．７７５、異常光の屈折率は、１．７６７～１．７７５）が図１のように、ｃ軸に平行（ｃ軸１１ｃとのなす角が０°）な入射面で入射したとき、正常光１６ａと異常光１６ｂの屈折率の違いによる第１面１１ａにおける位置ずれは、入射角θａが０°と９０℃の時に０となり、入射角θａが２０°であれば２．３μｍ、４０°であれば２．９μｍ、６０°であれば１．６μｍになる。
　また、波長４８８ｎｍの第１励起光１５ａがｃ軸に垂直（ｃ軸とのなす角が９０°）な入射面で入射したとき、正常光１６ａと異常光１６ｂの屈折率の違いによる第１面１１ａにおける位置ずれは、入射角θａが大きいほど大きくなり、入射角θａが２０°であれば２．６μｍ、４０°であれば４．９μｍ、６０°であれば６．６μｍになる。
　そこで、ｃ軸１１ｃと、第１励起光１５ａの光軸１５ｂとのなす角は、２０°以上、さらに好ましくは４０°以上としてもよい。上記のように、第１励起光１５ａの入射面とｃ軸１１ｃとのなす角、つまり、第１励起光１５ａの光軸１５ｂの第２主面１１ｂへの投影線と、ｃ軸１１ｃとのなす角が大きいほど複屈折の大きさが大きくなるので、第１励起光１５ａの入射面とｃ軸１１ｃとのなす角、つまり、第１励起光１５ａの光軸１５ｂの第２主面１１ｂへの投影線と、ｃ軸１１ｃとのなす角を２０°以上とするとさらによい。
　また、第２主面１１ｂに対する第１励起光１５ａの入射角は、７５°以下としてもよい。なお、入射角とは、第２主面１１ｂに垂直に第１励起光１５ａが入射したとき、０°となるものである。
　図４に示すように、第２主面１１ｂに対する第１励起光１５ａの入射角によって、第１励起光１５ａが第２主面１１ｂで反射する割合が変化する。第１励起光１５ａのうち、反射した分は、発光に寄与しない。そのため、反射率が大きくなると発光効率が低下するため、反射を減らすことが求められる。
　図４のグラフは、サファイア板１１の表面が鏡面である場合の第２主面１１ｂに対する波長４８８ｎｍの第１励起光１５ａの入射角と反射率との関係を算出したものである。なお、正常光１６ａと異常光１６ｂの屈折率の差は小さい。そのため、このグラフは、正常光１６ａの屈折率のみを用いて、算出したものであり、異常光１６ｂについては無視している。
　グラフにはＰ偏光の反射率とＳ偏光の反射率、Ｐ偏光の反射率とＳ偏光の反射率の平均値を示している。第１励起光１５ａが、偏光されていない自然光であるとすると、第２主面１１ｂに対する第１励起光１５ａの入射角と反射率との関係は、Ｐ偏光の反射率とＳ偏光の反射率の平均値で示されることになる。
　第２主面１１ｂに対する第１励起光１５ａの入射角が７５°以下の領域では、比較的、反射率が小さくなっている。そこで、第２主面１１ｂに対する第１励起光１５ａの入射角を７５°以下とすると、第１励起光１５ａが第２主面１１ｂで反射することを抑制でき、発光効率を高くできる。第２主面１１ｂに対する第１励起光１５ａの入射角を５５°以下とすると、さらに反射率を小さくできる。
　（第１の実施形態）正常光１６ａと異常光１６ｂの位置のずれと、第１励起光１５ａが第２主面１１ｂで反射することを考慮すると、第２主面１１ｂに対する第１励起光１５ａの入射角は、４０～５５°の範囲とするとよい。
　（第２の実施形態）正常光１６ａと異常光１６ｂの位置のずれと、第１励起光１５ａが第２主面１１ｂで反射することを考慮すると、第２主面１１ｂに対する第１励起光１５ａの入射角は、２０～５５°の範囲とするとよい。
　本開示の光源装置１は、サファイア板１１の第２主面１１ｂに対して、第１励起光１５ａの光軸１５ｂが斜めに照射される。そのため、第１励起光１５ａが第２主面１１ｂで反射したとしても、その反射光が第１励起光源１５に照射されることを避けることが可能となるため、第１励起光源１５の損傷を抑制することができる。
　図５に示す第１の変形例のように、指向性を有する第２励起光１７ａを、サファイア板１１の第２面１１ｂを通じて波長変換材１３に照射する第２励起光源１７をさらに備えていてもよい。このように複数の励起光源１５、１７を有すると、光源装置１の光量を増加させることができる。また、比較的、光量の小さな第１、第２励起光源１５、１７を組み合わせた場合でも、所望の光量を得ることができる。
　この第２励起光１７ａは、第１励起光１５ａとは、少なくとも一部が波長変換材１３で重なるように配置してもよい。励起光同士が重なるようにすると、波長変換材１３の面積を小さくすることができる。波長変換材１３の面積を小さくできると、波長変換材１３とサファイア板１１とが接触する面積が小さくなる。両者の熱膨張係数が異なる場合、両者の接触面積が小さいほど、熱膨張差に起因する応力が小さくなり、波長変換材１３がサファイア板１１から剥離することを抑制することができる。
　光源装置１が、複数の励起光源１５、１７を有する場合、図５に示すように、ｃ軸１１ｃと第１励起光１５ａの光軸１５ｂのなす角と、ｃ軸１１ｃと第２励起光１７ａの光軸１７ｂのなす角は同じであってもよく、図６に示す第２の変形例のように異なっていてもよい。
　ｃ軸１１ｃと第１励起光１５ａの光軸１５ｂのなす角と、ｃ軸１１ｃと第２励起光１７ａの光軸１７ｂのなす角とが異なるようにすると、第１励起光１５ａと第２励起光１７ａとで正常光のみ、異常光のみが照射される領域の大きさを変えることができるため、これらを組み合わせて、光量の分布を適宜、設計することができる。
　（第１の実施形態）なお、図６に示すように、第１励起光１５ａの光軸１５ｂとｃ軸１１ｃのなす角度が１°以上であれば、第２励起光１７ａの光軸１７ｂとｃ軸とのなす角度が０°であっても構わない。
　（第２の実施形態）図６に示すように、第１励起光１５ａの光軸１５ｂとｃ軸１１ｃのなす角度が８９°以下であれば、第２励起光１７ａの光軸１７ｂとｃ軸とのなす角度が９０°であっても構わない。
　サファイア板１１の第２面１１ｂに垂直な方向から見たとき、第１励起光１５ａの光軸１５ｂと第２励起光１７ａの光軸１７ｂとのなす角が、１°以上１７９°以下の範囲としてもよい。例えば、図７に示す第３の変形例のように、第１励起光１５ａの光軸１５ｂと第２励起光１７ａの光軸１７ｂとのなす角を８０°～１００°の範囲である９０°として第１励起光１５ａと第２励起光１７ａが波長変換材１３で重なるようにすると、左右方向、上下方向の双方に、正常光のみ、異常光のみが照射される領域を配置することができ、より、温度差をなだらかにすることができる。
　本開示の光源装置１においては、図８に示す第４の変形例のように、指向性を有する第３励起光１９ａを出射する第３励起光源１９をさらに有していてもよい。このような構成とすると、光源装置１の光量をさらに増加させることができる。また、第２面１１ｂに垂直な方向から見たとき、第１励起光１５ａ、第２励起光１７ａ、第３励起光１９ａのそれぞれの光軸１５ｂ、１７ｂ、１９ｂを、第２面１１ｂに投影したときのそれぞれの間の角度を同じとし、間の角度を１２０°としてもよい。このような構成とすると、波長変換材１３に照射される励起光１５ａ、１７ａ、１９ａの光軸同士のなす角を等間隔とすることができ、温度差の分布を規則性のあるものとすることができる。
　光源装置１は、第１励起光１５ａの光軸１５ｂと、第２励起光１７ａの光軸１７ｂはサファイア板１１の第２面１１ｂにおける照射位置に対して、非対称な方向に配置されていてもよい。つまり、複数の励起光源１５、１７は、お互いに一方の全反射光が他方に照射されないように配置されていてもよい。これにより、励起光１５ａ、１７ａがサファイア板１１で反射しても、他の励起光源１５、１７に照射されて励起光源１５、１７が損傷することを抑制できる。
　本開示の光源装置１においては、励起光源１５、１７、１９をレーザ光源としてもよい。レーザ光源から出射されるレーザ光は、指向性が高く、出力も高いため、光源装置１の出力を大きくすることができる。また、励起光源１５、１７、１９をＬＥＤとしてもよく、変形自在な光ファイバーを用いて、励起光を誘導してもよい。このような構成であると光源装置１の設計の自由度が大きくなる。また、いずれも発熱源となる波長変換材１３と励起光源１５、１７、１９との距離を離すことで熱源を離すことができ、放熱が容易となる。
　サファイア板１１の厚みは０．２ｍｍ以上であれば、波長変換材１３の保持部材として充分な機械的強度を有することができる。特にサファイア板１１の厚みが１ｍｍ以上であれば、レーザ光照射による局所的な発熱による変形や破損が生じにくい。また、サファイア板１１の厚みを２ｍｍ以上、４ｍｍ以下の範囲とすると放熱性を大きくすることができる。また、サファイア板１１の厚みが厚くなると正常光１６ａと異常光１６ｂの位置のずれは大きくなる。そのため、サファイア板１１の厚みを２ｍｍ以上とすると、波長変換材１３に照射される正常光１６ａと異常光１６ｂの位置のずれを比較的大きくすることができる。
　サファイア板１１の主面（第１面１１ａおよび第２面１１ｂ）に垂直な軸と、サファイア板１１のｃ軸１１ｃのなす角度を０．１°以上としてもよい。言い換えると、サファイア板１１の第１面１１ａ、第２面１１ｂが、ｃ面から０．１°以上のオフセット角を有していてもよい。
　（第１の実施形態）サファイア板１１の第１面１１ａ、第２面１１ｂが、ｃ面から０．１°以上のオフセット角を有していると、サファイア板１１の第１面１１ａ、第２面１１ｂに高さ数Å、幅数１０～数１００Å程度のステップ構造が形成される。オフセット角が大きいほどステップの高さは大きく、幅は小さくなる。ステップ構造を大きくするために、オフセット角を０．５°以上としてもよい。
　（第２の実施形態）サファイア板１１の第１面１１ａ、第２面１１ｂが、ｃ面に垂直な面から０．１°以上のオフセット角を有していると、サファイア板１１の第１面１１ａ、第２面１１ｂに高さ数Å、幅数１０～数１００Å程度のステップ構造が形成される。オフセット角が大きいほどステップの高さは大きく、幅は小さくなる。ステップ構造を大きくするために、オフセット角を０．５°以上としてもよい。
　このような構成とすると、サファイア板１１の第１面１１ａ、第２面１１ｂに比較的大きなステップ構造が形成される。
　サファイア板１１の第１面１１ａ、第２面１１ｂがこのようなステップ構造を有すると、後述する反射防止膜、ダイクロイック膜、波長変換材１３の形成工程で、これらの膜がステップ部に吸着しやすい。そのため、サファイア板１１に均一な製膜が可能となるとともに、アンカー効果によりサファイア板１１と膜との密着力が向上し、サファイア板１１が加熱、冷却を繰り返して、これらの膜が剥がれることを抑制することができる。
　なお、ステップ構造は、第１励起光１５ａが、例えば、４６０ｎｍ程度の青色の波長を有する場合、その波長と比べて充分小さいので、光源装置１の光学的特性への影響は知覚し得ない程度に抑制される。
　サファイア板１１の第１面１１ａ、第２面１１ｂの表面に膜を形成するための前処理として熱処理やプラズマ処理を施すことで、主面１１ａ、１１ｂに、より均一な段差を有するステップ構造が生じやすい。このようなステップ構造によってサファイア板１１と膜との密着強度が高く、また、密着強度のばらつきが小さくなる。例えば、前処理としてサファイア板１１を８００℃以上の温度、例えば１０００℃で３時間程度熱処理するとよい。
　第１励起光１５ａは、０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下程度の径に集光して波長変換材１３に照射するとよい。このように、波長変換材１３に入射する第１励起光１５ａの光密度を高めることで、小型で高輝度の光源装置１を得ることができる。また、デザイン性に優れた照明装置とすることが可能になる。
　光源装置１は、サファイア板１１と波長変換材１３との間に、第１励起光１５ａを透過し、波長変換光を反射する、ダイクロイック膜（図示せず）を備えていてもよい。また、サファイア板１１の第２面１１ｂに、第１励起光１５ａの反射率を低減させる、反射防止膜（図示せず）を備えていてもよい。ダイクロイック膜および反射防止膜は、光源装置１の発光効率を高めることができる。
　サファイア板１１と波長変換材１３は、直接接触していてもよく、間にダイクロイック膜等を挟んで間接的に接触していてもよい。
　波長変換材１３は、例えば蛍光体である。特に波長変換材１３は、セラミック蛍光体であってもよく、このような構成であれば、耐熱性に優れた光源装置１となる。
　図９に示すように、本開示の照明装置２１は、本開示の光源装置１が発する光を所望の方向に誘導する導光部材２３である反射板２３ａやレンズ２３ｂを有する。なお、図９においては、光源装置１を簡略化して記載した。本開示の照明装置２１は、スポットライト、車両などの移動体用前照灯などに好適である。車両用前照灯のうち、特に走行用前照灯（いわゆるハイビーム）は、夜間にその前方１００ｍの距離にある交通上の障害物を確認できる性能を有することが求められる。本開示の光源装置１および照明装置２１は、照射距離が１００ｍ以上、例えば６００ｍの高い光量としても、波長変換材１３の劣化を抑制することができる。
　また、光源装置１は、サファイア板１１が気流により冷却されるように設計してもよい。気流による冷却は、サファイア板１１を空冷するためにファンなどの送風体を用いればよい。また、車両などの移動体の移動に伴って生じる気流を利用してもよい。また、冷却効果を向上させるため、サファイア板１１に冷却フィンを接続してもよい。冷却フィンは、サファイア板１１の光が照射される範囲以外の部分の少なくとも一部に、形成されていればよい。
　また、サファイア板１１として、照射した光のうち、紫外光など所定の波長領域の光を減衰するものを用いると、外光による第１励起光源１５などの光源装置１の構成部材の損傷を抑制することができる。例えば、サファイア板１１の２００～４００ｎｍの波長領域における透過率の平均値が、４００～８００ｎｍの波長領域における透過率の平均値よりも小さくてもよい。サファイア板１１がこのような構成を満たすときには、いわゆる紫外光領域の光を減衰させ、光源装置１内に侵入した太陽光に含まれる紫外光による第１励起光源１５などの損傷を抑制することができる。
　また、サファイア板１１は、２０５～２６０ｎｍの波長領域に吸収帯を有していてもよい。サファイアの結晶育成時または、育成後の熱処理時の雰囲気を還元製雰囲気に制御して、酸素空孔に起因する欠陥をサファイアに導入することで、紫外光領域に吸収帯を持ち、紫外光を減少させられるサファイアを製造することができる。酸素空孔に起因する欠陥を有するサファイアは、Ｆセンター、Ｆ＋センターと呼ばれる欠陥を有している。Ｆセンターは２０５ｎｍ、Ｆ＋センターは、２１０ｎｍ、２３０ｎｍ、２６０ｎｍに吸収帯を持っている。このような２０５ｎｍ～２６０ｎｍの波長領域に吸収帯を有するサファイア板１１を用いると、光源装置１の内部に侵入する紫外光を減衰させることができる。
　このように、本開示の光源装置１は、太陽光などの外部光に曝されることの多い移動体用の照明装置２１に好適である。移動体とは、例えば車両であり、船舶や飛行機なども含む。
　このような光源装置においては、光量を増大させても、波長変換材の発熱量が増大し、熱により波長変換材が劣化することを抑制できる。また、発熱部分とその外側の領域の温度差による応力で、波長変換材が損傷することを抑制できるので、熱による性能低下や損傷が起こりにくい光源装置および照明装置を提供することができる。
　以上、本開示の光源装置およびそれを用いた照明装置の実施形態について説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載の範囲内において、種々の改良および変更を行なってもよい。
１　　：光源装置
１１　：サファイア板
１１ａ：第１面
１１ｂ：第２面
１１ｃ：ｃ軸
１３　：波長変換材
１５　：第１励起光源
１５ａ：第１励起光
１５ｂ：第１励起光の光軸
１６ａ：正常光
１６ｂ：異常光
１７　：第２励起光源
１７ａ：第２励起光
１７ｂ：第２励起光の光軸
１９　：第３励起光源
１９ａ：第３励起光
１９ｂ：第３励起光の光軸
２１　：照明装置
２３　：導光部材
２３ａ：反射板
２３ｂ：レンズ

Claims (12)

  1. 　対向する第１面と第２面とを有するサファイア板と、
    　該サファイア板の前記第１面に対向して位置する波長変換材と、
    　指向性を有する第１励起光を前記第２面を通じて前記波長変換材に出射する第１励起光源とを備えた光源装置であって、
    　前記第１面および前記第２面と、サファイアのｃ軸とのなす角は、８９°を越え、９１°未満であり、
    　前記ｃ軸と、前記第１励起光の光軸とのなす角は、１°以上である光源装置。
  2. 　対向する第１面と第２面とを有するサファイア板と、
    　該サファイア板の前記第１面に対向して位置する波長変換材と、
    　指向性を有する第１励起光を前記第２面を通じて前記波長変換材に出射する第１励起光源とを備えた光源装置であって、
    　前記第１面および前記第２面と、サファイアのｃ軸とのなす角は、１°未満であり、
    　前記ｃ軸と、前記第１励起光の光軸とのなす角は、８９°以下である光源装置。
  3. 　前記ｃ軸と、前記第１励起光の光軸とのなす角は、２０°以上である請求項１または請求項２に記載の光源装置。
  4. 　前記第２主面に対する前記第１励起光の入射角は、７５°以下である請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光源装置。
  5. 　指向性を有する第２励起光を前記第２面を通じて前記波長変換材に出射する第２励起光源をさらに備え、前記第１励起光と、前記第２励起光とは、少なくとも一部が前記波長変換材で重なる請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の光源装置。
  6. 　前記ｃ軸と、前記第１励起光の光軸とのなす角と、前記ｃ軸と、前記第２励起光の光軸とのなす角は、異なっている請求項５に記載の光源装置。
  7. 　前記第２面に垂直な方向から見たとき、前記第１励起光の光軸と前記第２励起光の光軸のなす角度が８０°以上１００°以下である請求項５または請求項６に記載の光源装置。
  8. 　前記サファイア板と前記波長変換材との間に、前記励起光を透過し、前記波長変換材から出射する波長変換光を反射する、ダイクロイック膜を備える、請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の光源装置。
  9. 　前記サファイア板の前記第２面に、前記励起光の反射率を低減させる、反射防止膜を備える、請求項１乃至８のいずれかに記載の光源装置。
  10. 　請求項１乃至９のいずれかに記載の光源装置と、導光部材とを備えた照明装置。
  11. 　前記サファイア板の第１面、第２面が、ｃ面から０．１°以上のオフセット角を有している請求項１に記載の光源装置。
  12. 　前記サファイア板の第１面、第２面が、ｃ面に垂直な面から０．１°以上のオフセット角を有している請求項２に記載の光源装置。
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